液晶表示装置
【課題】画素電極の面積が異なる色のサブピクセルが存在する液晶表示装置において、全てのサブピクセルの画素容量が等しくなるようにしてフリッカや焼き付きの発生の問題を減少させ、しかも高純度の白色表示を可能とした液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、複数色ＲＧＢＣのサブピクセルからなる画素を複数有し、他の色（例えばＲ及びＧ）のサブピクセルの画素電極とは面積が異なる少なくとも１色のサブピクセル（例えばＣ及びＧ）を有する液晶表示装置１０Ａにおいて、前記少なくとも１色のサブピクセルの補助容量を他の色のサブピクセルの補助容量とは異ならせることにより、全ての色のサブピクセルにおける液晶容量と補助容量との和が実質的に同一となるようにしたことを特徴とする。
【解決手段】本発明は、複数色ＲＧＢＣのサブピクセルからなる画素を複数有し、他の色（例えばＲ及びＧ）のサブピクセルの画素電極とは面積が異なる少なくとも１色のサブピクセル（例えばＣ及びＧ）を有する液晶表示装置１０Ａにおいて、前記少なくとも１色のサブピクセルの補助容量を他の色のサブピクセルの補助容量とは異ならせることにより、全ての色のサブピクセルにおける液晶容量と補助容量との和が実質的に同一となるようにしたことを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関し、特に画素電極の面積が異なる色のサブピクセルが存在する液晶表示装置において、全てのサブピクセルの画素容量が等しくなるようにしてフリッカや焼き付きの発生の問題を減少させ、しかも高純度の白色表示を可能とした液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
まず、表示装置として従来のアクティブマトリクス型の液晶表示装置を例にとり、その数画素部分のカラーフィルタを透視して表した平面図である図４及び図４のＶ−Ｖ断面図である図５を参照してその構成を簡単に説明する。液晶表示装置１０はアレイ基板ＡＲとカラーフィルタ基板ＣＦとを備えている。このうちアレイ基板ＡＲは、ガラス基板等からなる第１の透光性基板１１上にマトリクス状に設けられた走査線１２と信号線１３で囲まれた領域毎に画素電極１４が設けられている。この画素電極１４の下部にはゲート絶縁膜１５を介して補助容量電極１６が形成されている。なお、少なくとも画素電極１４の表面には図示しない配向膜が形成されている。
【０００３】
そして、ＴＦＴのソース電極Ｓは信号線１３に接続され、また、ドレイン電極Ｄはコンタクトホール１７を経て画素電極１４に接続されている。更に、ＴＦＴのゲート電極Ｇは走査線１２に接続されて所定の電圧を有するゲートパルスが印加されるようになされている。また、カラーフィルタ基板ＣＦは、第２の透光性基板１８の表面にカラーフィルタ１９を介して共通電極２０及び配向膜（図示せず）が設けられている。
【０００４】
なお、ここに示した液晶表示装置１０においては、各ＴＦＴ、走査線１２及び信号線１３を覆うように、第１の透光性基板１１の表示領域全体にパッシベーション膜２１を介して層間膜２２が平坦に所定高さとなるように設けられており、画素電極１４はこの層間膜２２の表面に設けられ、セルギャップ、すなわち画素電極１４と共通電極２０との間の距離が一定となるようになされている。この画素電極１４及び共通電極２０は、通常は透明なＩＴＯ（Indium Tin Oxide）ないしＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）から形成されている。そして、アレイ基板ＡＲとカラーフィルタ基板ＣＦの間には液晶２３が封入されている。
【０００５】
ところで、カラー液晶表示装置においては、一般的に赤Ｒ、緑Ｇ、青Ｂの３原色のカラーフィルタが多く使用されているが、バックライト光源の色毎の輝度の相違、色毎のカラーフィルタの光透過率の相違や色の濃さの相違等により、全ての色のカラーフィルタを透過した光を合成して得られる白色光に着色が生じる。このような現象は、ＲＧＢの３原色のカラーフィルタを使用した場合だけでなく、特に演色性を高めるために採用されているシアンＣのフィルタを付加した４色のカラーフィルタを使用した場合や、さらにはマゼンタＭ及び黄色Ｙのフィルタを付加して５色ないしは６色のフィルタを用いた場合も同様である。
【０００６】
このような従来技術の問題点を解決するために、下記特許文献１には、ＲＧＢの３原色のカラーフィルタを使用した液晶表示装置において、それぞれの色のサブピクセル毎にカラーフィルタの面積を変えた発明、より具体的には、バックライト光源として冷陰極線管を使用し、顔料分散法によって得た厚さ２μｍのカラーフィルタにおいて、各色が同一比で認識できるようにするために、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色のカラーフィルタの面積比を３．４：２．１：４．５となるようにした液晶表示装置の発明が開示されている。
【特許文献１】特開平 ６− ５１３０１号公報（特許請求の範囲、段落［０００９］〜［００１２］、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
一方、液晶表示装置の１サブピクセル分の等価回路は、図６に示すとおりとなり、画素電極１４はこの等価回路においては等価的に液晶容量ＣＬＣで表わされる。そして、通常、液晶容量ＣＬＣには補助容量電極１６により形成された補助容量ＣＳが並列に接続され、液晶容量ＣＬＣの一端はＴＦＴのドレイン電極Ｄに接続されているとともに、他端は共通電極２０に接続されて所定のコモン電位ＶＣＯＭが印加される。更に、ＴＦＴのゲート電極Ｇは走査線１２に接続されて所定の電圧を有するゲートパルスＶgが印加される。なお、液晶容量ＣＬＣとゲート電極Ｇとの間には結合容量ＣＧＤが形成される。この結合容量ＣＧＤは画素電極１４と走査線１２との間の浮遊容量成分とＴＦＴ内部のドレイン領域Ｄとゲート領域Ｇとの間の寄生容量成分が合わさったものであり、後者の寄生容量成分が支配的である。
【０００８】
ところで、上記特許文献１に開示された発明のように、液晶表示装置のそれぞれの色のサブピクセル毎にカラーフィルタの面積を変える場合、それぞれのサブピクセルの面積、すなわち画素電極の面積も変える必要がある。そうすると、図６に示した等価回路からも明らかなように、サブピクセル毎に下記式（１）で表される画素容量Ｃも変わってくる。
Ｃ＝ＣＬＣ＋ＣＳ＋ＣＧＤ （１）
【０００９】
従って、液晶表示装置に少なくとも画素電極の面積が他の色のものとは異なる色のサブピクセルが存在すると、画素容量Ｃが他のものとは異なる色のサブピクセルが存在することとなる。このような場合に全てのサブピクセルに共通のゲートパルスＶg及びコモン電位ＶＣＯＭで駆動すると、画素容量の差異に基づくフリッカが生じて表示画質の低下が見られるとともに、表示領域に焼き付きが生じるという問題点が生じる。
【００１０】
この場合、それぞれの色のサブピクセル毎に画素電極の面積の相違に基づいた異なる駆動信号により駆動することができれば、理論上、上述のようなフリッカないしは焼き付きの問題点を一応解決して純粋な白色表示が可能となるが、このような従来から使用されている駆動信号とは異なる特殊な駆動信号の生成が容易ではなく、直ちには採用し難い。
【００１１】
本願の発明者等は上述のような液晶表示装置に少なくとも面積が異なる色のサブピクセルが存在することに起因する問題点を解決すべく種々検討を重ねた結果、結合容量ＣＧＤはサブピクセル毎に実質的に一定と見なせるから、面積が異なる色のサブピクセルの液晶容量ＣＬＣの変化を補助容量ＣＳにより補償すれば、実質的に上記（１）式で表される液晶容量Ｃを一定にすることができ、フリッカの発生が少なく表示画質が良好で、焼き付きが少なく、しかも高純度の白色表示が可能な液晶表示装置を得ることができることを見出し、本発明を完成するに至ったのである。
【００１２】
すなわち、本発明は、画素電極の面積ないしカラーフィルタの面積が異なる色のサブピクセルが存在する液晶表示装置において、全てのサブピクセルの画素容量Ｃが等しくなるようにしてフリッカや焼き付きの問題の問題を減少させ、しかも高純度の白色表示が可能な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するため、本発明の液晶表示装置は、複数色のサブピクセルからなる画素を複数有し、他の色のサブピクセルの画素電極とは面積が異なる少なくとも１色のサブピクセルを有する液晶表示装置において、前記少なくとも１色のサブピクセルの補助容量を他の色のサブピクセルの補助容量とは異ならせることにより、全ての色のサブピクセルにおける液晶容量と補助容量との和が実質的に同一となるようにしたことを特徴とする。
【００１４】
また、本発明は、上記液晶表示装置において、前記他の色のサブピクセルの画素電極とは面積が異なる少なくとも１色のサブピクセルの補助容量電極の面積を他の色のサブピクセルの補助容量電極の面積とは異ならせ、前記少なくとも１色のサブピクセルの補助容量を他の色のサブピクセルの補助容量とは異ならせたことを特徴とする。
【００１５】
また、本発明は、上記液晶表示装置において、前記他の色のサブピクセルの画素電極とは面積が異なる少なくとも１色のサブピクセルの補助容量を形成する絶縁膜の厚さを他の色のサブピクセルの補助容量を形成する絶縁膜の厚さとは異ならせることにより、前記少なくとも１色のサブピクセルの補助容量を他の色のサブピクセルの補助容量とは異ならせたことを特徴とする。
【００１６】
また、本発明は、上記液晶表示装置において、前記複数色のサブピクセルは全ての色毎に画素電極の面積が相違していることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明は、上記液晶表示装置において、前記全ての色のサブピクセルの画素電極は部分的又は全面に反射部材を備えていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明は上記の構成を備えることにより、以下に述べるような優れた効果を奏する。すなわち、本発明によれば、全ての色のサブピクセルにおける液晶容量と補助容量との和が実質的に同一となるようになされているため、全てのサブピクセルを従来から採用されている駆動信号と同じ信号で制御しても、フリッカ及び焼き付きも少なく、しかも高純度の白色表示が可能な液晶表示装置が得られる。なお、本発明においては、複数色として、ＲＧＢの３原色のフィルタを用いた場合だけでなく、Ｃのフィルタを付加して４色のカラーフィルタを用いた場合や、さらにはＭ及びＹのフィルタを付加して５色ないしは６色のカラーフィルタを用いた場合等にも適用可能である。
【００１９】
また、本発明によれば、補助容量電極の面積が大きければ補助容量は大きくなり、補助容量電極の面積が小さければ補助容量は小さくなるので、他の色のサブピクセルの画素電極とは面積が異なる少なくとも１色のサブピクセルにおける画素電極の面積に応じて補助容量電極の面積を変えることにより、容易に全ての色のサブピクセルにおける液晶容量と補助容量との和が実質的に同一となるようにすることができる。この場合、画素電極の面積が他の色のサブピクセルの画素電極の面積よりも小さい場合は補助容量電極の面積を大きくし、画素電極の面積が他の色のサブピクセルの画素電極の面積よりも大きい場合は補助容量電極の面積を小さくすればよい。
【００２０】
また、本発明によれば、補助容量を形成する絶縁膜の厚さが薄ければ補助容量は大きくなり、補助容量を形成する絶縁膜の厚さが厚ければ補助容量は小さくなるので、他の色のサブピクセルの画素電極とは面積が異なる少なくとも１色のサブピクセルにおける画素電極の面積に応じて補助容量を形成する絶縁膜の厚さを変えることにより、容易に全ての色のサブピクセルにおける液晶容量と補助容量との和が実質的に同一となるようにすることができる。この場合、画素電極の面積が他の色のサブピクセルの画素電極の面積よりも小さい場合は補助容量を形成する絶縁膜の厚さを小さくし、画素電極の面積が他の色のサブピクセルの画素電極の面積よりも大きい場合は補助容量を形成する絶縁膜の厚さを厚くすればよい。なお、本発明によれば、補助容量電極の面積を変えること及び補助容量を形成する絶縁膜の厚さを変えることの両者を併用して全ての色のサブピクセルにおける液晶容量と補助容量との和が実質的に同一となるようにしてもよい。
【００２１】
また、本発明によれば、全ての色のサブピクセルについて画素電極の面積を変えた場合には、より正確に純粋な白色が得られるように調整できるので、表示画質が非常に良好な液晶表示装置が得られる。
【００２２】
また、本発明によれば、上述のような効果を奏することができる半透過型又は反射型液晶表示装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明に係る液晶表示装置の具体例を図１〜図４を参照して詳細に説明する。ただし、以下に示す実施例は、本発明の技術思想を具体化するための透過型液晶表示装置を例にとり説明するものであって、本発明をこれに特定することを意図するものではなく、本発明は前記全ての色のサブピクセルの画素電極は部分的又は全面に反射部材が設けられた半透過型液晶表示装置ないし反射型液晶表示装置に対しても均しく適用し得るものである。
【００２４】
なお、図１は実施例１の液晶表示装置におけるカラーフィルタを透視して表した平面図である。また、図２は実施例２の液晶示装置におけるカラーフィルタを透視して表した平面図であり、図３は図２のII−II線拡大断面図である。また、実施例１及び実施例２の液晶表示装置においては、図４〜図５に示した従来例の液晶表示装置と同一の構成部分には同一の参照符号を付与して説明する。更に、実施例１の液晶表示装置においては、図４のＶ−Ｖ線に対応する部分の断面図は、図５に示したものと実質的に同様になるので、必要に応じて図５を参照して説明することとする。
【実施例１】
【００２５】
実施例１の液晶表示装置を図１及び図５を用いて説明する。この液晶表示装置１０Ａは、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｃの４色のカラーフィルタを使用したものであり、図１に示したように、各色のサブピクセルの画素電極の面積の関係は、色名で表現すると
Ｒ＝Ｂ>Ｇ>Ｃ （２）
の関係となっている。なお、図１においてはそれぞれの画素電極に対応する部分のハッチングは、見難くなるため、省略してある。
【００２６】
この実施例１の液晶表示装置１０Ａのアレイ基板ＡＲは以下のようにして製造される。まず、図５に示すように、第１の透光性基板１１としてのガラス基板を洗浄して表面を清浄化する。次に、スパッタリング法などの方法でガラス基板上に全面に例えばアルミニウム及びモリブデンの２層膜からなる第１の金属層を形成する。このうちアルミニウムは低抵抗配線として用いられ、モリブデンは半導体層や透明導電性電極等との間のオーミックコンタクト確保のため及びアルミニウムに対する耐酸化性付与のために用いられる。
【００２７】
次に、基板を洗浄後、フォトレジストを塗布して乾燥し、所定のパターンが形成されたマスクパターンを通して露光し、現像することによって基板上にマスクパターンを転写したフォトレジストを形成し、フォトレジストを加熱により硬化させた後に第１の金属層を湿式エッチングし、ＴＦＴのゲート電極Ｇ、走査線１２、補助容量電極１６を所定のパターンにそれぞれ形成する。その際、図１に示したように、各色のサブピクセルの補助容量電極１６Ｒ、１６Ｇ、１６Ｂ、１６Ｃの面積は、設けるべきそれぞれの色のサブピクセルの画素電極１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂ、１４Ｃの面積に対応して、上記（２）式の関係を満たすようにする。この場合、それぞれのサブピクセルの画素電極１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂ、１４Ｃの面積と補助容量電極１６Ｒ、１６Ｇ、１６Ｂ、１６Ｃの面積との関係は、予め実験的に定めておく。その後に、フォトレジストを剥離液を用いて剥離する。
【００２８】
次に、プラズマＣＶＤ法により酸化硅素又は窒化硅素からなるゲート絶縁膜１５、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）又はポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）からなる半導体層２４及びオーミックコンタクト層（図示せず）を連続して基板上に成膜する。このうち、オーミックコンタクト層はａ−Ｓｉ又はｐ−Ｓｉにリンを微量にドーピングしたｎ+ａ−Ｓｉ層ないしｎ+ｐ−Ｓｉ層が用いられる。
次に、フォトレジストを塗布して乾燥し、所定のパターンが形成されたマスクパターンを通して露光し、現像することによって基板上にマスクパターンを転写したフォトレジストを形成し、フォトレジストを加熱により硬化させた後に半導体層及びオーミックコンタクト層を例えばＳＦ6とＯ2との混合ガス又はＣＦ4とＯ2との混合ガスを用いてドライエッチングして所定のパターンに形成する。その後に、フォトレジストを剥離液を用いて剥離する。
【００２９】
次に、基板を洗浄した後、スパッタリング法などの方法で例えばモリブデン／アルミニウム／モリブデンの３層膜からなる第２の金属層をガラス基板の全面にわたって成膜する。次いで、フォトレジストを塗布して乾燥し、所定のパターンが形成されたマスクパターンを通して露光し、現像することによって基板上にマスクパターンを転写したフォトレジストを形成し、フォトレジストを加熱により硬化させた後に第２の金属層を湿式エッチングし、ＴＦＴのソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、信号線１３を所定の形状にパターニングし、フォトレジストを剥離液を用いて剥離する。
【００３０】
次に、例えばＳＦ6とＯ2との混合ガスまたはＣＦ4とＯ2との混合ガスを用いてドライエッチングによりチャネル部２５に露出しているオーミックコンタクト層の一部をエッチングする。
【００３１】
次に、基板を洗浄し、プラズマＣＶＤ法などにより、基板全体に窒化硅素ないしは酸化硅素からなるパッシベーション膜２１を製膜し、更にこのパッシベーション膜２１の表面に表示領域全体にわたりフォトレジスト等からなる層間膜２２を形成する。次いで、これらの表面全体にフォトレジストを塗布した後、コンタクトホール部分のパッシベーション膜に開口ができるように設計したフォトマスクパターンを用い、露光及び現像後にエッチングすることにより層間膜２２及びパッシベーション膜２１に所定のパターンにコンタクトホール１７を形成し、その後にＩＴＯやＩＺＯ等の透明導電性材料を用いてそれぞれの色のサブピクセルの画素電極１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂ、１４Ｃの面積の関係が上記式（２）の関係を満たすように所定のパターンに形成し、コンタクトホール１７において画素電極１４とＴＦＴのドレイン電極Ｄとの電気的導通を取る。さらに、画素電極１４等の表面には配向膜が形成されるが、その詳細については省略する。
【００３２】
このようにして製造されたアレイ基板ＡＲは、カラーフィルタ基板ＣＦと対向配置され、両基板間に液晶２３が注入されて実施例１の液晶表示装置１０Ａが完成される。
【００３３】
このようにして作製された実施例１の液晶表示装置１０Ａは、全ての色のサブピクセルにおける液晶容量ＣＬＣと補助容量ＣＳとの和が実質的に同一となるようになされているため、上記（１）式に従う画素容量Ｃを全てのサブピクセルについて実質的に同一にできるため、従来から採用されている駆動信号と同じ信号で制御しても、フリッカ及び焼き付きも少なく、しかも高純度の白色表示が可能な液晶表示装置が得られる。
【実施例２】
【００３４】
次に、実施例２の液晶表示装置１０Ｂを図２及び図３を用いて説明する。実施例２の液晶表示装置１０Ｂは、図２に示すように、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｃの４色のカラーフィルタを使用したものであり、図１に示したように、各色のサブピクセルの画素電極の面積の関係は、色名で表現すると、実施例１の場合と同様に
Ｒ＝Ｂ>Ｇ>Ｃ （２）
の関係となっている。
【００３５】
更に、この実施例２の液晶表示装置１０Ｂは、それぞれの色のサブピクセルにおける補助容量電極１６Ｒ、１６Ｇ、１６Ｂ、１６Ｃは、それぞれのサブピクセル毎に信号線１３に沿った方向の幅は同一であるが走査線１２に沿った方向の幅は異なるように設けられているが、ＴＦＴのドレイン電極Ｄのパターンが全て同一とされており、それぞれのドレイン電極Ｄと補助容量電極１６Ｒ、１６Ｇ、１６Ｂ、１６Ｃとの間の平面視で重なっている部分の面積は全てのサブ画素で実質的に同一となっている。なお、図２においてはそれぞれの画素電極１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂ、１４Ｃに対応する部分のハッチングは、見難くなるため、省略してある。
【００３６】
この実施例２の液晶表示装置１０Ｂのアレイ基板ＡＲの製造工程は、ＴＦＴのゲート電極Ｇ、走査線１２、補助容量電極１６を所定のパターンにそれぞれ形成した後にアレイ基板の表面全体にわたりゲート絶縁膜１５を形成するまでの工程は実施例１の場合と同じであるが、それぞれの色毎の補助容量電極１６Ｒ、１６Ｇ、１６Ｂ、１６Ｃ上のゲート絶縁膜１５の厚さが所定の厚さとなるようにエッチングして薄くする工程を含む点が相違している。
【００３７】
すなわち、コンデンサの容量は導電体に挟まれた絶縁体の厚さに反比例するから、画素電極の面積に対応して最も補助容量を大きくしなければならない色のサブ画素（例えばＣのサブ画素）の補助容量電極１６Ｃとドレイン電極Ｄとの間のゲート絶縁膜１５の厚さを最も薄くし、最も補助容量を小さくしなければならない色のサブ画素（例えばＲ及びＢのサブ画素）の補助容量電極１６Ｒ及び１６Ｂとドレイン電極Ｄとの間のゲート絶縁膜１５の厚さを最も厚くすればよい。この場合、ゲート絶縁膜１５を所定の厚さに設けた際にＲ及びＢのサブ画素の補助容量電極１６Ｒ及び１６Ｂとドレイン電極Ｄとの間の補助容量が予め定めた所定容量となるように、ドレイン電極Ｄのパターンを設計しておけば、Ｒ及びＢのサブ画素の補助容量電極１６Ｒ及び１６Ｂ上に配置されているゲート絶縁膜１５をエッチングする必要はなくなり、Ｃ及びＧのサブ画素の補助容量電極１６Ｃ及び１６Ｇ上に配置されているゲート絶縁膜１５のみをエッチングすればよくなる。
【００３８】
その後の半導体層２４の形成工程、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、信号線１３の形成工程、パッシベーション膜２１の形成工程、コンタクトホール１７の形成工程、画素電極１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂ、１４Ｃ工程等は、実施例１の液晶表示装置１０Ａの製造工程と実質的に同一であるので、その詳細な説明は省略する。
【００３９】
なお、実施例２においては、各サブ画素のドレイン電極Ｄのパターンを全て同一としてドレイン電極Ｄと補助容量電極１６Ｒ、１６Ｇ、１６Ｂ、１６Ｃとの間の平面視で重なっている部分の面積は全てのサブ画素で実質的に同一となるようにした例を示したが、これに限らず、実施例１の場合と同様に、ドレイン電極Ｄと補助容量電極１６Ｒ、１６Ｇ、１６Ｂ、１６Ｃとの間の平面視で重なっている部分の面積は全てのサブ画素で異なるようにしてもよい。この場合、補正に必要な補助容量はそれぞれのサブ画素毎に異なることとなるが、その容量に応じて補助容量電極上のゲート絶縁膜１５のエッチング量を適宜定めればよい。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】実施例１の液晶表示装置におけるカラーフィルタを透視して表した平面図である。
【図２】図２は実施例２の液晶示装置におけるカラーフィルタを透視して表した平面図である。
【図３】図３は図２のII−II線拡大断面図である。
【図４】アクティブマトリクス型液晶表示装置の数画素部分のカラーフィルタを透視して表した平面図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ断面図である。
【図６】液晶表示装置の１サブピクセル分の等価回路である。
【符号の説明】
【００４１】
１０、１０Ａ、１０Ｂ 液晶表示装置
１１ 第１の透光性基板
１２ 走査線
１３ 信号線
１４ 画素電極
１５ ゲート絶縁膜
１６ 補助容量電極
１７ コンタクトホール
１８ 第２の透光性基板
１９ カラーフィルタ
２０ 共通電極
２１ パッシベーション膜
２２ 層間膜
２３ 液晶
２４ 半導体層
２５ チャネル部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関し、特に画素電極の面積が異なる色のサブピクセルが存在する液晶表示装置において、全てのサブピクセルの画素容量が等しくなるようにしてフリッカや焼き付きの発生の問題を減少させ、しかも高純度の白色表示を可能とした液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
まず、表示装置として従来のアクティブマトリクス型の液晶表示装置を例にとり、その数画素部分のカラーフィルタを透視して表した平面図である図４及び図４のＶ−Ｖ断面図である図５を参照してその構成を簡単に説明する。液晶表示装置１０はアレイ基板ＡＲとカラーフィルタ基板ＣＦとを備えている。このうちアレイ基板ＡＲは、ガラス基板等からなる第１の透光性基板１１上にマトリクス状に設けられた走査線１２と信号線１３で囲まれた領域毎に画素電極１４が設けられている。この画素電極１４の下部にはゲート絶縁膜１５を介して補助容量電極１６が形成されている。なお、少なくとも画素電極１４の表面には図示しない配向膜が形成されている。
【０００３】
そして、ＴＦＴのソース電極Ｓは信号線１３に接続され、また、ドレイン電極Ｄはコンタクトホール１７を経て画素電極１４に接続されている。更に、ＴＦＴのゲート電極Ｇは走査線１２に接続されて所定の電圧を有するゲートパルスが印加されるようになされている。また、カラーフィルタ基板ＣＦは、第２の透光性基板１８の表面にカラーフィルタ１９を介して共通電極２０及び配向膜（図示せず）が設けられている。
【０００４】
なお、ここに示した液晶表示装置１０においては、各ＴＦＴ、走査線１２及び信号線１３を覆うように、第１の透光性基板１１の表示領域全体にパッシベーション膜２１を介して層間膜２２が平坦に所定高さとなるように設けられており、画素電極１４はこの層間膜２２の表面に設けられ、セルギャップ、すなわち画素電極１４と共通電極２０との間の距離が一定となるようになされている。この画素電極１４及び共通電極２０は、通常は透明なＩＴＯ（Indium Tin Oxide）ないしＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）から形成されている。そして、アレイ基板ＡＲとカラーフィルタ基板ＣＦの間には液晶２３が封入されている。
【０００５】
ところで、カラー液晶表示装置においては、一般的に赤Ｒ、緑Ｇ、青Ｂの３原色のカラーフィルタが多く使用されているが、バックライト光源の色毎の輝度の相違、色毎のカラーフィルタの光透過率の相違や色の濃さの相違等により、全ての色のカラーフィルタを透過した光を合成して得られる白色光に着色が生じる。このような現象は、ＲＧＢの３原色のカラーフィルタを使用した場合だけでなく、特に演色性を高めるために採用されているシアンＣのフィルタを付加した４色のカラーフィルタを使用した場合や、さらにはマゼンタＭ及び黄色Ｙのフィルタを付加して５色ないしは６色のフィルタを用いた場合も同様である。
【０００６】
このような従来技術の問題点を解決するために、下記特許文献１には、ＲＧＢの３原色のカラーフィルタを使用した液晶表示装置において、それぞれの色のサブピクセル毎にカラーフィルタの面積を変えた発明、より具体的には、バックライト光源として冷陰極線管を使用し、顔料分散法によって得た厚さ２μｍのカラーフィルタにおいて、各色が同一比で認識できるようにするために、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色のカラーフィルタの面積比を３．４：２．１：４．５となるようにした液晶表示装置の発明が開示されている。
【特許文献１】特開平 ６− ５１３０１号公報（特許請求の範囲、段落［０００９］〜［００１２］、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
一方、液晶表示装置の１サブピクセル分の等価回路は、図６に示すとおりとなり、画素電極１４はこの等価回路においては等価的に液晶容量ＣＬＣで表わされる。そして、通常、液晶容量ＣＬＣには補助容量電極１６により形成された補助容量ＣＳが並列に接続され、液晶容量ＣＬＣの一端はＴＦＴのドレイン電極Ｄに接続されているとともに、他端は共通電極２０に接続されて所定のコモン電位ＶＣＯＭが印加される。更に、ＴＦＴのゲート電極Ｇは走査線１２に接続されて所定の電圧を有するゲートパルスＶgが印加される。なお、液晶容量ＣＬＣとゲート電極Ｇとの間には結合容量ＣＧＤが形成される。この結合容量ＣＧＤは画素電極１４と走査線１２との間の浮遊容量成分とＴＦＴ内部のドレイン領域Ｄとゲート領域Ｇとの間の寄生容量成分が合わさったものであり、後者の寄生容量成分が支配的である。
【０００８】
ところで、上記特許文献１に開示された発明のように、液晶表示装置のそれぞれの色のサブピクセル毎にカラーフィルタの面積を変える場合、それぞれのサブピクセルの面積、すなわち画素電極の面積も変える必要がある。そうすると、図６に示した等価回路からも明らかなように、サブピクセル毎に下記式（１）で表される画素容量Ｃも変わってくる。
Ｃ＝ＣＬＣ＋ＣＳ＋ＣＧＤ （１）
【０００９】
従って、液晶表示装置に少なくとも画素電極の面積が他の色のものとは異なる色のサブピクセルが存在すると、画素容量Ｃが他のものとは異なる色のサブピクセルが存在することとなる。このような場合に全てのサブピクセルに共通のゲートパルスＶg及びコモン電位ＶＣＯＭで駆動すると、画素容量の差異に基づくフリッカが生じて表示画質の低下が見られるとともに、表示領域に焼き付きが生じるという問題点が生じる。
【００１０】
この場合、それぞれの色のサブピクセル毎に画素電極の面積の相違に基づいた異なる駆動信号により駆動することができれば、理論上、上述のようなフリッカないしは焼き付きの問題点を一応解決して純粋な白色表示が可能となるが、このような従来から使用されている駆動信号とは異なる特殊な駆動信号の生成が容易ではなく、直ちには採用し難い。
【００１１】
本願の発明者等は上述のような液晶表示装置に少なくとも面積が異なる色のサブピクセルが存在することに起因する問題点を解決すべく種々検討を重ねた結果、結合容量ＣＧＤはサブピクセル毎に実質的に一定と見なせるから、面積が異なる色のサブピクセルの液晶容量ＣＬＣの変化を補助容量ＣＳにより補償すれば、実質的に上記（１）式で表される液晶容量Ｃを一定にすることができ、フリッカの発生が少なく表示画質が良好で、焼き付きが少なく、しかも高純度の白色表示が可能な液晶表示装置を得ることができることを見出し、本発明を完成するに至ったのである。
【００１２】
すなわち、本発明は、画素電極の面積ないしカラーフィルタの面積が異なる色のサブピクセルが存在する液晶表示装置において、全てのサブピクセルの画素容量Ｃが等しくなるようにしてフリッカや焼き付きの問題の問題を減少させ、しかも高純度の白色表示が可能な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するため、本発明の液晶表示装置は、複数色のサブピクセルからなる画素を複数有し、他の色のサブピクセルの画素電極とは面積が異なる少なくとも１色のサブピクセルを有する液晶表示装置において、前記少なくとも１色のサブピクセルの補助容量を他の色のサブピクセルの補助容量とは異ならせることにより、全ての色のサブピクセルにおける液晶容量と補助容量との和が実質的に同一となるようにしたことを特徴とする。
【００１４】
また、本発明は、上記液晶表示装置において、前記他の色のサブピクセルの画素電極とは面積が異なる少なくとも１色のサブピクセルの補助容量電極の面積を他の色のサブピクセルの補助容量電極の面積とは異ならせ、前記少なくとも１色のサブピクセルの補助容量を他の色のサブピクセルの補助容量とは異ならせたことを特徴とする。
【００１５】
また、本発明は、上記液晶表示装置において、前記他の色のサブピクセルの画素電極とは面積が異なる少なくとも１色のサブピクセルの補助容量を形成する絶縁膜の厚さを他の色のサブピクセルの補助容量を形成する絶縁膜の厚さとは異ならせることにより、前記少なくとも１色のサブピクセルの補助容量を他の色のサブピクセルの補助容量とは異ならせたことを特徴とする。
【００１６】
また、本発明は、上記液晶表示装置において、前記複数色のサブピクセルは全ての色毎に画素電極の面積が相違していることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明は、上記液晶表示装置において、前記全ての色のサブピクセルの画素電極は部分的又は全面に反射部材を備えていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明は上記の構成を備えることにより、以下に述べるような優れた効果を奏する。すなわち、本発明によれば、全ての色のサブピクセルにおける液晶容量と補助容量との和が実質的に同一となるようになされているため、全てのサブピクセルを従来から採用されている駆動信号と同じ信号で制御しても、フリッカ及び焼き付きも少なく、しかも高純度の白色表示が可能な液晶表示装置が得られる。なお、本発明においては、複数色として、ＲＧＢの３原色のフィルタを用いた場合だけでなく、Ｃのフィルタを付加して４色のカラーフィルタを用いた場合や、さらにはＭ及びＹのフィルタを付加して５色ないしは６色のカラーフィルタを用いた場合等にも適用可能である。
【００１９】
また、本発明によれば、補助容量電極の面積が大きければ補助容量は大きくなり、補助容量電極の面積が小さければ補助容量は小さくなるので、他の色のサブピクセルの画素電極とは面積が異なる少なくとも１色のサブピクセルにおける画素電極の面積に応じて補助容量電極の面積を変えることにより、容易に全ての色のサブピクセルにおける液晶容量と補助容量との和が実質的に同一となるようにすることができる。この場合、画素電極の面積が他の色のサブピクセルの画素電極の面積よりも小さい場合は補助容量電極の面積を大きくし、画素電極の面積が他の色のサブピクセルの画素電極の面積よりも大きい場合は補助容量電極の面積を小さくすればよい。
【００２０】
また、本発明によれば、補助容量を形成する絶縁膜の厚さが薄ければ補助容量は大きくなり、補助容量を形成する絶縁膜の厚さが厚ければ補助容量は小さくなるので、他の色のサブピクセルの画素電極とは面積が異なる少なくとも１色のサブピクセルにおける画素電極の面積に応じて補助容量を形成する絶縁膜の厚さを変えることにより、容易に全ての色のサブピクセルにおける液晶容量と補助容量との和が実質的に同一となるようにすることができる。この場合、画素電極の面積が他の色のサブピクセルの画素電極の面積よりも小さい場合は補助容量を形成する絶縁膜の厚さを小さくし、画素電極の面積が他の色のサブピクセルの画素電極の面積よりも大きい場合は補助容量を形成する絶縁膜の厚さを厚くすればよい。なお、本発明によれば、補助容量電極の面積を変えること及び補助容量を形成する絶縁膜の厚さを変えることの両者を併用して全ての色のサブピクセルにおける液晶容量と補助容量との和が実質的に同一となるようにしてもよい。
【００２１】
また、本発明によれば、全ての色のサブピクセルについて画素電極の面積を変えた場合には、より正確に純粋な白色が得られるように調整できるので、表示画質が非常に良好な液晶表示装置が得られる。
【００２２】
また、本発明によれば、上述のような効果を奏することができる半透過型又は反射型液晶表示装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明に係る液晶表示装置の具体例を図１〜図４を参照して詳細に説明する。ただし、以下に示す実施例は、本発明の技術思想を具体化するための透過型液晶表示装置を例にとり説明するものであって、本発明をこれに特定することを意図するものではなく、本発明は前記全ての色のサブピクセルの画素電極は部分的又は全面に反射部材が設けられた半透過型液晶表示装置ないし反射型液晶表示装置に対しても均しく適用し得るものである。
【００２４】
なお、図１は実施例１の液晶表示装置におけるカラーフィルタを透視して表した平面図である。また、図２は実施例２の液晶示装置におけるカラーフィルタを透視して表した平面図であり、図３は図２のII−II線拡大断面図である。また、実施例１及び実施例２の液晶表示装置においては、図４〜図５に示した従来例の液晶表示装置と同一の構成部分には同一の参照符号を付与して説明する。更に、実施例１の液晶表示装置においては、図４のＶ−Ｖ線に対応する部分の断面図は、図５に示したものと実質的に同様になるので、必要に応じて図５を参照して説明することとする。
【実施例１】
【００２５】
実施例１の液晶表示装置を図１及び図５を用いて説明する。この液晶表示装置１０Ａは、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｃの４色のカラーフィルタを使用したものであり、図１に示したように、各色のサブピクセルの画素電極の面積の関係は、色名で表現すると
Ｒ＝Ｂ>Ｇ>Ｃ （２）
の関係となっている。なお、図１においてはそれぞれの画素電極に対応する部分のハッチングは、見難くなるため、省略してある。
【００２６】
この実施例１の液晶表示装置１０Ａのアレイ基板ＡＲは以下のようにして製造される。まず、図５に示すように、第１の透光性基板１１としてのガラス基板を洗浄して表面を清浄化する。次に、スパッタリング法などの方法でガラス基板上に全面に例えばアルミニウム及びモリブデンの２層膜からなる第１の金属層を形成する。このうちアルミニウムは低抵抗配線として用いられ、モリブデンは半導体層や透明導電性電極等との間のオーミックコンタクト確保のため及びアルミニウムに対する耐酸化性付与のために用いられる。
【００２７】
次に、基板を洗浄後、フォトレジストを塗布して乾燥し、所定のパターンが形成されたマスクパターンを通して露光し、現像することによって基板上にマスクパターンを転写したフォトレジストを形成し、フォトレジストを加熱により硬化させた後に第１の金属層を湿式エッチングし、ＴＦＴのゲート電極Ｇ、走査線１２、補助容量電極１６を所定のパターンにそれぞれ形成する。その際、図１に示したように、各色のサブピクセルの補助容量電極１６Ｒ、１６Ｇ、１６Ｂ、１６Ｃの面積は、設けるべきそれぞれの色のサブピクセルの画素電極１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂ、１４Ｃの面積に対応して、上記（２）式の関係を満たすようにする。この場合、それぞれのサブピクセルの画素電極１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂ、１４Ｃの面積と補助容量電極１６Ｒ、１６Ｇ、１６Ｂ、１６Ｃの面積との関係は、予め実験的に定めておく。その後に、フォトレジストを剥離液を用いて剥離する。
【００２８】
次に、プラズマＣＶＤ法により酸化硅素又は窒化硅素からなるゲート絶縁膜１５、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）又はポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）からなる半導体層２４及びオーミックコンタクト層（図示せず）を連続して基板上に成膜する。このうち、オーミックコンタクト層はａ−Ｓｉ又はｐ−Ｓｉにリンを微量にドーピングしたｎ+ａ−Ｓｉ層ないしｎ+ｐ−Ｓｉ層が用いられる。
次に、フォトレジストを塗布して乾燥し、所定のパターンが形成されたマスクパターンを通して露光し、現像することによって基板上にマスクパターンを転写したフォトレジストを形成し、フォトレジストを加熱により硬化させた後に半導体層及びオーミックコンタクト層を例えばＳＦ6とＯ2との混合ガス又はＣＦ4とＯ2との混合ガスを用いてドライエッチングして所定のパターンに形成する。その後に、フォトレジストを剥離液を用いて剥離する。
【００２９】
次に、基板を洗浄した後、スパッタリング法などの方法で例えばモリブデン／アルミニウム／モリブデンの３層膜からなる第２の金属層をガラス基板の全面にわたって成膜する。次いで、フォトレジストを塗布して乾燥し、所定のパターンが形成されたマスクパターンを通して露光し、現像することによって基板上にマスクパターンを転写したフォトレジストを形成し、フォトレジストを加熱により硬化させた後に第２の金属層を湿式エッチングし、ＴＦＴのソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、信号線１３を所定の形状にパターニングし、フォトレジストを剥離液を用いて剥離する。
【００３０】
次に、例えばＳＦ6とＯ2との混合ガスまたはＣＦ4とＯ2との混合ガスを用いてドライエッチングによりチャネル部２５に露出しているオーミックコンタクト層の一部をエッチングする。
【００３１】
次に、基板を洗浄し、プラズマＣＶＤ法などにより、基板全体に窒化硅素ないしは酸化硅素からなるパッシベーション膜２１を製膜し、更にこのパッシベーション膜２１の表面に表示領域全体にわたりフォトレジスト等からなる層間膜２２を形成する。次いで、これらの表面全体にフォトレジストを塗布した後、コンタクトホール部分のパッシベーション膜に開口ができるように設計したフォトマスクパターンを用い、露光及び現像後にエッチングすることにより層間膜２２及びパッシベーション膜２１に所定のパターンにコンタクトホール１７を形成し、その後にＩＴＯやＩＺＯ等の透明導電性材料を用いてそれぞれの色のサブピクセルの画素電極１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂ、１４Ｃの面積の関係が上記式（２）の関係を満たすように所定のパターンに形成し、コンタクトホール１７において画素電極１４とＴＦＴのドレイン電極Ｄとの電気的導通を取る。さらに、画素電極１４等の表面には配向膜が形成されるが、その詳細については省略する。
【００３２】
このようにして製造されたアレイ基板ＡＲは、カラーフィルタ基板ＣＦと対向配置され、両基板間に液晶２３が注入されて実施例１の液晶表示装置１０Ａが完成される。
【００３３】
このようにして作製された実施例１の液晶表示装置１０Ａは、全ての色のサブピクセルにおける液晶容量ＣＬＣと補助容量ＣＳとの和が実質的に同一となるようになされているため、上記（１）式に従う画素容量Ｃを全てのサブピクセルについて実質的に同一にできるため、従来から採用されている駆動信号と同じ信号で制御しても、フリッカ及び焼き付きも少なく、しかも高純度の白色表示が可能な液晶表示装置が得られる。
【実施例２】
【００３４】
次に、実施例２の液晶表示装置１０Ｂを図２及び図３を用いて説明する。実施例２の液晶表示装置１０Ｂは、図２に示すように、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｃの４色のカラーフィルタを使用したものであり、図１に示したように、各色のサブピクセルの画素電極の面積の関係は、色名で表現すると、実施例１の場合と同様に
Ｒ＝Ｂ>Ｇ>Ｃ （２）
の関係となっている。
【００３５】
更に、この実施例２の液晶表示装置１０Ｂは、それぞれの色のサブピクセルにおける補助容量電極１６Ｒ、１６Ｇ、１６Ｂ、１６Ｃは、それぞれのサブピクセル毎に信号線１３に沿った方向の幅は同一であるが走査線１２に沿った方向の幅は異なるように設けられているが、ＴＦＴのドレイン電極Ｄのパターンが全て同一とされており、それぞれのドレイン電極Ｄと補助容量電極１６Ｒ、１６Ｇ、１６Ｂ、１６Ｃとの間の平面視で重なっている部分の面積は全てのサブ画素で実質的に同一となっている。なお、図２においてはそれぞれの画素電極１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂ、１４Ｃに対応する部分のハッチングは、見難くなるため、省略してある。
【００３６】
この実施例２の液晶表示装置１０Ｂのアレイ基板ＡＲの製造工程は、ＴＦＴのゲート電極Ｇ、走査線１２、補助容量電極１６を所定のパターンにそれぞれ形成した後にアレイ基板の表面全体にわたりゲート絶縁膜１５を形成するまでの工程は実施例１の場合と同じであるが、それぞれの色毎の補助容量電極１６Ｒ、１６Ｇ、１６Ｂ、１６Ｃ上のゲート絶縁膜１５の厚さが所定の厚さとなるようにエッチングして薄くする工程を含む点が相違している。
【００３７】
すなわち、コンデンサの容量は導電体に挟まれた絶縁体の厚さに反比例するから、画素電極の面積に対応して最も補助容量を大きくしなければならない色のサブ画素（例えばＣのサブ画素）の補助容量電極１６Ｃとドレイン電極Ｄとの間のゲート絶縁膜１５の厚さを最も薄くし、最も補助容量を小さくしなければならない色のサブ画素（例えばＲ及びＢのサブ画素）の補助容量電極１６Ｒ及び１６Ｂとドレイン電極Ｄとの間のゲート絶縁膜１５の厚さを最も厚くすればよい。この場合、ゲート絶縁膜１５を所定の厚さに設けた際にＲ及びＢのサブ画素の補助容量電極１６Ｒ及び１６Ｂとドレイン電極Ｄとの間の補助容量が予め定めた所定容量となるように、ドレイン電極Ｄのパターンを設計しておけば、Ｒ及びＢのサブ画素の補助容量電極１６Ｒ及び１６Ｂ上に配置されているゲート絶縁膜１５をエッチングする必要はなくなり、Ｃ及びＧのサブ画素の補助容量電極１６Ｃ及び１６Ｇ上に配置されているゲート絶縁膜１５のみをエッチングすればよくなる。
【００３８】
その後の半導体層２４の形成工程、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、信号線１３の形成工程、パッシベーション膜２１の形成工程、コンタクトホール１７の形成工程、画素電極１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂ、１４Ｃ工程等は、実施例１の液晶表示装置１０Ａの製造工程と実質的に同一であるので、その詳細な説明は省略する。
【００３９】
なお、実施例２においては、各サブ画素のドレイン電極Ｄのパターンを全て同一としてドレイン電極Ｄと補助容量電極１６Ｒ、１６Ｇ、１６Ｂ、１６Ｃとの間の平面視で重なっている部分の面積は全てのサブ画素で実質的に同一となるようにした例を示したが、これに限らず、実施例１の場合と同様に、ドレイン電極Ｄと補助容量電極１６Ｒ、１６Ｇ、１６Ｂ、１６Ｃとの間の平面視で重なっている部分の面積は全てのサブ画素で異なるようにしてもよい。この場合、補正に必要な補助容量はそれぞれのサブ画素毎に異なることとなるが、その容量に応じて補助容量電極上のゲート絶縁膜１５のエッチング量を適宜定めればよい。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】実施例１の液晶表示装置におけるカラーフィルタを透視して表した平面図である。
【図２】図２は実施例２の液晶示装置におけるカラーフィルタを透視して表した平面図である。
【図３】図３は図２のII−II線拡大断面図である。
【図４】アクティブマトリクス型液晶表示装置の数画素部分のカラーフィルタを透視して表した平面図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ断面図である。
【図６】液晶表示装置の１サブピクセル分の等価回路である。
【符号の説明】
【００４１】
１０、１０Ａ、１０Ｂ 液晶表示装置
１１ 第１の透光性基板
１２ 走査線
１３ 信号線
１４ 画素電極
１５ ゲート絶縁膜
１６ 補助容量電極
１７ コンタクトホール
１８ 第２の透光性基板
１９ カラーフィルタ
２０ 共通電極
２１ パッシベーション膜
２２ 層間膜
２３ 液晶
２４ 半導体層
２５ チャネル部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数色のサブピクセルからなる画素を複数有し、他の色のサブピクセルの画素電極とは面積が異なる少なくとも１色のサブピクセルを有する液晶表示装置において、前記少なくとも１色のサブピクセルの補助容量を他の色のサブピクセルの補助容量とは異ならせることにより、全ての色のサブピクセルにおける液晶容量と補助容量との和が実質的に同一となるようにしたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記他の色のサブピクセルの画素電極とは面積が異なる少なくとも１色のサブピクセルの補助容量電極の面積を他の色のサブピクセルの補助容量電極の面積とは異ならせ、前記少なくとも１色のサブピクセルの補助容量を他の色のサブピクセルの補助容量とは異ならせたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記他の色のサブピクセルの画素電極とは面積が異なる少なくとも１色のサブピクセルの補助容量を形成する絶縁膜の厚さを他の色のサブピクセルの補助容量を形成する絶縁膜の厚さとは異ならせ、前記少なくとも１色のサブピクセルの補助容量を他の色のサブピクセルの補助容量とは異ならせたことを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記複数色のサブピクセルは全ての色毎に画素電極の面積が相違していることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記全ての色のサブピクセルの画素電極は部分的又は全面に反射部材を備えていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１】
複数色のサブピクセルからなる画素を複数有し、他の色のサブピクセルの画素電極とは面積が異なる少なくとも１色のサブピクセルを有する液晶表示装置において、前記少なくとも１色のサブピクセルの補助容量を他の色のサブピクセルの補助容量とは異ならせることにより、全ての色のサブピクセルにおける液晶容量と補助容量との和が実質的に同一となるようにしたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記他の色のサブピクセルの画素電極とは面積が異なる少なくとも１色のサブピクセルの補助容量電極の面積を他の色のサブピクセルの補助容量電極の面積とは異ならせ、前記少なくとも１色のサブピクセルの補助容量を他の色のサブピクセルの補助容量とは異ならせたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記他の色のサブピクセルの画素電極とは面積が異なる少なくとも１色のサブピクセルの補助容量を形成する絶縁膜の厚さを他の色のサブピクセルの補助容量を形成する絶縁膜の厚さとは異ならせ、前記少なくとも１色のサブピクセルの補助容量を他の色のサブピクセルの補助容量とは異ならせたことを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記複数色のサブピクセルは全ての色毎に画素電極の面積が相違していることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記全ての色のサブピクセルの画素電極は部分的又は全面に反射部材を備えていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の液晶表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００７−２４０８０６（Ｐ２００７−２４０８０６Ａ）
【公開日】平成１９年９月２０日（２００７．９．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−６２１３８（Ｐ２００６−６２１３８）
【出願日】平成１８年３月８日（２００６．３．８）
【出願人】（３０４０５３８５４）エプソンイメージングデバイス株式会社 (2,386)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年９月２０日（２００７．９．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年３月８日（２００６．３．８）
【出願人】（３０４０５３８５４）エプソンイメージングデバイス株式会社 (2,386)
【Ｆターム（参考）】
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