垂直磁気記録媒体
【課題】 垂直磁気記録媒体に関し、下部層を構成する軟磁性層としてフェライト等の軟磁性酸化物を使用することなく陽極酸化工程における磁気記録層の剥離を防止する。
【解決手段】 規則的に配列された孔８を有する多孔性非磁性層７と孔８に充填された強磁性体材料９からなる磁気記録層６の直下に設ける下部層２の端面が露出しない構造とする。
【解決手段】 規則的に配列された孔８を有する多孔性非磁性層７と孔８に充填された強磁性体材料９からなる磁気記録層６の直下に設ける下部層２の端面が露出しない構造とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は垂直磁気記録媒体に関するものであり、特に、アルマイト垂直磁気記録媒体等のパターンドメディアにおける陽極酸化工程で生ずるアルマイト膜の剥離を防止するための構成に特徴のある垂直磁気記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
アルミニウムの陽極酸化により形成されるアルマイトポアは、通常、アルミナポアがハニカム型の六方最密格子状に自己組織化的に発生するため、リソグラフィ的手法で１ドットずつドット形成する方法に較べて安価に製造できるメリットがある。
【０００３】
特に、二段陽極酸化法による自己組織化やインプリント法を用いることにより、サブミクロンサイズ〜数十ナノサイズのアルミナポア、即ち、ナノホールをより規則的に配列することも可能となり、研究・開発が盛んに行われている。
【０００４】
このようなナノホールの応用として、光学素子、量子効果デバイス、ガスセンサー、電解放出型ディスプレー、分子センサー、など多方面への応用が期待されている。
【０００５】
このようなナノホールの応用として、アルマイトポアの中に金属を充填し、センサーや磁気記録媒体を作成する研究も古くから行われており（例えば、特許文献１参照）、陽極酸化の場合、アルミナポアが膜面に垂直方向に細長く、即ち、高アスペクト比で成長し、その中に磁性材料を充填すると、形状異方性効果により垂直方向に磁化するため垂直記録膜として使用できる。
【０００６】
ここで図１０及び図１１を参照して従来のアルマイト垂直磁気記録媒体を説明する。
図１０参照
まず、Ｓｉ等の基板４１上にスパッタリング法を用いてパーマロイ等の下地軟磁性層４２、Ｃｕ等の下地電極層４３、及び、Ａｌ膜４４を順次成膜する。
なお、この様な成膜工程等は基板の両面に行うものであるが、ここでは、図示を簡単にするために一方の面側のみを図示する。
【０００７】
次いで、例えば、硫酸、リン酸、シュウ酸等の水溶液からなる酸性電解液からなる陽極酸化液４５中でＡｌ膜４４を陽極酸化することによって、Ａｌ膜４４をアルマイト化して垂直方向に細長い高アスペクト比の多数のポア４７を有するアルマイトポア膜４６に変換する。
【０００８】
この場合のポア４７は、通常、ハニカム型の六方最密格子状に自己組織化的に発生するため、リソグラフィ的手法で１ドットずつドット形成する方法に較べて安価に製造できるメリットがある。
因に、ポア４７の直径は５０ｎｍ程度で、間隔は１００ｎｍ程度になる。
【０００９】
次いで、下地電極層４３を電極として用いてＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＢ、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ、ＣｏＦｅＰｔ等の強磁性体４８を電解メッキしてポア４７を埋め込むことによって磁気記録層４９を構成する。
なお、電解メッキ法を用いるのは、ポア４７のアスペクト比が高いため、蒸着法やスパッタ法などのＰＶＤ法ではポア４７の奥まで充填することが困難な為である。
【００１０】
次いで、ＣＭＰ（化学機械研磨）法、イオンミリング法、ラッピング法等を用いてアルマイトポア膜４６が露出するまで研磨してメッキで荒れた表面を平坦化するとともに、強磁性体４８がポア４７内に隔離されて埋め込まれるようにする。
【００１１】
最後に、ＤＬＣ（ダイアモンドライクカーボン）等の保護膜５０を成膜したのち、表面に例えば、フッ素系潤滑剤を塗布或いはディッピングにより付着させて潤滑膜５１を形成することによってアルマイト垂直磁気記録媒体の基本構成が完成する。
【００１２】
図１１参照
図１１は、アルマイト垂直磁気記録媒体に情報を書き込んだ場合の概念的説明図であり、ポア４７はハニカム型の六方最密格子状に配列され、また、ポア４７内の強磁性体４８は複雑な磁区構造を取ることなく、垂直方向に磁化された単磁区構造となる。
【特許文献１】特開２００２−１７５６２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかし、従来の積層構造では、陽極酸化工程において、端部において磁気記録層が下地電極層毎剥離し、極端な場合には、磁気記録層全体が剥離するという問題があるので、図１２を参照して説明する。
【００１４】
図１２参照
陽極酸化工程において、積層構造の端部において陽極酸化液４５と下地軟磁性層４２が接触すると電気分解反応によって水素が発生し、発生した水素とともに下地電極層４３との界面において膜剥がれが生じる。
【００１５】
このような陽極酸化工程を陽極酸化液を機械的に攪拌しながら行っているので、剥離により浮き上がった磁気記録層４９が機械的に揺すられて離脱していくことになる。
なお、下地軟磁性層４２としてフェライト等の軟磁性酸化物を使用することで解決できるが、フェライト膜の作製は難しいという問題がある。
【００１６】
したがって、本発明は、下部層を構成する軟磁性層としてフェライト等の軟磁性酸化物を使用することなく陽極酸化工程における磁気記録層の剥離を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
図１は本発明の原理的構成図であり、ここで図１を参照して、本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図１参照
上記課題を解決するために、本発明は、垂直磁気記録媒体において、規則的に配列された孔８を有する多孔性非磁性層７と孔８に充填された強磁性体材料９からなる磁気記録層６の直下に設ける下部層２の端面が露出しない構造を有することを特徴とする。
【００１８】
このように、下部層２の端面を露出させないことによって、下部層２の剥離が、したがって、磁気記録層６の剥離が防止される。
【００１９】
この場合、下部層２の端面をＡｌ膜１０またはＡｌ膜１０／Ａｌ2 Ｏ3 で覆っても良いし、或いは、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｗ、Ｂｉ、或いは、Ｓｂまたはこれらの合金等のバルブ金属（弁金属）で覆っても良いものであり、バルブ金属を用いる場合には、バルブ金属を、下部層２と磁気記録層６との間にも設けても良い。
なお、バルブ金属とは、Ｏ2 やＨ2 Ｏ等の酸素供給源があると、金属自体が酸化されて表面に自己酸化膜を形成するが、ある程度の膜厚以上になると酸化が実質的にそれ以上進行しなくなる金属を言い、上述の列挙した金属元素が相当する。
【００２０】
また、多孔性非磁性層７としては、二段陽極酸化法による自己組織化やインプリント法により規則的に配列した孔８の形成が可能な多孔性陽極酸化アルミナが典型的なものである。
【００２１】
また、この場合の下部層２としては、各種の構成が可能であるが、基板１側から下地層３／軟磁性層４／中間層５の三層構造或いは軟磁性層４／中間層５の二層構造のいずれかが好適である。
【００２２】
また、上述の構造の垂直磁気記録媒体を製造するためには、基板１上に下部層２を設けたのち、下部層２の上表面及び下部層２の側端部を被覆するようにＡｌ膜を堆積させ、次いで、Ａｌ膜を陽極酸化することによって、多孔性陽極酸化アルミナに変換したのち、多孔性陽極酸化アルミナに設けられた孔８を強磁性体材料９で充填すれば良い。
即ち、陽極酸化工程において、下部層２の側端部が陽極酸化液に接触することがないので、電気分解反応によって発生する水素に起因する剥離が生じなくなる。
【００２３】
或いは、基板１上に下部層２を設けたのち、下部層２の上表面及び下部層２の側端部を被覆するようにバルブ金属膜を堆積させ、次いで、バルブ金属膜を被覆するようにＡｌ膜を設けたのち、Ａｌ膜を陽極酸化することによって、多孔性陽極酸化アルミナに変換し、次いで、多孔性陽極酸化アルミナに設けられた孔８を強磁性体材料９で充填しても良い。
【００２４】
なお、孔８を有する多孔性陽極酸化アルミナを形成する場合には、二段陽極酸化法による自己組織化法を用いても良いし、或いは、フォトリソグラフィー工程、典型的にはインプリント法を用いて規則正しい配置パターンで孔８を形成しても良い。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、陽極酸化工程において、下部層の側端部が陽極酸化液に接触することがないので、電気分解反応によって水素が発生することがなく、それによって、剥離も生じなくなるので、パターンドメディアの製造歩留りを大幅に向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明は、基板上に基板側から下地層／軟磁性層／中間層の三層構造或いは軟磁性層／中間層の二層構造のいずれかの下部層を設けたのち、下部層の上表面及び下部層の側端部を被覆するようにバルブ金属膜を介して或いは直接Ａｌ膜を設けたのち、Ａｌ膜を陽極酸化することによって、多孔性陽極酸化アルミナに変換し、次いで、多孔性陽極酸化アルミナに設けられた孔を電解メッキ法によって強磁性体材料で充填するものである。
【実施例１】
【００２７】
ここで、図２乃至図７を参照して、本発明の実施例１のアルマイト垂直磁気記録媒体の製造工程を説明する。
なお、実際には基板の表裏両面に同じ構造を形成するものであるが、ここでは、図示を簡単にするために片面のみを図示・説明する。
【００２８】
図２参照
まず、結晶化ガラスからなるＨＤＤ媒体基板１１上に厚さが、例えば、５０ｎｍのＴａからなる下地層１４、厚さが、例えば、１００ｎｍの軟磁性層１５、及び、厚さが、例えば、１０ｎｍのＷからなる中間層１６を順次ＨＤＤ媒体基板１１の端面より０．３〜０．５ｍｍ程度内側にくるように、マスク１２を用いてスパッタ法により形成して下部層１３とする。
【００２９】
図３参照
次いで、ＨＤＤ媒体基板１１の全面にスパッタ法を用いて厚さが、例えば、２００ｎｍのＡｌ膜１７を成膜する。
このとき、下部層１３は十分薄いので、下部層１３の端面はＡｌ膜１７に覆われることになる。
【００３０】
図４参照
次いで、例えば、０．３Ｍ／ｌの希硫酸浴からなる陽極酸化液１８を用いて中間層１６を陽極として対向電極との間に４０Ｖの電圧を１分印加して陽極酸化を行うことによって、Ａｌ膜１７を酸化するとともに自己組織化されて所定のピッチで配列されたポア２０を有するアルマイトポア膜１９を形成する。
【００３１】
この時、下部層１３の端部に堆積したＡｌ膜１７もアルマイトポア膜１９に変換されるが、下部層１３の端部に堆積したＡｌ膜１７の膜厚は図示の尺度と異なり０．３〜０．５ｍｍ程度あるので下部層１３の端部に堆積したＡｌ膜１７全体が陽極酸化されることはなく、下部層１３の端部は常にＡｌ膜１７の残部で覆われているので、下部層１３が剥離することはない。
【００３２】
この場合のポア２０のピッチは、
ポアピッチ〔ｎｍ〕＝陽極酸化時の直流電圧〔Ｖ〕×２．５ ・・・（１）
で求められる。
この実施例においては、４０Ｖの電圧で陽極酸化しているので、形成したポアピッチは約１００ｎｍとなる。
【００３３】
図５参照
次いで、ポアサイズを調整するために、例えば、４％のリン酸２１を用いて１分間のポアワイドニングを行うことによって、直径を５０ｎｍに拡大したポア２３を有するアルマイトポア膜２２とする。
【００３４】
図６参照
次いで、ＡＣメッキ法により、硫酸塩系のＣｏメッキ浴中で対向電極との間に１０Ｖの交流電圧を３分間印加して交流メッキを行うことによってＣｏメッキ膜２４を成膜してポア２３の内部を強磁性体のＣｏ埋込層２５で充填する。
【００３５】
図７参照
次いで、ＣＭＰ法によりアルマイトポア膜２２が露出するまで研磨して表面を平坦化処理して、アルマイトポア膜２２の表面にあふれたＣｏメッキ膜２４を除去する。
【００３６】
次いで、スパッタリング法を用いて厚さが、例えば、５ｎｍのＤＬＣからなる保護膜２６を設けるとともに、ディップ法を用いて厚さが、例えば、４ｎｍのフッ素樹脂系の潤滑膜２７を塗布することによってアルマイト垂直磁気記録媒体の基本構成が得られる。
【００３７】
このように、本発明の実施例１においては、陽極酸化工程において下部層１３の端部をＡｌ膜１７で被覆しているので、下部層１３を構成する軟磁性層１５と陽極酸化液１８とが接触することがなく、したがって、電気分解反応によって発生する水素に起因する剥離が生ずることがない。
【実施例２】
【００３８】
次に、図８及び図９を参照して、本発明の実施例２のアルマイト垂直磁気記録媒体の製造工程を説明する。
なお、実際には基板の表裏両面に同じ構造を形成するものであるが、ここでは、図示を簡単にするために片面のみを断面図として図示・説明する。
【００３９】
図８参照
まず、結晶化ガラスからなるＨＤＤ媒体基板１１上に厚さが、例えば、５０ｎｍのＴａからなる下地層１４、厚さが、例えば、１００ｎｍの軟磁性層１５、及び、厚さが、例えば、１０ｎｍのＷからなる中間層１６を順次ＨＤＤ媒体基板１１の端面より０．３〜０．５ｍｍ程度内側にくるように、マスク１２を用いてスパッタ法により形成して下部層１３とする。
【００４０】
次いで、ＨＤＤ媒体基板１１の全面にスパッタ法を用いて厚さが、例えば、１０〜５０ｎｍ、例えば、２０ｎｍのバルブ金属、例えば、Ｎｂからなる酸化停止層３１を成膜する。
このとき、下部層１３は十分薄いので、下部層１３の端面は酸化停止層３１に覆われることになる。
【００４１】
次いで、ＨＤＤ媒体基板１１の全面にスパッタ法を用いて厚さが、例えば、２００ｎｍのＡｌ膜１７を成膜する。
【００４２】
次いで、例えば、０．３Ｍ／ｌの希硫酸浴からなる陽極酸化液１８を用いて中間層１６を陽極として対向電極との間に４０Ｖの電圧を１分印加して陽極酸化を行うことによって、Ａｌ膜１７を酸化するとともに自己組織化されて所定のピッチで配列されたポア２０を有するアルマイトポア膜１９を形成する。
【００４３】
この時、酸化停止層３１の酸化による酸化被膜３２が生じた時点で陽極酸化は自動的に停止し、陽極酸化液と下部層１３とが直接接触することがないので、下部層１３の剥離は生じない。
即ち、バルブ金属は、金属自体が酸化されて表面に自己酸化からなる酸化被膜３２を形成するが、ある程度の膜厚以上になると酸化が実質的にそれ以上進行しなくなるため、陽極酸化が自動的に停止し、下部層１３が露出することはない。
【００４４】
図９参照
以降は、上記の実施例１と全く同様に、ポアサイズを調整するために、例えば、４％のリン酸２１を用いて１分間のポアワイドニングを行うことによって、直径を５０ｎｍに拡大したポア２３を有するアルマイトポア膜２２とする。
【００４５】
次いで、ＡＣメッキ法により、硫酸塩系のＣｏメッキ浴中で対向電極との間に１０Ｖの交流電圧を３分間印加して交流メッキを行うことによってＣｏメッキ膜を成膜してポア２４の内部を強磁性体のＣｏ埋込層２５で充填する。
【００４６】
次いで、ＣＭＰ法によりアルマイトポア膜２２が露出するまで研磨して表面を平坦化処理して、アルマイトポア膜２２の表面にあふれたＣｏメッキ膜を除去する。
【００４７】
次いで、スパッタリング法を用いて厚さが、例えば、５ｎｍのＤＬＣからなる保護膜２６を設けるとともに、ディップ法を用いて厚さが、例えば、４ｎｍのフッ素樹脂系の潤滑膜２７を塗布することによってアルマイト垂直磁気記録媒体の基本構成が得られる。
【００４８】
このように、本発明の実施例２においては、陽極酸化工程において下部層１３の端部をバルブ金属からなる酸化停止層３１で被覆しているので、下部層１３を構成する軟磁性層１５と陽極酸化液１８とが接触することがなく、したがって、電気分解反応によって発生する水素に起因する剥離が生ずることがない。
【００４９】
以上、本発明の各実施例を説明してきたが、本発明は各実施例に記載した条件・構成に限られるものではなく、各種の変更が可能であり、例えば、各実施例においてはＨＤＤ媒体基板として結晶化ガラスを用いているが、結晶化ガラスに限られるものではなく、サファイア基板を用いても良いし或いは表面を絶縁被覆したＡｌ基板を用いても良いものである。
【００５０】
また、上記の各実施例においては、下部層をマスクスパッタ法によって成膜しているが、マスクスパッタ法に限られるものではなく、全面にスパッタ法により堆積させたのち、フォトリソグラフィー工程を用いて下部層の周辺部を選択的に除去して、下部層がＨＤＤ媒体基板の端面より０．３〜０．５ｍｍ程度内側にくるようにしても良いものである。
【００５１】
また、上記の各実施例においては、密着性を改善する下地層としてＴａを用いているが、Ｔａに限られるものではなく、Ｔｉ或いはＮｂ等を用いても良いものである。
【００５２】
また、上記の各実施例においては、軟磁性層としてパーマロイを用いているが、パーマロイに限られるものではなく、他の公知の軟磁性体を用いても良いものである。
【００５３】
また、上記の実施例１においては、Ａｌ膜を全て酸化してアルマイトポア膜に変換しているが、下部層の側端面及び上表面と接触している部分を薄くＡｌのままにしておいても良いものである。
【００５４】
また、上記の実施例２においては、酸化停止層としてＮｂを用いているが、Ｎｂに限られるものではなく、Ｎｂと同じバルブ金属に属するＴａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｗ、Ｂｉ、或いは、Ｓｂまたはこれらの合金を用いても良いものである。
【００５５】
また、上記の各実施例においては、埋込強磁性体としてＣｏを用いているが、Ｃｏに限られるものではなく、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＢ、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ、ＣｏＦｅＰｔ等の強磁性体を用いても良いものである。
【００５６】
また、上記の各実施例においては、両面タイプの磁気ディスクとしているが、片面タイプの磁気ディスクの場合にも適用されることは言うまでもない。
【００５７】
また、上記の各実施例においては、陽極酸化工程においてハニカム型の六方最密格子状に自己組織化的に発生するため工程は簡単に説明しているが、ポアをより再現性良く自己組織化するためには、二段陽極酸化法或いはインプリント法を用いれば良い。
【００５８】
例えば、二段陽極酸化法においては、Ａｌ膜を厚く成膜しておき、まず、第１の陽極酸化工程でランダムにポアを発生させ、このポアは底部ではハニカム型の六方最密格子状に自然に収斂していくので、表面部を除去し、この状態で第２の陽極酸化を行うことによってハニカム型の六方最密格子状に自己組織化されたポアがさらに深くエッチングされることになる。
【００５９】
また、インプリント法の場合には、Ａｌ膜の表面にハニカム型の六方最密格子状の凹部を予めフォトリソグラフィー工程を用いて形成しておき、この状態で陽極酸化することによってこの凹部が深くエッチングされることになる。
【００６０】
また、上記の各実施例においては、主表面に堆積したＡｌ膜を完全にアルマイトポア膜に変換しているが、中間層或いは酸化停止層との間にＡｌが多少残存しても良いものである。
【００６１】
また、上記の各実施例においては、下部層を下地層／軟磁性層／中間層の三層構造としているが、このような層構造に限られるものではなく、例えば、軟磁性層／中間層の二層構造としても良いし、或いは、下地層／軟磁性層の二層構造としても良く、下地層／軟磁性層の二層構造とする場合には、軟磁性層を陽極として陽極酸化を行えば良い。
【００６２】
ここで再び図１を参照して、本発明の詳細な特徴を改めて説明する。
再び、図１参照
（付記１） 規則的に配列された孔８を有する多孔性非磁性層７と前記孔８に充填された強磁性体材料９からなる磁気記録層６の直下に設ける下部層２の端面が露出しない構造を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。
（付記２） 上記下部層２の端面がＡｌ膜１０或いはＡｌ膜１０／Ａｌ2 Ｏ3 で覆われていることを特徴とする付記１記載の垂直磁気記録媒体。
（付記３） 上記下部層２の端面がバルブ金属で覆われていることを特徴とする付記１記載の垂直磁気記録媒体。
（付記４） 上記バルブ金属が、上記下部層２と上記磁気記録層６との間にも設けられていることを特徴とする付記３記載の垂直磁気記録媒体。
（付記５） 上記バルブ金属が、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｗ、Ｂｉ、或いは、Ｓｂまたはこれらの合金のいずれかであることを特徴とする付記３または４に記載の垂直磁気記録媒体。
（付記６） 上記多孔性非磁性層７が、多孔性陽極酸化アルミナであることを特徴とする付記１乃至５のいずれか１に記載の垂直磁気記録媒体。
（付記７） 上記下部層２が、基板１側から下地層３／軟磁性層４／中間層５の三層構造或いは軟磁性層４／中間層５の二層構造のいずれかであることを特徴とする付記１乃至６のいずれか１に記載の垂直磁気記録媒体。
（付記８） 基板１上に下部層２を設けたのち、前記下部層２の上表面及び前記下部層２の側端部を被覆するようにＡｌ膜を堆積させ、次いで、前記Ａｌ膜を陽極酸化することによって、多孔性陽極酸化アルミナに変換したのち、前記多孔性陽極酸化アルミナに設けられた孔８を強磁性体材料９で充填する工程を備えたことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
（付記９） 基板１上に下部層２を設けたのち、前記下部層２の上表面及び前記下部層２の側端部を被覆するようにバルブ金属膜を堆積させ、次いで、前記バルブ金属膜を被覆するようにＡｌ膜を設けたのち、前記Ａｌ膜を陽極酸化することによって、多孔性陽極酸化アルミナに変換し、次いで、前記多孔性陽極酸化アルミナに設けられた孔８を強磁性体材料９で充填する工程を備えたことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
（付記１０） 上記孔８を自己組織化法を用いて規則正しい配置パターンで形成することを特徴とする付記８または９に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
（付記１１） 上記孔８をフォトリソグラフィー工程により規則正しい配置パターンで形成することを特徴とする付記８または９に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明の活用例としては、アルマイト垂直磁気記録媒体の剥離防止が典型的なものであるが、アルマイト垂直磁気記録媒体に限られるものではなく、同じように陽極酸化法を用いてナノホールを形成するその他のパターンドメディアの剥離防止法としても適用されることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の実施例１のアルマイト垂直磁気記録媒体の途中までの製造工程の説明図である。
【図３】本発明の実施例１のアルマイト垂直磁気記録媒体の図２以降の途中までの製造工程の説明図である。
【図４】本発明の実施例１のアルマイト垂直磁気記録媒体の図３以降の途中までの製造工程の説明図である。
【図５】本発明の実施例１のアルマイト垂直磁気記録媒体の図４以降の途中までの製造工程の説明図である。
【図６】本発明の実施例１のアルマイト垂直磁気記録媒体の図５以降の途中までの製造工程の説明図である。
【図７】本発明の実施例１のアルマイト垂直磁気記録媒体の図６以降の製造工程の説明図である。
【図８】本発明の実施例２のアルマイト垂直磁気記録媒体の途中までの製造工程の説明図である。
【図９】本発明の実施例２のアルマイト垂直磁気記録媒体の図８以降の製造工程の説明図である。
【図１０】従来のアルマイト垂直磁気記録媒体の製造工程の説明図である。
【図１１】アルマイト垂直磁気記録媒体に情報を書き込んだ場合の概念的説明図である。
【図１２】陽極酸化工程における剥離現象の説明図である。
【符号の説明】
【００６５】
１ 基板
２ 下部層
３ 下地層
４ 軟磁性層
５ 中間層
６ 磁気記録層
７ 多孔性非磁性層
８ 孔
９ 強磁性体材料
１０ Ａｌ膜
１１ ＨＤＤ媒体基板
１２ マスク
１３ 下部層
１４ 下地層
１５ 軟磁性層
１６ 中間層
１７ Ａｌ膜
１８ 陽極酸化液
１９ アルマイトポア膜
２０ ポア
２１ リン酸
２２ アルマイトポア膜
２３ ポア
２４ Ｃｏメッキ膜
２５ Ｃｏ埋込層
２６ 保護膜
２７ 潤滑膜
３１ 酸化停止層
３２ 酸化被膜
４１ 基板
４２ 下地軟磁性層
４３ 下地電極層
４４ Ａｌ膜
４５ 陽極酸化液
４６ アルマイトポア膜
４７ ポア
４８ 強磁性体
４９ 磁気記録層
５０ 保護膜
５１ 潤滑膜
【技術分野】
【０００１】
本発明は垂直磁気記録媒体に関するものであり、特に、アルマイト垂直磁気記録媒体等のパターンドメディアにおける陽極酸化工程で生ずるアルマイト膜の剥離を防止するための構成に特徴のある垂直磁気記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
アルミニウムの陽極酸化により形成されるアルマイトポアは、通常、アルミナポアがハニカム型の六方最密格子状に自己組織化的に発生するため、リソグラフィ的手法で１ドットずつドット形成する方法に較べて安価に製造できるメリットがある。
【０００３】
特に、二段陽極酸化法による自己組織化やインプリント法を用いることにより、サブミクロンサイズ〜数十ナノサイズのアルミナポア、即ち、ナノホールをより規則的に配列することも可能となり、研究・開発が盛んに行われている。
【０００４】
このようなナノホールの応用として、光学素子、量子効果デバイス、ガスセンサー、電解放出型ディスプレー、分子センサー、など多方面への応用が期待されている。
【０００５】
このようなナノホールの応用として、アルマイトポアの中に金属を充填し、センサーや磁気記録媒体を作成する研究も古くから行われており（例えば、特許文献１参照）、陽極酸化の場合、アルミナポアが膜面に垂直方向に細長く、即ち、高アスペクト比で成長し、その中に磁性材料を充填すると、形状異方性効果により垂直方向に磁化するため垂直記録膜として使用できる。
【０００６】
ここで図１０及び図１１を参照して従来のアルマイト垂直磁気記録媒体を説明する。
図１０参照
まず、Ｓｉ等の基板４１上にスパッタリング法を用いてパーマロイ等の下地軟磁性層４２、Ｃｕ等の下地電極層４３、及び、Ａｌ膜４４を順次成膜する。
なお、この様な成膜工程等は基板の両面に行うものであるが、ここでは、図示を簡単にするために一方の面側のみを図示する。
【０００７】
次いで、例えば、硫酸、リン酸、シュウ酸等の水溶液からなる酸性電解液からなる陽極酸化液４５中でＡｌ膜４４を陽極酸化することによって、Ａｌ膜４４をアルマイト化して垂直方向に細長い高アスペクト比の多数のポア４７を有するアルマイトポア膜４６に変換する。
【０００８】
この場合のポア４７は、通常、ハニカム型の六方最密格子状に自己組織化的に発生するため、リソグラフィ的手法で１ドットずつドット形成する方法に較べて安価に製造できるメリットがある。
因に、ポア４７の直径は５０ｎｍ程度で、間隔は１００ｎｍ程度になる。
【０００９】
次いで、下地電極層４３を電極として用いてＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＢ、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ、ＣｏＦｅＰｔ等の強磁性体４８を電解メッキしてポア４７を埋め込むことによって磁気記録層４９を構成する。
なお、電解メッキ法を用いるのは、ポア４７のアスペクト比が高いため、蒸着法やスパッタ法などのＰＶＤ法ではポア４７の奥まで充填することが困難な為である。
【００１０】
次いで、ＣＭＰ（化学機械研磨）法、イオンミリング法、ラッピング法等を用いてアルマイトポア膜４６が露出するまで研磨してメッキで荒れた表面を平坦化するとともに、強磁性体４８がポア４７内に隔離されて埋め込まれるようにする。
【００１１】
最後に、ＤＬＣ（ダイアモンドライクカーボン）等の保護膜５０を成膜したのち、表面に例えば、フッ素系潤滑剤を塗布或いはディッピングにより付着させて潤滑膜５１を形成することによってアルマイト垂直磁気記録媒体の基本構成が完成する。
【００１２】
図１１参照
図１１は、アルマイト垂直磁気記録媒体に情報を書き込んだ場合の概念的説明図であり、ポア４７はハニカム型の六方最密格子状に配列され、また、ポア４７内の強磁性体４８は複雑な磁区構造を取ることなく、垂直方向に磁化された単磁区構造となる。
【特許文献１】特開２００２−１７５６２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかし、従来の積層構造では、陽極酸化工程において、端部において磁気記録層が下地電極層毎剥離し、極端な場合には、磁気記録層全体が剥離するという問題があるので、図１２を参照して説明する。
【００１４】
図１２参照
陽極酸化工程において、積層構造の端部において陽極酸化液４５と下地軟磁性層４２が接触すると電気分解反応によって水素が発生し、発生した水素とともに下地電極層４３との界面において膜剥がれが生じる。
【００１５】
このような陽極酸化工程を陽極酸化液を機械的に攪拌しながら行っているので、剥離により浮き上がった磁気記録層４９が機械的に揺すられて離脱していくことになる。
なお、下地軟磁性層４２としてフェライト等の軟磁性酸化物を使用することで解決できるが、フェライト膜の作製は難しいという問題がある。
【００１６】
したがって、本発明は、下部層を構成する軟磁性層としてフェライト等の軟磁性酸化物を使用することなく陽極酸化工程における磁気記録層の剥離を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
図１は本発明の原理的構成図であり、ここで図１を参照して、本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図１参照
上記課題を解決するために、本発明は、垂直磁気記録媒体において、規則的に配列された孔８を有する多孔性非磁性層７と孔８に充填された強磁性体材料９からなる磁気記録層６の直下に設ける下部層２の端面が露出しない構造を有することを特徴とする。
【００１８】
このように、下部層２の端面を露出させないことによって、下部層２の剥離が、したがって、磁気記録層６の剥離が防止される。
【００１９】
この場合、下部層２の端面をＡｌ膜１０またはＡｌ膜１０／Ａｌ2 Ｏ3 で覆っても良いし、或いは、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｗ、Ｂｉ、或いは、Ｓｂまたはこれらの合金等のバルブ金属（弁金属）で覆っても良いものであり、バルブ金属を用いる場合には、バルブ金属を、下部層２と磁気記録層６との間にも設けても良い。
なお、バルブ金属とは、Ｏ2 やＨ2 Ｏ等の酸素供給源があると、金属自体が酸化されて表面に自己酸化膜を形成するが、ある程度の膜厚以上になると酸化が実質的にそれ以上進行しなくなる金属を言い、上述の列挙した金属元素が相当する。
【００２０】
また、多孔性非磁性層７としては、二段陽極酸化法による自己組織化やインプリント法により規則的に配列した孔８の形成が可能な多孔性陽極酸化アルミナが典型的なものである。
【００２１】
また、この場合の下部層２としては、各種の構成が可能であるが、基板１側から下地層３／軟磁性層４／中間層５の三層構造或いは軟磁性層４／中間層５の二層構造のいずれかが好適である。
【００２２】
また、上述の構造の垂直磁気記録媒体を製造するためには、基板１上に下部層２を設けたのち、下部層２の上表面及び下部層２の側端部を被覆するようにＡｌ膜を堆積させ、次いで、Ａｌ膜を陽極酸化することによって、多孔性陽極酸化アルミナに変換したのち、多孔性陽極酸化アルミナに設けられた孔８を強磁性体材料９で充填すれば良い。
即ち、陽極酸化工程において、下部層２の側端部が陽極酸化液に接触することがないので、電気分解反応によって発生する水素に起因する剥離が生じなくなる。
【００２３】
或いは、基板１上に下部層２を設けたのち、下部層２の上表面及び下部層２の側端部を被覆するようにバルブ金属膜を堆積させ、次いで、バルブ金属膜を被覆するようにＡｌ膜を設けたのち、Ａｌ膜を陽極酸化することによって、多孔性陽極酸化アルミナに変換し、次いで、多孔性陽極酸化アルミナに設けられた孔８を強磁性体材料９で充填しても良い。
【００２４】
なお、孔８を有する多孔性陽極酸化アルミナを形成する場合には、二段陽極酸化法による自己組織化法を用いても良いし、或いは、フォトリソグラフィー工程、典型的にはインプリント法を用いて規則正しい配置パターンで孔８を形成しても良い。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、陽極酸化工程において、下部層の側端部が陽極酸化液に接触することがないので、電気分解反応によって水素が発生することがなく、それによって、剥離も生じなくなるので、パターンドメディアの製造歩留りを大幅に向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明は、基板上に基板側から下地層／軟磁性層／中間層の三層構造或いは軟磁性層／中間層の二層構造のいずれかの下部層を設けたのち、下部層の上表面及び下部層の側端部を被覆するようにバルブ金属膜を介して或いは直接Ａｌ膜を設けたのち、Ａｌ膜を陽極酸化することによって、多孔性陽極酸化アルミナに変換し、次いで、多孔性陽極酸化アルミナに設けられた孔を電解メッキ法によって強磁性体材料で充填するものである。
【実施例１】
【００２７】
ここで、図２乃至図７を参照して、本発明の実施例１のアルマイト垂直磁気記録媒体の製造工程を説明する。
なお、実際には基板の表裏両面に同じ構造を形成するものであるが、ここでは、図示を簡単にするために片面のみを図示・説明する。
【００２８】
図２参照
まず、結晶化ガラスからなるＨＤＤ媒体基板１１上に厚さが、例えば、５０ｎｍのＴａからなる下地層１４、厚さが、例えば、１００ｎｍの軟磁性層１５、及び、厚さが、例えば、１０ｎｍのＷからなる中間層１６を順次ＨＤＤ媒体基板１１の端面より０．３〜０．５ｍｍ程度内側にくるように、マスク１２を用いてスパッタ法により形成して下部層１３とする。
【００２９】
図３参照
次いで、ＨＤＤ媒体基板１１の全面にスパッタ法を用いて厚さが、例えば、２００ｎｍのＡｌ膜１７を成膜する。
このとき、下部層１３は十分薄いので、下部層１３の端面はＡｌ膜１７に覆われることになる。
【００３０】
図４参照
次いで、例えば、０．３Ｍ／ｌの希硫酸浴からなる陽極酸化液１８を用いて中間層１６を陽極として対向電極との間に４０Ｖの電圧を１分印加して陽極酸化を行うことによって、Ａｌ膜１７を酸化するとともに自己組織化されて所定のピッチで配列されたポア２０を有するアルマイトポア膜１９を形成する。
【００３１】
この時、下部層１３の端部に堆積したＡｌ膜１７もアルマイトポア膜１９に変換されるが、下部層１３の端部に堆積したＡｌ膜１７の膜厚は図示の尺度と異なり０．３〜０．５ｍｍ程度あるので下部層１３の端部に堆積したＡｌ膜１７全体が陽極酸化されることはなく、下部層１３の端部は常にＡｌ膜１７の残部で覆われているので、下部層１３が剥離することはない。
【００３２】
この場合のポア２０のピッチは、
ポアピッチ〔ｎｍ〕＝陽極酸化時の直流電圧〔Ｖ〕×２．５ ・・・（１）
で求められる。
この実施例においては、４０Ｖの電圧で陽極酸化しているので、形成したポアピッチは約１００ｎｍとなる。
【００３３】
図５参照
次いで、ポアサイズを調整するために、例えば、４％のリン酸２１を用いて１分間のポアワイドニングを行うことによって、直径を５０ｎｍに拡大したポア２３を有するアルマイトポア膜２２とする。
【００３４】
図６参照
次いで、ＡＣメッキ法により、硫酸塩系のＣｏメッキ浴中で対向電極との間に１０Ｖの交流電圧を３分間印加して交流メッキを行うことによってＣｏメッキ膜２４を成膜してポア２３の内部を強磁性体のＣｏ埋込層２５で充填する。
【００３５】
図７参照
次いで、ＣＭＰ法によりアルマイトポア膜２２が露出するまで研磨して表面を平坦化処理して、アルマイトポア膜２２の表面にあふれたＣｏメッキ膜２４を除去する。
【００３６】
次いで、スパッタリング法を用いて厚さが、例えば、５ｎｍのＤＬＣからなる保護膜２６を設けるとともに、ディップ法を用いて厚さが、例えば、４ｎｍのフッ素樹脂系の潤滑膜２７を塗布することによってアルマイト垂直磁気記録媒体の基本構成が得られる。
【００３７】
このように、本発明の実施例１においては、陽極酸化工程において下部層１３の端部をＡｌ膜１７で被覆しているので、下部層１３を構成する軟磁性層１５と陽極酸化液１８とが接触することがなく、したがって、電気分解反応によって発生する水素に起因する剥離が生ずることがない。
【実施例２】
【００３８】
次に、図８及び図９を参照して、本発明の実施例２のアルマイト垂直磁気記録媒体の製造工程を説明する。
なお、実際には基板の表裏両面に同じ構造を形成するものであるが、ここでは、図示を簡単にするために片面のみを断面図として図示・説明する。
【００３９】
図８参照
まず、結晶化ガラスからなるＨＤＤ媒体基板１１上に厚さが、例えば、５０ｎｍのＴａからなる下地層１４、厚さが、例えば、１００ｎｍの軟磁性層１５、及び、厚さが、例えば、１０ｎｍのＷからなる中間層１６を順次ＨＤＤ媒体基板１１の端面より０．３〜０．５ｍｍ程度内側にくるように、マスク１２を用いてスパッタ法により形成して下部層１３とする。
【００４０】
次いで、ＨＤＤ媒体基板１１の全面にスパッタ法を用いて厚さが、例えば、１０〜５０ｎｍ、例えば、２０ｎｍのバルブ金属、例えば、Ｎｂからなる酸化停止層３１を成膜する。
このとき、下部層１３は十分薄いので、下部層１３の端面は酸化停止層３１に覆われることになる。
【００４１】
次いで、ＨＤＤ媒体基板１１の全面にスパッタ法を用いて厚さが、例えば、２００ｎｍのＡｌ膜１７を成膜する。
【００４２】
次いで、例えば、０．３Ｍ／ｌの希硫酸浴からなる陽極酸化液１８を用いて中間層１６を陽極として対向電極との間に４０Ｖの電圧を１分印加して陽極酸化を行うことによって、Ａｌ膜１７を酸化するとともに自己組織化されて所定のピッチで配列されたポア２０を有するアルマイトポア膜１９を形成する。
【００４３】
この時、酸化停止層３１の酸化による酸化被膜３２が生じた時点で陽極酸化は自動的に停止し、陽極酸化液と下部層１３とが直接接触することがないので、下部層１３の剥離は生じない。
即ち、バルブ金属は、金属自体が酸化されて表面に自己酸化からなる酸化被膜３２を形成するが、ある程度の膜厚以上になると酸化が実質的にそれ以上進行しなくなるため、陽極酸化が自動的に停止し、下部層１３が露出することはない。
【００４４】
図９参照
以降は、上記の実施例１と全く同様に、ポアサイズを調整するために、例えば、４％のリン酸２１を用いて１分間のポアワイドニングを行うことによって、直径を５０ｎｍに拡大したポア２３を有するアルマイトポア膜２２とする。
【００４５】
次いで、ＡＣメッキ法により、硫酸塩系のＣｏメッキ浴中で対向電極との間に１０Ｖの交流電圧を３分間印加して交流メッキを行うことによってＣｏメッキ膜を成膜してポア２４の内部を強磁性体のＣｏ埋込層２５で充填する。
【００４６】
次いで、ＣＭＰ法によりアルマイトポア膜２２が露出するまで研磨して表面を平坦化処理して、アルマイトポア膜２２の表面にあふれたＣｏメッキ膜を除去する。
【００４７】
次いで、スパッタリング法を用いて厚さが、例えば、５ｎｍのＤＬＣからなる保護膜２６を設けるとともに、ディップ法を用いて厚さが、例えば、４ｎｍのフッ素樹脂系の潤滑膜２７を塗布することによってアルマイト垂直磁気記録媒体の基本構成が得られる。
【００４８】
このように、本発明の実施例２においては、陽極酸化工程において下部層１３の端部をバルブ金属からなる酸化停止層３１で被覆しているので、下部層１３を構成する軟磁性層１５と陽極酸化液１８とが接触することがなく、したがって、電気分解反応によって発生する水素に起因する剥離が生ずることがない。
【００４９】
以上、本発明の各実施例を説明してきたが、本発明は各実施例に記載した条件・構成に限られるものではなく、各種の変更が可能であり、例えば、各実施例においてはＨＤＤ媒体基板として結晶化ガラスを用いているが、結晶化ガラスに限られるものではなく、サファイア基板を用いても良いし或いは表面を絶縁被覆したＡｌ基板を用いても良いものである。
【００５０】
また、上記の各実施例においては、下部層をマスクスパッタ法によって成膜しているが、マスクスパッタ法に限られるものではなく、全面にスパッタ法により堆積させたのち、フォトリソグラフィー工程を用いて下部層の周辺部を選択的に除去して、下部層がＨＤＤ媒体基板の端面より０．３〜０．５ｍｍ程度内側にくるようにしても良いものである。
【００５１】
また、上記の各実施例においては、密着性を改善する下地層としてＴａを用いているが、Ｔａに限られるものではなく、Ｔｉ或いはＮｂ等を用いても良いものである。
【００５２】
また、上記の各実施例においては、軟磁性層としてパーマロイを用いているが、パーマロイに限られるものではなく、他の公知の軟磁性体を用いても良いものである。
【００５３】
また、上記の実施例１においては、Ａｌ膜を全て酸化してアルマイトポア膜に変換しているが、下部層の側端面及び上表面と接触している部分を薄くＡｌのままにしておいても良いものである。
【００５４】
また、上記の実施例２においては、酸化停止層としてＮｂを用いているが、Ｎｂに限られるものではなく、Ｎｂと同じバルブ金属に属するＴａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｗ、Ｂｉ、或いは、Ｓｂまたはこれらの合金を用いても良いものである。
【００５５】
また、上記の各実施例においては、埋込強磁性体としてＣｏを用いているが、Ｃｏに限られるものではなく、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＢ、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ、ＣｏＦｅＰｔ等の強磁性体を用いても良いものである。
【００５６】
また、上記の各実施例においては、両面タイプの磁気ディスクとしているが、片面タイプの磁気ディスクの場合にも適用されることは言うまでもない。
【００５７】
また、上記の各実施例においては、陽極酸化工程においてハニカム型の六方最密格子状に自己組織化的に発生するため工程は簡単に説明しているが、ポアをより再現性良く自己組織化するためには、二段陽極酸化法或いはインプリント法を用いれば良い。
【００５８】
例えば、二段陽極酸化法においては、Ａｌ膜を厚く成膜しておき、まず、第１の陽極酸化工程でランダムにポアを発生させ、このポアは底部ではハニカム型の六方最密格子状に自然に収斂していくので、表面部を除去し、この状態で第２の陽極酸化を行うことによってハニカム型の六方最密格子状に自己組織化されたポアがさらに深くエッチングされることになる。
【００５９】
また、インプリント法の場合には、Ａｌ膜の表面にハニカム型の六方最密格子状の凹部を予めフォトリソグラフィー工程を用いて形成しておき、この状態で陽極酸化することによってこの凹部が深くエッチングされることになる。
【００６０】
また、上記の各実施例においては、主表面に堆積したＡｌ膜を完全にアルマイトポア膜に変換しているが、中間層或いは酸化停止層との間にＡｌが多少残存しても良いものである。
【００６１】
また、上記の各実施例においては、下部層を下地層／軟磁性層／中間層の三層構造としているが、このような層構造に限られるものではなく、例えば、軟磁性層／中間層の二層構造としても良いし、或いは、下地層／軟磁性層の二層構造としても良く、下地層／軟磁性層の二層構造とする場合には、軟磁性層を陽極として陽極酸化を行えば良い。
【００６２】
ここで再び図１を参照して、本発明の詳細な特徴を改めて説明する。
再び、図１参照
（付記１） 規則的に配列された孔８を有する多孔性非磁性層７と前記孔８に充填された強磁性体材料９からなる磁気記録層６の直下に設ける下部層２の端面が露出しない構造を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。
（付記２） 上記下部層２の端面がＡｌ膜１０或いはＡｌ膜１０／Ａｌ2 Ｏ3 で覆われていることを特徴とする付記１記載の垂直磁気記録媒体。
（付記３） 上記下部層２の端面がバルブ金属で覆われていることを特徴とする付記１記載の垂直磁気記録媒体。
（付記４） 上記バルブ金属が、上記下部層２と上記磁気記録層６との間にも設けられていることを特徴とする付記３記載の垂直磁気記録媒体。
（付記５） 上記バルブ金属が、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｗ、Ｂｉ、或いは、Ｓｂまたはこれらの合金のいずれかであることを特徴とする付記３または４に記載の垂直磁気記録媒体。
（付記６） 上記多孔性非磁性層７が、多孔性陽極酸化アルミナであることを特徴とする付記１乃至５のいずれか１に記載の垂直磁気記録媒体。
（付記７） 上記下部層２が、基板１側から下地層３／軟磁性層４／中間層５の三層構造或いは軟磁性層４／中間層５の二層構造のいずれかであることを特徴とする付記１乃至６のいずれか１に記載の垂直磁気記録媒体。
（付記８） 基板１上に下部層２を設けたのち、前記下部層２の上表面及び前記下部層２の側端部を被覆するようにＡｌ膜を堆積させ、次いで、前記Ａｌ膜を陽極酸化することによって、多孔性陽極酸化アルミナに変換したのち、前記多孔性陽極酸化アルミナに設けられた孔８を強磁性体材料９で充填する工程を備えたことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
（付記９） 基板１上に下部層２を設けたのち、前記下部層２の上表面及び前記下部層２の側端部を被覆するようにバルブ金属膜を堆積させ、次いで、前記バルブ金属膜を被覆するようにＡｌ膜を設けたのち、前記Ａｌ膜を陽極酸化することによって、多孔性陽極酸化アルミナに変換し、次いで、前記多孔性陽極酸化アルミナに設けられた孔８を強磁性体材料９で充填する工程を備えたことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
（付記１０） 上記孔８を自己組織化法を用いて規則正しい配置パターンで形成することを特徴とする付記８または９に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
（付記１１） 上記孔８をフォトリソグラフィー工程により規則正しい配置パターンで形成することを特徴とする付記８または９に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明の活用例としては、アルマイト垂直磁気記録媒体の剥離防止が典型的なものであるが、アルマイト垂直磁気記録媒体に限られるものではなく、同じように陽極酸化法を用いてナノホールを形成するその他のパターンドメディアの剥離防止法としても適用されることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の実施例１のアルマイト垂直磁気記録媒体の途中までの製造工程の説明図である。
【図３】本発明の実施例１のアルマイト垂直磁気記録媒体の図２以降の途中までの製造工程の説明図である。
【図４】本発明の実施例１のアルマイト垂直磁気記録媒体の図３以降の途中までの製造工程の説明図である。
【図５】本発明の実施例１のアルマイト垂直磁気記録媒体の図４以降の途中までの製造工程の説明図である。
【図６】本発明の実施例１のアルマイト垂直磁気記録媒体の図５以降の途中までの製造工程の説明図である。
【図７】本発明の実施例１のアルマイト垂直磁気記録媒体の図６以降の製造工程の説明図である。
【図８】本発明の実施例２のアルマイト垂直磁気記録媒体の途中までの製造工程の説明図である。
【図９】本発明の実施例２のアルマイト垂直磁気記録媒体の図８以降の製造工程の説明図である。
【図１０】従来のアルマイト垂直磁気記録媒体の製造工程の説明図である。
【図１１】アルマイト垂直磁気記録媒体に情報を書き込んだ場合の概念的説明図である。
【図１２】陽極酸化工程における剥離現象の説明図である。
【符号の説明】
【００６５】
１ 基板
２ 下部層
３ 下地層
４ 軟磁性層
５ 中間層
６ 磁気記録層
７ 多孔性非磁性層
８ 孔
９ 強磁性体材料
１０ Ａｌ膜
１１ ＨＤＤ媒体基板
１２ マスク
１３ 下部層
１４ 下地層
１５ 軟磁性層
１６ 中間層
１７ Ａｌ膜
１８ 陽極酸化液
１９ アルマイトポア膜
２０ ポア
２１ リン酸
２２ アルマイトポア膜
２３ ポア
２４ Ｃｏメッキ膜
２５ Ｃｏ埋込層
２６ 保護膜
２７ 潤滑膜
３１ 酸化停止層
３２ 酸化被膜
４１ 基板
４２ 下地軟磁性層
４３ 下地電極層
４４ Ａｌ膜
４５ 陽極酸化液
４６ アルマイトポア膜
４７ ポア
４８ 強磁性体
４９ 磁気記録層
５０ 保護膜
５１ 潤滑膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
規則的に配列された孔を有する多孔性非磁性層と前記孔に充填された強磁性体材料からなる磁気記録層の直下に設ける下部層の端面が露出しない構造を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
上記下部層の端面がＡｌ膜或いはＡｌ膜／Ａｌ2 Ｏ3 で覆われていることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
上記下部層の端面がバルブ金属で覆われていることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
上記多孔性非磁性層が、多孔性陽極酸化アルミナであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
上記下部層が、基板側から下地層／軟磁性層／中間層の三層構造或いは軟磁性層／中間層の二層構造のいずれかであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１】
規則的に配列された孔を有する多孔性非磁性層と前記孔に充填された強磁性体材料からなる磁気記録層の直下に設ける下部層の端面が露出しない構造を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
上記下部層の端面がＡｌ膜或いはＡｌ膜／Ａｌ2 Ｏ3 で覆われていることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
上記下部層の端面がバルブ金属で覆われていることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
上記多孔性非磁性層が、多孔性陽極酸化アルミナであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
上記下部層が、基板側から下地層／軟磁性層／中間層の三層構造或いは軟磁性層／中間層の二層構造のいずれかであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２００７−２６５３１（Ｐ２００７−２６５３１Ａ）
【公開日】平成１９年２月１日（２００７．２．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２０６５２３（Ｐ２００５−２０６５２３）
【出願日】平成１７年７月１５日（２００５．７．１５）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成１６年度、独立行政法人科学技術振興機構、「ナノホール垂直パターンドメディアの開発に関する研究」委託研究、産業再生法第３０条の適用を受ける特許出願
【出願人】（５０５０８８７６５）株式会社山形富士通 (14)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年２月１日（２００７．２．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年７月１５日（２００５．７．１５）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成１６年度、独立行政法人科学技術振興機構、「ナノホール垂直パターンドメディアの開発に関する研究」委託研究、産業再生法第３０条の適用を受ける特許出願
【出願人】（５０５０８８７６５）株式会社山形富士通 (14)
【Ｆターム（参考）】
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