実装体およびその製造方法
【課題】半導体装置(半導体チップ)の突起電極上の導電性接着剤と回路基板の電極を安定して接合し、信頼性の高い実装体を提供する。
【解決手段】第1の基板1と、第2の基板6とを接続してなる実装体であって、前記第1または第2の基板の一方に設けられた突起電極3が、前記第1または第2の基板の他の一方に設けられた基板電極5と、導電性接着剤4を介して接続されるとともに、この接続部の周りを封止樹脂7で覆われた実装体であって、前記導電性接着剤中の熱可塑性樹脂は、その接着強度の低下する温度が、前記封止樹脂の反応ピーク温度を超えるように構成された樹脂である。
【解決手段】第1の基板1と、第2の基板6とを接続してなる実装体であって、前記第1または第2の基板の一方に設けられた突起電極3が、前記第1または第2の基板の他の一方に設けられた基板電極5と、導電性接着剤4を介して接続されるとともに、この接続部の周りを封止樹脂7で覆われた実装体であって、前記導電性接着剤中の熱可塑性樹脂は、その接着強度の低下する温度が、前記封止樹脂の反応ピーク温度を超えるように構成された樹脂である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、実装体およびその製造方法にかかり、特に導電性接着剤を用いたフェースダウン実装による半導体装置と回路基板上の端子電極部との電気的接続に関するものである。
【背景技術】
【0002】
従来、半導体デバイス等の電子部品の接続端子と基板上の回路パターンの端子電極との接続には、はんだ付けが用いられてきたが、近年、半導体パッケージ等の小型化に加えて、接続端子数の増加等により接続端子間が狭くなってきている。このため、接着部の面積が大きい従来のはんだ付け法では対処できなくなってきている。
【0003】
そこで、最近では半導体チップの能動素子面を下方に向けた状態で基板上の端子電極に直付け(フリップチップ実装)して実装面積の低減を図る試みが盛んになってきている。このフリップチップ実装方式には数々の提案がなされ実施されているが、以下にその代表例の一つについて説明する。
【0004】
これは導電性接着剤による接合であり、図1に示すように、まず半導体チップ1の電極パッド2に金で構成されるバンプ電極(突起電極)3を設け、突起電極3に導電接着剤を転写し、突起電極3と回路基板6上の端子電極5とを位置合わせしてから導電性接着剤を硬化させることにより、導電性接着層4を介して突起電極3と端子電極5とを電気的に接続する。その後、半導体チップ1と基板6との間隙に封止樹脂を充填し、これを硬化して封止層7を形成することにより、半導体チップ1と基板6とを機械的に接合する。
【0005】
この突起電極である突起電極3は、半導体チップ1の電極上に、Au、Cu等のワイヤを用いたワイヤーボンディング法で、ワイヤ先端に高電圧を印加溶融しボール形成したのち半導体チップ電極へ押圧、超音波、温度を負荷して接合し、引きちぎることで形成する。また、回路基板上の電極は、Cuで構成され、その上にNi、Auめっきをして形成されているものである。
【0006】
上記実装方式は、導電性接着剤に可撓性を持たせ封止樹脂の熱膨張率を半導体デバイスと基板とに適合させることで熱応力の緩和ができることから、有望な方式である。
【0007】
しかしながら、上記実装方式においても、上述の如きクレゾールノボラック型エポキシ樹脂とノボラック型フェノール樹脂等とを混合した組成物からなる封止樹脂は粘度が高く、また熱膨張率を半導体チップと回路基板の基板電極とに合わせるには絶縁性樹脂中のシリカ等の充填材量の比率を高めざるを得ず結果的に封止樹脂が高粘度になってしまう。このため、封止樹脂を半導体チップと基板との間に充填する際、絶縁性樹脂を40〜80℃以上に加熱して粘度を低下させる必要があった。その結果、生産性が悪く、温度上昇時における熱膨張率差に起因する熱応力によって封止樹脂封入時に導電接続部が損傷を受け接続信頼性が低下するという問題があった。
【0008】
一方、室温下で非常に低粘度であるポリエポキシドと酸無水物を主成分とする樹脂バインダーを、封止樹脂として用いることも考えられる。しかし、この樹脂バインダーに熱膨張率を低くするため多量の充填材を添加すると、封止樹脂の粘度は低いがチクソトロピー指数が高くなってしまう。この結果、半導体チップと基板との間に封入できない、あるいは封入できても多量の気泡を抱き込み、この気泡によって硬化した封止樹脂の熱膨張等が場所によって不均一になり、接続信頼性を低下させるという問題があった、そのため、ポリエポキシドと酸無水物とからなる樹脂をバインダーとする封止樹脂は実用性に乏しかった。
【0009】
そこで、封止樹脂が良好な封止特性を得るために必要な粘度とチクソトロピー特性の限界を究明し、かかる粘度とチクソトロピー特性を満足する絶縁性樹脂を用いた実装方法も提案されている(特許文献1)。
この方法は、粘度だけでなく封止樹脂のチクソトロピー指数が高いことが封止樹脂として利用困難な理由である点に着目し、例えば、ポリエポキシドと酸無水物とを含む樹脂バインダーでは、酸無水物の中の遊離酸と充填材表面上の極性基との相互作用によって流動性が阻害されていることを究明した。そして、この究明された事実に鑑み、粘度が100Pa・s以下でチクソトロピー指数が1.1以下である組成物を使用し、これを硬化して得られる封止樹脂層により半導体装置と基板とを機械的に接続するものである。
【0010】
また、半導体チップと基板とのギャップに封止樹脂を充填し、加熱によりこの封止樹脂を硬化させ、この封止樹脂の硬化収縮により、半導体チップと基板との電気的接続を実現する方法も提案している(特許文献2)。
【0011】
また突起電極が可撓性を有する導電性接着剤を介して基板上の端子電極に接続することにより、応力に対して安定で信頼性の高い電気的接続を実現する方法も提案している(特許文献3)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0012】
【特許文献1】特許第3093621号
【特許文献2】特許第2574369号
【特許文献3】特公平6−103701号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0013】
しかしながら、上記方法では、接合部の導電性接着材を硬化した後、封止樹脂を注入し、封止樹脂を硬化する工程において、導電性接着剤の接着強度が、封止樹脂の硬化の為の加熱により低下し、さらに、回路基板材料の熱膨張により回路基板が熱変形し、接合部への応力負荷を加える。また、封止樹脂は加熱されると粘度低下することで流動性が高まり、導電性接着剤と回路基板の接合界面に浸入しやすくなる。
【0014】
このように封止樹脂の硬化のための温度上昇で、導電性接着剤と回路基板の端子電極との間が熱応力で剥がれ、かつ、粘度低下した封止樹脂が導電性接着剤の接合界面に浸入し、封止樹脂層が1〜5μm形成され、電気的導通が不安定になるという課題を有していた。
【0015】
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、半導体装置の突起電極上の導電性接着剤と回路基板の電極の接合を安定にし、信頼性の高い実装体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0016】
上記目的を達成するために、本発明の実装体では、導電性接着剤を、導電性接着剤の接着強度低下温度が、前記封止樹脂の熱分析での反応ピークを超えるように構成することで、半導体装置上の突起電極と回路基板の端子電極を導電性接着剤で安定した接着および導通を確保し、接続信頼性の高い半導体装置の実装体を構成する。
【0017】
すなわち、本発明は、半導体チップを回路基板上の接続電極にフェースダウン実装してなる実装体であって、前記半導体チップの端子電極上に設けられた突起電極が、前記基板上に設けられた基板電極と、導電性接着剤を介して接続されるとともに、この接続部の周りを封止樹脂で覆われており、前記導電性接着剤は、その接着強度の低下温度が、前記封止樹脂の反応ピーク温度を超えるように構成したことを特徴とする。
この構成によれば、封止樹脂の硬化工程でかけられる温度においても接着強度を低下することなく維持することができるため、突起電極と基板電極との接合状態を保ちつつ、周りを封止樹脂で覆うことができ、信頼性の高い接合状態を維持することが可能となる。ここで封止樹脂の反応ピーク温度とは、その測定方法を後述するが、封止樹脂を熱分析したとき、その熱分析における反応温度のピーク値をいうものとする。
【0018】
また本発明は、半導体チップを回路基板上の接続電極にフェースダウン実装する方法であって、前記半導体チップの端子電極に突起電極を設ける工程と、前記突起電極上にあらかじめ導電性接着剤を形成する工程と、前記導電性接着剤を介して前記突起電極を前記回路基板の前記接続電極と接続する工程と、前記導電性接着剤の接着強度低下温度を超えない温度で前記基板及び前記半導体チップを加熱し、封止樹脂を充填して硬化させる工程とを含む。
この構成によれば、導電性接着剤の接着強度低下温度を超えない温度で基板板及び半導体チップを加熱することで低粘度化された封止樹脂を充填し、硬化させるようにしているため、確実な接続が可能となる。
【0019】
また本発明は、半導体チップを回路基板上の接続電極にフェースダウン実装する方法であって、前記半導体チップの端子電極に突起電極を設ける工程と、前記突起電極上にあらかじめ導電性接着剤を形成する工程と、前記突起電極を前記導電性接着剤を介して前記回路基板の前記接続電極と接続する工程と、前記封止樹脂を前記半導体チップと前記回路基板のギャップに充填したのち、前記封止樹脂を硬化する工程とを含み、前記導電性接着剤の接着強度低下温度が、前記封止樹脂の反応ピーク温度を超えるように構成し、かつ、封止樹脂の硬化温度が前記導電性接着剤の接着強度低下温度を超えないようにしたことを特徴とする。
この構成によれば、封止樹脂を充填後、導電性接着剤の接着強度低下温度を超えない温度で封止樹脂が、加熱硬化せしめられるようにしているため、確実な接続が可能となる。
【0020】
すなわち、本発明は、第1の基板と、第2の基板とを接続してなる実装体であって、前記第1または第2の基板の一方に設けられた突起電極が、前記第1または第2の基板の他の一方に設けられた基板電極と、導電性接着剤を介して接続されるとともに、この接続部の周りを封止樹脂で覆われた実装体であって、前記導電性接着剤は、その接着強度の低下する温度が、前記封止樹脂の反応ピークを超えるように構成された樹脂であることを特徴とする。
この構成によれば、封止樹脂の硬化工程でかけられる温度においても接着強度を低下することなく維持することができるため、突起電極と基板電極との接合状態を保ちつつ、周りを封止樹脂で覆うことができ、信頼性の高い接合状態を維持することが可能となる。
【0021】
また、本発明は、第1または第2の基板の一方に設けられた突起電極を、前記第1または第2の基板の他の一方に設けられた基板電極に、その接着強度の低下する温度が、前記封止樹脂の反応ピークを超えるように構成された導電性接着剤を介して接続する工程と、前記接続する工程で形成された接続部の周りに、前記導電性接着剤の接着強度低下温度を越えない温度に加熱されて低粘度化された封止樹脂を供給し、硬化させる封止工程とを含むことを特徴とする。
【0022】
また、本発明は、第1または第2の基板の一方に設けられた突起電極を、前記第1または第2の基板の他の一方に設けられた基板電極に、その接着強度の低下する温度が、前記封止樹脂の反応ピークを超えるように構成された導電性接着剤を介して接続する工程と、前記接続する工程で形成された接続部の周りに、前記導電性接着剤の接着強度低下温度を越えない温度に加熱されて低粘度化された封止樹脂を供給し、硬化させる封止工程とを含むことを特徴とする。
【0023】
また、本発明は、第1または第2の基板の一方に設けられた突起電極を、前記第1または第2の基板の他の一方に設けられた基板電極に、その接着強度の低下する温度が、前記封止樹脂の反応ピークを超えるように構成された導電性接着剤を介して接続する工程と、前記接続する工程で形成された接続部の周りに、封止樹脂を供給し、前記導電性接着剤の接着強度低下温度を越えない温度に加熱して、この封止樹脂を硬化させる封止工程とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【0024】
以上説明してきたように、本発明によれば、封止樹脂を充填後、導電性接着剤の接着強度低下温度を超えない温度で封止樹脂が、加熱硬化せしめられる、あるいは導電性接着剤の接着強度低下温度を超えない温度で封止樹脂が低粘度化されて供給され、硬化させるようにしているため、いずれの場合も接着強度の低下を招くことなく、確実な接続を実現することが可能となる。
【発明を実施するための形態】
【0025】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
本発明の半導体装置の実装体は、回路基板上に、導電性接着剤を用いて半導体チップをフリップチップ接続し、導電性接着剤を、導電性接着剤中の熱可塑性樹脂の接着強度の低下する温度が、前記封止樹脂の反応ピークを超える温度設定となるように調整することで、確実で安定した接続状態を実現するものである。
【0026】
図1は本発明の実施の形態に係る半導体装置の実装体を示す断面図であり、図2はその接続部付近を示す部分拡大断面図である。この半導体装置の実装体は、上述したように半導体チップ1の端子電極としての電極パッド2に金で構成される突起電極としての突起電極3と、回路基板電極すなわちガラスエポキシ樹脂等からなる回路基板6上の端子電極5とを、導電性接着層4を介して電気的に接続するとともに、半導体チップ1と回路基板6との間隙に封止樹脂を充填し、これを硬化して封止樹脂層7を形成したもので、半導体チップの素子形成面が、回路基板6側となるように、フリップチップ実装方式により形成されたものである。
【0027】
本実施の形態では、導電性接着層4を、フェノキシ樹脂等からなる特殊エポキシ樹脂と銀(Ag)や銀パラジウム(AgPd)合金等の導電粉とを主成分とする組成物(導電性接着剤)で構成し、接着強度の低下する温度が125℃を超えるようにし、封止樹脂の硬化温度125℃よりも高くしている。ここで封止樹脂層は、カチオン重合系の反応開始剤入りのエポキシ樹脂を主成分とする封止樹脂で構成される。もしくは、アニオン重合系の反応開始剤入りの酸無水物の硬化剤入りのエポキシ樹脂を主成分とする封止樹脂でもよいこの際には封止樹脂の硬化温度は150°となり、導電性接着剤の接着強度の低下する温度は150℃を超えるように設定する必要がある。
【0028】
次に、図1に示した半導体装置実装体を形成するためのフリップチップ実装工程について、図2(a)〜(e)を参照しながら説明する。図2(a)〜(e)は、フリップチップ実装工程における半導体装置の実装体の変化を示す断面図であり、各ステップに沿って、実装工程を説明する。
【0029】
まず、Auワイヤを用いて半導体チップ1(LSIチップ)の各電極パッド2にスタッドバンプ電極からなる突起電極3を形成し、各ド突起電極3で平坦面を押圧するレベリング工程を行なって各突起電極3の先端面の高さを揃える。
【0030】
次に、図2(a)に示すように、この半導体チップ(デバイス)1を、スタッドバンプで構成された突起電極3側を下方に向けた状態で、導電性接着剤4が塗布された基板1の上方に位置させ、その状態から下降させて、突起電極3を導電性接着剤4中に浸漬した後、半導体デバイスを上方に引き上げ、各突起電極3に導電性接着剤4を一括して転写する。
【0031】
次に、図2(b)に示すように、多数の端子電極5が設けられた回路基板6の上に半導体デバイス1を搭載する。このとき、半導体チップ1の各突起電極3と回路基板6上の各端子電極5とをそれぞれ位置合わせする。
【0032】
そして、図2(c)に示すように、バッチ硬化炉に入れ80℃8分の加熱により導電性接着剤を硬化させて、導電性接着層4を形成する。これにより、半導体チップ1の突起電極3と基板6の端子電極5とを導電性接着剤4で電気的に接続する。
【0033】
そして、図2(d)に示すように、ディスペンサーにより半導体チップエッジ部の回路基板上の所定の位置に熱硬化性の封止樹脂を塗布し、回路基板と半導体チップとのギャップに毛細管現象で封止樹脂としての絶縁性樹脂を充填し接続部の樹脂封止を行なった後、125℃8分加熱して封止樹脂を硬化させる。このとき、図2(e)に示すように、封止樹脂層7が形成され、この封止樹脂層7により半導体チップ1と回路基板6とを機械的に接合する。
【0034】
上記フリップチップ実装工程で使用される封止樹脂は、50℃の加熱により低粘度で注入が速やかに行なわれるとともに、小さな間隙にも封止材が十分行き渡る。したがって、封止のために要する時間が短縮されるとともに、導電性接着剤4を介して接続されている接合部の接続信頼性を保持できる。
【0035】
さらに、封止樹脂は、酸無水物硬化型エポキシ樹脂やカチオン重合反応開始剤入りのエポキシ樹脂等とシリカ等の充填材とを主成分とする組成物であるため、硬化後の熱膨張率も低いという特性を有する。このように、封止樹脂層7の熱膨張率が低いため、半導体チップ1を構成するシリコン基板と、回路基板6を構成する例えばガラスエポキシ基板との熱膨張率差から発生する熱応力を抑制できる。また、このようなエポキシ系樹脂で構成される封止材は耐熱性が高くかつ接着強度が高いため、高温高湿環境下でも安定な接続信頼性を達成することができる。
【0036】
なお、導電性接着剤4は高い可撓性を有しているため熱応力を緩和させることができ、接続安定性が向上する。
【0037】
以上のように、上述のフリップチップ実装工程によれば、半導体チップ1と回路基板6とを極めて高信頼性でかつ安定に接続することが可能になる。
【0038】
なお、実施の形態においては突起電極3を金としたが、その材質は金に限定されるものではなく、例えば銅等の他の金属により形成してもよい。また、突起電極の形状は特に上述のようなスタッドバンプ電極に限定されるものではなく、一般にフリップチップ実装に用いられているものであれば適用可能である。
【0039】
また、導電性接着剤4の材質は、その接着強度が低下する温度が、封止樹脂の反応ピーク温度を超えるように構成された樹脂であればよい。例えば、剛直な骨格をもつ樹脂を用いることで耐熱性を向上できる樹脂、特にビフェニル型エポキシ樹脂やナフタレン型エポキシ樹脂でもよい。また、エポキシ系に限らず、可撓性を有するものであれば材質は問わない。例えば、SBR、NBR、IR、BR、CR等のゴム系、アクリル系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリエーテル系、ポリウレタン系、ポリイミド系、シリコーン系等を用いることができる。導電性接着剤に含まれる導電粉の材質としては、一般に用いられているものであれば何でもよく、例えば銀、金、パラジウム等の貴金属粉、ニッケル、銅等の卑金属粉、はんだ、銀パラジウム等の合金粉、銀めっき銅粉等のような複合粉、さらにカーボンのような導電性を有する非金属粉等が使用できる。これらの導電粉は単独でも2種以上の混合でも使用可能である。またこれら導電粉はその粒径、形状は特に限定されるものではない。
【0040】
一方、封止樹脂は主に樹脂バインダーと充填材から構成されるが、樹脂バインダーとしてはポリエポキシドと酸無水物とレオロジー改質剤とを必須成分にしている。ここで使用される樹脂バインダー中のポリエポキシドは、特に成分として限定はなく、通常エポキシ化合物、エポキシ樹脂と呼称されているものが用いられる。例えばビスフェノール型エポキシ樹脂や、ノボラック型エポキシ樹脂、グルシジルエーテル型エポキシ樹脂、グルシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、脂環型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、スチレンオキシド、アルキルグリシジルエーテル、アルキルグリシジルエステル等が挙げられる。これらは単独でも2種以上の混合物でも使用可能である。
【0041】
また、ここで用いられる酸無水物としては、通常エポキシ化合物、エポキシ樹脂の硬化剤として用いられるものが使用できる。最も好ましい例としては、トリアルキルテトラハイドロフタル酸無水物がある。また、他の好ましい例として、メチルテトラハイドロフタル酸無水物や、メチルヘキサハイドロフタル酸無水物、メチルハイミック酸無水物等の環状脂肪族系でかつ25℃で液体であるものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらは単独でも2種以上の混合物でも使用可能である。特に、上記のものを樹脂バインダーの主成分として用いることにより、非常に低粘度でかつ高耐熱性,高耐湿性,高密着性の封止樹脂を得ることができる。
【0042】
封止樹脂の樹脂バインダーとしては上記必須成分の他に、耐熱性向上、耐湿性向上、密着強度向上、熱膨張率調整、レオロジー調整、反応性調整等を目的として第3のバインダー成分が必要に応じて添加されてもよい。
【0043】
封止樹脂中の充填材としては、平均粒径が1〜50μmの粉体であれば構わないが、好ましい例として、シリカ,アルミナ等の酸化化合物や窒化アルミ等の窒化化合物、炭化珪素等の炭化化合物、硅化化合物等、熱的に安定で低熱膨張率のものが望ましい。これらの充填材成分は2種以上の任意の組み合わせでも使用可能である。充填材の量としては、特に制限はないが、封止材全量に対し重量比で20〜80%が好ましい。これらの充填材成分を使用することで、絶縁性に優れかつ熱応力の発生も小さい封止材を実現することができる。
【0044】
なお、端子電極5の材質については別段の制限はない。
【0045】
次に、上述のフリップチップ実装工程によって得られる半導体装置実装体の特性を調べるために行なった具体的な実施例について説明する。
【0046】
(実施例1)
上記図1に示す構造を有する半導体装置を、上記図2(a)〜(e)に示す工程により形成する。その際、突起電極3はワイヤーボンド法の引きちぎりにより形成する。導電性接着剤4は銀パラジウム粉と可撓性エポキシ樹脂を主成分とする組成物で構成し、80℃に加熱して硬化させたもので、接着強度の低下する温度が170℃となるように組成を調整する。さらに、上記封止樹脂を50°で充填し、125℃で封止材を硬化させる。
この結果、図3に示すように、導電性接着剤4に、常に端子電極(パッド電極)5と突起電極(バンプ電極)3との接続が剥がれることなく確保されており、良好な接続がなされている。図4に封止樹脂の加熱温度Tと時間tに対する端子電極と突起電極との間の接続部における接続抵抗値(配線抵抗値含む)Rを示す。曲線Aは硬化温度、曲線Bは接続抵抗値を示す。この図から明らかなように、抵抗値の大きな上昇はなく、良好な電気的接続性を維持できていることがわかる。
【0047】
(比較例)
導電性接着剤4の接着強度の低下する温度が90℃となる組成のものを用いたほかは実施例1と同じ条件で、半導体チップ1を回路基板6に実装する。
このとき、図5に示すように、導電性接着剤4と端子電極5との間に間隙が形成され端子電極5と突起電極3との接続不良が発生している。図6に加熱温度Tと時間tに対する端子電極と突起電極との間の接続部における抵抗値Rを示す。曲線Aは硬化温度、曲線Bは接続抵抗値を示す。この図から明らかなように、抵抗値が上昇しており、接続オープン不良が発生していることがわかる。
【0048】
図7に、接続抵抗値の測定方法の図を示す。硬化炉700内に上記各条件で半導体チップ1を回路基板6に実装した実装体を設置し、回路基板上の電極に接続されたリードを硬化炉700の外部に設置された計測器800で端子間電圧と電流を測定することで接続抵抗を計測する。
【0049】
これらの比較からも、本発明によれば、導電性接着剤の接着強度が低下する温度が、封止樹脂の熱分析での硬化反応ピーク温度を超えるように構成された導電性接着剤を用いることで、良好な接続特性を得ることができる。
【0050】
次に、接続不良の原因について考察する。
図8(a)に示すように接着強度の低下温度が90℃の導電性接着剤4を80℃8分で硬化させた後、図8(b)に示すように50℃程度で封止樹脂を注入し、図8(d)に示すように125℃2分インアウト6分の熱処理により封止樹脂を硬化させる。
このとき図9に模式図を示すように、加熱工程で回路基板6と半導体チップ1との間で熱膨張差が生じ、接触性が低下する。例えばガラスエポキシ樹脂基板の熱膨張係数は18ppmであり、半導体チップは3ppmである。熱付加時の変形量は、
変形量=(α基板−αIC)×(硬化温度T1-常温T2)×IC中心からの接合部距離により算出できる。
【0051】
ここで硬化後の導電性接着剤における、各加熱温度下でのシェア方向の接着強度を測定した結果を図10に示す。ここでシェア強度とは、基板電極と導電性接着剤の接着強度をいうものとし、シェア強度が低いと剥離不良につながる。この図から90℃で強度が急激に低下しており、強度低下前(<90℃)は導電性接着剤のバルク破壊、強度低下後(<90℃)では不良につながる界面剥離が生じていることがわかる。
【0052】
一方ここで用いている封止樹脂の硬化工程における反応開始温度は90℃、反応ピーク温度は110℃である。よって、反応の開始する90℃までは、封止樹脂の粘度は低下し90℃において、最低粘度到達温度となり接合界面へ封止樹脂が浸入しやすくなる。その後、反応が開始し、封止樹脂は初期粘度を通過して硬化して固まる。図11に熱分析DSCデータ及び図12に粘弾性データ(昇温レート3℃/分)を示す。
【0053】
このように、封止樹脂硬化中の90℃〜110℃において、
・導電性接着剤の回路基板電極との密着強度低下
・封止樹脂の硬化工程における粘度低下での接合界面浸入
・封止樹脂硬化工程における回路基板熱変形での接合部引き剥がし力
が同時に発生することで導電性接着剤の剥れによるオープン不良が発生する。
【0054】
以上の評価結果からわかるように、図13に示すように、この導電性接着剤の接着強度低下温度が前記封止樹脂の熱分析での反応ピーク110℃を超えるように、ここでは170℃に構成し、かつ、封止樹脂の硬化温度125℃が前記導電性接着剤の接着強度の低下する温度170℃を超えないように設定することで良好な接続を得ることができる。
このようにして、本発明による半導体装置の実装体は、導電性接着剤の密着強度の温度設計により、どのような環境においても高い信頼性を得ることができる。
【0055】
なお前記実施の形態では、半導体チップと回路基板との接続について説明したが、第1および第2の基板がいずれも半導体チップである場合、すなわち半導体チップ同士の接続についても適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【0056】
本発明の半導体装置の実装体によれば、確実で信頼性の高い接続が可能となることから、固体撮像装置、マイクロホン装置など種々のデバイスへの適用が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0057】
【図1】本発明の実施の形態1の実装体を示す断面図
【図2】本発明の実施の形態1の実装体の実装工程を示す断面図
【図3】本発明の実施の形態1の実装体の実装工程で得られた半導体装置と基板との接合状態を示す断面図
【図4】本発明の実施の形態1の実装体の封止樹脂硬化工程で得られた半導体装置と基板との接合部における封止樹脂の硬化温度と接続抵抗値との関係を示す図
【図5】比較例の実装体の実装工程で得られた半導体装置と基板とのオープン不良接合状態を示す断面図
【図6】比較例の実装体の封止樹脂硬化工程で得られた半導体装置と基板とのオープン不良接合部における封止樹脂の硬化温度と接続抵抗値との関係を示す図
【図7】比較例の実装体の封止樹脂硬化工程で得られた半導体装置と基板とのオープン不良接合部における封止樹脂の硬化温度と接続抵抗値との測定方法を示す図
【図8】比較例の実装体の実装工程で得られた半導体装置と基板との接合部におけるオープン不良発生状態説明図
【図9】実装体の実装工程で得られた半導体装置と回路基板との状態説明図
【図10】比較例の実装体の導電性接着剤硬化後、各加熱温度状態での導電性接着剤のシェア強度との関係とその際の接合部破断モードを示す図
【図11】封止樹脂の熱分析での反応開始温度および反応ピーク温度を示す図
【図12】封止樹脂の粘弾性を示す図
【図13】比較例の実施の形態1の実装体の導電性接着剤硬化後、各加熱温度状態での導電性接着剤のシェア強度との関係とその際の接合部破断モードを示す図
【符号の説明】
【0058】
1 半導体チップ
2 電極パッド
3 突起電極
4 導電性接着剤層
5 端子電極
6 回路基板
7 封止樹脂層
700 硬化炉
800 計測器
【技術分野】
【0001】
本発明は、実装体およびその製造方法にかかり、特に導電性接着剤を用いたフェースダウン実装による半導体装置と回路基板上の端子電極部との電気的接続に関するものである。
【背景技術】
【0002】
従来、半導体デバイス等の電子部品の接続端子と基板上の回路パターンの端子電極との接続には、はんだ付けが用いられてきたが、近年、半導体パッケージ等の小型化に加えて、接続端子数の増加等により接続端子間が狭くなってきている。このため、接着部の面積が大きい従来のはんだ付け法では対処できなくなってきている。
【0003】
そこで、最近では半導体チップの能動素子面を下方に向けた状態で基板上の端子電極に直付け(フリップチップ実装)して実装面積の低減を図る試みが盛んになってきている。このフリップチップ実装方式には数々の提案がなされ実施されているが、以下にその代表例の一つについて説明する。
【0004】
これは導電性接着剤による接合であり、図1に示すように、まず半導体チップ1の電極パッド2に金で構成されるバンプ電極(突起電極)3を設け、突起電極3に導電接着剤を転写し、突起電極3と回路基板6上の端子電極5とを位置合わせしてから導電性接着剤を硬化させることにより、導電性接着層4を介して突起電極3と端子電極5とを電気的に接続する。その後、半導体チップ1と基板6との間隙に封止樹脂を充填し、これを硬化して封止層7を形成することにより、半導体チップ1と基板6とを機械的に接合する。
【0005】
この突起電極である突起電極3は、半導体チップ1の電極上に、Au、Cu等のワイヤを用いたワイヤーボンディング法で、ワイヤ先端に高電圧を印加溶融しボール形成したのち半導体チップ電極へ押圧、超音波、温度を負荷して接合し、引きちぎることで形成する。また、回路基板上の電極は、Cuで構成され、その上にNi、Auめっきをして形成されているものである。
【0006】
上記実装方式は、導電性接着剤に可撓性を持たせ封止樹脂の熱膨張率を半導体デバイスと基板とに適合させることで熱応力の緩和ができることから、有望な方式である。
【0007】
しかしながら、上記実装方式においても、上述の如きクレゾールノボラック型エポキシ樹脂とノボラック型フェノール樹脂等とを混合した組成物からなる封止樹脂は粘度が高く、また熱膨張率を半導体チップと回路基板の基板電極とに合わせるには絶縁性樹脂中のシリカ等の充填材量の比率を高めざるを得ず結果的に封止樹脂が高粘度になってしまう。このため、封止樹脂を半導体チップと基板との間に充填する際、絶縁性樹脂を40〜80℃以上に加熱して粘度を低下させる必要があった。その結果、生産性が悪く、温度上昇時における熱膨張率差に起因する熱応力によって封止樹脂封入時に導電接続部が損傷を受け接続信頼性が低下するという問題があった。
【0008】
一方、室温下で非常に低粘度であるポリエポキシドと酸無水物を主成分とする樹脂バインダーを、封止樹脂として用いることも考えられる。しかし、この樹脂バインダーに熱膨張率を低くするため多量の充填材を添加すると、封止樹脂の粘度は低いがチクソトロピー指数が高くなってしまう。この結果、半導体チップと基板との間に封入できない、あるいは封入できても多量の気泡を抱き込み、この気泡によって硬化した封止樹脂の熱膨張等が場所によって不均一になり、接続信頼性を低下させるという問題があった、そのため、ポリエポキシドと酸無水物とからなる樹脂をバインダーとする封止樹脂は実用性に乏しかった。
【0009】
そこで、封止樹脂が良好な封止特性を得るために必要な粘度とチクソトロピー特性の限界を究明し、かかる粘度とチクソトロピー特性を満足する絶縁性樹脂を用いた実装方法も提案されている(特許文献1)。
この方法は、粘度だけでなく封止樹脂のチクソトロピー指数が高いことが封止樹脂として利用困難な理由である点に着目し、例えば、ポリエポキシドと酸無水物とを含む樹脂バインダーでは、酸無水物の中の遊離酸と充填材表面上の極性基との相互作用によって流動性が阻害されていることを究明した。そして、この究明された事実に鑑み、粘度が100Pa・s以下でチクソトロピー指数が1.1以下である組成物を使用し、これを硬化して得られる封止樹脂層により半導体装置と基板とを機械的に接続するものである。
【0010】
また、半導体チップと基板とのギャップに封止樹脂を充填し、加熱によりこの封止樹脂を硬化させ、この封止樹脂の硬化収縮により、半導体チップと基板との電気的接続を実現する方法も提案している(特許文献2)。
【0011】
また突起電極が可撓性を有する導電性接着剤を介して基板上の端子電極に接続することにより、応力に対して安定で信頼性の高い電気的接続を実現する方法も提案している(特許文献3)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0012】
【特許文献1】特許第3093621号
【特許文献2】特許第2574369号
【特許文献3】特公平6−103701号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0013】
しかしながら、上記方法では、接合部の導電性接着材を硬化した後、封止樹脂を注入し、封止樹脂を硬化する工程において、導電性接着剤の接着強度が、封止樹脂の硬化の為の加熱により低下し、さらに、回路基板材料の熱膨張により回路基板が熱変形し、接合部への応力負荷を加える。また、封止樹脂は加熱されると粘度低下することで流動性が高まり、導電性接着剤と回路基板の接合界面に浸入しやすくなる。
【0014】
このように封止樹脂の硬化のための温度上昇で、導電性接着剤と回路基板の端子電極との間が熱応力で剥がれ、かつ、粘度低下した封止樹脂が導電性接着剤の接合界面に浸入し、封止樹脂層が1〜5μm形成され、電気的導通が不安定になるという課題を有していた。
【0015】
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、半導体装置の突起電極上の導電性接着剤と回路基板の電極の接合を安定にし、信頼性の高い実装体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0016】
上記目的を達成するために、本発明の実装体では、導電性接着剤を、導電性接着剤の接着強度低下温度が、前記封止樹脂の熱分析での反応ピークを超えるように構成することで、半導体装置上の突起電極と回路基板の端子電極を導電性接着剤で安定した接着および導通を確保し、接続信頼性の高い半導体装置の実装体を構成する。
【0017】
すなわち、本発明は、半導体チップを回路基板上の接続電極にフェースダウン実装してなる実装体であって、前記半導体チップの端子電極上に設けられた突起電極が、前記基板上に設けられた基板電極と、導電性接着剤を介して接続されるとともに、この接続部の周りを封止樹脂で覆われており、前記導電性接着剤は、その接着強度の低下温度が、前記封止樹脂の反応ピーク温度を超えるように構成したことを特徴とする。
この構成によれば、封止樹脂の硬化工程でかけられる温度においても接着強度を低下することなく維持することができるため、突起電極と基板電極との接合状態を保ちつつ、周りを封止樹脂で覆うことができ、信頼性の高い接合状態を維持することが可能となる。ここで封止樹脂の反応ピーク温度とは、その測定方法を後述するが、封止樹脂を熱分析したとき、その熱分析における反応温度のピーク値をいうものとする。
【0018】
また本発明は、半導体チップを回路基板上の接続電極にフェースダウン実装する方法であって、前記半導体チップの端子電極に突起電極を設ける工程と、前記突起電極上にあらかじめ導電性接着剤を形成する工程と、前記導電性接着剤を介して前記突起電極を前記回路基板の前記接続電極と接続する工程と、前記導電性接着剤の接着強度低下温度を超えない温度で前記基板及び前記半導体チップを加熱し、封止樹脂を充填して硬化させる工程とを含む。
この構成によれば、導電性接着剤の接着強度低下温度を超えない温度で基板板及び半導体チップを加熱することで低粘度化された封止樹脂を充填し、硬化させるようにしているため、確実な接続が可能となる。
【0019】
また本発明は、半導体チップを回路基板上の接続電極にフェースダウン実装する方法であって、前記半導体チップの端子電極に突起電極を設ける工程と、前記突起電極上にあらかじめ導電性接着剤を形成する工程と、前記突起電極を前記導電性接着剤を介して前記回路基板の前記接続電極と接続する工程と、前記封止樹脂を前記半導体チップと前記回路基板のギャップに充填したのち、前記封止樹脂を硬化する工程とを含み、前記導電性接着剤の接着強度低下温度が、前記封止樹脂の反応ピーク温度を超えるように構成し、かつ、封止樹脂の硬化温度が前記導電性接着剤の接着強度低下温度を超えないようにしたことを特徴とする。
この構成によれば、封止樹脂を充填後、導電性接着剤の接着強度低下温度を超えない温度で封止樹脂が、加熱硬化せしめられるようにしているため、確実な接続が可能となる。
【0020】
すなわち、本発明は、第1の基板と、第2の基板とを接続してなる実装体であって、前記第1または第2の基板の一方に設けられた突起電極が、前記第1または第2の基板の他の一方に設けられた基板電極と、導電性接着剤を介して接続されるとともに、この接続部の周りを封止樹脂で覆われた実装体であって、前記導電性接着剤は、その接着強度の低下する温度が、前記封止樹脂の反応ピークを超えるように構成された樹脂であることを特徴とする。
この構成によれば、封止樹脂の硬化工程でかけられる温度においても接着強度を低下することなく維持することができるため、突起電極と基板電極との接合状態を保ちつつ、周りを封止樹脂で覆うことができ、信頼性の高い接合状態を維持することが可能となる。
【0021】
また、本発明は、第1または第2の基板の一方に設けられた突起電極を、前記第1または第2の基板の他の一方に設けられた基板電極に、その接着強度の低下する温度が、前記封止樹脂の反応ピークを超えるように構成された導電性接着剤を介して接続する工程と、前記接続する工程で形成された接続部の周りに、前記導電性接着剤の接着強度低下温度を越えない温度に加熱されて低粘度化された封止樹脂を供給し、硬化させる封止工程とを含むことを特徴とする。
【0022】
また、本発明は、第1または第2の基板の一方に設けられた突起電極を、前記第1または第2の基板の他の一方に設けられた基板電極に、その接着強度の低下する温度が、前記封止樹脂の反応ピークを超えるように構成された導電性接着剤を介して接続する工程と、前記接続する工程で形成された接続部の周りに、前記導電性接着剤の接着強度低下温度を越えない温度に加熱されて低粘度化された封止樹脂を供給し、硬化させる封止工程とを含むことを特徴とする。
【0023】
また、本発明は、第1または第2の基板の一方に設けられた突起電極を、前記第1または第2の基板の他の一方に設けられた基板電極に、その接着強度の低下する温度が、前記封止樹脂の反応ピークを超えるように構成された導電性接着剤を介して接続する工程と、前記接続する工程で形成された接続部の周りに、封止樹脂を供給し、前記導電性接着剤の接着強度低下温度を越えない温度に加熱して、この封止樹脂を硬化させる封止工程とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【0024】
以上説明してきたように、本発明によれば、封止樹脂を充填後、導電性接着剤の接着強度低下温度を超えない温度で封止樹脂が、加熱硬化せしめられる、あるいは導電性接着剤の接着強度低下温度を超えない温度で封止樹脂が低粘度化されて供給され、硬化させるようにしているため、いずれの場合も接着強度の低下を招くことなく、確実な接続を実現することが可能となる。
【発明を実施するための形態】
【0025】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
本発明の半導体装置の実装体は、回路基板上に、導電性接着剤を用いて半導体チップをフリップチップ接続し、導電性接着剤を、導電性接着剤中の熱可塑性樹脂の接着強度の低下する温度が、前記封止樹脂の反応ピークを超える温度設定となるように調整することで、確実で安定した接続状態を実現するものである。
【0026】
図1は本発明の実施の形態に係る半導体装置の実装体を示す断面図であり、図2はその接続部付近を示す部分拡大断面図である。この半導体装置の実装体は、上述したように半導体チップ1の端子電極としての電極パッド2に金で構成される突起電極としての突起電極3と、回路基板電極すなわちガラスエポキシ樹脂等からなる回路基板6上の端子電極5とを、導電性接着層4を介して電気的に接続するとともに、半導体チップ1と回路基板6との間隙に封止樹脂を充填し、これを硬化して封止樹脂層7を形成したもので、半導体チップの素子形成面が、回路基板6側となるように、フリップチップ実装方式により形成されたものである。
【0027】
本実施の形態では、導電性接着層4を、フェノキシ樹脂等からなる特殊エポキシ樹脂と銀(Ag)や銀パラジウム(AgPd)合金等の導電粉とを主成分とする組成物(導電性接着剤)で構成し、接着強度の低下する温度が125℃を超えるようにし、封止樹脂の硬化温度125℃よりも高くしている。ここで封止樹脂層は、カチオン重合系の反応開始剤入りのエポキシ樹脂を主成分とする封止樹脂で構成される。もしくは、アニオン重合系の反応開始剤入りの酸無水物の硬化剤入りのエポキシ樹脂を主成分とする封止樹脂でもよいこの際には封止樹脂の硬化温度は150°となり、導電性接着剤の接着強度の低下する温度は150℃を超えるように設定する必要がある。
【0028】
次に、図1に示した半導体装置実装体を形成するためのフリップチップ実装工程について、図2(a)〜(e)を参照しながら説明する。図2(a)〜(e)は、フリップチップ実装工程における半導体装置の実装体の変化を示す断面図であり、各ステップに沿って、実装工程を説明する。
【0029】
まず、Auワイヤを用いて半導体チップ1(LSIチップ)の各電極パッド2にスタッドバンプ電極からなる突起電極3を形成し、各ド突起電極3で平坦面を押圧するレベリング工程を行なって各突起電極3の先端面の高さを揃える。
【0030】
次に、図2(a)に示すように、この半導体チップ(デバイス)1を、スタッドバンプで構成された突起電極3側を下方に向けた状態で、導電性接着剤4が塗布された基板1の上方に位置させ、その状態から下降させて、突起電極3を導電性接着剤4中に浸漬した後、半導体デバイスを上方に引き上げ、各突起電極3に導電性接着剤4を一括して転写する。
【0031】
次に、図2(b)に示すように、多数の端子電極5が設けられた回路基板6の上に半導体デバイス1を搭載する。このとき、半導体チップ1の各突起電極3と回路基板6上の各端子電極5とをそれぞれ位置合わせする。
【0032】
そして、図2(c)に示すように、バッチ硬化炉に入れ80℃8分の加熱により導電性接着剤を硬化させて、導電性接着層4を形成する。これにより、半導体チップ1の突起電極3と基板6の端子電極5とを導電性接着剤4で電気的に接続する。
【0033】
そして、図2(d)に示すように、ディスペンサーにより半導体チップエッジ部の回路基板上の所定の位置に熱硬化性の封止樹脂を塗布し、回路基板と半導体チップとのギャップに毛細管現象で封止樹脂としての絶縁性樹脂を充填し接続部の樹脂封止を行なった後、125℃8分加熱して封止樹脂を硬化させる。このとき、図2(e)に示すように、封止樹脂層7が形成され、この封止樹脂層7により半導体チップ1と回路基板6とを機械的に接合する。
【0034】
上記フリップチップ実装工程で使用される封止樹脂は、50℃の加熱により低粘度で注入が速やかに行なわれるとともに、小さな間隙にも封止材が十分行き渡る。したがって、封止のために要する時間が短縮されるとともに、導電性接着剤4を介して接続されている接合部の接続信頼性を保持できる。
【0035】
さらに、封止樹脂は、酸無水物硬化型エポキシ樹脂やカチオン重合反応開始剤入りのエポキシ樹脂等とシリカ等の充填材とを主成分とする組成物であるため、硬化後の熱膨張率も低いという特性を有する。このように、封止樹脂層7の熱膨張率が低いため、半導体チップ1を構成するシリコン基板と、回路基板6を構成する例えばガラスエポキシ基板との熱膨張率差から発生する熱応力を抑制できる。また、このようなエポキシ系樹脂で構成される封止材は耐熱性が高くかつ接着強度が高いため、高温高湿環境下でも安定な接続信頼性を達成することができる。
【0036】
なお、導電性接着剤4は高い可撓性を有しているため熱応力を緩和させることができ、接続安定性が向上する。
【0037】
以上のように、上述のフリップチップ実装工程によれば、半導体チップ1と回路基板6とを極めて高信頼性でかつ安定に接続することが可能になる。
【0038】
なお、実施の形態においては突起電極3を金としたが、その材質は金に限定されるものではなく、例えば銅等の他の金属により形成してもよい。また、突起電極の形状は特に上述のようなスタッドバンプ電極に限定されるものではなく、一般にフリップチップ実装に用いられているものであれば適用可能である。
【0039】
また、導電性接着剤4の材質は、その接着強度が低下する温度が、封止樹脂の反応ピーク温度を超えるように構成された樹脂であればよい。例えば、剛直な骨格をもつ樹脂を用いることで耐熱性を向上できる樹脂、特にビフェニル型エポキシ樹脂やナフタレン型エポキシ樹脂でもよい。また、エポキシ系に限らず、可撓性を有するものであれば材質は問わない。例えば、SBR、NBR、IR、BR、CR等のゴム系、アクリル系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリエーテル系、ポリウレタン系、ポリイミド系、シリコーン系等を用いることができる。導電性接着剤に含まれる導電粉の材質としては、一般に用いられているものであれば何でもよく、例えば銀、金、パラジウム等の貴金属粉、ニッケル、銅等の卑金属粉、はんだ、銀パラジウム等の合金粉、銀めっき銅粉等のような複合粉、さらにカーボンのような導電性を有する非金属粉等が使用できる。これらの導電粉は単独でも2種以上の混合でも使用可能である。またこれら導電粉はその粒径、形状は特に限定されるものではない。
【0040】
一方、封止樹脂は主に樹脂バインダーと充填材から構成されるが、樹脂バインダーとしてはポリエポキシドと酸無水物とレオロジー改質剤とを必須成分にしている。ここで使用される樹脂バインダー中のポリエポキシドは、特に成分として限定はなく、通常エポキシ化合物、エポキシ樹脂と呼称されているものが用いられる。例えばビスフェノール型エポキシ樹脂や、ノボラック型エポキシ樹脂、グルシジルエーテル型エポキシ樹脂、グルシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、脂環型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、スチレンオキシド、アルキルグリシジルエーテル、アルキルグリシジルエステル等が挙げられる。これらは単独でも2種以上の混合物でも使用可能である。
【0041】
また、ここで用いられる酸無水物としては、通常エポキシ化合物、エポキシ樹脂の硬化剤として用いられるものが使用できる。最も好ましい例としては、トリアルキルテトラハイドロフタル酸無水物がある。また、他の好ましい例として、メチルテトラハイドロフタル酸無水物や、メチルヘキサハイドロフタル酸無水物、メチルハイミック酸無水物等の環状脂肪族系でかつ25℃で液体であるものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらは単独でも2種以上の混合物でも使用可能である。特に、上記のものを樹脂バインダーの主成分として用いることにより、非常に低粘度でかつ高耐熱性,高耐湿性,高密着性の封止樹脂を得ることができる。
【0042】
封止樹脂の樹脂バインダーとしては上記必須成分の他に、耐熱性向上、耐湿性向上、密着強度向上、熱膨張率調整、レオロジー調整、反応性調整等を目的として第3のバインダー成分が必要に応じて添加されてもよい。
【0043】
封止樹脂中の充填材としては、平均粒径が1〜50μmの粉体であれば構わないが、好ましい例として、シリカ,アルミナ等の酸化化合物や窒化アルミ等の窒化化合物、炭化珪素等の炭化化合物、硅化化合物等、熱的に安定で低熱膨張率のものが望ましい。これらの充填材成分は2種以上の任意の組み合わせでも使用可能である。充填材の量としては、特に制限はないが、封止材全量に対し重量比で20〜80%が好ましい。これらの充填材成分を使用することで、絶縁性に優れかつ熱応力の発生も小さい封止材を実現することができる。
【0044】
なお、端子電極5の材質については別段の制限はない。
【0045】
次に、上述のフリップチップ実装工程によって得られる半導体装置実装体の特性を調べるために行なった具体的な実施例について説明する。
【0046】
(実施例1)
上記図1に示す構造を有する半導体装置を、上記図2(a)〜(e)に示す工程により形成する。その際、突起電極3はワイヤーボンド法の引きちぎりにより形成する。導電性接着剤4は銀パラジウム粉と可撓性エポキシ樹脂を主成分とする組成物で構成し、80℃に加熱して硬化させたもので、接着強度の低下する温度が170℃となるように組成を調整する。さらに、上記封止樹脂を50°で充填し、125℃で封止材を硬化させる。
この結果、図3に示すように、導電性接着剤4に、常に端子電極(パッド電極)5と突起電極(バンプ電極)3との接続が剥がれることなく確保されており、良好な接続がなされている。図4に封止樹脂の加熱温度Tと時間tに対する端子電極と突起電極との間の接続部における接続抵抗値(配線抵抗値含む)Rを示す。曲線Aは硬化温度、曲線Bは接続抵抗値を示す。この図から明らかなように、抵抗値の大きな上昇はなく、良好な電気的接続性を維持できていることがわかる。
【0047】
(比較例)
導電性接着剤4の接着強度の低下する温度が90℃となる組成のものを用いたほかは実施例1と同じ条件で、半導体チップ1を回路基板6に実装する。
このとき、図5に示すように、導電性接着剤4と端子電極5との間に間隙が形成され端子電極5と突起電極3との接続不良が発生している。図6に加熱温度Tと時間tに対する端子電極と突起電極との間の接続部における抵抗値Rを示す。曲線Aは硬化温度、曲線Bは接続抵抗値を示す。この図から明らかなように、抵抗値が上昇しており、接続オープン不良が発生していることがわかる。
【0048】
図7に、接続抵抗値の測定方法の図を示す。硬化炉700内に上記各条件で半導体チップ1を回路基板6に実装した実装体を設置し、回路基板上の電極に接続されたリードを硬化炉700の外部に設置された計測器800で端子間電圧と電流を測定することで接続抵抗を計測する。
【0049】
これらの比較からも、本発明によれば、導電性接着剤の接着強度が低下する温度が、封止樹脂の熱分析での硬化反応ピーク温度を超えるように構成された導電性接着剤を用いることで、良好な接続特性を得ることができる。
【0050】
次に、接続不良の原因について考察する。
図8(a)に示すように接着強度の低下温度が90℃の導電性接着剤4を80℃8分で硬化させた後、図8(b)に示すように50℃程度で封止樹脂を注入し、図8(d)に示すように125℃2分インアウト6分の熱処理により封止樹脂を硬化させる。
このとき図9に模式図を示すように、加熱工程で回路基板6と半導体チップ1との間で熱膨張差が生じ、接触性が低下する。例えばガラスエポキシ樹脂基板の熱膨張係数は18ppmであり、半導体チップは3ppmである。熱付加時の変形量は、
変形量=(α基板−αIC)×(硬化温度T1-常温T2)×IC中心からの接合部距離により算出できる。
【0051】
ここで硬化後の導電性接着剤における、各加熱温度下でのシェア方向の接着強度を測定した結果を図10に示す。ここでシェア強度とは、基板電極と導電性接着剤の接着強度をいうものとし、シェア強度が低いと剥離不良につながる。この図から90℃で強度が急激に低下しており、強度低下前(<90℃)は導電性接着剤のバルク破壊、強度低下後(<90℃)では不良につながる界面剥離が生じていることがわかる。
【0052】
一方ここで用いている封止樹脂の硬化工程における反応開始温度は90℃、反応ピーク温度は110℃である。よって、反応の開始する90℃までは、封止樹脂の粘度は低下し90℃において、最低粘度到達温度となり接合界面へ封止樹脂が浸入しやすくなる。その後、反応が開始し、封止樹脂は初期粘度を通過して硬化して固まる。図11に熱分析DSCデータ及び図12に粘弾性データ(昇温レート3℃/分)を示す。
【0053】
このように、封止樹脂硬化中の90℃〜110℃において、
・導電性接着剤の回路基板電極との密着強度低下
・封止樹脂の硬化工程における粘度低下での接合界面浸入
・封止樹脂硬化工程における回路基板熱変形での接合部引き剥がし力
が同時に発生することで導電性接着剤の剥れによるオープン不良が発生する。
【0054】
以上の評価結果からわかるように、図13に示すように、この導電性接着剤の接着強度低下温度が前記封止樹脂の熱分析での反応ピーク110℃を超えるように、ここでは170℃に構成し、かつ、封止樹脂の硬化温度125℃が前記導電性接着剤の接着強度の低下する温度170℃を超えないように設定することで良好な接続を得ることができる。
このようにして、本発明による半導体装置の実装体は、導電性接着剤の密着強度の温度設計により、どのような環境においても高い信頼性を得ることができる。
【0055】
なお前記実施の形態では、半導体チップと回路基板との接続について説明したが、第1および第2の基板がいずれも半導体チップである場合、すなわち半導体チップ同士の接続についても適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【0056】
本発明の半導体装置の実装体によれば、確実で信頼性の高い接続が可能となることから、固体撮像装置、マイクロホン装置など種々のデバイスへの適用が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0057】
【図1】本発明の実施の形態1の実装体を示す断面図
【図2】本発明の実施の形態1の実装体の実装工程を示す断面図
【図3】本発明の実施の形態1の実装体の実装工程で得られた半導体装置と基板との接合状態を示す断面図
【図4】本発明の実施の形態1の実装体の封止樹脂硬化工程で得られた半導体装置と基板との接合部における封止樹脂の硬化温度と接続抵抗値との関係を示す図
【図5】比較例の実装体の実装工程で得られた半導体装置と基板とのオープン不良接合状態を示す断面図
【図6】比較例の実装体の封止樹脂硬化工程で得られた半導体装置と基板とのオープン不良接合部における封止樹脂の硬化温度と接続抵抗値との関係を示す図
【図7】比較例の実装体の封止樹脂硬化工程で得られた半導体装置と基板とのオープン不良接合部における封止樹脂の硬化温度と接続抵抗値との測定方法を示す図
【図8】比較例の実装体の実装工程で得られた半導体装置と基板との接合部におけるオープン不良発生状態説明図
【図9】実装体の実装工程で得られた半導体装置と回路基板との状態説明図
【図10】比較例の実装体の導電性接着剤硬化後、各加熱温度状態での導電性接着剤のシェア強度との関係とその際の接合部破断モードを示す図
【図11】封止樹脂の熱分析での反応開始温度および反応ピーク温度を示す図
【図12】封止樹脂の粘弾性を示す図
【図13】比較例の実施の形態1の実装体の導電性接着剤硬化後、各加熱温度状態での導電性接着剤のシェア強度との関係とその際の接合部破断モードを示す図
【符号の説明】
【0058】
1 半導体チップ
2 電極パッド
3 突起電極
4 導電性接着剤層
5 端子電極
6 回路基板
7 封止樹脂層
700 硬化炉
800 計測器
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体チップを回路基板上の接続電極にフェースダウン実装してなる実装体であって、
前記半導体チップの端子電極上に設けられた突起電極が、前記基板上に設けられた基板電極と、導電性接着剤を介して接続されるとともに、この接続部の周りを封止樹脂で覆われており、
前記導電性接着剤は、その接着強度の低下温度が、前記封止樹脂の反応ピーク温度を超えるように構成した実装体。
【請求項2】
半導体チップを回路基板上の接続電極にフェースダウン実装する方法であって、
前記半導体チップの端子電極に突起電極を設ける工程と、
前記突起電極上にあらかじめ導電性接着剤を形成する工程と、
前記導電性接着剤を介して前記突起電極を前記回路基板の前記接続電極と接続する工程と
前記導電性接着剤の接着強度低下温度を超えない温度で前記基板及び前記半導体チップを加熱し、封止樹脂を充填して硬化させる工程とを含む実装体の製造方法。
【請求項3】
半導体チップを回路基板上の接続電極にフェースダウン実装する方法であって、
前記半導体チップの端子電極に突起電極を設ける工程と
前記突起電極上にあらかじめ導電性接着剤を形成する工程と、
前記突起電極を前記導電性接着剤を介して前記回路基板の前記接続電極と接続する工程と
封止樹脂を前記半導体チップと前記回路基板のギャップに充填したのち、前記封止樹脂を硬化する工程とを含み
前記導電性接着剤の接着強度低下温度が、前記封止樹脂の反応ピーク温度を超えるように構成し、かつ、封止樹脂の硬化温度が前記導電性接着剤の接着強度低下温度を超えないようにした実装体の製造方法。
【請求項4】
第1の基板と、第2の基板とを接続してなる実装体であって、
前記第1または第2の基板の一方に設けられた突起電極が、前記第1または第2の基板の他の一方に設けられた接続電極と、導電性接着剤を介して接続されるとともに、この接続部の周りを封止樹脂で覆われた実装体であって、
前記導電性接着剤は、その接着強度低下温度が、前記封止樹脂の反応ピーク温度を超えるように構成される実装体。
【請求項5】
第1または第2の基板の一方に設けられた突起電極を、前記第1または第2の基板の他の一方に設けられた基板電極に、導電性接着剤を介して接続する工程と、
前記接続する工程で形成された接続部の周りに、低粘度化された封止樹脂を供給し、硬化させる封止工程とを含み、
前記導電性接着剤は、その接着強度低下温度が、前記封止樹脂の反応ピーク温度を超えるように構成される実装体の製造方法。
【請求項6】
第1または第2の基板の一方に設けられた突起電極を、前記第1または第2の基板の他の一方に設けられた基板電極に、導電性接着剤を介して接続する工程と、
前記接続する工程で形成された接続部の周りに、封止樹脂を充填した後、硬化させる封止工程とを含み、
前記導電性接着剤の接着強度低下温度が、前記封止樹脂の反応ピーク温度を超えるように構成し、かつ、封止樹脂の硬化温度が前記導電性接着剤の接着強度低下温度を超えないようにした実装体の製造方法。
【請求項1】
半導体チップを回路基板上の接続電極にフェースダウン実装してなる実装体であって、
前記半導体チップの端子電極上に設けられた突起電極が、前記基板上に設けられた基板電極と、導電性接着剤を介して接続されるとともに、この接続部の周りを封止樹脂で覆われており、
前記導電性接着剤は、その接着強度の低下温度が、前記封止樹脂の反応ピーク温度を超えるように構成した実装体。
【請求項2】
半導体チップを回路基板上の接続電極にフェースダウン実装する方法であって、
前記半導体チップの端子電極に突起電極を設ける工程と、
前記突起電極上にあらかじめ導電性接着剤を形成する工程と、
前記導電性接着剤を介して前記突起電極を前記回路基板の前記接続電極と接続する工程と
前記導電性接着剤の接着強度低下温度を超えない温度で前記基板及び前記半導体チップを加熱し、封止樹脂を充填して硬化させる工程とを含む実装体の製造方法。
【請求項3】
半導体チップを回路基板上の接続電極にフェースダウン実装する方法であって、
前記半導体チップの端子電極に突起電極を設ける工程と
前記突起電極上にあらかじめ導電性接着剤を形成する工程と、
前記突起電極を前記導電性接着剤を介して前記回路基板の前記接続電極と接続する工程と
封止樹脂を前記半導体チップと前記回路基板のギャップに充填したのち、前記封止樹脂を硬化する工程とを含み
前記導電性接着剤の接着強度低下温度が、前記封止樹脂の反応ピーク温度を超えるように構成し、かつ、封止樹脂の硬化温度が前記導電性接着剤の接着強度低下温度を超えないようにした実装体の製造方法。
【請求項4】
第1の基板と、第2の基板とを接続してなる実装体であって、
前記第1または第2の基板の一方に設けられた突起電極が、前記第1または第2の基板の他の一方に設けられた接続電極と、導電性接着剤を介して接続されるとともに、この接続部の周りを封止樹脂で覆われた実装体であって、
前記導電性接着剤は、その接着強度低下温度が、前記封止樹脂の反応ピーク温度を超えるように構成される実装体。
【請求項5】
第1または第2の基板の一方に設けられた突起電極を、前記第1または第2の基板の他の一方に設けられた基板電極に、導電性接着剤を介して接続する工程と、
前記接続する工程で形成された接続部の周りに、低粘度化された封止樹脂を供給し、硬化させる封止工程とを含み、
前記導電性接着剤は、その接着強度低下温度が、前記封止樹脂の反応ピーク温度を超えるように構成される実装体の製造方法。
【請求項6】
第1または第2の基板の一方に設けられた突起電極を、前記第1または第2の基板の他の一方に設けられた基板電極に、導電性接着剤を介して接続する工程と、
前記接続する工程で形成された接続部の周りに、封止樹脂を充填した後、硬化させる封止工程とを含み、
前記導電性接着剤の接着強度低下温度が、前記封止樹脂の反応ピーク温度を超えるように構成し、かつ、封止樹脂の硬化温度が前記導電性接着剤の接着強度低下温度を超えないようにした実装体の製造方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【公開番号】特開2010−251538(P2010−251538A)
【公開日】平成22年11月4日(2010.11.4)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−99711(P2009−99711)
【出願日】平成21年4月16日(2009.4.16)
【出願人】(000005821)パナソニック株式会社 (73,050)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成22年11月4日(2010.11.4)
【国際特許分類】
【出願日】平成21年4月16日(2009.4.16)
【出願人】(000005821)パナソニック株式会社 (73,050)
【Fターム(参考)】
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