帯電中和制御方法、及びそれを用いた荷電粒子線装置
【課題】
絶縁物を含む試料表面での帯電を抑制するための経験や熟練技能工程を排除した、信頼性の高い帯電制御技術を提供し、総合的に分析や試料作製効率の良い荷電粒子線装置を提供する
【解決手段】
荷電粒子源（１）と、前記荷電粒子源から放出される荷電粒子線（１１）を集束し偏向せしめるための荷電粒子光学系（５、６）と、荷電粒子線を試料（８）に照射して試料からの２次粒子を検出するための検出器（９）と、試料を搭載する試料台（７）とを備えた荷電粒子線装置において、試料台の表面に対して移動可能に設けた中和用電極（２０）と、中和用電極に印加する電圧および移動を制御する中和用電極制御装置（１０）とを有し、荷電粒子線を照射して帯電した試料上の照射領域と中和用電極との間で電荷交換または電流を発生せしめて、帯電を中和制御するよう構成する。
絶縁物を含む試料表面での帯電を抑制するための経験や熟練技能工程を排除した、信頼性の高い帯電制御技術を提供し、総合的に分析や試料作製効率の良い荷電粒子線装置を提供する
【解決手段】
荷電粒子源（１）と、前記荷電粒子源から放出される荷電粒子線（１１）を集束し偏向せしめるための荷電粒子光学系（５、６）と、荷電粒子線を試料（８）に照射して試料からの２次粒子を検出するための検出器（９）と、試料を搭載する試料台（７）とを備えた荷電粒子線装置において、試料台の表面に対して移動可能に設けた中和用電極（２０）と、中和用電極に印加する電圧および移動を制御する中和用電極制御装置（１０）とを有し、荷電粒子線を照射して帯電した試料上の照射領域と中和用電極との間で電荷交換または電流を発生せしめて、帯電を中和制御するよう構成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子線を試料に照射して観察・分析・加工する荷電粒子線技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
荷電粒子線を試料に照射して、試料の観察、分析、加工を行う荷電粒子線装置は、広く使用されている。試料が絶縁物質を含む場合に、荷電粒子を走査して試料表面に照射すると、試料表面に帯電を生じることがある。帯電は、照射ビームのドリフトと、２次粒子の放出量の減少により、観察・分析・加工の妨げとなる。そのため、この帯電を防止する方法が重要になる。
【０００３】
従来の帯電防止法には、荷電粒子を試料表面に照射することにより帯電を中和する方法、紫外線又は荷電粒子線の照射により試料表面に導電層を形成し帯電電荷を逃がす方法、導電性膜で試料表面を覆うことにより帯電電荷を逃がす方法、導電性の箔又はペースト又は端子により帯電電荷を逃がす方法がある。
【０００４】
荷電粒子の照射により帯電を中和する方法に、従来技術１として「荷電ビーム処理装置およびその方法(特開平８−１３８６１７号公報)」がある。従来技術１は、イオンビームによる試料の帯電を電子ビームで中和する際に、中和電子銃の先端をノズル状にして試料の表面近くに設置することにより２次電子検出器が中和電子銃からの電子を引き込むこと無く試料表面からの２次電子を検出する装置及び方法を開示している。
【０００５】
紫外線又は荷電粒子線の照射により試料表面に導電層を形成し帯電を逃がす方法に、従来技術２として「２次電子画像検出法及びその装置並びに集束荷電粒子ビームによる処理方法及びその装置(特開平１１−１５４４７９号公報)」、「荷電ビーム処理装置およびその方法(特開平８−１３８６１７号公報)」がある。従来技術２は、試料表面の集束荷電粒子ビーム照射領域を含めた領域への正イオンビーム照射により、導電層を誘起し電荷を逃がす方法により、試料の状態、種類によらず安定して帯電を回避し、リアルタイムで試料の２次電子画像を高解像で検出して試料のパターン観察や集束荷電粒子ビームの位置決めなどを高精度に実現し、１.０μｍ以下の加工処理を実現する装置及び方法を開示している。
【０００６】
導電性膜で試料表面を覆う方法に、従来技術３として「導電性レジスト膜及び半導体装置の製造方法(特開平７−７４０７６号公報)」がある。従来技術３は、荷電粒子に感応する樹脂膜の下層に導電性の膜を形成する方法により、帯電を極力抑制する方法と、荷電粒子ビームの屈曲照射現象を低減して精度良いパターン露光を行う方法を開示している。
【０００７】
導電性の端子により帯電を逃がす方法に、従来技術４として「試料帯電除去装置(特開２０００−１７３５２５号公報)」がある。従来技術４は、端子を遠隔操作により観察・分析・加工領域近傍の少なくとも１８０度以上の周囲を囲むように接触させ、観察・分析・加工の過程で生じる電荷をアース線を通して逃がすことにより、帯電現象に起因する観察・分析・加工上の支障を排し、高感度・高分解能・高精密作業を実現する装置を開示する。
【０００８】
導電性のプローブにより帯電電荷を捕らえる方法に、従来技術５として「微細パターンの測定装置(特開平７−９４５６２号公報)」がある。従来技術５は、電子線による負の帯電を、微細パターンに直接接触させるか又は、微細パターンから３０μｍ離し、５０００Ｖの正の電圧をプローブに与えて帯電電荷をとらえることによりチャージアップ現象を未然に防止する微細パターンの測定装置を開示している。
【０００９】
【特許文献１】特開平８−１３８６１７号公報
【特許文献２】特開平１１−１５４４７９号公報
【特許文献３】特開平８−１３８６１７号公報
【特許文献４】特開平７−７４０７６号公報
【特許文献５】特開２０００−１７３５２５号公報
【特許文献６】特開平７−９４５６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述の従来技術は、試料表面に導電性物質を被覆又は接触する方法又は荷電粒子を照射する方法などにより、荷電粒子線を照射時に発生する帯電を除去する。
【００１１】
従来技術１または従来技術２で示した帯電防止法では、観察・分析・加工に用いる荷電粒子線に対して、帯電防止に用いる電子又はイオンビームの照射量が一致しないと、帯電を発生する。この際、荷電粒子線の照射位置精度の向上による観察像の解像度向上と、荷電粒子線の照射により発生する２次電子の放出量増大による観察像コントラストの向上を基準にかかる帯電の中和条件を検出する手段により、電子又はイオンビームの照射量を制御する必要がある。さらに、中和条件の検出手段による照射量制御は、操作者の経験を必要とする。
【００１２】
さらに、電子又はイオンビームの照射により放出される２次電子は、２次電子検出器に引き込まれる。この時、荷電粒子線により試料表面から放出した２次電子と重なるために、電子又はイオンビームの照射による２次電子は、観察像を著しく劣化する。そこで、電子又はイオンビームの照射による２次電子放出量を抑えるためには照射量の制限が必要となり、試料表面の帯電量が多い時、電子又はイオンビームの照射による帯電防止法は有効ではない。
【００１３】
一般に、荷電粒子線の照射により発生する２次電子は、２次イオンに比較して１０〜１００倍多く放出される。そのため、２次電子信号をもとにした観察像は、２次イオンのものよりも解像度がよい。しかし、帯電を中和するために電子又はイオンビームを照射する場合は、２次電子発生のために、２次電子信号をもとにした観察像は、２次イオンのものより解像度が劣化してしまう。したがって、荷電粒子線装置では２次イオン検出器が広く用いられている。
【００１４】
従来技術３で示した帯電防止法では、試料表面に帯電防止膜を作製する。試料表面を覆ってしまうと、荷電粒子線で表面の構造を観察できなくなり、荷電粒子線による観察・分析・加工の位置決定に不都合を生じる。さらに、試料汚染を回避するためには、該試料表面に形成した帯電防止膜は荷電粒子線による観察・分析・加工後に除去しなければならない。
【００１５】
従来技術４で示した導電性の端子により帯電を逃がす方法は、観察・分析・加工領域の少なくとも１８０度以上の周囲を囲むように、端子を遠隔操作により接触させなければならない。該観察・分析・加工領域の１８０度以上の周囲を囲むように端子を接触させることにより、端子接触の確認が難しくなり、同時に、端子の接触時の位置精度が低下する。さらに、荷電粒子線を照射する観察・分析・加工領域より、広い領域を端子の接触により汚染する。
【００１６】
従来技術５で示した導電性のプローブにより帯電電荷を捕らえる方法は、プローブ接触時は、プローブが微細パターンの一部を隠してしまうことにより観察できなくなり、プローブ非接触時は、帯電電子をプローブでとらえるときの強力な電界で観察像が歪んでしまう。
【００１７】
帯電防止法を用いずに荷電粒子線を用いて試料作製をする場合、操作者はドリフトする観察像を頼りに、観察・分析・加工をしなければならない。これらの操作や設定を目測で確認するために、帯電防止法を用いない観察・分析・加工は熟練を要する作業であった。この際に、操作者は、加工を失敗すると試料を破壊し、プローブ操作を失敗すると試料破壊又はプローブ先端破損を起こす。
【００１８】
これらの方法では、試料に対する汚染低減、導電物質の表面への被覆又は接触の作業軽減、荷電粒子線の試料表面への照射により新たに発生する帯電と、２次電子を用いた観察・分析・加工への端子の影響低減、試料から直接試料片を摘出時の熟練技術の排除などの課題を有する。
【００１９】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、試料表面での帯電を抑制するための経験や熟練技能工程を排除した、信頼性の高い帯電中和制御方法を提供し、総合的に分析や試料作製効率の良い荷電粒子線装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記目的を達成する手段として、本発明は、荷電粒子線（イオンビーム、電子線、等）を試料に照射した際に発生する帯電を、照射領域に隣接または接触する中和用電極により制御するという新しい知見に基づく方法を提供する。
【００２１】
中和用電極と照射領域間が電気的絶縁状態であっても、荷電粒子線の照射をきっかけにして、帯電している照射領域と中和用電極との間に荷電粒子の授受が成立する。この原因は、荷電粒子線の照射により帯電した試料表面から発生する２次粒子を中和用電極に効率良く引き込むことにより、中和用電極と照射領域の間で近接電荷交換が発生する。中和用電極が、照射領域から例えば３００μｍ以内に隣接または接触していると、荷電粒子線の照射をきっかけにして、帯電している照射領域と中和用電極との間に近接電流が流れる。
【００２２】
操作者が高精度の観察・分析・加工・プローブ操作をする場合は、中和用電極と照射領域の間隔をさらに近づける必要がある。前記間隔を狭くするにつれて、照射領域との近接電荷交換又は近接電流により帯電電位が低下すると同時に、帯電による照射領域近傍の電界をより狭い空間に閉じ込めることができる。その結果、絶縁物試料表面上で荷電粒子線の照射位置は、前記間隔の約１/５０倍の位置精度で制御ができるようになる。同時に、２次粒子検出器での２次粒子の検出量が帯電の影響を受けなくなり、鮮明な観察像を得ることができるようになる。
【００２３】
上述した帯電を制御する方法を用いて、高精度な観察・分析・加工・プローブ操作を実現する本発明の帯電中和制御方法及びそれを用いた荷電粒子線装置として代表的な構成例を、以下に挙げる。
【００２４】
先ず、帯電中和制御方法として、本発明は、試料台に搭載された試料に荷電粒子源から放出された荷電粒子線を照射して、前記試料の照射領域に発生する帯電を、試料台の表面近くに設置された中和用電極に所定の電圧を印加し、試料とは無接触で、帯電した前記照射領域との間で電荷交換を発生せしめることにより、前記帯電の中和制御を行なうよう構成したことを特徴とする。
【００２５】
また、本発明は、試料台に搭載された試料に荷電粒子源から放出された荷電粒子線を照射して、前記試料の照射領域に発生する帯電を、前記試料台の表面近くに設置された中和用電極に所定の電圧を印加し、前記試料と接触させて、帯電した前記照射領域との間で電流を発生せしめることにより、前記帯電の中和制御を行なうよう構成したことを特徴とする。
【００２６】
次に、荷電粒子線装置として、本発明は、荷電粒子源と、前記荷電粒子源から放出される荷電粒子線を集束し偏向せしめるための荷電粒子光学系と、前記荷電粒子線を試料に照射して試料からの２次粒子を検出するための検出器と、前記試料を搭載する試料台とを備えた荷電粒子線装置において、前記試料台の表面に対して移動可能に設けた中和用電極と、前記中和用電極に印加する電圧および前記移動を制御する中和用電極制御装置とを有し、前記荷電粒子線を照射して帯電した前記試料上の照射領域と前記中和用電極との間で電荷交換または電流を発生せしめて、前記帯電を中和制御するよう構成したことを特徴とする。
【００２７】
また、本発明は、荷電粒子源と、前記荷電粒子源から放出する荷電粒子線を集束するレンズと、偏向器と、前記荷電粒子線を試料に照射して２次粒子を検出するための検出器と、前記試料を保持する試料台と、前記試料台の位置を制御する試料位置制御装置とを備えた荷電粒子線装置において、前記試料上の荷電粒子線照射領域と前記レンズとの間にあって前記試料に対し移動可能に設けられ、前記荷電粒子線照射領域との間で電荷交換または電流を発生する第１の電極と、前記第１の電極を制御し、前記試料台位置制御装置とは独立に駆動する電極制御装置と、前記試料台位置制御装置とは独立に駆動し、前記荷電粒子線照射領域との間で電流を発生する第２の電極とを有し、前記第１および前記第２の電極を用いて、帯電した前記荷電粒子線照射領域の中和制御を行なうよう構成したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２８】
本発明は、荷電粒子線装置での帯電防止技術での経験や熟練技能工程を排除して、荷電粒子線とプローブの制御の信頼性を向上し、総合的に分析や試料作製効率の良い荷電粒子線装置を実現する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
（実施例１）
図１は、本発明による荷電粒子線装置の第１の実施例の基本構成を示す。
【００３０】
本発明の荷電粒子線装置は、イオン源１から引き出し電極２によりイオンビーム１１を引き出し、コンデンサレンズ３によりイオンビームを集束した後、ビーム制限アパーチャー４によりイオンビームを絞り、対物レンズ６により試料８の表面にイオンビーム１１を集束する荷電粒子光学系と、試料を載置する可動の試料台７と、２次粒子検出器９と、偏向器５と、制御装置１０と、中和用電極２０とにより構成される。
【００３１】
中和用電極２０は、導電性物質の電極で構成される。中和用電極２０の先端部は、イオンビームの走査により観察する面内位置測定手段と、この際の対物レンズ６の設定値による高さ位置測定手段により、試料８のイオンビーム照射位置近傍に接近する。
【００３２】
イオンビームの試料照射の際に、イオンビームは弾性散乱又は非弾性散乱される。非弾性散乱では試料から２次電子を発生する。２次電子の多くはエネルギーがわずか数ｅＶしかなく、イオンビーム照射領域表面の電位が周囲に対して数Ｖ正に帯電すると、低速の２次電子は試料を離脱できず試料にもどる。イオンビーム照射電流と試料から流出する全電流とが等しくなると、試料の表面電位が平衡に達する。
【００３３】
図２は、試料の電位分布の偏りにより、イオンビームが矢印の方向にビームドリフトする様子を示す。図中、３１は等電位線を示す。イオンビーム１１の照射位置や試料８の表面での誘電率分布などの結果、表面電位はイオンビームに対して偏って分布している。帯電した電荷は、試料台に対して絶縁抵抗を介して流出する。この絶縁抵抗は、試料の体積抵抗と表面抵抗に関係すると考えられる。絶縁体では、表面抵抗が体積抵抗より小さくなることが多い。
【００３４】
イオンビーム照射領域での正電荷の帯電電位Ｖｃの時間変化ｄＶｃ/ｄｔは、試料表面の実効的な静電容量Ｃ、絶縁抵抗Ｒ、ビーム電流Ｉｐとすると、次式で表される。
【００３５】
ｄＶｃ/ｄｔ＝Ｉｐ/Ｃ−Ｖｃ/ＲＣ
図３は、イオンビーム照射量（ビーム電流）１０ｎＡ、試料表面の実効的な静電容量１ｎＦ、および絶縁抵抗５ＧΩを仮定したときの、イオンビーム照射位置での帯電電位の時間依存性である。時間の経過につれて、帯電電位は増大して約１０秒後にはほぼ平衡状態になる。
【００３６】
帯電して平衡状態になるのであればイオンビーム成形加工への影響は、ほとんど無い。イオンビーム照射時に表面電位の時間変化が生じると、ビームドリフトが生じる。ビームドリフトは、試料表面の構造や物性値による表面電位分布の偏りにより生じる。例えば、カバーガラス（３０ｍｍ×２０ｍｍ厚さ０.１ｍｍ）表面に走査イオンビームを照射して、２次粒子を検出する方法により観察像の時間変化を評価したところ、ＳＩＭ像観察をすると、ＳＩＭ像の観察領域は繰り返し移動をしていた。イオンビーム照射一定時間後、試料の電位が平衡状態になっていれば、観察領域移動は無いはずである。しかし、実際には観察領域移動を繰り返すことから、放電と帯電の繰り返しにより、試料表面電位に時間変化が生じていると言える。
【００３７】
図４は、観察領域移動の振動数のビーム電流依存性を示す。放電の振動数ｆは、ビーム電流Ｉｐとともに増大する。ビーム電流が増大すると、帯電による振動が増えるにつれてビームドリフトも増大してしまうのである。
【００３８】
図５は、中和用電極２０によりイオンビーム照射による帯電３３を制御する方法を示す回路図である。イオンビーム照射により帯電を生じている試料表面に中和用電極２０の先端を近づけることにより、近接電荷交換３２をすることができる。中和用電極２０の先端は、導電性物質で形成した針状の電極である。中和用電極２０による近接電荷交換３２で流れる電流は、照射領域から試料表面に水平方向３０μｍ、垂直方向３０μｍの位置に中和用電極２０の先端を固定すると、イオンビームの電流の６割以上になる。
【００３９】
中和用電極２０は、イオンビーム照射で帯電したプラスの電荷を中和するために常に電子を供給している。図６は、カバーガラスの帯電制御を行ったときの中和用電極２０に流れる電流(以下、供給電流)のビーム電流依存性を示す。
【００４０】
イオンビーム照射位置から約１６μｍの位置に中和用電極２０の先端を隣接し、ビーム電流を２０ｐＡ〜８ｎＡの範囲で変更して供給電流を測定した。図中、その測定結果を■印で示す。供給電流Ｉがビーム電流Ｉｐと等しい時の直線を細線で示した。図６の２本の直線からビーム電流Ｉｐのほとんどは中和用電極２０に流れ、その量がビーム電流Ｉｐに比例しており、中和用電極２０以外の経路で絶縁抵抗を通して試料から流出する電流も、Ｉｐにほぼ比例していることが確認できた。このとき絶縁抵抗はビーム電流に依存しないようである。
【００４１】
図７は、中和用電極先端と試料間の高さを示す。ビーム電流８.０ｎＡを３２×３２μｍ２領域に照射したときに、中和用電極２０の先端は、高さ２μｍで照射位置中心から横方向に１６μｍに設定し、高さ４０のみを変更した。中和用電極２０の高さを変更する時、制御装置の影響を受けるために、横方向にずれる量は最大で約１００μｍになる。
【００４２】
図８は、中和用電極に流れる電流の高さ依存性測定結果を示す。中和用電極に流れる電流は４.４〜５.１ｎＡの範囲で変化しているが、１００μｍまで高さ依存が無い。
【００４３】
一方、イオンビーム１１の照射により試料表面から放出された２次電子の多くは、エネルギーがわずか数ｅＶしかない。この際、帯電と中和用電極２０が作る電場により低速の２次電子は試料を離脱できず試料にもどるために、２次粒子検出器９は、試料からの２次電子を検出できなくなってしまう。さらに、イオンビーム１１は、中和用電極２０と帯電が作る電場によりシフトしてしまう。
【００４４】
上記問題を解決するために、中和用電極自身に電圧をかけるための電圧源、先端を細長い導電性針形状とした中和用電極２０を備えた。図５に示すように、試料表面が正に帯電している時に、中和用電極２０に負の電位を印加すると、帯電領域との電荷交換以外に２次電子３４の放出量を増大させる。そこで、中和用電極２０は正の電位約＋２Ｖを印加して２次電子の帯電による引き戻しを緩和すると、イオンビーム走査の精度向上と、試料表面から放出された２次電子の２次粒子検出器９での集率向上により、中和用電極２０に０Ｖを印加した場合と比較して、観察像の解像度は２倍に向上した。
【００４５】
（実施例２）
図９は、本発明による荷電粒子線装置の第２の実施例の基本構成を示す。本実施例では、メカニカルプローブ２１を組み合わせて、数〜サブμｍオーダの試料を作製する荷電粒子線装置を構成する。
【００４６】
イオン源１から引き出し電極２によりイオンビームを引き出し、コンデンサレンズ３によりイオンビームを集束した後、ビーム制限アパーチャー４によりイオンビームを絞り、対物レンズ６により試料８の表面にイオンビームを集束する荷電粒子光学系と、試料を載置する可動の試料台７と、２次粒子検出器９と、偏向器５と、制御装置１０と、中和用電極２０と、メカニカルプローブ２１とにより構成される。
【００４７】
中和用電極２０の先端部は、曲率半径が約１００μｍの導電性針で構成され、試料８の表面に接近させる。中和用電極２０をイオンビーム照射領域から試料表面水平方向に約３０μｍ、垂直方向に約３０μｍの位置に固定する。試料が絶縁物を含むことにより照射領域で正に帯電する場合は、中和用電極２０が帯電した照射領域との間で電荷交換をし帯電を抑制する。３０μＡのイオンビームを走査するときは、２次粒子検出器９の信号から鮮明な観察像を得ることができる。
【００４８】
しかし、試料を加工するために１０ｎＡのイオンビームを照射すると、帯電が増大することによりイオンビームの照射位置が制御できなくなってしまう。そこで、３０μＡのイオンビームを走査して観察像をたよりに、試料表面にメカニカルプローブ２１の先端を接触させる。このとき、１０ｎＡのイオンビームを照射しても、メカニカルプローブ２１は帯電した照射領域との間で近接電流が流れ込むことにより帯電を抑制し、イオンビームの照射位置を正確に制御することができる。
【００４９】
図１０は、絶縁物から高精度分析試料を作製する方法を示す。
【００５０】
試料表面にメカニカルプローブ２１の先端を接触させた状態で、試料基板５１の表面に対しイオンビーム５２が直角に照射するように基板５１の姿勢を保ち、メカニカルプローブ２１に重ならないように基板５１上でイオンビーム５２を矩形に走査させ、試料表面に所要の深さの角穴５３を形成する(図１０−ａ)。この時に、プローブ１１に電圧を＋１Ｖ印加したところ、観察像中の所望の試料位置を鮮明に観察し、成形加工を正確に設定し、高精度に試料片を作製することができた。
【００５１】
次に、垂直溝５４を形成する(図１０−ｂ)。メカニカルプローブ２１の先端を基板５１から離した後、基板５１の表面に対するイオンビーム５２の軸が約３０°傾斜するように基板５１を傾斜させ、傾斜溝５５を形成する。基板５１の傾斜角の姿勢変更は、試料台によって行われる(図１０-ｃ)。再び、基板５１の姿勢を表面がイオンビーム５２に対して垂直になる状態のままに基板５１を設置した後、メカニカルプローブ２１の先端を基板５１の試料となる部分に接触させる(図１０−ｄ)。図９の装置で中和電極２０の先端部は、曲率半径が約１００μｍの導電性針で構成され、中和電極２０は同時に堆積性ガスを供給するガスノズルを構成し、試料８の表面に接近させる。ガスノズルから堆積性ガスを供給し、イオンビーム５２をメカニカルプローブ２１の先端部を含む領域に局所的に照射し、イオンビームアシストデポジション（以下、ＩＢＡＤと略す）膜５６を形成する。接触状態にある基板５１の分離部分である試料片５７とメカニカルプローブ２１の先端は、ＩＢＡＤ膜５６で接続される(図１０−ｅ)。
【００５２】
イオンビーム５２で残りの部分を切り欠き加工し、基板５１から分離試料片５７を切り出す。切り出された分離試料片５７は、接続されたメカニカルプローブ２１で支持された状態になる(図１０−ｆ)。分離試料片５７をサンプルメッシュ５８に移動させる(図１０−ｇ)。ガスノズルから堆積性ガスを供給し、イオンビーム５２を分離試料片とサンプルメッシュが接触する境界領域に局所的に照射し、ＩＢＡＤ膜５９を形成する（図１０−ｈ）。イオンビーム５２をＩＢＡＤ膜５６に隣接した領域に局所的に照射し、メカニカルプローブ２１を分離試料片５７から切り離す（図１０−ｉ）。この分離試料片５７の中の観察領域を、厚さ１００ｎｍ程度に残すようにイオンビーム５２を用いて薄膜化し、透過電子顕微鏡でこの試料はサブｎｍの分解能で観察・分析をすることができる（図１０−ｊ）。
【００５３】
（実施例３）
図１１は、本発明の荷電粒子線装置の第３の実施例の基本構成を示す。
【００５４】
本発明の荷電粒子線装置は、電子源８０から引き出し電極８１により電子線８２を引き出し、コンデンサレンズ８３により電子線を集束した後、対物レンズ８４により試料８５の表面に電子線を集束する荷電粒子光学系は、試料８５を載置する可動の試料台８６と、２次電子検出器８７と、偏向器８８と、制御装置８９と、中和用電極９０とにより構成される。
【００５５】
試料８５は絶縁物を含むと、電子線８２の照射領域に帯電を生じる場合がある。電子線８２の照射により試料表面から放出される２次電子の多くは、エネルギーがわずか数ｅＶしかないが、この２次電子が正帯電のときは試料を離脱できず試料にもどり、負帯電のときは加速されるために、２次電子検出器８７は、試料８５からの２次電子を検出できない。さらに、電子線８２は、帯電が作る電場によるシフトのために照射位置を制御することができない。
【００５６】
絶縁物試料（ＳｉＯ２）での観察像は、加速電圧２ｋＶの電子線８２（７００ｐＡ）の走査では著しく解像度が低下していた。この理由は、照射領域の負帯電である。
【００５７】
図１２は、中和用電極９０と帯電した照射領域間の電荷交換により流れる電流を示す。この際、照射領域３×３μｍ２から水平方向に９μｍに離して、中和用電極９０の先端を垂直方向に距離０〜約３６０μｍに移動した。この際に、試料の絶縁物表面に接触させると、中和用電極９０と帯電した照射領域の間で約２００ｐＡの電流が流れた。中和用電極９０に１００ｐＡ以上の電流が流れる場合、観察像の解像度は１ｎｍに達していた。
【００５８】
さらに、中和用電極９０に＋５Ｖの電圧を印加すると、中和用電極９０の先端が試料面の位置で５００ｐＡ、垂直方向に距離３６０μｍの位置で約３００ｐＡの電流が流れた。照射領域が負帯電した時に、正の電圧を印加した場合、電子線８２の照射により試料表面から放出された２次電子を中和用電極がとり込む。その結果、２次電子検出器８７は、この２次電子を検出できないために観察像のＳ／Ｎが低下する。中和用電極９０が２次電子のとり込みと加速を回避するためには、中和用電極９０に０Ｖから−５Ｖの負電圧を印加すればよかった。これにより、観察像のＳ／Ｎが改善し、解像度は１ｎｍに達していた。
【００５９】
（実施例４）
図１３は、実施例１、実施例２および実施例３において、試料８の表面が試料台７に対して平行ではない場合の帯電制御方法を示す。この場合、試料台７を右方向に移動すると、中和用電極２０の先端が試料表面に干渉する。中和用電極２０の先端は試料８との衝突により破壊されたり、試料８の表面は中和用電極２０の衝突により破壊される。この干渉を回避しなければ、中和用電極２０による帯電制御は有効に働かない。そこで、試料８の照射領域と中和用電極２０の間での電荷交換と干渉を両立する方法について、以下に示す。
【００６０】
まず、試料８の照射領域と中和用電極２０の間での電荷交換と干渉を両立する方法の第１の例を、図１３に示す。荷電粒子線を照射する前に、試料８の表面全体の高さ分布を制御装置１０の記録部６１に記録する。例えば、中和用電極２０の先端距離６２を１００μｍにする場合は、高さ分布の精度は、±５０μｍを必要とする。先端距離６２を短くするためには、高さ分布の精度をよくしなければならない。試料台７を移動するときに発生する高さ変化を記録部６１で計算し、変化分だけ中和用電極２０を移動させることにより、先端距離６２を一定にする。例えば、先端距離６２が１００μｍの場合は、荷電粒子線の照射領域は１００×１００μｍ２であり、観察精度は１μｍになる。観察精度を向上するためには、先端距離６２を短く設定して中和用電極２０による帯電制御をする必要があった。
【００６１】
試料８の照射領域と中和用電極２０の間での電荷交換と干渉を両立する方法の第２の例を、図１４に示す。前述の例とは異なり、２つ目の方法は、帯電制御中に照射領域と中和用電極２０間に流れる電流を電流計６３により測定する。該電流は、先端距離６２に依存する。試料８に近づき先端距離６２が短くなると、中和用電極２０に流れる電流は増大する。そこで、試料を移動する途中あるいは移動後に、中和用電極２０の先端が試料表面と干渉しないように該電流をモニタし計算部６４により先端距離６２を算出し、先端距離６２を一定になるように中和用電極２０を制御値する。例えば、先端距離６２が１μｍの場合は、荷電粒子線の照射領域は１×１μｍ２であり、観察精度は１０ｎｍになる。観察精度を向上するためには、先端距離６２を短くするかまたは、照射領域の周辺に接触する方法により中和用電極２０による帯電制御をする必要があった。
【００６２】
試料８の照射領域と中和用電極２０の間での電荷交換と干渉を両立する方法の第３の例を、図１５に示す。前述の２つの例とは異なり、３つ目の方法は、対物レンズ６の設定値を利用するものである。中和用電極２０が退避位置(例えば先端距離６２が１００μｍ)にあるときに対物レンズ６の設定値を変化させて試料８の表面に荷電粒子線の集束点を合わせる。この際、制御装置１０は、この対物レンズ６の設定値の変化量より、計算部６５にて先端距離６２を算出し、中和用電極２０を試料表面に近づける。対物レンズ６の設定値による先端距離６２の制御精度は３０μｍであった。
【００６３】
試料８の照射領域と中和用電極２０の間での電荷交換と干渉を両立する方法の第４の例を、図１６に示す。中和用電極２０は、荷電粒子線の照射角度に対して２０〜８０度の方向に１軸可動機構を保持する。制御装置１０は、荷電粒子線の走査範囲を偏向器５に設定すると同時に、走査範囲に対応した先端距離６２を計算部６５で算出して、中和用電極を制御する。例えば、先端距離６２を３０μｍに設定した場合、走査範囲を３０×３０μｍ２では観察精度は０.３μｍであり、加工精度は０.５μｍであった。
【００６４】
走査範囲を狭くして高精度な観察、さらに観察像を参照しながら高精度な加工をする場合は、走査範囲を変更する際に、観察と加工の精度を向上するために自動的に先端距離６２を短くする。例えば、先端距離６２を１μｍにした場合、試料８を移動すると中和用電極２０と試料８が干渉してしまうので、試料台７で試料８を移動できる範囲を横方向に１０μｍ以下に設定した。
【００６５】
本手法は、図１３、図１４及び図１５で示した試料８の照射領域と中和用電極２０の間での電荷交換と干渉を両立する方法と組合わせることができる。走査範囲が狭い(例えば３０×３０μｍ２よりも狭い)場合、図１６で示す方法で中和用電極２０を制御し、走査範囲が広い場合、図１３、図１４及び図１５で示す方法で中和用電極２０を制御する。これにより、飛躍的に荷電粒子線の観察・加工の精度が向上した。
【００６６】
図１７は、従来技術２を示す（ａ）と、本発明の実施例を示す（ｂ）とを比較する説明図である。従来技術２の「特開平８−１３８６１７号公報」では、イオンビームが試料の絶縁層に照射されると、試料表面の照射領域付近に非常に薄い導電層７０を形成し、この導電層に接触させたプローブ７１を通してチャージをアースに流してチャージアップを回避する方法を開示している。
【００６７】
この方法では、イオンビームの照射領域がプローブの先端半径に比較して狭い時にイオンビームで形成した導電層に直接接触すると、（ａ）に示すように、プローブ７１はイオンビーム１１の照射領域に重なる。しかし、本実施例では、（ｂ）に示すように、直接導電層７０に接触する必要が無く、プローブ（中和用電極２０）はイオンビームの照射領域に重なることはない。
【００６８】
以上のように、本発明になる荷電粒子線装置によれば、帯電を該試料の表面に隣接又は接触した中和用電極で制御することにより、高精度に荷電粒子線を制御し、その結果、試料表面での帯電を抑制するための経験や熟練技能工程の排除と、２次イオン検出器と電子銃又はイオン銃を排除により、帯電制御技術の信頼性の向上、装置価格の低減、高精度な観察・分析・加工・プローブ操作を実現し得る。
【００６９】
以上、本発明を整理すると、次のようになる。
（１）試料台に搭載された試料に荷電粒子源から放出された荷電粒子線を照射して、前記試料の照射領域に発生する帯電を、前記試料台の表面近くに設置された中和用電極に所定の電圧を印加し、前記試料とは無接触で帯電した前記照射領域との間で電荷交換を発生せしめることにより、前記帯電の中和制御を行なうよう構成したことを特徴とする帯電中和制御方法。
（２）試料台に搭載された試料に荷電粒子源から放出された荷電粒子線を照射して、前記試料の照射領域に発生する帯電を、前記試料台の表面近くに設置された中和用電極に所定の電圧を印加し、前記試料とは接触させて帯電した前記照射領域との間で電流を発生せしめることにより、前記帯電の中和制御を行なうよう構成したことを特徴とする帯電中和制御方法。
（３）前記（１）または（２）の構成において、前記荷電粒子線により前記試料の表面を観察することにより、前記中和用電極を前記照射領域の近傍に接触させ、前記帯電の中和制御を行なうよう構成したことを特徴とする帯電中和制御方法。
（４）前記（１）または（２）の構成において、前記中和用電極を前記試料の表面に対して移動可能に構成したことを特徴とする帯電中和制御方法。
（５）前記（１）または（２）の構成において、前記中和用電極に、−５Ｖから＋５Ｖの電圧を印加してなることを特徴とする帯電中和制御方法。
（６）前記（１）または（２）または（３）の構成において、前記試料が、絶縁物を含むことを特徴とする帯電中和制御方法。
（７）試料台に搭載された絶縁物を含む試料に荷電粒子源から放出された荷電粒子線を照射して、前記試料の照射領域に発生する帯電を、前記試料台の表面近くに設置された中和用電極に所定の電圧を印加し、前記試料とは無接触で、前記帯電の中和制御を行なうよう構成したことを特徴とする帯電中和制御方法。
（８）荷電粒子源と、前記荷電粒子源から放出される荷電粒子線を集束し偏向せしめるための荷電粒子光学系と、前記荷電粒子線を試料に照射して試料からの２次粒子を検出するための検出器と、前記試料を搭載する試料台とを備えた荷電粒子線装置において、前記試料台の表面に対して移動可能に設けた中和用電極と、前記中和用電極に印加する電圧および前記移動を制御する中和用電極制御装置とを有し、前記荷電粒子線を照射して帯電した前記試料上の照射領域と前記中和用電極との間で電荷交換または電流を発生せしめて、前記帯電を中和制御するよう構成したことを特徴とする荷電粒子線装置。
（９）前記（８）の構成において、前記中和用電極が、前記荷電粒子光学系と前記試料台との間にあって、前記試料台の表面に対して移動可能に設けてなることを特徴とする荷電粒子線装置。
（１０）前記（８）の構成において、前記中和用電極は、導電性物質を曲率１００μｍ以下の先端を有する針状に成形された電極で構成されていることを特徴とする荷電粒子線装置。
（１１）前記（８）の構成において、前記中和用電極に、−５Ｖから＋５Ｖの電圧を印加してなることを特徴とする荷電粒子線装置。
（１２）前記（８）の構成において、前記中和用電極制御装置が、前記帯電の中和制御中に前記照射領域と前記中和用電極との間に流れる電流の変化から、前記中和用電極の位置又は電圧の制御値を計算する計算部を具備することを特徴とする荷電粒子線装置。
（１３）前記（８）の構成において、前記中和用電極制御装置が、前記レンズ又は前記偏向器の設定値より、前記中和用電極と前記試料間の距離又は電圧を計算する計算部を具備することを特徴とする荷電粒子線装置。
（１４）荷電粒子源と、前記荷電粒子源から放出する荷電粒子線を集束するレンズと、偏向器と、前記荷電粒子線を試料に照射して２次粒子を検出するための検出器と、前記試料を保持する試料台と、前記試料台の位置を制御する試料位置制御装置とを備えた荷電粒子線装置において、前記試料上の荷電粒子線照射領域と前記レンズとの間にあって前記試料に対し移動可能に設けられ、前記荷電粒子線照射領域との間で電荷交換または電流を発生する第１の電極（例えば、中和用電極）と、前記第１の電極を制御し、前記試料台位置制御装置とは独立に駆動する電極制御装置と、前記試料台位置制御装置とは独立に駆動し、前記荷電粒子線照射領域との間で電流を発生する第２の電極（例えば、メカニカルプローブ）とを有し、前記第１および前記第２の電極を用いて、帯電した前記荷電粒子線照射領域の中和制御を行なうよう構成したことを特徴とする荷電粒子線装置。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明による荷電粒子線装置の第１の実施例を示す図。
【図２】イオンビーム照射時の試料帯電とビームドリフトを示す図。
【図３】試料表面の帯電電位のイオンビーム照射時間依存性を示す図。
【図４】帯電振動によるビーム振動周期のビーム電流依存性を示す図。
【図５】中和用電極により帯電を制御する方法を示す回路図。
【図６】中和用電極に流れる電流の照射電流依存性を示す図。
【図７】中和用電極先端と試料間の高さを示す図。
【図８】イオンビームでの中和用電極に流れる電流の先端高さ依存性を示す図。
【図９】本発明による荷電粒子線装置の第２の実施例を説明する図。
【図１０】絶縁物から高精度分析試料を作製する方法を示す図。
【図１１】本発明による荷電粒子線装置の第３の実施例を説明する図。
【図１２】電子線での中和用電極に流れる電流の先端高さ依存性を示す図。
【図１３】試料高さ記録部による中和用電極の制御方法を示す図。
【図１４】中和用電極に流れる電流による中和用電極の制御方法を示す図。
【図１５】対物レンズの設定値による中和用電極の制御方法を示す図。
【図１６】偏向器の設定値による中和用電極の制御方法を示す図。
【図１７】従来技術２と本発明の実施例とを比較する説明図。
【符号の説明】
【００７１】
１…イオン源、２…引き出し電極、３…コンデンサレンズ、４…ビーム制限絞り、５…偏向器、６…対物レンズ、７…試料位置制御装置、８…試料、９…２次粒子検出器、１０…制御装置、１１…イオンビーム、２０…中和用電極、２１…メカニカルプローブ、３１…等電位線、３２…近接電荷交換、３３…帯電、３４…２次電子、３５…リーク電流、４０…中和用電極と試料間の高さ、５０…保護膜、５１…基板、５２…イオンビーム、５３…角穴、５４…底穴、５５…溝、５６…ＩＢＡＤ膜、５７…試料片、５８…サンプルメッシュ、５９…ＩＢＡＤ膜、６０…薄膜、６１…計算部、６２…先端距離、６３…電流計、６４…計算部、６５…計算部、７０…導電層、７１…プローブ、８０…電子源、８１…引き出し電極、８２…電子線、８３…コンデンサレンズ、８４…対物レンズ、８５…試料、８６…試料台、８７…２次電子検出器、８８…偏向器、８９…制御装置、９０…中和用電極。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子線を試料に照射して観察・分析・加工する荷電粒子線技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
荷電粒子線を試料に照射して、試料の観察、分析、加工を行う荷電粒子線装置は、広く使用されている。試料が絶縁物質を含む場合に、荷電粒子を走査して試料表面に照射すると、試料表面に帯電を生じることがある。帯電は、照射ビームのドリフトと、２次粒子の放出量の減少により、観察・分析・加工の妨げとなる。そのため、この帯電を防止する方法が重要になる。
【０００３】
従来の帯電防止法には、荷電粒子を試料表面に照射することにより帯電を中和する方法、紫外線又は荷電粒子線の照射により試料表面に導電層を形成し帯電電荷を逃がす方法、導電性膜で試料表面を覆うことにより帯電電荷を逃がす方法、導電性の箔又はペースト又は端子により帯電電荷を逃がす方法がある。
【０００４】
荷電粒子の照射により帯電を中和する方法に、従来技術１として「荷電ビーム処理装置およびその方法(特開平８−１３８６１７号公報)」がある。従来技術１は、イオンビームによる試料の帯電を電子ビームで中和する際に、中和電子銃の先端をノズル状にして試料の表面近くに設置することにより２次電子検出器が中和電子銃からの電子を引き込むこと無く試料表面からの２次電子を検出する装置及び方法を開示している。
【０００５】
紫外線又は荷電粒子線の照射により試料表面に導電層を形成し帯電を逃がす方法に、従来技術２として「２次電子画像検出法及びその装置並びに集束荷電粒子ビームによる処理方法及びその装置(特開平１１−１５４４７９号公報)」、「荷電ビーム処理装置およびその方法(特開平８−１３８６１７号公報)」がある。従来技術２は、試料表面の集束荷電粒子ビーム照射領域を含めた領域への正イオンビーム照射により、導電層を誘起し電荷を逃がす方法により、試料の状態、種類によらず安定して帯電を回避し、リアルタイムで試料の２次電子画像を高解像で検出して試料のパターン観察や集束荷電粒子ビームの位置決めなどを高精度に実現し、１.０μｍ以下の加工処理を実現する装置及び方法を開示している。
【０００６】
導電性膜で試料表面を覆う方法に、従来技術３として「導電性レジスト膜及び半導体装置の製造方法(特開平７−７４０７６号公報)」がある。従来技術３は、荷電粒子に感応する樹脂膜の下層に導電性の膜を形成する方法により、帯電を極力抑制する方法と、荷電粒子ビームの屈曲照射現象を低減して精度良いパターン露光を行う方法を開示している。
【０００７】
導電性の端子により帯電を逃がす方法に、従来技術４として「試料帯電除去装置(特開２０００−１７３５２５号公報)」がある。従来技術４は、端子を遠隔操作により観察・分析・加工領域近傍の少なくとも１８０度以上の周囲を囲むように接触させ、観察・分析・加工の過程で生じる電荷をアース線を通して逃がすことにより、帯電現象に起因する観察・分析・加工上の支障を排し、高感度・高分解能・高精密作業を実現する装置を開示する。
【０００８】
導電性のプローブにより帯電電荷を捕らえる方法に、従来技術５として「微細パターンの測定装置(特開平７−９４５６２号公報)」がある。従来技術５は、電子線による負の帯電を、微細パターンに直接接触させるか又は、微細パターンから３０μｍ離し、５０００Ｖの正の電圧をプローブに与えて帯電電荷をとらえることによりチャージアップ現象を未然に防止する微細パターンの測定装置を開示している。
【０００９】
【特許文献１】特開平８−１３８６１７号公報
【特許文献２】特開平１１−１５４４７９号公報
【特許文献３】特開平８−１３８６１７号公報
【特許文献４】特開平７−７４０７６号公報
【特許文献５】特開２０００−１７３５２５号公報
【特許文献６】特開平７−９４５６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述の従来技術は、試料表面に導電性物質を被覆又は接触する方法又は荷電粒子を照射する方法などにより、荷電粒子線を照射時に発生する帯電を除去する。
【００１１】
従来技術１または従来技術２で示した帯電防止法では、観察・分析・加工に用いる荷電粒子線に対して、帯電防止に用いる電子又はイオンビームの照射量が一致しないと、帯電を発生する。この際、荷電粒子線の照射位置精度の向上による観察像の解像度向上と、荷電粒子線の照射により発生する２次電子の放出量増大による観察像コントラストの向上を基準にかかる帯電の中和条件を検出する手段により、電子又はイオンビームの照射量を制御する必要がある。さらに、中和条件の検出手段による照射量制御は、操作者の経験を必要とする。
【００１２】
さらに、電子又はイオンビームの照射により放出される２次電子は、２次電子検出器に引き込まれる。この時、荷電粒子線により試料表面から放出した２次電子と重なるために、電子又はイオンビームの照射による２次電子は、観察像を著しく劣化する。そこで、電子又はイオンビームの照射による２次電子放出量を抑えるためには照射量の制限が必要となり、試料表面の帯電量が多い時、電子又はイオンビームの照射による帯電防止法は有効ではない。
【００１３】
一般に、荷電粒子線の照射により発生する２次電子は、２次イオンに比較して１０〜１００倍多く放出される。そのため、２次電子信号をもとにした観察像は、２次イオンのものよりも解像度がよい。しかし、帯電を中和するために電子又はイオンビームを照射する場合は、２次電子発生のために、２次電子信号をもとにした観察像は、２次イオンのものより解像度が劣化してしまう。したがって、荷電粒子線装置では２次イオン検出器が広く用いられている。
【００１４】
従来技術３で示した帯電防止法では、試料表面に帯電防止膜を作製する。試料表面を覆ってしまうと、荷電粒子線で表面の構造を観察できなくなり、荷電粒子線による観察・分析・加工の位置決定に不都合を生じる。さらに、試料汚染を回避するためには、該試料表面に形成した帯電防止膜は荷電粒子線による観察・分析・加工後に除去しなければならない。
【００１５】
従来技術４で示した導電性の端子により帯電を逃がす方法は、観察・分析・加工領域の少なくとも１８０度以上の周囲を囲むように、端子を遠隔操作により接触させなければならない。該観察・分析・加工領域の１８０度以上の周囲を囲むように端子を接触させることにより、端子接触の確認が難しくなり、同時に、端子の接触時の位置精度が低下する。さらに、荷電粒子線を照射する観察・分析・加工領域より、広い領域を端子の接触により汚染する。
【００１６】
従来技術５で示した導電性のプローブにより帯電電荷を捕らえる方法は、プローブ接触時は、プローブが微細パターンの一部を隠してしまうことにより観察できなくなり、プローブ非接触時は、帯電電子をプローブでとらえるときの強力な電界で観察像が歪んでしまう。
【００１７】
帯電防止法を用いずに荷電粒子線を用いて試料作製をする場合、操作者はドリフトする観察像を頼りに、観察・分析・加工をしなければならない。これらの操作や設定を目測で確認するために、帯電防止法を用いない観察・分析・加工は熟練を要する作業であった。この際に、操作者は、加工を失敗すると試料を破壊し、プローブ操作を失敗すると試料破壊又はプローブ先端破損を起こす。
【００１８】
これらの方法では、試料に対する汚染低減、導電物質の表面への被覆又は接触の作業軽減、荷電粒子線の試料表面への照射により新たに発生する帯電と、２次電子を用いた観察・分析・加工への端子の影響低減、試料から直接試料片を摘出時の熟練技術の排除などの課題を有する。
【００１９】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、試料表面での帯電を抑制するための経験や熟練技能工程を排除した、信頼性の高い帯電中和制御方法を提供し、総合的に分析や試料作製効率の良い荷電粒子線装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記目的を達成する手段として、本発明は、荷電粒子線（イオンビーム、電子線、等）を試料に照射した際に発生する帯電を、照射領域に隣接または接触する中和用電極により制御するという新しい知見に基づく方法を提供する。
【００２１】
中和用電極と照射領域間が電気的絶縁状態であっても、荷電粒子線の照射をきっかけにして、帯電している照射領域と中和用電極との間に荷電粒子の授受が成立する。この原因は、荷電粒子線の照射により帯電した試料表面から発生する２次粒子を中和用電極に効率良く引き込むことにより、中和用電極と照射領域の間で近接電荷交換が発生する。中和用電極が、照射領域から例えば３００μｍ以内に隣接または接触していると、荷電粒子線の照射をきっかけにして、帯電している照射領域と中和用電極との間に近接電流が流れる。
【００２２】
操作者が高精度の観察・分析・加工・プローブ操作をする場合は、中和用電極と照射領域の間隔をさらに近づける必要がある。前記間隔を狭くするにつれて、照射領域との近接電荷交換又は近接電流により帯電電位が低下すると同時に、帯電による照射領域近傍の電界をより狭い空間に閉じ込めることができる。その結果、絶縁物試料表面上で荷電粒子線の照射位置は、前記間隔の約１/５０倍の位置精度で制御ができるようになる。同時に、２次粒子検出器での２次粒子の検出量が帯電の影響を受けなくなり、鮮明な観察像を得ることができるようになる。
【００２３】
上述した帯電を制御する方法を用いて、高精度な観察・分析・加工・プローブ操作を実現する本発明の帯電中和制御方法及びそれを用いた荷電粒子線装置として代表的な構成例を、以下に挙げる。
【００２４】
先ず、帯電中和制御方法として、本発明は、試料台に搭載された試料に荷電粒子源から放出された荷電粒子線を照射して、前記試料の照射領域に発生する帯電を、試料台の表面近くに設置された中和用電極に所定の電圧を印加し、試料とは無接触で、帯電した前記照射領域との間で電荷交換を発生せしめることにより、前記帯電の中和制御を行なうよう構成したことを特徴とする。
【００２５】
また、本発明は、試料台に搭載された試料に荷電粒子源から放出された荷電粒子線を照射して、前記試料の照射領域に発生する帯電を、前記試料台の表面近くに設置された中和用電極に所定の電圧を印加し、前記試料と接触させて、帯電した前記照射領域との間で電流を発生せしめることにより、前記帯電の中和制御を行なうよう構成したことを特徴とする。
【００２６】
次に、荷電粒子線装置として、本発明は、荷電粒子源と、前記荷電粒子源から放出される荷電粒子線を集束し偏向せしめるための荷電粒子光学系と、前記荷電粒子線を試料に照射して試料からの２次粒子を検出するための検出器と、前記試料を搭載する試料台とを備えた荷電粒子線装置において、前記試料台の表面に対して移動可能に設けた中和用電極と、前記中和用電極に印加する電圧および前記移動を制御する中和用電極制御装置とを有し、前記荷電粒子線を照射して帯電した前記試料上の照射領域と前記中和用電極との間で電荷交換または電流を発生せしめて、前記帯電を中和制御するよう構成したことを特徴とする。
【００２７】
また、本発明は、荷電粒子源と、前記荷電粒子源から放出する荷電粒子線を集束するレンズと、偏向器と、前記荷電粒子線を試料に照射して２次粒子を検出するための検出器と、前記試料を保持する試料台と、前記試料台の位置を制御する試料位置制御装置とを備えた荷電粒子線装置において、前記試料上の荷電粒子線照射領域と前記レンズとの間にあって前記試料に対し移動可能に設けられ、前記荷電粒子線照射領域との間で電荷交換または電流を発生する第１の電極と、前記第１の電極を制御し、前記試料台位置制御装置とは独立に駆動する電極制御装置と、前記試料台位置制御装置とは独立に駆動し、前記荷電粒子線照射領域との間で電流を発生する第２の電極とを有し、前記第１および前記第２の電極を用いて、帯電した前記荷電粒子線照射領域の中和制御を行なうよう構成したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２８】
本発明は、荷電粒子線装置での帯電防止技術での経験や熟練技能工程を排除して、荷電粒子線とプローブの制御の信頼性を向上し、総合的に分析や試料作製効率の良い荷電粒子線装置を実現する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
（実施例１）
図１は、本発明による荷電粒子線装置の第１の実施例の基本構成を示す。
【００３０】
本発明の荷電粒子線装置は、イオン源１から引き出し電極２によりイオンビーム１１を引き出し、コンデンサレンズ３によりイオンビームを集束した後、ビーム制限アパーチャー４によりイオンビームを絞り、対物レンズ６により試料８の表面にイオンビーム１１を集束する荷電粒子光学系と、試料を載置する可動の試料台７と、２次粒子検出器９と、偏向器５と、制御装置１０と、中和用電極２０とにより構成される。
【００３１】
中和用電極２０は、導電性物質の電極で構成される。中和用電極２０の先端部は、イオンビームの走査により観察する面内位置測定手段と、この際の対物レンズ６の設定値による高さ位置測定手段により、試料８のイオンビーム照射位置近傍に接近する。
【００３２】
イオンビームの試料照射の際に、イオンビームは弾性散乱又は非弾性散乱される。非弾性散乱では試料から２次電子を発生する。２次電子の多くはエネルギーがわずか数ｅＶしかなく、イオンビーム照射領域表面の電位が周囲に対して数Ｖ正に帯電すると、低速の２次電子は試料を離脱できず試料にもどる。イオンビーム照射電流と試料から流出する全電流とが等しくなると、試料の表面電位が平衡に達する。
【００３３】
図２は、試料の電位分布の偏りにより、イオンビームが矢印の方向にビームドリフトする様子を示す。図中、３１は等電位線を示す。イオンビーム１１の照射位置や試料８の表面での誘電率分布などの結果、表面電位はイオンビームに対して偏って分布している。帯電した電荷は、試料台に対して絶縁抵抗を介して流出する。この絶縁抵抗は、試料の体積抵抗と表面抵抗に関係すると考えられる。絶縁体では、表面抵抗が体積抵抗より小さくなることが多い。
【００３４】
イオンビーム照射領域での正電荷の帯電電位Ｖｃの時間変化ｄＶｃ/ｄｔは、試料表面の実効的な静電容量Ｃ、絶縁抵抗Ｒ、ビーム電流Ｉｐとすると、次式で表される。
【００３５】
ｄＶｃ/ｄｔ＝Ｉｐ/Ｃ−Ｖｃ/ＲＣ
図３は、イオンビーム照射量（ビーム電流）１０ｎＡ、試料表面の実効的な静電容量１ｎＦ、および絶縁抵抗５ＧΩを仮定したときの、イオンビーム照射位置での帯電電位の時間依存性である。時間の経過につれて、帯電電位は増大して約１０秒後にはほぼ平衡状態になる。
【００３６】
帯電して平衡状態になるのであればイオンビーム成形加工への影響は、ほとんど無い。イオンビーム照射時に表面電位の時間変化が生じると、ビームドリフトが生じる。ビームドリフトは、試料表面の構造や物性値による表面電位分布の偏りにより生じる。例えば、カバーガラス（３０ｍｍ×２０ｍｍ厚さ０.１ｍｍ）表面に走査イオンビームを照射して、２次粒子を検出する方法により観察像の時間変化を評価したところ、ＳＩＭ像観察をすると、ＳＩＭ像の観察領域は繰り返し移動をしていた。イオンビーム照射一定時間後、試料の電位が平衡状態になっていれば、観察領域移動は無いはずである。しかし、実際には観察領域移動を繰り返すことから、放電と帯電の繰り返しにより、試料表面電位に時間変化が生じていると言える。
【００３７】
図４は、観察領域移動の振動数のビーム電流依存性を示す。放電の振動数ｆは、ビーム電流Ｉｐとともに増大する。ビーム電流が増大すると、帯電による振動が増えるにつれてビームドリフトも増大してしまうのである。
【００３８】
図５は、中和用電極２０によりイオンビーム照射による帯電３３を制御する方法を示す回路図である。イオンビーム照射により帯電を生じている試料表面に中和用電極２０の先端を近づけることにより、近接電荷交換３２をすることができる。中和用電極２０の先端は、導電性物質で形成した針状の電極である。中和用電極２０による近接電荷交換３２で流れる電流は、照射領域から試料表面に水平方向３０μｍ、垂直方向３０μｍの位置に中和用電極２０の先端を固定すると、イオンビームの電流の６割以上になる。
【００３９】
中和用電極２０は、イオンビーム照射で帯電したプラスの電荷を中和するために常に電子を供給している。図６は、カバーガラスの帯電制御を行ったときの中和用電極２０に流れる電流(以下、供給電流)のビーム電流依存性を示す。
【００４０】
イオンビーム照射位置から約１６μｍの位置に中和用電極２０の先端を隣接し、ビーム電流を２０ｐＡ〜８ｎＡの範囲で変更して供給電流を測定した。図中、その測定結果を■印で示す。供給電流Ｉがビーム電流Ｉｐと等しい時の直線を細線で示した。図６の２本の直線からビーム電流Ｉｐのほとんどは中和用電極２０に流れ、その量がビーム電流Ｉｐに比例しており、中和用電極２０以外の経路で絶縁抵抗を通して試料から流出する電流も、Ｉｐにほぼ比例していることが確認できた。このとき絶縁抵抗はビーム電流に依存しないようである。
【００４１】
図７は、中和用電極先端と試料間の高さを示す。ビーム電流８.０ｎＡを３２×３２μｍ２領域に照射したときに、中和用電極２０の先端は、高さ２μｍで照射位置中心から横方向に１６μｍに設定し、高さ４０のみを変更した。中和用電極２０の高さを変更する時、制御装置の影響を受けるために、横方向にずれる量は最大で約１００μｍになる。
【００４２】
図８は、中和用電極に流れる電流の高さ依存性測定結果を示す。中和用電極に流れる電流は４.４〜５.１ｎＡの範囲で変化しているが、１００μｍまで高さ依存が無い。
【００４３】
一方、イオンビーム１１の照射により試料表面から放出された２次電子の多くは、エネルギーがわずか数ｅＶしかない。この際、帯電と中和用電極２０が作る電場により低速の２次電子は試料を離脱できず試料にもどるために、２次粒子検出器９は、試料からの２次電子を検出できなくなってしまう。さらに、イオンビーム１１は、中和用電極２０と帯電が作る電場によりシフトしてしまう。
【００４４】
上記問題を解決するために、中和用電極自身に電圧をかけるための電圧源、先端を細長い導電性針形状とした中和用電極２０を備えた。図５に示すように、試料表面が正に帯電している時に、中和用電極２０に負の電位を印加すると、帯電領域との電荷交換以外に２次電子３４の放出量を増大させる。そこで、中和用電極２０は正の電位約＋２Ｖを印加して２次電子の帯電による引き戻しを緩和すると、イオンビーム走査の精度向上と、試料表面から放出された２次電子の２次粒子検出器９での集率向上により、中和用電極２０に０Ｖを印加した場合と比較して、観察像の解像度は２倍に向上した。
【００４５】
（実施例２）
図９は、本発明による荷電粒子線装置の第２の実施例の基本構成を示す。本実施例では、メカニカルプローブ２１を組み合わせて、数〜サブμｍオーダの試料を作製する荷電粒子線装置を構成する。
【００４６】
イオン源１から引き出し電極２によりイオンビームを引き出し、コンデンサレンズ３によりイオンビームを集束した後、ビーム制限アパーチャー４によりイオンビームを絞り、対物レンズ６により試料８の表面にイオンビームを集束する荷電粒子光学系と、試料を載置する可動の試料台７と、２次粒子検出器９と、偏向器５と、制御装置１０と、中和用電極２０と、メカニカルプローブ２１とにより構成される。
【００４７】
中和用電極２０の先端部は、曲率半径が約１００μｍの導電性針で構成され、試料８の表面に接近させる。中和用電極２０をイオンビーム照射領域から試料表面水平方向に約３０μｍ、垂直方向に約３０μｍの位置に固定する。試料が絶縁物を含むことにより照射領域で正に帯電する場合は、中和用電極２０が帯電した照射領域との間で電荷交換をし帯電を抑制する。３０μＡのイオンビームを走査するときは、２次粒子検出器９の信号から鮮明な観察像を得ることができる。
【００４８】
しかし、試料を加工するために１０ｎＡのイオンビームを照射すると、帯電が増大することによりイオンビームの照射位置が制御できなくなってしまう。そこで、３０μＡのイオンビームを走査して観察像をたよりに、試料表面にメカニカルプローブ２１の先端を接触させる。このとき、１０ｎＡのイオンビームを照射しても、メカニカルプローブ２１は帯電した照射領域との間で近接電流が流れ込むことにより帯電を抑制し、イオンビームの照射位置を正確に制御することができる。
【００４９】
図１０は、絶縁物から高精度分析試料を作製する方法を示す。
【００５０】
試料表面にメカニカルプローブ２１の先端を接触させた状態で、試料基板５１の表面に対しイオンビーム５２が直角に照射するように基板５１の姿勢を保ち、メカニカルプローブ２１に重ならないように基板５１上でイオンビーム５２を矩形に走査させ、試料表面に所要の深さの角穴５３を形成する(図１０−ａ)。この時に、プローブ１１に電圧を＋１Ｖ印加したところ、観察像中の所望の試料位置を鮮明に観察し、成形加工を正確に設定し、高精度に試料片を作製することができた。
【００５１】
次に、垂直溝５４を形成する(図１０−ｂ)。メカニカルプローブ２１の先端を基板５１から離した後、基板５１の表面に対するイオンビーム５２の軸が約３０°傾斜するように基板５１を傾斜させ、傾斜溝５５を形成する。基板５１の傾斜角の姿勢変更は、試料台によって行われる(図１０-ｃ)。再び、基板５１の姿勢を表面がイオンビーム５２に対して垂直になる状態のままに基板５１を設置した後、メカニカルプローブ２１の先端を基板５１の試料となる部分に接触させる(図１０−ｄ)。図９の装置で中和電極２０の先端部は、曲率半径が約１００μｍの導電性針で構成され、中和電極２０は同時に堆積性ガスを供給するガスノズルを構成し、試料８の表面に接近させる。ガスノズルから堆積性ガスを供給し、イオンビーム５２をメカニカルプローブ２１の先端部を含む領域に局所的に照射し、イオンビームアシストデポジション（以下、ＩＢＡＤと略す）膜５６を形成する。接触状態にある基板５１の分離部分である試料片５７とメカニカルプローブ２１の先端は、ＩＢＡＤ膜５６で接続される(図１０−ｅ)。
【００５２】
イオンビーム５２で残りの部分を切り欠き加工し、基板５１から分離試料片５７を切り出す。切り出された分離試料片５７は、接続されたメカニカルプローブ２１で支持された状態になる(図１０−ｆ)。分離試料片５７をサンプルメッシュ５８に移動させる(図１０−ｇ)。ガスノズルから堆積性ガスを供給し、イオンビーム５２を分離試料片とサンプルメッシュが接触する境界領域に局所的に照射し、ＩＢＡＤ膜５９を形成する（図１０−ｈ）。イオンビーム５２をＩＢＡＤ膜５６に隣接した領域に局所的に照射し、メカニカルプローブ２１を分離試料片５７から切り離す（図１０−ｉ）。この分離試料片５７の中の観察領域を、厚さ１００ｎｍ程度に残すようにイオンビーム５２を用いて薄膜化し、透過電子顕微鏡でこの試料はサブｎｍの分解能で観察・分析をすることができる（図１０−ｊ）。
【００５３】
（実施例３）
図１１は、本発明の荷電粒子線装置の第３の実施例の基本構成を示す。
【００５４】
本発明の荷電粒子線装置は、電子源８０から引き出し電極８１により電子線８２を引き出し、コンデンサレンズ８３により電子線を集束した後、対物レンズ８４により試料８５の表面に電子線を集束する荷電粒子光学系は、試料８５を載置する可動の試料台８６と、２次電子検出器８７と、偏向器８８と、制御装置８９と、中和用電極９０とにより構成される。
【００５５】
試料８５は絶縁物を含むと、電子線８２の照射領域に帯電を生じる場合がある。電子線８２の照射により試料表面から放出される２次電子の多くは、エネルギーがわずか数ｅＶしかないが、この２次電子が正帯電のときは試料を離脱できず試料にもどり、負帯電のときは加速されるために、２次電子検出器８７は、試料８５からの２次電子を検出できない。さらに、電子線８２は、帯電が作る電場によるシフトのために照射位置を制御することができない。
【００５６】
絶縁物試料（ＳｉＯ２）での観察像は、加速電圧２ｋＶの電子線８２（７００ｐＡ）の走査では著しく解像度が低下していた。この理由は、照射領域の負帯電である。
【００５７】
図１２は、中和用電極９０と帯電した照射領域間の電荷交換により流れる電流を示す。この際、照射領域３×３μｍ２から水平方向に９μｍに離して、中和用電極９０の先端を垂直方向に距離０〜約３６０μｍに移動した。この際に、試料の絶縁物表面に接触させると、中和用電極９０と帯電した照射領域の間で約２００ｐＡの電流が流れた。中和用電極９０に１００ｐＡ以上の電流が流れる場合、観察像の解像度は１ｎｍに達していた。
【００５８】
さらに、中和用電極９０に＋５Ｖの電圧を印加すると、中和用電極９０の先端が試料面の位置で５００ｐＡ、垂直方向に距離３６０μｍの位置で約３００ｐＡの電流が流れた。照射領域が負帯電した時に、正の電圧を印加した場合、電子線８２の照射により試料表面から放出された２次電子を中和用電極がとり込む。その結果、２次電子検出器８７は、この２次電子を検出できないために観察像のＳ／Ｎが低下する。中和用電極９０が２次電子のとり込みと加速を回避するためには、中和用電極９０に０Ｖから−５Ｖの負電圧を印加すればよかった。これにより、観察像のＳ／Ｎが改善し、解像度は１ｎｍに達していた。
【００５９】
（実施例４）
図１３は、実施例１、実施例２および実施例３において、試料８の表面が試料台７に対して平行ではない場合の帯電制御方法を示す。この場合、試料台７を右方向に移動すると、中和用電極２０の先端が試料表面に干渉する。中和用電極２０の先端は試料８との衝突により破壊されたり、試料８の表面は中和用電極２０の衝突により破壊される。この干渉を回避しなければ、中和用電極２０による帯電制御は有効に働かない。そこで、試料８の照射領域と中和用電極２０の間での電荷交換と干渉を両立する方法について、以下に示す。
【００６０】
まず、試料８の照射領域と中和用電極２０の間での電荷交換と干渉を両立する方法の第１の例を、図１３に示す。荷電粒子線を照射する前に、試料８の表面全体の高さ分布を制御装置１０の記録部６１に記録する。例えば、中和用電極２０の先端距離６２を１００μｍにする場合は、高さ分布の精度は、±５０μｍを必要とする。先端距離６２を短くするためには、高さ分布の精度をよくしなければならない。試料台７を移動するときに発生する高さ変化を記録部６１で計算し、変化分だけ中和用電極２０を移動させることにより、先端距離６２を一定にする。例えば、先端距離６２が１００μｍの場合は、荷電粒子線の照射領域は１００×１００μｍ２であり、観察精度は１μｍになる。観察精度を向上するためには、先端距離６２を短く設定して中和用電極２０による帯電制御をする必要があった。
【００６１】
試料８の照射領域と中和用電極２０の間での電荷交換と干渉を両立する方法の第２の例を、図１４に示す。前述の例とは異なり、２つ目の方法は、帯電制御中に照射領域と中和用電極２０間に流れる電流を電流計６３により測定する。該電流は、先端距離６２に依存する。試料８に近づき先端距離６２が短くなると、中和用電極２０に流れる電流は増大する。そこで、試料を移動する途中あるいは移動後に、中和用電極２０の先端が試料表面と干渉しないように該電流をモニタし計算部６４により先端距離６２を算出し、先端距離６２を一定になるように中和用電極２０を制御値する。例えば、先端距離６２が１μｍの場合は、荷電粒子線の照射領域は１×１μｍ２であり、観察精度は１０ｎｍになる。観察精度を向上するためには、先端距離６２を短くするかまたは、照射領域の周辺に接触する方法により中和用電極２０による帯電制御をする必要があった。
【００６２】
試料８の照射領域と中和用電極２０の間での電荷交換と干渉を両立する方法の第３の例を、図１５に示す。前述の２つの例とは異なり、３つ目の方法は、対物レンズ６の設定値を利用するものである。中和用電極２０が退避位置(例えば先端距離６２が１００μｍ)にあるときに対物レンズ６の設定値を変化させて試料８の表面に荷電粒子線の集束点を合わせる。この際、制御装置１０は、この対物レンズ６の設定値の変化量より、計算部６５にて先端距離６２を算出し、中和用電極２０を試料表面に近づける。対物レンズ６の設定値による先端距離６２の制御精度は３０μｍであった。
【００６３】
試料８の照射領域と中和用電極２０の間での電荷交換と干渉を両立する方法の第４の例を、図１６に示す。中和用電極２０は、荷電粒子線の照射角度に対して２０〜８０度の方向に１軸可動機構を保持する。制御装置１０は、荷電粒子線の走査範囲を偏向器５に設定すると同時に、走査範囲に対応した先端距離６２を計算部６５で算出して、中和用電極を制御する。例えば、先端距離６２を３０μｍに設定した場合、走査範囲を３０×３０μｍ２では観察精度は０.３μｍであり、加工精度は０.５μｍであった。
【００６４】
走査範囲を狭くして高精度な観察、さらに観察像を参照しながら高精度な加工をする場合は、走査範囲を変更する際に、観察と加工の精度を向上するために自動的に先端距離６２を短くする。例えば、先端距離６２を１μｍにした場合、試料８を移動すると中和用電極２０と試料８が干渉してしまうので、試料台７で試料８を移動できる範囲を横方向に１０μｍ以下に設定した。
【００６５】
本手法は、図１３、図１４及び図１５で示した試料８の照射領域と中和用電極２０の間での電荷交換と干渉を両立する方法と組合わせることができる。走査範囲が狭い(例えば３０×３０μｍ２よりも狭い)場合、図１６で示す方法で中和用電極２０を制御し、走査範囲が広い場合、図１３、図１４及び図１５で示す方法で中和用電極２０を制御する。これにより、飛躍的に荷電粒子線の観察・加工の精度が向上した。
【００６６】
図１７は、従来技術２を示す（ａ）と、本発明の実施例を示す（ｂ）とを比較する説明図である。従来技術２の「特開平８−１３８６１７号公報」では、イオンビームが試料の絶縁層に照射されると、試料表面の照射領域付近に非常に薄い導電層７０を形成し、この導電層に接触させたプローブ７１を通してチャージをアースに流してチャージアップを回避する方法を開示している。
【００６７】
この方法では、イオンビームの照射領域がプローブの先端半径に比較して狭い時にイオンビームで形成した導電層に直接接触すると、（ａ）に示すように、プローブ７１はイオンビーム１１の照射領域に重なる。しかし、本実施例では、（ｂ）に示すように、直接導電層７０に接触する必要が無く、プローブ（中和用電極２０）はイオンビームの照射領域に重なることはない。
【００６８】
以上のように、本発明になる荷電粒子線装置によれば、帯電を該試料の表面に隣接又は接触した中和用電極で制御することにより、高精度に荷電粒子線を制御し、その結果、試料表面での帯電を抑制するための経験や熟練技能工程の排除と、２次イオン検出器と電子銃又はイオン銃を排除により、帯電制御技術の信頼性の向上、装置価格の低減、高精度な観察・分析・加工・プローブ操作を実現し得る。
【００６９】
以上、本発明を整理すると、次のようになる。
（１）試料台に搭載された試料に荷電粒子源から放出された荷電粒子線を照射して、前記試料の照射領域に発生する帯電を、前記試料台の表面近くに設置された中和用電極に所定の電圧を印加し、前記試料とは無接触で帯電した前記照射領域との間で電荷交換を発生せしめることにより、前記帯電の中和制御を行なうよう構成したことを特徴とする帯電中和制御方法。
（２）試料台に搭載された試料に荷電粒子源から放出された荷電粒子線を照射して、前記試料の照射領域に発生する帯電を、前記試料台の表面近くに設置された中和用電極に所定の電圧を印加し、前記試料とは接触させて帯電した前記照射領域との間で電流を発生せしめることにより、前記帯電の中和制御を行なうよう構成したことを特徴とする帯電中和制御方法。
（３）前記（１）または（２）の構成において、前記荷電粒子線により前記試料の表面を観察することにより、前記中和用電極を前記照射領域の近傍に接触させ、前記帯電の中和制御を行なうよう構成したことを特徴とする帯電中和制御方法。
（４）前記（１）または（２）の構成において、前記中和用電極を前記試料の表面に対して移動可能に構成したことを特徴とする帯電中和制御方法。
（５）前記（１）または（２）の構成において、前記中和用電極に、−５Ｖから＋５Ｖの電圧を印加してなることを特徴とする帯電中和制御方法。
（６）前記（１）または（２）または（３）の構成において、前記試料が、絶縁物を含むことを特徴とする帯電中和制御方法。
（７）試料台に搭載された絶縁物を含む試料に荷電粒子源から放出された荷電粒子線を照射して、前記試料の照射領域に発生する帯電を、前記試料台の表面近くに設置された中和用電極に所定の電圧を印加し、前記試料とは無接触で、前記帯電の中和制御を行なうよう構成したことを特徴とする帯電中和制御方法。
（８）荷電粒子源と、前記荷電粒子源から放出される荷電粒子線を集束し偏向せしめるための荷電粒子光学系と、前記荷電粒子線を試料に照射して試料からの２次粒子を検出するための検出器と、前記試料を搭載する試料台とを備えた荷電粒子線装置において、前記試料台の表面に対して移動可能に設けた中和用電極と、前記中和用電極に印加する電圧および前記移動を制御する中和用電極制御装置とを有し、前記荷電粒子線を照射して帯電した前記試料上の照射領域と前記中和用電極との間で電荷交換または電流を発生せしめて、前記帯電を中和制御するよう構成したことを特徴とする荷電粒子線装置。
（９）前記（８）の構成において、前記中和用電極が、前記荷電粒子光学系と前記試料台との間にあって、前記試料台の表面に対して移動可能に設けてなることを特徴とする荷電粒子線装置。
（１０）前記（８）の構成において、前記中和用電極は、導電性物質を曲率１００μｍ以下の先端を有する針状に成形された電極で構成されていることを特徴とする荷電粒子線装置。
（１１）前記（８）の構成において、前記中和用電極に、−５Ｖから＋５Ｖの電圧を印加してなることを特徴とする荷電粒子線装置。
（１２）前記（８）の構成において、前記中和用電極制御装置が、前記帯電の中和制御中に前記照射領域と前記中和用電極との間に流れる電流の変化から、前記中和用電極の位置又は電圧の制御値を計算する計算部を具備することを特徴とする荷電粒子線装置。
（１３）前記（８）の構成において、前記中和用電極制御装置が、前記レンズ又は前記偏向器の設定値より、前記中和用電極と前記試料間の距離又は電圧を計算する計算部を具備することを特徴とする荷電粒子線装置。
（１４）荷電粒子源と、前記荷電粒子源から放出する荷電粒子線を集束するレンズと、偏向器と、前記荷電粒子線を試料に照射して２次粒子を検出するための検出器と、前記試料を保持する試料台と、前記試料台の位置を制御する試料位置制御装置とを備えた荷電粒子線装置において、前記試料上の荷電粒子線照射領域と前記レンズとの間にあって前記試料に対し移動可能に設けられ、前記荷電粒子線照射領域との間で電荷交換または電流を発生する第１の電極（例えば、中和用電極）と、前記第１の電極を制御し、前記試料台位置制御装置とは独立に駆動する電極制御装置と、前記試料台位置制御装置とは独立に駆動し、前記荷電粒子線照射領域との間で電流を発生する第２の電極（例えば、メカニカルプローブ）とを有し、前記第１および前記第２の電極を用いて、帯電した前記荷電粒子線照射領域の中和制御を行なうよう構成したことを特徴とする荷電粒子線装置。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明による荷電粒子線装置の第１の実施例を示す図。
【図２】イオンビーム照射時の試料帯電とビームドリフトを示す図。
【図３】試料表面の帯電電位のイオンビーム照射時間依存性を示す図。
【図４】帯電振動によるビーム振動周期のビーム電流依存性を示す図。
【図５】中和用電極により帯電を制御する方法を示す回路図。
【図６】中和用電極に流れる電流の照射電流依存性を示す図。
【図７】中和用電極先端と試料間の高さを示す図。
【図８】イオンビームでの中和用電極に流れる電流の先端高さ依存性を示す図。
【図９】本発明による荷電粒子線装置の第２の実施例を説明する図。
【図１０】絶縁物から高精度分析試料を作製する方法を示す図。
【図１１】本発明による荷電粒子線装置の第３の実施例を説明する図。
【図１２】電子線での中和用電極に流れる電流の先端高さ依存性を示す図。
【図１３】試料高さ記録部による中和用電極の制御方法を示す図。
【図１４】中和用電極に流れる電流による中和用電極の制御方法を示す図。
【図１５】対物レンズの設定値による中和用電極の制御方法を示す図。
【図１６】偏向器の設定値による中和用電極の制御方法を示す図。
【図１７】従来技術２と本発明の実施例とを比較する説明図。
【符号の説明】
【００７１】
１…イオン源、２…引き出し電極、３…コンデンサレンズ、４…ビーム制限絞り、５…偏向器、６…対物レンズ、７…試料位置制御装置、８…試料、９…２次粒子検出器、１０…制御装置、１１…イオンビーム、２０…中和用電極、２１…メカニカルプローブ、３１…等電位線、３２…近接電荷交換、３３…帯電、３４…２次電子、３５…リーク電流、４０…中和用電極と試料間の高さ、５０…保護膜、５１…基板、５２…イオンビーム、５３…角穴、５４…底穴、５５…溝、５６…ＩＢＡＤ膜、５７…試料片、５８…サンプルメッシュ、５９…ＩＢＡＤ膜、６０…薄膜、６１…計算部、６２…先端距離、６３…電流計、６４…計算部、６５…計算部、７０…導電層、７１…プローブ、８０…電子源、８１…引き出し電極、８２…電子線、８３…コンデンサレンズ、８４…対物レンズ、８５…試料、８６…試料台、８７…２次電子検出器、８８…偏向器、８９…制御装置、９０…中和用電極。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン源と、前記イオン源から放出されるイオンビームを集束し偏向せしめるためのイオンビーム照射光学系と、前記イオンビームを試料に照射して該試料からの２次粒子を検出する検出器と、前記試料を搭載する試料片台と、前記試料に前記イオンビームを照射して加工された試料片を摘出するプロープと、該プローブに印加する電圧及び位置を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記プローブを前記試料を加工する前に接触させ、前記イオンビームにより前記試料から前記試料片を作製する途中で前記プローブに所定の電圧を印加し、
該所定の電圧を印加した後に前記プローブを試料片上に移動させるように制御することを特徴とするイオンビーム装置。
【請求項２】
請求項１に記載のイオンビーム装置において、
前記試料片と前記プローブの近傍に堆積ガスを供給するガス供給手段を備えることを特徴とするイオンビーム装置。
【請求項３】
請求項２に記載のイオンビーム装置において、
前記ガス供給手段は、ガスノズルを備え、
前記ガスノズルに対して電圧を供給する電圧供給手段を有することを特徴とするイオンビーム装置。
【請求項１】
イオン源と、前記イオン源から放出されるイオンビームを集束し偏向せしめるためのイオンビーム照射光学系と、前記イオンビームを試料に照射して該試料からの２次粒子を検出する検出器と、前記試料を搭載する試料片台と、前記試料に前記イオンビームを照射して加工された試料片を摘出するプロープと、該プローブに印加する電圧及び位置を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記プローブを前記試料を加工する前に接触させ、前記イオンビームにより前記試料から前記試料片を作製する途中で前記プローブに所定の電圧を印加し、
該所定の電圧を印加した後に前記プローブを試料片上に移動させるように制御することを特徴とするイオンビーム装置。
【請求項２】
請求項１に記載のイオンビーム装置において、
前記試料片と前記プローブの近傍に堆積ガスを供給するガス供給手段を備えることを特徴とするイオンビーム装置。
【請求項３】
請求項２に記載のイオンビーム装置において、
前記ガス供給手段は、ガスノズルを備え、
前記ガスノズルに対して電圧を供給する電圧供給手段を有することを特徴とするイオンビーム装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２００８−４５６９（Ｐ２００８−４５６９Ａ）
【公開日】平成２０年１月１０日（２００８．１．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２４９３１０（Ｐ２００７−２４９３１０）
【出願日】平成１９年９月２６日（２００７．９．２６）
【分割の表示】特願２００１−３４９７２３（Ｐ２００１−３４９７２３）の分割
【原出願日】平成１３年１１月１５日（２００１．１１．１５）
【出願人】（０００００５１０８）株式会社日立製作所 (27,607)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１月１０日（２００８．１．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年９月２６日（２００７．９．２６）
【分割の表示】特願２００１−３４９７２３（Ｐ２００１−３４９７２３）の分割
【原出願日】平成１３年１１月１５日（２００１．１１．１５）
【出願人】（０００００５１０８）株式会社日立製作所 (27,607)
【Ｆターム（参考）】
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