帯電部材、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
【課題】電子写真装置の帯電部材であって、振動起因のスジ状画像とＣセット起因の横線画像の発生を共に抑制した帯電部材を提供することにある。
【解決手段】導電性基体の上に少なくとも弾性層を有する帯電部材であって、弾性層が、バインダーとバインダーに分散された中空粒子とを含有している。前記中空粒子は、図１に示す一般式（１）から（４）のいずれかを構成単位として有する重合体とヒンダードフェノールとを含有するシェルを有している。
【解決手段】導電性基体の上に少なくとも弾性層を有する帯電部材であって、弾性層が、バインダーとバインダーに分散された中空粒子とを含有している。前記中空粒子は、図１に示す一般式（１）から（４）のいずれかを構成単位として有する重合体とヒンダードフェノールとを含有するシェルを有している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子写真画像形成装置（以下、「電子写真装置」と呼ぶ）に使用される帯電部材、プロセスカートリッジ及び電子写真装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真装置において、電子写真感光体（以下、「感光体」と呼ぶ）の帯電方式として、感光体に接触又は近接配置した帯電部材に電圧を印加することによって感光体を帯電する接触帯電方式が多く採用されている。
【０００３】
ところで、接触帯電方式を採用した電子写真装置における課題の一つとして、電子写真装置の稼働に伴う帯電部材の振動に起因する電子写真画像へのスジの発生がある。これは、帯電部材の振動によって帯電部材による感光体の帯電が不安定になることが一つの原因と考えらえる。このような振動の課題に対して、特許文献１では、弾性層の硬度及び比重を制御して、振動吸収性を高めた帯電部材を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２０９２３６号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】高分子と低分子からなる有機ハイブリッドの動的粘弾性 日本ゴム協会誌，Ｖｏｌ．７６（２００３）Ｎｏ．５ ｐｐ．１６７−１７２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、近年の電子写真装置のプロセススピードの高速化に伴い、帯電部材に加わる振動は増大する傾向にあり、本発明者らは、帯電部材の振動への対策には、未だ改善の余地があるとの認識を得た。そこで、本発明者らは、帯電部材の振動に起因する上記の課題について、帯電部材の構成および構成材料によって解決すべく鋭意検討した。
ここで、本発明者らは、非特許文献１の開示に基づき、弾性層に極性基を有する樹脂とヒンダードフェノールとを含有させることを検討した。すなわち、非特許文献１には、ヒンダードフェノールによる制振効果の発現について記載されている。
しかしながら、かかる弾性層を有する帯電ローラを用いて電子写真画像の形成を行ったところ、帯電ローラの弾性層に圧縮永久歪み（以下、「Ｃセット」と呼ぶ）が生じた場合に、当該Ｃセットに起因する横スジが電子写真画像が発現し易くなることがわかった。
【０００７】
Ｃセットとは、帯電部材と感光体を接触させたまま長期間放置した場合、帯電部材の感光体との当接位置に生じる容易には回復しない変形をいう。そして、Ｃセットの生じた帯電部材を用いて感光体を帯電させた場合、帯電部材と感光体とのニップ近傍において生じる放電状態が帯電部材のＣセット発生部分とＣセット非発生部分とで異なるため、Ｃセット発生部分にかかる帯電の結果が電子写真画像に横スジとして現れてくると考えられる。 そして、極性基を有する樹脂とヒンダードフェノールとを含有してなる弾性層は、粘度が上昇し、Ｃセットが生じやすくなることが判明した。
そこで、本発明は、振動の抑制によって、電子写真画像への振動起因のスジの発生を抑制すると共に、Ｃセットに起因する電子写真画像へのスジの発生をも抑制し得る帯電部材の提供に向けたものである。
また、本発明は、高品位な電子写真画像の形成に資するプロセスカートリッジおよび高品位な電子写真画像を形成することのできる電子写真装置の提供に向けたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の帯電部材は、導電性基体の上に少なくとも弾性層を有する帯電部材であって、弾性層は、バインダーとバインダーに分散された中空粒子とを含有している。前記中空粒子は、図１に示す一般式（１）から（４）のいずれかを構成単位として有する重合体（以下「極性基を有する重合体」と呼ぶ）とヒンダードフェノールとを含有するシェルを有していることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、振動起因およびＣセット起因の画像欠陥の発生をより良く抑制することのできる帯電部材を得ることができる。また、本発明に係るプロセスカートリッジ及び電写真装置によれば、高品位な電子写真画像を安定して形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明に係る中空粒子を構成する重合体の構成単位の一般式である。
【図２】本発明の帯電部材の説明図である。
【図３】本発明の帯電部材の弾性層の模式図である。
【図４】本発明に係るヒンダードフェノールの構造式である。
【図５】極性基を有する重合体とヒンダードフェノールとの水素結合の説明図である。
【図６】本発明の帯電部材を適用できる電子写真装置の概略図である。
【図７】本発明の帯電部材を適用できるプロセスカートリッジの概略図である。
【図８】クロスヘッドを用いた押出装置の概念図である。
【図９】プランジカット式研磨機の概念図である。
【図１０】本発明の帯電部材（帯電ローラ）の電気抵抗値の測定方法の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
＜帯電部材＞
本発明の帯電部材は、ローラ形状、平板形状、ベルト形状等の形状を取ることができる。以下、図２に示す帯電ローラを例示して、本発明の帯電部材の構成について説明する。
帯電ローラは、導電性基体１と、導電性基体１の上に形成された弾性層２を有する。弾性層２は、図３に示すようにバインダー３と中空粒子４を含有する。中空粒子４は、シェル５と中空部６から構成される。シェル５は、内部に極性基を有する重合体とヒンダードフェノールを含有している。中空粒子４は、シェル５に存在する極性基を有する重合体とヒンダードフェノールによって、振動吸収性が付与されている。
【００１２】
帯電部材が振動を吸収することで、帯電部材と感光体の接触状態が安定化する。帯電部材と感光体の接触点近傍で発生する帯電が均一になり、スジ状画像が抑制される。中空粒子の振動吸収性が向上する理由は、極性基を有する重合体がヒンダードフェノールと水素結合することによって、振動エネルギーが熱エネルギーに変換されるからである。
また、中空粒子のシェル中にヒンダードフェノールを含有させることによって、弾性層の粘度の上昇を抑制することができる。これにより、弾性層の圧縮変形が低減して、Ｃセット起因の横線画像の発生が抑制される。
【００１３】
＜シェル＞
本発明の中空粒子のシェルは、極性基を有する重合体である。極性基を有する重合体とは、下記に示す一般式（１）から（４）のいずれかを構成単位として有する重合体のことである。
一般式（１）を構成単位として有する重合体は、メトキシカルボニル基を有する重合体である。Ｒ１は、水素原子または、炭素数１〜４のアルキル基である。アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、２−エチルプロペン酸メチル、２−ブチルプロペン酸メチル、２−プロピルプロペン酸メチルのいずれかを単独か、あるいはその他の公知な重合性単量体を含む２種類以上と組み合わせた重合体を例示できる。
【００１４】
【化１】
【００１５】
一般式（２）を構成単位として有する重合体は、アセトキシ基を有する重合体である。Ｒ２は、水素原子または、炭素数１〜４のアルキル基である。ビニルアセテート、メチルビニリデンアセテート、エチルビニリデンアセテート、ブチルビニリデンアセテート、プロピルビニリデンアセテートのいずれかを単独か、あるいはその他の公知な重合性単量体を含む２種類以上と組み合わせた重合体を例示できる。
【００１６】
【化２】
【００１７】
一般式（３）を構成単位として有する重合体は、シアノ基を有する重合体である。Ｒ３は、水素原子または、炭素数１〜４のアルキル基である。アクリロニトリル、メタクリルニトリル、2-シアノ-1-ブテン、2-シアノ-1-ヘプテン、2-シアノ-1-ヘキセンのいずれかを単独か、あるいはその他の公知な重合性単量体を含む２種類以上と組み合わせた重合体を例示できる。
【００１８】
【化３】
【００１９】
一般式（４）を構成単位として有する重合体は、クロロメチル基を有する重合体である。エピクロロヒドリンを単独で、あるいはその他の公知な重合性単量体を含む２種類以上と組み合わせた重合体を例示できる。
【００２０】
【化４】
【００２１】
本発明の効果を得るためには、中空粒子のシェルを構成する重合体の側鎖が、メトキシ基、カルボニル基、アセトキシ基、シアノ基の群からなる少なくとも一つを含有する必要がある。これは、上記の側鎖と後述するヒンダードフェノールの水酸基との間で、水素結合を効率良く形成させるためである。側鎖の電気陰性度により、水素結合形成の効率が高まっていると推測している。側鎖の含有率は、重合体の単量体総重量に対して２０〜１００重量％であることが望ましい。より望ましくは、６０〜１００重量％である。
本発明の重合体の分子量は、特に限定しないが、１万〜１００万程度であることが望ましい。より好ましくは、５万〜５０万程度である。
【００２２】
＜ヒンダードフェノール＞
ヒンダードフェノールとは、水酸基近傍にｔｅｒｔ−ブチル基等の嵩高い置換基を有するフェノールを示す。具体的には、４，４’−チオビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）（Ｈ−１）、４，４’−ブチリデンビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）（Ｈ−２）、２，２’−メチレンビス（４−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）（Ｈ−３）、２，２’−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（Ｈ−４）、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート（Ｈ−５）、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−ベンゼン（Ｈ−６）、ペンタエリスリチル−テトラキス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（Ｈ−７）、１，３，５−トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−ｓ−トリアジン−２，４，６−（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）トリオン、１，１，３−トリス（５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）ブタン、４，４’−ブチリデンビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、トリエチレングリコール−ビス［３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、３，９−ビス［１，１−ジメチル−２−［（３−第三ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ］エチル］−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカン、１，６−ヘキサンジオール−ビス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、２，２’−メチレンビス（４−エチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルハイドロキノン、２，５−ジ−ｔｅｒｔ−アミルハイドロキノン、１，４−ビス（４−ベンゾイル−３−ヒドロキシフェノキシ）−ブタン、１−［２−｛３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキフェニル）プロピオニルオキシ｝エチル］−４−｛３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ｝−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン等を例示できる。上記（Ｈ−１）〜（Ｈ−７）に関しては、図４に構造式を示す。
【００２３】
本発明の効果を得るためには、中空粒子のシェルはヒンダードフェノールを含有する必要がある。この理由は前述の重合体の側鎖とヒンダードフェノールの水酸基が、水素結合を形成するからである。
ヒンダードフェノールは水酸基の隣に少なくとも一つのｔｅｒｔ−ブチル基を有する必要がある。この理由は、図５に示すように、重合体の側鎖とヒンダードフェノールの水酸基の水素結合を強固なものにすることができるからである。ｔｅｒｔ−ブチル基は、電子供与性により、水酸基の分極を促進する。これにより、重合体の側鎖との水素結合形成の効率を高めることができる。同時に、一旦、水素結合が完成すると、ｔｅｒｔ−ブチル基はその嵩高さゆえに、重合体の側鎖が乖離することを妨げる。上記の理由により、この強固な水素結合の形成により、高い振動吸収効果が発現されると考察している。
【００２４】
ヒンダードフェノールの中でも、４，４’−チオビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）（Ｈ−１）、４，４’−ブチリデンビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）（Ｈ−２）は、図５に示すように、その分子構造、分子量が、重合体間の架け橋となりやすいため、より強固な水素結合が形成するため、振動吸収性が増大する。
【００２５】
＜中空粒子＞
本発明の中空粒子は、内部が気泡であり、シェルが極性基を有する重合体とヒンダードフェノールを含有した粒子である。このような粒子を製造する方法として、熱膨張性マイクロカプセルを加熱膨張させる方法がある。
熱膨張性マイクロカプセルは、樹脂の内部に内包物質を含有する粒子である。内包物質は、加熱すると気化して粒子を膨張させる。これにより、中空粒子となる。あらかじめ加熱膨張させた中空粒子を添加しても良いし、弾性層に添加してから加熱膨張させても良い。
【００２６】
生産性を考慮すると、弾性層の加熱加工時に熱膨張性マイクロカプセルを膨張させる方法が望ましい。加熱加工時の温度条件やカプセル発泡特性を制御することにより、シェル構造を維持した状態で安定に弾性層を成形することができるからである。膨張したマイクロカプセルも利用することができるが、比重が小さいため分散しにくく加工性が劣る。
【００２７】
＜中空粒子の粒径＞
中空粒子の粒径は１０μｍ〜５００μｍであり、より好ましくは５０μｍ〜２００μｍである。中空粒子の粒径が１０μｍ未満である場合、中空粒子の振動吸収性が弱くなり、振動起因のスジ状画像が生じやすくなる。中空粒子の粒径が５００μｍを超える場合、中空粒子の剛性が弱くなり、Ｃセット起因の横線画像が生じやすくなる。
【００２８】
熱膨張性マイクロカプセルを用いて中空粒子を製造する場合、中空粒子の粒径は、加熱・膨張時の温度や反応時間によってコントロールすることができる。
中空粒子の粒径は、光学顕微鏡、電子顕微鏡等を用いて観察した中空粒子の断面から計測して求めることができる。
【００２９】
＜シェルの厚さ＞
シェルの厚さ（シェル壁の厚さ）は５０ｎｍ〜１０μｍであり、より好ましくは１００ｎｍ〜１μｍである。シェルの厚さが５０ｎｍ未満である場合、中空粒子の振動吸収性が弱くなり、振動起因のスジ状画像が生じやすくなる。また、シェルの厚さが厚くなり（１０μｍ超）、中空粒子の中空部の体積が減少すると、中空粒子の振動吸収性が弱くなり、振動起因のスジ状画像が生じやすくなる。
【００３０】
熱膨張性マイクロカプセルを用いて中空粒子を製造する場合、シェルの厚さは、重合性単量体と内包物質の比率等によってコントロールすることができる。
シェルの厚さは、光学顕微鏡、電子顕微鏡等を用いて観察した中空粒子の断面から計測して求めることができる。
【００３１】
＜弾性層＞
弾性層は、バインダーと中空粒子が必須成分である。それら以外に導電性材料、可塑剤、増量材、加硫剤、加硫促進剤、老化防止剤等を任意に用いることができる。中空粒子の含有量は、バインダー１００質量部に対して２質量部から５０質量部、より好ましくは５質量部から３０質量部の範囲が適当である。
【００３２】
＜バインダー＞
弾性層に適用できるバインダーとしては、以下のものを挙げることができる。アクリロニトリルブタジエンゴム、アクリルゴム、エピクロロヒドリンゴム、ウレタンゴム、エチレンプロピレンゴム、スチレンブタジエンゴム、シリコーンゴム、アクリルゴム等が使用できる。これらは、単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。
より好ましいバインダーとしては、アクリロニトリルブタジエンゴム、アクリルゴム、エピクロロヒドリンゴムである。これらのバインダーは、中空粒子が含有するヒンダードフェノールと界面近傍で水素結合を形成することができる。ゆえに、中空粒子とバインダーの摩擦が大きくなり、さらに振動抑制性が高まる。
【００３３】
＜導電性材料＞
弾性層に適用できる導電性材料としては、電子導電材とイオン導電剤の二種類がある。電子導電材としては、アルミニウム、パラジウム、鉄、銅、銀の如き金属系の微粒子や繊維、酸化チタン、酸化錫、酸化亜鉛の如き金属酸化物、金属系微粒子、カーボンブラック、及び、カーボン系微粒子等が挙げられる。また、これらを、単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。電子導電材の中でも、長期間に渡って電気抵抗を維持できることからカーボンブラックが好適に用いられる。弾性層が含有する電子導電材の量は、バインダー１００質量部に対して２質量部から２００質量部、好ましくは５質量部から１００質量部の範囲が適当である。
【００３４】
イオン導電剤としては、過塩素酸リチウムの如き無機イオン物質、変性脂肪族ジメチルエチルアンモニウムエトサルフェートの如き陽イオン性界面活性剤、ジメチルアルキルラウリルベタインの如き両性イオン界面活性剤、過塩素酸トリメチルオクタデシルアンモニウムの如き第四級アンモニウム塩、トリフルオロメタンスルホン酸リチウム等の有機酸リチウム塩等が挙げられる。これらを単独又は２種類以上組み合わせて用いることができる。イオン導電剤の中でも、環境変化に対して抵抗が安定なことから特に過塩素酸４級アンモニウム塩が好適に用いられる。弾性層が含有するイオン導電剤の量は、バインダー１００質量部に対して０．０１質量部から５質量部、好ましくは０．１質量部から２質量部の範囲が適当である。
【００３５】
＜導電性基体＞
導電性基体は、導電性を有し、その上に設けられる表面層等を支持する機能を有するものである。材質としては、例えば、鉄、銅、ステンレス、アルミニウム、ニッケル等の金属やその合金を挙げることができる。また、これらの表面に耐傷性付与を目的として、導電性を損なわない範囲で、メッキ処理等を施してもよい。さらに、導電性基体として、樹脂製の基材の表面を金属等で被覆して表面導電性としたものや導電性樹脂組成物から製造されたものも使用可能である。
【００３６】
＜熱膨張性マイクロカプセルの製造方法＞
重合性単量体、ヒンダードフェノール、内包物質を混合し、この混合物を界面活性剤や分散安定剤を含む水性媒体中に分散させた後、懸濁重合させる方法によって得られる。必要により重合開始剤、重合性単量体の官能基と反応する反応性基を有する化合物、熱可塑性樹脂、有機フィラーを添加してもよい。
【００３７】
懸濁重合は、耐圧容器を用い、密閉下で行うことが好ましい。また、分散機等で懸濁してから、耐圧容器に移して懸濁重合してもよく、耐圧容器内で懸濁させてもよい。重合温度（℃）は、５０〜１２０が好ましい。重合は、大気圧下で行ってもよいが、内包物質等を気体状にさせないようにするため加圧下（大気圧＋０．１〜１ＭＰａ）で行うことが好ましい。重合終了後は、遠心分離や濾過等によって、固液分離及び／又は洗浄してもよい。固液分離や洗浄する場合、この後、シェルを構成する樹脂の軟化温度以下にて乾燥や粉砕してもよい。
【００３８】
乾燥及び粉砕は、既知の方法により行うことができ、気流乾燥機、順風乾燥機及びナウターミキサー等を使用できる。また、乾燥及び粉砕は粉砕乾燥機等によって同時に行うこともできる。水性媒体、界面活性剤及び分散安定剤は、熱膨張性マイクロカプセルの製造後に洗浄濾過等により除去してもよい。
重合性単量体、ヒンダードフェノールに関しては、前述に準ずる。
【００３９】
＜内包物質＞
内包物質としては、ペンタン、イソペンタン、ｎ−ヘキサン、イソヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレン、シクロヘキサン、シクロペンタン、メチルシクロヘキサン、塩化エチル、臭化メチル、メタノール、エタノール、ブタノール、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、アセトン、メチルエチルケトン等が例示できる。これらのうち好ましいのはイソペンタン、イソヘキサン、ｎ−ヘキサンである。内包物質の使用量は、構成単位とする重合性単量体１００質量部に対して、５〜５０質量部が好ましい。
【００４０】
＜重合開始剤＞
重合開始剤としては、特に限定されるものではないが、重合性単量体に可溶の開始剤が好ましく、公知のパーオキサイド開始剤及びアゾ開始剤等を使用できる。これらのうち、アゾ開始剤が好ましく、さらに好ましくは２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、１，１’−アゾビスシクロヘキサン１−カルボニトリル、２，２’−アゾビス−４−メトキシ−２，４−ジメチルバレロニトリル及び２，２’−アゾビス−２，４−ジメチルバレロニトリル、特に好ましくは２，２’−アゾビスイソブチロニトリルである。重合開始剤を用いる場合、この使用量は、構成単位とする重合性単量体１００質量部に対して、０．０１〜５質量部が好ましい。
【００４１】
＜界面活性剤＞
界面活性剤としては、アニオン性界面活性剤（ラウリル硫酸ナトリウム、（ポリ）オキシエチレン（重合度１〜１００）ラウリル硫酸ナトリウム及び（ポリ）オキシエチレン（重合度１〜１００）ラウリル硫酸トリエタノールアミン等）、カチオン性界面活性剤（塩化ステアリルトリメチルアンモニウム、ステアリン酸ジエチルアミノエチルアミド乳酸塩、ジラウリルアミン塩酸塩及びオレイルアミン乳酸塩等）、ノニオン性界面活性剤（アジピン酸ジエタノールアミン縮合物、ラウリルジメチルアミンオキシド、モノステアリン酸グリセリン、モノラウリン酸ソルビタン及びステアリン酸ジエチルアミノエチルアミド乳酸塩等）及び両性界面活性剤（ヤシ油脂肪酸アミドプロピルジメチルアミノ酢酸ベタイン、ラウリルヒドロキシスルホベタイン及びβ−ラウリルアミノプロピオン酸ナトリウム等）が含まれ、これらの界面活性剤の他に、高分子型分散剤（ポリビニルアルコール、デンプン及びカルボキシメチルセルロース等）を使用することができる。界面活性剤を使用する場合、この使用量は、構成単位とする重合性単量体１００質量部に対して、０．０１〜１０質量部が好ましい。
【００４２】
＜分散剤＞
分散安定剤としては、有機微粒子（ポリスチレン微粒子、ポリメタクリル酸メチル微粒子、ポリアクリル酸微粒子及びポリエポキシド微粒子等）、シリカ（コロイダルシリカ等）、炭酸カルシウム、リン酸カルシウム、水酸化アルミニウム、炭酸バリウム及び水酸化マグネシウム等が挙げられる。分散安定剤を使用する場合、この使用量（重量％）は、構成単位とする重合性単量体１００質量部に対して、０．０１〜２０質量部が好ましい。
【００４３】
＜熱膨張性マイクロカプセルの粒径＞
熱膨張マイクロカプセルの粒径は、０．１μｍ〜１５０μｍが好ましく、より好ましくは１０μｍ〜４０μｍである。熱膨張性マイクロカプセルの形状は、針状や扁平状でもよいが、膨張性の観点等から、球状であることが好ましい。また、粒径に関しては、分級等を行うことにより、所望の粒径、粒度分布に制御することが可能である。
【００４４】
＜弾性層の形成＞
弾性層を形成するための材料は、バインダー、導電性材料、熱膨張性マイクロカプセルあるいは中空粒子、その他各種添加剤等を混練機で混練して原料ゴム組成物を作製する。混練機としては、リボンブレンダー、ナウターミキサー、ヘンシェルミキサー、スーパーミキサー、バンバリーミキサー、加圧ニーダー等が挙げられる。
原料ゴム組成物から弾性層を形成する方法としては、例えば、次の方法が挙げられる。クロスヘッドを具備する押出成形装置を用いて、接着剤を塗布した導電性基体を中心軸として、同軸上に円筒状に原料ゴム組成物を被覆して、導電性基体と弾性層材料を一体的に押出して作製する。クロスヘッドは、一般に電線や針金の被覆に用いられている装置であり、押出機のシリンダのゴム排出部に取り付けて使用されるものである。
【００４５】
また、ゴムチューブを形成し、接着剤を塗布した導電性基体を該チューブに挿入し、接着する方法が挙げられる。また、接着剤を塗布した導電性基体に未加硫のゴムシートを被覆し、金型内で加硫を行う方法が挙げられる。
【００４６】
＜研磨加工＞
また、得られた帯電部材の表面を研磨してもよい。所定の外径寸法を形成する円筒研磨機としては、トラバース方式のＮＣ円筒研磨機、プランジカット方式のＮＣ円筒研磨機などを用いることができる。プランジカット方式のＮＣ円筒研磨機は、トラバース方式に比べ幅広な研削砥石を用いるため加工時間が短くすることができ、また研削砥石の径変化が少ないので好ましい。
【００４７】
＜表面層＞
本発明の帯電部材に塗工・加熱を施して表面層を形成してもよい。表面層は、原材料の塗工液を塗工して形成する。塗工方法としては、垂直型リング塗工法、ディッピング塗工法、浸漬塗工法、スプレー塗工法、ロールコート法、カーテンコート法又はグラビア印刷等が挙げられる。その中でも垂直型リング塗工法やディッピング塗工法が最も用いられる。表面層の厚さは、１μｍ〜１００μｍ程度が好ましい。より好ましくは、１０μｍ〜３０μｍ程度である。
【００４８】
＜物性値とその測定方法＞
本発明の帯電部材の電気抵抗、表面粗さ、硬度については、特に限定はしないが以下に示す範囲にあることが好ましい。電気抵抗は、金属ドラムに当接して２００Ｖの電圧を印加する方法において、１０４Ω〜１０７Ωであることが好ましい。表面粗さは、接触式表面粗さ計によるＲｚが０．１μｍ〜５０μｍであることが好ましい。硬度は、アスカーＣ硬度計で２０〜７０であることが好ましい。
【００４９】
＜電子写真装置＞
電子写真装置は、感光体、感光体を帯電する帯電装置、露光を行う潜像形成装置、トナー像に現像する現像装置、トナー像を転写材に転写する転写装置、感光体の上の転写トナーを回収するクリーニング装置、定着装置等から構成されている。定着装置は、トナー像を転写材に定着させる。その概略図を図６に示す。
感光体７は、導電性基体の上に感光層を有する回転ドラム型である。感光体７は矢示の方向に所定の周速度（プロセススピード）で回転駆動される。
帯電装置は、感光体４に所定の押圧力で当接されることにより接触配置される接触式の帯電ローラ８を有する。帯電ローラ８は、感光体７の回転に従い回転する従動回転であり、帯電用電源から所定の直流電圧を印加することにより、感光体７を所定の電位に帯電する。
【００５０】
感光体７に静電潜像を形成する潜像形成装置９は、例えばレーザービームスキャナーなどの露光装置が用いられる。一様に帯電された感光体７に画像情報に対応した露光光を照射することにより、静電潜像が形成される。
現像装置は、感光体７に近接又は接触して配設される現像ローラ１０を有する。感光体７の帯電極性と同極性に静電的処理されたトナーによる反転現像により、静電潜像をトナー像に可視化現像する。
【００５１】
転写装置は、接触式の転写ローラ１１を有する。感光体７からトナー像を普通紙などの転写材１２に転写する。転写材１２は、搬送部材を有する給紙システムにより搬送される。
クリーニング装置は、ブレード型のクリーニング部材１３、回収容器を有し、転写した後に、感光体の上に残留する転写残トナーを機械的に掻き落として回収する。ここで、現像装置にて転写残トナーを回収する現像同時クリーニング方式を採用することにより、クリーニング装置を省くことも可能である。
定着装置１４は、加熱されたロール等で構成され、転写されたトナー像を転写材１２に定着させ、転写材１２を機外に排出する。
【００５２】
＜プロセスカートリッジ＞
図７に示すように、感光体、帯電装置、現像装置、クリーニング装置等を一体化し、電子写真装置に着脱可能に設計されたプロセスカートリッジを用いることもできる。すなわち、帯電部材（帯電ローラ８）が被帯電体（感光体７）と少なくとも一体化され、電子写真装置本体に着脱自在に構成されているプロセスカートリッジである。また、電子写真装置は、少なくとも、プロセスカートリッジ、露光装置及び定着装置を有する。
【実施例】
【００５３】
以下に、具体的な実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明の技術的範囲はこれらに限定されるものではない。
製造例Ａ−１ −熱膨張性マイクロカプセル１の作製−
重合反応容器に、水８Ｌと、分散安定剤としてコロイダルシリカ（旭電化社製）８質量部及びポリビニルピロリドン（ＢＡＳＦ社製）０．２質量部を添加し、水性分散媒体を調製した。
【００５４】
【表１】
表１に示した配合組成物からなる油性混合液を水溶性分散媒体に添加し、更に水酸化ナトリウム０．８質量部を添加することにより、分散液を調製した。
【００５５】
得られた分散液をホモジナイザーで４０００ｒｐｍ×１分間攪拌混合し、窒素置換した加圧重合器（２０Ｌ）内へ仕込み、加圧（０.２ＭＰａ）し、６０℃で２０時間反応させることにより、反応生成物を調製した。得られた反応生成物について、濾過と水洗を繰り返した後、乾燥して製造例Ａ−１の熱膨張性マイクロカプセルを得た。これを熱膨張性マイクロカプセル１とする。
＜熱膨張性マイクロカプセルの粒径の測定＞
熱膨張性マイクロカプセル１を純水１００ｍｌに分散させて、レーザー散乱式粒度分布測定装置（商品名：ＬＡ−９２０、堀場製作所製）を用いて測定した。測定結果は、２５μｍであった。（表２２参照）
【００５６】
製造例Ａ−２ −熱膨張性マイクロカプセル２の作製−
【表２】
表２に示した配合に変更した以外は、製造例Ａ−１と同様にして、熱膨張性マイクロカプセルを得た。得られた熱膨張性マイクロカプセルの粒径は、２９μｍであった。
これを熱膨張性マイクロカプセル２とする。（表２２参照）
【００５７】
製造例Ａ−３ −熱膨張性マイクロカプセル３の作製−
【表３】
表３に示した配合に変更した以外は、製造例Ａ−１と同様にして、熱膨張性マイクロカプセルを得た。得られた熱膨張性マイクロカプセルの粒径は、２８μｍであった。
これを熱膨張性マイクロカプセル３とする。（表２２参照）
【００５８】
製造例Ａ−４ −熱膨張性マイクロカプセル４の作製−
【表４】
表４に示した配合に変更した以外は、製造例Ａ−１と同様にして、熱膨張性マイクロカプセルを得た。得られた熱膨張性マイクロカプセルの粒径は、２３μｍであった。
これを熱膨張性マイクロカプセル４とする。（表２２参照）
【００５９】
製造例Ａ−５ −熱膨張性マイクロカプセル５の作製−
【表５】
表５に示した配合に変更した以外は、製造例Ａ−１と同様にして、熱膨張性マイクロカプセルを得た。得られた熱膨張性マイクロカプセルの粒径は、２９μｍであった。
これを熱膨張性マイクロカプセル５とする。（表２２参照）
【００６０】
製造例Ａ−６ −熱膨張性マイクロカプセル６の作製−
【表６】
表６に示した配合に変更した以外は、製造例Ａ−１と同様にして、熱膨張性マイクロカプセルを得た。得られた熱膨張性マイクロカプセルの粒径は、２４μｍであった。
これを熱膨張性マイクロカプセル６とする。（表２２参照）
【００６１】
製造例Ａ−７ −熱膨張性マイクロカプセル７の作製−
【表７】
表７に示した配合に変更した以外は、製造例Ａ−１と同様にして、熱膨張性マイクロカプセルを得た。得られた熱膨張性マイクロカプセルの粒径は、３１μｍであった。
これを熱膨張性マイクロカプセル７とする。（表２２参照）
【００６２】
製造例Ａ−８ −熱膨張性マイクロカプセル８の作製−
【表８】
表８に示した配合に変更した以外は、製造例Ａ−１と同様にして、熱膨張性マイクロカプセルを得た。得られた熱膨張性マイクロカプセルの粒径は、２７μｍであった。
これを熱膨張性マイクロカプセル８とする。（表２２参照）
【００６３】
製造例Ａ−９ −熱膨張性マイクロカプセル９の作製−
【表９】
表９に示した配合に変更した以外は、製造例Ａ−１と同様にして、熱膨張性マイクロカプセルを得た。得られた熱膨張性マイクロカプセルの粒径は、２５μｍであった。
これを熱膨張性マイクロカプセル９とする。（表２２参照）
【００６４】
製造例Ａ−１０ −熱膨張性マイクロカプセル１０の作製−
【表１０】
表１０に示した配合に変更した以外は、製造例Ａ−１と同様にして、熱膨張性マイクロカプセルを得た。得られた熱膨張性マイクロカプセルの粒径は、２８μｍであった。
これを熱膨張性マイクロカプセル１０とする。（表２２参照）
【００６５】
製造例Ａ−１１ −熱膨張性マイクロカプセル１１の作製−
【表１１】
表１１に示した配合に変更した以外は、製造例Ａ−１と同様にして、熱膨張性マイクロカプセルを得た。得られた熱膨張性マイクロカプセルの粒径は、１５μｍであった。
これを熱膨張性マイクロカプセル１１とする。（表２２参照）
【００６６】
製造例Ａ−１２ −熱膨張性マイクロカプセル１２の作製−
【表１２】
表１２に示した配合に変更した以外は、製造例Ａ−１と同様にして、熱膨張性マイクロカプセルを得た。得られた熱膨張性マイクロカプセルの粒径は、１８μｍであった。
これを熱膨張性マイクロカプセル１２とする。（表２２参照）
【００６７】
製造例Ａ−１３ −熱膨張性マイクロカプセル１３の作製−
【表１３】
表１３に示した配合に変更した以外は、製造例Ａ−１と同様にして、熱膨張性マイクロカプセルを得た。得られた熱膨張性マイクロカプセルの粒径は、２０μｍであった。
これを熱膨張性マイクロカプセル１３とする。（表２２参照）
【００６８】
製造例Ａ−１４ −熱膨張性マイクロカプセル１４の作製−
【表１４】
表１４に示した配合に変更した以外は、製造例Ａ−１と同様にして、熱膨張性マイクロカプセルを得た。得られた熱膨張性マイクロカプセルの粒径は、２５μｍであった。
これを熱膨張性マイクロカプセル１４とする。（表２２参照）
【００６９】
製造例Ａ−１５ −熱膨張性マイクロカプセル１５の作製−
【表１５】
表１５に示した配合に変更した以外は、製造例Ａ−１と同様にして、熱膨張性マイクロカプセルを得た。得られた熱膨張性マイクロカプセルの粒径は、２９μｍであった。
これを熱膨張性マイクロカプセル１５とする。（表２２参照）
【００７０】
製造例Ａ−１６ −熱膨張性マイクロカプセル１６の作製−
【表１６】
表１６に示した配合に変更した以外は、製造例Ａ−１と同様にして、熱膨張性マイクロカプセルを得た。得られた熱膨張性マイクロカプセルの粒径は、２５μｍであった。
これを熱膨張性マイクロカプセル１６とする。（表２２参照）
【００７１】
製造例Ａ−１７ −熱膨張性マイクロカプセル１７の作製−
【表１７】
表１７に示した配合に変更した以外は、製造例Ａ−１と同様にして、熱膨張性マイクロカプセルを得た。得られた熱膨張性マイクロカプセルの粒径は、２６μｍであった。
これを熱膨張性マイクロカプセル１７とする。（表２２参照）
【００７２】
製造例Ａ−１８ −熱膨張性マイクロカプセル１８の作製−
【表１８】
表１８に示した配合に変更した以外は、製造例Ａ−１と同様にして、熱膨張性マイクロカプセルを得た。得られた熱膨張性マイクロカプセルの粒径は、１９μｍであった。
これを熱膨張性マイクロカプセル１８とする。（表２２参照）
【００７３】
製造例Ａ−１９ −熱膨張性マイクロカプセル１９の作製−
【表１９】
表１９に示した配合に変更した以外は、製造例Ａ−１と同様にして、熱膨張性マイクロカプセルを得た。得られた熱膨張性マイクロカプセルの粒径は、３０μｍであった。
これを熱膨張性マイクロカプセル１９とする。（表２２参照）
【００７４】
＜中空粒子の作製＞
製造例Ｂ−１ −中空粒子１の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子１を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。
【００７５】
＜中空粒子の粒径の測定＞
中空粒子１を純水１００ｍｌに分散させて、レーザー散乱式粒度分布測定装置（商品名：ＬＡ−９２０、堀場製作所製）を用いて測定した。測定結果は、９２μｍであった。（表２３参照）
【００７６】
＜シェルの厚さの測定＞
走査型電子顕微鏡（商品名：ＪＳＭ−６４８０、日本電子製）により中空粒子１の断面を観察した。５０個の中空粒子のシェルを直接測定し、その厚さを算術平均により求めた。測定結果は、０．８μｍであった。（表２３参照）
【００７７】
製造例Ｂ−２ −中空粒子２の作製−
熱膨張性マイクロカプセル２ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子２を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。中空粒子の粒径は、１１５μｍであった。シェルの厚さは、１．２μｍであった。（表２３参照）
【００７８】
製造例Ｂ−３ −中空粒子３の作製−
熱膨張性マイクロカプセル３ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子３を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。中空粒子の粒径は、１４８μｍであった。シェルの厚さは、４．０μｍであった。（表２３参照）
【００７９】
製造例Ｂ−４ −中空粒子４の作製−
熱膨張性マイクロカプセル４ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子４を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。中空粒子の粒径は、７３μｍであった。シェルの厚さは、０．５μｍであった。（表２３参照）
【００８０】
製造例Ｂ−５ −中空粒子５の作製−
熱膨張性マイクロカプセル５ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子５を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。中空粒子の粒径は、８２μｍであった。シェルの厚さは、０．６μｍであった。（表２３参照）
【００８１】
製造例Ｂ−６ −中空粒子６の作製−
熱膨張性マイクロカプセル６ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子６を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。中空粒子の粒径は、１２３μｍであった。シェルの厚さは、１．０μｍであった。（表２３参照）
【００８２】
製造例Ｂ−７ −中空粒子７の作製−
熱膨張性マイクロカプセル７ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子７を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。中空粒子の粒径は、１０２μｍであった。シェルの厚さは、１．１μｍであった。（表２３参照）
【００８３】
製造例Ｂ−８ −中空粒子８の作製−
熱膨張性マイクロカプセル８ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子８を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。中空粒子の粒径は、６５μｍであった。シェルの厚さは、０．３μｍであった。（表２３参照）
【００８４】
製造例Ｂ−９ −中空粒子９の作製−
熱膨張性マイクロカプセル９ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子９を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。中空粒子の粒径は、６２μｍであった。シェルの厚さは、１．１μｍであった。（表２３参照）
【００８５】
製造例Ｂ−１０ −中空粒子１０の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１０ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子１０を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。中空粒子の粒径は、１１３μｍであった。シェルの厚さは、０．８μｍであった。（表２３参照）
【００８６】
製造例Ｂ−１１ −中空粒子１１の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１１ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子１１を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。中空粒子の粒径は、１１８μｍであった。シェルの厚さは、０．９μｍであった。（表２３参照）
【００８７】
製造例Ｂ−１２ −中空粒子１２の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１２ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子１２を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。中空粒子の粒径は、８８μｍであった。シェルの厚さは、１．３μｍであった。（表２３参照）
【００８８】
製造例Ｂ−１３ −中空粒子１３の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１３ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子１３を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。中空粒子の粒径は、８５μｍであった。シェルの厚さは、１．２μｍであった。（表２３参照）
【００８９】
製造例Ｂ−１４ −中空粒子１４の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１４ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子１４を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。中空粒子の粒径は、１２４μｍであった。シェルの厚さは、３．５μｍであった。（表２３参照）
【００９０】
製造例Ｂ−１５ −中空粒子１５の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１５ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子１５を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。中空粒子の粒径は、６３μｍであった。シェルの厚さは、０．４μｍであった。（表２３参照）
【００９１】
製造例Ｂ−１６ −中空粒子１６の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１６ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子１６を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。中空粒子の粒径は、１４６μｍであった。シェルの厚さは、２．０μｍであった。（表２３参照）
【００９２】
製造例Ｂ−１７ −中空粒子１７の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１７ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子１７を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。中空粒子の粒径は、１３２μｍであった。シェルの厚さは、１．５μｍであった。（表２３参照）
【００９３】
製造例Ｂ−１８ −中空粒子１８の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１８ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子１８を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。中空粒子の粒径は、８２μｍであった。シェルの厚さは、０．６μｍであった。（表２３参照）
【００９４】
製造例Ｂ−１９ −中空粒子１９の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１９ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子１９を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。中空粒子の粒径は、９９μｍであった。シェルの厚さは、０．９μｍであった。（表２３参照）
【００９５】
＜帯電ローラの作製＞
製造例Ｃ−１ −帯電ローラ１の作製−
直径６ｍｍ、長さ２５８ｍｍのステンレス製棒に、熱硬化性接着剤（商品名：メタロックＵ−２０、東洋化学研究所社製）を塗布し、２００℃の熱風炉内にて３０分間静置して導電性基体を得た。
弾性層用のコンパウンド作製にあたり、まず、５０℃に調節した密閉型ミキサーにて表２０に示した材料を１５分間混練し、ゴムコンパウンドＡを調整した。
【００９６】
【表２０】
次に、２０℃に冷却した二本ロール機にて表２１に示した材料を１５分間混練して、ゴムコンパウンドＢを調整した。
【００９７】
【表２１】
続いて、図８に示すクロスヘッドを具備する押出機を用いて、導電性基体１を中心軸として、同軸上に円筒状に原料ゴム組成物を被覆した帯電部材を得た。外径は、直径（φ）９ｍｍから１０ｍｍになるように調整した。押出機の温度は８０℃から１００℃になるように設定した。得られた帯電部材を熱風炉で加熱したのち、弾性層の端部を除去して、長さが２２４．２ｍｍの弾性層を有する帯電部材を得た。熱風炉の温度は、１５０℃から１８０℃で帯電部材の外径が、１２．５ｍｍ以上になるように調整した。
そして、前記帯電部材の弾性層の外周面を、図９に示すプランジカット式の円筒研磨機を用いて研磨して、弾性層の外径を直径（φ）１２ｍｍに調整し、帯電ローラ１を得た。
【００９８】
＜電気抵抗値の測定＞
電気抵抗値の測定方法は、図１０に示す装置で行った。アルミドラムに帯電ローラを接触させ、接触面積が均一になるように導電性支持体の両端部に３００ｇの加重をかけ、アルミドラムを回転させた。そして、帯電ローラは従動回転させながら３００Ｖの直流電圧をかけて流れる電流を測定し、帯電ローラの電気抵抗値（Ω）を求めた。
帯電ローラは、Ｎ／Ｎ（常温常湿：２３℃／５５％ＲＨ）環境に２４時間以上放置した後に電気抵抗値を測定した。
【００９９】
＜硬度の測定＞
硬度の測定は、以下の方法で行った。ＪＩＳ Ｋ７３１２硬さ試験の規格に準じて、アスカーＣ型硬度を測定した。その測定は、「アスカーゴム硬度計Ｃ型」（商品名、高分子計器株式会社製）を用いて行う。アスカーＣ型硬度は、帯電ローラを無作為に６箇所測定し、その平均値である。
【０１００】
＜表面粗さの測定＞
表面粗さの測定は、以下の方法で行った。ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１表面粗さの規格に準じて、十点平均粗さＲｚｊｉｓを測定した。その測定は、表面粗さ測定器「ＳＥ−３４００」（商品名、株式会社小坂研究所製）を用いて行う。Ｒｚｊｉｓは、帯電ローラを無作為に６箇所測定し、その平均値である。
【０１０１】
＜中空粒子の粒径の測定＞
走査型電子顕微鏡（商品名：ＪＳＭ−６４８０、日本電子製）により帯電ローラ１の断面を観察した。５０個の中空粒子の粒径を直接測定し、その算術平均により中空粒子の粒径を求めた。
【０１０２】
＜シェルの厚さの測定＞
走査型電子顕微鏡（商品名：ＪＳＭ−６４８０、日本電子製）により帯電ローラ１の断面を観察した。５０個の中空粒子のシェルを測定し、その厚さを算術平均により求めた。
【０１０３】
＜密度の測定＞
密度の測定は以下の方法で行った。ＪＩＳ Ｋ６２６８の規定に準じて、密度を測定した。帯電ローラの密度を無作為に６箇所測定し、その平均値を求めた。各測定結果を表２４に示す。
【０１０４】
製造例Ｃ−２ −帯電ローラ２の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、熱膨張性マイクロカプセル２ ９質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ２を得た。帯電ローラ２について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１０５】
製造例Ｃ−３ −帯電ローラ３の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、熱膨張性マイクロカプセル３ １１質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ３を得た。帯電ローラ３について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１０６】
製造例Ｃ−４ −帯電ローラ４の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、熱膨張性マイクロカプセル４ ８質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ４を得た。帯電ローラ４について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１０７】
製造例Ｃ−５ −帯電ローラ５の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、熱膨張性マイクロカプセル５ １２質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ５を得た。帯電ローラ５について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１０８】
製造例Ｃ−６ −帯電ローラ６の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、熱膨張性マイクロカプセル６ １３質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ６を得た。帯電ローラ６について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１０９】
製造例Ｃ−７ −帯電ローラ７の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、熱膨張性マイクロカプセル７ ９質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ７を得た。帯電ローラ７について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１１０】
製造例Ｃ−８ −帯電ローラ８の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、熱膨張性マイクロカプセル８ １０質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ８を得た。帯電ローラ８について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１１１】
製造例Ｃ−９ −帯電ローラ９の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、熱膨張性マイクロカプセル９ １４質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ９を得た。帯電ローラ９について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１１２】
製造例Ｃ−１０ −帯電ローラ１０の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、熱膨張性マイクロカプセル１０ ８質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ１０を得た。帯電ローラ１０について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１１３】
製造例Ｃ−１１ −帯電ローラ１１の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、熱膨張性マイクロカプセル１１ １３質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ１１を得た。帯電ローラ２について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１１４】
製造例Ｃ−１２ −帯電ローラ１２の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、熱膨張性マイクロカプセル１２ １５質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ１２を得た。帯電ローラ１２について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１１５】
製造例Ｃ−１３ −帯電ローラ１３の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、熱膨張性マイクロカプセル１３ １１質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ１３を得た。帯電ローラ１３について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１１６】
製造例Ｃ−１４ −帯電ローラ１４の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、熱膨張性マイクロカプセル１４ ７質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ１４を得た。帯電ローラ１４について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１１７】
製造例Ｃ−１５ −帯電ローラ１５の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、熱膨張性マイクロカプセル１５ １０質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ１５を得た。帯電ローラ１５について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１１８】
製造例Ｃ−１６ −帯電ローラ１６の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、熱膨張性マイクロカプセル１６ ９質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ１６を得た。帯電ローラ１６について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１１９】
製造例Ｃ−１７ −帯電ローラ１７の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、熱膨張性マイクロカプセル１７ １１質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ１７を得た。帯電ローラ１７について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１２０】
製造例Ｃ−１８ −帯電ローラ１８の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、熱膨張性マイクロカプセル１８ １３質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ１８を得た。帯電ローラ１８について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１２１】
製造例Ｃ−１９ −帯電ローラ１９の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、熱膨張性マイクロカプセル１９ ６質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ１９を得た。帯電ローラ１９について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１２２】
製造例Ｃ−２０ −帯電ローラ２０の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子１ １００質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ２０を得た。帯電ローラ２０について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１２３】
製造例Ｃ−２１ −帯電ローラ２１の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子２ ９０質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ２１を得た。帯電ローラ２１について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１２４】
製造例Ｃ−２２ −帯電ローラ２２の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子３ １２０質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ２２を得た。帯電ローラ２２について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１２５】
製造例Ｃ−２３ −帯電ローラ２３の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子４ １１０質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ２３を得た。帯電ローラ２３について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１２６】
製造例Ｃ−２４ −帯電ローラ２４の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子５ ７５質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ２４を得た。帯電ローラ２４について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１２７】
製造例Ｃ−２５ −帯電ローラ２５の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子６ １３０質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ２５を得た。帯電ローラ２５について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１２８】
製造例Ｃ−２６ −帯電ローラ２６の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子７ １１５質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ２６を得た。帯電ローラ２６について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１２９】
製造例Ｃ−２７ −帯電ローラ２７の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子８ ８５質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ２７を得た。帯電ローラ２７について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１３０】
製造例Ｃ−２８ −帯電ローラ２８の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子９ ６５質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ２８を得た。帯電ローラ２８について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１３１】
製造例Ｃ−２９ −帯電ローラ２９の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子１０ １０５質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ２９を得た。帯電ローラ２９について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１３２】
製造例Ｃ−３０ −帯電ローラ３０の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子１１ ９５質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ３０を得た。帯電ローラ３０について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１３３】
製造例Ｃ−３１ −帯電ローラ３１の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子１２ １２０質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ３１を得た。帯電ローラ３１について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１３４】
製造例Ｃ−３２ −帯電ローラ３２の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子１３ ８０質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ３２を得た。帯電ローラ３２について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１３５】
製造例Ｃ−３３ −帯電ローラ３３の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子１４ ９５質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ３３を得た。帯電ローラ３３について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１３６】
製造例Ｃ−３４ −帯電ローラ３４の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子１５ １１０質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ３４を得た。帯電ローラ３４について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１３７】
製造例Ｃ−３５ −帯電ローラ３５の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子１６ １４０質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ３５を得た。帯電ローラ３５について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１３８】
製造例Ｃ−３６ −帯電ローラ３６の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子１７ １２０質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ３６を得た。帯電ローラ３６について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１３９】
製造例Ｃ−３７ −帯電ローラ３７の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子１８ ９５質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ３７を得た。帯電ローラ３７について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１４０】
製造例Ｃ−３８ −帯電ローラ３８の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子１９ １３０質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ３８を得た。帯電ローラ３８について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１４１】
製造例Ｃ−３９ −帯電ローラ３９の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、４，４’−チオビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）（Ｈ-1） ４０質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ３９を得た。帯電ローラ２について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。なお、中空粒子の粒径、シェルの厚さの測定は実施しなかった。
上記帯電ローラ１〜３９の各種物性の測定結果を表２４に示す。
【０１４２】
＜実施例１ −帯電ローラ１の画像評価−＞
＜振動起因のスジ状画像の評価＞
電子写真装置として、キヤノン社製カラーレーザージェットプリンター（商品名：ＳａｔｅｒａＬＢＰ５４００）を記録メディアの出力スピード２００ｍｍ／ｓｅｃ（Ａ４縦出力）に改造して用いた。画像の解像度は、６００ｄｐｉ、１次帯電の出力は直流電圧−１１００Ｖである。プロセスカートリッジとして、前記プリンター用のプロセスカートリッジを改造して用いた。前記プロセスカートリッジから帯電ローラを取り外して、感光体ドラムに対して一端で２．５Ｎ、両端で５．０Ｎのバネによる押し圧力で、本発明の帯電ローラ１をセットした。Ｎ／Ｎ（常温常湿：２３℃／５５％ＲＨ）環境で、ハーフトーン画像（感光体の回転方向と垂直方向に幅１ドット、間隔２ドットの横線を描く画像）を出力して、ハーフトーン画像上に存在する振動起因のスジ状画像の評価を行った。評価の基準は以下の通りである。
【０１４３】
ランク１；スジ状画像が発生しない。
ランク２；スジ状画像が軽微に発生するのみ。
ランク３；一部にスジ状画像が帯電ローラのピッチで確認できるが、実用上問題の無い画質である。
ランク４；スジ状画像が目立ち、画質の低下が認められる。
帯電ローラ１は、スジ状画像が発生しなかった。（表２５参照）
【０１４４】
＜Ｃセット起因の横線画像の評価＞
電子写真装置として、キヤノン社製カラーレーザージェットプリンター（商品名：ＳａｔｅｒａＬＢＰ５４００）を用いた。画像の解像度は、６００ｄｐｉ、１次帯電の出力は直流電圧−１１００Ｖである。プロセスカートリッジとして、前記プリンター用のプロセスカートリッジを改造して用いた。前記プロセスカートリッジから帯電ローラを取り外して、感光体ドラムに対して一端で４．９N、両端で９．８Nのバネによる押し圧力で、本発明の帯電ローラ１をセットした。
【０１４５】
このプロセスカートリッジを４０℃、９５％ＲＨの環境に１ヶ月間放置（苛酷放置）した。次に、プロセスカートリッジをＮ／Ｎ（常温常湿：２３℃／５５％ＲＨ）環境で６時間放置した後に、前記電子写真装置に装着し、同様の環境にて画像を出力した。出力した画像についてＣセット起因の横線画像の評価を行った。評価の基準は以下の通りである。
ランク１；横線画像が発生しない。
ランク２；軽微な横線画像が認められるのみであり、帯電ローラのピッチでは確認できない。
ランク３；横線画像が帯電ローラのピッチで確認できるが、実用上問題の無い画質である。
ランク４；横線画像が目立ち、画質の低下が認められる。
帯電ローラ１は、横線画像が発生しなかった。（表２５参照）
【０１４６】
＜実施例２〜３０、比較例１〜９ −帯電ローラ２〜３９の画像評価−＞
帯電ローラ１を表２５に示した帯電ローラに変更した以外は、実施例１と同様の方法で、振動起因のスジ状画像とＣセット起因の横線画像の評価を行った。振動起因のスジ状画像の評価結果は、表２５に示した。
【０１４７】
【表２２】
【０１４８】
【表２３】
【０１４９】
【表２４】
【０１５０】
【表２５】
【符号の説明】
【０１５１】
１．導電性基体
２．弾性層
３．バインダー
４．中空粒子
５．シェル
６．中空部
７．感光体
８．帯電ローラ
９．潜像形成装置
１０．現像ローラ
１１．転写ローラ
１２．転写材
１３．クリーニング部材
１４．定着装置
１５．アルミドラム
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子写真画像形成装置（以下、「電子写真装置」と呼ぶ）に使用される帯電部材、プロセスカートリッジ及び電子写真装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真装置において、電子写真感光体（以下、「感光体」と呼ぶ）の帯電方式として、感光体に接触又は近接配置した帯電部材に電圧を印加することによって感光体を帯電する接触帯電方式が多く採用されている。
【０００３】
ところで、接触帯電方式を採用した電子写真装置における課題の一つとして、電子写真装置の稼働に伴う帯電部材の振動に起因する電子写真画像へのスジの発生がある。これは、帯電部材の振動によって帯電部材による感光体の帯電が不安定になることが一つの原因と考えらえる。このような振動の課題に対して、特許文献１では、弾性層の硬度及び比重を制御して、振動吸収性を高めた帯電部材を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２０９２３６号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】高分子と低分子からなる有機ハイブリッドの動的粘弾性 日本ゴム協会誌，Ｖｏｌ．７６（２００３）Ｎｏ．５ ｐｐ．１６７−１７２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、近年の電子写真装置のプロセススピードの高速化に伴い、帯電部材に加わる振動は増大する傾向にあり、本発明者らは、帯電部材の振動への対策には、未だ改善の余地があるとの認識を得た。そこで、本発明者らは、帯電部材の振動に起因する上記の課題について、帯電部材の構成および構成材料によって解決すべく鋭意検討した。
ここで、本発明者らは、非特許文献１の開示に基づき、弾性層に極性基を有する樹脂とヒンダードフェノールとを含有させることを検討した。すなわち、非特許文献１には、ヒンダードフェノールによる制振効果の発現について記載されている。
しかしながら、かかる弾性層を有する帯電ローラを用いて電子写真画像の形成を行ったところ、帯電ローラの弾性層に圧縮永久歪み（以下、「Ｃセット」と呼ぶ）が生じた場合に、当該Ｃセットに起因する横スジが電子写真画像が発現し易くなることがわかった。
【０００７】
Ｃセットとは、帯電部材と感光体を接触させたまま長期間放置した場合、帯電部材の感光体との当接位置に生じる容易には回復しない変形をいう。そして、Ｃセットの生じた帯電部材を用いて感光体を帯電させた場合、帯電部材と感光体とのニップ近傍において生じる放電状態が帯電部材のＣセット発生部分とＣセット非発生部分とで異なるため、Ｃセット発生部分にかかる帯電の結果が電子写真画像に横スジとして現れてくると考えられる。 そして、極性基を有する樹脂とヒンダードフェノールとを含有してなる弾性層は、粘度が上昇し、Ｃセットが生じやすくなることが判明した。
そこで、本発明は、振動の抑制によって、電子写真画像への振動起因のスジの発生を抑制すると共に、Ｃセットに起因する電子写真画像へのスジの発生をも抑制し得る帯電部材の提供に向けたものである。
また、本発明は、高品位な電子写真画像の形成に資するプロセスカートリッジおよび高品位な電子写真画像を形成することのできる電子写真装置の提供に向けたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の帯電部材は、導電性基体の上に少なくとも弾性層を有する帯電部材であって、弾性層は、バインダーとバインダーに分散された中空粒子とを含有している。前記中空粒子は、図１に示す一般式（１）から（４）のいずれかを構成単位として有する重合体（以下「極性基を有する重合体」と呼ぶ）とヒンダードフェノールとを含有するシェルを有していることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、振動起因およびＣセット起因の画像欠陥の発生をより良く抑制することのできる帯電部材を得ることができる。また、本発明に係るプロセスカートリッジ及び電写真装置によれば、高品位な電子写真画像を安定して形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明に係る中空粒子を構成する重合体の構成単位の一般式である。
【図２】本発明の帯電部材の説明図である。
【図３】本発明の帯電部材の弾性層の模式図である。
【図４】本発明に係るヒンダードフェノールの構造式である。
【図５】極性基を有する重合体とヒンダードフェノールとの水素結合の説明図である。
【図６】本発明の帯電部材を適用できる電子写真装置の概略図である。
【図７】本発明の帯電部材を適用できるプロセスカートリッジの概略図である。
【図８】クロスヘッドを用いた押出装置の概念図である。
【図９】プランジカット式研磨機の概念図である。
【図１０】本発明の帯電部材（帯電ローラ）の電気抵抗値の測定方法の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
＜帯電部材＞
本発明の帯電部材は、ローラ形状、平板形状、ベルト形状等の形状を取ることができる。以下、図２に示す帯電ローラを例示して、本発明の帯電部材の構成について説明する。
帯電ローラは、導電性基体１と、導電性基体１の上に形成された弾性層２を有する。弾性層２は、図３に示すようにバインダー３と中空粒子４を含有する。中空粒子４は、シェル５と中空部６から構成される。シェル５は、内部に極性基を有する重合体とヒンダードフェノールを含有している。中空粒子４は、シェル５に存在する極性基を有する重合体とヒンダードフェノールによって、振動吸収性が付与されている。
【００１２】
帯電部材が振動を吸収することで、帯電部材と感光体の接触状態が安定化する。帯電部材と感光体の接触点近傍で発生する帯電が均一になり、スジ状画像が抑制される。中空粒子の振動吸収性が向上する理由は、極性基を有する重合体がヒンダードフェノールと水素結合することによって、振動エネルギーが熱エネルギーに変換されるからである。
また、中空粒子のシェル中にヒンダードフェノールを含有させることによって、弾性層の粘度の上昇を抑制することができる。これにより、弾性層の圧縮変形が低減して、Ｃセット起因の横線画像の発生が抑制される。
【００１３】
＜シェル＞
本発明の中空粒子のシェルは、極性基を有する重合体である。極性基を有する重合体とは、下記に示す一般式（１）から（４）のいずれかを構成単位として有する重合体のことである。
一般式（１）を構成単位として有する重合体は、メトキシカルボニル基を有する重合体である。Ｒ１は、水素原子または、炭素数１〜４のアルキル基である。アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、２−エチルプロペン酸メチル、２−ブチルプロペン酸メチル、２−プロピルプロペン酸メチルのいずれかを単独か、あるいはその他の公知な重合性単量体を含む２種類以上と組み合わせた重合体を例示できる。
【００１４】
【化１】
【００１５】
一般式（２）を構成単位として有する重合体は、アセトキシ基を有する重合体である。Ｒ２は、水素原子または、炭素数１〜４のアルキル基である。ビニルアセテート、メチルビニリデンアセテート、エチルビニリデンアセテート、ブチルビニリデンアセテート、プロピルビニリデンアセテートのいずれかを単独か、あるいはその他の公知な重合性単量体を含む２種類以上と組み合わせた重合体を例示できる。
【００１６】
【化２】
【００１７】
一般式（３）を構成単位として有する重合体は、シアノ基を有する重合体である。Ｒ３は、水素原子または、炭素数１〜４のアルキル基である。アクリロニトリル、メタクリルニトリル、2-シアノ-1-ブテン、2-シアノ-1-ヘプテン、2-シアノ-1-ヘキセンのいずれかを単独か、あるいはその他の公知な重合性単量体を含む２種類以上と組み合わせた重合体を例示できる。
【００１８】
【化３】
【００１９】
一般式（４）を構成単位として有する重合体は、クロロメチル基を有する重合体である。エピクロロヒドリンを単独で、あるいはその他の公知な重合性単量体を含む２種類以上と組み合わせた重合体を例示できる。
【００２０】
【化４】
【００２１】
本発明の効果を得るためには、中空粒子のシェルを構成する重合体の側鎖が、メトキシ基、カルボニル基、アセトキシ基、シアノ基の群からなる少なくとも一つを含有する必要がある。これは、上記の側鎖と後述するヒンダードフェノールの水酸基との間で、水素結合を効率良く形成させるためである。側鎖の電気陰性度により、水素結合形成の効率が高まっていると推測している。側鎖の含有率は、重合体の単量体総重量に対して２０〜１００重量％であることが望ましい。より望ましくは、６０〜１００重量％である。
本発明の重合体の分子量は、特に限定しないが、１万〜１００万程度であることが望ましい。より好ましくは、５万〜５０万程度である。
【００２２】
＜ヒンダードフェノール＞
ヒンダードフェノールとは、水酸基近傍にｔｅｒｔ−ブチル基等の嵩高い置換基を有するフェノールを示す。具体的には、４，４’−チオビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）（Ｈ−１）、４，４’−ブチリデンビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）（Ｈ−２）、２，２’−メチレンビス（４−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）（Ｈ−３）、２，２’−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（Ｈ−４）、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート（Ｈ−５）、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−ベンゼン（Ｈ−６）、ペンタエリスリチル−テトラキス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（Ｈ−７）、１，３，５−トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−ｓ−トリアジン−２，４，６−（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）トリオン、１，１，３−トリス（５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）ブタン、４，４’−ブチリデンビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、トリエチレングリコール−ビス［３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、３，９−ビス［１，１−ジメチル−２−［（３−第三ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ］エチル］−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカン、１，６−ヘキサンジオール−ビス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、２，２’−メチレンビス（４−エチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルハイドロキノン、２，５−ジ−ｔｅｒｔ−アミルハイドロキノン、１，４−ビス（４−ベンゾイル−３−ヒドロキシフェノキシ）−ブタン、１−［２−｛３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキフェニル）プロピオニルオキシ｝エチル］−４−｛３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ｝−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン等を例示できる。上記（Ｈ−１）〜（Ｈ−７）に関しては、図４に構造式を示す。
【００２３】
本発明の効果を得るためには、中空粒子のシェルはヒンダードフェノールを含有する必要がある。この理由は前述の重合体の側鎖とヒンダードフェノールの水酸基が、水素結合を形成するからである。
ヒンダードフェノールは水酸基の隣に少なくとも一つのｔｅｒｔ−ブチル基を有する必要がある。この理由は、図５に示すように、重合体の側鎖とヒンダードフェノールの水酸基の水素結合を強固なものにすることができるからである。ｔｅｒｔ−ブチル基は、電子供与性により、水酸基の分極を促進する。これにより、重合体の側鎖との水素結合形成の効率を高めることができる。同時に、一旦、水素結合が完成すると、ｔｅｒｔ−ブチル基はその嵩高さゆえに、重合体の側鎖が乖離することを妨げる。上記の理由により、この強固な水素結合の形成により、高い振動吸収効果が発現されると考察している。
【００２４】
ヒンダードフェノールの中でも、４，４’−チオビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）（Ｈ−１）、４，４’−ブチリデンビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）（Ｈ−２）は、図５に示すように、その分子構造、分子量が、重合体間の架け橋となりやすいため、より強固な水素結合が形成するため、振動吸収性が増大する。
【００２５】
＜中空粒子＞
本発明の中空粒子は、内部が気泡であり、シェルが極性基を有する重合体とヒンダードフェノールを含有した粒子である。このような粒子を製造する方法として、熱膨張性マイクロカプセルを加熱膨張させる方法がある。
熱膨張性マイクロカプセルは、樹脂の内部に内包物質を含有する粒子である。内包物質は、加熱すると気化して粒子を膨張させる。これにより、中空粒子となる。あらかじめ加熱膨張させた中空粒子を添加しても良いし、弾性層に添加してから加熱膨張させても良い。
【００２６】
生産性を考慮すると、弾性層の加熱加工時に熱膨張性マイクロカプセルを膨張させる方法が望ましい。加熱加工時の温度条件やカプセル発泡特性を制御することにより、シェル構造を維持した状態で安定に弾性層を成形することができるからである。膨張したマイクロカプセルも利用することができるが、比重が小さいため分散しにくく加工性が劣る。
【００２７】
＜中空粒子の粒径＞
中空粒子の粒径は１０μｍ〜５００μｍであり、より好ましくは５０μｍ〜２００μｍである。中空粒子の粒径が１０μｍ未満である場合、中空粒子の振動吸収性が弱くなり、振動起因のスジ状画像が生じやすくなる。中空粒子の粒径が５００μｍを超える場合、中空粒子の剛性が弱くなり、Ｃセット起因の横線画像が生じやすくなる。
【００２８】
熱膨張性マイクロカプセルを用いて中空粒子を製造する場合、中空粒子の粒径は、加熱・膨張時の温度や反応時間によってコントロールすることができる。
中空粒子の粒径は、光学顕微鏡、電子顕微鏡等を用いて観察した中空粒子の断面から計測して求めることができる。
【００２９】
＜シェルの厚さ＞
シェルの厚さ（シェル壁の厚さ）は５０ｎｍ〜１０μｍであり、より好ましくは１００ｎｍ〜１μｍである。シェルの厚さが５０ｎｍ未満である場合、中空粒子の振動吸収性が弱くなり、振動起因のスジ状画像が生じやすくなる。また、シェルの厚さが厚くなり（１０μｍ超）、中空粒子の中空部の体積が減少すると、中空粒子の振動吸収性が弱くなり、振動起因のスジ状画像が生じやすくなる。
【００３０】
熱膨張性マイクロカプセルを用いて中空粒子を製造する場合、シェルの厚さは、重合性単量体と内包物質の比率等によってコントロールすることができる。
シェルの厚さは、光学顕微鏡、電子顕微鏡等を用いて観察した中空粒子の断面から計測して求めることができる。
【００３１】
＜弾性層＞
弾性層は、バインダーと中空粒子が必須成分である。それら以外に導電性材料、可塑剤、増量材、加硫剤、加硫促進剤、老化防止剤等を任意に用いることができる。中空粒子の含有量は、バインダー１００質量部に対して２質量部から５０質量部、より好ましくは５質量部から３０質量部の範囲が適当である。
【００３２】
＜バインダー＞
弾性層に適用できるバインダーとしては、以下のものを挙げることができる。アクリロニトリルブタジエンゴム、アクリルゴム、エピクロロヒドリンゴム、ウレタンゴム、エチレンプロピレンゴム、スチレンブタジエンゴム、シリコーンゴム、アクリルゴム等が使用できる。これらは、単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。
より好ましいバインダーとしては、アクリロニトリルブタジエンゴム、アクリルゴム、エピクロロヒドリンゴムである。これらのバインダーは、中空粒子が含有するヒンダードフェノールと界面近傍で水素結合を形成することができる。ゆえに、中空粒子とバインダーの摩擦が大きくなり、さらに振動抑制性が高まる。
【００３３】
＜導電性材料＞
弾性層に適用できる導電性材料としては、電子導電材とイオン導電剤の二種類がある。電子導電材としては、アルミニウム、パラジウム、鉄、銅、銀の如き金属系の微粒子や繊維、酸化チタン、酸化錫、酸化亜鉛の如き金属酸化物、金属系微粒子、カーボンブラック、及び、カーボン系微粒子等が挙げられる。また、これらを、単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。電子導電材の中でも、長期間に渡って電気抵抗を維持できることからカーボンブラックが好適に用いられる。弾性層が含有する電子導電材の量は、バインダー１００質量部に対して２質量部から２００質量部、好ましくは５質量部から１００質量部の範囲が適当である。
【００３４】
イオン導電剤としては、過塩素酸リチウムの如き無機イオン物質、変性脂肪族ジメチルエチルアンモニウムエトサルフェートの如き陽イオン性界面活性剤、ジメチルアルキルラウリルベタインの如き両性イオン界面活性剤、過塩素酸トリメチルオクタデシルアンモニウムの如き第四級アンモニウム塩、トリフルオロメタンスルホン酸リチウム等の有機酸リチウム塩等が挙げられる。これらを単独又は２種類以上組み合わせて用いることができる。イオン導電剤の中でも、環境変化に対して抵抗が安定なことから特に過塩素酸４級アンモニウム塩が好適に用いられる。弾性層が含有するイオン導電剤の量は、バインダー１００質量部に対して０．０１質量部から５質量部、好ましくは０．１質量部から２質量部の範囲が適当である。
【００３５】
＜導電性基体＞
導電性基体は、導電性を有し、その上に設けられる表面層等を支持する機能を有するものである。材質としては、例えば、鉄、銅、ステンレス、アルミニウム、ニッケル等の金属やその合金を挙げることができる。また、これらの表面に耐傷性付与を目的として、導電性を損なわない範囲で、メッキ処理等を施してもよい。さらに、導電性基体として、樹脂製の基材の表面を金属等で被覆して表面導電性としたものや導電性樹脂組成物から製造されたものも使用可能である。
【００３６】
＜熱膨張性マイクロカプセルの製造方法＞
重合性単量体、ヒンダードフェノール、内包物質を混合し、この混合物を界面活性剤や分散安定剤を含む水性媒体中に分散させた後、懸濁重合させる方法によって得られる。必要により重合開始剤、重合性単量体の官能基と反応する反応性基を有する化合物、熱可塑性樹脂、有機フィラーを添加してもよい。
【００３７】
懸濁重合は、耐圧容器を用い、密閉下で行うことが好ましい。また、分散機等で懸濁してから、耐圧容器に移して懸濁重合してもよく、耐圧容器内で懸濁させてもよい。重合温度（℃）は、５０〜１２０が好ましい。重合は、大気圧下で行ってもよいが、内包物質等を気体状にさせないようにするため加圧下（大気圧＋０．１〜１ＭＰａ）で行うことが好ましい。重合終了後は、遠心分離や濾過等によって、固液分離及び／又は洗浄してもよい。固液分離や洗浄する場合、この後、シェルを構成する樹脂の軟化温度以下にて乾燥や粉砕してもよい。
【００３８】
乾燥及び粉砕は、既知の方法により行うことができ、気流乾燥機、順風乾燥機及びナウターミキサー等を使用できる。また、乾燥及び粉砕は粉砕乾燥機等によって同時に行うこともできる。水性媒体、界面活性剤及び分散安定剤は、熱膨張性マイクロカプセルの製造後に洗浄濾過等により除去してもよい。
重合性単量体、ヒンダードフェノールに関しては、前述に準ずる。
【００３９】
＜内包物質＞
内包物質としては、ペンタン、イソペンタン、ｎ−ヘキサン、イソヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレン、シクロヘキサン、シクロペンタン、メチルシクロヘキサン、塩化エチル、臭化メチル、メタノール、エタノール、ブタノール、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、アセトン、メチルエチルケトン等が例示できる。これらのうち好ましいのはイソペンタン、イソヘキサン、ｎ−ヘキサンである。内包物質の使用量は、構成単位とする重合性単量体１００質量部に対して、５〜５０質量部が好ましい。
【００４０】
＜重合開始剤＞
重合開始剤としては、特に限定されるものではないが、重合性単量体に可溶の開始剤が好ましく、公知のパーオキサイド開始剤及びアゾ開始剤等を使用できる。これらのうち、アゾ開始剤が好ましく、さらに好ましくは２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、１，１’−アゾビスシクロヘキサン１−カルボニトリル、２，２’−アゾビス−４−メトキシ−２，４−ジメチルバレロニトリル及び２，２’−アゾビス−２，４−ジメチルバレロニトリル、特に好ましくは２，２’−アゾビスイソブチロニトリルである。重合開始剤を用いる場合、この使用量は、構成単位とする重合性単量体１００質量部に対して、０．０１〜５質量部が好ましい。
【００４１】
＜界面活性剤＞
界面活性剤としては、アニオン性界面活性剤（ラウリル硫酸ナトリウム、（ポリ）オキシエチレン（重合度１〜１００）ラウリル硫酸ナトリウム及び（ポリ）オキシエチレン（重合度１〜１００）ラウリル硫酸トリエタノールアミン等）、カチオン性界面活性剤（塩化ステアリルトリメチルアンモニウム、ステアリン酸ジエチルアミノエチルアミド乳酸塩、ジラウリルアミン塩酸塩及びオレイルアミン乳酸塩等）、ノニオン性界面活性剤（アジピン酸ジエタノールアミン縮合物、ラウリルジメチルアミンオキシド、モノステアリン酸グリセリン、モノラウリン酸ソルビタン及びステアリン酸ジエチルアミノエチルアミド乳酸塩等）及び両性界面活性剤（ヤシ油脂肪酸アミドプロピルジメチルアミノ酢酸ベタイン、ラウリルヒドロキシスルホベタイン及びβ−ラウリルアミノプロピオン酸ナトリウム等）が含まれ、これらの界面活性剤の他に、高分子型分散剤（ポリビニルアルコール、デンプン及びカルボキシメチルセルロース等）を使用することができる。界面活性剤を使用する場合、この使用量は、構成単位とする重合性単量体１００質量部に対して、０．０１〜１０質量部が好ましい。
【００４２】
＜分散剤＞
分散安定剤としては、有機微粒子（ポリスチレン微粒子、ポリメタクリル酸メチル微粒子、ポリアクリル酸微粒子及びポリエポキシド微粒子等）、シリカ（コロイダルシリカ等）、炭酸カルシウム、リン酸カルシウム、水酸化アルミニウム、炭酸バリウム及び水酸化マグネシウム等が挙げられる。分散安定剤を使用する場合、この使用量（重量％）は、構成単位とする重合性単量体１００質量部に対して、０．０１〜２０質量部が好ましい。
【００４３】
＜熱膨張性マイクロカプセルの粒径＞
熱膨張マイクロカプセルの粒径は、０．１μｍ〜１５０μｍが好ましく、より好ましくは１０μｍ〜４０μｍである。熱膨張性マイクロカプセルの形状は、針状や扁平状でもよいが、膨張性の観点等から、球状であることが好ましい。また、粒径に関しては、分級等を行うことにより、所望の粒径、粒度分布に制御することが可能である。
【００４４】
＜弾性層の形成＞
弾性層を形成するための材料は、バインダー、導電性材料、熱膨張性マイクロカプセルあるいは中空粒子、その他各種添加剤等を混練機で混練して原料ゴム組成物を作製する。混練機としては、リボンブレンダー、ナウターミキサー、ヘンシェルミキサー、スーパーミキサー、バンバリーミキサー、加圧ニーダー等が挙げられる。
原料ゴム組成物から弾性層を形成する方法としては、例えば、次の方法が挙げられる。クロスヘッドを具備する押出成形装置を用いて、接着剤を塗布した導電性基体を中心軸として、同軸上に円筒状に原料ゴム組成物を被覆して、導電性基体と弾性層材料を一体的に押出して作製する。クロスヘッドは、一般に電線や針金の被覆に用いられている装置であり、押出機のシリンダのゴム排出部に取り付けて使用されるものである。
【００４５】
また、ゴムチューブを形成し、接着剤を塗布した導電性基体を該チューブに挿入し、接着する方法が挙げられる。また、接着剤を塗布した導電性基体に未加硫のゴムシートを被覆し、金型内で加硫を行う方法が挙げられる。
【００４６】
＜研磨加工＞
また、得られた帯電部材の表面を研磨してもよい。所定の外径寸法を形成する円筒研磨機としては、トラバース方式のＮＣ円筒研磨機、プランジカット方式のＮＣ円筒研磨機などを用いることができる。プランジカット方式のＮＣ円筒研磨機は、トラバース方式に比べ幅広な研削砥石を用いるため加工時間が短くすることができ、また研削砥石の径変化が少ないので好ましい。
【００４７】
＜表面層＞
本発明の帯電部材に塗工・加熱を施して表面層を形成してもよい。表面層は、原材料の塗工液を塗工して形成する。塗工方法としては、垂直型リング塗工法、ディッピング塗工法、浸漬塗工法、スプレー塗工法、ロールコート法、カーテンコート法又はグラビア印刷等が挙げられる。その中でも垂直型リング塗工法やディッピング塗工法が最も用いられる。表面層の厚さは、１μｍ〜１００μｍ程度が好ましい。より好ましくは、１０μｍ〜３０μｍ程度である。
【００４８】
＜物性値とその測定方法＞
本発明の帯電部材の電気抵抗、表面粗さ、硬度については、特に限定はしないが以下に示す範囲にあることが好ましい。電気抵抗は、金属ドラムに当接して２００Ｖの電圧を印加する方法において、１０４Ω〜１０７Ωであることが好ましい。表面粗さは、接触式表面粗さ計によるＲｚが０．１μｍ〜５０μｍであることが好ましい。硬度は、アスカーＣ硬度計で２０〜７０であることが好ましい。
【００４９】
＜電子写真装置＞
電子写真装置は、感光体、感光体を帯電する帯電装置、露光を行う潜像形成装置、トナー像に現像する現像装置、トナー像を転写材に転写する転写装置、感光体の上の転写トナーを回収するクリーニング装置、定着装置等から構成されている。定着装置は、トナー像を転写材に定着させる。その概略図を図６に示す。
感光体７は、導電性基体の上に感光層を有する回転ドラム型である。感光体７は矢示の方向に所定の周速度（プロセススピード）で回転駆動される。
帯電装置は、感光体４に所定の押圧力で当接されることにより接触配置される接触式の帯電ローラ８を有する。帯電ローラ８は、感光体７の回転に従い回転する従動回転であり、帯電用電源から所定の直流電圧を印加することにより、感光体７を所定の電位に帯電する。
【００５０】
感光体７に静電潜像を形成する潜像形成装置９は、例えばレーザービームスキャナーなどの露光装置が用いられる。一様に帯電された感光体７に画像情報に対応した露光光を照射することにより、静電潜像が形成される。
現像装置は、感光体７に近接又は接触して配設される現像ローラ１０を有する。感光体７の帯電極性と同極性に静電的処理されたトナーによる反転現像により、静電潜像をトナー像に可視化現像する。
【００５１】
転写装置は、接触式の転写ローラ１１を有する。感光体７からトナー像を普通紙などの転写材１２に転写する。転写材１２は、搬送部材を有する給紙システムにより搬送される。
クリーニング装置は、ブレード型のクリーニング部材１３、回収容器を有し、転写した後に、感光体の上に残留する転写残トナーを機械的に掻き落として回収する。ここで、現像装置にて転写残トナーを回収する現像同時クリーニング方式を採用することにより、クリーニング装置を省くことも可能である。
定着装置１４は、加熱されたロール等で構成され、転写されたトナー像を転写材１２に定着させ、転写材１２を機外に排出する。
【００５２】
＜プロセスカートリッジ＞
図７に示すように、感光体、帯電装置、現像装置、クリーニング装置等を一体化し、電子写真装置に着脱可能に設計されたプロセスカートリッジを用いることもできる。すなわち、帯電部材（帯電ローラ８）が被帯電体（感光体７）と少なくとも一体化され、電子写真装置本体に着脱自在に構成されているプロセスカートリッジである。また、電子写真装置は、少なくとも、プロセスカートリッジ、露光装置及び定着装置を有する。
【実施例】
【００５３】
以下に、具体的な実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明の技術的範囲はこれらに限定されるものではない。
製造例Ａ−１ −熱膨張性マイクロカプセル１の作製−
重合反応容器に、水８Ｌと、分散安定剤としてコロイダルシリカ（旭電化社製）８質量部及びポリビニルピロリドン（ＢＡＳＦ社製）０．２質量部を添加し、水性分散媒体を調製した。
【００５４】
【表１】
表１に示した配合組成物からなる油性混合液を水溶性分散媒体に添加し、更に水酸化ナトリウム０．８質量部を添加することにより、分散液を調製した。
【００５５】
得られた分散液をホモジナイザーで４０００ｒｐｍ×１分間攪拌混合し、窒素置換した加圧重合器（２０Ｌ）内へ仕込み、加圧（０.２ＭＰａ）し、６０℃で２０時間反応させることにより、反応生成物を調製した。得られた反応生成物について、濾過と水洗を繰り返した後、乾燥して製造例Ａ−１の熱膨張性マイクロカプセルを得た。これを熱膨張性マイクロカプセル１とする。
＜熱膨張性マイクロカプセルの粒径の測定＞
熱膨張性マイクロカプセル１を純水１００ｍｌに分散させて、レーザー散乱式粒度分布測定装置（商品名：ＬＡ−９２０、堀場製作所製）を用いて測定した。測定結果は、２５μｍであった。（表２２参照）
【００５６】
製造例Ａ−２ −熱膨張性マイクロカプセル２の作製−
【表２】
表２に示した配合に変更した以外は、製造例Ａ−１と同様にして、熱膨張性マイクロカプセルを得た。得られた熱膨張性マイクロカプセルの粒径は、２９μｍであった。
これを熱膨張性マイクロカプセル２とする。（表２２参照）
【００５７】
製造例Ａ−３ −熱膨張性マイクロカプセル３の作製−
【表３】
表３に示した配合に変更した以外は、製造例Ａ−１と同様にして、熱膨張性マイクロカプセルを得た。得られた熱膨張性マイクロカプセルの粒径は、２８μｍであった。
これを熱膨張性マイクロカプセル３とする。（表２２参照）
【００５８】
製造例Ａ−４ −熱膨張性マイクロカプセル４の作製−
【表４】
表４に示した配合に変更した以外は、製造例Ａ−１と同様にして、熱膨張性マイクロカプセルを得た。得られた熱膨張性マイクロカプセルの粒径は、２３μｍであった。
これを熱膨張性マイクロカプセル４とする。（表２２参照）
【００５９】
製造例Ａ−５ −熱膨張性マイクロカプセル５の作製−
【表５】
表５に示した配合に変更した以外は、製造例Ａ−１と同様にして、熱膨張性マイクロカプセルを得た。得られた熱膨張性マイクロカプセルの粒径は、２９μｍであった。
これを熱膨張性マイクロカプセル５とする。（表２２参照）
【００６０】
製造例Ａ−６ −熱膨張性マイクロカプセル６の作製−
【表６】
表６に示した配合に変更した以外は、製造例Ａ−１と同様にして、熱膨張性マイクロカプセルを得た。得られた熱膨張性マイクロカプセルの粒径は、２４μｍであった。
これを熱膨張性マイクロカプセル６とする。（表２２参照）
【００６１】
製造例Ａ−７ −熱膨張性マイクロカプセル７の作製−
【表７】
表７に示した配合に変更した以外は、製造例Ａ−１と同様にして、熱膨張性マイクロカプセルを得た。得られた熱膨張性マイクロカプセルの粒径は、３１μｍであった。
これを熱膨張性マイクロカプセル７とする。（表２２参照）
【００６２】
製造例Ａ−８ −熱膨張性マイクロカプセル８の作製−
【表８】
表８に示した配合に変更した以外は、製造例Ａ−１と同様にして、熱膨張性マイクロカプセルを得た。得られた熱膨張性マイクロカプセルの粒径は、２７μｍであった。
これを熱膨張性マイクロカプセル８とする。（表２２参照）
【００６３】
製造例Ａ−９ −熱膨張性マイクロカプセル９の作製−
【表９】
表９に示した配合に変更した以外は、製造例Ａ−１と同様にして、熱膨張性マイクロカプセルを得た。得られた熱膨張性マイクロカプセルの粒径は、２５μｍであった。
これを熱膨張性マイクロカプセル９とする。（表２２参照）
【００６４】
製造例Ａ−１０ −熱膨張性マイクロカプセル１０の作製−
【表１０】
表１０に示した配合に変更した以外は、製造例Ａ−１と同様にして、熱膨張性マイクロカプセルを得た。得られた熱膨張性マイクロカプセルの粒径は、２８μｍであった。
これを熱膨張性マイクロカプセル１０とする。（表２２参照）
【００６５】
製造例Ａ−１１ −熱膨張性マイクロカプセル１１の作製−
【表１１】
表１１に示した配合に変更した以外は、製造例Ａ−１と同様にして、熱膨張性マイクロカプセルを得た。得られた熱膨張性マイクロカプセルの粒径は、１５μｍであった。
これを熱膨張性マイクロカプセル１１とする。（表２２参照）
【００６６】
製造例Ａ−１２ −熱膨張性マイクロカプセル１２の作製−
【表１２】
表１２に示した配合に変更した以外は、製造例Ａ−１と同様にして、熱膨張性マイクロカプセルを得た。得られた熱膨張性マイクロカプセルの粒径は、１８μｍであった。
これを熱膨張性マイクロカプセル１２とする。（表２２参照）
【００６７】
製造例Ａ−１３ −熱膨張性マイクロカプセル１３の作製−
【表１３】
表１３に示した配合に変更した以外は、製造例Ａ−１と同様にして、熱膨張性マイクロカプセルを得た。得られた熱膨張性マイクロカプセルの粒径は、２０μｍであった。
これを熱膨張性マイクロカプセル１３とする。（表２２参照）
【００６８】
製造例Ａ−１４ −熱膨張性マイクロカプセル１４の作製−
【表１４】
表１４に示した配合に変更した以外は、製造例Ａ−１と同様にして、熱膨張性マイクロカプセルを得た。得られた熱膨張性マイクロカプセルの粒径は、２５μｍであった。
これを熱膨張性マイクロカプセル１４とする。（表２２参照）
【００６９】
製造例Ａ−１５ −熱膨張性マイクロカプセル１５の作製−
【表１５】
表１５に示した配合に変更した以外は、製造例Ａ−１と同様にして、熱膨張性マイクロカプセルを得た。得られた熱膨張性マイクロカプセルの粒径は、２９μｍであった。
これを熱膨張性マイクロカプセル１５とする。（表２２参照）
【００７０】
製造例Ａ−１６ −熱膨張性マイクロカプセル１６の作製−
【表１６】
表１６に示した配合に変更した以外は、製造例Ａ−１と同様にして、熱膨張性マイクロカプセルを得た。得られた熱膨張性マイクロカプセルの粒径は、２５μｍであった。
これを熱膨張性マイクロカプセル１６とする。（表２２参照）
【００７１】
製造例Ａ−１７ −熱膨張性マイクロカプセル１７の作製−
【表１７】
表１７に示した配合に変更した以外は、製造例Ａ−１と同様にして、熱膨張性マイクロカプセルを得た。得られた熱膨張性マイクロカプセルの粒径は、２６μｍであった。
これを熱膨張性マイクロカプセル１７とする。（表２２参照）
【００７２】
製造例Ａ−１８ −熱膨張性マイクロカプセル１８の作製−
【表１８】
表１８に示した配合に変更した以外は、製造例Ａ−１と同様にして、熱膨張性マイクロカプセルを得た。得られた熱膨張性マイクロカプセルの粒径は、１９μｍであった。
これを熱膨張性マイクロカプセル１８とする。（表２２参照）
【００７３】
製造例Ａ−１９ −熱膨張性マイクロカプセル１９の作製−
【表１９】
表１９に示した配合に変更した以外は、製造例Ａ−１と同様にして、熱膨張性マイクロカプセルを得た。得られた熱膨張性マイクロカプセルの粒径は、３０μｍであった。
これを熱膨張性マイクロカプセル１９とする。（表２２参照）
【００７４】
＜中空粒子の作製＞
製造例Ｂ−１ −中空粒子１の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子１を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。
【００７５】
＜中空粒子の粒径の測定＞
中空粒子１を純水１００ｍｌに分散させて、レーザー散乱式粒度分布測定装置（商品名：ＬＡ−９２０、堀場製作所製）を用いて測定した。測定結果は、９２μｍであった。（表２３参照）
【００７６】
＜シェルの厚さの測定＞
走査型電子顕微鏡（商品名：ＪＳＭ−６４８０、日本電子製）により中空粒子１の断面を観察した。５０個の中空粒子のシェルを直接測定し、その厚さを算術平均により求めた。測定結果は、０．８μｍであった。（表２３参照）
【００７７】
製造例Ｂ−２ −中空粒子２の作製−
熱膨張性マイクロカプセル２ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子２を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。中空粒子の粒径は、１１５μｍであった。シェルの厚さは、１．２μｍであった。（表２３参照）
【００７８】
製造例Ｂ−３ −中空粒子３の作製−
熱膨張性マイクロカプセル３ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子３を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。中空粒子の粒径は、１４８μｍであった。シェルの厚さは、４．０μｍであった。（表２３参照）
【００７９】
製造例Ｂ−４ −中空粒子４の作製−
熱膨張性マイクロカプセル４ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子４を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。中空粒子の粒径は、７３μｍであった。シェルの厚さは、０．５μｍであった。（表２３参照）
【００８０】
製造例Ｂ−５ −中空粒子５の作製−
熱膨張性マイクロカプセル５ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子５を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。中空粒子の粒径は、８２μｍであった。シェルの厚さは、０．６μｍであった。（表２３参照）
【００８１】
製造例Ｂ−６ −中空粒子６の作製−
熱膨張性マイクロカプセル６ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子６を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。中空粒子の粒径は、１２３μｍであった。シェルの厚さは、１．０μｍであった。（表２３参照）
【００８２】
製造例Ｂ−７ −中空粒子７の作製−
熱膨張性マイクロカプセル７ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子７を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。中空粒子の粒径は、１０２μｍであった。シェルの厚さは、１．１μｍであった。（表２３参照）
【００８３】
製造例Ｂ−８ −中空粒子８の作製−
熱膨張性マイクロカプセル８ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子８を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。中空粒子の粒径は、６５μｍであった。シェルの厚さは、０．３μｍであった。（表２３参照）
【００８４】
製造例Ｂ−９ −中空粒子９の作製−
熱膨張性マイクロカプセル９ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子９を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。中空粒子の粒径は、６２μｍであった。シェルの厚さは、１．１μｍであった。（表２３参照）
【００８５】
製造例Ｂ−１０ −中空粒子１０の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１０ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子１０を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。中空粒子の粒径は、１１３μｍであった。シェルの厚さは、０．８μｍであった。（表２３参照）
【００８６】
製造例Ｂ−１１ −中空粒子１１の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１１ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子１１を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。中空粒子の粒径は、１１８μｍであった。シェルの厚さは、０．９μｍであった。（表２３参照）
【００８７】
製造例Ｂ−１２ −中空粒子１２の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１２ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子１２を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。中空粒子の粒径は、８８μｍであった。シェルの厚さは、１．３μｍであった。（表２３参照）
【００８８】
製造例Ｂ−１３ −中空粒子１３の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１３ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子１３を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。中空粒子の粒径は、８５μｍであった。シェルの厚さは、１．２μｍであった。（表２３参照）
【００８９】
製造例Ｂ−１４ −中空粒子１４の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１４ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子１４を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。中空粒子の粒径は、１２４μｍであった。シェルの厚さは、３．５μｍであった。（表２３参照）
【００９０】
製造例Ｂ−１５ −中空粒子１５の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１５ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子１５を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。中空粒子の粒径は、６３μｍであった。シェルの厚さは、０．４μｍであった。（表２３参照）
【００９１】
製造例Ｂ−１６ −中空粒子１６の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１６ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子１６を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。中空粒子の粒径は、１４６μｍであった。シェルの厚さは、２．０μｍであった。（表２３参照）
【００９２】
製造例Ｂ−１７ −中空粒子１７の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１７ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子１７を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。中空粒子の粒径は、１３２μｍであった。シェルの厚さは、１．５μｍであった。（表２３参照）
【００９３】
製造例Ｂ−１８ −中空粒子１８の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１８ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子１８を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。中空粒子の粒径は、８２μｍであった。シェルの厚さは、０．６μｍであった。（表２３参照）
【００９４】
製造例Ｂ−１９ −中空粒子１９の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１９ １０ｋｇを順風乾燥機で、加熱することにより中空粒子１９を得た。加熱条件は、事前に１００℃から１８０℃の範囲で、条件だしを行い、最も中空粒子の粒径が大きくなる温度で行った。中空粒子の粒径は、９９μｍであった。シェルの厚さは、０．９μｍであった。（表２３参照）
【００９５】
＜帯電ローラの作製＞
製造例Ｃ−１ −帯電ローラ１の作製−
直径６ｍｍ、長さ２５８ｍｍのステンレス製棒に、熱硬化性接着剤（商品名：メタロックＵ−２０、東洋化学研究所社製）を塗布し、２００℃の熱風炉内にて３０分間静置して導電性基体を得た。
弾性層用のコンパウンド作製にあたり、まず、５０℃に調節した密閉型ミキサーにて表２０に示した材料を１５分間混練し、ゴムコンパウンドＡを調整した。
【００９６】
【表２０】
次に、２０℃に冷却した二本ロール機にて表２１に示した材料を１５分間混練して、ゴムコンパウンドＢを調整した。
【００９７】
【表２１】
続いて、図８に示すクロスヘッドを具備する押出機を用いて、導電性基体１を中心軸として、同軸上に円筒状に原料ゴム組成物を被覆した帯電部材を得た。外径は、直径（φ）９ｍｍから１０ｍｍになるように調整した。押出機の温度は８０℃から１００℃になるように設定した。得られた帯電部材を熱風炉で加熱したのち、弾性層の端部を除去して、長さが２２４．２ｍｍの弾性層を有する帯電部材を得た。熱風炉の温度は、１５０℃から１８０℃で帯電部材の外径が、１２．５ｍｍ以上になるように調整した。
そして、前記帯電部材の弾性層の外周面を、図９に示すプランジカット式の円筒研磨機を用いて研磨して、弾性層の外径を直径（φ）１２ｍｍに調整し、帯電ローラ１を得た。
【００９８】
＜電気抵抗値の測定＞
電気抵抗値の測定方法は、図１０に示す装置で行った。アルミドラムに帯電ローラを接触させ、接触面積が均一になるように導電性支持体の両端部に３００ｇの加重をかけ、アルミドラムを回転させた。そして、帯電ローラは従動回転させながら３００Ｖの直流電圧をかけて流れる電流を測定し、帯電ローラの電気抵抗値（Ω）を求めた。
帯電ローラは、Ｎ／Ｎ（常温常湿：２３℃／５５％ＲＨ）環境に２４時間以上放置した後に電気抵抗値を測定した。
【００９９】
＜硬度の測定＞
硬度の測定は、以下の方法で行った。ＪＩＳ Ｋ７３１２硬さ試験の規格に準じて、アスカーＣ型硬度を測定した。その測定は、「アスカーゴム硬度計Ｃ型」（商品名、高分子計器株式会社製）を用いて行う。アスカーＣ型硬度は、帯電ローラを無作為に６箇所測定し、その平均値である。
【０１００】
＜表面粗さの測定＞
表面粗さの測定は、以下の方法で行った。ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１表面粗さの規格に準じて、十点平均粗さＲｚｊｉｓを測定した。その測定は、表面粗さ測定器「ＳＥ−３４００」（商品名、株式会社小坂研究所製）を用いて行う。Ｒｚｊｉｓは、帯電ローラを無作為に６箇所測定し、その平均値である。
【０１０１】
＜中空粒子の粒径の測定＞
走査型電子顕微鏡（商品名：ＪＳＭ−６４８０、日本電子製）により帯電ローラ１の断面を観察した。５０個の中空粒子の粒径を直接測定し、その算術平均により中空粒子の粒径を求めた。
【０１０２】
＜シェルの厚さの測定＞
走査型電子顕微鏡（商品名：ＪＳＭ−６４８０、日本電子製）により帯電ローラ１の断面を観察した。５０個の中空粒子のシェルを測定し、その厚さを算術平均により求めた。
【０１０３】
＜密度の測定＞
密度の測定は以下の方法で行った。ＪＩＳ Ｋ６２６８の規定に準じて、密度を測定した。帯電ローラの密度を無作為に６箇所測定し、その平均値を求めた。各測定結果を表２４に示す。
【０１０４】
製造例Ｃ−２ −帯電ローラ２の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、熱膨張性マイクロカプセル２ ９質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ２を得た。帯電ローラ２について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１０５】
製造例Ｃ−３ −帯電ローラ３の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、熱膨張性マイクロカプセル３ １１質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ３を得た。帯電ローラ３について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１０６】
製造例Ｃ−４ −帯電ローラ４の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、熱膨張性マイクロカプセル４ ８質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ４を得た。帯電ローラ４について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１０７】
製造例Ｃ−５ −帯電ローラ５の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、熱膨張性マイクロカプセル５ １２質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ５を得た。帯電ローラ５について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１０８】
製造例Ｃ−６ −帯電ローラ６の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、熱膨張性マイクロカプセル６ １３質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ６を得た。帯電ローラ６について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１０９】
製造例Ｃ−７ −帯電ローラ７の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、熱膨張性マイクロカプセル７ ９質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ７を得た。帯電ローラ７について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１１０】
製造例Ｃ−８ −帯電ローラ８の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、熱膨張性マイクロカプセル８ １０質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ８を得た。帯電ローラ８について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１１１】
製造例Ｃ−９ −帯電ローラ９の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、熱膨張性マイクロカプセル９ １４質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ９を得た。帯電ローラ９について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１１２】
製造例Ｃ−１０ −帯電ローラ１０の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、熱膨張性マイクロカプセル１０ ８質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ１０を得た。帯電ローラ１０について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１１３】
製造例Ｃ−１１ −帯電ローラ１１の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、熱膨張性マイクロカプセル１１ １３質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ１１を得た。帯電ローラ２について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１１４】
製造例Ｃ−１２ −帯電ローラ１２の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、熱膨張性マイクロカプセル１２ １５質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ１２を得た。帯電ローラ１２について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１１５】
製造例Ｃ−１３ −帯電ローラ１３の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、熱膨張性マイクロカプセル１３ １１質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ１３を得た。帯電ローラ１３について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１１６】
製造例Ｃ−１４ −帯電ローラ１４の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、熱膨張性マイクロカプセル１４ ７質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ１４を得た。帯電ローラ１４について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１１７】
製造例Ｃ−１５ −帯電ローラ１５の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、熱膨張性マイクロカプセル１５ １０質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ１５を得た。帯電ローラ１５について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１１８】
製造例Ｃ−１６ −帯電ローラ１６の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、熱膨張性マイクロカプセル１６ ９質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ１６を得た。帯電ローラ１６について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１１９】
製造例Ｃ−１７ −帯電ローラ１７の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、熱膨張性マイクロカプセル１７ １１質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ１７を得た。帯電ローラ１７について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１２０】
製造例Ｃ−１８ −帯電ローラ１８の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、熱膨張性マイクロカプセル１８ １３質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ１８を得た。帯電ローラ１８について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１２１】
製造例Ｃ−１９ −帯電ローラ１９の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、熱膨張性マイクロカプセル１９ ６質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ１９を得た。帯電ローラ１９について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１２２】
製造例Ｃ−２０ −帯電ローラ２０の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子１ １００質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ２０を得た。帯電ローラ２０について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１２３】
製造例Ｃ−２１ −帯電ローラ２１の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子２ ９０質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ２１を得た。帯電ローラ２１について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１２４】
製造例Ｃ−２２ −帯電ローラ２２の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子３ １２０質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ２２を得た。帯電ローラ２２について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１２５】
製造例Ｃ−２３ −帯電ローラ２３の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子４ １１０質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ２３を得た。帯電ローラ２３について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１２６】
製造例Ｃ−２４ −帯電ローラ２４の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子５ ７５質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ２４を得た。帯電ローラ２４について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１２７】
製造例Ｃ−２５ −帯電ローラ２５の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子６ １３０質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ２５を得た。帯電ローラ２５について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１２８】
製造例Ｃ−２６ −帯電ローラ２６の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子７ １１５質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ２６を得た。帯電ローラ２６について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１２９】
製造例Ｃ−２７ −帯電ローラ２７の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子８ ８５質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ２７を得た。帯電ローラ２７について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１３０】
製造例Ｃ−２８ −帯電ローラ２８の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子９ ６５質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ２８を得た。帯電ローラ２８について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１３１】
製造例Ｃ−２９ −帯電ローラ２９の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子１０ １０５質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ２９を得た。帯電ローラ２９について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１３２】
製造例Ｃ−３０ −帯電ローラ３０の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子１１ ９５質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ３０を得た。帯電ローラ３０について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１３３】
製造例Ｃ−３１ −帯電ローラ３１の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子１２ １２０質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ３１を得た。帯電ローラ３１について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１３４】
製造例Ｃ−３２ −帯電ローラ３２の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子１３ ８０質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ３２を得た。帯電ローラ３２について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１３５】
製造例Ｃ−３３ −帯電ローラ３３の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子１４ ９５質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ３３を得た。帯電ローラ３３について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１３６】
製造例Ｃ−３４ −帯電ローラ３４の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子１５ １１０質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ３４を得た。帯電ローラ３４について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１３７】
製造例Ｃ−３５ −帯電ローラ３５の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子１６ １４０質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ３５を得た。帯電ローラ３５について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１３８】
製造例Ｃ−３６ −帯電ローラ３６の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子１７ １２０質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ３６を得た。帯電ローラ３６について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１３９】
製造例Ｃ−３７ −帯電ローラ３７の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子１８ ９５質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ３７を得た。帯電ローラ３７について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１４０】
製造例Ｃ−３８ −帯電ローラ３８の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、中空粒子１９ １３０質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ３８を得た。帯電ローラ３８について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。
【０１４１】
製造例Ｃ−３９ −帯電ローラ３９の作製−
熱膨張性マイクロカプセル１ １０質量部を、４，４’−チオビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）（Ｈ-1） ４０質量部に変更した以外は、製造例Ｃ−１と同様の方法で帯電ローラ３９を得た。帯電ローラ２について、帯電ローラ１と同様にして各種の物性を測定した。なお、中空粒子の粒径、シェルの厚さの測定は実施しなかった。
上記帯電ローラ１〜３９の各種物性の測定結果を表２４に示す。
【０１４２】
＜実施例１ −帯電ローラ１の画像評価−＞
＜振動起因のスジ状画像の評価＞
電子写真装置として、キヤノン社製カラーレーザージェットプリンター（商品名：ＳａｔｅｒａＬＢＰ５４００）を記録メディアの出力スピード２００ｍｍ／ｓｅｃ（Ａ４縦出力）に改造して用いた。画像の解像度は、６００ｄｐｉ、１次帯電の出力は直流電圧−１１００Ｖである。プロセスカートリッジとして、前記プリンター用のプロセスカートリッジを改造して用いた。前記プロセスカートリッジから帯電ローラを取り外して、感光体ドラムに対して一端で２．５Ｎ、両端で５．０Ｎのバネによる押し圧力で、本発明の帯電ローラ１をセットした。Ｎ／Ｎ（常温常湿：２３℃／５５％ＲＨ）環境で、ハーフトーン画像（感光体の回転方向と垂直方向に幅１ドット、間隔２ドットの横線を描く画像）を出力して、ハーフトーン画像上に存在する振動起因のスジ状画像の評価を行った。評価の基準は以下の通りである。
【０１４３】
ランク１；スジ状画像が発生しない。
ランク２；スジ状画像が軽微に発生するのみ。
ランク３；一部にスジ状画像が帯電ローラのピッチで確認できるが、実用上問題の無い画質である。
ランク４；スジ状画像が目立ち、画質の低下が認められる。
帯電ローラ１は、スジ状画像が発生しなかった。（表２５参照）
【０１４４】
＜Ｃセット起因の横線画像の評価＞
電子写真装置として、キヤノン社製カラーレーザージェットプリンター（商品名：ＳａｔｅｒａＬＢＰ５４００）を用いた。画像の解像度は、６００ｄｐｉ、１次帯電の出力は直流電圧−１１００Ｖである。プロセスカートリッジとして、前記プリンター用のプロセスカートリッジを改造して用いた。前記プロセスカートリッジから帯電ローラを取り外して、感光体ドラムに対して一端で４．９N、両端で９．８Nのバネによる押し圧力で、本発明の帯電ローラ１をセットした。
【０１４５】
このプロセスカートリッジを４０℃、９５％ＲＨの環境に１ヶ月間放置（苛酷放置）した。次に、プロセスカートリッジをＮ／Ｎ（常温常湿：２３℃／５５％ＲＨ）環境で６時間放置した後に、前記電子写真装置に装着し、同様の環境にて画像を出力した。出力した画像についてＣセット起因の横線画像の評価を行った。評価の基準は以下の通りである。
ランク１；横線画像が発生しない。
ランク２；軽微な横線画像が認められるのみであり、帯電ローラのピッチでは確認できない。
ランク３；横線画像が帯電ローラのピッチで確認できるが、実用上問題の無い画質である。
ランク４；横線画像が目立ち、画質の低下が認められる。
帯電ローラ１は、横線画像が発生しなかった。（表２５参照）
【０１４６】
＜実施例２〜３０、比較例１〜９ −帯電ローラ２〜３９の画像評価−＞
帯電ローラ１を表２５に示した帯電ローラに変更した以外は、実施例１と同様の方法で、振動起因のスジ状画像とＣセット起因の横線画像の評価を行った。振動起因のスジ状画像の評価結果は、表２５に示した。
【０１４７】
【表２２】
【０１４８】
【表２３】
【０１４９】
【表２４】
【０１５０】
【表２５】
【符号の説明】
【０１５１】
１．導電性基体
２．弾性層
３．バインダー
４．中空粒子
５．シェル
６．中空部
７．感光体
８．帯電ローラ
９．潜像形成装置
１０．現像ローラ
１１．転写ローラ
１２．転写材
１３．クリーニング部材
１４．定着装置
１５．アルミドラム
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性の基体、及び弾性層を有する帯電部材であって、
該弾性層は、バインダーと該バインダーに分散された中空粒子とを含有し、
該中空粒子のシェルは、
ヒンダードフェノールと、
下記一般式（１）から（４）で示される構成単位からなる群から選ばれる１つまたは２つ以上の構成単位を有する重合体とを含有することを特徴とする帯電部材：
【化１】
【化２】
【化３】
【化４】
（式（１）から（３）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、水素原子または、炭素数１〜４のアルキル基である。）。
【請求項２】
前記ヒンダードフェノールが、４，４’−チオビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、４，４’−ブチリデンビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）からなる群から選ばれる１つまたは２つである請求項１に記載の帯電部材。
【請求項３】
感光体を一様に帯電させる帯電部材を備え、電子写真装置に着脱可能なプロセスカ−トリッジであって、
前記帯電部材が請求項１又は２に記載の帯電部材であることを特徴とするプロセスカ−トリッジ。
【請求項４】
感光体を一様に帯電させる帯電部材を備える電子写真装置であって、前記帯電部材が請求項１乃至３のいずれか一項に記載の帯電部材であることを特徴とする電子写真装置。
【請求項１】
導電性の基体、及び弾性層を有する帯電部材であって、
該弾性層は、バインダーと該バインダーに分散された中空粒子とを含有し、
該中空粒子のシェルは、
ヒンダードフェノールと、
下記一般式（１）から（４）で示される構成単位からなる群から選ばれる１つまたは２つ以上の構成単位を有する重合体とを含有することを特徴とする帯電部材：
【化１】
【化２】
【化３】
【化４】
（式（１）から（３）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、水素原子または、炭素数１〜４のアルキル基である。）。
【請求項２】
前記ヒンダードフェノールが、４，４’−チオビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、４，４’−ブチリデンビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）からなる群から選ばれる１つまたは２つである請求項１に記載の帯電部材。
【請求項３】
感光体を一様に帯電させる帯電部材を備え、電子写真装置に着脱可能なプロセスカ−トリッジであって、
前記帯電部材が請求項１又は２に記載の帯電部材であることを特徴とするプロセスカ−トリッジ。
【請求項４】
感光体を一様に帯電させる帯電部材を備える電子写真装置であって、前記帯電部材が請求項１乃至３のいずれか一項に記載の帯電部材であることを特徴とする電子写真装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１２−１５９５２３（Ｐ２０１２−１５９５２３Ａ）
【公開日】平成２４年８月２３日（２０１２．８．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１６９６９（Ｐ２０１１−１６９６９）
【出願日】平成２３年１月２８日（２０１１．１．２８）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年８月２３日（２０１２．８．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１月２８日（２０１１．１．２８）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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