光波形整形素子
【課題】光波形整形素子において、しきい値となる入力パワー(動作入力パワー)を低くしながら、S/Nを改善することで、劣化した信号の増幅、及び、光信号の雑音を抑制して波形を整形する波形整形を同時に実現できるようにする。
【解決手段】光波形整形素子を、活性層3を有する半導体光導波路10を備え、光増幅領域A1〜Anと光吸収領域B1〜Bnとを半導体光導波路10に沿って交互に設け、一の光増幅領域A1の長さを、入力パワーのオンレベル時に所望の増幅率が得られるように他の光増幅領域よりも長くし、オンレベル時に、一の光増幅領域A1以外の各光増幅領域A2〜An及び各光吸収領域B1〜Bnによってパワーレベルが維持されるようにし、入力パワーがオフレベルの時に、出力パワーレベルが入力パワーレベル以下になるように、各光吸収領域B1〜Bnによって吸収されるようにする。
【解決手段】光波形整形素子を、活性層3を有する半導体光導波路10を備え、光増幅領域A1〜Anと光吸収領域B1〜Bnとを半導体光導波路10に沿って交互に設け、一の光増幅領域A1の長さを、入力パワーのオンレベル時に所望の増幅率が得られるように他の光増幅領域よりも長くし、オンレベル時に、一の光増幅領域A1以外の各光増幅領域A2〜An及び各光吸収領域B1〜Bnによってパワーレベルが維持されるようにし、入力パワーがオフレベルの時に、出力パワーレベルが入力パワーレベル以下になるように、各光吸収領域B1〜Bnによって吸収されるようにする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、光波形整形素子に関する。
【背景技術】
【0002】
将来の大容量フォトニックネットワークの実現に向けて、図10に示すように、光ファイバの分散や中継増幅器によるノイズなどによって劣化した波形を光のまま再生する技術が求められており、盛んに研究されている。
このような技術は、通常、2R(Reamplification and Reshaping)、或いは、これにリタイミングを加えて3R(Reamplification, Reshaping, and Retiming)と呼ばれている。
【0003】
従来、光半導体素子によって波形整形する技術として、例えば図11(A)〜(C)に示すように、半導体光増幅器(SOA;Semiconductor Optical Amplification)と光導波路とをモノリシックに集積し、マッハツェンダ(MZ:Mach-Zehnder)干渉計[図11(A)参照]、対称マッハツェンダ(SMZ:Symmetric Mach-Zehnder)干渉計[図11(B)参照]、遅延干渉計[図11(C)参照]を構成したものを用いることが提案されている。このような素子を用いて40〜80Gb/sの信号を再生した例が報告されている(非特許文献1、2参照)。
【0004】
また、単体素子を用いたものとしては、例えば図11(D)に示すように、SOAの利得飽和を用いて、1(ON)レベル雑音を抑制する利得飽和方式も提案されている。
さらに、バルクや量子井戸活性層を持つSOAでは利得応答速度が遅く、ビットレートが大幅に制限されてしまうため、活性層に利得応答速度の速い量子ドットを用い、可飽和吸収体を集積することによって、40Gb/s信号の0(OFF)及び1(ON)レベルの雑音の圧縮が可能となることが示唆されている(非特許文献3参照)。
【0005】
さらに、一段の増幅部と可飽和吸収部では十分な非線形性が得られないため、増幅部と可飽和吸収部を多段に配置した光非線形増幅素子が提案されている(例えば特許文献1参照)。
【特許文献1】特開平5−75212号公報
【非特許文献1】D. Wolfson et al, "40-Gb/s All-Optical Wavelength Conversion, Regeneration, and Demultiplexing in an SOA-Based All-Active Mach-Zehnder Interferometer", IEEE Photon. Technol. Lett. 12, no. 3, pp. 332-334 (2000)
【非特許文献2】Y. Ueno et al, " Penalty-Free Error-Free All-Optical Data Pulse Regeneration at 84 Gb/s by Using a Symmetric-Mach-Zehnder-Type Semiconductor Regenerator", IEEE Photon. Technol. Lett. 13, no. 5, pp. 469-471 (2001)
【非特許文献3】秋山知之他、「量子ドット半導体光増幅器による40Gb/s信号再生」、2005年春季応用物理学会学術講演会予稿集
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、上述の図11(A)〜(C)に示すような干渉計を用いる方式では、入出力信号の波長が異なってしまうため、波長管理が必要になるほか、構成が複雑になるため、コストの上昇につながるという課題がある。
また、上述の図11(D)に示すようなSOAの利得飽和を用いる方式では、入出力信号の波長は同一であるが、0(OFF)レベル雑音を抑制することができないという課題がある。
【0007】
さらに、特許文献1で提案されている素子は、光の入射側から、順方向に電流が流れて利得を生じる増幅部、逆バイアスを印加して光を吸収する可飽和吸収部を交互に配置し、最終段の光増幅部の長さを他の光増幅部の長さよりも長くして増幅飽和を起こすような構造になっている(図7参照)。このような素子構造では、しきい値となる入力パワーが非常に大きくなってしまうため、光強度が低下している信号に対して増幅及び波形整形を行なう2R,3R動作には不利である。また、最終段が光増幅部になっているため、自然放出光(ASE光)が重畳されてしまい、S/Nの改善に不利である。
【0008】
本発明は、このような課題に鑑み創案されたもので、しきい値となる入力パワー(動作入力パワー)を低くしながら、S/Nを改善することで、劣化した信号(強度が低下したり、波形が乱れたりしている信号等)の増幅、及び、光信号の雑音を抑制して波形を整形する波形整形を同時に実現できるようにした、光波形整形素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
このため、本発明の光波形整形素子は、活性層を有する半導体光導波路を備え、活性層を有する半導体光導波路を備え、光増幅領域と光吸収領域とが半導体光導波路に沿って交互に設けられており、一の光増幅領域の長さが、入力光信号のパワーがオンレベルの時に所望の増幅率が得られるように他の光増幅領域よりも長くなっており、オンレベル時に、一の光増幅領域以外の各光増幅領域及び各光吸収領域によってパワーレベルが維持されるようになっており、入力光信号のパワーがオフレベルの時に、出力光信号のパワーレベルが入力光信号のパワーレベル以下になるように、各光吸収領域によって吸収されるようになっていることを特徴としている。
【発明の効果】
【0010】
したがって、本発明の光波形整形素子によれば、しきい値となる入力パワー(動作入力パワー)を低くしながら、S/Nを改善することができ、劣化した信号(強度が低下したり、波形が乱れたりしている信号等)の増幅、及び、光信号の雑音を抑制して波形を整形する波形整形を同時に実現することができるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【0011】
以下、図面により、本発明の実施の形態にかかる光波形整形素子について、図1〜図9を参照しながら説明する。
本実施形態にかかる光波形整形素子は、図1に示すように、活性層3を有する半導体光導波路10を備え、光増幅領域(利得領域)A1〜Anと光吸収領域B1〜Bnとが半導体光導波路10が延びる方向に沿って(光導波方向に沿って)交互に設けられている。
【0012】
つまり、本光波形整形素子は、図1に示すように、一の導電型(ここではn型)の半導体基板1上に形成された半導体光導波路10上に、活性層3に順バイアスで電流を注入する領域(光増幅領域)A1〜Anと活性層3に逆バイアス電圧を印加する領域(光吸収領域)B1〜Bnとが交互に形成されるように、他の導電型(ここではp型)のコンタクト層7及び電極8が分割されて形成された導波路型能動光半導体素子として構成される。
【0013】
ここでは、光増幅領域A1〜An及び光吸収領域B1〜Bnは、同一の活性層3を有する半導体光導波路10によって構成される。また、活性層3は量子ドット活性層としている。これにより、40Gb/s以上の高ビットレートの信号再生を実現しうる。
また、図1に示すように、本光波形整形素子の入射端面及び出射端面(即ち、半導体光導波路10の入射端面及び出射端面)の両端面には無反射コーティングが施されて、反射防止膜(無反射構造)11が形成されている。
【0014】
さらに、図4に示すように、半導体光導波路10は、反射防止のために、出射端面に対して傾斜している斜め導波路として構成されている。つまり、半導体光導波路10を構成する活性層3が、出射端面に対して傾斜するように斜めに形成されている。
特に、本実施形態では、図1に示すように、半導体光導波路10の最入射端側の領域が光増幅領域A1になっており、最出射端側の領域が光吸収領域Bnになっている。つまり、半導体光導波路10の光導波方向に沿って、光増幅領域で始まり、光吸収領域で終わるような構造になっている。
【0015】
また、本実施形態では、図1に示すように、最入射端側の光増幅領域(光入射直後の光増幅領域)A1の長さは、入力光信号のパワーがオンレベル(1レベル)の時に所望の増幅率が得られるように、他の光増幅領域A2〜Anよりも長くなっている。
ここでは、最入射端側の光増幅領域(光入射直後の光増幅領域)A1は、オンレベル時に入力信号光のパワーレベルを利得飽和が起こるパワーレベルまで増幅しうる長さに設定されている。このように、最入射端側の光増幅領域(光入射直後の光増幅領域)A1の長さを長くすることで、光増幅領域A1において利得飽和が起こるようにし、これにより、1レベル雑音(オンレベル雑音)を抑制し、S/Nを改善するようにしている。
【0016】
そして、オンレベル時に、最入射端側の光増幅領域A1によって高められたパワーレベルが、その後の各光増幅領域A2〜An及び各光吸収領域B1〜Bnによって同一のレベル又はその上下近傍のレベルに維持されるようになっている。
さらに、本実施形態では、入力光信号のパワーがオフレベル(0レベル)の時に、出力光信号のパワーレベルが入力光信号のパワーレベル以下になるように、各光吸収領域B1〜Bnによって吸収されるようになっている。これにより、0レベル雑音を抑制できるようにしている。特に、最出射端側を光吸収領域とすることで、素子長を短くしながら、0レベル雑音を抑制できるようにしている。
【0017】
以下、本光波形整形素子について、より具体的に説明する。
本光波形整形素子は、図2に示すように、n型InP基板上に、n型InPクラッド層2を介して活性層3を含むメサ構造が形成されており、電流狭窄及び光の閉じ込めのために、このメサ構造がp型InP層4とn型InP層5とをpn接合してなる埋込層によって埋め込まれた構造になっている。
【0018】
また、n型InP埋込層5上にはp型InPクラッド層6が形成されており、このp型InPクラッド層6上にp型InGaAsコンタクト層7が積層されている。
そして、p型InGaAsコンタクト層7上にp側電極(電極金属)8が形成されている。一方、n側電極(電極金属)9はn型InP基板1の裏面に形成されている。
ここでは、活性層3は、図3の活性層部分を拡大した断面図に示すように、多重積層量子ドット層3Xの上下をInGaAsP−SCH層3Y,3Zで挟み込んだ構造になっている。
【0019】
ここで、多重積層量子ドット層3Xは、図3に示すように、InAs量子ドット3AをInGaAsPバリア層3Bで埋め込んだ量子ドット層3Cを、各量子ドット層3Cの量子ドット3Aが接合されるように、複数層(ここでは22層)積層させた構造になっている。つまり、多重積層量子ドット層3Xは、図3に示すように、量子ドット3Aが複数積層されてなる多重積層量子ドット3DをInGaAsPバリア層3Bで埋め込んだ構造になっている。
【0020】
特に、本光波形整形素子は、図1に示すように、1つの素子上に光増幅領域A1〜Anと光吸収領域B1〜Bnとを形成するために、p型InGaAsコンタクト層7及びp側電極8は光導波方向に沿って複数の領域に分割されている。
ここでは、エッチングによってp型InGaAsコンタクト層7の一部を取り除いて、p型InGaAsコンタクト層7を光導波方向に沿って複数の領域に分割し、これらの分割された各領域の上に独立にp側電極8を形成するようにしている。
【0021】
したがって、本実施形態にかかる光波形整形素子によれば、単体素子で、しきい値となる入力パワー(動作入力パワー)を低くしながら、S/Nを改善することができ、劣化した信号(強度が低下したり、波形が乱れたりしている信号等)の増幅、及び、光信号の雑音を抑制して波形を整形する波形整形を同時に実現することができるという利点がある。
ここで、図5(A),(B)は、上述のように構成される本光波形整形素子において、最入射端側の光増幅領域A1の長さを740μmとし、これ以外の光増幅領域A2〜A4及び光吸収領域B1〜B3の長さを各々180μmとし、最入射端側の光増幅領域A1の後に、1つの光吸収領域と1つの光増幅領域とを1組としてこれを3回繰り返し(3つの光吸収領域B1〜B3,3つの光増幅領域A2〜A4)、最後に光吸収領域B4で終端するようにした場合の光導波方向におけるパワーの変化を示している。
【0022】
ここでは、入力パワーが0dBm[これを1レベル(オンレベル)とする]の時に、光増幅領域A1によって高められたパワーレベルがその後の光増幅領域A2〜A4及び光吸収領域B1〜B4で一定のレベルに保たれるように、光増幅領域(利得領域)A2〜A4における利得と光吸収領域B1〜B4における吸収量を調整している[図5(A)参照]。つまり、光増幅領域A2〜A4における光増幅率と、光吸収領域B1〜B4における光吸収率とが等しくなるようにしている。
【0023】
本実施形態では、最入射端側の光増幅領域A1を、オンレベル(1レベル)時に入力信号光のパワーレベルを利得飽和が起こるパワーレベルまで増幅しうる長さに設定することで、オンレベル(1レベル)時に、光増幅領域A2〜A4及び光吸収領域B1〜B4に入力される光信号のパワーレベルが高くなるようにして、光増幅領域A2〜A4において利得特性の飽和領域を用いて増幅され、光吸収領域B1〜B4において吸収特性の飽和領域を用いて吸収されるようにしている。このように、光吸収領域B1〜B4において吸収飽和が起こるようにして、光がよく透過するようにしながら、光増幅領域A2〜A4において利得飽和が起こるようにして、1レベル雑音(オンレベル雑音)を抑制し、S/Nを改善するようにしている。
【0024】
この条件下で、入力パワーを−10dBm[これを0レベル(オフレベル)とする]にすると、パワーレベルが低いため、光吸収領域B1〜B4における吸収量がオンレベル時(1レベル時)よりも多くなり、光吸収領域B1〜B4においてパワーレベルが大きく下がるのに対し、光増幅領域A2〜A4の長さが短いため、光増幅領域A2〜A4において十分な利得が得られず、パワーレベルがあまり上がらないため、パワーレベルは徐々に下がっていく。この結果、図5(B)中、符号Xで示すように、出力パワーのレベルが入力パワーのレベル以下になり、0レベル雑音を抑制できることがわかる。
【0025】
このように、オンレベル時に、最入射端側の光増幅領域A1以外の各光増幅領域A2〜A4における光増幅率と各光吸収領域B1〜B4における光吸収率とが等しくなり、オフレベル時に、各光吸収領域B1〜B4における光吸収率が最入射端側の光増幅領域A1以外の各光増幅領域A2〜A4における光増幅率よりも大きくなるように構成している。
また、上述のように、半導体光導波路10に入射される光信号(伝送信号)がオフレベル(0レベル)の場合、パワーレベルが低いため、光増幅領域A1〜A4では利得特性の線形領域(線形利得)を用いて増幅が行なわれ、光吸収領域B1〜B4では吸収特性の線形領域(線形吸収)を用いて吸収が行なわれるのに対し、オンレベル(1レベル)の場合、パワーレベルが高いため、光増幅領域A1〜A4では利得特性の飽和領域(利得飽和)を用いて増幅が行なわれ、光吸収領域B1〜B4では吸収特性の飽和領域(吸収飽和)を用いて吸収が行なわれる。このため、光増幅領域A1〜A4は、利得特性が飽和領域を有する可飽和利得領域であり、光吸収領域B1〜B4は、吸収特性が飽和領域を有する可飽和吸収領域である。
【0026】
特に、0レベル時(入力パワーを−10dBmにした時)の本光波形整形素子の終端部分におけるパワーに着目すると、最終段が光吸収領域になっている構造の方が、最終段が利得領域になっている構造よりも、短い素子長で0レベル雑音を抑制できるという点で有利であることがわかる。また、上述のSOA単体を用いる方式[図11(D)参照]と比較して、0レベル雑音を抑制できる点で有利である。
【0027】
ここで、図6(A),(B)は、本光波形整形素子における入出力特性(伝達関数)を計算した結果を示している。
図6(A),(B)に示すように、本光波形整形素子によれば、しきい値となる入力パワーを低くしながら、2R動作に必須であるステップ状の入出力特性(入出力パワー特性、入力パワー/利得特性)を実現できることがわかる。このように1つの能動素子で2R動作が実現できるため、上述の干渉計を用いる方式[図11(A)〜(C)参照]と比較して、構成の単純化、低コスト化を図ることが可能となる。
【0028】
ここで、図7は、比較例として、最入射端側(最入力端側)の領域及び最出射端側(最出力端側)の領域を共に光増幅領域(利得領域)とし、最出射端側の光増幅領域の長さを他の光増幅領域の長さよりも長くした構造のものを示している。つまり、本光波長整形素子に対して、最入射端側の光増幅領域A1の長さを他の光増幅領域の長さと同一にし、さらに出射端側に他の光増幅領域A1〜Anの長さよりも長い光増幅領域An+1を加えたものを、比較例の光波長整形素子の構造として示している。なお、上述の特許文献1に記載されている素子は、最出射端側の光増幅領域の長さが他の光増幅領域の長さよりも長いという点で、この比較例のものと同様の構造を有する。
【0029】
なお、ここでは、光増幅領域及び光吸収領域の長さは、上述の実施形態のものに合わせて、最出射端側の光増幅領域A5の長さを740μmとし、これ以外の光増幅領域A1〜A4及び光吸収領域B1〜B4の長さを各々180μmとし、最入射端側から、1つの光増幅領域と1つの光吸収領域とを1組としてこれを4回繰り返し(4つの光増幅領域A1〜A4,4つの光吸収領域B1〜B4)、最後に光増幅領域A5で終端するようにしている[図8(A),(B)参照]。
【0030】
また、図8(A),(B)は、このように構成される比較例の素子の光導波方向におけるパワーの変化を示しており、図9(A),(B)は、比較例の素子における入出力特性(入出力パワー特性、入力パワー/利得特性)を計算した結果を示している。
まず、図8(A),(B)に示すように、1レベル(オンレベル)の場合と0レベル(オフレベル)の場合とで入出力特性が同様の特性になっているため、出力パワーのレベル差(出力光の強度差)が上述の本光波形整形素子よりも小さく、S/N(SN比)の改善効果が小さいことがわかる。また、比較例のように、最終段を光増幅領域とすると、自然放出光(ASE)が重畳されてしまうため、S/N(SN比)を改善するには不利である。
【0031】
また、図9(A),(B)に示すように、上述の本光波形整形素子と同様にステップ状の特性が得られているものの、上述の本光波形整形素子(図6参照)に対して、しきい値となる入力パワー(動作入力パワー)が非常に大きくなってしまうため(即ち、入力パワーのレベルが非常に高くないと動作しなくないため)、強度が落ちている信号の増幅や波形整形を行なう2R動作あるいは3R動作には不利であることがわかる。
【0032】
なお、上述の実施形態では、最入射端側の光増幅領域A1において、オンレベル(1レベル)時に入力信号光のパワーレベルを利得飽和が起こるパワーレベルまで増幅し、その後の光増幅領域A2〜A4において利得特性の飽和領域(利得飽和)を用いて増幅が行なわれ、光吸収領域B1〜B4において吸収特性の飽和領域(吸収飽和)を用いて吸収が行なわれるようにしているが、これに限られるものではなく、例えば、オンレベル時に、少なくともいずれかの光増幅領域において利得特性の飽和領域を用いて増幅されるように、最入射端側の光増幅領域A1によって光信号が増幅されるようにすれば良い。つまり、最入射端側の光増幅領域A1において入力信号光のパワーレベルを利得飽和が起こらないパワーレベルまで増幅し[即ち、利得特性の線形領域(線形利得)を用いてパワーレベルを増幅し]、その後のいずれかの光増幅領域において利得特性の飽和領域を用いて増幅されるようにすれば良い。これにより、1レベル雑音を抑制することができ、動作入力パワーを低くしながら、S/Nを改善することができる。
【0033】
また、オンレベル時に他の光増幅領域よりも長い光増幅領域によって所望の増幅率が得られ、他の光増幅領域及び光吸収領域によってパワーレベルが維持されるようになっていれば良く、利得飽和を用いて増幅が行なわれるようにしたり、吸収飽和を用いて吸収が行なわれるようにしたりする必要はない。例えば、オンレベル時に、光増幅領域において利得特性の線形領域(線形利得)を用いて増幅が行なわれ、光吸収領域において吸収特性の線形領域(線形吸収)を用いて吸収が行なわれるようにしても良い。
【0034】
さらに、オンレベル時に所望の増幅率が得られるように他の光増幅領域よりも長くなっている光増幅領域は、最入射端側に設けずに、任意の位置に設けることができる。
また、上述の実施形態では、同一材料・組成・構造の活性層を用い、光増幅領域A2〜A4の長さと光吸収領域B1〜B4の長さを同一にし、順バイアス電流の注入量や逆バイアス電圧の印加量を調整することで、各光増幅領域A2〜A4における光増幅率と各光吸収領域B1〜B4における光吸収率とが等しくなるようにしてパワーレベルが一定になるようにしているが、これに限られるものではなく、各光増幅領域A2〜A4における光増幅率と各光吸収領域B1〜B4における光吸収率との関係は、活性層の材料・組成・構造や光増幅領域及び光吸収領域の長さの設計、順バイアス電流の注入量や逆バイアス電圧の印加量の調整などによって任意に決定することができる。少なくとも、オンレベル時に各光増幅領域A2〜A4及び各光吸収領域B1〜B4よってパワーレベルが維持されるようになっていれば良く、例えば、オンレベル時に、各光増幅領域A2〜A4における光増幅率が各光吸収領域B1〜B4における光吸収率よりも大きくなるようにしてパワーレベルが徐々に大きくなっていくようにしても良いし、逆に、各光増幅領域A2〜A4における光増幅率が各光吸収領域B1〜B4における光吸収率よりも小さくなるようにしてパワーレベルが徐々に小さくなっていくようにしても良い。
【0035】
また、上述の実施形態では、活性層に量子ドットを用いているが、これに限られるものではなく、活性層としてバルク活性層や量子井戸活性層を用いても上述の実施形態と同様の効果が得られる。例えば信号のビットレートが低い場合や利得飽和の浅い領域あるいは利得が線形の領域を用いる場合などはバルク活性層や量子井戸活性層を用いることもできる。
【0036】
また、上述の実施形態では、InP系材料を用いた導波路埋込構造デバイスを例に挙げて説明しているが、これに限られるものではなく、例えばGaAs系材料を用いても本発明にかかる光波形整形素子を実現することができる。
さらに、上述の実施形態では、埋込構造としてpn埋込構造を用いているが、これに限られるものではなく、例えば半絶縁性埋込構造を用いても良い。また、上述の実施形態では、導波路埋込構造を用いているが、これに限られるものではなく、例えば導波路構造をリッジ構造にしても良い。
【0037】
また、上述の実施形態では、コンタクト層の一部をエッチングして分割し、分割されたコンタクト層上に電極を形成するようにして、光増幅領域と光吸収領域とが分離されたものとして形成されるようにしているが、電極分離方法(電極分離構造)はこれに限られるものではない。例えばプロトン注入(イオン注入)によってコンタクト層の一部を高抵抗化して電極分離を行なうようにしても良い。
【0038】
また、本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することができる。
(付記1)
活性層を有する半導体光導波路を備え、
光増幅領域と光吸収領域とが前記半導体光導波路に沿って交互に設けられており、
一の光増幅領域の長さが、入力光信号のパワーがオンレベルの時に所望の増幅率が得られるように他の光増幅領域よりも長くなっており、
前記半導体光導波路の最出射端側の領域が光吸収領域であり、
前記オンレベル時に、前記一の光増幅領域以外の各光増幅領域及び各光吸収領域によってパワーレベルが維持されるようになっており、
入力光信号のパワーがオフレベルの時に、出力光信号のパワーレベルが入力光信号のパワーレベル以下になるように、前記各光吸収領域によって吸収されるようになっていることを特徴とする光波形整形素子。
【0039】
(付記2)
前記オンレベル時に、少なくともいずれかの光増幅領域において利得特性の飽和領域を用いて増幅されるように、前記一の光増幅領域によって増幅されるようになっていることを特徴とする、付記1記載の光波形整形素子。
(付記3)
前記オンレベル時に、前記一の光増幅領域以外の各光増幅領域における光増幅率と前記各光吸収領域における光吸収率とが等しくなり、前記オフレベル時に、前記各光吸収領域における光吸収率が前記一の光増幅領域以外の各光増幅領域における光増幅率よりも大きくなるように構成されていることを特徴とする、付記1又は2記載の光波形整形素子。
【0040】
(付記4)
前記一の光増幅領域が、前記半導体光導波路の最入射端側に設けられていることを特徴とする、付記1〜3のいずれか1項に記載の光波形整形素子。
(付記5)
前記一の光増幅領域が、前記オンレベル時に入力信号光のパワーレベルを利得飽和が起こるパワーレベルまで増幅しうる長さに設定されていることを特徴とする、付記4記載の光波形整形素子。
【0041】
(付記6)
前記一の光増幅領域が、利得特性が飽和領域を有する可飽和利得領域であることを特徴とする、付記4又は5記載の光波形整形素子。
(付記7)
前記一の光増幅領域以外の各光増幅領域が、利得特性が飽和領域を有する可飽和利得領域であり、
前記各光吸収領域が、吸収特性が飽和領域を有する可飽和吸収領域であることを特徴とする、付記6記載の光波形整形素子。
【0042】
(付記8)
前記半導体光導波路の最出射端側の領域が光吸収領域であることを特徴とする、付記1〜7のいずれか1項に記載の光波形整形素子。
(付記9)
前記光増幅領域及び前記光吸収領域は、同一の活性層を有する半導体光導波路によって構成され、
前記各光増幅領域は、前記活性層に順バイアス電流が注入されるようになっており、
前記光吸収領域は、前記活性層に逆バイアス電圧が印加されるようになっており、
前記オンレベル時に、前記一の光増幅領域以外の各光増幅領域における光増幅率と前記各光吸収領域における光吸収率とが等しくなるように、前記一の光増幅領域以外の各光増幅領域の前記活性層に順バイアス電流が注入され、かつ、前記各光吸収領域の前記活性層に逆バイアス電圧が印加されるようになっていることを特徴とする、付記1〜8のいずれか1項に記載の光波形整形素子。
【0043】
(付記10)
前記活性層が、量子ドット活性層であることを特徴とする、付記1〜9のいずれか1項に記載の光波形整形素子。
(付記11)
前記半導体光導波路の入射端面及び出射端面に無反射コーティングが施されていることを特徴とする、付記1〜10のいずれか1項に記載の光波形整形素子。
【0044】
(付記12)
前記半導体光導波路が、前記出射端面に対して傾斜している斜め導波路として構成されていることを特徴とする、付記1〜11のいずれか1項に記載の光波形整形素子。
【図面の簡単な説明】
【0045】
【図1】本発明の一実施形態にかかる光波形整形素子の構成を示す模式的断面図(図2のA−A′に沿う断面図)である。
【図2】本発明の一実施形態にかかる光波形整形素子の構成を示す模式的断面図である。
【図3】本発明の一実施形態にかかる光波形整形素子を構成する活性層を示す模式的断面図である。
【図4】本発明の一実施形態にかかる光波形整形素子の構成を示す模式的断面図(図2のB−B′に沿う断面図)である。
【図5】(A),(B)は、本発明の一実施形態にかかる光波形整形素子の光導波方向におけるパワーの変化を示す図である。
【図6】(A),(B)は、本発明の一実施形態にかかる光波形整形素子の入出力特性を示す図である。
【図7】本発明の一実施形態にかかる光波形整形素子に対する比較例の素子の構成を示す模式的断面図である。
【図8】(A),(B)は、本発明の一実施形態にかかる光波形整形素子による効果を説明するための図であって、比較例の素子の入出力特性を示す図である。
【図9】(A),(B)は、本発明の一実施形態にかかる光波形整形素子による効果を説明するための図であって、比較例の素子の光導波方向におけるパワーの変化を示す図である。
【図10】光波形整形素子を用いた波形整形技術を説明するための図である。
【図11】(A)〜(D)は、従来の波形整形技術を説明するための図である。
【符号の説明】
【0046】
1 n型InP基板(半導体基板)
2 n型InPクラッド層
3 活性層
3A InAs量子ドット
3B InGaAsPバリア層
3C 量子ドット層
3D 多重積層量子ドット
3X 多重積層量子ドット層
3Y,3Z InGaAsP−SCH層
4 p型InP層
5 n型InP層
6 p型InPクラッド層
7 p型InGaAsコンタクト層
8 p側電極
9 n側電極
10 半導体光導波路
11 反射防止膜
A1〜An 光増幅領域(可飽和利得領域)
B1〜Bn 光吸収領域(可飽和吸収領域)
【技術分野】
【0001】
本発明は、光波形整形素子に関する。
【背景技術】
【0002】
将来の大容量フォトニックネットワークの実現に向けて、図10に示すように、光ファイバの分散や中継増幅器によるノイズなどによって劣化した波形を光のまま再生する技術が求められており、盛んに研究されている。
このような技術は、通常、2R(Reamplification and Reshaping)、或いは、これにリタイミングを加えて3R(Reamplification, Reshaping, and Retiming)と呼ばれている。
【0003】
従来、光半導体素子によって波形整形する技術として、例えば図11(A)〜(C)に示すように、半導体光増幅器(SOA;Semiconductor Optical Amplification)と光導波路とをモノリシックに集積し、マッハツェンダ(MZ:Mach-Zehnder)干渉計[図11(A)参照]、対称マッハツェンダ(SMZ:Symmetric Mach-Zehnder)干渉計[図11(B)参照]、遅延干渉計[図11(C)参照]を構成したものを用いることが提案されている。このような素子を用いて40〜80Gb/sの信号を再生した例が報告されている(非特許文献1、2参照)。
【0004】
また、単体素子を用いたものとしては、例えば図11(D)に示すように、SOAの利得飽和を用いて、1(ON)レベル雑音を抑制する利得飽和方式も提案されている。
さらに、バルクや量子井戸活性層を持つSOAでは利得応答速度が遅く、ビットレートが大幅に制限されてしまうため、活性層に利得応答速度の速い量子ドットを用い、可飽和吸収体を集積することによって、40Gb/s信号の0(OFF)及び1(ON)レベルの雑音の圧縮が可能となることが示唆されている(非特許文献3参照)。
【0005】
さらに、一段の増幅部と可飽和吸収部では十分な非線形性が得られないため、増幅部と可飽和吸収部を多段に配置した光非線形増幅素子が提案されている(例えば特許文献1参照)。
【特許文献1】特開平5−75212号公報
【非特許文献1】D. Wolfson et al, "40-Gb/s All-Optical Wavelength Conversion, Regeneration, and Demultiplexing in an SOA-Based All-Active Mach-Zehnder Interferometer", IEEE Photon. Technol. Lett. 12, no. 3, pp. 332-334 (2000)
【非特許文献2】Y. Ueno et al, " Penalty-Free Error-Free All-Optical Data Pulse Regeneration at 84 Gb/s by Using a Symmetric-Mach-Zehnder-Type Semiconductor Regenerator", IEEE Photon. Technol. Lett. 13, no. 5, pp. 469-471 (2001)
【非特許文献3】秋山知之他、「量子ドット半導体光増幅器による40Gb/s信号再生」、2005年春季応用物理学会学術講演会予稿集
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、上述の図11(A)〜(C)に示すような干渉計を用いる方式では、入出力信号の波長が異なってしまうため、波長管理が必要になるほか、構成が複雑になるため、コストの上昇につながるという課題がある。
また、上述の図11(D)に示すようなSOAの利得飽和を用いる方式では、入出力信号の波長は同一であるが、0(OFF)レベル雑音を抑制することができないという課題がある。
【0007】
さらに、特許文献1で提案されている素子は、光の入射側から、順方向に電流が流れて利得を生じる増幅部、逆バイアスを印加して光を吸収する可飽和吸収部を交互に配置し、最終段の光増幅部の長さを他の光増幅部の長さよりも長くして増幅飽和を起こすような構造になっている(図7参照)。このような素子構造では、しきい値となる入力パワーが非常に大きくなってしまうため、光強度が低下している信号に対して増幅及び波形整形を行なう2R,3R動作には不利である。また、最終段が光増幅部になっているため、自然放出光(ASE光)が重畳されてしまい、S/Nの改善に不利である。
【0008】
本発明は、このような課題に鑑み創案されたもので、しきい値となる入力パワー(動作入力パワー)を低くしながら、S/Nを改善することで、劣化した信号(強度が低下したり、波形が乱れたりしている信号等)の増幅、及び、光信号の雑音を抑制して波形を整形する波形整形を同時に実現できるようにした、光波形整形素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
このため、本発明の光波形整形素子は、活性層を有する半導体光導波路を備え、活性層を有する半導体光導波路を備え、光増幅領域と光吸収領域とが半導体光導波路に沿って交互に設けられており、一の光増幅領域の長さが、入力光信号のパワーがオンレベルの時に所望の増幅率が得られるように他の光増幅領域よりも長くなっており、オンレベル時に、一の光増幅領域以外の各光増幅領域及び各光吸収領域によってパワーレベルが維持されるようになっており、入力光信号のパワーがオフレベルの時に、出力光信号のパワーレベルが入力光信号のパワーレベル以下になるように、各光吸収領域によって吸収されるようになっていることを特徴としている。
【発明の効果】
【0010】
したがって、本発明の光波形整形素子によれば、しきい値となる入力パワー(動作入力パワー)を低くしながら、S/Nを改善することができ、劣化した信号(強度が低下したり、波形が乱れたりしている信号等)の増幅、及び、光信号の雑音を抑制して波形を整形する波形整形を同時に実現することができるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【0011】
以下、図面により、本発明の実施の形態にかかる光波形整形素子について、図1〜図9を参照しながら説明する。
本実施形態にかかる光波形整形素子は、図1に示すように、活性層3を有する半導体光導波路10を備え、光増幅領域(利得領域)A1〜Anと光吸収領域B1〜Bnとが半導体光導波路10が延びる方向に沿って(光導波方向に沿って)交互に設けられている。
【0012】
つまり、本光波形整形素子は、図1に示すように、一の導電型(ここではn型)の半導体基板1上に形成された半導体光導波路10上に、活性層3に順バイアスで電流を注入する領域(光増幅領域)A1〜Anと活性層3に逆バイアス電圧を印加する領域(光吸収領域)B1〜Bnとが交互に形成されるように、他の導電型(ここではp型)のコンタクト層7及び電極8が分割されて形成された導波路型能動光半導体素子として構成される。
【0013】
ここでは、光増幅領域A1〜An及び光吸収領域B1〜Bnは、同一の活性層3を有する半導体光導波路10によって構成される。また、活性層3は量子ドット活性層としている。これにより、40Gb/s以上の高ビットレートの信号再生を実現しうる。
また、図1に示すように、本光波形整形素子の入射端面及び出射端面(即ち、半導体光導波路10の入射端面及び出射端面)の両端面には無反射コーティングが施されて、反射防止膜(無反射構造)11が形成されている。
【0014】
さらに、図4に示すように、半導体光導波路10は、反射防止のために、出射端面に対して傾斜している斜め導波路として構成されている。つまり、半導体光導波路10を構成する活性層3が、出射端面に対して傾斜するように斜めに形成されている。
特に、本実施形態では、図1に示すように、半導体光導波路10の最入射端側の領域が光増幅領域A1になっており、最出射端側の領域が光吸収領域Bnになっている。つまり、半導体光導波路10の光導波方向に沿って、光増幅領域で始まり、光吸収領域で終わるような構造になっている。
【0015】
また、本実施形態では、図1に示すように、最入射端側の光増幅領域(光入射直後の光増幅領域)A1の長さは、入力光信号のパワーがオンレベル(1レベル)の時に所望の増幅率が得られるように、他の光増幅領域A2〜Anよりも長くなっている。
ここでは、最入射端側の光増幅領域(光入射直後の光増幅領域)A1は、オンレベル時に入力信号光のパワーレベルを利得飽和が起こるパワーレベルまで増幅しうる長さに設定されている。このように、最入射端側の光増幅領域(光入射直後の光増幅領域)A1の長さを長くすることで、光増幅領域A1において利得飽和が起こるようにし、これにより、1レベル雑音(オンレベル雑音)を抑制し、S/Nを改善するようにしている。
【0016】
そして、オンレベル時に、最入射端側の光増幅領域A1によって高められたパワーレベルが、その後の各光増幅領域A2〜An及び各光吸収領域B1〜Bnによって同一のレベル又はその上下近傍のレベルに維持されるようになっている。
さらに、本実施形態では、入力光信号のパワーがオフレベル(0レベル)の時に、出力光信号のパワーレベルが入力光信号のパワーレベル以下になるように、各光吸収領域B1〜Bnによって吸収されるようになっている。これにより、0レベル雑音を抑制できるようにしている。特に、最出射端側を光吸収領域とすることで、素子長を短くしながら、0レベル雑音を抑制できるようにしている。
【0017】
以下、本光波形整形素子について、より具体的に説明する。
本光波形整形素子は、図2に示すように、n型InP基板上に、n型InPクラッド層2を介して活性層3を含むメサ構造が形成されており、電流狭窄及び光の閉じ込めのために、このメサ構造がp型InP層4とn型InP層5とをpn接合してなる埋込層によって埋め込まれた構造になっている。
【0018】
また、n型InP埋込層5上にはp型InPクラッド層6が形成されており、このp型InPクラッド層6上にp型InGaAsコンタクト層7が積層されている。
そして、p型InGaAsコンタクト層7上にp側電極(電極金属)8が形成されている。一方、n側電極(電極金属)9はn型InP基板1の裏面に形成されている。
ここでは、活性層3は、図3の活性層部分を拡大した断面図に示すように、多重積層量子ドット層3Xの上下をInGaAsP−SCH層3Y,3Zで挟み込んだ構造になっている。
【0019】
ここで、多重積層量子ドット層3Xは、図3に示すように、InAs量子ドット3AをInGaAsPバリア層3Bで埋め込んだ量子ドット層3Cを、各量子ドット層3Cの量子ドット3Aが接合されるように、複数層(ここでは22層)積層させた構造になっている。つまり、多重積層量子ドット層3Xは、図3に示すように、量子ドット3Aが複数積層されてなる多重積層量子ドット3DをInGaAsPバリア層3Bで埋め込んだ構造になっている。
【0020】
特に、本光波形整形素子は、図1に示すように、1つの素子上に光増幅領域A1〜Anと光吸収領域B1〜Bnとを形成するために、p型InGaAsコンタクト層7及びp側電極8は光導波方向に沿って複数の領域に分割されている。
ここでは、エッチングによってp型InGaAsコンタクト層7の一部を取り除いて、p型InGaAsコンタクト層7を光導波方向に沿って複数の領域に分割し、これらの分割された各領域の上に独立にp側電極8を形成するようにしている。
【0021】
したがって、本実施形態にかかる光波形整形素子によれば、単体素子で、しきい値となる入力パワー(動作入力パワー)を低くしながら、S/Nを改善することができ、劣化した信号(強度が低下したり、波形が乱れたりしている信号等)の増幅、及び、光信号の雑音を抑制して波形を整形する波形整形を同時に実現することができるという利点がある。
ここで、図5(A),(B)は、上述のように構成される本光波形整形素子において、最入射端側の光増幅領域A1の長さを740μmとし、これ以外の光増幅領域A2〜A4及び光吸収領域B1〜B3の長さを各々180μmとし、最入射端側の光増幅領域A1の後に、1つの光吸収領域と1つの光増幅領域とを1組としてこれを3回繰り返し(3つの光吸収領域B1〜B3,3つの光増幅領域A2〜A4)、最後に光吸収領域B4で終端するようにした場合の光導波方向におけるパワーの変化を示している。
【0022】
ここでは、入力パワーが0dBm[これを1レベル(オンレベル)とする]の時に、光増幅領域A1によって高められたパワーレベルがその後の光増幅領域A2〜A4及び光吸収領域B1〜B4で一定のレベルに保たれるように、光増幅領域(利得領域)A2〜A4における利得と光吸収領域B1〜B4における吸収量を調整している[図5(A)参照]。つまり、光増幅領域A2〜A4における光増幅率と、光吸収領域B1〜B4における光吸収率とが等しくなるようにしている。
【0023】
本実施形態では、最入射端側の光増幅領域A1を、オンレベル(1レベル)時に入力信号光のパワーレベルを利得飽和が起こるパワーレベルまで増幅しうる長さに設定することで、オンレベル(1レベル)時に、光増幅領域A2〜A4及び光吸収領域B1〜B4に入力される光信号のパワーレベルが高くなるようにして、光増幅領域A2〜A4において利得特性の飽和領域を用いて増幅され、光吸収領域B1〜B4において吸収特性の飽和領域を用いて吸収されるようにしている。このように、光吸収領域B1〜B4において吸収飽和が起こるようにして、光がよく透過するようにしながら、光増幅領域A2〜A4において利得飽和が起こるようにして、1レベル雑音(オンレベル雑音)を抑制し、S/Nを改善するようにしている。
【0024】
この条件下で、入力パワーを−10dBm[これを0レベル(オフレベル)とする]にすると、パワーレベルが低いため、光吸収領域B1〜B4における吸収量がオンレベル時(1レベル時)よりも多くなり、光吸収領域B1〜B4においてパワーレベルが大きく下がるのに対し、光増幅領域A2〜A4の長さが短いため、光増幅領域A2〜A4において十分な利得が得られず、パワーレベルがあまり上がらないため、パワーレベルは徐々に下がっていく。この結果、図5(B)中、符号Xで示すように、出力パワーのレベルが入力パワーのレベル以下になり、0レベル雑音を抑制できることがわかる。
【0025】
このように、オンレベル時に、最入射端側の光増幅領域A1以外の各光増幅領域A2〜A4における光増幅率と各光吸収領域B1〜B4における光吸収率とが等しくなり、オフレベル時に、各光吸収領域B1〜B4における光吸収率が最入射端側の光増幅領域A1以外の各光増幅領域A2〜A4における光増幅率よりも大きくなるように構成している。
また、上述のように、半導体光導波路10に入射される光信号(伝送信号)がオフレベル(0レベル)の場合、パワーレベルが低いため、光増幅領域A1〜A4では利得特性の線形領域(線形利得)を用いて増幅が行なわれ、光吸収領域B1〜B4では吸収特性の線形領域(線形吸収)を用いて吸収が行なわれるのに対し、オンレベル(1レベル)の場合、パワーレベルが高いため、光増幅領域A1〜A4では利得特性の飽和領域(利得飽和)を用いて増幅が行なわれ、光吸収領域B1〜B4では吸収特性の飽和領域(吸収飽和)を用いて吸収が行なわれる。このため、光増幅領域A1〜A4は、利得特性が飽和領域を有する可飽和利得領域であり、光吸収領域B1〜B4は、吸収特性が飽和領域を有する可飽和吸収領域である。
【0026】
特に、0レベル時(入力パワーを−10dBmにした時)の本光波形整形素子の終端部分におけるパワーに着目すると、最終段が光吸収領域になっている構造の方が、最終段が利得領域になっている構造よりも、短い素子長で0レベル雑音を抑制できるという点で有利であることがわかる。また、上述のSOA単体を用いる方式[図11(D)参照]と比較して、0レベル雑音を抑制できる点で有利である。
【0027】
ここで、図6(A),(B)は、本光波形整形素子における入出力特性(伝達関数)を計算した結果を示している。
図6(A),(B)に示すように、本光波形整形素子によれば、しきい値となる入力パワーを低くしながら、2R動作に必須であるステップ状の入出力特性(入出力パワー特性、入力パワー/利得特性)を実現できることがわかる。このように1つの能動素子で2R動作が実現できるため、上述の干渉計を用いる方式[図11(A)〜(C)参照]と比較して、構成の単純化、低コスト化を図ることが可能となる。
【0028】
ここで、図7は、比較例として、最入射端側(最入力端側)の領域及び最出射端側(最出力端側)の領域を共に光増幅領域(利得領域)とし、最出射端側の光増幅領域の長さを他の光増幅領域の長さよりも長くした構造のものを示している。つまり、本光波長整形素子に対して、最入射端側の光増幅領域A1の長さを他の光増幅領域の長さと同一にし、さらに出射端側に他の光増幅領域A1〜Anの長さよりも長い光増幅領域An+1を加えたものを、比較例の光波長整形素子の構造として示している。なお、上述の特許文献1に記載されている素子は、最出射端側の光増幅領域の長さが他の光増幅領域の長さよりも長いという点で、この比較例のものと同様の構造を有する。
【0029】
なお、ここでは、光増幅領域及び光吸収領域の長さは、上述の実施形態のものに合わせて、最出射端側の光増幅領域A5の長さを740μmとし、これ以外の光増幅領域A1〜A4及び光吸収領域B1〜B4の長さを各々180μmとし、最入射端側から、1つの光増幅領域と1つの光吸収領域とを1組としてこれを4回繰り返し(4つの光増幅領域A1〜A4,4つの光吸収領域B1〜B4)、最後に光増幅領域A5で終端するようにしている[図8(A),(B)参照]。
【0030】
また、図8(A),(B)は、このように構成される比較例の素子の光導波方向におけるパワーの変化を示しており、図9(A),(B)は、比較例の素子における入出力特性(入出力パワー特性、入力パワー/利得特性)を計算した結果を示している。
まず、図8(A),(B)に示すように、1レベル(オンレベル)の場合と0レベル(オフレベル)の場合とで入出力特性が同様の特性になっているため、出力パワーのレベル差(出力光の強度差)が上述の本光波形整形素子よりも小さく、S/N(SN比)の改善効果が小さいことがわかる。また、比較例のように、最終段を光増幅領域とすると、自然放出光(ASE)が重畳されてしまうため、S/N(SN比)を改善するには不利である。
【0031】
また、図9(A),(B)に示すように、上述の本光波形整形素子と同様にステップ状の特性が得られているものの、上述の本光波形整形素子(図6参照)に対して、しきい値となる入力パワー(動作入力パワー)が非常に大きくなってしまうため(即ち、入力パワーのレベルが非常に高くないと動作しなくないため)、強度が落ちている信号の増幅や波形整形を行なう2R動作あるいは3R動作には不利であることがわかる。
【0032】
なお、上述の実施形態では、最入射端側の光増幅領域A1において、オンレベル(1レベル)時に入力信号光のパワーレベルを利得飽和が起こるパワーレベルまで増幅し、その後の光増幅領域A2〜A4において利得特性の飽和領域(利得飽和)を用いて増幅が行なわれ、光吸収領域B1〜B4において吸収特性の飽和領域(吸収飽和)を用いて吸収が行なわれるようにしているが、これに限られるものではなく、例えば、オンレベル時に、少なくともいずれかの光増幅領域において利得特性の飽和領域を用いて増幅されるように、最入射端側の光増幅領域A1によって光信号が増幅されるようにすれば良い。つまり、最入射端側の光増幅領域A1において入力信号光のパワーレベルを利得飽和が起こらないパワーレベルまで増幅し[即ち、利得特性の線形領域(線形利得)を用いてパワーレベルを増幅し]、その後のいずれかの光増幅領域において利得特性の飽和領域を用いて増幅されるようにすれば良い。これにより、1レベル雑音を抑制することができ、動作入力パワーを低くしながら、S/Nを改善することができる。
【0033】
また、オンレベル時に他の光増幅領域よりも長い光増幅領域によって所望の増幅率が得られ、他の光増幅領域及び光吸収領域によってパワーレベルが維持されるようになっていれば良く、利得飽和を用いて増幅が行なわれるようにしたり、吸収飽和を用いて吸収が行なわれるようにしたりする必要はない。例えば、オンレベル時に、光増幅領域において利得特性の線形領域(線形利得)を用いて増幅が行なわれ、光吸収領域において吸収特性の線形領域(線形吸収)を用いて吸収が行なわれるようにしても良い。
【0034】
さらに、オンレベル時に所望の増幅率が得られるように他の光増幅領域よりも長くなっている光増幅領域は、最入射端側に設けずに、任意の位置に設けることができる。
また、上述の実施形態では、同一材料・組成・構造の活性層を用い、光増幅領域A2〜A4の長さと光吸収領域B1〜B4の長さを同一にし、順バイアス電流の注入量や逆バイアス電圧の印加量を調整することで、各光増幅領域A2〜A4における光増幅率と各光吸収領域B1〜B4における光吸収率とが等しくなるようにしてパワーレベルが一定になるようにしているが、これに限られるものではなく、各光増幅領域A2〜A4における光増幅率と各光吸収領域B1〜B4における光吸収率との関係は、活性層の材料・組成・構造や光増幅領域及び光吸収領域の長さの設計、順バイアス電流の注入量や逆バイアス電圧の印加量の調整などによって任意に決定することができる。少なくとも、オンレベル時に各光増幅領域A2〜A4及び各光吸収領域B1〜B4よってパワーレベルが維持されるようになっていれば良く、例えば、オンレベル時に、各光増幅領域A2〜A4における光増幅率が各光吸収領域B1〜B4における光吸収率よりも大きくなるようにしてパワーレベルが徐々に大きくなっていくようにしても良いし、逆に、各光増幅領域A2〜A4における光増幅率が各光吸収領域B1〜B4における光吸収率よりも小さくなるようにしてパワーレベルが徐々に小さくなっていくようにしても良い。
【0035】
また、上述の実施形態では、活性層に量子ドットを用いているが、これに限られるものではなく、活性層としてバルク活性層や量子井戸活性層を用いても上述の実施形態と同様の効果が得られる。例えば信号のビットレートが低い場合や利得飽和の浅い領域あるいは利得が線形の領域を用いる場合などはバルク活性層や量子井戸活性層を用いることもできる。
【0036】
また、上述の実施形態では、InP系材料を用いた導波路埋込構造デバイスを例に挙げて説明しているが、これに限られるものではなく、例えばGaAs系材料を用いても本発明にかかる光波形整形素子を実現することができる。
さらに、上述の実施形態では、埋込構造としてpn埋込構造を用いているが、これに限られるものではなく、例えば半絶縁性埋込構造を用いても良い。また、上述の実施形態では、導波路埋込構造を用いているが、これに限られるものではなく、例えば導波路構造をリッジ構造にしても良い。
【0037】
また、上述の実施形態では、コンタクト層の一部をエッチングして分割し、分割されたコンタクト層上に電極を形成するようにして、光増幅領域と光吸収領域とが分離されたものとして形成されるようにしているが、電極分離方法(電極分離構造)はこれに限られるものではない。例えばプロトン注入(イオン注入)によってコンタクト層の一部を高抵抗化して電極分離を行なうようにしても良い。
【0038】
また、本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することができる。
(付記1)
活性層を有する半導体光導波路を備え、
光増幅領域と光吸収領域とが前記半導体光導波路に沿って交互に設けられており、
一の光増幅領域の長さが、入力光信号のパワーがオンレベルの時に所望の増幅率が得られるように他の光増幅領域よりも長くなっており、
前記半導体光導波路の最出射端側の領域が光吸収領域であり、
前記オンレベル時に、前記一の光増幅領域以外の各光増幅領域及び各光吸収領域によってパワーレベルが維持されるようになっており、
入力光信号のパワーがオフレベルの時に、出力光信号のパワーレベルが入力光信号のパワーレベル以下になるように、前記各光吸収領域によって吸収されるようになっていることを特徴とする光波形整形素子。
【0039】
(付記2)
前記オンレベル時に、少なくともいずれかの光増幅領域において利得特性の飽和領域を用いて増幅されるように、前記一の光増幅領域によって増幅されるようになっていることを特徴とする、付記1記載の光波形整形素子。
(付記3)
前記オンレベル時に、前記一の光増幅領域以外の各光増幅領域における光増幅率と前記各光吸収領域における光吸収率とが等しくなり、前記オフレベル時に、前記各光吸収領域における光吸収率が前記一の光増幅領域以外の各光増幅領域における光増幅率よりも大きくなるように構成されていることを特徴とする、付記1又は2記載の光波形整形素子。
【0040】
(付記4)
前記一の光増幅領域が、前記半導体光導波路の最入射端側に設けられていることを特徴とする、付記1〜3のいずれか1項に記載の光波形整形素子。
(付記5)
前記一の光増幅領域が、前記オンレベル時に入力信号光のパワーレベルを利得飽和が起こるパワーレベルまで増幅しうる長さに設定されていることを特徴とする、付記4記載の光波形整形素子。
【0041】
(付記6)
前記一の光増幅領域が、利得特性が飽和領域を有する可飽和利得領域であることを特徴とする、付記4又は5記載の光波形整形素子。
(付記7)
前記一の光増幅領域以外の各光増幅領域が、利得特性が飽和領域を有する可飽和利得領域であり、
前記各光吸収領域が、吸収特性が飽和領域を有する可飽和吸収領域であることを特徴とする、付記6記載の光波形整形素子。
【0042】
(付記8)
前記半導体光導波路の最出射端側の領域が光吸収領域であることを特徴とする、付記1〜7のいずれか1項に記載の光波形整形素子。
(付記9)
前記光増幅領域及び前記光吸収領域は、同一の活性層を有する半導体光導波路によって構成され、
前記各光増幅領域は、前記活性層に順バイアス電流が注入されるようになっており、
前記光吸収領域は、前記活性層に逆バイアス電圧が印加されるようになっており、
前記オンレベル時に、前記一の光増幅領域以外の各光増幅領域における光増幅率と前記各光吸収領域における光吸収率とが等しくなるように、前記一の光増幅領域以外の各光増幅領域の前記活性層に順バイアス電流が注入され、かつ、前記各光吸収領域の前記活性層に逆バイアス電圧が印加されるようになっていることを特徴とする、付記1〜8のいずれか1項に記載の光波形整形素子。
【0043】
(付記10)
前記活性層が、量子ドット活性層であることを特徴とする、付記1〜9のいずれか1項に記載の光波形整形素子。
(付記11)
前記半導体光導波路の入射端面及び出射端面に無反射コーティングが施されていることを特徴とする、付記1〜10のいずれか1項に記載の光波形整形素子。
【0044】
(付記12)
前記半導体光導波路が、前記出射端面に対して傾斜している斜め導波路として構成されていることを特徴とする、付記1〜11のいずれか1項に記載の光波形整形素子。
【図面の簡単な説明】
【0045】
【図1】本発明の一実施形態にかかる光波形整形素子の構成を示す模式的断面図(図2のA−A′に沿う断面図)である。
【図2】本発明の一実施形態にかかる光波形整形素子の構成を示す模式的断面図である。
【図3】本発明の一実施形態にかかる光波形整形素子を構成する活性層を示す模式的断面図である。
【図4】本発明の一実施形態にかかる光波形整形素子の構成を示す模式的断面図(図2のB−B′に沿う断面図)である。
【図5】(A),(B)は、本発明の一実施形態にかかる光波形整形素子の光導波方向におけるパワーの変化を示す図である。
【図6】(A),(B)は、本発明の一実施形態にかかる光波形整形素子の入出力特性を示す図である。
【図7】本発明の一実施形態にかかる光波形整形素子に対する比較例の素子の構成を示す模式的断面図である。
【図8】(A),(B)は、本発明の一実施形態にかかる光波形整形素子による効果を説明するための図であって、比較例の素子の入出力特性を示す図である。
【図9】(A),(B)は、本発明の一実施形態にかかる光波形整形素子による効果を説明するための図であって、比較例の素子の光導波方向におけるパワーの変化を示す図である。
【図10】光波形整形素子を用いた波形整形技術を説明するための図である。
【図11】(A)〜(D)は、従来の波形整形技術を説明するための図である。
【符号の説明】
【0046】
1 n型InP基板(半導体基板)
2 n型InPクラッド層
3 活性層
3A InAs量子ドット
3B InGaAsPバリア層
3C 量子ドット層
3D 多重積層量子ドット
3X 多重積層量子ドット層
3Y,3Z InGaAsP−SCH層
4 p型InP層
5 n型InP層
6 p型InPクラッド層
7 p型InGaAsコンタクト層
8 p側電極
9 n側電極
10 半導体光導波路
11 反射防止膜
A1〜An 光増幅領域(可飽和利得領域)
B1〜Bn 光吸収領域(可飽和吸収領域)
【特許請求の範囲】
【請求項1】
活性層を有する半導体光導波路を備え、
光増幅領域と光吸収領域とが前記半導体光導波路に沿って交互に設けられており、
一の光増幅領域の長さが、入力光信号のパワーがオンレベルの時に所望の増幅率が得られるように他の光増幅領域よりも長くなっており、
前記オンレベル時に、前記一の光増幅領域以外の各光増幅領域及び各光吸収領域によってパワーレベルが維持されるようになっており、
入力光信号のパワーがオフレベルの時に、出力光信号のパワーレベルが入力光信号のパワーレベル以下になるように、前記各光吸収領域によって吸収されるようになっていることを特徴とする光波形整形素子。
【請求項2】
前記オンレベル時に、少なくともいずれかの光増幅領域において利得特性の飽和領域を用いて増幅されるように、前記一の光増幅領域によって増幅されるようになっていることを特徴とする、請求項1記載の光波形整形素子。
【請求項3】
前記オンレベル時に、前記一の光増幅領域以外の各光増幅領域における光増幅率と前記各光吸収領域における光吸収率とが等しくなり、前記オフレベル時に、前記各光吸収領域における光吸収率が前記一の光増幅領域以外の各光増幅領域における光増幅率よりも大きくなるように構成されていることを特徴とする、請求項1又は2記載の光波形整形素子。
【請求項4】
前記一の光増幅領域が、前記半導体光導波路の最入射端側に設けられていることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の光波形整形素子。
【請求項5】
前記一の光増幅領域が、前記オンレベル時に入力信号光のパワーレベルを利得飽和が起こるパワーレベルまで増幅しうる長さに設定されていることを特徴とする、請求項4記載の光波形整形素子。
【請求項6】
前記半導体光導波路の最出射端側の領域が光吸収領域であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の光波形整形素子。
【請求項7】
前記光増幅領域及び前記光吸収領域は、同一の活性層を有する半導体光導波路によって構成され、
前記各光増幅領域は、前記活性層に順バイアス電流が注入されるようになっており、
前記光吸収領域は、前記活性層に逆バイアス電圧が印加されるようになっており、
前記オンレベル時に、前記一の光増幅領域以外の各光増幅領域における光増幅率と前記各光吸収領域における光吸収率とが等しくなるように、前記一の光増幅領域以外の各光増幅領域の前記活性層に順バイアス電流が注入され、かつ、前記各光吸収領域の前記活性層に逆バイアス電圧が印加されるようになっていることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載の光波形整形素子。
【請求項8】
前記活性層が、量子ドット活性層であることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項に記載の光波形整形素子。
【請求項9】
前記半導体光導波路の入射端面及び出射端面に無反射コーティングが施されていることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか1項に記載の光波形整形素子。
【請求項10】
前記半導体光導波路が、前記出射端面に対して傾斜している斜め導波路として構成されていることを特徴とする、請求項1〜9のいずれか1項に記載の光波形整形素子。
【請求項1】
活性層を有する半導体光導波路を備え、
光増幅領域と光吸収領域とが前記半導体光導波路に沿って交互に設けられており、
一の光増幅領域の長さが、入力光信号のパワーがオンレベルの時に所望の増幅率が得られるように他の光増幅領域よりも長くなっており、
前記オンレベル時に、前記一の光増幅領域以外の各光増幅領域及び各光吸収領域によってパワーレベルが維持されるようになっており、
入力光信号のパワーがオフレベルの時に、出力光信号のパワーレベルが入力光信号のパワーレベル以下になるように、前記各光吸収領域によって吸収されるようになっていることを特徴とする光波形整形素子。
【請求項2】
前記オンレベル時に、少なくともいずれかの光増幅領域において利得特性の飽和領域を用いて増幅されるように、前記一の光増幅領域によって増幅されるようになっていることを特徴とする、請求項1記載の光波形整形素子。
【請求項3】
前記オンレベル時に、前記一の光増幅領域以外の各光増幅領域における光増幅率と前記各光吸収領域における光吸収率とが等しくなり、前記オフレベル時に、前記各光吸収領域における光吸収率が前記一の光増幅領域以外の各光増幅領域における光増幅率よりも大きくなるように構成されていることを特徴とする、請求項1又は2記載の光波形整形素子。
【請求項4】
前記一の光増幅領域が、前記半導体光導波路の最入射端側に設けられていることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の光波形整形素子。
【請求項5】
前記一の光増幅領域が、前記オンレベル時に入力信号光のパワーレベルを利得飽和が起こるパワーレベルまで増幅しうる長さに設定されていることを特徴とする、請求項4記載の光波形整形素子。
【請求項6】
前記半導体光導波路の最出射端側の領域が光吸収領域であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の光波形整形素子。
【請求項7】
前記光増幅領域及び前記光吸収領域は、同一の活性層を有する半導体光導波路によって構成され、
前記各光増幅領域は、前記活性層に順バイアス電流が注入されるようになっており、
前記光吸収領域は、前記活性層に逆バイアス電圧が印加されるようになっており、
前記オンレベル時に、前記一の光増幅領域以外の各光増幅領域における光増幅率と前記各光吸収領域における光吸収率とが等しくなるように、前記一の光増幅領域以外の各光増幅領域の前記活性層に順バイアス電流が注入され、かつ、前記各光吸収領域の前記活性層に逆バイアス電圧が印加されるようになっていることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載の光波形整形素子。
【請求項8】
前記活性層が、量子ドット活性層であることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項に記載の光波形整形素子。
【請求項9】
前記半導体光導波路の入射端面及び出射端面に無反射コーティングが施されていることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか1項に記載の光波形整形素子。
【請求項10】
前記半導体光導波路が、前記出射端面に対して傾斜している斜め導波路として構成されていることを特徴とする、請求項1〜9のいずれか1項に記載の光波形整形素子。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【公開番号】特開2008−205204(P2008−205204A)
【公開日】平成20年9月4日(2008.9.4)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2007−39806(P2007−39806)
【出願日】平成19年2月20日(2007.2.20)
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】(出願人による申告)平成18年度、総務省、「ナノ技術を活用した超高機能ネットワーク技術の研究開発」委託研究、産業再生法第30条の適用を受ける特許出願
【出願人】(000005223)富士通株式会社 (25,993)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成20年9月4日(2008.9.4)
【国際特許分類】
【出願日】平成19年2月20日(2007.2.20)
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】(出願人による申告)平成18年度、総務省、「ナノ技術を活用した超高機能ネットワーク技術の研究開発」委託研究、産業再生法第30条の適用を受ける特許出願
【出願人】(000005223)富士通株式会社 (25,993)
【Fターム(参考)】
[ Back to top ]