半導体装置及びその製造方法
【課題】半導体パッケージを配線基板にフリップチップ接合した半導体装置において、接合部での電極間短絡と応力集中を防止し、リワークが容易な構成とする半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体パッケージ１１を配線基板２１にフリップチップ接合した半導体装置１において、半導体パッケージと配線基板を接合する突起電極３０を有し、突起電極は、はんだ電極３２と、はんだ電極を被覆する熱収縮モールド３１を含む。
【解決手段】半導体パッケージ１１を配線基板２１にフリップチップ接合した半導体装置１において、半導体パッケージと配線基板を接合する突起電極３０を有し、突起電極は、はんだ電極３２と、はんだ電極を被覆する熱収縮モールド３１を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
微細加工技術の進歩によりＬＳＩ（Large Scale Integrated Circuit）の高集積化が進み、一つのパッケージに多くの機能を持ったＬＳＩを搭載できるようになった。その結果一つのパッケージに要求される電極端子の数がより増大した。これに対応する実装技術としてフリップチップ接合があり、現在多くの電子機器に適用されている。
【０００３】
フリップチップ接合の特徴として、半導体パッケージの自重等によりはんだバンプの形状が太鼓型になることが挙げられる。この形状変化により以下の問題が生じる。
【０００４】
１つ目に、実装密度に限界が生じることである。太鼓型の形状では、必然的に電極径よりもはんだ径の方が大きくなるため、電極間に十分な距離を保たなければはんだバンプ同士がブリッジすることが懸念される。近年では１つのパッケージに搭載される半導体素子のコア数が増大する傾向にあり、それに伴って電極端子数も増大している。現在行われているように、パッケージサイズを大きくすることで電極端子数を増やそうとすると、はんだ接合部にかかる応力も増大してしまい信頼性が低下する要因になる。そのため、パッケージサイズを大きくせずに電極端子数を増大させることが求められている。
【０００５】
２つ目に、太鼓型形状では電極に近い部分に極めて大きな応力が生じるため、電子機器の故障が早くなることである。フリップチップ接合では、はんだバンプが太鼓形状になると接合部に応力が集中する。応力集中部分からクラックが成長してしまい、電子機器の故障を早める現象が起きている。このため、一部分のみに応力が集中することを防止する必要がある。
【０００６】
半導体パッケージのバンプ電極間の短絡を防止する方法として、図１に示すように、はんだバンプ１１２を有する半導体パッケージ１１１と配線基板１２１の間に、絶縁フィルム１２３を挟む方法が知られている（たとえば、特許文献１及び特許文献２参照）。絶縁フィルム１２３には、半導体パッケージ１１１のはんだバンプ１１２に対応する位置に穴１２２が形成されている。穴１２２を介して半導体パッケージ１１１を配線基板１２１にＢＧＡ接合することで、はんだバンプ１１２の形状をほぼ円柱状に維持する。しかしこの方法では、絶縁フィルム１２３が半導体パッケージ１１１と配線基板１２１の間に隙間なく挿入されているためリワークができず、不具合時における半導体装置の修理が不可能である。そのため、接合部での応力集中によるクラック発生や電極間の短絡防止という上記の課題を解決しつつ、リワークが可能な実装構造が必要とされる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−３４０６０７号公報
【特許文献２】特開２００１−２２３４６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、半導体パッケージを配線基板にフリップチップ接合する構成において、接合部における電極間の短絡と応力集中を防止しつつ、リワークが可能となる半導体装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するために、半導体パッケージと配線基板の接合部に熱収縮モールドを用いて、はんだバンプ等の接続電極の形状を所定の形状に維持したままフリップチップ接合を可能にする。
【００１０】
具体的には、本発明のひとつの側面では、半導体パッケージを配線基板にフリップチップ接合した半導体装置において、
前記半導体パッケージと前記配線基板を接合する突起電極を有し、
前記突起電極は、はんだ電極と、前記はんだ電極を被覆する熱収縮モールドを含む。
【００１１】
本発明の別の側面では、半導体装置の製造方法において、
熱収縮モールド内にはんだ材料が充填されたモールド電極を形成し、
前記モールド電極を半導体パッケージ上の接続電極上に配置し、
リフローにより前記熱収縮モールドを径方向に収縮させるとともに、前記モールド電極を前記半導体パッケージの接続電極に接合し、
前記モールド電極が接合された半導体パッケージを、配線基板にフリップチップ接合する。
【００１２】
本発明のさらに別の側面では、半導体装置の製造方法において、
接続電極を有する半導体パッケージ上に、前記接続電極に対応する位置に開口を有するマスクを配置し、
前記マスクの前記開口内に両端が開口する空洞の熱収縮モールドを挿入して、前記熱収縮モールドの開口内に前記接続電極を露出させ、
前記熱収縮モールド内にはんだ材料を充填し、
リフロー処理により前記熱収縮モールドを径方向に収縮させるとともに、前記はんだ材料を前記接続電極に溶融接合して突起電極を形成し、
前記マスクを前記半導体パッケージから除去する。
【発明の効果】
【００１３】
上記の構成および手法により、半導体パッケージを配線基板にフリップチップ接合する半導体装置において、接合部での電極間の短絡と応力集中を防止しつつ、電極端子の高密度化とリワークを容易にすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】従来の半導体装置の実装構成例を示す図である。
【図２】実施形態における半導体装置の接合例を示す図である。
【図３】熱収縮モールドを用いたモールド電極の作製例を示す図である。
【図４】図３のモールド電極を用いた半導体装置の作製工程を示す図である。
【図５】図３のモールド電極を用いた半導体装置の作製工程を示す図である。
【図６】図３のモールド電極を用いた半導体装置の作製工程を示す図である。
【図７】図３のモールド電極を用いた半導体装置の作製工程を示す図である。
【図８】図３のモールド電極を用いた半導体装置の作製工程を示す図である。
【図９】図３のモールド電極を用いた半導体装置の作製工程を示す図である。
【図１０】別の形状のモールド電極の例を示す図である。
【図１１】別の実施形態の半導体装置の作製工程を示す図である。
【図１２】別の実施形態の半導体装置の作製工程を示す図である。
【図１３】別の実施形態の半導体装置の作製工程を示す図である。
【図１４】別の実施形態の半導体装置の作製工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【実施例】
【００１５】
図２は、本発明の一実施例による半導体装置１の概略構成図である。半導体装置１において、半導体パッケージ１１は突起電極３０を介して配線基板２１にフリップチップ接合されている。突起電極３０は、熱収縮モールド３１と、この熱収縮モールド３１によって所定の形状に保持されたはんだ電極３２を含む。半導体パッケージ１１の接続電極１２と配線基板２１の接続電極２２は、はんだ電極３２によって電気的に接続されている。配線基板２１は、図示は省略するが、たとえばガラスエポキシ基板上に絶縁層と配線層が交互に積層された多層配線基板である。配線基板２１上の接続電極２２以外の表面領域は、樹脂フィルム等の絶縁層２３で覆われている。
【００１６】
図２の例では、はんだ電極３２は熱収縮モールド３１によって円柱形の形状に保持されている。熱収縮モールドとは、熱によりあらかじめ記憶された形状に収縮する材料でできた金型成形品である。モールド材料としては、熱可塑性樹脂、シリコンエラストマー（シリコン系樹脂）、フッ素系樹脂、塩ビ系樹脂、ポリオレフィン系樹脂などが挙げられ、材料によって収縮率が異なる。実施例で用いる熱収縮モールド３１は、フリップチップ接合のリフロー温度で耐熱性を有し、一定以上の温度を加えると径方向の中心に向かって収縮し、かつ軸方向には熱収縮及び熱膨張しない性質を有するものを選択する。リフロー温度は、はんだ電極３２の材料によって異なるが、１５０℃〜２４０℃の範囲である。リフロー温度が250℃以下の場合は、たとえばシリコンゴムの熱収縮モールド３１を使用することができる。シリコンゴムの収縮温度は８０℃〜２００℃であり、２５０℃まで耐熱性を示す。収縮率は５０％である。リフロー温度が２５０℃を超える場合は、熱収縮モールド３１として、たとえばＴＦＥなどのフッ素系樹脂（耐熱温度が２５０〜３３０℃）を用いるのが望ましい。この場合も熱による収縮率は５０％である。
【００１７】
はんだ電極３２は、たとえば、Ｓｎ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｚｎ系、Ｓｎ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ｐｂ系、Ｓｎ-Ｐｂ-Ａｇ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｓｂ系、Ｉｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｓｂ系のはんだ材料で形成されている。Ｓｎ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｉｎ系のはんだ材料を用いる場合はリフロー温度が比較的低温になるので、シリコンモールド３１と組み合わせるのが望ましい。また、導電性ペーストを用いることでも同様に柱状のはんだバンプを形成することが出来る。この場合、硬化温度は120℃ほどである。
【００１８】
熱収縮モールド３１がはんだ電極３２を所定の形状に保持するので、はんだ電極３１の変形に起因する部分的な応力集中を防止することができる。その結果、半導体装置１を適用した電子機器の寿命を長くすることができる。また、はんだ電極３２の表面が熱収縮モールド３１により絶縁されているため、突起電極３０を互いに近接して配置することが可能になり、高密度実装が実現する。さらに、図１の従来例のように、はんだ電極３２の隙間をもれなく樹脂等で埋め込む構成と異なり、各突起電極３０は空気により隔てられている。したがって、製品完成後にリワークが必要になった場合でも、半導体パッケージ１１を配線基板２１から容易に分離し、再接合することができる。突起電極３０は、上述のように熱収縮モールド３１に所定形状に保持されることから、以下の説明では、適宜「モールド電極」と称することとする。
【００１９】
図３は、モールド電極３０の作製例を示す図である。図３（Ａ）に示すように、一定の長さＬを有する熱収縮モールド４１に、はんだ材料を充填する。はんだ材料は、粉末状のはんだ材料４２ａ、棒状のはんだ材料４２ｂ、球状のはんだ材料４２ｃ等、その形状は任意である。熱収縮モールド４１の内径Ｄ１は、リフロー処理後に半導体パッケージ１１の接続電極１２、及び配線基板２１の接続電極２２の径とほぼ一致するサイズになるように選択されている。収縮後の熱収縮モールド４１の内径をＤ２とすると、棒状のはんだ材料４２ｂの直径もＤ２に設定されているので、熱処理前の熱収縮モールド４１の中に容易に挿入することができる。粉末はんだ材料４２ａや球状はんだ材料４２ｃを用いる場合は、溶融、凝固後のはんだ材料の体積が、収縮後の熱収縮モールド４１の内部容積とほぼ一致するように充填する量が設定されている。
【００２０】
熱収縮モールド４１にはんだ材料４２ａ〜４２ｃを充填した後、全体を加熱して熱収縮モールド４１は内径方向（中心に向かう径方向）に収縮させる。熱収縮モールド４１を収縮させる温度は、耐熱性のある範囲で任意であるが、半導体パッケージへ接合する際のリフローでさらに若干収縮する余地。その結果、図３（Ｂ）に示すように、はんだ電極材料４２が熱収縮モールド４１で被覆された状態のモールド電極材料４０Ｌが得られる。モールド電極材料４０Ｌにおいて、熱収縮モールド４１の内径はＤ２に収縮しているが、軸方向の長さＬは変化していない。図３（Ｃ）に示すように、モールド電極材料４０Ｌを半導体パッケージ１１と配線基板２１との間の距離ｄに合わせて切断することにより、個々のモールド電極４０が得られる。円柱形のモールド電極４０の高さｄは、たとえば５００μｍである。
【００２１】
図４から図９は、図３で作製したモールド電極４０を用いた半導体装置１の作製工程を示す図である。まず、図４に示すように、半導体パッケージ１１の接続電極１２上に、接着材料としてはんだペースト１４又はフラックス１４を塗布する。はんだペースト又はフラックスの塗布は、たとえば、半導体パッケージ１１上に印刷用メタルマスク（不図示）を配置して、スキージ等を用いてはんだペースト１４を印刷する。印刷用メタルマスク（不図示）は、半導体パッケージ１１の接続電極１４と対応する位置に開口を有し、開口内にはんだペースト１１を充填し、その後メタルマスクを除去する。これにより、図４のように、半導体パッケージ１１の接続電極１２上にはんだペースト１４が塗布された状態になる。
【００２２】
次に、図５に示すように、半導体パッケージ１１上に、所定の開口５２を有する接合用マスク５１を配置する。接合用マスク５１の開口５２の径は、半導体パッケージ１１上の接続電極１２の径よりもやや大きく、モールド電極４０の外径とほぼ等しくなるように選択されている。開口５２内で、はんだペースト１４が塗布された半接続電極１２が露出している。接合用のマスク５１はリフロー温度に対する耐熱性を有し、モールド電極３０の高さに相当する厚さを有する。
【００２３】
次に、図６に示すように、開口５２内にモールド電極４０を挿入し、接合用マスク５１ごとリフローを行う。リフローにより、図７に示すようにはんだペースト１４とはんだ電極材料４２とが溶融してはんだ電極４２Ｂとなるとともに、半導体パッケージ１１の接続電極１２に接合された状態となる。また、熱収縮モールド４１は内径方向に収縮するのでリフロー後のモールド電極４０Ｂの径は、接合用マスク５１の開口５２の径よりも若干小さくなっている。したがって、接合用マスク５１を容易に除去することができる。これにより、モールド電極４０を半導体パッケージ１１に接合して突起電極４０とすることができる。
【００２４】
一方、図８に示すように、配線基板２１の接続電極２２上にはんだペースト又はフラックス２４を塗布しておく。この場合も、配線基板２１上にたとえばスクリーン印刷用のメタルマスク（不図示）を配置してスキージ等ではんだペーストを印刷し、その後メタルマスクを除去する。接続電極２２上にはんだペースト２４が塗布されている配線基板２１に対して、たとえばマウンタを用いて、半導体パッケージ１１を位置合わせする。
【００２５】
次に、図９に示すように、半導体パッケージ１１のモールド電極４０Ｂを配線基板２１上の接続電極２２に位置合わせした状態でリフローを行う。リフローにより、はんだ電極４２Ｂとはんだペースト２４とが溶融してはんだ電極４２Ｃとなり、配線基板２１上の接続電極２２に接合される。熱収縮モールド４１は、一度加熱すると一定の内径まで収縮する一方、軸方向すなわち突起電極４０Ｂの高さ方向には収縮しない性質を有するので、はんだが過不足する懸念はない。したがって、電極上に塗布されたはんだペースト１２、２４とモールド内に充填されたはんだ電極材料４２とが溶融する場合でも、余分なはんだが電極上からパッケージ基板１１や配線基板２１にしみ広がるおそれはない。
【００２６】
図１０は、別の種類の熱収縮モールド材料を用いたモールド電極の例を示す。図１０（Ａ）のモールド電極６０Ａは、加熱により軸方向の中央部分がくびれた形状（鼓形）に収縮する熱収縮モールド６１ａを用いた例である。このようなモールド材料として、たとえば、フルオロポリマーなどがある。図１０（Ｂ）は、軸に対して垂直な断面形状が矩形の熱収縮モールド６１ｂを用いたモールド電極６０Ｂを示す。この場合も同様に、高さは変化せずに内径方向にモールドが収縮する。図１０（Ｂ）のモールド電極６０Ｂは、断面形状が四角形のものを用いているが、六角形、八角形など多角形の断面形状を有するものを用いてもよい。いずれの場合も、加熱により中心へ向かう方向（便宜上「内径方向」という）に収縮するが、軸方向（高さ方向）への収縮は生じない。
【００２７】
図１１〜１４は、別の実施形態における半導体装置の製造工程を示す図である。まず、図１１に示すように、たとえば印刷用のメタルマスク（不図示）を用いて、半導体パッケージの接続電極１２上にはんだペースト又はフラックスを印刷し、その後メタルマスク（不図示）を除去して、接続電極１２上にはんだペースト１４を配置する。
【００２８】
次に、図１２に示すように、熱収縮前のモールド径と同様の大きさ、形状の開口５２を有する耐熱性のマスク５１を半導体パッケージ上に配置する。開口５２内に、はんだペースト１４が塗布された電極１２が露出している。マスク５１の開口５２内に、両端が開口した空洞の熱収縮性モールド７１を挿入する。熱収縮モールド７１は、あらかじめモールド電極の高さ（すなわち半導体パッケージ１１と配線基板２１（図２参照）との間の距離）に合わせて切断されている。開口５２内の熱収縮モールド７１内に、はんだ材料７２ｃを充填する。図１２では球状のはんだ材料を例示しているが、図３の粉末状のはんだ材料４２ａ、棒状のはんだ材料４２ｂ等を用いてもかまわない。はんだ材料７２ｃを熱収縮モールド７１内に充填した状態でリフローを行う。
【００２９】
リフローの結果、図１３に示すように、はんだ材料７２ｃとはんだペースト１４が溶融して半導体パッケージ１１の接続電極１２にはんだ電極７２が接合される。リフロー処理により熱収縮モールド７１は内径方向に収縮するが、軸方向の長さ、すなわち熱収縮モールド７１の高さに変化はない。はんだ電極７２と収縮後の熱収縮モールド７２でモールド電極７０を構成する。
【００３０】
次に、半導体パッケージ１１上から耐熱性マスク５１を除去する。リフローによりモールド電極７０の径は耐熱性マスク５１の開口５２よりも小さくなっているので、耐熱性マスク５１は、容易に除去することができる。このように形成された半導体パッケージ１１を、図８に示すようにあらかじめ電極２２上にはんだペースト２４が塗布された配線基板２１に対向させ、モールド電極（突起電極）７０を配線基板２１の電極２２に接合する。これにより、半導体装置は完成する。
【００３１】
この方法によっても、はんだ電極の形状がリフロー後も維持されるので局所的な応力集中を防止することができる。また、絶縁性のモールド内にはんだ電極が保持されているので電極間の短絡を防止することができる。さらに、半導体装置の完成後にリワークが必要になった場合でも、半導体パッケージを容易に取り外すことができる。
【００３２】
以上の説明に対し、以下の付記を提示する。
（付記１）
半導体パッケージを配線基板にフリップチップ接合した半導体装置において、
前記半導体パッケージと前記配線基板を接合する突起電極を有し、
前記突起電極は、はんだ電極と、前記はんだ電極を被覆する熱収縮モールドを含むことを特徴とする半導体装置。
（付記２）
前記熱収縮モールドは、前記はんだ電極のリフロー温度で耐熱性を有することを特徴とする付記１に記載の半導体装置。
（付記３）
前記熱収縮モールドは、軸に対して垂直な断面形状が、円形または多角形の柱状であることを特徴とする付記１又は２に記載の半導体装置。
（付記４）
前記熱収縮モールドは、軸に沿った中央部分がくびれた形状の柱状であることを特徴とする付記１〜３のいずれかに記載の半導体装置。
（付記５）
前記はんだ材料は、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｚｎ系、Ｓｎ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ｐｂ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｓｂ系、Ｉｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｓｂ系のはんだ又は導電性ペーストであることを特徴とする付記１〜４のいずれかに記載の半導体装置。
（付記６）
前記熱収縮モールド材料は、熱可塑性樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂、塩ビ系樹脂、ポリオレフィン系樹脂を含むことを特徴とする付記１〜５のいずれかに記載の半導体装置。
（付記７）
熱収縮モールド内にはんだ材料が充填されたモールド電極を形成し、
前記モールド電極を半導体パッケージ上の接続電極上に配置し、
リフローにより前記熱収縮モールドを径方向に収縮させるとともに、前記モールド電極を前記半導体パッケージの接続電極に接合し、
前記モールド電極が接合された半導体パッケージを配線基板にフリップチップ接合する、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記８）
前記モールド電極を前記接続電極上に配置する工程は、
前記半導体パッケージの上に、前記接続電極と対応する位置に開口を有するマスクを配置して前記開口内に前記接続電極を露出させ、
前記マスクの開口内に前記モールド電極を挿入する、
工程を含むことを特徴とする付記７に記載の半導体装置の製造方法。
（付記９）
前記マスクは耐熱性を有するマスクであり、前記リフローは、前記マスクを前記半導体パッケージ上に置いたまま行うことを特徴とする付記８に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１０）
接続電極を有する半導体パッケージ上に、前記接続電極に対応する位置に開口を有するマスクを配置し、
前記マスクの前記開口内に両端が開口する空洞の熱収縮モールドを挿入して、前記熱収縮モールドの開口内に前記接続電極を露出させ、
前記熱収縮モールド内にはんだ材料を充填し、
リフロー処理により前記熱収縮モールドを径方向に収縮させるとともに、前記はんだ材料を前記接続電極に溶融接合して突起電極を形成し、
前記マスクを前記半導体パッケージから除去する、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１１）
前記マスクの開口の大きさと、前記収縮前の熱収縮モールドの外径はほぼ等しいことを特徴とする付記１０に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１２）
前記半導体パッケージの接続電極上にはんだペースト又はフラックスを塗布する工程、をさらに含むことを特徴とする付記１０又は１１に記載の半導体装置の製造方法。
【産業上の利用可能性】
【００３３】
半導体装置の実装構成及びプロセスに適用することができる。
【符号の説明】
【００３４】
１ 半導体装置
１１ 半導体パッケージ
１２ 接続電極（パッケージ側）
２１ 配線基板
２２ 接続電極（配線基板側）
２３ 絶縁層
３０、４０、６０Ａ，６０Ｂ、７０ 突起電極（モールド電極）
３１、４１、６１ａ、６１ｂ、７１ 熱収縮モールド
３２、４２、７２ はんだ電極
４２ａ、４２ｂ、４２ｃ はんだ材料
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
微細加工技術の進歩によりＬＳＩ（Large Scale Integrated Circuit）の高集積化が進み、一つのパッケージに多くの機能を持ったＬＳＩを搭載できるようになった。その結果一つのパッケージに要求される電極端子の数がより増大した。これに対応する実装技術としてフリップチップ接合があり、現在多くの電子機器に適用されている。
【０００３】
フリップチップ接合の特徴として、半導体パッケージの自重等によりはんだバンプの形状が太鼓型になることが挙げられる。この形状変化により以下の問題が生じる。
【０００４】
１つ目に、実装密度に限界が生じることである。太鼓型の形状では、必然的に電極径よりもはんだ径の方が大きくなるため、電極間に十分な距離を保たなければはんだバンプ同士がブリッジすることが懸念される。近年では１つのパッケージに搭載される半導体素子のコア数が増大する傾向にあり、それに伴って電極端子数も増大している。現在行われているように、パッケージサイズを大きくすることで電極端子数を増やそうとすると、はんだ接合部にかかる応力も増大してしまい信頼性が低下する要因になる。そのため、パッケージサイズを大きくせずに電極端子数を増大させることが求められている。
【０００５】
２つ目に、太鼓型形状では電極に近い部分に極めて大きな応力が生じるため、電子機器の故障が早くなることである。フリップチップ接合では、はんだバンプが太鼓形状になると接合部に応力が集中する。応力集中部分からクラックが成長してしまい、電子機器の故障を早める現象が起きている。このため、一部分のみに応力が集中することを防止する必要がある。
【０００６】
半導体パッケージのバンプ電極間の短絡を防止する方法として、図１に示すように、はんだバンプ１１２を有する半導体パッケージ１１１と配線基板１２１の間に、絶縁フィルム１２３を挟む方法が知られている（たとえば、特許文献１及び特許文献２参照）。絶縁フィルム１２３には、半導体パッケージ１１１のはんだバンプ１１２に対応する位置に穴１２２が形成されている。穴１２２を介して半導体パッケージ１１１を配線基板１２１にＢＧＡ接合することで、はんだバンプ１１２の形状をほぼ円柱状に維持する。しかしこの方法では、絶縁フィルム１２３が半導体パッケージ１１１と配線基板１２１の間に隙間なく挿入されているためリワークができず、不具合時における半導体装置の修理が不可能である。そのため、接合部での応力集中によるクラック発生や電極間の短絡防止という上記の課題を解決しつつ、リワークが可能な実装構造が必要とされる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−３４０６０７号公報
【特許文献２】特開２００１−２２３４６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、半導体パッケージを配線基板にフリップチップ接合する構成において、接合部における電極間の短絡と応力集中を防止しつつ、リワークが可能となる半導体装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するために、半導体パッケージと配線基板の接合部に熱収縮モールドを用いて、はんだバンプ等の接続電極の形状を所定の形状に維持したままフリップチップ接合を可能にする。
【００１０】
具体的には、本発明のひとつの側面では、半導体パッケージを配線基板にフリップチップ接合した半導体装置において、
前記半導体パッケージと前記配線基板を接合する突起電極を有し、
前記突起電極は、はんだ電極と、前記はんだ電極を被覆する熱収縮モールドを含む。
【００１１】
本発明の別の側面では、半導体装置の製造方法において、
熱収縮モールド内にはんだ材料が充填されたモールド電極を形成し、
前記モールド電極を半導体パッケージ上の接続電極上に配置し、
リフローにより前記熱収縮モールドを径方向に収縮させるとともに、前記モールド電極を前記半導体パッケージの接続電極に接合し、
前記モールド電極が接合された半導体パッケージを、配線基板にフリップチップ接合する。
【００１２】
本発明のさらに別の側面では、半導体装置の製造方法において、
接続電極を有する半導体パッケージ上に、前記接続電極に対応する位置に開口を有するマスクを配置し、
前記マスクの前記開口内に両端が開口する空洞の熱収縮モールドを挿入して、前記熱収縮モールドの開口内に前記接続電極を露出させ、
前記熱収縮モールド内にはんだ材料を充填し、
リフロー処理により前記熱収縮モールドを径方向に収縮させるとともに、前記はんだ材料を前記接続電極に溶融接合して突起電極を形成し、
前記マスクを前記半導体パッケージから除去する。
【発明の効果】
【００１３】
上記の構成および手法により、半導体パッケージを配線基板にフリップチップ接合する半導体装置において、接合部での電極間の短絡と応力集中を防止しつつ、電極端子の高密度化とリワークを容易にすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】従来の半導体装置の実装構成例を示す図である。
【図２】実施形態における半導体装置の接合例を示す図である。
【図３】熱収縮モールドを用いたモールド電極の作製例を示す図である。
【図４】図３のモールド電極を用いた半導体装置の作製工程を示す図である。
【図５】図３のモールド電極を用いた半導体装置の作製工程を示す図である。
【図６】図３のモールド電極を用いた半導体装置の作製工程を示す図である。
【図７】図３のモールド電極を用いた半導体装置の作製工程を示す図である。
【図８】図３のモールド電極を用いた半導体装置の作製工程を示す図である。
【図９】図３のモールド電極を用いた半導体装置の作製工程を示す図である。
【図１０】別の形状のモールド電極の例を示す図である。
【図１１】別の実施形態の半導体装置の作製工程を示す図である。
【図１２】別の実施形態の半導体装置の作製工程を示す図である。
【図１３】別の実施形態の半導体装置の作製工程を示す図である。
【図１４】別の実施形態の半導体装置の作製工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【実施例】
【００１５】
図２は、本発明の一実施例による半導体装置１の概略構成図である。半導体装置１において、半導体パッケージ１１は突起電極３０を介して配線基板２１にフリップチップ接合されている。突起電極３０は、熱収縮モールド３１と、この熱収縮モールド３１によって所定の形状に保持されたはんだ電極３２を含む。半導体パッケージ１１の接続電極１２と配線基板２１の接続電極２２は、はんだ電極３２によって電気的に接続されている。配線基板２１は、図示は省略するが、たとえばガラスエポキシ基板上に絶縁層と配線層が交互に積層された多層配線基板である。配線基板２１上の接続電極２２以外の表面領域は、樹脂フィルム等の絶縁層２３で覆われている。
【００１６】
図２の例では、はんだ電極３２は熱収縮モールド３１によって円柱形の形状に保持されている。熱収縮モールドとは、熱によりあらかじめ記憶された形状に収縮する材料でできた金型成形品である。モールド材料としては、熱可塑性樹脂、シリコンエラストマー（シリコン系樹脂）、フッ素系樹脂、塩ビ系樹脂、ポリオレフィン系樹脂などが挙げられ、材料によって収縮率が異なる。実施例で用いる熱収縮モールド３１は、フリップチップ接合のリフロー温度で耐熱性を有し、一定以上の温度を加えると径方向の中心に向かって収縮し、かつ軸方向には熱収縮及び熱膨張しない性質を有するものを選択する。リフロー温度は、はんだ電極３２の材料によって異なるが、１５０℃〜２４０℃の範囲である。リフロー温度が250℃以下の場合は、たとえばシリコンゴムの熱収縮モールド３１を使用することができる。シリコンゴムの収縮温度は８０℃〜２００℃であり、２５０℃まで耐熱性を示す。収縮率は５０％である。リフロー温度が２５０℃を超える場合は、熱収縮モールド３１として、たとえばＴＦＥなどのフッ素系樹脂（耐熱温度が２５０〜３３０℃）を用いるのが望ましい。この場合も熱による収縮率は５０％である。
【００１７】
はんだ電極３２は、たとえば、Ｓｎ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｚｎ系、Ｓｎ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ｐｂ系、Ｓｎ-Ｐｂ-Ａｇ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｓｂ系、Ｉｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｓｂ系のはんだ材料で形成されている。Ｓｎ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｉｎ系のはんだ材料を用いる場合はリフロー温度が比較的低温になるので、シリコンモールド３１と組み合わせるのが望ましい。また、導電性ペーストを用いることでも同様に柱状のはんだバンプを形成することが出来る。この場合、硬化温度は120℃ほどである。
【００１８】
熱収縮モールド３１がはんだ電極３２を所定の形状に保持するので、はんだ電極３１の変形に起因する部分的な応力集中を防止することができる。その結果、半導体装置１を適用した電子機器の寿命を長くすることができる。また、はんだ電極３２の表面が熱収縮モールド３１により絶縁されているため、突起電極３０を互いに近接して配置することが可能になり、高密度実装が実現する。さらに、図１の従来例のように、はんだ電極３２の隙間をもれなく樹脂等で埋め込む構成と異なり、各突起電極３０は空気により隔てられている。したがって、製品完成後にリワークが必要になった場合でも、半導体パッケージ１１を配線基板２１から容易に分離し、再接合することができる。突起電極３０は、上述のように熱収縮モールド３１に所定形状に保持されることから、以下の説明では、適宜「モールド電極」と称することとする。
【００１９】
図３は、モールド電極３０の作製例を示す図である。図３（Ａ）に示すように、一定の長さＬを有する熱収縮モールド４１に、はんだ材料を充填する。はんだ材料は、粉末状のはんだ材料４２ａ、棒状のはんだ材料４２ｂ、球状のはんだ材料４２ｃ等、その形状は任意である。熱収縮モールド４１の内径Ｄ１は、リフロー処理後に半導体パッケージ１１の接続電極１２、及び配線基板２１の接続電極２２の径とほぼ一致するサイズになるように選択されている。収縮後の熱収縮モールド４１の内径をＤ２とすると、棒状のはんだ材料４２ｂの直径もＤ２に設定されているので、熱処理前の熱収縮モールド４１の中に容易に挿入することができる。粉末はんだ材料４２ａや球状はんだ材料４２ｃを用いる場合は、溶融、凝固後のはんだ材料の体積が、収縮後の熱収縮モールド４１の内部容積とほぼ一致するように充填する量が設定されている。
【００２０】
熱収縮モールド４１にはんだ材料４２ａ〜４２ｃを充填した後、全体を加熱して熱収縮モールド４１は内径方向（中心に向かう径方向）に収縮させる。熱収縮モールド４１を収縮させる温度は、耐熱性のある範囲で任意であるが、半導体パッケージへ接合する際のリフローでさらに若干収縮する余地。その結果、図３（Ｂ）に示すように、はんだ電極材料４２が熱収縮モールド４１で被覆された状態のモールド電極材料４０Ｌが得られる。モールド電極材料４０Ｌにおいて、熱収縮モールド４１の内径はＤ２に収縮しているが、軸方向の長さＬは変化していない。図３（Ｃ）に示すように、モールド電極材料４０Ｌを半導体パッケージ１１と配線基板２１との間の距離ｄに合わせて切断することにより、個々のモールド電極４０が得られる。円柱形のモールド電極４０の高さｄは、たとえば５００μｍである。
【００２１】
図４から図９は、図３で作製したモールド電極４０を用いた半導体装置１の作製工程を示す図である。まず、図４に示すように、半導体パッケージ１１の接続電極１２上に、接着材料としてはんだペースト１４又はフラックス１４を塗布する。はんだペースト又はフラックスの塗布は、たとえば、半導体パッケージ１１上に印刷用メタルマスク（不図示）を配置して、スキージ等を用いてはんだペースト１４を印刷する。印刷用メタルマスク（不図示）は、半導体パッケージ１１の接続電極１４と対応する位置に開口を有し、開口内にはんだペースト１１を充填し、その後メタルマスクを除去する。これにより、図４のように、半導体パッケージ１１の接続電極１２上にはんだペースト１４が塗布された状態になる。
【００２２】
次に、図５に示すように、半導体パッケージ１１上に、所定の開口５２を有する接合用マスク５１を配置する。接合用マスク５１の開口５２の径は、半導体パッケージ１１上の接続電極１２の径よりもやや大きく、モールド電極４０の外径とほぼ等しくなるように選択されている。開口５２内で、はんだペースト１４が塗布された半接続電極１２が露出している。接合用のマスク５１はリフロー温度に対する耐熱性を有し、モールド電極３０の高さに相当する厚さを有する。
【００２３】
次に、図６に示すように、開口５２内にモールド電極４０を挿入し、接合用マスク５１ごとリフローを行う。リフローにより、図７に示すようにはんだペースト１４とはんだ電極材料４２とが溶融してはんだ電極４２Ｂとなるとともに、半導体パッケージ１１の接続電極１２に接合された状態となる。また、熱収縮モールド４１は内径方向に収縮するのでリフロー後のモールド電極４０Ｂの径は、接合用マスク５１の開口５２の径よりも若干小さくなっている。したがって、接合用マスク５１を容易に除去することができる。これにより、モールド電極４０を半導体パッケージ１１に接合して突起電極４０とすることができる。
【００２４】
一方、図８に示すように、配線基板２１の接続電極２２上にはんだペースト又はフラックス２４を塗布しておく。この場合も、配線基板２１上にたとえばスクリーン印刷用のメタルマスク（不図示）を配置してスキージ等ではんだペーストを印刷し、その後メタルマスクを除去する。接続電極２２上にはんだペースト２４が塗布されている配線基板２１に対して、たとえばマウンタを用いて、半導体パッケージ１１を位置合わせする。
【００２５】
次に、図９に示すように、半導体パッケージ１１のモールド電極４０Ｂを配線基板２１上の接続電極２２に位置合わせした状態でリフローを行う。リフローにより、はんだ電極４２Ｂとはんだペースト２４とが溶融してはんだ電極４２Ｃとなり、配線基板２１上の接続電極２２に接合される。熱収縮モールド４１は、一度加熱すると一定の内径まで収縮する一方、軸方向すなわち突起電極４０Ｂの高さ方向には収縮しない性質を有するので、はんだが過不足する懸念はない。したがって、電極上に塗布されたはんだペースト１２、２４とモールド内に充填されたはんだ電極材料４２とが溶融する場合でも、余分なはんだが電極上からパッケージ基板１１や配線基板２１にしみ広がるおそれはない。
【００２６】
図１０は、別の種類の熱収縮モールド材料を用いたモールド電極の例を示す。図１０（Ａ）のモールド電極６０Ａは、加熱により軸方向の中央部分がくびれた形状（鼓形）に収縮する熱収縮モールド６１ａを用いた例である。このようなモールド材料として、たとえば、フルオロポリマーなどがある。図１０（Ｂ）は、軸に対して垂直な断面形状が矩形の熱収縮モールド６１ｂを用いたモールド電極６０Ｂを示す。この場合も同様に、高さは変化せずに内径方向にモールドが収縮する。図１０（Ｂ）のモールド電極６０Ｂは、断面形状が四角形のものを用いているが、六角形、八角形など多角形の断面形状を有するものを用いてもよい。いずれの場合も、加熱により中心へ向かう方向（便宜上「内径方向」という）に収縮するが、軸方向（高さ方向）への収縮は生じない。
【００２７】
図１１〜１４は、別の実施形態における半導体装置の製造工程を示す図である。まず、図１１に示すように、たとえば印刷用のメタルマスク（不図示）を用いて、半導体パッケージの接続電極１２上にはんだペースト又はフラックスを印刷し、その後メタルマスク（不図示）を除去して、接続電極１２上にはんだペースト１４を配置する。
【００２８】
次に、図１２に示すように、熱収縮前のモールド径と同様の大きさ、形状の開口５２を有する耐熱性のマスク５１を半導体パッケージ上に配置する。開口５２内に、はんだペースト１４が塗布された電極１２が露出している。マスク５１の開口５２内に、両端が開口した空洞の熱収縮性モールド７１を挿入する。熱収縮モールド７１は、あらかじめモールド電極の高さ（すなわち半導体パッケージ１１と配線基板２１（図２参照）との間の距離）に合わせて切断されている。開口５２内の熱収縮モールド７１内に、はんだ材料７２ｃを充填する。図１２では球状のはんだ材料を例示しているが、図３の粉末状のはんだ材料４２ａ、棒状のはんだ材料４２ｂ等を用いてもかまわない。はんだ材料７２ｃを熱収縮モールド７１内に充填した状態でリフローを行う。
【００２９】
リフローの結果、図１３に示すように、はんだ材料７２ｃとはんだペースト１４が溶融して半導体パッケージ１１の接続電極１２にはんだ電極７２が接合される。リフロー処理により熱収縮モールド７１は内径方向に収縮するが、軸方向の長さ、すなわち熱収縮モールド７１の高さに変化はない。はんだ電極７２と収縮後の熱収縮モールド７２でモールド電極７０を構成する。
【００３０】
次に、半導体パッケージ１１上から耐熱性マスク５１を除去する。リフローによりモールド電極７０の径は耐熱性マスク５１の開口５２よりも小さくなっているので、耐熱性マスク５１は、容易に除去することができる。このように形成された半導体パッケージ１１を、図８に示すようにあらかじめ電極２２上にはんだペースト２４が塗布された配線基板２１に対向させ、モールド電極（突起電極）７０を配線基板２１の電極２２に接合する。これにより、半導体装置は完成する。
【００３１】
この方法によっても、はんだ電極の形状がリフロー後も維持されるので局所的な応力集中を防止することができる。また、絶縁性のモールド内にはんだ電極が保持されているので電極間の短絡を防止することができる。さらに、半導体装置の完成後にリワークが必要になった場合でも、半導体パッケージを容易に取り外すことができる。
【００３２】
以上の説明に対し、以下の付記を提示する。
（付記１）
半導体パッケージを配線基板にフリップチップ接合した半導体装置において、
前記半導体パッケージと前記配線基板を接合する突起電極を有し、
前記突起電極は、はんだ電極と、前記はんだ電極を被覆する熱収縮モールドを含むことを特徴とする半導体装置。
（付記２）
前記熱収縮モールドは、前記はんだ電極のリフロー温度で耐熱性を有することを特徴とする付記１に記載の半導体装置。
（付記３）
前記熱収縮モールドは、軸に対して垂直な断面形状が、円形または多角形の柱状であることを特徴とする付記１又は２に記載の半導体装置。
（付記４）
前記熱収縮モールドは、軸に沿った中央部分がくびれた形状の柱状であることを特徴とする付記１〜３のいずれかに記載の半導体装置。
（付記５）
前記はんだ材料は、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｚｎ系、Ｓｎ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ｐｂ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｓｂ系、Ｉｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｓｂ系のはんだ又は導電性ペーストであることを特徴とする付記１〜４のいずれかに記載の半導体装置。
（付記６）
前記熱収縮モールド材料は、熱可塑性樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂、塩ビ系樹脂、ポリオレフィン系樹脂を含むことを特徴とする付記１〜５のいずれかに記載の半導体装置。
（付記７）
熱収縮モールド内にはんだ材料が充填されたモールド電極を形成し、
前記モールド電極を半導体パッケージ上の接続電極上に配置し、
リフローにより前記熱収縮モールドを径方向に収縮させるとともに、前記モールド電極を前記半導体パッケージの接続電極に接合し、
前記モールド電極が接合された半導体パッケージを配線基板にフリップチップ接合する、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記８）
前記モールド電極を前記接続電極上に配置する工程は、
前記半導体パッケージの上に、前記接続電極と対応する位置に開口を有するマスクを配置して前記開口内に前記接続電極を露出させ、
前記マスクの開口内に前記モールド電極を挿入する、
工程を含むことを特徴とする付記７に記載の半導体装置の製造方法。
（付記９）
前記マスクは耐熱性を有するマスクであり、前記リフローは、前記マスクを前記半導体パッケージ上に置いたまま行うことを特徴とする付記８に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１０）
接続電極を有する半導体パッケージ上に、前記接続電極に対応する位置に開口を有するマスクを配置し、
前記マスクの前記開口内に両端が開口する空洞の熱収縮モールドを挿入して、前記熱収縮モールドの開口内に前記接続電極を露出させ、
前記熱収縮モールド内にはんだ材料を充填し、
リフロー処理により前記熱収縮モールドを径方向に収縮させるとともに、前記はんだ材料を前記接続電極に溶融接合して突起電極を形成し、
前記マスクを前記半導体パッケージから除去する、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１１）
前記マスクの開口の大きさと、前記収縮前の熱収縮モールドの外径はほぼ等しいことを特徴とする付記１０に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１２）
前記半導体パッケージの接続電極上にはんだペースト又はフラックスを塗布する工程、をさらに含むことを特徴とする付記１０又は１１に記載の半導体装置の製造方法。
【産業上の利用可能性】
【００３３】
半導体装置の実装構成及びプロセスに適用することができる。
【符号の説明】
【００３４】
１ 半導体装置
１１ 半導体パッケージ
１２ 接続電極（パッケージ側）
２１ 配線基板
２２ 接続電極（配線基板側）
２３ 絶縁層
３０、４０、６０Ａ，６０Ｂ、７０ 突起電極（モールド電極）
３１、４１、６１ａ、６１ｂ、７１ 熱収縮モールド
３２、４２、７２ はんだ電極
４２ａ、４２ｂ、４２ｃ はんだ材料
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体パッケージを配線基板にフリップチップ接合した半導体装置において、
前記半導体パッケージと前記配線基板を接合する突起電極を有し、
前記突起電極は、はんだ電極と、前記はんだ電極を被覆する熱収縮モールドを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記熱収縮モールドは、前記はんだ電極のリフロー温度で耐熱性を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記熱収縮モールドは、軸に対して垂直な断面形状が円形又は多角形の柱状であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記熱収縮モールドは、軸に沿った中央部分がくびれた形状の柱状であることを特徴とする請求項２又は３に記載の半導体装置。
【請求項５】
熱収縮モールド内にはんだ材料が充填されたモールド電極を形成し、
前記モールド電極を半導体パッケージ上の接続電極上に配置し、
リフローにより前記熱収縮モールドを径方向に収縮させるとともに、前記モールド電極を前記半導体パッケージの接続電極に接合し、
前記モールド電極が接合された半導体パッケージを配線基板にフリップチップ接合する、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記モールド電極を前記接続電極上に配置する工程は、
前記半導体パッケージの上に、前記接続電極と対応する位置に開口を有するマスクを配置して前記開口内に前記接続電極を露出させ、
前記マスクの開口内に前記モールド電極を挿入する、
工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
接続電極を有する半導体パッケージ上に、前記接続電極に対応する位置に開口を有するマスクを配置し、
前記マスクの前記開口内に両端が開口する空洞の熱収縮モールドを挿入して、前記熱収縮モールドの開口内に前記接続電極を露出させ、
前記熱収縮モールド内にはんだ材料を充填し、
リフロー処理により前記熱収縮モールドを径方向に収縮させるとともに、前記はんだ材料を前記接続電極に溶融接合して突起電極を形成し、
前記マスクを前記半導体パッケージから除去する、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１】
半導体パッケージを配線基板にフリップチップ接合した半導体装置において、
前記半導体パッケージと前記配線基板を接合する突起電極を有し、
前記突起電極は、はんだ電極と、前記はんだ電極を被覆する熱収縮モールドを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記熱収縮モールドは、前記はんだ電極のリフロー温度で耐熱性を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記熱収縮モールドは、軸に対して垂直な断面形状が円形又は多角形の柱状であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記熱収縮モールドは、軸に沿った中央部分がくびれた形状の柱状であることを特徴とする請求項２又は３に記載の半導体装置。
【請求項５】
熱収縮モールド内にはんだ材料が充填されたモールド電極を形成し、
前記モールド電極を半導体パッケージ上の接続電極上に配置し、
リフローにより前記熱収縮モールドを径方向に収縮させるとともに、前記モールド電極を前記半導体パッケージの接続電極に接合し、
前記モールド電極が接合された半導体パッケージを配線基板にフリップチップ接合する、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記モールド電極を前記接続電極上に配置する工程は、
前記半導体パッケージの上に、前記接続電極と対応する位置に開口を有するマスクを配置して前記開口内に前記接続電極を露出させ、
前記マスクの開口内に前記モールド電極を挿入する、
工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
接続電極を有する半導体パッケージ上に、前記接続電極に対応する位置に開口を有するマスクを配置し、
前記マスクの前記開口内に両端が開口する空洞の熱収縮モールドを挿入して、前記熱収縮モールドの開口内に前記接続電極を露出させ、
前記熱収縮モールド内にはんだ材料を充填し、
リフロー処理により前記熱収縮モールドを径方向に収縮させるとともに、前記はんだ材料を前記接続電極に溶融接合して突起電極を形成し、
前記マスクを前記半導体パッケージから除去する、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１１−２４３７４４（Ｐ２０１１−２４３７４４Ａ）
【公開日】平成２３年１２月１日（２０１１．１２．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１１４６０５（Ｐ２０１０−１１４６０５）
【出願日】平成２２年５月１８日（２０１０．５．１８）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１２月１日（２０１１．１２．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年５月１８日（２０１０．５．１８）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
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