フェイスダウン型半導体装置及びその製造方法
【課題】半導体素子の交換が容易に行えるフェイスダウン型半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板電極２１が設けられた配線基板２と、基板電極２１上に搭載された半導体素子１と、半導体素子１と配線基板２との間を充填するアンダーフィル樹脂４と、配線基板２上にアンダーフィル樹脂４に埋め込まれて配置されたレベル表示パッド５と、を有するフェイスダウン型半導体装置６を製造する。レベル表示パッド５は、２層からなり、配線基板２の基板電極２１と同時に形成された金属層５ａの上にめっきによって形成された第１層である金属層５ｂと、第１層である金属層５ｂの上に形成され有機溶剤によって除去される材質からなる第２層５ｃからなる。
【解決手段】基板電極２１が設けられた配線基板２と、基板電極２１上に搭載された半導体素子１と、半導体素子１と配線基板２との間を充填するアンダーフィル樹脂４と、配線基板２上にアンダーフィル樹脂４に埋め込まれて配置されたレベル表示パッド５と、を有するフェイスダウン型半導体装置６を製造する。レベル表示パッド５は、２層からなり、配線基板２の基板電極２１と同時に形成された金属層５ａの上にめっきによって形成された第１層である金属層５ｂと、第１層である金属層５ｂの上に形成され有機溶剤によって除去される材質からなる第２層５ｃからなる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フェイスダウン型半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フェイスダウン型半導体装置において、半導体素子を配線基板に取り付けた後に半導体素子に不良が発見された場合等、半導体素子を交換する必要性が生じることがある。図４は従来のフェイスダウン型半導体装置における半導体素子の交換方法を示す模式図である。図４に示すように、半導体素子１は、配線基板２上のパッド２１とはんだバンプ３を介して接合されている。また、はんだバンプ３の接合信頼性を向上させるため、半導体素子１、配線基板２及びはんだバンプ３の間の隙間はアンダーフィル樹脂４で充填されている。この実装構造における半導体素子１の交換方法は以下の通りである。
【０００３】
まず、図４のステップ１（ａ）に示すように、半導体素子１を除去するために、はんだバンプ３が溶融する温度まで加熱して半導体素子１を取り外す。又は、半導体素子１のリペアを必要としない場合は、ステップ１（ｂ）に示すように、エンドミル等の工具７を使用して半導体素子１を削り、配線基板２から半導体素子１を除去することもできる（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
次に、エンドミル等の工具７を使用して配線基板２上に残留したアンダーフィル樹脂４の大部分を除去する（ステップ２）。次に、有機溶剤等を含ませた綿棒８を使用して、工具７で除去しきれずに配線基板２上に残留したアンダーフィル樹脂４をクリーニングする（ステップ３）。ステップ２において、残留しているアンダーフィル樹脂４の厚さを約２０μｍ以下にしておかなければ、ステップ３におけるクリーニング作業が難しくなる。
【０００５】
クリーニングが完了した配線基板２上に新たな半導体素子１をはんだバンプ３によって接合し（ステップ４乃至５）、半導体素子１、配線基板２及びはんだバンプ３の間の隙間にアンダーフィル樹脂４を充填し、アンダーフィル樹脂４を加熱して硬化させ、封止する（ステップ６）。以上の工程によって、半導体素子１を交換する。
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−１８６３３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述の実装構造を有するフェイスダウン型半導体装置６の半導体素子１の交換においては、図５に示すように、作業者が目視で確認しながらアンダーフィル樹脂４をエンドミル等の工具７で除去する際に、配線基板２上に残留しているアンダーフィル樹脂４の厚さを判断することが難しく、そのためエンドミル等の工具７の切り込み深さの設定が難しく、作業効率が悪いという問題点がある。また、配線基板２には約２０μｍ以下の反り及びうねりが存在するため、アンダーフィル樹脂４と共に配線基板２の表面を削ってしまうという問題点もある。
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、半導体素子の交換が容易に行えるフェイスダウン型半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係るフェイスダウン型半導体装置は、基板電極が設けられた配線基板と、前記基板電極上に搭載された半導体素子と、前記半導体素子と前記配線基板との間を充填するアンダーフィル樹脂と、前記配線基板上に前記アンダーフィル樹脂に埋め込まれて配置されたレベル表示パッドと、を有することを特徴とする。このレベル表示パッドは、半導体素子の交換のためにアンダーフィル樹脂を除去する際に、アンダーフィル樹脂の残留厚さの目安にすることができる。
【００１０】
前記レベル表示パッドは、２層からなることが好ましい。
【００１１】
また、前記２層からなるレベル表示パッドは、前記配線基板の基板電極と同時に形成された金属層の上にめっきによって形成された第１層である金属層と、前記第１層である金属層の上に形成され有機溶剤によって除去される材質からなる第２層からなることが好ましい。この構成を有するレベル表示パッドによって、目視により作業者がアンダーフィル樹脂の残留厚さを判断できるため、エンドミル等の工具によってアンダーフィル樹脂を除去する際に、切り込み深さの設定を容易に行うことができ、配線基板を削ってしまうという問題点を解決することができる。
【００１２】
なお、前記レベル表示パッドは、前記基板電極が配置された領域を囲む配線基板の表面の縁部及び前記配線基板の表面における前記基板電極の間の位置に複数個配置することもできる。これによって、アンダーフィル樹脂の残留厚さをより正確に判断することができる。
【００１３】
本発明に係るフェイスダウン型半導体装置の製造方法は、配線基板上に基板電極とレベル表示パッド形成用の金属層とを同時に形成する工程と、前記金属層の上に前記レベル表示パッドの第１層である金属層をめっきによって形成する工程と、前記第１層である金属層の上に有機溶剤によって除去される材質からなる第２層を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００１４】
本発明においては、前記工程の後に、例えば、半導体素子をその下面の素子電極と前記配線基板の前記基板電極とが接続されるように前記配線基板上に搭載する工程と、前記半導体素子と前記配線基板との間にアンダーフィル樹脂を充填する工程と、を有する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係るフェイスダウン型半導体装置及びその配線基板の形成方法によれば、作業者がレベル表示パッドを目視することによってアンダーフィル樹脂の残留厚さを判断することができ、エンドミル等の工具を使用して、効率良く、且つ配線基板表面まで削ってしまうことなくアンダーフィル樹脂を除去できる。これにより、フェイスダウン型半導体装置の半導体素子の交換が容易になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
次に、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。図１（ａ）は、本発明の第１実施形態に係るフェイスダウン型半導体装置の断面を示す模式図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａを結ぶ直線における断面を上面から見た模式図である。配線基板２の表面に設けられたパッド（配線基板電極）２１と、半導体素子１（半導体チップ）の下面のはんだバンプ３とが接合されて半導体素子１が配線基板２上に搭載されている。また、はんだバンプ３の接合信頼性を向上させるため、半導体素子１と配線基板２との間の隙間はアンダーフィル樹脂４で充填されて封止されており、これにより、はんだバンプ３はアンダーフィル樹脂４内に埋め込まれている。レベル表示パッド５は、配線基板２上の複数のパッド２１を取り囲む縁部及び隣り合うパッド２１の間を含む複数の位置に複配置されており、例えば第１層５ａ及び第２層５ｂの２層構造からなる円筒形状を有する。
【００１７】
レベル表示パッド５は、例えば、配線基板２の表面にパッド２１を形成する際に、同時に金属層２２を形成しておき、パッド２１の形成後、金属層２２の上にめっきによってレベル表示パッドの第１層５ａを形成し、この第１層５ａの上に印刷によって第２層５ｂを形成することにより設けることができる。このレベル表示パッド５も、アンダーフィル樹脂４によって半導体素子と共に封止されている。
【００１８】
次に、本発明の第１実施形態に係るフェイスダウン型半導体装置の製造方法について説明する。図２は本実施形態に係るフェイスダウン型半導体装置の製造方法を示す模式図である。まず、配線基板２のパッド２１を形成する際に、同時にレベル表示パッド用の金属層２２を形成する。この金属層２２の上に、例えば、無電解ニッケル金めっき等を施すことによってレベル表示パッドの第１層５ａを形成する（ステップ１）。
【００１９】
次に、レベル表示パッドの第１層５ａの上に有機溶剤で容易に除去される材質によって第２層５ｂを形成する。例えば、シルク印刷等を施すことによってレベル表示パッドの第２層５ｂを形成することができる（ステップ２）。
【００２０】
次に、配線基板２の表面に設けられたパッド２１に半導体素子１の下面のはんだバンプ３を目合わせし、はんだバンプ３が溶融する温度まで加熱して半導体素子１を配線基板２に搭載し（ステップ３）、半導体素子１と配線基板２との隙間にアンダーフィル樹脂４を充填し、加熱してアンダーフィル樹脂４を硬化させることによって、フェイスダウン型半導体装置６が完成する（ステップ４）。
【００２１】
次に、本実施形態に係るフェイスダウン型半導体装置の製造方法及び半導体素子の交換方法について説明する。配線基板２のパッド２１を形成する際に、同時にレベル表示パッド用の金属層２２を形成する。この金属層２２の上に、２０μｍ程度の厚さのニッケル金メッキを施し、第１層５ａを形成する（図２、ステップ１）。次に、レベル表示パッドの第１層５ａの上に、白色を有するシルク印刷を５０μｍ程度の厚さで施し、第２層５ｂを形成する（図２、ステップ２）。
【００２２】
次に、配線基板２の表面に設けられたパッド２１に半導体素子１の下面のはんだバンプ３を目合わせし、はんだバンプ３が溶融する温度まで加熱して半導体素子１を配線基板２に搭載し（図２、ステップ３）、半導体素子１と配線基板２との隙間にアンダーフィル樹脂４を充填し、加熱してアンダーフィル樹脂４を硬化させることによって、フェイスダウン型半導体装置６が完成する（図２、ステップ４）。
【００２３】
上述の製造方法によって得られるフェイスダウン型半導体装置６の半導体素子１の交換方法を、図３を参照して以下に説明する。まず、半導体素子１を除去するために、はんだバンプ３が溶融する温度まで加熱して半導体素子１を取り外す。又は、半導体素子１のリペアを必要としない場合は、工具７を使用して半導体素子１を削り、配線基板２から半導体素子１を除去することもできる。このとき、レベル表示パッド５は、アンダーフィル樹脂４に封止された状態である（ステップ１）。
【００２４】
次に、エンドミル等の工具７を使用して、レベル表示パッド５を目視によって確認しながら配線基板２上に残留したアンダーフィル樹脂４を除去する。第２層５ｂは白色を有し、第１層５ａは金色を有しているため、白色が目視で確認できない段階においては、エンドミルの切り込み深さを５０μｍに設定できる。また、白色の層（第２層５ｂ）が現れても、金色の層（第１層５ａ）が目視できない間は、第２層５ｂを削っている段階、即ちアンダーフィル樹脂４が２０μｍ以上残留していることが容易に判断できる（ステップ２）。
【００２５】
金色の層（第１層５ａ）が目視できるようになった段階で、エンドミル等の工具７による除去作業を止める（ステップ３）。この段階において、アンダーフィル樹脂４が２０μｍ程度残留しているため、配線基板２に２０μｍ以下の反り及びうねりが存在していても、配線基板２の表面を削ってしまうことがない。
【００２６】
次に、有機溶剤を含ませた綿棒を使用して、エンドミル等の工具７で除去しきれずに配線基板２上に残留したアンダーフィル樹脂４をクリーニングする。
【００２７】
クリーニングが完了した配線基板２上に新たな半導体素子１の下面のはんだバンプ３を目合わせし、はんだバンプ３が溶融する温度まで加熱して半導体素子１を配線基板２に搭載し、半導体素子１と配線基板２との隙間にアンダーフィル樹脂４を充填し、加熱してアンダーフィル樹脂４を硬化させる。以上の工程によって、フェイスダウン型半導体装置６の半導体素子１の交換を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】（ａ）は本発明の第１実施形態に係るフェイスダウン型半導体装置の断面を示す模式図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａを結ぶ直線における断面を上面から見た模式図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係るフェイスダウン型半導体装置の製造方法を示す模式図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係るフェイスダウン型半導体装置の半導体素子１の交換方法を示す模式図である。
【図４】従来のフェイスダウン型半導体装置の半導体素子の交換方法を示す模式図である。
【図５】従来のフェイスダウン型半導体装置のアンダーフィル樹脂の切削工程を示す模式図である。
【符号の説明】
【００２９】
１ ；半導体素子
２ ；配線基板
２１；パッド
２２；レベル表示パッド用金属層
３ ；はんだバンプ
４ ；アンダーフィル樹脂
５ ；レベル表示パッド
５ａ；レベル表示パッドの第１層
５ｂ；レベル表示パッドの第２層
６ ；フェイスダウン型半導体装置
７ ；工具
８ ；綿棒
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フェイスダウン型半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フェイスダウン型半導体装置において、半導体素子を配線基板に取り付けた後に半導体素子に不良が発見された場合等、半導体素子を交換する必要性が生じることがある。図４は従来のフェイスダウン型半導体装置における半導体素子の交換方法を示す模式図である。図４に示すように、半導体素子１は、配線基板２上のパッド２１とはんだバンプ３を介して接合されている。また、はんだバンプ３の接合信頼性を向上させるため、半導体素子１、配線基板２及びはんだバンプ３の間の隙間はアンダーフィル樹脂４で充填されている。この実装構造における半導体素子１の交換方法は以下の通りである。
【０００３】
まず、図４のステップ１（ａ）に示すように、半導体素子１を除去するために、はんだバンプ３が溶融する温度まで加熱して半導体素子１を取り外す。又は、半導体素子１のリペアを必要としない場合は、ステップ１（ｂ）に示すように、エンドミル等の工具７を使用して半導体素子１を削り、配線基板２から半導体素子１を除去することもできる（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
次に、エンドミル等の工具７を使用して配線基板２上に残留したアンダーフィル樹脂４の大部分を除去する（ステップ２）。次に、有機溶剤等を含ませた綿棒８を使用して、工具７で除去しきれずに配線基板２上に残留したアンダーフィル樹脂４をクリーニングする（ステップ３）。ステップ２において、残留しているアンダーフィル樹脂４の厚さを約２０μｍ以下にしておかなければ、ステップ３におけるクリーニング作業が難しくなる。
【０００５】
クリーニングが完了した配線基板２上に新たな半導体素子１をはんだバンプ３によって接合し（ステップ４乃至５）、半導体素子１、配線基板２及びはんだバンプ３の間の隙間にアンダーフィル樹脂４を充填し、アンダーフィル樹脂４を加熱して硬化させ、封止する（ステップ６）。以上の工程によって、半導体素子１を交換する。
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−１８６３３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述の実装構造を有するフェイスダウン型半導体装置６の半導体素子１の交換においては、図５に示すように、作業者が目視で確認しながらアンダーフィル樹脂４をエンドミル等の工具７で除去する際に、配線基板２上に残留しているアンダーフィル樹脂４の厚さを判断することが難しく、そのためエンドミル等の工具７の切り込み深さの設定が難しく、作業効率が悪いという問題点がある。また、配線基板２には約２０μｍ以下の反り及びうねりが存在するため、アンダーフィル樹脂４と共に配線基板２の表面を削ってしまうという問題点もある。
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、半導体素子の交換が容易に行えるフェイスダウン型半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係るフェイスダウン型半導体装置は、基板電極が設けられた配線基板と、前記基板電極上に搭載された半導体素子と、前記半導体素子と前記配線基板との間を充填するアンダーフィル樹脂と、前記配線基板上に前記アンダーフィル樹脂に埋め込まれて配置されたレベル表示パッドと、を有することを特徴とする。このレベル表示パッドは、半導体素子の交換のためにアンダーフィル樹脂を除去する際に、アンダーフィル樹脂の残留厚さの目安にすることができる。
【００１０】
前記レベル表示パッドは、２層からなることが好ましい。
【００１１】
また、前記２層からなるレベル表示パッドは、前記配線基板の基板電極と同時に形成された金属層の上にめっきによって形成された第１層である金属層と、前記第１層である金属層の上に形成され有機溶剤によって除去される材質からなる第２層からなることが好ましい。この構成を有するレベル表示パッドによって、目視により作業者がアンダーフィル樹脂の残留厚さを判断できるため、エンドミル等の工具によってアンダーフィル樹脂を除去する際に、切り込み深さの設定を容易に行うことができ、配線基板を削ってしまうという問題点を解決することができる。
【００１２】
なお、前記レベル表示パッドは、前記基板電極が配置された領域を囲む配線基板の表面の縁部及び前記配線基板の表面における前記基板電極の間の位置に複数個配置することもできる。これによって、アンダーフィル樹脂の残留厚さをより正確に判断することができる。
【００１３】
本発明に係るフェイスダウン型半導体装置の製造方法は、配線基板上に基板電極とレベル表示パッド形成用の金属層とを同時に形成する工程と、前記金属層の上に前記レベル表示パッドの第１層である金属層をめっきによって形成する工程と、前記第１層である金属層の上に有機溶剤によって除去される材質からなる第２層を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００１４】
本発明においては、前記工程の後に、例えば、半導体素子をその下面の素子電極と前記配線基板の前記基板電極とが接続されるように前記配線基板上に搭載する工程と、前記半導体素子と前記配線基板との間にアンダーフィル樹脂を充填する工程と、を有する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係るフェイスダウン型半導体装置及びその配線基板の形成方法によれば、作業者がレベル表示パッドを目視することによってアンダーフィル樹脂の残留厚さを判断することができ、エンドミル等の工具を使用して、効率良く、且つ配線基板表面まで削ってしまうことなくアンダーフィル樹脂を除去できる。これにより、フェイスダウン型半導体装置の半導体素子の交換が容易になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
次に、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。図１（ａ）は、本発明の第１実施形態に係るフェイスダウン型半導体装置の断面を示す模式図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａを結ぶ直線における断面を上面から見た模式図である。配線基板２の表面に設けられたパッド（配線基板電極）２１と、半導体素子１（半導体チップ）の下面のはんだバンプ３とが接合されて半導体素子１が配線基板２上に搭載されている。また、はんだバンプ３の接合信頼性を向上させるため、半導体素子１と配線基板２との間の隙間はアンダーフィル樹脂４で充填されて封止されており、これにより、はんだバンプ３はアンダーフィル樹脂４内に埋め込まれている。レベル表示パッド５は、配線基板２上の複数のパッド２１を取り囲む縁部及び隣り合うパッド２１の間を含む複数の位置に複配置されており、例えば第１層５ａ及び第２層５ｂの２層構造からなる円筒形状を有する。
【００１７】
レベル表示パッド５は、例えば、配線基板２の表面にパッド２１を形成する際に、同時に金属層２２を形成しておき、パッド２１の形成後、金属層２２の上にめっきによってレベル表示パッドの第１層５ａを形成し、この第１層５ａの上に印刷によって第２層５ｂを形成することにより設けることができる。このレベル表示パッド５も、アンダーフィル樹脂４によって半導体素子と共に封止されている。
【００１８】
次に、本発明の第１実施形態に係るフェイスダウン型半導体装置の製造方法について説明する。図２は本実施形態に係るフェイスダウン型半導体装置の製造方法を示す模式図である。まず、配線基板２のパッド２１を形成する際に、同時にレベル表示パッド用の金属層２２を形成する。この金属層２２の上に、例えば、無電解ニッケル金めっき等を施すことによってレベル表示パッドの第１層５ａを形成する（ステップ１）。
【００１９】
次に、レベル表示パッドの第１層５ａの上に有機溶剤で容易に除去される材質によって第２層５ｂを形成する。例えば、シルク印刷等を施すことによってレベル表示パッドの第２層５ｂを形成することができる（ステップ２）。
【００２０】
次に、配線基板２の表面に設けられたパッド２１に半導体素子１の下面のはんだバンプ３を目合わせし、はんだバンプ３が溶融する温度まで加熱して半導体素子１を配線基板２に搭載し（ステップ３）、半導体素子１と配線基板２との隙間にアンダーフィル樹脂４を充填し、加熱してアンダーフィル樹脂４を硬化させることによって、フェイスダウン型半導体装置６が完成する（ステップ４）。
【００２１】
次に、本実施形態に係るフェイスダウン型半導体装置の製造方法及び半導体素子の交換方法について説明する。配線基板２のパッド２１を形成する際に、同時にレベル表示パッド用の金属層２２を形成する。この金属層２２の上に、２０μｍ程度の厚さのニッケル金メッキを施し、第１層５ａを形成する（図２、ステップ１）。次に、レベル表示パッドの第１層５ａの上に、白色を有するシルク印刷を５０μｍ程度の厚さで施し、第２層５ｂを形成する（図２、ステップ２）。
【００２２】
次に、配線基板２の表面に設けられたパッド２１に半導体素子１の下面のはんだバンプ３を目合わせし、はんだバンプ３が溶融する温度まで加熱して半導体素子１を配線基板２に搭載し（図２、ステップ３）、半導体素子１と配線基板２との隙間にアンダーフィル樹脂４を充填し、加熱してアンダーフィル樹脂４を硬化させることによって、フェイスダウン型半導体装置６が完成する（図２、ステップ４）。
【００２３】
上述の製造方法によって得られるフェイスダウン型半導体装置６の半導体素子１の交換方法を、図３を参照して以下に説明する。まず、半導体素子１を除去するために、はんだバンプ３が溶融する温度まで加熱して半導体素子１を取り外す。又は、半導体素子１のリペアを必要としない場合は、工具７を使用して半導体素子１を削り、配線基板２から半導体素子１を除去することもできる。このとき、レベル表示パッド５は、アンダーフィル樹脂４に封止された状態である（ステップ１）。
【００２４】
次に、エンドミル等の工具７を使用して、レベル表示パッド５を目視によって確認しながら配線基板２上に残留したアンダーフィル樹脂４を除去する。第２層５ｂは白色を有し、第１層５ａは金色を有しているため、白色が目視で確認できない段階においては、エンドミルの切り込み深さを５０μｍに設定できる。また、白色の層（第２層５ｂ）が現れても、金色の層（第１層５ａ）が目視できない間は、第２層５ｂを削っている段階、即ちアンダーフィル樹脂４が２０μｍ以上残留していることが容易に判断できる（ステップ２）。
【００２５】
金色の層（第１層５ａ）が目視できるようになった段階で、エンドミル等の工具７による除去作業を止める（ステップ３）。この段階において、アンダーフィル樹脂４が２０μｍ程度残留しているため、配線基板２に２０μｍ以下の反り及びうねりが存在していても、配線基板２の表面を削ってしまうことがない。
【００２６】
次に、有機溶剤を含ませた綿棒を使用して、エンドミル等の工具７で除去しきれずに配線基板２上に残留したアンダーフィル樹脂４をクリーニングする。
【００２７】
クリーニングが完了した配線基板２上に新たな半導体素子１の下面のはんだバンプ３を目合わせし、はんだバンプ３が溶融する温度まで加熱して半導体素子１を配線基板２に搭載し、半導体素子１と配線基板２との隙間にアンダーフィル樹脂４を充填し、加熱してアンダーフィル樹脂４を硬化させる。以上の工程によって、フェイスダウン型半導体装置６の半導体素子１の交換を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】（ａ）は本発明の第１実施形態に係るフェイスダウン型半導体装置の断面を示す模式図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａを結ぶ直線における断面を上面から見た模式図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係るフェイスダウン型半導体装置の製造方法を示す模式図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係るフェイスダウン型半導体装置の半導体素子１の交換方法を示す模式図である。
【図４】従来のフェイスダウン型半導体装置の半導体素子の交換方法を示す模式図である。
【図５】従来のフェイスダウン型半導体装置のアンダーフィル樹脂の切削工程を示す模式図である。
【符号の説明】
【００２９】
１ ；半導体素子
２ ；配線基板
２１；パッド
２２；レベル表示パッド用金属層
３ ；はんだバンプ
４ ；アンダーフィル樹脂
５ ；レベル表示パッド
５ａ；レベル表示パッドの第１層
５ｂ；レベル表示パッドの第２層
６ ；フェイスダウン型半導体装置
７ ；工具
８ ；綿棒
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板電極が設けられた配線基板と、前記基板電極上に搭載された半導体素子と、前記半導体素子と前記配線基板との間を充填するアンダーフィル樹脂と、前記配線基板上に前記アンダーフィル樹脂に埋め込まれて配置されたレベル表示パッドと、を有することを特徴とするフェイスダウン型半導体装置。
【請求項２】
前記レベル表示パッドは、２層からなることを特徴とする請求項１に記載のフェイスダウン型半導体装置。
【請求項３】
前記２層からなるレベル表示パッドは、前記配線基板の基板電極と同時に形成された金属層の上にめっきによって形成された第１層である金属層と、前記第１層である金属層の上に形成され有機溶剤によって除去される材質からなる第２層からなることを特徴とする請求項２に記載のフェイスダウン型半導体装置。
【請求項４】
前記レベル表示パッドは、前記基板電極が配置された領域を囲む配線基板の表面の縁部及び前記配線基板の表面における前記基板電極の間の位置に複数個配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のフェイスダウン型半導体装置。
【請求項５】
配線基板上に基板電極とレベル表示パッド形成用の金属層とを同時に形成する工程と、前記金属層の上に前記レベル表示パッドの第１層である金属層をめっきによって形成する工程と、前記第１層である金属層の上に有機溶剤によって除去される材質からなる第２層を形成する工程と、を有することを特徴とするフェイスダウン型半導体装置の製造方法。
【請求項６】
半導体素子をその下面の素子電極と前記配線基板の前記基板電極とが接続されるように前記配線基板上に搭載する工程と、前記半導体素子と前記配線基板との間にアンダーフィル樹脂を充填する工程と、を有することを特徴とする請求項５に記載のフェイスダウン型半導体装置の製造方法。
【請求項１】
基板電極が設けられた配線基板と、前記基板電極上に搭載された半導体素子と、前記半導体素子と前記配線基板との間を充填するアンダーフィル樹脂と、前記配線基板上に前記アンダーフィル樹脂に埋め込まれて配置されたレベル表示パッドと、を有することを特徴とするフェイスダウン型半導体装置。
【請求項２】
前記レベル表示パッドは、２層からなることを特徴とする請求項１に記載のフェイスダウン型半導体装置。
【請求項３】
前記２層からなるレベル表示パッドは、前記配線基板の基板電極と同時に形成された金属層の上にめっきによって形成された第１層である金属層と、前記第１層である金属層の上に形成され有機溶剤によって除去される材質からなる第２層からなることを特徴とする請求項２に記載のフェイスダウン型半導体装置。
【請求項４】
前記レベル表示パッドは、前記基板電極が配置された領域を囲む配線基板の表面の縁部及び前記配線基板の表面における前記基板電極の間の位置に複数個配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のフェイスダウン型半導体装置。
【請求項５】
配線基板上に基板電極とレベル表示パッド形成用の金属層とを同時に形成する工程と、前記金属層の上に前記レベル表示パッドの第１層である金属層をめっきによって形成する工程と、前記第１層である金属層の上に有機溶剤によって除去される材質からなる第２層を形成する工程と、を有することを特徴とするフェイスダウン型半導体装置の製造方法。
【請求項６】
半導体素子をその下面の素子電極と前記配線基板の前記基板電極とが接続されるように前記配線基板上に搭載する工程と、前記半導体素子と前記配線基板との間にアンダーフィル樹脂を充填する工程と、を有することを特徴とする請求項５に記載のフェイスダウン型半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００７−１８４３３１（Ｐ２００７−１８４３３１Ａ）
【公開日】平成１９年７月１９日（２００７．７．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−２８９（Ｐ２００６−２８９）
【出願日】平成１８年１月４日（２００６．１．４）
【出願人】（０００００４２３７）日本電気株式会社 (19,353)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年７月１９日（２００７．７．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１月４日（２００６．１．４）
【出願人】（０００００４２３７）日本電気株式会社 (19,353)
【Ｆターム（参考）】
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