塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
【課題】塗布、現像装置のスループットの低下を抑えると共に装置の設置面積を抑えることができる技術を提供すること。
【解決手段】液処理系の単位ブロック群と、この単位ブロック群のキャリアブロック側に配置された第１の加熱系のブロックと、前記液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された第２の加熱系のブロックと、を備えるように処理ブロックを構成し、液処理系の単位ブロック群は、反射防止膜及びレジスト膜を形成する前段処理用の単位ブロックを二重化したものと、上層膜を形成し、露光前に洗浄を行う後段処理用の単位ブロックを二重化したものと、現像処理を行う単位ブロックとを含むように構成し、第１の加熱系のブロックは、レジスト塗布後及び現像後の基板を加熱し、第２の加熱系のブロックは、露光後現像前、反射防止膜形成後及び上層膜形成後の各基板を加熱する。
【解決手段】液処理系の単位ブロック群と、この単位ブロック群のキャリアブロック側に配置された第１の加熱系のブロックと、前記液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された第２の加熱系のブロックと、を備えるように処理ブロックを構成し、液処理系の単位ブロック群は、反射防止膜及びレジスト膜を形成する前段処理用の単位ブロックを二重化したものと、上層膜を形成し、露光前に洗浄を行う後段処理用の単位ブロックを二重化したものと、現像処理を行う単位ブロックとを含むように構成し、第１の加熱系のブロックは、レジスト塗布後及び現像後の基板を加熱し、第２の加熱系のブロックは、露光後現像前、反射防止膜形成後及び上層膜形成後の各基板を加熱する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板にレジストを塗布し、現像を行う塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、半導体ウエハ（以下、ウエハという）の表面にレジストを塗布し、このレジストを所定のパターンで露光した後に現像してレジストパターンを形成している。前記レジストパターンを形成するための塗布、現像装置には、ウエハに各種の処理を行うための処理モジュールを備えた処理ブロックが設けられている。
【０００３】
処理ブロックは、例えば特許文献１に記載されるように、レジスト膜などの各種の塗布膜を形成する単位ブロック及び現像処理を行う単位ブロックを互いに積層することにより構成されている。各単位ブロックにはウエハの搬送機構が設けられ、当該搬送機構によりウエハは順番に各単位ブロックに設けられる処理モジュールに受け渡されて処理を受ける。
【０００４】
ところで、ウエハに形成するパターンの微細化が進んでいることから、前記塗布、現像装置に設けられる処理モジュールは多様化している。ウエハにレジストを供給してレジスト膜を形成するレジスト膜形成モジュールやウエハに現像液を供給して現像を行う現像モジュールなどの他に、例えばレジスト膜の下層に反射防止膜を形成するモジュールや例えばウエハの上層に液浸露光用の保護膜を形成するためのモジュールなどが搭載される場合がある。このように多種のモジュールを搭載した上で、どのように塗布、現像装置の設置面積を小さくするかが検討されている。
【０００５】
また、前記特許文献１の塗布、現像装置では、ウエハは順番に各層のモジュール間を搬送されるため、一つのモジュールについてウエハの処理が行えなくなると、後段のモジュールにウエハを搬送することが出来なくなり、処理効率が低下してしまうおそれがある。このように処理効率の低下を抑え、且つ設置面積を小さくすることができる塗布、現像装置が求められていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１１５８３１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、塗布、現像装置のスループットの低下を抑えると共に、装置の設置面積を抑えることができる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の塗布、現像装置は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のキャリアブロック側に配置された第１の加熱系のブロックと、前記液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された第２の加熱系のブロックと、を備えたことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、
基板に下層側の反射防止膜を形成するために薬液を供給する下層用の液処理モジュールと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためにレジスト液を供給する塗布モジュールと、これらモジュール間で基板の受け渡しを行うためにキャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動し、単位ブロック用の搬送機構と、を備えた前段処理用の単位ブロックを、第１の前段処理用の単位ブロック及び第２の前段処理用の単位ブロックとして上下に二重化して互いに積層したものと、
前記前段処理用の単位ブロックの上方側に積層され、レジスト膜が形成された基板に上層側の膜を形成するために薬液を供給する上層用の液処理モジュールと、上層膜が形成された基板に対して、露光前に洗浄を行う洗浄モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた後段処理用の単位ブロックを、第１の後段処理用の単位ブロック及び第２の後段処理用の単位ブロックとして上下に二重化して、互いに積層したものと、
前記前段処理用の単位ブロックに対して積層され、基板に現像液を供給する液処理モジュールと、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた現像処理用の単位ブロックと、を含むことと、
ｃ）前記第１の加熱系のブロックは、複数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記前段処理用の単位ブロックにてレジスト液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像が行われた基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な第１の加熱系の搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記第２の加熱系のブロックは、複数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記前段処理用の単位ブロックにて反射防止膜を形成するための薬液が塗布された後の基板を加熱する加熱モジュールと、前記後段処理用の単位ブロックにて上層膜を形成するための薬液が塗布された後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像が行われる前の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な第２の加熱系の搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記現像用の単位ブロックのキャリアブロック側に現像後の基板が搬送機構により搬出される受け渡しステージを設けると共に、前記前段処理用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に、キャリアから払い出された基板を当該単位ブロックの搬送機構に受け渡すための受け渡しステージを設けたことと、
ｆ）前記前段処理用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に、レジスト液が塗布された基板を第１の加熱系のブロックに払い出すための受け渡しステージを設けると共に、前記後段処理用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に、レジスト膜が形成された基板を当該単位ブロックの搬送機構が受け取るための受け渡しステージを設けることと、
ｇ）前記前段処理用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に、反射防止膜が塗布された基板を第２の加熱系のブロックに払い出すための受け渡しステージと第２の加熱系のブロックにて加熱処理された基板を当該単位ブロックの搬送機構が受け取るための受け渡しステージとを設けると共に、前記後段処理用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に、上層膜が形成された基板を第２の加熱系のブロックの搬送機構に受け渡すための受け渡しステージを設けることと、
を備えたことを特徴とする。
【０００９】
前記塗布、現像装置の具体的な態様としては例えば以下の通りである。
（１）前記第１の加熱系のブロックは、
前記直線搬送路の伸びる方向を前後方向とすると、前後方向に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路に沿って設けられた複数の加熱モジュールと、これら加熱モジュール及び受け渡しステージの間で基板を搬送するために当該直線搬送路に沿って移動する水平搬送機構と、を備えたユニット部分を複数段積層し、更に各ユニット部分の間で基板の搬送を行う上下搬送機構を設けた構成とされる。
（２）現像処理用の単位ブロックは、当該単位ブロックの搬送機構により基板の受け渡しが行われ、露光後の基板を洗浄するための洗浄モジュールを更に備えている。
【００１０】
本発明の塗布、現像方法は、上記の塗布、現像装置を用い、
前段処理用の単位ブロックにて反射防止膜を形成するための薬液が塗布された後の基板を第２の加熱系ブロックに搬送する工程と、
次いで、第２の加熱系ブロックの加熱モジュールで加熱された基板を前段処理用の単位ブロックに搬送する工程と、
前記前段処理用の単位ブロックにてレジスト液が塗布された基板を第１の加熱系ブロックに搬送する工程と、
第１の加熱系の搬送機構により前記基板を後段処理用の単位ブロックに搬送する工程と、
後段処理用の単位ブロックにて上層膜を形成するための薬液が塗布された後の基板を第２の加熱系のブロックに搬送する工程と、
を備えることを特徴とする。
【００１１】
本発明の記憶媒体は、塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、上記の塗布、現像方法を実施するためのものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の塗布、現像装置を構成する処理ブロックは、反射防止膜を形成する液処理モジュール、レジスト膜を形成する塗布モジュール及び単位ブロック用の搬送機構を備えた前段処理用の単位ブロックを二重化したものと、上層用の液処理モジュール、露光前に洗浄を行う洗浄モジュール及び単位ブロック用の搬送機構を備えた後段処理用の単位ブロックを二重化したものと、現像を行う現像モジュール及び単位ブロック用の搬送機構を備えた現像処理用の単位ブロックとの積層体と、この積層体のキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、により構成される。これによって装置の設置面積を抑えることができる。さらに前段処理用及び後段処理用の単位ブロックにおいて一方の単位ブロックが使用不可になっても他方の単位ブロックで基板を処理することができるので、スループットの低下を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の塗布、現像装置の平面図である。
【図２】前記塗布、現像装置の斜視図である。
【図３】前記塗布、現像装置の縦断側面図である。
【図４】前記塗布、現像装置に設けられるメインアームの斜視図である。
【図５】前記塗布、現像装置の処理ブロックの概略側面図である。
【図６】液処理単位ブロックの縦断正面図である。
【図７】前記塗布、現像装置を構成するインターフェイスブロックの縦断正面図である。
【図８】前記塗布、現像装置に設けられる制御部の構成図である。
【図９】正常時のウエハの搬送経路のフロー図である。
【図１０】正常時のウエハの搬送経路のフロー図である。
【図１１】異常時のウエハの搬送経路のフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
（第１の実施形態）
本発明に係る塗布、現像装置１について、夫々当該塗布、現像装置１の平面図、斜視図、縦断側面図である図１、図２、図３を参照しながら説明する。この塗布、現像装置１ではキャリアブロックＳ１、処理ブロックＳ２０、インターフェイスブロックＳ５が直線状に接続されており、インターフェイスブロックＳ５には、液浸露光を行う露光装置Ｓ６が接続されている。前記処理ブロックＳ２０は、キャリアブロックＳ１側からインターフェイスブロックＳ５側に向けて配列された第１の加熱系のブロックである前方側加熱系ブロックＳ２と、液処理系の単位ブロック群をなす液処理ブロックＳ３と、第２の加熱系のブロックである後方側加熱系ブロックＳ４とにより構成される。
【００１５】
前記キャリアブロックＳ１は、基板であるウエハＷが例えば２５枚密閉収納されたキャリアＣを搬入出するためのブロックである。前記キャリアＣを載置する載置台１１と、この載置台１１から見て前方の壁面に設けられる開閉部１２と、開閉部１２を介してキャリアＣからウエハＷを取り出すための受け渡しアーム１３とが設けられている。
【００１６】
受け渡しアーム１３は、上下方向に５つのウエハ保持部１４を備え、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、キャリアＣの配列方向に移動自在に構成されている。受け渡しアーム１３は、キャリアＣから５枚ずつウエハＷを処理ブロックＳ２０の受け渡しモジュールＢＵ１１、ＢＵ１２に一括で受け渡す。なお、ウエハＷを載置できる場所をモジュールと記載し、このモジュールのうちウエハＷに対して加熱、液処理、ガス供給などの処理を行うモジュールを処理モジュールと記載する。また、処理モジュールのうち、ウエハＷに薬液や洗浄液を供給するモジュールを液処理モジュールと記載する。
【００１７】
続いて、前方側加熱系ブロックＳ２について説明する。前方側加熱系ブロックＳ２は、区画壁により互いに区画されたユニット部分である第１の加熱系単位ブロックＡ１〜第６の加熱系単位ブロックＡ６が積層されて構成される。これら加熱系単位ブロックＡは互いに略同様に構成されている。ここでは代表して図１に示された第１の加熱系単位ブロックＡ１について説明する。
【００１８】
キャリアブロックＳ１側を前方側、インターフェイスブロックＳ５側を後方側とすると、第１の加熱系単位ブロックＡ１の中央には、前後方向に直線状の搬送路である搬送領域Ｒ１が形成されている。搬送領域Ｒ１には、ウエハＷの搬送機構であるメインアームＢ１が設けられている。メインアームＢ１については後述する。搬送領域Ｒ１の左右の一方側には、棚ユニットＵ１１、Ｕ１２がこの順に後方側に向かって配列されている。搬送領域Ｒ１の左右の他方側には前記棚ユニットＵ１１と対向するように棚ユニットＵ１３が設けられている。また、棚ユニットＵ１３の後方側には棚ユニットＵ１４が設けられており、この棚ユニットＵ１４は、第１の加熱系単位ブロックＡ１〜第６の加熱系単位ブロックＡ６に跨るように設けられている。
【００１９】
第１の加熱系単位ブロックＡ１の棚ユニットＵ１１〜Ｕ１３には、疎水化処理モジュールＡＤＨが例えば２段に積層されている。棚ユニットＵ１３では、前記疎水化処理モジュールＡＤＨに、さらに受け渡しモジュールＢＵ１１が積層されている。また、棚ユニットＵ１４において第１の加熱系単位ブロックＡ１の高さ位置には受け渡しモジュールＴＲＳ１１が設けられている。
【００２０】
図４は、水平搬送機構をなすメインアームＢ１の斜視図を示している。メインアームＢ１は、搬送領域Ｒ１を前後に向けて敷設されたガイドレール２１と、ガイドレール２１に沿って移動する水平移動台２２と、水平移動台２２に設けられ、鉛直軸回りに回動自在なフレーム２３と、基台２４と、ウエハ保持部２５、２６と、を備えている。基台２４はフレーム２３に支持され、昇降自在に構成されている。また、ウエハ保持部２５、２６は基台２４に支持されると共に基台２４を独立して進退自在に構成されている。このような構成によりメインアームＢ１は、第１の加熱系単位ブロックＡ１の各モジュール間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。
【００２１】
各モジュールについて説明すると、前記疎水化処理モジュールＡＤＨは、ウエハＷを加熱すると共にウエハＷのベベル部（周端部）を含む表面に処理ガスを供給する処理モジュールであり、前記表面の疎水性を向上させ、液浸露光時に当該周端部から各膜の剥がれを抑える役割を有する。受け渡しモジュールＢＵ１１は、キャリアＣからウエハＷが受け渡されるモジュールであり、既述の受け渡しアーム１３から搬送されたウエハＷを一括で受け取るために、上下方向に５つのウエハＷを載置するステージを備えている。受け渡しモジュールＢＵ１１に搬送されたウエハＷは、１枚ずつ受け渡しモジュールＢＵ１１から取り出されて処理を受ける。なお、受け渡しモジュールはウエハＷが載置されるステージを備えている。そして、ＢＵと記載した受け渡しモジュールは、複数枚のウエハＷを夫々載置するステージを備え、載置したウエハＷを滞留させることができる。
【００２２】
他の加熱系単位ブロックＡについて、第１の加熱系単位ブロックＡ１との差異点を中心に説明する。第２の加熱系単位ブロックＡ２は、第１の加熱系単位ブロックＡ１と同様に構成されている。棚ユニットＵ１３には受け渡しモジュールＢＵ１１に対応するＢＵ１２が設けられており、棚ユニットＵ１４には受け渡しモジュールＴＲＳ１１に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ１２が設けられている。
【００２３】
第３の加熱系単位ブロックＡ３及び第４の加熱系単位ブロックＡ４では棚ユニットＵ１１〜Ｕ１３に、疎水化処理モジュールＡＤＨの代わりに加熱モジュールＰＡＢが設けられている。加熱モジュールＰＡＢはレジスト塗布後のウエハＷを加熱するモジュールである。また、棚ユニットＵ１４において、受け渡しモジュールＴＲＳ１１に相当する受け渡しモジュールＴＲＳ１３、ＴＲＳ１４を備えている。
【００２４】
第５の加熱系単位ブロックＡ５及び第６の加熱系単位ブロックＡ６では棚ユニットＵ１１〜Ｕ１３に、疎水化処理モジュールＡＤＨの代わりに加熱モジュールＰＯＳＴが設けられている。加熱モジュールＰＯＳＴは現像処理後のウエハＷを加熱するモジュールである。また、棚ユニットＵ１４にも棚ユニットＵ１１〜Ｕ１３と同様に加熱モジュールＰＯＳＴが２段に積層されて設けられている。また、第５の加熱系単位ブロックＡ５、第６の加熱系単位ブロックＡ６では棚ユニットＵ１３に夫々受け渡しモジュールＢＵ１３、ＢＵ１４が設けられている。これらの受け渡しモジュールＢＵ１３、ＢＵ１４は、キャリアＣへウエハＷを戻すためのモジュールである。
【００２５】
図５は塗布、現像装置１におけるウエハＷの搬送機構の配置を示した概略図である。この図５に示すように第１〜第４の加熱系単位ブロックＡ１〜Ａ４で共用される受け渡しアーム１５が設けられている。上下搬送機構をなす受け渡しアーム１５は、棚ユニットＵ１４の近傍に配置されており、加熱系単位ブロックＡ１〜Ａ４の各高さ位置を昇降自在に構成されている。また、棚ユニットＵ１４に対して進退自在に構成され、受け渡しモジュールＴＲＳ１１〜ＴＲＳ１４の間でウエハＷを受け渡すことができる。また、図５に示すように加熱系単位ブロックＡ２〜Ａ６ではメインアームＢ１に対応するメインアームＢ２〜Ｂ６が設けられている。メインアームＢ１〜Ｂ６は、互いに独立してウエハＷを搬送し、これらメインアームＢ１〜Ｂ６及び受け渡しアーム１５は第１の加熱系の搬送機構を構成する。
【００２６】
続いて、液処理ブロックＳ３について説明する。液処理単位ブロックＳ３は、液処理単位ブロックＣ１〜Ｃ６が上方へ向かって積層されて構成されており、各液処理単位ブロックＣ１〜Ｃ６は加熱系単位ブロックＡ１〜Ａ６に夫々隣接している。液処理単位ブロックＣ１〜Ｃ６は、互いに平面視同様のレイアウトで構成されている。図１では第１の前段処理用の単位ブロックである第１の液処理単位ブロックＢ１について示しており、以下、代表してこの第１の液処理単位ブロックＢ１について説明する。この第１の液処理単位ブロックＢ１の中央には、前後方向に直線状の搬送路である搬送領域Ｒ２が形成されており、この搬送領域Ｒ２を左右から挟むように反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１が互いに対向して設けられている。前記搬送領域Ｒ２には、メインアームＤ１が設けられている。メインアームＤ１は、上記のメインアームＢと同様に構成されており、搬送領域Ｒ２を移動して第１の液処理単位ブロックＢ１の各モジュール間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。
【００２７】
塗布モジュールであるレジスト膜形成モジュールＣＯＴ１について説明する。レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１は筐体３１を備えており、筐体３１内には搬送領域Ｒ１に沿って２つのスピンチャック３２が設けられている。スピンチャック３２は、ウエハＷの裏面中央部を吸着保持すると共に鉛直軸回りに回転自在に構成されている。図中３３は処理カップであり、上側が開口している。処理カップ３３は、スピンチャック３２の周囲を囲み、レジスト液の飛散を抑える。ウエハＷを処理するときには、当該処理カップ３３内にウエハＷが収容され、ウエハＷの裏面中央部はスピンチャック３２に保持される。
【００２８】
また、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１には、各処理カップ３３で共用されるノズル３４が設けられている。図中３５は駆動機構である。駆動機構３５は、アーム３６を介してノズル３４を各処理カップ２３の配列方向に移動させると共にアーム３６を介してノズル３４を昇降させる。駆動機構３５により、ノズル３４は各処理カップ３３間を移動し、各スピンチャック３２に受け渡されたウエハＷの中心にレジスト液を吐出する。吐出されたレジスト液は、前記スピンチャック２２により鉛直軸回りに回転するウエハＷの遠心力により、ウエハＷの周縁へと展伸し、レジスト膜が成膜される。なお、図示は省略しているが、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１はウエハＷの周端部に溶剤を供給し、当該周端部の不要な膜を除去するノズルを備えている。下層用の液処理モジュールである反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１は、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１と同様に構成されているが、ノズル３４からは前記レジスト液の代わりに反射防止膜形成用の薬液が吐出される。
【００２９】
図６は液処理ブロックＳ３の縦断正面図であり、この図６も参照しながら他の液処理単位ブロックＣ２〜Ｃ６について簡単に説明する。図５に示すように液処理単位ブロックＣ２〜Ｃ６には前記メインアームＤ１に対応するメインアームＤ２〜Ｄ６が夫々設けられている。各メインアームＤ１〜Ｄ６は、夫々独立してウエハＷを搬送する。第２の液処理単位ブロックＣ２は、第２の前段処理用の単位ブロックであり、第１の液処理単位ブロックＣ１と同様に構成されている。第２の液処理単位ブロックＣ２に設けられる反射防止膜形成モジュール、レジスト膜形成モジュールを夫々ＢＣＴ２、ＣＯＴ２とする。
【００３０】
液処理単位ブロックＣ３は、液処理単位ブロックＣ１との差異点として反射防止膜形成モジュール及びレジスト膜形成モジュールの代わりに、上層用の液処理モジュールである保護膜形成モジュールＴＣＴ１及び裏面洗浄モジュールＢＣＴ１を備えている。保護膜形成モジュールＴＣＴ１は、レジスト膜形成モジュールＣＯＴと同様に構成されているが、ノズル３４からは前記レジスト液の代わりに保護膜形成用の薬液が吐出される。この保護膜は撥水性を有し、液浸露光時にレジスト膜や反射防止膜への液の浸透を防ぐ役割を有する。裏面洗浄モジュールＢＣＴ１は、ノズル３４の代わりにウエハＷの裏面側に洗浄液を供給するノズルが設けられている。そして、前記ノズルから回転するウエハＷの裏面に洗浄液が供給されることにより、当該裏面が洗浄される。第４の液処理単位ブロックＣ４は、第３の液処理単位ブロックＣ３と同様に構成されている。図中第４の液処理単位ブロックＣ４に設けられる保護膜形成モジュール、裏面側洗浄モジュールを夫々ＴＣＴ２、ＢＳＴ２として示している。液処理単位ブロックＣ３、Ｃ４は各々後段処理用の単位ブロックをなす。
【００３１】
第５の液処理単位ブロックＣ５は、液処理単位ブロックＣ１との差異点として反射防止膜形成モジュール及びレジスト膜形成モジュールの代わりに、現像モジュールＤＥＶ１及び露光後洗浄モジュールＰＩＲ１を備えている。現像モジュールＤＥＶ１は、レジスト膜形成モジュールＣＯＴと同様に構成されているが、ノズル３４からは前記レジスト液の代わりに現像液が供給される。また、露光後洗浄モジュールＰＩＲ１は、レジスト膜形成モジュールＣＯＴと同様に構成されているが、ノズル３４からは前記レジスト液の代わりに保護膜除去または洗浄用の処理液を供給する。第６の液処理単位ブロックＣ６は、第５の液処理単位ブロックＣ５と同様に構成されている。図中第５の液処理単位ブロックＣ５に設けられる現像モジュール、露光後洗浄モジュールを夫々ＤＥＶ２、ＰＩＲ２として示している。このように液処理ブロックＳ４は、同様に構成された３種類の単位ブロックが各々２重化されて、互いに積層されて構成されている。
【００３２】
液処理ブロックＳ３において、キャリアブロックＳ１側には図１及び図３に示すように、各液処理単位ブロックＣ１〜Ｃ６に跨って棚ユニットＵ１が設けられている。棚ユニットＵ１は多数の積層されたモジュールからなり、メインアームＡ１〜Ａ６がアクセスできる高さ位置に受け渡しモジュールＣＰＬが設けられている。これら棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＣＰＬを介して液処理ブロックＳ３と、前方側加熱系ブロックＳ２との間でウエハＷの受け渡しが行われる。なお、ＣＰＬと記載した受け渡しモジュールは、載置したウエハＷを冷却する冷却ステージを備えている。図３中、第１の液処理単位ブロックＣ１の前記受け渡しモジュールをＣＰＬ１１及びＣＰＬ１２、第２の液処理単位ブロックＣ２の受け渡しモジュールをＣＰＬ１３及びＣＰＬ１４として示している。また、第３〜第６の液処理単位ブロックＣ３〜Ｃ６の受け渡しモジュールをＣＰＬ１５〜ＣＰＬ１８として示している。
【００３３】
液処理ブロックＳ３において、インターフェイスブロックＳ６側には、図３に示すように、第１〜第６の液処理単位ブロックＣ１〜Ｃ６に跨る棚ユニットＵ２が設けられている。棚ユニットＵ２は、複数の積層されたモジュールからなり、第１〜第６の液処理単位ブロックＣ１〜Ｃ６の各高さ位置には、夫々受け渡しモジュールＴＲＳが設けられている。これら棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＴＲＳを介して液処理ブロックＳ３と、後方側加熱ブロックＳ４との間でウエハＷの受け渡しが行われる。図３中、第１の液処理単位ブロックＣ１の前記受け渡しモジュールをＴＲＳ２１及びＴＲＳ２２、第２の液処理単位ブロックＣ２の受け渡しモジュールをＴＲＳ２３及びＴＲＳ２４、第３の液処理単位ブロックＣ３の前記受け渡しモジュールをＴＲＳ３１〜ＴＲＳ３３、第４の液処理単位ブロックＣ４の受け渡しモジュールをＴＲＳ３４〜ＴＲＳ３６として示している。また、第５の液処理単位ブロックＣ５の前記受け渡しモジュールをＴＲＳ４１〜ＴＲＳ４３、第６の液処理単位ブロックＣ６の受け渡しモジュールをＴＲＳ４４〜ＴＲＳ４６として示している。
【００３４】
続いて、後方側加熱系ブロックＳ４について説明する。この後方側加熱系ブロックＳ４の中央部には第２の加熱系の搬送機構を構成する受け渡しアーム１７、１８が上下に設けられている。この受け渡しアーム１７、１８は、ガイドレール２１が設けられないことを除いてメインアームＢ、Ｄと同様に構成されている。そして、受け渡しアーム１７は、前記第１〜第４の液処理単位ブロックＣ１〜Ｃ４の各高さ位置に昇降して移動することができ、既述の棚ユニットＵ２及び後述の棚ユニットＵ３、Ｕ４においてこれらの高さ位置にあるモジュールにアクセスすることができる。受け渡しアーム１８は、前記第５〜第６の液処理単位ブロックＣ５〜Ｃ６の各高さ位置に昇降して移動することができ、棚ユニットＵ２〜Ｕ４においてこれらの高さ位置にある各モジュールにアクセスすることができる。
【００３５】
後方側加熱系ブロックＳ４には受け渡しアーム１７、１８を左右から挟むように棚ユニットＵ３、Ｕ４が各々設けられている。棚ユニットＵ３、Ｕ４は同様に構成されており、ここでは代表して図３に示した棚ユニットＵ３について説明する。棚ユニットＵ３は、第１〜第６の液処理単位ブロックＣ１〜Ｃ６と同じ高さに夫々複数の加熱モジュールを積層して備えている。第１〜第４の液処理単位ブロックＣ１〜Ｃ４と同じ高さに設けられた加熱モジュールをＣＨＰとして示しており、第５及び第６の液処理単位ブロックＣ５〜Ｃ６と同じ高さに設けられた加熱モジュールをＰＥＢとして示している。
【００３６】
第１及び第２の液処理単位ブロックＣ１，Ｃ２と同じ高さに設けられた加熱モジュールＣＨＰは、反射防止膜形成後に加熱処理を行うモジュールであり、第３及び第４の液処理単位ブロックＣ３，Ｃ４と同じ高さに設けられた加熱モジュールＣＨＰは、保護膜形成後に加熱処理を行うモジュールである。また、加熱モジュールＰＥＢは、露光後洗浄モジュールで洗浄後に加熱処理を行うモジュールである。
【００３７】
これら加熱モジュールＣＨＰ、ＰＥＢは互いに同様に構成されており、ウエハＷを加熱する熱板４１と、冷却プレート４２とを備えている。冷却プレート４２は、前記熱板４１と受け渡しアーム１７との間でウエハＷを搬送すると共に加熱後のウエハＷを冷却する。前方側加熱系ブロックＳ２の加熱モジュールＰＯＳＴ及びＰＡＢも加熱モジュールＣＨＰ、ＰＡＢと同様に構成されている。
【００３８】
次にインターフェイスブロックＳ５について、その縦断正面図である図７も参照しながら説明する。インターフェイスブロックＳ５には、複数の積層されたモジュールからなる棚ユニットＵ５が設けられている。棚ユニットＵ６において、前記受け渡しアーム１７がアクセスできる高さ位置に受け渡しモジュールＴＲＳ５１及びＴＲＳ５２が設けられている。また、受け渡しアーム１８がアクセスできる高さ位置に受け渡しモジュールＴＲＳ５３が設けられている。また、棚ユニットＵ６には受け渡しモジュールＢＵ２１、ＢＵ２２、ＣＰＬ３１、ＣＰＬ３２が設けられている。
【００３９】
また、インターフェイスブロックＳ５には、インターフェイスアーム５１、５２が設けられている。インターフェイスアーム５１、５２は回動自在、昇降自在及び進退自在に構成されており、さらにインターフェイスアーム５１は、水平方向に移動自在に構成されている。インターフェイスアーム５１は露光装置Ｓ６及び受け渡しモジュールＣＰＬ３１、ＣＰＬ３２にアクセスし、これらの間でウエハＷを受け渡す。インターフェイスアーム５２は、棚ユニットＵ６を構成する各モジュールにアクセスし、これらのモジュール間でウエハＷを受け渡す。
【００４０】
続いて、塗布、現像装置１に設けられた制御部６１について、図８を参照しながら説明する。制御部６１はプログラム６２、メモリ６３、ＣＰＵ６４などを備えている。図中６０はバスである。前記プログラム６２には制御部６１から塗布、現像装置１の各モジュール及びウエハＷの搬送手段に制御信号を送り、後述のウエハＷの搬送及び処理を進行させるように命令（各ステップ）が組み込まれている。このプログラム６２は、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）、メモリーカードなどの記憶媒体に格納されて制御部６１にインストールされる。
【００４１】
前記メモリ６３にはキャリアＣの各ウエハＷのＩＤ番号と、ウエハＷが搬送されるモジュールとが対応付けられた搬送スケジュールが記憶された搬送スケジュール記憶領域６５が設けられている。この搬送スケジュールに従って、各メインアームＢ１〜Ｂ６、Ｄ１〜Ｄ６、受け渡しアーム１５、１７、１８及びインターフェイスアーム５１、５２が動作し、各ウエハＷについて設定されたモジュールへの搬送が行われる。
【００４２】
液処理ブロックＳ３のメインアームＤ１〜Ｄ６は、制御部６１に各位置に応じた位置信号を送信する。ＣＰＵ６４は、この位置信号に基づいてメインアームＤ１〜Ｄ６が正常に動作しているか判定する。正常であると判定された場合は、予め設定された搬送スケジュールに従ってウエハＷの搬送が続けられる。異常であると判定された場合は前記搬送スケジュールが変更され、ウエハＷの搬送経路が変更される。
【００４３】
塗布、現像装置１におけるウエハＷの搬送経路について説明する。前記メインアームＤ１〜Ｄ６に異常が無い正常時において、ウエハＷは図９、図１０に点線で示す経路に各々振り分けられて搬送される。受け渡しアーム１３は、キャリアＣからウエハＷを第１の加熱処理単位ブロックＡ１の受け渡しモジュールＢＵ１１、第２の加熱処理単位ブロックＡ２の受け渡しモジュールＢＵ１２に交互に搬送する。このように正常時に受け渡しモジュールＢＵ１１に搬送されるウエハＷ（説明の便宜上、ウエハＷ１とする）は、図９に示す経路で搬送されるように設定されている。また、正常時に受け渡しモジュールＢＵ１２に搬送されるウエハＷ（説明の便宜上、ウエハＷ２とする）は、図１０に示す経路で搬送されるように設定されている。
【００４４】
以下に図９のウエハＷ１の経路を説明すると、前記受け渡しモジュールＢＵ１１に受け渡されたウエハＷ１は、第１の加熱処理単位ブロックＡ１のメインアームＢ１→棚ユニットＵ１１〜Ｕ１３の疎水化処理モジュールＡＤＨの順で搬送されて、疎水化処理される。疎水化処理後、ウエハＷ１は前記メインアームＢ１→棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＣＰＬ１１→第１の液処理単位ブロックＣ１のメインアームＤ１→反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１の順で搬送されて、当該ウエハＷ１に反射防止膜が形成される。
【００４５】
反射防止膜形成後のウエハＷ１は、メインアームＤ１→棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＴＲＳ２１→後方側加熱処理単位ブロックＳ４の受け渡しアーム１７→第１の液処理単位ブロックＣ１の高さ位置にある加熱モジュールＣＨＰ→受け渡しアーム１７→棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＴＲＳ２２→メインアームＤ１→レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１の順で搬送されて、反射防止膜の上層にレジスト膜が形成される。
【００４６】
然る後ウエハＷ１は、メインアームＢ１→受け渡しモジュールＣＰＬ１２→メインアームＢ１→棚ユニットＵ１４の受け渡しモジュールＴＲＳ１１→受け渡しアーム１５→第３の加熱系単位ブロックＡ３の受け渡しモジュールＴＲＳ１３→メインアームＢ３→加熱モジュールＰＡＢ→メインアームＢ３→液処理単位ブロックＣ３の受け渡しモジュールＣＰＬ１５→メインアームＤ３→保護膜形成モジュールＴＣＴ１の順に搬送され、レジスト膜の上層に保護膜が形成される。
【００４７】
次に、ウエハＷ１はメインアームＤ３→棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＴＲＳ３１→受け渡しアーム１７→第３の液処理単位ブロックＣ３の高さ位置にある加熱モジュールＣＨＰ→受け渡しアーム１７→受け渡しモジュールＴＲＳ３２→メインアームＤ３→裏面洗浄モジュールＢＳＴ１→メインアームＤ３→受け渡しモジュールＴＲＳ３３→受け渡しアーム１７→棚ユニットＵ６の受け渡しモジュールＴＲＳ５１→インターフェイスアーム５２→受け渡しモジュールＢＵ２１→インターフェイスアーム５２→受け渡しモジュールＣＰＬ３１→インターフェイスアーム５１→露光装置Ｓ７の順で搬送されて、液浸露光される。
【００４８】
液浸露光後のウエハＷ１は、インターフェイスアーム５１→受け渡しモジュールＣＰＬ３２→インターフェイスアーム５２→受け渡しモジュールＢＵ２２→インターフェイスアーム５２→受け渡しモジュールＴＲＳ５３→受け渡しアーム１８→棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＴＲＳ４１→第５の液処理単位ブロックＣ５のメインアームＤ５→露光後洗浄モジュールＰＩＲ１に搬送されて、保護膜の除去及び洗浄処理を受ける。
【００４９】
然る後、ウエハＷ１は、メインアームＤ５→棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＴＲＳ４２→受け渡しアーム１８→加熱モジュールＰＥＢ→受け渡しアーム１８→受け渡しモジュールＴＲＳ４３→メインアームＤ５→現像モジュールＤＥＶ１の順で搬送されて、ウエハＷ１が現像される。然る後、ウエハＷ１は、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＣＰＬ１７→第５の加熱系単位ブロックＡ５のメインアームＢ５→加熱モジュールＰＯＳＴ→メインアームＢ５→受け渡しモジュールＢＵ１３→受け渡しアーム１３の順で搬送されて、受け渡しアーム１３がキャリアＣにウエハＷ１を戻す。
【００５０】
続いてキャリアＣから受け渡しモジュールＢＵ１２に受け渡されたウエハＷ２の経路について説明する。当該ウエハＷ２は、搬送されるモジュールの階層が異なる他は、受け渡しモジュールＢＵ１１に搬送されたウエハＷ２と同様に搬送されて処理を受ける。前記ウエハＷ２は、第２の加熱処理単位ブロックＡ２のメインアームＢ２→棚ユニットＵ１１〜Ｕ１３の疎水化処理モジュールＡＤＨ→メインアームＢ２→棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＣＰＬ１３→第２の液処理単位ブロックＣ２のメインアームＤ２→反射防止膜形成モジュールＢＣＴ２→メインアームＤ２→棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＴＲＳ２３→後方側加熱処理単位ブロックＳ４の受け渡しアーム１７→第２の液処理単位ブロックＣ２の高さ位置にある加熱モジュールＣＨＰ→受け渡しアーム１７→棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＴＲＳ２４→メインアームＤ１→レジスト膜形成モジュールＣＯＴ２の順で搬送される。
【００５１】
然る後ウエハＷ２は、メインアームＢ２→受け渡しモジュールＣＰＬ１４→メインアームＢ２→棚ユニットＵ１４の受け渡しモジュールＴＲＳ１２→受け渡しアーム１５→第４の加熱系単位ブロックＡ４の受け渡しモジュールＴＲＳ１４→メインアームＢ４→加熱モジュールＰＡＢ→メインアームＢ４→受け渡しモジュールＣＰＬ１６→第４の液処理単位ブロックＣ４のメインアームＤ３→保護膜形成モジュールＴＣＴ２→メインアームＤ４→棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＴＲＳ３４→受け渡しアーム１７→第４の液処理単位ブロックＣ４の高さ位置にある加熱モジュールＣＨＰ→受け渡しアーム１７→受け渡しモジュールＴＲＳ３５→メインアームＤ４→裏面洗浄モジュールＢＳＴ２→メインアームＤ４→受け渡しモジュールＴＲＳ３６→受け渡しアーム１７→棚ユニットＵ６の受け渡しモジュールＴＲＳ５１に搬送される。以降、ウエハＷ２は、インターフェイスブロックＳ５内を上記と同様の経路で搬送され、液浸露光を受けた後、受け渡しモジュールＴＲＳ５３に受け渡される。
【００５２】
その後、ウエハＷ２は、受け渡しアーム１８→棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＴＲＳ４４→第６の液処理単位ブロックＣ６のメインアームＤ６→露光後洗浄モジュールＰＩＲ１→メインアームＤ６→棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＴＲＳ４５→受け渡しアーム１８→加熱モジュールＰＥＢ→受け渡しアーム１８→受け渡しモジュールＴＲＳ４６→メインアームＤ６→現像モジュールＤＥＶ２→棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＣＰＬ１８→第６の加熱系単位ブロックＡ６のメインアームＢ６→加熱モジュールＰＯＳＴ→メインアームＢ６→受け渡しモジュールＢＵ１４→受け渡しアーム１３の順で搬送されて、受け渡しアーム１３がキャリアＣにウエハＷ２を戻す。
【００５３】
制御部６１が液処理ブロックＳ３のメインアームＤ１〜Ｄ６のいずれかに異常が発生したと判定したときには、異常が発生したと判定されたメインアームＤの動作を停止させる。そして制御部６１は、異常が発生したと判定されたメインアームＤを含む液処理単位ブロックＣ及び前記液処理単位ブロックＣに対応する加熱系単位ブロックＡへのウエハＷの搬送を停止すると共に、異常となったメインアームＤを含む液処理単位ブロックＣと対になる液処理単位ブロックＣ及び当該液処理単位ブロックＣに対応する加熱系単位ブロックＡにウエハＷを搬送するように搬送スケジュールを変更する。メインアームＤの異常が発生した液処理単位ブロックＣについては、このように当該液処理単位ブロックを避けるように搬送スケジュールの変更が行われるが、メインアームＤの異常が発生していない単位ブロックについては当該液処理単位ブロックＣへの搬送が避けられることなく、ウエハＷの搬送が継続される。
【００５４】
具体的に図１１を参照しながら、一例として第１の液処理単位ブロックＣ１のメインアームＤ１に異常が発生した場合について説明する。前記異常が発生すると、第１の液処理単位ブロックＣ１及び当該液処理単位ブロックＣ１に対応する第１の加熱系単位ブロックＡ１へのウエハＷ１の搬送が停止する。そして、これら第１の液処理単位ブロックＣ１及び第１の加熱系単位ブロックＡ１に搬送されるように設定されていたウエハＷ１は、キャリアＣから受け渡しモジュールＢＵ１２へ搬送され、当該受け渡しモジュールＢＵ１２からウエハＷ２と同様の経路で第２の加熱系単位ブロックＡ２及び第２の液処理単位ブロックＣ２を搬送されて処理を受ける。図１１では、点線の矢印で前記ウエハＷ１の搬送経路を示している。
【００５５】
第２の液処理単位ブロックＣ２及び第２の加熱系単位ブロックＡ２で処理後、棚ユニットＵ１４の受け渡しモジュールＴＲＳ１２へ搬送されたウエハＷ１は、受け渡しアーム１５によって正常時と同様に第３の加熱処理単位ブロックＡ３のＴＲＳ１３に搬入される。これ以降、ウエハＷ１は正常時と同様に液処理単位ブロックＣ３、Ｃ５及び加熱系単位ブロックＡ３、Ａ５に搬送されて処理を受ける。第２の液処理単位ブロックＣ２に搬入されたウエハＷ２は、鎖線の矢印で示すように正常時と同様の搬送経路で搬送されて処理を受ける。
【００５６】
第２の液処理単位ブロックＣ２のメインアームＤ２に異常が発生した場合は、前記メインアームＤ１に異常が発生した場合と同様に、当該第２の液処理単位ブロックＣ２で処理を受けるように設定されていたウエハＷ２が、キャリアＣから受け渡しモジュールＢＵ１１へ搬送され、第１の液処理単位ブロックＣ１及び第１の加熱系単位ブロックＡ１に搬送されて処理を受ける。そして、棚ユニットＵ１４の受け渡しモジュールＴＲＳ１１へ搬送されたウエハＷ２は、受け渡しアーム１５によって正常時と同様に第４の加熱処理単位ブロックＡ４のＴＲＳ１４に搬入される。その後は、正常時と同様に液処理単位ブロックＣ４、Ｃ６及び加熱系単位ブロックＡ４、Ａ６に搬送されて処理を受ける。
【００５７】
第３の液処理単位ブロックＣ３のメインアームＤ３に異常が発生した場合、当該第３の液処理単位ブロックＣ３へ搬入されるように設定されていたウエハＷ１は、第１の加熱系単位ブロックＡ１及び第１の液処理単位ブロックＡ１で処理後に、この第３の液処理単位ブロックＣ３及び第３の加熱処理単位ブロックＡ３を避けて、第４の液処理単位ブロックＣ４及び第４の加熱処理単位ブロックＡ４に搬送される。そして、これらの単位ブロックＣ４、Ａ４で処理後に第５の液処理単位ブロックＣ５及び第５の加熱処理単位ブロックＡ５に搬送されて処理を受ける。
【００５８】
第４の液処理単位ブロックＣ４のメインアームＤ４に異常が発生した場合も同様に、ウエハＷ２は、第２の加熱系単位ブロックＡ２及び第２の液処理単位ブロックＡ２で処理後に、この第４の液処理単位ブロックＣ４及び第４の加熱処理単位ブロックＡ４を避けて、第３の液処理単位ブロックＣ３及び第３の加熱処理単位ブロックＡ３に搬送される。そして、これらの単位ブロックＣ３、Ａ３で処理後に第６の液処理単位ブロックＣ６及び第６の加熱処理単位ブロックＡ６に搬送されて処理を受ける。
【００５９】
また、第５の液処理単位ブロックＣ５のメインアームＤ５に異常が発生した場合、ウエハＷ１は露光後、第６の液処理単位ブロックＣ６及び第６の加熱系単位ブロックＡ６に搬送される。第６の液処理単位ブロックＣ６のメインアームＤ６に異常が発生した場合、ウエハＷ２は露光後、第５の液処理単位ブロックＣ５及び第５の加熱系単位ブロックＡ５に搬送される。
【００６０】
また、ユーザは制御部６１からメンテナンスする液処理単位ブロックＣを指定できるようになっている。このように指定が行われた場合も制御部６１は、メインアームＤが故障した場合と同様に、指定した液処理単位ブロックＣと、この液処理単位ブロックに対応する加熱系単位ブロックＡへのウエハＷの搬送を避けるように搬送制御を行う。
【００６１】
本発明の塗布、現像装置１を構成する処理ブロックＳ２０は、前方側から後方側に向かって前方側加熱系ブロックＳ２、液処理ブロックＳ３、後方側加熱系ブロックＳ４がこの順に配列され、前記液処理ブロックＳ３は、反射防止膜を形成する反射防止膜形成モジュールＢＣＴ、レジスト膜を形成するレジスト膜形成塗布モジュールＣＯＴ及びメインアームＤを各々備えた前段処理用の単位ブロックＣ１、Ｃ２と、保護膜形成モジュールＴＣＴ、露光前に洗浄を行う洗浄モジュールＢＳＴ及びメインアームＤを備えた後段処理用の単位ブロックＣ３、Ｃ４と、現像を行う現像モジュールＤＥＶ及びメインアームＤを備えた現像処理用の単位ブロックＣ５，Ｃ６と、を積層して構成される。これによって装置の設置面積を抑えることができる。さらに各液処理単位ブロックＣは、同じ構成の単位ブロックＣが積層されて二重化されており、その二重化された単位ブロックＣのうちの一つが使用不可になっても、他の液処理単位ブロックＣを用いてウエハＷの処理を続けて行うことができるのでスループットの低下を抑えることができる。
【００６２】
また、メインアームＢが故障した場合やメンテナンスを行うことで、所定の加熱系単位ブロックＡでのウエハＷの処理が行えなくなった場合も、前記加熱系単位ブロックＡと、この加熱系単位ブロックＡに対応する液処理単位ブロックＣへのウエハＷの搬送を避けるように搬送制御を行ってもよい。なお、この実施形態や他の実施形態で、第３の液処理単位ブロックＢ３で形成される膜は保護膜に限られず、例えばレジストの上層側に設けられる反射防止膜であってもよい。また、液処理単位ブロックＣ５、Ｃ６のメインアームは共通化されていてもよい。具体的に、メインアームＤ５が液処理単位ブロックＣ５、Ｃ６を昇降し、これら液処理単位ブロックＣ５，Ｃ６の各モジュール間でウエハＷを搬送してもよい。ただし、上記のように液処理単位ブロックＣ５、Ｃ６毎にメインアームＤを設けることで、メインアームＣ５、Ｃ６のうち一方が故障したときに他方を用いて搬送を続けることができる。
【符号の説明】
【００６３】
Ａ１〜Ａ６ 加熱系単位ブロック
ＢＣＴ 反射防止膜形成モジュール
Ｂ１〜Ｂ６ メインアーム
ＣＯＴ レジスト膜形成モジュール
ＤＥＶ 現像モジュール
Ｃ１〜Ｃ６ 液処理単位ブロック
Ｄ１〜Ｄ６ メインアーム
ＴＣＴ 保護膜形成モジュール
Ｓ１ キャリアブロック
Ｓ２ 前方側加熱系ブロック
Ｓ３ 液処理ブロック
Ｓ４ 後方側加熱系ブロック
Ｓ５ インターフェイスブロック
Ｓ６ 露光装置
Ｗ ウエハ
１ 塗布、現像装置
６１ 制御部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板にレジストを塗布し、現像を行う塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、半導体ウエハ（以下、ウエハという）の表面にレジストを塗布し、このレジストを所定のパターンで露光した後に現像してレジストパターンを形成している。前記レジストパターンを形成するための塗布、現像装置には、ウエハに各種の処理を行うための処理モジュールを備えた処理ブロックが設けられている。
【０００３】
処理ブロックは、例えば特許文献１に記載されるように、レジスト膜などの各種の塗布膜を形成する単位ブロック及び現像処理を行う単位ブロックを互いに積層することにより構成されている。各単位ブロックにはウエハの搬送機構が設けられ、当該搬送機構によりウエハは順番に各単位ブロックに設けられる処理モジュールに受け渡されて処理を受ける。
【０００４】
ところで、ウエハに形成するパターンの微細化が進んでいることから、前記塗布、現像装置に設けられる処理モジュールは多様化している。ウエハにレジストを供給してレジスト膜を形成するレジスト膜形成モジュールやウエハに現像液を供給して現像を行う現像モジュールなどの他に、例えばレジスト膜の下層に反射防止膜を形成するモジュールや例えばウエハの上層に液浸露光用の保護膜を形成するためのモジュールなどが搭載される場合がある。このように多種のモジュールを搭載した上で、どのように塗布、現像装置の設置面積を小さくするかが検討されている。
【０００５】
また、前記特許文献１の塗布、現像装置では、ウエハは順番に各層のモジュール間を搬送されるため、一つのモジュールについてウエハの処理が行えなくなると、後段のモジュールにウエハを搬送することが出来なくなり、処理効率が低下してしまうおそれがある。このように処理効率の低下を抑え、且つ設置面積を小さくすることができる塗布、現像装置が求められていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１１５８３１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、塗布、現像装置のスループットの低下を抑えると共に、装置の設置面積を抑えることができる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の塗布、現像装置は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のキャリアブロック側に配置された第１の加熱系のブロックと、前記液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された第２の加熱系のブロックと、を備えたことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、
基板に下層側の反射防止膜を形成するために薬液を供給する下層用の液処理モジュールと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためにレジスト液を供給する塗布モジュールと、これらモジュール間で基板の受け渡しを行うためにキャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動し、単位ブロック用の搬送機構と、を備えた前段処理用の単位ブロックを、第１の前段処理用の単位ブロック及び第２の前段処理用の単位ブロックとして上下に二重化して互いに積層したものと、
前記前段処理用の単位ブロックの上方側に積層され、レジスト膜が形成された基板に上層側の膜を形成するために薬液を供給する上層用の液処理モジュールと、上層膜が形成された基板に対して、露光前に洗浄を行う洗浄モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた後段処理用の単位ブロックを、第１の後段処理用の単位ブロック及び第２の後段処理用の単位ブロックとして上下に二重化して、互いに積層したものと、
前記前段処理用の単位ブロックに対して積層され、基板に現像液を供給する液処理モジュールと、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた現像処理用の単位ブロックと、を含むことと、
ｃ）前記第１の加熱系のブロックは、複数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記前段処理用の単位ブロックにてレジスト液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像が行われた基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な第１の加熱系の搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記第２の加熱系のブロックは、複数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記前段処理用の単位ブロックにて反射防止膜を形成するための薬液が塗布された後の基板を加熱する加熱モジュールと、前記後段処理用の単位ブロックにて上層膜を形成するための薬液が塗布された後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像が行われる前の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な第２の加熱系の搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記現像用の単位ブロックのキャリアブロック側に現像後の基板が搬送機構により搬出される受け渡しステージを設けると共に、前記前段処理用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に、キャリアから払い出された基板を当該単位ブロックの搬送機構に受け渡すための受け渡しステージを設けたことと、
ｆ）前記前段処理用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に、レジスト液が塗布された基板を第１の加熱系のブロックに払い出すための受け渡しステージを設けると共に、前記後段処理用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に、レジスト膜が形成された基板を当該単位ブロックの搬送機構が受け取るための受け渡しステージを設けることと、
ｇ）前記前段処理用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に、反射防止膜が塗布された基板を第２の加熱系のブロックに払い出すための受け渡しステージと第２の加熱系のブロックにて加熱処理された基板を当該単位ブロックの搬送機構が受け取るための受け渡しステージとを設けると共に、前記後段処理用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に、上層膜が形成された基板を第２の加熱系のブロックの搬送機構に受け渡すための受け渡しステージを設けることと、
を備えたことを特徴とする。
【０００９】
前記塗布、現像装置の具体的な態様としては例えば以下の通りである。
（１）前記第１の加熱系のブロックは、
前記直線搬送路の伸びる方向を前後方向とすると、前後方向に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路に沿って設けられた複数の加熱モジュールと、これら加熱モジュール及び受け渡しステージの間で基板を搬送するために当該直線搬送路に沿って移動する水平搬送機構と、を備えたユニット部分を複数段積層し、更に各ユニット部分の間で基板の搬送を行う上下搬送機構を設けた構成とされる。
（２）現像処理用の単位ブロックは、当該単位ブロックの搬送機構により基板の受け渡しが行われ、露光後の基板を洗浄するための洗浄モジュールを更に備えている。
【００１０】
本発明の塗布、現像方法は、上記の塗布、現像装置を用い、
前段処理用の単位ブロックにて反射防止膜を形成するための薬液が塗布された後の基板を第２の加熱系ブロックに搬送する工程と、
次いで、第２の加熱系ブロックの加熱モジュールで加熱された基板を前段処理用の単位ブロックに搬送する工程と、
前記前段処理用の単位ブロックにてレジスト液が塗布された基板を第１の加熱系ブロックに搬送する工程と、
第１の加熱系の搬送機構により前記基板を後段処理用の単位ブロックに搬送する工程と、
後段処理用の単位ブロックにて上層膜を形成するための薬液が塗布された後の基板を第２の加熱系のブロックに搬送する工程と、
を備えることを特徴とする。
【００１１】
本発明の記憶媒体は、塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、上記の塗布、現像方法を実施するためのものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の塗布、現像装置を構成する処理ブロックは、反射防止膜を形成する液処理モジュール、レジスト膜を形成する塗布モジュール及び単位ブロック用の搬送機構を備えた前段処理用の単位ブロックを二重化したものと、上層用の液処理モジュール、露光前に洗浄を行う洗浄モジュール及び単位ブロック用の搬送機構を備えた後段処理用の単位ブロックを二重化したものと、現像を行う現像モジュール及び単位ブロック用の搬送機構を備えた現像処理用の単位ブロックとの積層体と、この積層体のキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、により構成される。これによって装置の設置面積を抑えることができる。さらに前段処理用及び後段処理用の単位ブロックにおいて一方の単位ブロックが使用不可になっても他方の単位ブロックで基板を処理することができるので、スループットの低下を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の塗布、現像装置の平面図である。
【図２】前記塗布、現像装置の斜視図である。
【図３】前記塗布、現像装置の縦断側面図である。
【図４】前記塗布、現像装置に設けられるメインアームの斜視図である。
【図５】前記塗布、現像装置の処理ブロックの概略側面図である。
【図６】液処理単位ブロックの縦断正面図である。
【図７】前記塗布、現像装置を構成するインターフェイスブロックの縦断正面図である。
【図８】前記塗布、現像装置に設けられる制御部の構成図である。
【図９】正常時のウエハの搬送経路のフロー図である。
【図１０】正常時のウエハの搬送経路のフロー図である。
【図１１】異常時のウエハの搬送経路のフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
（第１の実施形態）
本発明に係る塗布、現像装置１について、夫々当該塗布、現像装置１の平面図、斜視図、縦断側面図である図１、図２、図３を参照しながら説明する。この塗布、現像装置１ではキャリアブロックＳ１、処理ブロックＳ２０、インターフェイスブロックＳ５が直線状に接続されており、インターフェイスブロックＳ５には、液浸露光を行う露光装置Ｓ６が接続されている。前記処理ブロックＳ２０は、キャリアブロックＳ１側からインターフェイスブロックＳ５側に向けて配列された第１の加熱系のブロックである前方側加熱系ブロックＳ２と、液処理系の単位ブロック群をなす液処理ブロックＳ３と、第２の加熱系のブロックである後方側加熱系ブロックＳ４とにより構成される。
【００１５】
前記キャリアブロックＳ１は、基板であるウエハＷが例えば２５枚密閉収納されたキャリアＣを搬入出するためのブロックである。前記キャリアＣを載置する載置台１１と、この載置台１１から見て前方の壁面に設けられる開閉部１２と、開閉部１２を介してキャリアＣからウエハＷを取り出すための受け渡しアーム１３とが設けられている。
【００１６】
受け渡しアーム１３は、上下方向に５つのウエハ保持部１４を備え、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、キャリアＣの配列方向に移動自在に構成されている。受け渡しアーム１３は、キャリアＣから５枚ずつウエハＷを処理ブロックＳ２０の受け渡しモジュールＢＵ１１、ＢＵ１２に一括で受け渡す。なお、ウエハＷを載置できる場所をモジュールと記載し、このモジュールのうちウエハＷに対して加熱、液処理、ガス供給などの処理を行うモジュールを処理モジュールと記載する。また、処理モジュールのうち、ウエハＷに薬液や洗浄液を供給するモジュールを液処理モジュールと記載する。
【００１７】
続いて、前方側加熱系ブロックＳ２について説明する。前方側加熱系ブロックＳ２は、区画壁により互いに区画されたユニット部分である第１の加熱系単位ブロックＡ１〜第６の加熱系単位ブロックＡ６が積層されて構成される。これら加熱系単位ブロックＡは互いに略同様に構成されている。ここでは代表して図１に示された第１の加熱系単位ブロックＡ１について説明する。
【００１８】
キャリアブロックＳ１側を前方側、インターフェイスブロックＳ５側を後方側とすると、第１の加熱系単位ブロックＡ１の中央には、前後方向に直線状の搬送路である搬送領域Ｒ１が形成されている。搬送領域Ｒ１には、ウエハＷの搬送機構であるメインアームＢ１が設けられている。メインアームＢ１については後述する。搬送領域Ｒ１の左右の一方側には、棚ユニットＵ１１、Ｕ１２がこの順に後方側に向かって配列されている。搬送領域Ｒ１の左右の他方側には前記棚ユニットＵ１１と対向するように棚ユニットＵ１３が設けられている。また、棚ユニットＵ１３の後方側には棚ユニットＵ１４が設けられており、この棚ユニットＵ１４は、第１の加熱系単位ブロックＡ１〜第６の加熱系単位ブロックＡ６に跨るように設けられている。
【００１９】
第１の加熱系単位ブロックＡ１の棚ユニットＵ１１〜Ｕ１３には、疎水化処理モジュールＡＤＨが例えば２段に積層されている。棚ユニットＵ１３では、前記疎水化処理モジュールＡＤＨに、さらに受け渡しモジュールＢＵ１１が積層されている。また、棚ユニットＵ１４において第１の加熱系単位ブロックＡ１の高さ位置には受け渡しモジュールＴＲＳ１１が設けられている。
【００２０】
図４は、水平搬送機構をなすメインアームＢ１の斜視図を示している。メインアームＢ１は、搬送領域Ｒ１を前後に向けて敷設されたガイドレール２１と、ガイドレール２１に沿って移動する水平移動台２２と、水平移動台２２に設けられ、鉛直軸回りに回動自在なフレーム２３と、基台２４と、ウエハ保持部２５、２６と、を備えている。基台２４はフレーム２３に支持され、昇降自在に構成されている。また、ウエハ保持部２５、２６は基台２４に支持されると共に基台２４を独立して進退自在に構成されている。このような構成によりメインアームＢ１は、第１の加熱系単位ブロックＡ１の各モジュール間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。
【００２１】
各モジュールについて説明すると、前記疎水化処理モジュールＡＤＨは、ウエハＷを加熱すると共にウエハＷのベベル部（周端部）を含む表面に処理ガスを供給する処理モジュールであり、前記表面の疎水性を向上させ、液浸露光時に当該周端部から各膜の剥がれを抑える役割を有する。受け渡しモジュールＢＵ１１は、キャリアＣからウエハＷが受け渡されるモジュールであり、既述の受け渡しアーム１３から搬送されたウエハＷを一括で受け取るために、上下方向に５つのウエハＷを載置するステージを備えている。受け渡しモジュールＢＵ１１に搬送されたウエハＷは、１枚ずつ受け渡しモジュールＢＵ１１から取り出されて処理を受ける。なお、受け渡しモジュールはウエハＷが載置されるステージを備えている。そして、ＢＵと記載した受け渡しモジュールは、複数枚のウエハＷを夫々載置するステージを備え、載置したウエハＷを滞留させることができる。
【００２２】
他の加熱系単位ブロックＡについて、第１の加熱系単位ブロックＡ１との差異点を中心に説明する。第２の加熱系単位ブロックＡ２は、第１の加熱系単位ブロックＡ１と同様に構成されている。棚ユニットＵ１３には受け渡しモジュールＢＵ１１に対応するＢＵ１２が設けられており、棚ユニットＵ１４には受け渡しモジュールＴＲＳ１１に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ１２が設けられている。
【００２３】
第３の加熱系単位ブロックＡ３及び第４の加熱系単位ブロックＡ４では棚ユニットＵ１１〜Ｕ１３に、疎水化処理モジュールＡＤＨの代わりに加熱モジュールＰＡＢが設けられている。加熱モジュールＰＡＢはレジスト塗布後のウエハＷを加熱するモジュールである。また、棚ユニットＵ１４において、受け渡しモジュールＴＲＳ１１に相当する受け渡しモジュールＴＲＳ１３、ＴＲＳ１４を備えている。
【００２４】
第５の加熱系単位ブロックＡ５及び第６の加熱系単位ブロックＡ６では棚ユニットＵ１１〜Ｕ１３に、疎水化処理モジュールＡＤＨの代わりに加熱モジュールＰＯＳＴが設けられている。加熱モジュールＰＯＳＴは現像処理後のウエハＷを加熱するモジュールである。また、棚ユニットＵ１４にも棚ユニットＵ１１〜Ｕ１３と同様に加熱モジュールＰＯＳＴが２段に積層されて設けられている。また、第５の加熱系単位ブロックＡ５、第６の加熱系単位ブロックＡ６では棚ユニットＵ１３に夫々受け渡しモジュールＢＵ１３、ＢＵ１４が設けられている。これらの受け渡しモジュールＢＵ１３、ＢＵ１４は、キャリアＣへウエハＷを戻すためのモジュールである。
【００２５】
図５は塗布、現像装置１におけるウエハＷの搬送機構の配置を示した概略図である。この図５に示すように第１〜第４の加熱系単位ブロックＡ１〜Ａ４で共用される受け渡しアーム１５が設けられている。上下搬送機構をなす受け渡しアーム１５は、棚ユニットＵ１４の近傍に配置されており、加熱系単位ブロックＡ１〜Ａ４の各高さ位置を昇降自在に構成されている。また、棚ユニットＵ１４に対して進退自在に構成され、受け渡しモジュールＴＲＳ１１〜ＴＲＳ１４の間でウエハＷを受け渡すことができる。また、図５に示すように加熱系単位ブロックＡ２〜Ａ６ではメインアームＢ１に対応するメインアームＢ２〜Ｂ６が設けられている。メインアームＢ１〜Ｂ６は、互いに独立してウエハＷを搬送し、これらメインアームＢ１〜Ｂ６及び受け渡しアーム１５は第１の加熱系の搬送機構を構成する。
【００２６】
続いて、液処理ブロックＳ３について説明する。液処理単位ブロックＳ３は、液処理単位ブロックＣ１〜Ｃ６が上方へ向かって積層されて構成されており、各液処理単位ブロックＣ１〜Ｃ６は加熱系単位ブロックＡ１〜Ａ６に夫々隣接している。液処理単位ブロックＣ１〜Ｃ６は、互いに平面視同様のレイアウトで構成されている。図１では第１の前段処理用の単位ブロックである第１の液処理単位ブロックＢ１について示しており、以下、代表してこの第１の液処理単位ブロックＢ１について説明する。この第１の液処理単位ブロックＢ１の中央には、前後方向に直線状の搬送路である搬送領域Ｒ２が形成されており、この搬送領域Ｒ２を左右から挟むように反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１が互いに対向して設けられている。前記搬送領域Ｒ２には、メインアームＤ１が設けられている。メインアームＤ１は、上記のメインアームＢと同様に構成されており、搬送領域Ｒ２を移動して第１の液処理単位ブロックＢ１の各モジュール間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。
【００２７】
塗布モジュールであるレジスト膜形成モジュールＣＯＴ１について説明する。レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１は筐体３１を備えており、筐体３１内には搬送領域Ｒ１に沿って２つのスピンチャック３２が設けられている。スピンチャック３２は、ウエハＷの裏面中央部を吸着保持すると共に鉛直軸回りに回転自在に構成されている。図中３３は処理カップであり、上側が開口している。処理カップ３３は、スピンチャック３２の周囲を囲み、レジスト液の飛散を抑える。ウエハＷを処理するときには、当該処理カップ３３内にウエハＷが収容され、ウエハＷの裏面中央部はスピンチャック３２に保持される。
【００２８】
また、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１には、各処理カップ３３で共用されるノズル３４が設けられている。図中３５は駆動機構である。駆動機構３５は、アーム３６を介してノズル３４を各処理カップ２３の配列方向に移動させると共にアーム３６を介してノズル３４を昇降させる。駆動機構３５により、ノズル３４は各処理カップ３３間を移動し、各スピンチャック３２に受け渡されたウエハＷの中心にレジスト液を吐出する。吐出されたレジスト液は、前記スピンチャック２２により鉛直軸回りに回転するウエハＷの遠心力により、ウエハＷの周縁へと展伸し、レジスト膜が成膜される。なお、図示は省略しているが、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１はウエハＷの周端部に溶剤を供給し、当該周端部の不要な膜を除去するノズルを備えている。下層用の液処理モジュールである反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１は、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１と同様に構成されているが、ノズル３４からは前記レジスト液の代わりに反射防止膜形成用の薬液が吐出される。
【００２９】
図６は液処理ブロックＳ３の縦断正面図であり、この図６も参照しながら他の液処理単位ブロックＣ２〜Ｃ６について簡単に説明する。図５に示すように液処理単位ブロックＣ２〜Ｃ６には前記メインアームＤ１に対応するメインアームＤ２〜Ｄ６が夫々設けられている。各メインアームＤ１〜Ｄ６は、夫々独立してウエハＷを搬送する。第２の液処理単位ブロックＣ２は、第２の前段処理用の単位ブロックであり、第１の液処理単位ブロックＣ１と同様に構成されている。第２の液処理単位ブロックＣ２に設けられる反射防止膜形成モジュール、レジスト膜形成モジュールを夫々ＢＣＴ２、ＣＯＴ２とする。
【００３０】
液処理単位ブロックＣ３は、液処理単位ブロックＣ１との差異点として反射防止膜形成モジュール及びレジスト膜形成モジュールの代わりに、上層用の液処理モジュールである保護膜形成モジュールＴＣＴ１及び裏面洗浄モジュールＢＣＴ１を備えている。保護膜形成モジュールＴＣＴ１は、レジスト膜形成モジュールＣＯＴと同様に構成されているが、ノズル３４からは前記レジスト液の代わりに保護膜形成用の薬液が吐出される。この保護膜は撥水性を有し、液浸露光時にレジスト膜や反射防止膜への液の浸透を防ぐ役割を有する。裏面洗浄モジュールＢＣＴ１は、ノズル３４の代わりにウエハＷの裏面側に洗浄液を供給するノズルが設けられている。そして、前記ノズルから回転するウエハＷの裏面に洗浄液が供給されることにより、当該裏面が洗浄される。第４の液処理単位ブロックＣ４は、第３の液処理単位ブロックＣ３と同様に構成されている。図中第４の液処理単位ブロックＣ４に設けられる保護膜形成モジュール、裏面側洗浄モジュールを夫々ＴＣＴ２、ＢＳＴ２として示している。液処理単位ブロックＣ３、Ｃ４は各々後段処理用の単位ブロックをなす。
【００３１】
第５の液処理単位ブロックＣ５は、液処理単位ブロックＣ１との差異点として反射防止膜形成モジュール及びレジスト膜形成モジュールの代わりに、現像モジュールＤＥＶ１及び露光後洗浄モジュールＰＩＲ１を備えている。現像モジュールＤＥＶ１は、レジスト膜形成モジュールＣＯＴと同様に構成されているが、ノズル３４からは前記レジスト液の代わりに現像液が供給される。また、露光後洗浄モジュールＰＩＲ１は、レジスト膜形成モジュールＣＯＴと同様に構成されているが、ノズル３４からは前記レジスト液の代わりに保護膜除去または洗浄用の処理液を供給する。第６の液処理単位ブロックＣ６は、第５の液処理単位ブロックＣ５と同様に構成されている。図中第５の液処理単位ブロックＣ５に設けられる現像モジュール、露光後洗浄モジュールを夫々ＤＥＶ２、ＰＩＲ２として示している。このように液処理ブロックＳ４は、同様に構成された３種類の単位ブロックが各々２重化されて、互いに積層されて構成されている。
【００３２】
液処理ブロックＳ３において、キャリアブロックＳ１側には図１及び図３に示すように、各液処理単位ブロックＣ１〜Ｃ６に跨って棚ユニットＵ１が設けられている。棚ユニットＵ１は多数の積層されたモジュールからなり、メインアームＡ１〜Ａ６がアクセスできる高さ位置に受け渡しモジュールＣＰＬが設けられている。これら棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＣＰＬを介して液処理ブロックＳ３と、前方側加熱系ブロックＳ２との間でウエハＷの受け渡しが行われる。なお、ＣＰＬと記載した受け渡しモジュールは、載置したウエハＷを冷却する冷却ステージを備えている。図３中、第１の液処理単位ブロックＣ１の前記受け渡しモジュールをＣＰＬ１１及びＣＰＬ１２、第２の液処理単位ブロックＣ２の受け渡しモジュールをＣＰＬ１３及びＣＰＬ１４として示している。また、第３〜第６の液処理単位ブロックＣ３〜Ｃ６の受け渡しモジュールをＣＰＬ１５〜ＣＰＬ１８として示している。
【００３３】
液処理ブロックＳ３において、インターフェイスブロックＳ６側には、図３に示すように、第１〜第６の液処理単位ブロックＣ１〜Ｃ６に跨る棚ユニットＵ２が設けられている。棚ユニットＵ２は、複数の積層されたモジュールからなり、第１〜第６の液処理単位ブロックＣ１〜Ｃ６の各高さ位置には、夫々受け渡しモジュールＴＲＳが設けられている。これら棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＴＲＳを介して液処理ブロックＳ３と、後方側加熱ブロックＳ４との間でウエハＷの受け渡しが行われる。図３中、第１の液処理単位ブロックＣ１の前記受け渡しモジュールをＴＲＳ２１及びＴＲＳ２２、第２の液処理単位ブロックＣ２の受け渡しモジュールをＴＲＳ２３及びＴＲＳ２４、第３の液処理単位ブロックＣ３の前記受け渡しモジュールをＴＲＳ３１〜ＴＲＳ３３、第４の液処理単位ブロックＣ４の受け渡しモジュールをＴＲＳ３４〜ＴＲＳ３６として示している。また、第５の液処理単位ブロックＣ５の前記受け渡しモジュールをＴＲＳ４１〜ＴＲＳ４３、第６の液処理単位ブロックＣ６の受け渡しモジュールをＴＲＳ４４〜ＴＲＳ４６として示している。
【００３４】
続いて、後方側加熱系ブロックＳ４について説明する。この後方側加熱系ブロックＳ４の中央部には第２の加熱系の搬送機構を構成する受け渡しアーム１７、１８が上下に設けられている。この受け渡しアーム１７、１８は、ガイドレール２１が設けられないことを除いてメインアームＢ、Ｄと同様に構成されている。そして、受け渡しアーム１７は、前記第１〜第４の液処理単位ブロックＣ１〜Ｃ４の各高さ位置に昇降して移動することができ、既述の棚ユニットＵ２及び後述の棚ユニットＵ３、Ｕ４においてこれらの高さ位置にあるモジュールにアクセスすることができる。受け渡しアーム１８は、前記第５〜第６の液処理単位ブロックＣ５〜Ｃ６の各高さ位置に昇降して移動することができ、棚ユニットＵ２〜Ｕ４においてこれらの高さ位置にある各モジュールにアクセスすることができる。
【００３５】
後方側加熱系ブロックＳ４には受け渡しアーム１７、１８を左右から挟むように棚ユニットＵ３、Ｕ４が各々設けられている。棚ユニットＵ３、Ｕ４は同様に構成されており、ここでは代表して図３に示した棚ユニットＵ３について説明する。棚ユニットＵ３は、第１〜第６の液処理単位ブロックＣ１〜Ｃ６と同じ高さに夫々複数の加熱モジュールを積層して備えている。第１〜第４の液処理単位ブロックＣ１〜Ｃ４と同じ高さに設けられた加熱モジュールをＣＨＰとして示しており、第５及び第６の液処理単位ブロックＣ５〜Ｃ６と同じ高さに設けられた加熱モジュールをＰＥＢとして示している。
【００３６】
第１及び第２の液処理単位ブロックＣ１，Ｃ２と同じ高さに設けられた加熱モジュールＣＨＰは、反射防止膜形成後に加熱処理を行うモジュールであり、第３及び第４の液処理単位ブロックＣ３，Ｃ４と同じ高さに設けられた加熱モジュールＣＨＰは、保護膜形成後に加熱処理を行うモジュールである。また、加熱モジュールＰＥＢは、露光後洗浄モジュールで洗浄後に加熱処理を行うモジュールである。
【００３７】
これら加熱モジュールＣＨＰ、ＰＥＢは互いに同様に構成されており、ウエハＷを加熱する熱板４１と、冷却プレート４２とを備えている。冷却プレート４２は、前記熱板４１と受け渡しアーム１７との間でウエハＷを搬送すると共に加熱後のウエハＷを冷却する。前方側加熱系ブロックＳ２の加熱モジュールＰＯＳＴ及びＰＡＢも加熱モジュールＣＨＰ、ＰＡＢと同様に構成されている。
【００３８】
次にインターフェイスブロックＳ５について、その縦断正面図である図７も参照しながら説明する。インターフェイスブロックＳ５には、複数の積層されたモジュールからなる棚ユニットＵ５が設けられている。棚ユニットＵ６において、前記受け渡しアーム１７がアクセスできる高さ位置に受け渡しモジュールＴＲＳ５１及びＴＲＳ５２が設けられている。また、受け渡しアーム１８がアクセスできる高さ位置に受け渡しモジュールＴＲＳ５３が設けられている。また、棚ユニットＵ６には受け渡しモジュールＢＵ２１、ＢＵ２２、ＣＰＬ３１、ＣＰＬ３２が設けられている。
【００３９】
また、インターフェイスブロックＳ５には、インターフェイスアーム５１、５２が設けられている。インターフェイスアーム５１、５２は回動自在、昇降自在及び進退自在に構成されており、さらにインターフェイスアーム５１は、水平方向に移動自在に構成されている。インターフェイスアーム５１は露光装置Ｓ６及び受け渡しモジュールＣＰＬ３１、ＣＰＬ３２にアクセスし、これらの間でウエハＷを受け渡す。インターフェイスアーム５２は、棚ユニットＵ６を構成する各モジュールにアクセスし、これらのモジュール間でウエハＷを受け渡す。
【００４０】
続いて、塗布、現像装置１に設けられた制御部６１について、図８を参照しながら説明する。制御部６１はプログラム６２、メモリ６３、ＣＰＵ６４などを備えている。図中６０はバスである。前記プログラム６２には制御部６１から塗布、現像装置１の各モジュール及びウエハＷの搬送手段に制御信号を送り、後述のウエハＷの搬送及び処理を進行させるように命令（各ステップ）が組み込まれている。このプログラム６２は、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）、メモリーカードなどの記憶媒体に格納されて制御部６１にインストールされる。
【００４１】
前記メモリ６３にはキャリアＣの各ウエハＷのＩＤ番号と、ウエハＷが搬送されるモジュールとが対応付けられた搬送スケジュールが記憶された搬送スケジュール記憶領域６５が設けられている。この搬送スケジュールに従って、各メインアームＢ１〜Ｂ６、Ｄ１〜Ｄ６、受け渡しアーム１５、１７、１８及びインターフェイスアーム５１、５２が動作し、各ウエハＷについて設定されたモジュールへの搬送が行われる。
【００４２】
液処理ブロックＳ３のメインアームＤ１〜Ｄ６は、制御部６１に各位置に応じた位置信号を送信する。ＣＰＵ６４は、この位置信号に基づいてメインアームＤ１〜Ｄ６が正常に動作しているか判定する。正常であると判定された場合は、予め設定された搬送スケジュールに従ってウエハＷの搬送が続けられる。異常であると判定された場合は前記搬送スケジュールが変更され、ウエハＷの搬送経路が変更される。
【００４３】
塗布、現像装置１におけるウエハＷの搬送経路について説明する。前記メインアームＤ１〜Ｄ６に異常が無い正常時において、ウエハＷは図９、図１０に点線で示す経路に各々振り分けられて搬送される。受け渡しアーム１３は、キャリアＣからウエハＷを第１の加熱処理単位ブロックＡ１の受け渡しモジュールＢＵ１１、第２の加熱処理単位ブロックＡ２の受け渡しモジュールＢＵ１２に交互に搬送する。このように正常時に受け渡しモジュールＢＵ１１に搬送されるウエハＷ（説明の便宜上、ウエハＷ１とする）は、図９に示す経路で搬送されるように設定されている。また、正常時に受け渡しモジュールＢＵ１２に搬送されるウエハＷ（説明の便宜上、ウエハＷ２とする）は、図１０に示す経路で搬送されるように設定されている。
【００４４】
以下に図９のウエハＷ１の経路を説明すると、前記受け渡しモジュールＢＵ１１に受け渡されたウエハＷ１は、第１の加熱処理単位ブロックＡ１のメインアームＢ１→棚ユニットＵ１１〜Ｕ１３の疎水化処理モジュールＡＤＨの順で搬送されて、疎水化処理される。疎水化処理後、ウエハＷ１は前記メインアームＢ１→棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＣＰＬ１１→第１の液処理単位ブロックＣ１のメインアームＤ１→反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１の順で搬送されて、当該ウエハＷ１に反射防止膜が形成される。
【００４５】
反射防止膜形成後のウエハＷ１は、メインアームＤ１→棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＴＲＳ２１→後方側加熱処理単位ブロックＳ４の受け渡しアーム１７→第１の液処理単位ブロックＣ１の高さ位置にある加熱モジュールＣＨＰ→受け渡しアーム１７→棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＴＲＳ２２→メインアームＤ１→レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１の順で搬送されて、反射防止膜の上層にレジスト膜が形成される。
【００４６】
然る後ウエハＷ１は、メインアームＢ１→受け渡しモジュールＣＰＬ１２→メインアームＢ１→棚ユニットＵ１４の受け渡しモジュールＴＲＳ１１→受け渡しアーム１５→第３の加熱系単位ブロックＡ３の受け渡しモジュールＴＲＳ１３→メインアームＢ３→加熱モジュールＰＡＢ→メインアームＢ３→液処理単位ブロックＣ３の受け渡しモジュールＣＰＬ１５→メインアームＤ３→保護膜形成モジュールＴＣＴ１の順に搬送され、レジスト膜の上層に保護膜が形成される。
【００４７】
次に、ウエハＷ１はメインアームＤ３→棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＴＲＳ３１→受け渡しアーム１７→第３の液処理単位ブロックＣ３の高さ位置にある加熱モジュールＣＨＰ→受け渡しアーム１７→受け渡しモジュールＴＲＳ３２→メインアームＤ３→裏面洗浄モジュールＢＳＴ１→メインアームＤ３→受け渡しモジュールＴＲＳ３３→受け渡しアーム１７→棚ユニットＵ６の受け渡しモジュールＴＲＳ５１→インターフェイスアーム５２→受け渡しモジュールＢＵ２１→インターフェイスアーム５２→受け渡しモジュールＣＰＬ３１→インターフェイスアーム５１→露光装置Ｓ７の順で搬送されて、液浸露光される。
【００４８】
液浸露光後のウエハＷ１は、インターフェイスアーム５１→受け渡しモジュールＣＰＬ３２→インターフェイスアーム５２→受け渡しモジュールＢＵ２２→インターフェイスアーム５２→受け渡しモジュールＴＲＳ５３→受け渡しアーム１８→棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＴＲＳ４１→第５の液処理単位ブロックＣ５のメインアームＤ５→露光後洗浄モジュールＰＩＲ１に搬送されて、保護膜の除去及び洗浄処理を受ける。
【００４９】
然る後、ウエハＷ１は、メインアームＤ５→棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＴＲＳ４２→受け渡しアーム１８→加熱モジュールＰＥＢ→受け渡しアーム１８→受け渡しモジュールＴＲＳ４３→メインアームＤ５→現像モジュールＤＥＶ１の順で搬送されて、ウエハＷ１が現像される。然る後、ウエハＷ１は、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＣＰＬ１７→第５の加熱系単位ブロックＡ５のメインアームＢ５→加熱モジュールＰＯＳＴ→メインアームＢ５→受け渡しモジュールＢＵ１３→受け渡しアーム１３の順で搬送されて、受け渡しアーム１３がキャリアＣにウエハＷ１を戻す。
【００５０】
続いてキャリアＣから受け渡しモジュールＢＵ１２に受け渡されたウエハＷ２の経路について説明する。当該ウエハＷ２は、搬送されるモジュールの階層が異なる他は、受け渡しモジュールＢＵ１１に搬送されたウエハＷ２と同様に搬送されて処理を受ける。前記ウエハＷ２は、第２の加熱処理単位ブロックＡ２のメインアームＢ２→棚ユニットＵ１１〜Ｕ１３の疎水化処理モジュールＡＤＨ→メインアームＢ２→棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＣＰＬ１３→第２の液処理単位ブロックＣ２のメインアームＤ２→反射防止膜形成モジュールＢＣＴ２→メインアームＤ２→棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＴＲＳ２３→後方側加熱処理単位ブロックＳ４の受け渡しアーム１７→第２の液処理単位ブロックＣ２の高さ位置にある加熱モジュールＣＨＰ→受け渡しアーム１７→棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＴＲＳ２４→メインアームＤ１→レジスト膜形成モジュールＣＯＴ２の順で搬送される。
【００５１】
然る後ウエハＷ２は、メインアームＢ２→受け渡しモジュールＣＰＬ１４→メインアームＢ２→棚ユニットＵ１４の受け渡しモジュールＴＲＳ１２→受け渡しアーム１５→第４の加熱系単位ブロックＡ４の受け渡しモジュールＴＲＳ１４→メインアームＢ４→加熱モジュールＰＡＢ→メインアームＢ４→受け渡しモジュールＣＰＬ１６→第４の液処理単位ブロックＣ４のメインアームＤ３→保護膜形成モジュールＴＣＴ２→メインアームＤ４→棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＴＲＳ３４→受け渡しアーム１７→第４の液処理単位ブロックＣ４の高さ位置にある加熱モジュールＣＨＰ→受け渡しアーム１７→受け渡しモジュールＴＲＳ３５→メインアームＤ４→裏面洗浄モジュールＢＳＴ２→メインアームＤ４→受け渡しモジュールＴＲＳ３６→受け渡しアーム１７→棚ユニットＵ６の受け渡しモジュールＴＲＳ５１に搬送される。以降、ウエハＷ２は、インターフェイスブロックＳ５内を上記と同様の経路で搬送され、液浸露光を受けた後、受け渡しモジュールＴＲＳ５３に受け渡される。
【００５２】
その後、ウエハＷ２は、受け渡しアーム１８→棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＴＲＳ４４→第６の液処理単位ブロックＣ６のメインアームＤ６→露光後洗浄モジュールＰＩＲ１→メインアームＤ６→棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＴＲＳ４５→受け渡しアーム１８→加熱モジュールＰＥＢ→受け渡しアーム１８→受け渡しモジュールＴＲＳ４６→メインアームＤ６→現像モジュールＤＥＶ２→棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＣＰＬ１８→第６の加熱系単位ブロックＡ６のメインアームＢ６→加熱モジュールＰＯＳＴ→メインアームＢ６→受け渡しモジュールＢＵ１４→受け渡しアーム１３の順で搬送されて、受け渡しアーム１３がキャリアＣにウエハＷ２を戻す。
【００５３】
制御部６１が液処理ブロックＳ３のメインアームＤ１〜Ｄ６のいずれかに異常が発生したと判定したときには、異常が発生したと判定されたメインアームＤの動作を停止させる。そして制御部６１は、異常が発生したと判定されたメインアームＤを含む液処理単位ブロックＣ及び前記液処理単位ブロックＣに対応する加熱系単位ブロックＡへのウエハＷの搬送を停止すると共に、異常となったメインアームＤを含む液処理単位ブロックＣと対になる液処理単位ブロックＣ及び当該液処理単位ブロックＣに対応する加熱系単位ブロックＡにウエハＷを搬送するように搬送スケジュールを変更する。メインアームＤの異常が発生した液処理単位ブロックＣについては、このように当該液処理単位ブロックを避けるように搬送スケジュールの変更が行われるが、メインアームＤの異常が発生していない単位ブロックについては当該液処理単位ブロックＣへの搬送が避けられることなく、ウエハＷの搬送が継続される。
【００５４】
具体的に図１１を参照しながら、一例として第１の液処理単位ブロックＣ１のメインアームＤ１に異常が発生した場合について説明する。前記異常が発生すると、第１の液処理単位ブロックＣ１及び当該液処理単位ブロックＣ１に対応する第１の加熱系単位ブロックＡ１へのウエハＷ１の搬送が停止する。そして、これら第１の液処理単位ブロックＣ１及び第１の加熱系単位ブロックＡ１に搬送されるように設定されていたウエハＷ１は、キャリアＣから受け渡しモジュールＢＵ１２へ搬送され、当該受け渡しモジュールＢＵ１２からウエハＷ２と同様の経路で第２の加熱系単位ブロックＡ２及び第２の液処理単位ブロックＣ２を搬送されて処理を受ける。図１１では、点線の矢印で前記ウエハＷ１の搬送経路を示している。
【００５５】
第２の液処理単位ブロックＣ２及び第２の加熱系単位ブロックＡ２で処理後、棚ユニットＵ１４の受け渡しモジュールＴＲＳ１２へ搬送されたウエハＷ１は、受け渡しアーム１５によって正常時と同様に第３の加熱処理単位ブロックＡ３のＴＲＳ１３に搬入される。これ以降、ウエハＷ１は正常時と同様に液処理単位ブロックＣ３、Ｃ５及び加熱系単位ブロックＡ３、Ａ５に搬送されて処理を受ける。第２の液処理単位ブロックＣ２に搬入されたウエハＷ２は、鎖線の矢印で示すように正常時と同様の搬送経路で搬送されて処理を受ける。
【００５６】
第２の液処理単位ブロックＣ２のメインアームＤ２に異常が発生した場合は、前記メインアームＤ１に異常が発生した場合と同様に、当該第２の液処理単位ブロックＣ２で処理を受けるように設定されていたウエハＷ２が、キャリアＣから受け渡しモジュールＢＵ１１へ搬送され、第１の液処理単位ブロックＣ１及び第１の加熱系単位ブロックＡ１に搬送されて処理を受ける。そして、棚ユニットＵ１４の受け渡しモジュールＴＲＳ１１へ搬送されたウエハＷ２は、受け渡しアーム１５によって正常時と同様に第４の加熱処理単位ブロックＡ４のＴＲＳ１４に搬入される。その後は、正常時と同様に液処理単位ブロックＣ４、Ｃ６及び加熱系単位ブロックＡ４、Ａ６に搬送されて処理を受ける。
【００５７】
第３の液処理単位ブロックＣ３のメインアームＤ３に異常が発生した場合、当該第３の液処理単位ブロックＣ３へ搬入されるように設定されていたウエハＷ１は、第１の加熱系単位ブロックＡ１及び第１の液処理単位ブロックＡ１で処理後に、この第３の液処理単位ブロックＣ３及び第３の加熱処理単位ブロックＡ３を避けて、第４の液処理単位ブロックＣ４及び第４の加熱処理単位ブロックＡ４に搬送される。そして、これらの単位ブロックＣ４、Ａ４で処理後に第５の液処理単位ブロックＣ５及び第５の加熱処理単位ブロックＡ５に搬送されて処理を受ける。
【００５８】
第４の液処理単位ブロックＣ４のメインアームＤ４に異常が発生した場合も同様に、ウエハＷ２は、第２の加熱系単位ブロックＡ２及び第２の液処理単位ブロックＡ２で処理後に、この第４の液処理単位ブロックＣ４及び第４の加熱処理単位ブロックＡ４を避けて、第３の液処理単位ブロックＣ３及び第３の加熱処理単位ブロックＡ３に搬送される。そして、これらの単位ブロックＣ３、Ａ３で処理後に第６の液処理単位ブロックＣ６及び第６の加熱処理単位ブロックＡ６に搬送されて処理を受ける。
【００５９】
また、第５の液処理単位ブロックＣ５のメインアームＤ５に異常が発生した場合、ウエハＷ１は露光後、第６の液処理単位ブロックＣ６及び第６の加熱系単位ブロックＡ６に搬送される。第６の液処理単位ブロックＣ６のメインアームＤ６に異常が発生した場合、ウエハＷ２は露光後、第５の液処理単位ブロックＣ５及び第５の加熱系単位ブロックＡ５に搬送される。
【００６０】
また、ユーザは制御部６１からメンテナンスする液処理単位ブロックＣを指定できるようになっている。このように指定が行われた場合も制御部６１は、メインアームＤが故障した場合と同様に、指定した液処理単位ブロックＣと、この液処理単位ブロックに対応する加熱系単位ブロックＡへのウエハＷの搬送を避けるように搬送制御を行う。
【００６１】
本発明の塗布、現像装置１を構成する処理ブロックＳ２０は、前方側から後方側に向かって前方側加熱系ブロックＳ２、液処理ブロックＳ３、後方側加熱系ブロックＳ４がこの順に配列され、前記液処理ブロックＳ３は、反射防止膜を形成する反射防止膜形成モジュールＢＣＴ、レジスト膜を形成するレジスト膜形成塗布モジュールＣＯＴ及びメインアームＤを各々備えた前段処理用の単位ブロックＣ１、Ｃ２と、保護膜形成モジュールＴＣＴ、露光前に洗浄を行う洗浄モジュールＢＳＴ及びメインアームＤを備えた後段処理用の単位ブロックＣ３、Ｃ４と、現像を行う現像モジュールＤＥＶ及びメインアームＤを備えた現像処理用の単位ブロックＣ５，Ｃ６と、を積層して構成される。これによって装置の設置面積を抑えることができる。さらに各液処理単位ブロックＣは、同じ構成の単位ブロックＣが積層されて二重化されており、その二重化された単位ブロックＣのうちの一つが使用不可になっても、他の液処理単位ブロックＣを用いてウエハＷの処理を続けて行うことができるのでスループットの低下を抑えることができる。
【００６２】
また、メインアームＢが故障した場合やメンテナンスを行うことで、所定の加熱系単位ブロックＡでのウエハＷの処理が行えなくなった場合も、前記加熱系単位ブロックＡと、この加熱系単位ブロックＡに対応する液処理単位ブロックＣへのウエハＷの搬送を避けるように搬送制御を行ってもよい。なお、この実施形態や他の実施形態で、第３の液処理単位ブロックＢ３で形成される膜は保護膜に限られず、例えばレジストの上層側に設けられる反射防止膜であってもよい。また、液処理単位ブロックＣ５、Ｃ６のメインアームは共通化されていてもよい。具体的に、メインアームＤ５が液処理単位ブロックＣ５、Ｃ６を昇降し、これら液処理単位ブロックＣ５，Ｃ６の各モジュール間でウエハＷを搬送してもよい。ただし、上記のように液処理単位ブロックＣ５、Ｃ６毎にメインアームＤを設けることで、メインアームＣ５、Ｃ６のうち一方が故障したときに他方を用いて搬送を続けることができる。
【符号の説明】
【００６３】
Ａ１〜Ａ６ 加熱系単位ブロック
ＢＣＴ 反射防止膜形成モジュール
Ｂ１〜Ｂ６ メインアーム
ＣＯＴ レジスト膜形成モジュール
ＤＥＶ 現像モジュール
Ｃ１〜Ｃ６ 液処理単位ブロック
Ｄ１〜Ｄ６ メインアーム
ＴＣＴ 保護膜形成モジュール
Ｓ１ キャリアブロック
Ｓ２ 前方側加熱系ブロック
Ｓ３ 液処理ブロック
Ｓ４ 後方側加熱系ブロック
Ｓ５ インターフェイスブロック
Ｓ６ 露光装置
Ｗ ウエハ
１ 塗布、現像装置
６１ 制御部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のキャリアブロック側に配置された第１の加熱系のブロックと、前記液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された第２の加熱系のブロックと、を備えたことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、
基板に下層側の反射防止膜を形成するために薬液を供給する下層用の液処理モジュールと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためにレジスト液を供給する塗布モジュールと、これらモジュール間で基板の受け渡しを行うためにキャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた前段処理用の単位ブロックを、第１の前段処理用の単位ブロック及び第２の前段処理用の単位ブロックとして上下に二重化して互いに積層したものと、
前記前段処理用の単位ブロックの上方側に積層され、レジスト膜が形成された基板に上層側の膜を形成するために薬液を供給する上層用の液処理モジュールと、上層膜が形成された基板に対して、露光前に洗浄を行う洗浄モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた後段処理用の単位ブロックを、第１の後段処理用の単位ブロック及び第２の後段処理用の単位ブロックとして上下に二重化して、互いに積層したものと、
前記前段処理用の単位ブロックに対して積層され、基板に現像液を供給する液処理モジュールと、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた現像処理用の単位ブロックと、を含むことと、
ｃ）前記第１の加熱系のブロックは、複数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記前段処理用の単位ブロックにてレジスト液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像が行われた基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な第１の加熱系の搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記第２の加熱系のブロックは、複数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記前段処理用の単位ブロックにて反射防止膜を形成するための薬液が塗布された後の基板を加熱する加熱モジュールと、前記後段処理用の単位ブロックにて上層膜を形成するための薬液が塗布された後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像が行われる前の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な第２の加熱系の搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記現像用の単位ブロックのキャリアブロック側に現像後の基板が搬送機構により搬出される受け渡しステージを設けると共に、前記前段処理用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に、キャリアから払い出された基板を当該単位ブロックの搬送機構に受け渡すための受け渡しステージを設けたことと、
ｆ）前記前段処理用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に、レジスト液が塗布された基板を第１の加熱系のブロックに払い出すための受け渡しステージを設けると共に、前記後段処理用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に、レジスト膜が形成された基板を当該単位ブロックの搬送機構が受け取るための受け渡しステージを設けることと、
ｇ）前記前段処理用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に、反射防止膜が塗布された基板を第２の加熱系のブロックに払い出すための受け渡しステージと第２の加熱系のブロックにて加熱処理された基板を当該単位ブロックの搬送機構が受け取るための受け渡しステージとを設けると共に、前記後段処理用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に、上層膜が形成された基板を第２の加熱系のブロックの搬送機構に受け渡すための受け渡しステージを設けることと、
を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項２】
前記第１の加熱系のブロックは、
前記直線搬送路の伸びる方向を前後方向とすると、前後方向に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路に沿って設けられた複数の加熱モジュールと、これら加熱モジュール及び受け渡しステージの間で基板を搬送するために当該直線搬送路に沿って移動する水平搬送機構と、を備えたユニット部分を複数段積層し、更に各ユニット部分の間で基板の搬送を行う上下搬送機構を設けた構成とされたことを特徴とする請求項１記載の塗布、現像装置。
【請求項３】
現像処理用の単位ブロックは、当該単位ブロックの搬送機構により基板の受け渡しが行われ、露光後の基板を洗浄するための洗浄モジュールを更に備えていることを特徴とする請求項１または２記載の塗布、現像装置。
【請求項４】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のキャリアブロック側に配置された第１の加熱系のブロックと、前記液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された第２の加熱系のブロックと、を備えたことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、
基板に下層側の反射防止膜を形成するために薬液を供給する下層用の液処理モジュールと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためにレジスト液を供給する塗布モジュールと、これらモジュール間で基板の受け渡しを行うためにキャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた前段処理用の単位ブロックを、第１の前段処理用の単位ブロック及び第２の前段処理用の単位ブロックとして上下に二重化して互いに積層したものと、
前記前段処理用の単位ブロックの上方側に積層され、レジスト膜が形成された基板に上層側の膜を形成するために薬液を供給する上層用の液処理モジュールと、上層膜が形成された基板に対して、露光前に洗浄を行う洗浄モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた後段処理用の単位ブロックを、第１の後段処理用の単位ブロック及び第２の後段処理用の単位ブロックとして上下に二重化して、互いに積層したものと、
前記前段処理用の単位ブロックに対して積層され、基板に現像液を供給する液処理モジュールと、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた現像処理用の単位ブロックと、を含むことと、
ｃ）前記第１の加熱系のブロックは、複数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記前段処理用の単位ブロックにてレジスト液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像が行われた基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な第１の加熱系の搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記第２の加熱系のブロックは、複数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記前段処理用の単位ブロックにて反射防止膜を形成するための薬液が塗布された後の基板を加熱する加熱モジュールと、前記後段処理用の単位ブロックにて上層膜を形成するための薬液が塗布された後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像が行われる前の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な第２の加熱系の搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記現像用の単位ブロックのキャリアブロック側に現像後の基板が搬送機構により搬出される受け渡しステージを設けると共に、前記前段処理用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に、キャリアから払い出された基板を当該単位ブロックの搬送機構に受け渡すための受け渡しステージを設けたことと、
ｆ）前記前段処理用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に、レジスト液が塗布された基板を第１の加熱系のブロックに払い出すための受け渡しステージを設けると共に、前記後段処理用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に、レジスト膜が形成された基板を当該単位ブロックの搬送機構が受け取るための受け渡しステージを設けることと、
ｇ）前記前段処理用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に、反射防止膜が塗布された基板を第２の加熱系のブロックに払い出すための受け渡しステージと第２の加熱系のブロックにて加熱処理された基板を当該単位ブロックの搬送機構が受け取るための受け渡しステージとを設けると共に、前記後段処理用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に、上層膜が形成された基板を第２の加熱系のブロックの搬送機構に受け渡すための受け渡しステージを設けることと、
を備えた塗布、現像装置を用い、
前段処理用の単位ブロックにて反射防止膜を形成するための薬液が塗布された後の基板を第２の加熱系ブロックに搬送する工程と、
次いで、第２の加熱系ブロックの加熱モジュールで加熱された基板を第２の加熱系の搬送機構により前段処理用の単位ブロックに搬送する工程と、
前記前段処理用の単位ブロックにてレジスト液が塗布された基板を第１の加熱系ブロックに搬送する工程と、
第１の加熱系の搬送機構により前記基板を後段処理用の単位ブロックに搬送する工程と、
後段処理用の単位ブロックにて上層膜を形成するための薬液が塗布された後の基板を第２の加熱系のブロックに搬送する工程と、
を備えることを特徴とする塗布、現像方法。
【請求項５】
塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項４記載の塗布、現像方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
【請求項１】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のキャリアブロック側に配置された第１の加熱系のブロックと、前記液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された第２の加熱系のブロックと、を備えたことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、
基板に下層側の反射防止膜を形成するために薬液を供給する下層用の液処理モジュールと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためにレジスト液を供給する塗布モジュールと、これらモジュール間で基板の受け渡しを行うためにキャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた前段処理用の単位ブロックを、第１の前段処理用の単位ブロック及び第２の前段処理用の単位ブロックとして上下に二重化して互いに積層したものと、
前記前段処理用の単位ブロックの上方側に積層され、レジスト膜が形成された基板に上層側の膜を形成するために薬液を供給する上層用の液処理モジュールと、上層膜が形成された基板に対して、露光前に洗浄を行う洗浄モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた後段処理用の単位ブロックを、第１の後段処理用の単位ブロック及び第２の後段処理用の単位ブロックとして上下に二重化して、互いに積層したものと、
前記前段処理用の単位ブロックに対して積層され、基板に現像液を供給する液処理モジュールと、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた現像処理用の単位ブロックと、を含むことと、
ｃ）前記第１の加熱系のブロックは、複数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記前段処理用の単位ブロックにてレジスト液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像が行われた基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な第１の加熱系の搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記第２の加熱系のブロックは、複数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記前段処理用の単位ブロックにて反射防止膜を形成するための薬液が塗布された後の基板を加熱する加熱モジュールと、前記後段処理用の単位ブロックにて上層膜を形成するための薬液が塗布された後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像が行われる前の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な第２の加熱系の搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記現像用の単位ブロックのキャリアブロック側に現像後の基板が搬送機構により搬出される受け渡しステージを設けると共に、前記前段処理用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に、キャリアから払い出された基板を当該単位ブロックの搬送機構に受け渡すための受け渡しステージを設けたことと、
ｆ）前記前段処理用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に、レジスト液が塗布された基板を第１の加熱系のブロックに払い出すための受け渡しステージを設けると共に、前記後段処理用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に、レジスト膜が形成された基板を当該単位ブロックの搬送機構が受け取るための受け渡しステージを設けることと、
ｇ）前記前段処理用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に、反射防止膜が塗布された基板を第２の加熱系のブロックに払い出すための受け渡しステージと第２の加熱系のブロックにて加熱処理された基板を当該単位ブロックの搬送機構が受け取るための受け渡しステージとを設けると共に、前記後段処理用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に、上層膜が形成された基板を第２の加熱系のブロックの搬送機構に受け渡すための受け渡しステージを設けることと、
を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項２】
前記第１の加熱系のブロックは、
前記直線搬送路の伸びる方向を前後方向とすると、前後方向に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路に沿って設けられた複数の加熱モジュールと、これら加熱モジュール及び受け渡しステージの間で基板を搬送するために当該直線搬送路に沿って移動する水平搬送機構と、を備えたユニット部分を複数段積層し、更に各ユニット部分の間で基板の搬送を行う上下搬送機構を設けた構成とされたことを特徴とする請求項１記載の塗布、現像装置。
【請求項３】
現像処理用の単位ブロックは、当該単位ブロックの搬送機構により基板の受け渡しが行われ、露光後の基板を洗浄するための洗浄モジュールを更に備えていることを特徴とする請求項１または２記載の塗布、現像装置。
【請求項４】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のキャリアブロック側に配置された第１の加熱系のブロックと、前記液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された第２の加熱系のブロックと、を備えたことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、
基板に下層側の反射防止膜を形成するために薬液を供給する下層用の液処理モジュールと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためにレジスト液を供給する塗布モジュールと、これらモジュール間で基板の受け渡しを行うためにキャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた前段処理用の単位ブロックを、第１の前段処理用の単位ブロック及び第２の前段処理用の単位ブロックとして上下に二重化して互いに積層したものと、
前記前段処理用の単位ブロックの上方側に積層され、レジスト膜が形成された基板に上層側の膜を形成するために薬液を供給する上層用の液処理モジュールと、上層膜が形成された基板に対して、露光前に洗浄を行う洗浄モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた後段処理用の単位ブロックを、第１の後段処理用の単位ブロック及び第２の後段処理用の単位ブロックとして上下に二重化して、互いに積層したものと、
前記前段処理用の単位ブロックに対して積層され、基板に現像液を供給する液処理モジュールと、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた現像処理用の単位ブロックと、を含むことと、
ｃ）前記第１の加熱系のブロックは、複数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記前段処理用の単位ブロックにてレジスト液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像が行われた基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な第１の加熱系の搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記第２の加熱系のブロックは、複数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記前段処理用の単位ブロックにて反射防止膜を形成するための薬液が塗布された後の基板を加熱する加熱モジュールと、前記後段処理用の単位ブロックにて上層膜を形成するための薬液が塗布された後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像が行われる前の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な第２の加熱系の搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記現像用の単位ブロックのキャリアブロック側に現像後の基板が搬送機構により搬出される受け渡しステージを設けると共に、前記前段処理用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に、キャリアから払い出された基板を当該単位ブロックの搬送機構に受け渡すための受け渡しステージを設けたことと、
ｆ）前記前段処理用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に、レジスト液が塗布された基板を第１の加熱系のブロックに払い出すための受け渡しステージを設けると共に、前記後段処理用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に、レジスト膜が形成された基板を当該単位ブロックの搬送機構が受け取るための受け渡しステージを設けることと、
ｇ）前記前段処理用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に、反射防止膜が塗布された基板を第２の加熱系のブロックに払い出すための受け渡しステージと第２の加熱系のブロックにて加熱処理された基板を当該単位ブロックの搬送機構が受け取るための受け渡しステージとを設けると共に、前記後段処理用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に、上層膜が形成された基板を第２の加熱系のブロックの搬送機構に受け渡すための受け渡しステージを設けることと、
を備えた塗布、現像装置を用い、
前段処理用の単位ブロックにて反射防止膜を形成するための薬液が塗布された後の基板を第２の加熱系ブロックに搬送する工程と、
次いで、第２の加熱系ブロックの加熱モジュールで加熱された基板を第２の加熱系の搬送機構により前段処理用の単位ブロックに搬送する工程と、
前記前段処理用の単位ブロックにてレジスト液が塗布された基板を第１の加熱系ブロックに搬送する工程と、
第１の加熱系の搬送機構により前記基板を後段処理用の単位ブロックに搬送する工程と、
後段処理用の単位ブロックにて上層膜を形成するための薬液が塗布された後の基板を第２の加熱系のブロックに搬送する工程と、
を備えることを特徴とする塗布、現像方法。
【請求項５】
塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項４記載の塗布、現像方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１２−６００８３（Ｐ２０１２−６００８３Ａ）
【公開日】平成２４年３月２２日（２０１２．３．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２０４７７２（Ｐ２０１０−２０４７７２）
【出願日】平成２２年９月１３日（２０１０．９．１３）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年３月２２日（２０１２．３．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年９月１３日（２０１０．９．１３）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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