半導体装置の製造方法および製造装置
【課題】エリアパッド構成の半導体チップが薄型回路基板上にフェースダウンで搭載される構造の半導体装置の製造において、高い接合荷重により発生する加圧機構の撓みによる加圧・加熱の不均一化に起因するチップ破壊あるいは接合不良の発生を防止する。
【解決手段】半導体チップ１と回路基板７とのフリップチップ接合において、半導体チップ１の電極パッド２と回路基板７上の配線電極７ａとを、該回路基板７を曲げた状態で１点ないし複数点ずつ接合する。
【解決手段】半導体チップ１と回路基板７とのフリップチップ接合において、半導体チップ１の電極パッド２と回路基板７上の配線電極７ａとを、該回路基板７を曲げた状態で１点ないし複数点ずつ接合する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップがインターポーザ（中継基板）上にフリップチップ実装される構造を有する半導体装置の製造方法および製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図６（ａ），（ｂ）は従来の半導体装置の一例を示す図であり、図６（ａ）は平面図、図６（ｂ）は横断面図である。この半導体装置はＴＣＰ（Tape Carrier Package）構造であり、半導体チップ１０１をＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープ１０８上に搭載した構成となっている。
【０００３】
前記ＴＡＢテープ１０８は、ポリイミド樹脂等からなる絶縁性フィルム１０６上に、銅からなるインナーリード１０５ａおよびアウターリード１０５ｂを含むリード１０５を形成したものであり、リード１０５は熱硬化性接着剤により絶縁性フィルム１０６上に接着されている。半導体チップ１０１は金バンプ１０３を介してインナーリード１０５ａ上に接続されており、また、半導体チップ１０１とＴＡＢテープ１０８との間隙が封止樹脂１０４により封止されている。
【０００４】
前記リード１０５上には金もしくは錫の被覆層が施されている。電極パッド１０２上に金バンプ１０３が形成された半導体チップ１０１を、金バンプ１０３を下側にしてインナーリード１０５ａの先端上に配置し、絶縁性フィルム１０６の裏面から、加熱された接合ツール（図示せず）を押圧することにより、半導体チップ１０１とＴＡＢテープ１０８とが接合される（特許文献１参照）。
【０００５】
ところが近年、各種電子機器が高機能化・小型化するのに伴い、それらに組み込まれる半導体チップには１チップ内に多くの機能が搭載されるようになり、設けるべき入出力端子（電極パッド）の数も増加の一途をたどっている。
【０００６】
従来では、金バンプ１０３が設けられた半導体チップ１０１の電極パッド１０２は、図７（ａ）に示す例のように、半導体チップ周縁部に沿って１〜２列に配置する（ペリフェラルパッド）のみで必要個数を満たしていたが、今後は、図７（ｂ）に示す例のように、回路素子上のチップ領域にも平面的にパッドを配置する（エリアパッド）ことが必要不可欠となる。
【０００７】
また、半導体チップをマザーボード上に搭載する際に使用される中継基板（インターポーザ）も薄型化が進んでいる。
【特許文献１】特開平１０−２５６３０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来の技術では、例えば電極パッド上に金バンプが形成された半導体チップと湾曲しやすい薄型インターポーザとを、金バンプとインターポーザ上の配線電極を介してフリップチップ接合する工程において、半導体チップをインターポーザ上に搭載する際に両者の平行度を半導体チップの投影面全面にわたって確保することが困難となる。
【０００９】
さらに、半導体チップがエリアパッド化し、多数のパッドが半導体チップ上に配置されるようになると、１パッド当りの負荷荷重は同じでも、合計荷重は多大なものとなる。
【００１０】
万一、インターポーザの湾曲などにより平行度が確保できていない場合、接合する金バンプとインターポーザ配線電極の加熱・加圧が不均一となるために接合不良が発生したり、付与する荷重の偏りのためにチップ破壊が生じたりする。
【００１１】
また、高い接合荷重が必要となるため、接合時に加圧機構に撓みを生じることによるチップずれが発生しないように装置の剛性を確保するため、接合装置の高コスト化を招いたり、パッド数や接合工法によっては、必要な接合荷重の発生自体が物理的に不可能となったりすることが起こり得る。
【００１２】
本発明は、前記従来の課題を解決し、半導体チップの回路基板上への搭載を、エリアパッド化された半導体チップにおいても、不良を発生させることなく実現可能な構成の半導体装置の製造方法および製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記目的を達成するため、本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップを回路基板上にフリップチップ接合することにより半導体装置を製造するための製造方法であって、接合する前記半導体チップの電極パッドと前記回路基板上の電極との少なくとも一方に導電性接続材料を設ける工程と、接合する前記半導体チップの電極パッドと前記回路基板上の電極とを、前記回路基板を曲げた状態で１点ずつまたは複数点ずつ加熱しながら接合する工程からなることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明に係る半導体装置の製造装置は、半導体チップを回路基板上にフリップチップ接合することにより半導体装置を製造するための製造装置であって、接合する前記半導体チップの電極パッドと前記回路基板の電極の少なくとも一方に導電性接続材料を形成もしくは塗布する部材と、接合する前記半導体チップの電極パッドと前記回路基板上の電極を前記回路基板を曲げた状態で１点ずつまたは複数点ずつ加熱しながら接合する部材とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明により、例えばエリアパッドの半導体チップを湾曲しやすい薄型の回路基板（インターポーザ）上にフリップチップ接合する場合に、半導体チップの電極パッドと回路基板の配線電極とを少数ずつ接合する形態となり、従来の技術に比べ低荷重での接合となる。そのため、大きな接合荷重により回路基板が撓むことや、チップ面積が比較的大きい場合に加熱・加圧が接合面内で不均一となることなどによる接合不良や、チップ破壊を防止すると共に、接合荷重によってチップ加圧機構に生じる撓みに起因するチップずれが発生しないようチップ加圧機構の剛性を大幅に高める必要がなく、低コストの接合装置により半導体チップの搭載を行うことが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の半導体装置の製造装置および製造方法の実施形態について、以下、図面を参照しながら説明する。
【００１７】
（実施形態１）
図１（ａ）は本発明の実施形態１に係る半導体装置の製造装置の構成図、図１（ｂ）は図１（ａ）における接合部Ａの拡大図である。なお、実施形態１では、半導体チップと回路基板とを電気的に接続するための導電性接続材料として、半導体チップの電極パッド上に金バンプが設けられ、回路基板の配線電極上に錫メッキが施されている例を示すが、施される導電性接続材料はこれらに限定されるものではない。
【００１８】
図１（ａ），（ｂ）において、１は半導体チップ、２は電極パッド、３は金バンプ、４は押圧ツール、５は吸引孔、６は回路基板保持用の筒体、６ａは吸引孔、７は回路基板、７ａは配線電極（設置ピッチＰ）、８は集束光発生ユニット、１１は搬送用コンベア、１２はマガジン昇降ステージ、１３は回路基板収納マガジン、１４はプッシャーである。
【００１９】
前記半導体チップ１を前記回路基板７へ搭載する工程を以下順次説明する。
【００２０】
図２（ａ）〜（ｃ）は金バンプ形成の説明図であり、３１はキャピラリ、３２は金線、３２ａはイニシャルボール、３６はチップトレイ、３６ａはポケットである。
【００２１】
まず、図２（ａ）に示すように、半導体チップ１の電極パッド２上に、ボールボンディング法により金バンプ３を形成する。エリアパッド配置の半導体チップ１の場合、金バンプ形成後は図２（ｂ）に示す形態となる。金バンプ形成後の半導体チップ１は、図２（ｃ）に示すように、チップトレイ３６に設けられたポケット３６ａ内に、金バンプ３の形成面が上になるように収納される。
【００２２】
なお、本実施形態において、金バンプ３はボールボンディング法により形成されるが、メッキ法により形成されてもよい。
【００２３】
次に、図１（ａ），（ｂ）に示す装置により、配線電極７ａ上に錫メッキが施された回路基板７上に、金バンプ３の形成された半導体チップ１がフリップチップ搭載される。回路基板収納マガジン１３内には回路基板７が収納されている。
【００２４】
前記回路基板７は、プッシャー１４により搬送用コンベア１１上に押し出され、さらに搬送用コンベア１１により回路基板保持用の筒体６に移送される。回路基板７は、吸引孔６ａにより回路基板保持用の筒体６上に吸引保持される。
【００２５】
一方、電極パッド２上に金バンプ３が形成された半導体チップ１の供給は、図３に示すチップ反転ユニット３５により行われる。
【００２６】
前記チップ反転ユニット３５には複数（本例では４つ）のコレット３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄが設けられており、半導体チップ１は、コレット３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄの吸引孔３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄにより、コレット３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄの表面に吸引保持される。さらに、チップ反転ユニット３５は、鉛直方向の直線動作および回転軸Ｂまわりの回転動作が可能であり、コレット３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄがチップトレイ３６の表面付近に位置するようにチップ反転ユニット３５が下降し、Ｓ１の位置で半導体チップ１を吸引することにより、チップトレイ３６のポケット３６ａ内に収納されている半導体チップ１を吸引保持する。
【００２７】
その後、チップ反転ユニット３５は、回転軸Ｂまわりに９０度刻みで回転動作し、半導体チップ１を吸引保持しているコレットがＳ３に位置したとき、押圧ツール４が下降し半導体チップ１を吸引することにより、押圧ツール４はチップ背面を介して半導体チップ１を吸引保持する。このようにして、電極パッド２上に金バンプ３が形成された半導体チップ１が図１（ａ）に示す形態で供給される。
【００２８】
次に、図１（ｂ）に示すように回路基板７上において、これから半導体チップ１上の金バンプ３の１列と接続する配線電極７ａの１列が回路基板保持筒体６の中心軸を通る鉛直面内に位置するように、回路基板保持筒体６が回転して位置決めされる。さらに、次に接続を実施する半導体チップ１上の金バンプ３の１列が、次に接続を実施する配線電極７ａの列に対向するように、押圧ツール４を水平面内で位置決めする。次に、押圧ツール４が鉛直に下降していき、接合を実施する半導体チップ１の金バンプ列と回路基板７の配線電極列に所定の荷重が負荷された時点で下降が止まる。
【００２９】
さらに、集束光発生ユニット８から、集束光Ｌが半導体チップ１における金バンプ３の列と、回路基板７における配線電極７ａの列との接続部分に照射される。集束光Ｌの照射は、金バンプ３の１個と配線電極７ａの１本とが接触する１接続点ずつ行われてもよく、複数の接続点に対し一度に行われてもよい。
【００３０】
集束光Ｌの照射が一定時間行われ、半導体チップ１の金バンプ列と回路基板の配線電極列との接合部に荷重と熱が加えられることにより、金と錫との拡散接合により両者が接合される。なお、この加熱は、回路基板保持用の筒体６に装着されている、セラミックヒータなどの微小な発熱源により行われてもよく、また、押圧ツール４に設けられた発熱源により、半導体チップ１の一部もしくは全体を加熱することで行われてもよい。
【００３１】
接合が完了した後、回路基板保持用の筒体６が、次に接合を実施する回路基板７の配線電極列が回路基板保持筒体６の中心軸を通る鉛直面内に位置するように回転し位置決めされると共に、これに同期して半導体チップ１が吸引保持された押圧ツール４が水平方向に移動する。すなわち、押圧ツール４は、接合が完了した箇所に水平方向の負荷が加わらないように、かつ、次に接合を実施する半導体チップ１の金バンプ列が次に接合を実施する回路基板７の配線電極列に対向するように、回路基板７の配線電極７ａの設置ピッチＰと同じ量だけ水平方向に移動する。
【００３２】
以降、前記位置決め、および接合の動作を、半導体チップ１の全ての金バンプ列について繰り返すことにより、半導体チップ１を回路基板７上へ搭載する。
【００３３】
（実施形態２）
図４（ａ）は本発明の実施形態２に係る半導体装置の製造装置の構成図、図４（ｂ）は図４（ａ）における接合部Ａの拡大図である。なお、以下の説明において、図１〜図３にて説明した部材に対応する部材には同一符号を付して詳しい説明は省略する。
【００３４】
実施形態２では、半導体チップと回路基板とを電気的に接続するための導電性接続材料として、半導体チップの電極パッド上に金バンプ、回路基板の配線電極上に錫メッキが施されている例を示すが、施される導電性接続材料はこれらに限定されるものではない。
【００３５】
半導体チップ１の電極パッド２上に金バンプ３が形成され、押圧ツール４により半導体チップ１が供給される工程は、実施形態１と同様である。
【００３６】
図４（ａ），（ｂ）において、２１は基板ガイドユニット、２１ａはガイドローラ、２２は支持台、２２ａは回転軸、２３は筒体、２３ａは吸引孔である。
【００３７】
半導体チップ１を回路基板７へ搭載する工程は以下の通りである。
【００３８】
すなわち、回路基板収納マガジン１３内には、配線電極７ａ上に錫メッキが施された回路基板７が収納されている。まず、回路基板７は、プッシャー１４により搬送用コンベア１１上に押し出され、さらに搬送用コンベア１１により筒体２３に渡されるが、この際、基板ガイドユニット２１は、図５に示すように水平位置まで回転し、回路基板７を搬入する。回路基板７を搬入した後、基板ガイドユニット２１は、図４（ａ）に示す状態になるよう回転し、筒体２３が、該筒体２３に設けられた吸引孔２３ａにより回路基板７を吸引保持する。
【００３９】
次に、電極パッド２上に金バンプ３が形成された半導体チップ１が、押圧ツール４に設けられた吸引孔５により、押圧ツール４の押圧面を介して吸引保持された状態で供給される。半導体チップ１においては、図２（ｂ）に示すように、電極パッド２はエリアパッド配置となっており、電極パッド２上に金バンプ３が形成されている。なお、図２（ｂ）において、金バンプ３はボールボンディング法により形成されているが、メッキバンプでもよい。
【００４０】
次に、図４（ａ）において、回路基板７上の、これから半導体チップ１上の金バンプ３の１列と接続する配線電極７ａの１列が、筒体２３の中心軸を通る鉛直面内に位置するように筒体２３が回転し位置決めされる。さらに、次に接続を実施する半導体チップ１上の金バンプ３の１列が、次に接続を実施する配線電極７ａの１列に対向するように、押圧ツール４を水平面内で位置決めする。次に、押圧ツール４が鉛直に下降していき、接合を実施する半導体チップ１の金バンプ列と回路基板７の配線電極列に所定の荷重が負荷された時点で下降が止まる。
【００４１】
さらに、集束光発生ユニット８より、集束光Ｌが半導体チップ１の金バンプ列と回路基板７の配線電極列との接続部分に照射される。集束光Ｌの照射は、金バンプ３の１個と配線電極７ａの１本とが接触する１接続点ずつ行われてもよく、複数の接続点に対し一度に行われてもよい。集束光Ｌの照射が一定時間行われ、半導体チップ１の金バンプ列と回路基板の配線電極列との接合部に荷重と熱が加えられることにより、金と錫との拡散接合により両者が接合される。
【００４２】
なお、この加熱は、筒体２３に装着されている、セラミックヒータなどの微小な発熱源により行われてもよく、また、押圧ツール４に設けられた発熱源により、半導体チップ１の一部もしくは全体を加熱することで行われてもよい。
【００４３】
接合が完了した後、筒体２３が、次に接合を実施する回路基板７の配線電極列が、筒体２３の中心軸を通る鉛直面内に位置するように回転して位置決めされると共に、これに同期して半導体チップ１が吸引保持された押圧ツール４が水平方向に移動する。すなわち、押圧ツール４は、接合が完了した箇所に水平方向の負荷が加わらないように、かつ、次に接合を実施する半導体チップ１の金バンプ列が、次に接合を実施する回路基板７の配線電極列に対向するように、回路基板７の配線電極ピッチＰと同じ量だけ水平方向に移動する。
【００４４】
以降、前記位置決め、および接合の動作を半導体チップ１の全ての金バンプ列について繰り返すことにより、半導体チップ１を回路基板７上へ搭載する。
【００４５】
このように本実施形態は、半導体チップ１と回路基板７とのフリップチップ接合において、半導体チップ１の電極パッド２と回路基板７上の配線電極７ａとを、回路基板７を曲げた状態で１点ないし複数点ずつ接合することを特徴とする。
【００４６】
具体的には既述したように、回路基板７は吸引孔６ａ，２３ａを備えた筒体６，２３上に吸引固定され、半導体チップ１は、押圧ツール４に設けられた吸引孔５により、電極パッド２が形成されている面と反対側の面（チップ背面）を介して保持される。このとき半導体チップ１は、接合を実施する電極パッド２と配線電極７ａとが、回路基板７が吸引固定されている筒体６，２３の中心を通る直線上で相対するように位置決めされ、回路基板７上方から押圧される。
【００４７】
さらに、接合する半導体チップ１の電極パッド２と回路基板７の配線電極７ａの少なくとも一方に金，錫，銀ペーストなどの導電性接続材料が形成もしくは塗布されており、導電性接続材料は半導体チップ１と回路基板７との間隙より接合箇所へ向けて集束光Ｌを照射することにより加熱され、半導体チップ１の電極パッド２と回路基板７の配線電極７ａとが接合されることになる。
【００４８】
例えば、半導体チップ１の電極パッド２上に金バンプが設けられ、回路基板の配線電極上に錫メッキが施されている場合、加熱・加圧による金・錫の拡散反応によって電極パッド２と配線電極７ａとが接合される。接合箇所への加熱の際、集束光Ｌはスポット光として半導体チップ１の電極パッド２、および回路基板７の配線電極７ａとを１点ずつ加熱・接合してもよく、また、線状の集束光Ｌとして電極パッド２および配線電極７ａの１列を一度に加熱・接合してもよい。
【００４９】
１列の接合が完了すると、回路基板７を吸引固定している筒体６，２３は、次に接合する回路基板７の配線電極７ａが、次に接合する半導体チップ１の電極パッド２と筒体６，２３の中心を通る直線上で相対するまで回転して位置決めされる。
【００５０】
以降、同様にして全ての半導体チップ１の電極パッド２と回路基板７の配線電極７ａとが接合される。
【００５１】
本実施形態において、接合箇所の加熱は、回路基板７を吸引固定する筒体６，２３に装着された発熱源により実施してもよく、また、回路基板７下面より、接合する回路基板７の配線電極７ａへ集束光Ｌまたは電波を照射することにより実施してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明の半導体装置の製造方法および製造装置は、エリアパッドをもつ半導体チップを薄型回路基板上へフリップチップ搭載する方法および装置として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】（ａ）は本発明の実施形態１に係る半導体装置の製造装置の構成図、（ｂ）は（ａ）における接合部Ａの拡大図
【図２】（ａ）〜（ｃ）は本実施形態における半導体チップへの金バンプ形成の説明図
【図３】本実施形態における金バンプが形成された半導体チップを反転ユニットにより押圧ツールへ供給する工程を示す図
【図４】（ａ）は本発明の実施形態２に係る半導体装置の製造装置の構成図、（ｂ）は（ａ）における接合部Ａの拡大図
【図５】実施形態２における装置の動作の説明図
【図６】（ａ），（ｂ）は従来の半導体装置の一例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は横断面図
【図７】（ａ）はペリフェラルパッド配置の半導体チップへ金バンプを形成した状態を示す図、（ｂ）はエリアパッド配置の半導体チップへ金バンプを形成した状態を示す図
【符号の説明】
【００５４】
１ 半導体チップ
２ 電極パッド
３ 金バンプ
４ 押圧ツール
５ 吸引孔
６ 回路基板保持用の筒体
６ａ 吸引孔
７ 回路基板
７ａ 配線電極
８ 集束光発生ユニット
１１ 搬送用コンベア
１２ マガジン昇降ステージ
１３ 回路基板収納マガジン
１４ プッシャー
２１ 基板ガイドユニット
２１ａ ガイドローラ
２２ 支持台
２２ａ 回転軸
２３ 筒体
２３ａ 吸引孔
３１ キャピラリ
３２ 金線
３２ａ イニシャルボール
３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄ コレット
３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄ 吸引孔
３５ チップ反転ユニット
３６ チップトレイ
３６ａ ポケット
１０１ 半導体チッ
Ｌ 集束光
Ｂ 回転軸
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップがインターポーザ（中継基板）上にフリップチップ実装される構造を有する半導体装置の製造方法および製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図６（ａ），（ｂ）は従来の半導体装置の一例を示す図であり、図６（ａ）は平面図、図６（ｂ）は横断面図である。この半導体装置はＴＣＰ（Tape Carrier Package）構造であり、半導体チップ１０１をＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープ１０８上に搭載した構成となっている。
【０００３】
前記ＴＡＢテープ１０８は、ポリイミド樹脂等からなる絶縁性フィルム１０６上に、銅からなるインナーリード１０５ａおよびアウターリード１０５ｂを含むリード１０５を形成したものであり、リード１０５は熱硬化性接着剤により絶縁性フィルム１０６上に接着されている。半導体チップ１０１は金バンプ１０３を介してインナーリード１０５ａ上に接続されており、また、半導体チップ１０１とＴＡＢテープ１０８との間隙が封止樹脂１０４により封止されている。
【０００４】
前記リード１０５上には金もしくは錫の被覆層が施されている。電極パッド１０２上に金バンプ１０３が形成された半導体チップ１０１を、金バンプ１０３を下側にしてインナーリード１０５ａの先端上に配置し、絶縁性フィルム１０６の裏面から、加熱された接合ツール（図示せず）を押圧することにより、半導体チップ１０１とＴＡＢテープ１０８とが接合される（特許文献１参照）。
【０００５】
ところが近年、各種電子機器が高機能化・小型化するのに伴い、それらに組み込まれる半導体チップには１チップ内に多くの機能が搭載されるようになり、設けるべき入出力端子（電極パッド）の数も増加の一途をたどっている。
【０００６】
従来では、金バンプ１０３が設けられた半導体チップ１０１の電極パッド１０２は、図７（ａ）に示す例のように、半導体チップ周縁部に沿って１〜２列に配置する（ペリフェラルパッド）のみで必要個数を満たしていたが、今後は、図７（ｂ）に示す例のように、回路素子上のチップ領域にも平面的にパッドを配置する（エリアパッド）ことが必要不可欠となる。
【０００７】
また、半導体チップをマザーボード上に搭載する際に使用される中継基板（インターポーザ）も薄型化が進んでいる。
【特許文献１】特開平１０−２５６３０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来の技術では、例えば電極パッド上に金バンプが形成された半導体チップと湾曲しやすい薄型インターポーザとを、金バンプとインターポーザ上の配線電極を介してフリップチップ接合する工程において、半導体チップをインターポーザ上に搭載する際に両者の平行度を半導体チップの投影面全面にわたって確保することが困難となる。
【０００９】
さらに、半導体チップがエリアパッド化し、多数のパッドが半導体チップ上に配置されるようになると、１パッド当りの負荷荷重は同じでも、合計荷重は多大なものとなる。
【００１０】
万一、インターポーザの湾曲などにより平行度が確保できていない場合、接合する金バンプとインターポーザ配線電極の加熱・加圧が不均一となるために接合不良が発生したり、付与する荷重の偏りのためにチップ破壊が生じたりする。
【００１１】
また、高い接合荷重が必要となるため、接合時に加圧機構に撓みを生じることによるチップずれが発生しないように装置の剛性を確保するため、接合装置の高コスト化を招いたり、パッド数や接合工法によっては、必要な接合荷重の発生自体が物理的に不可能となったりすることが起こり得る。
【００１２】
本発明は、前記従来の課題を解決し、半導体チップの回路基板上への搭載を、エリアパッド化された半導体チップにおいても、不良を発生させることなく実現可能な構成の半導体装置の製造方法および製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記目的を達成するため、本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップを回路基板上にフリップチップ接合することにより半導体装置を製造するための製造方法であって、接合する前記半導体チップの電極パッドと前記回路基板上の電極との少なくとも一方に導電性接続材料を設ける工程と、接合する前記半導体チップの電極パッドと前記回路基板上の電極とを、前記回路基板を曲げた状態で１点ずつまたは複数点ずつ加熱しながら接合する工程からなることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明に係る半導体装置の製造装置は、半導体チップを回路基板上にフリップチップ接合することにより半導体装置を製造するための製造装置であって、接合する前記半導体チップの電極パッドと前記回路基板の電極の少なくとも一方に導電性接続材料を形成もしくは塗布する部材と、接合する前記半導体チップの電極パッドと前記回路基板上の電極を前記回路基板を曲げた状態で１点ずつまたは複数点ずつ加熱しながら接合する部材とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明により、例えばエリアパッドの半導体チップを湾曲しやすい薄型の回路基板（インターポーザ）上にフリップチップ接合する場合に、半導体チップの電極パッドと回路基板の配線電極とを少数ずつ接合する形態となり、従来の技術に比べ低荷重での接合となる。そのため、大きな接合荷重により回路基板が撓むことや、チップ面積が比較的大きい場合に加熱・加圧が接合面内で不均一となることなどによる接合不良や、チップ破壊を防止すると共に、接合荷重によってチップ加圧機構に生じる撓みに起因するチップずれが発生しないようチップ加圧機構の剛性を大幅に高める必要がなく、低コストの接合装置により半導体チップの搭載を行うことが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の半導体装置の製造装置および製造方法の実施形態について、以下、図面を参照しながら説明する。
【００１７】
（実施形態１）
図１（ａ）は本発明の実施形態１に係る半導体装置の製造装置の構成図、図１（ｂ）は図１（ａ）における接合部Ａの拡大図である。なお、実施形態１では、半導体チップと回路基板とを電気的に接続するための導電性接続材料として、半導体チップの電極パッド上に金バンプが設けられ、回路基板の配線電極上に錫メッキが施されている例を示すが、施される導電性接続材料はこれらに限定されるものではない。
【００１８】
図１（ａ），（ｂ）において、１は半導体チップ、２は電極パッド、３は金バンプ、４は押圧ツール、５は吸引孔、６は回路基板保持用の筒体、６ａは吸引孔、７は回路基板、７ａは配線電極（設置ピッチＰ）、８は集束光発生ユニット、１１は搬送用コンベア、１２はマガジン昇降ステージ、１３は回路基板収納マガジン、１４はプッシャーである。
【００１９】
前記半導体チップ１を前記回路基板７へ搭載する工程を以下順次説明する。
【００２０】
図２（ａ）〜（ｃ）は金バンプ形成の説明図であり、３１はキャピラリ、３２は金線、３２ａはイニシャルボール、３６はチップトレイ、３６ａはポケットである。
【００２１】
まず、図２（ａ）に示すように、半導体チップ１の電極パッド２上に、ボールボンディング法により金バンプ３を形成する。エリアパッド配置の半導体チップ１の場合、金バンプ形成後は図２（ｂ）に示す形態となる。金バンプ形成後の半導体チップ１は、図２（ｃ）に示すように、チップトレイ３６に設けられたポケット３６ａ内に、金バンプ３の形成面が上になるように収納される。
【００２２】
なお、本実施形態において、金バンプ３はボールボンディング法により形成されるが、メッキ法により形成されてもよい。
【００２３】
次に、図１（ａ），（ｂ）に示す装置により、配線電極７ａ上に錫メッキが施された回路基板７上に、金バンプ３の形成された半導体チップ１がフリップチップ搭載される。回路基板収納マガジン１３内には回路基板７が収納されている。
【００２４】
前記回路基板７は、プッシャー１４により搬送用コンベア１１上に押し出され、さらに搬送用コンベア１１により回路基板保持用の筒体６に移送される。回路基板７は、吸引孔６ａにより回路基板保持用の筒体６上に吸引保持される。
【００２５】
一方、電極パッド２上に金バンプ３が形成された半導体チップ１の供給は、図３に示すチップ反転ユニット３５により行われる。
【００２６】
前記チップ反転ユニット３５には複数（本例では４つ）のコレット３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄが設けられており、半導体チップ１は、コレット３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄの吸引孔３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄにより、コレット３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄの表面に吸引保持される。さらに、チップ反転ユニット３５は、鉛直方向の直線動作および回転軸Ｂまわりの回転動作が可能であり、コレット３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄがチップトレイ３６の表面付近に位置するようにチップ反転ユニット３５が下降し、Ｓ１の位置で半導体チップ１を吸引することにより、チップトレイ３６のポケット３６ａ内に収納されている半導体チップ１を吸引保持する。
【００２７】
その後、チップ反転ユニット３５は、回転軸Ｂまわりに９０度刻みで回転動作し、半導体チップ１を吸引保持しているコレットがＳ３に位置したとき、押圧ツール４が下降し半導体チップ１を吸引することにより、押圧ツール４はチップ背面を介して半導体チップ１を吸引保持する。このようにして、電極パッド２上に金バンプ３が形成された半導体チップ１が図１（ａ）に示す形態で供給される。
【００２８】
次に、図１（ｂ）に示すように回路基板７上において、これから半導体チップ１上の金バンプ３の１列と接続する配線電極７ａの１列が回路基板保持筒体６の中心軸を通る鉛直面内に位置するように、回路基板保持筒体６が回転して位置決めされる。さらに、次に接続を実施する半導体チップ１上の金バンプ３の１列が、次に接続を実施する配線電極７ａの列に対向するように、押圧ツール４を水平面内で位置決めする。次に、押圧ツール４が鉛直に下降していき、接合を実施する半導体チップ１の金バンプ列と回路基板７の配線電極列に所定の荷重が負荷された時点で下降が止まる。
【００２９】
さらに、集束光発生ユニット８から、集束光Ｌが半導体チップ１における金バンプ３の列と、回路基板７における配線電極７ａの列との接続部分に照射される。集束光Ｌの照射は、金バンプ３の１個と配線電極７ａの１本とが接触する１接続点ずつ行われてもよく、複数の接続点に対し一度に行われてもよい。
【００３０】
集束光Ｌの照射が一定時間行われ、半導体チップ１の金バンプ列と回路基板の配線電極列との接合部に荷重と熱が加えられることにより、金と錫との拡散接合により両者が接合される。なお、この加熱は、回路基板保持用の筒体６に装着されている、セラミックヒータなどの微小な発熱源により行われてもよく、また、押圧ツール４に設けられた発熱源により、半導体チップ１の一部もしくは全体を加熱することで行われてもよい。
【００３１】
接合が完了した後、回路基板保持用の筒体６が、次に接合を実施する回路基板７の配線電極列が回路基板保持筒体６の中心軸を通る鉛直面内に位置するように回転し位置決めされると共に、これに同期して半導体チップ１が吸引保持された押圧ツール４が水平方向に移動する。すなわち、押圧ツール４は、接合が完了した箇所に水平方向の負荷が加わらないように、かつ、次に接合を実施する半導体チップ１の金バンプ列が次に接合を実施する回路基板７の配線電極列に対向するように、回路基板７の配線電極７ａの設置ピッチＰと同じ量だけ水平方向に移動する。
【００３２】
以降、前記位置決め、および接合の動作を、半導体チップ１の全ての金バンプ列について繰り返すことにより、半導体チップ１を回路基板７上へ搭載する。
【００３３】
（実施形態２）
図４（ａ）は本発明の実施形態２に係る半導体装置の製造装置の構成図、図４（ｂ）は図４（ａ）における接合部Ａの拡大図である。なお、以下の説明において、図１〜図３にて説明した部材に対応する部材には同一符号を付して詳しい説明は省略する。
【００３４】
実施形態２では、半導体チップと回路基板とを電気的に接続するための導電性接続材料として、半導体チップの電極パッド上に金バンプ、回路基板の配線電極上に錫メッキが施されている例を示すが、施される導電性接続材料はこれらに限定されるものではない。
【００３５】
半導体チップ１の電極パッド２上に金バンプ３が形成され、押圧ツール４により半導体チップ１が供給される工程は、実施形態１と同様である。
【００３６】
図４（ａ），（ｂ）において、２１は基板ガイドユニット、２１ａはガイドローラ、２２は支持台、２２ａは回転軸、２３は筒体、２３ａは吸引孔である。
【００３７】
半導体チップ１を回路基板７へ搭載する工程は以下の通りである。
【００３８】
すなわち、回路基板収納マガジン１３内には、配線電極７ａ上に錫メッキが施された回路基板７が収納されている。まず、回路基板７は、プッシャー１４により搬送用コンベア１１上に押し出され、さらに搬送用コンベア１１により筒体２３に渡されるが、この際、基板ガイドユニット２１は、図５に示すように水平位置まで回転し、回路基板７を搬入する。回路基板７を搬入した後、基板ガイドユニット２１は、図４（ａ）に示す状態になるよう回転し、筒体２３が、該筒体２３に設けられた吸引孔２３ａにより回路基板７を吸引保持する。
【００３９】
次に、電極パッド２上に金バンプ３が形成された半導体チップ１が、押圧ツール４に設けられた吸引孔５により、押圧ツール４の押圧面を介して吸引保持された状態で供給される。半導体チップ１においては、図２（ｂ）に示すように、電極パッド２はエリアパッド配置となっており、電極パッド２上に金バンプ３が形成されている。なお、図２（ｂ）において、金バンプ３はボールボンディング法により形成されているが、メッキバンプでもよい。
【００４０】
次に、図４（ａ）において、回路基板７上の、これから半導体チップ１上の金バンプ３の１列と接続する配線電極７ａの１列が、筒体２３の中心軸を通る鉛直面内に位置するように筒体２３が回転し位置決めされる。さらに、次に接続を実施する半導体チップ１上の金バンプ３の１列が、次に接続を実施する配線電極７ａの１列に対向するように、押圧ツール４を水平面内で位置決めする。次に、押圧ツール４が鉛直に下降していき、接合を実施する半導体チップ１の金バンプ列と回路基板７の配線電極列に所定の荷重が負荷された時点で下降が止まる。
【００４１】
さらに、集束光発生ユニット８より、集束光Ｌが半導体チップ１の金バンプ列と回路基板７の配線電極列との接続部分に照射される。集束光Ｌの照射は、金バンプ３の１個と配線電極７ａの１本とが接触する１接続点ずつ行われてもよく、複数の接続点に対し一度に行われてもよい。集束光Ｌの照射が一定時間行われ、半導体チップ１の金バンプ列と回路基板の配線電極列との接合部に荷重と熱が加えられることにより、金と錫との拡散接合により両者が接合される。
【００４２】
なお、この加熱は、筒体２３に装着されている、セラミックヒータなどの微小な発熱源により行われてもよく、また、押圧ツール４に設けられた発熱源により、半導体チップ１の一部もしくは全体を加熱することで行われてもよい。
【００４３】
接合が完了した後、筒体２３が、次に接合を実施する回路基板７の配線電極列が、筒体２３の中心軸を通る鉛直面内に位置するように回転して位置決めされると共に、これに同期して半導体チップ１が吸引保持された押圧ツール４が水平方向に移動する。すなわち、押圧ツール４は、接合が完了した箇所に水平方向の負荷が加わらないように、かつ、次に接合を実施する半導体チップ１の金バンプ列が、次に接合を実施する回路基板７の配線電極列に対向するように、回路基板７の配線電極ピッチＰと同じ量だけ水平方向に移動する。
【００４４】
以降、前記位置決め、および接合の動作を半導体チップ１の全ての金バンプ列について繰り返すことにより、半導体チップ１を回路基板７上へ搭載する。
【００４５】
このように本実施形態は、半導体チップ１と回路基板７とのフリップチップ接合において、半導体チップ１の電極パッド２と回路基板７上の配線電極７ａとを、回路基板７を曲げた状態で１点ないし複数点ずつ接合することを特徴とする。
【００４６】
具体的には既述したように、回路基板７は吸引孔６ａ，２３ａを備えた筒体６，２３上に吸引固定され、半導体チップ１は、押圧ツール４に設けられた吸引孔５により、電極パッド２が形成されている面と反対側の面（チップ背面）を介して保持される。このとき半導体チップ１は、接合を実施する電極パッド２と配線電極７ａとが、回路基板７が吸引固定されている筒体６，２３の中心を通る直線上で相対するように位置決めされ、回路基板７上方から押圧される。
【００４７】
さらに、接合する半導体チップ１の電極パッド２と回路基板７の配線電極７ａの少なくとも一方に金，錫，銀ペーストなどの導電性接続材料が形成もしくは塗布されており、導電性接続材料は半導体チップ１と回路基板７との間隙より接合箇所へ向けて集束光Ｌを照射することにより加熱され、半導体チップ１の電極パッド２と回路基板７の配線電極７ａとが接合されることになる。
【００４８】
例えば、半導体チップ１の電極パッド２上に金バンプが設けられ、回路基板の配線電極上に錫メッキが施されている場合、加熱・加圧による金・錫の拡散反応によって電極パッド２と配線電極７ａとが接合される。接合箇所への加熱の際、集束光Ｌはスポット光として半導体チップ１の電極パッド２、および回路基板７の配線電極７ａとを１点ずつ加熱・接合してもよく、また、線状の集束光Ｌとして電極パッド２および配線電極７ａの１列を一度に加熱・接合してもよい。
【００４９】
１列の接合が完了すると、回路基板７を吸引固定している筒体６，２３は、次に接合する回路基板７の配線電極７ａが、次に接合する半導体チップ１の電極パッド２と筒体６，２３の中心を通る直線上で相対するまで回転して位置決めされる。
【００５０】
以降、同様にして全ての半導体チップ１の電極パッド２と回路基板７の配線電極７ａとが接合される。
【００５１】
本実施形態において、接合箇所の加熱は、回路基板７を吸引固定する筒体６，２３に装着された発熱源により実施してもよく、また、回路基板７下面より、接合する回路基板７の配線電極７ａへ集束光Ｌまたは電波を照射することにより実施してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明の半導体装置の製造方法および製造装置は、エリアパッドをもつ半導体チップを薄型回路基板上へフリップチップ搭載する方法および装置として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】（ａ）は本発明の実施形態１に係る半導体装置の製造装置の構成図、（ｂ）は（ａ）における接合部Ａの拡大図
【図２】（ａ）〜（ｃ）は本実施形態における半導体チップへの金バンプ形成の説明図
【図３】本実施形態における金バンプが形成された半導体チップを反転ユニットにより押圧ツールへ供給する工程を示す図
【図４】（ａ）は本発明の実施形態２に係る半導体装置の製造装置の構成図、（ｂ）は（ａ）における接合部Ａの拡大図
【図５】実施形態２における装置の動作の説明図
【図６】（ａ），（ｂ）は従来の半導体装置の一例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は横断面図
【図７】（ａ）はペリフェラルパッド配置の半導体チップへ金バンプを形成した状態を示す図、（ｂ）はエリアパッド配置の半導体チップへ金バンプを形成した状態を示す図
【符号の説明】
【００５４】
１ 半導体チップ
２ 電極パッド
３ 金バンプ
４ 押圧ツール
５ 吸引孔
６ 回路基板保持用の筒体
６ａ 吸引孔
７ 回路基板
７ａ 配線電極
８ 集束光発生ユニット
１１ 搬送用コンベア
１２ マガジン昇降ステージ
１３ 回路基板収納マガジン
１４ プッシャー
２１ 基板ガイドユニット
２１ａ ガイドローラ
２２ 支持台
２２ａ 回転軸
２３ 筒体
２３ａ 吸引孔
３１ キャピラリ
３２ 金線
３２ａ イニシャルボール
３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄ コレット
３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄ 吸引孔
３５ チップ反転ユニット
３６ チップトレイ
３６ａ ポケット
１０１ 半導体チッ
Ｌ 集束光
Ｂ 回転軸
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを回路基板上にフリップチップ接合することにより半導体装置を製造するための製造方法であって、
接合する前記半導体チップの電極パッドと前記回路基板上の電極との少なくとも一方に導電性接続材料を設ける工程と、接合する前記半導体チップの電極パッドと前記回路基板上の電極とを、前記回路基板を曲げた状態で１点ずつまたは複数点ずつ加熱しながら接合する工程からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記回路基板の曲げ動作を、前記回路基板を筒体上に保持して行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記筒体を、前記半導体チップと前記回路基板との接合実施箇所の移動に伴い回転することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記回路基板の曲げ動作を、前記回路基板を前記筒体により該回路基板下面を介して保持する可動式の基板ガイドユニットによって行うことを特徴とする請求項２または３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記加熱を、接合する前記半導体チップの電極パッドと前記回路基板の電極とに、集束光または電波を前記半導体チップと前記回路基板間の間隙より直接照射することにより行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記加熱を、前記回路基板の下面より、接合する前記回路基板の電極へ集束光または電波を照射することにより行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記加熱を、前記筒体に装着された発熱源により行うことを特徴とする請求項１〜４いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記加熱を、前記半導体チップを保持および／または加圧する押圧ツールに設けられた発熱源により、前記半導体チップの一部もしくは全体を加熱することにより行うことを特徴とする請求項１〜４記載いずれか１項の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
半導体チップを回路基板上にフリップチップ接合することにより半導体装置を製造するための製造装置であって、
接合する前記半導体チップの電極パッドと前記回路基板の電極の少なくとも一方に導電性接続材料を形成もしくは塗布する部材と、接合する前記半導体チップの電極パッドと前記回路基板上の電極を前記回路基板を曲げた状態で１点ずつまたは複数点ずつ加熱しながら接合する部材とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１０】
前記回路基板の曲げ動作を保持しながら行う筒体を備えたことを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１１】
前記筒体を、前記半導体チップと前記回路基板との接合実施箇所の移動に伴い回転可能にしたことを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１２】
前記回路基板の曲げ動作を、前記回路基板を前記筒体により該回路基板下面を介して保持しながら行う可動式の基板ガイドユニットを備えたことを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１３】
前記半導体チップと前記回路基板間の間隙より、前記半導体チップの電極パッドと前記回路基板の電極とに集束光または電波を直接照射して前記加熱を行う部材を備えたことを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１４】
前記回路基板の下面より、接合する前記回路基板の電極へ集束光または電波を照射して前記加熱を行う部材を備えたことを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１５】
前記筒体に装着されて、前記加熱を行う発熱源を備えたことを特徴とする請求項９〜１２いずれか１項記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１６】
前記加熱を行うため前記半導体チップを保持および／または加圧する押圧ツールに設けられて、前記半導体チップの一部もしくは全体を加熱する発熱源を設けたことを特徴とする請求項９〜１２いずれか１項記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１】
半導体チップを回路基板上にフリップチップ接合することにより半導体装置を製造するための製造方法であって、
接合する前記半導体チップの電極パッドと前記回路基板上の電極との少なくとも一方に導電性接続材料を設ける工程と、接合する前記半導体チップの電極パッドと前記回路基板上の電極とを、前記回路基板を曲げた状態で１点ずつまたは複数点ずつ加熱しながら接合する工程からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記回路基板の曲げ動作を、前記回路基板を筒体上に保持して行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記筒体を、前記半導体チップと前記回路基板との接合実施箇所の移動に伴い回転することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記回路基板の曲げ動作を、前記回路基板を前記筒体により該回路基板下面を介して保持する可動式の基板ガイドユニットによって行うことを特徴とする請求項２または３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記加熱を、接合する前記半導体チップの電極パッドと前記回路基板の電極とに、集束光または電波を前記半導体チップと前記回路基板間の間隙より直接照射することにより行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記加熱を、前記回路基板の下面より、接合する前記回路基板の電極へ集束光または電波を照射することにより行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記加熱を、前記筒体に装着された発熱源により行うことを特徴とする請求項１〜４いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記加熱を、前記半導体チップを保持および／または加圧する押圧ツールに設けられた発熱源により、前記半導体チップの一部もしくは全体を加熱することにより行うことを特徴とする請求項１〜４記載いずれか１項の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
半導体チップを回路基板上にフリップチップ接合することにより半導体装置を製造するための製造装置であって、
接合する前記半導体チップの電極パッドと前記回路基板の電極の少なくとも一方に導電性接続材料を形成もしくは塗布する部材と、接合する前記半導体チップの電極パッドと前記回路基板上の電極を前記回路基板を曲げた状態で１点ずつまたは複数点ずつ加熱しながら接合する部材とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１０】
前記回路基板の曲げ動作を保持しながら行う筒体を備えたことを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１１】
前記筒体を、前記半導体チップと前記回路基板との接合実施箇所の移動に伴い回転可能にしたことを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１２】
前記回路基板の曲げ動作を、前記回路基板を前記筒体により該回路基板下面を介して保持しながら行う可動式の基板ガイドユニットを備えたことを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１３】
前記半導体チップと前記回路基板間の間隙より、前記半導体チップの電極パッドと前記回路基板の電極とに集束光または電波を直接照射して前記加熱を行う部材を備えたことを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１４】
前記回路基板の下面より、接合する前記回路基板の電極へ集束光または電波を照射して前記加熱を行う部材を備えたことを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１５】
前記筒体に装着されて、前記加熱を行う発熱源を備えたことを特徴とする請求項９〜１２いずれか１項記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１６】
前記加熱を行うため前記半導体チップを保持および／または加圧する押圧ツールに設けられて、前記半導体チップの一部もしくは全体を加熱する発熱源を設けたことを特徴とする請求項９〜１２いずれか１項記載の半導体装置の製造装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２００７−１９４３９１（Ｐ２００７−１９４３９１Ａ）
【公開日】平成１９年８月２日（２００７．８．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１０７９５（Ｐ２００６−１０７９５）
【出願日】平成１８年１月１９日（２００６．１．１９）
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年８月２日（２００７．８．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１月１９日（２００６．１．１９）
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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