有機ＥＬ表示装置とその修復方法、及び有機ＥＬ表示装置の製造方法
【課題】欠陥部にオープン破壊できる電流を流すことのできるアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】カソード電極とアノード電極との間に有機発光層を挟んだ有機ＥＬ素子を複数有し、各々の有機ＥＬ素子は、複数の信号線、複数の走査線、及び複数のアノード線の各１本にそれぞれ接続されて成るアクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置において、前記アノード線に突起部が形成されており、このアノード線の突起部とアノード電極又は同アノード電極と同電位の電極とは、絶縁層を挟んで積層されていることを特徴とする。
【解決手段】カソード電極とアノード電極との間に有機発光層を挟んだ有機ＥＬ素子を複数有し、各々の有機ＥＬ素子は、複数の信号線、複数の走査線、及び複数のアノード線の各１本にそれぞれ接続されて成るアクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置において、前記アノード線に突起部が形成されており、このアノード線の突起部とアノード電極又は同アノード電極と同電位の電極とは、絶縁層を挟んで積層されていることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機ＥＬ表示装置とその修復方法、及び有機ＥＬ表示装置の製造方法の技術分野に属する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置は、有機発光層がアノード電極とカソード電極との間に挟まれた構造であり、アノード電極とカソード電極とがショートした場合、その部分の有機ＥＬ素子が発光しなくなるため、非点灯欠陥が発生する。
【０００３】
このような非点灯欠陥の補修方法としてエージングという方法が知られている。有機ＥＬ素子の製造工程において、アノード電極とカソード電極との間に電圧を印加するエージング処理を行って膜欠陥部を予めオープン破壊させておくという方法である。
【０００４】
例えば、特許文献１や特許文献２には、アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置のエージング方法が開示されている。図４に、特許文献に開示されたピクセル部分の回路構成を示す。各ピクセルは、スイッチング用ＴＦＴと駆動用ＴＦＴと、有機発光（ＥＬ）素子と、コンデンサで構成されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−５１３８４号公報
【特許文献２】特開２００５−３４０１４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置は、微小電流を制御するためにポリシリコンＴＦＴで駆動回路が構成され、駆動用ＴＦＴに流すことのできる電流は数μＡである。そのため、オープン破壊に必要な電流が得られず、十分なエージング効果が得られなかった。
【０００７】
そこで、本発明は上記問題に鑑み、欠陥部にオープン破壊できる電流を流すことのできるアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置とその修復方法、及び有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記背景技術の課題を解決するための手段として、請求項１に記載した発明に係る有機ＥＬ表示装置は、
カソード電極とアノード電極との間に有機発光層を挟んだ有機ＥＬ素子を複数有し、各々の有機ＥＬ素子は、複数の信号線、複数の走査線、及び複数のアノード線の各１本にそれぞれ接続されて成るアクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置において、
アノード線に突起部が形成されており、このアノード線の突起部とアノード電極又は同アノード電極と同電位の電極とは、絶縁層を挟んで積層されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、アノード線に形成された突起部とアノード電極又は同アノード電極と同電位の電極とを、絶縁層を挟んで積層している。この積層部分にレーザー照射し、アノード線とカソード電極とを接続する。その後、アノード電極とカソード電極との間に電圧印加して欠陥部をエージングしてオープン破壊すると、駆動ＴＦＴを介さずに有機ＥＬ素子に電流が流れる。そのため、駆動ＴＦＴの特性に制限されること無く電流を流すことができ、欠陥部を確実にオープン破壊することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明に係る有機ＥＬ表示装置とその修復方法、及び有機ＥＬ表示装置の製造方法の実施形態について図面を参照して説明する。なお、本実施形態で特に図示又は記載されない部分に関しては、当該技術分野の周知又は公知技術を適用する。また、本実施形態は、発明の一つの実施形態であって、これらに限定されるものではない。
【００１１】
＜第１の実施の形態＞
先ず、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の構成を製造方法に沿って説明する。
【００１２】
ガラス基板などの絶縁性基板１０１上にポリシリコン層１０２を形成し、その上に例えばＳｉＯ2からなるゲート絶縁膜１０３を形成した（図２を参照）。ゲート絶縁膜１０３の厚さは１００ｎｍ〜２００ｎｍが好ましく、駆動能力を向上させるためにＴａ2Ｏ5などの酸化物でも良い。
【００１３】
ゲート絶縁膜１０３上に、トランジスタのゲート電極１０４とアノード線１０５とゲート線１０７及びスイッチング用ＴＦＴ１１７のゲート電極を形成するべく、例えば、Ｃｒ、ＭｏＷ、Ａｌなどの金属材料をスパッタ法により成膜し、フォトエッチング法などによりパターン形成した。このとき、アノード線１０５に突起部１０６を形成しておき、後に層間絶縁膜１０８を挟んでアノード接続用電極１０９と積層構造とされる（図１及び図２を参照）。なお、ゲート電極１０４、アノード線１０５の厚さは１５０ｎｍ〜３５０ｎｍが好ましい。
【００１４】
これらを覆うようにＳｉＯ2などからなる層間絶縁膜１０８を形成し、その上に、信号線１１０とアノード接続用電極１０９を形成した。その結果、アノード線１０５の突起部１０６は、層間絶縁膜１０８を挟んでアノード接続用電極１０９と積層構造となる。なお、欠陥画素の修復工程時に、この部分をレーザー照射によって、アノード線１０５の突起部１０６とアノード接続用電極１０９とを接続させるために、積層部のサイズは５μｍ×５μｍ以上で、層間絶縁膜１０８の厚さとしては６００ｎｍ以下が好ましい。
【００１５】
ちなみに、上記工程でおいて信号線１１０はトランジスタのソース電極とスルーホールを介して接続される。信号線１１０の材料としては、Ｃｒ、ＭｏＷ、ＡｌまたはＭｏ／Ａｌ／Ｍｏなどの積層膜が用いられ、配線抵抗を低くするために厚さは３００ｎｍ〜８００ｎｍが好ましい。
【００１６】
トランジスタや配線の凹凸を緩和するためにアクリル樹脂等の平坦化膜１１１をスピンコート法などにより基板上に形成し、後にアノード電極１１３とアノード接続用電極１０９とを接続するためのスルーホール１１２を形成した。十分な平坦性を得るためには平坦化膜１１１の厚さは１μｍ〜３μｍが好ましい。
【００１７】
平坦化膜１１１上にアノード電極１１３を形成し、スルーホール１１２を介してアノード接続用電極１０９と接続した。アノード電極１１３は、光反射性の部材であることが好ましく、例えばＣｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の材料からなることが好ましい。反射率が高い部材であるほど、光取り出し効率を向上できるからである。
【００１８】
スルーホール１１２及びアノード電極１１３のエッジを覆うように素子分離膜１１４を形成した。
【００１９】
このような基板に対して、公知の手段により、有機発光層１１５、カソード電極１１６を積層して各々の画素領域に有機ＥＬ素子を作製し、有機ＥＬ表示装置を得た。
【００２０】
有機発光層１１５は、複数の層であってもよく、例えば正孔輸送層、発光層、電子輸送層の積層であってもよいし、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の積層であってもよい。
【００２１】
カソード電極１１６は、光透過性の部材であることが好ましく、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明導電材料からなることが好ましい。また、半透過性の反射部材を用いてもよく、この場合には例えば、厚さ１ｎｍ〜６０ｎｍ程度の金属膜であることが好ましい。
【００２２】
なお、本発明において、光取り出し方向は下部電極側あるいは上部電極側のどちらであってもよい。下部電極側から光を取り出す場合には、上記の説明とは逆に下部電極が光透過性の部材であることが好ましく、上部電極が光反射性の部材であることが好ましい。
【００２３】
続いて、上記構成の有機ＥＬ表示装置の修復方法を説明する。
【００２４】
先ず、上記構成の有機ＥＬ表示装置を全面点灯させて、非発光画素を検知する。次に、検知した画素のアノード線１０５の突起部１０６とアノード接続用電極１０９との積層部にレーザーを照射する（図３（ａ）を参照）。レーザーのパワーが十分大きい場合には、金属が融解し、層間絶縁膜１０８が破壊され、前記アノード線１０５の突起部１０６とアノード接続用電極１０９とが接続される（図３（ｂ）を参照）。すると、アノード電極１１３とアノード線１０５とが駆動用ＴＦＴ１１８を介さず直結されるため、アノード線１０５とカソード電極１１６との間に電圧を印加すれば、欠陥画素に十分な電流を流すことができる。そこで、欠陥部のオープン破壊に必要な電流を流し、欠陥画素を修復する。有機ＥＬ素子が直接駆動されるので、任意の電圧、電流、及び波形を印加することができ、効率的に欠陥画素の修復を行うことができる。
【００２５】
次に、アノード線１０５と突起部１０６とをレーザー照射し切断する（図３（ｃ）を参照）。すると、アノード線１０５とアノード電極１１３とが電気的に切り離され、修復した画素が正常画素と同様に動作する（図３（ｄ）を参照）。
【００２６】
＜第２の実施の形態＞
第２の実施形態は、欠陥画素のオープン破壊の方法にレーザー照射を用いる場合である。図３（ｂ）の工程において、カソード電極１１６とアノード線１０５との間に電流を流すと欠陥部が発熱する。これをサーモビューワー又は赤外線カメラで観察すると、発熱箇所を特定することができる。この発熱部にレーザーを照射して、欠陥部をオープン状態にする。
【００２７】
以後、第１の実施の形態と同様に、アノード線１０５と突起部１０６とをレーザー照射し切断する（図３（ｃ）を参照）。すると、アノード線１０５とアノード電極１１３とが電気的に切り離され、修復した画素が正常画素と同様に動作する（図３（ｄ）を参照）。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明に係る有機ＥＬ表示装置を示す平面模式図である。
【図２】図１に示すＡ点とＢ点との間の構造を表す断面模式図である。
【図３】本発明に係る有機ＥＬ表示装置の欠陥画素の修復工程を示す図である。
【図４】画素回路の従来例を示す図である。
【符号の説明】
【００２９】
１０１ ガラス基板
１０２ ポリシリコン層
１０３ ゲート絶縁膜
１０４ ゲート電極
１０５ アノード線
１０６ 突起部
１０７ ゲート線
１０８ 層間絶縁膜
１０９ アノード接続用電極
１１０ 信号線
１１１ 平坦化膜
１１２ スルーホール
１１３ カソード電極
１１４ 素子分離膜
１１５ 有機発光層
１１６ カソード電極
１１７ スイッチング用ＴＦＴ
１１８ 駆動用ＴＦＴ
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機ＥＬ表示装置とその修復方法、及び有機ＥＬ表示装置の製造方法の技術分野に属する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置は、有機発光層がアノード電極とカソード電極との間に挟まれた構造であり、アノード電極とカソード電極とがショートした場合、その部分の有機ＥＬ素子が発光しなくなるため、非点灯欠陥が発生する。
【０００３】
このような非点灯欠陥の補修方法としてエージングという方法が知られている。有機ＥＬ素子の製造工程において、アノード電極とカソード電極との間に電圧を印加するエージング処理を行って膜欠陥部を予めオープン破壊させておくという方法である。
【０００４】
例えば、特許文献１や特許文献２には、アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置のエージング方法が開示されている。図４に、特許文献に開示されたピクセル部分の回路構成を示す。各ピクセルは、スイッチング用ＴＦＴと駆動用ＴＦＴと、有機発光（ＥＬ）素子と、コンデンサで構成されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−５１３８４号公報
【特許文献２】特開２００５−３４０１４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置は、微小電流を制御するためにポリシリコンＴＦＴで駆動回路が構成され、駆動用ＴＦＴに流すことのできる電流は数μＡである。そのため、オープン破壊に必要な電流が得られず、十分なエージング効果が得られなかった。
【０００７】
そこで、本発明は上記問題に鑑み、欠陥部にオープン破壊できる電流を流すことのできるアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置とその修復方法、及び有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記背景技術の課題を解決するための手段として、請求項１に記載した発明に係る有機ＥＬ表示装置は、
カソード電極とアノード電極との間に有機発光層を挟んだ有機ＥＬ素子を複数有し、各々の有機ＥＬ素子は、複数の信号線、複数の走査線、及び複数のアノード線の各１本にそれぞれ接続されて成るアクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置において、
アノード線に突起部が形成されており、このアノード線の突起部とアノード電極又は同アノード電極と同電位の電極とは、絶縁層を挟んで積層されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、アノード線に形成された突起部とアノード電極又は同アノード電極と同電位の電極とを、絶縁層を挟んで積層している。この積層部分にレーザー照射し、アノード線とカソード電極とを接続する。その後、アノード電極とカソード電極との間に電圧印加して欠陥部をエージングしてオープン破壊すると、駆動ＴＦＴを介さずに有機ＥＬ素子に電流が流れる。そのため、駆動ＴＦＴの特性に制限されること無く電流を流すことができ、欠陥部を確実にオープン破壊することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明に係る有機ＥＬ表示装置とその修復方法、及び有機ＥＬ表示装置の製造方法の実施形態について図面を参照して説明する。なお、本実施形態で特に図示又は記載されない部分に関しては、当該技術分野の周知又は公知技術を適用する。また、本実施形態は、発明の一つの実施形態であって、これらに限定されるものではない。
【００１１】
＜第１の実施の形態＞
先ず、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の構成を製造方法に沿って説明する。
【００１２】
ガラス基板などの絶縁性基板１０１上にポリシリコン層１０２を形成し、その上に例えばＳｉＯ2からなるゲート絶縁膜１０３を形成した（図２を参照）。ゲート絶縁膜１０３の厚さは１００ｎｍ〜２００ｎｍが好ましく、駆動能力を向上させるためにＴａ2Ｏ5などの酸化物でも良い。
【００１３】
ゲート絶縁膜１０３上に、トランジスタのゲート電極１０４とアノード線１０５とゲート線１０７及びスイッチング用ＴＦＴ１１７のゲート電極を形成するべく、例えば、Ｃｒ、ＭｏＷ、Ａｌなどの金属材料をスパッタ法により成膜し、フォトエッチング法などによりパターン形成した。このとき、アノード線１０５に突起部１０６を形成しておき、後に層間絶縁膜１０８を挟んでアノード接続用電極１０９と積層構造とされる（図１及び図２を参照）。なお、ゲート電極１０４、アノード線１０５の厚さは１５０ｎｍ〜３５０ｎｍが好ましい。
【００１４】
これらを覆うようにＳｉＯ2などからなる層間絶縁膜１０８を形成し、その上に、信号線１１０とアノード接続用電極１０９を形成した。その結果、アノード線１０５の突起部１０６は、層間絶縁膜１０８を挟んでアノード接続用電極１０９と積層構造となる。なお、欠陥画素の修復工程時に、この部分をレーザー照射によって、アノード線１０５の突起部１０６とアノード接続用電極１０９とを接続させるために、積層部のサイズは５μｍ×５μｍ以上で、層間絶縁膜１０８の厚さとしては６００ｎｍ以下が好ましい。
【００１５】
ちなみに、上記工程でおいて信号線１１０はトランジスタのソース電極とスルーホールを介して接続される。信号線１１０の材料としては、Ｃｒ、ＭｏＷ、ＡｌまたはＭｏ／Ａｌ／Ｍｏなどの積層膜が用いられ、配線抵抗を低くするために厚さは３００ｎｍ〜８００ｎｍが好ましい。
【００１６】
トランジスタや配線の凹凸を緩和するためにアクリル樹脂等の平坦化膜１１１をスピンコート法などにより基板上に形成し、後にアノード電極１１３とアノード接続用電極１０９とを接続するためのスルーホール１１２を形成した。十分な平坦性を得るためには平坦化膜１１１の厚さは１μｍ〜３μｍが好ましい。
【００１７】
平坦化膜１１１上にアノード電極１１３を形成し、スルーホール１１２を介してアノード接続用電極１０９と接続した。アノード電極１１３は、光反射性の部材であることが好ましく、例えばＣｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の材料からなることが好ましい。反射率が高い部材であるほど、光取り出し効率を向上できるからである。
【００１８】
スルーホール１１２及びアノード電極１１３のエッジを覆うように素子分離膜１１４を形成した。
【００１９】
このような基板に対して、公知の手段により、有機発光層１１５、カソード電極１１６を積層して各々の画素領域に有機ＥＬ素子を作製し、有機ＥＬ表示装置を得た。
【００２０】
有機発光層１１５は、複数の層であってもよく、例えば正孔輸送層、発光層、電子輸送層の積層であってもよいし、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の積層であってもよい。
【００２１】
カソード電極１１６は、光透過性の部材であることが好ましく、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明導電材料からなることが好ましい。また、半透過性の反射部材を用いてもよく、この場合には例えば、厚さ１ｎｍ〜６０ｎｍ程度の金属膜であることが好ましい。
【００２２】
なお、本発明において、光取り出し方向は下部電極側あるいは上部電極側のどちらであってもよい。下部電極側から光を取り出す場合には、上記の説明とは逆に下部電極が光透過性の部材であることが好ましく、上部電極が光反射性の部材であることが好ましい。
【００２３】
続いて、上記構成の有機ＥＬ表示装置の修復方法を説明する。
【００２４】
先ず、上記構成の有機ＥＬ表示装置を全面点灯させて、非発光画素を検知する。次に、検知した画素のアノード線１０５の突起部１０６とアノード接続用電極１０９との積層部にレーザーを照射する（図３（ａ）を参照）。レーザーのパワーが十分大きい場合には、金属が融解し、層間絶縁膜１０８が破壊され、前記アノード線１０５の突起部１０６とアノード接続用電極１０９とが接続される（図３（ｂ）を参照）。すると、アノード電極１１３とアノード線１０５とが駆動用ＴＦＴ１１８を介さず直結されるため、アノード線１０５とカソード電極１１６との間に電圧を印加すれば、欠陥画素に十分な電流を流すことができる。そこで、欠陥部のオープン破壊に必要な電流を流し、欠陥画素を修復する。有機ＥＬ素子が直接駆動されるので、任意の電圧、電流、及び波形を印加することができ、効率的に欠陥画素の修復を行うことができる。
【００２５】
次に、アノード線１０５と突起部１０６とをレーザー照射し切断する（図３（ｃ）を参照）。すると、アノード線１０５とアノード電極１１３とが電気的に切り離され、修復した画素が正常画素と同様に動作する（図３（ｄ）を参照）。
【００２６】
＜第２の実施の形態＞
第２の実施形態は、欠陥画素のオープン破壊の方法にレーザー照射を用いる場合である。図３（ｂ）の工程において、カソード電極１１６とアノード線１０５との間に電流を流すと欠陥部が発熱する。これをサーモビューワー又は赤外線カメラで観察すると、発熱箇所を特定することができる。この発熱部にレーザーを照射して、欠陥部をオープン状態にする。
【００２７】
以後、第１の実施の形態と同様に、アノード線１０５と突起部１０６とをレーザー照射し切断する（図３（ｃ）を参照）。すると、アノード線１０５とアノード電極１１３とが電気的に切り離され、修復した画素が正常画素と同様に動作する（図３（ｄ）を参照）。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明に係る有機ＥＬ表示装置を示す平面模式図である。
【図２】図１に示すＡ点とＢ点との間の構造を表す断面模式図である。
【図３】本発明に係る有機ＥＬ表示装置の欠陥画素の修復工程を示す図である。
【図４】画素回路の従来例を示す図である。
【符号の説明】
【００２９】
１０１ ガラス基板
１０２ ポリシリコン層
１０３ ゲート絶縁膜
１０４ ゲート電極
１０５ アノード線
１０６ 突起部
１０７ ゲート線
１０８ 層間絶縁膜
１０９ アノード接続用電極
１１０ 信号線
１１１ 平坦化膜
１１２ スルーホール
１１３ カソード電極
１１４ 素子分離膜
１１５ 有機発光層
１１６ カソード電極
１１７ スイッチング用ＴＦＴ
１１８ 駆動用ＴＦＴ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カソード電極とアノード電極との間に有機発光層を挟んだ有機ＥＬ素子を複数有し、各々の有機ＥＬ素子は、複数の信号線、複数の走査線、及び複数のアノード線の各１本にそれぞれ接続されて成るアクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置において、
アノード線に突起部が形成されており、このアノード線の突起部とアノード電極又は同アノード電極と同電位の電極とは、絶縁層を挟んで積層されていることを特徴とする、有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
カソード電極とアノード電極との間に有機発光層を挟んだ有機ＥＬ素子を複数有し、各々の有機ＥＬ素子は、複数の信号線、複数の走査線、及び複数のアノード線の各１本にそれぞれ接続されて成り、
前記アノード線に突起部が形成されており、このアノード線の突起部とアノード電極又は同アノード電極と同電位の電極とは、絶縁層を挟んで積層されたアクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置の修復方法であって、
カソード電極とアノード電極との間がショートした有機ＥＬ素子の位置を検知する工程と、
前記検知した有機ＥＬ素子のアノード線の突起部にレーザーを照射し、前記アノード線とアノード電極とを直結する工程と、
前記アノード線と前記カソード電極とに電圧を印加して欠陥部をオープン破壊させる工程と、
前記アノード線の突起部をレーザー照射により切断する工程と、
を備えることを特徴とする、有機ＥＬ表示装置の修復方法。
【請求項３】
カソード電極とアノード電極との間に有機発光層を挟んだ有機ＥＬ素子を複数有し、各々の有機ＥＬ素子は、複数の信号線、複数の走査線、及び複数のアノード線の各１本にそれぞれ接続されて成り、
前記アノード線に突起部が形成されており、このアノード線の突起部とアノード電極又は同アノード電極と同電位の電極とは、絶縁層を挟んで積層されたアクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置の修復方法であって、
カソード電極とアノード電極との間がショートした有機ＥＬ素子の位置を検知する工程と、
前記検知した有機ＥＬ素子のアノード線の突起部にレーザーを照射し、前記アノード線とアノード電極とを直結する工程と、
前記アノード線と前記カソード電極とに電圧を印加して欠陥部を発熱させる工程と、
前記欠陥部から発する熱又は赤外線を検出し、前記検出部にレーザーを照射して、欠陥部をオープン破壊する工程と、
前記アノード線の突起部をレーザー照射により切断する工程と、
を備えることを特徴とする、有機ＥＬ表示装置の修復方法。
【請求項４】
カソード電極とアノード電極との間に有機発光層を挟んだ有機ＥＬ素子を複数有し、各々の有機ＥＬ素子は、複数の信号線、複数の走査線、及び複数のアノード線の各１本にそれぞれ接続されて成るアクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
アノード線を形成する工程において、予めアノード線に突起部を形成しておき、このアノード線の突起部と絶縁膜を挟んでアノード電極又は同アノード電極と同電位の電極とを積層するように形成することを特徴とする、有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１】
カソード電極とアノード電極との間に有機発光層を挟んだ有機ＥＬ素子を複数有し、各々の有機ＥＬ素子は、複数の信号線、複数の走査線、及び複数のアノード線の各１本にそれぞれ接続されて成るアクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置において、
アノード線に突起部が形成されており、このアノード線の突起部とアノード電極又は同アノード電極と同電位の電極とは、絶縁層を挟んで積層されていることを特徴とする、有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
カソード電極とアノード電極との間に有機発光層を挟んだ有機ＥＬ素子を複数有し、各々の有機ＥＬ素子は、複数の信号線、複数の走査線、及び複数のアノード線の各１本にそれぞれ接続されて成り、
前記アノード線に突起部が形成されており、このアノード線の突起部とアノード電極又は同アノード電極と同電位の電極とは、絶縁層を挟んで積層されたアクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置の修復方法であって、
カソード電極とアノード電極との間がショートした有機ＥＬ素子の位置を検知する工程と、
前記検知した有機ＥＬ素子のアノード線の突起部にレーザーを照射し、前記アノード線とアノード電極とを直結する工程と、
前記アノード線と前記カソード電極とに電圧を印加して欠陥部をオープン破壊させる工程と、
前記アノード線の突起部をレーザー照射により切断する工程と、
を備えることを特徴とする、有機ＥＬ表示装置の修復方法。
【請求項３】
カソード電極とアノード電極との間に有機発光層を挟んだ有機ＥＬ素子を複数有し、各々の有機ＥＬ素子は、複数の信号線、複数の走査線、及び複数のアノード線の各１本にそれぞれ接続されて成り、
前記アノード線に突起部が形成されており、このアノード線の突起部とアノード電極又は同アノード電極と同電位の電極とは、絶縁層を挟んで積層されたアクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置の修復方法であって、
カソード電極とアノード電極との間がショートした有機ＥＬ素子の位置を検知する工程と、
前記検知した有機ＥＬ素子のアノード線の突起部にレーザーを照射し、前記アノード線とアノード電極とを直結する工程と、
前記アノード線と前記カソード電極とに電圧を印加して欠陥部を発熱させる工程と、
前記欠陥部から発する熱又は赤外線を検出し、前記検出部にレーザーを照射して、欠陥部をオープン破壊する工程と、
前記アノード線の突起部をレーザー照射により切断する工程と、
を備えることを特徴とする、有機ＥＬ表示装置の修復方法。
【請求項４】
カソード電極とアノード電極との間に有機発光層を挟んだ有機ＥＬ素子を複数有し、各々の有機ＥＬ素子は、複数の信号線、複数の走査線、及び複数のアノード線の各１本にそれぞれ接続されて成るアクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
アノード線を形成する工程において、予めアノード線に突起部を形成しておき、このアノード線の突起部と絶縁膜を挟んでアノード電極又は同アノード電極と同電位の電極とを積層するように形成することを特徴とする、有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２００８−１２３７００（Ｐ２００８−１２３７００Ａ）
【公開日】平成２０年５月２９日（２００８．５．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−３０２７７１（Ｐ２００６−３０２７７１）
【出願日】平成１８年１１月８日（２００６．１１．８）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年５月２９日（２００８．５．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１１月８日（２００６．１１．８）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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