有機ＥＬ表示装置の製造方法
【課題】表示領域外における画素分離層と蒸着マスクとの接触回数を減少させ、表示領域外の画素分離層上に転写する異物を低減して、保護層端部の水分遮断性能を向上する。
【解決手段】少なくとも、下部電極２、画素を分離する画素分離層４、発光層６を含む有機化合物層、及び保護層を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、発光層６の形成領域内に存する画素分離層４Ａのみに蒸着マスク２２を接触させた状態で、発光層６を形成する工程と、発光層６の形成領域外、かつ上部電極８の形成領域内に存する画素分離層４Ｂのみに蒸着マスク２１を接触させた状態で、発光層６を除く有機化合物層５，７を形成する工程と、上部電極８の形成領域よりも面方向外方に存する画素分離層４Ｃのみに蒸着マスク２３を接触させた状態で、上部電極８を形成する工程と、を有する。
【解決手段】少なくとも、下部電極２、画素を分離する画素分離層４、発光層６を含む有機化合物層、及び保護層を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、発光層６の形成領域内に存する画素分離層４Ａのみに蒸着マスク２２を接触させた状態で、発光層６を形成する工程と、発光層６の形成領域外、かつ上部電極８の形成領域内に存する画素分離層４Ｂのみに蒸着マスク２１を接触させた状態で、発光層６を除く有機化合物層５，７を形成する工程と、上部電極８の形成領域よりも面方向外方に存する画素分離層４Ｃのみに蒸着マスク２３を接触させた状態で、上部電極８を形成する工程と、を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極間に発光層を含む有機化合物層を有する有機ＥＬ素子を複数備えた有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネルディスプレイとして、自発光型のデバイスである有機ＥＬ表示装置が注目され、活発に開発されている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置が有する発光特性の劣化を防止すべく、外部から浸入し得る水分や酸素を遮断するための保護層に関する技術が研究されてきた。ここで保護層は、有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子の上方及びその周辺の広い範囲に形成され、外部から浸入し得る水分を遮断する機能を有する。
【０００４】
保護層としては、無機酸化物や無機窒化物等の無機絶縁膜、アクリルやエポキシ樹脂等の有機絶縁膜、及び無機絶縁膜と有機絶縁膜との積層構造（以下、ハイブリッド構造）が用いられている。マスクを用いて無機絶縁膜で保護層をパターン形成する場合や、印刷法を用いて有機絶縁膜で保護層をパターン形成する場合、保護層の端部に中央部と比較して膜厚の薄い領域が存在する。
【０００５】
例えば、スクリーン印刷法で有機絶縁膜をパターン形成する場合、形成領域の端部における膜厚が徐々に薄くなるテーパー領域が形成される。このテーパー領域の幅は有機絶縁膜の塗液の粘度にも依存するが、概ね０．５〜２ｍｍ程度である。このような保護層のテーパー領域に存する画素分離層上に異物が付着すると、保護層で画素分離層を完全に被覆できず、保護層にクラック等の膜欠陥が生じて、その水分遮断性能の低下を招くことになる。通常、保護層の端部は、有機ＥＬ表示装置の表示領域外に位置するように形成されるので、表示領域外における画素分離層上の異物を低減することが重要となる。
【０００６】
画素分離層上に異物が付着する主な要因としては、蒸着マスクに付着した異物が画素分離層に転写することが挙げられる。この画素分離層は、通常、表示領域だけでなく表示領域の外周部にも形成され、表示領域内と表示領域外の画素分離層は同一の高さで設定される（例えば、特許文献１参照）。このような構造では、表示領域外の画素分離層には、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の各色の発光層、有機共通層及び上部電極の形成時に蒸着マスクが繰り返し接触することとなる。その結果、蒸着マスクから表示領域外の画素分離層上に異物が転写し、保護層の水分遮断性能を低下させる要因となっていた。また、蒸着マスクが接触することによって、画素分離層に擦れや傷等の物理的損傷が発生することもある。
【０００７】
画素分離層上への異物の転写を防止する対策としては、ハーフエッチングやプレスにより蒸着マスクに凹部を形成して、蒸着マスクと画素分離層との接触を防ぐ方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００７−１２３２４０号公報
【特許文献２】特開２００８−２４３６６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、蒸着マスクを用いて蒸着工程を実施する際には、一般に蒸着マスクに対して均一にテンションを掛け、蒸着マスクの撓みをなくした状態で素子基板と接触させている。
【００１０】
しかし、特許文献２のように蒸着マスクに凹部を形成すると、蒸着マスクへのテンションの掛かり方が不均一となり、素子基板内での着膜の位置精度に分布が生じるという問題がある。
【００１１】
また、プレスを用いて蒸着マスクに凹みを形成する方法では、高い平面性を有する高精細な蒸着マスクを製造するのが困難であるという問題がある。さらに、ハーフエッチングで蒸着マスクに凹部を形成する方法では、フォトリソグラフィとエッチングを２回繰り返す必要があり、蒸着マスクが高価になるという問題もある。
【００１２】
そこで本発明の目的は、表示領域外における画素分離層と蒸着マスクとの接触回数を減少させ、表示領域外の画素分離層上に転写する異物を低減して、保護層端部の水分遮断性能を向上できる有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の目的を達成すべく成された本発明の構成は以下の通りである。
【００１４】
即ち、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、少なくとも、下部電極、画素を分離する画素分離層、発光層を含む有機化合物層、及び保護層を備える有機ＥＬ表示装置を製造する方法であって、
前記発光層の形成領域内に存する画素分離層のみに蒸着マスクを接触させた状態で、前記発光層を形成する工程と、
前記発光層の形成領域外、かつ前記上部電極の形成領域内に存する画素分離層のみに蒸着マスクを接触させた状態で、前記発光層を除く有機化合物層を形成する工程と、
前記上部電極の形成領域よりも面方向外方に存する画素分離層のみに蒸着マスクを接触させた状態で、前記上部電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、蒸着工程ごとに蒸着マスクを接触させる画素分離層を分けることで、表示領域外における蒸着マスクと画素分離層との接触回数を減少させ、蒸着マスクから画素分離層上に転写する異物を低減している。特に表示領域外における画素分離層上に転写する異物を低減することで、保護層の端部の欠陥が減少し、水分遮断性能を向上できるという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明に係る有機ＥＬ表示装置における蒸着工程毎の画素分離層と蒸着マスクとの接触状態を示す模式図である。
【図２】従来の有機ＥＬ表示装置における画素分離層と蒸着マスクとの接触状態を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明するが、本発明は本実施形態に限定されるものではない。
【００１８】
まず、図１を参照して、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の一実施形態をその製造方法の手順に従って説明する。図１は、本発明に係る有機ＥＬ表示装置における蒸着工程毎の画素分離層と蒸着マスクとの接触状態を示す模式図である。図２は、比較として、従来の有機ＥＬ表示装置における画素分離層と蒸着マスクとの接触状態を示す模式図である。これらの図面において、１は絶縁性基板、２は画素電極、３は配線、４（４Ａ，４Ｂ，４Ｃ）は画素分離層、５は第一有機共通層、６は発光層、７は第二有機共通層、８は上部電極、１０はカソードコンタクトである。また、２１は有機共通層作成用の蒸着マスク、２２は発光層作成用の蒸着マスク、２３は上部電極作成用の蒸着マスクである。
【００１９】
まず、図１（ａ）に示すように、基板１上に画素電極（下部電極）２及び配線３を形成した後に、画素を分離する画素分離層４が形成される。
【００２０】
基板１としては、Ｓｉやガラス、プラスチックなどの絶縁性材料からなる基板を用いる。
【００２１】
画素電極２は、光反射性の導電性部材であることが好ましく、例えば、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の金属材料、もしくはこれらの合金からなることが好ましい。光反射性の部材を用いるのは、光反射率が高いほど光取り出し効率を向上できるからである。また画素電極２には、光反射性の機能を上記の光反射性部材によって確保し、この光反射性部材上に電極としての機能を有するＩＴＯ（インジウム錫酸化物）膜等の透明導電膜で確保するような構成も含まれる。このような複合構成の場合は、上記光反射性部材の表面が反射面となる。
【００２２】
配線３は必ずしも光反射性の部材である必要はないが、配線抵抗を考慮すると、可能な限り低抵抗率の部材であることが好ましい。具体的には、配線３はＡｌ、Ａｇ等の金属材料、もしくはこれらの合金からなることが好ましい。また、配線３の材料を画素電極２と同じ材料に設定することで、画素電極２をパターン形成する際に配線３のパターンを同時に形成することができる。なお、この配線３は、画素電極２とは電気的に分離されるようにパターン形成される。
【００２３】
画素電極２及び配線３を形成する方法としては、例えば、蒸着法やスパッタ法、イオンプレーティング法などが好適であるが、これらに限定されない。これらのパターンの形成方法としては、例えば、フォトリソグラフィ法もしくはマスク成膜法などの公知の方法を用いることができる。
【００２４】
画素分離層４は、各画素毎の画素電極２上に開口部を有しており、この開口部によって発光面積を規定している。また、配線３上の画素分離層４にも開口部が形成されており、この開口部にはカソードコンタクト１０が形成される。このカソードコンタクト１０によって、後述の上部電極８と配線３が電気的に接続される。
【００２５】
図２の従来の構造では、領域Ａ、Ｂ、Ｃにおいて画素分離層４の膜厚に差はなく、同じ高さＨで形成されている。ここで図１及び図２において、領域Ａは発光層の形成領域を指し、領域Ｂは発光層の形成領域外かつ上部電極の形成領域内を指し、領域Ｃは上部電極の形成領域よりも面方向外方を指している。ここで、領域Ａは表示領域内であり、領域Ｂ及び領域Ｃは表示領域外と定義する。
【００２６】
一方、図１の本発明の構造では、画素分離層４の高さは領域Ａ、Ｂ、Ｃで異なるように形成されることが特徴である。すなわち、領域Ａに存する画素分離層４Ａの膜厚をＨ１、領域Ｂに存する画素分離層４Ｂの膜厚をＨ２、領域Ｃに存する画素分離層４Ｃの膜厚をＨ３とした場合に、膜厚Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３が段階的に減少する関係Ｈ１＞Ｈ２＞Ｈ３を有している。このように段階的に膜厚に変化をもたせる製造方法としては、例えば、画素分離層をポジ型感光性材料で形成し、これに対して遮光パターンの透過率を領域毎に変化させたハーフトーンマスクを用いて露光する方法が好適に用いられる。例えば、画素分離層４Ａ領域は遮光パターンの透過率を０％、画素分離層４Ｂ領域は遮光パターンの透過率を５０％、画素分離層４Ｃ領域は遮光パターンの透過率を２５％と設定する。このように設定することで、画素分離層４Ｂの膜厚Ｈ２は画素分離層４Ａの膜厚Ｈ１の約１／２、画素分離層４Ｃの膜厚Ｈ３は画素分離層４Ａの約１／４となる。このようにハーフトーンフォトマスクを用いることで、従来の工程数を増やすことなく、容易に画素分離層の高さに面内分布をもたせることが可能である。
【００２７】
画素分離層４の材料は、絶縁体であれば公知の材料を広く用いることができ、例えば、アクリル、ポリイミド等の有機材料が挙げられる。画素分離層４は絶縁性を発現するのに十分な厚さがあればよいが、具体的には、０．５μｍ〜５μｍ程度の厚さが好適である。
【００２８】
次に、図１（ａ）に示すように、画素分離層４まで形成した素子基板上に、蒸着マスク２１を用いた蒸着法によって第一有機共通層５が形成される。この第一有機共通層５の形成領域は、発光層６の形成領域（領域Ａ）の外側まで広く形成され、領域Ｂの画素分離層４Ｂ上に端部がくるように形成される。このように第一有機共通層５は画素毎にパターニングする必要がないので、高い精度が要求されないラフなパターンの蒸着マスク２１を用いることができる。ここで、図２（ａ）の従来の構造では領域Ｃに存する画素分離層４に蒸着マスク２１が接触しているが、図１（ａ）の本発明の構造では領域Ｃに存する画素分離層４Ｃと蒸着マスク２１とは接触していないことが判る。
【００２９】
第一有機共通層５は発光層６を除く有機化合物層であり、発光層６よりも下部電極側に位置するので、例えば、正孔注入材料や正孔輸送材料を用いることができる。具体的には、第一有機共通層５として、フタロシアニン化合物、トリアリールアミン化合物、導電性高分子、ペリレン系化合物、Ｅｕ錯体等が使用できるが、これらに限定されない。
【００３０】
次に、図１（ｂ）に示すように、画素電極２上の開口部に、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の各色の発光層６が真空蒸着法によって順次形成される。このとき、画素ピッチと同等のピッチでストライプ状あるいはスロット状の開口部が形成された高精細な蒸着マスク２２を用いる必要がある。具体的には、まずＲ発光層をストライプ状の蒸着マスク２２で蒸着し、その後１画素ピッチ分だけ蒸着マスク２２をずらしてＧ発光層を蒸着し、さらに１画素ピッチ分だけ蒸着マスク２２を同じ方向にずらしてＢ発光層を蒸着する。図１（ｂ）及び図２（ｂ）に示すように、発光層６は領域Ａに形成される。ここで、図２（ｂ）の従来の構造では領域Ｂ及び領域Ｃに存する画素分離層４に蒸着マスク２２が接触しているが、図１（ｂ）の本発明の構造では領域Ｂ及び領域Ｃに存する画素分離層４Ｂ、４Ｃと蒸着マスク２２とは接触していないことが判る。
【００３１】
各色の発光層６として、例えば、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、芳香族縮合多環化合物、芳香族複素環化合物、芳香族複素縮合環化合物、金属錯体化合物等及びこれらの単独オリゴ体あるいは複合オリゴ体が使用できる。本発明はこれらの例示材料に限定されるものではない。発光層６の膜厚は０．０５μｍ〜０．３μｍ程度が好ましく、より好ましくは０．０５〜０．１５μｍ程度である。
【００３２】
続いて、図１（ｃ）に示すように、第一有機共通層５と同様のパターンの開口部が形成された蒸着マスク２１を用いて、第二有機共通層７が形成される。この第二有機共通層７の形成領域は、前述の第一有機共通層５と同様に領域Ｂにおける画素分離層４Ｂ上にその端部がくるように形成される。第二有機共通層７の形成には、第一有機共通層５と同様に、ラフなパターンの蒸着マスク２１を用いることができる。ここで、図２（ｃ）の従来の構造では領域Ｃに存する画素分離層４に蒸着マスク２１が接触しているが、図１（ｃ）の本発明の構造では領域Ｃに存する画素分離層４Ｃと蒸着マスク２１とは接触していないことが判る。
【００３３】
第二有機共通層７は発光層６を除く有機化合物層であり、発光層６よりも上部電極側に位置するので、例えば、電子注入材料や電子輸送材料を用いることができる。具体的には、第二有機共通層７として、アルミニウムに８−ヒドロキシキノリンの３量体が配位したＡｌｑ3、アゾメチン亜鉛錯体、ジスチリルビフェニル誘導体系等が使用できるが、これらに限定されない。
【００３４】
続いて、図１（ｄ）に示すように、蒸着マスク２３を用いて上部電極８が形成される。上部電極８の形成領域は、図１（ｄ）及び図２（ｄ）に示すように、カソードコンタクト１０を完全に覆い、領域Ｃにおける画素分離層４Ｃ上にその端部がくるように形成される。この上部電極８の形成には、蒸着マスク２１と同様にラフなパターンの蒸着マスク２３を用いることができる。ここで本工程では、図２（ｄ）の従来の構造、図１（ｄ）の本発明の構造ともに、領域Ｃに存する画素分離層４、４Ｃに蒸着マスク２３が接触することになる。
【００３５】
上部電極８としては、透過率の高い材料が好ましく、例えば、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、ＺｎＯなどの透明導電膜や、ポリアセチレンなどの有機導電膜からなることが好ましい。また、Ａｇ、Ａｌなどの金属材料を１０ｎｍ〜３０ｎｍ程度の膜厚で形成した半透過膜を用いてもよい。
【００３６】
最後に、上部電極８上に不図示の保護層が形成される。保護層としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機絶縁膜、窒化シリコン、酸化シリコン、窒化アルミニウム等の無機絶縁膜を用いることができる。有機絶縁膜を形成する方法としては、各種印刷法を用いることができ、特にスクリーン印刷法が好適であるが、この方法に限定されない。一方、無機絶縁膜を形成する方法としては、真空成膜法を用いることができ、特にＣＶＤ法が好適であるが、この方法に限定されない。
【００３７】
以上の一連の製造工程により有機ＥＬ表示装置が製造されるが、以下に各領域毎の画素分離層と蒸着マスクとの総接触回数を比較する。
【００３８】
まず、領域Ａに存する画素分離層は、本発明の構造ではＲ，Ｇ，Ｂの発光層の形成工程の計３回、従来の構造では同じくＲ，Ｇ，Ｂの発光層の形成工程の計３回蒸着マスクと接触する。次に、領域Ｂに存する画素分離層は、本発明の構造では第一有機共通層形成工程、第二有機共通層形成工程の計２回、従来の構造ではＲ，Ｇ，Ｂの発光層の形成工程、第一有機共通層形成工程、及び第二有機共通層形成工程の計５回蒸着マスクと接触する。次に、領域Ｃに存する画素分離層は、本発明の構造では上部電極形成工程の計１回、従来の構造ではＲ，Ｇ，Ｂ発光層形成工程、第一有機共通層形成工程、第二有機共通層形成工程、及び上部電極形成工程の計６回蒸着マスクと接触する。
【００３９】
このように本発明における画素分離層の構造を採用することで、特に表示領域外の領域Ｂ、Ｃに存する画素分離層４Ｂ、４Ｃと蒸着マスクとの接触回数を減らすことが可能となる。したがって、表示領域外の領域Ｂ、Ｃに存する画素分離層４Ｂ、４Ｃ上への異物の転写を低減でき、保護層の端部の欠陥が減少させて水分遮断性能を向上させることができるものである。
【００４０】
以上、本発明の好適な実施形態を説明したが、これは本発明の説明のための例示であり、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、上記実施形態とは異なる種々の態様で実施することができる。
【００４１】
例えば、蒸着マスクとの接触面積を減らすために画素分離層上にスペーサーを形成する構造を採用する場合がある。この場合は、上記の各領域Ａ、Ｂ、Ｃごとにスペーサーの高さを調整して、スペーサーを含む画素分離層の全体の高さに上述の段階的に減少する関係をもたせることで、同等の効果を得ることができる。
【実施例】
【００４２】
以下、実施例を挙げて、本発明に係る有機ＥＬ表示装置及びその製造方法をさらに詳細に説明するが、本発明は本実施例に限定されるものではない。
【００４３】
〔実施例１〕
実施例１では、図１に示した本発明の構造の有機ＥＬ表示装置を次のような手順で製造した。
【００４４】
まず、画素電極２及び配線３を配設したＴＦＴ基板をＵＶ／オゾン洗浄処理した。次に、フォトリソグラフィ工程により、ポジ型感光性ポリイミドからなる画素分離層４（４Ａ，４Ｂ，４Ｃをパターン形成した。具体的には、図１（ａ）の領域Ａにおける画素分離層４Ａの遮光パターンは、光透過率０％のフォトマスクを用いて露光を行った。また、領域Ｂにおける画素分離層４Ｂの遮光パターンは光透過率５０％、領域Ｃにおける画素分離層４Ｃの遮光パターンは光透過率２０％のハーフトーンフォトマスクを用いて露光を行った。現像及び焼成後に画素分離層の膜厚を測定したところ、画素分離層４Ａは２μｍ、画素分離層４Ｂは１μｍ、画素分離層４Ｃは０．４μｍであった。
【００４５】
次に、真空蒸着法により、第一有機共通層５、発光層６及び第二有機共通層７を順次形成した。具体的には、まず画素電極２上にαＮＰＤを成膜し、第一有機共通層５を形成した。このとき、第一有機共通層５の膜厚は５０ｎｍであった。
【００４６】
次に、第一有機共通層５上に、ホストであるアルミキレート錯体（Ａｌｑ3）と、ゲストであるクマリン６とを重量比で１００：６となるように共蒸着し、Ｇの発光層を形成した。同様のホストに対してＲ，Ｂ系発光材料をゲストとして共蒸着し、Ｒ，Ｂ発光層を形成した。各発光層６の膜厚は５０ｎｍとした。
【００４７】
次に、発光層６上に、フェナントロリン化合物（Ｂｐｈｅｎ）を成膜し、第二有機共通層７を形成した。このとき、第二有機共通層７の膜厚を１０ｎｍとした。
【００４８】
次に、スパッタリング法を用いてＩＴＯを成膜し、上部電極８を形成した。このとき、上部電極８の膜厚を１３０ｎｍとした。
【００４９】
最後に、外部電源との接続端子部を除いた有機ＥＬ表示装置の全面に熱硬有機絶縁膜と無機絶縁膜を順次積層し、不図示の保護層を形成した。具体的には、有機絶縁膜として熱硬化エポキシ樹脂を用い、窒素雰囲気下でスクリーン印刷法によって形成した。このとき、有機絶縁膜の膜厚は２０μｍとした。また、無機絶縁膜として窒化シリコンをＣＶＤ法により形成した。このとき、無機絶縁膜の膜厚は１μｍの膜厚とした。
【００５０】
以上の一連の製造工程により、本発明に係る有機ＥＬ表示装置を作製した。
【００５１】
〔比較例１〕
比較例１では、ハーフトーンではない通常のフォトマスクを用いて、フォトリソグラフィ工程により画素分離層４を形成した以外は、実施例１と同じ方法で従来構造の有機ＥＬ表示装置を作製した。比較例１における画素分離層の膜厚は、領域Ａ、領域Ｂ、領域Ｃの全ての領域において２μｍであった。
【００５２】
〔実施例１と比較例１の比較結果〕
実施例１及び比較例１で作製した有機ＥＬ表示装置の外観検査及び高温高湿信頼性評価を行った。これらの結果を下記表１に示す。ここで外観検査は２０個の有機ＥＬ表示装置に対して行い、各領域の画素分離層上に付着した３μｍ以上の異物数をカウントして、平均値で表した。また、高温高湿信頼性評価は２０個の有機ＥＬ表示装置を温度８０℃、湿度９０％の環境下に３０００Ｈｒ曝露し、その後に有機ＥＬ表示装置を点灯し、非表示欠陥の発生した有機ＥＬ表示装置の数をカウントしたものである。
【００５３】
【表１】
【００５４】
表１から判るように、領域Ａに存する画素分離層上の異物数は実施例１と比較例１とで有意差は見られないが、領域Ｂ及び領域Ｃに存する画素分離層上の異物数については、実施例１は比較例１に比べて大幅に減少していることが確認できる。すなわち、領域Ｂ及び領域Ｃに存する画素分離層と蒸着マスクとの接触回数を減らすことが、画素分離層上に転写する異物数を減らすのに効果的であることが判る。
【００５５】
さらに、高温高湿信頼性評価結果において、実施例１では、比較例１に比して非表示欠陥の発生する有機ＥＬ表示装置数を大幅に低減できることが確認できる。すなわち、保護層の膜厚が薄くなる端部近傍における画素分離層上に転写する異物数を減少させることで、保護層の欠陥や損傷等を防止して、その高温高湿環境に対する信頼性を向上できることが判った。
【符号の説明】
【００５６】
２ 画素電極（下部電極）、４（４Ａ，４Ｂ，４Ｃ） 画素分離層、５ 第一有機共通層、６ 発光層、７ 第二有機共通層、８ 上部電極、２１ 有機共通層形成用の蒸着マスク、２２ 発光層形成用の蒸着マスク、２３ 上部電極形成用の蒸着マスク
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極間に発光層を含む有機化合物層を有する有機ＥＬ素子を複数備えた有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネルディスプレイとして、自発光型のデバイスである有機ＥＬ表示装置が注目され、活発に開発されている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置が有する発光特性の劣化を防止すべく、外部から浸入し得る水分や酸素を遮断するための保護層に関する技術が研究されてきた。ここで保護層は、有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子の上方及びその周辺の広い範囲に形成され、外部から浸入し得る水分を遮断する機能を有する。
【０００４】
保護層としては、無機酸化物や無機窒化物等の無機絶縁膜、アクリルやエポキシ樹脂等の有機絶縁膜、及び無機絶縁膜と有機絶縁膜との積層構造（以下、ハイブリッド構造）が用いられている。マスクを用いて無機絶縁膜で保護層をパターン形成する場合や、印刷法を用いて有機絶縁膜で保護層をパターン形成する場合、保護層の端部に中央部と比較して膜厚の薄い領域が存在する。
【０００５】
例えば、スクリーン印刷法で有機絶縁膜をパターン形成する場合、形成領域の端部における膜厚が徐々に薄くなるテーパー領域が形成される。このテーパー領域の幅は有機絶縁膜の塗液の粘度にも依存するが、概ね０．５〜２ｍｍ程度である。このような保護層のテーパー領域に存する画素分離層上に異物が付着すると、保護層で画素分離層を完全に被覆できず、保護層にクラック等の膜欠陥が生じて、その水分遮断性能の低下を招くことになる。通常、保護層の端部は、有機ＥＬ表示装置の表示領域外に位置するように形成されるので、表示領域外における画素分離層上の異物を低減することが重要となる。
【０００６】
画素分離層上に異物が付着する主な要因としては、蒸着マスクに付着した異物が画素分離層に転写することが挙げられる。この画素分離層は、通常、表示領域だけでなく表示領域の外周部にも形成され、表示領域内と表示領域外の画素分離層は同一の高さで設定される（例えば、特許文献１参照）。このような構造では、表示領域外の画素分離層には、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の各色の発光層、有機共通層及び上部電極の形成時に蒸着マスクが繰り返し接触することとなる。その結果、蒸着マスクから表示領域外の画素分離層上に異物が転写し、保護層の水分遮断性能を低下させる要因となっていた。また、蒸着マスクが接触することによって、画素分離層に擦れや傷等の物理的損傷が発生することもある。
【０００７】
画素分離層上への異物の転写を防止する対策としては、ハーフエッチングやプレスにより蒸着マスクに凹部を形成して、蒸着マスクと画素分離層との接触を防ぐ方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００７−１２３２４０号公報
【特許文献２】特開２００８−２４３６６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、蒸着マスクを用いて蒸着工程を実施する際には、一般に蒸着マスクに対して均一にテンションを掛け、蒸着マスクの撓みをなくした状態で素子基板と接触させている。
【００１０】
しかし、特許文献２のように蒸着マスクに凹部を形成すると、蒸着マスクへのテンションの掛かり方が不均一となり、素子基板内での着膜の位置精度に分布が生じるという問題がある。
【００１１】
また、プレスを用いて蒸着マスクに凹みを形成する方法では、高い平面性を有する高精細な蒸着マスクを製造するのが困難であるという問題がある。さらに、ハーフエッチングで蒸着マスクに凹部を形成する方法では、フォトリソグラフィとエッチングを２回繰り返す必要があり、蒸着マスクが高価になるという問題もある。
【００１２】
そこで本発明の目的は、表示領域外における画素分離層と蒸着マスクとの接触回数を減少させ、表示領域外の画素分離層上に転写する異物を低減して、保護層端部の水分遮断性能を向上できる有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の目的を達成すべく成された本発明の構成は以下の通りである。
【００１４】
即ち、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、少なくとも、下部電極、画素を分離する画素分離層、発光層を含む有機化合物層、及び保護層を備える有機ＥＬ表示装置を製造する方法であって、
前記発光層の形成領域内に存する画素分離層のみに蒸着マスクを接触させた状態で、前記発光層を形成する工程と、
前記発光層の形成領域外、かつ前記上部電極の形成領域内に存する画素分離層のみに蒸着マスクを接触させた状態で、前記発光層を除く有機化合物層を形成する工程と、
前記上部電極の形成領域よりも面方向外方に存する画素分離層のみに蒸着マスクを接触させた状態で、前記上部電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、蒸着工程ごとに蒸着マスクを接触させる画素分離層を分けることで、表示領域外における蒸着マスクと画素分離層との接触回数を減少させ、蒸着マスクから画素分離層上に転写する異物を低減している。特に表示領域外における画素分離層上に転写する異物を低減することで、保護層の端部の欠陥が減少し、水分遮断性能を向上できるという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明に係る有機ＥＬ表示装置における蒸着工程毎の画素分離層と蒸着マスクとの接触状態を示す模式図である。
【図２】従来の有機ＥＬ表示装置における画素分離層と蒸着マスクとの接触状態を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明するが、本発明は本実施形態に限定されるものではない。
【００１８】
まず、図１を参照して、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の一実施形態をその製造方法の手順に従って説明する。図１は、本発明に係る有機ＥＬ表示装置における蒸着工程毎の画素分離層と蒸着マスクとの接触状態を示す模式図である。図２は、比較として、従来の有機ＥＬ表示装置における画素分離層と蒸着マスクとの接触状態を示す模式図である。これらの図面において、１は絶縁性基板、２は画素電極、３は配線、４（４Ａ，４Ｂ，４Ｃ）は画素分離層、５は第一有機共通層、６は発光層、７は第二有機共通層、８は上部電極、１０はカソードコンタクトである。また、２１は有機共通層作成用の蒸着マスク、２２は発光層作成用の蒸着マスク、２３は上部電極作成用の蒸着マスクである。
【００１９】
まず、図１（ａ）に示すように、基板１上に画素電極（下部電極）２及び配線３を形成した後に、画素を分離する画素分離層４が形成される。
【００２０】
基板１としては、Ｓｉやガラス、プラスチックなどの絶縁性材料からなる基板を用いる。
【００２１】
画素電極２は、光反射性の導電性部材であることが好ましく、例えば、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の金属材料、もしくはこれらの合金からなることが好ましい。光反射性の部材を用いるのは、光反射率が高いほど光取り出し効率を向上できるからである。また画素電極２には、光反射性の機能を上記の光反射性部材によって確保し、この光反射性部材上に電極としての機能を有するＩＴＯ（インジウム錫酸化物）膜等の透明導電膜で確保するような構成も含まれる。このような複合構成の場合は、上記光反射性部材の表面が反射面となる。
【００２２】
配線３は必ずしも光反射性の部材である必要はないが、配線抵抗を考慮すると、可能な限り低抵抗率の部材であることが好ましい。具体的には、配線３はＡｌ、Ａｇ等の金属材料、もしくはこれらの合金からなることが好ましい。また、配線３の材料を画素電極２と同じ材料に設定することで、画素電極２をパターン形成する際に配線３のパターンを同時に形成することができる。なお、この配線３は、画素電極２とは電気的に分離されるようにパターン形成される。
【００２３】
画素電極２及び配線３を形成する方法としては、例えば、蒸着法やスパッタ法、イオンプレーティング法などが好適であるが、これらに限定されない。これらのパターンの形成方法としては、例えば、フォトリソグラフィ法もしくはマスク成膜法などの公知の方法を用いることができる。
【００２４】
画素分離層４は、各画素毎の画素電極２上に開口部を有しており、この開口部によって発光面積を規定している。また、配線３上の画素分離層４にも開口部が形成されており、この開口部にはカソードコンタクト１０が形成される。このカソードコンタクト１０によって、後述の上部電極８と配線３が電気的に接続される。
【００２５】
図２の従来の構造では、領域Ａ、Ｂ、Ｃにおいて画素分離層４の膜厚に差はなく、同じ高さＨで形成されている。ここで図１及び図２において、領域Ａは発光層の形成領域を指し、領域Ｂは発光層の形成領域外かつ上部電極の形成領域内を指し、領域Ｃは上部電極の形成領域よりも面方向外方を指している。ここで、領域Ａは表示領域内であり、領域Ｂ及び領域Ｃは表示領域外と定義する。
【００２６】
一方、図１の本発明の構造では、画素分離層４の高さは領域Ａ、Ｂ、Ｃで異なるように形成されることが特徴である。すなわち、領域Ａに存する画素分離層４Ａの膜厚をＨ１、領域Ｂに存する画素分離層４Ｂの膜厚をＨ２、領域Ｃに存する画素分離層４Ｃの膜厚をＨ３とした場合に、膜厚Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３が段階的に減少する関係Ｈ１＞Ｈ２＞Ｈ３を有している。このように段階的に膜厚に変化をもたせる製造方法としては、例えば、画素分離層をポジ型感光性材料で形成し、これに対して遮光パターンの透過率を領域毎に変化させたハーフトーンマスクを用いて露光する方法が好適に用いられる。例えば、画素分離層４Ａ領域は遮光パターンの透過率を０％、画素分離層４Ｂ領域は遮光パターンの透過率を５０％、画素分離層４Ｃ領域は遮光パターンの透過率を２５％と設定する。このように設定することで、画素分離層４Ｂの膜厚Ｈ２は画素分離層４Ａの膜厚Ｈ１の約１／２、画素分離層４Ｃの膜厚Ｈ３は画素分離層４Ａの約１／４となる。このようにハーフトーンフォトマスクを用いることで、従来の工程数を増やすことなく、容易に画素分離層の高さに面内分布をもたせることが可能である。
【００２７】
画素分離層４の材料は、絶縁体であれば公知の材料を広く用いることができ、例えば、アクリル、ポリイミド等の有機材料が挙げられる。画素分離層４は絶縁性を発現するのに十分な厚さがあればよいが、具体的には、０．５μｍ〜５μｍ程度の厚さが好適である。
【００２８】
次に、図１（ａ）に示すように、画素分離層４まで形成した素子基板上に、蒸着マスク２１を用いた蒸着法によって第一有機共通層５が形成される。この第一有機共通層５の形成領域は、発光層６の形成領域（領域Ａ）の外側まで広く形成され、領域Ｂの画素分離層４Ｂ上に端部がくるように形成される。このように第一有機共通層５は画素毎にパターニングする必要がないので、高い精度が要求されないラフなパターンの蒸着マスク２１を用いることができる。ここで、図２（ａ）の従来の構造では領域Ｃに存する画素分離層４に蒸着マスク２１が接触しているが、図１（ａ）の本発明の構造では領域Ｃに存する画素分離層４Ｃと蒸着マスク２１とは接触していないことが判る。
【００２９】
第一有機共通層５は発光層６を除く有機化合物層であり、発光層６よりも下部電極側に位置するので、例えば、正孔注入材料や正孔輸送材料を用いることができる。具体的には、第一有機共通層５として、フタロシアニン化合物、トリアリールアミン化合物、導電性高分子、ペリレン系化合物、Ｅｕ錯体等が使用できるが、これらに限定されない。
【００３０】
次に、図１（ｂ）に示すように、画素電極２上の開口部に、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の各色の発光層６が真空蒸着法によって順次形成される。このとき、画素ピッチと同等のピッチでストライプ状あるいはスロット状の開口部が形成された高精細な蒸着マスク２２を用いる必要がある。具体的には、まずＲ発光層をストライプ状の蒸着マスク２２で蒸着し、その後１画素ピッチ分だけ蒸着マスク２２をずらしてＧ発光層を蒸着し、さらに１画素ピッチ分だけ蒸着マスク２２を同じ方向にずらしてＢ発光層を蒸着する。図１（ｂ）及び図２（ｂ）に示すように、発光層６は領域Ａに形成される。ここで、図２（ｂ）の従来の構造では領域Ｂ及び領域Ｃに存する画素分離層４に蒸着マスク２２が接触しているが、図１（ｂ）の本発明の構造では領域Ｂ及び領域Ｃに存する画素分離層４Ｂ、４Ｃと蒸着マスク２２とは接触していないことが判る。
【００３１】
各色の発光層６として、例えば、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、芳香族縮合多環化合物、芳香族複素環化合物、芳香族複素縮合環化合物、金属錯体化合物等及びこれらの単独オリゴ体あるいは複合オリゴ体が使用できる。本発明はこれらの例示材料に限定されるものではない。発光層６の膜厚は０．０５μｍ〜０．３μｍ程度が好ましく、より好ましくは０．０５〜０．１５μｍ程度である。
【００３２】
続いて、図１（ｃ）に示すように、第一有機共通層５と同様のパターンの開口部が形成された蒸着マスク２１を用いて、第二有機共通層７が形成される。この第二有機共通層７の形成領域は、前述の第一有機共通層５と同様に領域Ｂにおける画素分離層４Ｂ上にその端部がくるように形成される。第二有機共通層７の形成には、第一有機共通層５と同様に、ラフなパターンの蒸着マスク２１を用いることができる。ここで、図２（ｃ）の従来の構造では領域Ｃに存する画素分離層４に蒸着マスク２１が接触しているが、図１（ｃ）の本発明の構造では領域Ｃに存する画素分離層４Ｃと蒸着マスク２１とは接触していないことが判る。
【００３３】
第二有機共通層７は発光層６を除く有機化合物層であり、発光層６よりも上部電極側に位置するので、例えば、電子注入材料や電子輸送材料を用いることができる。具体的には、第二有機共通層７として、アルミニウムに８−ヒドロキシキノリンの３量体が配位したＡｌｑ3、アゾメチン亜鉛錯体、ジスチリルビフェニル誘導体系等が使用できるが、これらに限定されない。
【００３４】
続いて、図１（ｄ）に示すように、蒸着マスク２３を用いて上部電極８が形成される。上部電極８の形成領域は、図１（ｄ）及び図２（ｄ）に示すように、カソードコンタクト１０を完全に覆い、領域Ｃにおける画素分離層４Ｃ上にその端部がくるように形成される。この上部電極８の形成には、蒸着マスク２１と同様にラフなパターンの蒸着マスク２３を用いることができる。ここで本工程では、図２（ｄ）の従来の構造、図１（ｄ）の本発明の構造ともに、領域Ｃに存する画素分離層４、４Ｃに蒸着マスク２３が接触することになる。
【００３５】
上部電極８としては、透過率の高い材料が好ましく、例えば、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、ＺｎＯなどの透明導電膜や、ポリアセチレンなどの有機導電膜からなることが好ましい。また、Ａｇ、Ａｌなどの金属材料を１０ｎｍ〜３０ｎｍ程度の膜厚で形成した半透過膜を用いてもよい。
【００３６】
最後に、上部電極８上に不図示の保護層が形成される。保護層としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機絶縁膜、窒化シリコン、酸化シリコン、窒化アルミニウム等の無機絶縁膜を用いることができる。有機絶縁膜を形成する方法としては、各種印刷法を用いることができ、特にスクリーン印刷法が好適であるが、この方法に限定されない。一方、無機絶縁膜を形成する方法としては、真空成膜法を用いることができ、特にＣＶＤ法が好適であるが、この方法に限定されない。
【００３７】
以上の一連の製造工程により有機ＥＬ表示装置が製造されるが、以下に各領域毎の画素分離層と蒸着マスクとの総接触回数を比較する。
【００３８】
まず、領域Ａに存する画素分離層は、本発明の構造ではＲ，Ｇ，Ｂの発光層の形成工程の計３回、従来の構造では同じくＲ，Ｇ，Ｂの発光層の形成工程の計３回蒸着マスクと接触する。次に、領域Ｂに存する画素分離層は、本発明の構造では第一有機共通層形成工程、第二有機共通層形成工程の計２回、従来の構造ではＲ，Ｇ，Ｂの発光層の形成工程、第一有機共通層形成工程、及び第二有機共通層形成工程の計５回蒸着マスクと接触する。次に、領域Ｃに存する画素分離層は、本発明の構造では上部電極形成工程の計１回、従来の構造ではＲ，Ｇ，Ｂ発光層形成工程、第一有機共通層形成工程、第二有機共通層形成工程、及び上部電極形成工程の計６回蒸着マスクと接触する。
【００３９】
このように本発明における画素分離層の構造を採用することで、特に表示領域外の領域Ｂ、Ｃに存する画素分離層４Ｂ、４Ｃと蒸着マスクとの接触回数を減らすことが可能となる。したがって、表示領域外の領域Ｂ、Ｃに存する画素分離層４Ｂ、４Ｃ上への異物の転写を低減でき、保護層の端部の欠陥が減少させて水分遮断性能を向上させることができるものである。
【００４０】
以上、本発明の好適な実施形態を説明したが、これは本発明の説明のための例示であり、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、上記実施形態とは異なる種々の態様で実施することができる。
【００４１】
例えば、蒸着マスクとの接触面積を減らすために画素分離層上にスペーサーを形成する構造を採用する場合がある。この場合は、上記の各領域Ａ、Ｂ、Ｃごとにスペーサーの高さを調整して、スペーサーを含む画素分離層の全体の高さに上述の段階的に減少する関係をもたせることで、同等の効果を得ることができる。
【実施例】
【００４２】
以下、実施例を挙げて、本発明に係る有機ＥＬ表示装置及びその製造方法をさらに詳細に説明するが、本発明は本実施例に限定されるものではない。
【００４３】
〔実施例１〕
実施例１では、図１に示した本発明の構造の有機ＥＬ表示装置を次のような手順で製造した。
【００４４】
まず、画素電極２及び配線３を配設したＴＦＴ基板をＵＶ／オゾン洗浄処理した。次に、フォトリソグラフィ工程により、ポジ型感光性ポリイミドからなる画素分離層４（４Ａ，４Ｂ，４Ｃをパターン形成した。具体的には、図１（ａ）の領域Ａにおける画素分離層４Ａの遮光パターンは、光透過率０％のフォトマスクを用いて露光を行った。また、領域Ｂにおける画素分離層４Ｂの遮光パターンは光透過率５０％、領域Ｃにおける画素分離層４Ｃの遮光パターンは光透過率２０％のハーフトーンフォトマスクを用いて露光を行った。現像及び焼成後に画素分離層の膜厚を測定したところ、画素分離層４Ａは２μｍ、画素分離層４Ｂは１μｍ、画素分離層４Ｃは０．４μｍであった。
【００４５】
次に、真空蒸着法により、第一有機共通層５、発光層６及び第二有機共通層７を順次形成した。具体的には、まず画素電極２上にαＮＰＤを成膜し、第一有機共通層５を形成した。このとき、第一有機共通層５の膜厚は５０ｎｍであった。
【００４６】
次に、第一有機共通層５上に、ホストであるアルミキレート錯体（Ａｌｑ3）と、ゲストであるクマリン６とを重量比で１００：６となるように共蒸着し、Ｇの発光層を形成した。同様のホストに対してＲ，Ｂ系発光材料をゲストとして共蒸着し、Ｒ，Ｂ発光層を形成した。各発光層６の膜厚は５０ｎｍとした。
【００４７】
次に、発光層６上に、フェナントロリン化合物（Ｂｐｈｅｎ）を成膜し、第二有機共通層７を形成した。このとき、第二有機共通層７の膜厚を１０ｎｍとした。
【００４８】
次に、スパッタリング法を用いてＩＴＯを成膜し、上部電極８を形成した。このとき、上部電極８の膜厚を１３０ｎｍとした。
【００４９】
最後に、外部電源との接続端子部を除いた有機ＥＬ表示装置の全面に熱硬有機絶縁膜と無機絶縁膜を順次積層し、不図示の保護層を形成した。具体的には、有機絶縁膜として熱硬化エポキシ樹脂を用い、窒素雰囲気下でスクリーン印刷法によって形成した。このとき、有機絶縁膜の膜厚は２０μｍとした。また、無機絶縁膜として窒化シリコンをＣＶＤ法により形成した。このとき、無機絶縁膜の膜厚は１μｍの膜厚とした。
【００５０】
以上の一連の製造工程により、本発明に係る有機ＥＬ表示装置を作製した。
【００５１】
〔比較例１〕
比較例１では、ハーフトーンではない通常のフォトマスクを用いて、フォトリソグラフィ工程により画素分離層４を形成した以外は、実施例１と同じ方法で従来構造の有機ＥＬ表示装置を作製した。比較例１における画素分離層の膜厚は、領域Ａ、領域Ｂ、領域Ｃの全ての領域において２μｍであった。
【００５２】
〔実施例１と比較例１の比較結果〕
実施例１及び比較例１で作製した有機ＥＬ表示装置の外観検査及び高温高湿信頼性評価を行った。これらの結果を下記表１に示す。ここで外観検査は２０個の有機ＥＬ表示装置に対して行い、各領域の画素分離層上に付着した３μｍ以上の異物数をカウントして、平均値で表した。また、高温高湿信頼性評価は２０個の有機ＥＬ表示装置を温度８０℃、湿度９０％の環境下に３０００Ｈｒ曝露し、その後に有機ＥＬ表示装置を点灯し、非表示欠陥の発生した有機ＥＬ表示装置の数をカウントしたものである。
【００５３】
【表１】
【００５４】
表１から判るように、領域Ａに存する画素分離層上の異物数は実施例１と比較例１とで有意差は見られないが、領域Ｂ及び領域Ｃに存する画素分離層上の異物数については、実施例１は比較例１に比べて大幅に減少していることが確認できる。すなわち、領域Ｂ及び領域Ｃに存する画素分離層と蒸着マスクとの接触回数を減らすことが、画素分離層上に転写する異物数を減らすのに効果的であることが判る。
【００５５】
さらに、高温高湿信頼性評価結果において、実施例１では、比較例１に比して非表示欠陥の発生する有機ＥＬ表示装置数を大幅に低減できることが確認できる。すなわち、保護層の膜厚が薄くなる端部近傍における画素分離層上に転写する異物数を減少させることで、保護層の欠陥や損傷等を防止して、その高温高湿環境に対する信頼性を向上できることが判った。
【符号の説明】
【００５６】
２ 画素電極（下部電極）、４（４Ａ，４Ｂ，４Ｃ） 画素分離層、５ 第一有機共通層、６ 発光層、７ 第二有機共通層、８ 上部電極、２１ 有機共通層形成用の蒸着マスク、２２ 発光層形成用の蒸着マスク、２３ 上部電極形成用の蒸着マスク
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、下部電極、画素を分離する画素分離層、発光層を含む有機化合物層、及び保護層を備える有機ＥＬ表示装置を製造する方法であって、
前記発光層の形成領域内に存する画素分離層のみに蒸着マスクを接触させた状態で、前記発光層を形成する工程と、
前記発光層の形成領域外、かつ前記上部電極の形成領域内に存する画素分離層のみに蒸着マスクを接触させた状態で、前記発光層を除く有機化合物層を形成する工程と、
前記上部電極の形成領域よりも面方向外方に存する画素分離層のみに蒸着マスクを接触させた状態で、前記上部電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記発光層の形成領域内に存する画素分離層の膜厚をＨ１、
前記発光層の形成領域外、かつ前記上部電極の形成領域内に存する画素分離層の膜厚をＨ２、
前記上部電極の形成領域よりも面方向外方に存する画素分離層の膜厚をＨ３、
とした場合に、
前記画素分離層の膜厚Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３が段階的に減少する関係Ｈ１＞Ｈ２＞Ｈ３を有するように、
前記異なる膜厚Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３の画素分離層をそれぞれ光透過率の異なるフォトマスクを用いて、フォトリソグラフィ工程により形成する工程を有することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１】
少なくとも、下部電極、画素を分離する画素分離層、発光層を含む有機化合物層、及び保護層を備える有機ＥＬ表示装置を製造する方法であって、
前記発光層の形成領域内に存する画素分離層のみに蒸着マスクを接触させた状態で、前記発光層を形成する工程と、
前記発光層の形成領域外、かつ前記上部電極の形成領域内に存する画素分離層のみに蒸着マスクを接触させた状態で、前記発光層を除く有機化合物層を形成する工程と、
前記上部電極の形成領域よりも面方向外方に存する画素分離層のみに蒸着マスクを接触させた状態で、前記上部電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記発光層の形成領域内に存する画素分離層の膜厚をＨ１、
前記発光層の形成領域外、かつ前記上部電極の形成領域内に存する画素分離層の膜厚をＨ２、
前記上部電極の形成領域よりも面方向外方に存する画素分離層の膜厚をＨ３、
とした場合に、
前記画素分離層の膜厚Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３が段階的に減少する関係Ｈ１＞Ｈ２＞Ｈ３を有するように、
前記異なる膜厚Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３の画素分離層をそれぞれ光透過率の異なるフォトマスクを用いて、フォトリソグラフィ工程により形成する工程を有することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２０１１−２２２１４６（Ｐ２０１１−２２２１４６Ａ）
【公開日】平成２３年１１月４日（２０１１．１１．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−８６８６６（Ｐ２０１０−８６８６６）
【出願日】平成２２年４月５日（２０１０．４．５）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１１月４日（２０１１．１１．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年４月５日（２０１０．４．５）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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