回路基板の検査装置および回路基板の検査方法
【課題】検査対象の回路基板が微細ピッチの電極を有するものであっても信頼性の高い電気検査を行うことができる回路基板の検査装置および回路基板の検査方法を提供する。
【解決手段】中継ピンユニットが、中間保持板３６と、第１の絶縁板３４と中間保持板３６との間に配置された第１の支持ピン３３と、第２の絶縁板３５と中間保持板３６との間に配置された第２の支持ピン３７とを備えるとともに、第１の支持ピン３３の中間保持板３６に対する第１の当接支持位置と、第２の支持ピン３７の中間保持板３６に対する第２の当接支持位置とが、中間保持板３６の厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されている。また、中継基板２９を設置し、ピッチ変換用基板２３と被検査回路基板１との電気的接続を中継するようにした。
【解決手段】中継ピンユニットが、中間保持板３６と、第１の絶縁板３４と中間保持板３６との間に配置された第１の支持ピン３３と、第２の絶縁板３５と中間保持板３６との間に配置された第２の支持ピン３７とを備えるとともに、第１の支持ピン３３の中間保持板３６に対する第１の当接支持位置と、第２の支持ピン３７の中間保持板３６に対する第２の当接支持位置とが、中間保持板３６の厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されている。また、中継基板２９を設置し、ピッチ変換用基板２３と被検査回路基板１との電気的接続を中継するようにした。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気検査を行う検査対象である回路基板（以下、「被検査回路基板」という。）を、一対の第１の検査治具と第２の検査治具で両面から挟圧することにより、被検査回路基板の両面に形成された電極をテスターに電気的に接続された状態として、被検査回路基板の電気的特性を検査する回路基板の検査装置および回路基板の検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路などを実装するためのプリント回路基板は、集積回路などを実装する前に、回路基板の配線パターンが所定の性能を有することを確認するために電気的特性が検査される。
【０００３】
この電気検査では、例えば、回路基板の搬送機構を備えた検査用テスターに検査ヘッドを組み込み、検査ヘッド部分を交換することにより異なる回路基板の検査を行っている。
例えば、特許文献１に開示されているように、被検査回路基板の被検査電極に接して電気的に導通する金属の検査ピンを基板に植設した構造の検査治具を用いる方法が提案されている。
【０００４】
また、特許文献２に開示されているように、導電ピンを有する検査ヘッドと、オフグリットアダプターと呼ばれるピッチ変換用の回路基板と、異方導電性シートとを組み合わせた検査治具を用いる方法が知られている。
【０００５】
しかしながら、特許文献１のように、金属検査ピンを直接に被検査回路基板の被検査電極に接触させる検査治具を用いる方法では、金属からなる導電ピンとの接触により被検査回路基板の電極が損傷する可能性がある。
【０００６】
特に、近年では回路基板における回路の微細化、高密度化が進み、このようなプリント回路基板を検査する場合、多数の導電ピンを被検査回路基板の被検査電極に同時に導通接触させるためには、高い圧力で検査治具を加圧することが必要となり、被検査電極が損傷し易くなる。
【０００７】
そして、このような微細化、高密度化されたプリント回路基板を検査するための検査治具では、高密度で多数の金属ピンを基板に植設することが技術的に困難になりつつある。また、その製造コストも高価となり、さらに、一部の金属ピンが損傷した場合に、修理、交換することが困難である。
【０００８】
一方、特許文献２のように、異方導電性シートを使用する検査治具では、被検査回路基板の被検査電極が、異方導電性シートを介してピッチ変換用基板の電極と接触することになるため、被検査回路基板の被検査電極が損傷しにくいという利点がある。また、ピッチ変換を行う基板を使用しているため、基板に植設する検査ピンを、被検査回路基板の被検査電極のピッチよりも広いピッチで植設することができるため、微細ピッチで検査ピンを植設する必要がなく、検査治具の製造コストを節約できるという利点もある。
【０００９】
しかしながら、この検査治具では、検査対象である被検査回路基板ごとに、ピッチ変換用基板と、検査ピンを植設する検査治具とを作成する必要があるため、検査される被検査回路基板であるプリント回路基板と同数の検査治具が必要となる。
【００１０】
このため、複数のプリント回路基板を生産している場合では、それに対応して複数の検
査治具を保有しなければならないという問題がある。特に、近年では電子機器の製品サイクルが短縮し、製品に使用されるプリント回路基板の生産期間の短縮化が進んでいるが、これに伴って検査治具を長期間使用することができなくなり、プリント回路基板の生産が切り替わる度に検査治具を生産しなければならないという問題が生じている。
【００１１】
このような問題への対策として、例えば、特許文献３〜５のような、中継ピンユニットを用いる、いわゆるユニバーサルタイプの検査治具を用いた検査装置が提案されている。
図４２は、このようなユニバーサルタイプの検査治具を用いた検査装置の断面図である。この検査装置は、一対の第１の検査治具１１１ａと第２の検査治具１１１ｂとを備え、これらの検査治具は、回路基板側コネクタ１２１ａ、１２１ｂと、中継ピンユニット１３１ａ、１３１ｂと、テスター側コネクタ１４１ａ、１４１ｂとを備えている。
【００１２】
回路基板側コネクタ１２１ａ、１２１ｂは、ピッチ変換用基板１２３ａ、１２３ｂと、その両面側に配置される異方導電性シート１２２ａ、１２２ｂ、１２６ａ、１２６ｂとを有している。
【００１３】
中継ピンユニット１３１ａ、１３１ｂは、一定ピッチ（例えば２．５４ｍｍピッチ）で格子点上に多数（例えば５０００ピン）配置された導電ピン１３２ａ、１３２ｂと、この導電ピン１３２ａ、１３２ｂを上下へ移動可能に支持する一対の絶縁板１３４ａ、１３４ｂとを有している。
【００１４】
テスター側コネクタ１４１ａ、１４１ｂは、被検査回路基板１０１を検査治具１１１ａ、１１１ｂで挟圧した際に、テスターと導電ピン１３２ａ、１３２ｂとを電気的に接続するコネクタ基板１４３ａ、１４３ｂと、コネクタ基板１４３ａ、１４３ｂの導電ピン１３２ａ、１３２ｂ側に配置される異方導電性シート１４２ａ、１４２ｂと、ベース板１４６ａ、１４６ｂとを有している。
【００１５】
この中継ピンユニットを使用した検査治具は、異なる被検査対象であるプリント回路基板を検査する際に、回路基板側コネクタ１２１ａ、１２１ｂを被検査回路基板１０１に対応するものに交換するだけでよく、中継ピンユニット１３１ａ、１３１ｂとテスター側コネクタ１４１ａ、１４１ｂは共通で使用できる。
【００１６】
ところで、被検査回路基板１０１であるプリント配線基板は、多層高密度化してきており、実際には厚み方向に、例えば、ＢＧＡなどのハンダボール電極などの被検査電極１０２、１０３による高さバラツキや基板自体の反りが生じている。そのため、被検査回路基板１０１上の検査点である被検査電極１０２、１０３に電気的接続を達成するためには、第１の検査治具１１１ａと第２の検査治具１１１ｂとを高い圧力で加圧して、被検査回路基板１０１を平坦に変形する必要がある。また、被検査電極１０２、１０３の高さバラツキに対しては、第１の検査治具１１１ａと第２の検査治具１１１ｂの被検査電極１０２、１０３の高さに対する追従性が必要となる。
【００１７】
従来のこのようなユニバーサルタイプの検査治具では、被検査電極１０２、１０３の高さに対する追従性を確保するために、導電ピン１３２ａ、１３２ｂの軸方向移動により追従していたが、この導電ピン１３２ａ、１３２ｂの軸方向移動量にも限界があるため、このような被検査電極１０２、１０３の高さに対する追従性が良好でない場合があり、導通不良が発生して正確な検査ができないことになる。
【００１８】
また、このようなユニバーサルタイプの検査治具では、第１の検査治具１１１ａと第２の検査治具１１１ｂによって、被検査回路基板１０１を挟圧した際のプレス圧力は、その上下の異方導電性シート１２２ａ、１２２ｂ、１２６ａ、１２６ｂ、１４２ａ、１４２ｂ
にて吸収している。
【００１９】
そのため、このようなユニバーサルタイプの検査治具では、ピッチ変換用基板１２３ａ、１２３ｂを支持しプレス圧を分散させるために、一定間隔で導電ピン１３２ａ、１３２ｂを配置する必要がある。
【００２０】
また、従来のユニバーサルタイプの検査治具では、プレス圧力は導電ピン１３２ａ、１３２ｂで受けるようになっているため、一定間隔で多数の導電ピン１３２ａ、１３２ｂを配置する必要がある。
【００２１】
このため、被検査回路基板１０１の電極の微細化に対応して、例えば、０．７５ｍｍピッチで１万以上の貫通孔を有する絶縁板１３４ａ、１３４ｂを形成する場合、絶縁板１３４ａ、１３４ｂの基板の厚さが薄いと強度が低くなり、曲げた時に割れることもあるので、絶縁板１３４ａ、１３４ｂの厚さは厚めにする必要があった。
【００２２】
しかしながら、形成する貫通孔の径が例えば直径０．５ｍｍ程度と微細になり、絶縁板１３４ａ、１３４ｂの厚さが５ｍｍ以上になると、一回のドリル加工で貫通孔を形成しようとする場合に、ドリルの刃の強度の関係で、ドリルの刃の欠損、折れが生じて絶縁板の加工に失敗する場合が多くなる。
【００２３】
このため、絶縁板の片面から厚みの半分程度までドリル加工し、さらに他面側から同一部分にドリル加工を行うことにより貫通孔を形成することによって絶縁板の加工を行っているが、この場合、絶縁板に形成する貫通孔数の２倍のドリル加工作業が必要となり、加工工程が煩雑となるという問題があった。
【００２４】
また、従来のこうしたユニバーサルタイプの検査治具では、回路基板側コネクタを構成する異方導電性シート１２２ａ、１２２ｂとして、厚み方向に延びる複数の導電路形成部と、これらの導電路形成部を互いに絶縁する絶縁部とからなり、導電性粒子が導電路形成部中にのみ含有されて面方向に不均一に分散され、シート片面側に導電路形成部が突出した偏在型の異方導電性シートを使用していた。この異方導電性シートは検査での繰り返し使用により導電路形成部が劣化（抵抗値の上昇）し、異方導電性シートを交換する場合、交換の度に異方導電性シートとピッチ変換用基板との位置合わせ、および回路基板側コネクタと中継ピンユニットとの位置合わせが必要であり、この位置合わせ作業が煩雑で検査効率の低下の要因となっていた。
【００２５】
また、被検査回路基板の電極が、例えば２００μｍ以下のような微少ピッチになると、上記のような異方導電性シートを用いて複数の被検査回路基板について検査を連続して行った場合、被検査回路基板と繰り返し接触することにより異方導電性シートの位置ずれが生じ易くなる。すると異方導電性シートの導電路形成部と被検査回路基板の電極位置とが一致しなくなり、良好な電気的接続が得られなくなるため過大な抵抗値が測定され、本来は良品と判断されるべきプリント回路基板が不良品と誤判断され易くなる。
【００２６】
従来、このような問題を解決するために、表面に検査対象である回路基板の被検査電極に対応するパターンに従って配置された接続用電極を有し、裏面に格子点位置に従って配置された端子電極を有するピッチ変換用基板と、このピッチ変換用基板の表面上に一体的に設けられた異方導電性エラストマーシートとからなるアダプター装置が提案されている（特許文献６および特許文献７）。
【００２７】
このようなアダプター装置によれば、回路基板の電気的検査において、異方導電性エラストマーシートの位置合わせ作業が不要であり、また、温度変化による熱履歴などの環境
の変化に対しても良好な電気的接続状態が安定に維持され、従って高い接続信頼性が得られる。
【００２８】
しかしながら、図４３に示したように、被検査電極１０２（１０３）の間のピッチＰ１が１００μｍ以下の場合には、被検査電極１０２（１０３）の間の離間距離Ｓ１が５０μｍ以下になってしまう。このため、図４４に示したように、ピッチ変換用基板１２３の接続用電極１２５の間の離間距離も、被検査電極１０２（１０３）の間の離間距離Ｓ１と同じく、５０μｍ以下にする必要がある。
【００２９】
従って、異方導電性シート１２２の導電路形成部間を相互に絶縁する絶縁部の幅も、これに合わせて、被検査電極１０２（１０３）の間の離間距離Ｓ１と同じく、５０μｍ以下にする必要がある。
【００３０】
しかしながら、被検査電極間の離間距離が１００μｍ以下であるような、被検査電極が狭ピッチで配置された回路基板を検査するための偏在型異方導電性エラストマーシートを得る場合、上記したように、隣接する導電路形成部間を相互に絶縁する絶縁部の幅が５０μｍ以下となるように形成する必要があるが、金型成形によりシートを製造する従来の方法では、隣接する金型磁極との磁場作用のため５０μｍ以下の絶縁部の形成が困難となる。
【００３１】
このため、この従来の製法による偏在型異方導電性エラストマーシートでは、シートの厚みにもよるが、回路基板の電極間距離の検査可能な下限は、約６０〜８０μｍであった。
【００３２】
このため、被検査電極の離間距離が５０μｍ以下である、被検査電極が小ピッチで配置された回路基板を検査するための偏在型異方導電性エラストマーシートは、金型法によって成形することがきわめて困難であるため、実質的には得られていない。
【００３３】
また、アダプター装置として、ピッチ変換用基板の表面に導電性エラストマー層を形成した後、導電性エラストマー層に対してレーザー加工を施してその一部を除去することにより、ピッチ変換用基板の各接続用電極上に互いに独立した導電路形成部が形成されたものが提案されている（特許文献８）。
【００３４】
このようなアダプター装置によれば、導電路形成部の各々は互いに独立した状態で形成されているため、隣接する導電路形成部間において所要の絶縁性が確実に得られる。
しかしながら、このアダプター装置においては、導電路形成部の各々がピッチ変換用基板の接続用電極のみによって支持されているため、ピッチ変換用基板から脱落し易く耐久性が低いという問題がある。
【００３５】
また、導電路形成部を形成する際には、レーザー加工によってピッチ変換用基板に損傷を与えるおそれがある、という問題がある。
一方、導電性粒子が厚み方向に配列するとともに面方向に均一に分散された、いわゆる分散型の異方導電性エラストマーシートでは、その厚みを小さくすることにより高い分解能が得られるため、例えばその厚みを３０μｍ程度とすることにより、被検査電極の離間距離が５０μｍ以下である回路基板を検査することが、その分解能としては可能となる。
【００３６】
しかし、その厚みが３０μｍ程度であるような、薄い分散型異方導電性エラストマーシートでは、異方導電性エラストマーシートの特性の一つである、シート本体の弾性による機械的衝撃の吸収能力や、電極同士のソフトな接触による電気的接続を達成する能力がほとんど無くなってしまうため、多数の高さバラツキを含む被検査電極を有する被検査回路
基板を検査装置に接続する場合に、異方導電性エラストマーシートの段差級収能力の低下により、多数の被検査電極を同時に接続することが困難となる。
【００３７】
例えば、メッキにより多数の電極が形成される回路基板では、その各々の電極の高さのバラツキが約２０μｍ程度となる。分散型異方導電性エラストマーシートでは、厚み方向に圧縮された際に、安定して電気的な導通を達成できる圧縮率は約２０％以下である。例えば２０％を超えて圧縮を行うと、横方向の電気的導通が大きくなり導通の異方性が損なわれるばかりでなく、基材となるエラストマーの永久変形が生じて繰り返し使用が困難となる。このため、約２０μｍの高さバラツキを含む電極を有する回路基板の検査を行う場合、厚みが１００μｍ以上の分散型異方導電性エラストマーシートを使用することが必要となる。
【００３８】
しかし、厚みが１００μｍ以上の分散型異方導電性エラストマーシートを使用すると、被検査電極が５０μｍ以下の小さいピッチで配置された回路基板を検査することが、分解能が損なわれるために実質的に不可能となってしまう問題点があった。
【００３９】
さらに、厚みの小さい分散型異方導電性エラストマーシートは、シート本体の弾性が低いために機械的衝撃の吸収能力が小さく、回路基板検査用アダプターに用いて回路基板の繰り返し検査を行った場合に異方導電性エラストマーシートの劣化が早く、そのため頻繁に分散型異方導電性エラストマーシートを交換しなければならず、交換作業が繁雑となり、回路基板の検査効率が低くなってしまう。
【００４０】
以上のことから、被検査電極が５０μｍ以下の小さいピッチで配置された回路基板を検査するための、異方導電性エラストマーシートを用いた回路基板検査用アダプターでは、分解能、段差吸収能、繰り返し使用耐久性を全て満足するものが得られていなかった。
【００４１】
図４４に示したように、被検査電極１０２（１０３）の間のピッチＰ１が１００μｍの場合には、ピッチ変換基板１２３の接続用電極１２５の間の離間距離は、被検査電極１０２（１０３）の間の離間距離Ｓ１と同じく、５０μｍであればよい。しかしながら、高い精度で回路基板の潜在的な電気的欠陥を検出するために４端子検査を行う場合、図４５に示したように、被検査用回路基板の被検査電極１０２（１０３）の１つに対して、ピッチ変換基板１２３の２つの電極（電流供給用電極１２７および電圧測定用電極１２８）を接続することになる。
【００４２】
そのため、ピッチ変換基板１２３における電流供給用電極１２７と電圧測定用電極１２８との間の離間距離Ｓ２はさらに小さくなる。例えば、ピッチ変換基板１２３の被検査電極間１０２（１０３）のピッチＰ１が２００μｍである場合、被検査電極１０２（１０３）の直径Ｒが約１００μｍとなり、この直径約１００μｍの被検査電極１０２（１０３）に対して、ピッチ変換用基板１２３における電流供給用電極１２７および電圧測定用電極１２８が共に接続されるので、電流供給用電極１２７と電圧測定用電極１２８との間の離間距離Ｓ２は、図４５に示したように、３０〜４０μｍ程度しか設けることができない。
【００４３】
しかしながら、上述したように、従来では、偏在型異方導電性エラストマーシート、分散型異方導電性エラストマーシートのいずれを用いた場合にも、ピッチ変換用基板における接続用電極の離間距離Ｓ２を３０〜４０μｍとしたアダプター装置は得られていないのが現状である。
【００４４】
以上のように、従来の偏在型異方導電性シートや分散型異方導電性シートを用いた回路基板の検査装置では、多数の被検査電極を有する回路基板を検査する際に要求される分解能、段差吸収能、クッション性、耐久性に関して、その全てにおいて性能が充分なものは
得られていなかった。
【特許文献１】特開平６−９４７６８号公報
【特許文献２】特開平５−１５９８２１号公報
【特許文献３】特開平７−２４８３５０号公報
【特許文献４】特開平８−２７１５６９号公報
【特許文献５】特開平８−３３８８５８号公報
【特許文献６】特開平４−１５１５６４号公報
【特許文献７】特開平６−８２５３１号公報
【特許文献８】特開平１０−２２９２７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００４５】
本発明は、検査対象である被検査回路基板が微細ピッチの微小電極を有するものであっても、信頼性の高い回路基板の電気的検査を行うことができる回路基板の検査装置および回路基板の検査方法を提供することを目的とする。
【００４６】
また、本発明は、検査対象である被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキに対する追従性が良好で、導通不良が発生せず、正確な検査を実施することが可能な回路基板の検査装置および回路基板の検査方法を提供することを目的とする。
【００４７】
また、本発明は、一定間隔で導電ピンを配置する必要がなく、そのため、導電ピンを保持する絶縁板への貫通孔のドリル加工による穿設作業が少なく、コストを低減することが可能な回路基板の検査装置および回路基板の検査方法を提供することを目的とする。
【００４８】
また、本発明は、高い分解能で検査が可能であり、被検査回路基板の被検査電極による段差を良好に吸収するとともに、繰り返し使用耐久性にも優れた回路基板の検査装置および回路基板の検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００４９】
本発明の回路基板の検査装置は、一対の第１の検査治具と第２の検査治具によって、両検査治具の間で検査対象である被検査回路基板の両面を挟圧して電気検査を行う回路基板の検査装置であって、
前記第１の検査治具と第２の検査治具がそれぞれ、
基板の一面側と他面側との間で電極ピッチを変換するピッチ変換用基板と、
前記ピッチ変換用基板の被検査回路基板側に配置され、基板に形成された複数の貫通孔に、弾性高分子物質からなる絶縁部と、導電性粒子を含有する弾性高分子物質からなり前記絶縁部を厚み方向へ貫通する導電路形成部とが形成された、該導電路形成部によって前記ピッチ変換用基板と前記被検査回路基板との電気的接続を中継する中継基板と、
前記ピッチ変換用基板の前記中継基板とは逆側に配置される第２の異方導電性シートと、
を備えた回路基板側コネクタと、
所定のピッチで配置された複数の導電ピンと、
前記導電ピンを軸方向へ移動可能に支持する、一対の離間した第１の絶縁板と第２の絶縁板と、
を備えた中継ピンユニットと、
テスターと前記中継ピンユニットとを電気的に接続するコネクタ基板と、
前記コネクタ基板の中継ピンユニット側に配置される第３の異方導電性シートと、
前記コネクタ基板の中継ピンユニットとは逆側に配置されるベース板と、
を備えたテスター側コネクタと、を備え、
前記中継ピンユニットは、
前記第１の絶縁板と第２の絶縁板との間に配置された中間保持板と、
前記第１の絶縁板と中間保持板との間に配置された第１の支持ピンと、
前記第２の絶縁板と中間保持板との間に配置された第２の支持ピンと、
を備えるとともに、
前記第１の支持ピンの中間保持板に対する第１の当接支持位置と、前記第２の支持ピンの中間保持板に対する第２の当接支持位置とが、中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されていることを特徴とする。
【００５０】
このように構成することによって、第１の検査治具と第２の検査治具との間で検査対象である被検査回路基板の両面を挟圧して電気検査を行う際に、加圧の初期段階では、中継ピンユニットの導電ピンによる厚み方向への移動と、中継基板の弾性部分と、第２の異方導電性シートと、第３の異方導電性シートのゴム弾性圧縮にて圧力を吸収して、被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキをある程度吸収することができる。
【００５１】
そして、第１の支持ピンの中間保持板に対する第１の当接支持位置と、前記第２の支持ピンの中間保持板に対する第２の当接支持位置とが、中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面において、異なる位置に配置されているので、第１の検査治具と第２の検査治具の間で検査対象である被検査回路基板をさらに加圧した際に、中継基板の弾性部分と、第２の異方導電性シートと、第３の異方導電性シートのゴム弾性圧縮に加えて、中継ピンユニットの第１の絶縁板と、第２の絶縁板と、第１の絶縁板と第２の絶縁板の間に配置された中間保持板のバネ弾性により、被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキ、例えば、ハンダボール電極の高さバラツキに対して、圧力集中を分散させて、局部的な応力集中を回避することができる。
【００５２】
これにより、高さバラツキを有する被検査回路基板の被検査電極の各々に対しても、安定的な電気的接触が確保され、さらに応力集中が低減されるので、中継基板の弾性部分の局部的な破損が抑制される。その結果、中継基板の繰り返し使用耐久性が向上するので、中継基板の交換回数が減り、検査作業効率が向上する。
【００５３】
また、一定間隔で導電ピンを配置する必要がないので、導電ピンを保持する絶縁板への貫通孔のドリル加工による穿設作業が少なく、コストを低減することができる。
さらに本発明では、導電路形成部とその周囲の絶縁部とからなる弾性部分が基板に形成された複数の貫通孔のそれぞれに設けられた中継基板を配置しているので、検査治具の押圧による加圧力や衝撃がこの弾性部分で吸収され、被検査回路基板の電極などを破損損傷することがない。
【００５４】
さらに、検査対象である被検査回路基板の被検査電極の配置パターンに関わらず、被検査回路基板について所要の電気的検査を確実に実行することができ、被検査回路基板の被検査電極が、そのピッチが微小で高密度に配置されている場合であっても、被検査回路基板について所要の電気的検査を確実に実施することができる。
【００５５】
本発明の回路基板の検査装置は、前記中継基板が、
第１の離型性支持板上に支持され、磁性を示す導電性粒子が厚み方向に配向した状態で弾性高分子物質中に分散された導電性エラストマー層を、レーザー加工することにより、第１の離型性支持板上に所定のパターンに従って配置された導電路形成部を形成し、
第２の離型性支持板上に支持され、硬化されて弾性高分子物質となる材料からなる未硬化状態の絶縁部用材料層が前記基板における両側表面および貫通孔の内部に形成された当該基板に対して、導電路形成部が形成された前記第１の離型性支持板を、導電路形成部が前記基板の貫通孔に位置するように重ね合わせ、
この状態で、絶縁部用材料層を硬化処理することにより絶縁部を形成した後、第１およ
び第２の離型性支持板を除去することにより得られたものであることを特徴とする。
【００５６】
このように、導電性エラストマー層をレーザー加工して導電路形成部を形成しているので、導電路形成部は所期の良好な導電性を有している。
また、所定のパターンに従って配置された複数の導電路形成部を形成し、これらの導電路形成部の間に、硬化されて弾性高分子物質となる材料よりなる絶縁部用材料層を形成して、硬化処理することにより絶縁部を形成するため、絶縁部には導電性粒子が全く存在しない。
【００５７】
しかも、従来の異方導電性シートを製造するために使用されていた多数の強磁性体部が配列されてなる金型を用いることが不要である。
従って、接続すべき被検査回路基板の被検査電極の配置パターンに関わらず、電極の各々に対して所要の電気的接続が確実に達成される。また、接続すべき電極が、そのピッチが微小で高密度に配置されている場合であっても、電極の各々に対して所要の電気的接続が確実に達成される。しかも、中継基板を低コストで製造することができる。
【００５８】
さらに、従来の金型成形により異方導電シートを製造する方法ではないので、隣接する金型磁極との磁場作用の影響がなく、導電路形成部の離間距離が小さい、例えば、導電路形成部間の絶縁部の幅が５０μｍ以下であるものが得られる。
【００５９】
したがって、被検査電極の離間距離が５０μｍ以下である、被検査電極が小ピッチで配置された被検査回路基板を検査することが可能である。
さらに、４端子検査を行う場合、被検査用回路基板の被検査電極１つに対してピッチ変換用基板の２つの検査電極（電圧用および電流用）を接続することになり、検査電極間の離間距離が小さくなるが、このような場合であっても、導電路形成部の離間距離が充分に小さい中継基板を備えているので、確実に電気的検査を実施することができる。
【００６０】
本発明の回路基板の検査装置は、前記導電性エラストマー層が、
離型性支持板上に、硬化されて弾性高分子物質となる液状のエラストマー用材料中に磁性を示す導電性粒子が含有された導電性エラストマー用材料層を形成し、
該導電性エラストマー用材料層の表面に、形成すべき導電路形成部のパターンに従って、磁性を示す金属からなる金属マスクを形成し、
前記導電性エラストマー用材料層に対してその厚み方向に磁場を作用させることにより、導電性粒子を厚み方向に配向させ、次いで、磁場を作用させた状態で、または磁場を停止した状態で前記導電性エラストマー用材料層を硬化処理することにより得られたものであることを特徴とする。
【００６１】
このように、磁性を示す金属からなる金属マスクを用いて導電性エラストマー用材料層に対してその厚み方向に磁場を作用させることにより、分散されていた導電性粒子は、金属マスク部分に集中した状態で厚み方向に配向する。
【００６２】
これにより、導電性エラストマー用材料層における金属マスクが形成されていない部分の導電性粒子の密度が小さくなる。そのため、レーザー加工による導電路形成部の形成が容易になる。さらに、厚みの大きい導電性エラストマー層のレーザー加工が容易となるため、厚みの大きい導電路形成部を確実に得ることができる。
【００６３】
このような製法により得られた中継基板を用いた本発明の検査装置は、接続すべき被検査回路基板の被検査電極の配置パターンに関わらず、電極の各々に対して所要の電気的接続を確実に達成できる。また、接続すべき電極が、そのピッチが微小で高密度に配置されている場合であっても、電極の各々に対して所要の電気的接続を確実に達成できる。
【００６４】
上記した本発明の検査装置では、前記中継基板における少なくとも一部の導電路形成部において、互いに隣接する導電路形成部の離間距離が５０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１０〜５０μｍである。
【００６５】
このようにすることで、被検査電極の離間距離が５０μｍ以下である、被検査電極が微細ピッチで配置された被検査回路基板を検査することが可能である。
さらに、４端子検査を行う場合、被検査用回路基板の被検査電極１つに対してピッチ変換用基板の２つの検査電極（電圧用および電流用）を接続するので、検査電極間の離間距離が小さくなるが、このような場合であっても確実に電気的検査を実施することができる。
【００６６】
なお、前記中継基板の片面側もしくは両面側には、導電性粒子が厚み方向に配列するとともに面方向に均一に分散された第１の異方導電性シートを配置してもよい。
本発明の回路基板の検査装置は、
一対の第１の検査治具と第２の検査治具によって、両検査治具の間で検査対象である被検査回路基板の両面を挟圧した際に、
前記第１の支持ピンの中間保持板に対する第１の当接支持位置を中心として、前記中間保持板が、前記第２の絶縁板の方向に撓むとともに、
前記第２の支持ピンの中間保持板に対する第２の当接支持位置を中心として、前記中間保持板が、前記第１の絶縁板の方向に撓むことを特徴とする。
【００６７】
このように構成することによって、中間保持板が、第１の当接支持位置、第２の当接支持位置を中心として、相互に反対方向に撓むので、第１の検査治具と第２の検査治具の間で検査対象である被検査回路基板をさらに加圧した際に、中間保持板のバネ弾性力がさらに発揮されることになり、被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキに対して、圧力集中を分散させて局部的な応力集中を回避することができ、中継基板の弾性部分の局部的な破損が抑制される。その結果、中継基板の繰り返し使用耐久性が向上するので、中継基板の交換回数が減り、検査作業効率が向上する。
【００６８】
本発明の回路基板の検査装置は、前記第１の支持ピンの中間保持板に対する第１の当接支持位置が、前記中間保持板投影面において格子状に配置され、
前記第２の支持ピンの中間保持板に対する第２の当接支持位置が、前記中間保持板投影面において格子状に配置されており、
前記中間保持板投影面において、隣接する４個の第１の当接支持位置からなる単位格子領域に、１個の第２の当接支持位置が配置されるとともに、
前記中間保持板投影面において、隣接する４個の第２の当接支持位置からなる単位格子領域に、１個の第１の当接支持位置が配置されていることを特徴とする。
【００６９】
このように構成することによって、第１の当接支持位置と第２の当接支持位置が格子状に配置され、しかも、第１の当接支持位置と第２の当接支持位置の格子点位置が全てずれた位置に配置されることになる。
【００７０】
従って、中間保持板が、第１の当接支持位置、第２の当接支持位置を中心として、相互に反対方向により撓むことになり、第１の検査治具と第２の検査治具の間で検査対象である被検査回路基板を加圧した際に、中間保持板のバネ弾性力がさらに発揮されることになり、被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキに対して圧力集中を分散させて、局部的な応力集中をさらに回避することができる。よって、中継基板の弾性部分の局部的な破損が抑制され、その結果、異方導電性シートの繰り返し使用耐久性が向上するので、中継基板の交換回数が減り、検査作業効率が向上する。
【００７１】
また、本発明の回路基板の検査装置は、前記中継ピンユニットが、
前記第１の絶縁板と第２の絶縁板との間に所定間隔離間して配置された複数個の中間保持板と、
隣接する中間保持板同士の間に配置された保持板支持ピンと、
を備えるとともに、
少なくとも１つの中間保持板において、該中間保持板に対して一面側から当接する保持板支持ピンの該中間保持板に対する当接支持位置と、該中間保持板に対して他面側から当接する第１の支持ピン、第２の支持ピン、または保持板支持ピンの該中間保持板に対する当接支持位置とが、該中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されていることを特徴とする。
【００７２】
このように構成することによって、これらの複数個の中間保持板によってバネ弾性がさらに発揮されることになり、被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキに対して、圧力集中を分散させて局部的な応力集中をさらに回避することができ、中継基板の弾性部分の局部的な破損が抑制される。その結果、中継基板の繰り返し使用耐久性が向上するので、中継基板の交換回数が減り、検査作業効率が向上する。
【００７３】
また、本発明の回路基板の検査装置は、全ての前記中間保持板において、該中間保持板に対して一面側から当接する保持板支持ピンの該中間保持板に対する当接支持位置と、該中間保持板に対して他面側から当接する第１の支持ピン、第２の支持ピン、または保持板支持ピンの該中間保持板に対する当接支持位置とが、該中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されていることを特徴とする。
【００７４】
これによって、隣接する中間保持板の間で、保持板支持ピンの中間保持板との当接支持位置がずれた位置に配置されるので、これらの複数個の中間保持板のバネ弾性がさらに発揮されることになり、被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキに対して圧力集中を分散させて、局部的な応力集中をさらに回避することができ、中継基板の弾性部分の局部的な破損が抑制される。その結果、中継基板の繰り返し使用耐久性が向上するので、中継基板の交換回数が減り、検査作業効率が向上する。
【００７５】
また、本発明の回路基板の検査装置は、前記第２の異方導電性シートが、厚み方向に延びる複数の導電路形成部と、これらの導電路形成部を互いに絶縁する絶縁部とからなり、導電性粒子が導電路形成部中にのみ含有され、これにより該導電性粒子は面方向に不均一に分散されるとともに、シート片面側に導電路形成部が突出していることを特徴とする。
【００７６】
また、本発明の回路基板の検査装置は、前記第３の異方導電性シートが、厚み方向に延びる複数の導電路形成部と、これらの導電路形成部を互いに絶縁する絶縁部とからなり、導電性粒子が導電路形成部中にのみ含有され、これにより該導電性粒子は面方向に不均一に分散されるとともに、シート片面側に導電路形成部が突出していることを特徴とする。
【００７７】
このように、第２の異方導電性シートおよび第３の異方導電性シートとして、導電路形成部と絶縁部とからなり、導電性粒子が導電路形成部中にのみ含有されて面方向に不均一に分散され、シート片面側に導電路形成部が突出した偏在型の異方導電性シートを使用することにより、検査治具の押圧による加圧力や衝撃がこれらのシートで吸収され、これにより中継基板の弾性部分の劣化が抑制される。
【００７８】
本発明における一つの態様では、前記複数の導電ピンは、前記第１の絶縁板と第２の絶縁板との間の間隔よりも短い棒状の中央部と、該中央部の両端側に形成され該中央部よりも径が小さい一対の端部とからなり、
前記一対の端部がそれぞれ、前記第１の絶縁板と第２の絶縁板とに形成された前記中央部よりも径が小さく前記一対の端部よりも径が大きい貫通孔に挿通され、これにより、前記導電ピンが軸方向に移動可能に支持される。
【００７９】
このように構成することで、導電ピンが、第１の絶縁板と第２の絶縁板との間に、軸方向に移動可能に、且つ脱落しないように保持することができる。
本発明における他の態様では、前記第１の絶縁板と中間保持板との間、前記第２の絶縁板と中間保持板との間、または中間保持板同士の間に、前記導電ピンが挿通される貫通孔が形成された屈曲保持板が設けられ、
前記複数の導電ピンは、前記第１および第２の絶縁板に形成された貫通孔と、前記屈曲保持板に形成された貫通孔とを支点として互いに逆方向に横方向へ押圧されて前記屈曲保持板の貫通孔の位置で屈曲され、これにより前記導電ピンが軸方向に移動可能に支持される。
【００８０】
このように構成することで、導電ピンが、第１の絶縁板と第２の絶縁板との間に、軸方向に移動可能に、且つ脱落しないように保持することができる。さらに、導電ピンとして円柱状である簡易な構造のピンを使用できるため、導電ピンおよびそれを保持する部材の全体としてのコストを抑えることができる。
【００８１】
本発明の回路基板の検査方法は、前述した回路基板の検査装置を用いた回路基板の検査方法であって、
一対の第１の検査治具と第２の検査治具によって、両検査治具の間で検査対象である被検査回路基板の両面を挟圧して電気検査を行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００８２】
本発明によれば、検査対象である被検査回路基板が、例えば被検査電極の離間距離が５０μｍ以下であるような、微細ピッチの微小電極を有するものであっても、信頼性の高い回路基板の電気的検査を行うことが可能である。
【００８３】
また、検査対象である被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキに対する追従性が良好で、導通不良が発生せず、正確な検査を実施することが可能である。
また、一定間隔で導電ピンを配置する必要がないので、導電ピンを保持する絶縁板への貫通孔のドリル加工による穿設作業が少なく、コストを低減することができる。
【００８４】
また、高分解能で検査が可能であり、且つ、被検査回路基板の被検査電極による段差を良好に吸収できるとともに、繰り返し使用耐久性も高い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００８５】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。なお、以降の記述において、第１の検査治具と第２の検査治具における一対の同一の構成要素（例えば回路基板側コネクタ２１ａと回路基板側コネクタ２１ｂ、第１の異方導電性シート２２ａと第１の異方導電性シート２２ｂなど）を総称する場合には、記号「ａ」、「ｂ」を省略することがある（例えば、第１の異方導電性シート２２ａと第１の異方導電性シート２２ｂとを総称して「第１の異方導電性シート２２」と記述することがある）。
【００８６】
図１は、本発明の検査装置の実施形態を示した断面図、図２は、図１の検査装置の検査使用時における積層状態を示した断面図である。
この検査装置は、集積回路などを実装するためのプリント回路基板などの検査対象である被検査回路基板１において、被検査電極間の電気抵抗を測定することにより被検査回路基板の電気検査を行うものである。
【００８７】
そして、この検査装置には、図１および図２に示したように、被検査回路基板１の上面側に配置される第１の検査治具１１ａと、下面側に配置される第２の検査治具１１ｂとが、上下に互いに対向するように配置されている。
【００８８】
第１の検査治具１１ａは、その両側に中継基板２９ａおよび異方導電性シート２６ａを備えた回路基板側コネクタ２１ａと、中継ピンユニット３１ａを備えている。また、第１の検査治具１１ａは、その中継ピンユニット３１ａ側に第３の異方導電性シート４２ａが配置されるコネクタ基板４３ａと、ベース板４６ａとを備えたテスター側コネクタ４１ａを備えている。
【００８９】
第２の検査治具１１ｂも、第１の検査治具１１ａと同様に構成され、その両側に中継基板２９ｂおよび異方導電性シート２６ｂを備えた回路基板側コネクタ２１ｂと、中継ピンユニット３１ｂを備えている。また、第２の検査治具１１ｂは、その中継ピンユニット３１ｂ側に異方導電性シート４２ｂが配置されるコネクタ基板４３ｂと、ベース板４６ｂとを備えたテスター側コネクタ４１ｂを備えている。
【００９０】
被検査回路基板１の上面には、被検査用の電極２が形成され、その下面にも被検査用の電極３が形成されており、これらは互いに電気的に接続されている。
回路基板側コネクタ２１ａ，２１ｂは、ピッチ変換用基板２３ａ，２３ｂと、その一方の面に配置される中継基板２９ａ，２９ｂと、他方の面に配置される第２の異方導電性シート２６ａ，２６ｂを有している。
【００９１】
図３は、ピッチ変換用基板の被検査回路基板側の表面を示した図、図４は、その中継ピンユニット側の表面を示した図、図５は、ピッチ変換用基板、中継基板および被検査回路基板を積層した状態を示した断面図である。
【００９２】
ピッチ変換用基板２３の一方の表面、すなわち、被検査回路基板１側には、図３に示したように、被検査回路基板１の電極２、３に電気的に接続される複数の接続用電極２５が形成されている。これらの接続電極２５は、被検査回路基板１の被検査電極２，３のパターンに対応するように配置されている。
【００９３】
一方、ピッチ変換用基板２３の他方の表面、すなわち、被検査回路基板１と反対側には、図４に示したように、中継ピンユニット３１の導電ピン３２ａ、３２ｂに電気的に接続される複数の端子電極２４が形成されている。これらの端子電極２４は、例えば、２．５４ｍｍ、１．８ｍｍ、１．２７ｍｍ、１．０６ｍｍ、０．８ｍｍ、０．７５ｍｍ、０．５ｍｍ、０．４５ｍｍ、０．３ｍｍまたは０．２ｍｍである一定ピッチの格子点上に配置されており、そのピッチは中継ピンユニットの導電ピン３２ａ、３２ｂの配置ピッチと同一である。
【００９４】
図３のそれぞれの接続電極２５は、配線５２および絶縁基板５１の厚み方向に貫通する内部配線５３（図５を参照）によって、対応する図４の端子電極２４に電気的に接続されている。
【００９５】
ピッチ変換用基板２３の表面における絶縁部は、例えば、図５に示したように、絶縁基板５１の表面に、それぞれの接続電極２５が露出するように形成された絶縁層５４で構成される。この絶縁層５４の厚みは、好ましくは５〜１００μｍ、より好ましくは１０〜６０μｍである。この厚みが過小である場合、表面粗さが小さい絶縁層を形成することが困難となることがある。一方、この厚みが過大である場合、接続電極２５と中継基板２９の導電路形成部との電気的接続が困難となることがある。
【００９６】
ピッチ変換用基板の絶縁基板５１を形成する材料としては、一般にプリント回路基板の基材として使用されるものを用いることができる。具体的には、例えばポリイミド樹脂、ガラス繊維補強型ポリイミド樹脂、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補強型ビスマレイミドトリアジン樹脂などを挙げることができる。
【００９７】
図５の絶縁層５４、５５の形成材料としては、薄膜状に成形可能な高分子材料を用いることができる。その具体例としては、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、これらの混合物、レジスト材料などを挙げることができる。
【００９８】
ピッチ変換用基板２３は、例えば、次のようにして製造することができる。まず、平板状の絶縁基板の両面に金属薄層を積層した積層材料を用意し、この積層材料に対して、形成すべき端子電極のパターンに対応し、積層材料の厚み方向に貫通する複数の貫通孔を、数値制御型ドリリング装置、フォトエッチング処理、レーザー加工処理などにより形成する。
【００９９】
次いで、積層材料に形成された貫通孔内に無電解メッキおよび電解メッキを施すことによって、基板両面の金属薄層に連結されたバイアホールを形成する。その後、金属薄層に対してフォトエッチング処理を施すことにより、絶縁基板の表面に配線パターンおよび接続電極を形成するとともに、反対側の表面に端子電極を形成する。
【０１００】
そして、図５に示したように、絶縁基板５１の表面に、それぞれの接続電極２５が露出するように絶縁層５４を形成するとともに、反対側の表面に、それぞれの端子電極２４が露出するように絶縁層５５を形成することにより、ピッチ変換用基板２３が得られる。なお、絶縁層５５の厚みは、好ましくは５〜１００μｍ、より好ましくは１０〜６０μｍである。
【０１０１】
図６（ａ）は、中継基板の断面図、図６（ｂ）は、その部分拡大断面図、図６（ｃ）は、その部分上面図である。この中継基板２９の基板７３には、ピッチ変換用基板２３の電極パターンに従って導電路形成部６１が配置される多数の貫通孔が形成されている。この貫通孔内には、弾性高分子物質を埋設することにより絶縁部６２が形成され、導電路形成部６１が、この絶縁部７６に囲まれるように貫通形成されている。絶縁部７６は基板７３の両側表面にも一体的に形成され、複数の貫通孔に連続している。
【０１０２】
導電路形成部６１には、絶縁性の弾性高分子物質中に磁性を示す導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されている。
これに対し、絶縁部６２は、導電性粒子を含有しない弾性高分子物質により形成されている。導電路形成部６１を構成する弾性高分子物質と絶縁部６２を構成する弾性高分子物質とは、互いに同じ種類のものであっても異なる種類のものであってもよい。
【０１０３】
中継基板の基板７３を形成する材料としては、具体的には、例えばガラス繊維補強型ポリイミド樹脂、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補強型ビスマレイミドトリアジン樹脂、等の複合樹脂材料、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアラミド樹脂、ポリアミド樹脂、ビスマレイミド・トリアジン樹脂、液晶ポリマー等の機械的強度の高い樹脂材料、ステンレス等の金属材料、フッ素樹脂繊維、アラミド繊維、ポリエチレン繊維、ポリアリレート繊維、ナイロン繊維、ポリエステル繊維、液晶ポリマー繊維等の有機繊維よりなるメッシュ、不織布、金属メッシュなどを挙げることができる。基板７３の厚みは、形成材料にもよるが、好ましくは２０〜２００μｍ、より好ましくは３０〜１００μｍである。
【０１０４】
この基板７３に形成された多数の貫通孔のそれぞれに、接続用電極２５に対応した導電路形成部６１が配置される。例えば、４端子検査における電圧供給用電極２７と電圧測定用電極２８に対応した導電路形成部６１の対が貫通孔のそれぞれに配置される。一つの貫通孔に配置される導電路形成部６１の数は、特に限定されないが、好ましくは１〜４個であり、ピッチ変換用基板２３の接続用電極２５に対応して、基板７３の各貫通孔毎に導電路形成部７５の数が異なっていてもよい。
【０１０５】
図示の例では、中継基板２９の両面において、導電路形成部６１が絶縁部６２の表面から突出した突出部６１ａが形成されている。このように突出部６１ａを形成することによって、導電路形成部６１に対する加圧による圧縮の程度が絶縁部６２に対するそれよりも大きくなるため、導電路形成部６１には充分に抵抗値の低い導電路が確実に形成され、加圧力の変化に対する抵抗値の変化を小さくすることができる。その結果、中継基板２９のそれぞれの導電路形成部６１に作用する加圧力が不均一であっても、各導電路形成部６１間における導電性のバラツキを防止することができる。
【０１０６】
導電路形成部６１および絶縁部６２を構成する弾性高分子物質としては、架橋構造を有する高分子物質が好ましい。このような弾性高分子物質を得るために用いることのできる硬化性の高分子物質形成材料の具体例としては、ポリブタジエンゴム、天然ゴム、ポリイソプレンゴム、スチレン−ブタジエン共重合体ゴム、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体ゴムなどの共役ジエン系ゴムおよびこれらの水素添加物、スチレン−ブタジエン−ジエンブロック共重合体ゴム、スチレン−イソプレンブロック共重合体などのブロック共重合体ゴムおよびこれらの水素添加物、クロロプレン、ウレタンゴム、ポリエステル系ゴム、エピクロルヒドリンゴム、シリコーンゴム、エチレン−プロピレン共重合体ゴム、エチレン−プロピレン−ジエン共重合体ゴムなどが挙げられる。
【０１０７】
中継基板２９に耐候性が要求される場合には、共役ジエン系ゴム以外のものを用いることが好ましく、特に、成形加工性および電気特性の観点からシリコーンゴムを用いることが好ましい。シリコーンゴムとしては、液状シリコーンゴムを架橋または縮合したものが好ましい。液状シリコーンゴムは、その粘度が歪速度１０-1ｓｅｃで１０5ポアズ以下で
あることが好ましく、縮合型のもの、付加型のもの、ビニル基やヒドロキシル基を含有するものなどのいずれであってもよい。具体的には、例えばジメチルシリコーン生ゴム、メチルビニルシリコーン生ゴム、メチルフェニルビニルシリコーン生ゴムなどを挙げることができる。
【０１０８】
また、シリコーンゴムは、その分子量Ｍｗ（標準ポリスチレン換算重量平均分子量をいう。）が１００００〜４００００であることが好ましい。また、耐熱性の点から、分子量分布指数（標準ポリスチレン換算重量平均分子量Ｍｗと標準ポリスチレン換算数平均分子量Ｍｎとの比Ｍｗ／Ｍｎの値をいう。）が２以下であることが好ましい。
【０１０９】
導電路形成部６１に含有される導電性粒子Ｐとしては、後述する方法により導電性粒子を容易に厚み方向に並ぶよう配向させることができることから、磁性を示す導電性粒子が用いられる。
【０１１０】
このような導電性粒子の具体例としては、鉄、コバルト、ニッケルなどの磁性を有する金属の粒子若しくはこれらの合金の粒子またはこれらの金属を含有する粒子、またはこれらの粒子を芯粒子とし、芯粒子の表面に金、銀、パラジウム、ロジウムなどの導電性の良好な金属のメッキを施したもの、あるいは非磁性金属粒子若しくはガラスビーズなどの無機物質粒子またはポリマー粒子を芯粒子とし、芯粒子の表面に、ニッケル、コバルトなどの導電性磁性金属のメッキを施したものなどが挙げられる。
【０１１１】
これらの中では、ニッケル粒子を芯粒子とし、その表面に導電性の良好な金のメッキを施したものを用いることが好ましい。
芯粒子の表面に導電性金属を被覆する方法としては、例えば化学メッキ、電解メッキなどを挙げることができる。
【０１１２】
導電性粒子として芯粒子の表面に導電性金属を被覆したものを用いる場合には、良好な導電性が得られる点から、粒子表面における導電性金属の被覆率（芯粒子の表面積に対する導電性金属の被覆面積の割合）が４０％以上であることが好ましく、さらに好ましくは４５％以上、特に好ましくは４７〜９５％である。
【０１１３】
導電性金属の被覆量は、芯粒子の０．５〜５０質量％であることが好ましく、より好ましくは２〜３０質量％、さらに好ましくは３〜２５質量％、特に好ましくは４〜２０質量％である。被覆される導電性金属が金である場合には、その被覆量は、芯粒子の０．５〜３０質量％であることが好ましく、より好ましくは２〜２０質量％、さらに好ましくは３〜１５質量％である。
【０１１４】
導電性粒子の粒子径は、１〜１００μｍであることが好ましく、より好ましくは２〜５０μｍ、さらに好ましくは３〜３０μｍ、特に好ましくは４〜２０μｍである。
導電性粒子Ｐの粒子径分布（Ｄｗ／Ｄｎ）は、１〜１０であることが好ましく、より好ましくは１．０１〜７、さらに好ましくは１．０５〜５、特に好ましくは１．１〜４である。
【０１１５】
このような条件を満足する導電性粒子を用いることにより、得られる導電路形成部６１は、加圧変形が容易なものとなり、また、導電路形成部６１において導電性粒子間に十分な電気的接触が得られる。
【０１１６】
導電性粒子の形状は、特に限定されるものではないが、高分子物質形成材料中に容易に分散させることができる点で、球状のもの、星形状のものあるいはこれらが凝集した２次粒子であることが好ましい。
【０１１７】
また、導電性粒子として、その表面がシランカップリング剤などのカップリング剤や潤滑剤で処理されたものを適宜用いることができる。カップリング剤や潤滑剤で粒子表面を処理することにより、異方導電性シートの耐久性が向上する。
【０１１８】
このような導電性粒子は、導電路形成部中に体積分率で好ましくは１５〜４５％、より好ましくは２０〜４０％となる割合で含有される。この割合が過小である場合には、十分に電気抵抗値の小さい導電路形成部６１が得られないことがある。一方、この割合が過大である場合には、得られる導電路形成部６１は脆弱なものとなりやすく、導電路形成部６１として必要な弾性が得られないことがある。
【０１１９】
導電路形成部６１の厚みは、好ましくは２０〜２５０μｍ、より好ましくは３０〜２００μｍである。この厚み過小である場合、厚み方向の加圧に対する吸収能力が低くなる。一方、この厚み過大である場合、良好な導電性が得られないことがある。
【０１２０】
導電路形成部６１における突出部６１ａの突出高さは、導電路形成部６１の厚みの５〜７０％であることが好ましく、より好ましくは１０〜６０％である。
以下に、中継基板２９の製造方法の一例を説明する。先ず、導電路形成部６１を形成する。
１．導電性エラストマー層の形成
先ず、硬化されて弾性高分子物質となる液状のエラストマー用材料中に磁性を示す導電性粒子が分散された導電性エラストマー用材料を調製する。そして、図７に示したように、導電路形成部を形成するための離型性支持板６５上に、導電性エラストマー用材料を塗布することによって導電性エラストマー用材料層６１Ａを形成する。ここで、導電性エラストマー用材料層６１Ａ中には、図８に示したように、磁性を示す導電性粒子Ｐがランダムに分散された状態で含有されている。
【０１２１】
次いで、導電性エラストマー用材料層６１Ａに対してその厚み方向に磁場を作用させることにより、図９に示したように、導電性エラストマー用材料層６１Ａ中に分散されていた導電性粒子Ｐを、導電性エラストマー用材料層６１Ａの厚み方向に並ぶよう配向させる。
【０１２２】
そして、導電性エラストマー用材料層６１Ａに対する磁場の作用を継続しながら、または、磁場の作用を停止した後に、導電性エラストマー用材料層６１Ａの硬化処理を行うことにより、図１０に示したように、弾性高分子物質中に導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有された導電性エラストマー層６１Ｂが、離型性支持板６５上に支持された状態で形成される。
【０１２３】
離型性支持板６５を構成する材料としては、金属、セラミックス、樹脂およびこれらの複合材などを用いることができる。
導電性エラストマー用材料を塗布する方法としては、スクリーン印刷などの印刷法、ロール塗布法、ブレード塗布法などを利用することができる。
【０１２４】
導電性エラストマー用材料層６１Ａの厚みは、形成すべき導電路形成部の厚みに応じて設定される。
導電性エラストマー用材料層６１Ａに磁場を作用させる手段としては、電磁石、永久磁石などを用いることができる。
【０１２５】
導電性エラストマー用材料層６１Ａに作用させる磁場の強度は、０．２〜２．５テスラとなる大きさが好ましい。
導電性エラストマー用材料層６１Ａの硬化処理は、通常、加熱処理によって行われる。具体的な加熱温度および加熱時間は、導電性エラストマー用材料層６１Ａを構成するエラストマー用材料の種類、導電性粒子の移動に要する時間などを考慮して適宜設定される。
【０１２６】
この導電性エラストマー層６１Ｂから、以下のようにして、ピッチ変換用基板２３の接続用電極２５に対応したパターンに従って複数の導電路形成部６１を形成する。（図１１〜図１４）
２．導電路形成部６１の形成
図１１に示したように、離型性支持板６５上に支持された導電性エラストマー層６１Ｂの表面に、メッキ電極用の金属薄層６６を形成する。
【０１２７】
次いで、図１２に示したように、この金属薄層６６上に、フォトリソグラフィーの手法により、形成すべき導電路形成部のパターン、すなわち接続すべき電極のパターンに対応する所定のパターンに従って、複数の開口６７ａが形成されたレジスト層６７を形成する。
【０１２８】
その後、図１３、図１５（ａ）および図１６（ａ）に示したように、金属薄層６６をメッキ電極として、金属薄層６６におけるレジスト層６７の開口６７ａから露出した部分に電解メッキ処理を施すことにより、レジスト層６７の開口６７ａ内に金属マスク６８を形成する。
【０１２９】
次に、導電性エラストマー層６１Ｂと、金属薄層６６と、レジスト層６７に対してレーザー加工を施すことにより、図１５（ｂ）および図１６（ｂ）に示したように、金属マスク６８の周辺のレジスト層６７と、金属薄層６６と、導電性エラストマー層６１Ｂとを除去する。これにより、所定のパターンに従って配置された複数の導電路形成部６１が離型性支持板６５上に支持された状態で形成される。
【０１３０】
その後、導電路形成部６１以外の導電性エラストマー層６１Ｂを剥離除去することにより、図１４、図１５（ｃ）および図１６（ｃ）に示したように、離型性支持板６５上に導電路形成部６１のみを残す。そして、導電路形成部６１の表面から残存する金属薄層６６と金属マスク６８を剥離する。
【０１３１】
これにより、所定のパターンに従って配置された複数の導電路形成部６１が、離型性支持板６５上に支持された状態で形成される。
導電性エラストマー層６１Ｂの表面に金属薄層６６を形成する方法としては、無電解メッキ法、スパッタ法などを利用することができる。
【０１３２】
金属薄層６６を構成する材料としては、銅、金、アルミニウム、ロジウムなどを用いることができる。
金属薄層６６の厚みは、０．０５〜２μｍであることが好ましく、より好ましくは０．１〜１μｍである。この厚みが過小である場合には、均一な薄層が形成されず、メッキ電極として不適なものとなることがある。一方、この厚みが過大である場合には、レーザー加工によって除去することが困難となることがある。
【０１３３】
レジスト層６７の厚みは、形成すべき金属マスク６８の厚みに応じて設定される。
金属マスク６８を構成する材料としては、銅、鉄、アルミウニム、金、ロジウムなどを用いることができる。
【０１３４】
金属マスク６８の厚みは、２μｍ以上であることが好ましく、より好ましくは５〜２０μｍである。この厚みが過小である場合には、レーザーに対するマスクとして不適なものとなることがある。
【０１３５】
レーザー加工は、炭酸ガスレーザーまたは紫外線レーザーによるものが好ましく、これにより、目的とする形態の導電路形成部６１を確実に形成することができる。
第１の異方導電性シート２２における導電路形成部６１は、上述した方法の他に、以下の方法によって形成することができる。
１．複合フィルムの形成
図１７に示したように、メッキ電極用の金属薄層６６上に、フォトリソグラフィーの手法により、形成すべき導電路形成部のパターン、すなわち接続すべき電極のパターンに対応する所定のパターンに従って複数の開口６７ａが形成されたレジスト層６７を形成する。
【０１３６】
その後、図１８に示したように、金属薄層６６をメッキ電極として、金属薄層６６におけるレジスト層６７の開口６７ａから露出した部分に電解メッキ処理を施すことにより、レジスト層６７の開口６７ａ内に金属マスク６８を形成する。これにより、複合フィルム６９が得られる。
【０１３７】
ここで、金属薄層６６としては、金属箔、金属板などを用いることができる。また、樹脂フィルムに一体化された金属箔や、無電解メッキ法、スパッタ法などにより樹脂フィルム上に形成した金属薄層などを用いることができる。
【０１３８】
金属薄層６６の材料としては、銅、金、アルミニウム、ロジウムなどを用いることができる。
金属薄層６６の厚みは、０．０５〜２μｍであることが好ましく、より好ましくは０．１〜１μｍである。この厚みが過小である場合には、均一な薄層が形成されず、メッキ電極として不適なものとなることがある。一方、この厚みが過大である場合には、レーザー加工によって除去することが困難となることがある。
【０１３９】
レジスト層６７の厚みは、形成すべき金属マスク６８の厚みに応じて設定される。
金属マスク６８を構成する材料としては、磁性を示す金属が使用される。その具体例としては、ニッケル、コバルト、およびこれらの合金などを挙げることができる。
【０１４０】
金属マスク６８の厚みは、２μｍ以上であることが好ましく、より好ましくは５〜２０μｍである。この厚みが過小である場合には、レーザーに対するマスクとして不適なものとなることがある。
２．導電性エラストマー層の形成
先ず、硬化されて弾性高分子物質となる液状のエラストマー用材料中に磁性を示す導電性粒子が分散された導電性エラストマー用材料を調製する。そして、図１９に示したように、導電路形成部を形成するための離型性支持板６５上に、導電性エラストマー用材料を塗布することによって導電性エラストマー用材料層６１Ａを形成する。ここで、導電性エラストマー用材料層６１Ａ中は、磁性を示す導電性粒子Ｐがランダムに分散された状態で含有されている。
【０１４１】
次いで、複合フィルム６９を、その金属薄層６６が形成されていない側の面が導電性エラストマー用材料層６１Ａに接するようにして積層する。
その後、導電性エラストマー用材料層６１Ａに対してその厚み方向に磁場を作用させることにより、図２１に示したように、分散されていた導電性粒子Ｐを、磁性を示す金属からなる金属マスク６８の部分に集中させると共に、厚み方向に並ぶように配向させる。磁性を示す金属からなる金属マスク６８の作用により、金属マスク６８の領域における磁場の強度が強くなるので、導電性粒子Ｐが金属マスク６８の部分に集中しつつ配向がなされる。これにより、導電性エラストマー用材料層６１Ａにおいて、金属マスク６８の部分における導電性粒子Ｐの密度が高くなり、金属マスク６８が形成されていない部分では導電性粒子の密度が低くなる。
【０１４２】
そして、導電性エラストマー用材料層６１Ａに対する磁場の作用を継続しながら、または、磁場の作用を停止した後に、導電性エラストマー用材料層６１Ａの硬化処理を行うことにより、図２２に示したように、弾性高分子物質中に導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有された導電性エラストマー層６１Ｂが、離型性支持板６５上に支持された状態で形成される。
【０１４３】
離型性支持板６５を構成する材料、導電性エラストマー用材料を塗布する方法、導電性エラストマー用材料層６１Ａの厚み、導電性エラストマー用材料層６１Ａに磁場を作用させるときの条件等は、前述した導電路形成部の形成方法において説明したとおりである。
【０１４４】
その後、図２３に示したように、この導電性エラストマー層６１Ｂの表面に一体化された金属薄層６６を除去する。金属薄層６６の除去は、エッチング、機械的剥離、機械的研磨等により行うことができる。
２．導電路形成部６１の形成
この導電性エラストマー層６１Ｂから、前述した方法に準じて、ピッチ変換用基板２３の接続用電極２５に対応したパターンに従って複数の導電路形成部６１を形成する。すな
わち、導電性エラストマー層６１Ｂとレジスト層６７に対してレーザー加工を施すことにより、金属マスク６８の周辺のレジスト層６７と導電性エラストマー層６１Ｂとを除去する。これにより、所定のパターンに従って配置された複数の導電路形成部６１が離型性支持板６５上に支持された状態で形成される。
【０１４５】
その後、導電路形成部６１以外の導電性エラストマー層６１Ｂを剥離除去することにより、図２４に示したように、離型性支持板６５上に導電路形成部６１のみを残す。そして、導電路形成部６１の表面から残存する金属マスク６８を剥離する。
【０１４６】
レーザー加工は、炭酸ガスレーザーまたは紫外線レーザーによるものが好ましく、これにより、目的とする形態の導電路形成部６１を確実に形成することができる。
以上のようにして得られた、離型性支持板６５上に形成された複数の導電路形成部６１を用いて、以下の工程によって中継基板２９を得る。先ず、図２５（ａ）に示したように、離型性支持板７０を用意し、この離型性支持板７０の表面に、硬化されて絶縁性の弾性高分子物質となる液状の絶縁部用材料層６２Ａを印刷法などにより形成する。
【０１４７】
次いで、図２５（ｂ）に示したように、絶縁部用材料層６２Ａの上に、貫通孔を有する基板７３を載置する。そして基板７３の上面側から、硬化されて絶縁性の弾性高分子物質となる液状のエラストマー用材料を、印刷法などによって基板７３の貫通孔７５内に充填する。さらに、エラストマー用材料を基板７３の表面に塗布することにより、図２５（ｃ）に示したように基板７３の両側表面および貫通孔７５に一体に形成された絶縁部用材料層６２Ａを得る。
【０１４８】
次いで、図２６（ａ）に示したように、複数の導電路形成部６１が形成された離型性支持板６５を、基板７３が載置され、その両側表面および貫通孔７５内に絶縁部用材料層６２Ａが形成された離型性支持板７０上に重ね合わせることにより、導電路形成部６１の各々を離型性支持板７０に接触させる。これにより、導電路形成部６１の周囲に絶縁部用材料層６２Ａが形成された状態となる。
【０１４９】
次いで図２６（ｂ）に示したように、離型性支持板６５を加圧することにより導電路形成部６１を圧縮し、絶縁部用材料層６２Ａの硬化処理を行う。硬化処理後、離型性支持板６５および離型性支持板７０による圧力を開放し、離型性支持板６５および離型性支持板７０から離型させることにより、導電路形成部６１の両端部を絶縁部６２から突出させる。これにより、図２６（ｃ）に示したように、隣接する一対の導電路形成部６１，６１を相互に絶縁する絶縁部６２が、導電路形成部６１と一体的に形成され、導電路形成部６１が絶縁部６２の表面より突出した中継基板２９が得られる。
【０１５０】
なお、図２６（ｄ）に示したように、導電路形成部６１の先端部に、金属膜６４を形成してもよい。この金属膜６４は、同図のように導電路形成部６１における両側の先端部に形成してもよく、あるいは導電路形成部６１におけるいずれか一方の片側の先端部に形成してもよい。このような金属膜は、例えば金属メッキによる方法、スパッタ法などによる蒸着、金属プレートを接着剤によって導電路形成部６１の先端部に貼付する方法など、公知である各種の方法で形成できる。
【０１５１】
離型性支持板７０を構成する材料としては、導電路形成部６１を形成するための離型性支持板６５と同様のものを用いることができる。
絶縁部用材料層６２Ａに用いられるエラストマー用材料を塗布する方法としては、スクリーン印刷などの印刷法、ロール塗布法、ブレード塗布法などを挙げることができる。
【０１５２】
絶縁部用材料層６２Ａの厚みは、形成すべき絶縁部６２の厚みに応じて設定される。
絶縁部用材料層６２Ａ硬化処理は、通常、加熱処理によって行われる。具体的な加熱温度および加熱時間は、絶縁部用材料層６２Ａを構成するエラストマー材料の種類などを考慮して適宜設定される。
【０１５３】
基板７３の貫通孔は、数値制御型ドリリング装置、フォトエッチング処理、レーザー加工処理などにより形成することができる。
以上に説明した中継基板の製造方法によれば、導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で分散された導電性エラストマー層６１Ａに対してレーザー加工を施してその一部を除去することによって目的とする形状の導電路形成部６１を形成している。
【０１５４】
従って、所要の量の導電性粒子Ｐが充填され、所期の導電性を有する導電路形成部６１が形成された中継基板２９を確実に得ることができる。
また、磁性を示す金属からなる金属マスクを用いて導電性エラストマー用材料層６１Ａに対して磁場配向を行う方法を適用することにより、金属マスクが形成されていない部分の導電性粒子の密度が小さくなる。そのため、レーザー加工による導電路形成部の形成が容易になる。さらに、厚みの大きい導電性エラストマー層６１Ｂのレーザー加工が容易となるため、厚みの大きい導電路形成部６１を確実に得ることができる。
【０１５５】
また、ピッチ変換用基板２３の接続用電極２５に対応する所定のパターンに従って離型性支持板６５上に配置された複数の導電路形成部６１を形成し、これらの導電路形成部６１の間に、未硬化状態のエラストマー用材料層６２Ａを形成して硬化処理することにより、絶縁部６２を形成している。
【０１５６】
これにより、導電性粒子Ｐが全く存在しない絶縁部６２が形成された第１の異方導電性シート２２を確実に得ることができる。
しかも、従来の異方導電性シートを製造するために使用されていた、多数の強磁性体部が配列された高価な金型が不要である。
【０１５７】
従って、このような方法によって得られる中継基板２９によれば、検査対象である被検査回路基板の検査電極の配置パターンに関わらず、被検査電極の各々に対して所要の電気的接続を確実に達成することができる。
【０１５８】
また、被検査電極が、そのピッチが微小で高密度に配置されている場合であっても、被検査電極の各々に対して所要の電気的接続を確実に達成することができ、しかも、製造コストの低減化を図ることができ、さらに高い耐久性が得られる。
【０１５９】
図５は、ピッチ変換用基板、中継基板および被検査回路基板を積層した状態を示した断面図である。同図では、４端子検査を行う場合の例を示している。図示したように、被検査回路基板１とピッチ変換用基板２３との間に中継基板２９が配置されている。
【０１６０】
ピッチ変換用基板２３の表面には、それぞれ同一の被検査電極に電気的に接続される互いに離間して配置された電流供給用の電流供給用電極２７および電圧測定用の電圧測定用電極２８からなる接続用電極２５が形成されている。
【０１６１】
ピッチ変換用基板２３の電流供給用電極２７および電圧測定用電極２８に対応して、中継基板２９の１つの貫通孔内には、一対の導電路形成部６１が形成されている。この一対の導電路形成部６１，６１は、その一端側で電流供給用電極２７および電圧測定用電極２８と電気的に接続され、他端側で被検査回路基板１の被検査電極２と電気的に接続され、この状態で電気検査が行われる。
【０１６２】
中継基板２９の片面側もしくは両面側には、分散型異方導電性シートを配置するようにしてもよい。本発明では中継基板２９を備えているので、分解能を損なわない薄い分散型異方導電性シートを用いても、被検査回路基板１の電極による局部的な応力集中が充分に緩和される。図２７は、分散型異方導電性シートを配置した例を示した断面図であり、図２７（ａ）では、ピッチ変換用基板２３と中継基板２９との間に分散型異方導電性シートである第１の異方導電性シート２２を配置し、ピッチ変換用基板２３の電流供給用電極２７および電圧測定用電極２８と、中継基板２９の一対の導電路形成部６１，６１とを、第１の異方導電性シート２２を介して電気的に接続している。
【０１６３】
図２７（ｂ）では、中継基板２９の両面側に分散型異方導電性シートである第１の異方導電性シート２２，２２を配置し、ピッチ変換用基板２３の電流供給用電極２７および電圧測定用電極２８と、中継基板２９の一対の導電路形成部６１，６１とを、第１の異方導電性シート２２を介して電気的に接続するとともに、被検査回路基板１の被検査電極２と、中継基板２９の一対の導電路形成部６１，６１とを、第１の異方導電性シート２２を介して電気的に接続している。
【０１６４】
回路基板側コネクタ２１を構成し、中継基板２９に隣接して配置される第１の異方導電性シート２２は、図２８に示したように、絶縁性の弾性高分子物質からなるシート基材６３中に多数の導電性粒子Ｐが面方向に分散されるとともに厚み方向に配列した状態で含有されている。
【０１６５】
第１の異方導電性シート２２の厚みは、好ましくは２０〜２００μｍ、より好ましくは３０〜１００μｍである。この最小厚みが２０μｍ未満である場合には、第１の異方導電性シート２２の機械的強度が低くなり易く、必要な耐久性が得られないことがある。一方、この第１の異方導電性シート２２の厚みが２００μｍを超える場合には、厚み方向の電気抵抗が大きくなり易く、また、接続すべき電極のピッチが小さい場合には、加圧により形成される導電路間において所要の絶縁性が得られず、被検査電極間で電気的な短絡が生じて検査対象回路基板の電気的検査が困難となることがある。
【０１６６】
第１の異方導電性シート２２のシート基材６３を構成する弾性高分子物質は、そのデュロメータ硬さが好ましくは３０〜９０であり、より好ましくは３５〜８０、さらに好ましくは４０〜７０である。なお、ここで「デュロメータ硬さ」とは、ＪＩＳ Ｋ６２５３の
デュロメータ硬さ試験に基づいてタイプＡデュロメータによって測定されたものをいう。
【０１６７】
弾性高分子物質のデュロメータ硬さが３０未満である場合、厚み方向に押圧された際に、異方導電性シートの圧縮、変形が大きく、大きな永久歪みが生じるため、異方導電性シートが早期に劣化して検査使用が困難となり耐久性が低くなり易い。
【０１６８】
一方、弾性高分子物質のデュロメータ硬さが９０を超える場合、異方導電性シートが厚み方向に押圧された際に、厚み方向の変形量が不十分となるため、良好な接続信頼性が得られず、接続不良が発生し易くなる。
【０１６９】
第１の異方導電性シート２２の基材を構成する弾性高分子物質としては、上記のデュロメータ硬さを示すものであれば特に限定されないが、形成加工性および電気特性の観点から、シリコーンゴムを用いることが好ましい。
【０１７０】
第１の異方導電性シート２２は、その厚みＷ1（μｍ）と、磁性導電性粒子の数平均粒
子径Ｄ1（μｍ）との比率Ｗ1／Ｄ1が１．１〜１０であることが好ましい。ここで、「磁
性導電性粒子の数平均粒子径」とは、レーザー回折散乱法によって測定されたものをいう。比率Ｗ1／Ｄ1が１．１未満である場合、異方導電性シートの厚みに対して磁性導電性粒
子の直径が同等あるいはそれよりも大きくなるため、この異方導電性シートはその弾性が低くなり、このため、この異方導電性シートを被検査回路基板側に配置する際に被検査回路基板が傷つきやすくなる。
【０１７１】
一方、比率Ｗ1／Ｄ1が１０を超える場合には、厚み方向に多数の導電性粒子が配列して連鎖が形成されるので、多数の導電性粒子同士の接点が存在し、電気的抵抗値が高くなり易い。
【０１７２】
磁性導電性粒子としては、異方導電性シートを形成するためのシート成形材料中において、磁性導電性粒子を磁場の作用によって容易に移動させることができる点から、その飽和磁化が好ましくは０．１Ｗｂ／ｍ2 以上、より好ましくは０．３Ｗｂ／ｍ2 以上、特に好ましくは０．５Ｗｂ／ｍ2 以上のものが使用される。
【０１７３】
飽和磁化が０．１Ｗｂ／ｍ2 以上であることにより、その製造工程において磁性導電性粒子を磁場の作用によって確実に移動させて所望の配向状態とすることができるため、異方導電性シートを使用する際に磁性導電性粒子の連鎖を形成することができる。
【０１７４】
磁性導電性粒子の具体例としては、鉄、ニッケル、コバルトなどの磁性を示す金属の粒子もしくはこれらの合金の粒子またはこれらの金属を含有する粒子、あるいはこれらの粒子を芯粒子とし、この芯粒子の表面に高導電性金属を被覆した複合粒子、あるいは非磁性金属粒子もしくはガラスビーズなどの無機物質粒子またはポリマー粒子を芯粒子とし、この芯粒子の表面に、高導電性金属のメッキを施した複合粒子、あるいは芯粒子に、フェライト、金属間化合物などの導電性磁性体および高導電性金属の両方を被覆した複合粒子などが挙げられる。
【０１７５】
ここで、「高導電性金属」とは、０℃における導電率が５×１０6 Ω-1ｍ-1以上の金属をいう。このような高導電性金属としては、具体的には、金、銀、ロジウム、白金、クロムなどを用いることができ、これらの中では、化学的に安定でかつ高い導電率を有する点で金を用いることが好ましい。
【０１７６】
上記の磁性導電性粒子の中では、ニッケル粒子を芯粒子とし、その表面に金や銀などの高導電性金属のメッキを施した複合粒子が好ましい。
芯粒子の表面に高導電性金属を被覆する手段として、例えば、無電解メッキ法を用いることができる。
【０１７７】
磁性導電性粒子は、その数平均粒子径の変動係数が５０％以下であることが好ましく、より好ましくは４０％以下、さらに好ましくは３０％以下、特に好ましくは２０％以下である。ここで、「数平均粒子径の変動係数」とは、式：（σ／Ｄｎ）×１００（但し、σは、粒子径の標準偏差の値を示し、Ｄｎは、粒子の数平均粒子径を示す。）によって求められるものである。
【０１７８】
磁性導電性粒子の数平均粒子径の変動係数が５０％以下であることにより、粒子径の不揃いの程度が小さくなるため、得られる異方導電性シートにおける部分的な導電性のバラツキを小さくすることができる。
【０１７９】
このような磁性導電性粒子は、金属材料を常法により粒子化し、あるいは市販の金属粒子を用意し、この粒子に対して分級処理を行うことにより得ることができる。粒子の分級処理は、例えば、空気分級装置、音波ふるい装置などの分級装置によって行うことができる。分級処理の具体的な条件は、目的とする導電性金属粒子の数平均粒子径、分級装置の種類などに応じて適宜設定される。
【０１８０】
磁性導電性粒子の具体的な形状は、特に限定されないが、例えば複数の球形の一次粒子が一体的に連結された二次粒子が好ましく用いられる。
磁性導電性粒子として、芯粒子の表面に高導電性金属が被覆された複合粒子（導電性複合金属粒子）を用いる場合、良好な導電性が得られる点から、導電性複合金属粒子の表面における高導電性金属の被覆率（芯粒子の表面積に対する高導電性金属の被覆面積の割合）が４０％以上であることが好ましく、さらに好ましくは４５％以上、特に好ましくは４７〜９５％である。
【０１８１】
また、高導電性金属の被覆量は、芯粒子の重量の２．５〜５０質量％であることが好ましく、より好ましくは３〜４５質量％、さらに好ましくは３．５〜４０質量％、特に好ましくは５〜３０質量％である。
【０１８２】
このような、絶縁性の弾性高分子物質中に多数の導電性粒子が面方向に分散し厚み方向に配列した状態で含有された異方導電性シートは、例えば特開２００３−７７５６０号公報に示されるように、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質用材料中に、磁性を示す導電性粒子が含有された流動性の成形材料を調製し、この成形材料からなる成形材料層を、当該成形材料層における一面に接する一面側成形部材と、当該成形材料層における他面に接する他面側成形部材との間に形成し、この成形材料層に対してその厚み方向に磁場を作用させると共に、当該成形材料層を硬化処理する方法等により製造することができる。
【０１８３】
ピッチ変換用基板２３の中継ピンユニット３１側に配置される第２の異方導電性シート２６は、図２９に示したように、絶縁性の弾性高分子材料中に多数の導電性粒子Ｐが厚み方向に配列して形成された導電路形成部７１と、それぞれの導電路形成部７１を離間する絶縁部７２から構成されている。このように、導電性粒子Ｐは導電路形成部７１中にのみ、面方向に不均一に分散されている。
【０１８４】
導電路形成部７１の厚みは、好ましくは０．１〜２ｍｍ、より好ましくは０．２〜１．５ｍｍである。この厚みが過小である場合、厚み方向の加圧に対する吸収能力が低く、検査時において検査治具による加圧力の吸収が小さくなり、回路基板側コネクタ２１への衝撃を緩和する効果が減少する。このため、中継基板２９における弾性部の劣化を抑制しにくくなり、結果として被検査回路基板１の繰り返し検査時における中継基板２９の交換回数が増加して、検査の効率が低下する。一方、この厚みが過大である場合、厚み方向の電気抵抗が大きくなり易く電気検査が困難となることがある。
【０１８５】
絶縁部７２の厚みは、導電路形成部７１の厚みと実質的に同一か、それよりも小さいことが好ましい。図２９に示したように、絶縁部７２の厚みを導電路形成部７１の厚みよりも小さくして導電路形成部７１が絶縁部７２より突出した突出部７１ａを形成することにより、厚み方向の加圧に対して導電路形成部７２の変形が容易になり、加圧力の吸収能力が増大するため、検査時において検査治具の加圧力を吸収し、回路基板側コネクタへ２１の衝撃を緩和することができる。
【０１８６】
第２の異方導電性シート２６を構成する導電性粒子Ｐに、磁性導電性粒子を使用する場合、その数平均粒子径は好ましくは５〜２００μｍ、より好ましくは５〜１５０μｍ、さらに好ましくは１０〜１００μｍである。ここで、「磁性導電性粒子の数平均粒子径」とは、レーザー回折散乱法によって測定されたものをいう。磁性導電性粒子の数平均粒子径が５μｍ以上であると、異方導電性シートの導電路形成部の加圧変形が容易になる。また、その製造工程において磁場配向処理によって磁性導電性粒子を配向させる場合、磁性導電性粒子の配向が容易である。磁性導電性粒子の数平均粒子径が２００μｍ以下であると
、異方導電性シートの導電路形成部７１の弾性が良好で加圧変形が容易になる。
【０１８７】
導電路形成部７１の厚みＷ2（μｍ）と、磁性導電性粒子の数平均粒子径Ｄ2（μｍ）との比率Ｗ2／Ｄ2は１．１〜１０であることが好ましい。
比率Ｗ2／Ｄ2が１．１未満である場合、導電路形成部７１の厚みに対して磁性導電性粒子の直径が同等あるいはそれよりも大きくなるため、導電路形成部７１の弾性が低くなり、その厚み方向の加圧力の吸収能力が小さくなる。検査時における検査治具の加圧圧力を吸収が小さくなり、回路基板側コネクタ２１への衝撃を緩和する効果が減少するため、中継基板２９における弾性部の劣化を抑制しにくくなり、結果として、被検査回路基板１の繰り返し検査時において中継基板２９の交換回数が増加して、検査の効率が低下し易くなる。
【０１８８】
一方、比率Ｗ2／Ｄ2が１０を超える場合、導電路形成部７１に多数の導電性粒子が配列して連鎖を形成することとなり、導電性粒子同士の接点が多数存在することになるため、電気的抵抗値が高くなり易い。
【０１８９】
導電路形成部７１の基材である弾性高分子物質は、そのタイプＡデュロメータによって測定されたデュロメータ硬さが好ましくは１５〜６０、より好ましくは２０〜５０、さらに好ましくは２５〜４５である。
【０１９０】
弾性高分子のデュロメータ硬さが１５よりも小さい場合、厚み方向に押圧された際のシートの圧縮、変形が大きく、大きな永久歪が生じるためシート形状が早期に変形して検査時の電気的接続が困難となり易い。弾性高分子のデュロメータ硬さが６０よりも大きい場合、厚み方向に押圧された際の変形が小さくなるため、その厚み方向の加圧力の吸収能力が小さくなる。このため、中継基板２９における弾性部の劣化を抑制しにくくなり、結果として、被検査回路基板１の繰り返し検査時において中継基板２９の交換回数が増加して、検査の効率が低下しやすくなる。
【０１９１】
導電路形成部７１の基材となる弾性高分子としては、上記のデュロメータ硬さを示すものであれば特に限定されないが、加工性および電気特性の点から、シリコーンゴムを用いることが好ましい。
【０１９２】
第２の異方導電性シート２６の絶縁部７２は、実質的に導電性粒子を含有しない絶縁材料により形成される。絶縁材料としては、例えば、絶縁性の高分子材料、無機材料、表面を絶縁化処理した金属材料などを用いることができるが、導電路形成部に使用した弾性高分子と同一の材料を用いると生産が容易である。絶縁部の材料として弾性高分子を使用する場合、デュロメータ硬さが上記の範囲であるものを使用することが好ましい。
【０１９３】
磁性導電性粒子としては、前述した中継基板２９の導電路形成部に用いられる導電性粒子を用いることができる。
第２の異方導電性シート２６は、例えば、以下のようにして製造することができる。先ず、それぞれ全体の形状が略平板状であって、互いに対応する上型と下型とよりなり、上型と下型との間の成形空間内に充填された材料層に磁場を作用させながら材料層を加熱硬化することができる構成の異方導電性シート成形用金型を用意する。
【０１９４】
この異方導電性シート成形用金型は、材料層に磁場を作用させて適正な位置に導電性を有する部分を形成するために、上型および下型の両方は、鉄、ニッケルなどの強磁性体からなる基板上に、金型内の磁場に強度分布を生じさせるための鉄、ニッケルなどよりなる強磁性体部分と、銅などの非磁性金属若しくは樹脂よりなる非磁性体部分とが互いに隣接するよう交互に配置されたモザイク状の層を有する構成のものであり、強磁性体部分は、
形成すべき導電路形成部に対応するパターンに従って配列されている。
【０１９５】
ここで、上型の成形面は平坦であり、下型の成形面は形成すべき異方導電性シートの導電路形成部に対応してわずかに凹凸を有するものである。
そして、上記の異方導電性シート成形用金型を用いて、以下のようにして異方導電性シートが製造される。先ず、異方導電性シート成形用金型の成形空間内に、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質材料中に磁性を示す導電性粒子が含有されてなる成形材料を注入して成形材料層を形成する。
【０１９６】
次に、上型および下型の各々における強磁性体部分および非磁性体部分を利用し、形成された成形材料層に対してその厚み方向に強度分布を有する磁場を作用させることにより、その磁力の作用によって、導電性粒子を、上型における強磁性体部分と、その直下に位置する下型における強磁性体部分との間に集合させ、更には導電性粒子を厚み方向に並ぶように配向させる。そして、その状態で成形材料層を硬化処理することにより、複数の柱状の導電路形成部が、絶縁部によって互い絶縁されてなる構成を有する異方導電性シートが製造される。
【０１９７】
一方、テスター側コネクタ４１ａ，４１ｂは、図１に示したように、第３の異方導電性シート４２ａ，４２ｂと、コネクタ基板４３ａ，４３ｂと、ベース板４６ａ，４６ｂと、を備えている。第３の異方導電性シート４２ａ，４２ｂには、前述した第２の異方導電性シート２６と同様のものが使用される。すなわち、図２９に示したような、絶縁性の弾性高分子材料中に多数の導電性粒子が厚み方向に配列して形成された導電路形成部と、それぞれの導電路形成部を離間する絶縁部とから構成された異方導電性シートが使用される。
【０１９８】
コネクタ基板４３ａ，４３ｂは、絶縁基板を備えており、その表面の中継ピンユニット３１側に、図１および図２に示したようにピン側電極４５ａ，４５ｂが形成されている。
これらのピン側電極４５は、例えば、２．５４ｍｍ、１．８ｍｍ、１．２７ｍｍ、１．０６ｍｍ、０．８ｍｍ、０．７５ｍｍ、０．５ｍｍ、０．４５ｍｍ、０．３ｍｍまたは０．２ｍｍの一定ピッチの格子点上に配置されており、その配置ピッチは中継ピンユニット３１の導電ピン３２の配置ピッチと同一である。
【０１９９】
それぞれのピン側電極４５は、絶縁基板の表面に形成された配線パターンおよびその内部に形成された内部配線によって、テスター側電極４４ａ，４４ｂへ電気的に接続されている。
【０２００】
中継ピンユニット３１は、図１、図２、図３０（図３０は、説明の便宜上、中継ピンユニット３１ａについて示している）、および図３６〜図３９に示したように、上下方向を向くように並列に、所定のピッチで設けられた多数の導電ピン３２ａ，３２ｂを備えている。また、中継ピンユニット３１は、これらの導電ピン３２ａ，３２ｂの両端側に設けられ、導電ピン３２ａ，３２ｂを挿通支持する被検査回路基板１側に配置された第１の絶縁板３４ａ，３４ｂと、被検査回路基板１側とは反対側に配置された第２の絶縁板３５ａ，３５ｂの２枚の絶縁板を備えている。
【０２０１】
導電ピン３２は、例えば、図３１に示したように、直径の大きい中央部８２と、これよりも直径の小さい端部８１ａ，８１ｂとからなる。第１の絶縁板３４と第２の絶縁板３５には、導電ピン３２の端部８１が挿入される貫通孔８３が形成されている。そして、貫通孔８３の直径が、導電ピン３２の端部８１ａ，８１ｂの直径よりも大きく、且つ中央部８２の直径よりも小さく形成され、これにより導電ピン３２が脱落しないように保持されている。
【０２０２】
第１の絶縁板３４および第２の絶縁板３５は、図１の第１の支持ピン３３および第２の支持ピン３７によって、これらの間隔が導電ピン３２の中央部８２の長さよりも長くなるように固定され、これにより導電ピン３２が上下へ移動可能に保持されている。導電ピン３２の端部８１の長さは、絶縁板３４の厚みよりも長くなるように形成され、これにより、少なくとも一方の絶縁板３４から導電ピン３２が突出するようになっている。
【０２０３】
中継ピンユニットは、多数の導電ピンが、例えば、２．５４ｍｍ、１．８ｍｍ、１．２７ｍｍ、１．０６ｍｍ、０．８ｍｍ、０．７５ｍｍ、０．５ｍｍ、０．４５ｍｍ、０．３ｍｍまたは０．２ｍｍのピッチの格子点上に配置されている。
【０２０４】
中継ピンユニット３１の導電ピン３２の配置ピッチと、ピッチ変換用基板２３に設けられた端子電極２４の配置ピッチとを同一とすることにより、導電ピン３２を介してピッチ変換用基板２３がテスター側に電気的に接続されるようになっている。
【０２０５】
また、図１および図３０に示したように、中継ピンユニット３１には、第１の絶縁板３４ａ，３４ｂと、第２の絶縁板３５ａ，３５ｂとの間に、中間保持板３６ａ、３６ｂが配置されている。
【０２０６】
そして、第１の絶縁板３４ａ，３４ｂと中間保持板３６ａ，３６ｂとの間には、第１の支持ピン３３ａ，３３ｂが配置され、これによって、第１の絶縁板３４ａ，３４ｂと中間保持板３６ａ，３６ｂとの間を固定している。
【０２０７】
同様に、第２の絶縁板３５ａ，３５ｂと中間保持板３６ａ，３６ｂとの間には、第２の支持ピン３７ａ，３７ｂが配置され、これによって、第２の絶縁板３５ａ，３５ｂと中間保持板３６ａ，３６ｂとの間を固定している。
【０２０８】
第１の支持ピン３３と、第２の支持ピン３７の材質としては、例えば、真鍮、ステンレスなどの金属が使用される。
なお、図３０における第１の絶縁板３４と中間保持板３６との間の距離Ｌ１と、第２の絶縁板３５と中間保持板３６との間の距離Ｌ２としては、特に限定されるものではないが、後述するように、第１の絶縁板３４、中間保持板３６、第２の絶縁板３５の弾性による、被検査回路基板１の被検査電極２，３の高さバラツキの吸収性を考慮すれば、２ｍｍ以上が好ましく、より好ましくは２．５ｍｍ以上である。
【０２０９】
そして、図３０に示したように、第１の支持ピン３３の中間保持板３６に対する第１の当接支持位置３８Ａと、第２の支持ピン３７の中間保持板３６に対する第２の当接支持位置３８Ｂとは、検査装置を中間保持板の厚さ方向に（図１において上方から下方に向かって）投影した中間保持板投影面Ａ上において異なる位置に配置されている。
【０２１０】
この場合、異なる位置としては、特に限定されるものではないが、第１の当接支持位置３８Ａと、第２の当接支持位置３８Ｂは、図３５に示したように、中間保持板投影面Ａ上において格子上に形成されていることが好ましい。
【０２１１】
具体的には、図３５に示したように、中間保持板投影面Ａ上において、隣接する４個の第１の当接支持位置３８Ａからなる単位格子領域Ｒ１に、１個の第２の当接支持位置３８Ｂが配置される。また、中間保持板投影面Ａにおいて、隣接する４個の第２の当接支持位置３８Ｂからなる単位格子領域Ｒ２に、１個の第１の当接支持位置３８Ａが配置される。なお、図３５では、第１の当接支持位置３８Ａを黒丸、第２の当接支持位置群３８Ｂを白丸で示している。
【０２１２】
なお、ここでは、第１の当接支持位置３８Ａの単位格子領域Ｒ１の対角線Ｑ１の中央に、１個の第２の当接支持位置３８Ｂを配置するとともに、第２の当接支持位置３８Ｂの単位格子領域Ｒ２の対角線Ｑ２の中央に、１個の第１の当接支持位置３８Ａを配置している。しかしながら、これらの相対的な位置は、特に限定されるものではなく、上記のように、検査装置を中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面Ａ上において異なる位置に配置されていればよい。すなわち、格子状に配置されない場合には、このような相対位置関係に拘束されるものではなく、上記のように、検査装置を中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面Ａ上において異なる位置に配置されていればよい。
【０２１３】
また、この場合、互いに隣接する第１の当接支持位置３８Ａの間の離間距離、第２の当接支持位置３８Ｂの間の離間距離は、好ましくは１０〜１００ｍｍ、より好ましくは１２〜７０ｍｍ、特に好ましくは１５〜５０ｍｍである。
【０２１４】
第１の絶縁板３４、中間保持板３６、第２の絶縁板３５の形成材料には、可撓性を有するものが用いられる。これらの板の可撓性は、第１の絶縁板３４、中間保持板３６、第２の絶縁板３５の両端部を、それぞれ１０ｃｍ間隔で支持した状態で水平に配置した場合において、上方から５０ｋｇｆの圧力で加圧することによって生ずる撓みが、これらの絶縁板の幅の０．０２％以下であり、かつ上方から２００ｋｇｆの圧力で加圧することによっても破壊および永久変形が生じない程度であることが好ましい。
【０２１５】
第１の絶縁板３４、中間保持板３６、第２の絶縁板３５の材料としては、具体的には、固有抵抗が１×１０10Ω・ｃｍ以上の絶縁性材料、例えばポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、フェノール樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポチエチレンテレフタレート樹脂、シンジオタクチック・ポリスチレン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエチルケトン樹脂、フッ素樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアミドイミド樹脂等の機械的強度の高い樹脂材料、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補強型ポリエステル樹脂、ガラス繊維補強型ポリイミド樹脂、ガラス繊維補強フェノール樹脂、ガラス繊維補強型フッ素樹脂等のガラス繊維型複合樹脂材料、カーボン繊維補強型エポキシ樹脂、カーボン繊維補強型ポリエステル樹脂、カーボン繊維補強型ポリイミド樹脂、カーボン繊維補強型フェノール樹脂、カーボン繊維補強型フッ素樹脂等のカーボン繊維型複合樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等にシリカ、アルミナ、ボロンナイトライド等の無機材料を充填した複合樹脂材料、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等にメッシュを含有した複合樹脂材料などが挙げられる。また、これらの材料からなる板材を複数積層して構成された複合板材等も用いることができる。
【０２１６】
第１の絶縁板３４、中間保持板３６、および第２の絶縁板３５の厚みは、第１の絶縁板３４、中間保持板３６、第２の絶縁板３５を構成する材料の種類に応じて適宜選択されるが、好ましくは１〜１０ｍｍである。例えば、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂からなり、その厚みが２〜５ｍｍであるものを使用することができる。
【０２１７】
第１の絶縁板３４および第２の絶縁板３５に導電ピン３２を移動可能に支持する方法としては、図３０に示した方法の他に、図３２〜図３４に示した方法を挙げることができる。この例では、導電ピン３２として図示したように、この例では第１の絶縁板３４と第２の絶縁板３５との間に、屈曲保持板８４が設けられている。
【０２１８】
また、導電ピン３２として、円柱形状である金属ピンを用いている。
図３２に示したように、屈曲保持板８４には導電ピン３２が挿通される貫通孔８５が形成されている。導電ピン３２は、第１の絶縁板３４に形成された貫通孔８３ａおよび第２の絶縁板３５に形成された貫通孔８３ｂと、屈曲保持板８４に形成された貫通孔８５とを
支点として、互いに逆方向に横方向へ押圧されて、屈曲保持板８４の貫通孔８５の位置で屈曲され、これにより導電ピン３２が軸方向へ移動可能に支持されている。
【０２１９】
なお、中間保持板３６には、導電ピン３２と接触しない程度に径を大きくした貫通孔８６が形成され、この貫通孔８６に導電ピン３２が挿通されている。
導電ピン３２は、図３３（ａ）〜図３３（ｃ）に示した手順で第１の絶縁板３４および第２の絶縁板３５に支持される。図３３（ａ）に示したように、第１の絶縁板３４の貫通孔８３ａおよび第２の絶縁板３５に形成された貫通孔８３ｂと、屈曲保持板８４の貫通孔８５とが軸方向に位置合わせされた位置に屈曲保持板８４を配置する。
【０２２０】
次に、図３３（ｂ）に示したように、導電ピン３２を、第１の絶縁板３４の貫通孔８３ａから屈曲保持板８４の貫通孔８５を通して第２の絶縁板３５の貫通孔８３ｂまで挿入する。
【０２２１】
次に、図３３（ｃ）に示したように、屈曲保持板８４を、導電ピン３２の軸方向と垂直な横方向（水平方向）に移動し、適宜の手段によって屈曲保持板８４の位置を固定する。これによって、導電ピン３２は、第１の絶縁板３４の貫通孔８３ａおよび第２の絶縁板３５に形成された貫通孔８３ｂと、屈曲保持板８４の貫通孔８５とを支点として互いに逆方向に横方向へ押圧されて、屈曲保持板８４の貫通孔８５の位置で屈曲され、これにより導電ピン３２が軸方向に移動可能に支持される。
【０２２２】
このように構成することで、導電ピン３２が、第１の絶縁板３４と第２の絶縁板３５との間に、軸方向へ移動可能に、且つ脱落しないように保持することができるとともに、導電ピン３２として円柱状である簡易な構造のピンを使用できるため、導電ピン３２およびそれを保持する部材の全体としてのコストを抑えることができる。
【０２２３】
なお、屈曲保持板８４が配置される位置は、第１の絶縁板３４と中間保持板３６との間であってもよい。
このように構成された本実施形態の検査装置では、図２に示したように、被検査回路基板１の電極２および電極３が、中継基板２９ａ，２９ｂ、ピッチ変換用基板２３ａ，２３ｂ、第２の異方導電性シート２６ａ，２６ｂ、導電ピン３２ａ，３２ｂ、第３の異方導電性シート４２ａ，４２ｂ、コネクタ基板４３ａ，４３ｂを介して、最外側に配置されたベース板４６ａ，４６ｂをテスターの加圧機構により規定の圧力で押圧することによってテスター（図示せず）に電気的に接続され、被検査回路基板１の電極間における電気抵抗測定などの電気検査が行われる。
【０２２４】
測定時に被検査回路基板に対して上側および下側の第１の検査治具１１ａ，第２の検査治具１１ｂから押圧する圧力は、例えば、１００〜２５０ｋｇｆである。
以下、図３６〜図３９を参照しながら（便宜的に、第２の検査治具１１ｂのみ示す）、第１の検査治具１１ａと第２の検査治具１１ｂとの間で被検査回路基板１の両面を挟圧した際における圧力吸収作用および圧力分散作用について説明する。
【０２２５】
図３７に示したように、第１の検査治具１１ａと第２の検査治具１１ｂとの間で検査対象である被検査回路基板１の両面を挟圧して電気検査を行う際に、加圧の初期段階では、中継ピンユニット３１の導電ピン３２の厚み方向への移動と、中継基板２９の弾性部と、第２の異方導電性シート２６と、第３の異方導電性シート４２のゴム弾性圧縮により圧力を吸収して、被検査回路基板１の被検査電極の高さバラツキをある程度吸収することができる。
【０２２６】
そして、第１の支持ピンと中間保持板との第１の当接支持位置と、前記第２の支持ピン
と中間保持板との第２の当接支持位置とが、中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されているので、図３８の矢印で示したように、上下方向に力が作用し、図３９に示したように、第１の検査治具１１ａと第２の検査治具１１ｂの間で検査対象である被検査回路基板１をさらに加圧した際に、中継基板２９の弾性部と、第２の異方導電性シート２６と、第３の異方導電性シート４２のゴム弾性圧縮に加えて、中継ピンユニット３１の第１の絶縁板３４と、第２の絶縁板３５と、第１の絶縁板３４と第２の絶縁板３５の間に配置された中間保持板３６のバネ弾性により、被検査回路基板１の被検査電極の高さバラツキ、例えば、ハンダボール電極の高さバラツキに対して、圧力集中を分散させて、局部的な応力集中を回避することができる。
【０２２７】
すなわち、図３８および図３９に示したように、第１の支持ピン３３と中間保持板３６に対する第１の当接支持位置３８Ａを中心として、中間保持板３６が、第２の絶縁板３５の方向に撓むとともに（図３９の一点鎖線で囲んだＥの部分参照）、第２の支持ピン３７と中間保持板３６との第２の当接支持位置３８Ｂを中心として、中間保持板３６が、第１の絶縁板３４の方向に撓むことになる（図３９の一点鎖線で囲んだＤの部分参照）。なお、ここで「撓む」および「撓み方向」とは中間保持板３６が凸状になる方向に突出するように撓むことおよびその突出方向を言う。
【０２２８】
このように、中間保持板３６が、第１の当接支持位置３８Ａ、第２の当接支持位置３８Ｂを中心として、相互に反対方向に撓むので、第１の検査治具１１ａと第２の検査治具１１ｂとの間で検査対象である被検査回路基板１をさらに加圧した際に、中間保持板３６のバネ弾性力が発揮されることになる。
【０２２９】
また、図３９の一点鎖線で囲んだＢ部分で示したように、第２の異方導電性シート２６の導電路形成部の突出部の圧縮によって、導電ピン３２ｂの高さが吸収されるが、この突出部の圧縮よって吸収しきれない圧力が、第１の絶縁板３４ｂに加わることになる。
【０２３０】
したがって、図３９の一点鎖線で囲んだＣ部分で示したように、第１の絶縁板３４と第２の絶縁板３５も、第１の支持ピン３３、第２の支持ピン３７との当接位置で、相互に反対方向に撓むので、第１の検査治具１１ａと第２の検査治具１１ｂとの間で検査対象である被検査回路基板１をさらに加圧した際に、第１の絶縁板３４と第２の絶縁板３５のバネ弾性力が発揮されることになる。
【０２３１】
これにより、高さバラツキを有する被検査回路基板１の被検査電極のそれぞれに対して安定的な電気的接触が確保され、さらに応力集中が低減されるので、中継基板２９の弾性部の局部的な破損が抑制される。その結果、中継基板２９の繰り返し使用耐久性が向上するので、その交換回数が減り、検査作業効率が向上することになる。
【０２３２】
図４０は、本発明の検査装置の他の実施形態を説明する図３６と同様な断面図（便宜的に第２の検査治具のみ示している）、図４１は、その中継ピンユニットの拡大断面図である。この検査装置は、図１に示した検査装置と基本的には同様な構成であり、同一の構成部材には同一の参照番号を付している。この検査装置では、図４０および図４１に示したように、第１の絶縁板３４と第２の絶縁板３５との間に、複数個（本実施形態では３個）の中間保持板３６が所定間隔離間して配置されるとともに、これらの隣接する中間保持板３６同士の間に、保持板支持ピン３９が配置されている。
【０２３３】
この場合、少なくとも１つの中間保持板３６ｂにおいて、中間保持板３６ｂに対して一面側から当接する保持板支持ピン３９ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置と、中間保持板３６ｂに対して他面側から当接する第１の支持ピン３３ｂ、第２の支持ピン３７ｂ、または保持板支持ピン３９ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置とが、中間保
持板３６ｂの厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されていることが必要である。
【０２３４】
最も好ましくは、全ての中間保持板３６ｂにおいて、中間保持板３６ｂに対して一面側から当接する保持板支持ピン３９ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置と、中間保持板３６ｂに対して他面側から当接する第１の支持ピン３３ｂ、第２の支持ピン３７ｂ、または保持板支持ピン３９ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置とが、中間保持板３６ｂの厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置される。
【０２３５】
この場合、詳述しないが、「異なる位置」とは、前述した実施形態において、第１の支持ピン３３と中間保持板３６との第１の当接支持位置３８Ａと、第２の支持ピン３７と中間保持板３６との第２の当接支持位置３８Ｂとの間の関係で説明した相対位置と同様な配置とすることが可能である。
【０２３６】
本実施形態では、３つの中間保持板３６ｂのうち上側の中間保持板３６ｂにおいて、中間保持板３６ｂに対して一面側から当接する保持板支持ピン３９ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置３９Ａと、中間保持板３６ｂに対して他面側から当接する第１の支持ピン３３ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置３８Ａとが、中間保持板３６ｂの厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されている。
【０２３７】
また、３つの中間保持板３６ｂのうち中央の中間保持板３６ｂにおいて、中間保持板３６ｂに対して一面側から当接する保持板支持ピン３９ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置３９Ａと、中間保持板３６ｂに対して他面側から当接する保持板支持ピン３９ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置３９Ａとが、中間保持板３６ｂの厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されている。
【０２３８】
また、３つの中間保持板３６ｂのうち下側の中間保持板３６ｂにおいて、中間保持板３６ｂに対して一面側から当接する保持板支持ピン３９ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置３９Ａと、中間保持板３６ｂに対して他面側から当接する第２の支持ピン３７ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置３８Ｂとが、中間保持板３６ｂの厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されている。
【０２３９】
このように構成することによって、これらの複数個の中間保持板３６によってバネ弾性がさらに発揮されることになり、被検査回路基板１の被検査電極の高さバラツキに対して、圧力集中を分散させて、局部的な応力集中をさらに回避することができ、中継基板２９の弾性部の局部的な破損が抑制され、その結果、中継基板２９の繰り返し使用耐久性が向上するので、中継基板２９の交換回数が減り、検査作業効率が向上する。
【０２４０】
なお、中間保持板３６の個数としては、複数個であればよく、特に限定されるものではない。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲内において種々の変形、変更が可能である。
【０２４１】
例えば、被検査回路基板１は、プリント回路基板以外に、パッケージＩＣ、ＭＣＭ、ＣＳＰなどの半導体集積回路装置、ウェハに形成された回路装置であってもよい。また、プリント回路基板は、両面プリント回路基板だけではなく片面プリント回路基板であってもよい。
【０２４２】
第１の検査治具１１ａと第２の検査治具１１ｂは、使用材料、部材構造などにおいて必ずしも同一である必要はなく、これらが異なるものであってもよい。
テスター側コネクタは、コネクタ基板のような回路基板と異方導電性シートを複数積層して構成してもよい。
【０２４３】
上記の実施形態では、第２の異方導電性シート２６および第３の異方導電性シート４２として、厚み方向に延びる複数の導電路形成部と、これらの導電路形成部を互いに絶縁する絶縁部とからなり、導電性粒子が導電路形成部中にのみ含有され、これにより該導電性粒子は面方向に不均一に分散されるとともに、シート片面側に導電路形成部が突出しているものを用いたが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【０２４４】
また、図１、図２、図３６、図３７、図３９および図４０に示したように、テスター側コネクタ４１におけるコネクタ基板４３とベース板４６との間に、支持ピン４９を配置してもよい。これらの支持ピン４９によって、第１の支持ピン３３、第２の支持ピン３７（図４０では第１の支持ピン３３、第２の支持ピン３７および保持板支持ピン３９）が与える作用と同様にして、面圧を分散させる作用を与えることも可能である。この面圧分散作用を与えるためには、支持ピン４９の位置と、第２の支持ピン３７の位置とが面方向において互いに異なるようにこれらを配置することが好ましい。
【実施例１】
【０２４５】
以下に、本発明の具体的な実施例および比較例を示す。
[実施例１]
レール搬送型回路基板自動検査機（日本電産リード社製，品名：ＳＴＡＲＲＥＣ Ｖ５）の検査部に適合する、図１に示したような、下記の評価用回路基板を検査するための回路基板検査装置を作製した。
（１）評価用回路基板１
下記の仕様の評価用回路基板１を用意した。
寸法：１００ｍｍ（縦）×１００ｍｍ（横）×０．８ｍｍ（厚み）
上面側の被検査電極の数：３６００個
上面側の被検査電極の径：０．２ｍｍ
上面側の被検査電極の最小配置ピッチ：０．４ｍｍ
下面側の被検査電極の数：２６００個
下面側の被検査電極の径：０．２ｍｍ
下面側の被検査電極の最小配置ピッチ：０．４ｍｍ
（２）ピッチ変換用基板２３
ガラス繊維補強型エポキシ樹脂からなる厚さ０．５ｍｍの絶縁基板の両面全面に、厚みが１８μｍの銅からなる金属薄層を形成した積層材料（松下電工社製，品名：Ｒ−１７６６）に、数値制御型ドリリング装置によって、それぞれ積層材料の厚み方向に貫通する直径０．１ｍｍの円形の貫通孔を合計で７２００個形成した。
【０２４６】
この場合、貫通孔の形成は２個を一組として、評価用回路基板の上面側の被検査電極に対応する位置に形成し、一組の貫通孔は０．１ｍｍの間隙を設けて形成した（すなわち、貫通孔Ａ＝０．１ｍｍと貫通孔Ｂ＝０．１ｍｍとの間の間隙＝０．１ｍｍとなるように設定することを意味する）。
【０２４７】
その後、貫通孔が形成された積層材料に対し、ＥＤＴＡタイプ銅メッキ液を用いて無電解メッキ処理を施すことにより、各貫通孔の内壁に銅メッキ層を形成し、さらに、硫酸銅メッキ液を用いて電解銅メッキ処理を施すことにより、各貫通孔内に、積層材料表面の各金属薄層を互いに電気的に接続する、厚さ約１０μｍの円筒状のバイアホールを形成した。
【０２４８】
次いで、積層材料表面の金属薄層上に、厚みが２５μｍのドライフィルムレジスト（東
京応化製，品名：ＦＰ−２２５）をラミネートしてレジスト層を形成するとともに、この積層材料の他面側の金属薄層上に保護シールを配置した。このレジスト層上にフォトマスクフィルムを配置し、レジスト層に対して、平行光露光機（オーク製作所製）を用いて露光処理を施した後、現像処理を行うことにより、エッチング用のレジストパターンを形成した。そして、レジストパターンを形成した面の金属薄層に対してエッチング処理を施すことにより、絶縁基板の表面に、横６０μｍ、縦１２０μｍの矩形の７２００個の接続電極と、各接続電極とバイアホールとを電気的に接続する線幅が１００μｍのパターン配線部を形成し、次いで、レジストパターンを除去した。
【０２４９】
次に、積層材料の接続電極とパターン配線部を形成した側の面に、厚みが２５μｍのドライフィルムレジスト（東京応化製，品名：ＦＰ−２２５）をラミネートしてレジスト層を形成し、このレジスト層の上にフォトマスクフィルムを配置して、レジスト層に対して平行光露光機（オーク製作所製）を用いて露光処理を施した後、現像処理を行うことにより、それぞれの接続電極を露出する、横方向６０μｍ、縦方向１２０μｍの矩形の７２００個の開口を形成した。
【０２５０】
そして、硫酸銅メッキ液を用い、積層材料の他面側の金属薄層を共通電極として用い、それぞれの接続電極に対して電解銅メッキ処理を施すことにより７２００個の接続電極を形成した。次いでレジストパターンを除去した。
【０２５１】
次いで、積層材料の他面側の金属薄層上の保護シールを除去し、この面の金属薄層上に、厚みが２５μｍのドライフィルムレジスト（東京応化製，品名：ＦＰ−２２５）をラミネートしてレジスト層を形成した。その後、このレジスト層上にフォトマスクフィルムを配置し、レジスト層に対して、平行光露光機（オーク製作所製）を用いて露光処理を施した後、現像処理を行うことにより、積層材料における金属薄層上にエッチング用のレジストパターンを形成した。
【０２５２】
次いで、積層材料の接続電極を形成した側の面に保護シールを施した後に、エッチング処理を施すことにより、絶縁性基板の裏面に７２００個の端子電極と、各端子電極とバイアホールとを電気的に接続するパターン配線部を形成し、レジストパターンを除去した。
【０２５３】
次いで、端子電極およびパターン配線部が形成された絶縁基板の裏面に、厚みが３８μｍのドライフィルムソルダーレジスト（ニチゴーモートン製、品名：コンフォマスク２０１５）をラミネートして絶縁層を形成し、この絶縁層上にフォトマスクフィルムを配置し、次いで、絶縁層に対して、平行光露光機（オーク製作所製）を用いて露光処理を施した後、現像処理することにより、電極を露出する直径０．４ｍｍの開口を７２００個形成した。
【０２５４】
以上のようにして、第１の検査治具１１ａ用のピッチ変換用基板２３ａを作製した。このピッチ変換用基板２３ａは、縦横の寸法が１２０ｍｍ×１６０ｍｍ、厚みが０．５ｍｍ、接続用電極２５の絶縁層表面から露出した部分の寸法が、横方向約６０μｍで、縦方向約１２０μｍ、接続用電極２５の絶縁層表面からの突出高さが約３０μｍ、対をなす接続用電極２５間の離間距離が３０μｍ、端子電極２４の直径が０．４ｍｍ、端子電極２４の配置ピッチが０．７５ｍｍであった。
【０２５５】
また、上記と同様にして、表面に５２００個の接続用電極２５を有すると共に裏面に５２００個の端子電極２４を有する、第２の検査治具１１ｂ用のピッチ変換用基板２３ｂを作製した。
【０２５６】
このピッチ変換用基板２３ｂは、縦横の寸法が１２０ｍｍ×１６０ｍｍ、厚みが０．５
ｍｍ、接続用電極２５における絶縁層の表面に露出した部分の横方向約６０μｍで、縦方向約１２０μｍ、接続用電極２５における絶縁層の表面からの突出高さが約３０μｍ、対をなす接続用電極２５間の離間距離が３０μｍ、端子電極２４の直径が０．４ｍｍ、端子電極２４の配置ピッチが０．７５ｍｍのものである。
（３）中継基板２９
１．基板の製造
両面に銅箔を備えた厚みが２５μｍの液晶ポリマー銅張積層板（新日鐵化学：エスパネックス ＬＢ１８−２５−１８ＮＥＰ）に対してエッチングを行い、両面の銅箔を除去することにより厚み２５μｍの液晶ポリマーシートを得た。
【０２５７】
この液晶ポリマーシートに、形成するべき貫通孔に対応する開口を有する厚さ１８μｍの銅よりなるレーザー加工用金属マスクを積層し、炭酸ガスレーザー加工機にて、レーザー加工用金属マスクの開口部を介してレーザー光を照射することにより液晶ポリマーシートに所定の貫通孔を形成した。
【０２５８】
以上において、炭酸ガスレーザー装置によるレーザー加工は、炭酸ガスレーザー加工機「ＭＬ−６０５ＧＴＸ」（三菱電機（株）製）を用い、レーザービーム径が直径６０μｍ，レーザー出力が０．８ｍＪの条件で、１つの加工点にレーザービームを１０ショット照射することにより行った。
【０２５９】
得られた基板７３の寸法、貫通孔の数および直径は以下のとおりである。
〔上側の中継基板２９ａ用の基板７３ａ〕
寸法：９０ｍｍ（縦）×９０ｍｍ（横）×２５μｍ（厚み）
貫通孔の数：３６００個
貫通孔の直径：０．３ｍｍ
〔下側の中継基板２９ｂ用の基板７３ｂ〕
寸法：９０ｍｍ（縦）×９０ｍｍ（横）×２５μｍ（厚み）
貫通孔の数：２６００個
貫通孔の直径：０．３ｍｍ
２．導電性エラストマー層の形成
付加型液状シリコーンゴム１００重量部中に、ニッケルよりなる芯粒子に金が被覆されてなる導電性粒子（芯粒子に対する金の割合が２重量％）４００重量部を分散させることにより、導電性エラストマー用材料を調製した。この導電性エラストマー用材料を、厚みが５ｍｍのステンレスよりなる離型性支持板６５の表面に、スクリーン印刷により塗布することにより、離型性支持板６５上に、厚みが０．０５ｍｍの導電性エラストマー用材料層６１Ａを形成した（図７）。
【０２６０】
次いで、導電性エラストマー用材料層６５に対して、電磁石によって厚み方向に２テスラの磁場を作用させながら、１２０℃、１時間の条件で硬化処理を行うことにより、離型性支持板６５上に支持された厚みが０．０５ｍｍの導電性エラストマー層６５Ｂを形成した（図１０）。
３．導電路形成部の形成
離型性支持板６５上に支持された導電性エラストマー層６５Ｂの表面に、無電解メッキ処理を施すことによって、厚みが０．３μｍの銅よりなる金属薄層６６を形成し（図１１）、この金属薄層６６上に、フォトリソグラフィーの手法によって横６０μｍ、縦１２０μｍの矩形の７２００個の開口が形成された、厚みが２５μｍのレジスト層６７を形成した（図１２）。その後、金属薄層６６の表面に電解メッキ処理を施すことにより、レジスト層６７の開口内に厚みが約２０μｍの銅よりなる金属マスク６８を形成した（図１３）。そして、この状態で、金属マスク６８の周辺部の導電性エラストマー層６５Ｂ、金属薄層６６およびレジスト層６７に対して、炭酸ガスレーザー装置によってレーザー加工を施
すことにより、離型性支持板６５上に支持された７２００個の導電路形成部６１を形成し（図１５Ｂ）、次に、導電路形成部６１をレーザー加工により切り離した残余の導電性エラストマー層を剥離することにより、図１５（ｃ）に示したように導電路形成部６１のみを離型性支持板６５上に残存させた。その後、導電路形成部６１の表面から残存する金属薄層６６および金属マスク６８をエッチングにより除去した。
【０２６１】
以上において、炭酸ガスレーザー装置によるレーザー加工は、炭酸ガスレーザー加工機「ＭＬ−６０５ＧＴＸ」（三菱電機（株）製）を用い、レーザービーム径が直径６０μｍ、レーザー出力が０．８ｍＪの条件で、１つの加工点にレーザービームを１０ショット照射することにより行った。
４．絶縁部の形成
離型性支持板７０の表面に付加型液状シリコーンゴムを塗布して厚み１５μｍのシリコーンゴム層を設けた（図２５（ａ））。
【０２６２】
離型性支持板７０の表面に、液晶ポリマーシートからなる基板７３を上記のシリコーンゴム層を介して載置し（図２５（ｂ））、基板７３の貫通孔内に付加型液状シリコーンゴムを塗布することにより、合計の厚みが０．０５ｍｍの絶縁部用材料層６２Ａを形成し（図２５（ｃ））、この絶縁部用材料層６２Ａ上に、７２００個の導電路形成部６１が形成された離型性支持板６５を位置合わせして重ね合わせた（図２６（ａ））。
【０２６３】
そして、離型性支持板６５に２０ｋｇｆの圧力を加えることにより、導電路形成部６１の厚みを０．０５ｍｍから０．０４ｍｍに弾性的に圧縮させ、この状態で、１２０℃、１時間の条件で、絶縁部用材料層６２の硬化処理を行うことにより、隣接する導電路形成部６１の間に絶縁部６２を形成し（図２６（ｂ））、その後、離型性支持板から離型させることにより、第１の検査治具１１ａ用の中継基板２９ａを製造した（図２６（ｃ））。
【０２６４】
このようにして作成した第１の検査治具１１ａ用の中継基板２９ａは、基板７３ａの寸法が９０ｍｍ（縦）×９０ｍｍ（横）×２５μｍ（厚み）、導電路形成部６１ａの数が７２００個、導電路形成部６１ａの寸法が横６０μｍ、縦１２０μｍ、厚みが約０．０５ｍｍ、絶縁部６２ａの厚みが約０．０３ｍｍ、隣接する導電路形成部６１ａ間の絶縁部６２ａの幅が３０μｍ、絶縁部６２ａからの導電路形成部６１ａの突出高さが上下を合計して約０．０２ｍｍであった。
【０２６５】
また、第１の検査治具１１ａ用の中継基板２９ａと同様の工程によって、第２の検査治具１１ｂ用の中継基板２９ｂを作成した。この中継基板２９ｂは、導電路形成部６１ｂの数が５２００個、導電路形成部６１ｂの寸法が横６０μｍ、縦１２０μｍ、厚みが約０．０５ｍｍ、絶縁部６２ｂの厚みが約０．０３ｍｍ、隣接する導電路形成部６１ｂ間の絶縁部６２ｂの幅が３０μｍ、絶縁部６２ｂからの導電路形成部６１ｂの突出高さが上下を合計して約０．０２ｍｍであった。
（４）回路基板側コネクタ２１
上記のピッチ変換用基板２３の一面側に、中継基板２９を配置し、裏面側に、厚み方向に延びる多数の導電路形成部と、これらを互いに絶縁する絶縁部とからなり、片面に導電路形成部が突出した偏在型異方導電性シートからなる第２の異方導電性シート２６を配置することにより、回路基板側コネクタ２１とした。
【０２６６】
なお、ピッチ変換用基板２３と中継ピンユニット３１との間に配置される第２の異方導電性シート２６は、図２９に示される形状であり、具体的には以下の構成のものを使用した。
〔第２の異方導電性シート２６〕
寸法：１１０ｍｍ×１５０ｍｍ
導電路形成部の厚み：０．６ｍｍ
導電路形成部の外径：０．３５ｍｍ
導電路形成部の突出高さ：０．０５ｍｍ
導電性粒子：材質；金メッキ処理を施したニッケル粒子、平均粒子径；３５μｍ、導電路形成部における導電性粒子の含有率；３０体積％
弾性高分子物質：材質；シリコーンゴム、硬度；３０
（５）中継ピンユニット３１
第１の絶縁板３４、中間保持板３６、第２の絶縁板３５の材料として、固有抵抗が１×１０10Ω・ｃｍ以上の絶縁性材料、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂よりなり、その厚みが１．９ｍｍのものを用いた。
【０２６７】
そして、第１の絶縁板３４と中間保持板３６との間の距離Ｌ１が、３６．３ｍｍ、第２の絶縁板３５と中間保持板３６との間の距離Ｌ２が、３ｍｍとなるように、第１の支持ピン３３（直径２ｍｍ、長さ３６．３ｍｍ）と、第２の支持ピン３７（直径２ｍｍ、長さ３ｍｍ）によって固定支持するようにするとともに、第１の絶縁板３４と第２の絶縁板３５との間に、下記の構成からなる導電ピン３２を移動自在となるように貫通孔８３（直径０．４ｍｍ）に配置した。
〔導電ピン〕
材質：金メッキ処理を施した真鍮
先端部８１ａの寸法：外径０．３５ｍｍ、全長２．１ｍｍ
中央部３２の寸法外径０．４５ｍｍ、全長４１ｍｍ
基端部８１ｂの寸法：外径０．３５ｍｍ、全長２．１ｍｍ
なお、第１の支持ピン３３の中間保持板３６との第１の当接支持位置３８Ａと、第２の支持ピン３７の中間保持板３６に対する第２の当接支持位置３８Ｂは、図３５に示したように、格子状に配置した。なお、互いに隣接する第１の当接支持位置３８Ａの間の離間距離、第２の当接支持位置３８Ｂの間の離間距離を、１７．５ｍｍとした。
（６）テスター側コネクタ４１
テスター側コネクタ４１を、図１に示したように、第３の異方導電性シート４２と、コネクタ基板４３と、ベース板４６とから構成した。なお、第３の異方導電性シート４２は、前述した第２の異方導電性シート２６と同様のものを用いた。
性能試験
１．最低プレス圧力の測定
作成した検査装置をレール搬送型回路基板自動検査機「ＳＴＡＲＲＥＣ Ｖ５」の検査部にセットし、検査装置に対して用意した評価用回路基板１をセットした。
【０２６８】
そして、レール搬送型回路基板自動検査機「ＳＴＡＲＲＥＣ Ｖ５」のプレス圧力を、１００〜２１０ｋｇｆの範囲内において段階的に変化させ、各プレス圧力条件毎に各１０回づつ、評価用回路基板１の被検査電極について、電流供給用の接続用電極に１ミリアンペアの電流を流したときの導通抵抗値を測定した。
【０２６９】
測定された導通抵抗値が１０Ω以上となった検査点（以下、「ＮＧ検査点」という。）を導通不良と判定し、総検査点におけるＮＧ検査点の割合（以下、「ＮＧ検査点割合」という。）を算出し、ＮＧ検査点割合が０．０１％以下となった最も低いプレス圧力を最低プレス圧力とした。
【０２７０】
この検査装置においては、実用上、ＮＧ検査点割合が０．０１％以下であることが必要とされており、ＮＧ検査点割合が０．０１％を超える場合には、良品である被検査回路基板に対して、不良品であるとの誤った検査結果が得られる場合があることから、信頼性の高い回路基板の電気的検査を行うことができなくなるおそれがある。
【０２７１】
この導通抵抗値の測定においては、一の導通抵抗値の測定が終了した後に、測定に係るプレス圧力を開放して検査装置を無加圧状態に戻し、次の導通抵抗値の測定は、再度、所定の大きさのプレス圧力を作用させることによって行った。
【０２７２】
評価用回路基板１の上面被検査電極数は３６００点、下面被検査電極数は２６００点であり、各プレス圧力条件において１０回の測定を行ったことから、ＮＧ検査点割合は、式（３６００＋２６００）×１０＝６２０００によって算出される６２０００点の検査点に占めるＮＧ検査点の割合を示す。
【０２７３】
測定結果を表１に示した。
なお、「最低プレス圧が小さい」とは、低いプレス圧力で被検査回路基板の電気的検査が行えることを意味している。検査時の加圧圧力を低く設定できれば、検査時の加圧圧力による被検査回路基板、異方導電性シートおよびピッチ変換用基板の劣化が抑制できる。
【０２７４】
しかも、検査装置の構成部材として、耐久性強度の低い部品を使用することが可能となることから、検査装置の構造を小さくコンパクトにすることができる。
その結果、検査装置の耐久性の向上、検査装置の製造のコスト削減が達成できる。
２．中継基板の耐久性の測定
作成した検査装置をレール搬送型回路基板自動検査機「ＳＴＡＲＲＥＣ Ｖ５」の検査部にセットした。
【０２７５】
検査装置に対して用意した評価用回路基板１をセットして、レール搬送型回路基板自動検査機「ＳＴＡＲＲＥＣ Ｖ５」のプレス圧力条件を１３０ｋｇｆとし、所定回数の加圧を行った。
【０２７６】
その後、評価用回路基板１の被検査電極について、プレス圧力１３０ｋｇｆの条件下にて、検査用電極に１ミリアンペアの電流を印加したときの導通抵抗値を１０回測定し、所定回数の加圧を行い同様に導通抵抗値を１０回測定する作業を繰り返した。
【０２７７】
測定された導通抵抗値が１０Ω以上となった検査点（ＮＧ検査点）を導通不良と判定し、総検査点におけるＮＧ検査点の割合（ＮＧ検査点割合）を算出した。
次いで、検査装置の中継基板を新しいものに交換し、プレス圧力条件を１５０ｋｇｆに変更したこと以外は上記と同様の条件によって所定回数の加圧を行い、上記と同様の手法によってＮＧ検査点割合を算出した。
【０２７８】
なお、一の導通抵抗値の測定が終了した後に、測定に係るプレス圧力を開放して検査装置を無加圧状態に戻し、次の導通抵抗値の測定は、所定の大きさのプレス圧力を再度作用させることによって行った。
【０２７９】
測定結果を表２に示した。
３．絶縁性の評価
以下のようにして、ピッチ変換用基板２３および中継基板２９からなるアダプター体における対をなす接続用電極間の絶縁抵抗を評価した。
【０２８０】
接続用電極間の絶縁抗性の評価には、縦方向１００ｍｍ、横方向１００ｍｍ、厚さ０．８ｍｍの、表面を絶縁性コートを施したガラスエポキシ基板を使用した。
作成した検査装置を、レール搬送型回路基板自動検査機「ＳＴＡＲＲＥＣ Ｖ５」の検査部にセットし、検査装置に対して上記のガラスエポキシ基板をセットした。
【０２８１】
そして、レール搬送型回路基板自動検査機「ＳＴＡＲＲＥＣ Ｖ５」のプレス圧力を、
１００〜２１０ｋｇｆの範囲内において段階的に変化させた。そして、各プレス圧力条件毎に各１０回づつ、第１の検査治具１１ａ用の上記アダプター体に設けられた、各々の対をなす検査電極２５の間の絶縁抵抗を測定した。
【０２８２】
具体的には、対をなす接続用電極２５に対応する端子電極２４を通じて１ミリアンペアの電流を印加しつつ、対をなす検査電極２５の導通抵抗値を測定した。
この方法にて、対をなす接続用電極２５間の絶縁抵抗値、すなわち中継基板２９における対をなす導電路形成部６１間の絶縁部６２の絶縁抵抗値を測定した。
【０２８３】
測定された絶縁抵抗値が１００Ω以上となった接続用電極対を絶縁良好と判定し、総検査点数に対する絶縁良好と判定された点の割合（以下「絶縁性合格点割合」という。）を算出した。
【０２８４】
第１の検査治具１１ａ用の上記アダプター体における接続用電極２５は、７２００個が３６００個の対となっており、すなわち３６００個の接続電極対が存在し、各プレス圧力条件において１０回の測定を行ったことから、絶縁性合格点割合は、式（３６００）×１０＝３６０００によって算出される３６０００点の検査点に占めるＮＧ検査点の割合を示す。
【０２８５】
この検査装置においては、実用上、絶縁性合格点割合が９９．９％以上であることが必要とされており、絶縁性合格点割合が９９．９％未満の場合には、検査時において、電流供給用電極として使用する接続用電極から、電圧測定用電極として使用する接続用電極へリーク電流が流れることになる。
【０２８６】
その結果、被検査回路基板の良品である被検査回路基板に対して、不良品であるとの誤った検査結果が得られる場合があるため、信頼性の高い回路基板の電気的検査を行うことができなくなるおそれがある。
【０２８７】
評価結果を表３に示した。
[比較例１]
実施例１の中継ピンユニット３１の代わりに、図４２に示したような従来の中継ピンユニット１３１ａ、１３１ｂを用いた。すなわち、一定ピッチ（２．５４ｍｍピッチ）で格子点上に多数（８０００ピン）配置された導電ピン１３２ａ，１３２ｂと、この導電ピン１３２ａ，１３２ｂを上下へ移動可能に支持する絶縁板１３４ａ，１３４ｂとを有しているものを用いた。それ以外は実施例１と同様の構成として、比較用の検査装置を作製した。
【０２８８】
作製した比較用検査装置について、実施例１と同様な方法により、最低プレス圧および中継基板の耐久性を測定した。
最低プレス圧の測定結果を表１に、耐久性の測定結果を表２に示した。
[比較例２]
実施例１の検査装置において、中継基板２９の代わりに、ピッチ変換基板２３と評価用回路基板１の間に厚さ１００μｍの分散型異方導電性シートを配置した。
【０２８９】
作製した比較用検査装置におけるピッチ変換用基板と分散型異方導電性シートとからなるアダプター体について、上述した方法にて絶縁性の評価を行った。絶縁性の評価結果を表３に示した。
[比較例３]
比較例２において使用した厚さ１００μｍの分散型異方導電性シートを、厚み４０μｍの分散型異方導電性シートに交換した。
【０２９０】
そして作製した比較用検査装置について、実施例１と同様な方法により、最低プレス圧の測定、異方導電性シートの耐久性の測定および絶縁性の評価を行った。最低プレス圧の測定結果を表１に、耐久性の測定結果を表２に、ピッチ変換用基板の絶縁性の測定結果を表３に示した。
【０２９１】
なお、比較例２および比較例３において使用した分散型異方導電性シートは以下のようにして得た。
＜分散型異方導電性シートの製造＞
二液型の付加型液状シリコーンゴムのＡ液とＢ液とを、等量となる割合で混合した混合物１００容量部に、平均粒子径が２０μｍの導電性粒子を２５容量部添加して混合した。
【０２９２】
その後、減圧による脱泡処理を行うことにより、導電性エラストマー用材料を調製した。導電性粒子としては、ニッケル粒子を芯粒子とし、この芯粒子に無電解金メッキが施されたもの（平均被覆量：芯粒子の重量の５重量％となる量）を用いた。
【０２９３】
表面が光沢面（表面粗さが０．０４μｍ）で、裏面が非光沢面である、厚みが０．１ｍｍのポリエステル樹脂シート（東レ社製，品名「マットルミラーＳ１０」）を２枚用意した。そして、一方のポリエステル樹脂シートの表面上に、１２０ｍｍ×２００ｍｍの矩形の開口を有する、厚みが１００μｍの枠状のスペーサーを配置した。
【０２９４】
このスペーサーの開口内に、調製した導電性エラストマー用材料を塗布し、この導電性エラストマー用材料上に、他方のポリエステル樹脂シートを、その表面が導電性エラストマー用材料に接するよう配置した。
【０２９５】
その後、加圧ロールと支持ロールとからなる加圧ロール装置を用い、２枚のポリエステル樹脂シートによって導電性エラストマー用材料を挟圧することにより、厚みが１００μｍの導電性エラストマー用材料層を形成した。
【０２９６】
次いで、２枚のポリエステル樹脂シートの各々の裏面に電磁石を配置し、導電性エラストマー材料層に対して、その厚み方向に０．３Ｔの平行磁場を作用させながら、１２０℃、３０分間の条件で、成形材料層の硬化処理を行うことにより、厚みが１００μｍの矩形の導電性エラストマーシートを製造した。得られた導電性エラストマーシートにおける導電性粒子の割合は、体積分率で１２％であった。
【０２９７】
この導電性エラストマーシートを、１１０ｍｍ×１１０ｍｍに切断し、比較例２に使用される分散型異方導電性エラストマーシートとした。
また、上記において、スペーサーの厚みを４０μｍに変更し、同様の方法にて、比較例３に使用される厚み４０μｍの分散型異方導電性エラストマーシートを得た。
【０２９８】
【表１】
【０２９９】
【表２】
【０３００】
【表３】
【図面の簡単な説明】
【０３０１】
【図１】図１は、本発明の検査装置における一実施形態を示した断面図である。
【図２】図２は、図１の検査装置の検査使用時における積層状態を示した断面図である。
【図３】図３は、ピッチ変換用基板の回路基板側の表面を示した図である。
【図４】図４は、ピッチ変換用基板のピン側表面を示した図である。
【図５】図５は、ピッチ変換用基板、中継基板および被検査回路基板を積層した状態を示した断面図である。
【図６】図６（ａ）は、中継基板の部分断面図、図６（ｂ）は、その拡大図、図６（ｃ）は、中継基板の部分上面図である。
【図７】図７は、離型性支持板上に導電性エラストマー用材料層が形成された状態を示した断面図である。
【図８】図８は、導電性エラストマー用材料層を拡大して示した断面図である。
【図９】図９は、導電性エラストマー用材料層に対してその厚み方向に磁場を作用させた後の状態を示した断面図である。
【図１０】図１０は、離型性支持板上に導電性エラストマー層が形成された状態を示した断面図である。
【図１１】図１１は、導電性エラストマー層上に金属薄層が形成された状態を示した断面図である。
【図１２】図１２は、金属薄層上に開口を有するレジスト層が形成された状態を示した断面図である。
【図１３】図１３は、レジスト層の開口内に金属マスクが形成された状態を示した断面図である。
【図１４】図１４は、離型性支持板上に特定のパターンに従って複数の導電路形成部が形成された状態を示した断面図である。
【図１５】図１５は、レーザー加工によって導電路形成部を形成する工程を示した断面図である。
【図１６】図１６は、レーザー加工によって導電路形成部を形成する工程を示した上面図である。
【図１７】図１７は、金属薄層に開口が形成されたレジスト層が積層された積層体を示した断面図である。
【図１８】図１８は、図１７におけるレジスト層の開口内に金属マスクを形成した複合フィルムの断面図である。
【図１９】図１９は、離型性支持板上に導電性エラストマー用材料層が形成された状態を示した断面図である。
【図２０】図２０は、導電性エラストマー用材料層上に複合フィルムを重ね合わせた状態を示した断面図である。
【図２１】図２１は、図２０の積層体に対してその厚み方向に磁場を作用させた後の状態を示した断面図である。
【図２２】図２２は、離型性支持板上に導電性エラストマー層が形成された状態を示した断面図である。
【図２３】図２３は、図２２における金属薄層を除去した後の状態を示した断面図である。
【図２４】図２４は、離型性支持板上に特定のパターンに従って複数の導電路形成部が形成された状態を示した断面図である。
【図２５】図２５は、中継基板の製造工程を説明する断面図である。
【図２６】図２６は、中継基板の製造工程を説明する断面図である。
【図２７】図２７は、ピッチ変換用基板、中継基板および被検査回路基板を、第１の異方導電性シートを介して積層した状態を示した部分断面図である。
【図２８】図２８は、第１の異方導電性シートの部分断面図である。
【図２９】図２９は、第２の異方導電性シートの断面図である。
【図３０】図３０は、中継ピンユニットの断面図である。
【図３１】図３１は、中継ピンユニットの導電ピン、中間保持板および絶縁板の一部を示した断面図である。
【図３２】図３２は、中継ピンユニットにおける他の例を示した図３１と同様の断面図である。
【図３３】図３３は、図３２の構成において第１の絶縁板と第２の絶縁板との間に導電ピンを配置するまでの工程を示した断面図である。
【図３４】図３４は、屈曲保持板を配置した中継ピンユニットの断面図である。
【図３５】図３５は、中継ピンユニットの中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面の部分拡大図である。
【図３６】図３６は、本発明の検査装置の実施形態を示した一部断面図である。
【図３７】図３７は、本発明の検査装置の使用状態を説明する断面図である。
【図３８】図３８は、本発明の検査装置における中継ピンユニットの使用状態を説明する断面図である。
【図３９】図３９は、本発明の検査装置の使用状態を説明する断面図である。
【図４０】図４０は、本発明の検査装置における他の実施形態を示した図４０と同様の一部断面図である。
【図４１】図４１は、図４０の実施形態における中継ピンユニットの断面図である。
【図４２】図４２は、従来における回路基板の検査装置の断面図である。
【図４３】図４３は、被検査回路基板の被検査電極のピッチと、電極離間距離との関係を示した図である。
【図４４】図４４は、被検査回路基板の被検査電極のピッチと、電極離間距離と、ピッチ変換用基板の接続用電極との関係を示した図である。
【図４５】図４５は、４端子検査の場合における、被検査回路基板の被検査電極のピッチと、電極離間距離と、ピッチ変換用基板の接続用電極との関係を示した図である。
【符号の説明】
【０３０２】
２９ａ，２９ｂ 中継基板
３１ａ，３１ｂ 中継ピンユニット
３２ａ，３２ｂ 導電ピン
３３ａ，３３ｂ 第１の支持ピン
３４ａ，３４ｂ 第１の絶縁板
３５ａ，３５ｂ 第２の絶縁板
３６ａ，３６ｂ 中間保持板
３７ａ，３７ｂ 第２の支持ピン
３８Ａ 第１の当接支持位置
３８Ｂ 第２の当接支持位置
３９ 保持板支持ピン
３９Ａ 当接支持位置
４１ａ，４１ｂ テスター側コネクタ
４２ａ，４２ｂ 第３の異方導電性シート
４３ａ，４３ｂ コネクタ基板
４４ａ，４４ｂ テスター側電極
４５ａ，４５ｂ ピン側電極
４６ａ，４６ｂ ベース板
４９ａ,４９ｂ 支持ピン
５１ 絶縁基板
５２ 配線
５３ 内部配線
５４ 絶縁層
５５ 絶縁層
６１ 導電路形成部
６１ａ 突出部
６１Ａ 導電性エラストマー用材料層
６１Ｂ 導電性エラストマー層
６２ 絶縁部
６２Ａ 絶縁部用材料層
６３ シート基材
６４ 金属膜
６５ 離型性支持板
６６ 金属薄層
６７ レジスト層
６７ａ 開口
６８ 金属マスク
６９ 複合フィルム
７０ 離型性支持板
７１ 導電路形成部
７２ 絶縁部
７２ａ 突出部
７３ 基板
７５ 貫通孔
８１ａ，８１ｂ 端部
８２ 中央部
８３，８３ａ，８３ｂ 貫通孔
８４ 屈曲保持板
８５ 貫通孔
８６ 貫通孔
１０１ 被検査回路基板
１０２ 被検査電極
１０３ 被検査電極
１１１ａ 第１の検査治具
１１１ｂ 第２の検査治具
１２１ａ、１２１ｂ 回路基板側コネクタ
１２２ａ，１２２ｂ 第１の異方導電性シート
１２３ａ，１２３ｂ ピッチ変換用基板
１２４ａ，１２４ｂ 端子電極
１２５ａ，１２５ｂ 接続用電極
１２６ａ，１２６ｂ 第２の異方導電性シート
１２７ 電流供給用電極
１２８ 電圧測定用電極
１３１ａ，１３１ｂ 中継ピンユニット
１３２ａ，１３２ｂ 導電ピン
１３３ａ，１３３ｂ 支持ピン
１３４ａ，１３４ｂ 絶縁板
１４１ａ，１４１ｂ テスター側コネクタ
１４２ａ，１４２ｂ 第３の異方導電性シート
１４３ａ，１４３ｂ コネクタ基板
１４４ａ，１４４ｂ テスター側電極
１４５ａ，１４５ｂ ピン側電極
１４６ａ，１４６ｂ ベース板
Ａ 中間保持板投影面
Ｐ 導電性粒子
Ｌ１ 距離
Ｌ２ 距離
Ｑ１ 対角線
Ｑ２ 対角線
Ｒ１ 単位格子領域
Ｒ２ 単位格子領域
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気検査を行う検査対象である回路基板（以下、「被検査回路基板」という。）を、一対の第１の検査治具と第２の検査治具で両面から挟圧することにより、被検査回路基板の両面に形成された電極をテスターに電気的に接続された状態として、被検査回路基板の電気的特性を検査する回路基板の検査装置および回路基板の検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路などを実装するためのプリント回路基板は、集積回路などを実装する前に、回路基板の配線パターンが所定の性能を有することを確認するために電気的特性が検査される。
【０００３】
この電気検査では、例えば、回路基板の搬送機構を備えた検査用テスターに検査ヘッドを組み込み、検査ヘッド部分を交換することにより異なる回路基板の検査を行っている。
例えば、特許文献１に開示されているように、被検査回路基板の被検査電極に接して電気的に導通する金属の検査ピンを基板に植設した構造の検査治具を用いる方法が提案されている。
【０００４】
また、特許文献２に開示されているように、導電ピンを有する検査ヘッドと、オフグリットアダプターと呼ばれるピッチ変換用の回路基板と、異方導電性シートとを組み合わせた検査治具を用いる方法が知られている。
【０００５】
しかしながら、特許文献１のように、金属検査ピンを直接に被検査回路基板の被検査電極に接触させる検査治具を用いる方法では、金属からなる導電ピンとの接触により被検査回路基板の電極が損傷する可能性がある。
【０００６】
特に、近年では回路基板における回路の微細化、高密度化が進み、このようなプリント回路基板を検査する場合、多数の導電ピンを被検査回路基板の被検査電極に同時に導通接触させるためには、高い圧力で検査治具を加圧することが必要となり、被検査電極が損傷し易くなる。
【０００７】
そして、このような微細化、高密度化されたプリント回路基板を検査するための検査治具では、高密度で多数の金属ピンを基板に植設することが技術的に困難になりつつある。また、その製造コストも高価となり、さらに、一部の金属ピンが損傷した場合に、修理、交換することが困難である。
【０００８】
一方、特許文献２のように、異方導電性シートを使用する検査治具では、被検査回路基板の被検査電極が、異方導電性シートを介してピッチ変換用基板の電極と接触することになるため、被検査回路基板の被検査電極が損傷しにくいという利点がある。また、ピッチ変換を行う基板を使用しているため、基板に植設する検査ピンを、被検査回路基板の被検査電極のピッチよりも広いピッチで植設することができるため、微細ピッチで検査ピンを植設する必要がなく、検査治具の製造コストを節約できるという利点もある。
【０００９】
しかしながら、この検査治具では、検査対象である被検査回路基板ごとに、ピッチ変換用基板と、検査ピンを植設する検査治具とを作成する必要があるため、検査される被検査回路基板であるプリント回路基板と同数の検査治具が必要となる。
【００１０】
このため、複数のプリント回路基板を生産している場合では、それに対応して複数の検
査治具を保有しなければならないという問題がある。特に、近年では電子機器の製品サイクルが短縮し、製品に使用されるプリント回路基板の生産期間の短縮化が進んでいるが、これに伴って検査治具を長期間使用することができなくなり、プリント回路基板の生産が切り替わる度に検査治具を生産しなければならないという問題が生じている。
【００１１】
このような問題への対策として、例えば、特許文献３〜５のような、中継ピンユニットを用いる、いわゆるユニバーサルタイプの検査治具を用いた検査装置が提案されている。
図４２は、このようなユニバーサルタイプの検査治具を用いた検査装置の断面図である。この検査装置は、一対の第１の検査治具１１１ａと第２の検査治具１１１ｂとを備え、これらの検査治具は、回路基板側コネクタ１２１ａ、１２１ｂと、中継ピンユニット１３１ａ、１３１ｂと、テスター側コネクタ１４１ａ、１４１ｂとを備えている。
【００１２】
回路基板側コネクタ１２１ａ、１２１ｂは、ピッチ変換用基板１２３ａ、１２３ｂと、その両面側に配置される異方導電性シート１２２ａ、１２２ｂ、１２６ａ、１２６ｂとを有している。
【００１３】
中継ピンユニット１３１ａ、１３１ｂは、一定ピッチ（例えば２．５４ｍｍピッチ）で格子点上に多数（例えば５０００ピン）配置された導電ピン１３２ａ、１３２ｂと、この導電ピン１３２ａ、１３２ｂを上下へ移動可能に支持する一対の絶縁板１３４ａ、１３４ｂとを有している。
【００１４】
テスター側コネクタ１４１ａ、１４１ｂは、被検査回路基板１０１を検査治具１１１ａ、１１１ｂで挟圧した際に、テスターと導電ピン１３２ａ、１３２ｂとを電気的に接続するコネクタ基板１４３ａ、１４３ｂと、コネクタ基板１４３ａ、１４３ｂの導電ピン１３２ａ、１３２ｂ側に配置される異方導電性シート１４２ａ、１４２ｂと、ベース板１４６ａ、１４６ｂとを有している。
【００１５】
この中継ピンユニットを使用した検査治具は、異なる被検査対象であるプリント回路基板を検査する際に、回路基板側コネクタ１２１ａ、１２１ｂを被検査回路基板１０１に対応するものに交換するだけでよく、中継ピンユニット１３１ａ、１３１ｂとテスター側コネクタ１４１ａ、１４１ｂは共通で使用できる。
【００１６】
ところで、被検査回路基板１０１であるプリント配線基板は、多層高密度化してきており、実際には厚み方向に、例えば、ＢＧＡなどのハンダボール電極などの被検査電極１０２、１０３による高さバラツキや基板自体の反りが生じている。そのため、被検査回路基板１０１上の検査点である被検査電極１０２、１０３に電気的接続を達成するためには、第１の検査治具１１１ａと第２の検査治具１１１ｂとを高い圧力で加圧して、被検査回路基板１０１を平坦に変形する必要がある。また、被検査電極１０２、１０３の高さバラツキに対しては、第１の検査治具１１１ａと第２の検査治具１１１ｂの被検査電極１０２、１０３の高さに対する追従性が必要となる。
【００１７】
従来のこのようなユニバーサルタイプの検査治具では、被検査電極１０２、１０３の高さに対する追従性を確保するために、導電ピン１３２ａ、１３２ｂの軸方向移動により追従していたが、この導電ピン１３２ａ、１３２ｂの軸方向移動量にも限界があるため、このような被検査電極１０２、１０３の高さに対する追従性が良好でない場合があり、導通不良が発生して正確な検査ができないことになる。
【００１８】
また、このようなユニバーサルタイプの検査治具では、第１の検査治具１１１ａと第２の検査治具１１１ｂによって、被検査回路基板１０１を挟圧した際のプレス圧力は、その上下の異方導電性シート１２２ａ、１２２ｂ、１２６ａ、１２６ｂ、１４２ａ、１４２ｂ
にて吸収している。
【００１９】
そのため、このようなユニバーサルタイプの検査治具では、ピッチ変換用基板１２３ａ、１２３ｂを支持しプレス圧を分散させるために、一定間隔で導電ピン１３２ａ、１３２ｂを配置する必要がある。
【００２０】
また、従来のユニバーサルタイプの検査治具では、プレス圧力は導電ピン１３２ａ、１３２ｂで受けるようになっているため、一定間隔で多数の導電ピン１３２ａ、１３２ｂを配置する必要がある。
【００２１】
このため、被検査回路基板１０１の電極の微細化に対応して、例えば、０．７５ｍｍピッチで１万以上の貫通孔を有する絶縁板１３４ａ、１３４ｂを形成する場合、絶縁板１３４ａ、１３４ｂの基板の厚さが薄いと強度が低くなり、曲げた時に割れることもあるので、絶縁板１３４ａ、１３４ｂの厚さは厚めにする必要があった。
【００２２】
しかしながら、形成する貫通孔の径が例えば直径０．５ｍｍ程度と微細になり、絶縁板１３４ａ、１３４ｂの厚さが５ｍｍ以上になると、一回のドリル加工で貫通孔を形成しようとする場合に、ドリルの刃の強度の関係で、ドリルの刃の欠損、折れが生じて絶縁板の加工に失敗する場合が多くなる。
【００２３】
このため、絶縁板の片面から厚みの半分程度までドリル加工し、さらに他面側から同一部分にドリル加工を行うことにより貫通孔を形成することによって絶縁板の加工を行っているが、この場合、絶縁板に形成する貫通孔数の２倍のドリル加工作業が必要となり、加工工程が煩雑となるという問題があった。
【００２４】
また、従来のこうしたユニバーサルタイプの検査治具では、回路基板側コネクタを構成する異方導電性シート１２２ａ、１２２ｂとして、厚み方向に延びる複数の導電路形成部と、これらの導電路形成部を互いに絶縁する絶縁部とからなり、導電性粒子が導電路形成部中にのみ含有されて面方向に不均一に分散され、シート片面側に導電路形成部が突出した偏在型の異方導電性シートを使用していた。この異方導電性シートは検査での繰り返し使用により導電路形成部が劣化（抵抗値の上昇）し、異方導電性シートを交換する場合、交換の度に異方導電性シートとピッチ変換用基板との位置合わせ、および回路基板側コネクタと中継ピンユニットとの位置合わせが必要であり、この位置合わせ作業が煩雑で検査効率の低下の要因となっていた。
【００２５】
また、被検査回路基板の電極が、例えば２００μｍ以下のような微少ピッチになると、上記のような異方導電性シートを用いて複数の被検査回路基板について検査を連続して行った場合、被検査回路基板と繰り返し接触することにより異方導電性シートの位置ずれが生じ易くなる。すると異方導電性シートの導電路形成部と被検査回路基板の電極位置とが一致しなくなり、良好な電気的接続が得られなくなるため過大な抵抗値が測定され、本来は良品と判断されるべきプリント回路基板が不良品と誤判断され易くなる。
【００２６】
従来、このような問題を解決するために、表面に検査対象である回路基板の被検査電極に対応するパターンに従って配置された接続用電極を有し、裏面に格子点位置に従って配置された端子電極を有するピッチ変換用基板と、このピッチ変換用基板の表面上に一体的に設けられた異方導電性エラストマーシートとからなるアダプター装置が提案されている（特許文献６および特許文献７）。
【００２７】
このようなアダプター装置によれば、回路基板の電気的検査において、異方導電性エラストマーシートの位置合わせ作業が不要であり、また、温度変化による熱履歴などの環境
の変化に対しても良好な電気的接続状態が安定に維持され、従って高い接続信頼性が得られる。
【００２８】
しかしながら、図４３に示したように、被検査電極１０２（１０３）の間のピッチＰ１が１００μｍ以下の場合には、被検査電極１０２（１０３）の間の離間距離Ｓ１が５０μｍ以下になってしまう。このため、図４４に示したように、ピッチ変換用基板１２３の接続用電極１２５の間の離間距離も、被検査電極１０２（１０３）の間の離間距離Ｓ１と同じく、５０μｍ以下にする必要がある。
【００２９】
従って、異方導電性シート１２２の導電路形成部間を相互に絶縁する絶縁部の幅も、これに合わせて、被検査電極１０２（１０３）の間の離間距離Ｓ１と同じく、５０μｍ以下にする必要がある。
【００３０】
しかしながら、被検査電極間の離間距離が１００μｍ以下であるような、被検査電極が狭ピッチで配置された回路基板を検査するための偏在型異方導電性エラストマーシートを得る場合、上記したように、隣接する導電路形成部間を相互に絶縁する絶縁部の幅が５０μｍ以下となるように形成する必要があるが、金型成形によりシートを製造する従来の方法では、隣接する金型磁極との磁場作用のため５０μｍ以下の絶縁部の形成が困難となる。
【００３１】
このため、この従来の製法による偏在型異方導電性エラストマーシートでは、シートの厚みにもよるが、回路基板の電極間距離の検査可能な下限は、約６０〜８０μｍであった。
【００３２】
このため、被検査電極の離間距離が５０μｍ以下である、被検査電極が小ピッチで配置された回路基板を検査するための偏在型異方導電性エラストマーシートは、金型法によって成形することがきわめて困難であるため、実質的には得られていない。
【００３３】
また、アダプター装置として、ピッチ変換用基板の表面に導電性エラストマー層を形成した後、導電性エラストマー層に対してレーザー加工を施してその一部を除去することにより、ピッチ変換用基板の各接続用電極上に互いに独立した導電路形成部が形成されたものが提案されている（特許文献８）。
【００３４】
このようなアダプター装置によれば、導電路形成部の各々は互いに独立した状態で形成されているため、隣接する導電路形成部間において所要の絶縁性が確実に得られる。
しかしながら、このアダプター装置においては、導電路形成部の各々がピッチ変換用基板の接続用電極のみによって支持されているため、ピッチ変換用基板から脱落し易く耐久性が低いという問題がある。
【００３５】
また、導電路形成部を形成する際には、レーザー加工によってピッチ変換用基板に損傷を与えるおそれがある、という問題がある。
一方、導電性粒子が厚み方向に配列するとともに面方向に均一に分散された、いわゆる分散型の異方導電性エラストマーシートでは、その厚みを小さくすることにより高い分解能が得られるため、例えばその厚みを３０μｍ程度とすることにより、被検査電極の離間距離が５０μｍ以下である回路基板を検査することが、その分解能としては可能となる。
【００３６】
しかし、その厚みが３０μｍ程度であるような、薄い分散型異方導電性エラストマーシートでは、異方導電性エラストマーシートの特性の一つである、シート本体の弾性による機械的衝撃の吸収能力や、電極同士のソフトな接触による電気的接続を達成する能力がほとんど無くなってしまうため、多数の高さバラツキを含む被検査電極を有する被検査回路
基板を検査装置に接続する場合に、異方導電性エラストマーシートの段差級収能力の低下により、多数の被検査電極を同時に接続することが困難となる。
【００３７】
例えば、メッキにより多数の電極が形成される回路基板では、その各々の電極の高さのバラツキが約２０μｍ程度となる。分散型異方導電性エラストマーシートでは、厚み方向に圧縮された際に、安定して電気的な導通を達成できる圧縮率は約２０％以下である。例えば２０％を超えて圧縮を行うと、横方向の電気的導通が大きくなり導通の異方性が損なわれるばかりでなく、基材となるエラストマーの永久変形が生じて繰り返し使用が困難となる。このため、約２０μｍの高さバラツキを含む電極を有する回路基板の検査を行う場合、厚みが１００μｍ以上の分散型異方導電性エラストマーシートを使用することが必要となる。
【００３８】
しかし、厚みが１００μｍ以上の分散型異方導電性エラストマーシートを使用すると、被検査電極が５０μｍ以下の小さいピッチで配置された回路基板を検査することが、分解能が損なわれるために実質的に不可能となってしまう問題点があった。
【００３９】
さらに、厚みの小さい分散型異方導電性エラストマーシートは、シート本体の弾性が低いために機械的衝撃の吸収能力が小さく、回路基板検査用アダプターに用いて回路基板の繰り返し検査を行った場合に異方導電性エラストマーシートの劣化が早く、そのため頻繁に分散型異方導電性エラストマーシートを交換しなければならず、交換作業が繁雑となり、回路基板の検査効率が低くなってしまう。
【００４０】
以上のことから、被検査電極が５０μｍ以下の小さいピッチで配置された回路基板を検査するための、異方導電性エラストマーシートを用いた回路基板検査用アダプターでは、分解能、段差吸収能、繰り返し使用耐久性を全て満足するものが得られていなかった。
【００４１】
図４４に示したように、被検査電極１０２（１０３）の間のピッチＰ１が１００μｍの場合には、ピッチ変換基板１２３の接続用電極１２５の間の離間距離は、被検査電極１０２（１０３）の間の離間距離Ｓ１と同じく、５０μｍであればよい。しかしながら、高い精度で回路基板の潜在的な電気的欠陥を検出するために４端子検査を行う場合、図４５に示したように、被検査用回路基板の被検査電極１０２（１０３）の１つに対して、ピッチ変換基板１２３の２つの電極（電流供給用電極１２７および電圧測定用電極１２８）を接続することになる。
【００４２】
そのため、ピッチ変換基板１２３における電流供給用電極１２７と電圧測定用電極１２８との間の離間距離Ｓ２はさらに小さくなる。例えば、ピッチ変換基板１２３の被検査電極間１０２（１０３）のピッチＰ１が２００μｍである場合、被検査電極１０２（１０３）の直径Ｒが約１００μｍとなり、この直径約１００μｍの被検査電極１０２（１０３）に対して、ピッチ変換用基板１２３における電流供給用電極１２７および電圧測定用電極１２８が共に接続されるので、電流供給用電極１２７と電圧測定用電極１２８との間の離間距離Ｓ２は、図４５に示したように、３０〜４０μｍ程度しか設けることができない。
【００４３】
しかしながら、上述したように、従来では、偏在型異方導電性エラストマーシート、分散型異方導電性エラストマーシートのいずれを用いた場合にも、ピッチ変換用基板における接続用電極の離間距離Ｓ２を３０〜４０μｍとしたアダプター装置は得られていないのが現状である。
【００４４】
以上のように、従来の偏在型異方導電性シートや分散型異方導電性シートを用いた回路基板の検査装置では、多数の被検査電極を有する回路基板を検査する際に要求される分解能、段差吸収能、クッション性、耐久性に関して、その全てにおいて性能が充分なものは
得られていなかった。
【特許文献１】特開平６−９４７６８号公報
【特許文献２】特開平５−１５９８２１号公報
【特許文献３】特開平７−２４８３５０号公報
【特許文献４】特開平８−２７１５６９号公報
【特許文献５】特開平８−３３８８５８号公報
【特許文献６】特開平４−１５１５６４号公報
【特許文献７】特開平６−８２５３１号公報
【特許文献８】特開平１０−２２９２７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００４５】
本発明は、検査対象である被検査回路基板が微細ピッチの微小電極を有するものであっても、信頼性の高い回路基板の電気的検査を行うことができる回路基板の検査装置および回路基板の検査方法を提供することを目的とする。
【００４６】
また、本発明は、検査対象である被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキに対する追従性が良好で、導通不良が発生せず、正確な検査を実施することが可能な回路基板の検査装置および回路基板の検査方法を提供することを目的とする。
【００４７】
また、本発明は、一定間隔で導電ピンを配置する必要がなく、そのため、導電ピンを保持する絶縁板への貫通孔のドリル加工による穿設作業が少なく、コストを低減することが可能な回路基板の検査装置および回路基板の検査方法を提供することを目的とする。
【００４８】
また、本発明は、高い分解能で検査が可能であり、被検査回路基板の被検査電極による段差を良好に吸収するとともに、繰り返し使用耐久性にも優れた回路基板の検査装置および回路基板の検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００４９】
本発明の回路基板の検査装置は、一対の第１の検査治具と第２の検査治具によって、両検査治具の間で検査対象である被検査回路基板の両面を挟圧して電気検査を行う回路基板の検査装置であって、
前記第１の検査治具と第２の検査治具がそれぞれ、
基板の一面側と他面側との間で電極ピッチを変換するピッチ変換用基板と、
前記ピッチ変換用基板の被検査回路基板側に配置され、基板に形成された複数の貫通孔に、弾性高分子物質からなる絶縁部と、導電性粒子を含有する弾性高分子物質からなり前記絶縁部を厚み方向へ貫通する導電路形成部とが形成された、該導電路形成部によって前記ピッチ変換用基板と前記被検査回路基板との電気的接続を中継する中継基板と、
前記ピッチ変換用基板の前記中継基板とは逆側に配置される第２の異方導電性シートと、
を備えた回路基板側コネクタと、
所定のピッチで配置された複数の導電ピンと、
前記導電ピンを軸方向へ移動可能に支持する、一対の離間した第１の絶縁板と第２の絶縁板と、
を備えた中継ピンユニットと、
テスターと前記中継ピンユニットとを電気的に接続するコネクタ基板と、
前記コネクタ基板の中継ピンユニット側に配置される第３の異方導電性シートと、
前記コネクタ基板の中継ピンユニットとは逆側に配置されるベース板と、
を備えたテスター側コネクタと、を備え、
前記中継ピンユニットは、
前記第１の絶縁板と第２の絶縁板との間に配置された中間保持板と、
前記第１の絶縁板と中間保持板との間に配置された第１の支持ピンと、
前記第２の絶縁板と中間保持板との間に配置された第２の支持ピンと、
を備えるとともに、
前記第１の支持ピンの中間保持板に対する第１の当接支持位置と、前記第２の支持ピンの中間保持板に対する第２の当接支持位置とが、中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されていることを特徴とする。
【００５０】
このように構成することによって、第１の検査治具と第２の検査治具との間で検査対象である被検査回路基板の両面を挟圧して電気検査を行う際に、加圧の初期段階では、中継ピンユニットの導電ピンによる厚み方向への移動と、中継基板の弾性部分と、第２の異方導電性シートと、第３の異方導電性シートのゴム弾性圧縮にて圧力を吸収して、被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキをある程度吸収することができる。
【００５１】
そして、第１の支持ピンの中間保持板に対する第１の当接支持位置と、前記第２の支持ピンの中間保持板に対する第２の当接支持位置とが、中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面において、異なる位置に配置されているので、第１の検査治具と第２の検査治具の間で検査対象である被検査回路基板をさらに加圧した際に、中継基板の弾性部分と、第２の異方導電性シートと、第３の異方導電性シートのゴム弾性圧縮に加えて、中継ピンユニットの第１の絶縁板と、第２の絶縁板と、第１の絶縁板と第２の絶縁板の間に配置された中間保持板のバネ弾性により、被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキ、例えば、ハンダボール電極の高さバラツキに対して、圧力集中を分散させて、局部的な応力集中を回避することができる。
【００５２】
これにより、高さバラツキを有する被検査回路基板の被検査電極の各々に対しても、安定的な電気的接触が確保され、さらに応力集中が低減されるので、中継基板の弾性部分の局部的な破損が抑制される。その結果、中継基板の繰り返し使用耐久性が向上するので、中継基板の交換回数が減り、検査作業効率が向上する。
【００５３】
また、一定間隔で導電ピンを配置する必要がないので、導電ピンを保持する絶縁板への貫通孔のドリル加工による穿設作業が少なく、コストを低減することができる。
さらに本発明では、導電路形成部とその周囲の絶縁部とからなる弾性部分が基板に形成された複数の貫通孔のそれぞれに設けられた中継基板を配置しているので、検査治具の押圧による加圧力や衝撃がこの弾性部分で吸収され、被検査回路基板の電極などを破損損傷することがない。
【００５４】
さらに、検査対象である被検査回路基板の被検査電極の配置パターンに関わらず、被検査回路基板について所要の電気的検査を確実に実行することができ、被検査回路基板の被検査電極が、そのピッチが微小で高密度に配置されている場合であっても、被検査回路基板について所要の電気的検査を確実に実施することができる。
【００５５】
本発明の回路基板の検査装置は、前記中継基板が、
第１の離型性支持板上に支持され、磁性を示す導電性粒子が厚み方向に配向した状態で弾性高分子物質中に分散された導電性エラストマー層を、レーザー加工することにより、第１の離型性支持板上に所定のパターンに従って配置された導電路形成部を形成し、
第２の離型性支持板上に支持され、硬化されて弾性高分子物質となる材料からなる未硬化状態の絶縁部用材料層が前記基板における両側表面および貫通孔の内部に形成された当該基板に対して、導電路形成部が形成された前記第１の離型性支持板を、導電路形成部が前記基板の貫通孔に位置するように重ね合わせ、
この状態で、絶縁部用材料層を硬化処理することにより絶縁部を形成した後、第１およ
び第２の離型性支持板を除去することにより得られたものであることを特徴とする。
【００５６】
このように、導電性エラストマー層をレーザー加工して導電路形成部を形成しているので、導電路形成部は所期の良好な導電性を有している。
また、所定のパターンに従って配置された複数の導電路形成部を形成し、これらの導電路形成部の間に、硬化されて弾性高分子物質となる材料よりなる絶縁部用材料層を形成して、硬化処理することにより絶縁部を形成するため、絶縁部には導電性粒子が全く存在しない。
【００５７】
しかも、従来の異方導電性シートを製造するために使用されていた多数の強磁性体部が配列されてなる金型を用いることが不要である。
従って、接続すべき被検査回路基板の被検査電極の配置パターンに関わらず、電極の各々に対して所要の電気的接続が確実に達成される。また、接続すべき電極が、そのピッチが微小で高密度に配置されている場合であっても、電極の各々に対して所要の電気的接続が確実に達成される。しかも、中継基板を低コストで製造することができる。
【００５８】
さらに、従来の金型成形により異方導電シートを製造する方法ではないので、隣接する金型磁極との磁場作用の影響がなく、導電路形成部の離間距離が小さい、例えば、導電路形成部間の絶縁部の幅が５０μｍ以下であるものが得られる。
【００５９】
したがって、被検査電極の離間距離が５０μｍ以下である、被検査電極が小ピッチで配置された被検査回路基板を検査することが可能である。
さらに、４端子検査を行う場合、被検査用回路基板の被検査電極１つに対してピッチ変換用基板の２つの検査電極（電圧用および電流用）を接続することになり、検査電極間の離間距離が小さくなるが、このような場合であっても、導電路形成部の離間距離が充分に小さい中継基板を備えているので、確実に電気的検査を実施することができる。
【００６０】
本発明の回路基板の検査装置は、前記導電性エラストマー層が、
離型性支持板上に、硬化されて弾性高分子物質となる液状のエラストマー用材料中に磁性を示す導電性粒子が含有された導電性エラストマー用材料層を形成し、
該導電性エラストマー用材料層の表面に、形成すべき導電路形成部のパターンに従って、磁性を示す金属からなる金属マスクを形成し、
前記導電性エラストマー用材料層に対してその厚み方向に磁場を作用させることにより、導電性粒子を厚み方向に配向させ、次いで、磁場を作用させた状態で、または磁場を停止した状態で前記導電性エラストマー用材料層を硬化処理することにより得られたものであることを特徴とする。
【００６１】
このように、磁性を示す金属からなる金属マスクを用いて導電性エラストマー用材料層に対してその厚み方向に磁場を作用させることにより、分散されていた導電性粒子は、金属マスク部分に集中した状態で厚み方向に配向する。
【００６２】
これにより、導電性エラストマー用材料層における金属マスクが形成されていない部分の導電性粒子の密度が小さくなる。そのため、レーザー加工による導電路形成部の形成が容易になる。さらに、厚みの大きい導電性エラストマー層のレーザー加工が容易となるため、厚みの大きい導電路形成部を確実に得ることができる。
【００６３】
このような製法により得られた中継基板を用いた本発明の検査装置は、接続すべき被検査回路基板の被検査電極の配置パターンに関わらず、電極の各々に対して所要の電気的接続を確実に達成できる。また、接続すべき電極が、そのピッチが微小で高密度に配置されている場合であっても、電極の各々に対して所要の電気的接続を確実に達成できる。
【００６４】
上記した本発明の検査装置では、前記中継基板における少なくとも一部の導電路形成部において、互いに隣接する導電路形成部の離間距離が５０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１０〜５０μｍである。
【００６５】
このようにすることで、被検査電極の離間距離が５０μｍ以下である、被検査電極が微細ピッチで配置された被検査回路基板を検査することが可能である。
さらに、４端子検査を行う場合、被検査用回路基板の被検査電極１つに対してピッチ変換用基板の２つの検査電極（電圧用および電流用）を接続するので、検査電極間の離間距離が小さくなるが、このような場合であっても確実に電気的検査を実施することができる。
【００６６】
なお、前記中継基板の片面側もしくは両面側には、導電性粒子が厚み方向に配列するとともに面方向に均一に分散された第１の異方導電性シートを配置してもよい。
本発明の回路基板の検査装置は、
一対の第１の検査治具と第２の検査治具によって、両検査治具の間で検査対象である被検査回路基板の両面を挟圧した際に、
前記第１の支持ピンの中間保持板に対する第１の当接支持位置を中心として、前記中間保持板が、前記第２の絶縁板の方向に撓むとともに、
前記第２の支持ピンの中間保持板に対する第２の当接支持位置を中心として、前記中間保持板が、前記第１の絶縁板の方向に撓むことを特徴とする。
【００６７】
このように構成することによって、中間保持板が、第１の当接支持位置、第２の当接支持位置を中心として、相互に反対方向に撓むので、第１の検査治具と第２の検査治具の間で検査対象である被検査回路基板をさらに加圧した際に、中間保持板のバネ弾性力がさらに発揮されることになり、被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキに対して、圧力集中を分散させて局部的な応力集中を回避することができ、中継基板の弾性部分の局部的な破損が抑制される。その結果、中継基板の繰り返し使用耐久性が向上するので、中継基板の交換回数が減り、検査作業効率が向上する。
【００６８】
本発明の回路基板の検査装置は、前記第１の支持ピンの中間保持板に対する第１の当接支持位置が、前記中間保持板投影面において格子状に配置され、
前記第２の支持ピンの中間保持板に対する第２の当接支持位置が、前記中間保持板投影面において格子状に配置されており、
前記中間保持板投影面において、隣接する４個の第１の当接支持位置からなる単位格子領域に、１個の第２の当接支持位置が配置されるとともに、
前記中間保持板投影面において、隣接する４個の第２の当接支持位置からなる単位格子領域に、１個の第１の当接支持位置が配置されていることを特徴とする。
【００６９】
このように構成することによって、第１の当接支持位置と第２の当接支持位置が格子状に配置され、しかも、第１の当接支持位置と第２の当接支持位置の格子点位置が全てずれた位置に配置されることになる。
【００７０】
従って、中間保持板が、第１の当接支持位置、第２の当接支持位置を中心として、相互に反対方向により撓むことになり、第１の検査治具と第２の検査治具の間で検査対象である被検査回路基板を加圧した際に、中間保持板のバネ弾性力がさらに発揮されることになり、被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキに対して圧力集中を分散させて、局部的な応力集中をさらに回避することができる。よって、中継基板の弾性部分の局部的な破損が抑制され、その結果、異方導電性シートの繰り返し使用耐久性が向上するので、中継基板の交換回数が減り、検査作業効率が向上する。
【００７１】
また、本発明の回路基板の検査装置は、前記中継ピンユニットが、
前記第１の絶縁板と第２の絶縁板との間に所定間隔離間して配置された複数個の中間保持板と、
隣接する中間保持板同士の間に配置された保持板支持ピンと、
を備えるとともに、
少なくとも１つの中間保持板において、該中間保持板に対して一面側から当接する保持板支持ピンの該中間保持板に対する当接支持位置と、該中間保持板に対して他面側から当接する第１の支持ピン、第２の支持ピン、または保持板支持ピンの該中間保持板に対する当接支持位置とが、該中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されていることを特徴とする。
【００７２】
このように構成することによって、これらの複数個の中間保持板によってバネ弾性がさらに発揮されることになり、被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキに対して、圧力集中を分散させて局部的な応力集中をさらに回避することができ、中継基板の弾性部分の局部的な破損が抑制される。その結果、中継基板の繰り返し使用耐久性が向上するので、中継基板の交換回数が減り、検査作業効率が向上する。
【００７３】
また、本発明の回路基板の検査装置は、全ての前記中間保持板において、該中間保持板に対して一面側から当接する保持板支持ピンの該中間保持板に対する当接支持位置と、該中間保持板に対して他面側から当接する第１の支持ピン、第２の支持ピン、または保持板支持ピンの該中間保持板に対する当接支持位置とが、該中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されていることを特徴とする。
【００７４】
これによって、隣接する中間保持板の間で、保持板支持ピンの中間保持板との当接支持位置がずれた位置に配置されるので、これらの複数個の中間保持板のバネ弾性がさらに発揮されることになり、被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキに対して圧力集中を分散させて、局部的な応力集中をさらに回避することができ、中継基板の弾性部分の局部的な破損が抑制される。その結果、中継基板の繰り返し使用耐久性が向上するので、中継基板の交換回数が減り、検査作業効率が向上する。
【００７５】
また、本発明の回路基板の検査装置は、前記第２の異方導電性シートが、厚み方向に延びる複数の導電路形成部と、これらの導電路形成部を互いに絶縁する絶縁部とからなり、導電性粒子が導電路形成部中にのみ含有され、これにより該導電性粒子は面方向に不均一に分散されるとともに、シート片面側に導電路形成部が突出していることを特徴とする。
【００７６】
また、本発明の回路基板の検査装置は、前記第３の異方導電性シートが、厚み方向に延びる複数の導電路形成部と、これらの導電路形成部を互いに絶縁する絶縁部とからなり、導電性粒子が導電路形成部中にのみ含有され、これにより該導電性粒子は面方向に不均一に分散されるとともに、シート片面側に導電路形成部が突出していることを特徴とする。
【００７７】
このように、第２の異方導電性シートおよび第３の異方導電性シートとして、導電路形成部と絶縁部とからなり、導電性粒子が導電路形成部中にのみ含有されて面方向に不均一に分散され、シート片面側に導電路形成部が突出した偏在型の異方導電性シートを使用することにより、検査治具の押圧による加圧力や衝撃がこれらのシートで吸収され、これにより中継基板の弾性部分の劣化が抑制される。
【００７８】
本発明における一つの態様では、前記複数の導電ピンは、前記第１の絶縁板と第２の絶縁板との間の間隔よりも短い棒状の中央部と、該中央部の両端側に形成され該中央部よりも径が小さい一対の端部とからなり、
前記一対の端部がそれぞれ、前記第１の絶縁板と第２の絶縁板とに形成された前記中央部よりも径が小さく前記一対の端部よりも径が大きい貫通孔に挿通され、これにより、前記導電ピンが軸方向に移動可能に支持される。
【００７９】
このように構成することで、導電ピンが、第１の絶縁板と第２の絶縁板との間に、軸方向に移動可能に、且つ脱落しないように保持することができる。
本発明における他の態様では、前記第１の絶縁板と中間保持板との間、前記第２の絶縁板と中間保持板との間、または中間保持板同士の間に、前記導電ピンが挿通される貫通孔が形成された屈曲保持板が設けられ、
前記複数の導電ピンは、前記第１および第２の絶縁板に形成された貫通孔と、前記屈曲保持板に形成された貫通孔とを支点として互いに逆方向に横方向へ押圧されて前記屈曲保持板の貫通孔の位置で屈曲され、これにより前記導電ピンが軸方向に移動可能に支持される。
【００８０】
このように構成することで、導電ピンが、第１の絶縁板と第２の絶縁板との間に、軸方向に移動可能に、且つ脱落しないように保持することができる。さらに、導電ピンとして円柱状である簡易な構造のピンを使用できるため、導電ピンおよびそれを保持する部材の全体としてのコストを抑えることができる。
【００８１】
本発明の回路基板の検査方法は、前述した回路基板の検査装置を用いた回路基板の検査方法であって、
一対の第１の検査治具と第２の検査治具によって、両検査治具の間で検査対象である被検査回路基板の両面を挟圧して電気検査を行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００８２】
本発明によれば、検査対象である被検査回路基板が、例えば被検査電極の離間距離が５０μｍ以下であるような、微細ピッチの微小電極を有するものであっても、信頼性の高い回路基板の電気的検査を行うことが可能である。
【００８３】
また、検査対象である被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキに対する追従性が良好で、導通不良が発生せず、正確な検査を実施することが可能である。
また、一定間隔で導電ピンを配置する必要がないので、導電ピンを保持する絶縁板への貫通孔のドリル加工による穿設作業が少なく、コストを低減することができる。
【００８４】
また、高分解能で検査が可能であり、且つ、被検査回路基板の被検査電極による段差を良好に吸収できるとともに、繰り返し使用耐久性も高い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００８５】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。なお、以降の記述において、第１の検査治具と第２の検査治具における一対の同一の構成要素（例えば回路基板側コネクタ２１ａと回路基板側コネクタ２１ｂ、第１の異方導電性シート２２ａと第１の異方導電性シート２２ｂなど）を総称する場合には、記号「ａ」、「ｂ」を省略することがある（例えば、第１の異方導電性シート２２ａと第１の異方導電性シート２２ｂとを総称して「第１の異方導電性シート２２」と記述することがある）。
【００８６】
図１は、本発明の検査装置の実施形態を示した断面図、図２は、図１の検査装置の検査使用時における積層状態を示した断面図である。
この検査装置は、集積回路などを実装するためのプリント回路基板などの検査対象である被検査回路基板１において、被検査電極間の電気抵抗を測定することにより被検査回路基板の電気検査を行うものである。
【００８７】
そして、この検査装置には、図１および図２に示したように、被検査回路基板１の上面側に配置される第１の検査治具１１ａと、下面側に配置される第２の検査治具１１ｂとが、上下に互いに対向するように配置されている。
【００８８】
第１の検査治具１１ａは、その両側に中継基板２９ａおよび異方導電性シート２６ａを備えた回路基板側コネクタ２１ａと、中継ピンユニット３１ａを備えている。また、第１の検査治具１１ａは、その中継ピンユニット３１ａ側に第３の異方導電性シート４２ａが配置されるコネクタ基板４３ａと、ベース板４６ａとを備えたテスター側コネクタ４１ａを備えている。
【００８９】
第２の検査治具１１ｂも、第１の検査治具１１ａと同様に構成され、その両側に中継基板２９ｂおよび異方導電性シート２６ｂを備えた回路基板側コネクタ２１ｂと、中継ピンユニット３１ｂを備えている。また、第２の検査治具１１ｂは、その中継ピンユニット３１ｂ側に異方導電性シート４２ｂが配置されるコネクタ基板４３ｂと、ベース板４６ｂとを備えたテスター側コネクタ４１ｂを備えている。
【００９０】
被検査回路基板１の上面には、被検査用の電極２が形成され、その下面にも被検査用の電極３が形成されており、これらは互いに電気的に接続されている。
回路基板側コネクタ２１ａ，２１ｂは、ピッチ変換用基板２３ａ，２３ｂと、その一方の面に配置される中継基板２９ａ，２９ｂと、他方の面に配置される第２の異方導電性シート２６ａ，２６ｂを有している。
【００９１】
図３は、ピッチ変換用基板の被検査回路基板側の表面を示した図、図４は、その中継ピンユニット側の表面を示した図、図５は、ピッチ変換用基板、中継基板および被検査回路基板を積層した状態を示した断面図である。
【００９２】
ピッチ変換用基板２３の一方の表面、すなわち、被検査回路基板１側には、図３に示したように、被検査回路基板１の電極２、３に電気的に接続される複数の接続用電極２５が形成されている。これらの接続電極２５は、被検査回路基板１の被検査電極２，３のパターンに対応するように配置されている。
【００９３】
一方、ピッチ変換用基板２３の他方の表面、すなわち、被検査回路基板１と反対側には、図４に示したように、中継ピンユニット３１の導電ピン３２ａ、３２ｂに電気的に接続される複数の端子電極２４が形成されている。これらの端子電極２４は、例えば、２．５４ｍｍ、１．８ｍｍ、１．２７ｍｍ、１．０６ｍｍ、０．８ｍｍ、０．７５ｍｍ、０．５ｍｍ、０．４５ｍｍ、０．３ｍｍまたは０．２ｍｍである一定ピッチの格子点上に配置されており、そのピッチは中継ピンユニットの導電ピン３２ａ、３２ｂの配置ピッチと同一である。
【００９４】
図３のそれぞれの接続電極２５は、配線５２および絶縁基板５１の厚み方向に貫通する内部配線５３（図５を参照）によって、対応する図４の端子電極２４に電気的に接続されている。
【００９５】
ピッチ変換用基板２３の表面における絶縁部は、例えば、図５に示したように、絶縁基板５１の表面に、それぞれの接続電極２５が露出するように形成された絶縁層５４で構成される。この絶縁層５４の厚みは、好ましくは５〜１００μｍ、より好ましくは１０〜６０μｍである。この厚みが過小である場合、表面粗さが小さい絶縁層を形成することが困難となることがある。一方、この厚みが過大である場合、接続電極２５と中継基板２９の導電路形成部との電気的接続が困難となることがある。
【００９６】
ピッチ変換用基板の絶縁基板５１を形成する材料としては、一般にプリント回路基板の基材として使用されるものを用いることができる。具体的には、例えばポリイミド樹脂、ガラス繊維補強型ポリイミド樹脂、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補強型ビスマレイミドトリアジン樹脂などを挙げることができる。
【００９７】
図５の絶縁層５４、５５の形成材料としては、薄膜状に成形可能な高分子材料を用いることができる。その具体例としては、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、これらの混合物、レジスト材料などを挙げることができる。
【００９８】
ピッチ変換用基板２３は、例えば、次のようにして製造することができる。まず、平板状の絶縁基板の両面に金属薄層を積層した積層材料を用意し、この積層材料に対して、形成すべき端子電極のパターンに対応し、積層材料の厚み方向に貫通する複数の貫通孔を、数値制御型ドリリング装置、フォトエッチング処理、レーザー加工処理などにより形成する。
【００９９】
次いで、積層材料に形成された貫通孔内に無電解メッキおよび電解メッキを施すことによって、基板両面の金属薄層に連結されたバイアホールを形成する。その後、金属薄層に対してフォトエッチング処理を施すことにより、絶縁基板の表面に配線パターンおよび接続電極を形成するとともに、反対側の表面に端子電極を形成する。
【０１００】
そして、図５に示したように、絶縁基板５１の表面に、それぞれの接続電極２５が露出するように絶縁層５４を形成するとともに、反対側の表面に、それぞれの端子電極２４が露出するように絶縁層５５を形成することにより、ピッチ変換用基板２３が得られる。なお、絶縁層５５の厚みは、好ましくは５〜１００μｍ、より好ましくは１０〜６０μｍである。
【０１０１】
図６（ａ）は、中継基板の断面図、図６（ｂ）は、その部分拡大断面図、図６（ｃ）は、その部分上面図である。この中継基板２９の基板７３には、ピッチ変換用基板２３の電極パターンに従って導電路形成部６１が配置される多数の貫通孔が形成されている。この貫通孔内には、弾性高分子物質を埋設することにより絶縁部６２が形成され、導電路形成部６１が、この絶縁部７６に囲まれるように貫通形成されている。絶縁部７６は基板７３の両側表面にも一体的に形成され、複数の貫通孔に連続している。
【０１０２】
導電路形成部６１には、絶縁性の弾性高分子物質中に磁性を示す導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されている。
これに対し、絶縁部６２は、導電性粒子を含有しない弾性高分子物質により形成されている。導電路形成部６１を構成する弾性高分子物質と絶縁部６２を構成する弾性高分子物質とは、互いに同じ種類のものであっても異なる種類のものであってもよい。
【０１０３】
中継基板の基板７３を形成する材料としては、具体的には、例えばガラス繊維補強型ポリイミド樹脂、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補強型ビスマレイミドトリアジン樹脂、等の複合樹脂材料、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアラミド樹脂、ポリアミド樹脂、ビスマレイミド・トリアジン樹脂、液晶ポリマー等の機械的強度の高い樹脂材料、ステンレス等の金属材料、フッ素樹脂繊維、アラミド繊維、ポリエチレン繊維、ポリアリレート繊維、ナイロン繊維、ポリエステル繊維、液晶ポリマー繊維等の有機繊維よりなるメッシュ、不織布、金属メッシュなどを挙げることができる。基板７３の厚みは、形成材料にもよるが、好ましくは２０〜２００μｍ、より好ましくは３０〜１００μｍである。
【０１０４】
この基板７３に形成された多数の貫通孔のそれぞれに、接続用電極２５に対応した導電路形成部６１が配置される。例えば、４端子検査における電圧供給用電極２７と電圧測定用電極２８に対応した導電路形成部６１の対が貫通孔のそれぞれに配置される。一つの貫通孔に配置される導電路形成部６１の数は、特に限定されないが、好ましくは１〜４個であり、ピッチ変換用基板２３の接続用電極２５に対応して、基板７３の各貫通孔毎に導電路形成部７５の数が異なっていてもよい。
【０１０５】
図示の例では、中継基板２９の両面において、導電路形成部６１が絶縁部６２の表面から突出した突出部６１ａが形成されている。このように突出部６１ａを形成することによって、導電路形成部６１に対する加圧による圧縮の程度が絶縁部６２に対するそれよりも大きくなるため、導電路形成部６１には充分に抵抗値の低い導電路が確実に形成され、加圧力の変化に対する抵抗値の変化を小さくすることができる。その結果、中継基板２９のそれぞれの導電路形成部６１に作用する加圧力が不均一であっても、各導電路形成部６１間における導電性のバラツキを防止することができる。
【０１０６】
導電路形成部６１および絶縁部６２を構成する弾性高分子物質としては、架橋構造を有する高分子物質が好ましい。このような弾性高分子物質を得るために用いることのできる硬化性の高分子物質形成材料の具体例としては、ポリブタジエンゴム、天然ゴム、ポリイソプレンゴム、スチレン−ブタジエン共重合体ゴム、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体ゴムなどの共役ジエン系ゴムおよびこれらの水素添加物、スチレン−ブタジエン−ジエンブロック共重合体ゴム、スチレン−イソプレンブロック共重合体などのブロック共重合体ゴムおよびこれらの水素添加物、クロロプレン、ウレタンゴム、ポリエステル系ゴム、エピクロルヒドリンゴム、シリコーンゴム、エチレン−プロピレン共重合体ゴム、エチレン−プロピレン−ジエン共重合体ゴムなどが挙げられる。
【０１０７】
中継基板２９に耐候性が要求される場合には、共役ジエン系ゴム以外のものを用いることが好ましく、特に、成形加工性および電気特性の観点からシリコーンゴムを用いることが好ましい。シリコーンゴムとしては、液状シリコーンゴムを架橋または縮合したものが好ましい。液状シリコーンゴムは、その粘度が歪速度１０-1ｓｅｃで１０5ポアズ以下で
あることが好ましく、縮合型のもの、付加型のもの、ビニル基やヒドロキシル基を含有するものなどのいずれであってもよい。具体的には、例えばジメチルシリコーン生ゴム、メチルビニルシリコーン生ゴム、メチルフェニルビニルシリコーン生ゴムなどを挙げることができる。
【０１０８】
また、シリコーンゴムは、その分子量Ｍｗ（標準ポリスチレン換算重量平均分子量をいう。）が１００００〜４００００であることが好ましい。また、耐熱性の点から、分子量分布指数（標準ポリスチレン換算重量平均分子量Ｍｗと標準ポリスチレン換算数平均分子量Ｍｎとの比Ｍｗ／Ｍｎの値をいう。）が２以下であることが好ましい。
【０１０９】
導電路形成部６１に含有される導電性粒子Ｐとしては、後述する方法により導電性粒子を容易に厚み方向に並ぶよう配向させることができることから、磁性を示す導電性粒子が用いられる。
【０１１０】
このような導電性粒子の具体例としては、鉄、コバルト、ニッケルなどの磁性を有する金属の粒子若しくはこれらの合金の粒子またはこれらの金属を含有する粒子、またはこれらの粒子を芯粒子とし、芯粒子の表面に金、銀、パラジウム、ロジウムなどの導電性の良好な金属のメッキを施したもの、あるいは非磁性金属粒子若しくはガラスビーズなどの無機物質粒子またはポリマー粒子を芯粒子とし、芯粒子の表面に、ニッケル、コバルトなどの導電性磁性金属のメッキを施したものなどが挙げられる。
【０１１１】
これらの中では、ニッケル粒子を芯粒子とし、その表面に導電性の良好な金のメッキを施したものを用いることが好ましい。
芯粒子の表面に導電性金属を被覆する方法としては、例えば化学メッキ、電解メッキなどを挙げることができる。
【０１１２】
導電性粒子として芯粒子の表面に導電性金属を被覆したものを用いる場合には、良好な導電性が得られる点から、粒子表面における導電性金属の被覆率（芯粒子の表面積に対する導電性金属の被覆面積の割合）が４０％以上であることが好ましく、さらに好ましくは４５％以上、特に好ましくは４７〜９５％である。
【０１１３】
導電性金属の被覆量は、芯粒子の０．５〜５０質量％であることが好ましく、より好ましくは２〜３０質量％、さらに好ましくは３〜２５質量％、特に好ましくは４〜２０質量％である。被覆される導電性金属が金である場合には、その被覆量は、芯粒子の０．５〜３０質量％であることが好ましく、より好ましくは２〜２０質量％、さらに好ましくは３〜１５質量％である。
【０１１４】
導電性粒子の粒子径は、１〜１００μｍであることが好ましく、より好ましくは２〜５０μｍ、さらに好ましくは３〜３０μｍ、特に好ましくは４〜２０μｍである。
導電性粒子Ｐの粒子径分布（Ｄｗ／Ｄｎ）は、１〜１０であることが好ましく、より好ましくは１．０１〜７、さらに好ましくは１．０５〜５、特に好ましくは１．１〜４である。
【０１１５】
このような条件を満足する導電性粒子を用いることにより、得られる導電路形成部６１は、加圧変形が容易なものとなり、また、導電路形成部６１において導電性粒子間に十分な電気的接触が得られる。
【０１１６】
導電性粒子の形状は、特に限定されるものではないが、高分子物質形成材料中に容易に分散させることができる点で、球状のもの、星形状のものあるいはこれらが凝集した２次粒子であることが好ましい。
【０１１７】
また、導電性粒子として、その表面がシランカップリング剤などのカップリング剤や潤滑剤で処理されたものを適宜用いることができる。カップリング剤や潤滑剤で粒子表面を処理することにより、異方導電性シートの耐久性が向上する。
【０１１８】
このような導電性粒子は、導電路形成部中に体積分率で好ましくは１５〜４５％、より好ましくは２０〜４０％となる割合で含有される。この割合が過小である場合には、十分に電気抵抗値の小さい導電路形成部６１が得られないことがある。一方、この割合が過大である場合には、得られる導電路形成部６１は脆弱なものとなりやすく、導電路形成部６１として必要な弾性が得られないことがある。
【０１１９】
導電路形成部６１の厚みは、好ましくは２０〜２５０μｍ、より好ましくは３０〜２００μｍである。この厚み過小である場合、厚み方向の加圧に対する吸収能力が低くなる。一方、この厚み過大である場合、良好な導電性が得られないことがある。
【０１２０】
導電路形成部６１における突出部６１ａの突出高さは、導電路形成部６１の厚みの５〜７０％であることが好ましく、より好ましくは１０〜６０％である。
以下に、中継基板２９の製造方法の一例を説明する。先ず、導電路形成部６１を形成する。
１．導電性エラストマー層の形成
先ず、硬化されて弾性高分子物質となる液状のエラストマー用材料中に磁性を示す導電性粒子が分散された導電性エラストマー用材料を調製する。そして、図７に示したように、導電路形成部を形成するための離型性支持板６５上に、導電性エラストマー用材料を塗布することによって導電性エラストマー用材料層６１Ａを形成する。ここで、導電性エラストマー用材料層６１Ａ中には、図８に示したように、磁性を示す導電性粒子Ｐがランダムに分散された状態で含有されている。
【０１２１】
次いで、導電性エラストマー用材料層６１Ａに対してその厚み方向に磁場を作用させることにより、図９に示したように、導電性エラストマー用材料層６１Ａ中に分散されていた導電性粒子Ｐを、導電性エラストマー用材料層６１Ａの厚み方向に並ぶよう配向させる。
【０１２２】
そして、導電性エラストマー用材料層６１Ａに対する磁場の作用を継続しながら、または、磁場の作用を停止した後に、導電性エラストマー用材料層６１Ａの硬化処理を行うことにより、図１０に示したように、弾性高分子物質中に導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有された導電性エラストマー層６１Ｂが、離型性支持板６５上に支持された状態で形成される。
【０１２３】
離型性支持板６５を構成する材料としては、金属、セラミックス、樹脂およびこれらの複合材などを用いることができる。
導電性エラストマー用材料を塗布する方法としては、スクリーン印刷などの印刷法、ロール塗布法、ブレード塗布法などを利用することができる。
【０１２４】
導電性エラストマー用材料層６１Ａの厚みは、形成すべき導電路形成部の厚みに応じて設定される。
導電性エラストマー用材料層６１Ａに磁場を作用させる手段としては、電磁石、永久磁石などを用いることができる。
【０１２５】
導電性エラストマー用材料層６１Ａに作用させる磁場の強度は、０．２〜２．５テスラとなる大きさが好ましい。
導電性エラストマー用材料層６１Ａの硬化処理は、通常、加熱処理によって行われる。具体的な加熱温度および加熱時間は、導電性エラストマー用材料層６１Ａを構成するエラストマー用材料の種類、導電性粒子の移動に要する時間などを考慮して適宜設定される。
【０１２６】
この導電性エラストマー層６１Ｂから、以下のようにして、ピッチ変換用基板２３の接続用電極２５に対応したパターンに従って複数の導電路形成部６１を形成する。（図１１〜図１４）
２．導電路形成部６１の形成
図１１に示したように、離型性支持板６５上に支持された導電性エラストマー層６１Ｂの表面に、メッキ電極用の金属薄層６６を形成する。
【０１２７】
次いで、図１２に示したように、この金属薄層６６上に、フォトリソグラフィーの手法により、形成すべき導電路形成部のパターン、すなわち接続すべき電極のパターンに対応する所定のパターンに従って、複数の開口６７ａが形成されたレジスト層６７を形成する。
【０１２８】
その後、図１３、図１５（ａ）および図１６（ａ）に示したように、金属薄層６６をメッキ電極として、金属薄層６６におけるレジスト層６７の開口６７ａから露出した部分に電解メッキ処理を施すことにより、レジスト層６７の開口６７ａ内に金属マスク６８を形成する。
【０１２９】
次に、導電性エラストマー層６１Ｂと、金属薄層６６と、レジスト層６７に対してレーザー加工を施すことにより、図１５（ｂ）および図１６（ｂ）に示したように、金属マスク６８の周辺のレジスト層６７と、金属薄層６６と、導電性エラストマー層６１Ｂとを除去する。これにより、所定のパターンに従って配置された複数の導電路形成部６１が離型性支持板６５上に支持された状態で形成される。
【０１３０】
その後、導電路形成部６１以外の導電性エラストマー層６１Ｂを剥離除去することにより、図１４、図１５（ｃ）および図１６（ｃ）に示したように、離型性支持板６５上に導電路形成部６１のみを残す。そして、導電路形成部６１の表面から残存する金属薄層６６と金属マスク６８を剥離する。
【０１３１】
これにより、所定のパターンに従って配置された複数の導電路形成部６１が、離型性支持板６５上に支持された状態で形成される。
導電性エラストマー層６１Ｂの表面に金属薄層６６を形成する方法としては、無電解メッキ法、スパッタ法などを利用することができる。
【０１３２】
金属薄層６６を構成する材料としては、銅、金、アルミニウム、ロジウムなどを用いることができる。
金属薄層６６の厚みは、０．０５〜２μｍであることが好ましく、より好ましくは０．１〜１μｍである。この厚みが過小である場合には、均一な薄層が形成されず、メッキ電極として不適なものとなることがある。一方、この厚みが過大である場合には、レーザー加工によって除去することが困難となることがある。
【０１３３】
レジスト層６７の厚みは、形成すべき金属マスク６８の厚みに応じて設定される。
金属マスク６８を構成する材料としては、銅、鉄、アルミウニム、金、ロジウムなどを用いることができる。
【０１３４】
金属マスク６８の厚みは、２μｍ以上であることが好ましく、より好ましくは５〜２０μｍである。この厚みが過小である場合には、レーザーに対するマスクとして不適なものとなることがある。
【０１３５】
レーザー加工は、炭酸ガスレーザーまたは紫外線レーザーによるものが好ましく、これにより、目的とする形態の導電路形成部６１を確実に形成することができる。
第１の異方導電性シート２２における導電路形成部６１は、上述した方法の他に、以下の方法によって形成することができる。
１．複合フィルムの形成
図１７に示したように、メッキ電極用の金属薄層６６上に、フォトリソグラフィーの手法により、形成すべき導電路形成部のパターン、すなわち接続すべき電極のパターンに対応する所定のパターンに従って複数の開口６７ａが形成されたレジスト層６７を形成する。
【０１３６】
その後、図１８に示したように、金属薄層６６をメッキ電極として、金属薄層６６におけるレジスト層６７の開口６７ａから露出した部分に電解メッキ処理を施すことにより、レジスト層６７の開口６７ａ内に金属マスク６８を形成する。これにより、複合フィルム６９が得られる。
【０１３７】
ここで、金属薄層６６としては、金属箔、金属板などを用いることができる。また、樹脂フィルムに一体化された金属箔や、無電解メッキ法、スパッタ法などにより樹脂フィルム上に形成した金属薄層などを用いることができる。
【０１３８】
金属薄層６６の材料としては、銅、金、アルミニウム、ロジウムなどを用いることができる。
金属薄層６６の厚みは、０．０５〜２μｍであることが好ましく、より好ましくは０．１〜１μｍである。この厚みが過小である場合には、均一な薄層が形成されず、メッキ電極として不適なものとなることがある。一方、この厚みが過大である場合には、レーザー加工によって除去することが困難となることがある。
【０１３９】
レジスト層６７の厚みは、形成すべき金属マスク６８の厚みに応じて設定される。
金属マスク６８を構成する材料としては、磁性を示す金属が使用される。その具体例としては、ニッケル、コバルト、およびこれらの合金などを挙げることができる。
【０１４０】
金属マスク６８の厚みは、２μｍ以上であることが好ましく、より好ましくは５〜２０μｍである。この厚みが過小である場合には、レーザーに対するマスクとして不適なものとなることがある。
２．導電性エラストマー層の形成
先ず、硬化されて弾性高分子物質となる液状のエラストマー用材料中に磁性を示す導電性粒子が分散された導電性エラストマー用材料を調製する。そして、図１９に示したように、導電路形成部を形成するための離型性支持板６５上に、導電性エラストマー用材料を塗布することによって導電性エラストマー用材料層６１Ａを形成する。ここで、導電性エラストマー用材料層６１Ａ中は、磁性を示す導電性粒子Ｐがランダムに分散された状態で含有されている。
【０１４１】
次いで、複合フィルム６９を、その金属薄層６６が形成されていない側の面が導電性エラストマー用材料層６１Ａに接するようにして積層する。
その後、導電性エラストマー用材料層６１Ａに対してその厚み方向に磁場を作用させることにより、図２１に示したように、分散されていた導電性粒子Ｐを、磁性を示す金属からなる金属マスク６８の部分に集中させると共に、厚み方向に並ぶように配向させる。磁性を示す金属からなる金属マスク６８の作用により、金属マスク６８の領域における磁場の強度が強くなるので、導電性粒子Ｐが金属マスク６８の部分に集中しつつ配向がなされる。これにより、導電性エラストマー用材料層６１Ａにおいて、金属マスク６８の部分における導電性粒子Ｐの密度が高くなり、金属マスク６８が形成されていない部分では導電性粒子の密度が低くなる。
【０１４２】
そして、導電性エラストマー用材料層６１Ａに対する磁場の作用を継続しながら、または、磁場の作用を停止した後に、導電性エラストマー用材料層６１Ａの硬化処理を行うことにより、図２２に示したように、弾性高分子物質中に導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有された導電性エラストマー層６１Ｂが、離型性支持板６５上に支持された状態で形成される。
【０１４３】
離型性支持板６５を構成する材料、導電性エラストマー用材料を塗布する方法、導電性エラストマー用材料層６１Ａの厚み、導電性エラストマー用材料層６１Ａに磁場を作用させるときの条件等は、前述した導電路形成部の形成方法において説明したとおりである。
【０１４４】
その後、図２３に示したように、この導電性エラストマー層６１Ｂの表面に一体化された金属薄層６６を除去する。金属薄層６６の除去は、エッチング、機械的剥離、機械的研磨等により行うことができる。
２．導電路形成部６１の形成
この導電性エラストマー層６１Ｂから、前述した方法に準じて、ピッチ変換用基板２３の接続用電極２５に対応したパターンに従って複数の導電路形成部６１を形成する。すな
わち、導電性エラストマー層６１Ｂとレジスト層６７に対してレーザー加工を施すことにより、金属マスク６８の周辺のレジスト層６７と導電性エラストマー層６１Ｂとを除去する。これにより、所定のパターンに従って配置された複数の導電路形成部６１が離型性支持板６５上に支持された状態で形成される。
【０１４５】
その後、導電路形成部６１以外の導電性エラストマー層６１Ｂを剥離除去することにより、図２４に示したように、離型性支持板６５上に導電路形成部６１のみを残す。そして、導電路形成部６１の表面から残存する金属マスク６８を剥離する。
【０１４６】
レーザー加工は、炭酸ガスレーザーまたは紫外線レーザーによるものが好ましく、これにより、目的とする形態の導電路形成部６１を確実に形成することができる。
以上のようにして得られた、離型性支持板６５上に形成された複数の導電路形成部６１を用いて、以下の工程によって中継基板２９を得る。先ず、図２５（ａ）に示したように、離型性支持板７０を用意し、この離型性支持板７０の表面に、硬化されて絶縁性の弾性高分子物質となる液状の絶縁部用材料層６２Ａを印刷法などにより形成する。
【０１４７】
次いで、図２５（ｂ）に示したように、絶縁部用材料層６２Ａの上に、貫通孔を有する基板７３を載置する。そして基板７３の上面側から、硬化されて絶縁性の弾性高分子物質となる液状のエラストマー用材料を、印刷法などによって基板７３の貫通孔７５内に充填する。さらに、エラストマー用材料を基板７３の表面に塗布することにより、図２５（ｃ）に示したように基板７３の両側表面および貫通孔７５に一体に形成された絶縁部用材料層６２Ａを得る。
【０１４８】
次いで、図２６（ａ）に示したように、複数の導電路形成部６１が形成された離型性支持板６５を、基板７３が載置され、その両側表面および貫通孔７５内に絶縁部用材料層６２Ａが形成された離型性支持板７０上に重ね合わせることにより、導電路形成部６１の各々を離型性支持板７０に接触させる。これにより、導電路形成部６１の周囲に絶縁部用材料層６２Ａが形成された状態となる。
【０１４９】
次いで図２６（ｂ）に示したように、離型性支持板６５を加圧することにより導電路形成部６１を圧縮し、絶縁部用材料層６２Ａの硬化処理を行う。硬化処理後、離型性支持板６５および離型性支持板７０による圧力を開放し、離型性支持板６５および離型性支持板７０から離型させることにより、導電路形成部６１の両端部を絶縁部６２から突出させる。これにより、図２６（ｃ）に示したように、隣接する一対の導電路形成部６１，６１を相互に絶縁する絶縁部６２が、導電路形成部６１と一体的に形成され、導電路形成部６１が絶縁部６２の表面より突出した中継基板２９が得られる。
【０１５０】
なお、図２６（ｄ）に示したように、導電路形成部６１の先端部に、金属膜６４を形成してもよい。この金属膜６４は、同図のように導電路形成部６１における両側の先端部に形成してもよく、あるいは導電路形成部６１におけるいずれか一方の片側の先端部に形成してもよい。このような金属膜は、例えば金属メッキによる方法、スパッタ法などによる蒸着、金属プレートを接着剤によって導電路形成部６１の先端部に貼付する方法など、公知である各種の方法で形成できる。
【０１５１】
離型性支持板７０を構成する材料としては、導電路形成部６１を形成するための離型性支持板６５と同様のものを用いることができる。
絶縁部用材料層６２Ａに用いられるエラストマー用材料を塗布する方法としては、スクリーン印刷などの印刷法、ロール塗布法、ブレード塗布法などを挙げることができる。
【０１５２】
絶縁部用材料層６２Ａの厚みは、形成すべき絶縁部６２の厚みに応じて設定される。
絶縁部用材料層６２Ａ硬化処理は、通常、加熱処理によって行われる。具体的な加熱温度および加熱時間は、絶縁部用材料層６２Ａを構成するエラストマー材料の種類などを考慮して適宜設定される。
【０１５３】
基板７３の貫通孔は、数値制御型ドリリング装置、フォトエッチング処理、レーザー加工処理などにより形成することができる。
以上に説明した中継基板の製造方法によれば、導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で分散された導電性エラストマー層６１Ａに対してレーザー加工を施してその一部を除去することによって目的とする形状の導電路形成部６１を形成している。
【０１５４】
従って、所要の量の導電性粒子Ｐが充填され、所期の導電性を有する導電路形成部６１が形成された中継基板２９を確実に得ることができる。
また、磁性を示す金属からなる金属マスクを用いて導電性エラストマー用材料層６１Ａに対して磁場配向を行う方法を適用することにより、金属マスクが形成されていない部分の導電性粒子の密度が小さくなる。そのため、レーザー加工による導電路形成部の形成が容易になる。さらに、厚みの大きい導電性エラストマー層６１Ｂのレーザー加工が容易となるため、厚みの大きい導電路形成部６１を確実に得ることができる。
【０１５５】
また、ピッチ変換用基板２３の接続用電極２５に対応する所定のパターンに従って離型性支持板６５上に配置された複数の導電路形成部６１を形成し、これらの導電路形成部６１の間に、未硬化状態のエラストマー用材料層６２Ａを形成して硬化処理することにより、絶縁部６２を形成している。
【０１５６】
これにより、導電性粒子Ｐが全く存在しない絶縁部６２が形成された第１の異方導電性シート２２を確実に得ることができる。
しかも、従来の異方導電性シートを製造するために使用されていた、多数の強磁性体部が配列された高価な金型が不要である。
【０１５７】
従って、このような方法によって得られる中継基板２９によれば、検査対象である被検査回路基板の検査電極の配置パターンに関わらず、被検査電極の各々に対して所要の電気的接続を確実に達成することができる。
【０１５８】
また、被検査電極が、そのピッチが微小で高密度に配置されている場合であっても、被検査電極の各々に対して所要の電気的接続を確実に達成することができ、しかも、製造コストの低減化を図ることができ、さらに高い耐久性が得られる。
【０１５９】
図５は、ピッチ変換用基板、中継基板および被検査回路基板を積層した状態を示した断面図である。同図では、４端子検査を行う場合の例を示している。図示したように、被検査回路基板１とピッチ変換用基板２３との間に中継基板２９が配置されている。
【０１６０】
ピッチ変換用基板２３の表面には、それぞれ同一の被検査電極に電気的に接続される互いに離間して配置された電流供給用の電流供給用電極２７および電圧測定用の電圧測定用電極２８からなる接続用電極２５が形成されている。
【０１６１】
ピッチ変換用基板２３の電流供給用電極２７および電圧測定用電極２８に対応して、中継基板２９の１つの貫通孔内には、一対の導電路形成部６１が形成されている。この一対の導電路形成部６１，６１は、その一端側で電流供給用電極２７および電圧測定用電極２８と電気的に接続され、他端側で被検査回路基板１の被検査電極２と電気的に接続され、この状態で電気検査が行われる。
【０１６２】
中継基板２９の片面側もしくは両面側には、分散型異方導電性シートを配置するようにしてもよい。本発明では中継基板２９を備えているので、分解能を損なわない薄い分散型異方導電性シートを用いても、被検査回路基板１の電極による局部的な応力集中が充分に緩和される。図２７は、分散型異方導電性シートを配置した例を示した断面図であり、図２７（ａ）では、ピッチ変換用基板２３と中継基板２９との間に分散型異方導電性シートである第１の異方導電性シート２２を配置し、ピッチ変換用基板２３の電流供給用電極２７および電圧測定用電極２８と、中継基板２９の一対の導電路形成部６１，６１とを、第１の異方導電性シート２２を介して電気的に接続している。
【０１６３】
図２７（ｂ）では、中継基板２９の両面側に分散型異方導電性シートである第１の異方導電性シート２２，２２を配置し、ピッチ変換用基板２３の電流供給用電極２７および電圧測定用電極２８と、中継基板２９の一対の導電路形成部６１，６１とを、第１の異方導電性シート２２を介して電気的に接続するとともに、被検査回路基板１の被検査電極２と、中継基板２９の一対の導電路形成部６１，６１とを、第１の異方導電性シート２２を介して電気的に接続している。
【０１６４】
回路基板側コネクタ２１を構成し、中継基板２９に隣接して配置される第１の異方導電性シート２２は、図２８に示したように、絶縁性の弾性高分子物質からなるシート基材６３中に多数の導電性粒子Ｐが面方向に分散されるとともに厚み方向に配列した状態で含有されている。
【０１６５】
第１の異方導電性シート２２の厚みは、好ましくは２０〜２００μｍ、より好ましくは３０〜１００μｍである。この最小厚みが２０μｍ未満である場合には、第１の異方導電性シート２２の機械的強度が低くなり易く、必要な耐久性が得られないことがある。一方、この第１の異方導電性シート２２の厚みが２００μｍを超える場合には、厚み方向の電気抵抗が大きくなり易く、また、接続すべき電極のピッチが小さい場合には、加圧により形成される導電路間において所要の絶縁性が得られず、被検査電極間で電気的な短絡が生じて検査対象回路基板の電気的検査が困難となることがある。
【０１６６】
第１の異方導電性シート２２のシート基材６３を構成する弾性高分子物質は、そのデュロメータ硬さが好ましくは３０〜９０であり、より好ましくは３５〜８０、さらに好ましくは４０〜７０である。なお、ここで「デュロメータ硬さ」とは、ＪＩＳ Ｋ６２５３の
デュロメータ硬さ試験に基づいてタイプＡデュロメータによって測定されたものをいう。
【０１６７】
弾性高分子物質のデュロメータ硬さが３０未満である場合、厚み方向に押圧された際に、異方導電性シートの圧縮、変形が大きく、大きな永久歪みが生じるため、異方導電性シートが早期に劣化して検査使用が困難となり耐久性が低くなり易い。
【０１６８】
一方、弾性高分子物質のデュロメータ硬さが９０を超える場合、異方導電性シートが厚み方向に押圧された際に、厚み方向の変形量が不十分となるため、良好な接続信頼性が得られず、接続不良が発生し易くなる。
【０１６９】
第１の異方導電性シート２２の基材を構成する弾性高分子物質としては、上記のデュロメータ硬さを示すものであれば特に限定されないが、形成加工性および電気特性の観点から、シリコーンゴムを用いることが好ましい。
【０１７０】
第１の異方導電性シート２２は、その厚みＷ1（μｍ）と、磁性導電性粒子の数平均粒
子径Ｄ1（μｍ）との比率Ｗ1／Ｄ1が１．１〜１０であることが好ましい。ここで、「磁
性導電性粒子の数平均粒子径」とは、レーザー回折散乱法によって測定されたものをいう。比率Ｗ1／Ｄ1が１．１未満である場合、異方導電性シートの厚みに対して磁性導電性粒
子の直径が同等あるいはそれよりも大きくなるため、この異方導電性シートはその弾性が低くなり、このため、この異方導電性シートを被検査回路基板側に配置する際に被検査回路基板が傷つきやすくなる。
【０１７１】
一方、比率Ｗ1／Ｄ1が１０を超える場合には、厚み方向に多数の導電性粒子が配列して連鎖が形成されるので、多数の導電性粒子同士の接点が存在し、電気的抵抗値が高くなり易い。
【０１７２】
磁性導電性粒子としては、異方導電性シートを形成するためのシート成形材料中において、磁性導電性粒子を磁場の作用によって容易に移動させることができる点から、その飽和磁化が好ましくは０．１Ｗｂ／ｍ2 以上、より好ましくは０．３Ｗｂ／ｍ2 以上、特に好ましくは０．５Ｗｂ／ｍ2 以上のものが使用される。
【０１７３】
飽和磁化が０．１Ｗｂ／ｍ2 以上であることにより、その製造工程において磁性導電性粒子を磁場の作用によって確実に移動させて所望の配向状態とすることができるため、異方導電性シートを使用する際に磁性導電性粒子の連鎖を形成することができる。
【０１７４】
磁性導電性粒子の具体例としては、鉄、ニッケル、コバルトなどの磁性を示す金属の粒子もしくはこれらの合金の粒子またはこれらの金属を含有する粒子、あるいはこれらの粒子を芯粒子とし、この芯粒子の表面に高導電性金属を被覆した複合粒子、あるいは非磁性金属粒子もしくはガラスビーズなどの無機物質粒子またはポリマー粒子を芯粒子とし、この芯粒子の表面に、高導電性金属のメッキを施した複合粒子、あるいは芯粒子に、フェライト、金属間化合物などの導電性磁性体および高導電性金属の両方を被覆した複合粒子などが挙げられる。
【０１７５】
ここで、「高導電性金属」とは、０℃における導電率が５×１０6 Ω-1ｍ-1以上の金属をいう。このような高導電性金属としては、具体的には、金、銀、ロジウム、白金、クロムなどを用いることができ、これらの中では、化学的に安定でかつ高い導電率を有する点で金を用いることが好ましい。
【０１７６】
上記の磁性導電性粒子の中では、ニッケル粒子を芯粒子とし、その表面に金や銀などの高導電性金属のメッキを施した複合粒子が好ましい。
芯粒子の表面に高導電性金属を被覆する手段として、例えば、無電解メッキ法を用いることができる。
【０１７７】
磁性導電性粒子は、その数平均粒子径の変動係数が５０％以下であることが好ましく、より好ましくは４０％以下、さらに好ましくは３０％以下、特に好ましくは２０％以下である。ここで、「数平均粒子径の変動係数」とは、式：（σ／Ｄｎ）×１００（但し、σは、粒子径の標準偏差の値を示し、Ｄｎは、粒子の数平均粒子径を示す。）によって求められるものである。
【０１７８】
磁性導電性粒子の数平均粒子径の変動係数が５０％以下であることにより、粒子径の不揃いの程度が小さくなるため、得られる異方導電性シートにおける部分的な導電性のバラツキを小さくすることができる。
【０１７９】
このような磁性導電性粒子は、金属材料を常法により粒子化し、あるいは市販の金属粒子を用意し、この粒子に対して分級処理を行うことにより得ることができる。粒子の分級処理は、例えば、空気分級装置、音波ふるい装置などの分級装置によって行うことができる。分級処理の具体的な条件は、目的とする導電性金属粒子の数平均粒子径、分級装置の種類などに応じて適宜設定される。
【０１８０】
磁性導電性粒子の具体的な形状は、特に限定されないが、例えば複数の球形の一次粒子が一体的に連結された二次粒子が好ましく用いられる。
磁性導電性粒子として、芯粒子の表面に高導電性金属が被覆された複合粒子（導電性複合金属粒子）を用いる場合、良好な導電性が得られる点から、導電性複合金属粒子の表面における高導電性金属の被覆率（芯粒子の表面積に対する高導電性金属の被覆面積の割合）が４０％以上であることが好ましく、さらに好ましくは４５％以上、特に好ましくは４７〜９５％である。
【０１８１】
また、高導電性金属の被覆量は、芯粒子の重量の２．５〜５０質量％であることが好ましく、より好ましくは３〜４５質量％、さらに好ましくは３．５〜４０質量％、特に好ましくは５〜３０質量％である。
【０１８２】
このような、絶縁性の弾性高分子物質中に多数の導電性粒子が面方向に分散し厚み方向に配列した状態で含有された異方導電性シートは、例えば特開２００３−７７５６０号公報に示されるように、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質用材料中に、磁性を示す導電性粒子が含有された流動性の成形材料を調製し、この成形材料からなる成形材料層を、当該成形材料層における一面に接する一面側成形部材と、当該成形材料層における他面に接する他面側成形部材との間に形成し、この成形材料層に対してその厚み方向に磁場を作用させると共に、当該成形材料層を硬化処理する方法等により製造することができる。
【０１８３】
ピッチ変換用基板２３の中継ピンユニット３１側に配置される第２の異方導電性シート２６は、図２９に示したように、絶縁性の弾性高分子材料中に多数の導電性粒子Ｐが厚み方向に配列して形成された導電路形成部７１と、それぞれの導電路形成部７１を離間する絶縁部７２から構成されている。このように、導電性粒子Ｐは導電路形成部７１中にのみ、面方向に不均一に分散されている。
【０１８４】
導電路形成部７１の厚みは、好ましくは０．１〜２ｍｍ、より好ましくは０．２〜１．５ｍｍである。この厚みが過小である場合、厚み方向の加圧に対する吸収能力が低く、検査時において検査治具による加圧力の吸収が小さくなり、回路基板側コネクタ２１への衝撃を緩和する効果が減少する。このため、中継基板２９における弾性部の劣化を抑制しにくくなり、結果として被検査回路基板１の繰り返し検査時における中継基板２９の交換回数が増加して、検査の効率が低下する。一方、この厚みが過大である場合、厚み方向の電気抵抗が大きくなり易く電気検査が困難となることがある。
【０１８５】
絶縁部７２の厚みは、導電路形成部７１の厚みと実質的に同一か、それよりも小さいことが好ましい。図２９に示したように、絶縁部７２の厚みを導電路形成部７１の厚みよりも小さくして導電路形成部７１が絶縁部７２より突出した突出部７１ａを形成することにより、厚み方向の加圧に対して導電路形成部７２の変形が容易になり、加圧力の吸収能力が増大するため、検査時において検査治具の加圧力を吸収し、回路基板側コネクタへ２１の衝撃を緩和することができる。
【０１８６】
第２の異方導電性シート２６を構成する導電性粒子Ｐに、磁性導電性粒子を使用する場合、その数平均粒子径は好ましくは５〜２００μｍ、より好ましくは５〜１５０μｍ、さらに好ましくは１０〜１００μｍである。ここで、「磁性導電性粒子の数平均粒子径」とは、レーザー回折散乱法によって測定されたものをいう。磁性導電性粒子の数平均粒子径が５μｍ以上であると、異方導電性シートの導電路形成部の加圧変形が容易になる。また、その製造工程において磁場配向処理によって磁性導電性粒子を配向させる場合、磁性導電性粒子の配向が容易である。磁性導電性粒子の数平均粒子径が２００μｍ以下であると
、異方導電性シートの導電路形成部７１の弾性が良好で加圧変形が容易になる。
【０１８７】
導電路形成部７１の厚みＷ2（μｍ）と、磁性導電性粒子の数平均粒子径Ｄ2（μｍ）との比率Ｗ2／Ｄ2は１．１〜１０であることが好ましい。
比率Ｗ2／Ｄ2が１．１未満である場合、導電路形成部７１の厚みに対して磁性導電性粒子の直径が同等あるいはそれよりも大きくなるため、導電路形成部７１の弾性が低くなり、その厚み方向の加圧力の吸収能力が小さくなる。検査時における検査治具の加圧圧力を吸収が小さくなり、回路基板側コネクタ２１への衝撃を緩和する効果が減少するため、中継基板２９における弾性部の劣化を抑制しにくくなり、結果として、被検査回路基板１の繰り返し検査時において中継基板２９の交換回数が増加して、検査の効率が低下し易くなる。
【０１８８】
一方、比率Ｗ2／Ｄ2が１０を超える場合、導電路形成部７１に多数の導電性粒子が配列して連鎖を形成することとなり、導電性粒子同士の接点が多数存在することになるため、電気的抵抗値が高くなり易い。
【０１８９】
導電路形成部７１の基材である弾性高分子物質は、そのタイプＡデュロメータによって測定されたデュロメータ硬さが好ましくは１５〜６０、より好ましくは２０〜５０、さらに好ましくは２５〜４５である。
【０１９０】
弾性高分子のデュロメータ硬さが１５よりも小さい場合、厚み方向に押圧された際のシートの圧縮、変形が大きく、大きな永久歪が生じるためシート形状が早期に変形して検査時の電気的接続が困難となり易い。弾性高分子のデュロメータ硬さが６０よりも大きい場合、厚み方向に押圧された際の変形が小さくなるため、その厚み方向の加圧力の吸収能力が小さくなる。このため、中継基板２９における弾性部の劣化を抑制しにくくなり、結果として、被検査回路基板１の繰り返し検査時において中継基板２９の交換回数が増加して、検査の効率が低下しやすくなる。
【０１９１】
導電路形成部７１の基材となる弾性高分子としては、上記のデュロメータ硬さを示すものであれば特に限定されないが、加工性および電気特性の点から、シリコーンゴムを用いることが好ましい。
【０１９２】
第２の異方導電性シート２６の絶縁部７２は、実質的に導電性粒子を含有しない絶縁材料により形成される。絶縁材料としては、例えば、絶縁性の高分子材料、無機材料、表面を絶縁化処理した金属材料などを用いることができるが、導電路形成部に使用した弾性高分子と同一の材料を用いると生産が容易である。絶縁部の材料として弾性高分子を使用する場合、デュロメータ硬さが上記の範囲であるものを使用することが好ましい。
【０１９３】
磁性導電性粒子としては、前述した中継基板２９の導電路形成部に用いられる導電性粒子を用いることができる。
第２の異方導電性シート２６は、例えば、以下のようにして製造することができる。先ず、それぞれ全体の形状が略平板状であって、互いに対応する上型と下型とよりなり、上型と下型との間の成形空間内に充填された材料層に磁場を作用させながら材料層を加熱硬化することができる構成の異方導電性シート成形用金型を用意する。
【０１９４】
この異方導電性シート成形用金型は、材料層に磁場を作用させて適正な位置に導電性を有する部分を形成するために、上型および下型の両方は、鉄、ニッケルなどの強磁性体からなる基板上に、金型内の磁場に強度分布を生じさせるための鉄、ニッケルなどよりなる強磁性体部分と、銅などの非磁性金属若しくは樹脂よりなる非磁性体部分とが互いに隣接するよう交互に配置されたモザイク状の層を有する構成のものであり、強磁性体部分は、
形成すべき導電路形成部に対応するパターンに従って配列されている。
【０１９５】
ここで、上型の成形面は平坦であり、下型の成形面は形成すべき異方導電性シートの導電路形成部に対応してわずかに凹凸を有するものである。
そして、上記の異方導電性シート成形用金型を用いて、以下のようにして異方導電性シートが製造される。先ず、異方導電性シート成形用金型の成形空間内に、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質材料中に磁性を示す導電性粒子が含有されてなる成形材料を注入して成形材料層を形成する。
【０１９６】
次に、上型および下型の各々における強磁性体部分および非磁性体部分を利用し、形成された成形材料層に対してその厚み方向に強度分布を有する磁場を作用させることにより、その磁力の作用によって、導電性粒子を、上型における強磁性体部分と、その直下に位置する下型における強磁性体部分との間に集合させ、更には導電性粒子を厚み方向に並ぶように配向させる。そして、その状態で成形材料層を硬化処理することにより、複数の柱状の導電路形成部が、絶縁部によって互い絶縁されてなる構成を有する異方導電性シートが製造される。
【０１９７】
一方、テスター側コネクタ４１ａ，４１ｂは、図１に示したように、第３の異方導電性シート４２ａ，４２ｂと、コネクタ基板４３ａ，４３ｂと、ベース板４６ａ，４６ｂと、を備えている。第３の異方導電性シート４２ａ，４２ｂには、前述した第２の異方導電性シート２６と同様のものが使用される。すなわち、図２９に示したような、絶縁性の弾性高分子材料中に多数の導電性粒子が厚み方向に配列して形成された導電路形成部と、それぞれの導電路形成部を離間する絶縁部とから構成された異方導電性シートが使用される。
【０１９８】
コネクタ基板４３ａ，４３ｂは、絶縁基板を備えており、その表面の中継ピンユニット３１側に、図１および図２に示したようにピン側電極４５ａ，４５ｂが形成されている。
これらのピン側電極４５は、例えば、２．５４ｍｍ、１．８ｍｍ、１．２７ｍｍ、１．０６ｍｍ、０．８ｍｍ、０．７５ｍｍ、０．５ｍｍ、０．４５ｍｍ、０．３ｍｍまたは０．２ｍｍの一定ピッチの格子点上に配置されており、その配置ピッチは中継ピンユニット３１の導電ピン３２の配置ピッチと同一である。
【０１９９】
それぞれのピン側電極４５は、絶縁基板の表面に形成された配線パターンおよびその内部に形成された内部配線によって、テスター側電極４４ａ，４４ｂへ電気的に接続されている。
【０２００】
中継ピンユニット３１は、図１、図２、図３０（図３０は、説明の便宜上、中継ピンユニット３１ａについて示している）、および図３６〜図３９に示したように、上下方向を向くように並列に、所定のピッチで設けられた多数の導電ピン３２ａ，３２ｂを備えている。また、中継ピンユニット３１は、これらの導電ピン３２ａ，３２ｂの両端側に設けられ、導電ピン３２ａ，３２ｂを挿通支持する被検査回路基板１側に配置された第１の絶縁板３４ａ，３４ｂと、被検査回路基板１側とは反対側に配置された第２の絶縁板３５ａ，３５ｂの２枚の絶縁板を備えている。
【０２０１】
導電ピン３２は、例えば、図３１に示したように、直径の大きい中央部８２と、これよりも直径の小さい端部８１ａ，８１ｂとからなる。第１の絶縁板３４と第２の絶縁板３５には、導電ピン３２の端部８１が挿入される貫通孔８３が形成されている。そして、貫通孔８３の直径が、導電ピン３２の端部８１ａ，８１ｂの直径よりも大きく、且つ中央部８２の直径よりも小さく形成され、これにより導電ピン３２が脱落しないように保持されている。
【０２０２】
第１の絶縁板３４および第２の絶縁板３５は、図１の第１の支持ピン３３および第２の支持ピン３７によって、これらの間隔が導電ピン３２の中央部８２の長さよりも長くなるように固定され、これにより導電ピン３２が上下へ移動可能に保持されている。導電ピン３２の端部８１の長さは、絶縁板３４の厚みよりも長くなるように形成され、これにより、少なくとも一方の絶縁板３４から導電ピン３２が突出するようになっている。
【０２０３】
中継ピンユニットは、多数の導電ピンが、例えば、２．５４ｍｍ、１．８ｍｍ、１．２７ｍｍ、１．０６ｍｍ、０．８ｍｍ、０．７５ｍｍ、０．５ｍｍ、０．４５ｍｍ、０．３ｍｍまたは０．２ｍｍのピッチの格子点上に配置されている。
【０２０４】
中継ピンユニット３１の導電ピン３２の配置ピッチと、ピッチ変換用基板２３に設けられた端子電極２４の配置ピッチとを同一とすることにより、導電ピン３２を介してピッチ変換用基板２３がテスター側に電気的に接続されるようになっている。
【０２０５】
また、図１および図３０に示したように、中継ピンユニット３１には、第１の絶縁板３４ａ，３４ｂと、第２の絶縁板３５ａ，３５ｂとの間に、中間保持板３６ａ、３６ｂが配置されている。
【０２０６】
そして、第１の絶縁板３４ａ，３４ｂと中間保持板３６ａ，３６ｂとの間には、第１の支持ピン３３ａ，３３ｂが配置され、これによって、第１の絶縁板３４ａ，３４ｂと中間保持板３６ａ，３６ｂとの間を固定している。
【０２０７】
同様に、第２の絶縁板３５ａ，３５ｂと中間保持板３６ａ，３６ｂとの間には、第２の支持ピン３７ａ，３７ｂが配置され、これによって、第２の絶縁板３５ａ，３５ｂと中間保持板３６ａ，３６ｂとの間を固定している。
【０２０８】
第１の支持ピン３３と、第２の支持ピン３７の材質としては、例えば、真鍮、ステンレスなどの金属が使用される。
なお、図３０における第１の絶縁板３４と中間保持板３６との間の距離Ｌ１と、第２の絶縁板３５と中間保持板３６との間の距離Ｌ２としては、特に限定されるものではないが、後述するように、第１の絶縁板３４、中間保持板３６、第２の絶縁板３５の弾性による、被検査回路基板１の被検査電極２，３の高さバラツキの吸収性を考慮すれば、２ｍｍ以上が好ましく、より好ましくは２．５ｍｍ以上である。
【０２０９】
そして、図３０に示したように、第１の支持ピン３３の中間保持板３６に対する第１の当接支持位置３８Ａと、第２の支持ピン３７の中間保持板３６に対する第２の当接支持位置３８Ｂとは、検査装置を中間保持板の厚さ方向に（図１において上方から下方に向かって）投影した中間保持板投影面Ａ上において異なる位置に配置されている。
【０２１０】
この場合、異なる位置としては、特に限定されるものではないが、第１の当接支持位置３８Ａと、第２の当接支持位置３８Ｂは、図３５に示したように、中間保持板投影面Ａ上において格子上に形成されていることが好ましい。
【０２１１】
具体的には、図３５に示したように、中間保持板投影面Ａ上において、隣接する４個の第１の当接支持位置３８Ａからなる単位格子領域Ｒ１に、１個の第２の当接支持位置３８Ｂが配置される。また、中間保持板投影面Ａにおいて、隣接する４個の第２の当接支持位置３８Ｂからなる単位格子領域Ｒ２に、１個の第１の当接支持位置３８Ａが配置される。なお、図３５では、第１の当接支持位置３８Ａを黒丸、第２の当接支持位置群３８Ｂを白丸で示している。
【０２１２】
なお、ここでは、第１の当接支持位置３８Ａの単位格子領域Ｒ１の対角線Ｑ１の中央に、１個の第２の当接支持位置３８Ｂを配置するとともに、第２の当接支持位置３８Ｂの単位格子領域Ｒ２の対角線Ｑ２の中央に、１個の第１の当接支持位置３８Ａを配置している。しかしながら、これらの相対的な位置は、特に限定されるものではなく、上記のように、検査装置を中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面Ａ上において異なる位置に配置されていればよい。すなわち、格子状に配置されない場合には、このような相対位置関係に拘束されるものではなく、上記のように、検査装置を中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面Ａ上において異なる位置に配置されていればよい。
【０２１３】
また、この場合、互いに隣接する第１の当接支持位置３８Ａの間の離間距離、第２の当接支持位置３８Ｂの間の離間距離は、好ましくは１０〜１００ｍｍ、より好ましくは１２〜７０ｍｍ、特に好ましくは１５〜５０ｍｍである。
【０２１４】
第１の絶縁板３４、中間保持板３６、第２の絶縁板３５の形成材料には、可撓性を有するものが用いられる。これらの板の可撓性は、第１の絶縁板３４、中間保持板３６、第２の絶縁板３５の両端部を、それぞれ１０ｃｍ間隔で支持した状態で水平に配置した場合において、上方から５０ｋｇｆの圧力で加圧することによって生ずる撓みが、これらの絶縁板の幅の０．０２％以下であり、かつ上方から２００ｋｇｆの圧力で加圧することによっても破壊および永久変形が生じない程度であることが好ましい。
【０２１５】
第１の絶縁板３４、中間保持板３６、第２の絶縁板３５の材料としては、具体的には、固有抵抗が１×１０10Ω・ｃｍ以上の絶縁性材料、例えばポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、フェノール樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポチエチレンテレフタレート樹脂、シンジオタクチック・ポリスチレン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエチルケトン樹脂、フッ素樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアミドイミド樹脂等の機械的強度の高い樹脂材料、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補強型ポリエステル樹脂、ガラス繊維補強型ポリイミド樹脂、ガラス繊維補強フェノール樹脂、ガラス繊維補強型フッ素樹脂等のガラス繊維型複合樹脂材料、カーボン繊維補強型エポキシ樹脂、カーボン繊維補強型ポリエステル樹脂、カーボン繊維補強型ポリイミド樹脂、カーボン繊維補強型フェノール樹脂、カーボン繊維補強型フッ素樹脂等のカーボン繊維型複合樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等にシリカ、アルミナ、ボロンナイトライド等の無機材料を充填した複合樹脂材料、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等にメッシュを含有した複合樹脂材料などが挙げられる。また、これらの材料からなる板材を複数積層して構成された複合板材等も用いることができる。
【０２１６】
第１の絶縁板３４、中間保持板３６、および第２の絶縁板３５の厚みは、第１の絶縁板３４、中間保持板３６、第２の絶縁板３５を構成する材料の種類に応じて適宜選択されるが、好ましくは１〜１０ｍｍである。例えば、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂からなり、その厚みが２〜５ｍｍであるものを使用することができる。
【０２１７】
第１の絶縁板３４および第２の絶縁板３５に導電ピン３２を移動可能に支持する方法としては、図３０に示した方法の他に、図３２〜図３４に示した方法を挙げることができる。この例では、導電ピン３２として図示したように、この例では第１の絶縁板３４と第２の絶縁板３５との間に、屈曲保持板８４が設けられている。
【０２１８】
また、導電ピン３２として、円柱形状である金属ピンを用いている。
図３２に示したように、屈曲保持板８４には導電ピン３２が挿通される貫通孔８５が形成されている。導電ピン３２は、第１の絶縁板３４に形成された貫通孔８３ａおよび第２の絶縁板３５に形成された貫通孔８３ｂと、屈曲保持板８４に形成された貫通孔８５とを
支点として、互いに逆方向に横方向へ押圧されて、屈曲保持板８４の貫通孔８５の位置で屈曲され、これにより導電ピン３２が軸方向へ移動可能に支持されている。
【０２１９】
なお、中間保持板３６には、導電ピン３２と接触しない程度に径を大きくした貫通孔８６が形成され、この貫通孔８６に導電ピン３２が挿通されている。
導電ピン３２は、図３３（ａ）〜図３３（ｃ）に示した手順で第１の絶縁板３４および第２の絶縁板３５に支持される。図３３（ａ）に示したように、第１の絶縁板３４の貫通孔８３ａおよび第２の絶縁板３５に形成された貫通孔８３ｂと、屈曲保持板８４の貫通孔８５とが軸方向に位置合わせされた位置に屈曲保持板８４を配置する。
【０２２０】
次に、図３３（ｂ）に示したように、導電ピン３２を、第１の絶縁板３４の貫通孔８３ａから屈曲保持板８４の貫通孔８５を通して第２の絶縁板３５の貫通孔８３ｂまで挿入する。
【０２２１】
次に、図３３（ｃ）に示したように、屈曲保持板８４を、導電ピン３２の軸方向と垂直な横方向（水平方向）に移動し、適宜の手段によって屈曲保持板８４の位置を固定する。これによって、導電ピン３２は、第１の絶縁板３４の貫通孔８３ａおよび第２の絶縁板３５に形成された貫通孔８３ｂと、屈曲保持板８４の貫通孔８５とを支点として互いに逆方向に横方向へ押圧されて、屈曲保持板８４の貫通孔８５の位置で屈曲され、これにより導電ピン３２が軸方向に移動可能に支持される。
【０２２２】
このように構成することで、導電ピン３２が、第１の絶縁板３４と第２の絶縁板３５との間に、軸方向へ移動可能に、且つ脱落しないように保持することができるとともに、導電ピン３２として円柱状である簡易な構造のピンを使用できるため、導電ピン３２およびそれを保持する部材の全体としてのコストを抑えることができる。
【０２２３】
なお、屈曲保持板８４が配置される位置は、第１の絶縁板３４と中間保持板３６との間であってもよい。
このように構成された本実施形態の検査装置では、図２に示したように、被検査回路基板１の電極２および電極３が、中継基板２９ａ，２９ｂ、ピッチ変換用基板２３ａ，２３ｂ、第２の異方導電性シート２６ａ，２６ｂ、導電ピン３２ａ，３２ｂ、第３の異方導電性シート４２ａ，４２ｂ、コネクタ基板４３ａ，４３ｂを介して、最外側に配置されたベース板４６ａ，４６ｂをテスターの加圧機構により規定の圧力で押圧することによってテスター（図示せず）に電気的に接続され、被検査回路基板１の電極間における電気抵抗測定などの電気検査が行われる。
【０２２４】
測定時に被検査回路基板に対して上側および下側の第１の検査治具１１ａ，第２の検査治具１１ｂから押圧する圧力は、例えば、１００〜２５０ｋｇｆである。
以下、図３６〜図３９を参照しながら（便宜的に、第２の検査治具１１ｂのみ示す）、第１の検査治具１１ａと第２の検査治具１１ｂとの間で被検査回路基板１の両面を挟圧した際における圧力吸収作用および圧力分散作用について説明する。
【０２２５】
図３７に示したように、第１の検査治具１１ａと第２の検査治具１１ｂとの間で検査対象である被検査回路基板１の両面を挟圧して電気検査を行う際に、加圧の初期段階では、中継ピンユニット３１の導電ピン３２の厚み方向への移動と、中継基板２９の弾性部と、第２の異方導電性シート２６と、第３の異方導電性シート４２のゴム弾性圧縮により圧力を吸収して、被検査回路基板１の被検査電極の高さバラツキをある程度吸収することができる。
【０２２６】
そして、第１の支持ピンと中間保持板との第１の当接支持位置と、前記第２の支持ピン
と中間保持板との第２の当接支持位置とが、中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されているので、図３８の矢印で示したように、上下方向に力が作用し、図３９に示したように、第１の検査治具１１ａと第２の検査治具１１ｂの間で検査対象である被検査回路基板１をさらに加圧した際に、中継基板２９の弾性部と、第２の異方導電性シート２６と、第３の異方導電性シート４２のゴム弾性圧縮に加えて、中継ピンユニット３１の第１の絶縁板３４と、第２の絶縁板３５と、第１の絶縁板３４と第２の絶縁板３５の間に配置された中間保持板３６のバネ弾性により、被検査回路基板１の被検査電極の高さバラツキ、例えば、ハンダボール電極の高さバラツキに対して、圧力集中を分散させて、局部的な応力集中を回避することができる。
【０２２７】
すなわち、図３８および図３９に示したように、第１の支持ピン３３と中間保持板３６に対する第１の当接支持位置３８Ａを中心として、中間保持板３６が、第２の絶縁板３５の方向に撓むとともに（図３９の一点鎖線で囲んだＥの部分参照）、第２の支持ピン３７と中間保持板３６との第２の当接支持位置３８Ｂを中心として、中間保持板３６が、第１の絶縁板３４の方向に撓むことになる（図３９の一点鎖線で囲んだＤの部分参照）。なお、ここで「撓む」および「撓み方向」とは中間保持板３６が凸状になる方向に突出するように撓むことおよびその突出方向を言う。
【０２２８】
このように、中間保持板３６が、第１の当接支持位置３８Ａ、第２の当接支持位置３８Ｂを中心として、相互に反対方向に撓むので、第１の検査治具１１ａと第２の検査治具１１ｂとの間で検査対象である被検査回路基板１をさらに加圧した際に、中間保持板３６のバネ弾性力が発揮されることになる。
【０２２９】
また、図３９の一点鎖線で囲んだＢ部分で示したように、第２の異方導電性シート２６の導電路形成部の突出部の圧縮によって、導電ピン３２ｂの高さが吸収されるが、この突出部の圧縮よって吸収しきれない圧力が、第１の絶縁板３４ｂに加わることになる。
【０２３０】
したがって、図３９の一点鎖線で囲んだＣ部分で示したように、第１の絶縁板３４と第２の絶縁板３５も、第１の支持ピン３３、第２の支持ピン３７との当接位置で、相互に反対方向に撓むので、第１の検査治具１１ａと第２の検査治具１１ｂとの間で検査対象である被検査回路基板１をさらに加圧した際に、第１の絶縁板３４と第２の絶縁板３５のバネ弾性力が発揮されることになる。
【０２３１】
これにより、高さバラツキを有する被検査回路基板１の被検査電極のそれぞれに対して安定的な電気的接触が確保され、さらに応力集中が低減されるので、中継基板２９の弾性部の局部的な破損が抑制される。その結果、中継基板２９の繰り返し使用耐久性が向上するので、その交換回数が減り、検査作業効率が向上することになる。
【０２３２】
図４０は、本発明の検査装置の他の実施形態を説明する図３６と同様な断面図（便宜的に第２の検査治具のみ示している）、図４１は、その中継ピンユニットの拡大断面図である。この検査装置は、図１に示した検査装置と基本的には同様な構成であり、同一の構成部材には同一の参照番号を付している。この検査装置では、図４０および図４１に示したように、第１の絶縁板３４と第２の絶縁板３５との間に、複数個（本実施形態では３個）の中間保持板３６が所定間隔離間して配置されるとともに、これらの隣接する中間保持板３６同士の間に、保持板支持ピン３９が配置されている。
【０２３３】
この場合、少なくとも１つの中間保持板３６ｂにおいて、中間保持板３６ｂに対して一面側から当接する保持板支持ピン３９ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置と、中間保持板３６ｂに対して他面側から当接する第１の支持ピン３３ｂ、第２の支持ピン３７ｂ、または保持板支持ピン３９ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置とが、中間保
持板３６ｂの厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されていることが必要である。
【０２３４】
最も好ましくは、全ての中間保持板３６ｂにおいて、中間保持板３６ｂに対して一面側から当接する保持板支持ピン３９ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置と、中間保持板３６ｂに対して他面側から当接する第１の支持ピン３３ｂ、第２の支持ピン３７ｂ、または保持板支持ピン３９ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置とが、中間保持板３６ｂの厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置される。
【０２３５】
この場合、詳述しないが、「異なる位置」とは、前述した実施形態において、第１の支持ピン３３と中間保持板３６との第１の当接支持位置３８Ａと、第２の支持ピン３７と中間保持板３６との第２の当接支持位置３８Ｂとの間の関係で説明した相対位置と同様な配置とすることが可能である。
【０２３６】
本実施形態では、３つの中間保持板３６ｂのうち上側の中間保持板３６ｂにおいて、中間保持板３６ｂに対して一面側から当接する保持板支持ピン３９ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置３９Ａと、中間保持板３６ｂに対して他面側から当接する第１の支持ピン３３ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置３８Ａとが、中間保持板３６ｂの厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されている。
【０２３７】
また、３つの中間保持板３６ｂのうち中央の中間保持板３６ｂにおいて、中間保持板３６ｂに対して一面側から当接する保持板支持ピン３９ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置３９Ａと、中間保持板３６ｂに対して他面側から当接する保持板支持ピン３９ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置３９Ａとが、中間保持板３６ｂの厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されている。
【０２３８】
また、３つの中間保持板３６ｂのうち下側の中間保持板３６ｂにおいて、中間保持板３６ｂに対して一面側から当接する保持板支持ピン３９ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置３９Ａと、中間保持板３６ｂに対して他面側から当接する第２の支持ピン３７ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置３８Ｂとが、中間保持板３６ｂの厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されている。
【０２３９】
このように構成することによって、これらの複数個の中間保持板３６によってバネ弾性がさらに発揮されることになり、被検査回路基板１の被検査電極の高さバラツキに対して、圧力集中を分散させて、局部的な応力集中をさらに回避することができ、中継基板２９の弾性部の局部的な破損が抑制され、その結果、中継基板２９の繰り返し使用耐久性が向上するので、中継基板２９の交換回数が減り、検査作業効率が向上する。
【０２４０】
なお、中間保持板３６の個数としては、複数個であればよく、特に限定されるものではない。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲内において種々の変形、変更が可能である。
【０２４１】
例えば、被検査回路基板１は、プリント回路基板以外に、パッケージＩＣ、ＭＣＭ、ＣＳＰなどの半導体集積回路装置、ウェハに形成された回路装置であってもよい。また、プリント回路基板は、両面プリント回路基板だけではなく片面プリント回路基板であってもよい。
【０２４２】
第１の検査治具１１ａと第２の検査治具１１ｂは、使用材料、部材構造などにおいて必ずしも同一である必要はなく、これらが異なるものであってもよい。
テスター側コネクタは、コネクタ基板のような回路基板と異方導電性シートを複数積層して構成してもよい。
【０２４３】
上記の実施形態では、第２の異方導電性シート２６および第３の異方導電性シート４２として、厚み方向に延びる複数の導電路形成部と、これらの導電路形成部を互いに絶縁する絶縁部とからなり、導電性粒子が導電路形成部中にのみ含有され、これにより該導電性粒子は面方向に不均一に分散されるとともに、シート片面側に導電路形成部が突出しているものを用いたが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【０２４４】
また、図１、図２、図３６、図３７、図３９および図４０に示したように、テスター側コネクタ４１におけるコネクタ基板４３とベース板４６との間に、支持ピン４９を配置してもよい。これらの支持ピン４９によって、第１の支持ピン３３、第２の支持ピン３７（図４０では第１の支持ピン３３、第２の支持ピン３７および保持板支持ピン３９）が与える作用と同様にして、面圧を分散させる作用を与えることも可能である。この面圧分散作用を与えるためには、支持ピン４９の位置と、第２の支持ピン３７の位置とが面方向において互いに異なるようにこれらを配置することが好ましい。
【実施例１】
【０２４５】
以下に、本発明の具体的な実施例および比較例を示す。
[実施例１]
レール搬送型回路基板自動検査機（日本電産リード社製，品名：ＳＴＡＲＲＥＣ Ｖ５）の検査部に適合する、図１に示したような、下記の評価用回路基板を検査するための回路基板検査装置を作製した。
（１）評価用回路基板１
下記の仕様の評価用回路基板１を用意した。
寸法：１００ｍｍ（縦）×１００ｍｍ（横）×０．８ｍｍ（厚み）
上面側の被検査電極の数：３６００個
上面側の被検査電極の径：０．２ｍｍ
上面側の被検査電極の最小配置ピッチ：０．４ｍｍ
下面側の被検査電極の数：２６００個
下面側の被検査電極の径：０．２ｍｍ
下面側の被検査電極の最小配置ピッチ：０．４ｍｍ
（２）ピッチ変換用基板２３
ガラス繊維補強型エポキシ樹脂からなる厚さ０．５ｍｍの絶縁基板の両面全面に、厚みが１８μｍの銅からなる金属薄層を形成した積層材料（松下電工社製，品名：Ｒ−１７６６）に、数値制御型ドリリング装置によって、それぞれ積層材料の厚み方向に貫通する直径０．１ｍｍの円形の貫通孔を合計で７２００個形成した。
【０２４６】
この場合、貫通孔の形成は２個を一組として、評価用回路基板の上面側の被検査電極に対応する位置に形成し、一組の貫通孔は０．１ｍｍの間隙を設けて形成した（すなわち、貫通孔Ａ＝０．１ｍｍと貫通孔Ｂ＝０．１ｍｍとの間の間隙＝０．１ｍｍとなるように設定することを意味する）。
【０２４７】
その後、貫通孔が形成された積層材料に対し、ＥＤＴＡタイプ銅メッキ液を用いて無電解メッキ処理を施すことにより、各貫通孔の内壁に銅メッキ層を形成し、さらに、硫酸銅メッキ液を用いて電解銅メッキ処理を施すことにより、各貫通孔内に、積層材料表面の各金属薄層を互いに電気的に接続する、厚さ約１０μｍの円筒状のバイアホールを形成した。
【０２４８】
次いで、積層材料表面の金属薄層上に、厚みが２５μｍのドライフィルムレジスト（東
京応化製，品名：ＦＰ−２２５）をラミネートしてレジスト層を形成するとともに、この積層材料の他面側の金属薄層上に保護シールを配置した。このレジスト層上にフォトマスクフィルムを配置し、レジスト層に対して、平行光露光機（オーク製作所製）を用いて露光処理を施した後、現像処理を行うことにより、エッチング用のレジストパターンを形成した。そして、レジストパターンを形成した面の金属薄層に対してエッチング処理を施すことにより、絶縁基板の表面に、横６０μｍ、縦１２０μｍの矩形の７２００個の接続電極と、各接続電極とバイアホールとを電気的に接続する線幅が１００μｍのパターン配線部を形成し、次いで、レジストパターンを除去した。
【０２４９】
次に、積層材料の接続電極とパターン配線部を形成した側の面に、厚みが２５μｍのドライフィルムレジスト（東京応化製，品名：ＦＰ−２２５）をラミネートしてレジスト層を形成し、このレジスト層の上にフォトマスクフィルムを配置して、レジスト層に対して平行光露光機（オーク製作所製）を用いて露光処理を施した後、現像処理を行うことにより、それぞれの接続電極を露出する、横方向６０μｍ、縦方向１２０μｍの矩形の７２００個の開口を形成した。
【０２５０】
そして、硫酸銅メッキ液を用い、積層材料の他面側の金属薄層を共通電極として用い、それぞれの接続電極に対して電解銅メッキ処理を施すことにより７２００個の接続電極を形成した。次いでレジストパターンを除去した。
【０２５１】
次いで、積層材料の他面側の金属薄層上の保護シールを除去し、この面の金属薄層上に、厚みが２５μｍのドライフィルムレジスト（東京応化製，品名：ＦＰ−２２５）をラミネートしてレジスト層を形成した。その後、このレジスト層上にフォトマスクフィルムを配置し、レジスト層に対して、平行光露光機（オーク製作所製）を用いて露光処理を施した後、現像処理を行うことにより、積層材料における金属薄層上にエッチング用のレジストパターンを形成した。
【０２５２】
次いで、積層材料の接続電極を形成した側の面に保護シールを施した後に、エッチング処理を施すことにより、絶縁性基板の裏面に７２００個の端子電極と、各端子電極とバイアホールとを電気的に接続するパターン配線部を形成し、レジストパターンを除去した。
【０２５３】
次いで、端子電極およびパターン配線部が形成された絶縁基板の裏面に、厚みが３８μｍのドライフィルムソルダーレジスト（ニチゴーモートン製、品名：コンフォマスク２０１５）をラミネートして絶縁層を形成し、この絶縁層上にフォトマスクフィルムを配置し、次いで、絶縁層に対して、平行光露光機（オーク製作所製）を用いて露光処理を施した後、現像処理することにより、電極を露出する直径０．４ｍｍの開口を７２００個形成した。
【０２５４】
以上のようにして、第１の検査治具１１ａ用のピッチ変換用基板２３ａを作製した。このピッチ変換用基板２３ａは、縦横の寸法が１２０ｍｍ×１６０ｍｍ、厚みが０．５ｍｍ、接続用電極２５の絶縁層表面から露出した部分の寸法が、横方向約６０μｍで、縦方向約１２０μｍ、接続用電極２５の絶縁層表面からの突出高さが約３０μｍ、対をなす接続用電極２５間の離間距離が３０μｍ、端子電極２４の直径が０．４ｍｍ、端子電極２４の配置ピッチが０．７５ｍｍであった。
【０２５５】
また、上記と同様にして、表面に５２００個の接続用電極２５を有すると共に裏面に５２００個の端子電極２４を有する、第２の検査治具１１ｂ用のピッチ変換用基板２３ｂを作製した。
【０２５６】
このピッチ変換用基板２３ｂは、縦横の寸法が１２０ｍｍ×１６０ｍｍ、厚みが０．５
ｍｍ、接続用電極２５における絶縁層の表面に露出した部分の横方向約６０μｍで、縦方向約１２０μｍ、接続用電極２５における絶縁層の表面からの突出高さが約３０μｍ、対をなす接続用電極２５間の離間距離が３０μｍ、端子電極２４の直径が０．４ｍｍ、端子電極２４の配置ピッチが０．７５ｍｍのものである。
（３）中継基板２９
１．基板の製造
両面に銅箔を備えた厚みが２５μｍの液晶ポリマー銅張積層板（新日鐵化学：エスパネックス ＬＢ１８−２５−１８ＮＥＰ）に対してエッチングを行い、両面の銅箔を除去することにより厚み２５μｍの液晶ポリマーシートを得た。
【０２５７】
この液晶ポリマーシートに、形成するべき貫通孔に対応する開口を有する厚さ１８μｍの銅よりなるレーザー加工用金属マスクを積層し、炭酸ガスレーザー加工機にて、レーザー加工用金属マスクの開口部を介してレーザー光を照射することにより液晶ポリマーシートに所定の貫通孔を形成した。
【０２５８】
以上において、炭酸ガスレーザー装置によるレーザー加工は、炭酸ガスレーザー加工機「ＭＬ−６０５ＧＴＸ」（三菱電機（株）製）を用い、レーザービーム径が直径６０μｍ，レーザー出力が０．８ｍＪの条件で、１つの加工点にレーザービームを１０ショット照射することにより行った。
【０２５９】
得られた基板７３の寸法、貫通孔の数および直径は以下のとおりである。
〔上側の中継基板２９ａ用の基板７３ａ〕
寸法：９０ｍｍ（縦）×９０ｍｍ（横）×２５μｍ（厚み）
貫通孔の数：３６００個
貫通孔の直径：０．３ｍｍ
〔下側の中継基板２９ｂ用の基板７３ｂ〕
寸法：９０ｍｍ（縦）×９０ｍｍ（横）×２５μｍ（厚み）
貫通孔の数：２６００個
貫通孔の直径：０．３ｍｍ
２．導電性エラストマー層の形成
付加型液状シリコーンゴム１００重量部中に、ニッケルよりなる芯粒子に金が被覆されてなる導電性粒子（芯粒子に対する金の割合が２重量％）４００重量部を分散させることにより、導電性エラストマー用材料を調製した。この導電性エラストマー用材料を、厚みが５ｍｍのステンレスよりなる離型性支持板６５の表面に、スクリーン印刷により塗布することにより、離型性支持板６５上に、厚みが０．０５ｍｍの導電性エラストマー用材料層６１Ａを形成した（図７）。
【０２６０】
次いで、導電性エラストマー用材料層６５に対して、電磁石によって厚み方向に２テスラの磁場を作用させながら、１２０℃、１時間の条件で硬化処理を行うことにより、離型性支持板６５上に支持された厚みが０．０５ｍｍの導電性エラストマー層６５Ｂを形成した（図１０）。
３．導電路形成部の形成
離型性支持板６５上に支持された導電性エラストマー層６５Ｂの表面に、無電解メッキ処理を施すことによって、厚みが０．３μｍの銅よりなる金属薄層６６を形成し（図１１）、この金属薄層６６上に、フォトリソグラフィーの手法によって横６０μｍ、縦１２０μｍの矩形の７２００個の開口が形成された、厚みが２５μｍのレジスト層６７を形成した（図１２）。その後、金属薄層６６の表面に電解メッキ処理を施すことにより、レジスト層６７の開口内に厚みが約２０μｍの銅よりなる金属マスク６８を形成した（図１３）。そして、この状態で、金属マスク６８の周辺部の導電性エラストマー層６５Ｂ、金属薄層６６およびレジスト層６７に対して、炭酸ガスレーザー装置によってレーザー加工を施
すことにより、離型性支持板６５上に支持された７２００個の導電路形成部６１を形成し（図１５Ｂ）、次に、導電路形成部６１をレーザー加工により切り離した残余の導電性エラストマー層を剥離することにより、図１５（ｃ）に示したように導電路形成部６１のみを離型性支持板６５上に残存させた。その後、導電路形成部６１の表面から残存する金属薄層６６および金属マスク６８をエッチングにより除去した。
【０２６１】
以上において、炭酸ガスレーザー装置によるレーザー加工は、炭酸ガスレーザー加工機「ＭＬ−６０５ＧＴＸ」（三菱電機（株）製）を用い、レーザービーム径が直径６０μｍ、レーザー出力が０．８ｍＪの条件で、１つの加工点にレーザービームを１０ショット照射することにより行った。
４．絶縁部の形成
離型性支持板７０の表面に付加型液状シリコーンゴムを塗布して厚み１５μｍのシリコーンゴム層を設けた（図２５（ａ））。
【０２６２】
離型性支持板７０の表面に、液晶ポリマーシートからなる基板７３を上記のシリコーンゴム層を介して載置し（図２５（ｂ））、基板７３の貫通孔内に付加型液状シリコーンゴムを塗布することにより、合計の厚みが０．０５ｍｍの絶縁部用材料層６２Ａを形成し（図２５（ｃ））、この絶縁部用材料層６２Ａ上に、７２００個の導電路形成部６１が形成された離型性支持板６５を位置合わせして重ね合わせた（図２６（ａ））。
【０２６３】
そして、離型性支持板６５に２０ｋｇｆの圧力を加えることにより、導電路形成部６１の厚みを０．０５ｍｍから０．０４ｍｍに弾性的に圧縮させ、この状態で、１２０℃、１時間の条件で、絶縁部用材料層６２の硬化処理を行うことにより、隣接する導電路形成部６１の間に絶縁部６２を形成し（図２６（ｂ））、その後、離型性支持板から離型させることにより、第１の検査治具１１ａ用の中継基板２９ａを製造した（図２６（ｃ））。
【０２６４】
このようにして作成した第１の検査治具１１ａ用の中継基板２９ａは、基板７３ａの寸法が９０ｍｍ（縦）×９０ｍｍ（横）×２５μｍ（厚み）、導電路形成部６１ａの数が７２００個、導電路形成部６１ａの寸法が横６０μｍ、縦１２０μｍ、厚みが約０．０５ｍｍ、絶縁部６２ａの厚みが約０．０３ｍｍ、隣接する導電路形成部６１ａ間の絶縁部６２ａの幅が３０μｍ、絶縁部６２ａからの導電路形成部６１ａの突出高さが上下を合計して約０．０２ｍｍであった。
【０２６５】
また、第１の検査治具１１ａ用の中継基板２９ａと同様の工程によって、第２の検査治具１１ｂ用の中継基板２９ｂを作成した。この中継基板２９ｂは、導電路形成部６１ｂの数が５２００個、導電路形成部６１ｂの寸法が横６０μｍ、縦１２０μｍ、厚みが約０．０５ｍｍ、絶縁部６２ｂの厚みが約０．０３ｍｍ、隣接する導電路形成部６１ｂ間の絶縁部６２ｂの幅が３０μｍ、絶縁部６２ｂからの導電路形成部６１ｂの突出高さが上下を合計して約０．０２ｍｍであった。
（４）回路基板側コネクタ２１
上記のピッチ変換用基板２３の一面側に、中継基板２９を配置し、裏面側に、厚み方向に延びる多数の導電路形成部と、これらを互いに絶縁する絶縁部とからなり、片面に導電路形成部が突出した偏在型異方導電性シートからなる第２の異方導電性シート２６を配置することにより、回路基板側コネクタ２１とした。
【０２６６】
なお、ピッチ変換用基板２３と中継ピンユニット３１との間に配置される第２の異方導電性シート２６は、図２９に示される形状であり、具体的には以下の構成のものを使用した。
〔第２の異方導電性シート２６〕
寸法：１１０ｍｍ×１５０ｍｍ
導電路形成部の厚み：０．６ｍｍ
導電路形成部の外径：０．３５ｍｍ
導電路形成部の突出高さ：０．０５ｍｍ
導電性粒子：材質；金メッキ処理を施したニッケル粒子、平均粒子径；３５μｍ、導電路形成部における導電性粒子の含有率；３０体積％
弾性高分子物質：材質；シリコーンゴム、硬度；３０
（５）中継ピンユニット３１
第１の絶縁板３４、中間保持板３６、第２の絶縁板３５の材料として、固有抵抗が１×１０10Ω・ｃｍ以上の絶縁性材料、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂よりなり、その厚みが１．９ｍｍのものを用いた。
【０２６７】
そして、第１の絶縁板３４と中間保持板３６との間の距離Ｌ１が、３６．３ｍｍ、第２の絶縁板３５と中間保持板３６との間の距離Ｌ２が、３ｍｍとなるように、第１の支持ピン３３（直径２ｍｍ、長さ３６．３ｍｍ）と、第２の支持ピン３７（直径２ｍｍ、長さ３ｍｍ）によって固定支持するようにするとともに、第１の絶縁板３４と第２の絶縁板３５との間に、下記の構成からなる導電ピン３２を移動自在となるように貫通孔８３（直径０．４ｍｍ）に配置した。
〔導電ピン〕
材質：金メッキ処理を施した真鍮
先端部８１ａの寸法：外径０．３５ｍｍ、全長２．１ｍｍ
中央部３２の寸法外径０．４５ｍｍ、全長４１ｍｍ
基端部８１ｂの寸法：外径０．３５ｍｍ、全長２．１ｍｍ
なお、第１の支持ピン３３の中間保持板３６との第１の当接支持位置３８Ａと、第２の支持ピン３７の中間保持板３６に対する第２の当接支持位置３８Ｂは、図３５に示したように、格子状に配置した。なお、互いに隣接する第１の当接支持位置３８Ａの間の離間距離、第２の当接支持位置３８Ｂの間の離間距離を、１７．５ｍｍとした。
（６）テスター側コネクタ４１
テスター側コネクタ４１を、図１に示したように、第３の異方導電性シート４２と、コネクタ基板４３と、ベース板４６とから構成した。なお、第３の異方導電性シート４２は、前述した第２の異方導電性シート２６と同様のものを用いた。
性能試験
１．最低プレス圧力の測定
作成した検査装置をレール搬送型回路基板自動検査機「ＳＴＡＲＲＥＣ Ｖ５」の検査部にセットし、検査装置に対して用意した評価用回路基板１をセットした。
【０２６８】
そして、レール搬送型回路基板自動検査機「ＳＴＡＲＲＥＣ Ｖ５」のプレス圧力を、１００〜２１０ｋｇｆの範囲内において段階的に変化させ、各プレス圧力条件毎に各１０回づつ、評価用回路基板１の被検査電極について、電流供給用の接続用電極に１ミリアンペアの電流を流したときの導通抵抗値を測定した。
【０２６９】
測定された導通抵抗値が１０Ω以上となった検査点（以下、「ＮＧ検査点」という。）を導通不良と判定し、総検査点におけるＮＧ検査点の割合（以下、「ＮＧ検査点割合」という。）を算出し、ＮＧ検査点割合が０．０１％以下となった最も低いプレス圧力を最低プレス圧力とした。
【０２７０】
この検査装置においては、実用上、ＮＧ検査点割合が０．０１％以下であることが必要とされており、ＮＧ検査点割合が０．０１％を超える場合には、良品である被検査回路基板に対して、不良品であるとの誤った検査結果が得られる場合があることから、信頼性の高い回路基板の電気的検査を行うことができなくなるおそれがある。
【０２７１】
この導通抵抗値の測定においては、一の導通抵抗値の測定が終了した後に、測定に係るプレス圧力を開放して検査装置を無加圧状態に戻し、次の導通抵抗値の測定は、再度、所定の大きさのプレス圧力を作用させることによって行った。
【０２７２】
評価用回路基板１の上面被検査電極数は３６００点、下面被検査電極数は２６００点であり、各プレス圧力条件において１０回の測定を行ったことから、ＮＧ検査点割合は、式（３６００＋２６００）×１０＝６２０００によって算出される６２０００点の検査点に占めるＮＧ検査点の割合を示す。
【０２７３】
測定結果を表１に示した。
なお、「最低プレス圧が小さい」とは、低いプレス圧力で被検査回路基板の電気的検査が行えることを意味している。検査時の加圧圧力を低く設定できれば、検査時の加圧圧力による被検査回路基板、異方導電性シートおよびピッチ変換用基板の劣化が抑制できる。
【０２７４】
しかも、検査装置の構成部材として、耐久性強度の低い部品を使用することが可能となることから、検査装置の構造を小さくコンパクトにすることができる。
その結果、検査装置の耐久性の向上、検査装置の製造のコスト削減が達成できる。
２．中継基板の耐久性の測定
作成した検査装置をレール搬送型回路基板自動検査機「ＳＴＡＲＲＥＣ Ｖ５」の検査部にセットした。
【０２７５】
検査装置に対して用意した評価用回路基板１をセットして、レール搬送型回路基板自動検査機「ＳＴＡＲＲＥＣ Ｖ５」のプレス圧力条件を１３０ｋｇｆとし、所定回数の加圧を行った。
【０２７６】
その後、評価用回路基板１の被検査電極について、プレス圧力１３０ｋｇｆの条件下にて、検査用電極に１ミリアンペアの電流を印加したときの導通抵抗値を１０回測定し、所定回数の加圧を行い同様に導通抵抗値を１０回測定する作業を繰り返した。
【０２７７】
測定された導通抵抗値が１０Ω以上となった検査点（ＮＧ検査点）を導通不良と判定し、総検査点におけるＮＧ検査点の割合（ＮＧ検査点割合）を算出した。
次いで、検査装置の中継基板を新しいものに交換し、プレス圧力条件を１５０ｋｇｆに変更したこと以外は上記と同様の条件によって所定回数の加圧を行い、上記と同様の手法によってＮＧ検査点割合を算出した。
【０２７８】
なお、一の導通抵抗値の測定が終了した後に、測定に係るプレス圧力を開放して検査装置を無加圧状態に戻し、次の導通抵抗値の測定は、所定の大きさのプレス圧力を再度作用させることによって行った。
【０２７９】
測定結果を表２に示した。
３．絶縁性の評価
以下のようにして、ピッチ変換用基板２３および中継基板２９からなるアダプター体における対をなす接続用電極間の絶縁抵抗を評価した。
【０２８０】
接続用電極間の絶縁抗性の評価には、縦方向１００ｍｍ、横方向１００ｍｍ、厚さ０．８ｍｍの、表面を絶縁性コートを施したガラスエポキシ基板を使用した。
作成した検査装置を、レール搬送型回路基板自動検査機「ＳＴＡＲＲＥＣ Ｖ５」の検査部にセットし、検査装置に対して上記のガラスエポキシ基板をセットした。
【０２８１】
そして、レール搬送型回路基板自動検査機「ＳＴＡＲＲＥＣ Ｖ５」のプレス圧力を、
１００〜２１０ｋｇｆの範囲内において段階的に変化させた。そして、各プレス圧力条件毎に各１０回づつ、第１の検査治具１１ａ用の上記アダプター体に設けられた、各々の対をなす検査電極２５の間の絶縁抵抗を測定した。
【０２８２】
具体的には、対をなす接続用電極２５に対応する端子電極２４を通じて１ミリアンペアの電流を印加しつつ、対をなす検査電極２５の導通抵抗値を測定した。
この方法にて、対をなす接続用電極２５間の絶縁抵抗値、すなわち中継基板２９における対をなす導電路形成部６１間の絶縁部６２の絶縁抵抗値を測定した。
【０２８３】
測定された絶縁抵抗値が１００Ω以上となった接続用電極対を絶縁良好と判定し、総検査点数に対する絶縁良好と判定された点の割合（以下「絶縁性合格点割合」という。）を算出した。
【０２８４】
第１の検査治具１１ａ用の上記アダプター体における接続用電極２５は、７２００個が３６００個の対となっており、すなわち３６００個の接続電極対が存在し、各プレス圧力条件において１０回の測定を行ったことから、絶縁性合格点割合は、式（３６００）×１０＝３６０００によって算出される３６０００点の検査点に占めるＮＧ検査点の割合を示す。
【０２８５】
この検査装置においては、実用上、絶縁性合格点割合が９９．９％以上であることが必要とされており、絶縁性合格点割合が９９．９％未満の場合には、検査時において、電流供給用電極として使用する接続用電極から、電圧測定用電極として使用する接続用電極へリーク電流が流れることになる。
【０２８６】
その結果、被検査回路基板の良品である被検査回路基板に対して、不良品であるとの誤った検査結果が得られる場合があるため、信頼性の高い回路基板の電気的検査を行うことができなくなるおそれがある。
【０２８７】
評価結果を表３に示した。
[比較例１]
実施例１の中継ピンユニット３１の代わりに、図４２に示したような従来の中継ピンユニット１３１ａ、１３１ｂを用いた。すなわち、一定ピッチ（２．５４ｍｍピッチ）で格子点上に多数（８０００ピン）配置された導電ピン１３２ａ，１３２ｂと、この導電ピン１３２ａ，１３２ｂを上下へ移動可能に支持する絶縁板１３４ａ，１３４ｂとを有しているものを用いた。それ以外は実施例１と同様の構成として、比較用の検査装置を作製した。
【０２８８】
作製した比較用検査装置について、実施例１と同様な方法により、最低プレス圧および中継基板の耐久性を測定した。
最低プレス圧の測定結果を表１に、耐久性の測定結果を表２に示した。
[比較例２]
実施例１の検査装置において、中継基板２９の代わりに、ピッチ変換基板２３と評価用回路基板１の間に厚さ１００μｍの分散型異方導電性シートを配置した。
【０２８９】
作製した比較用検査装置におけるピッチ変換用基板と分散型異方導電性シートとからなるアダプター体について、上述した方法にて絶縁性の評価を行った。絶縁性の評価結果を表３に示した。
[比較例３]
比較例２において使用した厚さ１００μｍの分散型異方導電性シートを、厚み４０μｍの分散型異方導電性シートに交換した。
【０２９０】
そして作製した比較用検査装置について、実施例１と同様な方法により、最低プレス圧の測定、異方導電性シートの耐久性の測定および絶縁性の評価を行った。最低プレス圧の測定結果を表１に、耐久性の測定結果を表２に、ピッチ変換用基板の絶縁性の測定結果を表３に示した。
【０２９１】
なお、比較例２および比較例３において使用した分散型異方導電性シートは以下のようにして得た。
＜分散型異方導電性シートの製造＞
二液型の付加型液状シリコーンゴムのＡ液とＢ液とを、等量となる割合で混合した混合物１００容量部に、平均粒子径が２０μｍの導電性粒子を２５容量部添加して混合した。
【０２９２】
その後、減圧による脱泡処理を行うことにより、導電性エラストマー用材料を調製した。導電性粒子としては、ニッケル粒子を芯粒子とし、この芯粒子に無電解金メッキが施されたもの（平均被覆量：芯粒子の重量の５重量％となる量）を用いた。
【０２９３】
表面が光沢面（表面粗さが０．０４μｍ）で、裏面が非光沢面である、厚みが０．１ｍｍのポリエステル樹脂シート（東レ社製，品名「マットルミラーＳ１０」）を２枚用意した。そして、一方のポリエステル樹脂シートの表面上に、１２０ｍｍ×２００ｍｍの矩形の開口を有する、厚みが１００μｍの枠状のスペーサーを配置した。
【０２９４】
このスペーサーの開口内に、調製した導電性エラストマー用材料を塗布し、この導電性エラストマー用材料上に、他方のポリエステル樹脂シートを、その表面が導電性エラストマー用材料に接するよう配置した。
【０２９５】
その後、加圧ロールと支持ロールとからなる加圧ロール装置を用い、２枚のポリエステル樹脂シートによって導電性エラストマー用材料を挟圧することにより、厚みが１００μｍの導電性エラストマー用材料層を形成した。
【０２９６】
次いで、２枚のポリエステル樹脂シートの各々の裏面に電磁石を配置し、導電性エラストマー材料層に対して、その厚み方向に０．３Ｔの平行磁場を作用させながら、１２０℃、３０分間の条件で、成形材料層の硬化処理を行うことにより、厚みが１００μｍの矩形の導電性エラストマーシートを製造した。得られた導電性エラストマーシートにおける導電性粒子の割合は、体積分率で１２％であった。
【０２９７】
この導電性エラストマーシートを、１１０ｍｍ×１１０ｍｍに切断し、比較例２に使用される分散型異方導電性エラストマーシートとした。
また、上記において、スペーサーの厚みを４０μｍに変更し、同様の方法にて、比較例３に使用される厚み４０μｍの分散型異方導電性エラストマーシートを得た。
【０２９８】
【表１】
【０２９９】
【表２】
【０３００】
【表３】
【図面の簡単な説明】
【０３０１】
【図１】図１は、本発明の検査装置における一実施形態を示した断面図である。
【図２】図２は、図１の検査装置の検査使用時における積層状態を示した断面図である。
【図３】図３は、ピッチ変換用基板の回路基板側の表面を示した図である。
【図４】図４は、ピッチ変換用基板のピン側表面を示した図である。
【図５】図５は、ピッチ変換用基板、中継基板および被検査回路基板を積層した状態を示した断面図である。
【図６】図６（ａ）は、中継基板の部分断面図、図６（ｂ）は、その拡大図、図６（ｃ）は、中継基板の部分上面図である。
【図７】図７は、離型性支持板上に導電性エラストマー用材料層が形成された状態を示した断面図である。
【図８】図８は、導電性エラストマー用材料層を拡大して示した断面図である。
【図９】図９は、導電性エラストマー用材料層に対してその厚み方向に磁場を作用させた後の状態を示した断面図である。
【図１０】図１０は、離型性支持板上に導電性エラストマー層が形成された状態を示した断面図である。
【図１１】図１１は、導電性エラストマー層上に金属薄層が形成された状態を示した断面図である。
【図１２】図１２は、金属薄層上に開口を有するレジスト層が形成された状態を示した断面図である。
【図１３】図１３は、レジスト層の開口内に金属マスクが形成された状態を示した断面図である。
【図１４】図１４は、離型性支持板上に特定のパターンに従って複数の導電路形成部が形成された状態を示した断面図である。
【図１５】図１５は、レーザー加工によって導電路形成部を形成する工程を示した断面図である。
【図１６】図１６は、レーザー加工によって導電路形成部を形成する工程を示した上面図である。
【図１７】図１７は、金属薄層に開口が形成されたレジスト層が積層された積層体を示した断面図である。
【図１８】図１８は、図１７におけるレジスト層の開口内に金属マスクを形成した複合フィルムの断面図である。
【図１９】図１９は、離型性支持板上に導電性エラストマー用材料層が形成された状態を示した断面図である。
【図２０】図２０は、導電性エラストマー用材料層上に複合フィルムを重ね合わせた状態を示した断面図である。
【図２１】図２１は、図２０の積層体に対してその厚み方向に磁場を作用させた後の状態を示した断面図である。
【図２２】図２２は、離型性支持板上に導電性エラストマー層が形成された状態を示した断面図である。
【図２３】図２３は、図２２における金属薄層を除去した後の状態を示した断面図である。
【図２４】図２４は、離型性支持板上に特定のパターンに従って複数の導電路形成部が形成された状態を示した断面図である。
【図２５】図２５は、中継基板の製造工程を説明する断面図である。
【図２６】図２６は、中継基板の製造工程を説明する断面図である。
【図２７】図２７は、ピッチ変換用基板、中継基板および被検査回路基板を、第１の異方導電性シートを介して積層した状態を示した部分断面図である。
【図２８】図２８は、第１の異方導電性シートの部分断面図である。
【図２９】図２９は、第２の異方導電性シートの断面図である。
【図３０】図３０は、中継ピンユニットの断面図である。
【図３１】図３１は、中継ピンユニットの導電ピン、中間保持板および絶縁板の一部を示した断面図である。
【図３２】図３２は、中継ピンユニットにおける他の例を示した図３１と同様の断面図である。
【図３３】図３３は、図３２の構成において第１の絶縁板と第２の絶縁板との間に導電ピンを配置するまでの工程を示した断面図である。
【図３４】図３４は、屈曲保持板を配置した中継ピンユニットの断面図である。
【図３５】図３５は、中継ピンユニットの中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面の部分拡大図である。
【図３６】図３６は、本発明の検査装置の実施形態を示した一部断面図である。
【図３７】図３７は、本発明の検査装置の使用状態を説明する断面図である。
【図３８】図３８は、本発明の検査装置における中継ピンユニットの使用状態を説明する断面図である。
【図３９】図３９は、本発明の検査装置の使用状態を説明する断面図である。
【図４０】図４０は、本発明の検査装置における他の実施形態を示した図４０と同様の一部断面図である。
【図４１】図４１は、図４０の実施形態における中継ピンユニットの断面図である。
【図４２】図４２は、従来における回路基板の検査装置の断面図である。
【図４３】図４３は、被検査回路基板の被検査電極のピッチと、電極離間距離との関係を示した図である。
【図４４】図４４は、被検査回路基板の被検査電極のピッチと、電極離間距離と、ピッチ変換用基板の接続用電極との関係を示した図である。
【図４５】図４５は、４端子検査の場合における、被検査回路基板の被検査電極のピッチと、電極離間距離と、ピッチ変換用基板の接続用電極との関係を示した図である。
【符号の説明】
【０３０２】
２９ａ，２９ｂ 中継基板
３１ａ，３１ｂ 中継ピンユニット
３２ａ，３２ｂ 導電ピン
３３ａ，３３ｂ 第１の支持ピン
３４ａ，３４ｂ 第１の絶縁板
３５ａ，３５ｂ 第２の絶縁板
３６ａ，３６ｂ 中間保持板
３７ａ，３７ｂ 第２の支持ピン
３８Ａ 第１の当接支持位置
３８Ｂ 第２の当接支持位置
３９ 保持板支持ピン
３９Ａ 当接支持位置
４１ａ，４１ｂ テスター側コネクタ
４２ａ，４２ｂ 第３の異方導電性シート
４３ａ，４３ｂ コネクタ基板
４４ａ，４４ｂ テスター側電極
４５ａ，４５ｂ ピン側電極
４６ａ，４６ｂ ベース板
４９ａ,４９ｂ 支持ピン
５１ 絶縁基板
５２ 配線
５３ 内部配線
５４ 絶縁層
５５ 絶縁層
６１ 導電路形成部
６１ａ 突出部
６１Ａ 導電性エラストマー用材料層
６１Ｂ 導電性エラストマー層
６２ 絶縁部
６２Ａ 絶縁部用材料層
６３ シート基材
６４ 金属膜
６５ 離型性支持板
６６ 金属薄層
６７ レジスト層
６７ａ 開口
６８ 金属マスク
６９ 複合フィルム
７０ 離型性支持板
７１ 導電路形成部
７２ 絶縁部
７２ａ 突出部
７３ 基板
７５ 貫通孔
８１ａ，８１ｂ 端部
８２ 中央部
８３，８３ａ，８３ｂ 貫通孔
８４ 屈曲保持板
８５ 貫通孔
８６ 貫通孔
１０１ 被検査回路基板
１０２ 被検査電極
１０３ 被検査電極
１１１ａ 第１の検査治具
１１１ｂ 第２の検査治具
１２１ａ、１２１ｂ 回路基板側コネクタ
１２２ａ，１２２ｂ 第１の異方導電性シート
１２３ａ，１２３ｂ ピッチ変換用基板
１２４ａ，１２４ｂ 端子電極
１２５ａ，１２５ｂ 接続用電極
１２６ａ，１２６ｂ 第２の異方導電性シート
１２７ 電流供給用電極
１２８ 電圧測定用電極
１３１ａ，１３１ｂ 中継ピンユニット
１３２ａ，１３２ｂ 導電ピン
１３３ａ，１３３ｂ 支持ピン
１３４ａ，１３４ｂ 絶縁板
１４１ａ，１４１ｂ テスター側コネクタ
１４２ａ，１４２ｂ 第３の異方導電性シート
１４３ａ，１４３ｂ コネクタ基板
１４４ａ，１４４ｂ テスター側電極
１４５ａ，１４５ｂ ピン側電極
１４６ａ，１４６ｂ ベース板
Ａ 中間保持板投影面
Ｐ 導電性粒子
Ｌ１ 距離
Ｌ２ 距離
Ｑ１ 対角線
Ｑ２ 対角線
Ｒ１ 単位格子領域
Ｒ２ 単位格子領域
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の第１の検査治具と第２の検査治具によって、両検査治具の間で検査対象である被検査回路基板の両面を挟圧して電気検査を行う回路基板の検査装置であって、
前記第１の検査治具と第２の検査治具がそれぞれ、
基板の一面側と他面側との間で電極ピッチを変換するピッチ変換用基板と、
前記ピッチ変換用基板の被検査回路基板側に配置され、基板に形成された複数の貫通孔に、弾性高分子物質からなる絶縁部と、導電性粒子を含有する弾性高分子物質からなり前記絶縁部を厚み方向へ貫通する導電路形成部とが形成された、該導電路形成部によって前記ピッチ変換用基板と前記被検査回路基板との電気的接続を中継する中継基板と、
前記ピッチ変換用基板の前記中継基板とは逆側に配置される第２の異方導電性シートと、
を備えた回路基板側コネクタと、
所定のピッチで配置された複数の導電ピンと、
前記導電ピンを軸方向へ移動可能に支持する、一対の離間した第１の絶縁板と第２の絶縁板と、
を備えた中継ピンユニットと、
テスターと前記中継ピンユニットとを電気的に接続するコネクタ基板と、
前記コネクタ基板の中継ピンユニット側に配置される第３の異方導電性シートと、
前記コネクタ基板の中継ピンユニットとは逆側に配置されるベース板と、
を備えたテスター側コネクタと、を備え、
前記中継ピンユニットは、
前記第１の絶縁板と第２の絶縁板との間に配置された中間保持板と、
前記第１の絶縁板と中間保持板との間に配置された第１の支持ピンと、
前記第２の絶縁板と中間保持板との間に配置された第２の支持ピンと、
を備えるとともに、
前記第１の支持ピンの中間保持板に対する第１の当接支持位置と、前記第２の支持ピンの中間保持板に対する第２の当接支持位置とが、中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されていることを特徴とする回路基板の検査装置。
【請求項２】
前記中継基板は、
第１の離型性支持板上に支持され、磁性を示す導電性粒子が厚み方向に配向した状態で弾性高分子物質中に分散された導電性エラストマー層を、レーザー加工することにより、第１の離型性支持板上に所定のパターンに従って配置された導電路形成部を形成し、
第２の離型性支持板上に支持され、硬化されて弾性高分子物質となる材料からなる未硬化状態の絶縁部用材料層が前記基板における両側表面および貫通孔の内部に形成された当該基板に対して、導電路形成部が形成された前記第１の離型性支持板を、導電路形成部が前記基板の貫通孔に位置するように重ね合わせ、
この状態で、絶縁部用材料層を硬化処理することにより絶縁部を形成した後、第１および第２の離型性支持板を除去することにより得られたものであることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の検査装置。
【請求項３】
前記導電性エラストマー層は、
離型性支持板上に、硬化されて弾性高分子物質となる液状のエラストマー用材料中に磁性を示す導電性粒子が含有された導電性エラストマー用材料層を形成し、
該導電性エラストマー用材料層の表面に、形成すべき導電路形成部のパターンに従って、磁性を示す金属からなる金属マスクを形成し、
前記導電性エラストマー用材料層に対してその厚み方向に磁場を作用させることにより、導電性粒子を厚み方向に配向させ、次いで、磁場を作用させた状態で、または磁場を停止した状態で前記導電性エラストマー用材料層を硬化処理することにより得られたもので
あることを特徴とする請求項２に記載の回路基板の検査装置。
【請求項４】
前記中継基板における少なくとも一部の導電路形成部において、互いに隣接する導電路形成部の離間距離が５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の回路基板の検査装置。
【請求項５】
前記中継基板における少なくとも一部の導電路形成部において、互いに隣接する導電路形成部の離間距離が１０〜５０μｍであることを特徴とする請求項４に記載の回路基板の検査装置。
【請求項６】
前記中継基板の片面側もしくは両面側に、導電性粒子が厚み方向に配列するとともに面方向に均一に分散された第１の異方導電性シートが配置されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の回路基板の検査装置。
【請求項７】
一対の第１の検査治具と第２の検査治具によって、両検査治具の間で検査対象である被検査回路基板の両面を挟圧した際に、
前記第１の支持ピンの中間保持板に対する第１の当接支持位置を中心として、前記中間保持板が、前記第２の絶縁板の方向に撓むとともに、
前記第２の支持ピンの中間保持板に対する第２の当接支持位置を中心として、前記中間保持板が、前記第１の絶縁板の方向に撓むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の回路基板の検査装置。
【請求項８】
前記第１の支持ピンの中間保持板に対する第１の当接支持位置が、前記中間保持板投影面において格子状に配置され、
前記第２の支持ピンの中間保持板に対する第２の当接支持位置が、前記中間保持板投影面において格子状に配置されており、
前記中間保持板投影面において、隣接する４個の第１の当接支持位置からなる単位格子領域に、１個の第２の当接支持位置が配置されるとともに、
前記中間保持板投影面において、隣接する４個の第２の当接支持位置からなる単位格子領域に、１個の第１の当接支持位置が配置されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の回路基板の検査装置。
【請求項９】
前記中継ピンユニットが、
前記第１の絶縁板と第２の絶縁板との間に所定間隔離間して配置された複数個の中間保持板と、
隣接する中間保持板同士の間に配置された保持板支持ピンと、
を備えるとともに、
少なくとも１つの中間保持板において、該中間保持板に対して一面側から当接する保持板支持ピンの該中間保持板に対する当接支持位置と、該中間保持板に対して他面側から当接する第１の支持ピン、第２の支持ピン、または保持板支持ピンの該中間保持板に対する当接支持位置とが、該中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の回路基板の検査装置。
【請求項１０】
全ての前記中間保持板において、該中間保持板に対して一面側から当接する保持板支持ピンの該中間保持板に対する当接支持位置と、該中間保持板に対して他面側から当接する第１の支持ピン、第２の支持ピン、または保持板支持ピンの該中間保持板に対する当接支持位置とが、該中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されていることを特徴とする請求項９に記載の回路基板の検査装置。
【請求項１１】
前記第２の異方導電性シートが、厚み方向に延びる複数の導電路形成部と、これらの導電路形成部を互いに絶縁する絶縁部とからなり、導電性粒子が導電路形成部中にのみ含有され、これにより該導電性粒子は面方向に不均一に分散されるとともに、シート片面側に導電路形成部が突出していることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の回路基板の検査装置。
【請求項１２】
前記第３の異方導電性シートが、厚み方向に延びる複数の導電路形成部と、これらの導電路形成部を互いに絶縁する絶縁部とからなり、導電性粒子が導電路形成部中にのみ含有され、これにより該導電性粒子は面方向に不均一に分散されるとともに、シート片面側に導電路形成部が突出していることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の回路基板の検査装置。
【請求項１３】
前記複数の導電ピンは、前記第１の絶縁板と第２の絶縁板との間の間隔よりも短い棒状の中央部と、該中央部の両端側に形成され該中央部よりも径が小さい一対の端部とからなり、
前記一対の端部がそれぞれ、前記第１の絶縁板と第２の絶縁板とに形成された前記中央部よりも径が小さく前記一対の端部よりも径が大きい貫通孔に挿通され、これにより前記導電ピンが軸方向へ移動可能に支持されていることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の回路基板の検査装置。
【請求項１４】
前記第１の絶縁板と中間保持板との間、前記第２の絶縁板と中間保持板との間、または中間保持板同士の間に、前記導電ピンが挿通される貫通孔が形成された屈曲保持板が設けられ、
前記複数の導電ピンは、前記第１および第２の絶縁板に形成された貫通孔と、前記屈曲保持板に形成された貫通孔とを支点として互いに逆方向に横方向へ押圧されて前記屈曲保持板の貫通孔の位置で屈曲され、これにより前記導電ピンが軸方向へ移動可能に支持されていることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の回路基板の検査装置。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれかに記載の回路基板の検査装置を用いた回路基板の検査方法であって、
一対の第１の検査治具と第２の検査治具によって、両検査治具の間で検査対象である被検査回路基板の両面を挟圧して電気検査を行うことを特徴とする回路基板の検査方法。
【請求項１】
一対の第１の検査治具と第２の検査治具によって、両検査治具の間で検査対象である被検査回路基板の両面を挟圧して電気検査を行う回路基板の検査装置であって、
前記第１の検査治具と第２の検査治具がそれぞれ、
基板の一面側と他面側との間で電極ピッチを変換するピッチ変換用基板と、
前記ピッチ変換用基板の被検査回路基板側に配置され、基板に形成された複数の貫通孔に、弾性高分子物質からなる絶縁部と、導電性粒子を含有する弾性高分子物質からなり前記絶縁部を厚み方向へ貫通する導電路形成部とが形成された、該導電路形成部によって前記ピッチ変換用基板と前記被検査回路基板との電気的接続を中継する中継基板と、
前記ピッチ変換用基板の前記中継基板とは逆側に配置される第２の異方導電性シートと、
を備えた回路基板側コネクタと、
所定のピッチで配置された複数の導電ピンと、
前記導電ピンを軸方向へ移動可能に支持する、一対の離間した第１の絶縁板と第２の絶縁板と、
を備えた中継ピンユニットと、
テスターと前記中継ピンユニットとを電気的に接続するコネクタ基板と、
前記コネクタ基板の中継ピンユニット側に配置される第３の異方導電性シートと、
前記コネクタ基板の中継ピンユニットとは逆側に配置されるベース板と、
を備えたテスター側コネクタと、を備え、
前記中継ピンユニットは、
前記第１の絶縁板と第２の絶縁板との間に配置された中間保持板と、
前記第１の絶縁板と中間保持板との間に配置された第１の支持ピンと、
前記第２の絶縁板と中間保持板との間に配置された第２の支持ピンと、
を備えるとともに、
前記第１の支持ピンの中間保持板に対する第１の当接支持位置と、前記第２の支持ピンの中間保持板に対する第２の当接支持位置とが、中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されていることを特徴とする回路基板の検査装置。
【請求項２】
前記中継基板は、
第１の離型性支持板上に支持され、磁性を示す導電性粒子が厚み方向に配向した状態で弾性高分子物質中に分散された導電性エラストマー層を、レーザー加工することにより、第１の離型性支持板上に所定のパターンに従って配置された導電路形成部を形成し、
第２の離型性支持板上に支持され、硬化されて弾性高分子物質となる材料からなる未硬化状態の絶縁部用材料層が前記基板における両側表面および貫通孔の内部に形成された当該基板に対して、導電路形成部が形成された前記第１の離型性支持板を、導電路形成部が前記基板の貫通孔に位置するように重ね合わせ、
この状態で、絶縁部用材料層を硬化処理することにより絶縁部を形成した後、第１および第２の離型性支持板を除去することにより得られたものであることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の検査装置。
【請求項３】
前記導電性エラストマー層は、
離型性支持板上に、硬化されて弾性高分子物質となる液状のエラストマー用材料中に磁性を示す導電性粒子が含有された導電性エラストマー用材料層を形成し、
該導電性エラストマー用材料層の表面に、形成すべき導電路形成部のパターンに従って、磁性を示す金属からなる金属マスクを形成し、
前記導電性エラストマー用材料層に対してその厚み方向に磁場を作用させることにより、導電性粒子を厚み方向に配向させ、次いで、磁場を作用させた状態で、または磁場を停止した状態で前記導電性エラストマー用材料層を硬化処理することにより得られたもので
あることを特徴とする請求項２に記載の回路基板の検査装置。
【請求項４】
前記中継基板における少なくとも一部の導電路形成部において、互いに隣接する導電路形成部の離間距離が５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の回路基板の検査装置。
【請求項５】
前記中継基板における少なくとも一部の導電路形成部において、互いに隣接する導電路形成部の離間距離が１０〜５０μｍであることを特徴とする請求項４に記載の回路基板の検査装置。
【請求項６】
前記中継基板の片面側もしくは両面側に、導電性粒子が厚み方向に配列するとともに面方向に均一に分散された第１の異方導電性シートが配置されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の回路基板の検査装置。
【請求項７】
一対の第１の検査治具と第２の検査治具によって、両検査治具の間で検査対象である被検査回路基板の両面を挟圧した際に、
前記第１の支持ピンの中間保持板に対する第１の当接支持位置を中心として、前記中間保持板が、前記第２の絶縁板の方向に撓むとともに、
前記第２の支持ピンの中間保持板に対する第２の当接支持位置を中心として、前記中間保持板が、前記第１の絶縁板の方向に撓むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の回路基板の検査装置。
【請求項８】
前記第１の支持ピンの中間保持板に対する第１の当接支持位置が、前記中間保持板投影面において格子状に配置され、
前記第２の支持ピンの中間保持板に対する第２の当接支持位置が、前記中間保持板投影面において格子状に配置されており、
前記中間保持板投影面において、隣接する４個の第１の当接支持位置からなる単位格子領域に、１個の第２の当接支持位置が配置されるとともに、
前記中間保持板投影面において、隣接する４個の第２の当接支持位置からなる単位格子領域に、１個の第１の当接支持位置が配置されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の回路基板の検査装置。
【請求項９】
前記中継ピンユニットが、
前記第１の絶縁板と第２の絶縁板との間に所定間隔離間して配置された複数個の中間保持板と、
隣接する中間保持板同士の間に配置された保持板支持ピンと、
を備えるとともに、
少なくとも１つの中間保持板において、該中間保持板に対して一面側から当接する保持板支持ピンの該中間保持板に対する当接支持位置と、該中間保持板に対して他面側から当接する第１の支持ピン、第２の支持ピン、または保持板支持ピンの該中間保持板に対する当接支持位置とが、該中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の回路基板の検査装置。
【請求項１０】
全ての前記中間保持板において、該中間保持板に対して一面側から当接する保持板支持ピンの該中間保持板に対する当接支持位置と、該中間保持板に対して他面側から当接する第１の支持ピン、第２の支持ピン、または保持板支持ピンの該中間保持板に対する当接支持位置とが、該中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されていることを特徴とする請求項９に記載の回路基板の検査装置。
【請求項１１】
前記第２の異方導電性シートが、厚み方向に延びる複数の導電路形成部と、これらの導電路形成部を互いに絶縁する絶縁部とからなり、導電性粒子が導電路形成部中にのみ含有され、これにより該導電性粒子は面方向に不均一に分散されるとともに、シート片面側に導電路形成部が突出していることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の回路基板の検査装置。
【請求項１２】
前記第３の異方導電性シートが、厚み方向に延びる複数の導電路形成部と、これらの導電路形成部を互いに絶縁する絶縁部とからなり、導電性粒子が導電路形成部中にのみ含有され、これにより該導電性粒子は面方向に不均一に分散されるとともに、シート片面側に導電路形成部が突出していることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の回路基板の検査装置。
【請求項１３】
前記複数の導電ピンは、前記第１の絶縁板と第２の絶縁板との間の間隔よりも短い棒状の中央部と、該中央部の両端側に形成され該中央部よりも径が小さい一対の端部とからなり、
前記一対の端部がそれぞれ、前記第１の絶縁板と第２の絶縁板とに形成された前記中央部よりも径が小さく前記一対の端部よりも径が大きい貫通孔に挿通され、これにより前記導電ピンが軸方向へ移動可能に支持されていることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の回路基板の検査装置。
【請求項１４】
前記第１の絶縁板と中間保持板との間、前記第２の絶縁板と中間保持板との間、または中間保持板同士の間に、前記導電ピンが挿通される貫通孔が形成された屈曲保持板が設けられ、
前記複数の導電ピンは、前記第１および第２の絶縁板に形成された貫通孔と、前記屈曲保持板に形成された貫通孔とを支点として互いに逆方向に横方向へ押圧されて前記屈曲保持板の貫通孔の位置で屈曲され、これにより前記導電ピンが軸方向へ移動可能に支持されていることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の回路基板の検査装置。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれかに記載の回路基板の検査装置を用いた回路基板の検査方法であって、
一対の第１の検査治具と第２の検査治具によって、両検査治具の間で検査対象である被検査回路基板の両面を挟圧して電気検査を行うことを特徴とする回路基板の検査方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図４３】
【図４４】
【図４５】
【図２】
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【図４】
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【図６】
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【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
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【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図４３】
【図４４】
【図４５】
【公開番号】特開２００６−５３１３８（Ｐ２００６−５３１３８Ａ）
【公開日】平成１８年２月２３日（２００６．２．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２０５６８４（Ｐ２００５−２０５６８４）
【出願日】平成１７年７月１４日（２００５．７．１４）
【出願人】（０００００４１７８）ＪＳＲ株式会社 (3,320)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年２月２３日（２００６．２．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年７月１４日（２００５．７．１４）
【出願人】（０００００４１７８）ＪＳＲ株式会社 (3,320)
【Ｆターム（参考）】
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