半導体を含む金属材料の形成方法
【課題】シリコンを含有する半導体領域及びゲルマニウムを含有する半導体領域を含む基板から、ニッケルシリサイド及びニッケルジャーマナイドの共集積化を行うに際し、金属系材料の間で短絡の危険なしに、実装が単純かつ容易な金属系材料の形成方法を提供する。
【解決手段】第１半導体材料から作られた領域と、誘電体材料から作られたパターンによって分離されたゲルマニウムを含む第２半導体材料から作られた領域と、を含む基板を準備し、金属層を堆積し（Ｆ２）、第１熱処理（Ｆ３）を行うことを含む。金属層は、第１半導体材料と、ゲルマニウムを含む第２半導体材料と、反応して、それぞれ、第１金属系材料と、ゲルマニウムを含有する第２金属系材料と、を形成する。第１熱処理（Ｆ３）は、０．０１％〜５％の酸素量を含む雰囲気中で行われる。
【解決手段】第１半導体材料から作られた領域と、誘電体材料から作られたパターンによって分離されたゲルマニウムを含む第２半導体材料から作られた領域と、を含む基板を準備し、金属層を堆積し（Ｆ２）、第１熱処理（Ｆ３）を行うことを含む。金属層は、第１半導体材料と、ゲルマニウムを含む第２半導体材料と、反応して、それぞれ、第１金属系材料と、ゲルマニウムを含有する第２金属系材料と、を形成する。第１熱処理（Ｆ３）は、０．０１％〜５％の酸素量を含む雰囲気中で行われる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスにおける第１及び第２金属系材料の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路の性能、例えば、消費及び／又は動作周波数などの継続的な改善は、必然的に、集積回路部品の継続的な小型化につながる。より優れた性能を備えたデバイスを製造するために、新しいアーキテクチャや新しい材料がトランジスタに集積されてきた。
【０００３】
しかしながら、トランジスタの寸法の縮小化は、アクセス抵抗の増加につながり、使用可能な電流量を減少させるので、性能が低下する。トランジスタのアクセス抵抗を可能な限り低減するために、半導体材料で作られたコンタクト領域は、金属挙動を有する金属間化合物に変えられる。この金属間化合物（以下、金属材料と呼ぶ）の抵抗は低減していく必要がある。従来方法では、この金属材料、一般にシリサイドは、半導体材料、この場合、コンタクト領域のシリコンと金属反応させて得られる。従来使用されるチタンシリサイド（ＴｉＳｉ２）又はコバルトシリサイド（ＣｏＳｉ２）は、より良好な技術的特性を示すシリサイド、例えば、ニッケルシリサイド（ＮｉＳｉ）に取って代わられつつある。実際、ニッケルシリサイドは、低抵抗、低シリコン消費量、及び低形成温度を示す。
【０００４】
同様に、ゲルマニウムは、トランジスタのシリコンに取って代わっており、又は、シリコンの電気的性能を改善するために、シリコンに関連付けられる。実際、電荷キャリア、特に、正孔の移動度はシリコンよりゲルマニウムの方が高いため、ゲルマニウムは、高供給電流を要する高周波応用には特に魅力的である。従って、ゲルマニウムを含有する半導体材料からの金属材料形成を達成することが重要である。
【０００５】
ゲルマニウムの存在下では、金属間化合物ＮｉＳｉ１−ＸＧｅＸ及びＮｉＧｅの形成には低温が要求されることから、ニッケルが最も頻繁に使用される。しかしながら、ニッケルは、ニッケルシリサイド及びジャーマナイド（ｇｅｒｍａｎｉｄｅ）が成長する際の主な拡散種であるが、ジャーマナイドが成長するとき、特に、誘電体材料から作られるトランジスタの絶縁領域に沿って、ゲルマニウムも広く拡散する。
【０００６】
図１及び図２は、従来方法の基板１上のニッケルジャーマナイド及びシリサイドの成長を表す。
【０００７】
図１に示すように、シリコン領域３、ゲルマニウム領域４、及び誘電体材料から作られた絶縁パターン５上に、ニッケル層２が同時に堆積されており、絶縁パターン５は、半導体材料（Ｓｉ及び／又はＧｅ）から作られた隣接領域３及び４を囲み、且つ電気的に分離する。
【０００８】
図２は、ニッケル層２が形成されたアセンブリに熱処理を施すことで、ニッケル層２が領域３のシリコン及び領域４のゲルマニウムと反応して、それぞれ、ニッケルシリサイド６及びニッケルジャーマナイド７を形成した後の集合体を表す。
【０００９】
ニッケル層ではゲルマニウムが多く拡散することから、この方法は、以下の結果、すなわち、
−短絡を生じさせるような、誘電体パターン５上のニッケルジャーマナイド７の形成、
−ゲルマニウムがニッケルジャーマナイド７へ運ばれることで、ニッケルジャーマナイド７の真下に位置するゲルマニウム層の空乏８の形成
、という結果をもたらす。
【００１０】
誘電体パターン５上のニッケルジャーマナイドの形成は、ニッケルジャーマナイド７が横方向に成長したことを示す。この成長は、パターン５より高いレベル及び低いレベルに位置するゲルマニウム層とは無関係に観察される。
【００１１】
ゲルマニウムの拡散から生じる問題を軽減するために、特許文献１では、自己整合されたニッケルジャーマナイドの形成方法が提案されている。この文献には、ゲルマニウム領域上にニッケル層を形成し、１５０℃〜３２５℃の温度で不活性雰囲気中の第１熱処理を行うことが記載されている。この第１熱処理中、ニッケル層は、ゲルマニウム層と反応して、ニッケルジャーマナイドを形成する。このステップのサーマルバジェットは、ゲルマニウム原子の拡散を制限しながら、ニッケルとゲルマニウムの反応を可能にするように選択される。従って、誘電体材料領域の上方のニッケルジャーマナイドの形成が制限される。次に、ゲルマニウムと反応しなかったニッケルが除去され、第２熱処理が行われる。予め形成されたニッケルを多く含むジャーマナイドをニッケルジャーマナイドの他の形態より抵抗が低いニッケルモノジャーマナイド（ＮｉＧｅ）に変えるように、この第２熱処理の温度はより高い温度、３２５℃〜４００℃である。
【００１２】
このように、極めて厳しい温度範囲内で２つの熱処理を連続して行うことで、自己整合されたニッケルモノジャーマナイドＮｉＧｅを形成することができる。しかしながら、このアプローチは、ニッケルシリサイド及びニッケルジャーマナイドを共集積化する場合、達成することが極めて難しい。ニッケルシリサイドの形成に必要なサーマルバジェットは、実際、ニッケルジャーマナイドの形成に必要なサーマルバジェットより高い。これにより、ニッケルジャーマナイドに要求される第１サーマルバジェットは、ニッケルを極めて多く含んだニッケルシリサイドを形成する。このニッケルシリサイドは、ニッケルの含有量が極めて多いため、このシリサイドに対して、未反応のニッケルを選択的に除去することができない。これにより、ニッケルシリサイド層が不連続になる。
【００１３】
従って、この方法は、シリコンを含有する半導体領域及びゲルマニウムを含有する半導体領域を含む基板から、ニッケルシリサイド及びニッケルジャーマナイドの共集積化を行うのに有用ではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００７００３２０２５号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明の目的は、これらの金属系材料の間で短絡の危険なしに、実装が単純かつ容易な金属系材料の形成方法を提供することである。
【００１６】
とりわけ、本発明の目的は、シリコンを含む金属材料及びゲルマニウムを含む金属材料の共集積化にサーマルバジェットが適合した方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明によれば、第１半導体材料から作られた領域と、誘電体材料から作られたパターンによって分離されたゲルマニウムを含む第２半導体材料から作られた領域と、を含む基板を準備し、金属層を堆積し、第１熱処理を行うことによって、これらの目的を達成する。金属層は、第１半導体材料と、ゲルマニウムを含む第２半導体材料と、少なくとも部分的に反応して、それぞれ、第１金属系材料と、ゲルマニウムを含有する第２金属系材料と、を形成する。第１熱処理は、０．０１％〜５％の酸素量を含む雰囲気中で行われる。
【００１８】
他の利点及び特徴は、非制限的な例示の目的でのみ与えられ、添付の図面に表された本発明の特定の実施形態の以下の記載から、より明確に明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】先行技術の金属系材料の形成方法のステップの概略断面図。
【図２】先行技術の金属系材料の形成方法のステップの概略断面図。
【図３】本発明の金属系材料の形成方法のフローチャート。
【図４】図３の方法のステップの概略断面図。
【図５】図３の方法のステップの概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
図１は、本発明による方法の開始点を構成する。基板１の表面が、第１半導体材料で作られた領域３と、第２半導体材料で作られた領域４とを備える。従来方法では、基板１は、半導体材料から作られた複数の領域を備える。共集積化の場合、基板は、シリコンを含有する半導体材料の領域３と、ゲルマニウムを含有する半導体材料の領域４とを備える。別の実施形態によれば、領域はすべて、ゲルマニウムを含有する半導体材料のみから作られ得る。
【００２１】
共集積化の場合、第１半導体材料は、ゲルマニウムを含むことが好ましい。第１半導体材料は、例えば、ゲルマニウム含有量とも呼ばれるゲルマニウムの原子パーセント（Ｘ）が３０％以上（Ｘ≧０．３）のシリコン−ゲルマニウム合金Ｓｉ１−ＸＧｅＸ、又は純粋ゲルマニウムＧｅである。第２半導体材料は、シリコンを含むことが好ましい。第２材料の半導体は、例えば、最大ゲルマニウム濃度が３０％（Ｘ≦０．３）のシリコン−ゲルマニウムＳｉ１−ＸＧｅＸ合金、又は純粋シリコンＳｉである。第１及び第２半導体材料は、ドープされても真性であってもよい。
【００２２】
従来方法では、領域３及び４は、絶縁性の誘電体材料から作られたパターン５によって分離される。このようにして、そのパターンは、これらの２つの領域の間での材料の拡散を防ぐ。領域３及び４は、例えば、ＳｉＧｅから作られたゲート電極と、Ｓｉから作られたソース及びドレイン電極とを形成し、またその逆であってもよい。この場合、誘電体材料パターン５は、ゲート誘電体と、ゲート電極を画成するスペーサとによって形成される。図１に示すように、領域３及び４は、例えば、シリコン及びゲルマニウムから作られる活性領域である。次に、パターン５は、活性領域を分離する横方向電気絶縁パターンである。
【００２３】
基板１は、一般に、活性領域間に誘電体材料から作られた複数のパターン５を含む。これらのパターン５は、例えば、酸化シリコンＳｉＯ２、窒化シリコンＳｉ３Ｎ４、又は高誘電定数を有する誘電体材料ＨｆＯ２、Ａｌ２Ｏ３などのマイクロ電子産業の従来の材料から作られる。
【００２４】
図３〜５は、半導体から金属系材料を形成する方法のステップを示す。
【００２５】
図３では、まず、表面、特に、領域３及び４にある不純物及び自然酸化物を取り除くために、基板１上で洗浄ステップＦ１が行われる。洗浄は、従来の方法、例えば、ウェットエッチング及び／又はプラズマエッチングによって行われる。洗浄は、例えば、フッ化水素酸及び／又はアルゴンプラズマを用いた処理を含むこともできる。
【００２６】
次に、ステップＦ２の間、領域３及び４、並びにパターン５上に、金属層２が堆積される。金属層は、ニッケル系であり、基板１の全表面上に堆積されることが好ましい。ニッケル系層２は、ジャーマナイド又はシリサイドが非制御下で形成されることがないほど十分に低い温度で堆積が可能な任意の適切な技術によって、従来方法で堆積される。堆積温度は、１００℃以下に選択されることが好ましい。層２の堆積は、例えば、化学気相成長、スパッタリング、物理気相成長、又は電子ビーム蒸着によって行われる。
【００２７】
層２は、例えば、純粋ニッケル層である。層２はまた、ニッケル含有量が５０重量％以上の多量のニッケルと、合金元素とを含有することもできる。合金元素は、プラチナ、パラジウム、又はこれらの材料の混合物であることが好ましい。特に、層２に合金元素を添加すると、ジャーマナイド及びシリサイドの温度安定性の範囲を広げることができる。ニッケル系層２の厚さは、１ｎｍ〜１００ｎｍ、好ましくは、５ｎｍ〜２０ｎｍである。
【００２８】
次に、金属層２と接触する半導体領域３及び４を金属系材料６及び７（図４）のそれぞれに少なくとも部分的に変えるように、図３のＦ３に示す第１熱処理が行われる。金属系材料とは、金属材料、すなわち、金属タイプの電気的挙動を有し、半導体を含む材料である。このように、第１熱処理が行われると、層２は、シリコンを含有する半導体材料領域３及びゲルマニウムを含有する半導体材料領域４と反応して、シリコンを含有する金属材料６及びゲルマニウムを含有する金属材料７をそれぞれ形成する。
【００２９】
この第１熱処理は、急速熱処理、例えば、ランプベースの急速加熱アニール又はスパイクアニールによって実行され得る。
【００３０】
第１熱処理は、ガス状のブロック元素を含む制御雰囲気下で行われる。ブロック元素は、酸素であることが好ましい。アニール雰囲気中の酸素により、領域４の上方にジャーマナイド７が形成されるが、誘電体領域５に沿ったゲルマニウムの拡散がブロックされるため、これらの領域５の上方にジャーマナイド７が形成されるのを防ぐことができる。
【００３１】
酸素量は、領域４の半導体材料から生じるゲルマニウム原子が横方向に拡散したり外部拡散するのを防ぐのに十分に多量であることが好ましい。しかしながら、酸素含有量は、領域４のニッケル原子及びゲルマニウム原子間の体積反応をブロックせず、また、領域３及び／又は４（例えば、領域４がＳｉＧｅから作られている場合）のシリコン中のニッケルの体積反応をブロックしないように、十分に少量であることが好ましい。
【００３２】
さらに、酸素含有量は、シリコン及びゲルマニウムを含む金属材料の形成条件を著しく変化させず、また、これらの金属材料６及び７の最終的な電気特性を著しく変化させないように、十分に少量であることが好ましい。
【００３３】
特に、アニール雰囲気中の酸素含有量に応じて、第１熱処理は、酸化物を形成する。酸素の量は、金属層２をすべて酸化して、半導体材料、特に、領域３のシリコンの酸化を開始しないように、十分に少量である必要がある。
【００３４】
第１熱処理の雰囲気中の酸素量は、０．０１％より多く、５％未満である。この値は、アニール雰囲気中の気体酸素の体積パーセントに相当する。この体積パーセントは、０．０１％〜０．５％であることが好ましい。酸素量は、例えば、約０．１％である。次に、領域４の周辺のゲルマニウム原子の外部拡散をブロックし、ニッケル系層２の過剰酸化を防ぐための酸素は少量で十分である。
【００３５】
層２が純粋ニッケルから作られ、領域３及び４がそれぞれ純粋シリコン及び純粋ゲルマニウムから作られれば、第１熱処理が行われたとき、領域３は、ニッケルシリサイド６を形成するように反応し、領域４はニッケルジャーマナイド７を形成するように反応する。この熱処理中、酸素は、ゲルマニウムと反応して、誘電体材料パターン５の上方への拡散を防ぐ。
【００３６】
また、熱処理の条件（持続時間、温度）に従って、金属材料６及び７は、異なる冶金特性を示すことができる。第１熱処理の条件は、少なくとも可能な抵抗性金属材料６及び７を得るように選択されることが好ましい。従って、ニッケルモノシリサイド（ＮｉＳｉ）及びニッケルモノジャーマナイドを得ることが望ましい。このようにして、ゲルマニウムを含有する半導体材料がシリコン−ゲルマニウム合金であれば、所望の金属材料は、半導体原子（Ｓｉ及びＧｅ）と同程度のニッケル原子を含むことが好ましい。
【００３７】
第１熱処理の条件で金属材料６及び７の所望の段階を形成できれば、熱処理の持続時間及び温度は、金属材料層６及び７のディウェッティングを起こさないように十分に低い。次に、これらの層にディウェッティングが生じると、層の凝塊が形成される。金属材料（６、７）と基板１の領域３及び４の半導体材料との間の界面に不連続性が生じ、電気的接触の品質に悪影響を及ぼす。
【００３８】
金属材料６及び７の温度安定性の範囲は、前述したように、ニッケル系層２にプラチナ（Ｐｔ）又はパラジウム（Ｐｄ）を添加することによって改善することができる。それにより、ディウェッティング現象は弱まる。
【００３９】
第１熱処理は、ゲルマニウム含有量が３０％以上のゲルマニウムを含む半導体だけで基板が形成される場合、２００℃〜６００℃の温度で行われる。シリコン及びゲルマニウムを含む金属材料を共集積化する場合、第１熱処理は、３５０℃〜５００℃の温度で行われる。
【００４０】
ニッケル系層２が１ｎｍ〜１００ｎｍの厚さを有する場合、第１熱処理の持続時間は、１０秒〜２００秒で推移する。層２の厚さは、５ｎｍ〜２０ｎｍで推移し、持続時間は、３０秒〜２分で推移することが好ましい。
【００４１】
熱処理条件及びニッケル系層の厚さに応じて、ニッケルとシリコン及びゲルマニウムとの反応速度論では、金属層の一部が反応しないこともある。そこで、第１及び第２半導体材料に対して完全に又は部分的に反応させ、又は、２つの材料の一方を完全に反応させ、２つの材料のもう一方を部分的に反応させることができる。しかしながら、いずれの場合も、酸素含有雰囲気中の第１熱処理後、領域４のゲルマニウムが、誘電体パターン５の上方の金属２に拡散して、これらのパターンの上方にジャーマナイドが形成されることはない。
【００４２】
図３及び図４に示すように、この第１熱処理が完了すると、この方法は、シリコンを含有する半導体材料及びゲルマニウムを含有する半導体材料と反応しなかった残存金属層２の除去ステップＦ４を含む。次に、この残存層は、パターン５を形成する誘電体材料及び金属材料６及び７（図５）に対して選択的に除去される。この選択的除去は、例えば、適切な組成の化学溶液に基板１を接触させることによって従来方法で行われる。
【００４３】
例えば、主にニッケルからなる層をニッケルシリサイドに対して選択的にエッチング可能な水溶液は、ハロゲン化酸、例えば、塩化水素酸（ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ混合物）、フッ化水素酸（ＨＦ／Ｈ２Ｏ混合物）、又は臭化水素酸（ＨＢｒ／Ｈ２Ｏ混合物）をベースにしたものである。これらの溶液は、硫酸Ｈ２ＳＯ４又はリン酸Ｈ３ＰＯ４を含有してもよい。特許文献１には、水溶液手段による選択的除去に使用可能な化学溶液の例が多数記載されている。
【００４４】
第１熱処理が行われると、金属層２は、使用される酸素含有量に応じて表面上が部分的に酸化され得る。形成される酸化物は除去することができず、残存層２の除去ステップを乱す。表面に形成された酸化物は、実際、深く金属がエッチングされるのを保護する。酸素含有量が適切に選択されると、金属層の酸化を低減させることと、パターン５の上方でゲルマニウムの拡散を十分に防ぐこととの間でバランスをとることができる。
【００４５】
第１熱処理の条件で、所望の電気特性を有する金属材料６及び７が得られなければ、第１熱処理の条件は、ニッケルを多く含む、すなわち、Ｓｉ及び／又はＧｅ原子よりニッケル原子を多く含む金属材料６及び７を含むように選択される。
【００４６】
第１熱処理後、金属材料６及び７の少なくとも１つが、ニッケルを多く含む組成、すなわち、ＮｉＸＡＹ（Ｘ＞Ｙ、並びにＡ＝Ｓｉ及び／又はＡ＝Ｇｅ）を示せば、ステップＦ５（図３）において、第２熱処理を行うことができる。第２熱処理の目的は、ニッケルを多く含む金属材料６及び７を、等しいニッケル及び半導体材料（Ｓｉ又はＧｅ）組成を有し、低抵抗を示す金属材料に変化させることである。ニッケルモノシリサイドＮｉＳｉ及びニッケルモノジャーマナイドＮｉＧｅは、第２熱処理を用いて得られる。
【００４７】
この第２熱処理は、第１熱処理と同じ技術、すなわち、急速熱処理、例えば、ランプベースの急速アニールやスパイクアニールを用いて行うことができる。この第２熱処理は、不活性制御雰囲気中、例えば、アルゴン又は窒素中で行われる。
【００４８】
第２熱処理は、ゲルマニウムのみを含む半導体で形成された基板の場合、任意である。第１熱処理の温度は、実際、所望の段階でジャーマナイドを形成するのに十分であり得る。一方、シリコンを含む半導体を有する基板の場合、ニッケルモノシリサイドの形成を終了させることが必要な場合もある。
【００４９】
一般に、第２熱処理の温度は、第１熱処理の温度より高い。第２熱処理は、４００℃〜６００℃の温度で行われる。
【００５０】
ニッケル系層２が１ｎｍ〜１００ｎｍの厚さを有する場合、第２熱処理の持続時間は、１０秒〜２００秒の間で推移する。層２の厚さは、５ｎｍ〜２０ｎｍの間で推移し、持続時間は、３０秒〜２分の間で推移することが好ましい。
【００５１】
例えば、シリコン及びゲルマニウム領域上に、３０ｎｍの厚さを有するニッケル層が堆積される（図３のＦ２）。次に、３５０℃で２分間、第１ランプベースの熱処理（Ｆ３）が、０．１％の濃度の酸素中で行われる。これらの条件下で、ニッケルモノジャーマナイドＮｉＧｅが領域４に直接形成される。この第１熱処理中、シリコン領域３は、ニッケルシリサイド６を形成する。ニッケルシリサイドが、ニッケルモノシリサイドＮｉＳｉ及びニッケルダイシリサイドＮｉ２Ｓｉの混合物であれば、ニッケルダイシリサイドＮｉ２ＳｉをニッケルモノシリサイドＮｉＳｉに変えるために、第２熱処理が行われる。次に、この第２熱処理のサーマルバジェットは、形成済みのニッケルモノジャーマナイドＮｉＧｅが、特に、ディウェッティングによって劣化されないように選択される。従来方法では、第２熱処理が実行される前、未反応ニッケルは、基板上に存在する金属材料６及び７に対して選択的に除去される。未反応ニッケルの選択的除去は、例えば、４分間、５５℃で、体積比１／１０のＨＣｌ／Ｈ２Ｏ混合物によって行われる。
【００５２】
領域４の半導体材料がシリコン−ゲルマニウム合金であれば、金属材料７もまた、シリコン−ゲルマニウム合金を含有する。また、ニッケル系層２が、シリコン及びゲルマニウムと反応可能な他の金属元素、例えば、コバルト又はプラチナを含有すれば、得られる材料６及び７は、これらの金属の混合物である。例示的な目的のために、シリコンは、ニッケルシリサイドを主に含有するシリサイドを形成するように、層２と反応することもできる。
【００５３】
記載されている方法は、ゲルマニウムを含有する任意の半導体とともに使用することもできる。シリコンを含有する金属材料及びゲルマニウムを含有する金属材料の同時形成は特に興味深い。このような共集積化、例えば、シリサイド／ジャーマナイドは、第１熱処理の温度が、残存ニッケル系層が除去されるときに完全な状態で残る第１ニッケルシリサイドを形成するのに十分な高さであることによって可能となる。
【００５４】
また、この同じ温度は、先行技術では２回のアニールが必要であるのに対して、要求されるジャーマナイドを単一のステップで形成するのに十分である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスにおける第１及び第２金属系材料の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路の性能、例えば、消費及び／又は動作周波数などの継続的な改善は、必然的に、集積回路部品の継続的な小型化につながる。より優れた性能を備えたデバイスを製造するために、新しいアーキテクチャや新しい材料がトランジスタに集積されてきた。
【０００３】
しかしながら、トランジスタの寸法の縮小化は、アクセス抵抗の増加につながり、使用可能な電流量を減少させるので、性能が低下する。トランジスタのアクセス抵抗を可能な限り低減するために、半導体材料で作られたコンタクト領域は、金属挙動を有する金属間化合物に変えられる。この金属間化合物（以下、金属材料と呼ぶ）の抵抗は低減していく必要がある。従来方法では、この金属材料、一般にシリサイドは、半導体材料、この場合、コンタクト領域のシリコンと金属反応させて得られる。従来使用されるチタンシリサイド（ＴｉＳｉ２）又はコバルトシリサイド（ＣｏＳｉ２）は、より良好な技術的特性を示すシリサイド、例えば、ニッケルシリサイド（ＮｉＳｉ）に取って代わられつつある。実際、ニッケルシリサイドは、低抵抗、低シリコン消費量、及び低形成温度を示す。
【０００４】
同様に、ゲルマニウムは、トランジスタのシリコンに取って代わっており、又は、シリコンの電気的性能を改善するために、シリコンに関連付けられる。実際、電荷キャリア、特に、正孔の移動度はシリコンよりゲルマニウムの方が高いため、ゲルマニウムは、高供給電流を要する高周波応用には特に魅力的である。従って、ゲルマニウムを含有する半導体材料からの金属材料形成を達成することが重要である。
【０００５】
ゲルマニウムの存在下では、金属間化合物ＮｉＳｉ１−ＸＧｅＸ及びＮｉＧｅの形成には低温が要求されることから、ニッケルが最も頻繁に使用される。しかしながら、ニッケルは、ニッケルシリサイド及びジャーマナイド（ｇｅｒｍａｎｉｄｅ）が成長する際の主な拡散種であるが、ジャーマナイドが成長するとき、特に、誘電体材料から作られるトランジスタの絶縁領域に沿って、ゲルマニウムも広く拡散する。
【０００６】
図１及び図２は、従来方法の基板１上のニッケルジャーマナイド及びシリサイドの成長を表す。
【０００７】
図１に示すように、シリコン領域３、ゲルマニウム領域４、及び誘電体材料から作られた絶縁パターン５上に、ニッケル層２が同時に堆積されており、絶縁パターン５は、半導体材料（Ｓｉ及び／又はＧｅ）から作られた隣接領域３及び４を囲み、且つ電気的に分離する。
【０００８】
図２は、ニッケル層２が形成されたアセンブリに熱処理を施すことで、ニッケル層２が領域３のシリコン及び領域４のゲルマニウムと反応して、それぞれ、ニッケルシリサイド６及びニッケルジャーマナイド７を形成した後の集合体を表す。
【０００９】
ニッケル層ではゲルマニウムが多く拡散することから、この方法は、以下の結果、すなわち、
−短絡を生じさせるような、誘電体パターン５上のニッケルジャーマナイド７の形成、
−ゲルマニウムがニッケルジャーマナイド７へ運ばれることで、ニッケルジャーマナイド７の真下に位置するゲルマニウム層の空乏８の形成
、という結果をもたらす。
【００１０】
誘電体パターン５上のニッケルジャーマナイドの形成は、ニッケルジャーマナイド７が横方向に成長したことを示す。この成長は、パターン５より高いレベル及び低いレベルに位置するゲルマニウム層とは無関係に観察される。
【００１１】
ゲルマニウムの拡散から生じる問題を軽減するために、特許文献１では、自己整合されたニッケルジャーマナイドの形成方法が提案されている。この文献には、ゲルマニウム領域上にニッケル層を形成し、１５０℃〜３２５℃の温度で不活性雰囲気中の第１熱処理を行うことが記載されている。この第１熱処理中、ニッケル層は、ゲルマニウム層と反応して、ニッケルジャーマナイドを形成する。このステップのサーマルバジェットは、ゲルマニウム原子の拡散を制限しながら、ニッケルとゲルマニウムの反応を可能にするように選択される。従って、誘電体材料領域の上方のニッケルジャーマナイドの形成が制限される。次に、ゲルマニウムと反応しなかったニッケルが除去され、第２熱処理が行われる。予め形成されたニッケルを多く含むジャーマナイドをニッケルジャーマナイドの他の形態より抵抗が低いニッケルモノジャーマナイド（ＮｉＧｅ）に変えるように、この第２熱処理の温度はより高い温度、３２５℃〜４００℃である。
【００１２】
このように、極めて厳しい温度範囲内で２つの熱処理を連続して行うことで、自己整合されたニッケルモノジャーマナイドＮｉＧｅを形成することができる。しかしながら、このアプローチは、ニッケルシリサイド及びニッケルジャーマナイドを共集積化する場合、達成することが極めて難しい。ニッケルシリサイドの形成に必要なサーマルバジェットは、実際、ニッケルジャーマナイドの形成に必要なサーマルバジェットより高い。これにより、ニッケルジャーマナイドに要求される第１サーマルバジェットは、ニッケルを極めて多く含んだニッケルシリサイドを形成する。このニッケルシリサイドは、ニッケルの含有量が極めて多いため、このシリサイドに対して、未反応のニッケルを選択的に除去することができない。これにより、ニッケルシリサイド層が不連続になる。
【００１３】
従って、この方法は、シリコンを含有する半導体領域及びゲルマニウムを含有する半導体領域を含む基板から、ニッケルシリサイド及びニッケルジャーマナイドの共集積化を行うのに有用ではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００７００３２０２５号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明の目的は、これらの金属系材料の間で短絡の危険なしに、実装が単純かつ容易な金属系材料の形成方法を提供することである。
【００１６】
とりわけ、本発明の目的は、シリコンを含む金属材料及びゲルマニウムを含む金属材料の共集積化にサーマルバジェットが適合した方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明によれば、第１半導体材料から作られた領域と、誘電体材料から作られたパターンによって分離されたゲルマニウムを含む第２半導体材料から作られた領域と、を含む基板を準備し、金属層を堆積し、第１熱処理を行うことによって、これらの目的を達成する。金属層は、第１半導体材料と、ゲルマニウムを含む第２半導体材料と、少なくとも部分的に反応して、それぞれ、第１金属系材料と、ゲルマニウムを含有する第２金属系材料と、を形成する。第１熱処理は、０．０１％〜５％の酸素量を含む雰囲気中で行われる。
【００１８】
他の利点及び特徴は、非制限的な例示の目的でのみ与えられ、添付の図面に表された本発明の特定の実施形態の以下の記載から、より明確に明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】先行技術の金属系材料の形成方法のステップの概略断面図。
【図２】先行技術の金属系材料の形成方法のステップの概略断面図。
【図３】本発明の金属系材料の形成方法のフローチャート。
【図４】図３の方法のステップの概略断面図。
【図５】図３の方法のステップの概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
図１は、本発明による方法の開始点を構成する。基板１の表面が、第１半導体材料で作られた領域３と、第２半導体材料で作られた領域４とを備える。従来方法では、基板１は、半導体材料から作られた複数の領域を備える。共集積化の場合、基板は、シリコンを含有する半導体材料の領域３と、ゲルマニウムを含有する半導体材料の領域４とを備える。別の実施形態によれば、領域はすべて、ゲルマニウムを含有する半導体材料のみから作られ得る。
【００２１】
共集積化の場合、第１半導体材料は、ゲルマニウムを含むことが好ましい。第１半導体材料は、例えば、ゲルマニウム含有量とも呼ばれるゲルマニウムの原子パーセント（Ｘ）が３０％以上（Ｘ≧０．３）のシリコン−ゲルマニウム合金Ｓｉ１−ＸＧｅＸ、又は純粋ゲルマニウムＧｅである。第２半導体材料は、シリコンを含むことが好ましい。第２材料の半導体は、例えば、最大ゲルマニウム濃度が３０％（Ｘ≦０．３）のシリコン−ゲルマニウムＳｉ１−ＸＧｅＸ合金、又は純粋シリコンＳｉである。第１及び第２半導体材料は、ドープされても真性であってもよい。
【００２２】
従来方法では、領域３及び４は、絶縁性の誘電体材料から作られたパターン５によって分離される。このようにして、そのパターンは、これらの２つの領域の間での材料の拡散を防ぐ。領域３及び４は、例えば、ＳｉＧｅから作られたゲート電極と、Ｓｉから作られたソース及びドレイン電極とを形成し、またその逆であってもよい。この場合、誘電体材料パターン５は、ゲート誘電体と、ゲート電極を画成するスペーサとによって形成される。図１に示すように、領域３及び４は、例えば、シリコン及びゲルマニウムから作られる活性領域である。次に、パターン５は、活性領域を分離する横方向電気絶縁パターンである。
【００２３】
基板１は、一般に、活性領域間に誘電体材料から作られた複数のパターン５を含む。これらのパターン５は、例えば、酸化シリコンＳｉＯ２、窒化シリコンＳｉ３Ｎ４、又は高誘電定数を有する誘電体材料ＨｆＯ２、Ａｌ２Ｏ３などのマイクロ電子産業の従来の材料から作られる。
【００２４】
図３〜５は、半導体から金属系材料を形成する方法のステップを示す。
【００２５】
図３では、まず、表面、特に、領域３及び４にある不純物及び自然酸化物を取り除くために、基板１上で洗浄ステップＦ１が行われる。洗浄は、従来の方法、例えば、ウェットエッチング及び／又はプラズマエッチングによって行われる。洗浄は、例えば、フッ化水素酸及び／又はアルゴンプラズマを用いた処理を含むこともできる。
【００２６】
次に、ステップＦ２の間、領域３及び４、並びにパターン５上に、金属層２が堆積される。金属層は、ニッケル系であり、基板１の全表面上に堆積されることが好ましい。ニッケル系層２は、ジャーマナイド又はシリサイドが非制御下で形成されることがないほど十分に低い温度で堆積が可能な任意の適切な技術によって、従来方法で堆積される。堆積温度は、１００℃以下に選択されることが好ましい。層２の堆積は、例えば、化学気相成長、スパッタリング、物理気相成長、又は電子ビーム蒸着によって行われる。
【００２７】
層２は、例えば、純粋ニッケル層である。層２はまた、ニッケル含有量が５０重量％以上の多量のニッケルと、合金元素とを含有することもできる。合金元素は、プラチナ、パラジウム、又はこれらの材料の混合物であることが好ましい。特に、層２に合金元素を添加すると、ジャーマナイド及びシリサイドの温度安定性の範囲を広げることができる。ニッケル系層２の厚さは、１ｎｍ〜１００ｎｍ、好ましくは、５ｎｍ〜２０ｎｍである。
【００２８】
次に、金属層２と接触する半導体領域３及び４を金属系材料６及び７（図４）のそれぞれに少なくとも部分的に変えるように、図３のＦ３に示す第１熱処理が行われる。金属系材料とは、金属材料、すなわち、金属タイプの電気的挙動を有し、半導体を含む材料である。このように、第１熱処理が行われると、層２は、シリコンを含有する半導体材料領域３及びゲルマニウムを含有する半導体材料領域４と反応して、シリコンを含有する金属材料６及びゲルマニウムを含有する金属材料７をそれぞれ形成する。
【００２９】
この第１熱処理は、急速熱処理、例えば、ランプベースの急速加熱アニール又はスパイクアニールによって実行され得る。
【００３０】
第１熱処理は、ガス状のブロック元素を含む制御雰囲気下で行われる。ブロック元素は、酸素であることが好ましい。アニール雰囲気中の酸素により、領域４の上方にジャーマナイド７が形成されるが、誘電体領域５に沿ったゲルマニウムの拡散がブロックされるため、これらの領域５の上方にジャーマナイド７が形成されるのを防ぐことができる。
【００３１】
酸素量は、領域４の半導体材料から生じるゲルマニウム原子が横方向に拡散したり外部拡散するのを防ぐのに十分に多量であることが好ましい。しかしながら、酸素含有量は、領域４のニッケル原子及びゲルマニウム原子間の体積反応をブロックせず、また、領域３及び／又は４（例えば、領域４がＳｉＧｅから作られている場合）のシリコン中のニッケルの体積反応をブロックしないように、十分に少量であることが好ましい。
【００３２】
さらに、酸素含有量は、シリコン及びゲルマニウムを含む金属材料の形成条件を著しく変化させず、また、これらの金属材料６及び７の最終的な電気特性を著しく変化させないように、十分に少量であることが好ましい。
【００３３】
特に、アニール雰囲気中の酸素含有量に応じて、第１熱処理は、酸化物を形成する。酸素の量は、金属層２をすべて酸化して、半導体材料、特に、領域３のシリコンの酸化を開始しないように、十分に少量である必要がある。
【００３４】
第１熱処理の雰囲気中の酸素量は、０．０１％より多く、５％未満である。この値は、アニール雰囲気中の気体酸素の体積パーセントに相当する。この体積パーセントは、０．０１％〜０．５％であることが好ましい。酸素量は、例えば、約０．１％である。次に、領域４の周辺のゲルマニウム原子の外部拡散をブロックし、ニッケル系層２の過剰酸化を防ぐための酸素は少量で十分である。
【００３５】
層２が純粋ニッケルから作られ、領域３及び４がそれぞれ純粋シリコン及び純粋ゲルマニウムから作られれば、第１熱処理が行われたとき、領域３は、ニッケルシリサイド６を形成するように反応し、領域４はニッケルジャーマナイド７を形成するように反応する。この熱処理中、酸素は、ゲルマニウムと反応して、誘電体材料パターン５の上方への拡散を防ぐ。
【００３６】
また、熱処理の条件（持続時間、温度）に従って、金属材料６及び７は、異なる冶金特性を示すことができる。第１熱処理の条件は、少なくとも可能な抵抗性金属材料６及び７を得るように選択されることが好ましい。従って、ニッケルモノシリサイド（ＮｉＳｉ）及びニッケルモノジャーマナイドを得ることが望ましい。このようにして、ゲルマニウムを含有する半導体材料がシリコン−ゲルマニウム合金であれば、所望の金属材料は、半導体原子（Ｓｉ及びＧｅ）と同程度のニッケル原子を含むことが好ましい。
【００３７】
第１熱処理の条件で金属材料６及び７の所望の段階を形成できれば、熱処理の持続時間及び温度は、金属材料層６及び７のディウェッティングを起こさないように十分に低い。次に、これらの層にディウェッティングが生じると、層の凝塊が形成される。金属材料（６、７）と基板１の領域３及び４の半導体材料との間の界面に不連続性が生じ、電気的接触の品質に悪影響を及ぼす。
【００３８】
金属材料６及び７の温度安定性の範囲は、前述したように、ニッケル系層２にプラチナ（Ｐｔ）又はパラジウム（Ｐｄ）を添加することによって改善することができる。それにより、ディウェッティング現象は弱まる。
【００３９】
第１熱処理は、ゲルマニウム含有量が３０％以上のゲルマニウムを含む半導体だけで基板が形成される場合、２００℃〜６００℃の温度で行われる。シリコン及びゲルマニウムを含む金属材料を共集積化する場合、第１熱処理は、３５０℃〜５００℃の温度で行われる。
【００４０】
ニッケル系層２が１ｎｍ〜１００ｎｍの厚さを有する場合、第１熱処理の持続時間は、１０秒〜２００秒で推移する。層２の厚さは、５ｎｍ〜２０ｎｍで推移し、持続時間は、３０秒〜２分で推移することが好ましい。
【００４１】
熱処理条件及びニッケル系層の厚さに応じて、ニッケルとシリコン及びゲルマニウムとの反応速度論では、金属層の一部が反応しないこともある。そこで、第１及び第２半導体材料に対して完全に又は部分的に反応させ、又は、２つの材料の一方を完全に反応させ、２つの材料のもう一方を部分的に反応させることができる。しかしながら、いずれの場合も、酸素含有雰囲気中の第１熱処理後、領域４のゲルマニウムが、誘電体パターン５の上方の金属２に拡散して、これらのパターンの上方にジャーマナイドが形成されることはない。
【００４２】
図３及び図４に示すように、この第１熱処理が完了すると、この方法は、シリコンを含有する半導体材料及びゲルマニウムを含有する半導体材料と反応しなかった残存金属層２の除去ステップＦ４を含む。次に、この残存層は、パターン５を形成する誘電体材料及び金属材料６及び７（図５）に対して選択的に除去される。この選択的除去は、例えば、適切な組成の化学溶液に基板１を接触させることによって従来方法で行われる。
【００４３】
例えば、主にニッケルからなる層をニッケルシリサイドに対して選択的にエッチング可能な水溶液は、ハロゲン化酸、例えば、塩化水素酸（ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ混合物）、フッ化水素酸（ＨＦ／Ｈ２Ｏ混合物）、又は臭化水素酸（ＨＢｒ／Ｈ２Ｏ混合物）をベースにしたものである。これらの溶液は、硫酸Ｈ２ＳＯ４又はリン酸Ｈ３ＰＯ４を含有してもよい。特許文献１には、水溶液手段による選択的除去に使用可能な化学溶液の例が多数記載されている。
【００４４】
第１熱処理が行われると、金属層２は、使用される酸素含有量に応じて表面上が部分的に酸化され得る。形成される酸化物は除去することができず、残存層２の除去ステップを乱す。表面に形成された酸化物は、実際、深く金属がエッチングされるのを保護する。酸素含有量が適切に選択されると、金属層の酸化を低減させることと、パターン５の上方でゲルマニウムの拡散を十分に防ぐこととの間でバランスをとることができる。
【００４５】
第１熱処理の条件で、所望の電気特性を有する金属材料６及び７が得られなければ、第１熱処理の条件は、ニッケルを多く含む、すなわち、Ｓｉ及び／又はＧｅ原子よりニッケル原子を多く含む金属材料６及び７を含むように選択される。
【００４６】
第１熱処理後、金属材料６及び７の少なくとも１つが、ニッケルを多く含む組成、すなわち、ＮｉＸＡＹ（Ｘ＞Ｙ、並びにＡ＝Ｓｉ及び／又はＡ＝Ｇｅ）を示せば、ステップＦ５（図３）において、第２熱処理を行うことができる。第２熱処理の目的は、ニッケルを多く含む金属材料６及び７を、等しいニッケル及び半導体材料（Ｓｉ又はＧｅ）組成を有し、低抵抗を示す金属材料に変化させることである。ニッケルモノシリサイドＮｉＳｉ及びニッケルモノジャーマナイドＮｉＧｅは、第２熱処理を用いて得られる。
【００４７】
この第２熱処理は、第１熱処理と同じ技術、すなわち、急速熱処理、例えば、ランプベースの急速アニールやスパイクアニールを用いて行うことができる。この第２熱処理は、不活性制御雰囲気中、例えば、アルゴン又は窒素中で行われる。
【００４８】
第２熱処理は、ゲルマニウムのみを含む半導体で形成された基板の場合、任意である。第１熱処理の温度は、実際、所望の段階でジャーマナイドを形成するのに十分であり得る。一方、シリコンを含む半導体を有する基板の場合、ニッケルモノシリサイドの形成を終了させることが必要な場合もある。
【００４９】
一般に、第２熱処理の温度は、第１熱処理の温度より高い。第２熱処理は、４００℃〜６００℃の温度で行われる。
【００５０】
ニッケル系層２が１ｎｍ〜１００ｎｍの厚さを有する場合、第２熱処理の持続時間は、１０秒〜２００秒の間で推移する。層２の厚さは、５ｎｍ〜２０ｎｍの間で推移し、持続時間は、３０秒〜２分の間で推移することが好ましい。
【００５１】
例えば、シリコン及びゲルマニウム領域上に、３０ｎｍの厚さを有するニッケル層が堆積される（図３のＦ２）。次に、３５０℃で２分間、第１ランプベースの熱処理（Ｆ３）が、０．１％の濃度の酸素中で行われる。これらの条件下で、ニッケルモノジャーマナイドＮｉＧｅが領域４に直接形成される。この第１熱処理中、シリコン領域３は、ニッケルシリサイド６を形成する。ニッケルシリサイドが、ニッケルモノシリサイドＮｉＳｉ及びニッケルダイシリサイドＮｉ２Ｓｉの混合物であれば、ニッケルダイシリサイドＮｉ２ＳｉをニッケルモノシリサイドＮｉＳｉに変えるために、第２熱処理が行われる。次に、この第２熱処理のサーマルバジェットは、形成済みのニッケルモノジャーマナイドＮｉＧｅが、特に、ディウェッティングによって劣化されないように選択される。従来方法では、第２熱処理が実行される前、未反応ニッケルは、基板上に存在する金属材料６及び７に対して選択的に除去される。未反応ニッケルの選択的除去は、例えば、４分間、５５℃で、体積比１／１０のＨＣｌ／Ｈ２Ｏ混合物によって行われる。
【００５２】
領域４の半導体材料がシリコン−ゲルマニウム合金であれば、金属材料７もまた、シリコン−ゲルマニウム合金を含有する。また、ニッケル系層２が、シリコン及びゲルマニウムと反応可能な他の金属元素、例えば、コバルト又はプラチナを含有すれば、得られる材料６及び７は、これらの金属の混合物である。例示的な目的のために、シリコンは、ニッケルシリサイドを主に含有するシリサイドを形成するように、層２と反応することもできる。
【００５３】
記載されている方法は、ゲルマニウムを含有する任意の半導体とともに使用することもできる。シリコンを含有する金属材料及びゲルマニウムを含有する金属材料の同時形成は特に興味深い。このような共集積化、例えば、シリサイド／ジャーマナイドは、第１熱処理の温度が、残存ニッケル系層が除去されるときに完全な状態で残る第１ニッケルシリサイドを形成するのに十分な高さであることによって可能となる。
【００５４】
また、この同じ温度は、先行技術では２回のアニールが必要であるのに対して、要求されるジャーマナイドを単一のステップで形成するのに十分である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２金属系材料（６，７）を半導体デバイスに形成する方法であって、
第１半導体材料から作られた領域（３）と、誘電体材料から作られたパターン（５）によって分離されるゲルマニウムを含む第２半導体材料から作られた領域（４）と、を含む基板（１）を準備するステップと、
金属層（２）を堆積するステップ（Ｆ２）と、
前記金属層（２）が、前記第１半導体材料と、ゲルマニウムを含む前記第２半導体材料と、少なくとも部分的に反応して、それぞれ、前記第１金属系材料（６）と、ゲルマニウムを含有する前記第２金属系材料（７）と、を形成する、第１熱処理（Ｆ３）を行うステップと、を備え、
前記第１熱処理は、０．０１％〜５％の酸素量を含む雰囲気中で行われることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記金属層（２）は、ニッケル系であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１半導体材料は、シリコンを含み、
前記第２半導体材料は、３０％以上のゲルマニウムを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１熱処理中に反応しなかった前記金属層（２）の除去（Ｆ４）を含むことを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の方法。
【請求項５】
前記金属層（２）は、合金元素を含有することを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の方法。
【請求項６】
前記合金元素は、プラチナ又はパラジウムから選択されることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第１金属系材料（６）及び前記第２金属系材料（７）の少なくとも１つの抵抗を低減する第２熱処理（Ｆ５）を含むことを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の方法。
【請求項１】
第１及び第２金属系材料（６，７）を半導体デバイスに形成する方法であって、
第１半導体材料から作られた領域（３）と、誘電体材料から作られたパターン（５）によって分離されるゲルマニウムを含む第２半導体材料から作られた領域（４）と、を含む基板（１）を準備するステップと、
金属層（２）を堆積するステップ（Ｆ２）と、
前記金属層（２）が、前記第１半導体材料と、ゲルマニウムを含む前記第２半導体材料と、少なくとも部分的に反応して、それぞれ、前記第１金属系材料（６）と、ゲルマニウムを含有する前記第２金属系材料（７）と、を形成する、第１熱処理（Ｆ３）を行うステップと、を備え、
前記第１熱処理は、０．０１％〜５％の酸素量を含む雰囲気中で行われることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記金属層（２）は、ニッケル系であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１半導体材料は、シリコンを含み、
前記第２半導体材料は、３０％以上のゲルマニウムを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１熱処理中に反応しなかった前記金属層（２）の除去（Ｆ４）を含むことを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の方法。
【請求項５】
前記金属層（２）は、合金元素を含有することを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の方法。
【請求項６】
前記合金元素は、プラチナ又はパラジウムから選択されることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第１金属系材料（６）及び前記第２金属系材料（７）の少なくとも１つの抵抗を低減する第２熱処理（Ｆ５）を含むことを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１１−１２９９０９（Ｐ２０１１−１２９９０９Ａ）
【公開日】平成２３年６月３０日（２０１１．６．３０）
【国際特許分類】
【外国語出願】
【出願番号】特願２０１０−２７４２６４（Ｐ２０１０−２７４２６４）
【出願日】平成２２年１２月９日（２０１０．１２．９）
【出願人】（５１０２２５２９２）コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブ (97)
【氏名又は名称原語表記】ＣＯＭＭＩＳＳＡＲＩＡＴ Ａ Ｌ’ＥＮＥＲＧＩＥ ＡＴＯＭＩＱＵＥ ＥＴ ＡＵＸ ＥＮＥＲＧＩＥＳ ＡＬＴＥＲＮＡＴＩＶＥＳ
【住所又は居所原語表記】Ｂａｔｉｍｅｎｔ Ｌｅ Ｐｏｎａｎｔ Ｄ，２５ ｒｕｅ Ｌｅｂｌａｎｃ，Ｆ−７５０１５ Ｐａｒｉｓ， ＦＲＡＮＣＥ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年６月３０日（２０１１．６．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２７４２６４（Ｐ２０１０−２７４２６４）
【出願日】平成２２年１２月９日（２０１０．１２．９）
【出願人】（５１０２２５２９２）コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブ (97)
【氏名又は名称原語表記】ＣＯＭＭＩＳＳＡＲＩＡＴ Ａ Ｌ’ＥＮＥＲＧＩＥ ＡＴＯＭＩＱＵＥ ＥＴ ＡＵＸ ＥＮＥＲＧＩＥＳ ＡＬＴＥＲＮＡＴＩＶＥＳ
【住所又は居所原語表記】Ｂａｔｉｍｅｎｔ Ｌｅ Ｐｏｎａｎｔ Ｄ，２５ ｒｕｅ Ｌｅｂｌａｎｃ，Ｆ−７５０１５ Ｐａｒｉｓ， ＦＲＡＮＣＥ
【Ｆターム（参考）】
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