多数個取り配線基板の製造方法
【課題】所定の外形寸法を有する半導体装置を歩留まり高く製造することが可能な多数個取り配線基板を効率良く製造可能な多数個取り配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも一部の前記スリット５は、その加工開始位置が製品領域３から離間した捨て代領域４にあり、加工開始位置における捨て代領域４に切削加工用のドリルビットＢを穿入するとともにドリルビットＢを製品領域３の外周辺に接する位置まで捨て代領域４を切削しながら移動させた後、外周辺に沿って捨て代領域４を切削しながら一方向に移動させることによりドリルビットＢの直径に対応する幅で形成される。
【解決手段】少なくとも一部の前記スリット５は、その加工開始位置が製品領域３から離間した捨て代領域４にあり、加工開始位置における捨て代領域４に切削加工用のドリルビットＢを穿入するとともにドリルビットＢを製品領域３の外周辺に接する位置まで捨て代領域４を切削しながら移動させた後、外周辺に沿って捨て代領域４を切削しながら一方向に移動させることによりドリルビットＢの直径に対応する幅で形成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路素子等の半導体素子を搭載するための小型の配線基板となる製品領域がその周囲に捨て代領域を介して複数並んで一体的に配列形成されて成る多数個取り配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体集積回路素子等の半導体素子を搭載するための小型の配線基板を複数同時に取り扱う形態として多数個取り配線基板が用いられている。この多数個取り配線基板は、図７、図８に示すように、複数の絶縁層２１および導体層２２を積層して成る母基板３０に複数の小型の配線基板となる四角形の製品領域２３を、その周囲に捨て代領域２４を介在させて一体的に並べて設けて成る。そして捨て代領域２４には、製品領域２３に接する位置に製品領域２３の外周各辺に沿って延びる長円形状のスリット２５が各製品領域２３を取り囲むように形成されている。なお、図７、図８に示した従来の多数個取り配線基板においては、簡略のため製品領域２３を２つ並べた例を示しているが、実際にはもっと多数の製品領域２３が並べられる。
【０００３】
各製品領域２３の上面中央部には、半導体素子Ｓを搭載する搭載部２３ａが形成されている。この搭載部２３ａには、半導体素子Ｓが図示しない接着剤を介して固定される。また各製品領域２３の上面には、搭載部２３ａ周辺から外周部に向けて延びる複数の配線導体２６が被着形成されている。これらの配線導体２６は、導体層２２により形成されている。さらにこれらの配線導体２６は、各製品領域２３を上下に貫通するスルーホール２７を介して各製品領域２３の下面に導出している。また配線導体２６の一部は、めっき用の引き出し導体２９としてスリット２５に延びている。
【０００４】
配線導体２６における搭載部２３ａ周辺部位にはボンディングパッド２６ａが形成されている。このボンディングパッド２６ａには、半導体素子Ｓの電極がボンディングワイヤＷを介して接続される。また配線導体２６で製品領域２３の下面に導出した一部は、外部接続パッド２６ｂを形成している。この外部接続パッド２６ｂは、図示しない外部電気回路基板の配線導体に半田を介して接続される。
【０００５】
さらに、製品領域２３および捨て代領域２４の上下面には、ソルダーレジスト層２８が被着されている。ソルダーレジスト層２８には、ボンディングパッド２６ａおよび外部接続パッド２６ｂを露出させる開口部が形成されている。ソルダーレジスト層２８から露出するボンディングパッド２６ａおよび外部接続パッド２６ｂの表面には、図示しない電解ニッケルめっき層および電解金めっき層が順次被着されている。この電解ニッケルめっきおよび電解金めっきが被着された後に、スリット２５が形成される。
【０００６】
そして、各製品領域２３の搭載部２３ａに半導体素子Ｓを搭載するとともに半導体素子Ｓの電極とボンディングパッド２６ａとをボンディングワイヤＷを介して接続した後、半導体素子ＳおよびボンディングワイヤＷを覆うようにして例えばトランスファーモールド法により樹脂封止し、しかる後、切断金型を使って母基板３０を各製品領域２３の外周各辺に沿って切断することにより、小型の配線基板上に半導体素子が搭載されて樹脂封止された半導体装置が多数個同時集約的に製造される。
【０００７】
ところで、このような多数個取り配線基板において、ソルダーレジスト層２８から露出するボンディングパッド２６ａおよび外部接続パッド２６ｂに電解ニッケルめっき層および電解金めっき層を被着させるには、以下の方法が採用される。
【０００８】
まず、図９、図１０に示すように、母基板３０の捨て代領域２４にスリット２５が形成されるスリット形成領域２５Ｐを設定しておく。そして、各配線導体２６からスリット形成領域に２５Ｐに向けてめっき引き出し導体２９を延出させておくとともに、これらのめっき引き出し導体２９をスリット形成領域２５Ｐにおいてタイバー３１により電気的に共通に接続しておく。さらに、母基板３０の外周部に導体層２２から成る枠状の共通電極３２を設けておくとともに、タイバー３１と共通電極３２とを電気的に接続しておく。母基板３０の上下面には、ボンディングパッド２６ａおよび外部接続パッド２６ｂを露出させる開口部を有するソルダーレジスト層２８を被着させておく。
【０００９】
次に、共通電極３２、タイバー３１および引き出し導体２９を介して各配線導体２６に電荷を供給しながら電解めっきすることにより、ボンディングパッド２６ａおよび外部接続パッド２６ｂに電解ニッケルめっきおよび電解金めっきを順次被着する。そして最後に、スリット形成領域２５Ｐを長円形に切削除去してスリット２５を形成することにより、各配線導体２６を電気的に独立させる。以上の方法により図７、図８に示した多数個取り配線基板が完成する。
【００１０】
ところで、上記方法においてスリット２５を形成するには、ドリルビットを用いた切削加工が用いられる。具体的には、まず、図１１（ａ）に示すように、スリット形成領域２５Ｐの一端にスリット２５の幅よりも小さな直径のドリルビットＢを穿入した後、スリット形成領域２５Ｐの幅の中央部を他端まで移動させながら切削していく。次に図１１（ｂ）に示すように、スリット形成領域２５Ｐの外周の一方の辺に沿ってドリルビットＢを移動させながら切削していく。次に図１１（ｃ）に示すように、スリット形成領域２５Ｐの他方の辺に沿ってドリルビットＢを移動させながら切削していくことにより長円形状のスリット２５が形成される。
【００１１】
しかしながら、上述した方法でスリット２５を形成した場合、ドリルビットＢをスリット形成領域２５Ｐの一端から他端まで往復するように複数回移動させる必要があり、多数個取り配線基板の製造効率が悪いものとなってしまう。
【００１２】
そこで、スリット形成領域２５Ｐの一端にスリット２５の幅と同じ直径のドリルビットを穿入した後、スリット形成領域２５Ｐを他端まで移動させながら切削していくことによりスリット２５を形成することが考えられる。
【００１３】
しかしながら、平坦な面にドリルビットを穿入しようとすると、図１２に示すように、ドリルビットＢの先端が横方向に滑って所定の位置から若干ずれた位置に穿入されることがある。このような滑りが生じると、図１３に示すように、スリット２５の幅と同じ直径のドリルビットを用いた場合、スリット２５の加工開始位置においてスリット２５が製品領域２３内に食い込んで形成されてしまうことがある。
【００１４】
スリット２５が製品領域２３内に食い込んで形成されると、母基板３０を各製品領域２３の外周各辺に沿って切断することにより得られる半導体装置の外形寸法が所定のものとならずに半導体装置の製造歩留まりが低下してしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開２０００−２０８６５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明が解決しようとする課題は、スリットの幅と同じ直径のドリルビットを用いてスリットを形成したとしても、スリットが製品領域に食い込むことがなく、それにより所定の外形寸法を有する半導体装置を歩留まり高く製造することが可能な多数個取り配線基板を効率良く製造可能な多数個取り配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の多数個取り配線基板の製造方法は、絶縁層と導体層とが積層されて成る多数個取り配線基板用の母基板に、各々に半導体素子が搭載される個片の配線基板となる四角形の複数の製品領域を、各製品領域の周囲に捨て代領域を介在させて一体的に形成する工程と、前記捨て代領域における前記製品領域に接する位置に該製品領域の外周各辺に沿ってそれぞれ延びる複数のスリットを切削加工により形成する工程とを行なう多数個取り配線基板の製造方法であって、少なくとも一部の前記スリットは、その加工開始位置が前記製品領域から離間した前記捨て代領域にあり、該加工開始位置における前記捨て代領域に前記切削加工用のドリルビットを穿入するとともに該ドリルビットを前記製品領域の外周辺に接する位置まで前記捨て代領域を切削しながら移動させた後、該外周辺に沿って前記捨て代領域を切削しながら一方向に移動させることにより前記ドリルビットの直径に対応する幅で形成されることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の多数個取り配線基板の製造方法によれば、少なくとも一部のスリットは、その加工開始位置が製品領域から離間した捨て代領域にあり、加工開始位置における捨て代領域に切削加工用のドリルビットを穿入するとともにドリルビットを製品領域の外周辺に接する位置まで捨て代領域を切削しながら移動させた後、その外周辺に沿って捨て代領域を切削しながら一方向に移動させることによりドリルビットの直径に対応する幅で形成されることから、ドリルビットを穿入する際にドリルビットの先端が多少横に滑った場合であっても、スリットが製品領域に食い込むことはないとともに、ドリルビットをスリットの一端から他端まで一回移動させるだけでよいので、所定の外形寸法を有する半導体装置を歩留まり高く製造することが可能な多数個取り配線基板を効率良く製造可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本発明により製造される多数個取り配線基板の例を示す概略断面図である。
【図２】図２は、図１に示す多数個取り配線基板の概略上面図である。
【図３】図３は、本発明の多数個取り配線基板の製造方法を説明するための概略断面図である。
【図４】図４は、本発明の多数個取り配線基板の製造方法を説明するための概略上面図である。
【図５】図５は、本発明の多数個取り配線基板の製造方法を説明するための工程毎の要部拡大概略上面図である。
【図６】図６は、本発明の多数個取り配線基板の製造方法を説明するための概略上面図である。
【図７】図７は、従来の製造方法により製造される多数個取り配線基板の例を示す概略断面図である。
【図８】図８は、図７に示す多数個取り配線基板の概略上面図である。
【図９】図９は、従来の多数個取り配線基板の製造方法を説明するための概略断面図である。
【図１０】図１０は、従来の多数個取り配線基板の製造方法を説明するための概略上面図である。
【図１１】図１１は、従来の多数個取り配線基板の製造方法を説明するための要部拡大概略上面図である。
【図１２】図１２は、従来の多数個取り配線基板の製造方法における問題点を説明するための要部拡大断面図である。
【図１３】図１３は、従来の多数個取り配線基板の製造方法における問題点を説明するための要部拡大上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
次に、本発明の多数個取り配線基板の製造方法により製造される多数個取り配線基板における実施形態の一例を添付の図面を参照して説明する。図１および図２に示すように、本例の多数個取り配線基板は、複数の絶縁層１および導体層２を積層して成る母基板１０に複数の小型の配線基板となる製品領域３を、その周囲に捨て代領域４を介在させて一体的に並べて設けて成る。そして捨て代領域４には、製品領域３に接する位置に製品領域３の外周各辺に沿って延びる長穴形状のスリット５が各製品領域３を取り囲むように形成されている。なお、この例の多数個取り配線基板においては、簡略のため製品領域３を２つ並べた例を示しているが、実際にはもっと多数の製品領域３が並べられる。
【００２１】
絶縁層１は、例えばガラスクロスにビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて硬化させた電気絶縁材料から成る。また、導体層２は、薄い銅箔を絶縁層１の表面に貼着するとともにその銅箔を所定のパターンにエッチングすることにより形成されている。
【００２２】
各製品領域３の上面中央部には半導体素子Ｓを搭載する搭載部３ａが形成されており、搭載部３ａには半導体素子Ｓが図示しない接着剤を介して固定される。各製品領域３の上面には、搭載部３ａ周辺から外周部に向けて延びる導体層２の一部から成る複数の配線導体６が被着形成されており、これらの配線導体６は各製品領域３を上下に貫通するスルーホール７を介して各製品領域３の下面に導出している。スルーホール７は、絶縁層１および導体層２の積層体にドリル加工やレーザ加工を施すことにより形成され、スルーホール内の配線導体６は、スルーホール７の内壁に無電解めっきおよび電解めっきにより銅めっき層を被着させることにより形成されている。
【００２３】
配線導体６の搭載部３ａ周辺部位には、ボンディングパッド６ａが形成されており、このボンディングパッド６ａには半導体素子Ｓの電極がボンディングワイヤＷを介して接続される。また配線導体６で製品領域３の下面に導出した一部は、外部接続パッド６ｂを形成しており、この外部接続パッド６ｂは図示しない外部電気回路基板の配線導体に半田を介して接続される。
【００２４】
さらに、製品領域３および捨て代領域４の上下面には、それぞれボンディングパッド６ａおよび外部接続パッド６ｂを露出させる開口部を有するソルダーレジスト層８が被着されており、ソルダーレジスト層８から露出するボンディングパッド６ａおよび外部接続パッド６ｂの表面には図示しない電解ニッケルめっき層および電解金めっき層が順次被着されている。ソルダーレジスト層８は、アクリル変性エポキシ樹脂等の感光性を有する熱硬化性樹脂を製品領域３および捨て代領域４にわたる全面に被着させるとともに、所定のパターンに露光および現像した後、熱硬化させることにより形成される。
【００２５】
そして、各製品領域３の搭載部３ａに半導体素子Ｓを搭載するとともに半導体素子Ｓの電極とボンディングパッド６ａとをボンディングワイヤＷを介して接続した後、半導体素子ＳおよびボンディングワイヤＷを覆うようにして例えばトランスファーモールド法により樹脂封止し、しかる後、母基板１０を各製品領域３の外周各辺に沿って切断することにより、小型の配線基板上に半導体素子Ｓが搭載されて樹脂封止された半導体装置が多数個同時集約的に製造される。
【００２６】
次に、本発明の多数個取り配線基板の製造方法の実施形態の一例を上述の多数個取り配線基板を製造する場合を例にとって図３〜図６を基に説明する。なお、これらの図において、図１および図２と同様の箇所には同様の符号を付し、煩雑を避けるため、その詳細な説明は省略する。
【００２７】
まず、図３および図４に示すように、絶縁層１と導体層２とが積層されて成る多数個取り配線基板用の母基板１０に、各々に半導体素子が搭載される個片の配線基板となる四角形の複数の製品領域３を、各製品領域３の周囲に捨て代領域４を介在させて一体的に形成する。このような製品領域３および捨て代領域４を有する母基板１０は、周知の多層配線基板技術を用いて製作される。
【００２８】
このとき、母基板１０の捨て代領域４には、スリット５が形成されるスリット形成領域５Ｐを設定しておく。そして、各配線導体６からスリット形成領域５Ｐに向けてめっき引き出し導体９を延出させておくとともに、これらのめっき引き出し導体９をスリット形成領域５Ｐにおいてタイバー１１により電気的に共通に接続しておく。さらに、母基板１０の外周部に導体層２から成る枠状の共通電極１２を設けておくとともに、タイバー１１と共通電極１２とを電気的に接続しておく。母基板１０上下面には、ボンディングパッド６ａおよび外部接続パッド６ｂを露出させる開口部を有するソルダーレジスト層８を被着させておく。
【００２９】
次に、共通電極１２、タイバー１１および引き出し導体９を介して各配線導体６に電荷を供給しながら電解めっきすることにより、ボンディングパッド６ａおよび外部接続パッド６ｂに電解ニッケルめっきおよび電解金めっきを順次被着する。
【００３０】
次に、スリット形成領域５Ｐを長穴形状に切削除去してスリット５を形成する。スリット形成領域５Ｐを除去するには、例えば先ず図５（ａ）に示すように、製品領域３から０．２〜１ｍｍ程度離間した加工開始位置に切削加工用のドリルビットＢを穿入する。このとき、ドリルビットＢの先端が横方向に滑って所定の位置から若干ずれた位置に穿入されたとしても、加工開始位置は製品領域３から０．２〜１ｍｍ程度離間していることから、スリット５が製品領域３に食い込むことが有効に防止される。
【００３１】
次に、図５（ｂ）に示すように、ドリルビットＢを製品領域３の外周辺に接する位置まで捨て代領域４を切削しながら移動させる。このように、捨て代領域４を切削しながらドリルビットＢを製品領域３の外周辺に接する位置まで移動させることから、ドリルビットＢが加工開始位置に穿入される際に若干ずれた位置に穿入されたとして、ドリルビットＢを製品領域３の外周辺に正確に当接させることができる。
【００３２】
次に、図５（ｃ）に示すように、ドリルビットＢを製品領域３の外周辺に沿って捨て代領域４を切削しながら一方向に移動させることによりスリット５をドリルビットＢの直径に対応する幅で形成する。これにより、各配線導体６が電気的に独立し、図１、図２に示した多数個取り配線基板が完成する。このとき、本発明の多数個取り配線基板の製造方法によれば、ドリルビットＢを穿入する際にドリルビットＢの先端が多少横に滑った場合であっても、スリット５が製品領域３に食い込むことはないので、母基板１０を各製品領域３の外周各辺に沿って切断することにより得られる半導体装置の外形寸法を所定のものとすることができる。また、ドリルビットＢをスリット５の一端から他端まで一回移動させるだけでよいので、所定の外形寸法を有する半導体装置を歩留まり高く製造することが可能な多数個取り配線基板を効率良く製造することができる。
【００３３】
なお、図５（ａ）〜（ｃ）を基に説明した例では、スリット５をかぎ形に形成する場合を示したが、例えば図６に示すように、製品領域３同士の間に挟まれたスリット５では、捨て代領域４から製品領域の外周辺に直線状に切削することによって形成されても良い。さらには、一部のスリット５について加工開始位置を捨て代領域４に設定することが困難な場合、そのスリット５については、図１１（ａ）〜（ｃ）を基に説明した従来の方法を採用し、残りのスリット５については本発明の方法を採用してもよい。
【符号の説明】
【００３４】
１ 絶縁層
２ 導体層
３ 製品領域
４ 捨て代領域
５ スリット
５Ｐ スリット形成領域
Ｂ ドリルビット
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路素子等の半導体素子を搭載するための小型の配線基板となる製品領域がその周囲に捨て代領域を介して複数並んで一体的に配列形成されて成る多数個取り配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体集積回路素子等の半導体素子を搭載するための小型の配線基板を複数同時に取り扱う形態として多数個取り配線基板が用いられている。この多数個取り配線基板は、図７、図８に示すように、複数の絶縁層２１および導体層２２を積層して成る母基板３０に複数の小型の配線基板となる四角形の製品領域２３を、その周囲に捨て代領域２４を介在させて一体的に並べて設けて成る。そして捨て代領域２４には、製品領域２３に接する位置に製品領域２３の外周各辺に沿って延びる長円形状のスリット２５が各製品領域２３を取り囲むように形成されている。なお、図７、図８に示した従来の多数個取り配線基板においては、簡略のため製品領域２３を２つ並べた例を示しているが、実際にはもっと多数の製品領域２３が並べられる。
【０００３】
各製品領域２３の上面中央部には、半導体素子Ｓを搭載する搭載部２３ａが形成されている。この搭載部２３ａには、半導体素子Ｓが図示しない接着剤を介して固定される。また各製品領域２３の上面には、搭載部２３ａ周辺から外周部に向けて延びる複数の配線導体２６が被着形成されている。これらの配線導体２６は、導体層２２により形成されている。さらにこれらの配線導体２６は、各製品領域２３を上下に貫通するスルーホール２７を介して各製品領域２３の下面に導出している。また配線導体２６の一部は、めっき用の引き出し導体２９としてスリット２５に延びている。
【０００４】
配線導体２６における搭載部２３ａ周辺部位にはボンディングパッド２６ａが形成されている。このボンディングパッド２６ａには、半導体素子Ｓの電極がボンディングワイヤＷを介して接続される。また配線導体２６で製品領域２３の下面に導出した一部は、外部接続パッド２６ｂを形成している。この外部接続パッド２６ｂは、図示しない外部電気回路基板の配線導体に半田を介して接続される。
【０００５】
さらに、製品領域２３および捨て代領域２４の上下面には、ソルダーレジスト層２８が被着されている。ソルダーレジスト層２８には、ボンディングパッド２６ａおよび外部接続パッド２６ｂを露出させる開口部が形成されている。ソルダーレジスト層２８から露出するボンディングパッド２６ａおよび外部接続パッド２６ｂの表面には、図示しない電解ニッケルめっき層および電解金めっき層が順次被着されている。この電解ニッケルめっきおよび電解金めっきが被着された後に、スリット２５が形成される。
【０００６】
そして、各製品領域２３の搭載部２３ａに半導体素子Ｓを搭載するとともに半導体素子Ｓの電極とボンディングパッド２６ａとをボンディングワイヤＷを介して接続した後、半導体素子ＳおよびボンディングワイヤＷを覆うようにして例えばトランスファーモールド法により樹脂封止し、しかる後、切断金型を使って母基板３０を各製品領域２３の外周各辺に沿って切断することにより、小型の配線基板上に半導体素子が搭載されて樹脂封止された半導体装置が多数個同時集約的に製造される。
【０００７】
ところで、このような多数個取り配線基板において、ソルダーレジスト層２８から露出するボンディングパッド２６ａおよび外部接続パッド２６ｂに電解ニッケルめっき層および電解金めっき層を被着させるには、以下の方法が採用される。
【０００８】
まず、図９、図１０に示すように、母基板３０の捨て代領域２４にスリット２５が形成されるスリット形成領域２５Ｐを設定しておく。そして、各配線導体２６からスリット形成領域に２５Ｐに向けてめっき引き出し導体２９を延出させておくとともに、これらのめっき引き出し導体２９をスリット形成領域２５Ｐにおいてタイバー３１により電気的に共通に接続しておく。さらに、母基板３０の外周部に導体層２２から成る枠状の共通電極３２を設けておくとともに、タイバー３１と共通電極３２とを電気的に接続しておく。母基板３０の上下面には、ボンディングパッド２６ａおよび外部接続パッド２６ｂを露出させる開口部を有するソルダーレジスト層２８を被着させておく。
【０００９】
次に、共通電極３２、タイバー３１および引き出し導体２９を介して各配線導体２６に電荷を供給しながら電解めっきすることにより、ボンディングパッド２６ａおよび外部接続パッド２６ｂに電解ニッケルめっきおよび電解金めっきを順次被着する。そして最後に、スリット形成領域２５Ｐを長円形に切削除去してスリット２５を形成することにより、各配線導体２６を電気的に独立させる。以上の方法により図７、図８に示した多数個取り配線基板が完成する。
【００１０】
ところで、上記方法においてスリット２５を形成するには、ドリルビットを用いた切削加工が用いられる。具体的には、まず、図１１（ａ）に示すように、スリット形成領域２５Ｐの一端にスリット２５の幅よりも小さな直径のドリルビットＢを穿入した後、スリット形成領域２５Ｐの幅の中央部を他端まで移動させながら切削していく。次に図１１（ｂ）に示すように、スリット形成領域２５Ｐの外周の一方の辺に沿ってドリルビットＢを移動させながら切削していく。次に図１１（ｃ）に示すように、スリット形成領域２５Ｐの他方の辺に沿ってドリルビットＢを移動させながら切削していくことにより長円形状のスリット２５が形成される。
【００１１】
しかしながら、上述した方法でスリット２５を形成した場合、ドリルビットＢをスリット形成領域２５Ｐの一端から他端まで往復するように複数回移動させる必要があり、多数個取り配線基板の製造効率が悪いものとなってしまう。
【００１２】
そこで、スリット形成領域２５Ｐの一端にスリット２５の幅と同じ直径のドリルビットを穿入した後、スリット形成領域２５Ｐを他端まで移動させながら切削していくことによりスリット２５を形成することが考えられる。
【００１３】
しかしながら、平坦な面にドリルビットを穿入しようとすると、図１２に示すように、ドリルビットＢの先端が横方向に滑って所定の位置から若干ずれた位置に穿入されることがある。このような滑りが生じると、図１３に示すように、スリット２５の幅と同じ直径のドリルビットを用いた場合、スリット２５の加工開始位置においてスリット２５が製品領域２３内に食い込んで形成されてしまうことがある。
【００１４】
スリット２５が製品領域２３内に食い込んで形成されると、母基板３０を各製品領域２３の外周各辺に沿って切断することにより得られる半導体装置の外形寸法が所定のものとならずに半導体装置の製造歩留まりが低下してしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開２０００−２０８６５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明が解決しようとする課題は、スリットの幅と同じ直径のドリルビットを用いてスリットを形成したとしても、スリットが製品領域に食い込むことがなく、それにより所定の外形寸法を有する半導体装置を歩留まり高く製造することが可能な多数個取り配線基板を効率良く製造可能な多数個取り配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の多数個取り配線基板の製造方法は、絶縁層と導体層とが積層されて成る多数個取り配線基板用の母基板に、各々に半導体素子が搭載される個片の配線基板となる四角形の複数の製品領域を、各製品領域の周囲に捨て代領域を介在させて一体的に形成する工程と、前記捨て代領域における前記製品領域に接する位置に該製品領域の外周各辺に沿ってそれぞれ延びる複数のスリットを切削加工により形成する工程とを行なう多数個取り配線基板の製造方法であって、少なくとも一部の前記スリットは、その加工開始位置が前記製品領域から離間した前記捨て代領域にあり、該加工開始位置における前記捨て代領域に前記切削加工用のドリルビットを穿入するとともに該ドリルビットを前記製品領域の外周辺に接する位置まで前記捨て代領域を切削しながら移動させた後、該外周辺に沿って前記捨て代領域を切削しながら一方向に移動させることにより前記ドリルビットの直径に対応する幅で形成されることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の多数個取り配線基板の製造方法によれば、少なくとも一部のスリットは、その加工開始位置が製品領域から離間した捨て代領域にあり、加工開始位置における捨て代領域に切削加工用のドリルビットを穿入するとともにドリルビットを製品領域の外周辺に接する位置まで捨て代領域を切削しながら移動させた後、その外周辺に沿って捨て代領域を切削しながら一方向に移動させることによりドリルビットの直径に対応する幅で形成されることから、ドリルビットを穿入する際にドリルビットの先端が多少横に滑った場合であっても、スリットが製品領域に食い込むことはないとともに、ドリルビットをスリットの一端から他端まで一回移動させるだけでよいので、所定の外形寸法を有する半導体装置を歩留まり高く製造することが可能な多数個取り配線基板を効率良く製造可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本発明により製造される多数個取り配線基板の例を示す概略断面図である。
【図２】図２は、図１に示す多数個取り配線基板の概略上面図である。
【図３】図３は、本発明の多数個取り配線基板の製造方法を説明するための概略断面図である。
【図４】図４は、本発明の多数個取り配線基板の製造方法を説明するための概略上面図である。
【図５】図５は、本発明の多数個取り配線基板の製造方法を説明するための工程毎の要部拡大概略上面図である。
【図６】図６は、本発明の多数個取り配線基板の製造方法を説明するための概略上面図である。
【図７】図７は、従来の製造方法により製造される多数個取り配線基板の例を示す概略断面図である。
【図８】図８は、図７に示す多数個取り配線基板の概略上面図である。
【図９】図９は、従来の多数個取り配線基板の製造方法を説明するための概略断面図である。
【図１０】図１０は、従来の多数個取り配線基板の製造方法を説明するための概略上面図である。
【図１１】図１１は、従来の多数個取り配線基板の製造方法を説明するための要部拡大概略上面図である。
【図１２】図１２は、従来の多数個取り配線基板の製造方法における問題点を説明するための要部拡大断面図である。
【図１３】図１３は、従来の多数個取り配線基板の製造方法における問題点を説明するための要部拡大上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
次に、本発明の多数個取り配線基板の製造方法により製造される多数個取り配線基板における実施形態の一例を添付の図面を参照して説明する。図１および図２に示すように、本例の多数個取り配線基板は、複数の絶縁層１および導体層２を積層して成る母基板１０に複数の小型の配線基板となる製品領域３を、その周囲に捨て代領域４を介在させて一体的に並べて設けて成る。そして捨て代領域４には、製品領域３に接する位置に製品領域３の外周各辺に沿って延びる長穴形状のスリット５が各製品領域３を取り囲むように形成されている。なお、この例の多数個取り配線基板においては、簡略のため製品領域３を２つ並べた例を示しているが、実際にはもっと多数の製品領域３が並べられる。
【００２１】
絶縁層１は、例えばガラスクロスにビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて硬化させた電気絶縁材料から成る。また、導体層２は、薄い銅箔を絶縁層１の表面に貼着するとともにその銅箔を所定のパターンにエッチングすることにより形成されている。
【００２２】
各製品領域３の上面中央部には半導体素子Ｓを搭載する搭載部３ａが形成されており、搭載部３ａには半導体素子Ｓが図示しない接着剤を介して固定される。各製品領域３の上面には、搭載部３ａ周辺から外周部に向けて延びる導体層２の一部から成る複数の配線導体６が被着形成されており、これらの配線導体６は各製品領域３を上下に貫通するスルーホール７を介して各製品領域３の下面に導出している。スルーホール７は、絶縁層１および導体層２の積層体にドリル加工やレーザ加工を施すことにより形成され、スルーホール内の配線導体６は、スルーホール７の内壁に無電解めっきおよび電解めっきにより銅めっき層を被着させることにより形成されている。
【００２３】
配線導体６の搭載部３ａ周辺部位には、ボンディングパッド６ａが形成されており、このボンディングパッド６ａには半導体素子Ｓの電極がボンディングワイヤＷを介して接続される。また配線導体６で製品領域３の下面に導出した一部は、外部接続パッド６ｂを形成しており、この外部接続パッド６ｂは図示しない外部電気回路基板の配線導体に半田を介して接続される。
【００２４】
さらに、製品領域３および捨て代領域４の上下面には、それぞれボンディングパッド６ａおよび外部接続パッド６ｂを露出させる開口部を有するソルダーレジスト層８が被着されており、ソルダーレジスト層８から露出するボンディングパッド６ａおよび外部接続パッド６ｂの表面には図示しない電解ニッケルめっき層および電解金めっき層が順次被着されている。ソルダーレジスト層８は、アクリル変性エポキシ樹脂等の感光性を有する熱硬化性樹脂を製品領域３および捨て代領域４にわたる全面に被着させるとともに、所定のパターンに露光および現像した後、熱硬化させることにより形成される。
【００２５】
そして、各製品領域３の搭載部３ａに半導体素子Ｓを搭載するとともに半導体素子Ｓの電極とボンディングパッド６ａとをボンディングワイヤＷを介して接続した後、半導体素子ＳおよびボンディングワイヤＷを覆うようにして例えばトランスファーモールド法により樹脂封止し、しかる後、母基板１０を各製品領域３の外周各辺に沿って切断することにより、小型の配線基板上に半導体素子Ｓが搭載されて樹脂封止された半導体装置が多数個同時集約的に製造される。
【００２６】
次に、本発明の多数個取り配線基板の製造方法の実施形態の一例を上述の多数個取り配線基板を製造する場合を例にとって図３〜図６を基に説明する。なお、これらの図において、図１および図２と同様の箇所には同様の符号を付し、煩雑を避けるため、その詳細な説明は省略する。
【００２７】
まず、図３および図４に示すように、絶縁層１と導体層２とが積層されて成る多数個取り配線基板用の母基板１０に、各々に半導体素子が搭載される個片の配線基板となる四角形の複数の製品領域３を、各製品領域３の周囲に捨て代領域４を介在させて一体的に形成する。このような製品領域３および捨て代領域４を有する母基板１０は、周知の多層配線基板技術を用いて製作される。
【００２８】
このとき、母基板１０の捨て代領域４には、スリット５が形成されるスリット形成領域５Ｐを設定しておく。そして、各配線導体６からスリット形成領域５Ｐに向けてめっき引き出し導体９を延出させておくとともに、これらのめっき引き出し導体９をスリット形成領域５Ｐにおいてタイバー１１により電気的に共通に接続しておく。さらに、母基板１０の外周部に導体層２から成る枠状の共通電極１２を設けておくとともに、タイバー１１と共通電極１２とを電気的に接続しておく。母基板１０上下面には、ボンディングパッド６ａおよび外部接続パッド６ｂを露出させる開口部を有するソルダーレジスト層８を被着させておく。
【００２９】
次に、共通電極１２、タイバー１１および引き出し導体９を介して各配線導体６に電荷を供給しながら電解めっきすることにより、ボンディングパッド６ａおよび外部接続パッド６ｂに電解ニッケルめっきおよび電解金めっきを順次被着する。
【００３０】
次に、スリット形成領域５Ｐを長穴形状に切削除去してスリット５を形成する。スリット形成領域５Ｐを除去するには、例えば先ず図５（ａ）に示すように、製品領域３から０．２〜１ｍｍ程度離間した加工開始位置に切削加工用のドリルビットＢを穿入する。このとき、ドリルビットＢの先端が横方向に滑って所定の位置から若干ずれた位置に穿入されたとしても、加工開始位置は製品領域３から０．２〜１ｍｍ程度離間していることから、スリット５が製品領域３に食い込むことが有効に防止される。
【００３１】
次に、図５（ｂ）に示すように、ドリルビットＢを製品領域３の外周辺に接する位置まで捨て代領域４を切削しながら移動させる。このように、捨て代領域４を切削しながらドリルビットＢを製品領域３の外周辺に接する位置まで移動させることから、ドリルビットＢが加工開始位置に穿入される際に若干ずれた位置に穿入されたとして、ドリルビットＢを製品領域３の外周辺に正確に当接させることができる。
【００３２】
次に、図５（ｃ）に示すように、ドリルビットＢを製品領域３の外周辺に沿って捨て代領域４を切削しながら一方向に移動させることによりスリット５をドリルビットＢの直径に対応する幅で形成する。これにより、各配線導体６が電気的に独立し、図１、図２に示した多数個取り配線基板が完成する。このとき、本発明の多数個取り配線基板の製造方法によれば、ドリルビットＢを穿入する際にドリルビットＢの先端が多少横に滑った場合であっても、スリット５が製品領域３に食い込むことはないので、母基板１０を各製品領域３の外周各辺に沿って切断することにより得られる半導体装置の外形寸法を所定のものとすることができる。また、ドリルビットＢをスリット５の一端から他端まで一回移動させるだけでよいので、所定の外形寸法を有する半導体装置を歩留まり高く製造することが可能な多数個取り配線基板を効率良く製造することができる。
【００３３】
なお、図５（ａ）〜（ｃ）を基に説明した例では、スリット５をかぎ形に形成する場合を示したが、例えば図６に示すように、製品領域３同士の間に挟まれたスリット５では、捨て代領域４から製品領域の外周辺に直線状に切削することによって形成されても良い。さらには、一部のスリット５について加工開始位置を捨て代領域４に設定することが困難な場合、そのスリット５については、図１１（ａ）〜（ｃ）を基に説明した従来の方法を採用し、残りのスリット５については本発明の方法を採用してもよい。
【符号の説明】
【００３４】
１ 絶縁層
２ 導体層
３ 製品領域
４ 捨て代領域
５ スリット
５Ｐ スリット形成領域
Ｂ ドリルビット
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と導体層とが積層されて成る多数個取り配線基板用の母基板に、各々に半導体素子が搭載される個片の配線基板となる四角形の複数の製品領域を、各製品領域の周囲に捨て代領域を介在させて一体的に形成する工程と、前記捨て代領域における前記製品領域に接する位置に該製品領域の外周各辺に沿ってそれぞれ延びる複数のスリットを切削加工により形成する工程とを行なう多数個取り配線基板の製造方法であって、少なくとも一部の前記スリットは、その加工開始位置が前記製品領域から離間した前記捨て代領域にあり、該加工開始位置における前記捨て代領域に前記切削加工用のドリルビットを穿入するとともに該ドリルビットを前記製品領域の外周辺に接する位置まで前記捨て代領域を切削しながら移動させた後、該外周辺に沿って前記捨て代領域を切削しながら一方向に移動させることにより前記ドリルビットの直径に対応する幅で形成されることを特徴とする多数個取り配線基板の製造方法。
【請求項１】
絶縁層と導体層とが積層されて成る多数個取り配線基板用の母基板に、各々に半導体素子が搭載される個片の配線基板となる四角形の複数の製品領域を、各製品領域の周囲に捨て代領域を介在させて一体的に形成する工程と、前記捨て代領域における前記製品領域に接する位置に該製品領域の外周各辺に沿ってそれぞれ延びる複数のスリットを切削加工により形成する工程とを行なう多数個取り配線基板の製造方法であって、少なくとも一部の前記スリットは、その加工開始位置が前記製品領域から離間した前記捨て代領域にあり、該加工開始位置における前記捨て代領域に前記切削加工用のドリルビットを穿入するとともに該ドリルビットを前記製品領域の外周辺に接する位置まで前記捨て代領域を切削しながら移動させた後、該外周辺に沿って前記捨て代領域を切削しながら一方向に移動させることにより前記ドリルビットの直径に対応する幅で形成されることを特徴とする多数個取り配線基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２０１３−３０５１７（Ｐ２０１３−３０５１７Ａ）
【公開日】平成２５年２月７日（２０１３．２．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１６３７６２（Ｐ２０１１−１６３７６２）
【出願日】平成２３年７月２６日（２０１１．７．２６）
【出願人】（３０４０２４８９８）京セラＳＬＣテクノロジー株式会社 (213)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月７日（２０１３．２．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年７月２６日（２０１１．７．２６）
【出願人】（３０４０２４８９８）京セラＳＬＣテクノロジー株式会社 (213)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]