説明

無電解めっき促進用多分岐ポリイミド、金属被覆多分岐ポリイミド及びこれらの製造方法

【課題】無機材料との複合化を効率良く行うことが出来る多分岐ポリイミドを用いた無電解めっき促進用多分岐ポリイミド、及び無電解めっき促進用多分岐ポリイミドを無電解メッキして得られる、金属とポリイミドの密着性が良好である金属被覆多分岐ポリイミド及びその簡便な製造法を提供する。
【解決手段】テトラカルボン酸ニ無水物と、トリアミンを含むジアミンとを反応させて得られる多分岐ポリイミドのアミノ基に、無電解めっき触媒前駆物質を吸着させることを特徴とする無電解めっき促進用多分岐ポリイミドである。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、多分岐ポリイミド又は多分岐ポリアミック酸をイミド化することで製造される多分岐ポリイミドのアミノ基に、無電解めっき触媒前駆物質を吸着させた無電解めっき促進用多分岐ポリイミドに関する。更には、無電解めっき促進用多分岐ポリイミドに無電解めっき処理を行うことで製造される金属被覆多分岐ポリイミドに関する。
【背景技術】
【0002】
ポリイミドは耐熱性、成形性、機械的及び電気的性質に優れた有用性の高い高分子材料であり、これまでに多くのタイプのポリイミドが開発され、様々な産業分野で広く使用されている。
【0003】
前記の特徴を持つポリイミドは無機材料と組み合わせて用いられることが多く、例えば、絶縁機能をもつポリイミドと導電性の金属とを組み合わせた複合材料は、エレクトロニクス材料として使用されている。特にフィルム化されたポリイミドフィルムと金属箔との複合化により製造される金属被覆ポリイミド材料は有用であり、フレキシブルプリント配線基板(FPC)やテープ自動ボンディング用基板(TAB)等に用いられている。
【0004】
そのような金属被覆ポリイミド材料を製造する手法としては、これまでにいくつかの態様が知られている。一つには、ポリイミドを無電解めっきまたは電解めっき処理する方法が知られている。即ち、ポリイミドフィルムに無電解めっきを施し、続いて必要に応じて電解めっき処理することにより、ポリイミドフィルム表面上に金属層を形成させる方法がある。
【0005】
特許文献1には、被めっき材をアルカリ金属塩を含有する溶液で前処理した後、一分子中に金属捕捉能を持つ置換基を有するシランカップリング剤を有効成分とする化合物で処理し、次いで貴金属化合物の水溶液で処理して貴金属をシランカップリング剤に捕捉させた後、該被めっき材を無電解めっきすることを特徴とする無電解めっき方法が開示されている。
特許文献2には、ポリイミド基体の表面に導電回路パターンを形成する金属メッキ膜の作成方法において、予め該ポリイミド基体の表面を、アルカリ性物質共存下で1級アミノ基を有する有機ジスルフィド化合物又は1級アミノ基を有する有機チオール化合物を含む溶液で処理することを特徴とするポリイミド基体への金属メッキ膜形成方法が開示されている。
又非特許文献1では、金属配位能を有するピリジル基を主鎖に有する高分子化合物で鎖状ポリイミドフィルム表面を被覆する方法が検討されている。
【0006】
【特許文献1】特開2002−226972号公報
【特許文献2】特開2002−208768号公報
【非特許文献1】Macromol.Mater.Eng.Vol.288,152−163(2003)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明の目的は、無機材料との複合化を効率良く行うことが出来る多分岐ポリイミドを用いた無電解めっき促進用多分岐ポリイミド、及び無電解めっき促進用多分岐ポリイミドを無電解メッキして得られる、金属とポリイミドの密着性が良好である金属被覆多分岐ポリイミド及びその簡便な製造法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
トリアミンを含むジアミンを合成原料として得られる多分岐ポリイミドは、分子鎖が高度に分岐したポリイミドであり、鎖状高分子と比較してアミノ末端基を多く有する特徴を有している。本発明では、トリアミンを含むジアミンから得られる多分岐ポリイミドのアミノ末端基を利用して、ポリイミドと無機化合物と容易に複合化することができると考えた。
【0009】
本発明の第一は、テトラカルボン酸二無水物と、トリアミンを含むジアミンとを反応させて得られる多分岐ポリイミドのアミノ基に、無電解めっき触媒前駆物質を吸着させることを特徴とする無電解めっき促進用多分岐ポリイミドである。
好ましくは本発明の第一は、1/2以上から3/2未満のモル比(テトラカルボン酸二無水物/トリアミンのモル比)のテトラカルボン酸二無水物及びトリアミンとを反応させて得られる多分岐ポリイミドのアミノ基に、無電解めっき触媒前駆物質を吸着させることを特徴とする無電解めっき促進用多分岐ポリイミドである。
【0010】
本発明の第一の好ましい態様を以下に示し、これら態様は複数組み合わせることが出来る。
1)無電解めっき触媒前駆物質は、パラジウム化合物であること。
【0011】
本発明の第ニは、本発明の第一の無電解めっき促進用多分岐ポリイミドに、無電解金属めっきを行うことを特徴とする金属被覆多分岐ポリイミドである。
【0012】
本発明の第三は、多分岐ポリイミドから金属被覆多分岐ポリイミドの製造方法であり、
多分岐ポリイミドから金属被覆多分岐ポリイミドの製造方法であり、
1)テトラカルボン酸二無水物と、トリアミンを含むジアミンとを反応させて得られる多分岐ポリイミドを製造する工程、
2)多分岐ポリイミドのアミノ基に、無電解めっき触媒前駆物質を吸着させて無電解めっき促進用多分岐ポリイミドを製造する工程、
3)無電解めっき促進用多分岐ポリイミドに無電解金属めっきを行い金属被覆多分岐ポリイミドを製造する工程、
からなる金属被覆多分岐ポリイミドの製造方法である。
好ましくは本発明の第三は、多分岐ポリイミドから金属被覆多分岐ポリイミドの製造方法であり、
1)1/2以上から3/2未満のモル比(テトラカルボン酸二無水物/トリアミンのモル比)のテトラカルボン酸二無水物及びトリアミンとを反応させて得られる多分岐ポリイミドを製造する工程、
2)多分岐ポリイミドのアミノ基に、無電解めっき触媒前駆物質を吸着させて無電解めっき促進用多分岐ポリイミドを製造する工程、
3)無電解めっき促進用多分岐ポリイミドに無電解金属めっきを行い金属被覆多分岐ポリイミドを製造する工程、
からなる金属被覆多分岐ポリイミドの製造方法である。
【発明の効果】
【0013】
本発明により得られる無電解めっき促進用多分岐ポリイミドは、ポリマー分子内に数多く存在するアミノ末端に無電解めっき触媒前駆物質を吸着させたもので、容易に無電解めっきを行うことができる。
特に本発明により得られる無電解めっき促進用多分岐ポリイミドは、多分岐ポリイミドを出発原料としているために、容易に合成でき、簡便に無電解めっきを行うことが出来、金属被覆ポリイミドを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0014】
多分岐ポリイミドは、テトラカルボン酸二無水物と、一般式(1)に示すトリアミンを含むジアミンとを反応させて得られる多分岐ポリイミドである。
【化1】

(一般式(1)について、Yは三価の残基を示し、A、A’及びA”はアミノ基を含む一価の残基を示す。A、A’及びA”がそれぞれ独立して、同一であっても、異なってもよい。)
【0015】
一般式(1)で表されるトリアミンの合成法の一例として、一般式(1)で表されるトリアミンの例えば一つ、二つ又は三つがニトロ基の場合、そのニトロ基を還元などを行うことにより製造することができる。
ニトロ基の還元方法としては、公知の還元法を適宜選択して用いることができ、例えば溶媒中で塩化スズ(II)、ジチオン酸ナトリウムによる還元又は接触還元を行う手法が使用される。接触還元では、触媒としてパラジウム、ラネーニッケル、又は白金を用いることができ、また、分子状水素、ヒドラジン、ギ酸、ギ酸アンモニウムを水素源として用いることができる。特に、触媒にパラジウム化合物を用い、水素源に分子状水素を用いて有機溶剤中で還元反応を行うことが経済的であり好ましい。
【0016】
還元に用いられる溶媒としては、アルコール類、ジオキサン、トルエンやキシレン等芳香族系溶媒、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシド系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミドなどのホルムアミド系溶媒、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジエチルアセトアミドなどのアセトアミド系溶媒、N−メチル−2−ピロリドン、N−ビニル−2−ピロリドンなどのピロリドン系溶媒、フェノール、o−、m−、またはp−クレゾール、キシレノール、ハロゲン化フェノール、カテコールなどのフェノール系溶媒、あるいはヘキサメチルホスホルアミド、γ−ブチロラクトン等、反応を阻害せず、還元生成物であるアミノ化合物やその原料であるニトロ化合物を溶解するものであれば限定されない。
【0017】
一般式(1)に示すトリアミンとしては、公知及び新規のトリアミンを用いることが出来、特に芳香族トリアミンが好ましく、さらに一般式(1)に示すA、A’及びA”が一般式(2)に示すアミノベンゼンの一価の残基であることが好ましい。
【化2】

(但し、一般式(2)において、M〜Mは、−H,−CN,−OCH,−COOH,−CH,−C,又は、−CFを示す。M〜Mは、それぞれ独立して、同一であっても、異なってもよい。)
【0018】
一般式(1)に示すトリアミンの具体例としては、一般式(3)に示す芳香族トリアミン、好ましくは一般式(5)に示す芳香族トリアミンを挙げることができる。

【化3】

(一般式(3)において、A、A’及びA”は一般式(4)に示すアミノベンゼンを含む一価の残基を示す。A、A’及びA”がそれぞれ独立して、同一であっても、異なってもよい。)
【化4】

(但し、一般式(4)において、M〜Mは、−H,−CN,−OCH,−COOH,−CH,−C,又は、−CFを示す。M〜Mは、それぞれ独立して、同一であっても、異なってもよい。)
【化5】

(一般式(5)において、A、A’及びA”は一般式(6)に示すアミノベンゼンを含む一価の残基を示す。A、A’及びA”がそれぞれ独立して、同一であっても、異なってもよい。)
【化6】

(但し、一般式(6)において、M〜Mは、−H,−CN,−OCH,−COOH,−CH,−C,又は、−CFを示す。M〜Mは、それぞれ独立して、同一であっても、異なってもよい。)
【0019】
一般式(1)に示すトリアミンとしては、一般式(3)に示す芳香族トリアミンを除くトリアミンとしては、
1,3,5−トリアミノベンゼン、
などを挙げることができる。
【0020】
一般式(4)のY−Iで表される芳香族トリアミンとしては、3,5−ジ(4−アミノフェノキシ)アニリン、3,5−ジ(3−メチル,4−アミノフェノキシ)アニリン、3,5−ジ(3−メトキシ,4−アミノフェノキシ)アニリン、3,5−ジ(2−メチル,4−アミノフェノキシ)アニリン、3,5−ジ(2−メトキシ,4−アミノフェノキシ)アニリン、3,5−ジ(3−エチル,4−アミノフェノキシ)アニリン、などを挙げることができる。
【0021】
一般式(3)のY−IIで表される芳香族トリアミンとしては、1,3,5−トリ(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3,5−トリ(3−メチル,4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3,5−トリ(3−メトキシ,4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3,5−トリ(2−メチル,4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3,5−トリ(2−メトキシ,4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3,5−トリ(3−エチル,4−アミノフェノキシ)ベンゼン、などを挙げることができる。
【0022】
一般式(3)のY−IIIで表される芳香族トリアミンとしては、1,3,5−トリ(4−アミノフェニルアミノ)ベンゼン、1,3,5−トリ(3−メチル,4−アミノフェニルアミノ)ベンゼン、1,3,5−トリ(3−メトキシ,4−アミノフェニルアミノ)ベンゼン、1,3,5−トリ(2−メチル,4−アミノフェニルアミノ)ベンゼン、1,3,5−トリ(2−メトキシ,4−アミノフェニルアミノ)ベンゼン、1,3,5−トリ(3−エチル,4−アミノフェニルアミノ)ベンゼン、などを挙げることができる。
【0023】
一般式(3)のY−IVで表される芳香族トリアミンとしては、1,3,5−トリ(4−アミノフェニル)ベンゼン、1,3,5−トリ(3−メチル,4−アミノフェニル)ベンゼン、1,3,5−トリ(3−メトキシ,4−アミノフェニル)ベンゼン、1,3,5−トリ(2−メチル,4−アミノフェニル)ベンゼン、1,3,5−トリ(2−メトキシ,4−アミノフェニル)ベンゼン、1,3,5−トリ(3−エチル,4−アミノフェニル)ベンゼン、などを挙げることができる。
【0024】
一般式(3)のY−Vで表される芳香族トリアミンとしては、1,3,5−トリ(4−アミノフェニル)アミン、1,3,5−トリ(3−メチル,4−アミノフェニル)アミン、1,3,5−トリ(3−メトキシ,4−アミノフェニル)アミン、1,3,5−トリ(2−メチル,4−アミノフェニル)アミン、1,3,5−トリ(2−メトキシ,4−アミノフェニル)アミン、1,3,5−トリ(3−エチル,4−アミノフェニル)アミン、などを挙げることができる。
【0025】
一般式(3)のY−VIで表される芳香族トリアミンとしては、トリス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)メタン、トリス(4−(3−メチル,4−アミノフェノキシ)フェニル)メタン、トリス(4−(3−メトキシ,4−アミノフェノキシ)フェニル)メタン、トリス(4−(2−メチル,4−アミノフェノキシ)フェニル)メタン、トリス(4−(2−メトキシ,4−アミノフェノキシ)フェニル)メタン、トリス(4−(3−エチル,4−アミノフェノキシ)フェニル)メタン、などを挙げることができる。
【0026】
一般式(3)のY−VIIで表される芳香族トリアミンとしては、トリス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)エタン、トリス(4−(3−メチル,4−アミノフェノキシ)フェニル)エタン、トリス(4−(3−メトキシ,4−アミノフェノキシ)フェニル)エタン、トリス(4−(2−メチル,4−アミノフェノキシ)フェニル)エタン、トリス(4−(2−メトキシ,4−アミノフェノキシ)フェニル)エタン、トリス(4−(3−エチル,4−アミノフェノキシ)フェニル)エタン、などを挙げることができる。
【0027】
ジアミンは、一般式(1)で表されるトリアミンを含むジアミンであり、一般式(1)で表されるトリアミンの含有量は使用する目的や使用する反応方法により適宜選択して用いることが出来、好ましくは一般式(1)で表されるトリアミンをジアミン中、1〜100モル%、さらに好ましくは10〜100モル%、より好ましくは20〜100モル%、より好ましくは50〜100モル%、特に好ましくは80〜100モル%を含むことができる。
【0028】
一般式(1)で表されるトリアミンを除くジアミンとしては、p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、2−メチル−p−フェニレンジアミン、3−メチル−m−フェニレンジアミン、3,3’−ジクロロベンジジン、3,3’−ジメチルベンジジン、2,2’−ジメチルベンジジン、3,3’−ジメトキシベンジジン、3,3’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノジフェニルスルフィド、3,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン、3,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,3’−ジアミノベンゾフェノン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジクロロベンゾフェノン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジメトキシベンゾフェノン、3,3’−ジアミノジフェニルメタン、3,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、2,2−ビス(3−アミノフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−アミノフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、3,3’−ジアミノジフェニルスルホキシド、3,4’−ジアミノジフェニルスルホキシド、4,4’−ジアミノジフェニルスルホキシド、1,3−ビス(3−アミノフェニル)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェニル)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノフェニル)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェニル)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)−4−トリフルオロメチルベンゼン、3,3’−ジアミノ−4−(4−フェニル)フェノキシベンゾフェノン、3,3’−ジアミノ−4、4’−ジ(4−フェニルフェノキシ)ベンゾフェノン、1,3−ビス(3−アミノフェニルスルフィド)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェニルスルフィド)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェニルスルフィド)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノフェニルスルホン)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェニルスルホン)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェニルスルホン)ベンゼン、1,3−ビス〔2−(4−アミノフェニル)イソプロピル〕ベンゼン、1,4−ビス〔2−(3−アミノフェニル)イソプロピル〕ベンゼン、1,4−ビス〔2−(4−アミノフェニル)イソプロピル〕ベンゼン、3,3’−ビス(3−アミノフェノキシ)ビフェニル、3,3’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、4,4’−ビス(3−アミノフェノキシ)ビフェニル、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス〔3−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕エーテル、ビス〔3−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕エーテル、ビス〔4−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕エーテル、ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕エーテル、ビス〔3−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕ケトン、ビス〔3−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕ケトン、ビス〔4−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕ケトン、ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕ケトン、ビス〔3−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕スルフィド、ビス〔3−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕スルフィド、ビス〔4−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕スルフィド、ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕スルフィド、ビス〔3−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、ビス〔3−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、ビス〔4−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、ビス〔3−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕メタン、ビス〔3−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕メタン、ビス〔4−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕メタン、ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕メタン、2,2−ビス〔3−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔3−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔4−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔3−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス〔3−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス〔4−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパンなどの芳香族ジアミンを挙げることができる。これらは単独でも、2種以上混合しても用いることができる。
【0029】
ジアミンとしては、上記芳香族ジアミン以外に、脂肪族系、脂環式系、シロキサン含有のジアミンを、本発明の特性を損なわない範囲で用いることができる。
【0030】
テトラカルボン酸二無水物としては、ピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3’,3,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、オキシジフタル酸二無水物、ジフェニルスルホン−3,4,3’,4’−テトラカルボン酸二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルフィド二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、p−フェニレンビス(トリメリット酸モノエステル酸無水物)、p−ビフェニレンビス(トリメリット酸モノエステル酸無水物)、m−ターフェニル−3,4,3’,4’−テトラカルボン酸二無水物、p−ターフェニル−3,4,3’,4’−テトラカルボン酸二無水物、1,3−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ベンゼン二無水物、1,4−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ベンゼン二無水物、1,4−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ビフェニル二無水物、2,2−ビス〔(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル〕プロパン二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物などの芳香族テトラカルボン酸二無水物を挙げることができる。これらは単独でも、2種以上混合しても用いることができる。
【0031】
テトラカルボン酸二無水物としては、上記の芳香族テトラカルボン酸二無水物以外に、脂肪族や脂環式或いはシロキサン含有のテトラカルボン酸二無水物を、本発明の特性を損なわない範囲で用いることができる。
【0032】
多分岐ポリイミドの製造法の一例を示すと、
1)テトラカルボン酸二無水物及びトリアミンを含むジアミンとを反応させてポリアミック酸を製造し、その後化学的又は熱的に閉環させてイミド化して、多分岐ポリイミドを得る方法、
2)テトラカルボン酸二無水物及びトリアミンを含むジアミンとを化学的又は熱的に閉環させて多分岐ポリイミドを得る方法、
などを挙げることができる。
【0033】
ポリアミック酸は、公知の方法で製造することができ、例えば、テトラカルボン酸二無水物及びトリアミンを含むジアミンとを、有機極性溶媒中で、約100℃以下、好ましくは80℃以下、特に0〜50℃の反応温度で反応させて製造することができる。
反応は、窒素、アルゴン等の不活性ガス中で行わせることが好ましいが、その他の条件下でも用いることができる。
ポリアミック酸の数平均分子量は、好ましくは1×10以上、さらに好ましくは2×10以上が好ましい。
【0034】
多分岐ポリイミドは、ポリイミドを合成する公知の方法で製造することができ、例えば、
1)テトラカルボン酸二無水物及びトリアミンを含むジアミンとを、有機極性溶媒中で、約100℃以下、好ましくは80℃以下、特に0〜50℃の反応温度で反応させてポリアミック酸を製造し、約0〜140℃の低温で酸無水物とアミンなどの脱水剤と触媒のイミド化剤を用いて化学的に閉環してイミド化する方法か、あるいは、140℃〜250℃に加熱して、必要に応じて共沸剤などを加えて、脱水・環化させてイミド化する方法、好ましくは180〜450℃の温度に加熱する方法、
2)テトラカルボン酸二無水物及びトリアミンを含むジアミンとを、有機極性溶媒中で、140℃〜250℃に加熱して、重合、脱水、環化させてイミド化する方法、好ましくは180〜450℃の温度に加熱する方法、
などにより製造することができる。
多分岐ポリイミドを合成した後に、貧溶媒で再沈させて乾燥し、他の可溶な有機極性溶媒へ再投入して溶解させて溶液として用いることも可能である。
反応は、窒素、アルゴン等の不活性ガス中で行わせることが好ましいが、その他の条件下でも用いることができる。
ジアミンは、トリアミン100モル%の場合、1/2以上から3/2未満のモル比(テトラカルボン酸二無水物/トリアミンのモル比)のテトラカルボン酸二無水物及びトリアミンとを反応させることが好ましい。
【0035】
テトラカルボン酸二無水物及びトリアミンを含むジアミンは、それらを一度に溶媒に加えて重合反応を行うとゲル化を起こす場合があるので、
1)テトラカルボン酸二無水物を含む溶媒中に、粉体状でも溶媒に溶解していても良いトリアミンを含むジアミンを一度に或いは徐々に、或いは数回に分けて逐次に加える方法、
2)トリアミンを含む溶媒中に、粉体状でも溶媒に溶解していても良いテトラカルボン酸二無水物を一度に或いは徐々に、或いは数回に分けて逐次に加える方法、
などで行うことが好ましい。
【0036】
ポリアミック酸を、脱水剤と触媒とを用いて化学的にイミド化する場合について、脱水剤としては無水酢酸、無水プロピオン酸等の有機酸無水物を利用し、触媒として、ピリジン、ピコリン、トリエチルアミン等のアミンを併用して用いることができる。脱水剤及び触媒は、それぞれ1種類でも良いし、2種類以上組み合わせて使用しても良い。
【0037】
ポリアミック酸及び多分岐ポリイミドを製造する際のポリマー濃度は、特に規定されるものではないが、1〜50質量%が好ましく、更に2〜30質量%、特に2〜5質量%が好適である。
【0038】
ポリアミック酸を気体中で焼成することでイミド化する場合には、イミド化を行うための焼成温度はイミド化反応が進行し、且つ高分子の劣化が生じない範囲である200〜600℃が好ましく、更に好ましくは300から450℃である。加熱時間は特に限定は無いが、30分〜10時間が好ましい。焼成雰囲気には特に限定はなく、大気中でも還元性ガス存在下でも不活性ガス存在下でも良いが、経済的に有利であることから大気中で行うことが好ましい。焼成を行う装置に制限は無いが、管状炉やマッフル炉を好適に用いることができる。
【0039】
ポリアミック酸、又はポリイミドの反応に用いる有機極性溶媒としては、公知のポリアミック酸及び/又はポリイミドを溶解する有機極性溶媒を使用することができ、ポリアミック酸及び/又はポリイミドの製造に用いられる有機溶媒としては、例えば、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)、N,N’−ジエチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)、N−メチル−カプロラクタム、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N’−ジエチルホルムアミド、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、ヘキサメチルホスホラミド、フェノール、クレゾール、o−クロルフェノール、p−クロルフェノール、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、スルホラン、γ−ブチロラクトン、ジグライム、ジメチルトリグライム、ジエチルトリグライム、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの非プロトン性極性溶媒を挙げることができ、好ましくは入手が容易で高分子量のポリアミック酸を製造できることからDMAc及びNMPである。これらの溶媒は単独で用いても良いし、2種類以上を混合したものを用いても良い。
【0040】
トリアミンを含むジアミンとして、ジアミン中トリアミンがXモル%の場合には、テトラカルボン酸二無水物とトリアミンを含むジアミンの反応により製造される多分岐ポリアミック酸は、その原料であるトリアミンを含むジアミンの未反応アミノ基をポリアミック酸の末端基に有する構造をとることを特徴とすることから、用いるテトラカルボン酸二無水物とトリアミンを含むジアミンのモル比(テトラカルボン酸二無水物/トリアミンを含むジアミン)は、(2+X/100)/2未満である必要がある。好ましくはモル比が、1/2以上から(2+X/100)/2未満、より好ましくは1/2〜(5x(2+X/100)−1)/10、更に好ましくは、1/2〜((2+X/100)−1)/2の場合である。
トリアミンを含むジアミンとして、ジアミン中トリアミン100モル%の場合には、テトラカルボン酸二無水物とトリアミンの反応により製造される多分岐ポリアミック酸は、その原料であるトリアミンの未反応アミノ基をポリアミック酸の末端基に有する構造をとることを特徴とすることから、用いる酸二無水物とトリアミンのモル比(テトラカルボン酸二無水物/トリアミン)は、3/2未満である必要がある。好ましくはモル比が1/2以上から3/2未満、より好ましくは1/2〜7/5、更に好ましくは、1/2〜1/1、特に好ましくは、製造される多分岐ポリイミド中のアミノ基の量が多くなるために多分岐ポリイミドが無機化合物とを効率良く複合化できるので1/1の場合である。テトラカルボン酸二無水物/トリアミンのモル比が7/5より大きい場合には多分岐ポリイミド中のアミノ基の量が少なくなるために、無機化合物との複合化が不十分となる場合がある問題がある。また、テトラカルボン酸二無水物/トリアミンのモル比が1/2より小さい場合にはポリアミック酸の分子量は低いものとなり、耐熱性等の物性が低下する場合があるので好ましくない。
【0041】
多分岐ポリイミドは、どのような形状でも構わず、粒子などの粉体でも、フィルム状に成形されたものでも、成型されたものでも構わない。フィルム状に成形されたポリイミドは、ポリアミック酸をフィルム状に加工したものをイミド化することで好適に製造することができ、その厚さは取扱に問題なければどのような厚さでも良く、好ましくは1μm〜200μmであることが好ましく、より好ましくは5μm〜100μmである。
【0042】
多分岐ポリイミドは、本発明のポリイミド以外に他のポリイミドや、その他の高分子を含むものであってもよいし、シリカ等の易滑剤、無機フィラー、ガラス繊維強化材等の補強材や剥離剤等の他の成分を含有するものであっても良い。
ポリイミド又は多分岐ポリイミドは、ポリイミドなどのプラスチック、ガラス、シリコンウェハー、セラミックス、銅、銀、金などの金属等の基材上に形成して用いることができる。
【0043】
多分岐ポリイミドは、さらに劣化が生じない範囲である200〜600℃、好ましく300〜450℃の温度で、加熱時間は特に限定は無いが、30分〜10時間の範囲で加熱して用いることができる。
【0044】
多分岐ポリイミドは、アミノ末端基に、無電解めっき触媒前駆物質を吸着させて無電解めっき促進用多分岐ポリイミドを製造し、その後無電解金属めっきを行うことで、金属被覆多分岐ポリイミドを得ることができる。
【0045】
無電解めっき促進用多分岐ポリイミドにおいて、多分岐ポリイミドへの無電解めっき触媒前駆物質の吸着法としては、無電解めっき触媒前駆物質が溶解した水溶液や有機溶媒中などの溶液、又は有機溶媒中に分散したコロイド状液に浸漬することで行うことができる。
【0046】
無電解めっき触媒前駆物質は、無電解めっきを促進する金属化合物であり、例えばパラジウム化合物である。パラジウム化合物は酸化数が0価のものを用いても良いし、2価や4価のものを用いても良く、金属錯体でも金属微粒子でも構わない。具体的には、例えば、酢酸パラジウム、塩化パラジウム、臭化パラジウム、硝酸パラジウム、硫酸パラジウム、テトラクロロパラジウム酸、テトラクロロパラジウム酸ナトリウム、テトラクロロパラジウム酸カリウム、ヘキサクロロパラジウム酸、ヘキサクロロパラジウム酸ナトリウム、ヘキサクロロパラジウム酸カリウム、テトラブロモパラジウム酸、テトラブロモパラジウム酸ナトリウム、テトラブロモパラジウム酸カリウム、ヘキサブロモパラジウム酸、ヘキサブロモパラジウム酸ナトリウム、ヘキサブロモパラジウム酸カリウム、ビス(オキサラト)パラジウム酸ナトリウム、ビス(オキサラト)パラジウム酸カリウム、テトラアンミンパラジウム塩化物、ビス(エチレンジアミン)パラジウム塩化物、ジクロロ(エチレンジアミン)パラジウム、ジクロロ(ビピリジル)パラジウム、ジクロロ(フェナントロリン)パラジウム、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム、トリス(ジベンジリデンアセトン)二パラジウム、テトラニトロパラジウム酸、テトラニトロパラジウム酸ナトリウム、テトラニトロパラジウム酸カリウム、テトラシアノパラジウム酸ナトリウム、テトラシアノパラジウム酸カリウム、テトラキス(アセトニトリル)パラジウムテトラフルオロボレートなどのパラジウム錯体やパラジウムナノ粒子などのパラジウム微粒子、錫化合物及びパラジウム化合物から調整されるパラジウムコロイドを挙げることができる。中でも、酢酸パラジウム、塩化パラジウム、硝酸パラジウム、テトラクロロパラジウム酸、テトラクロロパラジウム酸ナトリウム、テトラアンミンパラジウム塩化物、テトラキス(アセトニトリル)パラジウムテトラフルオロボレートやパラジウムナノ粒子、錫化合物及びパラジウム化合物から調整されるパラジウムコロイドは入手が容易であり、また無電解めっきを促進する効果が高いことから好ましい。これらのパラジウム化合物は単独で用いても良いし、または2種類以上を組み合わせて使用しても良い。
【0047】
無電解めっき触媒物質含有液を調整するために用いられる溶媒は、水溶媒でも有機溶媒でも構わない。水溶媒としては脱イオン水などを用いることができる。有機溶媒としては、例えばメチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコールなどのアルコール類、アセトンなどのケトン類、酢酸エチルなどのエステル類、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族類を好適に用いることができる。これらの溶媒は単独で使用しても良いし、複数を混合して使用しても良い。
【0048】
無電解めっき触媒物質含有液中の無電解めっき触媒物質の濃度は、適宜選択して用いることができ、例えば、10−6から1mol・dm−3である事が好ましく、更に好ましくは、10−5から10−2mol・dm−3である。10−6mol・dm−3より少ない場合には、無電解めっき触媒物質を多分岐ポリイミドに吸着させる為に長い時間を要することがあり、1mol・dm−3より多い場合には無電解めっき触媒物質の使用量が多くなり、製造コストが高くなることから経済的に不利となる場合が有る。
【0049】
無電解めっき触媒物質含有液には、多分岐ポリイミドへの無電解めっき触媒物質の吸着を促進する場合があることから、塩酸、硫酸、硝酸などの酸、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウムなどの塩基、塩化ナトリウム、塩化カリウム、塩化アンモニウムなどの無機塩や塩化テトラブチルアンモニウムなどの有機塩を添加しても行うことが好ましい。
【0050】
無電解めっき促進用多分岐ポリイミドにおいて、多分岐ポリイミドを、無電解めっき触媒物質含有液に浸漬する時間は、適宜選択して行えばよいが、好ましくは5秒から1時間であり、更に好ましくは30秒から30分である。浸漬時間が5秒より短いと、無電解めっき触媒物質の多分岐ポリイミドへの吸着が不十分となる場合があり、1時間より長いと処理時間が長くなり経済的に不利となる。
【0051】
無電解めっき促進用多分岐ポリイミドにおいて、多分岐ポリイミドを、無電解めっき触媒物質含有液に浸漬する温度は、適宜選択して行えばよいが、0〜100℃の範囲が好ましく、更に室温〜60℃の範囲が好ましい。0℃より低い温度では溶媒が凍結する場合があり、100℃より高い場合には溶媒が気化する場合があるので好ましくない。
【0052】
無電解めっき促進用多分岐ポリイミドにおいて、多分岐ポリイミドは、無電解めっき触媒物質含有液に浸漬した後、水溶媒や有機溶媒、及びそれらの混合物で洗浄してもよく、更に風乾するなどして乾燥を行ってもよい。
【0053】
無電解めっき促進用多分岐ポリイミドは、無電解めっき溶液に浸漬するなどの公知の方法で無電解金属めっきを行うことにより金属被覆多分岐ポリイミドを製造することができる。
無電解金属めっきの条件などは、公知の条件を適宜選択して行うことが出来きる。
【0054】
無電解めっき溶液としては、各種の金属化合物を含んでなる従来公知の無電解めっき溶液を用いることができる。金属化合物としては、周期律表第4、5、6周期に属する金属元素を用いることができ、好ましくは1B、2B、VIII族に属する金属元素である。特にコバルト、ニッケル、パラジウム、白金、銅、銀、金、亜鉛が、製造される金属被覆多分岐ポリイミドの有用性が高いので好ましい。
【0055】
無電解めっき溶液中の金属化合物の濃度は、適宜選択して行うことができるが、例えば10−3から1mol・dm−3である事が好ましく、更に好ましくは、10−2から10−1mol・dm−3である。10−3mol・dm−3より少ない場合には、無電解めっきに長い時間を要することがあり、1mol・dm−3より多い場合には金属化合物の使用量が多くなり、製造コストが高くなることから経済的に不利となる。
【0056】
無電解めっき溶液には金属化合物に加えて、ホルムアルデヒド、ジメチルアミンボラン、水素化ホウ素ナトリウム、ヒドラジン、ヒドロキシルアミン、次亜リン酸ナトリウムなどの還元剤、有機酸である酢酸、乳酸、シュウ酸、コハク酸、マロン酸、フタル酸、酒石酸、クエン酸、サリチル酸、チオグリコール酸及びそれらの金属塩やアミノ酸であるグリシン、アラニン、アスパラギン、グルタミン酸、エチレンジアミン四酢酸及びそれらの金属塩や有機塩基であるアンモニア、ヒドラジン、トリエタノールアミン、エチレンジアミンなどの錯化剤、有機酸である酢酸、プロピオン酸、シュウ酸、グリコール酸、クエン酸、酒石酸、乳酸や無機酸であるホウ酸及びそれらの金属塩などの緩衝剤、シアン化物、チオ尿素、ビピリジル、フェナントロリン、ネオクプロインなどの安定剤、アデニン、グアニン、8−ヒドロキシ−7−ヨード−5−キノリンスルホン酸などの促進剤、ポリエチレングリコールなどの界面活性剤等を含んでいても良い。
【0057】
無電解めっき促進用多分岐ポリイミドを無電解めっき溶液に浸漬する時間は、適宜選択して行うことができるが、好ましくは30秒から12時間であり、更に好ましくは1分から6時間である。浸漬時間が30秒より短いとめっきが不十分となる場合があり、12時間より長いと処理時間が長くなり経済的に不利となる。
【0058】
無電解めっき促進用多分岐ポリイミドを、無電解めっき触媒物質を含む溶液中に浸漬する温度は0〜100℃の範囲が好ましく、更に室温〜80℃の範囲が好ましい。0℃より低い温度では無電解めっき溶液が凍結する場合があり、100℃より高い場合には無電解めっき溶液が劣化したり、無電解めっき溶液が気化する場合があるので好ましくない。
【0059】
得られる金属被覆多分岐ポリイミドは、無電解めっき溶液に浸漬した後、水溶媒や有機溶媒、及びそれらの混合物で洗浄してもよく、更に風乾するなどして乾燥を行ってもよい。
【0060】
金属被覆多分岐ポリイミドは、フィルム状では、プリント配線板、フレキシブルプリント基板、COF、COB、TABテープ等の電子部品や電子機器類の基板として用いることができる。
金属被覆多分岐ポリイミドは、粒状では、導電性バインダーや導電性粒子として、用いることができる。
【0061】
多分岐ポリイミドは、
1)ポリアミック酸溶解溶液として、プリント配線板、フレキシブルプリント基板、TABテープ等の電子部品の素材として用いられる耐熱性のポリイミドフィルムの片面又は両面の一部又は全部に塗布、印刷などの公知の方法で設け、その後溶液を除去し、加熱又は化学的に閉環してイミド化し、
又は2)ポリイミド溶解溶液として、プリント配線板、フレキシブルプリント基板、TABテープ等の電子部品の素材として用いられる耐熱性のポリイミドフィルムの片面又は両面の一部又は全部に塗布、印刷などの公知の方法で設け、その後溶液を除去し、
その後無電解めっき触媒前駆物質を吸着させて、さらに無電解メッキを行い、金属被覆多分岐ポリイミドを得ることができる。
特に多分岐ポリイミドを耐熱性のポリイミドフィルムに配線の形状に塗布又は印刷することにより、塗布又は印刷した部分のみ無電解メッキを行い、金属配線多分岐ポリイミドを製造することができる。
【0062】
多分岐ポリイミドは、
1)ポリアミック酸溶解溶液として、プリント配線板、フレキシブルプリント基板、TABテープ等の電子部品の素材として用いられる耐熱性のポリイミドフィルムを得ることが出来るポリアミック酸の流延物若しくはこれらを加熱乾燥して得られる支持体より剥離可能な自己支持性フィルムの片面又は両面の一部又は全部に塗布、印刷などの公知の方法で設け、加熱又は化学的に閉環してイミド化し、
又は2)ポリイミド溶解溶液として、プリント配線板、フレキシブルプリント基板、TABテープ等の電子部品の素材として用いられる耐熱性のポリイミドフィルムを得ることが出来るポリアミック酸の流延物若しくはこれらを加熱乾燥して得られる支持体より剥離可能な自己支持性フィルムの片面又は両面の一部又は全部に塗布、印刷などの公知の方法で設け、加熱又は化学的に閉環してイミド化し、
その後無電解めっき触媒前駆物質を吸着させて、さらに無電解メッキを行い、金属被覆多分岐ポリイミドを得ることができる。
特に多分岐ポリイミドを耐熱性のポリイミドフィルムに配線の形状に塗布又は印刷することにより、塗布又は印刷した部分のみ無電解メッキを行い、金属配線多分岐ポリイミドを製造することができる。
多分岐ポリイミドは、耐熱性のポリイミドフィルムを得ることが出来るポリアミック酸のドープと共押出することもできる。
【0063】
耐熱性ポリイミドフィルム金属箔積層体は、プリント配線板、フレキシブルプリント基板、COF、COB、TABテープ等の電子部品や電子機器類の素材として用いることができる。
【0064】
耐熱性のポリイミドフィルムは、プリント配線板、フレキシブルプリント基板、TABテープ等の電子部品の素材として用いられる耐熱性のポリイミドフィルムであり、具体例としては、例えば、商品名「ユーピレックス」(宇部興産社製)、商品名「カプトン」(東レ・デュポン社製、デュポン社製)、商品名「アピカル」(鐘淵化学社製)などのポリイミドフィルム及び、これらのフィルムを構成する酸成分及びジアミン成分、例えば酸成分(例えば、3,3’、4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸などを含む成分)及びジアミン成分(p−フェニレンジアミン、4,4−ジアミノジフェニルエーテル、m−トリジン、4,4’−ジアミノベンズアニリドなどを含む成分)とから得られる、ポリイミドなどを挙げることができる。
【0065】
ポリアミック酸溶解溶液及びポリイミド溶解溶液を塗布する方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、グラビアコート法、スピンコート法、シルクスクリーン法、ディップコート法、スプレーコート法、バーコート法、ナイフコート法、ロールコート法、ブレードコート法、ダイコート法、キャスト法などの公知の塗布方法を挙げる事ができる。
【0066】
ラミネート装置は、一対の圧着金属ロール(圧着部は金属製、セラミック溶射金属製のいずれでもよい)、真空ラミネート、ダブルベルトプレス、ホットプレスなどが挙げられ、特に加圧下に熱圧着および冷却できるものであって、そのなかでも特に液圧式のダブルベルトプレスを好適に挙げることができる。
【0067】
金属箔としては、銅、アルミニウム、金、合金の箔など各種金属箔を用いることができ、好適には圧延銅箔、電解銅箔などの銅箔が好ましい。
金属箔としては、どのような表面粗さでも用いることができるが、表面粗さRzが0.5μm以上であるものが好ましい。また、金属箔の表面粗さRzが7μm以下、特に5μm以下であるものが好ましい。このような金属箔、例えば銅箔はVLP、LP(またはHTE)として知られている。
金属箔の厚さは特に制限はないが、2〜35μm、特に5〜18μmであるものが好ましい。金属箔の厚みが0.5〜5μmのものは、キャリア付き金属箔、例えばアルミニウム箔キャリア付き銅箔、銅箔キャリア付き銅箔が使用できる。
金属箔は特に配線回路用に用いることができる金属箔を好ましく用いることができる。
【実施例】
【0068】
以下、実施例によって本発明を詳述するが、本発明は実施例に記載された範囲に限定されるものではない。
【0069】
尚、以下の例で用いた主な分析方法及び測定方法は下記のとおりである。
【0070】
1)分子量分布:ポリアミック酸の数平均分子量(Mn)の測定は、ゲル浸透クロマトグラフ(GPC)で行った。下記に測定方法を示す。
(1)測定装置: 東ソー製HLC−8220装置を使用した。
(2)測定サンプル: ポリアミック酸溶液を室温、濃度0.3wt/vol%で溶媒(N−メチル−2−ピロリドン、NMP)に溶解させた。
(3)分子量分布測定:上記(2)の測定サンプル0.3mlをGPCカラムShodexKD−806M×2本に注入し、溶媒NMP、温度40℃、1.0ml/分の流速で分析を行った。GPCによる測定は35分間行った。GPCカラムにより分離された溶液中のポリマー濃度は、示差屈折計(RI)で測定した。分子量は、ポリスチレンスタンダードにより換算した。
(4)データ処理:データ処理は、東ソー製HLC−8220装置に付属のソフトを用いた。
2)X線光電子分光分析(XPS):PHI社製1600Sを用いて、X線源:MgKαで行った。
3)電気伝導度測定:三菱化学製ロレスタMCP−T610を用いて、測定プローブ:PSPで行った。
4)フーリエ変換赤外分光(FT−IR)の測定:分析装置:VARIAN社製FTS7000eを用いて、測定方法:顕微ATR法、検出器:MCTで行った。
【0071】
(合成例1)(3,5−ジ(4−ニトロフェノキシ)アニリンの合成)
ディーンスタークトラップと還流管を取り付けた100mL三口フラスコに、3,5−ジヒドロキシアニリン15.8g(126mmoL)と無水N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)250mLを加え、室温で撹拌した。炭酸カリウム30.0g(217mmoL)とトルエン25mLを加えた後、100℃で2時間撹拌した。反応混合物を70℃まで冷却し、p−フルオロニトロベンゼン38.9g(276mmoL)を加えて、再び100℃で7時間撹拌した。トルエンを減圧留去し、反応混合物を1Lの氷水中に注ぎ込むと、黄色の固体が析出した。固体を濾取し、少量の水で洗浄後、減圧乾燥することで目的物が得られた(収量:39.0g,106mmoL,収率:84%)。
得られた化合物は以下の分析を行った。
1)H−NMR(300MHz,CDCL):、δ8.25−8.17(m,4H),7.12−7.04(m,4H),6.25(d,2H),6.18(t,1H),404−3.84(br,2H)。
2)融点:180〜182℃。
3)元素分析:C1813
測定値C:58.74%、H:3.53%、N:11.42%。
理論値C:58.86%、H:3.57%、N:11.44%。
【0072】
(合成例2)(3,5−ジ(4−アミノフェノキシ)アニリンの合成)
500mL二口フラスコに3,5−ジ(4−ニトロフェノキシ)アニリン7.34g(20.0mmoL)と5%Pd/C(427mg)とを加え、無水エタノール400mLを加えた。その後、常圧の水素雰囲気下、室温で13時間撹拌した。反応終了後、触媒を濾別し、溶媒を減圧留去することで目的物が得られた(収量:5.89g,19.2mmoL,収率:96%)。
得られた化合物は以下の分析を行った。
1)H−NMR(300MHz,CDCL):δ6.90−6.81(m,4H),6.78−6.60(m,4H),5.98(t,1H),5.87(d,2H),4.20−2.80(br,6H)。
2)融点:177〜178℃。
3)元素分析:C1817
測定値C:70.15%、H:5.39%、N:13.50%。
理論値C:70.34%、H:5.58%、N:13.67%。
【0073】
(合成例3)(トリ(4−アミノフェニル)アミンの合成)
還流管を備えた300mL三口フラスコにトリ(4−ニトロフェニル)アミン1.52g(4.00mmol)と5%Pd/C(200mg)を加え、アルゴン置換を行った。ジオキサン(50mL)とエタノール(25mL)を加え、80℃で撹拌しながらヒドラジン一水和物(8.0mL)を3時間かけて滴下し、更に80℃で20時間撹拌した。触媒を濾別した後、反応混合物を氷水(400mL)に加えた。得られる灰色の固体を濾取し、水で洗浄後に減圧乾燥することで目的物が得られた(収量:1.02g,3.51mmol,収率:88%)。
(分析結果)
1)H−NMR(300MHz,DMSO−d):6.62−6,54(m,6H),6.46−6.40(m,6H),4.68(br,6H)。
2)元素分析:C1818
測定値C:74.33%、H:6.16%、N:19.13%。
理論値C:74.46%、H:6.25%、N:19.30%。
【0074】
(合成例4)
50mLフラスコに塩化パラジウム3.54g(20.0mmol)と塩化ナトリウム2.34g(40.1mmol)とを加え、水(20mL)を加えた。混合物を120℃で加熱攪拌し、溶媒を蒸発させることで目的物が定量的に得られた。
【0075】
(合成例5)
(多分岐ポリアミック酸Aの合成)
滴下漏斗を備えた100mL三口フラスコに、3,5−ジ(4−アミノフェノキシ)アニリン(3.32mmol)と無水N,N−ジメチルアセトアミド(以下、DMAcと略す。)を加えた。室温で攪拌しながら3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(3.32mmol)を6時間かけて徐々に添加した。混合物を室温で終夜攪拌することで、2.5重量%の多分岐ポリアミック酸AのDMAc溶液を得た。多分岐ポリアミック酸AのGPC分析より、数平均分子量は3.7×10であった。
【0076】
(合成例6)
(多分岐ポリイミドフィルムAの合成)
合成例5(多分岐ポリアミック酸Aの合成)で合成した2.5重量%多分岐ポリアミック酸AのDMAc溶液を減圧濃縮することで、10重量%多分岐ポリアミック酸AのDMAc溶液を調整した。ガラス基板に10重量%多分岐ポリアミック酸AのDMAc溶液をスピンコート法により塗布した。続いて、焼成炉を用いて大気中350℃で焼成することで、ガラス基板上に多分岐ポリイミドフィルムAを形成した。FTIR−ATR分析より、多分岐ポリイミドのカルボニル基に起因する吸収が1714cm−1に観察された。
【0077】
(合成例7)
(多分岐ポリアミック酸Bの合成)
テトラカルボン酸二無水物として3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物の代わりにピロメリット酸二無水物を使用した以外は合成例5と同様に反応を行うことで、対応する多分岐ポリアミック酸BのDMAc溶液を得た。多分岐ポリアミック酸BのGPC分析より、数平均分子量は2.3×10であった。
【0078】
(合成例8)
(多分岐ポリイミドフィルムBの合成)
2.5重量%の多分岐ポリアミック酸として合成例7(多分岐ポリアミック酸Bの合成)で合成した2.5重量%多分岐ポリアミック酸BのDMAc溶液を用いた以外は合成例6と同様にして、ガラス基板上に多分岐ポリイミドフィルムBを形成した。FTIR−ATR分析より、多分岐ポリイミドのカルボニル基に起因する吸収が1719cm−1に観察された。
【0079】
(合成例9)
(多分岐ポリアミック酸Cの合成)
トリアミンとして3,5-ジ(4−アミノフェノキシ)アニリンの代わりにトリ(4−アミノフェニル)アミンを使用した以外は合成例5と同様に反応を行うことで、対応する多分岐ポリアミック酸CのDMAc溶液を得た。多分岐ポリアミック酸CのGPC分析より、数平均分子量は3.0×10であった。
【0080】
(合成例10)
(多分岐ポリイミドフィルムCの合成)
2.5重量%の多分岐ポリアミック酸として合成例9(多分岐ポリアミック酸Cの合成)で合成した2.5重量%多分岐ポリアミック酸CのDMAc溶液を用いた以外は合成例6と同様にして、ガラス基板上に多分岐ポリイミドフィルムCを形成した。FTIR−ATR分析より、多分岐ポリイミドのカルボニル基に起因する吸収が1711cm−1に観察された。
【0081】
(合成例11)
(多分岐ポリアミック酸Dの合成)
滴下漏斗を備えた200mL三口フラスコに、3,5−ジ(4−アミノフェノキシ)アニリン(1.38mmol)、1,4−フェニレンジアミン(4.15mmol)と無水DMAcを加えた。室温で攪拌しながら3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(5.53mmol)を6時間かけて徐々に添加した。混合物を室温で終夜攪拌することで2.5重量%の多分岐ポリアミック酸DのDMAc溶液を得た。多分岐ポリアミック酸DのGPC分析より、数平均分子量は4.0×10であった。
【0082】
(合成例12)
(多分岐ポリイミドフィルムDの合成)
2.5重量%の多分岐ポリアミック酸として合成例11(多分岐ポリアミック酸Dの合成)で合成した2.5重量%多分岐ポリアミック酸DのDMAc溶液を用いた以外は合成例6と同様にして、ガラス基板上に多分岐ポリイミドフィルムDを形成した。FTIR−ATR分析より、多分岐ポリイミドのカルボニル基に起因する吸収が1711cm−1に観察された。
【0083】
(実施例1)
(無電解めっき促進用多分岐ポリイミドA−1の合成)
合成例6で調整したガラス基板上に形成した多分岐ポリイミドフィルムAを、少量の塩化ナトリウムを含む1.0×10−3mol・dm−3のテトラクロロパラジウム酸ナトリウム含有水溶液(pH4.3)に室温で3分間浸漬した。次いでポリイミドフィルムを基板から剥離し、30分間水洗した後に風乾し、無電解めっき促進用多分岐ポリイミドA−1を得た。XPSによる表面分析より、無電解めっき促進用多分岐ポリイミドフィルムA−1には表面原子濃度0.38%のパラジウムが付着していることが判明した。
【0084】
(実施例2)
(銅被覆多分岐ポリイミドA−1の作成)
実施例1の無電解めっき促進用多分岐ポリイミドA−1に無電解銅めっきを施した。その結果、無電解めっき促進用多分岐ポリイミドA−1の表面に斑無く銅薄膜が形成した銅被覆多分岐ポリイミドA−1を得た。銅被覆多分岐ポリイミドA−1の表面抵抗は、9.8×10−1 Ω/□を示した。得られた銅被覆多分岐ポリイミドAは、ニチバン(株)製セロハンテープを用いて引き剥がしテストを行ったところ、ポリイミドフィルムから銅が剥離することはなく良好な密着性を示した。
【0085】
(実施例3)
(無電解めっき促進用多分岐ポリイミドA−2の合成)
合成例6で調整したガラス基板上に形成した多分岐ポリイミドフィルムAを基板から剥離し、塩化スズ・2水和物(2.0g)、濃塩酸(1mL)、水(50mL)からなる溶液に40℃で2分間浸漬した。次いで、40℃の水に10秒間浸漬し、更に塩化パラジウム(25mg)、濃塩酸(0.25mL)、水(50mL)からなる溶液に40℃で2分間浸漬した。その後、ポリイミドフィルムを流水で軽く洗浄した後に風乾し、無電解めっき促進用多分岐ポリイミドA−2を得た。XPSによる表面分析より、無電解めっき促進用多分岐ポリイミドA−2には表面原子濃度0.92%のパラジウムが付着していることが判明した。
【0086】
(実施例4)
(銅被覆多分岐ポリイミドA−2の作成)
無電解めっき促進用多分岐ポリイミドとして無電解めっき促進用多分岐ポリイミドA−2を用いた以外は、実施例2と同様にして銅被覆多分岐ポリイミドA−2を得た。表面抵抗は1.5×10Ω/□を示し、セロハンテープによる剥離も見られなかった。
【0087】
(実施例5)
(無電解めっき促進用多分岐ポリイミドB−1の合成)
多分岐ポリイミドフィルムとして多分岐ポリイミドフィルムBを用いた以外は、実施例1と同様にして無電解めっき促進用多分岐ポリイミドB−1を得た。XPSによる表面分析より、無電解めっき促進用多分岐ポリイミドB−1には表面原子濃度0.73%のパラジウムが付着していることが判明した。
【0088】
(実施例6)
(銅被覆多分岐ポリイミドB−1の作成)
無電解めっき促進用多分岐ポリイミドとして無電解めっき促進用多分岐ポリイミドB−1を用いた以外は、実施例2と同様にして銅被覆多分岐ポリイミドB−1を得た。表面抵抗は1.8×10−1Ω/□を示し、セロハンテープによる剥離も見られなかった。
【0089】
(実施例7)
(無電解めっき促進用多分岐ポリイミドB−2の合成及び銅被覆多分岐ポリイミドB−2の作成)
多分岐ポリイミドフィルムとして多分岐ポリイミドフィルムBを用いた以外は、実施例3と同様にして無電解めっき促進用多分岐ポリイミドB−2を得た。続いて、無電解めっき促進用多分岐ポリイミドとして無電解めっき促進用多分岐ポリイミドB−2を用いた以外は、実施例2と同様にして銅被覆多分岐ポリイミドB−2を得た。表面抵抗は1.6×10Ω/□を示し、セロハンテープによる剥離も見られなかった。
【0090】
(実施例8)
(無電解めっき促進用多分岐ポリイミドC−1の合成)
多分岐ポリイミドフィルムとして多分岐ポリイミドフィルムCを用いた以外は、実施例1と同様にして無電解めっき促進用多分岐ポリイミドC−1を得た。XPSによる表面分析より、無電解めっき促進用多分岐ポリイミドC−1には表面原子濃度0.36%のパラジウムが付着していることが判明した。
【0091】
(実施例9)
(銅被覆多分岐ポリイミドC−1の作成)
無電解めっき促進用多分岐ポリイミドとして無電解めっき促進用多分岐ポリイミドC−1を用いた以外は、実施例2と同様にして銅被覆多分岐ポリイミドC−1を得た。表面抵抗は6.5×10−1Ω/□を示し、セロハンテープによる剥離も見られなかった。
【0092】
(実施例10)
(無電解めっき促進用多分岐ポリイミドC−2の合成及び銅被覆多分岐ポリイミドC−2の作成)
多分岐ポリイミドフィルムとして多分岐ポリイミドフィルムCを用いた以外は、実施例3と同様にして無電解めっき促進用多分岐ポリイミドC−2を得た。続いて、無電解めっき促進用多分岐ポリイミドとして無電解めっき促進用多分岐ポリイミドC−2を用いた以外は、実施例2と同様にして銅被覆多分岐ポリイミドC−2を得た。表面抵抗は4.8×10−1Ω/□を示し、セロハンテープによる剥離も見られなかった。
【0093】
(実施例11)
(無電解めっき促進用多分岐ポリイミドD−1の合成)
多分岐ポリイミドフィルムとして多分岐ポリイミドフィルムDを用いた以外は、実施例1と同様にして無電解めっき促進用多分岐ポリイミドD−1を得た。XPSによる表面分析より、無電解めっき促進用多分岐ポリイミドD−1には表面原子濃度0.27%のパラジウムが付着していることが判明した。
【0094】
(実施例12)
(銅被覆多分岐ポリイミドD−1の作成)
無電解めっき促進用多分岐ポリイミドとして無電解めっき促進用多分岐ポリイミドD−1を用いた以外は、実施例2と同様にして銅被覆多分岐ポリイミドD−1を得た。表面抵抗は3.6×10−1Ω/□を示し、セロハンテープによる剥離も見られなかった。
【0095】
(実施例13)
(無電解めっき促進用多分岐ポリイミドD−2の合成及び銅被覆多分岐ポリイミドD−2の作成)
多分岐ポリイミドフィルムとして多分岐ポリイミドフィルムDを用いた以外は、実施例3と同様にして無電解めっき促進用多分岐ポリイミドD−2を得た。無電解めっき促進用多分岐ポリイミドとして無電解めっき促進用多分岐ポリイミドD−2を用いた以外は、実施例2と同様にして銅被覆多分岐ポリイミドD−2を得た。表面抵抗は7.5×10Ω/□を示し、セロハンテープによる剥離も見られなかった。
【0096】
(比較例1)
(ポリイミドフィルムA)
3,3’,4,4’−ビフェニルカルボン酸二無水物と等モル量のp−フェニレンジアミンとをN,N−ジメチルアセトアミド溶媒中、室温で反応させることで10重量%のポリアミック酸溶液を調整した。この溶液をガラス基板上にスピンコートし、次いで350℃で焼成することでポリイミドフィルムAを得た。
ガラス基板上に形成した直鎖ポリイミドフィルムAを、少量の塩化ナトリウムを含む1.0×10−3mol・dm−3のテトラクロロパラジウム酸ナトリウム含有水溶液(pH4.3)に室温で3分間浸漬した。次いでポリイミドフィルムを基板から剥離し、30分間水洗した後に風乾し、無電解めっき促進用ポリイミドフィルムAをえた。XPSによる表面分析より、無電解めっき促進用ポリイミドフィルムAには表面原子濃度0.18%のパラジウムが付着しており、多分岐ポリイミドフィルムを用いた場合よりも少ないことが判明した。
【0097】
(比較例2)
比較例1で調整した無電解めっき促進用ポリイミドフィルムAに無電解銅めっきを施した結果、無電解めっき促進用ポリイミドフィルムAの表面に僅かに銅薄の形成が見られるのみであった。
【0098】
(無電解メッキ条件)
実施例2,4,6,7,9,10,12,13及び比較例2で実施した無電解銅めっきは、下記組成の無電解銅めっき液にポリイミドを室温で0.5〜3分間浸漬することで行った。
(無電解銅めっき液の調合組成)
・硫酸銅五水和物:3.0g、酒石酸ナトリウムカリウム四水和物:14.0g、水酸化ナトリウム:4.0g、37%ホルマリン:10mL、水:100mL。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
テトラカルボン酸二無水物と、トリアミンを含むジアミンとを反応させて得られる多分岐ポリイミドのアミノ基に、無電解めっき触媒前駆物質を吸着させることを特徴とする無電解めっき促進用多分岐ポリイミド。
【請求項2】
1/2以上から3/2未満のモル比(テトラカルボン酸二無水物/トリアミンのモル比)のテトラカルボン酸二無水物及びトリアミンとを反応させて得られる多分岐ポリイミドのアミノ基に、無電解めっき触媒前駆物質を吸着させることを特徴とする無電解めっき促進用多分岐ポリイミド。
【請求項3】
請求項1又は請求項2に記載の無電解めっき促進用多分岐ポリイミドに、無電解金属めっきを行うことを特徴とする金属被覆多分岐ポリイミド。
【請求項4】
多分岐ポリイミドから金属被覆多分岐ポリイミドの製造方法であり、
1)テトラカルボン酸二無水物と、トリアミンを含むジアミンとを反応させて得られる多分岐ポリイミドを製造する工程、
2)多分岐ポリイミドのアミノ基に、無電解めっき触媒前駆物質を吸着させて無電解めっき促進用多分岐ポリイミドを製造する工程、
3)無電解めっき促進用多分岐ポリイミドに無電解金属めっきを行い金属被覆多分岐ポリイミドを製造する工程、
からなる金属被覆多分岐ポリイミドの製造方法。
【請求項5】
多分岐ポリイミドから金属被覆多分岐ポリイミドの製造方法であり、
1)1/2以上から3/2未満のモル比(テトラカルボン酸二無水物/トリアミンのモル比)のテトラカルボン酸ニ無水物及びトリアミンとを反応させて得られる多分岐ポリイミドを製造する工程、
2)多分岐ポリイミドのアミノ基に、無電解めっき触媒前駆物質を吸着させて無電解めっき促進用多分岐ポリイミドを製造する工程、
3)無電解めっき促進用多分岐ポリイミドに無電解金属めっきを行い金属被覆多分岐ポリイミドを製造する工程、
からなる金属被覆多分岐ポリイミドの製造方法。

【公開番号】特開2008−50694(P2008−50694A)
【公開日】平成20年3月6日(2008.3.6)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2007−192506(P2007−192506)
【出願日】平成19年7月24日(2007.7.24)
【出願人】(000000206)宇部興産株式会社 (2,022)
【Fターム(参考)】