光書き込み装置、及びプログラム
【課題】書き込み光が照射された画像を表示する箇所の反射率を高くする。
【解決手段】画像を書き込む際に、書き込み光を照射する時間間隔ＴＷで光導電体層１０に照射されるように照射部３２を制御すると共に、表示層７及び光導電体層１０に時間間隔ＴＷより長い間隔の第１のパルス電圧が印加され、第１のパルス電圧に続いて、第１のパルス電圧と極性が同一で、かつ電圧値の絶対値が第１のパルス電圧の電圧値より大きい第２のパルス電圧が印加されるように電圧印加部２６を制御する制御手段としての制御部３０を備える。
【解決手段】画像を書き込む際に、書き込み光を照射する時間間隔ＴＷで光導電体層１０に照射されるように照射部３２を制御すると共に、表示層７及び光導電体層１０に時間間隔ＴＷより長い間隔の第１のパルス電圧が印加され、第１のパルス電圧に続いて、第１のパルス電圧と極性が同一で、かつ電圧値の絶対値が第１のパルス電圧の電圧値より大きい第２のパルス電圧が印加されるように電圧印加部２６を制御する制御手段としての制御部３０を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光書き込み装置、及びプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、表示体と、表示体に重ねて配置された光導電体と、表示体と光導電体との両側に配置された一対の電極とを備えた記録素子に対して、光によって情報の書き込みを行う記録装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の記録装置では、情報の書き込みに際しては、例えば、時点（時刻）Ｔ１において電極に電圧を印加し、時点Ｔ１の後の時点Ｔ２において第１の光源で光の照射を開始する。そして、時点Ｔ２の後の時点Ｔ３において第１の光源での光の照射を終了し、時点Ｔ３の後の時点Ｔ４において電圧の印加を停止する。
【０００３】
また、従来、電荷発生層を有する有機感光体と、コレステリック相を形成する液晶を主成分とする液晶層と、有機感光体及び液晶層を挟んで配置された一対の第１及び第２の電極とを備えた光記録素子を駆動する光記録駆動方法が知られている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２に記載の光記録駆動方法では、第１及び第２の電極間に第１のパルスを印加して液晶層の液晶分子をホメオトロピック状態にし、その後、第１のパルスと極性が反対で、かつ第１のパルスに比べて振幅の絶対値が小さい第２のパルスを印加して第１のパルスによって形成された電界強度の減衰を加速させて液晶分子をプレーナ状態にすることにより、光記録素子の初期化または光記録素子への情報の記録を行う。
【特許文献１】国際公開第２００４／０６８２３０号公報
【特許文献２】特許第４０１１４０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、書き込み光が照射された画像を表示する箇所の反射率が高い光書き込み装置及びプログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明の光書き込み装置は、照射された書き込み光の光量に応じて電気抵抗の大きさが変化する光導電体層、及び前記光導電体層を介して印加される電圧の大きさに応じた波長の光を反射及び透過させることにより画像を表示する表示層を備えた光書き込み型画像表示媒体の前記光導電体層に、前記書き込み光を照射する照射手段と、前記表示層及び前記光導電体層に画像書き込み用パルス電圧を印加する電圧印加手段と、画像を書き込む際に、前記書き込み光を照射する時間間隔で前記光導電体層に照射されるように前記照射手段を制御すると共に、前記表示層及び前記光導電体層に前記時間間隔より長い間隔の第１のパルス電圧が印加され、前記第１のパルス電圧に続いて、前記第１のパルス電圧と極性が反対で、かつ電圧値の絶対値が前記第１のパルス電圧の電圧値より大きい第２のパルス電圧が印加されるように前記電圧印加手段を制御する制御手段とを含んで構成されている。
【０００６】
また、上記目的を達成するために、請求項２記載の発明の光書き込み装置は、照射された書き込み光の光量に応じて電気抵抗の大きさが変化する光導電体層、及び前記光導電体層を介して印加される電圧の大きさに応じた波長の光を反射及び透過させることにより画像を表示する表示層を備えた光書き込み型画像表示媒体の前記光導電体層に、前記書き込み光を照射する照射手段と、前記表示層及び前記光導電体層に画像書き込み用パルス電圧を印加する電圧印加手段と、画像を書き込む際に、前記書き込み光を照射する時間間隔で前記光導電体層に照射されるように前記照射手段を制御すると共に、前記表示層及び前記光導電体層に前記時間間隔より長い間隔の第１のパルス電圧が印加され、前記第１のパルス電圧に続いて、前記第１のパルス電圧と極性が同一で、かつ電圧値が前記第１のパルス電圧の電圧値より大きい第２のパルス電圧が前記表示層及び前記光導電体層に印加され、前記第２のパルス電圧に続いて、前記第１のパルス電圧と極性が反対で、かつ電圧値の絶対値が前記第１のパルス電圧の電圧値より大きい第３のパルス電圧が印加されるように前記電圧印加手段を制御する制御手段とを含んで構成されている。
【０００７】
また、上記目的を達成するために、請求項３に記載の発明のプログラムは、コンピュータを、画像を書き込む際に、前記書き込み光を照射する時間間隔で、照射された書き込み光の光量に応じて電気抵抗の大きさが変化する光導電体層に照射されるように、前記光導電体層及び前記光導電体層を介して印加される電圧の大きさに応じた波長の光を反射及び透過させることにより画像を表示する表示層を備えた光書き込み型画像表示媒体の前記光導電体層に前記書き込み光を照射する照射手段を制御すると共に、前記表示層及び前記光導電体層に前記時間間隔より長い間隔の第１のパルス電圧が印加され、前記第１のパルス電圧に続いて、前記第１のパルス電圧と極性が反対で、かつ電圧値の絶対値が前記第１のパルス電圧の電圧値より大きい第２のパルス電圧が印加されるように、前記表示層及び前記光導電体層に画像書き込み用パルス電圧を印加する電圧印加手段を制御する制御手段として機能させるためのものである。
【０００８】
また、上記目的を達成するために、請求項４に記載の発明のプログラムは、コンピュータを、画像を書き込む際に、書き込み光を照射する時間間隔で、照射された書き込み光の光量に応じて電気抵抗の大きさが変化する光導電体層に照射されるように、前記光導電体層及び前記光導電体層を介して印加される電圧の大きさに応じた波長の光を反射及び透過させることにより画像を表示する表示層を備えた光書き込み型画像表示媒体の前記光導電体層に前記書き込み光を照射する照射手段を制御すると共に、前記表示層及び前記光導電体層に前記時間間隔より長い間隔の第１のパルス電圧が印加され、前記第１のパルス電圧に続いて、前記第１のパルス電圧と極性が同一で、かつ電圧値が前記第１のパルス電圧の電圧値より大きい第２のパルス電圧が前記表示層及び前記光導電体層に印加され、前記第２のパルス電圧に続いて、前記第１のパルス電圧と極性が反対で、かつ電圧値の絶対値が前記第１のパルス電圧の電圧値より大きい第３のパルス電圧が印加されるように、前記表示層及び前記光導電体層に画像書き込み用パルス電圧を印加する電圧印加手段を制御する制御手段として機能させるためのものである。
【発明の効果】
【０００９】
請求項１及び請求項３に記載の各発明によれば、書き込み光が照射された画像を表示する箇所の反射率が高い、という効果を有する。
【００１０】
請求項２及び請求項４に記載の各発明によれば、光書き込み装置の書き込み用の電圧のラチチュード(光書き込み装置で画像を書き込みする際に用いるパルス電圧の範囲)を広くすることができる、という効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００１２】
［第１の実施の形態］
まず、第１の実施の形態について説明する。図１は、本実施形態における光書き込み型の表示媒体１の断面図を示している。表示媒体１は、画像に応じたアドレス光の照射及びパルス電圧（バイアス信号）の印加によって画像を記録することが可能な表示媒体である。
【００１３】
図１に示すように、表示媒体（光書き込み型画像表示媒体）１は、表示面側から順に、透明基板３、透明電極５、表示層（液晶層）７、ラミネート層８、遮光層（着色層）９、光導電体層１０、透明電極６および透明基板４が積層されて構成されている。
【００１４】
透明基板３、４は、各機能層を内面に保持し、表示媒体の構造を維持するためのものである。透明基板３、４は、外力に耐える強度を有するシート形状の部材で構成され、表示面側の透明基板３は少なくとも入射光を、書き込み面側の透明基板４は少なくともアドレス光（書き込み光）を、それぞれ透過する。透明基板３、４は、フレキシブル性を有することが好ましい。具体的な材料としては、無機シート（例えばガラス・シリコン）、高分子フイルム（例えばポリエチレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート）等を挙げることができる。外表面に、防汚膜、耐磨耗膜、光反射防止膜、ガスバリア膜など公知の機能性膜を形成してもよい。
【００１５】
なお、透明基板３、４は、本実施形態では可視光全域にわたって透過性をもつものであるが、表示させる波長域のみ透過性を有していてもよい。
【００１６】
透明電極５、６は、図２に示す光書き込み装置（光記録装置）２から印加されたパルス電圧（バイアス電圧）を、表示媒体１内の各機能層へ印加するためのものである。透明電極５及び透明電極６は表示媒体１の全面に相当する面積を有する単一の透明電極で構成されている。透明電極５、６は、理想的には面均一な導電性を有し、表示面側の透明電極５は少なくとも入射光を、書き込み面側の透明電極６は少なくともアドレス光を透過する。具体的には、金属（例えば金、アルミニウム）、金属酸化物（例えば酸化インジウム、酸化スズ、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ））、導電性有機高分子（例えばポリチオフェン系・ポリアニリン系）などで形成された導電性薄膜を挙げることができる。表面に、密着力改善膜、光反射防止膜、ガスバリア膜など公知の機能性膜を形成してもよい。
【００１７】
なお、透明電極５、６は、本実施形態では可視光全域にわたって透過性をもつものであるが、表示させる波長域のみ透過性を有していてもよい。
【００１８】
表示層７は、電場によって入射光のうち特定の色光の反射・透過状態を変調する機能を有し、選択した状態が無電場で保持できる性質のものである。表示層７としては、曲げや圧力などの外力に対して変形しない構造であることが好ましい。表示層７は、以下で詳細を説明する光導電体層１０を介して印加される電圧の大きさに応じた波長の光を反射及び透過させることにより画像を表示する。
【００１９】
本実施形態では、表示層７は、一例としてコレステリック液晶及び透明樹脂を含む自己保持型液晶複合体の液晶層で構成される。すなわち、複合体として自己保持性を有するためスペーサ等を必要としない液晶層であるが、これに限られるものではない。本実施形態では、図１に示されるように、高分子マトリックス（透明樹脂）１１中にコレステリック液晶１２が分散した状態となっている。
【００２０】
コレステリック液晶１２は、入射光のうち特定の色光の反射・透過状態を変調する機能を有し、液晶分子がらせん状に捩れて配向しており、らせん軸方向から入射した光のうち、らせんピッチに依存した特定の光を干渉反射する。電場によって配向が変化し、反射状態を変化させることができる。カラー表示の場合、ドロップサイズが均一で、単層稠密に配置されていることが好ましい。
【００２１】
コレステリック液晶１２として使用可能な具体的な液晶としては、ネマチック液晶やスメクチック液晶（例えばシッフ塩基系、アゾ系、アゾキシ系、安息香酸エステル系、ビフェニル系、ターフェニル系、シクロヘキシルカルボン酸エステル系、フェニルシクロヘキサン系、ビフェニルシクロヘキサン系、ピリミジン系、ジオキサン系、シクロヘキシルシクロヘキサンエステル系、シクロヘキシルエタン系、シクロヘキサン系、トラン系、アルケニル系、スチルベン系、縮合多環系）、またはこれらの混合物に、カイラル剤（例えばステロイド系コレステロール誘導体、シッフ塩基系、アゾ系、エステル系、ビフェニル系）を添加したもの等を挙げることができる。
【００２２】
コレステリック液晶の螺旋ピッチは、ネマチック液晶に対するカイラル剤の添加量で調整する。例えば、表示色を青、緑、赤とする場合には、それぞれ選択反射の中心波長が、４００ｎｍ〜５００ｎｍ、５００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲になるようにする。また、コレステリック液晶の螺旋ピッチの温度依存性を補償するために、捩じれ方向が異なる、または逆の温度依存性を示す複数のカイラル剤を添加する公知の手法を用いてもよい。
【００２３】
表示層７がコレステリック液晶１２と高分子マトリックス（透明樹脂）１１を含む自己保持型液晶複合体を形成する形態としては、コレステリック液晶の連続相中に網目状の樹脂を含むＰＮＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｎｅｔｗｏｒｋ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）構造や、高分子の骨格中にコレステリック液晶がドロップレット状に分散されたＰＤＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）構造（マイクロカプセル化されたものを含む）を用いることができ、ＰＮＬＣ構造やＰＤＬＣ構造とすることによって、コレステリック液晶と高分子の界面にアンカリング効果を生じ、無電界でのプレーナ相またはフォーカルコニック相の保持状態を、より安定にすることができる。
【００２４】
ＰＮＬＣ構造やＰＤＬＣ構造は、高分子と液晶とを相分離させる公知の方法、例えば、アクリル系、チオール系、エポキシ系などの、熱や光、電子線などによって重合する高分子前駆体と液晶を混合し、均一相の状態から重合させて相分離させるＰＩＰＳ（Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ Ｉｎｄｕｃｅｄ ＰｈａｓｅＳｅｐａｒａｔｉｏｎ）法、ポリビニルアルコールなどの、液晶の溶解度が低い高分子と液晶とを混合し、攪拌懸濁させて、液晶を高分子中にドロップレット分散させるエマルジョン法、熱可塑性高分子と液晶とを混合し、均一相に加熱した状態から冷却して相分離させるＴＩＰＳ（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｐｈａｓｅ Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ）法、高分子と液晶とをクロロホルムなどの溶媒に溶かし、溶媒を蒸発させて高分子と液晶とを相分離させるＳＩＰＳ（Ｓｏｌｖｅｎｔ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｐｈａｓｅ Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ）法などによって形成することができるが、特に限定されるものではない。
【００２５】
高分子マトリックス１１は、コレステリック液晶１２を保持し、表示媒体の変形による液晶の流動（画像の変化）を抑制する機能を有するものであり、液晶材料に溶解せず、また液晶と相溶しない液体を溶剤とする高分子材料が好適に用いられる。また、高分子マトリックス１１としては、外力に耐える強度をもち、少なくとも反射光およびアドレス光に対して高い透過性を示す材料であることが望まれる。
【００２６】
高分子マトリックス１１として採用可能な材料としては、水溶性高分子材料（例えばゼラチン、ポリビニルアルコール、セルロース誘導体、ポリアクリル酸系ポリマー、エチレンイミン、ポリエチレンオキサイド、ポリアクリルアミド、ポリスチレンスルホン酸塩、ポリアミジン、イソプレン系スルホン酸ポリマー）、あるいは水性エマルジョン化できる材料（例えばフッ素樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂）等を挙げることができる。
【００２７】
光導電体層１０は、内部光電効果をもち、アドレス光の照射強度に応じてインピーダンス特性が変化する特性を有する層である。ＡＣ動作が可能であり、アドレス光に対して対称駆動になることが好ましく、電荷発生層（ＣＧＬ）が電荷輸送層（ＣＴＬ）の上下に積層された３層構造が好適である。本実施形態では、光導電体層１０として、一例として図１における上層から順に上側の電荷発生層１３、電荷輸送層１４および下側の電荷発生層１５が積層されてなる。光導電体層１０は、照射された書き込み光の光量に応じて自身の電気抵抗の大きさが変化する。
【００２８】
電荷発生層１３、１５は、アドレス光を吸収して光キャリアを発生させる機能を有する層である。主に、電荷発生層１３が表示面側（表示層７側）の透明電極５から書き込み面側（光導電体層１０側）の透明電極６の方向に流れる光キャリア量を、電荷発生層１５が書き込み面側の透明電極６から表示面側の透明電極５の方向に流れる光キャリア量を、それぞれ左右している。電荷発生層１３、１５としては、アドレス光を吸収して励起子を発生させ、電荷発生層内部、または電荷発生層／電荷輸送層界面で自由キャリアに効率良く分離させられるものが好ましい。
【００２９】
電荷発生層１３、１５は、電荷発生材料（例えばクロロガリウムフタロシアニンやヒドロキシガリウムフタロシアニンのような金属又は無金属フタロシアニン、スクアリウム化合物、アズレニウム化合物、ペリレン顔料、インジゴ顔料、ビスやトリス等アゾ顔料、キナクリドン顔料、ピロロピロール色素、多環キノン顔料、ジブロモアントアントロンなど縮環芳香族系顔料、シアニン色素、キサンテン顔料、ポリビニルカルバゾールとニトロフルオレン等電荷移動錯体、ピリリウム塩染料とポリカーボネート樹脂からなる共昌錯体）を直接成膜する乾式法か、またはこれら電荷発生材料を、高分子バインダー（例えばポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、ビニルカルバゾール樹脂、ビニルホルマール樹脂、部分変性ビニルアセタール樹脂、カーボネート樹脂、アクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、スチレン樹脂、ビニルアセテート樹脂、酢酸ビニル樹脂、シリコーン樹脂等）とともに適当な溶剤に分散ないし溶解させて塗布液を調製し、これを塗布し乾燥させて成膜する湿式塗布法等により形成することができる。
【００３０】
電荷輸送層１４は、電荷発生層１３、１５で発生した光キャリアが注入されて、バイアス信号で印加された電場方向にドリフトする機能を有する層である。一般に電荷輸送層は、電荷発生層の数１０倍の厚みを有するため、電荷輸送層１４の容量、電荷輸送層１４の暗電流、および電荷輸送層１４内部の光キャリア電流が、光導電体層１０全体の明暗インピーダンスを決定付けている。
【００３１】
電荷輸送層１４は、電荷発生層１３、１５からの自由キャリアの注入が効率良く発生し（電荷発生層１３、１５とイオン化ポテンシャルが近いことが好ましい）、注入された自由キャリアができるだけ高速にホッピング移動するものが好適である。暗時のインピーダンスを高くするため、熱キャリアによる暗電流は低い方が好ましい。
【００３２】
電荷輸送層１４は、低分子の正孔輸送材料（例えばトリニトロフルオレン系化合物、ポリビニルカルバゾール系化合物、オキサジアゾール系化合物、ベンジルアミノ系ヒドラゾンあるいはキノリン系ヒドラゾン等のヒドラゾン系化合物、スチルベン系化合物、トリフェニルアミン系化合物、トリフェニルメタン系化合物、ベンジジン系化合物）、または低分子の電子輸送材料（例えばキノン系化合物、テトラシアノキノジメタン系化合物、フルオレノン化合物、キサントン系化合物、ベンゾフェノン系化合物）を、高分子バインダー（例えばポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリスチレン樹脂、含珪素架橋型樹脂等）とともに適当な溶剤に分散ないし溶解させたもの、あるいは上記正孔輸送材料や電子輸送材料を高分子化した材料を適当な溶剤に分散ないし溶解させたものを調製し、これを塗布し乾燥させて形成すればよい。
【００３３】
遮光層（着色層）９は、書き込み時にアドレス光と入射光を光学分離し、相互干渉による誤動作を防ぐとともに、表示時に表示媒体の非表示面側から入射する外光と表示画像を光学分離し、画質の劣化を防ぐ目的で設けられた層である。その目的から、遮光層９には、少なくとも電荷発生層の吸収波長域の光、および表示層の反射波長域の光を吸収する機能が要求される。
【００３４】
着色層９は、具体的には、無機顔料（例えばカドミウム系、クロム系、コバルト系、マンガン系、カーボン系）、または有機染料や有機顔料（アゾ系、アントラキノン系、インジゴ系、トリフェニルメタン系、ニトロ系、フタロシアニン系、ペリレン系、ピロロピロール系、キナクリドン系、多環キノン系、スクエアリウム系、アズレニウム系、シアニン系、ピリリウム系、アントロン系）を光導電体層１０の電荷発生層１３側の面に直接成膜する乾式法か、あるいはこれらを高分子バインダー（例えばポリビニルアルコール樹脂、ポリアクリル樹脂等）とともに適当な溶剤に分散ないし溶解させて塗布液を調製し、これを塗布し乾燥させて成膜する湿式塗布法等により形成することができる。
【００３５】
ラミネート層８は、それぞれ上下基板内面に形成した各機能層を貼りあわせる際に、凹凸吸収および接着の役割を果たす目的で設けられる層であり、本実施形態において必須の構成要素ではない。ラミネート層８は、ガラス転移点の低い高分子材料からなるものであり、熱や圧力によって表示層７と着色層９とを密着・接着させることができる材料が選択される。また、少なくとも入射光に対して透過性を有することが条件となる。
【００３６】
ラミネート層８に好適な材料としては、粘着性の高分子材料（例えばウレタン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂）を挙げることができる。
【００３７】
図３は、図１に示される構造の表示媒体（液晶デバイス）１の等価回路を示す回路図である。Ｃｌｃ、Ｃｏｐｃ、およびＲｌｃ、Ｒｏｐｃは、それぞれ表示層７および光導電体層１０の静電容量および抵抗値である。ＣｅおよびＲｅは、表示層７および光導電体層１０以外の構成要素の等価静電容量および等価抵抗値である。
【００３８】
表示媒体１の透明電極５−透明電極６間に外部の書き込み装置２から印加される電圧をＶとすると、各構成要素には、各構成要素間のインピーダンス比によって決まる分圧Ｖｌｃ、ＶｏｐｃおよびＶｅが印加される。より具体的には、電圧が印加された直後には各構成要素の容量比で決定される分圧が生じ、時間経過とともに各構成要素の抵抗値比で決定される分圧へと緩和していく。
【００３９】
ここで、アドレス光の強度（光量）に応じて光導電体層１０の抵抗値Ｒｏｐｃが変化するため、露光と非露光によって表示層７に印加される実効電圧を制御することができる。露光時には光導電体層１０の抵抗値Ｒｏｐｃが小さくなって表示層７に印加される実効電圧は大きくなり、逆に非露光時には光導電体層１０の抵抗値Ｒｏｐｃが大きくなって表示層７に印加される実効電圧は小さくなる。
【００４０】
次に、コレステリック液晶（カイラルネマチック液晶）１２について具体的に説明する。コレステリック液晶１２が示すプレーナ相は、螺旋軸に平行に入射した光を右旋光と左旋光に分け、螺旋の捩じれ方向に一致する円偏光成分をブラッグ反射し、残りの光を透過させる選択反射現象を起こす。反射光の中心波長λおよび反射波長幅Δλは、螺旋ピッチをｐ、螺旋軸に直交する平面内の平均屈折率をｎ、複屈折率をΔｎとすると、それぞれ、λ＝ｎ・ｐ、Δλ＝Δｎ・ｐで表され、プレーナ相のコレステリック液晶層による反射光は、螺旋ピッチに依存した鮮やかな色を呈する。
【００４１】
正の誘電率異方性を有するコレステリック液晶は、図４（Ａ）に示すように、螺旋軸がセル表面に垂直になり、入射光に対して上記の選択反射現象を起こすプレーナ相、同図（Ｂ）に示すように、螺旋軸がほぼセル表面に平行になり、入射光を少し前方散乱させながら透過させるフォーカルコニック相、および同図（Ｃ）に示すように、螺旋構造がほどけて液晶ダイレクタが電界方向を向き、入射光をほぼ完全に透過させるホメオトロピック相、の３つの状態を示す。
【００４２】
上記の３つの状態のうち、プレーナ相とフォーカルコニック相は、無電界で双安定に存在することができる。したがって、コレステリック液晶の相状態は、液晶層に印加される電界強度に対して一義的に決まらず、プレーナ相が初期状態の場合には、電界強度の増加に伴って、プレーナ相、フォーカルコニック相、ホメオトロピック相の順に変化し、フォーカルコニック相が初期状態の場合には、電界強度の増加に伴って、フォーカルコニック相、ホメオトロピック相の順に変化する。
【００４３】
一方、液晶層に印加した電界強度をゼロにした場合には、プレーナ相とフォーカルコニック相はそのままの状態を維持し、ホメオトロピック相はプレーナ相に変化する。
【００４４】
したがって、パルス信号を印加した直後のコレステリック液晶層は、図５に示すようなスイッチング挙動を示し、印加されたパルス信号の電圧が、Ｖｆｈ以上のときには、ホメオトロピック相からプレーナ相に変化した選択反射状態となり、ＶｐｆとＶｆｈの間のときには、フォーカルコニック相による透過状態となり、Ｖｐｆ以下のときには、パルス信号印加前の状態を継続した状態、すなわちプレーナ相による選択反射状態またはフォーカルコニック相による透過状態となる。
【００４５】
なお、図中、縦軸は正規化反射率であり、最大反射率を１００、最小反射率を０として、反射率を正規化している。また、プレーナ相、フォーカルコニック相およびホメオトロピック相の各状態間には、遷移領域が存在するため、正規化反射率が５０以上の場合を選択反射状態、正規化反射率が５０未満の場合を透過状態と定義し、プレーナ相とフォーカルコニック相の相変化のしきい値電圧をＶｐｆとし、フォーカルコニック相とホメオトロピック相の相変化のしきい値電圧をＶｆｈとする。
【００４６】
特に、コレステリック液晶の連続相中に網目状の樹脂を含むＰＮＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｎｅｔｗｏｒｋ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）構造や、高分子の骨格中にコレステリック液晶がドロップレット状に分散されたＰＤＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）構造（マイクロカプセル化されたものを含む）の液晶層においては、コレステリック液晶と高分子の界面における干渉により（アンカリング効果）、プレーナ相とフォーカルコニック相の無電界における双安定性が向上し、長期間に渡ってパルス信号印加直後の状態を保持することができる。
【００４７】
このようなコレステリック液晶１２を用いた表示媒体１では、コレステリック液晶の双安定現象を利用して、（Ａ）プレーナ相による選択反射状態と、（Ｂ）フォーカルコニック相による透過状態とを、スイッチングすることによって、無電界でのメモリー性を有するブラック・ホワイトのモノクロ表示、または無電界でのメモリー性を有するカラー表示を行う。
【００４８】
外部印加電圧の大きさに応じてコレステリック液晶１２は、プレーナ相状態（Ｐ状態）またはホメオトロピック相状態（Ｈ状態）を初期状態とした場合にはＰ状態、フォーカルコニック相状態（Ｆ状態）、Ｈ状態と変化し、Ｆ状態を初期状態とした場合にはＦ状態、Ｈ状態と変化し、その最終状態がＰ状態およびＦ状態では、印加電圧を除した後も維持されるが、Ｈ状態では、Ｐ状態に相変化する。従って、露光／非露光に関わらず、印加電圧の大きさにより、最終的な相状態としてＰ状態ないしＦ状態が選択される。図５に示すように、Ｐ状態では光反射、Ｆ状態では光透過状態となる。
【００４９】
次に、図２に示す画像表示装置２０について説明する。画像表示装置２０は、表示媒体１及び光書き込み装置（光記録装置）２を含んで構成される。
【００５０】
光書き込み装置２は、表示媒体１に画像を書き込む（記録する）装置であり、表示媒体１に対して書き込み光（アドレス光）の照射を行う光照射部３２、光照射部３２と表示媒体１とが相対移動するように光照射部３２を図中矢印Ａ方向及び図中矢印Ｂ方向へ移動させる駆動部２４、表示媒体１に印加するバイアス電圧（高圧パルス）を発生させる高圧パルス発生部２６Ａから成る電圧印加部２６、並びに駆動部２４、電圧印加部２６及び光照射部３２を制御する制御部３０を含んで構成される。
【００５１】
光照射部３２は、表示媒体１をリセット（初期化）するためのリセット光を照射すると共に、制御部３０からの画像に応じた入力信号に基づいた書き込み光（光画像パターン）を表示媒体１（詳しくは、光導電体層１０上）に照射する光源３２Ａを含んで構成される。なお、リセット光を照射するリセット光源が、光照射部３２と分離されて設けられていてもよく、この場合、光照射部３２には、書き込み光を表示媒体１に照射する光源が設けられる。また、光源３２Ａは、固定された２次元の光源でも複数の点光源でもよい。
【００５２】
なお、表示媒体１をリセット（初期化）するとは、具体的には例えばコレステリック液晶１２の液晶の配向を初期化することをいい、例えばＦ状態又はＰ状態にすることをいう。
【００５３】
光源３２Ａにより照射される書き込み光（アドレス光）としては、光導電体層１０の吸収波長域内にピーク強度を持ち、バンド幅の狭い光であることが望ましい。
【００５４】
また、光源３２Ａは、本実施の形態では、リセット光をも照射するため、リセット光として均一な光を表示媒体１に照射することが可能な光源であることが望ましい。
【００５５】
光源３２Ａとしては、例えば、冷陰極管、キセノンランプ、ハロゲンランプ、発光ダイオード（ＬＥＤ）、ＥＬ、レーザ等の光源を一次元のアレイ状に配置したものや、ポリゴンミラーと組み合せたもの、など走査動作によって任意の二次元発光パターンを形成できるものが用いられる。光源３２Ａによって、光導電体層１０側から書き込み光が照射されることにより、表示層７に画像を書き込むことが可能となる。
【００５６】
高圧パルス発生部２６Ａは、リセット用パルス電圧及び画像書き込み用パルス電圧を発生する回路である。高圧パルス発生部２６Ａには、例えばリセット用パルス電圧及び画像書き込み用パルス電圧を発生する高電圧アンプなどが用いられる。
【００５７】
本実施形態では、図２に示すように表示媒体１の透明電極６は接地されており、制御部３０の制御によって、高圧パルス発生部２６Ａは、画像を書き込む際には、詳細を以下で説明する画像書き込み用パルス電圧を印加し、リセットする際には、負の極性を有するリセット用パルス電圧を印加する。すなわち、電極５に対して、接地された透明電極６に印加されるリセット用パルス電圧は、負の極性を有する電圧となる。
【００５８】
ここで、リセット用パルス電圧の電圧値は、光源３２Ａによりリセット光が表示媒体１に照射された状態でリセット用パルス電圧が透明電極５−透明電極６間に印加された場合に、表示媒体１をリセット（初期化）することができる電圧値、具体的には、例えばコレステリック液晶１２の液晶の配向を初期化することができる電圧値に設定される。例えばＦ状態に初期化するのであれば、図５に示すように、表示層７に印加される電圧（分圧）がＶｐｆより大きくＶｆｈより小さい電圧の範囲内となるような電圧値であり、Ｐ状態に初期化するのであれば、表示層７に印加される電圧（分圧）がＶｆｈ以上の電圧となるような電圧値である。この電圧値として、例えば、−６５０Ｖが考えられる。
【００５９】
また、画像書き込み用パルス電圧の電圧値（高さ）は、光源３２Ａにより画像に応じた書き込み光（画像光）が表示媒体１に照射された状態及び書き込み光の照射が終了した状態で画像書き込み用パルス電圧が透明電極５−透明電極６間に印加された場合に、表示媒体１に画像を記録することができる電圧値に設定される。なお、このような電圧値の画像書き込みパルスの波形の詳細については後述する。
【００６０】
駆動部２４は、制御部３０からの指示に従って、光照射部３２を図２において矢印Ａ方向（副走査方向）及び矢印Ｂ方向（副走査方向）へ移動させる。駆動部２４は、例えばパルスモータ等を含んで構成され、パルスモータの駆動によって光照射部３２を図中矢印Ａ方向及び矢印Ｂ方向へ移動させる。これにより、光源３２Ａが図中矢印Ａ方向及び矢印Ｂ方向へ移動する。光照射部３２を移動させる構成とすることで、表示媒体１の透明電極を検出する構成が不要となり表示媒体１を移動させる場合と比較して電圧印加部２６との接続構成が簡単となる。
【００６１】
制御部３０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）３０ａ、ＲＯＭ（Read Only Memory）３０ｂ、ＲＡＭ（Random Access Memory）３０ｃ、及びＩ／Ｏ（入出力）ポート３０ｄを含んで構成されており、これらＣＰＵ３０ａ、ＲＯＭ３０ｂ、ＲＡＭ３０ｃ、及びＩ／Ｏポート３０ｄは互いにバス３０ｅで接続されている。ＲＯＭ３０ｂにはＯＳ等の基本プログラム、及び光書き込み装置２全体を制御する制御処理を実行するためのプログラムが記憶されている。ＣＰＵ３０ａは、プログラムをＲＯＭ３０ｂから読み出して実行する。ＲＡＭ３０ｃには、各種データが一時的に記憶される。Ｉ／Ｏポート３０ｄには、駆動部２４、電圧印加部２６、及び光源３２Ａが接続されている。
【００６２】
制御部３０は、例えば、上述したリセットが可能となる予め定められた速度ｖ（ｍｍ／ｓ）で光照射部３２が図２における矢印Ｂ方向へ移動するように駆動部２４に指示（駆動部２４を制御）すると共に、上述したリセットが可能となる予め定められたタイミングでリセット光が光源３２Ａにより表示媒体１に照射されるように光源３２Ａを制御し、かつ上述したリセットが可能となる予め定められたタイミングで透明電極５−透明電極６間にリセット用パルス電圧が印加されるように電圧印加部２６を制御する。これにより、表示媒体１がリセットされる。なお、リセット光の照射時間（リセット光照射時間）ＴＲは、リセットを行う際に必要な光照射部３２の移動距離ＬＲを、速度ｖで除算した値（ＬＲ／ｖ）で表される。また、上記で説明したリセット光照射時間ＴＲは、光源３２Ａが移動する場合のものであり、光源３２Ａが固定光源である場合には、リセット光照射時間ＴＲは任意に設定できる。
【００６３】
また、制御部３０は、予め定められた速度ｖ´（ｍｍ／ｓ）で光照射部３２が図２における矢印Ａ方向へ移動するように駆動部２４に指示（駆動部２４を制御）すると共に、入力された画像データに基づいた書き込み光（画像光）が光源３２Ａにより表示媒体１に照射されるように光源３２Ａを制御し、かつ詳細を以下で説明するタイミングで透明電極５−透明電極６間に画像書き込み用パルス電圧が印加されるように電圧印加部２６を制御する。これにより、表示媒体１に画像が書き込まれる。なお、書き込み光の照射時間（書き込み光照射時間）ＴＷは、書き込みを行う際に必要な光照射部３２の移動距離ＬＷを、速度ｖ´で除算した値（ＬＷ／ｖ´）で表される。このように光を照射しているトータルの時間がＴＷとなる。また、１ピクセルの照射時間は、書き込み光の照射時間ＴＷを、移動距離ＬＷをピクセル長ＬＰで除算した値によって除算した値（ＴＷ／（ＬＷ／ＬＰ））で表される。
【００６４】
ここで、制御部３０によって制御された電圧印加部２６により、透明電極５−透明電極６間に印加されるリセットをする際のリセット用パルス電圧、及び画像を書き込む際の画像書き込み用パルス電圧について、図６を参照して説明する。図６には、本実施形態におけるリセット用パルス電圧の波形５０及び画像書き込み用パルス電圧の波形５２が示されている。なお、同図に示すように、区間Ｓ１における波形がリセットパルス用電圧の波形５０であり、区間Ｓ２における波形が画像書き込み用パルス電圧の波形５２である。同図に図示されるように、時刻Ｔ１〜Ｔ４間で負の方形波のパルス電圧（図６の例では電圧値は−６５０Ｖ）が透明電極５−透明電極６間に印加される。なお、時刻Ｔ２〜Ｔ３間は、リセット光照射時間ＴＲであり、時刻Ｔ２は、時刻Ｔ１より後の時刻であり、時刻Ｔ３は、時刻Ｔ４より前の時刻である。すなわち、リセット光が照射される前にリセット用パルス電圧の印加が開始され、リセット光の照射が終了した後に、リセット用パルス電圧の印加が終了される。
【００６５】
また、同図に図示されるように、時刻Ｔ５〜Ｔ８間で正の方形波のパルス電圧（第１のパルス電圧；図６の例では電圧値は６５０Ｖ）が透明電極５−透明電極６間に印加される。なお、時刻Ｔ６〜Ｔ７間は、書き込み光照射時間ＴＷであり、時刻Ｔ６は、時刻Ｔ５より後の時刻であり、時刻Ｔ７は、時刻Ｔ８より前の時刻である。すなわち、書き込み光が照射される前に画像書き込み用パルス電圧の印加が開始され、書き込み光の照射が終了した後も、画像書き込み用パルス電圧の印加が継続される。また、同図に図示されるように、時刻Ｔ８〜Ｔ９間で、上記第１のパルス電圧と極性が反対の負の方形波のパルス電圧（第２のパルス電圧；図６の例では電圧値は−８００Ｖ）が透明電極５−透明電極６間に印加される。本実施の形態では、この第２のパルス電圧の高さ（電圧値）の絶対値は、上記の第１のパルス電圧の高さ（電圧値）の絶対値より高い（大きい）ものとする。
【００６６】
次に、表示媒体１に対する画像書き込みの動作について説明する。光照射部３２の移動速度（副走査速度）を上述したようにｖ及びｖ´（ｍｍ／ｓ）とする。
【００６７】
まず、制御部３０は、図２において矢印Ｂ方向へ光照射部３２が移動開始するように駆動部２４に指示する。光照射部３２は、リセット動作を開始する前は予め定めた待機位置に配置されている。この待機位置は、表示媒体１の矢印Ｂ方向上流側の端部よりもさらに上流側に位置する。
【００６８】
制御部３０が、駆動部２４に対して光照射部３２の移動開始を指示すると、駆動部２４は光照射部３２の移動を開始させる。これにより、光照射部３２は図２において矢印Ｂ方向へ予め定めた移動速度ｖで移動を開始する。
【００６９】
そして、制御部３０は、光源３２によるリセット光の照射が開始する時点（図６の例ではＴ２）よりも前の時点（図６の例ではＴ１）で、すなわち、光源３２Ａが電極５の矢印Ｂ方向上流側の端部に到達するよりも前の時点で、リセット用パルス電圧が電極５に予め定められた時間ＴＥＲ（図６の例ではＴ４−Ｔ１）分印加されるように電圧印加部２６を制御する。また、制御部３０は、光源３２Ａによるリセット光の照射が開始する時点（図６の例ではＴ２）からリセット光の照射期間が終了する時点（図６の例ではＴ３）までの期間ＴＲ、すなわち光源３２Ａが電極５の矢印Ｂ方向上流側の端部に到達した時点から光源３２Ａが電極５の矢印Ｂ方向下流側の端部に到達するまでの期間に、リセット光を示すデータ（情報）を光源３２Ａに出力する。これにより、Ｔ２からＴ３のリセット光の照射期間ＴＲにリセット光が照射され、表示媒体１がリセットされる。
【００７０】
リセットが終了すると、制御部３０は、光源３２Ａによる書き込み光（画像光）の照射期間が開始する時点（図６の例ではＴ６）よりも前の時点（図６の例ではＴ５）で、すなわち光源３２Ａが電極５の矢印Ａ方向上流側の端部に到達するよりも前の時点で、画像書き込み用パルス電圧のうち第１のパルス電圧が透明電極５−透明電極６間に予め定められた時間ＴＥＷ分印加されるように電圧印加部２６を制御する。これにより、電圧印加部２６は、透明電極５−透明電極６間に、第１のパルス電圧を予め定められた時間ＴＥＷ分印加する。なお、この時間ＴＥＷは、図６に図示されるように、書き込み光照射時間ＴＷより長い時間である。また、制御部３０は、光源３２Ａによる書き込み光の照射が開始する時点（図６の例ではＴ６）から書き込み光の照射が終了する時点（図６の例ではＴ７）までの期間ＴＷ、すなわち光源３２Ａが電極５の矢印Ａ方向上流側の端部に到達した時点から光源３２Ａが電極５の矢印Ａ方向下流側の端部に到達するまでの期間に、入力された画像データの電極５の領域に書き込むべき画像の画像データを光源３２Ａに出力する。これにより、Ｔ６からＴ７の書き込み光の照射期間ＴＷに画像データに基づいた書き込み光が照射され、画像が書き込まれる。例えば書き込み光が照射された領域はＦ状態からＨ状態となる。なお、画像を書き込まない領域については画像光が照射されないのはいうまでもない。そして、制御部３０は、第１のパルス電圧の印加が終了した時点（図６の例ではＴ８）で、画像書き込み用パルス電圧のうち第２のパルス電圧が透明電極５−透明電極６間に予め定められた時間ＴＥＨ分印加されるように電圧印加部２６を制御する。これにより、電圧印加部２６によって、透明電極５−透明電極６間に、第２のパルス電圧が予め定められた時間ＴＥＨ分印加されて、表示層７の電界強度が減衰する。
【００７１】
ここで、本実施の形態の光書き込み装置２において、第１のパルス電圧の電圧値を６５０Ｖとし、第２のパルス電圧の電圧値ＶＰを０Ｖ〜９００Ｖまで所定間隔で変更して、表示媒体１に画像の書き込みを行った場合の表示媒体１の光照射領域の表示層７の反射率Ｒ（％）について図７を参照して説明する。同図に図示されるように、第２のパルス電圧の電圧値ＶＰを８５０Ｖ以上に設定した場合には、第２のパルス電圧の電圧値ＶＰを大きさ（高さ）の絶対値が第１のパルス電圧の大きさ（高さ）より低く設定した場合（対応する電圧値は０Ｖ〜６５０Ｖ）と比較して反射率が良好となる。ここで、第１のパルス電圧の電圧値が６５０Ｖであることを考えると、第２のパルス電圧の大きさ（高さ）の絶対値は、第１のパルス電圧の大きさ（高さ）の絶対値より、約１．３倍（８５０÷６５０）以上であることが望ましい。
【００７２】
以上、説明したように、本実施の形態の光書き込み装置２は、照射された書き込み光の光量に応じて電気抵抗の大きさが変化する光導電体層１０、及び光導電体層１０を介して印加される電圧の大きさに応じた波長の光を反射及び透過させることにより画像を表示する表示層７を備えた光書き込み型画像表示媒体１の光導電体層１０に、書き込み光を照射する照射手段としての照射部３２と、表示層７及び光導電体層１０に画像書き込み用パルス電圧を印加する電圧印加手段としての電圧印加部２６と、画像を書き込む際に、書き込み光を照射する時間間隔ＴＷで光導電体層１０に照射されるように照射部３２を制御すると共に、表示層７及び光導電体層１０に時間間隔ＴＷより長い間隔（幅）の第１のパルス電圧が印加され、第１のパルス電圧に続いて、第１のパルス電圧と極性が反対で、かつ電圧値（高さ）の絶対値が第１のパルス電圧の電圧値（高さ）より大きい（高い）（対応する電圧値は例えば−８５０Ｖ）第２のパルス電圧が印加されるように電圧印加部２６を制御する制御手段としての制御部３０を備えている。
【００７３】
なお、本実施形態では、表示層としてコレステリック液晶を用いた場合について説明したが、これに限らず、強誘電性液晶を用いてもよい。
【００７４】
また、本実施形態では、表示媒体１が固定された状態で光照射部３２を移動させることにより光照射部３２と表示媒体１とを相対移動させる場合について説明したが、光照射部３２を固定した状態で表示媒体１を移動させたり、両者を移動させたりすることにより両者を相対移動させるようにしてもよい。
【００７５】
［第２の実施の形態］
次に第２の実施の形態について説明する。なお、第１の実施の形態と同様の構成及び同様の処理については、同一の符号を付して説明を省略する。第１の実施の形態では、第１のパルス電圧及び第２のパルス電圧を印加する例について説明したが、本実施の形態では、第１のパルス電圧、第２のパルス電圧、及び第３のパルス電圧を印加する。
【００７６】
図８に示すように、本実施の形態では、時刻Ｔ５〜Ｔ１０間で正の方形波のパルス電圧（第１のパルス電圧；図８の例では電圧値は６５０Ｖ）が透明電極５−透明電極６間に印加される。また、同図に図示されるように、時刻Ｔ１０〜Ｔ８間で、上記第１のパルス電圧と極性が同一の正の方形波のパルス電圧（第２のパルス電圧；図８の例では電圧値は８００Ｖ）が透明電極５−透明電極６間に印加される。本実施の形態では、この第２のパルス電圧の高さ（電圧値）の絶対値は、上記の第１のパルス電圧の高さ（電圧値）の絶対値より高い（大きい）ものとする。また、同図に図示されるように、時刻Ｔ８〜Ｔ９間で、上記第１のパルス電圧と極性が反対の負の方形波のパルス電圧（第３のパルス電圧；図８の例では電圧値は−８００Ｖ）が透明電極５−透明電極６間に印加される。本実施の形態では、この第３のパルス電圧の高さ（電圧値）の絶対値は、上記の第１のパルス電圧の高さ（電圧値）の絶対値より高い（大きい）ものとする。
【００７７】
次に、本実施の形態における表示媒体１に対する画像書き込みの動作について説明する。光照射部３２の移動速度（副走査速度）を第１の実施の形態と同様にｖ及びｖ´（ｍｍ／ｓ）とする。
【００７８】
まず、制御部３０は、図２において矢印Ｂ方向へ光照射部３２が移動開始するように駆動部２４に指示する。光照射部３２は、リセット動作を開始する前は予め定めた待機位置に配置されている。この待機位置は、表示媒体１の矢印Ｂ方向上流側の端部よりもさらに上流側に位置する。
【００７９】
制御部３０が、駆動部２４に対して光照射部３２の移動開始を指示すると、駆動部２４は光照射部３２の移動を開始させる。これにより、光照射部３２は図２において矢印Ｂ方向へ予め定めた移動速度ｖで移動を開始する。
【００８０】
そして、制御部３０は、光源３２によるリセット光の照射が開始する時点（図８の例ではＴ２）よりも前の時点（図８の例ではＴ１）で、すなわち、光源３２Ａが電極５の矢印Ｂ方向上流側の端部に到達するよりも前の時点で、リセット用パルス電圧が電極５に予め定められた時間ＴＥＲ（図８の例ではＴ４−Ｔ１）分印加されるように電圧印加部２６を制御する。また、制御部３０は、光源３２Ａによるリセット光の照射が開始する時点（図８の例ではＴ２）からリセット光の照射期間が終了する時点（図８の例ではＴ３）までの期間ＴＲ、すなわち光源３２Ａが電極５の矢印Ｂ方向上流側の端部に到達した時点から光源３２Ａが電極５の矢印Ｂ方向下流側の端部に到達するまでの期間に、リセット光を示すデータ（情報）を光源３２Ａに出力する。これにより、Ｔ２からＴ３のリセット光の照射期間ＴＲにリセット光が照射され、表示媒体１がリセットされる。
【００８１】
リセットが終了すると、制御部３０は、光源３２Ａによる書き込み光（画像光）の照射期間が開始する時点（図８の例ではＴ６）よりも前の時点（図８の例ではＴ５）で、すなわち光源３２Ａが電極５の矢印Ａ方向上流側の端部に到達するよりも前の時点で、画像書き込み用パルス電圧のうち第１のパルス電圧が透明電極５−透明電極６間に予め定められた時間ＴＥＷ分印加されるように電圧印加部２６を制御する。これにより、電圧印加部２６は、透明電極５−透明電極６間に、第１のパルス電圧を予め定められた時間ＴＥＷ分印加する。なお、この時間ＴＥＷは、図６に図示されるように、書き込み光照射時間ＴＷより長い時間である。また、制御部３０は、光源３２Ａによる書き込み光の照射が開始する時点（図８の例ではＴ６）から書き込み光の照射が終了する時点（図８の例ではＴ７）までの期間ＴＷ、すなわち光源３２Ａが電極５の矢印Ａ方向上流側の端部に到達した時点から光源３２Ａが電極５の矢印Ａ方向下流側の端部に到達するまでの期間に、入力された画像データの電極５の領域に書き込むべき画像の画像データを光源３２Ａに出力する。これにより、Ｔ６からＴ７の書き込み光の照射期間ＴＷに画像データに基づいた書き込み光が照射され、画像が書き込まれる。例えば書き込み光が照射された領域はＦ状態からＨ状態となる。なお、画像を書き込まない領域については画像光が照射されないのはいうまでもない。そして、制御部３０は、第１のパルス電圧の印加が終了した時点（図８の例ではＴ１０）で、画像書き込み用パルス電圧のうち第２のパルス電圧が透明電極５−透明電極６間に予め定められた時間ＴＥＳ分印加されるように電圧印加部２６を制御する。これにより、電圧印加部２６によって、透明電極５−透明電極６間に、第２のパルス電圧が予め定められた時間ＴＥＳ分印加される。そして、制御部３０は、第２のパルス電圧の印加が終了した時点（図８の例ではＴ８）で、画像書き込み用パルス電圧のうち第３のパルス電圧が透明電極５−透明電極６間に予め定められた時間ＴＥＨ分印加されるように電圧印加部２６を制御する。これにより、電圧印加部２６によって、透明電極５−透明電極６間に、第３のパルス電圧が予め定められた時間ＴＥＨ分印加されて、表示層７の電界強度が減衰する。
【００８２】
ここで、本実施の形態の光書き込み装置２において、第２のパルス電圧の電圧値を８００Ｖとし、第３のパルス電圧の電圧値を−８００Ｖとし、第１のパルス電圧の電圧値ＶＰを２００Ｖ〜８００Ｖまで所定間隔で変更して、表示媒体１に画像の書き込みを行った場合の表示媒体１の光照射領域の表示層７の反射率Ｒ（％）について図９を参照して説明する。同図には、第２のパルス電圧の電圧値を第１のパルスの電圧値と同一に設定し、第３のパルス電圧の高さの絶対値が第１のパルス電圧の高さの絶対値より小さくした場合の光照射時の表示層７の反射率Ｒを示すグラフ７０、第２のパルス電圧の電圧値を第１のパルスの電圧値と同一に設定し、第３のパルス電圧の高さの絶対値が第１のパルス電圧の高さの絶対値より小さくした場合の非光照射時の表示層７の反射率Ｒを示すグラフ７２、第２のパルス電圧の電圧値を８００Ｖに設定し、第３のパルス電圧の電圧値を−８００Ｖに設定した場合の光照射時の表示層７の反射率Ｒを示すグラフ７４、第２のパルス電圧の電圧値を８００Ｖに設定し、第３のパルス電圧の電圧値を−８００Ｖに設定した場合の非光照射時の表示層７の反射率Ｒを示すグラフ７６が示されている。これらのグラフ７０、７２、７４及び７６から、本実施形態の光書き込み装置２の書き込み用の電圧のラチチュード(光書き込み装置で画像を書き込みする際に用いるパルス電圧の範囲)は、従来の技術と比較して広いことが分かる。
【００８３】
また、第２のパルス電圧の電圧値を８００Ｖとし、第３のパルス電圧の電圧値を−８００Ｖとし、第１のパルス電圧の電圧値ＶＰを２００Ｖ〜６００Ｖまで所定間隔で変更して、表示媒体１に画像の書き込みを行った場合の表示媒体１の表示層７のコントラストについて図１０を参照して説明する。同図には、第２のパルス電圧の電圧値を第１のパルスの電圧値と同一に設定し、第３のパルス電圧の高さの絶対値が第１のパルス電圧の高さの絶対値より小さくした場合の表示層７のコントラストを示すグラフ８０、第２のパルス電圧の電圧値を８００Ｖに設定し、第３のパルス電圧の電圧値を−８００Ｖに設定した場合の表示層７のコントラストを示すグラフ８２が示されている。これらのグラフ８０、８２から、本実施形態の光書き込み装置２によって書き込まれた表示媒体１の画像のコントラストは、従来の技術と比較して良好であることが分かる。
【００８４】
以上説明したように、本実施の形態の光書き込み装置２は、照射された書き込み光の光量に応じて電気抵抗の大きさが変化する光導電体層１０、及び光導電体層１０を介して印加される電圧の大きさに応じた波長の光を反射及び透過させることにより画像を表示する表示層７を備えた光書き込み型画像表示媒体１の光導電体層１０に、書き込み光を照射する照射手段としての照射部３２と、表示層７及び光導電体層１０に画像書き込み用パルス電圧を印加する電圧印加手段としての電圧印加部２６と、画像を書き込む際に、書き込み光を照射する時間間隔ＴＷで光導電体層１０に照射されるように照射部３２を制御すると共に、表示層７及び光導電体層１０に時間間隔ＴＷより長い間隔（幅）の第１のパルス電圧が印加され、第１のパルス電圧に続いて、第１のパルス電圧と極性が同一で、かつ電圧値（高さ）の絶対値が第１のパルス電圧の電圧値（高さ）より大きい（高い）（対応する電圧値は例えば８５０Ｖ）第２のパルス電圧が印加され、第２のパルスに続いて、第１のパルス電圧と極性が反対で、かつ電圧値（高さ）の絶対値が第１のパルス電圧の電圧値（高さ）より大きい（高い）（対応する電圧値は例えば−８５０Ｖ）第３のパルス電圧が印加されるように電圧印加部２６を制御する制御手段としての制御部３０を備えている。
【００８５】
なお、第１の実施の形態及び第２の実施の形態において、電圧印加部２６が、図１１に示すように、高圧電源９０、スイッチング素子としてのＦＥＴ９２、ＦＥＴ９４、ＦＥＴ９６、及びＦＥＴ９８を備える構成としてもよい。例えば、以下のような構成としてもよい。すなわち、図１１に示すように、ＦＥＴ９２のドレイン電極にノード８８を介して高圧電源９０を接続し、ＦＥＴ９２のソース電極にノード８４を介してＦＥＴ９６のドレイン電極及び透明電極５を接続する。また、ＦＥＴ９６のソース電極を接地する。また、ＦＥＴ９４のドレイン電極にノード８８を介して高圧電源９０を接続し、ＦＥＴ９２のソース電極にノード８６を介してＦＥＴ９８のドレイン電極及び透明電極６を接続する。そして、ＦＥＴ９８のソース電極を接地する。また、各ＦＥＴのゲート電極に制御部３０を接続する。このような構成とした場合に、制御部３０は、ＦＥＴ９２及びＦＥＴ９８をオンして、ＦＥＴ９４及びＦＥＴ９６をオフすることにより、図１１に示す矢印Ｄ方向に電流を流すことができ、ＦＥＴ９２及びＦＥＴ９８をオフして、ＦＥＴ９４及びＦＥＴ９６をオンすることにより、図１１に示す矢印Ｅ方向に電流を流すことができる。これにより、正負の電源を２つ用いることなく、簡易な構成で透明電極５−透明電極６間に印加する電圧の方向が切り換えられる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】表示媒体の断面図である。
【図２】画像表示装置（光書き込み装置）の概略構成図である。
【図３】表示媒体の等価回路を示す回路図である。
【図４】コレステリック液晶の分子配向と光学特性の関係を示す模式説明図であり、（Ａ）はプレーナ相、（Ｂ）はフォーカルコニック相、（Ｃ）ホメオトロピック相の各相におけるものである。
【図５】コレステリック液晶のスイッチング挙動を説明するためのグラフである。
【図６】第１の実施の形態のリセット用パルス電圧及び画像書き込み用パルス電圧の波形を示す図である。
【図７】実験結果を示す図である。
【図８】第２の実施の形態のリセット用パルス電圧及び画像書き込み用パルス電圧の波形を示す図である。
【図９】実験結果を示す図である。
【図１０】実験結果を示す図である。
【図１１】電圧印加部の変形例を示す図である。
【符号の説明】
【００８７】
１ 表示媒体
２ 光記録装置
３、４ 透明基板
５、６ 透明電極
７ 表示層
８ ラミネート層
９ 遮光層
１０ 光導電体層
１２ コレステリック液晶
２０ 画像表示装置
２４ 駆動部
２６ 電圧印加部
３０ 制御部
３２ 光照射部
３２Ａ 光源
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光書き込み装置、及びプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、表示体と、表示体に重ねて配置された光導電体と、表示体と光導電体との両側に配置された一対の電極とを備えた記録素子に対して、光によって情報の書き込みを行う記録装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の記録装置では、情報の書き込みに際しては、例えば、時点（時刻）Ｔ１において電極に電圧を印加し、時点Ｔ１の後の時点Ｔ２において第１の光源で光の照射を開始する。そして、時点Ｔ２の後の時点Ｔ３において第１の光源での光の照射を終了し、時点Ｔ３の後の時点Ｔ４において電圧の印加を停止する。
【０００３】
また、従来、電荷発生層を有する有機感光体と、コレステリック相を形成する液晶を主成分とする液晶層と、有機感光体及び液晶層を挟んで配置された一対の第１及び第２の電極とを備えた光記録素子を駆動する光記録駆動方法が知られている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２に記載の光記録駆動方法では、第１及び第２の電極間に第１のパルスを印加して液晶層の液晶分子をホメオトロピック状態にし、その後、第１のパルスと極性が反対で、かつ第１のパルスに比べて振幅の絶対値が小さい第２のパルスを印加して第１のパルスによって形成された電界強度の減衰を加速させて液晶分子をプレーナ状態にすることにより、光記録素子の初期化または光記録素子への情報の記録を行う。
【特許文献１】国際公開第２００４／０６８２３０号公報
【特許文献２】特許第４０１１４０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、書き込み光が照射された画像を表示する箇所の反射率が高い光書き込み装置及びプログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明の光書き込み装置は、照射された書き込み光の光量に応じて電気抵抗の大きさが変化する光導電体層、及び前記光導電体層を介して印加される電圧の大きさに応じた波長の光を反射及び透過させることにより画像を表示する表示層を備えた光書き込み型画像表示媒体の前記光導電体層に、前記書き込み光を照射する照射手段と、前記表示層及び前記光導電体層に画像書き込み用パルス電圧を印加する電圧印加手段と、画像を書き込む際に、前記書き込み光を照射する時間間隔で前記光導電体層に照射されるように前記照射手段を制御すると共に、前記表示層及び前記光導電体層に前記時間間隔より長い間隔の第１のパルス電圧が印加され、前記第１のパルス電圧に続いて、前記第１のパルス電圧と極性が反対で、かつ電圧値の絶対値が前記第１のパルス電圧の電圧値より大きい第２のパルス電圧が印加されるように前記電圧印加手段を制御する制御手段とを含んで構成されている。
【０００６】
また、上記目的を達成するために、請求項２記載の発明の光書き込み装置は、照射された書き込み光の光量に応じて電気抵抗の大きさが変化する光導電体層、及び前記光導電体層を介して印加される電圧の大きさに応じた波長の光を反射及び透過させることにより画像を表示する表示層を備えた光書き込み型画像表示媒体の前記光導電体層に、前記書き込み光を照射する照射手段と、前記表示層及び前記光導電体層に画像書き込み用パルス電圧を印加する電圧印加手段と、画像を書き込む際に、前記書き込み光を照射する時間間隔で前記光導電体層に照射されるように前記照射手段を制御すると共に、前記表示層及び前記光導電体層に前記時間間隔より長い間隔の第１のパルス電圧が印加され、前記第１のパルス電圧に続いて、前記第１のパルス電圧と極性が同一で、かつ電圧値が前記第１のパルス電圧の電圧値より大きい第２のパルス電圧が前記表示層及び前記光導電体層に印加され、前記第２のパルス電圧に続いて、前記第１のパルス電圧と極性が反対で、かつ電圧値の絶対値が前記第１のパルス電圧の電圧値より大きい第３のパルス電圧が印加されるように前記電圧印加手段を制御する制御手段とを含んで構成されている。
【０００７】
また、上記目的を達成するために、請求項３に記載の発明のプログラムは、コンピュータを、画像を書き込む際に、前記書き込み光を照射する時間間隔で、照射された書き込み光の光量に応じて電気抵抗の大きさが変化する光導電体層に照射されるように、前記光導電体層及び前記光導電体層を介して印加される電圧の大きさに応じた波長の光を反射及び透過させることにより画像を表示する表示層を備えた光書き込み型画像表示媒体の前記光導電体層に前記書き込み光を照射する照射手段を制御すると共に、前記表示層及び前記光導電体層に前記時間間隔より長い間隔の第１のパルス電圧が印加され、前記第１のパルス電圧に続いて、前記第１のパルス電圧と極性が反対で、かつ電圧値の絶対値が前記第１のパルス電圧の電圧値より大きい第２のパルス電圧が印加されるように、前記表示層及び前記光導電体層に画像書き込み用パルス電圧を印加する電圧印加手段を制御する制御手段として機能させるためのものである。
【０００８】
また、上記目的を達成するために、請求項４に記載の発明のプログラムは、コンピュータを、画像を書き込む際に、書き込み光を照射する時間間隔で、照射された書き込み光の光量に応じて電気抵抗の大きさが変化する光導電体層に照射されるように、前記光導電体層及び前記光導電体層を介して印加される電圧の大きさに応じた波長の光を反射及び透過させることにより画像を表示する表示層を備えた光書き込み型画像表示媒体の前記光導電体層に前記書き込み光を照射する照射手段を制御すると共に、前記表示層及び前記光導電体層に前記時間間隔より長い間隔の第１のパルス電圧が印加され、前記第１のパルス電圧に続いて、前記第１のパルス電圧と極性が同一で、かつ電圧値が前記第１のパルス電圧の電圧値より大きい第２のパルス電圧が前記表示層及び前記光導電体層に印加され、前記第２のパルス電圧に続いて、前記第１のパルス電圧と極性が反対で、かつ電圧値の絶対値が前記第１のパルス電圧の電圧値より大きい第３のパルス電圧が印加されるように、前記表示層及び前記光導電体層に画像書き込み用パルス電圧を印加する電圧印加手段を制御する制御手段として機能させるためのものである。
【発明の効果】
【０００９】
請求項１及び請求項３に記載の各発明によれば、書き込み光が照射された画像を表示する箇所の反射率が高い、という効果を有する。
【００１０】
請求項２及び請求項４に記載の各発明によれば、光書き込み装置の書き込み用の電圧のラチチュード(光書き込み装置で画像を書き込みする際に用いるパルス電圧の範囲)を広くすることができる、という効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００１２】
［第１の実施の形態］
まず、第１の実施の形態について説明する。図１は、本実施形態における光書き込み型の表示媒体１の断面図を示している。表示媒体１は、画像に応じたアドレス光の照射及びパルス電圧（バイアス信号）の印加によって画像を記録することが可能な表示媒体である。
【００１３】
図１に示すように、表示媒体（光書き込み型画像表示媒体）１は、表示面側から順に、透明基板３、透明電極５、表示層（液晶層）７、ラミネート層８、遮光層（着色層）９、光導電体層１０、透明電極６および透明基板４が積層されて構成されている。
【００１４】
透明基板３、４は、各機能層を内面に保持し、表示媒体の構造を維持するためのものである。透明基板３、４は、外力に耐える強度を有するシート形状の部材で構成され、表示面側の透明基板３は少なくとも入射光を、書き込み面側の透明基板４は少なくともアドレス光（書き込み光）を、それぞれ透過する。透明基板３、４は、フレキシブル性を有することが好ましい。具体的な材料としては、無機シート（例えばガラス・シリコン）、高分子フイルム（例えばポリエチレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート）等を挙げることができる。外表面に、防汚膜、耐磨耗膜、光反射防止膜、ガスバリア膜など公知の機能性膜を形成してもよい。
【００１５】
なお、透明基板３、４は、本実施形態では可視光全域にわたって透過性をもつものであるが、表示させる波長域のみ透過性を有していてもよい。
【００１６】
透明電極５、６は、図２に示す光書き込み装置（光記録装置）２から印加されたパルス電圧（バイアス電圧）を、表示媒体１内の各機能層へ印加するためのものである。透明電極５及び透明電極６は表示媒体１の全面に相当する面積を有する単一の透明電極で構成されている。透明電極５、６は、理想的には面均一な導電性を有し、表示面側の透明電極５は少なくとも入射光を、書き込み面側の透明電極６は少なくともアドレス光を透過する。具体的には、金属（例えば金、アルミニウム）、金属酸化物（例えば酸化インジウム、酸化スズ、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ））、導電性有機高分子（例えばポリチオフェン系・ポリアニリン系）などで形成された導電性薄膜を挙げることができる。表面に、密着力改善膜、光反射防止膜、ガスバリア膜など公知の機能性膜を形成してもよい。
【００１７】
なお、透明電極５、６は、本実施形態では可視光全域にわたって透過性をもつものであるが、表示させる波長域のみ透過性を有していてもよい。
【００１８】
表示層７は、電場によって入射光のうち特定の色光の反射・透過状態を変調する機能を有し、選択した状態が無電場で保持できる性質のものである。表示層７としては、曲げや圧力などの外力に対して変形しない構造であることが好ましい。表示層７は、以下で詳細を説明する光導電体層１０を介して印加される電圧の大きさに応じた波長の光を反射及び透過させることにより画像を表示する。
【００１９】
本実施形態では、表示層７は、一例としてコレステリック液晶及び透明樹脂を含む自己保持型液晶複合体の液晶層で構成される。すなわち、複合体として自己保持性を有するためスペーサ等を必要としない液晶層であるが、これに限られるものではない。本実施形態では、図１に示されるように、高分子マトリックス（透明樹脂）１１中にコレステリック液晶１２が分散した状態となっている。
【００２０】
コレステリック液晶１２は、入射光のうち特定の色光の反射・透過状態を変調する機能を有し、液晶分子がらせん状に捩れて配向しており、らせん軸方向から入射した光のうち、らせんピッチに依存した特定の光を干渉反射する。電場によって配向が変化し、反射状態を変化させることができる。カラー表示の場合、ドロップサイズが均一で、単層稠密に配置されていることが好ましい。
【００２１】
コレステリック液晶１２として使用可能な具体的な液晶としては、ネマチック液晶やスメクチック液晶（例えばシッフ塩基系、アゾ系、アゾキシ系、安息香酸エステル系、ビフェニル系、ターフェニル系、シクロヘキシルカルボン酸エステル系、フェニルシクロヘキサン系、ビフェニルシクロヘキサン系、ピリミジン系、ジオキサン系、シクロヘキシルシクロヘキサンエステル系、シクロヘキシルエタン系、シクロヘキサン系、トラン系、アルケニル系、スチルベン系、縮合多環系）、またはこれらの混合物に、カイラル剤（例えばステロイド系コレステロール誘導体、シッフ塩基系、アゾ系、エステル系、ビフェニル系）を添加したもの等を挙げることができる。
【００２２】
コレステリック液晶の螺旋ピッチは、ネマチック液晶に対するカイラル剤の添加量で調整する。例えば、表示色を青、緑、赤とする場合には、それぞれ選択反射の中心波長が、４００ｎｍ〜５００ｎｍ、５００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲になるようにする。また、コレステリック液晶の螺旋ピッチの温度依存性を補償するために、捩じれ方向が異なる、または逆の温度依存性を示す複数のカイラル剤を添加する公知の手法を用いてもよい。
【００２３】
表示層７がコレステリック液晶１２と高分子マトリックス（透明樹脂）１１を含む自己保持型液晶複合体を形成する形態としては、コレステリック液晶の連続相中に網目状の樹脂を含むＰＮＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｎｅｔｗｏｒｋ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）構造や、高分子の骨格中にコレステリック液晶がドロップレット状に分散されたＰＤＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）構造（マイクロカプセル化されたものを含む）を用いることができ、ＰＮＬＣ構造やＰＤＬＣ構造とすることによって、コレステリック液晶と高分子の界面にアンカリング効果を生じ、無電界でのプレーナ相またはフォーカルコニック相の保持状態を、より安定にすることができる。
【００２４】
ＰＮＬＣ構造やＰＤＬＣ構造は、高分子と液晶とを相分離させる公知の方法、例えば、アクリル系、チオール系、エポキシ系などの、熱や光、電子線などによって重合する高分子前駆体と液晶を混合し、均一相の状態から重合させて相分離させるＰＩＰＳ（Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ Ｉｎｄｕｃｅｄ ＰｈａｓｅＳｅｐａｒａｔｉｏｎ）法、ポリビニルアルコールなどの、液晶の溶解度が低い高分子と液晶とを混合し、攪拌懸濁させて、液晶を高分子中にドロップレット分散させるエマルジョン法、熱可塑性高分子と液晶とを混合し、均一相に加熱した状態から冷却して相分離させるＴＩＰＳ（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｐｈａｓｅ Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ）法、高分子と液晶とをクロロホルムなどの溶媒に溶かし、溶媒を蒸発させて高分子と液晶とを相分離させるＳＩＰＳ（Ｓｏｌｖｅｎｔ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｐｈａｓｅ Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ）法などによって形成することができるが、特に限定されるものではない。
【００２５】
高分子マトリックス１１は、コレステリック液晶１２を保持し、表示媒体の変形による液晶の流動（画像の変化）を抑制する機能を有するものであり、液晶材料に溶解せず、また液晶と相溶しない液体を溶剤とする高分子材料が好適に用いられる。また、高分子マトリックス１１としては、外力に耐える強度をもち、少なくとも反射光およびアドレス光に対して高い透過性を示す材料であることが望まれる。
【００２６】
高分子マトリックス１１として採用可能な材料としては、水溶性高分子材料（例えばゼラチン、ポリビニルアルコール、セルロース誘導体、ポリアクリル酸系ポリマー、エチレンイミン、ポリエチレンオキサイド、ポリアクリルアミド、ポリスチレンスルホン酸塩、ポリアミジン、イソプレン系スルホン酸ポリマー）、あるいは水性エマルジョン化できる材料（例えばフッ素樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂）等を挙げることができる。
【００２７】
光導電体層１０は、内部光電効果をもち、アドレス光の照射強度に応じてインピーダンス特性が変化する特性を有する層である。ＡＣ動作が可能であり、アドレス光に対して対称駆動になることが好ましく、電荷発生層（ＣＧＬ）が電荷輸送層（ＣＴＬ）の上下に積層された３層構造が好適である。本実施形態では、光導電体層１０として、一例として図１における上層から順に上側の電荷発生層１３、電荷輸送層１４および下側の電荷発生層１５が積層されてなる。光導電体層１０は、照射された書き込み光の光量に応じて自身の電気抵抗の大きさが変化する。
【００２８】
電荷発生層１３、１５は、アドレス光を吸収して光キャリアを発生させる機能を有する層である。主に、電荷発生層１３が表示面側（表示層７側）の透明電極５から書き込み面側（光導電体層１０側）の透明電極６の方向に流れる光キャリア量を、電荷発生層１５が書き込み面側の透明電極６から表示面側の透明電極５の方向に流れる光キャリア量を、それぞれ左右している。電荷発生層１３、１５としては、アドレス光を吸収して励起子を発生させ、電荷発生層内部、または電荷発生層／電荷輸送層界面で自由キャリアに効率良く分離させられるものが好ましい。
【００２９】
電荷発生層１３、１５は、電荷発生材料（例えばクロロガリウムフタロシアニンやヒドロキシガリウムフタロシアニンのような金属又は無金属フタロシアニン、スクアリウム化合物、アズレニウム化合物、ペリレン顔料、インジゴ顔料、ビスやトリス等アゾ顔料、キナクリドン顔料、ピロロピロール色素、多環キノン顔料、ジブロモアントアントロンなど縮環芳香族系顔料、シアニン色素、キサンテン顔料、ポリビニルカルバゾールとニトロフルオレン等電荷移動錯体、ピリリウム塩染料とポリカーボネート樹脂からなる共昌錯体）を直接成膜する乾式法か、またはこれら電荷発生材料を、高分子バインダー（例えばポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、ビニルカルバゾール樹脂、ビニルホルマール樹脂、部分変性ビニルアセタール樹脂、カーボネート樹脂、アクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、スチレン樹脂、ビニルアセテート樹脂、酢酸ビニル樹脂、シリコーン樹脂等）とともに適当な溶剤に分散ないし溶解させて塗布液を調製し、これを塗布し乾燥させて成膜する湿式塗布法等により形成することができる。
【００３０】
電荷輸送層１４は、電荷発生層１３、１５で発生した光キャリアが注入されて、バイアス信号で印加された電場方向にドリフトする機能を有する層である。一般に電荷輸送層は、電荷発生層の数１０倍の厚みを有するため、電荷輸送層１４の容量、電荷輸送層１４の暗電流、および電荷輸送層１４内部の光キャリア電流が、光導電体層１０全体の明暗インピーダンスを決定付けている。
【００３１】
電荷輸送層１４は、電荷発生層１３、１５からの自由キャリアの注入が効率良く発生し（電荷発生層１３、１５とイオン化ポテンシャルが近いことが好ましい）、注入された自由キャリアができるだけ高速にホッピング移動するものが好適である。暗時のインピーダンスを高くするため、熱キャリアによる暗電流は低い方が好ましい。
【００３２】
電荷輸送層１４は、低分子の正孔輸送材料（例えばトリニトロフルオレン系化合物、ポリビニルカルバゾール系化合物、オキサジアゾール系化合物、ベンジルアミノ系ヒドラゾンあるいはキノリン系ヒドラゾン等のヒドラゾン系化合物、スチルベン系化合物、トリフェニルアミン系化合物、トリフェニルメタン系化合物、ベンジジン系化合物）、または低分子の電子輸送材料（例えばキノン系化合物、テトラシアノキノジメタン系化合物、フルオレノン化合物、キサントン系化合物、ベンゾフェノン系化合物）を、高分子バインダー（例えばポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリスチレン樹脂、含珪素架橋型樹脂等）とともに適当な溶剤に分散ないし溶解させたもの、あるいは上記正孔輸送材料や電子輸送材料を高分子化した材料を適当な溶剤に分散ないし溶解させたものを調製し、これを塗布し乾燥させて形成すればよい。
【００３３】
遮光層（着色層）９は、書き込み時にアドレス光と入射光を光学分離し、相互干渉による誤動作を防ぐとともに、表示時に表示媒体の非表示面側から入射する外光と表示画像を光学分離し、画質の劣化を防ぐ目的で設けられた層である。その目的から、遮光層９には、少なくとも電荷発生層の吸収波長域の光、および表示層の反射波長域の光を吸収する機能が要求される。
【００３４】
着色層９は、具体的には、無機顔料（例えばカドミウム系、クロム系、コバルト系、マンガン系、カーボン系）、または有機染料や有機顔料（アゾ系、アントラキノン系、インジゴ系、トリフェニルメタン系、ニトロ系、フタロシアニン系、ペリレン系、ピロロピロール系、キナクリドン系、多環キノン系、スクエアリウム系、アズレニウム系、シアニン系、ピリリウム系、アントロン系）を光導電体層１０の電荷発生層１３側の面に直接成膜する乾式法か、あるいはこれらを高分子バインダー（例えばポリビニルアルコール樹脂、ポリアクリル樹脂等）とともに適当な溶剤に分散ないし溶解させて塗布液を調製し、これを塗布し乾燥させて成膜する湿式塗布法等により形成することができる。
【００３５】
ラミネート層８は、それぞれ上下基板内面に形成した各機能層を貼りあわせる際に、凹凸吸収および接着の役割を果たす目的で設けられる層であり、本実施形態において必須の構成要素ではない。ラミネート層８は、ガラス転移点の低い高分子材料からなるものであり、熱や圧力によって表示層７と着色層９とを密着・接着させることができる材料が選択される。また、少なくとも入射光に対して透過性を有することが条件となる。
【００３６】
ラミネート層８に好適な材料としては、粘着性の高分子材料（例えばウレタン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂）を挙げることができる。
【００３７】
図３は、図１に示される構造の表示媒体（液晶デバイス）１の等価回路を示す回路図である。Ｃｌｃ、Ｃｏｐｃ、およびＲｌｃ、Ｒｏｐｃは、それぞれ表示層７および光導電体層１０の静電容量および抵抗値である。ＣｅおよびＲｅは、表示層７および光導電体層１０以外の構成要素の等価静電容量および等価抵抗値である。
【００３８】
表示媒体１の透明電極５−透明電極６間に外部の書き込み装置２から印加される電圧をＶとすると、各構成要素には、各構成要素間のインピーダンス比によって決まる分圧Ｖｌｃ、ＶｏｐｃおよびＶｅが印加される。より具体的には、電圧が印加された直後には各構成要素の容量比で決定される分圧が生じ、時間経過とともに各構成要素の抵抗値比で決定される分圧へと緩和していく。
【００３９】
ここで、アドレス光の強度（光量）に応じて光導電体層１０の抵抗値Ｒｏｐｃが変化するため、露光と非露光によって表示層７に印加される実効電圧を制御することができる。露光時には光導電体層１０の抵抗値Ｒｏｐｃが小さくなって表示層７に印加される実効電圧は大きくなり、逆に非露光時には光導電体層１０の抵抗値Ｒｏｐｃが大きくなって表示層７に印加される実効電圧は小さくなる。
【００４０】
次に、コレステリック液晶（カイラルネマチック液晶）１２について具体的に説明する。コレステリック液晶１２が示すプレーナ相は、螺旋軸に平行に入射した光を右旋光と左旋光に分け、螺旋の捩じれ方向に一致する円偏光成分をブラッグ反射し、残りの光を透過させる選択反射現象を起こす。反射光の中心波長λおよび反射波長幅Δλは、螺旋ピッチをｐ、螺旋軸に直交する平面内の平均屈折率をｎ、複屈折率をΔｎとすると、それぞれ、λ＝ｎ・ｐ、Δλ＝Δｎ・ｐで表され、プレーナ相のコレステリック液晶層による反射光は、螺旋ピッチに依存した鮮やかな色を呈する。
【００４１】
正の誘電率異方性を有するコレステリック液晶は、図４（Ａ）に示すように、螺旋軸がセル表面に垂直になり、入射光に対して上記の選択反射現象を起こすプレーナ相、同図（Ｂ）に示すように、螺旋軸がほぼセル表面に平行になり、入射光を少し前方散乱させながら透過させるフォーカルコニック相、および同図（Ｃ）に示すように、螺旋構造がほどけて液晶ダイレクタが電界方向を向き、入射光をほぼ完全に透過させるホメオトロピック相、の３つの状態を示す。
【００４２】
上記の３つの状態のうち、プレーナ相とフォーカルコニック相は、無電界で双安定に存在することができる。したがって、コレステリック液晶の相状態は、液晶層に印加される電界強度に対して一義的に決まらず、プレーナ相が初期状態の場合には、電界強度の増加に伴って、プレーナ相、フォーカルコニック相、ホメオトロピック相の順に変化し、フォーカルコニック相が初期状態の場合には、電界強度の増加に伴って、フォーカルコニック相、ホメオトロピック相の順に変化する。
【００４３】
一方、液晶層に印加した電界強度をゼロにした場合には、プレーナ相とフォーカルコニック相はそのままの状態を維持し、ホメオトロピック相はプレーナ相に変化する。
【００４４】
したがって、パルス信号を印加した直後のコレステリック液晶層は、図５に示すようなスイッチング挙動を示し、印加されたパルス信号の電圧が、Ｖｆｈ以上のときには、ホメオトロピック相からプレーナ相に変化した選択反射状態となり、ＶｐｆとＶｆｈの間のときには、フォーカルコニック相による透過状態となり、Ｖｐｆ以下のときには、パルス信号印加前の状態を継続した状態、すなわちプレーナ相による選択反射状態またはフォーカルコニック相による透過状態となる。
【００４５】
なお、図中、縦軸は正規化反射率であり、最大反射率を１００、最小反射率を０として、反射率を正規化している。また、プレーナ相、フォーカルコニック相およびホメオトロピック相の各状態間には、遷移領域が存在するため、正規化反射率が５０以上の場合を選択反射状態、正規化反射率が５０未満の場合を透過状態と定義し、プレーナ相とフォーカルコニック相の相変化のしきい値電圧をＶｐｆとし、フォーカルコニック相とホメオトロピック相の相変化のしきい値電圧をＶｆｈとする。
【００４６】
特に、コレステリック液晶の連続相中に網目状の樹脂を含むＰＮＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｎｅｔｗｏｒｋ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）構造や、高分子の骨格中にコレステリック液晶がドロップレット状に分散されたＰＤＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）構造（マイクロカプセル化されたものを含む）の液晶層においては、コレステリック液晶と高分子の界面における干渉により（アンカリング効果）、プレーナ相とフォーカルコニック相の無電界における双安定性が向上し、長期間に渡ってパルス信号印加直後の状態を保持することができる。
【００４７】
このようなコレステリック液晶１２を用いた表示媒体１では、コレステリック液晶の双安定現象を利用して、（Ａ）プレーナ相による選択反射状態と、（Ｂ）フォーカルコニック相による透過状態とを、スイッチングすることによって、無電界でのメモリー性を有するブラック・ホワイトのモノクロ表示、または無電界でのメモリー性を有するカラー表示を行う。
【００４８】
外部印加電圧の大きさに応じてコレステリック液晶１２は、プレーナ相状態（Ｐ状態）またはホメオトロピック相状態（Ｈ状態）を初期状態とした場合にはＰ状態、フォーカルコニック相状態（Ｆ状態）、Ｈ状態と変化し、Ｆ状態を初期状態とした場合にはＦ状態、Ｈ状態と変化し、その最終状態がＰ状態およびＦ状態では、印加電圧を除した後も維持されるが、Ｈ状態では、Ｐ状態に相変化する。従って、露光／非露光に関わらず、印加電圧の大きさにより、最終的な相状態としてＰ状態ないしＦ状態が選択される。図５に示すように、Ｐ状態では光反射、Ｆ状態では光透過状態となる。
【００４９】
次に、図２に示す画像表示装置２０について説明する。画像表示装置２０は、表示媒体１及び光書き込み装置（光記録装置）２を含んで構成される。
【００５０】
光書き込み装置２は、表示媒体１に画像を書き込む（記録する）装置であり、表示媒体１に対して書き込み光（アドレス光）の照射を行う光照射部３２、光照射部３２と表示媒体１とが相対移動するように光照射部３２を図中矢印Ａ方向及び図中矢印Ｂ方向へ移動させる駆動部２４、表示媒体１に印加するバイアス電圧（高圧パルス）を発生させる高圧パルス発生部２６Ａから成る電圧印加部２６、並びに駆動部２４、電圧印加部２６及び光照射部３２を制御する制御部３０を含んで構成される。
【００５１】
光照射部３２は、表示媒体１をリセット（初期化）するためのリセット光を照射すると共に、制御部３０からの画像に応じた入力信号に基づいた書き込み光（光画像パターン）を表示媒体１（詳しくは、光導電体層１０上）に照射する光源３２Ａを含んで構成される。なお、リセット光を照射するリセット光源が、光照射部３２と分離されて設けられていてもよく、この場合、光照射部３２には、書き込み光を表示媒体１に照射する光源が設けられる。また、光源３２Ａは、固定された２次元の光源でも複数の点光源でもよい。
【００５２】
なお、表示媒体１をリセット（初期化）するとは、具体的には例えばコレステリック液晶１２の液晶の配向を初期化することをいい、例えばＦ状態又はＰ状態にすることをいう。
【００５３】
光源３２Ａにより照射される書き込み光（アドレス光）としては、光導電体層１０の吸収波長域内にピーク強度を持ち、バンド幅の狭い光であることが望ましい。
【００５４】
また、光源３２Ａは、本実施の形態では、リセット光をも照射するため、リセット光として均一な光を表示媒体１に照射することが可能な光源であることが望ましい。
【００５５】
光源３２Ａとしては、例えば、冷陰極管、キセノンランプ、ハロゲンランプ、発光ダイオード（ＬＥＤ）、ＥＬ、レーザ等の光源を一次元のアレイ状に配置したものや、ポリゴンミラーと組み合せたもの、など走査動作によって任意の二次元発光パターンを形成できるものが用いられる。光源３２Ａによって、光導電体層１０側から書き込み光が照射されることにより、表示層７に画像を書き込むことが可能となる。
【００５６】
高圧パルス発生部２６Ａは、リセット用パルス電圧及び画像書き込み用パルス電圧を発生する回路である。高圧パルス発生部２６Ａには、例えばリセット用パルス電圧及び画像書き込み用パルス電圧を発生する高電圧アンプなどが用いられる。
【００５７】
本実施形態では、図２に示すように表示媒体１の透明電極６は接地されており、制御部３０の制御によって、高圧パルス発生部２６Ａは、画像を書き込む際には、詳細を以下で説明する画像書き込み用パルス電圧を印加し、リセットする際には、負の極性を有するリセット用パルス電圧を印加する。すなわち、電極５に対して、接地された透明電極６に印加されるリセット用パルス電圧は、負の極性を有する電圧となる。
【００５８】
ここで、リセット用パルス電圧の電圧値は、光源３２Ａによりリセット光が表示媒体１に照射された状態でリセット用パルス電圧が透明電極５−透明電極６間に印加された場合に、表示媒体１をリセット（初期化）することができる電圧値、具体的には、例えばコレステリック液晶１２の液晶の配向を初期化することができる電圧値に設定される。例えばＦ状態に初期化するのであれば、図５に示すように、表示層７に印加される電圧（分圧）がＶｐｆより大きくＶｆｈより小さい電圧の範囲内となるような電圧値であり、Ｐ状態に初期化するのであれば、表示層７に印加される電圧（分圧）がＶｆｈ以上の電圧となるような電圧値である。この電圧値として、例えば、−６５０Ｖが考えられる。
【００５９】
また、画像書き込み用パルス電圧の電圧値（高さ）は、光源３２Ａにより画像に応じた書き込み光（画像光）が表示媒体１に照射された状態及び書き込み光の照射が終了した状態で画像書き込み用パルス電圧が透明電極５−透明電極６間に印加された場合に、表示媒体１に画像を記録することができる電圧値に設定される。なお、このような電圧値の画像書き込みパルスの波形の詳細については後述する。
【００６０】
駆動部２４は、制御部３０からの指示に従って、光照射部３２を図２において矢印Ａ方向（副走査方向）及び矢印Ｂ方向（副走査方向）へ移動させる。駆動部２４は、例えばパルスモータ等を含んで構成され、パルスモータの駆動によって光照射部３２を図中矢印Ａ方向及び矢印Ｂ方向へ移動させる。これにより、光源３２Ａが図中矢印Ａ方向及び矢印Ｂ方向へ移動する。光照射部３２を移動させる構成とすることで、表示媒体１の透明電極を検出する構成が不要となり表示媒体１を移動させる場合と比較して電圧印加部２６との接続構成が簡単となる。
【００６１】
制御部３０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）３０ａ、ＲＯＭ（Read Only Memory）３０ｂ、ＲＡＭ（Random Access Memory）３０ｃ、及びＩ／Ｏ（入出力）ポート３０ｄを含んで構成されており、これらＣＰＵ３０ａ、ＲＯＭ３０ｂ、ＲＡＭ３０ｃ、及びＩ／Ｏポート３０ｄは互いにバス３０ｅで接続されている。ＲＯＭ３０ｂにはＯＳ等の基本プログラム、及び光書き込み装置２全体を制御する制御処理を実行するためのプログラムが記憶されている。ＣＰＵ３０ａは、プログラムをＲＯＭ３０ｂから読み出して実行する。ＲＡＭ３０ｃには、各種データが一時的に記憶される。Ｉ／Ｏポート３０ｄには、駆動部２４、電圧印加部２６、及び光源３２Ａが接続されている。
【００６２】
制御部３０は、例えば、上述したリセットが可能となる予め定められた速度ｖ（ｍｍ／ｓ）で光照射部３２が図２における矢印Ｂ方向へ移動するように駆動部２４に指示（駆動部２４を制御）すると共に、上述したリセットが可能となる予め定められたタイミングでリセット光が光源３２Ａにより表示媒体１に照射されるように光源３２Ａを制御し、かつ上述したリセットが可能となる予め定められたタイミングで透明電極５−透明電極６間にリセット用パルス電圧が印加されるように電圧印加部２６を制御する。これにより、表示媒体１がリセットされる。なお、リセット光の照射時間（リセット光照射時間）ＴＲは、リセットを行う際に必要な光照射部３２の移動距離ＬＲを、速度ｖで除算した値（ＬＲ／ｖ）で表される。また、上記で説明したリセット光照射時間ＴＲは、光源３２Ａが移動する場合のものであり、光源３２Ａが固定光源である場合には、リセット光照射時間ＴＲは任意に設定できる。
【００６３】
また、制御部３０は、予め定められた速度ｖ´（ｍｍ／ｓ）で光照射部３２が図２における矢印Ａ方向へ移動するように駆動部２４に指示（駆動部２４を制御）すると共に、入力された画像データに基づいた書き込み光（画像光）が光源３２Ａにより表示媒体１に照射されるように光源３２Ａを制御し、かつ詳細を以下で説明するタイミングで透明電極５−透明電極６間に画像書き込み用パルス電圧が印加されるように電圧印加部２６を制御する。これにより、表示媒体１に画像が書き込まれる。なお、書き込み光の照射時間（書き込み光照射時間）ＴＷは、書き込みを行う際に必要な光照射部３２の移動距離ＬＷを、速度ｖ´で除算した値（ＬＷ／ｖ´）で表される。このように光を照射しているトータルの時間がＴＷとなる。また、１ピクセルの照射時間は、書き込み光の照射時間ＴＷを、移動距離ＬＷをピクセル長ＬＰで除算した値によって除算した値（ＴＷ／（ＬＷ／ＬＰ））で表される。
【００６４】
ここで、制御部３０によって制御された電圧印加部２６により、透明電極５−透明電極６間に印加されるリセットをする際のリセット用パルス電圧、及び画像を書き込む際の画像書き込み用パルス電圧について、図６を参照して説明する。図６には、本実施形態におけるリセット用パルス電圧の波形５０及び画像書き込み用パルス電圧の波形５２が示されている。なお、同図に示すように、区間Ｓ１における波形がリセットパルス用電圧の波形５０であり、区間Ｓ２における波形が画像書き込み用パルス電圧の波形５２である。同図に図示されるように、時刻Ｔ１〜Ｔ４間で負の方形波のパルス電圧（図６の例では電圧値は−６５０Ｖ）が透明電極５−透明電極６間に印加される。なお、時刻Ｔ２〜Ｔ３間は、リセット光照射時間ＴＲであり、時刻Ｔ２は、時刻Ｔ１より後の時刻であり、時刻Ｔ３は、時刻Ｔ４より前の時刻である。すなわち、リセット光が照射される前にリセット用パルス電圧の印加が開始され、リセット光の照射が終了した後に、リセット用パルス電圧の印加が終了される。
【００６５】
また、同図に図示されるように、時刻Ｔ５〜Ｔ８間で正の方形波のパルス電圧（第１のパルス電圧；図６の例では電圧値は６５０Ｖ）が透明電極５−透明電極６間に印加される。なお、時刻Ｔ６〜Ｔ７間は、書き込み光照射時間ＴＷであり、時刻Ｔ６は、時刻Ｔ５より後の時刻であり、時刻Ｔ７は、時刻Ｔ８より前の時刻である。すなわち、書き込み光が照射される前に画像書き込み用パルス電圧の印加が開始され、書き込み光の照射が終了した後も、画像書き込み用パルス電圧の印加が継続される。また、同図に図示されるように、時刻Ｔ８〜Ｔ９間で、上記第１のパルス電圧と極性が反対の負の方形波のパルス電圧（第２のパルス電圧；図６の例では電圧値は−８００Ｖ）が透明電極５−透明電極６間に印加される。本実施の形態では、この第２のパルス電圧の高さ（電圧値）の絶対値は、上記の第１のパルス電圧の高さ（電圧値）の絶対値より高い（大きい）ものとする。
【００６６】
次に、表示媒体１に対する画像書き込みの動作について説明する。光照射部３２の移動速度（副走査速度）を上述したようにｖ及びｖ´（ｍｍ／ｓ）とする。
【００６７】
まず、制御部３０は、図２において矢印Ｂ方向へ光照射部３２が移動開始するように駆動部２４に指示する。光照射部３２は、リセット動作を開始する前は予め定めた待機位置に配置されている。この待機位置は、表示媒体１の矢印Ｂ方向上流側の端部よりもさらに上流側に位置する。
【００６８】
制御部３０が、駆動部２４に対して光照射部３２の移動開始を指示すると、駆動部２４は光照射部３２の移動を開始させる。これにより、光照射部３２は図２において矢印Ｂ方向へ予め定めた移動速度ｖで移動を開始する。
【００６９】
そして、制御部３０は、光源３２によるリセット光の照射が開始する時点（図６の例ではＴ２）よりも前の時点（図６の例ではＴ１）で、すなわち、光源３２Ａが電極５の矢印Ｂ方向上流側の端部に到達するよりも前の時点で、リセット用パルス電圧が電極５に予め定められた時間ＴＥＲ（図６の例ではＴ４−Ｔ１）分印加されるように電圧印加部２６を制御する。また、制御部３０は、光源３２Ａによるリセット光の照射が開始する時点（図６の例ではＴ２）からリセット光の照射期間が終了する時点（図６の例ではＴ３）までの期間ＴＲ、すなわち光源３２Ａが電極５の矢印Ｂ方向上流側の端部に到達した時点から光源３２Ａが電極５の矢印Ｂ方向下流側の端部に到達するまでの期間に、リセット光を示すデータ（情報）を光源３２Ａに出力する。これにより、Ｔ２からＴ３のリセット光の照射期間ＴＲにリセット光が照射され、表示媒体１がリセットされる。
【００７０】
リセットが終了すると、制御部３０は、光源３２Ａによる書き込み光（画像光）の照射期間が開始する時点（図６の例ではＴ６）よりも前の時点（図６の例ではＴ５）で、すなわち光源３２Ａが電極５の矢印Ａ方向上流側の端部に到達するよりも前の時点で、画像書き込み用パルス電圧のうち第１のパルス電圧が透明電極５−透明電極６間に予め定められた時間ＴＥＷ分印加されるように電圧印加部２６を制御する。これにより、電圧印加部２６は、透明電極５−透明電極６間に、第１のパルス電圧を予め定められた時間ＴＥＷ分印加する。なお、この時間ＴＥＷは、図６に図示されるように、書き込み光照射時間ＴＷより長い時間である。また、制御部３０は、光源３２Ａによる書き込み光の照射が開始する時点（図６の例ではＴ６）から書き込み光の照射が終了する時点（図６の例ではＴ７）までの期間ＴＷ、すなわち光源３２Ａが電極５の矢印Ａ方向上流側の端部に到達した時点から光源３２Ａが電極５の矢印Ａ方向下流側の端部に到達するまでの期間に、入力された画像データの電極５の領域に書き込むべき画像の画像データを光源３２Ａに出力する。これにより、Ｔ６からＴ７の書き込み光の照射期間ＴＷに画像データに基づいた書き込み光が照射され、画像が書き込まれる。例えば書き込み光が照射された領域はＦ状態からＨ状態となる。なお、画像を書き込まない領域については画像光が照射されないのはいうまでもない。そして、制御部３０は、第１のパルス電圧の印加が終了した時点（図６の例ではＴ８）で、画像書き込み用パルス電圧のうち第２のパルス電圧が透明電極５−透明電極６間に予め定められた時間ＴＥＨ分印加されるように電圧印加部２６を制御する。これにより、電圧印加部２６によって、透明電極５−透明電極６間に、第２のパルス電圧が予め定められた時間ＴＥＨ分印加されて、表示層７の電界強度が減衰する。
【００７１】
ここで、本実施の形態の光書き込み装置２において、第１のパルス電圧の電圧値を６５０Ｖとし、第２のパルス電圧の電圧値ＶＰを０Ｖ〜９００Ｖまで所定間隔で変更して、表示媒体１に画像の書き込みを行った場合の表示媒体１の光照射領域の表示層７の反射率Ｒ（％）について図７を参照して説明する。同図に図示されるように、第２のパルス電圧の電圧値ＶＰを８５０Ｖ以上に設定した場合には、第２のパルス電圧の電圧値ＶＰを大きさ（高さ）の絶対値が第１のパルス電圧の大きさ（高さ）より低く設定した場合（対応する電圧値は０Ｖ〜６５０Ｖ）と比較して反射率が良好となる。ここで、第１のパルス電圧の電圧値が６５０Ｖであることを考えると、第２のパルス電圧の大きさ（高さ）の絶対値は、第１のパルス電圧の大きさ（高さ）の絶対値より、約１．３倍（８５０÷６５０）以上であることが望ましい。
【００７２】
以上、説明したように、本実施の形態の光書き込み装置２は、照射された書き込み光の光量に応じて電気抵抗の大きさが変化する光導電体層１０、及び光導電体層１０を介して印加される電圧の大きさに応じた波長の光を反射及び透過させることにより画像を表示する表示層７を備えた光書き込み型画像表示媒体１の光導電体層１０に、書き込み光を照射する照射手段としての照射部３２と、表示層７及び光導電体層１０に画像書き込み用パルス電圧を印加する電圧印加手段としての電圧印加部２６と、画像を書き込む際に、書き込み光を照射する時間間隔ＴＷで光導電体層１０に照射されるように照射部３２を制御すると共に、表示層７及び光導電体層１０に時間間隔ＴＷより長い間隔（幅）の第１のパルス電圧が印加され、第１のパルス電圧に続いて、第１のパルス電圧と極性が反対で、かつ電圧値（高さ）の絶対値が第１のパルス電圧の電圧値（高さ）より大きい（高い）（対応する電圧値は例えば−８５０Ｖ）第２のパルス電圧が印加されるように電圧印加部２６を制御する制御手段としての制御部３０を備えている。
【００７３】
なお、本実施形態では、表示層としてコレステリック液晶を用いた場合について説明したが、これに限らず、強誘電性液晶を用いてもよい。
【００７４】
また、本実施形態では、表示媒体１が固定された状態で光照射部３２を移動させることにより光照射部３２と表示媒体１とを相対移動させる場合について説明したが、光照射部３２を固定した状態で表示媒体１を移動させたり、両者を移動させたりすることにより両者を相対移動させるようにしてもよい。
【００７５】
［第２の実施の形態］
次に第２の実施の形態について説明する。なお、第１の実施の形態と同様の構成及び同様の処理については、同一の符号を付して説明を省略する。第１の実施の形態では、第１のパルス電圧及び第２のパルス電圧を印加する例について説明したが、本実施の形態では、第１のパルス電圧、第２のパルス電圧、及び第３のパルス電圧を印加する。
【００７６】
図８に示すように、本実施の形態では、時刻Ｔ５〜Ｔ１０間で正の方形波のパルス電圧（第１のパルス電圧；図８の例では電圧値は６５０Ｖ）が透明電極５−透明電極６間に印加される。また、同図に図示されるように、時刻Ｔ１０〜Ｔ８間で、上記第１のパルス電圧と極性が同一の正の方形波のパルス電圧（第２のパルス電圧；図８の例では電圧値は８００Ｖ）が透明電極５−透明電極６間に印加される。本実施の形態では、この第２のパルス電圧の高さ（電圧値）の絶対値は、上記の第１のパルス電圧の高さ（電圧値）の絶対値より高い（大きい）ものとする。また、同図に図示されるように、時刻Ｔ８〜Ｔ９間で、上記第１のパルス電圧と極性が反対の負の方形波のパルス電圧（第３のパルス電圧；図８の例では電圧値は−８００Ｖ）が透明電極５−透明電極６間に印加される。本実施の形態では、この第３のパルス電圧の高さ（電圧値）の絶対値は、上記の第１のパルス電圧の高さ（電圧値）の絶対値より高い（大きい）ものとする。
【００７７】
次に、本実施の形態における表示媒体１に対する画像書き込みの動作について説明する。光照射部３２の移動速度（副走査速度）を第１の実施の形態と同様にｖ及びｖ´（ｍｍ／ｓ）とする。
【００７８】
まず、制御部３０は、図２において矢印Ｂ方向へ光照射部３２が移動開始するように駆動部２４に指示する。光照射部３２は、リセット動作を開始する前は予め定めた待機位置に配置されている。この待機位置は、表示媒体１の矢印Ｂ方向上流側の端部よりもさらに上流側に位置する。
【００７９】
制御部３０が、駆動部２４に対して光照射部３２の移動開始を指示すると、駆動部２４は光照射部３２の移動を開始させる。これにより、光照射部３２は図２において矢印Ｂ方向へ予め定めた移動速度ｖで移動を開始する。
【００８０】
そして、制御部３０は、光源３２によるリセット光の照射が開始する時点（図８の例ではＴ２）よりも前の時点（図８の例ではＴ１）で、すなわち、光源３２Ａが電極５の矢印Ｂ方向上流側の端部に到達するよりも前の時点で、リセット用パルス電圧が電極５に予め定められた時間ＴＥＲ（図８の例ではＴ４−Ｔ１）分印加されるように電圧印加部２６を制御する。また、制御部３０は、光源３２Ａによるリセット光の照射が開始する時点（図８の例ではＴ２）からリセット光の照射期間が終了する時点（図８の例ではＴ３）までの期間ＴＲ、すなわち光源３２Ａが電極５の矢印Ｂ方向上流側の端部に到達した時点から光源３２Ａが電極５の矢印Ｂ方向下流側の端部に到達するまでの期間に、リセット光を示すデータ（情報）を光源３２Ａに出力する。これにより、Ｔ２からＴ３のリセット光の照射期間ＴＲにリセット光が照射され、表示媒体１がリセットされる。
【００８１】
リセットが終了すると、制御部３０は、光源３２Ａによる書き込み光（画像光）の照射期間が開始する時点（図８の例ではＴ６）よりも前の時点（図８の例ではＴ５）で、すなわち光源３２Ａが電極５の矢印Ａ方向上流側の端部に到達するよりも前の時点で、画像書き込み用パルス電圧のうち第１のパルス電圧が透明電極５−透明電極６間に予め定められた時間ＴＥＷ分印加されるように電圧印加部２６を制御する。これにより、電圧印加部２６は、透明電極５−透明電極６間に、第１のパルス電圧を予め定められた時間ＴＥＷ分印加する。なお、この時間ＴＥＷは、図６に図示されるように、書き込み光照射時間ＴＷより長い時間である。また、制御部３０は、光源３２Ａによる書き込み光の照射が開始する時点（図８の例ではＴ６）から書き込み光の照射が終了する時点（図８の例ではＴ７）までの期間ＴＷ、すなわち光源３２Ａが電極５の矢印Ａ方向上流側の端部に到達した時点から光源３２Ａが電極５の矢印Ａ方向下流側の端部に到達するまでの期間に、入力された画像データの電極５の領域に書き込むべき画像の画像データを光源３２Ａに出力する。これにより、Ｔ６からＴ７の書き込み光の照射期間ＴＷに画像データに基づいた書き込み光が照射され、画像が書き込まれる。例えば書き込み光が照射された領域はＦ状態からＨ状態となる。なお、画像を書き込まない領域については画像光が照射されないのはいうまでもない。そして、制御部３０は、第１のパルス電圧の印加が終了した時点（図８の例ではＴ１０）で、画像書き込み用パルス電圧のうち第２のパルス電圧が透明電極５−透明電極６間に予め定められた時間ＴＥＳ分印加されるように電圧印加部２６を制御する。これにより、電圧印加部２６によって、透明電極５−透明電極６間に、第２のパルス電圧が予め定められた時間ＴＥＳ分印加される。そして、制御部３０は、第２のパルス電圧の印加が終了した時点（図８の例ではＴ８）で、画像書き込み用パルス電圧のうち第３のパルス電圧が透明電極５−透明電極６間に予め定められた時間ＴＥＨ分印加されるように電圧印加部２６を制御する。これにより、電圧印加部２６によって、透明電極５−透明電極６間に、第３のパルス電圧が予め定められた時間ＴＥＨ分印加されて、表示層７の電界強度が減衰する。
【００８２】
ここで、本実施の形態の光書き込み装置２において、第２のパルス電圧の電圧値を８００Ｖとし、第３のパルス電圧の電圧値を−８００Ｖとし、第１のパルス電圧の電圧値ＶＰを２００Ｖ〜８００Ｖまで所定間隔で変更して、表示媒体１に画像の書き込みを行った場合の表示媒体１の光照射領域の表示層７の反射率Ｒ（％）について図９を参照して説明する。同図には、第２のパルス電圧の電圧値を第１のパルスの電圧値と同一に設定し、第３のパルス電圧の高さの絶対値が第１のパルス電圧の高さの絶対値より小さくした場合の光照射時の表示層７の反射率Ｒを示すグラフ７０、第２のパルス電圧の電圧値を第１のパルスの電圧値と同一に設定し、第３のパルス電圧の高さの絶対値が第１のパルス電圧の高さの絶対値より小さくした場合の非光照射時の表示層７の反射率Ｒを示すグラフ７２、第２のパルス電圧の電圧値を８００Ｖに設定し、第３のパルス電圧の電圧値を−８００Ｖに設定した場合の光照射時の表示層７の反射率Ｒを示すグラフ７４、第２のパルス電圧の電圧値を８００Ｖに設定し、第３のパルス電圧の電圧値を−８００Ｖに設定した場合の非光照射時の表示層７の反射率Ｒを示すグラフ７６が示されている。これらのグラフ７０、７２、７４及び７６から、本実施形態の光書き込み装置２の書き込み用の電圧のラチチュード(光書き込み装置で画像を書き込みする際に用いるパルス電圧の範囲)は、従来の技術と比較して広いことが分かる。
【００８３】
また、第２のパルス電圧の電圧値を８００Ｖとし、第３のパルス電圧の電圧値を−８００Ｖとし、第１のパルス電圧の電圧値ＶＰを２００Ｖ〜６００Ｖまで所定間隔で変更して、表示媒体１に画像の書き込みを行った場合の表示媒体１の表示層７のコントラストについて図１０を参照して説明する。同図には、第２のパルス電圧の電圧値を第１のパルスの電圧値と同一に設定し、第３のパルス電圧の高さの絶対値が第１のパルス電圧の高さの絶対値より小さくした場合の表示層７のコントラストを示すグラフ８０、第２のパルス電圧の電圧値を８００Ｖに設定し、第３のパルス電圧の電圧値を−８００Ｖに設定した場合の表示層７のコントラストを示すグラフ８２が示されている。これらのグラフ８０、８２から、本実施形態の光書き込み装置２によって書き込まれた表示媒体１の画像のコントラストは、従来の技術と比較して良好であることが分かる。
【００８４】
以上説明したように、本実施の形態の光書き込み装置２は、照射された書き込み光の光量に応じて電気抵抗の大きさが変化する光導電体層１０、及び光導電体層１０を介して印加される電圧の大きさに応じた波長の光を反射及び透過させることにより画像を表示する表示層７を備えた光書き込み型画像表示媒体１の光導電体層１０に、書き込み光を照射する照射手段としての照射部３２と、表示層７及び光導電体層１０に画像書き込み用パルス電圧を印加する電圧印加手段としての電圧印加部２６と、画像を書き込む際に、書き込み光を照射する時間間隔ＴＷで光導電体層１０に照射されるように照射部３２を制御すると共に、表示層７及び光導電体層１０に時間間隔ＴＷより長い間隔（幅）の第１のパルス電圧が印加され、第１のパルス電圧に続いて、第１のパルス電圧と極性が同一で、かつ電圧値（高さ）の絶対値が第１のパルス電圧の電圧値（高さ）より大きい（高い）（対応する電圧値は例えば８５０Ｖ）第２のパルス電圧が印加され、第２のパルスに続いて、第１のパルス電圧と極性が反対で、かつ電圧値（高さ）の絶対値が第１のパルス電圧の電圧値（高さ）より大きい（高い）（対応する電圧値は例えば−８５０Ｖ）第３のパルス電圧が印加されるように電圧印加部２６を制御する制御手段としての制御部３０を備えている。
【００８５】
なお、第１の実施の形態及び第２の実施の形態において、電圧印加部２６が、図１１に示すように、高圧電源９０、スイッチング素子としてのＦＥＴ９２、ＦＥＴ９４、ＦＥＴ９６、及びＦＥＴ９８を備える構成としてもよい。例えば、以下のような構成としてもよい。すなわち、図１１に示すように、ＦＥＴ９２のドレイン電極にノード８８を介して高圧電源９０を接続し、ＦＥＴ９２のソース電極にノード８４を介してＦＥＴ９６のドレイン電極及び透明電極５を接続する。また、ＦＥＴ９６のソース電極を接地する。また、ＦＥＴ９４のドレイン電極にノード８８を介して高圧電源９０を接続し、ＦＥＴ９２のソース電極にノード８６を介してＦＥＴ９８のドレイン電極及び透明電極６を接続する。そして、ＦＥＴ９８のソース電極を接地する。また、各ＦＥＴのゲート電極に制御部３０を接続する。このような構成とした場合に、制御部３０は、ＦＥＴ９２及びＦＥＴ９８をオンして、ＦＥＴ９４及びＦＥＴ９６をオフすることにより、図１１に示す矢印Ｄ方向に電流を流すことができ、ＦＥＴ９２及びＦＥＴ９８をオフして、ＦＥＴ９４及びＦＥＴ９６をオンすることにより、図１１に示す矢印Ｅ方向に電流を流すことができる。これにより、正負の電源を２つ用いることなく、簡易な構成で透明電極５−透明電極６間に印加する電圧の方向が切り換えられる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】表示媒体の断面図である。
【図２】画像表示装置（光書き込み装置）の概略構成図である。
【図３】表示媒体の等価回路を示す回路図である。
【図４】コレステリック液晶の分子配向と光学特性の関係を示す模式説明図であり、（Ａ）はプレーナ相、（Ｂ）はフォーカルコニック相、（Ｃ）ホメオトロピック相の各相におけるものである。
【図５】コレステリック液晶のスイッチング挙動を説明するためのグラフである。
【図６】第１の実施の形態のリセット用パルス電圧及び画像書き込み用パルス電圧の波形を示す図である。
【図７】実験結果を示す図である。
【図８】第２の実施の形態のリセット用パルス電圧及び画像書き込み用パルス電圧の波形を示す図である。
【図９】実験結果を示す図である。
【図１０】実験結果を示す図である。
【図１１】電圧印加部の変形例を示す図である。
【符号の説明】
【００８７】
１ 表示媒体
２ 光記録装置
３、４ 透明基板
５、６ 透明電極
７ 表示層
８ ラミネート層
９ 遮光層
１０ 光導電体層
１２ コレステリック液晶
２０ 画像表示装置
２４ 駆動部
２６ 電圧印加部
３０ 制御部
３２ 光照射部
３２Ａ 光源
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照射された書き込み光の光量に応じて電気抵抗の大きさが変化する光導電体層、及び前記光導電体層を介して印加される電圧の大きさに応じた波長の光を反射及び透過させることにより画像を表示する表示層を備えた光書き込み型画像表示媒体の前記光導電体層に、前記書き込み光を照射する照射手段と、
前記表示層及び前記光導電体層に画像書き込み用パルス電圧を印加する電圧印加手段と、
画像を書き込む際に、前記書き込み光を照射する時間間隔で前記光導電体層に照射されるように前記照射手段を制御すると共に、前記表示層及び前記光導電体層に前記時間間隔より長い間隔の第１のパルス電圧が印加され、前記第１のパルス電圧に続いて、前記第１のパルス電圧と極性が反対で、かつ電圧値の絶対値が前記第１のパルス電圧の電圧値より大きい第２のパルス電圧が印加されるように前記電圧印加手段を制御する制御手段と、
を含む光書き込み装置。
【請求項２】
照射された書き込み光の光量に応じて電気抵抗の大きさが変化する光導電体層、及び前記光導電体層を介して印加される電圧の大きさに応じた波長の光を反射及び透過させることにより画像を表示する表示層を備えた光書き込み型画像表示媒体の前記光導電体層に、前記書き込み光を照射する照射手段と、
前記表示層及び前記光導電体層に画像書き込み用パルス電圧を印加する電圧印加手段と、
画像を書き込む際に、前記書き込み光を照射する時間間隔で前記光導電体層に照射されるように前記照射手段を制御すると共に、前記表示層及び前記光導電体層に前記時間間隔より長い間隔の第１のパルス電圧が印加され、前記第１のパルス電圧に続いて、前記第１のパルス電圧と極性が同一で、かつ電圧値が前記第１のパルス電圧の電圧値より大きい第２のパルス電圧が前記表示層及び前記光導電体層に印加され、前記第２のパルス電圧に続いて、前記第１のパルス電圧と極性が反対で、かつ電圧値の絶対値が前記第１のパルス電圧の電圧値より大きい第３のパルス電圧が印加されるように前記電圧印加手段を制御する制御手段と、
を含む光書き込み装置。
【請求項３】
コンピュータを、
画像を書き込む際に、前記書き込み光を照射する時間間隔で、照射された書き込み光の光量に応じて電気抵抗の大きさが変化する光導電体層に照射されるように、前記光導電体層及び前記光導電体層を介して印加される電圧の大きさに応じた波長の光を反射及び透過させることにより画像を表示する表示層を備えた光書き込み型画像表示媒体の前記光導電体層に前記書き込み光を照射する照射手段を制御すると共に、前記表示層及び前記光導電体層に前記時間間隔より長い間隔の第１のパルス電圧が印加され、前記第１のパルス電圧に続いて、前記第１のパルス電圧と極性が反対で、かつ電圧値の絶対値が前記第１のパルス電圧の電圧値より大きい第２のパルス電圧が印加されるように、前記表示層及び前記光導電体層に画像書き込み用パルス電圧を印加する電圧印加手段を制御する制御手段
として機能させるためのプログラム。
【請求項４】
コンピュータを、
画像を書き込む際に、書き込み光を照射する時間間隔で、照射された書き込み光の光量に応じて電気抵抗の大きさが変化する光導電体層に照射されるように、前記光導電体層及び前記光導電体層を介して印加される電圧の大きさに応じた波長の光を反射及び透過させることにより画像を表示する表示層を備えた光書き込み型画像表示媒体の前記光導電体層に前記書き込み光を照射する照射手段を制御すると共に、前記表示層及び前記光導電体層に前記時間間隔より長い間隔の第１のパルス電圧が印加され、前記第１のパルス電圧に続いて、前記第１のパルス電圧と極性が同一で、かつ電圧値が前記第１のパルス電圧の電圧値より大きい第２のパルス電圧が前記表示層及び前記光導電体層に印加され、前記第２のパルス電圧に続いて、前記第１のパルス電圧と極性が反対で、かつ電圧値の絶対値が前記第１のパルス電圧の電圧値より大きい第３のパルス電圧が印加されるように、前記表示層及び前記光導電体層に画像書き込み用パルス電圧を印加する電圧印加手段を制御する制御手段
として機能させるためのプログラム。
【請求項１】
照射された書き込み光の光量に応じて電気抵抗の大きさが変化する光導電体層、及び前記光導電体層を介して印加される電圧の大きさに応じた波長の光を反射及び透過させることにより画像を表示する表示層を備えた光書き込み型画像表示媒体の前記光導電体層に、前記書き込み光を照射する照射手段と、
前記表示層及び前記光導電体層に画像書き込み用パルス電圧を印加する電圧印加手段と、
画像を書き込む際に、前記書き込み光を照射する時間間隔で前記光導電体層に照射されるように前記照射手段を制御すると共に、前記表示層及び前記光導電体層に前記時間間隔より長い間隔の第１のパルス電圧が印加され、前記第１のパルス電圧に続いて、前記第１のパルス電圧と極性が反対で、かつ電圧値の絶対値が前記第１のパルス電圧の電圧値より大きい第２のパルス電圧が印加されるように前記電圧印加手段を制御する制御手段と、
を含む光書き込み装置。
【請求項２】
照射された書き込み光の光量に応じて電気抵抗の大きさが変化する光導電体層、及び前記光導電体層を介して印加される電圧の大きさに応じた波長の光を反射及び透過させることにより画像を表示する表示層を備えた光書き込み型画像表示媒体の前記光導電体層に、前記書き込み光を照射する照射手段と、
前記表示層及び前記光導電体層に画像書き込み用パルス電圧を印加する電圧印加手段と、
画像を書き込む際に、前記書き込み光を照射する時間間隔で前記光導電体層に照射されるように前記照射手段を制御すると共に、前記表示層及び前記光導電体層に前記時間間隔より長い間隔の第１のパルス電圧が印加され、前記第１のパルス電圧に続いて、前記第１のパルス電圧と極性が同一で、かつ電圧値が前記第１のパルス電圧の電圧値より大きい第２のパルス電圧が前記表示層及び前記光導電体層に印加され、前記第２のパルス電圧に続いて、前記第１のパルス電圧と極性が反対で、かつ電圧値の絶対値が前記第１のパルス電圧の電圧値より大きい第３のパルス電圧が印加されるように前記電圧印加手段を制御する制御手段と、
を含む光書き込み装置。
【請求項３】
コンピュータを、
画像を書き込む際に、前記書き込み光を照射する時間間隔で、照射された書き込み光の光量に応じて電気抵抗の大きさが変化する光導電体層に照射されるように、前記光導電体層及び前記光導電体層を介して印加される電圧の大きさに応じた波長の光を反射及び透過させることにより画像を表示する表示層を備えた光書き込み型画像表示媒体の前記光導電体層に前記書き込み光を照射する照射手段を制御すると共に、前記表示層及び前記光導電体層に前記時間間隔より長い間隔の第１のパルス電圧が印加され、前記第１のパルス電圧に続いて、前記第１のパルス電圧と極性が反対で、かつ電圧値の絶対値が前記第１のパルス電圧の電圧値より大きい第２のパルス電圧が印加されるように、前記表示層及び前記光導電体層に画像書き込み用パルス電圧を印加する電圧印加手段を制御する制御手段
として機能させるためのプログラム。
【請求項４】
コンピュータを、
画像を書き込む際に、書き込み光を照射する時間間隔で、照射された書き込み光の光量に応じて電気抵抗の大きさが変化する光導電体層に照射されるように、前記光導電体層及び前記光導電体層を介して印加される電圧の大きさに応じた波長の光を反射及び透過させることにより画像を表示する表示層を備えた光書き込み型画像表示媒体の前記光導電体層に前記書き込み光を照射する照射手段を制御すると共に、前記表示層及び前記光導電体層に前記時間間隔より長い間隔の第１のパルス電圧が印加され、前記第１のパルス電圧に続いて、前記第１のパルス電圧と極性が同一で、かつ電圧値が前記第１のパルス電圧の電圧値より大きい第２のパルス電圧が前記表示層及び前記光導電体層に印加され、前記第２のパルス電圧に続いて、前記第１のパルス電圧と極性が反対で、かつ電圧値の絶対値が前記第１のパルス電圧の電圧値より大きい第３のパルス電圧が印加されるように、前記表示層及び前記光導電体層に画像書き込み用パルス電圧を印加する電圧印加手段を制御する制御手段
として機能させるためのプログラム。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１０−９１９１４（Ｐ２０１０−９１９１４Ａ）
【公開日】平成２２年４月２２日（２０１０．４．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２６３７１１（Ｐ２００８−２６３７１１）
【出願日】平成２０年１０月１０日（２００８．１０．１０）
【出願人】（０００００５４９６）富士ゼロックス株式会社 (21,908)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年４月２２日（２０１０．４．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１０月１０日（２００８．１０．１０）
【出願人】（０００００５４９６）富士ゼロックス株式会社 (21,908)
【Ｆターム（参考）】
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