前方照明(frontlighting)を用いてディスプレイパネル上の欠陥の検出を向上させること
【課題】概してセルステップのかなり前のアレイ試験ステップにおいてa−Si残留物欠陥を検出することができるようにする表面照射装置及び方法が提供される。
【解決手段】a−Siは露光されない場合に高い固有抵抗を有し、それにより従来のTFTアレイ試験手順において検出するのは難しい。一方、a−Si残留物が光で照射されるときに、その固有抵抗は減少し、それにより、TFTアレイセルの電気的特性が変化し、電圧画像化光学システム(VIOS)を用いてそれを検出することができる。一実施態様では、TFTアレイセルが照射用光パルスに露光され、VIOSを用いて実行される試験中にTFTパネルの上部側に影響を及ぼす。一実施態様では、表面照射はVIOSにおいて電圧画像化のために用いられる照射と同じ光路に沿って進行する。別の実施態様では、表面照射のための光源(複数可)が、VIOS変調器に極めて近接して配置される。
【解決手段】a−Siは露光されない場合に高い固有抵抗を有し、それにより従来のTFTアレイ試験手順において検出するのは難しい。一方、a−Si残留物が光で照射されるときに、その固有抵抗は減少し、それにより、TFTアレイセルの電気的特性が変化し、電圧画像化光学システム(VIOS)を用いてそれを検出することができる。一実施態様では、TFTアレイセルが照射用光パルスに露光され、VIOSを用いて実行される試験中にTFTパネルの上部側に影響を及ぼす。一実施態様では、表面照射はVIOSにおいて電圧画像化のために用いられる照射と同じ光路に沿って進行する。別の実施態様では、表面照射のための光源(複数可)が、VIOS変調器に極めて近接して配置される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明はフラットパネルディスプレイ内の欠陥の検出に関し、より具体的には、表面照射(front side illumination)を用いてフラットパネルディスプレイ内の欠陥を検出することに関する。
【0002】
[関連出願の相互参照]
本出願は、2008年5月21日に出願された米国仮特許出願第61/055,031号に基づいており、米国特許法第119条により、その特許出願からの恩典を主張する。その特許出願の開示全体が参照により本明細書に援用される。
【背景技術】
【0003】
フラットパネル液晶(LC)ディスプレイの製作中に、薄膜トランジスタ(TFT)アレイを堆積するための基板として、薄いガラスから成る大きな透明プレートが用いられる。通常、1枚のガラス基板プレート内には、いくつかの個別のTFTアレイが含まれており、それらのTFTアレイはTFTパネルと呼ばれる場合もある。代替的には、ピクセル又はサブピクセル毎にトランジスタ又はダイオードを利用するアクティブマトリックスLCD(active matrix LCD)、すなわちAMLCDが、その種のディスプレイを覆うので、そのようなガラス基板プレートはAMLCDパネルと呼ばれる場合もある。フラットパネルディスプレイは、有機LED(OLED)技術を用いて製造することもでき、典型的にはガラス上に製造されるが、プラスチック基板上に製造される場合もある。
【0004】
TFTパターンの堆積は多数のステージにおいて実行され、各ステージにおいて、特定の材料(たとえば金属、酸化インジウムスズ(ITO)、結晶シリコン、アモルファスシリコン等)が、所定のパターンに合わせて、先行する層(又はガラス)の上部に堆積される。各ステージは典型的には、堆積、マスキング、エッチング、剥離等のような複数のステップを含む。
【0005】
これらの各ステージ中、及び各ステージ内の種々のステップにおいて、多数の製造欠陥が生じる場合があり、それらの欠陥は、最終的なLCD製品の電気的性能及び/又は光学的性能に影響を及ぼす場合がある。そのような欠陥は、限定されないが、図1に示されるように、ITO112内への金属突起110、金属116内へのITO突起114、いわゆるマウスバイト118、開放(open circuit:開回路)120、トランジスタ124内の短絡122、外来粒子126及びピクセル下残留物128を含む。ピクセル下のアモルファスシリコン(a−Si)残留物128は、アンダーエッチング又はリソグラフィの問題から生じる場合がある。他の欠陥は、マスク問題、オーバーエッチング等を含む。
【0006】
TFT堆積工程が厳重に管理される場合であっても、欠陥の発生は避けることはできない。これは、製品歩留まりを制限し、生産コストに悪影響を及ぼす。
典型的には、TFTアレイは、
厳密な堆積工程ステップに従う1つ又は複数の自動光学検査(automated optical inspection)(AOI)システム(複数可)、及び
Photon Dynamics社(5970 Optical Court, San Jose, California, 95138, USA)(Orbotech社)によって生産され、完成したTFTアレイを試験するアレイテスター又はアレイチェッカー(AC)とも呼ばれるような、電気光学検査機
を用いて検査される。
【0007】
a−Si欠陥は感光性であるので、特に厄介な欠陥である。すなわち、その欠陥は暗い状態では絶縁体として動作するが、露光されるときに導体として動作する。実際のところ、そのシート抵抗RSiは、光強度の関数として減少する。図4は、その依存性を示す。したがって、シート抵抗が光強度に依存することは、露光が変化するのに応じて、欠陥に起因するピクセル電圧変化も異なる場合があることを意味する。このため、最終的なFPD組立の完了前に欠陥が検出されない場合、通常のFPD動作中にディスプレイのバックライトに欠陥が露光されるので、エンドユーザが欠陥に容易に気付いてしまうであろう。したがって、そのような欠陥を検出することへの強い動機付けが存在している。
【0008】
残念なことに、従来の技術は、パネル製造の種々のステージ中にLCDパネル上の欠陥を形成するa−Si残留物を有効に検出するのに適した方法論を提供することができていない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
本発明の方法論は、欠陥を形成するLCDパネルディスプレイ内のa−Si残留物を検出することに関連する、上記の問題及び他の問題のうちの1つ又は複数を実質的に回避する方法及びシステムに関する。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明の方法論の一態様によれば、被試験パネル内の欠陥を検出するためのシステムが提供される。そのシステムは、表面照射用光ビームを被試験パネル上に送達するように構成される表面照射サブシステムを含む。表面照射用光ビームは、欠陥の電気的特性を変更して欠陥の検出を容易にする能力を有する。そのシステムは、欠陥の変更された電気的特性に基づいて、欠陥を検出するように構成される検出サブシステムをさらに含む。そのシステムにおいて用いられる表面照射用光ビームはパルス状であり、欠陥の検出を最大にすると共に偽欠陥の検出を最小にする持続時間及び強度を得るために最適化される。さらに、表面照射用光ビームは、欠陥の最大吸収光特性と一致する波長を有する。
【0011】
本発明の方法論の別の態様によれば、被試験パネル内の欠陥を検出するためのシステムが提供される。そのシステムは、表面照射用光ビームを被試験パネル上に送達するように構成される表面照射サブシステムを含む。表面照射用光ビームは、欠陥の電気的特性を変更して欠陥の検出を容易にする能力を有する。そのシステムは、欠陥の変更された電気的特性に基づいて、欠陥を検出するように構成される検出サブシステムをさらに含む。上記の検出サブシステムは、被試験パネルにわたる空間電圧分布を指す画像を生成するように構成される電圧画像化光学デバイスを含む。被試験パネル内の欠陥は、生成された画像に基づいて検出される。そのシステムにおいて、表面照射サブシステムは、電圧画像化光学デバイスの光路内に組み込まれる。さらに、表面照射用光ビームは、欠陥の最大吸収光特性と一致する波長を有する。
【0012】
本発明の方法論のさらに別の態様によれば、被試験パネル内の欠陥を検出するためのシステムが提供される。そのシステムは、表面照射用光ビームを被試験パネル上に送達するように構成される表面照射サブシステムを含む。表面照射用光ビームは、欠陥の電気的特性を変更して欠陥の検出を容易にする能力を有する。そのシステムは、欠陥の変更された電気的特性に基づいて、欠陥を検出するように構成される検出サブシステムをさらに含む。上記の検出サブシステムは、被試験パネルにわたる空間電圧分布を指す画像を生成するように構成される電圧画像化光学デバイスを含む。被試験パネル内の欠陥は、生成された画像に基づいて検出される。上記の表面照射サブシステムは、電圧画像化光学デバイスの光路外に配置される。さらに、表面照射用光ビームは、欠陥の最大吸収光特性と一致する波長を有する。
【0013】
本発明に関連するさらに別の態様が、部分的には以下の説明において述べられており、その説明から或る程度は明らかになるか、又は本発明を実施することによって習得される場合もある。本発明の態様は、以下の詳細な説明及び添付の特許請求の範囲において特に指摘される要素、並びに種々の要素及び態様の組み合わせによって実現及び達成することができる。
【0014】
これまでの説明及びこれ以降の記述はいずれも単に例示的、及び説明的なものであり、いかなる方法においても、特許請求される発明又はその用途を制限することは意図していないことを理解されたい。
【0015】
添付の図面は、本明細書に組み込まれ、その一部を構成しており、本発明の実施形態を例示し、その説明と共に、本発明の技法の原理を説明及び例示するための役割を果たす。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】周期的なトランジスタアレイを備える、大きく平坦なパターニング済みの媒体の一部の平面図において種々の非周期的な欠陥を示す図である。
【図2】アモルファスシリコン残留物の例示的な断面図である。
【図3】TFTピクセルに関するa−Si残留物のための例示的な等価回路図である。
【図4】入射光波長へのシート抵抗の依存性を示すサンプルグラフである。
【図5】本発明の概念の一実施形態による、二重波長照射装置(dual wavelength illuminator)(DWI)の例示的な概略図である。
【図6】本発明の概念の別の実施形態による、変調器搭載照射装置(modulator mount illuminator)(MMI)の例示的な概略図である。
【図7】フラットパネルディスプレイ内の欠陥を検出するための本発明のシステムの例示的な概略ブロック図である。
【図8】アモルファスシリコンのための典型的な吸収曲線を表す例示的なグラフである。
【図9】起こり得る前方光及びピクセルパターンドライバータイミング図の一例を示す図である。
【図10】所与の駆動パターンのフレーム毎にパルスが異なる、起こり得る前方光パターンの別の例を示す図である。
【図11A】種々のパルス開始時間及びパルス強度の場合の前方光パルス終了時間の関数としての欠陥検出感度(defect detection sensitivity)(DDS)のプロット図である。
【図11B】種々のパルス開始時間及びパルス強度の場合の前方光パルス終了時間の関数としての信号対雑音比(signal-to-noise ratio)(SNR)のプロット図である。
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下の詳細な説明では、添付の図面(複数可)が参照されることになり、それらの図面では、同じ機能要素は同じ符号で指示される。上記の添付の図面は、制限するためではなく、例示のために、本発明の原理と一致する具体的な実施形態及び実施態様を示す。これらの実施態様は、当業者が本発明を実施することができるようにするほど十分に詳しく記述されており、他の実施態様が利用される場合があること、及び本発明の範囲及び精神から逸脱することなく、構造的な変更及び/又は種々の要素の置換を行うことができることは理解されたい。それゆえ、以下の詳細な説明は、制限する意味に解釈されるべきではない。さらに、記述されるような本発明の種々の実施形態は、専用ハードウエアの形で、又はソフトウエア及びハードウエアの組み合わせにおいて実現される場合がある。
【0018】
当業者であれば理解するように、アレイテスターは、たとえば、参照によりその全体が本明細書に援用される米国特許第4,983,911号、第5,097,201号及び第5,124,635号において記述されているような、電圧画像化試験装置及び方法を使用することによりLCディスプレイ内の欠陥を特定することができる。
LCディスプレイ内のピクセルは、たとえば、参照によりその全体が本明細書に援用される米国特許第5,235,272号及び第5,459,410号において記述されているように、特定のパターンを用いて電気的に駆動される。
LCディスプレイはピクセルのアレイから構成されるので、LCディスプレイが電気的に駆動されるときに、欠陥に関連付けられるいくつかのピクセルが、正常なピクセルとは異なるように電気的に挙動する場合があり、それゆえ、そのような差が電圧画像化センサ及び関連する画像処理ソフトウエアを用いて検出される場合がある。
種々の駆動パターンの組み合わせを使用することにより、図1において示される欠陥のうちの多くの欠陥のタイプ及び場所を推定することができる。
【0019】
しかしながら、ITO下のa−Si残留物128を有する欠陥のあるピクセルは、標準的なアレイ試験法を用いるアレイ試験において検出するのはかなり難しい。a−Si欠陥を有するTFTピクセル200の一例の断面図が図2に示される。
TFTピクセル構造200は、ガラスプレート202上に形成される。ゲート絶縁体204がガラス上に置かれ、その次に、データ金属線206がめっきされる場合があり、さらにその次に、酸化インジウムスズ(ITO)210のような透明導電性材料の形をとるピクセル機構(feature)が堆積される。最後に、窒化シリコン(SiNx)208のようなパッシベーション(passivation:表面保護)層が堆積される。
アモルファスシリコン又はデータ金属残留物212が残存する場合があり、線機構の延長によって図式的に表されており、それは後にITO層の下に入る。残留物212とピクセル(ITO)210との間の重複部214のエリアは、寄生キャパシタンスCpを有するキャパシタ216を形成する。
【0020】
図3は、ピクセル下のa−Si残留物の等価図である。
この場合、以下の式が成り立つ。
Cp=kSiN*ε0*Arearesidue/dgateSiN (式1)
Cst=kSiN*ε0*WpixelWst/dpassSiN (式2)
ただし、Cpは寄生キャパシタンスであり、kSiNはSiNの誘電率であり、ε0は空中の誘電率であり、Wpixelはピクセルの幅であり、一方、Wstは(キャパシタンスCstを有する)ストレージキャパシタの幅であり、dpassSiN及びdgateSiNはそれぞれ、パッシベーション層及びゲート−SiN層の厚みであり、Arearesidueは、該当部分下の残留物欠陥の面積である。
【0021】
アレイ試験時に、LCプレートに駆動電圧が印加され、電圧画像化センサによってピクセル応答を観測することができる。データ金属残留物及びa−Siのような欠陥がある場合、画像収集前にデータ電圧が負に降下される正−負(positive-negative)(PN)駆動パターンが用いられる場合がある。このパターンでは、データ電圧の降下が、ITO−データ線重複部を有するピクセルにおいて電圧降下を引き起こす。データ電圧降下がΔVdである場合には、ピクセル電圧降下ΔVpは、以下のように表すことができる。
【0022】
【数1】
【0023】
ただし、CpはITO−データ線残留物重複部の寄生キャパシタンスであり、Cstはストレージキャパシタのキャパシタンスであり、RSiはアモルファスシリコンのシート抵抗である。
【0024】
式1及び式3は、a−Si欠陥に関する2つの重要な点を明らかにする。第一に、寄生キャパシタンスは欠陥のサイズ(Arearesidue)の関数である。第二は、シート抵抗RSiへの指数関数的な依存性である。
絶縁体状態では(光がない場合)、RSiは非常に高い場合があり(概ね数百GΩ/□)、それゆえ、式3によれば、露光されない場合、ΔVpはΔVd*(Cp/Cst)に概ね等しく、最大値を有する。Cp<Cstであるので、露光されない場合の最大ΔVpはかなり小さい場合があり、それゆえ、光を利用することができない場合には、欠陥は容易に検出することができない場合がある。重複部の面積に応じて、変化が生じる結果として、従来の64階調駆動方式下で数階調のシフトが生じる場合がある。2つの連続した階調間の電圧ステップは約50mVである。これはあまりにも小さすぎて、欠陥と正常なピクセルとを区別することができない。
【0025】
しかしながら、さらに、サイズへの依存性があるので(式1)、露光される場合であっても、非常に小さなa−Si欠陥は検出することができない場合があり得る。
【0026】
a−Si欠陥のうち、AOIを用いて見つけられるものもあれば、従来の欠陥検出技術によるACを用いて検出することができるものもある。しかしながら、そのような欠陥のかなりの割合は早期には特定されず、TFT−LCDセル組立が完了した後に、正確には、LCプレートがパネルに分割され、モジュールに組み立てられてからかなり後にしか検出されない。
セル試験において、TFT−LCDパネルが電気的に駆動されるときに、TFT−LCDパネルが画像を表示するための光源をバックライトモジュールが提供する。a−Siは感光性であるので、これらの条件下で、この欠陥を検出することができるようになる。
しかしながら、レーザ修復システムを用いて残留物を比較的容易に除去することができるので、セル組立ステップの前に、より好ましくはアレイ検査ステップにおいて、欠陥を正確に見つけることが望ましい。さらに、製造工程の早期のステージにおいて、かつセル組立の前に欠陥を検出することは、組立工程に関連付けられるコスト、及び必要とされるカラーフィルターガラスに関連付けられるコストを節約する。
【0027】
LCDアレイ検査装置は、一般的に外部光源を備えないので、a−Si残留物の検出は難しい可能性がある。Photon Dynamics社(Orbotech社によって買収された)によって製作されるアレイテスターのAC47××製品ファミリーは、分割軸タイプシステム上の透明チャックと共に用いられる短波長バックライトを含み、検査エリア、それゆえチャックは単一の変調器行(single modulator row)に制限される。
しかしながら、チャックがガラスサイズ全体を覆うガントリタイプシステムでは、関連するバックライトも、移動することによって(たとえば、単一経路)又は固定状態で(たとえば、フルカバー)、ガラスサイズ全体を覆うことが要求されることになるので、実用性もコスト効率も低下する場合がある。
【0028】
a−Si残留物がTFT内のゲート金属を覆ういくつかの事例では、バックライトがゲート機構を通り抜けることができないので、ゲート残留物上のa−Siを検出するのは難しい。これは、冗長なTFTを有するいくつかのピクセル設計において、より具体的には、冗長なTFTが電気的に分離され、ピクセルに接続されない事例では、頻発する欠陥である。
a−Si残留物がピクセルTFT及び冗長なTFTを橋絡するとき、それは性能に影響を及ぼし、それゆえ欠陥と見なされる。a−Si残留物はCgd(ゲート−ドレイン寄生キャパシタンス)を増加させる。ゲートがターンオフするとき(電圧スイング:ΔVg)、ゲート−ドレインキャパシタ結合効果に起因して、ピクセル電圧が降下する。これはキックバック効果と呼ばれる。ピクセル電圧降下ΔVpは以下のように表すことができる。
ΔVp=ΔVg*Cgd/(Cgd+Cst+Clc) (式4)
ただし、Clcはセルキャパシタンスである(セル駆動の場合にのみ存在する)。ピクセルTFTを冗長なTFTに接続するゲート上のa−Si残留物は、ゲート−ドレインキャパシタンスを増加させ、それもピクセル電圧降下を増加させる。
【0029】
他の非電圧画像化アレイテスター、たとえば、電子ビームを用いるテスターは、欠陥に電子をスプレーし、その電子が欠陥領域内に蓄積することによって、a−Si残留物を検出することができる。電子の蓄積は、a−Si導電率を増加させ、それにより、関連する画像化方法がその欠陥を検出することができるようにする。
【0030】
本発明の一実施形態によれば、概して、セルステップのかなり前のアレイ試験ステップにおいてa−Si残留物欠陥を検出することができるようにし、詳細には、TFTアレイセルのゲート絶縁体上のa−Si残留物を検出することができるようにする表面照射装置及び方法が提供される。当業者であれば理解するように、TFTアレイ試験では、a−Siは、露光されない場合には高い固有抵抗を有する。
一方、a−Si残留物が光で照射されるとき、その固有抵抗は減少し、それにより、TFTアレイセルの電気的特性が変化し、それをPhoton Dynamics社(5970 Optical Court, San Jose, California, 95138, USA)(Orbotech社)によって生産されるような、電圧画像化光学システム(VIOS)を用いて検出することができる。そのようなシステムの例示的な実施形態が、上記の米国特許第4,983,911号、第5,097,201号及び第5,124,635号において詳細に記述されており、それらの特許は、その全体が参照により本明細書に援用される。
したがって、本発明の一実施形態では、TFTアレイセルは、VIOSを用いて実行される試験中にTFTパネルの上面に影響を及ぼす照射用光パルスに露光される。
【0031】
一実施形態によれば、表面照射は、VIOSにおいて電圧画像化のために用いられる照射と同じ経路に沿って進行する。一実施形態では、VIOS照射は、可視波長範囲の赤色部分において実行される。1つの具体的な実施態様では、例示的な光波長は630nmである。別の実施形態によれば、表面照射は、1つ又は2つの波長から構成され、VIOSの電圧画像変調器の周辺に送達される。
【0032】
本発明の一実施形態では、上面又は表面照射をフラットパネルアレイテスターに組み入れることは、VIOS試験装置及びその機能と連携して達成される。この結果として、VOIS列のいくつかの構成要素が、表面照射及びVIOS画像化の両方の場合に使用されているので、試験システム全体のコストが節約され、効率が高められる。
詳細には、対象となる欠陥(a−Si)を検出する能力は光強度の関数であるので、TFTセルの前面照射は、対象となる検出エリアにわたって適切に均一であり、かつ再現可能でなければならない。さらに、a−Siを検出するための照射及び光学装置は、TFTセルにおいて生じる可能性があり、かつそのうちのいくつかが上記で説明されている他のタイプの欠陥を探索する際のVIOSテスターの機能を妨げてはならない。
【0033】
本発明の一実施形態では、ゲート構造上のような構造上にあるか、又はLCDピクセルのデータ線に付着する残存a−Si残留物のような、感光性の製作欠陥の検出を容易にするために、LCDアレイ試験中に被試験パネル上のLCD構造の表面照射を生成するように構成されるシステムが提供される。
本発明のシステムの一実施形態では、パネルの表面が、電圧画像化のためにVIOSにおいて用いられる光の波長とは異なる波長を有する光で照射される。これは、少なくともいくつの理由により行なわれる。第一に、VIOS照射において用いられる光は、a−Si残留物及び/又は他の感光性欠陥を効率的に検出することができないことがある波長を有する場合がある。第二に、VIOSの変調器の設計は、電圧画像化のためのVIOSにおいて用いられる光が上記の変調器の薄膜によって概ね完全に反射され、それゆえ決してパネルに達しないようなものである。
したがって、表面照射のための光は、a−Si残留物を活性化し(その電気的特性を変更し)、薄膜によって透過されるように選択される。
【0034】
最後に、システム全体が、これら2つの光ビームを分離し、表面照射のために用いられる光がVIOS画像化を妨げないようにする手段(図5において示されるローパスフィルター510)を備え、それは各光波長の上記の差を利用する。
【0035】
本発明の二重波長光学照射システム500の1つの例示的な実施形態を示す図が図5において提示される。この例示的な図は、例示のためだけに提供され、本発明の範囲を多少なりとも制限するものと見なされるべきではない。図5において示されるように、電圧画像化光学システム(VIOS)に基づくアレイ検査及び試験システムと組み合わせて用いるために、二重波長照射装置512(DWI)がVIOS照射装置の光学列(optical column)内に置かれる。VIOS照射装置の構成は、たとえば、その全体が参照により本明細書に援用される米国特許第5,124,635号において記述されている。
【0036】
図5に示されるように、二重波長照射装置512は、青色光照射装置502によって生成される青色光504(たとえば、a−Si欠陥が特に影響されやすい波長455nmを有する)を、赤色光照射装置501によって生成され、欠陥の画像化のために用いられる可視光505(たとえば、波長630nmを有する)と同じ光路に結合する。具体的には、図8は、a−Siの典型的な光吸収曲線801を示しており、それは、波長455nm(802)を有する光がa−Siの場合に最も高い吸収係数を有することを示す。
【0037】
異なる波長の2つの光ビームの上記の結合は、ダイクロイックミラー(ビームスプリッター)503を用いることによって二重波長照射装置512内で達成される。ダイクロイックミラーは、青色光ビーム504を実質的に透過させ、かつ赤色光ビーム505を実質的に反射して、両方の波長を有する合成光ビームを生成する。当業者であれば理解するように、異なる波長の光ビームの結合は、数多くの他の方法において達成される場合もあり、そのうちのいくつかが、本発明の他の実施形態を参照しながら以下で説明される。それゆえ、図5に示される二重波長照射装置512の特定の設計は、多少なりとも制限するものと見なされるべきではない。
【0038】
図5に示されるシステムに戻ると、ダイクロイックミラー(ビームスプリッター)503を通った後に、同一直線上にある青色光ビーム及び赤色光ビームはビームスプリッター506によって反射され、レンズアセンブリ507を通り抜ける。レンズアセンブリは、光変調器508及び被試験パネル509上で所望の照射分布パターンを達成するために設けられる。
【0039】
上記のように、本発明の種々の付加的な実施形態又は代替的な実施形態では、光変調器508及び被試験パネル509の二重波長の同一直線上の照射は、いくつかの異なる方法において達成することができる。たとえば、一実施形態では、波長選択は制限されることがあるが、多波長発光ダイオード(LED)が用いられる場合もある。この構成では、たとえば、光源502の代わりに、上記の多波長発光ダイオードを利用する1つの照射装置を使用する必要があるだけであり、第2の光源501及びダイクロイックミラー503は、照射システムから除外することができる。
【0040】
さらに代替的な実施形態では、単一の光源内に、単波長の赤色LEDが単波長の青色LEDと共に空間的に点在する場合があり、その単一の光源を同じく光源502の代わりに用いることができる。この場合もまた、この構成では、第2の光源501及びダイクロイックミラー503は照射システムから除外される必要がある。しかしながら、そのように2つの異なる波長の点在するLEDを用いる構成では、照射の均一性が損なわれる場合があることに留意されたい。
【0041】
一実施形態では、VIOS変調器508に薄膜515が設けられる。その薄膜は、被試験パネルの試験されるLCD構造に空間的に極めて近接して変調器508の表面上に配置される。薄膜515は、照射装置501によって生成される赤色光は薄膜515によって反射されるが、照射装置502によって生成される青色光は薄膜515によって透過されるように特に選択された光学的特性を有する。
変調器508は、変調器508の薄膜に空間的に極めて近接して配置される、被試験パネル509の上部(図5において)表面にわたる電位の分布に基づいて、薄膜515によって反射される赤色光の強度を変調する。
薄膜によって反射された後に、変調された赤色光は、レンズアセンブリ507、ビームスプリッター506及びローパスフィルター510を通り抜ける。フィルター510を通り抜けた後に、反射された赤色光は、CCDデバイス511の感光素子に突き当たり、CCDデバイスを用いて、被試験パネルの画像が生成される。
a−Si残留物を照射するために用いられる任意の青色光がVIOSのCCD画像センサ511を妨げないようにするために、CCDデバイス511にはローパスフィルター510が設けられる。
このフィルターは、青色光を大きく減衰させると共に、赤色光が減衰することなく通り抜けられるように設計される光伝送特性を有する。これは、表面照射用青色光がCCDデバイス511に達しないようにし、かつ被試験パネル509の上部表面上の電位に関する画像を生成するのを妨げないようにする。
本発明の一実施形態では、たとえば、VIOSによってより容易に検出することができるようにすると共に欠陥そのものの画像を生成しないようにするために、青色光は、a−Si残留物の電気的特性を変更するためにのみ用いられることに留意されたい。
【0042】
被試験パネル509の表面上の試験されるLCD構造は電圧源513を用いてバイアスをかけられ、一方、変調器508の上部(図5において)表面516は電圧源514を用いてバイアスをかけられる。
本発明の一実施形態では、最良の光透過及び反射を達成するために、そのシステムの全ての光学的な構成要素は、適切なオプティカルコーティングを設けられる。
両方の波長(青色及び赤色)の光による照射の均一性は同様であり、典型的には、本発明の一実施形態では約25%以上であることに留意されたい。照射の典型的な均一性は10%〜15%の範囲にある。したがって、本発明の二重波長照射の概念及び図5において示される構成によれば、a−Si欠陥が最も影響されやすいが電圧画像化試験(VIOS)ハードウエアの機能を劣化させるか又は妨げることのない波長において、a−Si欠陥を照射することができるようになる。
【0043】
本発明は赤色光及び青色光のみによって変調器及び被試験パネルを照射することには限定されないことに留意されたい。当業者であれば理解するように、検出を可能にするほどその電気的特性を十分に変化させると共に、表面照射がVIOSの動作を妨げるのを低減するために、別の波長の照射用光を選択して、a−Si残留物による適切な吸収を達成することができ、それを用いて被試験パネルにわたる電圧分布パターンを再現する。
【0044】
図6において示され、同じくVIOSに基づくアレイ検査及び試験システムと組み合わせて用いるための、本発明の二重波長照射の概念の第2の代替的な実施形態によれば、変調器取付台600にリング照射装置601が組み込まれる。
リング照射装置601は変調器508上に設置され、LEDのような単波長(青色又は概ね455nmの波長)の光源603は、画像クリッピングを防ぐために、VIOS照射装置の光路の外側に配置される。
上記の第1の実施形態と同様に、変調器508の薄膜(図示せず)が、青色光を透過させ、かつ赤色照射装置501によって生成されるとともに電圧画像化変調器508の機能のために必要とされる可視波長の光を反射する。
光源603は照射パターン604を生成する。本発明の1つの例示的な実施形態では、取付用リング601の各辺が、4つのLED603を支持する。しかしながら、任意の適切な方法で取付用リング601上に離間される任意の他の適切な数のLEDを用いて、照射の所望の強度及び均一性を達成することができることは当業者には理解されよう。
それゆえ、本発明は、照射装置リング601、変調器取付台600及び光源603の図示される構成には限定されない。本発明の種々の実施形態では、照射装置リング601は正方形、長方形、八角形、円形、長円形又は他の適切な形状を有する。
被試験パネル上のa−Si残留物の電気的特性に影響を及ぼすために、光源603によって生成される光は、変調器602を通り抜けて、被試験パネルの前面を照射する。
【0045】
当業者であれば理解するように、変調器508のエリアのサイズによっては、或る場合、特にLED603の数が比較的少ないときに、図5を参照して説明された二重波長照射装置(DWI)実施形態に比べて、この実施形態において良好な均一性を達成するのがより困難である場合がある。
しかしながら、1辺当たり10個以上(全部で40個以上)までLED603の数を増やすことによって、照射をさらに均一にするのが容易になり、図5を参照して説明された二重波長照射装置(DWI)実施形態によって達成される均一性に匹敵する均一性を達成することができる。
変調器エリアの全範囲にわたって最良の均一性を得るために、LEDの放射角が制御されなければならない。当該技術分野においてよく知られているように、いくつかのLEDはランベルト放射プロファイルを有し、それゆえ、非常に大きな立体角において放射するが、それは高い度合いの照射均一性を達成するという所望の目標にとって有害である。なぜなら、より多くの光が、変調器の中央に不均等に送出されるためである。
この短所を克服するために用いられる場合があるいくつかの代替の解決手段がある。一実施形態では、光源603として特別な指向性LEDが用いられ、これは変調器508の最も内側の部分を照射するように方向付けられる。
【0046】
代替的な実施形態では、各汎用LEDにコリメーティングレンズが追加されるか、又は好ましくは光学的に結合され、ランベルトプロファイルの広がりを抑制する。LEDにコリメーティングレンズを光学的に結合するための種々の方法が当該技術分野においてよく知られている。
一実施形態では、各LEDは、その自らのコリメーティングレンズを備える。そのようなコリメーティングレンズは、表面照射の均一性を高めるのを容易にする。
さらに別の実施形態では、LED側にNDフィルター(neutral density filter)を追加することによって、指向性減衰が適用される。さらに、ディフューザー(diffusers)を用いて、(1)各LEDの空間的な不均一性を平滑化し、かつ(2)合成されたLED分布の全体的な照射均一性を改善することができる。たとえば、一実施形態では、Luminit社(Torrance, California, USA)(Physical Optics Corporation社)によって製作され、販売されるディフューザーを利用することができる。
【0047】
一実施形態では、楕円放射分布を生成するビーム整形ディフューザーを用いて、表面照射均一性を改善することができる。同じ実施形態又は異なる実施形態において、光屈曲又は方向転換薄膜を利用することによって、表面照射均一性を改善することもできる。
【0048】
被試験パネル509の表面上のa−Si残留物に表面照射を与える光源603が変調器508に近接して配置される別個の取付用リング上に取り付けられる図6に示される多数光源構成が、VIOS列そのものの中に第2の光源が組み込まれる図5の二重波長照射装置システムよりも優れている主な利点は、既存のガントリタイプシステムへの改良が容易であり、かつ安価であることである。
さらに、図6に示される本発明の概念は、均一な周辺照射を必要とする欠陥検出技法(電子ビームを基にする検出器等、そしておそらくフルコンタクトプローブテスターにも)に適用することができる。しかしながら、上記のように、電子ビーム検出器は、青色光照射に適合しないことに留意されたい。
【0049】
当業者であれば理解するように、変調器の近くに光源を配置することを伴う表面照射を与えるためのシステム構成は、図6に示される実施形態以外の多数の方法において達成することができる。それゆえ、図6に示される照射装置システムの特定の設計は、多少なりとも制限するものと見なされるべきではない。
【0050】
図7は、本発明の概念の実施形態のうちの1つを利用する、フラットパネルディスプレイ内の欠陥を検出するためのシステム700の1つの例示的な概略ブロック図を示す。
本発明のシステムは、VIOS702を含む。VIOS702は、二重波長照射装置703を含み、その1つの例示的な実施形態が図5を参照しながら上記で説明された(要素512)。
照射装置703によって生成される第1の波長の光ビーム、たとえば、青色光は、ガラス支持体上に設置されるLCDパネル701上に方向付けられる。
照射装置703によって生成される第2の波長の光ビーム、たとえば、赤色可視光は、変調器705上に方向付けられ、その光は変調器705の薄膜(図示せず)によって反射される。変調器705は、バイアスがかけられた被試験LCDパネル上の電界を、電気光学変換器(変調器)を介して空間的に変調された光信号に変換するように動作する。
反射された光はレンズ系704によってCCDデバイス711上に合焦され、そのCCDデバイスは、反射された赤色光において被試験LCDパネルのエリアの画像を生成し、生成された画像は、被試験パネル701にわたる電位の分布を指示する。
例示的なシステム700は、画像収集/画像処理PC709をさらに備える場合があり、それは、CCDデバイス711から画像データを受信し、受信された画像データを用いて被試験パネルの画像を生成し、生成された画像を処理して、被試験パネル上の欠陥セルの場所を含む、該欠陥LCDセルを特定するように構成される。欠陥の場所情報は、検出された欠陥を修正する等の、さらに別の処理のために記録することができる。
【0051】
本発明の一実施形態では、VIOS702は可動X/Y/Zステージアセンブリ706上に取り付けられ、そのアセンブリはステージ/IO制御モジュール707の制御下で動かすことができる。本発明の一実施形態では、同じX/Y/Zステージ706上に2つ以上のVIOS702が取り付けられ、被試験パネルの種々の領域が異なるVIOS702を用いて同時に検査されるようにする。
【0052】
最後に、試験信号パターン発生器710を配置して、被試験LCDパネルに駆動電圧パターンを与え、照射装置トリガーを制御し、かつ変調器に必要なバイアス電圧を与える。
【0053】
また、本発明の一実施形態において、前方光照射システムはVIOSサブシステム内に完全に組み込むことができ、上記の検出技法によって多少なりとも制限されず、最適な吸収効率及び照射均一性を与えることに留意されたい。
図6に示される前方光照射技法は、電子ビームを基にする検出システムにおいて用いるように適合することもできる。しかしながら、上記で説明され、図5において示される二重波長照射装置設計(a−Si活性化のために用いられる青色光が変調器まで主VIOS照射装置光と同じ光路に沿って進む設計)の場合、照射均一性は特に良好にすべきである。
【0054】
本発明の1つの具体的な実施形態では、表面照射はパルス状であり、TFTピクセルに対して感光性欠陥の検出を最大にする持続時間及び強度を得るために最適化される。詳細には、表面照射用光は、感光性欠陥の最大吸収光特性と一致する波長を有する。1つの具体的な実施形態では、a−Si残留物の表面照射のために、470nm未満の波長を有する青色光が利用される。
【0055】
本発明の一実施形態では、最適な前方光効率を得るために、アモルファスシリコン残留物の導電率を高めるために用いられる波長が、材料の吸収特性と一致するように選択される。
典型的には、a−Siは、低い波長(青色光)範囲において吸収エッジを有する。図8の曲線801を参照されたい。波長が長くなる(エネルギーが低くなる)場合に、その吸収は急激に減少し、一方、波長が短くなっても、その吸収は概ね変更されない。
青色光は、ピクセル電圧を測定するために使用する二次電子検出器内にかなりの量の雑音を誘発するので、電子ビームを基にする欠陥検出は、青色光の使用とは合わないことに留意されたい。これには2つの理由がある。第一に、青色光のような短い波長を有する光子は、赤色波長を有する光子よりも高いエネルギーを有するので、それらの光子が電子を検出するために必要とされるシンチレータ−光電子増倍管検出器に突き当たるときに、より多くの不要の雑音信号を生成する。第二に、検出器に入る二次電子のエネルギーは、電子及び光子の衝突によって影響を及ぼされる可能性があるので、信号の変動が大きくなる可能性があり、全体的な雑音の一因になる。
【0056】
アモルファスシリコンは短い波長の光に対して感光性であり、それゆえ照射後に可動性の光電子が生成され、それにより、a−Si欠陥の導電率が増加する。いくつかの実施形態では、470nmの波長(又はさらに短い波長)を有する青色光が選択される。なぜなら、一部には、青色光は相対的に高い電力を有し、a−Siにおいてより効率的に吸収され、かつ低いシート抵抗を有するためである。
図4は、2つの異なる波長、470nm(プロット401)及び530nm(プロット402)の場合に、光強度の関数としてシート抵抗の2つのプロットを示す。それらのプロットから、2つの波長のうちの短い方(401)が、強度が増加するのに応じて抵抗をより急激に減少させることが明らかである。短い波長の光に対応する信号ほど強くなる場合があるので、短い波長を使用するほど、小さなサイズの欠陥の検出することができるようになる可能性もある(式1、3)。
【0057】
a−Siが影響されやすい波長を有する光で前方パネル表面を照射すること関する1つの短所は、TFTチャネルも同じ光照射に露光されることである。
TFT構造もa−Si材料から構成されるので、突き当たる表面照射は、欠陥を形成する残留物と同じようにして、TFT内のa−Si材料のコンダクタンスも高めるであろう。露光されるときに、TFTのオフ状態コンダクタンスが増加することになり、それゆえ、TFTの漏れ電流が、暗い状態における対応する値よりも大きくなるであろう。この結果として、ピクセル電圧の減衰が大きくなり、それは電圧画像テスター、又は欠陥を検出するためにTFTの電圧応答を利用する他の類似の試験方法によって検出することができる。
したがって、TFTチャネルに実際には欠陥がない場合であっても、テスターは、そのチャネルを、ピクセル電圧の減衰に依存する欠陥を有するものと誤って解釈する場合がある。すなわち、表面照射用光で良好なTFTピクセル又はチャネルを照射する結果として、偽欠陥が観測される場合がある。
【0058】
TFT漏れ電流に起因するピクセル電圧減衰を最小にするが、同時にa−Si残留物の検出応答を最大にする1つの方法は、前方照射用光をパルスにすると共に、光パルスの持続時間及び強度を変更することによる。
図9は、LCD駆動パターン信号のタイミングに対する前方光タイミング図を示す1つの例示的なグラフィカルユーザインターフェース900である。信号901(データ奇数)、902(データ偶数)、903(ゲート奇数)、904(ゲート偶数)が、LCD試験駆動パターンを構成する。表面照射パルス905は、その強度、持続時間、開始時間及び終了時間によって特徴付けられる。
【0059】
図10は、表面照射パルス905のパラメータが所与の駆動パターンのフレーム毎に異なる、起こり得る前方光パターン1000の別の例である。
具体的には、第1の(A)フレームにおいて、表面照射パルス905は3msの持続時間、3.5msの開始時間及び50%の強度を有する。第2の(B)フレームでは、表面照射パルス905はオフにされる。第3の(C)フレームでは、表面照射パルス905は7msの持続時間、0msの開始時間及び25%の強度を有する。最後に、第4の(D)フレームでは、表面照射パルス905は3msの持続時間、3.5msの開始時間及び50%の強度を有する。変調器バイアス電圧906はフレーム毎に同じである。
【0060】
TFT漏れに起因する電圧減少を最小にしながらa−Si残留物に起因するピクセル電圧減少を最大にすることは、サイト標準偏差を小さくしておくか、又は信号対雑音比(SNR)を高くしておきながら、欠陥検出感度(DDS)を最大にすることに対応する。
詳細には、DDSの値は、欠陥コントラストの尺度(measure)であり、正常なピクセルのためのピクセル電圧と欠陥がある場合のピクセル電圧との間の比較として定義される。すなわちDDS=(1−Vdefect/Vsite-av)である。典型的には、DDSは、欠陥検出において典型的に用いられる値である30%しきい値を用いて検出する場合、0.3よりも大きくすべきである。
サイト標準偏差は0.4V未満のままになるはずであり、一方、信号対雑音比SNR=(Vsite-av/標準偏差)は25よりも大きくなる場合がある。
【0061】
図11A及び図11Bは、1つの具体的なタイプの欠陥(寄生データピクセルキャパシタンスタイプ欠陥)の場合に本発明のシステムの1つの例示的な実施形態を用いて得られる試験結果1100及び1200を示す。
これらの図は、前方光終了時間に対するDDS(図11A)及びSNR(図11B)の依存性を示す。具体的には、9対の強度及び開始時間値の場合に、図11Aのデータプロット1101〜1109が示される。
具体的には、10%強度、1ms開始時間(プロット1101);10%強度、7ms開始時間(プロット1102);10%強度、9ms開始時間(プロット1103);50%強度、1ms開始時間(プロット1104);50%強度、7ms開始時間(プロット1105);50%強度、9ms開始時間(プロット1106);90%強度、1ms開始時間(プロット1107);90%強度、7ms開始時間(プロット1108);及び90%強度、9ms開始時間(プロット1109)である。
図11Bに示されるプロット1201〜1209は、図11Aのそれぞれのプロット1101〜1109と同じ強度/開始時間対に対応する。
パルス持続時間、強度及び開始時間は、パネルによって変わる場合があり、異なる欠陥タイプでは異なる場合があることに留意されたい。
【0062】
第一に、提供されるプロット1101〜1109から、パルス終了時間及び持続時間と共に、DDSが増加し(a−Si残留物への前方光の影響に起因する)、SNRが減少する(TFTへの前方光の影響に起因する)ことを観測することができる。
第二に、10%強度と50%強度との間でDDSの値は増加し、SNRの値は減少するが、これはさらに強度が高くなっても変化しない。これは飽和効果を示す。
第三に、Tend>14ms(T=0は正の変調器サイクルの開始において得られる)の場合に、DDS及びSNRの値は飽和するように見える。
第四に、ピクセル駆動が行なわれないときに、負の変調器バイアスサイクルの範囲内にあるパルスは影響を及ぼさない。
【0063】
図11A及び図11Bにおいて示されるように、本発明の概念の特定の実施形態では、最良の検出、すなわちDDS>0.3かつSNR>25%は、50%以上の強度の場合に、かつ変調器バイアスサイクルの正の半分の開始後にt=8ms〜11msにおいて終了するパルス、すなわち、データ電圧降下直後に終了する保持時間と1ms〜3msだけ重なるパルスの場合に満たされる。
長い持続時間を有するパルスほど、光によって引き起こされるTFT漏れに起因して、SNRが受け入れられないほど大きく降下することに留意されたい。比較のために、図11Bにおいて、前方光を用いない場合の欠陥の検出に対応するSNR値1210も示される。
【0064】
最後に、本明細書において記述される工程及び技法は、任意の特定の装置に固有に関連するものではなく、複数の構成要素の任意の適切な組み合わせによって実現される場合がある。さらに、本明細書において記述される教示によれば、種々のタイプの汎用デバイスを用いることもできる。本明細書において記述される方法ステップを実行するために、専用装置を構成することが好都合であることも判明し得る。本発明は特定の例との関連で説明されてきたが、それらの例は、あらゆる点において、制限するものではなく、例示であること意図している。当業者は、ハードウエア、ソフトウエア及びファームウエアの数多くの種々の組み合わせが本発明を実施するのに適していることを理解されよう。
【0065】
さらに、本明細書を検討すること、及び本明細書において開示される発明を実施することから、当業者には本発明の他の実施態様が明らかになるであろう。上記の実施形態の種々の態様及び/又は構成要素は、単独で、又は任意の組み合わせにおいて、本発明の欠陥検出システムにおいて用いられる場合がある。本明細書及び例は単なる例示と見なされ、本発明の真の範囲及び精神は添付の特許請求の範囲及びその均等物によって指示されることが意図されている。
【技術分野】
【0001】
本発明はフラットパネルディスプレイ内の欠陥の検出に関し、より具体的には、表面照射(front side illumination)を用いてフラットパネルディスプレイ内の欠陥を検出することに関する。
【0002】
[関連出願の相互参照]
本出願は、2008年5月21日に出願された米国仮特許出願第61/055,031号に基づいており、米国特許法第119条により、その特許出願からの恩典を主張する。その特許出願の開示全体が参照により本明細書に援用される。
【背景技術】
【0003】
フラットパネル液晶(LC)ディスプレイの製作中に、薄膜トランジスタ(TFT)アレイを堆積するための基板として、薄いガラスから成る大きな透明プレートが用いられる。通常、1枚のガラス基板プレート内には、いくつかの個別のTFTアレイが含まれており、それらのTFTアレイはTFTパネルと呼ばれる場合もある。代替的には、ピクセル又はサブピクセル毎にトランジスタ又はダイオードを利用するアクティブマトリックスLCD(active matrix LCD)、すなわちAMLCDが、その種のディスプレイを覆うので、そのようなガラス基板プレートはAMLCDパネルと呼ばれる場合もある。フラットパネルディスプレイは、有機LED(OLED)技術を用いて製造することもでき、典型的にはガラス上に製造されるが、プラスチック基板上に製造される場合もある。
【0004】
TFTパターンの堆積は多数のステージにおいて実行され、各ステージにおいて、特定の材料(たとえば金属、酸化インジウムスズ(ITO)、結晶シリコン、アモルファスシリコン等)が、所定のパターンに合わせて、先行する層(又はガラス)の上部に堆積される。各ステージは典型的には、堆積、マスキング、エッチング、剥離等のような複数のステップを含む。
【0005】
これらの各ステージ中、及び各ステージ内の種々のステップにおいて、多数の製造欠陥が生じる場合があり、それらの欠陥は、最終的なLCD製品の電気的性能及び/又は光学的性能に影響を及ぼす場合がある。そのような欠陥は、限定されないが、図1に示されるように、ITO112内への金属突起110、金属116内へのITO突起114、いわゆるマウスバイト118、開放(open circuit:開回路)120、トランジスタ124内の短絡122、外来粒子126及びピクセル下残留物128を含む。ピクセル下のアモルファスシリコン(a−Si)残留物128は、アンダーエッチング又はリソグラフィの問題から生じる場合がある。他の欠陥は、マスク問題、オーバーエッチング等を含む。
【0006】
TFT堆積工程が厳重に管理される場合であっても、欠陥の発生は避けることはできない。これは、製品歩留まりを制限し、生産コストに悪影響を及ぼす。
典型的には、TFTアレイは、
厳密な堆積工程ステップに従う1つ又は複数の自動光学検査(automated optical inspection)(AOI)システム(複数可)、及び
Photon Dynamics社(5970 Optical Court, San Jose, California, 95138, USA)(Orbotech社)によって生産され、完成したTFTアレイを試験するアレイテスター又はアレイチェッカー(AC)とも呼ばれるような、電気光学検査機
を用いて検査される。
【0007】
a−Si欠陥は感光性であるので、特に厄介な欠陥である。すなわち、その欠陥は暗い状態では絶縁体として動作するが、露光されるときに導体として動作する。実際のところ、そのシート抵抗RSiは、光強度の関数として減少する。図4は、その依存性を示す。したがって、シート抵抗が光強度に依存することは、露光が変化するのに応じて、欠陥に起因するピクセル電圧変化も異なる場合があることを意味する。このため、最終的なFPD組立の完了前に欠陥が検出されない場合、通常のFPD動作中にディスプレイのバックライトに欠陥が露光されるので、エンドユーザが欠陥に容易に気付いてしまうであろう。したがって、そのような欠陥を検出することへの強い動機付けが存在している。
【0008】
残念なことに、従来の技術は、パネル製造の種々のステージ中にLCDパネル上の欠陥を形成するa−Si残留物を有効に検出するのに適した方法論を提供することができていない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
本発明の方法論は、欠陥を形成するLCDパネルディスプレイ内のa−Si残留物を検出することに関連する、上記の問題及び他の問題のうちの1つ又は複数を実質的に回避する方法及びシステムに関する。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明の方法論の一態様によれば、被試験パネル内の欠陥を検出するためのシステムが提供される。そのシステムは、表面照射用光ビームを被試験パネル上に送達するように構成される表面照射サブシステムを含む。表面照射用光ビームは、欠陥の電気的特性を変更して欠陥の検出を容易にする能力を有する。そのシステムは、欠陥の変更された電気的特性に基づいて、欠陥を検出するように構成される検出サブシステムをさらに含む。そのシステムにおいて用いられる表面照射用光ビームはパルス状であり、欠陥の検出を最大にすると共に偽欠陥の検出を最小にする持続時間及び強度を得るために最適化される。さらに、表面照射用光ビームは、欠陥の最大吸収光特性と一致する波長を有する。
【0011】
本発明の方法論の別の態様によれば、被試験パネル内の欠陥を検出するためのシステムが提供される。そのシステムは、表面照射用光ビームを被試験パネル上に送達するように構成される表面照射サブシステムを含む。表面照射用光ビームは、欠陥の電気的特性を変更して欠陥の検出を容易にする能力を有する。そのシステムは、欠陥の変更された電気的特性に基づいて、欠陥を検出するように構成される検出サブシステムをさらに含む。上記の検出サブシステムは、被試験パネルにわたる空間電圧分布を指す画像を生成するように構成される電圧画像化光学デバイスを含む。被試験パネル内の欠陥は、生成された画像に基づいて検出される。そのシステムにおいて、表面照射サブシステムは、電圧画像化光学デバイスの光路内に組み込まれる。さらに、表面照射用光ビームは、欠陥の最大吸収光特性と一致する波長を有する。
【0012】
本発明の方法論のさらに別の態様によれば、被試験パネル内の欠陥を検出するためのシステムが提供される。そのシステムは、表面照射用光ビームを被試験パネル上に送達するように構成される表面照射サブシステムを含む。表面照射用光ビームは、欠陥の電気的特性を変更して欠陥の検出を容易にする能力を有する。そのシステムは、欠陥の変更された電気的特性に基づいて、欠陥を検出するように構成される検出サブシステムをさらに含む。上記の検出サブシステムは、被試験パネルにわたる空間電圧分布を指す画像を生成するように構成される電圧画像化光学デバイスを含む。被試験パネル内の欠陥は、生成された画像に基づいて検出される。上記の表面照射サブシステムは、電圧画像化光学デバイスの光路外に配置される。さらに、表面照射用光ビームは、欠陥の最大吸収光特性と一致する波長を有する。
【0013】
本発明に関連するさらに別の態様が、部分的には以下の説明において述べられており、その説明から或る程度は明らかになるか、又は本発明を実施することによって習得される場合もある。本発明の態様は、以下の詳細な説明及び添付の特許請求の範囲において特に指摘される要素、並びに種々の要素及び態様の組み合わせによって実現及び達成することができる。
【0014】
これまでの説明及びこれ以降の記述はいずれも単に例示的、及び説明的なものであり、いかなる方法においても、特許請求される発明又はその用途を制限することは意図していないことを理解されたい。
【0015】
添付の図面は、本明細書に組み込まれ、その一部を構成しており、本発明の実施形態を例示し、その説明と共に、本発明の技法の原理を説明及び例示するための役割を果たす。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】周期的なトランジスタアレイを備える、大きく平坦なパターニング済みの媒体の一部の平面図において種々の非周期的な欠陥を示す図である。
【図2】アモルファスシリコン残留物の例示的な断面図である。
【図3】TFTピクセルに関するa−Si残留物のための例示的な等価回路図である。
【図4】入射光波長へのシート抵抗の依存性を示すサンプルグラフである。
【図5】本発明の概念の一実施形態による、二重波長照射装置(dual wavelength illuminator)(DWI)の例示的な概略図である。
【図6】本発明の概念の別の実施形態による、変調器搭載照射装置(modulator mount illuminator)(MMI)の例示的な概略図である。
【図7】フラットパネルディスプレイ内の欠陥を検出するための本発明のシステムの例示的な概略ブロック図である。
【図8】アモルファスシリコンのための典型的な吸収曲線を表す例示的なグラフである。
【図9】起こり得る前方光及びピクセルパターンドライバータイミング図の一例を示す図である。
【図10】所与の駆動パターンのフレーム毎にパルスが異なる、起こり得る前方光パターンの別の例を示す図である。
【図11A】種々のパルス開始時間及びパルス強度の場合の前方光パルス終了時間の関数としての欠陥検出感度(defect detection sensitivity)(DDS)のプロット図である。
【図11B】種々のパルス開始時間及びパルス強度の場合の前方光パルス終了時間の関数としての信号対雑音比(signal-to-noise ratio)(SNR)のプロット図である。
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下の詳細な説明では、添付の図面(複数可)が参照されることになり、それらの図面では、同じ機能要素は同じ符号で指示される。上記の添付の図面は、制限するためではなく、例示のために、本発明の原理と一致する具体的な実施形態及び実施態様を示す。これらの実施態様は、当業者が本発明を実施することができるようにするほど十分に詳しく記述されており、他の実施態様が利用される場合があること、及び本発明の範囲及び精神から逸脱することなく、構造的な変更及び/又は種々の要素の置換を行うことができることは理解されたい。それゆえ、以下の詳細な説明は、制限する意味に解釈されるべきではない。さらに、記述されるような本発明の種々の実施形態は、専用ハードウエアの形で、又はソフトウエア及びハードウエアの組み合わせにおいて実現される場合がある。
【0018】
当業者であれば理解するように、アレイテスターは、たとえば、参照によりその全体が本明細書に援用される米国特許第4,983,911号、第5,097,201号及び第5,124,635号において記述されているような、電圧画像化試験装置及び方法を使用することによりLCディスプレイ内の欠陥を特定することができる。
LCディスプレイ内のピクセルは、たとえば、参照によりその全体が本明細書に援用される米国特許第5,235,272号及び第5,459,410号において記述されているように、特定のパターンを用いて電気的に駆動される。
LCディスプレイはピクセルのアレイから構成されるので、LCディスプレイが電気的に駆動されるときに、欠陥に関連付けられるいくつかのピクセルが、正常なピクセルとは異なるように電気的に挙動する場合があり、それゆえ、そのような差が電圧画像化センサ及び関連する画像処理ソフトウエアを用いて検出される場合がある。
種々の駆動パターンの組み合わせを使用することにより、図1において示される欠陥のうちの多くの欠陥のタイプ及び場所を推定することができる。
【0019】
しかしながら、ITO下のa−Si残留物128を有する欠陥のあるピクセルは、標準的なアレイ試験法を用いるアレイ試験において検出するのはかなり難しい。a−Si欠陥を有するTFTピクセル200の一例の断面図が図2に示される。
TFTピクセル構造200は、ガラスプレート202上に形成される。ゲート絶縁体204がガラス上に置かれ、その次に、データ金属線206がめっきされる場合があり、さらにその次に、酸化インジウムスズ(ITO)210のような透明導電性材料の形をとるピクセル機構(feature)が堆積される。最後に、窒化シリコン(SiNx)208のようなパッシベーション(passivation:表面保護)層が堆積される。
アモルファスシリコン又はデータ金属残留物212が残存する場合があり、線機構の延長によって図式的に表されており、それは後にITO層の下に入る。残留物212とピクセル(ITO)210との間の重複部214のエリアは、寄生キャパシタンスCpを有するキャパシタ216を形成する。
【0020】
図3は、ピクセル下のa−Si残留物の等価図である。
この場合、以下の式が成り立つ。
Cp=kSiN*ε0*Arearesidue/dgateSiN (式1)
Cst=kSiN*ε0*WpixelWst/dpassSiN (式2)
ただし、Cpは寄生キャパシタンスであり、kSiNはSiNの誘電率であり、ε0は空中の誘電率であり、Wpixelはピクセルの幅であり、一方、Wstは(キャパシタンスCstを有する)ストレージキャパシタの幅であり、dpassSiN及びdgateSiNはそれぞれ、パッシベーション層及びゲート−SiN層の厚みであり、Arearesidueは、該当部分下の残留物欠陥の面積である。
【0021】
アレイ試験時に、LCプレートに駆動電圧が印加され、電圧画像化センサによってピクセル応答を観測することができる。データ金属残留物及びa−Siのような欠陥がある場合、画像収集前にデータ電圧が負に降下される正−負(positive-negative)(PN)駆動パターンが用いられる場合がある。このパターンでは、データ電圧の降下が、ITO−データ線重複部を有するピクセルにおいて電圧降下を引き起こす。データ電圧降下がΔVdである場合には、ピクセル電圧降下ΔVpは、以下のように表すことができる。
【0022】
【数1】
【0023】
ただし、CpはITO−データ線残留物重複部の寄生キャパシタンスであり、Cstはストレージキャパシタのキャパシタンスであり、RSiはアモルファスシリコンのシート抵抗である。
【0024】
式1及び式3は、a−Si欠陥に関する2つの重要な点を明らかにする。第一に、寄生キャパシタンスは欠陥のサイズ(Arearesidue)の関数である。第二は、シート抵抗RSiへの指数関数的な依存性である。
絶縁体状態では(光がない場合)、RSiは非常に高い場合があり(概ね数百GΩ/□)、それゆえ、式3によれば、露光されない場合、ΔVpはΔVd*(Cp/Cst)に概ね等しく、最大値を有する。Cp<Cstであるので、露光されない場合の最大ΔVpはかなり小さい場合があり、それゆえ、光を利用することができない場合には、欠陥は容易に検出することができない場合がある。重複部の面積に応じて、変化が生じる結果として、従来の64階調駆動方式下で数階調のシフトが生じる場合がある。2つの連続した階調間の電圧ステップは約50mVである。これはあまりにも小さすぎて、欠陥と正常なピクセルとを区別することができない。
【0025】
しかしながら、さらに、サイズへの依存性があるので(式1)、露光される場合であっても、非常に小さなa−Si欠陥は検出することができない場合があり得る。
【0026】
a−Si欠陥のうち、AOIを用いて見つけられるものもあれば、従来の欠陥検出技術によるACを用いて検出することができるものもある。しかしながら、そのような欠陥のかなりの割合は早期には特定されず、TFT−LCDセル組立が完了した後に、正確には、LCプレートがパネルに分割され、モジュールに組み立てられてからかなり後にしか検出されない。
セル試験において、TFT−LCDパネルが電気的に駆動されるときに、TFT−LCDパネルが画像を表示するための光源をバックライトモジュールが提供する。a−Siは感光性であるので、これらの条件下で、この欠陥を検出することができるようになる。
しかしながら、レーザ修復システムを用いて残留物を比較的容易に除去することができるので、セル組立ステップの前に、より好ましくはアレイ検査ステップにおいて、欠陥を正確に見つけることが望ましい。さらに、製造工程の早期のステージにおいて、かつセル組立の前に欠陥を検出することは、組立工程に関連付けられるコスト、及び必要とされるカラーフィルターガラスに関連付けられるコストを節約する。
【0027】
LCDアレイ検査装置は、一般的に外部光源を備えないので、a−Si残留物の検出は難しい可能性がある。Photon Dynamics社(Orbotech社によって買収された)によって製作されるアレイテスターのAC47××製品ファミリーは、分割軸タイプシステム上の透明チャックと共に用いられる短波長バックライトを含み、検査エリア、それゆえチャックは単一の変調器行(single modulator row)に制限される。
しかしながら、チャックがガラスサイズ全体を覆うガントリタイプシステムでは、関連するバックライトも、移動することによって(たとえば、単一経路)又は固定状態で(たとえば、フルカバー)、ガラスサイズ全体を覆うことが要求されることになるので、実用性もコスト効率も低下する場合がある。
【0028】
a−Si残留物がTFT内のゲート金属を覆ういくつかの事例では、バックライトがゲート機構を通り抜けることができないので、ゲート残留物上のa−Siを検出するのは難しい。これは、冗長なTFTを有するいくつかのピクセル設計において、より具体的には、冗長なTFTが電気的に分離され、ピクセルに接続されない事例では、頻発する欠陥である。
a−Si残留物がピクセルTFT及び冗長なTFTを橋絡するとき、それは性能に影響を及ぼし、それゆえ欠陥と見なされる。a−Si残留物はCgd(ゲート−ドレイン寄生キャパシタンス)を増加させる。ゲートがターンオフするとき(電圧スイング:ΔVg)、ゲート−ドレインキャパシタ結合効果に起因して、ピクセル電圧が降下する。これはキックバック効果と呼ばれる。ピクセル電圧降下ΔVpは以下のように表すことができる。
ΔVp=ΔVg*Cgd/(Cgd+Cst+Clc) (式4)
ただし、Clcはセルキャパシタンスである(セル駆動の場合にのみ存在する)。ピクセルTFTを冗長なTFTに接続するゲート上のa−Si残留物は、ゲート−ドレインキャパシタンスを増加させ、それもピクセル電圧降下を増加させる。
【0029】
他の非電圧画像化アレイテスター、たとえば、電子ビームを用いるテスターは、欠陥に電子をスプレーし、その電子が欠陥領域内に蓄積することによって、a−Si残留物を検出することができる。電子の蓄積は、a−Si導電率を増加させ、それにより、関連する画像化方法がその欠陥を検出することができるようにする。
【0030】
本発明の一実施形態によれば、概して、セルステップのかなり前のアレイ試験ステップにおいてa−Si残留物欠陥を検出することができるようにし、詳細には、TFTアレイセルのゲート絶縁体上のa−Si残留物を検出することができるようにする表面照射装置及び方法が提供される。当業者であれば理解するように、TFTアレイ試験では、a−Siは、露光されない場合には高い固有抵抗を有する。
一方、a−Si残留物が光で照射されるとき、その固有抵抗は減少し、それにより、TFTアレイセルの電気的特性が変化し、それをPhoton Dynamics社(5970 Optical Court, San Jose, California, 95138, USA)(Orbotech社)によって生産されるような、電圧画像化光学システム(VIOS)を用いて検出することができる。そのようなシステムの例示的な実施形態が、上記の米国特許第4,983,911号、第5,097,201号及び第5,124,635号において詳細に記述されており、それらの特許は、その全体が参照により本明細書に援用される。
したがって、本発明の一実施形態では、TFTアレイセルは、VIOSを用いて実行される試験中にTFTパネルの上面に影響を及ぼす照射用光パルスに露光される。
【0031】
一実施形態によれば、表面照射は、VIOSにおいて電圧画像化のために用いられる照射と同じ経路に沿って進行する。一実施形態では、VIOS照射は、可視波長範囲の赤色部分において実行される。1つの具体的な実施態様では、例示的な光波長は630nmである。別の実施形態によれば、表面照射は、1つ又は2つの波長から構成され、VIOSの電圧画像変調器の周辺に送達される。
【0032】
本発明の一実施形態では、上面又は表面照射をフラットパネルアレイテスターに組み入れることは、VIOS試験装置及びその機能と連携して達成される。この結果として、VOIS列のいくつかの構成要素が、表面照射及びVIOS画像化の両方の場合に使用されているので、試験システム全体のコストが節約され、効率が高められる。
詳細には、対象となる欠陥(a−Si)を検出する能力は光強度の関数であるので、TFTセルの前面照射は、対象となる検出エリアにわたって適切に均一であり、かつ再現可能でなければならない。さらに、a−Siを検出するための照射及び光学装置は、TFTセルにおいて生じる可能性があり、かつそのうちのいくつかが上記で説明されている他のタイプの欠陥を探索する際のVIOSテスターの機能を妨げてはならない。
【0033】
本発明の一実施形態では、ゲート構造上のような構造上にあるか、又はLCDピクセルのデータ線に付着する残存a−Si残留物のような、感光性の製作欠陥の検出を容易にするために、LCDアレイ試験中に被試験パネル上のLCD構造の表面照射を生成するように構成されるシステムが提供される。
本発明のシステムの一実施形態では、パネルの表面が、電圧画像化のためにVIOSにおいて用いられる光の波長とは異なる波長を有する光で照射される。これは、少なくともいくつの理由により行なわれる。第一に、VIOS照射において用いられる光は、a−Si残留物及び/又は他の感光性欠陥を効率的に検出することができないことがある波長を有する場合がある。第二に、VIOSの変調器の設計は、電圧画像化のためのVIOSにおいて用いられる光が上記の変調器の薄膜によって概ね完全に反射され、それゆえ決してパネルに達しないようなものである。
したがって、表面照射のための光は、a−Si残留物を活性化し(その電気的特性を変更し)、薄膜によって透過されるように選択される。
【0034】
最後に、システム全体が、これら2つの光ビームを分離し、表面照射のために用いられる光がVIOS画像化を妨げないようにする手段(図5において示されるローパスフィルター510)を備え、それは各光波長の上記の差を利用する。
【0035】
本発明の二重波長光学照射システム500の1つの例示的な実施形態を示す図が図5において提示される。この例示的な図は、例示のためだけに提供され、本発明の範囲を多少なりとも制限するものと見なされるべきではない。図5において示されるように、電圧画像化光学システム(VIOS)に基づくアレイ検査及び試験システムと組み合わせて用いるために、二重波長照射装置512(DWI)がVIOS照射装置の光学列(optical column)内に置かれる。VIOS照射装置の構成は、たとえば、その全体が参照により本明細書に援用される米国特許第5,124,635号において記述されている。
【0036】
図5に示されるように、二重波長照射装置512は、青色光照射装置502によって生成される青色光504(たとえば、a−Si欠陥が特に影響されやすい波長455nmを有する)を、赤色光照射装置501によって生成され、欠陥の画像化のために用いられる可視光505(たとえば、波長630nmを有する)と同じ光路に結合する。具体的には、図8は、a−Siの典型的な光吸収曲線801を示しており、それは、波長455nm(802)を有する光がa−Siの場合に最も高い吸収係数を有することを示す。
【0037】
異なる波長の2つの光ビームの上記の結合は、ダイクロイックミラー(ビームスプリッター)503を用いることによって二重波長照射装置512内で達成される。ダイクロイックミラーは、青色光ビーム504を実質的に透過させ、かつ赤色光ビーム505を実質的に反射して、両方の波長を有する合成光ビームを生成する。当業者であれば理解するように、異なる波長の光ビームの結合は、数多くの他の方法において達成される場合もあり、そのうちのいくつかが、本発明の他の実施形態を参照しながら以下で説明される。それゆえ、図5に示される二重波長照射装置512の特定の設計は、多少なりとも制限するものと見なされるべきではない。
【0038】
図5に示されるシステムに戻ると、ダイクロイックミラー(ビームスプリッター)503を通った後に、同一直線上にある青色光ビーム及び赤色光ビームはビームスプリッター506によって反射され、レンズアセンブリ507を通り抜ける。レンズアセンブリは、光変調器508及び被試験パネル509上で所望の照射分布パターンを達成するために設けられる。
【0039】
上記のように、本発明の種々の付加的な実施形態又は代替的な実施形態では、光変調器508及び被試験パネル509の二重波長の同一直線上の照射は、いくつかの異なる方法において達成することができる。たとえば、一実施形態では、波長選択は制限されることがあるが、多波長発光ダイオード(LED)が用いられる場合もある。この構成では、たとえば、光源502の代わりに、上記の多波長発光ダイオードを利用する1つの照射装置を使用する必要があるだけであり、第2の光源501及びダイクロイックミラー503は、照射システムから除外することができる。
【0040】
さらに代替的な実施形態では、単一の光源内に、単波長の赤色LEDが単波長の青色LEDと共に空間的に点在する場合があり、その単一の光源を同じく光源502の代わりに用いることができる。この場合もまた、この構成では、第2の光源501及びダイクロイックミラー503は照射システムから除外される必要がある。しかしながら、そのように2つの異なる波長の点在するLEDを用いる構成では、照射の均一性が損なわれる場合があることに留意されたい。
【0041】
一実施形態では、VIOS変調器508に薄膜515が設けられる。その薄膜は、被試験パネルの試験されるLCD構造に空間的に極めて近接して変調器508の表面上に配置される。薄膜515は、照射装置501によって生成される赤色光は薄膜515によって反射されるが、照射装置502によって生成される青色光は薄膜515によって透過されるように特に選択された光学的特性を有する。
変調器508は、変調器508の薄膜に空間的に極めて近接して配置される、被試験パネル509の上部(図5において)表面にわたる電位の分布に基づいて、薄膜515によって反射される赤色光の強度を変調する。
薄膜によって反射された後に、変調された赤色光は、レンズアセンブリ507、ビームスプリッター506及びローパスフィルター510を通り抜ける。フィルター510を通り抜けた後に、反射された赤色光は、CCDデバイス511の感光素子に突き当たり、CCDデバイスを用いて、被試験パネルの画像が生成される。
a−Si残留物を照射するために用いられる任意の青色光がVIOSのCCD画像センサ511を妨げないようにするために、CCDデバイス511にはローパスフィルター510が設けられる。
このフィルターは、青色光を大きく減衰させると共に、赤色光が減衰することなく通り抜けられるように設計される光伝送特性を有する。これは、表面照射用青色光がCCDデバイス511に達しないようにし、かつ被試験パネル509の上部表面上の電位に関する画像を生成するのを妨げないようにする。
本発明の一実施形態では、たとえば、VIOSによってより容易に検出することができるようにすると共に欠陥そのものの画像を生成しないようにするために、青色光は、a−Si残留物の電気的特性を変更するためにのみ用いられることに留意されたい。
【0042】
被試験パネル509の表面上の試験されるLCD構造は電圧源513を用いてバイアスをかけられ、一方、変調器508の上部(図5において)表面516は電圧源514を用いてバイアスをかけられる。
本発明の一実施形態では、最良の光透過及び反射を達成するために、そのシステムの全ての光学的な構成要素は、適切なオプティカルコーティングを設けられる。
両方の波長(青色及び赤色)の光による照射の均一性は同様であり、典型的には、本発明の一実施形態では約25%以上であることに留意されたい。照射の典型的な均一性は10%〜15%の範囲にある。したがって、本発明の二重波長照射の概念及び図5において示される構成によれば、a−Si欠陥が最も影響されやすいが電圧画像化試験(VIOS)ハードウエアの機能を劣化させるか又は妨げることのない波長において、a−Si欠陥を照射することができるようになる。
【0043】
本発明は赤色光及び青色光のみによって変調器及び被試験パネルを照射することには限定されないことに留意されたい。当業者であれば理解するように、検出を可能にするほどその電気的特性を十分に変化させると共に、表面照射がVIOSの動作を妨げるのを低減するために、別の波長の照射用光を選択して、a−Si残留物による適切な吸収を達成することができ、それを用いて被試験パネルにわたる電圧分布パターンを再現する。
【0044】
図6において示され、同じくVIOSに基づくアレイ検査及び試験システムと組み合わせて用いるための、本発明の二重波長照射の概念の第2の代替的な実施形態によれば、変調器取付台600にリング照射装置601が組み込まれる。
リング照射装置601は変調器508上に設置され、LEDのような単波長(青色又は概ね455nmの波長)の光源603は、画像クリッピングを防ぐために、VIOS照射装置の光路の外側に配置される。
上記の第1の実施形態と同様に、変調器508の薄膜(図示せず)が、青色光を透過させ、かつ赤色照射装置501によって生成されるとともに電圧画像化変調器508の機能のために必要とされる可視波長の光を反射する。
光源603は照射パターン604を生成する。本発明の1つの例示的な実施形態では、取付用リング601の各辺が、4つのLED603を支持する。しかしながら、任意の適切な方法で取付用リング601上に離間される任意の他の適切な数のLEDを用いて、照射の所望の強度及び均一性を達成することができることは当業者には理解されよう。
それゆえ、本発明は、照射装置リング601、変調器取付台600及び光源603の図示される構成には限定されない。本発明の種々の実施形態では、照射装置リング601は正方形、長方形、八角形、円形、長円形又は他の適切な形状を有する。
被試験パネル上のa−Si残留物の電気的特性に影響を及ぼすために、光源603によって生成される光は、変調器602を通り抜けて、被試験パネルの前面を照射する。
【0045】
当業者であれば理解するように、変調器508のエリアのサイズによっては、或る場合、特にLED603の数が比較的少ないときに、図5を参照して説明された二重波長照射装置(DWI)実施形態に比べて、この実施形態において良好な均一性を達成するのがより困難である場合がある。
しかしながら、1辺当たり10個以上(全部で40個以上)までLED603の数を増やすことによって、照射をさらに均一にするのが容易になり、図5を参照して説明された二重波長照射装置(DWI)実施形態によって達成される均一性に匹敵する均一性を達成することができる。
変調器エリアの全範囲にわたって最良の均一性を得るために、LEDの放射角が制御されなければならない。当該技術分野においてよく知られているように、いくつかのLEDはランベルト放射プロファイルを有し、それゆえ、非常に大きな立体角において放射するが、それは高い度合いの照射均一性を達成するという所望の目標にとって有害である。なぜなら、より多くの光が、変調器の中央に不均等に送出されるためである。
この短所を克服するために用いられる場合があるいくつかの代替の解決手段がある。一実施形態では、光源603として特別な指向性LEDが用いられ、これは変調器508の最も内側の部分を照射するように方向付けられる。
【0046】
代替的な実施形態では、各汎用LEDにコリメーティングレンズが追加されるか、又は好ましくは光学的に結合され、ランベルトプロファイルの広がりを抑制する。LEDにコリメーティングレンズを光学的に結合するための種々の方法が当該技術分野においてよく知られている。
一実施形態では、各LEDは、その自らのコリメーティングレンズを備える。そのようなコリメーティングレンズは、表面照射の均一性を高めるのを容易にする。
さらに別の実施形態では、LED側にNDフィルター(neutral density filter)を追加することによって、指向性減衰が適用される。さらに、ディフューザー(diffusers)を用いて、(1)各LEDの空間的な不均一性を平滑化し、かつ(2)合成されたLED分布の全体的な照射均一性を改善することができる。たとえば、一実施形態では、Luminit社(Torrance, California, USA)(Physical Optics Corporation社)によって製作され、販売されるディフューザーを利用することができる。
【0047】
一実施形態では、楕円放射分布を生成するビーム整形ディフューザーを用いて、表面照射均一性を改善することができる。同じ実施形態又は異なる実施形態において、光屈曲又は方向転換薄膜を利用することによって、表面照射均一性を改善することもできる。
【0048】
被試験パネル509の表面上のa−Si残留物に表面照射を与える光源603が変調器508に近接して配置される別個の取付用リング上に取り付けられる図6に示される多数光源構成が、VIOS列そのものの中に第2の光源が組み込まれる図5の二重波長照射装置システムよりも優れている主な利点は、既存のガントリタイプシステムへの改良が容易であり、かつ安価であることである。
さらに、図6に示される本発明の概念は、均一な周辺照射を必要とする欠陥検出技法(電子ビームを基にする検出器等、そしておそらくフルコンタクトプローブテスターにも)に適用することができる。しかしながら、上記のように、電子ビーム検出器は、青色光照射に適合しないことに留意されたい。
【0049】
当業者であれば理解するように、変調器の近くに光源を配置することを伴う表面照射を与えるためのシステム構成は、図6に示される実施形態以外の多数の方法において達成することができる。それゆえ、図6に示される照射装置システムの特定の設計は、多少なりとも制限するものと見なされるべきではない。
【0050】
図7は、本発明の概念の実施形態のうちの1つを利用する、フラットパネルディスプレイ内の欠陥を検出するためのシステム700の1つの例示的な概略ブロック図を示す。
本発明のシステムは、VIOS702を含む。VIOS702は、二重波長照射装置703を含み、その1つの例示的な実施形態が図5を参照しながら上記で説明された(要素512)。
照射装置703によって生成される第1の波長の光ビーム、たとえば、青色光は、ガラス支持体上に設置されるLCDパネル701上に方向付けられる。
照射装置703によって生成される第2の波長の光ビーム、たとえば、赤色可視光は、変調器705上に方向付けられ、その光は変調器705の薄膜(図示せず)によって反射される。変調器705は、バイアスがかけられた被試験LCDパネル上の電界を、電気光学変換器(変調器)を介して空間的に変調された光信号に変換するように動作する。
反射された光はレンズ系704によってCCDデバイス711上に合焦され、そのCCDデバイスは、反射された赤色光において被試験LCDパネルのエリアの画像を生成し、生成された画像は、被試験パネル701にわたる電位の分布を指示する。
例示的なシステム700は、画像収集/画像処理PC709をさらに備える場合があり、それは、CCDデバイス711から画像データを受信し、受信された画像データを用いて被試験パネルの画像を生成し、生成された画像を処理して、被試験パネル上の欠陥セルの場所を含む、該欠陥LCDセルを特定するように構成される。欠陥の場所情報は、検出された欠陥を修正する等の、さらに別の処理のために記録することができる。
【0051】
本発明の一実施形態では、VIOS702は可動X/Y/Zステージアセンブリ706上に取り付けられ、そのアセンブリはステージ/IO制御モジュール707の制御下で動かすことができる。本発明の一実施形態では、同じX/Y/Zステージ706上に2つ以上のVIOS702が取り付けられ、被試験パネルの種々の領域が異なるVIOS702を用いて同時に検査されるようにする。
【0052】
最後に、試験信号パターン発生器710を配置して、被試験LCDパネルに駆動電圧パターンを与え、照射装置トリガーを制御し、かつ変調器に必要なバイアス電圧を与える。
【0053】
また、本発明の一実施形態において、前方光照射システムはVIOSサブシステム内に完全に組み込むことができ、上記の検出技法によって多少なりとも制限されず、最適な吸収効率及び照射均一性を与えることに留意されたい。
図6に示される前方光照射技法は、電子ビームを基にする検出システムにおいて用いるように適合することもできる。しかしながら、上記で説明され、図5において示される二重波長照射装置設計(a−Si活性化のために用いられる青色光が変調器まで主VIOS照射装置光と同じ光路に沿って進む設計)の場合、照射均一性は特に良好にすべきである。
【0054】
本発明の1つの具体的な実施形態では、表面照射はパルス状であり、TFTピクセルに対して感光性欠陥の検出を最大にする持続時間及び強度を得るために最適化される。詳細には、表面照射用光は、感光性欠陥の最大吸収光特性と一致する波長を有する。1つの具体的な実施形態では、a−Si残留物の表面照射のために、470nm未満の波長を有する青色光が利用される。
【0055】
本発明の一実施形態では、最適な前方光効率を得るために、アモルファスシリコン残留物の導電率を高めるために用いられる波長が、材料の吸収特性と一致するように選択される。
典型的には、a−Siは、低い波長(青色光)範囲において吸収エッジを有する。図8の曲線801を参照されたい。波長が長くなる(エネルギーが低くなる)場合に、その吸収は急激に減少し、一方、波長が短くなっても、その吸収は概ね変更されない。
青色光は、ピクセル電圧を測定するために使用する二次電子検出器内にかなりの量の雑音を誘発するので、電子ビームを基にする欠陥検出は、青色光の使用とは合わないことに留意されたい。これには2つの理由がある。第一に、青色光のような短い波長を有する光子は、赤色波長を有する光子よりも高いエネルギーを有するので、それらの光子が電子を検出するために必要とされるシンチレータ−光電子増倍管検出器に突き当たるときに、より多くの不要の雑音信号を生成する。第二に、検出器に入る二次電子のエネルギーは、電子及び光子の衝突によって影響を及ぼされる可能性があるので、信号の変動が大きくなる可能性があり、全体的な雑音の一因になる。
【0056】
アモルファスシリコンは短い波長の光に対して感光性であり、それゆえ照射後に可動性の光電子が生成され、それにより、a−Si欠陥の導電率が増加する。いくつかの実施形態では、470nmの波長(又はさらに短い波長)を有する青色光が選択される。なぜなら、一部には、青色光は相対的に高い電力を有し、a−Siにおいてより効率的に吸収され、かつ低いシート抵抗を有するためである。
図4は、2つの異なる波長、470nm(プロット401)及び530nm(プロット402)の場合に、光強度の関数としてシート抵抗の2つのプロットを示す。それらのプロットから、2つの波長のうちの短い方(401)が、強度が増加するのに応じて抵抗をより急激に減少させることが明らかである。短い波長の光に対応する信号ほど強くなる場合があるので、短い波長を使用するほど、小さなサイズの欠陥の検出することができるようになる可能性もある(式1、3)。
【0057】
a−Siが影響されやすい波長を有する光で前方パネル表面を照射すること関する1つの短所は、TFTチャネルも同じ光照射に露光されることである。
TFT構造もa−Si材料から構成されるので、突き当たる表面照射は、欠陥を形成する残留物と同じようにして、TFT内のa−Si材料のコンダクタンスも高めるであろう。露光されるときに、TFTのオフ状態コンダクタンスが増加することになり、それゆえ、TFTの漏れ電流が、暗い状態における対応する値よりも大きくなるであろう。この結果として、ピクセル電圧の減衰が大きくなり、それは電圧画像テスター、又は欠陥を検出するためにTFTの電圧応答を利用する他の類似の試験方法によって検出することができる。
したがって、TFTチャネルに実際には欠陥がない場合であっても、テスターは、そのチャネルを、ピクセル電圧の減衰に依存する欠陥を有するものと誤って解釈する場合がある。すなわち、表面照射用光で良好なTFTピクセル又はチャネルを照射する結果として、偽欠陥が観測される場合がある。
【0058】
TFT漏れ電流に起因するピクセル電圧減衰を最小にするが、同時にa−Si残留物の検出応答を最大にする1つの方法は、前方照射用光をパルスにすると共に、光パルスの持続時間及び強度を変更することによる。
図9は、LCD駆動パターン信号のタイミングに対する前方光タイミング図を示す1つの例示的なグラフィカルユーザインターフェース900である。信号901(データ奇数)、902(データ偶数)、903(ゲート奇数)、904(ゲート偶数)が、LCD試験駆動パターンを構成する。表面照射パルス905は、その強度、持続時間、開始時間及び終了時間によって特徴付けられる。
【0059】
図10は、表面照射パルス905のパラメータが所与の駆動パターンのフレーム毎に異なる、起こり得る前方光パターン1000の別の例である。
具体的には、第1の(A)フレームにおいて、表面照射パルス905は3msの持続時間、3.5msの開始時間及び50%の強度を有する。第2の(B)フレームでは、表面照射パルス905はオフにされる。第3の(C)フレームでは、表面照射パルス905は7msの持続時間、0msの開始時間及び25%の強度を有する。最後に、第4の(D)フレームでは、表面照射パルス905は3msの持続時間、3.5msの開始時間及び50%の強度を有する。変調器バイアス電圧906はフレーム毎に同じである。
【0060】
TFT漏れに起因する電圧減少を最小にしながらa−Si残留物に起因するピクセル電圧減少を最大にすることは、サイト標準偏差を小さくしておくか、又は信号対雑音比(SNR)を高くしておきながら、欠陥検出感度(DDS)を最大にすることに対応する。
詳細には、DDSの値は、欠陥コントラストの尺度(measure)であり、正常なピクセルのためのピクセル電圧と欠陥がある場合のピクセル電圧との間の比較として定義される。すなわちDDS=(1−Vdefect/Vsite-av)である。典型的には、DDSは、欠陥検出において典型的に用いられる値である30%しきい値を用いて検出する場合、0.3よりも大きくすべきである。
サイト標準偏差は0.4V未満のままになるはずであり、一方、信号対雑音比SNR=(Vsite-av/標準偏差)は25よりも大きくなる場合がある。
【0061】
図11A及び図11Bは、1つの具体的なタイプの欠陥(寄生データピクセルキャパシタンスタイプ欠陥)の場合に本発明のシステムの1つの例示的な実施形態を用いて得られる試験結果1100及び1200を示す。
これらの図は、前方光終了時間に対するDDS(図11A)及びSNR(図11B)の依存性を示す。具体的には、9対の強度及び開始時間値の場合に、図11Aのデータプロット1101〜1109が示される。
具体的には、10%強度、1ms開始時間(プロット1101);10%強度、7ms開始時間(プロット1102);10%強度、9ms開始時間(プロット1103);50%強度、1ms開始時間(プロット1104);50%強度、7ms開始時間(プロット1105);50%強度、9ms開始時間(プロット1106);90%強度、1ms開始時間(プロット1107);90%強度、7ms開始時間(プロット1108);及び90%強度、9ms開始時間(プロット1109)である。
図11Bに示されるプロット1201〜1209は、図11Aのそれぞれのプロット1101〜1109と同じ強度/開始時間対に対応する。
パルス持続時間、強度及び開始時間は、パネルによって変わる場合があり、異なる欠陥タイプでは異なる場合があることに留意されたい。
【0062】
第一に、提供されるプロット1101〜1109から、パルス終了時間及び持続時間と共に、DDSが増加し(a−Si残留物への前方光の影響に起因する)、SNRが減少する(TFTへの前方光の影響に起因する)ことを観測することができる。
第二に、10%強度と50%強度との間でDDSの値は増加し、SNRの値は減少するが、これはさらに強度が高くなっても変化しない。これは飽和効果を示す。
第三に、Tend>14ms(T=0は正の変調器サイクルの開始において得られる)の場合に、DDS及びSNRの値は飽和するように見える。
第四に、ピクセル駆動が行なわれないときに、負の変調器バイアスサイクルの範囲内にあるパルスは影響を及ぼさない。
【0063】
図11A及び図11Bにおいて示されるように、本発明の概念の特定の実施形態では、最良の検出、すなわちDDS>0.3かつSNR>25%は、50%以上の強度の場合に、かつ変調器バイアスサイクルの正の半分の開始後にt=8ms〜11msにおいて終了するパルス、すなわち、データ電圧降下直後に終了する保持時間と1ms〜3msだけ重なるパルスの場合に満たされる。
長い持続時間を有するパルスほど、光によって引き起こされるTFT漏れに起因して、SNRが受け入れられないほど大きく降下することに留意されたい。比較のために、図11Bにおいて、前方光を用いない場合の欠陥の検出に対応するSNR値1210も示される。
【0064】
最後に、本明細書において記述される工程及び技法は、任意の特定の装置に固有に関連するものではなく、複数の構成要素の任意の適切な組み合わせによって実現される場合がある。さらに、本明細書において記述される教示によれば、種々のタイプの汎用デバイスを用いることもできる。本明細書において記述される方法ステップを実行するために、専用装置を構成することが好都合であることも判明し得る。本発明は特定の例との関連で説明されてきたが、それらの例は、あらゆる点において、制限するものではなく、例示であること意図している。当業者は、ハードウエア、ソフトウエア及びファームウエアの数多くの種々の組み合わせが本発明を実施するのに適していることを理解されよう。
【0065】
さらに、本明細書を検討すること、及び本明細書において開示される発明を実施することから、当業者には本発明の他の実施態様が明らかになるであろう。上記の実施形態の種々の態様及び/又は構成要素は、単独で、又は任意の組み合わせにおいて、本発明の欠陥検出システムにおいて用いられる場合がある。本明細書及び例は単なる例示と見なされ、本発明の真の範囲及び精神は添付の特許請求の範囲及びその均等物によって指示されることが意図されている。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
被試験パネル内の欠陥を検出するためのシステムであって、
a.表面照射用光ビームを前記被試験パネル上に送達するように構成される表面照射サブシステムであって、該表面照射用光ビームは前記欠陥の電気的特性を変更して該欠陥の検出を容易にする、表面照射サブシステムと、
b.前記欠陥の前記変更された電気的特性に基づいて前記欠陥を検出するように構成される検出サブシステムとを備え、
前記表面照射用光ビームはパルス状であり、前記欠陥の前記検出を最大にすると共に偽欠陥の検出を最小にする持続時間及び強度を得るために最適化され、前記表面照射用光ビームは、前記欠陥の最大吸収光特性と一致する波長を有する、被試験パネル内の欠陥を検出するためのシステム。
【請求項2】
前記システムは、前記被試験パネルに電圧信号を印加するように構成される電圧信号源をさらに備え、
前記印加される電圧信号によって、前記被試験パネルにわたって空間電圧分布が生じ、 前記検出サブシステムは、前記被試験パネルにわたる前記空間電圧分布を指示する画像を生成するように構成される電圧画像化光学デバイスを備え、前記欠陥は前記生成された画像に基づいて検出される、請求項1に記載のシステム。
【請求項3】
前記表面照射サブシステムは、前記電圧画像化光学デバイスの光路内に組み込まれる、請求項2に記載のシステム。
【請求項4】
前記電圧画像化光学デバイスの前記光路は、電圧画像化光ビーム及び前記表面照射用光ビームを合成するように構成されるダイクロイックミラーを備える、請求項3に記載のシステム。
【請求項5】
前記電圧画像化光学デバイスは、
前記被試験パネルにわたる前記空間電圧分布を指示する前記画像を生成するように構成される画像化デバイスと、
前記表面照射用光ビームが前記画像化デバイスに達するのを防ぐように構成されるローパスフィルターと
を備える、請求項3に記載のシステム。
【請求項6】
前記電圧画像化光学デバイスは、前記被試験パネルにわたる前記空間電圧分布に従って前記電圧画像化光ビームを変調するように構成される変調器を備え、
前記変調器は、前記電圧画像化光ビームを反射すると共に前記表面照射用光ビームを透過するように構成される薄膜を有する、請求項3に記載のシステム。
【請求項7】
前記表面照射用光ビームは青色波長範囲にあり、
前記電圧画像化デバイスによって画像を生成するための電圧画像化光ビームは、前記表面照射用光ビームとは異なる波長を有する、請求項1に記載のシステム。
【請求項8】
被試験パネル内の欠陥を検出するためのシステムであって、
a.表面照射用光ビームを前記被試験パネル上に送達するように構成される表面照射サブシステムであって、前記表面照射用光ビームは前記欠陥の電気的特性を変更して該欠陥の検出を容易にする、表面照射サブシステムと、
b.前記欠陥の前記変更された電気的特性に基づいて前記欠陥を検出するように構成される検出サブシステムとを備え、
前記検出サブシステムは、前記被試験パネルにわたる空間電圧分布を指示する画像を生成するように構成される電圧画像化光学デバイスを備え、
前記欠陥は前記生成された画像に基づいて検出され、
前記表面照射用光ビームは前記欠陥の最大吸収光特性と一致する波長を有し、
前記表面照射サブシステムは、前記電圧画像化光学デバイスの光路内に組み込まれる、被試験パネル内の欠陥を検出するためのシステム。
【請求項9】
前記電圧画像化光学デバイスの前記光路は、電圧画像化光ビーム及び前記表面照射用光ビームを合成するように構成されるダイクロイックミラーを備える、請求項8に記載のシステム。
【請求項10】
前記電圧画像化光学デバイスは、
前記被試験パネルにわたる前記空間電圧分布を指示する前記画像を生成するように構成される画像化デバイスと、
前記表面照射用光ビームが前記画像化デバイスに達するのを防ぐように構成されるローパスフィルターと
を備える、請求項8に記載のシステム。
【請求項11】
前記電圧画像化光学デバイスは、前記被試験パネルにわたる前記空間電圧分布に従って前記電圧画像化光ビームを変調するように構成される変調器を備え、
前記変調器は、前記電圧画像化光ビームを反射すると共に前記表面照射用光ビームを透過するように構成される薄膜を有する、請求項8に記載のシステム。
【請求項12】
前記表面照射用光ビームは青色波長範囲にあり、
前記電圧画像化デバイスによって画像を生成するための電圧画像化光ビームは、前記表面照射用光ビームとは異なる波長を有する、請求項8に記載のシステム。
【請求項13】
被試験パネル内の欠陥を検出するためのシステムであって、
a.表面照射用光ビームを前記被試験パネル上に送達するように構成される表面照射サブシステムであって、前記表面照射用光ビームは前記欠陥の電気的特性を変更して該欠陥の検出を容易にする、表面照射サブシステムと、
b.前記欠陥の前記変更された電気的特性に基づいて前記欠陥を検出するように構成される検出サブシステムとを備え、
前記検出サブシステムは、前記被試験パネルにわたる空間電圧分布を指示する画像を生成するように構成される電圧画像化光学デバイスを備え、
前記欠陥は前記生成された画像に基づいて検出され、
前記表面照射用光ビームは前記欠陥の最大吸収光特性と一致する波長を有し、
前記表面照射サブシステムは、前記電圧画像化光学デバイスの光路外に配置される、被試験パネル内の欠陥を検出するためのシステム。
【請求項14】
前記表面照射サブシステムは、前記表面照射用光ビームの均一性を最適化するために、取付リング上に配置される複数の特別な指向性発光ダイオードを備える、請求項13に記載のシステム。
【請求項15】
前記表面照射サブシステムは複数の発光ダイオードを備え、
前記複数の発光ダイオードのうちの少なくとも1つは、前記表面照射用光ビームの均一性を最適化するために、取付リング上に配置されるコリメーティングレンズと光学的に結合される、請求項13に記載のシステム。
【請求項16】
前記表面照射サブシステムは、前記表面照射用光ビームの均一性を最適化するために、指向性減衰モジュールと光学的に結合される複数の発光ダイオードを備える、請求項13に記載のシステム。
【請求項17】
前記指向性減衰モジュールはNDフィルターを含む、請求項13に記載のシステム。
【請求項18】
前記電圧画像化光学デバイスは、
前記被試験パネルにわたる前記空間電圧分布を指示する前記画像を生成するように構成される画像化デバイスと、
前記表面照射用光ビームが前記画像化デバイスに達するのを防ぐように構成されるローパスフィルターと
を備える、請求項13に記載のシステム。
【請求項19】
前記電圧画像化光学デバイスは、前記被試験パネルにわたる前記空間電圧分布に従って前記電圧画像化光ビームを変調するように構成される変調器を備え、
前記変調器は、前記電圧画像化光ビームを反射すると共に前記表面照射用光ビームを透過するように構成される薄膜を有し、
前記表面照射サブシステムは、前記変調器に空間的に極めて近接して配置される、請求項13に記載のシステム。
【請求項20】
前記電圧画像化光学デバイス及び前記表面照射サブシステムは、ステージ制御モジュールの制御下で前記被試験パネル中を走査するように構成される可動ステージアセンブリ上に取り付けられる、請求項13に記載のシステム。
【請求項21】
前記可動ステージアセンブリ上に取り付けられる、少なくとも1つの第2の電圧画像化光学デバイス及び少なくとも1つの第2の表面照射サブシステムをさらに備える、請求項20に記載のシステム。
【請求項22】
前記表面照射用光ビームは青色波長範囲内にあり、
前記電圧画像化デバイスによって画像を生成するための電圧画像化光ビームは、前記表面照射用光ビームとは異なる波長を有する、請求項13に記載のシステム。
【請求項23】
前記表面照射サブシステムは複数の発光ダイオードを備え、
前記複数の発光ダイオードにはそれぞれ、該複数の発光ダイオードのそれぞれに光学的に結合されるディフューザーが設けられ、
前記ディフューザーは、前記表面照射用光ビームの空間的な不均一性を平滑化すると共に前記表面照射用光ビームの全体的な照射均一性を改善するように構成される、請求項13に記載のシステム。
【請求項24】
被試験パネル内の欠陥を検出するための方法であって、
a.表面照射サブシステムを用いて前記被試験パネル上に表面照射用光ビームを送達することであって、前記表面照射用光ビームは前記欠陥の電気的特性を変更して該欠陥の検出を容易にする、送達すること、及び
b.検出サブシステムを用いて前記欠陥の前記変更された電気的特性に基づいて前記欠陥を検出することを含み、
前記表面照射用光ビームはパルス状であり、前記欠陥の前記検出を最大にすると共に偽欠陥の検出を最小にする持続時間及び強度を得るために最適化され、
前記表面照射用光ビームは、前記欠陥の最大吸収光特性と一致する波長を有する、被試験パネル内の欠陥を検出するための方法。
【請求項25】
前記方法は、
前記被試験パネルに電圧信号を印加することであって、該印加される電圧信号によって、前記被試験パネルにわたって空間電圧分布を生じさせる、印加すること、及び
前記被試験パネルにわたる前記空間電圧分布を指示する画像を生成すること
をさらに含み、
前記欠陥は前記生成された画像に基づいて検出される、請求項24に記載の方法。
【請求項26】
前記被試験パネルにわたる前記空間電圧分布を指示する前記画像は、電圧画像化光ビームを用いて生成され、
前記表面照射用光ビームは、前記電圧画像化光ビームの光路内に配置される、請求項25に記載の方法。
【請求項27】
前記被試験パネルにわたる前記空間電圧分布を指示する前記画像は、電圧画像化光学デバイスを用いて生成され、
前記電圧画像化光学デバイスは、画像化デバイスと、前記表面照射用光ビームが前記画像化デバイスに達するのを防ぐように構成されるローパスフィルターとを備える、請求項25に記載の方法。
【請求項28】
前記表面照射用光ビームは青色波長範囲にあり、
前記被試験パネルにわたる前記空間電圧分布を指示する前記画像を生成するための電圧画像化光ビームは、前記表面照射用光ビームとは異なる波長を有する、請求項25に記載の方法。
【請求項29】
被試験パネル内の欠陥を検出するための方法であって、
a.表面照射サブシステムを用いて前記被試験パネル上に表面照射用光ビームを送達することであって、前記表面照射用光ビームは前記欠陥の電気的特性を変更して該欠陥の検出を容易にする、送達すること、及び
b.検出サブシステムを用いて前記欠陥の前記変更された電気的特性に基づいて前記欠陥を検出することを含み、
前記検出サブシステムは、前記被試験パネルにわたる空間電圧分布を指示する画像を生成するように構成される電圧画像化光学デバイスを備え、
前記欠陥は前記生成された画像に基づいて検出され、
前記表面照射用光ビームは前記欠陥の最大吸収光特性と一致する波長を有し、
前記表面照射サブシステムは、前記電圧画像化光学デバイスの光路内に組み込まれる、被試験パネル内の欠陥を検出するための方法。
【請求項30】
被試験パネル内の欠陥を検出するための方法であって、
a.表面照射サブシステムを用いて前記被試験パネル上に表面照射用光ビームを送達することであって、該表面照射用光ビームは前記欠陥の電気的特性を変更して該欠陥の検出を容易にする、送達すること、及び
b.検出サブシステムを用いて前記欠陥の前記変更された電気的特性に基づいて前記欠陥を検出することを含み、
前記検出サブシステムは、前記被試験パネルにわたる空間電圧分布を指示する画像を生成するように構成される電圧画像化光学デバイスを備え、
前記欠陥は前記生成された画像に基づいて検出され、
前記表面照射用光ビームは前記欠陥の最大吸収光特性と一致する波長を有し、
前記表面照射サブシステムは、前記電圧画像化光学デバイスの光路外に配置される、被試験パネル内の欠陥を検出するための方法。
【請求項1】
被試験パネル内の欠陥を検出するためのシステムであって、
a.表面照射用光ビームを前記被試験パネル上に送達するように構成される表面照射サブシステムであって、該表面照射用光ビームは前記欠陥の電気的特性を変更して該欠陥の検出を容易にする、表面照射サブシステムと、
b.前記欠陥の前記変更された電気的特性に基づいて前記欠陥を検出するように構成される検出サブシステムとを備え、
前記表面照射用光ビームはパルス状であり、前記欠陥の前記検出を最大にすると共に偽欠陥の検出を最小にする持続時間及び強度を得るために最適化され、前記表面照射用光ビームは、前記欠陥の最大吸収光特性と一致する波長を有する、被試験パネル内の欠陥を検出するためのシステム。
【請求項2】
前記システムは、前記被試験パネルに電圧信号を印加するように構成される電圧信号源をさらに備え、
前記印加される電圧信号によって、前記被試験パネルにわたって空間電圧分布が生じ、 前記検出サブシステムは、前記被試験パネルにわたる前記空間電圧分布を指示する画像を生成するように構成される電圧画像化光学デバイスを備え、前記欠陥は前記生成された画像に基づいて検出される、請求項1に記載のシステム。
【請求項3】
前記表面照射サブシステムは、前記電圧画像化光学デバイスの光路内に組み込まれる、請求項2に記載のシステム。
【請求項4】
前記電圧画像化光学デバイスの前記光路は、電圧画像化光ビーム及び前記表面照射用光ビームを合成するように構成されるダイクロイックミラーを備える、請求項3に記載のシステム。
【請求項5】
前記電圧画像化光学デバイスは、
前記被試験パネルにわたる前記空間電圧分布を指示する前記画像を生成するように構成される画像化デバイスと、
前記表面照射用光ビームが前記画像化デバイスに達するのを防ぐように構成されるローパスフィルターと
を備える、請求項3に記載のシステム。
【請求項6】
前記電圧画像化光学デバイスは、前記被試験パネルにわたる前記空間電圧分布に従って前記電圧画像化光ビームを変調するように構成される変調器を備え、
前記変調器は、前記電圧画像化光ビームを反射すると共に前記表面照射用光ビームを透過するように構成される薄膜を有する、請求項3に記載のシステム。
【請求項7】
前記表面照射用光ビームは青色波長範囲にあり、
前記電圧画像化デバイスによって画像を生成するための電圧画像化光ビームは、前記表面照射用光ビームとは異なる波長を有する、請求項1に記載のシステム。
【請求項8】
被試験パネル内の欠陥を検出するためのシステムであって、
a.表面照射用光ビームを前記被試験パネル上に送達するように構成される表面照射サブシステムであって、前記表面照射用光ビームは前記欠陥の電気的特性を変更して該欠陥の検出を容易にする、表面照射サブシステムと、
b.前記欠陥の前記変更された電気的特性に基づいて前記欠陥を検出するように構成される検出サブシステムとを備え、
前記検出サブシステムは、前記被試験パネルにわたる空間電圧分布を指示する画像を生成するように構成される電圧画像化光学デバイスを備え、
前記欠陥は前記生成された画像に基づいて検出され、
前記表面照射用光ビームは前記欠陥の最大吸収光特性と一致する波長を有し、
前記表面照射サブシステムは、前記電圧画像化光学デバイスの光路内に組み込まれる、被試験パネル内の欠陥を検出するためのシステム。
【請求項9】
前記電圧画像化光学デバイスの前記光路は、電圧画像化光ビーム及び前記表面照射用光ビームを合成するように構成されるダイクロイックミラーを備える、請求項8に記載のシステム。
【請求項10】
前記電圧画像化光学デバイスは、
前記被試験パネルにわたる前記空間電圧分布を指示する前記画像を生成するように構成される画像化デバイスと、
前記表面照射用光ビームが前記画像化デバイスに達するのを防ぐように構成されるローパスフィルターと
を備える、請求項8に記載のシステム。
【請求項11】
前記電圧画像化光学デバイスは、前記被試験パネルにわたる前記空間電圧分布に従って前記電圧画像化光ビームを変調するように構成される変調器を備え、
前記変調器は、前記電圧画像化光ビームを反射すると共に前記表面照射用光ビームを透過するように構成される薄膜を有する、請求項8に記載のシステム。
【請求項12】
前記表面照射用光ビームは青色波長範囲にあり、
前記電圧画像化デバイスによって画像を生成するための電圧画像化光ビームは、前記表面照射用光ビームとは異なる波長を有する、請求項8に記載のシステム。
【請求項13】
被試験パネル内の欠陥を検出するためのシステムであって、
a.表面照射用光ビームを前記被試験パネル上に送達するように構成される表面照射サブシステムであって、前記表面照射用光ビームは前記欠陥の電気的特性を変更して該欠陥の検出を容易にする、表面照射サブシステムと、
b.前記欠陥の前記変更された電気的特性に基づいて前記欠陥を検出するように構成される検出サブシステムとを備え、
前記検出サブシステムは、前記被試験パネルにわたる空間電圧分布を指示する画像を生成するように構成される電圧画像化光学デバイスを備え、
前記欠陥は前記生成された画像に基づいて検出され、
前記表面照射用光ビームは前記欠陥の最大吸収光特性と一致する波長を有し、
前記表面照射サブシステムは、前記電圧画像化光学デバイスの光路外に配置される、被試験パネル内の欠陥を検出するためのシステム。
【請求項14】
前記表面照射サブシステムは、前記表面照射用光ビームの均一性を最適化するために、取付リング上に配置される複数の特別な指向性発光ダイオードを備える、請求項13に記載のシステム。
【請求項15】
前記表面照射サブシステムは複数の発光ダイオードを備え、
前記複数の発光ダイオードのうちの少なくとも1つは、前記表面照射用光ビームの均一性を最適化するために、取付リング上に配置されるコリメーティングレンズと光学的に結合される、請求項13に記載のシステム。
【請求項16】
前記表面照射サブシステムは、前記表面照射用光ビームの均一性を最適化するために、指向性減衰モジュールと光学的に結合される複数の発光ダイオードを備える、請求項13に記載のシステム。
【請求項17】
前記指向性減衰モジュールはNDフィルターを含む、請求項13に記載のシステム。
【請求項18】
前記電圧画像化光学デバイスは、
前記被試験パネルにわたる前記空間電圧分布を指示する前記画像を生成するように構成される画像化デバイスと、
前記表面照射用光ビームが前記画像化デバイスに達するのを防ぐように構成されるローパスフィルターと
を備える、請求項13に記載のシステム。
【請求項19】
前記電圧画像化光学デバイスは、前記被試験パネルにわたる前記空間電圧分布に従って前記電圧画像化光ビームを変調するように構成される変調器を備え、
前記変調器は、前記電圧画像化光ビームを反射すると共に前記表面照射用光ビームを透過するように構成される薄膜を有し、
前記表面照射サブシステムは、前記変調器に空間的に極めて近接して配置される、請求項13に記載のシステム。
【請求項20】
前記電圧画像化光学デバイス及び前記表面照射サブシステムは、ステージ制御モジュールの制御下で前記被試験パネル中を走査するように構成される可動ステージアセンブリ上に取り付けられる、請求項13に記載のシステム。
【請求項21】
前記可動ステージアセンブリ上に取り付けられる、少なくとも1つの第2の電圧画像化光学デバイス及び少なくとも1つの第2の表面照射サブシステムをさらに備える、請求項20に記載のシステム。
【請求項22】
前記表面照射用光ビームは青色波長範囲内にあり、
前記電圧画像化デバイスによって画像を生成するための電圧画像化光ビームは、前記表面照射用光ビームとは異なる波長を有する、請求項13に記載のシステム。
【請求項23】
前記表面照射サブシステムは複数の発光ダイオードを備え、
前記複数の発光ダイオードにはそれぞれ、該複数の発光ダイオードのそれぞれに光学的に結合されるディフューザーが設けられ、
前記ディフューザーは、前記表面照射用光ビームの空間的な不均一性を平滑化すると共に前記表面照射用光ビームの全体的な照射均一性を改善するように構成される、請求項13に記載のシステム。
【請求項24】
被試験パネル内の欠陥を検出するための方法であって、
a.表面照射サブシステムを用いて前記被試験パネル上に表面照射用光ビームを送達することであって、前記表面照射用光ビームは前記欠陥の電気的特性を変更して該欠陥の検出を容易にする、送達すること、及び
b.検出サブシステムを用いて前記欠陥の前記変更された電気的特性に基づいて前記欠陥を検出することを含み、
前記表面照射用光ビームはパルス状であり、前記欠陥の前記検出を最大にすると共に偽欠陥の検出を最小にする持続時間及び強度を得るために最適化され、
前記表面照射用光ビームは、前記欠陥の最大吸収光特性と一致する波長を有する、被試験パネル内の欠陥を検出するための方法。
【請求項25】
前記方法は、
前記被試験パネルに電圧信号を印加することであって、該印加される電圧信号によって、前記被試験パネルにわたって空間電圧分布を生じさせる、印加すること、及び
前記被試験パネルにわたる前記空間電圧分布を指示する画像を生成すること
をさらに含み、
前記欠陥は前記生成された画像に基づいて検出される、請求項24に記載の方法。
【請求項26】
前記被試験パネルにわたる前記空間電圧分布を指示する前記画像は、電圧画像化光ビームを用いて生成され、
前記表面照射用光ビームは、前記電圧画像化光ビームの光路内に配置される、請求項25に記載の方法。
【請求項27】
前記被試験パネルにわたる前記空間電圧分布を指示する前記画像は、電圧画像化光学デバイスを用いて生成され、
前記電圧画像化光学デバイスは、画像化デバイスと、前記表面照射用光ビームが前記画像化デバイスに達するのを防ぐように構成されるローパスフィルターとを備える、請求項25に記載の方法。
【請求項28】
前記表面照射用光ビームは青色波長範囲にあり、
前記被試験パネルにわたる前記空間電圧分布を指示する前記画像を生成するための電圧画像化光ビームは、前記表面照射用光ビームとは異なる波長を有する、請求項25に記載の方法。
【請求項29】
被試験パネル内の欠陥を検出するための方法であって、
a.表面照射サブシステムを用いて前記被試験パネル上に表面照射用光ビームを送達することであって、前記表面照射用光ビームは前記欠陥の電気的特性を変更して該欠陥の検出を容易にする、送達すること、及び
b.検出サブシステムを用いて前記欠陥の前記変更された電気的特性に基づいて前記欠陥を検出することを含み、
前記検出サブシステムは、前記被試験パネルにわたる空間電圧分布を指示する画像を生成するように構成される電圧画像化光学デバイスを備え、
前記欠陥は前記生成された画像に基づいて検出され、
前記表面照射用光ビームは前記欠陥の最大吸収光特性と一致する波長を有し、
前記表面照射サブシステムは、前記電圧画像化光学デバイスの光路内に組み込まれる、被試験パネル内の欠陥を検出するための方法。
【請求項30】
被試験パネル内の欠陥を検出するための方法であって、
a.表面照射サブシステムを用いて前記被試験パネル上に表面照射用光ビームを送達することであって、該表面照射用光ビームは前記欠陥の電気的特性を変更して該欠陥の検出を容易にする、送達すること、及び
b.検出サブシステムを用いて前記欠陥の前記変更された電気的特性に基づいて前記欠陥を検出することを含み、
前記検出サブシステムは、前記被試験パネルにわたる空間電圧分布を指示する画像を生成するように構成される電圧画像化光学デバイスを備え、
前記欠陥は前記生成された画像に基づいて検出され、
前記表面照射用光ビームは前記欠陥の最大吸収光特性と一致する波長を有し、
前記表面照射サブシステムは、前記電圧画像化光学デバイスの光路外に配置される、被試験パネル内の欠陥を検出するための方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11A】
【図11B】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11A】
【図11B】
【公表番号】特表2011−521264(P2011−521264A)
【公表日】平成23年7月21日(2011.7.21)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−510678(P2011−510678)
【出願日】平成21年5月20日(2009.5.20)
【国際出願番号】PCT/US2009/044667
【国際公開番号】WO2009/143237
【国際公開日】平成21年11月26日(2009.11.26)
【出願人】(510308805)フォトン・ダイナミクス・インコーポレイテッド (1)
【氏名又は名称原語表記】PHOTON DYNAMICS INC.
【住所又は居所原語表記】5970 Optical Court, San Jose, CA 95138, United States of America
【Fターム(参考)】
【公表日】平成23年7月21日(2011.7.21)
【国際特許分類】
【出願日】平成21年5月20日(2009.5.20)
【国際出願番号】PCT/US2009/044667
【国際公開番号】WO2009/143237
【国際公開日】平成21年11月26日(2009.11.26)
【出願人】(510308805)フォトン・ダイナミクス・インコーポレイテッド (1)
【氏名又は名称原語表記】PHOTON DYNAMICS INC.
【住所又は居所原語表記】5970 Optical Court, San Jose, CA 95138, United States of America
【Fターム(参考)】
[ Back to top ]