導電性フィルムの表面処理方法及び磁気ディスク装置の組立方法
【課題】 導電性フィルムの表面処理方法及び磁気ディスク装置の組立方法に関し、導電性コーティングフィルムの表面抵抗を、組み立て工程現場において任意に調整する。
【解決手段】 微粒子３を含有する処理液２中に導電性コーティングフィルム４を浸漬した状態で超音波５を印加することにより導電性コーティングフィルム４の抵抗を増大させる。
【解決手段】 微粒子３を含有する処理液２中に導電性コーティングフィルム４を浸漬した状態で超音波５を印加することにより導電性コーティングフィルム４の抵抗を増大させる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は導電性フィルムの表面処理方法及び磁気ディスク装置の組立方法に関するものであり、特に、磁気ディスク装置を構成するヘッドシンバルアセンブリに中継フレキシブルプリント回路基板をボンディングする工程における静電破壊を防止するために用いる導電性フィルムの表面抵抗値の調整方法に特徴のある導電性フィルムの表面処理方法及び磁気ディスク装置の組立方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯用を含めた各種の情報処理機器の記憶装置として磁気ディスク装置が用いられているが、このような磁気ディスク装置においては、磁気ヘッドを備えたスライダをジンバルに取り付けたヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）をアームに取付け、このアームをアクチュエータによって駆動することによってシーキング動作を行わせて、磁気ヘッドによって、磁気ディスクに情報を書き込んだり、書き込まれた情報を読み取ったりしている。
【０００３】
このような情報の書込或いは読取はヘッドジンバルアセンブリに印刷されたＣＰＳ（Ｃａｂｌｅ＆Ｐａｔｔｅｒｎ Ｓｕｓｐｅｎｓｉｏｎ）から中継ＦＰＣ（Ｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）を介してＨＤＩＣ（Ｈｅａｄ Ｃｏｎｔｒｏｌ ＩＣ）に伝達される。
【０００４】
近年、磁気ディスク装置の大容量化・小型化に伴って、磁気ヘッドの再生ヘッドを構成するＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子も微細化され、それにともなってＧＭＲ素子の静電破壊耐圧が低下したために、磁気ディスク装置の組み立て工程においてＧＭＲ素子の静電破壊が発生しやすくなっている。
【０００５】
これは、磁気ディスク装置の組み立て工程、特に、中継ＦＰＣの半田付けによるボンディング工程において、作業者や取付け部材に静電的に蓄積されている電荷が放電し、放電された電荷によってＧＭＲ素子が破壊されるものである。
【０００６】
このような組み立て時における静電破壊を防止するために、静電気放電からＧＭＲ素子を保護するための保護回路を組み込んだヘッドＩＣをジンバルに搭載すること（例えば、特許文献１参照）や、或いは、ヘッドＩＣと印刷配線との接続を一対の半田ボールを用いて最終工程において熱的に行うことによって治具や半田工具の接触をなくすこと（例えば、特許文献２参照）が提案されている。
【特許文献１】特開２０００−１９５０２３号公報
【特許文献２】特開２００４−１５２３９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、上述の特許文献１の場合には、ヘッドＩＣに余分な保護回路を組み込む必要があり、ヘッドＩＣの大型化の原因になるともに低コスト化の障害になるという問題がある。
【０００８】
また、上記特許文献２の場合には、熱的な半田付け工程では静電気放電は発生しないものの、接続部における電気的接続及び機械的強度の信頼性が問題になる。
即ち、両方の半田ボールを離しすぎると電気的接続及び機械的強度の信頼性が問題なり、また、近すぎると、中継ＦＰＣのボンディング工程における静電気のＧＭＲ素子への進入が問題となる。
【０００９】
そこで、本出願人は、磁気ディスク装置の組み立て工程における中継ＦＰＣのボンディング工程において、導電性フィルムを用いることによって静電破壊を防止している。
即ち、中継ＦＰＣのボンディングに際して、ジンバル側に設けたパッドに透明導電性フィルムを当接した状態で中継ＦＰＣのパッドとの位置合わせを行い、中継ＦＰＣをＨＤＩＣ側のパッドとのボンディングを行った後、透明導電性フィルムを引き抜いてＣＡＰＳ側のパッドの半田付けによるボンディングを行っている。
【００１０】
この場合、中継ＦＰＣに蓄積した電荷は、まず中継ＦＰＣを介してＨＤＩＣ側に流れ、中継ＦＰＣに電荷が残留していても中継ＦＰＣのパッドを透明導電性フィルムに当接した場合には、透明導電性フィルムの表面抵抗が１０4 〜１０9 Ω／ｃｍ2 と比較的高抵抗であるので、ＧＭＲ素子を破壊するほどの静電気が流れることはない。
【００１１】
しかし、ＧＭＲ素子が微細化して静電破壊耐圧が低下するにともなって、１０4 Ω／ｃｍ2 程度の表面抵抗の場合には、透明導電性フィルムを介した電荷の突き抜け、即ち、表面側に蓄積した電荷に起因して裏面側に発生した誘導電荷による静電破壊が問題になりつつある。
【００１２】
このような問題を解決するためには、透明導電性フィルムの表面抵抗を１０4 Ω／ｃｍ2 以上にすれは良いが、このような透明導電性フィルムの表面抵抗は製造メーカー側で一義的に調整しているため、使用目的に応じてその度毎に目標値となる表面抵抗に調整した透明導電性フィルムを発注する必要があり、入手まで時間がかかり組み立て作業が停滞するという問題がある。
【００１３】
また、導電性コーティングフィルムの場合には、表面抵抗を微調整することが困難であり、必要となる任意の表面抵抗に調整した導電性フィルムを低価格で入手することが困難であるという問題もある。
【００１４】
したがって、本発明は、導電性コーティングフィルムの表面抵抗を、組み立て工程現場において任意に調整することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
図１は本発明の原理的構成図であり、ここで図１を参照して、本発明における課題を解決するための手段を説明する。
なお、図における符号１は処理槽である。
図１参照
上記の課題を解決するために、本発明は、導電性フィルムの表面処理方法であって、微粒子３を含有する処理液２中に導電性コーティングフィルム４を浸漬した状態で超音波５を印加することにより導電性コーティングフィルム４の抵抗を増大させることを特徴とする。
【００１６】
このように、導電性コーティングフィルム４の表面を処理液２中で超音波５で振動する微粒子３により研削することによって薄層化し、それによって、製造現場において表面抵抗を任意に増大させることができる。
なお、導電性フィルムが、ベース樹脂に導電性微粒子等を混在させたタイプのものである場合には、表面処理効果がほとんどなくメーカー任せになるので、発注から入手までの製造待機時間が問題となる。
【００１７】
この場合の微粒子３はＳｉＯ2 粒子以上（即ち、ＳｉＯ2 も含む）の硬度を有する材料、特に、Ａｌ2 Ｏ3 微粒子３であることが望ましく、また、処理液２は導電性コーティングフィルム４に対して非反応性である処理液２、特に、純水であることが低コスト化或い入手容易性の点で望ましい。
【００１８】
また、この場合の表面処理としては、処理前の表面抵抗が１０4 Ω／ｃｍ2 以下の導電性コーティングフィルム４を、処理後の表面抵抗が１０5 Ω／ｃｍ2 〜１０9 Ω／ｃｍ2 となるようにすれば良いものである。
【００１９】
処理後の表面抵抗が１０5 Ω／ｃｍ2 以上、より望ましくは１０6 Ω／ｃｍ2 以上であれば電荷の突き抜けによる静電破壊が生ずることがなく、１０9 Ω／ｃｍ2 以下であれば、導電性コーティングフィルム４自体の静電気の帯電を防止する程度の導電性を有していることになる。
【００２０】
また、超音波５の周波数としては、３０ｋＨｚ以上であれば、充分使用可能な面内均一性で抵抗を増大させることができ、また、周波数が高い方が均一性が増すが、超音波発生ユニットの価格から見て１ＭＨｚであれば充分であり、それによって、低コストで、面内均一性の高い所定の表面抵抗を有する導電性コーティングフィルム４を得ることができる。
【００２１】
また、このような表面処理を行った導電性フィルムを用いて中継フレキシブルプリント回路基板のボンディングを行うことによって、製造コストを増大することなく、且つ、製造待機時間を要することなく磁気ディスク装置を構成する磁気抵抗効果素子の静電破壊を確実に防止することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、メーカーによって納品された１０4 Ω／ｃｍ2 以下の導電性コーティングフィルムに、製造現場において表面処置を施すことによって、１０5 Ω／ｃｍ2 〜１０9 Ω／ｃｍ2 範囲の任意の値に表面抵抗を調整することができ、それによって、製造待機時間を要することなく磁気ディスク装置を構成する磁気抵抗効果素子の静電破壊を確実に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明は、ＳｉＯ2 粒子以上の硬度を有する材料からなる微粒子、例えば、Ａｌ2 Ｏ3 微粒子を含有する導電性コーティングフィルムに対して非反応性である処理液、例えば、純水中に処理前の表面抵抗が１０4 Ω／ｃｍ2 以下の導電性コーティングフィルムを浸漬した状態で超音波、例えば、３０ｋＨｚ〜１ＭＨｚの周波数の超音波を印加することにより導電性コーティングフィルムを薄層化してその表面抵抗を１０5 Ω／ｃｍ2 〜１０9 Ω／ｃｍ2 程度に増大させるものである。
【００２４】
また、このように表面抵抗を調整した導電性コーティングフィルムをジンバル側のパッドに当接した状態で、中継フレキシブルプリント回路基板の位置合わせを行い、位置合わせ後に導電性コーティングフィルムを引き抜いてボンディングを行うことによってＧＭＲ素子の静電破壊を防止するものである。
【実施例１】
【００２５】
ここで、図２及び図３を参照して、本発明の実施例１の導電性フィルムの表面処理方法を説明する。
図２参照
図２は、本発明の実施例１の導電性フィルムの表面処理方法に用いる表面処理装置の概念的構成図であり、外槽１１、外槽１１の底部に固定された超音波発振ユニット１２、外槽１１に収容された超音波伝播用の水１３、Ａｌ2 Ｏ3 微粒子１６を混入させた純水１５を収容した処理槽１４からなる。
【００２６】
この処理槽１４内に導電性コーティングフィルム２０を浸漬した状態で処理槽１４を外槽１１内に収容した水１３に浮かべるとともに、固定具（図示を省略）によって固定し、常温において固定した超音波発振ユニット１２から超音波１７を印加することによって表面処理を行う。
【００２７】
この場合のＡｌ2 Ｏ3 微粒子１６の平均粒径は３０〜５０μｍ、例えば、４０μｍであり、このＡｌ2 Ｏ3 微粒子１６を純水１５に対して１０００ｃｃ当たり１０ｇ混入する。 また、超音波発振ユニット１２から超音波１７の周波数は３０ｋＨｚ〜１ＭＨｚ、例えば、４０ｋＨｚ或いは１００ｋＨｚであり、純水１０００ｃｃ当たり２０Ｗのパワーで印加する。
【００２８】
図３参照
図３は、本発明の実施例１の導電性フィルムの表面処理工程の説明図であり、まず、厚さが、例えば、２５０μｍのＰＥＴフィルム２１の表面にＳＴポリ膜２２をコーティングした導電性コーティングフィルム２０をＡｌ2 Ｏ3 微粒子１６を含有する純水１５中に浸漬する。
なお、処理前の導電性コーティングフィルム２０の表面抵抗は１０4 Ω／ｃｍ2 以下、例えば、１０4 Ω／ｃｍ2 とする。
【００２９】
次いで、超音波発振ユニット１２から４０ｋＨｚの周波数の超音波１７を２０Ｗ／１０００ｃｃのパワーで印加することによって、超音波１７によって振動するＡｌ2 Ｏ3 微粒子１６がＳＴポリ膜２２を叩いて研削することによってＳＴポリ膜２２を薄層化する。
【００３０】
引き続いて、所定の時間、例えば、１００分間超音波処理することによって、ＳＴポリ膜２２をさらに薄層化して、その表面抵抗を１０6 Ω程度にする。
【００３１】
【表１】
表１は、表面処理結果を纏めたもので、処理前の表面抵抗は１０4 Ω／ｃｍ2 であったものが、４０ｋＨｚで処理した場合には、５．０１×１０6 Ω／ｃｍ2 と二桁以上抵抗値が増大し、１００ｋＨｚで処理した場合には、１．１４×１０6 Ω／ｃｍ2 とこの場合も二桁以上の増大が見られた。
因に、Ａｌ2 Ｏ3 粒子を混入せずに、他は同じ条件で超音波処理を行った場合には、表面抵抗は２．２×１０5 Ω／ｃｍ2 と一桁の抵抗値の増大であった。
【００３２】
【表２】
表２は、比較のためにアクリル樹脂ベースに導電性ポリマーを混練した導電性フィルムについて同様な処理を行った結果を纏めたもので、処理前の表面抵抗が８．５×１０9 Ω／ｃｍ2 であったものが、処理後には若干の抵抗値の変化が見られるものの、桁単位の変化は見られなかった。
【００３３】
したがって、本発明の実施例１の表面処理による表面抵抗の増加は、Ａｌ2 Ｏ3 粒子１６によるＳＴポリ膜２２の研削による薄層化によると考えられる。
また、表１に併せて示しているように、表面処理後にも透明性に変化はなく、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）像で確認しても表面状態の変化は殆どみられなかった。
【００３４】
【表３】
表３は、超音波の周波数を４０ｋＨｚとした場合の処理時間依存性を纏めたものであり、ここでは、表面静電気（ＥＳＣ）、静電気放電波形（ＥＳＤ波形）を合わせて示している。
なお、ＥＳＤ波形としては、帯電した中継ＦＰＣから導電性コーティングフィルムを介してＣＡＰＳ端子で伝達されるＥＳＤ波形1 と、導電性コーティングフィルムを撓ませたのち撓みを開放してＣＡＰＳ端子を衝撃した場合に伝達されるＥＳＤ波形2 とを示している。
【００３５】
表３から明らかなように、処理時間が２００分を超えると表面抵抗が大幅に増大することが確認され、上述のＡｌ2 Ｏ3 粒子のサイズ、混入量、及び、超音波周波数では１００分程度の処理時間が好適であることが分かる。
【００３６】
また、表面静電気（ＥＳＣ）は、１００分間の処理の場合には、１Ｖと殆ど帯電が見られないが、処理時間が増して表面抵抗が増大すると、表面静電気（ＥＳＣ）が増大し、この表面静電気（ＥＳＣ）が導電性コーティングフィルムをＣＡＰＳ端子に接触した場合に問題になる。
【００３７】
また、ＥＳＤ波形1 は、処理前には上述の電荷突き抜け現象による波形が見られるが、表面抵抗を増大させた場合には、ＥＳＤ波形1 は確認されなかった。
一方、ＥＳＤ波形2 は、いずれの場合にも確認されたが、処理後には処理前に比べて一桁程度小さくなっており、このＥＳＤ波形1 の原因となる撓んだ導電性コーティングフィルムによるＣＡＰＳ端子の衝撃はイレギュラーな現象であるので、この程度の耐性で問題はない。
【実施例２】
【００３８】
次に、図４及び図５を参照して、本発明の実施例２の磁気ディスク装置の組立方法を説明する。
図４参照
図４は、中継ＦＰＣの概念的構成図であり、ポリイミド樹脂からなるベース４１に一対のＧＭＲ用配線４２と一対のライトコイル用配線４３とを形成し、各配線の一端部に夫々ＣＡＰＳ接続用パッド４４，４５と他端部にＨＤＩＣ接続用パッド４６，４７を設けた構成となっている。
【００３９】
次に、図５を参照して、本発明の実施例２の磁気ディスク装置の製造工程を説明するが、中継ＦＰＣの取付け工程以外は従来の組み立て工程と同じであるので、中継ＦＰＣの取付け工程のみを説明する。
図５参照
まず、ジンバル３２の側面に設けた接続用パッド３５、即ち、ＣＡＰＳ端子に実施例１の処理方法によって表面抵抗を５×１０6 Ω／ｃｍ2 程度に調整した導電性コーティングフィルム２０を当接させた状態において、アーム３１の側面に両面テープ３７を介して中継ＦＰＣ４０を貼り付けたのち、透明な導電性コーティングフィルム２０を介して目視により中継ＦＰＣ４０のＣＡＰＳ接続用パッド４４，４５と接続用パッド３５の位置合わせを行う。
【００４０】
この時、中継ＦＰＣ４０が帯電していても、導電性コーティングフィルム２０の表面抵抗が５×１０6 Ω／ｃｍ2 程度で充分高抵抗であるので、表３に示したように静電気放電は起こらず、ＧＭＲ素子が破壊されることはない。
【００４１】
次いで、位置合わせが適性である場合には、まず、ＨＤＩＣ側においてＨＤＩＣ３６とＨＤＩＣ接続用パッド４６，４７の半田付けを行って中継ＦＰＣ４０の電荷をＨＤＩＣ３６を介して除電したのち、導電性コーティングフィルム２０を引抜き、次いで、中継ＦＰＣ４０のＣＡＰＳ接続用パッド４４，４５と接続用パッド３５とを半田付けにより電気的に接続することによって中継ＦＰＣ４０の取付け工程が完了する。
【００４２】
このように、本発明の実施例２においては、磁気ディスク装置の組み立て工場内において、導電性コーティングフィルム２０、即ち、ＣＡＰＳ保護フィルムの表面抵抗を静電気放電が生じない程度まで高抵抗に調整しているので、フィルムメーカーへの発注から納品までの待機時間を要することなく迅速な作業が可能になる。
【００４３】
また、製造する製品が変わり、必要となる表面抵抗が変わった場合にも、メーカーに抵抗値の調整を依頼することなく、既に納品されている低抵抗のＣＡＰＳ保護フィルムに表面処理を施すだけで良いので、製造時間の短縮が可能になり、延いては低コスト化に寄与することになる。
【００４４】
以上、本発明の各実施例を説明してきたが、本発明は各実施例に記載された構成・条件等に限られるものではなく各種の変更が可能であり、例えば、上記の実施例１に記載した、Ａｌ2 Ｏ3 微粒子のサイズ及び混入量は絶対的なものでなく、所望の結果が得られる範囲で任意に変更可能である。
【００４５】
また、上記の実施例１においては、微粒子としてＡｌ2 Ｏ3 微粒子を用いているが、Ａｌ2 Ｏ3 微粒子に限られるものではなく、ＳｉＯ2 を含むＳｉＯ2 以上の硬度を有する硬質な材料からなる微粒子が望ましく、例えば、ジルコニア（ＺｒＯ2 ）、ＴａＣ、ＷＣ、ＳｉＣ等を用いても良く、また、ＴｉＯ2 は結晶形によってはＳｉＯ2 よりも高硬度であるので高硬度のＴｉＯ2 を用いても良いものである。
【００４６】
また、上記の実施例においては、処理液として純水を用いているが、この純水の純度は比電気抵抗が１ＭΩ・ｃｍ以上の純度であれば良い。
また、処理液は純水に限られるものではなく、導電性コーティングフィルムに対して非反応性であり、且つ、純水と同様に不純物をできるかぎり含まない液体であれば良く、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール等のアルコール類を用いても良い。
【００４７】
また、上記の実施例１においては、超音波の周波数を４０ｋＨｚ或いは１００ｋＨｚとしているが、４０ｋＨｚにおける結果から見て３０ｋＨｚ以上であれば充分面内均一性を高くすることができ、また、周波数が高いほど面内均一性は高くなるが、周波数が高いほど超音波発振ユニットが高価になるので、最終製品の低コスト化のためには、１ＭＨｚ以下の周波数で充分である。
【００４８】
また、上記の各実施例においては、導電性コーティングフィルムのベースをＰＥＴフィルムで構成しているが、透明であればＰＥＴフィルムに限られるものではなく、アクリル樹脂等の他の透明樹脂を用いても良い。
但し、ＰＥＴフィルム以外は一般に導電膜を高い密着性をもってコーティングすることが困難であるので、フィルムメーカーにおいてコーティング工程に工夫を要する。
さらには、使用目的が異なる場合には、透明である必要はない。
【００４９】
また、上記の実施例２においては、位置合わせ工程において、位置合わせが適当でない場合について説明していないが、位置合わせが不適当な場合には、両面テープを剥離して再度貼り付けることになるが、剥離の際に、上述のＥＳＤ波形2 と同様の理由で静電放電が起こるが、ＣＡＰＳ端子は、導電性コーティングフィルムの下側に設けられた高抵抗化処理されたＳＴポリ膜に当接しているのでＣＡＰＳ端子を介して破壊を引き起こす程の静電気がＧＭＲ素子に流れ込むことは防止される。
【００５０】
ここで、再び図１を参照して、本発明の詳細な特徴を改めて説明する。
再び、図１参照
（付記１） 微粒子３を含有する処理液２中に導電性コーティングフィルム４を浸漬した状態で超音波５を印加することにより前記導電性コーティングフィルム４の抵抗を増大させることを特徴とする導電性フィルムの表面処理方法。
（付記２） 上記微粒子３がＳｉＯ2 粒子以上の硬度を有する材料からなるとともに、上記処理液２が上記導電性コーティングフィルム４に対して非反応性であることを特徴とする付記１記載の導電性フィルムの表面処理方法。
（付記３） 上記微粒子３がＡｌ2 Ｏ3 微粒子であり、且つ、上記処理液２が純水であることを特徴とする付記２記載の導電性コーティングフィルム４の表面処理方法。
（付記４） 上記超音波５の周波数が、３０ｋＨｚ〜１ＭＨｚであることを特徴とする付記１乃至３のいずれか１に記載の導電性コーティングフィルム４の表面処理方法。
（付記５） 上記導電性コーティングフィルム４の処理前の表面抵抗が１０4 Ω／ｃｍ2 以下であり、且つ、処理後の表面抵抗が１０5 Ω／ｃｍ2 〜１０9 Ω／ｃｍ2 であることを特徴とする付記１乃至６のいずれか１に記載の導電性フィルムの表面処理方法。
（付記６） 付記１乃至５のいずれか１に記載の導電性フィルムの表面処理方法によって表面処理した導電性フィルムを用いて中継フレキシブルプリント回路基板のボンディングを行う工程を有することを特徴とする磁気ディスク装置の組立方法。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明の活用例としては、磁気ディスク装置の製造工程における中継ＦＰＣの取付け工程における静電破壊防止が典型的であるが、磁気ディスク装置の製造工程における中継ＦＰＣの取付け工程に限られるものではなく、静電破壊耐性の低い素子を備えた各種の電子機器の組み立て工程における各種の帯電性を有する部材の電気的接続工程にも適用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の実施例１の導電性フィルムの表面処理方法に用いる表面処理装置の概念的構成図である。
【図３】本発明の実施例１の導電性フィルムの表面処理工程の説明図である。
【図４】中継ＦＰＣの概念的構成図である。
【図５】本発明の実施例２の磁気ディスク装置の製造工程における中継ＦＰＣの取付け工程の説明図である。
【符号の説明】
【００５３】
１ 処理槽
２ 処理液
３ 微粒子
４ 導電性コーティングフィルム
５ 超音波
１０ 表面処理装置
１１ 外槽
１２ 超音波発振ユニット
１３ 水
１４ 処理槽
１５ 純水
１６ Ａｌ2 Ｏ3 微粒子
１７ 超音波
２０ 導電性コーティングフィルム
２１ ＰＥＴフィルム
２２ ＳＴポリ膜
３１ アーム
３２ ジンバル
３３ スライダ
３４ ＣＡＰＳ
３５ 接続用パッド
３６ ＨＤＩＣ
３７ 両面テープ
４０ 中継ＦＰＣ
４１ ベース
４２ ＧＭＲ用配線
４３ ライトコイル用配線
４４ ＣＡＰＳ接続用パッド
４５ ＣＡＰＳ接続用パッド
４６ ＨＤＩＣ接続用パッド
４７ ＨＤＩＣ接続用パッド
【技術分野】
【０００１】
本発明は導電性フィルムの表面処理方法及び磁気ディスク装置の組立方法に関するものであり、特に、磁気ディスク装置を構成するヘッドシンバルアセンブリに中継フレキシブルプリント回路基板をボンディングする工程における静電破壊を防止するために用いる導電性フィルムの表面抵抗値の調整方法に特徴のある導電性フィルムの表面処理方法及び磁気ディスク装置の組立方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯用を含めた各種の情報処理機器の記憶装置として磁気ディスク装置が用いられているが、このような磁気ディスク装置においては、磁気ヘッドを備えたスライダをジンバルに取り付けたヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）をアームに取付け、このアームをアクチュエータによって駆動することによってシーキング動作を行わせて、磁気ヘッドによって、磁気ディスクに情報を書き込んだり、書き込まれた情報を読み取ったりしている。
【０００３】
このような情報の書込或いは読取はヘッドジンバルアセンブリに印刷されたＣＰＳ（Ｃａｂｌｅ＆Ｐａｔｔｅｒｎ Ｓｕｓｐｅｎｓｉｏｎ）から中継ＦＰＣ（Ｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）を介してＨＤＩＣ（Ｈｅａｄ Ｃｏｎｔｒｏｌ ＩＣ）に伝達される。
【０００４】
近年、磁気ディスク装置の大容量化・小型化に伴って、磁気ヘッドの再生ヘッドを構成するＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子も微細化され、それにともなってＧＭＲ素子の静電破壊耐圧が低下したために、磁気ディスク装置の組み立て工程においてＧＭＲ素子の静電破壊が発生しやすくなっている。
【０００５】
これは、磁気ディスク装置の組み立て工程、特に、中継ＦＰＣの半田付けによるボンディング工程において、作業者や取付け部材に静電的に蓄積されている電荷が放電し、放電された電荷によってＧＭＲ素子が破壊されるものである。
【０００６】
このような組み立て時における静電破壊を防止するために、静電気放電からＧＭＲ素子を保護するための保護回路を組み込んだヘッドＩＣをジンバルに搭載すること（例えば、特許文献１参照）や、或いは、ヘッドＩＣと印刷配線との接続を一対の半田ボールを用いて最終工程において熱的に行うことによって治具や半田工具の接触をなくすこと（例えば、特許文献２参照）が提案されている。
【特許文献１】特開２０００−１９５０２３号公報
【特許文献２】特開２００４−１５２３９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、上述の特許文献１の場合には、ヘッドＩＣに余分な保護回路を組み込む必要があり、ヘッドＩＣの大型化の原因になるともに低コスト化の障害になるという問題がある。
【０００８】
また、上記特許文献２の場合には、熱的な半田付け工程では静電気放電は発生しないものの、接続部における電気的接続及び機械的強度の信頼性が問題になる。
即ち、両方の半田ボールを離しすぎると電気的接続及び機械的強度の信頼性が問題なり、また、近すぎると、中継ＦＰＣのボンディング工程における静電気のＧＭＲ素子への進入が問題となる。
【０００９】
そこで、本出願人は、磁気ディスク装置の組み立て工程における中継ＦＰＣのボンディング工程において、導電性フィルムを用いることによって静電破壊を防止している。
即ち、中継ＦＰＣのボンディングに際して、ジンバル側に設けたパッドに透明導電性フィルムを当接した状態で中継ＦＰＣのパッドとの位置合わせを行い、中継ＦＰＣをＨＤＩＣ側のパッドとのボンディングを行った後、透明導電性フィルムを引き抜いてＣＡＰＳ側のパッドの半田付けによるボンディングを行っている。
【００１０】
この場合、中継ＦＰＣに蓄積した電荷は、まず中継ＦＰＣを介してＨＤＩＣ側に流れ、中継ＦＰＣに電荷が残留していても中継ＦＰＣのパッドを透明導電性フィルムに当接した場合には、透明導電性フィルムの表面抵抗が１０4 〜１０9 Ω／ｃｍ2 と比較的高抵抗であるので、ＧＭＲ素子を破壊するほどの静電気が流れることはない。
【００１１】
しかし、ＧＭＲ素子が微細化して静電破壊耐圧が低下するにともなって、１０4 Ω／ｃｍ2 程度の表面抵抗の場合には、透明導電性フィルムを介した電荷の突き抜け、即ち、表面側に蓄積した電荷に起因して裏面側に発生した誘導電荷による静電破壊が問題になりつつある。
【００１２】
このような問題を解決するためには、透明導電性フィルムの表面抵抗を１０4 Ω／ｃｍ2 以上にすれは良いが、このような透明導電性フィルムの表面抵抗は製造メーカー側で一義的に調整しているため、使用目的に応じてその度毎に目標値となる表面抵抗に調整した透明導電性フィルムを発注する必要があり、入手まで時間がかかり組み立て作業が停滞するという問題がある。
【００１３】
また、導電性コーティングフィルムの場合には、表面抵抗を微調整することが困難であり、必要となる任意の表面抵抗に調整した導電性フィルムを低価格で入手することが困難であるという問題もある。
【００１４】
したがって、本発明は、導電性コーティングフィルムの表面抵抗を、組み立て工程現場において任意に調整することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
図１は本発明の原理的構成図であり、ここで図１を参照して、本発明における課題を解決するための手段を説明する。
なお、図における符号１は処理槽である。
図１参照
上記の課題を解決するために、本発明は、導電性フィルムの表面処理方法であって、微粒子３を含有する処理液２中に導電性コーティングフィルム４を浸漬した状態で超音波５を印加することにより導電性コーティングフィルム４の抵抗を増大させることを特徴とする。
【００１６】
このように、導電性コーティングフィルム４の表面を処理液２中で超音波５で振動する微粒子３により研削することによって薄層化し、それによって、製造現場において表面抵抗を任意に増大させることができる。
なお、導電性フィルムが、ベース樹脂に導電性微粒子等を混在させたタイプのものである場合には、表面処理効果がほとんどなくメーカー任せになるので、発注から入手までの製造待機時間が問題となる。
【００１７】
この場合の微粒子３はＳｉＯ2 粒子以上（即ち、ＳｉＯ2 も含む）の硬度を有する材料、特に、Ａｌ2 Ｏ3 微粒子３であることが望ましく、また、処理液２は導電性コーティングフィルム４に対して非反応性である処理液２、特に、純水であることが低コスト化或い入手容易性の点で望ましい。
【００１８】
また、この場合の表面処理としては、処理前の表面抵抗が１０4 Ω／ｃｍ2 以下の導電性コーティングフィルム４を、処理後の表面抵抗が１０5 Ω／ｃｍ2 〜１０9 Ω／ｃｍ2 となるようにすれば良いものである。
【００１９】
処理後の表面抵抗が１０5 Ω／ｃｍ2 以上、より望ましくは１０6 Ω／ｃｍ2 以上であれば電荷の突き抜けによる静電破壊が生ずることがなく、１０9 Ω／ｃｍ2 以下であれば、導電性コーティングフィルム４自体の静電気の帯電を防止する程度の導電性を有していることになる。
【００２０】
また、超音波５の周波数としては、３０ｋＨｚ以上であれば、充分使用可能な面内均一性で抵抗を増大させることができ、また、周波数が高い方が均一性が増すが、超音波発生ユニットの価格から見て１ＭＨｚであれば充分であり、それによって、低コストで、面内均一性の高い所定の表面抵抗を有する導電性コーティングフィルム４を得ることができる。
【００２１】
また、このような表面処理を行った導電性フィルムを用いて中継フレキシブルプリント回路基板のボンディングを行うことによって、製造コストを増大することなく、且つ、製造待機時間を要することなく磁気ディスク装置を構成する磁気抵抗効果素子の静電破壊を確実に防止することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、メーカーによって納品された１０4 Ω／ｃｍ2 以下の導電性コーティングフィルムに、製造現場において表面処置を施すことによって、１０5 Ω／ｃｍ2 〜１０9 Ω／ｃｍ2 範囲の任意の値に表面抵抗を調整することができ、それによって、製造待機時間を要することなく磁気ディスク装置を構成する磁気抵抗効果素子の静電破壊を確実に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明は、ＳｉＯ2 粒子以上の硬度を有する材料からなる微粒子、例えば、Ａｌ2 Ｏ3 微粒子を含有する導電性コーティングフィルムに対して非反応性である処理液、例えば、純水中に処理前の表面抵抗が１０4 Ω／ｃｍ2 以下の導電性コーティングフィルムを浸漬した状態で超音波、例えば、３０ｋＨｚ〜１ＭＨｚの周波数の超音波を印加することにより導電性コーティングフィルムを薄層化してその表面抵抗を１０5 Ω／ｃｍ2 〜１０9 Ω／ｃｍ2 程度に増大させるものである。
【００２４】
また、このように表面抵抗を調整した導電性コーティングフィルムをジンバル側のパッドに当接した状態で、中継フレキシブルプリント回路基板の位置合わせを行い、位置合わせ後に導電性コーティングフィルムを引き抜いてボンディングを行うことによってＧＭＲ素子の静電破壊を防止するものである。
【実施例１】
【００２５】
ここで、図２及び図３を参照して、本発明の実施例１の導電性フィルムの表面処理方法を説明する。
図２参照
図２は、本発明の実施例１の導電性フィルムの表面処理方法に用いる表面処理装置の概念的構成図であり、外槽１１、外槽１１の底部に固定された超音波発振ユニット１２、外槽１１に収容された超音波伝播用の水１３、Ａｌ2 Ｏ3 微粒子１６を混入させた純水１５を収容した処理槽１４からなる。
【００２６】
この処理槽１４内に導電性コーティングフィルム２０を浸漬した状態で処理槽１４を外槽１１内に収容した水１３に浮かべるとともに、固定具（図示を省略）によって固定し、常温において固定した超音波発振ユニット１２から超音波１７を印加することによって表面処理を行う。
【００２７】
この場合のＡｌ2 Ｏ3 微粒子１６の平均粒径は３０〜５０μｍ、例えば、４０μｍであり、このＡｌ2 Ｏ3 微粒子１６を純水１５に対して１０００ｃｃ当たり１０ｇ混入する。 また、超音波発振ユニット１２から超音波１７の周波数は３０ｋＨｚ〜１ＭＨｚ、例えば、４０ｋＨｚ或いは１００ｋＨｚであり、純水１０００ｃｃ当たり２０Ｗのパワーで印加する。
【００２８】
図３参照
図３は、本発明の実施例１の導電性フィルムの表面処理工程の説明図であり、まず、厚さが、例えば、２５０μｍのＰＥＴフィルム２１の表面にＳＴポリ膜２２をコーティングした導電性コーティングフィルム２０をＡｌ2 Ｏ3 微粒子１６を含有する純水１５中に浸漬する。
なお、処理前の導電性コーティングフィルム２０の表面抵抗は１０4 Ω／ｃｍ2 以下、例えば、１０4 Ω／ｃｍ2 とする。
【００２９】
次いで、超音波発振ユニット１２から４０ｋＨｚの周波数の超音波１７を２０Ｗ／１０００ｃｃのパワーで印加することによって、超音波１７によって振動するＡｌ2 Ｏ3 微粒子１６がＳＴポリ膜２２を叩いて研削することによってＳＴポリ膜２２を薄層化する。
【００３０】
引き続いて、所定の時間、例えば、１００分間超音波処理することによって、ＳＴポリ膜２２をさらに薄層化して、その表面抵抗を１０6 Ω程度にする。
【００３１】
【表１】
表１は、表面処理結果を纏めたもので、処理前の表面抵抗は１０4 Ω／ｃｍ2 であったものが、４０ｋＨｚで処理した場合には、５．０１×１０6 Ω／ｃｍ2 と二桁以上抵抗値が増大し、１００ｋＨｚで処理した場合には、１．１４×１０6 Ω／ｃｍ2 とこの場合も二桁以上の増大が見られた。
因に、Ａｌ2 Ｏ3 粒子を混入せずに、他は同じ条件で超音波処理を行った場合には、表面抵抗は２．２×１０5 Ω／ｃｍ2 と一桁の抵抗値の増大であった。
【００３２】
【表２】
表２は、比較のためにアクリル樹脂ベースに導電性ポリマーを混練した導電性フィルムについて同様な処理を行った結果を纏めたもので、処理前の表面抵抗が８．５×１０9 Ω／ｃｍ2 であったものが、処理後には若干の抵抗値の変化が見られるものの、桁単位の変化は見られなかった。
【００３３】
したがって、本発明の実施例１の表面処理による表面抵抗の増加は、Ａｌ2 Ｏ3 粒子１６によるＳＴポリ膜２２の研削による薄層化によると考えられる。
また、表１に併せて示しているように、表面処理後にも透明性に変化はなく、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）像で確認しても表面状態の変化は殆どみられなかった。
【００３４】
【表３】
表３は、超音波の周波数を４０ｋＨｚとした場合の処理時間依存性を纏めたものであり、ここでは、表面静電気（ＥＳＣ）、静電気放電波形（ＥＳＤ波形）を合わせて示している。
なお、ＥＳＤ波形としては、帯電した中継ＦＰＣから導電性コーティングフィルムを介してＣＡＰＳ端子で伝達されるＥＳＤ波形1 と、導電性コーティングフィルムを撓ませたのち撓みを開放してＣＡＰＳ端子を衝撃した場合に伝達されるＥＳＤ波形2 とを示している。
【００３５】
表３から明らかなように、処理時間が２００分を超えると表面抵抗が大幅に増大することが確認され、上述のＡｌ2 Ｏ3 粒子のサイズ、混入量、及び、超音波周波数では１００分程度の処理時間が好適であることが分かる。
【００３６】
また、表面静電気（ＥＳＣ）は、１００分間の処理の場合には、１Ｖと殆ど帯電が見られないが、処理時間が増して表面抵抗が増大すると、表面静電気（ＥＳＣ）が増大し、この表面静電気（ＥＳＣ）が導電性コーティングフィルムをＣＡＰＳ端子に接触した場合に問題になる。
【００３７】
また、ＥＳＤ波形1 は、処理前には上述の電荷突き抜け現象による波形が見られるが、表面抵抗を増大させた場合には、ＥＳＤ波形1 は確認されなかった。
一方、ＥＳＤ波形2 は、いずれの場合にも確認されたが、処理後には処理前に比べて一桁程度小さくなっており、このＥＳＤ波形1 の原因となる撓んだ導電性コーティングフィルムによるＣＡＰＳ端子の衝撃はイレギュラーな現象であるので、この程度の耐性で問題はない。
【実施例２】
【００３８】
次に、図４及び図５を参照して、本発明の実施例２の磁気ディスク装置の組立方法を説明する。
図４参照
図４は、中継ＦＰＣの概念的構成図であり、ポリイミド樹脂からなるベース４１に一対のＧＭＲ用配線４２と一対のライトコイル用配線４３とを形成し、各配線の一端部に夫々ＣＡＰＳ接続用パッド４４，４５と他端部にＨＤＩＣ接続用パッド４６，４７を設けた構成となっている。
【００３９】
次に、図５を参照して、本発明の実施例２の磁気ディスク装置の製造工程を説明するが、中継ＦＰＣの取付け工程以外は従来の組み立て工程と同じであるので、中継ＦＰＣの取付け工程のみを説明する。
図５参照
まず、ジンバル３２の側面に設けた接続用パッド３５、即ち、ＣＡＰＳ端子に実施例１の処理方法によって表面抵抗を５×１０6 Ω／ｃｍ2 程度に調整した導電性コーティングフィルム２０を当接させた状態において、アーム３１の側面に両面テープ３７を介して中継ＦＰＣ４０を貼り付けたのち、透明な導電性コーティングフィルム２０を介して目視により中継ＦＰＣ４０のＣＡＰＳ接続用パッド４４，４５と接続用パッド３５の位置合わせを行う。
【００４０】
この時、中継ＦＰＣ４０が帯電していても、導電性コーティングフィルム２０の表面抵抗が５×１０6 Ω／ｃｍ2 程度で充分高抵抗であるので、表３に示したように静電気放電は起こらず、ＧＭＲ素子が破壊されることはない。
【００４１】
次いで、位置合わせが適性である場合には、まず、ＨＤＩＣ側においてＨＤＩＣ３６とＨＤＩＣ接続用パッド４６，４７の半田付けを行って中継ＦＰＣ４０の電荷をＨＤＩＣ３６を介して除電したのち、導電性コーティングフィルム２０を引抜き、次いで、中継ＦＰＣ４０のＣＡＰＳ接続用パッド４４，４５と接続用パッド３５とを半田付けにより電気的に接続することによって中継ＦＰＣ４０の取付け工程が完了する。
【００４２】
このように、本発明の実施例２においては、磁気ディスク装置の組み立て工場内において、導電性コーティングフィルム２０、即ち、ＣＡＰＳ保護フィルムの表面抵抗を静電気放電が生じない程度まで高抵抗に調整しているので、フィルムメーカーへの発注から納品までの待機時間を要することなく迅速な作業が可能になる。
【００４３】
また、製造する製品が変わり、必要となる表面抵抗が変わった場合にも、メーカーに抵抗値の調整を依頼することなく、既に納品されている低抵抗のＣＡＰＳ保護フィルムに表面処理を施すだけで良いので、製造時間の短縮が可能になり、延いては低コスト化に寄与することになる。
【００４４】
以上、本発明の各実施例を説明してきたが、本発明は各実施例に記載された構成・条件等に限られるものではなく各種の変更が可能であり、例えば、上記の実施例１に記載した、Ａｌ2 Ｏ3 微粒子のサイズ及び混入量は絶対的なものでなく、所望の結果が得られる範囲で任意に変更可能である。
【００４５】
また、上記の実施例１においては、微粒子としてＡｌ2 Ｏ3 微粒子を用いているが、Ａｌ2 Ｏ3 微粒子に限られるものではなく、ＳｉＯ2 を含むＳｉＯ2 以上の硬度を有する硬質な材料からなる微粒子が望ましく、例えば、ジルコニア（ＺｒＯ2 ）、ＴａＣ、ＷＣ、ＳｉＣ等を用いても良く、また、ＴｉＯ2 は結晶形によってはＳｉＯ2 よりも高硬度であるので高硬度のＴｉＯ2 を用いても良いものである。
【００４６】
また、上記の実施例においては、処理液として純水を用いているが、この純水の純度は比電気抵抗が１ＭΩ・ｃｍ以上の純度であれば良い。
また、処理液は純水に限られるものではなく、導電性コーティングフィルムに対して非反応性であり、且つ、純水と同様に不純物をできるかぎり含まない液体であれば良く、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール等のアルコール類を用いても良い。
【００４７】
また、上記の実施例１においては、超音波の周波数を４０ｋＨｚ或いは１００ｋＨｚとしているが、４０ｋＨｚにおける結果から見て３０ｋＨｚ以上であれば充分面内均一性を高くすることができ、また、周波数が高いほど面内均一性は高くなるが、周波数が高いほど超音波発振ユニットが高価になるので、最終製品の低コスト化のためには、１ＭＨｚ以下の周波数で充分である。
【００４８】
また、上記の各実施例においては、導電性コーティングフィルムのベースをＰＥＴフィルムで構成しているが、透明であればＰＥＴフィルムに限られるものではなく、アクリル樹脂等の他の透明樹脂を用いても良い。
但し、ＰＥＴフィルム以外は一般に導電膜を高い密着性をもってコーティングすることが困難であるので、フィルムメーカーにおいてコーティング工程に工夫を要する。
さらには、使用目的が異なる場合には、透明である必要はない。
【００４９】
また、上記の実施例２においては、位置合わせ工程において、位置合わせが適当でない場合について説明していないが、位置合わせが不適当な場合には、両面テープを剥離して再度貼り付けることになるが、剥離の際に、上述のＥＳＤ波形2 と同様の理由で静電放電が起こるが、ＣＡＰＳ端子は、導電性コーティングフィルムの下側に設けられた高抵抗化処理されたＳＴポリ膜に当接しているのでＣＡＰＳ端子を介して破壊を引き起こす程の静電気がＧＭＲ素子に流れ込むことは防止される。
【００５０】
ここで、再び図１を参照して、本発明の詳細な特徴を改めて説明する。
再び、図１参照
（付記１） 微粒子３を含有する処理液２中に導電性コーティングフィルム４を浸漬した状態で超音波５を印加することにより前記導電性コーティングフィルム４の抵抗を増大させることを特徴とする導電性フィルムの表面処理方法。
（付記２） 上記微粒子３がＳｉＯ2 粒子以上の硬度を有する材料からなるとともに、上記処理液２が上記導電性コーティングフィルム４に対して非反応性であることを特徴とする付記１記載の導電性フィルムの表面処理方法。
（付記３） 上記微粒子３がＡｌ2 Ｏ3 微粒子であり、且つ、上記処理液２が純水であることを特徴とする付記２記載の導電性コーティングフィルム４の表面処理方法。
（付記４） 上記超音波５の周波数が、３０ｋＨｚ〜１ＭＨｚであることを特徴とする付記１乃至３のいずれか１に記載の導電性コーティングフィルム４の表面処理方法。
（付記５） 上記導電性コーティングフィルム４の処理前の表面抵抗が１０4 Ω／ｃｍ2 以下であり、且つ、処理後の表面抵抗が１０5 Ω／ｃｍ2 〜１０9 Ω／ｃｍ2 であることを特徴とする付記１乃至６のいずれか１に記載の導電性フィルムの表面処理方法。
（付記６） 付記１乃至５のいずれか１に記載の導電性フィルムの表面処理方法によって表面処理した導電性フィルムを用いて中継フレキシブルプリント回路基板のボンディングを行う工程を有することを特徴とする磁気ディスク装置の組立方法。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明の活用例としては、磁気ディスク装置の製造工程における中継ＦＰＣの取付け工程における静電破壊防止が典型的であるが、磁気ディスク装置の製造工程における中継ＦＰＣの取付け工程に限られるものではなく、静電破壊耐性の低い素子を備えた各種の電子機器の組み立て工程における各種の帯電性を有する部材の電気的接続工程にも適用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の実施例１の導電性フィルムの表面処理方法に用いる表面処理装置の概念的構成図である。
【図３】本発明の実施例１の導電性フィルムの表面処理工程の説明図である。
【図４】中継ＦＰＣの概念的構成図である。
【図５】本発明の実施例２の磁気ディスク装置の製造工程における中継ＦＰＣの取付け工程の説明図である。
【符号の説明】
【００５３】
１ 処理槽
２ 処理液
３ 微粒子
４ 導電性コーティングフィルム
５ 超音波
１０ 表面処理装置
１１ 外槽
１２ 超音波発振ユニット
１３ 水
１４ 処理槽
１５ 純水
１６ Ａｌ2 Ｏ3 微粒子
１７ 超音波
２０ 導電性コーティングフィルム
２１ ＰＥＴフィルム
２２ ＳＴポリ膜
３１ アーム
３２ ジンバル
３３ スライダ
３４ ＣＡＰＳ
３５ 接続用パッド
３６ ＨＤＩＣ
３７ 両面テープ
４０ 中継ＦＰＣ
４１ ベース
４２ ＧＭＲ用配線
４３ ライトコイル用配線
４４ ＣＡＰＳ接続用パッド
４５ ＣＡＰＳ接続用パッド
４６ ＨＤＩＣ接続用パッド
４７ ＨＤＩＣ接続用パッド
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微粒子を含有する処理液中に導電性コーティングフィルムを浸漬した状態で超音波を印加することにより前記導電性コーティングフィルムの抵抗を増大させることを特徴とする導電性フィルムの表面処理方法。
【請求項２】
上記微粒子がＳｉＯ2 粒子以上の硬度を有する材料からなるとともに、上記処理液が上記導電性コーティングフィルムに対して非反応性であることを特徴とする請求項１記載の導電性フィルムの表面処理方法。
【請求項３】
上記微粒子がＡｌ2 Ｏ3 微粒子であり、且つ、上記処理液が純水であることを特徴とする請求項２記載の導電性コーティングフィルムの表面処理方法。
【請求項４】
上記導電性コーティングフィルムの処理前の表面抵抗が１０4 Ω／ｃｍ2 以下であり、且つ、処理後の表面抵抗が１０5 Ω／ｃｍ2 〜１０9 Ω／ｃｍ2 であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の導電性フィルムの表面処理方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の導電性フィルムの表面処理方法によって表面処理した導電性フィルムを用いて中継フレキシブルプリント回路基板のボンディングを行う工程を有することを特徴とする磁気ディスク装置の組立方法。
【請求項１】
微粒子を含有する処理液中に導電性コーティングフィルムを浸漬した状態で超音波を印加することにより前記導電性コーティングフィルムの抵抗を増大させることを特徴とする導電性フィルムの表面処理方法。
【請求項２】
上記微粒子がＳｉＯ2 粒子以上の硬度を有する材料からなるとともに、上記処理液が上記導電性コーティングフィルムに対して非反応性であることを特徴とする請求項１記載の導電性フィルムの表面処理方法。
【請求項３】
上記微粒子がＡｌ2 Ｏ3 微粒子であり、且つ、上記処理液が純水であることを特徴とする請求項２記載の導電性コーティングフィルムの表面処理方法。
【請求項４】
上記導電性コーティングフィルムの処理前の表面抵抗が１０4 Ω／ｃｍ2 以下であり、且つ、処理後の表面抵抗が１０5 Ω／ｃｍ2 〜１０9 Ω／ｃｍ2 であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の導電性フィルムの表面処理方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の導電性フィルムの表面処理方法によって表面処理した導電性フィルムを用いて中継フレキシブルプリント回路基板のボンディングを行う工程を有することを特徴とする磁気ディスク装置の組立方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００８−３１２３２（Ｐ２００８−３１２３２Ａ）
【公開日】平成２０年２月１４日（２００８．２．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−２０４１３１（Ｐ２００６−２０４１３１）
【出願日】平成１８年７月２７日（２００６．７．２７）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年２月１４日（２００８．２．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年７月２７日（２００６．７．２７）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
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