有機ＥＬパネルの製造方法及び有機ＥＬパネル
【課題】複数の有機ＥＬパネルが形成された透明基板を好適に個々に分離できる有機ＥＬパネルの製造方法及び有機ＥＬパネルを提供する。
【解決手段】透明基板１０上に形成された複数の有機ＥＬパネル用の回路パターン２０のそれぞれに対して、有機ＥＬ素子３０の形成、並びに、ＩＣチップ６０及びフレキシブルプリント基板７０の実装をそれぞれ行う工程と、各回路パターン２０の内の露出する部分に対してそれぞれ樹脂８０を塗布する工程と、回路パターン２０間に位置する切断予定領域ＳＬに沿って樹脂が塗布された透明基板１０を切断する工程と、を備え、樹脂８０を塗布する工程の前に、透明基板１０上に切断予定領域ＳＬに沿って堤防層５８を形成する工程を更に備える。
【解決手段】透明基板１０上に形成された複数の有機ＥＬパネル用の回路パターン２０のそれぞれに対して、有機ＥＬ素子３０の形成、並びに、ＩＣチップ６０及びフレキシブルプリント基板７０の実装をそれぞれ行う工程と、各回路パターン２０の内の露出する部分に対してそれぞれ樹脂８０を塗布する工程と、回路パターン２０間に位置する切断予定領域ＳＬに沿って樹脂が塗布された透明基板１０を切断する工程と、を備え、樹脂８０を塗布する工程の前に、透明基板１０上に切断予定領域ＳＬに沿って堤防層５８を形成する工程を更に備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬパネルの製造方法及び有機ＥＬパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型ディスプレイの１つとして、例えば、特許文献１〜３に示すフラットディスプレイパネルが知られている。このようなフラットディスプレイパネルは、回路パターンが形成された透明基板上に、表示素子を形成すると共に、ＩＣチップ及びフレキシブルプリント基板を実装し、回路パターン上に樹脂を塗布する事により形成される。近年では、このようなフラットディスプレイパネルとして、有機ＥＬパネルが着目されている。
【特許文献１】特開２００３−２４１６７８号公報
【特許文献２】特開２００４−２０６０９６号公報
【特許文献３】特開２００４−２０６０９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、有機ＥＬパネルの製造においては、コスト削減の観点から、透明基板上に多数の有機ＥＬパネルを製造し、その後、透明基板をスクライブラインと呼ばれる切断予定領域を切り代として切断して個々の有機ＥＬパネルを得ることが好ましい。そして、一枚の透明基板からより多くの有機ＥＬパネルを製造しようとすると、透明基板上における有機ＥＬパネル間の間隔が狭くなる。ところが、有機ＥＬパネル間の間隔が小さくなると、回路パターンを覆うべく塗布する樹脂が、切断予定領域上にはみ出すことがある。切断予定領域の上に樹脂が形成されていると、透明基板の切断がうまくできず、透明基板の外形に異常をきたして歩留まりが悪化する。
【０００４】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、複数の有機ＥＬパネルが形成された透明基板を好適に個々に分離できる有機ＥＬパネルの製造方法及び有機ＥＬパネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る有機ＥＬパネルの製造方法は、透明基板上に形成された複数の有機ＥＬパネル用の回路パターンのそれぞれに対して、有機ＥＬ素子の形成、及び、ＩＣチップ又はフレキシブルプリント基板の実装を行う工程と、各回路パターンの内の露出する部分に対してそれぞれ樹脂を塗布する工程と、回路パターン間に位置する切断予定領域に沿って樹脂が塗布された透明基板を切断する工程と、を備える。そして、樹脂を塗布する工程の前に、透明基板上に切断予定領域に沿って堤防層を形成する工程を更に備える。
【０００６】
本発明によれば、堤防層によって、樹脂を塗布する際に切断予定領域の上に樹脂がはみだすことを抑制できる。
【０００７】
ここで、有機ＥＬ素子の形成においては、透明基板上にレジスト膜を形成する工程を有し、堤防層を形成する工程及びレジスト膜を形成する工程を同時に行うことが好ましい。
【０００８】
これによれば、工程数を増やすことなく、堤防層を容易に形成できる。
【０００９】
また、堤防層は電気絶縁性であることが好ましい。
【００１０】
これにより、堤防層に起因する短絡等を抑制できる。
【００１１】
本発明に係る有機ＥＬパネルは、透明基板と、透明基板上に形成された回路パターンと、回路パターンに対して電気的に接続された有機ＥＬ素子と、回路パターン上に実装されたＩＣチップ又はフレキシブルプリント基板と、回路パターンを覆う樹脂と、透明基板上に透明基板の縁に沿って設けられた堤防層と、を備える。
このような有機ＥＬパネルは、上記の製造方法によって得ることができるものであり、歩留まりがよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、複数の有機ＥＬパネルが形成された透明基板を好適に個々に分離できる有機ＥＬパネルの製造方法及び有機ＥＬパネルを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また、各図面の寸法比率は、必ずしも実際の寸法比率とは一致していない。
【００１４】
まず、本実施形態に係る有機ＥＬパネルの製造方法について説明する。
【００１５】
最初に、図１に示すように、透明基板１０を用意する。透明基板１０の材質は特に限定されないが、例えば、ガラス基板や、樹脂基板が挙げられる。厚みは特に限定されないが、例えば、０．３〜１．１ｍｍ程度のものを使用できる。
【００１６】
続いて、透明基板１０上に、有機ＥＬパネル用の回路パターン２０を形成する。回路パターン２０は、主として、有機ＥＬ素子３０が形成されるべき部分１０ＥＬから有機ＥＬ素子駆動用ＩＣチップが実装されるべき部分１０ＩＣまで延びる、陽極側とされる垂直電極部２０ａ、陰極側とされる水平電極部２０ｂ、２０ｃを備えると共に、有機ＥＬ素子駆動用ＩＣチップが実装されるべき部分１０ＩＣからフレキシブルプリント基板が実装されるべき部分１０ＦＰＣまで延びる配線部２０ｄを備えている。
【００１７】
垂直電極部２０ａは、有機ＥＬ素子が形成されるべき部分１０ＥＬ上を上下方向すなわちＹ方向に延びている。水平電極部２０ｂは、有機ＥＬ素子が形成されるべき部分１０ＥＬの左側端部の上部まで延びており、水平電極部２０ｃは、有機ＥＬ素子が形成されるべき部分１０ＥＬの右側端部の下部まで延びている。
【００１８】
このような回路パターン２０は、ＩＴＯ等の導電材料や、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ等の金属膜を用い、フォトリソグラフィー法等により容易に製造できる。また、回路パターン２０は、ベースとなる金属膜上に、タンタル、Ｔｉ等のバリア膜を有することができる。回路パターン２０は、３層以上の構造を有してもよい。
【００１９】
特に本実施形態では、透明基板１０上に、複数の有機ＥＬパネルを形成すべく複数の回路パターン２０を形成する。ここで、回路パターン２０間に示された点線が、スクライブラインといわれる切断予定領域ＳＬである。後工程において、切断予定領域ＳＬを切り代として各有機ＥＬパネルが分離される。
【００２０】
（有機ＥＬ素子３０及び堤防層５８の形成）
続いて、図２の（ａ）に示すように、透明基板１０の有機ＥＬ素子が形成されるべき部分１０ＥＬ上に、有機ＥＬ素子３０を形成すると共に、切断予定領域ＳＬに沿って、堤防層５８、５８を形成する。
【００２１】
ここでは、まず、有機ＥＬ素子３０の形成について詳しく説明する。図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩに沿った断面図であり、図４は有機ＥＬ素子３０の一部破断斜視図である。
【００２２】
有機ＥＬ素子３０は、主として、垂直電極膜３２、有機ＥＬ層３４、水平電極膜３６、絶縁膜４０、セパレータ４２を備えている。
【００２３】
まず、図２の（ａ）において上下方向に延びるストライプ状の垂直電極膜３２を形成する。垂直電極膜３２は、図２の（ａ）及び図３に示すように、透明基板１０の上における有機ＥＬ素子が形成されるべき部分１０Ｅ上に、上下方向すなわちＹ方向に延びており、図２及び図４に示すように、回路パターン２０の垂直電極部２０ａとそれぞれ接触している。垂直電極膜３２は、透明な導電膜であり、例えば、ＩＴＯ等を使用できる。
【００２４】
続いて、垂直電極膜３２上に、図４に示すように格子形状を有する層間絶縁膜４０を形成する。層間絶縁膜４０の内のＹ方向に延びる部分は、それぞれ、互いに接触する垂直電極部２０ａ及び垂直電極膜３２と、これらに対して隣接する垂直電極部２０ａ及び垂直電極膜３２とをそれぞれ電気的に絶縁する。層間絶縁膜４０の材料は電気絶縁材料であれば特に限定されないが、例えば、レジスト材料を好適に使用できる。このような層間絶縁膜４０もフォトリソグラフィー法により好適に製造できる。層間絶縁膜４０の高さは特に限定されないが、例えば、１μm〜５μmとすることができる。
【００２５】
続いて、層間絶縁膜４０の内のＸ方向に延びる部分上に、セパレータ４２を積層する。セパレータ４２の材料は特に限定されないが、電気絶縁材料が好ましくとくにレジスト材料が好ましい。セパレータ４２の高さは特に限定されないが、後述する有機ＥＬ層３４、水平電極膜３６をＹ方向に分離するために十分な高さ、例えば、５μｍ〜１０μｍとすることが好ましい。
【００２６】
続いて、層間絶縁膜４０及びセパレータ４２が積層された垂直電極膜３２上に、有機ＥＬ層３４、及び、水平電極膜３６をこの順に積層する。
【００２７】
セパレータ４２を十分な高さとすることにより、図３及び図４に示すように、有機ＥＬ層３４及び水平電極膜３６は、Y方向に互いに分離され、それぞれ、ストライプ状となる。
【００２８】
すなわち、有機ＥＬ層３４及び水平電極膜３６は、透明基板１０の上における垂直電極膜３２上に、垂直電極膜３２と交差するように上下方向（Ｘ方向）に延びて配置される。図２に示すように、水平電極膜３６は、その端部が図２に示すように、水平電極部２０ｂ又は水平電極部２０ｃと接触している。
【００２９】
水平電極膜３６の材料は特に限定されず、Ａｌ等が利用できる。水平電極膜３６は、スパッタリング法等により容易に形成できる。
【００３０】
有機ＥＬ層３４の材料は特に限定されず、例えば、正孔輸送層、発光層、電子輸送層から構成される公知のものを利用できる。有機ＥＬ層３４も、公知の方法により製造できる。
【００３１】
これにより、図４に示すように、有機ＥＬ層３４における垂直電極膜３２及び水平電極層３４に挟まれた各部分にそれぞれ画素Ｇが形成される。
【００３２】
さらに、図３に示すように、有機ＥＬ層３４が形成されている部分を、内部に乾燥剤４５が設けられた封止缶４４で封止する。具体的には、接着剤４６を用いて、封止缶４４の端部を透明基板１０に接着すればよい。
【００３３】
一方、堤防層５８は、図２の（ａ）及び（ｂ）に示すように、後述する切断工程で透明基板１０を切断するための切り代となる各切断予定領域ＳＬに沿って、この切断予定領域ＳＬの両側にそれぞれ設ける。堤防層５８の材料は特に限定されないが、電気絶縁材料であることが好ましく、特に、レジスト等の樹脂材料からなることが好ましい。特に、耐酸性、対アルカリ性、耐熱性等を考慮して、ノボラック系樹脂等のポジレジストが好ましい。
【００３４】
図２（ｂ）に示すように、切断予定領域ＳＬと、堤防層５８との距離ＷＧは、特に限定されないが、透明基板面積の有効活用の観点から５０μｍ以下とすることが好ましく、１０μｍ以下とすることがより好ましいい。なお、切断予定領域ＳＬの幅ＷＳは切断手段によって定まるものであり特に限定されないが、例えば、０．１〜１ｍｍとすることができる。
【００３５】
また、堤防層５８の高さＷＨも、後述する樹脂をせき止めることができれば特に限定されないが、例えば、１〜１０μｍとすることができる。さらに、堤防層５８の幅ＷＢも特に限定されないが、例えば、１〜１００μｍとすることができる。
【００３６】
さらに、図２（ａ）における堤防層５８の切断予定領域ＳＬに沿うＹ方向の長さは、切断予定領域ＳＬの長さ、すなわち、ガラスの切断長さと同じとすることが好ましい。
【００３７】
ここで、このような堤防層５８の形成方法は特に限定されないが、例えば、フォトリソグラフィー法を用いて好適に製造できる。特に、レジスト材料による有機ＥＬ素子３０の層間絶縁膜４０又はセパレータ４２の形成と同時に、堤防層５８の形成を行う、例えば、層間絶縁膜４０やセパレータ４２の形成のマスクに堤防層５８のパターンも追加しておくことにより、工程数を増やすことなく堤防層５８を形成することができる。
【００３８】
（ＩＣチップ６０及びＦＰＣ７０の実装）
続いて、図２に示すように、ＩＣチップが形成されるべき部分１０ＩＣ上に有機ＥＬ駆動用ＩＣ６０を実装し、有機ＥＬ駆動用ＩＣチップ６０と、回路パターン２０の垂直電極部２０ａ、水平電極部２０ｂ、２０ｃ、配線部２０ｄとを電気的に接続する。有機ＥＬ駆動用ＩＣ６０やその実装方法は特に限定されず、公知のものを利用できる。
【００３９】
さらに、フレキシブルプリント基板が実装されるべき部分１０ＦＰＣ上に、フレキシブルプリント基板７０を実装し、フレキシブルプリント基板７０と回路パターン２０の配線部２０ｄとを電気的に接続する。
【００４０】
ここで、有機ＥＬ駆動用ＩＣチップ６０及びフレキシブルプリント基板７０の実装には、例えば、樹脂やペーストに導電性粒子群を混合したいわゆる異方性導電膜を用いて実装することが好ましい。
【００４１】
具体的には、例えば、ＩＣチップが形成されるべき部分１０ＩＣ上に異方性導電膜６２等を重ね、その後、異方性導電膜６２上に有機ＥＬ駆動用ＩＣチップ６０を位置決めして載せ、有機ＥＬ駆動用ＩＣチップを透明基板１０に対して押圧することにより、実装が可能である。また、同様にして、異方性導電膜７２を用いてフレキシブルプリント基板７０を実装することができる。
【００４２】
ここで、有機ＥＬ駆動用ＩＣチップ６０は、フレキシブルプリント基板を解して入力される信号に基づいてパッシブマトリクス式の有機ＥＬ素子３０の所望の画素の発光を制御するものであり、また、フレキシブルプリント基板７０は、フレキシブルな外部配線手段であり、いずれも特に限定されず、公知のものが利用できる。
【００４３】
続いて、図５に示すように、回路パターン２０の内、有機ＥＬ駆動用ＩＣチップ６０の周辺及びフレキシブルプリント基板７０の周辺であって外部に露出する部分の上に樹脂８０を塗布し、回路パターン２０の露出部を保護する。
【００４４】
ここで、樹脂８０の材料は特に限定されないが、例えば、シリコーン樹脂等を使用できる。
【００４５】
そして、本実施形態では、樹脂８０を塗布する際に、切断予定領域ＳＬに沿って堤防層５８が形成されているので、塗布された樹脂８０が切断予定領域ＳＬ上にはみ出ることが防止される。
【００４６】
続いて、図６に示すように、切断予定領域ＳＬに沿って透明基板１０を切断し、分離された有機ＥＬパネルＰＮを得る。ここで、切断方法は特に限定されず、ダイヤモンドカッター、レーザー等の切断具で行うことができる。例えば、切断具を用いて、スクライブ溝を形成し、その後、スクライブ溝を折り曲げて切断してもよく、折り曲げ工程を経ることなく切断具で直接切断しても良い。これにより、透明基板１０の表面は、図６の（ｂ）に示すように、切断予定領域ＳＬの幅が切り代となって切断される。
【００４７】
そして、本実施形態によれば、切断予定領域ＳＬに沿って堤防層５８を形成しているために、保護用の樹脂８０が切断予定領域ＳＬ上にはみ出すことを抑制できる。従って、切断予定領域の切断工程を好適に行うことができる。切断予定領域ＳＬ上に樹脂８０が存在すると、切断予定領域ＳＬから外れたところを切断したり、レーザーによる切断が困難となったり、ダイヤモンドホイールに樹脂がついて寿命を短くする等の種々の不具合を招くが、本実施形態では、これらを抑制することができる。
【００４８】
また、堤防層５８が形成されていると、切断工程においてダイヤモンドカッター等の切断具を切断予定領域ＳＬに位置合わせすることも容易となる。
【００４９】
さらに、堤防層５８により、切断予定領域ＳＬの近傍の強度が増すので、切断時の割れ等も少なくなり、歩留まりが向上する。
【００５０】
なお、本発明は上記実施形態に限定されず様々な変形態様が可能である。
【００５１】
例えば、上記実施形態では、図２（ｂ）、図５（ｂ）、図６（ｂ）に示すように、堤防層５８が切断予定領域ＳＬから離れている、すなわち、ＷＧ＞０とされているが、図７に示すように、堤防層５８を切断予定領域ＳＬ内に突出するように、すなわち、ＷＧＡ＞０となるように形成し、その後の切断工程において堤防層５８の一部を除去しつつ透明基板１０の切断を行っても良い。勿論、ＷＧ＝ＷＧＡ＝０でもよい。
【００５２】
この場合、堤防層５８が、透明基板１０の切断時に形成されるエッジＥを保護する役目をはたし、エッジＥの欠けを抑制できる。ここで、堤防層５８の切断予定領域ＳＬへの突出幅ＷＧＡは、１μｍ以下とすることが好ましい。
【００５３】
また、図８に示すように、切断予定領域ＳＬとは離れた部分、例えば、透明基板１０の端部に堤防層５８Ａ，５８Ｂを設けても構わない。
【００５４】
また、上記実施形態では、堤防層５８の形成と、層間絶縁膜４０又はセパレータ４２の形成とを同一工程で行っているが、堤防層５８を、層間絶縁膜４０又はセパレータ４２の形成と異なる工程で形成してもよい。この場合には、堤防層５８は、必ずしもレジスト材料で形成される必要はなく、例えば、金属酸化物層、金属層等の無機材料で形成することも可能である。
【００５５】
また、上記実施形態では、ＩＣチップ６０及びフレキシブルプリント基板７０を両方実装しているが、一方のみを実装する場合であってもよい。
【００５６】
また、有機ＥＬ素子３０、回路パターン２０等の構成も特に限定されず、種々の態様が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】図１は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルの製造方法を示す上面図である。
【図２】図２は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルの製造方法を示す図１に続く図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ矢視図である。
【図３】図３は、図２（ａ）のＩＩＩ−ＩＩＩ矢視図である。
【図４】図４は、図２（ａ）の有機ＥＬ素子の一部破断斜視図である。
【図５】図５は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルの製造方法を示す図２に続く図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ矢視図である。
【図６】図６は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルの製造方法を示す図５に続く図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ矢視図である。
【図７】図７は、本発明の他の実施形態に係る有機ＥＬパネルの製造方法を示す切断予定領域付近の断面図である。
【図８】図８は、本発明のさらに他の実施形態に係る有機ＥＬパネルの製造方法を示す上面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１０…透明基板、２０…回路パターン、３０…有機ＥＬ素子、４０…層間絶縁膜、４２…セパレータ、５８…堤防層、６０…有機ＥＬ駆動用ＩＣチップ（ＩＣチップ）、７０…フレキシブルプリント基板、８０…保護部（樹脂）、ＳＬ…切断予定領域、ＰＮ…有機ＥＬパネル。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬパネルの製造方法及び有機ＥＬパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型ディスプレイの１つとして、例えば、特許文献１〜３に示すフラットディスプレイパネルが知られている。このようなフラットディスプレイパネルは、回路パターンが形成された透明基板上に、表示素子を形成すると共に、ＩＣチップ及びフレキシブルプリント基板を実装し、回路パターン上に樹脂を塗布する事により形成される。近年では、このようなフラットディスプレイパネルとして、有機ＥＬパネルが着目されている。
【特許文献１】特開２００３−２４１６７８号公報
【特許文献２】特開２００４−２０６０９６号公報
【特許文献３】特開２００４−２０６０９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、有機ＥＬパネルの製造においては、コスト削減の観点から、透明基板上に多数の有機ＥＬパネルを製造し、その後、透明基板をスクライブラインと呼ばれる切断予定領域を切り代として切断して個々の有機ＥＬパネルを得ることが好ましい。そして、一枚の透明基板からより多くの有機ＥＬパネルを製造しようとすると、透明基板上における有機ＥＬパネル間の間隔が狭くなる。ところが、有機ＥＬパネル間の間隔が小さくなると、回路パターンを覆うべく塗布する樹脂が、切断予定領域上にはみ出すことがある。切断予定領域の上に樹脂が形成されていると、透明基板の切断がうまくできず、透明基板の外形に異常をきたして歩留まりが悪化する。
【０００４】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、複数の有機ＥＬパネルが形成された透明基板を好適に個々に分離できる有機ＥＬパネルの製造方法及び有機ＥＬパネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る有機ＥＬパネルの製造方法は、透明基板上に形成された複数の有機ＥＬパネル用の回路パターンのそれぞれに対して、有機ＥＬ素子の形成、及び、ＩＣチップ又はフレキシブルプリント基板の実装を行う工程と、各回路パターンの内の露出する部分に対してそれぞれ樹脂を塗布する工程と、回路パターン間に位置する切断予定領域に沿って樹脂が塗布された透明基板を切断する工程と、を備える。そして、樹脂を塗布する工程の前に、透明基板上に切断予定領域に沿って堤防層を形成する工程を更に備える。
【０００６】
本発明によれば、堤防層によって、樹脂を塗布する際に切断予定領域の上に樹脂がはみだすことを抑制できる。
【０００７】
ここで、有機ＥＬ素子の形成においては、透明基板上にレジスト膜を形成する工程を有し、堤防層を形成する工程及びレジスト膜を形成する工程を同時に行うことが好ましい。
【０００８】
これによれば、工程数を増やすことなく、堤防層を容易に形成できる。
【０００９】
また、堤防層は電気絶縁性であることが好ましい。
【００１０】
これにより、堤防層に起因する短絡等を抑制できる。
【００１１】
本発明に係る有機ＥＬパネルは、透明基板と、透明基板上に形成された回路パターンと、回路パターンに対して電気的に接続された有機ＥＬ素子と、回路パターン上に実装されたＩＣチップ又はフレキシブルプリント基板と、回路パターンを覆う樹脂と、透明基板上に透明基板の縁に沿って設けられた堤防層と、を備える。
このような有機ＥＬパネルは、上記の製造方法によって得ることができるものであり、歩留まりがよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、複数の有機ＥＬパネルが形成された透明基板を好適に個々に分離できる有機ＥＬパネルの製造方法及び有機ＥＬパネルを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また、各図面の寸法比率は、必ずしも実際の寸法比率とは一致していない。
【００１４】
まず、本実施形態に係る有機ＥＬパネルの製造方法について説明する。
【００１５】
最初に、図１に示すように、透明基板１０を用意する。透明基板１０の材質は特に限定されないが、例えば、ガラス基板や、樹脂基板が挙げられる。厚みは特に限定されないが、例えば、０．３〜１．１ｍｍ程度のものを使用できる。
【００１６】
続いて、透明基板１０上に、有機ＥＬパネル用の回路パターン２０を形成する。回路パターン２０は、主として、有機ＥＬ素子３０が形成されるべき部分１０ＥＬから有機ＥＬ素子駆動用ＩＣチップが実装されるべき部分１０ＩＣまで延びる、陽極側とされる垂直電極部２０ａ、陰極側とされる水平電極部２０ｂ、２０ｃを備えると共に、有機ＥＬ素子駆動用ＩＣチップが実装されるべき部分１０ＩＣからフレキシブルプリント基板が実装されるべき部分１０ＦＰＣまで延びる配線部２０ｄを備えている。
【００１７】
垂直電極部２０ａは、有機ＥＬ素子が形成されるべき部分１０ＥＬ上を上下方向すなわちＹ方向に延びている。水平電極部２０ｂは、有機ＥＬ素子が形成されるべき部分１０ＥＬの左側端部の上部まで延びており、水平電極部２０ｃは、有機ＥＬ素子が形成されるべき部分１０ＥＬの右側端部の下部まで延びている。
【００１８】
このような回路パターン２０は、ＩＴＯ等の導電材料や、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ等の金属膜を用い、フォトリソグラフィー法等により容易に製造できる。また、回路パターン２０は、ベースとなる金属膜上に、タンタル、Ｔｉ等のバリア膜を有することができる。回路パターン２０は、３層以上の構造を有してもよい。
【００１９】
特に本実施形態では、透明基板１０上に、複数の有機ＥＬパネルを形成すべく複数の回路パターン２０を形成する。ここで、回路パターン２０間に示された点線が、スクライブラインといわれる切断予定領域ＳＬである。後工程において、切断予定領域ＳＬを切り代として各有機ＥＬパネルが分離される。
【００２０】
（有機ＥＬ素子３０及び堤防層５８の形成）
続いて、図２の（ａ）に示すように、透明基板１０の有機ＥＬ素子が形成されるべき部分１０ＥＬ上に、有機ＥＬ素子３０を形成すると共に、切断予定領域ＳＬに沿って、堤防層５８、５８を形成する。
【００２１】
ここでは、まず、有機ＥＬ素子３０の形成について詳しく説明する。図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩに沿った断面図であり、図４は有機ＥＬ素子３０の一部破断斜視図である。
【００２２】
有機ＥＬ素子３０は、主として、垂直電極膜３２、有機ＥＬ層３４、水平電極膜３６、絶縁膜４０、セパレータ４２を備えている。
【００２３】
まず、図２の（ａ）において上下方向に延びるストライプ状の垂直電極膜３２を形成する。垂直電極膜３２は、図２の（ａ）及び図３に示すように、透明基板１０の上における有機ＥＬ素子が形成されるべき部分１０Ｅ上に、上下方向すなわちＹ方向に延びており、図２及び図４に示すように、回路パターン２０の垂直電極部２０ａとそれぞれ接触している。垂直電極膜３２は、透明な導電膜であり、例えば、ＩＴＯ等を使用できる。
【００２４】
続いて、垂直電極膜３２上に、図４に示すように格子形状を有する層間絶縁膜４０を形成する。層間絶縁膜４０の内のＹ方向に延びる部分は、それぞれ、互いに接触する垂直電極部２０ａ及び垂直電極膜３２と、これらに対して隣接する垂直電極部２０ａ及び垂直電極膜３２とをそれぞれ電気的に絶縁する。層間絶縁膜４０の材料は電気絶縁材料であれば特に限定されないが、例えば、レジスト材料を好適に使用できる。このような層間絶縁膜４０もフォトリソグラフィー法により好適に製造できる。層間絶縁膜４０の高さは特に限定されないが、例えば、１μm〜５μmとすることができる。
【００２５】
続いて、層間絶縁膜４０の内のＸ方向に延びる部分上に、セパレータ４２を積層する。セパレータ４２の材料は特に限定されないが、電気絶縁材料が好ましくとくにレジスト材料が好ましい。セパレータ４２の高さは特に限定されないが、後述する有機ＥＬ層３４、水平電極膜３６をＹ方向に分離するために十分な高さ、例えば、５μｍ〜１０μｍとすることが好ましい。
【００２６】
続いて、層間絶縁膜４０及びセパレータ４２が積層された垂直電極膜３２上に、有機ＥＬ層３４、及び、水平電極膜３６をこの順に積層する。
【００２７】
セパレータ４２を十分な高さとすることにより、図３及び図４に示すように、有機ＥＬ層３４及び水平電極膜３６は、Y方向に互いに分離され、それぞれ、ストライプ状となる。
【００２８】
すなわち、有機ＥＬ層３４及び水平電極膜３６は、透明基板１０の上における垂直電極膜３２上に、垂直電極膜３２と交差するように上下方向（Ｘ方向）に延びて配置される。図２に示すように、水平電極膜３６は、その端部が図２に示すように、水平電極部２０ｂ又は水平電極部２０ｃと接触している。
【００２９】
水平電極膜３６の材料は特に限定されず、Ａｌ等が利用できる。水平電極膜３６は、スパッタリング法等により容易に形成できる。
【００３０】
有機ＥＬ層３４の材料は特に限定されず、例えば、正孔輸送層、発光層、電子輸送層から構成される公知のものを利用できる。有機ＥＬ層３４も、公知の方法により製造できる。
【００３１】
これにより、図４に示すように、有機ＥＬ層３４における垂直電極膜３２及び水平電極層３４に挟まれた各部分にそれぞれ画素Ｇが形成される。
【００３２】
さらに、図３に示すように、有機ＥＬ層３４が形成されている部分を、内部に乾燥剤４５が設けられた封止缶４４で封止する。具体的には、接着剤４６を用いて、封止缶４４の端部を透明基板１０に接着すればよい。
【００３３】
一方、堤防層５８は、図２の（ａ）及び（ｂ）に示すように、後述する切断工程で透明基板１０を切断するための切り代となる各切断予定領域ＳＬに沿って、この切断予定領域ＳＬの両側にそれぞれ設ける。堤防層５８の材料は特に限定されないが、電気絶縁材料であることが好ましく、特に、レジスト等の樹脂材料からなることが好ましい。特に、耐酸性、対アルカリ性、耐熱性等を考慮して、ノボラック系樹脂等のポジレジストが好ましい。
【００３４】
図２（ｂ）に示すように、切断予定領域ＳＬと、堤防層５８との距離ＷＧは、特に限定されないが、透明基板面積の有効活用の観点から５０μｍ以下とすることが好ましく、１０μｍ以下とすることがより好ましいい。なお、切断予定領域ＳＬの幅ＷＳは切断手段によって定まるものであり特に限定されないが、例えば、０．１〜１ｍｍとすることができる。
【００３５】
また、堤防層５８の高さＷＨも、後述する樹脂をせき止めることができれば特に限定されないが、例えば、１〜１０μｍとすることができる。さらに、堤防層５８の幅ＷＢも特に限定されないが、例えば、１〜１００μｍとすることができる。
【００３６】
さらに、図２（ａ）における堤防層５８の切断予定領域ＳＬに沿うＹ方向の長さは、切断予定領域ＳＬの長さ、すなわち、ガラスの切断長さと同じとすることが好ましい。
【００３７】
ここで、このような堤防層５８の形成方法は特に限定されないが、例えば、フォトリソグラフィー法を用いて好適に製造できる。特に、レジスト材料による有機ＥＬ素子３０の層間絶縁膜４０又はセパレータ４２の形成と同時に、堤防層５８の形成を行う、例えば、層間絶縁膜４０やセパレータ４２の形成のマスクに堤防層５８のパターンも追加しておくことにより、工程数を増やすことなく堤防層５８を形成することができる。
【００３８】
（ＩＣチップ６０及びＦＰＣ７０の実装）
続いて、図２に示すように、ＩＣチップが形成されるべき部分１０ＩＣ上に有機ＥＬ駆動用ＩＣ６０を実装し、有機ＥＬ駆動用ＩＣチップ６０と、回路パターン２０の垂直電極部２０ａ、水平電極部２０ｂ、２０ｃ、配線部２０ｄとを電気的に接続する。有機ＥＬ駆動用ＩＣ６０やその実装方法は特に限定されず、公知のものを利用できる。
【００３９】
さらに、フレキシブルプリント基板が実装されるべき部分１０ＦＰＣ上に、フレキシブルプリント基板７０を実装し、フレキシブルプリント基板７０と回路パターン２０の配線部２０ｄとを電気的に接続する。
【００４０】
ここで、有機ＥＬ駆動用ＩＣチップ６０及びフレキシブルプリント基板７０の実装には、例えば、樹脂やペーストに導電性粒子群を混合したいわゆる異方性導電膜を用いて実装することが好ましい。
【００４１】
具体的には、例えば、ＩＣチップが形成されるべき部分１０ＩＣ上に異方性導電膜６２等を重ね、その後、異方性導電膜６２上に有機ＥＬ駆動用ＩＣチップ６０を位置決めして載せ、有機ＥＬ駆動用ＩＣチップを透明基板１０に対して押圧することにより、実装が可能である。また、同様にして、異方性導電膜７２を用いてフレキシブルプリント基板７０を実装することができる。
【００４２】
ここで、有機ＥＬ駆動用ＩＣチップ６０は、フレキシブルプリント基板を解して入力される信号に基づいてパッシブマトリクス式の有機ＥＬ素子３０の所望の画素の発光を制御するものであり、また、フレキシブルプリント基板７０は、フレキシブルな外部配線手段であり、いずれも特に限定されず、公知のものが利用できる。
【００４３】
続いて、図５に示すように、回路パターン２０の内、有機ＥＬ駆動用ＩＣチップ６０の周辺及びフレキシブルプリント基板７０の周辺であって外部に露出する部分の上に樹脂８０を塗布し、回路パターン２０の露出部を保護する。
【００４４】
ここで、樹脂８０の材料は特に限定されないが、例えば、シリコーン樹脂等を使用できる。
【００４５】
そして、本実施形態では、樹脂８０を塗布する際に、切断予定領域ＳＬに沿って堤防層５８が形成されているので、塗布された樹脂８０が切断予定領域ＳＬ上にはみ出ることが防止される。
【００４６】
続いて、図６に示すように、切断予定領域ＳＬに沿って透明基板１０を切断し、分離された有機ＥＬパネルＰＮを得る。ここで、切断方法は特に限定されず、ダイヤモンドカッター、レーザー等の切断具で行うことができる。例えば、切断具を用いて、スクライブ溝を形成し、その後、スクライブ溝を折り曲げて切断してもよく、折り曲げ工程を経ることなく切断具で直接切断しても良い。これにより、透明基板１０の表面は、図６の（ｂ）に示すように、切断予定領域ＳＬの幅が切り代となって切断される。
【００４７】
そして、本実施形態によれば、切断予定領域ＳＬに沿って堤防層５８を形成しているために、保護用の樹脂８０が切断予定領域ＳＬ上にはみ出すことを抑制できる。従って、切断予定領域の切断工程を好適に行うことができる。切断予定領域ＳＬ上に樹脂８０が存在すると、切断予定領域ＳＬから外れたところを切断したり、レーザーによる切断が困難となったり、ダイヤモンドホイールに樹脂がついて寿命を短くする等の種々の不具合を招くが、本実施形態では、これらを抑制することができる。
【００４８】
また、堤防層５８が形成されていると、切断工程においてダイヤモンドカッター等の切断具を切断予定領域ＳＬに位置合わせすることも容易となる。
【００４９】
さらに、堤防層５８により、切断予定領域ＳＬの近傍の強度が増すので、切断時の割れ等も少なくなり、歩留まりが向上する。
【００５０】
なお、本発明は上記実施形態に限定されず様々な変形態様が可能である。
【００５１】
例えば、上記実施形態では、図２（ｂ）、図５（ｂ）、図６（ｂ）に示すように、堤防層５８が切断予定領域ＳＬから離れている、すなわち、ＷＧ＞０とされているが、図７に示すように、堤防層５８を切断予定領域ＳＬ内に突出するように、すなわち、ＷＧＡ＞０となるように形成し、その後の切断工程において堤防層５８の一部を除去しつつ透明基板１０の切断を行っても良い。勿論、ＷＧ＝ＷＧＡ＝０でもよい。
【００５２】
この場合、堤防層５８が、透明基板１０の切断時に形成されるエッジＥを保護する役目をはたし、エッジＥの欠けを抑制できる。ここで、堤防層５８の切断予定領域ＳＬへの突出幅ＷＧＡは、１μｍ以下とすることが好ましい。
【００５３】
また、図８に示すように、切断予定領域ＳＬとは離れた部分、例えば、透明基板１０の端部に堤防層５８Ａ，５８Ｂを設けても構わない。
【００５４】
また、上記実施形態では、堤防層５８の形成と、層間絶縁膜４０又はセパレータ４２の形成とを同一工程で行っているが、堤防層５８を、層間絶縁膜４０又はセパレータ４２の形成と異なる工程で形成してもよい。この場合には、堤防層５８は、必ずしもレジスト材料で形成される必要はなく、例えば、金属酸化物層、金属層等の無機材料で形成することも可能である。
【００５５】
また、上記実施形態では、ＩＣチップ６０及びフレキシブルプリント基板７０を両方実装しているが、一方のみを実装する場合であってもよい。
【００５６】
また、有機ＥＬ素子３０、回路パターン２０等の構成も特に限定されず、種々の態様が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】図１は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルの製造方法を示す上面図である。
【図２】図２は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルの製造方法を示す図１に続く図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ矢視図である。
【図３】図３は、図２（ａ）のＩＩＩ−ＩＩＩ矢視図である。
【図４】図４は、図２（ａ）の有機ＥＬ素子の一部破断斜視図である。
【図５】図５は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルの製造方法を示す図２に続く図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ矢視図である。
【図６】図６は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルの製造方法を示す図５に続く図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ矢視図である。
【図７】図７は、本発明の他の実施形態に係る有機ＥＬパネルの製造方法を示す切断予定領域付近の断面図である。
【図８】図８は、本発明のさらに他の実施形態に係る有機ＥＬパネルの製造方法を示す上面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１０…透明基板、２０…回路パターン、３０…有機ＥＬ素子、４０…層間絶縁膜、４２…セパレータ、５８…堤防層、６０…有機ＥＬ駆動用ＩＣチップ（ＩＣチップ）、７０…フレキシブルプリント基板、８０…保護部（樹脂）、ＳＬ…切断予定領域、ＰＮ…有機ＥＬパネル。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に形成された複数の有機ＥＬパネル用の回路パターンのそれぞれに対して、有機ＥＬ素子の形成、及び、ＩＣチップ又はフレキシブルプリント基板の実装を行う工程と、
前記各回路パターンの内の露出する部分に対してそれぞれ樹脂を塗布する工程と、
前記回路パターン間に位置する切断予定領域に沿って前記樹脂が塗布された透明基板を切断する工程と、を備え、
前記樹脂を塗布する工程の前に、前記透明基板上に前記切断予定領域に沿って堤防層を形成する工程を更に備える有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項２】
前記有機ＥＬ素子の形成においては、前記透明基板上にレジスト膜を形成する工程を有し、
前記堤防層を形成する工程及び前記レジスト膜を形成する工程を同時に行う請求項１記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項３】
前記堤防層は電気絶縁性である請求項１又は２記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項４】
透明基板と、
前記透明基板上に形成された回路パターンと、
前記回路パターンに対して電気的に接続された有機ＥＬ素子と、
前記回路パターン上に実装されたＩＣチップ又はフレキシブルプリント基板と、
前記回路パターンを覆う樹脂と、
前記透明基板上に前記透明基板の縁に沿って設けられた堤防層と、
を備える有機ＥＬパネル。
【請求項１】
透明基板上に形成された複数の有機ＥＬパネル用の回路パターンのそれぞれに対して、有機ＥＬ素子の形成、及び、ＩＣチップ又はフレキシブルプリント基板の実装を行う工程と、
前記各回路パターンの内の露出する部分に対してそれぞれ樹脂を塗布する工程と、
前記回路パターン間に位置する切断予定領域に沿って前記樹脂が塗布された透明基板を切断する工程と、を備え、
前記樹脂を塗布する工程の前に、前記透明基板上に前記切断予定領域に沿って堤防層を形成する工程を更に備える有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項２】
前記有機ＥＬ素子の形成においては、前記透明基板上にレジスト膜を形成する工程を有し、
前記堤防層を形成する工程及び前記レジスト膜を形成する工程を同時に行う請求項１記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項３】
前記堤防層は電気絶縁性である請求項１又は２記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項４】
透明基板と、
前記透明基板上に形成された回路パターンと、
前記回路パターンに対して電気的に接続された有機ＥＬ素子と、
前記回路パターン上に実装されたＩＣチップ又はフレキシブルプリント基板と、
前記回路パターンを覆う樹脂と、
前記透明基板上に前記透明基板の縁に沿って設けられた堤防層と、
を備える有機ＥＬパネル。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２００９−２８９６１５（Ｐ２００９−２８９６１５Ａ）
【公開日】平成２１年１２月１０日（２００９．１２．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１４１３１５（Ｐ２００８−１４１３１５）
【出願日】平成２０年５月２９日（２００８．５．２９）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１２月１０日（２００９．１２．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年５月２９日（２００８．５．２９）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
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