有機ＥＬ表示装置
【課題】 下部電極から蒸着マスクまでの距離を短くして、蒸着物質の回り込みによる混色を防止する。
【解決手段】 発光領域に対応して設けられた平坦化膜と、平坦化膜を覆い、発光領域の周囲の平坦化膜が形成されていない領域の一部に延長して形成された下部電極と、下部電極の表面に形成された発光材料を含む有機膜と、有機膜を覆う上部電極とを有し、
発光領域の周囲の平坦化膜が形成されていない領域に、下部電極の端部を覆う隔壁が設けられていることを特徴とする表示装置。
【解決手段】 発光領域に対応して設けられた平坦化膜と、平坦化膜を覆い、発光領域の周囲の平坦化膜が形成されていない領域の一部に延長して形成された下部電極と、下部電極の表面に形成された発光材料を含む有機膜と、有機膜を覆う上部電極とを有し、
発光領域の周囲の平坦化膜が形成されていない領域に、下部電極の端部を覆う隔壁が設けられていることを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機エレクトロルミネセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と略す）を用いた表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネルディスプレイとして、有機ＥＬ素子を用いた表示装置が注目されており、開発が活発に行われている。
有機ＥＬ素子は、発光材料を含む有機膜を両側から電極で挟んだ構成を持ち、電極間に電流が流れることで発光する。これを多数個配列させて表示装置とする。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、基板上に形成された１対の電極とそれらに挟まれた極めて薄い有機膜の層からなる。有機ＥＬ素子と基板との間には駆動回路があり、駆動回路の凹凸を緩和するために駆動回路の上に平坦化膜が設けられ、その上に有機ＥＬ素子が形成される。有機ＥＬ素子の電極は、画素ごとに分離され駆動回路に接続される下部電極と、全画素の共通の上部電極からなる。
【０００４】
隣接する有機ＥＬ素子の間を隔てる位置に隔壁が形成される。隔壁は、有機ＥＬ素子の下部電極と上部電極の間に位置し、それら２つの電極間の短絡を防ぐために絶縁性の材料で作られる。発光材料となる有機膜は、隔壁のない下部電極が露出した表面に色別に形成される。
【０００５】
有機膜を形成する有機物質材料は低分子材料と高分子材料に二分される。低分子材料は蒸着により膜を形成する。蒸着は、真空中で原料を加熱して蒸発させ、基板に付着させる方法である。特定の場所にのみ蒸着させるには、基板近くに開口のあるマスクを置き、開口を通して蒸着する。特許文献１は蒸着による有機ＥＬパネルの製法の発明であって、個別の画素を形成する有機ＥＬ素子の周囲に、隣りあう有機ＥＬ素子どうしを隔てる隔壁を形成し、この隔壁にマスクを接触させて蒸着する方法を開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平８−２２７２７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
有機膜をマスク蒸着する場合、蒸着すべき下部電極の表面にマスクを密着させると下部電極面を傷つける恐れがあるので、蒸着面とマスクとの間に一定の距離（ギャップ）を設ける必要がある。ところが、蒸着面とマスクの間にギャップがあると蒸着物質がマスクの下の部分に回り込んで蒸着され、その結果マスク寸法と実際の蒸着領域の寸法との間に誤差が生じる。
【０００８】
発光材料が隣接画素の下部電極上にまで回り込んで蒸着されると、隣接画素間で混色が生じてしまう。混色を避けるためには画素の間隔を大きくする必要があり、画素密度の高い高精細な表示装置をつくることが困難となる。
【０００９】
下部電極の周囲には隔壁があり、マスクは下部電極面より上にある隔壁の厚さに等しい距離までしか下部電極面に近づくことはできない。隔壁が厚すぎると蒸着の際の回り込みも大きくなる。隔壁を薄く形成することにより、蒸着面とマスクとのギャップを小さくすることができる。隔壁となる有機絶縁膜はスリットコーティングなどの塗布方法によって形成される。膜厚を薄くするには、塗布する溶液の溶媒比率を上げて乾燥後の膜を薄くする。しかし、溶媒比率を上げると塗布膜の粘度が小さくなり、塗布による形成自体ができなくなる。塗布により下部電極の周囲に形成する隔壁は、その膜厚を一定以下に薄くすることは困難である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、有機エレクトロルミネセンス素子を含む表示装置であって、
基板に前記有機エレクトロルミネセンス素子の発光領域に対応して設けられた平坦化膜と、
前記平坦化膜を覆い、前記発光領域の周囲の前記平坦化膜が形成されていない領域の一部に延長して形成された下部電極と、
前記下部電極の表面に形成された発光材料を含む有機膜と、
前記有機膜を覆う上部電極と
を有し、
前記発光領域の周囲の前記平坦化膜が形成されていない領域に、前記下部電極の端部を覆う隔壁が設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
画素周囲の平坦化膜をなくして隔壁を平坦化膜のない領域に設けることにより、隔壁を平坦化膜の上に形成する場合と比べて下部電極表面からマスクまでの距離が小さくなる。その結果、有機膜を蒸着形成する際の回り込み幅が小さくなり、混色を生じることなく隣接する２つの画素の発光領域の間隔を狭くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の有機ＥＬ表示装置に用いる有機ＥＬ素子の平面図である。
【図２】本発明の有機ＥＬ表示装置に用いる有機ＥＬ素子の断面図である。
【図３】（ａ）従来の有機ＥＬパネルと（ｂ），（ｃ）本発明の有機ＥＬ素子における蒸着物の回りこみを比較した図である。
【図４】本発明の有機ＥＬ表示装置における隔壁と平坦化膜の好ましい配置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１は、本発明の表示装置の画素を構成する有機ＥＬ素子の平面図である。有機ＥＬ素子は画素を構成し、基板上にマトリクスをなして配列している。各画素の有機ＥＬ素子は、発光領域に対応して平坦化膜４ａが島状に設けられ、それを覆って下部電極５が設けられている。下部電極５は平坦化膜上だけでなく、発光領域の周囲の平坦化膜がない領域にも延長して設けられ、その端は平坦化膜のない領域にある。発光領域に対応した平坦化膜４ａの上面は、その下層にある駆動回路などによる凹凸を吸収して平坦である。平坦化膜４ａの上面には有機ＥＬ素子からの発光を反射する反射層が設けられていてもよい。
【００１４】
図２（ａ）は図１のＡＢに沿った断面図、（ｂ）はＣＤに沿った断面図である。
図２に示されるように、基板１上にＴＦＴ他の回路で構成される駆動回路２と駆動回路を覆うパッシベーション層３と平坦化膜４が形成された上に、下部電極５、有機膜７、上部電極８が積層されて有機ＥＬ素子が構成されている。
【００１５】
有機膜７は発光材料を含み、下部電極５と上部電極８の間に電流が流れることにより発光する。
図１に示すように、有機ＥＬ素子の発光領域の周囲は平坦化膜４が溝状に除去され、パッシベーション層が露出している。この部分を分割部１００という。
【００１６】
分割部１００によって平坦化膜４は隣の画素の平坦化膜と分断される。除去されずに残る平坦化膜４は、画素中央部に存在する島状領域４ａと隣接画素間に存在する格子状領域４ｂとに分かれる。島状領域４ａは、その上に形成される有機ＥＬ素子の発光領域となる。格子状領域４ｂは必ずしも必要ではないが、表示領域全面に形成される上部電極８と駆動回路２との電気絶縁性を維持するために設けられている。また、上部電極と駆動回路２の間に生じる寄生容量を小さくし、駆動回路２の動作が遅くなることを防止するためにも、格子状領域４ｂを形成するのが好適である。
【００１７】
下部電極５は、画素中央部にあって発光領域を確定する島状領域４ａを覆うように形成される。下部電極５は、島状領域４ａの上面だけでなく側面にも形成され、さらにはそこから延長されて分割部１００の一部にも形成される。
下部電極５には駆動回路により１つ１つ独立に電圧が与えられるので、１つの下部電極５は隣の有機ＥＬ素子の下部電極（不図示）とは分離されている必要がある。したがって下部電極５は画素ごとに分離されており、各画素の下部電極５はその縁が分割部１００の中にある。
【００１８】
下部電極５は、分割部１００で露出したパッシベーション層３に開けられたコンタクトホール１００を通って画素回路２に接続されている。分割部１００でなく平坦化膜４のある領域に平坦化膜４とパッシベーション層３を貫通するコンタクトホールを開けて下部電極５と駆動回路２を接続してもよいが、厚い平坦化膜にコンタクトホールを設けると広い面積がそのために占有される。分割部１００に設けることによりコンタクトホールの占有面積を小さくすることができる。
【００１９】
分割部１００はその大部分に隔壁６が形成されている。隔壁６は下部電極５の一部とオーバラップして下部電極５の縁を被覆する。隔壁６の役割の１つは、有機ＥＬ素子の有機膜の蒸着に際し、隣接する下部電極５を物理的に分離して混色を生じさせないことであり、いま１つは、下部電極５の端を覆って、下部電極５が端から剥がれるまたは欠けることによって上部電極８と短絡することを防止することである。
【００２０】
図３は有機ＥＬパネルに有機膜を蒸着する工程を示す図である。蒸着部位に対応した開口Ｍ０を持つマスクＭが、隔壁６が形成された基板に近接して距離Ｚで置かれている。マスクＭと隔壁６上面との距離Ｚはマスクまたは基板の配置機構によって決まっている。図３では駆動回路、パッシベーション層、平坦化膜の格子状領域は省略した。
【００２１】
図３はマスクＭが水平方向の位置が右方向に最も大きくずれたときを示している。蒸着物質は不図示の蒸着源から最大θの角度で飛来するものとする。回り込みの許容限界は、図の破線Ｃで示す隣の画素の下部電極５の端である。角度θの飛来線Ｎが蒸着面に到達するときに破線Ｃの位置を越えて右に行かないように、マスク開口Ｍ０の端Ａを設定する必要がある。
【００２２】
隔壁６が平坦化膜４の上にある（ａ）の場合は、蒸着対象である画素の中央ＯからＸ０の位置が、マスクＭの開口Ｍ０の端Ａの位置ずれの最大許容位置である。
本発明である（ｂ）では分割部１００に隔壁６が形成される、その結果、平坦化膜４の上に隔壁６が形成される（ａ）の場合よりも隔壁６の高さ（以下、基板１の表面からの距離を「高さ」という）が低くなる。そのため、下部電極５の表面からマスクＭまでの距離Ｙは、（ａ）のＹ０よりも（ｂ）のＹ１のほうが小さい。同じ角度θで蒸着物質が飛来するとき、マスクの開口Ｍ０を通過してから蒸着面に到着するまでの距離は、（ｂ）のほうが（ａ）より垂直方向Ｙの距離が大きいので、その分、水平方向にも（ａ）より回り込みが小さい。すなわち、本発明の有機ＥＬ表示基板のほうが蒸着物の回り込み幅を小さくすることができる。
【００２３】
回り込みが小さいので、図のＯで示す画素中央位置からマスクの開口の端Ａまでの距離Ｘは、（ａ）のＸ０より（ｂ）のＸ１のほうが大きくとることができる。つまり、（ｂ）の本発明においてはマスクＭの位置ずれに対する許容量を従来の（ａ）の場合よりも大きくすることができる。
【００２４】
図３（ｃ）は、本発明の構成でマスクＭの位置ずれの許容量を（ａ）と同じにして、画素間隔を（ａ）よりも小さくした例である。マスクと蒸着面の距離Ｙ１が従来のＹ０より小さく、その結果回り込みが小さいので、画素中央位置Ｏから隣接画素の端部Ｃまでの距離Ｄ１を（ａ）および（ｂ）のＤ０よりも短くすることができる。隣接画素間の発光領域間隔を狭くできる結果、有機ＥＬ表示装置の高精細化が可能となる。画素間隔を小さくする代わりに発光面積を大きくすることで発光輝度を向上させることもできる。
【００２５】
マスクＭは隔壁上面から一定の距離Ｚを保って保持されているが、マスクＭの寸法が大きくなると、場所によっては隔壁６に接してしまう恐れがある。マスクＭが隔壁６に接しても下部電極面に触れないためには、隔壁６の上面が下部電極５の上面より上にあることが必要である。すなわち、基板１の面（駆動回路２が形成されている面）を基準としてこの面からの距離を高さとしたときに、隔壁６の上面が下部電極５の上面より高くなければならない。
【００２６】
このためには、隔壁６の膜厚Ｔ１を平坦化膜４ａの膜厚Ｔ２よりも厚くすればよい。ただし隔壁６の膜厚Ｔ１を大きくするほど下部電極５からマスクＭまでの高さが増加し、有機膜７の蒸着の際の回り込み幅が大きくなる。Ｔ１はＴ２よりもわずかに大きい程度がよく、その差が０．１μｍ以上０．５μｍ以下の範囲になるように設計するのが好ましい。平坦化膜４ａを２μｍ、隔壁６を２．２μｍの膜厚にすることで、（Ｔ２−Ｔ１）を０．２μｍとすることができる。スリットコーティングで塗布するときに適度な膜厚は１μｍないし５μｍの範囲であり、膜厚１μｍ以下で全面均一にムラ無く塗布するのは困難であるが、隔壁６を平坦化膜４のない分割部１００の内部に設けることで、スリットコーティングに適した膜厚で隔壁６の材料を塗布することができる。
【００２７】
図４に隔壁６と平坦化膜４のより好ましい位置関係を示す。
図４の隔壁６と平坦化膜４はともに有機樹脂で形成され、パタンニングされた後、その周辺が基板に対して垂直ではなく傾斜している。図４では、隔壁６の傾斜領域（以下、テーパ部という）と平坦化膜４のテーパ部が接して形成されている様子を示している。
【００２８】
有機膜７は隔壁６から露出した下部電極５の上に蒸着されるので、平坦化膜４の上面以外でも発光が生じる恐れがある。したがって隔壁６は、図４に示すようにその端部が平坦化膜４の縁のテーパ部に重なるように形成されることが好ましい。さらに、隔壁６の端部は可能な限り平坦化膜４のテーパ部の上方、つまり平坦化膜の上面近くにくるようにすることが好ましい。それによって、平坦化膜４のテーパ部の下部電極面が狭くなり、本来の発光領域である平坦化膜上面以外からの余分な発光が抑えられる。
【００２９】
下部電極の上面だけでなく、テーパ部を含む露出部分全体を発光領域として利用する場合は、隔壁６と下部電極５の境界を蒸着の回り込みをなくすべき限界線とする必要がある。その場合、図４のように隔壁６と平坦化膜４のテーパ部が接していると、下部電極の露出部分が分割部の底よりは高い位置にくるので、マスクずれの許容範囲を広くすることができる。
【００３０】
以上説明したように、隔壁６を平坦化膜４のない分割部１００に設けることによって、隔壁６を平坦化膜４の上に乗せる場合と比べて、隔壁６の上面と下部電極５の上面の高さの差が小さくなり、蒸着に際してマスクと蒸着面との距離が小さくなる。その結果、混色を抑制するのに必要な隣接画素間隔を狭くすることが可能となる。
【００３１】
以下、有機ＥＬ素子のその他の構成と製造方法について説明する。
【００３２】
有機ＥＬ素子の基板１としては、Ｓｉやガラスやプラスティックなどの絶縁性基板などを用いることができる。
駆動回路２は、基板１の上に、アモルファスシリコンもしくは低温ポリシリコンで形成した薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、キャパシタ、配線などの回路要素を配置して形成される。駆動回路２は、これを水分等から保護するためのパッシベーション層３で被覆される。パッシベーション層３としては窒化シリコン膜または窒化酸化シリコン膜などが用いられる。
【００３３】
パッシベーション層３には、駆動回路２と下部電極をつなぐためのコンタクトホール１１０が形成される。
平坦化膜４の形成には絶縁性材料を広く用いることができるが、感光性を付与したアクリル、ポリイミド等の有機樹脂材料が適している。平坦化膜４は駆動回路２の凹凸を緩和するのに十分な厚さがあればよいが、具体的には１μｍ〜３μｍ程度が好適である。感光性の有機樹脂材料をスリットコーターで塗布、プリベーク後、所望のパターンのマスクを用いて露光・現像し分割部１００に相当する有機樹脂を除去することにより、島状領域４ａと格子状領域４ｂが形成される。島状領域４ａは、有機ＥＬ素子完成後に発光領域となる部分であり、画素の中心部を占める。
【００３４】
次いで下部電極５が形成される。下部電極５は、島状の平坦化膜４ａとコンタクトホール１１０を覆い、端が分割部１００の内部に来るようにする。下部電極５は光反射性の部材であることが好ましく、例えばＣｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の材料もしくはその合金からなることが好ましい。反射率が高い部材であるほど、光取り出し効率を向上できるからである。また、反射機能を上記したような光反射性部材によって確保し、電極としての機能を、前記光反射性部材上に形成したＩＴＯ膜等の透明導電膜によって確保するような構成も下部電極５に含まれる。この場合の反射面は前記光反射性部材の表面となる。
【００３５】
次いで隔壁６が分割部１００の内部に下部電極５の一部に重ねて形成される。隔壁６の形成には平坦化膜４と同じ材料を用いることができる。隔壁６の膜厚は、スリットコーティングに適した塗布膜厚の範囲で、前述のように平坦化膜４ａの膜厚よりも厚くなるように設定する。感光性の有機樹脂材料を用いることによりフォトリソグラフィによってパターンを形成することができる。
【００３６】
次に、このパネル上に蒸着マスクを用いて有機膜７を蒸着する。有機膜７は単層でもよいが通常は複数層の積層構造である。下部電極５から上に向かって順番に正孔注入層、正孔輸送層、発光材料層、電子輸送層、電子注入層を積層する。正孔注入層、正孔輸送層としては、フタロシアニン化合物、トリアリールアミン化合物、導電性高分子、ペリレン系化合物、Ｅｕ錯体が使用できる。発光材料としては、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、芳香族縮合多環化合物、芳香族複素環化合物、芳香族複素縮合環化合物、金属錯体化合物等及びこれらの単独オリゴ体あるいは複合オリゴ体が使用できる。電子注入層や電子輸送層としては、アルミに８−ヒドロキシキノリンの３量体が配位したＡｌｑ３、アゾメチン亜鉛錯体、ジスチリルビフェニル誘導体系を使用できる。発光材料層以外は複数の有機ＥＬ素子に共通の層とすることができるので、それらは表示領域全面に形成される。発光材料層は画素ごとの開口を持つマスクを用いてＲ，Ｇ，Ｂそれぞれの発光材料を順次形成する。
【００３７】
続いて、有機膜７上に上部電極８が形成される。上部電極８はすべての有機ＥＬ素子に共通であり、表示面全体に渡って形成される。上部電極８としては、透過率の高い材料が好ましく、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯなどの透明導電膜や、ポリアセチレンなどの有機導電膜からなることが好ましい。または、Ａｇ、Ａｌなどの金属材料を１０ｎｍ〜３０ｎｍ程度の膜厚で形成した半透過膜でも良い。以上で図Ｘと図Ｙに示す有機ＥＬ素子が完成する。
【００３８】
次に、大気中の水分から有機ＥＬ素子を保護するために、片面に掘り込み部が形成されたガラス製のキャップを有機ＥＬパネル全体にかぶせて封止する。具体的には、掘り込み面にゼオライト等の吸湿剤が形成されたガラスキャップと有機ＥＬパネルとを接着剤を用いて接着することで封止を行う。
【００３９】
場合によっては、有機ＥＬパネルの接続端子部にＡＣＦ（異方導電性フィルム）を介してフレキシブルプリント回路を接続し、外部電源と電気的に接続可能にする。
【実施例】
【００４０】
はじめに、基板１上にアルミニウム（Ａｌ）配線および低温ポリシリコン型ＴＦＴを含む駆動回路２が形成されたパネルを用意し、これをＵＶ／オゾン洗浄処理した。次に窒化シリコン膜をＣＶＤ（化学気相成長）法により３００ｎｍの膜厚で形成し、パッシベーション層３とした。この上にフォトリソグラフィ法でレジストパターンを作りプラズマエッチング処理を行ってコンタクトホール１１０を形成した。
【００４１】
次に、ポリイミドからなる膜厚２μｍの平坦化膜４を形成し、フォトリソグラフィ工程によりポリイミドを部分的に除去して分割部１００を設けた。
【００４２】
次にＡｌ−Ｎｄ合金をスパッタ法により２５０ｎｍの膜厚で形成後、フォトリソ法でレジストパターンを作りウェットエッチング処理を行うことで下部電極５を形成した。
【００４３】
次に、塗布法により２．２μｍの膜厚のポリイミド層を設け、分割部の内部に下部電極端部を被覆するようにパターン形成して隔壁６とした。下部電極表面から隔壁６の最上面までの高さは０．２μｍとなる。
【００４４】
次に、真空蒸着法により、正孔注入層、発光材料層、電子注入層を、この順で形成した。αＮＰＤを５０ｎｍの厚さに蒸着して正孔注入層とし、ホストであるアルミキレート錯体（Ａｌｑ３）とゲストであるクマリン６とを重量比で１００：６となるように共蒸着して緑の発光材料層とした。同様に、同じホスト材料と赤色系のゲスト発光材料を共蒸着して赤の発光材料層とし、同じホスト材料と青色系のゲスト発光材料を共蒸着して青の発光材料層とした。発光材料層の膜厚はいずれも５０ｎｍとした。
【００４５】
赤、緑、青の発光材料層の上に共通にフェナントロリン化合物（Ｂｐｈｅｎ）及び炭酸セシウムを共蒸着し電子注入層とした。膜厚は２ｎｍとした。次いでスパッタリング法を用いてＩＴＯを１３０ｎｍの厚さに成膜し上部電極８とした。最後に有機ＥＬパネルと吸湿剤を塗布形成したガラスキャップをＵＶ硬化型接着剤で接着し、本発明の有機ＥＬ表示装置を完成した。
【比較例】
【００４６】
比較のために、平坦化膜４に分割部１００を設けず、平坦化膜４の上に隔壁を形成した有機ＥＬ素子を作成した。この有機ＥＬ素子の断面構造を図４に示す。
パッシベーション層３にコンタクトホール１１０を形成するところまでは実施例と同じ工程を経たパネルを準備し、これにポリイミドからなる平坦化膜４を形成した。実施例とは異なり、平坦化膜４に分割部１００は設けず、パッシベーション膜のコンタクトホール１１０と重なる位置の平坦化膜４にコンタクトホール１１１を設けた。平坦化膜４の膜厚は２μｍとした。
【００４７】
以下、実施例と同じパターンの下部電極５と隔壁６を形成した。ただし、隔壁６の膜厚は実施例の２．２μｍではなく１．４μｍとした。分割部１００がないため、下部電極５の表面から隔壁６の最上面までの高さは１．４μｍとなる。
【００４８】
平坦化膜４とパッシベーション層３を貫通するコンタクトホール１１０，１１１を空けたので、コンタクトホールの寸法が大きくなり、その分有機ＥＬ素子の発光領域が狭くなった。
【００４９】
次いで実施例と同じ位置にマスクを置いて有機膜７を蒸着し、上部電極８の形成以降は実施例と同じ工程を経て有機ＥＬ表示装置を完成した。
【００５０】
実施例及び比較例で作製した有機ＥＬ表示装置の混色発生率を表１に示す。隣接画素の発光領域の間隔は、２４μｍ、２８μｍ、３２μｍ，３６μｍの４種類あり、それぞれの画素について、混色の生じた画素の全画素に対する比率を混色発生率とした。
【００５１】
【表１】
【００５２】
いずれの発光領域間隔の場合も、比較例と比べて実施例のほうが混色発生率が低い。混色発生率を０．１％以下とするのに必要な発光領域間隔は、比較例が３６μｍであるのに対して実施例は３２μｍである。
【００５３】
実施例に示したように、平坦化膜４ａを画素の発光領域に島状に設け、その周りの平坦化膜のない領域に隔壁６を置くことによって、混色発生率が低減するとともに、隣接画素間の発光領域間隔を狭くすることができる。その結果発光輝度の高い高精細な有機ＥＬ表示装置が得られる。
【符号の説明】
【００５４】
１ 基板
２ 駆動回路
３ パッシベーション層
４、４ａ、４ｂ 平坦化膜
５ 下部電極
６ 隔壁
７ 有機膜
８ 上部電極
１００ 分割部
１１０，１１１ コンタクトホール
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機エレクトロルミネセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と略す）を用いた表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネルディスプレイとして、有機ＥＬ素子を用いた表示装置が注目されており、開発が活発に行われている。
有機ＥＬ素子は、発光材料を含む有機膜を両側から電極で挟んだ構成を持ち、電極間に電流が流れることで発光する。これを多数個配列させて表示装置とする。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、基板上に形成された１対の電極とそれらに挟まれた極めて薄い有機膜の層からなる。有機ＥＬ素子と基板との間には駆動回路があり、駆動回路の凹凸を緩和するために駆動回路の上に平坦化膜が設けられ、その上に有機ＥＬ素子が形成される。有機ＥＬ素子の電極は、画素ごとに分離され駆動回路に接続される下部電極と、全画素の共通の上部電極からなる。
【０００４】
隣接する有機ＥＬ素子の間を隔てる位置に隔壁が形成される。隔壁は、有機ＥＬ素子の下部電極と上部電極の間に位置し、それら２つの電極間の短絡を防ぐために絶縁性の材料で作られる。発光材料となる有機膜は、隔壁のない下部電極が露出した表面に色別に形成される。
【０００５】
有機膜を形成する有機物質材料は低分子材料と高分子材料に二分される。低分子材料は蒸着により膜を形成する。蒸着は、真空中で原料を加熱して蒸発させ、基板に付着させる方法である。特定の場所にのみ蒸着させるには、基板近くに開口のあるマスクを置き、開口を通して蒸着する。特許文献１は蒸着による有機ＥＬパネルの製法の発明であって、個別の画素を形成する有機ＥＬ素子の周囲に、隣りあう有機ＥＬ素子どうしを隔てる隔壁を形成し、この隔壁にマスクを接触させて蒸着する方法を開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平８−２２７２７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
有機膜をマスク蒸着する場合、蒸着すべき下部電極の表面にマスクを密着させると下部電極面を傷つける恐れがあるので、蒸着面とマスクとの間に一定の距離（ギャップ）を設ける必要がある。ところが、蒸着面とマスクの間にギャップがあると蒸着物質がマスクの下の部分に回り込んで蒸着され、その結果マスク寸法と実際の蒸着領域の寸法との間に誤差が生じる。
【０００８】
発光材料が隣接画素の下部電極上にまで回り込んで蒸着されると、隣接画素間で混色が生じてしまう。混色を避けるためには画素の間隔を大きくする必要があり、画素密度の高い高精細な表示装置をつくることが困難となる。
【０００９】
下部電極の周囲には隔壁があり、マスクは下部電極面より上にある隔壁の厚さに等しい距離までしか下部電極面に近づくことはできない。隔壁が厚すぎると蒸着の際の回り込みも大きくなる。隔壁を薄く形成することにより、蒸着面とマスクとのギャップを小さくすることができる。隔壁となる有機絶縁膜はスリットコーティングなどの塗布方法によって形成される。膜厚を薄くするには、塗布する溶液の溶媒比率を上げて乾燥後の膜を薄くする。しかし、溶媒比率を上げると塗布膜の粘度が小さくなり、塗布による形成自体ができなくなる。塗布により下部電極の周囲に形成する隔壁は、その膜厚を一定以下に薄くすることは困難である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、有機エレクトロルミネセンス素子を含む表示装置であって、
基板に前記有機エレクトロルミネセンス素子の発光領域に対応して設けられた平坦化膜と、
前記平坦化膜を覆い、前記発光領域の周囲の前記平坦化膜が形成されていない領域の一部に延長して形成された下部電極と、
前記下部電極の表面に形成された発光材料を含む有機膜と、
前記有機膜を覆う上部電極と
を有し、
前記発光領域の周囲の前記平坦化膜が形成されていない領域に、前記下部電極の端部を覆う隔壁が設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
画素周囲の平坦化膜をなくして隔壁を平坦化膜のない領域に設けることにより、隔壁を平坦化膜の上に形成する場合と比べて下部電極表面からマスクまでの距離が小さくなる。その結果、有機膜を蒸着形成する際の回り込み幅が小さくなり、混色を生じることなく隣接する２つの画素の発光領域の間隔を狭くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の有機ＥＬ表示装置に用いる有機ＥＬ素子の平面図である。
【図２】本発明の有機ＥＬ表示装置に用いる有機ＥＬ素子の断面図である。
【図３】（ａ）従来の有機ＥＬパネルと（ｂ），（ｃ）本発明の有機ＥＬ素子における蒸着物の回りこみを比較した図である。
【図４】本発明の有機ＥＬ表示装置における隔壁と平坦化膜の好ましい配置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１は、本発明の表示装置の画素を構成する有機ＥＬ素子の平面図である。有機ＥＬ素子は画素を構成し、基板上にマトリクスをなして配列している。各画素の有機ＥＬ素子は、発光領域に対応して平坦化膜４ａが島状に設けられ、それを覆って下部電極５が設けられている。下部電極５は平坦化膜上だけでなく、発光領域の周囲の平坦化膜がない領域にも延長して設けられ、その端は平坦化膜のない領域にある。発光領域に対応した平坦化膜４ａの上面は、その下層にある駆動回路などによる凹凸を吸収して平坦である。平坦化膜４ａの上面には有機ＥＬ素子からの発光を反射する反射層が設けられていてもよい。
【００１４】
図２（ａ）は図１のＡＢに沿った断面図、（ｂ）はＣＤに沿った断面図である。
図２に示されるように、基板１上にＴＦＴ他の回路で構成される駆動回路２と駆動回路を覆うパッシベーション層３と平坦化膜４が形成された上に、下部電極５、有機膜７、上部電極８が積層されて有機ＥＬ素子が構成されている。
【００１５】
有機膜７は発光材料を含み、下部電極５と上部電極８の間に電流が流れることにより発光する。
図１に示すように、有機ＥＬ素子の発光領域の周囲は平坦化膜４が溝状に除去され、パッシベーション層が露出している。この部分を分割部１００という。
【００１６】
分割部１００によって平坦化膜４は隣の画素の平坦化膜と分断される。除去されずに残る平坦化膜４は、画素中央部に存在する島状領域４ａと隣接画素間に存在する格子状領域４ｂとに分かれる。島状領域４ａは、その上に形成される有機ＥＬ素子の発光領域となる。格子状領域４ｂは必ずしも必要ではないが、表示領域全面に形成される上部電極８と駆動回路２との電気絶縁性を維持するために設けられている。また、上部電極と駆動回路２の間に生じる寄生容量を小さくし、駆動回路２の動作が遅くなることを防止するためにも、格子状領域４ｂを形成するのが好適である。
【００１７】
下部電極５は、画素中央部にあって発光領域を確定する島状領域４ａを覆うように形成される。下部電極５は、島状領域４ａの上面だけでなく側面にも形成され、さらにはそこから延長されて分割部１００の一部にも形成される。
下部電極５には駆動回路により１つ１つ独立に電圧が与えられるので、１つの下部電極５は隣の有機ＥＬ素子の下部電極（不図示）とは分離されている必要がある。したがって下部電極５は画素ごとに分離されており、各画素の下部電極５はその縁が分割部１００の中にある。
【００１８】
下部電極５は、分割部１００で露出したパッシベーション層３に開けられたコンタクトホール１００を通って画素回路２に接続されている。分割部１００でなく平坦化膜４のある領域に平坦化膜４とパッシベーション層３を貫通するコンタクトホールを開けて下部電極５と駆動回路２を接続してもよいが、厚い平坦化膜にコンタクトホールを設けると広い面積がそのために占有される。分割部１００に設けることによりコンタクトホールの占有面積を小さくすることができる。
【００１９】
分割部１００はその大部分に隔壁６が形成されている。隔壁６は下部電極５の一部とオーバラップして下部電極５の縁を被覆する。隔壁６の役割の１つは、有機ＥＬ素子の有機膜の蒸着に際し、隣接する下部電極５を物理的に分離して混色を生じさせないことであり、いま１つは、下部電極５の端を覆って、下部電極５が端から剥がれるまたは欠けることによって上部電極８と短絡することを防止することである。
【００２０】
図３は有機ＥＬパネルに有機膜を蒸着する工程を示す図である。蒸着部位に対応した開口Ｍ０を持つマスクＭが、隔壁６が形成された基板に近接して距離Ｚで置かれている。マスクＭと隔壁６上面との距離Ｚはマスクまたは基板の配置機構によって決まっている。図３では駆動回路、パッシベーション層、平坦化膜の格子状領域は省略した。
【００２１】
図３はマスクＭが水平方向の位置が右方向に最も大きくずれたときを示している。蒸着物質は不図示の蒸着源から最大θの角度で飛来するものとする。回り込みの許容限界は、図の破線Ｃで示す隣の画素の下部電極５の端である。角度θの飛来線Ｎが蒸着面に到達するときに破線Ｃの位置を越えて右に行かないように、マスク開口Ｍ０の端Ａを設定する必要がある。
【００２２】
隔壁６が平坦化膜４の上にある（ａ）の場合は、蒸着対象である画素の中央ＯからＸ０の位置が、マスクＭの開口Ｍ０の端Ａの位置ずれの最大許容位置である。
本発明である（ｂ）では分割部１００に隔壁６が形成される、その結果、平坦化膜４の上に隔壁６が形成される（ａ）の場合よりも隔壁６の高さ（以下、基板１の表面からの距離を「高さ」という）が低くなる。そのため、下部電極５の表面からマスクＭまでの距離Ｙは、（ａ）のＹ０よりも（ｂ）のＹ１のほうが小さい。同じ角度θで蒸着物質が飛来するとき、マスクの開口Ｍ０を通過してから蒸着面に到着するまでの距離は、（ｂ）のほうが（ａ）より垂直方向Ｙの距離が大きいので、その分、水平方向にも（ａ）より回り込みが小さい。すなわち、本発明の有機ＥＬ表示基板のほうが蒸着物の回り込み幅を小さくすることができる。
【００２３】
回り込みが小さいので、図のＯで示す画素中央位置からマスクの開口の端Ａまでの距離Ｘは、（ａ）のＸ０より（ｂ）のＸ１のほうが大きくとることができる。つまり、（ｂ）の本発明においてはマスクＭの位置ずれに対する許容量を従来の（ａ）の場合よりも大きくすることができる。
【００２４】
図３（ｃ）は、本発明の構成でマスクＭの位置ずれの許容量を（ａ）と同じにして、画素間隔を（ａ）よりも小さくした例である。マスクと蒸着面の距離Ｙ１が従来のＹ０より小さく、その結果回り込みが小さいので、画素中央位置Ｏから隣接画素の端部Ｃまでの距離Ｄ１を（ａ）および（ｂ）のＤ０よりも短くすることができる。隣接画素間の発光領域間隔を狭くできる結果、有機ＥＬ表示装置の高精細化が可能となる。画素間隔を小さくする代わりに発光面積を大きくすることで発光輝度を向上させることもできる。
【００２５】
マスクＭは隔壁上面から一定の距離Ｚを保って保持されているが、マスクＭの寸法が大きくなると、場所によっては隔壁６に接してしまう恐れがある。マスクＭが隔壁６に接しても下部電極面に触れないためには、隔壁６の上面が下部電極５の上面より上にあることが必要である。すなわち、基板１の面（駆動回路２が形成されている面）を基準としてこの面からの距離を高さとしたときに、隔壁６の上面が下部電極５の上面より高くなければならない。
【００２６】
このためには、隔壁６の膜厚Ｔ１を平坦化膜４ａの膜厚Ｔ２よりも厚くすればよい。ただし隔壁６の膜厚Ｔ１を大きくするほど下部電極５からマスクＭまでの高さが増加し、有機膜７の蒸着の際の回り込み幅が大きくなる。Ｔ１はＴ２よりもわずかに大きい程度がよく、その差が０．１μｍ以上０．５μｍ以下の範囲になるように設計するのが好ましい。平坦化膜４ａを２μｍ、隔壁６を２．２μｍの膜厚にすることで、（Ｔ２−Ｔ１）を０．２μｍとすることができる。スリットコーティングで塗布するときに適度な膜厚は１μｍないし５μｍの範囲であり、膜厚１μｍ以下で全面均一にムラ無く塗布するのは困難であるが、隔壁６を平坦化膜４のない分割部１００の内部に設けることで、スリットコーティングに適した膜厚で隔壁６の材料を塗布することができる。
【００２７】
図４に隔壁６と平坦化膜４のより好ましい位置関係を示す。
図４の隔壁６と平坦化膜４はともに有機樹脂で形成され、パタンニングされた後、その周辺が基板に対して垂直ではなく傾斜している。図４では、隔壁６の傾斜領域（以下、テーパ部という）と平坦化膜４のテーパ部が接して形成されている様子を示している。
【００２８】
有機膜７は隔壁６から露出した下部電極５の上に蒸着されるので、平坦化膜４の上面以外でも発光が生じる恐れがある。したがって隔壁６は、図４に示すようにその端部が平坦化膜４の縁のテーパ部に重なるように形成されることが好ましい。さらに、隔壁６の端部は可能な限り平坦化膜４のテーパ部の上方、つまり平坦化膜の上面近くにくるようにすることが好ましい。それによって、平坦化膜４のテーパ部の下部電極面が狭くなり、本来の発光領域である平坦化膜上面以外からの余分な発光が抑えられる。
【００２９】
下部電極の上面だけでなく、テーパ部を含む露出部分全体を発光領域として利用する場合は、隔壁６と下部電極５の境界を蒸着の回り込みをなくすべき限界線とする必要がある。その場合、図４のように隔壁６と平坦化膜４のテーパ部が接していると、下部電極の露出部分が分割部の底よりは高い位置にくるので、マスクずれの許容範囲を広くすることができる。
【００３０】
以上説明したように、隔壁６を平坦化膜４のない分割部１００に設けることによって、隔壁６を平坦化膜４の上に乗せる場合と比べて、隔壁６の上面と下部電極５の上面の高さの差が小さくなり、蒸着に際してマスクと蒸着面との距離が小さくなる。その結果、混色を抑制するのに必要な隣接画素間隔を狭くすることが可能となる。
【００３１】
以下、有機ＥＬ素子のその他の構成と製造方法について説明する。
【００３２】
有機ＥＬ素子の基板１としては、Ｓｉやガラスやプラスティックなどの絶縁性基板などを用いることができる。
駆動回路２は、基板１の上に、アモルファスシリコンもしくは低温ポリシリコンで形成した薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、キャパシタ、配線などの回路要素を配置して形成される。駆動回路２は、これを水分等から保護するためのパッシベーション層３で被覆される。パッシベーション層３としては窒化シリコン膜または窒化酸化シリコン膜などが用いられる。
【００３３】
パッシベーション層３には、駆動回路２と下部電極をつなぐためのコンタクトホール１１０が形成される。
平坦化膜４の形成には絶縁性材料を広く用いることができるが、感光性を付与したアクリル、ポリイミド等の有機樹脂材料が適している。平坦化膜４は駆動回路２の凹凸を緩和するのに十分な厚さがあればよいが、具体的には１μｍ〜３μｍ程度が好適である。感光性の有機樹脂材料をスリットコーターで塗布、プリベーク後、所望のパターンのマスクを用いて露光・現像し分割部１００に相当する有機樹脂を除去することにより、島状領域４ａと格子状領域４ｂが形成される。島状領域４ａは、有機ＥＬ素子完成後に発光領域となる部分であり、画素の中心部を占める。
【００３４】
次いで下部電極５が形成される。下部電極５は、島状の平坦化膜４ａとコンタクトホール１１０を覆い、端が分割部１００の内部に来るようにする。下部電極５は光反射性の部材であることが好ましく、例えばＣｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の材料もしくはその合金からなることが好ましい。反射率が高い部材であるほど、光取り出し効率を向上できるからである。また、反射機能を上記したような光反射性部材によって確保し、電極としての機能を、前記光反射性部材上に形成したＩＴＯ膜等の透明導電膜によって確保するような構成も下部電極５に含まれる。この場合の反射面は前記光反射性部材の表面となる。
【００３５】
次いで隔壁６が分割部１００の内部に下部電極５の一部に重ねて形成される。隔壁６の形成には平坦化膜４と同じ材料を用いることができる。隔壁６の膜厚は、スリットコーティングに適した塗布膜厚の範囲で、前述のように平坦化膜４ａの膜厚よりも厚くなるように設定する。感光性の有機樹脂材料を用いることによりフォトリソグラフィによってパターンを形成することができる。
【００３６】
次に、このパネル上に蒸着マスクを用いて有機膜７を蒸着する。有機膜７は単層でもよいが通常は複数層の積層構造である。下部電極５から上に向かって順番に正孔注入層、正孔輸送層、発光材料層、電子輸送層、電子注入層を積層する。正孔注入層、正孔輸送層としては、フタロシアニン化合物、トリアリールアミン化合物、導電性高分子、ペリレン系化合物、Ｅｕ錯体が使用できる。発光材料としては、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、芳香族縮合多環化合物、芳香族複素環化合物、芳香族複素縮合環化合物、金属錯体化合物等及びこれらの単独オリゴ体あるいは複合オリゴ体が使用できる。電子注入層や電子輸送層としては、アルミに８−ヒドロキシキノリンの３量体が配位したＡｌｑ３、アゾメチン亜鉛錯体、ジスチリルビフェニル誘導体系を使用できる。発光材料層以外は複数の有機ＥＬ素子に共通の層とすることができるので、それらは表示領域全面に形成される。発光材料層は画素ごとの開口を持つマスクを用いてＲ，Ｇ，Ｂそれぞれの発光材料を順次形成する。
【００３７】
続いて、有機膜７上に上部電極８が形成される。上部電極８はすべての有機ＥＬ素子に共通であり、表示面全体に渡って形成される。上部電極８としては、透過率の高い材料が好ましく、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯなどの透明導電膜や、ポリアセチレンなどの有機導電膜からなることが好ましい。または、Ａｇ、Ａｌなどの金属材料を１０ｎｍ〜３０ｎｍ程度の膜厚で形成した半透過膜でも良い。以上で図Ｘと図Ｙに示す有機ＥＬ素子が完成する。
【００３８】
次に、大気中の水分から有機ＥＬ素子を保護するために、片面に掘り込み部が形成されたガラス製のキャップを有機ＥＬパネル全体にかぶせて封止する。具体的には、掘り込み面にゼオライト等の吸湿剤が形成されたガラスキャップと有機ＥＬパネルとを接着剤を用いて接着することで封止を行う。
【００３９】
場合によっては、有機ＥＬパネルの接続端子部にＡＣＦ（異方導電性フィルム）を介してフレキシブルプリント回路を接続し、外部電源と電気的に接続可能にする。
【実施例】
【００４０】
はじめに、基板１上にアルミニウム（Ａｌ）配線および低温ポリシリコン型ＴＦＴを含む駆動回路２が形成されたパネルを用意し、これをＵＶ／オゾン洗浄処理した。次に窒化シリコン膜をＣＶＤ（化学気相成長）法により３００ｎｍの膜厚で形成し、パッシベーション層３とした。この上にフォトリソグラフィ法でレジストパターンを作りプラズマエッチング処理を行ってコンタクトホール１１０を形成した。
【００４１】
次に、ポリイミドからなる膜厚２μｍの平坦化膜４を形成し、フォトリソグラフィ工程によりポリイミドを部分的に除去して分割部１００を設けた。
【００４２】
次にＡｌ−Ｎｄ合金をスパッタ法により２５０ｎｍの膜厚で形成後、フォトリソ法でレジストパターンを作りウェットエッチング処理を行うことで下部電極５を形成した。
【００４３】
次に、塗布法により２．２μｍの膜厚のポリイミド層を設け、分割部の内部に下部電極端部を被覆するようにパターン形成して隔壁６とした。下部電極表面から隔壁６の最上面までの高さは０．２μｍとなる。
【００４４】
次に、真空蒸着法により、正孔注入層、発光材料層、電子注入層を、この順で形成した。αＮＰＤを５０ｎｍの厚さに蒸着して正孔注入層とし、ホストであるアルミキレート錯体（Ａｌｑ３）とゲストであるクマリン６とを重量比で１００：６となるように共蒸着して緑の発光材料層とした。同様に、同じホスト材料と赤色系のゲスト発光材料を共蒸着して赤の発光材料層とし、同じホスト材料と青色系のゲスト発光材料を共蒸着して青の発光材料層とした。発光材料層の膜厚はいずれも５０ｎｍとした。
【００４５】
赤、緑、青の発光材料層の上に共通にフェナントロリン化合物（Ｂｐｈｅｎ）及び炭酸セシウムを共蒸着し電子注入層とした。膜厚は２ｎｍとした。次いでスパッタリング法を用いてＩＴＯを１３０ｎｍの厚さに成膜し上部電極８とした。最後に有機ＥＬパネルと吸湿剤を塗布形成したガラスキャップをＵＶ硬化型接着剤で接着し、本発明の有機ＥＬ表示装置を完成した。
【比較例】
【００４６】
比較のために、平坦化膜４に分割部１００を設けず、平坦化膜４の上に隔壁を形成した有機ＥＬ素子を作成した。この有機ＥＬ素子の断面構造を図４に示す。
パッシベーション層３にコンタクトホール１１０を形成するところまでは実施例と同じ工程を経たパネルを準備し、これにポリイミドからなる平坦化膜４を形成した。実施例とは異なり、平坦化膜４に分割部１００は設けず、パッシベーション膜のコンタクトホール１１０と重なる位置の平坦化膜４にコンタクトホール１１１を設けた。平坦化膜４の膜厚は２μｍとした。
【００４７】
以下、実施例と同じパターンの下部電極５と隔壁６を形成した。ただし、隔壁６の膜厚は実施例の２．２μｍではなく１．４μｍとした。分割部１００がないため、下部電極５の表面から隔壁６の最上面までの高さは１．４μｍとなる。
【００４８】
平坦化膜４とパッシベーション層３を貫通するコンタクトホール１１０，１１１を空けたので、コンタクトホールの寸法が大きくなり、その分有機ＥＬ素子の発光領域が狭くなった。
【００４９】
次いで実施例と同じ位置にマスクを置いて有機膜７を蒸着し、上部電極８の形成以降は実施例と同じ工程を経て有機ＥＬ表示装置を完成した。
【００５０】
実施例及び比較例で作製した有機ＥＬ表示装置の混色発生率を表１に示す。隣接画素の発光領域の間隔は、２４μｍ、２８μｍ、３２μｍ，３６μｍの４種類あり、それぞれの画素について、混色の生じた画素の全画素に対する比率を混色発生率とした。
【００５１】
【表１】
【００５２】
いずれの発光領域間隔の場合も、比較例と比べて実施例のほうが混色発生率が低い。混色発生率を０．１％以下とするのに必要な発光領域間隔は、比較例が３６μｍであるのに対して実施例は３２μｍである。
【００５３】
実施例に示したように、平坦化膜４ａを画素の発光領域に島状に設け、その周りの平坦化膜のない領域に隔壁６を置くことによって、混色発生率が低減するとともに、隣接画素間の発光領域間隔を狭くすることができる。その結果発光輝度の高い高精細な有機ＥＬ表示装置が得られる。
【符号の説明】
【００５４】
１ 基板
２ 駆動回路
３ パッシベーション層
４、４ａ、４ｂ 平坦化膜
５ 下部電極
６ 隔壁
７ 有機膜
８ 上部電極
１００ 分割部
１１０，１１１ コンタクトホール
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機エレクトロルミネセンス素子を含む表示装置であって、
基板に前記有機エレクトロルミネセンス素子の発光領域に対応して設けられた平坦化膜と、
前記平坦化膜を覆い、前記発光領域の周囲の前記平坦化膜が形成されていない領域の一部に延長して形成された下部電極と、
前記下部電極の表面に形成された発光材料を含む有機膜と、
前記有機膜を覆う上部電極と
を有し、
前記発光領域の周囲の前記平坦化膜が形成されていない領域に、前記下部電極の端部を覆う隔壁が設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記基板の面を基準として、前記隔壁の上面の高さが前記平坦化膜を覆う前記下部電極の表面の高さよりも高いことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記平坦化膜と前記隔壁がともに周囲にテーパ部を有しており、前記平坦化膜のテーパ部が前記隔壁のテーパ部に接していることを特徴とする請求項１または２記載の表示装置。
【請求項４】
前記基板に、前記有機エレクトロルミネセンス素子を駆動する駆動回路と前記駆動回路を覆うパッシベーション層が形成され、前記下部電極が、前記平坦化膜が形成されていない領域で前記パッシベーション層に開けられたコンタクトホールを通して前記駆動回路に接続されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項記載の表示装置。
【請求項１】
有機エレクトロルミネセンス素子を含む表示装置であって、
基板に前記有機エレクトロルミネセンス素子の発光領域に対応して設けられた平坦化膜と、
前記平坦化膜を覆い、前記発光領域の周囲の前記平坦化膜が形成されていない領域の一部に延長して形成された下部電極と、
前記下部電極の表面に形成された発光材料を含む有機膜と、
前記有機膜を覆う上部電極と
を有し、
前記発光領域の周囲の前記平坦化膜が形成されていない領域に、前記下部電極の端部を覆う隔壁が設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記基板の面を基準として、前記隔壁の上面の高さが前記平坦化膜を覆う前記下部電極の表面の高さよりも高いことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記平坦化膜と前記隔壁がともに周囲にテーパ部を有しており、前記平坦化膜のテーパ部が前記隔壁のテーパ部に接していることを特徴とする請求項１または２記載の表示装置。
【請求項４】
前記基板に、前記有機エレクトロルミネセンス素子を駆動する駆動回路と前記駆動回路を覆うパッシベーション層が形成され、前記下部電極が、前記平坦化膜が形成されていない領域で前記パッシベーション層に開けられたコンタクトホールを通して前記駆動回路に接続されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項記載の表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１２−１５５８５５（Ｐ２０１２−１５５８５５Ａ）
【公開日】平成２４年８月１６日（２０１２．８．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１１２０６（Ｐ２０１１−１１２０６）
【出願日】平成２３年１月２１日（２０１１．１．２１）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年８月１６日（２０１２．８．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１月２１日（２０１１．１．２１）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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