液晶表示装置
【課題】光の透過率を向上させることが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の液晶表示装置において、光学等方液晶層BPに含まれる媒質は、電圧無印加時に光学等方性を示し、電圧印加時に光学異方性を示す。溝状構造絶縁膜DSILには、1又は複数の凹部HSが形成される。画素電極PEと共通電極CEは、凹部HSの壁面に互いに向かい合うように配置される。マイクロレンズMLAは、画素電極PEと共通電極CEの間に向けて入射光を集光する。
【解決手段】本発明の液晶表示装置において、光学等方液晶層BPに含まれる媒質は、電圧無印加時に光学等方性を示し、電圧印加時に光学異方性を示す。溝状構造絶縁膜DSILには、1又は複数の凹部HSが形成される。画素電極PEと共通電極CEは、凹部HSの壁面に互いに向かい合うように配置される。マイクロレンズMLAは、画素電極PEと共通電極CEの間に向けて入射光を集光する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、液晶表示装置に関し、特には、ブルー相液晶などの光学等方液晶を用いた液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、ブルー相液晶などの光学等方液晶を用いた液晶表示装置が提案されている(特許文献1を参照)。光学等方液晶は、電圧無印加時に光学等方性を示し、電圧印加時に光学異方性を示す媒質である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開2009−145865号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、光学等方液晶を用いた液晶表示装置では、IPS(In-Plane Switching)方式の電極構造が採用されるが、この場合、電極が配置された領域で光が十分に透過しないことがわかっている。これは、電極の上方では面内方向の電界成分が弱く、光学異方性が十分に付与されないことに因る。また、光学等方液晶は、ネマティック相液晶と比べて液晶分子間の相互作用が弱いため、電極間で光学異方性が発生しても、それが電極上まで及びにくい。
【0005】
なお、特許文献1に開示された液晶表示装置では、表示側に位置する第1基板110に設けられたカラーフィルタ175上に突起195が形成され、この突起195上に一方の電極181が形成されている。しかしながら、この場合も、各電極181,182の近傍では面内方向の電界成分が依然として弱く、光が十分に透過しない。
【0006】
本発明は、上記実情に鑑みて為されたものであり、光の透過率を向上させることが可能な液晶表示装置を提供することを主な目的とする。
【0007】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記課題を解決するため、本発明の液晶表示装置は、光出射側に位置する第1の透明基板と、光入射側に位置し、前記第1の透明基板と対向する第2の透明基板と、前記第1の透明基板と前記第2の透明基板の間に保持される媒質と、絶縁膜と、一対の電極と、レンズ部と、を備える。前記媒質は、電圧無印加時に光学等方性を示し、電圧印加時に光学異方性を示す。前記絶縁膜は、前記第1の透明基板または前記第2の透明基板の前記媒質側に配置される。また、前記絶縁膜には、1又は複数の凹部が形成される。前記一対の電極は、前記凹部の壁面に互いに向かい合うように配置される。前記レンズ部は、前記第2の透明基板の前記媒質側とは反対側に配置される。また、前記レンズ部は、前記一対の電極の間に向けて入射光を集光する。
【0009】
本発明の一態様において、前記凹部は前記絶縁膜の面内方向に延伸し、前記電極は前記凹部の幅方向の両側に配置される。
【0010】
また、前記レンズ部は、前記凹部と同方向に延伸し、前記凹部に対応して配置されてもよい。
【0011】
また、前記凹部は、1画素に相当する範囲に、延伸方向が互いに異なる複数の部分を含んでもよい。
【0012】
また、前記絶縁膜には、1画素に相当する範囲に、延伸方向が互いに異なる前記複数の凹部が形成されてもよい。
【0013】
本発明の一態様において、前記絶縁膜には、1画素に相当する範囲に、1つの前記凹部が形成される。
【0014】
本発明の一態様において、前記絶縁膜には、1画素に相当する範囲に、複数の前記凹部が形成される。
【0015】
また、前記絶縁膜下に配線が形成され、前記各々の凹部に配置された前記一対の電極の一方の電極に、前記配線が接続されてもよい。
【0016】
また、前記絶縁膜下に配線が形成され、前記各々の凹部に配置された前記一対の電極の一方の電極同士が前記絶縁膜上で接続され、前記一方の電極の何れかに前記配線が接続されてもよい。
【0017】
本発明の一態様において、前記レンズ部の平面形状が円状である。
【0018】
また、複数の前記球面レンズが千鳥状に配列し、前記各球面レンズに対応する複数の前記凹部も千鳥状に配列してもよい。
【発明の効果】
【0019】
上記本発明によると、凹部の壁面に互いに向かい合うように配置された一対の電極によって、面内方向の電界成分が支配的な領域が膜厚方向に広がって形成されると共に、レンズ部によって、こうした領域に入射光が集光されるので、光の透過率を向上させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【0020】
【図1】本発明の第1実施形態に係る液晶表示装置の要部を概略的に表す断面図である。
【図2】本発明の第1実施形態に係る液晶表示装置の要部を概略的に表す平面図である。
【図3】本発明の第1実施形態に係る液晶表示装置の要部を概略的に表す分解斜視図である。
【図4A】本発明の作用説明図である。
【図4B】従来例の作用説明図である。
【図5A】本発明の第2実施形態に係る液晶表示装置の要部を概略的に表す断面図である。
【図5B】本発明の第2実施形態に係る液晶表示装置の要部を概略的に表す断面図である。
【図6】本発明の第2実施形態に係る液晶表示装置の要部を概略的に表す平面図である。
【図7】本発明の第3実施形態に係る液晶表示装置の要部を概略的に表す平面図である。
【図8】本発明の第3実施形態に係る液晶表示装置の要部を概略的に表す分解斜視図である。
【図9】本発明の第3実施形態に係る液晶表示装置の要部を概略的に表す平面図である。
【図10】本発明の第4実施形態に係る液晶表示装置の要部を概略的に表す平面図である。
【図11】本発明の第4実施形態に係る液晶表示装置の要部を概略的に表す分解斜視図である。
【図12】比較例に係る液晶表示装置の要部を概略的に表す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0021】
本発明の液晶表示装置の実施形態を、図面を参照しながら説明する。
【0022】
[第1実施形態]
図1ないし図3は、本発明の第1実施形態に係る液晶表示装置の要部を概略的に表す断面図、平面図、分解斜視図である。
【0023】
図1に示されるように、本発明の第1実施形態に係る液晶表示装置は、主に、第1の透明基板SU1、第2の透明基板SU2、光学等方液晶層BP及び光源LSを有している。第1の透明基板SU1、第2の透明基板SU2及びこれらに挟持される光学等方液晶層BPは液晶パネルを構成しており、その背面側に光源LSが配置されている。
【0024】
第1の透明基板SU1及び第2の透明基板SU2は、ホウケイ酸ガラスからなる。第1の透明基板SU1の光学等方液晶層BP側の面上には、第1の透明基板SU1側から順にカラーフィルタCFと平坦化膜LLとが積層されている。また、カラーフィルタCFには、局所的にブラックマトリクスBMが配置されている。
【0025】
第2の透明基板SU2の光学等方液晶層BP側の面上には、第2の透明基板SU2側から順に、第1絶縁膜GILと、第2絶縁膜SCILと、第3絶縁膜THILと、溝状構造絶縁膜DSILとが積層されている。これらは、透明な有機絶縁材料からなる。また、第1絶縁膜GILないし第3絶縁膜THILの膜間には、図2に示される信号配線SL、走査配線GL、共通配線CL及びアクティブ素子TFTが配置されている。また、溝状構造絶縁膜DSILには凹部HSが形成されており、その壁面にはITO(Indium Tin Oxide)からなる画素電極PEと共通電極CEが配置されている。共通電極CEは共通配線CLに接続されており、共通配線CLから電位を供給される。画素電極PEはアクティブ素子TFTを介して信号配線SLに接続されており、画像情報に応じた電位を供給される。アクティブ素子TFTの動作は走査配線GLにより制御される。
【0026】
アクティブ素子TFTは、薄膜トランジスタからなる。アクティブ素子TFTのチャネル部は多結晶シリコン層で構成されており、アモルファスシリコン層で構成される場合よりも高い移動度を示す。また、アクティブ素子TFTはスタガ型の積層構造を有しており、信号配線SLと走査配線GLが多結晶シリコン層よりも光学等方液晶層BPに近づいている。
【0027】
光源LSは、複数の白色LED(Light Emitting Diode)を備える平面光源であってもよいし、冷陰極管を備える平面光源であってもよい。
【0028】
第1の透明基板SU1の光出射側の面上には、第1の偏光板PL1が配置されており、第2の透明基板SU2の光源LS側の面上には、第2の偏光板PL2が配置されている。第1の偏光板PL1及び第2の偏光板PL2はヨウ素系色素を含み、その2色性により自然光を直線偏光に極めて近い部分偏光に変換する。第1の偏光板PL1と第2の偏光板PL2は、法線方向から観察したときに互いの吸収軸が直交するように配置されており、また、画素電極PEと共通電極CEの間に印加される電界の方向に対して互いの吸収軸が45度の角度を為すように配置されている。
【0029】
光学等方液晶層BPには、光学等方液晶が含まれている。光学等方液晶は、電圧無印加時に光学等方性を示し、電圧印加時に光学異方性を示す。光学異方性とは、屈折率の異方性のことである。光学等方液晶の例としては、ブルー相液晶や、キュービック対称性を示す媒質などが挙げられる。ブルー相液晶は、ネマティック液晶組成物中に含まれるモノマーをブルー相の温度域で重合させることで得られる液晶材料である。ネマティック液晶には、一般の液晶表示装置に用いられるような、極性基が置換された環構造と長鎖構造とを有する有機化合物が用いられる。カイラル剤には、分子内に不斉炭素を有する有機化合物が用いられる。重合性モノマーにはアクリル系モノマーなどが用いられ、光重合の場合にはアセトフェノン誘導体などの重合開始剤が併用される。例えば、ネマティック液晶組成物と光重合性モノマーの混合物を第1の透明基板SU1と第2の透明基板SU2の隙間に真空封入し、温度制御により混合物をブルー相とした状態で第2の透明基板SU2側から紫外線を照射することで、光学等方液晶層BPが得られる。
【0030】
溝状構造絶縁膜DSILに形成された凹部HSは、光出射側に向かうに従って徐々に広がるテーパー形状とされている。こうした凹部HSは、エッチングによって溝状構造絶縁膜DSILに形成される。凹部HSの壁面は、第2の透明基板SU2の表面に対して例えば約45度程度の傾斜を為すように形成されることが好ましい。こうした凹部HSの壁面には、画素電極PEと共通電極CEが面内方向に向かい合うように配置されている。具体的には、画素電極PEと共通電極CEは、凹部HSの傾斜した壁面のうち、面内方向に向かい合う部分にそれぞれ配置されている。電圧印加時において、画素電極PEと共通電極CEの間、すなわち凹部HS内には、面内方向の成分を主とする電界(いわゆる横電界)が生成される。
【0031】
なお、本実施形態では、凹部HSは、溝状構造絶縁膜DSILの膜厚方向に貫通しているが、これに限られず、有底の凹状であってもよい。また、溝状構造絶縁膜DSILの厚さが光学等方液晶層BPと同程度とされて、各凹部HS内の空間が互いに独立していてもよい。溝状構造絶縁膜DSILの厚さは、光学等方液晶層BPの半分以上であることが好ましい。また、凹部HSの壁面は、画素電極PE及び共通電極CEを形成するためにやや光出射側を向いていることが好ましいが、これに限られず、面内方向に対して垂直であってもよいし、やや光入射側を向いていてもよい。また、溝状構造絶縁膜DSIL、画素電極PE及び共通電極CEは、透明であることが好ましいが、後述するマイクロレンズMLAがあるため、透明でなくてもよい。
【0032】
図2には、1画素に相当する範囲が表されている。本実施形態において、各画素はV字状に折れ曲がった形状を有している。溝状構造絶縁膜DSILの1画素の範囲には、面内方向に延伸する溝状の凹部HSが2本並んで形成されている。これら凹部HSは、画素の形状と同様に、V字状に折れ曲がった形状を有しており、延伸方向が直交する2つの線状部分(図中の上半分と下半分)を含んでいる。画素電極PE及び共通電極CEは、凹部HSの壁面のうち、延伸方向に延びて幅方向に向かい合う長辺部にそれぞれ配置されている。また、画素電極PE及び共通電極CEは、2つの凹部HSに跨るように配置されている。具体的には、各凹部HSに設けられた画素電極PE又は共通電極CEは、溝状構造絶縁膜DSIL上で繋がっている。
【0033】
図2には、画素電極PEと共通電極CEの間に生成される電界の方向が破線で表されている。光学等方液晶層BPには、電圧印加によって光学異方性が生じる。具体的には、光学軸を含む方位では、極角の増大に伴ってリタデーションが減少するため、白表示時に表示色が青みを帯びる。これに対し、光学軸と垂直な方位では、極角の増大に伴ってリタデーションが増大するため、白表示時に表示色が黄色みを帯びる。本実施形態では、凹部HSは、延伸方向が直交する2つの線状部分を含んでいるため、各線状部分で生成される電界の方向は直交する。このため、一方の線状部分で光学等方液晶層BPに生じる遅相軸の方位と、他方の線状部分で光学等方液晶層BPに生じる遅相軸の方位とが直交する。すなわち、一方の線状部分で黄色みを帯びる方位と、他方の線状部分で青みを帯びる方位とが同一になる。黄色と青色は互いに補色の関係にあることから、本実施形態では、視角方向に依る着色が一画素内で相殺されることになり、この結果、視角特性が向上する。
【0034】
図1の説明に戻り、第2の透明基板SU2の光源LS側に配置された第2の偏光板PL2上には、レンズ部の例としてのマイクロレンズMLAが配置されている。マイクロレンズMLAは、溝状構造絶縁膜DSILに形成された各凹部HSに対応して配列している。マイクロレンズMLAは、光源LSからの入射光を凹部HS内の画素電極PEと共通電極CEの間に向けて集光する。マイクロレンズMLAの焦点は、凹部HS内にあることが好ましいが、凹部HS内を通過できる程度に絞られていれば、凹部HS内から層厚方向に多少外れていてもよい。
【0035】
図3に示されるように、マイクロレンズMLAは、凹部HSに対応して配置されている。具体的には、マイクロレンズMLAは、凹部HSと同様にV字状に折れ曲がった半円柱状の形状を有しており、光源LSからの入射光を凹部HSの幅方向に集光する。マイクロレンズMLAの中心線は、凹部HSに配置された画素電極PEと共通電極CEの間隙の下方に位置している。マイクロレンズMLAは、凹部HSと共に、複数の画素に跨るように配置されている。こうしたマイクロレンズMLAは、光硬化性の樹脂を第2の偏光板PL2上に印刷し、これに紫外線を照射することで作製される。光硬化性の樹脂は、印刷時に自らの表面張力によって凸状の断面形状となり、この状態で紫外線を照射されることで断面形状を保ったまま硬化する。これにより、半円柱状のマイクロレンズMLAが得られる。
【0036】
図4Aには、本発明の例に係る凹部HS内に発生する電界EFの状況が示されている。電圧印加時において、画素電極PEと共通電極CEの間、すなわち凹部HS内には、面内方向の成分を主とする電界EFが発生する。
【0037】
図4Bには、従来のIPS(In-Plane Switching)方式で平面状に配置された画素電極PEと共通電極CEの間に発生する電界EFの状況が示されている。従来のIPS方式では、光学等方液晶層BPの駆動に要する電圧が、通常のネマティック相液晶の場合と比べて数倍程度高いことがわかっている。また、光学等方液晶層BPのうち、画素電極PE及び共通電極CEに近い極一部に電圧印加のストレスが集中するため、残像や焼付きのおそれがある。
【0038】
これに対し、図4Aに示される本発明の例では、溝状構造絶縁膜DSILに形成された凹部HSの壁面に画素電極PEと共通電極CEが配置されているため、凹部HS内では層厚方向の比較的広い領域に渡って、ほぼ均一な強度の面内方向の電界EFを発生させることが可能である。このため、図4Aに示される本発明の例では、図4Bに示される従来例と比較して、駆動電圧を低減することが可能であると共に、光学等方液晶層BPの局所的なストレスを低減することが可能である。
【0039】
なお、図4Aに示される本発明の例では、画素電極PEと共通電極CEは凹部HSの傾斜した壁面に配置されているため、凹部HS内に発生する電界EFは完全に均一な強度で面内方向を向いているわけではない。しかしながら、図4Bの従来例に示される平面状の画素電極PEと共通電極CEの間に発生する電界と比較すれば、図4Aに示される本発明の例では、均一な強度で面内方向の電界EFが発生していると言える。
【0040】
さらに、図4Aに示される本発明の例では、溝状構造絶縁膜DSILの凹部HS以外が表示に寄与しないため、見かけ上の開口率は低下している。しかしながら、ほぼ均一な強度の面内方向の電界EFが発生している凹部HS内に向けて、マイクロレンズMLAによって入射光が集光されるため、透過率の向上を図ることが可能である。
【0041】
なお、図4Aに示される本発明の例に係る液晶表示装置を作製し、点灯させたところ、十分な輝度が得られたことが確認されている。また、長時間点灯した後であっても、残像や焼付きが生じなかったことも確認されている。
【0042】
[第2実施形態]
図5Aないし図6は、本発明の第2実施形態に係る液晶表示装置の要部を概略的に表す断面図及び平面図である。上記実施形態と重複する構成については、同番号を付すことで詳細な説明を省略する。
【0043】
上記第1実施形態では、1画素に凹部HSが2本形成されていたが、本実施形態では、1画素に凹部HSが1本形成されている。上記第1実施形態と本実施形態とで画素サイズを同程度とした場合、本実施形態のマイクロレンズMLAの幅は上記第1実施形態と比較して倍近くになる。このため、光源LSからのより広い範囲の光を凹部HS内に集光させることができ、さらに、凹部HS内を透過した光をより広い範囲に出射させることができる。この結果、本実施形態では、上記第1実施形態よりも広視野角を実現することが可能である。また、上記第1実施形態と本実施形態とで凹部HSの大きさを同程度とした場合、本実施形態では、よりサイズの小さい画素を得ることができ、より精細度の高い表示が可能となる。
【0044】
また、図5Bに示されるように、画素電極PEの下端部は、第2絶縁膜SCILと第3絶縁膜THILの間に配置されたアクティブ素子TFTに、第3絶縁膜THILを貫通するように設けられた接続部PCTを介して接続されている。詳細な図示は省略するが、画素電極PEと同様に、共通電極CEも接続部CCTを介して共通配線CLに接続されている(図6を参照)。
【0045】
[第3実施形態]
図7及び図8は、本発明の第3実施形態に係る液晶表示装置の要部を概略的に表す平面図及び分解斜視図である。上記実施形態と重複する構成については、同番号を付すことで詳細な説明を省略する。
【0046】
本実施形態では、長方形の1画素の長辺方向に沿って2つの凹部HS1,HS2が並んでおり、各凹部HS1,HS2に対応してマイクロレンズMLAが設けられている。マイクロレンズMLAは、半球状の球面レンズとされている。各凹部HSは長方形状に形成されており、これらの延伸方向は直交している。各凹部HS1,HS2の壁面のうち幅方向の両側には、画素電極PEと共通電極CEが向かい合うように配置されている。このため、各凹部HS1,HS2において画素電極PEと共通電極CEの間に発生する電界の方向は、平面視において直交する。このような構成により、上記第1実施形態と同様に、光学等方液晶層BPに生じる光学異方性の視角依存性が2つの凹部HS1,HS2によって相殺され、視角特性が向上する。また、各凹部HS1,HS2に対応するマイクロレンズMLAは、同一の形状及び大きさの円状であるため、各凹部HS1,HS2を通過した光を全視角方向で同一の強度比とすることができ、その結果、全視角方向において視角特性を向上させることが可能である。なお、マイクロレンズMLAの形状は、完全な球面に限られず、平面形状が円状で、断面形状が凸状であればよい。
【0047】
また、図7に示されるように、溝状構造絶縁膜DSIL下に配置されたアクティブ素子TFTから延びるドレイン線DRには、第1の凹部HS1に配置された画素電極PEが接続部PCT1を介して接続されており、第2の凹部HS2に配置された画素電極PEも接続部PCT2を介して接続されている。また、第1の凹部HS1に配置された画素電極PEと、第2の凹部HS2に配置された画素電極PEとは、溝状構造絶縁膜DSIL上で繋がっている。同様に、溝状構造絶縁膜DSIL下に配置された共通配線CLには、第1の凹部HS1に配置された共通電極CEが接続部CCT1を介して接続されており、第2の凹部HS2に配置された共通電極CEも接続部CCT2を介して接続されている。また、第1の凹部HS1に配置された共通電極CEと、第2の凹部HS2に配置された共通電極CEは、溝状構造絶縁膜DSIL上で繋がっている。これらの接続態様は、上記図5Bに示された通りである。このような構成により、2つの接続部PCT1,PCT2の一方で断線が生じても、画素電極PEへの電位供給が妨げられないし、2つの接続部CCT1,CCT2の一方で断線が生じても、共通電極CEへの電位供給が妨げられない。
【0048】
あるいは、図9に示されるように、第1の凹部HS1に配置された画素電極PEと、第2の凹部HS2に配置された画素電極PEとの一方のみを、接続部PCTを介してドレイン線DRに接続してもよい。また、第1の凹部HS1に配置された共通電極CEと、第2の凹部HS2に配置された共通電極CEとの一方のみを、接続部CCTを介して共通配線CLに接続してもよい。この場合、凹部HS1,HS2のサイズを低減でき、ひいては画素のサイズを低減できる。このことは、画素の高精細化に有効である。
【0049】
[第4実施形態]
図10及び図11は、本発明の第4実施形態に係る液晶表示装置の要部を概略的に表す平面図及び分解斜視図である。上記実施形態と重複する構成については、同番号を付すことで詳細な説明を省略する。
【0050】
本実施形態では、半球状の球面レンズとして構成されたマイクロレンズMLAの配列を千鳥状(すなわち蜂の巣状)としており、また、これに対応するように凹部HS1,HS2を設けている。具体的には、各画素は、第1の凹部HS1を含む矩形状の部分と、第2の凹部HS2を含む矩形状の部分とが画素間隔の半分程度ずれた形状を有している。このような構造により、千鳥状に配列するマイクロレンズMLAを通過する入射光を各凹部HS1,HS2に向けて集光することが可能である。また、千鳥状とすることで、マイクロレンズMLAを密に配列させることができるので、光源LSからの光をより高い効率で利用できる。
【0051】
[比較例1]
比較例1は、上記図1に示される第1実施形態の液晶表示装置からマイクロレンズMLAを省略したものである。この比較例1の表示状態を観察したところ、輝度が低く視認性が不良であった。これは、マイクロレンズMLAによる集光がないことから、溝状構造絶縁膜DSIL中に凹部HSが占める割合が実効的な開口率となるためである。凹部HSの構造は、より均一な面内方向の電界を印加するのに有効であるが、開口率の低下を伴う。このため、残像や焼きつきを生じない表示を実現しながら輝度を確保するためには、凹部HSとマイクロレンズMLAの組合せが必要である。
【0052】
[比較例2]
図12は、比較例2に係る液晶表示装置の1画素に相当する範囲を表す平面図である。比較例2は、平面状に配置された櫛歯状の画素電極PEと共通電極CEを用いた従来の液晶表示装置である。こうした画素電極PEと共通電極CEの間に発生する電界の状況は、上記図4Bに示された通りである。こうした比較例2に係る液晶表示装置に同一の画像を一定時間表示した後に電圧を除き表示状態を観察したところ、残像が観察された。上記図4Bに示されるように、画素電極PEと共通電極CEの近傍には電界が局在化する。特に、画素電極PEと共通電極CEが近接している場合、局在化の度合いが強まる。そのため、光学等方液晶層BPのうち、画素電極PEと共通電極CEに近い部分にのみ強い電界が印加されると、強いストレスがかかって劣化が進むことになる。このことが原因となり、残像や焼きつきが生じる場合がある。ここで、残像とは表示内容が電圧除去後も暫くの間残って見える現象であり、焼付きとはこれが半永久的に残って見える現象である。
【0053】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形実施が当業者にとって可能であるのはもちろんである。
【0054】
例えば、上記実施形態では、溝状構造絶縁膜DSILが第2の透明基板SU2側に配置されているが、こうした態様に限られず、溝状構造絶縁膜DSILが第1の透明基板SU1側に配置されてもよい。
【0055】
また、上記実施形態では、マイクロレンズMLAが円筒状または球面状に形成されているが、こうした態様に限られず、マイクロレンズMLAがフレネルレンズ状に形成されてもよい。
【符号の説明】
【0056】
PL1 第1の偏光板、PL2 第2の偏光板、SU1 第1の透明基板、SU2 第2の透明基板、LL 平坦化層、CF カラーフィルタ、BM ブラックマトリクス、BP 光学等方液晶層、GL 走査配線、GIL 第1絶縁膜、SCIL 第2絶縁膜、THIl 第3絶縁膜、DSIL 溝状構造絶縁膜、MLA マイクロレンズ、LS 光源、CE 共通電極、PE 画素電極、TFT アクティブ素子、CCT 接続部、PCT 接続部、EF 電界、HS 凹部。
【技術分野】
【0001】
本発明は、液晶表示装置に関し、特には、ブルー相液晶などの光学等方液晶を用いた液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、ブルー相液晶などの光学等方液晶を用いた液晶表示装置が提案されている(特許文献1を参照)。光学等方液晶は、電圧無印加時に光学等方性を示し、電圧印加時に光学異方性を示す媒質である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開2009−145865号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、光学等方液晶を用いた液晶表示装置では、IPS(In-Plane Switching)方式の電極構造が採用されるが、この場合、電極が配置された領域で光が十分に透過しないことがわかっている。これは、電極の上方では面内方向の電界成分が弱く、光学異方性が十分に付与されないことに因る。また、光学等方液晶は、ネマティック相液晶と比べて液晶分子間の相互作用が弱いため、電極間で光学異方性が発生しても、それが電極上まで及びにくい。
【0005】
なお、特許文献1に開示された液晶表示装置では、表示側に位置する第1基板110に設けられたカラーフィルタ175上に突起195が形成され、この突起195上に一方の電極181が形成されている。しかしながら、この場合も、各電極181,182の近傍では面内方向の電界成分が依然として弱く、光が十分に透過しない。
【0006】
本発明は、上記実情に鑑みて為されたものであり、光の透過率を向上させることが可能な液晶表示装置を提供することを主な目的とする。
【0007】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記課題を解決するため、本発明の液晶表示装置は、光出射側に位置する第1の透明基板と、光入射側に位置し、前記第1の透明基板と対向する第2の透明基板と、前記第1の透明基板と前記第2の透明基板の間に保持される媒質と、絶縁膜と、一対の電極と、レンズ部と、を備える。前記媒質は、電圧無印加時に光学等方性を示し、電圧印加時に光学異方性を示す。前記絶縁膜は、前記第1の透明基板または前記第2の透明基板の前記媒質側に配置される。また、前記絶縁膜には、1又は複数の凹部が形成される。前記一対の電極は、前記凹部の壁面に互いに向かい合うように配置される。前記レンズ部は、前記第2の透明基板の前記媒質側とは反対側に配置される。また、前記レンズ部は、前記一対の電極の間に向けて入射光を集光する。
【0009】
本発明の一態様において、前記凹部は前記絶縁膜の面内方向に延伸し、前記電極は前記凹部の幅方向の両側に配置される。
【0010】
また、前記レンズ部は、前記凹部と同方向に延伸し、前記凹部に対応して配置されてもよい。
【0011】
また、前記凹部は、1画素に相当する範囲に、延伸方向が互いに異なる複数の部分を含んでもよい。
【0012】
また、前記絶縁膜には、1画素に相当する範囲に、延伸方向が互いに異なる前記複数の凹部が形成されてもよい。
【0013】
本発明の一態様において、前記絶縁膜には、1画素に相当する範囲に、1つの前記凹部が形成される。
【0014】
本発明の一態様において、前記絶縁膜には、1画素に相当する範囲に、複数の前記凹部が形成される。
【0015】
また、前記絶縁膜下に配線が形成され、前記各々の凹部に配置された前記一対の電極の一方の電極に、前記配線が接続されてもよい。
【0016】
また、前記絶縁膜下に配線が形成され、前記各々の凹部に配置された前記一対の電極の一方の電極同士が前記絶縁膜上で接続され、前記一方の電極の何れかに前記配線が接続されてもよい。
【0017】
本発明の一態様において、前記レンズ部の平面形状が円状である。
【0018】
また、複数の前記球面レンズが千鳥状に配列し、前記各球面レンズに対応する複数の前記凹部も千鳥状に配列してもよい。
【発明の効果】
【0019】
上記本発明によると、凹部の壁面に互いに向かい合うように配置された一対の電極によって、面内方向の電界成分が支配的な領域が膜厚方向に広がって形成されると共に、レンズ部によって、こうした領域に入射光が集光されるので、光の透過率を向上させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【0020】
【図1】本発明の第1実施形態に係る液晶表示装置の要部を概略的に表す断面図である。
【図2】本発明の第1実施形態に係る液晶表示装置の要部を概略的に表す平面図である。
【図3】本発明の第1実施形態に係る液晶表示装置の要部を概略的に表す分解斜視図である。
【図4A】本発明の作用説明図である。
【図4B】従来例の作用説明図である。
【図5A】本発明の第2実施形態に係る液晶表示装置の要部を概略的に表す断面図である。
【図5B】本発明の第2実施形態に係る液晶表示装置の要部を概略的に表す断面図である。
【図6】本発明の第2実施形態に係る液晶表示装置の要部を概略的に表す平面図である。
【図7】本発明の第3実施形態に係る液晶表示装置の要部を概略的に表す平面図である。
【図8】本発明の第3実施形態に係る液晶表示装置の要部を概略的に表す分解斜視図である。
【図9】本発明の第3実施形態に係る液晶表示装置の要部を概略的に表す平面図である。
【図10】本発明の第4実施形態に係る液晶表示装置の要部を概略的に表す平面図である。
【図11】本発明の第4実施形態に係る液晶表示装置の要部を概略的に表す分解斜視図である。
【図12】比較例に係る液晶表示装置の要部を概略的に表す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0021】
本発明の液晶表示装置の実施形態を、図面を参照しながら説明する。
【0022】
[第1実施形態]
図1ないし図3は、本発明の第1実施形態に係る液晶表示装置の要部を概略的に表す断面図、平面図、分解斜視図である。
【0023】
図1に示されるように、本発明の第1実施形態に係る液晶表示装置は、主に、第1の透明基板SU1、第2の透明基板SU2、光学等方液晶層BP及び光源LSを有している。第1の透明基板SU1、第2の透明基板SU2及びこれらに挟持される光学等方液晶層BPは液晶パネルを構成しており、その背面側に光源LSが配置されている。
【0024】
第1の透明基板SU1及び第2の透明基板SU2は、ホウケイ酸ガラスからなる。第1の透明基板SU1の光学等方液晶層BP側の面上には、第1の透明基板SU1側から順にカラーフィルタCFと平坦化膜LLとが積層されている。また、カラーフィルタCFには、局所的にブラックマトリクスBMが配置されている。
【0025】
第2の透明基板SU2の光学等方液晶層BP側の面上には、第2の透明基板SU2側から順に、第1絶縁膜GILと、第2絶縁膜SCILと、第3絶縁膜THILと、溝状構造絶縁膜DSILとが積層されている。これらは、透明な有機絶縁材料からなる。また、第1絶縁膜GILないし第3絶縁膜THILの膜間には、図2に示される信号配線SL、走査配線GL、共通配線CL及びアクティブ素子TFTが配置されている。また、溝状構造絶縁膜DSILには凹部HSが形成されており、その壁面にはITO(Indium Tin Oxide)からなる画素電極PEと共通電極CEが配置されている。共通電極CEは共通配線CLに接続されており、共通配線CLから電位を供給される。画素電極PEはアクティブ素子TFTを介して信号配線SLに接続されており、画像情報に応じた電位を供給される。アクティブ素子TFTの動作は走査配線GLにより制御される。
【0026】
アクティブ素子TFTは、薄膜トランジスタからなる。アクティブ素子TFTのチャネル部は多結晶シリコン層で構成されており、アモルファスシリコン層で構成される場合よりも高い移動度を示す。また、アクティブ素子TFTはスタガ型の積層構造を有しており、信号配線SLと走査配線GLが多結晶シリコン層よりも光学等方液晶層BPに近づいている。
【0027】
光源LSは、複数の白色LED(Light Emitting Diode)を備える平面光源であってもよいし、冷陰極管を備える平面光源であってもよい。
【0028】
第1の透明基板SU1の光出射側の面上には、第1の偏光板PL1が配置されており、第2の透明基板SU2の光源LS側の面上には、第2の偏光板PL2が配置されている。第1の偏光板PL1及び第2の偏光板PL2はヨウ素系色素を含み、その2色性により自然光を直線偏光に極めて近い部分偏光に変換する。第1の偏光板PL1と第2の偏光板PL2は、法線方向から観察したときに互いの吸収軸が直交するように配置されており、また、画素電極PEと共通電極CEの間に印加される電界の方向に対して互いの吸収軸が45度の角度を為すように配置されている。
【0029】
光学等方液晶層BPには、光学等方液晶が含まれている。光学等方液晶は、電圧無印加時に光学等方性を示し、電圧印加時に光学異方性を示す。光学異方性とは、屈折率の異方性のことである。光学等方液晶の例としては、ブルー相液晶や、キュービック対称性を示す媒質などが挙げられる。ブルー相液晶は、ネマティック液晶組成物中に含まれるモノマーをブルー相の温度域で重合させることで得られる液晶材料である。ネマティック液晶には、一般の液晶表示装置に用いられるような、極性基が置換された環構造と長鎖構造とを有する有機化合物が用いられる。カイラル剤には、分子内に不斉炭素を有する有機化合物が用いられる。重合性モノマーにはアクリル系モノマーなどが用いられ、光重合の場合にはアセトフェノン誘導体などの重合開始剤が併用される。例えば、ネマティック液晶組成物と光重合性モノマーの混合物を第1の透明基板SU1と第2の透明基板SU2の隙間に真空封入し、温度制御により混合物をブルー相とした状態で第2の透明基板SU2側から紫外線を照射することで、光学等方液晶層BPが得られる。
【0030】
溝状構造絶縁膜DSILに形成された凹部HSは、光出射側に向かうに従って徐々に広がるテーパー形状とされている。こうした凹部HSは、エッチングによって溝状構造絶縁膜DSILに形成される。凹部HSの壁面は、第2の透明基板SU2の表面に対して例えば約45度程度の傾斜を為すように形成されることが好ましい。こうした凹部HSの壁面には、画素電極PEと共通電極CEが面内方向に向かい合うように配置されている。具体的には、画素電極PEと共通電極CEは、凹部HSの傾斜した壁面のうち、面内方向に向かい合う部分にそれぞれ配置されている。電圧印加時において、画素電極PEと共通電極CEの間、すなわち凹部HS内には、面内方向の成分を主とする電界(いわゆる横電界)が生成される。
【0031】
なお、本実施形態では、凹部HSは、溝状構造絶縁膜DSILの膜厚方向に貫通しているが、これに限られず、有底の凹状であってもよい。また、溝状構造絶縁膜DSILの厚さが光学等方液晶層BPと同程度とされて、各凹部HS内の空間が互いに独立していてもよい。溝状構造絶縁膜DSILの厚さは、光学等方液晶層BPの半分以上であることが好ましい。また、凹部HSの壁面は、画素電極PE及び共通電極CEを形成するためにやや光出射側を向いていることが好ましいが、これに限られず、面内方向に対して垂直であってもよいし、やや光入射側を向いていてもよい。また、溝状構造絶縁膜DSIL、画素電極PE及び共通電極CEは、透明であることが好ましいが、後述するマイクロレンズMLAがあるため、透明でなくてもよい。
【0032】
図2には、1画素に相当する範囲が表されている。本実施形態において、各画素はV字状に折れ曲がった形状を有している。溝状構造絶縁膜DSILの1画素の範囲には、面内方向に延伸する溝状の凹部HSが2本並んで形成されている。これら凹部HSは、画素の形状と同様に、V字状に折れ曲がった形状を有しており、延伸方向が直交する2つの線状部分(図中の上半分と下半分)を含んでいる。画素電極PE及び共通電極CEは、凹部HSの壁面のうち、延伸方向に延びて幅方向に向かい合う長辺部にそれぞれ配置されている。また、画素電極PE及び共通電極CEは、2つの凹部HSに跨るように配置されている。具体的には、各凹部HSに設けられた画素電極PE又は共通電極CEは、溝状構造絶縁膜DSIL上で繋がっている。
【0033】
図2には、画素電極PEと共通電極CEの間に生成される電界の方向が破線で表されている。光学等方液晶層BPには、電圧印加によって光学異方性が生じる。具体的には、光学軸を含む方位では、極角の増大に伴ってリタデーションが減少するため、白表示時に表示色が青みを帯びる。これに対し、光学軸と垂直な方位では、極角の増大に伴ってリタデーションが増大するため、白表示時に表示色が黄色みを帯びる。本実施形態では、凹部HSは、延伸方向が直交する2つの線状部分を含んでいるため、各線状部分で生成される電界の方向は直交する。このため、一方の線状部分で光学等方液晶層BPに生じる遅相軸の方位と、他方の線状部分で光学等方液晶層BPに生じる遅相軸の方位とが直交する。すなわち、一方の線状部分で黄色みを帯びる方位と、他方の線状部分で青みを帯びる方位とが同一になる。黄色と青色は互いに補色の関係にあることから、本実施形態では、視角方向に依る着色が一画素内で相殺されることになり、この結果、視角特性が向上する。
【0034】
図1の説明に戻り、第2の透明基板SU2の光源LS側に配置された第2の偏光板PL2上には、レンズ部の例としてのマイクロレンズMLAが配置されている。マイクロレンズMLAは、溝状構造絶縁膜DSILに形成された各凹部HSに対応して配列している。マイクロレンズMLAは、光源LSからの入射光を凹部HS内の画素電極PEと共通電極CEの間に向けて集光する。マイクロレンズMLAの焦点は、凹部HS内にあることが好ましいが、凹部HS内を通過できる程度に絞られていれば、凹部HS内から層厚方向に多少外れていてもよい。
【0035】
図3に示されるように、マイクロレンズMLAは、凹部HSに対応して配置されている。具体的には、マイクロレンズMLAは、凹部HSと同様にV字状に折れ曲がった半円柱状の形状を有しており、光源LSからの入射光を凹部HSの幅方向に集光する。マイクロレンズMLAの中心線は、凹部HSに配置された画素電極PEと共通電極CEの間隙の下方に位置している。マイクロレンズMLAは、凹部HSと共に、複数の画素に跨るように配置されている。こうしたマイクロレンズMLAは、光硬化性の樹脂を第2の偏光板PL2上に印刷し、これに紫外線を照射することで作製される。光硬化性の樹脂は、印刷時に自らの表面張力によって凸状の断面形状となり、この状態で紫外線を照射されることで断面形状を保ったまま硬化する。これにより、半円柱状のマイクロレンズMLAが得られる。
【0036】
図4Aには、本発明の例に係る凹部HS内に発生する電界EFの状況が示されている。電圧印加時において、画素電極PEと共通電極CEの間、すなわち凹部HS内には、面内方向の成分を主とする電界EFが発生する。
【0037】
図4Bには、従来のIPS(In-Plane Switching)方式で平面状に配置された画素電極PEと共通電極CEの間に発生する電界EFの状況が示されている。従来のIPS方式では、光学等方液晶層BPの駆動に要する電圧が、通常のネマティック相液晶の場合と比べて数倍程度高いことがわかっている。また、光学等方液晶層BPのうち、画素電極PE及び共通電極CEに近い極一部に電圧印加のストレスが集中するため、残像や焼付きのおそれがある。
【0038】
これに対し、図4Aに示される本発明の例では、溝状構造絶縁膜DSILに形成された凹部HSの壁面に画素電極PEと共通電極CEが配置されているため、凹部HS内では層厚方向の比較的広い領域に渡って、ほぼ均一な強度の面内方向の電界EFを発生させることが可能である。このため、図4Aに示される本発明の例では、図4Bに示される従来例と比較して、駆動電圧を低減することが可能であると共に、光学等方液晶層BPの局所的なストレスを低減することが可能である。
【0039】
なお、図4Aに示される本発明の例では、画素電極PEと共通電極CEは凹部HSの傾斜した壁面に配置されているため、凹部HS内に発生する電界EFは完全に均一な強度で面内方向を向いているわけではない。しかしながら、図4Bの従来例に示される平面状の画素電極PEと共通電極CEの間に発生する電界と比較すれば、図4Aに示される本発明の例では、均一な強度で面内方向の電界EFが発生していると言える。
【0040】
さらに、図4Aに示される本発明の例では、溝状構造絶縁膜DSILの凹部HS以外が表示に寄与しないため、見かけ上の開口率は低下している。しかしながら、ほぼ均一な強度の面内方向の電界EFが発生している凹部HS内に向けて、マイクロレンズMLAによって入射光が集光されるため、透過率の向上を図ることが可能である。
【0041】
なお、図4Aに示される本発明の例に係る液晶表示装置を作製し、点灯させたところ、十分な輝度が得られたことが確認されている。また、長時間点灯した後であっても、残像や焼付きが生じなかったことも確認されている。
【0042】
[第2実施形態]
図5Aないし図6は、本発明の第2実施形態に係る液晶表示装置の要部を概略的に表す断面図及び平面図である。上記実施形態と重複する構成については、同番号を付すことで詳細な説明を省略する。
【0043】
上記第1実施形態では、1画素に凹部HSが2本形成されていたが、本実施形態では、1画素に凹部HSが1本形成されている。上記第1実施形態と本実施形態とで画素サイズを同程度とした場合、本実施形態のマイクロレンズMLAの幅は上記第1実施形態と比較して倍近くになる。このため、光源LSからのより広い範囲の光を凹部HS内に集光させることができ、さらに、凹部HS内を透過した光をより広い範囲に出射させることができる。この結果、本実施形態では、上記第1実施形態よりも広視野角を実現することが可能である。また、上記第1実施形態と本実施形態とで凹部HSの大きさを同程度とした場合、本実施形態では、よりサイズの小さい画素を得ることができ、より精細度の高い表示が可能となる。
【0044】
また、図5Bに示されるように、画素電極PEの下端部は、第2絶縁膜SCILと第3絶縁膜THILの間に配置されたアクティブ素子TFTに、第3絶縁膜THILを貫通するように設けられた接続部PCTを介して接続されている。詳細な図示は省略するが、画素電極PEと同様に、共通電極CEも接続部CCTを介して共通配線CLに接続されている(図6を参照)。
【0045】
[第3実施形態]
図7及び図8は、本発明の第3実施形態に係る液晶表示装置の要部を概略的に表す平面図及び分解斜視図である。上記実施形態と重複する構成については、同番号を付すことで詳細な説明を省略する。
【0046】
本実施形態では、長方形の1画素の長辺方向に沿って2つの凹部HS1,HS2が並んでおり、各凹部HS1,HS2に対応してマイクロレンズMLAが設けられている。マイクロレンズMLAは、半球状の球面レンズとされている。各凹部HSは長方形状に形成されており、これらの延伸方向は直交している。各凹部HS1,HS2の壁面のうち幅方向の両側には、画素電極PEと共通電極CEが向かい合うように配置されている。このため、各凹部HS1,HS2において画素電極PEと共通電極CEの間に発生する電界の方向は、平面視において直交する。このような構成により、上記第1実施形態と同様に、光学等方液晶層BPに生じる光学異方性の視角依存性が2つの凹部HS1,HS2によって相殺され、視角特性が向上する。また、各凹部HS1,HS2に対応するマイクロレンズMLAは、同一の形状及び大きさの円状であるため、各凹部HS1,HS2を通過した光を全視角方向で同一の強度比とすることができ、その結果、全視角方向において視角特性を向上させることが可能である。なお、マイクロレンズMLAの形状は、完全な球面に限られず、平面形状が円状で、断面形状が凸状であればよい。
【0047】
また、図7に示されるように、溝状構造絶縁膜DSIL下に配置されたアクティブ素子TFTから延びるドレイン線DRには、第1の凹部HS1に配置された画素電極PEが接続部PCT1を介して接続されており、第2の凹部HS2に配置された画素電極PEも接続部PCT2を介して接続されている。また、第1の凹部HS1に配置された画素電極PEと、第2の凹部HS2に配置された画素電極PEとは、溝状構造絶縁膜DSIL上で繋がっている。同様に、溝状構造絶縁膜DSIL下に配置された共通配線CLには、第1の凹部HS1に配置された共通電極CEが接続部CCT1を介して接続されており、第2の凹部HS2に配置された共通電極CEも接続部CCT2を介して接続されている。また、第1の凹部HS1に配置された共通電極CEと、第2の凹部HS2に配置された共通電極CEは、溝状構造絶縁膜DSIL上で繋がっている。これらの接続態様は、上記図5Bに示された通りである。このような構成により、2つの接続部PCT1,PCT2の一方で断線が生じても、画素電極PEへの電位供給が妨げられないし、2つの接続部CCT1,CCT2の一方で断線が生じても、共通電極CEへの電位供給が妨げられない。
【0048】
あるいは、図9に示されるように、第1の凹部HS1に配置された画素電極PEと、第2の凹部HS2に配置された画素電極PEとの一方のみを、接続部PCTを介してドレイン線DRに接続してもよい。また、第1の凹部HS1に配置された共通電極CEと、第2の凹部HS2に配置された共通電極CEとの一方のみを、接続部CCTを介して共通配線CLに接続してもよい。この場合、凹部HS1,HS2のサイズを低減でき、ひいては画素のサイズを低減できる。このことは、画素の高精細化に有効である。
【0049】
[第4実施形態]
図10及び図11は、本発明の第4実施形態に係る液晶表示装置の要部を概略的に表す平面図及び分解斜視図である。上記実施形態と重複する構成については、同番号を付すことで詳細な説明を省略する。
【0050】
本実施形態では、半球状の球面レンズとして構成されたマイクロレンズMLAの配列を千鳥状(すなわち蜂の巣状)としており、また、これに対応するように凹部HS1,HS2を設けている。具体的には、各画素は、第1の凹部HS1を含む矩形状の部分と、第2の凹部HS2を含む矩形状の部分とが画素間隔の半分程度ずれた形状を有している。このような構造により、千鳥状に配列するマイクロレンズMLAを通過する入射光を各凹部HS1,HS2に向けて集光することが可能である。また、千鳥状とすることで、マイクロレンズMLAを密に配列させることができるので、光源LSからの光をより高い効率で利用できる。
【0051】
[比較例1]
比較例1は、上記図1に示される第1実施形態の液晶表示装置からマイクロレンズMLAを省略したものである。この比較例1の表示状態を観察したところ、輝度が低く視認性が不良であった。これは、マイクロレンズMLAによる集光がないことから、溝状構造絶縁膜DSIL中に凹部HSが占める割合が実効的な開口率となるためである。凹部HSの構造は、より均一な面内方向の電界を印加するのに有効であるが、開口率の低下を伴う。このため、残像や焼きつきを生じない表示を実現しながら輝度を確保するためには、凹部HSとマイクロレンズMLAの組合せが必要である。
【0052】
[比較例2]
図12は、比較例2に係る液晶表示装置の1画素に相当する範囲を表す平面図である。比較例2は、平面状に配置された櫛歯状の画素電極PEと共通電極CEを用いた従来の液晶表示装置である。こうした画素電極PEと共通電極CEの間に発生する電界の状況は、上記図4Bに示された通りである。こうした比較例2に係る液晶表示装置に同一の画像を一定時間表示した後に電圧を除き表示状態を観察したところ、残像が観察された。上記図4Bに示されるように、画素電極PEと共通電極CEの近傍には電界が局在化する。特に、画素電極PEと共通電極CEが近接している場合、局在化の度合いが強まる。そのため、光学等方液晶層BPのうち、画素電極PEと共通電極CEに近い部分にのみ強い電界が印加されると、強いストレスがかかって劣化が進むことになる。このことが原因となり、残像や焼きつきが生じる場合がある。ここで、残像とは表示内容が電圧除去後も暫くの間残って見える現象であり、焼付きとはこれが半永久的に残って見える現象である。
【0053】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形実施が当業者にとって可能であるのはもちろんである。
【0054】
例えば、上記実施形態では、溝状構造絶縁膜DSILが第2の透明基板SU2側に配置されているが、こうした態様に限られず、溝状構造絶縁膜DSILが第1の透明基板SU1側に配置されてもよい。
【0055】
また、上記実施形態では、マイクロレンズMLAが円筒状または球面状に形成されているが、こうした態様に限られず、マイクロレンズMLAがフレネルレンズ状に形成されてもよい。
【符号の説明】
【0056】
PL1 第1の偏光板、PL2 第2の偏光板、SU1 第1の透明基板、SU2 第2の透明基板、LL 平坦化層、CF カラーフィルタ、BM ブラックマトリクス、BP 光学等方液晶層、GL 走査配線、GIL 第1絶縁膜、SCIL 第2絶縁膜、THIl 第3絶縁膜、DSIL 溝状構造絶縁膜、MLA マイクロレンズ、LS 光源、CE 共通電極、PE 画素電極、TFT アクティブ素子、CCT 接続部、PCT 接続部、EF 電界、HS 凹部。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
光出射側に位置する第1の透明基板と、
光入射側に位置し、前記第1の透明基板と対向する第2の透明基板と、
前記第1の透明基板と前記第2の透明基板の間に保持され、電圧無印加時に光学等方性を示し、電圧印加時に光学異方性を示す媒質と、
前記第1の透明基板または前記第2の透明基板の前記媒質側に配置される、1又は複数の凹部が形成された絶縁膜と、
前記凹部の壁面に互いに向かい合うように配置される一対の電極と、
前記第2の透明基板の前記媒質側とは反対側に配置される、前記一対の電極の間に向けて入射光を集光するレンズ部と、
を備えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項2】
前記凹部は前記絶縁膜の面内方向に延伸し、前記電極は前記凹部の幅方向の両側に配置される、
請求項1に記載の液晶表示装置。
【請求項3】
前記レンズ部は、前記凹部と同方向に延伸し、前記凹部に対応して配置される、
請求項2に記載の液晶表示装置。
【請求項4】
前記凹部は、1画素に相当する範囲に、延伸方向が互いに異なる複数の部分を含む、
請求項2に記載の液晶表示装置。
【請求項5】
前記絶縁膜には、1画素に相当する範囲に、延伸方向が互いに異なる前記複数の凹部が形成される、
請求項2に記載の液晶表示装置。
【請求項6】
前記絶縁膜には、1画素に相当する範囲に、1つの前記凹部が形成される、
請求項1に記載の液晶表示装置。
【請求項7】
前記絶縁膜には、1画素に相当する範囲に、複数の前記凹部が形成される、
請求項1に記載の液晶表示装置。
【請求項8】
前記絶縁膜下に配線が形成され、
前記各々の凹部に配置された前記一対の電極の一方の電極に、前記配線が接続される、
請求項7に記載の液晶表示装置。
【請求項9】
前記絶縁膜下に配線が形成され、
前記各々の凹部に配置された前記一対の電極の一方の電極同士が前記絶縁膜上で接続され、前記一方の電極の何れかに前記配線が接続される、
請求項7に記載の液晶表示装置。
【請求項10】
前記レンズ部の平面形状が円状である、
請求項1に記載の液晶表示装置。
【請求項11】
複数の前記球面レンズが千鳥状に配列し、前記各球面レンズに対応する複数の前記凹部も千鳥状に配列する、
請求項10に記載の液晶表示装置。
【請求項1】
光出射側に位置する第1の透明基板と、
光入射側に位置し、前記第1の透明基板と対向する第2の透明基板と、
前記第1の透明基板と前記第2の透明基板の間に保持され、電圧無印加時に光学等方性を示し、電圧印加時に光学異方性を示す媒質と、
前記第1の透明基板または前記第2の透明基板の前記媒質側に配置される、1又は複数の凹部が形成された絶縁膜と、
前記凹部の壁面に互いに向かい合うように配置される一対の電極と、
前記第2の透明基板の前記媒質側とは反対側に配置される、前記一対の電極の間に向けて入射光を集光するレンズ部と、
を備えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項2】
前記凹部は前記絶縁膜の面内方向に延伸し、前記電極は前記凹部の幅方向の両側に配置される、
請求項1に記載の液晶表示装置。
【請求項3】
前記レンズ部は、前記凹部と同方向に延伸し、前記凹部に対応して配置される、
請求項2に記載の液晶表示装置。
【請求項4】
前記凹部は、1画素に相当する範囲に、延伸方向が互いに異なる複数の部分を含む、
請求項2に記載の液晶表示装置。
【請求項5】
前記絶縁膜には、1画素に相当する範囲に、延伸方向が互いに異なる前記複数の凹部が形成される、
請求項2に記載の液晶表示装置。
【請求項6】
前記絶縁膜には、1画素に相当する範囲に、1つの前記凹部が形成される、
請求項1に記載の液晶表示装置。
【請求項7】
前記絶縁膜には、1画素に相当する範囲に、複数の前記凹部が形成される、
請求項1に記載の液晶表示装置。
【請求項8】
前記絶縁膜下に配線が形成され、
前記各々の凹部に配置された前記一対の電極の一方の電極に、前記配線が接続される、
請求項7に記載の液晶表示装置。
【請求項9】
前記絶縁膜下に配線が形成され、
前記各々の凹部に配置された前記一対の電極の一方の電極同士が前記絶縁膜上で接続され、前記一方の電極の何れかに前記配線が接続される、
請求項7に記載の液晶表示装置。
【請求項10】
前記レンズ部の平面形状が円状である、
請求項1に記載の液晶表示装置。
【請求項11】
複数の前記球面レンズが千鳥状に配列し、前記各球面レンズに対応する複数の前記凹部も千鳥状に配列する、
請求項10に記載の液晶表示装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図5A】
【図5B】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図2】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図5A】
【図5B】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【公開番号】特開2011−180354(P2011−180354A)
【公開日】平成23年9月15日(2011.9.15)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−44162(P2010−44162)
【出願日】平成22年3月1日(2010.3.1)
【出願人】(502356528)株式会社 日立ディスプレイズ (2,552)
【出願人】(506087819)パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 (443)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成23年9月15日(2011.9.15)
【国際特許分類】
【出願日】平成22年3月1日(2010.3.1)
【出願人】(502356528)株式会社 日立ディスプレイズ (2,552)
【出願人】(506087819)パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 (443)
【Fターム(参考)】
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