単位シャッタ機構、単位シャッタ機構を含むシャッタ構造物、及びシャッタ構造物を含む露光装置
【課題】相対的に簡単な構造を有する単位シャッタ機構を提供する。
【解決手段】単位シャッタ機構、単位シャッタ機構を含むシャッタ構造物、及びシャッタ構造物を含む露光装置において、単位シャッタ機構は、下部基板、下部基板上に位置する電極、電極の周縁の上に位置するスペーサ、スペーサの上に電極と離隔するように位置し、ホールが形成された第１ミラー、下部基板の上側に下部基板と対向するように位置する上部基板、及び上部基板の下部に位置し、ホールと重畳する第２ミラーを含む。
【解決手段】単位シャッタ機構、単位シャッタ機構を含むシャッタ構造物、及びシャッタ構造物を含む露光装置において、単位シャッタ機構は、下部基板、下部基板上に位置する電極、電極の周縁の上に位置するスペーサ、スペーサの上に電極と離隔するように位置し、ホールが形成された第１ミラー、下部基板の上側に下部基板と対向するように位置する上部基板、及び上部基板の下部に位置し、ホールと重畳する第２ミラーを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、単位シャッタ機構、単位シャッタ機構を含むシャッタ構造物、及び前記シャッタ構造物を含む露光装置に関する。より詳しくは、本発明は、露光分野で使用される単位シャッタ機構、単位シャッタ機構を含むシャッタ構造物、及び前記シャッタ構造物を含む露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子素子の集積度が増加することにより、電子素子を形成することに必要な露光技術も発展してきている。その結果、マスクパターンの形状を任意で変更可能なデジタル露光装置が開発されている。
【０００３】
従来のデジタル露光装置は、ＤＭＤ（ｄｉｇｉｔａｌ ｍｉｃｒｏ ｄｅｖｉｃｅ）、ＭＬＡ（ｍｉｃｒｏ ｌｅｎｓ ａｒｒａｙ）、ＳＦＡ（ｓｐａｔｉａｌ ｆｉｌｔｅｒ ａｒｒａｙ）など非常に複雑な構成部分を含んでおり、これらの配列が正確でなければ所望する性能を得ることができない。
【０００４】
したがって、デジタル露光装置の構造が複雑で、露光装置の製造に所要される費用が相対的に多かった。これだけでなく、所望する性能を達成するために、構成部分の配列を正確に測定し維持しなければならないという問題点があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、相対的に簡単な構造を有する単位シャッタ機構を提供することにある。
【０００６】
また、本発明の他の目的は、前記単位シャッタ機構を含むシャッタ構造物を提供することにある。
【０００７】
さらに、本発明の他の目的は、前記シャッタ構造物を含む露光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態によれば、単位シャッタ機構は、下部基板、下部基板の上に位置する電極、電極の周縁に位置するスペーサ、スペーサの上に電極と離隔するように位置し、ホールを有する第１ミラー、下部基板の上側に下部基板と対向するように位置する上部基板、及び上部基板に位置してホールと重畳する第２ミラーを含む。
【０００９】
単位シャッタ機構は、電極及び第１ミラーの間に電圧を印加する電圧印加部材をさらに含むことができる。電極及び第１ミラーの間に電圧が印加されると、第１ミラーはホールの形成された部分から電極に近くなって凹形状を有することができる。
【００１０】
第２ミラーは、上部基板の下部基板と対向する面の上に位置することができる。第２ミラーを第１ミラーの上に投影する時、第２ミラーの外郭線は第１ミラーの外郭線内側に位置することができる。
【００１１】
電極は透明性導電物質を含むことができる。第１ミラーのホールと重畳する開口を有して不透明物質を含む空間フィルタをさらに含むことができる。空間フィルタは電極及びスペーサの間に位置することができる。ここで、不透明物質は絶縁性を有することができる。空間フィルタは下部基板及び電極の間に位置することができる。これとは異なり、空間フィルタは下部基板の下部に位置することも可能である。
【００１２】
電極が透明性導電物質を含むこととは異なり、電極は不透明導電物質を含むことができ、第１ミラーのホールと重畳する開口を有することができる。
【００１３】
本発明の一実施形態によれば、シャッタ構造物は行と列方向に整列された複数の単位シャッタ機構を含むことができる。単位シャッタ機構は、下部基板、下部基板の上に位置する電極、電極の周縁に位置するスペーサ、スペーサの上に電極と離隔するように位置し、ホールを有する第１ミラー、下部基板の上側に下部基板と対向するように位置する上部基板、及び上部基板の下部に位置し、ホールと重畳する第２ミラーを含むことができる。
【００１４】
複数の電極は膜状で一体に形成され、複数の第１ミラーは互いに離隔するように形成できる。これとは異なり、複数の電極は互いに離隔するように形成され、複数の第１ミラーは互いに連結された形状を有することも可能である。これとは異なり、複数の電極は互いに離隔するように形成され、複数の第１ミラーは互いに離隔するように形成できる。
【００１５】
複数の上部基板は膜状で一体に形成され、複数の下部基板は膜状で一体に形成され、複数のスペーサは一体に形成できる。単位シャッタ機構は電極及び第１ミラーの間に電圧を印加する電圧印加部材をさらに含むことができる。
【００１６】
単位シャッタ機構は、電極及び第１ミラーの間に加えられる電圧により、第１ミラーはホールが形成された部分から電極に近くなる凹形状を有することができる。電圧は複数の単位シャッタ機構のうちの選択された一部の電極及び第１ミラーの間に加えられることができる。
【００１７】
本発明の一実施形態によれば、露光装置は平行光を発生する光源、平行光が提供されるシャッタ構造物、及びシャッタ構造物の下に形成され、平行光によってシャッタ構造物に形成された焦点を露光対象物上に投影する投影レンズ部を含む。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の実施形態によれば、従来のデジタル露光装置に含まれる構成部分とは異なり、相対的に簡単な構造を有する。したがって、小型化及び製造費用の節減が可能である。
【００１９】
また、従来のデジタル露光装置とは異なり、構成部分の配列を測定して調節する必要性が少ないので、配列の不一致による性能低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施形態によるオフ状態の単位シャッタ機構を説明するための断面図である。
【図２】図１に示した単位シャッタ機構の平面図である。
【図３】図１に示した単位シャッタ機構のオン状態を説明するための断面図である。
【図４】本発明の他の一実施形態による単位シャッタ機構を説明するための断面図である。
【図５】本発明のまた他の一実施形態による単位シャッタ機構を説明するための断面図である。
【図６】本発明のまた他の一実施形態による単位シャッタ機構を説明するための断面図である。
【図７】本発明のまた他の一実施形態による単位シャッタ機構を説明するための断面図である。
【図８】本発明の一実施形態によるシャッタ構造物を説明するための断面図である。
【図９】本発明の他の一実施形態によるシャッタ構造物を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態による露光装置を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
添付した図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。ここで、ｉ）添付した図面に示された形状、大きさ、比率、個数などは概略的なものであって、多少変更可能である。ｉｉ）図面は観察者の視線で示されるため、図面を説明する方向や位置は観察者の位置によって多様に変更され得る。ｉｉｉ）図面番号が異なっても同一の部分については同一の図面符号が使用し得る。ｉｖ）‘含む’、‘有する’、‘行われる’などの用語が使用される場合、‘〜だけ’を表記しない限り、他の部分が追加され得る。ｖ）単数と説明される場合、多数とも解釈可能である。ｖｉ）数値、形状、大きさの比較、位置関係などが‘約’、‘実質的’などと説明されなくても、通常の誤差範囲が含まれるように解釈される。ｖｉｉ）‘〜後’、‘〜前’、‘続いて’、‘そして’、‘ここで’、‘後続して’などの用語が使用されても、時間的位置を限定する意味で使用されない。ｖｉｉｉ）‘第１’、‘第２’などの用語は、単に区分の便宜のために選択的、交換的または反復的で使用され、限定的意味で解釈されない。ｉｘ）‘〜上に’、‘〜の上に’、‘〜上部に’、‘〜下部に’、‘側に’などのように、２つの部分の位置関係が説明される場合、‘直ちに’が表記されない限り、２つの部分間に１つ以上の他の部分が介在することもある。ｘ）複数の部分が‘〜または’で連結される場合、複数の部分を単独だけでなく組み合わせも含まれるように解釈するが‘〜または〜のうちの１つ’で連結される場合、部分を単独に解釈する。
【００２２】
図１は、本発明の一実施形態によるオフ状態の単位シャッタ機構を説明するための断面図である。図２は、図１に示された単位シャッタ機構の平面図である。
【００２３】
単位シャッタ機構とは、例えば１領域など露光を行う単位に対して構成された露光機構である。
図１及び２を参照すれば、単位シャッタ機構１００は、下部基板１０、電極１２、スペーサ１４、第１ミラー１６、上部基板１８、及び第２ミラー２０を含む。
【００２４】
下部基板１０は透明物質を含むことができる。例えば、透明物質は、シリカ（ｓｉｌｉｃａ）を含むガラス系物質であり得る。電極１２は下部基板１０の上に形成される。電極１２は透明性導電物質を含むことができる。例えば、透明性導電物質は、酸化インジウム錫（ＩＴＯ、ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ、ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）であり得る。
【００２５】
スペーサ１４は、電極１２の上に形成される。例えば、スペーサ１４は電極１２の周縁の上に形成できる。この場合、図２に示されるように、円柱状の空間Ｓがスペーサ１４によって定義できる。
【００２６】
第１ミラー１６は、スペーサ１４の上に形成される。第１ミラー１６は反射性導電物質を含むことができる。例えば、反射性導電物質はアルミニウム（Ａｌ、ａｌｕｍｉｎｕｍ）であり得る。
【００２７】
電極１２と第１ミラー１６との間にはスペーサ１４が位置するので、第１ミラー１６は電極１２と離隔する。具体的に、第１ミラー１６及び電極１２は、スペーサ１４によって定義される円柱状の空間Ｓによって離隔する。
【００２８】
第１ミラー１６は板（ｐｌａｔｅ）状を有する。そして、第１ミラー１６にはホールＨが形成できる。例えば、ホールＨは第１ミラー１６の中央部に形成できる。ここで、ホールＨは円柱状の空間Ｓと連通できる。
【００２９】
上部基板１８は、下部基板１０の上側に下部基板１０と対向するように位置する。上部基板１８は、下部基板１０と実質的に同一の物質を含むことができる。具体的に、下部基板１０は、シリカを含むガラス系物質のような透明物質を含むことができる。
【００３０】
上部基板１８には第２ミラー２０が形成できる。具体的に、上部基板１８の下部基板１０と対向する面の上に第２ミラー２０が形成できる。第２ミラー２０は第１ミラー１６と実質的に同一の物質を含むことができる。具体的に、第２ミラー２０はアルミニウムのような反射性導電物質を含むことができる。
【００３１】
第２ミラー２０は板形状を有しても良い。そして、第２ミラー２０を第１ミラーの上に投影する時、第２ミラー２０の外郭線は第１ミラー１６の外郭線の内側に位置するように備えられる。
【００３２】
例えば、第２ミラー２０は、第１ミラー１６に形成されたホールＨと重畳（ｏｖｅｒｌａｐ）できる。具体的に、第２ミラー２０は、第１ミラー１６に形成されたホールＨより大きい幅を有し、第１ミラー１６に形成されたホールＨの全部分が第２ミラー２０と重畳することができる。例えば、図２に示すように、円形状の空間Ｓ、第２ミラー２０、ホールＨが、各中心が同一軸上にある同心円である場合、空間Ｓの半径＞第２ミラー２０の半径＞ホールＨの半径となり得る。
【００３３】
単位シャッタ機構１００は、電極１２及び第１ミラー１６に電圧を印加する電圧印加部材（図示せず）を含むことができる。そして、電圧印加部材はトランジスタのようなスイッチング素子を含むことができる。
【００３４】
以下、単位シャッタ機構１００のオフ状態について説明する。
【００３５】
オフ状態のとき、電極１２及び第１ミラー１６に電圧が印加されない。この場合、電極１２及び第１ミラー１６に引力が発生しないので、第１ミラー１６は板状を維持する。
【００３６】
次に、平行光が上部基板１８に提供される。平行光は、上部基板１８の第２ミラー２０が形成された部分に提供される第１光線Ｌ１、及び第２ミラー２０が形成されない部分に提供される第２光線Ｌ２を含む。
【００３７】
第１光線Ｌ１は、第２ミラー２０によって反射し、単位シャッタ機構１００の外部に出光する。第２光線Ｌ２は単位シャッタ機構１００の内部に提供されるが、第１ミラー１６によって反射して単位シャッタ機構１００の外部に出光する。
【００３８】
結果的に、上部基板１８に提供された平行光は全て単位シャッタ機構１００を透過することができない。つまり、いずれの平行光も第１ミラー１６に形成されたホールＨに到達しないので、単位シャッタ機構１００はオフ状態を有する。
【００３９】
これは、第２ミラー２０が第１ミラー１６に形成されたホールＨより大きい幅を有し、第１ミラー１６に形成されたホールＨの全部分は第２ミラー２０と重畳しており、また第１ミラー１６が板状を有するために第１ミラー１６の板面上に入射された平行光は傾斜することなくそのまま出射されるためである。
【００４０】
図３は、図１に示された単位シャッタ機構のオン状態を説明するための断面図である。
【００４１】
図３を参照すれば、電圧印加部材を通じて電極１２及び第１ミラー１６に電圧Ｖが印加される。この場合、電極１２及び第１ミラー１６に引力が発生するので、第１ミラー１６はホールＨが形成された部分が最も電極１２に近くなるように凹形状を有するようになる。このようにホールＨが形成された部分が最も電極１２に近くなるのは、第１ミラー１６の周縁部はスペーサ１４によって支持されているが、ホールＨはスペーサ１４からの距離が最も遠く支持されていないため、第１ミラー１６に電極１２方向の引力がかかるとホールＨの部分において撓むためである。
【００４２】
次に、平行光が上部基板１８に提供される。平行光は、上部基板１８の第２ミラー２０が形成された部分に提供される第１光線Ｌ１、及び第２ミラー２０が形成されない部分に提供される第２光線Ｌ２を含む。
【００４３】
平行光が上部基板１８に提供されると、第１光線Ｌ１は、第２ミラー２０によって反射して単位シャッタ機構１００の外部に出光する。第２光線Ｌ２は単位シャッタ機構１００の内部に提供される。その後、第２光線Ｌ２は、凹形状を有する第１ミラー１６によって反射されて第２ミラー２０に提供される。このとき、第１ミラー１６が凹形状を有するために、凹形状の面に対して第２光線Ｌ２が反射されることで、第２光線Ｌ２は第２ミラー２０の方向に向かうこととなる。そして、第２光線Ｌ２は、第２ミラー２０に到達すると、第２ミラー２０により反射され、その後、第１ミラー１６に形成されたホールＨに提供され、ホールＨの内部に焦点Ｆを形成しながらホールＨを通過する。したがって、単位シャッタ機構１００はオン状態を有する。なお、露光対象物はホールＨを通過した光の方向に配置されているものとする。ここで、電極１２及び第１ミラー１６間に印加される電圧Ｖは、第２ミラー２０及び第１ミラー１６により反射される第２光線Ｌ２が焦点Ｆを形成しながらホールＨを通過する程度に、第１ミラー１６を板状から凹形状へと変形させる電圧値を有するものとする。
【００４４】
図４は、本発明の他の一実施形態による単位シャッタ機構を説明するための断面図である。
【００４５】
本実施形態による単位シャッタ機構２００は、空間フィルタ２２をさらに含むことを除いては、図１に説明された単位シャッタ機構１００と実質的に同一である。したがって、同一の部分については同一の参照符号を付け、これに対する説明は省略する。
【００４６】
図４を参照すれば、単位シャッタ機構２００は、電極１２及びスペーサ１４の間に位置する空間フィルタ２２をさらに含む。空間フィルタ２２は、例えば不透明物質を含むことができ、空間フィルタ２２に到達した光を吸収する物質を含むことができる。空間フィルタ２２は第１ミラー１６に形成されたホールＨと重畳する開口Ｐを有する。具体的に、開口ＰはホールＨの下に位置し、ホールＨの幅より相対的に小さい幅を有することができる。
【００４７】
空間フィルタ２２を採用する場合、開口Ｐに焦点Ｆが形成され、開口Ｐを通過することのできない周辺光線はノイズ（ｎｏｉｓｅ）として除去されるので、解像度（ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）を増加させることができる。
【００４８】
また、本実施形態で空間フィルタ２２に含まれている不透明物質は絶縁性を有しても良い。この場合、電極１２及び第１ミラー１６に電圧Ｖが印加されて第１ミラー１６が凹形状を有するオンの状態になっても、空間フィルタ２２が電極１２及び第１ミラー１６の間に位置するので、電極１２及び第１ミラー１６間の電気的短絡（ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｓｈｏｒｔ）を防止することができる。
【００４９】
図５は、本発明のまた他の一実施形態による単位シャッタ機構を説明するための断面図である。
【００５０】
本実施形態による単位シャッタ機構３００は、空間フィルタ２２の位置を除いては図４で説明された単位シャッタ機構２００と実質的に同一である。したがって、同一の部分については同一の参照符号を付け、これに対する説明は省略する。
【００５１】
図５を参照すれば、単位シャッタ機構３００に含まれる空間フィルタ２２の位置は、下部基板１０及び電極１２の間である。この場合、空間フィルタ２２が第１ミラー１６と電極１２との間に介在しないため、第１ミラー１６と電極１２との間の電圧差が相対的に小さい場合であっても、単位シャッタ機構３００がオンの状態となり得る。
【００５２】
図６は、本発明のまた他の一実施形態による単位シャッタ機構を説明するための断面図である。
【００５３】
本実施形態による単位シャッタ機構４００は、空間フィルタ２２の位置を除いて図４で説明された単位シャッタ機構２００と実質的に同一である。したがって、同一の部分については同一の参照符号を付け、これに対する説明は省略する。
【００５４】
図６を参照すれば、単位シャッタ機構４００に含まれる空間フィルタ２２の位置は下部基板１０の下部である。具体的に、下部基板１０の下部表面の上に空間フィルタ２２が形成される。この場合、空間フィルタ２２が第１ミラー１６と電極１２との間に介在しないので、第１ミラー１６と電極１２との間の電圧差が相対的に小さい場合であっても、単位シャッタ機構４００がオンの状態になり得る。また、本実施形態では空間フィルタ２２が下部基板１０の下に位置する。一方、図５では、空間フィルタ２２の下に下部基板１０が位置する。そのため、図５では、空間フィルタ２２の開口Ｐで焦点Ｆが形成されても、焦点Ｆから下部基板１０方向に向かう光が下部基板１０を通過することによって光の解像度が低下する。しかし、図６では、焦点Ｆからの光は下部基板１０を通過することなく露光対象物の方向へ向かうため、下部基板１０の通過による光の解像度低下を抑えることができる。
【００５５】
図７は、本発明のまた他の一実施形態による単位シャッタ機構を説明するための断面図である。
【００５６】
本実施形態による単位シャッタ機構５００は、電極３２を除いて図１に説明された単位シャッタ機構１００と実質的に同一である。したがって、同一の部分については同一の参照符号を付け、これに対する説明は省略する。
【００５７】
図７を参照すれば、電極３２は、下部基板１０及びスペーサ１４の間に不透明導電物質を用いて形成される。電極３２には、第１ミラー１６のホールＨと垂直方向に重畳する開口Ｐが形成される。
【００５８】
本実施形態では、電極３２が不透明導電物質を含み光を吸収する特性を有するので、図１、図３、図４、図５及び図６に示された電極１２の役割を果たすと同時に、図４、図５及び図６に示された空間フィルタ２２の役割を果たす。したがって、単位シャッタ機構５００の構造を単純化することができる。
【００５９】
図８は、本発明の一実施形態によるシャッタ構造物を説明するための断面図である。
【００６０】
図８を参照すれば、シャッタ構造物６００は、図１乃至図３で説明された複数の単位シャッタ機構１００を含む。単位シャッタ機構１００については図１乃至図３で説明したので、これに対する説明は省略する。
【００６１】
シャッタ構造物６００に含まれる単位シャッタ機構１００は、行と列方向に整列される。例えば、単位シャッタ機構１００はマトリックス状に整列できる。単位シャッタ機構１００は、それぞれ独立的に駆動可能である。つまり、複数の単位シャッタ機構１００のうちの一部はオンの状態を有し、他の一部はオフ状態を有することができる。したがって、多様な形態で露光を行い、多様なパターン形成が実現可能である。
【００６２】
図１及び図８を再び参照すれば、シャッタ構造物６００において、各単位シャッタ機構の下部基板１０どうしは膜状で一体に形成でき、同様に各単位シャッタ機構の上部基板１８も膜状で一体に形成できる。また、各単位シャッタ機構のスペーサ１４は一体に形成でき、例えば図９に示すように、隣接する単位シャッタ機構のスペーサ１４を共有することができる。各単位シャッタ機構の第２ミラー２０は互いに離隔するように形成できる。
【００６３】
ここで、各単位シャッタ機構の電極１２は膜状で一体に形成される。しかし、各単位シャッタ機構の第１ミラー１６はそれぞれ互いに離隔するように形成される。したがって、それぞれの単位シャッタ機構１００ごとに電圧を独立的に印加させ、各単位シャッタ機構１００を選択的に駆動させることが可能である。例えば、電極１２をグラウンドと接続し、第１ミラー１６のうちの選択された一部にだけ電圧を印加することで、選択的な駆動を実現することができる。
【００６４】
本実施形態によるシャッタ構造物６００は、図１乃至図３で説明された単位シャッタ機構１００を含むが、図４に示された単位シャッタ機構２００、図５に示された単位シャッタ機構３００、図６に示された単位シャッタ機構４００、または図７に示された単位シャッタ機構５００を含むことができる。
【００６５】
図９は、本発明の他の一実施形態によるシャッタ構造物７００を説明するための断面図である。
【００６６】
本実施形態によるシャッタ構造物７００は、電極１２及び第１ミラー１６の全体的な形状を除いては図８に示されたシャッタ構造物８００と実質的に同一である。したがって、反復される説明は省略する。
【００６７】
図１及び図９を再び参照すれば、ここで、電極１２は互いに離隔するように形成される。しかし、第１ミラー１６は一体に形成することも可能である。つまり、いずれか１つの単位シャッタ機構１００の第１ミラー１６は、隣接した単位シャッタ機構１００の第１ミラー１６と連結された形状を有する。したがって、それぞれの単位シャッタ機構１００ごとに電圧を独立的に印加させ、単位シャッタ機構１００を選択的に駆動させることができる。例えば、第１ミラー１６をグラウンドと接続し、電極１２のうちの選択された一部にだけ電圧を印加することで、選択的な駆動を実現することができる。
【００６８】
本発明の他の実施形態によれば、単位シャッタ機構１００を選択的に駆動させるために、電極１２を互いに離隔するように形成し、第１ミラー１６も互いに離隔するように形成することができる。
【００６９】
図１０は、本発明の一実施形態による露光装置を説明するための断面図である。
【００７０】
図１０を参照すれば、露光装置８００は、光源５０、図８に示されたシャッタ構造物６００、及び投影レンズ部６０を含む。
【００７１】
光源５０は平行光を発生する。平行光は光源５０の下に位置したシャッタ構造物６００に提供される。シャッタ構造物６００については図８に説明したので、これに対する説明は省略する。投影レンズ部６０は、シャッタ構造物６００の下に形成される。投影レンズ部６０は、シャッタ構造物６００に形成された焦点Ｆを露光対象物Ｔ上に投影する。
【００７２】
本実施形態で、露光装置８００は図８に示されたシャッタ構造物６００を含むが、図９に示されたシャッタ構造物７００を含むことも可能である。
【００７３】
以上、本発明の実施形態について説明したが、実施形態は単に下記の特許請求の範囲に記載された本発明の保護範囲を説明するための‘例’であり、本発明の保護範囲を限定しない。また、本発明の保護範囲は特許請求の範囲と技術的に均等な範囲まで拡大することができる。
【符号の説明】
【００７４】
１０ 下部基板
１２ 電極
１４ スペーサ
１６ 第１ミラー
１８ 上部基板
２０ 第２ミラー
２２ 空間フィルタ
３２ 電極
５０ 光源
６０ 投影レンズ部
１００、２００、３００、４００、５００ 単位シャッタ機構
６００、７００ シャッタ構造物
８００ 露光装置
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、単位シャッタ機構、単位シャッタ機構を含むシャッタ構造物、及び前記シャッタ構造物を含む露光装置に関する。より詳しくは、本発明は、露光分野で使用される単位シャッタ機構、単位シャッタ機構を含むシャッタ構造物、及び前記シャッタ構造物を含む露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子素子の集積度が増加することにより、電子素子を形成することに必要な露光技術も発展してきている。その結果、マスクパターンの形状を任意で変更可能なデジタル露光装置が開発されている。
【０００３】
従来のデジタル露光装置は、ＤＭＤ（ｄｉｇｉｔａｌ ｍｉｃｒｏ ｄｅｖｉｃｅ）、ＭＬＡ（ｍｉｃｒｏ ｌｅｎｓ ａｒｒａｙ）、ＳＦＡ（ｓｐａｔｉａｌ ｆｉｌｔｅｒ ａｒｒａｙ）など非常に複雑な構成部分を含んでおり、これらの配列が正確でなければ所望する性能を得ることができない。
【０００４】
したがって、デジタル露光装置の構造が複雑で、露光装置の製造に所要される費用が相対的に多かった。これだけでなく、所望する性能を達成するために、構成部分の配列を正確に測定し維持しなければならないという問題点があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、相対的に簡単な構造を有する単位シャッタ機構を提供することにある。
【０００６】
また、本発明の他の目的は、前記単位シャッタ機構を含むシャッタ構造物を提供することにある。
【０００７】
さらに、本発明の他の目的は、前記シャッタ構造物を含む露光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態によれば、単位シャッタ機構は、下部基板、下部基板の上に位置する電極、電極の周縁に位置するスペーサ、スペーサの上に電極と離隔するように位置し、ホールを有する第１ミラー、下部基板の上側に下部基板と対向するように位置する上部基板、及び上部基板に位置してホールと重畳する第２ミラーを含む。
【０００９】
単位シャッタ機構は、電極及び第１ミラーの間に電圧を印加する電圧印加部材をさらに含むことができる。電極及び第１ミラーの間に電圧が印加されると、第１ミラーはホールの形成された部分から電極に近くなって凹形状を有することができる。
【００１０】
第２ミラーは、上部基板の下部基板と対向する面の上に位置することができる。第２ミラーを第１ミラーの上に投影する時、第２ミラーの外郭線は第１ミラーの外郭線内側に位置することができる。
【００１１】
電極は透明性導電物質を含むことができる。第１ミラーのホールと重畳する開口を有して不透明物質を含む空間フィルタをさらに含むことができる。空間フィルタは電極及びスペーサの間に位置することができる。ここで、不透明物質は絶縁性を有することができる。空間フィルタは下部基板及び電極の間に位置することができる。これとは異なり、空間フィルタは下部基板の下部に位置することも可能である。
【００１２】
電極が透明性導電物質を含むこととは異なり、電極は不透明導電物質を含むことができ、第１ミラーのホールと重畳する開口を有することができる。
【００１３】
本発明の一実施形態によれば、シャッタ構造物は行と列方向に整列された複数の単位シャッタ機構を含むことができる。単位シャッタ機構は、下部基板、下部基板の上に位置する電極、電極の周縁に位置するスペーサ、スペーサの上に電極と離隔するように位置し、ホールを有する第１ミラー、下部基板の上側に下部基板と対向するように位置する上部基板、及び上部基板の下部に位置し、ホールと重畳する第２ミラーを含むことができる。
【００１４】
複数の電極は膜状で一体に形成され、複数の第１ミラーは互いに離隔するように形成できる。これとは異なり、複数の電極は互いに離隔するように形成され、複数の第１ミラーは互いに連結された形状を有することも可能である。これとは異なり、複数の電極は互いに離隔するように形成され、複数の第１ミラーは互いに離隔するように形成できる。
【００１５】
複数の上部基板は膜状で一体に形成され、複数の下部基板は膜状で一体に形成され、複数のスペーサは一体に形成できる。単位シャッタ機構は電極及び第１ミラーの間に電圧を印加する電圧印加部材をさらに含むことができる。
【００１６】
単位シャッタ機構は、電極及び第１ミラーの間に加えられる電圧により、第１ミラーはホールが形成された部分から電極に近くなる凹形状を有することができる。電圧は複数の単位シャッタ機構のうちの選択された一部の電極及び第１ミラーの間に加えられることができる。
【００１７】
本発明の一実施形態によれば、露光装置は平行光を発生する光源、平行光が提供されるシャッタ構造物、及びシャッタ構造物の下に形成され、平行光によってシャッタ構造物に形成された焦点を露光対象物上に投影する投影レンズ部を含む。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の実施形態によれば、従来のデジタル露光装置に含まれる構成部分とは異なり、相対的に簡単な構造を有する。したがって、小型化及び製造費用の節減が可能である。
【００１９】
また、従来のデジタル露光装置とは異なり、構成部分の配列を測定して調節する必要性が少ないので、配列の不一致による性能低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施形態によるオフ状態の単位シャッタ機構を説明するための断面図である。
【図２】図１に示した単位シャッタ機構の平面図である。
【図３】図１に示した単位シャッタ機構のオン状態を説明するための断面図である。
【図４】本発明の他の一実施形態による単位シャッタ機構を説明するための断面図である。
【図５】本発明のまた他の一実施形態による単位シャッタ機構を説明するための断面図である。
【図６】本発明のまた他の一実施形態による単位シャッタ機構を説明するための断面図である。
【図７】本発明のまた他の一実施形態による単位シャッタ機構を説明するための断面図である。
【図８】本発明の一実施形態によるシャッタ構造物を説明するための断面図である。
【図９】本発明の他の一実施形態によるシャッタ構造物を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態による露光装置を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
添付した図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。ここで、ｉ）添付した図面に示された形状、大きさ、比率、個数などは概略的なものであって、多少変更可能である。ｉｉ）図面は観察者の視線で示されるため、図面を説明する方向や位置は観察者の位置によって多様に変更され得る。ｉｉｉ）図面番号が異なっても同一の部分については同一の図面符号が使用し得る。ｉｖ）‘含む’、‘有する’、‘行われる’などの用語が使用される場合、‘〜だけ’を表記しない限り、他の部分が追加され得る。ｖ）単数と説明される場合、多数とも解釈可能である。ｖｉ）数値、形状、大きさの比較、位置関係などが‘約’、‘実質的’などと説明されなくても、通常の誤差範囲が含まれるように解釈される。ｖｉｉ）‘〜後’、‘〜前’、‘続いて’、‘そして’、‘ここで’、‘後続して’などの用語が使用されても、時間的位置を限定する意味で使用されない。ｖｉｉｉ）‘第１’、‘第２’などの用語は、単に区分の便宜のために選択的、交換的または反復的で使用され、限定的意味で解釈されない。ｉｘ）‘〜上に’、‘〜の上に’、‘〜上部に’、‘〜下部に’、‘側に’などのように、２つの部分の位置関係が説明される場合、‘直ちに’が表記されない限り、２つの部分間に１つ以上の他の部分が介在することもある。ｘ）複数の部分が‘〜または’で連結される場合、複数の部分を単独だけでなく組み合わせも含まれるように解釈するが‘〜または〜のうちの１つ’で連結される場合、部分を単独に解釈する。
【００２２】
図１は、本発明の一実施形態によるオフ状態の単位シャッタ機構を説明するための断面図である。図２は、図１に示された単位シャッタ機構の平面図である。
【００２３】
単位シャッタ機構とは、例えば１領域など露光を行う単位に対して構成された露光機構である。
図１及び２を参照すれば、単位シャッタ機構１００は、下部基板１０、電極１２、スペーサ１４、第１ミラー１６、上部基板１８、及び第２ミラー２０を含む。
【００２４】
下部基板１０は透明物質を含むことができる。例えば、透明物質は、シリカ（ｓｉｌｉｃａ）を含むガラス系物質であり得る。電極１２は下部基板１０の上に形成される。電極１２は透明性導電物質を含むことができる。例えば、透明性導電物質は、酸化インジウム錫（ＩＴＯ、ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ、ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）であり得る。
【００２５】
スペーサ１４は、電極１２の上に形成される。例えば、スペーサ１４は電極１２の周縁の上に形成できる。この場合、図２に示されるように、円柱状の空間Ｓがスペーサ１４によって定義できる。
【００２６】
第１ミラー１６は、スペーサ１４の上に形成される。第１ミラー１６は反射性導電物質を含むことができる。例えば、反射性導電物質はアルミニウム（Ａｌ、ａｌｕｍｉｎｕｍ）であり得る。
【００２７】
電極１２と第１ミラー１６との間にはスペーサ１４が位置するので、第１ミラー１６は電極１２と離隔する。具体的に、第１ミラー１６及び電極１２は、スペーサ１４によって定義される円柱状の空間Ｓによって離隔する。
【００２８】
第１ミラー１６は板（ｐｌａｔｅ）状を有する。そして、第１ミラー１６にはホールＨが形成できる。例えば、ホールＨは第１ミラー１６の中央部に形成できる。ここで、ホールＨは円柱状の空間Ｓと連通できる。
【００２９】
上部基板１８は、下部基板１０の上側に下部基板１０と対向するように位置する。上部基板１８は、下部基板１０と実質的に同一の物質を含むことができる。具体的に、下部基板１０は、シリカを含むガラス系物質のような透明物質を含むことができる。
【００３０】
上部基板１８には第２ミラー２０が形成できる。具体的に、上部基板１８の下部基板１０と対向する面の上に第２ミラー２０が形成できる。第２ミラー２０は第１ミラー１６と実質的に同一の物質を含むことができる。具体的に、第２ミラー２０はアルミニウムのような反射性導電物質を含むことができる。
【００３１】
第２ミラー２０は板形状を有しても良い。そして、第２ミラー２０を第１ミラーの上に投影する時、第２ミラー２０の外郭線は第１ミラー１６の外郭線の内側に位置するように備えられる。
【００３２】
例えば、第２ミラー２０は、第１ミラー１６に形成されたホールＨと重畳（ｏｖｅｒｌａｐ）できる。具体的に、第２ミラー２０は、第１ミラー１６に形成されたホールＨより大きい幅を有し、第１ミラー１６に形成されたホールＨの全部分が第２ミラー２０と重畳することができる。例えば、図２に示すように、円形状の空間Ｓ、第２ミラー２０、ホールＨが、各中心が同一軸上にある同心円である場合、空間Ｓの半径＞第２ミラー２０の半径＞ホールＨの半径となり得る。
【００３３】
単位シャッタ機構１００は、電極１２及び第１ミラー１６に電圧を印加する電圧印加部材（図示せず）を含むことができる。そして、電圧印加部材はトランジスタのようなスイッチング素子を含むことができる。
【００３４】
以下、単位シャッタ機構１００のオフ状態について説明する。
【００３５】
オフ状態のとき、電極１２及び第１ミラー１６に電圧が印加されない。この場合、電極１２及び第１ミラー１６に引力が発生しないので、第１ミラー１６は板状を維持する。
【００３６】
次に、平行光が上部基板１８に提供される。平行光は、上部基板１８の第２ミラー２０が形成された部分に提供される第１光線Ｌ１、及び第２ミラー２０が形成されない部分に提供される第２光線Ｌ２を含む。
【００３７】
第１光線Ｌ１は、第２ミラー２０によって反射し、単位シャッタ機構１００の外部に出光する。第２光線Ｌ２は単位シャッタ機構１００の内部に提供されるが、第１ミラー１６によって反射して単位シャッタ機構１００の外部に出光する。
【００３８】
結果的に、上部基板１８に提供された平行光は全て単位シャッタ機構１００を透過することができない。つまり、いずれの平行光も第１ミラー１６に形成されたホールＨに到達しないので、単位シャッタ機構１００はオフ状態を有する。
【００３９】
これは、第２ミラー２０が第１ミラー１６に形成されたホールＨより大きい幅を有し、第１ミラー１６に形成されたホールＨの全部分は第２ミラー２０と重畳しており、また第１ミラー１６が板状を有するために第１ミラー１６の板面上に入射された平行光は傾斜することなくそのまま出射されるためである。
【００４０】
図３は、図１に示された単位シャッタ機構のオン状態を説明するための断面図である。
【００４１】
図３を参照すれば、電圧印加部材を通じて電極１２及び第１ミラー１６に電圧Ｖが印加される。この場合、電極１２及び第１ミラー１６に引力が発生するので、第１ミラー１６はホールＨが形成された部分が最も電極１２に近くなるように凹形状を有するようになる。このようにホールＨが形成された部分が最も電極１２に近くなるのは、第１ミラー１６の周縁部はスペーサ１４によって支持されているが、ホールＨはスペーサ１４からの距離が最も遠く支持されていないため、第１ミラー１６に電極１２方向の引力がかかるとホールＨの部分において撓むためである。
【００４２】
次に、平行光が上部基板１８に提供される。平行光は、上部基板１８の第２ミラー２０が形成された部分に提供される第１光線Ｌ１、及び第２ミラー２０が形成されない部分に提供される第２光線Ｌ２を含む。
【００４３】
平行光が上部基板１８に提供されると、第１光線Ｌ１は、第２ミラー２０によって反射して単位シャッタ機構１００の外部に出光する。第２光線Ｌ２は単位シャッタ機構１００の内部に提供される。その後、第２光線Ｌ２は、凹形状を有する第１ミラー１６によって反射されて第２ミラー２０に提供される。このとき、第１ミラー１６が凹形状を有するために、凹形状の面に対して第２光線Ｌ２が反射されることで、第２光線Ｌ２は第２ミラー２０の方向に向かうこととなる。そして、第２光線Ｌ２は、第２ミラー２０に到達すると、第２ミラー２０により反射され、その後、第１ミラー１６に形成されたホールＨに提供され、ホールＨの内部に焦点Ｆを形成しながらホールＨを通過する。したがって、単位シャッタ機構１００はオン状態を有する。なお、露光対象物はホールＨを通過した光の方向に配置されているものとする。ここで、電極１２及び第１ミラー１６間に印加される電圧Ｖは、第２ミラー２０及び第１ミラー１６により反射される第２光線Ｌ２が焦点Ｆを形成しながらホールＨを通過する程度に、第１ミラー１６を板状から凹形状へと変形させる電圧値を有するものとする。
【００４４】
図４は、本発明の他の一実施形態による単位シャッタ機構を説明するための断面図である。
【００４５】
本実施形態による単位シャッタ機構２００は、空間フィルタ２２をさらに含むことを除いては、図１に説明された単位シャッタ機構１００と実質的に同一である。したがって、同一の部分については同一の参照符号を付け、これに対する説明は省略する。
【００４６】
図４を参照すれば、単位シャッタ機構２００は、電極１２及びスペーサ１４の間に位置する空間フィルタ２２をさらに含む。空間フィルタ２２は、例えば不透明物質を含むことができ、空間フィルタ２２に到達した光を吸収する物質を含むことができる。空間フィルタ２２は第１ミラー１６に形成されたホールＨと重畳する開口Ｐを有する。具体的に、開口ＰはホールＨの下に位置し、ホールＨの幅より相対的に小さい幅を有することができる。
【００４７】
空間フィルタ２２を採用する場合、開口Ｐに焦点Ｆが形成され、開口Ｐを通過することのできない周辺光線はノイズ（ｎｏｉｓｅ）として除去されるので、解像度（ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）を増加させることができる。
【００４８】
また、本実施形態で空間フィルタ２２に含まれている不透明物質は絶縁性を有しても良い。この場合、電極１２及び第１ミラー１６に電圧Ｖが印加されて第１ミラー１６が凹形状を有するオンの状態になっても、空間フィルタ２２が電極１２及び第１ミラー１６の間に位置するので、電極１２及び第１ミラー１６間の電気的短絡（ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｓｈｏｒｔ）を防止することができる。
【００４９】
図５は、本発明のまた他の一実施形態による単位シャッタ機構を説明するための断面図である。
【００５０】
本実施形態による単位シャッタ機構３００は、空間フィルタ２２の位置を除いては図４で説明された単位シャッタ機構２００と実質的に同一である。したがって、同一の部分については同一の参照符号を付け、これに対する説明は省略する。
【００５１】
図５を参照すれば、単位シャッタ機構３００に含まれる空間フィルタ２２の位置は、下部基板１０及び電極１２の間である。この場合、空間フィルタ２２が第１ミラー１６と電極１２との間に介在しないため、第１ミラー１６と電極１２との間の電圧差が相対的に小さい場合であっても、単位シャッタ機構３００がオンの状態となり得る。
【００５２】
図６は、本発明のまた他の一実施形態による単位シャッタ機構を説明するための断面図である。
【００５３】
本実施形態による単位シャッタ機構４００は、空間フィルタ２２の位置を除いて図４で説明された単位シャッタ機構２００と実質的に同一である。したがって、同一の部分については同一の参照符号を付け、これに対する説明は省略する。
【００５４】
図６を参照すれば、単位シャッタ機構４００に含まれる空間フィルタ２２の位置は下部基板１０の下部である。具体的に、下部基板１０の下部表面の上に空間フィルタ２２が形成される。この場合、空間フィルタ２２が第１ミラー１６と電極１２との間に介在しないので、第１ミラー１６と電極１２との間の電圧差が相対的に小さい場合であっても、単位シャッタ機構４００がオンの状態になり得る。また、本実施形態では空間フィルタ２２が下部基板１０の下に位置する。一方、図５では、空間フィルタ２２の下に下部基板１０が位置する。そのため、図５では、空間フィルタ２２の開口Ｐで焦点Ｆが形成されても、焦点Ｆから下部基板１０方向に向かう光が下部基板１０を通過することによって光の解像度が低下する。しかし、図６では、焦点Ｆからの光は下部基板１０を通過することなく露光対象物の方向へ向かうため、下部基板１０の通過による光の解像度低下を抑えることができる。
【００５５】
図７は、本発明のまた他の一実施形態による単位シャッタ機構を説明するための断面図である。
【００５６】
本実施形態による単位シャッタ機構５００は、電極３２を除いて図１に説明された単位シャッタ機構１００と実質的に同一である。したがって、同一の部分については同一の参照符号を付け、これに対する説明は省略する。
【００５７】
図７を参照すれば、電極３２は、下部基板１０及びスペーサ１４の間に不透明導電物質を用いて形成される。電極３２には、第１ミラー１６のホールＨと垂直方向に重畳する開口Ｐが形成される。
【００５８】
本実施形態では、電極３２が不透明導電物質を含み光を吸収する特性を有するので、図１、図３、図４、図５及び図６に示された電極１２の役割を果たすと同時に、図４、図５及び図６に示された空間フィルタ２２の役割を果たす。したがって、単位シャッタ機構５００の構造を単純化することができる。
【００５９】
図８は、本発明の一実施形態によるシャッタ構造物を説明するための断面図である。
【００６０】
図８を参照すれば、シャッタ構造物６００は、図１乃至図３で説明された複数の単位シャッタ機構１００を含む。単位シャッタ機構１００については図１乃至図３で説明したので、これに対する説明は省略する。
【００６１】
シャッタ構造物６００に含まれる単位シャッタ機構１００は、行と列方向に整列される。例えば、単位シャッタ機構１００はマトリックス状に整列できる。単位シャッタ機構１００は、それぞれ独立的に駆動可能である。つまり、複数の単位シャッタ機構１００のうちの一部はオンの状態を有し、他の一部はオフ状態を有することができる。したがって、多様な形態で露光を行い、多様なパターン形成が実現可能である。
【００６２】
図１及び図８を再び参照すれば、シャッタ構造物６００において、各単位シャッタ機構の下部基板１０どうしは膜状で一体に形成でき、同様に各単位シャッタ機構の上部基板１８も膜状で一体に形成できる。また、各単位シャッタ機構のスペーサ１４は一体に形成でき、例えば図９に示すように、隣接する単位シャッタ機構のスペーサ１４を共有することができる。各単位シャッタ機構の第２ミラー２０は互いに離隔するように形成できる。
【００６３】
ここで、各単位シャッタ機構の電極１２は膜状で一体に形成される。しかし、各単位シャッタ機構の第１ミラー１６はそれぞれ互いに離隔するように形成される。したがって、それぞれの単位シャッタ機構１００ごとに電圧を独立的に印加させ、各単位シャッタ機構１００を選択的に駆動させることが可能である。例えば、電極１２をグラウンドと接続し、第１ミラー１６のうちの選択された一部にだけ電圧を印加することで、選択的な駆動を実現することができる。
【００６４】
本実施形態によるシャッタ構造物６００は、図１乃至図３で説明された単位シャッタ機構１００を含むが、図４に示された単位シャッタ機構２００、図５に示された単位シャッタ機構３００、図６に示された単位シャッタ機構４００、または図７に示された単位シャッタ機構５００を含むことができる。
【００６５】
図９は、本発明の他の一実施形態によるシャッタ構造物７００を説明するための断面図である。
【００６６】
本実施形態によるシャッタ構造物７００は、電極１２及び第１ミラー１６の全体的な形状を除いては図８に示されたシャッタ構造物８００と実質的に同一である。したがって、反復される説明は省略する。
【００６７】
図１及び図９を再び参照すれば、ここで、電極１２は互いに離隔するように形成される。しかし、第１ミラー１６は一体に形成することも可能である。つまり、いずれか１つの単位シャッタ機構１００の第１ミラー１６は、隣接した単位シャッタ機構１００の第１ミラー１６と連結された形状を有する。したがって、それぞれの単位シャッタ機構１００ごとに電圧を独立的に印加させ、単位シャッタ機構１００を選択的に駆動させることができる。例えば、第１ミラー１６をグラウンドと接続し、電極１２のうちの選択された一部にだけ電圧を印加することで、選択的な駆動を実現することができる。
【００６８】
本発明の他の実施形態によれば、単位シャッタ機構１００を選択的に駆動させるために、電極１２を互いに離隔するように形成し、第１ミラー１６も互いに離隔するように形成することができる。
【００６９】
図１０は、本発明の一実施形態による露光装置を説明するための断面図である。
【００７０】
図１０を参照すれば、露光装置８００は、光源５０、図８に示されたシャッタ構造物６００、及び投影レンズ部６０を含む。
【００７１】
光源５０は平行光を発生する。平行光は光源５０の下に位置したシャッタ構造物６００に提供される。シャッタ構造物６００については図８に説明したので、これに対する説明は省略する。投影レンズ部６０は、シャッタ構造物６００の下に形成される。投影レンズ部６０は、シャッタ構造物６００に形成された焦点Ｆを露光対象物Ｔ上に投影する。
【００７２】
本実施形態で、露光装置８００は図８に示されたシャッタ構造物６００を含むが、図９に示されたシャッタ構造物７００を含むことも可能である。
【００７３】
以上、本発明の実施形態について説明したが、実施形態は単に下記の特許請求の範囲に記載された本発明の保護範囲を説明するための‘例’であり、本発明の保護範囲を限定しない。また、本発明の保護範囲は特許請求の範囲と技術的に均等な範囲まで拡大することができる。
【符号の説明】
【００７４】
１０ 下部基板
１２ 電極
１４ スペーサ
１６ 第１ミラー
１８ 上部基板
２０ 第２ミラー
２２ 空間フィルタ
３２ 電極
５０ 光源
６０ 投影レンズ部
１００、２００、３００、４００、５００ 単位シャッタ機構
６００、７００ シャッタ構造物
８００ 露光装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部基板、
前記下部基板の上に位置する電極、
前記電極の周縁に位置するスペーサ、
前記スペーサの上に前記電極と離隔するように位置し、ホールを有する第１ミラー、
前記下部基板の上側に前記下部基板と対向するように位置する上部基板、及び
前記上部基板に位置し、前記ホールと重畳する第２ミラーを含む単位シャッタ機構。
【請求項２】
前記電極及び前記第１ミラーの間に電圧を印加する電圧印加部材をさらに含む、請求項１に記載の単位シャッタ機構。
【請求項３】
前記電極及び前記第１ミラーの間に前記電圧が印加されると、前記第１ミラーは前記ホールが形成された部分から前記電極に近くなって凹形状を有する、請求項２に記載の単位シャッタ機構。
【請求項４】
前記第２ミラーは前記上部基板の前記下部基板と対向する面の上に位置する、請求項１に記載の単位シャッタ機構。
【請求項５】
前記第２ミラーを前記第１ミラーの上に投影する時、前記第２ミラーの外郭線は前記第１ミラーの外郭線内側に位置する、請求項４に記載の単位シャッタ機構。
【請求項６】
前記電極は透明性導電物質を含む、請求項１に記載の単位シャッタ機構。
【請求項７】
前記第１ミラーの前記ホールと重畳する開口を有し、不透明物質を含む空間フィルタをさらに含む、請求項１に記載の単位シャッタ機構。
【請求項８】
前記空間フィルタは前記電極及び前記スペーサの間に位置する、請求項７に記載の単位シャッタ機構。
【請求項９】
前記不透明物質は絶縁性を有する、請求項８に記載の単位シャッタ機構。
【請求項１０】
前記空間フィルタは前記下部基板及び前記電極の間に位置する、請求項７に記載の単位シャッタ機構。
【請求項１１】
前記空間フィルタは前記下部基板の下部に位置する、請求項７に記載の単位シャッタ機構。
【請求項１２】
前記電極は不透明導電物質を含み、前記第１ミラーの前記ホールと重畳する開口を有する、請求項１に記載の単位シャッタ機構。
【請求項１３】
行と列方向に整列した複数の単位シャッタ機構を含み、
前記単位シャッタ機構は、下部基板、前記下部基板の上に位置する電極、前記電極の周縁に位置するスペーサ、前記スペーサの上に前記電極と離隔するように位置し、ホールを有する第１ミラー、前記下部基板の上側に前記下部基板と対向するように位置する上部基板、及び前記上部基板の下部に位置し、前記ホールと重畳する第２ミラーを含むシャッタ構造物。
【請求項１４】
前記複数の電極は膜状で一体に形成され、
前記複数の第１ミラーは互いに離隔するように形成される、請求項１３に記載のシャッター構造物。
【請求項１５】
前記複数の電極は互いに離隔するように形成され、
前記複数の第１ミラーは互いに連結された形状を有する、請求項１３に記載のシャッタ構造物。
【請求項１６】
前記複数の電極は互いに離隔するように形成され、
前記複数の第１ミラーは互いに離隔するように形成される、請求項１３に記載のシャッタ構造物。
【請求項１７】
前記複数の上部基板は膜状で一体に形成され、
前記複数の下部基板は膜状で一体に形成され、
前記複数のスペーサは一体に形成される、請求項１３に記載のシャッタ構造物。
【請求項１８】
前記単位シャッタ機構は、前記電極及び前記第１ミラーの間に電圧を印加する電圧印加部材をさらに含む、請求項１３に記載のシャッタ構造物。
【請求項１９】
前記単位シャッタ機構は、前記電極及び前記第１ミラーの間に加えられる前記電圧により、前記第１ミラーは前記ホールが形成された部分から前記電極に近くなる凹形状を有し、
前記電圧は、前記複数の単位シャッタ機構のうちの選択された一部の前記電極及び前記第１ミラーの間に加えられる、請求項１８に記載のシャッタ構造物。
【請求項２０】
平行光を発生する光源、
前記平行光が提供されるシャッタ構造物、及び
前記シャッタ構造物の下に形成され、前記平行光により前記シャッタ構造物に形成された焦点を露光対象物上に投影する投影レンズ部を含み、
前記シャッタ構造物は行と列方向に整列され、下部基板、前記下部基板の上に位置する電極、前記電極の周縁の上に位置するスペーサ、前記スペーサの上に前記電極と離隔するように位置し、ホールが形成された第１ミラー、前記下部基板の上側に前記下部基板と対向するように位置する上部基板、及び前記上部基板の下部に位置し、前記ホールと重畳する第２ミラーを含む多数の単位シャッタ機構を含む露光装置。
【請求項１】
下部基板、
前記下部基板の上に位置する電極、
前記電極の周縁に位置するスペーサ、
前記スペーサの上に前記電極と離隔するように位置し、ホールを有する第１ミラー、
前記下部基板の上側に前記下部基板と対向するように位置する上部基板、及び
前記上部基板に位置し、前記ホールと重畳する第２ミラーを含む単位シャッタ機構。
【請求項２】
前記電極及び前記第１ミラーの間に電圧を印加する電圧印加部材をさらに含む、請求項１に記載の単位シャッタ機構。
【請求項３】
前記電極及び前記第１ミラーの間に前記電圧が印加されると、前記第１ミラーは前記ホールが形成された部分から前記電極に近くなって凹形状を有する、請求項２に記載の単位シャッタ機構。
【請求項４】
前記第２ミラーは前記上部基板の前記下部基板と対向する面の上に位置する、請求項１に記載の単位シャッタ機構。
【請求項５】
前記第２ミラーを前記第１ミラーの上に投影する時、前記第２ミラーの外郭線は前記第１ミラーの外郭線内側に位置する、請求項４に記載の単位シャッタ機構。
【請求項６】
前記電極は透明性導電物質を含む、請求項１に記載の単位シャッタ機構。
【請求項７】
前記第１ミラーの前記ホールと重畳する開口を有し、不透明物質を含む空間フィルタをさらに含む、請求項１に記載の単位シャッタ機構。
【請求項８】
前記空間フィルタは前記電極及び前記スペーサの間に位置する、請求項７に記載の単位シャッタ機構。
【請求項９】
前記不透明物質は絶縁性を有する、請求項８に記載の単位シャッタ機構。
【請求項１０】
前記空間フィルタは前記下部基板及び前記電極の間に位置する、請求項７に記載の単位シャッタ機構。
【請求項１１】
前記空間フィルタは前記下部基板の下部に位置する、請求項７に記載の単位シャッタ機構。
【請求項１２】
前記電極は不透明導電物質を含み、前記第１ミラーの前記ホールと重畳する開口を有する、請求項１に記載の単位シャッタ機構。
【請求項１３】
行と列方向に整列した複数の単位シャッタ機構を含み、
前記単位シャッタ機構は、下部基板、前記下部基板の上に位置する電極、前記電極の周縁に位置するスペーサ、前記スペーサの上に前記電極と離隔するように位置し、ホールを有する第１ミラー、前記下部基板の上側に前記下部基板と対向するように位置する上部基板、及び前記上部基板の下部に位置し、前記ホールと重畳する第２ミラーを含むシャッタ構造物。
【請求項１４】
前記複数の電極は膜状で一体に形成され、
前記複数の第１ミラーは互いに離隔するように形成される、請求項１３に記載のシャッター構造物。
【請求項１５】
前記複数の電極は互いに離隔するように形成され、
前記複数の第１ミラーは互いに連結された形状を有する、請求項１３に記載のシャッタ構造物。
【請求項１６】
前記複数の電極は互いに離隔するように形成され、
前記複数の第１ミラーは互いに離隔するように形成される、請求項１３に記載のシャッタ構造物。
【請求項１７】
前記複数の上部基板は膜状で一体に形成され、
前記複数の下部基板は膜状で一体に形成され、
前記複数のスペーサは一体に形成される、請求項１３に記載のシャッタ構造物。
【請求項１８】
前記単位シャッタ機構は、前記電極及び前記第１ミラーの間に電圧を印加する電圧印加部材をさらに含む、請求項１３に記載のシャッタ構造物。
【請求項１９】
前記単位シャッタ機構は、前記電極及び前記第１ミラーの間に加えられる前記電圧により、前記第１ミラーは前記ホールが形成された部分から前記電極に近くなる凹形状を有し、
前記電圧は、前記複数の単位シャッタ機構のうちの選択された一部の前記電極及び前記第１ミラーの間に加えられる、請求項１８に記載のシャッタ構造物。
【請求項２０】
平行光を発生する光源、
前記平行光が提供されるシャッタ構造物、及び
前記シャッタ構造物の下に形成され、前記平行光により前記シャッタ構造物に形成された焦点を露光対象物上に投影する投影レンズ部を含み、
前記シャッタ構造物は行と列方向に整列され、下部基板、前記下部基板の上に位置する電極、前記電極の周縁の上に位置するスペーサ、前記スペーサの上に前記電極と離隔するように位置し、ホールが形成された第１ミラー、前記下部基板の上側に前記下部基板と対向するように位置する上部基板、及び前記上部基板の下部に位置し、前記ホールと重畳する第２ミラーを含む多数の単位シャッタ機構を含む露光装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１０−２０４６４３（Ｐ２０１０−２０４６４３Ａ）
【公開日】平成２２年９月１６日（２０１０．９．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−５１６８（Ｐ２０１０−５１６８）
【出願日】平成２２年１月１３日（２０１０．１．１３）
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】ＳＡＭＳＵＮＧ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】４１６，Ｍａｅｔａｎ−ｄｏｎｇ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ−ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ−ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−ｄｏ ４４２−７４２（ＫＲ）
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年９月１６日（２０１０．９．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１月１３日（２０１０．１．１３）
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】ＳＡＭＳＵＮＧ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】４１６，Ｍａｅｔａｎ−ｄｏｎｇ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ−ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ−ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−ｄｏ ４４２−７４２（ＫＲ）
【Ｆターム（参考）】
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