基板検査装置および基板処理システム
【課題】基板の不良率を低減すること。
【解決手段】搬送されてきた基板のエッジに接触して基板を位置決めする複数のクランプ機構を備える複数の処理装置が配置された製造ライン上に設けられ、基板に対するクランプ機構ごとの接触位置を記憶する記憶部３３と、基板のエッジに生じた欠陥を検出してその位置を測定する欠陥位置測定部３７と、欠陥位置測定部３７によって測定された基板の欠陥位置と、記憶部３３に記憶されている基板に対する各クランプ機構の接触位置とを比較して、基板の欠陥位置に接触位置が対応するいずれかのクランプ機構を特定する制御部３９とを備えるエッジ検査装置１１を提供する。
【解決手段】搬送されてきた基板のエッジに接触して基板を位置決めする複数のクランプ機構を備える複数の処理装置が配置された製造ライン上に設けられ、基板に対するクランプ機構ごとの接触位置を記憶する記憶部３３と、基板のエッジに生じた欠陥を検出してその位置を測定する欠陥位置測定部３７と、欠陥位置測定部３７によって測定された基板の欠陥位置と、記憶部３３に記憶されている基板に対する各クランプ機構の接触位置とを比較して、基板の欠陥位置に接触位置が対応するいずれかのクランプ機構を特定する制御部３９とを備えるエッジ検査装置１１を提供する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板検査装置およびこれを備える基板処理システムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、ガラス基板のような透明板に発生したクラックを検出する装置として、透明板欠陥検査装置が知られている（特許文献１参照。）。
この透明板欠陥検査装置は、波長の異なる複数の光源からの光を基板に照射し、得られた画像に基づいてクラックを検出することとしている。
【特許文献１】特開２００４−３１７４７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、液晶用ガラス基板やプラズマディスプレイ用ガラス基板等のガラス基板は薄く、かつ、サイズが大型化しているため、その製造工程において取り扱われる際に撓んで、繰り返し内部応力が作用する。このため、単にガラス基板のエッジに形成されたクラックを検出するだけでは、検査のときはまだ小さな欠け欠陥が、後の工程において内部応力によりクラックに成長する可能性があり、このようなガラス基板を予め排除することができないという不都合がある。
【０００４】
例えば、２ｍ×２ｍクラスのガラス基板においては、製造装置や検査装置内で最初は小さな欠け欠陥が成長し、各製造装置あるいは検査装置内で割れてしまうと、そのガラスの排除および装置復旧に多大な時間を必要とし、生産効率に以前に増して影響する。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板の不良率を低減する検査装置およびこれを備える基板処理システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は以下の手段を採用する。
本発明は、搬送されてきた基板のエッジに接触して該基板を位置決めする位置決め機構を備える複数の処理装置が配置された搬送ライン上に設けられる基板検査装置であって、前記基板に対する前記位置決め機構ごとの接触位置を記憶する記憶部と、前記基板のエッジに生じた欠陥を検出してその位置を測定する欠陥位置測定部と、該欠陥位置測定部によって測定された前記基板の欠陥位置と、前記記憶部に記憶されている前記基板に対する各前記位置決め機構の接触位置とを比較して、前記基板の欠陥位置に前記接触位置が対応する前記位置決め機構を特定する特定部とを備える基板検査装置提供する。
【０００７】
本発明によれば、基板が搬送ライン上を搬送されて各処理装置に送られ、各処理装置において位置決め機構によって位置決めされて各種処理が行われる。各処理装置においては、位置決め機構が接触した際の衝撃によって基板のエッジに欠けが生じる可能性がある。
【０００８】
本発明に係る基板検査装置においては、欠陥位置測定部により、基板のエッジに生じた欠け等の欠陥が検出されてその欠陥位置が測定され、特定部により、その基板の欠陥位置に接触位置が対応する位置決め機構が特定されるので、特定された位置決め機構、すなわち、基板に欠陥を生じさせた位置決め機構に対して調整等を行うことができる。これにより、基板の不良率を低減することが可能となる。
【０００９】
上記発明においては、前記基板のエッジを撮影する撮影部を備え、前記欠陥位置測定部が、前記撮影部により取得された前記基板のエッジの画像に基づいて欠陥を検出することとしてもよい。
【００１０】
このように構成することで、撮影部および欠陥位置測定部により、位置決め機構との接触によって衝撃を受け易い基板のエッジに撮影範囲が制限されて欠陥の検出が行われるので、細かい欠け等の欠陥であっても効率的にかつ精度よく見つけることができる。
【００１１】
また、上記発明においては、前記特定部により前記基板の欠陥位置に対応する前記位置決め機構が特定された場合に、特定された前記位置決め機構を外部に報知する報知部を備えることとしてもよい。
【００１２】
このように構成することで、報知部の作動により、基板に欠陥を生じさせた位置決め機構が外部のオペレータに報知され、オペレータがこれを認識することができる。したがって、例えば、基板を位置決めする際の押しつけ圧力を弱める等の位置決め機構の調整に迅速に当たることができ、基板の欠陥の発生をより低減することができる。
【００１３】
本発明は、前記搬送ライン上に配置され、前記位置決め機構を有する複数の前記処理装置と、該処理装置によって処理された前記基板を検査する上記の基板検査装置とを備える基板処理システムを提供する。
【００１４】
本発明によれば、基板検査装置により、基板に欠陥を生じさせる処理装置を早期に発見して調整等に当たることができ、基板の不良率を低減することができる。
【００１５】
上記発明においては、各前記位置決め機構の前記基板に対する位置決め時の押付け圧力を調整する調整部と、前記特定部により前記基板の欠陥位置に対応する前記位置決め機構が特定された場合に、前記調整部の押付け圧力を制御する制御部とを備えることとしてもよい。
【００１６】
このように構成することで、調整部および制御部により、基板に欠陥を生じさせる処理装置の押付け圧力が調整されるので、押付け圧力が強すぎることによって生じるエッジの欠け等の基板の不良率を低減するとともに、早期の調整によって作業効率の向上を図ることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、基板の不良率を低減することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の一実施形態に係るエッジ検査装置（基板検査装置）１１およびこれを備える基板処理システム１００について、図面を参照して説明する。
本実施形態に係る基板処理システム１００は、例えば、図１に示すように、液晶ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）製造ライン（搬送ライン、以下「製造ライン」という。）１０に基板Ａの欠陥を検査するエッジ検査装置１１を備えるものである。
【００１９】
基板処理システム１００は、製造ライン１０間を搬送される基板Ａの表面を洗浄して薄膜を成膜する洗浄・成膜装置１と、洗浄・成膜装置１によって形成された基板Ａの薄膜上にフォトレジストを塗布するレジスト塗布装置３と、フォトレジストが塗布された基板Ａに対して露光を行う露光機５と、露光後の基板Ａに現像を行う現像装置７と、基板Ａの薄膜をエッチングし、薄膜上に残ったフォトレジストを剥離するエッチング・剥離装置９と、これらの装置（以下、「処理装置１，３，５，７，９」という。）を経由してＬＣＤ用のパターンＧａｔｅ、Ｎ＋、Ｓ／Ｄ、ＰａｓおよびＩＴＯが作成された基板Ａを検査するエッジ検査装置１１とを備えている。
【００２０】
また、基板処理システム１００には、図２に示すように、複数のローラ１３と一対のレール１５で構成される基板搬送装置１７と、基板搬送装置１７による基板Ａの搬送をコントロールする搬送コントローラ（図示略）とが設けられており、処理装置１，３，５，７，９およびエッジ検査装置１１がこの基板搬送装置１７上にそれぞれ間隔をあけて配置されている。この基板搬送装置１７は、搬送コントローラの作動により、基板Ａを一方向に搬送するものである。
【００２１】
各処理装置１，３，５，７，９には、図３に示すように、基板搬送装置１７により搬送されてきた基板Ａを静止して位置決めするための５つのクランプ機構（位置決め機構）２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅがそれぞれ設けられている。クランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅは、基板Ａの４辺を支持して位置決めするものである。
【００２２】
具体的には、クランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅは、基板Ａの搬送方向に対して先端のエッジに接触する基準クランプ機構２１Ａおよび一方の側端のエッジに接触する基準クランプ機構２１Ｂ，２１Ｃと、基板Ａを基準クランプ機構２１Ａに後端から押付ける押付クランプ機構２１Ｄと、基板Ａを基準クランプ機構２１Ｂ，２１Ｃに他方の側端から押付ける押付クランプ機構２１Ｅとに分けられる。
【００２３】
これらクランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅは、基板搬送装置１７のローラ１３間から上下方向に出没可能とされており、各処理装置１，３，５，７，９において基板Ａが搬送されてくると基板搬送装置１７上に上昇し、各処理装置１，３，５，７，９での処理が終わると基板搬送装置１７のローラ１３の下に引っ込むようになっている。
【００２４】
基準クランプ機構２１Ａは、処理装置１，３，５，７，９ごとに基板Ａの先端のエッジの異なる位置に接触するように配置されている。すなわち、各基準クランプ機構２１Ａは、基板搬送装置１７のレール１５が延在する方向に直交する方向において、処理装置１，３，５，７，９ごとに異なる位置に配置されている。したがって、処理装置１，３，５，７，９ごとに、基準クランプ機構２１Ａと基板Ａの先端のエッジとの接触位置を特定できるようになっている。言い換えれば、基板Ａに対する基準クランプ機構２１Ａの接触位置に基づいて、処理装置１，３，５，７，９のうちのいずれの基準クランプ機構２１Ａであるかを特定できるようになっている。
【００２５】
同様に、基準クランプ機構２１Ｂ，２１Ｃも、それぞれ処理装置１，３，５，７，９ごとに基板Ａの側端のエッジの異なる位置に接触するように配置されている。すなわち、各基準クランプ機構２１Ｂ，２１Ｃは、基板搬送装置１７のレール１５が延在する方向において、処理装置１，３，５，７，９ごとに異なる位置に配置されている。したがって、処理装置１，３，５，７，９ごとに、基準クランプ機構２１Ｂ，２１Ｃと基板Ａの側端のエッジとの接触位置をそれぞれ特定できるようになっている。また、基板Ａに対する基準クランプ機構２１Ｂ，２１Ｃの接触位置によっても、処理装置１，３，５，７，９のうちのいずれの基準クランプ機構２１Ｂ，２１Ｃであるかを特定できるようになっている。
【００２６】
また、押付クランプ機構２１Ｄ，２１Ｅも、それぞれ処理装置１，３，５，７，９ごとに基板Ａの後端のエッジまたは他方の側端のエッジの異なる位置に接触するように配置されている。したがって、処理装置１，３，５，７，９ごとに、押付クランプ機構２１Ｄと基板Ａの後端のエッジ、または、押付クランプ機構２１Ｅと他方の側端のエッジとの接触位置をそれぞれ特定できるようになっている。また、基板Ａに対する押付クランプ機構２１Ｄ，２１Ｅの接触位置によっても、処理装置１，３，５，７，９のうちのいずれの押付クランプ機構２１Ｄ，２１Ｅであるかを特定できるようになっている。
【００２７】
エッジ検査装置１１は、図４に示すように、３つの撮影部２３ａ，２３ｂ，２３ｃと、基板Ａのエッジの検査処理を行うシステム制御部３０とを備えている。
各撮影部２３ａ，２３ｂ，２３ｃは、基板搬送装置１７により搬送されている基板Ａのエッジから約１００ｍｍの範囲の画像を連続的に取得して、二次元的な画像を取得するものである。
【００２８】
撮影部２３ａ，２３ｂ，２３ｃは、図５に示すように、それぞれ一対の照明装置２５ａ，２５ｂ，２５ｃおよび撮影装置２６ａ，２６ｂ，２６ｃと、照明装置２５ａ，２５ｂ，２５ｃおよび撮影装置２６ａ，２６ｂ，２６ｃによる撮影をそれぞれコントロールする撮影コントローラ（図示略）とを備えている。
【００２９】
これら撮影部２３ａ，２３ｂ，２３ｃは、撮影コントローラの作動により、照明装置２５ａ，２５ｂ，２５ｃから基板Ａに向けて照明光が発せられ、基板Ａの表面で反射した反射光が撮影装置２６ａ，２６ｂ，２６ｃにより撮影されるようになっている。
【００３０】
各照明装置２５ａ，２５ｂ，２５ｃは、基板搬送装置１７上の基板Ａの表面に対して、照明光の光軸が所定の傾斜角度に傾けて配置されている。
各撮影装置２６ａ，２６ｂ，２６ｃは、例えば、ラインセンサカメラであり、基板搬送装置１７上の基板Ａの表面に対して、その光軸を所定の傾斜角度に傾けるとともに、各照明装置２５ａ，２５ｂ，２５ｃによる照明範囲の中心に光軸を一致させるように配置されている。
【００３１】
撮影部２３ａおよび撮影部２３ｂは、互いに一方のレール１５と他方のレール１５に配置されている。これら撮影部２３ａの照明装置２５ａおよび撮影装置２６ａと、撮影部２３ｂの照明装置２５ｂおよび撮影装置２６ｂは、それぞれ固定部材（図示略）によってレール１５上に固定されている。このように配置された照明装置２５ａおよび撮影装置２６ａと、照明装置２５ｂおよび撮影装置２６ｂは、基板Ａの搬送方向に対する両側端部のエッジから約１００ｍｍの範囲を撮影するようになっている。
【００３２】
撮影部２３ｃは、撮影部２３ａ，２３ｂよりも基板Ａの搬送方向の下流側に配置されている。この撮影部２３ｃは、図６に示すように、基板搬送装置１７のレール１５が延在する方向に直交するように一対のレール１５に架け渡される架渡し部２７と、架渡し部２７に沿って移動可能に支持されるスライダ２９とを備えており、照明装置２５ｃおよび撮影装置２６ｃが固定部材（図示略）によってスライダ２９に固定されている。
【００３３】
照明装置２５ｃおよび撮影装置２６ｃは、撮影コントローラの作動により、基板Ａの搬送方向に対して直交するように移動され、基板Ａの搬送方向に対する先端および後端のそれぞれエッジから約１００ｍｍの範囲を撮影するようになっている。
【００３４】
システム制御部３０は、搬送コントローラおよび撮影コントローラとの通信を行う通信部３１と、各処理装置１，３，５，７，９のクランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅごとの配置位置を記憶する記憶部３３と、各撮影部２３ａ，２３ｂ，２３ｃにより取得された基板Ａのエッジの画像を処理する画像処理部３５と、画像処理部３５により得られた画像情報から欠陥を検出してその位置を測定する欠陥位置測定部３７と、基板Ａの欠陥位置に接触位置が対応するいずれかのクランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅを特定する制御部（特定部）３９とを備えている。以下、特定されたクランプ機構を「クランプ機構ＩＤ」と表記する。
【００３５】
また、システム制御部３０には、欠陥位置測定部３７により検出された欠陥の画像や検査プログラムのＧＵＩを表示する表示部４１と、制御部３９により基板Ａの欠陥位置に対応するいずれかのクランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅが特定された場合に、クランプ機構ＩＤを外部に報知する報知部４３と、ユーザインターフェースのための操作部４５と、通信部３１と通信可能に設けられ、オペレータへの通知処理が行われる上位システム（報知部）４７とが接続されている。
【００３６】
通信部３１は、基板Ａの搬送時に搬送コントローラと通信したり、基板Ａの撮影時に撮影コントローラと通信したりするほか、押付け圧力等を見直す必要があるいずれかのクランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅが特定された場合に上位システム４７に通知するようになっている。
【００３７】
記憶部３３には、処理装置１，３，５，７，９ごとの各クランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅの配置位置、すなわち、処理装置１，３，５，７，９ごとの各クランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅの基板Ａとの接触位置のＸ座標およびＹ座標（以下、「接触位置情報」という。）がそれぞれ記憶されるようになっている。また、記憶部３３には、エッジ検査の結果が保存されることとしてもよい。
【００３８】
画像処理部３５は、撮影装置２６ａ，２６ｂ，２６ｃにそれぞれ接続されており、撮影装置２６ａ，２６ｂ，２６ｃにより取得された基板Ａの４辺のエッジの画像の画像処理を行うものである。
【００３９】
欠陥位置測定部３７は、画像処理部３５から送られてくる画像情報から基板Ａの欠陥を検出し、欠陥の位置座標（Ｘ座標およびＹ座標）を測定するものである。欠陥としては、例えば、図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、基板Ａのエッジから内側に向かって線状に延びるひび割れ（クラック）Ｄや、図７（ｃ）に示すように、基板Ａのエッジの一部が切り欠かれて脱落した欠け（欠損）Ｅが挙げられる。
【００４０】
欠陥の検出方法としては、例えば、搬送されている基板Ａと同種類の正常な、すなわち、欠陥がない基板の明るさデータが欠陥位置測定部３７に入力されており、この正常な基板の明るさデータと、画像情報から得られた基板Ａの明るさデータとの差分が算出されることによって欠陥が検出されることとしてもよい。この場合、正常な基板の明るさデータの値を０とし、また、同じ基板でも明るさにばらつきがあるので差分が所定の許容値以下なら欠陥なし、許容値以上なら欠陥ありと判断すればよい。
【００４１】
また、欠陥位置測定部３７は、欠陥がクラックであるか、あるいは、欠けであるかを判定し、欠けである場合にはその面積を算出するようになっている。さらに、欠陥位置測定部３７は、欠けの面積が所定の閾値より大きいか否かにより、欠陥の程度を判定するようになっている。
【００４２】
また、欠陥位置測定部３７は、検出された基板Ａの全ての欠陥について、欠陥位置情報（Ｘ座標およびＹ座標）を算出するようになっている。算出された欠陥の座標位置は、画像データ等とともに欠陥位置情報として欠陥位置測定部３７から制御部３９へ送られるようになっている。
【００４３】
制御部３９は、欠陥位置測定部３７から送られてくる欠陥位置情報と、記憶部３３に記憶されている接触位置情報とを比較して、欠陥位置情報に接触位置情報が対応するいずれかのクランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅ、すなわち、基板Ａの欠陥位置のＸ座標およびＹ座標に、基板Ａとの接触位置のＸ座標およびＹ座標がほぼ一致するいずれかのクランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅを特定するようになっている。
【００４４】
また、制御部３９は、いずれかのクランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅを特定すると、そのクランプ機構ＩＤを通信部３１を介して上位システム４７に通知するようになっている。また、制御部３９は、画像データを表示部４１に送り、欠陥の画像を表示させるようになっている。
【００４５】
また、制御部３９は、報知部４３による警報のＯＮ／ＯＦＦを制御するようになっている。具体的には、制御部３９は、欠陥がクラックである場合に、報知部４３の警報フラグをＯＮして警報を鳴らすようになっている。この動作は、警報中であることを記憶するために、記憶部３３の領域に警報フラグがＯＮであることを示すデータが書き込まれることで実現される。また、制御部３９は、警報を止める場合には警報フラグをＯＦＦするようになっている。
【００４６】
また、制御部３９は、クランプ機構ＩＤの確認処理を行うようになっている。具体的には、欠陥が面積の大きい欠けである場合に、基板のナンバー、基板種等必要な工程データおよび画像データ等とともにクランプ機構ＩＤを上位システム４７に通知するようになっている。
【００４７】
また、制御部３９は、クランプ機構ＩＤの監視処理を行うようになっている。具体的には、欠陥が面積の小さい欠けである場合に、基板のナンバー、基板種等必要な工程データおよび画像データ等とともに、クランプ機構ＩＤを記憶部３３に保存するようになっている。そして、同じクランプ機構ＩＤの監視処理回数が規定値以上になると、そのクランプ機構ＩＤの確認処理を行うようになっている。
【００４８】
上位システム４７は、通信部３１を介してクランプ機構ＩＤが通信されると、オペレータにそのクランプ機構ＩＤを通知するようになっている。これにより、オペレータは、どの処理装置１，３，５，７，９のどのクランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅを見直す必要があるかを認識することが可能となる。
【００４９】
報知部４３は、制御部３９の作動により、警報フラグがＯＮされると警報を発し、警報フラグがＯＦＦされると警報を止めるようになっている。
【００５０】
このように構成された本実施形態に係るエッジ検査装置１１およびこれを備える基板処理システム１００の作用について説明する。
製造ライン１０においては、搬送コントローラの作動により、基板Ａが基板搬送装置１７上を搬送されて各処理装置１，３，５，７，９に順に送られる。
【００５１】
各処理装置１，３，５，７，９では、基板Ａが基準クランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃに接触し、押付クランプ機構２１Ｄ，２１Ｅによって基板Ａが基準クランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃに押付けられることにより位置決めされる。位置決めされた基板Ａには各処理が行われる。
【００５２】
このように基板Ａは、薄膜を成膜する洗浄・成膜装置１、レジスト塗布装置３、露光機５、現像装置７、エッチング・剥離装置９を順に経由することにより、ＬＣＤ用のパターンＧａｔｅ、Ｎ＋、Ｓ／Ｄ、ＰａｓおよびＩＴＯが作成され、その後、エッジ検査装置１１へと搬送されて欠陥検査が行われる。
【００５３】
エッジ検査装置１１においては、まず、基板Ａが撮影部２３ａ，２３ｂまで搬送されてくると、搬送コントローラにより、基板Ａが到達したことを知らせる信号が撮影コントローラに送信される。
【００５４】
撮影コントローラは、基板Ａの到達が通知されると、撮影の開始を知らせる信号を搬送コントローラ１３に送信し、撮影装置２６ａ，２６ｂによる撮影を開始する。搬送コントローラ１３は、撮影開始が通知されると、撮影装置２６ａ，２６ｂによる撮影に適した一定速度となるように基板Ａの搬送をコントロールする。
【００５５】
そして、撮影部２３ａの照明装置２５ａおよび撮影装置２６ａと、撮影部２３ｂの照明装置２５ｂおよび撮影装置２６ｂにより、基板Ａの両側端のエッジの画像が取得される。
基板Ａの先端が撮影部２３ｃのところまでくると、搬送コントローラにより基板Ａの搬送が停止され、基板Ａの先端が撮影部２３ｃに到達したことを知らせる信号が撮影コントローラに送られる。
【００５６】
撮影コントローラ１３は、基板Ａの先端の到達が通知されると、撮影装置２６ａ，２６ｂによる撮影を終了する。続いて、撮影部２３ｃの照明装置２５ｃおよび撮影装置２６ｃが架渡し部２７に沿って基板Ａの搬送方向に直交するように移動させられ、基板Ａの先端のエッジが撮影される。
【００５７】
撮影部２３ｃが基板端までくると、撮影装置２６ｃによる撮影が終了され、撮影コントローラから搬送コントローラに搬送信号が送られる。搬送コントローラは、搬送信号が通知されると基板Ａをさらに搬送する。基板Ａの後端が撮影部２３ｃまでくると、搬送コントローラにより基板Ａの搬送が停止され、基板Ａの後端が撮影装置２６ｃに到達したことを知らせる信号が撮影コントローラに送信される。
【００５８】
撮影コントローラは、基板Ａの後端の到達が通知されると、撮影部２３ｃの照明装置２５ｃおよび撮影装置２６ｃを架渡し部２７に沿って基板Ａの先端の撮影時の移動方向とは逆方向に移動させながら、基板Ａの後端のエッジの撮影を行う。
撮影部２３ｃが基板端までくると、撮影装置２６ｃによる撮影が終了される。
【００５９】
次に、このようにして撮影された基板Ａのエッジの欠陥検査について、図８に示すフローチャートを参照して説明する。
撮影装置２６ａ，２６ｂ，２６ｃにより取得された基板Ａの４辺のエッジの画像は、画像処理部３５に読み込まれて画像処理される（ステップＳＡ１）。画像処理部３５により得られた画像情報は、欠陥位置測定部３７に送られて基板Ａの欠陥検出処理が行われる（ステップＳＡ２）。
【００６０】
欠陥位置測定部３７においては、まず、基板Ａのエッジにクラックが存在するか否かが判定される（ステップＳＡ３）。クラックが存在すると判定されると（ステップＳＡ３「ＹＥＳ」）、欠陥位置測定部３７によりそのクラックの座標位置が測定されて、欠陥位置情報が制御部３９に送られる（ステップＳＡ４）。
【００６１】
制御部３９においては、欠陥位置測定部３７から欠陥位置情報が送られてくると、欠陥の画像データが表示部４１に送られるとともに、記憶部３３に記憶されている処理装置１，３，５，７，９ごとの各クランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅの接触位置情報が読み出される。そして、欠陥位置情報と接触位置情報とが比較され、制御部３９により、欠陥位置情報に接触位置情報が対応するいずれかのクランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅが特定される（ステップＳＡ５）。
【００６２】
いずれかのクランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅが特定されると、制御部３９により、報知部４３の警報フラグがＯＮされる（ステップＳＡ６）。報知部４３においては、警報フラグがＯＮされるとサイレン等の警報が発せられる。これにより、オペレータは、基板Ａにクラックが発生したことを認識することができる。また、表示部４１には欠陥の画像が表示され、オペレータが欠陥を確認することができる。
【００６３】
操作部４５において警報ＯＦＦのスイッチ（図示略）が押されると、制御部３９により警報フラグがＯＦＦされて、警報が止められる（ステップＳＡ７）。
欠陥検査はステップＳＡ３へと戻る。
【００６４】
ステップＳＡ３において、欠陥位置測定部３７により、クラックが存在しないと判定されると（ステップＳＡ３「ＮＯ」）、次に、欠けが存在するか否か判定される（ステップＳＡ８）。
【００６５】
欠けが存在すると判定されると（ステップＳＡ８「ＹＥＳ」）、欠陥位置測定部３７により、欠けの座標位置が測定される。また、欠けの面積が算出されて欠けが所定の閾値より大きいか否かが判定される。欠陥位置測定部３７により得られた欠陥位置情報と欠陥程度情報は制御部３９に送られる（ステップＳＡ９）。
【００６６】
制御部３９においては、欠陥位置測定部３７から欠陥位置情報と欠陥程度情報が送られてくると、欠陥の画像データが表示部４１に送られるとともに、記憶部３３に記憶されている処理装置１，３，５，７，９ごとの各クランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅの接触位置情報が読み出される。そして、欠陥位置情報と接触位置情報とが比較され、欠陥位置情報に接触位置情報が対応するいずれかのクランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅが特定される（ステップＳＡ１０）。
【００６７】
そして、欠けの面積が大きい場合には（ステップＳＡ１１「ＹＥＳ」）、制御部３９により、クランプ機構ＩＤの確認処理が行われる（ステップＳＡ１２）。具体的には、基板ナンバー、基板種等必要な工程データおよび欠陥の画像データ等とともに、クランプ機構ＩＤが制御部３９から上位システム４７に送られる。
【００６８】
上位システム４７においては、どの処理装置１，３，５，７，９のどのクランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅを見直す必要があるかがオペレータに通知される。また、表示部４１には欠陥の画像データが表示される。これにより、オペレータは、そのクランプ機構ＩＤの押しつけ圧力を弱める等の調整に早期に当たることができる。
欠陥検査はステップＳＡ８へと戻る。
【００６９】
一方、欠けの面積が小さい場合には（ステップＳＡ１１「ＮＯ」）、制御部３９により、クランプ機構ＩＤの監視処理が行われる（ステップＳＡ１３）。具体的には、制御部３９により、そのクランプ機構ＩＤが監視対象とされ、基板ナンバー、基板種等必要な工程データおよび画像データ等とともにクランプ機構ＩＤが記憶部３３に記憶される。
【００７０】
制御部３９により、同じクランプ機構ＩＤに対する監視回数が規定値以上か確認され、規定値以上であるとそのクランプ機構ＩＤについて確認処理が行われる。
欠陥検査はステップＳＡ８へと戻る。
欠陥位置測定部３７により、クラックも欠けも存在しないと判定されると（ステップＳＡ８「ＮＯ」）、欠陥検査は終了する。
【００７１】
以上説明したように、本実施形態に係るエッジ検査装置１１およびこれを備える基板処理システム１００によれば、制御部３９により、予め記憶した各処理装置１，３，５，７，９の接触位置と基板Ａの欠陥位置とが対応付けられることで、どの処理装置内で欠陥が発生したかを特定することができる。
【００７２】
また、制御部３９により、基板Ａに欠陥を生じさせたいずれかのクランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅが特定されると、警報が鳴らされたりそのクランプ機構ＩＤが報知されたりするので、オペレータは、クラックの発生を認識したりクランプ機構ＩＤの調整等に早期に当たったりすることができる。これにより、基板Ａの不良率を低減することが可能となる。また、１製造ライン１０につき１つのエッジ検査装置１１で欠陥検査を実現することができる。
【００７３】
また、小さな欠けが検出された場合に、その画像データをクランプ機構ＩＤ等と関連付けて記憶部３３に保存するので、画像データが蓄積されることによりその欠陥が大きくなっていくか、すなわち、そのクランプ機構ＩＤに不具合が生じているかを監視することができる。
【００７４】
なお、本実施形態においては、欠陥がクラックであるか欠けであるかによって、警報を発したり、あるいは、クランプ機構ＩＤをオペレータに通知したりすることとしたが、例えば、欠陥がクラックである場合にもクランプ機構ＩＤをオペレータに通知することとしてもよいし、また、欠陥が欠けである場合にも警報を発することとしてもよい。
【００７５】
また、本実施形態においては、欠陥位置測定部３７が、欠陥が欠けである場合にその欠陥の程度を判定することとしたが、欠陥がクラックである場合にも、その長さを算出して所定の閾値より長いか否かよってクラックの程度を判定することとしてもよい。この場合、クラックの長さに応じて、警報を発したり、クランプ機構ＩＤの確認処理や監視処理を行ったりすることとしてもよい。
【００７６】
また、本実施形態は、以下のように変形することができる。
例えば、各処理装置１，３，５，７，９が、クランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅの押付け圧力等を調整する調整部（図示略）をさらに備え、制御部３９がこの調整部を制御することとしてもよい。
【００７７】
この場合、例えば、各調整部は、押付クランプ機構２１Ｄおよび押付クランプ機構２１Ｅによる基準クランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃへの押付け力を調整可能とすることとし、また、制御部３９は、クランプ機構ＩＤを特定した場合に、欠陥の程度に応じて、該当する押付クランプ２１Ｄまたは押付クランプ２１Ｅの押付け力を弱めるように、調整部を制御することとすればよい。例えば、欠陥が基板の先端または後端に生じた場合には、押付クランプ２１Ｄによる押付け力を弱め、欠陥が基板の側端に生じた場合には、押付クランプ２１Ｅによる押付け力を弱めることとしてもよい。
【００７８】
このようにすることで、オペレータによらずクランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅの押付け圧力等の調整が行われるので、押付け圧力が強すぎることによって生じるエッジの欠陥を防ぎ、基板Ａの不良率を低減するとともに、より早い調整によって作業効率の向上を図ることができる。
【００７９】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
例えば、上記実施形態においては、５つのクランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅを例示して説明したが、各処理装置１，３，５，７，９において基板Ａを位置決めすることができればよく、クランプ機構の数はこれに限定されるものではない。
また、上記実施形態においては、エッジ検査装置１１を製造ライン１０の下流側に１つ配置することとしたが、例えば、処理装置１，３，５，７，９間に適宜エッジ検査装置１１を配置することとしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る基板搬送装置、および、その上を搬送される基板の概略構成を上方から示した図である。
【図３】図２の基板搬送装置の各処理装置における概略構成を上方から示した図である。
【図４】図１のエッジ検査装置のブロック図である。
【図５】図４の撮影部を基板の搬送方向に対して側方から示した概略図である。
【図６】図５の撮影部のうち基板の搬送方向に対して直交する方向に移動可能な撮影部を上方から示した概略図である。
【図７】（ａ）は基板に生じた長いクラックを示し、（ｂ）は基板に生じた短いクラックを示し、（ｃ）は基板に生じた欠けを示した図である。
【図８】図４のエッジ検査装置による基板の欠陥検査の流れを示すフローチャート図である。
【符号の説明】
【００８１】
１，３，５，７，９ 処理装置
１０ 液晶ＴＦＴ製造ライン（搬送ライン）
１１ エッジ検査装置（基板検査装置）
２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ クランプ機構（位置決め機構）
２３ａ，２３ｂ，２３ｃ 撮影部
３３ 記憶部
３７ 欠陥位置測定部
３９ 制御部（特定部）
４５ 報知部
Ａ 基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板検査装置およびこれを備える基板処理システムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、ガラス基板のような透明板に発生したクラックを検出する装置として、透明板欠陥検査装置が知られている（特許文献１参照。）。
この透明板欠陥検査装置は、波長の異なる複数の光源からの光を基板に照射し、得られた画像に基づいてクラックを検出することとしている。
【特許文献１】特開２００４−３１７４７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、液晶用ガラス基板やプラズマディスプレイ用ガラス基板等のガラス基板は薄く、かつ、サイズが大型化しているため、その製造工程において取り扱われる際に撓んで、繰り返し内部応力が作用する。このため、単にガラス基板のエッジに形成されたクラックを検出するだけでは、検査のときはまだ小さな欠け欠陥が、後の工程において内部応力によりクラックに成長する可能性があり、このようなガラス基板を予め排除することができないという不都合がある。
【０００４】
例えば、２ｍ×２ｍクラスのガラス基板においては、製造装置や検査装置内で最初は小さな欠け欠陥が成長し、各製造装置あるいは検査装置内で割れてしまうと、そのガラスの排除および装置復旧に多大な時間を必要とし、生産効率に以前に増して影響する。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板の不良率を低減する検査装置およびこれを備える基板処理システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は以下の手段を採用する。
本発明は、搬送されてきた基板のエッジに接触して該基板を位置決めする位置決め機構を備える複数の処理装置が配置された搬送ライン上に設けられる基板検査装置であって、前記基板に対する前記位置決め機構ごとの接触位置を記憶する記憶部と、前記基板のエッジに生じた欠陥を検出してその位置を測定する欠陥位置測定部と、該欠陥位置測定部によって測定された前記基板の欠陥位置と、前記記憶部に記憶されている前記基板に対する各前記位置決め機構の接触位置とを比較して、前記基板の欠陥位置に前記接触位置が対応する前記位置決め機構を特定する特定部とを備える基板検査装置提供する。
【０００７】
本発明によれば、基板が搬送ライン上を搬送されて各処理装置に送られ、各処理装置において位置決め機構によって位置決めされて各種処理が行われる。各処理装置においては、位置決め機構が接触した際の衝撃によって基板のエッジに欠けが生じる可能性がある。
【０００８】
本発明に係る基板検査装置においては、欠陥位置測定部により、基板のエッジに生じた欠け等の欠陥が検出されてその欠陥位置が測定され、特定部により、その基板の欠陥位置に接触位置が対応する位置決め機構が特定されるので、特定された位置決め機構、すなわち、基板に欠陥を生じさせた位置決め機構に対して調整等を行うことができる。これにより、基板の不良率を低減することが可能となる。
【０００９】
上記発明においては、前記基板のエッジを撮影する撮影部を備え、前記欠陥位置測定部が、前記撮影部により取得された前記基板のエッジの画像に基づいて欠陥を検出することとしてもよい。
【００１０】
このように構成することで、撮影部および欠陥位置測定部により、位置決め機構との接触によって衝撃を受け易い基板のエッジに撮影範囲が制限されて欠陥の検出が行われるので、細かい欠け等の欠陥であっても効率的にかつ精度よく見つけることができる。
【００１１】
また、上記発明においては、前記特定部により前記基板の欠陥位置に対応する前記位置決め機構が特定された場合に、特定された前記位置決め機構を外部に報知する報知部を備えることとしてもよい。
【００１２】
このように構成することで、報知部の作動により、基板に欠陥を生じさせた位置決め機構が外部のオペレータに報知され、オペレータがこれを認識することができる。したがって、例えば、基板を位置決めする際の押しつけ圧力を弱める等の位置決め機構の調整に迅速に当たることができ、基板の欠陥の発生をより低減することができる。
【００１３】
本発明は、前記搬送ライン上に配置され、前記位置決め機構を有する複数の前記処理装置と、該処理装置によって処理された前記基板を検査する上記の基板検査装置とを備える基板処理システムを提供する。
【００１４】
本発明によれば、基板検査装置により、基板に欠陥を生じさせる処理装置を早期に発見して調整等に当たることができ、基板の不良率を低減することができる。
【００１５】
上記発明においては、各前記位置決め機構の前記基板に対する位置決め時の押付け圧力を調整する調整部と、前記特定部により前記基板の欠陥位置に対応する前記位置決め機構が特定された場合に、前記調整部の押付け圧力を制御する制御部とを備えることとしてもよい。
【００１６】
このように構成することで、調整部および制御部により、基板に欠陥を生じさせる処理装置の押付け圧力が調整されるので、押付け圧力が強すぎることによって生じるエッジの欠け等の基板の不良率を低減するとともに、早期の調整によって作業効率の向上を図ることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、基板の不良率を低減することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の一実施形態に係るエッジ検査装置（基板検査装置）１１およびこれを備える基板処理システム１００について、図面を参照して説明する。
本実施形態に係る基板処理システム１００は、例えば、図１に示すように、液晶ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）製造ライン（搬送ライン、以下「製造ライン」という。）１０に基板Ａの欠陥を検査するエッジ検査装置１１を備えるものである。
【００１９】
基板処理システム１００は、製造ライン１０間を搬送される基板Ａの表面を洗浄して薄膜を成膜する洗浄・成膜装置１と、洗浄・成膜装置１によって形成された基板Ａの薄膜上にフォトレジストを塗布するレジスト塗布装置３と、フォトレジストが塗布された基板Ａに対して露光を行う露光機５と、露光後の基板Ａに現像を行う現像装置７と、基板Ａの薄膜をエッチングし、薄膜上に残ったフォトレジストを剥離するエッチング・剥離装置９と、これらの装置（以下、「処理装置１，３，５，７，９」という。）を経由してＬＣＤ用のパターンＧａｔｅ、Ｎ＋、Ｓ／Ｄ、ＰａｓおよびＩＴＯが作成された基板Ａを検査するエッジ検査装置１１とを備えている。
【００２０】
また、基板処理システム１００には、図２に示すように、複数のローラ１３と一対のレール１５で構成される基板搬送装置１７と、基板搬送装置１７による基板Ａの搬送をコントロールする搬送コントローラ（図示略）とが設けられており、処理装置１，３，５，７，９およびエッジ検査装置１１がこの基板搬送装置１７上にそれぞれ間隔をあけて配置されている。この基板搬送装置１７は、搬送コントローラの作動により、基板Ａを一方向に搬送するものである。
【００２１】
各処理装置１，３，５，７，９には、図３に示すように、基板搬送装置１７により搬送されてきた基板Ａを静止して位置決めするための５つのクランプ機構（位置決め機構）２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅがそれぞれ設けられている。クランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅは、基板Ａの４辺を支持して位置決めするものである。
【００２２】
具体的には、クランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅは、基板Ａの搬送方向に対して先端のエッジに接触する基準クランプ機構２１Ａおよび一方の側端のエッジに接触する基準クランプ機構２１Ｂ，２１Ｃと、基板Ａを基準クランプ機構２１Ａに後端から押付ける押付クランプ機構２１Ｄと、基板Ａを基準クランプ機構２１Ｂ，２１Ｃに他方の側端から押付ける押付クランプ機構２１Ｅとに分けられる。
【００２３】
これらクランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅは、基板搬送装置１７のローラ１３間から上下方向に出没可能とされており、各処理装置１，３，５，７，９において基板Ａが搬送されてくると基板搬送装置１７上に上昇し、各処理装置１，３，５，７，９での処理が終わると基板搬送装置１７のローラ１３の下に引っ込むようになっている。
【００２４】
基準クランプ機構２１Ａは、処理装置１，３，５，７，９ごとに基板Ａの先端のエッジの異なる位置に接触するように配置されている。すなわち、各基準クランプ機構２１Ａは、基板搬送装置１７のレール１５が延在する方向に直交する方向において、処理装置１，３，５，７，９ごとに異なる位置に配置されている。したがって、処理装置１，３，５，７，９ごとに、基準クランプ機構２１Ａと基板Ａの先端のエッジとの接触位置を特定できるようになっている。言い換えれば、基板Ａに対する基準クランプ機構２１Ａの接触位置に基づいて、処理装置１，３，５，７，９のうちのいずれの基準クランプ機構２１Ａであるかを特定できるようになっている。
【００２５】
同様に、基準クランプ機構２１Ｂ，２１Ｃも、それぞれ処理装置１，３，５，７，９ごとに基板Ａの側端のエッジの異なる位置に接触するように配置されている。すなわち、各基準クランプ機構２１Ｂ，２１Ｃは、基板搬送装置１７のレール１５が延在する方向において、処理装置１，３，５，７，９ごとに異なる位置に配置されている。したがって、処理装置１，３，５，７，９ごとに、基準クランプ機構２１Ｂ，２１Ｃと基板Ａの側端のエッジとの接触位置をそれぞれ特定できるようになっている。また、基板Ａに対する基準クランプ機構２１Ｂ，２１Ｃの接触位置によっても、処理装置１，３，５，７，９のうちのいずれの基準クランプ機構２１Ｂ，２１Ｃであるかを特定できるようになっている。
【００２６】
また、押付クランプ機構２１Ｄ，２１Ｅも、それぞれ処理装置１，３，５，７，９ごとに基板Ａの後端のエッジまたは他方の側端のエッジの異なる位置に接触するように配置されている。したがって、処理装置１，３，５，７，９ごとに、押付クランプ機構２１Ｄと基板Ａの後端のエッジ、または、押付クランプ機構２１Ｅと他方の側端のエッジとの接触位置をそれぞれ特定できるようになっている。また、基板Ａに対する押付クランプ機構２１Ｄ，２１Ｅの接触位置によっても、処理装置１，３，５，７，９のうちのいずれの押付クランプ機構２１Ｄ，２１Ｅであるかを特定できるようになっている。
【００２７】
エッジ検査装置１１は、図４に示すように、３つの撮影部２３ａ，２３ｂ，２３ｃと、基板Ａのエッジの検査処理を行うシステム制御部３０とを備えている。
各撮影部２３ａ，２３ｂ，２３ｃは、基板搬送装置１７により搬送されている基板Ａのエッジから約１００ｍｍの範囲の画像を連続的に取得して、二次元的な画像を取得するものである。
【００２８】
撮影部２３ａ，２３ｂ，２３ｃは、図５に示すように、それぞれ一対の照明装置２５ａ，２５ｂ，２５ｃおよび撮影装置２６ａ，２６ｂ，２６ｃと、照明装置２５ａ，２５ｂ，２５ｃおよび撮影装置２６ａ，２６ｂ，２６ｃによる撮影をそれぞれコントロールする撮影コントローラ（図示略）とを備えている。
【００２９】
これら撮影部２３ａ，２３ｂ，２３ｃは、撮影コントローラの作動により、照明装置２５ａ，２５ｂ，２５ｃから基板Ａに向けて照明光が発せられ、基板Ａの表面で反射した反射光が撮影装置２６ａ，２６ｂ，２６ｃにより撮影されるようになっている。
【００３０】
各照明装置２５ａ，２５ｂ，２５ｃは、基板搬送装置１７上の基板Ａの表面に対して、照明光の光軸が所定の傾斜角度に傾けて配置されている。
各撮影装置２６ａ，２６ｂ，２６ｃは、例えば、ラインセンサカメラであり、基板搬送装置１７上の基板Ａの表面に対して、その光軸を所定の傾斜角度に傾けるとともに、各照明装置２５ａ，２５ｂ，２５ｃによる照明範囲の中心に光軸を一致させるように配置されている。
【００３１】
撮影部２３ａおよび撮影部２３ｂは、互いに一方のレール１５と他方のレール１５に配置されている。これら撮影部２３ａの照明装置２５ａおよび撮影装置２６ａと、撮影部２３ｂの照明装置２５ｂおよび撮影装置２６ｂは、それぞれ固定部材（図示略）によってレール１５上に固定されている。このように配置された照明装置２５ａおよび撮影装置２６ａと、照明装置２５ｂおよび撮影装置２６ｂは、基板Ａの搬送方向に対する両側端部のエッジから約１００ｍｍの範囲を撮影するようになっている。
【００３２】
撮影部２３ｃは、撮影部２３ａ，２３ｂよりも基板Ａの搬送方向の下流側に配置されている。この撮影部２３ｃは、図６に示すように、基板搬送装置１７のレール１５が延在する方向に直交するように一対のレール１５に架け渡される架渡し部２７と、架渡し部２７に沿って移動可能に支持されるスライダ２９とを備えており、照明装置２５ｃおよび撮影装置２６ｃが固定部材（図示略）によってスライダ２９に固定されている。
【００３３】
照明装置２５ｃおよび撮影装置２６ｃは、撮影コントローラの作動により、基板Ａの搬送方向に対して直交するように移動され、基板Ａの搬送方向に対する先端および後端のそれぞれエッジから約１００ｍｍの範囲を撮影するようになっている。
【００３４】
システム制御部３０は、搬送コントローラおよび撮影コントローラとの通信を行う通信部３１と、各処理装置１，３，５，７，９のクランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅごとの配置位置を記憶する記憶部３３と、各撮影部２３ａ，２３ｂ，２３ｃにより取得された基板Ａのエッジの画像を処理する画像処理部３５と、画像処理部３５により得られた画像情報から欠陥を検出してその位置を測定する欠陥位置測定部３７と、基板Ａの欠陥位置に接触位置が対応するいずれかのクランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅを特定する制御部（特定部）３９とを備えている。以下、特定されたクランプ機構を「クランプ機構ＩＤ」と表記する。
【００３５】
また、システム制御部３０には、欠陥位置測定部３７により検出された欠陥の画像や検査プログラムのＧＵＩを表示する表示部４１と、制御部３９により基板Ａの欠陥位置に対応するいずれかのクランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅが特定された場合に、クランプ機構ＩＤを外部に報知する報知部４３と、ユーザインターフェースのための操作部４５と、通信部３１と通信可能に設けられ、オペレータへの通知処理が行われる上位システム（報知部）４７とが接続されている。
【００３６】
通信部３１は、基板Ａの搬送時に搬送コントローラと通信したり、基板Ａの撮影時に撮影コントローラと通信したりするほか、押付け圧力等を見直す必要があるいずれかのクランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅが特定された場合に上位システム４７に通知するようになっている。
【００３７】
記憶部３３には、処理装置１，３，５，７，９ごとの各クランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅの配置位置、すなわち、処理装置１，３，５，７，９ごとの各クランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅの基板Ａとの接触位置のＸ座標およびＹ座標（以下、「接触位置情報」という。）がそれぞれ記憶されるようになっている。また、記憶部３３には、エッジ検査の結果が保存されることとしてもよい。
【００３８】
画像処理部３５は、撮影装置２６ａ，２６ｂ，２６ｃにそれぞれ接続されており、撮影装置２６ａ，２６ｂ，２６ｃにより取得された基板Ａの４辺のエッジの画像の画像処理を行うものである。
【００３９】
欠陥位置測定部３７は、画像処理部３５から送られてくる画像情報から基板Ａの欠陥を検出し、欠陥の位置座標（Ｘ座標およびＹ座標）を測定するものである。欠陥としては、例えば、図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、基板Ａのエッジから内側に向かって線状に延びるひび割れ（クラック）Ｄや、図７（ｃ）に示すように、基板Ａのエッジの一部が切り欠かれて脱落した欠け（欠損）Ｅが挙げられる。
【００４０】
欠陥の検出方法としては、例えば、搬送されている基板Ａと同種類の正常な、すなわち、欠陥がない基板の明るさデータが欠陥位置測定部３７に入力されており、この正常な基板の明るさデータと、画像情報から得られた基板Ａの明るさデータとの差分が算出されることによって欠陥が検出されることとしてもよい。この場合、正常な基板の明るさデータの値を０とし、また、同じ基板でも明るさにばらつきがあるので差分が所定の許容値以下なら欠陥なし、許容値以上なら欠陥ありと判断すればよい。
【００４１】
また、欠陥位置測定部３７は、欠陥がクラックであるか、あるいは、欠けであるかを判定し、欠けである場合にはその面積を算出するようになっている。さらに、欠陥位置測定部３７は、欠けの面積が所定の閾値より大きいか否かにより、欠陥の程度を判定するようになっている。
【００４２】
また、欠陥位置測定部３７は、検出された基板Ａの全ての欠陥について、欠陥位置情報（Ｘ座標およびＹ座標）を算出するようになっている。算出された欠陥の座標位置は、画像データ等とともに欠陥位置情報として欠陥位置測定部３７から制御部３９へ送られるようになっている。
【００４３】
制御部３９は、欠陥位置測定部３７から送られてくる欠陥位置情報と、記憶部３３に記憶されている接触位置情報とを比較して、欠陥位置情報に接触位置情報が対応するいずれかのクランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅ、すなわち、基板Ａの欠陥位置のＸ座標およびＹ座標に、基板Ａとの接触位置のＸ座標およびＹ座標がほぼ一致するいずれかのクランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅを特定するようになっている。
【００４４】
また、制御部３９は、いずれかのクランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅを特定すると、そのクランプ機構ＩＤを通信部３１を介して上位システム４７に通知するようになっている。また、制御部３９は、画像データを表示部４１に送り、欠陥の画像を表示させるようになっている。
【００４５】
また、制御部３９は、報知部４３による警報のＯＮ／ＯＦＦを制御するようになっている。具体的には、制御部３９は、欠陥がクラックである場合に、報知部４３の警報フラグをＯＮして警報を鳴らすようになっている。この動作は、警報中であることを記憶するために、記憶部３３の領域に警報フラグがＯＮであることを示すデータが書き込まれることで実現される。また、制御部３９は、警報を止める場合には警報フラグをＯＦＦするようになっている。
【００４６】
また、制御部３９は、クランプ機構ＩＤの確認処理を行うようになっている。具体的には、欠陥が面積の大きい欠けである場合に、基板のナンバー、基板種等必要な工程データおよび画像データ等とともにクランプ機構ＩＤを上位システム４７に通知するようになっている。
【００４７】
また、制御部３９は、クランプ機構ＩＤの監視処理を行うようになっている。具体的には、欠陥が面積の小さい欠けである場合に、基板のナンバー、基板種等必要な工程データおよび画像データ等とともに、クランプ機構ＩＤを記憶部３３に保存するようになっている。そして、同じクランプ機構ＩＤの監視処理回数が規定値以上になると、そのクランプ機構ＩＤの確認処理を行うようになっている。
【００４８】
上位システム４７は、通信部３１を介してクランプ機構ＩＤが通信されると、オペレータにそのクランプ機構ＩＤを通知するようになっている。これにより、オペレータは、どの処理装置１，３，５，７，９のどのクランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅを見直す必要があるかを認識することが可能となる。
【００４９】
報知部４３は、制御部３９の作動により、警報フラグがＯＮされると警報を発し、警報フラグがＯＦＦされると警報を止めるようになっている。
【００５０】
このように構成された本実施形態に係るエッジ検査装置１１およびこれを備える基板処理システム１００の作用について説明する。
製造ライン１０においては、搬送コントローラの作動により、基板Ａが基板搬送装置１７上を搬送されて各処理装置１，３，５，７，９に順に送られる。
【００５１】
各処理装置１，３，５，７，９では、基板Ａが基準クランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃに接触し、押付クランプ機構２１Ｄ，２１Ｅによって基板Ａが基準クランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃに押付けられることにより位置決めされる。位置決めされた基板Ａには各処理が行われる。
【００５２】
このように基板Ａは、薄膜を成膜する洗浄・成膜装置１、レジスト塗布装置３、露光機５、現像装置７、エッチング・剥離装置９を順に経由することにより、ＬＣＤ用のパターンＧａｔｅ、Ｎ＋、Ｓ／Ｄ、ＰａｓおよびＩＴＯが作成され、その後、エッジ検査装置１１へと搬送されて欠陥検査が行われる。
【００５３】
エッジ検査装置１１においては、まず、基板Ａが撮影部２３ａ，２３ｂまで搬送されてくると、搬送コントローラにより、基板Ａが到達したことを知らせる信号が撮影コントローラに送信される。
【００５４】
撮影コントローラは、基板Ａの到達が通知されると、撮影の開始を知らせる信号を搬送コントローラ１３に送信し、撮影装置２６ａ，２６ｂによる撮影を開始する。搬送コントローラ１３は、撮影開始が通知されると、撮影装置２６ａ，２６ｂによる撮影に適した一定速度となるように基板Ａの搬送をコントロールする。
【００５５】
そして、撮影部２３ａの照明装置２５ａおよび撮影装置２６ａと、撮影部２３ｂの照明装置２５ｂおよび撮影装置２６ｂにより、基板Ａの両側端のエッジの画像が取得される。
基板Ａの先端が撮影部２３ｃのところまでくると、搬送コントローラにより基板Ａの搬送が停止され、基板Ａの先端が撮影部２３ｃに到達したことを知らせる信号が撮影コントローラに送られる。
【００５６】
撮影コントローラ１３は、基板Ａの先端の到達が通知されると、撮影装置２６ａ，２６ｂによる撮影を終了する。続いて、撮影部２３ｃの照明装置２５ｃおよび撮影装置２６ｃが架渡し部２７に沿って基板Ａの搬送方向に直交するように移動させられ、基板Ａの先端のエッジが撮影される。
【００５７】
撮影部２３ｃが基板端までくると、撮影装置２６ｃによる撮影が終了され、撮影コントローラから搬送コントローラに搬送信号が送られる。搬送コントローラは、搬送信号が通知されると基板Ａをさらに搬送する。基板Ａの後端が撮影部２３ｃまでくると、搬送コントローラにより基板Ａの搬送が停止され、基板Ａの後端が撮影装置２６ｃに到達したことを知らせる信号が撮影コントローラに送信される。
【００５８】
撮影コントローラは、基板Ａの後端の到達が通知されると、撮影部２３ｃの照明装置２５ｃおよび撮影装置２６ｃを架渡し部２７に沿って基板Ａの先端の撮影時の移動方向とは逆方向に移動させながら、基板Ａの後端のエッジの撮影を行う。
撮影部２３ｃが基板端までくると、撮影装置２６ｃによる撮影が終了される。
【００５９】
次に、このようにして撮影された基板Ａのエッジの欠陥検査について、図８に示すフローチャートを参照して説明する。
撮影装置２６ａ，２６ｂ，２６ｃにより取得された基板Ａの４辺のエッジの画像は、画像処理部３５に読み込まれて画像処理される（ステップＳＡ１）。画像処理部３５により得られた画像情報は、欠陥位置測定部３７に送られて基板Ａの欠陥検出処理が行われる（ステップＳＡ２）。
【００６０】
欠陥位置測定部３７においては、まず、基板Ａのエッジにクラックが存在するか否かが判定される（ステップＳＡ３）。クラックが存在すると判定されると（ステップＳＡ３「ＹＥＳ」）、欠陥位置測定部３７によりそのクラックの座標位置が測定されて、欠陥位置情報が制御部３９に送られる（ステップＳＡ４）。
【００６１】
制御部３９においては、欠陥位置測定部３７から欠陥位置情報が送られてくると、欠陥の画像データが表示部４１に送られるとともに、記憶部３３に記憶されている処理装置１，３，５，７，９ごとの各クランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅの接触位置情報が読み出される。そして、欠陥位置情報と接触位置情報とが比較され、制御部３９により、欠陥位置情報に接触位置情報が対応するいずれかのクランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅが特定される（ステップＳＡ５）。
【００６２】
いずれかのクランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅが特定されると、制御部３９により、報知部４３の警報フラグがＯＮされる（ステップＳＡ６）。報知部４３においては、警報フラグがＯＮされるとサイレン等の警報が発せられる。これにより、オペレータは、基板Ａにクラックが発生したことを認識することができる。また、表示部４１には欠陥の画像が表示され、オペレータが欠陥を確認することができる。
【００６３】
操作部４５において警報ＯＦＦのスイッチ（図示略）が押されると、制御部３９により警報フラグがＯＦＦされて、警報が止められる（ステップＳＡ７）。
欠陥検査はステップＳＡ３へと戻る。
【００６４】
ステップＳＡ３において、欠陥位置測定部３７により、クラックが存在しないと判定されると（ステップＳＡ３「ＮＯ」）、次に、欠けが存在するか否か判定される（ステップＳＡ８）。
【００６５】
欠けが存在すると判定されると（ステップＳＡ８「ＹＥＳ」）、欠陥位置測定部３７により、欠けの座標位置が測定される。また、欠けの面積が算出されて欠けが所定の閾値より大きいか否かが判定される。欠陥位置測定部３７により得られた欠陥位置情報と欠陥程度情報は制御部３９に送られる（ステップＳＡ９）。
【００６６】
制御部３９においては、欠陥位置測定部３７から欠陥位置情報と欠陥程度情報が送られてくると、欠陥の画像データが表示部４１に送られるとともに、記憶部３３に記憶されている処理装置１，３，５，７，９ごとの各クランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅの接触位置情報が読み出される。そして、欠陥位置情報と接触位置情報とが比較され、欠陥位置情報に接触位置情報が対応するいずれかのクランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅが特定される（ステップＳＡ１０）。
【００６７】
そして、欠けの面積が大きい場合には（ステップＳＡ１１「ＹＥＳ」）、制御部３９により、クランプ機構ＩＤの確認処理が行われる（ステップＳＡ１２）。具体的には、基板ナンバー、基板種等必要な工程データおよび欠陥の画像データ等とともに、クランプ機構ＩＤが制御部３９から上位システム４７に送られる。
【００６８】
上位システム４７においては、どの処理装置１，３，５，７，９のどのクランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅを見直す必要があるかがオペレータに通知される。また、表示部４１には欠陥の画像データが表示される。これにより、オペレータは、そのクランプ機構ＩＤの押しつけ圧力を弱める等の調整に早期に当たることができる。
欠陥検査はステップＳＡ８へと戻る。
【００６９】
一方、欠けの面積が小さい場合には（ステップＳＡ１１「ＮＯ」）、制御部３９により、クランプ機構ＩＤの監視処理が行われる（ステップＳＡ１３）。具体的には、制御部３９により、そのクランプ機構ＩＤが監視対象とされ、基板ナンバー、基板種等必要な工程データおよび画像データ等とともにクランプ機構ＩＤが記憶部３３に記憶される。
【００７０】
制御部３９により、同じクランプ機構ＩＤに対する監視回数が規定値以上か確認され、規定値以上であるとそのクランプ機構ＩＤについて確認処理が行われる。
欠陥検査はステップＳＡ８へと戻る。
欠陥位置測定部３７により、クラックも欠けも存在しないと判定されると（ステップＳＡ８「ＮＯ」）、欠陥検査は終了する。
【００７１】
以上説明したように、本実施形態に係るエッジ検査装置１１およびこれを備える基板処理システム１００によれば、制御部３９により、予め記憶した各処理装置１，３，５，７，９の接触位置と基板Ａの欠陥位置とが対応付けられることで、どの処理装置内で欠陥が発生したかを特定することができる。
【００７２】
また、制御部３９により、基板Ａに欠陥を生じさせたいずれかのクランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅが特定されると、警報が鳴らされたりそのクランプ機構ＩＤが報知されたりするので、オペレータは、クラックの発生を認識したりクランプ機構ＩＤの調整等に早期に当たったりすることができる。これにより、基板Ａの不良率を低減することが可能となる。また、１製造ライン１０につき１つのエッジ検査装置１１で欠陥検査を実現することができる。
【００７３】
また、小さな欠けが検出された場合に、その画像データをクランプ機構ＩＤ等と関連付けて記憶部３３に保存するので、画像データが蓄積されることによりその欠陥が大きくなっていくか、すなわち、そのクランプ機構ＩＤに不具合が生じているかを監視することができる。
【００７４】
なお、本実施形態においては、欠陥がクラックであるか欠けであるかによって、警報を発したり、あるいは、クランプ機構ＩＤをオペレータに通知したりすることとしたが、例えば、欠陥がクラックである場合にもクランプ機構ＩＤをオペレータに通知することとしてもよいし、また、欠陥が欠けである場合にも警報を発することとしてもよい。
【００７５】
また、本実施形態においては、欠陥位置測定部３７が、欠陥が欠けである場合にその欠陥の程度を判定することとしたが、欠陥がクラックである場合にも、その長さを算出して所定の閾値より長いか否かよってクラックの程度を判定することとしてもよい。この場合、クラックの長さに応じて、警報を発したり、クランプ機構ＩＤの確認処理や監視処理を行ったりすることとしてもよい。
【００７６】
また、本実施形態は、以下のように変形することができる。
例えば、各処理装置１，３，５，７，９が、クランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅの押付け圧力等を調整する調整部（図示略）をさらに備え、制御部３９がこの調整部を制御することとしてもよい。
【００７７】
この場合、例えば、各調整部は、押付クランプ機構２１Ｄおよび押付クランプ機構２１Ｅによる基準クランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃへの押付け力を調整可能とすることとし、また、制御部３９は、クランプ機構ＩＤを特定した場合に、欠陥の程度に応じて、該当する押付クランプ２１Ｄまたは押付クランプ２１Ｅの押付け力を弱めるように、調整部を制御することとすればよい。例えば、欠陥が基板の先端または後端に生じた場合には、押付クランプ２１Ｄによる押付け力を弱め、欠陥が基板の側端に生じた場合には、押付クランプ２１Ｅによる押付け力を弱めることとしてもよい。
【００７８】
このようにすることで、オペレータによらずクランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅの押付け圧力等の調整が行われるので、押付け圧力が強すぎることによって生じるエッジの欠陥を防ぎ、基板Ａの不良率を低減するとともに、より早い調整によって作業効率の向上を図ることができる。
【００７９】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
例えば、上記実施形態においては、５つのクランプ機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅを例示して説明したが、各処理装置１，３，５，７，９において基板Ａを位置決めすることができればよく、クランプ機構の数はこれに限定されるものではない。
また、上記実施形態においては、エッジ検査装置１１を製造ライン１０の下流側に１つ配置することとしたが、例えば、処理装置１，３，５，７，９間に適宜エッジ検査装置１１を配置することとしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る基板搬送装置、および、その上を搬送される基板の概略構成を上方から示した図である。
【図３】図２の基板搬送装置の各処理装置における概略構成を上方から示した図である。
【図４】図１のエッジ検査装置のブロック図である。
【図５】図４の撮影部を基板の搬送方向に対して側方から示した概略図である。
【図６】図５の撮影部のうち基板の搬送方向に対して直交する方向に移動可能な撮影部を上方から示した概略図である。
【図７】（ａ）は基板に生じた長いクラックを示し、（ｂ）は基板に生じた短いクラックを示し、（ｃ）は基板に生じた欠けを示した図である。
【図８】図４のエッジ検査装置による基板の欠陥検査の流れを示すフローチャート図である。
【符号の説明】
【００８１】
１，３，５，７，９ 処理装置
１０ 液晶ＴＦＴ製造ライン（搬送ライン）
１１ エッジ検査装置（基板検査装置）
２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ クランプ機構（位置決め機構）
２３ａ，２３ｂ，２３ｃ 撮影部
３３ 記憶部
３７ 欠陥位置測定部
３９ 制御部（特定部）
４５ 報知部
Ａ 基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬送されてきた基板のエッジに接触して該基板を位置決めする位置決め機構を備える複数の処理装置が配置された搬送ライン上に設けられる基板検査装置であって、
前記基板に対する前記位置決め機構ごとの接触位置を記憶する記憶部と、
前記基板のエッジに生じた欠陥を検出してその位置を測定する欠陥位置測定部と、
該欠陥位置測定部によって測定された前記基板の欠陥位置と、前記記憶部に記憶されている前記基板に対する各前記位置決め機構の接触位置とを比較して、前記基板の欠陥位置に前記接触位置が対応する前記位置決め機構を特定する特定部と
を備える基板検査装置。
【請求項２】
前記基板のエッジを撮影する撮影部を備え、
前記欠陥位置測定部が、前記撮影部により取得された前記基板のエッジの画像に基づいて欠陥を検出する請求項１に記載の基板検査装置。
【請求項３】
前記特定部により前記基板の欠陥位置に対応する前記位置決め機構が特定された場合に、特定された前記位置決め機構を外部に報知する報知部を備える請求項１または請求項２に記載の基板検査装置。
【請求項４】
前記搬送ライン上に配置され、前記位置決め機構を有する複数の前記処理装置と、
該処理装置によって処理された前記基板を検査する請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板検査装置と
を備える基板処理システム。
【請求項５】
各前記位置決め機構の前記基板に対する位置決め時の押付け圧力を調整する調整部と、
前記特定部により前記基板の欠陥位置に対応する前記位置決め機構が特定された場合に、前記調整部の押付け圧力を制御する制御部と
を備える請求項４に記載の基板処理システム。
【請求項１】
搬送されてきた基板のエッジに接触して該基板を位置決めする位置決め機構を備える複数の処理装置が配置された搬送ライン上に設けられる基板検査装置であって、
前記基板に対する前記位置決め機構ごとの接触位置を記憶する記憶部と、
前記基板のエッジに生じた欠陥を検出してその位置を測定する欠陥位置測定部と、
該欠陥位置測定部によって測定された前記基板の欠陥位置と、前記記憶部に記憶されている前記基板に対する各前記位置決め機構の接触位置とを比較して、前記基板の欠陥位置に前記接触位置が対応する前記位置決め機構を特定する特定部と
を備える基板検査装置。
【請求項２】
前記基板のエッジを撮影する撮影部を備え、
前記欠陥位置測定部が、前記撮影部により取得された前記基板のエッジの画像に基づいて欠陥を検出する請求項１に記載の基板検査装置。
【請求項３】
前記特定部により前記基板の欠陥位置に対応する前記位置決め機構が特定された場合に、特定された前記位置決め機構を外部に報知する報知部を備える請求項１または請求項２に記載の基板検査装置。
【請求項４】
前記搬送ライン上に配置され、前記位置決め機構を有する複数の前記処理装置と、
該処理装置によって処理された前記基板を検査する請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板検査装置と
を備える基板処理システム。
【請求項５】
各前記位置決め機構の前記基板に対する位置決め時の押付け圧力を調整する調整部と、
前記特定部により前記基板の欠陥位置に対応する前記位置決め機構が特定された場合に、前記調整部の押付け圧力を制御する制御部と
を備える請求項４に記載の基板処理システム。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１０−７１８８０（Ｐ２０１０−７１８８０Ａ）
【公開日】平成２２年４月２日（２０１０．４．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２４１３５２（Ｐ２００８−２４１３５２）
【出願日】平成２０年９月１９日（２００８．９．１９）
【出願人】（００００００３７６）オリンパス株式会社 (11,466)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年４月２日（２０１０．４．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年９月１９日（２００８．９．１９）
【出願人】（００００００３７６）オリンパス株式会社 (11,466)
【Ｆターム（参考）】
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