現像方法
【課題】 柱状電極を有する半導体装置において、柱状電極を形成するためのドライフィルムレジストからなるメッキレジスト膜を現像する際、膨潤したメッキレジスト膜の急激な収縮を抑制し、且つ、レジスト残渣が発生しにくいようにする
【解決手段】 現像部３２では、メッキレジスト膜２５の非露光部は現像液と接触する表面から膨潤して溶解され、メッキレジスト膜２５に柱状電極形成用の開口部が形成される。この状態では、メッキレジスト膜２５の開口部の底部にレジスト溶解物が残存している。中間処理部３３では、現像液用シャワー４２およびリンス液用シャワー４３から現像液およびリンス液が吹き出され、メッキレジスト膜２５上で吹き出された両液が交差して混合される。これにより、膨潤したメッキレジスト膜２５の急激な収縮を抑制し、且つ、レジスト残渣が発生しにくいようにすることができる。
【解決手段】 現像部３２では、メッキレジスト膜２５の非露光部は現像液と接触する表面から膨潤して溶解され、メッキレジスト膜２５に柱状電極形成用の開口部が形成される。この状態では、メッキレジスト膜２５の開口部の底部にレジスト溶解物が残存している。中間処理部３３では、現像液用シャワー４２およびリンス液用シャワー４３から現像液およびリンス液が吹き出され、メッキレジスト膜２５上で吹き出された両液が交差して混合される。これにより、膨潤したメッキレジスト膜２５の急激な収縮を抑制し、且つ、レジスト残渣が発生しにくいようにすることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は現像方法に関し、例えば、柱状電極を有する半導体装置の製造に際し、柱状電極を形成するためのメッキレジスト膜を現像する現像方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、従来の半導体装置には、ＣＳＰ(Chip Size Package)と呼ばれるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。この半導体装置では、半導体基板上に設けられた絶縁膜の上面に配線が設けられている。配線の接続パッド部上面には柱状電極が設けられている。配線を含む絶縁膜の上面において柱状電極の周囲には封止膜が設けられている。柱状電極の上面には半田ボールが設けられている。
【０００３】
上記従来の半導体装置の製造方法では、柱状電極を形成するまでを簡単に説明すると、まず、ウエハ状態の半導体基板（半導体ウエハ）上に絶縁膜が形成されたものを準備する。次に、絶縁膜の上面全体に下地金属層を形成する。次に、下地金属層の上面に、電解メッキにより、配線用上部金属層を形成する。
【０００４】
次に、配線用上部金属層を含む下地金属層の上面に、配線用上部金属層の接続パッド部つまり柱状電極形成領域に対応する部分に開口部を有するメッキレジスト膜を形成する。次に、下地金属層をメッキ電流路とした電解メッキを行なうことにより、メッキレジスト膜の開口部内の配線用上部金属層の接続パッド部上面に柱状電極を形成する。かくして、柱状電極が形成される。
【０００５】
柱状電極形成用のメッキレジスト膜としては、一般的に、ネガ型のドライフィルムレジストが用いられている。そして、配線用上部金属層を含む下地金属層の上面にラミネートされたドライフィルムレジストからなるメッキレジスト膜に柱状電極形成用の開口部をフォトリソグラフィ法により形成する場合には、露光、現像を行う。
【０００６】
ところで、従来の現像装置としては、例えば特許文献２に記載のものが知られている。この現像装置では、左側から右側に向かって、現像部、リンス部、エアーナイフ部および乾燥部がこの順で配列されている。そして、露光後のレジスト膜を上面に有する被処理基板は、現像部、リンス部、エアーナイフ部および乾燥部をこの順で通過する。
【０００７】
現像部では、現像液がレジスト膜に吹き付けられ、レジスト膜がパターニングされる。リンス部では、リンス液がレジスト膜に吹き付けられ、レジスト膜に付着している現像液が洗い流される。エアーナイフ部では、エアーがレジスト膜に吹き付けられ、レジスト膜に付着しているリンス液が吹き飛ばされる。乾燥部では、赤外線がレジスト膜に照射され、レジスト膜の乾燥が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−６０００２号公報
【特許文献２】特開平１１−２０４０２５号公報
【０００９】
ところで、上記従来の現像装置を用いて、ネガ型のドライフィルムレジストからなる柱状電極形成用のメッキレジスト膜をパターニングして開口部を形成するとき、メッキレジスト膜の非露光部が現像液（炭酸ナトリウム１重量％水溶液）と接触する表面から膨潤して溶解され、メッキレジスト膜に開口部が形成される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、図１２（Ａ）に示すように、現像液の吹き付けによりメッキレジスト膜５１に開口部５２を形成した後に、リンス液（純水）を吹き付けると、現像液を吸収して膨潤されたメッキレジスト膜５１がその表面から元に戻ろうとして急激に収縮し、図１２（Ｂ）に示すように、開口部５２の上部が広がり、開口部５２内に形成される柱状電極の上部が歪んだ形状となってしまうという問題がある。また、メッキレジスト膜５１の開口部５２の底部にレジスト溶解物５３が残存していると、リンス液（純水）の吹き付けにより、開口部５２の底部にレジスト溶解物５３がそのまま固着し、柱状電極を良好に形成することができなくなってしまうという問題もある。
【００１１】
そこで、この発明は、膨潤したレジスト膜の急激な収縮を抑制し、且つ、レジスト残渣が発生しにくいようにすることができる現像方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
請求項１に記載の発明は、露光後のレジスト膜に現像液を吹き付ける工程と、現像液を吹き付けられた後の前記レジスト膜に現像液とリンス液との混合液を吹き付ける工程と、混合液を吹き付けられた後の前記レジスト膜にリンス液を吹き付ける工程と、リンス液を吹き付けられた後の前記レジスト膜を乾燥する工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、現像液とリンス液との混合液を吹き付ける工程は、現像液用シャワーから吹き出された現像液とリンス液用シャワーから吹き出されたリンス液とを前記レジスト膜上で混合させる工程であることを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記レジスト膜を搬送させながら前記各工程を行うとき、前記現像液用シャワーは搬送方向の反対側に配置され、前記リンス液用シャワーは搬送方向側に配置されていることを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、前記現像液用シャワーおよび前記リンス液用シャワーは棒状であって搬送方向に直交するように配置され、且つ、その各中心部の上方の位置を中心にして搬送方向と直交する方向に揺動されるようになっていることを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明は、請求項１または２に記載の発明において、前記現像液は、炭酸ナトリウム水溶液であることを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明は、請求項１または２に記載の発明において、前記リンス液は、純水であることを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明は、露光後のレジスト膜に現像液を吹き付ける工程と、現像液を吹き付けられた後の前記レジスト膜に希釈現像液を吹き付ける工程と、希釈現像液を吹き付けられた後の前記レジスト膜にリンス液を吹き付ける工程と、リンス液を吹き付けられた後の前記レジスト膜を乾燥する工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、希釈現像液を吹き付けるための希釈現像液用シャワーの吹き出し圧力および吹き出し流量は現像液を吹き付けるための現像液用シャワーの吹き出し圧力および吹き出し流量よりも高圧および多量であることを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、前記レジスト膜を搬送させながら前記各工程を行うとき、前記希釈現像液用シャワーは棒状であって搬送方向に直交するように配置され、且つ、その中心部の上方の位置を中心にして搬送方向と直交する方向に揺動されるようになっていることを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明は、請求項１または７に記載の発明において、前記レジスト膜はドライフィルムレジストからなることを特徴とするものである。
請求項１１に記載の発明は、請求項１０に記載の発明において、前記レジスト膜は、半導体ウエハ上に設けられ、該半導体ウエハ上に電解メッキにより柱状電極を形成するためのものであることを特徴とするものである。
請求項１２に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、前記現像液は、炭酸ナトリウム水溶液であることを特徴とするものである。
請求項１３に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、前記リンス液は、純水であることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１３】
この発明によれば、現像液を吹き付けられた後のレジスト膜に現像液とリンス液との混合液あるいは希釈現像液を吹き付けることにより、膨潤したレジスト膜の急激な収縮を抑制し、且つ、レジスト残渣が発生しにくいようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】この発明の現像方法を含む製造方法により製造された半導体装置の一例の断面図。
【図２】図１に示す半導体装置の製造方法の一例において、当初準備したものの断面図。
【図３】図２に続く工程の断面図。
【図４】図３に続く工程の断面図。
【図５】図４に続く工程の断面図。
【図６】図５に続く工程の断面図。
【図７】図６に続く工程の断面図。
【図８】図７に続く工程の断面図。
【図９】図８に続く工程の断面図。
【図１０】この発明の第１実施形態としての現像方法に用いる現像装置の一例の概略構成図。
【図１１】この発明の第２実施形態としての現像方法に用いる現像装置の一例の概略構成図。
【図１２】従来の問題点を説明するために示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図１はこの発明の現像方法を含む製造方法により製造された半導体装置の一例の断面図を示す。この半導体装置は、一般的にはＣＳＰと呼ばれるものであり、シリコン基板（半導体基板）１を備えている。シリコン基板１の上面には所定の機能の集積回路を構成する素子、例えば、トランジスタ、ダイオード、抵抗、コンデンサ等の素子（図示せず）が形成され、その上面周辺部には、上記集積回路の各素子に接続されたアルミニウム系金属等からなる接続パッド２が設けられている。接続パッド２は２個のみを図示するが、実際にはシリコン基板１の上面周辺部に多数配列されている。
【００１６】
シリコン基板１の周辺部および接続パッド２の中央部を除くシリコン基板１の上面には酸化シリコン等からなるパッシベーション膜３が設けられ、接続パッド２の中央部はパッシベーション膜３に設けられた開口部４を介して露出されている。パッシベーション膜３の上面にはポリイミド系樹脂等からなる保護膜５が設けられている。パッシベーション膜３の開口部４に対応する部分における保護膜５には開口部６が設けられている。
【００１７】
保護膜５の上面には配線７が設けられている。配線７は、保護膜５の上面に設けられた銅等からなる下地金属層８と、下地金属層８の上面に設けられた銅からなる上部金属層９との２層構造となっている。配線７の一端部は、パッシベーション膜３および保護膜５の開口部４、６を介して接続パッド２に接続されている。
【００１８】
配線７の接続パッド部上面には銅からなる柱状電極１０が設けられている。配線７を含む保護膜５の上面において柱状電極１０の周囲にはエポキシ系樹脂等からなる封止膜１１が設けられている。柱状電極１０は、その上面が封止膜１１の上面と面一乃至数μｍ低くなるように設けられている。柱状電極１０の上面には半田ボール１２が設けられている。
【００１９】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図２に示すように、ウエハ状態のシリコン基板（以下、半導体ウエハ２１という）の上面にアルミニウム系金属等からなる接続パッド２、酸化シリコン等からなるパッシベーション膜３およびポリイミド系樹脂等からなる保護膜５が形成され、接続パッド２の中央部がパッシベーション膜３および保護膜５の開口部４、６を介して露出されたものを準備する。なお、図２において、符号２２で示す領域はダイシングストリートである。そして、ダイシングストリート２２およびその両側に対応する部分におけるパッシベーション膜３および保護膜５は除去されている。
【００２０】
次に、図３に示すように、パッシベーション膜３および保護膜５の開口部４、６を介して露出された接続パッド２の上面を含む保護膜５の上面並びにダイシングストリート２２およびその両側に対応する部分における半導体ウエハ２１の上面に下地金属層８を形成する。この場合、下地金属層８は、無電解メッキにより形成された銅層のみであってもよく、またスパッタにより形成された銅層のみであってもよく、さらにスパッタにより形成されたチタン等の薄膜層上にスパッタにより銅層を形成したものであってもよい。
【００２１】
次に、下地金属層８の上面にポジ型の液状レジストからなる上部金属層用メッキレジスト膜２３をパターン形成する。この場合、上部金属層９形成領域に対応する部分における上部金属層用メッキレジスト膜２３には、フォトリソグラフィ法により、開口部２４が形成されている。次に、下地金属層８をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうと、上部金属層用メッキレジスト膜２３の開口部２４内の下地金属層８の上面に上部金属層９が形成される。次に、上部金属層用メッキレジスト膜２３を剥離する。
【００２２】
次に、図４に示すように、上部金属層９を含む下地金属層８の上面にネガ型のドライフィルムレジストからなる柱状電極形成用メッキレジスト膜２５をパターン形成する。この場合、上部金属層９の接続パッド部（柱状電極１０形成領域）に対応する部分における柱状電極形成用メッキレジスト膜２５には、後述する現像方法を含むフォトリソグラフィ法により、開口部２６が形成されている。
【００２３】
次に、下地金属層８をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうと、柱状電極形成用メッキレジスト膜２５の開口部２６内の上部金属層９の接続パッド部上面に柱状電極１０が形成される。次に、柱状電極形成用メッキレジスト膜２５を剥離する。次に、上部金属層９をマスクとして上部金属層９下以外の領域における下地金属層８をエッチングして除去すると、図５に示すように、上部金属層９下にのみ下地金属層８が残存される。この状態では、上部金属層９とその下に残存された下地金属層８とにより、２層構造の配線７が形成されている。
【００２４】
次に、図６に示すように、配線７および柱状電極１０を含む保護膜５の上面にスピンコート法等によりエポキシ系樹脂等からなる封止膜１１をその厚さが柱状電極１０の高さよりもやや厚くなるように形成する。したがって、この状態では、柱状電極１０の上面は封止膜１１によって覆われている。
【００２５】
次に、封止膜１１の上面側を適宜に研削し、図７に示すように、柱状電極１０の上面を露出させ、且つ、この露出された柱状電極１０の上面を含む封止膜１１の上面を平坦化する。次に、図８に示すように、柱状電極１０の上面に半田ボール１２を形成する。次に、図９に示すように、封止膜１１および半導体ウエハ２１をダイシングストリート２２に沿って切断すると、図１に示す半導体装置が複数個得られる。
【００２６】
（第１実施形態）
ここで、ネガ型のドライフィルムレジストからなる柱状電極形成用メッキレジスト膜２５（以下、単にメッキレジスト膜２５という）に開口部２６を形成するための現像方法について説明するに、まず、図１０はこの発明の第１実施形態としての現像方法に用いる現像装置の一例の概略構成図を示す。
【００２７】
この現像装置では、左側から右側に向かって、送り出しカセット部３１、現像部３２、中間処理部３３、リンス部３４、乾燥部３５および収納カセット部３６がこの順で配列されている。そして、露光後のメッキレジスト膜２５を上面に有する半導体ウエハ２１は、送り出しカセット部３１から送り出され、コンベア３７によって搬送され、現像部３２、中間処理部３３、リンス部３４および乾燥部３５をこの順で通過して収納カセット部３６に収納されるようになっている。
【００２８】
現像部３２では、コンベア３７の上方に複数本の棒状の現像液用シャワー４１が半導体ウエハ２１の搬送方向に直交するように配置され、現像液用シャワー４１から現像液が矢印で示すように下方に向かって吹き出されるようになっている。中間処理部３３では、コンベア３７の上方の左側（現像部３２側）に１本の棒状の現像液用シャワー４２が半導体ウエハ２１の搬送方向に直交するように配置され、コンベア３７の上方の右側（リンス部３４側）に１本の棒状のリンス液用シャワー４３が半導体ウエハ２１の搬送方向に直交するように配置され、現像液用シャワー４２から現像液が矢印で示すように右斜め下方に向かって吹き出され、この吹き出しと同時にリンス液用シャワー４３からリンス液が矢印で示すように左斜め下方に向かって吹き出され、コンベア３７上の予め設定された位置で吹き出された両液が交差して混合するようになっている。
【００２９】
リンス部３４では、コンベア３７の上方に複数本の棒状のリンス液用シャワー４４が半導体ウエハ２１の搬送方向に直交するように配置され、リンス液用シャワー４４からリンス液が矢印で示すように下方に向かって吹き出されるようになっている。乾燥部３５では、コンベア３７の上方に平板状の高温窒素ガス放出板４５が配置され、高温窒素ガス放出板４５から高温窒素ガスが矢印で示すように下方に向かって吹き出されるようになっている。
【００３０】
次に、この現像装置を用いた現像方法について説明する。露光後のメッキレジスト膜２５を上面に有する半導体ウエハ２１は、送り出しカセット部３１から送り出され、コンベア３７によって搬送され、現像部３２、中間処理部３３、リンス部３４および乾燥部３５をこの順で通過して収納カセット部３６に収納される。
【００３１】
このとき、現像部３２では、現像液用シャワー４２から現像液が矢印で示すように下方に向かって吹き出されて、メッキレジスト膜２５に吹き付けられる。すると、メッキレジスト膜２５の非露光部は現像液（炭酸ナトリウム１重量％水溶液）と接触する表面から膨潤して溶解され、メッキレジスト膜２５に開口部２６（図４参照）が形成される。現像処理における現像液中には、残渣となるレジスト溶解物（図示せず）が存在するため、この状態では、メッキレジスト膜２５の開口部２６の底部にレジスト溶解物（図示せず）が残存している。
【００３２】
中間処理部３３では、現像液用シャワー４２から現像液（炭酸ナトリウム１重量％水溶液）が矢印で示すように右斜め下方に向かって吹き出され、この吹き出しと同時にリンス液用シャワー４３からリンス液（純水）が矢印で示すように左斜め下方に向かって吹き出され、メッキレジスト膜２５上で吹き出された両液が交差して混合される。
【００３３】
現像液（炭酸ナトリウム１重量％水溶液）はアルカリ性であるため、仮に、中間処理部３３を通過せずに、直接リンス部３４に搬送してしまうと、単にリンス液（純水）だけを吹き付けることになり、急激にアルカリ濃度が低下して、レジスト溶解物（図示せず）がメッキレジスト膜２５の開口部２６の底部に付着してしまう。付着を減らすには水が必要であるが、リンス液（純水）への置換をゆっくり行うことが有効であり、現像液とリンス液を同時に吹き出してからリンス工程をすることにより、アルカリの急激な濃度変化が抑えられ、レジスト溶解物の付着を抑制できる。
【００３４】
したがって、現像液を吸収して膨潤されたメッキレジスト膜２５は、現像液とリンス液との混合液と接触するため、急激な収縮が抑制され、緩やかに収縮する。この結果、メッキレジスト膜２５の開口部２６の上部が広がることがなく、柱状電極１０（図４参照）の上部が歪な形状とならないようにすることができる。また、メッキレジスト膜２５の開口部２６の底部に残存するレジスト溶解物が現像液とリンス液との混合液によって洗い流され、レジスト残渣が発生しにくいようにすることができる。
【００３５】
ここで、中間処理部３３において、コンベア３７の上方の左側（半導体ウエハ２１の搬送方向の反対側）に現像液用シャワー４２を配置し、コンベア３７の上方の右側（半導体ウエハ２１の搬送方向側）にリンス液用シャワー４３を配置しているのは、メッキレジスト膜２５に現像液が当たった後にリンス液が当たるようにするためである。これとは逆にすると、メッキレジスト膜２５にリンス液が当たった後に現像液が当たることになるため、好ましくない。
【００３６】
リンス部３４では、リンス液用シャワー４４からリンス液が矢印で示すように下方に向かって吹き出されて、メッキレジスト膜２５に吹き付けられ、メッキレジスト膜２５に付着している現像液が洗い流される。乾燥部３５では、高温窒素ガス放出板４５から高温窒素ガスが矢印で示すように下方に向かって吹き出されて、メッキレジスト膜２５に吹き付けられ、メッキレジスト膜２５の乾燥が行われる。
【００３７】
ところで、中間処理部３３において、現像液（炭酸ナトリウム１重量％水溶液）とリンス液（純水）とを混合させると、現像液の濃度が薄くなり、現像液を循環して再利用することができなくなってしまう。そこで、次に、現像液を循環して再利用することができる実施形態について説明する。
【００３８】
（第２実施形態）
図１１はこの発明の第２実施形態としての現像方法に用いる現像装置の一例の概略構成図を示す。この現像装置において、図１０に示す現像装置と異なる点は、中間処理部３３において、コンベア３７の上方に複数本の棒状の希釈現像液用シャワー４６を半導体ウエハ２１の搬送方向に直交するように配置し、希釈現像液用シャワー４６から希釈現像液を矢印で示すように下方に向かって吹き出させるようにした点である。
【００３９】
この現像装置を用いた現像方法では、上記第１実施形態の場合と同様の効果を得ることができる上に、中間処理部３３において、リンス液との混合がないので、希釈現像液用シャワー４６から吹き出された希釈現像液（０．５重量％以下の炭酸ナトリウム水溶液）を循環して再利用することができる。この場合、希釈現像液用シャワー４６の吹き出し圧力および吹き出し流量は、現像部３２の現像液用シャワー４１の吹き出し圧力および吹き出し流量よりも高圧および多量である方が望ましい。このようにすると、メッキレジスト膜２５の開口部２６の底部に残留するレジスト溶解物を飛ばしやすくすることができる。
【００４０】
（その他の実施形態）
図１０に示す場合において、棒状の現像液用シャワー４２および棒状のリンス液用シャワー４３をその各中心部の上方の所定の位置を中心にして半導体ウエハ２１の搬送方向と直交する方向に揺動させるようにしてもよい。また、図１１に示す場合において、希釈現像液用シャワー４６をその中心部の上方の所定の位置を中心にして半導体ウエハ２１の搬送方向と直交する方向に揺動させるようにしてもよい。さらに、図１０および図１１にそれぞれ示す場合において、リンス部３４と乾燥部３５との間に、リンス部３４においてメッキレジスト膜２５に付着したリンス液を吹き飛ばすために、高圧エアーを吹きかけるエアーノズルを有するエアーナイフ部を設けるようにしてもよい。
【符号の説明】
【００４１】
１ シリコン基板
２ 接続パッド
３ パッシベーション膜
５ 保護膜
７ 配線
１０ 柱状電極
１１ 封止膜
１２ 半田ボール
２１ 半導体ウエハ
２２ ダイシングストリート
２３ 上部金属層用メッキレジスト膜
２４ 開口部
２５ 柱状電極用メッキレジスト膜
２６ 開口部
３１ 送り出しカセット部
３２ 現像部
３３ 中間処理部
３４ リンス部
３５ 乾燥部
３６ 収納カセット部
３７ コンベア
４１ 現像液用シャワー
４２ 現像液用シャワー
４３ リンス液用シャワー
４４ リンス液用シャワー
４５ 高温窒素ガス放出板
４６ 希釈現像液用シャワー
【技術分野】
【０００１】
この発明は現像方法に関し、例えば、柱状電極を有する半導体装置の製造に際し、柱状電極を形成するためのメッキレジスト膜を現像する現像方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、従来の半導体装置には、ＣＳＰ(Chip Size Package)と呼ばれるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。この半導体装置では、半導体基板上に設けられた絶縁膜の上面に配線が設けられている。配線の接続パッド部上面には柱状電極が設けられている。配線を含む絶縁膜の上面において柱状電極の周囲には封止膜が設けられている。柱状電極の上面には半田ボールが設けられている。
【０００３】
上記従来の半導体装置の製造方法では、柱状電極を形成するまでを簡単に説明すると、まず、ウエハ状態の半導体基板（半導体ウエハ）上に絶縁膜が形成されたものを準備する。次に、絶縁膜の上面全体に下地金属層を形成する。次に、下地金属層の上面に、電解メッキにより、配線用上部金属層を形成する。
【０００４】
次に、配線用上部金属層を含む下地金属層の上面に、配線用上部金属層の接続パッド部つまり柱状電極形成領域に対応する部分に開口部を有するメッキレジスト膜を形成する。次に、下地金属層をメッキ電流路とした電解メッキを行なうことにより、メッキレジスト膜の開口部内の配線用上部金属層の接続パッド部上面に柱状電極を形成する。かくして、柱状電極が形成される。
【０００５】
柱状電極形成用のメッキレジスト膜としては、一般的に、ネガ型のドライフィルムレジストが用いられている。そして、配線用上部金属層を含む下地金属層の上面にラミネートされたドライフィルムレジストからなるメッキレジスト膜に柱状電極形成用の開口部をフォトリソグラフィ法により形成する場合には、露光、現像を行う。
【０００６】
ところで、従来の現像装置としては、例えば特許文献２に記載のものが知られている。この現像装置では、左側から右側に向かって、現像部、リンス部、エアーナイフ部および乾燥部がこの順で配列されている。そして、露光後のレジスト膜を上面に有する被処理基板は、現像部、リンス部、エアーナイフ部および乾燥部をこの順で通過する。
【０００７】
現像部では、現像液がレジスト膜に吹き付けられ、レジスト膜がパターニングされる。リンス部では、リンス液がレジスト膜に吹き付けられ、レジスト膜に付着している現像液が洗い流される。エアーナイフ部では、エアーがレジスト膜に吹き付けられ、レジスト膜に付着しているリンス液が吹き飛ばされる。乾燥部では、赤外線がレジスト膜に照射され、レジスト膜の乾燥が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−６０００２号公報
【特許文献２】特開平１１−２０４０２５号公報
【０００９】
ところで、上記従来の現像装置を用いて、ネガ型のドライフィルムレジストからなる柱状電極形成用のメッキレジスト膜をパターニングして開口部を形成するとき、メッキレジスト膜の非露光部が現像液（炭酸ナトリウム１重量％水溶液）と接触する表面から膨潤して溶解され、メッキレジスト膜に開口部が形成される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、図１２（Ａ）に示すように、現像液の吹き付けによりメッキレジスト膜５１に開口部５２を形成した後に、リンス液（純水）を吹き付けると、現像液を吸収して膨潤されたメッキレジスト膜５１がその表面から元に戻ろうとして急激に収縮し、図１２（Ｂ）に示すように、開口部５２の上部が広がり、開口部５２内に形成される柱状電極の上部が歪んだ形状となってしまうという問題がある。また、メッキレジスト膜５１の開口部５２の底部にレジスト溶解物５３が残存していると、リンス液（純水）の吹き付けにより、開口部５２の底部にレジスト溶解物５３がそのまま固着し、柱状電極を良好に形成することができなくなってしまうという問題もある。
【００１１】
そこで、この発明は、膨潤したレジスト膜の急激な収縮を抑制し、且つ、レジスト残渣が発生しにくいようにすることができる現像方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
請求項１に記載の発明は、露光後のレジスト膜に現像液を吹き付ける工程と、現像液を吹き付けられた後の前記レジスト膜に現像液とリンス液との混合液を吹き付ける工程と、混合液を吹き付けられた後の前記レジスト膜にリンス液を吹き付ける工程と、リンス液を吹き付けられた後の前記レジスト膜を乾燥する工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、現像液とリンス液との混合液を吹き付ける工程は、現像液用シャワーから吹き出された現像液とリンス液用シャワーから吹き出されたリンス液とを前記レジスト膜上で混合させる工程であることを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記レジスト膜を搬送させながら前記各工程を行うとき、前記現像液用シャワーは搬送方向の反対側に配置され、前記リンス液用シャワーは搬送方向側に配置されていることを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、前記現像液用シャワーおよび前記リンス液用シャワーは棒状であって搬送方向に直交するように配置され、且つ、その各中心部の上方の位置を中心にして搬送方向と直交する方向に揺動されるようになっていることを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明は、請求項１または２に記載の発明において、前記現像液は、炭酸ナトリウム水溶液であることを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明は、請求項１または２に記載の発明において、前記リンス液は、純水であることを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明は、露光後のレジスト膜に現像液を吹き付ける工程と、現像液を吹き付けられた後の前記レジスト膜に希釈現像液を吹き付ける工程と、希釈現像液を吹き付けられた後の前記レジスト膜にリンス液を吹き付ける工程と、リンス液を吹き付けられた後の前記レジスト膜を乾燥する工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、希釈現像液を吹き付けるための希釈現像液用シャワーの吹き出し圧力および吹き出し流量は現像液を吹き付けるための現像液用シャワーの吹き出し圧力および吹き出し流量よりも高圧および多量であることを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、前記レジスト膜を搬送させながら前記各工程を行うとき、前記希釈現像液用シャワーは棒状であって搬送方向に直交するように配置され、且つ、その中心部の上方の位置を中心にして搬送方向と直交する方向に揺動されるようになっていることを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明は、請求項１または７に記載の発明において、前記レジスト膜はドライフィルムレジストからなることを特徴とするものである。
請求項１１に記載の発明は、請求項１０に記載の発明において、前記レジスト膜は、半導体ウエハ上に設けられ、該半導体ウエハ上に電解メッキにより柱状電極を形成するためのものであることを特徴とするものである。
請求項１２に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、前記現像液は、炭酸ナトリウム水溶液であることを特徴とするものである。
請求項１３に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、前記リンス液は、純水であることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１３】
この発明によれば、現像液を吹き付けられた後のレジスト膜に現像液とリンス液との混合液あるいは希釈現像液を吹き付けることにより、膨潤したレジスト膜の急激な収縮を抑制し、且つ、レジスト残渣が発生しにくいようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】この発明の現像方法を含む製造方法により製造された半導体装置の一例の断面図。
【図２】図１に示す半導体装置の製造方法の一例において、当初準備したものの断面図。
【図３】図２に続く工程の断面図。
【図４】図３に続く工程の断面図。
【図５】図４に続く工程の断面図。
【図６】図５に続く工程の断面図。
【図７】図６に続く工程の断面図。
【図８】図７に続く工程の断面図。
【図９】図８に続く工程の断面図。
【図１０】この発明の第１実施形態としての現像方法に用いる現像装置の一例の概略構成図。
【図１１】この発明の第２実施形態としての現像方法に用いる現像装置の一例の概略構成図。
【図１２】従来の問題点を説明するために示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図１はこの発明の現像方法を含む製造方法により製造された半導体装置の一例の断面図を示す。この半導体装置は、一般的にはＣＳＰと呼ばれるものであり、シリコン基板（半導体基板）１を備えている。シリコン基板１の上面には所定の機能の集積回路を構成する素子、例えば、トランジスタ、ダイオード、抵抗、コンデンサ等の素子（図示せず）が形成され、その上面周辺部には、上記集積回路の各素子に接続されたアルミニウム系金属等からなる接続パッド２が設けられている。接続パッド２は２個のみを図示するが、実際にはシリコン基板１の上面周辺部に多数配列されている。
【００１６】
シリコン基板１の周辺部および接続パッド２の中央部を除くシリコン基板１の上面には酸化シリコン等からなるパッシベーション膜３が設けられ、接続パッド２の中央部はパッシベーション膜３に設けられた開口部４を介して露出されている。パッシベーション膜３の上面にはポリイミド系樹脂等からなる保護膜５が設けられている。パッシベーション膜３の開口部４に対応する部分における保護膜５には開口部６が設けられている。
【００１７】
保護膜５の上面には配線７が設けられている。配線７は、保護膜５の上面に設けられた銅等からなる下地金属層８と、下地金属層８の上面に設けられた銅からなる上部金属層９との２層構造となっている。配線７の一端部は、パッシベーション膜３および保護膜５の開口部４、６を介して接続パッド２に接続されている。
【００１８】
配線７の接続パッド部上面には銅からなる柱状電極１０が設けられている。配線７を含む保護膜５の上面において柱状電極１０の周囲にはエポキシ系樹脂等からなる封止膜１１が設けられている。柱状電極１０は、その上面が封止膜１１の上面と面一乃至数μｍ低くなるように設けられている。柱状電極１０の上面には半田ボール１２が設けられている。
【００１９】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図２に示すように、ウエハ状態のシリコン基板（以下、半導体ウエハ２１という）の上面にアルミニウム系金属等からなる接続パッド２、酸化シリコン等からなるパッシベーション膜３およびポリイミド系樹脂等からなる保護膜５が形成され、接続パッド２の中央部がパッシベーション膜３および保護膜５の開口部４、６を介して露出されたものを準備する。なお、図２において、符号２２で示す領域はダイシングストリートである。そして、ダイシングストリート２２およびその両側に対応する部分におけるパッシベーション膜３および保護膜５は除去されている。
【００２０】
次に、図３に示すように、パッシベーション膜３および保護膜５の開口部４、６を介して露出された接続パッド２の上面を含む保護膜５の上面並びにダイシングストリート２２およびその両側に対応する部分における半導体ウエハ２１の上面に下地金属層８を形成する。この場合、下地金属層８は、無電解メッキにより形成された銅層のみであってもよく、またスパッタにより形成された銅層のみであってもよく、さらにスパッタにより形成されたチタン等の薄膜層上にスパッタにより銅層を形成したものであってもよい。
【００２１】
次に、下地金属層８の上面にポジ型の液状レジストからなる上部金属層用メッキレジスト膜２３をパターン形成する。この場合、上部金属層９形成領域に対応する部分における上部金属層用メッキレジスト膜２３には、フォトリソグラフィ法により、開口部２４が形成されている。次に、下地金属層８をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうと、上部金属層用メッキレジスト膜２３の開口部２４内の下地金属層８の上面に上部金属層９が形成される。次に、上部金属層用メッキレジスト膜２３を剥離する。
【００２２】
次に、図４に示すように、上部金属層９を含む下地金属層８の上面にネガ型のドライフィルムレジストからなる柱状電極形成用メッキレジスト膜２５をパターン形成する。この場合、上部金属層９の接続パッド部（柱状電極１０形成領域）に対応する部分における柱状電極形成用メッキレジスト膜２５には、後述する現像方法を含むフォトリソグラフィ法により、開口部２６が形成されている。
【００２３】
次に、下地金属層８をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうと、柱状電極形成用メッキレジスト膜２５の開口部２６内の上部金属層９の接続パッド部上面に柱状電極１０が形成される。次に、柱状電極形成用メッキレジスト膜２５を剥離する。次に、上部金属層９をマスクとして上部金属層９下以外の領域における下地金属層８をエッチングして除去すると、図５に示すように、上部金属層９下にのみ下地金属層８が残存される。この状態では、上部金属層９とその下に残存された下地金属層８とにより、２層構造の配線７が形成されている。
【００２４】
次に、図６に示すように、配線７および柱状電極１０を含む保護膜５の上面にスピンコート法等によりエポキシ系樹脂等からなる封止膜１１をその厚さが柱状電極１０の高さよりもやや厚くなるように形成する。したがって、この状態では、柱状電極１０の上面は封止膜１１によって覆われている。
【００２５】
次に、封止膜１１の上面側を適宜に研削し、図７に示すように、柱状電極１０の上面を露出させ、且つ、この露出された柱状電極１０の上面を含む封止膜１１の上面を平坦化する。次に、図８に示すように、柱状電極１０の上面に半田ボール１２を形成する。次に、図９に示すように、封止膜１１および半導体ウエハ２１をダイシングストリート２２に沿って切断すると、図１に示す半導体装置が複数個得られる。
【００２６】
（第１実施形態）
ここで、ネガ型のドライフィルムレジストからなる柱状電極形成用メッキレジスト膜２５（以下、単にメッキレジスト膜２５という）に開口部２６を形成するための現像方法について説明するに、まず、図１０はこの発明の第１実施形態としての現像方法に用いる現像装置の一例の概略構成図を示す。
【００２７】
この現像装置では、左側から右側に向かって、送り出しカセット部３１、現像部３２、中間処理部３３、リンス部３４、乾燥部３５および収納カセット部３６がこの順で配列されている。そして、露光後のメッキレジスト膜２５を上面に有する半導体ウエハ２１は、送り出しカセット部３１から送り出され、コンベア３７によって搬送され、現像部３２、中間処理部３３、リンス部３４および乾燥部３５をこの順で通過して収納カセット部３６に収納されるようになっている。
【００２８】
現像部３２では、コンベア３７の上方に複数本の棒状の現像液用シャワー４１が半導体ウエハ２１の搬送方向に直交するように配置され、現像液用シャワー４１から現像液が矢印で示すように下方に向かって吹き出されるようになっている。中間処理部３３では、コンベア３７の上方の左側（現像部３２側）に１本の棒状の現像液用シャワー４２が半導体ウエハ２１の搬送方向に直交するように配置され、コンベア３７の上方の右側（リンス部３４側）に１本の棒状のリンス液用シャワー４３が半導体ウエハ２１の搬送方向に直交するように配置され、現像液用シャワー４２から現像液が矢印で示すように右斜め下方に向かって吹き出され、この吹き出しと同時にリンス液用シャワー４３からリンス液が矢印で示すように左斜め下方に向かって吹き出され、コンベア３７上の予め設定された位置で吹き出された両液が交差して混合するようになっている。
【００２９】
リンス部３４では、コンベア３７の上方に複数本の棒状のリンス液用シャワー４４が半導体ウエハ２１の搬送方向に直交するように配置され、リンス液用シャワー４４からリンス液が矢印で示すように下方に向かって吹き出されるようになっている。乾燥部３５では、コンベア３７の上方に平板状の高温窒素ガス放出板４５が配置され、高温窒素ガス放出板４５から高温窒素ガスが矢印で示すように下方に向かって吹き出されるようになっている。
【００３０】
次に、この現像装置を用いた現像方法について説明する。露光後のメッキレジスト膜２５を上面に有する半導体ウエハ２１は、送り出しカセット部３１から送り出され、コンベア３７によって搬送され、現像部３２、中間処理部３３、リンス部３４および乾燥部３５をこの順で通過して収納カセット部３６に収納される。
【００３１】
このとき、現像部３２では、現像液用シャワー４２から現像液が矢印で示すように下方に向かって吹き出されて、メッキレジスト膜２５に吹き付けられる。すると、メッキレジスト膜２５の非露光部は現像液（炭酸ナトリウム１重量％水溶液）と接触する表面から膨潤して溶解され、メッキレジスト膜２５に開口部２６（図４参照）が形成される。現像処理における現像液中には、残渣となるレジスト溶解物（図示せず）が存在するため、この状態では、メッキレジスト膜２５の開口部２６の底部にレジスト溶解物（図示せず）が残存している。
【００３２】
中間処理部３３では、現像液用シャワー４２から現像液（炭酸ナトリウム１重量％水溶液）が矢印で示すように右斜め下方に向かって吹き出され、この吹き出しと同時にリンス液用シャワー４３からリンス液（純水）が矢印で示すように左斜め下方に向かって吹き出され、メッキレジスト膜２５上で吹き出された両液が交差して混合される。
【００３３】
現像液（炭酸ナトリウム１重量％水溶液）はアルカリ性であるため、仮に、中間処理部３３を通過せずに、直接リンス部３４に搬送してしまうと、単にリンス液（純水）だけを吹き付けることになり、急激にアルカリ濃度が低下して、レジスト溶解物（図示せず）がメッキレジスト膜２５の開口部２６の底部に付着してしまう。付着を減らすには水が必要であるが、リンス液（純水）への置換をゆっくり行うことが有効であり、現像液とリンス液を同時に吹き出してからリンス工程をすることにより、アルカリの急激な濃度変化が抑えられ、レジスト溶解物の付着を抑制できる。
【００３４】
したがって、現像液を吸収して膨潤されたメッキレジスト膜２５は、現像液とリンス液との混合液と接触するため、急激な収縮が抑制され、緩やかに収縮する。この結果、メッキレジスト膜２５の開口部２６の上部が広がることがなく、柱状電極１０（図４参照）の上部が歪な形状とならないようにすることができる。また、メッキレジスト膜２５の開口部２６の底部に残存するレジスト溶解物が現像液とリンス液との混合液によって洗い流され、レジスト残渣が発生しにくいようにすることができる。
【００３５】
ここで、中間処理部３３において、コンベア３７の上方の左側（半導体ウエハ２１の搬送方向の反対側）に現像液用シャワー４２を配置し、コンベア３７の上方の右側（半導体ウエハ２１の搬送方向側）にリンス液用シャワー４３を配置しているのは、メッキレジスト膜２５に現像液が当たった後にリンス液が当たるようにするためである。これとは逆にすると、メッキレジスト膜２５にリンス液が当たった後に現像液が当たることになるため、好ましくない。
【００３６】
リンス部３４では、リンス液用シャワー４４からリンス液が矢印で示すように下方に向かって吹き出されて、メッキレジスト膜２５に吹き付けられ、メッキレジスト膜２５に付着している現像液が洗い流される。乾燥部３５では、高温窒素ガス放出板４５から高温窒素ガスが矢印で示すように下方に向かって吹き出されて、メッキレジスト膜２５に吹き付けられ、メッキレジスト膜２５の乾燥が行われる。
【００３７】
ところで、中間処理部３３において、現像液（炭酸ナトリウム１重量％水溶液）とリンス液（純水）とを混合させると、現像液の濃度が薄くなり、現像液を循環して再利用することができなくなってしまう。そこで、次に、現像液を循環して再利用することができる実施形態について説明する。
【００３８】
（第２実施形態）
図１１はこの発明の第２実施形態としての現像方法に用いる現像装置の一例の概略構成図を示す。この現像装置において、図１０に示す現像装置と異なる点は、中間処理部３３において、コンベア３７の上方に複数本の棒状の希釈現像液用シャワー４６を半導体ウエハ２１の搬送方向に直交するように配置し、希釈現像液用シャワー４６から希釈現像液を矢印で示すように下方に向かって吹き出させるようにした点である。
【００３９】
この現像装置を用いた現像方法では、上記第１実施形態の場合と同様の効果を得ることができる上に、中間処理部３３において、リンス液との混合がないので、希釈現像液用シャワー４６から吹き出された希釈現像液（０．５重量％以下の炭酸ナトリウム水溶液）を循環して再利用することができる。この場合、希釈現像液用シャワー４６の吹き出し圧力および吹き出し流量は、現像部３２の現像液用シャワー４１の吹き出し圧力および吹き出し流量よりも高圧および多量である方が望ましい。このようにすると、メッキレジスト膜２５の開口部２６の底部に残留するレジスト溶解物を飛ばしやすくすることができる。
【００４０】
（その他の実施形態）
図１０に示す場合において、棒状の現像液用シャワー４２および棒状のリンス液用シャワー４３をその各中心部の上方の所定の位置を中心にして半導体ウエハ２１の搬送方向と直交する方向に揺動させるようにしてもよい。また、図１１に示す場合において、希釈現像液用シャワー４６をその中心部の上方の所定の位置を中心にして半導体ウエハ２１の搬送方向と直交する方向に揺動させるようにしてもよい。さらに、図１０および図１１にそれぞれ示す場合において、リンス部３４と乾燥部３５との間に、リンス部３４においてメッキレジスト膜２５に付着したリンス液を吹き飛ばすために、高圧エアーを吹きかけるエアーノズルを有するエアーナイフ部を設けるようにしてもよい。
【符号の説明】
【００４１】
１ シリコン基板
２ 接続パッド
３ パッシベーション膜
５ 保護膜
７ 配線
１０ 柱状電極
１１ 封止膜
１２ 半田ボール
２１ 半導体ウエハ
２２ ダイシングストリート
２３ 上部金属層用メッキレジスト膜
２４ 開口部
２５ 柱状電極用メッキレジスト膜
２６ 開口部
３１ 送り出しカセット部
３２ 現像部
３３ 中間処理部
３４ リンス部
３５ 乾燥部
３６ 収納カセット部
３７ コンベア
４１ 現像液用シャワー
４２ 現像液用シャワー
４３ リンス液用シャワー
４４ リンス液用シャワー
４５ 高温窒素ガス放出板
４６ 希釈現像液用シャワー
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光後のレジスト膜に現像液を吹き付ける工程と、
現像液を吹き付けられた後の前記レジスト膜に現像液とリンス液との混合液を吹き付ける工程と、
混合液を吹き付けられた後の前記レジスト膜にリンス液を吹き付ける工程と、
リンス液を吹き付けられた後の前記レジスト膜を乾燥する工程と、
を有することを特徴とする現像方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、現像液とリンス液との混合液を吹き付ける工程は、現像液用シャワーから吹き出された現像液とリンス液用シャワーから吹き出されたリンス液とを前記レジスト膜上で混合させる工程であることを特徴とする現像方法。
【請求項３】
請求項２に記載の発明において、前記レジスト膜を搬送させながら前記各工程を行うとき、前記現像液用シャワーは搬送方向の反対側に配置され、前記リンス液用シャワーは搬送方向側に配置されていることを特徴とする現像方法。
【請求項４】
請求項３に記載の発明において、前記現像液用シャワーおよび前記リンス液用シャワーは棒状であって搬送方向に直交するように配置され、且つ、その各中心部の上方の位置を中心にして搬送方向と直交する方向に揺動されるようになっていることを特徴とする現像方法。
【請求項５】
請求項１または２に記載の発明において、前記現像液は、炭酸ナトリウム水溶液であることを特徴とする現像方法。
【請求項６】
請求項１または２に記載の発明において、前記リンス液は、純水であることを特徴とする現像方法。
【請求項７】
露光後のレジスト膜に現像液を吹き付ける工程と、
現像液を吹き付けられた後の前記レジスト膜に希釈現像液を吹き付ける工程と、
希釈現像液を吹き付けられた後の前記レジスト膜にリンス液を吹き付ける工程と、
リンス液を吹き付けられた後の前記レジスト膜を乾燥する工程と、
を有することを特徴とする現像方法。
【請求項８】
請求項７に記載の発明において、希釈現像液を吹き付けるための希釈現像液用シャワーの吹き出し圧力および吹き出し流量は現像液を吹き付けるための現像液用シャワーの吹き出し圧力および吹き出し流量よりも高圧および多量であることを特徴とする現像方法。
【請求項９】
請求項７に記載の発明において、前記レジスト膜を搬送させながら前記各工程を行うとき、前記希釈現像液用シャワーは棒状であって搬送方向に直交するように配置され、且つ、その中心部の上方の位置を中心にして搬送方向と直交する方向に揺動されるようになっていることを特徴とする現像方法。
【請求項１０】
請求項１または７に記載の発明において、前記レジスト膜はドライフィルムレジストからなることを特徴とする現像方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の発明において、前記レジスト膜は、半導体ウエハ上に設けられ、該半導体ウエハ上に電解メッキにより柱状電極を形成するためのものであることを特徴とする現像方法。
【請求項１２】
請求項７に記載の発明において、前記現像液は、炭酸ナトリウム水溶液であることを特徴とする現像方法。
【請求項１３】
請求項７に記載の発明において、前記リンス液は、純水であることを特徴とする現像方法。
【請求項１】
露光後のレジスト膜に現像液を吹き付ける工程と、
現像液を吹き付けられた後の前記レジスト膜に現像液とリンス液との混合液を吹き付ける工程と、
混合液を吹き付けられた後の前記レジスト膜にリンス液を吹き付ける工程と、
リンス液を吹き付けられた後の前記レジスト膜を乾燥する工程と、
を有することを特徴とする現像方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、現像液とリンス液との混合液を吹き付ける工程は、現像液用シャワーから吹き出された現像液とリンス液用シャワーから吹き出されたリンス液とを前記レジスト膜上で混合させる工程であることを特徴とする現像方法。
【請求項３】
請求項２に記載の発明において、前記レジスト膜を搬送させながら前記各工程を行うとき、前記現像液用シャワーは搬送方向の反対側に配置され、前記リンス液用シャワーは搬送方向側に配置されていることを特徴とする現像方法。
【請求項４】
請求項３に記載の発明において、前記現像液用シャワーおよび前記リンス液用シャワーは棒状であって搬送方向に直交するように配置され、且つ、その各中心部の上方の位置を中心にして搬送方向と直交する方向に揺動されるようになっていることを特徴とする現像方法。
【請求項５】
請求項１または２に記載の発明において、前記現像液は、炭酸ナトリウム水溶液であることを特徴とする現像方法。
【請求項６】
請求項１または２に記載の発明において、前記リンス液は、純水であることを特徴とする現像方法。
【請求項７】
露光後のレジスト膜に現像液を吹き付ける工程と、
現像液を吹き付けられた後の前記レジスト膜に希釈現像液を吹き付ける工程と、
希釈現像液を吹き付けられた後の前記レジスト膜にリンス液を吹き付ける工程と、
リンス液を吹き付けられた後の前記レジスト膜を乾燥する工程と、
を有することを特徴とする現像方法。
【請求項８】
請求項７に記載の発明において、希釈現像液を吹き付けるための希釈現像液用シャワーの吹き出し圧力および吹き出し流量は現像液を吹き付けるための現像液用シャワーの吹き出し圧力および吹き出し流量よりも高圧および多量であることを特徴とする現像方法。
【請求項９】
請求項７に記載の発明において、前記レジスト膜を搬送させながら前記各工程を行うとき、前記希釈現像液用シャワーは棒状であって搬送方向に直交するように配置され、且つ、その中心部の上方の位置を中心にして搬送方向と直交する方向に揺動されるようになっていることを特徴とする現像方法。
【請求項１０】
請求項１または７に記載の発明において、前記レジスト膜はドライフィルムレジストからなることを特徴とする現像方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の発明において、前記レジスト膜は、半導体ウエハ上に設けられ、該半導体ウエハ上に電解メッキにより柱状電極を形成するためのものであることを特徴とする現像方法。
【請求項１２】
請求項７に記載の発明において、前記現像液は、炭酸ナトリウム水溶液であることを特徴とする現像方法。
【請求項１３】
請求項７に記載の発明において、前記リンス液は、純水であることを特徴とする現像方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１１−１３６１７（Ｐ２０１１−１３６１７Ａ）
【公開日】平成２３年１月２０日（２０１１．１．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１５９８１７（Ｐ２００９−１５９８１７）
【出願日】平成２１年７月６日（２００９．７．６）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１月２０日（２０１１．１．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年７月６日（２００９．７．６）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
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