液晶表示装置
【課題】スリットを形成する電極の透過率を向上させることができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】表示部2を形成する画素3を、少なくとも、液晶分子Mを挟んで対向する第1の基板12及び第2の基板29と、該第1の基板12及び第2の基板29の一方に設けられ絶縁膜23を挟んで配置された前記液晶分子を駆動する共通電極22及び画素電極24とで構成し、前記共通電極22及び前記画素電極24のうちの前記液晶分子側の電極は、ラビング方向に対して所定角度傾斜し且つ平行な複数のスリットS1,S2を有する少なくとも一対のスリット形成領域A1,A2が前記画素3の長手方向と直交する線で前記スリットS1及びS2が線対称となるように配置されると共に、各スリット形成領域A1,A2における他のスリット形成領域とは反対側の外周縁31及び32が内部に形成されたスリットS1及びS2と平行に形成されている。
【解決手段】表示部2を形成する画素3を、少なくとも、液晶分子Mを挟んで対向する第1の基板12及び第2の基板29と、該第1の基板12及び第2の基板29の一方に設けられ絶縁膜23を挟んで配置された前記液晶分子を駆動する共通電極22及び画素電極24とで構成し、前記共通電極22及び前記画素電極24のうちの前記液晶分子側の電極は、ラビング方向に対して所定角度傾斜し且つ平行な複数のスリットS1,S2を有する少なくとも一対のスリット形成領域A1,A2が前記画素3の長手方向と直交する線で前記スリットS1及びS2が線対称となるように配置されると共に、各スリット形成領域A1,A2における他のスリット形成領域とは反対側の外周縁31及び32が内部に形成されたスリットS1及びS2と平行に形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、液晶表示装置に関し、特に透過率を向上させることができる液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
高いコントラスト及び広視野角が得られる液晶表示装置として、液晶を2つの透明基板に対して略水平方向の電界を用いて液晶分子の配向を制御する液晶表示装置、即ち、FFS(Fringe-Field Switching)モードやIPS(In-Plain Switching)モード当により動作する液晶表示装置が知られている。この液晶表示装置では、一方の透明基板に、表示信号が供給される画素電極と共通電位が供給される共通電極の両者が配設される。
【0003】
この液晶表示装置がFFSモードである場合について説明すると、例えば、画素電極に複数の線状部及びスリットが交互に平行に配置され、画素電極と共通電極とは、絶縁膜を介して対向して配置される。液晶分子は、配向膜のラビング方向に応じて初期配向される。そして、画素電極に表示信号が印加されると、画素電極の線状部からスリットの下層に延在する共通電極に延びる電界、即ち透明基板に対して略水平方向の電界に応じて、液晶分子の配向方向が制御される。この液晶分子を介して光学的制御が詠行われ、白表示又は黒表示が行われる。
【0004】
ところで、この主のFFSモードの液晶表示装置として、例えば、複数個の液晶分子を含む液晶層を介して所定の距離で第1及び第2透明絶縁基板を対向配置し、第1透明基板上に複数個のゲートパスライン及びデータパスラインを形成して単位画素を限定するようにマトリクス形態で配置し、これらとの交差部に薄膜トランジスタを設け、透明導電体からなるカウンタ電極を各単位画素に配置し、カウンタ電極と一緒にフリンジフィールドを形成する複数個の上部スリット及び下部スリットを前記カウンタ電極と絶縁して各単位画素に配置し、画素の長辺を中心に対称となる所定の傾きで配列し、また、透明導電体からなる画素電極とを含む構成を有するフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
【特許文献1】特開2002−182230号公報(第1頁、図3)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、上記特許文献1に記載の従来例にあっては、ゲートパスライン及びデータパスラインで囲まれる領域に長方形状の画素電極が配設され、この画素電極にゲートパスラインと平行な短辺に対して傾斜する複数のスリットを互いに平行に形成する場合と、画素電極の長手方向の中心位置で対称関係となる傾斜角を有する上部スリット及び下部スリットを形成する場合とが開示されており、スリットによって透過率を向上させることができるものであるが、画素電極が長方形状に形成されて、これに対して短辺に対して傾斜するスリットが形成されているので、短辺側の対向外周縁側でスリットと外周縁との間に直角三角形状の電極部が残ることになり、この部分で透過率が低下するという未解決の課題がある。
【0006】
そこで、本発明は、上記従来例の未解決の課題に着目してなされたものであり、スリットを形成する電極の透過率を向上させることができる液晶表示装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記目的を達成するために、第1の形態に係る液晶表示装置は、表示部を形成する画素を、少なくとも、液晶層を挟んで対向する一対の基板と、前記一対の基板の一方の基板に設けられ絶縁膜を挟んで配置された前記液晶層の液晶分子を駆動する共通電極及び画素電極と、で構成し、前記共通電極及び前記画素電極のうちの前記液晶層側の電極は、ラビング方向に対して所定角度傾斜したスリットを有する少なくとも一対のスリット形成領域が前記画素の長手方向と前記スリットの長手方向とのなす角度が補角の関係となるように配置されると共に、前記一対のスリット形成領域の一方のスリット形成領域における他方のスリット形成領域とは反対側の外周縁が当該スリットの長手方向と略平行に形成されていることを特徴としている。
【0008】
この第1の形態では、共通電極及び前記画素電極のうちの前記液晶層側の電極は、ラビング方向に対して所定角度傾斜したスリットを有する少なくとも一対のスリット形成領域が前記画素の長手方向と前記スリットの長手方向とのなす角度が補角の関係となるように配置されると共に、前記一対のスリット形成領域の一方のスリット形成領域における他方のスリット形成領域とは反対側の外周縁が当該スリットの長手方向と略平行に形成されているので、電極の外形をマルチスリット構成の台形状に形成することができ、スリットを形成した電極のスリットと平行な対向外周縁に余分な電極部がないので、画素の透過率を向上させることができる。
また、第2の形態に係る液晶表示装置は、第1の形態において、前記一対のスリット形成領域のそれぞれにおいて、前記液晶層側の電極に形成されたスリットは互いに平行に複数形成されていることを特徴としている。
【0009】
この第2の形態では、スリット形成領域のそれぞれにおいて、液晶層側の電極に形成されたスリットが互いに平行に複数形成されているので、各スリット形成領域での透過率を向上させるができる。
さらに、第3の形態に係る液晶表示装置は、第1の形態又は第2の形態において、前記スリットは、前記液晶層側の電極の当該スリットの長手方向の対向外周縁の一方まで延長して、当該電極が櫛歯形状とされていることを特徴としている。
【0010】
この第3の形態では、電極が櫛歯形状とされているので、透過率をより向上させることができる。
さらにまた、第4の形態に係る液晶表示装置は、第1の形態乃至第3の形態のいずれか1つの形態において、前記画素内に1つの電極の前記一対のスリット形成領域が配設されていることを特徴としている。
【0011】
この第4の形態では、1つの画素に対応する電極を、一対のスリット形成領域を形成したマルチスリット構成の電極で構成するので、一対のスリット形成領域間でもそれら間の間隔を狭めて透過率を向上させることができる。
なおさらに、第5の形態に係る液晶表示装置は、上記第4の形態において、前記スリットを形成した電極の一方のスリット形成領域の外周縁部に、前記共通電極及び画素電極の一方に印加する電圧を制御する能動制御部が形成されていることを特徴としている。
【0012】
この第5の形態では、マルチスリット構成の電極の一方のスリット形成領域の外周縁に能動制御部を形成するので、この能動制御部が画素の隅部に能動制御部を配置することができ、画素全体の透過率を向上させることができる。
また、第6の形態に係る液晶表示装置は、第1の形態乃至第3の形態のいずれか1つの形態において、前記スリットの配列方向に隣接する画素のうち一方の画素の他方の画素に隣接するスリット形成領域と、他方の画素の一方の画素に隣接するスリット形成領域とが、互いのスリットが平行となるように配設されていることを特徴としている。
【0013】
この第6の形態では、隣接する画素の隣接するスリット形成領域のスリットが平行となるように配設されているので、スリット配列方向に隣接する画素間に跨がって平行なスリットを形成することができ、スリット配列方向に連続した画素を形成することができる。
さらに、第7の形態に係る液晶表示装置は、第6の形態において、前記一対のスリット形成領域の境界位置に、画素電極に印加する電圧を制御する能動制御部のゲートにゲート信号を供給するゲート線が配設されていることを特徴としている。
【0014】
この第7の形態では、画素内における一対のスリット形成領域間に能動制御部を配置するので、透過率が低下するスリット方向の切換え部を利用して能動制御部を配置することができ、マルチスリット構成の画素領域を最小に設計することができる。
さらにまた、第8の形態における液晶表示装置は、第7の形態において、前記能動制御部は屈曲して前記ゲート線と2回交差することを特徴としている。
【0015】
この第6の形態では、能動制御部が屈曲してゲート線と2回交差するので、薄膜トランジスタの形成領域の面積を小さくして表示可能領域の割合即ち開口率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0016】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図1は、本発明をノーマリーブラック型のFFSモードにより動作する液晶表示装置に適用した場合の一実施形態を示す平面図であって、図中、1は液晶表示装置であって、表示部2が複数の画素3をマトリックス状に配置されて構成されている。図1では、表示部2の一部の画素3のみを示している。
【0017】
表示部2は、図1に示すように、X方向を水平方向とし、Y方向を垂直方向とした矩形状に形成され、その水平方向に沿って、画素選択信号が供給される複数のゲート線4が所定間隔を保って配置されていると共に、垂直方向に沿って、表示信号が供給されるドレイン線5が所定間隔を保って配置されている。なお、表示部2の水平方向は、表示部1が偏光サングラスを通して視認される場合においては、その偏光サングラスの吸収軸と平行となるように設定する。
【0018】
これらゲート線4及びドレイン線5で囲まれる画素領域に画素3が配置されている。各画素3には、画素形成領域の左上角部にゲート線4をゲート電極とした薄膜トランジスタTRが配設されている。
そして、画素3は、図2の断面図に示すように、多層構造とされ、バックライト10に対向する下面に第1の偏光板11を形成したガラス等からなる第1の透明基板12を有し、この第1の透明基板12の上面にバッファ膜13が形成され、このバッファ膜13の上面に薄膜トランジスタTRを構成する図1で見てU字状のポリシリコンで形成された能動層14が配置され、この能動層14を覆うようにゲート絶縁膜15が配置されている。
【0019】
ゲート絶縁膜15の能動層14に対向する上面には能動層14を2回通るようにゲート線4が配置されてダブルゲート構造とされている。そして、ゲート絶縁膜15及びゲート線4は、層間絶縁膜16で覆われている。この層間絶縁膜16上には、コンタクトホールCH1を通じて薄膜トランジスタTRのドレイン17と接続されたドレイン線5と、コンタクトホールCH2を通じてソース18と接続されたソース電極19とが配置されている。
【0020】
これらドレイン線5及びソース電極19はパッシベーション膜20で覆われ、このパッシベーション膜20上に平坦化膜21が形成されている。なお、パッシベーション膜20は必ずしも必要ではなく、省略することもできる。
平坦化膜21上には、ソース電極19と対向する位置に開口部22aを有する共通電極22が配置されている。この共通電極22は、例えば画素3が配置されている表示有効領域ではベタ膜として形成され、画素3が配置されていない領域において、コンタクトホール(図示せず)を通じて、共通電位が供給される共通電極線(図示せず)と接続されている。また、ゲート線またはドレイン線に平行に連なった帯状に形成してもよいし、共通電極線と画素毎も接続してもよい。
【0021】
そして、共通電極22上に絶縁膜23を介して画素電極24が配置されている。この画素電極24は絶縁膜23、共通電極22の開口部22a、平坦化膜21及びパッシベーション膜20を通じて形成されたコンタクトホールCH3を介してソース電極19と接続されている。
また、画素電極24は配向膜25で覆われており、この配向膜25のラビング方向は、第1の偏光板11の透過軸と平行となるように設定されている。
【0022】
そして、配向膜25の上部に液晶分子Mを有する液晶層26を介して下面にカラーフィルタ27及び配向膜28を有する第2の透明基板29が配置されている。ここで、配向膜28のラビング方向は前述した配向膜25と同じラビング方向を有している。また、液晶層26の液晶分子Mは、配向膜25及び28のラビング方向に応じて初期配向されており、ホモジニアス配向されている。
【0023】
さらに、第2の透明基板29の上面に第1の偏光板11と直交する透過軸を有した第2の偏光板30が配置されている。
そして、配向膜25及び28のラビング方向は、図3に示すように、水平方向(X方向)と一致している。画素電極24は、図3に示すように、画素3の長手方向の中央部で上下対称のスリット形状を有する一対の第1スリット形成領域A1及び第2スリット形成領域A2を有するダブルスリット構成とされている。
【0024】
第1スリット形成領域A1は、配向膜25及び28のラビング方向に対して所定角度+θs1だけ傾斜した長方形状を有する複数のスリットS1が垂直方向に所定間隔L1を保って平行に形成されている。
また、第2スリット形成領域A2は、配向膜25及び28のラビング方向に対して所定角度−θs1だけ傾斜した長方形状を有する複数のスリットS2が垂直方向に所定間隔L1を保って平行に形成されている。
【0025】
したがって、第1スリット形成領域A1及び第2スリット形成領域A2は、画素3の長手方向とスリットS1及びS2の長手方向とのなす角度が補角の関係となるように配置されている。
また、画素電極24は、第1スリット形成領域A1側の外周縁31が最外周側のスリットS1から所定距離L2だけ離れた位置にスリットS1と平行な短辺となるように形成され、第2スリット形成領域A2側の外周縁32が最外周側のスリットS2からL2だけ離れた位置にスリットS2と平行な短辺となるように形成されている。
【0026】
また、画素電極24は、外周縁31及び32の左右両端を夫々個別に結んで垂直方向にドレイン線5に沿って延長する比較的長い長辺となる対向外周縁33及び34が形成され、各外周縁31〜34によって台形状に形成されている。
ここで、第1スリット領域A1及び第2スリット領域A2の各スリットS1及びS2は、絶縁膜23を介して形成された上部電極である画素電極24と下部電極である共通電極22との間に電圧を印加し、これによって発生する電界によって液晶分子Mを駆動するための開口部である。各スリット領域A1及びA2で、スリットS1を垂直方向(Y方向)に複数平行に形成することにより、各スリット領域A1及びA2での透過率を向上させることができる。
【0027】
そして、第1スリット形成領域A1のスリットS1は、その傾斜角+θs1が液晶層26の液晶分子Mの回転方向を不定にさせないようにするために、配向膜25及び28のラビング方向に対して例えば約+5度〜+15度、好ましくは約+5度大きい値に設定されている。
また、第2スリット形成領域A2のスリットS2も、その傾斜角−θs1が液晶層26の液晶分子Mの回転方向を不定にさせないようにするために、配向膜25及び28のラビング方向に対して例えば約−5度〜−15度、好ましくは約−5度小さい値に設定されている。
【0028】
また、各スリットS1及びS2は、その長手方向の両端部が、これら両端部に対向する画素電極24の対向外周縁33及び34に対して所定距離L3だけ内側となるように形成されている。結局、画素電極24は、対向外周縁31及び32を形成する外側電極部35及び36と、対向外周縁33及び34を形成する外側電極部37及び38とで台形状とされ、外側電極部37及び38間がスリットS1及びS2を形成する連結電極部39で連結されている構成を有する。
【0029】
さらに、第1スリット形成領域A1及び第2スリット形成領域A2の境界位置のスリットS1及びS2は、外側電極部37の位置で連結電極部39同士が重なるように形成され、その外側電極部38側に、端部を外周縁34に開放したスリットS3が形成されている。
このスリットS3は、フォトリソグラフィ工程の分解能によって、図3に示すように、スリットS1及びS2のラビング方向に対する傾斜角+θs1及び−θs1が小さくスリット幅が小さい場合には、外周縁34側で開放した形状とし、傾斜角+θs1及び−θs1が大きくスリット幅が大きい場合には、外側電極部38側端部を外側電極部38で閉塞した形状とすることができる。
【0030】
この画素電極24は、パターニングする際に、フォトリソグラフィ工程により角部が若干丸みを帯びる形状となる場合がある。この丸みを極力回避するためには、パターニングに用いるマスクのパターンを、光近接効果を考慮したパターンとすれば、その丸みを無視できる程度に抑えることができる。
そして、画素電極24の第2スリット形成領域A2の左下隅部に前述した薄膜トランジスタTRが形成されている。
【0031】
また、図1に示すように、平面から見て少なくとも画素電極24の外側電極部35とドレイン線5とをそれらの一部が互いに重畳するように配置することにより、スリットS1の端部をドレイン線5に近づけることができ、画素3における透過率をより向上させることができる。また、画素電極24の外側電極部35とゲート線4とをそれらが互いに重畳しないように配置することにより、外側電極部35と画素電極24より大きく形成されている下部電極である共通電極22との電解により外側電極部35とゲート線4の間の液晶分子Mを制御することができ、画素3における透過率をより向上させることができる。
【0032】
上記構成を有する液晶表示装置1の動作を、図2を参照して説明すると、共通電極22と画素電極24との間に電界が生じないオフ状態では、液晶層26の液晶分子Mはホモジニアス配向されており、その長軸方向は、第1の偏光板11の透過軸と例えば平行である。このとき、第1の偏光板11によって直線偏光されたバックライト10の光は、そのままの偏光軸で液晶層26を透過して第2の偏光板30に入射する。しかし、この光は、その偏光軸が第2の偏光板30の透過軸と直行するため、第2の偏光板30によって吸収される。即ち、黒表示表示(ノーマリーブラック)となる。
【0033】
一方、共通電極22と画素電極24との間に電界が生じるオン状態では、この電界に応じて、液晶層26の液晶分子Mの長軸は、第1の透明基板12に対して略水平に回転する。このとき、第1の偏光板11によって直線偏光されたバックライト10の光は、液晶層26における複屈折により楕円偏光となり、第2の偏光板30に入射する。この楕円偏光のうち、第2の偏光板30の透過軸と一致する成分が出射され、白表示となる。
【0034】
このとき、画素電極24の外側電極部35及び36の外周縁31及び32が夫々スリットS1及びS2と平行に形成されているので、画素電極24の外形を長方形状とする場合に比較して外側電極部35及び36に余分なマージンが生じることはなく、各画素3の透過率を向上させることができる。
しかも、薄膜トランジスタTRが能動層14をゲート線4が2回通るダブルゲート構造されているので、薄膜トランジスタの形成領域の面積を小さくして表示可能領域の割合即ち開口率を向上させることができる。
【0035】
なお、上記画素電極24が配置された各画素3が、所謂ライン反転駆動により動作する場合、垂直方向で隣接する各画素3の各画素電極24には、極性の異なる表示信号が供給される。そのため、異なる表示信号の間処理によって所望の表示が得られずに、それらの画素3の境界近傍で表示不良が生じる場合がある。この問題を避けるためには、垂直方向で隣接する各画素3の各画素電極24を極力離間させた方が良いが、あまり離間距離を大きくとると透過率の低下を招くことになる。
【0036】
そこで、一方の画素電極24の対向外周縁31と他方の画素電極24の対向外周縁32との距離は、画素電極24の対向外周縁31及び32の外側の液晶分子Mが電界により所望の回転を得られる範囲の2倍と等しいか、それより多少大きい範囲とすることが好ましい。例えば、隣接する各画素電極24のうち、一方の画素電極24の外周縁31と、他方の画素電極24の外周縁32との距離をD1とすると、5μm<D1<15μmであり、好適な例としては7μm<D1<10μmである。
【0037】
なお、上記第1の実施形態においては、スリットS1の端部形状が丸みを帯びると、液晶分子Mの回転方向が所望の方向に対して反転する領域が存在して、本来ならば白表示となるべき領域が黒表示となり透過率が低下する現象であるディスクリネーションが発生する。このディスクリネーションの発生を抑制するためには、スリットS1の端部形状が丸みを帯びることなく形成するが必要であるが、このためのフォトリソグラフィ工程で使用するマスクとして、図4に示すような、開口部電極形成マスク100を使用する。
【0038】
この開口部電極形成マスク100は、非透光パターン部112に対して、画素電極24の第1スリット形成領域A1に対向する位置にスリットS1の形状に応じた基本透光パターン部113が形成され、第2スリット形成領域A2に対向する位置にスリットS2の形状に応じた基本透光パターン部114が形成されている。さらに基本透光パターン部113及び114のディスクリネーションの発生する部位に基本透光パターン部113及び114を拡張してディスクリネーションの発生を抑制する補正用透光パターン部115,116及び117,118が形成されている。
【0039】
ここで、基本透光パターン部113のディスクリネーションが発生する部位は、第1スリット形成領域A1のスリットS1が、ラビング方向に対して正方向即ち反時計方向に傾斜しているので、スリットS1の中心点をXY座標の原点とし、X方向をスリットの長手方向とし、Y方向をスリットの幅方向としたときに、第2象限及び第4象限の角部となる。また、基本透光パターン部114のディスクリネーションが発生する部位は、第2のスリット形成領域A2のスリットS2が、ラビング方向に対して負方向即ち時計方向に傾斜しているので、上記XY座標系において第1象限及び第3象限の角部Eとなる。
【0040】
各補正用透光パターン部115〜118は同一形状を有するので、代表として補正用透光パターン115について説明する。この補正用透光パターン115は、図5で拡大図示するように、基本透光パターン部113が非透光パターン部112内に拡張される形となるように基本透光パターン部113に連通して形成されている。そして、補正用透光パターン115は、基本透光パターン部113に連通してその長手方向即ちX軸に対して反時計方向に例えば45度傾斜して延長する比較的幅狭の帯状パターン部119と、この帯状パターン部119の延長端に形成された例えば直角二等辺三角形に形成された三角形パターン部120とで構成されている。
【0041】
ここで、帯状パターン部119の幅寸法B及び基本透光パターン113の端部から三角形パターン部120の先端部までの延長寸法Cが基本透光パターン部113の幅寸法Aよりも小さく設定されている。
寸法の一例を挙げると、エッチング後に形成される画素電極24のスリット幅Sを約4.0μmとするときには、基本透光パターン部114の幅寸法Aを約3.4μmとすることができ、この場合、補正用透光パターン部116の延長寸法Cを約1.75μm、幅寸法Bを約1.4μmとすることができる。
【0042】
高精細な液晶表示装置では、基本透光パターン部114の幅寸法Aは、露光装置の解像度の限度近くの最小寸法に設定されることが多い。したがって、通常では、開口部電極形成マスクのパターンの最小寸法は、露光装置の解像度を超えて小さくしても、所望の寸法、形状に露光することはできない。ここで、光近接効果を利用することで、露光装置の解像度以下の微細パターンを得ることができる。これは露光装置の解像度の限度近くの基本パターン部の周辺部に、光の回折等を考慮した形状、寸法の補正用パターン部を設けることで、基本パターン部の周辺部の形状を補正し、露光装置の解像度以上の精度のパターンを形成することができることに基づく。図4の例では、基本透光パターン部113のみでは、露光装置の解像度の限界によって、露光パターンがその長手方向の端部において、円弧状になるが、補正用透光パターン部115を設けることで、円弧状形状を補正して、かなり矩形に近い露光パターンとすることができる。
【0043】
したがって、光近接効果を利用するため、補正用透光パターン部115の寸法は、基本透光パターン部113の最小寸法よりも小さく設定される。上記の例で、露光装置の分解能が約3μmとすれば、基本透光パターン部113の最小寸法を露光装置の分解能の約3μmよりも大きい約3.4μmとし、補正用透光パターン部115の最小寸法を露光装置の分解能の3μmより小さいやく1.4μmとすることができる。
【0044】
このような開口部電極形成マスク100は、一般的な露光マスクの製造方法に従って、基本透光パターン部113の最小寸法を露光装置の解像度の許容範囲とし、基本透光パターン部113の長手方向の端部に、露光装置の解像度を超える小さな寸法を有する補正用透光パターン部115を設けるように透光パターンを形成したものを用いることができる。
【0045】
また、補正用透光パターン部116〜118についても、詳細図示は省略するが、補正用透光パターン部115と線対称な同一形状に形成されている。
上記構成を有する開口部電極形成マスク100を使用して露光を行うと、基本透光パターン部113,114及び補正用透光パターン部115〜118を光が通過し、感光性レジストが露光される。この感光性レジストは露光されると、その特性が変化するので、適当な現像液を用いることで、露光部分を除去することができ、これによって、感光性レジストが基本透光パターン部113,114と同じ形状に感光性レジストに開口部が形成される。このようにして開口部が形成された感光性レジストを用いて、画素電極用透明導電材料膜をエッチングすることにより、感光性レジストの開口部に対応する形状のスリットS1及びS2を有する画素電極24が形成される。
【0046】
次に、本発明の第2の実施形態を図6及び図7について説明する。
この第2の実施形態は、第1スリット形成部A1及び第2スリット形成部A2の境界部に薄膜トランジスタTRを形成するようにしたものである。
すなわち、第2の実施形態では、図6に示すように、画素3内の画素電極24の第1スリット形成領域A1及び第2スリット形成部A2の境界部に薄膜トランジスタTRが形成され、且つ上下方向即ちドレイン線5に沿って隣接する画素3で画素電極24の向きが左右反転されていることを除いては前述した第1の実施形態と同様の構成を有し、図1との対応部分には同一符号を付し、その詳細説明はこれを省略する。
【0047】
この第2の実施形態では、第1スリット形成領域A1及び第2スリット形成領域A2の各スリットS1及びS2の傾斜角+θs1及び−θs1の絶対値が前述した第1の実施形態より大きな角度に設定されている。
また、第1スリット形成領域A1及び第2スリット形成領域A2の境界位置でスリットS1′及びS2′が、図8で拡大図示するように、その外周電極部37側で連通されてV字状に形成されていると共に、外周電極部38側がこの外周電極部37から距離L2より大きな距離L5だけ離れた位置で閉塞されて、トランジスタ対向電極部40が形成されている。
【0048】
そして、図7に示すように、トランジスタ対向電極部40の下側に対向して、図6で見てU字状の能動層14が形成され、この能動層14のドレイン17及びソース18間にゲート線4が2回通るようにダブルゲート構成の薄膜トランジスタTRが形成されている。この薄膜トランジスタTRのソース18がコンタクトホールCH2、ソース電極19、コンタクトホールCH3を介してトランジスタ対向電極部40に電気的に接続されている。
【0049】
この第2の実施形態によると、スリットS1及びS2の傾斜方向が異なる第1スリット形成領域A1及び第2スリット形成領域A2の境界位置に、薄膜トランジスタTRと対向するトランジスタ対向電極部40を形成し、このトランジスタ対向電極部40を、図7に示すように、薄膜トランジスタTRのソース18に接続し、この薄膜トランジスタTRの能動層14を2回横切るようにゲート線4を配設することで、図6に示すように、1つの画素3の上下方向の中央部を横切るようにゲート線4を配設することができ、画素3を最小化にする設計を行うことができる。
【0050】
しかも、前述したように薄膜トランジスタTRをダブルゲート構造とすることにより、構成を小型化することができ、第1スリット形成領域A1及び第2スリット形成領域A2間を狭めることができ、画素3をより最小化することができる。
さらに、隣接する画素電極24が左右反転されているので、隣接する画素3間で、スリットS1又はS2が平行に連続した状態となり、画素3間に切れ目がない状態となるので、隣接する画素3間の透過率を向上させることができる。
【0051】
次に、本発明の第3の実施形態を図9及び図10について説明する。
この第3の実施形態では、画素電極を櫛歯状に形成したものである。
すなわち、第3の実施形態では、図9及び10に示すように、前述した第1の実施形態における画素電極24の右側の外側電極部38が形成されず、画素電極24が櫛歯状に形成されていることを除いては前述した図1及び図3と同様の構成を有し、図1及び図3との対応部分には同一符号を付し、その詳細説明はこれを省略する。
【0052】
この第3の実施形態によると、第1の実施形態における画素電極24の外側電極部38が形成されず、櫛歯状の画素電極24とされているので、スリットS1の端が形成されず、透過率を向上させることができる。
この第3の実施形態でも、櫛歯形状の画素電極24を端部形状に丸みを帯びることなく形成することがディスクリネーションを発生させないために必要であり、このためのフォトリソグラフィ工程で使用するマスクとして、図11に示すような、開口部電極形成マスク200を使用する。
【0053】
この開口部電極形成マスク200は、非透光パターン部212に対して、画素電極24のスリットS1及びS2に対向する位置にスリットS1及びS2の形状に応じた基本透光パターン部213及び214が形成され、さらに基本透光パターン部213及び214のディスクリネーションの発生する部位に基本透光パターン部213及び214を縮小してディスクリネーションの発生を抑制する補正用非透光パターン部215,216及び基本透光パターン部313,214を拡張してディスクリネーションの発生を抑制する補正用透光パターン部217,218が形成されている。
【0054】
ここで、基本透光パターン部213のディスクリネーションが発生する部位は、上述した第1の実施形態のように、スリットS1のようにラビング方向に対して正方向即ち反時計方向に傾斜している場合には、スリットS1の中心点をXY座標の原点とし、X方向をスリットの長手方向とし、Y方向をスリットの幅方向としたときに、第2象限及び第4象限の角部となる。また、基本透光パターン部214のディスクリネーションが発生する部位は、スリットS2のようにラビング方向に対して負方向即ち時計方向に傾斜している場合には、上記XY座標系において第1象限及び第3象限の角部Eとなる。
【0055】
補正用非透光パターン部215は、図12で拡大図示するように、非透光パターン部212が基本透光パターン部213内に拡張される形、換言すれば基本透光パターン部213が縮小される形に非透光パターン部212に連結して形成され、非透光パターン部212に連結してその長手方向即ちX軸に対して反時計方向に例えば45度傾斜して延長する比較的幅狭の帯状非透光パターン部219と、この帯状非透光パターン部219の延長端に形成された例えば直角二等辺三角形に形成された三角形非透光パターン部220とで構成されている。
【0056】
ここで、帯状非透光パターン部219の幅寸法I及び非透光パターン212の端部から三角形非透光パターン部220の先端部までの延長寸法Jが非透光パターン部212の幅寸法Hよりも小さく設定されている。
寸法の一例を挙げると、エッチング後に形成される画素電極24の細長い電極部の幅即ちラインの幅寸法Wを約3.0μmとするときには、非透光パターン部212の幅寸法Hを約3.6μmとすることができ、この場合、補正用非透光パターン部216の延長寸法Jを約1.5μm、幅寸法Iを約1.4μmとすることができる。
【0057】
図4及び図5に関連して前述したように、光近接効果を利用することで、露光装置の解像度以下の微細パターンを得ることができ、図12の例では、基本透光パターン部213あるいは非透光パターン212のみでは、露光装置の解像度の限界によって、露光パターンがその長手方向の端部において円弧状に、微細な補正用非透光パターン部215を設けることで、円弧状形状を補正して、かなり矩形に近い露光パターンとすることができる。
【0058】
したがって、光近接効果を利用するため、補正用非透光パターン部215の寸法は、基本透光パターン部214又は非透光パターン212の最小寸法よりも小さく設定される。上記の例で、露光装置の分解能が約3μmであるとすれば、基本透光パターン部214の最小寸法を露光装置の分解能の約3μmよりも大きい約3.6μmとし、補正用非透光パターン部216の最小寸法を露光装置の分解能の3μmより小さい約1.4μmとすることができる。
【0059】
このような開口部電極形成マスク200は、一般的な露光マスクの製造方法に従って、基本透光パターン部213の最小寸法を露光装置の解像度の許容範囲とし、基本透光パターン部213の長手方向の端部に、露光装置の解像度を超える小さな寸法を有する補正用透光パターン部215を設けるように透光パターンを形成したものを用いることができる。
【0060】
また、補正用透光パターン部216及び218については、前述した図4及び図5の補正用透光パターン部117と同様の構成を有し、補正用透光パターン217については補正用透光パターン215と線対称に構成されている。
この第3の実施形態では、前述した第1の実施形態の画素電極24を櫛歯状にした場合について説明したが、これに限定されるものではなく、前述した第2の実施形態の画素電極を櫛歯状とするようにしてもよい。
【0061】
なお、上記第1〜第3の実施形態においては、共通電極22及び画素電極24のうち画素電極24が液晶分子M側に配置されて、スリットS1及びS2を有する第1スリット形成領域A1及び第2スリット形成領域A2が形成されている場合について説明したが、これに限定されるものではなく、共通電極22を液晶分子M側に配置した場合には、画素電極24に代えて、共通電極22にスリットS1及びS2を有する第1スリット形成領域A1及び第2スリット形成領域S2を形成すればよい。
【0062】
さらに、上記第1〜第3の実施形態においては、薄膜トランジスタTRの能動層14をU字状に形成して、この能動層14をゲート線4が2度横切るようにダブルゲート構造とした場合について説明したが、これに限定されるものではなく、図13に示すように、能動層14を直線状に形成し、これに応じてゲート線4に能動層14の位置で二股に分岐する分岐部300を形成して、能動層14をゲート線4が2回横切るダブルゲート構造とするようにしてもよい。
【0063】
なおさらに、上記第1〜第3の実施形態においては、画素3がノーマリーブラック型のFFSモードにより動作する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、ノーマリーホワイト型のFFSモードにより動作する液晶表示装置についても本発明を適用することができる。この場合、第1の偏光板11及び第2の偏光板30の透過軸、配向膜25及び28のラビング方向の関係をノーマリーホワイト型に対応して変更すればよい。
【図面の簡単な説明】
【0064】
【図1】本発明の第1の実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。
【図2】図1のA−A上の断面図である。
【図3】図1の画素電極を示す平面図である。
【図4】第1の実施形態に適用する開口部形成用マスクを示す平面図である。
【図5】図4の補正透光パターン部の詳細を示す図である。
【図6】本発明の第2の実施形態の液晶表示装置を示す平面図である。
【図7】図6のA−A線上の断面図である。
【図8】図6の画素電極を示す平面図である。
【図9】本発明の第3の実施形態の液晶表示装置を示す平面図である。
【図10】図9の画素電極を示す平面図である。
【図11】第3の実施形態に適用する開口部形成用マスクを示す平面図である。
【図12】開口部形成用マスクの補正非透光パターン部の詳細を示す図である。
【図13】薄膜トランジスタの他の構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【0065】
1…液晶表示装置、2…表示部、3…画素、4…ゲート線、5…ドレイン線、10…バックライト、11…第1の偏光板、12…第1の透明基板、13…バッファ膜、14…能動層、15…ゲート絶縁膜、16…層間絶縁膜、17…ドレイン、18…ソース、19…ソース電極、20…パッシベーション膜、21…平坦化膜、22…共通電極、23…絶縁膜、24…画素電極、25…配向膜、26…液晶層、27…カラーフィルタ、28…配向膜、29…第2の透明基板、30…第2の偏光板、TR…薄膜トランジスタ、A1…第1スリット形成領域,A2…第2スリット形成領域、S1,S2…スリット、31,32…対向外周縁、33,34…対向外周縁、35〜38…外側電極部、39…連結電極部、40…トランジスタ対向電極、100…開口部形成用マスク、112…非透光パターン部、113,114…基本透光パターン部、115〜118…補正用透光パターン部、200…開口部形成用マスク、212…非透光パターン部、213,214…基本透光パターン部、215,217…補正用非透光パターン部、216,218…補正用透光パターン部
【技術分野】
【0001】
本発明は、液晶表示装置に関し、特に透過率を向上させることができる液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
高いコントラスト及び広視野角が得られる液晶表示装置として、液晶を2つの透明基板に対して略水平方向の電界を用いて液晶分子の配向を制御する液晶表示装置、即ち、FFS(Fringe-Field Switching)モードやIPS(In-Plain Switching)モード当により動作する液晶表示装置が知られている。この液晶表示装置では、一方の透明基板に、表示信号が供給される画素電極と共通電位が供給される共通電極の両者が配設される。
【0003】
この液晶表示装置がFFSモードである場合について説明すると、例えば、画素電極に複数の線状部及びスリットが交互に平行に配置され、画素電極と共通電極とは、絶縁膜を介して対向して配置される。液晶分子は、配向膜のラビング方向に応じて初期配向される。そして、画素電極に表示信号が印加されると、画素電極の線状部からスリットの下層に延在する共通電極に延びる電界、即ち透明基板に対して略水平方向の電界に応じて、液晶分子の配向方向が制御される。この液晶分子を介して光学的制御が詠行われ、白表示又は黒表示が行われる。
【0004】
ところで、この主のFFSモードの液晶表示装置として、例えば、複数個の液晶分子を含む液晶層を介して所定の距離で第1及び第2透明絶縁基板を対向配置し、第1透明基板上に複数個のゲートパスライン及びデータパスラインを形成して単位画素を限定するようにマトリクス形態で配置し、これらとの交差部に薄膜トランジスタを設け、透明導電体からなるカウンタ電極を各単位画素に配置し、カウンタ電極と一緒にフリンジフィールドを形成する複数個の上部スリット及び下部スリットを前記カウンタ電極と絶縁して各単位画素に配置し、画素の長辺を中心に対称となる所定の傾きで配列し、また、透明導電体からなる画素電極とを含む構成を有するフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
【特許文献1】特開2002−182230号公報(第1頁、図3)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、上記特許文献1に記載の従来例にあっては、ゲートパスライン及びデータパスラインで囲まれる領域に長方形状の画素電極が配設され、この画素電極にゲートパスラインと平行な短辺に対して傾斜する複数のスリットを互いに平行に形成する場合と、画素電極の長手方向の中心位置で対称関係となる傾斜角を有する上部スリット及び下部スリットを形成する場合とが開示されており、スリットによって透過率を向上させることができるものであるが、画素電極が長方形状に形成されて、これに対して短辺に対して傾斜するスリットが形成されているので、短辺側の対向外周縁側でスリットと外周縁との間に直角三角形状の電極部が残ることになり、この部分で透過率が低下するという未解決の課題がある。
【0006】
そこで、本発明は、上記従来例の未解決の課題に着目してなされたものであり、スリットを形成する電極の透過率を向上させることができる液晶表示装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記目的を達成するために、第1の形態に係る液晶表示装置は、表示部を形成する画素を、少なくとも、液晶層を挟んで対向する一対の基板と、前記一対の基板の一方の基板に設けられ絶縁膜を挟んで配置された前記液晶層の液晶分子を駆動する共通電極及び画素電極と、で構成し、前記共通電極及び前記画素電極のうちの前記液晶層側の電極は、ラビング方向に対して所定角度傾斜したスリットを有する少なくとも一対のスリット形成領域が前記画素の長手方向と前記スリットの長手方向とのなす角度が補角の関係となるように配置されると共に、前記一対のスリット形成領域の一方のスリット形成領域における他方のスリット形成領域とは反対側の外周縁が当該スリットの長手方向と略平行に形成されていることを特徴としている。
【0008】
この第1の形態では、共通電極及び前記画素電極のうちの前記液晶層側の電極は、ラビング方向に対して所定角度傾斜したスリットを有する少なくとも一対のスリット形成領域が前記画素の長手方向と前記スリットの長手方向とのなす角度が補角の関係となるように配置されると共に、前記一対のスリット形成領域の一方のスリット形成領域における他方のスリット形成領域とは反対側の外周縁が当該スリットの長手方向と略平行に形成されているので、電極の外形をマルチスリット構成の台形状に形成することができ、スリットを形成した電極のスリットと平行な対向外周縁に余分な電極部がないので、画素の透過率を向上させることができる。
また、第2の形態に係る液晶表示装置は、第1の形態において、前記一対のスリット形成領域のそれぞれにおいて、前記液晶層側の電極に形成されたスリットは互いに平行に複数形成されていることを特徴としている。
【0009】
この第2の形態では、スリット形成領域のそれぞれにおいて、液晶層側の電極に形成されたスリットが互いに平行に複数形成されているので、各スリット形成領域での透過率を向上させるができる。
さらに、第3の形態に係る液晶表示装置は、第1の形態又は第2の形態において、前記スリットは、前記液晶層側の電極の当該スリットの長手方向の対向外周縁の一方まで延長して、当該電極が櫛歯形状とされていることを特徴としている。
【0010】
この第3の形態では、電極が櫛歯形状とされているので、透過率をより向上させることができる。
さらにまた、第4の形態に係る液晶表示装置は、第1の形態乃至第3の形態のいずれか1つの形態において、前記画素内に1つの電極の前記一対のスリット形成領域が配設されていることを特徴としている。
【0011】
この第4の形態では、1つの画素に対応する電極を、一対のスリット形成領域を形成したマルチスリット構成の電極で構成するので、一対のスリット形成領域間でもそれら間の間隔を狭めて透過率を向上させることができる。
なおさらに、第5の形態に係る液晶表示装置は、上記第4の形態において、前記スリットを形成した電極の一方のスリット形成領域の外周縁部に、前記共通電極及び画素電極の一方に印加する電圧を制御する能動制御部が形成されていることを特徴としている。
【0012】
この第5の形態では、マルチスリット構成の電極の一方のスリット形成領域の外周縁に能動制御部を形成するので、この能動制御部が画素の隅部に能動制御部を配置することができ、画素全体の透過率を向上させることができる。
また、第6の形態に係る液晶表示装置は、第1の形態乃至第3の形態のいずれか1つの形態において、前記スリットの配列方向に隣接する画素のうち一方の画素の他方の画素に隣接するスリット形成領域と、他方の画素の一方の画素に隣接するスリット形成領域とが、互いのスリットが平行となるように配設されていることを特徴としている。
【0013】
この第6の形態では、隣接する画素の隣接するスリット形成領域のスリットが平行となるように配設されているので、スリット配列方向に隣接する画素間に跨がって平行なスリットを形成することができ、スリット配列方向に連続した画素を形成することができる。
さらに、第7の形態に係る液晶表示装置は、第6の形態において、前記一対のスリット形成領域の境界位置に、画素電極に印加する電圧を制御する能動制御部のゲートにゲート信号を供給するゲート線が配設されていることを特徴としている。
【0014】
この第7の形態では、画素内における一対のスリット形成領域間に能動制御部を配置するので、透過率が低下するスリット方向の切換え部を利用して能動制御部を配置することができ、マルチスリット構成の画素領域を最小に設計することができる。
さらにまた、第8の形態における液晶表示装置は、第7の形態において、前記能動制御部は屈曲して前記ゲート線と2回交差することを特徴としている。
【0015】
この第6の形態では、能動制御部が屈曲してゲート線と2回交差するので、薄膜トランジスタの形成領域の面積を小さくして表示可能領域の割合即ち開口率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0016】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図1は、本発明をノーマリーブラック型のFFSモードにより動作する液晶表示装置に適用した場合の一実施形態を示す平面図であって、図中、1は液晶表示装置であって、表示部2が複数の画素3をマトリックス状に配置されて構成されている。図1では、表示部2の一部の画素3のみを示している。
【0017】
表示部2は、図1に示すように、X方向を水平方向とし、Y方向を垂直方向とした矩形状に形成され、その水平方向に沿って、画素選択信号が供給される複数のゲート線4が所定間隔を保って配置されていると共に、垂直方向に沿って、表示信号が供給されるドレイン線5が所定間隔を保って配置されている。なお、表示部2の水平方向は、表示部1が偏光サングラスを通して視認される場合においては、その偏光サングラスの吸収軸と平行となるように設定する。
【0018】
これらゲート線4及びドレイン線5で囲まれる画素領域に画素3が配置されている。各画素3には、画素形成領域の左上角部にゲート線4をゲート電極とした薄膜トランジスタTRが配設されている。
そして、画素3は、図2の断面図に示すように、多層構造とされ、バックライト10に対向する下面に第1の偏光板11を形成したガラス等からなる第1の透明基板12を有し、この第1の透明基板12の上面にバッファ膜13が形成され、このバッファ膜13の上面に薄膜トランジスタTRを構成する図1で見てU字状のポリシリコンで形成された能動層14が配置され、この能動層14を覆うようにゲート絶縁膜15が配置されている。
【0019】
ゲート絶縁膜15の能動層14に対向する上面には能動層14を2回通るようにゲート線4が配置されてダブルゲート構造とされている。そして、ゲート絶縁膜15及びゲート線4は、層間絶縁膜16で覆われている。この層間絶縁膜16上には、コンタクトホールCH1を通じて薄膜トランジスタTRのドレイン17と接続されたドレイン線5と、コンタクトホールCH2を通じてソース18と接続されたソース電極19とが配置されている。
【0020】
これらドレイン線5及びソース電極19はパッシベーション膜20で覆われ、このパッシベーション膜20上に平坦化膜21が形成されている。なお、パッシベーション膜20は必ずしも必要ではなく、省略することもできる。
平坦化膜21上には、ソース電極19と対向する位置に開口部22aを有する共通電極22が配置されている。この共通電極22は、例えば画素3が配置されている表示有効領域ではベタ膜として形成され、画素3が配置されていない領域において、コンタクトホール(図示せず)を通じて、共通電位が供給される共通電極線(図示せず)と接続されている。また、ゲート線またはドレイン線に平行に連なった帯状に形成してもよいし、共通電極線と画素毎も接続してもよい。
【0021】
そして、共通電極22上に絶縁膜23を介して画素電極24が配置されている。この画素電極24は絶縁膜23、共通電極22の開口部22a、平坦化膜21及びパッシベーション膜20を通じて形成されたコンタクトホールCH3を介してソース電極19と接続されている。
また、画素電極24は配向膜25で覆われており、この配向膜25のラビング方向は、第1の偏光板11の透過軸と平行となるように設定されている。
【0022】
そして、配向膜25の上部に液晶分子Mを有する液晶層26を介して下面にカラーフィルタ27及び配向膜28を有する第2の透明基板29が配置されている。ここで、配向膜28のラビング方向は前述した配向膜25と同じラビング方向を有している。また、液晶層26の液晶分子Mは、配向膜25及び28のラビング方向に応じて初期配向されており、ホモジニアス配向されている。
【0023】
さらに、第2の透明基板29の上面に第1の偏光板11と直交する透過軸を有した第2の偏光板30が配置されている。
そして、配向膜25及び28のラビング方向は、図3に示すように、水平方向(X方向)と一致している。画素電極24は、図3に示すように、画素3の長手方向の中央部で上下対称のスリット形状を有する一対の第1スリット形成領域A1及び第2スリット形成領域A2を有するダブルスリット構成とされている。
【0024】
第1スリット形成領域A1は、配向膜25及び28のラビング方向に対して所定角度+θs1だけ傾斜した長方形状を有する複数のスリットS1が垂直方向に所定間隔L1を保って平行に形成されている。
また、第2スリット形成領域A2は、配向膜25及び28のラビング方向に対して所定角度−θs1だけ傾斜した長方形状を有する複数のスリットS2が垂直方向に所定間隔L1を保って平行に形成されている。
【0025】
したがって、第1スリット形成領域A1及び第2スリット形成領域A2は、画素3の長手方向とスリットS1及びS2の長手方向とのなす角度が補角の関係となるように配置されている。
また、画素電極24は、第1スリット形成領域A1側の外周縁31が最外周側のスリットS1から所定距離L2だけ離れた位置にスリットS1と平行な短辺となるように形成され、第2スリット形成領域A2側の外周縁32が最外周側のスリットS2からL2だけ離れた位置にスリットS2と平行な短辺となるように形成されている。
【0026】
また、画素電極24は、外周縁31及び32の左右両端を夫々個別に結んで垂直方向にドレイン線5に沿って延長する比較的長い長辺となる対向外周縁33及び34が形成され、各外周縁31〜34によって台形状に形成されている。
ここで、第1スリット領域A1及び第2スリット領域A2の各スリットS1及びS2は、絶縁膜23を介して形成された上部電極である画素電極24と下部電極である共通電極22との間に電圧を印加し、これによって発生する電界によって液晶分子Mを駆動するための開口部である。各スリット領域A1及びA2で、スリットS1を垂直方向(Y方向)に複数平行に形成することにより、各スリット領域A1及びA2での透過率を向上させることができる。
【0027】
そして、第1スリット形成領域A1のスリットS1は、その傾斜角+θs1が液晶層26の液晶分子Mの回転方向を不定にさせないようにするために、配向膜25及び28のラビング方向に対して例えば約+5度〜+15度、好ましくは約+5度大きい値に設定されている。
また、第2スリット形成領域A2のスリットS2も、その傾斜角−θs1が液晶層26の液晶分子Mの回転方向を不定にさせないようにするために、配向膜25及び28のラビング方向に対して例えば約−5度〜−15度、好ましくは約−5度小さい値に設定されている。
【0028】
また、各スリットS1及びS2は、その長手方向の両端部が、これら両端部に対向する画素電極24の対向外周縁33及び34に対して所定距離L3だけ内側となるように形成されている。結局、画素電極24は、対向外周縁31及び32を形成する外側電極部35及び36と、対向外周縁33及び34を形成する外側電極部37及び38とで台形状とされ、外側電極部37及び38間がスリットS1及びS2を形成する連結電極部39で連結されている構成を有する。
【0029】
さらに、第1スリット形成領域A1及び第2スリット形成領域A2の境界位置のスリットS1及びS2は、外側電極部37の位置で連結電極部39同士が重なるように形成され、その外側電極部38側に、端部を外周縁34に開放したスリットS3が形成されている。
このスリットS3は、フォトリソグラフィ工程の分解能によって、図3に示すように、スリットS1及びS2のラビング方向に対する傾斜角+θs1及び−θs1が小さくスリット幅が小さい場合には、外周縁34側で開放した形状とし、傾斜角+θs1及び−θs1が大きくスリット幅が大きい場合には、外側電極部38側端部を外側電極部38で閉塞した形状とすることができる。
【0030】
この画素電極24は、パターニングする際に、フォトリソグラフィ工程により角部が若干丸みを帯びる形状となる場合がある。この丸みを極力回避するためには、パターニングに用いるマスクのパターンを、光近接効果を考慮したパターンとすれば、その丸みを無視できる程度に抑えることができる。
そして、画素電極24の第2スリット形成領域A2の左下隅部に前述した薄膜トランジスタTRが形成されている。
【0031】
また、図1に示すように、平面から見て少なくとも画素電極24の外側電極部35とドレイン線5とをそれらの一部が互いに重畳するように配置することにより、スリットS1の端部をドレイン線5に近づけることができ、画素3における透過率をより向上させることができる。また、画素電極24の外側電極部35とゲート線4とをそれらが互いに重畳しないように配置することにより、外側電極部35と画素電極24より大きく形成されている下部電極である共通電極22との電解により外側電極部35とゲート線4の間の液晶分子Mを制御することができ、画素3における透過率をより向上させることができる。
【0032】
上記構成を有する液晶表示装置1の動作を、図2を参照して説明すると、共通電極22と画素電極24との間に電界が生じないオフ状態では、液晶層26の液晶分子Mはホモジニアス配向されており、その長軸方向は、第1の偏光板11の透過軸と例えば平行である。このとき、第1の偏光板11によって直線偏光されたバックライト10の光は、そのままの偏光軸で液晶層26を透過して第2の偏光板30に入射する。しかし、この光は、その偏光軸が第2の偏光板30の透過軸と直行するため、第2の偏光板30によって吸収される。即ち、黒表示表示(ノーマリーブラック)となる。
【0033】
一方、共通電極22と画素電極24との間に電界が生じるオン状態では、この電界に応じて、液晶層26の液晶分子Mの長軸は、第1の透明基板12に対して略水平に回転する。このとき、第1の偏光板11によって直線偏光されたバックライト10の光は、液晶層26における複屈折により楕円偏光となり、第2の偏光板30に入射する。この楕円偏光のうち、第2の偏光板30の透過軸と一致する成分が出射され、白表示となる。
【0034】
このとき、画素電極24の外側電極部35及び36の外周縁31及び32が夫々スリットS1及びS2と平行に形成されているので、画素電極24の外形を長方形状とする場合に比較して外側電極部35及び36に余分なマージンが生じることはなく、各画素3の透過率を向上させることができる。
しかも、薄膜トランジスタTRが能動層14をゲート線4が2回通るダブルゲート構造されているので、薄膜トランジスタの形成領域の面積を小さくして表示可能領域の割合即ち開口率を向上させることができる。
【0035】
なお、上記画素電極24が配置された各画素3が、所謂ライン反転駆動により動作する場合、垂直方向で隣接する各画素3の各画素電極24には、極性の異なる表示信号が供給される。そのため、異なる表示信号の間処理によって所望の表示が得られずに、それらの画素3の境界近傍で表示不良が生じる場合がある。この問題を避けるためには、垂直方向で隣接する各画素3の各画素電極24を極力離間させた方が良いが、あまり離間距離を大きくとると透過率の低下を招くことになる。
【0036】
そこで、一方の画素電極24の対向外周縁31と他方の画素電極24の対向外周縁32との距離は、画素電極24の対向外周縁31及び32の外側の液晶分子Mが電界により所望の回転を得られる範囲の2倍と等しいか、それより多少大きい範囲とすることが好ましい。例えば、隣接する各画素電極24のうち、一方の画素電極24の外周縁31と、他方の画素電極24の外周縁32との距離をD1とすると、5μm<D1<15μmであり、好適な例としては7μm<D1<10μmである。
【0037】
なお、上記第1の実施形態においては、スリットS1の端部形状が丸みを帯びると、液晶分子Mの回転方向が所望の方向に対して反転する領域が存在して、本来ならば白表示となるべき領域が黒表示となり透過率が低下する現象であるディスクリネーションが発生する。このディスクリネーションの発生を抑制するためには、スリットS1の端部形状が丸みを帯びることなく形成するが必要であるが、このためのフォトリソグラフィ工程で使用するマスクとして、図4に示すような、開口部電極形成マスク100を使用する。
【0038】
この開口部電極形成マスク100は、非透光パターン部112に対して、画素電極24の第1スリット形成領域A1に対向する位置にスリットS1の形状に応じた基本透光パターン部113が形成され、第2スリット形成領域A2に対向する位置にスリットS2の形状に応じた基本透光パターン部114が形成されている。さらに基本透光パターン部113及び114のディスクリネーションの発生する部位に基本透光パターン部113及び114を拡張してディスクリネーションの発生を抑制する補正用透光パターン部115,116及び117,118が形成されている。
【0039】
ここで、基本透光パターン部113のディスクリネーションが発生する部位は、第1スリット形成領域A1のスリットS1が、ラビング方向に対して正方向即ち反時計方向に傾斜しているので、スリットS1の中心点をXY座標の原点とし、X方向をスリットの長手方向とし、Y方向をスリットの幅方向としたときに、第2象限及び第4象限の角部となる。また、基本透光パターン部114のディスクリネーションが発生する部位は、第2のスリット形成領域A2のスリットS2が、ラビング方向に対して負方向即ち時計方向に傾斜しているので、上記XY座標系において第1象限及び第3象限の角部Eとなる。
【0040】
各補正用透光パターン部115〜118は同一形状を有するので、代表として補正用透光パターン115について説明する。この補正用透光パターン115は、図5で拡大図示するように、基本透光パターン部113が非透光パターン部112内に拡張される形となるように基本透光パターン部113に連通して形成されている。そして、補正用透光パターン115は、基本透光パターン部113に連通してその長手方向即ちX軸に対して反時計方向に例えば45度傾斜して延長する比較的幅狭の帯状パターン部119と、この帯状パターン部119の延長端に形成された例えば直角二等辺三角形に形成された三角形パターン部120とで構成されている。
【0041】
ここで、帯状パターン部119の幅寸法B及び基本透光パターン113の端部から三角形パターン部120の先端部までの延長寸法Cが基本透光パターン部113の幅寸法Aよりも小さく設定されている。
寸法の一例を挙げると、エッチング後に形成される画素電極24のスリット幅Sを約4.0μmとするときには、基本透光パターン部114の幅寸法Aを約3.4μmとすることができ、この場合、補正用透光パターン部116の延長寸法Cを約1.75μm、幅寸法Bを約1.4μmとすることができる。
【0042】
高精細な液晶表示装置では、基本透光パターン部114の幅寸法Aは、露光装置の解像度の限度近くの最小寸法に設定されることが多い。したがって、通常では、開口部電極形成マスクのパターンの最小寸法は、露光装置の解像度を超えて小さくしても、所望の寸法、形状に露光することはできない。ここで、光近接効果を利用することで、露光装置の解像度以下の微細パターンを得ることができる。これは露光装置の解像度の限度近くの基本パターン部の周辺部に、光の回折等を考慮した形状、寸法の補正用パターン部を設けることで、基本パターン部の周辺部の形状を補正し、露光装置の解像度以上の精度のパターンを形成することができることに基づく。図4の例では、基本透光パターン部113のみでは、露光装置の解像度の限界によって、露光パターンがその長手方向の端部において、円弧状になるが、補正用透光パターン部115を設けることで、円弧状形状を補正して、かなり矩形に近い露光パターンとすることができる。
【0043】
したがって、光近接効果を利用するため、補正用透光パターン部115の寸法は、基本透光パターン部113の最小寸法よりも小さく設定される。上記の例で、露光装置の分解能が約3μmとすれば、基本透光パターン部113の最小寸法を露光装置の分解能の約3μmよりも大きい約3.4μmとし、補正用透光パターン部115の最小寸法を露光装置の分解能の3μmより小さいやく1.4μmとすることができる。
【0044】
このような開口部電極形成マスク100は、一般的な露光マスクの製造方法に従って、基本透光パターン部113の最小寸法を露光装置の解像度の許容範囲とし、基本透光パターン部113の長手方向の端部に、露光装置の解像度を超える小さな寸法を有する補正用透光パターン部115を設けるように透光パターンを形成したものを用いることができる。
【0045】
また、補正用透光パターン部116〜118についても、詳細図示は省略するが、補正用透光パターン部115と線対称な同一形状に形成されている。
上記構成を有する開口部電極形成マスク100を使用して露光を行うと、基本透光パターン部113,114及び補正用透光パターン部115〜118を光が通過し、感光性レジストが露光される。この感光性レジストは露光されると、その特性が変化するので、適当な現像液を用いることで、露光部分を除去することができ、これによって、感光性レジストが基本透光パターン部113,114と同じ形状に感光性レジストに開口部が形成される。このようにして開口部が形成された感光性レジストを用いて、画素電極用透明導電材料膜をエッチングすることにより、感光性レジストの開口部に対応する形状のスリットS1及びS2を有する画素電極24が形成される。
【0046】
次に、本発明の第2の実施形態を図6及び図7について説明する。
この第2の実施形態は、第1スリット形成部A1及び第2スリット形成部A2の境界部に薄膜トランジスタTRを形成するようにしたものである。
すなわち、第2の実施形態では、図6に示すように、画素3内の画素電極24の第1スリット形成領域A1及び第2スリット形成部A2の境界部に薄膜トランジスタTRが形成され、且つ上下方向即ちドレイン線5に沿って隣接する画素3で画素電極24の向きが左右反転されていることを除いては前述した第1の実施形態と同様の構成を有し、図1との対応部分には同一符号を付し、その詳細説明はこれを省略する。
【0047】
この第2の実施形態では、第1スリット形成領域A1及び第2スリット形成領域A2の各スリットS1及びS2の傾斜角+θs1及び−θs1の絶対値が前述した第1の実施形態より大きな角度に設定されている。
また、第1スリット形成領域A1及び第2スリット形成領域A2の境界位置でスリットS1′及びS2′が、図8で拡大図示するように、その外周電極部37側で連通されてV字状に形成されていると共に、外周電極部38側がこの外周電極部37から距離L2より大きな距離L5だけ離れた位置で閉塞されて、トランジスタ対向電極部40が形成されている。
【0048】
そして、図7に示すように、トランジスタ対向電極部40の下側に対向して、図6で見てU字状の能動層14が形成され、この能動層14のドレイン17及びソース18間にゲート線4が2回通るようにダブルゲート構成の薄膜トランジスタTRが形成されている。この薄膜トランジスタTRのソース18がコンタクトホールCH2、ソース電極19、コンタクトホールCH3を介してトランジスタ対向電極部40に電気的に接続されている。
【0049】
この第2の実施形態によると、スリットS1及びS2の傾斜方向が異なる第1スリット形成領域A1及び第2スリット形成領域A2の境界位置に、薄膜トランジスタTRと対向するトランジスタ対向電極部40を形成し、このトランジスタ対向電極部40を、図7に示すように、薄膜トランジスタTRのソース18に接続し、この薄膜トランジスタTRの能動層14を2回横切るようにゲート線4を配設することで、図6に示すように、1つの画素3の上下方向の中央部を横切るようにゲート線4を配設することができ、画素3を最小化にする設計を行うことができる。
【0050】
しかも、前述したように薄膜トランジスタTRをダブルゲート構造とすることにより、構成を小型化することができ、第1スリット形成領域A1及び第2スリット形成領域A2間を狭めることができ、画素3をより最小化することができる。
さらに、隣接する画素電極24が左右反転されているので、隣接する画素3間で、スリットS1又はS2が平行に連続した状態となり、画素3間に切れ目がない状態となるので、隣接する画素3間の透過率を向上させることができる。
【0051】
次に、本発明の第3の実施形態を図9及び図10について説明する。
この第3の実施形態では、画素電極を櫛歯状に形成したものである。
すなわち、第3の実施形態では、図9及び10に示すように、前述した第1の実施形態における画素電極24の右側の外側電極部38が形成されず、画素電極24が櫛歯状に形成されていることを除いては前述した図1及び図3と同様の構成を有し、図1及び図3との対応部分には同一符号を付し、その詳細説明はこれを省略する。
【0052】
この第3の実施形態によると、第1の実施形態における画素電極24の外側電極部38が形成されず、櫛歯状の画素電極24とされているので、スリットS1の端が形成されず、透過率を向上させることができる。
この第3の実施形態でも、櫛歯形状の画素電極24を端部形状に丸みを帯びることなく形成することがディスクリネーションを発生させないために必要であり、このためのフォトリソグラフィ工程で使用するマスクとして、図11に示すような、開口部電極形成マスク200を使用する。
【0053】
この開口部電極形成マスク200は、非透光パターン部212に対して、画素電極24のスリットS1及びS2に対向する位置にスリットS1及びS2の形状に応じた基本透光パターン部213及び214が形成され、さらに基本透光パターン部213及び214のディスクリネーションの発生する部位に基本透光パターン部213及び214を縮小してディスクリネーションの発生を抑制する補正用非透光パターン部215,216及び基本透光パターン部313,214を拡張してディスクリネーションの発生を抑制する補正用透光パターン部217,218が形成されている。
【0054】
ここで、基本透光パターン部213のディスクリネーションが発生する部位は、上述した第1の実施形態のように、スリットS1のようにラビング方向に対して正方向即ち反時計方向に傾斜している場合には、スリットS1の中心点をXY座標の原点とし、X方向をスリットの長手方向とし、Y方向をスリットの幅方向としたときに、第2象限及び第4象限の角部となる。また、基本透光パターン部214のディスクリネーションが発生する部位は、スリットS2のようにラビング方向に対して負方向即ち時計方向に傾斜している場合には、上記XY座標系において第1象限及び第3象限の角部Eとなる。
【0055】
補正用非透光パターン部215は、図12で拡大図示するように、非透光パターン部212が基本透光パターン部213内に拡張される形、換言すれば基本透光パターン部213が縮小される形に非透光パターン部212に連結して形成され、非透光パターン部212に連結してその長手方向即ちX軸に対して反時計方向に例えば45度傾斜して延長する比較的幅狭の帯状非透光パターン部219と、この帯状非透光パターン部219の延長端に形成された例えば直角二等辺三角形に形成された三角形非透光パターン部220とで構成されている。
【0056】
ここで、帯状非透光パターン部219の幅寸法I及び非透光パターン212の端部から三角形非透光パターン部220の先端部までの延長寸法Jが非透光パターン部212の幅寸法Hよりも小さく設定されている。
寸法の一例を挙げると、エッチング後に形成される画素電極24の細長い電極部の幅即ちラインの幅寸法Wを約3.0μmとするときには、非透光パターン部212の幅寸法Hを約3.6μmとすることができ、この場合、補正用非透光パターン部216の延長寸法Jを約1.5μm、幅寸法Iを約1.4μmとすることができる。
【0057】
図4及び図5に関連して前述したように、光近接効果を利用することで、露光装置の解像度以下の微細パターンを得ることができ、図12の例では、基本透光パターン部213あるいは非透光パターン212のみでは、露光装置の解像度の限界によって、露光パターンがその長手方向の端部において円弧状に、微細な補正用非透光パターン部215を設けることで、円弧状形状を補正して、かなり矩形に近い露光パターンとすることができる。
【0058】
したがって、光近接効果を利用するため、補正用非透光パターン部215の寸法は、基本透光パターン部214又は非透光パターン212の最小寸法よりも小さく設定される。上記の例で、露光装置の分解能が約3μmであるとすれば、基本透光パターン部214の最小寸法を露光装置の分解能の約3μmよりも大きい約3.6μmとし、補正用非透光パターン部216の最小寸法を露光装置の分解能の3μmより小さい約1.4μmとすることができる。
【0059】
このような開口部電極形成マスク200は、一般的な露光マスクの製造方法に従って、基本透光パターン部213の最小寸法を露光装置の解像度の許容範囲とし、基本透光パターン部213の長手方向の端部に、露光装置の解像度を超える小さな寸法を有する補正用透光パターン部215を設けるように透光パターンを形成したものを用いることができる。
【0060】
また、補正用透光パターン部216及び218については、前述した図4及び図5の補正用透光パターン部117と同様の構成を有し、補正用透光パターン217については補正用透光パターン215と線対称に構成されている。
この第3の実施形態では、前述した第1の実施形態の画素電極24を櫛歯状にした場合について説明したが、これに限定されるものではなく、前述した第2の実施形態の画素電極を櫛歯状とするようにしてもよい。
【0061】
なお、上記第1〜第3の実施形態においては、共通電極22及び画素電極24のうち画素電極24が液晶分子M側に配置されて、スリットS1及びS2を有する第1スリット形成領域A1及び第2スリット形成領域A2が形成されている場合について説明したが、これに限定されるものではなく、共通電極22を液晶分子M側に配置した場合には、画素電極24に代えて、共通電極22にスリットS1及びS2を有する第1スリット形成領域A1及び第2スリット形成領域S2を形成すればよい。
【0062】
さらに、上記第1〜第3の実施形態においては、薄膜トランジスタTRの能動層14をU字状に形成して、この能動層14をゲート線4が2度横切るようにダブルゲート構造とした場合について説明したが、これに限定されるものではなく、図13に示すように、能動層14を直線状に形成し、これに応じてゲート線4に能動層14の位置で二股に分岐する分岐部300を形成して、能動層14をゲート線4が2回横切るダブルゲート構造とするようにしてもよい。
【0063】
なおさらに、上記第1〜第3の実施形態においては、画素3がノーマリーブラック型のFFSモードにより動作する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、ノーマリーホワイト型のFFSモードにより動作する液晶表示装置についても本発明を適用することができる。この場合、第1の偏光板11及び第2の偏光板30の透過軸、配向膜25及び28のラビング方向の関係をノーマリーホワイト型に対応して変更すればよい。
【図面の簡単な説明】
【0064】
【図1】本発明の第1の実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。
【図2】図1のA−A上の断面図である。
【図3】図1の画素電極を示す平面図である。
【図4】第1の実施形態に適用する開口部形成用マスクを示す平面図である。
【図5】図4の補正透光パターン部の詳細を示す図である。
【図6】本発明の第2の実施形態の液晶表示装置を示す平面図である。
【図7】図6のA−A線上の断面図である。
【図8】図6の画素電極を示す平面図である。
【図9】本発明の第3の実施形態の液晶表示装置を示す平面図である。
【図10】図9の画素電極を示す平面図である。
【図11】第3の実施形態に適用する開口部形成用マスクを示す平面図である。
【図12】開口部形成用マスクの補正非透光パターン部の詳細を示す図である。
【図13】薄膜トランジスタの他の構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【0065】
1…液晶表示装置、2…表示部、3…画素、4…ゲート線、5…ドレイン線、10…バックライト、11…第1の偏光板、12…第1の透明基板、13…バッファ膜、14…能動層、15…ゲート絶縁膜、16…層間絶縁膜、17…ドレイン、18…ソース、19…ソース電極、20…パッシベーション膜、21…平坦化膜、22…共通電極、23…絶縁膜、24…画素電極、25…配向膜、26…液晶層、27…カラーフィルタ、28…配向膜、29…第2の透明基板、30…第2の偏光板、TR…薄膜トランジスタ、A1…第1スリット形成領域,A2…第2スリット形成領域、S1,S2…スリット、31,32…対向外周縁、33,34…対向外周縁、35〜38…外側電極部、39…連結電極部、40…トランジスタ対向電極、100…開口部形成用マスク、112…非透光パターン部、113,114…基本透光パターン部、115〜118…補正用透光パターン部、200…開口部形成用マスク、212…非透光パターン部、213,214…基本透光パターン部、215,217…補正用非透光パターン部、216,218…補正用透光パターン部
【特許請求の範囲】
【請求項1】
表示部を形成する画素を、少なくとも、液晶層を挟んで対向する一対の基板と、前記一対の基板の一方の基板に設けられ絶縁膜を挟んで配置された前記液晶層の液晶分子を駆動する共通電極及び画素電極と、で構成し、
前記共通電極及び前記画素電極のうちの前記液晶層側の電極は、ラビング方向に対して所定角度傾斜したスリットを有する少なくとも一対のスリット形成領域が前記画素の長手方向と前記スリットの長手方向とのなす角度が補角の関係となるように配置されると共に、前記一対のスリット形成領域の一方のスリット形成領域における他方のスリット形成領域とは反対側の外周縁が当該スリットの長手方向と略平行に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項2】
前記一対のスリット形成領域のそれぞれにおいて、前記液晶層側の電極に形成されたスリットは互いに平行に複数形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
【請求項3】
前記スリットは、前記液晶層側の電極の当該スリットの長手方向の対向外周縁の一方まで延長して、当該電極が櫛歯形状とされていることを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶表示装置。
【請求項4】
前記画素内に前記一対のスリット形成領域が配設されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
【請求項5】
前記一方のスリット形成領域の外周縁部に、前記画素電極に印加する電圧を制御する能動制御部が形成されていることを特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置。
【請求項6】
前記スリットの配列方向に隣接する画素のうち一方の画素の他方の画素に隣接するスリット形成領域と、他方の画素の一方の画素に隣接するスリット形成領域とが、互いのスリットが平行となるように配設されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
【請求項7】
前記一対のスリット形成領域の境界位置に、画素電極に印加する電圧を制御する能動制御部のゲートにゲート信号を供給するゲート線が配設されていることを特徴とする請求項6に記載の液晶表示装置。
【請求項8】
前記能動制御部は屈曲して前記ゲート線と2回交差することを特徴とする請求項7に記載の液晶表示装置。
【請求項1】
表示部を形成する画素を、少なくとも、液晶層を挟んで対向する一対の基板と、前記一対の基板の一方の基板に設けられ絶縁膜を挟んで配置された前記液晶層の液晶分子を駆動する共通電極及び画素電極と、で構成し、
前記共通電極及び前記画素電極のうちの前記液晶層側の電極は、ラビング方向に対して所定角度傾斜したスリットを有する少なくとも一対のスリット形成領域が前記画素の長手方向と前記スリットの長手方向とのなす角度が補角の関係となるように配置されると共に、前記一対のスリット形成領域の一方のスリット形成領域における他方のスリット形成領域とは反対側の外周縁が当該スリットの長手方向と略平行に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項2】
前記一対のスリット形成領域のそれぞれにおいて、前記液晶層側の電極に形成されたスリットは互いに平行に複数形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
【請求項3】
前記スリットは、前記液晶層側の電極の当該スリットの長手方向の対向外周縁の一方まで延長して、当該電極が櫛歯形状とされていることを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶表示装置。
【請求項4】
前記画素内に前記一対のスリット形成領域が配設されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
【請求項5】
前記一方のスリット形成領域の外周縁部に、前記画素電極に印加する電圧を制御する能動制御部が形成されていることを特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置。
【請求項6】
前記スリットの配列方向に隣接する画素のうち一方の画素の他方の画素に隣接するスリット形成領域と、他方の画素の一方の画素に隣接するスリット形成領域とが、互いのスリットが平行となるように配設されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
【請求項7】
前記一対のスリット形成領域の境界位置に、画素電極に印加する電圧を制御する能動制御部のゲートにゲート信号を供給するゲート線が配設されていることを特徴とする請求項6に記載の液晶表示装置。
【請求項8】
前記能動制御部は屈曲して前記ゲート線と2回交差することを特徴とする請求項7に記載の液晶表示装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【公開番号】特開2009−128466(P2009−128466A)
【公開日】平成21年6月11日(2009.6.11)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2007−301301(P2007−301301)
【出願日】平成19年11月21日(2007.11.21)
【出願人】(304053854)エプソンイメージングデバイス株式会社 (2,386)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成21年6月11日(2009.6.11)
【国際特許分類】
【出願日】平成19年11月21日(2007.11.21)
【出願人】(304053854)エプソンイメージングデバイス株式会社 (2,386)
【Fターム(参考)】
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