発光パネル及びその製造方法、発光装置、並びに、電子機器
【課題】良好な画質を実現することができるとともに、製造歩留まりや品質の向上を図ることができる発光パネル及びその製造方法、発光装置、並びに、電子機器を提供する。
【解決手段】画素アレイ１１１に配列された隣接する画素ＰＩＸ間の隔壁２５上に、隔壁２５の平面パターンに対応した連続する平面パターンを有し、素子基板１１側（隔壁２５）と対向基板１２側の双方に接着されて素子基板１１と対向基板１２とを接着する遮光性接着部３０が設けられている。遮光性接着部３０は、対向基板１２側に設けられて遮光性を有する遮光性スペーサ層３１と、遮光性スペーサ層３１と素子基板１１（隔壁２５）との間に設けられて光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料が硬化されて形成された、素子基板１１と対向基板１２とを接着する接着層３２と、が積層された構造を有している。
【解決手段】画素アレイ１１１に配列された隣接する画素ＰＩＸ間の隔壁２５上に、隔壁２５の平面パターンに対応した連続する平面パターンを有し、素子基板１１側（隔壁２５）と対向基板１２側の双方に接着されて素子基板１１と対向基板１２とを接着する遮光性接着部３０が設けられている。遮光性接着部３０は、対向基板１２側に設けられて遮光性を有する遮光性スペーサ層３１と、遮光性スペーサ層３１と素子基板１１（隔壁２５）との間に設けられて光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料が硬化されて形成された、素子基板１１と対向基板１２とを接着する接着層３２と、が積層された構造を有している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光パネル及びその製造方法、発光装置、並びに、電子機器に関し、特に、発光素子が形成された素子基板に対向して封止基板を接合した封止構造を有する発光パネル及びその製造方法、該発光パネルを備えた発光装置、並びに、該発光装置を実装した電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機や携帯音楽プレーヤ等の電子機器の表示デバイスとして、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略記する）等の発光素子を二次元配列した表示パネル（発光素子型表示パネル）を適用したものが知られている。特に、アクティブマトリクス駆動方式を適用した発光素子型表示パネルにおいては、広く普及している液晶表示装置に比較して、表示応答速度が速く、視野角依存性も小さく、また、高輝度・高コントラスト化、表示画質の高精細化等が可能であるという特長を有している。加えて、発光素子型表示パネルは、液晶表示装置のようにバックライトや導光板を必要としないので、一層の薄型軽量化が可能であるという特長を有している。
【０００３】
このような発光素子型表示パネルに適用される発光素子の代表例である有機ＥＬ素子は、概略、対向して配置された一対の電極（陽極（アノード電極）と陰極（カソード電極））との間に、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層からなる有機ＥＬ層が積層された素子構造を有している。そして、有機ＥＬ素子は、一般に、絶縁性の素子基板の一面側に形成され、外気（水分や酸素等）による素子特性の劣化や物理的衝撃等の外的環境から保護するために、素子基板の一面側に対向するように封止基板を接合した（貼り合わせた）構成や、素子基板の一面側を封止樹脂で封止した構成が採用されている。なお、有機ＥＬ素子の素子構造や封止構造については、例えば特許文献１に記載されている。
【０００４】
そして、このような有機ＥＬ素子を適用した発光素子型表示パネルにおいては、いわゆるトップエミッション型とボトムエミッション型の発光構造が知られている。トップエミッション型は、上述した有機ＥＬ素子の素子構造において、一対の電極のうち、素子基板側に配置される一方側の電極を反射性を有する金属電極により形成し、封止基板側に配置される他方側の電極を透明電極により形成して、有機ＥＬ層から放射された光を、透明電極及び封止基板を介して、表示パネルの視野側に出射して画像を表示するものである。
【０００５】
また、ボトムエミッション型は、有機ＥＬ素子の素子構造において、素子基板側に配置される一方側の電極を透明電極により形成し、封止基板側に配置される他方側の電極を反射性を有する金属電極により形成して、有機ＥＬ層から放射された光を、透明電極及び素子基板を介して、表示パネルの視野側（素子基板の他面側）に出射して画像を表示するものである。このような有機ＥＬ素子の発光構造については、例えば特許文献２に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−０８０３０７号公報
【特許文献２】特開２００８−２１８００４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上述したような発光素子型表示パネルにおいては、有機ＥＬ素子等の発光素子を含む画素を駆動するために素子基板上に信号配線や能動素子（薄膜トランジスタ等）が形成されている。ここで、信号配線や能動素子の電極は、電気抵抗を低減し、素子特性を向上させるために、一般に金属材料等の反射性を有する導電性材料により形成されている。
【０００８】
このようなパネル構造を有する表示パネルにおいて、特に、上述したトップエミッション型の発光構造を有する場合には、視野側から封止基板を介して表示パネル内部に入射した光（外光）が、上記信号配線や能動素子の電極で反射して、視野側から視認されてしまい、表示画像の画質を劣化させるという問題を有していた。
【０００９】
また、上述したような素子基板の一面側に封止基板を接合した封止構造においては、通常、封止基板の周縁部において封止材を介して封止基板と素子基板が接合されている。ここで、封止基板の内面と、素子基板に形成される有機ＥＬ素子、及び、当該有機ＥＬ素子を発光駆動させるための能動素子（薄膜トランジスタ等）や信号配線の上面との間には、ある程度の間隙（基板間ギャップ）が設けられている。
【００１０】
このような封止構造を有する表示パネルにおいては、素子基板に封止基板を貼り合わせる製造工程で封止基板を素子基板側に押圧したときや、当該表示パネルを搭載した電子機器の使用時に外部から押圧力が加えられたとき、また、表示パネル自体に熱等に起因する歪みが生じたとき等に、素子基板と封止基板間の間隙が不均一になる可能性があった。そのため、トップエミッション型の発光構造を有する表示パネルにおいて、発光素子からの出射光の光軸がずれて画像ににじみやぼけが生じ、画質の劣化を招くという問題を有していた。
【００１１】
加えて、上述した押圧力や歪みが過大である場合には、封止基板の内面が素子基板側に接触して、例えば素子基板側に形成された薄膜トランジスタの素子破損やトランジスタ特性の変動、有機層や配線層、層間絶縁膜の剥離、配線間ショート、封止破損等の不良を招いて、製造歩留まりや品質の低下を招くという問題を有していた。
【００１２】
そこで、本発明は、上述した問題点に鑑み、外光や基板間ギャップの不均一に起因する影響を防止して良好な画質を実現することができるとともに、基板への押圧力や歪みによる不良の発生を抑制して製造歩留まりや品質の向上を図ることができる発光パネル及びその製造方法、発光装置、並びに、電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
請求項１記載の発明に係る発光パネルは、各々が発光素子を有する複数の画素と、前記各画素の前記発光素子の形成領域を区画する境界領域に連続的に設けられた隔壁と、が一面側に設けられた第１の基板と、一面側が前記第１の基板の前記一面側に対向して設けられ、前記第１の基板の前記一面側を封止する第２の基板と、前記隔壁の平面パターンに対応した平面パターンを有して前記第２の基板の前記一面側に密着して設けられ、かつ、遮光性を有する遮光性スペーサ層と、前記遮光性スペーサ層の前記第１の基板の前記一面側に対向する面側と前記第１の基板の前記一面側とに接着される接着層と、を備えることを特徴とする。
【００１４】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発光パネルにおいて、前記発光素子は、発光層と、該発光層を介して互いに対向する一対の電極とを有し、該一対の電極のいずれか一方をなす電極層が前記隔壁上に延在して設けられ、前記接着層は、少なくとも前記隔壁上に延在する前記電極層の一部が除去された開口部に対応する領域に設けられていることを特徴とする。
請求項３記載の発明は、請求項１又は２に記載の発光パネルにおいて、前記遮光性スペーサ層は、前記隔壁の平面パターンに対応した連続する平面パターンを有していることを特徴とする。
請求項４記載の発明は、請求項１乃至３のいずれかに記載の発光パネルにおいて、前記発光素子はトップエミッション構造を有し、前記各画素は、少なくとも、前記発光素子を発光駆動させるための複数の薄膜トランジスタを備え、該各薄膜トランジスタはゲート電極が半導体層の下部に設けられたボトムゲート構造を有していることを特徴とする。
【００１５】
請求項５記載の発明に係る発光パネルの製造方法は、第１の基板の一面側に、各々が発光素子を有する複数の画素と、前記各画素の前記発光素子の形成領域を区画する境界領域に連続的に設けられる隔壁と、を形成する工程と、前記第１の基板の前記一面側を封止するための第２基板を準備する工程と、前記隔壁の平面パターンに対応した平面パターンを有し、かつ、遮光性を有する遮光性スペーサ層を前記第２基板の一面側に密着して形成する工程と、前記遮光性スペーサ層の前記第１の基板の前記一面側に対向する面に、接着性を有する樹脂材料を有する接着材層を形成する工程と、前記第１の基板の前記一面側に前記第２の基板の前記一面側を対向させ、押圧力を印加して、前記遮光性スペーサ層と前記接着層を介して、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる工程と、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせた状態で、前記接着材層を所定の条件により硬化させて接着層を形成し、該接着層を介して前記遮光性スペーサ層の前記第１の基板の前記一面側に対応する面側と前記第１の基板の前記一面側とを接着する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１６】
請求項６記載の発明は、請求項５記載の発光パネルの製造方法において、前記発光素子は、発光層と、該発光層を介して互いに対向する一対の電極と、を備え、前記第１の基板の前記一面側に前記画素を形成する工程は、前記発光素子の前記一対の電極のいずれか一方をなす電極層を前記隔壁上に延在させて形成する工程と、前記隔壁上に延在する前記電極層の一部を除去した開口部を形成する工程と、を含み、前記接着材層を形成する工程は、前記遮光性スペーサ層の前記第１の基板の前記一面側に対向する面の、少なくとも前記開口部に対応する位置に前記接着材層を形成する工程を含むことを特徴とする。
【００１７】
請求項７記載の発明に係る発光装置は、各々が発光素子を有する複数の画素と、該複数の画素に接続された複数の選択ライン及び複数のデータラインと、前記各画素の前記発光素子の形成領域を区画する境界領域に連続的に設けられた隔壁と、が一面側に設けられた第１の基板と、一面側が前記第１の基板の前記一面側に対向して設けられ、前記第１の基板の前記一面側を封止する第２の基板と、前記隔壁の平面パターンに対応した平面パターンを有して前記第２の基板の前記一面側に密着して設けられ、かつ、遮光性を有する遮光性スペーサ層と、前記遮光性スペーサ層の前記第１の基板の前記一面側に対向する面側と前記第１の基板の前記一面側とに接着される接着層と、を具備する発光パネルと、前記各選択ラインを介して、前記画素を選択状態に設定するための選択信号を印加する選択駆動回路と、前記各データラインを介して、前記選択状態に設定された前記画素に画像データに応じた階調信号を書き込む信号駆動回路と、を備えていることを特徴とする。
【００１８】
請求項８記載の発明は、請求項７記載の発光装置において、前記発光素子は、発光層と、該発光層を介して互いに対向する一対の電極とを有し、該一対の電極のいずれか一方をなす電極層が前記隔壁上に延在して設けられ、前記接着層は、前記隔壁上に延在する前記電極層の一部が除去された開口部内に対応する領域に設けられていることを特徴とする。
請求項９記載の発明は、請求項７又は８に記載の発光装置において、前記遮光性スペーサ層は、前記隔壁の平面パターンに対応した連続する平面パターンを有していることを特徴とする。
請求項１０記載の発明は、請求項７乃至９のいずれかに記載の発光装置において、前記発光素子はトップエミッション構造を有し、前記各画素は、少なくとも、前記発光素子を発光駆動させるための複数の薄膜トランジスタを備え、該各薄膜トランジスタはゲート電極が半導体層の下部に設けられたボトムゲート構造を有していることを特徴とする。
請求項１１記載の発明に係る電子機器は、請求項７乃至１０のいずれかに記載の発光装置が実装されてなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る発光パネル及びその製造方法、発光装置、並びに、電子機器によれば、良好な画質を実現することができるとともに、製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明に係る発光装置を適用した表示装置の表示パネルの第１の実施形態を示す概略平面図である。
【図２】第１の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成の一例を示す概略断面図である。
【図３】第１の実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を示す工程断面図である。
【図４】第１の実施形態に係る表示装置における作用効果を示す説明図である。
【図５】第２の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成を示す概略断面図である。
【図６】第２の実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を示す工程断面図である。
【図７】第２の実施形態に係る表示装置における作用効果を示す説明図である。
【図８】本発明に係る表示パネル（発光パネル）を適用した表示装置の第１の具体例を示す概略構成図である。
【図９】第１の適用例に係る画素の一例を示す平面レイアウト図である。
【図１０】第１の適用例に係る画素の要部断面図である。
【図１１】本発明に係る表示パネルを適用した表示装置の第２の具体例を示す概略構成図である。
【図１２】第２の適用例に係る画素の一例を示す平面レイアウト図である。
【図１３】第２の適用例に係る画素の要部断面図である。
【図１４】本発明に係る発光装置を適用したデジタルカメラの構成例を示す斜視図である。
【図１５】本発明に係る発光装置を適用した薄型テレビジョンの構成例を示す斜視図である。
【図１６】本発明に係る発光装置を適用したパーソナルコンピュータの構成例を示す斜視図である。
【図１７】本発明に係る発光装置を適用した携帯電話機の構成例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明に係る発光パネル及びその製造方法、発光装置並びに電子機器について、実施形態を示して詳しく説明する。
＜第１の実施形態＞
まず、本発明に係る発光装置について説明する。ここでは、本発明に係る発光装置を表示装置として適用し、また、発光素子として有機ＥＬ素子を適用した場合について説明する。
【００２２】
（表示装置）
図１は、本発明に係る発光装置を適用した表示装置の表示パネルの第１の実施形態を示す概略平面図である。なお、図示の都合上、図１においては対向基板の表示を省略した。図２は、本実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成の一例を示す概略断面図である。図２（ａ）は、図１に示した表示パネルにおけるIIＡ−IIＡ線（本明細書においては図１中に示したローマ数字の「２」に対応する記号として便宜的に「II」を用いる。）に沿った断面を示す図である。また、図２（ｂ）は、本実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成の他の例を示す概略断面図である。
【００２３】
本発明の第１の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネル（発光パネル）１１０は、例えば図１、図２（ａ）に示すように、平板ガラス等の絶縁性の素子基板（第１の基板）１１と対向基板（第２の基板）１２とが対向して接合（接着）された構成を有している。素子基板１１の一面側（図１の紙面手前側、及び、図２（ａ）の上面側）には、発光素子である有機ＥＬ素子ＯＥＬを有する複数の画素ＰＩＸが二次元配列された画素アレイ１１１が設けられている。
【００２４】
各画素ＰＩＸに設けられる有機ＥＬ素子ＯＥＬは、例えば図２（ａ）に示すように、アノード電極となる画素電極２１と、有機ＥＬ層（発光層）２２と、カソード電極となる対向電極２３とが順次積層された素子構造を有している。また、隣接して配列された画素ＰＩＸ間の領域（境界領域）には、薄膜トランジスタ等の能動素子ＴＲ、信号配線ＬＮ、当該薄膜トランジスタ等の能動素子ＴＲ及び信号配線ＬＮを覆う絶縁膜２４及び隔壁（バンク）２５が形成され、少なくとも各有機ＥＬ素子ＯＥＬを構成する画素電極２１及び有機ＥＬ層２２が、隣接する画素ＰＩＸとの間で電気的に絶縁されるように隔離されている。
【００２５】
対向して配置された素子基板１１と対向基板１２は、図１、図２（ａ）に示すように、画素アレイ１１１の外周領域に設けられたシール部（封止部）４０を介して接合され、画素アレイ１１１が封止空間５０内に封止されて外的環境の影響を受けないように保護されている。
【００２６】
シール部４０は、例えば図２（ａ）に示すように、フィラー４１入りの粘着層（シール材）４２からなり、当該シール部４０が画素アレイ１１１の外周領域に連続的に設けられることにより、素子基板１１と平板ガラスからなる対向基板１２が接合されて封止される。シール部４０は、具体的には、所定の粒径を有する非導電性（絶縁性）の樹脂ビーズからなるフィラー４１を、非導電性の光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料を有する粘着層４２に拡散したものが適用される。
【００２７】
また、シール部４０の他の構造としては、例えば図２（ｂ）に示すように、平板ガラスの縁辺部（上述した画素アレイ１１１の外周領域に対応する領域）を連続的に残すようにザグリ加工したザグリガラスを対向基板１２として用いて、当該ザグリ部１２ｚにおいて粘着層（シール材）４２を介して、素子基板１１と対向基板１２を接合して封止したものであってもよい。なお、以下に示す各実施形態においては、表示パネル１１０の構造として、説明の都合上、図２（ａ）に示したフィラー４１入り粘着層４２を介して、素子基板１１と平板ガラスからなる対向基板１２を接合したパネル構造を用いた場合について説明する。なお、封止空間５０内の例えば対向基板１２の接合面（後述する接着面に対応、図２（ａ）下面側）側に、図示を省略した乾燥剤や乾燥シートを設けるようにしてもよい。この場合、封止空間５０内の水分（湿気）や腐食性の気体が乾燥剤や乾燥シートにより除去又は低減されて、画素アレイ１１１（特に、有機ＥＬ素子ＯＥＬ）の素子特性の劣化や接続不良の発生を抑制することができる。
【００２８】
そして、本実施形態に係る表示パネル１１０においては、特に、図２（ａ）に示すように、対向基板１２とシール部４０により形成される封止空間５０内に封止された画素アレイ１１１（隣接する画素ＰＩＸ間）の隔壁２５と対向基板１２との間に遮光性接着部３０が設けられている。ここで、遮光性接着部３０は、少なくとも遮光性を有する遮光性スペーサ層を含む単層構造、又は、当該遮光性スペーサ層を含む複数層からなる積層構造を有している。また、遮光性接着部３０は、素子基板１１側の隔壁２５の上面と、対向基板１２の接着面（図面下面）の双方に接着されて、素子基板１１と対向基板１２とを接着し、かつ、素子基板１１と対向基板１２との間隙（基板間ギャップ）が均一になるように設けられている。さらに、遮光性接着部３０は、図１に示すように、隔壁２５の平面パターンに対応する、例えば各画素ＰＩＸを取り囲む格子状の平面パターンを有して設けられている。ここで、図１においては、一例として、遮光性接着部３０が隔壁２５の平面パターンに対応した各画素ＰＩＸを取り囲む格子状の平面パターンを有して連続的に設けられる構成とした。遮光性接着部３０は、このように連続的に設けられていることが好ましいが、本発明はこれに限るものではなく、隔壁２５の平面パターンに対応した平面パターンの一部が欠けた、不連続な平面パターンを有して設けられているものであってもよい。
【００２９】
具体的には、遮光性接着部３０は、例えば図２（ａ）に示すように、対向基板１２側に設けられ、遮光性を有する遮光性スペーサ層３１と、素子基板１１（隔壁２５）側に設けられ、光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料を有する接着層３２とを積層した構造を有している。ここで、遮光性スペーサ層３１は、それ自体では接着性の低い材料であってもよいが、少なくとも遮光性を有するとともに、比較的精度良く厚みを制御することができ、素子基板１１と対向基板１２との間隙（基板間ギャップ）を任意に設定することができる材料が適用される。具体的には、遮光性スペーサ層３１は、例えば酸化クロム等の金属酸化膜を適用することができる。なお、本発明に適用される遮光性スペーサ層３１の材質は、金属酸化物に特に限定されるものではなく、遮光性を有する不透明な膜であれば導電性の膜であっても非導電性の膜であってもよい。一方、接着層３２は、素子基板１１（厳密には隔壁２５上の対向電極２３）と対向基板１２（厳密には遮光性スペーサ層３１）との双方に対して接着性が高く、強固に接着することができる材料が適用される。具体的には、接着層３２は、例えば光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料を有して形成される。
【００３０】
このようなパネル構造により、本実施形態に係る表示パネル１１０においては、素子基板１１の一面側（図２（ａ）上面側）と対向基板１２の接着面側（下面側）との間隙が、シール部４０及び遮光性接着部３０が設けられていない領域における表示パネル１１０の素子基板１１と対向基板１２が対向する領域において、素子基板１１（画素アレイ１１１）の上面に対向基板１２が接触しないように、所定の値で、かつ、略均一に設定される。
【００３１】
なお、各画素ＰＩＸ間（境界領域）に設けられる絶縁膜２４又は隔壁２５の下層には、各画素ＰＩＸを駆動（具体的には有機ＥＬ素子ＯＥＬを発光動作）させるための信号配線ＬＮや薄膜トランジスタ等の能動素子ＴＲが設けられている。画素ＰＩＸ間の境界領域に設けられる遮光性接着部３０と、信号配線ＬＮ及び薄膜トランジスタ等の能動素子ＴＲとの位置関係については、後述する表示装置への適用例において詳しく説明する。
【００３２】
また、図１に示すように、素子基板１１上の画素アレイ１１１の周辺領域には、上記各画素ＰＩＸを駆動するための信号や電源を供給するための引き出し配線Ｌｒが設けられている。引き出し配線Ｌｒは一端側が画素アレイ１１１（各画素ＰＩＸ）に接続され、他端側が例えば素子基板１１の端部に設けられた接続端子ＴＭに接続されている。接続端子ＴＭは、例えばフィルム基板（フレキシブルプリント基板）ＦＰＣ等を介して、素子基板１１の外部に設けられた各種のドライバ（例えば選択ドライバ１２０やデータドライバ１３０；詳しくは後述する）、あるいは、これらの各ドライバ機能を備えたドライバチップに接続されている。
【００３３】
また、図２（ａ）、（ｂ）においては、素子基板１１上に、有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極２１が直接形成された素子構造を示したが、本発明はこれに限定されるものではない。有機ＥＬ素子ＯＥＬは、例えば、素子基板１１上に図示を省略した絶縁膜（ゲート絶縁膜や層間絶縁膜等）を介して画素電極２１が形成された素子構造を有するものであってもよい。また、図２（ａ）、（ｂ）においては、素子基板１１上の有機ＥＬ素子ＯＥＬの対向電極２３が露出した状態で、対向基板１２により封止されたパネル構造を示したが、本発明はこれに限定されるものではない。表示パネル１１０は、有機ＥＬ素子ＯＥＬを含む画素アレイ１１１を、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等からなる封止層（保護絶縁膜）により被覆した状態で、素子基板１１に対向基板１２を対向するように接合及び接着した構造を有するものであってもよい。その場合は、上述した遮光性接着部３０は、素子基板１１上の封止層に接着するように設けられる。
【００３４】
（表示パネルの製造方法）
次に、本実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの製造方法について説明する。
図３は、本実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を示す工程断面図である。ここでは、図２（ａ）に示した断面構造を有する表示パネルについて製造方法を説明する。
【００３５】
上述した表示パネル１１０の製造方法は、まず、図３（ａ）に示すように、素子基板１１の一面側（図面上面側）に、画素アレイ１１１の各画素ＰＩＸに含まれる有機ＥＬ素子ＯＥＬ、及び、該有機ＥＬ素子ＯＥＬを発光動作させるための能動素子ＴＲ（薄膜トランジスタ等）や信号配線ＬＮを形成する。有機ＥＬ素子ＯＥＬは、素子基板１１上に、画素電極２１と、例えば正孔輸送層、発光層及び電子輸送層からなる有機ＥＬ層（発光層）２２と、対向電極２３を順次積層することにより形成される。なお、能動素子ＴＲや信号配線ＬＮは、素子基板１１上に有機ＥＬ素子ＯＥＬを形成する工程に先立って、素子基板１１上に形成される。ここで、能動素子ＴＲや信号配線ＬＮを形成する工程は、例えば有機ＥＬ素子ＯＥＬを構成する画素電極２１を形成する工程と一部が供用するものであってもよい。
【００３６】
画素アレイ１１１の形成工程は、具体的には、素子基板１１の一面側に、画素ＰＩＸの形成領域ごとに有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード電極となる画素電極２１を形成する。次いで、隣接する画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬ相互を電気的に絶縁するとともに、個別の発光特性を設定するために、画素ＰＩＸ間の境界領域に絶縁膜２４、能動素子ＴＲ、信号配線ＬＮ、及び隔壁２５を形成する。ここで、絶縁膜２４は、上述した能動素子ＴＲや信号配線ＬＮを形成するためのゲート絶縁膜や層間絶縁膜として適用されるものであってもよい。また、隔壁２５は、素子基板１１表面から対向基板１２方向に突出するように、例えば感光性の絶縁材料であるポリイミド系の樹脂材料により形成される。これにより、隔壁２５は、後述する有機ＥＬ層２２の形成工程において、隣接する画素ＰＩＸ間で、有機化合物含有液の漏出や乗り越えを抑制して、隣接画素相互の混色を防止する。
【００３７】
次いで、各画素ＰＩＸの形成領域において、絶縁膜２４及び隔壁２５に被覆されずに露出する画素電極２１上に、インクジェット法やノズルプリンティング法等を用いて、有機高分子系の正孔輸送性材料を含む溶液（有機化合物含有液）を塗布し、加熱乾燥して正孔輸送層を形成する。次いで、正孔輸送層が形成された画素電極２１上に、上記と同様の手法を用いて、有機高分子系の発光材料を含む溶液（有機化合物含有液）を塗布し、加熱乾燥して発光層を形成する。さらに、発光層が形成された画素電極２１上に、上記と同様の手法を用いて、有機高分子系の電子輸送性材料を含む溶液（有機化合物含有液）を塗布し、加熱乾燥して電子輸送層を形成する。この一連の工程により、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層が積層された有機ＥＬ層２２が形成される。
【００３８】
次いで、画素アレイ１１１に配列された各画素ＰＩＸに共通するように、単一の電極層（べた電極）からなる対向電極２３を形成する。ここで、対向電極２３は、図３（ａ）に示すように、各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域だけでなく、画素ＰＩＸ間の境界領域に形成された隔壁２５上にも延在するように設けられている。
【００３９】
ここで、本実施形態においては、有機ＥＬ素子ＯＥＬがトップエミッション型の発光構造を有しているので、画素電極２１は、例えばアルミニウム等の光反射率が高い金属膜により形成され、対向電極２３は、例えば錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）等からなる透明電極膜により形成される。
【００４０】
一方、予め対向基板１２の接着面側に、スッパタリング法や蒸着法等を用いて、酸化クロム等からなる遮光性を有する膜を一定の膜厚で密着して形成する。その後、フォトリソグラフィ法を用いて、当該遮光性を有する膜をエッチングして、図１、図３（ｂ）に示すように、素子基板１１側に形成された画素アレイ１１１内の隔壁２５の形成領域（すなわち、画素ＰＩＸ間の境界領域）に対応する領域にのみ、遮光性を有する膜を残すように形成する。これにより、対向基板１２の接着面側に、隔壁２５の平面パターンに対応する格子状の平面パターンを有する、所定の厚みの遮光性スペーサ層３１が形成される。次いで、遮光性スペーサ層３１の表面（図３（ｂ）では下面に相当する）に、印刷法や転写法等を用いて、光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料からなる接着材層３２ｘを形成する。また、図１、図３（ｂ）に示すように、素子基板１１に形成された画素アレイ１１１の外周領域に、所定の粒径を有するフィラー４１が拡散された接着材による封止材層４２ｘを塗布して形成する。
【００４１】
ここで、遮光性スペーサ層３１の表面に形成される接着材層３２ｘは、遮光性スペーサ層３１の平面パターンと同一の領域に形成されるものであってもよいし、当該遮光性スペーサ層３１の平面パターンのうちの一部の、特定の位置又は領域に、例えば周期的に配置形成（規則的に配置）されるものであってもよい。また、遮光性スペーサ層３１、及び、該遮光性スペーサ層３１の上面に形成される接着材層３２ｘの厚みは、対向基板１２表面から当該接着材層３２ｘの上面までの寸法と、素子基板１１表面から隔壁２５上の対向電極２３の上面までの寸法との総和が、画素アレイ１１１の外周領域に形成される封止材層４２ｘに拡散されるフィラー４１の粒径（直径）と同等、もしくは、該フィラー４１の粒径よりも僅かに大きくなるように、上記隔壁２５の突出高さに応じて適切に設定される。
【００４２】
次いで、図３（ｂ）に示すように、素子基板１１の一面側に対向基板１２を対向するように貼り合わせる。このとき、素子基板１１に対して対向基板１２が所定の力で押圧されることにより、画素アレイ１１１の外周領域に形成された封止材層４２ｘ中のフィラー４１、及び、画素アレイ１１１内の隔壁２５に対応して形成された接着材層３２ｘが撓む。これにより、画素アレイ１１１の外周領域においては、封止材層４２ｘが素子基板１１の一面側及び対向基板１２の接着面側の双方の表面に接着される。また、同時に、画素アレイ１１１内の隔壁２５上の対向電極２３及び対向基板１２の接着面側の遮光性スペーサ層３１の端面の双方の表面に、接着材層３２ｘが接着される。
【００４３】
次いで、画素アレイ１１１の外周領域に形成された封止材層４２ｘ中のフィラー４１の撓みをなくした状態（あるいは、当該撓みがなくなる程度の力で対向基板１２を押圧した状態）で、図３（ｃ）に示すように、対向基板１２が貼り合わせられた素子基板１１に対して、所定の波長の光（例えば紫外線）ＵＶを照射、あるいは、所定の温度で熱処理を施すことにより、画素アレイ１１１の外周領域の封止材層４２ｘ、及び、画素アレイ１１１内の接着材層３２ｘを硬化させる。これにより、封止材層４２ｘ及び接着材層３２ｘは、各々、素子基板１１と対向基板１２の双方に接着して硬化する。なお、このような封止工程は、例えば、所定の気圧の不活性ガス雰囲気中で行われる。
【００４４】
すなわち、図２（ａ）に示したように、素子基板１１の画素アレイ１１１の外周領域においてはフィラー４１が拡散された粘着層４２を介して、また、画素アレイ１１１内においては隔壁２５上の遮光性を有する遮光性スペーサ層３１と光硬化性あるいは熱硬化性の接着層３２とからなる積層構造を有する遮光性接着部３０を介して、素子基板１１に対向基板１２が接着される。これにより、素子基板１１上の画素アレイ１１１が対向基板１２及びフィラー４１入り粘着層４２により形成される封止空間５０内に封止される。
【００４５】
このとき、素子基板１１と対向基板１２との間隙（基板間ギャップ）は、画素アレイ１１１の外周領域においては、フィラー４１の粒径に基づいて設定され、また、画素アレイ１１１内においては、遮光性スペーサ層３１の厚みに基づいて設定される。ここで、上述したように、遮光性スペーサ層３１と接着層３２となる接着材層３２ｘの厚みは、画素アレイ１１１の外周領域に塗布されるフィラー４１の粒径に基づいて設定される。遮光性スペーサ層３１は酸化クロム等の金属酸化膜により形成されているため、樹脂層からなる接着層３２に比較して撓みが小さい。したがって、画素アレイ１１１内の遮光性接着部３０においては、画素アレイ１１１内における素子基板１１と対向基板１２の間隙（基板間ギャップ）が、外周領域における間隙（すなわちフィラー４１の粒径）と同等かつ略均一になるように、接着層３２の厚みが調整されて硬化する。すなわち、画素アレイ１１１の外周領域及び内部において、素子基板１１と対向基板１２が略均一な間隙（基板間ギャップ）を有するとともに、強固に接着される。
【００４６】
（作用効果）
次に、本実施形態に係る表示装置における作用効果について検証する。
図４は、本実施形態に係る表示装置における作用効果を示す説明図である。
上述したように、本実施形態に係る表示装置においては、画素アレイ１１１に配列される各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬを駆動（発光動作）させるための信号配線ＬＮや能動素子ＴＲが形成された領域（画素ＰＩＸ間の境界領域）に、遮光性接着部３０が形成されている。具体的には、図４に示すように、隔壁２５の下層に形成された信号配線ＬＮや能動素子ＴＲに対して視野側（図面上方側）から見て平面的に重なり、信号配線ＬＮや能動素子ＴＲが視認されないように、隔壁２５上に遮光性を有する遮光性スペーサ層３１を含む遮光性接着部３０が形成されている。
【００４７】
このようなパネル構造を有する表示パネル１１０によれば、信号配線ＬＮや能動素子ＴＲの電極が反射性を有する金属層により形成されている場合であっても、図４に示すように、表示パネル１１０の外部から入射する光（外光）ＬＴｘや、表示パネル１１０の内部に入射して信号配線ＬＮや能動素子ＴＲの電極で反射した光が隔壁２５上の遮光性接着部３０に含まれる遮光性を有する遮光性スペーサ層３１により遮断又は吸収されて、視野側への出射が抑制される。
【００４８】
すなわち、トップエミッション型の発光構造を有する表示パネル１１０において、ほぼ各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬ（有機ＥＬ層２２）から放射される光ｈνのみが、対向基板１２を介して視野側に出射されて、信号配線ＬＮや能動素子ＴＲの電極による外光反射が抑制される。したがって、画像表示に関わる光ｈνのみが良好に視認されるので、画質を向上させることができる。なお、図４において、光ｈνは、有機ＥＬ素子ＯＥＬの有機ＥＬ層２２において放射され、対向電極２３及び対向基板１２を介して、直接視野側に出射される光、及び、画素電極２１において反射した後、対向基板１２を介して、視野側に出射される光の合成光である。
【００４９】
また、特に薄膜トランジスタ等の能動素子ＴＲがゲート電極が半導体層の下部に設けられるボトムゲート構造を有する場合、外光が隔壁２５を介してチャネル領域となる半導体層に入射し易い。このように外光が半導体層に入射することにより、リーク電流等が生じて、素子特性（動作特性）が変化又は劣化したり、誤動作が生じたりすることが知られている。本実施形態に係る表示パネル１１０によれば、能動素子ＴＲが形成された領域（画素ＰＩＸ間の境界領域）を被覆するように、遮光性を有する遮光性接着部３０が形成されているので、薄膜トランジスタの半導体層への外光ＬＴｘの入射を抑制して、素子特性の変化又は劣化や誤動作に伴う表示品質の低下を抑制することができる。
【００５０】
また、本実施形態によれば、素子基板１１と対向基板１２が画素アレイ１１１の外周領域だけでなく、画素アレイ１１１内においても、遮光性接着部３０を介して強固に接着されているので、素子基板１１に対向基板１２を貼り合わせる工程において、対向基板１２を素子基板１１側に押圧したときや、本実施形態に係る表示パネル１１０を搭載した電子機器において、使用時に外部から表示パネル１１０に押圧力が加えられたとき、また、表示パネル自体に熱等に起因する歪みが生じたときであっても、素子基板１１と対向基板１２との間隙（基板間ギャップ）を略一定に維持することができる。したがって、有機ＥＬ素子ＯＥＬからの出射光の経路（角度及び距離）を均一化して画像のにじみやぼけの発生を抑制することができ、良好な画質を実現することができる。
【００５１】
また、本実施形態によれば、上述したような押圧力が過大な場合であっても、対向基板１２が素子基板１１の画素アレイ１１１に直接接触することを回避することができるので、有機ＥＬ素子ＯＥＬや他の能動素子ＴＲ、配線等の破損や特性劣化、封止破損の発生を防止又は抑制することができ、製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。上述したような本実施形態における作用効果は、素子基板１１に対向基板１２を接着するパネル構造を有する表示パネル全般において有効であるが、基板の変形が生じやすく、強度が重要視される大型の表示パネルにおいて特に有効である。
【００５２】
なお、本実施形態においては、素子基板１１に設けられる隔壁２５の形成領域（画素ＰＩＸ間の境界領域）に対応するように、対向基板１２の接着面側に酸化クロム等からなる遮光性を有する遮光性スペーサ層３１を形成した後、接着層３２を介して、素子基板１１と対向基板１２とを接着する表示パネルの製造方法について説明した。このような製造手順を適用するのは次のような理由によるものである。すなわち、一般に、酸化クロム等の金属酸化膜を形成するために用いられるスパッタリング法や蒸着法では、成膜温度が高いという特徴を有している。一方、有機ＥＬ素子ＯＥＬが形成された素子基板１１は、有機ＥＬ層の劣化や層間剥離等の損傷を防止するため、高温での処理を極力避ける必要がある。そこで、本実施形態においては、上述したように、有機ＥＬ素子ＯＥＬが形成されていない対向基板１２側に、金属酸化膜からなる遮光性スペーサ層３１をスパッタリング法や蒸着法を用いて形成することにより、素子基板１１に形成された有機ＥＬ素子ＯＥＬの特性劣化を防止することができるとともに、成膜条件に制約を受けることなく、所望の厚みの遮光性スペーサ層３１を形成することができるものである。
【００５３】
＜第２の実施形態＞
次に、本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの第２の実施形態について説明する。
（表示パネル）
図５は、第２の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成を示す概略断面図である。図５は、図２（ａ）、（ｂ）と同様に、図１に示した表示パネルにおけるIIＡ−IIＡ線に沿った断面を示す図である。ここで、上述した第１の実施形態と同等の構成については同一の符号を付して説明を簡略化する。
【００５４】
上述した第１の実施形態においては、表示パネル１１０における外光反射を抑制するとともに、素子基板１１と対向基板１２とを強固に接着して、その間隙（素子間ギャップ）を均一化するための遮光性スペーサ層３１及び接着層３２を、素子基板１１側に形成される隔壁２５上の対向電極２３上面に直接接着したパネル構造について説明した。第２の実施形態に係る表示パネル１１０においては、図５に示すように、上記の遮光性スペーサ層３１及び接着層３２を、素子基板１１側に形成される隔壁２５上の対向電極２３を部分的に除去して、露出した隔壁２５上面に直接接着したパネル構造を有している。
【００５５】
すなわち、本実施形態においては、図５（ａ）に示すように、素子基板１１と対向基板１２は、画素アレイ１１１の外周領域においては、上述した第１の実施形態と同様に、フィラー４１入り粘着層４２を介して接着される。一方、画素アレイ１１１内においては、素子基板１１と対向基板１２は、図５（ａ）に示すように、対向電極２３を部分的に除去して形成された開口部２３ｃ内に露出する隔壁２５の上面に直接接着された遮光性接着部３０を介して接着されている。遮光性接着部３０は、上述した第１の実施形態と同様に、対向基板１２の接着面側に設けられ、遮光性を有する遮光性スペーサ層３１と、素子基板１１側の一面側（隔壁２５側）に設けられ、光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料からなる接着層３２と、からなる積層構造を有している。
【００５６】
ここで、遮光性を有する遮光性スペーサ層３１は、隔壁２５の平面パターンに対応して、例えば格子状に設けられている。また、隔壁２５が設けられる各画素ＰＩＸ間の境界領域には、絶縁膜２４又は隔壁２５の下層に、各画素ＰＩＸを駆動させるための信号配線ＬＮや能動素子ＴＲが設けられている。そして、このような遮光性接着部３０において、隔壁２５の平面パターンに対応して対向基板１２の接着面側に密着して設けられた遮光性スペーサ層３１の表面と、素子基板１１側の対向電極２３が部分的に除去された開口部２３ｃに露出する隔壁２５の上面とが、接着層３２を介して相互に接着されて、素子基板１１と対向基板１２とが接着されている。
【００５７】
なお、上記図５（ａ）に示した構成においては、接着層３２が開口部２３ｃ内に設けられるものとしたが、これに限るものではなく、図５（ｂ）に示すように、接着層３２が開口部２３ｃより広い領域に設けられ、接着層３２の一部の開口部２３ｃに対応する領域で、接着層３２が隔壁２５の上面に直接接着されるようにしたものであってもよい。
【００５８】
（表示パネルの製造方法）
次に、本実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの製造方法について説明する。
図６は、本実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を示す工程断面図である。ここで、上述した第１の実施形態（図３参照）と同等の工程については、説明を簡略化する。
【００５９】
図５に示した断面構造を有する表示パネル１１０の製造方法は、まず、図６（ａ）に示すように、一面側に有機ＥＬ素子ＯＥＬ及び信号配線ＬＮ、能動素子ＴＲ、絶縁膜２４、隔壁２５等を含む画素アレイ１１１が形成された素子基板１１において、画素アレイ１１１内の隔壁２５上の対向電極２３を、レーザアブレーション法やリフトオフ法等を用いて部分的に除去して、隔壁２５の上面が露出する開口部２３ｃを形成する。ここで、レーザアブレーション法においては、高強度、短パルス、短波長のレーザを無機、有機物あるいは金属等からなる対向電極２３の表面に照射することにより、吸収熱による蒸発やプラズマを伴って表面相が剥離される。また、リフトオフ法においては、光剥離材を積層形成した隔壁２５上に対向電極２３を形成した後、所定の波長の光を素子基板１１の裏面側（他面側）から照射することにより、光剥離材からガスが発生して、光剥離材が形成された領域の対向電極２３が除去される。ここで、素子基板１１の裏面側から光を照射する際には、遮光マスクにより画素ＰＩＸの形成領域（具体的にはＥＬ素子形成領域Ｒel）を遮光して保護する。
【００６０】
なお、開口部２３ｃを隔壁の平面パターンと同様に格子状に形成した場合には、各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬに共通するように単一の電極層（べた電極）により形成された対向電極２３が、各画素ＰＩＸ間の境界領域で断線された状態になるため、各有機ＥＬ素子ＯＥＬに対して所定電圧が供給されず、発光動作させることができなくなる。そこで、本実施形態においては、隔壁２５上の対向電極２３を、隔壁２５の格子状の平面パターン内の任意の位置及び任意の形状（例えばスポット状やライン状等）で部分的に除去して、相互に離間する複数の開口部２３ｃが形成される。ここで、素子基板１１側に形成される複数の開口部２３ｃは、周期的に配置形成（規則的に配置）されていることが望ましい。
【００６１】
一方、上述した第１の実施形態と同様に、予め対向基板１２の接着面側に、スッパタリング法や蒸着法等を用いて、酸化クロム等からなる遮光性を有する膜を密着して形成した後、フォトリソグラフィ法を用いて、図１、図６（ｂ）に示すように、素子基板１１側に形成された隔壁２５の平面パターンに対応する領域にのみ、遮光性を有する膜を残して遮光性スペーサ層３１を形成する。次いで、画素アレイ１１１内の隔壁２５の平面パターンに対応して、対向基板１２の接着面側に形成された上記遮光性スペーサ層３１の表面（図６（ｂ）では下面に相当する）に、印刷法や転写法等を用いて、接着材層３２ｘを形成する。また、図６（ｂ）に示すように、素子基板１１の画素アレイ１１１の外周領域に、フィラー４１入り封止材層４２ｘを塗布して形成する。
【００６２】
ここで、接着材層３２ｘは、上記遮光性スペーサ層３１の平面パターンのうち、素子基板１１側の対向電極２３に形成された複数の開口部２３ｃの位置及び形状に対応するように形成される。この場合、遮光性スペーサ層３１、及び、該遮光性スペーサ層３１の上面に形成される接着材層３２ｘの厚みは、対向基板１２表面から当該接着材層３２ｘの上面までの寸法と、素子基板１１表面から隔壁２５の上面までの寸法との総和が、画素アレイ１１１の外周領域に形成される封止材層４２ｘに拡散されるフィラー４１の粒径（直径）と同等、もしくは、該フィラー４１の粒径よりも僅かに大きくなるように、上記隔壁２５の突出高さに応じて適切に設定される。
【００６３】
なお、接着層３２となる接着材層３２ｘの厚みが対向電極２３の厚みに比較して、十分大きく、かつ、高い弾性を有している場合には、接着材層３２ｘは、上記遮光性スペーサ層３１の平面パターン（格子状）と同一の領域に形成されるものであってもよいし、上記開口部２３ｃに対応する位置を含む領域に形成されるものであってもよい。
【００６４】
次いで、図６（ｂ）に示すように、素子基板１１の一面側に対向基板１２を、対向するように貼り合わせ、図６（ｃ）に示すように、紫外線ＵＶを照射、あるいは、熱処理を施すことにより、画素アレイ１１１の外周領域の封止材層４２ｘ、及び、画素アレイ１１１内の接着材層３２ｘを硬化させる。これにより、画素アレイ１１１の外周領域においてはフィラー４１が拡散された粘着層４２を介して、また、画素アレイ１１１内においては隔壁２５上の遮光性を有する遮光性スペーサ層３１と光硬化性あるいは熱硬化性の接着層３２とからなる積層構造を有する遮光性接着部３０を介して、素子基板１１に対向基板１２が接着される。
【００６５】
このとき、素子基板１１と対向基板１２との間隙（基板間ギャップ）は、画素アレイ１１１の外周領域においては、フィラー４１の粒径に基づいて設定され、また、画素アレイ１１１内においては、遮光性スペーサ層３１の厚みに基づいて設定される。したがって、画素アレイ１１１内の遮光性接着部３０において、画素アレイ１１１内における素子基板１１と対向基板１２の間隙（基板間ギャップ）が、外周領域における間隙（すなわちフィラー４１の粒径）と同等かつ略均一になるように、接着層３２の厚みが調整されて硬化する。すなわち、画素アレイ１１１の外周領域及び内部において、素子基板１１と対向基板１２が略均一な間隙（基板間ギャップ）を有するとともに、強固に接着される。
【００６６】
（作用効果）
次に、本実施形態に係る表示装置における作用効果について検証する。
図７は、本実施形態に係る表示装置における作用効果を示す説明図である。ここで、上述した第１の実施形態と同等の作用効果については説明を簡略化する。
【００６７】
上述したように、第２の実施形態に係る表示装置においても、第１の実施形態と同様に、画素アレイ１１１に配列される各画素ＰＩＸ間の境界領域に設けられる隔壁２５の下層側に信号配線ＬＮや能動素子ＴＲが形成され、当該信号配線ＬＮや能動素子ＴＲに対して視野側から見て平面的に重なり、信号配線ＬＮや能動素子ＴＲが視認されないように、隔壁２５上に遮光性を有する遮光性スペーサ層３１を含む遮光性接着部３０が形成されている。特に、本実施形態においては、図７に示すように、対向電極２３を部分的に除去して形成された開口部２３ｃ内に露出する隔壁２５の上面に、対向基板１２の接着面側に形成された遮光性接着部３０の接着層３２が直接接着されることにより、素子基板１１と対向基板１２が接着されている。
【００６８】
このようなパネル構造を有する表示パネル１１０によれば、図７に示すように、表示パネル１１０の外部から入射する光（外光）ＬＴｘや、表示パネル１１０の内部に入射して信号配線ＬＮや能動素子ＴＲの電極で反射した光が、隔壁２５上に設けられた遮光性接着部３０に含まれる遮光性を有する遮光性スペーサ層３１により遮断又は吸収されて、視野側への出射が抑制される。
【００６９】
したがって、トップエミッション型の発光構造を有する表示パネル１１０において、ほぼ各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬ（有機ＥＬ層２２）から放射される光ｈνのみが、対向基板１２を介して視野側に出射されて、信号配線ＬＮや能動素子ＴＲの電極による外光反射が抑制されるので、画質を向上させることができる。
【００７０】
また、本実施形態に係る表示パネル１１０によれば、遮光性接着部３０に含まれる遮光性を有する遮光性スペーサ層３１により、薄膜トランジスタ等の能動素子ＴＲへの外光ＬＴｘの入射を抑制することができるので、素子特性の変化又は劣化に伴う表示品質の低下を抑制することができる。
【００７１】
また、本実施形態によれば、素子基板１１と対向基板１２が遮光性接着部３０を介して、略均一な間隙（基板間ギャップ）を有するとともに、強固に接着されている。特に、本実施形態においては、対向電極２３に形成された開口部２３ｃ内に露出する隔壁２５の上面に、対向基板１２の接着面側に形成された遮光性接着部３０の接着層３２が直接接着される。したがって、隔壁２５として、例えば感光性の絶縁材料であるポリイミド系の樹脂材料を適用することにより、光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料からなる接着層３２との接着性を向上させることができるので、素子基板１１と対向基板１２とをより強固に接着することができる。
【００７２】
このように、本実施形態においては、素子基板１１と対向基板１２とが強固に接着されているので、表示パネル１１０の外部から過大な押圧力が印加された場合や、熱等に起因する歪みが生じた場合であっても、素子基板１１と対向基板１２との間隙（基板間ギャップ）を略一定に維持することができる。したがって、有機ＥＬ素子ＯＥＬからの出射光の経路（角度及び距離）を均一化して画像のにじみやぼけの発生を抑制することができ、良好な画質を実現することができる。また、本実施形態によれば、上述したような押圧力が印加された場合であっても、素子基板１１の画素アレイ１１１への対向基板１２の接触を回避して、素子や回路の破損や特性劣化、封止破損の発生を防止又は抑制することができ、製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。
【００７３】
次に、上述した各実施形態に示した表示パネルが適用される表示装置と画素の具体例について、図面を参照して説明する。なお、以下に示す表示装置は、アクティブマトリクス駆動方式に対応した構成を有する場合について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明は、例えばパッシブマトリクス駆動方式等、他の駆動方式に対応した表示装置に適用されるものであってもよい。
【００７４】
＜表示装置への適用例と画素の具体例＞
次に、上述した各実施形態に示した表示パネル（発光パネル）が適用される表示装置（発光装置）と画素の具体例について、図面を参照して説明する。
（第１の適用例）
図８は、本発明に係る表示パネル（発光パネル）を適用した表示装置の第１の具体例を示す概略構成図である。図８（ａ）は、本適用例に係る表示装置を示す概略ブロック図であり、図８（ｂ）は、本適用例に係る表示装置に適用される画素の等価回路図である。なお、ここでは、上述した各実施形態に示した各図（図１〜図７）を適宜参照しながら説明する。
【００７５】
図８（ａ）に示すように、第１の適用例に係る表示装置（発光装置）１００は、概略、上述した各実施形態に示した表示パネル（発光パネル）１１０と、表示パネル１１０に配列された各画素ＰＩＸを選択状態に設定するための選択ドライバ（選択駆動回路）１２０と、各画素ＰＩＸに画像データに応じた階調信号を供給するためのデータドライバ（信号駆動回路）１３０と、システムコントローラ１４０と、を備えている。
【００７６】
本適用例に係る表示パネル１１０に配列される画素ＰＩＸは、例えば図８（ｂ）に示すように、発光駆動回路ＤＣと、電流駆動型の発光素子である有機ＥＬ素子ＯＥＬと、を備えている。発光駆動回路ＤＣは、画像データに応じた電流値の発光駆動電流を生成して、有機ＥＬ素子ＯＥＬに供給する。有機ＥＬ素子ＯＥＬは、発光駆動回路ＤＣから供給される発光駆動電流に基づいて、画像データに応じた輝度階調で発光する。
【００７７】
発光駆動回路ＤＣは、例えば図８（ｂ）に示すように、トランジスタ（能動素子；スイッチング素子）Ｔｒ１１、Ｔｒ１２とキャパシタＣｓとを備えている。トランジスタＴｒ１１は、ゲート端子が選択ラインＬｓに接続され、ドレイン端子がデータラインＬｄに接続され、ソース端子が接点Ｎ１１に接続されている。トランジスタＴｒ１２は、ゲート端子が接点Ｎ１１に接続され、ドレイン端子が高電位の電源電圧Ｖsaに接続され、ソース端子が接点Ｎ１２に接続されている。キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ１２のゲート端子（接点Ｎ１１）及びソース端子（接点Ｎ１２）間に接続されている。
【００７８】
また、有機ＥＬ素子（表示素子）ＯＥＬは、アノード（アノード電極；上述した画素電極２１）が上記発光駆動回路ＤＣの接点Ｎ１２に接続され、カソード（カソード電極；上述した対向電極２３）が所定の低電位電源（基準電圧Ｖsc；例えば接地電位Ｖgnd）に接続されている。
【００７９】
ここでは、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２はいずれも、ｎチャネル型の薄膜トランジスタを適用することができる。なお、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２がｐチャネル型であれば、ソース端子及びドレイン端子が互いに逆になる。また、キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ１２のゲート、ソース間に形成される寄生容量、又は、該ゲート、ソース間に付加的に設けられた補助容量、もしくは、これらの寄生容量と補助容量からなる容量成分である。
【００８０】
画素ＰＩＸに接続される選択ラインＬｓは、例えば表示パネル１１０の行方向（図８（ａ）の左右方向）に配設されて、選択ドライバ１２０に接続されている。そして、選択ラインＬｓには、選択ドライバ１２０から選択レベル又は非選択レベルの選択電圧（選択信号）Ｖselが印加される。また、画素ＰＩＸに接続されるデータラインＬｄは、例えば表示パネル１１０の列方向（図８（ａ）の上下方向）に配設されて、データドライバ１３０に接続されている。データラインＬｄには、データドライバ１３０から画像データに応じた階調電圧（階調信号）Ｖdataが印加される。
【００８１】
システムコントローラ１４０は、表示装置１００の外部から供給される画像データに基づいて、輝度階調データを含むデジタルデータからなる表示データを生成してデータドライバ１３０に供給する。また、システムコントローラ１４０は、画像データに基づいて生成又は抽出されるタイミング信号に基づいて、選択ドライバ１２０及びデータドライバ１３０の動作状態を制御して、表示パネル１１０における所定の画像表示動作を実行するための選択制御信号及びデータ制御信号を生成して出力する。
【００８２】
これにより、選択ドライバ１２０は、選択制御信号に基づいて、各行の選択ラインＬｓに所定のタイミングで選択レベルの選択電圧Ｖselを印加することにより、各行の画素ＰＩＸを選択状態に設定する。また、データドライバ１３０は、データ制御信号に基づいて、画像データに応じた階調電圧Ｖdataを生成して、各データラインＬｄを介して、選択状態に設定された画素ＰＩＸに供給する。
【００８３】
そして、このような回路構成を有する画素ＰＩＸを備えた表示装置における表示駆動動作を簡単に説明すると、まず、所定の選択期間に、選択ドライバ１２０から選択ラインＬｓに対して、選択レベル（ハイレベル）の選択電圧Ｖselを印加することにより、トランジスタＴｒ１１をオン動作させて、画素ＰＩＸを選択状態に設定する。このタイミングに同期して、データドライバ１３０から画像データに応じた電圧値の階調電圧ＶdataをデータラインＬｄに印加することにより、トランジスタＴｒ１１を介して接点Ｎ１１に、階調電圧Ｖdataに応じた電位が印加される。
【００８４】
これにより、トランジスタＴｒ１２が階調電圧Ｖdataに応じた導通状態でオン動作して、ドレイン、ソース間に所定の電流値の発光駆動電流が流れ、有機ＥＬ素子ＯＥＬは、階調電圧Ｖdata（すなわち画像データ）に応じた輝度階調で発光する。このとき、トランジスタＴｒ１２のゲート、ソース間に接続されたキャパシタＣｓには、接点Ｎ１１に印加された階調電圧Ｖdataに基づいて電荷が蓄積（充電）される。
【００８５】
次いで、上記選択期間終了後の非選択期間において、選択ドライバ１２０から選択ラインＬｓに対して、非選択レベル（ローレベル）の選択電圧Ｖselを印加することにより、トランジスタＴｒ１１をオフ動作させて、画素ＰＩＸを非選択状態に設定する。このとき、上記キャパシタＣｓに蓄積された電荷（すなわち、ゲート、ソース間の電位差）が保持されて、トランジスタＴｒ１２のゲート端子に階調電圧Ｖdataに相当する電圧が印加される。したがって、トランジスタＴｒ１２のドレイン、ソース間に上記の発光動作状態（選択期間）と同等の電流値の発光駆動電流が流れて、有機ＥＬ素子ＯＥＬは発光状態を継続する。そして、このような表示駆動動作を、表示パネル１１０に二次元配列された全ての画素ＰＩＸについて、例えば各行ごとに順次実行することにより、所望の画像情報が表示される。
【００８６】
次に、上述したような回路構成を有する画素（発光駆動回路及び有機ＥＬ素子）の具体的なデバイス構造（平面レイアウト及び断面構造）について説明する。
図９は、本適用例に係る画素の一例を示す平面レイアウト図である。ここでは、図８（ｂ）に示した発光駆動回路ＤＣの各トランジスタ及び配線等が形成された層を主に示し、各トランジスタの電極及び各配線層を明瞭にするために、便宜的にハッチングを施して示した。ここで、同じハッチングを施した電極及び配線層は同層に設けられている。また、上述した各実施形態に示した隔壁２５及び遮光性接着部３０の平面パターンを、画素ＰＩＸの平面レイアウトに重ねて示した。図１０は、本適用例に係る画素の要部断面図である。ここでは、図１０は、図９に示した平面レイアウトを有する画素におけるＸＢ−ＸＢ線（本明細書においては図９中に示したローマ数字の「１０」に対応する記号として便宜的に「Ｘ」を用いる。）に沿った断面を示す。
【００８７】
図８（ｂ）に示した画素ＰＩＸは、具体的には、図９、図１０に示すように、ガラス等の絶縁性の素子基板１１の一面側（図１０の上面側）に設定された画素形成領域Ｒpxごとに設けられている。この画素形成領域Ｒpxには、少なくとも、有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域（ＥＬ素子形成領域）Ｒelと、隣接する画素ＰＩＸとの間の境界領域と、が設定されている。
【００８８】
図９に示した画素ＰＩＸにおいて、画素形成領域Ｒpxの図面上方及び下方の縁辺領域には、各々、行方向（図面左右方向）に延在するように選択ラインＬｓ及び電源ラインＬａが配設されている。一方、画素形成領域Ｒpxの図面右方側の領域には、選択ラインＬｓ及び電源ラインＬａに直交して、列方向（図面上下方向）に延在するようにデータラインＬｄが配設されている。
【００８９】
また、図９に示した表示パネル１１０においては、例えば図１０に示すように、画素形成領域Ｒpx内のＥＬ素子形成領域Ｒelに開口部が設けられた隔壁２５が設けられている。すなわち、素子基板１１上に、行方向（図面左右方向）及び列方向（図面上下方向）に隣接して配列される各画素ＰＩＸ間の境界領域には、図９、図１０に示すように、素子基板１１表面から連続的に突出し、格子状の平面パターンを有する隔壁２５が設けられている。そして、この隔壁２５により囲まれ、かつ、画素電極２１が露出した領域（すなわち、上記開口部）がＥＬ素子形成領域Ｒelとして画定されている。
【００９０】
選択ラインＬｓは、例えば図９、図１０に示すように、データラインＬｄ及び電源ラインＬａよりも下層側（素子基板１１側）に設けられている。選択ラインＬｓは、トランジスタＴｒ１１、トランジスタＴｒ１２のゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇと同層に設けられている。ここで、選択ラインＬｓは、図９に示すように、トランジスタＴｒ１１のゲート電極Ｔｒ１１ｇと一体的に形成されている。
【００９１】
また、データラインＬｄは、例えば図９、図１０に示すように、電源ラインＬａよりも下層側（素子基板１１側）に設けられている。データラインＬｄは、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄと同層に設けられている。ここで、データラインＬｄは、図９に示すように、トランジスタＴｒ１１のドレイン電極Ｔｒ１１ｄと一体的に形成されている。
【００９２】
また、電源ラインＬａは、例えば図９、図１０に示すように、後述するトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２及び選択ラインＬｓ、データラインＬｄを被覆する絶縁膜２４上に設けられている。電源ラインＬａは、図９に示すように、下層の絶縁膜２４に設けられたコンタクトホールＨＬ１２を介して、トランジスタＴｒ１２のドレイン電極Ｔｒ１１ｄに直接接続されている。
【００９３】
また、図９に示した画素ＰＩＸにおいては、発光駆動回路ＤＣに設けられるトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２が、例えば、データラインＬｄに沿って列方向（図面上下方向）に延在するように配置されている。具体的には、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のチャネルの幅方向が、データラインＬｄに平行に延在するように設定されている。また、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２は、いずれも図１０に示すような電界効果型の薄膜トランジスタ構造を有している。なお、以下のトランジスタＴｒ１１についての説明では、図示の都合上、図１０に示したトランジスタＴｒ１２の断面構造を参照しながら説明するものとする。
【００９４】
トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２はボトムゲート構造を有し、図９、図１０に示すように、素子基板１１上に形成されたゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇを被覆するようにゲート絶縁膜１３が設けられ、該ゲート絶縁膜１３上の、ゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇに対応する領域に半導体層ＳＭＣ（図９では省略）が設けられている。また、半導体層ＳＭＣに形成されるチャネル領域上にはチャネル保護層ＢＬが設けられ、当該チャネル保護層ＢＬを挟んで対向するようにソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄが設けられている。ソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄと半導体層ＳＭＣとの間には不純物層ＯＨＭが設けられ、これにより、半導体層ＳＭＣとソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄが各々オーミック接続している。
【００９５】
そして、図８（ｂ）に示した発光駆動回路ＤＣの回路構成に対応するように、トランジスタＴｒ１１は、図９に示すように、ゲート電極Ｔｒ１１ｇが選択ラインＬｓと一体的に形成されている。また、ドレイン電極Ｔｒ１１ｄは、図９に示すように、データラインＬｄと一体的に形成されている。また、ソース電極Ｔｒ１１ｓは、図９に示すように、ゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＨＬ１１を介して、トランジスタＴｒ１２のゲート電極Ｔｒ１２ｇに接続されている。ここで、コンタクトホールＨＬ１１は、図８（ｂ）に示した発光駆動回路ＤＣの接点Ｎ１１に対応する。
【００９６】
また、トランジスタＴｒ１２は、図９に示すように、ゲート電極Ｔｒ１２ｇがゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＨＬ１１を介して、トランジスタＴｒ１１のソース電極Ｔｒ１１ｓに接続されている。また、ドレイン電極Ｔｒ１２ｄは、図９に示すように、絶縁膜２４に設けられたコンタクトホールＨＬ１２を介して、電源ラインＬａに接続されている。また、ソース電極Ｔｒ１２ｓは、図９、図１０に示すように、有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極２１と一体的に形成されている。
【００９７】
有機ＥＬ素子ＯＥＬは、図９、図１０に示すように、上記画素電極（アノード電極）２１と、有機ＥＬ層（発光層）２２と、対向電極（カソード電極）２３と、を順次積層した素子構造を有している。ここで、有機ＥＬ素子ＯＥＬがトップエミッション型の発光構造を有している場合には、例えば画素電極２１は、アルミニウム単体やアルミニウム合金等の光反射率の高い電極材料を含んで形成されている。また、対向電極２３は、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）等の透光性（高い光透過率）を有する透明な電極材料により形成されている。
【００９８】
画素電極２１は、図９、図１０に示すように、トランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓと一体的に形成されている。有機ＥＬ層２２は、図９、図１０に示すように、素子基板１１上に連続的に突出して形成された隔壁２５に設けられた開口部により画定されるＥＬ素子形成領域Ｒelに露出する画素電極２１上に形成される。
【００９９】
対向電極２３は、素子基板１１上に二次元配列された各画素ＰＩＸの画素電極２１に対して、共通に対向するように、単一の電極層（べた電極）により形成されている。また、対向電極２３は、図１０に示すように、各画素ＰＩＸのＥＬ素子形成領域Ｒelだけでなく、当該ＥＬ素子形成領域Ｒelを画定する隔壁２５上にも延在するように設けられている。さらに、対向電極２３は、図示を省略したコンタクト部や引き出し配線を介して、低電位電源（基準電圧Ｖsc）に接続されている。
【０１００】
隔壁２５は、例えば図９、図１０に示すように、素子基板１１上に配列された画素ＰＩＸ相互の境界領域に形成された選択ラインＬｓ、データラインＬｄ、電源ラインＬａ、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、及び、絶縁膜２４を被覆するように、素子基板１１の表面から連続的に突出して、格子状の平面パターンを有するように設けられている。ここで、隔壁２５は、上述した各実施形態に示したように、例えば感光性の絶縁材料であるポリイミド系の樹脂材料により形成される。
【０１０１】
そして、上述した発光駆動回路ＤＣ、有機ＥＬ素子ＯＥＬ及び隔壁２５が形成された素子基板１１の一面側には、図１０に示すように、遮光性接着部３０を介して、透明なガラス等からなる対向基板１２が所定の間隙を有して貼り合わされている。ここで、遮光性接着部３０は、上述した各実施形態に示したように、対向基板１２の接着面側に設けられ、遮光性を有する遮光性スペーサ層３１と、素子基板１１側の隔壁２５上に設けられ、光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料からなる接着層３２と、からなる積層構造を有している。
【０１０２】
本適用例に係る表示装置１００の表示パネル１１０が、上述した第１の実施形態に示したパネル構造を有する場合には、上記遮光性接着部３０の遮光性スペーサ層３１と接着層３２は、例えば同一の平面パターンを有している。そして、接着層３２が、対向基板１２の接着面側に形成された遮光性スペーサ層３１の表面と、素子基板１１側に設けられた隔壁２５上の対向電極２３との双方に接着されることにより、素子基板１１と対向基板１２が所定の間隙（基板間ギャップ）を有して接着される。
【０１０３】
一方、本適用例に係る表示装置１００の表示パネル１１０が、上述した第２の実施形態に示したパネル構造を有する場合には、例えば上記遮光性接着部３０の接着層３２は、遮光性スペーサ層３１の平面パターンのうち、素子基板１１側に形成された対向電極２３の開口部２３ｃに対応する位置に設けられる。そして、接着層３２が、対向基板１２の接着面側に形成された遮光性スペーサ層３１の表面と、素子基板１１側に設けられた対向電極２３の開口部２３ｃに露出する隔壁２５の上面との双方に接着されることにより、素子基板１１と対向基板１２が所定の間隙（基板間ギャップ）を有して接着される。
【０１０４】
（第２の適用例）
図１１は、本発明に係る表示パネルを適用した表示装置の第２の具体例を示す概略構成図である。図１１（ａ）は、本適用例に係る表示装置を示す概略ブロック図であり、図１１（ｂ）は、本適用例に係る表示装置に適用される画素の等価回路図である。ここで、上述した第１の適用例と同等の構成については、同一又は同等の符号を付してその説明を簡略化する。
【０１０５】
図１１（ａ）に示すように、第２の適用例に係る表示装置１００は、概略、上述した各実施形態に示した表示パネル（発光パネル）１１０と、選択ドライバ１２０と、データドライバ１３０と、システムコントローラ１４０と、電源ドライバ１５０と、を備えている。すなわち、本適用例に示す表示装置１００は、第１の適用例に示した表示装置１００に、電源ドライバ１５０を付加した構成を有している。
【０１０６】
本適用例に係る表示パネル１１０に配列される画素ＰＩＸは、例えば図１１（ｂ）に示すように、上述した第１の適用例と同様に、発光駆動回路ＤＣと、有機ＥＬ素子ＯＥＬと、を備えている。発光駆動回路ＤＣは、例えば図１１（ｂ）に示すように、トランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２３とキャパシタＣｓとを備えている。トランジスタＴｒ２１は、ゲート端子が選択ラインＬｓに接続され、ドレイン端子が電源ラインＬａに接続され、ソース端子が接点Ｎ２１に接続されている。トランジスタＴｒ２２は、ゲート端子が選択ラインＬｓに接続され、ソース端子がデータラインＬｄに接続され、ドレイン端子が接点Ｎ２２に接続されている。トランジスタＴｒ２３は、ゲート端子が接点Ｎ２１に接続され、ドレイン端子が電源ラインＬａに接続され、ソース端子が接点Ｎ２２に接続されている。キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ２３のゲート端子（接点Ｎ２１）及びソース端子（接点Ｎ２２）に接続されている。
【０１０７】
また、有機ＥＬ素子ＯＥＬは、アノード（アノード電極；画素電極２１）が上記発光駆動回路ＤＣの接点Ｎ２２に接続され、カソード（カソード電極；対向電極２３）が所定の低電位電源（基準電圧Ｖsc；例えば接地電位Ｖgnd）に接続されている。
【０１０８】
ここで、本適用例においても、トランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２３はいずれも、ｎチャネル型の薄膜トランジスタを適用することができる。また、キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ２３のゲート、ソース間に形成される寄生容量、又は、該ゲート、ソース間に付加的に設けられた補助容量、もしくは、これらの寄生容量と補助容量からなる容量成分である。
【０１０９】
画素ＰＩＸに接続される電源ラインＬａは、例えば表示パネル１１０の行方向（図１１（ａ）の左右方向）に配設されて、電源ドライバ１５０に接続されている。電源ドライバ１５０は、システムコントローラ１４０から供給される電源制御信号に基づいて、所定のタイミングで電源ラインＬａに発光レベル又は非発光レベルの電源電圧Ｖsaを印加する。
【０１１０】
そして、このような回路構成を有する画素ＰＩＸを備えた表示装置における表示駆動動作を簡単に説明すると、まず、選択期間に、選択ドライバ１２０から選択ラインＬｓに対して、選択レベル（ハイレベル）の選択電圧Ｖselを印加するとともに、電源ドライバ１５０から電源ラインＬａに非発光レベル（基準電圧Ｖsc以下の電圧レベル；例えば負電圧）の電源電圧Ｖsaを印加することにより、トランジスタＴｒ２１、Ｔｒ２２をオン動作させて、画素ＰＩＸを選択状態に設定する。このタイミングに同期して、データドライバ１３０から画像データに応じた負の電圧値の階調電圧ＶdataをデータラインＬｄに印加することにより、トランジスタＴｒ２２を介して接点Ｎ２２に、階調電圧Ｖdataに応じた電位が印加される。
【０１１１】
これにより、トランジスタＴｒ２３がオン動作して、トランジスタＴｒ２３のゲート、ソース間に生じた電位差に応じた書込電流が、電源ラインＬａからトランジスタＴｒ２３、接点Ｎ２２、トランジスタＴｒ２２を介してデータラインＬｄ方向に流れる。このとき、トランジスタＴｒ２３のゲート、ソース間に接続されたキャパシタＣｓには、接点Ｎ２１及びＮ２２間に生じた電位差に応じた電荷が蓄積される。
【０１１２】
ここで、電源ラインＬａには、基準電圧Ｖsc以下の電源電圧Ｖsaが印加され、さらに、書込電流が画素ＰＩＸからデータラインＬｄ方向に引き抜くように設定されている。これにより、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード（接点Ｎ２２）に印加される電位は、カソードの電位（基準電圧Ｖsc）よりも低くなるため、有機ＥＬ素子ＯＥＬには電流が流れず、有機ＥＬ素子ＯＥＬは発光しない（非発光動作）。そして、このような書込動作を、表示パネル１１０に二次元配列された全ての画素ＰＩＸについて、各行ごとに順次実行する。
【０１１３】
次いで、上記選択期間終了後の非選択期間において、選択ドライバ１２０から選択ラインＬｓに対して、非選択レベル（ローレベル）の選択電圧Ｖselを印加することにより、トランジスタＴｒ２１、Ｔｒ２２をオフ動作させて、画素ＰＩＸを非選択状態に設定する。このとき、上記キャパシタＣｓに蓄積された電荷（すなわち、ゲート、ソース間の電位差）が保持されるので、トランジスタＴｒ２３はオン状態を維持する。そして、電源ドライバ１５０から電源ラインＬａに発光レベル（基準電圧Ｖscよりも高い電圧レベル）の電源電圧Ｖsaを印加することにより、電源ラインＬａからトランジスタＴｒ２３、接点Ｎ２２を介して、有機ＥＬ素子ＯＥＬに所定の発光駆動電流が流れる。
【０１１４】
ここで、キャパシタＣｓに蓄積される電荷（電圧成分）は、トランジスタＴｒ２３において階調電圧Ｖdataに対応する書込電流を流す場合の電位差に相当するので、有機ＥＬ素子ＯＥＬに流れる発光駆動電流は、当該書込電流と略同等の電流値となる。これにより、各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬは、書込動作時に書き込まれた画像データ（階調電圧Ｖdata）に応じた輝度階調で発光し、表示パネル１１０に所望の画像情報が表示される。
【０１１５】
次に、上述したような回路構成を有する画素（発光駆動回路及び有機ＥＬ素子）の具体的なデバイス構造（平面レイアウト及び断面構造）について説明する。
図１２は、本適用例に係る画素の一例を示す平面レイアウト図である。ここでは、図１１（ｂ）に示した発光駆動回路ＤＣの各トランジスタ及び配線等が形成された層を主に示し、各トランジスタの電極及び各配線層を明瞭にするために、便宜的にハッチングを施して示した。ここで、同じハッチングを施した電極及び配線層は同層に設けられている。また、上述した各実施形態に示した隔壁２５及び遮光性接着部３０の平面パターンを、画素ＰＩＸの平面レイアウトに重ねて示した。図１３は、本適用例に係る画素の要部断面図である。ここでは、図１３は、図１２に示した平面レイアウトを有する画素におけるXIIIＣ−XIIIＣ線（本明細書においては図１２中に示したローマ数字の「１３」に対応する記号として便宜的に「XIII」を用いる。）に沿った断面を示す。なお、図１２、図１３において、上述した第１の適用例と同等の構成については、同一又は同等の符号を付してその説明を簡略化する。
【０１１６】
図１２に示した画素ＰＩＸにおいて、画素形成領域Ｒpxの図面上方及び下方の縁辺領域には、各々、行方向（図面左右方向）に延在するように電源ラインＬａ及び選択ラインＬｓが配設されている。一方、画素形成領域Ｒpxの図面左方及び図面右方の領域には、各々、上記電源ラインＬａ及び選択ラインＬｓに直交して、列方向（図面上下方向）に延在するようにデータラインＬｄ及び補助電源ラインＬayが配設されている。
【０１１７】
また、図１２に示した表示パネル１１０においては、例えば図１３に示すように、画素形成領域Ｒpx内のＥＬ素子形成領域Ｒelに開口部が設けられた隔壁２５が設けられている。すなわち、本適用例においても、素子基板１１上の画素アレイ１１１に隣接して配列される各画素ＰＩＸ間の境界領域には、図１２、図１３に示すように、素子基板１１表面から連続的に突出し、格子状の平面パターンを有する隔壁２５が設けられている。そして、この隔壁２５により囲まれ、かつ、画素電極２１が露出した領域（すなわち、上記開口部）がＥＬ素子形成領域Ｒelとして画定されている。
【０１１８】
データラインＬｄは、例えば図１２、図１３に示すように、選択ラインＬｓ及び電源ラインＬａ、補助電源ラインＬayよりも下層側（素子基板１１側）に設けられている。データラインＬｄは、トランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２３のゲート電極Ｔｒ２１ｇ〜Ｔｒ２３ｇと同層に設けられている。また、データラインＬｄは、図１２に示すように、上層のゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＨＬ２４を介して、トランジスタＴｒ２２のソース電極Ｔｒ２２ｓに直接接続されている。
【０１１９】
また、選択ラインＬｓ及び電源ラインＬａは、例えば図１２、図１３に示すように、相互に同層に設けられ、かつ、トランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２３及びデータラインＬｄ、補助電源ラインＬayを被覆する絶縁膜２４上に設けられている。選択ラインＬｓは、図１２に示すように、下層の絶縁膜２４及びゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＨＬ２２を介して、トランジスタＴｒ２１、Ｔｒ２２のゲート電極Ｔｒ２１ｇ、Ｔｒ２２ｇに直接接続されている。また、電源ラインＬａは、例えば図１２、図１３に示すように、下層の絶縁膜２４に設けられたコンタクトホールＨＬ２３を介して、補助電源ラインＬayに直接接続されている。
【０１２０】
補助電源ラインＬayは、例えば図１２、図１３に示すように、トランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２３のソース電極Ｔｒ２１ｓ〜Ｔｒ２３ｓ及びドレイン電極Ｔｒ２１ｄ〜Ｔｒ２３ｄと同層に設けられている。ここで、補助電源ラインＬayは、図１２に示すように、トランジスタＴｒ２１、Ｔｒ２３のドレイン電極Ｔｒ２１ｄ、Ｔｒ２３ｄと一体的に形成されている。
【０１２１】
また、図１２に示した画素ＰＩＸにおいては、発光駆動回路ＤＣに設けられるトランジスタＴｒ２２が、例えば、データラインＬｄに沿って列方向（図面上下方向）に延在するように配置されている。また、トランジスタＴｒ２１、Ｔｒ２３が、例えば、補助電源ラインＬayに沿って列方向に延在するように配置されている。
【０１２２】
トランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２３はボトムゲート構造を有し、図１２、図１３に示すように、素子基板１１上に形成されたゲート電極Ｔｒ２１ｇ〜Ｔｒ２３ｇを被覆するようにゲート絶縁膜１３が設けられ、該ゲート絶縁膜１３上の、ゲート電極Ｔｒ２１ｇ〜Ｔｒ２３ｇに対応する領域に半導体層ＳＭＣ（図１２では省略）が設けられている。また、半導体層ＳＭＣに形成されるチャネル領域上にはチャネル保護層ＢＬが設けられ、当該チャネル保護層ＢＬを挟んで対向するようにソース電極Ｔｒ２１ｓ〜Ｔｒ２３ｓ及びドレイン電極Ｔｒ２１ｄ〜Ｔｒ２３ｄが設けられている。ソース電極Ｔｒ２１ｓ〜Ｔｒ２３ｓ及びドレイン電極Ｔｒ２１ｄ〜Ｔｒ２３ｄと半導体層ＳＭＣとの間には不純物層ＯＨＭ（図示を省略）が設けられている。
【０１２３】
そして、図１１（ｂ）に示した発光駆動回路ＤＣの回路構成に対応するように、トランジスタＴｒ２１は、図１２に示すように、ゲート電極Ｔｒ２１ｇがトランジスタＴｒ２２のゲート電極Ｔｒ２２ｇと一体的に形成されている。また、ゲート電極Ｔｒ２１ｇは、ゲート絶縁膜１３及び絶縁膜２４に設けられたコンタクトホールＨＬ２２を介して、選択ラインＬｓに接続されている。また、ドレイン電極Ｔｒ２１ｄは、図１２に示すように、補助電源ラインＬayと一体的に形成されている。また、ソース電極Ｔｒ２１ｓは、図１２に示すように、ゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＨＬ２１を介して、トランジスタＴｒ２３のゲート電極Ｔｒ２３ｇ及びキャパシタＣｓの下部電極Ｅcaに接続されている。ここで、コンタクトホールＨＬ２１は、図１１（ｂ）に示した発光駆動回路ＤＣの接点Ｎ２１に対応する。
【０１２４】
また、トランジスタＴｒ２２は、図１２に示すように、ゲート電極Ｔｒ２２ｇがトランジスタＴｒ２１のゲート電極Ｔｒ２１ｇと一体的に形成されている。また、ゲート電極Ｔｒ２２ｇは、ゲート絶縁膜１３及び絶縁膜２４に設けられたコンタクトホールＨＬ２２を介して、選択ラインＬｓに接続されている。また、ドレイン電極Ｔｒ２２ｄは、図１２に示すように、キャパシタＣｓの上部電極Ｅcbを兼ねる画素電極２１に接続されている。また、ソース電極Ｔｒ２２ｓは、図１２に示すように、ゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＨＬ２４を介して、データラインＬｄに接続されている。
【０１２５】
また、トランジスタＴｒ２３は、図１２、図１３に示すように、ゲート電極Ｔｒ２３ｇがゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＨＬ２２を介して、トランジスタＴｒ２１のソース電極Ｔｒ２１ｓに接続されている。また、ゲート電極Ｔｒ２３ｇは、キャパシタＣｓの下部電極Ｅcaに接続されている。また、ドレイン電極Ｔｒ２３ｄは、図１２、図１３に示すように、補助電源ラインＬayと一体的に形成されている。また、ソース電極Ｔｒ２３ｓは、図１２、図１３に示すように、キャパシタＣｓの上部電極Ｅcbを兼ねる画素電極２１に接続されている。
【０１２６】
キャパシタＣｓは、図１２、図１３に示すように、素子基板１１上に設けられた下部電極Ｅcaと、該下部電極Ｅcaに対向し、アルミニウム等の光反射率が高い金属膜からなる上部電極Ｅcbと、下部電極Ｅca及び上部電極Ｅcb間に介在するゲート絶縁膜１３と、を有している。ここで、ゲート絶縁膜１３は、キャパシタＣｓの誘電体層として兼用されている。また、上部電極Ｅcbは、有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極２１として兼用されている。すなわち、キャパシタＣｓは、有機ＥＬ素子ＯＥＬの下層側（素子基板１１側）に設けられている。そして、下部電極Ｅcaは、図１２、図１３に示すように、トランジスタＴｒ２１のソース電極Ｔｒ２１ｓ及びトランジスタＴｒ２３のゲート電極Ｔｒ２３ｇに接続されている。また、上部電極Ｅcbとして兼用される画素電極２１は、図１２、図１３に示すように、トランジスタＴｒ２２のドレイン電極Ｔｒ２２ｄ及びトランジスタＴｒ２３のソース電極Ｔｒ２３ｓと一体的に形成されている。ここで、画素電極２１とドレイン電極Ｔｒ２２ｄ及びソース電極Ｔｒ２３ｓとの接続部は、図１１（ｂ）に示した発光駆動回路ＤＣの接点Ｎ２２に対応する。
【０１２７】
有機ＥＬ素子ＯＥＬは、上述した第１の適用例と同様に、図１２、図１３に示すように、トランジスタＴｒ２２のドレイン電極Ｔｒ２２ｄ及びトランジスタＴｒ２３のソース電極Ｔｒ１２ｓに接続された画素電極（アノード電極）２１と、有機ＥＬ層（発光層）２２と、対向電極（カソード電極）２３と、を順次積層した素子構造を有している。
【０１２８】
また、隔壁２５は、上述した第１の適用例と同様に、例えば図１２、図１３に示すように、素子基板１１上に配列された画素ＰＩＸ相互の境界領域に形成された選択ラインＬｓ、データラインＬｄ、電源ラインＬａ、補助電源ラインＬay、トランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２３、及び、絶縁膜２４を被覆するように、素子基板１１表面から連続的に突出して、格子状の平面パターンを有するように設けられている。ここで、隔壁２５は、上述した各実施形態に示したように、例えば感光性の絶縁材料であるポリイミド系の樹脂材料により形成される。
【０１２９】
そして、上述した発光駆動回路ＤＣ、有機ＥＬ素子ＯＥＬ及び隔壁２５が形成された素子基板１１の一面側には、図１３に示すように、遮光性接着部３０を介して、対向基板１２が所定の間隙を有するように貼り合わされている。ここで、本適用例においても、遮光性接着部３０は、対向基板１２の接着面側に設けられ、遮光性を有する遮光性スペーサ層３１と、素子基板１１側の隔壁２５上に設けられ、光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料からなる接着層３２と、からなる積層構造を有している。したがって、遮光性接着部３０の遮光性スペーサ層３１と接着層３２の平面パターンについても、上述した適用例と同様に、少なくとも遮光性を有する遮光性スペーサ層３１が素子基板１１側の隔壁２５の平面パターンに対応した領域に格子状に設けられているものであればよい。すなわち、遮光性スペーサ層３１と接着層３２が、例えば同一の平面パターンを有しているものであってもよいし、接着層３２が、素子基板１１側に形成された対向電極２３の開口部２３ｃに対応する位置にのみ設けられているものであってもよい。
【０１３０】
そして、接着層３２が、対向基板１２の接着面側に形成された遮光性スペーサ層３１の表面と、素子基板１１側に設けられた隔壁２５上の対向電極２３との双方、又は、当該対向電極２３に形成された開口部２３ｃに露出する隔壁２５の上面との双方に、接着されることにより、素子基板１１と対向基板１２が所定の間隙（基板間ギャップ）を有して接着される。
【０１３１】
このような適用例に係る表示装置によれば、上述した各実施形態に示したように、トップエミッション型の発光構造を有する表示パネル１１０において、各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬ（有機ＥＬ層２２）から放射される光が対向基板１２を介して良好に視野側に出射されるとともに、各画素ＰＩＸ間の境界領域に設けられる選択ラインＬｓやデータラインＬｄ、電源ラインＬａ等の信号配線や、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、Ｔｒ２１〜Ｔｒ２３等の能動素子の電極による外光反射が抑制されるので、画質を向上させることができる。
【０１３２】
さらに、上記各適用例に示したパネル構造において、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、Ｔｒ２１〜Ｔｒ２３等の薄膜トランジスタがボトムゲート構造を有し、表示パネル１１０がトップエミッション型の発光構造を有している場合、外光が隔壁２５を介して各薄膜トランジスタのチャネル領域が形成される半導体層に入射され、それによってリーク電流等が発生して、各薄膜トランジスタの特性が変動したり誤動作が生じたりし易い。これに対し、遮光性接着部３０を、遮光性を有する材料を用いて形成することにより、各薄膜トランジスタの半導体層への外光の入射が抑制されて、薄膜トランジスタの特性を安定させ誤動作が発生しないようにすることができる。
【０１３３】
また、上述した適用例に係る表示装置によれば、表示パネル１１０の外部から過大な押圧力が印加された場合や、熱等に起因する歪みが生じた場合であっても、素子基板１１と対向基板１２との間隙（基板間ギャップ）を略一定に維持することができるので、画像のにじみやぼけの発生を抑制して、良好な画質を実現することができる。また、素子基板１１の画素アレイ１１１への対向基板１２の接触を回避することができるので、素子や回路の破損や特性劣化、封止破損の発生を防止又は抑制することができ、製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。
【０１３４】
＜電子機器の適用例＞
次に、上述した各実施形態に係る表示装置を適用した電子機器について図面を参照して説明する。
上述した各実施形態に示したパネル構造を有する表示パネル１１０を備える表示装置１００は、例えばデジタルカメラや薄型テレビジョン、パーソナルコンピュータ、携帯電話機等、種々の電子機器の表示デバイスとして良好に適用できるものである。
【０１３５】
図１４は、本発明に係る発光装置を適用したデジタルカメラの構成例を示す斜視図であり、図１５は、本発明に係る発光装置を適用した薄型テレビジョンの構成例を示す斜視図であり、図１６は、本発明に係る発光装置を適用したパーソナルコンピュータの構成例を示す斜視図であり、図１７は、本発明に係る発光装置を適用した携帯電話機の構成例を示す図である。
【０１３６】
図１４において、デジタルカメラ２１０は、大別して、本体部２１１と、レンズ部２１２と、操作部２１３と、上述した各実施形態に示した表示パネル１１０を備える表示装置１００を適用した表示部２１４と、シャッターボタン２１５とを備えている。これによれば、表示部２１４における外光反射を抑制することができるとともに、表示部２１４を構成する基板間ギャップ（間隙）を均一化することができ、表示画質を向上させることができる。また、画素アレイ（発光素子や駆動回路、信号配線等）の破損や特性劣化を防止して製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。
【０１３７】
また、図１５において、薄型テレビジョン２２０は、大別して、本体部２２１と、上述した各実施形態に示した表示パネル１１０を備える表示装置１００を適用した表示部２２２と、操作用コントローラ（リモコン）２２３と、を備えている。これによれば、表示部２２２における外光反射を抑制することができるとともに、表示部２２２を構成する基板間ギャップ（間隙）を均一化することができ、表示画質を向上させることができる。また、画素アレイ（発光素子や駆動回路、信号配線等）の破損や特性劣化を防止して製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。
【０１３８】
また、図１６において、パーソナルコンピュータ２３０は、大別して、本体部２３１と、キーボード２３２と、上述した各実施形態に示した表示パネル１１０を備える表示装置１００を適用した表示部２３３とを備えている。この場合においても、表示部２３３における外光反射を抑制することができるとともに、表示部２３３を構成する基板間ギャップ（間隙）を均一化することができ、表示画質を向上させることができる。また、画素アレイ（発光素子や駆動回路、信号配線等）の破損や特性劣化を防止して製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。
【０１３９】
また、図１７において、携帯電話機２４０は、大別して、操作部２４１と、受話口２４２と、送話口２４３と、上述した各実施形態に示した表示パネル１１０を備える表示装置１００を適用した表示部２４４とを備えている。この場合においても、表示部２４４における外光反射を抑制することができるとともに、表示部２４４を構成する基板間ギャップ（間隙）を均一化することができ、表示画質を向上させることができる。また、画素アレイ（発光素子や駆動回路、信号配線等）の破損や特性劣化を防止して製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。
【０１４０】
なお、上述した各電子機器においては、本発明に係る発光パネルを、複数の画素が２次元配列された表示パネルとして適用した場合について詳しく説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明に係る発光装置は、例えば発光素子を有する複数の画素が一方向に配列された発光素子アレイを備え、感光体ドラムに画像データに応じて発光素子アレイから出射した光を照射して露光する露光装置に適用するものであってもよい。
【符号の説明】
【０１４１】
１１ 素子基板
１２ 対向基板
２１ 画素電極
２２ 有機ＥＬ層
２３ 対向電極
２５ 隔壁
３０ 遮光性接着部
３１ 遮光性スペーサ層
３２ 接着層
４０ シール部
４１ フィラー
４２ 粘着層
５０ 封止空間
１００ 表示装置
１１０ 表示パネル
１１１ 画素アレイ
ＰＩＸ 画素
ＯＥＬ 有機ＥＬ素子
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光パネル及びその製造方法、発光装置、並びに、電子機器に関し、特に、発光素子が形成された素子基板に対向して封止基板を接合した封止構造を有する発光パネル及びその製造方法、該発光パネルを備えた発光装置、並びに、該発光装置を実装した電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機や携帯音楽プレーヤ等の電子機器の表示デバイスとして、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略記する）等の発光素子を二次元配列した表示パネル（発光素子型表示パネル）を適用したものが知られている。特に、アクティブマトリクス駆動方式を適用した発光素子型表示パネルにおいては、広く普及している液晶表示装置に比較して、表示応答速度が速く、視野角依存性も小さく、また、高輝度・高コントラスト化、表示画質の高精細化等が可能であるという特長を有している。加えて、発光素子型表示パネルは、液晶表示装置のようにバックライトや導光板を必要としないので、一層の薄型軽量化が可能であるという特長を有している。
【０００３】
このような発光素子型表示パネルに適用される発光素子の代表例である有機ＥＬ素子は、概略、対向して配置された一対の電極（陽極（アノード電極）と陰極（カソード電極））との間に、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層からなる有機ＥＬ層が積層された素子構造を有している。そして、有機ＥＬ素子は、一般に、絶縁性の素子基板の一面側に形成され、外気（水分や酸素等）による素子特性の劣化や物理的衝撃等の外的環境から保護するために、素子基板の一面側に対向するように封止基板を接合した（貼り合わせた）構成や、素子基板の一面側を封止樹脂で封止した構成が採用されている。なお、有機ＥＬ素子の素子構造や封止構造については、例えば特許文献１に記載されている。
【０００４】
そして、このような有機ＥＬ素子を適用した発光素子型表示パネルにおいては、いわゆるトップエミッション型とボトムエミッション型の発光構造が知られている。トップエミッション型は、上述した有機ＥＬ素子の素子構造において、一対の電極のうち、素子基板側に配置される一方側の電極を反射性を有する金属電極により形成し、封止基板側に配置される他方側の電極を透明電極により形成して、有機ＥＬ層から放射された光を、透明電極及び封止基板を介して、表示パネルの視野側に出射して画像を表示するものである。
【０００５】
また、ボトムエミッション型は、有機ＥＬ素子の素子構造において、素子基板側に配置される一方側の電極を透明電極により形成し、封止基板側に配置される他方側の電極を反射性を有する金属電極により形成して、有機ＥＬ層から放射された光を、透明電極及び素子基板を介して、表示パネルの視野側（素子基板の他面側）に出射して画像を表示するものである。このような有機ＥＬ素子の発光構造については、例えば特許文献２に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−０８０３０７号公報
【特許文献２】特開２００８−２１８００４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上述したような発光素子型表示パネルにおいては、有機ＥＬ素子等の発光素子を含む画素を駆動するために素子基板上に信号配線や能動素子（薄膜トランジスタ等）が形成されている。ここで、信号配線や能動素子の電極は、電気抵抗を低減し、素子特性を向上させるために、一般に金属材料等の反射性を有する導電性材料により形成されている。
【０００８】
このようなパネル構造を有する表示パネルにおいて、特に、上述したトップエミッション型の発光構造を有する場合には、視野側から封止基板を介して表示パネル内部に入射した光（外光）が、上記信号配線や能動素子の電極で反射して、視野側から視認されてしまい、表示画像の画質を劣化させるという問題を有していた。
【０００９】
また、上述したような素子基板の一面側に封止基板を接合した封止構造においては、通常、封止基板の周縁部において封止材を介して封止基板と素子基板が接合されている。ここで、封止基板の内面と、素子基板に形成される有機ＥＬ素子、及び、当該有機ＥＬ素子を発光駆動させるための能動素子（薄膜トランジスタ等）や信号配線の上面との間には、ある程度の間隙（基板間ギャップ）が設けられている。
【００１０】
このような封止構造を有する表示パネルにおいては、素子基板に封止基板を貼り合わせる製造工程で封止基板を素子基板側に押圧したときや、当該表示パネルを搭載した電子機器の使用時に外部から押圧力が加えられたとき、また、表示パネル自体に熱等に起因する歪みが生じたとき等に、素子基板と封止基板間の間隙が不均一になる可能性があった。そのため、トップエミッション型の発光構造を有する表示パネルにおいて、発光素子からの出射光の光軸がずれて画像ににじみやぼけが生じ、画質の劣化を招くという問題を有していた。
【００１１】
加えて、上述した押圧力や歪みが過大である場合には、封止基板の内面が素子基板側に接触して、例えば素子基板側に形成された薄膜トランジスタの素子破損やトランジスタ特性の変動、有機層や配線層、層間絶縁膜の剥離、配線間ショート、封止破損等の不良を招いて、製造歩留まりや品質の低下を招くという問題を有していた。
【００１２】
そこで、本発明は、上述した問題点に鑑み、外光や基板間ギャップの不均一に起因する影響を防止して良好な画質を実現することができるとともに、基板への押圧力や歪みによる不良の発生を抑制して製造歩留まりや品質の向上を図ることができる発光パネル及びその製造方法、発光装置、並びに、電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
請求項１記載の発明に係る発光パネルは、各々が発光素子を有する複数の画素と、前記各画素の前記発光素子の形成領域を区画する境界領域に連続的に設けられた隔壁と、が一面側に設けられた第１の基板と、一面側が前記第１の基板の前記一面側に対向して設けられ、前記第１の基板の前記一面側を封止する第２の基板と、前記隔壁の平面パターンに対応した平面パターンを有して前記第２の基板の前記一面側に密着して設けられ、かつ、遮光性を有する遮光性スペーサ層と、前記遮光性スペーサ層の前記第１の基板の前記一面側に対向する面側と前記第１の基板の前記一面側とに接着される接着層と、を備えることを特徴とする。
【００１４】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発光パネルにおいて、前記発光素子は、発光層と、該発光層を介して互いに対向する一対の電極とを有し、該一対の電極のいずれか一方をなす電極層が前記隔壁上に延在して設けられ、前記接着層は、少なくとも前記隔壁上に延在する前記電極層の一部が除去された開口部に対応する領域に設けられていることを特徴とする。
請求項３記載の発明は、請求項１又は２に記載の発光パネルにおいて、前記遮光性スペーサ層は、前記隔壁の平面パターンに対応した連続する平面パターンを有していることを特徴とする。
請求項４記載の発明は、請求項１乃至３のいずれかに記載の発光パネルにおいて、前記発光素子はトップエミッション構造を有し、前記各画素は、少なくとも、前記発光素子を発光駆動させるための複数の薄膜トランジスタを備え、該各薄膜トランジスタはゲート電極が半導体層の下部に設けられたボトムゲート構造を有していることを特徴とする。
【００１５】
請求項５記載の発明に係る発光パネルの製造方法は、第１の基板の一面側に、各々が発光素子を有する複数の画素と、前記各画素の前記発光素子の形成領域を区画する境界領域に連続的に設けられる隔壁と、を形成する工程と、前記第１の基板の前記一面側を封止するための第２基板を準備する工程と、前記隔壁の平面パターンに対応した平面パターンを有し、かつ、遮光性を有する遮光性スペーサ層を前記第２基板の一面側に密着して形成する工程と、前記遮光性スペーサ層の前記第１の基板の前記一面側に対向する面に、接着性を有する樹脂材料を有する接着材層を形成する工程と、前記第１の基板の前記一面側に前記第２の基板の前記一面側を対向させ、押圧力を印加して、前記遮光性スペーサ層と前記接着層を介して、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる工程と、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせた状態で、前記接着材層を所定の条件により硬化させて接着層を形成し、該接着層を介して前記遮光性スペーサ層の前記第１の基板の前記一面側に対応する面側と前記第１の基板の前記一面側とを接着する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１６】
請求項６記載の発明は、請求項５記載の発光パネルの製造方法において、前記発光素子は、発光層と、該発光層を介して互いに対向する一対の電極と、を備え、前記第１の基板の前記一面側に前記画素を形成する工程は、前記発光素子の前記一対の電極のいずれか一方をなす電極層を前記隔壁上に延在させて形成する工程と、前記隔壁上に延在する前記電極層の一部を除去した開口部を形成する工程と、を含み、前記接着材層を形成する工程は、前記遮光性スペーサ層の前記第１の基板の前記一面側に対向する面の、少なくとも前記開口部に対応する位置に前記接着材層を形成する工程を含むことを特徴とする。
【００１７】
請求項７記載の発明に係る発光装置は、各々が発光素子を有する複数の画素と、該複数の画素に接続された複数の選択ライン及び複数のデータラインと、前記各画素の前記発光素子の形成領域を区画する境界領域に連続的に設けられた隔壁と、が一面側に設けられた第１の基板と、一面側が前記第１の基板の前記一面側に対向して設けられ、前記第１の基板の前記一面側を封止する第２の基板と、前記隔壁の平面パターンに対応した平面パターンを有して前記第２の基板の前記一面側に密着して設けられ、かつ、遮光性を有する遮光性スペーサ層と、前記遮光性スペーサ層の前記第１の基板の前記一面側に対向する面側と前記第１の基板の前記一面側とに接着される接着層と、を具備する発光パネルと、前記各選択ラインを介して、前記画素を選択状態に設定するための選択信号を印加する選択駆動回路と、前記各データラインを介して、前記選択状態に設定された前記画素に画像データに応じた階調信号を書き込む信号駆動回路と、を備えていることを特徴とする。
【００１８】
請求項８記載の発明は、請求項７記載の発光装置において、前記発光素子は、発光層と、該発光層を介して互いに対向する一対の電極とを有し、該一対の電極のいずれか一方をなす電極層が前記隔壁上に延在して設けられ、前記接着層は、前記隔壁上に延在する前記電極層の一部が除去された開口部内に対応する領域に設けられていることを特徴とする。
請求項９記載の発明は、請求項７又は８に記載の発光装置において、前記遮光性スペーサ層は、前記隔壁の平面パターンに対応した連続する平面パターンを有していることを特徴とする。
請求項１０記載の発明は、請求項７乃至９のいずれかに記載の発光装置において、前記発光素子はトップエミッション構造を有し、前記各画素は、少なくとも、前記発光素子を発光駆動させるための複数の薄膜トランジスタを備え、該各薄膜トランジスタはゲート電極が半導体層の下部に設けられたボトムゲート構造を有していることを特徴とする。
請求項１１記載の発明に係る電子機器は、請求項７乃至１０のいずれかに記載の発光装置が実装されてなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る発光パネル及びその製造方法、発光装置、並びに、電子機器によれば、良好な画質を実現することができるとともに、製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明に係る発光装置を適用した表示装置の表示パネルの第１の実施形態を示す概略平面図である。
【図２】第１の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成の一例を示す概略断面図である。
【図３】第１の実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を示す工程断面図である。
【図４】第１の実施形態に係る表示装置における作用効果を示す説明図である。
【図５】第２の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成を示す概略断面図である。
【図６】第２の実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を示す工程断面図である。
【図７】第２の実施形態に係る表示装置における作用効果を示す説明図である。
【図８】本発明に係る表示パネル（発光パネル）を適用した表示装置の第１の具体例を示す概略構成図である。
【図９】第１の適用例に係る画素の一例を示す平面レイアウト図である。
【図１０】第１の適用例に係る画素の要部断面図である。
【図１１】本発明に係る表示パネルを適用した表示装置の第２の具体例を示す概略構成図である。
【図１２】第２の適用例に係る画素の一例を示す平面レイアウト図である。
【図１３】第２の適用例に係る画素の要部断面図である。
【図１４】本発明に係る発光装置を適用したデジタルカメラの構成例を示す斜視図である。
【図１５】本発明に係る発光装置を適用した薄型テレビジョンの構成例を示す斜視図である。
【図１６】本発明に係る発光装置を適用したパーソナルコンピュータの構成例を示す斜視図である。
【図１７】本発明に係る発光装置を適用した携帯電話機の構成例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明に係る発光パネル及びその製造方法、発光装置並びに電子機器について、実施形態を示して詳しく説明する。
＜第１の実施形態＞
まず、本発明に係る発光装置について説明する。ここでは、本発明に係る発光装置を表示装置として適用し、また、発光素子として有機ＥＬ素子を適用した場合について説明する。
【００２２】
（表示装置）
図１は、本発明に係る発光装置を適用した表示装置の表示パネルの第１の実施形態を示す概略平面図である。なお、図示の都合上、図１においては対向基板の表示を省略した。図２は、本実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成の一例を示す概略断面図である。図２（ａ）は、図１に示した表示パネルにおけるIIＡ−IIＡ線（本明細書においては図１中に示したローマ数字の「２」に対応する記号として便宜的に「II」を用いる。）に沿った断面を示す図である。また、図２（ｂ）は、本実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成の他の例を示す概略断面図である。
【００２３】
本発明の第１の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネル（発光パネル）１１０は、例えば図１、図２（ａ）に示すように、平板ガラス等の絶縁性の素子基板（第１の基板）１１と対向基板（第２の基板）１２とが対向して接合（接着）された構成を有している。素子基板１１の一面側（図１の紙面手前側、及び、図２（ａ）の上面側）には、発光素子である有機ＥＬ素子ＯＥＬを有する複数の画素ＰＩＸが二次元配列された画素アレイ１１１が設けられている。
【００２４】
各画素ＰＩＸに設けられる有機ＥＬ素子ＯＥＬは、例えば図２（ａ）に示すように、アノード電極となる画素電極２１と、有機ＥＬ層（発光層）２２と、カソード電極となる対向電極２３とが順次積層された素子構造を有している。また、隣接して配列された画素ＰＩＸ間の領域（境界領域）には、薄膜トランジスタ等の能動素子ＴＲ、信号配線ＬＮ、当該薄膜トランジスタ等の能動素子ＴＲ及び信号配線ＬＮを覆う絶縁膜２４及び隔壁（バンク）２５が形成され、少なくとも各有機ＥＬ素子ＯＥＬを構成する画素電極２１及び有機ＥＬ層２２が、隣接する画素ＰＩＸとの間で電気的に絶縁されるように隔離されている。
【００２５】
対向して配置された素子基板１１と対向基板１２は、図１、図２（ａ）に示すように、画素アレイ１１１の外周領域に設けられたシール部（封止部）４０を介して接合され、画素アレイ１１１が封止空間５０内に封止されて外的環境の影響を受けないように保護されている。
【００２６】
シール部４０は、例えば図２（ａ）に示すように、フィラー４１入りの粘着層（シール材）４２からなり、当該シール部４０が画素アレイ１１１の外周領域に連続的に設けられることにより、素子基板１１と平板ガラスからなる対向基板１２が接合されて封止される。シール部４０は、具体的には、所定の粒径を有する非導電性（絶縁性）の樹脂ビーズからなるフィラー４１を、非導電性の光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料を有する粘着層４２に拡散したものが適用される。
【００２７】
また、シール部４０の他の構造としては、例えば図２（ｂ）に示すように、平板ガラスの縁辺部（上述した画素アレイ１１１の外周領域に対応する領域）を連続的に残すようにザグリ加工したザグリガラスを対向基板１２として用いて、当該ザグリ部１２ｚにおいて粘着層（シール材）４２を介して、素子基板１１と対向基板１２を接合して封止したものであってもよい。なお、以下に示す各実施形態においては、表示パネル１１０の構造として、説明の都合上、図２（ａ）に示したフィラー４１入り粘着層４２を介して、素子基板１１と平板ガラスからなる対向基板１２を接合したパネル構造を用いた場合について説明する。なお、封止空間５０内の例えば対向基板１２の接合面（後述する接着面に対応、図２（ａ）下面側）側に、図示を省略した乾燥剤や乾燥シートを設けるようにしてもよい。この場合、封止空間５０内の水分（湿気）や腐食性の気体が乾燥剤や乾燥シートにより除去又は低減されて、画素アレイ１１１（特に、有機ＥＬ素子ＯＥＬ）の素子特性の劣化や接続不良の発生を抑制することができる。
【００２８】
そして、本実施形態に係る表示パネル１１０においては、特に、図２（ａ）に示すように、対向基板１２とシール部４０により形成される封止空間５０内に封止された画素アレイ１１１（隣接する画素ＰＩＸ間）の隔壁２５と対向基板１２との間に遮光性接着部３０が設けられている。ここで、遮光性接着部３０は、少なくとも遮光性を有する遮光性スペーサ層を含む単層構造、又は、当該遮光性スペーサ層を含む複数層からなる積層構造を有している。また、遮光性接着部３０は、素子基板１１側の隔壁２５の上面と、対向基板１２の接着面（図面下面）の双方に接着されて、素子基板１１と対向基板１２とを接着し、かつ、素子基板１１と対向基板１２との間隙（基板間ギャップ）が均一になるように設けられている。さらに、遮光性接着部３０は、図１に示すように、隔壁２５の平面パターンに対応する、例えば各画素ＰＩＸを取り囲む格子状の平面パターンを有して設けられている。ここで、図１においては、一例として、遮光性接着部３０が隔壁２５の平面パターンに対応した各画素ＰＩＸを取り囲む格子状の平面パターンを有して連続的に設けられる構成とした。遮光性接着部３０は、このように連続的に設けられていることが好ましいが、本発明はこれに限るものではなく、隔壁２５の平面パターンに対応した平面パターンの一部が欠けた、不連続な平面パターンを有して設けられているものであってもよい。
【００２９】
具体的には、遮光性接着部３０は、例えば図２（ａ）に示すように、対向基板１２側に設けられ、遮光性を有する遮光性スペーサ層３１と、素子基板１１（隔壁２５）側に設けられ、光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料を有する接着層３２とを積層した構造を有している。ここで、遮光性スペーサ層３１は、それ自体では接着性の低い材料であってもよいが、少なくとも遮光性を有するとともに、比較的精度良く厚みを制御することができ、素子基板１１と対向基板１２との間隙（基板間ギャップ）を任意に設定することができる材料が適用される。具体的には、遮光性スペーサ層３１は、例えば酸化クロム等の金属酸化膜を適用することができる。なお、本発明に適用される遮光性スペーサ層３１の材質は、金属酸化物に特に限定されるものではなく、遮光性を有する不透明な膜であれば導電性の膜であっても非導電性の膜であってもよい。一方、接着層３２は、素子基板１１（厳密には隔壁２５上の対向電極２３）と対向基板１２（厳密には遮光性スペーサ層３１）との双方に対して接着性が高く、強固に接着することができる材料が適用される。具体的には、接着層３２は、例えば光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料を有して形成される。
【００３０】
このようなパネル構造により、本実施形態に係る表示パネル１１０においては、素子基板１１の一面側（図２（ａ）上面側）と対向基板１２の接着面側（下面側）との間隙が、シール部４０及び遮光性接着部３０が設けられていない領域における表示パネル１１０の素子基板１１と対向基板１２が対向する領域において、素子基板１１（画素アレイ１１１）の上面に対向基板１２が接触しないように、所定の値で、かつ、略均一に設定される。
【００３１】
なお、各画素ＰＩＸ間（境界領域）に設けられる絶縁膜２４又は隔壁２５の下層には、各画素ＰＩＸを駆動（具体的には有機ＥＬ素子ＯＥＬを発光動作）させるための信号配線ＬＮや薄膜トランジスタ等の能動素子ＴＲが設けられている。画素ＰＩＸ間の境界領域に設けられる遮光性接着部３０と、信号配線ＬＮ及び薄膜トランジスタ等の能動素子ＴＲとの位置関係については、後述する表示装置への適用例において詳しく説明する。
【００３２】
また、図１に示すように、素子基板１１上の画素アレイ１１１の周辺領域には、上記各画素ＰＩＸを駆動するための信号や電源を供給するための引き出し配線Ｌｒが設けられている。引き出し配線Ｌｒは一端側が画素アレイ１１１（各画素ＰＩＸ）に接続され、他端側が例えば素子基板１１の端部に設けられた接続端子ＴＭに接続されている。接続端子ＴＭは、例えばフィルム基板（フレキシブルプリント基板）ＦＰＣ等を介して、素子基板１１の外部に設けられた各種のドライバ（例えば選択ドライバ１２０やデータドライバ１３０；詳しくは後述する）、あるいは、これらの各ドライバ機能を備えたドライバチップに接続されている。
【００３３】
また、図２（ａ）、（ｂ）においては、素子基板１１上に、有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極２１が直接形成された素子構造を示したが、本発明はこれに限定されるものではない。有機ＥＬ素子ＯＥＬは、例えば、素子基板１１上に図示を省略した絶縁膜（ゲート絶縁膜や層間絶縁膜等）を介して画素電極２１が形成された素子構造を有するものであってもよい。また、図２（ａ）、（ｂ）においては、素子基板１１上の有機ＥＬ素子ＯＥＬの対向電極２３が露出した状態で、対向基板１２により封止されたパネル構造を示したが、本発明はこれに限定されるものではない。表示パネル１１０は、有機ＥＬ素子ＯＥＬを含む画素アレイ１１１を、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等からなる封止層（保護絶縁膜）により被覆した状態で、素子基板１１に対向基板１２を対向するように接合及び接着した構造を有するものであってもよい。その場合は、上述した遮光性接着部３０は、素子基板１１上の封止層に接着するように設けられる。
【００３４】
（表示パネルの製造方法）
次に、本実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの製造方法について説明する。
図３は、本実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を示す工程断面図である。ここでは、図２（ａ）に示した断面構造を有する表示パネルについて製造方法を説明する。
【００３５】
上述した表示パネル１１０の製造方法は、まず、図３（ａ）に示すように、素子基板１１の一面側（図面上面側）に、画素アレイ１１１の各画素ＰＩＸに含まれる有機ＥＬ素子ＯＥＬ、及び、該有機ＥＬ素子ＯＥＬを発光動作させるための能動素子ＴＲ（薄膜トランジスタ等）や信号配線ＬＮを形成する。有機ＥＬ素子ＯＥＬは、素子基板１１上に、画素電極２１と、例えば正孔輸送層、発光層及び電子輸送層からなる有機ＥＬ層（発光層）２２と、対向電極２３を順次積層することにより形成される。なお、能動素子ＴＲや信号配線ＬＮは、素子基板１１上に有機ＥＬ素子ＯＥＬを形成する工程に先立って、素子基板１１上に形成される。ここで、能動素子ＴＲや信号配線ＬＮを形成する工程は、例えば有機ＥＬ素子ＯＥＬを構成する画素電極２１を形成する工程と一部が供用するものであってもよい。
【００３６】
画素アレイ１１１の形成工程は、具体的には、素子基板１１の一面側に、画素ＰＩＸの形成領域ごとに有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード電極となる画素電極２１を形成する。次いで、隣接する画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬ相互を電気的に絶縁するとともに、個別の発光特性を設定するために、画素ＰＩＸ間の境界領域に絶縁膜２４、能動素子ＴＲ、信号配線ＬＮ、及び隔壁２５を形成する。ここで、絶縁膜２４は、上述した能動素子ＴＲや信号配線ＬＮを形成するためのゲート絶縁膜や層間絶縁膜として適用されるものであってもよい。また、隔壁２５は、素子基板１１表面から対向基板１２方向に突出するように、例えば感光性の絶縁材料であるポリイミド系の樹脂材料により形成される。これにより、隔壁２５は、後述する有機ＥＬ層２２の形成工程において、隣接する画素ＰＩＸ間で、有機化合物含有液の漏出や乗り越えを抑制して、隣接画素相互の混色を防止する。
【００３７】
次いで、各画素ＰＩＸの形成領域において、絶縁膜２４及び隔壁２５に被覆されずに露出する画素電極２１上に、インクジェット法やノズルプリンティング法等を用いて、有機高分子系の正孔輸送性材料を含む溶液（有機化合物含有液）を塗布し、加熱乾燥して正孔輸送層を形成する。次いで、正孔輸送層が形成された画素電極２１上に、上記と同様の手法を用いて、有機高分子系の発光材料を含む溶液（有機化合物含有液）を塗布し、加熱乾燥して発光層を形成する。さらに、発光層が形成された画素電極２１上に、上記と同様の手法を用いて、有機高分子系の電子輸送性材料を含む溶液（有機化合物含有液）を塗布し、加熱乾燥して電子輸送層を形成する。この一連の工程により、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層が積層された有機ＥＬ層２２が形成される。
【００３８】
次いで、画素アレイ１１１に配列された各画素ＰＩＸに共通するように、単一の電極層（べた電極）からなる対向電極２３を形成する。ここで、対向電極２３は、図３（ａ）に示すように、各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域だけでなく、画素ＰＩＸ間の境界領域に形成された隔壁２５上にも延在するように設けられている。
【００３９】
ここで、本実施形態においては、有機ＥＬ素子ＯＥＬがトップエミッション型の発光構造を有しているので、画素電極２１は、例えばアルミニウム等の光反射率が高い金属膜により形成され、対向電極２３は、例えば錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）等からなる透明電極膜により形成される。
【００４０】
一方、予め対向基板１２の接着面側に、スッパタリング法や蒸着法等を用いて、酸化クロム等からなる遮光性を有する膜を一定の膜厚で密着して形成する。その後、フォトリソグラフィ法を用いて、当該遮光性を有する膜をエッチングして、図１、図３（ｂ）に示すように、素子基板１１側に形成された画素アレイ１１１内の隔壁２５の形成領域（すなわち、画素ＰＩＸ間の境界領域）に対応する領域にのみ、遮光性を有する膜を残すように形成する。これにより、対向基板１２の接着面側に、隔壁２５の平面パターンに対応する格子状の平面パターンを有する、所定の厚みの遮光性スペーサ層３１が形成される。次いで、遮光性スペーサ層３１の表面（図３（ｂ）では下面に相当する）に、印刷法や転写法等を用いて、光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料からなる接着材層３２ｘを形成する。また、図１、図３（ｂ）に示すように、素子基板１１に形成された画素アレイ１１１の外周領域に、所定の粒径を有するフィラー４１が拡散された接着材による封止材層４２ｘを塗布して形成する。
【００４１】
ここで、遮光性スペーサ層３１の表面に形成される接着材層３２ｘは、遮光性スペーサ層３１の平面パターンと同一の領域に形成されるものであってもよいし、当該遮光性スペーサ層３１の平面パターンのうちの一部の、特定の位置又は領域に、例えば周期的に配置形成（規則的に配置）されるものであってもよい。また、遮光性スペーサ層３１、及び、該遮光性スペーサ層３１の上面に形成される接着材層３２ｘの厚みは、対向基板１２表面から当該接着材層３２ｘの上面までの寸法と、素子基板１１表面から隔壁２５上の対向電極２３の上面までの寸法との総和が、画素アレイ１１１の外周領域に形成される封止材層４２ｘに拡散されるフィラー４１の粒径（直径）と同等、もしくは、該フィラー４１の粒径よりも僅かに大きくなるように、上記隔壁２５の突出高さに応じて適切に設定される。
【００４２】
次いで、図３（ｂ）に示すように、素子基板１１の一面側に対向基板１２を対向するように貼り合わせる。このとき、素子基板１１に対して対向基板１２が所定の力で押圧されることにより、画素アレイ１１１の外周領域に形成された封止材層４２ｘ中のフィラー４１、及び、画素アレイ１１１内の隔壁２５に対応して形成された接着材層３２ｘが撓む。これにより、画素アレイ１１１の外周領域においては、封止材層４２ｘが素子基板１１の一面側及び対向基板１２の接着面側の双方の表面に接着される。また、同時に、画素アレイ１１１内の隔壁２５上の対向電極２３及び対向基板１２の接着面側の遮光性スペーサ層３１の端面の双方の表面に、接着材層３２ｘが接着される。
【００４３】
次いで、画素アレイ１１１の外周領域に形成された封止材層４２ｘ中のフィラー４１の撓みをなくした状態（あるいは、当該撓みがなくなる程度の力で対向基板１２を押圧した状態）で、図３（ｃ）に示すように、対向基板１２が貼り合わせられた素子基板１１に対して、所定の波長の光（例えば紫外線）ＵＶを照射、あるいは、所定の温度で熱処理を施すことにより、画素アレイ１１１の外周領域の封止材層４２ｘ、及び、画素アレイ１１１内の接着材層３２ｘを硬化させる。これにより、封止材層４２ｘ及び接着材層３２ｘは、各々、素子基板１１と対向基板１２の双方に接着して硬化する。なお、このような封止工程は、例えば、所定の気圧の不活性ガス雰囲気中で行われる。
【００４４】
すなわち、図２（ａ）に示したように、素子基板１１の画素アレイ１１１の外周領域においてはフィラー４１が拡散された粘着層４２を介して、また、画素アレイ１１１内においては隔壁２５上の遮光性を有する遮光性スペーサ層３１と光硬化性あるいは熱硬化性の接着層３２とからなる積層構造を有する遮光性接着部３０を介して、素子基板１１に対向基板１２が接着される。これにより、素子基板１１上の画素アレイ１１１が対向基板１２及びフィラー４１入り粘着層４２により形成される封止空間５０内に封止される。
【００４５】
このとき、素子基板１１と対向基板１２との間隙（基板間ギャップ）は、画素アレイ１１１の外周領域においては、フィラー４１の粒径に基づいて設定され、また、画素アレイ１１１内においては、遮光性スペーサ層３１の厚みに基づいて設定される。ここで、上述したように、遮光性スペーサ層３１と接着層３２となる接着材層３２ｘの厚みは、画素アレイ１１１の外周領域に塗布されるフィラー４１の粒径に基づいて設定される。遮光性スペーサ層３１は酸化クロム等の金属酸化膜により形成されているため、樹脂層からなる接着層３２に比較して撓みが小さい。したがって、画素アレイ１１１内の遮光性接着部３０においては、画素アレイ１１１内における素子基板１１と対向基板１２の間隙（基板間ギャップ）が、外周領域における間隙（すなわちフィラー４１の粒径）と同等かつ略均一になるように、接着層３２の厚みが調整されて硬化する。すなわち、画素アレイ１１１の外周領域及び内部において、素子基板１１と対向基板１２が略均一な間隙（基板間ギャップ）を有するとともに、強固に接着される。
【００４６】
（作用効果）
次に、本実施形態に係る表示装置における作用効果について検証する。
図４は、本実施形態に係る表示装置における作用効果を示す説明図である。
上述したように、本実施形態に係る表示装置においては、画素アレイ１１１に配列される各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬを駆動（発光動作）させるための信号配線ＬＮや能動素子ＴＲが形成された領域（画素ＰＩＸ間の境界領域）に、遮光性接着部３０が形成されている。具体的には、図４に示すように、隔壁２５の下層に形成された信号配線ＬＮや能動素子ＴＲに対して視野側（図面上方側）から見て平面的に重なり、信号配線ＬＮや能動素子ＴＲが視認されないように、隔壁２５上に遮光性を有する遮光性スペーサ層３１を含む遮光性接着部３０が形成されている。
【００４７】
このようなパネル構造を有する表示パネル１１０によれば、信号配線ＬＮや能動素子ＴＲの電極が反射性を有する金属層により形成されている場合であっても、図４に示すように、表示パネル１１０の外部から入射する光（外光）ＬＴｘや、表示パネル１１０の内部に入射して信号配線ＬＮや能動素子ＴＲの電極で反射した光が隔壁２５上の遮光性接着部３０に含まれる遮光性を有する遮光性スペーサ層３１により遮断又は吸収されて、視野側への出射が抑制される。
【００４８】
すなわち、トップエミッション型の発光構造を有する表示パネル１１０において、ほぼ各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬ（有機ＥＬ層２２）から放射される光ｈνのみが、対向基板１２を介して視野側に出射されて、信号配線ＬＮや能動素子ＴＲの電極による外光反射が抑制される。したがって、画像表示に関わる光ｈνのみが良好に視認されるので、画質を向上させることができる。なお、図４において、光ｈνは、有機ＥＬ素子ＯＥＬの有機ＥＬ層２２において放射され、対向電極２３及び対向基板１２を介して、直接視野側に出射される光、及び、画素電極２１において反射した後、対向基板１２を介して、視野側に出射される光の合成光である。
【００４９】
また、特に薄膜トランジスタ等の能動素子ＴＲがゲート電極が半導体層の下部に設けられるボトムゲート構造を有する場合、外光が隔壁２５を介してチャネル領域となる半導体層に入射し易い。このように外光が半導体層に入射することにより、リーク電流等が生じて、素子特性（動作特性）が変化又は劣化したり、誤動作が生じたりすることが知られている。本実施形態に係る表示パネル１１０によれば、能動素子ＴＲが形成された領域（画素ＰＩＸ間の境界領域）を被覆するように、遮光性を有する遮光性接着部３０が形成されているので、薄膜トランジスタの半導体層への外光ＬＴｘの入射を抑制して、素子特性の変化又は劣化や誤動作に伴う表示品質の低下を抑制することができる。
【００５０】
また、本実施形態によれば、素子基板１１と対向基板１２が画素アレイ１１１の外周領域だけでなく、画素アレイ１１１内においても、遮光性接着部３０を介して強固に接着されているので、素子基板１１に対向基板１２を貼り合わせる工程において、対向基板１２を素子基板１１側に押圧したときや、本実施形態に係る表示パネル１１０を搭載した電子機器において、使用時に外部から表示パネル１１０に押圧力が加えられたとき、また、表示パネル自体に熱等に起因する歪みが生じたときであっても、素子基板１１と対向基板１２との間隙（基板間ギャップ）を略一定に維持することができる。したがって、有機ＥＬ素子ＯＥＬからの出射光の経路（角度及び距離）を均一化して画像のにじみやぼけの発生を抑制することができ、良好な画質を実現することができる。
【００５１】
また、本実施形態によれば、上述したような押圧力が過大な場合であっても、対向基板１２が素子基板１１の画素アレイ１１１に直接接触することを回避することができるので、有機ＥＬ素子ＯＥＬや他の能動素子ＴＲ、配線等の破損や特性劣化、封止破損の発生を防止又は抑制することができ、製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。上述したような本実施形態における作用効果は、素子基板１１に対向基板１２を接着するパネル構造を有する表示パネル全般において有効であるが、基板の変形が生じやすく、強度が重要視される大型の表示パネルにおいて特に有効である。
【００５２】
なお、本実施形態においては、素子基板１１に設けられる隔壁２５の形成領域（画素ＰＩＸ間の境界領域）に対応するように、対向基板１２の接着面側に酸化クロム等からなる遮光性を有する遮光性スペーサ層３１を形成した後、接着層３２を介して、素子基板１１と対向基板１２とを接着する表示パネルの製造方法について説明した。このような製造手順を適用するのは次のような理由によるものである。すなわち、一般に、酸化クロム等の金属酸化膜を形成するために用いられるスパッタリング法や蒸着法では、成膜温度が高いという特徴を有している。一方、有機ＥＬ素子ＯＥＬが形成された素子基板１１は、有機ＥＬ層の劣化や層間剥離等の損傷を防止するため、高温での処理を極力避ける必要がある。そこで、本実施形態においては、上述したように、有機ＥＬ素子ＯＥＬが形成されていない対向基板１２側に、金属酸化膜からなる遮光性スペーサ層３１をスパッタリング法や蒸着法を用いて形成することにより、素子基板１１に形成された有機ＥＬ素子ＯＥＬの特性劣化を防止することができるとともに、成膜条件に制約を受けることなく、所望の厚みの遮光性スペーサ層３１を形成することができるものである。
【００５３】
＜第２の実施形態＞
次に、本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの第２の実施形態について説明する。
（表示パネル）
図５は、第２の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成を示す概略断面図である。図５は、図２（ａ）、（ｂ）と同様に、図１に示した表示パネルにおけるIIＡ−IIＡ線に沿った断面を示す図である。ここで、上述した第１の実施形態と同等の構成については同一の符号を付して説明を簡略化する。
【００５４】
上述した第１の実施形態においては、表示パネル１１０における外光反射を抑制するとともに、素子基板１１と対向基板１２とを強固に接着して、その間隙（素子間ギャップ）を均一化するための遮光性スペーサ層３１及び接着層３２を、素子基板１１側に形成される隔壁２５上の対向電極２３上面に直接接着したパネル構造について説明した。第２の実施形態に係る表示パネル１１０においては、図５に示すように、上記の遮光性スペーサ層３１及び接着層３２を、素子基板１１側に形成される隔壁２５上の対向電極２３を部分的に除去して、露出した隔壁２５上面に直接接着したパネル構造を有している。
【００５５】
すなわち、本実施形態においては、図５（ａ）に示すように、素子基板１１と対向基板１２は、画素アレイ１１１の外周領域においては、上述した第１の実施形態と同様に、フィラー４１入り粘着層４２を介して接着される。一方、画素アレイ１１１内においては、素子基板１１と対向基板１２は、図５（ａ）に示すように、対向電極２３を部分的に除去して形成された開口部２３ｃ内に露出する隔壁２５の上面に直接接着された遮光性接着部３０を介して接着されている。遮光性接着部３０は、上述した第１の実施形態と同様に、対向基板１２の接着面側に設けられ、遮光性を有する遮光性スペーサ層３１と、素子基板１１側の一面側（隔壁２５側）に設けられ、光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料からなる接着層３２と、からなる積層構造を有している。
【００５６】
ここで、遮光性を有する遮光性スペーサ層３１は、隔壁２５の平面パターンに対応して、例えば格子状に設けられている。また、隔壁２５が設けられる各画素ＰＩＸ間の境界領域には、絶縁膜２４又は隔壁２５の下層に、各画素ＰＩＸを駆動させるための信号配線ＬＮや能動素子ＴＲが設けられている。そして、このような遮光性接着部３０において、隔壁２５の平面パターンに対応して対向基板１２の接着面側に密着して設けられた遮光性スペーサ層３１の表面と、素子基板１１側の対向電極２３が部分的に除去された開口部２３ｃに露出する隔壁２５の上面とが、接着層３２を介して相互に接着されて、素子基板１１と対向基板１２とが接着されている。
【００５７】
なお、上記図５（ａ）に示した構成においては、接着層３２が開口部２３ｃ内に設けられるものとしたが、これに限るものではなく、図５（ｂ）に示すように、接着層３２が開口部２３ｃより広い領域に設けられ、接着層３２の一部の開口部２３ｃに対応する領域で、接着層３２が隔壁２５の上面に直接接着されるようにしたものであってもよい。
【００５８】
（表示パネルの製造方法）
次に、本実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの製造方法について説明する。
図６は、本実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を示す工程断面図である。ここで、上述した第１の実施形態（図３参照）と同等の工程については、説明を簡略化する。
【００５９】
図５に示した断面構造を有する表示パネル１１０の製造方法は、まず、図６（ａ）に示すように、一面側に有機ＥＬ素子ＯＥＬ及び信号配線ＬＮ、能動素子ＴＲ、絶縁膜２４、隔壁２５等を含む画素アレイ１１１が形成された素子基板１１において、画素アレイ１１１内の隔壁２５上の対向電極２３を、レーザアブレーション法やリフトオフ法等を用いて部分的に除去して、隔壁２５の上面が露出する開口部２３ｃを形成する。ここで、レーザアブレーション法においては、高強度、短パルス、短波長のレーザを無機、有機物あるいは金属等からなる対向電極２３の表面に照射することにより、吸収熱による蒸発やプラズマを伴って表面相が剥離される。また、リフトオフ法においては、光剥離材を積層形成した隔壁２５上に対向電極２３を形成した後、所定の波長の光を素子基板１１の裏面側（他面側）から照射することにより、光剥離材からガスが発生して、光剥離材が形成された領域の対向電極２３が除去される。ここで、素子基板１１の裏面側から光を照射する際には、遮光マスクにより画素ＰＩＸの形成領域（具体的にはＥＬ素子形成領域Ｒel）を遮光して保護する。
【００６０】
なお、開口部２３ｃを隔壁の平面パターンと同様に格子状に形成した場合には、各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬに共通するように単一の電極層（べた電極）により形成された対向電極２３が、各画素ＰＩＸ間の境界領域で断線された状態になるため、各有機ＥＬ素子ＯＥＬに対して所定電圧が供給されず、発光動作させることができなくなる。そこで、本実施形態においては、隔壁２５上の対向電極２３を、隔壁２５の格子状の平面パターン内の任意の位置及び任意の形状（例えばスポット状やライン状等）で部分的に除去して、相互に離間する複数の開口部２３ｃが形成される。ここで、素子基板１１側に形成される複数の開口部２３ｃは、周期的に配置形成（規則的に配置）されていることが望ましい。
【００６１】
一方、上述した第１の実施形態と同様に、予め対向基板１２の接着面側に、スッパタリング法や蒸着法等を用いて、酸化クロム等からなる遮光性を有する膜を密着して形成した後、フォトリソグラフィ法を用いて、図１、図６（ｂ）に示すように、素子基板１１側に形成された隔壁２５の平面パターンに対応する領域にのみ、遮光性を有する膜を残して遮光性スペーサ層３１を形成する。次いで、画素アレイ１１１内の隔壁２５の平面パターンに対応して、対向基板１２の接着面側に形成された上記遮光性スペーサ層３１の表面（図６（ｂ）では下面に相当する）に、印刷法や転写法等を用いて、接着材層３２ｘを形成する。また、図６（ｂ）に示すように、素子基板１１の画素アレイ１１１の外周領域に、フィラー４１入り封止材層４２ｘを塗布して形成する。
【００６２】
ここで、接着材層３２ｘは、上記遮光性スペーサ層３１の平面パターンのうち、素子基板１１側の対向電極２３に形成された複数の開口部２３ｃの位置及び形状に対応するように形成される。この場合、遮光性スペーサ層３１、及び、該遮光性スペーサ層３１の上面に形成される接着材層３２ｘの厚みは、対向基板１２表面から当該接着材層３２ｘの上面までの寸法と、素子基板１１表面から隔壁２５の上面までの寸法との総和が、画素アレイ１１１の外周領域に形成される封止材層４２ｘに拡散されるフィラー４１の粒径（直径）と同等、もしくは、該フィラー４１の粒径よりも僅かに大きくなるように、上記隔壁２５の突出高さに応じて適切に設定される。
【００６３】
なお、接着層３２となる接着材層３２ｘの厚みが対向電極２３の厚みに比較して、十分大きく、かつ、高い弾性を有している場合には、接着材層３２ｘは、上記遮光性スペーサ層３１の平面パターン（格子状）と同一の領域に形成されるものであってもよいし、上記開口部２３ｃに対応する位置を含む領域に形成されるものであってもよい。
【００６４】
次いで、図６（ｂ）に示すように、素子基板１１の一面側に対向基板１２を、対向するように貼り合わせ、図６（ｃ）に示すように、紫外線ＵＶを照射、あるいは、熱処理を施すことにより、画素アレイ１１１の外周領域の封止材層４２ｘ、及び、画素アレイ１１１内の接着材層３２ｘを硬化させる。これにより、画素アレイ１１１の外周領域においてはフィラー４１が拡散された粘着層４２を介して、また、画素アレイ１１１内においては隔壁２５上の遮光性を有する遮光性スペーサ層３１と光硬化性あるいは熱硬化性の接着層３２とからなる積層構造を有する遮光性接着部３０を介して、素子基板１１に対向基板１２が接着される。
【００６５】
このとき、素子基板１１と対向基板１２との間隙（基板間ギャップ）は、画素アレイ１１１の外周領域においては、フィラー４１の粒径に基づいて設定され、また、画素アレイ１１１内においては、遮光性スペーサ層３１の厚みに基づいて設定される。したがって、画素アレイ１１１内の遮光性接着部３０において、画素アレイ１１１内における素子基板１１と対向基板１２の間隙（基板間ギャップ）が、外周領域における間隙（すなわちフィラー４１の粒径）と同等かつ略均一になるように、接着層３２の厚みが調整されて硬化する。すなわち、画素アレイ１１１の外周領域及び内部において、素子基板１１と対向基板１２が略均一な間隙（基板間ギャップ）を有するとともに、強固に接着される。
【００６６】
（作用効果）
次に、本実施形態に係る表示装置における作用効果について検証する。
図７は、本実施形態に係る表示装置における作用効果を示す説明図である。ここで、上述した第１の実施形態と同等の作用効果については説明を簡略化する。
【００６７】
上述したように、第２の実施形態に係る表示装置においても、第１の実施形態と同様に、画素アレイ１１１に配列される各画素ＰＩＸ間の境界領域に設けられる隔壁２５の下層側に信号配線ＬＮや能動素子ＴＲが形成され、当該信号配線ＬＮや能動素子ＴＲに対して視野側から見て平面的に重なり、信号配線ＬＮや能動素子ＴＲが視認されないように、隔壁２５上に遮光性を有する遮光性スペーサ層３１を含む遮光性接着部３０が形成されている。特に、本実施形態においては、図７に示すように、対向電極２３を部分的に除去して形成された開口部２３ｃ内に露出する隔壁２５の上面に、対向基板１２の接着面側に形成された遮光性接着部３０の接着層３２が直接接着されることにより、素子基板１１と対向基板１２が接着されている。
【００６８】
このようなパネル構造を有する表示パネル１１０によれば、図７に示すように、表示パネル１１０の外部から入射する光（外光）ＬＴｘや、表示パネル１１０の内部に入射して信号配線ＬＮや能動素子ＴＲの電極で反射した光が、隔壁２５上に設けられた遮光性接着部３０に含まれる遮光性を有する遮光性スペーサ層３１により遮断又は吸収されて、視野側への出射が抑制される。
【００６９】
したがって、トップエミッション型の発光構造を有する表示パネル１１０において、ほぼ各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬ（有機ＥＬ層２２）から放射される光ｈνのみが、対向基板１２を介して視野側に出射されて、信号配線ＬＮや能動素子ＴＲの電極による外光反射が抑制されるので、画質を向上させることができる。
【００７０】
また、本実施形態に係る表示パネル１１０によれば、遮光性接着部３０に含まれる遮光性を有する遮光性スペーサ層３１により、薄膜トランジスタ等の能動素子ＴＲへの外光ＬＴｘの入射を抑制することができるので、素子特性の変化又は劣化に伴う表示品質の低下を抑制することができる。
【００７１】
また、本実施形態によれば、素子基板１１と対向基板１２が遮光性接着部３０を介して、略均一な間隙（基板間ギャップ）を有するとともに、強固に接着されている。特に、本実施形態においては、対向電極２３に形成された開口部２３ｃ内に露出する隔壁２５の上面に、対向基板１２の接着面側に形成された遮光性接着部３０の接着層３２が直接接着される。したがって、隔壁２５として、例えば感光性の絶縁材料であるポリイミド系の樹脂材料を適用することにより、光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料からなる接着層３２との接着性を向上させることができるので、素子基板１１と対向基板１２とをより強固に接着することができる。
【００７２】
このように、本実施形態においては、素子基板１１と対向基板１２とが強固に接着されているので、表示パネル１１０の外部から過大な押圧力が印加された場合や、熱等に起因する歪みが生じた場合であっても、素子基板１１と対向基板１２との間隙（基板間ギャップ）を略一定に維持することができる。したがって、有機ＥＬ素子ＯＥＬからの出射光の経路（角度及び距離）を均一化して画像のにじみやぼけの発生を抑制することができ、良好な画質を実現することができる。また、本実施形態によれば、上述したような押圧力が印加された場合であっても、素子基板１１の画素アレイ１１１への対向基板１２の接触を回避して、素子や回路の破損や特性劣化、封止破損の発生を防止又は抑制することができ、製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。
【００７３】
次に、上述した各実施形態に示した表示パネルが適用される表示装置と画素の具体例について、図面を参照して説明する。なお、以下に示す表示装置は、アクティブマトリクス駆動方式に対応した構成を有する場合について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明は、例えばパッシブマトリクス駆動方式等、他の駆動方式に対応した表示装置に適用されるものであってもよい。
【００７４】
＜表示装置への適用例と画素の具体例＞
次に、上述した各実施形態に示した表示パネル（発光パネル）が適用される表示装置（発光装置）と画素の具体例について、図面を参照して説明する。
（第１の適用例）
図８は、本発明に係る表示パネル（発光パネル）を適用した表示装置の第１の具体例を示す概略構成図である。図８（ａ）は、本適用例に係る表示装置を示す概略ブロック図であり、図８（ｂ）は、本適用例に係る表示装置に適用される画素の等価回路図である。なお、ここでは、上述した各実施形態に示した各図（図１〜図７）を適宜参照しながら説明する。
【００７５】
図８（ａ）に示すように、第１の適用例に係る表示装置（発光装置）１００は、概略、上述した各実施形態に示した表示パネル（発光パネル）１１０と、表示パネル１１０に配列された各画素ＰＩＸを選択状態に設定するための選択ドライバ（選択駆動回路）１２０と、各画素ＰＩＸに画像データに応じた階調信号を供給するためのデータドライバ（信号駆動回路）１３０と、システムコントローラ１４０と、を備えている。
【００７６】
本適用例に係る表示パネル１１０に配列される画素ＰＩＸは、例えば図８（ｂ）に示すように、発光駆動回路ＤＣと、電流駆動型の発光素子である有機ＥＬ素子ＯＥＬと、を備えている。発光駆動回路ＤＣは、画像データに応じた電流値の発光駆動電流を生成して、有機ＥＬ素子ＯＥＬに供給する。有機ＥＬ素子ＯＥＬは、発光駆動回路ＤＣから供給される発光駆動電流に基づいて、画像データに応じた輝度階調で発光する。
【００７７】
発光駆動回路ＤＣは、例えば図８（ｂ）に示すように、トランジスタ（能動素子；スイッチング素子）Ｔｒ１１、Ｔｒ１２とキャパシタＣｓとを備えている。トランジスタＴｒ１１は、ゲート端子が選択ラインＬｓに接続され、ドレイン端子がデータラインＬｄに接続され、ソース端子が接点Ｎ１１に接続されている。トランジスタＴｒ１２は、ゲート端子が接点Ｎ１１に接続され、ドレイン端子が高電位の電源電圧Ｖsaに接続され、ソース端子が接点Ｎ１２に接続されている。キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ１２のゲート端子（接点Ｎ１１）及びソース端子（接点Ｎ１２）間に接続されている。
【００７８】
また、有機ＥＬ素子（表示素子）ＯＥＬは、アノード（アノード電極；上述した画素電極２１）が上記発光駆動回路ＤＣの接点Ｎ１２に接続され、カソード（カソード電極；上述した対向電極２３）が所定の低電位電源（基準電圧Ｖsc；例えば接地電位Ｖgnd）に接続されている。
【００７９】
ここでは、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２はいずれも、ｎチャネル型の薄膜トランジスタを適用することができる。なお、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２がｐチャネル型であれば、ソース端子及びドレイン端子が互いに逆になる。また、キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ１２のゲート、ソース間に形成される寄生容量、又は、該ゲート、ソース間に付加的に設けられた補助容量、もしくは、これらの寄生容量と補助容量からなる容量成分である。
【００８０】
画素ＰＩＸに接続される選択ラインＬｓは、例えば表示パネル１１０の行方向（図８（ａ）の左右方向）に配設されて、選択ドライバ１２０に接続されている。そして、選択ラインＬｓには、選択ドライバ１２０から選択レベル又は非選択レベルの選択電圧（選択信号）Ｖselが印加される。また、画素ＰＩＸに接続されるデータラインＬｄは、例えば表示パネル１１０の列方向（図８（ａ）の上下方向）に配設されて、データドライバ１３０に接続されている。データラインＬｄには、データドライバ１３０から画像データに応じた階調電圧（階調信号）Ｖdataが印加される。
【００８１】
システムコントローラ１４０は、表示装置１００の外部から供給される画像データに基づいて、輝度階調データを含むデジタルデータからなる表示データを生成してデータドライバ１３０に供給する。また、システムコントローラ１４０は、画像データに基づいて生成又は抽出されるタイミング信号に基づいて、選択ドライバ１２０及びデータドライバ１３０の動作状態を制御して、表示パネル１１０における所定の画像表示動作を実行するための選択制御信号及びデータ制御信号を生成して出力する。
【００８２】
これにより、選択ドライバ１２０は、選択制御信号に基づいて、各行の選択ラインＬｓに所定のタイミングで選択レベルの選択電圧Ｖselを印加することにより、各行の画素ＰＩＸを選択状態に設定する。また、データドライバ１３０は、データ制御信号に基づいて、画像データに応じた階調電圧Ｖdataを生成して、各データラインＬｄを介して、選択状態に設定された画素ＰＩＸに供給する。
【００８３】
そして、このような回路構成を有する画素ＰＩＸを備えた表示装置における表示駆動動作を簡単に説明すると、まず、所定の選択期間に、選択ドライバ１２０から選択ラインＬｓに対して、選択レベル（ハイレベル）の選択電圧Ｖselを印加することにより、トランジスタＴｒ１１をオン動作させて、画素ＰＩＸを選択状態に設定する。このタイミングに同期して、データドライバ１３０から画像データに応じた電圧値の階調電圧ＶdataをデータラインＬｄに印加することにより、トランジスタＴｒ１１を介して接点Ｎ１１に、階調電圧Ｖdataに応じた電位が印加される。
【００８４】
これにより、トランジスタＴｒ１２が階調電圧Ｖdataに応じた導通状態でオン動作して、ドレイン、ソース間に所定の電流値の発光駆動電流が流れ、有機ＥＬ素子ＯＥＬは、階調電圧Ｖdata（すなわち画像データ）に応じた輝度階調で発光する。このとき、トランジスタＴｒ１２のゲート、ソース間に接続されたキャパシタＣｓには、接点Ｎ１１に印加された階調電圧Ｖdataに基づいて電荷が蓄積（充電）される。
【００８５】
次いで、上記選択期間終了後の非選択期間において、選択ドライバ１２０から選択ラインＬｓに対して、非選択レベル（ローレベル）の選択電圧Ｖselを印加することにより、トランジスタＴｒ１１をオフ動作させて、画素ＰＩＸを非選択状態に設定する。このとき、上記キャパシタＣｓに蓄積された電荷（すなわち、ゲート、ソース間の電位差）が保持されて、トランジスタＴｒ１２のゲート端子に階調電圧Ｖdataに相当する電圧が印加される。したがって、トランジスタＴｒ１２のドレイン、ソース間に上記の発光動作状態（選択期間）と同等の電流値の発光駆動電流が流れて、有機ＥＬ素子ＯＥＬは発光状態を継続する。そして、このような表示駆動動作を、表示パネル１１０に二次元配列された全ての画素ＰＩＸについて、例えば各行ごとに順次実行することにより、所望の画像情報が表示される。
【００８６】
次に、上述したような回路構成を有する画素（発光駆動回路及び有機ＥＬ素子）の具体的なデバイス構造（平面レイアウト及び断面構造）について説明する。
図９は、本適用例に係る画素の一例を示す平面レイアウト図である。ここでは、図８（ｂ）に示した発光駆動回路ＤＣの各トランジスタ及び配線等が形成された層を主に示し、各トランジスタの電極及び各配線層を明瞭にするために、便宜的にハッチングを施して示した。ここで、同じハッチングを施した電極及び配線層は同層に設けられている。また、上述した各実施形態に示した隔壁２５及び遮光性接着部３０の平面パターンを、画素ＰＩＸの平面レイアウトに重ねて示した。図１０は、本適用例に係る画素の要部断面図である。ここでは、図１０は、図９に示した平面レイアウトを有する画素におけるＸＢ−ＸＢ線（本明細書においては図９中に示したローマ数字の「１０」に対応する記号として便宜的に「Ｘ」を用いる。）に沿った断面を示す。
【００８７】
図８（ｂ）に示した画素ＰＩＸは、具体的には、図９、図１０に示すように、ガラス等の絶縁性の素子基板１１の一面側（図１０の上面側）に設定された画素形成領域Ｒpxごとに設けられている。この画素形成領域Ｒpxには、少なくとも、有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域（ＥＬ素子形成領域）Ｒelと、隣接する画素ＰＩＸとの間の境界領域と、が設定されている。
【００８８】
図９に示した画素ＰＩＸにおいて、画素形成領域Ｒpxの図面上方及び下方の縁辺領域には、各々、行方向（図面左右方向）に延在するように選択ラインＬｓ及び電源ラインＬａが配設されている。一方、画素形成領域Ｒpxの図面右方側の領域には、選択ラインＬｓ及び電源ラインＬａに直交して、列方向（図面上下方向）に延在するようにデータラインＬｄが配設されている。
【００８９】
また、図９に示した表示パネル１１０においては、例えば図１０に示すように、画素形成領域Ｒpx内のＥＬ素子形成領域Ｒelに開口部が設けられた隔壁２５が設けられている。すなわち、素子基板１１上に、行方向（図面左右方向）及び列方向（図面上下方向）に隣接して配列される各画素ＰＩＸ間の境界領域には、図９、図１０に示すように、素子基板１１表面から連続的に突出し、格子状の平面パターンを有する隔壁２５が設けられている。そして、この隔壁２５により囲まれ、かつ、画素電極２１が露出した領域（すなわち、上記開口部）がＥＬ素子形成領域Ｒelとして画定されている。
【００９０】
選択ラインＬｓは、例えば図９、図１０に示すように、データラインＬｄ及び電源ラインＬａよりも下層側（素子基板１１側）に設けられている。選択ラインＬｓは、トランジスタＴｒ１１、トランジスタＴｒ１２のゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇと同層に設けられている。ここで、選択ラインＬｓは、図９に示すように、トランジスタＴｒ１１のゲート電極Ｔｒ１１ｇと一体的に形成されている。
【００９１】
また、データラインＬｄは、例えば図９、図１０に示すように、電源ラインＬａよりも下層側（素子基板１１側）に設けられている。データラインＬｄは、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄと同層に設けられている。ここで、データラインＬｄは、図９に示すように、トランジスタＴｒ１１のドレイン電極Ｔｒ１１ｄと一体的に形成されている。
【００９２】
また、電源ラインＬａは、例えば図９、図１０に示すように、後述するトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２及び選択ラインＬｓ、データラインＬｄを被覆する絶縁膜２４上に設けられている。電源ラインＬａは、図９に示すように、下層の絶縁膜２４に設けられたコンタクトホールＨＬ１２を介して、トランジスタＴｒ１２のドレイン電極Ｔｒ１１ｄに直接接続されている。
【００９３】
また、図９に示した画素ＰＩＸにおいては、発光駆動回路ＤＣに設けられるトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２が、例えば、データラインＬｄに沿って列方向（図面上下方向）に延在するように配置されている。具体的には、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のチャネルの幅方向が、データラインＬｄに平行に延在するように設定されている。また、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２は、いずれも図１０に示すような電界効果型の薄膜トランジスタ構造を有している。なお、以下のトランジスタＴｒ１１についての説明では、図示の都合上、図１０に示したトランジスタＴｒ１２の断面構造を参照しながら説明するものとする。
【００９４】
トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２はボトムゲート構造を有し、図９、図１０に示すように、素子基板１１上に形成されたゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇを被覆するようにゲート絶縁膜１３が設けられ、該ゲート絶縁膜１３上の、ゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇに対応する領域に半導体層ＳＭＣ（図９では省略）が設けられている。また、半導体層ＳＭＣに形成されるチャネル領域上にはチャネル保護層ＢＬが設けられ、当該チャネル保護層ＢＬを挟んで対向するようにソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄが設けられている。ソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄと半導体層ＳＭＣとの間には不純物層ＯＨＭが設けられ、これにより、半導体層ＳＭＣとソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄが各々オーミック接続している。
【００９５】
そして、図８（ｂ）に示した発光駆動回路ＤＣの回路構成に対応するように、トランジスタＴｒ１１は、図９に示すように、ゲート電極Ｔｒ１１ｇが選択ラインＬｓと一体的に形成されている。また、ドレイン電極Ｔｒ１１ｄは、図９に示すように、データラインＬｄと一体的に形成されている。また、ソース電極Ｔｒ１１ｓは、図９に示すように、ゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＨＬ１１を介して、トランジスタＴｒ１２のゲート電極Ｔｒ１２ｇに接続されている。ここで、コンタクトホールＨＬ１１は、図８（ｂ）に示した発光駆動回路ＤＣの接点Ｎ１１に対応する。
【００９６】
また、トランジスタＴｒ１２は、図９に示すように、ゲート電極Ｔｒ１２ｇがゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＨＬ１１を介して、トランジスタＴｒ１１のソース電極Ｔｒ１１ｓに接続されている。また、ドレイン電極Ｔｒ１２ｄは、図９に示すように、絶縁膜２４に設けられたコンタクトホールＨＬ１２を介して、電源ラインＬａに接続されている。また、ソース電極Ｔｒ１２ｓは、図９、図１０に示すように、有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極２１と一体的に形成されている。
【００９７】
有機ＥＬ素子ＯＥＬは、図９、図１０に示すように、上記画素電極（アノード電極）２１と、有機ＥＬ層（発光層）２２と、対向電極（カソード電極）２３と、を順次積層した素子構造を有している。ここで、有機ＥＬ素子ＯＥＬがトップエミッション型の発光構造を有している場合には、例えば画素電極２１は、アルミニウム単体やアルミニウム合金等の光反射率の高い電極材料を含んで形成されている。また、対向電極２３は、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）等の透光性（高い光透過率）を有する透明な電極材料により形成されている。
【００９８】
画素電極２１は、図９、図１０に示すように、トランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓと一体的に形成されている。有機ＥＬ層２２は、図９、図１０に示すように、素子基板１１上に連続的に突出して形成された隔壁２５に設けられた開口部により画定されるＥＬ素子形成領域Ｒelに露出する画素電極２１上に形成される。
【００９９】
対向電極２３は、素子基板１１上に二次元配列された各画素ＰＩＸの画素電極２１に対して、共通に対向するように、単一の電極層（べた電極）により形成されている。また、対向電極２３は、図１０に示すように、各画素ＰＩＸのＥＬ素子形成領域Ｒelだけでなく、当該ＥＬ素子形成領域Ｒelを画定する隔壁２５上にも延在するように設けられている。さらに、対向電極２３は、図示を省略したコンタクト部や引き出し配線を介して、低電位電源（基準電圧Ｖsc）に接続されている。
【０１００】
隔壁２５は、例えば図９、図１０に示すように、素子基板１１上に配列された画素ＰＩＸ相互の境界領域に形成された選択ラインＬｓ、データラインＬｄ、電源ラインＬａ、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、及び、絶縁膜２４を被覆するように、素子基板１１の表面から連続的に突出して、格子状の平面パターンを有するように設けられている。ここで、隔壁２５は、上述した各実施形態に示したように、例えば感光性の絶縁材料であるポリイミド系の樹脂材料により形成される。
【０１０１】
そして、上述した発光駆動回路ＤＣ、有機ＥＬ素子ＯＥＬ及び隔壁２５が形成された素子基板１１の一面側には、図１０に示すように、遮光性接着部３０を介して、透明なガラス等からなる対向基板１２が所定の間隙を有して貼り合わされている。ここで、遮光性接着部３０は、上述した各実施形態に示したように、対向基板１２の接着面側に設けられ、遮光性を有する遮光性スペーサ層３１と、素子基板１１側の隔壁２５上に設けられ、光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料からなる接着層３２と、からなる積層構造を有している。
【０１０２】
本適用例に係る表示装置１００の表示パネル１１０が、上述した第１の実施形態に示したパネル構造を有する場合には、上記遮光性接着部３０の遮光性スペーサ層３１と接着層３２は、例えば同一の平面パターンを有している。そして、接着層３２が、対向基板１２の接着面側に形成された遮光性スペーサ層３１の表面と、素子基板１１側に設けられた隔壁２５上の対向電極２３との双方に接着されることにより、素子基板１１と対向基板１２が所定の間隙（基板間ギャップ）を有して接着される。
【０１０３】
一方、本適用例に係る表示装置１００の表示パネル１１０が、上述した第２の実施形態に示したパネル構造を有する場合には、例えば上記遮光性接着部３０の接着層３２は、遮光性スペーサ層３１の平面パターンのうち、素子基板１１側に形成された対向電極２３の開口部２３ｃに対応する位置に設けられる。そして、接着層３２が、対向基板１２の接着面側に形成された遮光性スペーサ層３１の表面と、素子基板１１側に設けられた対向電極２３の開口部２３ｃに露出する隔壁２５の上面との双方に接着されることにより、素子基板１１と対向基板１２が所定の間隙（基板間ギャップ）を有して接着される。
【０１０４】
（第２の適用例）
図１１は、本発明に係る表示パネルを適用した表示装置の第２の具体例を示す概略構成図である。図１１（ａ）は、本適用例に係る表示装置を示す概略ブロック図であり、図１１（ｂ）は、本適用例に係る表示装置に適用される画素の等価回路図である。ここで、上述した第１の適用例と同等の構成については、同一又は同等の符号を付してその説明を簡略化する。
【０１０５】
図１１（ａ）に示すように、第２の適用例に係る表示装置１００は、概略、上述した各実施形態に示した表示パネル（発光パネル）１１０と、選択ドライバ１２０と、データドライバ１３０と、システムコントローラ１４０と、電源ドライバ１５０と、を備えている。すなわち、本適用例に示す表示装置１００は、第１の適用例に示した表示装置１００に、電源ドライバ１５０を付加した構成を有している。
【０１０６】
本適用例に係る表示パネル１１０に配列される画素ＰＩＸは、例えば図１１（ｂ）に示すように、上述した第１の適用例と同様に、発光駆動回路ＤＣと、有機ＥＬ素子ＯＥＬと、を備えている。発光駆動回路ＤＣは、例えば図１１（ｂ）に示すように、トランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２３とキャパシタＣｓとを備えている。トランジスタＴｒ２１は、ゲート端子が選択ラインＬｓに接続され、ドレイン端子が電源ラインＬａに接続され、ソース端子が接点Ｎ２１に接続されている。トランジスタＴｒ２２は、ゲート端子が選択ラインＬｓに接続され、ソース端子がデータラインＬｄに接続され、ドレイン端子が接点Ｎ２２に接続されている。トランジスタＴｒ２３は、ゲート端子が接点Ｎ２１に接続され、ドレイン端子が電源ラインＬａに接続され、ソース端子が接点Ｎ２２に接続されている。キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ２３のゲート端子（接点Ｎ２１）及びソース端子（接点Ｎ２２）に接続されている。
【０１０７】
また、有機ＥＬ素子ＯＥＬは、アノード（アノード電極；画素電極２１）が上記発光駆動回路ＤＣの接点Ｎ２２に接続され、カソード（カソード電極；対向電極２３）が所定の低電位電源（基準電圧Ｖsc；例えば接地電位Ｖgnd）に接続されている。
【０１０８】
ここで、本適用例においても、トランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２３はいずれも、ｎチャネル型の薄膜トランジスタを適用することができる。また、キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ２３のゲート、ソース間に形成される寄生容量、又は、該ゲート、ソース間に付加的に設けられた補助容量、もしくは、これらの寄生容量と補助容量からなる容量成分である。
【０１０９】
画素ＰＩＸに接続される電源ラインＬａは、例えば表示パネル１１０の行方向（図１１（ａ）の左右方向）に配設されて、電源ドライバ１５０に接続されている。電源ドライバ１５０は、システムコントローラ１４０から供給される電源制御信号に基づいて、所定のタイミングで電源ラインＬａに発光レベル又は非発光レベルの電源電圧Ｖsaを印加する。
【０１１０】
そして、このような回路構成を有する画素ＰＩＸを備えた表示装置における表示駆動動作を簡単に説明すると、まず、選択期間に、選択ドライバ１２０から選択ラインＬｓに対して、選択レベル（ハイレベル）の選択電圧Ｖselを印加するとともに、電源ドライバ１５０から電源ラインＬａに非発光レベル（基準電圧Ｖsc以下の電圧レベル；例えば負電圧）の電源電圧Ｖsaを印加することにより、トランジスタＴｒ２１、Ｔｒ２２をオン動作させて、画素ＰＩＸを選択状態に設定する。このタイミングに同期して、データドライバ１３０から画像データに応じた負の電圧値の階調電圧ＶdataをデータラインＬｄに印加することにより、トランジスタＴｒ２２を介して接点Ｎ２２に、階調電圧Ｖdataに応じた電位が印加される。
【０１１１】
これにより、トランジスタＴｒ２３がオン動作して、トランジスタＴｒ２３のゲート、ソース間に生じた電位差に応じた書込電流が、電源ラインＬａからトランジスタＴｒ２３、接点Ｎ２２、トランジスタＴｒ２２を介してデータラインＬｄ方向に流れる。このとき、トランジスタＴｒ２３のゲート、ソース間に接続されたキャパシタＣｓには、接点Ｎ２１及びＮ２２間に生じた電位差に応じた電荷が蓄積される。
【０１１２】
ここで、電源ラインＬａには、基準電圧Ｖsc以下の電源電圧Ｖsaが印加され、さらに、書込電流が画素ＰＩＸからデータラインＬｄ方向に引き抜くように設定されている。これにより、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード（接点Ｎ２２）に印加される電位は、カソードの電位（基準電圧Ｖsc）よりも低くなるため、有機ＥＬ素子ＯＥＬには電流が流れず、有機ＥＬ素子ＯＥＬは発光しない（非発光動作）。そして、このような書込動作を、表示パネル１１０に二次元配列された全ての画素ＰＩＸについて、各行ごとに順次実行する。
【０１１３】
次いで、上記選択期間終了後の非選択期間において、選択ドライバ１２０から選択ラインＬｓに対して、非選択レベル（ローレベル）の選択電圧Ｖselを印加することにより、トランジスタＴｒ２１、Ｔｒ２２をオフ動作させて、画素ＰＩＸを非選択状態に設定する。このとき、上記キャパシタＣｓに蓄積された電荷（すなわち、ゲート、ソース間の電位差）が保持されるので、トランジスタＴｒ２３はオン状態を維持する。そして、電源ドライバ１５０から電源ラインＬａに発光レベル（基準電圧Ｖscよりも高い電圧レベル）の電源電圧Ｖsaを印加することにより、電源ラインＬａからトランジスタＴｒ２３、接点Ｎ２２を介して、有機ＥＬ素子ＯＥＬに所定の発光駆動電流が流れる。
【０１１４】
ここで、キャパシタＣｓに蓄積される電荷（電圧成分）は、トランジスタＴｒ２３において階調電圧Ｖdataに対応する書込電流を流す場合の電位差に相当するので、有機ＥＬ素子ＯＥＬに流れる発光駆動電流は、当該書込電流と略同等の電流値となる。これにより、各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬは、書込動作時に書き込まれた画像データ（階調電圧Ｖdata）に応じた輝度階調で発光し、表示パネル１１０に所望の画像情報が表示される。
【０１１５】
次に、上述したような回路構成を有する画素（発光駆動回路及び有機ＥＬ素子）の具体的なデバイス構造（平面レイアウト及び断面構造）について説明する。
図１２は、本適用例に係る画素の一例を示す平面レイアウト図である。ここでは、図１１（ｂ）に示した発光駆動回路ＤＣの各トランジスタ及び配線等が形成された層を主に示し、各トランジスタの電極及び各配線層を明瞭にするために、便宜的にハッチングを施して示した。ここで、同じハッチングを施した電極及び配線層は同層に設けられている。また、上述した各実施形態に示した隔壁２５及び遮光性接着部３０の平面パターンを、画素ＰＩＸの平面レイアウトに重ねて示した。図１３は、本適用例に係る画素の要部断面図である。ここでは、図１３は、図１２に示した平面レイアウトを有する画素におけるXIIIＣ−XIIIＣ線（本明細書においては図１２中に示したローマ数字の「１３」に対応する記号として便宜的に「XIII」を用いる。）に沿った断面を示す。なお、図１２、図１３において、上述した第１の適用例と同等の構成については、同一又は同等の符号を付してその説明を簡略化する。
【０１１６】
図１２に示した画素ＰＩＸにおいて、画素形成領域Ｒpxの図面上方及び下方の縁辺領域には、各々、行方向（図面左右方向）に延在するように電源ラインＬａ及び選択ラインＬｓが配設されている。一方、画素形成領域Ｒpxの図面左方及び図面右方の領域には、各々、上記電源ラインＬａ及び選択ラインＬｓに直交して、列方向（図面上下方向）に延在するようにデータラインＬｄ及び補助電源ラインＬayが配設されている。
【０１１７】
また、図１２に示した表示パネル１１０においては、例えば図１３に示すように、画素形成領域Ｒpx内のＥＬ素子形成領域Ｒelに開口部が設けられた隔壁２５が設けられている。すなわち、本適用例においても、素子基板１１上の画素アレイ１１１に隣接して配列される各画素ＰＩＸ間の境界領域には、図１２、図１３に示すように、素子基板１１表面から連続的に突出し、格子状の平面パターンを有する隔壁２５が設けられている。そして、この隔壁２５により囲まれ、かつ、画素電極２１が露出した領域（すなわち、上記開口部）がＥＬ素子形成領域Ｒelとして画定されている。
【０１１８】
データラインＬｄは、例えば図１２、図１３に示すように、選択ラインＬｓ及び電源ラインＬａ、補助電源ラインＬayよりも下層側（素子基板１１側）に設けられている。データラインＬｄは、トランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２３のゲート電極Ｔｒ２１ｇ〜Ｔｒ２３ｇと同層に設けられている。また、データラインＬｄは、図１２に示すように、上層のゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＨＬ２４を介して、トランジスタＴｒ２２のソース電極Ｔｒ２２ｓに直接接続されている。
【０１１９】
また、選択ラインＬｓ及び電源ラインＬａは、例えば図１２、図１３に示すように、相互に同層に設けられ、かつ、トランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２３及びデータラインＬｄ、補助電源ラインＬayを被覆する絶縁膜２４上に設けられている。選択ラインＬｓは、図１２に示すように、下層の絶縁膜２４及びゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＨＬ２２を介して、トランジスタＴｒ２１、Ｔｒ２２のゲート電極Ｔｒ２１ｇ、Ｔｒ２２ｇに直接接続されている。また、電源ラインＬａは、例えば図１２、図１３に示すように、下層の絶縁膜２４に設けられたコンタクトホールＨＬ２３を介して、補助電源ラインＬayに直接接続されている。
【０１２０】
補助電源ラインＬayは、例えば図１２、図１３に示すように、トランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２３のソース電極Ｔｒ２１ｓ〜Ｔｒ２３ｓ及びドレイン電極Ｔｒ２１ｄ〜Ｔｒ２３ｄと同層に設けられている。ここで、補助電源ラインＬayは、図１２に示すように、トランジスタＴｒ２１、Ｔｒ２３のドレイン電極Ｔｒ２１ｄ、Ｔｒ２３ｄと一体的に形成されている。
【０１２１】
また、図１２に示した画素ＰＩＸにおいては、発光駆動回路ＤＣに設けられるトランジスタＴｒ２２が、例えば、データラインＬｄに沿って列方向（図面上下方向）に延在するように配置されている。また、トランジスタＴｒ２１、Ｔｒ２３が、例えば、補助電源ラインＬayに沿って列方向に延在するように配置されている。
【０１２２】
トランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２３はボトムゲート構造を有し、図１２、図１３に示すように、素子基板１１上に形成されたゲート電極Ｔｒ２１ｇ〜Ｔｒ２３ｇを被覆するようにゲート絶縁膜１３が設けられ、該ゲート絶縁膜１３上の、ゲート電極Ｔｒ２１ｇ〜Ｔｒ２３ｇに対応する領域に半導体層ＳＭＣ（図１２では省略）が設けられている。また、半導体層ＳＭＣに形成されるチャネル領域上にはチャネル保護層ＢＬが設けられ、当該チャネル保護層ＢＬを挟んで対向するようにソース電極Ｔｒ２１ｓ〜Ｔｒ２３ｓ及びドレイン電極Ｔｒ２１ｄ〜Ｔｒ２３ｄが設けられている。ソース電極Ｔｒ２１ｓ〜Ｔｒ２３ｓ及びドレイン電極Ｔｒ２１ｄ〜Ｔｒ２３ｄと半導体層ＳＭＣとの間には不純物層ＯＨＭ（図示を省略）が設けられている。
【０１２３】
そして、図１１（ｂ）に示した発光駆動回路ＤＣの回路構成に対応するように、トランジスタＴｒ２１は、図１２に示すように、ゲート電極Ｔｒ２１ｇがトランジスタＴｒ２２のゲート電極Ｔｒ２２ｇと一体的に形成されている。また、ゲート電極Ｔｒ２１ｇは、ゲート絶縁膜１３及び絶縁膜２４に設けられたコンタクトホールＨＬ２２を介して、選択ラインＬｓに接続されている。また、ドレイン電極Ｔｒ２１ｄは、図１２に示すように、補助電源ラインＬayと一体的に形成されている。また、ソース電極Ｔｒ２１ｓは、図１２に示すように、ゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＨＬ２１を介して、トランジスタＴｒ２３のゲート電極Ｔｒ２３ｇ及びキャパシタＣｓの下部電極Ｅcaに接続されている。ここで、コンタクトホールＨＬ２１は、図１１（ｂ）に示した発光駆動回路ＤＣの接点Ｎ２１に対応する。
【０１２４】
また、トランジスタＴｒ２２は、図１２に示すように、ゲート電極Ｔｒ２２ｇがトランジスタＴｒ２１のゲート電極Ｔｒ２１ｇと一体的に形成されている。また、ゲート電極Ｔｒ２２ｇは、ゲート絶縁膜１３及び絶縁膜２４に設けられたコンタクトホールＨＬ２２を介して、選択ラインＬｓに接続されている。また、ドレイン電極Ｔｒ２２ｄは、図１２に示すように、キャパシタＣｓの上部電極Ｅcbを兼ねる画素電極２１に接続されている。また、ソース電極Ｔｒ２２ｓは、図１２に示すように、ゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＨＬ２４を介して、データラインＬｄに接続されている。
【０１２５】
また、トランジスタＴｒ２３は、図１２、図１３に示すように、ゲート電極Ｔｒ２３ｇがゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＨＬ２２を介して、トランジスタＴｒ２１のソース電極Ｔｒ２１ｓに接続されている。また、ゲート電極Ｔｒ２３ｇは、キャパシタＣｓの下部電極Ｅcaに接続されている。また、ドレイン電極Ｔｒ２３ｄは、図１２、図１３に示すように、補助電源ラインＬayと一体的に形成されている。また、ソース電極Ｔｒ２３ｓは、図１２、図１３に示すように、キャパシタＣｓの上部電極Ｅcbを兼ねる画素電極２１に接続されている。
【０１２６】
キャパシタＣｓは、図１２、図１３に示すように、素子基板１１上に設けられた下部電極Ｅcaと、該下部電極Ｅcaに対向し、アルミニウム等の光反射率が高い金属膜からなる上部電極Ｅcbと、下部電極Ｅca及び上部電極Ｅcb間に介在するゲート絶縁膜１３と、を有している。ここで、ゲート絶縁膜１３は、キャパシタＣｓの誘電体層として兼用されている。また、上部電極Ｅcbは、有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極２１として兼用されている。すなわち、キャパシタＣｓは、有機ＥＬ素子ＯＥＬの下層側（素子基板１１側）に設けられている。そして、下部電極Ｅcaは、図１２、図１３に示すように、トランジスタＴｒ２１のソース電極Ｔｒ２１ｓ及びトランジスタＴｒ２３のゲート電極Ｔｒ２３ｇに接続されている。また、上部電極Ｅcbとして兼用される画素電極２１は、図１２、図１３に示すように、トランジスタＴｒ２２のドレイン電極Ｔｒ２２ｄ及びトランジスタＴｒ２３のソース電極Ｔｒ２３ｓと一体的に形成されている。ここで、画素電極２１とドレイン電極Ｔｒ２２ｄ及びソース電極Ｔｒ２３ｓとの接続部は、図１１（ｂ）に示した発光駆動回路ＤＣの接点Ｎ２２に対応する。
【０１２７】
有機ＥＬ素子ＯＥＬは、上述した第１の適用例と同様に、図１２、図１３に示すように、トランジスタＴｒ２２のドレイン電極Ｔｒ２２ｄ及びトランジスタＴｒ２３のソース電極Ｔｒ１２ｓに接続された画素電極（アノード電極）２１と、有機ＥＬ層（発光層）２２と、対向電極（カソード電極）２３と、を順次積層した素子構造を有している。
【０１２８】
また、隔壁２５は、上述した第１の適用例と同様に、例えば図１２、図１３に示すように、素子基板１１上に配列された画素ＰＩＸ相互の境界領域に形成された選択ラインＬｓ、データラインＬｄ、電源ラインＬａ、補助電源ラインＬay、トランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２３、及び、絶縁膜２４を被覆するように、素子基板１１表面から連続的に突出して、格子状の平面パターンを有するように設けられている。ここで、隔壁２５は、上述した各実施形態に示したように、例えば感光性の絶縁材料であるポリイミド系の樹脂材料により形成される。
【０１２９】
そして、上述した発光駆動回路ＤＣ、有機ＥＬ素子ＯＥＬ及び隔壁２５が形成された素子基板１１の一面側には、図１３に示すように、遮光性接着部３０を介して、対向基板１２が所定の間隙を有するように貼り合わされている。ここで、本適用例においても、遮光性接着部３０は、対向基板１２の接着面側に設けられ、遮光性を有する遮光性スペーサ層３１と、素子基板１１側の隔壁２５上に設けられ、光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料からなる接着層３２と、からなる積層構造を有している。したがって、遮光性接着部３０の遮光性スペーサ層３１と接着層３２の平面パターンについても、上述した適用例と同様に、少なくとも遮光性を有する遮光性スペーサ層３１が素子基板１１側の隔壁２５の平面パターンに対応した領域に格子状に設けられているものであればよい。すなわち、遮光性スペーサ層３１と接着層３２が、例えば同一の平面パターンを有しているものであってもよいし、接着層３２が、素子基板１１側に形成された対向電極２３の開口部２３ｃに対応する位置にのみ設けられているものであってもよい。
【０１３０】
そして、接着層３２が、対向基板１２の接着面側に形成された遮光性スペーサ層３１の表面と、素子基板１１側に設けられた隔壁２５上の対向電極２３との双方、又は、当該対向電極２３に形成された開口部２３ｃに露出する隔壁２５の上面との双方に、接着されることにより、素子基板１１と対向基板１２が所定の間隙（基板間ギャップ）を有して接着される。
【０１３１】
このような適用例に係る表示装置によれば、上述した各実施形態に示したように、トップエミッション型の発光構造を有する表示パネル１１０において、各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬ（有機ＥＬ層２２）から放射される光が対向基板１２を介して良好に視野側に出射されるとともに、各画素ＰＩＸ間の境界領域に設けられる選択ラインＬｓやデータラインＬｄ、電源ラインＬａ等の信号配線や、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、Ｔｒ２１〜Ｔｒ２３等の能動素子の電極による外光反射が抑制されるので、画質を向上させることができる。
【０１３２】
さらに、上記各適用例に示したパネル構造において、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、Ｔｒ２１〜Ｔｒ２３等の薄膜トランジスタがボトムゲート構造を有し、表示パネル１１０がトップエミッション型の発光構造を有している場合、外光が隔壁２５を介して各薄膜トランジスタのチャネル領域が形成される半導体層に入射され、それによってリーク電流等が発生して、各薄膜トランジスタの特性が変動したり誤動作が生じたりし易い。これに対し、遮光性接着部３０を、遮光性を有する材料を用いて形成することにより、各薄膜トランジスタの半導体層への外光の入射が抑制されて、薄膜トランジスタの特性を安定させ誤動作が発生しないようにすることができる。
【０１３３】
また、上述した適用例に係る表示装置によれば、表示パネル１１０の外部から過大な押圧力が印加された場合や、熱等に起因する歪みが生じた場合であっても、素子基板１１と対向基板１２との間隙（基板間ギャップ）を略一定に維持することができるので、画像のにじみやぼけの発生を抑制して、良好な画質を実現することができる。また、素子基板１１の画素アレイ１１１への対向基板１２の接触を回避することができるので、素子や回路の破損や特性劣化、封止破損の発生を防止又は抑制することができ、製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。
【０１３４】
＜電子機器の適用例＞
次に、上述した各実施形態に係る表示装置を適用した電子機器について図面を参照して説明する。
上述した各実施形態に示したパネル構造を有する表示パネル１１０を備える表示装置１００は、例えばデジタルカメラや薄型テレビジョン、パーソナルコンピュータ、携帯電話機等、種々の電子機器の表示デバイスとして良好に適用できるものである。
【０１３５】
図１４は、本発明に係る発光装置を適用したデジタルカメラの構成例を示す斜視図であり、図１５は、本発明に係る発光装置を適用した薄型テレビジョンの構成例を示す斜視図であり、図１６は、本発明に係る発光装置を適用したパーソナルコンピュータの構成例を示す斜視図であり、図１７は、本発明に係る発光装置を適用した携帯電話機の構成例を示す図である。
【０１３６】
図１４において、デジタルカメラ２１０は、大別して、本体部２１１と、レンズ部２１２と、操作部２１３と、上述した各実施形態に示した表示パネル１１０を備える表示装置１００を適用した表示部２１４と、シャッターボタン２１５とを備えている。これによれば、表示部２１４における外光反射を抑制することができるとともに、表示部２１４を構成する基板間ギャップ（間隙）を均一化することができ、表示画質を向上させることができる。また、画素アレイ（発光素子や駆動回路、信号配線等）の破損や特性劣化を防止して製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。
【０１３７】
また、図１５において、薄型テレビジョン２２０は、大別して、本体部２２１と、上述した各実施形態に示した表示パネル１１０を備える表示装置１００を適用した表示部２２２と、操作用コントローラ（リモコン）２２３と、を備えている。これによれば、表示部２２２における外光反射を抑制することができるとともに、表示部２２２を構成する基板間ギャップ（間隙）を均一化することができ、表示画質を向上させることができる。また、画素アレイ（発光素子や駆動回路、信号配線等）の破損や特性劣化を防止して製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。
【０１３８】
また、図１６において、パーソナルコンピュータ２３０は、大別して、本体部２３１と、キーボード２３２と、上述した各実施形態に示した表示パネル１１０を備える表示装置１００を適用した表示部２３３とを備えている。この場合においても、表示部２３３における外光反射を抑制することができるとともに、表示部２３３を構成する基板間ギャップ（間隙）を均一化することができ、表示画質を向上させることができる。また、画素アレイ（発光素子や駆動回路、信号配線等）の破損や特性劣化を防止して製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。
【０１３９】
また、図１７において、携帯電話機２４０は、大別して、操作部２４１と、受話口２４２と、送話口２４３と、上述した各実施形態に示した表示パネル１１０を備える表示装置１００を適用した表示部２４４とを備えている。この場合においても、表示部２４４における外光反射を抑制することができるとともに、表示部２４４を構成する基板間ギャップ（間隙）を均一化することができ、表示画質を向上させることができる。また、画素アレイ（発光素子や駆動回路、信号配線等）の破損や特性劣化を防止して製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。
【０１４０】
なお、上述した各電子機器においては、本発明に係る発光パネルを、複数の画素が２次元配列された表示パネルとして適用した場合について詳しく説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明に係る発光装置は、例えば発光素子を有する複数の画素が一方向に配列された発光素子アレイを備え、感光体ドラムに画像データに応じて発光素子アレイから出射した光を照射して露光する露光装置に適用するものであってもよい。
【符号の説明】
【０１４１】
１１ 素子基板
１２ 対向基板
２１ 画素電極
２２ 有機ＥＬ層
２３ 対向電極
２５ 隔壁
３０ 遮光性接着部
３１ 遮光性スペーサ層
３２ 接着層
４０ シール部
４１ フィラー
４２ 粘着層
５０ 封止空間
１００ 表示装置
１１０ 表示パネル
１１１ 画素アレイ
ＰＩＸ 画素
ＯＥＬ 有機ＥＬ素子
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々が発光素子を有する複数の画素と、前記各画素の前記発光素子の形成領域を区画する境界領域に連続的に設けられた隔壁と、が一面側に設けられた第１の基板と、
一面側が前記第１の基板の前記一面側に対向して設けられ、前記第１の基板の前記一面側を封止する第２の基板と、
前記隔壁の平面パターンに対応した平面パターンを有して前記第２の基板の前記一面側に密着して設けられ、かつ、遮光性を有する遮光性スペーサ層と、
前記遮光性スペーサ層の前記第１の基板の前記一面側に対向する面側と前記第１の基板の前記一面側とに接着される接着層と、
を備えることを特徴とする発光パネル。
【請求項２】
前記発光素子は、発光層と、該発光層を介して互いに対向する一対の電極とを有し、該一対の電極のいずれか一方をなす電極層が前記隔壁上に延在して設けられ、
前記接着層は、少なくとも前記隔壁上に延在する前記電極層の一部が除去された開口部に対応する領域に設けられていることを特徴とする請求項１記載の発光パネル。
【請求項３】
前記遮光性スペーサ層は、前記隔壁の平面パターンに対応した連続する平面パターンを有していることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光パネル。
【請求項４】
前記発光素子はトップエミッション構造を有し、
前記各画素は、少なくとも、前記発光素子を発光駆動させるための複数の薄膜トランジスタを備え、該各薄膜トランジスタはゲート電極が半導体層の下部に設けられたボトムゲート構造を有していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の発光パネル。
【請求項５】
第１の基板の一面側に、各々が発光素子を有する複数の画素と、前記各画素の前記発光素子の形成領域を区画する境界領域に連続的に設けられる隔壁と、を形成する工程と、
前記第１の基板の前記一面側を封止するための第２基板を準備する工程と、
前記隔壁の平面パターンに対応した平面パターンを有し、かつ、遮光性を有する遮光性スペーサ層を前記第２基板の一面側に密着して形成する工程と、
前記遮光性スペーサ層の前記第１の基板の前記一面側に対向する面に、接着性を有する樹脂材料を有する接着材層を形成する工程と、
前記第１の基板の前記一面側に前記第２の基板の前記一面側を対向させ、押圧力を印加して、前記遮光性スペーサ層と前記接着層を介して、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせた状態で、前記接着材層を所定の条件により硬化させて接着層を形成し、該接着層を介して前記遮光性スペーサ層の前記第１の基板の前記一面側に対応する面側と前記第１の基板の前記一面側とを接着する工程と、
を含むことを特徴とする発光パネルの製造方法。
【請求項６】
前記発光素子は、発光層と、該発光層を介して互いに対向する一対の電極と、を備え、
前記第１の基板の前記一面側に前記画素を形成する工程は、
前記発光素子の前記一対の電極のいずれか一方をなす電極層を前記隔壁上に延在させて形成する工程と、
前記隔壁上に延在する前記電極層の一部を除去した開口部を形成する工程と、
を含み、
前記接着材層を形成する工程は、前記遮光性スペーサ層の前記第１の基板の前記一面側に対向する面の、少なくとも前記開口部に対応する位置に前記接着材層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項５記載の発光パネルの製造方法。
【請求項７】
各々が発光素子を有する複数の画素と、該複数の画素に接続された複数の選択ライン及び複数のデータラインと、前記各画素の前記発光素子の形成領域を区画する境界領域に連続的に設けられた隔壁と、が一面側に設けられた第１の基板と、一面側が前記第１の基板の前記一面側に対向して設けられ、前記第１の基板の前記一面側を封止する第２の基板と、前記隔壁の平面パターンに対応した平面パターンを有して前記第２の基板の前記一面側に密着して設けられ、かつ、遮光性を有する遮光性スペーサ層と、前記遮光性スペーサ層の前記第１の基板の前記一面側に対向する面側と前記第１の基板の前記一面側とに接着される接着層と、を具備する発光パネルと、
前記各選択ラインを介して、前記画素を選択状態に設定するための選択信号を印加する選択駆動回路と、
前記各データラインを介して、前記選択状態に設定された前記画素に画像データに応じた階調信号を書き込む信号駆動回路と、
を備えていることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
前記発光素子は、発光層と、該発光層を介して互いに対向する一対の電極とを有し、該一対の電極のいずれか一方をなす電極層が前記隔壁上に延在して設けられ、
前記接着層は、前記隔壁上に延在する前記電極層の一部が除去された開口部内に対応する領域に設けられていることを特徴とする請求項７記載の発光装置。
【請求項９】
前記遮光性スペーサ層は、前記隔壁の平面パターンに対応した連続する平面パターンを有していることを特徴とする請求項７又は８に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記発光素子はトップエミッション構造を有し、
前記各画素は、少なくとも、前記発光素子を発光駆動させるための複数の薄膜トランジスタを備え、該各薄膜トランジスタはゲート電極が半導体層の下部に設けられたボトムゲート構造を有していることを特徴とする請求項７乃至９のいずれかに記載の発光装置。
【請求項１１】
請求項７乃至１０のいずれかに記載の発光装置が実装されてなることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
各々が発光素子を有する複数の画素と、前記各画素の前記発光素子の形成領域を区画する境界領域に連続的に設けられた隔壁と、が一面側に設けられた第１の基板と、
一面側が前記第１の基板の前記一面側に対向して設けられ、前記第１の基板の前記一面側を封止する第２の基板と、
前記隔壁の平面パターンに対応した平面パターンを有して前記第２の基板の前記一面側に密着して設けられ、かつ、遮光性を有する遮光性スペーサ層と、
前記遮光性スペーサ層の前記第１の基板の前記一面側に対向する面側と前記第１の基板の前記一面側とに接着される接着層と、
を備えることを特徴とする発光パネル。
【請求項２】
前記発光素子は、発光層と、該発光層を介して互いに対向する一対の電極とを有し、該一対の電極のいずれか一方をなす電極層が前記隔壁上に延在して設けられ、
前記接着層は、少なくとも前記隔壁上に延在する前記電極層の一部が除去された開口部に対応する領域に設けられていることを特徴とする請求項１記載の発光パネル。
【請求項３】
前記遮光性スペーサ層は、前記隔壁の平面パターンに対応した連続する平面パターンを有していることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光パネル。
【請求項４】
前記発光素子はトップエミッション構造を有し、
前記各画素は、少なくとも、前記発光素子を発光駆動させるための複数の薄膜トランジスタを備え、該各薄膜トランジスタはゲート電極が半導体層の下部に設けられたボトムゲート構造を有していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の発光パネル。
【請求項５】
第１の基板の一面側に、各々が発光素子を有する複数の画素と、前記各画素の前記発光素子の形成領域を区画する境界領域に連続的に設けられる隔壁と、を形成する工程と、
前記第１の基板の前記一面側を封止するための第２基板を準備する工程と、
前記隔壁の平面パターンに対応した平面パターンを有し、かつ、遮光性を有する遮光性スペーサ層を前記第２基板の一面側に密着して形成する工程と、
前記遮光性スペーサ層の前記第１の基板の前記一面側に対向する面に、接着性を有する樹脂材料を有する接着材層を形成する工程と、
前記第１の基板の前記一面側に前記第２の基板の前記一面側を対向させ、押圧力を印加して、前記遮光性スペーサ層と前記接着層を介して、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせた状態で、前記接着材層を所定の条件により硬化させて接着層を形成し、該接着層を介して前記遮光性スペーサ層の前記第１の基板の前記一面側に対応する面側と前記第１の基板の前記一面側とを接着する工程と、
を含むことを特徴とする発光パネルの製造方法。
【請求項６】
前記発光素子は、発光層と、該発光層を介して互いに対向する一対の電極と、を備え、
前記第１の基板の前記一面側に前記画素を形成する工程は、
前記発光素子の前記一対の電極のいずれか一方をなす電極層を前記隔壁上に延在させて形成する工程と、
前記隔壁上に延在する前記電極層の一部を除去した開口部を形成する工程と、
を含み、
前記接着材層を形成する工程は、前記遮光性スペーサ層の前記第１の基板の前記一面側に対向する面の、少なくとも前記開口部に対応する位置に前記接着材層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項５記載の発光パネルの製造方法。
【請求項７】
各々が発光素子を有する複数の画素と、該複数の画素に接続された複数の選択ライン及び複数のデータラインと、前記各画素の前記発光素子の形成領域を区画する境界領域に連続的に設けられた隔壁と、が一面側に設けられた第１の基板と、一面側が前記第１の基板の前記一面側に対向して設けられ、前記第１の基板の前記一面側を封止する第２の基板と、前記隔壁の平面パターンに対応した平面パターンを有して前記第２の基板の前記一面側に密着して設けられ、かつ、遮光性を有する遮光性スペーサ層と、前記遮光性スペーサ層の前記第１の基板の前記一面側に対向する面側と前記第１の基板の前記一面側とに接着される接着層と、を具備する発光パネルと、
前記各選択ラインを介して、前記画素を選択状態に設定するための選択信号を印加する選択駆動回路と、
前記各データラインを介して、前記選択状態に設定された前記画素に画像データに応じた階調信号を書き込む信号駆動回路と、
を備えていることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
前記発光素子は、発光層と、該発光層を介して互いに対向する一対の電極とを有し、該一対の電極のいずれか一方をなす電極層が前記隔壁上に延在して設けられ、
前記接着層は、前記隔壁上に延在する前記電極層の一部が除去された開口部内に対応する領域に設けられていることを特徴とする請求項７記載の発光装置。
【請求項９】
前記遮光性スペーサ層は、前記隔壁の平面パターンに対応した連続する平面パターンを有していることを特徴とする請求項７又は８に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記発光素子はトップエミッション構造を有し、
前記各画素は、少なくとも、前記発光素子を発光駆動させるための複数の薄膜トランジスタを備え、該各薄膜トランジスタはゲート電極が半導体層の下部に設けられたボトムゲート構造を有していることを特徴とする請求項７乃至９のいずれかに記載の発光装置。
【請求項１１】
請求項７乃至１０のいずれかに記載の発光装置が実装されてなることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２０１２−５９６４１（Ｐ２０１２−５９６４１Ａ）
【公開日】平成２４年３月２２日（２０１２．３．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２０３６８１（Ｐ２０１０−２０３６８１）
【出願日】平成２２年９月１０日（２０１０．９．１０）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年３月２２日（２０１２．３．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年９月１０日（２０１０．９．１０）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]