導体パターンの形成方法
【課題】導体のトップ部の幅を保持し、かつ導体のミドル部のえぐれを抑制できる導体パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】銅層のエッチングレジストで被覆されていない部分に、フラットスプレーノズルによりエッチング液を噴霧して、前記被覆されていない部分をエッチングする導体パターン(2)の形成方法において、前記エッチング液は、第二銅イオン源、酸及びアゾール類を含む水溶液であり、前記銅層表面の単位面積当たりの前記エッチング液の噴霧量が、３５〜４５０L/(min・m2)であることを特徴とする導体パターン(2)の形成方法とする。
【解決手段】銅層のエッチングレジストで被覆されていない部分に、フラットスプレーノズルによりエッチング液を噴霧して、前記被覆されていない部分をエッチングする導体パターン(2)の形成方法において、前記エッチング液は、第二銅イオン源、酸及びアゾール類を含む水溶液であり、前記銅層表面の単位面積当たりの前記エッチング液の噴霧量が、３５〜４５０L/(min・m2)であることを特徴とする導体パターン(2)の形成方法とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スプレーノズルによりエッチング液を噴霧して銅層をエッチングする導体パターンの形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線板の製造において、フォトエッチング法で銅からなる導体パターン（配線パターンや端子パターン等）を形成する場合、エッチング液として塩化鉄系エッチング液、塩化銅系エッチング液、アルカリ性エッチング液などが用いられている。しかし、これらのエッチング液には、アンダーカットとよばれるエッチングレジスト下の銅が側面から溶解するという問題がある。即ち、エッチングレジストで被覆されることによって本来エッチングで除去されないことが望まれる部分（配線部分や端子部分等）が、サイドエッチングにより除去されて、導体のボトム部からトップ部になるに従い幅が細くなる現象（アンダーカット）が生じていた。特に導体パターンが微細な場合、このようなアンダーカットはできる限り少なくしなければならない。
【０００３】
従来から、前記アンダーカットを抑制できるエッチング液が検討されている。例えば下記特許文献１には、第二銅イオン源、酸及びアゾール類を含有するエッチング液が提案されている。このエッチング液によれば、アンダーカットが抑制されるため、配線のトップ部の幅を保持することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−３３０５７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来のエッチング液によって、配線間の間隔が相違する複数のパターン領域を同時に形成すると、配線間の間隔が狭いパターン領域では、配線間の間隔が広いパターン領域に比べてエッチング時間が長くなる。そのため、間隔が狭いパターン領域のエッチングが完了する時点では、間隔が広いパターン領域の銅層が過剰にエッチングされた状態となり、配線のボトム部とトップ部の間（ミドル部）のえぐれが大きくなるという問題があった。配線のミドル部のえぐれは、自動外観検査（ＡＯＩ検査）などによって配線の上方から検査する際に配線のトップ部に隠れるため、本来なら不良となる程度のえぐれであっても、不良と判断されなくなるおそれがある。また、配線のミドル部のえぐれが大きくなると、後工程のめっき工程において配線が侵食されることによって、配線が欠けてしまうなどの問題が発生するおそれがある。
【０００６】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、導体のトップ部の幅を保持し、かつ導体のミドル部のえぐれを抑制できる導体パターンの形成方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の導体パターンの形成方法は、銅層のエッチングレジストで被覆されていない部分に、フラットスプレーノズルによりエッチング液を噴霧して、前記被覆されていない部分をエッチングする導体パターンの形成方法において、
前記エッチング液は、第二銅イオン源、酸及びアゾール類を含む水溶液であり、
前記銅層表面の単位面積当たりの前記エッチング液の噴霧量が、３５〜４５０L/(min・m2)であることを特徴とする。
【０００８】
本発明の第２の導体パターンの形成方法は、銅層のエッチングレジストで被覆されていない部分に、フルコーンスプレーノズルによりエッチング液を噴霧して、前記被覆されていない部分をエッチングする導体パターンの形成方法において、
前記エッチング液は、第二銅イオン源、酸及びアゾール類を含む水溶液であり、
前記銅層表面の単位面積当たりの前記エッチング液の噴霧量が、３０〜２００L/(min・m2)であることを特徴とする。
【０００９】
なお、上記本発明における「銅」は、銅からなるものであってもよく、銅合金からなるものであってもよい。また、本明細書において「銅」は、銅又は銅合金をさす。
【発明の効果】
【００１０】
本発明ではアゾール類を含むエッチング液を使用するため、導体のトップ部の幅を保持することができる。また、銅層表面の単位面積当たりのエッチング液の噴霧量を制御することにより、導体のミドル部のえぐれを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施例及び比較例の評価方法を説明するための配線の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明は、銅層のエッチングレジストで被覆されていない部分に、フラットスプレーノズル又はフルコーンスプレーノズルによりエッチング液を噴霧して、前記被覆されていない部分をエッチングする導体パターンの形成方法に関する。
【００１３】
本発明で使用されるエッチング液は、第二銅イオン源、酸及びアゾール類を含む水溶液である。上記エッチング液はアゾール類を含むため、アンダーカットが抑制され、導体のトップ部の幅を保持することができる。アゾール類がアンダーカットを抑制するしくみは、明らかではないが、導体パターンのトップ部から側面近傍の液中の第一銅イオンと結合して、導体パターンのトップ部から側面に保護皮膜を形成することで、アンダーカットを抑制しているものと考えられる。以下、上記エッチング液に含まれる成分について説明する。
【００１４】
（第二銅イオン源）
第二銅イオン源は、金属銅を酸化する酸化剤として添加される成分である。第二銅イオン源の種類としては、例えば、塩化第二銅、硫酸第二銅、臭化第二銅、有機酸の第二銅塩、水酸化第二銅などが挙げられる。この中でも、溶解性が高く、エッチング速度が速いため、特に塩化第二銅が好ましい。
【００１５】
エッチング液中の第二銅イオン源の濃度としては、銅イオン濃度で14〜155g/Lの範囲が好ましく、特に好ましくは33〜122g/Lの範囲である。この範囲内であれば、エッチング速度の低下を防ぐことができ、かつ第二銅イオンの溶解性が良好となるためエッチング速度を安定して維持できる。なお、好ましい第二銅イオン源である塩化第二銅を用いる場合には、塩化第二銅の濃度で好ましくは30〜330g/L、より好ましくは70〜260g/Lの範囲である。
【００１６】
（酸）
酸は、第二銅イオンによって酸化された金属銅を溶解するために添加される成分である。用いられる酸の種類としては無機酸及び有機酸から選ばれる少なくとも一種が挙げられる。
【００１７】
上記無機酸としては、硫酸、塩酸、硝酸、リン酸等が挙げられる。上記有機酸としては、ギ酸、酢酸、シュウ酸、マレイン酸、安息香酸、グリコール酸等が挙げられる。このうち特に好ましい酸としては、エッチング速度の安定性及び銅の溶解安定性（第一銅イオンおよび第二銅イオンをエッチング液中に保持しておく能力が高いこと）の観点から、塩酸が好ましい。
【００１８】
エッチング液中の酸の濃度としては、7〜200g/Lが好ましく、より好ましくは18〜110g/L、更に好ましくは18〜80g/Lである。酸の濃度が7g/L以上であれば、安定したエッチング速度が得られ、かつ銅の溶解安定性の低下を防ぐことができる。一方、酸の濃度が200g/L以下であれば、エッチングレジストと銅の間にエッチング液が侵食することを防ぐことができ、かつ銅表面の再酸化を防ぐことができる。
【００１９】
（アゾール類）
アゾール類としては、単環式化合物であってもよく、環が縮合した化合物あってもよい。好ましいアゾール類としては、環内にある異原子として窒素原子のみを有するアゾールが挙げられる。なかでも、アンダーカットを効果的に抑制する観点から、イミダゾール系化合物、トリアゾール系化合物及びテトラゾール系化合物が好ましく、これらのアゾール類の２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００２０】
上記イミダゾール系化合物の例としては、例えば、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾールなどのイミダゾール類、ベンズイミダゾール、２−メチルベンズイミダゾール、２−ウンデシルベンズイミダゾール、２−フェニルベンズイミダゾール、２−メルカプトベンズイミダゾールなどのベンズイミダゾール類などが挙げられる。
【００２１】
上記トリアゾール系化合物の例としては、例えば、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、５−フェニル−１，２，４−トリアゾール、５−アミノ−１，２，４−トリアゾール、ベンズトリアゾール、１−メチル−ベンズトリアゾール、トリルトリアゾールなどが挙げられる。
【００２２】
上記テトラゾール系化合物の例としては、例えば、１Ｈ−テトラゾール、５−アミノ−１Ｈ−テトラゾール、５−メチル−１Ｈ−テトラゾール、５−フェニル−１Ｈ−テトラゾール、５−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール、１−フェニル−５−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール、１−シクロヘキシル−５−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール、５，５'−ビ−１Ｈ−テトラゾール、及びこれらのアンモニウム塩またはＮａ塩、Ｚｎ塩、Ｃａ塩、Ｋ塩などの金属塩などが挙げられる。
【００２３】
上記例示したアゾール類のなかでは、特にテトラゾール系化合物が好ましい。アンダーカット抑制性能が高くなる上、パターンをシャープに形成できるからである。
【００２４】
さらにテトラゾール系化合物の中でも、１Ｈ−テトラゾール、５−フェニル−１Ｈ−テトラゾール、５−アミノ−１Ｈ−テトラゾール、５，５'−ビ−１Ｈ−テトラゾール、及びこれらのアンモニウム塩または金属塩などが好ましく、１Ｈ−テトラゾール、５−アミノ−１Ｈ−テトラゾール、及びこれらのアンモニウム塩または金属塩が特に好ましい。これらのテトラゾール系化合物は、導体パターンのトップ部から側面に薄く均一に保護皮膜を形成できると推定される。
【００２５】
エッチング液中のアゾール類の濃度としては０．１〜５０g/Lが好ましく、より好ましくは０．１〜１５g/L、さらに好ましくは０．２〜１０g/Lである。アゾール類の濃度が０．１g/L以上であれば、アンダーカットを確実に抑制できる。一方、アゾール類の濃度が５０g/L以下の場合は、エッチング速度の低下を防ぐことができ、かつエッチングされるべき部分を確実にエッチングできるため、ショート（絶縁不良）の発生を防ぐことができる。
【００２６】
（その他の添加剤）
本発明で使用されるエッチング液には、液の安定性を高め、ムラのないエッチングを行い、エッチング後の表面形状を均一にするために、カチオン界面活性剤、グリコール及びグリコールエーテルから選ばれる少なくとも一つ、アルコール類、アミド類、アニオン界面活性剤、溶剤、ノニオン界面活性剤、両性界面活性剤、カチオン性ポリマーなど、必要に応じて種々の添加剤を配合してもよい。これらの添加剤の具体例を以下に示す。
【００２７】
カチオン界面活性剤：塩化ベンザルコニウム、塩化アルキルトリメチルアンモニウムなどのアルキル型第４級アンモニウム塩など
グリコール：エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ポリアルキレングリコール（アルキレン基の炭素数が４〜５００程度）など
グリコールエーテル：プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテルなど
アルコール類：メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、ブタノール、ベンジルアルコール、２−フェノキシエタノールなど
アミド類：Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルイミダゾリジノン、Ｎ−メチルピロリドンなど
アニオン界面活性剤：脂肪酸塩、アルキル硫酸エステル塩、アルキルリン酸エステル塩など
溶剤：ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類など
ノニオン界面活性剤：ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシプロピレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンとポリオキシプロピレンとのブロックポリマーなど
両性界面活性剤：ラウリルジメチルアミノ酢酸ベタイン、ステアリルジメチルアミノ酢酸ベタイン、ラウリルヒドロキシスルホベタインなどのベタイン、ラウリルジメチルアミンオキサイド、アミノカルボン酸など
【００２８】
また、カチオン性ポリマーとしては、水に溶けてカチオン性の挙動を示し、かつ分子量が千以上のものが好ましく、より好ましくは分子量が数千から数百万の高分子化合物である。具体的には、ポリエチレンイミン、ポリアルキレンポリアミン、第４級アンモニウム塩型スチレンの重合体、第４級アンモニウム塩型アミノアルキル（メタ）アクリレートの重合体、第４級アンモニウム塩型ジアリルアミンの重合体、第４級アンモニウム塩型ジアリルアミンとアクリルアミドとの共重合体、アミノアルキルアクリルアミドの塩の重合体、カチオン性セルロース誘導体等が挙げられ、前記塩としては、例えば塩酸塩が挙げられる。前記カチオン性ポリマーのなかでもポリエチレンイミン、ポリアルキレンポリアミンが好ましい。なお、前記カチオン性ポリマーは、２種以上を併用してもよい。また、前記カチオン性ポリマーとしては、樹脂や繊維の帯電防止剤、廃水処理用の高分子凝集剤、毛髪用リンスのコンディショニング成分等として市販されているものを用いてもよい。
【００２９】
また、本発明で使用されるエッチング液には、塩化ナトリウム等のハロゲン化物イオン源を配合してもよい。
【００３０】
上記エッチング液は、上述した各成分を水に溶解させることにより、容易に調製することができる。上記水としては、イオン交換水、純水、超純水などのイオン性物質や不純物を除去した水が好ましい。エッチングの際の上記エッチング液の温度は、安定したエッチング速度を得る観点から、２０〜５５℃が好ましい。
【００３１】
次に、本発明で使用されるスプレーノズルについて説明する。本発明では、フラットスプレーノズル又はフルコーンスプレーノズルにより、上記エッチング液を噴霧する。特に、フラットスプレーノズルを使用すると、導体のトップ部の幅を容易に保持することができるため好ましい。フラットスプレーノズルとしては、例えば、VP9002、VP9003、VP9005、VP9007、VP9010、VP9015、VP9020、VP11505、VP11515（いずれもいけうち社製）や、KH00880、KH0180、KH01580、KH0280（いずれもエバーロイ社製）や、QPVVL8002、QPVVL8003、QPVVL8004、QPVVL8005（いずれもスプレーイングシステムスジャパン社製）等が使用できる。またフルコーンスプレーノズルについては、例えば、JJRP005、JJRP007、JJXP010、JJXP015、JJXP020、 JJXP025、JJXP030（いずれもいけうち社製）や、KF00890、KF0190、KF01590、KF0290（いずれもエバーロイ社製）や、QPH1、QPH1.5、QPH2、QPH3（いずれもスプレーイングシステムスジャパン社製）等が使用できる。
【００３２】
（フラットスプレーノズルを使用する場合）
本発明においてフラットスプレーノズルを使用する場合、エッチング対象物である銅層表面の単位面積当たりのエッチング液の噴霧量は、３５〜４５０L/(min・m2)である。これにより、銅層表面上におけるエッチング液の流れ（液流れ）が適度な速さに維持されるため、上述した保護皮膜が適度な厚みで形成され、かつ導体側面から剥離され難くなると考えられる。その結果、導体のミドル部のえぐれが抑制され、良好な形状の導体（配線や端子等）が得られると考えられる。同様の観点から、上記エッチング液の噴霧量は、３９〜３９２L/(min・m2)であることが好ましく、５８〜２９５L/(min・m2)であることがより好ましい。更に、同様の観点から、上記フラットスプレーノズル１個当たりのエッチング液の噴霧量は、０．１４〜１．６２L/minであることが好ましく、０．２１〜１．０６L/minであることがより好ましい。なお、保護皮膜の厚みは、最大厚みとして０．４〜５．０μｍ程度である。
【００３３】
単位面積当たりのフラットスプレーノズルの数に関しては、銅層表面上における液溜まりに起因する保護皮膜の異常析出を抑制する観点から、６９個/m2以上であることが好ましく、９０個/m2以上であることがより好ましい。また、保護皮膜を適度な厚みで形成し、導体のミドル部のえぐれを効果的に抑制する観点から、６２５個/m2以下であることが好ましく、５００個/m2以下であることがより好ましい。
【００３４】
（フルコーンスプレーノズルを使用する場合）
本発明においてフルコーンスプレーノズルを使用する場合、エッチング対象物である銅層表面の単位面積当たりのエッチング液の噴霧量は、３０〜２００L/(min・m2)である。これにより、銅層表面上におけるエッチング液の流れ（液流れ）が適度な速さに維持されるため、上述した保護皮膜が適度な厚みで形成され、かつ導体側面から剥離され難くなると考えられる。その結果、導体のミドル部のえぐれが抑制され、良好な形状の導体（配線や端子等）が得られると考えられる。同様の観点から、上記エッチング液の噴霧量は、３０〜１８１L/(min・m2)であることが好ましく、４２〜１５２L/(min・m2)であることがより好ましい。更に、同様の観点から、上記フルコーンスプレーノズル１個当たりのエッチング液の噴霧量は、０．４４〜２．６３L/minであることが好ましく、０．６１〜２．２０L/minであることがより好ましい。
【００３５】
単位面積当たりのフルコーンスプレーノズルの数に関しては、銅層表面上における液溜まりに起因する保護皮膜の異常析出を抑制する観点から、５１個/m2以上であることが好ましく、９０個/m2以上であることがより好ましい。また、保護皮膜を適度な厚みで形成し、導体のミドル部のえぐれを効果的に抑制する観点から、２８０個/m2以下であることが好ましく、２３０個/m2以下であることがより好ましい。
【００３６】
フラットスプレーノズル及びフルコーンスプレーノズルのいずれを用いる場合も、エッチング液の噴霧圧力は、０．０４〜０．３０MPaであることが好ましく、０．０５〜０．３０MPaであることがより好ましい。噴霧圧力が０．０４MPa以上の場合は、ショートの発生を容易に防ぐことができる。一方、噴霧圧力が０．３０MPa以下の場合は、エッチングレジストの剥れに起因する導体の欠けを防止できる上、ポンプ圧の上昇を抑制できるため、経済性においても有利である。なお、上記「噴霧圧力」とは、スプレーノズルからの噴霧直後の噴霧圧力を指す。
【００３７】
また、フラットスプレーノズル及びフルコーンスプレーノズルのいずれを用いる場合も、スプレーノズル末端からエッチング対象物である銅層表面までの距離（ノズルパスライン距離）は、３〜１４ｃｍであることが好ましく、４〜１２ｃｍであることがより好ましい。ノズルパスライン距離が３ｃｍ以上の場合は、エッチングレジストの剥れに起因する導体の欠けを防止できる。一方、ノズルパスライン距離が１４ｃｍ以下の場合は、ショートの発生を容易に防ぐことができる。
【実施例】
【００３８】
次に、本発明の実施例について比較例と併せて説明する。なお、本発明は下記の実施例に限定して解釈されるものではない。
【００３９】
（フラットスプレーノズルを使用した例）
表１に示す組成の各エッチング液を調製し、フラットスプレーノズルを使用して以下に示す条件でエッチングを行った。なお、表１に示す塩酸の濃度は塩化水素としての濃度である。
【００４０】
（使用した基板）
厚み１８μｍの銅箔が積層されたガラスエポキシ基板（パナソニック電工社製Ｒ１６６１）を用意し、この銅層上に液状レジストを用いてフォトリソグラフィー法によってエッチングレジストパターンを形成した。この際、エッチングレジストパターンは、厚み４μｍ、ライン（Ｌ）／スペース（Ｓ）＝３０μｍ／３０μｍのパターン領域と、厚み４μｍ、Ｌ／Ｓ＝７０μｍ／７０μｍのパターン領域とが混在したレジストパターンとした。
【００４１】
（使用したフラットスプレーノズル）
フラットスプレーノズルは、比較例１，３，５，７，９については該当する噴霧量が得られるように自社で作製したノズルを使用した。実施例１，７，１３，１９及び比較例１０についてはいけうち社製VP9002、実施例２，８，１４，２０及び比較例１１についてはいけうち社製VP9003、実施例３，９，１５，２１及び比較例１２についてはいけうち社製VP9007、実施例４，１０，１６，２２及び比較例１３についてはいけうち社製VP9015、実施例５，１１，１７，２３及び比較例１４についてはいけうち社製VP9020を使用した。実施例６，１２，１８，２４及び比較例１５については該当する噴霧量が得られるように自社で作製したノズルを使用した。比較例２，４，６，８，１６についてはいけうち社製VP9030を使用した。
【００４２】
（その他の条件）
エッチング液の噴霧量：それぞれ表１に示す噴霧量
エッチング時間：それぞれ表１に示すエッチング時間
フラットスプレーノズルの数：いずれも２７８個/m2
ノズルパスライン距離：いずれも６ｃｍ
エッチング液の噴霧圧力：いずれも０．１５ＭＰａ
エッチング液の温度：いずれも４０℃
なお、エッチング時間については、比較例１，３，５，７以外は、Ｌ／Ｓ＝３０μｍ／３０μｍのパターン領域における配線のボトム幅が２４〜３６μｍになる時間とした。比較例１，３，５，７については、２００秒間エッチングしてもパターン形成ができず、ショートが発生した。
【００４３】
上記の条件でエッチングした後、水洗、乾燥を行って、得られたサンプル基板の一部を切断し、これを冷感埋め込み樹脂に埋め込み、配線の断面を観察できるように研磨加工を行った。そして、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）の画像計測により、図１に示す配線２のトップ幅Ｗ１、ミドル幅Ｗ２及びボトム幅Ｗ３を計測した。ここで、ミドル幅Ｗ２は、配線２における高さ方向の中間部（ミドル部）の幅、即ち、ガラスエポキシ基材１から９μｍの高さの配線幅である。得られた測定値から、以下に示す基準により評価及び判定した。結果を表２に示す。
【００４４】
（評価基準１）
得られた測定値のうちＬ／Ｓ＝７０μｍ／７０μｍのパターン領域における配線２のトップ幅Ｗ１について、６４．０μｍより大きい場合をＡ、６０．０μｍを超えて６４．０μｍ以下の場合をＢ、６０．０μｍ以下の場合をＣとした。
【００４５】
（評価基準２）
得られた測定値のうちＬ／Ｓ＝７０μｍ／７０μｍのパターン領域における配線２のトップ幅Ｗ１及びミドル幅Ｗ２から、以下の式によりえぐれ率（％）を算出した。そして、えぐれ率の絶対値が、４．０％未満の場合をＡ、４．０％以上で８．０％未満の場合をＢ、８．０％以上の場合をＣとした。
えぐれ率（％）＝（トップ幅Ｗ１−ミドル幅Ｗ２）／トップ幅Ｗ１×１００
【００４６】
（判定基準）
○：評価基準１及び２のいずれもＡの場合
×：評価基準１及び２のいずれかがＣの場合、ショートが発生した場合、又はＬ／Ｓ＝３０μｍ／３０μｍのパターン領域における配線２のトップ幅Ｗ１が２０．０μｍ以下の場合
△：上記○及び×以外の場合
【００４７】
【表１】
【００４８】
【表２】
【００４９】
表２から、実施例はいずれも比較例に比べて配線のトップ部の幅を保持できる上、配線のミドル部のえぐれを抑制できることが分かる。
【００５０】
（フルコーンスプレーノズルを使用した例）
表３に示す組成の各エッチング液を調製し、以下に示すフルコーンスプレーノズルを使用し、ノズルの数をいずれも６９個/m2とし、エッチング液の噴霧量及びエッチング時間をそれぞれ表３に示すとおりに設定したこと以外は、上記フラットスプレーノズルを使用した場合と同様の条件でエッチングを行い、上記と同様に評価及び判定した。結果を表４に示す。
【００５１】
（使用したフルコーンスプレーノズル）
フルコーンスプレーノズルは、比較例１７，１９，２１，２３，２５についてはいけうち社製J030NW、実施例２５，３０，３５，４０及び比較例２６についてはいけうち社製JJRP005、実施例２６，３１，３６，４１及び比較例２７についてはいけうち社製JJRP007、実施例２７，３２，３７，４２及び比較例２８についてはいけうち社製JJXP015、実施例２８，３３，３８，４３及び比較例２９についてはいけうち社製JJXP025、実施例２９，３４，３９，４４及び比較例３０についてはいけうち社製JJXP030、比較例１８，２０，２２，２４，３１についてはいけうち社製JJXP040を使用した。
【００５２】
【表３】
【００５３】
【表４】
【００５４】
表４から、実施例はいずれも比較例に比べて配線のトップ部の幅を保持できる上、配線のミドル部のえぐれを抑制できることが分かる。
【符号の説明】
【００５５】
１ ガラスエポキシ基材
２ 配線
Ｗ１ トップ幅
Ｗ２ ミドル幅
Ｗ３ ボトム幅
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スプレーノズルによりエッチング液を噴霧して銅層をエッチングする導体パターンの形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線板の製造において、フォトエッチング法で銅からなる導体パターン（配線パターンや端子パターン等）を形成する場合、エッチング液として塩化鉄系エッチング液、塩化銅系エッチング液、アルカリ性エッチング液などが用いられている。しかし、これらのエッチング液には、アンダーカットとよばれるエッチングレジスト下の銅が側面から溶解するという問題がある。即ち、エッチングレジストで被覆されることによって本来エッチングで除去されないことが望まれる部分（配線部分や端子部分等）が、サイドエッチングにより除去されて、導体のボトム部からトップ部になるに従い幅が細くなる現象（アンダーカット）が生じていた。特に導体パターンが微細な場合、このようなアンダーカットはできる限り少なくしなければならない。
【０００３】
従来から、前記アンダーカットを抑制できるエッチング液が検討されている。例えば下記特許文献１には、第二銅イオン源、酸及びアゾール類を含有するエッチング液が提案されている。このエッチング液によれば、アンダーカットが抑制されるため、配線のトップ部の幅を保持することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−３３０５７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来のエッチング液によって、配線間の間隔が相違する複数のパターン領域を同時に形成すると、配線間の間隔が狭いパターン領域では、配線間の間隔が広いパターン領域に比べてエッチング時間が長くなる。そのため、間隔が狭いパターン領域のエッチングが完了する時点では、間隔が広いパターン領域の銅層が過剰にエッチングされた状態となり、配線のボトム部とトップ部の間（ミドル部）のえぐれが大きくなるという問題があった。配線のミドル部のえぐれは、自動外観検査（ＡＯＩ検査）などによって配線の上方から検査する際に配線のトップ部に隠れるため、本来なら不良となる程度のえぐれであっても、不良と判断されなくなるおそれがある。また、配線のミドル部のえぐれが大きくなると、後工程のめっき工程において配線が侵食されることによって、配線が欠けてしまうなどの問題が発生するおそれがある。
【０００６】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、導体のトップ部の幅を保持し、かつ導体のミドル部のえぐれを抑制できる導体パターンの形成方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の導体パターンの形成方法は、銅層のエッチングレジストで被覆されていない部分に、フラットスプレーノズルによりエッチング液を噴霧して、前記被覆されていない部分をエッチングする導体パターンの形成方法において、
前記エッチング液は、第二銅イオン源、酸及びアゾール類を含む水溶液であり、
前記銅層表面の単位面積当たりの前記エッチング液の噴霧量が、３５〜４５０L/(min・m2)であることを特徴とする。
【０００８】
本発明の第２の導体パターンの形成方法は、銅層のエッチングレジストで被覆されていない部分に、フルコーンスプレーノズルによりエッチング液を噴霧して、前記被覆されていない部分をエッチングする導体パターンの形成方法において、
前記エッチング液は、第二銅イオン源、酸及びアゾール類を含む水溶液であり、
前記銅層表面の単位面積当たりの前記エッチング液の噴霧量が、３０〜２００L/(min・m2)であることを特徴とする。
【０００９】
なお、上記本発明における「銅」は、銅からなるものであってもよく、銅合金からなるものであってもよい。また、本明細書において「銅」は、銅又は銅合金をさす。
【発明の効果】
【００１０】
本発明ではアゾール類を含むエッチング液を使用するため、導体のトップ部の幅を保持することができる。また、銅層表面の単位面積当たりのエッチング液の噴霧量を制御することにより、導体のミドル部のえぐれを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施例及び比較例の評価方法を説明するための配線の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明は、銅層のエッチングレジストで被覆されていない部分に、フラットスプレーノズル又はフルコーンスプレーノズルによりエッチング液を噴霧して、前記被覆されていない部分をエッチングする導体パターンの形成方法に関する。
【００１３】
本発明で使用されるエッチング液は、第二銅イオン源、酸及びアゾール類を含む水溶液である。上記エッチング液はアゾール類を含むため、アンダーカットが抑制され、導体のトップ部の幅を保持することができる。アゾール類がアンダーカットを抑制するしくみは、明らかではないが、導体パターンのトップ部から側面近傍の液中の第一銅イオンと結合して、導体パターンのトップ部から側面に保護皮膜を形成することで、アンダーカットを抑制しているものと考えられる。以下、上記エッチング液に含まれる成分について説明する。
【００１４】
（第二銅イオン源）
第二銅イオン源は、金属銅を酸化する酸化剤として添加される成分である。第二銅イオン源の種類としては、例えば、塩化第二銅、硫酸第二銅、臭化第二銅、有機酸の第二銅塩、水酸化第二銅などが挙げられる。この中でも、溶解性が高く、エッチング速度が速いため、特に塩化第二銅が好ましい。
【００１５】
エッチング液中の第二銅イオン源の濃度としては、銅イオン濃度で14〜155g/Lの範囲が好ましく、特に好ましくは33〜122g/Lの範囲である。この範囲内であれば、エッチング速度の低下を防ぐことができ、かつ第二銅イオンの溶解性が良好となるためエッチング速度を安定して維持できる。なお、好ましい第二銅イオン源である塩化第二銅を用いる場合には、塩化第二銅の濃度で好ましくは30〜330g/L、より好ましくは70〜260g/Lの範囲である。
【００１６】
（酸）
酸は、第二銅イオンによって酸化された金属銅を溶解するために添加される成分である。用いられる酸の種類としては無機酸及び有機酸から選ばれる少なくとも一種が挙げられる。
【００１７】
上記無機酸としては、硫酸、塩酸、硝酸、リン酸等が挙げられる。上記有機酸としては、ギ酸、酢酸、シュウ酸、マレイン酸、安息香酸、グリコール酸等が挙げられる。このうち特に好ましい酸としては、エッチング速度の安定性及び銅の溶解安定性（第一銅イオンおよび第二銅イオンをエッチング液中に保持しておく能力が高いこと）の観点から、塩酸が好ましい。
【００１８】
エッチング液中の酸の濃度としては、7〜200g/Lが好ましく、より好ましくは18〜110g/L、更に好ましくは18〜80g/Lである。酸の濃度が7g/L以上であれば、安定したエッチング速度が得られ、かつ銅の溶解安定性の低下を防ぐことができる。一方、酸の濃度が200g/L以下であれば、エッチングレジストと銅の間にエッチング液が侵食することを防ぐことができ、かつ銅表面の再酸化を防ぐことができる。
【００１９】
（アゾール類）
アゾール類としては、単環式化合物であってもよく、環が縮合した化合物あってもよい。好ましいアゾール類としては、環内にある異原子として窒素原子のみを有するアゾールが挙げられる。なかでも、アンダーカットを効果的に抑制する観点から、イミダゾール系化合物、トリアゾール系化合物及びテトラゾール系化合物が好ましく、これらのアゾール類の２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００２０】
上記イミダゾール系化合物の例としては、例えば、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾールなどのイミダゾール類、ベンズイミダゾール、２−メチルベンズイミダゾール、２−ウンデシルベンズイミダゾール、２−フェニルベンズイミダゾール、２−メルカプトベンズイミダゾールなどのベンズイミダゾール類などが挙げられる。
【００２１】
上記トリアゾール系化合物の例としては、例えば、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、５−フェニル−１，２，４−トリアゾール、５−アミノ−１，２，４−トリアゾール、ベンズトリアゾール、１−メチル−ベンズトリアゾール、トリルトリアゾールなどが挙げられる。
【００２２】
上記テトラゾール系化合物の例としては、例えば、１Ｈ−テトラゾール、５−アミノ−１Ｈ−テトラゾール、５−メチル−１Ｈ−テトラゾール、５−フェニル−１Ｈ−テトラゾール、５−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール、１−フェニル−５−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール、１−シクロヘキシル−５−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール、５，５'−ビ−１Ｈ−テトラゾール、及びこれらのアンモニウム塩またはＮａ塩、Ｚｎ塩、Ｃａ塩、Ｋ塩などの金属塩などが挙げられる。
【００２３】
上記例示したアゾール類のなかでは、特にテトラゾール系化合物が好ましい。アンダーカット抑制性能が高くなる上、パターンをシャープに形成できるからである。
【００２４】
さらにテトラゾール系化合物の中でも、１Ｈ−テトラゾール、５−フェニル−１Ｈ−テトラゾール、５−アミノ−１Ｈ−テトラゾール、５，５'−ビ−１Ｈ−テトラゾール、及びこれらのアンモニウム塩または金属塩などが好ましく、１Ｈ−テトラゾール、５−アミノ−１Ｈ−テトラゾール、及びこれらのアンモニウム塩または金属塩が特に好ましい。これらのテトラゾール系化合物は、導体パターンのトップ部から側面に薄く均一に保護皮膜を形成できると推定される。
【００２５】
エッチング液中のアゾール類の濃度としては０．１〜５０g/Lが好ましく、より好ましくは０．１〜１５g/L、さらに好ましくは０．２〜１０g/Lである。アゾール類の濃度が０．１g/L以上であれば、アンダーカットを確実に抑制できる。一方、アゾール類の濃度が５０g/L以下の場合は、エッチング速度の低下を防ぐことができ、かつエッチングされるべき部分を確実にエッチングできるため、ショート（絶縁不良）の発生を防ぐことができる。
【００２６】
（その他の添加剤）
本発明で使用されるエッチング液には、液の安定性を高め、ムラのないエッチングを行い、エッチング後の表面形状を均一にするために、カチオン界面活性剤、グリコール及びグリコールエーテルから選ばれる少なくとも一つ、アルコール類、アミド類、アニオン界面活性剤、溶剤、ノニオン界面活性剤、両性界面活性剤、カチオン性ポリマーなど、必要に応じて種々の添加剤を配合してもよい。これらの添加剤の具体例を以下に示す。
【００２７】
カチオン界面活性剤：塩化ベンザルコニウム、塩化アルキルトリメチルアンモニウムなどのアルキル型第４級アンモニウム塩など
グリコール：エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ポリアルキレングリコール（アルキレン基の炭素数が４〜５００程度）など
グリコールエーテル：プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテルなど
アルコール類：メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、ブタノール、ベンジルアルコール、２−フェノキシエタノールなど
アミド類：Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルイミダゾリジノン、Ｎ−メチルピロリドンなど
アニオン界面活性剤：脂肪酸塩、アルキル硫酸エステル塩、アルキルリン酸エステル塩など
溶剤：ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類など
ノニオン界面活性剤：ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシプロピレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンとポリオキシプロピレンとのブロックポリマーなど
両性界面活性剤：ラウリルジメチルアミノ酢酸ベタイン、ステアリルジメチルアミノ酢酸ベタイン、ラウリルヒドロキシスルホベタインなどのベタイン、ラウリルジメチルアミンオキサイド、アミノカルボン酸など
【００２８】
また、カチオン性ポリマーとしては、水に溶けてカチオン性の挙動を示し、かつ分子量が千以上のものが好ましく、より好ましくは分子量が数千から数百万の高分子化合物である。具体的には、ポリエチレンイミン、ポリアルキレンポリアミン、第４級アンモニウム塩型スチレンの重合体、第４級アンモニウム塩型アミノアルキル（メタ）アクリレートの重合体、第４級アンモニウム塩型ジアリルアミンの重合体、第４級アンモニウム塩型ジアリルアミンとアクリルアミドとの共重合体、アミノアルキルアクリルアミドの塩の重合体、カチオン性セルロース誘導体等が挙げられ、前記塩としては、例えば塩酸塩が挙げられる。前記カチオン性ポリマーのなかでもポリエチレンイミン、ポリアルキレンポリアミンが好ましい。なお、前記カチオン性ポリマーは、２種以上を併用してもよい。また、前記カチオン性ポリマーとしては、樹脂や繊維の帯電防止剤、廃水処理用の高分子凝集剤、毛髪用リンスのコンディショニング成分等として市販されているものを用いてもよい。
【００２９】
また、本発明で使用されるエッチング液には、塩化ナトリウム等のハロゲン化物イオン源を配合してもよい。
【００３０】
上記エッチング液は、上述した各成分を水に溶解させることにより、容易に調製することができる。上記水としては、イオン交換水、純水、超純水などのイオン性物質や不純物を除去した水が好ましい。エッチングの際の上記エッチング液の温度は、安定したエッチング速度を得る観点から、２０〜５５℃が好ましい。
【００３１】
次に、本発明で使用されるスプレーノズルについて説明する。本発明では、フラットスプレーノズル又はフルコーンスプレーノズルにより、上記エッチング液を噴霧する。特に、フラットスプレーノズルを使用すると、導体のトップ部の幅を容易に保持することができるため好ましい。フラットスプレーノズルとしては、例えば、VP9002、VP9003、VP9005、VP9007、VP9010、VP9015、VP9020、VP11505、VP11515（いずれもいけうち社製）や、KH00880、KH0180、KH01580、KH0280（いずれもエバーロイ社製）や、QPVVL8002、QPVVL8003、QPVVL8004、QPVVL8005（いずれもスプレーイングシステムスジャパン社製）等が使用できる。またフルコーンスプレーノズルについては、例えば、JJRP005、JJRP007、JJXP010、JJXP015、JJXP020、 JJXP025、JJXP030（いずれもいけうち社製）や、KF00890、KF0190、KF01590、KF0290（いずれもエバーロイ社製）や、QPH1、QPH1.5、QPH2、QPH3（いずれもスプレーイングシステムスジャパン社製）等が使用できる。
【００３２】
（フラットスプレーノズルを使用する場合）
本発明においてフラットスプレーノズルを使用する場合、エッチング対象物である銅層表面の単位面積当たりのエッチング液の噴霧量は、３５〜４５０L/(min・m2)である。これにより、銅層表面上におけるエッチング液の流れ（液流れ）が適度な速さに維持されるため、上述した保護皮膜が適度な厚みで形成され、かつ導体側面から剥離され難くなると考えられる。その結果、導体のミドル部のえぐれが抑制され、良好な形状の導体（配線や端子等）が得られると考えられる。同様の観点から、上記エッチング液の噴霧量は、３９〜３９２L/(min・m2)であることが好ましく、５８〜２９５L/(min・m2)であることがより好ましい。更に、同様の観点から、上記フラットスプレーノズル１個当たりのエッチング液の噴霧量は、０．１４〜１．６２L/minであることが好ましく、０．２１〜１．０６L/minであることがより好ましい。なお、保護皮膜の厚みは、最大厚みとして０．４〜５．０μｍ程度である。
【００３３】
単位面積当たりのフラットスプレーノズルの数に関しては、銅層表面上における液溜まりに起因する保護皮膜の異常析出を抑制する観点から、６９個/m2以上であることが好ましく、９０個/m2以上であることがより好ましい。また、保護皮膜を適度な厚みで形成し、導体のミドル部のえぐれを効果的に抑制する観点から、６２５個/m2以下であることが好ましく、５００個/m2以下であることがより好ましい。
【００３４】
（フルコーンスプレーノズルを使用する場合）
本発明においてフルコーンスプレーノズルを使用する場合、エッチング対象物である銅層表面の単位面積当たりのエッチング液の噴霧量は、３０〜２００L/(min・m2)である。これにより、銅層表面上におけるエッチング液の流れ（液流れ）が適度な速さに維持されるため、上述した保護皮膜が適度な厚みで形成され、かつ導体側面から剥離され難くなると考えられる。その結果、導体のミドル部のえぐれが抑制され、良好な形状の導体（配線や端子等）が得られると考えられる。同様の観点から、上記エッチング液の噴霧量は、３０〜１８１L/(min・m2)であることが好ましく、４２〜１５２L/(min・m2)であることがより好ましい。更に、同様の観点から、上記フルコーンスプレーノズル１個当たりのエッチング液の噴霧量は、０．４４〜２．６３L/minであることが好ましく、０．６１〜２．２０L/minであることがより好ましい。
【００３５】
単位面積当たりのフルコーンスプレーノズルの数に関しては、銅層表面上における液溜まりに起因する保護皮膜の異常析出を抑制する観点から、５１個/m2以上であることが好ましく、９０個/m2以上であることがより好ましい。また、保護皮膜を適度な厚みで形成し、導体のミドル部のえぐれを効果的に抑制する観点から、２８０個/m2以下であることが好ましく、２３０個/m2以下であることがより好ましい。
【００３６】
フラットスプレーノズル及びフルコーンスプレーノズルのいずれを用いる場合も、エッチング液の噴霧圧力は、０．０４〜０．３０MPaであることが好ましく、０．０５〜０．３０MPaであることがより好ましい。噴霧圧力が０．０４MPa以上の場合は、ショートの発生を容易に防ぐことができる。一方、噴霧圧力が０．３０MPa以下の場合は、エッチングレジストの剥れに起因する導体の欠けを防止できる上、ポンプ圧の上昇を抑制できるため、経済性においても有利である。なお、上記「噴霧圧力」とは、スプレーノズルからの噴霧直後の噴霧圧力を指す。
【００３７】
また、フラットスプレーノズル及びフルコーンスプレーノズルのいずれを用いる場合も、スプレーノズル末端からエッチング対象物である銅層表面までの距離（ノズルパスライン距離）は、３〜１４ｃｍであることが好ましく、４〜１２ｃｍであることがより好ましい。ノズルパスライン距離が３ｃｍ以上の場合は、エッチングレジストの剥れに起因する導体の欠けを防止できる。一方、ノズルパスライン距離が１４ｃｍ以下の場合は、ショートの発生を容易に防ぐことができる。
【実施例】
【００３８】
次に、本発明の実施例について比較例と併せて説明する。なお、本発明は下記の実施例に限定して解釈されるものではない。
【００３９】
（フラットスプレーノズルを使用した例）
表１に示す組成の各エッチング液を調製し、フラットスプレーノズルを使用して以下に示す条件でエッチングを行った。なお、表１に示す塩酸の濃度は塩化水素としての濃度である。
【００４０】
（使用した基板）
厚み１８μｍの銅箔が積層されたガラスエポキシ基板（パナソニック電工社製Ｒ１６６１）を用意し、この銅層上に液状レジストを用いてフォトリソグラフィー法によってエッチングレジストパターンを形成した。この際、エッチングレジストパターンは、厚み４μｍ、ライン（Ｌ）／スペース（Ｓ）＝３０μｍ／３０μｍのパターン領域と、厚み４μｍ、Ｌ／Ｓ＝７０μｍ／７０μｍのパターン領域とが混在したレジストパターンとした。
【００４１】
（使用したフラットスプレーノズル）
フラットスプレーノズルは、比較例１，３，５，７，９については該当する噴霧量が得られるように自社で作製したノズルを使用した。実施例１，７，１３，１９及び比較例１０についてはいけうち社製VP9002、実施例２，８，１４，２０及び比較例１１についてはいけうち社製VP9003、実施例３，９，１５，２１及び比較例１２についてはいけうち社製VP9007、実施例４，１０，１６，２２及び比較例１３についてはいけうち社製VP9015、実施例５，１１，１７，２３及び比較例１４についてはいけうち社製VP9020を使用した。実施例６，１２，１８，２４及び比較例１５については該当する噴霧量が得られるように自社で作製したノズルを使用した。比較例２，４，６，８，１６についてはいけうち社製VP9030を使用した。
【００４２】
（その他の条件）
エッチング液の噴霧量：それぞれ表１に示す噴霧量
エッチング時間：それぞれ表１に示すエッチング時間
フラットスプレーノズルの数：いずれも２７８個/m2
ノズルパスライン距離：いずれも６ｃｍ
エッチング液の噴霧圧力：いずれも０．１５ＭＰａ
エッチング液の温度：いずれも４０℃
なお、エッチング時間については、比較例１，３，５，７以外は、Ｌ／Ｓ＝３０μｍ／３０μｍのパターン領域における配線のボトム幅が２４〜３６μｍになる時間とした。比較例１，３，５，７については、２００秒間エッチングしてもパターン形成ができず、ショートが発生した。
【００４３】
上記の条件でエッチングした後、水洗、乾燥を行って、得られたサンプル基板の一部を切断し、これを冷感埋め込み樹脂に埋め込み、配線の断面を観察できるように研磨加工を行った。そして、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）の画像計測により、図１に示す配線２のトップ幅Ｗ１、ミドル幅Ｗ２及びボトム幅Ｗ３を計測した。ここで、ミドル幅Ｗ２は、配線２における高さ方向の中間部（ミドル部）の幅、即ち、ガラスエポキシ基材１から９μｍの高さの配線幅である。得られた測定値から、以下に示す基準により評価及び判定した。結果を表２に示す。
【００４４】
（評価基準１）
得られた測定値のうちＬ／Ｓ＝７０μｍ／７０μｍのパターン領域における配線２のトップ幅Ｗ１について、６４．０μｍより大きい場合をＡ、６０．０μｍを超えて６４．０μｍ以下の場合をＢ、６０．０μｍ以下の場合をＣとした。
【００４５】
（評価基準２）
得られた測定値のうちＬ／Ｓ＝７０μｍ／７０μｍのパターン領域における配線２のトップ幅Ｗ１及びミドル幅Ｗ２から、以下の式によりえぐれ率（％）を算出した。そして、えぐれ率の絶対値が、４．０％未満の場合をＡ、４．０％以上で８．０％未満の場合をＢ、８．０％以上の場合をＣとした。
えぐれ率（％）＝（トップ幅Ｗ１−ミドル幅Ｗ２）／トップ幅Ｗ１×１００
【００４６】
（判定基準）
○：評価基準１及び２のいずれもＡの場合
×：評価基準１及び２のいずれかがＣの場合、ショートが発生した場合、又はＬ／Ｓ＝３０μｍ／３０μｍのパターン領域における配線２のトップ幅Ｗ１が２０．０μｍ以下の場合
△：上記○及び×以外の場合
【００４７】
【表１】
【００４８】
【表２】
【００４９】
表２から、実施例はいずれも比較例に比べて配線のトップ部の幅を保持できる上、配線のミドル部のえぐれを抑制できることが分かる。
【００５０】
（フルコーンスプレーノズルを使用した例）
表３に示す組成の各エッチング液を調製し、以下に示すフルコーンスプレーノズルを使用し、ノズルの数をいずれも６９個/m2とし、エッチング液の噴霧量及びエッチング時間をそれぞれ表３に示すとおりに設定したこと以外は、上記フラットスプレーノズルを使用した場合と同様の条件でエッチングを行い、上記と同様に評価及び判定した。結果を表４に示す。
【００５１】
（使用したフルコーンスプレーノズル）
フルコーンスプレーノズルは、比較例１７，１９，２１，２３，２５についてはいけうち社製J030NW、実施例２５，３０，３５，４０及び比較例２６についてはいけうち社製JJRP005、実施例２６，３１，３６，４１及び比較例２７についてはいけうち社製JJRP007、実施例２７，３２，３７，４２及び比較例２８についてはいけうち社製JJXP015、実施例２８，３３，３８，４３及び比較例２９についてはいけうち社製JJXP025、実施例２９，３４，３９，４４及び比較例３０についてはいけうち社製JJXP030、比較例１８，２０，２２，２４，３１についてはいけうち社製JJXP040を使用した。
【００５２】
【表３】
【００５３】
【表４】
【００５４】
表４から、実施例はいずれも比較例に比べて配線のトップ部の幅を保持できる上、配線のミドル部のえぐれを抑制できることが分かる。
【符号の説明】
【００５５】
１ ガラスエポキシ基材
２ 配線
Ｗ１ トップ幅
Ｗ２ ミドル幅
Ｗ３ ボトム幅
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅層のエッチングレジストで被覆されていない部分に、フラットスプレーノズルによりエッチング液を噴霧して、前記被覆されていない部分をエッチングする導体パターンの形成方法において、
前記エッチング液は、第二銅イオン源、酸及びアゾール類を含む水溶液であり、
前記銅層表面の単位面積当たりの前記エッチング液の噴霧量が、３５〜４５０L/(min・m2)であることを特徴とする導体パターンの形成方法。
【請求項２】
前記エッチング液の噴霧量が、前記フラットスプレーノズル１個当たり０．１４〜１．６２L/minである請求項１に記載の導体パターンの形成方法。
【請求項３】
前記フラットスプレーノズルの数が、６９〜６２５個/m2である請求項１又は２に記載の導体パターンの形成方法。
【請求項４】
銅層のエッチングレジストで被覆されていない部分に、フルコーンスプレーノズルによりエッチング液を噴霧して、前記被覆されていない部分をエッチングする導体パターンの形成方法において、
前記エッチング液は、第二銅イオン源、酸及びアゾール類を含む水溶液であり、
前記銅層表面の単位面積当たりの前記エッチング液の噴霧量が、３０〜２００L/(min・m2)であることを特徴とする導体パターンの形成方法。
【請求項５】
前記エッチング液の噴霧量が、前記フルコーンスプレーノズル１個当たり０．４４〜２．６３L/minである請求項４に記載の導体パターンの形成方法。
【請求項６】
前記フルコーンスプレーノズルの数が、５１〜２８０個/m2である請求項４又は５に記載の導体パターンの形成方法。
【請求項７】
前記アゾール類は、テトラゾール系化合物である請求項１〜６のいずれか１項に記載の導体パターンの形成方法。
【請求項８】
前記エッチング液の噴霧圧力が、０．０４〜０．３０MPaである請求項１〜７のいずれか１項に記載の導体パターンの形成方法。
【請求項１】
銅層のエッチングレジストで被覆されていない部分に、フラットスプレーノズルによりエッチング液を噴霧して、前記被覆されていない部分をエッチングする導体パターンの形成方法において、
前記エッチング液は、第二銅イオン源、酸及びアゾール類を含む水溶液であり、
前記銅層表面の単位面積当たりの前記エッチング液の噴霧量が、３５〜４５０L/(min・m2)であることを特徴とする導体パターンの形成方法。
【請求項２】
前記エッチング液の噴霧量が、前記フラットスプレーノズル１個当たり０．１４〜１．６２L/minである請求項１に記載の導体パターンの形成方法。
【請求項３】
前記フラットスプレーノズルの数が、６９〜６２５個/m2である請求項１又は２に記載の導体パターンの形成方法。
【請求項４】
銅層のエッチングレジストで被覆されていない部分に、フルコーンスプレーノズルによりエッチング液を噴霧して、前記被覆されていない部分をエッチングする導体パターンの形成方法において、
前記エッチング液は、第二銅イオン源、酸及びアゾール類を含む水溶液であり、
前記銅層表面の単位面積当たりの前記エッチング液の噴霧量が、３０〜２００L/(min・m2)であることを特徴とする導体パターンの形成方法。
【請求項５】
前記エッチング液の噴霧量が、前記フルコーンスプレーノズル１個当たり０．４４〜２．６３L/minである請求項４に記載の導体パターンの形成方法。
【請求項６】
前記フルコーンスプレーノズルの数が、５１〜２８０個/m2である請求項４又は５に記載の導体パターンの形成方法。
【請求項７】
前記アゾール類は、テトラゾール系化合物である請求項１〜６のいずれか１項に記載の導体パターンの形成方法。
【請求項８】
前記エッチング液の噴霧圧力が、０．０４〜０．３０MPaである請求項１〜７のいずれか１項に記載の導体パターンの形成方法。
【図１】
【公開番号】特開２０１１−８４７８１（Ｐ２０１１−８４７８１Ａ）
【公開日】平成２３年４月２８日（２０１１．４．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２３８５８０（Ｐ２００９−２３８５８０）
【出願日】平成２１年１０月１５日（２００９．１０．１５）
【出願人】（０００１１４４８８）メック株式会社 (49)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年４月２８日（２０１１．４．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１０月１５日（２００９．１０．１５）
【出願人】（０００１１４４８８）メック株式会社 (49)
【Ｆターム（参考）】
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