有機電界発光表示素子及びその製造方法
【課題】 アノード電極の導電性とコントラスト比を向上させる有機EL表示装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】カソード１１２と交差するように、複数のアノード電極１０４は、基板上に一定の間隔で分離するように形成される。アノード電極は、光透過率が良く、導電性が低いITO、IＺO、IＴＺO等の透明導電性物質で形成される。アノード電極１０４と平行に、その両側を部分的に覆うように不透明導電パターン１０５が形成され、不透明導電パターン１０５は絶縁膜１０６によって覆われる。従って、アノード電極１０４の導電性と共に開口率及びコントラスト比が向上される。
【解決手段】カソード１１２と交差するように、複数のアノード電極１０４は、基板上に一定の間隔で分離するように形成される。アノード電極は、光透過率が良く、導電性が低いITO、IＺO、IＴＺO等の透明導電性物質で形成される。アノード電極１０４と平行に、その両側を部分的に覆うように不透明導電パターン１０５が形成され、不透明導電パターン１０５は絶縁膜１０６によって覆われる。従って、アノード電極１０４の導電性と共に開口率及びコントラスト比が向上される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機電界発光表示素子に関し、特にアノード電極の導電性と共にコントラスト比を向上させることができる有機電界発光表示素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、陰極線管の問題点である重さと嵩を減らすことができる各種の平板表示装置が開発されている。このような平板表示装置としては、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）、電界型放出表示装置（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）、プラズマディスプレィパネル（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ：ＰＤＰ）及び電界発光（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｎｃｅ：ＥＬ）表示装置等がある。
【０００３】
ＰＤＰは、構造と製造工程が比較的に単純であるため、大画面化に一番有利ではあるが、発光効率と輝度が低くて消費電力が大きいという問題点がある。
【０００４】
ＬＣＤは、ノートブック・コンピュータの表示装置として主に利用されるに連れて需要が伸びてはいるが、大画面化が難しく、また、バックライトユニットによって消費電力が大きいという問題点がある。また、ＬＣＤは、偏光フィルター、フリズムシート、拡散板などの光学表示装置によって光損失が大きく、視野角が狭いという問題点がある。これらに対して、ＥＬ表示装置は、無機ＥＬと有機ＥＬとに大別され、応答速度が速く、発光効率、輝度及び視野角が大きいという利点がある。また、有機ＥＬ表示装置は、約１０〔Ｖ〕程の電圧で数万〔ｃｄ/ｍ２〕の高い輝度で画像を表示することができる。
【０００５】
図１は、従来の有機ＥＬ表示素子を示す斜視図であり、図２は、図１のA領域を具体的に示す平面図であり、図３は、図２のＩ−Ｉ’線及びII−II’線を切り取って示す断面図である。
【０００６】
図１乃至図３に示した有機ＥＬ表示素子は、基板２上にアノード電極４とカソード電極１２とが相互に交差する方向に形成される。
【０００７】
アノード電極４は、基板２上に所定の間隔で複数個、形成される。
【０００８】
アノード電極４の一側には、不透明導電パターン５が形成される。不透明導電パターン５は、高い抵抗を有するITO（Indium Tin Oxide）、IＺO（Indium Zinc Oxide）、IＴＺO（Indium Tin Zinc Oxide）等の透明導電性物質で形成されたアノード電極４の導電性を向上させる役割をする。このようなアノード電極４及び不透明導電パターン５が形成された基板２上には、ELセル（E）領域ごとに開口部を有する絶縁膜６が形成される。
【０００９】
絶縁膜６上には、その上に形成される有機発光層１０及びカソード電極１２を分離するための隔壁８が位置する。隔壁８は、アノード電極４を横切る方向に形成され、上端部が下端部より広い幅を有する逆テーパ（taper）構造を有する。隔壁８が形成された絶縁膜６上には、有機発光層１０が形成され、カソード電極１２の物質が、全面に蒸着によって形成される。
【００１０】
有機発光層１０は図４に示したのように、正孔注入層１０e、正孔輸送層１０d、発光層１０c、電子輸送層１０b及び電子注入層１０aが、蒸着で形成される。このような有機EL表示素子は、アノード電極４とカソード電極１２に駆動信号が印加されると電子と正孔が放出され、アノード電極４及びカソード電極１２から放出された電子と正孔は、発光層１０c内で再結合することによって可視光を発生させる。この際、発生された可視光は、アノード電極４を通じて外部に出て、所定の画像または映像を表示する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
一方、従来の有機EL表示素子は、アノード電極４の導電性を補償するための不透明導電パターン５が形成されるにも関わらず、アノード電極４はアルミニウム（Al）のような高導電度の金属で形成されたカソード電極１２より、導電性が低いという問題が依然として存在し、また、不透明導電パターン５が発光領域Ｐ１の一部を占めることによって、それだけ、開口率が小さくなるという問題点がある。
【００１２】
また、従来の有機EL表示素子は、外部から入射される光がアノード電極４と有機発光層１０とをほぼ完全に透過する。その結果、有機発光層１０から光が発光されない時、図５に示すように、基板２の表面から入射する外部光４０は、透明導電性物質であるアノード電極４と有機発光層１０とを透過すると共に、金属電極であるカソード電極１２によって反射される。従って、コントラスト比が低下する問題点がある。
【００１３】
従って、本発明の目的は、アノード電極の導電性と共にコントラスト比を向上させることができる有機EL表示装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記の目的を達成するために、本発明による有機電界発光表示素子は、基板上に平行に配置されると共に、透明導電性物質で形成され、相互に電気的に分離された複数のアノード電極と、前記アノード電極各々の第１辺に沿って形成される第１導電性遮光パターンと、前記アノード電極各々の第２辺に沿って形成される第２導電性遮光パターンとを備えることを特徴とする。
【００１５】
前記第１及び第２辺は相互に平行であり、前記第１導電性遮光パターンは前記アノード電極の第１辺を覆うように形成され、前記第２導電性遮光パターンは前記アノード電極の第２辺を覆うように形成されることを特徴とする。
【００１６】
前記第１及び第２導電性遮光パターンは、前記アノード電極を覆う部分を除いた残部が前記基板と接触し、段差のある断面を有することを特徴とする。
【００１７】
前記アノード電極を部分的に露出させて発光領域を画定する絶縁膜と、前記発光領域に形成される有機発光層と、前記有機発光層を間において前記アノード電極と交差するように形成されるカソード電極とを備え、前記絶縁膜は前記第１及び第２導電性遮光パターンを覆うように形成されることを特徴とする。
【００１８】
前記第１及び第２導電性遮光パターンは、不透明導電物質を含むと共に、外部光を遮断することを特徴とする。
【００１９】
本発明による有機電界発光表示素子の製造方法は、基板上に平行に配置されると共に、透明導電性物質で形成され、相互に電気的に分離された複数のアノード電極を形成する段階と、前記アノード電極各々の第１辺に沿って形成される第１導電性遮光パターン及び前記アノード電極各々の第２辺に沿って形成される第２導電性遮光パターンを形成する段階を含むことを特徴とする。
【００２０】
上記製造方法において、前記第１及び第２辺は相互に平行であり、前記第１導電性遮光パターンは前記アノード電極の第１辺を覆うように形成され、前記第２導電性遮光パターンは前記アノード電極の第２辺を覆うように形成されることを特徴とする。
【００２１】
上記製造方法において、前記第１及び第２導電性遮光パターンは、前記アノード電極を覆う部分を除いた残部が前記基板と接触し、段差のある断面を有することを特徴とする。
【００２２】
上記製造方法は、前記アノード電極を部分的に露出させて発光領域を画定すると共に、前記第１及び第２導電性遮光パターンを覆う絶縁膜を形成する段階と、前記発光領域に有機発光層を形成する段階と、前記有機発光層を間において前記アノード電極と交差するカソード電極を形成する段階とを含むことを特徴とする。
【００２３】
上記製造方法において、前記第１及び第２導電性遮光パターンは、不透明導電物質を含むと共に外部光を遮断することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
本発明による有機EL表示素子及びその製造方法は、不透明導電パターンが、アノード電極に平行に、アノード電極の両側（左辺及び右辺）に覆うように形成されると共に、前記アノード電極間が絶縁されるように、相互に電気的に分離されるように形成される。従って、不透明導電パターンの形成領域が、従来より約２倍以上多くなることによって、アノード電極の導電性が向上する。また、不透明導電パターンが、発光領域上に位置しておらず、同時に非発光領域の相当部分に位置することによって、開口率と共にコントラスト比が向上される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、添付した図面を参照して、本発明による有機電界発光表示素子を詳しく説明する。
【００２６】
図６乃至図１０Eを参照して、本発明の好ましい実施形態を説明する。
【００２７】
図６は、本発明の実施形態の、有機EL表示素子の一部分を示す平面図であり、図７は図６に示した有機EL表示素子をIII−III’線に沿って切り取って示した断面図である。
【００２８】
図６及び図７を参照すると、有機EL表示素子は、相互に交差するように形成されるアノード電極１０４とカソード電極１１２、アノード電極１０４とカソード電極１１２との各交差部に形成されるELセル（E）を備える。
【００２９】
複数のアノード電極１０４は、基板１０２上に一定の間隔で分離するように形成され、アノード電極は、光透過率が良く、導電性が低いITO、IＺO、IＴＺO等の透明導電性物質で形成される。
【００３０】
アノード電極１０４が形成された基板１０２上には、アノード電極１０４と平行に、その両側を部分的に覆うように形成された不透明導電パターン１０５が形成され、前記不透明導電パターン１０５は絶縁膜１０６によって覆われて形成される。換言すると、アノード電極１０４の両側、即ち、左辺（または第１辺）及び右辺（または第２辺）に、各々不透明導電パターン１０５が覆うように形成される。従って、アノード電極１０４の導電性と共に開口率及びコントラスト比が向上される。
【００３１】
これを図８を参照して詳しく説明する。
【００３２】
本発明においては、不透明導電パターン１０５がアノード電極１０４の両側を覆うように形成され、従来とは異なって、広い線幅を有する。従って、従来と比較して、アノード電極１０４の導電性が向上する。ここで、各々の不透明導電パターン１０５は、アノード電極１０４が相互に、電気的に絶縁されるように独立したパターンで形成される。
【００３３】
また、従来とは異なって、不透明導電パターン１０５の一部だけが、アノード電極１０４を覆うように形成され、残部はアノード電極１０４と重ならない非発光領域Ｐ２に伸張するように形成される。その結果、不透明導電パターン１０５が、非発光領域Ｐ２に形成される絶縁膜１０６によって覆われるように形成される。従って、不透明導電パターン１０５が発光領域Ｐ１上に位置しない（設けられない）ことによって、全体の開口率が向上され、そして、不透明導電パターン１０５が非発光領域Ｐ２にほとんど位置することによって、図９に示したような従来技術のものより、相当量の外部光１４０を遮断することが可能になることによって、コントラスト比が向上する。
【００３４】
このように、不透明導電パターン１０５を覆うように形成される絶縁膜１０６は、ELセル（E）領域ごとに発光領域Ｐ１を画定する開口部を有するように形成される。絶縁膜１０６上には、その上に形成される有機発光層１１０及びカソード電極１１２を分離するための隔壁１０８が設けられる。隔壁１０８はアノード電極１０４が交差する方向に形成され、上端部が下端部より広い幅を有するようになる逆テーパ（taper）構造を有する。隔壁１０８が形成された絶縁膜１０６上には有機発光層１１０が形成され、カソード電極１１２は、電極物質を蒸着することによって全面に形成される。有機発光層１１０は、従来と同様に、正孔注入層１０e、正孔輸送層１０d、発光層１０c、電子輸送層１０b及び電子注入層１０aが積層され、形成される。
【００３５】
このように、本発明による有機電界発光表示素子は、不透明導電パターン１０５が、アノード電極１０４と平行に、また、その一部がアノード電極１０４の両側を覆うように形成されると共に、アノード電極１０４間が絶縁されるように、相互に電気的に分離されるように形成される。従って、不透明導電パターン１０５の形成領域が、従来より約２倍以上多くなることによって、アノード電極１０４の導電性が向上する。また、不透明導電パターン１０５が発光領域Ｐ１上に位置しなくなると同時に、非発光領域Ｐ２の相当部分に位置することによって、開口率と共にコントラスト比が向上される。
【００３６】
図１０A乃至図１０Eは、図７に示した有機EL表示素子の製造方法を段階的に示した図面である。
【００３７】
まず、基板１０２上に、スパッタリング等の蒸着方法を利用して、ITO、IＺO、IＴＺO等の透明導電性物質が蒸着された後、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程によってパターニングされることによって、図１０Aに示すようにアノード電極１０４が形成される。
【００３８】
アノード電極１０４が形成された基板１０２上に、モリブデン（Ｍo）等の不透明導電物質が形成された後、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程によってパターニングされることによって、図１０Ｂに示すように各々電気的に分離されると共に、アノード電極１０４の両側、即ち、左辺（または第１辺）及び右辺（または第２辺）を各々覆うように、不透明導電パターン１０５が形成される。
【００３９】
不透明導電パターン１０５が形成された基板１０２上に、感光性絶縁物質がスピンコーティング（Spin-Coating）法によってコーティングされた後、フォトリソグラフィ工程等によってパターニングされることにより、図１０Ｃに示すように発光領域Ｐ１を露出させると共に、不透明導電パターン１０５を覆うように絶縁膜１０６が形成される。
【００４０】
絶縁膜１０６上に感光性有機物質が蒸着された後、フォトリソグラフィ工程等によってパターニングされることによって、隔壁が形成される。
【００４１】
絶縁膜１０６及び隔壁１０８等が形成された基板１０２上に、図１０Ｄに示すように有機発光層１１０が形成される。
【００４２】
有機発光層１１０が形成された基板１０２上に、アルミニウム（Al）等の金属物質が蒸着されることによって、図１０Eに示すようにカソード電極１１２が形成される。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】従来の有機電界発光表示素子を示す斜視図である。
【図２】図１のA領域を具体的に示す平面図である。
【図３】図２に示したI−I’、II−II’線に沿って切り取った断面図である。
【図４】従来の有機電界発光表示素子の発光原理を説明するためのダイヤグラムである。
【図５】入射された外部光が、有機電界発光表示素子のカソード電極から反射されるのを示す図面である。
【図６】本発明の実施形態の、有機電界発光表示素子の一領域を具体的に示す平面図である。
【図７】図６に示したIII−III’線に沿って切り取った断面図である。
【図８】図６及び図７に示した不透明導電パターンの形状を具体的に示す図面である。
【図９】不透明導電パターンの遮光する役割を示す図面である。
【図１０Ａ】図７に示した有機電界発光表示素子の製造方法を示す図面である。
【図１０Ｂ】図７に示した有機電界発光表示素子の製造方法を示す図面である。
【図１０Ｃ】図７に示した有機電界発光表示素子の製造方法を示す図面である。
【図１０Ｄ】図７に示した有機電界発光表示素子の製造方法を示す図面である。
【図１０Ｅ】図７に示した有機電界発光表示素子の製造方法を示す図面である。
【符号の説明】
【００４４】
４、１０４：アノード電極 １２、１１２：カソード電極
５、１０５：不透明導電パターン ６、１０６：絶縁膜
８、１０８：隔壁
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機電界発光表示素子に関し、特にアノード電極の導電性と共にコントラスト比を向上させることができる有機電界発光表示素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、陰極線管の問題点である重さと嵩を減らすことができる各種の平板表示装置が開発されている。このような平板表示装置としては、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）、電界型放出表示装置（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）、プラズマディスプレィパネル（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ：ＰＤＰ）及び電界発光（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｎｃｅ：ＥＬ）表示装置等がある。
【０００３】
ＰＤＰは、構造と製造工程が比較的に単純であるため、大画面化に一番有利ではあるが、発光効率と輝度が低くて消費電力が大きいという問題点がある。
【０００４】
ＬＣＤは、ノートブック・コンピュータの表示装置として主に利用されるに連れて需要が伸びてはいるが、大画面化が難しく、また、バックライトユニットによって消費電力が大きいという問題点がある。また、ＬＣＤは、偏光フィルター、フリズムシート、拡散板などの光学表示装置によって光損失が大きく、視野角が狭いという問題点がある。これらに対して、ＥＬ表示装置は、無機ＥＬと有機ＥＬとに大別され、応答速度が速く、発光効率、輝度及び視野角が大きいという利点がある。また、有機ＥＬ表示装置は、約１０〔Ｖ〕程の電圧で数万〔ｃｄ/ｍ２〕の高い輝度で画像を表示することができる。
【０００５】
図１は、従来の有機ＥＬ表示素子を示す斜視図であり、図２は、図１のA領域を具体的に示す平面図であり、図３は、図２のＩ−Ｉ’線及びII−II’線を切り取って示す断面図である。
【０００６】
図１乃至図３に示した有機ＥＬ表示素子は、基板２上にアノード電極４とカソード電極１２とが相互に交差する方向に形成される。
【０００７】
アノード電極４は、基板２上に所定の間隔で複数個、形成される。
【０００８】
アノード電極４の一側には、不透明導電パターン５が形成される。不透明導電パターン５は、高い抵抗を有するITO（Indium Tin Oxide）、IＺO（Indium Zinc Oxide）、IＴＺO（Indium Tin Zinc Oxide）等の透明導電性物質で形成されたアノード電極４の導電性を向上させる役割をする。このようなアノード電極４及び不透明導電パターン５が形成された基板２上には、ELセル（E）領域ごとに開口部を有する絶縁膜６が形成される。
【０００９】
絶縁膜６上には、その上に形成される有機発光層１０及びカソード電極１２を分離するための隔壁８が位置する。隔壁８は、アノード電極４を横切る方向に形成され、上端部が下端部より広い幅を有する逆テーパ（taper）構造を有する。隔壁８が形成された絶縁膜６上には、有機発光層１０が形成され、カソード電極１２の物質が、全面に蒸着によって形成される。
【００１０】
有機発光層１０は図４に示したのように、正孔注入層１０e、正孔輸送層１０d、発光層１０c、電子輸送層１０b及び電子注入層１０aが、蒸着で形成される。このような有機EL表示素子は、アノード電極４とカソード電極１２に駆動信号が印加されると電子と正孔が放出され、アノード電極４及びカソード電極１２から放出された電子と正孔は、発光層１０c内で再結合することによって可視光を発生させる。この際、発生された可視光は、アノード電極４を通じて外部に出て、所定の画像または映像を表示する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
一方、従来の有機EL表示素子は、アノード電極４の導電性を補償するための不透明導電パターン５が形成されるにも関わらず、アノード電極４はアルミニウム（Al）のような高導電度の金属で形成されたカソード電極１２より、導電性が低いという問題が依然として存在し、また、不透明導電パターン５が発光領域Ｐ１の一部を占めることによって、それだけ、開口率が小さくなるという問題点がある。
【００１２】
また、従来の有機EL表示素子は、外部から入射される光がアノード電極４と有機発光層１０とをほぼ完全に透過する。その結果、有機発光層１０から光が発光されない時、図５に示すように、基板２の表面から入射する外部光４０は、透明導電性物質であるアノード電極４と有機発光層１０とを透過すると共に、金属電極であるカソード電極１２によって反射される。従って、コントラスト比が低下する問題点がある。
【００１３】
従って、本発明の目的は、アノード電極の導電性と共にコントラスト比を向上させることができる有機EL表示装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記の目的を達成するために、本発明による有機電界発光表示素子は、基板上に平行に配置されると共に、透明導電性物質で形成され、相互に電気的に分離された複数のアノード電極と、前記アノード電極各々の第１辺に沿って形成される第１導電性遮光パターンと、前記アノード電極各々の第２辺に沿って形成される第２導電性遮光パターンとを備えることを特徴とする。
【００１５】
前記第１及び第２辺は相互に平行であり、前記第１導電性遮光パターンは前記アノード電極の第１辺を覆うように形成され、前記第２導電性遮光パターンは前記アノード電極の第２辺を覆うように形成されることを特徴とする。
【００１６】
前記第１及び第２導電性遮光パターンは、前記アノード電極を覆う部分を除いた残部が前記基板と接触し、段差のある断面を有することを特徴とする。
【００１７】
前記アノード電極を部分的に露出させて発光領域を画定する絶縁膜と、前記発光領域に形成される有機発光層と、前記有機発光層を間において前記アノード電極と交差するように形成されるカソード電極とを備え、前記絶縁膜は前記第１及び第２導電性遮光パターンを覆うように形成されることを特徴とする。
【００１８】
前記第１及び第２導電性遮光パターンは、不透明導電物質を含むと共に、外部光を遮断することを特徴とする。
【００１９】
本発明による有機電界発光表示素子の製造方法は、基板上に平行に配置されると共に、透明導電性物質で形成され、相互に電気的に分離された複数のアノード電極を形成する段階と、前記アノード電極各々の第１辺に沿って形成される第１導電性遮光パターン及び前記アノード電極各々の第２辺に沿って形成される第２導電性遮光パターンを形成する段階を含むことを特徴とする。
【００２０】
上記製造方法において、前記第１及び第２辺は相互に平行であり、前記第１導電性遮光パターンは前記アノード電極の第１辺を覆うように形成され、前記第２導電性遮光パターンは前記アノード電極の第２辺を覆うように形成されることを特徴とする。
【００２１】
上記製造方法において、前記第１及び第２導電性遮光パターンは、前記アノード電極を覆う部分を除いた残部が前記基板と接触し、段差のある断面を有することを特徴とする。
【００２２】
上記製造方法は、前記アノード電極を部分的に露出させて発光領域を画定すると共に、前記第１及び第２導電性遮光パターンを覆う絶縁膜を形成する段階と、前記発光領域に有機発光層を形成する段階と、前記有機発光層を間において前記アノード電極と交差するカソード電極を形成する段階とを含むことを特徴とする。
【００２３】
上記製造方法において、前記第１及び第２導電性遮光パターンは、不透明導電物質を含むと共に外部光を遮断することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
本発明による有機EL表示素子及びその製造方法は、不透明導電パターンが、アノード電極に平行に、アノード電極の両側（左辺及び右辺）に覆うように形成されると共に、前記アノード電極間が絶縁されるように、相互に電気的に分離されるように形成される。従って、不透明導電パターンの形成領域が、従来より約２倍以上多くなることによって、アノード電極の導電性が向上する。また、不透明導電パターンが、発光領域上に位置しておらず、同時に非発光領域の相当部分に位置することによって、開口率と共にコントラスト比が向上される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、添付した図面を参照して、本発明による有機電界発光表示素子を詳しく説明する。
【００２６】
図６乃至図１０Eを参照して、本発明の好ましい実施形態を説明する。
【００２７】
図６は、本発明の実施形態の、有機EL表示素子の一部分を示す平面図であり、図７は図６に示した有機EL表示素子をIII−III’線に沿って切り取って示した断面図である。
【００２８】
図６及び図７を参照すると、有機EL表示素子は、相互に交差するように形成されるアノード電極１０４とカソード電極１１２、アノード電極１０４とカソード電極１１２との各交差部に形成されるELセル（E）を備える。
【００２９】
複数のアノード電極１０４は、基板１０２上に一定の間隔で分離するように形成され、アノード電極は、光透過率が良く、導電性が低いITO、IＺO、IＴＺO等の透明導電性物質で形成される。
【００３０】
アノード電極１０４が形成された基板１０２上には、アノード電極１０４と平行に、その両側を部分的に覆うように形成された不透明導電パターン１０５が形成され、前記不透明導電パターン１０５は絶縁膜１０６によって覆われて形成される。換言すると、アノード電極１０４の両側、即ち、左辺（または第１辺）及び右辺（または第２辺）に、各々不透明導電パターン１０５が覆うように形成される。従って、アノード電極１０４の導電性と共に開口率及びコントラスト比が向上される。
【００３１】
これを図８を参照して詳しく説明する。
【００３２】
本発明においては、不透明導電パターン１０５がアノード電極１０４の両側を覆うように形成され、従来とは異なって、広い線幅を有する。従って、従来と比較して、アノード電極１０４の導電性が向上する。ここで、各々の不透明導電パターン１０５は、アノード電極１０４が相互に、電気的に絶縁されるように独立したパターンで形成される。
【００３３】
また、従来とは異なって、不透明導電パターン１０５の一部だけが、アノード電極１０４を覆うように形成され、残部はアノード電極１０４と重ならない非発光領域Ｐ２に伸張するように形成される。その結果、不透明導電パターン１０５が、非発光領域Ｐ２に形成される絶縁膜１０６によって覆われるように形成される。従って、不透明導電パターン１０５が発光領域Ｐ１上に位置しない（設けられない）ことによって、全体の開口率が向上され、そして、不透明導電パターン１０５が非発光領域Ｐ２にほとんど位置することによって、図９に示したような従来技術のものより、相当量の外部光１４０を遮断することが可能になることによって、コントラスト比が向上する。
【００３４】
このように、不透明導電パターン１０５を覆うように形成される絶縁膜１０６は、ELセル（E）領域ごとに発光領域Ｐ１を画定する開口部を有するように形成される。絶縁膜１０６上には、その上に形成される有機発光層１１０及びカソード電極１１２を分離するための隔壁１０８が設けられる。隔壁１０８はアノード電極１０４が交差する方向に形成され、上端部が下端部より広い幅を有するようになる逆テーパ（taper）構造を有する。隔壁１０８が形成された絶縁膜１０６上には有機発光層１１０が形成され、カソード電極１１２は、電極物質を蒸着することによって全面に形成される。有機発光層１１０は、従来と同様に、正孔注入層１０e、正孔輸送層１０d、発光層１０c、電子輸送層１０b及び電子注入層１０aが積層され、形成される。
【００３５】
このように、本発明による有機電界発光表示素子は、不透明導電パターン１０５が、アノード電極１０４と平行に、また、その一部がアノード電極１０４の両側を覆うように形成されると共に、アノード電極１０４間が絶縁されるように、相互に電気的に分離されるように形成される。従って、不透明導電パターン１０５の形成領域が、従来より約２倍以上多くなることによって、アノード電極１０４の導電性が向上する。また、不透明導電パターン１０５が発光領域Ｐ１上に位置しなくなると同時に、非発光領域Ｐ２の相当部分に位置することによって、開口率と共にコントラスト比が向上される。
【００３６】
図１０A乃至図１０Eは、図７に示した有機EL表示素子の製造方法を段階的に示した図面である。
【００３７】
まず、基板１０２上に、スパッタリング等の蒸着方法を利用して、ITO、IＺO、IＴＺO等の透明導電性物質が蒸着された後、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程によってパターニングされることによって、図１０Aに示すようにアノード電極１０４が形成される。
【００３８】
アノード電極１０４が形成された基板１０２上に、モリブデン（Ｍo）等の不透明導電物質が形成された後、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程によってパターニングされることによって、図１０Ｂに示すように各々電気的に分離されると共に、アノード電極１０４の両側、即ち、左辺（または第１辺）及び右辺（または第２辺）を各々覆うように、不透明導電パターン１０５が形成される。
【００３９】
不透明導電パターン１０５が形成された基板１０２上に、感光性絶縁物質がスピンコーティング（Spin-Coating）法によってコーティングされた後、フォトリソグラフィ工程等によってパターニングされることにより、図１０Ｃに示すように発光領域Ｐ１を露出させると共に、不透明導電パターン１０５を覆うように絶縁膜１０６が形成される。
【００４０】
絶縁膜１０６上に感光性有機物質が蒸着された後、フォトリソグラフィ工程等によってパターニングされることによって、隔壁が形成される。
【００４１】
絶縁膜１０６及び隔壁１０８等が形成された基板１０２上に、図１０Ｄに示すように有機発光層１１０が形成される。
【００４２】
有機発光層１１０が形成された基板１０２上に、アルミニウム（Al）等の金属物質が蒸着されることによって、図１０Eに示すようにカソード電極１１２が形成される。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】従来の有機電界発光表示素子を示す斜視図である。
【図２】図１のA領域を具体的に示す平面図である。
【図３】図２に示したI−I’、II−II’線に沿って切り取った断面図である。
【図４】従来の有機電界発光表示素子の発光原理を説明するためのダイヤグラムである。
【図５】入射された外部光が、有機電界発光表示素子のカソード電極から反射されるのを示す図面である。
【図６】本発明の実施形態の、有機電界発光表示素子の一領域を具体的に示す平面図である。
【図７】図６に示したIII−III’線に沿って切り取った断面図である。
【図８】図６及び図７に示した不透明導電パターンの形状を具体的に示す図面である。
【図９】不透明導電パターンの遮光する役割を示す図面である。
【図１０Ａ】図７に示した有機電界発光表示素子の製造方法を示す図面である。
【図１０Ｂ】図７に示した有機電界発光表示素子の製造方法を示す図面である。
【図１０Ｃ】図７に示した有機電界発光表示素子の製造方法を示す図面である。
【図１０Ｄ】図７に示した有機電界発光表示素子の製造方法を示す図面である。
【図１０Ｅ】図７に示した有機電界発光表示素子の製造方法を示す図面である。
【符号の説明】
【００４４】
４、１０４：アノード電極 １２、１１２：カソード電極
５、１０５：不透明導電パターン ６、１０６：絶縁膜
８、１０８：隔壁
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に平行に配置されると共に、透明導電性物質で形成され、相互に電気的に分離された複数のアノード電極と、
前記アノード電極各々の第１辺に沿って形成される第１導電性遮光パターンと、
前記アノード電極各々の第２辺に沿って形成される第２導電性遮光パターンとを備えることを特徴とする有機電界発光表示素子。
【請求項２】
前記第１辺及び第２辺は相互に平行であり、前記第１導電性遮光パターンは前記アノード電極の第１辺を覆うように形成され、前記第２導電性遮光パターンは前記アノード電極の第２辺を覆うように形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示素子。
【請求項３】
前記第１辺及び第２導電性遮光パターンは、前記アノード電極を覆う部分を除いた残部が前記基板と接触し、段差のある断面を有することを特徴とする請求項２に記載の有機電界発光表示素子。
【請求項４】
前記アノード電極を部分的に露出させて発光領域を画定する絶縁膜と、前記発光領域に形成される有機発光層と、前記有機発光層を間において前記アノード電極と交差するように形成されるカソード電極とを備え、前記絶縁膜は前記第１及び第２導電性遮光パターンを覆うように形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示素子。
【請求項５】
前記第１及び第２導電性遮光パターンは、不透明導電物質を含むと共に、外部光を遮断することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示素子。
【請求項６】
基板上に平行に配置されると共に、透明導電性物質で形成され、相互に電気的に分離された複数のアノード電極を形成する段階と、
前記アノード電極各々の第１辺に沿って形成される第１導電性遮光パターン及び前記アノード電極各々の第２辺に沿って形成される第２導電性遮光パターンを形成する段階を含むことを特徴とする有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項７】
前記第１及び第２辺は相互に平行であり、前記第１導電性遮光パターンは前記アノード電極の第１辺を覆うように形成され、前記第２導電性遮光パターンは前記アノード電極の第２辺を覆うように形成されることを特徴とする請求項６に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項８】
前記第１及び第２導電性遮光パターンは、前記アノード電極を覆う部分を除いた残部が前記基板と接触し、段差のある断面を有することを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項９】
前記アノード電極を部分的に露出させて発光領域を画定すると共に、前記第１及び第２導電性遮光パターンを覆う絶縁膜を形成する段階と、前記発光領域に有機発光層を形成する段階と、前記有機発光層を間において前記アノード電極と交差するカソード電極を形成する段階とを含むことを特徴とする請求項６に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１０】
前記第１及び第２導電性遮光パターンは、不透明導電物質を含むと共に外部光を遮断することを特徴とする請求項６に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１】
基板上に平行に配置されると共に、透明導電性物質で形成され、相互に電気的に分離された複数のアノード電極と、
前記アノード電極各々の第１辺に沿って形成される第１導電性遮光パターンと、
前記アノード電極各々の第２辺に沿って形成される第２導電性遮光パターンとを備えることを特徴とする有機電界発光表示素子。
【請求項２】
前記第１辺及び第２辺は相互に平行であり、前記第１導電性遮光パターンは前記アノード電極の第１辺を覆うように形成され、前記第２導電性遮光パターンは前記アノード電極の第２辺を覆うように形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示素子。
【請求項３】
前記第１辺及び第２導電性遮光パターンは、前記アノード電極を覆う部分を除いた残部が前記基板と接触し、段差のある断面を有することを特徴とする請求項２に記載の有機電界発光表示素子。
【請求項４】
前記アノード電極を部分的に露出させて発光領域を画定する絶縁膜と、前記発光領域に形成される有機発光層と、前記有機発光層を間において前記アノード電極と交差するように形成されるカソード電極とを備え、前記絶縁膜は前記第１及び第２導電性遮光パターンを覆うように形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示素子。
【請求項５】
前記第１及び第２導電性遮光パターンは、不透明導電物質を含むと共に、外部光を遮断することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示素子。
【請求項６】
基板上に平行に配置されると共に、透明導電性物質で形成され、相互に電気的に分離された複数のアノード電極を形成する段階と、
前記アノード電極各々の第１辺に沿って形成される第１導電性遮光パターン及び前記アノード電極各々の第２辺に沿って形成される第２導電性遮光パターンを形成する段階を含むことを特徴とする有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項７】
前記第１及び第２辺は相互に平行であり、前記第１導電性遮光パターンは前記アノード電極の第１辺を覆うように形成され、前記第２導電性遮光パターンは前記アノード電極の第２辺を覆うように形成されることを特徴とする請求項６に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項８】
前記第１及び第２導電性遮光パターンは、前記アノード電極を覆う部分を除いた残部が前記基板と接触し、段差のある断面を有することを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項９】
前記アノード電極を部分的に露出させて発光領域を画定すると共に、前記第１及び第２導電性遮光パターンを覆う絶縁膜を形成する段階と、前記発光領域に有機発光層を形成する段階と、前記有機発光層を間において前記アノード電極と交差するカソード電極を形成する段階とを含むことを特徴とする請求項６に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１０】
前記第１及び第２導電性遮光パターンは、不透明導電物質を含むと共に外部光を遮断することを特徴とする請求項６に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０Ａ】
【図１０Ｂ】
【図１０Ｃ】
【図１０Ｄ】
【図１０Ｅ】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０Ａ】
【図１０Ｂ】
【図１０Ｃ】
【図１０Ｄ】
【図１０Ｅ】
【公開番号】特開２００６−１２８１１０（Ｐ２００６−１２８１１０Ａ）
【公開日】平成１８年５月１８日（２００６．５．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−３１１７０９（Ｐ２００５−３１１７０９）
【出願日】平成１７年１０月２６日（２００５．１０．２６）
【出願人】（５９６０６６７７０）エルジー エレクトロニクス インコーポレーテッド (384)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年５月１８日（２００６．５．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１０月２６日（２００５．１０．２６）
【出願人】（５９６０６６７７０）エルジー エレクトロニクス インコーポレーテッド (384)
【Ｆターム（参考）】
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