ヒューズ装置
【課題】負荷保護回路に対する着脱作業をシンプルにする。
【解決手段】正常時にＭＯＳＦＥＴ6がターンオンされることにより、電流がＭＯＳＦＥＴ6を介して負荷に供給され、異常時にＭＯＳＦＥＴ6がターンオフされることにより、過電流がＭＯＳＦＥＴ6によって遮断され、負荷に供給されなくなる負荷保護回路の一部を構成するヒューズ装置10において、ヒューズ装置10を前向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム3の前端部3b、ソースメイン端子部5aの前端部5a2、ゲートリードフレーム4の前端部4bおよびソース信号端子部5bの前端部5b1が雌ターミナル12a,13a,11a,11bに差し込まれて固定される。
【解決手段】正常時にＭＯＳＦＥＴ6がターンオンされることにより、電流がＭＯＳＦＥＴ6を介して負荷に供給され、異常時にＭＯＳＦＥＴ6がターンオフされることにより、過電流がＭＯＳＦＥＴ6によって遮断され、負荷に供給されなくなる負荷保護回路の一部を構成するヒューズ装置10において、ヒューズ装置10を前向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム3の前端部3b、ソースメイン端子部5aの前端部5a2、ゲートリードフレーム4の前端部4bおよびソース信号端子部5bの前端部5b1が雌ターミナル12a,13a,11a,11bに差し込まれて固定される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、正常時にＭＯＳＦＥＴがターンオンされることにより、電流がＭＯＳＦＥＴを介して負荷に供給され、異常時にＭＯＳＦＥＴがターンオフされることにより、過電流がＭＯＳＦＥＴによって遮断され、負荷に供給されなくなる負荷保護回路の一部を構成するヒューズ装置に関し、特には、負荷保護回路に対する着脱作業をシンプルにすることができるヒューズ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、正常時にＭＯＳＦＥＴがターンオンされることにより、電流がＭＯＳＦＥＴを介して負荷に供給され、異常時にＭＯＳＦＥＴがターンオフされることにより、過電流がＭＯＳＦＥＴによって遮断され、負荷に供給されなくなる負荷保護回路の一部を構成するヒューズ装置が知られている。この種のヒューズ装置の例としては、例えば特開２００８−１２５１９１号公報に記載されたものがある。
【０００３】
特開２００８−１２５１９１号公報に記載されたヒューズ装置は、車両の電装品を保護する回路に適用されている。詳細には、特開２００８−１２５１９１号公報に記載されたヒューズ装置は、電源ラインと負荷（電装品）との間に設けられている。
【０００４】
特開２００８−１２５１９１号公報に記載されたヒューズ装置では、電源ラインから負荷（電装品）に過電流が供給される時に、ヒューズ装置のＭＯＳＦＥＴがターンオフされる。その結果、過電流がＭＯＳＦＥＴによって遮断されて、負荷（電装品）に供給されなくなり、負荷（電装品）が保護される。一方、電源ラインから負荷（電装品）に正常な電流が供給される時には、ヒューズ装置のＭＯＳＦＥＴがターンオンされる。その結果、電流が電源ラインからＭＯＳＦＥＴのドレインおよびソースを介して負荷（電装品）に供給される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１２５１９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、特開２００８−１２５１９１号公報には、ＭＯＳＦＥＴを内蔵するヒューズ装置の詳細な構造について記載されていない。従って、ＭＯＳＦＥＴを内蔵するヒューズ装置の構造によっては、溶断エレメントを内蔵するヒューズが負荷保護回路（車両本体）に着脱される場合よりも、負荷保護回路（車両本体）に対するヒューズ装置の着脱作業が煩雑になってしまうおそれがある。
【０００７】
前記問題点に鑑み、本発明は、負荷保護回路に対する着脱作業をシンプルにすることができるヒューズ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明によれば、前後方向に延びているドレインリードフレーム（３）と、前後方向に延びているゲートリードフレーム（４）と、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）とを、電気絶縁性材料（２）を介在させて放熱板（１）上に載置し、
前後方向に延びているソースメイン端子部（５ａ）と、前後方向に延びているソース信号端子部（５ｂ）と、それらを橋絡するために左右方向に延びている橋絡部（５ｃ）とによって概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）を構成し、
ドレインリードフレーム（３）の搭載部（３ａ）の上面と縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のドレインとが対向するように、ドレインリードフレーム（３）の搭載部（３ａ）上に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）を載置し、
ボンディングワイヤ（７ａ）または板状の接続部材を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のソースと概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソースメイン端子部（５ａ）の接続部（５ａ１）とを電気的に接続し、
ボンディングワイヤ（７ｂ）を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のゲートとゲートリードフレーム（４）の接続部（４ａ）とを電気的に接続し、
放熱板（１）の一部と、電気絶縁性材料（２）と、ドレインリードフレーム（３）の一部と、ゲートリードフレーム（４）の一部と、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）の一部と、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）と、ボンディングワイヤ（７ａ）または板状の接続部材と、ボンディングワイヤ（７ｂ）とを樹脂によって封止し、
正常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）がターンオンされることにより、電流がドレインリードフレーム（３）、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）および概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソースメイン端子部（５ａ）を介して負荷に供給され、異常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）がターンオフされることにより、過電流が縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）によって遮断され、負荷に供給されなくなる負荷保護回路の一部を構成するヒューズ装置（１０）であって、
ヒューズ装置（１０）を前向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）がドレインリードフレーム用雌ターミナル（１２ａ）に差し込まれて固定され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）がソースメイン端子部用雌ターミナル（１３ａ）に差し込まれて固定され、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）がゲートリードフレーム用雌ターミナル（１１ａ）に差し込まれて固定され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）がソース信号端子部用雌ターミナル（１１ｂ）に差し込まれて固定されるように、かつ、
ヒューズ装置（１０）を後向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）がドレインリードフレーム用雌ターミナル（１２ａ）から取り外され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）がソースメイン端子部用雌ターミナル（１３ａ）から取り外され、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）がゲートリードフレーム用雌ターミナル（１１ａ）から取り外され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）がソース信号端子部用雌ターミナル（１１ｂ）から取り外されるように、
ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）と、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）と、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）と、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）とを、互いに平行に前後方向に延ばしたことを特徴とするヒューズ装置（１０）が提供される。
【０００９】
請求項２に記載の発明によれば、前後方向に延びているドレインリードフレーム（３）にストッパ部（３ｃ）を形成し、
前後方向に延びているゲートリードフレーム（４）にストッパ部（４ｃ）を形成し、
概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）の前後方向に延びているソースメイン端子部（５ａ）にストッパ部（５ａ３）を形成し、
概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）の前後方向に延びているソース信号端子部（５ｂ）にストッパ部（５ｂ２）を形成したことを特徴とする請求項１に記載のヒューズ装置（１０）が提供される。
【００１０】
請求項３に記載の発明によれば、放熱板（１）の上面と前側面との境界部分に凹部（１ａ）を形成したことを特徴とする請求項１又は２に記載のヒューズ装置（１０）が提供される。
【００１１】
請求項４に記載の発明によれば、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）およびソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）と、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）およびソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）とを前後方向に離間させて配置したことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のヒューズ装置（１０）が提供される。
【００１２】
請求項５に記載の発明によれば、上面にドレイン用導体パターン（２０ｂ１）とゲート用導体パターン（２０ｂ２）とソース用導体パターン（２０ｂ３）とが形成されたＤＢＣ基板（２０）を放熱板（１）上に載置し、
前後方向に延びているドレインリードフレーム（３）をＤＢＣ基板（２０）のドレイン用導体パターン（２０ｂ１）上に載置し、前後方向に延びているゲートリードフレーム（４）をＤＢＣ基板（２０）のゲート用導体パターン（２０ｂ２）上に載置し、前後方向に延びているソースメイン端子部（５ａ）と、前後方向に延びているソース信号端子部（５ｂ）とをＤＢＣ基板（２０）のソース用導体パターン（２０ｂ３）上に載置し、
ドレインリードフレーム（３）と縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のドレインとを電気的に接続し、
ボンディングワイヤ（７ａ）または板状の接続部材を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のソースとソースメイン端子部（５ａ）とを電気的に接続し、
ボンディングワイヤ（７ｂ）を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のゲートとゲートリードフレーム（４）とを電気的に接続し、
放熱板（１）の一部と、ＤＢＣ基板（２０）と、ドレインリードフレーム（３）の一部と、ゲートリードフレーム（４）の一部と、ソースメイン端子部（５ａ）の一部と、ソース信号端子部（５ｂ）の一部と、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）と、ボンディングワイヤ（７ａ）または板状の接続部材と、ボンディングワイヤ（７ｂ）とを樹脂によって封止し、
正常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）がターンオンされることにより、電流がドレインリードフレーム（３）、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）およびソースメイン端子部（５ａ）を介して負荷に供給され、異常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）がターンオフされることにより、過電流が縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）によって遮断され、負荷に供給されなくなる負荷保護回路の一部を構成するヒューズ装置（１０）であって、
ヒューズ装置（１０）を前向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）がドレインリードフレーム用雌ターミナル（１２ａ）に差し込まれて固定され、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）がソースメイン端子部用雌ターミナル（１３ａ）に差し込まれて固定され、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）がゲートリードフレーム用雌ターミナル（１１ａ）に差し込まれて固定され、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）がソース信号端子部用雌ターミナル（１１ｂ）に差し込まれて固定されるように、かつ、
ヒューズ装置（１０）を後向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）がドレインリードフレーム用雌ターミナル（１２ａ）から取り外され、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）がソースメイン端子部用雌ターミナル（１３ａ）から取り外され、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）がゲートリードフレーム用雌ターミナル（１１ａ）から取り外され、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）がソース信号端子部用雌ターミナル（１１ｂ）から取り外されるように、
ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）と、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）と、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）と、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）とを、互いに平行に前後方向に延ばしたことを特徴とするヒューズ装置（１０）が提供される。
【００１３】
請求項６に記載の発明によれば、放熱板（３０ａ）上に電気絶縁性材料層（３０ｂ）を形成し、電気絶縁性材料層（３０ｂ）上にドレイン用導体パターン（３０ｃ１）とゲート用導体パターン（３０ｃ２）とソース用導体パターン（３０ｃ３）とを形成し、
前後方向に延びているドレインリードフレーム（３）をドレイン用導体パターン（３０ｃ１）上に載置し、前後方向に延びているゲートリードフレーム（４）をゲート用導体パターン（３０ｃ２）上に載置し、前後方向に延びているソースメイン端子部（５ａ）と、前後方向に延びているソース信号端子部（５ｂ）とをソース用導体パターン（３０ｃ３）上に載置し、
ドレインリードフレーム（３）と縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のドレインとを電気的に接続し、
ボンディングワイヤ（７ａ）または板状の接続部材を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のソースとソースメイン端子部（５ａ）とを電気的に接続し、
ボンディングワイヤ（７ｂ）を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のゲートとゲートリードフレーム（４）とを電気的に接続し、
放熱板（３０ａ）の一部と、電気絶縁性材料層（３０ｂ）と、ドレイン用導体パターン（３０ｃ１）と、ゲート用導体パターン（３０ｃ２）と、ソース用導体パターン（３０ｃ３）と、ドレインリードフレーム（３）の一部と、ゲートリードフレーム（４）の一部と、ソースメイン端子部（５ａ）の一部と、ソース信号端子部（５ｂ）の一部と、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）と、ボンディングワイヤ（７ａ）または板状の接続部材と、ボンディングワイヤ（７ｂ）とを樹脂によって封止し、
正常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）がターンオンされることにより、電流がドレインリードフレーム（３）、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）およびソースメイン端子部（５ａ）を介して負荷に供給され、異常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）がターンオフされることにより、過電流が縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）によって遮断され、負荷に供給されなくなる負荷保護回路の一部を構成するヒューズ装置（１０）であって、
ヒューズ装置（１０）を前向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）がドレインリードフレーム用雌ターミナル（１２ａ）に差し込まれて固定され、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）がソースメイン端子部用雌ターミナル（１３ａ）に差し込まれて固定され、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）がゲートリードフレーム用雌ターミナル（１１ａ）に差し込まれて固定され、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）がソース信号端子部用雌ターミナル（１１ｂ）に差し込まれて固定されるように、かつ、
ヒューズ装置（１０）を後向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）がドレインリードフレーム用雌ターミナル（１２ａ）から取り外され、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）がソースメイン端子部用雌ターミナル（１３ａ）から取り外され、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）がゲートリードフレーム用雌ターミナル（１１ａ）から取り外され、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）がソース信号端子部用雌ターミナル（１１ｂ）から取り外されるように、
ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）と、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）と、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）と、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）とを、互いに平行に前後方向に延ばしたことを特徴とするヒューズ装置（１０）が提供される。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１に記載のヒューズ装置（１０）では、前後方向に延びているドレインリードフレーム（３）と、前後方向に延びているゲートリードフレーム（４）と、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）とが、電気絶縁性材料（２）を介して放熱板（１）上に載置されている。また、前後方向に延びているソースメイン端子部（５ａ）と、前後方向に延びているソース信号端子部（５ｂ）と、それらを橋絡するために左右方向に延びている橋絡部（５ｃ）とによって概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）が構成されている。
【００１５】
更に、請求項１に記載のヒューズ装置（１０）では、ドレインリードフレーム（３）の搭載部（３ａ）の上面と縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のドレインとが対向するように、ドレインリードフレーム（３）の搭載部（３ａ）上に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）が載置されている。また、ボンディングワイヤ（７ａ）または板状の接続部材を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のソースと概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソースメイン端子部（５ａ）の接続部（５ａ１）とが電気的に接続されている。更に、ボンディングワイヤ（７ｂ）を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のゲートとゲートリードフレーム（４）の接続部（４ａ）とが電気的に接続されている。
【００１６】
また、請求項１に記載のヒューズ装置（１０）では、放熱板（１）の一部と、電気絶縁性材料（２）と、ドレインリードフレーム（３）の一部と、ゲートリードフレーム（４）の一部と、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）の一部と、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）と、ボンディングワイヤ（７ａ）または板状の接続部材と、ボンディングワイヤ（７ｂ）とが樹脂によって封止されている。
【００１７】
詳細には、請求項１に記載のヒューズ装置（１０）によって一部が構成される負荷保護回路では、正常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）がターンオンされることにより、電流がドレインリードフレーム（３）、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）および概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソースメイン端子部（５ａ）を介して負荷に供給される。また、異常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）がターンオフされることにより、過電流が縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）によって遮断され、負荷に供給されなくなる。
【００１８】
更に詳細には、請求項１に記載のヒューズ装置（１０）では、ヒューズ装置（１０）を前向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）がドレインリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）（１２ａ）に差し込まれて固定され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）がソースメイン端子部用雌ターミナル（ソケット）（１３ａ）に差し込まれて固定され、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）がゲートリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）（１１ａ）に差し込まれて固定され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）がソース信号端子部用雌ターミナル（ソケット）（１１ｂ）に差し込まれて固定されるように、かつ、ヒューズ装置（１０）を後向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）がドレインリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）（１２ａ）から取り外され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）がソースメイン端子部用雌ターミナル（ソケット）（１３ａ）から取り外され、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）がゲートリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）（１１ａ）から取り外され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）がソース信号端子部用雌ターミナル（ソケット）（１１ｂ）から取り外されるように、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）と、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）と、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）と、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）とが、互いに平行に前後方向に延ばされている。
【００１９】
そのため、請求項１に記載のヒューズ装置（１０）によれば、負荷保護回路に対するヒューズ装置（１０）の着脱作業をシンプルにすることができる。詳細には、請求項１に記載のヒューズ装置（１０）によれば、例えばねじなどを用いる必要なく、ヒューズ装置（１０）を負荷保護回路に取り付けて固定することができ、例えばねじなどを取り外す必要なく、ヒューズ装置（１０）を負荷保護回路から取り外すことができる。
【００２０】
更に、請求項１に記載のヒューズ装置（１０）では、ソースメイン端子部（５ａ）とは別個にソース信号端子部（５ｂ）が設けられている。そのため、請求項１に記載のヒューズ装置（１０）によれば、例えばゲートリードフレーム（４）の電位とソース信号端子部（５ｂ）の電位とに基づいて、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）をターンオン／ターンオフするための最適なゲート駆動信号を生成することができる。
【００２１】
請求項２に記載のヒューズ装置（１０）では、前後方向に延びているドレインリードフレーム（３）にストッパ部（３ｃ）が形成されている。また、前後方向に延びているゲートリードフレーム（４）にストッパ部（４ｃ）が形成されている。更に、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）の前後方向に延びているソースメイン端子部（５ａ）にストッパ部（５ａ３）が形成されている。また、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）の前後方向に延びているソース信号端子部（５ｂ）にストッパ部（５ｂ２）が形成されている。
【００２２】
詳細には、請求項２に記載のヒューズ装置（１０）では、ヒューズ装置（１０）を前向きに移動させることによってヒューズ装置（１０）が負荷保護回路に取り付けられる時に、ドレインリードフレーム（３）のストッパ部（３ｃ）、ゲートリードフレーム（４）のストッパ部（４ｃ）、ソースメイン端子部（５ａ）のストッパ部（５ａ３）、および、ソース信号端子部（５ｂ）のストッパ部（５ｂ２）が、例えば制御信号系基板（１１）の後面などに突き当てられる。
【００２３】
そのため、請求項２に記載のヒューズ装置（１０）によれば、ヒューズ装置（１０）を前向きに移動させることによる負荷保護回路に対するヒューズ装置（１０）の取り付け作業が完了したことを作業者に認識させることができる。
【００２４】
請求項３に記載のヒューズ装置（１０）では、放熱板（１）の上面と前側面との境界部分に凹部（１ａ）が形成されている。そのため、請求項３に記載のヒューズ装置（１０）によれば、放熱板（１）の上面と前側面との境界部分に凹部（１ａ）が形成されていない場合よりも、放熱板（１）とドレインリードフレーム（３）との間の沿面距離、放熱板（１）とゲートリードフレーム（４）との間の沿面距離、放熱板（１）とソースメイン端子部（５ａ）との間の沿面距離、および、放熱板（１）とソース信号端子部（５ｂ）との間の沿面距離を増大させることができる。
【００２５】
請求項４に記載のヒューズ装置（１０）では、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）およびソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）と、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）およびソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）とが前後方向に離間して配置されている。
【００２６】
そのため、請求項４に記載のヒューズ装置（１０）によれば、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）およびソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）と、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）およびソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）とが前後方向の同じ位置に配置されている場合よりも、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）とドレインリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）（１２ａ）との間を流れる電流、あるいは、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）とソースメイン端子部用雌ターミナル（ソケット）（１３ａ）との間を流れる電流が、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）とゲートリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）（１１ａ）との間で受け渡される信号、あるいは、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）とソース信号端子部用雌ターミナル（ソケット）（１１ｂ）との間で受け渡される信号に対して、ノイズとなって悪影響を与えてしまうおそれを低減することができる。
【００２７】
請求項５に記載のヒューズ装置（１０）では、上面にドレイン用導体パターン（２０ｂ１）とゲート用導体パターン（２０ｂ２）とソース用導体パターン（２０ｂ３）とが形成されたＤＢＣ基板（２０）が、放熱板（１）上に載置されている。更に、前後方向に延びているドレインリードフレーム（３）がＤＢＣ基板（２０）のドレイン用導体パターン（２０ｂ１）上に載置され、前後方向に延びているゲートリードフレーム（４）がＤＢＣ基板（２０）のゲート用導体パターン（２０ｂ２）上に載置され、前後方向に延びているソースメイン端子部（５ａ）と、前後方向に延びているソース信号端子部（５ｂ）とがＤＢＣ基板（２０）のソース用導体パターン（２０ｂ３）上に載置されている。
【００２８】
更に、請求項５に記載のヒューズ装置（１０）では、ドレインリードフレーム（３）と縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のドレインとが電気的に接続されている。また、ボンディングワイヤ（７ａ）または板状の接続部材を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のソースとソースメイン端子部（５ａ）とが電気的に接続されている。更に、ボンディングワイヤ（７ｂ）を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のゲートとゲートリードフレーム（４）とが電気的に接続されている。
【００２９】
また、請求項５に記載のヒューズ装置（１０）では、放熱板（１）の一部と、ＤＢＣ基板（２０）と、ドレインリードフレーム（３）の一部と、ゲートリードフレーム（４）の一部と、ソースメイン端子部（５ａ）の一部と、ソース信号端子部（５ｂ）の一部と、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）と、ボンディングワイヤ（７ａ）または板状の接続部材と、ボンディングワイヤ（７ｂ）とが樹脂によって封止されている。
【００３０】
詳細には、請求項５に記載のヒューズ装置（１０）によって一部が構成される負荷保護回路では、正常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）がターンオンされることにより、電流がドレインリードフレーム（３）、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）およびソースメイン端子部（５ａ）を介して負荷に供給される。また、異常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）がターンオフされることにより、過電流が縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）によって遮断され、負荷に供給されなくなる。
【００３１】
更に詳細には、請求項５に記載のヒューズ装置（１０）では、ヒューズ装置（１０）を前向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）がドレインリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）（１２ａ）に差し込まれて固定され、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）がソースメイン端子部用雌ターミナル（ソケット）（１３ａ）に差し込まれて固定され、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）がゲートリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）（１１ａ）に差し込まれて固定され、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）がソース信号端子部用雌ターミナル（ソケット）（１１ｂ）に差し込まれて固定されるように、かつ、ヒューズ装置（１０）を後向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）がドレインリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）（１２ａ）から取り外され、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）がソースメイン端子部用雌ターミナル（ソケット）（１３ａ）から取り外され、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）がゲートリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）（１１ａ）から取り外され、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）がソース信号端子部用雌ターミナル（ソケット）（１１ｂ）から取り外されるように、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）と、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）と、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）と、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）とが、互いに平行に前後方向に延ばされている。
【００３２】
そのため、請求項５に記載のヒューズ装置（１０）によれば、負荷保護回路に対するヒューズ装置（１０）の着脱作業をシンプルにすることができる。詳細には、請求項５に記載のヒューズ装置（１０）によれば、例えばねじなどを用いる必要なく、ヒューズ装置（１０）を負荷保護回路に取り付けて固定することができ、例えばねじなどを取り外す必要なく、ヒューズ装置（１０）を負荷保護回路から取り外すことができる。
【００３３】
更に、請求項５に記載のヒューズ装置（１０）では、ソースメイン端子部（５ａ）とは別個にソース信号端子部（５ｂ）が設けられている。そのため、請求項５に記載のヒューズ装置（１０）によれば、例えばゲートリードフレーム（４）の電位とソース信号端子部（５ｂ）の電位とに基づいて、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）をターンオン／ターンオフするための最適なゲート駆動信号を生成することができる。
【００３４】
請求項６に記載のヒューズ装置（１０）では、放熱板（３０ａ）上に電気絶縁性材料層（３０ｂ）が形成されている。また、電気絶縁性材料層（３０ｂ）上にドレイン用導体パターン（３０ｃ１）とゲート用導体パターン（３０ｃ２）とソース用導体パターン（３０ｃ３）とが形成されている。更に、前後方向に延びているドレインリードフレーム（３）がドレイン用導体パターン（３０ｃ１）上に載置され、前後方向に延びているゲートリードフレーム（４）がゲート用導体パターン（３０ｃ２）上に載置され、前後方向に延びているソースメイン端子部（５ａ）と、前後方向に延びているソース信号端子部（５ｂ）とがソース用導体パターン（３０ｃ３）上に載置されている。
【００３５】
更に、請求項６に記載のヒューズ装置（１０）では、ドレインリードフレーム（３）と縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のドレインとが電気的に接続されている。また、ボンディングワイヤ（７ａ）または板状の接続部材を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のソースとソースメイン端子部（５ａ）とが電気的に接続されている。更に、ボンディングワイヤ（７ｂ）を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のゲートとゲートリードフレーム（４）とが電気的に接続されている。
【００３６】
また、請求項６に記載のヒューズ装置（１０）では、放熱板（１）の一部と、電気絶縁性材料層（３０ｂ）と、ドレイン用導体パターン（３０ｃ１）と、ゲート用導体パターン（３０ｃ２）と、ソース用導体パターン（３０ｃ３）と、ドレインリードフレーム（３）の一部と、ゲートリードフレーム（４）の一部と、ソースメイン端子部（５ａ）の一部と、ソース信号端子部（５ｂ）の一部と、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）と、ボンディングワイヤ（７ａ）または板状の接続部材と、ボンディングワイヤ（７ｂ）とが樹脂によって封止されている。
【００３７】
詳細には、請求項６に記載のヒューズ装置（１０）によって一部が構成される負荷保護回路では、正常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）がターンオンされることにより、電流がドレインリードフレーム（３）、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）およびソースメイン端子部（５ａ）を介して負荷に供給される。また、異常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）がターンオフされることにより、過電流が縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）によって遮断され、負荷に供給されなくなる。
【００３８】
更に詳細には、請求項６に記載のヒューズ装置（１０）では、ヒューズ装置（１０）を前向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）がドレインリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）（１２ａ）に差し込まれて固定され、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）がソースメイン端子部用雌ターミナル（ソケット）（１３ａ）に差し込まれて固定され、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）がゲートリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）（１１ａ）に差し込まれて固定され、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）がソース信号端子部用雌ターミナル（ソケット）（１１ｂ）に差し込まれて固定されるように、かつ、ヒューズ装置（１０）を後向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）がドレインリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）（１２ａ）から取り外され、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）がソースメイン端子部用雌ターミナル（ソケット）（１３ａ）から取り外され、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）がゲートリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）（１１ａ）から取り外され、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）がソース信号端子部用雌ターミナル（ソケット）（１１ｂ）から取り外されるように、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）と、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）と、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）と、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）とが、互いに平行に前後方向に延ばされている。
【００３９】
そのため、請求項６に記載のヒューズ装置（１０）によれば、負荷保護回路に対するヒューズ装置（１０）の着脱作業をシンプルにすることができる。詳細には、請求項６に記載のヒューズ装置（１０）によれば、例えばねじなどを用いる必要なく、ヒューズ装置（１０）を負荷保護回路に取り付けて固定することができ、例えばねじなどを取り外す必要なく、ヒューズ装置（１０）を負荷保護回路から取り外すことができる。
【００４０】
更に、請求項６に記載のヒューズ装置（１０）では、ソースメイン端子部（５ａ）とは別個にソース信号端子部（５ｂ）が設けられている。そのため、請求項６に記載のヒューズ装置（１０）によれば、例えばゲートリードフレーム（４）の電位とソース信号端子部（５ｂ）の電位とに基づいて、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）をターンオン／ターンオフするための最適なゲート駆動信号を生成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】第１の実施形態のヒューズ装置１０を示した図である。
【図２】第１の実施形態のヒューズ装置１０を示した図である。
【図３】第１の実施形態のヒューズ装置１０を示した図である。
【図４】第１の実施形態のヒューズ装置１０を示した図である。
【図５】第１の実施形態のヒューズ装置１０の適用例を示した図である。
【図６】第１の実施形態のヒューズ装置１０の適用例を示した図である。
【図７】第１の実施形態のヒューズ装置１０の適用例を示した図である。
【図８】第１の実施形態のヒューズ装置１０の適用例を示した図である。
【図９】第１の実施形態のヒューズ装置１０の適用例を示した図である。
【図１０】第３の実施形態のヒューズ装置１０を示した図である。
【図１１】第４の実施形態のヒューズ装置１０に適用されるＤＢＣ基板２０の平面図である。
【図１２】第４の実施形態のヒューズ装置１０を示した図である。
【図１３】第８の実施形態のヒューズ装置１０に適用される放熱板３０ａと電気絶縁性材料層３０ｂとドレイン用導体パターン３０ｃ１とゲート用導体パターン３０ｃ２とソース用導体パターン３０ｃ３との接合体の平面図である。
【図１４】第８の実施形態のヒューズ装置１０を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
以下、本発明のヒューズ装置の第１の実施形態について説明する。図１〜図４は第１の実施形態のヒューズ装置１０を示した図である。詳細には、図１（Ａ）は第１の実施形態のヒューズ装置１０を右後側かつ上側から見た斜視図、図１（Ｂ）は第１の実施形態のヒューズ装置１０を左前側かつ上側から見た斜視図である。図２（Ａ）は樹脂封止部８の一部および電気絶縁性材料２を透視して見た第１の実施形態のヒューズ装置１０の平面図、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＡ−Ａ線に沿った概略的な断面図、図３は図２（Ｂ）のＢ部拡大図である。図４は第１の実施形態のヒューズ装置１０の内部の電流の流れ等を示した図である。
【００４３】
第１の実施形態のヒューズ装置１０では、例えばＣｕ、Ａｌなどのような熱伝導性の高い材料によって形成された放熱板１（図２参照）上に、電気絶縁性材料２（図２（Ｂ）参照）が配置されている。更に、前後方向（図１および図２の上下方向）に延びているドレインリードフレーム３（図１および図２参照）と、前後方向（図１および図２（Ａ）の上下方向）に延びているゲートリードフレーム４（図１および図２（Ａ）参照）と、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５（図２（Ａ）参照）とが、電気絶縁性材料２を介在させて放熱板１上に載置されている。
【００４４】
電気絶縁性材料２として例えば熱圧着シートが用いられる場合には、ドレインリードフレーム３、ゲートリードフレーム４および概略Ｕ字状のソースリードフレーム５と、放熱板１とを加圧して加熱することにより、ドレインリードフレーム３、ゲートリードフレーム４および概略Ｕ字状のソースリードフレーム５と、放熱板１とが電気絶縁性材料２を介して接合される。
【００４５】
また、電気絶縁性材料２として例えば電気絶縁性接着剤が用いられる場合には、ドレインリードフレーム３、ゲートリードフレーム４および概略Ｕ字状のソースリードフレーム５と、放熱板１とを電気絶縁性材料２によって接着することにより、ドレインリードフレーム３、ゲートリードフレーム４および概略Ｕ字状のソースリードフレーム５と、放熱板１とが電気絶縁性材料２を介して接合される。
【００４６】
また、電気絶縁性材料２として例えば電気絶縁性シート材が用いられる場合には、ドレインリードフレーム３、ゲートリードフレーム４および概略Ｕ字状のソースリードフレーム５と、放熱板１との間に電気絶縁性材料２を介在させた状態で後述する樹脂封止工程を実行することにより、ドレインリードフレーム３、ゲートリードフレーム４および概略Ｕ字状のソースリードフレーム５と、放熱板１とが電気絶縁性材料２を介して接合される。
【００４７】
更に、第１の実施形態のヒューズ装置１０では、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５が、前後方向（図１および図２（Ａ）の上下方向）に延びているソースメイン端子部５ａ（図１および図２（Ａ）参照）と、前後方向（図１および図２（Ａ）の上下方向）に延びているソース信号端子部５ｂ（図１および図２（Ａ）参照）と、それらを橋絡するために左右方向（図２（Ａ）の左右方向）に延びている橋絡部５ｃ（図２（Ａ）参照）とによって構成されている。
【００４８】
また、第１の実施形態のヒューズ装置１０では、例えばＣｕ、Ａｌなどのような導電性材料によって、ドレインリードフレーム３（図１および図２参照）と、ゲートリードフレーム４（図１および図２（Ａ）参照）と、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５（図２（Ａ）参照）とが形成されている。更に、電気絶縁性材料２（図２（Ｂ）参照）によって、放熱板１（図２参照）とドレインリードフレーム３とが、電気的に絶縁されている。また、電気絶縁性材料２によって、放熱板１とゲートリードフレーム４とが、電気的に絶縁されている。同様に、電気絶縁性材料２によって、放熱板１とソースリードフレーム５とが、電気的に絶縁されている。
【００４９】
更に、第１の実施形態のヒューズ装置１０では、ドレインリードフレーム３（図１および図２参照）の搭載部３ａ（図２参照）の上面と縦型パワーＭＯＳＦＥＴ６（図２参照）のドレインとが対向するように、ドレインリードフレーム３の搭載部３ａ上に縦型ＭＯＳＦＥＴ６が載置されている。詳細には、例えば半田などによって、ドレインリードフレーム３の搭載部３ａと縦型ＭＯＳＦＥＴ６のドレインとが、電気的に接続されると共に、機械的に接合されている。
【００５０】
また、第１の実施形態のヒューズ装置１０では、ボンディングワイヤ７ａ（図２（Ａ）参照）を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ６（図２参照）のソースと概略Ｕ字状のソースリードフレーム５（図２（Ａ）参照）のソースメイン端子部５ａ（図１および図２（Ａ）参照）の接続部５ａ１（図１および図２（Ａ）参照）とが電気的に接続されている。第２の実施形態のヒューズ装置１０では、代わりに、板状の接続部材を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ６のソースと概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソースメイン端子部５ａの接続部５ａ１とを電気的に接続することも可能である。
【００５１】
更に、第１の実施形態のヒューズ装置１０では、ボンディングワイヤ７ｂ（図２（Ａ）参照）を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ６（図２参照）のゲートとゲートリードフレーム４（図１および図２（Ａ）参照）の接続部４ａ（図２（Ａ）参照）とが電気的に接続されている。
【００５２】
また、第１の実施形態のヒューズ装置１０では、放熱板１（図２参照）の一部と、電気絶縁性材料２（図２（Ｂ）参照）と、ドレインリードフレーム３（図１および図２参照）の一部と、ゲートリードフレーム４（図１および図２（Ａ）参照）の一部と、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５（図２（Ａ）参照）の一部と、縦型ＭＯＳＦＥＴ６（図２参照）と、ボンディングワイヤ７ａ，７ｂ（図２（Ａ）参照）とが樹脂によって封止され、樹脂封止部８（図１および図２参照）が形成されている。この樹脂封止部８には、例えばねじ止めなどに用いられる穴８ａ（図２参照）が形成されている。
【００５３】
図５〜図９は第１の実施形態のヒューズ装置１０の適用例を示した図である。詳細には、図５は第１の実施形態のヒューズ装置１０が適用された負荷保護回路を概略的に示した回路図である。図６は第１の実施形態のヒューズ装置１０が適用された負荷保護回路の一部をヒューズ装置１０の左後側かつ上側から見た斜視図である。図７は第１の実施形態のヒューズ装置１０が適用された負荷保護回路の一部をヒューズ装置１０の右前側かつ上側から見た斜視図である。図８は第１の実施形態のヒューズ装置１０が適用された負荷保護回路の一部をヒューズ装置１０の後側から見た後側面図である。図９は第１の実施形態のヒューズ装置１０が適用された負荷保護回路の一部をヒューズ装置１０の上側から部分的に透視して見た平面図である。
【００５４】
第１の実施形態のヒューズ装置１０によって一部が構成される負荷保護回路の図５〜図９に示す例では、正常時に、制御信号系基板１１（図６、図７、図８および図９参照）に搭載されたＩＣ１（図５、図６および図８参照）によってゲート駆動信号が生成され、そのゲート駆動信号が、ゲートリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）１１ａ（図７および図９参照）、ゲートリードフレーム４（図１、図２（Ａ）、図４、図５および図９参照）の前端部４ｂ（図１、図２（Ａ）、図４、図７および図９参照）、ゲートリードフレーム４の接続部４ａ（図２（Ａ）、図４および図９参照）およびボンディングワイヤ７ｂ（図２（Ａ）、図４および図９参照）を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ６（図２、図４、図５および図９参照）のゲートに入力され、縦型ＭＯＳＦＥＴ６がターンオンされる。つまり、ゲート駆動信号が、図４に破線矢印で示すようにゲートリードフレーム４を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ６のゲートに入力される。
【００５５】
その結果、電流が、電源ＢＡＴ（図５参照）から、ドレインリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）１２ａ（図９参照）、ドレインリードフレーム３（図１、図２、図４、図５、図６、図７および図９参照）の前端部３ｂ（図１、図２、図４、図７および図９参照）、ドレインリードフレーム３の搭載部３ａ（図２、図４および図９参照）、縦型ＭＯＳＦＥＴ６（図２、図４、図５および図９参照）のドレイン、縦型ＭＯＳＦＥＴ６のソース、ボンディングワイヤ７ａ（図２（Ａ）、図４および図９参照）、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５（図２（Ａ）、図４および図９参照）のソースメイン端子部５ａ（図１、図２（Ａ）、図４、図５、図６、図７および図９参照）の接続部５ａ１（図２（Ａ）、図４および図９参照）、ソースメイン端子部５ａの前端部５ａ２（図１、図２（Ａ）、図４、図７および図９参照）およびソースメイン端子部用雌ターミナル（ソケット）１３ａ（図９参照）を介して負荷ＬＯＡＤ１（図５参照）に供給される。つまり、電流が、図４に白抜き矢印で示すようにドレインリードフレーム３および概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソースメイン端子部５ａを流れる。
【００５６】
また、第１の実施形態のヒューズ装置１０によって一部が構成される負荷保護回路の図５〜図９に示す例では、異常時に、制御信号系基板１１（図６、図７、図８および図９参照）に搭載されたＩＣ１（図５、図６および図８参照）によって停止信号が生成され、その停止信号が、ゲートリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）１１ａ（図７および図９参照）、ゲートリードフレーム４（図１、図２（Ａ）、図４、図５および図９参照）の前端部４ｂ（図１、図２（Ａ）、図４、図７および図９参照）、ゲートリードフレーム４の接続部４ａ（図２（Ａ）、図４および図９参照）およびボンディングワイヤ７ｂ（図２（Ａ）、図４および図９参照）を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ６（図２、図４、図５および図９参照）のゲートに入力され、縦型ＭＯＳＦＥＴ６がターンオフされる。つまり、停止信号が、図４に破線矢印で示すようにゲートリードフレーム４を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ６のゲートに入力される。その結果、電源ＢＡＴ（図５参照）からの過電流が縦型ＭＯＳＦＥＴ６（図２、図４、図５および図９参照）によって遮断され、負荷ＬＯＡＤ１（図５参照）に供給されなくなる。
【００５７】
詳細には、図５〜図９に示す例では、第１の実施形態のヒューズ装置１０と同様に構成されたヒューズ装置１０’（図５、図６、図７および図８参照）が負荷ＬＯＡＤ２（図５参照）を保護するために負荷保護回路に組み込まれている。また、第１の実施形態のヒューズ装置１０と同様に構成されたヒューズ装置１０’’（図５、図６および図８参照）が負荷ＬＯＡＤ３（図５参照）を保護するために負荷保護回路に組み込まれている。更に、第１の実施形態のヒューズ装置１０と同様に構成されたヒューズ装置１０’’’（図５、図６および図８参照）が負荷ＬＯＡＤ４（図５参照）を保護するために負荷保護回路に組み込まれている。尚、図７において、１１ｃ，１１ｄは穴を示している。また、図９において、１４はジャンクションボックスを示している。
【００５８】
詳細には、第１の実施形態のヒューズ装置１０では、図９に示すように、ヒューズ装置１０を前向き（図９の下向き）に移動させることのみによって、ドレインリードフレーム３の前端部３ｂがドレインリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）１２ａに差し込まれて固定され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソースメイン端子部５ａの前端部５ａ２がソースメイン端子部用雌ターミナル（ソケット）１３ａに差し込まれて固定され、ゲートリードフレーム４の前端部４ｂがゲートリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）１１ａに差し込まれて固定され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソース信号端子部５ｂの前端部５ｂ１がソース信号端子部用雌ターミナル（ソケット）１１ｂに差し込まれて固定されるように、かつ、ヒューズ装置１０を後向き（図９の上向き）に移動させることのみによって、ドレインリードフレーム３の前端部３ｂがドレインリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）１２ａから取り外され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソースメイン端子部５ａの前端部５ａ２がソースメイン端子部用雌ターミナル（ソケット）１３ａから取り外され、ゲートリードフレーム４の前端部４ｂがゲートリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）１１ａから取り外され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソース信号端子部５ｂの前端部５ｂ１がソース信号端子部用雌ターミナル（ソケット）１１ｂから取り外されるように、ドレインリードフレーム３の前端部３ｂと、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソースメイン端子部５ａの前端部５ａ２と、ゲートリードフレーム４の前端部４ｂと、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソース信号端子部５ｂの前端部５ｂ１とが、互いに平行に前後方向（図９の上下方向）に延ばされている。
【００５９】
そのため、第１の実施形態のヒューズ装置１０によれば、負荷保護回路に対するヒューズ装置１０の着脱作業をシンプルにすることができる。詳細には、第１の実施形態のヒューズ装置１０によれば、例えばねじなどを用いる必要なく、ヒューズ装置１０を負荷保護回路に取り付けて固定することができ、例えばねじなどを取り外す必要なく、ヒューズ装置１０を負荷保護回路から取り外すことができる。
【００６０】
更に、第１の実施形態のヒューズ装置１０では、図１、図２（Ａ）および図４に示すように、ソースメイン端子部５ａとは別個にソース信号端子部５ｂが設けられている。そのため、第１の実施形態のヒューズ装置１０によれば、図４に破線矢印で示すように、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５の橋絡部５ｃおよびソース信号端子部５ｂを介してソースメイン端子部５ａの接続部５ａ１の電位を取り出すことができる。その結果、例えばゲートリードフレーム４の電位とソース信号端子部５ｂの電位とに基づいて、縦型ＭＯＳＦＥＴ６をターンオン／ターンオフするための最適なゲート駆動信号／停止信号を生成することができる。
【００６１】
また、第１の実施形態のヒューズ装置１０では、図１（Ｂ）および図２に示すように、前後方向（図１（Ｂ）および図２の上下方向）に延びているドレインリードフレーム３にストッパ部３ｃが形成されている。また、前後方向に延びているゲートリードフレーム４にストッパ部４ｃが形成されている。更に、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５の前後方向に延びているソースメイン端子部５ａにストッパ部５ａ３が形成されている。また、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５の前後方向に延びているソース信号端子部５ｂにストッパ部５ｂ２が形成されている。
【００６２】
詳細には、第１の実施形態のヒューズ装置１０では、図９に示すように、ヒューズ装置１０を前向き（図９の下向き）に移動させることによってヒューズ装置１０が負荷保護回路に取り付けられる時に、ドレインリードフレーム３のストッパ部３ｃ、ゲートリードフレーム４のストッパ部４ｃ、ソースメイン端子部５ａのストッパ部５ａ３、および、ソース信号端子部５ｂのストッパ部５ｂ２が、制御信号系基板１１の後面に突き当てられる。
【００６３】
そのため、第１の実施形態のヒューズ装置１０によれば、ヒューズ装置１０を前向き（図９の下向き）に移動させることによる負荷保護回路に対するヒューズ装置１０の取り付け作業が完了したことを作業者に認識させることができる。
【００６４】
更に、第１の実施形態のヒューズ装置１０では、図３に示すように、放熱板１の上面（図３の左側の面）と前側面（図３の下側の面）との境界部分に凹部１ａが形成されている。そのため、第１の実施形態のヒューズ装置１０によれば、放熱板１の上面と前側面との境界部分に凹部１ａが形成されていない場合よりも、放熱板１とドレインリードフレーム３との間の沿面距離、放熱板１とゲートリードフレーム４（図２（Ａ）参照）との間の沿面距離、放熱板１とソースメイン端子部５ａ（図２（Ａ）参照）との間の沿面距離、および、放熱板１とソース信号端子部５ｂ（図２（Ａ）参照）との間の沿面距離を増大させることができる。
【００６５】
また、第１の実施形態のヒューズ装置１０では、図１、図２（Ａ）および図９に示すように、ドレインリードフレーム３の前端部３ｂおよびソースメイン端子部５ａの前端部５ａ２と、ゲートリードフレーム４の前端部４ｂおよびソース信号端子部５ｂの前端部５ｂ１とが前後方向（図１、図２（Ａ）および図９の上下方向）に離間して配置されている。
【００６６】
図１０は第３の実施形態のヒューズ装置１０を示した図である。詳細には、図１０（Ａ）は第３の実施形態のヒューズ装置１０を右後側かつ上側から見た斜視図、図１０（Ｂ）は第３の実施形態のヒューズ装置１０を左前側かつ上側から見た斜視図である。
【００６７】
第１の実施形態のヒューズ装置１０では、上述したように、ドレインリードフレーム３の前端部３ｂおよびソースメイン端子部５ａの前端部５ａ２と、ゲートリードフレーム４の前端部４ｂおよびソース信号端子部５ｂの前端部５ｂ１とが前後方向（図１、図２（Ａ）および図９の上下方向）に離間して配置されているが、第３の実施形態のヒューズ装置１０では、図１０に示すように、ドレインリードフレーム３の前端部３ｂおよびソースメイン端子部５ａの前端部５ａ２と、ゲートリードフレーム４の前端部４ｂおよびソース信号端子部５ｂの前端部５ｂ１とが前後方向（図１０の上下方向）の同じ位置に配置されている。
【００６８】
図１１は第４の実施形態のヒューズ装置１０に適用されるＤＢＣ基板（Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｏｎｄｉｎｇ Ｃｏｐｐｅｒ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）２０の平面図である。図１２は第４の実施形態のヒューズ装置１０を示した図である。詳細には、図１２（Ａ）は樹脂封止部８の一部を透視して見た第４の実施形態のヒューズ装置１０などの平面図、図１２（Ｂ）は図１２（Ａ）のＣ−Ｃ線に沿った概略的な断面図である。
【００６９】
第４の実施形態のヒューズ装置１０では、図１２に示すように、上面にドレイン用導体パターン２０ｂ１（図１１参照）とゲート用導体パターン２０ｂ２（図１１参照）とソース用導体パターン２０ｂ３（図１１参照）とが形成されたＤＢＣ基板２０（図１１参照）が、放熱板１上に載置されている。詳細には、ＤＢＣ基板２０の下面に形成されている導体パターン（図示せず）と放熱板１とが、例えば半田などによって機械的に接合されている。尚、図１１において、２０ａはセラミック基板を示している。
【００７０】
更に、第４の実施形態のヒューズ装置１０では、図１２に示すように、前後方向（図１２の上下方向）に延びているドレインリードフレーム３がＤＢＣ基板２０のドレイン用導体パターン２０ｂ１（図１１参照）上に載置され、前後方向に延びているゲートリードフレーム４がＤＢＣ基板２０のゲート用導体パターン２０ｂ２（図１１参照）上に載置され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５がＤＢＣ基板２０のソース用導体パターン２０ｂ３（図１１参照）上に載置されている。詳細には、例えば半田などによって、ドレインリードフレーム３とＤＢＣ基板２０のドレイン用導体パターン２０ｂ１とが、電気的に接続されると共に、機械的に接合されている。また、例えば半田などによって、ゲートリードフレーム４とＤＢＣ基板２０のゲート用導体パターン２０ｂ２とが、電気的に接続されると共に、機械的に接合されている。更に、例えば半田などによって、ソースリードフレーム５とＤＢＣ基板２０のソース用導体パターン２０ｂ３とが、電気的に接続されると共に、機械的に接合されている。
【００７１】
また、第４の実施形態のヒューズ装置１０では、図１２に示すように、前後方向（図１２の上下方向）に延びているソースメイン端子部５ａと、前後方向に延びているソース信号端子部５ｂと、それらを橋絡するために左右方向（図１２の左右方向）に延びている橋絡部５ｃとによって概略Ｕ字状のソースリードフレーム５が構成されている。
【００７２】
更に、第４の実施形態のヒューズ装置１０では、図１２に示すように、ドレインリードフレーム３の搭載部３ａの上面と縦型ＭＯＳＦＥＴ６のドレインとが対向するように、ドレインリードフレーム３の搭載部３ａ上に縦型ＭＯＳＦＥＴ６が載置されている。詳細には、例えば半田などによって、ドレインリードフレーム３の搭載部３ａと縦型ＭＯＳＦＥＴ６のドレインとが、電気的に接続されると共に、機械的に接合されている。第５の実施形態のヒューズ装置１０では、代わりに、ＤＢＣ基板２０（図１１参照）のドレイン用導体パターン２０ｂ１（図１１参照）の上面と縦型ＭＯＳＦＥＴ６のドレインとが対向するように、ＤＢＣ基板２０のドレイン用導体パターン２０ｂ１上に縦型ＭＯＳＦＥＴ６を載置することも可能である。
【００７３】
また、第４の実施形態のヒューズ装置１０では、図１２に示すように、ボンディングワイヤ７ａを介して縦型ＭＯＳＦＥＴ６のソースと概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソースメイン端子部５ａの接続部５ａ１とが電気的に接続されている。第６の実施形態のヒューズ装置１０では、代わりに、ボンディングワイヤ７ａを介して縦型ＭＯＳＦＥＴ６のソースとＤＢＣ基板２０（図１１参照）のソース用導体パターン２０ｂ３（図１１参照）とを電気的に接続することも可能である。
【００７４】
更に、第４の実施形態のヒューズ装置１０では、図１２に示すように、ボンディングワイヤ７ｂを介して縦型ＭＯＳＦＥＴ６のゲートとゲートリードフレーム４の接続部４ａとが電気的に接続されている。第７の実施形態のヒューズ装置１０では、代わりに、ボンディングワイヤ７ｂを介して縦型ＭＯＳＦＥＴ６のゲートとＤＢＣ基板２０（図１１参照）のゲート用導体パターン２０ｂ２（図１１参照）とを電気的に接続することも可能である。
【００７５】
また、第４の実施形態のヒューズ装置１０では、図１２に示すように、放熱板１の一部と、ＤＢＣ基板２０と、ドレインリードフレーム３の一部と、ゲートリードフレーム４の一部と、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５の一部と、縦型ＭＯＳＦＥＴ６と、ボンディングワイヤ７ａと、ボンディングワイヤ７ｂとが樹脂によって封止され、樹脂封止部８が形成されている。
【００７６】
詳細には、第４の実施形態のヒューズ装置１０によって一部が構成される負荷保護回路では、正常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ６（図１２参照）がターンオンされることにより、電流がドレインリードフレーム３（図１２参照）、縦型ＭＯＳＦＥＴ６（図１２参照）および概略Ｕ字状のソースリードフレーム５（図１２参照）のソースメイン端子部５ａ（図１２参照）を介して負荷に供給される。また、異常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ６がターンオフされることにより、過電流が縦型ＭＯＳＦＥＴ６によって遮断され、負荷に供給されなくなる。
【００７７】
更に詳細には、第４の実施形態のヒューズ装置１０では、図１２に示すように、ヒューズ装置１０を前向き（図１２の下向き）に移動させることのみによって、ドレインリードフレーム３の前端部３ｂがドレインリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）１２ａに差し込まれて固定され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソースメイン端子部５ａの前端部５ａ２がソースメイン端子部用雌ターミナル（ソケット）１３ａに差し込まれて固定され、ゲートリードフレーム４の前端部４ｂがゲートリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）１１ａに差し込まれて固定され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソース信号端子部５ｂの前端部５ｂ１がソース信号端子部用雌ターミナル（ソケット）１１ｂに差し込まれて固定されるように、かつ、ヒューズ装置１０を後向き（図１２の上向き）に移動させることのみによって、ドレインリードフレーム３の前端部３ｂがドレインリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）１２ａから取り外され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソースメイン端子部５ａの前端部５ａ２がソースメイン端子部用雌ターミナル（ソケット）１３ａから取り外され、ゲートリードフレーム４の前端部４ｂがゲートリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）１１ａから取り外され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソース信号端子部５ｂの前端部５ｂ１がソース信号端子部用雌ターミナル（ソケット）１１ｂから取り外されるように、ドレインリードフレーム３の前端部３ｂと、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソースメイン端子部５ａの前端部５ａ２と、ゲートリードフレーム４の前端部４ｂと、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソース信号端子部５ｂの前端部５ｂ１とが、互いに平行に前後方向（図１２の上下方向）に延ばされている。
【００７８】
そのため、第４の実施形態のヒューズ装置１０によれば、負荷保護回路に対するヒューズ装置１０の着脱作業をシンプルにすることができる。詳細には、第４の実施形態のヒューズ装置１０によれば、例えばねじなどを用いる必要なく、ヒューズ装置１０を負荷保護回路に取り付けて固定することができ、例えばねじなどを取り外す必要なく、ヒューズ装置１０を負荷保護回路から取り外すことができる。
【００７９】
更に、第４の実施形態のヒューズ装置１０では、図１２に示すように、ソースメイン端子部５ａとは別個にソース信号端子部５ｂが設けられている。そのため、第４の実施形態のヒューズ装置１０によれば、例えばゲートリードフレーム４の電位とソース信号端子部５ｂの電位とに基づいて、縦型ＭＯＳＦＥＴ６をターンオン／ターンオフするための最適なゲート駆動信号を生成することができる。
【００８０】
図１３は第８の実施形態のヒューズ装置１０に適用される放熱板３０ａと電気絶縁性材料層３０ｂとドレイン用導体パターン３０ｃ１とゲート用導体パターン３０ｃ２とソース用導体パターン３０ｃ３との接合体の平面図である。図１４は第８の実施形態のヒューズ装置１０を示した図である。詳細には、図１４（Ａ）は樹脂封止部８の一部を透視して見た第８の実施形態のヒューズ装置１０などの平面図、図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）のＤ−Ｄ線に沿った概略的な断面図である。
【００８１】
第８の実施形態のヒューズ装置１０では、図１４（Ｂ）に示すように、放熱板３０ａ上に電気絶縁性材料層３０ｂが形成されている。また、図１３、図１４（Ａ）および図１４（Ｂ）に示すように、電気絶縁性材料層３０ｂ上にドレイン用導体パターン３０ｃ１とゲート用導体パターン３０ｃ２とソース用導体パターン３０ｃ３とが形成されている。
【００８２】
更に、第８の実施形態のヒューズ装置１０では、図１４に示すように、前後方向（図１２の上下方向）に延びているドレインリードフレーム３がドレイン用導体パターン３０ｃ１（図１３参照）上に載置され、前後方向に延びているゲートリードフレーム４がゲート用導体パターン３０ｃ２（図１３参照）上に載置され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５がソース用導体パターン３０ｃ３（図１３参照）上に載置されている。詳細には、例えば半田などによって、ドレインリードフレーム３とドレイン用導体パターン３０ｃ１とが、電気的に接続されると共に、機械的に接合されている。また、例えば半田などによって、ゲートリードフレーム４とゲート用導体パターン３０ｃ２とが、電気的に接続されると共に、機械的に接合されている。更に、例えば半田などによって、ソースリードフレーム５とソース用導体パターン３０ｃ３とが、電気的に接続されると共に、機械的に接合されている。
【００８３】
また、第８の実施形態のヒューズ装置１０では、図１４に示すように、前後方向（図１４の上下方向）に延びているソースメイン端子部５ａと、前後方向に延びているソース信号端子部５ｂと、それらを橋絡するために左右方向（図１４の左右方向）に延びている橋絡部５ｃとによって概略Ｕ字状のソースリードフレーム５が構成されている。
【００８４】
更に、第８の実施形態のヒューズ装置１０では、図１４に示すように、ドレインリードフレーム３の搭載部３ａの上面と縦型ＭＯＳＦＥＴ６のドレインとが対向するように、ドレインリードフレーム３の搭載部３ａ上に縦型ＭＯＳＦＥＴ６が載置されている。詳細には、例えば半田などによって、ドレインリードフレーム３の搭載部３ａと縦型ＭＯＳＦＥＴ６のドレインとが、電気的に接続されると共に、機械的に接合されている。第９の実施形態のヒューズ装置１０では、代わりに、ドレイン用導体パターン３０ｃ１（図１３参照）の上面と縦型ＭＯＳＦＥＴ６のドレインとが対向するように、ドレイン用導体パターン３０ｃ１上に縦型ＭＯＳＦＥＴ６を載置することも可能である。
【００８５】
また、第８の実施形態のヒューズ装置１０では、図１４に示すように、ボンディングワイヤ７ａを介して縦型ＭＯＳＦＥＴ６のソースと概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソースメイン端子部５ａの接続部５ａ１とが電気的に接続されている。第１０の実施形態のヒューズ装置１０では、代わりに、ボンディングワイヤ７ａを介して縦型ＭＯＳＦＥＴ６のソースとソース用導体パターン３０ｃ３（図１３参照）とを電気的に接続することも可能である。
【００８６】
更に、第８の実施形態のヒューズ装置１０では、図１４に示すように、ボンディングワイヤ７ｂを介して縦型ＭＯＳＦＥＴ６のゲートとゲートリードフレーム４の接続部４ａとが電気的に接続されている。第１１の実施形態のヒューズ装置１０では、代わりに、ボンディングワイヤ７ｂを介して縦型ＭＯＳＦＥＴ６のゲートとゲート用導体パターン３０ｃ２（図１３参照）とを電気的に接続することも可能である。
【００８７】
また、第８の実施形態のヒューズ装置１０では、図１４に示すように、放熱板３０ａの一部と、電気絶縁性材料層３０ｂと、ドレイン用導体パターン３０ｃ１と、ゲート用導体パターン３０ｃ２と、ソース用導体パターン３０ｃ３と、ドレインリードフレーム３の一部と、ゲートリードフレーム４の一部と、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５の一部と、縦型ＭＯＳＦＥＴ６と、ボンディングワイヤ７ａと、ボンディングワイヤ７ｂとが樹脂によって封止され、樹脂封止部８が形成されている。
【００８８】
詳細には、第８の実施形態のヒューズ装置１０によって一部が構成される負荷保護回路では、正常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ６（図１４参照）がターンオンされることにより、電流がドレインリードフレーム３（図１４参照）、縦型ＭＯＳＦＥＴ６（図１４参照）および概略Ｕ字状のソースリードフレーム５（図１４参照）のソースメイン端子部５ａ（図１４参照）を介して負荷に供給される。また、異常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ６がターンオフされることにより、過電流が縦型ＭＯＳＦＥＴ６によって遮断され、負荷に供給されなくなる。
【００８９】
更に詳細には、第８の実施形態のヒューズ装置１０では、図１４に示すように、ヒューズ装置１０を前向き（図１４の下向き）に移動させることのみによって、ドレインリードフレーム３の前端部３ｂがドレインリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）１２ａに差し込まれて固定され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソースメイン端子部５ａの前端部５ａ２がソースメイン端子部用雌ターミナル（ソケット）１３ａに差し込まれて固定され、ゲートリードフレーム４の前端部４ｂがゲートリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）１１ａに差し込まれて固定され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソース信号端子部５ｂの前端部５ｂ１がソース信号端子部用雌ターミナル（ソケット）１１ｂに差し込まれて固定されるように、かつ、ヒューズ装置１０を後向き（図１４の上向き）に移動させることのみによって、ドレインリードフレーム３の前端部３ｂがドレインリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）１２ａから取り外され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソースメイン端子部５ａの前端部５ａ２がソースメイン端子部用雌ターミナル（ソケット）１３ａから取り外され、ゲートリードフレーム４の前端部４ｂがゲートリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）１１ａから取り外され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソース信号端子部５ｂの前端部５ｂ１がソース信号端子部用雌ターミナル（ソケット）１１ｂから取り外されるように、ドレインリードフレーム３の前端部３ｂと、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソースメイン端子部５ａの前端部５ａ２と、ゲートリードフレーム４の前端部４ｂと、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソース信号端子部５ｂの前端部５ｂ１とが、互いに平行に前後方向（図１４の上下方向）に延ばされている。
【００９０】
そのため、第８の実施形態のヒューズ装置１０によれば、負荷保護回路に対するヒューズ装置１０の着脱作業をシンプルにすることができる。詳細には、第８の実施形態のヒューズ装置１０によれば、例えばねじなどを用いる必要なく、ヒューズ装置１０を負荷保護回路に取り付けて固定することができ、例えばねじなどを取り外す必要なく、ヒューズ装置１０を負荷保護回路から取り外すことができる。
【００９１】
更に、第８の実施形態のヒューズ装置１０では、図１４に示すように、ソースメイン端子部５ａとは別個にソース信号端子部５ｂが設けられている。そのため、第８の実施形態のヒューズ装置１０によれば、例えばゲートリードフレーム４の電位とソース信号端子部５ｂの電位とに基づいて、縦型ＭＯＳＦＥＴ６をターンオン／ターンオフするための最適なゲート駆動信号を生成することができる。
【００９２】
第１２の実施形態では、上述した第１から第１１の実施形態を適宜組み合わせることも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００９３】
本発明のヒューズ装置は、例えば車両などのような、溶断エレメントを内蔵する型式のヒューズが適用されている任意の分野に対して適用可能である。
【符号の説明】
【００９４】
１ 放熱板
２ 電気絶縁性材料
３ ドレインリードフレーム
３ａ 搭載部
３ｂ 前端部
３ｃ ストッパ部
４ ゲートリードフレーム
４ａ 接続部
４ｂ 前端部
４ｃ ストッパ部
５ ソースリードフレーム
５ａ ソースメイン端子部
５ａ１ 接続部
５ａ２ 前端部
５ａ３ ストッパ部
５ｂ ソース信号端子部
５ｂ１ 前端部
５ｂ２ ストッパ部
５ｃ 橋絡部
６ ＭＯＳＦＥＴ
７ａ，７ｂ ボンディングワイヤ
８ 樹脂封止部
８ａ 穴
１０ ヒューズ装置
１１ 制御信号系基板
１１ａ，１１ｂ 雌ターミナル（ソケット）
１１ｃ，１１ｄ 穴
１２ａ，１３ａ 雌ターミナル（ソケット）
１４ ジャンクションボックス
２０ ＤＢＣ基板
２０ａ セラミック基板
２０ｂ１ ドレイン用導体パターン
２０ｂ２ ゲート用導体パターン
２０ｂ３ ソース用導体パターン
【技術分野】
【０００１】
本発明は、正常時にＭＯＳＦＥＴがターンオンされることにより、電流がＭＯＳＦＥＴを介して負荷に供給され、異常時にＭＯＳＦＥＴがターンオフされることにより、過電流がＭＯＳＦＥＴによって遮断され、負荷に供給されなくなる負荷保護回路の一部を構成するヒューズ装置に関し、特には、負荷保護回路に対する着脱作業をシンプルにすることができるヒューズ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、正常時にＭＯＳＦＥＴがターンオンされることにより、電流がＭＯＳＦＥＴを介して負荷に供給され、異常時にＭＯＳＦＥＴがターンオフされることにより、過電流がＭＯＳＦＥＴによって遮断され、負荷に供給されなくなる負荷保護回路の一部を構成するヒューズ装置が知られている。この種のヒューズ装置の例としては、例えば特開２００８−１２５１９１号公報に記載されたものがある。
【０００３】
特開２００８−１２５１９１号公報に記載されたヒューズ装置は、車両の電装品を保護する回路に適用されている。詳細には、特開２００８−１２５１９１号公報に記載されたヒューズ装置は、電源ラインと負荷（電装品）との間に設けられている。
【０００４】
特開２００８−１２５１９１号公報に記載されたヒューズ装置では、電源ラインから負荷（電装品）に過電流が供給される時に、ヒューズ装置のＭＯＳＦＥＴがターンオフされる。その結果、過電流がＭＯＳＦＥＴによって遮断されて、負荷（電装品）に供給されなくなり、負荷（電装品）が保護される。一方、電源ラインから負荷（電装品）に正常な電流が供給される時には、ヒューズ装置のＭＯＳＦＥＴがターンオンされる。その結果、電流が電源ラインからＭＯＳＦＥＴのドレインおよびソースを介して負荷（電装品）に供給される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１２５１９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、特開２００８−１２５１９１号公報には、ＭＯＳＦＥＴを内蔵するヒューズ装置の詳細な構造について記載されていない。従って、ＭＯＳＦＥＴを内蔵するヒューズ装置の構造によっては、溶断エレメントを内蔵するヒューズが負荷保護回路（車両本体）に着脱される場合よりも、負荷保護回路（車両本体）に対するヒューズ装置の着脱作業が煩雑になってしまうおそれがある。
【０００７】
前記問題点に鑑み、本発明は、負荷保護回路に対する着脱作業をシンプルにすることができるヒューズ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明によれば、前後方向に延びているドレインリードフレーム（３）と、前後方向に延びているゲートリードフレーム（４）と、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）とを、電気絶縁性材料（２）を介在させて放熱板（１）上に載置し、
前後方向に延びているソースメイン端子部（５ａ）と、前後方向に延びているソース信号端子部（５ｂ）と、それらを橋絡するために左右方向に延びている橋絡部（５ｃ）とによって概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）を構成し、
ドレインリードフレーム（３）の搭載部（３ａ）の上面と縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のドレインとが対向するように、ドレインリードフレーム（３）の搭載部（３ａ）上に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）を載置し、
ボンディングワイヤ（７ａ）または板状の接続部材を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のソースと概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソースメイン端子部（５ａ）の接続部（５ａ１）とを電気的に接続し、
ボンディングワイヤ（７ｂ）を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のゲートとゲートリードフレーム（４）の接続部（４ａ）とを電気的に接続し、
放熱板（１）の一部と、電気絶縁性材料（２）と、ドレインリードフレーム（３）の一部と、ゲートリードフレーム（４）の一部と、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）の一部と、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）と、ボンディングワイヤ（７ａ）または板状の接続部材と、ボンディングワイヤ（７ｂ）とを樹脂によって封止し、
正常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）がターンオンされることにより、電流がドレインリードフレーム（３）、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）および概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソースメイン端子部（５ａ）を介して負荷に供給され、異常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）がターンオフされることにより、過電流が縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）によって遮断され、負荷に供給されなくなる負荷保護回路の一部を構成するヒューズ装置（１０）であって、
ヒューズ装置（１０）を前向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）がドレインリードフレーム用雌ターミナル（１２ａ）に差し込まれて固定され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）がソースメイン端子部用雌ターミナル（１３ａ）に差し込まれて固定され、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）がゲートリードフレーム用雌ターミナル（１１ａ）に差し込まれて固定され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）がソース信号端子部用雌ターミナル（１１ｂ）に差し込まれて固定されるように、かつ、
ヒューズ装置（１０）を後向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）がドレインリードフレーム用雌ターミナル（１２ａ）から取り外され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）がソースメイン端子部用雌ターミナル（１３ａ）から取り外され、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）がゲートリードフレーム用雌ターミナル（１１ａ）から取り外され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）がソース信号端子部用雌ターミナル（１１ｂ）から取り外されるように、
ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）と、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）と、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）と、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）とを、互いに平行に前後方向に延ばしたことを特徴とするヒューズ装置（１０）が提供される。
【０００９】
請求項２に記載の発明によれば、前後方向に延びているドレインリードフレーム（３）にストッパ部（３ｃ）を形成し、
前後方向に延びているゲートリードフレーム（４）にストッパ部（４ｃ）を形成し、
概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）の前後方向に延びているソースメイン端子部（５ａ）にストッパ部（５ａ３）を形成し、
概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）の前後方向に延びているソース信号端子部（５ｂ）にストッパ部（５ｂ２）を形成したことを特徴とする請求項１に記載のヒューズ装置（１０）が提供される。
【００１０】
請求項３に記載の発明によれば、放熱板（１）の上面と前側面との境界部分に凹部（１ａ）を形成したことを特徴とする請求項１又は２に記載のヒューズ装置（１０）が提供される。
【００１１】
請求項４に記載の発明によれば、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）およびソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）と、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）およびソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）とを前後方向に離間させて配置したことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のヒューズ装置（１０）が提供される。
【００１２】
請求項５に記載の発明によれば、上面にドレイン用導体パターン（２０ｂ１）とゲート用導体パターン（２０ｂ２）とソース用導体パターン（２０ｂ３）とが形成されたＤＢＣ基板（２０）を放熱板（１）上に載置し、
前後方向に延びているドレインリードフレーム（３）をＤＢＣ基板（２０）のドレイン用導体パターン（２０ｂ１）上に載置し、前後方向に延びているゲートリードフレーム（４）をＤＢＣ基板（２０）のゲート用導体パターン（２０ｂ２）上に載置し、前後方向に延びているソースメイン端子部（５ａ）と、前後方向に延びているソース信号端子部（５ｂ）とをＤＢＣ基板（２０）のソース用導体パターン（２０ｂ３）上に載置し、
ドレインリードフレーム（３）と縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のドレインとを電気的に接続し、
ボンディングワイヤ（７ａ）または板状の接続部材を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のソースとソースメイン端子部（５ａ）とを電気的に接続し、
ボンディングワイヤ（７ｂ）を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のゲートとゲートリードフレーム（４）とを電気的に接続し、
放熱板（１）の一部と、ＤＢＣ基板（２０）と、ドレインリードフレーム（３）の一部と、ゲートリードフレーム（４）の一部と、ソースメイン端子部（５ａ）の一部と、ソース信号端子部（５ｂ）の一部と、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）と、ボンディングワイヤ（７ａ）または板状の接続部材と、ボンディングワイヤ（７ｂ）とを樹脂によって封止し、
正常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）がターンオンされることにより、電流がドレインリードフレーム（３）、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）およびソースメイン端子部（５ａ）を介して負荷に供給され、異常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）がターンオフされることにより、過電流が縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）によって遮断され、負荷に供給されなくなる負荷保護回路の一部を構成するヒューズ装置（１０）であって、
ヒューズ装置（１０）を前向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）がドレインリードフレーム用雌ターミナル（１２ａ）に差し込まれて固定され、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）がソースメイン端子部用雌ターミナル（１３ａ）に差し込まれて固定され、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）がゲートリードフレーム用雌ターミナル（１１ａ）に差し込まれて固定され、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）がソース信号端子部用雌ターミナル（１１ｂ）に差し込まれて固定されるように、かつ、
ヒューズ装置（１０）を後向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）がドレインリードフレーム用雌ターミナル（１２ａ）から取り外され、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）がソースメイン端子部用雌ターミナル（１３ａ）から取り外され、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）がゲートリードフレーム用雌ターミナル（１１ａ）から取り外され、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）がソース信号端子部用雌ターミナル（１１ｂ）から取り外されるように、
ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）と、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）と、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）と、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）とを、互いに平行に前後方向に延ばしたことを特徴とするヒューズ装置（１０）が提供される。
【００１３】
請求項６に記載の発明によれば、放熱板（３０ａ）上に電気絶縁性材料層（３０ｂ）を形成し、電気絶縁性材料層（３０ｂ）上にドレイン用導体パターン（３０ｃ１）とゲート用導体パターン（３０ｃ２）とソース用導体パターン（３０ｃ３）とを形成し、
前後方向に延びているドレインリードフレーム（３）をドレイン用導体パターン（３０ｃ１）上に載置し、前後方向に延びているゲートリードフレーム（４）をゲート用導体パターン（３０ｃ２）上に載置し、前後方向に延びているソースメイン端子部（５ａ）と、前後方向に延びているソース信号端子部（５ｂ）とをソース用導体パターン（３０ｃ３）上に載置し、
ドレインリードフレーム（３）と縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のドレインとを電気的に接続し、
ボンディングワイヤ（７ａ）または板状の接続部材を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のソースとソースメイン端子部（５ａ）とを電気的に接続し、
ボンディングワイヤ（７ｂ）を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のゲートとゲートリードフレーム（４）とを電気的に接続し、
放熱板（３０ａ）の一部と、電気絶縁性材料層（３０ｂ）と、ドレイン用導体パターン（３０ｃ１）と、ゲート用導体パターン（３０ｃ２）と、ソース用導体パターン（３０ｃ３）と、ドレインリードフレーム（３）の一部と、ゲートリードフレーム（４）の一部と、ソースメイン端子部（５ａ）の一部と、ソース信号端子部（５ｂ）の一部と、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）と、ボンディングワイヤ（７ａ）または板状の接続部材と、ボンディングワイヤ（７ｂ）とを樹脂によって封止し、
正常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）がターンオンされることにより、電流がドレインリードフレーム（３）、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）およびソースメイン端子部（５ａ）を介して負荷に供給され、異常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）がターンオフされることにより、過電流が縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）によって遮断され、負荷に供給されなくなる負荷保護回路の一部を構成するヒューズ装置（１０）であって、
ヒューズ装置（１０）を前向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）がドレインリードフレーム用雌ターミナル（１２ａ）に差し込まれて固定され、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）がソースメイン端子部用雌ターミナル（１３ａ）に差し込まれて固定され、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）がゲートリードフレーム用雌ターミナル（１１ａ）に差し込まれて固定され、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）がソース信号端子部用雌ターミナル（１１ｂ）に差し込まれて固定されるように、かつ、
ヒューズ装置（１０）を後向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）がドレインリードフレーム用雌ターミナル（１２ａ）から取り外され、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）がソースメイン端子部用雌ターミナル（１３ａ）から取り外され、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）がゲートリードフレーム用雌ターミナル（１１ａ）から取り外され、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）がソース信号端子部用雌ターミナル（１１ｂ）から取り外されるように、
ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）と、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）と、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）と、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）とを、互いに平行に前後方向に延ばしたことを特徴とするヒューズ装置（１０）が提供される。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１に記載のヒューズ装置（１０）では、前後方向に延びているドレインリードフレーム（３）と、前後方向に延びているゲートリードフレーム（４）と、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）とが、電気絶縁性材料（２）を介して放熱板（１）上に載置されている。また、前後方向に延びているソースメイン端子部（５ａ）と、前後方向に延びているソース信号端子部（５ｂ）と、それらを橋絡するために左右方向に延びている橋絡部（５ｃ）とによって概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）が構成されている。
【００１５】
更に、請求項１に記載のヒューズ装置（１０）では、ドレインリードフレーム（３）の搭載部（３ａ）の上面と縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のドレインとが対向するように、ドレインリードフレーム（３）の搭載部（３ａ）上に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）が載置されている。また、ボンディングワイヤ（７ａ）または板状の接続部材を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のソースと概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソースメイン端子部（５ａ）の接続部（５ａ１）とが電気的に接続されている。更に、ボンディングワイヤ（７ｂ）を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のゲートとゲートリードフレーム（４）の接続部（４ａ）とが電気的に接続されている。
【００１６】
また、請求項１に記載のヒューズ装置（１０）では、放熱板（１）の一部と、電気絶縁性材料（２）と、ドレインリードフレーム（３）の一部と、ゲートリードフレーム（４）の一部と、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）の一部と、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）と、ボンディングワイヤ（７ａ）または板状の接続部材と、ボンディングワイヤ（７ｂ）とが樹脂によって封止されている。
【００１７】
詳細には、請求項１に記載のヒューズ装置（１０）によって一部が構成される負荷保護回路では、正常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）がターンオンされることにより、電流がドレインリードフレーム（３）、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）および概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソースメイン端子部（５ａ）を介して負荷に供給される。また、異常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）がターンオフされることにより、過電流が縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）によって遮断され、負荷に供給されなくなる。
【００１８】
更に詳細には、請求項１に記載のヒューズ装置（１０）では、ヒューズ装置（１０）を前向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）がドレインリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）（１２ａ）に差し込まれて固定され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）がソースメイン端子部用雌ターミナル（ソケット）（１３ａ）に差し込まれて固定され、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）がゲートリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）（１１ａ）に差し込まれて固定され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）がソース信号端子部用雌ターミナル（ソケット）（１１ｂ）に差し込まれて固定されるように、かつ、ヒューズ装置（１０）を後向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）がドレインリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）（１２ａ）から取り外され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）がソースメイン端子部用雌ターミナル（ソケット）（１３ａ）から取り外され、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）がゲートリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）（１１ａ）から取り外され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）がソース信号端子部用雌ターミナル（ソケット）（１１ｂ）から取り外されるように、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）と、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）と、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）と、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）とが、互いに平行に前後方向に延ばされている。
【００１９】
そのため、請求項１に記載のヒューズ装置（１０）によれば、負荷保護回路に対するヒューズ装置（１０）の着脱作業をシンプルにすることができる。詳細には、請求項１に記載のヒューズ装置（１０）によれば、例えばねじなどを用いる必要なく、ヒューズ装置（１０）を負荷保護回路に取り付けて固定することができ、例えばねじなどを取り外す必要なく、ヒューズ装置（１０）を負荷保護回路から取り外すことができる。
【００２０】
更に、請求項１に記載のヒューズ装置（１０）では、ソースメイン端子部（５ａ）とは別個にソース信号端子部（５ｂ）が設けられている。そのため、請求項１に記載のヒューズ装置（１０）によれば、例えばゲートリードフレーム（４）の電位とソース信号端子部（５ｂ）の電位とに基づいて、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）をターンオン／ターンオフするための最適なゲート駆動信号を生成することができる。
【００２１】
請求項２に記載のヒューズ装置（１０）では、前後方向に延びているドレインリードフレーム（３）にストッパ部（３ｃ）が形成されている。また、前後方向に延びているゲートリードフレーム（４）にストッパ部（４ｃ）が形成されている。更に、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）の前後方向に延びているソースメイン端子部（５ａ）にストッパ部（５ａ３）が形成されている。また、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）の前後方向に延びているソース信号端子部（５ｂ）にストッパ部（５ｂ２）が形成されている。
【００２２】
詳細には、請求項２に記載のヒューズ装置（１０）では、ヒューズ装置（１０）を前向きに移動させることによってヒューズ装置（１０）が負荷保護回路に取り付けられる時に、ドレインリードフレーム（３）のストッパ部（３ｃ）、ゲートリードフレーム（４）のストッパ部（４ｃ）、ソースメイン端子部（５ａ）のストッパ部（５ａ３）、および、ソース信号端子部（５ｂ）のストッパ部（５ｂ２）が、例えば制御信号系基板（１１）の後面などに突き当てられる。
【００２３】
そのため、請求項２に記載のヒューズ装置（１０）によれば、ヒューズ装置（１０）を前向きに移動させることによる負荷保護回路に対するヒューズ装置（１０）の取り付け作業が完了したことを作業者に認識させることができる。
【００２４】
請求項３に記載のヒューズ装置（１０）では、放熱板（１）の上面と前側面との境界部分に凹部（１ａ）が形成されている。そのため、請求項３に記載のヒューズ装置（１０）によれば、放熱板（１）の上面と前側面との境界部分に凹部（１ａ）が形成されていない場合よりも、放熱板（１）とドレインリードフレーム（３）との間の沿面距離、放熱板（１）とゲートリードフレーム（４）との間の沿面距離、放熱板（１）とソースメイン端子部（５ａ）との間の沿面距離、および、放熱板（１）とソース信号端子部（５ｂ）との間の沿面距離を増大させることができる。
【００２５】
請求項４に記載のヒューズ装置（１０）では、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）およびソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）と、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）およびソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）とが前後方向に離間して配置されている。
【００２６】
そのため、請求項４に記載のヒューズ装置（１０）によれば、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）およびソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）と、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）およびソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）とが前後方向の同じ位置に配置されている場合よりも、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）とドレインリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）（１２ａ）との間を流れる電流、あるいは、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）とソースメイン端子部用雌ターミナル（ソケット）（１３ａ）との間を流れる電流が、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）とゲートリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）（１１ａ）との間で受け渡される信号、あるいは、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）とソース信号端子部用雌ターミナル（ソケット）（１１ｂ）との間で受け渡される信号に対して、ノイズとなって悪影響を与えてしまうおそれを低減することができる。
【００２７】
請求項５に記載のヒューズ装置（１０）では、上面にドレイン用導体パターン（２０ｂ１）とゲート用導体パターン（２０ｂ２）とソース用導体パターン（２０ｂ３）とが形成されたＤＢＣ基板（２０）が、放熱板（１）上に載置されている。更に、前後方向に延びているドレインリードフレーム（３）がＤＢＣ基板（２０）のドレイン用導体パターン（２０ｂ１）上に載置され、前後方向に延びているゲートリードフレーム（４）がＤＢＣ基板（２０）のゲート用導体パターン（２０ｂ２）上に載置され、前後方向に延びているソースメイン端子部（５ａ）と、前後方向に延びているソース信号端子部（５ｂ）とがＤＢＣ基板（２０）のソース用導体パターン（２０ｂ３）上に載置されている。
【００２８】
更に、請求項５に記載のヒューズ装置（１０）では、ドレインリードフレーム（３）と縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のドレインとが電気的に接続されている。また、ボンディングワイヤ（７ａ）または板状の接続部材を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のソースとソースメイン端子部（５ａ）とが電気的に接続されている。更に、ボンディングワイヤ（７ｂ）を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のゲートとゲートリードフレーム（４）とが電気的に接続されている。
【００２９】
また、請求項５に記載のヒューズ装置（１０）では、放熱板（１）の一部と、ＤＢＣ基板（２０）と、ドレインリードフレーム（３）の一部と、ゲートリードフレーム（４）の一部と、ソースメイン端子部（５ａ）の一部と、ソース信号端子部（５ｂ）の一部と、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）と、ボンディングワイヤ（７ａ）または板状の接続部材と、ボンディングワイヤ（７ｂ）とが樹脂によって封止されている。
【００３０】
詳細には、請求項５に記載のヒューズ装置（１０）によって一部が構成される負荷保護回路では、正常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）がターンオンされることにより、電流がドレインリードフレーム（３）、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）およびソースメイン端子部（５ａ）を介して負荷に供給される。また、異常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）がターンオフされることにより、過電流が縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）によって遮断され、負荷に供給されなくなる。
【００３１】
更に詳細には、請求項５に記載のヒューズ装置（１０）では、ヒューズ装置（１０）を前向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）がドレインリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）（１２ａ）に差し込まれて固定され、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）がソースメイン端子部用雌ターミナル（ソケット）（１３ａ）に差し込まれて固定され、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）がゲートリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）（１１ａ）に差し込まれて固定され、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）がソース信号端子部用雌ターミナル（ソケット）（１１ｂ）に差し込まれて固定されるように、かつ、ヒューズ装置（１０）を後向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）がドレインリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）（１２ａ）から取り外され、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）がソースメイン端子部用雌ターミナル（ソケット）（１３ａ）から取り外され、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）がゲートリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）（１１ａ）から取り外され、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）がソース信号端子部用雌ターミナル（ソケット）（１１ｂ）から取り外されるように、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）と、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）と、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）と、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）とが、互いに平行に前後方向に延ばされている。
【００３２】
そのため、請求項５に記載のヒューズ装置（１０）によれば、負荷保護回路に対するヒューズ装置（１０）の着脱作業をシンプルにすることができる。詳細には、請求項５に記載のヒューズ装置（１０）によれば、例えばねじなどを用いる必要なく、ヒューズ装置（１０）を負荷保護回路に取り付けて固定することができ、例えばねじなどを取り外す必要なく、ヒューズ装置（１０）を負荷保護回路から取り外すことができる。
【００３３】
更に、請求項５に記載のヒューズ装置（１０）では、ソースメイン端子部（５ａ）とは別個にソース信号端子部（５ｂ）が設けられている。そのため、請求項５に記載のヒューズ装置（１０）によれば、例えばゲートリードフレーム（４）の電位とソース信号端子部（５ｂ）の電位とに基づいて、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）をターンオン／ターンオフするための最適なゲート駆動信号を生成することができる。
【００３４】
請求項６に記載のヒューズ装置（１０）では、放熱板（３０ａ）上に電気絶縁性材料層（３０ｂ）が形成されている。また、電気絶縁性材料層（３０ｂ）上にドレイン用導体パターン（３０ｃ１）とゲート用導体パターン（３０ｃ２）とソース用導体パターン（３０ｃ３）とが形成されている。更に、前後方向に延びているドレインリードフレーム（３）がドレイン用導体パターン（３０ｃ１）上に載置され、前後方向に延びているゲートリードフレーム（４）がゲート用導体パターン（３０ｃ２）上に載置され、前後方向に延びているソースメイン端子部（５ａ）と、前後方向に延びているソース信号端子部（５ｂ）とがソース用導体パターン（３０ｃ３）上に載置されている。
【００３５】
更に、請求項６に記載のヒューズ装置（１０）では、ドレインリードフレーム（３）と縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のドレインとが電気的に接続されている。また、ボンディングワイヤ（７ａ）または板状の接続部材を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のソースとソースメイン端子部（５ａ）とが電気的に接続されている。更に、ボンディングワイヤ（７ｂ）を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のゲートとゲートリードフレーム（４）とが電気的に接続されている。
【００３６】
また、請求項６に記載のヒューズ装置（１０）では、放熱板（１）の一部と、電気絶縁性材料層（３０ｂ）と、ドレイン用導体パターン（３０ｃ１）と、ゲート用導体パターン（３０ｃ２）と、ソース用導体パターン（３０ｃ３）と、ドレインリードフレーム（３）の一部と、ゲートリードフレーム（４）の一部と、ソースメイン端子部（５ａ）の一部と、ソース信号端子部（５ｂ）の一部と、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）と、ボンディングワイヤ（７ａ）または板状の接続部材と、ボンディングワイヤ（７ｂ）とが樹脂によって封止されている。
【００３７】
詳細には、請求項６に記載のヒューズ装置（１０）によって一部が構成される負荷保護回路では、正常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）がターンオンされることにより、電流がドレインリードフレーム（３）、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）およびソースメイン端子部（５ａ）を介して負荷に供給される。また、異常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）がターンオフされることにより、過電流が縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）によって遮断され、負荷に供給されなくなる。
【００３８】
更に詳細には、請求項６に記載のヒューズ装置（１０）では、ヒューズ装置（１０）を前向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）がドレインリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）（１２ａ）に差し込まれて固定され、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）がソースメイン端子部用雌ターミナル（ソケット）（１３ａ）に差し込まれて固定され、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）がゲートリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）（１１ａ）に差し込まれて固定され、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）がソース信号端子部用雌ターミナル（ソケット）（１１ｂ）に差し込まれて固定されるように、かつ、ヒューズ装置（１０）を後向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）がドレインリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）（１２ａ）から取り外され、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）がソースメイン端子部用雌ターミナル（ソケット）（１３ａ）から取り外され、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）がゲートリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）（１１ａ）から取り外され、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）がソース信号端子部用雌ターミナル（ソケット）（１１ｂ）から取り外されるように、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）と、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）と、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）と、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）とが、互いに平行に前後方向に延ばされている。
【００３９】
そのため、請求項６に記載のヒューズ装置（１０）によれば、負荷保護回路に対するヒューズ装置（１０）の着脱作業をシンプルにすることができる。詳細には、請求項６に記載のヒューズ装置（１０）によれば、例えばねじなどを用いる必要なく、ヒューズ装置（１０）を負荷保護回路に取り付けて固定することができ、例えばねじなどを取り外す必要なく、ヒューズ装置（１０）を負荷保護回路から取り外すことができる。
【００４０】
更に、請求項６に記載のヒューズ装置（１０）では、ソースメイン端子部（５ａ）とは別個にソース信号端子部（５ｂ）が設けられている。そのため、請求項６に記載のヒューズ装置（１０）によれば、例えばゲートリードフレーム（４）の電位とソース信号端子部（５ｂ）の電位とに基づいて、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）をターンオン／ターンオフするための最適なゲート駆動信号を生成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】第１の実施形態のヒューズ装置１０を示した図である。
【図２】第１の実施形態のヒューズ装置１０を示した図である。
【図３】第１の実施形態のヒューズ装置１０を示した図である。
【図４】第１の実施形態のヒューズ装置１０を示した図である。
【図５】第１の実施形態のヒューズ装置１０の適用例を示した図である。
【図６】第１の実施形態のヒューズ装置１０の適用例を示した図である。
【図７】第１の実施形態のヒューズ装置１０の適用例を示した図である。
【図８】第１の実施形態のヒューズ装置１０の適用例を示した図である。
【図９】第１の実施形態のヒューズ装置１０の適用例を示した図である。
【図１０】第３の実施形態のヒューズ装置１０を示した図である。
【図１１】第４の実施形態のヒューズ装置１０に適用されるＤＢＣ基板２０の平面図である。
【図１２】第４の実施形態のヒューズ装置１０を示した図である。
【図１３】第８の実施形態のヒューズ装置１０に適用される放熱板３０ａと電気絶縁性材料層３０ｂとドレイン用導体パターン３０ｃ１とゲート用導体パターン３０ｃ２とソース用導体パターン３０ｃ３との接合体の平面図である。
【図１４】第８の実施形態のヒューズ装置１０を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
以下、本発明のヒューズ装置の第１の実施形態について説明する。図１〜図４は第１の実施形態のヒューズ装置１０を示した図である。詳細には、図１（Ａ）は第１の実施形態のヒューズ装置１０を右後側かつ上側から見た斜視図、図１（Ｂ）は第１の実施形態のヒューズ装置１０を左前側かつ上側から見た斜視図である。図２（Ａ）は樹脂封止部８の一部および電気絶縁性材料２を透視して見た第１の実施形態のヒューズ装置１０の平面図、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＡ−Ａ線に沿った概略的な断面図、図３は図２（Ｂ）のＢ部拡大図である。図４は第１の実施形態のヒューズ装置１０の内部の電流の流れ等を示した図である。
【００４３】
第１の実施形態のヒューズ装置１０では、例えばＣｕ、Ａｌなどのような熱伝導性の高い材料によって形成された放熱板１（図２参照）上に、電気絶縁性材料２（図２（Ｂ）参照）が配置されている。更に、前後方向（図１および図２の上下方向）に延びているドレインリードフレーム３（図１および図２参照）と、前後方向（図１および図２（Ａ）の上下方向）に延びているゲートリードフレーム４（図１および図２（Ａ）参照）と、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５（図２（Ａ）参照）とが、電気絶縁性材料２を介在させて放熱板１上に載置されている。
【００４４】
電気絶縁性材料２として例えば熱圧着シートが用いられる場合には、ドレインリードフレーム３、ゲートリードフレーム４および概略Ｕ字状のソースリードフレーム５と、放熱板１とを加圧して加熱することにより、ドレインリードフレーム３、ゲートリードフレーム４および概略Ｕ字状のソースリードフレーム５と、放熱板１とが電気絶縁性材料２を介して接合される。
【００４５】
また、電気絶縁性材料２として例えば電気絶縁性接着剤が用いられる場合には、ドレインリードフレーム３、ゲートリードフレーム４および概略Ｕ字状のソースリードフレーム５と、放熱板１とを電気絶縁性材料２によって接着することにより、ドレインリードフレーム３、ゲートリードフレーム４および概略Ｕ字状のソースリードフレーム５と、放熱板１とが電気絶縁性材料２を介して接合される。
【００４６】
また、電気絶縁性材料２として例えば電気絶縁性シート材が用いられる場合には、ドレインリードフレーム３、ゲートリードフレーム４および概略Ｕ字状のソースリードフレーム５と、放熱板１との間に電気絶縁性材料２を介在させた状態で後述する樹脂封止工程を実行することにより、ドレインリードフレーム３、ゲートリードフレーム４および概略Ｕ字状のソースリードフレーム５と、放熱板１とが電気絶縁性材料２を介して接合される。
【００４７】
更に、第１の実施形態のヒューズ装置１０では、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５が、前後方向（図１および図２（Ａ）の上下方向）に延びているソースメイン端子部５ａ（図１および図２（Ａ）参照）と、前後方向（図１および図２（Ａ）の上下方向）に延びているソース信号端子部５ｂ（図１および図２（Ａ）参照）と、それらを橋絡するために左右方向（図２（Ａ）の左右方向）に延びている橋絡部５ｃ（図２（Ａ）参照）とによって構成されている。
【００４８】
また、第１の実施形態のヒューズ装置１０では、例えばＣｕ、Ａｌなどのような導電性材料によって、ドレインリードフレーム３（図１および図２参照）と、ゲートリードフレーム４（図１および図２（Ａ）参照）と、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５（図２（Ａ）参照）とが形成されている。更に、電気絶縁性材料２（図２（Ｂ）参照）によって、放熱板１（図２参照）とドレインリードフレーム３とが、電気的に絶縁されている。また、電気絶縁性材料２によって、放熱板１とゲートリードフレーム４とが、電気的に絶縁されている。同様に、電気絶縁性材料２によって、放熱板１とソースリードフレーム５とが、電気的に絶縁されている。
【００４９】
更に、第１の実施形態のヒューズ装置１０では、ドレインリードフレーム３（図１および図２参照）の搭載部３ａ（図２参照）の上面と縦型パワーＭＯＳＦＥＴ６（図２参照）のドレインとが対向するように、ドレインリードフレーム３の搭載部３ａ上に縦型ＭＯＳＦＥＴ６が載置されている。詳細には、例えば半田などによって、ドレインリードフレーム３の搭載部３ａと縦型ＭＯＳＦＥＴ６のドレインとが、電気的に接続されると共に、機械的に接合されている。
【００５０】
また、第１の実施形態のヒューズ装置１０では、ボンディングワイヤ７ａ（図２（Ａ）参照）を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ６（図２参照）のソースと概略Ｕ字状のソースリードフレーム５（図２（Ａ）参照）のソースメイン端子部５ａ（図１および図２（Ａ）参照）の接続部５ａ１（図１および図２（Ａ）参照）とが電気的に接続されている。第２の実施形態のヒューズ装置１０では、代わりに、板状の接続部材を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ６のソースと概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソースメイン端子部５ａの接続部５ａ１とを電気的に接続することも可能である。
【００５１】
更に、第１の実施形態のヒューズ装置１０では、ボンディングワイヤ７ｂ（図２（Ａ）参照）を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ６（図２参照）のゲートとゲートリードフレーム４（図１および図２（Ａ）参照）の接続部４ａ（図２（Ａ）参照）とが電気的に接続されている。
【００５２】
また、第１の実施形態のヒューズ装置１０では、放熱板１（図２参照）の一部と、電気絶縁性材料２（図２（Ｂ）参照）と、ドレインリードフレーム３（図１および図２参照）の一部と、ゲートリードフレーム４（図１および図２（Ａ）参照）の一部と、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５（図２（Ａ）参照）の一部と、縦型ＭＯＳＦＥＴ６（図２参照）と、ボンディングワイヤ７ａ，７ｂ（図２（Ａ）参照）とが樹脂によって封止され、樹脂封止部８（図１および図２参照）が形成されている。この樹脂封止部８には、例えばねじ止めなどに用いられる穴８ａ（図２参照）が形成されている。
【００５３】
図５〜図９は第１の実施形態のヒューズ装置１０の適用例を示した図である。詳細には、図５は第１の実施形態のヒューズ装置１０が適用された負荷保護回路を概略的に示した回路図である。図６は第１の実施形態のヒューズ装置１０が適用された負荷保護回路の一部をヒューズ装置１０の左後側かつ上側から見た斜視図である。図７は第１の実施形態のヒューズ装置１０が適用された負荷保護回路の一部をヒューズ装置１０の右前側かつ上側から見た斜視図である。図８は第１の実施形態のヒューズ装置１０が適用された負荷保護回路の一部をヒューズ装置１０の後側から見た後側面図である。図９は第１の実施形態のヒューズ装置１０が適用された負荷保護回路の一部をヒューズ装置１０の上側から部分的に透視して見た平面図である。
【００５４】
第１の実施形態のヒューズ装置１０によって一部が構成される負荷保護回路の図５〜図９に示す例では、正常時に、制御信号系基板１１（図６、図７、図８および図９参照）に搭載されたＩＣ１（図５、図６および図８参照）によってゲート駆動信号が生成され、そのゲート駆動信号が、ゲートリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）１１ａ（図７および図９参照）、ゲートリードフレーム４（図１、図２（Ａ）、図４、図５および図９参照）の前端部４ｂ（図１、図２（Ａ）、図４、図７および図９参照）、ゲートリードフレーム４の接続部４ａ（図２（Ａ）、図４および図９参照）およびボンディングワイヤ７ｂ（図２（Ａ）、図４および図９参照）を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ６（図２、図４、図５および図９参照）のゲートに入力され、縦型ＭＯＳＦＥＴ６がターンオンされる。つまり、ゲート駆動信号が、図４に破線矢印で示すようにゲートリードフレーム４を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ６のゲートに入力される。
【００５５】
その結果、電流が、電源ＢＡＴ（図５参照）から、ドレインリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）１２ａ（図９参照）、ドレインリードフレーム３（図１、図２、図４、図５、図６、図７および図９参照）の前端部３ｂ（図１、図２、図４、図７および図９参照）、ドレインリードフレーム３の搭載部３ａ（図２、図４および図９参照）、縦型ＭＯＳＦＥＴ６（図２、図４、図５および図９参照）のドレイン、縦型ＭＯＳＦＥＴ６のソース、ボンディングワイヤ７ａ（図２（Ａ）、図４および図９参照）、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５（図２（Ａ）、図４および図９参照）のソースメイン端子部５ａ（図１、図２（Ａ）、図４、図５、図６、図７および図９参照）の接続部５ａ１（図２（Ａ）、図４および図９参照）、ソースメイン端子部５ａの前端部５ａ２（図１、図２（Ａ）、図４、図７および図９参照）およびソースメイン端子部用雌ターミナル（ソケット）１３ａ（図９参照）を介して負荷ＬＯＡＤ１（図５参照）に供給される。つまり、電流が、図４に白抜き矢印で示すようにドレインリードフレーム３および概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソースメイン端子部５ａを流れる。
【００５６】
また、第１の実施形態のヒューズ装置１０によって一部が構成される負荷保護回路の図５〜図９に示す例では、異常時に、制御信号系基板１１（図６、図７、図８および図９参照）に搭載されたＩＣ１（図５、図６および図８参照）によって停止信号が生成され、その停止信号が、ゲートリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）１１ａ（図７および図９参照）、ゲートリードフレーム４（図１、図２（Ａ）、図４、図５および図９参照）の前端部４ｂ（図１、図２（Ａ）、図４、図７および図９参照）、ゲートリードフレーム４の接続部４ａ（図２（Ａ）、図４および図９参照）およびボンディングワイヤ７ｂ（図２（Ａ）、図４および図９参照）を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ６（図２、図４、図５および図９参照）のゲートに入力され、縦型ＭＯＳＦＥＴ６がターンオフされる。つまり、停止信号が、図４に破線矢印で示すようにゲートリードフレーム４を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ６のゲートに入力される。その結果、電源ＢＡＴ（図５参照）からの過電流が縦型ＭＯＳＦＥＴ６（図２、図４、図５および図９参照）によって遮断され、負荷ＬＯＡＤ１（図５参照）に供給されなくなる。
【００５７】
詳細には、図５〜図９に示す例では、第１の実施形態のヒューズ装置１０と同様に構成されたヒューズ装置１０’（図５、図６、図７および図８参照）が負荷ＬＯＡＤ２（図５参照）を保護するために負荷保護回路に組み込まれている。また、第１の実施形態のヒューズ装置１０と同様に構成されたヒューズ装置１０’’（図５、図６および図８参照）が負荷ＬＯＡＤ３（図５参照）を保護するために負荷保護回路に組み込まれている。更に、第１の実施形態のヒューズ装置１０と同様に構成されたヒューズ装置１０’’’（図５、図６および図８参照）が負荷ＬＯＡＤ４（図５参照）を保護するために負荷保護回路に組み込まれている。尚、図７において、１１ｃ，１１ｄは穴を示している。また、図９において、１４はジャンクションボックスを示している。
【００５８】
詳細には、第１の実施形態のヒューズ装置１０では、図９に示すように、ヒューズ装置１０を前向き（図９の下向き）に移動させることのみによって、ドレインリードフレーム３の前端部３ｂがドレインリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）１２ａに差し込まれて固定され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソースメイン端子部５ａの前端部５ａ２がソースメイン端子部用雌ターミナル（ソケット）１３ａに差し込まれて固定され、ゲートリードフレーム４の前端部４ｂがゲートリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）１１ａに差し込まれて固定され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソース信号端子部５ｂの前端部５ｂ１がソース信号端子部用雌ターミナル（ソケット）１１ｂに差し込まれて固定されるように、かつ、ヒューズ装置１０を後向き（図９の上向き）に移動させることのみによって、ドレインリードフレーム３の前端部３ｂがドレインリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）１２ａから取り外され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソースメイン端子部５ａの前端部５ａ２がソースメイン端子部用雌ターミナル（ソケット）１３ａから取り外され、ゲートリードフレーム４の前端部４ｂがゲートリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）１１ａから取り外され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソース信号端子部５ｂの前端部５ｂ１がソース信号端子部用雌ターミナル（ソケット）１１ｂから取り外されるように、ドレインリードフレーム３の前端部３ｂと、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソースメイン端子部５ａの前端部５ａ２と、ゲートリードフレーム４の前端部４ｂと、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソース信号端子部５ｂの前端部５ｂ１とが、互いに平行に前後方向（図９の上下方向）に延ばされている。
【００５９】
そのため、第１の実施形態のヒューズ装置１０によれば、負荷保護回路に対するヒューズ装置１０の着脱作業をシンプルにすることができる。詳細には、第１の実施形態のヒューズ装置１０によれば、例えばねじなどを用いる必要なく、ヒューズ装置１０を負荷保護回路に取り付けて固定することができ、例えばねじなどを取り外す必要なく、ヒューズ装置１０を負荷保護回路から取り外すことができる。
【００６０】
更に、第１の実施形態のヒューズ装置１０では、図１、図２（Ａ）および図４に示すように、ソースメイン端子部５ａとは別個にソース信号端子部５ｂが設けられている。そのため、第１の実施形態のヒューズ装置１０によれば、図４に破線矢印で示すように、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５の橋絡部５ｃおよびソース信号端子部５ｂを介してソースメイン端子部５ａの接続部５ａ１の電位を取り出すことができる。その結果、例えばゲートリードフレーム４の電位とソース信号端子部５ｂの電位とに基づいて、縦型ＭＯＳＦＥＴ６をターンオン／ターンオフするための最適なゲート駆動信号／停止信号を生成することができる。
【００６１】
また、第１の実施形態のヒューズ装置１０では、図１（Ｂ）および図２に示すように、前後方向（図１（Ｂ）および図２の上下方向）に延びているドレインリードフレーム３にストッパ部３ｃが形成されている。また、前後方向に延びているゲートリードフレーム４にストッパ部４ｃが形成されている。更に、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５の前後方向に延びているソースメイン端子部５ａにストッパ部５ａ３が形成されている。また、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５の前後方向に延びているソース信号端子部５ｂにストッパ部５ｂ２が形成されている。
【００６２】
詳細には、第１の実施形態のヒューズ装置１０では、図９に示すように、ヒューズ装置１０を前向き（図９の下向き）に移動させることによってヒューズ装置１０が負荷保護回路に取り付けられる時に、ドレインリードフレーム３のストッパ部３ｃ、ゲートリードフレーム４のストッパ部４ｃ、ソースメイン端子部５ａのストッパ部５ａ３、および、ソース信号端子部５ｂのストッパ部５ｂ２が、制御信号系基板１１の後面に突き当てられる。
【００６３】
そのため、第１の実施形態のヒューズ装置１０によれば、ヒューズ装置１０を前向き（図９の下向き）に移動させることによる負荷保護回路に対するヒューズ装置１０の取り付け作業が完了したことを作業者に認識させることができる。
【００６４】
更に、第１の実施形態のヒューズ装置１０では、図３に示すように、放熱板１の上面（図３の左側の面）と前側面（図３の下側の面）との境界部分に凹部１ａが形成されている。そのため、第１の実施形態のヒューズ装置１０によれば、放熱板１の上面と前側面との境界部分に凹部１ａが形成されていない場合よりも、放熱板１とドレインリードフレーム３との間の沿面距離、放熱板１とゲートリードフレーム４（図２（Ａ）参照）との間の沿面距離、放熱板１とソースメイン端子部５ａ（図２（Ａ）参照）との間の沿面距離、および、放熱板１とソース信号端子部５ｂ（図２（Ａ）参照）との間の沿面距離を増大させることができる。
【００６５】
また、第１の実施形態のヒューズ装置１０では、図１、図２（Ａ）および図９に示すように、ドレインリードフレーム３の前端部３ｂおよびソースメイン端子部５ａの前端部５ａ２と、ゲートリードフレーム４の前端部４ｂおよびソース信号端子部５ｂの前端部５ｂ１とが前後方向（図１、図２（Ａ）および図９の上下方向）に離間して配置されている。
【００６６】
図１０は第３の実施形態のヒューズ装置１０を示した図である。詳細には、図１０（Ａ）は第３の実施形態のヒューズ装置１０を右後側かつ上側から見た斜視図、図１０（Ｂ）は第３の実施形態のヒューズ装置１０を左前側かつ上側から見た斜視図である。
【００６７】
第１の実施形態のヒューズ装置１０では、上述したように、ドレインリードフレーム３の前端部３ｂおよびソースメイン端子部５ａの前端部５ａ２と、ゲートリードフレーム４の前端部４ｂおよびソース信号端子部５ｂの前端部５ｂ１とが前後方向（図１、図２（Ａ）および図９の上下方向）に離間して配置されているが、第３の実施形態のヒューズ装置１０では、図１０に示すように、ドレインリードフレーム３の前端部３ｂおよびソースメイン端子部５ａの前端部５ａ２と、ゲートリードフレーム４の前端部４ｂおよびソース信号端子部５ｂの前端部５ｂ１とが前後方向（図１０の上下方向）の同じ位置に配置されている。
【００６８】
図１１は第４の実施形態のヒューズ装置１０に適用されるＤＢＣ基板（Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｏｎｄｉｎｇ Ｃｏｐｐｅｒ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）２０の平面図である。図１２は第４の実施形態のヒューズ装置１０を示した図である。詳細には、図１２（Ａ）は樹脂封止部８の一部を透視して見た第４の実施形態のヒューズ装置１０などの平面図、図１２（Ｂ）は図１２（Ａ）のＣ−Ｃ線に沿った概略的な断面図である。
【００６９】
第４の実施形態のヒューズ装置１０では、図１２に示すように、上面にドレイン用導体パターン２０ｂ１（図１１参照）とゲート用導体パターン２０ｂ２（図１１参照）とソース用導体パターン２０ｂ３（図１１参照）とが形成されたＤＢＣ基板２０（図１１参照）が、放熱板１上に載置されている。詳細には、ＤＢＣ基板２０の下面に形成されている導体パターン（図示せず）と放熱板１とが、例えば半田などによって機械的に接合されている。尚、図１１において、２０ａはセラミック基板を示している。
【００７０】
更に、第４の実施形態のヒューズ装置１０では、図１２に示すように、前後方向（図１２の上下方向）に延びているドレインリードフレーム３がＤＢＣ基板２０のドレイン用導体パターン２０ｂ１（図１１参照）上に載置され、前後方向に延びているゲートリードフレーム４がＤＢＣ基板２０のゲート用導体パターン２０ｂ２（図１１参照）上に載置され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５がＤＢＣ基板２０のソース用導体パターン２０ｂ３（図１１参照）上に載置されている。詳細には、例えば半田などによって、ドレインリードフレーム３とＤＢＣ基板２０のドレイン用導体パターン２０ｂ１とが、電気的に接続されると共に、機械的に接合されている。また、例えば半田などによって、ゲートリードフレーム４とＤＢＣ基板２０のゲート用導体パターン２０ｂ２とが、電気的に接続されると共に、機械的に接合されている。更に、例えば半田などによって、ソースリードフレーム５とＤＢＣ基板２０のソース用導体パターン２０ｂ３とが、電気的に接続されると共に、機械的に接合されている。
【００７１】
また、第４の実施形態のヒューズ装置１０では、図１２に示すように、前後方向（図１２の上下方向）に延びているソースメイン端子部５ａと、前後方向に延びているソース信号端子部５ｂと、それらを橋絡するために左右方向（図１２の左右方向）に延びている橋絡部５ｃとによって概略Ｕ字状のソースリードフレーム５が構成されている。
【００７２】
更に、第４の実施形態のヒューズ装置１０では、図１２に示すように、ドレインリードフレーム３の搭載部３ａの上面と縦型ＭＯＳＦＥＴ６のドレインとが対向するように、ドレインリードフレーム３の搭載部３ａ上に縦型ＭＯＳＦＥＴ６が載置されている。詳細には、例えば半田などによって、ドレインリードフレーム３の搭載部３ａと縦型ＭＯＳＦＥＴ６のドレインとが、電気的に接続されると共に、機械的に接合されている。第５の実施形態のヒューズ装置１０では、代わりに、ＤＢＣ基板２０（図１１参照）のドレイン用導体パターン２０ｂ１（図１１参照）の上面と縦型ＭＯＳＦＥＴ６のドレインとが対向するように、ＤＢＣ基板２０のドレイン用導体パターン２０ｂ１上に縦型ＭＯＳＦＥＴ６を載置することも可能である。
【００７３】
また、第４の実施形態のヒューズ装置１０では、図１２に示すように、ボンディングワイヤ７ａを介して縦型ＭＯＳＦＥＴ６のソースと概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソースメイン端子部５ａの接続部５ａ１とが電気的に接続されている。第６の実施形態のヒューズ装置１０では、代わりに、ボンディングワイヤ７ａを介して縦型ＭＯＳＦＥＴ６のソースとＤＢＣ基板２０（図１１参照）のソース用導体パターン２０ｂ３（図１１参照）とを電気的に接続することも可能である。
【００７４】
更に、第４の実施形態のヒューズ装置１０では、図１２に示すように、ボンディングワイヤ７ｂを介して縦型ＭＯＳＦＥＴ６のゲートとゲートリードフレーム４の接続部４ａとが電気的に接続されている。第７の実施形態のヒューズ装置１０では、代わりに、ボンディングワイヤ７ｂを介して縦型ＭＯＳＦＥＴ６のゲートとＤＢＣ基板２０（図１１参照）のゲート用導体パターン２０ｂ２（図１１参照）とを電気的に接続することも可能である。
【００７５】
また、第４の実施形態のヒューズ装置１０では、図１２に示すように、放熱板１の一部と、ＤＢＣ基板２０と、ドレインリードフレーム３の一部と、ゲートリードフレーム４の一部と、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５の一部と、縦型ＭＯＳＦＥＴ６と、ボンディングワイヤ７ａと、ボンディングワイヤ７ｂとが樹脂によって封止され、樹脂封止部８が形成されている。
【００７６】
詳細には、第４の実施形態のヒューズ装置１０によって一部が構成される負荷保護回路では、正常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ６（図１２参照）がターンオンされることにより、電流がドレインリードフレーム３（図１２参照）、縦型ＭＯＳＦＥＴ６（図１２参照）および概略Ｕ字状のソースリードフレーム５（図１２参照）のソースメイン端子部５ａ（図１２参照）を介して負荷に供給される。また、異常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ６がターンオフされることにより、過電流が縦型ＭＯＳＦＥＴ６によって遮断され、負荷に供給されなくなる。
【００７７】
更に詳細には、第４の実施形態のヒューズ装置１０では、図１２に示すように、ヒューズ装置１０を前向き（図１２の下向き）に移動させることのみによって、ドレインリードフレーム３の前端部３ｂがドレインリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）１２ａに差し込まれて固定され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソースメイン端子部５ａの前端部５ａ２がソースメイン端子部用雌ターミナル（ソケット）１３ａに差し込まれて固定され、ゲートリードフレーム４の前端部４ｂがゲートリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）１１ａに差し込まれて固定され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソース信号端子部５ｂの前端部５ｂ１がソース信号端子部用雌ターミナル（ソケット）１１ｂに差し込まれて固定されるように、かつ、ヒューズ装置１０を後向き（図１２の上向き）に移動させることのみによって、ドレインリードフレーム３の前端部３ｂがドレインリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）１２ａから取り外され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソースメイン端子部５ａの前端部５ａ２がソースメイン端子部用雌ターミナル（ソケット）１３ａから取り外され、ゲートリードフレーム４の前端部４ｂがゲートリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）１１ａから取り外され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソース信号端子部５ｂの前端部５ｂ１がソース信号端子部用雌ターミナル（ソケット）１１ｂから取り外されるように、ドレインリードフレーム３の前端部３ｂと、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソースメイン端子部５ａの前端部５ａ２と、ゲートリードフレーム４の前端部４ｂと、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソース信号端子部５ｂの前端部５ｂ１とが、互いに平行に前後方向（図１２の上下方向）に延ばされている。
【００７８】
そのため、第４の実施形態のヒューズ装置１０によれば、負荷保護回路に対するヒューズ装置１０の着脱作業をシンプルにすることができる。詳細には、第４の実施形態のヒューズ装置１０によれば、例えばねじなどを用いる必要なく、ヒューズ装置１０を負荷保護回路に取り付けて固定することができ、例えばねじなどを取り外す必要なく、ヒューズ装置１０を負荷保護回路から取り外すことができる。
【００７９】
更に、第４の実施形態のヒューズ装置１０では、図１２に示すように、ソースメイン端子部５ａとは別個にソース信号端子部５ｂが設けられている。そのため、第４の実施形態のヒューズ装置１０によれば、例えばゲートリードフレーム４の電位とソース信号端子部５ｂの電位とに基づいて、縦型ＭＯＳＦＥＴ６をターンオン／ターンオフするための最適なゲート駆動信号を生成することができる。
【００８０】
図１３は第８の実施形態のヒューズ装置１０に適用される放熱板３０ａと電気絶縁性材料層３０ｂとドレイン用導体パターン３０ｃ１とゲート用導体パターン３０ｃ２とソース用導体パターン３０ｃ３との接合体の平面図である。図１４は第８の実施形態のヒューズ装置１０を示した図である。詳細には、図１４（Ａ）は樹脂封止部８の一部を透視して見た第８の実施形態のヒューズ装置１０などの平面図、図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）のＤ−Ｄ線に沿った概略的な断面図である。
【００８１】
第８の実施形態のヒューズ装置１０では、図１４（Ｂ）に示すように、放熱板３０ａ上に電気絶縁性材料層３０ｂが形成されている。また、図１３、図１４（Ａ）および図１４（Ｂ）に示すように、電気絶縁性材料層３０ｂ上にドレイン用導体パターン３０ｃ１とゲート用導体パターン３０ｃ２とソース用導体パターン３０ｃ３とが形成されている。
【００８２】
更に、第８の実施形態のヒューズ装置１０では、図１４に示すように、前後方向（図１２の上下方向）に延びているドレインリードフレーム３がドレイン用導体パターン３０ｃ１（図１３参照）上に載置され、前後方向に延びているゲートリードフレーム４がゲート用導体パターン３０ｃ２（図１３参照）上に載置され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５がソース用導体パターン３０ｃ３（図１３参照）上に載置されている。詳細には、例えば半田などによって、ドレインリードフレーム３とドレイン用導体パターン３０ｃ１とが、電気的に接続されると共に、機械的に接合されている。また、例えば半田などによって、ゲートリードフレーム４とゲート用導体パターン３０ｃ２とが、電気的に接続されると共に、機械的に接合されている。更に、例えば半田などによって、ソースリードフレーム５とソース用導体パターン３０ｃ３とが、電気的に接続されると共に、機械的に接合されている。
【００８３】
また、第８の実施形態のヒューズ装置１０では、図１４に示すように、前後方向（図１４の上下方向）に延びているソースメイン端子部５ａと、前後方向に延びているソース信号端子部５ｂと、それらを橋絡するために左右方向（図１４の左右方向）に延びている橋絡部５ｃとによって概略Ｕ字状のソースリードフレーム５が構成されている。
【００８４】
更に、第８の実施形態のヒューズ装置１０では、図１４に示すように、ドレインリードフレーム３の搭載部３ａの上面と縦型ＭＯＳＦＥＴ６のドレインとが対向するように、ドレインリードフレーム３の搭載部３ａ上に縦型ＭＯＳＦＥＴ６が載置されている。詳細には、例えば半田などによって、ドレインリードフレーム３の搭載部３ａと縦型ＭＯＳＦＥＴ６のドレインとが、電気的に接続されると共に、機械的に接合されている。第９の実施形態のヒューズ装置１０では、代わりに、ドレイン用導体パターン３０ｃ１（図１３参照）の上面と縦型ＭＯＳＦＥＴ６のドレインとが対向するように、ドレイン用導体パターン３０ｃ１上に縦型ＭＯＳＦＥＴ６を載置することも可能である。
【００８５】
また、第８の実施形態のヒューズ装置１０では、図１４に示すように、ボンディングワイヤ７ａを介して縦型ＭＯＳＦＥＴ６のソースと概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソースメイン端子部５ａの接続部５ａ１とが電気的に接続されている。第１０の実施形態のヒューズ装置１０では、代わりに、ボンディングワイヤ７ａを介して縦型ＭＯＳＦＥＴ６のソースとソース用導体パターン３０ｃ３（図１３参照）とを電気的に接続することも可能である。
【００８６】
更に、第８の実施形態のヒューズ装置１０では、図１４に示すように、ボンディングワイヤ７ｂを介して縦型ＭＯＳＦＥＴ６のゲートとゲートリードフレーム４の接続部４ａとが電気的に接続されている。第１１の実施形態のヒューズ装置１０では、代わりに、ボンディングワイヤ７ｂを介して縦型ＭＯＳＦＥＴ６のゲートとゲート用導体パターン３０ｃ２（図１３参照）とを電気的に接続することも可能である。
【００８７】
また、第８の実施形態のヒューズ装置１０では、図１４に示すように、放熱板３０ａの一部と、電気絶縁性材料層３０ｂと、ドレイン用導体パターン３０ｃ１と、ゲート用導体パターン３０ｃ２と、ソース用導体パターン３０ｃ３と、ドレインリードフレーム３の一部と、ゲートリードフレーム４の一部と、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５の一部と、縦型ＭＯＳＦＥＴ６と、ボンディングワイヤ７ａと、ボンディングワイヤ７ｂとが樹脂によって封止され、樹脂封止部８が形成されている。
【００８８】
詳細には、第８の実施形態のヒューズ装置１０によって一部が構成される負荷保護回路では、正常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ６（図１４参照）がターンオンされることにより、電流がドレインリードフレーム３（図１４参照）、縦型ＭＯＳＦＥＴ６（図１４参照）および概略Ｕ字状のソースリードフレーム５（図１４参照）のソースメイン端子部５ａ（図１４参照）を介して負荷に供給される。また、異常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ６がターンオフされることにより、過電流が縦型ＭＯＳＦＥＴ６によって遮断され、負荷に供給されなくなる。
【００８９】
更に詳細には、第８の実施形態のヒューズ装置１０では、図１４に示すように、ヒューズ装置１０を前向き（図１４の下向き）に移動させることのみによって、ドレインリードフレーム３の前端部３ｂがドレインリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）１２ａに差し込まれて固定され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソースメイン端子部５ａの前端部５ａ２がソースメイン端子部用雌ターミナル（ソケット）１３ａに差し込まれて固定され、ゲートリードフレーム４の前端部４ｂがゲートリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）１１ａに差し込まれて固定され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソース信号端子部５ｂの前端部５ｂ１がソース信号端子部用雌ターミナル（ソケット）１１ｂに差し込まれて固定されるように、かつ、ヒューズ装置１０を後向き（図１４の上向き）に移動させることのみによって、ドレインリードフレーム３の前端部３ｂがドレインリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）１２ａから取り外され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソースメイン端子部５ａの前端部５ａ２がソースメイン端子部用雌ターミナル（ソケット）１３ａから取り外され、ゲートリードフレーム４の前端部４ｂがゲートリードフレーム用雌ターミナル（ソケット）１１ａから取り外され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソース信号端子部５ｂの前端部５ｂ１がソース信号端子部用雌ターミナル（ソケット）１１ｂから取り外されるように、ドレインリードフレーム３の前端部３ｂと、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソースメイン端子部５ａの前端部５ａ２と、ゲートリードフレーム４の前端部４ｂと、概略Ｕ字状のソースリードフレーム５のソース信号端子部５ｂの前端部５ｂ１とが、互いに平行に前後方向（図１４の上下方向）に延ばされている。
【００９０】
そのため、第８の実施形態のヒューズ装置１０によれば、負荷保護回路に対するヒューズ装置１０の着脱作業をシンプルにすることができる。詳細には、第８の実施形態のヒューズ装置１０によれば、例えばねじなどを用いる必要なく、ヒューズ装置１０を負荷保護回路に取り付けて固定することができ、例えばねじなどを取り外す必要なく、ヒューズ装置１０を負荷保護回路から取り外すことができる。
【００９１】
更に、第８の実施形態のヒューズ装置１０では、図１４に示すように、ソースメイン端子部５ａとは別個にソース信号端子部５ｂが設けられている。そのため、第８の実施形態のヒューズ装置１０によれば、例えばゲートリードフレーム４の電位とソース信号端子部５ｂの電位とに基づいて、縦型ＭＯＳＦＥＴ６をターンオン／ターンオフするための最適なゲート駆動信号を生成することができる。
【００９２】
第１２の実施形態では、上述した第１から第１１の実施形態を適宜組み合わせることも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００９３】
本発明のヒューズ装置は、例えば車両などのような、溶断エレメントを内蔵する型式のヒューズが適用されている任意の分野に対して適用可能である。
【符号の説明】
【００９４】
１ 放熱板
２ 電気絶縁性材料
３ ドレインリードフレーム
３ａ 搭載部
３ｂ 前端部
３ｃ ストッパ部
４ ゲートリードフレーム
４ａ 接続部
４ｂ 前端部
４ｃ ストッパ部
５ ソースリードフレーム
５ａ ソースメイン端子部
５ａ１ 接続部
５ａ２ 前端部
５ａ３ ストッパ部
５ｂ ソース信号端子部
５ｂ１ 前端部
５ｂ２ ストッパ部
５ｃ 橋絡部
６ ＭＯＳＦＥＴ
７ａ，７ｂ ボンディングワイヤ
８ 樹脂封止部
８ａ 穴
１０ ヒューズ装置
１１ 制御信号系基板
１１ａ，１１ｂ 雌ターミナル（ソケット）
１１ｃ，１１ｄ 穴
１２ａ，１３ａ 雌ターミナル（ソケット）
１４ ジャンクションボックス
２０ ＤＢＣ基板
２０ａ セラミック基板
２０ｂ１ ドレイン用導体パターン
２０ｂ２ ゲート用導体パターン
２０ｂ３ ソース用導体パターン
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前後方向に延びているドレインリードフレーム（３）と、前後方向に延びているゲートリードフレーム（４）と、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）とを、電気絶縁性材料（２）を介在させて放熱板（１）上に載置し、
前後方向に延びているソースメイン端子部（５ａ）と、前後方向に延びているソース信号端子部（５ｂ）と、それらを橋絡するために左右方向に延びている橋絡部（５ｃ）とによって概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）を構成し、
ドレインリードフレーム（３）の搭載部（３ａ）の上面と縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のドレインとが対向するように、ドレインリードフレーム（３）の搭載部（３ａ）上に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）を載置し、
ボンディングワイヤ（７ａ）または板状の接続部材を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のソースと概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソースメイン端子部（５ａ）の接続部（５ａ１）とを電気的に接続し、
ボンディングワイヤ（７ｂ）を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のゲートとゲートリードフレーム（４）の接続部（４ａ）とを電気的に接続し、
放熱板（１）の一部と、電気絶縁性材料（２）と、ドレインリードフレーム（３）の一部と、ゲートリードフレーム（４）の一部と、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）の一部と、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）と、ボンディングワイヤ（７ａ）または板状の接続部材と、ボンディングワイヤ（７ｂ）とを樹脂によって封止し、
正常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）がターンオンされることにより、電流がドレインリードフレーム（３）、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）および概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソースメイン端子部（５ａ）を介して負荷に供給され、異常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）がターンオフされることにより、過電流が縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）によって遮断され、負荷に供給されなくなる負荷保護回路の一部を構成するヒューズ装置（１０）であって、
ヒューズ装置（１０）を前向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）がドレインリードフレーム用雌ターミナル（１２ａ）に差し込まれて固定され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）がソースメイン端子部用雌ターミナル（１３ａ）に差し込まれて固定され、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）がゲートリードフレーム用雌ターミナル（１１ａ）に差し込まれて固定され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）がソース信号端子部用雌ターミナル（１１ｂ）に差し込まれて固定されるように、かつ、
ヒューズ装置（１０）を後向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）がドレインリードフレーム用雌ターミナル（１２ａ）から取り外され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）がソースメイン端子部用雌ターミナル（１３ａ）から取り外され、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）がゲートリードフレーム用雌ターミナル（１１ａ）から取り外され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）がソース信号端子部用雌ターミナル（１１ｂ）から取り外されるように、
ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）と、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）と、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）と、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）とを、互いに平行に前後方向に延ばしたことを特徴とするヒューズ装置（１０）。
【請求項２】
前後方向に延びているドレインリードフレーム（３）にストッパ部（３ｃ）を形成し、
前後方向に延びているゲートリードフレーム（４）にストッパ部（４ｃ）を形成し、
概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）の前後方向に延びているソースメイン端子部（５ａ）にストッパ部（５ａ３）を形成し、
概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）の前後方向に延びているソース信号端子部（５ｂ）にストッパ部（５ｂ２）を形成したことを特徴とする請求項１に記載のヒューズ装置（１０）。
【請求項３】
放熱板（１）の上面と前側面との境界部分に凹部（１ａ）を形成したことを特徴とする請求項１又は２に記載のヒューズ装置（１０）。
【請求項４】
ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）およびソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）と、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）およびソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）とを前後方向に離間させて配置したことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のヒューズ装置（１０）。
【請求項５】
上面にドレイン用導体パターン（２０ｂ１）とゲート用導体パターン（２０ｂ２）とソース用導体パターン（２０ｂ３）とが形成されたＤＢＣ基板（２０）を放熱板（１）上に載置し、
前後方向に延びているドレインリードフレーム（３）をＤＢＣ基板（２０）のドレイン用導体パターン（２０ｂ１）上に載置し、前後方向に延びているゲートリードフレーム（４）をＤＢＣ基板（２０）のゲート用導体パターン（２０ｂ２）上に載置し、前後方向に延びているソースメイン端子部（５ａ）と、前後方向に延びているソース信号端子部（５ｂ）とをＤＢＣ基板（２０）のソース用導体パターン（２０ｂ３）上に載置し、
ドレインリードフレーム（３）と縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のドレインとを電気的に接続し、
ボンディングワイヤ（７ａ）または板状の接続部材を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のソースとソースメイン端子部（５ａ）とを電気的に接続し、
ボンディングワイヤ（７ｂ）を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のゲートとゲートリードフレーム（４）とを電気的に接続し、
放熱板（１）の一部と、ＤＢＣ基板（２０）と、ドレインリードフレーム（３）の一部と、ゲートリードフレーム（４）の一部と、ソースメイン端子部（５ａ）の一部と、ソース信号端子部（５ｂ）の一部と、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）と、ボンディングワイヤ（７ａ）または板状の接続部材と、ボンディングワイヤ（７ｂ）とを樹脂によって封止し、
正常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）がターンオンされることにより、電流がドレインリードフレーム（３）、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）およびソースメイン端子部（５ａ）を介して負荷に供給され、異常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）がターンオフされることにより、過電流が縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）によって遮断され、負荷に供給されなくなる負荷保護回路の一部を構成するヒューズ装置（１０）であって、
ヒューズ装置（１０）を前向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）がドレインリードフレーム用雌ターミナル（１２ａ）に差し込まれて固定され、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）がソースメイン端子部用雌ターミナル（１３ａ）に差し込まれて固定され、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）がゲートリードフレーム用雌ターミナル（１１ａ）に差し込まれて固定され、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）がソース信号端子部用雌ターミナル（１１ｂ）に差し込まれて固定されるように、かつ、
ヒューズ装置（１０）を後向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）がドレインリードフレーム用雌ターミナル（１２ａ）から取り外され、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）がソースメイン端子部用雌ターミナル（１３ａ）から取り外され、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）がゲートリードフレーム用雌ターミナル（１１ａ）から取り外され、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）がソース信号端子部用雌ターミナル（１１ｂ）から取り外されるように、
ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）と、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）と、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）と、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）とを、互いに平行に前後方向に延ばしたことを特徴とするヒューズ装置（１０）。
【請求項６】
放熱板（３０ａ）上に電気絶縁性材料層（３０ｂ）を形成し、電気絶縁性材料層（３０ｂ）上にドレイン用導体パターン（３０ｃ１）とゲート用導体パターン（３０ｃ２）とソース用導体パターン（３０ｃ３）とを形成し、
前後方向に延びているドレインリードフレーム（３）をドレイン用導体パターン（３０ｃ１）上に載置し、前後方向に延びているゲートリードフレーム（４）をゲート用導体パターン（３０ｃ２）上に載置し、前後方向に延びているソースメイン端子部（５ａ）と、前後方向に延びているソース信号端子部（５ｂ）とをソース用導体パターン（３０ｃ３）上に載置し、
ドレインリードフレーム（３）と縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のドレインとを電気的に接続し、
ボンディングワイヤ（７ａ）または板状の接続部材を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のソースとソースメイン端子部（５ａ）とを電気的に接続し、
ボンディングワイヤ（７ｂ）を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のゲートとゲートリードフレーム（４）とを電気的に接続し、
放熱板（３０ａ）の一部と、電気絶縁性材料層（３０ｂ）と、ドレイン用導体パターン（３０ｃ１）と、ゲート用導体パターン（３０ｃ２）と、ソース用導体パターン（３０ｃ３）と、ドレインリードフレーム（３）の一部と、ゲートリードフレーム（４）の一部と、ソースメイン端子部（５ａ）の一部と、ソース信号端子部（５ｂ）の一部と、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）と、ボンディングワイヤ（７ａ）または板状の接続部材と、ボンディングワイヤ（７ｂ）とを樹脂によって封止し、
正常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）がターンオンされることにより、電流がドレインリードフレーム（３）、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）およびソースメイン端子部（５ａ）を介して負荷に供給され、異常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）がターンオフされることにより、過電流が縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）によって遮断され、負荷に供給されなくなる負荷保護回路の一部を構成するヒューズ装置（１０）であって、
ヒューズ装置（１０）を前向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）がドレインリードフレーム用雌ターミナル（１２ａ）に差し込まれて固定され、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）がソースメイン端子部用雌ターミナル（１３ａ）に差し込まれて固定され、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）がゲートリードフレーム用雌ターミナル（１１ａ）に差し込まれて固定され、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）がソース信号端子部用雌ターミナル（１１ｂ）に差し込まれて固定されるように、かつ、
ヒューズ装置（１０）を後向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）がドレインリードフレーム用雌ターミナル（１２ａ）から取り外され、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）がソースメイン端子部用雌ターミナル（１３ａ）から取り外され、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）がゲートリードフレーム用雌ターミナル（１１ａ）から取り外され、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）がソース信号端子部用雌ターミナル（１１ｂ）から取り外されるように、
ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）と、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）と、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）と、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）とを、互いに平行に前後方向に延ばしたことを特徴とするヒューズ装置（１０）。
【請求項１】
前後方向に延びているドレインリードフレーム（３）と、前後方向に延びているゲートリードフレーム（４）と、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）とを、電気絶縁性材料（２）を介在させて放熱板（１）上に載置し、
前後方向に延びているソースメイン端子部（５ａ）と、前後方向に延びているソース信号端子部（５ｂ）と、それらを橋絡するために左右方向に延びている橋絡部（５ｃ）とによって概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）を構成し、
ドレインリードフレーム（３）の搭載部（３ａ）の上面と縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のドレインとが対向するように、ドレインリードフレーム（３）の搭載部（３ａ）上に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）を載置し、
ボンディングワイヤ（７ａ）または板状の接続部材を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のソースと概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソースメイン端子部（５ａ）の接続部（５ａ１）とを電気的に接続し、
ボンディングワイヤ（７ｂ）を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のゲートとゲートリードフレーム（４）の接続部（４ａ）とを電気的に接続し、
放熱板（１）の一部と、電気絶縁性材料（２）と、ドレインリードフレーム（３）の一部と、ゲートリードフレーム（４）の一部と、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）の一部と、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）と、ボンディングワイヤ（７ａ）または板状の接続部材と、ボンディングワイヤ（７ｂ）とを樹脂によって封止し、
正常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）がターンオンされることにより、電流がドレインリードフレーム（３）、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）および概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソースメイン端子部（５ａ）を介して負荷に供給され、異常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）がターンオフされることにより、過電流が縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）によって遮断され、負荷に供給されなくなる負荷保護回路の一部を構成するヒューズ装置（１０）であって、
ヒューズ装置（１０）を前向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）がドレインリードフレーム用雌ターミナル（１２ａ）に差し込まれて固定され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）がソースメイン端子部用雌ターミナル（１３ａ）に差し込まれて固定され、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）がゲートリードフレーム用雌ターミナル（１１ａ）に差し込まれて固定され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）がソース信号端子部用雌ターミナル（１１ｂ）に差し込まれて固定されるように、かつ、
ヒューズ装置（１０）を後向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）がドレインリードフレーム用雌ターミナル（１２ａ）から取り外され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）がソースメイン端子部用雌ターミナル（１３ａ）から取り外され、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）がゲートリードフレーム用雌ターミナル（１１ａ）から取り外され、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）がソース信号端子部用雌ターミナル（１１ｂ）から取り外されるように、
ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）と、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）と、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）と、概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）のソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）とを、互いに平行に前後方向に延ばしたことを特徴とするヒューズ装置（１０）。
【請求項２】
前後方向に延びているドレインリードフレーム（３）にストッパ部（３ｃ）を形成し、
前後方向に延びているゲートリードフレーム（４）にストッパ部（４ｃ）を形成し、
概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）の前後方向に延びているソースメイン端子部（５ａ）にストッパ部（５ａ３）を形成し、
概略Ｕ字状のソースリードフレーム（５）の前後方向に延びているソース信号端子部（５ｂ）にストッパ部（５ｂ２）を形成したことを特徴とする請求項１に記載のヒューズ装置（１０）。
【請求項３】
放熱板（１）の上面と前側面との境界部分に凹部（１ａ）を形成したことを特徴とする請求項１又は２に記載のヒューズ装置（１０）。
【請求項４】
ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）およびソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）と、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）およびソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）とを前後方向に離間させて配置したことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のヒューズ装置（１０）。
【請求項５】
上面にドレイン用導体パターン（２０ｂ１）とゲート用導体パターン（２０ｂ２）とソース用導体パターン（２０ｂ３）とが形成されたＤＢＣ基板（２０）を放熱板（１）上に載置し、
前後方向に延びているドレインリードフレーム（３）をＤＢＣ基板（２０）のドレイン用導体パターン（２０ｂ１）上に載置し、前後方向に延びているゲートリードフレーム（４）をＤＢＣ基板（２０）のゲート用導体パターン（２０ｂ２）上に載置し、前後方向に延びているソースメイン端子部（５ａ）と、前後方向に延びているソース信号端子部（５ｂ）とをＤＢＣ基板（２０）のソース用導体パターン（２０ｂ３）上に載置し、
ドレインリードフレーム（３）と縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のドレインとを電気的に接続し、
ボンディングワイヤ（７ａ）または板状の接続部材を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のソースとソースメイン端子部（５ａ）とを電気的に接続し、
ボンディングワイヤ（７ｂ）を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のゲートとゲートリードフレーム（４）とを電気的に接続し、
放熱板（１）の一部と、ＤＢＣ基板（２０）と、ドレインリードフレーム（３）の一部と、ゲートリードフレーム（４）の一部と、ソースメイン端子部（５ａ）の一部と、ソース信号端子部（５ｂ）の一部と、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）と、ボンディングワイヤ（７ａ）または板状の接続部材と、ボンディングワイヤ（７ｂ）とを樹脂によって封止し、
正常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）がターンオンされることにより、電流がドレインリードフレーム（３）、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）およびソースメイン端子部（５ａ）を介して負荷に供給され、異常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）がターンオフされることにより、過電流が縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）によって遮断され、負荷に供給されなくなる負荷保護回路の一部を構成するヒューズ装置（１０）であって、
ヒューズ装置（１０）を前向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）がドレインリードフレーム用雌ターミナル（１２ａ）に差し込まれて固定され、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）がソースメイン端子部用雌ターミナル（１３ａ）に差し込まれて固定され、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）がゲートリードフレーム用雌ターミナル（１１ａ）に差し込まれて固定され、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）がソース信号端子部用雌ターミナル（１１ｂ）に差し込まれて固定されるように、かつ、
ヒューズ装置（１０）を後向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）がドレインリードフレーム用雌ターミナル（１２ａ）から取り外され、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）がソースメイン端子部用雌ターミナル（１３ａ）から取り外され、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）がゲートリードフレーム用雌ターミナル（１１ａ）から取り外され、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）がソース信号端子部用雌ターミナル（１１ｂ）から取り外されるように、
ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）と、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）と、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）と、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）とを、互いに平行に前後方向に延ばしたことを特徴とするヒューズ装置（１０）。
【請求項６】
放熱板（３０ａ）上に電気絶縁性材料層（３０ｂ）を形成し、電気絶縁性材料層（３０ｂ）上にドレイン用導体パターン（３０ｃ１）とゲート用導体パターン（３０ｃ２）とソース用導体パターン（３０ｃ３）とを形成し、
前後方向に延びているドレインリードフレーム（３）をドレイン用導体パターン（３０ｃ１）上に載置し、前後方向に延びているゲートリードフレーム（４）をゲート用導体パターン（３０ｃ２）上に載置し、前後方向に延びているソースメイン端子部（５ａ）と、前後方向に延びているソース信号端子部（５ｂ）とをソース用導体パターン（３０ｃ３）上に載置し、
ドレインリードフレーム（３）と縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のドレインとを電気的に接続し、
ボンディングワイヤ（７ａ）または板状の接続部材を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のソースとソースメイン端子部（５ａ）とを電気的に接続し、
ボンディングワイヤ（７ｂ）を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）のゲートとゲートリードフレーム（４）とを電気的に接続し、
放熱板（３０ａ）の一部と、電気絶縁性材料層（３０ｂ）と、ドレイン用導体パターン（３０ｃ１）と、ゲート用導体パターン（３０ｃ２）と、ソース用導体パターン（３０ｃ３）と、ドレインリードフレーム（３）の一部と、ゲートリードフレーム（４）の一部と、ソースメイン端子部（５ａ）の一部と、ソース信号端子部（５ｂ）の一部と、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）と、ボンディングワイヤ（７ａ）または板状の接続部材と、ボンディングワイヤ（７ｂ）とを樹脂によって封止し、
正常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）がターンオンされることにより、電流がドレインリードフレーム（３）、縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）およびソースメイン端子部（５ａ）を介して負荷に供給され、異常時に縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）がターンオフされることにより、過電流が縦型ＭＯＳＦＥＴ（６）によって遮断され、負荷に供給されなくなる負荷保護回路の一部を構成するヒューズ装置（１０）であって、
ヒューズ装置（１０）を前向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）がドレインリードフレーム用雌ターミナル（１２ａ）に差し込まれて固定され、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）がソースメイン端子部用雌ターミナル（１３ａ）に差し込まれて固定され、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）がゲートリードフレーム用雌ターミナル（１１ａ）に差し込まれて固定され、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）がソース信号端子部用雌ターミナル（１１ｂ）に差し込まれて固定されるように、かつ、
ヒューズ装置（１０）を後向きに移動させることのみによって、ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）がドレインリードフレーム用雌ターミナル（１２ａ）から取り外され、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）がソースメイン端子部用雌ターミナル（１３ａ）から取り外され、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）がゲートリードフレーム用雌ターミナル（１１ａ）から取り外され、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）がソース信号端子部用雌ターミナル（１１ｂ）から取り外されるように、
ドレインリードフレーム（３）の前端部（３ｂ）と、ソースメイン端子部（５ａ）の前端部（５ａ２）と、ゲートリードフレーム（４）の前端部（４ｂ）と、ソース信号端子部（５ｂ）の前端部（５ｂ１）とを、互いに平行に前後方向に延ばしたことを特徴とするヒューズ装置（１０）。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１０−２５７８５８（Ｐ２０１０−２５７８５８Ａ）
【公開日】平成２２年１１月１１日（２０１０．１１．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１０８６７６（Ｐ２００９−１０８６７６）
【出願日】平成２１年４月２８日（２００９．４．２８）
【出願人】（０００２２７９２８）日本インター株式会社 (67)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１１月１１日（２０１０．１１．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年４月２８日（２００９．４．２８）
【出願人】（０００２２７９２８）日本インター株式会社 (67)
【Ｆターム（参考）】
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