弾性波装置
【課題】端子のカバー部材からの引き抜きを抑制できる弾性波装置を提供する。
【解決手段】ＳＡＷ装置１は、弾性波を伝搬させる圧電基板３と、圧電基板３の第１表面３ａ上に配置された櫛歯状電極６とを有する。また、ＳＡＷ装置１は、第１表面３ａに対して配置され、櫛歯状電極６と電気的に接続された柱状の端子１５と、端子１５の側面を覆うカバー部材９とを有する。端子１５は、高さ方向の第１領域において、第１表面３ａ側が第１表面３ａとは反対側よりも拡径している。振動空間１７の内壁１９ａは、第１表面３ａから離れるにつれて内方に傾斜しており、振動空間１７の天井２１ａ側の角部が曲面により構成されている。
【解決手段】ＳＡＷ装置１は、弾性波を伝搬させる圧電基板３と、圧電基板３の第１表面３ａ上に配置された櫛歯状電極６とを有する。また、ＳＡＷ装置１は、第１表面３ａに対して配置され、櫛歯状電極６と電気的に接続された柱状の端子１５と、端子１５の側面を覆うカバー部材９とを有する。端子１５は、高さ方向の第１領域において、第１表面３ａ側が第１表面３ａとは反対側よりも拡径している。振動空間１７の内壁１９ａは、第１表面３ａから離れるにつれて内方に傾斜しており、振動空間１７の天井２１ａ側の角部が曲面により構成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：ｓｕｒｆａｃｅ ａｃｏｕｓｔｉｃ ｗａｖｅ）装置や圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ：Ｆｉｌｍ Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）等の弾性波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
小型化等を目的とした、いわゆるウェハレベルパッケージの弾性波装置が知られている。この弾性波装置では、素子基板の表面上に配置された励振電極が、振動空間内に収容されつつ樹脂封止される。換言すれば、励振電極は、カバー部材によって覆われる。また、励振電極に接続される柱状の端子が素子基板の表面に立設される。柱状の端子は、先端側部分（素子基板の表面とは反対側の部分）がカバー部材から露出する。そして、弾性波装置は、柱状の端子の露出部分が回路基板に半田付けされることなどにより、回路基板に実装される。特許文献１は、柱状の端子が、先端側部分が根元側部分（素子基板の表面側の部分）よりも拡径するテーパ状（逆テーパ状）に形成された弾性波装置を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２０８６６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
弾性波装置は、重力や落下衝撃等によって、回路基板から離間する方向への力が加えられることがある。このとき、弾性波装置の端子は、先端側部分が回路基板に固定されていることから、カバー部材から引き抜かれる方向の力が加えられることになる。
従って、端子のカバー部材からの引き抜きを抑制できる弾性波装置が提供されることが好ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施形態にかかる弾性波装置は、弾性波を伝搬させる基板と、前記基板の表面上に配置され、高さ方向の少なくとも第１領域はその前記表面側の断面積がその前記表面とは反対側の断面積よりも大きい、柱状の端子と、前記基板の表面上に配置され、且つ、前記端子と電気的に接続された励振電極と、前記励振電極上に形成される振動空間の天井及び内壁を構成し、前記端子の前記第１領域の側面を覆うカバー部材と、を有し、前記振動空間の前記内壁は、前記基板の前記表面から離れるにつれて内方に傾斜しており、前記振動空間の前記天井側の角部が曲面により構成されている。
【発明の効果】
【０００６】
上記の弾性波装置によれば、弾性波装置の端子のカバー部材からの引き抜きを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施形態に係るＳＡＷ装置を示す模式的な平面図及び断面図である。
【図２】（ａ）乃至（ｄ）は、図１（ａ）及び図１（ｂ）のＳＡＷ装置の製造方法を説明するための模式的な断面図である。
【図３】（ａ）乃至（ｄ）は、図２（ｄ）の続きを示す模式的な断面図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は、図３（ｄ）の続きを示す模式的な断面図である。
【図５】（ａ）乃至（ｃ）は、本発明の第１〜第３の変形例に係るＳＡＷ装置を示す模式的な断面図である。
【図６】（ａ）乃至（ｄ）は、本発明の第４の変形例に係るＳＡＷ装置の製造方法を説明する模式的な断面図である。
【図７】は、本発明の第５の変形例に係るＳＡＷ装置を示す模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
＜ＳＡＷ装置の構造＞
図１（ａ）は、本発明の実施形態に係るＳＡＷ装置１を示す模式的な平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＩｂ−Ｉｂ線における模式的な断面図である。なお、図１（ａ）及び（ｂ）は、ＳＡＷ装置１の理解を容易にするためにＳＡＷ装置１を模式的に示したものであり、実施にあたっては、ＳＡＷ装置１の各部の大きさ、数、形状等は適宜に設定されてよい。
【０００９】
ＳＡＷ装置１は、圧電基板３と、圧電基板３上に配置されたＳＡＷ素子５と、ＳＡＷ素子５を保護するための保護層７及びカバー部材９と、ＳＡＷ素子５を不図示の電子回路と電気的に接続するための接続用導体１１、接続強化層１３及び端子１５とを有している。
【００１０】
圧電基板３は、例えばタンタル酸リチウム単結晶，ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する直方体状の単結晶基板である。圧電基板３は、第１表面３ａと、その背面側の第２表面３ｂとを有している。なお、図１（ａ）及び図１（ｂ）では、第１表面３ａにのみ電極等が配置されている場合を例示しているが、第２表面３ｂにも電極等が配置されてよい。
【００１１】
ＳＡＷ素子５は、圧電基板３の第１表面３ａに形成された複数対の櫛歯状電極（ＩＤＴ電極）６を有している。櫛歯状電極６は、圧電基板３におけるＳＡＷの伝搬方向（図１（ａ）及び図１（ｂ）の紙面左右方向）と直交する方向に伸びる複数の電極指を有している。一対の櫛歯状電極６は、それぞれの電極指が互いに噛み合うように形成されている。
【００１２】
なお、図１（ａ）及び図１（ｂ）は模式図であることから、２本の電極指を有する櫛歯状電極６と、３本の電極指を有する櫛歯状電極６からなる一対の櫛歯状電極６のみを示している。実際には、これよりも多数の電極指を有する櫛歯状電極が複数対設けられてよい。また、複数のＳＡＷ素子５が直列接続や並列接続等の方式で接続され、ラダー型ＳＡＷフィルタや２重モードＳＡＷ共振器フィルタ等が構成されてもよい。ＳＡＷ素子５の両端には、櫛歯状電極を有する反射器（ＳＡＷ素子５の一部と捉えられてもよい。）が設けられてよい。ＳＡＷ素子５は、例えばＡｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金によって形成される。
【００１３】
保護層７は、ＳＡＷ素子５を覆っており、ＳＡＷ素子５の酸化防止等に寄与する。保護層７は、例えば、絶縁性を有するとともに、ＳＡＷの伝搬に影響を与えない程度に質量の軽い材料により形成される。例えば、保護層７は、酸化珪素、窒化珪素、シリコンなどからなる。
【００１４】
カバー部材９は、ＳＡＷ素子５を保護層７の上から覆っている。ただし、カバー部材９は、ＳＡＷ素子５上に、ＳＡＷを伝播しやすくするための振動空間１７を構成している。換言すれば、カバー部材９は、振動空間１７の内壁１９ａを構成する壁部１９と、振動空間１７の天井２１ａを構成する蓋部２１とを有している。
【００１５】
壁部１９を構成する層の厚さ（壁部１９の第１表面３ａからの高さ）や蓋部２１の厚さは、適宜に設定されてよい。例えば、当該厚さは、数μｍ〜３０μｍである。壁部１９及び蓋部２１は、例えば、概ね同等の厚さに形成されている。
【００１６】
壁部１９と蓋部２１とは、別個の材料により形成されてもよいし、異なる材料により形成されてもよい。壁部１９及び蓋部２１は、例えば、紫外線や可視光線等の光が照射されることによって硬化する光硬化性材料により形成されている。換言すれば、壁部１９及び蓋部２１は、ネガ型のフォトレジストにより形成されている。光硬化性材料は、例えば、アクリル基やメタクリル基などのラジカル重合により硬化する樹脂、より具体的には、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系の樹脂である。
【００１７】
振動空間１７は、図１（ｂ）に示すように、断面が概ね矩形状に形成されるとともに、蓋部２１側の角部が曲面により構成されている。換言すれば、振動空間１７を構成する内壁１９ａは、基板３の第１表面３ａから離れるにつれて内方に傾斜している。振動空間１７の平面形状（第１表面３ａの平面視における形状）は、適宜に設定されてよい。例えば、振動空間１７の平面形状は矩形状に形成されている。振動空間１７の大きさは適宜に設定されてよい。
【００１８】
接続用導体１１は、ＳＡＷ素子５と端子１５とを接続するためのものである。接続用導体１１は、例えば、ＳＡＷ素子５と同様に、圧電基板３の第１表面３ａ上に形成されている。接続用導体１１は、特に図示しないが、第１表面３ａ上において適宜なパターンで形成され、ＳＡＷ素子５に接続されている。また、接続用導体１１は、端子１５の配置位置において、端子１５の第１表面３ａ側の端面と同等以上の広さを有するように形成されている。接続用導体１１は、例えば、ＳＡＷ素子５と同一の材料により形成されるとともに、ＳＡＷ素子５と同一の厚さに形成されている。
【００１９】
接続強化層１３は、比較的薄く形成される接続用導体１１を補強して、接続用導体１１と端子１５との接続を強化するためのものである。接続強化層１３は、端子１５の配置位置において接続用導体１１に積層されている。また、接続強化層１３は、端子１５の第１表面３ａ側の端面と同等以上の広さを有するように形成されている。接続強化層１３は、例えば、接続用導体１１と接続強化層１３とで保護層７と概ね同等の厚さになるように形成されており、保護層７から露出している。接続強化層１３は、例えば、クロムやニッケルにより形成されている。
【００２０】
端子１５は、接続強化層１３上に設けられている。従って、端子１５は、接続強化層１３及び接続用導体１１を介してＳＡＷ素子５に電気的に接続されている。また、端子１５は、柱状に形成されており、第１表面３ａに対して立設されている。そして、端子１５の先端側部分は、不図示の回路基板等に接続可能に、カバー部材９から露出している。端子１５は、例えば、半田，Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉにより形成されている。
【００２１】
端子１５は、柱状部分の根元側部分を構成し、側面が壁部１９に覆われる第１柱部２３と、柱状部分の先端側部分を構成し、側面が蓋部２１に覆われる第２柱部２５と、蓋部２１から露出するランド２７とを有している。
【００２２】
第１柱部２３及び第２柱部２５は、それぞれ、第１表面３ａ側が第１表面３ａとは反対側よりも拡径するテーパ状に形成されている。換言すれば、端子１５は少なくともその一部（第１領域）において、第１表面３ａ側の断面積が、第１表面３ａとは反対側の断面積よりも大きくされている。なお、第１柱部２３が第１領域と捉えられてもよいし、第２柱部２５が第１領域と捉えられてもよい。第１柱部２３の第２柱部２５側の端面は、第２柱部２５の第１柱部２３側の端面よりも径が小さく、第１柱部２３と第２柱部２５との境界には、第１表面３ａとは反対側が第１表面３ａ側よりも拡径する段差２９が形成されている。
【００２３】
第１柱部２３及び第２柱部２５は、例えば、概ね同一の大きさ及び形状に形成されている。より具体的には、第１柱部２３及び第２柱部２５は、第１表面３ａとは反対側の端面の形状及び径が互いに概ね同一であり、また、テーパ面の傾斜が互いに概ね同一である。
【００２４】
ランド２７は、例えば、第２柱部２５の第１表面３ａとは反対側の端面よりも面積が広く形成されており、外周部はカバー部材９上に積層されている。
【００２５】
なお、第１表面３ａの平面視における第１柱部２３、第２柱部２５及びランド２７の形状は適宜に設定されてよい。例えば、これらの形状は円形である。また、第１表面３ａの平面視における第１柱部２３、第２柱部２５及びランド２７の大きさは、第１表面３ａの平面視における振動空間１７の大きさに比較して小さい。一例として、第１表面３ａの平面視において、振動空間１７の大きさ５００μｍ×５００μｍに対して、端子１５の径は１００μｍである。
【００２６】
＜ＳＡＷ装置の製造方法＞
図２（ａ）〜図４（ｂ）は、ＳＡＷ装置１の製造方法を説明するための模式的な断面図である。
【００２７】
ＳＡＷ装置１の製造方法は、概観すると、ＳＡＷ素子５の形成工程（図２（ａ））と、カバー部材９の形成工程（図２（ｃ）〜図３（ｄ））と、端子１５の形成工程（図４（ａ）及び図４（ｂ））とを含んでいる。具体的には、以下のとおりである。
【００２８】
図２（ａ）に示すように、まず、圧電基板３の第１表面３ａ上には、ＳＡＷ素子５及び接続用導体１１が形成される。具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の薄膜形成法により、圧電基板３の第１表面３ａ上に金属層が形成される。次に、金属層に対して、縮小投影露光機（ステッパー）とＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置とを用いたフォトリソグラフィー法等によりパターニングが行われる。これにより、ＳＡＷ素子５及び接続用導体１１が形成される。
【００２９】
ＳＡＷ素子５及び接続用導体１１が形成されると、図２（ｂ）に示すように、保護層７及び接続強化層１３が形成される。保護層７及び接続強化層１３は、いずれが先に形成されてもよい。例えば、まず、保護層７となる薄膜が、ＳＡＷ素子５及び接続用導体１１の上を覆うように、ＣＶＤ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成される。次に、接続用導体１１のうち、端子１５の配置位置における部分が露出するように、フォトリソグラフィー法によって薄膜の一部が除去される。これにより、保護層７が形成される。次に、蒸着法等により接続用導体１１の露出部分及び保護層７上に金属層が形成されるとともに、フォトリソグラフィー等により保護層７上の金属層が除去される。これにより、接続強化層１３が形成される。
【００３０】
保護層７及び接続強化層１３が形成されると、図２（ｃ）〜図３（ａ）に示すように、壁部１９が形成される。
【００３１】
具体的には、まず、図２（ｃ）に示すように、保護層７及び接続強化層１３上に、壁部１９を構成する壁部構成層３１が形成される。壁部構成層３１は、例えば、ネガ型のフォトレジストにより形成されたフィルムが貼り付けられることにより形成される。
【００３２】
次に、図２（ｄ）に示すように、フォトマスク３３を介して紫外線等の光が壁部構成層３１に照射される。すなわち、露光処理が行われる。フォトマスク３３は、例えば、透明基板３５上に遮光層３７が形成されることにより構成されている。遮光層３７は、壁部構成層３１を除去すべき位置に対応する位置に配置されている。すなわち、振動空間１７の配置位置及び端子１５の配置位置に対応する位置に配置されている。なお、露光は、投影露光であってもよいし、プロキシミティ露光であってもよいし、密着露光であってもよい。
【００３３】
その後、図３（ａ）に示すように、現像処理を行い、壁部構成層３１のうち、光が照射された部分を残し、光が照射されなかった部分を除去する。これにより、壁部構成層３１には、振動空間１７となる開口部３９と、第１柱部２３が配置される第１孔部４１とが形成される。すなわち、壁部１９が形成される。
【００３４】
ここで、壁部構成層３１の光が照射される領域の縁部においては、照射された光が、壁部構成層３１の光が照射されない領域へ発散されてしまうことから、第１表面３ａ側まで十分に光が到達しない。従って、壁部構成層３１の光が照射される領域の縁部は、第１表面３ａ側が十分に硬化されずに、除去される。その結果、第１孔部４１は、第１表面３ａ側ほど拡径するテーパ状（順テーパ状）に形成される。
【００３５】
同様に、開口部３９も、第１表面３ａ側ほど拡径するテーパ状（順テーパ状）に形成される。ただし、開口部３９は、第１孔部４１よりも大きいこと、平面視において縁部が直線状であることなどから、開口部３９が形成される領域は、第１孔部４１が形成される領域に比較して、光が発散しやすい。従って、断面図において、第１孔部４１は、全体がテーパ状となるのに対し、開口部３９は、第１表面３ａ側とは反対側の部分のみがテーパ状となる。また、断面図において、開口部３９のテーパ面は、第１孔部４１のテーパ面を上下に圧縮した形状となるから、第１孔部４１のテーパ面に比較して曲率が大きくなり、曲面として認識されやすくなる。
【００３６】
第１孔部４１及び開口部３９が形成されると、図３（ｂ）〜図３（ｄ）に示すように、蓋部２１が形成される。
【００３７】
具体的には、まず、図３（ｂ）に示すように、壁部１９上に、蓋部２１を構成する蓋部構成層４３が形成される。蓋部構成層４３は、例えば、ネガ型のフォトレジストにより形成されたフィルムが貼り付けられることにより形成される。蓋部構成層４３が形成されることにより、壁部１９の開口部３９（図３（ａ））が塞がれて、振動空間１７が構成される。なお、壁部構成層３１と蓋部構成層４３とは加熱されることによって接合されることが好ましい。
【００３８】
次に、図３（ｃ）に示すように、フォトマスク４５を介して紫外線等の光が蓋部構成層４３に照射される。すなわち、露光処理が行われる。フォトマスク４５は、フォトマスク３３と同様に、透明基板４７上に遮光層４９が形成されることにより構成されている。遮光層４９は、蓋部構成層４３を除去すべき位置に対応する位置に配置されている。すなわち、端子１５の配置位置に対応する位置に配置されている。フォトマスク４５は、例えば、フォトマスク３３において、遮光層３７のうち振動空間１７に対応する部分を除去した構成となっている。なお、露光は、投影露光であってもよいし、プロキシミティ露光であってもよいし、密着露光であってもよい。
【００３９】
その後、図３（ｄ）に示すように、現像処理を行い、蓋部構成層４３のうち、光が照射された部分を残し、光が照射されなかった部分を除去する。これにより、蓋部構成層４３には、第２柱部２５が配置される第２孔部５１が形成される。すなわち、蓋部２１が形成される。蓋部２１が形成されることにより、壁部１９と蓋部２１によりカバー部材９が完成する。なお、第１孔部４１及び第２孔部５１は接続されており、合体孔部５３を構成している。
【００４０】
カバー部材９が形成されると、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、端子１５が形成される。具体的には、まず、図４（ａ）に示すように、メッキ用下地層５５及びメッキ用レジスト層５７が形成される。
【００４１】
メッキ用下地層５５は、カバー部材９を覆うように形成される。また、メッキ用下地層５５は、接続強化層１３によって構成される合体孔部５３の底面、及び、カバー部材９によって構成される合体孔部５３の内周面にも形成される。メッキ用下地層５５は、例えばフラッシュメッキ法により、Ｔｉ−Ｃｕ合金等で形成するのが好適な一例である。フラッシュメッキ法によりメッキ用下地層５５を形成する場合、メッキ形成部位に電流を流すための配線パターンを形成する必要がない。従って、ＳＡＷ装置１の小型化が可能となる。
【００４２】
メッキ用レジスト層５７は、メッキ用下地層５５上に形成される。メッキ用レジスト層５７は、例えば、スピンコート等の手法で基板に形成される。メッキ用レジスト層５７には、合体孔部５３上にランド用孔部５９が形成されている。ランド用孔部５９は、径が合体孔部５３の径よりも大きく、また、深さ（メッキ用レジスト層５７の厚さ）がランド２７の厚さ以上である。ランド用孔部５９は、例えば、フォトリソグラフィーにより形成される。
【００４３】
次に、図４（ｂ）に示すように、ランド用孔部５９を介して露出するメッキ用下地層５５に対してメッキ法を施す。これにより、合体孔部５３内及びランド用孔部５９に金属が充填されることになる。そして、第１孔部４１に充填された金属により第１柱部２３が形成され、第２孔部５１に充填された金属により第２柱部２５が形成され、ランド用孔部５９に充填された金属によりランド２７が形成される。なお、ランド用孔部５９においては、メッキ用レジスト層５７の表面まで金属が充填される必要はなく、ランド用孔部５９の適宜な深さまで金属が充填されればよい。メッキ法は、適宜に選択されてよいが、電気メッキ法が好適である。電気メッキ法は、柱状の端子１５の高さの自由度が高く、また、メッキ用下地層５５との密着性が良好なためである。
【００４４】
その後、メッキ用レジスト層５７を除去するとともに、メッキ用下地層５５のうちランド用孔部５９から露出していなかった部分を除去する。これにより、図１（ｂ）に示すように、ＳＡＷ装置１が形成される。なお、図１（ｂ）では、メッキ用下地層５５の残った部分の図示は省略されている。メッキ用レジスト層５７は、例えば、アセトンやＩＰＡ等の有機溶剤やジメチルスルフォキシド等のアルカリ性有機溶剤により除去が可能である。メッキ用下地層５５のＣｕは、例えば、塩化第２鉄や燐酸と過酸化水素水の混合液により除去が可能である。また、メッキ用下地層５５のＴｉは、例えば、希フッ酸やアンモニアと過酸化水素水の混合液で除去が可能である。
【００４５】
なお、上記の工程は、いわゆるウエハプロセスにおいて実現される。すなわち、分割されることによって圧電基板３となる母基板を対象に上述の工程が行われ、多数個分のＳＡＷ装置が並行して形成される。
【００４６】
以上の実施形態によれば、ＳＡＷ装置１は、弾性波を伝搬させる圧電基板３と、圧電基板３の第１表面３ａ上に配置された櫛歯状電極６とを有する。また、ＳＡＷ装置１は、第１表面３ａに対して立設され、櫛歯状電極６と電気的に接続された柱状の端子１５と、櫛歯状電極６上に中空の振動空間１７を形成するとともに、端子１５の側面を覆うカバー部材９とを有する。そして、端子１５は、立設方向の少なくとも一部において、第１表面３ａ側が第１表面３ａとは反対側よりも拡径している。従って、端子１５をカバー部材９から引き抜く方向の力を端子１５に加えると、端子１５がカバー部材９に係合し、端子１５の引き抜きが抑制される。すなわち、ＳＡＷ装置１の耐久性が向上する。
【００４７】
端子１５は、第１表面３ａ側が第１表面３ａとは反対側よりも拡径するテーパ部（第１柱部２３及び第２柱部２５）を有する。従って、端子１５をカバー部材９から引き抜く方向の力が端子１５に加えられると、端子１５は、比較的広い面積に亘ってカバー部材９に係合することになる。その結果、カバー部材９に局部的に荷重が加えられることが抑制される。そして、カバー部材９の破損や当該破損によって端子１５の引き抜きが生じることが抑制される。
【００４８】
端子１５は、テーパ部として、第１柱部２３と、第１柱部２３の第１表面３ａとは反対側に連続する第２柱部２５とを有し、第１柱部２３の第２柱部２５側の径は、第２柱部２５の第１柱部２３側の径よりも小さい。従って、引き抜きに対して、後述する第２変形例（図５（ｂ）参照）と同様の係止力を発揮しつつ、第１表面３ａに平行な断面における断面積の、立設方向における変化を第２変形例よりも小さくできる。その結果、端子１５の最小断面積（端子１５の電気抵抗に影響する）に対する最大断面積の比を小さくし、端子１５の小径化を図ることができる。さらに、端子１５に押し込む方向の力が加えられたときに、その力の一部が、カバー部材９に伝達されることになるから、接続強化層１３の負担を軽減することができる。その結果、耐久性の向上や接続強化層１３の薄型化や省略が容易化される。
【００４９】
第１柱部２３と第２柱部２５との境界（段差２９）の第１表面３ａからの位置は、振動空間１７の天井２１ａの第１表面３ａからの位置と一致する。従って、端子１５に押し込む方向の力が加えられたときに、その力が段差２９から蓋部２１に伝達されることが抑制され、ひいては、蓋部２１が撓んで天井２１ａが振動空間１７の底面（保護層７）に接触することが抑制される。その一方で、段差２９から壁部１９に伝達される押し込む方向の力は、壁部１９の第１表面３ａからの高さ方向の全体に加えられることになり、壁部１９に伝達された力を広い範囲に分散させることができる。さらに、壁部１９及び蓋部２１を、それぞれ別個の工程（別個の層）により形成する場合には、各層に対して、単純な形状の孔部（第１孔部４１及び第２孔部５１）を形成すればよく、換言すれば、開口方向の中途で縮径する孔部を形成する必要はなく、合体孔部５３の形成が容易である。
【００５０】
振動空間１７の内壁１９ａ及び天井２１ａは、アーチ状に形成されている。従って、蓋部２１は撓みが抑制される。その結果、例えば、振動空間１７の高さを小さくしてＳＡＷ装置１の小型化を図ることができる。
【００５１】
ＳＡＷ装置１の製造方法は、弾性波を伝搬させる圧電基板３の第１表面３ａ上に櫛歯状電極６を配置する工程（図２（ａ））を有する。また、当該製造方法は、櫛歯状電極６と電気的に接続され、第１表面３ａに対して立設され、立設方向の少なくとも一部において、第１表面３ａ側が第１表面３ａとは反対側よりも拡径している柱状の端子１５を形成する工程（図４（ａ）及び図４（ｂ））を有する。さらに、当該製造方法は、櫛歯状電極６上に中空の振動空間１７を形成するとともに、端子１５の側面を覆うカバー部材９を形成する工程（図２（ｃ）〜図３（ｄ））を有する。従って、端子１５の引き抜きが抑制されるＳＡＷ装置１が形成される。
【００５２】
カバー部材９を形成する工程は、カバー部材９となるカバー部材構成層（壁部構成層３１及び蓋部構成層４３）を形成する工程（図２（ｃ）及び図３（ｂ））を有する。また、カバー部材９を形成する工程は、カバー部材構成層に、合体孔部５３を形成する工程（図２（ｄ）及び図３（ａ）、並びに、図３（ｃ）及び図３（ｄ））を有する。合体孔部５３は、端子１５の立設方向の少なくとも一部において、第１表面３ａ側が第１表面３ａとは反対側よりも拡径する。そして、端子１５を形成する工程（図４（ｂ））では、合体孔部５３内に導電性材料（金属）が充填されて端子１５が形成される。
【００５３】
従って、立設方向の少なくとも一部において、第１表面３ａ側が第１表面３ａとは反対側よりも拡径する端子１５が容易に形成される。しかも、後述する第４変形例（図６（ａ）〜図６（ｄ）参照）の形成方法に比較して、端子１５の柱部を形成するためにのみ、後に除去されるレジスト層を設ける必要がなく、製造方法が簡素化される。
【００５４】
合体孔部５３を形成する工程では、ネガ型のフォトリソグラフィーによってカバー部材構成層（壁部構成層３１及び蓋部構成層４３）の一部が除去されて合体孔部５３が形成される。従って、露光のための光が散乱してしまうという、本来であれば望ましくない現象を積極的に利用して、端子１５の立設方向の少なくとも一部において、第１表面３ａ側が第１表面３ａとは反対側よりも拡径する合体孔部５３を形成できる。その結果、合体孔部５３の一部を拡径するための特別な工程を追加する必要がなく、製造方法が簡素化される。
【００５５】
カバー部材構成層を形成する工程は、振動空間１７の壁部１９を構成する壁部構成層３１を形成する工程（図２（ｃ））と、壁部構成層３１上に、振動空間１７の蓋部２１を構成する蓋部構成層４３を形成する工程（図３（ｂ））とを有する。合体孔部５３を形成する工程は、蓋部構成層４３を形成する工程の前に、ネガ型のフォトリソグラフィーによって壁部構成層３１の一部を除去して、振動空間１７となる開口部３９と、第１孔部４１とを形成する工程（図２（ｄ）及び図３（ａ））を有する。第１孔部４１は、合体孔部５３の表面側部分となる、第１表面３ａ側が第１表面３ａとは反対側よりも拡径する孔部である。また、合体孔部５３を形成する工程は、蓋部構成層４３を形成する工程の後に、ネガ型のフォトリソグラフィーによって蓋部構成層４３の一部を除去して第２孔部５１を形成する工程（図３（ｃ）及び図３（ｄ））を有する。第２孔部５１は、合体孔部５３の第１表面３ａとは反対側部分となる、第１表面３ａ側が第１表面３ａとは反対側よりも拡径し、第１表面３ａ側の径が、第１孔部４１の第１表面３ａとは反対側の径よりも大きい孔部である。
【００５６】
従って、上述したように、端子１５の２つのテーパ部（第１柱部２３及び第２柱部２５）を形成可能な、開口方向の一部において縮径する合体孔部５３が、単純な形状の第１孔部４１及び第２孔部５１の形成によって実現される。
【００５７】
なお、以上の実施形態において、ＳＡＷ装置１は本発明の弾性波装置の一例であり、圧電基板３は本発明の基板の一例であり、第１表面３ａは本発明の基板の表面の一例である。また、櫛歯状電極６は本発明の励振電極の一例であり、第１柱部２３は本発明の第１のテーパ部の一例であり、第２柱部２５は本発明の第２テーパ部の一例である。
【００５８】
本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
【００５９】
弾性波装置は、ＳＡＷ装置に限定されない。例えば、弾性波装置は、圧電薄膜共振器であってもよい。弾性波装置において、保護層（７）や接続強化層（１３）は省略されてもよいし、逆に、他の適宜な層が形成されてもよい。例えば、実施形態において、壁部１９上、又は、蓋部２１上に積層され、基準電位に接続される端子１５に支持される金属層（平板）が設けられてもよい。この場合、蓋部２１の撓みに対する強度を金属層によって補強できる。
【００６０】
端子は、テーパ状のものに限定されない。適宜な形状により、立設方向の少なくとも一部において、表面側が表面とは反対側よりも拡径する端子が実現されてよい。
【００６１】
図５（ａ）は、第１変形例の端子１１５を示す模式的な断面図である。端子１１５は、接続強化層１３上に立設された第１柱部１２３と、第１柱部１２３上に立設された第２柱部１２５と、第２柱部１２５上に設けられたランド２７とを有している。第１柱部１２３及び第２柱部１２５は、円柱状に形成されている。また、第１柱部１２３の径は、第２柱部１２５の径よりも大きい。
【００６２】
第１変形例によれば、実施形態と同様に、端子１１５がカバー部材１０９に係合し、引き抜きが抑制される。また、カバー部材１０９の壁部１１９及び蓋部１２１においては、開口方向において均一な径を有する孔部を形成すればよいことから、孔部の形成方法の選択の自由度が向上する。
【００６３】
また、端子がテーパ部を有する場合、テーパ部の数は２つに限定されない。テーパ部の数は、一つでもよいし、３つ以上であってもよい。
【００６４】
図５（ｂ）は、第２変形例の端子２１５を示す模式的な断面図である。端子２１５は、接続強化層１３上に立設された柱部２２３と、柱部２２３上に設けられたランド２７とを有している。柱部２２３は、端子１５のうち側面がカバー部材９に被覆される部分の全体であり、また、一つのテーパ状に形成されている。なお、このような柱部２２３を形成するためには、例えば、壁部２１９に形成する孔部の径よりも、壁部２２１に形成する孔部の径を小さくするように、ネガ型のフォトリソグラフィーを行えばよい。
【００６５】
第２変形例によれば、実施形態と同様に、端子２１５がカバー部材２０９に係合し、引き抜きが抑制される。また、端子２１５及びカバー部材２０９の端子２１５を被覆する部分には、角部が生じることが抑制されるから、応力集中が生じることが抑制され、耐久性が向上する。
【００６６】
また、端子は、側面がカバー部材に被覆される部分の全体において、テーパ部が形成される必要はない。
【００６７】
図５（ｃ）は、第３変形例の端子３１５を示す模式的な断面図である。端子３１５は、接続強化層１３上に立設された第１柱部２３と、第１柱部２３上に立設された第２柱部１２５と、第２柱部１２５上に設けられたランド２７とを有している。第１柱部２３は、実施形態と同様にテーパ状に形成され、第２柱部１２５は、第１変形例と同様に円柱状に形成されている。
【００６８】
第３変形例によれば、実施形態と同様に、端子３１５がカバー部材３０９に係合し、引き抜きが抑制される。また、蓋部１２１においては、テーパ状の孔部を形成する必要がないから、孔部の形成方法の選択の自由度が高い。その結果、壁部１９の形成材料と蓋部１２１の形成材料とを異なるものにすることなども容易になる。なお、第３変形例とは逆に、第１柱部が円柱状に、第２柱部がテーパ状に形成されてもよい。
【００６９】
第１のテーパ部（２３）と第２のテーパ部（１２５）との段差（２９）の表面（３ａ）からの位置は、振動空間（１７）の天井（２１ａ）の表面（３ａ）からの位置と一致しなくてもよい。また、段差の位置と天井の位置とを一致させない製造方法も適宜に選択可能である。例えば、実施形態では、２層のフォトレジスト（３１、４３）によりカバー部材を構成したが、それよりも多い複数層のフォトレジストによりカバー部材を構成して、適宜な位置にテーパの段差を形成してもよい。
【００７０】
実施形態では、カバー部材を形成する工程の後に端子を形成する工程が行われたが、端子を形成する工程の後にカバー部材が形成されてもよい。
【００７１】
図６（ａ）〜図６（ｄ）は、第４変形例のＳＡＷ装置４０１の製造方法を説明するための模式的な断面図である。第４変形例では、端子４１５が形成された後に、カバー部材４０９（図６（ｄ））が形成される。具体的には、以下のとおりである。
【００７２】
まず、図６（ａ）に示すように、圧電基板３の第１表面３ａ上には、ＳＡＷ素子（図示省略）上に振動空間４１７を構成する内郭部４１９が形成される。内郭部４１９は、カバー部材４０９の内側部分を構成するものである。内郭部４１９は、例えば、感光性樹脂により形成される。
【００７３】
次に、図６（ｂ）に示すように、孔部４５３が形成された端子用レジスト層４５７が形成され、孔部４５３に導電性材料が充填されることにより、端子４１５が形成される。孔部４５３及び端子４１５は、例えば、第２変形例と同様に、全体がテーパ状に形成されたものである。
【００７４】
その後、図６（ｃ）に示すように、端子用レジスト層４５７は除去される。これにより、端子４１５の側面は露出する。
【００７５】
そして、図６（ｄ）に示すように、内郭部４１９及び端子４１５は樹脂封止される。封止樹脂の上面側部分は、端子４１５が露出するまで（点線で示す位置まで）研削される。研削された封止樹脂により、カバー部材４０９の外側部分を構成する外郭部４２１が形成される。
【００７６】
なお、カバー部材より先に端子を形成する場合、端子の形成方法は、レジスト層に形成された孔部に導電性材料を充填する方法に限定されない。例えば、透過孔の径が互いに異なる複数のマスクを用いて、マスクを介した金属の蒸着を複数回行うことによって、適宜な位置において拡径する端子を形成してもよい。
【００７７】
カバー部材等に孔部を形成し、孔部に導電性材料を充填して端子を形成する場合、孔部の形成は、フォトリソグラフィーによるものに限定されない。例えば、孔部は、レーザ光によるアブレーション加工によって形成されてもよい。なお、この場合、テーパ面は、例えば、レーザ光の照射角度を基板の表面に対して傾斜させることにより、形成可能である。
【００７８】
また、端子となる導電性材料が充填される孔部がフォトリソグラフィーにより形成される場合、テーパ面の形成は、ネガ型のフォトリソグラフィーにおける光の発散を利用するものに限定されない。例えば、ポジ型又はネガ型のフォトリソグラフィーにおいて、光を基板の表面に対して斜めに照射することにより、テーパ面を形成することが可能である。また、ネガ型のフォトリソグラフィーにおいて、縮小投影系によって光の径を縮径させつつレジストに照射することにより、表面側が拡径するテーパ状の孔部を形成することが可能である。
【００７９】
実施形態では、端子のテーパ部は、表面側が表面とは反対側よりも拡径した。しかし、端子のテーパ部は、表面とは反対側が表面側よりも拡径するように形成されてもよい。
【００８０】
図７は、第５の変形例に係るＳＡＷ装置５０１を示す模式的な断面図である。
【００８１】
端子５１５の第１柱部５２３及び第２柱部５２５は、それぞれ、第１表面３ａとは反対側が第１表面３ａ側よりも拡径するテーパ状に形成されている。第１柱部５２３の第２柱部５２５側の端面は、第２柱部５２５の第１柱部５２３側の端面よりも径が大きく、第１柱部５２３と第２柱部５２５との境界には、第１表面３ａ側が第１表面３ａとは反対側よりも拡径する段差５２９が形成されている。換言すれば、端子５１５は、第１表面３ａとは反対側の断面積が第１表面３ａ側の断面積よりも大きい第３のテーパ部（第１柱部５２３）と、第３のテーパ部に連続し、第１の表面３ａとは反対側の断面積が、第１の表面３ａ側の断面積よりも大きい第４のテーパ部（第２柱部５２５）とを有している。また、第３のテーパ部の第４のテーパ部側の断面積と、第４のテーパ部の第３のテーパ部側の断面積とを比較すると、第３のテーパ部の第４のテーパ部側の断面積の方が大きくされている。なお、第１柱部５２３及び第２柱部５２５は、互いに同一の大きさ及び形状であってもよいし、互いに異なる大きさ及び形状であってもよい。
【００８２】
このような構成によっても、段差５２９がカバー部材５０９に対して第１表面３ａ側から係合することにより、端子５１５の引き抜きが抑制される。
【００８３】
ＳＡＷ装置５０１の製造方法は、実施形態のＳＡＷ装置１の製造方法と概ね同様である。ただし、ＳＡＷ装置５０１の製造方法においては、ネガ型のフォトリソグラフィーに代えて、ポジ型のフォトリソグラフィーにより、壁部５１９及び枠部５２１が形成される。
【００８４】
ポジ型のフォトリソグラフィーにより、端子５１５となる金属が充填される第１孔部５４１及び第２孔部５５１が形成されると、実施形態と同様に、光の発散により、第１孔部５４１及び第２孔部５５１はテーパ状となる。ただし、ネガ型とは光の照射領域と被照射領域とが逆であるから、第１孔部５４１及び第２孔部５５１は、実施形態の第１孔部４１及び第２孔部５１とは逆方向に拡径する。
【００８５】
また、ポジ型のフォトリソグラフィーにより振動空間５１７が形成されることにより、内壁５１９ａ及び天井５２１ａも、第１の実施形態の内壁１９ａ及び天井２１ａとは逆の形状、すなわち、第１表面３ａとは反対側ほど拡径する形状となる。
【００８６】
なお、上述のように、テーパ状の孔部は、光を斜めに照射することなどによっても形成可能であるから、ネガ型のフォトリソグラフィーによって第１孔部５４１及び第２孔部５５１を形成することも可能である。
【００８７】
振動空間は、カバー部材の壁部の開口部が、壁部とは別個に形成された蓋部によって塞がれることにより構成されるものに限定されない。例えば、基板上に振動空間と同一形状のレジストを形成し、その上にカバー部材となるカバー部材構成層を形成し、その後、カバー部材構成層に設けた貫通孔を介して、レジストを除去することにより、振動空間を構成してもよい。
【００８８】
振動空間は、アーチ状に形成されなくてもよい。また、振動空間がアーチ状に形成される場合、アーチは、内壁の天井側部分が曲面状に面取りされることにより形成されるものに限定されない。例えば、アーチは、内壁全体が平面状のテーパ面により構成されることにより形成されてもよい。また第１のテーパ部と第２のテーパ部との境界の第１表面３ａからの位置は、振動空間１７の天井の第１表面３ａからの位置と必ずしも一致している必要はなく、両者の位置がずれていてもよい。
また、第１のテーパ部と第２のテーパ部とは、その傾斜角（各テーパ部が圧電基板の第１表面３ａとなす角）が互いに異なるようにしてもよい。例えば、第１のテーパ部の傾斜角が第２のテーパ部の傾斜角より大きくなるようにして第１柱部２３と第２柱部２５を形成してもよい。このように第１のテーパ部の傾斜角と第２のテーパ部の傾斜角を異ならせることによって、端子１５に押し込む方向の力が加えられたときに、壁部１９に伝達される力をより広範囲に分散させることができる。
【符号の説明】
【００８９】
１…ＳＡＷ装置（弾性波装置）、３…圧電基板（基板）、３ａ…第１表面（表面）、６…櫛歯状電極（励振電極）、９…カバー部材、１５…端子、１７…振動空間、１９ａ…内壁、２１ａ…天井。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：ｓｕｒｆａｃｅ ａｃｏｕｓｔｉｃ ｗａｖｅ）装置や圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ：Ｆｉｌｍ Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）等の弾性波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
小型化等を目的とした、いわゆるウェハレベルパッケージの弾性波装置が知られている。この弾性波装置では、素子基板の表面上に配置された励振電極が、振動空間内に収容されつつ樹脂封止される。換言すれば、励振電極は、カバー部材によって覆われる。また、励振電極に接続される柱状の端子が素子基板の表面に立設される。柱状の端子は、先端側部分（素子基板の表面とは反対側の部分）がカバー部材から露出する。そして、弾性波装置は、柱状の端子の露出部分が回路基板に半田付けされることなどにより、回路基板に実装される。特許文献１は、柱状の端子が、先端側部分が根元側部分（素子基板の表面側の部分）よりも拡径するテーパ状（逆テーパ状）に形成された弾性波装置を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２０８６６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
弾性波装置は、重力や落下衝撃等によって、回路基板から離間する方向への力が加えられることがある。このとき、弾性波装置の端子は、先端側部分が回路基板に固定されていることから、カバー部材から引き抜かれる方向の力が加えられることになる。
従って、端子のカバー部材からの引き抜きを抑制できる弾性波装置が提供されることが好ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施形態にかかる弾性波装置は、弾性波を伝搬させる基板と、前記基板の表面上に配置され、高さ方向の少なくとも第１領域はその前記表面側の断面積がその前記表面とは反対側の断面積よりも大きい、柱状の端子と、前記基板の表面上に配置され、且つ、前記端子と電気的に接続された励振電極と、前記励振電極上に形成される振動空間の天井及び内壁を構成し、前記端子の前記第１領域の側面を覆うカバー部材と、を有し、前記振動空間の前記内壁は、前記基板の前記表面から離れるにつれて内方に傾斜しており、前記振動空間の前記天井側の角部が曲面により構成されている。
【発明の効果】
【０００６】
上記の弾性波装置によれば、弾性波装置の端子のカバー部材からの引き抜きを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施形態に係るＳＡＷ装置を示す模式的な平面図及び断面図である。
【図２】（ａ）乃至（ｄ）は、図１（ａ）及び図１（ｂ）のＳＡＷ装置の製造方法を説明するための模式的な断面図である。
【図３】（ａ）乃至（ｄ）は、図２（ｄ）の続きを示す模式的な断面図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は、図３（ｄ）の続きを示す模式的な断面図である。
【図５】（ａ）乃至（ｃ）は、本発明の第１〜第３の変形例に係るＳＡＷ装置を示す模式的な断面図である。
【図６】（ａ）乃至（ｄ）は、本発明の第４の変形例に係るＳＡＷ装置の製造方法を説明する模式的な断面図である。
【図７】は、本発明の第５の変形例に係るＳＡＷ装置を示す模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
＜ＳＡＷ装置の構造＞
図１（ａ）は、本発明の実施形態に係るＳＡＷ装置１を示す模式的な平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＩｂ−Ｉｂ線における模式的な断面図である。なお、図１（ａ）及び（ｂ）は、ＳＡＷ装置１の理解を容易にするためにＳＡＷ装置１を模式的に示したものであり、実施にあたっては、ＳＡＷ装置１の各部の大きさ、数、形状等は適宜に設定されてよい。
【０００９】
ＳＡＷ装置１は、圧電基板３と、圧電基板３上に配置されたＳＡＷ素子５と、ＳＡＷ素子５を保護するための保護層７及びカバー部材９と、ＳＡＷ素子５を不図示の電子回路と電気的に接続するための接続用導体１１、接続強化層１３及び端子１５とを有している。
【００１０】
圧電基板３は、例えばタンタル酸リチウム単結晶，ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する直方体状の単結晶基板である。圧電基板３は、第１表面３ａと、その背面側の第２表面３ｂとを有している。なお、図１（ａ）及び図１（ｂ）では、第１表面３ａにのみ電極等が配置されている場合を例示しているが、第２表面３ｂにも電極等が配置されてよい。
【００１１】
ＳＡＷ素子５は、圧電基板３の第１表面３ａに形成された複数対の櫛歯状電極（ＩＤＴ電極）６を有している。櫛歯状電極６は、圧電基板３におけるＳＡＷの伝搬方向（図１（ａ）及び図１（ｂ）の紙面左右方向）と直交する方向に伸びる複数の電極指を有している。一対の櫛歯状電極６は、それぞれの電極指が互いに噛み合うように形成されている。
【００１２】
なお、図１（ａ）及び図１（ｂ）は模式図であることから、２本の電極指を有する櫛歯状電極６と、３本の電極指を有する櫛歯状電極６からなる一対の櫛歯状電極６のみを示している。実際には、これよりも多数の電極指を有する櫛歯状電極が複数対設けられてよい。また、複数のＳＡＷ素子５が直列接続や並列接続等の方式で接続され、ラダー型ＳＡＷフィルタや２重モードＳＡＷ共振器フィルタ等が構成されてもよい。ＳＡＷ素子５の両端には、櫛歯状電極を有する反射器（ＳＡＷ素子５の一部と捉えられてもよい。）が設けられてよい。ＳＡＷ素子５は、例えばＡｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金によって形成される。
【００１３】
保護層７は、ＳＡＷ素子５を覆っており、ＳＡＷ素子５の酸化防止等に寄与する。保護層７は、例えば、絶縁性を有するとともに、ＳＡＷの伝搬に影響を与えない程度に質量の軽い材料により形成される。例えば、保護層７は、酸化珪素、窒化珪素、シリコンなどからなる。
【００１４】
カバー部材９は、ＳＡＷ素子５を保護層７の上から覆っている。ただし、カバー部材９は、ＳＡＷ素子５上に、ＳＡＷを伝播しやすくするための振動空間１７を構成している。換言すれば、カバー部材９は、振動空間１７の内壁１９ａを構成する壁部１９と、振動空間１７の天井２１ａを構成する蓋部２１とを有している。
【００１５】
壁部１９を構成する層の厚さ（壁部１９の第１表面３ａからの高さ）や蓋部２１の厚さは、適宜に設定されてよい。例えば、当該厚さは、数μｍ〜３０μｍである。壁部１９及び蓋部２１は、例えば、概ね同等の厚さに形成されている。
【００１６】
壁部１９と蓋部２１とは、別個の材料により形成されてもよいし、異なる材料により形成されてもよい。壁部１９及び蓋部２１は、例えば、紫外線や可視光線等の光が照射されることによって硬化する光硬化性材料により形成されている。換言すれば、壁部１９及び蓋部２１は、ネガ型のフォトレジストにより形成されている。光硬化性材料は、例えば、アクリル基やメタクリル基などのラジカル重合により硬化する樹脂、より具体的には、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系の樹脂である。
【００１７】
振動空間１７は、図１（ｂ）に示すように、断面が概ね矩形状に形成されるとともに、蓋部２１側の角部が曲面により構成されている。換言すれば、振動空間１７を構成する内壁１９ａは、基板３の第１表面３ａから離れるにつれて内方に傾斜している。振動空間１７の平面形状（第１表面３ａの平面視における形状）は、適宜に設定されてよい。例えば、振動空間１７の平面形状は矩形状に形成されている。振動空間１７の大きさは適宜に設定されてよい。
【００１８】
接続用導体１１は、ＳＡＷ素子５と端子１５とを接続するためのものである。接続用導体１１は、例えば、ＳＡＷ素子５と同様に、圧電基板３の第１表面３ａ上に形成されている。接続用導体１１は、特に図示しないが、第１表面３ａ上において適宜なパターンで形成され、ＳＡＷ素子５に接続されている。また、接続用導体１１は、端子１５の配置位置において、端子１５の第１表面３ａ側の端面と同等以上の広さを有するように形成されている。接続用導体１１は、例えば、ＳＡＷ素子５と同一の材料により形成されるとともに、ＳＡＷ素子５と同一の厚さに形成されている。
【００１９】
接続強化層１３は、比較的薄く形成される接続用導体１１を補強して、接続用導体１１と端子１５との接続を強化するためのものである。接続強化層１３は、端子１５の配置位置において接続用導体１１に積層されている。また、接続強化層１３は、端子１５の第１表面３ａ側の端面と同等以上の広さを有するように形成されている。接続強化層１３は、例えば、接続用導体１１と接続強化層１３とで保護層７と概ね同等の厚さになるように形成されており、保護層７から露出している。接続強化層１３は、例えば、クロムやニッケルにより形成されている。
【００２０】
端子１５は、接続強化層１３上に設けられている。従って、端子１５は、接続強化層１３及び接続用導体１１を介してＳＡＷ素子５に電気的に接続されている。また、端子１５は、柱状に形成されており、第１表面３ａに対して立設されている。そして、端子１５の先端側部分は、不図示の回路基板等に接続可能に、カバー部材９から露出している。端子１５は、例えば、半田，Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉにより形成されている。
【００２１】
端子１５は、柱状部分の根元側部分を構成し、側面が壁部１９に覆われる第１柱部２３と、柱状部分の先端側部分を構成し、側面が蓋部２１に覆われる第２柱部２５と、蓋部２１から露出するランド２７とを有している。
【００２２】
第１柱部２３及び第２柱部２５は、それぞれ、第１表面３ａ側が第１表面３ａとは反対側よりも拡径するテーパ状に形成されている。換言すれば、端子１５は少なくともその一部（第１領域）において、第１表面３ａ側の断面積が、第１表面３ａとは反対側の断面積よりも大きくされている。なお、第１柱部２３が第１領域と捉えられてもよいし、第２柱部２５が第１領域と捉えられてもよい。第１柱部２３の第２柱部２５側の端面は、第２柱部２５の第１柱部２３側の端面よりも径が小さく、第１柱部２３と第２柱部２５との境界には、第１表面３ａとは反対側が第１表面３ａ側よりも拡径する段差２９が形成されている。
【００２３】
第１柱部２３及び第２柱部２５は、例えば、概ね同一の大きさ及び形状に形成されている。より具体的には、第１柱部２３及び第２柱部２５は、第１表面３ａとは反対側の端面の形状及び径が互いに概ね同一であり、また、テーパ面の傾斜が互いに概ね同一である。
【００２４】
ランド２７は、例えば、第２柱部２５の第１表面３ａとは反対側の端面よりも面積が広く形成されており、外周部はカバー部材９上に積層されている。
【００２５】
なお、第１表面３ａの平面視における第１柱部２３、第２柱部２５及びランド２７の形状は適宜に設定されてよい。例えば、これらの形状は円形である。また、第１表面３ａの平面視における第１柱部２３、第２柱部２５及びランド２７の大きさは、第１表面３ａの平面視における振動空間１７の大きさに比較して小さい。一例として、第１表面３ａの平面視において、振動空間１７の大きさ５００μｍ×５００μｍに対して、端子１５の径は１００μｍである。
【００２６】
＜ＳＡＷ装置の製造方法＞
図２（ａ）〜図４（ｂ）は、ＳＡＷ装置１の製造方法を説明するための模式的な断面図である。
【００２７】
ＳＡＷ装置１の製造方法は、概観すると、ＳＡＷ素子５の形成工程（図２（ａ））と、カバー部材９の形成工程（図２（ｃ）〜図３（ｄ））と、端子１５の形成工程（図４（ａ）及び図４（ｂ））とを含んでいる。具体的には、以下のとおりである。
【００２８】
図２（ａ）に示すように、まず、圧電基板３の第１表面３ａ上には、ＳＡＷ素子５及び接続用導体１１が形成される。具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の薄膜形成法により、圧電基板３の第１表面３ａ上に金属層が形成される。次に、金属層に対して、縮小投影露光機（ステッパー）とＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置とを用いたフォトリソグラフィー法等によりパターニングが行われる。これにより、ＳＡＷ素子５及び接続用導体１１が形成される。
【００２９】
ＳＡＷ素子５及び接続用導体１１が形成されると、図２（ｂ）に示すように、保護層７及び接続強化層１３が形成される。保護層７及び接続強化層１３は、いずれが先に形成されてもよい。例えば、まず、保護層７となる薄膜が、ＳＡＷ素子５及び接続用導体１１の上を覆うように、ＣＶＤ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成される。次に、接続用導体１１のうち、端子１５の配置位置における部分が露出するように、フォトリソグラフィー法によって薄膜の一部が除去される。これにより、保護層７が形成される。次に、蒸着法等により接続用導体１１の露出部分及び保護層７上に金属層が形成されるとともに、フォトリソグラフィー等により保護層７上の金属層が除去される。これにより、接続強化層１３が形成される。
【００３０】
保護層７及び接続強化層１３が形成されると、図２（ｃ）〜図３（ａ）に示すように、壁部１９が形成される。
【００３１】
具体的には、まず、図２（ｃ）に示すように、保護層７及び接続強化層１３上に、壁部１９を構成する壁部構成層３１が形成される。壁部構成層３１は、例えば、ネガ型のフォトレジストにより形成されたフィルムが貼り付けられることにより形成される。
【００３２】
次に、図２（ｄ）に示すように、フォトマスク３３を介して紫外線等の光が壁部構成層３１に照射される。すなわち、露光処理が行われる。フォトマスク３３は、例えば、透明基板３５上に遮光層３７が形成されることにより構成されている。遮光層３７は、壁部構成層３１を除去すべき位置に対応する位置に配置されている。すなわち、振動空間１７の配置位置及び端子１５の配置位置に対応する位置に配置されている。なお、露光は、投影露光であってもよいし、プロキシミティ露光であってもよいし、密着露光であってもよい。
【００３３】
その後、図３（ａ）に示すように、現像処理を行い、壁部構成層３１のうち、光が照射された部分を残し、光が照射されなかった部分を除去する。これにより、壁部構成層３１には、振動空間１７となる開口部３９と、第１柱部２３が配置される第１孔部４１とが形成される。すなわち、壁部１９が形成される。
【００３４】
ここで、壁部構成層３１の光が照射される領域の縁部においては、照射された光が、壁部構成層３１の光が照射されない領域へ発散されてしまうことから、第１表面３ａ側まで十分に光が到達しない。従って、壁部構成層３１の光が照射される領域の縁部は、第１表面３ａ側が十分に硬化されずに、除去される。その結果、第１孔部４１は、第１表面３ａ側ほど拡径するテーパ状（順テーパ状）に形成される。
【００３５】
同様に、開口部３９も、第１表面３ａ側ほど拡径するテーパ状（順テーパ状）に形成される。ただし、開口部３９は、第１孔部４１よりも大きいこと、平面視において縁部が直線状であることなどから、開口部３９が形成される領域は、第１孔部４１が形成される領域に比較して、光が発散しやすい。従って、断面図において、第１孔部４１は、全体がテーパ状となるのに対し、開口部３９は、第１表面３ａ側とは反対側の部分のみがテーパ状となる。また、断面図において、開口部３９のテーパ面は、第１孔部４１のテーパ面を上下に圧縮した形状となるから、第１孔部４１のテーパ面に比較して曲率が大きくなり、曲面として認識されやすくなる。
【００３６】
第１孔部４１及び開口部３９が形成されると、図３（ｂ）〜図３（ｄ）に示すように、蓋部２１が形成される。
【００３７】
具体的には、まず、図３（ｂ）に示すように、壁部１９上に、蓋部２１を構成する蓋部構成層４３が形成される。蓋部構成層４３は、例えば、ネガ型のフォトレジストにより形成されたフィルムが貼り付けられることにより形成される。蓋部構成層４３が形成されることにより、壁部１９の開口部３９（図３（ａ））が塞がれて、振動空間１７が構成される。なお、壁部構成層３１と蓋部構成層４３とは加熱されることによって接合されることが好ましい。
【００３８】
次に、図３（ｃ）に示すように、フォトマスク４５を介して紫外線等の光が蓋部構成層４３に照射される。すなわち、露光処理が行われる。フォトマスク４５は、フォトマスク３３と同様に、透明基板４７上に遮光層４９が形成されることにより構成されている。遮光層４９は、蓋部構成層４３を除去すべき位置に対応する位置に配置されている。すなわち、端子１５の配置位置に対応する位置に配置されている。フォトマスク４５は、例えば、フォトマスク３３において、遮光層３７のうち振動空間１７に対応する部分を除去した構成となっている。なお、露光は、投影露光であってもよいし、プロキシミティ露光であってもよいし、密着露光であってもよい。
【００３９】
その後、図３（ｄ）に示すように、現像処理を行い、蓋部構成層４３のうち、光が照射された部分を残し、光が照射されなかった部分を除去する。これにより、蓋部構成層４３には、第２柱部２５が配置される第２孔部５１が形成される。すなわち、蓋部２１が形成される。蓋部２１が形成されることにより、壁部１９と蓋部２１によりカバー部材９が完成する。なお、第１孔部４１及び第２孔部５１は接続されており、合体孔部５３を構成している。
【００４０】
カバー部材９が形成されると、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、端子１５が形成される。具体的には、まず、図４（ａ）に示すように、メッキ用下地層５５及びメッキ用レジスト層５７が形成される。
【００４１】
メッキ用下地層５５は、カバー部材９を覆うように形成される。また、メッキ用下地層５５は、接続強化層１３によって構成される合体孔部５３の底面、及び、カバー部材９によって構成される合体孔部５３の内周面にも形成される。メッキ用下地層５５は、例えばフラッシュメッキ法により、Ｔｉ−Ｃｕ合金等で形成するのが好適な一例である。フラッシュメッキ法によりメッキ用下地層５５を形成する場合、メッキ形成部位に電流を流すための配線パターンを形成する必要がない。従って、ＳＡＷ装置１の小型化が可能となる。
【００４２】
メッキ用レジスト層５７は、メッキ用下地層５５上に形成される。メッキ用レジスト層５７は、例えば、スピンコート等の手法で基板に形成される。メッキ用レジスト層５７には、合体孔部５３上にランド用孔部５９が形成されている。ランド用孔部５９は、径が合体孔部５３の径よりも大きく、また、深さ（メッキ用レジスト層５７の厚さ）がランド２７の厚さ以上である。ランド用孔部５９は、例えば、フォトリソグラフィーにより形成される。
【００４３】
次に、図４（ｂ）に示すように、ランド用孔部５９を介して露出するメッキ用下地層５５に対してメッキ法を施す。これにより、合体孔部５３内及びランド用孔部５９に金属が充填されることになる。そして、第１孔部４１に充填された金属により第１柱部２３が形成され、第２孔部５１に充填された金属により第２柱部２５が形成され、ランド用孔部５９に充填された金属によりランド２７が形成される。なお、ランド用孔部５９においては、メッキ用レジスト層５７の表面まで金属が充填される必要はなく、ランド用孔部５９の適宜な深さまで金属が充填されればよい。メッキ法は、適宜に選択されてよいが、電気メッキ法が好適である。電気メッキ法は、柱状の端子１５の高さの自由度が高く、また、メッキ用下地層５５との密着性が良好なためである。
【００４４】
その後、メッキ用レジスト層５７を除去するとともに、メッキ用下地層５５のうちランド用孔部５９から露出していなかった部分を除去する。これにより、図１（ｂ）に示すように、ＳＡＷ装置１が形成される。なお、図１（ｂ）では、メッキ用下地層５５の残った部分の図示は省略されている。メッキ用レジスト層５７は、例えば、アセトンやＩＰＡ等の有機溶剤やジメチルスルフォキシド等のアルカリ性有機溶剤により除去が可能である。メッキ用下地層５５のＣｕは、例えば、塩化第２鉄や燐酸と過酸化水素水の混合液により除去が可能である。また、メッキ用下地層５５のＴｉは、例えば、希フッ酸やアンモニアと過酸化水素水の混合液で除去が可能である。
【００４５】
なお、上記の工程は、いわゆるウエハプロセスにおいて実現される。すなわち、分割されることによって圧電基板３となる母基板を対象に上述の工程が行われ、多数個分のＳＡＷ装置が並行して形成される。
【００４６】
以上の実施形態によれば、ＳＡＷ装置１は、弾性波を伝搬させる圧電基板３と、圧電基板３の第１表面３ａ上に配置された櫛歯状電極６とを有する。また、ＳＡＷ装置１は、第１表面３ａに対して立設され、櫛歯状電極６と電気的に接続された柱状の端子１５と、櫛歯状電極６上に中空の振動空間１７を形成するとともに、端子１５の側面を覆うカバー部材９とを有する。そして、端子１５は、立設方向の少なくとも一部において、第１表面３ａ側が第１表面３ａとは反対側よりも拡径している。従って、端子１５をカバー部材９から引き抜く方向の力を端子１５に加えると、端子１５がカバー部材９に係合し、端子１５の引き抜きが抑制される。すなわち、ＳＡＷ装置１の耐久性が向上する。
【００４７】
端子１５は、第１表面３ａ側が第１表面３ａとは反対側よりも拡径するテーパ部（第１柱部２３及び第２柱部２５）を有する。従って、端子１５をカバー部材９から引き抜く方向の力が端子１５に加えられると、端子１５は、比較的広い面積に亘ってカバー部材９に係合することになる。その結果、カバー部材９に局部的に荷重が加えられることが抑制される。そして、カバー部材９の破損や当該破損によって端子１５の引き抜きが生じることが抑制される。
【００４８】
端子１５は、テーパ部として、第１柱部２３と、第１柱部２３の第１表面３ａとは反対側に連続する第２柱部２５とを有し、第１柱部２３の第２柱部２５側の径は、第２柱部２５の第１柱部２３側の径よりも小さい。従って、引き抜きに対して、後述する第２変形例（図５（ｂ）参照）と同様の係止力を発揮しつつ、第１表面３ａに平行な断面における断面積の、立設方向における変化を第２変形例よりも小さくできる。その結果、端子１５の最小断面積（端子１５の電気抵抗に影響する）に対する最大断面積の比を小さくし、端子１５の小径化を図ることができる。さらに、端子１５に押し込む方向の力が加えられたときに、その力の一部が、カバー部材９に伝達されることになるから、接続強化層１３の負担を軽減することができる。その結果、耐久性の向上や接続強化層１３の薄型化や省略が容易化される。
【００４９】
第１柱部２３と第２柱部２５との境界（段差２９）の第１表面３ａからの位置は、振動空間１７の天井２１ａの第１表面３ａからの位置と一致する。従って、端子１５に押し込む方向の力が加えられたときに、その力が段差２９から蓋部２１に伝達されることが抑制され、ひいては、蓋部２１が撓んで天井２１ａが振動空間１７の底面（保護層７）に接触することが抑制される。その一方で、段差２９から壁部１９に伝達される押し込む方向の力は、壁部１９の第１表面３ａからの高さ方向の全体に加えられることになり、壁部１９に伝達された力を広い範囲に分散させることができる。さらに、壁部１９及び蓋部２１を、それぞれ別個の工程（別個の層）により形成する場合には、各層に対して、単純な形状の孔部（第１孔部４１及び第２孔部５１）を形成すればよく、換言すれば、開口方向の中途で縮径する孔部を形成する必要はなく、合体孔部５３の形成が容易である。
【００５０】
振動空間１７の内壁１９ａ及び天井２１ａは、アーチ状に形成されている。従って、蓋部２１は撓みが抑制される。その結果、例えば、振動空間１７の高さを小さくしてＳＡＷ装置１の小型化を図ることができる。
【００５１】
ＳＡＷ装置１の製造方法は、弾性波を伝搬させる圧電基板３の第１表面３ａ上に櫛歯状電極６を配置する工程（図２（ａ））を有する。また、当該製造方法は、櫛歯状電極６と電気的に接続され、第１表面３ａに対して立設され、立設方向の少なくとも一部において、第１表面３ａ側が第１表面３ａとは反対側よりも拡径している柱状の端子１５を形成する工程（図４（ａ）及び図４（ｂ））を有する。さらに、当該製造方法は、櫛歯状電極６上に中空の振動空間１７を形成するとともに、端子１５の側面を覆うカバー部材９を形成する工程（図２（ｃ）〜図３（ｄ））を有する。従って、端子１５の引き抜きが抑制されるＳＡＷ装置１が形成される。
【００５２】
カバー部材９を形成する工程は、カバー部材９となるカバー部材構成層（壁部構成層３１及び蓋部構成層４３）を形成する工程（図２（ｃ）及び図３（ｂ））を有する。また、カバー部材９を形成する工程は、カバー部材構成層に、合体孔部５３を形成する工程（図２（ｄ）及び図３（ａ）、並びに、図３（ｃ）及び図３（ｄ））を有する。合体孔部５３は、端子１５の立設方向の少なくとも一部において、第１表面３ａ側が第１表面３ａとは反対側よりも拡径する。そして、端子１５を形成する工程（図４（ｂ））では、合体孔部５３内に導電性材料（金属）が充填されて端子１５が形成される。
【００５３】
従って、立設方向の少なくとも一部において、第１表面３ａ側が第１表面３ａとは反対側よりも拡径する端子１５が容易に形成される。しかも、後述する第４変形例（図６（ａ）〜図６（ｄ）参照）の形成方法に比較して、端子１５の柱部を形成するためにのみ、後に除去されるレジスト層を設ける必要がなく、製造方法が簡素化される。
【００５４】
合体孔部５３を形成する工程では、ネガ型のフォトリソグラフィーによってカバー部材構成層（壁部構成層３１及び蓋部構成層４３）の一部が除去されて合体孔部５３が形成される。従って、露光のための光が散乱してしまうという、本来であれば望ましくない現象を積極的に利用して、端子１５の立設方向の少なくとも一部において、第１表面３ａ側が第１表面３ａとは反対側よりも拡径する合体孔部５３を形成できる。その結果、合体孔部５３の一部を拡径するための特別な工程を追加する必要がなく、製造方法が簡素化される。
【００５５】
カバー部材構成層を形成する工程は、振動空間１７の壁部１９を構成する壁部構成層３１を形成する工程（図２（ｃ））と、壁部構成層３１上に、振動空間１７の蓋部２１を構成する蓋部構成層４３を形成する工程（図３（ｂ））とを有する。合体孔部５３を形成する工程は、蓋部構成層４３を形成する工程の前に、ネガ型のフォトリソグラフィーによって壁部構成層３１の一部を除去して、振動空間１７となる開口部３９と、第１孔部４１とを形成する工程（図２（ｄ）及び図３（ａ））を有する。第１孔部４１は、合体孔部５３の表面側部分となる、第１表面３ａ側が第１表面３ａとは反対側よりも拡径する孔部である。また、合体孔部５３を形成する工程は、蓋部構成層４３を形成する工程の後に、ネガ型のフォトリソグラフィーによって蓋部構成層４３の一部を除去して第２孔部５１を形成する工程（図３（ｃ）及び図３（ｄ））を有する。第２孔部５１は、合体孔部５３の第１表面３ａとは反対側部分となる、第１表面３ａ側が第１表面３ａとは反対側よりも拡径し、第１表面３ａ側の径が、第１孔部４１の第１表面３ａとは反対側の径よりも大きい孔部である。
【００５６】
従って、上述したように、端子１５の２つのテーパ部（第１柱部２３及び第２柱部２５）を形成可能な、開口方向の一部において縮径する合体孔部５３が、単純な形状の第１孔部４１及び第２孔部５１の形成によって実現される。
【００５７】
なお、以上の実施形態において、ＳＡＷ装置１は本発明の弾性波装置の一例であり、圧電基板３は本発明の基板の一例であり、第１表面３ａは本発明の基板の表面の一例である。また、櫛歯状電極６は本発明の励振電極の一例であり、第１柱部２３は本発明の第１のテーパ部の一例であり、第２柱部２５は本発明の第２テーパ部の一例である。
【００５８】
本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
【００５９】
弾性波装置は、ＳＡＷ装置に限定されない。例えば、弾性波装置は、圧電薄膜共振器であってもよい。弾性波装置において、保護層（７）や接続強化層（１３）は省略されてもよいし、逆に、他の適宜な層が形成されてもよい。例えば、実施形態において、壁部１９上、又は、蓋部２１上に積層され、基準電位に接続される端子１５に支持される金属層（平板）が設けられてもよい。この場合、蓋部２１の撓みに対する強度を金属層によって補強できる。
【００６０】
端子は、テーパ状のものに限定されない。適宜な形状により、立設方向の少なくとも一部において、表面側が表面とは反対側よりも拡径する端子が実現されてよい。
【００６１】
図５（ａ）は、第１変形例の端子１１５を示す模式的な断面図である。端子１１５は、接続強化層１３上に立設された第１柱部１２３と、第１柱部１２３上に立設された第２柱部１２５と、第２柱部１２５上に設けられたランド２７とを有している。第１柱部１２３及び第２柱部１２５は、円柱状に形成されている。また、第１柱部１２３の径は、第２柱部１２５の径よりも大きい。
【００６２】
第１変形例によれば、実施形態と同様に、端子１１５がカバー部材１０９に係合し、引き抜きが抑制される。また、カバー部材１０９の壁部１１９及び蓋部１２１においては、開口方向において均一な径を有する孔部を形成すればよいことから、孔部の形成方法の選択の自由度が向上する。
【００６３】
また、端子がテーパ部を有する場合、テーパ部の数は２つに限定されない。テーパ部の数は、一つでもよいし、３つ以上であってもよい。
【００６４】
図５（ｂ）は、第２変形例の端子２１５を示す模式的な断面図である。端子２１５は、接続強化層１３上に立設された柱部２２３と、柱部２２３上に設けられたランド２７とを有している。柱部２２３は、端子１５のうち側面がカバー部材９に被覆される部分の全体であり、また、一つのテーパ状に形成されている。なお、このような柱部２２３を形成するためには、例えば、壁部２１９に形成する孔部の径よりも、壁部２２１に形成する孔部の径を小さくするように、ネガ型のフォトリソグラフィーを行えばよい。
【００６５】
第２変形例によれば、実施形態と同様に、端子２１５がカバー部材２０９に係合し、引き抜きが抑制される。また、端子２１５及びカバー部材２０９の端子２１５を被覆する部分には、角部が生じることが抑制されるから、応力集中が生じることが抑制され、耐久性が向上する。
【００６６】
また、端子は、側面がカバー部材に被覆される部分の全体において、テーパ部が形成される必要はない。
【００６７】
図５（ｃ）は、第３変形例の端子３１５を示す模式的な断面図である。端子３１５は、接続強化層１３上に立設された第１柱部２３と、第１柱部２３上に立設された第２柱部１２５と、第２柱部１２５上に設けられたランド２７とを有している。第１柱部２３は、実施形態と同様にテーパ状に形成され、第２柱部１２５は、第１変形例と同様に円柱状に形成されている。
【００６８】
第３変形例によれば、実施形態と同様に、端子３１５がカバー部材３０９に係合し、引き抜きが抑制される。また、蓋部１２１においては、テーパ状の孔部を形成する必要がないから、孔部の形成方法の選択の自由度が高い。その結果、壁部１９の形成材料と蓋部１２１の形成材料とを異なるものにすることなども容易になる。なお、第３変形例とは逆に、第１柱部が円柱状に、第２柱部がテーパ状に形成されてもよい。
【００６９】
第１のテーパ部（２３）と第２のテーパ部（１２５）との段差（２９）の表面（３ａ）からの位置は、振動空間（１７）の天井（２１ａ）の表面（３ａ）からの位置と一致しなくてもよい。また、段差の位置と天井の位置とを一致させない製造方法も適宜に選択可能である。例えば、実施形態では、２層のフォトレジスト（３１、４３）によりカバー部材を構成したが、それよりも多い複数層のフォトレジストによりカバー部材を構成して、適宜な位置にテーパの段差を形成してもよい。
【００７０】
実施形態では、カバー部材を形成する工程の後に端子を形成する工程が行われたが、端子を形成する工程の後にカバー部材が形成されてもよい。
【００７１】
図６（ａ）〜図６（ｄ）は、第４変形例のＳＡＷ装置４０１の製造方法を説明するための模式的な断面図である。第４変形例では、端子４１５が形成された後に、カバー部材４０９（図６（ｄ））が形成される。具体的には、以下のとおりである。
【００７２】
まず、図６（ａ）に示すように、圧電基板３の第１表面３ａ上には、ＳＡＷ素子（図示省略）上に振動空間４１７を構成する内郭部４１９が形成される。内郭部４１９は、カバー部材４０９の内側部分を構成するものである。内郭部４１９は、例えば、感光性樹脂により形成される。
【００７３】
次に、図６（ｂ）に示すように、孔部４５３が形成された端子用レジスト層４５７が形成され、孔部４５３に導電性材料が充填されることにより、端子４１５が形成される。孔部４５３及び端子４１５は、例えば、第２変形例と同様に、全体がテーパ状に形成されたものである。
【００７４】
その後、図６（ｃ）に示すように、端子用レジスト層４５７は除去される。これにより、端子４１５の側面は露出する。
【００７５】
そして、図６（ｄ）に示すように、内郭部４１９及び端子４１５は樹脂封止される。封止樹脂の上面側部分は、端子４１５が露出するまで（点線で示す位置まで）研削される。研削された封止樹脂により、カバー部材４０９の外側部分を構成する外郭部４２１が形成される。
【００７６】
なお、カバー部材より先に端子を形成する場合、端子の形成方法は、レジスト層に形成された孔部に導電性材料を充填する方法に限定されない。例えば、透過孔の径が互いに異なる複数のマスクを用いて、マスクを介した金属の蒸着を複数回行うことによって、適宜な位置において拡径する端子を形成してもよい。
【００７７】
カバー部材等に孔部を形成し、孔部に導電性材料を充填して端子を形成する場合、孔部の形成は、フォトリソグラフィーによるものに限定されない。例えば、孔部は、レーザ光によるアブレーション加工によって形成されてもよい。なお、この場合、テーパ面は、例えば、レーザ光の照射角度を基板の表面に対して傾斜させることにより、形成可能である。
【００７８】
また、端子となる導電性材料が充填される孔部がフォトリソグラフィーにより形成される場合、テーパ面の形成は、ネガ型のフォトリソグラフィーにおける光の発散を利用するものに限定されない。例えば、ポジ型又はネガ型のフォトリソグラフィーにおいて、光を基板の表面に対して斜めに照射することにより、テーパ面を形成することが可能である。また、ネガ型のフォトリソグラフィーにおいて、縮小投影系によって光の径を縮径させつつレジストに照射することにより、表面側が拡径するテーパ状の孔部を形成することが可能である。
【００７９】
実施形態では、端子のテーパ部は、表面側が表面とは反対側よりも拡径した。しかし、端子のテーパ部は、表面とは反対側が表面側よりも拡径するように形成されてもよい。
【００８０】
図７は、第５の変形例に係るＳＡＷ装置５０１を示す模式的な断面図である。
【００８１】
端子５１５の第１柱部５２３及び第２柱部５２５は、それぞれ、第１表面３ａとは反対側が第１表面３ａ側よりも拡径するテーパ状に形成されている。第１柱部５２３の第２柱部５２５側の端面は、第２柱部５２５の第１柱部５２３側の端面よりも径が大きく、第１柱部５２３と第２柱部５２５との境界には、第１表面３ａ側が第１表面３ａとは反対側よりも拡径する段差５２９が形成されている。換言すれば、端子５１５は、第１表面３ａとは反対側の断面積が第１表面３ａ側の断面積よりも大きい第３のテーパ部（第１柱部５２３）と、第３のテーパ部に連続し、第１の表面３ａとは反対側の断面積が、第１の表面３ａ側の断面積よりも大きい第４のテーパ部（第２柱部５２５）とを有している。また、第３のテーパ部の第４のテーパ部側の断面積と、第４のテーパ部の第３のテーパ部側の断面積とを比較すると、第３のテーパ部の第４のテーパ部側の断面積の方が大きくされている。なお、第１柱部５２３及び第２柱部５２５は、互いに同一の大きさ及び形状であってもよいし、互いに異なる大きさ及び形状であってもよい。
【００８２】
このような構成によっても、段差５２９がカバー部材５０９に対して第１表面３ａ側から係合することにより、端子５１５の引き抜きが抑制される。
【００８３】
ＳＡＷ装置５０１の製造方法は、実施形態のＳＡＷ装置１の製造方法と概ね同様である。ただし、ＳＡＷ装置５０１の製造方法においては、ネガ型のフォトリソグラフィーに代えて、ポジ型のフォトリソグラフィーにより、壁部５１９及び枠部５２１が形成される。
【００８４】
ポジ型のフォトリソグラフィーにより、端子５１５となる金属が充填される第１孔部５４１及び第２孔部５５１が形成されると、実施形態と同様に、光の発散により、第１孔部５４１及び第２孔部５５１はテーパ状となる。ただし、ネガ型とは光の照射領域と被照射領域とが逆であるから、第１孔部５４１及び第２孔部５５１は、実施形態の第１孔部４１及び第２孔部５１とは逆方向に拡径する。
【００８５】
また、ポジ型のフォトリソグラフィーにより振動空間５１７が形成されることにより、内壁５１９ａ及び天井５２１ａも、第１の実施形態の内壁１９ａ及び天井２１ａとは逆の形状、すなわち、第１表面３ａとは反対側ほど拡径する形状となる。
【００８６】
なお、上述のように、テーパ状の孔部は、光を斜めに照射することなどによっても形成可能であるから、ネガ型のフォトリソグラフィーによって第１孔部５４１及び第２孔部５５１を形成することも可能である。
【００８７】
振動空間は、カバー部材の壁部の開口部が、壁部とは別個に形成された蓋部によって塞がれることにより構成されるものに限定されない。例えば、基板上に振動空間と同一形状のレジストを形成し、その上にカバー部材となるカバー部材構成層を形成し、その後、カバー部材構成層に設けた貫通孔を介して、レジストを除去することにより、振動空間を構成してもよい。
【００８８】
振動空間は、アーチ状に形成されなくてもよい。また、振動空間がアーチ状に形成される場合、アーチは、内壁の天井側部分が曲面状に面取りされることにより形成されるものに限定されない。例えば、アーチは、内壁全体が平面状のテーパ面により構成されることにより形成されてもよい。また第１のテーパ部と第２のテーパ部との境界の第１表面３ａからの位置は、振動空間１７の天井の第１表面３ａからの位置と必ずしも一致している必要はなく、両者の位置がずれていてもよい。
また、第１のテーパ部と第２のテーパ部とは、その傾斜角（各テーパ部が圧電基板の第１表面３ａとなす角）が互いに異なるようにしてもよい。例えば、第１のテーパ部の傾斜角が第２のテーパ部の傾斜角より大きくなるようにして第１柱部２３と第２柱部２５を形成してもよい。このように第１のテーパ部の傾斜角と第２のテーパ部の傾斜角を異ならせることによって、端子１５に押し込む方向の力が加えられたときに、壁部１９に伝達される力をより広範囲に分散させることができる。
【符号の説明】
【００８９】
１…ＳＡＷ装置（弾性波装置）、３…圧電基板（基板）、３ａ…第１表面（表面）、６…櫛歯状電極（励振電極）、９…カバー部材、１５…端子、１７…振動空間、１９ａ…内壁、２１ａ…天井。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性波を伝搬させる基板と、
前記基板の表面上に配置され、高さ方向の少なくとも第１領域はその前記表面側の断面積がその前記表面とは反対側の断面積よりも大きい、柱状の端子と、
前記基板の表面上に配置され、且つ、前記端子と電気的に接続された励振電極と、
前記励振電極上に形成される振動空間の天井及び内壁を構成し、前記端子の前記第１領域の側面を覆うカバー部材と、
を有し、
前記振動空間の前記内壁は、前記基板の前記表面から離れるにつれて内方に傾斜しており、前記振動空間の前記天井側の角部が曲面により構成されている弾性波装置。
【請求項２】
前記端子は、前記表面側が前記表面とは反対側よりも拡径するテーパ部を有する
請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記端子の前記テーパ部は、
第１のテーパ部と、
当該第１のテーパ部の前記表面とは反対側に連続する第２のテーパ部と、
を有し、
前記第１のテーパ部の前記第２のテーパ部側の断面積は、前記第２のテーパ部の前記第１のテーパ部側の断面積よりも小さい
請求項２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記第１のテーパ部と前記第２のテーパ部との境界の前記表面からの距離は、前記天井の前記表面からの距離と一致する
請求項３に記載の弾性波装置。
【請求項５】
前記端子は、前記カバー部材から露出するランドを有し、該ランドの外周部は前記カバー部材に積層されている
請求項１乃至４のいずれかに記載の弾性波装置。
【請求項６】
前記励振電極と前記端子とを電気的に接続する接続用導体をさらに備え、
前記端子は前記接続用導体上に配置され、
前記端子と前記接続用導体との間には、クロムを含む材料からなる接続強化層が介在されている
請求項１乃至５のいずれかに記載の弾性波装置。
【請求項１】
弾性波を伝搬させる基板と、
前記基板の表面上に配置され、高さ方向の少なくとも第１領域はその前記表面側の断面積がその前記表面とは反対側の断面積よりも大きい、柱状の端子と、
前記基板の表面上に配置され、且つ、前記端子と電気的に接続された励振電極と、
前記励振電極上に形成される振動空間の天井及び内壁を構成し、前記端子の前記第１領域の側面を覆うカバー部材と、
を有し、
前記振動空間の前記内壁は、前記基板の前記表面から離れるにつれて内方に傾斜しており、前記振動空間の前記天井側の角部が曲面により構成されている弾性波装置。
【請求項２】
前記端子は、前記表面側が前記表面とは反対側よりも拡径するテーパ部を有する
請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記端子の前記テーパ部は、
第１のテーパ部と、
当該第１のテーパ部の前記表面とは反対側に連続する第２のテーパ部と、
を有し、
前記第１のテーパ部の前記第２のテーパ部側の断面積は、前記第２のテーパ部の前記第１のテーパ部側の断面積よりも小さい
請求項２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記第１のテーパ部と前記第２のテーパ部との境界の前記表面からの距離は、前記天井の前記表面からの距離と一致する
請求項３に記載の弾性波装置。
【請求項５】
前記端子は、前記カバー部材から露出するランドを有し、該ランドの外周部は前記カバー部材に積層されている
請求項１乃至４のいずれかに記載の弾性波装置。
【請求項６】
前記励振電極と前記端子とを電気的に接続する接続用導体をさらに備え、
前記端子は前記接続用導体上に配置され、
前記端子と前記接続用導体との間には、クロムを含む材料からなる接続強化層が介在されている
請求項１乃至５のいずれかに記載の弾性波装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１０−２５２３９９（Ｐ２０１０−２５２３９９Ａ）
【公開日】平成２２年１１月４日（２０１０．１１．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１７８４３０（Ｐ２０１０−１７８４３０）
【出願日】平成２２年８月９日（２０１０．８．９）
【分割の表示】特願２０１０−５１５７１２（Ｐ２０１０−５１５７１２）の分割
【原出願日】平成２１年１１月２４日（２００９．１１．２４）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１１月４日（２０１０．１１．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年８月９日（２０１０．８．９）
【分割の表示】特願２０１０−５１５７１２（Ｐ２０１０−５１５７１２）の分割
【原出願日】平成２１年１１月２４日（２００９．１１．２４）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
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