光源、装置
【課題】電極のピンホールによりエレクトロルミネッセンス層を介して水分が浸透してしまい、エレクトロルミネッセンス層全体が劣化してしまうことを防止する。
【解決手段】複数の島状エレクトロルミネセンス層を有する構成とする。即ち、エレクトロルミネッセンス層を複数に分断する。そして、複数の島状エレクトロルミネッセンス層を共通の一対の電極で挟むことによって、一の島状エレクトロルミネッセンス層に水分が浸透しても他の島状エレクトロルミネッセンス層には水分が浸透しなくなる。
【解決手段】複数の島状エレクトロルミネセンス層を有する構成とする。即ち、エレクトロルミネッセンス層を複数に分断する。そして、複数の島状エレクトロルミネッセンス層を共通の一対の電極で挟むことによって、一の島状エレクトロルミネッセンス層に水分が浸透しても他の島状エレクトロルミネッセンス層には水分が浸透しなくなる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
技術分野は、光源（照明装置）、光源を備えた装置等に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１にはエレクトロルミネッセンス素子を備えた光源（照明装置）が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１３４２８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図３３は、従来の光源（照明装置）の概念図を示したものである。
【０００５】
図３３において、基板１０上に、第１の電極２０、エレクトロルミネッセンス層３０、第２の電極４０が順次積層されている。
【０００６】
そして、第２の電極４０にピンホール８０が発生してしまった場合、ピンホール８０から水分９１、水分９２が侵入してエレクトロルミネッセンス層３０の劣化が生じてしまうことになる。
【０００７】
ここで、エレクトロルミネッセンス層３０は水分を浸透しやすい性質を有する。
【０００８】
そのため、第２の電極４０に一箇所でもピンホールが生じると、エレクトロルミネッセンス層３０を介して水分が浸透してしまうので、エレクトロルミネッセンス層３０全体が劣化してしまうことになる。
【０００９】
そして、エレクトロルミネッセンス層３０全体が劣化してしまうと光源自体が使用不能になってしまう。
【００１０】
そこで、以下に上記問題を解決する構成を開示する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
複数の島状エレクトロルミネセンス層を有する構成とする。
【００１２】
即ち、エレクトロルミネッセンス層を複数に分断する。
【００１３】
そして、複数の島状エレクトロルミネッセンス層を共通の一対の電極で挟むことによって、一の島状エレクトロルミネッセンス層に水分が浸透しても他の島状エレクトロルミネッセンス層には水分が浸透しなくなる。
【００１４】
したがって、電極の一箇所にピンホールが生じたとしても、ピンホールの生じた部分と重なる島状エレクトロルミネッセンス層のみが劣化するだけに留めることができる。
【００１５】
よって、従来のように、電極の一箇所にピンホールが生じただけで光源自体が使用不能になる事態を防止することができる。
【００１６】
但し、複数の島状エレクトロルミネッセンス層を共通の一対の電極で挟んだ場合、島状エレクトロルミネッセンス層が設けられていない箇所は一対の電極同士が接触するためショートしてしまう。
【００１７】
そこで、島状エレクトロルミネッセンス層が設けられていない箇所には、非導電体層（絶縁層又は半導体層）を設けることが好ましい。なお、複数の島状エレクトロルミネッセンス層の設けられていない領域において一対の電極の間に非導電体層が介在していればどのような構成でもよい。
【００１８】
また、島状エレクトロルミネッセンス層の端部（エッジ部）は、電界が集中しやすいため劣化が生じやすい。
【００１９】
そこで、島状エレクトロルミネッセンス層の端部（エッジ部）を非導電体層と重なる位置に設けることによって、発光に寄与する部分に電界が集中することを防止することができる。
【００２０】
つまり、非導電体層よりも上層に島状エレクトロルミネッセンス層が設けられている場合は、端部（エッジ部）を非導電体層と重なる位置に設けることによって、端部（エッジ部）が発光に寄与しない犠牲領域となる。
【００２１】
一方、非導電体層よりも下層に島状エレクトロルミネッセンス層が設けられている場合は、端部（エッジ部）を非導電体層と重なる位置に設けることによって、非導電体層が第２の電極からの電界に対する電界緩和層となる。
【００２２】
つまり、第１の電極と、前記第１の電極上に形成された複数の開口部を有する非導電体層と、前記複数の開口部において露出した前記第１の電極上に形成された複数の島状エレクトロルミネッセンス層と、前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層を覆って形成された第２の電極と、を有し、前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層の端部は、前記非導電体層上に形成されていることを特徴とする光源を提供することができる。
【００２３】
また、第１の電極と、複数の開口部を有し前記第１の電極の表面を絶縁化した非導電体層と、前記複数の開口部において露出した前記第１の電極上に形成された複数の島状エレクトロルミネッセンス層と、前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層を覆って形成された第２の電極と、を有し、前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層の端部は、前記非導電体層上に形成されていることを特徴とする光源を提供することができる。
【００２４】
また、第１の電極と、前記第１の電極上に形成された複数の島状エレクトロルミネッセンス層と、前記第１の電極上に形成された複数の開口部を有する非導電体層と、前記非導電体層上及び前記複数の開口部において露出した複数の島状エレクトロルミネッセンス層上に形成された第２の電極と、を有し、前記非導電体層は、前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層の端部を覆って形成されていることを特徴とする光源を提供することができる。
【００２５】
また、第１の電極と、前記第１の電極上に形成された複数の島状エレクトロルミネッセンス層と、前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層上に形成された複数の島状電極と、前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層と前記複数の島状電極とからなる複数の積層構造の間に埋め込まれた非導電体層と、前記複数の島状電極上及び前記非導電体層上に形成された第２の電極と、を有することを特徴とする光源を提供することができる。
【００２６】
また、前記複数の開口部の側壁はテーパー形状であると好ましい。
【００２７】
また、前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層の間と重なる位置に切り取り用の破線状の孔が設けられていると好ましい。
【００２８】
また、複数の島状エレクトロルミネッセンス層が一対の電極間に挟まれて設けられた光源と、前記光源に対向して設けられた導光板と、を有することを特徴とする装置を提供することができる。なお、前記光源は、両面射出型光源であると好ましい。
【００２９】
複数の島状エレクトロルミネッセンス層が一対の電極間に挟まれて設けられた光源と、表示パネルと、前記光源と前記表示パネルの間に挟まれて設けられた導光板と、を有することを特徴とする装置を提供することができる。なお、前記光源は、両面射出型光源であると好ましい。
【発明の効果】
【００３０】
複数の島状エレクトロルミネッセンス層を共通の一対の電極で挟むことによって、光源が劣化してしまうことを防止することができる。
【００３１】
エレクトロルミネッセンス層が設けられていない箇所に非導電体層（絶縁層又は半導体層）を設けることによって、一対の電極同士のショートを防止することができる。
【００３２】
島状エレクトロルミネッセンス層の端部（エッジ部）を非導電体層と重なる位置に設けることによって、島状エレクトロルミネッセンス層内の発光に寄与する領域が劣化することを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】光源の作製方法の一例
【図２】光源の作製方法の一例
【図３】光源の作製方法の一例
【図４】光源の作製方法の一例
【図５】光源の作製方法の一例
【図６】光源の作製方法の一例
【図７】光源の作製方法の一例
【図８】光源の作製方法の一例
【図９】光源の作製方法の一例
【図１０】光源の作製方法の一例
【図１１】光源の作製方法の一例
【図１２】光源の作製方法の一例
【図１３】光源の作製方法の一例
【図１４】光源の作製方法の一例
【図１５】光源の作製方法の一例
【図１６】光源の一例
【図１７】光源の一例
【図１８】光源の一例
【図１９】光源の一例
【図２０】光源の一例
【図２１】光源の一例
【図２２】光源の一例
【図２３】光源の一例
【図２４】光源の一例
【図２５】光源の一例
【図２６】光源の一例
【図２７】光源の一例
【図２８】光源の一例
【図２９】光源の一例
【図３０】光源を備えた表示装置の一例
【図３１】テーパー形状と逆テーパー形状の比較
【図３２】光源の切断について
【図３３】従来技術の例
【発明を実施するための形態】
【００３４】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。
【００３５】
但し、発明の趣旨から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。
【００３６】
従って、発明の範囲は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００３７】
なお、以下に説明する構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００３８】
また、以下の実施の形態は、いくつかを適宜組み合わせて実施することができる。
【００３９】
また、複数の開口部の数、複数のエレクトロルミネッセンス層の数、接続部の数等は、実施の形態及び図に記載された数に限定されない。
【００４０】
（実施の形態１）
光源の作製方法の一例を図１乃至図３を用いて説明する。
【００４１】
なお、断面図の破線Ａ−Ｂは、斜視図の破線Ａ−Ｂに対応する。
【００４２】
第１の基板１００上に、第１の電極２００を形成し、第１の電極２００上に複数の開口部を有する非導電体層３００を形成する。（図１（Ａ）、図１（Ｂ））
【００４３】
なお、非導電体層とは、絶縁層又は半導体層である。
【００４４】
また、第１の基板１００と第１の電極２００との間には絶縁膜、回路等が形成されていても良い。
【００４５】
次に、複数の開口部において露出した第１の電極２００上に島状エレクトロルミネッセンス層４０１乃至島状エレクトロルミネッセンス層４０９を形成する。（図２（Ａ）、図２（Ｂ））
【００４６】
複数の島状エレクトロルミネッセンス層は複数の開口部にそれぞれ対応した位置に設けられる。
【００４７】
次に、島状エレクトロルミネッセンス層４０１乃至島状エレクトロルミネッセンス層４０９を覆って第２の電極５００を形成する。（図３（Ａ）、図３（Ｂ））
【００４８】
次に、第２の基板を第２の電極５００側に対向させてシール材を用いて封止を行う。
【００４９】
なお、封止を行う前に、第２の電極５００を覆う保護膜を設けることが好ましい。また、封止は保護膜のみで行っても良いし、保護膜と、前記保護膜上に設けられた前記保護膜を摩擦から保護する保護フィルムと、を用いても良い。このように、第２の基板を用いず保護膜で封止をする封止方式を膜封止と呼ぶ。膜封止を行い且つ第１の基板を可撓性の基板とすることにより、光源を薄く且つ軽くできる。
【００５０】
以上のように、複数の島状エレクトロルミネッセンス層を、共通の第１の電極と共通の第２の電極との間に挟むことによって、光源の劣化を防止することができる。
【００５１】
また、複数の開口部を有する非導電体層を設け、複数の開口部にそれぞれ対応する位置に複数の島状エレクトロルミネッセンス層を配置することによって、第１の電極と第２の電極とのショートを防止することができる。
【００５２】
また、島状エレクトロルミネッセンス層の端部（エッジ部）は第２の電極に覆われるため、端部（エッジ部）は上面と側面から電圧が印加されることになるので、端部（エッジ部）には電界が集中しやすいため劣化が生じやすい。
【００５３】
そこで、端部（エッジ部）を絶縁層と重なる位置に設けることによって、端部（エッジ部）が発光に寄与しない部分になるので、発光に寄与する部分に電界が集中することを防止することができる。
【００５４】
つまり、端部（エッジ部）を絶縁層と重なる位置に設けることによって、端部（エッジ部）が犠牲領域となる。
【００５５】
即ち、エレクトロルミネッセンス層の端部（エッジ部）を発光に寄与しない犠牲領域とすることによって、発光に寄与する部分に電界が集中することを防止することができるため、発光に寄与する部分の劣化を防止することができる。
【００５６】
よって、図２、図３のように、島状エレクトロルミネッセンス層の周辺端部（全ての端部）を非導電体層と重なる位置に設けることが好ましい。
【００５７】
つまり、非導電体層の開口部の面積よりも島状エレクトロルミネッセンス層の面積が大きいこと（島状エレクトロルミネッセンス層が開口部よりも一回り大きいこと）は好ましい。
【００５８】
なお、開口部の面積よりも島状エレクトロルミネッセンス層の面積が大きいことにより、島状エレクトロルミネッセンス層を形成する位置が少しずれてしまっても第１の電極が露出しないという効果も生ずることになる。
【００５９】
よって、非導電体層の開口部の面積よりも、島状エレクトロルミネッセンス層の面積が大きい方が好ましい。
【００６０】
また、非導電体層３００に設けられた開口部の側壁をテーパー形状とすることによって、複数の島状エレクトロルミネッセンス層の段切れを防止することができるので好ましい。
【００６１】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【００６２】
（実施の形態２）
本実施の形態では、材料並びに作製方法について説明する。
【００６３】
第１の基板及び第２の基板は、透光性を有する基板、遮光性を有する基板等を用いることができる。
【００６４】
透光性を有する基板は、ガラス基板、石英基板、透光性を有するプラスチック基板等がある。
【００６５】
遮光性を有する基板は、遮光性を有するプラスチック基板、金属基板（ステンレス、アルミニウム等）、半導体基板（シリコンウェハ等）、紙基板等がある。
【００６６】
なお、光源は光を取り出す必要があるため、少なくとも第１の基板又は第２の基板の一方は透光性を有する。
【００６７】
もちろん、第１の基板及び第２の基板の双方が透光性を有していても良い。
【００６８】
なお、プラスチック基板、金属基板、紙基板等は、厚さを薄くすることにより可撓性を持たせることが容易である。
【００６９】
そして、第１の基板及び第２の基板の双方を可撓性を有する基板とすることによって、可撓性を有する光源を提供することができる。
【００７０】
可撓性を有する光源は柔軟性を有するので割れにくく好ましい。
【００７１】
また、可撓性を有する基板を用いることにより、ハサミ、カッター等での切断が容易になるため、好みの形状に成型可能な光源を提供することもできる。
【００７２】
第１の電極及び第２の電極は、金属、酸化物導電体等を用いることができるがこれらに限定されない。
【００７３】
例えば、第１の電極及び第２の電極として、金属窒化物、金属酸化物、金属合金であって、導電性を有するものを用いても良い。
【００７４】
第１の電極及び第２の電極は、単層構造であっても積層構造であってもよい。
【００７５】
金属としては、タングステン、チタン、アルミニウム、モリブデン、金、銀、銅、白金、パラジウム、イリジウム、アルカリ金属、アルカリ土類金属等があるがこれらに限定されない。
【００７６】
酸化物導電体としては、インジウム錫酸化物、酸化亜鉛、インジウムを含む酸化亜鉛、インジウム及びガリウムを含む酸化亜鉛等があるがこれらに限定されない。
【００７７】
なお、仕事関数の低いもの（アルカリ金属、アルカリ土類金属、マグネシウム銀合金、アルミリチウム合金、マグネシウムリチウム合金等）を陰極に適用すると好適である。
【００７８】
また、仕事関数の高いもの（酸化物導電体等）を陽極に適用すると好適である。
【００７９】
なお、光源は光を取り出す必要があるため、少なくとも第１の電極又は第２の電極の一方は透光性を有する。
【００８０】
さらに、第１の電極及び第２の電極の双方が透光性を有しており、且つ、第１の基板及び第２の基板の双方が透光性を有していると、両面から光を取り出せる光源（両面射出型の光源）とすることができる。
【００８１】
なお、酸化物導電体は透光性を有する。
【００８２】
また、金属、金属窒化物、金属酸化物、金属合金であっても、膜厚が薄ければ透光性とすることができる。（膜厚は５０ｎｍ以下が好ましい。）
【００８３】
金属、金属窒化物、金属酸化物、金属合金等を透光性とするために膜厚を薄くすると、電極の抵抗値が上がってしまう。
【００８４】
そこで、エレクトロルミネッセンス層と接する面を金属、金属窒化物、金属酸化物、金属合金等としておき、エレクトロルミネッセンス層と接しない面を酸化物導電体とすることにより電極の抵抗値を下げることができる。
【００８５】
特に、エレクトロルミネッセンス層と接する面に仕事関数の低い材料を使用する場合は、仕事関数及び抵抗値の両方を好適なものにすることができるので好ましい。
【００８６】
非導電体層は、絶縁層又は半導体層である。
【００８７】
絶縁層としては、有機物絶縁層又は無機物絶縁層を用いることができる。
【００８８】
有機物絶縁層としては、レジスト、アクリル、ポリイミド等を用いることができるがこれらに限定されない。
【００８９】
無機物絶縁層としては、ダイヤモンドライクカーボン、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化珪素、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム等を用いることができるがこれらに限定されない
【００９０】
半導体層としては、シリコン、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウム、酸化物半導体等を用いることができるがこれらに限定されない。
【００９１】
酸化物半導体としては例えばＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物（インジウムとガリウムと亜鉛と酸素とを主成分とする）、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物（インジウムと錫と亜鉛と酸素とを主成分とする）、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物（インジウムとアルミニウムと亜鉛と酸素とを主成分とする）、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物（錫とガリウムと亜鉛と酸素とを主成分とする）、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物（アルミニウムとガリウムと亜鉛と酸素とを主成分とする）、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物（錫とアルミニウムと亜鉛と酸素とを主成分とする）、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物（インジウムと亜鉛と酸素とを主成分とする）、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物（錫と亜鉛と酸素とを主成分とする）、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物（アルミニウムと亜鉛と酸素とを主成分とする）、Ｉｎ−Ｏ系酸化物（インジウム酸化物（酸化インジウム））、Ｓｎ−Ｏ系酸化物（錫酸化物（酸化錫））、Ｚｎ−Ｏ系酸化物（亜鉛酸化物（酸化亜鉛））等の酸化物半導体を用いることができるがこれらに限定されない。
【００９２】
酸化物半導体は有機物絶縁層、無機物絶縁層、シリコン、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウム等よりも高い透光性を有する。したがって、非導電体層として酸化物半導体を用いることによって光取り出し効率を向上させることができる。
【００９３】
なお、酸化物半導体にキャリア（水素又は酸素欠損等）が多く含有されていると導電性を示す場合があるので、キャリア密度を低くすることが好ましい。
【００９４】
キャリア密度は１×１０１９ｃｍ−３以下（より好ましくは１×１０１６ｃｍ−３以下、更に好ましくは１×１０１４ｃｍ−３以下、更に好ましくは１×１０１２ｃｍ−３以下）が好ましい。
【００９５】
非導電体層は抵抗が高い方が好ましいので、非晶質半導体層が好ましいがこれに限定されない。
【００９６】
非導電体層は抵抗が高い方が好ましいので、導電型を付与する不純物を意図的に添加していない形態が好ましいがこれに限定されない。
【００９７】
また、非導電体層は単層でも積層でも良い。
【００９８】
特に、非導電体層を金属層を一対の絶縁層で挟んだ積層構造とすることが好ましい。
【００９９】
金属は熱導電性が良いので放熱材料の役割を果たす。
【０１００】
エレクトロルミネッセンス層は熱に弱いので放熱材料を設けることによって、エレクトロルミネッセンス層の劣化を防止することができる。
【０１０１】
非導電体層を金属層を一対の絶縁層で挟んだ積層構造とすることによって、エレクトロルミネッセンス層から電極に伝わった熱が絶縁層を介して金属に伝わり放熱することが可能である。
【０１０２】
なお、金属層を一対の非導電体層で挟んだ積層構造において、金属層はフローティング状態となるのでショートの問題は起こらない。
【０１０３】
よって、一対の絶縁層と金属層とに同時に開口部を形成することによって、金属層の側壁が島状エレクトロルミネッセンス層の一部に接する状態とすると直接的に放熱ができるので好ましい。
【０１０４】
一対の絶縁層の開口部よりも金属層の開口部を大きくすることによって、金属層の側壁が島状エレクトロルミネッセンス層とが接しない状態とすることも可能である。
【０１０５】
さらに、一対の非導電体層を放熱性絶縁層と知られる窒化珪素、ダイヤモンドライクカーボン、窒化酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等にすることによって、放熱効果を上昇させることができる。
【０１０６】
特に、窒化酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等が好ましい。
【０１０７】
なお、放熱性絶縁層を単層で使用しても同様の効果が得られる。
【０１０８】
但し、窒化アルミニウムの熱伝導率が１７０〜１８０Ｗ／ｍ・Ｋ、銀の熱伝導率が４２０Ｗ／ｍ・Ｋ、銅の熱伝導率が３９８Ｗ／ｍ・Ｋ、金の熱伝導率が３２０Ｗ／ｍ・Ｋ、アルミニウムの熱伝導率が２３６Ｗ／ｍ・Ｋであることを考慮すると、金属層を一対の絶縁層で挟んだ積層構造とした方が好ましいといえる。
【０１０９】
金属層は、金、銀、銅、白金、アルミニウム、モリブデン、タングステン、合金等の金属類であればどのようなものを用いても良い。
【０１１０】
金、銀、銅、アルミニウム等は特に熱伝導率が高いので好ましい。
【０１１１】
なお、シリコンの熱伝導率は１６８Ｗ／ｍ・Ｋであるので、シリコンも放熱材として好ましいといえる。（参考までに絶縁体の熱伝導率は一般的に１０Ｗ／ｍ・Ｋ以下のものが多い。）
【０１１２】
したがって、一対のシリコン層で金属層を挟んだ構造とすることも好ましい。
【０１１３】
なお、一対の非導電体層は異なる材料の組み合わせでも良い。
【０１１４】
要するに、第１の非導電体層と第２の非導電体層との間に、前記第１の非導電体層の熱導電率及び前記第２の非導電体層の熱導電率よりも高い熱導電率を有する層を挟めば良いということである。
【０１１５】
よって、一対の絶縁層の間に絶縁層を挟んでも良いし、一対の絶縁層の間に半導体層を挟んでも良い。
【０１１６】
なお、ダイヤモンドライクカーボン膜の熱伝導率は４００〜１８００Ｗ／ｍ・Ｋ（成膜方法により変動する）である。
【０１１７】
また、第１の電極と第２の電極とを透光性とすることにより両面射出型の光源を作製する場合、一対の非導電体層の間に金属層を挟んだ積層構造とすることによって背景を隠すことができる。
【０１１８】
例えば、壁に両面射出型の光源を設けることにより２つの部屋を照らす場合、背景が見えると隣の部屋がのぞかれるので、隣の部屋をのぞかれたくない場合等に背景を隠すことは有効である。
【０１１９】
なお、単に背景を隠すだけの場合は、非導電体層を黒色樹脂等の遮光性を有する材料とすれば良い。
【０１２０】
さらに、両面射出型の光源の場合、反射電極を用いないため反射光の利用が出来なかったが、一対の非導電体層の間に金属層を挟んだ積層構造とすることによって、金属層が四方八方に放射されるエレクトロルミネッセンス光の一部を反射するので、反射光を利用することができる。
【０１２１】
もちろん、片面射出型の光源でも一対の非導電体層の間に金属層を挟んだ積層構造とすることにより反射効率の上昇が可能である。
【０１２２】
エレクトロルミネッセンス層は、発光層を有する発光ユニットを有している。発光層として、例えば、有機化合物を含む発光層がある。
【０１２３】
発光ユニットは、発光層の他に電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層等を有していても良い。
【０１２４】
発光ユニットは、電圧を印加することにより発光するものであれば限定されない。
【０１２５】
したがって、発光ユニットとして無機エレクトロルミネッセンス材料を用いても良い。
【０１２６】
また、複数の発光ユニットと、複数の発光ユニットを仕切る電荷発生層と、を有するエレクトロルミネッセンス層とすることによって、エレクトロルミネッセンス層の輝度を向上させることができる。
【０１２７】
電荷発生層としては、金属、酸化物導電体、金属酸化物と有機化合物との積層構造、金属酸化物と有機化合物との混合物等を用いることができる。
【０１２８】
電荷発生層として、金属酸化物と有機化合物との積層構造、金属酸化物と有機化合物との混合物等を用いると、電圧印加時において、陰極方向にホールを注入し、陽極方向に電子を注入することができるので好適である。
【０１２９】
電荷発生層に用いると好適な金属酸化物は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウム等の遷移金属酸化物である。
【０１３０】
そして、電荷発生層に用いる有機化合物として、アミン系化合物（特に、アリールアミン化合物）、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、Ａｌｑ等を用いると遷移金属酸化物と電荷移動錯体を形成するので好ましい。
【０１３１】
シール材は、熱硬化型のエポキシ樹脂、光硬化型のエポキシ樹脂等を用いることができるがこれらに限定されない。シール材は単なる接着剤でも良い。
【０１３２】
保護膜は、ダイヤモンドライクカーボン、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化珪素、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム等の無機化合物を用いると水分をブロックできるので好ましいがこれらに限定されない。また、保護膜は積層構造でも良い。
【０１３３】
なお、絶縁膜、エレクトロルミネッセンス層、第１の電極、第２の電極等を所望の形状に加工する方法は、フォトリソグラフィを用いた方法、メタルマスクを用いた方法等を用いれば良い。また、インクジェット法等を用いて直接的にパターン（複数の島状エレクトロルミネッセンス層）を形成しても良い。
【０１３４】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０１３５】
（実施の形態３）
テーパー形状について図３１を用いて説明する。
【０１３６】
図３１において、第１の基板１００上に第１の電極２００が形成されており、第１の電極２００上に開口部を有する非導電体層３００が設けられている。
【０１３７】
ここで、開口部の側壁をテーパー形状とするとは、断面形状において、開口部内の切り立った部分が下向きに広がっていく形状である。（図３１（Ａ））
【０１３８】
一方、開口部の側壁を逆テーパー形状とするとは、断面形状において、開口部内の切り立った部分が上向きに広がっていく形状である。（図３１（Ｂ））
【０１３９】
また、開口部の側壁を非テーパー形状とするとは、断面形状において、開口部内の切り立った部分と第１の電極表面との角度が直角となるようにすることである。
【０１４０】
そして、逆テーパー形状及び非テーパー形状と比較すると、テーパー形状の方が複数の島状エレクトロルミネッセンス層（又は第２の電極）の段切れを防止できる点で優れている。
【０１４１】
なお、テーパー形状は直線だけに限定されず曲線でも良い。（図３１（Ｃ）、図３１（Ｄ））
【０１４２】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０１４３】
（実施の形態４）
光源の作製方法の一例を図４乃至図８を用いて説明する。
【０１４４】
なお、断面図の破線Ａ−Ｂは、斜視図の破線Ａ−Ｂに対応する。
【０１４５】
第１の基板１００上に、第１の電極２００を形成する。（図４（Ａ）、図４（Ｂ））
【０１４６】
第１の基板１００と第１の電極２００との間には絶縁膜、回路等が形成されていても良い。
【０１４７】
次に、第１の電極２００上にマスク９０１乃至マスク９０９を形成する。（図５（Ａ）、図５（Ｂ））
【０１４８】
マスクは、有機物からなるマスク、無機物からなるマスク等を用いることができる。
【０１４９】
有機物からなるマスクは、レジスト、アクリル、ポリイミド、有機エレクトロルミネッセンス層に用いる材料等を用いることができる。
【０１５０】
無機物からなるマスクは、酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。
【０１５１】
なお、マスク９０１乃至マスク９０９を所望の形状に加工する方法は、メタルマスクを用いた成膜方法、フォトマスクを用いたフォトリソグラフィ法等を用いることができる。
【０１５２】
次に、露出している第１の電極２００の表面を絶縁化して非導電体層３００を形成した後、マスク９０１〜９０９を除去する。（図６（Ａ）、図６（Ｂ）、図６（Ｃ））
【０１５３】
絶縁化とは、酸化、窒化等である。
【０１５４】
なお、第１の電極は少なくとも表面が金属であれば単層でも積層でも良い。
【０１５５】
酸化は、オゾン表面処理（オゾン水処理、オゾン雰囲気処理）、酸素雰囲気での加熱処理、酸素プラズマ処理、水蒸気雰囲気での加熱処理、水プラズマ処理等により行うことができる。
【０１５６】
窒化は、窒素雰囲気での加熱処理、窒素プラズマ処理等により行うことができる。
【０１５７】
なお、有機物からなるマスクを用いた場合、オゾン表面処理、酸素プラズマ処理、水プラズマ処理を行うとマスク９０１〜９０９の端部も同時に除去されてしまうので、マスク９０１〜９０９が小さくなる。（図６（Ｂ））
【０１５８】
したがって、第１の電極の絶縁化されない領域（複数の開口部、複数の露出部）の面積も小さくなる。
【０１５９】
そこで、マスク９０１〜９０９を形成するために使用したメタルマスク又はフォトマスクを、島状エレクトロルミネッセンス層を形成するために再度使用することによって、島状エレクトロルミネッセンス層の周辺端部（全ての端部）を絶縁された領域と重なる位置に設けることができる。
【０１６０】
このように、メタルマスク又はフォトマスクを別の工程で再利用すると、メタルマスク又はフォトマスクを削減できるのでコスト低減につながり好ましい。
【０１６１】
もちろん、マスクを形成するために使用するメタルマスク又はフォトマスクと、島状エレクトロルミネッセンス層を形成するために使用するメタルマスク又はフォトマスクと、を別のものにしても良い。
【０１６２】
次に、露出した第１の電極上に島状エレクトロルミネッセンス層４０１乃至島状エレクトロルミネッセンス層４０９を形成する。（図７（Ａ）、図７（Ｂ））
【０１６３】
複数の島状エレクトロルミネッセンス層は複数の開口部（複数の露出部）にそれぞれ対応した位置に設けられる。
【０１６４】
次に、島状エレクトロルミネッセンス層４０１乃至島状エレクトロルミネッセンス層４０９を覆って第２の電極５００を形成する。（図８（Ａ）、図８（Ｂ））
【０１６５】
次に、第２の基板を第２の電極５００側に対向させてシール材を用いて封止を行う。
【０１６６】
なお、封止を行う前に、第２の電極５００を覆う保護膜を設けることが好ましい。
【０１６７】
本実施の形態においても、第１の電極と第２の電極とのショートを防止できる。
【０１６８】
さらに、島状エレクトロルミネッセンス層の端部（エッジ部）を第１の電極を絶縁化した表面に設けると好ましい。
【０１６９】
よって、図７、図８のように、島状エレクトロルミネッセンス層の周辺端部（全ての端部）を絶縁化した表面と重なる位置に設けることが好ましい。
【０１７０】
また、本実施の形態では、第２の電極表面と絶縁化表面とが平坦になるので、エレクトロルミネッセンス層が段差で段切れすることがなくなるので好ましい。
【０１７１】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０１７２】
（実施の形態５）
光源の作製方法の一例を図９乃至図１１を用いて説明する。
【０１７３】
なお、断面図の破線Ａ−Ｂは、斜視図の破線Ａ−Ｂに対応する。
【０１７４】
第１の基板１００上に、第１の電極２００を形成し、第１の電極２００上に島状エレクトロルミネッセンス層４０１乃至島状エレクトロルミネッセンス層４０９を形成する。（図９（Ａ）、図９（Ｂ））
【０１７５】
第１の基板１００と第１の電極２００との間には絶縁膜、回路等が形成されていても良い。
【０１７６】
次に、島状エレクトロルミネッセンス層４０１乃至島状エレクトロルミネッセンス層４０９を覆い、且つ、島状エレクトロルミネッセンス層４０１乃至島状エレクトロルミネッセンス層４０９にそれぞれ対応する位置に複数の開口部を有する非導電体層３００を形成する。（図１０（Ａ）、図１０（Ｂ））
【０１７７】
次に、非導電体層３００及び複数の開口部において露出した島状エレクトロルミネッセンス層４０１乃至島状エレクトロルミネッセンス層４０９上に第２の電極５００を形成する。（図１１（Ａ）、図１１（Ｂ））
【０１７８】
次に、第２の基板を第２の電極５００側に対向させてシール材を用いて封止を行う。
【０１７９】
なお、封止を行う前に、第２の電極５００を覆う保護膜を設けることが好ましい。
【０１８０】
本実施の形態においても、第１の電極と第２の電極とのショートを防止できる。
【０１８１】
また、島状エレクトロルミネッセンス層が第１の電極上の平坦な面に形成されるので、島状エレクトロルミネッセンス層の段切れを防止することができる。
【０１８２】
さらに、島状エレクトロルミネッセンス層の端部（エッジ部）を非導電体層に設けることによって、端部（エッジ部）を非導電体層で保護することができる。
【０１８３】
即ち、端部（エッジ部）を非導電体層で覆うことにより、端部（エッジ部）に印加される電界を緩和することができる。
【０１８４】
よって、図１０、図１１のように、島状エレクトロルミネッセンス層の周辺端部（全ての端部）を非導電体層と重なる位置に設けることが好ましい。
【０１８５】
また、非導電体層３００に設けられた開口部の側壁をテーパー形状とすることによって、第２の電極の段切れを防止することができるので好ましい。
【０１８６】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０１８７】
（実施の形態６）
光源の作製方法の一例を図１２乃至図１５を用いて説明する。
【０１８８】
なお、断面図の破線Ａ−Ｂは、斜視図の破線Ａ−Ｂに対応する。
【０１８９】
第１の基板１００上に、第１の電極２００を形成し、第１の電極上に島状エレクトロルミネッセンス層４０１乃至島状エレクトロルミネッセンス層４０９を形成する。（図１２（Ａ）、図１２（Ｂ））
【０１９０】
第１の基板１００と第１の電極２００との間には絶縁膜、回路等が形成されていても良い。
【０１９１】
次に、島状エレクトロルミネッセンス層４０１乃至島状エレクトロルミネッセンス層４０９上に島状電極５１１乃至島状電極５１９を形成する。（図１３（Ａ）、図１３（Ｂ））
【０１９２】
島状電極の材料は第１の電極及び第２の電極と同様の材料を用いることができる。
【０１９３】
複数の島状電極は複数の島状エレクトロルミネッセンス層にそれぞれ対応した位置に設けられる。
【０１９４】
なお、エレクトロルミネッセンス層を形成し、前記エレクトロルミネッセンス層上に複数の島状電極を形成し、前記複数の島状電極をマスクとして用いて前記エレクトロルミネッセンス層をエッチングすることにより複数の島状エレクトロルミネッセンス層を形成する第１の方法を用いても良い。
【０１９５】
また、エレクトロルミネッセンス層を形成し、前記エレクトロルミネッセンス層上に導電膜を形成し、前記導電膜上に複数のマスク（複数のレジストマスク等）を形成し、前記複数のマスクを用いて前記導電膜をエッチングして複数の島状電極を形成するとともに前記エレクトロルミネッセンス層をエッチングして複数のエレクトロルミネッセンス層を形成する第２の方法を用いても良い。
【０１９６】
第１の方法又は第２の方法を用いることによって、複数の島状エレクトロルミネッセンス層及び複数の島状電極の形成工程を簡略化できる。
【０１９７】
次に、複数の島状電極を覆う非導電体膜を形成した後、非導電体膜をエッチバック又は研磨（機械研磨、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）等）することにより、複数の島状エレクトロルミネッセンス層と複数の島状電極と積層構造の間に埋め込まれた非導電体層３００を形成する。（図１４（Ａ）、図１４（Ｂ））
【０１９８】
次に、島状電極５１１乃至島状電極５１９上及び非導電体層３００上に第２の電極５００を形成する。（図１５（Ａ）、図１５（Ｂ））
【０１９９】
次に、第２の基板を第２の電極５００側に対向させてシール材を用いて封止を行う。
【０２００】
なお、封止を行う前に、第２の電極５００を覆う保護膜を設けることが好ましい。
【０２０１】
本実施の形態においても、第１の電極と第２の電極とのショートを防止できる。
【０２０２】
また、島状エレクトロルミネッセンス層が第１の電極上の平坦な面に形成されるので、島状エレクトロルミネッセンス層の段切れを防止することができる。
【０２０３】
さらに、非導電体層３００を埋め込んであるので第２の電極の段切れを防止することができる。
【０２０４】
また、非導電体層を埋め込む際に、複数の島状電極が存在することによって、複数の島状電極がバリアとなり、複数の島状エレクトロルミネッセンス層の上部がエッチングされてしまうことを防止することができる。
【０２０５】
さらに、島状電極の抵抗率を第２の電極の抵抗率よりも低くすれば、島状電極を補助電極として機能させることができる。（補助電極（１））
【０２０６】
逆に、第２の電極の抵抗率を島状電極の抵抗率よりも低くすれば、第２の電極を補助電極として機能させることができる。（補助電極（２））
【０２０７】
補助電極（１）と補助電極（２）を比較すると、補助電極（１）より補助電極（２）の方が好ましい。なぜなら、第２の電極の面積は複数の島状電極の面積の総和よりも大きいので、補助電極（１）よりも補助電極（２）の方が上部電極（島状電極と第２の電極の積層体）の抵抗値を下げることができるからである。
【０２０８】
なお、島状電極又は第２の電極を補助電極とすることを主たる目的とするのであれば、島状電極の端部（エッジ部）を非導電体層で覆っても良い。
【０２０９】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０２１０】
（実施の形態７）
島状エレクトロルミネッセンス層４０１乃至島状エレクトロルミネッセンス層４０９の形状は、図１６に示すような四角形以外に、三角形、多角形、円形、楕円形、ドーナツ形、星形、ハート形等さまざまな形状とすることができる。
【０２１１】
ドーナツ形、星形、ハート形等にするとファッショナブルで魅力的な光源となるので美しい。
【０２１２】
また、複数の島状エレクトロルミネッセンス層の形状を全て同一とする必要はない。
【０２１３】
複数の島状エレクトロルミネッセンス層が異なる形状を含んでいても、人間の美感に訴える光源となるので美しい。
【０２１４】
また、美感に訴えるために、複数の島状エレクトロルミネッセンス層が異なる色を含むようにしても美しい。
【０２１５】
以上のように、島状エレクトロルミネッセンス層の形状又は色を工夫することによって人間の美感に訴える光源を提供することができる。
【０２１６】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０２１７】
（実施の形態８）
光源の電源供給構造について説明する。
【０２１８】
図１７は電源供給構造の一例である。
【０２１９】
図１７（Ａ）の破線Ａ−Ｂ−Ｃが、図１７（Ｂ）の破線Ａ−Ｂ−Ｃに対応する。
【０２２０】
島状エレクトロルミネッセンス層が形成された発光領域において、発光領域の周囲に配置された第２のシール材７０２と第２の基板１１０とに囲まれた領域に第１のシール材７０１が充填されている。
【０２２１】
なお、保護膜６００も設けられている。
【０２２２】
一方、接続部において、非導電体層３００の一部に開口部が設けられており、開口部において第１の電極２００が露出している。
【０２２３】
また、接続部において、第２の電極５００が延在して設けられている。
【０２２４】
このように、接続部において、第１の電極及び第２の電極を露出させることによって電源の供給が可能となる。
【０２２５】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
（実施の形態９）
光源の電源供給構造について説明する。
【０２２６】
図１８及び図１９は電源供給構造の一例である。
【０２２７】
図１８（Ａ）の破線Ａ−Ｂ−Ｃが、図１８（Ｂ）の破線Ａ−Ｂ−Ｃに対応する。
【０２２８】
図１９（Ａ）の破線Ａ−Ｂ−Ｃが、図１９（Ｂ）の破線Ａ−Ｂ−Ｃに対応する。
【０２２９】
図１８では、接続部が発光領域に囲まれて配置されている。
【０２３０】
そのため、図１８において、第２の基板１１０には開口部が設けられている。
【０２３１】
そして、接続部では、第１の電極及び第２の電極が露出した構造となっている。
【０２３２】
また、図１９では複数の接続部が発光領域に囲まれて配置されている。
【０２３３】
そのため、図１９において、第２の基板１１０には複数の開口部が設けられている。
【０２３４】
また、図１８及び図１９において、島状エレクトロルミネッセンス層が形成された発光領域において、発光領域の周囲に配置された第２のシール材７０２と第３のシール材７０３と第２の基板１１０とに囲まれた領域に第１のシール材７０１が充填されている。
【０２３５】
なお、保護膜６００も設けられている。
【０２３６】
接続部が発光領域に囲まれて配置されていることによって、第１の基板１００の面積を小さくできる。
【０２３７】
さらに、図１９のように島状エレクトロルミネッセンス層の間に接続部を設けることによって、発光領域の面積を広くすることができる。
【０２３８】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０２３９】
（実施の形態１０）
図２０〜図２３に示すように、島状エレクトロルミネッセンス層を環状（円環状、多角環状等）にしても良い。
【０２４０】
図２０は、島状エレクトロルミネッセンス層４１１乃至島状エレクトロルミネッセンス層４１３を円環状にしたものである。
【０２４１】
図２１は、島状エレクトロルミネッセンス層４１１乃至島状エレクトロルミネッセンス層４１３を円環状にしたときの接続部の構成を示したものである。
【０２４２】
なお、図２１（Ａ）の破線Ａ−Ｂが、図２１（Ｂ）の破線Ａ−Ｂに対応する。
【０２４３】
図２２は、島状エレクトロルミネッセンス層４２１乃至島状エレクトロルミネッセンス層４２３を多角環状にしたものである。
【０２４４】
図２３は、島状エレクトロルミネッセンス層４２１乃至島状エレクトロルミネッセンス層４２３を多角環状にしたときの接続部の構成を示したものである。
【０２４５】
なお、図２３（Ａ）の破線Ａ−Ｂが、図２３（Ｂ）の破線Ａ−Ｂに対応する。
【０２４６】
以上のように、接続部を複数の環の中心部に設けると発光領域及び接続部の面積を大きくできるので好ましい。
【０２４７】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０２４８】
（実施の形態１１）
複数の島状エレクトロルミネッセンス層を形成することによって、光源を自由な形状に成型することが可能となる。
【０２４９】
即ち、従来の光源ではエレクトロルミネッセンス層が全面に形成されていたため、光源を切断すると、エレクトロルミネッセンス層の側面が露出してしまう。
【０２５０】
側面が露出するとエレクトロルミネッセンス層全体が劣化してしまい光源として機能しなくなっていた。
【０２５１】
ところが、複数の島状エレクトロルミネッセンス層を形成することにより上記問題を解決することができる。
【０２５２】
図３２（Ａ）は切断前の光源である。
【０２５３】
図３２（Ｂ）は切断後の光源である。
【０２５４】
図３２において、白い島状部分が側面が露出していない島状エレクトロルミネッセンス層、黒い島状部分が側面が露出した島状エレクトロルミネッセンス層、破線部分が切断箇所である。
【０２５５】
図３２から明らかなように、切断箇所と重なる位置に形成された島状エレクトロルミネッセンス層は側面が露出して発光しなくなるが、切断箇所と重ならない島状エレクトロルミネッセンス層は側面が露出していないので発光が維持される。
【０２５６】
したがって、自由な形状に成型可能な光源を提供することができる。
【０２５７】
なお、第１の基板又は第２の基板がガラス基板、石英基板等のように硬い場合はレーザーカット、ダイシング装置等でカットすれば良い。
【０２５８】
一方、可撓性の光源のように基板自体が柔らかい場合は、ハサミ、カッター等の簡易的な切断道具で切断が可能であるので、誰でも簡単に成型できるため家庭、学校等で楽しむことができる。
【０２５９】
切断を行う場合は非導電体層として無機物絶縁層、半導体層を用いると水分浸透防止の観点から好ましい。
【０２６０】
なお、切断を行うときは接続部が残るように切断を行うことが好ましい。
【０２６１】
一方、図１８のように接続部が発光領域に囲まれて配置されていると、接続部を残して切断を行えば良いので、切断後の形状が制約されない。
【０２６２】
また、図１９のように複数の接続部を設けておく構成は接続部の位置を気にせずに切断ができるので非常に好ましい。
【０２６３】
さらに、接続部が一つしかないと接続部が残っていない切れ端はゴミになるが、複数の接続部があれば切れ端も発光させることができるので光源として再利用することができる。
【０２６４】
また、図２４〜図２８に示すように、切り取り用の破線状の孔（ミシン目）を設けておくことによって、切断道具を使用しなくとも切断ができるので家庭、学校等で簡便に切断ができる。
【０２６５】
切り取り用の破線状の孔（ミシン目）はレーザーカット等で精密に形成しておくと好ましい。
【０２６６】
また、切り取り用の破線状の孔（ミシン目）は第１及び第２の基板、シール材、第１及び第２の電極、非導電体層、保護膜等を全て貫いて形成される。
【０２６７】
図２４において、破線８００１乃至破線８００４が切り取り用の破線状の孔（ミシン目）であり、島状エレクトロルミネッセンス層及び接続部が形成されていない位置に形成されている。一つの島状エレクトロルミネッセンス層に対して一つの接続部を設けておく方が好ましい。
【０２６８】
図２５において、破線８０１１及び破線８０１２が切り取り用の破線状の孔（ミシン目）であり、島状エレクトロルミネッセンス層及び接続部が形成されていない位置に形成されている。このように環状の間に切り取り用の破線状の孔（ミシン目）を形成しておくことによって、所望の大きさに事後的に調整できる。
【０２６９】
図２６は図２５の変形例であり、環状の一部に切り欠き部を形成し、切り欠き部に接続部８１２１乃至接続部８１２３を設けている。図２６の構成により、切断をしたとしても全ての円環を発光させることができる。
【０２７０】
図２７において、破線８０２１及び破線８０２２が切り取り用の破線状の孔（ミシン目）であり、島状エレクトロルミネッセンス層及び接続部が形成されていない位置に形成されている。このように環状の間に切り取り用の破線状の孔（ミシン目）を形成しておくことによって、所望の大きさに事後的に調整できる。
【０２７１】
図２８は図２７の変形例であり、環状の一部に切り欠き部を形成し、切り欠き部に接続部８１２１乃至接続部８１２３を設けている。図２８の構成により、切断をしたとしても全ての円環を発光させることができる。
【０２７２】
切り取り用の破線状の孔（ミシン目）を、島状エレクトロルミネッセンス層が形成されていない位置に形成されているので、島状エレクトロルミネッセンス層の側面が切断前及び切断後の双方で露出することがないため、光源の劣化を防止することができる。
【０２７３】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０２７４】
（実施の形態１２）
図２９は、両面射出型光源２００１に対向して導光板２００２を配置した装置である。
【０２７５】
両面射出型光源２００１はエレクトロルミネッセンス層を島状に分割したので面均一な光ではない。
【０２７６】
そこで、導光板２００２を設けることによって面均一な光としている。
【０２７７】
さらに、導光板２００２が配置されていない面においては面均一でない光となる。
【０２７８】
よって、島状エレクトロルミネッセンス層をマークを形成するように並べれば、一方では面均一に光り、他方からマークが光る構成とすることができるので、実用とおしゃれを兼ね備えた装置（又は発光パネル）を提供することができる。また、面均一な光を得ることを目的とする場合は片面射出型光源としてもよい。片面射出型光源とした場合、導光板は片面射出型光源の光が射出される側に設ける。
【０２７９】
また、例えば、図３０に示すように、導光板２００２を、両面射出型光源２００１と表示パネル２００３とで挟むことにより、一方の面で表示が楽しめ、他方の面ではマークが光る装置（又は表示装置）を提供することが可能である。また、面均一な光を得ることを目的とする場合は片面射出型光源としてもよい。片面射出型光源とした場合、導光板は片面射出型光源の光が射出される側に設ける。
【０２８０】
なお、表示パネルとしては液晶表示パネル、マイクロカプセルを用いた電気泳動式表示パネル、有機エレクトロルミネッセンス表示パネル、無機エレクトロルミネッセンス表示パネル等があるがこれらに限定されない。
【０２８１】
液晶表示パネル、電気泳動式表示パネル等は光変調方式の表示パネルである。
【０２８２】
有機エレクトロルミネッセンス表示パネル、無機エレクトロルミネッセンス表示パネル等は自発光方式の表示パネルである。
【０２８３】
自発光方式の表示パネルにバックライトを設けることによって明るさを補充することができる。
【０２８４】
明るさを補充する場合としては例えば自発光方式の表示パネルが劣化して表示が暗くなった場合、明るい場所で表示が見にくい場合等がある。
【０２８５】
自発光方式の表示パネルにバックライトを設ける場合、自発光方式の表示パネルの発光領域に光が透過するように自発光方式の表示パネルの有する発光素子の有する一対の電極が透光性であることが好ましい。
【０２８６】
マークとは、例えば、タイル状（図１６等）、複数の環状（図２０、図２２、図２５〜２８等）、記号、文字、数字、幾何学的模様等があるがこれらに限定されない。
【０２８７】
一方の面をより面均一にするためには、タイル状（図１６等）、複数の環状（図２０、図２２、図２５〜２８等）等の島状エレクトロルミネッセンス層が密に並べられた構成が好ましい。
【０２８８】
なお、図２９、図３０において、非導電体層を遮光性（黒色樹脂、金属層を含む積層構造等）としておくことによって背景を隠せるので好ましい。
【０２８９】
特に、図３０の場合、マークが光る側では外光により表示が見えてしまう場合があるので、非導電体層を遮光性としておくことは有用である。
【０２９０】
なお、導光板は、樹脂板（アクリル板等）に拡散剤を混入させて光拡散させるもの、樹脂板（アクリル板等）に表面加工を施し光拡散させるもの等を用いることができるがこれらに限定されない。なお、導光板にはフィルム状のものも含まれる。なお、導光板２００２は必須の構成ではないので必要に応じて設ければ良い。
【０２９１】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０２９２】
（実施の形態１３）
複数の島状エレクトロルミネッセンス層は、複数の発光色を有していても良い。（例えば、赤色の島状エレクトロルミネッセンス層と青色の島状エレクトロルミネッセンス層と緑色の島状エレクトロルミネッセンス層を有する光源等）
【０２９３】
また、島状エレクトロルミネッセンス層は、異なる発光色を有する複数の発光層が積層された積層構造を有していても良い。（例えば、赤色の発光層と青色の発光層と緑色の発光層を有する島状エレクトロルミネッセンス層等）
【０２９４】
さらに、複数の島状エレクトロルミネッセンス層は複数の発光色を有し、且つ、島状エレクトロルミネッセンス層は異なる発光色を有する複数の発光層が積層された積層構造を有していても良い。
【０２９５】
このように発光色を異ならせることによって様々な色、様々なマーク等を表現できるので好ましい。
【０２９６】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【符号の説明】
【０２９７】
１０ 基板
２０ 第１の電極
３０ エレクトロルミネッセンス層
４０ 第２の電極
８０ ピンホール
９１ 水分
９２ 水分
１００ 第１の基板
１１０ 第２の基板
２００ 第１の電極
２００ 第１の電極
３００ 非導電体層
４０１ 島状エレクトロルミネッセンス層
４０２ 島状エレクトロルミネッセンス層
４０３ 島状エレクトロルミネッセンス層
４０４ 島状エレクトロルミネッセンス層
４０５ 島状エレクトロルミネッセンス層
４０６ 島状エレクトロルミネッセンス層
４０７ 島状エレクトロルミネッセンス層
４０８ 島状エレクトロルミネッセンス層
４０９ 島状エレクトロルミネッセンス層
４１１ 島状エレクトロルミネッセンス層
４１２ 島状エレクトロルミネッセンス層
４１３ 島状エレクトロルミネッセンス層
４２１ 島状エレクトロルミネッセンス層
４２２ 島状エレクトロルミネッセンス層
４２３ 島状エレクトロルミネッセンス層
５００ 第２の電極
５１１ 島状電極
５１２ 島状電極
５１３ 島状電極
５１４ 島状電極
５１５ 島状電極
５１６ 島状電極
５１７ 島状電極
５１８ 島状電極
５１９ 島状電極
６００ 保護膜
７０１ 第１のシール材
７０２ 第２のシール材
７０３ 第３のシール材
９０１ マスク
９０２ マスク
９０３ マスク
９０４ マスク
９０５ マスク
９０６ マスク
９０７ マスク
９０８ マスク
９０９ マスク
２００１ 両面射出型光源
２００２ 導光板
２００３ 表示パネル
８００１ 破線
８００２ 破線
８００３ 破線
８００４ 破線
８０１１ 破線
８０１２ 破線
８０２１ 破線
８０２２ 破線
８１２１ 接続部
８１２２ 接続部
８１２３ 接続部
【技術分野】
【０００１】
技術分野は、光源（照明装置）、光源を備えた装置等に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１にはエレクトロルミネッセンス素子を備えた光源（照明装置）が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１３４２８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図３３は、従来の光源（照明装置）の概念図を示したものである。
【０００５】
図３３において、基板１０上に、第１の電極２０、エレクトロルミネッセンス層３０、第２の電極４０が順次積層されている。
【０００６】
そして、第２の電極４０にピンホール８０が発生してしまった場合、ピンホール８０から水分９１、水分９２が侵入してエレクトロルミネッセンス層３０の劣化が生じてしまうことになる。
【０００７】
ここで、エレクトロルミネッセンス層３０は水分を浸透しやすい性質を有する。
【０００８】
そのため、第２の電極４０に一箇所でもピンホールが生じると、エレクトロルミネッセンス層３０を介して水分が浸透してしまうので、エレクトロルミネッセンス層３０全体が劣化してしまうことになる。
【０００９】
そして、エレクトロルミネッセンス層３０全体が劣化してしまうと光源自体が使用不能になってしまう。
【００１０】
そこで、以下に上記問題を解決する構成を開示する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
複数の島状エレクトロルミネセンス層を有する構成とする。
【００１２】
即ち、エレクトロルミネッセンス層を複数に分断する。
【００１３】
そして、複数の島状エレクトロルミネッセンス層を共通の一対の電極で挟むことによって、一の島状エレクトロルミネッセンス層に水分が浸透しても他の島状エレクトロルミネッセンス層には水分が浸透しなくなる。
【００１４】
したがって、電極の一箇所にピンホールが生じたとしても、ピンホールの生じた部分と重なる島状エレクトロルミネッセンス層のみが劣化するだけに留めることができる。
【００１５】
よって、従来のように、電極の一箇所にピンホールが生じただけで光源自体が使用不能になる事態を防止することができる。
【００１６】
但し、複数の島状エレクトロルミネッセンス層を共通の一対の電極で挟んだ場合、島状エレクトロルミネッセンス層が設けられていない箇所は一対の電極同士が接触するためショートしてしまう。
【００１７】
そこで、島状エレクトロルミネッセンス層が設けられていない箇所には、非導電体層（絶縁層又は半導体層）を設けることが好ましい。なお、複数の島状エレクトロルミネッセンス層の設けられていない領域において一対の電極の間に非導電体層が介在していればどのような構成でもよい。
【００１８】
また、島状エレクトロルミネッセンス層の端部（エッジ部）は、電界が集中しやすいため劣化が生じやすい。
【００１９】
そこで、島状エレクトロルミネッセンス層の端部（エッジ部）を非導電体層と重なる位置に設けることによって、発光に寄与する部分に電界が集中することを防止することができる。
【００２０】
つまり、非導電体層よりも上層に島状エレクトロルミネッセンス層が設けられている場合は、端部（エッジ部）を非導電体層と重なる位置に設けることによって、端部（エッジ部）が発光に寄与しない犠牲領域となる。
【００２１】
一方、非導電体層よりも下層に島状エレクトロルミネッセンス層が設けられている場合は、端部（エッジ部）を非導電体層と重なる位置に設けることによって、非導電体層が第２の電極からの電界に対する電界緩和層となる。
【００２２】
つまり、第１の電極と、前記第１の電極上に形成された複数の開口部を有する非導電体層と、前記複数の開口部において露出した前記第１の電極上に形成された複数の島状エレクトロルミネッセンス層と、前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層を覆って形成された第２の電極と、を有し、前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層の端部は、前記非導電体層上に形成されていることを特徴とする光源を提供することができる。
【００２３】
また、第１の電極と、複数の開口部を有し前記第１の電極の表面を絶縁化した非導電体層と、前記複数の開口部において露出した前記第１の電極上に形成された複数の島状エレクトロルミネッセンス層と、前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層を覆って形成された第２の電極と、を有し、前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層の端部は、前記非導電体層上に形成されていることを特徴とする光源を提供することができる。
【００２４】
また、第１の電極と、前記第１の電極上に形成された複数の島状エレクトロルミネッセンス層と、前記第１の電極上に形成された複数の開口部を有する非導電体層と、前記非導電体層上及び前記複数の開口部において露出した複数の島状エレクトロルミネッセンス層上に形成された第２の電極と、を有し、前記非導電体層は、前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層の端部を覆って形成されていることを特徴とする光源を提供することができる。
【００２５】
また、第１の電極と、前記第１の電極上に形成された複数の島状エレクトロルミネッセンス層と、前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層上に形成された複数の島状電極と、前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層と前記複数の島状電極とからなる複数の積層構造の間に埋め込まれた非導電体層と、前記複数の島状電極上及び前記非導電体層上に形成された第２の電極と、を有することを特徴とする光源を提供することができる。
【００２６】
また、前記複数の開口部の側壁はテーパー形状であると好ましい。
【００２７】
また、前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層の間と重なる位置に切り取り用の破線状の孔が設けられていると好ましい。
【００２８】
また、複数の島状エレクトロルミネッセンス層が一対の電極間に挟まれて設けられた光源と、前記光源に対向して設けられた導光板と、を有することを特徴とする装置を提供することができる。なお、前記光源は、両面射出型光源であると好ましい。
【００２９】
複数の島状エレクトロルミネッセンス層が一対の電極間に挟まれて設けられた光源と、表示パネルと、前記光源と前記表示パネルの間に挟まれて設けられた導光板と、を有することを特徴とする装置を提供することができる。なお、前記光源は、両面射出型光源であると好ましい。
【発明の効果】
【００３０】
複数の島状エレクトロルミネッセンス層を共通の一対の電極で挟むことによって、光源が劣化してしまうことを防止することができる。
【００３１】
エレクトロルミネッセンス層が設けられていない箇所に非導電体層（絶縁層又は半導体層）を設けることによって、一対の電極同士のショートを防止することができる。
【００３２】
島状エレクトロルミネッセンス層の端部（エッジ部）を非導電体層と重なる位置に設けることによって、島状エレクトロルミネッセンス層内の発光に寄与する領域が劣化することを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】光源の作製方法の一例
【図２】光源の作製方法の一例
【図３】光源の作製方法の一例
【図４】光源の作製方法の一例
【図５】光源の作製方法の一例
【図６】光源の作製方法の一例
【図７】光源の作製方法の一例
【図８】光源の作製方法の一例
【図９】光源の作製方法の一例
【図１０】光源の作製方法の一例
【図１１】光源の作製方法の一例
【図１２】光源の作製方法の一例
【図１３】光源の作製方法の一例
【図１４】光源の作製方法の一例
【図１５】光源の作製方法の一例
【図１６】光源の一例
【図１７】光源の一例
【図１８】光源の一例
【図１９】光源の一例
【図２０】光源の一例
【図２１】光源の一例
【図２２】光源の一例
【図２３】光源の一例
【図２４】光源の一例
【図２５】光源の一例
【図２６】光源の一例
【図２７】光源の一例
【図２８】光源の一例
【図２９】光源の一例
【図３０】光源を備えた表示装置の一例
【図３１】テーパー形状と逆テーパー形状の比較
【図３２】光源の切断について
【図３３】従来技術の例
【発明を実施するための形態】
【００３４】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。
【００３５】
但し、発明の趣旨から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。
【００３６】
従って、発明の範囲は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００３７】
なお、以下に説明する構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００３８】
また、以下の実施の形態は、いくつかを適宜組み合わせて実施することができる。
【００３９】
また、複数の開口部の数、複数のエレクトロルミネッセンス層の数、接続部の数等は、実施の形態及び図に記載された数に限定されない。
【００４０】
（実施の形態１）
光源の作製方法の一例を図１乃至図３を用いて説明する。
【００４１】
なお、断面図の破線Ａ−Ｂは、斜視図の破線Ａ−Ｂに対応する。
【００４２】
第１の基板１００上に、第１の電極２００を形成し、第１の電極２００上に複数の開口部を有する非導電体層３００を形成する。（図１（Ａ）、図１（Ｂ））
【００４３】
なお、非導電体層とは、絶縁層又は半導体層である。
【００４４】
また、第１の基板１００と第１の電極２００との間には絶縁膜、回路等が形成されていても良い。
【００４５】
次に、複数の開口部において露出した第１の電極２００上に島状エレクトロルミネッセンス層４０１乃至島状エレクトロルミネッセンス層４０９を形成する。（図２（Ａ）、図２（Ｂ））
【００４６】
複数の島状エレクトロルミネッセンス層は複数の開口部にそれぞれ対応した位置に設けられる。
【００４７】
次に、島状エレクトロルミネッセンス層４０１乃至島状エレクトロルミネッセンス層４０９を覆って第２の電極５００を形成する。（図３（Ａ）、図３（Ｂ））
【００４８】
次に、第２の基板を第２の電極５００側に対向させてシール材を用いて封止を行う。
【００４９】
なお、封止を行う前に、第２の電極５００を覆う保護膜を設けることが好ましい。また、封止は保護膜のみで行っても良いし、保護膜と、前記保護膜上に設けられた前記保護膜を摩擦から保護する保護フィルムと、を用いても良い。このように、第２の基板を用いず保護膜で封止をする封止方式を膜封止と呼ぶ。膜封止を行い且つ第１の基板を可撓性の基板とすることにより、光源を薄く且つ軽くできる。
【００５０】
以上のように、複数の島状エレクトロルミネッセンス層を、共通の第１の電極と共通の第２の電極との間に挟むことによって、光源の劣化を防止することができる。
【００５１】
また、複数の開口部を有する非導電体層を設け、複数の開口部にそれぞれ対応する位置に複数の島状エレクトロルミネッセンス層を配置することによって、第１の電極と第２の電極とのショートを防止することができる。
【００５２】
また、島状エレクトロルミネッセンス層の端部（エッジ部）は第２の電極に覆われるため、端部（エッジ部）は上面と側面から電圧が印加されることになるので、端部（エッジ部）には電界が集中しやすいため劣化が生じやすい。
【００５３】
そこで、端部（エッジ部）を絶縁層と重なる位置に設けることによって、端部（エッジ部）が発光に寄与しない部分になるので、発光に寄与する部分に電界が集中することを防止することができる。
【００５４】
つまり、端部（エッジ部）を絶縁層と重なる位置に設けることによって、端部（エッジ部）が犠牲領域となる。
【００５５】
即ち、エレクトロルミネッセンス層の端部（エッジ部）を発光に寄与しない犠牲領域とすることによって、発光に寄与する部分に電界が集中することを防止することができるため、発光に寄与する部分の劣化を防止することができる。
【００５６】
よって、図２、図３のように、島状エレクトロルミネッセンス層の周辺端部（全ての端部）を非導電体層と重なる位置に設けることが好ましい。
【００５７】
つまり、非導電体層の開口部の面積よりも島状エレクトロルミネッセンス層の面積が大きいこと（島状エレクトロルミネッセンス層が開口部よりも一回り大きいこと）は好ましい。
【００５８】
なお、開口部の面積よりも島状エレクトロルミネッセンス層の面積が大きいことにより、島状エレクトロルミネッセンス層を形成する位置が少しずれてしまっても第１の電極が露出しないという効果も生ずることになる。
【００５９】
よって、非導電体層の開口部の面積よりも、島状エレクトロルミネッセンス層の面積が大きい方が好ましい。
【００６０】
また、非導電体層３００に設けられた開口部の側壁をテーパー形状とすることによって、複数の島状エレクトロルミネッセンス層の段切れを防止することができるので好ましい。
【００６１】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【００６２】
（実施の形態２）
本実施の形態では、材料並びに作製方法について説明する。
【００６３】
第１の基板及び第２の基板は、透光性を有する基板、遮光性を有する基板等を用いることができる。
【００６４】
透光性を有する基板は、ガラス基板、石英基板、透光性を有するプラスチック基板等がある。
【００６５】
遮光性を有する基板は、遮光性を有するプラスチック基板、金属基板（ステンレス、アルミニウム等）、半導体基板（シリコンウェハ等）、紙基板等がある。
【００６６】
なお、光源は光を取り出す必要があるため、少なくとも第１の基板又は第２の基板の一方は透光性を有する。
【００６７】
もちろん、第１の基板及び第２の基板の双方が透光性を有していても良い。
【００６８】
なお、プラスチック基板、金属基板、紙基板等は、厚さを薄くすることにより可撓性を持たせることが容易である。
【００６９】
そして、第１の基板及び第２の基板の双方を可撓性を有する基板とすることによって、可撓性を有する光源を提供することができる。
【００７０】
可撓性を有する光源は柔軟性を有するので割れにくく好ましい。
【００７１】
また、可撓性を有する基板を用いることにより、ハサミ、カッター等での切断が容易になるため、好みの形状に成型可能な光源を提供することもできる。
【００７２】
第１の電極及び第２の電極は、金属、酸化物導電体等を用いることができるがこれらに限定されない。
【００７３】
例えば、第１の電極及び第２の電極として、金属窒化物、金属酸化物、金属合金であって、導電性を有するものを用いても良い。
【００７４】
第１の電極及び第２の電極は、単層構造であっても積層構造であってもよい。
【００７５】
金属としては、タングステン、チタン、アルミニウム、モリブデン、金、銀、銅、白金、パラジウム、イリジウム、アルカリ金属、アルカリ土類金属等があるがこれらに限定されない。
【００７６】
酸化物導電体としては、インジウム錫酸化物、酸化亜鉛、インジウムを含む酸化亜鉛、インジウム及びガリウムを含む酸化亜鉛等があるがこれらに限定されない。
【００７７】
なお、仕事関数の低いもの（アルカリ金属、アルカリ土類金属、マグネシウム銀合金、アルミリチウム合金、マグネシウムリチウム合金等）を陰極に適用すると好適である。
【００７８】
また、仕事関数の高いもの（酸化物導電体等）を陽極に適用すると好適である。
【００７９】
なお、光源は光を取り出す必要があるため、少なくとも第１の電極又は第２の電極の一方は透光性を有する。
【００８０】
さらに、第１の電極及び第２の電極の双方が透光性を有しており、且つ、第１の基板及び第２の基板の双方が透光性を有していると、両面から光を取り出せる光源（両面射出型の光源）とすることができる。
【００８１】
なお、酸化物導電体は透光性を有する。
【００８２】
また、金属、金属窒化物、金属酸化物、金属合金であっても、膜厚が薄ければ透光性とすることができる。（膜厚は５０ｎｍ以下が好ましい。）
【００８３】
金属、金属窒化物、金属酸化物、金属合金等を透光性とするために膜厚を薄くすると、電極の抵抗値が上がってしまう。
【００８４】
そこで、エレクトロルミネッセンス層と接する面を金属、金属窒化物、金属酸化物、金属合金等としておき、エレクトロルミネッセンス層と接しない面を酸化物導電体とすることにより電極の抵抗値を下げることができる。
【００８５】
特に、エレクトロルミネッセンス層と接する面に仕事関数の低い材料を使用する場合は、仕事関数及び抵抗値の両方を好適なものにすることができるので好ましい。
【００８６】
非導電体層は、絶縁層又は半導体層である。
【００８７】
絶縁層としては、有機物絶縁層又は無機物絶縁層を用いることができる。
【００８８】
有機物絶縁層としては、レジスト、アクリル、ポリイミド等を用いることができるがこれらに限定されない。
【００８９】
無機物絶縁層としては、ダイヤモンドライクカーボン、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化珪素、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム等を用いることができるがこれらに限定されない
【００９０】
半導体層としては、シリコン、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウム、酸化物半導体等を用いることができるがこれらに限定されない。
【００９１】
酸化物半導体としては例えばＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物（インジウムとガリウムと亜鉛と酸素とを主成分とする）、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物（インジウムと錫と亜鉛と酸素とを主成分とする）、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物（インジウムとアルミニウムと亜鉛と酸素とを主成分とする）、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物（錫とガリウムと亜鉛と酸素とを主成分とする）、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物（アルミニウムとガリウムと亜鉛と酸素とを主成分とする）、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物（錫とアルミニウムと亜鉛と酸素とを主成分とする）、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物（インジウムと亜鉛と酸素とを主成分とする）、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物（錫と亜鉛と酸素とを主成分とする）、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物（アルミニウムと亜鉛と酸素とを主成分とする）、Ｉｎ−Ｏ系酸化物（インジウム酸化物（酸化インジウム））、Ｓｎ−Ｏ系酸化物（錫酸化物（酸化錫））、Ｚｎ−Ｏ系酸化物（亜鉛酸化物（酸化亜鉛））等の酸化物半導体を用いることができるがこれらに限定されない。
【００９２】
酸化物半導体は有機物絶縁層、無機物絶縁層、シリコン、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウム等よりも高い透光性を有する。したがって、非導電体層として酸化物半導体を用いることによって光取り出し効率を向上させることができる。
【００９３】
なお、酸化物半導体にキャリア（水素又は酸素欠損等）が多く含有されていると導電性を示す場合があるので、キャリア密度を低くすることが好ましい。
【００９４】
キャリア密度は１×１０１９ｃｍ−３以下（より好ましくは１×１０１６ｃｍ−３以下、更に好ましくは１×１０１４ｃｍ−３以下、更に好ましくは１×１０１２ｃｍ−３以下）が好ましい。
【００９５】
非導電体層は抵抗が高い方が好ましいので、非晶質半導体層が好ましいがこれに限定されない。
【００９６】
非導電体層は抵抗が高い方が好ましいので、導電型を付与する不純物を意図的に添加していない形態が好ましいがこれに限定されない。
【００９７】
また、非導電体層は単層でも積層でも良い。
【００９８】
特に、非導電体層を金属層を一対の絶縁層で挟んだ積層構造とすることが好ましい。
【００９９】
金属は熱導電性が良いので放熱材料の役割を果たす。
【０１００】
エレクトロルミネッセンス層は熱に弱いので放熱材料を設けることによって、エレクトロルミネッセンス層の劣化を防止することができる。
【０１０１】
非導電体層を金属層を一対の絶縁層で挟んだ積層構造とすることによって、エレクトロルミネッセンス層から電極に伝わった熱が絶縁層を介して金属に伝わり放熱することが可能である。
【０１０２】
なお、金属層を一対の非導電体層で挟んだ積層構造において、金属層はフローティング状態となるのでショートの問題は起こらない。
【０１０３】
よって、一対の絶縁層と金属層とに同時に開口部を形成することによって、金属層の側壁が島状エレクトロルミネッセンス層の一部に接する状態とすると直接的に放熱ができるので好ましい。
【０１０４】
一対の絶縁層の開口部よりも金属層の開口部を大きくすることによって、金属層の側壁が島状エレクトロルミネッセンス層とが接しない状態とすることも可能である。
【０１０５】
さらに、一対の非導電体層を放熱性絶縁層と知られる窒化珪素、ダイヤモンドライクカーボン、窒化酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等にすることによって、放熱効果を上昇させることができる。
【０１０６】
特に、窒化酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等が好ましい。
【０１０７】
なお、放熱性絶縁層を単層で使用しても同様の効果が得られる。
【０１０８】
但し、窒化アルミニウムの熱伝導率が１７０〜１８０Ｗ／ｍ・Ｋ、銀の熱伝導率が４２０Ｗ／ｍ・Ｋ、銅の熱伝導率が３９８Ｗ／ｍ・Ｋ、金の熱伝導率が３２０Ｗ／ｍ・Ｋ、アルミニウムの熱伝導率が２３６Ｗ／ｍ・Ｋであることを考慮すると、金属層を一対の絶縁層で挟んだ積層構造とした方が好ましいといえる。
【０１０９】
金属層は、金、銀、銅、白金、アルミニウム、モリブデン、タングステン、合金等の金属類であればどのようなものを用いても良い。
【０１１０】
金、銀、銅、アルミニウム等は特に熱伝導率が高いので好ましい。
【０１１１】
なお、シリコンの熱伝導率は１６８Ｗ／ｍ・Ｋであるので、シリコンも放熱材として好ましいといえる。（参考までに絶縁体の熱伝導率は一般的に１０Ｗ／ｍ・Ｋ以下のものが多い。）
【０１１２】
したがって、一対のシリコン層で金属層を挟んだ構造とすることも好ましい。
【０１１３】
なお、一対の非導電体層は異なる材料の組み合わせでも良い。
【０１１４】
要するに、第１の非導電体層と第２の非導電体層との間に、前記第１の非導電体層の熱導電率及び前記第２の非導電体層の熱導電率よりも高い熱導電率を有する層を挟めば良いということである。
【０１１５】
よって、一対の絶縁層の間に絶縁層を挟んでも良いし、一対の絶縁層の間に半導体層を挟んでも良い。
【０１１６】
なお、ダイヤモンドライクカーボン膜の熱伝導率は４００〜１８００Ｗ／ｍ・Ｋ（成膜方法により変動する）である。
【０１１７】
また、第１の電極と第２の電極とを透光性とすることにより両面射出型の光源を作製する場合、一対の非導電体層の間に金属層を挟んだ積層構造とすることによって背景を隠すことができる。
【０１１８】
例えば、壁に両面射出型の光源を設けることにより２つの部屋を照らす場合、背景が見えると隣の部屋がのぞかれるので、隣の部屋をのぞかれたくない場合等に背景を隠すことは有効である。
【０１１９】
なお、単に背景を隠すだけの場合は、非導電体層を黒色樹脂等の遮光性を有する材料とすれば良い。
【０１２０】
さらに、両面射出型の光源の場合、反射電極を用いないため反射光の利用が出来なかったが、一対の非導電体層の間に金属層を挟んだ積層構造とすることによって、金属層が四方八方に放射されるエレクトロルミネッセンス光の一部を反射するので、反射光を利用することができる。
【０１２１】
もちろん、片面射出型の光源でも一対の非導電体層の間に金属層を挟んだ積層構造とすることにより反射効率の上昇が可能である。
【０１２２】
エレクトロルミネッセンス層は、発光層を有する発光ユニットを有している。発光層として、例えば、有機化合物を含む発光層がある。
【０１２３】
発光ユニットは、発光層の他に電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層等を有していても良い。
【０１２４】
発光ユニットは、電圧を印加することにより発光するものであれば限定されない。
【０１２５】
したがって、発光ユニットとして無機エレクトロルミネッセンス材料を用いても良い。
【０１２６】
また、複数の発光ユニットと、複数の発光ユニットを仕切る電荷発生層と、を有するエレクトロルミネッセンス層とすることによって、エレクトロルミネッセンス層の輝度を向上させることができる。
【０１２７】
電荷発生層としては、金属、酸化物導電体、金属酸化物と有機化合物との積層構造、金属酸化物と有機化合物との混合物等を用いることができる。
【０１２８】
電荷発生層として、金属酸化物と有機化合物との積層構造、金属酸化物と有機化合物との混合物等を用いると、電圧印加時において、陰極方向にホールを注入し、陽極方向に電子を注入することができるので好適である。
【０１２９】
電荷発生層に用いると好適な金属酸化物は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウム等の遷移金属酸化物である。
【０１３０】
そして、電荷発生層に用いる有機化合物として、アミン系化合物（特に、アリールアミン化合物）、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、Ａｌｑ等を用いると遷移金属酸化物と電荷移動錯体を形成するので好ましい。
【０１３１】
シール材は、熱硬化型のエポキシ樹脂、光硬化型のエポキシ樹脂等を用いることができるがこれらに限定されない。シール材は単なる接着剤でも良い。
【０１３２】
保護膜は、ダイヤモンドライクカーボン、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化珪素、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム等の無機化合物を用いると水分をブロックできるので好ましいがこれらに限定されない。また、保護膜は積層構造でも良い。
【０１３３】
なお、絶縁膜、エレクトロルミネッセンス層、第１の電極、第２の電極等を所望の形状に加工する方法は、フォトリソグラフィを用いた方法、メタルマスクを用いた方法等を用いれば良い。また、インクジェット法等を用いて直接的にパターン（複数の島状エレクトロルミネッセンス層）を形成しても良い。
【０１３４】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０１３５】
（実施の形態３）
テーパー形状について図３１を用いて説明する。
【０１３６】
図３１において、第１の基板１００上に第１の電極２００が形成されており、第１の電極２００上に開口部を有する非導電体層３００が設けられている。
【０１３７】
ここで、開口部の側壁をテーパー形状とするとは、断面形状において、開口部内の切り立った部分が下向きに広がっていく形状である。（図３１（Ａ））
【０１３８】
一方、開口部の側壁を逆テーパー形状とするとは、断面形状において、開口部内の切り立った部分が上向きに広がっていく形状である。（図３１（Ｂ））
【０１３９】
また、開口部の側壁を非テーパー形状とするとは、断面形状において、開口部内の切り立った部分と第１の電極表面との角度が直角となるようにすることである。
【０１４０】
そして、逆テーパー形状及び非テーパー形状と比較すると、テーパー形状の方が複数の島状エレクトロルミネッセンス層（又は第２の電極）の段切れを防止できる点で優れている。
【０１４１】
なお、テーパー形状は直線だけに限定されず曲線でも良い。（図３１（Ｃ）、図３１（Ｄ））
【０１４２】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０１４３】
（実施の形態４）
光源の作製方法の一例を図４乃至図８を用いて説明する。
【０１４４】
なお、断面図の破線Ａ−Ｂは、斜視図の破線Ａ−Ｂに対応する。
【０１４５】
第１の基板１００上に、第１の電極２００を形成する。（図４（Ａ）、図４（Ｂ））
【０１４６】
第１の基板１００と第１の電極２００との間には絶縁膜、回路等が形成されていても良い。
【０１４７】
次に、第１の電極２００上にマスク９０１乃至マスク９０９を形成する。（図５（Ａ）、図５（Ｂ））
【０１４８】
マスクは、有機物からなるマスク、無機物からなるマスク等を用いることができる。
【０１４９】
有機物からなるマスクは、レジスト、アクリル、ポリイミド、有機エレクトロルミネッセンス層に用いる材料等を用いることができる。
【０１５０】
無機物からなるマスクは、酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。
【０１５１】
なお、マスク９０１乃至マスク９０９を所望の形状に加工する方法は、メタルマスクを用いた成膜方法、フォトマスクを用いたフォトリソグラフィ法等を用いることができる。
【０１５２】
次に、露出している第１の電極２００の表面を絶縁化して非導電体層３００を形成した後、マスク９０１〜９０９を除去する。（図６（Ａ）、図６（Ｂ）、図６（Ｃ））
【０１５３】
絶縁化とは、酸化、窒化等である。
【０１５４】
なお、第１の電極は少なくとも表面が金属であれば単層でも積層でも良い。
【０１５５】
酸化は、オゾン表面処理（オゾン水処理、オゾン雰囲気処理）、酸素雰囲気での加熱処理、酸素プラズマ処理、水蒸気雰囲気での加熱処理、水プラズマ処理等により行うことができる。
【０１５６】
窒化は、窒素雰囲気での加熱処理、窒素プラズマ処理等により行うことができる。
【０１５７】
なお、有機物からなるマスクを用いた場合、オゾン表面処理、酸素プラズマ処理、水プラズマ処理を行うとマスク９０１〜９０９の端部も同時に除去されてしまうので、マスク９０１〜９０９が小さくなる。（図６（Ｂ））
【０１５８】
したがって、第１の電極の絶縁化されない領域（複数の開口部、複数の露出部）の面積も小さくなる。
【０１５９】
そこで、マスク９０１〜９０９を形成するために使用したメタルマスク又はフォトマスクを、島状エレクトロルミネッセンス層を形成するために再度使用することによって、島状エレクトロルミネッセンス層の周辺端部（全ての端部）を絶縁された領域と重なる位置に設けることができる。
【０１６０】
このように、メタルマスク又はフォトマスクを別の工程で再利用すると、メタルマスク又はフォトマスクを削減できるのでコスト低減につながり好ましい。
【０１６１】
もちろん、マスクを形成するために使用するメタルマスク又はフォトマスクと、島状エレクトロルミネッセンス層を形成するために使用するメタルマスク又はフォトマスクと、を別のものにしても良い。
【０１６２】
次に、露出した第１の電極上に島状エレクトロルミネッセンス層４０１乃至島状エレクトロルミネッセンス層４０９を形成する。（図７（Ａ）、図７（Ｂ））
【０１６３】
複数の島状エレクトロルミネッセンス層は複数の開口部（複数の露出部）にそれぞれ対応した位置に設けられる。
【０１６４】
次に、島状エレクトロルミネッセンス層４０１乃至島状エレクトロルミネッセンス層４０９を覆って第２の電極５００を形成する。（図８（Ａ）、図８（Ｂ））
【０１６５】
次に、第２の基板を第２の電極５００側に対向させてシール材を用いて封止を行う。
【０１６６】
なお、封止を行う前に、第２の電極５００を覆う保護膜を設けることが好ましい。
【０１６７】
本実施の形態においても、第１の電極と第２の電極とのショートを防止できる。
【０１６８】
さらに、島状エレクトロルミネッセンス層の端部（エッジ部）を第１の電極を絶縁化した表面に設けると好ましい。
【０１６９】
よって、図７、図８のように、島状エレクトロルミネッセンス層の周辺端部（全ての端部）を絶縁化した表面と重なる位置に設けることが好ましい。
【０１７０】
また、本実施の形態では、第２の電極表面と絶縁化表面とが平坦になるので、エレクトロルミネッセンス層が段差で段切れすることがなくなるので好ましい。
【０１７１】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０１７２】
（実施の形態５）
光源の作製方法の一例を図９乃至図１１を用いて説明する。
【０１７３】
なお、断面図の破線Ａ−Ｂは、斜視図の破線Ａ−Ｂに対応する。
【０１７４】
第１の基板１００上に、第１の電極２００を形成し、第１の電極２００上に島状エレクトロルミネッセンス層４０１乃至島状エレクトロルミネッセンス層４０９を形成する。（図９（Ａ）、図９（Ｂ））
【０１７５】
第１の基板１００と第１の電極２００との間には絶縁膜、回路等が形成されていても良い。
【０１７６】
次に、島状エレクトロルミネッセンス層４０１乃至島状エレクトロルミネッセンス層４０９を覆い、且つ、島状エレクトロルミネッセンス層４０１乃至島状エレクトロルミネッセンス層４０９にそれぞれ対応する位置に複数の開口部を有する非導電体層３００を形成する。（図１０（Ａ）、図１０（Ｂ））
【０１７７】
次に、非導電体層３００及び複数の開口部において露出した島状エレクトロルミネッセンス層４０１乃至島状エレクトロルミネッセンス層４０９上に第２の電極５００を形成する。（図１１（Ａ）、図１１（Ｂ））
【０１７８】
次に、第２の基板を第２の電極５００側に対向させてシール材を用いて封止を行う。
【０１７９】
なお、封止を行う前に、第２の電極５００を覆う保護膜を設けることが好ましい。
【０１８０】
本実施の形態においても、第１の電極と第２の電極とのショートを防止できる。
【０１８１】
また、島状エレクトロルミネッセンス層が第１の電極上の平坦な面に形成されるので、島状エレクトロルミネッセンス層の段切れを防止することができる。
【０１８２】
さらに、島状エレクトロルミネッセンス層の端部（エッジ部）を非導電体層に設けることによって、端部（エッジ部）を非導電体層で保護することができる。
【０１８３】
即ち、端部（エッジ部）を非導電体層で覆うことにより、端部（エッジ部）に印加される電界を緩和することができる。
【０１８４】
よって、図１０、図１１のように、島状エレクトロルミネッセンス層の周辺端部（全ての端部）を非導電体層と重なる位置に設けることが好ましい。
【０１８５】
また、非導電体層３００に設けられた開口部の側壁をテーパー形状とすることによって、第２の電極の段切れを防止することができるので好ましい。
【０１８６】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０１８７】
（実施の形態６）
光源の作製方法の一例を図１２乃至図１５を用いて説明する。
【０１８８】
なお、断面図の破線Ａ−Ｂは、斜視図の破線Ａ−Ｂに対応する。
【０１８９】
第１の基板１００上に、第１の電極２００を形成し、第１の電極上に島状エレクトロルミネッセンス層４０１乃至島状エレクトロルミネッセンス層４０９を形成する。（図１２（Ａ）、図１２（Ｂ））
【０１９０】
第１の基板１００と第１の電極２００との間には絶縁膜、回路等が形成されていても良い。
【０１９１】
次に、島状エレクトロルミネッセンス層４０１乃至島状エレクトロルミネッセンス層４０９上に島状電極５１１乃至島状電極５１９を形成する。（図１３（Ａ）、図１３（Ｂ））
【０１９２】
島状電極の材料は第１の電極及び第２の電極と同様の材料を用いることができる。
【０１９３】
複数の島状電極は複数の島状エレクトロルミネッセンス層にそれぞれ対応した位置に設けられる。
【０１９４】
なお、エレクトロルミネッセンス層を形成し、前記エレクトロルミネッセンス層上に複数の島状電極を形成し、前記複数の島状電極をマスクとして用いて前記エレクトロルミネッセンス層をエッチングすることにより複数の島状エレクトロルミネッセンス層を形成する第１の方法を用いても良い。
【０１９５】
また、エレクトロルミネッセンス層を形成し、前記エレクトロルミネッセンス層上に導電膜を形成し、前記導電膜上に複数のマスク（複数のレジストマスク等）を形成し、前記複数のマスクを用いて前記導電膜をエッチングして複数の島状電極を形成するとともに前記エレクトロルミネッセンス層をエッチングして複数のエレクトロルミネッセンス層を形成する第２の方法を用いても良い。
【０１９６】
第１の方法又は第２の方法を用いることによって、複数の島状エレクトロルミネッセンス層及び複数の島状電極の形成工程を簡略化できる。
【０１９７】
次に、複数の島状電極を覆う非導電体膜を形成した後、非導電体膜をエッチバック又は研磨（機械研磨、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）等）することにより、複数の島状エレクトロルミネッセンス層と複数の島状電極と積層構造の間に埋め込まれた非導電体層３００を形成する。（図１４（Ａ）、図１４（Ｂ））
【０１９８】
次に、島状電極５１１乃至島状電極５１９上及び非導電体層３００上に第２の電極５００を形成する。（図１５（Ａ）、図１５（Ｂ））
【０１９９】
次に、第２の基板を第２の電極５００側に対向させてシール材を用いて封止を行う。
【０２００】
なお、封止を行う前に、第２の電極５００を覆う保護膜を設けることが好ましい。
【０２０１】
本実施の形態においても、第１の電極と第２の電極とのショートを防止できる。
【０２０２】
また、島状エレクトロルミネッセンス層が第１の電極上の平坦な面に形成されるので、島状エレクトロルミネッセンス層の段切れを防止することができる。
【０２０３】
さらに、非導電体層３００を埋め込んであるので第２の電極の段切れを防止することができる。
【０２０４】
また、非導電体層を埋め込む際に、複数の島状電極が存在することによって、複数の島状電極がバリアとなり、複数の島状エレクトロルミネッセンス層の上部がエッチングされてしまうことを防止することができる。
【０２０５】
さらに、島状電極の抵抗率を第２の電極の抵抗率よりも低くすれば、島状電極を補助電極として機能させることができる。（補助電極（１））
【０２０６】
逆に、第２の電極の抵抗率を島状電極の抵抗率よりも低くすれば、第２の電極を補助電極として機能させることができる。（補助電極（２））
【０２０７】
補助電極（１）と補助電極（２）を比較すると、補助電極（１）より補助電極（２）の方が好ましい。なぜなら、第２の電極の面積は複数の島状電極の面積の総和よりも大きいので、補助電極（１）よりも補助電極（２）の方が上部電極（島状電極と第２の電極の積層体）の抵抗値を下げることができるからである。
【０２０８】
なお、島状電極又は第２の電極を補助電極とすることを主たる目的とするのであれば、島状電極の端部（エッジ部）を非導電体層で覆っても良い。
【０２０９】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０２１０】
（実施の形態７）
島状エレクトロルミネッセンス層４０１乃至島状エレクトロルミネッセンス層４０９の形状は、図１６に示すような四角形以外に、三角形、多角形、円形、楕円形、ドーナツ形、星形、ハート形等さまざまな形状とすることができる。
【０２１１】
ドーナツ形、星形、ハート形等にするとファッショナブルで魅力的な光源となるので美しい。
【０２１２】
また、複数の島状エレクトロルミネッセンス層の形状を全て同一とする必要はない。
【０２１３】
複数の島状エレクトロルミネッセンス層が異なる形状を含んでいても、人間の美感に訴える光源となるので美しい。
【０２１４】
また、美感に訴えるために、複数の島状エレクトロルミネッセンス層が異なる色を含むようにしても美しい。
【０２１５】
以上のように、島状エレクトロルミネッセンス層の形状又は色を工夫することによって人間の美感に訴える光源を提供することができる。
【０２１６】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０２１７】
（実施の形態８）
光源の電源供給構造について説明する。
【０２１８】
図１７は電源供給構造の一例である。
【０２１９】
図１７（Ａ）の破線Ａ−Ｂ−Ｃが、図１７（Ｂ）の破線Ａ−Ｂ−Ｃに対応する。
【０２２０】
島状エレクトロルミネッセンス層が形成された発光領域において、発光領域の周囲に配置された第２のシール材７０２と第２の基板１１０とに囲まれた領域に第１のシール材７０１が充填されている。
【０２２１】
なお、保護膜６００も設けられている。
【０２２２】
一方、接続部において、非導電体層３００の一部に開口部が設けられており、開口部において第１の電極２００が露出している。
【０２２３】
また、接続部において、第２の電極５００が延在して設けられている。
【０２２４】
このように、接続部において、第１の電極及び第２の電極を露出させることによって電源の供給が可能となる。
【０２２５】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
（実施の形態９）
光源の電源供給構造について説明する。
【０２２６】
図１８及び図１９は電源供給構造の一例である。
【０２２７】
図１８（Ａ）の破線Ａ−Ｂ−Ｃが、図１８（Ｂ）の破線Ａ−Ｂ−Ｃに対応する。
【０２２８】
図１９（Ａ）の破線Ａ−Ｂ−Ｃが、図１９（Ｂ）の破線Ａ−Ｂ−Ｃに対応する。
【０２２９】
図１８では、接続部が発光領域に囲まれて配置されている。
【０２３０】
そのため、図１８において、第２の基板１１０には開口部が設けられている。
【０２３１】
そして、接続部では、第１の電極及び第２の電極が露出した構造となっている。
【０２３２】
また、図１９では複数の接続部が発光領域に囲まれて配置されている。
【０２３３】
そのため、図１９において、第２の基板１１０には複数の開口部が設けられている。
【０２３４】
また、図１８及び図１９において、島状エレクトロルミネッセンス層が形成された発光領域において、発光領域の周囲に配置された第２のシール材７０２と第３のシール材７０３と第２の基板１１０とに囲まれた領域に第１のシール材７０１が充填されている。
【０２３５】
なお、保護膜６００も設けられている。
【０２３６】
接続部が発光領域に囲まれて配置されていることによって、第１の基板１００の面積を小さくできる。
【０２３７】
さらに、図１９のように島状エレクトロルミネッセンス層の間に接続部を設けることによって、発光領域の面積を広くすることができる。
【０２３８】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０２３９】
（実施の形態１０）
図２０〜図２３に示すように、島状エレクトロルミネッセンス層を環状（円環状、多角環状等）にしても良い。
【０２４０】
図２０は、島状エレクトロルミネッセンス層４１１乃至島状エレクトロルミネッセンス層４１３を円環状にしたものである。
【０２４１】
図２１は、島状エレクトロルミネッセンス層４１１乃至島状エレクトロルミネッセンス層４１３を円環状にしたときの接続部の構成を示したものである。
【０２４２】
なお、図２１（Ａ）の破線Ａ−Ｂが、図２１（Ｂ）の破線Ａ−Ｂに対応する。
【０２４３】
図２２は、島状エレクトロルミネッセンス層４２１乃至島状エレクトロルミネッセンス層４２３を多角環状にしたものである。
【０２４４】
図２３は、島状エレクトロルミネッセンス層４２１乃至島状エレクトロルミネッセンス層４２３を多角環状にしたときの接続部の構成を示したものである。
【０２４５】
なお、図２３（Ａ）の破線Ａ−Ｂが、図２３（Ｂ）の破線Ａ−Ｂに対応する。
【０２４６】
以上のように、接続部を複数の環の中心部に設けると発光領域及び接続部の面積を大きくできるので好ましい。
【０２４７】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０２４８】
（実施の形態１１）
複数の島状エレクトロルミネッセンス層を形成することによって、光源を自由な形状に成型することが可能となる。
【０２４９】
即ち、従来の光源ではエレクトロルミネッセンス層が全面に形成されていたため、光源を切断すると、エレクトロルミネッセンス層の側面が露出してしまう。
【０２５０】
側面が露出するとエレクトロルミネッセンス層全体が劣化してしまい光源として機能しなくなっていた。
【０２５１】
ところが、複数の島状エレクトロルミネッセンス層を形成することにより上記問題を解決することができる。
【０２５２】
図３２（Ａ）は切断前の光源である。
【０２５３】
図３２（Ｂ）は切断後の光源である。
【０２５４】
図３２において、白い島状部分が側面が露出していない島状エレクトロルミネッセンス層、黒い島状部分が側面が露出した島状エレクトロルミネッセンス層、破線部分が切断箇所である。
【０２５５】
図３２から明らかなように、切断箇所と重なる位置に形成された島状エレクトロルミネッセンス層は側面が露出して発光しなくなるが、切断箇所と重ならない島状エレクトロルミネッセンス層は側面が露出していないので発光が維持される。
【０２５６】
したがって、自由な形状に成型可能な光源を提供することができる。
【０２５７】
なお、第１の基板又は第２の基板がガラス基板、石英基板等のように硬い場合はレーザーカット、ダイシング装置等でカットすれば良い。
【０２５８】
一方、可撓性の光源のように基板自体が柔らかい場合は、ハサミ、カッター等の簡易的な切断道具で切断が可能であるので、誰でも簡単に成型できるため家庭、学校等で楽しむことができる。
【０２５９】
切断を行う場合は非導電体層として無機物絶縁層、半導体層を用いると水分浸透防止の観点から好ましい。
【０２６０】
なお、切断を行うときは接続部が残るように切断を行うことが好ましい。
【０２６１】
一方、図１８のように接続部が発光領域に囲まれて配置されていると、接続部を残して切断を行えば良いので、切断後の形状が制約されない。
【０２６２】
また、図１９のように複数の接続部を設けておく構成は接続部の位置を気にせずに切断ができるので非常に好ましい。
【０２６３】
さらに、接続部が一つしかないと接続部が残っていない切れ端はゴミになるが、複数の接続部があれば切れ端も発光させることができるので光源として再利用することができる。
【０２６４】
また、図２４〜図２８に示すように、切り取り用の破線状の孔（ミシン目）を設けておくことによって、切断道具を使用しなくとも切断ができるので家庭、学校等で簡便に切断ができる。
【０２６５】
切り取り用の破線状の孔（ミシン目）はレーザーカット等で精密に形成しておくと好ましい。
【０２６６】
また、切り取り用の破線状の孔（ミシン目）は第１及び第２の基板、シール材、第１及び第２の電極、非導電体層、保護膜等を全て貫いて形成される。
【０２６７】
図２４において、破線８００１乃至破線８００４が切り取り用の破線状の孔（ミシン目）であり、島状エレクトロルミネッセンス層及び接続部が形成されていない位置に形成されている。一つの島状エレクトロルミネッセンス層に対して一つの接続部を設けておく方が好ましい。
【０２６８】
図２５において、破線８０１１及び破線８０１２が切り取り用の破線状の孔（ミシン目）であり、島状エレクトロルミネッセンス層及び接続部が形成されていない位置に形成されている。このように環状の間に切り取り用の破線状の孔（ミシン目）を形成しておくことによって、所望の大きさに事後的に調整できる。
【０２６９】
図２６は図２５の変形例であり、環状の一部に切り欠き部を形成し、切り欠き部に接続部８１２１乃至接続部８１２３を設けている。図２６の構成により、切断をしたとしても全ての円環を発光させることができる。
【０２７０】
図２７において、破線８０２１及び破線８０２２が切り取り用の破線状の孔（ミシン目）であり、島状エレクトロルミネッセンス層及び接続部が形成されていない位置に形成されている。このように環状の間に切り取り用の破線状の孔（ミシン目）を形成しておくことによって、所望の大きさに事後的に調整できる。
【０２７１】
図２８は図２７の変形例であり、環状の一部に切り欠き部を形成し、切り欠き部に接続部８１２１乃至接続部８１２３を設けている。図２８の構成により、切断をしたとしても全ての円環を発光させることができる。
【０２７２】
切り取り用の破線状の孔（ミシン目）を、島状エレクトロルミネッセンス層が形成されていない位置に形成されているので、島状エレクトロルミネッセンス層の側面が切断前及び切断後の双方で露出することがないため、光源の劣化を防止することができる。
【０２７３】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０２７４】
（実施の形態１２）
図２９は、両面射出型光源２００１に対向して導光板２００２を配置した装置である。
【０２７５】
両面射出型光源２００１はエレクトロルミネッセンス層を島状に分割したので面均一な光ではない。
【０２７６】
そこで、導光板２００２を設けることによって面均一な光としている。
【０２７７】
さらに、導光板２００２が配置されていない面においては面均一でない光となる。
【０２７８】
よって、島状エレクトロルミネッセンス層をマークを形成するように並べれば、一方では面均一に光り、他方からマークが光る構成とすることができるので、実用とおしゃれを兼ね備えた装置（又は発光パネル）を提供することができる。また、面均一な光を得ることを目的とする場合は片面射出型光源としてもよい。片面射出型光源とした場合、導光板は片面射出型光源の光が射出される側に設ける。
【０２７９】
また、例えば、図３０に示すように、導光板２００２を、両面射出型光源２００１と表示パネル２００３とで挟むことにより、一方の面で表示が楽しめ、他方の面ではマークが光る装置（又は表示装置）を提供することが可能である。また、面均一な光を得ることを目的とする場合は片面射出型光源としてもよい。片面射出型光源とした場合、導光板は片面射出型光源の光が射出される側に設ける。
【０２８０】
なお、表示パネルとしては液晶表示パネル、マイクロカプセルを用いた電気泳動式表示パネル、有機エレクトロルミネッセンス表示パネル、無機エレクトロルミネッセンス表示パネル等があるがこれらに限定されない。
【０２８１】
液晶表示パネル、電気泳動式表示パネル等は光変調方式の表示パネルである。
【０２８２】
有機エレクトロルミネッセンス表示パネル、無機エレクトロルミネッセンス表示パネル等は自発光方式の表示パネルである。
【０２８３】
自発光方式の表示パネルにバックライトを設けることによって明るさを補充することができる。
【０２８４】
明るさを補充する場合としては例えば自発光方式の表示パネルが劣化して表示が暗くなった場合、明るい場所で表示が見にくい場合等がある。
【０２８５】
自発光方式の表示パネルにバックライトを設ける場合、自発光方式の表示パネルの発光領域に光が透過するように自発光方式の表示パネルの有する発光素子の有する一対の電極が透光性であることが好ましい。
【０２８６】
マークとは、例えば、タイル状（図１６等）、複数の環状（図２０、図２２、図２５〜２８等）、記号、文字、数字、幾何学的模様等があるがこれらに限定されない。
【０２８７】
一方の面をより面均一にするためには、タイル状（図１６等）、複数の環状（図２０、図２２、図２５〜２８等）等の島状エレクトロルミネッセンス層が密に並べられた構成が好ましい。
【０２８８】
なお、図２９、図３０において、非導電体層を遮光性（黒色樹脂、金属層を含む積層構造等）としておくことによって背景を隠せるので好ましい。
【０２８９】
特に、図３０の場合、マークが光る側では外光により表示が見えてしまう場合があるので、非導電体層を遮光性としておくことは有用である。
【０２９０】
なお、導光板は、樹脂板（アクリル板等）に拡散剤を混入させて光拡散させるもの、樹脂板（アクリル板等）に表面加工を施し光拡散させるもの等を用いることができるがこれらに限定されない。なお、導光板にはフィルム状のものも含まれる。なお、導光板２００２は必須の構成ではないので必要に応じて設ければ良い。
【０２９１】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０２９２】
（実施の形態１３）
複数の島状エレクトロルミネッセンス層は、複数の発光色を有していても良い。（例えば、赤色の島状エレクトロルミネッセンス層と青色の島状エレクトロルミネッセンス層と緑色の島状エレクトロルミネッセンス層を有する光源等）
【０２９３】
また、島状エレクトロルミネッセンス層は、異なる発光色を有する複数の発光層が積層された積層構造を有していても良い。（例えば、赤色の発光層と青色の発光層と緑色の発光層を有する島状エレクトロルミネッセンス層等）
【０２９４】
さらに、複数の島状エレクトロルミネッセンス層は複数の発光色を有し、且つ、島状エレクトロルミネッセンス層は異なる発光色を有する複数の発光層が積層された積層構造を有していても良い。
【０２９５】
このように発光色を異ならせることによって様々な色、様々なマーク等を表現できるので好ましい。
【０２９６】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【符号の説明】
【０２９７】
１０ 基板
２０ 第１の電極
３０ エレクトロルミネッセンス層
４０ 第２の電極
８０ ピンホール
９１ 水分
９２ 水分
１００ 第１の基板
１１０ 第２の基板
２００ 第１の電極
２００ 第１の電極
３００ 非導電体層
４０１ 島状エレクトロルミネッセンス層
４０２ 島状エレクトロルミネッセンス層
４０３ 島状エレクトロルミネッセンス層
４０４ 島状エレクトロルミネッセンス層
４０５ 島状エレクトロルミネッセンス層
４０６ 島状エレクトロルミネッセンス層
４０７ 島状エレクトロルミネッセンス層
４０８ 島状エレクトロルミネッセンス層
４０９ 島状エレクトロルミネッセンス層
４１１ 島状エレクトロルミネッセンス層
４１２ 島状エレクトロルミネッセンス層
４１３ 島状エレクトロルミネッセンス層
４２１ 島状エレクトロルミネッセンス層
４２２ 島状エレクトロルミネッセンス層
４２３ 島状エレクトロルミネッセンス層
５００ 第２の電極
５１１ 島状電極
５１２ 島状電極
５１３ 島状電極
５１４ 島状電極
５１５ 島状電極
５１６ 島状電極
５１７ 島状電極
５１８ 島状電極
５１９ 島状電極
６００ 保護膜
７０１ 第１のシール材
７０２ 第２のシール材
７０３ 第３のシール材
９０１ マスク
９０２ マスク
９０３ マスク
９０４ マスク
９０５ マスク
９０６ マスク
９０７ マスク
９０８ マスク
９０９ マスク
２００１ 両面射出型光源
２００２ 導光板
２００３ 表示パネル
８００１ 破線
８００２ 破線
８００３ 破線
８００４ 破線
８０１１ 破線
８０１２ 破線
８０２１ 破線
８０２２ 破線
８１２１ 接続部
８１２２ 接続部
８１２３ 接続部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
前記第１の電極上に形成された複数の開口部を有する非導電体層と、
前記複数の開口部において露出した前記第１の電極上に形成された複数の島状エレクトロルミネッセンス層と、
前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層を覆って形成された第２の電極と、を有し、
前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層の端部は、前記非導電体層上に形成されていることを特徴とする光源。
【請求項２】
第１の電極と、
複数の開口部を有し前記第１の電極の表面を絶縁化した非導電体層と、
前記複数の開口部において露出した前記第１の電極上に形成された複数の島状エレクトロルミネッセンス層と、
前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層を覆って形成された第２の電極と、を有し、
前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層の端部は、前記非導電体層上に形成されていることを特徴とする光源。
【請求項３】
第１の電極と、
前記第１の電極上に形成された複数の島状エレクトロルミネッセンス層と、
前記第１の電極上に形成された複数の開口部を有する非導電体層と、
前記非導電体層上及び前記複数の開口部において露出した複数の島状エレクトロルミネッセンス層上に形成された第２の電極と、を有し、
前記非導電体層は、前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層の端部を覆って形成されていることを特徴とする光源。
【請求項４】
第１の電極と、
前記第１の電極上に形成された複数の島状エレクトロルミネッセンス層と、
前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層上に形成された複数の島状電極と、
前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層と前記複数の島状電極とからなる複数の積層構造の間に埋め込まれた非導電体層と、
前記複数の島状電極上及び前記非導電体層上に形成された第２の電極と、を有することを特徴とする光源。
【請求項５】
請求項１又は請求項３において、
前記複数の開口部の側壁はテーパー形状であることを特徴とする光源。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層の間と重なる位置に切り取り用の破線状の孔が設けられていることを特徴とする光源。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の光源と、
前記光源に対向して設けられた導光板と、を有することを特徴とする装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の光源と、
表示パネルと、
前記光源と前記表示パネルの間に挟まれて設けられた導光板と、を有することを特徴とする装置。
【請求項９】
請求項７又は請求項８において、
前記光源は、両面射出型光源であることを特徴とする装置。
【請求項１】
第１の電極と、
前記第１の電極上に形成された複数の開口部を有する非導電体層と、
前記複数の開口部において露出した前記第１の電極上に形成された複数の島状エレクトロルミネッセンス層と、
前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層を覆って形成された第２の電極と、を有し、
前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層の端部は、前記非導電体層上に形成されていることを特徴とする光源。
【請求項２】
第１の電極と、
複数の開口部を有し前記第１の電極の表面を絶縁化した非導電体層と、
前記複数の開口部において露出した前記第１の電極上に形成された複数の島状エレクトロルミネッセンス層と、
前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層を覆って形成された第２の電極と、を有し、
前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層の端部は、前記非導電体層上に形成されていることを特徴とする光源。
【請求項３】
第１の電極と、
前記第１の電極上に形成された複数の島状エレクトロルミネッセンス層と、
前記第１の電極上に形成された複数の開口部を有する非導電体層と、
前記非導電体層上及び前記複数の開口部において露出した複数の島状エレクトロルミネッセンス層上に形成された第２の電極と、を有し、
前記非導電体層は、前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層の端部を覆って形成されていることを特徴とする光源。
【請求項４】
第１の電極と、
前記第１の電極上に形成された複数の島状エレクトロルミネッセンス層と、
前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層上に形成された複数の島状電極と、
前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層と前記複数の島状電極とからなる複数の積層構造の間に埋め込まれた非導電体層と、
前記複数の島状電極上及び前記非導電体層上に形成された第２の電極と、を有することを特徴とする光源。
【請求項５】
請求項１又は請求項３において、
前記複数の開口部の側壁はテーパー形状であることを特徴とする光源。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層の間と重なる位置に切り取り用の破線状の孔が設けられていることを特徴とする光源。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の光源と、
前記光源に対向して設けられた導光板と、を有することを特徴とする装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の光源と、
表示パネルと、
前記光源と前記表示パネルの間に挟まれて設けられた導光板と、を有することを特徴とする装置。
【請求項９】
請求項７又は請求項８において、
前記光源は、両面射出型光源であることを特徴とする装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【公開番号】特開２０１１−２９１６４（Ｐ２０１１−２９１６４Ａ）
【公開日】平成２３年２月１０日（２０１１．２．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１４１１６８（Ｐ２０１０−１４１１６８）
【出願日】平成２２年６月２２日（２０１０．６．２２）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年２月１０日（２０１１．２．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年６月２２日（２０１０．６．２２）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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