有機ＥＬ表示装置
【課題】画素の寸法が大きな有機ＥＬ表示装置の高分子発光層にピンホールが生じるのを抑制する。
【解決手段】本発明の有機ＥＬ表示装置は、絶縁基板ＳＵＢと、前記絶縁基板ＳＵＢの一主面上に配置されると共に貫通孔が設けられた隔壁絶縁層ＰＩと、前記絶縁基板ＳＵＢの前記主面上であって前記貫通孔の位置に配置された第１電極ＰＥと、前記貫通孔の一対の開口間に配置された、前記第１電極ＰＩを被覆した第１層Ｌ１と前記貫通孔の側壁を被覆した第２層Ｌ２とからなる高分子発光層ＥＭＴと、前記高分子発光層ＥＭＴを被覆した第２電極ＣＥとを備えた有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとを具備したことを特徴とする。
【解決手段】本発明の有機ＥＬ表示装置は、絶縁基板ＳＵＢと、前記絶縁基板ＳＵＢの一主面上に配置されると共に貫通孔が設けられた隔壁絶縁層ＰＩと、前記絶縁基板ＳＵＢの前記主面上であって前記貫通孔の位置に配置された第１電極ＰＥと、前記貫通孔の一対の開口間に配置された、前記第１電極ＰＩを被覆した第１層Ｌ１と前記貫通孔の側壁を被覆した第２層Ｌ２とからなる高分子発光層ＥＭＴと、前記高分子発光層ＥＭＴを被覆した第２電極ＣＥとを備えた有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとを具備したことを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置に係り、特には、有機ＥＬ素子の発光層が高分子発光層である有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置の製造プロセスでは、高分子発光層を形成する場合、特許文献１に記載されているように、高分子有機材料を含有した溶液を塗布してなる塗膜を乾燥するという方法を採用している。この方法では、例えば、まず、各画素に対応して貫通孔を有する隔壁絶縁層を基板上に形成する。次に、これら貫通孔を液溜めとして利用して、インクジェット法などにより、高分子有機材料を含有したインクでそれら貫通孔を満たす。その後、貫通孔内の液膜を乾燥することにより、それら液膜から溶媒を除去する。以上のようにして、高分子有機材料からなる高分子発光層を得る。
【０００３】
ところで、現在、有機ＥＬ表示装置の多くは、携帯電話の表示装置として利用されているため、画面サイズが小さい。今後、有機ＥＬ表示装置は、テレビジョン受像機等の表示装置としての利用が増大することが見込まれている。そのため、画面サイズのより大きな有機ＥＬ表示装置の開発が進められている。
【０００４】
しかしながら、本発明者らは、本発明を為すに際し、画素の寸法が大きな有機ＥＬ表示装置の高分子発光層を上述した方法で形成すると、高分子発光層にピンホールを生じ易いことを見い出している。高分子発光層にピンホールを生じた画素は、滅点として視認され得る。
【特許文献１】特開２００４−４７２１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、画素の寸法が大きな有機ＥＬ表示装置の高分子発光層にピンホールが生じるのを抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面によると、絶縁基板と、前記絶縁基板の一主面上に配置されると共に貫通孔が設けられた隔壁絶縁層と、前記絶縁基板の前記主面上であって前記貫通孔の位置に配置された第１電極と、前記貫通孔の一対の開口間に配置された、前記第１電極を被覆した第１層と前記貫通孔の側壁を被覆した第２層とからなる高分子発光層と、前記高分子発光層を被覆した第２電極とを備えた有機ＥＬ素子とを具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によると、画素の寸法が大きな有機ＥＬ表示装置の高分子発光層にピンホールが生じるのを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【０００９】
図１は、本発明の一態様に係る表示装置を概略的に示す平面図である。図２は、図１に示す表示装置の部分断面図である。図３は、図２の表示装置が含むアレイ基板を拡大して示す部分断面図である。なお、図２では、表示装置を、その表示面，すなわち前面又は光出射面，が下方を向き、背面が上方を向くように描いている。
【００１０】
図１及び図２の表示装置は、アクティブマトリクス型駆動方式を採用した下面発光型の有機ＥＬ表示装置である。この有機ＥＬ表示装置は、表示パネルＤＰと、映像信号線ドライバＸＤＲと、走査信号線ドライバＹＤＲとを含んでいる。
【００１１】
表示パネルＤＰは、アレイ基板ＡＳと、封止基板ＣＳと、それらの間に介在したシール層ＳＳとを含んでいる。アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとは向き合っている。シール層ＳＳは、枠形状を有しており、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとの間に密閉空間を形成している。この密閉空間は、不活性ガスで満たされている。
【００１２】
アレイ基板ＡＳは、例えば、ガラス基板などの絶縁基板ＳＵＢを含んでいる。
基板ＳＵＢ上には、図２に示すように、アンダーコート層ＵＣとして、例えば、ＳｉＮx層とＳｉＯx層とが順次積層されている。
【００１３】
アンダーコート層ＵＣ上には、例えばソース及びドレインが形成されたポリシリコン層である半導体層ＳＣ、例えばＴＥＯＳ（tetraethyl orthosilicate）などを用いて形成され得るゲート絶縁膜ＧＩ、及び例えばＭｏＷなどからなるゲートＧが順次積層されており、それらは電界効果トランジスタであるトップゲート型の薄膜トランジスタを構成している。この例では、これら薄膜トランジスタは、ｐチャネル薄膜トランジスタであり、図１の駆動制御素子ＤＲ及びスイッチＳＷａ乃至ＳＷｃとして利用している。
【００１４】
ゲート絶縁膜ＧＩ上には、図１に示す走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２と、図示しない下部電極とがさらに配置されている。走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２並びに下部電極は、ゲートＧと同一の工程で形成可能である。
【００１５】
走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、図１に示すように、各々が画素ＰＸの行方向（Ｘ方向）に延びており、画素ＰＸの列方向（Ｙ方向）に交互に配列している。これら走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、走査信号線ドライバＹＤＲに接続されている。
【００１６】
下部電極は、駆動制御素子ＤＲのゲートに接続されている。下部電極は、後述するキャパシタＣの一方の電極として利用する。
【００１７】
ゲート絶縁膜ＧＩ、ゲートＧ、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２、並びに下部電極は、図２に示す層間絶縁膜ＩＩで被覆されている。層間絶縁膜ＩＩは、例えばプラズマＣＶＤ法などにより成膜されたＳｉＯxなどからなる。この層間絶縁膜ＩＩのうち下部電極上の部分は、キャパシタＣの誘電体層として利用する。
【００１８】
層間絶縁膜ＩＩ上には、図２に示すソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥ、図１に示す映像信号線ＤＬ、電源線ＰＳＬ、並びに図示しない上部電極が配置されている。これらは、同一工程で形成可能であり、例えば、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造を有している。
【００１９】
ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、層間絶縁膜ＩＩに設けられたコンタクトホールを介して薄膜トランジスタのソース及びドレインに電気的に接続されている。
【００２０】
映像信号線ＤＬは、図１に示すように、各々がＹ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。これら映像信号線ＤＬの各々の一端は、映像信号線ドライバＸＤＲに接続されている。
【００２１】
電源線ＰＳＬは、この例では、各々がＹ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。また、この例では、電源線ＰＳＬは、映像信号線ドライバＸＤＲに接続されている。
【００２２】
上部電極は、電源線ＰＳＬに接続されている。上部電極は、キャパシタＣの他方の電極として利用する。
【００２３】
ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、映像信号線ＤＬ、電源線ＰＳＬ、及び上部電極は、パッシベーション膜ＰＳで被覆されている。パッシベーション膜ＰＳは、例えばＳｉＮxなどからなる。
【００２４】
パッシベーション膜ＰＳ上には、前面電極として、光透過性の画素電極ＰＥが形成されている。画素電極ＰＥは、パッシベーション膜ＰＳに設けた貫通孔を介して、スイッチＳＷａのドレイン電極ＤＥに接続されている。
【００２５】
画素電極ＰＥは、この例では陽極である。画素電極ＰＥの材料としては、例えば、ＩＴＯ（indium tin oxide）のような透明導電性酸化物を使用することができる。
【００２６】
パッシベーション膜ＰＳ上には、さらに、図２に示す隔壁絶縁層ＰＩが形成されている。隔壁絶縁層ＰＩには、画素電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられている。各貫通孔の絶縁基板ＳＵＢ側の開口の最大寸法は、例えば１００μｍ以上である。
【００２７】
隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、有機絶縁層である。隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。隔壁絶縁層ＰＩには、無機絶縁層と有機絶縁層との二層構造を採用してもよい。
【００２８】
画素電極ＰＥ上には、活性層として高分子発光層ＥＭＴを含んだ有機物層ＯＲＧが配置されている。発光層ＥＭＴは、例えば、平均分子量が１０００乃至１０００００程度のルミネセンス性有機高分子化合物を含んだ薄膜である。有機物層ＯＲＧは、発光層ＥＭＴに加え、バッファ層である正孔輸送層ＨＴＬなどもさらに含むことができる。
【００２９】
隔壁絶縁層ＰＩ及び有機物層ＯＲＧは、図２に示すように、背面電極である対向電極ＣＥで被覆されている。対向電極ＣＥは、画素ＰＸ間で互いに接続された共通電極であり、この例では例えばアルミニウムからなる光反射性の陰極である。対向電極ＣＥは、例えば、パッシベーション膜ＰＳと隔壁絶縁層ＰＩとに設けられたコンタクトホールを介して、映像信号線ＤＬと同一の層上に形成された電極配線（図示せず）に電気的に接続されている。各々の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、画素電極ＰＥ、有機物層ＯＲＧ及び対向電極ＣＥで構成されている。
【００３０】
画素ＰＸの各々が含む画素回路は、この例では、駆動制御素子（駆動トランジスタ）ＤＲと、出力制御スイッチＳＷａと、映像信号供給制御スイッチＳＷｂと、ダイオード接続スイッチＳＷｃと、キャパシタＣとを含んでいる。上記の通り、この例では、駆動制御素子ＤＲ及びスイッチＳＷａ乃至ＳＷｃはｐチャネル薄膜トランジスタである。また、この例では、映像信号供給制御スイッチＳＷｂとダイオード接続スイッチＳＷｃとは、駆動制御素子ＤＲのドレインと映像信号線ＤＬと駆動制御素子ＤＲのゲートとの接続状態を、それらが互いに接続された第１状態と、それらが互いから遮断された第２状態との間で切り替えるスイッチ群を構成している。
【００３１】
駆動制御素子ＤＲと出力制御スイッチＳＷａと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとは、第１電源端子ＮＤ１と第２電源端子ＮＤ２との間で、この順に直列に接続されている。この例では、第１電源端子ＮＤ１は高電位電源端子であり、第２電源端子ＮＤ２は低電位電源端子である。
【００３２】
出力制御スイッチＳＷａのゲートは、走査信号線ＳＬ１に接続されている。映像信号供給制御スイッチＳＷｂは映像信号線ＤＬと駆動制御素子ＤＲのドレインとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。ダイオード接続スイッチＳＷｃは駆動制御素子ＤＲのゲートとドレインとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。
【００３３】
キャパシタＣは、駆動制御素子ＤＲのゲートと定電位端子ＮＤ１’との間に接続されている。定電位端子ＮＤ１’は、例えば第１電源端子ＮＤ１に接続する。
【００３４】
映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、この例では、アレイ基板ＡＳ上に配置されている。すなわち、この例では、映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲをＣＯＧ（chip on glass）実装している。映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、ＣＯＧ実装する代わりに、ＴＣＰ（tape carrier package）実装してもよい。
【００３５】
この有機ＥＬ表示装置で画像を表示する場合、例えば、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２の各々を線順次駆動する。そして、或る行の画素ＰＸに映像信号を書き込む書込期間では、まず、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１にスイッチＳＷａを開く（ＯＦＦ）走査信号を電圧信号として出力し、続いて、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２にスイッチＳＷｂ及びＳＷｃを閉じる（ＯＮ）走査信号を電圧信号として出力する。この状態で、映像信号線ドライバＸＤＲから、先の画素ＰＸが接続された映像信号線ＤＬに映像信号を電流信号としてそれぞれ出力し、駆動制御素子ＤＲのゲート−ソース間電圧を、先の映像信号に対応した大きさに設定する。その後、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２にスイッチＳＷｂ及びＳＷｃを開く（ＯＦＦ）走査信号を電圧信号として出力し、続いて、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１にスイッチＳＷａを閉じる（ＯＮ）走査信号を電圧信号として出力する。
【００３６】
スイッチＳＷａを閉じ（ＯＮ）ている有効表示期間では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには、駆動制御素子ＤＲのゲート−ソース間電圧に対応した大きさの駆動電流が流れる。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、駆動電流の大きさに対応した輝度で発光する。
【００３７】
この有機ＥＬ表示装置は、例えば、以下の方法により製造する。
まず、アレイ基板ＡＳから有機物層ＯＲＧ及び対向電極ＣＥを省略した構造を作製する。
【００３８】
次に、必要に応じて、隔壁絶縁層ＰＩの表面に、例えばＣＦ4・Ｏ2などのプラズマガスを用いた撥液処理を施す。これにより、隔壁絶縁層ＰＩの表面を、正孔輸送層ＨＴＬの材料を有機溶剤に溶解又は分散させてなる第１溶液に対して撥液性とする。
【００３９】
次いで、隔壁絶縁層ＰＩの各貫通孔（液溜め）に、第１溶液をインクジェット法によって供給する。続いて、塗膜を加熱して、塗膜から有機溶剤を除去する。このようにして、正孔輸送層ＨＴＬを形成する。
【００４０】
次に、隔壁絶縁層ＰＩの各貫通孔（液溜め）に、発光層ＥＭＴの材料を有機溶剤に溶解又は分散させてなる第２溶液をインクジェット法によって供給する。その後、塗膜を１００℃乃至１２０℃に加熱する仮焼成に供し、続いて、塗膜を１８０℃乃至２００℃に加熱する本焼成に供する。このようにして、発光層ＥＭＴを形成する。
【００４１】
さらに、発光層ＥＭＴ上に、例えば真空蒸着法により対向電極ＣＥを形成する。以上のようにして、アレイ基板ＡＳを完成する。
【００４２】
その後、不活性雰囲気中で、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとをシール層ＳＳを介して貼り合せることにより表示パネルＤＰを形成する。さらに、表示パネルＤＰに映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲを実装することにより、有機ＥＬ表示装置を完成する。
【００４３】
この製造方法は、画素ＰＸの寸法が大きい場合であっても、発光層ＥＭＴにピンホールを生じ難い。これについて、以下に説明する。
【００４４】
隔壁絶縁層ＰＩに設ける貫通孔の径は、画素ＰＸの寸法とほぼ比例している。すなわち、通常、画素ＰＸの寸法が大きい有機ＥＬ表示装置では、先の貫通孔の径も大きい。他方、発光層ＥＭＴの厚さは、画素ＰＸや先の貫通孔の寸法には依存しない。
【００４５】
そのため、隔壁絶縁層ＰＩに設ける貫通孔の径が大きい場合、この貫通孔の径が小さい場合と比較して、先の貫通孔に第２溶液を供給することにより得られる塗膜の径Ｒと厚さＤとの比Ｒ／Ｄはより大きい。それゆえ、隔壁絶縁層ＰＩに設ける貫通孔の径が大きい場合、先の貫通孔に供給した第２溶液が周縁部に行き渡り難いなどの理由で、発光層ＥＭＴにピンホールを生じ易い。
【００４６】
先に説明した方法では、隔壁絶縁層ＰＩに設けた貫通孔，すなわち液溜め，に第２溶液を供給することにより得られた塗膜を、比較的高い温度の仮焼成に供し、その後、さらに高い温度の本焼成に供する。こうすると、塗膜が広がり易くなり、画素ＰＸの寸法が大きい場合であっても発光層ＥＭＬにピンホールを生じ難い。
【００４７】
また、この方法では、先の塗膜が広がり易くなるため、液溜めの底面全体が塗膜で被覆されるのに加え、その側壁までも塗膜で被覆される。すなわち、正孔輸送層ＨＴＬを挟んで画素電極ＰＥを被覆した第１層Ｌ１に加え、隔壁絶縁層ＰＩに設けた貫通孔の側壁を被覆した第２層Ｌ２をさらに含んだ発光層ＥＭＬが得られる。なお、典型的には、第１層Ｌ１の上面を基準とした第２層Ｌ２の高さは１００ｎｍ乃至２００ｎｍの範囲内にある。また、上記の方法では、通常、正孔輸送層ＨＴＬは、中央部と比較して周縁部においてより厚くなる。
【００４８】
本態様では、下面発光型の有機ＥＬ表示装置を説明したが、本発明は上面発光型の有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。また、アレイ基板と封止基板ＣＳとシール層ＳＳとに囲まれた空間には、乾燥剤を配置してもよい。或いは、この空間には、樹脂を充填してもよい。
【実施例】
【００４９】
以下、本発明の実施例について説明する。
（実施例）
本例では、図１及び図２に示す有機ＥＬ表示装置を以下の方法により作製した。
【００５０】
まず、図２のアレイ基板ＡＳから有機物層ＯＲＧ及び対向電極ＣＥを省略した構造を作製した。ここでは、基板ＳＵＢとしてガラス基板を使用し、画素電極ＰＥの材料としてＩＴＯを使用し、隔壁絶縁層ＰＩの材料としてネガ型レジストを使用した。隔壁絶縁層ＰＩに設けた各貫通孔のＸ方向に垂直な断面の形状及びＹ方向に垂直な断面の形状は順テーパ状とし、Ｚ方向から見た形状は矩形状とした。また、隔壁絶縁層ＰＩの厚さは３μｍとし、隔壁絶縁層ＰＩに設けた各貫通孔の基板ＳＵＢ側の開口は、Ｘ方向の寸法を１４０μｍとし、Ｙ方向の寸法を５００μｍとした。
【００５１】
次に、隔壁絶縁層ＰＩの表面に撥液処理を施し、相対湿度が７５％の水蒸気雰囲気中で、隔壁絶縁層ＰＩの各貫通孔に第１溶液をインクジェット法によって供給した。ここでは、第１溶液は、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）を蒸留水に溶解させることにより調製した。続いて、塗膜を２００℃で５分間加熱して、塗膜から有機溶剤を除去した。このようにして、中央部の厚さが５０ｎｍであり、周縁部の厚さが１５０ｎｍの正孔輸送層ＨＴＬを形成した。
【００５２】
次に、相対湿度が４５％の窒素雰囲気中で、隔壁絶縁層ＰＩの各貫通孔に、第２溶液をインクジェット法によって供給した。ここでは、第２溶液は、高分子ポリマーを有機溶剤に溶解させることにより調製した。その後、塗膜を６０℃で２０分間加熱する仮焼成に供し、続いて、塗膜を１５０℃で６０分間加熱する本焼成に供した。このようにして、発光層ＥＭＴを形成した。
【００５３】
なお、各発光層ＥＭＴの第１層Ｌ１の厚さは５０ｎｍであり、第２層Ｌ２の厚さ，すなわち、隔壁絶縁層ＰＩの側壁に垂直な方向の寸法，は３５０ｎｍであった。また、第１層Ｌ１の上面を基準とした第２層Ｌ２の高さは２００ｎｍであった。
【００５４】
その後、発光層ＥＭＴ上に、真空蒸着法により対向電極ＣＥを形成した。具体的には、まず、発光層ＥＭＴ上に、真空蒸着法によりバリウムを０．５ｎｍ／ｓｅｃの成膜レートで堆積させ、続いて、真空蒸着法によりバリウムを２ｎｍ／ｓｅｃの成膜レートで堆積させた。その後、バリウム層上に、真空蒸着法により銀を５ｎｍ／ｓｅｃの成膜レートで堆積させた。なお、バリウム層と銀層との界面ではバリウムと銀との合金を生じた。以上のようにして、アレイ基板ＡＳを完成した。
【００５５】
次に、不活性雰囲気中で、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとをシール層ＳＳを介して貼り合せることにより表示パネルＤＰを形成した。シール層ＳＳの材料としては、紫外線硬化樹脂を使用した。さらに、表示パネルＤＰに映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲを実装することにより、有機ＥＬ表示装置を完成した。
【００５６】
この有機ＥＬ表示装置で画像を表示したところ、全ての画素ＰＸは滅点として視認されることはなかった。また、この有機ＥＬ表示装置の駆動条件を初期輝度が１００ｃｄ／ｍ2となるように設定し、この条件のもとで寿命試験を行った。その結果、輝度半減寿命は約２００００時間であった。
【００５７】
（比較例）
仮焼成温度を６０℃としたこと以外は、実施例で説明したのと同様の方法により有機ＥＬ表示装置を製造した。この有機ＥＬ表示装置では、各発光層ＥＭＬは第１層Ｌ１のみで構成されており、その厚さは１００ｎｍであった。
【００５８】
この有機ＥＬ表示装置で画像を表示したところ、一部の画素ＰＸは滅点として視認された。また、この有機ＥＬ表示装置の駆動条件を初期輝度が１００ｃｄ／ｍ2となるように設定し、この条件のもとで寿命試験を行った。その結果、輝度半減寿命は約２０００時間であった。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の一態様に係る表示装置を概略的に示す平面図。
【図２】図１に示す表示装置の部分断面図。
【図３】図２の表示装置が含むアレイ基板を拡大して示す部分断面図。
【符号の説明】
【００６０】
ＡＳ…アレイ基板、Ｃ…キャパシタ、ＣＥ…対向電極、ＣＳ…封止基板、ＤＥ…ドレイン電極、ＤＬ…映像信号線、ＤＰ…表示パネル、ＤＲ…駆動制御素子、ＥＭＴ…高分子発光層、Ｇ…ゲート、ＧＩ…ゲート絶縁膜、ＨＴＬ…正孔輸送層、ＩＩ…層間絶縁膜、ＮＤ１…電源端子、ＮＤ１’…定電位端子、ＮＤ２…電源端子、Ｌ１…第１層、Ｌ２…第２層、ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子、ＯＲＧ…有機物層、ＰＥ…画素電極、ＰＩ…隔壁絶縁層、ＰＳ…パッシベーション膜、ＰＳＬ…電源線、ＰＸ…画素、ＳＣ…半導体層、ＳＥ…ソース電極、ＳＬ１…走査信号線、ＳＬ２…走査信号線、ＳＳ…シール層、ＳＵＢ…絶縁基板、ＳＷａ…スイッチ、ＳＷｂ…スイッチ、ＳＷｃ…スイッチ、ＵＣ…アンダーコート層、ＸＤＲ…映像信号線ドライバ、ＹＤＲ…走査信号線ドライバ。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置に係り、特には、有機ＥＬ素子の発光層が高分子発光層である有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置の製造プロセスでは、高分子発光層を形成する場合、特許文献１に記載されているように、高分子有機材料を含有した溶液を塗布してなる塗膜を乾燥するという方法を採用している。この方法では、例えば、まず、各画素に対応して貫通孔を有する隔壁絶縁層を基板上に形成する。次に、これら貫通孔を液溜めとして利用して、インクジェット法などにより、高分子有機材料を含有したインクでそれら貫通孔を満たす。その後、貫通孔内の液膜を乾燥することにより、それら液膜から溶媒を除去する。以上のようにして、高分子有機材料からなる高分子発光層を得る。
【０００３】
ところで、現在、有機ＥＬ表示装置の多くは、携帯電話の表示装置として利用されているため、画面サイズが小さい。今後、有機ＥＬ表示装置は、テレビジョン受像機等の表示装置としての利用が増大することが見込まれている。そのため、画面サイズのより大きな有機ＥＬ表示装置の開発が進められている。
【０００４】
しかしながら、本発明者らは、本発明を為すに際し、画素の寸法が大きな有機ＥＬ表示装置の高分子発光層を上述した方法で形成すると、高分子発光層にピンホールを生じ易いことを見い出している。高分子発光層にピンホールを生じた画素は、滅点として視認され得る。
【特許文献１】特開２００４−４７２１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、画素の寸法が大きな有機ＥＬ表示装置の高分子発光層にピンホールが生じるのを抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面によると、絶縁基板と、前記絶縁基板の一主面上に配置されると共に貫通孔が設けられた隔壁絶縁層と、前記絶縁基板の前記主面上であって前記貫通孔の位置に配置された第１電極と、前記貫通孔の一対の開口間に配置された、前記第１電極を被覆した第１層と前記貫通孔の側壁を被覆した第２層とからなる高分子発光層と、前記高分子発光層を被覆した第２電極とを備えた有機ＥＬ素子とを具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によると、画素の寸法が大きな有機ＥＬ表示装置の高分子発光層にピンホールが生じるのを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【０００９】
図１は、本発明の一態様に係る表示装置を概略的に示す平面図である。図２は、図１に示す表示装置の部分断面図である。図３は、図２の表示装置が含むアレイ基板を拡大して示す部分断面図である。なお、図２では、表示装置を、その表示面，すなわち前面又は光出射面，が下方を向き、背面が上方を向くように描いている。
【００１０】
図１及び図２の表示装置は、アクティブマトリクス型駆動方式を採用した下面発光型の有機ＥＬ表示装置である。この有機ＥＬ表示装置は、表示パネルＤＰと、映像信号線ドライバＸＤＲと、走査信号線ドライバＹＤＲとを含んでいる。
【００１１】
表示パネルＤＰは、アレイ基板ＡＳと、封止基板ＣＳと、それらの間に介在したシール層ＳＳとを含んでいる。アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとは向き合っている。シール層ＳＳは、枠形状を有しており、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとの間に密閉空間を形成している。この密閉空間は、不活性ガスで満たされている。
【００１２】
アレイ基板ＡＳは、例えば、ガラス基板などの絶縁基板ＳＵＢを含んでいる。
基板ＳＵＢ上には、図２に示すように、アンダーコート層ＵＣとして、例えば、ＳｉＮx層とＳｉＯx層とが順次積層されている。
【００１３】
アンダーコート層ＵＣ上には、例えばソース及びドレインが形成されたポリシリコン層である半導体層ＳＣ、例えばＴＥＯＳ（tetraethyl orthosilicate）などを用いて形成され得るゲート絶縁膜ＧＩ、及び例えばＭｏＷなどからなるゲートＧが順次積層されており、それらは電界効果トランジスタであるトップゲート型の薄膜トランジスタを構成している。この例では、これら薄膜トランジスタは、ｐチャネル薄膜トランジスタであり、図１の駆動制御素子ＤＲ及びスイッチＳＷａ乃至ＳＷｃとして利用している。
【００１４】
ゲート絶縁膜ＧＩ上には、図１に示す走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２と、図示しない下部電極とがさらに配置されている。走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２並びに下部電極は、ゲートＧと同一の工程で形成可能である。
【００１５】
走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、図１に示すように、各々が画素ＰＸの行方向（Ｘ方向）に延びており、画素ＰＸの列方向（Ｙ方向）に交互に配列している。これら走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、走査信号線ドライバＹＤＲに接続されている。
【００１６】
下部電極は、駆動制御素子ＤＲのゲートに接続されている。下部電極は、後述するキャパシタＣの一方の電極として利用する。
【００１７】
ゲート絶縁膜ＧＩ、ゲートＧ、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２、並びに下部電極は、図２に示す層間絶縁膜ＩＩで被覆されている。層間絶縁膜ＩＩは、例えばプラズマＣＶＤ法などにより成膜されたＳｉＯxなどからなる。この層間絶縁膜ＩＩのうち下部電極上の部分は、キャパシタＣの誘電体層として利用する。
【００１８】
層間絶縁膜ＩＩ上には、図２に示すソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥ、図１に示す映像信号線ＤＬ、電源線ＰＳＬ、並びに図示しない上部電極が配置されている。これらは、同一工程で形成可能であり、例えば、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造を有している。
【００１９】
ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、層間絶縁膜ＩＩに設けられたコンタクトホールを介して薄膜トランジスタのソース及びドレインに電気的に接続されている。
【００２０】
映像信号線ＤＬは、図１に示すように、各々がＹ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。これら映像信号線ＤＬの各々の一端は、映像信号線ドライバＸＤＲに接続されている。
【００２１】
電源線ＰＳＬは、この例では、各々がＹ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。また、この例では、電源線ＰＳＬは、映像信号線ドライバＸＤＲに接続されている。
【００２２】
上部電極は、電源線ＰＳＬに接続されている。上部電極は、キャパシタＣの他方の電極として利用する。
【００２３】
ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、映像信号線ＤＬ、電源線ＰＳＬ、及び上部電極は、パッシベーション膜ＰＳで被覆されている。パッシベーション膜ＰＳは、例えばＳｉＮxなどからなる。
【００２４】
パッシベーション膜ＰＳ上には、前面電極として、光透過性の画素電極ＰＥが形成されている。画素電極ＰＥは、パッシベーション膜ＰＳに設けた貫通孔を介して、スイッチＳＷａのドレイン電極ＤＥに接続されている。
【００２５】
画素電極ＰＥは、この例では陽極である。画素電極ＰＥの材料としては、例えば、ＩＴＯ（indium tin oxide）のような透明導電性酸化物を使用することができる。
【００２６】
パッシベーション膜ＰＳ上には、さらに、図２に示す隔壁絶縁層ＰＩが形成されている。隔壁絶縁層ＰＩには、画素電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられている。各貫通孔の絶縁基板ＳＵＢ側の開口の最大寸法は、例えば１００μｍ以上である。
【００２７】
隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、有機絶縁層である。隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。隔壁絶縁層ＰＩには、無機絶縁層と有機絶縁層との二層構造を採用してもよい。
【００２８】
画素電極ＰＥ上には、活性層として高分子発光層ＥＭＴを含んだ有機物層ＯＲＧが配置されている。発光層ＥＭＴは、例えば、平均分子量が１０００乃至１０００００程度のルミネセンス性有機高分子化合物を含んだ薄膜である。有機物層ＯＲＧは、発光層ＥＭＴに加え、バッファ層である正孔輸送層ＨＴＬなどもさらに含むことができる。
【００２９】
隔壁絶縁層ＰＩ及び有機物層ＯＲＧは、図２に示すように、背面電極である対向電極ＣＥで被覆されている。対向電極ＣＥは、画素ＰＸ間で互いに接続された共通電極であり、この例では例えばアルミニウムからなる光反射性の陰極である。対向電極ＣＥは、例えば、パッシベーション膜ＰＳと隔壁絶縁層ＰＩとに設けられたコンタクトホールを介して、映像信号線ＤＬと同一の層上に形成された電極配線（図示せず）に電気的に接続されている。各々の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、画素電極ＰＥ、有機物層ＯＲＧ及び対向電極ＣＥで構成されている。
【００３０】
画素ＰＸの各々が含む画素回路は、この例では、駆動制御素子（駆動トランジスタ）ＤＲと、出力制御スイッチＳＷａと、映像信号供給制御スイッチＳＷｂと、ダイオード接続スイッチＳＷｃと、キャパシタＣとを含んでいる。上記の通り、この例では、駆動制御素子ＤＲ及びスイッチＳＷａ乃至ＳＷｃはｐチャネル薄膜トランジスタである。また、この例では、映像信号供給制御スイッチＳＷｂとダイオード接続スイッチＳＷｃとは、駆動制御素子ＤＲのドレインと映像信号線ＤＬと駆動制御素子ＤＲのゲートとの接続状態を、それらが互いに接続された第１状態と、それらが互いから遮断された第２状態との間で切り替えるスイッチ群を構成している。
【００３１】
駆動制御素子ＤＲと出力制御スイッチＳＷａと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとは、第１電源端子ＮＤ１と第２電源端子ＮＤ２との間で、この順に直列に接続されている。この例では、第１電源端子ＮＤ１は高電位電源端子であり、第２電源端子ＮＤ２は低電位電源端子である。
【００３２】
出力制御スイッチＳＷａのゲートは、走査信号線ＳＬ１に接続されている。映像信号供給制御スイッチＳＷｂは映像信号線ＤＬと駆動制御素子ＤＲのドレインとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。ダイオード接続スイッチＳＷｃは駆動制御素子ＤＲのゲートとドレインとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。
【００３３】
キャパシタＣは、駆動制御素子ＤＲのゲートと定電位端子ＮＤ１’との間に接続されている。定電位端子ＮＤ１’は、例えば第１電源端子ＮＤ１に接続する。
【００３４】
映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、この例では、アレイ基板ＡＳ上に配置されている。すなわち、この例では、映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲをＣＯＧ（chip on glass）実装している。映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、ＣＯＧ実装する代わりに、ＴＣＰ（tape carrier package）実装してもよい。
【００３５】
この有機ＥＬ表示装置で画像を表示する場合、例えば、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２の各々を線順次駆動する。そして、或る行の画素ＰＸに映像信号を書き込む書込期間では、まず、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１にスイッチＳＷａを開く（ＯＦＦ）走査信号を電圧信号として出力し、続いて、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２にスイッチＳＷｂ及びＳＷｃを閉じる（ＯＮ）走査信号を電圧信号として出力する。この状態で、映像信号線ドライバＸＤＲから、先の画素ＰＸが接続された映像信号線ＤＬに映像信号を電流信号としてそれぞれ出力し、駆動制御素子ＤＲのゲート−ソース間電圧を、先の映像信号に対応した大きさに設定する。その後、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２にスイッチＳＷｂ及びＳＷｃを開く（ＯＦＦ）走査信号を電圧信号として出力し、続いて、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１にスイッチＳＷａを閉じる（ＯＮ）走査信号を電圧信号として出力する。
【００３６】
スイッチＳＷａを閉じ（ＯＮ）ている有効表示期間では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには、駆動制御素子ＤＲのゲート−ソース間電圧に対応した大きさの駆動電流が流れる。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、駆動電流の大きさに対応した輝度で発光する。
【００３７】
この有機ＥＬ表示装置は、例えば、以下の方法により製造する。
まず、アレイ基板ＡＳから有機物層ＯＲＧ及び対向電極ＣＥを省略した構造を作製する。
【００３８】
次に、必要に応じて、隔壁絶縁層ＰＩの表面に、例えばＣＦ4・Ｏ2などのプラズマガスを用いた撥液処理を施す。これにより、隔壁絶縁層ＰＩの表面を、正孔輸送層ＨＴＬの材料を有機溶剤に溶解又は分散させてなる第１溶液に対して撥液性とする。
【００３９】
次いで、隔壁絶縁層ＰＩの各貫通孔（液溜め）に、第１溶液をインクジェット法によって供給する。続いて、塗膜を加熱して、塗膜から有機溶剤を除去する。このようにして、正孔輸送層ＨＴＬを形成する。
【００４０】
次に、隔壁絶縁層ＰＩの各貫通孔（液溜め）に、発光層ＥＭＴの材料を有機溶剤に溶解又は分散させてなる第２溶液をインクジェット法によって供給する。その後、塗膜を１００℃乃至１２０℃に加熱する仮焼成に供し、続いて、塗膜を１８０℃乃至２００℃に加熱する本焼成に供する。このようにして、発光層ＥＭＴを形成する。
【００４１】
さらに、発光層ＥＭＴ上に、例えば真空蒸着法により対向電極ＣＥを形成する。以上のようにして、アレイ基板ＡＳを完成する。
【００４２】
その後、不活性雰囲気中で、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとをシール層ＳＳを介して貼り合せることにより表示パネルＤＰを形成する。さらに、表示パネルＤＰに映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲを実装することにより、有機ＥＬ表示装置を完成する。
【００４３】
この製造方法は、画素ＰＸの寸法が大きい場合であっても、発光層ＥＭＴにピンホールを生じ難い。これについて、以下に説明する。
【００４４】
隔壁絶縁層ＰＩに設ける貫通孔の径は、画素ＰＸの寸法とほぼ比例している。すなわち、通常、画素ＰＸの寸法が大きい有機ＥＬ表示装置では、先の貫通孔の径も大きい。他方、発光層ＥＭＴの厚さは、画素ＰＸや先の貫通孔の寸法には依存しない。
【００４５】
そのため、隔壁絶縁層ＰＩに設ける貫通孔の径が大きい場合、この貫通孔の径が小さい場合と比較して、先の貫通孔に第２溶液を供給することにより得られる塗膜の径Ｒと厚さＤとの比Ｒ／Ｄはより大きい。それゆえ、隔壁絶縁層ＰＩに設ける貫通孔の径が大きい場合、先の貫通孔に供給した第２溶液が周縁部に行き渡り難いなどの理由で、発光層ＥＭＴにピンホールを生じ易い。
【００４６】
先に説明した方法では、隔壁絶縁層ＰＩに設けた貫通孔，すなわち液溜め，に第２溶液を供給することにより得られた塗膜を、比較的高い温度の仮焼成に供し、その後、さらに高い温度の本焼成に供する。こうすると、塗膜が広がり易くなり、画素ＰＸの寸法が大きい場合であっても発光層ＥＭＬにピンホールを生じ難い。
【００４７】
また、この方法では、先の塗膜が広がり易くなるため、液溜めの底面全体が塗膜で被覆されるのに加え、その側壁までも塗膜で被覆される。すなわち、正孔輸送層ＨＴＬを挟んで画素電極ＰＥを被覆した第１層Ｌ１に加え、隔壁絶縁層ＰＩに設けた貫通孔の側壁を被覆した第２層Ｌ２をさらに含んだ発光層ＥＭＬが得られる。なお、典型的には、第１層Ｌ１の上面を基準とした第２層Ｌ２の高さは１００ｎｍ乃至２００ｎｍの範囲内にある。また、上記の方法では、通常、正孔輸送層ＨＴＬは、中央部と比較して周縁部においてより厚くなる。
【００４８】
本態様では、下面発光型の有機ＥＬ表示装置を説明したが、本発明は上面発光型の有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。また、アレイ基板と封止基板ＣＳとシール層ＳＳとに囲まれた空間には、乾燥剤を配置してもよい。或いは、この空間には、樹脂を充填してもよい。
【実施例】
【００４９】
以下、本発明の実施例について説明する。
（実施例）
本例では、図１及び図２に示す有機ＥＬ表示装置を以下の方法により作製した。
【００５０】
まず、図２のアレイ基板ＡＳから有機物層ＯＲＧ及び対向電極ＣＥを省略した構造を作製した。ここでは、基板ＳＵＢとしてガラス基板を使用し、画素電極ＰＥの材料としてＩＴＯを使用し、隔壁絶縁層ＰＩの材料としてネガ型レジストを使用した。隔壁絶縁層ＰＩに設けた各貫通孔のＸ方向に垂直な断面の形状及びＹ方向に垂直な断面の形状は順テーパ状とし、Ｚ方向から見た形状は矩形状とした。また、隔壁絶縁層ＰＩの厚さは３μｍとし、隔壁絶縁層ＰＩに設けた各貫通孔の基板ＳＵＢ側の開口は、Ｘ方向の寸法を１４０μｍとし、Ｙ方向の寸法を５００μｍとした。
【００５１】
次に、隔壁絶縁層ＰＩの表面に撥液処理を施し、相対湿度が７５％の水蒸気雰囲気中で、隔壁絶縁層ＰＩの各貫通孔に第１溶液をインクジェット法によって供給した。ここでは、第１溶液は、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）を蒸留水に溶解させることにより調製した。続いて、塗膜を２００℃で５分間加熱して、塗膜から有機溶剤を除去した。このようにして、中央部の厚さが５０ｎｍであり、周縁部の厚さが１５０ｎｍの正孔輸送層ＨＴＬを形成した。
【００５２】
次に、相対湿度が４５％の窒素雰囲気中で、隔壁絶縁層ＰＩの各貫通孔に、第２溶液をインクジェット法によって供給した。ここでは、第２溶液は、高分子ポリマーを有機溶剤に溶解させることにより調製した。その後、塗膜を６０℃で２０分間加熱する仮焼成に供し、続いて、塗膜を１５０℃で６０分間加熱する本焼成に供した。このようにして、発光層ＥＭＴを形成した。
【００５３】
なお、各発光層ＥＭＴの第１層Ｌ１の厚さは５０ｎｍであり、第２層Ｌ２の厚さ，すなわち、隔壁絶縁層ＰＩの側壁に垂直な方向の寸法，は３５０ｎｍであった。また、第１層Ｌ１の上面を基準とした第２層Ｌ２の高さは２００ｎｍであった。
【００５４】
その後、発光層ＥＭＴ上に、真空蒸着法により対向電極ＣＥを形成した。具体的には、まず、発光層ＥＭＴ上に、真空蒸着法によりバリウムを０．５ｎｍ／ｓｅｃの成膜レートで堆積させ、続いて、真空蒸着法によりバリウムを２ｎｍ／ｓｅｃの成膜レートで堆積させた。その後、バリウム層上に、真空蒸着法により銀を５ｎｍ／ｓｅｃの成膜レートで堆積させた。なお、バリウム層と銀層との界面ではバリウムと銀との合金を生じた。以上のようにして、アレイ基板ＡＳを完成した。
【００５５】
次に、不活性雰囲気中で、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとをシール層ＳＳを介して貼り合せることにより表示パネルＤＰを形成した。シール層ＳＳの材料としては、紫外線硬化樹脂を使用した。さらに、表示パネルＤＰに映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲを実装することにより、有機ＥＬ表示装置を完成した。
【００５６】
この有機ＥＬ表示装置で画像を表示したところ、全ての画素ＰＸは滅点として視認されることはなかった。また、この有機ＥＬ表示装置の駆動条件を初期輝度が１００ｃｄ／ｍ2となるように設定し、この条件のもとで寿命試験を行った。その結果、輝度半減寿命は約２００００時間であった。
【００５７】
（比較例）
仮焼成温度を６０℃としたこと以外は、実施例で説明したのと同様の方法により有機ＥＬ表示装置を製造した。この有機ＥＬ表示装置では、各発光層ＥＭＬは第１層Ｌ１のみで構成されており、その厚さは１００ｎｍであった。
【００５８】
この有機ＥＬ表示装置で画像を表示したところ、一部の画素ＰＸは滅点として視認された。また、この有機ＥＬ表示装置の駆動条件を初期輝度が１００ｃｄ／ｍ2となるように設定し、この条件のもとで寿命試験を行った。その結果、輝度半減寿命は約２０００時間であった。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の一態様に係る表示装置を概略的に示す平面図。
【図２】図１に示す表示装置の部分断面図。
【図３】図２の表示装置が含むアレイ基板を拡大して示す部分断面図。
【符号の説明】
【００６０】
ＡＳ…アレイ基板、Ｃ…キャパシタ、ＣＥ…対向電極、ＣＳ…封止基板、ＤＥ…ドレイン電極、ＤＬ…映像信号線、ＤＰ…表示パネル、ＤＲ…駆動制御素子、ＥＭＴ…高分子発光層、Ｇ…ゲート、ＧＩ…ゲート絶縁膜、ＨＴＬ…正孔輸送層、ＩＩ…層間絶縁膜、ＮＤ１…電源端子、ＮＤ１’…定電位端子、ＮＤ２…電源端子、Ｌ１…第１層、Ｌ２…第２層、ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子、ＯＲＧ…有機物層、ＰＥ…画素電極、ＰＩ…隔壁絶縁層、ＰＳ…パッシベーション膜、ＰＳＬ…電源線、ＰＸ…画素、ＳＣ…半導体層、ＳＥ…ソース電極、ＳＬ１…走査信号線、ＳＬ２…走査信号線、ＳＳ…シール層、ＳＵＢ…絶縁基板、ＳＷａ…スイッチ、ＳＷｂ…スイッチ、ＳＷｃ…スイッチ、ＵＣ…アンダーコート層、ＸＤＲ…映像信号線ドライバ、ＹＤＲ…走査信号線ドライバ。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の一主面上に配置されると共に貫通孔が設けられた隔壁絶縁層と、
前記絶縁基板の前記主面上であって前記貫通孔の位置に配置された第１電極と、前記貫通孔の一対の開口間に配置された、前記第１電極を被覆した第１層と前記貫通孔の側壁を被覆した第２層とからなる高分子発光層と、前記高分子発光層を被覆した第２電極とを備えた有機ＥＬ素子とを具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記貫通孔の前記絶縁基板側の開口の最大寸法は１００μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記有機ＥＬ素子は、前記第１電極と前記第１層との間にバッファ層をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記バッファ層は中央部と比較して周縁部においてより厚いことを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の一主面上に配置されると共に貫通孔が設けられた隔壁絶縁層と、
前記絶縁基板の前記主面上であって前記貫通孔の位置に配置された第１電極と、前記貫通孔の一対の開口間に配置された、前記第１電極を被覆した第１層と前記貫通孔の側壁を被覆した第２層とからなる高分子発光層と、前記高分子発光層を被覆した第２電極とを備えた有機ＥＬ素子とを具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記貫通孔の前記絶縁基板側の開口の最大寸法は１００μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記有機ＥＬ素子は、前記第１電極と前記第１層との間にバッファ層をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記バッファ層は中央部と比較して周縁部においてより厚いことを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２００７−１８８７７９（Ｐ２００７−１８８７７９Ａ）
【公開日】平成１９年７月２６日（２００７．７．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−６２７２（Ｐ２００６−６２７２）
【出願日】平成１８年１月１３日（２００６．１．１３）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成１５年独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構「高効率有機デバイスの開発事業」委託研究、産業活力再生特別措置法第３０条の適用を受ける特許出願
【出願人】（３０２０２０２０７）東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 (2,170)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年７月２６日（２００７．７．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１月１３日（２００６．１．１３）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成１５年独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構「高効率有機デバイスの開発事業」委託研究、産業活力再生特別措置法第３０条の適用を受ける特許出願
【出願人】（３０２０２０２０７）東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 (2,170)
【Ｆターム（参考）】
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