極端紫外光生成装置
【課題】極端紫外光生成装置において、ターゲットの大きさやターゲットの位置の安定性を向上させる。
【解決手段】この極端紫外光生成装置は、ターゲット物質を貯蔵するターゲット貯蔵部と、ターゲット物質を出力するノズル部と、ターゲット物質との間に直流電圧が印加されたときにターゲット物質のターゲットを生成する電極と、ターゲットを検出して検出信号を出力するターゲット検出器と、内部で極端紫外光が生成されるチャンバと、ターゲット物質と電極との間に印加される直流電圧を調節する直流電圧調節器と、ターゲット貯蔵部に貯蔵されているターゲット物質に印加される圧力を調節する圧力調節器と、ターゲット検出器から出力される検出信号に基づいて、直流電圧調節器と圧力調節器との内の少なくとも１つを制御する制御装置とを備えてもよい。
【解決手段】この極端紫外光生成装置は、ターゲット物質を貯蔵するターゲット貯蔵部と、ターゲット物質を出力するノズル部と、ターゲット物質との間に直流電圧が印加されたときにターゲット物質のターゲットを生成する電極と、ターゲットを検出して検出信号を出力するターゲット検出器と、内部で極端紫外光が生成されるチャンバと、ターゲット物質と電極との間に印加される直流電圧を調節する直流電圧調節器と、ターゲット貯蔵部に貯蔵されているターゲット物質に印加される圧力を調節する圧力調節器と、ターゲット検出器から出力される検出信号に基づいて、直流電圧調節器と圧力調節器との内の少なくとも１つを制御する制御装置とを備えてもよい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、移動経路放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００６／０１９２１４５号明細書
【概要】
【０００５】
本開示の第１の観点に係る極端紫外光生成装置は、レーザ装置から出力されるレーザ光をターゲット物質に照射してターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置であって、ターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部と、ターゲット貯蔵部の内部と連通する貫通孔が形成され、ターゲット貯蔵部に貯蔵されているターゲット物質を出力するノズル部と、ノズル部に対向して配置され、ターゲット物質との間に直流電圧が印加されたときに、ノズル部から出力されるターゲット物質をターゲットに分離することによってターゲット物質のターゲットを生成する電極と、電極によって生成されたターゲット物質のターゲットを検出して検出信号を出力するターゲット検出器と、レーザ装置から導入されるレーザ光がターゲット物質のターゲットに照射されて、内部で極端紫外光が生成されるチャンバと、ターゲット物質と電極との間に印加される直流電圧を調節する直流電圧調節器と、ターゲット貯蔵部に貯蔵されているターゲット物質に気体を介して印加される圧力を調節する圧力調節器と、ターゲット検出器から出力される検出信号に基づいて、直流電圧調節器と圧力調節器との内の少なくとも１つを制御する制御装置とを備えてもよい。
【０００６】
また、本開示の第２の観点に係る極端紫外光生成装置は、レーザ装置から出力されるレーザ光をターゲット物質に照射してターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置であって、ターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部と、ターゲット貯蔵部の内部と連通する貫通孔が形成され、ターゲット貯蔵部に貯蔵されているターゲット物質を出力するノズル部と、ノズル部に取り付けられ、電圧が印加されたときにノズル部に機械的な変形を生じさせる圧電素子と、ノズル部に対向して配置され、ターゲット物質との間に直流電圧が印加されたときに、ノズル部から出力されるターゲット物質をターゲットに分離することによってターゲット物質のターゲットを生成する電極と、電極によって生成されたターゲット物質のターゲットを検出して検出信号を出力するターゲット検出器と、レーザ装置から導入されるレーザ光がターゲット物質のターゲットに照射されて、内部で極端紫外光が生成されるチャンバと、ターゲット物質と電極との間に印加される直流電圧を調節する直流電圧調節器と、ターゲット貯蔵部に貯蔵されているターゲット物質に気体を介して印加される圧力を調節する圧力調節器と、圧電素子に印加されるパルス電圧を生成するパルス電圧生成回路とを備えてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
【図２】図２は、１つの実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を示す一部断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、図２に示すターゲット供給装置及びその周辺部を示す一部断面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、図３Ａに示すターゲット供給装置の一部を拡大して示す拡大断面図である。
【図４】図４は、図２に示すＥＵＶ光生成システムにおける具体的な動作の一例を示すフローチャートである。
【図５Ａ】図５Ａは、ターゲットの生成周波数を制御する場合のターゲット検出サブルーチンを示すフローチャートである。
【図５Ｂ】図５Ｂは、ターゲットの生成周波数を制御する場合のターゲット制御サブルーチンを示すフローチャートである。
【図６Ａ】図６Ａは、ターゲットの径を制御する場合のターゲット検出サブルーチンを示すフローチャートである。
【図６Ｂ】図６Ｂは、ターゲットの径を制御する場合のターゲット制御サブルーチンを示すフローチャートである。
【図７Ａ】図７Ａは、光学式のターゲット検出器が用いられるＥＵＶ光生成装置の一部断面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、図７Ａの示すＥＵＶ光生成装置のＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ面における断面図である。
【図７Ｃ】図７Ｃは、光学式のターゲット検出器が用いられるＥＵＶ光生成装置の一部断面図である。
【図７Ｄ】図７Ｄは、図７Ｃに示すＥＵＶ光生成装置のＶＩＩＤ−ＶＩＩＤ面における断面図である。
【図８】図８は、磁気回路式のターゲット検出器が用いられるＥＵＶ光生成装置の一部を示す図である。
【図９Ａ】図９Ａは、図３Ａに示すターゲット供給装置の変形例及びその周辺部を示す一部断面図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、図９Ａに示すターゲット供給装置の一部を拡大して示す拡大断面図である。
【図１０】図１０は、帯電ターゲットを検出するために用いられるターゲットセンサの構成の一例を示す図である。
【実施形態】
【０００８】
＜内容＞
１．概要
２．用語の説明
３．極端紫外光生成システムの全体説明
３．１ 構成
３．２ 動作
４．静電引出型のターゲット供給装置が搭載されたＥＵＶ光生成装置
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用
５．静電引出型のターゲット供給装置
５．１ 構成
５．２ 動作
６．ＥＵＶ光生成装置の具体的な動作例
７．ターゲット検出器のバリエーション
７．１ 光学式（１）
７．２ 光学式（２）
７．３ 磁気回路式
８．ターゲット供給装置の変形例
８．１ 構成
８．２ 動作
８．３ 作用
９．補足説明
９．１ 磁気回路による帯電ターゲットの検出
【０００９】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【００１０】
１．概要
露光装置等において用いられるＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置では、ターゲット供給装置から出力されるドロップレット形状のターゲット物質にパルスレーザ光を照射することによってターゲット物質をプラズマ化し、プラズマから放射されるＥＵＶ光が外部装置に出力されてもよい。出力されるＥＵＶ光のエネルギーを安定させるためには、ターゲット供給装置から出力されるターゲットの大きさやプラズマ生成領域におけるターゲットの位置のばらつきが小さいのが好ましい。
【００１１】
２．用語の説明
本願において使用される幾つかの用語を以下に定義する。「チャンバ」は、ＥＵＶ光生成装置において、プラズマの生成が行われる空間を外部から隔絶するための容器である。「ターゲット供給装置」は、ＥＵＶ光を生成するために用いられる溶融したスズ等のターゲット物質をドロップレットの形状でチャンバ内に供給するための装置である。「ＥＵＶ集光ミラー」は、プラズマから放射されるＥＵＶ光を反射してチャンバ外に出力するためのミラーである。
【００１２】
３．極端紫外光生成システムの全体説明
３．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給装置２６等を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給装置は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給装置から供給されるターゲットの材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せ等を含んでもよいが、これらに限定されない。
【００１３】
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が、中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。中間集光点２９２は、外部装置（例えば、露光装置６）の仕様によって規定されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。
【００１４】
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲットの存在、移動経路、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。
【００１５】
また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
【００１６】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット物質を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
【００１７】
３．２ 動作
図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過し、チャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。
【００１８】
ターゲット供給装置２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７はドロップレット形状であってもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射され得る。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光２５２は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
【００１９】
ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
【００２０】
４．静電引出型のターゲット供給装置が搭載されたＥＵＶ光生成装置
４．１ 構成
図２は、１つの実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を示す一部断面図である。図２に示すように、チャンバ２の内部には、レーザ光集光光学系２２ａと、ＥＵＶ集光ミラー２３と、ターゲット回収部２８と、ＥＵＶ集光ミラーホルダ４１と、プレート４２及び４３と、ビームダンプ４４と、ビームダンプ支持部材４５とが設けられてもよい。
【００２１】
チャンバ２は、電気伝導性が高い材料（例えば、金属材料）で構成される部材（導電性部材）を含んでもよい。さらに、チャンバ２は、電気絶縁性を有する部材を含んでもよい。その場合には、例えば、チャンバ２の外壁は導電性部材で構成され、外壁の内側に電気絶縁性を有する部材が配置されてもよい。チャンバ２の導電性部材は、直流（ＤＣ）電圧調節器５５の基準電位（０Ｖ）に電気的に接続されており、さらに、接地されてもよい。
【００２２】
チャンバ２には、プレート４２が固定され、プレート４２には、プレート４３が固定されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、ＥＵＶ集光ミラーホルダ４１によって姿勢制御可能に保持されてもよく、ＥＵＶ集光ミラーホルダ４１はプレート４２に固定されてもよい。
【００２３】
レーザ光集光光学系２２ａは、軸外放物面ミラー２２１と、平面ミラー２２２と、それらのミラーを保持するためのホルダとを含んでもよい。軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２は、それぞれのミラーで反射されたレーザ光がプラズマ生成領域２５で集光されるように、それぞれのホルダを介してプレート４３に固定されてもよい。
【００２４】
ビームダンプ４４は、レーザ光の光路の延長線上に位置するように、ビームダンプ支持部材４５を介してチャンバ２に固定されてもよい。ターゲット回収部２８は、プラズマ生成領域２５のターゲット進行方向下流側（図中下側）において、ターゲットの移動経路の延長線上に配置されてもよい。
【００２５】
チャンバ２には、ウインドウ２１と、静電引出型のターゲット供給装置２６と、ターゲット検出器４６とが取り付けられてもよい。ターゲット供給装置２６は、リザーバ（ターゲット貯蔵部）６１と、ノズル部６２と、電極６６とを含んでもよい。ターゲット物質としては、導電性を有する液体金属等が用いられてもよいが、本開示の実施形態においては、融点が２３２℃であるスズ（Ｓｎ）が用いられる場合を例として説明する。
【００２６】
リザーバ６１には、ターゲット物質であるスズが内部に貯蔵されてもよい。ノズル部６２には、リザーバ６１の内部と連通する貫通孔が形成されてもよい。ノズル部６２の貫通孔を介して、リザーバ６１に貯蔵されているターゲット物質が出力されてもよい。電極６６は、ノズル部６２に対向して配置されてもよい。電極６６とターゲット物質との間に直流電圧が印加されると、ターゲット物質に静電気力が作用し、ノズル部６２から突出したターゲット物質がドロップレット状のターゲットに分離されて出力され得る。ターゲット供給装置２６の詳細については、後で詳しく説明する。
【００２７】
ターゲット検出器４６は、ターゲット供給装置２６から出力されて所定の領域を通過するターゲットを検出して、ターゲット検出信号をターゲット制御装置５２に出力するよう構成されてもよい。
【００２８】
チャンバ２の外部には、ビームデリバリーシステム３４ａと、ＥＵＶ光生成制御部５とが設けられてもよい。ビームデリバリーシステム３４ａは、高反射ミラー３４１及び３４２と、それらのミラーのホルダと、ホルダが配置される筐体とを含んでもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成制御装置５１と、ターゲット制御装置５２と、圧力調節器５３と、不活性ガスボンベ５４と、ＤＣ電圧調節器５５と、トリガ信号生成回路５６と、タイマー５７とを含んでもよい。
【００２９】
圧力調節器５３は、リザーバ６１に貯蔵されているターゲット物質に印加される気体の圧力を調節するよう構成されてもよい。これにより、ターゲットの生成周波数が調節されてもよい。例えば、圧力調節器５３は、不活性ガスボンベ５４から供給される不活性ガスの圧力を調節するよう構成されてもよい。
【００３０】
ＤＣ電圧調節器５５は、電極６６とターゲット物質との間に印加される直流電圧を調節するよう構成されてもよい。これにより、ターゲット供給装置２６から出力されるターゲットの大きさが調節されてもよい。例えば、ＤＣ電圧調節器５５は、商用電源から供給される交流電圧を整流して直流電圧を生成し、その直流電圧をＤＣ／ＤＣ変換して所望の直流電圧を生成するよう構成されるスイッチング電源回路を含んでもよい。
【００３１】
トリガ信号生成回路５６には、ターゲット検出器４６から出力されるターゲット検出信号が、ターゲット制御装置５２を介して入力されてもよい。トリガ信号生成回路５６は、入力されたターゲット検出信号に対して所望の遅延を施したトリガ信号を生成し、そのトリガ信号をレーザ装置３に出力するよう構成されてもよい。トリガ信号はレーザ光を出力するタイミングを規定するための信号であってもよい。これにより、レーザ装置３から出力されるレーザ光が、プラズマ生成領域に到達したターゲットに、正確に照射され得る。
【００３２】
タイマー５７は、水晶振動子等によるクロック信号をカウントして計時値を生成し、ターゲット制御装置５２に出力するよう構成されてもよい。計時値は、ターゲットの生成周波数を計測するために用いられてもよい。
【００３３】
４．２ 動作
ターゲット制御装置５２は、ＥＵＶ光生成制御装置５１からターゲット出力信号を受信すると、ターゲットの生成を開始するための制御信号を出力するよう構成されてもよい。具体的には、ターゲット制御装置５２は、リザーバ６１の内部が所定の圧力となるように圧力調節器５３に制御信号を出力するよう構成されてもよい。また、ターゲット制御装置５２は、ターゲット物質と電極６６との間の電位差が所定の電位差となるようにＤＣ電圧調節器５５に制御信号を出力するよう構成されてもよい。
【００３４】
これらの制御信号に従って、圧力調節器５３は、リザーバ６１の内部が所定の圧力となるように不活性ガスの圧力を調節するよう構成されてもよい。また、ＤＣ電圧調節器５５は、ターゲット物質と電極６６との間の電位差が所定の電位差となるように、ターゲット物質と電極６６との間に印加される直流電圧を調節するよう構成されてもよい。これにより、ターゲット供給装置２６は、ドロップレット形状のターゲットをチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。
【００３５】
ターゲット検出器４６は、所定の領域を通過するターゲットを検出して、ターゲット検出信号をターゲット制御装置５２に出力するよう構成されてもよい。ターゲット検出信号には、ターゲットの大きさ、生成周波数等を示す情報が含まれてもよい。ターゲット制御装置５２は、入力されたターゲット検出信号に基づいて、ターゲットが所定の大きさで生成されるようにＤＣ電圧調節器５５に制御信号を出力するよう構成されてもよい。また、ターゲット制御装置５２は、入力されたターゲット検出信号に基づいて、ターゲットが所定の生成周波数で生成されるように圧力調節器５３に制御信号を出力するよう構成されてもよい。
【００３６】
ターゲット制御装置５２は、ターゲットの大きさ、生成周波数等が所定の範囲内にあることを監視するよう構成されてもよい。所定時間、ターゲットの大きさ、生成周波数等が所定の範囲内であることが検出された場合、ターゲット制御装置５２は、ターゲット生成準備完了信号をＥＵＶ光生成制御装置５１に出力するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御装置５１は、ターゲット生成準備完了信号を受信した場合、所定の遅延時間を設定するための信号をトリガ信号生成回路５６に出力するよう構成されてもよい。この遅延時間は、ターゲットが所定の領域を通過したことが検出されてから、ターゲットがプラズマ生成領域に到達してレーザ光に照射されるまでの時間となるように設定されてもよい。
【００３７】
さらに、ＥＵＶ光生成制御装置５１は、ゲート開信号をトリガ信号生成回路５６に出力するよう構成されてもよい。トリガ信号生成回路５６は、ゲート開信号を受信すると、トリガ信号をレーザ装置３に出力するよう構成されてもよい。これにより、レーザ装置３は、トリガ信号に同期してパルスレーザ光を出力するよう構成されてもよい。
【００３８】
レーザ装置３から出力されるパルスレーザ光は、高反射ミラー３４１及び３４２によって反射されて、ウインドウ２１を介してレーザ光集光光学系２２ａに入射してもよい。レーザ光集光光学系２２ａに入射したパルスレーザ光は、軸外放物面ミラー２２１によって集光され、平面ミラー２２２によって反射されてもよい。これにより、パルスレーザ光がターゲットに照射され、ターゲット物質がプラズマ化して、ＥＵＶ光が放射され得る。放射されたＥＵＶ光は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって中間集光点２９２に集光された後、露光装置に出力されてもよい。
【００３９】
４．３ 作用
本実施形態によれば、ターゲット制御装置５２は、ターゲット検出器４６の検出結果に基づいて、ターゲットが所定の大きさ、生成周波数等で生成されるように、ＤＣ電圧調節器５５と圧力調節器５３との内の少なくとも１つを制御するよう構成されてもよい。これにより、ターゲットの大きさや生成周波数等の安定性が向上され得る。
【００４０】
また、トリガ信号生成回路５６は、ターゲット検出器４６の検出結果に基づいて、レーザ装置３にトリガ信号を出力するよう構成されてもよい。これにより、レーザ装置３から出力されるレーザ光は、ターゲットがプラズマ生成領域に到達した時に、高精度にターゲットに照射され得る。
【００４１】
ここで、ＤＣ電圧調節器５５は、ターゲット物質と電極６６との間に直流電圧を印加するよう構成されるので、パルス電圧が印加される場合と比較して、ターゲット毎の印加電圧の変動が抑制される可能性がある。従って、ターゲットの大きさ等の安定性がさらに向上され得る。
【００４２】
５．静電引出型のターゲット供給装置
５．１ 構成
図３Ａは、図２に示すターゲット供給装置及びその周辺部を示す一部断面図である。図３Ｂは、図３Ａに示すターゲット供給装置の一部を拡大して示す拡大断面図である。
【００４３】
図３Ａに示すように、ターゲット供給装置２６は、リザーバ６１と、ノズル部６２と、電極６３と、ヒータ６４と、電気絶縁部材６５と、電極６６とを含んでもよい。リザーバ６１及びノズル部６２は、一体的に形成されてもよいし、別個に形成されてもよい。
【００４４】
リザーバ６１は、合成石英、アルミナ等の電気絶縁体で構成されてもよく、ターゲット物質であるスズが内部に貯蔵されてもよい。ヒータ６４は、リザーバ６１に取り付けられて、リザーバ６１内に貯蔵されるスズを溶融状態に維持するために、リザーバ６１をスズの融点（２３２℃）以上に加熱してもよい。また、ヒータ６４は、リザーバ６１の温度を検出するための図示しない温度センサ、ヒータ６４に電流を供給するための図示しないヒータ電源、度センサによって検出された温度に基づいてヒータ電源を制御するための図示しない温度制御器等と共に用いられてもよい。
【００４５】
図３Ｂに示すように、ノズル部６２には、ターゲットを出力するための貫通孔（オリフィス）が形成されてもよく、その貫通孔がリザーバ６１の内部と連通してもよい。また、ノズル部６２は、ターゲット物質に電界を集中させるために、ターゲット物質の出力側に突き出た先端部を有してもよい。
【００４６】
ノズル部６２には、電極６６を保持するための電気絶縁部材６５が固定されてもよい。電気絶縁部材６５は、ノズル部６２と電極６６との間を電気的に絶縁してもよい。電極６６は、ノズル部６２のオリフィスからターゲット物質を引き出すために、ノズル部６２の出口側の面に対向するように、所定の距離ｄ（ｄ＞０）離間して配置されてもよい。電気絶縁部材６５及び電極６６の各々には、ターゲット２７を通過させるために、貫通孔が形成されてもよい。
【００４７】
再び図３Ａを参照に、ＤＣ電圧調節器５５の一方の出力端子に接続された配線は、リザーバ６１に設けられた気密端子（フィードスルー）を介して、ターゲット物質に接触している電極６３に接続されてもよい。ＤＣ電圧調節器５５の他方の出力端子に接続された配線は、例えば、チャンバ２に設けられたフィードスルーを介して、電極６６に接続されてもよい。
【００４８】
５．２ 動作
ＤＣ電圧調節器５５は、ターゲット制御装置５２の制御の下で、ターゲット物質に静電気力を作用させるために、ターゲット物質と電極６６との間に直流電圧を印加するよう構成されてもよい。例えば、ＤＣ電圧調節器５５は、基準電位Ｖ２（０Ｖ）よりも高い電位Ｖ１を生成し、電極６３を介してターゲット物質に正の電位Ｖ１を印加し、電極６６に基準電位Ｖ２を印加してもよい。又は、ＤＣ電圧調節器５５は、基準電位Ｖ２（０Ｖ）よりも低い電位Ｖ１を生成し、ターゲット物質に負の電位Ｖ１を印加し、電極６６に基準電位Ｖ２を印加してもよい。これらにより、ターゲット物質と電極６６との間に所定の直流電圧（Ｖ１−Ｖ２）が印加され得る。或いは、ノズル部６２が金属製である場合には、ＤＣ電圧調節器５５は、ノズル部６２と電極６６との間に所定の直流電圧（Ｖ１−Ｖ２）を印加してもよい。
【００４９】
圧力調節器５３は、不活性ガスボンベ５４から供給される不活性ガスの圧力を調整するよう構成されてもよい。これにより、リザーバ６１に貯蔵されているターゲット物質には不活性ガスによる圧力が印加されてもよい。ターゲット物質に不活性ガスによる圧力が印加されると、ノズル部６２のオリフィスを介して、ターゲットが出力され得る。
【００５０】
不活性ガスボンベ５４から供給される不活性ガスの圧力によってターゲット物質がノズル部６２のオリフィスから突出した状態となってもよい。次に、ターゲット物質と電極６６との間に直流電圧が印加されると、ターゲット物質に静電気力が作用して、突出した状態のターゲット物質がターゲットに分離され得る。これにより、ターゲット物質がドロップレット形状の帯電ターゲットとして出力されてもよい。
【００５１】
この際、ターゲットの大きさは、ターゲット物質と電極６６との間に作用する静電気力によって決定され得る。静電気力が大きい場合、ターゲット物質が突出するとすぐにターゲットに分離され得るので、ターゲットは小さくなり得る。一方、静電気力が小さい場合、ターゲット物質の突出した部分が比較的大きくなってからターゲットに分離され得るので、ターゲットは大きくなり得る。
【００５２】
ターゲット物質と電極６６との間に作用する静電気力は、ターゲット物質と電極６６との間に印加される直流電圧（Ｖ１−Ｖ２）によって決定され得る。一方、ターゲットの生成周波数は、リザーバ６１内のターゲット物質に印加される圧力によって決定され得る。従って、直流電圧（Ｖ１−Ｖ２）を調節することによってターゲットの大きさを制御し、ターゲット物質に印加される圧力を調節することによってターゲットの生成周波数を制御することが可能なように構成されてもよい。
【００５３】
６．ＥＵＶ光生成装置の具体的な動作例
ＥＵＶ光生成装置の具体的な動作例について、図４〜図６Ｂを参照しながら説明する。図４は、図２に示すＥＵＶ光生成装置における具体的な動作の一例を示すフローチャートである。
【００５４】
図４を参照に、ステップＳ１において、ターゲット制御装置５２は、ＥＵＶ光生成制御装置５１からターゲット出力信号を受信したか否かを判定してもよい。露光装置等からＥＵＶ光生成信号を受信した場合、ＥＵＶ光生成制御装置５１は、ターゲット出力信号をターゲット制御装置５２に出力してもよい。ターゲット制御装置５２がターゲット出力信号を受信しない場合（ステップＳ１；ＮＯ）、ステップＳ１が繰り返されてもよい。一方、ターゲット制御装置５２がターゲット出力信号を受信した場合（ステップＳ１；ＹＥＳ）、処理がステップＳ２に移行してもよい。
【００５５】
ステップＳ２において、ターゲット制御装置５２は、ＤＣ電圧調節器５５を制御することにより、ターゲット供給装置２６におけるターゲット物質と電極６６との間に所定の電位差を与えてもよい。次に、ステップＳ３において、ターゲット制御装置５２は、圧力調節器５３を制御することにより、ターゲット供給装置２６のリザーバ６１内に所定の圧力を加えてもよい。
【００５６】
ステップＳ４において、ターゲット制御装置５２は、ターゲットのカウント数Ｎをゼロに設定してもよい。ステップＳ５において、ターゲット制御装置５２は、ターゲット検出サブルーチンを実行することにより、ターゲットの生成周波数、径等を検出してもよい。
【００５７】
ステップＳ６において、ターゲット制御装置５２は、ターゲットのカウント数Ｎに１を加算してもよい。ステップＳ７において、ターゲット制御装置５２は、Ｎが所定の値Ｋを超えたか否かを判定してもよい。所定の値Ｋは、ターゲットの予定出力回数であり、必要に応じた値でよい。所定の値Ｋは、前もってターゲット制御装置５２入力されていてもよいし、ＥＵＶ光生成制御装置５１に入力された値をターゲット制御装置５２が参照するように構成されてもよい。Ｎが所定の値Ｋ以下である場合、処理がステップＳ５に戻ってもよい。一方、Ｎが所定の値Ｋを超えた場合、処理がステップＳ８に移行してもよい。
【００５８】
ステップＳ８において、ターゲット制御装置５２は、ターゲット制御サブルーチンを実行することにより、ターゲットの生成周波数、径等を制御してもよい。
【００５９】
ＥＵＶ光生成制御装置５１は、露光装置等からＥＵＶ光生成停止信号を受信すると、ターゲット出力停止信号をターゲット制御装置５２に出力してもよい。そこで、ステップＳ９において、ターゲット制御装置５２は、ＥＵＶ光生成制御装置５１からターゲット出力停止信号を受信したか否かを判定してもよい。ターゲット制御装置５２がターゲット出力停止信号を受信しない場合、処理がステップＳ４に戻ってもよい。一方、ターゲット制御装置５２がターゲット出力停止信号を受信した場合、処理がステップＳ１０に移行してもよい。
【００６０】
ステップＳ１０において、ターゲット制御装置５２は、圧力調節器５３を制御することにより、ターゲット供給装置２６のリザーバ６１内の圧力を所定の値に下げてもよい。次に、ステップＳ１１において、ターゲット制御装置５２は、ＤＣ電圧調節器５５を制御することにより、ターゲット供給装置２６におけるターゲット物質と電極６６との間の電位差をゼロに降下させてよい。その後、処理がステップＳ１に戻ってもよい。
【００６１】
図５Ａは、ターゲットの生成周波数を制御する場合のターゲット検出サブルーチンを示すフローチャートである。ステップＳ５１において、ターゲット制御装置５２は、ターゲット検出信号をターゲット検出器４６から受信した時点で、タイマー５７の計時値Ｔを読み込んでもよい。
【００６２】
ステップＳ５２において、ターゲット制御装置５２は、ターゲットのカウント数Ｎが１以上であるか否かを判定してもよい。Ｎが０であれば、処理がステップＳ５４に移行してもよい。一方、Ｎが１以上であれば、処理がステップＳ５３に移行してもよい。
【００６３】
ステップＳ５３において、ターゲット制御装置５２は、タイマー５７の計時値Ｔに基づいて、ターゲットの生成周波数ＨＮ＝１／Ｔを算出してもよい。その後、ステップＳ５４において、ターゲット制御装置５２は、タイマー５７の計時値Ｔをゼロにリセットして、処理がメインルーチンに戻ってもよい。このようにして、ターゲットの生成周波数の計測がＫ回行われて、Ｋ個の計測値が得られてもよい。
【００６４】
図５Ｂは、ターゲットの生成周波数を制御する場合のターゲット制御サブルーチンを示すフローチャートである。ステップＳ８１において、ターゲット制御装置５２は、Ｋ個の計測値を積算して、積算値をＫで除算することにより、ターゲットの生成周波数の平均値（平均周波数）ＨＡＶを算出してもよい。
【００６５】
ステップＳ８２において、ターゲット制御装置５２は、平均周波数ＨＡＶが所定の下限値ＨＬ以上かつ所定の上限値ＨＨ以下であるか否かを判定してもよい。平均周波数ＨＡＶが所定の下限値ＨＬ以上かつ所定の上限値ＨＨ以下である場合、処理がメインルーチンに戻ってもよい。
【００６６】
平均周波数ＨＡＶが所定の下限値ＨＬよりも小さい場合、処理がステップＳ８３に移行してもよい。ステップＳ８３において、ターゲット制御装置５２は、圧力調節器５３の設定圧力Ｐを所定の値ΔＰだけ増加させてもよい。これにより、ターゲット供給装置２６におけるターゲットの生成周波数を増加させてもよい。その後、処理がメインルーチンに戻ってもよい。所定の値ΔＰは実験により決定され、前もってターゲット制御装置５２に入力されていてもよい。
【００６７】
一方、平均周波数ＨＡＶが所定の上限値ＨＨよりも大きい場合、処理がステップＳ８４に移行してもよい。ステップＳ８４において、ターゲット制御装置５２は、圧力調節器５３の設定圧力Ｐを所定の値ΔＰだけ減少させてもよい。これにより、ターゲット供給装置２６におけるターゲットの生成周波数を減少させてもよい。その後、処理がメインルーチンに戻ってもよい。
【００６８】
図６Ａは、ターゲットの径を制御する場合のターゲット検出サブルーチンを示すフローチャートである。ステップＳ５５において、ターゲット制御装置５２は、ターゲット検出器４６から受信したターゲット検出信号に基づいてターゲットの径Ｄを計測してもよい。
【００６９】
ステップＳ５６において、ターゲット制御装置５２は、ターゲットのカウント数Ｎが１以上であるか否かを判定してもよい。Ｎが０であれば、処理がメインルーチンに戻ってもよい。
【００７０】
一方、Ｎが１以上であれば、処理がステップＳ５７に移行してもよい。ステップＳ５７において、ターゲット制御装置５２は、ステップＳ５５において計測されたターゲットの径Ｄを、Ｎ回目の計測におけるターゲットの径ＤＮに代入してもよい。その後、処理がメインルーチンに戻ってもよい。このようにして、ターゲットの径の計測がＫ回行われて、Ｋ個の計測値Ｄ１〜ＤＫが得られるように構成されてもよい。
【００７１】
図６Ｂは、ターゲットの径を制御する場合のターゲット制御サブルーチンを示すフローチャートである。ステップＳ８５において、ターゲット制御装置５２は、Ｋ個の計測値を積算して、積算値をＫで除算することにより、ターゲットの径の平均値（平均径）ＤＡＶを算出してもよい。
【００７２】
ステップＳ８６において、ターゲット制御装置５２は、平均径ＤＡＶが所定の下限値ＤＬ以上かつ所定の上限値ＤＨ以下であるか否かを判定してもよい。平均径ＤＡＶが所定の下限値ＤＬ以上かつ所定の上限値ＤＨ以下である場合、処理がメインルーチンに戻ってもよい。
【００７３】
平均径ＤＡＶが所定の下限値ＤＬよりも小さい場合、処理がステップＳ８７に移行してもよい。ステップＳ８７において、ターゲット制御装置５２は、ＤＣ電圧調節器５５の設定電圧Ｖを所定の値ΔＶだけ減少させてもよい。これにより、ターゲット供給装置２６によって生成されるターゲットの径を増大させてもよい。その後、処理がメインルーチンに戻ってもよい。所定の値ΔＶは実験により決定され、前もってターゲット制御装置５２に入力されていてもよい。
【００７４】
一方、平均径ＤＡＶが所定の上限値ＤＨよりも大きい場合、処理がステップＳ８８に移行してもよい。ステップＳ８８において、ターゲット制御装置５２は、ＤＣ電圧調節器５５の設定電圧Ｖを所定の値ΔＶだけ増加させてもよい。これにより、ターゲット供給装置２６によって生成されるターゲットの径を減少させてもよい。その後、処理がメインルーチンに戻ってもよい。
【００７５】
７．ターゲット検出器のバリエーション
７．１ 光学式（１）
図７Ａは、光学式のターゲット検出器が用いられる第１の例におけるＥＵＶ光生成装置の一部断面図である。図７Ｂは、図７Ａに示すＥＵＶ光生成装置のＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ面における断面図である。図７Ｂに示すように、チャンバ２には、光を透過させるウインドウ２ａ及び２ｂが設けられてもよい。第１の例において、光学式のターゲット検出器は、ターゲット検出用光源７１と、第１の光学系７２と、第２の光学系７３と、光検出器７４とを含んでもよい。
【００７６】
ターゲット検出用光源７１は、半導体レーザ等のレーザ装置であってもよいし、ランプ光源であってもよい。ターゲット検出用光源７１から出力される光はシートビームでもよい。第１の光学系７２は、少なくとも１つのレンズ又はミラーを含み、ターゲット検出用光源７１から出力される光を集光してもよい。集光された光は、ウインドウ２ａを介してチャンバ２内に入射してもよい。チャンバ２内に入射した光の進行方向に直交する方向に、ターゲットが通過してもよい。ターゲットに照射されていない部分の光は、ウインドウ２ｂを介して第２の光学系７３に入射してもよい。
【００７７】
第２の光学系７３は、少なくとも１つのレンズ又はミラーを含み、入射光を光検出器７４に集光してもよい。光検出器７４は、入射光の光強度を検出するためのフォトダイオード等の光検出素子であってもよいし、ターゲットの影を含む画像を検出するためのＣＣＤ等の撮像素子であってもよい。
【００７８】
７．２ 光学式（２）
図７Ｃは、光学式のターゲット検出器が用いられる第２の例におけるＥＵＶ光生成装置の一部断面図である。図７Ｄは、図７Ｃに示すＥＵＶ光生成装置のＶＩＩＤ−ＶＩＩＤ面における断面図である。図７Ｄに示すように、チャンバ２には、光を透過させるウインドウ２ａが設けられてもよい。第２の例において、光学式のターゲット検出器は、ターゲット検出用光源７１と、光検出器７４と、ビームスプリッタ７５と、光学系７６及び７７とを含んでもよい。
【００７９】
ビームスプリッタ７５は、ターゲット検出用光源７１から出力される光の一部を透過させてもよい。ターゲット検出用光源７１から出力される光は、シートビームでもよい。光学系７６は、少なくとも１つのレンズ又はミラーを含み、ビームスプリッタ７５を透過した光を集光してもよい。集光された光は、ウインドウ２ａを介してチャンバ２内に入射してもよい。チャンバ２内でターゲットによって反射された光は、ウインドウ２ａを介して光学系７６に再度入射してもよい。光学系７６は、入射光をビームスプリッタ７５に向けて出力してもよい。ビームスプリッタ７５は、光学系７６から入射する光の一部を反射してもよい。ビームスプリッタ７５で反射された光は光学系７７に入射し、光学系７７よって光検出器７４に集光されてもよい。
【００８０】
図７Ｂにおいて、光検出器７４は、光強度がしきい値よりも低下した場合に、ターゲット検出信号を出力してもよい。ターゲット検出信号は、ある時間幅を持つパルス状の波形の信号でもよい。ターゲット制御装置５２（図２参照）は、ターゲット検出信号が出力されるタイミングに基づいてターゲットの通過タイミング及びターゲットの生成周波数を計測してもよい。また、図７Ｄにおいては、光検出器７４は、光強度がしきい値よりも上昇した場合に、ターゲット検出信号を出力してもよい。
【００８１】
光検出器７４が撮像素子である場合には、ターゲット制御装置５２は、光検出器７４から出力される画像情報を処理してターゲットの径を計測するよう構成されてもよい。また、ターゲット制御装置５２は、光検出器７４から出力される画像情報を処理してターゲットの間隔Ｌを計測し、次式に基づいてターゲットの生成周波数Ｈを算出するよう構成されてもよい。
Ｈ＝Ｖ／Ｌ
ここで、Ｖはターゲットの速度を表す。
【００８２】
７．３ 磁気回路式
図８は、磁気回路式のターゲット検出器が用いられるＥＵＶ光生成装置の一部を示す図である。図８に示すように、電極６６のターゲット進行方向下流側に磁気回路式のターゲットセンサ４７が配置されてもよい。
【００８３】
図８に示すターゲット供給装置２６の主要な構成要素は、遮蔽カバー８１と、遮蔽カバー８１に取り付けられた蓋８２とによって構成される遮蔽容器に封入されてもよい。遮蔽カバー８１には、ターゲット２７を通過させるための貫通孔が形成されてもよい。遮蔽カバー８１は、プラズマ生成領域において生成されるプラズマから放出される荷電粒子から電気絶縁部材６５等の電気的な絶縁物を遮蔽してもよい。
【００８４】
遮蔽カバー８１は、電気伝導性を有する材料（例えば、金属材料）を含んでもよく、電気伝導性を有してもよい。遮蔽カバー８１は、直接的に、又は、ワイヤ等の導電性接続部材を介して、チャンバ２の導電性部材（例えば、外壁）に電気的に接続されてもよい。チャンバ２の導電性部材は、ＤＣ電圧調節器５５の基準電位（０Ｖ）に電気的に接続されてもよく、接地されてもよい。
【００８５】
蓋８２の材料としては、例えば、ムライト等の電気絶縁材料が用いられてもよい。また、ターゲット供給装置２６は、リザーバ６１の温度を検出するための温度センサ６７、ヒータ６４を加熱するための電流を供給するヒータ電源５８、及び、温度センサ６７によって検出された温度に基づいてヒータ電源５８を制御する温度制御器５９をさらに備えてもよい。
【００８６】
ターゲットセンサ４７は、遮蔽容器の内部に配置されてもよい。ターゲットセンサ４７に接続されたターゲット検出回路４８は、遮蔽容器の外部に設けられてもよい。
【００８７】
ターゲットセンサ４７は、磁気コアと、磁気コアの周囲に巻回されたコイルとを含んでもよい。磁気コアには、ターゲット２７を通過させるための貫通孔が形成されてもよい。磁気コアには、貫通孔周囲に閉ループの磁気回路が形成されてもよい。貫通孔を帯電したターゲット２７が通過することにより磁気回路に発生する磁束が、コイルに誘導起電力を生じさせてもよい。
【００８８】
ターゲット検出回路４８は、この誘導起電力を検出して、ターゲット検出信号として出力するよう構成されてもよい。ターゲット検出信号は、ある時間幅を持つパルス状の波形の信号でもよい。ノズル部６２から出力されて電極６６の貫通孔を通過したターゲット２７がターゲットセンサ４７の貫通孔を通過する際に、ターゲット検出回路４８は、ターゲット検出信号を出力してもよい。
【００８９】
電極６６に接続された配線及びターゲットセンサ４７に接続された配線は、蓋８２に設けられた気密端子８３を介して、ＤＣ電圧調節器５５及びターゲット検出回路４８にそれぞれ接続されてもよい。ターゲット物質に電位を印加するための電極６３に接続された配線は、蓋８２に設けられた気密端子８４を介して、ＤＣ電圧調節器５５に接続されてもよい。加熱用のヒータ６４に接続された配線及び温度センサ６７に接続された配線は、蓋８２に設けられた気密端子８５を介して、ヒータ電源５８及び温度制御器５９にそれぞれ接続されてもよい。
【００９０】
ターゲット制御装置５２は、ターゲット検出信号の出力タイミングに基づいて、ターゲットの通過タイミング及びターゲットの生成周波数を計測してもよい。また、ターゲット制御装置５２は、ターゲット検出信号の時間幅等に基づいてターゲットの径を算出してもよい。なお、ターゲットセンサ４７の配置は図８に示す配置に限定されず、ノズル部６２からプラズマ生成領域までの間におけるターゲットの移動経路上に配置されてもよい。
【００９１】
８．ターゲット供給装置の変形例
８．１ 構成
図９Ａは、図３Ａに示すターゲット供給装置の変形例及びその周辺部を示す一部断面図である。図９Ｂは、図９Ａに示すターゲット供給装置の一部を拡大して示す拡大断面図である。ターゲット供給装置２６ａにおいては、図３Ａに示すターゲット供給装置２６におけるノズル部６２に圧電素子６８が取り付けられてもよい。また、圧電素子６８に印加されるパルス電圧を生成するためのパルス電圧生成回路５７が追加されてもよい。ターゲット制御装置５２は、パルス電圧生成回路５７を制御するよう構成されてもよい。その他の点に関しては、図３Ａに示すターゲット供給装置と同様でよい。
【００９２】
圧電素子６８は、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）等の圧電体と、圧電体の２つの面にそれぞれ形成された少なくとも１対の電極とを含んでもよい。あるいは、ノズル部６２の外周面が電気伝導性を有する場合には、ノズル部６２の外周面が一方の電極として用いられてもよい。パルス電圧生成回路５７は、圧電素子６８の２つの電極間に電圧を印加してもよい。印加される電圧による圧電効果に応じて圧電体が伸縮し得る。これにより、圧電素子６８は、ノズル部６２に機械的な変形又は振動を生じさせてもよい。
【００９３】
８．２ 動作
ターゲット制御装置５２は、ＥＵＶ光生成制御装置５１（図２参照）からターゲット出力信号を受信すると、ターゲット物質と電極６６との間の電位差が所定の電位差となるように、ＤＣ電圧調節器５５に制御信号を出力するよう構成されてもよい。次に、ターゲット制御装置５２は、リザーバ６１内のターゲット物質に印加される圧力が所定の圧力となるように、圧力調節器５３に制御信号を出力するよう構成されてもよい。
【００９４】
さらに、ターゲット制御装置５２は、所定の周波数、所定のパルス幅、及び、所定のピーク電圧を有するパルス信号を所定のタイミングで生成するために、パルス電圧生成回路５７に制御信号を出力してもよい。パルス電圧生成回路５７は、圧電素子６８の２つの電極間にパルス電圧を印加することにより、圧電素子６８を伸縮させてもよい。
【００９５】
パルス電圧生成回路５７によって所定の電圧が圧電素子６８に印加されると、圧電素子６８が伸縮して、ノズル部６２が圧電素子６８の伸縮によって押されて変形し、ノズル部６２のオリフィスからターゲット物質が突出し得る。それによって、ターゲット物質と電極６６との間に電界集中が起こり、静電気力が増加し得る。静電気力が突出したターゲット物質の表面張力よりも大きくなると、ターゲット物質が分離されて、ドロップレット形状のターゲットとして出力され得る。
【００９６】
ターゲット検出器４６は、ターゲットが所定の領域を通過した際にターゲット検出信号を出力するよう構成されてもよい。ターゲット制御装置５２は、ターゲット検出器４６から入力されるターゲット検出信号に基づいて、ターゲットが所定の領域を通過するタイミングを計測し、ターゲットが所定のタイミングで所定の領域を通過するように、パルス電圧生成回路５７におけるパルス電圧の周波数、パルス幅、ピーク電圧、生成タイミング等を制御するよう構成されてもよい。
【００９７】
ここで、パルス電圧生成回路５７は、パルス電圧に直流バイアス電圧が重畳した電圧を生成するよう構成されてもよい。この場合、定常状態においてノズル部６２をある程度収縮させておき、必要に応じてノズル部６２をさらに収縮させたり、逆に伸張させたりすることが可能となる。これにより、ノズル部６２からターゲット物質を突出させることも、一端突出したターゲット物質をノズル部６２内に収容することも可能なように構成されてもよい。
【００９８】
ターゲット制御装置５２は、パルス電圧生成回路５７の制御と並行して、又は、前後して、ターゲット検出器４６から出力されるターゲット検出信号に基づいてターゲットの大きさを計測し、ターゲットが所定の大きさで生成されるようにＤＣ電圧調節器５５を制御するよう構成されてもよい。また、ターゲット制御装置５２は、ターゲット検出器４６から入力されるターゲット検出信号に基づいてターゲットの生成周波数を計測し、ターゲットが所定の生成周波数で生成されるように圧力調節器５３を制御するよう構成されてもよい。
【００９９】
ターゲット制御装置５２は、ターゲットの大きさ、生成周波数、所定の領域におけるターゲットの通過タイミング等が所定の範囲内にあることを監視してもよい。所定時間、ターゲットの大きさ、生成周波数、所定の領域におけるターゲットの通過タイミング等が所定の範囲内であることが検出された場合、ターゲット制御装置５２は、ターゲット生成準備完了信号をＥＵＶ光生成制御装置５１（図２参照）に出力するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御装置５１は、ターゲット生成準備完了信号を受信した場合、所定の遅延時間を設定するための信号をトリガ信号生成回路５６に出力するよう構成されてもよい。この遅延時間は、ターゲットが所定の領域を通過したことが検出されてから、ターゲットがプラズマ生成領域に到達してレーザ光が照射されるまでの時間となるよう設定されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御装置５１は、ゲート開信号をトリガ信号生成回路５６に出力するよう構成されてもよい。ゲート開信号により、トリガ信号生成回路５６は、レーザ装置３にトリガ信号を出力するよう構成されてもよい。
【０１００】
８．３ 作用
ターゲット供給装置２６ａは、ターゲット検出器４６の検出結果に基づいてＤＣ電圧調節器５５と圧力調節器５３とパルス電圧生成回路５７との内の少なくとも１つが制御されることによって、ターゲットの大きさ、生成周波数、所定の領域におけるターゲットの通過タイミングの安定性を向上させることが可能なように構成されてもよい。特に、圧電素子６８に印加されるパルス電圧の周波数、パルス幅、ピーク電圧、生成タイミング等が制御されることにより、オンデマンドでターゲットを生成することが可能なように構成されてもよい。
【０１０１】
また、ＥＵＶ光生成システムは、トリガ信号生成回路５６が、ターゲット検出器４６の検出結果に基づいてレーザ装置にトリガ信号を出力することによって、ターゲットがプラズマ生成領域に到達した時点で、ターゲットがレーザ光に高精度に照射されるように構成されてもよい。
【０１０２】
９．補足説明
９．１ 磁気回路による帯電ターゲットの検出
図１０は、帯電ターゲットの検出に用いられるターゲットセンサの構成の一例を示す。図１０に示すように、磁気コア１０１の形状によって閉ループが形成された磁気回路にコイル１０２が巻き付けられ、コイル１０２の両端が電流計１０３に接続されてもよい。電流計１０３は、２つの入力端子間に接続された抵抗１０４と、抵抗１０４の両端の電圧を計測するための電圧計１０５とを含んでもよい。ここで、帯電したターゲット２７が移動すると、アンペールの右ねじの法則に従って、ターゲット２７の周囲に磁場が発生し得る。ターゲット２７が磁気回路の閉ループを通過することにより、この磁場による磁力線が磁気回路内部を通過し得る。このとき、コイル１０２の両端には磁気回路内の磁力線がもたらす電磁誘導による誘導起電力が発生し得る。結果として、コイル１０２に電流が流れ得る。この電流は、電流計１０３によって計測され、電流の流れるタイミングが検出されてもよい。
【０１０３】
磁気コア１０１の材料は、強磁性体でよい。磁気コア１０１の材料としては、例えば、フェライト磁石、ネオジューム磁石、サマリュームコバルト磁石、軟鉄等が用いられてもよい。ここで、磁気回路が小さくなるほど、コイル１０２に流れる電流が大きくなり得る。また、ターゲット２７の帯電量が大きくなるほど、コイル１０２に流れる電流が大きくなり得る。
【０１０４】
一例として、ターゲット２７の径が数十μｍ、帯電量が数ｐＣの場合、磁気コア１０１の大きさは、幅Ｗが０．６ｍｍ程度で、長さＬが０．８５ｍｍ程度であるのが好ましい。また、ターゲットの帯電量を大きくするために、静電引出型のターゲット供給装置が用いられてもよい。
【０１０５】
図１０に示す例においては、磁気コア１０１が長方形の形状を有しているが、この例に限定されることなく、磁気コア１０１は、円形、多角形、楕円形等の形状を有してもよい。即ち、磁気回路が閉ループを有するように磁気コア１０１が構成されていればよい。そして、ターゲットが磁気回路の閉ループ内を通過するように、磁気コア１０１が配置されるのが好ましい。このとき、磁気回路の閉ループに沿う面とターゲットの移動経路とが成す角度を９０度以外の角度とする場合、ターゲット２７の通過タイミングは、閉ループに沿う面に対するターゲット２７の通過位置に相関し得る。即ち、ターゲット通過信号のタイミングに基づいてターゲット２７の通過位置が算出されてもよい。ターゲット２７の通過位置は、ターゲット２７の出力時刻と、ターゲット２７の速度と、図８に示すノズル部６２からターゲットセンサ４７までの距離と、ターゲットセンサ４７のターゲットの移動経路に対する傾斜角度とを予め計測しておくことにより、簡単な計算から求められ得る。
【０１０６】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【０１０７】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【０１０８】
１…ＥＵＶ光生成装置、１１…ＥＵＶ光生成システム、２…チャンバ、２１…ウインドウ、２２…レーザ光集光ミラー、２２１…軸外放物面ミラー、２２２…平面ミラー、２２ａ…レーザ光集光光学系、２３…ＥＵＶ集光ミラー、２４…貫通孔、２５…プラズマ生成領域、２５１、２５２…ＥＵＶ光、２６、２６ａ…ターゲット供給装置、２７…ターゲット、２８…ターゲット回収部、２９…接続部、２９１…壁、２９２…中間集光点、２ａ、２ｂ…ウインドウ、３…レーザ装置、３１〜３３…パルスレーザ光、３４…レーザ光進行方向制御部、３４ａ…ビームデリバリーシステム、３４１、３４２…高反射ミラー、４…ターゲットセンサ、４１…ＥＵＶ集光ミラーホルダ、４２、４３…プレート、４４…ビームダンプ、４５…ビームダンプ支持部材、４６…ターゲット検出器、４７…ターゲットセンサ、４８…ターゲット検出回路、５…ＥＵＶ光生成制御部、５１…ＥＵＶ光生成制御装置、５２…ターゲット制御装置、５３…圧力調節器、５４…不活性ガスボンベ、５５…ＤＣ電圧調節器、５６…トリガ信号生成回路、５７…タイマー、５７…パルス電圧生成回路、５８…ヒータ電源、５９…温度制御器、６…露光装置、６１…リザーバ、６２…ノズル部、６３…電極、６４…ヒータ、６５…電気絶縁部材、６６…電極、６７…温度センサ、６８…圧電素子、７１…ターゲット検出用光源、７２、７３、７６、７７…光学系、７４…光検出器、７５…ビームスプリッタ、８１…遮蔽カバー、８２…蓋、８３〜８５…気密端子、１０１…磁気コア、１０２…コイル、１０３…電流計、１０４…抵抗、１０５…電圧計
【技術分野】
【０００１】
本開示は、極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、移動経路放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００６／０１９２１４５号明細書
【概要】
【０００５】
本開示の第１の観点に係る極端紫外光生成装置は、レーザ装置から出力されるレーザ光をターゲット物質に照射してターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置であって、ターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部と、ターゲット貯蔵部の内部と連通する貫通孔が形成され、ターゲット貯蔵部に貯蔵されているターゲット物質を出力するノズル部と、ノズル部に対向して配置され、ターゲット物質との間に直流電圧が印加されたときに、ノズル部から出力されるターゲット物質をターゲットに分離することによってターゲット物質のターゲットを生成する電極と、電極によって生成されたターゲット物質のターゲットを検出して検出信号を出力するターゲット検出器と、レーザ装置から導入されるレーザ光がターゲット物質のターゲットに照射されて、内部で極端紫外光が生成されるチャンバと、ターゲット物質と電極との間に印加される直流電圧を調節する直流電圧調節器と、ターゲット貯蔵部に貯蔵されているターゲット物質に気体を介して印加される圧力を調節する圧力調節器と、ターゲット検出器から出力される検出信号に基づいて、直流電圧調節器と圧力調節器との内の少なくとも１つを制御する制御装置とを備えてもよい。
【０００６】
また、本開示の第２の観点に係る極端紫外光生成装置は、レーザ装置から出力されるレーザ光をターゲット物質に照射してターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置であって、ターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部と、ターゲット貯蔵部の内部と連通する貫通孔が形成され、ターゲット貯蔵部に貯蔵されているターゲット物質を出力するノズル部と、ノズル部に取り付けられ、電圧が印加されたときにノズル部に機械的な変形を生じさせる圧電素子と、ノズル部に対向して配置され、ターゲット物質との間に直流電圧が印加されたときに、ノズル部から出力されるターゲット物質をターゲットに分離することによってターゲット物質のターゲットを生成する電極と、電極によって生成されたターゲット物質のターゲットを検出して検出信号を出力するターゲット検出器と、レーザ装置から導入されるレーザ光がターゲット物質のターゲットに照射されて、内部で極端紫外光が生成されるチャンバと、ターゲット物質と電極との間に印加される直流電圧を調節する直流電圧調節器と、ターゲット貯蔵部に貯蔵されているターゲット物質に気体を介して印加される圧力を調節する圧力調節器と、圧電素子に印加されるパルス電圧を生成するパルス電圧生成回路とを備えてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
【図２】図２は、１つの実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を示す一部断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、図２に示すターゲット供給装置及びその周辺部を示す一部断面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、図３Ａに示すターゲット供給装置の一部を拡大して示す拡大断面図である。
【図４】図４は、図２に示すＥＵＶ光生成システムにおける具体的な動作の一例を示すフローチャートである。
【図５Ａ】図５Ａは、ターゲットの生成周波数を制御する場合のターゲット検出サブルーチンを示すフローチャートである。
【図５Ｂ】図５Ｂは、ターゲットの生成周波数を制御する場合のターゲット制御サブルーチンを示すフローチャートである。
【図６Ａ】図６Ａは、ターゲットの径を制御する場合のターゲット検出サブルーチンを示すフローチャートである。
【図６Ｂ】図６Ｂは、ターゲットの径を制御する場合のターゲット制御サブルーチンを示すフローチャートである。
【図７Ａ】図７Ａは、光学式のターゲット検出器が用いられるＥＵＶ光生成装置の一部断面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、図７Ａの示すＥＵＶ光生成装置のＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ面における断面図である。
【図７Ｃ】図７Ｃは、光学式のターゲット検出器が用いられるＥＵＶ光生成装置の一部断面図である。
【図７Ｄ】図７Ｄは、図７Ｃに示すＥＵＶ光生成装置のＶＩＩＤ−ＶＩＩＤ面における断面図である。
【図８】図８は、磁気回路式のターゲット検出器が用いられるＥＵＶ光生成装置の一部を示す図である。
【図９Ａ】図９Ａは、図３Ａに示すターゲット供給装置の変形例及びその周辺部を示す一部断面図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、図９Ａに示すターゲット供給装置の一部を拡大して示す拡大断面図である。
【図１０】図１０は、帯電ターゲットを検出するために用いられるターゲットセンサの構成の一例を示す図である。
【実施形態】
【０００８】
＜内容＞
１．概要
２．用語の説明
３．極端紫外光生成システムの全体説明
３．１ 構成
３．２ 動作
４．静電引出型のターゲット供給装置が搭載されたＥＵＶ光生成装置
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用
５．静電引出型のターゲット供給装置
５．１ 構成
５．２ 動作
６．ＥＵＶ光生成装置の具体的な動作例
７．ターゲット検出器のバリエーション
７．１ 光学式（１）
７．２ 光学式（２）
７．３ 磁気回路式
８．ターゲット供給装置の変形例
８．１ 構成
８．２ 動作
８．３ 作用
９．補足説明
９．１ 磁気回路による帯電ターゲットの検出
【０００９】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【００１０】
１．概要
露光装置等において用いられるＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置では、ターゲット供給装置から出力されるドロップレット形状のターゲット物質にパルスレーザ光を照射することによってターゲット物質をプラズマ化し、プラズマから放射されるＥＵＶ光が外部装置に出力されてもよい。出力されるＥＵＶ光のエネルギーを安定させるためには、ターゲット供給装置から出力されるターゲットの大きさやプラズマ生成領域におけるターゲットの位置のばらつきが小さいのが好ましい。
【００１１】
２．用語の説明
本願において使用される幾つかの用語を以下に定義する。「チャンバ」は、ＥＵＶ光生成装置において、プラズマの生成が行われる空間を外部から隔絶するための容器である。「ターゲット供給装置」は、ＥＵＶ光を生成するために用いられる溶融したスズ等のターゲット物質をドロップレットの形状でチャンバ内に供給するための装置である。「ＥＵＶ集光ミラー」は、プラズマから放射されるＥＵＶ光を反射してチャンバ外に出力するためのミラーである。
【００１２】
３．極端紫外光生成システムの全体説明
３．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給装置２６等を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給装置は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給装置から供給されるターゲットの材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せ等を含んでもよいが、これらに限定されない。
【００１３】
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が、中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。中間集光点２９２は、外部装置（例えば、露光装置６）の仕様によって規定されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。
【００１４】
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲットの存在、移動経路、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。
【００１５】
また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
【００１６】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット物質を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
【００１７】
３．２ 動作
図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過し、チャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。
【００１８】
ターゲット供給装置２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７はドロップレット形状であってもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射され得る。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光２５２は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
【００１９】
ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
【００２０】
４．静電引出型のターゲット供給装置が搭載されたＥＵＶ光生成装置
４．１ 構成
図２は、１つの実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を示す一部断面図である。図２に示すように、チャンバ２の内部には、レーザ光集光光学系２２ａと、ＥＵＶ集光ミラー２３と、ターゲット回収部２８と、ＥＵＶ集光ミラーホルダ４１と、プレート４２及び４３と、ビームダンプ４４と、ビームダンプ支持部材４５とが設けられてもよい。
【００２１】
チャンバ２は、電気伝導性が高い材料（例えば、金属材料）で構成される部材（導電性部材）を含んでもよい。さらに、チャンバ２は、電気絶縁性を有する部材を含んでもよい。その場合には、例えば、チャンバ２の外壁は導電性部材で構成され、外壁の内側に電気絶縁性を有する部材が配置されてもよい。チャンバ２の導電性部材は、直流（ＤＣ）電圧調節器５５の基準電位（０Ｖ）に電気的に接続されており、さらに、接地されてもよい。
【００２２】
チャンバ２には、プレート４２が固定され、プレート４２には、プレート４３が固定されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、ＥＵＶ集光ミラーホルダ４１によって姿勢制御可能に保持されてもよく、ＥＵＶ集光ミラーホルダ４１はプレート４２に固定されてもよい。
【００２３】
レーザ光集光光学系２２ａは、軸外放物面ミラー２２１と、平面ミラー２２２と、それらのミラーを保持するためのホルダとを含んでもよい。軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２は、それぞれのミラーで反射されたレーザ光がプラズマ生成領域２５で集光されるように、それぞれのホルダを介してプレート４３に固定されてもよい。
【００２４】
ビームダンプ４４は、レーザ光の光路の延長線上に位置するように、ビームダンプ支持部材４５を介してチャンバ２に固定されてもよい。ターゲット回収部２８は、プラズマ生成領域２５のターゲット進行方向下流側（図中下側）において、ターゲットの移動経路の延長線上に配置されてもよい。
【００２５】
チャンバ２には、ウインドウ２１と、静電引出型のターゲット供給装置２６と、ターゲット検出器４６とが取り付けられてもよい。ターゲット供給装置２６は、リザーバ（ターゲット貯蔵部）６１と、ノズル部６２と、電極６６とを含んでもよい。ターゲット物質としては、導電性を有する液体金属等が用いられてもよいが、本開示の実施形態においては、融点が２３２℃であるスズ（Ｓｎ）が用いられる場合を例として説明する。
【００２６】
リザーバ６１には、ターゲット物質であるスズが内部に貯蔵されてもよい。ノズル部６２には、リザーバ６１の内部と連通する貫通孔が形成されてもよい。ノズル部６２の貫通孔を介して、リザーバ６１に貯蔵されているターゲット物質が出力されてもよい。電極６６は、ノズル部６２に対向して配置されてもよい。電極６６とターゲット物質との間に直流電圧が印加されると、ターゲット物質に静電気力が作用し、ノズル部６２から突出したターゲット物質がドロップレット状のターゲットに分離されて出力され得る。ターゲット供給装置２６の詳細については、後で詳しく説明する。
【００２７】
ターゲット検出器４６は、ターゲット供給装置２６から出力されて所定の領域を通過するターゲットを検出して、ターゲット検出信号をターゲット制御装置５２に出力するよう構成されてもよい。
【００２８】
チャンバ２の外部には、ビームデリバリーシステム３４ａと、ＥＵＶ光生成制御部５とが設けられてもよい。ビームデリバリーシステム３４ａは、高反射ミラー３４１及び３４２と、それらのミラーのホルダと、ホルダが配置される筐体とを含んでもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成制御装置５１と、ターゲット制御装置５２と、圧力調節器５３と、不活性ガスボンベ５４と、ＤＣ電圧調節器５５と、トリガ信号生成回路５６と、タイマー５７とを含んでもよい。
【００２９】
圧力調節器５３は、リザーバ６１に貯蔵されているターゲット物質に印加される気体の圧力を調節するよう構成されてもよい。これにより、ターゲットの生成周波数が調節されてもよい。例えば、圧力調節器５３は、不活性ガスボンベ５４から供給される不活性ガスの圧力を調節するよう構成されてもよい。
【００３０】
ＤＣ電圧調節器５５は、電極６６とターゲット物質との間に印加される直流電圧を調節するよう構成されてもよい。これにより、ターゲット供給装置２６から出力されるターゲットの大きさが調節されてもよい。例えば、ＤＣ電圧調節器５５は、商用電源から供給される交流電圧を整流して直流電圧を生成し、その直流電圧をＤＣ／ＤＣ変換して所望の直流電圧を生成するよう構成されるスイッチング電源回路を含んでもよい。
【００３１】
トリガ信号生成回路５６には、ターゲット検出器４６から出力されるターゲット検出信号が、ターゲット制御装置５２を介して入力されてもよい。トリガ信号生成回路５６は、入力されたターゲット検出信号に対して所望の遅延を施したトリガ信号を生成し、そのトリガ信号をレーザ装置３に出力するよう構成されてもよい。トリガ信号はレーザ光を出力するタイミングを規定するための信号であってもよい。これにより、レーザ装置３から出力されるレーザ光が、プラズマ生成領域に到達したターゲットに、正確に照射され得る。
【００３２】
タイマー５７は、水晶振動子等によるクロック信号をカウントして計時値を生成し、ターゲット制御装置５２に出力するよう構成されてもよい。計時値は、ターゲットの生成周波数を計測するために用いられてもよい。
【００３３】
４．２ 動作
ターゲット制御装置５２は、ＥＵＶ光生成制御装置５１からターゲット出力信号を受信すると、ターゲットの生成を開始するための制御信号を出力するよう構成されてもよい。具体的には、ターゲット制御装置５２は、リザーバ６１の内部が所定の圧力となるように圧力調節器５３に制御信号を出力するよう構成されてもよい。また、ターゲット制御装置５２は、ターゲット物質と電極６６との間の電位差が所定の電位差となるようにＤＣ電圧調節器５５に制御信号を出力するよう構成されてもよい。
【００３４】
これらの制御信号に従って、圧力調節器５３は、リザーバ６１の内部が所定の圧力となるように不活性ガスの圧力を調節するよう構成されてもよい。また、ＤＣ電圧調節器５５は、ターゲット物質と電極６６との間の電位差が所定の電位差となるように、ターゲット物質と電極６６との間に印加される直流電圧を調節するよう構成されてもよい。これにより、ターゲット供給装置２６は、ドロップレット形状のターゲットをチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。
【００３５】
ターゲット検出器４６は、所定の領域を通過するターゲットを検出して、ターゲット検出信号をターゲット制御装置５２に出力するよう構成されてもよい。ターゲット検出信号には、ターゲットの大きさ、生成周波数等を示す情報が含まれてもよい。ターゲット制御装置５２は、入力されたターゲット検出信号に基づいて、ターゲットが所定の大きさで生成されるようにＤＣ電圧調節器５５に制御信号を出力するよう構成されてもよい。また、ターゲット制御装置５２は、入力されたターゲット検出信号に基づいて、ターゲットが所定の生成周波数で生成されるように圧力調節器５３に制御信号を出力するよう構成されてもよい。
【００３６】
ターゲット制御装置５２は、ターゲットの大きさ、生成周波数等が所定の範囲内にあることを監視するよう構成されてもよい。所定時間、ターゲットの大きさ、生成周波数等が所定の範囲内であることが検出された場合、ターゲット制御装置５２は、ターゲット生成準備完了信号をＥＵＶ光生成制御装置５１に出力するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御装置５１は、ターゲット生成準備完了信号を受信した場合、所定の遅延時間を設定するための信号をトリガ信号生成回路５６に出力するよう構成されてもよい。この遅延時間は、ターゲットが所定の領域を通過したことが検出されてから、ターゲットがプラズマ生成領域に到達してレーザ光に照射されるまでの時間となるように設定されてもよい。
【００３７】
さらに、ＥＵＶ光生成制御装置５１は、ゲート開信号をトリガ信号生成回路５６に出力するよう構成されてもよい。トリガ信号生成回路５６は、ゲート開信号を受信すると、トリガ信号をレーザ装置３に出力するよう構成されてもよい。これにより、レーザ装置３は、トリガ信号に同期してパルスレーザ光を出力するよう構成されてもよい。
【００３８】
レーザ装置３から出力されるパルスレーザ光は、高反射ミラー３４１及び３４２によって反射されて、ウインドウ２１を介してレーザ光集光光学系２２ａに入射してもよい。レーザ光集光光学系２２ａに入射したパルスレーザ光は、軸外放物面ミラー２２１によって集光され、平面ミラー２２２によって反射されてもよい。これにより、パルスレーザ光がターゲットに照射され、ターゲット物質がプラズマ化して、ＥＵＶ光が放射され得る。放射されたＥＵＶ光は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって中間集光点２９２に集光された後、露光装置に出力されてもよい。
【００３９】
４．３ 作用
本実施形態によれば、ターゲット制御装置５２は、ターゲット検出器４６の検出結果に基づいて、ターゲットが所定の大きさ、生成周波数等で生成されるように、ＤＣ電圧調節器５５と圧力調節器５３との内の少なくとも１つを制御するよう構成されてもよい。これにより、ターゲットの大きさや生成周波数等の安定性が向上され得る。
【００４０】
また、トリガ信号生成回路５６は、ターゲット検出器４６の検出結果に基づいて、レーザ装置３にトリガ信号を出力するよう構成されてもよい。これにより、レーザ装置３から出力されるレーザ光は、ターゲットがプラズマ生成領域に到達した時に、高精度にターゲットに照射され得る。
【００４１】
ここで、ＤＣ電圧調節器５５は、ターゲット物質と電極６６との間に直流電圧を印加するよう構成されるので、パルス電圧が印加される場合と比較して、ターゲット毎の印加電圧の変動が抑制される可能性がある。従って、ターゲットの大きさ等の安定性がさらに向上され得る。
【００４２】
５．静電引出型のターゲット供給装置
５．１ 構成
図３Ａは、図２に示すターゲット供給装置及びその周辺部を示す一部断面図である。図３Ｂは、図３Ａに示すターゲット供給装置の一部を拡大して示す拡大断面図である。
【００４３】
図３Ａに示すように、ターゲット供給装置２６は、リザーバ６１と、ノズル部６２と、電極６３と、ヒータ６４と、電気絶縁部材６５と、電極６６とを含んでもよい。リザーバ６１及びノズル部６２は、一体的に形成されてもよいし、別個に形成されてもよい。
【００４４】
リザーバ６１は、合成石英、アルミナ等の電気絶縁体で構成されてもよく、ターゲット物質であるスズが内部に貯蔵されてもよい。ヒータ６４は、リザーバ６１に取り付けられて、リザーバ６１内に貯蔵されるスズを溶融状態に維持するために、リザーバ６１をスズの融点（２３２℃）以上に加熱してもよい。また、ヒータ６４は、リザーバ６１の温度を検出するための図示しない温度センサ、ヒータ６４に電流を供給するための図示しないヒータ電源、度センサによって検出された温度に基づいてヒータ電源を制御するための図示しない温度制御器等と共に用いられてもよい。
【００４５】
図３Ｂに示すように、ノズル部６２には、ターゲットを出力するための貫通孔（オリフィス）が形成されてもよく、その貫通孔がリザーバ６１の内部と連通してもよい。また、ノズル部６２は、ターゲット物質に電界を集中させるために、ターゲット物質の出力側に突き出た先端部を有してもよい。
【００４６】
ノズル部６２には、電極６６を保持するための電気絶縁部材６５が固定されてもよい。電気絶縁部材６５は、ノズル部６２と電極６６との間を電気的に絶縁してもよい。電極６６は、ノズル部６２のオリフィスからターゲット物質を引き出すために、ノズル部６２の出口側の面に対向するように、所定の距離ｄ（ｄ＞０）離間して配置されてもよい。電気絶縁部材６５及び電極６６の各々には、ターゲット２７を通過させるために、貫通孔が形成されてもよい。
【００４７】
再び図３Ａを参照に、ＤＣ電圧調節器５５の一方の出力端子に接続された配線は、リザーバ６１に設けられた気密端子（フィードスルー）を介して、ターゲット物質に接触している電極６３に接続されてもよい。ＤＣ電圧調節器５５の他方の出力端子に接続された配線は、例えば、チャンバ２に設けられたフィードスルーを介して、電極６６に接続されてもよい。
【００４８】
５．２ 動作
ＤＣ電圧調節器５５は、ターゲット制御装置５２の制御の下で、ターゲット物質に静電気力を作用させるために、ターゲット物質と電極６６との間に直流電圧を印加するよう構成されてもよい。例えば、ＤＣ電圧調節器５５は、基準電位Ｖ２（０Ｖ）よりも高い電位Ｖ１を生成し、電極６３を介してターゲット物質に正の電位Ｖ１を印加し、電極６６に基準電位Ｖ２を印加してもよい。又は、ＤＣ電圧調節器５５は、基準電位Ｖ２（０Ｖ）よりも低い電位Ｖ１を生成し、ターゲット物質に負の電位Ｖ１を印加し、電極６６に基準電位Ｖ２を印加してもよい。これらにより、ターゲット物質と電極６６との間に所定の直流電圧（Ｖ１−Ｖ２）が印加され得る。或いは、ノズル部６２が金属製である場合には、ＤＣ電圧調節器５５は、ノズル部６２と電極６６との間に所定の直流電圧（Ｖ１−Ｖ２）を印加してもよい。
【００４９】
圧力調節器５３は、不活性ガスボンベ５４から供給される不活性ガスの圧力を調整するよう構成されてもよい。これにより、リザーバ６１に貯蔵されているターゲット物質には不活性ガスによる圧力が印加されてもよい。ターゲット物質に不活性ガスによる圧力が印加されると、ノズル部６２のオリフィスを介して、ターゲットが出力され得る。
【００５０】
不活性ガスボンベ５４から供給される不活性ガスの圧力によってターゲット物質がノズル部６２のオリフィスから突出した状態となってもよい。次に、ターゲット物質と電極６６との間に直流電圧が印加されると、ターゲット物質に静電気力が作用して、突出した状態のターゲット物質がターゲットに分離され得る。これにより、ターゲット物質がドロップレット形状の帯電ターゲットとして出力されてもよい。
【００５１】
この際、ターゲットの大きさは、ターゲット物質と電極６６との間に作用する静電気力によって決定され得る。静電気力が大きい場合、ターゲット物質が突出するとすぐにターゲットに分離され得るので、ターゲットは小さくなり得る。一方、静電気力が小さい場合、ターゲット物質の突出した部分が比較的大きくなってからターゲットに分離され得るので、ターゲットは大きくなり得る。
【００５２】
ターゲット物質と電極６６との間に作用する静電気力は、ターゲット物質と電極６６との間に印加される直流電圧（Ｖ１−Ｖ２）によって決定され得る。一方、ターゲットの生成周波数は、リザーバ６１内のターゲット物質に印加される圧力によって決定され得る。従って、直流電圧（Ｖ１−Ｖ２）を調節することによってターゲットの大きさを制御し、ターゲット物質に印加される圧力を調節することによってターゲットの生成周波数を制御することが可能なように構成されてもよい。
【００５３】
６．ＥＵＶ光生成装置の具体的な動作例
ＥＵＶ光生成装置の具体的な動作例について、図４〜図６Ｂを参照しながら説明する。図４は、図２に示すＥＵＶ光生成装置における具体的な動作の一例を示すフローチャートである。
【００５４】
図４を参照に、ステップＳ１において、ターゲット制御装置５２は、ＥＵＶ光生成制御装置５１からターゲット出力信号を受信したか否かを判定してもよい。露光装置等からＥＵＶ光生成信号を受信した場合、ＥＵＶ光生成制御装置５１は、ターゲット出力信号をターゲット制御装置５２に出力してもよい。ターゲット制御装置５２がターゲット出力信号を受信しない場合（ステップＳ１；ＮＯ）、ステップＳ１が繰り返されてもよい。一方、ターゲット制御装置５２がターゲット出力信号を受信した場合（ステップＳ１；ＹＥＳ）、処理がステップＳ２に移行してもよい。
【００５５】
ステップＳ２において、ターゲット制御装置５２は、ＤＣ電圧調節器５５を制御することにより、ターゲット供給装置２６におけるターゲット物質と電極６６との間に所定の電位差を与えてもよい。次に、ステップＳ３において、ターゲット制御装置５２は、圧力調節器５３を制御することにより、ターゲット供給装置２６のリザーバ６１内に所定の圧力を加えてもよい。
【００５６】
ステップＳ４において、ターゲット制御装置５２は、ターゲットのカウント数Ｎをゼロに設定してもよい。ステップＳ５において、ターゲット制御装置５２は、ターゲット検出サブルーチンを実行することにより、ターゲットの生成周波数、径等を検出してもよい。
【００５７】
ステップＳ６において、ターゲット制御装置５２は、ターゲットのカウント数Ｎに１を加算してもよい。ステップＳ７において、ターゲット制御装置５２は、Ｎが所定の値Ｋを超えたか否かを判定してもよい。所定の値Ｋは、ターゲットの予定出力回数であり、必要に応じた値でよい。所定の値Ｋは、前もってターゲット制御装置５２入力されていてもよいし、ＥＵＶ光生成制御装置５１に入力された値をターゲット制御装置５２が参照するように構成されてもよい。Ｎが所定の値Ｋ以下である場合、処理がステップＳ５に戻ってもよい。一方、Ｎが所定の値Ｋを超えた場合、処理がステップＳ８に移行してもよい。
【００５８】
ステップＳ８において、ターゲット制御装置５２は、ターゲット制御サブルーチンを実行することにより、ターゲットの生成周波数、径等を制御してもよい。
【００５９】
ＥＵＶ光生成制御装置５１は、露光装置等からＥＵＶ光生成停止信号を受信すると、ターゲット出力停止信号をターゲット制御装置５２に出力してもよい。そこで、ステップＳ９において、ターゲット制御装置５２は、ＥＵＶ光生成制御装置５１からターゲット出力停止信号を受信したか否かを判定してもよい。ターゲット制御装置５２がターゲット出力停止信号を受信しない場合、処理がステップＳ４に戻ってもよい。一方、ターゲット制御装置５２がターゲット出力停止信号を受信した場合、処理がステップＳ１０に移行してもよい。
【００６０】
ステップＳ１０において、ターゲット制御装置５２は、圧力調節器５３を制御することにより、ターゲット供給装置２６のリザーバ６１内の圧力を所定の値に下げてもよい。次に、ステップＳ１１において、ターゲット制御装置５２は、ＤＣ電圧調節器５５を制御することにより、ターゲット供給装置２６におけるターゲット物質と電極６６との間の電位差をゼロに降下させてよい。その後、処理がステップＳ１に戻ってもよい。
【００６１】
図５Ａは、ターゲットの生成周波数を制御する場合のターゲット検出サブルーチンを示すフローチャートである。ステップＳ５１において、ターゲット制御装置５２は、ターゲット検出信号をターゲット検出器４６から受信した時点で、タイマー５７の計時値Ｔを読み込んでもよい。
【００６２】
ステップＳ５２において、ターゲット制御装置５２は、ターゲットのカウント数Ｎが１以上であるか否かを判定してもよい。Ｎが０であれば、処理がステップＳ５４に移行してもよい。一方、Ｎが１以上であれば、処理がステップＳ５３に移行してもよい。
【００６３】
ステップＳ５３において、ターゲット制御装置５２は、タイマー５７の計時値Ｔに基づいて、ターゲットの生成周波数ＨＮ＝１／Ｔを算出してもよい。その後、ステップＳ５４において、ターゲット制御装置５２は、タイマー５７の計時値Ｔをゼロにリセットして、処理がメインルーチンに戻ってもよい。このようにして、ターゲットの生成周波数の計測がＫ回行われて、Ｋ個の計測値が得られてもよい。
【００６４】
図５Ｂは、ターゲットの生成周波数を制御する場合のターゲット制御サブルーチンを示すフローチャートである。ステップＳ８１において、ターゲット制御装置５２は、Ｋ個の計測値を積算して、積算値をＫで除算することにより、ターゲットの生成周波数の平均値（平均周波数）ＨＡＶを算出してもよい。
【００６５】
ステップＳ８２において、ターゲット制御装置５２は、平均周波数ＨＡＶが所定の下限値ＨＬ以上かつ所定の上限値ＨＨ以下であるか否かを判定してもよい。平均周波数ＨＡＶが所定の下限値ＨＬ以上かつ所定の上限値ＨＨ以下である場合、処理がメインルーチンに戻ってもよい。
【００６６】
平均周波数ＨＡＶが所定の下限値ＨＬよりも小さい場合、処理がステップＳ８３に移行してもよい。ステップＳ８３において、ターゲット制御装置５２は、圧力調節器５３の設定圧力Ｐを所定の値ΔＰだけ増加させてもよい。これにより、ターゲット供給装置２６におけるターゲットの生成周波数を増加させてもよい。その後、処理がメインルーチンに戻ってもよい。所定の値ΔＰは実験により決定され、前もってターゲット制御装置５２に入力されていてもよい。
【００６７】
一方、平均周波数ＨＡＶが所定の上限値ＨＨよりも大きい場合、処理がステップＳ８４に移行してもよい。ステップＳ８４において、ターゲット制御装置５２は、圧力調節器５３の設定圧力Ｐを所定の値ΔＰだけ減少させてもよい。これにより、ターゲット供給装置２６におけるターゲットの生成周波数を減少させてもよい。その後、処理がメインルーチンに戻ってもよい。
【００６８】
図６Ａは、ターゲットの径を制御する場合のターゲット検出サブルーチンを示すフローチャートである。ステップＳ５５において、ターゲット制御装置５２は、ターゲット検出器４６から受信したターゲット検出信号に基づいてターゲットの径Ｄを計測してもよい。
【００６９】
ステップＳ５６において、ターゲット制御装置５２は、ターゲットのカウント数Ｎが１以上であるか否かを判定してもよい。Ｎが０であれば、処理がメインルーチンに戻ってもよい。
【００７０】
一方、Ｎが１以上であれば、処理がステップＳ５７に移行してもよい。ステップＳ５７において、ターゲット制御装置５２は、ステップＳ５５において計測されたターゲットの径Ｄを、Ｎ回目の計測におけるターゲットの径ＤＮに代入してもよい。その後、処理がメインルーチンに戻ってもよい。このようにして、ターゲットの径の計測がＫ回行われて、Ｋ個の計測値Ｄ１〜ＤＫが得られるように構成されてもよい。
【００７１】
図６Ｂは、ターゲットの径を制御する場合のターゲット制御サブルーチンを示すフローチャートである。ステップＳ８５において、ターゲット制御装置５２は、Ｋ個の計測値を積算して、積算値をＫで除算することにより、ターゲットの径の平均値（平均径）ＤＡＶを算出してもよい。
【００７２】
ステップＳ８６において、ターゲット制御装置５２は、平均径ＤＡＶが所定の下限値ＤＬ以上かつ所定の上限値ＤＨ以下であるか否かを判定してもよい。平均径ＤＡＶが所定の下限値ＤＬ以上かつ所定の上限値ＤＨ以下である場合、処理がメインルーチンに戻ってもよい。
【００７３】
平均径ＤＡＶが所定の下限値ＤＬよりも小さい場合、処理がステップＳ８７に移行してもよい。ステップＳ８７において、ターゲット制御装置５２は、ＤＣ電圧調節器５５の設定電圧Ｖを所定の値ΔＶだけ減少させてもよい。これにより、ターゲット供給装置２６によって生成されるターゲットの径を増大させてもよい。その後、処理がメインルーチンに戻ってもよい。所定の値ΔＶは実験により決定され、前もってターゲット制御装置５２に入力されていてもよい。
【００７４】
一方、平均径ＤＡＶが所定の上限値ＤＨよりも大きい場合、処理がステップＳ８８に移行してもよい。ステップＳ８８において、ターゲット制御装置５２は、ＤＣ電圧調節器５５の設定電圧Ｖを所定の値ΔＶだけ増加させてもよい。これにより、ターゲット供給装置２６によって生成されるターゲットの径を減少させてもよい。その後、処理がメインルーチンに戻ってもよい。
【００７５】
７．ターゲット検出器のバリエーション
７．１ 光学式（１）
図７Ａは、光学式のターゲット検出器が用いられる第１の例におけるＥＵＶ光生成装置の一部断面図である。図７Ｂは、図７Ａに示すＥＵＶ光生成装置のＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ面における断面図である。図７Ｂに示すように、チャンバ２には、光を透過させるウインドウ２ａ及び２ｂが設けられてもよい。第１の例において、光学式のターゲット検出器は、ターゲット検出用光源７１と、第１の光学系７２と、第２の光学系７３と、光検出器７４とを含んでもよい。
【００７６】
ターゲット検出用光源７１は、半導体レーザ等のレーザ装置であってもよいし、ランプ光源であってもよい。ターゲット検出用光源７１から出力される光はシートビームでもよい。第１の光学系７２は、少なくとも１つのレンズ又はミラーを含み、ターゲット検出用光源７１から出力される光を集光してもよい。集光された光は、ウインドウ２ａを介してチャンバ２内に入射してもよい。チャンバ２内に入射した光の進行方向に直交する方向に、ターゲットが通過してもよい。ターゲットに照射されていない部分の光は、ウインドウ２ｂを介して第２の光学系７３に入射してもよい。
【００７７】
第２の光学系７３は、少なくとも１つのレンズ又はミラーを含み、入射光を光検出器７４に集光してもよい。光検出器７４は、入射光の光強度を検出するためのフォトダイオード等の光検出素子であってもよいし、ターゲットの影を含む画像を検出するためのＣＣＤ等の撮像素子であってもよい。
【００７８】
７．２ 光学式（２）
図７Ｃは、光学式のターゲット検出器が用いられる第２の例におけるＥＵＶ光生成装置の一部断面図である。図７Ｄは、図７Ｃに示すＥＵＶ光生成装置のＶＩＩＤ−ＶＩＩＤ面における断面図である。図７Ｄに示すように、チャンバ２には、光を透過させるウインドウ２ａが設けられてもよい。第２の例において、光学式のターゲット検出器は、ターゲット検出用光源７１と、光検出器７４と、ビームスプリッタ７５と、光学系７６及び７７とを含んでもよい。
【００７９】
ビームスプリッタ７５は、ターゲット検出用光源７１から出力される光の一部を透過させてもよい。ターゲット検出用光源７１から出力される光は、シートビームでもよい。光学系７６は、少なくとも１つのレンズ又はミラーを含み、ビームスプリッタ７５を透過した光を集光してもよい。集光された光は、ウインドウ２ａを介してチャンバ２内に入射してもよい。チャンバ２内でターゲットによって反射された光は、ウインドウ２ａを介して光学系７６に再度入射してもよい。光学系７６は、入射光をビームスプリッタ７５に向けて出力してもよい。ビームスプリッタ７５は、光学系７６から入射する光の一部を反射してもよい。ビームスプリッタ７５で反射された光は光学系７７に入射し、光学系７７よって光検出器７４に集光されてもよい。
【００８０】
図７Ｂにおいて、光検出器７４は、光強度がしきい値よりも低下した場合に、ターゲット検出信号を出力してもよい。ターゲット検出信号は、ある時間幅を持つパルス状の波形の信号でもよい。ターゲット制御装置５２（図２参照）は、ターゲット検出信号が出力されるタイミングに基づいてターゲットの通過タイミング及びターゲットの生成周波数を計測してもよい。また、図７Ｄにおいては、光検出器７４は、光強度がしきい値よりも上昇した場合に、ターゲット検出信号を出力してもよい。
【００８１】
光検出器７４が撮像素子である場合には、ターゲット制御装置５２は、光検出器７４から出力される画像情報を処理してターゲットの径を計測するよう構成されてもよい。また、ターゲット制御装置５２は、光検出器７４から出力される画像情報を処理してターゲットの間隔Ｌを計測し、次式に基づいてターゲットの生成周波数Ｈを算出するよう構成されてもよい。
Ｈ＝Ｖ／Ｌ
ここで、Ｖはターゲットの速度を表す。
【００８２】
７．３ 磁気回路式
図８は、磁気回路式のターゲット検出器が用いられるＥＵＶ光生成装置の一部を示す図である。図８に示すように、電極６６のターゲット進行方向下流側に磁気回路式のターゲットセンサ４７が配置されてもよい。
【００８３】
図８に示すターゲット供給装置２６の主要な構成要素は、遮蔽カバー８１と、遮蔽カバー８１に取り付けられた蓋８２とによって構成される遮蔽容器に封入されてもよい。遮蔽カバー８１には、ターゲット２７を通過させるための貫通孔が形成されてもよい。遮蔽カバー８１は、プラズマ生成領域において生成されるプラズマから放出される荷電粒子から電気絶縁部材６５等の電気的な絶縁物を遮蔽してもよい。
【００８４】
遮蔽カバー８１は、電気伝導性を有する材料（例えば、金属材料）を含んでもよく、電気伝導性を有してもよい。遮蔽カバー８１は、直接的に、又は、ワイヤ等の導電性接続部材を介して、チャンバ２の導電性部材（例えば、外壁）に電気的に接続されてもよい。チャンバ２の導電性部材は、ＤＣ電圧調節器５５の基準電位（０Ｖ）に電気的に接続されてもよく、接地されてもよい。
【００８５】
蓋８２の材料としては、例えば、ムライト等の電気絶縁材料が用いられてもよい。また、ターゲット供給装置２６は、リザーバ６１の温度を検出するための温度センサ６７、ヒータ６４を加熱するための電流を供給するヒータ電源５８、及び、温度センサ６７によって検出された温度に基づいてヒータ電源５８を制御する温度制御器５９をさらに備えてもよい。
【００８６】
ターゲットセンサ４７は、遮蔽容器の内部に配置されてもよい。ターゲットセンサ４７に接続されたターゲット検出回路４８は、遮蔽容器の外部に設けられてもよい。
【００８７】
ターゲットセンサ４７は、磁気コアと、磁気コアの周囲に巻回されたコイルとを含んでもよい。磁気コアには、ターゲット２７を通過させるための貫通孔が形成されてもよい。磁気コアには、貫通孔周囲に閉ループの磁気回路が形成されてもよい。貫通孔を帯電したターゲット２７が通過することにより磁気回路に発生する磁束が、コイルに誘導起電力を生じさせてもよい。
【００８８】
ターゲット検出回路４８は、この誘導起電力を検出して、ターゲット検出信号として出力するよう構成されてもよい。ターゲット検出信号は、ある時間幅を持つパルス状の波形の信号でもよい。ノズル部６２から出力されて電極６６の貫通孔を通過したターゲット２７がターゲットセンサ４７の貫通孔を通過する際に、ターゲット検出回路４８は、ターゲット検出信号を出力してもよい。
【００８９】
電極６６に接続された配線及びターゲットセンサ４７に接続された配線は、蓋８２に設けられた気密端子８３を介して、ＤＣ電圧調節器５５及びターゲット検出回路４８にそれぞれ接続されてもよい。ターゲット物質に電位を印加するための電極６３に接続された配線は、蓋８２に設けられた気密端子８４を介して、ＤＣ電圧調節器５５に接続されてもよい。加熱用のヒータ６４に接続された配線及び温度センサ６７に接続された配線は、蓋８２に設けられた気密端子８５を介して、ヒータ電源５８及び温度制御器５９にそれぞれ接続されてもよい。
【００９０】
ターゲット制御装置５２は、ターゲット検出信号の出力タイミングに基づいて、ターゲットの通過タイミング及びターゲットの生成周波数を計測してもよい。また、ターゲット制御装置５２は、ターゲット検出信号の時間幅等に基づいてターゲットの径を算出してもよい。なお、ターゲットセンサ４７の配置は図８に示す配置に限定されず、ノズル部６２からプラズマ生成領域までの間におけるターゲットの移動経路上に配置されてもよい。
【００９１】
８．ターゲット供給装置の変形例
８．１ 構成
図９Ａは、図３Ａに示すターゲット供給装置の変形例及びその周辺部を示す一部断面図である。図９Ｂは、図９Ａに示すターゲット供給装置の一部を拡大して示す拡大断面図である。ターゲット供給装置２６ａにおいては、図３Ａに示すターゲット供給装置２６におけるノズル部６２に圧電素子６８が取り付けられてもよい。また、圧電素子６８に印加されるパルス電圧を生成するためのパルス電圧生成回路５７が追加されてもよい。ターゲット制御装置５２は、パルス電圧生成回路５７を制御するよう構成されてもよい。その他の点に関しては、図３Ａに示すターゲット供給装置と同様でよい。
【００９２】
圧電素子６８は、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）等の圧電体と、圧電体の２つの面にそれぞれ形成された少なくとも１対の電極とを含んでもよい。あるいは、ノズル部６２の外周面が電気伝導性を有する場合には、ノズル部６２の外周面が一方の電極として用いられてもよい。パルス電圧生成回路５７は、圧電素子６８の２つの電極間に電圧を印加してもよい。印加される電圧による圧電効果に応じて圧電体が伸縮し得る。これにより、圧電素子６８は、ノズル部６２に機械的な変形又は振動を生じさせてもよい。
【００９３】
８．２ 動作
ターゲット制御装置５２は、ＥＵＶ光生成制御装置５１（図２参照）からターゲット出力信号を受信すると、ターゲット物質と電極６６との間の電位差が所定の電位差となるように、ＤＣ電圧調節器５５に制御信号を出力するよう構成されてもよい。次に、ターゲット制御装置５２は、リザーバ６１内のターゲット物質に印加される圧力が所定の圧力となるように、圧力調節器５３に制御信号を出力するよう構成されてもよい。
【００９４】
さらに、ターゲット制御装置５２は、所定の周波数、所定のパルス幅、及び、所定のピーク電圧を有するパルス信号を所定のタイミングで生成するために、パルス電圧生成回路５７に制御信号を出力してもよい。パルス電圧生成回路５７は、圧電素子６８の２つの電極間にパルス電圧を印加することにより、圧電素子６８を伸縮させてもよい。
【００９５】
パルス電圧生成回路５７によって所定の電圧が圧電素子６８に印加されると、圧電素子６８が伸縮して、ノズル部６２が圧電素子６８の伸縮によって押されて変形し、ノズル部６２のオリフィスからターゲット物質が突出し得る。それによって、ターゲット物質と電極６６との間に電界集中が起こり、静電気力が増加し得る。静電気力が突出したターゲット物質の表面張力よりも大きくなると、ターゲット物質が分離されて、ドロップレット形状のターゲットとして出力され得る。
【００９６】
ターゲット検出器４６は、ターゲットが所定の領域を通過した際にターゲット検出信号を出力するよう構成されてもよい。ターゲット制御装置５２は、ターゲット検出器４６から入力されるターゲット検出信号に基づいて、ターゲットが所定の領域を通過するタイミングを計測し、ターゲットが所定のタイミングで所定の領域を通過するように、パルス電圧生成回路５７におけるパルス電圧の周波数、パルス幅、ピーク電圧、生成タイミング等を制御するよう構成されてもよい。
【００９７】
ここで、パルス電圧生成回路５７は、パルス電圧に直流バイアス電圧が重畳した電圧を生成するよう構成されてもよい。この場合、定常状態においてノズル部６２をある程度収縮させておき、必要に応じてノズル部６２をさらに収縮させたり、逆に伸張させたりすることが可能となる。これにより、ノズル部６２からターゲット物質を突出させることも、一端突出したターゲット物質をノズル部６２内に収容することも可能なように構成されてもよい。
【００９８】
ターゲット制御装置５２は、パルス電圧生成回路５７の制御と並行して、又は、前後して、ターゲット検出器４６から出力されるターゲット検出信号に基づいてターゲットの大きさを計測し、ターゲットが所定の大きさで生成されるようにＤＣ電圧調節器５５を制御するよう構成されてもよい。また、ターゲット制御装置５２は、ターゲット検出器４６から入力されるターゲット検出信号に基づいてターゲットの生成周波数を計測し、ターゲットが所定の生成周波数で生成されるように圧力調節器５３を制御するよう構成されてもよい。
【００９９】
ターゲット制御装置５２は、ターゲットの大きさ、生成周波数、所定の領域におけるターゲットの通過タイミング等が所定の範囲内にあることを監視してもよい。所定時間、ターゲットの大きさ、生成周波数、所定の領域におけるターゲットの通過タイミング等が所定の範囲内であることが検出された場合、ターゲット制御装置５２は、ターゲット生成準備完了信号をＥＵＶ光生成制御装置５１（図２参照）に出力するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御装置５１は、ターゲット生成準備完了信号を受信した場合、所定の遅延時間を設定するための信号をトリガ信号生成回路５６に出力するよう構成されてもよい。この遅延時間は、ターゲットが所定の領域を通過したことが検出されてから、ターゲットがプラズマ生成領域に到達してレーザ光が照射されるまでの時間となるよう設定されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御装置５１は、ゲート開信号をトリガ信号生成回路５６に出力するよう構成されてもよい。ゲート開信号により、トリガ信号生成回路５６は、レーザ装置３にトリガ信号を出力するよう構成されてもよい。
【０１００】
８．３ 作用
ターゲット供給装置２６ａは、ターゲット検出器４６の検出結果に基づいてＤＣ電圧調節器５５と圧力調節器５３とパルス電圧生成回路５７との内の少なくとも１つが制御されることによって、ターゲットの大きさ、生成周波数、所定の領域におけるターゲットの通過タイミングの安定性を向上させることが可能なように構成されてもよい。特に、圧電素子６８に印加されるパルス電圧の周波数、パルス幅、ピーク電圧、生成タイミング等が制御されることにより、オンデマンドでターゲットを生成することが可能なように構成されてもよい。
【０１０１】
また、ＥＵＶ光生成システムは、トリガ信号生成回路５６が、ターゲット検出器４６の検出結果に基づいてレーザ装置にトリガ信号を出力することによって、ターゲットがプラズマ生成領域に到達した時点で、ターゲットがレーザ光に高精度に照射されるように構成されてもよい。
【０１０２】
９．補足説明
９．１ 磁気回路による帯電ターゲットの検出
図１０は、帯電ターゲットの検出に用いられるターゲットセンサの構成の一例を示す。図１０に示すように、磁気コア１０１の形状によって閉ループが形成された磁気回路にコイル１０２が巻き付けられ、コイル１０２の両端が電流計１０３に接続されてもよい。電流計１０３は、２つの入力端子間に接続された抵抗１０４と、抵抗１０４の両端の電圧を計測するための電圧計１０５とを含んでもよい。ここで、帯電したターゲット２７が移動すると、アンペールの右ねじの法則に従って、ターゲット２７の周囲に磁場が発生し得る。ターゲット２７が磁気回路の閉ループを通過することにより、この磁場による磁力線が磁気回路内部を通過し得る。このとき、コイル１０２の両端には磁気回路内の磁力線がもたらす電磁誘導による誘導起電力が発生し得る。結果として、コイル１０２に電流が流れ得る。この電流は、電流計１０３によって計測され、電流の流れるタイミングが検出されてもよい。
【０１０３】
磁気コア１０１の材料は、強磁性体でよい。磁気コア１０１の材料としては、例えば、フェライト磁石、ネオジューム磁石、サマリュームコバルト磁石、軟鉄等が用いられてもよい。ここで、磁気回路が小さくなるほど、コイル１０２に流れる電流が大きくなり得る。また、ターゲット２７の帯電量が大きくなるほど、コイル１０２に流れる電流が大きくなり得る。
【０１０４】
一例として、ターゲット２７の径が数十μｍ、帯電量が数ｐＣの場合、磁気コア１０１の大きさは、幅Ｗが０．６ｍｍ程度で、長さＬが０．８５ｍｍ程度であるのが好ましい。また、ターゲットの帯電量を大きくするために、静電引出型のターゲット供給装置が用いられてもよい。
【０１０５】
図１０に示す例においては、磁気コア１０１が長方形の形状を有しているが、この例に限定されることなく、磁気コア１０１は、円形、多角形、楕円形等の形状を有してもよい。即ち、磁気回路が閉ループを有するように磁気コア１０１が構成されていればよい。そして、ターゲットが磁気回路の閉ループ内を通過するように、磁気コア１０１が配置されるのが好ましい。このとき、磁気回路の閉ループに沿う面とターゲットの移動経路とが成す角度を９０度以外の角度とする場合、ターゲット２７の通過タイミングは、閉ループに沿う面に対するターゲット２７の通過位置に相関し得る。即ち、ターゲット通過信号のタイミングに基づいてターゲット２７の通過位置が算出されてもよい。ターゲット２７の通過位置は、ターゲット２７の出力時刻と、ターゲット２７の速度と、図８に示すノズル部６２からターゲットセンサ４７までの距離と、ターゲットセンサ４７のターゲットの移動経路に対する傾斜角度とを予め計測しておくことにより、簡単な計算から求められ得る。
【０１０６】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【０１０７】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【０１０８】
１…ＥＵＶ光生成装置、１１…ＥＵＶ光生成システム、２…チャンバ、２１…ウインドウ、２２…レーザ光集光ミラー、２２１…軸外放物面ミラー、２２２…平面ミラー、２２ａ…レーザ光集光光学系、２３…ＥＵＶ集光ミラー、２４…貫通孔、２５…プラズマ生成領域、２５１、２５２…ＥＵＶ光、２６、２６ａ…ターゲット供給装置、２７…ターゲット、２８…ターゲット回収部、２９…接続部、２９１…壁、２９２…中間集光点、２ａ、２ｂ…ウインドウ、３…レーザ装置、３１〜３３…パルスレーザ光、３４…レーザ光進行方向制御部、３４ａ…ビームデリバリーシステム、３４１、３４２…高反射ミラー、４…ターゲットセンサ、４１…ＥＵＶ集光ミラーホルダ、４２、４３…プレート、４４…ビームダンプ、４５…ビームダンプ支持部材、４６…ターゲット検出器、４７…ターゲットセンサ、４８…ターゲット検出回路、５…ＥＵＶ光生成制御部、５１…ＥＵＶ光生成制御装置、５２…ターゲット制御装置、５３…圧力調節器、５４…不活性ガスボンベ、５５…ＤＣ電圧調節器、５６…トリガ信号生成回路、５７…タイマー、５７…パルス電圧生成回路、５８…ヒータ電源、５９…温度制御器、６…露光装置、６１…リザーバ、６２…ノズル部、６３…電極、６４…ヒータ、６５…電気絶縁部材、６６…電極、６７…温度センサ、６８…圧電素子、７１…ターゲット検出用光源、７２、７３、７６、７７…光学系、７４…光検出器、７５…ビームスプリッタ、８１…遮蔽カバー、８２…蓋、８３〜８５…気密端子、１０１…磁気コア、１０２…コイル、１０３…電流計、１０４…抵抗、１０５…電圧計
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ装置から出力されるレーザ光をターゲット物質に照射してターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置であって、
ターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部と、
前記ターゲット貯蔵部の内部と連通する貫通孔が形成され、ターゲット物質からなるターゲットを出力するノズル部と、
前記ノズル部に対向して配置され、ターゲットが通過する貫通孔が形成された電極と、
ターゲットを検出して検出信号を出力するターゲット検出器と、
内部で極端紫外光が生成されるチャンバと、
前記ターゲット物質と前記電極との間に調整可能に直流電圧を印加する直流電圧調節器と、
前記ターゲット物質に気体を介して調整可能に圧力印加する圧力調節器と、
前記ターゲット検出器から出力される検出信号に基づいて、前記直流電圧調節器と前記圧力調節器との内の少なくとも１つを制御する制御装置と、
を備える極端紫外光生成装置。
【請求項２】
前記ターゲット検出器から出力される検出信号を遅延し、遅延された検出信号に基づいて、前記レーザ装置がレーザ光を出力するタイミングを規定するトリガ信号を生成するトリガ信号生成回路をさらに備える、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項３】
前記制御装置が、前記ターゲット検出器から出力される検出信号に基づいてターゲットの大きさを計測し、ターゲットが所定の大きさで生成されるように前記直流電圧調節器を制御する、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項４】
前記制御装置が、前記ターゲット検出器から出力される検出信号に基づいてターゲットの生成周波数を計測し、ターゲットが所定の生成周波数で生成されるように前記圧力調節器を制御する、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項５】
レーザ装置から出力されるレーザ光をターゲット物質に照射してターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置であって、
ターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部と、
前記ターゲット貯蔵部の内部と連通する貫通孔が形成され、前記ターゲット貯蔵部に貯蔵されているターゲット物質を出力するノズル部と、
前記ノズル部に取り付けられ、電圧が印加されたときに前記ノズル部に機械的な変形を生じさせる圧電素子と、
前記ノズル部に対向して配置され、ターゲット物質との間に直流電圧が印加されたときに、前記ノズル部から出力されるターゲット物質をターゲットに分離することによってターゲットを生成する電極と、
前記電極によって生成されたターゲットを検出して検出信号を出力するターゲット検出器と、
前記レーザ装置から導入されるレーザ光がターゲットに照射されて、内部で極端紫外光が生成されるチャンバと、
ターゲット物質と前記電極との間に印加される直流電圧を調節する直流電圧調節器と、
前記ターゲット貯蔵部に貯蔵されているターゲット物質に気体を介して印加される圧力を調節する圧力調節器と、
前記圧電素子に印加されるパルス電圧を生成するパルス電圧生成回路と、
を備える極端紫外光生成装置。
【請求項６】
前記ターゲット検出器から出力される検出信号を遅延し、遅延された検出信号に基づいて、前記レーザ装置がレーザ光を出力するタイミングを規定するトリガ信号を生成するトリガ信号生成回路をさらに備える、請求項５記載の極端紫外光生成装置。
【請求項７】
前記ターゲット検出器から出力される検出信号に基づいて、前記直流電圧調節器と前記圧力調節器と前記パルス電圧生成回路との内の少なくとも１つを制御する制御装置をさらに備える、請求項５記載の極端紫外光生成装置。
【請求項８】
前記制御装置が、前記ターゲット検出器から出力される検出信号に基づいて、ターゲットが所定の領域を通過するタイミングを計測し、ターゲットが所定のタイミングで前記所定の領域を通過するように前記パルス電圧生成回路を制御する、請求項７記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１】
レーザ装置から出力されるレーザ光をターゲット物質に照射してターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置であって、
ターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部と、
前記ターゲット貯蔵部の内部と連通する貫通孔が形成され、ターゲット物質からなるターゲットを出力するノズル部と、
前記ノズル部に対向して配置され、ターゲットが通過する貫通孔が形成された電極と、
ターゲットを検出して検出信号を出力するターゲット検出器と、
内部で極端紫外光が生成されるチャンバと、
前記ターゲット物質と前記電極との間に調整可能に直流電圧を印加する直流電圧調節器と、
前記ターゲット物質に気体を介して調整可能に圧力印加する圧力調節器と、
前記ターゲット検出器から出力される検出信号に基づいて、前記直流電圧調節器と前記圧力調節器との内の少なくとも１つを制御する制御装置と、
を備える極端紫外光生成装置。
【請求項２】
前記ターゲット検出器から出力される検出信号を遅延し、遅延された検出信号に基づいて、前記レーザ装置がレーザ光を出力するタイミングを規定するトリガ信号を生成するトリガ信号生成回路をさらに備える、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項３】
前記制御装置が、前記ターゲット検出器から出力される検出信号に基づいてターゲットの大きさを計測し、ターゲットが所定の大きさで生成されるように前記直流電圧調節器を制御する、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項４】
前記制御装置が、前記ターゲット検出器から出力される検出信号に基づいてターゲットの生成周波数を計測し、ターゲットが所定の生成周波数で生成されるように前記圧力調節器を制御する、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項５】
レーザ装置から出力されるレーザ光をターゲット物質に照射してターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置であって、
ターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部と、
前記ターゲット貯蔵部の内部と連通する貫通孔が形成され、前記ターゲット貯蔵部に貯蔵されているターゲット物質を出力するノズル部と、
前記ノズル部に取り付けられ、電圧が印加されたときに前記ノズル部に機械的な変形を生じさせる圧電素子と、
前記ノズル部に対向して配置され、ターゲット物質との間に直流電圧が印加されたときに、前記ノズル部から出力されるターゲット物質をターゲットに分離することによってターゲットを生成する電極と、
前記電極によって生成されたターゲットを検出して検出信号を出力するターゲット検出器と、
前記レーザ装置から導入されるレーザ光がターゲットに照射されて、内部で極端紫外光が生成されるチャンバと、
ターゲット物質と前記電極との間に印加される直流電圧を調節する直流電圧調節器と、
前記ターゲット貯蔵部に貯蔵されているターゲット物質に気体を介して印加される圧力を調節する圧力調節器と、
前記圧電素子に印加されるパルス電圧を生成するパルス電圧生成回路と、
を備える極端紫外光生成装置。
【請求項６】
前記ターゲット検出器から出力される検出信号を遅延し、遅延された検出信号に基づいて、前記レーザ装置がレーザ光を出力するタイミングを規定するトリガ信号を生成するトリガ信号生成回路をさらに備える、請求項５記載の極端紫外光生成装置。
【請求項７】
前記ターゲット検出器から出力される検出信号に基づいて、前記直流電圧調節器と前記圧力調節器と前記パルス電圧生成回路との内の少なくとも１つを制御する制御装置をさらに備える、請求項５記載の極端紫外光生成装置。
【請求項８】
前記制御装置が、前記ターゲット検出器から出力される検出信号に基づいて、ターゲットが所定の領域を通過するタイミングを計測し、ターゲットが所定のタイミングで前記所定の領域を通過するように前記パルス電圧生成回路を制御する、請求項７記載の極端紫外光生成装置。
【図１】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図７Ｄ】
【図８】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図１０】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図７Ｄ】
【図８】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図１０】
【公開番号】特開２０１３−６２１４６（Ｐ２０１３−６２１４６Ａ）
【公開日】平成２５年４月４日（２０１３．４．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１９９８２８（Ｐ２０１１−１９９８２８）
【出願日】平成２３年９月１３日（２０１１．９．１３）
【出願人】（３０００７３９１９）ギガフォトン株式会社 (227)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年４月４日（２０１３．４．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月１３日（２０１１．９．１３）
【出願人】（３０００７３９１９）ギガフォトン株式会社 (227)
【Ｆターム（参考）】
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