半導体装置

【課題】しきい値電圧のばらつきの影響を低減する。
【解決手段】ゲートが容量の一方及びＳＷ１の一方に接続され、ソース及びドレインの一方がＳＷ２の一方及びＳＷ３の一方に接続され、ソース及びドレインの他方がＳＷ１の他方及びＳＷ４の一方に接続されたトランジスタと、ＳＷ２の他方に接続された第１の配線と、ＳＷ４の他方に接続された第２の配線と、一方の電極が、容量の一方の電極及びＳＷ３の他方に接続された負荷と、負荷の他方の電極に接続された第３の配線と、を有し、第１の配線は第１の電位及び第２の電位が供給され、第２の配線は第３の電位が供給され、第３の配線は第４の電位が供給され、第１の電位は、第４の信号の電位より小さい電位であり、第２の電位は、第３の電位が供給される第２の配線と第４の電位が供給される第３の配線との間を流れる電流量をトランジスタで制御するための電位とする。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲートが容量素子の一方の電極に電気的に接続され、前記ゲートが第１のスイッチの一方の端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第２のスイッチの一方の端子に電気的に接続され、前記ソース及びドレインの一方が第３のスイッチの一方の端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が前記第１のスイッチの他方の端子に電気的に接続され、前記ソース及びドレインの他方が第４のスイッチの一方の端子電気的に接続されたトランジスタと、
前記第２のスイッチの他方の端子に電気的に接続された第１の配線と、
前記第４のスイッチの他方の端子に電気的に接続された第２の配線と、
一方の電極が、前記容量素子の一方の電極及び前記第３のスイッチの他方の端子に電気的に接続された負荷と、
前記負荷の他方の電極に接続された第３の配線と、を有し、
前記第１の配線は第１の電位及び第２の電位を供給することができる機能を有する回路に電気的に接続されており、
前記第２の配線は第３の電位を供給することができる機能を有する回路に電気的に接続されており、
前記第３の配線は第４の電位を供給することができる機能を有する回路に電気的に接続されており、
前記第１の電位は、前記第４の電位より小さい電位であり、
前記第２の電位は、前記第３の電位が供給される第２の配線と前記第４の電位が供給される第３の配線との間を流れる電流量を前記トランジスタで制御することに用いる電位である、半導体装置。
【請求項２】
ゲートが容量素子の一方の電極に電気的に接続され、前記ゲートが第１のスイッチの一方の端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第２のスイッチの一方の端子に電気的に接続され、前記ソース及びドレインの一方が第３のスイッチの一方の端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が前記第１のスイッチの他方の端子に電気的に接続され、前記ソース及びドレインの他方が第４のスイッチの一方の端子電気的に接続されたトランジスタと、
前記第２のスイッチの他方の端子に電気的に接続された第１の配線と、
前記第４のスイッチの他方の端子に電気的に接続された第２の配線と、
一方の電極が、前記容量素子の一方の電極及び前記第３のスイッチの他方の端子に電気的に接続された負荷と、
前記負荷の他方の電極に接続された第３の配線と、を有し、
前記第１の配線は第１の電位を供給することができる機能を有する回路に電気的に接続されており、
前記第２の配線は第２の電位及び第３の電位を供給することができる機能を有する回路に電気的に接続されており、
前記第３の配線は第４の電位を供給することができる機能を有する回路に電気的に接続されており、
前記第２の電位は、前記第４の電位より小さい電位であり、
前記第１の電位は、前記第３の電位が供給される第２の配線と前記第４の電位が供給される第３の配線との間を流れる電流量を前記トランジスタで制御することに用いる電位である、半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記第１のスイッチ乃至前記第４のスイッチはトランジスタである半導体装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、前記第１のスイッチ乃至前記第４のスイッチはトランジスタであり、当該トランジスタは同じ導電型である半導体装置。
【請求項５】
ゲートが容量素子の一方の電極に電気的に接続され、前記ゲートが第１のスイッチの一方の端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第２のスイッチの一方の端子に電気的に接続され、前記ソース及びドレインの一方が第３のスイッチの一方の端子に電気的に接続され、前記ソース及びドレインの一方が及び第４のスイッチの一方の端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が前記第１のスイッチの他方の端子に電気的に接続され、前記ソース及びドレインの他方が第５のスイッチの一方の端子に電気的に接続されたトランジスタと、
前記第２のスイッチの他方の端子に電気的に接続された第１の配線と、
前記第４のスイッチの他方の端子に電気的に接続された第２の配線と、
前記第５のスイッチの他方の端子に電気的に接続された第３の配線と、
一方の電極が、前記容量素子の一方の電極及び前記第３のスイッチの他方の端子に電気的に接続された負荷と、
前記負荷の他方の電極に接続された第４の配線と、を有し、
前記第１の配線は第１の電位を供給することができる機能を有する回路に電気的に接続されており、
前記第２の配線は第２の電位を供給することができる機能を有する回路に電気的に接続されており、
前記第３の配線は第３の電位を供給することができる機能を有する回路に電気的に接続されており、
前記第４の配線は第４の電位を供給することができる機能を有する回路に電気的に接続されており、
前記第２の電位は、前記第４の電位より小さい電位であり、
前記第１の電位は、前記第３の電位が供給される第３の配線と前記第４の電位が供給される第４の配線との間を流れる電流量を前記トランジスタで制御することに用いる電位である、半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、前記第１のスイッチ乃至前記第５のスイッチはトランジスタである半導体装置。
【請求項７】
請求項５において、前記第１のスイッチ乃至前記第５のスイッチはトランジスタであり、当該トランジスタは同じ導電型である半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、前記負荷は整流特性を有する表示素子である半導体装置。

【図１】