極端紫外光光源装置
【課題】極端紫外光光源装置の光出射口から露光機側に汚染物質が流出するのを防ぐこと。
【解決手段】高温プラズマＰから放射されたＥＵＶ光は、ＥＵＶ集光鏡６により集光点ｆに集められ、ＥＵＶ光出射口７から出射し、露光機３０に入射する。集光鏡６と光出射口７の間に、モータ９によりＥＵＶ光の光軸と交差するように回転する回転翼（プロペラ）８が配置され、その回転軸９ａは極端紫外光の光路外に配置される。極端紫外光が発光していないとき、回転翼８を集光鏡６と光出射口７の間を通過させる。極端紫外光が発光していないとき光出射口７が回転翼によって実質的に遮蔽され、また、光出射口に向かって進んできた汚染物質が回転翼と衝突し、その進行方向が曲げられることによって汚染物質の流出が抑制される。
【解決手段】高温プラズマＰから放射されたＥＵＶ光は、ＥＵＶ集光鏡６により集光点ｆに集められ、ＥＵＶ光出射口７から出射し、露光機３０に入射する。集光鏡６と光出射口７の間に、モータ９によりＥＵＶ光の光軸と交差するように回転する回転翼（プロペラ）８が配置され、その回転軸９ａは極端紫外光の光路外に配置される。極端紫外光が発光していないとき、回転翼８を集光鏡６と光出射口７の間を通過させる。極端紫外光が発光していないとき光出射口７が回転翼によって実質的に遮蔽され、また、光出射口に向かって進んできた汚染物質が回転翼と衝突し、その進行方向が曲げられることによって汚染物質の流出が抑制される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極端紫外光を放射する極端紫外光光源装置に関し、さらに詳細には、極端紫外光光源装置から光出射口を介して接続される露光機への汚染物質の流出を防ぐことができる極端紫外光光源装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の微細化、高集積化につれて、露光用光源の短波長化が進められ、次世代の半導体露光用光源として、特に波長１３．５ｎｍの極端紫外光（以下、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）光ともいう）を放射する極端紫外光光源装置（以下、ＥＵＶ光源装置ともいう）の開発が進められている。
図９は、特許文献１に記載されたＥＵＶ光源装置を簡易的に説明するための図である。
ＥＵＶ光源装置は、容器であるチャンバ１を有する。チャンバ１内には、プラズマ発生部を構成する一対の円板状の放電電極２ａ，２ｂなどが収容される放電部１ａと、ホイルトラップ５や集光光学手段であるＥＵＶ集光鏡６などが収容されるＥＵＶ集光部１ｂとを備えている。
３は、放電部１ａ、ＥＵＶ集光部１ｂを排気して、チャンバ１内を真空状態にするためのガス排気ユニットである。
２ａ，２ｂは円盤状の電極である。電極２ａ，２ｂは所定間隔だけ互いに離間しており、それぞれ回転モータ１６ａ，１６ｂが回転することにより、１６ｃ，１６ｄを回転軸として回転する。
１４は、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放射する高温プラズマ原料である。高温プラズマ原料１４は、加熱された溶融金属（ｍｅｌｔｅｄ ｍｅｔａｌ）例えば液体状のスズであり、コンテナ１５に収容される。
【０００３】
上記電極２ａ，２ｂは、その一部が高温プラズマ原料１４を収容するコンテナ１５の中に浸されるように配置される。電極２ａ，２ｂの表面上に乗った液体状の高温プラズマ原料１４は、電極２ａ，２ｂが回転することにより、放電空間に輸送される。上放電空間に輸送された高温プラズマ原料１４に対してレーザ源１７ａよりレーザ光１７が照射される。レーザ光１７が照射された高温プラズマ原料１４は気化する。
高温プラズマ原料１４がレーザ光１７の照射により気化された状態で、電極２ａ，２ｂに、電力供給手段４からパルス電力が印加されることにより、両電極２ａ，２ｂ間にパルス放電が開始し、高温プラズマ原料１４によるプラズマＰが形成される。放電時に流れる大電流によりプラズマが加熱励起され高温化すると、この高温プラズマＰからＥＵＶが放射される。
高温プラズマＰから放射されたＥＵＶ光は、ＥＵＶ集光鏡６により集光鏡６の集光点（中間集光点とも言う）ｆに集められ、ＥＵＶ光出射口７から出射し、ＥＵＶ光源装置にＥＵＶ光出射口７を介して接続された点線で示した露光機３０に入射する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００７−５０５４６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＥＵＶ光源装置のチャンバ内には、水やハイドロカーボン（炭化水素）など露光機内を汚染する物質が漂っている。そのため、ＥＵＶ光源装置と露光機を接続する光出射口から、上記汚染物質が露光機側に流出する可能性がある。
ＥＵＶ光を透過する硝材（ガラス）はないので、汚染物質の流出をふさぐために光出射口に蓋を設けることができない。すなわち、ＥＵＶ光源装置においては、汚染物質の露光機側への流出を防ぐことは重要な課題である。
本発明は上記に基づきなされたものであって、極端紫外光光源装置の光出射口から露光機側に汚染物質が流出することを防ぐことができる装置を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明においては、極端紫外光光源装置の集光鏡と光出射口の間に回転翼（プロペラ）を配置し、その回転軸を極端紫外光の光路外に配置する。そして、回転翼を回転させ、極端紫外光が発光していないとき、回転翼を集光鏡と光出射口の間を通過させる。回転翼が光出射口の前を通過する間は、光出射口が回転翼によって実質的に遮蔽される。また、回転翼はＥＵＶ光の光軸と交差するように回転しているので、光出射口に向かって進んできた汚染物質が回転翼と衝突し、その進行方向が曲げられることによって汚染物質の流出が抑制される。
ここで、回転翼は、集光鏡により集光される極端紫外光の光路を横切ることにもなる。そのため、極端紫外光が光出射口を通過することを妨げないように、極端紫外光を放射するプラズマの発生のタイミングと、回転翼の回転周期を同期させ、回転翼はプラズマが発生していない時に、光出射口の光入射の前を通過するようにする。
すなわち、本発明は次のようにして前記課題を解決する。
（１）容器内に、プラズマ発生部と、該プラズマ発生部において発生したプラズマから放射する極端紫外光を集光する集光鏡とを備え、上記容器には、上記集光鏡により集光された極端紫外光が出射するとともに、第２の容器（露光機）に接続された光出射口が形成されている極端紫外光光源装置において、上記集光鏡と上記光出射口との間であって上記光出射口の光入射側に、極端紫外光の光軸と交差する平面内を回転する回転翼を配置し、該回転翼を回転させる回転手段の回転軸を、上記集光鏡が集光する極端紫外光の光路外に配置する。
（２）上記（１）において、上記の極端紫外光光源装置に上記回転手段を制御する回転制御部を設け、該回転制御部は、上記プラズマ発生部におけるプラズマの発生の周期と、上記回転翼の回転周期とを同期させ、上記プラズマが発生していない時に、上記回転翼が上記集光鏡と光出射口の間を通過するように回転翼の回転を制御する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明においては、集光鏡と上記光出射口との間であって上記光出射口の光入射側に、上記集光鏡の光軸と交差する平面内を回転する回転翼を配置したので、回転翼が光出射口の前を通過する間、光出射口を実質的に遮蔽することができ、汚染物質の流出を抑制することができる。また、光出射口に向かって進んできた汚染物質は、回転翼と衝突し、その進行方向が曲げられる。これによっても汚染物質の流出を抑制することができる。
また、プラズマが発生していない時に、上記回転翼が上記集光鏡と光出射口の間を通過するように回転翼の回転を制御することにより、回転翼が極端紫外光を遮らないので照度が低下することはない。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明のＥＵＶ光源装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の実施例の回転翼の概念図である。
【図３】回転翼と光出射口付近の拡大図である。
【図４】ＥＵＶ光発生のタイミングと回転翼の動作の関係を説明する図である。
【図５】回転軸中心と光路スポットの位置関係を示す図である。
【図６】回転翼の回転位置を示す図である。
【図７】回転翼回転周波数ｆ２と最小回転翼半径Ｒの関係を示す図である。
【図８】放電電極を備えないＥＵＶ光源装置に本発明を適用した場合の概略構成を示す図である。
【図９】ＥＵＶ光源装置を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
図１に、本発明のＥＵＶ光源装置の構成の概略を示す。
ＥＵＶ光源装置の構成は、図９に示したものと同様である。
前記したように、ＥＵＶ光源装置のチャンバ１内には、一対の円板状の放電電極２ａ，２ｂなどが収容される放電部１ａと、ホイルトラップ５や集光光学手段であるＥＵＶ集光鏡６などが収容されるＥＵＶ集光部１ｂとを備えている。チャンバ１には、チャンバ１内を真空状態にするためのガス排気ユニット３が設けられる。
円盤状の電極２ａ，２ｂは所定間隔だけ互いに離間しており、それぞれ回転モータ１６ａ，１６ｂが回転することにより、１６ｃ，１６ｄを回転軸として回転する。
高温プラズマ原料１４は、加熱された溶融金属（ｍｅｌｔｅｄ ｍｅｔａｌ）、例えば液体状のスズであり、コンテナ１５に収容され、上記電極２ａ，２ｂは、その一部が高温プラズマ原料１４を収容するコンテナ１５の中に浸されるように配置される。
液体状の高温プラズマ原料１４は、電極２ａ，２ｂが回転することにより、放電空間に輸送され、この高温プラズマ原料１４に対してレーザ源１７ａよりレーザ光１７が照射され、高温プラズマ原料１４は気化する。
【００１０】
高温プラズマ原料１４がレーザ光１７の照射により気化された状態で、電極２ａ，２ｂに、電力供給手段４からパルス電力が印加されることにより、両電極２ａ，２ｂ間にパルス放電が開始し、高温プラズマ原料１４によるプラズマＰが形成される。放電時に流れる大電流によりプラズマが加熱励起され高温化すると、この高温プラズマＰからＥＵＶが放射される。
高温プラズマＰから放射されたＥＵＶ光は、ホイルトラップ５を介してＥＵＶ集光鏡６に入射し、ＥＵＶ集光鏡６により集光鏡６の集光点（中間集光点）ｆに集められ、ＥＵＶ光出射口７から出射し、ＥＵＶ光源装置にＥＵＶ光出射口７を介して接続された点線で示した露光機３０に入射する。
ＥＵＶ集光鏡６は、高温プラズマＰから放射された波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を反射するための光反射面６ａが形成されている。
ＥＵＶ集光鏡６は、互いに接触することなく入れ子状に配置された複数の光反射面６ａにより構成されている。
各光反射面６ａは、Ｎｉ（ニッケル）などからなる平滑面を有する基体材料の反射面側に、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｒｈ（ロジウム）などの金属を緻密にコーティングすることにより、０〜２５°の入射角度の極端紫外光を良好に反射するように形成されている。各光反射面６ａは、集光点ｆが一致するように構成される。
【００１１】
ＥＵＶ集光鏡６とＥＵＶ光出射口７との間であって上記光出射口７の光入射側に、ＥＵＶ光の光軸と交差する平面内を回転する回転翼（プロペラ）８が配置される。
回転翼８はモータ（回転手段）９の回転軸９ａに取り付けられている。モータ９が動作し、回転軸９ａが回転することにより、回転翼８は光出射口７の光入射側を横切る。
モータ（回転手段）９とその回転軸９ａは、集光鏡６により集光されＥＵＶ光出射口７を通過するＥＵＶ光を遮らないように、ＥＵＶ光の光路外に配置される。
図２に本発明の実施例の回転翼の概念図を示す。同図は回転翼をＥＵＶ集光鏡側から見た図であり、同図（ａ）は回転翼の斜視図、（ｂ）（ｃ）はプラズマの発生と回転翼の回転位置の関係を説明する図である。
【００１２】
水やハイドロカーボン（炭化水素）などの露光機内の光学素子を汚染する物質は、チャンバ１内にガス（気体）として存在し、チャンバ１内を四方八方に飛び回っている。そしてその一部が、ＥＵＶ光出射口７から露光機３０に進入する。
回転翼８はＥＵＶ光出射口７の光入射側に配置され、回転することにより、汚染物質が露光機３０に進入するのを防ぐ。
【００１３】
ここで、回転翼８は、ＥＵＶ光の発光中は、その光路を遮らないようにしなければならない。上記したように、ＥＵＶ光源装置において、ＥＵＶ光を放射するプラズマＰは、電力供給手段４からパルス電力が印加されることにより形成される。したがってＥＵＶ光の放射も、プラズマＰの発生に応じてパルス状に行われる。
このため、図２（ｂ）（ｃ）に示すように、プラズマＰが形成されＥＵＶ光が放射されている時には、回転翼８がＥＵＶ光出射口７をふさがないように（図２（ｃ））、プラズマＰが生じておらずＥＵＶ光が放射されていない時に、回転翼８がＥＵＶ光出射口７をふさぐように（図２（ｂ））回転翼８を回転させる。
【００１４】
即ち、ＥＵＶ光源装置の制御部１０は、電力供給手段４やレーザ源１７ａの動作を制御することにより、プラズマＰの形成、即ちＥＵＶ光の発生のタイミング（周期）を制御するが、この、プラズマＰの形成（ＥＵＶ光の発生のタイミング（周期））にあわせて、回転制御部１１によりモータ９の動作、即ち回転翼８の回転周期を、プラズマＰが形成されＥＵＶ光が放射されている時には、回転翼８がＥＵＶ光出射口７をふさがないように制御する。
上記回転制御部１１は、制御部１０に設けられた同期制御部１０ａにより制御される。上記同期制御部１０ａは、上記プラズマ発生部におけるプラズマの発生の周期と、上記回転翼の回転周期とを同期させるため、上記回転制御部１１に同期信号を出力する。回転制御部１１は、この同期信号により、上記プラズマが発生していない時（ＥＵＶ光が発生していないとき）に、回転翼８が上記集光鏡６と光出射口７の間を通過するように回転翼８の回転を制御する。
具体的には、例えば、モータ９にエンコーダを取り付け、モータ９の回転信号を回転制御部１１にフィードバックする等して、モータ９が上記同期信号に同期して回転するように制御したり、また、センサ等を設けてＥＵＶ光の発光を検出し、ＥＵＶ光の発光に同期させてモータを回転させる。
【００１５】
以下、上記回転翼の具体的な構成例について説明する。
図３に回転翼と光出射口付近の拡大図を示す。同図（ａ）は光出射口付近をＥＵＶ光の光軸とモータ９の回転軸に沿う平面で切った断面図、同図（ｂ）は回転翼をＥＵＶ集光鏡６側から見た図である。
同図に示すように、回転翼８は複数枚あり、モータ９の回転軸９ａに取り付けられている。
図３（ａ）に示すように集光鏡６からのＥＵＶ光は光軸と角度αをなして光出射口７へ集められる。光出射口７には開口径ａのアパーチャが設置されている。回転翼８とアパーチャとの隙間をｔ、回転翼８の軸方向長さをｄとすると、回転翼８が横切る光路スポットＬｓの半径ｒは、ｒ＝ａ／２＋（ｄ＋ｔ）×ｔａｎαとなる。
本実施例ではα＝１５°、ａ＝４．４ｍｍ、ｔ＝１ｍｍ、ｄ＝１５ｍｍとした。したがってｒは約６．５ｍｍである。
【００１６】
図４はＥＵＶ光発生のタイミングと回転翼の動作の関係を説明する図であり、同図（ａ）〜（ｃ）は回転翼８の回転状態を示し、（ｄ）はＥＵＶ光の発生タイミングを示す。
図４（ｄ）に示すように、ＥＵＶ光は、１パルスの動作で時間ｔ１だけ発生し、次のパルスの発光までの時間ｔ２は無発光状態となる。
ＥＵＶ発光中は回転翼８が光路スポットＬｓにかからないようにし、ＥＵＶ無発光中に回転翼８が光路スポットＬｓを横切るようにする。回転翼８の回転周波数をｆ２とし、光路スポットの直径をｒとし、航路回転翼８の半径をＲ、回転翼８の幅をｗとする（図４（ａ）参照）。
図４（ａ）は発光開始時刻Ｔ１における回転翼８の状態を示し、ＥＵＶ発光中に回転翼８が進む角度θ１（図４（ｂ）参照）はθ１＝２×π×ｆ２×ｔ１、ＥＵＶ無発光中に回転翼が進む角度θ２（図４（ｃ）参照）はθ２＝２×π×ｆ２×ｔ２である。
【００１７】
回転翼８の形状を決めるための条件について図５、図６を参照しながら述べる。なお、図５は、回転翼８の回転軸中心と光路スポットＬｓの位置関係を示し、図６は回転翼の回転位置を示す。
まず、無発光中に回転翼８が光路スポットＬｓを完全に横切ってしまうためにはθ２−θ４≧２×βでなければならない。ここで、θ４は光路スポットＬｓにおいて回転翼８の幅ｗが回転翼（軸）中心に対して張る角度である。また、βは図５に示す角度であり、β＝ｓｉｎ−１（ｒ／Δ）である。
光軸と回転軸９ａの距離（軸オフセット）をΔとするとθ４＝ｗ／Δ（ラジアン）である。この条件から、ある回転周波数ｆ２に対して許容される最小の軸オフセット値Δが決まる。この最小軸オフセットをΔ１とすると、回転翼の限界最小半径Ｒ１＝Δ１＋ｒである（条件１）。
【００１８】
さらに、発光中に回転翼が光路スポットを横切らないためにはθ５≧２×βでなければならない。ここでθ５は図６に示す角度であり、回転翼の間隔角度θ３からＥＵＶ発光中に回転翼が進む角度θ１と回転翼の幅角度θ４を差し引いた角度である。すなわち、θ５＝θ３−θ１−θ４である。
回転翼の枚数をＮとすればθ３＝２π／Ｎ（ラジアン）である。これらの条件からある回転周波数ｆ２に対して許容される最小の軸オフセット値Δが決まる。この最小軸オフセットをΔ２とすると、回転翼の限界最小半径Ｒ２＝Δ２＋ｒである（条件２）。
軸オフセットΔはΔ１およびΔ２より大きくなければならない。軸オフセットΔが決まれば、回転翼半径Ｒの最小値は上記のようにΔ＋ｒとなる。
【００１９】
回転翼回転周波数ｆ２と最小回転翼半径Ｒの関係を図７に示す。ただし、１パルス動作でのＥＵＶ発光時間ｔ１を１μｓ、ＥＵＶ発光の繰り返し周波数ｆ１を２０ｋＨｚ、回転翼枚数Ｎを２０枚、回転翼の幅ｗ＝１０ｍｍとした。図７において、限界最小半径線Ｒ１および限界最小半径線Ｒ２は、それぞれ、最小軸オフセットΔ１（条件１）および最小軸オフセットΔ２（条件２）に対応する。回転翼半径Ｒがとり得るのは図７の斜線部の領域となる。
【００２０】
ＥＵＶ発光の繰り返し周波数をｆ１とすると、回転翼が常に無発光時に光路スポットを横切るように同期をとるためにはｆ１とｆ２×Ｎが公約数をもっていなければならない。本実施例ではｆ１＝２０ｋＨｚ、Ｎ＝２０であるので、ｆ２がとり得る値は２０００Ｈｚ、１０００Ｈｚ、５００Ｈｚ、２００Ｈｚなどの離散値となる。図７からわかるように、回転周波数ｆ２が１０００Ｈｚより小さいと回転翼半径Ｒを大きくしなければならず、装置が大型化してしまう。本実施例では回転周波数ｆ２＝１０００Ｈｚ、回転翼半径Ｒ＝１００ｍｍとした。
【００２１】
回転翼８が無発光中に光出射口７を横切る間は、光出射口７が回転翼８によって実質的に遮蔽されることとなるので、その間、光源側から露光装置側への汚染物質の流出が抑制される。回転翼８が光出射口７を遮蔽する時間比率（遮蔽率）が大きいほど汚染物質の流出抑制効果は高いといえる。遮蔽率はθ４／θ３で表され、本実施例ではその値は３４%である。
また、回転翼８は光軸と交差するように回転しているので、光出射口７に向かって進んできた汚染物質が回転翼８と衝突し、その進行方向が曲げられることによって汚染物質の流出が抑制されるという効果もある。本実施例では、回転翼８が光出射口７を横切る時間は約７．５μｓであり、回転翼の光軸方向長さｄ＝１５ｍｍであるので、約２０００ｍ／ｓ以下の速さで飛来してくる汚染物質は回転翼８と衝突し、光出射口７から外へは流出しない。光出射口付近では、汚染物質の大部分はこの速度範囲内であると考えられ、露光装置側への流出はかなり抑制される。
【００２２】
上記実施例においては、放電電極間に生じる放電によりＥＵＶ光を放射するＥＵＶ光源装置を例にして説明を行ったが、ＥＵＶ光源装置には放電電極を備えないものもあり、そのような装置にも、本発明を適用することができる。
図８に、放電電極を備えないＥＵＶ光源装置に本発明を適用した構成の概略を示す。
ＥＵＶ光源装置は、集光光学手段である集光反射鏡２１を収容するチャンバ１を備える。集光反射鏡２１は、高温プラズマから放射された波長１３.５ｎｍのＥＵＶ光を反射し、その光を集光点ｆに集光するための光反射面２１ａが形成されている。
チャンバ１には、チャンバ１内を真空状態にするためのガス排気ユニット３が設けられている。
【００２３】
ＥＵＶ光源装置は、集光反射鏡２１の光反射面２１ａ側に、高温プラズマ生成用の液体または固体の原料Ｍを落下（滴下）して供給する原料供給手段２２を備える。原料Ｍは、例えば、スズ（Ｓｎ）、リチウム（Ｌｉ）である。
ＥＵＶ光源装置は、原料供給手段２２により供給された原料Ｍに対して、非常に高いエネルギーのレーザビームを照射する高出力のレーザ装置２３を備える。
原料供給手段２２により、集光反射鏡２１の光反射面２１ａ側に供給された高温プラズマ用の原料Ｍに対し、高出力のレーザ装置２３からレーザ入射窓２３ａを介して非常に高いエネルギーを有するレーザビームが照射される。これによって、原料Ｍが高温プラズマとなり、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放射する。高温プラズマから放射されたＥＵＶ光は、集光反射鏡２１の光反射面２１ａにより反射され、集光点ｆに集光する。この集光するＥＵＶ光はＥＵＶ光出射口７から出射し、ＥＵＶ光出射口７を介して接続された露光機３０に入射する。
【００２４】
そして、集光反射鏡２１とＥＵＶ光出射口７との間であって、光出射口７側に、上記実施例において説明した回転翼（プロペラ）８を設ける。制御部１０の同期制御部１０ａは、原料供給手段２２からの原料Ｍの滴下とレーザ装置２３のレーザ照射のタイミングと、回転翼８の回転数とを同期させるための同期信号を回転制御部１１に送出し、回転制御部１１は、前記図２に示したように、ＥＵＶ光が放射されている時には、回転翼８がＥＵＶ光出射口７をふさがないように、ＥＵＶ光が放射されていない時に、回転翼８がＥＵＶ光出射口７をふさぐように回転翼８を回転させる。
【符号の説明】
【００２５】
１ チャンバ
１ａ 放電部
１ｂ ＥＵＶ集光部
２ａ，２ｂ 放電電極
３ ガス排気ユニット
４ 電力供給手段
５ ホイルトラップ
６ ＥＵＶ集光鏡
６ａ 光反射面
７ ＥＵＶ光出射口
８ 回転翼（プロペラ）
９ モータ（回転手段）
９ａ 回転軸
１０ 制御部
１０ａ 同期制御部
１１ 回転制御部
１４ 高温プラズマ原料
１５ コンテナ
１６ａ，１６ｂ 回転モータ
１６ｃ，１６ｄ 回転軸
１７ レーザ光
１７ａ レーザ源
２１ 集光反射鏡
２１ａ 光反射面
２２ 原料供給手段
２３ レーザ装置
３０ 露光機
Ｍ 原料
Ｐ プラズマ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極端紫外光を放射する極端紫外光光源装置に関し、さらに詳細には、極端紫外光光源装置から光出射口を介して接続される露光機への汚染物質の流出を防ぐことができる極端紫外光光源装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の微細化、高集積化につれて、露光用光源の短波長化が進められ、次世代の半導体露光用光源として、特に波長１３．５ｎｍの極端紫外光（以下、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）光ともいう）を放射する極端紫外光光源装置（以下、ＥＵＶ光源装置ともいう）の開発が進められている。
図９は、特許文献１に記載されたＥＵＶ光源装置を簡易的に説明するための図である。
ＥＵＶ光源装置は、容器であるチャンバ１を有する。チャンバ１内には、プラズマ発生部を構成する一対の円板状の放電電極２ａ，２ｂなどが収容される放電部１ａと、ホイルトラップ５や集光光学手段であるＥＵＶ集光鏡６などが収容されるＥＵＶ集光部１ｂとを備えている。
３は、放電部１ａ、ＥＵＶ集光部１ｂを排気して、チャンバ１内を真空状態にするためのガス排気ユニットである。
２ａ，２ｂは円盤状の電極である。電極２ａ，２ｂは所定間隔だけ互いに離間しており、それぞれ回転モータ１６ａ，１６ｂが回転することにより、１６ｃ，１６ｄを回転軸として回転する。
１４は、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放射する高温プラズマ原料である。高温プラズマ原料１４は、加熱された溶融金属（ｍｅｌｔｅｄ ｍｅｔａｌ）例えば液体状のスズであり、コンテナ１５に収容される。
【０００３】
上記電極２ａ，２ｂは、その一部が高温プラズマ原料１４を収容するコンテナ１５の中に浸されるように配置される。電極２ａ，２ｂの表面上に乗った液体状の高温プラズマ原料１４は、電極２ａ，２ｂが回転することにより、放電空間に輸送される。上放電空間に輸送された高温プラズマ原料１４に対してレーザ源１７ａよりレーザ光１７が照射される。レーザ光１７が照射された高温プラズマ原料１４は気化する。
高温プラズマ原料１４がレーザ光１７の照射により気化された状態で、電極２ａ，２ｂに、電力供給手段４からパルス電力が印加されることにより、両電極２ａ，２ｂ間にパルス放電が開始し、高温プラズマ原料１４によるプラズマＰが形成される。放電時に流れる大電流によりプラズマが加熱励起され高温化すると、この高温プラズマＰからＥＵＶが放射される。
高温プラズマＰから放射されたＥＵＶ光は、ＥＵＶ集光鏡６により集光鏡６の集光点（中間集光点とも言う）ｆに集められ、ＥＵＶ光出射口７から出射し、ＥＵＶ光源装置にＥＵＶ光出射口７を介して接続された点線で示した露光機３０に入射する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００７−５０５４６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＥＵＶ光源装置のチャンバ内には、水やハイドロカーボン（炭化水素）など露光機内を汚染する物質が漂っている。そのため、ＥＵＶ光源装置と露光機を接続する光出射口から、上記汚染物質が露光機側に流出する可能性がある。
ＥＵＶ光を透過する硝材（ガラス）はないので、汚染物質の流出をふさぐために光出射口に蓋を設けることができない。すなわち、ＥＵＶ光源装置においては、汚染物質の露光機側への流出を防ぐことは重要な課題である。
本発明は上記に基づきなされたものであって、極端紫外光光源装置の光出射口から露光機側に汚染物質が流出することを防ぐことができる装置を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明においては、極端紫外光光源装置の集光鏡と光出射口の間に回転翼（プロペラ）を配置し、その回転軸を極端紫外光の光路外に配置する。そして、回転翼を回転させ、極端紫外光が発光していないとき、回転翼を集光鏡と光出射口の間を通過させる。回転翼が光出射口の前を通過する間は、光出射口が回転翼によって実質的に遮蔽される。また、回転翼はＥＵＶ光の光軸と交差するように回転しているので、光出射口に向かって進んできた汚染物質が回転翼と衝突し、その進行方向が曲げられることによって汚染物質の流出が抑制される。
ここで、回転翼は、集光鏡により集光される極端紫外光の光路を横切ることにもなる。そのため、極端紫外光が光出射口を通過することを妨げないように、極端紫外光を放射するプラズマの発生のタイミングと、回転翼の回転周期を同期させ、回転翼はプラズマが発生していない時に、光出射口の光入射の前を通過するようにする。
すなわち、本発明は次のようにして前記課題を解決する。
（１）容器内に、プラズマ発生部と、該プラズマ発生部において発生したプラズマから放射する極端紫外光を集光する集光鏡とを備え、上記容器には、上記集光鏡により集光された極端紫外光が出射するとともに、第２の容器（露光機）に接続された光出射口が形成されている極端紫外光光源装置において、上記集光鏡と上記光出射口との間であって上記光出射口の光入射側に、極端紫外光の光軸と交差する平面内を回転する回転翼を配置し、該回転翼を回転させる回転手段の回転軸を、上記集光鏡が集光する極端紫外光の光路外に配置する。
（２）上記（１）において、上記の極端紫外光光源装置に上記回転手段を制御する回転制御部を設け、該回転制御部は、上記プラズマ発生部におけるプラズマの発生の周期と、上記回転翼の回転周期とを同期させ、上記プラズマが発生していない時に、上記回転翼が上記集光鏡と光出射口の間を通過するように回転翼の回転を制御する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明においては、集光鏡と上記光出射口との間であって上記光出射口の光入射側に、上記集光鏡の光軸と交差する平面内を回転する回転翼を配置したので、回転翼が光出射口の前を通過する間、光出射口を実質的に遮蔽することができ、汚染物質の流出を抑制することができる。また、光出射口に向かって進んできた汚染物質は、回転翼と衝突し、その進行方向が曲げられる。これによっても汚染物質の流出を抑制することができる。
また、プラズマが発生していない時に、上記回転翼が上記集光鏡と光出射口の間を通過するように回転翼の回転を制御することにより、回転翼が極端紫外光を遮らないので照度が低下することはない。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明のＥＵＶ光源装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の実施例の回転翼の概念図である。
【図３】回転翼と光出射口付近の拡大図である。
【図４】ＥＵＶ光発生のタイミングと回転翼の動作の関係を説明する図である。
【図５】回転軸中心と光路スポットの位置関係を示す図である。
【図６】回転翼の回転位置を示す図である。
【図７】回転翼回転周波数ｆ２と最小回転翼半径Ｒの関係を示す図である。
【図８】放電電極を備えないＥＵＶ光源装置に本発明を適用した場合の概略構成を示す図である。
【図９】ＥＵＶ光源装置を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
図１に、本発明のＥＵＶ光源装置の構成の概略を示す。
ＥＵＶ光源装置の構成は、図９に示したものと同様である。
前記したように、ＥＵＶ光源装置のチャンバ１内には、一対の円板状の放電電極２ａ，２ｂなどが収容される放電部１ａと、ホイルトラップ５や集光光学手段であるＥＵＶ集光鏡６などが収容されるＥＵＶ集光部１ｂとを備えている。チャンバ１には、チャンバ１内を真空状態にするためのガス排気ユニット３が設けられる。
円盤状の電極２ａ，２ｂは所定間隔だけ互いに離間しており、それぞれ回転モータ１６ａ，１６ｂが回転することにより、１６ｃ，１６ｄを回転軸として回転する。
高温プラズマ原料１４は、加熱された溶融金属（ｍｅｌｔｅｄ ｍｅｔａｌ）、例えば液体状のスズであり、コンテナ１５に収容され、上記電極２ａ，２ｂは、その一部が高温プラズマ原料１４を収容するコンテナ１５の中に浸されるように配置される。
液体状の高温プラズマ原料１４は、電極２ａ，２ｂが回転することにより、放電空間に輸送され、この高温プラズマ原料１４に対してレーザ源１７ａよりレーザ光１７が照射され、高温プラズマ原料１４は気化する。
【００１０】
高温プラズマ原料１４がレーザ光１７の照射により気化された状態で、電極２ａ，２ｂに、電力供給手段４からパルス電力が印加されることにより、両電極２ａ，２ｂ間にパルス放電が開始し、高温プラズマ原料１４によるプラズマＰが形成される。放電時に流れる大電流によりプラズマが加熱励起され高温化すると、この高温プラズマＰからＥＵＶが放射される。
高温プラズマＰから放射されたＥＵＶ光は、ホイルトラップ５を介してＥＵＶ集光鏡６に入射し、ＥＵＶ集光鏡６により集光鏡６の集光点（中間集光点）ｆに集められ、ＥＵＶ光出射口７から出射し、ＥＵＶ光源装置にＥＵＶ光出射口７を介して接続された点線で示した露光機３０に入射する。
ＥＵＶ集光鏡６は、高温プラズマＰから放射された波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を反射するための光反射面６ａが形成されている。
ＥＵＶ集光鏡６は、互いに接触することなく入れ子状に配置された複数の光反射面６ａにより構成されている。
各光反射面６ａは、Ｎｉ（ニッケル）などからなる平滑面を有する基体材料の反射面側に、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｒｈ（ロジウム）などの金属を緻密にコーティングすることにより、０〜２５°の入射角度の極端紫外光を良好に反射するように形成されている。各光反射面６ａは、集光点ｆが一致するように構成される。
【００１１】
ＥＵＶ集光鏡６とＥＵＶ光出射口７との間であって上記光出射口７の光入射側に、ＥＵＶ光の光軸と交差する平面内を回転する回転翼（プロペラ）８が配置される。
回転翼８はモータ（回転手段）９の回転軸９ａに取り付けられている。モータ９が動作し、回転軸９ａが回転することにより、回転翼８は光出射口７の光入射側を横切る。
モータ（回転手段）９とその回転軸９ａは、集光鏡６により集光されＥＵＶ光出射口７を通過するＥＵＶ光を遮らないように、ＥＵＶ光の光路外に配置される。
図２に本発明の実施例の回転翼の概念図を示す。同図は回転翼をＥＵＶ集光鏡側から見た図であり、同図（ａ）は回転翼の斜視図、（ｂ）（ｃ）はプラズマの発生と回転翼の回転位置の関係を説明する図である。
【００１２】
水やハイドロカーボン（炭化水素）などの露光機内の光学素子を汚染する物質は、チャンバ１内にガス（気体）として存在し、チャンバ１内を四方八方に飛び回っている。そしてその一部が、ＥＵＶ光出射口７から露光機３０に進入する。
回転翼８はＥＵＶ光出射口７の光入射側に配置され、回転することにより、汚染物質が露光機３０に進入するのを防ぐ。
【００１３】
ここで、回転翼８は、ＥＵＶ光の発光中は、その光路を遮らないようにしなければならない。上記したように、ＥＵＶ光源装置において、ＥＵＶ光を放射するプラズマＰは、電力供給手段４からパルス電力が印加されることにより形成される。したがってＥＵＶ光の放射も、プラズマＰの発生に応じてパルス状に行われる。
このため、図２（ｂ）（ｃ）に示すように、プラズマＰが形成されＥＵＶ光が放射されている時には、回転翼８がＥＵＶ光出射口７をふさがないように（図２（ｃ））、プラズマＰが生じておらずＥＵＶ光が放射されていない時に、回転翼８がＥＵＶ光出射口７をふさぐように（図２（ｂ））回転翼８を回転させる。
【００１４】
即ち、ＥＵＶ光源装置の制御部１０は、電力供給手段４やレーザ源１７ａの動作を制御することにより、プラズマＰの形成、即ちＥＵＶ光の発生のタイミング（周期）を制御するが、この、プラズマＰの形成（ＥＵＶ光の発生のタイミング（周期））にあわせて、回転制御部１１によりモータ９の動作、即ち回転翼８の回転周期を、プラズマＰが形成されＥＵＶ光が放射されている時には、回転翼８がＥＵＶ光出射口７をふさがないように制御する。
上記回転制御部１１は、制御部１０に設けられた同期制御部１０ａにより制御される。上記同期制御部１０ａは、上記プラズマ発生部におけるプラズマの発生の周期と、上記回転翼の回転周期とを同期させるため、上記回転制御部１１に同期信号を出力する。回転制御部１１は、この同期信号により、上記プラズマが発生していない時（ＥＵＶ光が発生していないとき）に、回転翼８が上記集光鏡６と光出射口７の間を通過するように回転翼８の回転を制御する。
具体的には、例えば、モータ９にエンコーダを取り付け、モータ９の回転信号を回転制御部１１にフィードバックする等して、モータ９が上記同期信号に同期して回転するように制御したり、また、センサ等を設けてＥＵＶ光の発光を検出し、ＥＵＶ光の発光に同期させてモータを回転させる。
【００１５】
以下、上記回転翼の具体的な構成例について説明する。
図３に回転翼と光出射口付近の拡大図を示す。同図（ａ）は光出射口付近をＥＵＶ光の光軸とモータ９の回転軸に沿う平面で切った断面図、同図（ｂ）は回転翼をＥＵＶ集光鏡６側から見た図である。
同図に示すように、回転翼８は複数枚あり、モータ９の回転軸９ａに取り付けられている。
図３（ａ）に示すように集光鏡６からのＥＵＶ光は光軸と角度αをなして光出射口７へ集められる。光出射口７には開口径ａのアパーチャが設置されている。回転翼８とアパーチャとの隙間をｔ、回転翼８の軸方向長さをｄとすると、回転翼８が横切る光路スポットＬｓの半径ｒは、ｒ＝ａ／２＋（ｄ＋ｔ）×ｔａｎαとなる。
本実施例ではα＝１５°、ａ＝４．４ｍｍ、ｔ＝１ｍｍ、ｄ＝１５ｍｍとした。したがってｒは約６．５ｍｍである。
【００１６】
図４はＥＵＶ光発生のタイミングと回転翼の動作の関係を説明する図であり、同図（ａ）〜（ｃ）は回転翼８の回転状態を示し、（ｄ）はＥＵＶ光の発生タイミングを示す。
図４（ｄ）に示すように、ＥＵＶ光は、１パルスの動作で時間ｔ１だけ発生し、次のパルスの発光までの時間ｔ２は無発光状態となる。
ＥＵＶ発光中は回転翼８が光路スポットＬｓにかからないようにし、ＥＵＶ無発光中に回転翼８が光路スポットＬｓを横切るようにする。回転翼８の回転周波数をｆ２とし、光路スポットの直径をｒとし、航路回転翼８の半径をＲ、回転翼８の幅をｗとする（図４（ａ）参照）。
図４（ａ）は発光開始時刻Ｔ１における回転翼８の状態を示し、ＥＵＶ発光中に回転翼８が進む角度θ１（図４（ｂ）参照）はθ１＝２×π×ｆ２×ｔ１、ＥＵＶ無発光中に回転翼が進む角度θ２（図４（ｃ）参照）はθ２＝２×π×ｆ２×ｔ２である。
【００１７】
回転翼８の形状を決めるための条件について図５、図６を参照しながら述べる。なお、図５は、回転翼８の回転軸中心と光路スポットＬｓの位置関係を示し、図６は回転翼の回転位置を示す。
まず、無発光中に回転翼８が光路スポットＬｓを完全に横切ってしまうためにはθ２−θ４≧２×βでなければならない。ここで、θ４は光路スポットＬｓにおいて回転翼８の幅ｗが回転翼（軸）中心に対して張る角度である。また、βは図５に示す角度であり、β＝ｓｉｎ−１（ｒ／Δ）である。
光軸と回転軸９ａの距離（軸オフセット）をΔとするとθ４＝ｗ／Δ（ラジアン）である。この条件から、ある回転周波数ｆ２に対して許容される最小の軸オフセット値Δが決まる。この最小軸オフセットをΔ１とすると、回転翼の限界最小半径Ｒ１＝Δ１＋ｒである（条件１）。
【００１８】
さらに、発光中に回転翼が光路スポットを横切らないためにはθ５≧２×βでなければならない。ここでθ５は図６に示す角度であり、回転翼の間隔角度θ３からＥＵＶ発光中に回転翼が進む角度θ１と回転翼の幅角度θ４を差し引いた角度である。すなわち、θ５＝θ３−θ１−θ４である。
回転翼の枚数をＮとすればθ３＝２π／Ｎ（ラジアン）である。これらの条件からある回転周波数ｆ２に対して許容される最小の軸オフセット値Δが決まる。この最小軸オフセットをΔ２とすると、回転翼の限界最小半径Ｒ２＝Δ２＋ｒである（条件２）。
軸オフセットΔはΔ１およびΔ２より大きくなければならない。軸オフセットΔが決まれば、回転翼半径Ｒの最小値は上記のようにΔ＋ｒとなる。
【００１９】
回転翼回転周波数ｆ２と最小回転翼半径Ｒの関係を図７に示す。ただし、１パルス動作でのＥＵＶ発光時間ｔ１を１μｓ、ＥＵＶ発光の繰り返し周波数ｆ１を２０ｋＨｚ、回転翼枚数Ｎを２０枚、回転翼の幅ｗ＝１０ｍｍとした。図７において、限界最小半径線Ｒ１および限界最小半径線Ｒ２は、それぞれ、最小軸オフセットΔ１（条件１）および最小軸オフセットΔ２（条件２）に対応する。回転翼半径Ｒがとり得るのは図７の斜線部の領域となる。
【００２０】
ＥＵＶ発光の繰り返し周波数をｆ１とすると、回転翼が常に無発光時に光路スポットを横切るように同期をとるためにはｆ１とｆ２×Ｎが公約数をもっていなければならない。本実施例ではｆ１＝２０ｋＨｚ、Ｎ＝２０であるので、ｆ２がとり得る値は２０００Ｈｚ、１０００Ｈｚ、５００Ｈｚ、２００Ｈｚなどの離散値となる。図７からわかるように、回転周波数ｆ２が１０００Ｈｚより小さいと回転翼半径Ｒを大きくしなければならず、装置が大型化してしまう。本実施例では回転周波数ｆ２＝１０００Ｈｚ、回転翼半径Ｒ＝１００ｍｍとした。
【００２１】
回転翼８が無発光中に光出射口７を横切る間は、光出射口７が回転翼８によって実質的に遮蔽されることとなるので、その間、光源側から露光装置側への汚染物質の流出が抑制される。回転翼８が光出射口７を遮蔽する時間比率（遮蔽率）が大きいほど汚染物質の流出抑制効果は高いといえる。遮蔽率はθ４／θ３で表され、本実施例ではその値は３４%である。
また、回転翼８は光軸と交差するように回転しているので、光出射口７に向かって進んできた汚染物質が回転翼８と衝突し、その進行方向が曲げられることによって汚染物質の流出が抑制されるという効果もある。本実施例では、回転翼８が光出射口７を横切る時間は約７．５μｓであり、回転翼の光軸方向長さｄ＝１５ｍｍであるので、約２０００ｍ／ｓ以下の速さで飛来してくる汚染物質は回転翼８と衝突し、光出射口７から外へは流出しない。光出射口付近では、汚染物質の大部分はこの速度範囲内であると考えられ、露光装置側への流出はかなり抑制される。
【００２２】
上記実施例においては、放電電極間に生じる放電によりＥＵＶ光を放射するＥＵＶ光源装置を例にして説明を行ったが、ＥＵＶ光源装置には放電電極を備えないものもあり、そのような装置にも、本発明を適用することができる。
図８に、放電電極を備えないＥＵＶ光源装置に本発明を適用した構成の概略を示す。
ＥＵＶ光源装置は、集光光学手段である集光反射鏡２１を収容するチャンバ１を備える。集光反射鏡２１は、高温プラズマから放射された波長１３.５ｎｍのＥＵＶ光を反射し、その光を集光点ｆに集光するための光反射面２１ａが形成されている。
チャンバ１には、チャンバ１内を真空状態にするためのガス排気ユニット３が設けられている。
【００２３】
ＥＵＶ光源装置は、集光反射鏡２１の光反射面２１ａ側に、高温プラズマ生成用の液体または固体の原料Ｍを落下（滴下）して供給する原料供給手段２２を備える。原料Ｍは、例えば、スズ（Ｓｎ）、リチウム（Ｌｉ）である。
ＥＵＶ光源装置は、原料供給手段２２により供給された原料Ｍに対して、非常に高いエネルギーのレーザビームを照射する高出力のレーザ装置２３を備える。
原料供給手段２２により、集光反射鏡２１の光反射面２１ａ側に供給された高温プラズマ用の原料Ｍに対し、高出力のレーザ装置２３からレーザ入射窓２３ａを介して非常に高いエネルギーを有するレーザビームが照射される。これによって、原料Ｍが高温プラズマとなり、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放射する。高温プラズマから放射されたＥＵＶ光は、集光反射鏡２１の光反射面２１ａにより反射され、集光点ｆに集光する。この集光するＥＵＶ光はＥＵＶ光出射口７から出射し、ＥＵＶ光出射口７を介して接続された露光機３０に入射する。
【００２４】
そして、集光反射鏡２１とＥＵＶ光出射口７との間であって、光出射口７側に、上記実施例において説明した回転翼（プロペラ）８を設ける。制御部１０の同期制御部１０ａは、原料供給手段２２からの原料Ｍの滴下とレーザ装置２３のレーザ照射のタイミングと、回転翼８の回転数とを同期させるための同期信号を回転制御部１１に送出し、回転制御部１１は、前記図２に示したように、ＥＵＶ光が放射されている時には、回転翼８がＥＵＶ光出射口７をふさがないように、ＥＵＶ光が放射されていない時に、回転翼８がＥＵＶ光出射口７をふさぐように回転翼８を回転させる。
【符号の説明】
【００２５】
１ チャンバ
１ａ 放電部
１ｂ ＥＵＶ集光部
２ａ，２ｂ 放電電極
３ ガス排気ユニット
４ 電力供給手段
５ ホイルトラップ
６ ＥＵＶ集光鏡
６ａ 光反射面
７ ＥＵＶ光出射口
８ 回転翼（プロペラ）
９ モータ（回転手段）
９ａ 回転軸
１０ 制御部
１０ａ 同期制御部
１１ 回転制御部
１４ 高温プラズマ原料
１５ コンテナ
１６ａ，１６ｂ 回転モータ
１６ｃ，１６ｄ 回転軸
１７ レーザ光
１７ａ レーザ源
２１ 集光反射鏡
２１ａ 光反射面
２２ 原料供給手段
２３ レーザ装置
３０ 露光機
Ｍ 原料
Ｐ プラズマ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器内に、プラズマ発生部と、該プラズマ発生部において発生したプラズマから放射する極端紫外光を集光する集光鏡とを備え、上記容器には、上記集光鏡により集光された極端紫外光が出射するとともに、第２の容器に接続される光出射口が形成されている極端紫外光光源装置において、
上記集光鏡と上記光出射口との間であって上記光出射口の光入射側には、極端紫外光の光軸と交差する平面内を回転する回転翼が配置され、
上記回転翼を回転させる回転手段の回転軸は、上記集光鏡が集光する極端紫外光の光路外に配置される
ことを特徴とする極端紫外光光源装置。
【請求項２】
上記の極端紫外光光源装置は、上記回転手段を制御する回転制御部をさらに備え、
該回転制御部は、上記プラズマ発生部におけるプラズマの発生の周期と、上記回転翼の回転周期とを同期させ、上記プラズマが発生していない時に、上記回転翼が上記集光鏡と光出射口の間を通過するように回転翼の回転を制御する
ことを特徴とする請求項１に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項１】
容器内に、プラズマ発生部と、該プラズマ発生部において発生したプラズマから放射する極端紫外光を集光する集光鏡とを備え、上記容器には、上記集光鏡により集光された極端紫外光が出射するとともに、第２の容器に接続される光出射口が形成されている極端紫外光光源装置において、
上記集光鏡と上記光出射口との間であって上記光出射口の光入射側には、極端紫外光の光軸と交差する平面内を回転する回転翼が配置され、
上記回転翼を回転させる回転手段の回転軸は、上記集光鏡が集光する極端紫外光の光路外に配置される
ことを特徴とする極端紫外光光源装置。
【請求項２】
上記の極端紫外光光源装置は、上記回転手段を制御する回転制御部をさらに備え、
該回転制御部は、上記プラズマ発生部におけるプラズマの発生の周期と、上記回転翼の回転周期とを同期させ、上記プラズマが発生していない時に、上記回転翼が上記集光鏡と光出射口の間を通過するように回転翼の回転を制御する
ことを特徴とする請求項１に記載の極端紫外光光源装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１２−２０９１８２（Ｐ２０１２−２０９１８２Ａ）
【公開日】平成２４年１０月２５日（２０１２．１０．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−７５１０１（Ｐ２０１１−７５１０１）
【出願日】平成２３年３月３０日（２０１１．３．３０）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成２２年度新エネルギー・産業技術総合開発機構「次世代半導体材料・プロセス基盤（ＭＩＲＡＩ）プロジェクト／次世代半導体材料・プロセス基盤（ＭＩＲＡＩ）プロジェクト（石特会計／ＥＵＶ光源高信頼化技術開発）」委託研究、産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願
【出願人】（０００１０２２１２）ウシオ電機株式会社 (1,414)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月２５日（２０１２．１０．２５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月３０日（２０１１．３．３０）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成２２年度新エネルギー・産業技術総合開発機構「次世代半導体材料・プロセス基盤（ＭＩＲＡＩ）プロジェクト／次世代半導体材料・プロセス基盤（ＭＩＲＡＩ）プロジェクト（石特会計／ＥＵＶ光源高信頼化技術開発）」委託研究、産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願
【出願人】（０００１０２２１２）ウシオ電機株式会社 (1,414)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]