説明

分析チップおよび分析装置

【課題】入射した光を分析対象の流体を透過させた後、光を検出するためのセンサに効率よく到達させる。
【解決手段】分析チップには構造体と円柱部材が設けられている。構造体は、分析対象の流体を保持するための空間を有する。構造体には円柱部材が、空間に一端側の端面が露出し一端が構造体内に埋没するように、かつ他端が構造体から突出するように設けられる。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、微細流路で形成された物質を光学的に分析する分析チップ及び分析装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、化学反応の結果は、様々な測定手法を用いて判定されるが、代表的なものに光学的な手法がある。例えば、吸光分析においては、石英や一般的なガラス製のセルと呼ばれる容器内に測定対象を入れ、この側壁面に直交する光軸に沿ってハロゲン光源から紫外線から赤外線にわたる周波数帯の光をセルに入れられた測定対象に通過させた後、測定対象を通過した光を検出する。そして、測定対象が吸収した光の波長とその割合(吸光度)を計算し、ライブラリーと比較することで、測定対象物を同定する。
【0003】
化学反応を効率的に行うために、開口断面の代表寸法が数十μm〜mmサイズ程度の微細流路を用いることがある。例えば、供給口から供給された2種類の化学物質を混合部において混合するY字形状の微細流路を有する流路基板を用い、混合された物質は微細流路に直交する光軸を持つ分析器で測定される(例えば、非特許文献1参照)。この場合、微細流路の測定に供される光源のスポット径は、せいぜい数百μmの流路幅であり、又、距離も同程度の流路の深さでしかなく、一般的に正確な測定には不向きである。
【0004】
このため、積層した平面板状のガラス基板の内部にコの字形の流路を形成し、この外側にガラス基板を介して検出光を入射する方法(例えば特許文献1参照)が提案されている。この場合、流路部は平板を3層に貼り合わせた構成となっている。
【非特許文献1】「生産研究」52巻7号、2000年7月、P304−311
【特許文献1】特開2003−279471公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、従来の平板を3層に張り合わせた構成の流路部は、2つの屈折率分布型ロッドレンズを結ぶ光軸とガラス基板の貼り合わせ面が重なっている。すなわち、この張り合わせ面では検出光の意図しない散乱や屈折が生じてしまう恐れがある。
【0006】
また、貼り合わせの前後に関わらず、流路を形成した後に検出光が通過する内外壁の表面、特に内壁の表面に、検出光の透過率を向上するための研磨処理を施すことは難しい。
【0007】
また、大きなアスペクト比を有する流路にあっては、光軸に対する内外壁傾きがガラス基板上の流路形成の加工精度に依存し、加工後の調整ができないため、検出光が他端に効率よく到達するとは言い難い。
【0008】
また、効率の向上には内壁の検出光が直交的に透過する部分に反射防止膜を形成することが望ましいが、特許文献1の方法では反射防止膜の成膜処理が困難である。これは特に流路幅が上述した微細流路において顕著である。
【0009】
そこで、本発明は、入射した光を分析対象の流体を透過させた後、光を検出するためのセンサに効率よく到達させることができる分析チップおよび分析装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明に係る分析チップは、分析対象の流体を保持するための空間を有する構造体と、前記空間に一方の側の少なくとも一部が露出し、かつ他方の側が外部に露出し、前記空間を封止するための第1の封止部材と、前記空間に一方の側の少なくとも一部が露出し、かつ他方の側が外部に露出し、前記空間を封止するための第2の封止部材と、が設けられたことを特徴とする。
【0011】
また、本発明に係る分析チップは、分析対象の流体を保持するための空間を有する構造体と、前記空間に一端側の端面が露出し一端が前記構造体内に埋没するように、かつ他端が前記構造体から突出するように設けられた第1の円柱部材と、前記空間に一端側の端面が露出し一端が前記構造体内に埋没するように、かつ他端が前記構造体から突出するように設けられた第2の円柱部材と、が設けられ、前記第1の円柱部材と前記第2の円柱部材が、前記第1の円柱部材の他端側の端面から光が入射した場合、前記光が前記第1の円柱部材の一端側、前記空間、前記第2の円柱部材の一端側の端面の順に通過し、前記第2の円柱部材の他端側の端面から出射する位置に設けられた事を特徴とする。
【0012】
また、本発明に係る分析装置は、着脱可能な分析チップを用いて分析対象の流体を分析する分析装置であって、前記分析チップは、分析対象の流体を保持するための空間を有する構造体と、前記空間に一方の側の少なくとも一部が露出し、かつ他方の側が外部に露出し、前記空間を封止するための第1の封止部材と、前記空間に一方の側の少なくとも一部が露出し、かつ他方の側が外部に露出し、前記空間を封止するための第2の封止部材と、を有し、前記分析装置は、光を前記分析対象に照射するための光源と、前記分析対象を透過した前記光を検出するためのセンサと、前記分析チップと係合する係合部と、を有し、前記光源が、前記第1の封止部材に前記光が入射可能な位置に設けられ、前記センサが、前記第2の封止部材から出射した光を検出可能な位置に設けられたことを特徴とする。
【0013】
また、本発明に係る分析装置は、着脱可能な分析チップを用いて分析対象の流体を分析する分析装置であって、前記分析チップは、分析対象の流体を保持するための空間を有する構造体と、前記空間に一端側の端面が露出し一端が前記構造体内に埋没するように、かつ他端が前記構造体から突出するように設けられた第1の円柱部材と、前記空間に一端側の端面が露出し一端が前記構造体内に埋没するように、かつ他端が前記構造体から突出するように設けられた第2の円柱部材と、を有し、前記分析装置は、光を前記分析対象に照射するための光源と、前記分析対象を透過した前記光を検出するためのセンサと、前記第1の円柱部材および前記第2の円柱部材と係合する溝形状の係合部と、を有し、前記第1の円柱部材と前記第2の円柱部材が、前記第1の円柱部材の他端側の端面から前記光が入射した場合、前記光が前記第1の円柱部材の一端側、前記空間、前記第2の円柱部材の一端側の端面の順に通過し、前記第2の円柱部材の他端側の端面から出射する位置に設けられ、前記光源が、前記第1の円柱部材の他端側の端面に前記光が入射可能な位置に設けられ、前記センサが、前記第2の円柱部材の他端側の端面から出射した光を検出可能な位置に設けられたことを特徴とする。
【発明の効果】
【0014】
本発明によれば、入射した光を分析対象の流体を透過させた後、光を検出するためのセンサに効率よく到達させることができる分析チップおよび分析装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0015】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【0016】
(第1の実施の形態)
図1に第1の実施の形態に係る分析装置、および図2に第1の実施の形態に係る分析チップを示す。
【0017】
分析装置1には、分析チップ2が着脱可能な分析チップ収容部11が設けられている。分析チップ収容部11は、分析チップ2を挿入、嵌合可能な様に形成されている。分析チップ収容部11は、底部12を有している。また、分析装置1には、光源15およびセンサ16が設けられている。
【0018】
光源15には、ハロゲンランプ15−1と導光体15−2が設けられている。ハロゲンランプ15−1から照射された検出光は導光体15−2を通って、嵌合された分析チップ2を照射する。
【0019】
センサ16には、検出素子16−1と導光体16−2が設けられている。検出素子16−1には、例えば光学フィルタとフォトダイオードを有する検出素子モジュールを用いる事ができる。分析チップ2を透過した検出光は導光体16−2を通って、検出素子16−1に導かれ、電気信号へと変換される。
【0020】
分析装置1はベース部13とカバー部14を有している。図3に示す様に、ベース部13にはV形状の溝13−1が形成されている。導光体15−2、16−2は溝13−1に設けられる。カバー部14を用いて、導光体15−2、16−2をベース部13に向かって押さえることにより、導光体15−2、16−2の位置は溝13−1のV形状の壁によってV字の溝深さ方向の位置が決定される。
【0021】
分析チップ2には、貫通孔21と、貫通孔21と連通する溝22が設けられた母材23(構造体)と、母材23の溝22が設けられた封止面23−1に貫通孔21を塞ぐ様に設けられた封止部材24が設けられている。封止部材24は検出光を透過可能な材料で形成されている。封止部材24の表面には、反射防止膜を例えば蒸着法等の方法により成膜する。
【0022】
封止部材24が貫通孔21を塞ぐ様に設けられた結果、溝22の端部が入口、出口となる流路(空間)が形成される。すなわち、封止部材24−1は流路に一方の側の少なくとも一部が露出し、他方の側が外部に露出するように貫通孔21を塞ぐ様に設けられる。また、封止部材24−2は流路に一方の側の少なくとも一部が露出し、他方の側が外部に露出するように貫通孔21を塞ぐ様に設けられる。こうして、封止部材24−1を透過した検出光は、形成された流路の貫通孔21部分の空間を通過し、封止部材24−2を透過することにより、空間に供給された分析対象の流体の光学的な分析が可能となる。
【0023】
このような分析装置1および分析チップ2は、封止部材24には板状部材またはシート状部材を用いる事ができるので、反射防止膜の面内の厚さや組成のばらつきを低減することができる。また、分析装置1と分析チップ2の位置合わせは、分析チップ収容部11と分析チップ2が嵌合することで可能となり、貫通孔21に確実に検出光を入射させることができる。
【0024】
(第2の実施の形態)
図4に第2の実施の形態に係る分析装置、および図5に第2の実施の形態に係る分析チップを示す。
【0025】
分析装置101には、分析チップ102が着脱可能な分析チップ収容部111が設けられている。分析チップ収容部111は、分析チップ102を挿入、嵌合可能な様に形成されている。また、分析装置101には、光源15およびセンサ16が設けられている。
【0026】
分析装置101はベース部113とカバー部114を有している。第1の実施の形態と同様に、ベース部113にはV形状の溝113−1が形成されている。導光体15−2、16−2は溝113−1に設けられる。カバー部114を用いて、導光体15−2、16−2をベース部113に向かって押さえることにより、導光体15−2、16−2の位置は溝113−1のV形状の壁によってV字の溝深さ方向の位置が決定される。
【0027】
カバー部114は、溝113−1の一部を覆う様に、溝113−1の分析チップ収容部111側が露出する様に設けられている。また、導光体15−2、16−2は、分析チップ収容部111側から奥まった方向へとオフセットした位置に設けられている。すなわち、
溝133−1の分析チップ収容部111側は、溝133−1の壁が露出した状態となっている。
【0028】
分析チップ102は、構造体123を有する。構造体123は、貫通孔121が設けられたカバー部123−1と、貫通孔121と連通するV形状の溝122が設けられたベース部123−2と、を有する。溝122の両端には、円柱部材124−1、124−2が設けられている。円柱部材124−1、124−2の両端の表面(円形形状の表面)には、反射防止膜を例えば蒸着法等の方法により成膜する。
【0029】
円柱部材124−1、124−2は、溝122に一端側の端面が露出し一端が構造体123内に埋没するように、他端が構造体123から突出するように設けられている。カバー部123−1を用いて、円柱部材124−1、124−2をベース部123−2に向かって押さえることにより、円柱部材124−1、124−2の位置は溝122のV形状の壁によってV字の溝深さ方向の位置が決定される。
【0030】
円柱部材124−1、124−2の構造体123から突出する部分は、分析装置101の溝133−1の壁が露出した部分と係合可能なように設けられている。円柱部材124−1、124−2と溝133−1とが係合することにより、分析チップ102の溝133−1の短手方向の位置が決定される。
【0031】
円柱部材124−1、124−2と、溝122の壁面およびカバー部123−1との間の隙間は、例えば充填材を用いてシールする。この結果、貫通孔121が入口、出口となる流路(空間)が形成される。こうして、円柱部材124−1の他端側の端面から入射し、円柱部材124−1を透過した検出光は、円柱部材124−1の一端側の端面から溝122に出射された後、形成された流路の溝122の空間を通過し、円柱部材124−2の一端側の端面から円柱部材124−2に入射する。円柱部材124−2に入射し、円柱部材124−2を透過した検出光は、円柱部材124−2の一端側の端面から出射することにより、空間に供給された分析対象の流体の光学的な分析が可能となる。
【0032】
このような分析装置101および分析チップ102は、円柱部材124−1、124−2の両端の表面が検出光の入射面または出射面として用いる事ができるので、反射防止膜の面内の厚さや組成のばらつきを低減することができる。
【0033】
また、分析装置101と分析チップ102の位置合わせは、分析チップ収容部111と分析チップ102が嵌合することで可能となり、貫通孔21に確実に検出光を入射させることができる。さらに、特に精密な位置合わせが必要な光軸の位置、すなわち導光体15−2、16−2の短手方向の位置と、円柱部材124−1、124−2の短手方向の位置は、溝133−1と円柱部材124−1、124−2とが係合するため、より確実に検出光を入射させることができる位置に位置決めすることができる。
【0034】
なお、円柱部材124−1、124−2は、図6に示す様に透磁率の高い金属201にて検出光が入射する面および出射する面を避ける様に覆うこともできる。この場合、ベース部113に磁力発生源202を設けることにより、分析チップ102が磁力によって分析装置101に固定され、外力等の不意の外乱での分析チップ102の位置ずれを防止できる。
【0035】
さらに、導光体15−2、16−2は、図6に示す様に透磁率の高い金属201にて検出光が入射する面および出射する面を避ける様に覆うこともできる。この場合、磁力発生源202から発生した磁力を、より効率的に円柱部材124−1、124−2を覆う金属201に伝えることができ、より効果的に分析チップ102の位置ずれを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【0036】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係る分析装置を示す斜視図
【図2】本発明の第1の実施の形態に係る分析チップを示す斜視図
【図3】本発明の第1の実施の形態に係るベース部を示す斜視図
【図4】本発明の第2の実施の形態に係る分析装置を示す斜視図
【図5】本発明の第2の実施の形態に係る分析チップを示す斜視図
【図6】本発明の第2の実施の形態に係る分析装置および分析チップの変形例を示す図
【符号の説明】
【0037】
1、101 分析装置
2、102 分析チップ
11、111 分析チップ収容部
12 底部
13、113 ベース部
13−1、113−1 溝
14、114 カバー部
15 光源
15−1 ハロゲンランプ
15−2 導光体
16 センサ
16−1 検出素子
16−2 導光体
21、121 貫通孔
22、122、133−1 溝
23 母材
23−1 封止面
24 封止部材
123 構造体
123−1 カバー部
123−2 ベース部
124−1、124−2 円柱部材
201 金属
202 磁力発生源

【特許請求の範囲】
【請求項1】
分析対象の流体を保持するための空間を有する構造体と、
前記空間に一方の側の少なくとも一部が露出し、かつ他方の側が外部に露出し、前記空間を封止するための第1の封止部材と、
前記空間に一方の側の少なくとも一部が露出し、かつ他方の側が外部に露出し、前記空間を封止するための第2の封止部材と、
が設けられたことを特徴とする分析チップ。
【請求項2】
分析対象の流体を保持するための空間を有する構造体と、
前記空間に一端側の端面が露出し一端が前記構造体内に埋没するように、かつ他端が前記構造体から突出するように設けられた第1の円柱部材と、
前記空間に一端側の端面が露出し一端が前記構造体内に埋没するように、かつ他端が前記構造体から突出するように設けられた第2の円柱部材と、が設けられ、
前記第1の円柱部材と前記第2の円柱部材が、前記第1の円柱部材の他端側の端面から光が入射した場合、前記光が前記第1の円柱部材の一端側、前記空間、前記第2の円柱部材の一端側の端面の順に通過し、前記第2の円柱部材の他端側の端面から出射する位置に設けられた事を特徴とする分析チップ。
【請求項3】
前記構造体は、一方の面にV形状の溝が設けられたベース部と、
前記ベース部の一方の面側に設けられたカバー部とを有し、
前記空間は、両端の開口部を前記第1の円柱部材と前記第2の円柱部材によって、前記ベース部の一方の面側の開口部を前記カバー部によって、前記溝を覆った結果形成されることを特徴とする請求項2に記載の分析チップ。
【請求項4】
着脱可能な分析チップを用いて分析対象の流体を分析する分析装置であって、
前記分析チップは、分析対象の流体を保持するための空間を有する構造体と、
前記空間に一方の側の少なくとも一部が露出し、かつ他方の側が外部に露出し、前記空間を封止するための第1の封止部材と、
前記空間に一方の側の少なくとも一部が露出し、かつ他方の側が外部に露出し、前記空間を封止するための第2の封止部材と、を有し、
前記分析装置は、光を前記分析対象に照射するための光源と、
前記分析対象を透過した前記光を検出するためのセンサと、
前記分析チップと係合する係合部と、を有し、
前記光源が、前記第1の封止部材に前記光が入射可能な位置に設けられ、
前記センサが、前記第2の封止部材から出射した光を検出可能な位置に設けられたことを特徴とする分析装置。
【請求項5】
着脱可能な分析チップを用いて分析対象の流体を分析する分析装置であって、
前記分析チップは、分析対象の流体を保持するための空間を有する構造体と、
前記空間に一端側の端面が露出し一端が前記構造体内に埋没するように、かつ他端が前記構造体から突出するように設けられた第1の円柱部材と、
前記空間に一端側の端面が露出し一端が前記構造体内に埋没するように、かつ他端が前記構造体から突出するように設けられた第2の円柱部材と、を有し、
前記分析装置は、光を前記分析対象に照射するための光源と、
前記分析対象を透過した前記光を検出するためのセンサと、
前記第1の円柱部材および前記第2の円柱部材と係合する溝形状の係合部と、を有し、
前記第1の円柱部材と前記第2の円柱部材が、前記第1の円柱部材の他端側の端面から前記光が入射した場合、前記光が前記第1の円柱部材の一端側、前記空間、前記第2の円柱部材の一端側の端面の順に通過し、前記第2の円柱部材の他端側の端面から出射する位置に設けられ、
前記光源が、前記第1の円柱部材の他端側の端面に前記光が入射可能な位置に設けられ、
前記センサが、前記第2の円柱部材の他端側の端面から出射した光を検出可能な位置に設けられたことを特徴とする分析装置。
【請求項6】
前記光源と前記センサは、前記分析装置に設けられたV形状の溝と係合するように設けられたことを特徴とする請求項4および請求項5に記載の分析装置。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【公開番号】特開2008−70322(P2008−70322A)
【公開日】平成20年3月27日(2008.3.27)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2006−251255(P2006−251255)
【出願日】平成18年9月15日(2006.9.15)
【出願人】(000003078)株式会社東芝 (54,554)
【Fターム(参考)】