基板処理装置
【課題】 基板の主面に密着強化剤を被着させた後に塗布膜を形成する基板処理において、基板の主面全体にわたって均一に密着強化剤を被着させることができる装置を提供する。
【解決手段】 スリット状の吐出口を有しＨＭＤＳの蒸気を含む密着強化用ガスを吐出口から基板Ｗの主面に向けて吐出するノズル１８と、基板Ｗを搬送してノズル１８の直下を通過させる複数の搬送ローラ１６とを有する密着強化処理部を備えた。
【解決手段】 スリット状の吐出口を有しＨＭＤＳの蒸気を含む密着強化用ガスを吐出口から基板Ｗの主面に向けて吐出するノズル１８と、基板Ｗを搬送してノズル１８の直下を通過させる複数の搬送ローラ１６とを有する密着強化処理部を備えた。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウエハ、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、プリント基板等の基板の主面にＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）等の密着強化剤を被着させた後にレジスト膜等の塗布膜を形成する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ等の基板の表面に塗布液、例えばレジスト液を塗布してレジスト膜を形成する場合には、基板の表面とレジスト膜との密着性を強化するために、レジスト塗布工程前に基板表面に密着強化剤、例えばＨＭＤＳを被着させる処理（アドヒージョン処理）が行われる。このような処理を行う従来の基板処理装置は、例えば、図５に示すように、基板を収容する処理チャンバ１００、処理チャンバ１００内へＨＭＤＳの蒸気を気体、例えば窒素ガスと共に供給する処理ガス供給手段１０２、処理チャンバ１００内から処理ガスを排出させる排気手段１０４などを備えて構成されている。
【０００３】
処理チャンバ１００は、基板搬出入口を有し密閉可能であり、基板搬出入口がシャッタ１０６によって開閉される。処理チャンバ１００の内部には、図示していないが、ヒータを内蔵した載置台が設けられており、その載置台上に基板が支持されて加熱され処理される。処理ガス供給手段１０２は、内部にＨＭＤＳ溶液が貯留され密閉された貯留容器１０８を有しており、その貯留容器１０８内に、窒素ガス供給源に流路接続された窒素ガス供給管１１０が挿入され、窒素ガス供給管１１０の先端部が貯留容器１０８内のＨＭＤＳ溶液中に深く差し入れられている。また、貯留容器１０８には、処理ガス供給管１１２の一端部が連通接続され、処理ガス供給管１１２の他端部が処理チャンバ１００に連通接続されている。処理ガス供給管１１２の途中には、処理チャンバ１００内へパージ用の窒素ガスを供給するための窒素ガス供給管１１４が連通接続されている。排気手段１０４は、処理チャンバ１００の排気口に連通接続された排気管１１６に排気ポンプ（図示せず）を介設して構成されている。窒素ガス供給管１１０、処理ガス供給管１１２、窒素ガス供給管１１４および排気管１１６には、それぞれ開閉弁１１８、１２０、１２２、１２４が介挿されている。そして、窒素ガス供給管１１０を通して貯留容器１０８内へ窒素ガスを供給し、貯留容器１０８内のＨＭＤＳ溶液を窒素ガスでバブリングすることによりＨＭＤＳの蒸気が発生し、発生したＨＭＤＳ蒸気は、窒素ガスと共に処理ガス供給管１１２を通って処理チャンバ１００へ供給される。窒素ガスと共に処理チャンバ１００へ供給されたＨＭＤＳ蒸気は、処理チャンバ１００の天井部中央に設けられた吐出口（図示せず）から基板の表面に向かって吐出され、処理チャンバ１００の内部に収容された基板の表面にＨＭＤＳを被着させる処理が行われる。また、処理チャンバ１００の天井面の中央部に、中空の扁平状容器からなり処理ガス供給管１１２に連通接続された給気口を有し底面に複数個のガス孔が形成された拡散板を配設し、その拡散板の複数個のガス孔を通ってＨＭＤＳ蒸気を含む窒素ガスを吐出し基板の表面へ供給する、といったことも行われる（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２０００−１５０３６８号公報（第４頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記したように従来の基板処理装置では、ＨＭＤＳ蒸気を含む窒素ガスは、処理ガス供給管１１２を通して処理チャンバ１００へ供給され、処理チャンバ１００の天井部中央に設けられた吐出口あるいは拡散板の複数個のガス孔から基板の表面に向けて吐出される。そして、基板の表面へ供給されたＨＭＤＳ蒸気は、基板表面に沿って周辺へ拡散するように流動し、この間に、加熱された基板の表面にＨＭＤＳが被着する。しかしながら、このような装置構成では、基板の表面内において、吐出口あるいは拡散板のガス孔に近い部分ほどＨＭＤＳの被着反応が進行することとなり、基板の表面内における処理が不均一になる、といった問題点がある。
【０００５】
この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、基板の主面に密着強化剤を被着させた後に塗布膜を形成する基板処理において、基板の主面全体にわたって均一に密着強化剤を被着させることができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に係る発明は、基板の主面に密着強化剤を被着させた後に基板の主面に塗布膜を形成する基板処理装置において、スリット状孔もしくは直線上に並列された複数の孔からなる吐出口を有し、密着強化剤の蒸気を含む密着強化用ガスを前記吐出口から基板の主面に向けて吐出する吐出手段と、この吐出手段に対し基板を相対的に移動させる移動手段とを備えることを特徴とする。
【０００７】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記移動手段は、前記吐出手段に対しその吐出口の長手方向と交差する方向へ基板を相対的に移動させるものであることを特徴とする。
【０００８】
請求項３に係る発明は、請求項２に記載の基板処理装置において、前記吐出手段が固定され、前記移動手段が、基板を支持して水平方向へ搬送するローラコンベアであることを特徴とする。
【０００９】
請求項４に係る発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、前記吐出手段の吐出口付近を加熱する加熱手段をさらに備えることを特徴とする。
【００１０】
請求項５に係る発明は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、前記吐出手段による密着強化用ガスの吐出方向が、基板の主面と垂直な方向から吐出手段に対する基板の相対的移動方向の側へ傾斜していることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
請求項１に係る発明の基板処理装置においては、密着強化剤の蒸気を含む密着強化用ガスが、吐出手段の、スリット状孔もしくは直線上に並列された複数の孔からなる吐出口から基板の主面に向けて吐出され、また、密着強化用ガスが吹き付けられる基板が、移動手段によって吐出手段に対し相対的に移動するので、基板の主面全体にわたって均等に密着強化剤の蒸気が供給されることとなる。
したがって、請求項１に係る発明の基板処理装置を使用すると、基板の主面に密着強化剤を被着させた後に塗布膜を形成する基板処理において、基板の主面全体にわたって均一に密着強化剤を被着させることができる。
また、吐出手段から基板の主面に向けて密着強化用ガスを吐出するので、密着強化剤が高濃度に含まれた雰囲気で密着強化剤と基板の主面とが反応することとなり、このため、密着強化剤と基板の主面との反応性が高くなるので、密着強化材の使用量を低減させ、また、処理時間を短くすることができる。
【００１２】
請求項２に係る発明の基板処理装置では、密着強化剤の蒸気を含む密着強化用ガスが吹き付けられる基板が、吐出手段に対しその吐出口の長手方向と交差する方向へ相対的に移動することにより、基板の主面全体に密着強化剤の蒸気が供給される。
【００１３】
請求項３に係る発明の基板処理装置では、ローラコンベアにより基板を支持して水平方向へ搬送しながら、基板の主面に密着強化剤を被着させる処理を行うことができるので、多数の基板を連続的に処理することができる。
【００１４】
請求項４に係る発明の基板処理装置では、加熱手段によって吐出手段の吐出口付近が加熱されることにより、吐出手段を通過する密着強化剤の蒸気を含む密着強化用ガスが加熱されるので、密着強化用ガスがスリット状の隙間を通過する際に圧力変動によって密着強化剤の蒸気が結露することを防止することができる。
【００１５】
請求項５に係る発明の基板処理装置では、密着強化用ガスの吐出方向が基板の主面と垂直な方向ではなく、その垂直方向から基板の相対的移動方向の側へ傾斜しているので、吐出手段の吐出口から基板の主面へ吐出された密着強化用ガスが、基板の相対的移動方向とその反対方向との両側に分かれて流動する、といったことがなく、ほとんど基板の相対的移動方向（基板が移動する場合には基板の進行方向）へ流動し密着強化剤の蒸気が拡散することとなる。このため、基板の主面に対し密着強化剤の蒸気が効率良く供給されて、基板の主面への密着強化剤の被着がより効果的に行われる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
この発明を実施するための最良の形態について、図１ないし図４を参照しながら説明する。
図１は、この発明の実施形態の１例を示し、基板の主面に密着強化剤を被着させた後に塗布膜を形成する基板処理装置の一部をなす密着強化処理部を模式的に示す概略構成図である。
【００１７】
この基板処理装置は、図示していないが、例えばスピンコータにより基板の主面へ塗布液、例えばレジスト液を塗布して基板の主面にレジスト膜を形成する塗布処理部を有し、その塗布処理部の前段側に、図１に示した密着強化処理部を併設して構成されている。密着強化処理部のさらに前段側には、図示していないが、基板の主面に対し紫外線を照射して、基板の主面に付着している有機物汚染を酸化分解して除去するＵＶ処理部、純水を使用して、ロールブラシによるスクラブ洗浄、超音波スプレイ洗浄、高圧ジェット式スプレイ洗浄などの方法により基板の主面を洗浄する水洗処理部、および、基板の主面に残留している液滴をエアーナイフにより吹き飛ばして除去した後、加熱気体、ヒータなどで基板を加熱して基板の主面から水分を除去する乾燥処理部が順に設置されている。また、密着強化処理部と塗布処理部との間には、密着強化処理部から搬出されてくる基板を受け取って塗布処理部のスピンコータへ基板を搬入する搬送機構が設けられている。さらに、塗布処理部の後段側には、基板の主面に形成されたレジスト膜を減圧乾燥する減圧乾燥処理部が設けられている。
【００１８】
密着強化処理部は、図１に示すように、基板搬入口１２および基板搬出口１４を有する密閉型の処理チャンバ１０を備えている。処理チャンバ１０の内部には、基板Ｗを支持して水平方向へ連続的に搬送する複数の搬送ローラ１６からなるローラコンベアが配設されている。この処理チャンバ１０の内部は、常温・常圧に保たれている。
【００１９】
処理チャンバ１０内には、密着強化剤、例えばＨＭＤＳの蒸気を含む気体、例えば窒素ガスを吐出するノズル１８が配設されている。ノズル１８は、ローラコンベアにより支持されて搬送される基板Ｗの主面（上面）と対向し近接するように下端にスリット状孔からなる吐出口を有している。ノズル１８は、基板搬送方向と交差、この例では直交するように配置されている。また、ノズル１８は、その吐出口からのガス吐出方向が、基板Ｗの主面と垂直な方向から基板搬送方向（基板の進行方向）の側へ傾斜した姿勢で支持されている。ノズル１８の吐出口は、その長手方向の寸法が基板Ｗの幅寸法とほぼ同等にされている。ノズル１８には、ＨＭＤＳ供給管２０が連通して接続されており、ＨＭＤＳ供給管２０は、ＨＭＤＳの蒸気を含む窒素ガス（以下、「密着強化用ガス」という）の供給源に流路接続されている。密着強化用ガスは、例えば、図５に示した処理ガス供給手段１０２と同様に、ＨＭＤＳ溶液が貯留された密閉容器内へ窒素ガスを供給し、密閉容器内のＨＭＤＳ溶液を窒素ガスでバブリングしてＨＭＤＳの蒸気を発生させ、発生したＨＭＤＳ蒸気を窒素ガスと共に密閉容器内から排出することにより生成される。この密着強化用ガスが、ＨＭＤＳ供給管２０を通してノズル１８へ供給される。ノズル１８には、その内部を通過して吐出口から吐出されるＨＭＤＳの蒸気が狭い隙間を通過するために起こる圧力変動による結露を防止するために、加熱手段、例えば図２に示すようにラインヒータ２２をノズル１８に付設するようにするとよい。
【００２０】
なお、ノズル１８の吐出口をスリット状孔で形成するのに代えて、直線上に並列された複数の孔で吐出口を形成するようにしてもよい。また、ノズル１８の吐出口は、基板Ｗの主面に必ずしも近接させる必要は無い。さらに、ノズル１８は、実施形態のように傾斜姿勢で支持することが望ましいが、基板Ｗの主面に対して垂直に支持しても差し支えない。
【００２１】
また、ノズル１８が内方に配置されるように、ローラコンベアによって搬送される基板Ｗの主面に近接してＨＭＤＳ拡散室２４が配設されている。ＨＭＤＳ拡散室２４は、基板Ｗの主面と対向する下面が開口し、基板搬送方向と直交する幅方向における寸法が基板Ｗの幅寸法と同等もしくはそれ以上とされている。そして、密着強化用ガスの供給源からＨＭＤＳ供給管２０を通ってノズル１８へ密着強化用ガスが供給されノズル１８の吐出口から基板Ｗの主面に向けて密着強化用ガスが吐出されることにより、ＨＭＤＳ拡散室２４の内部全体にＨＭＤＳ蒸気が拡散して、ＨＭＤＳ拡散室２４内がＨＭＤＳ蒸気で満たされた雰囲気に保たれるように構成されている。この結果、処理チャンバ１０よりも少ない容積である拡散室２４内のＨＭＤＳ濃度は高くなる。
【００２２】
また、処理チャンバ１０内には、ノズル１８の、基板搬送方向における手前側に、ローラコンベアによって搬送される基板Ｗの主面を活性化させる手段、例えばプラズマ処理部２６が設けられている。プラズマ処理部２６は、ローラコンベアにより支持されて搬送される基板Ｗの主面と対向し近接するように下端に吐出口３０を有するノズル２８を備えている。ノズル２８の内部には、気体、例えば窒素ガスをプラズマ化する一対の電極３２ａ、３２ｂが配設されており、図示を省略しているが、一方の電極３２ａが電源に接続され、他方の電極３２ｂが接地されている。また、ノズル２８の内部には、ガス供給管３４が挿通されており、ガス供給管３４は、窒素ガスの供給源に流路接続されている。そして、窒素ガス供給源からガス供給管３４を通ってノズル２８へ窒素ガスが供給され、ノズル２８内へ供給された窒素ガスが、一対の電極３２ａ、３２ｂ間に発生したパルス電界中を通過することにより、窒素ガスがプラズマ化され、プラズマ化した窒素ガスがノズル２８の吐出口３０から基板Ｗの主面に向けて吐出されるようになっている。また、ガス供給管３４の途中には、ヒータ３６が付設されており、ヒータ３６によって窒素ガスが加熱され、加熱された窒素ガスが基板Ｗの主面へ供給されることにより、基板Ｗの温度が上昇して、ＨＭＤＳ拡散室２４内へ基板Ｗが搬入された際に基板Ｗの主面とＨＭＤＳとの反応性が高められる。
【００２３】
ＨＭＤＳ拡散室２４とプラズマ処理部２６との中間には、ローラコンベアによって搬送される基板Ｗの主面と対向し近接するように吸い込み口３８が配置された排気管４０が配設されている。この排気管４０を通し、ノズル２８の吐出口２０から基板Ｗの主面に向けて吐出された窒素ガスを吸引し排気することにより、窒素ガスがＨＭＤＳ拡散室２４内へ流れ込むのを防止するようにしている。また、処理チャンバ１０には排気口４２が設けられ、その排気口４２に排気管４４が連通接続されており、この排気管４４を通して処理チャンバ１０内の排気が行われる。これにより、処理チャンバ１０内から雰囲気ガスが漏れないようにされている。
【００２４】
上記した構成を備えた基板処理装置を使用して基板の主面にＨＭＤＳを被着させるときは、ローラコンベアによって基板Ｗを連続的に搬送しながら、ガス供給管３４を通して窒素ガスをノズル２８内へ送給し、ノズル２８の吐出口３０からプラズマ化し加熱された窒素ガスを基板Ｗの主面へ供給する。プラズマ化したガスが基板Ｗの主面へ供給されることにより、基板Ｗの主面が活性化される。続いて、基板ＷがＨＭＤＳ拡散室２４内へ搬入されると、密着強化用ガスの供給源からＨＭＤＳ供給管２０を通してノズル１８へ供給された密着強化用ガスが、ノズル１８の吐出口から活性化され加熱された基板Ｗの主面に向けて吐出され、ＨＭＤＳが基板Ｗの主面に被着させられる。このとき、密着強化用ガスは、ノズル１８のスリット状吐出口から基板Ｗの主面に向けて吐出されるので、基板Ｗの主面全体にわたって均等にＨＭＤＳの蒸気が供給される。したがって、基板Ｗの主面全体にわたって均一にＨＭＤＳが被着することとなる。また、ノズル１８の吐出口からのガス吐出方向が基板Ｗの主面と垂直な方向から基板搬送方向の側へ傾斜しているので、ノズル１８の吐出口から基板Ｗの主面へ吐出された密着強化用ガスが、ほとんど基板Ｗの基板搬送方向（基板Ｗの進行方向）へ流動してＨＭＤＳの蒸気が拡散することとなる。このため、基板Ｗの主面に対しＨＭＤＳの蒸気が効率良く供給されて、基板Ｗの主面へのＨＭＤＳの被着がより効果的に行われる。さらに、ＨＭＤＳの蒸気で満たされた雰囲気中を基板Ｗが搬送されることにより、ＨＭＤＳが基板Ｗの主面全体により強固にかつ均一に被着させられる。ＨＭＤＳ拡散室２４内を通過する間に主面にＨＭＤＳが被着された基板Ｗは、処理チャンバ１０内から搬出され、搬送機構により塗布処理部へ搬送され、塗布処理部において基板Ｗの主面にレジスト膜が形成される。
【００２５】
なお、プラズマ処理部２６の構成において、ガス供給管３４を通してノズル２８へ窒素ガスを供給する代わりに、ＨＭＤＳの蒸気を含む窒素ガス等の気体を供給するようにしてもよい。この場合には、基板Ｗの主面へのＨＭＤＳの被着がより高効率で行われる。また、ガス供給管３４の途中に付設されたヒータ３６は、特に必要が無ければ設けなくてもよい。さらに、基板Ｗの主面を活性化させる手段として、プラズマ処理部２６を設ける代わりに、例えば、ローラコンベアにより支持されて搬送される基板Ｗの主面に対向するように紫外線ランプを配設し、紫外線ランプから基板Ｗの主面に対して紫外線を照射することにより、基板Ｗの主面を活性化させるようにしてもよい。また、プラズマ処理部２６などの活性化手段を設けずに、加熱された高温の窒素ガス等を基板の主面に吹き付けることにより基板を、例えば８０℃以上の温度に加熱して、その高温の基板の主面へノズル１８の吐出口からＨＭＤＳを供給するようにしてもよい。
【００２６】
上記した実施形態では、ＨＭＤＳの蒸気を含む密着強化用ガスを基板Ｗの主面へ供給するノズル１８が内方に配置されたＨＭＤＳ拡散室２４とプラズマ処理部２６とを１つの処理チャンバ１０内に配設するようにしたが、図３に示すように、ＨＭＤＳ被着処理部４６とプラズマ処理部４８とを併設し、ＨＭＤＳ被着処理部４６のチャンバ５０内に、密着強化用ガスを基板Ｗの主面へ供給するノズル５４を配設し、プラズマ処理部４８のチャンバ５２内に、窒素ガス等の気体をプラズマ化して基板Ｗの主面へ吐出するノズル５６を配設するような構成としてもよい。
【００２７】
すなわち、ＨＭＤＳ被着処理部４６のチャンバ５０は、基板搬入口５８および基板搬出口６０が設けられた密閉構造を有しており、このチャンバ５０内に、密着強化用ガスを基板Ｗの主面へ吐出するノズル５４が配設されている。ノズル５４には、ＨＭＤＳ供給管６２が連通接続されており、このＨＭＤＳ供給管６２を通してＨＭＤＳの蒸気を含む密着強化用ガスがノズル５４へ供給されるようになっている。チャンバ５０には排気口６４が設けられ、その排気口６４に排気管６６が連通接続されており、この排気管６６を通してチャンバ５０内の排気が行われる。これにより、チャンバ５０内からＨＭＤＳを含む雰囲気ガスが漏れないようにされている。チャンバ５０の内部は常温に保たれ、その内部全体にＨＭＤＳ蒸気が拡散して、チャンバ５０内がＨＭＤＳ蒸気で満たされた雰囲気に保たれている。また、チャンバ５０内には、ＨＭＤＳ蒸気で満たされた雰囲気中を基板Ｗを搬送する複数の搬送ローラ６８からなるローラコンベアが配設されている。
【００２８】
プラズマ処理部４８には、基板搬入口７０および基板搬出口７２を有する密閉型のチャンバ５２内に、気体をプラズマ化して基板Ｗの主面へ吐出するノズル５６が配設されている。プラズマ処理部４８のチャンバ５２の基板搬出口７２は、ＨＭＤＳ被着処理部４６のチャンバ５０の基板搬入口５８と対向するように設けられている。ノズル５６には、ガス供給管７４が連通接続されており、このガス供給管７４を通して窒素、アルゴン、酸素等の気体がノズル５６へ供給されるようになっている。チャンバ５２には排気口７６が設けられ、その排気口７６に排気管７８が連通接続されており、この排気管７８を通してチャンバ５２内の排気が行われる。これにより、チャンバ５２内から雰囲気ガスが漏れないようにされている。チャンバ５２の内部は、常圧に保たれている。また、チャンバ５２内には、基板Ｗを搬送する複数の搬送ローラ８０からなるローラコンベアが配設されている。
【００２９】
図３に示した構成を有する基板処理装置においても、図１に示した装置と同様の作用効果が得られる。
【００３０】
また、上記実施形態では、ノズル１８、５４を固定し、そのノズル１８、５４の直下を通って基板Ｗをローラコンベアで搬送することにより、ノズル１８、５４から吐出されたＨＭＤＳを含む密着強化用ガスが基板Ｗの主面全体にわたって供給されるようになっているが、基板を固定し、ノズルを基板の主面に沿って移動させることにより、ノズルから密着強化用ガスを基板の主面全体にわたって供給するようにしてもよい。そのような実施形態の１例を図４に示す。
【００３１】
図４に示す基板処理装置の密着強化処理部は、基板搬出入口を有し密閉可能で、基板搬出入口がシャッタ８４によって開閉される処理チャンバ８２を備えている。処理チャンバ８２の内部には、ヒータを内蔵した載置台８６が設けられている。そして、基板Ｗは、載置台８６上に支持されて加熱されるようになっている。また、処理チャンバ８２内には、ＨＭＤＳの蒸気を含む密着強化用ガスを吐出するノズル８８が配設されている。ノズル８８は、載置台８６上に保持された基板Ｗの主面と対向し近接するように下端にスリット状孔からなる吐出口（あるいは直線上に並列された複数の孔からなる吐出口）を有している。このノズル８８は、載置台８６上の基板Ｗの主面に沿って水平方向へ移動自在に支持されており、図示しない駆動機構によって移動させられる。また、ノズル８８は、その吐出口からのガス吐出方向が、基板Ｗの主面と垂直な方向からノズル８８の移動方向の反対側へ傾斜した姿勢で支持されている。ノズル８８の吐出口は、その長手方向の寸法が基板Ｗの幅寸法とほぼ同等にされている。ノズル８８には、ＨＭＤＳ供給管９０が連通して接続されており、ＨＭＤＳ供給管９０は、ＨＭＤＳの蒸気を含む密着強化用ガスの供給源に流路接続されている。また、処理チャンバ８２の天井面には、ガス供給口９２が形設され、そのガス供給口９２にガス供給管９４が連通接続されている。そして、窒素ガスの供給源からガス供給管９４を通して処理チャンバ８２へ送給される窒素ガスが、ガス供給口９２を通って処理チャンバ８２内へ供給される用になっている。また、処理チャンバ８２の底部には、排気口９６が形設され、その排気口９６に排気管９８が連通接続されており、この排気管９８を通して処理チャンバ８２内の排気が行われる。
【００３２】
図４に示した構成を有する基板処理装置では、ノズル８８が載置台８６上の基板Ｗの一端側から他端側へ移動しつつ、ノズル８８の吐出口から密着強化用ガスが、加熱された基板Ｗの主面に向けて吐出される。そして、密着強化用ガスが基板Ｗの主面全体へ供給されて、ＨＭＤＳが基板Ｗの主面に被着させられる。このように、図４に示した構成を有する基板処理装置においても、図１に示した装置と同様の作用効果が得られる。
【００３３】
なお、上記した実施形態では、ＨＭＤＳを含む密着強化用ガスを吐出するノズルと基板とを直線的に相対移動させるようにしているが、例えば、ノズルと基板とを相対的に回動させるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】この発明の実施形態の１例を示し、基板の主面に密着強化剤を被着させた後に塗布膜を形成する基板処理装置の一部をなす密着強化処理部を模式的に示す概略構成図である。
【図２】図１に示した装置の構成要素であるノズル部分の拡大図である。
【図３】この発明の別の実施形態を示し、基板の主面に密着強化剤を被着させた後に塗布膜を形成する基板処理装置の一部をなすＨＭＤＳ被着処理部およびプラズマ処理部を模式的に示す概略構成図である。
【図４】この発明の更に別の実施形態を示し、基板の主面に密着強化剤を被着させた後に塗布膜を形成する基板処理装置の一部をなす密着強化処理部を模式的に示す概略構成図である。
【図５】基板の表面に密着強化剤を被着させる処理を行う従来の基板処理装置の１例を模式的に示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００３５】
Ｗ 基板
１０、８２ 処理チャンバ
１６、６８、８０ ローラコンベアの搬送ローラ
１８、５４、８８ 密着強化用ガス吐出用のノズル
２０、６２、９０ ＨＭＤＳ供給管
２２ ラインヒータ
２４ ＨＭＤＳ拡散室
２６、４８ プラズマ処理部
２８、５６ ノズル
３０ ノズルの吐出口
３４、７４、９４ ガス供給管
３６ ヒータ
４４、６６、７８、９８ 排気管
４６ ＨＭＤＳ被着処理部
５０、５２ チャンバ
８４ シャッタ
８６ 載置台
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウエハ、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、プリント基板等の基板の主面にＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）等の密着強化剤を被着させた後にレジスト膜等の塗布膜を形成する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ等の基板の表面に塗布液、例えばレジスト液を塗布してレジスト膜を形成する場合には、基板の表面とレジスト膜との密着性を強化するために、レジスト塗布工程前に基板表面に密着強化剤、例えばＨＭＤＳを被着させる処理（アドヒージョン処理）が行われる。このような処理を行う従来の基板処理装置は、例えば、図５に示すように、基板を収容する処理チャンバ１００、処理チャンバ１００内へＨＭＤＳの蒸気を気体、例えば窒素ガスと共に供給する処理ガス供給手段１０２、処理チャンバ１００内から処理ガスを排出させる排気手段１０４などを備えて構成されている。
【０００３】
処理チャンバ１００は、基板搬出入口を有し密閉可能であり、基板搬出入口がシャッタ１０６によって開閉される。処理チャンバ１００の内部には、図示していないが、ヒータを内蔵した載置台が設けられており、その載置台上に基板が支持されて加熱され処理される。処理ガス供給手段１０２は、内部にＨＭＤＳ溶液が貯留され密閉された貯留容器１０８を有しており、その貯留容器１０８内に、窒素ガス供給源に流路接続された窒素ガス供給管１１０が挿入され、窒素ガス供給管１１０の先端部が貯留容器１０８内のＨＭＤＳ溶液中に深く差し入れられている。また、貯留容器１０８には、処理ガス供給管１１２の一端部が連通接続され、処理ガス供給管１１２の他端部が処理チャンバ１００に連通接続されている。処理ガス供給管１１２の途中には、処理チャンバ１００内へパージ用の窒素ガスを供給するための窒素ガス供給管１１４が連通接続されている。排気手段１０４は、処理チャンバ１００の排気口に連通接続された排気管１１６に排気ポンプ（図示せず）を介設して構成されている。窒素ガス供給管１１０、処理ガス供給管１１２、窒素ガス供給管１１４および排気管１１６には、それぞれ開閉弁１１８、１２０、１２２、１２４が介挿されている。そして、窒素ガス供給管１１０を通して貯留容器１０８内へ窒素ガスを供給し、貯留容器１０８内のＨＭＤＳ溶液を窒素ガスでバブリングすることによりＨＭＤＳの蒸気が発生し、発生したＨＭＤＳ蒸気は、窒素ガスと共に処理ガス供給管１１２を通って処理チャンバ１００へ供給される。窒素ガスと共に処理チャンバ１００へ供給されたＨＭＤＳ蒸気は、処理チャンバ１００の天井部中央に設けられた吐出口（図示せず）から基板の表面に向かって吐出され、処理チャンバ１００の内部に収容された基板の表面にＨＭＤＳを被着させる処理が行われる。また、処理チャンバ１００の天井面の中央部に、中空の扁平状容器からなり処理ガス供給管１１２に連通接続された給気口を有し底面に複数個のガス孔が形成された拡散板を配設し、その拡散板の複数個のガス孔を通ってＨＭＤＳ蒸気を含む窒素ガスを吐出し基板の表面へ供給する、といったことも行われる（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２０００−１５０３６８号公報（第４頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記したように従来の基板処理装置では、ＨＭＤＳ蒸気を含む窒素ガスは、処理ガス供給管１１２を通して処理チャンバ１００へ供給され、処理チャンバ１００の天井部中央に設けられた吐出口あるいは拡散板の複数個のガス孔から基板の表面に向けて吐出される。そして、基板の表面へ供給されたＨＭＤＳ蒸気は、基板表面に沿って周辺へ拡散するように流動し、この間に、加熱された基板の表面にＨＭＤＳが被着する。しかしながら、このような装置構成では、基板の表面内において、吐出口あるいは拡散板のガス孔に近い部分ほどＨＭＤＳの被着反応が進行することとなり、基板の表面内における処理が不均一になる、といった問題点がある。
【０００５】
この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、基板の主面に密着強化剤を被着させた後に塗布膜を形成する基板処理において、基板の主面全体にわたって均一に密着強化剤を被着させることができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に係る発明は、基板の主面に密着強化剤を被着させた後に基板の主面に塗布膜を形成する基板処理装置において、スリット状孔もしくは直線上に並列された複数の孔からなる吐出口を有し、密着強化剤の蒸気を含む密着強化用ガスを前記吐出口から基板の主面に向けて吐出する吐出手段と、この吐出手段に対し基板を相対的に移動させる移動手段とを備えることを特徴とする。
【０００７】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記移動手段は、前記吐出手段に対しその吐出口の長手方向と交差する方向へ基板を相対的に移動させるものであることを特徴とする。
【０００８】
請求項３に係る発明は、請求項２に記載の基板処理装置において、前記吐出手段が固定され、前記移動手段が、基板を支持して水平方向へ搬送するローラコンベアであることを特徴とする。
【０００９】
請求項４に係る発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、前記吐出手段の吐出口付近を加熱する加熱手段をさらに備えることを特徴とする。
【００１０】
請求項５に係る発明は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、前記吐出手段による密着強化用ガスの吐出方向が、基板の主面と垂直な方向から吐出手段に対する基板の相対的移動方向の側へ傾斜していることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
請求項１に係る発明の基板処理装置においては、密着強化剤の蒸気を含む密着強化用ガスが、吐出手段の、スリット状孔もしくは直線上に並列された複数の孔からなる吐出口から基板の主面に向けて吐出され、また、密着強化用ガスが吹き付けられる基板が、移動手段によって吐出手段に対し相対的に移動するので、基板の主面全体にわたって均等に密着強化剤の蒸気が供給されることとなる。
したがって、請求項１に係る発明の基板処理装置を使用すると、基板の主面に密着強化剤を被着させた後に塗布膜を形成する基板処理において、基板の主面全体にわたって均一に密着強化剤を被着させることができる。
また、吐出手段から基板の主面に向けて密着強化用ガスを吐出するので、密着強化剤が高濃度に含まれた雰囲気で密着強化剤と基板の主面とが反応することとなり、このため、密着強化剤と基板の主面との反応性が高くなるので、密着強化材の使用量を低減させ、また、処理時間を短くすることができる。
【００１２】
請求項２に係る発明の基板処理装置では、密着強化剤の蒸気を含む密着強化用ガスが吹き付けられる基板が、吐出手段に対しその吐出口の長手方向と交差する方向へ相対的に移動することにより、基板の主面全体に密着強化剤の蒸気が供給される。
【００１３】
請求項３に係る発明の基板処理装置では、ローラコンベアにより基板を支持して水平方向へ搬送しながら、基板の主面に密着強化剤を被着させる処理を行うことができるので、多数の基板を連続的に処理することができる。
【００１４】
請求項４に係る発明の基板処理装置では、加熱手段によって吐出手段の吐出口付近が加熱されることにより、吐出手段を通過する密着強化剤の蒸気を含む密着強化用ガスが加熱されるので、密着強化用ガスがスリット状の隙間を通過する際に圧力変動によって密着強化剤の蒸気が結露することを防止することができる。
【００１５】
請求項５に係る発明の基板処理装置では、密着強化用ガスの吐出方向が基板の主面と垂直な方向ではなく、その垂直方向から基板の相対的移動方向の側へ傾斜しているので、吐出手段の吐出口から基板の主面へ吐出された密着強化用ガスが、基板の相対的移動方向とその反対方向との両側に分かれて流動する、といったことがなく、ほとんど基板の相対的移動方向（基板が移動する場合には基板の進行方向）へ流動し密着強化剤の蒸気が拡散することとなる。このため、基板の主面に対し密着強化剤の蒸気が効率良く供給されて、基板の主面への密着強化剤の被着がより効果的に行われる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
この発明を実施するための最良の形態について、図１ないし図４を参照しながら説明する。
図１は、この発明の実施形態の１例を示し、基板の主面に密着強化剤を被着させた後に塗布膜を形成する基板処理装置の一部をなす密着強化処理部を模式的に示す概略構成図である。
【００１７】
この基板処理装置は、図示していないが、例えばスピンコータにより基板の主面へ塗布液、例えばレジスト液を塗布して基板の主面にレジスト膜を形成する塗布処理部を有し、その塗布処理部の前段側に、図１に示した密着強化処理部を併設して構成されている。密着強化処理部のさらに前段側には、図示していないが、基板の主面に対し紫外線を照射して、基板の主面に付着している有機物汚染を酸化分解して除去するＵＶ処理部、純水を使用して、ロールブラシによるスクラブ洗浄、超音波スプレイ洗浄、高圧ジェット式スプレイ洗浄などの方法により基板の主面を洗浄する水洗処理部、および、基板の主面に残留している液滴をエアーナイフにより吹き飛ばして除去した後、加熱気体、ヒータなどで基板を加熱して基板の主面から水分を除去する乾燥処理部が順に設置されている。また、密着強化処理部と塗布処理部との間には、密着強化処理部から搬出されてくる基板を受け取って塗布処理部のスピンコータへ基板を搬入する搬送機構が設けられている。さらに、塗布処理部の後段側には、基板の主面に形成されたレジスト膜を減圧乾燥する減圧乾燥処理部が設けられている。
【００１８】
密着強化処理部は、図１に示すように、基板搬入口１２および基板搬出口１４を有する密閉型の処理チャンバ１０を備えている。処理チャンバ１０の内部には、基板Ｗを支持して水平方向へ連続的に搬送する複数の搬送ローラ１６からなるローラコンベアが配設されている。この処理チャンバ１０の内部は、常温・常圧に保たれている。
【００１９】
処理チャンバ１０内には、密着強化剤、例えばＨＭＤＳの蒸気を含む気体、例えば窒素ガスを吐出するノズル１８が配設されている。ノズル１８は、ローラコンベアにより支持されて搬送される基板Ｗの主面（上面）と対向し近接するように下端にスリット状孔からなる吐出口を有している。ノズル１８は、基板搬送方向と交差、この例では直交するように配置されている。また、ノズル１８は、その吐出口からのガス吐出方向が、基板Ｗの主面と垂直な方向から基板搬送方向（基板の進行方向）の側へ傾斜した姿勢で支持されている。ノズル１８の吐出口は、その長手方向の寸法が基板Ｗの幅寸法とほぼ同等にされている。ノズル１８には、ＨＭＤＳ供給管２０が連通して接続されており、ＨＭＤＳ供給管２０は、ＨＭＤＳの蒸気を含む窒素ガス（以下、「密着強化用ガス」という）の供給源に流路接続されている。密着強化用ガスは、例えば、図５に示した処理ガス供給手段１０２と同様に、ＨＭＤＳ溶液が貯留された密閉容器内へ窒素ガスを供給し、密閉容器内のＨＭＤＳ溶液を窒素ガスでバブリングしてＨＭＤＳの蒸気を発生させ、発生したＨＭＤＳ蒸気を窒素ガスと共に密閉容器内から排出することにより生成される。この密着強化用ガスが、ＨＭＤＳ供給管２０を通してノズル１８へ供給される。ノズル１８には、その内部を通過して吐出口から吐出されるＨＭＤＳの蒸気が狭い隙間を通過するために起こる圧力変動による結露を防止するために、加熱手段、例えば図２に示すようにラインヒータ２２をノズル１８に付設するようにするとよい。
【００２０】
なお、ノズル１８の吐出口をスリット状孔で形成するのに代えて、直線上に並列された複数の孔で吐出口を形成するようにしてもよい。また、ノズル１８の吐出口は、基板Ｗの主面に必ずしも近接させる必要は無い。さらに、ノズル１８は、実施形態のように傾斜姿勢で支持することが望ましいが、基板Ｗの主面に対して垂直に支持しても差し支えない。
【００２１】
また、ノズル１８が内方に配置されるように、ローラコンベアによって搬送される基板Ｗの主面に近接してＨＭＤＳ拡散室２４が配設されている。ＨＭＤＳ拡散室２４は、基板Ｗの主面と対向する下面が開口し、基板搬送方向と直交する幅方向における寸法が基板Ｗの幅寸法と同等もしくはそれ以上とされている。そして、密着強化用ガスの供給源からＨＭＤＳ供給管２０を通ってノズル１８へ密着強化用ガスが供給されノズル１８の吐出口から基板Ｗの主面に向けて密着強化用ガスが吐出されることにより、ＨＭＤＳ拡散室２４の内部全体にＨＭＤＳ蒸気が拡散して、ＨＭＤＳ拡散室２４内がＨＭＤＳ蒸気で満たされた雰囲気に保たれるように構成されている。この結果、処理チャンバ１０よりも少ない容積である拡散室２４内のＨＭＤＳ濃度は高くなる。
【００２２】
また、処理チャンバ１０内には、ノズル１８の、基板搬送方向における手前側に、ローラコンベアによって搬送される基板Ｗの主面を活性化させる手段、例えばプラズマ処理部２６が設けられている。プラズマ処理部２６は、ローラコンベアにより支持されて搬送される基板Ｗの主面と対向し近接するように下端に吐出口３０を有するノズル２８を備えている。ノズル２８の内部には、気体、例えば窒素ガスをプラズマ化する一対の電極３２ａ、３２ｂが配設されており、図示を省略しているが、一方の電極３２ａが電源に接続され、他方の電極３２ｂが接地されている。また、ノズル２８の内部には、ガス供給管３４が挿通されており、ガス供給管３４は、窒素ガスの供給源に流路接続されている。そして、窒素ガス供給源からガス供給管３４を通ってノズル２８へ窒素ガスが供給され、ノズル２８内へ供給された窒素ガスが、一対の電極３２ａ、３２ｂ間に発生したパルス電界中を通過することにより、窒素ガスがプラズマ化され、プラズマ化した窒素ガスがノズル２８の吐出口３０から基板Ｗの主面に向けて吐出されるようになっている。また、ガス供給管３４の途中には、ヒータ３６が付設されており、ヒータ３６によって窒素ガスが加熱され、加熱された窒素ガスが基板Ｗの主面へ供給されることにより、基板Ｗの温度が上昇して、ＨＭＤＳ拡散室２４内へ基板Ｗが搬入された際に基板Ｗの主面とＨＭＤＳとの反応性が高められる。
【００２３】
ＨＭＤＳ拡散室２４とプラズマ処理部２６との中間には、ローラコンベアによって搬送される基板Ｗの主面と対向し近接するように吸い込み口３８が配置された排気管４０が配設されている。この排気管４０を通し、ノズル２８の吐出口２０から基板Ｗの主面に向けて吐出された窒素ガスを吸引し排気することにより、窒素ガスがＨＭＤＳ拡散室２４内へ流れ込むのを防止するようにしている。また、処理チャンバ１０には排気口４２が設けられ、その排気口４２に排気管４４が連通接続されており、この排気管４４を通して処理チャンバ１０内の排気が行われる。これにより、処理チャンバ１０内から雰囲気ガスが漏れないようにされている。
【００２４】
上記した構成を備えた基板処理装置を使用して基板の主面にＨＭＤＳを被着させるときは、ローラコンベアによって基板Ｗを連続的に搬送しながら、ガス供給管３４を通して窒素ガスをノズル２８内へ送給し、ノズル２８の吐出口３０からプラズマ化し加熱された窒素ガスを基板Ｗの主面へ供給する。プラズマ化したガスが基板Ｗの主面へ供給されることにより、基板Ｗの主面が活性化される。続いて、基板ＷがＨＭＤＳ拡散室２４内へ搬入されると、密着強化用ガスの供給源からＨＭＤＳ供給管２０を通してノズル１８へ供給された密着強化用ガスが、ノズル１８の吐出口から活性化され加熱された基板Ｗの主面に向けて吐出され、ＨＭＤＳが基板Ｗの主面に被着させられる。このとき、密着強化用ガスは、ノズル１８のスリット状吐出口から基板Ｗの主面に向けて吐出されるので、基板Ｗの主面全体にわたって均等にＨＭＤＳの蒸気が供給される。したがって、基板Ｗの主面全体にわたって均一にＨＭＤＳが被着することとなる。また、ノズル１８の吐出口からのガス吐出方向が基板Ｗの主面と垂直な方向から基板搬送方向の側へ傾斜しているので、ノズル１８の吐出口から基板Ｗの主面へ吐出された密着強化用ガスが、ほとんど基板Ｗの基板搬送方向（基板Ｗの進行方向）へ流動してＨＭＤＳの蒸気が拡散することとなる。このため、基板Ｗの主面に対しＨＭＤＳの蒸気が効率良く供給されて、基板Ｗの主面へのＨＭＤＳの被着がより効果的に行われる。さらに、ＨＭＤＳの蒸気で満たされた雰囲気中を基板Ｗが搬送されることにより、ＨＭＤＳが基板Ｗの主面全体により強固にかつ均一に被着させられる。ＨＭＤＳ拡散室２４内を通過する間に主面にＨＭＤＳが被着された基板Ｗは、処理チャンバ１０内から搬出され、搬送機構により塗布処理部へ搬送され、塗布処理部において基板Ｗの主面にレジスト膜が形成される。
【００２５】
なお、プラズマ処理部２６の構成において、ガス供給管３４を通してノズル２８へ窒素ガスを供給する代わりに、ＨＭＤＳの蒸気を含む窒素ガス等の気体を供給するようにしてもよい。この場合には、基板Ｗの主面へのＨＭＤＳの被着がより高効率で行われる。また、ガス供給管３４の途中に付設されたヒータ３６は、特に必要が無ければ設けなくてもよい。さらに、基板Ｗの主面を活性化させる手段として、プラズマ処理部２６を設ける代わりに、例えば、ローラコンベアにより支持されて搬送される基板Ｗの主面に対向するように紫外線ランプを配設し、紫外線ランプから基板Ｗの主面に対して紫外線を照射することにより、基板Ｗの主面を活性化させるようにしてもよい。また、プラズマ処理部２６などの活性化手段を設けずに、加熱された高温の窒素ガス等を基板の主面に吹き付けることにより基板を、例えば８０℃以上の温度に加熱して、その高温の基板の主面へノズル１８の吐出口からＨＭＤＳを供給するようにしてもよい。
【００２６】
上記した実施形態では、ＨＭＤＳの蒸気を含む密着強化用ガスを基板Ｗの主面へ供給するノズル１８が内方に配置されたＨＭＤＳ拡散室２４とプラズマ処理部２６とを１つの処理チャンバ１０内に配設するようにしたが、図３に示すように、ＨＭＤＳ被着処理部４６とプラズマ処理部４８とを併設し、ＨＭＤＳ被着処理部４６のチャンバ５０内に、密着強化用ガスを基板Ｗの主面へ供給するノズル５４を配設し、プラズマ処理部４８のチャンバ５２内に、窒素ガス等の気体をプラズマ化して基板Ｗの主面へ吐出するノズル５６を配設するような構成としてもよい。
【００２７】
すなわち、ＨＭＤＳ被着処理部４６のチャンバ５０は、基板搬入口５８および基板搬出口６０が設けられた密閉構造を有しており、このチャンバ５０内に、密着強化用ガスを基板Ｗの主面へ吐出するノズル５４が配設されている。ノズル５４には、ＨＭＤＳ供給管６２が連通接続されており、このＨＭＤＳ供給管６２を通してＨＭＤＳの蒸気を含む密着強化用ガスがノズル５４へ供給されるようになっている。チャンバ５０には排気口６４が設けられ、その排気口６４に排気管６６が連通接続されており、この排気管６６を通してチャンバ５０内の排気が行われる。これにより、チャンバ５０内からＨＭＤＳを含む雰囲気ガスが漏れないようにされている。チャンバ５０の内部は常温に保たれ、その内部全体にＨＭＤＳ蒸気が拡散して、チャンバ５０内がＨＭＤＳ蒸気で満たされた雰囲気に保たれている。また、チャンバ５０内には、ＨＭＤＳ蒸気で満たされた雰囲気中を基板Ｗを搬送する複数の搬送ローラ６８からなるローラコンベアが配設されている。
【００２８】
プラズマ処理部４８には、基板搬入口７０および基板搬出口７２を有する密閉型のチャンバ５２内に、気体をプラズマ化して基板Ｗの主面へ吐出するノズル５６が配設されている。プラズマ処理部４８のチャンバ５２の基板搬出口７２は、ＨＭＤＳ被着処理部４６のチャンバ５０の基板搬入口５８と対向するように設けられている。ノズル５６には、ガス供給管７４が連通接続されており、このガス供給管７４を通して窒素、アルゴン、酸素等の気体がノズル５６へ供給されるようになっている。チャンバ５２には排気口７６が設けられ、その排気口７６に排気管７８が連通接続されており、この排気管７８を通してチャンバ５２内の排気が行われる。これにより、チャンバ５２内から雰囲気ガスが漏れないようにされている。チャンバ５２の内部は、常圧に保たれている。また、チャンバ５２内には、基板Ｗを搬送する複数の搬送ローラ８０からなるローラコンベアが配設されている。
【００２９】
図３に示した構成を有する基板処理装置においても、図１に示した装置と同様の作用効果が得られる。
【００３０】
また、上記実施形態では、ノズル１８、５４を固定し、そのノズル１８、５４の直下を通って基板Ｗをローラコンベアで搬送することにより、ノズル１８、５４から吐出されたＨＭＤＳを含む密着強化用ガスが基板Ｗの主面全体にわたって供給されるようになっているが、基板を固定し、ノズルを基板の主面に沿って移動させることにより、ノズルから密着強化用ガスを基板の主面全体にわたって供給するようにしてもよい。そのような実施形態の１例を図４に示す。
【００３１】
図４に示す基板処理装置の密着強化処理部は、基板搬出入口を有し密閉可能で、基板搬出入口がシャッタ８４によって開閉される処理チャンバ８２を備えている。処理チャンバ８２の内部には、ヒータを内蔵した載置台８６が設けられている。そして、基板Ｗは、載置台８６上に支持されて加熱されるようになっている。また、処理チャンバ８２内には、ＨＭＤＳの蒸気を含む密着強化用ガスを吐出するノズル８８が配設されている。ノズル８８は、載置台８６上に保持された基板Ｗの主面と対向し近接するように下端にスリット状孔からなる吐出口（あるいは直線上に並列された複数の孔からなる吐出口）を有している。このノズル８８は、載置台８６上の基板Ｗの主面に沿って水平方向へ移動自在に支持されており、図示しない駆動機構によって移動させられる。また、ノズル８８は、その吐出口からのガス吐出方向が、基板Ｗの主面と垂直な方向からノズル８８の移動方向の反対側へ傾斜した姿勢で支持されている。ノズル８８の吐出口は、その長手方向の寸法が基板Ｗの幅寸法とほぼ同等にされている。ノズル８８には、ＨＭＤＳ供給管９０が連通して接続されており、ＨＭＤＳ供給管９０は、ＨＭＤＳの蒸気を含む密着強化用ガスの供給源に流路接続されている。また、処理チャンバ８２の天井面には、ガス供給口９２が形設され、そのガス供給口９２にガス供給管９４が連通接続されている。そして、窒素ガスの供給源からガス供給管９４を通して処理チャンバ８２へ送給される窒素ガスが、ガス供給口９２を通って処理チャンバ８２内へ供給される用になっている。また、処理チャンバ８２の底部には、排気口９６が形設され、その排気口９６に排気管９８が連通接続されており、この排気管９８を通して処理チャンバ８２内の排気が行われる。
【００３２】
図４に示した構成を有する基板処理装置では、ノズル８８が載置台８６上の基板Ｗの一端側から他端側へ移動しつつ、ノズル８８の吐出口から密着強化用ガスが、加熱された基板Ｗの主面に向けて吐出される。そして、密着強化用ガスが基板Ｗの主面全体へ供給されて、ＨＭＤＳが基板Ｗの主面に被着させられる。このように、図４に示した構成を有する基板処理装置においても、図１に示した装置と同様の作用効果が得られる。
【００３３】
なお、上記した実施形態では、ＨＭＤＳを含む密着強化用ガスを吐出するノズルと基板とを直線的に相対移動させるようにしているが、例えば、ノズルと基板とを相対的に回動させるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】この発明の実施形態の１例を示し、基板の主面に密着強化剤を被着させた後に塗布膜を形成する基板処理装置の一部をなす密着強化処理部を模式的に示す概略構成図である。
【図２】図１に示した装置の構成要素であるノズル部分の拡大図である。
【図３】この発明の別の実施形態を示し、基板の主面に密着強化剤を被着させた後に塗布膜を形成する基板処理装置の一部をなすＨＭＤＳ被着処理部およびプラズマ処理部を模式的に示す概略構成図である。
【図４】この発明の更に別の実施形態を示し、基板の主面に密着強化剤を被着させた後に塗布膜を形成する基板処理装置の一部をなす密着強化処理部を模式的に示す概略構成図である。
【図５】基板の表面に密着強化剤を被着させる処理を行う従来の基板処理装置の１例を模式的に示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００３５】
Ｗ 基板
１０、８２ 処理チャンバ
１６、６８、８０ ローラコンベアの搬送ローラ
１８、５４、８８ 密着強化用ガス吐出用のノズル
２０、６２、９０ ＨＭＤＳ供給管
２２ ラインヒータ
２４ ＨＭＤＳ拡散室
２６、４８ プラズマ処理部
２８、５６ ノズル
３０ ノズルの吐出口
３４、７４、９４ ガス供給管
３６ ヒータ
４４、６６、７８、９８ 排気管
４６ ＨＭＤＳ被着処理部
５０、５２ チャンバ
８４ シャッタ
８６ 載置台
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の主面に密着強化剤を被着させた後に基板の主面に塗布膜を形成する基板処理装置において、
スリット状孔もしくは直線上に並列された複数の孔からなる吐出口を有し、密着強化剤の蒸気を含む密着強化用ガスを前記吐出口から基板の主面に向けて吐出する吐出手段と、
この吐出手段に対し基板を相対的に移動させる移動手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記移動手段は、前記吐出手段に対しその吐出口の長手方向と交差する方向へ基板を相対的に移動させるものであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置において、
前記吐出手段が固定され、前記移動手段が、基板を支持して水平方向へ搬送するローラコンベアであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記吐出手段の吐出口付近を加熱する加熱手段をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記吐出手段による密着強化用ガスの吐出方向が、基板の主面と垂直な方向から吐出手段に対する基板の相対的移動方向の側へ傾斜していることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１】
基板の主面に密着強化剤を被着させた後に基板の主面に塗布膜を形成する基板処理装置において、
スリット状孔もしくは直線上に並列された複数の孔からなる吐出口を有し、密着強化剤の蒸気を含む密着強化用ガスを前記吐出口から基板の主面に向けて吐出する吐出手段と、
この吐出手段に対し基板を相対的に移動させる移動手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記移動手段は、前記吐出手段に対しその吐出口の長手方向と交差する方向へ基板を相対的に移動させるものであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置において、
前記吐出手段が固定され、前記移動手段が、基板を支持して水平方向へ搬送するローラコンベアであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記吐出手段の吐出口付近を加熱する加熱手段をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記吐出手段による密着強化用ガスの吐出方向が、基板の主面と垂直な方向から吐出手段に対する基板の相対的移動方向の側へ傾斜していることを特徴とする基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００６−３１０６８２（Ｐ２００６−３１０６８２Ａ）
【公開日】平成１８年１１月９日（２００６．１１．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−１３４０００（Ｐ２００５−１３４０００）
【出願日】平成１７年５月２日（２００５．５．２）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１１月９日（２００６．１１．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年５月２日（２００５．５．２）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
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