半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法
【課題】 基板が平坦な状態で電子部品同士を確実に圧着し、電気的な接合の信頼性を高めることができる半導体装置の製造装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ボンディングステージ１４上に基板４を載置する。基板４上面側から圧搾空気２４を吹き付ける。ボンディングステージ１４に基板４を押し付ける。基板４下面側から空気を排出する。ボンディングステージ１４に基板４を吸着させる。基板４に半導体チップ２をボンディングする。
【解決手段】 ボンディングステージ１４上に基板４を載置する。基板４上面側から圧搾空気２４を吹き付ける。ボンディングステージ１４に基板４を押し付ける。基板４下面側から空気を排出する。ボンディングステージ１４に基板４を吸着させる。基板４に半導体チップ２をボンディングする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年ノートパソコン、携帯電話などの電子機器は、ますます小型化、軽量化、高機能化している。また、半導体ＩＣの配線もさらに高精細化している。ＩＣ，ＬＳＩなどの電子部品を実装するチップオンフィルム（ＣＯＦ）方式に用いられるフレキシブル銅張り積層板においても、形成される配線パターンが現状よりさらにファインピッチ化されることは必須である。
【０００３】
一方、フレキシブル銅張り積層板はポリイミドフィルムに代表される耐熱性フィルムの表面に、エポキシ系樹脂接着剤などにより形成される接着剤を介して銅箔のような金属箔を張り合わせ、この金属箔を所定のパターンにエッチングすることにより製造されている。従来のフレキシブル銅張り積層板では、耐熱性フィルムの厚さ（平均厚さ）は７５μｍが主流であるが、最近の軽量化あるいはファインピッチ化に伴って、厚さ５０μｍ以下の耐熱性フィルムの使用が検討されている。
【特許文献１】特開平１０−２１４８６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
電子部品と配線パターンとを熱を加えながら圧着する際、その熱によって耐熱性フィルムが変形し、フレキシブル銅張り積層板の反りや浮きとして現れ、下記のようにＩＣ実装の際にかなりの影響を与える。
【０００５】
電子機器の小型化、軽量化に伴って、フレキシブル銅張り積層板に形成される配線パターンは数十μｍ以下と著しくファインピッチになっており、わずかなフレキシブル銅張り積層板の変形によってもボンディング不良の原因となりやすい。
【０００６】
本発明はこのような問題点を解決し、基板が平坦な状態で電子部品同士を確実に圧着し、電気的な接合の信頼性を高めることができる半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本発明に係る半導体装置の製造装置の製造方法は、ボンディングステージ上に基板を載置すること、
前記基板上面側から圧搾空気を吹き付けることにより、前記ボンディングステージに前記基板を押し付けること、
前記基板下面側から空気を排出することにより、前記ボンディングステージに前記基板を吸着させること、及び、
前記基板に半導体チップをボンディングすること、
を含む。本発明によれば、基板を載置するボンディングステージの基板載置面に基板を基板上面側から押し付けるように圧搾空気を吹き付けることにより、基板載置面に基板を基板下面側から吸着することが容易になるので、基板の反り、浮きが低減され、基板が平坦な状態で電子部品同士の圧着が確実に行うことができる。したがって、電気的な接合の信頼性を高めることができる半導体装置の製造方法を提供することができる。
（２）本発明に係る半導体装置の製造装置は、半導体チップを実装すべき基板を載置し、前記基板下面側の空気を排出する空気排出口を備えているボンディングステージと、
前記ボンディングステージに前記基板を前記基板上面側から押し付けるように圧搾空気を吹き付けるブロワと、
前記基板に前記半導体チップをボンディングするボンディングツールと、
を有する。本発明によれば、基板を載置するボンディングステージの基板載置面に基板を基板上面側から押し付けるように圧搾空気を吹き付けることにより、基板載置面に基板を基板下面側から吸着することが容易になるので、基板の反り、浮きが低減され、基板が平坦な状態で電子部品同士の圧着が確実に行うことができる。したがって、電気的な接合の信頼性を高めることができる半導体装置の製造装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００９】
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。本実施の形態に係る半導体装置は、半導体チップ２と基板４を有する。半導体チップ２は、集積回路チップである。半導体チップ２は、複数の電極６を有する。各電極６は、パッド８及びバンプ１０からなるが、バンプ１０を無くしてパッド８のみが電極であってもよい。パッド８は、例えばアルミニウムから形成され、バンプ１０は、例えば金から形成されている。バンプ１０は、メッキで形成してもよいし、ワイヤーボンディングのボールによって形成してもよい。基板４は、フレキシブル基板であってもよいし、フィルムであってもよいし、リジット基板であってもよい。基板４は、例えばポリイミド樹脂から形成されるベース基板の上に複数のリード１２が形成されたものでもよい。この場合、複数のリード１２によって配線パターンが形成される。半導体チップ２は、基板４にフェースダウンボンディングされている。電極６とリード１２とが接合されている。
【００１０】
次に、図２は、本実施の形態に係る半導体装置の製造装置を示す図である。
【００１１】
図２に示すように、本実施の形態による半導体装置の製造装置は、垂直方向の下方に配置された固定側のボンディングステージ１４を有している。ボンディングステージ１４は、基板４下面側の空気を排出する空気排出口１６及び加熱ヒータ１８を備え、上面平坦加工された圧着面２０を有する。ボンディングステージ１４は、加熱されて使用される。ボンディングステージ１４の圧着面２０に基板４がセットされる。
【００１２】
半導体装置の製造装置は、ブロワ２２を有する。ブロワ２２は、ボンディングステージ１４の圧着面２０に基板４を押し付けるように基板４上面側に圧搾空気２４を吹き付ける。ブロワ２２は、支持台（図示せず）に支持されている。
【００１３】
半導体装置の製造装置は、ボンディングツール２６を有する。ボンディングツール２６は、加熱ヒータ２８を備え、先端にボンディング面３０を有する。ボンディングツール２６は、加熱されて使用される。例えば、ボンディングツール２６は、４００〜５００℃程度で使用される。ボンディングツール２６は、基板４の複数のリード１２と、半導体チップ２の複数の電極６とを一括してボンディングする。ボンディング面３０は、平坦であることが好ましい。特に、ボンディングツール２６を加熱して使用するので、ボンディング面３０は、加熱された状態で平坦であることが好ましい。ボンディングツール２６は、ロッド３２を介して加圧ピストン（図示せず）に取り付けられ、ピストン駆動により図の上下方向へ昇降自在となっている。
【００１４】
次に、半導体装置の製造方法は、半導体チップ２の電極６と基板４に形成されたリード１２とを、加圧及び加熱して接合することを含む。例えば、フェースダウンボンディング工程によって、半導体チップ２を基板４に実装する。詳しくは、図２に示すように、半導体チップ２の電極６が形成された面と、基板４のリード１２が形成された面とが対向するように、半導体チップ２をボンディングツール２６にセットする。さらに、基板４をボンディングステージ１４にレール３４上を移動させてセットする。次に、ブロワ２２により基板４上面側に圧搾空気２４を吹き付けることにより基板上面側を高圧空間にするとともに、ボンディングステージ１４の空気排出口１６より基板４下面側の空気を排出することにより基板４下面側を低圧空間にする。基板４上面側の高圧空間は、基板４上面側を下方に押圧し、基板４をボンディングステージ１４の圧着面２０に押し付ける。基板４下面側の低圧空間は、基板４をボンディングステージ１４に吸着させる。図３は、圧搾空気２４による基板４上面側の高圧化及び空気排出口１６の排出による基板４下面側の低圧化によって基板４がボンディングステージ１４の圧着面２０に密着している状態を示している。
【００１５】
次に、ボンディングステージ１４上で、電極６とリード１２（半導体チップ２と基板４）を位置決めする。次に、ボンディングツール２６が加圧ピストン（図示せず）の作動により図の下方へ降下を開始して、電極６及びリード１２に対する加圧を行う。そして、電極６及びリード１２に対する加圧の開始と同時または加圧の開始後に、ボンディングツール２６及びボンディングステージ１４のうち少なくとも一方の加熱を開始する。こうして、電極６またはリード１２に対する加圧の開始時又は開始後に、電極６及びリード１２を昇温し、電極６及びリード１２の接合部の温度を電極６及びリード１２の接合温度以上にする。
【００１６】
以上の工程によって、電極６とリード１２を接合することにより、基板４に半導体チップ２をボンディングすることができる。その後、半導体チップ２と電極６との間に、図１に示すように、アンダーフィル材３６を充填してもよい。
【００１７】
本発明によれば、基板が平坦な状態で電極６及びリード１２を位置合わせするので、電極６とリード１２の接合位置のズレが少なくなる。この後、電極６及びリード１２を加圧及び昇温する。このため、電極６とリード１２との接合不良による半導体装置の信頼性の低下を防ぐことができる。
【００１８】
（変形例）
図４は、本発明の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造装置を示す図である。図５は、図４のＶ−Ｖ線断面図である。図４及び図５に示す例では、半導体装置の製造装置は、ブロワ３８を有する。ブロワ３８は、複数の噴出口４０が設けられている。複数の噴出口４０は、レール３４と交差するように２列に配置されている。複数の噴出口４０は、２列に配置された内側を向くように設けられている。ブロワ３８は、複数の噴出口４０により、圧搾空気２４を基板４上面側の広い範囲に吹き付ける。その他の構成については、上記実施の形態で説明した内容を適用することができる。図４に示す半導体装置の製造方法には、上記実施の形態で説明した事項を適用することができる。ただし、ブロワ３８により基板４上面側に圧搾空気を吹き付けることにより基板４上面側を高圧空間にする。
【００１９】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。さらに、本発明は、実施の形態で説明した技術的事項のいずれかを限定的に除外した内容を含む。あるいは、本発明は、上述した実施の形態から公知技術を限定的に除外した内容を含む。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造装置を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る基板が圧着面に密着している状態を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造装置を示す図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ線断面図である。
【符号の説明】
【００２１】
２…半導体チップ ４…基板 ６…電極 ８…パッド １０…バンプ １２…リード １４…ボンディングステージ １６…空気排出口 １８…加熱ヒータ ２…０圧着面 ２２…ブロワ ２４…圧搾空気 ２６…ボンディングツール ２８…加熱ヒータ ３０…ボンディング面 ３２…ロッド ３４…レール ３６…アンダーフィル材 ３８…ブロワ ４０…噴出口
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年ノートパソコン、携帯電話などの電子機器は、ますます小型化、軽量化、高機能化している。また、半導体ＩＣの配線もさらに高精細化している。ＩＣ，ＬＳＩなどの電子部品を実装するチップオンフィルム（ＣＯＦ）方式に用いられるフレキシブル銅張り積層板においても、形成される配線パターンが現状よりさらにファインピッチ化されることは必須である。
【０００３】
一方、フレキシブル銅張り積層板はポリイミドフィルムに代表される耐熱性フィルムの表面に、エポキシ系樹脂接着剤などにより形成される接着剤を介して銅箔のような金属箔を張り合わせ、この金属箔を所定のパターンにエッチングすることにより製造されている。従来のフレキシブル銅張り積層板では、耐熱性フィルムの厚さ（平均厚さ）は７５μｍが主流であるが、最近の軽量化あるいはファインピッチ化に伴って、厚さ５０μｍ以下の耐熱性フィルムの使用が検討されている。
【特許文献１】特開平１０−２１４８６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
電子部品と配線パターンとを熱を加えながら圧着する際、その熱によって耐熱性フィルムが変形し、フレキシブル銅張り積層板の反りや浮きとして現れ、下記のようにＩＣ実装の際にかなりの影響を与える。
【０００５】
電子機器の小型化、軽量化に伴って、フレキシブル銅張り積層板に形成される配線パターンは数十μｍ以下と著しくファインピッチになっており、わずかなフレキシブル銅張り積層板の変形によってもボンディング不良の原因となりやすい。
【０００６】
本発明はこのような問題点を解決し、基板が平坦な状態で電子部品同士を確実に圧着し、電気的な接合の信頼性を高めることができる半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本発明に係る半導体装置の製造装置の製造方法は、ボンディングステージ上に基板を載置すること、
前記基板上面側から圧搾空気を吹き付けることにより、前記ボンディングステージに前記基板を押し付けること、
前記基板下面側から空気を排出することにより、前記ボンディングステージに前記基板を吸着させること、及び、
前記基板に半導体チップをボンディングすること、
を含む。本発明によれば、基板を載置するボンディングステージの基板載置面に基板を基板上面側から押し付けるように圧搾空気を吹き付けることにより、基板載置面に基板を基板下面側から吸着することが容易になるので、基板の反り、浮きが低減され、基板が平坦な状態で電子部品同士の圧着が確実に行うことができる。したがって、電気的な接合の信頼性を高めることができる半導体装置の製造方法を提供することができる。
（２）本発明に係る半導体装置の製造装置は、半導体チップを実装すべき基板を載置し、前記基板下面側の空気を排出する空気排出口を備えているボンディングステージと、
前記ボンディングステージに前記基板を前記基板上面側から押し付けるように圧搾空気を吹き付けるブロワと、
前記基板に前記半導体チップをボンディングするボンディングツールと、
を有する。本発明によれば、基板を載置するボンディングステージの基板載置面に基板を基板上面側から押し付けるように圧搾空気を吹き付けることにより、基板載置面に基板を基板下面側から吸着することが容易になるので、基板の反り、浮きが低減され、基板が平坦な状態で電子部品同士の圧着が確実に行うことができる。したがって、電気的な接合の信頼性を高めることができる半導体装置の製造装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００９】
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。本実施の形態に係る半導体装置は、半導体チップ２と基板４を有する。半導体チップ２は、集積回路チップである。半導体チップ２は、複数の電極６を有する。各電極６は、パッド８及びバンプ１０からなるが、バンプ１０を無くしてパッド８のみが電極であってもよい。パッド８は、例えばアルミニウムから形成され、バンプ１０は、例えば金から形成されている。バンプ１０は、メッキで形成してもよいし、ワイヤーボンディングのボールによって形成してもよい。基板４は、フレキシブル基板であってもよいし、フィルムであってもよいし、リジット基板であってもよい。基板４は、例えばポリイミド樹脂から形成されるベース基板の上に複数のリード１２が形成されたものでもよい。この場合、複数のリード１２によって配線パターンが形成される。半導体チップ２は、基板４にフェースダウンボンディングされている。電極６とリード１２とが接合されている。
【００１０】
次に、図２は、本実施の形態に係る半導体装置の製造装置を示す図である。
【００１１】
図２に示すように、本実施の形態による半導体装置の製造装置は、垂直方向の下方に配置された固定側のボンディングステージ１４を有している。ボンディングステージ１４は、基板４下面側の空気を排出する空気排出口１６及び加熱ヒータ１８を備え、上面平坦加工された圧着面２０を有する。ボンディングステージ１４は、加熱されて使用される。ボンディングステージ１４の圧着面２０に基板４がセットされる。
【００１２】
半導体装置の製造装置は、ブロワ２２を有する。ブロワ２２は、ボンディングステージ１４の圧着面２０に基板４を押し付けるように基板４上面側に圧搾空気２４を吹き付ける。ブロワ２２は、支持台（図示せず）に支持されている。
【００１３】
半導体装置の製造装置は、ボンディングツール２６を有する。ボンディングツール２６は、加熱ヒータ２８を備え、先端にボンディング面３０を有する。ボンディングツール２６は、加熱されて使用される。例えば、ボンディングツール２６は、４００〜５００℃程度で使用される。ボンディングツール２６は、基板４の複数のリード１２と、半導体チップ２の複数の電極６とを一括してボンディングする。ボンディング面３０は、平坦であることが好ましい。特に、ボンディングツール２６を加熱して使用するので、ボンディング面３０は、加熱された状態で平坦であることが好ましい。ボンディングツール２６は、ロッド３２を介して加圧ピストン（図示せず）に取り付けられ、ピストン駆動により図の上下方向へ昇降自在となっている。
【００１４】
次に、半導体装置の製造方法は、半導体チップ２の電極６と基板４に形成されたリード１２とを、加圧及び加熱して接合することを含む。例えば、フェースダウンボンディング工程によって、半導体チップ２を基板４に実装する。詳しくは、図２に示すように、半導体チップ２の電極６が形成された面と、基板４のリード１２が形成された面とが対向するように、半導体チップ２をボンディングツール２６にセットする。さらに、基板４をボンディングステージ１４にレール３４上を移動させてセットする。次に、ブロワ２２により基板４上面側に圧搾空気２４を吹き付けることにより基板上面側を高圧空間にするとともに、ボンディングステージ１４の空気排出口１６より基板４下面側の空気を排出することにより基板４下面側を低圧空間にする。基板４上面側の高圧空間は、基板４上面側を下方に押圧し、基板４をボンディングステージ１４の圧着面２０に押し付ける。基板４下面側の低圧空間は、基板４をボンディングステージ１４に吸着させる。図３は、圧搾空気２４による基板４上面側の高圧化及び空気排出口１６の排出による基板４下面側の低圧化によって基板４がボンディングステージ１４の圧着面２０に密着している状態を示している。
【００１５】
次に、ボンディングステージ１４上で、電極６とリード１２（半導体チップ２と基板４）を位置決めする。次に、ボンディングツール２６が加圧ピストン（図示せず）の作動により図の下方へ降下を開始して、電極６及びリード１２に対する加圧を行う。そして、電極６及びリード１２に対する加圧の開始と同時または加圧の開始後に、ボンディングツール２６及びボンディングステージ１４のうち少なくとも一方の加熱を開始する。こうして、電極６またはリード１２に対する加圧の開始時又は開始後に、電極６及びリード１２を昇温し、電極６及びリード１２の接合部の温度を電極６及びリード１２の接合温度以上にする。
【００１６】
以上の工程によって、電極６とリード１２を接合することにより、基板４に半導体チップ２をボンディングすることができる。その後、半導体チップ２と電極６との間に、図１に示すように、アンダーフィル材３６を充填してもよい。
【００１７】
本発明によれば、基板が平坦な状態で電極６及びリード１２を位置合わせするので、電極６とリード１２の接合位置のズレが少なくなる。この後、電極６及びリード１２を加圧及び昇温する。このため、電極６とリード１２との接合不良による半導体装置の信頼性の低下を防ぐことができる。
【００１８】
（変形例）
図４は、本発明の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造装置を示す図である。図５は、図４のＶ−Ｖ線断面図である。図４及び図５に示す例では、半導体装置の製造装置は、ブロワ３８を有する。ブロワ３８は、複数の噴出口４０が設けられている。複数の噴出口４０は、レール３４と交差するように２列に配置されている。複数の噴出口４０は、２列に配置された内側を向くように設けられている。ブロワ３８は、複数の噴出口４０により、圧搾空気２４を基板４上面側の広い範囲に吹き付ける。その他の構成については、上記実施の形態で説明した内容を適用することができる。図４に示す半導体装置の製造方法には、上記実施の形態で説明した事項を適用することができる。ただし、ブロワ３８により基板４上面側に圧搾空気を吹き付けることにより基板４上面側を高圧空間にする。
【００１９】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。さらに、本発明は、実施の形態で説明した技術的事項のいずれかを限定的に除外した内容を含む。あるいは、本発明は、上述した実施の形態から公知技術を限定的に除外した内容を含む。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造装置を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る基板が圧着面に密着している状態を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造装置を示す図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ線断面図である。
【符号の説明】
【００２１】
２…半導体チップ ４…基板 ６…電極 ８…パッド １０…バンプ １２…リード １４…ボンディングステージ １６…空気排出口 １８…加熱ヒータ ２…０圧着面 ２２…ブロワ ２４…圧搾空気 ２６…ボンディングツール ２８…加熱ヒータ ３０…ボンディング面 ３２…ロッド ３４…レール ３６…アンダーフィル材 ３８…ブロワ ４０…噴出口
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボンディングステージ上に基板を載置すること、
前記基板上面側から圧搾空気を吹き付けることにより、前記ボンディングステージに前記基板を押し付けること、
前記基板下面側から空気を排出することにより、前記ボンディングステージに前記基板を吸着させること、及び、
前記基板に半導体チップをボンディングすること、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体チップを実装すべき基板を載置し、前記基板下面側の空気を排出する空気排出口を備えているボンディングステージと、
前記ボンディングステージに前記基板を前記基板上面側から押し付けるように圧搾空気を吹き付けるブロワと、
前記基板に前記半導体チップをボンディングするボンディングツールと、
を有する半導体装置の製造装置。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２列に配置されたブロワと、前記ブロワの各々に設けられ、前記２列の内側を向くように設けられた複数の噴出口と、ボンディングステージと、を有する半導体装置の製造装置を用意すること、
前記ボンディングステージ上に基板を載置すること、
前記複数の噴出口から、前記基板上面側に圧搾空気を吹き付けることにより、前記ボンディングステージに前記基板を押し付けること、
前記基板下面側から空気を排出することにより、前記ボンディングステージに前記基板を吸着させること、及び、
前記基板に半導体チップをフェースダウンボンディングすること、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体チップを実装すべき基板を載置し、前記基板下面側の空気を排出する空気排出口を備えているボンディングステージと、
前記ボンディングステージに前記基板を前記基板上面側から押し付けるように圧搾空気を吹き付ける、２列に配置されたブロワと、
前記ブロワの各々に設けられ、前記２列の内側を向くように設けられた複数の噴出口と、
前記基板に前記半導体チップをフェースダウンボンディングするボンディングツールと、
を有する半導体装置の製造装置。
【請求項１】
ボンディングステージ上に基板を載置すること、
前記基板上面側から圧搾空気を吹き付けることにより、前記ボンディングステージに前記基板を押し付けること、
前記基板下面側から空気を排出することにより、前記ボンディングステージに前記基板を吸着させること、及び、
前記基板に半導体チップをボンディングすること、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体チップを実装すべき基板を載置し、前記基板下面側の空気を排出する空気排出口を備えているボンディングステージと、
前記ボンディングステージに前記基板を前記基板上面側から押し付けるように圧搾空気を吹き付けるブロワと、
前記基板に前記半導体チップをボンディングするボンディングツールと、
を有する半導体装置の製造装置。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２列に配置されたブロワと、前記ブロワの各々に設けられ、前記２列の内側を向くように設けられた複数の噴出口と、ボンディングステージと、を有する半導体装置の製造装置を用意すること、
前記ボンディングステージ上に基板を載置すること、
前記複数の噴出口から、前記基板上面側に圧搾空気を吹き付けることにより、前記ボンディングステージに前記基板を押し付けること、
前記基板下面側から空気を排出することにより、前記ボンディングステージに前記基板を吸着させること、及び、
前記基板に半導体チップをフェースダウンボンディングすること、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体チップを実装すべき基板を載置し、前記基板下面側の空気を排出する空気排出口を備えているボンディングステージと、
前記ボンディングステージに前記基板を前記基板上面側から押し付けるように圧搾空気を吹き付ける、２列に配置されたブロワと、
前記ブロワの各々に設けられ、前記２列の内側を向くように設けられた複数の噴出口と、
前記基板に前記半導体チップをフェースダウンボンディングするボンディングツールと、
を有する半導体装置の製造装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００６−８６２１４（Ｐ２００６−８６２１４Ａ）
【公開日】平成１８年３月３０日（２００６．３．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−２６７２２７（Ｐ２００４−２６７２２７）
【出願日】平成１６年９月１４日（２００４．９．１４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年３月３０日（２００６．３．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年９月１４日（２００４．９．１４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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