発光パネル及び発光パネルの製造方法
【課題】発光パネルの製造時に使用するフォトマスクの枚数を低減し、製造工程数を削減して製造コストの低減を図るとともに、加工精度の向上を図って開口率の向上を図る。
【解決手段】発光パネル１０は、基板２の上面に形成された遮光膜４と、遮光膜４を被覆する層間絶縁膜５と、層間絶縁膜５の上面に形成された画素電極２０ａ及び画素トランジスタ２１，２２と、複数の画素電極２０ａの外周部及び画素トランジスタ２１，２２を被覆するように形成された保護絶縁膜３２と、画素電極２０ａの上部に形成された発光機能層２０ｂと、保護絶縁膜３２の上部に形成され、発光機能層２０ｂの形成領域を画定する隔壁６と、を備える。遮光膜４は、保護絶縁膜３２または隔壁６の少なくともいずれか一方と平面視において同一形状である。
【解決手段】発光パネル１０は、基板２の上面に形成された遮光膜４と、遮光膜４を被覆する層間絶縁膜５と、層間絶縁膜５の上面に形成された画素電極２０ａ及び画素トランジスタ２１，２２と、複数の画素電極２０ａの外周部及び画素トランジスタ２１，２２を被覆するように形成された保護絶縁膜３２と、画素電極２０ａの上部に形成された発光機能層２０ｂと、保護絶縁膜３２の上部に形成され、発光機能層２０ｂの形成領域を画定する隔壁６と、を備える。遮光膜４は、保護絶縁膜３２または隔壁６の少なくともいずれか一方と平面視において同一形状である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光パネル及び発光パネルの製造方法に関し、特に、画素電極上に形成された発光機能層を有してなる発光素子を備える発光パネル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子はアノードとカソードとの間に有機化合物層（発光機能層）が介在した積層構造を為しており、アノードとカソードの間に順バイアス電圧が印加されると、有機化合物層内で電子と正孔が再結合を引き起こして有機化合物層が発光する。それぞれ赤、緑、青に発光する複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の各々を画素として基板上にマトリクス状に配列し、画像表示を行うエレクトロルミネッセンスディスプレイパネルが実現化されている。
【０００３】
アクティブ駆動の場合、画素トランジスタを基板上に形成した後、画素トランジスタを覆う保護絶縁膜を形成し、保護絶縁膜の上に画素電極を形成した後に画素電極上に有機化合物層を形成する構造が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００７−２３４３９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、図５９に示すように、製造プロセスの簡略化のために、基板上に画素トランジスタ１２１と画素電極１２０ａとを形成し、画素トランジスタ１２１及び画素電極１２０ａを覆う保護絶縁膜１３２に画素電極１２０ａを露出させる開口部１３３を形成し、画素電極１２０ａ上に有機化合物層１２０ｂを形成して、開口部１３３を発光領域とする構造が検討されている。
また、隣接する他の画素電極１２０ｂに異なる色の有機化合物層１２０ｂを形成する場合には、混色を防ぐために隔壁１０６を形成する必要がある。
【０００５】
しかし、このような構造では、保護絶縁膜１３２に開口部１３３を形成するためのフォトマスク、及び、隔壁１０６を形成するためのフォトマスクが必要となるとともに、フォトマスクを用いたステッパ等による露光、現像工程等が必要となる。更に、複数のマスク相互の位置合わせ精度に合わせたマージンを設ける必要があり、これらのマスク相互の位置合わせの精度が低いと、このマージンを比較的大きく設定することが必要となるため、１つの画素領域における開口部１３３の面積からなる発光領域の面積の比率（開口率）が低下するという問題がある。
【０００６】
本発明の課題は、発光パネルの製造時に使用するフォトマスクの枚数を低減すること、及び、製造工程数を削減して製造コストの低減を図るとともに、加工精度の向上を図って開口率の向上を図ることである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以上の課題を解決するため、本発明の一の態様によれば、基板の上面に形成された遮光膜と、前記遮光膜を被覆する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上面に形成された画素電極及び画素トランジスタと、前記複数の画素電極の外周部及び前記画素トランジスタを被覆するように形成された保護絶縁膜と、前記画素電極の上部に形成された発光機能層と、前記保護絶縁膜の上部に形成され、前記発光機能層の形成領域を画定する隔壁と、を備え、前記遮光膜は、前記保護絶縁膜または前記隔壁の少なくともいずれか一方と平面視において同一形状であることを特徴とする発光パネルが提供される。
【０００８】
好ましくは、前記遮光膜は、前記基板の上面に形成された金属膜と、前記金属膜の上面に形成された反射防止膜とからなる。
好ましくは、前記遮光膜は、前記基板の上面に形成された反射防止膜と、前記反射防止膜の上面に形成された金属膜とからなる。
好ましくは、前記金属膜はクロムからなり、前記反射防止膜は酸化クロムからなる。
好ましくは、前記遮光膜は、前記基板の上面に形成された第１の反射防止膜と、前記第１の反射防止膜の上面に形成された金属膜と、前記金属膜の上面に形成された第２の反射防止膜とからなる。
好ましくは、前記金属膜はクロムからなり、前記第１の反射防止膜及び前記第２の反射防止膜は酸化クロムからなる。
【０００９】
本発明の他の態様によれば、画素電極上に形成された発光機能層を有してなる発光素子を備える発光パネルの製造方法であって、基板の上面に遮光膜を形成する工程と、前記遮光膜を被覆する層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜の上面に前記画素電極及び該画素電極を駆動する画素トランジスタを形成する工程と、前記画素電極及び前記画素トランジスタを被覆する保護絶縁膜を形成する工程と、前記基板の下側から光を照射して、前記保護絶縁膜に前記画素電極を露出させる開口部を形成する開口部形成工程、または前記発光機能層の形成領域を画定する隔壁を形成する隔壁形成工程、の少なくともいずれか一方を含む裏面露光工程と、を含むことを特徴とする発光パネルの製造方法が提供される。
【００１０】
好ましくは、前記裏面露光工程は前記開口部形成工程を含み、該開口部形成工程は、前記保護絶縁膜の上面にフォトレジストを塗布する工程と、前記基板の下側から光を照射して、前記遮光膜を通過した光により前記フォトレジストを露光する工程と、現像された前記フォトレジストを用いて前記保護絶縁膜に前記開口部を形成する工程と、を含み、前記開口部が形成された前記保護絶縁膜の上部に前記隔壁を形成する工程を含む。
好ましくは、前記裏面露光工程は前記隔壁形成工程を含み、該隔壁形成工程は、前記保護絶縁膜の上面に感光性樹脂を塗布する工程と、前記基板の下側から光を照射して、前記遮光膜を通過した光により前記感光性樹脂を露光することで前記隔壁を形成する工程と、を含む。
【００１１】
好ましくは、前記裏面露光工程は前記開口部形成工程及び前記隔壁形成工程を含み、該開口部形成工程は、前記保護絶縁膜の上面にフォトレジストを塗布する工程と、前記基板の下側から光を照射して、前記遮光膜を通過した光により前記フォトレジストを露光する工程と、現像された前記フォトレジストを用いて前記保護絶縁膜に前記開口部を形成する工程と、を含み、前記隔壁形成工程は、前記開口部が形成された前記保護絶縁膜及び前記画素電極の上面に感光性樹脂を塗布する工程と、前記基板の下側から光を照射して、前記遮光膜を通過した光により前記感光性樹脂を露光することで前記隔壁を形成する工程と、を含む。
好ましくは、前記裏面露光工程は前記隔壁形成工程を含み、該隔壁形成工程は、前記保護絶縁膜の上面に感光性樹脂を塗布する工程と、前記基板の下側から光を照射して、前記遮光膜を通過した光により前記感光性樹脂を露光することで前記隔壁を形成する工程と、を含み、更に、形成された前記隔壁をレジストマスクとして用いて前記保護絶縁膜をエッチングして、前記保護絶縁膜に前記画素電極を露出させる開口部を形成する工程を含む。
好ましくは、前記隔壁を形成した後、前記画素電極の上部に前記発光機能層を形成する前に、前記隔壁に対しプラズマアッシングまたはプラズマエッチングによる表面処理を行う工程を含む。
好ましくは、前記感光性樹脂を露光して前記隔壁を形成する工程における前記感光性樹脂の露光時間を、マスク線幅と仕上がり線幅が同じになる適正な露光時間よりも長くする。
好ましくは、前記遮光膜は、前記基板の上面に形成された金属膜と、前記金属膜の上面に形成された反射防止膜とからなる。
好ましくは、前記遮光膜は、前記基板の上面に形成された反射防止膜と、前記反射防止膜の上面に形成された金属膜とからなる。
好ましくは、前記遮光膜は、前記基板の上面に形成された第１の反射防止膜と、前記第１の反射防止膜の上面に形成された金属膜と、前記反射膜の上面に形成された第２の反射防止膜とからなる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造時に使用するフォトマスクの枚数を低減すること、及び、製造工程数を削減して製造コストの低減を図るとともに、加工精度の向上を図って開口率の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に、本発明を実施するための最良の形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。また、以下の説明において、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence）という用語をＥＬと略称する。
【００１４】
〔第１実施形態〕
図１は、本発明の第１の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル（発光パネル）１０Ａにおける１つの画素の回路図であり、図２は1つの画素及び端子部の平面図である。また、図３は図２のIII−III矢視断面図であり、図４は図２のIV−IV矢視断面図であり、図５は図２のV−V矢視断面図であり、図６は図２のVI−VI矢視断面図である。このＥＬディスプレイパネル１０Ａにおいては、赤、青及び緑のサブピクセルによって１ドットの画素が構成され、このような画素がマトリクス状に配列されている。水平方向の配列に着目すると赤の画素、青の画素、緑の画素の順に繰り返し配列され、垂直方向の配列に着目すると同じ色が一列に配列されている。
【００１５】
このＥＬディスプレイパネル１０Ａにおいては、画素に各種の信号を出力するために、複数の走査線２５、信号線２４及び供給線２６が設けられている。走査線２５及び供給線２６と、信号線２４とは互いに直行する方向に延在している。
【００１６】
１つの画素は、例えば２つのｎチャネル型トランジスタ２１，２２と、キャパシタ２７と、有機ＥＬ素子２０とを有する。２つのｎチャネル型トランジスタ２１，２２及びキャパシタ２７は、走査線２５、信号線２４及び供給線２６の入力信号に応じて有機ＥＬ素子２０に電圧を印加する。
【００１７】
図２〜図６に示すように、有機ＥＬ素子２０及び端子５１，５２，５３が形成される部分を除き、透明な絶縁基板２上の全面に、遮光膜４が形成されている。遮光膜４は、例えばクロム等の金属を約５０〜１５０ｎｍの厚さに成膜した薄膜からなり、トランジスタ２１，２２へ光が入射するのを防止する。
遮光膜４はＳｉＯ2、ＳｉＮ等の絶縁体を約１００〜１００００ｎｍの厚さに成膜した層間絶縁膜５により被覆されている。
遮光膜４には、有機ＥＬ素子２０及び端子５１，５２，５３が形成される部分に開口が設けられている。
【００１８】
また、遮光膜４は、マトリクス状に配列された画素の外周部に形成されたコンタクトホール２８ｄにより、ソース・ドレインメタル２９ｄと導通している。すなわち、コンタクトホール２８ｄは、図４に示すように、層間絶縁膜５及びゲート絶縁膜３１に設けられており、ソース・ドレインメタル２９ｄがコンタクトホール２８ｄを介して遮光膜４と接触している。端子５１はソース・ドレインメタル２９ｄの一部の上部に重なり、遮光膜４と導通している。
【００１９】
層間絶縁膜５の上には、トランジスタ２１，２２のゲート電極２１Ｇ，２２Ｇが設けられるとともに、キャパシタ２７の一方の電極２７ａ、信号線２４が設けられ、これらが共通のゲート絶縁膜３１によって被覆されている。なお、図２に示すように、電極２７ａとゲート電極２１とは一体に形成されている。
【００２０】
また、信号線２４の端部は、マトリクス状に配列された画素の外周部に形成されたコンタクトホール２８ｅにより、ソース・ドレインメタル２９ｅと導通している。すなわち、コンタクトホール２８ｅは、ゲート絶縁膜３１に設けられており、ソース・ドレインメタル２９ｅがコンタクトホール２８ｅを介して信号線２４と接触している。端子５２はソース・ドレインメタル２９ｅの一部の上部に重なり、信号線２４と導通している。
【００２１】
ゲート絶縁膜３１の上には、図３に示すように、トランジスタ２１，２２の半導体膜２１ａ，２２ａ、チャネル保護膜２１ｂ，２２ｂ、不純物半導体膜２１ｃ，２１ｄ，２２ｃ，２２ｄ、ソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、キャパシタ２７の他方の電極２７ｂ、走査線２５及び供給線２６が設けられている。
【００２２】
なお、図２に示すように、ソース電極２１Ｓと電極２７ｂとは一体に形成されており、ドレイン電極２１Ｄは供給線２６と一体に形成されており、ソース電極２２Ｓはコンタクトホール２８ａによりゲート電極２１Ｇ及び電極２７ａと導通されており、信号線２４はコンタクトホール２８ｂによりドレイン電極２２Ｄと導通されており、走査線２５はコンタクトホール２８ｃによりゲート電極２２と導通されている。
【００２３】
コンタクトホール２８ｃは、図５に示すように、ゲート絶縁膜３１に設けられており、走査線２５を形成する金属（ソース・ドレインメタル）がコンタクトホール２８ｃを介してゲート電極２２Ｇを形成する金属（ゲートメタル）と接触している。また、走査線２５の端部には、図６に示すように、端子５３が重なるように形成されており、走査線２５は端子５３と導通している。
【００２４】
さらに、ゲート絶縁膜３１の上には、画素電極２０ａがマトリクス状に配列されている。なお、これら画素電極２０ａは、気相成長法によってゲート絶縁膜３１上に成膜された導電性膜（例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）又はカドミウム−錫酸化物（ＣＴＯ））をフォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いてパターニングすることによって形成されたものである。画素電極２０ａはトランジスタ２１のソース電極２１Ｓの一部と重なるように形成され、ソース電極２１Ｓと導通している。
【００２５】
トランジスタ２１，２２のソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、キャパシタ２７の他方の電極２７ｂ、走査線２５及び供給線２６、画素電極２０ａは共通の保護絶縁膜３２によって被覆されている。保護絶縁膜３２の画素電極２０ａの部分には画素電極２０ａを露出させる開口部３３が形成され、端子５１，５２，５３の部分には端子５１，５２，５３を露出させる開口部３４が形成されている。開口部３３が形成されることにより保護絶縁膜３２は画素電極２０ａの間を縫うように網目状に形成されるとともに画素電極２０ａの一部外縁部に重なり、画素電極２０ａを囲繞している。開口部３３内に有機ＥＬ層２０ｂが形成される。
【００２６】
保護絶縁膜３２上には、隔壁６が網目状に形成されている。隔壁６は、例えばポリイミド等の感光性樹脂により形成されたものであり、トランジスタ２１，２２の各電極、走査線２５、信号線２４及び供給線２６よりも十分に厚い。隔壁６には、開口部３３と対応する位置に開口部８が、開口部３４と対応する位置に開口部９が設けられている。なお、本実施形態においては、開口部３３よりも開口部８のほうがやや大きく、図２に示すように、段差が形成されている。
なお、絶縁基板２から隔壁６までの積層構造がトランジスタアレイパネル５０である。
【００２７】
画素電極２０ａ上には正孔注入層２０ｅ、発光層２０ｆが順に積層されて有機ＥＬ層２０ｂ（有機化合物層：発光機能層）が形成されている。正孔注入層２０ｅは、例えば、導電性高分子であるＰＥＤＯＴ及びドーパントであるＰＳＳからなり、発光層２０ｆは、ポリフェニレンビニレン系発光材料やポリフルオレン系発光材料等の共役ポリマーからなる。なお、有機ＥＬ層２０ｂは発光層の上にさらに電子輸送層を設けても良い。また、有機ＥＬ層２０ｂは画素電極２０ａの上に形成された発光層、電子輸送層からなる二層構造であっても良いし、担体輸送層と発光層との組合せは任意に設定できる。また、これらの層構造において適切な層間に担体輸送を制限するインタレイヤ層が介在した積層構造であっても良いし、その他の積層構造であっても良い。
【００２８】
正孔注入層２０ｅ及び発光層２０ｆは、湿式塗布法（例えば、インクジェット法）によって成膜される。この場合、正孔注入層２０ｅとなるＰＥＤＯＴ及びＰＳＳを含有する有機化合物含有液を画素電極２０ａに塗布して成膜し、その後、発光層２０ｆとなる共役ポリマー発光材料を含有する有機化合物含有液を塗布して成膜するが、厚膜の隔壁６が設けられているので、隣り合う画素電極２０ａに塗布された有機化合物含有液が隔壁６を越えて混ざり合うことを防止することができる。
【００２９】
なお、画素が赤の場合には発光層２０ｆが赤色に発光し、画素が緑の場合には発光層２０ｆが緑色に発光し、画素が青の場合には発光層２０ｆが青色に発光するように、それぞれの材料を設定する。
【００３０】
発光層２０ｆ、保護絶縁膜３２及び隔壁６の上部には、対向電極２０ｄが形成されている。対向電極２０ｄは、例えばアルミニウム、クロム、銀やパラジウム銀系の合金等の導電性材料を気相成長法によって１００ｎｍ以上成膜することで形成される。
【００３１】
なお、対向電極２０ｄの下面に、電子注入層を成膜してもよい。電子注入層には、画素電極２０ａよりも仕事関数の低い材料を用いる。例えば、インジウム、マグネシウム、カルシウム、リチウム、バリウム、希土類金属の少なくとも一種を含む単体又は合金より１〜１０ｎｍの厚さに形成する。あるいは、上記各種材料の層を積層した積層構造としてもよい。
【００３２】
画素電極２０ａ、有機ＥＬ層２０ｂ、対向電極２０ｄの順に積層されたものが有機ＥＬ素子２０である。
【００３３】
なお、端子５１，５２，５３は、画素電極２０ａと同じ材料からなる。端子５１，５２，５３の上部には保護絶縁膜３２及び隔壁６が形成されず、端子５１，５２，５３が露出される。端子５１，５２，５３には図示しないドライバ等の配線が接続される。
【００３４】
また、図示しないが、複数の有機ＥＬ素子２０全体及び端子５１，５２，５３を被覆するように封止層が形成されている。封止層は、絶縁性を有し、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂又は光硬化性樹脂等からなり、これらの樹脂にシリカ充填材等を加えたものでもよい。封止層は有機ＥＬ素子２０及び端子５１，５２，５３が外気に露出されることを防ぐ役割を果たす。
【００３５】
次に、ＥＬディスプレイパネル１０Ａを製造する製造工程について説明する。まず、図７〜図１８を用いてトランジスタアレイパネル５０を製造する方法について説明する。なお、図７〜図１８において、（ａ）は図３と同じ箇所の断面の図であり、（ｂ）は図４と同じ箇所の断面の図であり、（ｃ）は図５と同じ箇所の断面の図であり、（ｄ）は図６と同じ箇所の断面の図である。
【００３６】
まず、絶縁基板２の上面に金属膜を成膜し、パターニングすることで、図７に示すように、遮光膜４を形成する。次に、遮光膜４の上に層間絶縁膜５を形成する。
【００３７】
次に、層間絶縁膜５の上面にゲート金属を成膜し、パターニングすることで、図８に示すように、ゲート２１Ｇ，２２Ｇ及び電極２７ａ、信号線２４を形成する。
【００３８】
次に、図９に示すように、これらを被覆するゲート絶縁膜３１を形成する。次に、半導体膜２１ａ，２２ａとなるアモルファスシリコン又はポリシリコンからなる半導体層３６を形成する。次に、半導体層３６の上に窒化シリコン又は酸化シリコンの層を形成し、パターニングすることでチャネル保護膜２１ｂ，２２ｂを形成する。次に、不純物半導体膜２１ｃ，２１ｄ，２２ｃ，２２ｄとなるｎ型の不純物イオンを含むアモルファスシリコンからなる層（ｎ+シリコン層３７）を半導体層３６上及びチャネル保護膜２１ｂ，２２ｂ上に形成する。
【００３９】
次に、図１０に示すように、コンタクトホール２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｅが形成される位置のゲート絶縁膜３１、半導体層３６、及びｎ+シリコン層３７にゲート金属が露出するように孔を形成する。また、図１０（ｂ）に示すように、コンタクトホール２８ｄが形成される位置においては、遮光膜４が露出するように、層間絶縁膜５、ゲート絶縁膜３１、半導体層３６、及びｎ+シリコン層３７に孔を形成する。
【００４０】
次に、ソース・ドレインメタルを上面全体に形成する。このとき、ゲート絶縁膜３１、半導体層３６、及びｎ+シリコン層３７に形成された孔の部分でゲート金属とソース・ドレインメタルとが接合され導通し、コンタクトホール２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄ，２８ｅが形成される。
【００４１】
次に、図１１に示すように、ソース・ドレインメタル及び半導体層３６、ｎ+シリコン層３７をパターニングすることでソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、キャパシタ２７の他方の電極２７ｂ、走査線２５及び供給線２６を形成する。
次に、図１２に示すように、気相成長法によって導電性膜を成膜し、パターニングすることで画素電極２０ａ及び端子５１，５２，５３を形成する。
【００４２】
次に、図１３に示すように、トランジスタ２１，２２のソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、キャパシタ２７の他方の電極２７ｂ、走査線２５及び供給線２６、及び画素電極２０ａを覆う保護絶縁膜３２を上面全体に形成する。
【００４３】
次に、図１４に示すように、保護絶縁膜３２の上部全面にポジ型のフォトレジスト３８を塗布し、プリベークする。次に、絶縁基板２の下面から光を照射し、フォトレジスト３８を露光させる。このとき、遮光膜４があるため、有機ＥＬ素子２０及び端子５１，５２，５３が形成される部分のみが露光される。
【００４４】
次に、図１５に示すように、フォトレジスト３８を現像・リンスし、露光部分を除去し、ポストベークを行う。次に、図１６に示すように、保護絶縁膜３２のエッチングを行い、開口部３３，３４を形成する。その後、残ったフォトレジスト３８を除去する。
【００４５】
次に、図１７に示すように、隔壁６となる感光性樹脂３９を上面全体に塗布する。次に、絶縁基板２の下面から光を照射し、感光性樹脂３９を露光させる。このとき、露光時間を、マスク線幅と仕上がり線幅が同じになる適正な露光時間よりも長くする（オーバー露光）。これにより、感光性樹脂３９の露光される部分が遮光膜４の開口よりも広くなる。
【００４６】
次に、図１８に示すように、感光性樹脂３９を現像・リンスし、露光部分を除去し、ポストベークを行う。これにより、隔壁６及び開口部８、９が形成される。以上により、トランジスタアレイパネル５０が完成する。
【００４７】
次に、トランジスタアレイパネル５０上へ有機ＥＬ素子２０を形成し、ＥＬディスプレイパネル１０Ａを製造する製造工程について説明する。
【００４８】
まず、トランジスタアレイパネル５０を洗浄する。次に、画素電極２０ａの表面を、有機ＥＬ層２０ｂの形成に使用する有機化合物含有液に対して親液化させる。例えば有機化合物含有液に親水性の溶剤を用いる場合には、酸素プラズマ処理やＵＶオゾン処理等を施すことにより親水化させる。
次に、親水性の溶剤に対して溶解性を示し且つ疎水性の溶剤に対して難溶性又は不溶性である正孔注入材料（例えば導電性高分子であるＰＥＤＯＴ及びドーパントとなるＰＳＳ）を水に溶解した有機化合物含有液を画素電極２０ａに塗布する。塗布方法としては、インクジェット法（液滴吐出法）、その他の印刷方法を用いても良いし、ディップコート法、スピンコート法といったコーティング法を用いても良い。画素電極２０ａごとに独立して正孔注入層２０ｅを成膜するためには、インクジェット法等の印刷方法が好ましい。
【００４９】
このように湿式塗布法により正孔注入層２０ｅを形成した場合、厚膜の隔壁６が設けられているから、隣り合う画素電極２０ａに塗布された有機化合物含有液が隔壁６を越えて混ざり合わない。そのため、画素電極２０ａごとに独立して正孔注入層２０ｅを形成することができる。
【００５０】
正孔注入層２０ｅを形成した後、正孔注入層２０ｅを大気に曝露した状態で、ホットプレートを用いてトランジスタアレイパネル５０を１６０〜２００℃の温度で乾燥させ、残留溶媒の除去を行う。
【００５１】
次に、発光色が赤、緑、青の共役ポリマー発光材料をそれぞれ疎水性の有機溶剤（例えば、テトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン）に溶かし、赤、緑、青それぞれの有機化合物含有液を準備する。そして、赤の画素の正孔注入層２０ｅ上には赤の有機化合物含有液を塗布し、緑の画素の正孔注入層２０ｅ上には緑の有機化合物含有液を塗布し、青の画素の正孔注入層２０ｅ上には青の有機化合物含有液を塗布する。これにより、正孔注入層２０ｅ上に発光層２０ｆを成膜する。塗布方法としてはインクジェット法（液滴吐出法）、その他の印刷方法を用いて、色ごとに塗り分けを行う。
【００５２】
このように湿式塗布法により正孔注入層２０ｅ及び発光層２０ｆを形成した場合、厚膜の隔壁６が設けられているから、隣り合う画素に塗布された有機化合物含有液が隔壁６を越えて混ざり合わない。そのため、画素ごとに独立して発光層２０ｆを形成することができる。
【００５３】
次に、不活性ガス雰囲気（例えば、窒素ガス雰囲気）下でホットプレートによってトランジスタアレイパネル５０を乾燥させ、残留溶媒の除去を行う。なお、真空中でシーズヒータによる乾燥を行っても良い。
【００５４】
次に、気相成長法により対向電極２０ｄを発光層２０ｆ、保護絶縁膜３２、隔壁６及び光吸収層８の上部に成膜する。このとき、開口部３３よりも開口部８のほうがやや大きく、段差が形成されているため、対向電極２０ｄのステップカバレッジを良好にすることができる。
なお、対向電極２０ｄの成膜前に、気相成長法により電子注入層を成膜してもよい。具体的には、真空蒸着法によってＣａ又はＢａの薄膜を成膜する。
以上により、図３に示すように、トランジスタアレイパネル５０上に有機ＥＬ素子２０が形成される。
【００５５】
最後に、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂又は光硬化性樹脂等を対向電極２０ｄの上部に塗布し、硬化させて封止層を形成する。
以上により、ＥＬディスプレイパネル１０Ａが完成する。
【００５６】
本実施形態によれば、トランジスタ２１，２２の下部に遮光膜４が設けられているため、外部の光が絶縁基板２側からトランジスタ２１，２２に到達することを防止することができる。
また、遮光膜４をフォトレジスト３８のフォトマスクとして用いるとともに、隔壁６を形成するためのフォトマスクとしても用いるので、フォトマスクの数を減らし製造コストを低減することができる。さらに、絶縁基板２に形成された同一の遮光膜４をフォトマスクとして用いるので、加工精度を向上させることができ、従来の製造プロセスを適用した場合に比して、開口部３３の大きさを大きくすることができて、開口率を向上させることができる。
【００５７】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の改良並びに設計の変更を行ってもよい。
【００５８】
＜第２実施形態＞
図１９、図２０は本発明の第２の実施形態に係るトランジスタアレイパネル５０を製造する方法を示す説明図であり、（ａ）は図３に相当する断面図、（ｂ）は図６に相当する断面図である。また、図２１は第２の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｂの図３に相当する断面図である。
【００５９】
本変形例においては、隔壁６となる感光性樹脂３９に対し、絶縁基板２の下面から光を照射する際に、露光時間を、マスク線幅と仕上がり線幅が同じになる適正な露光時間とする。この場合、図１９に示すように、感光性樹脂３９の露光される部分が遮光膜４の開口と等しくなる。このため、図２０に示すように、開口部３３の側面と開口部８の側面とが面一に形成され、開口部３４と開口部９とが面一に形成される。
その後、図２１に示すように、第1実施形態と同様の手順で有機ＥＬ素子２０を形成することで、ＥＬディスプレイパネル１０Ｂが完成する。
【００６０】
本実施形態においても、遮光膜４をフォトレジスト３８のフォトマスクとして用いるとともに、隔壁６を形成するためのフォトマスクとしても用いるので、フォトマスクの数を減らし製造コストを低減することができる。さらに、絶縁基板２に形成された同一の遮光膜４をフォトマスクとして用いるために加工精度を向上させることができ、従来の製造プロセスを適用した場合に比して、開口部３３の大きさを大きくすることができて、開口率を向上させることができる。
【００６１】
〔第３実施形態〕
図２２は本発明の第３の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｃの図３に相当する断面図である。本実施形態においては、遮光膜４が絶縁基板２の上部に形成された遮光膜４ａと、遮光膜４ａの上部に形成された反射防止膜４ｂとからなる。遮光膜４ａは、例えばクロム等の金属を約５０〜１５０ｎｍの厚さに成膜した薄膜からなる。反射防止膜４ｂは、例えば酸化クロム等の金属酸化物を１０〜１００ｎｍの厚さに成膜した薄膜からなる。
【００６２】
本実施形態においては、遮光膜４ａの上部（トランジスタ２１，２２側）に反射防止膜４ｂを設けることで、有機ＥＬ素子２０から放射される光が遮光膜４ａの上面で反射してトランジスタ２１，２２に届くことを防ぐことができ、光リークを防止することができる。
【００６３】
〔第４実施形態〕
図２３は本発明の第４の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｄの図３に相当する断面図である。本実施形態においては、遮光膜４が絶縁基板２の上部に形成された反射防止膜４ｂと、反射防止膜４ｂの上部に形成された遮光膜４ａとからなる。遮光膜４ａは、例えばクロム等の金属を約５０〜１５０ｎｍの厚さに成膜した薄膜からなる。反射防止膜４ｂは、例えば酸化クロム等の金属酸化物を１０〜１００ｎｍの厚さに成膜した薄膜からなる。
【００６４】
本実施形態においては、遮光膜４ａと絶縁基板２との間に反射防止膜４ｂを設けることで、遮光膜４ａと絶縁基板２との間での光反射が抑えられ、明るい場所におけるコントラスト等の表示特性を向上させることができる。
【００６５】
〔第５実施形態〕
図２４は本発明の第５の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｅの図３に相当する断面図である。本実施形態においては、遮光膜４が絶縁基板２の上部に形成された反射防止膜４ｂと、反射防止膜４ｂの上部に形成された遮光膜４ａと、遮光膜４ａの上部に形成された反射防止膜４ｃとからなる。遮光膜４ａは、例えばクロム等の金属を約５０〜１５０ｎｍの厚さに成膜した薄膜からなる。反射防止膜４ｂ、４ｃは、例えば酸化クロム等の金属酸化物を１０〜１００ｎｍの厚さに成膜した薄膜からなる。
【００６６】
本実施形態においては、遮光膜４ａと絶縁基板２との間に反射防止膜４ｂを設けることで、遮光膜４ａと絶縁基板２との間での光反射が抑えられ、明るい場所におけるコントラスト等の表示特性を向上させることができる。また、遮光膜４ａの上部（トランジスタ２１，２２側）に反射防止膜４ｃを設けることで、有機ＥＬ素子２０から放射される光が遮光膜４ａの上面で反射してトランジスタ２１，２２に届くことを防ぐことができ、光リークを防止することができる。
【００６７】
〔第６実施形態〕
図２５は本発明の第６の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｆの図３に相当する断面図である。本実施形態においては、フォトレジスト３８を用いる代わりに、隔壁６となる感光性樹脂３９を、エッチングを行う際のレジストマスクとして用いる。以下、ＥＬディスプレイパネル１０Ｆの製造方法のうち、第１実施形態と異なる点について図２６〜図２８を用いて説明する。なお、図２６〜図２８において、（ａ）は図３に相当する断面図、（ｂ）は図６に相当する断面図である。
【００６８】
まず、第１実施形態の図１３と同様に、保護絶縁膜３２を上面全体に形成する工程までを行う。
次に、図２６に示すように、保護絶縁膜３２の上部全面に、隔壁６となる感光性樹脂３９を塗布する。次に、絶縁基板２の下面から光を照射し、感光性樹脂３９を露光させる。これにより、感光性樹脂３９の露光される部分が遮光膜４の開口よりも広くなる。
【００６９】
次に、図２７に示すように、感光性樹脂３９を現像・リンスし、露光部分を除去し、ポストベークを行う。これにより、開口部８、９が形成される。
次に、図２８に示すように、保護絶縁膜３２のエッチングを行い、開口部３３，３４を形成する。このとき、感光性樹脂３９がエッチングを行う際のレジストマスクとして機能するため、開口部３３の側面と開口部８の側面とが面一に形成され、開口部３４と開口部９とが面一に形成される。
以上により、隔壁６が形成される。
その後、図２５に示すように、第1実施形態と同様の手順で有機ＥＬ素子２０を形成することで、ＥＬディスプレイパネル１０Fが完成する。
【００７０】
本実施形態によれば、フォトレジスト３８を用いる代わりに、隔壁６となる感光性樹脂３９をレジストマスクとして用いるので、露光・現像のプロセスが減り、製造コストを低減することができる。
【００７１】
〔第７実施形態〕
図２９は本発明の第７の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｇの図３に相当する断面図である。本実施形態においては、開口部３３よりも開口部８のほうがやや大きく、段差が形成されている。以下、ＥＬディスプレイパネル１０Ｇの製造方法のうち、第６実施形態と異なる点について図３０を用いて説明する。なお、図３０において、（ａ）は図３に相当する断面図、（ｂ）は図６に相当する断面図である。
【００７２】
まず、第６の実施形態の図２８と同様に、隔壁６を形成する工程までを行う。
次に、酸素プラズマを用いたプラズマアッシングまたはプラズマエッチングによる表面処理を行い、画素電極２０ａ及び端子５１，５２，５３の表面処理を行うとともに、隔壁６の表面の感光性樹脂３０の一部を除去する。すると、図３０に示すように、開口部３３、３４よりも開口部８、９のほうがやや大きくなり、段差が形成される。
【００７３】
その後、第６実施形態と同様の手順で有機ＥＬ素子２０を形成することで、ＥＬディスプレイパネル１０Ｇが完成する。
本実施形態においても、開口部３３よりも開口部８のほうがやや大きく、段差が形成されているため、対向電極２０ｄのステップカバレッジを良好にすることができる。
【００７４】
〔第８実施形態〕
図３１は本発明の第８の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｈの図３に相当する断面図である。本実施形態においては、層間絶縁膜５の有機ＥＬ素子２０が設けられる部分に孔７が形成されている。また、ゲート絶縁膜３１の有機ＥＬ素子２０が設けられる部分に孔３５が形成されている。
【００７５】
以下、ＥＬディスプレイパネル１０Ｈの製造方法のうち、第１実施形態と異なる点について図３２〜図３７を用いて説明する。なお、図３２〜図３７は図３に相当する断面図である。
【００７６】
まず、第１の実施形態の図９と同様に、ｎ+シリコン層３７を形成する工程までを行う。次に、図１０（ｃ）、（ｄ）と同様に、コンタクトホール２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｅが形成される位置のゲート絶縁膜３１、半導体層、及びｎ+シリコン層にゲート金属が露出するように孔を形成する。
【００７７】
また、図１０（ｂ）に示すように、コンタクトホール２８ｄが形成される位置においては、遮光膜４が露出するように、層間絶縁膜５、ゲート絶縁膜３１、半導体層３６、及びｎ+シリコン層３７に孔を形成する。同様に、図３２に示すように、ゲート絶縁膜３１に孔３５、層間絶縁膜５に孔７を設けるとともに、半導体層３６及びｎ+シリコン層３７の孔３５、７と対応する位置に孔を設ける。
【００７８】
次に、図１１に示すのと同様に、ソース・ドレインメタルをパターニングすることでソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、キャパシタ２７の他方の電極２７ｂ、走査線２５及び供給線２６を形成する。
次に、図３３に示すように、気相成長法によって導電性膜を成膜し、パターニングすることで画素電極２０ａ及び端子５１，５２，５３を形成する。
【００７９】
次に、トランジスタ２１，２２のソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、キャパシタ２７の他方の電極２７ｂ、走査線２５及び供給線２６、及び画素電極２０ａを覆う保護絶縁膜３２を上面全体に形成する。
【００８０】
次に、図３４に示すように、保護絶縁膜３２の上部全面に、隔壁６となる感光性樹脂３９を塗布する。次に、絶縁基板２の下面から光を照射し、感光性樹脂３９を露光させる。これにより、感光性樹脂３９の露光される部分が遮光膜４の開口よりも広くなる。
【００８１】
次に、図３５に示すように、感光性樹脂３９を現像・リンスし、露光部分を除去し、ポストベークを行う。これにより、開口部８、９が形成される。
次に、図３６に示すように、保護絶縁膜３２のエッチングを行い、開口部３３，３４を形成する。このとき、感光性樹脂３９がエッチングを行う際のレジストマスクとして機能するため、開口部３３の側面と開口部８の側面とが面一に形成され、開口部３４と開口部９とが面一に形成される。
以上により、隔壁６が形成される。
【００８２】
次に、酸素プラズマを用いたプラズマアッシングまたはプラズマエッチングによる表面処理を行い、画素電極２０ａ及び端子５１，５２，５３の表面処理を行うとともに、隔壁６の表面の感光性樹脂３９の一部を除去する。すると、図３７に示すように、開口部８、９が拡大し、開口部３３、３４よりもやや大きくなり、段差が形成される。
その後、第1実施形態と同様の手順で有機ＥＬ素子２０を形成することで、図３１に示すように、ＥＬディスプレイパネル１０Ｈが完成する。
【００８３】
本実施形態においても、遮光膜４をフォトレジスト３８のフォトマスクとして用いるとともに、隔壁６を形成するためのフォトマスクとしても用いるので、フォトマスクの数を減らし製造コストを低減することができる。また、絶縁基板２上に有機ＥＬ素子２０を形成するため、有機ＥＬ素子２０から放射される光が層間絶縁膜５の界面において反射することがない。
【００８４】
〔第９実施形態〕
図３８は本発明の第９の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｉの図３に相当する断面図である。本実施形態においては、保護絶縁膜３２をエッチングする際に用いるフォトレジスト３８を露光させる際に、フォトマスクを用いる点が異なる。
【００８５】
以下、ＥＬディスプレイパネル１０Ｉの製造方法のうち、第１実施形態と異なる点について図３９〜図４３を用いて説明する。なお、図３９〜図４３は図３に相当する断面図である。
【００８６】
まず、第１実施形態の図１４と同様に、保護絶縁膜３２の上部全面にポジ型のフォトレジスト３８を塗布し、プリベークする工程までを行う。次に、図３９に示すように、フォトレジスト３８の上部にフォトマスク４０Ａを配置する。なお、フォトマスク４０Ａは、完成したＥＬディスプレイパネル１０Ｉの保護絶縁膜３２と平面視において同じ形状をしており、開口部３３，３４と対応する位置に孔４３Ａ，４４Ａが設けられている。なお、孔４３Ａ，４４Ａは開口部８、９よりも大きい。
【００８７】
次に、フォトマスク４０Ａの上部から光を照射し、フォトレジスト３８を露光させる。このとき、フォトマスク４０Ａがあるため、有機ＥＬ素子２０及び端子５１，５２，５３が形成される部分のみが露光される。
【００８８】
次に、図４０に示すように、フォトレジスト３８を現像・リンスし、露光部分を除去し、ポストベークを行う。次に、図４１に示すように、保護絶縁膜３２のエッチングを行い、開口部３３，３４を形成する。その後、残ったフォトレジスト３８を除去する。
【００８９】
次に、図４２に示すように、隔壁６となる感光性樹脂３９を上面全体に塗布する。次に、絶縁基板２の下面から光を照射し、感光性樹脂３９を露光させる。
【００９０】
次に、図４３に示すように、感光性樹脂３９を現像・リンスし、露光部分を除去し、ポストベークを行う。これにより、隔壁６及び開口部８、９が形成される。以上により、トランジスタアレイパネル５０が完成する。
その後、図３８に示すように、第1実施形態と同様の手順で有機ＥＬ素子２０を形成することで、ＥＬディスプレイパネル１０Ｉが完成する。
【００９１】
本実施形態においても、隔壁６を形成するためのフォトマスクとして遮光膜４を用いるので、フォトマスクの数を減らし製造コストを低減することができる。
【００９２】
〔第１０実施形態〕
図４４は本発明の第１０の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｊの図３に相当する断面図である。本実施形態においても、第９の実施形態と同様に、保護絶縁膜３２をエッチングする際に用いるフォトレジスト３８を露光させる際に、フォトマスクを用いている。本実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｊが第９の実施形態と異なるのは、開口部３３よりも開口部８のほうがやや大きく、段差が形成されている点である。
【００９３】
以下、ＥＬディスプレイパネル１０Ｊの製造方法のうち、第１実施形態と異なる点について図４５〜図４９を用いて説明する。なお、図４５〜図４９は図３に相当する断面図である。
【００９４】
まず、第１実施形態の図１４と同様に、保護絶縁膜３２の上部全面にポジ型のフォトレジスト３８を塗布し、プリベークする工程までを行う。次に、図４５に示すように、フォトレジスト３８の上部にフォトマスク４０Ａを配置する。なお、フォトマスク４０Ｂは、完成したＥＬディスプレイパネル１０Ｉの保護絶縁膜３２と平面視において同じ形状をしており、開口部３３，３４と対応する位置に孔４３Ｂ，４４Ｂが設けられている。なお、孔４３Ｂ，４４Ｂは開口部８、９よりも小さい。
【００９５】
次に、フォトマスク４０Ｂの上部から光を照射し、フォトレジスト３８を露光させる。このとき、フォトマスク４０Ｂがあるため、有機ＥＬ素子２０及び端子５１，５２，５３が形成される部分のみが露光される。
【００９６】
次に、図４６に示すように、フォトレジスト３８を現像・リンスし、露光部分を除去し、ポストベークを行う。次に、図４７に示すように、保護絶縁膜３２のエッチングを行い、開口部３３，３４を形成する。その後、残ったフォトレジスト３８を除去する。
【００９７】
次に、図４８に示すように、隔壁６となる感光性樹脂３９を上面全体に塗布する。次に、絶縁基板２の下面から光を照射し、感光性樹脂３９を露光させる。
【００９８】
次に、図４９に示すように、感光性樹脂３９を現像・リンスし、露光部分を除去し、ポストベークを行う。これにより、隔壁６及び開口部８、９が形成される。以上により、トランジスタアレイパネル５０が完成する。
その後、図４４に示すように、第1実施形態と同様の手順で有機ＥＬ素子２０を形成することで、ＥＬディスプレイパネル１０Ｊが完成する。
【００９９】
本実施形態においても、隔壁６を形成するためのフォトマスクとして遮光膜４を用いるので、フォトマスクの数を減らし製造コストを低減することができる。また、開口部３３よりも開口部８のほうがやや大きく、段差が形成されているため、対向電極２０ｄのステップカバレッジを良好にすることができる。
【０１００】
〔第１１実施形態〕
図５０は本発明の第１１の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｋの図３に相当する断面図である。本実施形態においては、隔壁６となる感光性樹脂３９を露光させる際に、フォトマスクを用いる点が異なる。
【０１０１】
以下、ＥＬディスプレイパネル１０Ｋの製造方法のうち、第１実施形態と異なる点について図５１〜図５５を用いて説明する。なお、図５１〜図５５は図３に相当する断面図である。
【０１０２】
まず、第１実施形態の図１４と同様に、保護絶縁膜３２の上部全面にポジ型のフォトレジスト３８を塗布し、プリベークする工程までを行う。
次に、図５１に示すように、絶縁基板２の下面から光を照射し、フォトレジスト３８を露光させる。このとき、遮光膜４があるため、有機ＥＬ素子２０及び端子５１，５２，５３が形成される部分のみが露光される。
【０１０３】
次に、図５２に示すように、フォトレジスト３８を現像・リンスし、露光部分を除去し、ポストベークを行う。次に、図５３に示すように、保護絶縁膜３２のエッチングを行い、開口部３３，３４を形成する。その後、残ったフォトレジスト３８を除去する。
【０１０４】
次に、隔壁６となる感光性樹脂３９を上面全体に塗布する。次に、図５４に示すように、感光性樹脂３９の上部にフォトマスク４０Ｃを配置する。なお、フォトマスク４０Ｃは、完成したＥＬディスプレイパネル１０Ｋの隔壁６と平面視において同じ形状をしており、開口部３３，３４と対応する位置に孔４３Ｃ，４４Ｃが設けられている。なお、孔４３Ｃ，４４Ｃは開口部３３、３４よりも小さい。
【０１０５】
次に、フォトマスク４０Ｃの上部から光を照射し、感光性樹脂３９を露光させる。このとき、フォトマスク４０Ｃがあるため、開口部８、９が形成される部分のみが露光される。
【０１０６】
次に、図５５に示すように、感光性樹脂３９を現像・リンスし、露光部分を除去し、ポストベークを行う。これにより、隔壁６及び開口部８、９が形成される。以上により、トランジスタアレイパネル５０が完成する。
その後、図５０に示すように、第1実施形態と同様の手順で有機ＥＬ素子２０を形成することで、ＥＬディスプレイパネル１０Ｋが完成する。
【０１０７】
本実施形態においても、フォトレジスト３８のフォトマスクとして遮光膜４を用いるので、フォトマスクの数を減らし製造コストを低減することができる。
【０１０８】
〔第１２実施形態〕
図５６は本発明の第１２の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｌの図３に相当する断面図である。本実施形態においても、第１１の実施形態と同様に、隔壁６となる感光性樹脂３９を露光させる際に、フォトマスクを用いている。本実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｌが第９の実施形態と異なるのは、開口部３３よりも開口部８のほうがやや大きく、段差が形成されている点である。
【０１０９】
以下、ＥＬディスプレイパネル１０Ｌの製造方法のうち、第１１実施形態と異なる点について図５７、図５８を用いて説明する。なお、図５７、５８は図３に相当する断面図である。
【０１１０】
まず、第１１実施形態の図５３と同様に、保護絶縁膜３２のエッチングを行い、開口部３３，３４を形成した後、残ったフォトレジスト３８を除去する工程までを行う。
【０１１１】
次に、隔壁６となる感光性樹脂３９を上面全体に塗布する。次に、図５７に示すように、感光性樹脂３９の上部にフォトマスク４０Ｄを配置する。なお、フォトマスク４０Ｄは、完成したＥＬディスプレイパネル１０Ｌの隔壁６と平面視において同じ形状をしており、開口部３３，３４と対応する位置に孔４３Ｄ，４４Ｄが設けられている。なお、孔４３Ｄ，４４Ｄは開口部３３、３４よりも大きい。
【０１１２】
次に、フォトマスク４０Ｄの上部から光を照射し、感光性樹脂３９を露光させる。このとき、フォトマスク４０Ｄがあるため、開口部８、９が形成される部分のみが露光される。
【０１１３】
次に、図５８に示すように、感光性樹脂３９を現像・リンスし、露光部分を除去し、ポストベークを行う。これにより、隔壁６及び開口部８、９が形成される。以上により、トランジスタアレイパネル５０が完成する。
その後、図５６に示すように、第1実施形態と同様の手順で有機ＥＬ素子２０を形成することで、ＥＬディスプレイパネル１０Ｌが完成する。
【０１１４】
本実施形態においても、フォトレジスト３８のフォトマスクとして遮光膜４を用いるので、フォトマスクの数を減らし製造コストを低減することができる。また、開口部３３よりも開口部８のほうがやや大きく、段差が形成されているため、対向電極２０ｄのステップカバレッジを良好にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
【図１】本発明の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ａにおける１つの画素の回路図である。
【図２】ＥＬディスプレイパネル１０Ａの１つの画素の平面図である。
【図３】図２のIII−III矢視断面図である。
【図４】図２のIV−IV矢視断面図である。
【図５】図２のV−V矢視断面図である。
【図６】図２のVI−VI矢視断面図である。
【図７】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、（ｃ）は図５と同じ断面における、（ｄ）は図６と同じ断面における、トランジスタアレイパネル５０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図８】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、（ｃ）は図５と同じ断面における、（ｄ）は図６と同じ断面における、トランジスタアレイパネル５０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図９】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、（ｃ）は図５と同じ断面における、（ｄ）は図６と同じ断面における、トランジスタアレイパネル５０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図１０】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、（ｃ）は図５と同じ断面における、（ｄ）は図６と同じ断面における、トランジスタアレイパネル５０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図１１】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、（ｃ）は図５と同じ断面における、（ｄ）は図６と同じ断面における、トランジスタアレイパネル５０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図１２】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、（ｃ）は図５と同じ断面における、（ｄ）は図６と同じ断面における、トランジスタアレイパネル５０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図１３】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、（ｃ）は図５と同じ断面における、（ｄ）は図６と同じ断面における、トランジスタアレイパネル５０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図１４】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、（ｃ）は図５と同じ断面における、（ｄ）は図６と同じ断面における、トランジスタアレイパネル５０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図１５】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、（ｃ）は図５と同じ断面における、（ｄ）は図６と同じ断面における、トランジスタアレイパネル５０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図１６】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、（ｃ）は図５と同じ断面における、（ｄ）は図６と同じ断面における、トランジスタアレイパネル５０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図１７】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、（ｃ）は図５と同じ断面における、（ｄ）は図６と同じ断面における、トランジスタアレイパネル５０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図１８】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、（ｃ）は図５と同じ断面における、（ｄ）は図６と同じ断面における、トランジスタアレイパネル５０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図１９】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、トランジスタアレイパネル５０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図２０】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、トランジスタアレイパネル５０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図２１】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、第２の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｂの断面図である。
【図２２】本発明の第３の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｃの図３に相当する断面図である。
【図２３】本発明の第４の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｄの図３に相当する断面図である。
【図２４】本発明の第５の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｅの図３に相当する断面図である。
【図２５】本発明の第６の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｆの図３に相当する断面図である。
【図２６】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｆを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図２７】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｆを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図２８】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｆを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図２９】本発明の第７の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｇの図３に相当する断面図である。
【図３０】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｇの製造方法について説明するための断面図である。
【図３１】第８の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｈの図３に相当する断面図である。
【図３２】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｈを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図３３】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｈを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図３４】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｈを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図３５】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｈを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図３６】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｈを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図３７】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｈを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図３８】本発明の第９の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｉの図３に相当する断面図である。
【図３９】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｉを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図４０】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｉを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図４１】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｉを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図４２】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｉを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図４３】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｉを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図４４】本発明の第１０の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｊの図３に相当する断面図である。
【図４５】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｊを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図４６】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｊを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図４７】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｊを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図４８】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｊを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図４９】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｊを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図５０】本発明の第１１の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｋの図３に相当する断面図である。
【図５１】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｋを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図５２】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｋを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図５３】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｋを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図５４】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｋを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図５５】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｋを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図５６】本発明の第１２の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｌの図３に相当する断面図である。
【図５７】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｌを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図５８】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｌを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図５９】従来のＥＬディスプレイパネル１１０を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１１６】
２ 基板
４ 遮光膜
５ 層間絶縁膜
６ 隔壁
１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｅ、１０Ｆ、１０Ｇ、１０Ｈ、１０Ｉ、１０Ｊ、１０Ｋ、１０Ｌ ＥＬディスプレイパネル
２０ エレクトロルミネッセンス素子
２１，２２ 画素トランジスタ
２１ａ 画素電極
３２ 保護絶縁膜
３３ 開口部
２０ｂ 有機化合物層
２０ｄ 対向電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光パネル及び発光パネルの製造方法に関し、特に、画素電極上に形成された発光機能層を有してなる発光素子を備える発光パネル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子はアノードとカソードとの間に有機化合物層（発光機能層）が介在した積層構造を為しており、アノードとカソードの間に順バイアス電圧が印加されると、有機化合物層内で電子と正孔が再結合を引き起こして有機化合物層が発光する。それぞれ赤、緑、青に発光する複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の各々を画素として基板上にマトリクス状に配列し、画像表示を行うエレクトロルミネッセンスディスプレイパネルが実現化されている。
【０００３】
アクティブ駆動の場合、画素トランジスタを基板上に形成した後、画素トランジスタを覆う保護絶縁膜を形成し、保護絶縁膜の上に画素電極を形成した後に画素電極上に有機化合物層を形成する構造が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００７−２３４３９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、図５９に示すように、製造プロセスの簡略化のために、基板上に画素トランジスタ１２１と画素電極１２０ａとを形成し、画素トランジスタ１２１及び画素電極１２０ａを覆う保護絶縁膜１３２に画素電極１２０ａを露出させる開口部１３３を形成し、画素電極１２０ａ上に有機化合物層１２０ｂを形成して、開口部１３３を発光領域とする構造が検討されている。
また、隣接する他の画素電極１２０ｂに異なる色の有機化合物層１２０ｂを形成する場合には、混色を防ぐために隔壁１０６を形成する必要がある。
【０００５】
しかし、このような構造では、保護絶縁膜１３２に開口部１３３を形成するためのフォトマスク、及び、隔壁１０６を形成するためのフォトマスクが必要となるとともに、フォトマスクを用いたステッパ等による露光、現像工程等が必要となる。更に、複数のマスク相互の位置合わせ精度に合わせたマージンを設ける必要があり、これらのマスク相互の位置合わせの精度が低いと、このマージンを比較的大きく設定することが必要となるため、１つの画素領域における開口部１３３の面積からなる発光領域の面積の比率（開口率）が低下するという問題がある。
【０００６】
本発明の課題は、発光パネルの製造時に使用するフォトマスクの枚数を低減すること、及び、製造工程数を削減して製造コストの低減を図るとともに、加工精度の向上を図って開口率の向上を図ることである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以上の課題を解決するため、本発明の一の態様によれば、基板の上面に形成された遮光膜と、前記遮光膜を被覆する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上面に形成された画素電極及び画素トランジスタと、前記複数の画素電極の外周部及び前記画素トランジスタを被覆するように形成された保護絶縁膜と、前記画素電極の上部に形成された発光機能層と、前記保護絶縁膜の上部に形成され、前記発光機能層の形成領域を画定する隔壁と、を備え、前記遮光膜は、前記保護絶縁膜または前記隔壁の少なくともいずれか一方と平面視において同一形状であることを特徴とする発光パネルが提供される。
【０００８】
好ましくは、前記遮光膜は、前記基板の上面に形成された金属膜と、前記金属膜の上面に形成された反射防止膜とからなる。
好ましくは、前記遮光膜は、前記基板の上面に形成された反射防止膜と、前記反射防止膜の上面に形成された金属膜とからなる。
好ましくは、前記金属膜はクロムからなり、前記反射防止膜は酸化クロムからなる。
好ましくは、前記遮光膜は、前記基板の上面に形成された第１の反射防止膜と、前記第１の反射防止膜の上面に形成された金属膜と、前記金属膜の上面に形成された第２の反射防止膜とからなる。
好ましくは、前記金属膜はクロムからなり、前記第１の反射防止膜及び前記第２の反射防止膜は酸化クロムからなる。
【０００９】
本発明の他の態様によれば、画素電極上に形成された発光機能層を有してなる発光素子を備える発光パネルの製造方法であって、基板の上面に遮光膜を形成する工程と、前記遮光膜を被覆する層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜の上面に前記画素電極及び該画素電極を駆動する画素トランジスタを形成する工程と、前記画素電極及び前記画素トランジスタを被覆する保護絶縁膜を形成する工程と、前記基板の下側から光を照射して、前記保護絶縁膜に前記画素電極を露出させる開口部を形成する開口部形成工程、または前記発光機能層の形成領域を画定する隔壁を形成する隔壁形成工程、の少なくともいずれか一方を含む裏面露光工程と、を含むことを特徴とする発光パネルの製造方法が提供される。
【００１０】
好ましくは、前記裏面露光工程は前記開口部形成工程を含み、該開口部形成工程は、前記保護絶縁膜の上面にフォトレジストを塗布する工程と、前記基板の下側から光を照射して、前記遮光膜を通過した光により前記フォトレジストを露光する工程と、現像された前記フォトレジストを用いて前記保護絶縁膜に前記開口部を形成する工程と、を含み、前記開口部が形成された前記保護絶縁膜の上部に前記隔壁を形成する工程を含む。
好ましくは、前記裏面露光工程は前記隔壁形成工程を含み、該隔壁形成工程は、前記保護絶縁膜の上面に感光性樹脂を塗布する工程と、前記基板の下側から光を照射して、前記遮光膜を通過した光により前記感光性樹脂を露光することで前記隔壁を形成する工程と、を含む。
【００１１】
好ましくは、前記裏面露光工程は前記開口部形成工程及び前記隔壁形成工程を含み、該開口部形成工程は、前記保護絶縁膜の上面にフォトレジストを塗布する工程と、前記基板の下側から光を照射して、前記遮光膜を通過した光により前記フォトレジストを露光する工程と、現像された前記フォトレジストを用いて前記保護絶縁膜に前記開口部を形成する工程と、を含み、前記隔壁形成工程は、前記開口部が形成された前記保護絶縁膜及び前記画素電極の上面に感光性樹脂を塗布する工程と、前記基板の下側から光を照射して、前記遮光膜を通過した光により前記感光性樹脂を露光することで前記隔壁を形成する工程と、を含む。
好ましくは、前記裏面露光工程は前記隔壁形成工程を含み、該隔壁形成工程は、前記保護絶縁膜の上面に感光性樹脂を塗布する工程と、前記基板の下側から光を照射して、前記遮光膜を通過した光により前記感光性樹脂を露光することで前記隔壁を形成する工程と、を含み、更に、形成された前記隔壁をレジストマスクとして用いて前記保護絶縁膜をエッチングして、前記保護絶縁膜に前記画素電極を露出させる開口部を形成する工程を含む。
好ましくは、前記隔壁を形成した後、前記画素電極の上部に前記発光機能層を形成する前に、前記隔壁に対しプラズマアッシングまたはプラズマエッチングによる表面処理を行う工程を含む。
好ましくは、前記感光性樹脂を露光して前記隔壁を形成する工程における前記感光性樹脂の露光時間を、マスク線幅と仕上がり線幅が同じになる適正な露光時間よりも長くする。
好ましくは、前記遮光膜は、前記基板の上面に形成された金属膜と、前記金属膜の上面に形成された反射防止膜とからなる。
好ましくは、前記遮光膜は、前記基板の上面に形成された反射防止膜と、前記反射防止膜の上面に形成された金属膜とからなる。
好ましくは、前記遮光膜は、前記基板の上面に形成された第１の反射防止膜と、前記第１の反射防止膜の上面に形成された金属膜と、前記反射膜の上面に形成された第２の反射防止膜とからなる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造時に使用するフォトマスクの枚数を低減すること、及び、製造工程数を削減して製造コストの低減を図るとともに、加工精度の向上を図って開口率の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に、本発明を実施するための最良の形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。また、以下の説明において、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence）という用語をＥＬと略称する。
【００１４】
〔第１実施形態〕
図１は、本発明の第１の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル（発光パネル）１０Ａにおける１つの画素の回路図であり、図２は1つの画素及び端子部の平面図である。また、図３は図２のIII−III矢視断面図であり、図４は図２のIV−IV矢視断面図であり、図５は図２のV−V矢視断面図であり、図６は図２のVI−VI矢視断面図である。このＥＬディスプレイパネル１０Ａにおいては、赤、青及び緑のサブピクセルによって１ドットの画素が構成され、このような画素がマトリクス状に配列されている。水平方向の配列に着目すると赤の画素、青の画素、緑の画素の順に繰り返し配列され、垂直方向の配列に着目すると同じ色が一列に配列されている。
【００１５】
このＥＬディスプレイパネル１０Ａにおいては、画素に各種の信号を出力するために、複数の走査線２５、信号線２４及び供給線２６が設けられている。走査線２５及び供給線２６と、信号線２４とは互いに直行する方向に延在している。
【００１６】
１つの画素は、例えば２つのｎチャネル型トランジスタ２１，２２と、キャパシタ２７と、有機ＥＬ素子２０とを有する。２つのｎチャネル型トランジスタ２１，２２及びキャパシタ２７は、走査線２５、信号線２４及び供給線２６の入力信号に応じて有機ＥＬ素子２０に電圧を印加する。
【００１７】
図２〜図６に示すように、有機ＥＬ素子２０及び端子５１，５２，５３が形成される部分を除き、透明な絶縁基板２上の全面に、遮光膜４が形成されている。遮光膜４は、例えばクロム等の金属を約５０〜１５０ｎｍの厚さに成膜した薄膜からなり、トランジスタ２１，２２へ光が入射するのを防止する。
遮光膜４はＳｉＯ2、ＳｉＮ等の絶縁体を約１００〜１００００ｎｍの厚さに成膜した層間絶縁膜５により被覆されている。
遮光膜４には、有機ＥＬ素子２０及び端子５１，５２，５３が形成される部分に開口が設けられている。
【００１８】
また、遮光膜４は、マトリクス状に配列された画素の外周部に形成されたコンタクトホール２８ｄにより、ソース・ドレインメタル２９ｄと導通している。すなわち、コンタクトホール２８ｄは、図４に示すように、層間絶縁膜５及びゲート絶縁膜３１に設けられており、ソース・ドレインメタル２９ｄがコンタクトホール２８ｄを介して遮光膜４と接触している。端子５１はソース・ドレインメタル２９ｄの一部の上部に重なり、遮光膜４と導通している。
【００１９】
層間絶縁膜５の上には、トランジスタ２１，２２のゲート電極２１Ｇ，２２Ｇが設けられるとともに、キャパシタ２７の一方の電極２７ａ、信号線２４が設けられ、これらが共通のゲート絶縁膜３１によって被覆されている。なお、図２に示すように、電極２７ａとゲート電極２１とは一体に形成されている。
【００２０】
また、信号線２４の端部は、マトリクス状に配列された画素の外周部に形成されたコンタクトホール２８ｅにより、ソース・ドレインメタル２９ｅと導通している。すなわち、コンタクトホール２８ｅは、ゲート絶縁膜３１に設けられており、ソース・ドレインメタル２９ｅがコンタクトホール２８ｅを介して信号線２４と接触している。端子５２はソース・ドレインメタル２９ｅの一部の上部に重なり、信号線２４と導通している。
【００２１】
ゲート絶縁膜３１の上には、図３に示すように、トランジスタ２１，２２の半導体膜２１ａ，２２ａ、チャネル保護膜２１ｂ，２２ｂ、不純物半導体膜２１ｃ，２１ｄ，２２ｃ，２２ｄ、ソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、キャパシタ２７の他方の電極２７ｂ、走査線２５及び供給線２６が設けられている。
【００２２】
なお、図２に示すように、ソース電極２１Ｓと電極２７ｂとは一体に形成されており、ドレイン電極２１Ｄは供給線２６と一体に形成されており、ソース電極２２Ｓはコンタクトホール２８ａによりゲート電極２１Ｇ及び電極２７ａと導通されており、信号線２４はコンタクトホール２８ｂによりドレイン電極２２Ｄと導通されており、走査線２５はコンタクトホール２８ｃによりゲート電極２２と導通されている。
【００２３】
コンタクトホール２８ｃは、図５に示すように、ゲート絶縁膜３１に設けられており、走査線２５を形成する金属（ソース・ドレインメタル）がコンタクトホール２８ｃを介してゲート電極２２Ｇを形成する金属（ゲートメタル）と接触している。また、走査線２５の端部には、図６に示すように、端子５３が重なるように形成されており、走査線２５は端子５３と導通している。
【００２４】
さらに、ゲート絶縁膜３１の上には、画素電極２０ａがマトリクス状に配列されている。なお、これら画素電極２０ａは、気相成長法によってゲート絶縁膜３１上に成膜された導電性膜（例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）又はカドミウム−錫酸化物（ＣＴＯ））をフォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いてパターニングすることによって形成されたものである。画素電極２０ａはトランジスタ２１のソース電極２１Ｓの一部と重なるように形成され、ソース電極２１Ｓと導通している。
【００２５】
トランジスタ２１，２２のソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、キャパシタ２７の他方の電極２７ｂ、走査線２５及び供給線２６、画素電極２０ａは共通の保護絶縁膜３２によって被覆されている。保護絶縁膜３２の画素電極２０ａの部分には画素電極２０ａを露出させる開口部３３が形成され、端子５１，５２，５３の部分には端子５１，５２，５３を露出させる開口部３４が形成されている。開口部３３が形成されることにより保護絶縁膜３２は画素電極２０ａの間を縫うように網目状に形成されるとともに画素電極２０ａの一部外縁部に重なり、画素電極２０ａを囲繞している。開口部３３内に有機ＥＬ層２０ｂが形成される。
【００２６】
保護絶縁膜３２上には、隔壁６が網目状に形成されている。隔壁６は、例えばポリイミド等の感光性樹脂により形成されたものであり、トランジスタ２１，２２の各電極、走査線２５、信号線２４及び供給線２６よりも十分に厚い。隔壁６には、開口部３３と対応する位置に開口部８が、開口部３４と対応する位置に開口部９が設けられている。なお、本実施形態においては、開口部３３よりも開口部８のほうがやや大きく、図２に示すように、段差が形成されている。
なお、絶縁基板２から隔壁６までの積層構造がトランジスタアレイパネル５０である。
【００２７】
画素電極２０ａ上には正孔注入層２０ｅ、発光層２０ｆが順に積層されて有機ＥＬ層２０ｂ（有機化合物層：発光機能層）が形成されている。正孔注入層２０ｅは、例えば、導電性高分子であるＰＥＤＯＴ及びドーパントであるＰＳＳからなり、発光層２０ｆは、ポリフェニレンビニレン系発光材料やポリフルオレン系発光材料等の共役ポリマーからなる。なお、有機ＥＬ層２０ｂは発光層の上にさらに電子輸送層を設けても良い。また、有機ＥＬ層２０ｂは画素電極２０ａの上に形成された発光層、電子輸送層からなる二層構造であっても良いし、担体輸送層と発光層との組合せは任意に設定できる。また、これらの層構造において適切な層間に担体輸送を制限するインタレイヤ層が介在した積層構造であっても良いし、その他の積層構造であっても良い。
【００２８】
正孔注入層２０ｅ及び発光層２０ｆは、湿式塗布法（例えば、インクジェット法）によって成膜される。この場合、正孔注入層２０ｅとなるＰＥＤＯＴ及びＰＳＳを含有する有機化合物含有液を画素電極２０ａに塗布して成膜し、その後、発光層２０ｆとなる共役ポリマー発光材料を含有する有機化合物含有液を塗布して成膜するが、厚膜の隔壁６が設けられているので、隣り合う画素電極２０ａに塗布された有機化合物含有液が隔壁６を越えて混ざり合うことを防止することができる。
【００２９】
なお、画素が赤の場合には発光層２０ｆが赤色に発光し、画素が緑の場合には発光層２０ｆが緑色に発光し、画素が青の場合には発光層２０ｆが青色に発光するように、それぞれの材料を設定する。
【００３０】
発光層２０ｆ、保護絶縁膜３２及び隔壁６の上部には、対向電極２０ｄが形成されている。対向電極２０ｄは、例えばアルミニウム、クロム、銀やパラジウム銀系の合金等の導電性材料を気相成長法によって１００ｎｍ以上成膜することで形成される。
【００３１】
なお、対向電極２０ｄの下面に、電子注入層を成膜してもよい。電子注入層には、画素電極２０ａよりも仕事関数の低い材料を用いる。例えば、インジウム、マグネシウム、カルシウム、リチウム、バリウム、希土類金属の少なくとも一種を含む単体又は合金より１〜１０ｎｍの厚さに形成する。あるいは、上記各種材料の層を積層した積層構造としてもよい。
【００３２】
画素電極２０ａ、有機ＥＬ層２０ｂ、対向電極２０ｄの順に積層されたものが有機ＥＬ素子２０である。
【００３３】
なお、端子５１，５２，５３は、画素電極２０ａと同じ材料からなる。端子５１，５２，５３の上部には保護絶縁膜３２及び隔壁６が形成されず、端子５１，５２，５３が露出される。端子５１，５２，５３には図示しないドライバ等の配線が接続される。
【００３４】
また、図示しないが、複数の有機ＥＬ素子２０全体及び端子５１，５２，５３を被覆するように封止層が形成されている。封止層は、絶縁性を有し、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂又は光硬化性樹脂等からなり、これらの樹脂にシリカ充填材等を加えたものでもよい。封止層は有機ＥＬ素子２０及び端子５１，５２，５３が外気に露出されることを防ぐ役割を果たす。
【００３５】
次に、ＥＬディスプレイパネル１０Ａを製造する製造工程について説明する。まず、図７〜図１８を用いてトランジスタアレイパネル５０を製造する方法について説明する。なお、図７〜図１８において、（ａ）は図３と同じ箇所の断面の図であり、（ｂ）は図４と同じ箇所の断面の図であり、（ｃ）は図５と同じ箇所の断面の図であり、（ｄ）は図６と同じ箇所の断面の図である。
【００３６】
まず、絶縁基板２の上面に金属膜を成膜し、パターニングすることで、図７に示すように、遮光膜４を形成する。次に、遮光膜４の上に層間絶縁膜５を形成する。
【００３７】
次に、層間絶縁膜５の上面にゲート金属を成膜し、パターニングすることで、図８に示すように、ゲート２１Ｇ，２２Ｇ及び電極２７ａ、信号線２４を形成する。
【００３８】
次に、図９に示すように、これらを被覆するゲート絶縁膜３１を形成する。次に、半導体膜２１ａ，２２ａとなるアモルファスシリコン又はポリシリコンからなる半導体層３６を形成する。次に、半導体層３６の上に窒化シリコン又は酸化シリコンの層を形成し、パターニングすることでチャネル保護膜２１ｂ，２２ｂを形成する。次に、不純物半導体膜２１ｃ，２１ｄ，２２ｃ，２２ｄとなるｎ型の不純物イオンを含むアモルファスシリコンからなる層（ｎ+シリコン層３７）を半導体層３６上及びチャネル保護膜２１ｂ，２２ｂ上に形成する。
【００３９】
次に、図１０に示すように、コンタクトホール２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｅが形成される位置のゲート絶縁膜３１、半導体層３６、及びｎ+シリコン層３７にゲート金属が露出するように孔を形成する。また、図１０（ｂ）に示すように、コンタクトホール２８ｄが形成される位置においては、遮光膜４が露出するように、層間絶縁膜５、ゲート絶縁膜３１、半導体層３６、及びｎ+シリコン層３７に孔を形成する。
【００４０】
次に、ソース・ドレインメタルを上面全体に形成する。このとき、ゲート絶縁膜３１、半導体層３６、及びｎ+シリコン層３７に形成された孔の部分でゲート金属とソース・ドレインメタルとが接合され導通し、コンタクトホール２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄ，２８ｅが形成される。
【００４１】
次に、図１１に示すように、ソース・ドレインメタル及び半導体層３６、ｎ+シリコン層３７をパターニングすることでソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、キャパシタ２７の他方の電極２７ｂ、走査線２５及び供給線２６を形成する。
次に、図１２に示すように、気相成長法によって導電性膜を成膜し、パターニングすることで画素電極２０ａ及び端子５１，５２，５３を形成する。
【００４２】
次に、図１３に示すように、トランジスタ２１，２２のソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、キャパシタ２７の他方の電極２７ｂ、走査線２５及び供給線２６、及び画素電極２０ａを覆う保護絶縁膜３２を上面全体に形成する。
【００４３】
次に、図１４に示すように、保護絶縁膜３２の上部全面にポジ型のフォトレジスト３８を塗布し、プリベークする。次に、絶縁基板２の下面から光を照射し、フォトレジスト３８を露光させる。このとき、遮光膜４があるため、有機ＥＬ素子２０及び端子５１，５２，５３が形成される部分のみが露光される。
【００４４】
次に、図１５に示すように、フォトレジスト３８を現像・リンスし、露光部分を除去し、ポストベークを行う。次に、図１６に示すように、保護絶縁膜３２のエッチングを行い、開口部３３，３４を形成する。その後、残ったフォトレジスト３８を除去する。
【００４５】
次に、図１７に示すように、隔壁６となる感光性樹脂３９を上面全体に塗布する。次に、絶縁基板２の下面から光を照射し、感光性樹脂３９を露光させる。このとき、露光時間を、マスク線幅と仕上がり線幅が同じになる適正な露光時間よりも長くする（オーバー露光）。これにより、感光性樹脂３９の露光される部分が遮光膜４の開口よりも広くなる。
【００４６】
次に、図１８に示すように、感光性樹脂３９を現像・リンスし、露光部分を除去し、ポストベークを行う。これにより、隔壁６及び開口部８、９が形成される。以上により、トランジスタアレイパネル５０が完成する。
【００４７】
次に、トランジスタアレイパネル５０上へ有機ＥＬ素子２０を形成し、ＥＬディスプレイパネル１０Ａを製造する製造工程について説明する。
【００４８】
まず、トランジスタアレイパネル５０を洗浄する。次に、画素電極２０ａの表面を、有機ＥＬ層２０ｂの形成に使用する有機化合物含有液に対して親液化させる。例えば有機化合物含有液に親水性の溶剤を用いる場合には、酸素プラズマ処理やＵＶオゾン処理等を施すことにより親水化させる。
次に、親水性の溶剤に対して溶解性を示し且つ疎水性の溶剤に対して難溶性又は不溶性である正孔注入材料（例えば導電性高分子であるＰＥＤＯＴ及びドーパントとなるＰＳＳ）を水に溶解した有機化合物含有液を画素電極２０ａに塗布する。塗布方法としては、インクジェット法（液滴吐出法）、その他の印刷方法を用いても良いし、ディップコート法、スピンコート法といったコーティング法を用いても良い。画素電極２０ａごとに独立して正孔注入層２０ｅを成膜するためには、インクジェット法等の印刷方法が好ましい。
【００４９】
このように湿式塗布法により正孔注入層２０ｅを形成した場合、厚膜の隔壁６が設けられているから、隣り合う画素電極２０ａに塗布された有機化合物含有液が隔壁６を越えて混ざり合わない。そのため、画素電極２０ａごとに独立して正孔注入層２０ｅを形成することができる。
【００５０】
正孔注入層２０ｅを形成した後、正孔注入層２０ｅを大気に曝露した状態で、ホットプレートを用いてトランジスタアレイパネル５０を１６０〜２００℃の温度で乾燥させ、残留溶媒の除去を行う。
【００５１】
次に、発光色が赤、緑、青の共役ポリマー発光材料をそれぞれ疎水性の有機溶剤（例えば、テトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン）に溶かし、赤、緑、青それぞれの有機化合物含有液を準備する。そして、赤の画素の正孔注入層２０ｅ上には赤の有機化合物含有液を塗布し、緑の画素の正孔注入層２０ｅ上には緑の有機化合物含有液を塗布し、青の画素の正孔注入層２０ｅ上には青の有機化合物含有液を塗布する。これにより、正孔注入層２０ｅ上に発光層２０ｆを成膜する。塗布方法としてはインクジェット法（液滴吐出法）、その他の印刷方法を用いて、色ごとに塗り分けを行う。
【００５２】
このように湿式塗布法により正孔注入層２０ｅ及び発光層２０ｆを形成した場合、厚膜の隔壁６が設けられているから、隣り合う画素に塗布された有機化合物含有液が隔壁６を越えて混ざり合わない。そのため、画素ごとに独立して発光層２０ｆを形成することができる。
【００５３】
次に、不活性ガス雰囲気（例えば、窒素ガス雰囲気）下でホットプレートによってトランジスタアレイパネル５０を乾燥させ、残留溶媒の除去を行う。なお、真空中でシーズヒータによる乾燥を行っても良い。
【００５４】
次に、気相成長法により対向電極２０ｄを発光層２０ｆ、保護絶縁膜３２、隔壁６及び光吸収層８の上部に成膜する。このとき、開口部３３よりも開口部８のほうがやや大きく、段差が形成されているため、対向電極２０ｄのステップカバレッジを良好にすることができる。
なお、対向電極２０ｄの成膜前に、気相成長法により電子注入層を成膜してもよい。具体的には、真空蒸着法によってＣａ又はＢａの薄膜を成膜する。
以上により、図３に示すように、トランジスタアレイパネル５０上に有機ＥＬ素子２０が形成される。
【００５５】
最後に、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂又は光硬化性樹脂等を対向電極２０ｄの上部に塗布し、硬化させて封止層を形成する。
以上により、ＥＬディスプレイパネル１０Ａが完成する。
【００５６】
本実施形態によれば、トランジスタ２１，２２の下部に遮光膜４が設けられているため、外部の光が絶縁基板２側からトランジスタ２１，２２に到達することを防止することができる。
また、遮光膜４をフォトレジスト３８のフォトマスクとして用いるとともに、隔壁６を形成するためのフォトマスクとしても用いるので、フォトマスクの数を減らし製造コストを低減することができる。さらに、絶縁基板２に形成された同一の遮光膜４をフォトマスクとして用いるので、加工精度を向上させることができ、従来の製造プロセスを適用した場合に比して、開口部３３の大きさを大きくすることができて、開口率を向上させることができる。
【００５７】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の改良並びに設計の変更を行ってもよい。
【００５８】
＜第２実施形態＞
図１９、図２０は本発明の第２の実施形態に係るトランジスタアレイパネル５０を製造する方法を示す説明図であり、（ａ）は図３に相当する断面図、（ｂ）は図６に相当する断面図である。また、図２１は第２の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｂの図３に相当する断面図である。
【００５９】
本変形例においては、隔壁６となる感光性樹脂３９に対し、絶縁基板２の下面から光を照射する際に、露光時間を、マスク線幅と仕上がり線幅が同じになる適正な露光時間とする。この場合、図１９に示すように、感光性樹脂３９の露光される部分が遮光膜４の開口と等しくなる。このため、図２０に示すように、開口部３３の側面と開口部８の側面とが面一に形成され、開口部３４と開口部９とが面一に形成される。
その後、図２１に示すように、第1実施形態と同様の手順で有機ＥＬ素子２０を形成することで、ＥＬディスプレイパネル１０Ｂが完成する。
【００６０】
本実施形態においても、遮光膜４をフォトレジスト３８のフォトマスクとして用いるとともに、隔壁６を形成するためのフォトマスクとしても用いるので、フォトマスクの数を減らし製造コストを低減することができる。さらに、絶縁基板２に形成された同一の遮光膜４をフォトマスクとして用いるために加工精度を向上させることができ、従来の製造プロセスを適用した場合に比して、開口部３３の大きさを大きくすることができて、開口率を向上させることができる。
【００６１】
〔第３実施形態〕
図２２は本発明の第３の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｃの図３に相当する断面図である。本実施形態においては、遮光膜４が絶縁基板２の上部に形成された遮光膜４ａと、遮光膜４ａの上部に形成された反射防止膜４ｂとからなる。遮光膜４ａは、例えばクロム等の金属を約５０〜１５０ｎｍの厚さに成膜した薄膜からなる。反射防止膜４ｂは、例えば酸化クロム等の金属酸化物を１０〜１００ｎｍの厚さに成膜した薄膜からなる。
【００６２】
本実施形態においては、遮光膜４ａの上部（トランジスタ２１，２２側）に反射防止膜４ｂを設けることで、有機ＥＬ素子２０から放射される光が遮光膜４ａの上面で反射してトランジスタ２１，２２に届くことを防ぐことができ、光リークを防止することができる。
【００６３】
〔第４実施形態〕
図２３は本発明の第４の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｄの図３に相当する断面図である。本実施形態においては、遮光膜４が絶縁基板２の上部に形成された反射防止膜４ｂと、反射防止膜４ｂの上部に形成された遮光膜４ａとからなる。遮光膜４ａは、例えばクロム等の金属を約５０〜１５０ｎｍの厚さに成膜した薄膜からなる。反射防止膜４ｂは、例えば酸化クロム等の金属酸化物を１０〜１００ｎｍの厚さに成膜した薄膜からなる。
【００６４】
本実施形態においては、遮光膜４ａと絶縁基板２との間に反射防止膜４ｂを設けることで、遮光膜４ａと絶縁基板２との間での光反射が抑えられ、明るい場所におけるコントラスト等の表示特性を向上させることができる。
【００６５】
〔第５実施形態〕
図２４は本発明の第５の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｅの図３に相当する断面図である。本実施形態においては、遮光膜４が絶縁基板２の上部に形成された反射防止膜４ｂと、反射防止膜４ｂの上部に形成された遮光膜４ａと、遮光膜４ａの上部に形成された反射防止膜４ｃとからなる。遮光膜４ａは、例えばクロム等の金属を約５０〜１５０ｎｍの厚さに成膜した薄膜からなる。反射防止膜４ｂ、４ｃは、例えば酸化クロム等の金属酸化物を１０〜１００ｎｍの厚さに成膜した薄膜からなる。
【００６６】
本実施形態においては、遮光膜４ａと絶縁基板２との間に反射防止膜４ｂを設けることで、遮光膜４ａと絶縁基板２との間での光反射が抑えられ、明るい場所におけるコントラスト等の表示特性を向上させることができる。また、遮光膜４ａの上部（トランジスタ２１，２２側）に反射防止膜４ｃを設けることで、有機ＥＬ素子２０から放射される光が遮光膜４ａの上面で反射してトランジスタ２１，２２に届くことを防ぐことができ、光リークを防止することができる。
【００６７】
〔第６実施形態〕
図２５は本発明の第６の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｆの図３に相当する断面図である。本実施形態においては、フォトレジスト３８を用いる代わりに、隔壁６となる感光性樹脂３９を、エッチングを行う際のレジストマスクとして用いる。以下、ＥＬディスプレイパネル１０Ｆの製造方法のうち、第１実施形態と異なる点について図２６〜図２８を用いて説明する。なお、図２６〜図２８において、（ａ）は図３に相当する断面図、（ｂ）は図６に相当する断面図である。
【００６８】
まず、第１実施形態の図１３と同様に、保護絶縁膜３２を上面全体に形成する工程までを行う。
次に、図２６に示すように、保護絶縁膜３２の上部全面に、隔壁６となる感光性樹脂３９を塗布する。次に、絶縁基板２の下面から光を照射し、感光性樹脂３９を露光させる。これにより、感光性樹脂３９の露光される部分が遮光膜４の開口よりも広くなる。
【００６９】
次に、図２７に示すように、感光性樹脂３９を現像・リンスし、露光部分を除去し、ポストベークを行う。これにより、開口部８、９が形成される。
次に、図２８に示すように、保護絶縁膜３２のエッチングを行い、開口部３３，３４を形成する。このとき、感光性樹脂３９がエッチングを行う際のレジストマスクとして機能するため、開口部３３の側面と開口部８の側面とが面一に形成され、開口部３４と開口部９とが面一に形成される。
以上により、隔壁６が形成される。
その後、図２５に示すように、第1実施形態と同様の手順で有機ＥＬ素子２０を形成することで、ＥＬディスプレイパネル１０Fが完成する。
【００７０】
本実施形態によれば、フォトレジスト３８を用いる代わりに、隔壁６となる感光性樹脂３９をレジストマスクとして用いるので、露光・現像のプロセスが減り、製造コストを低減することができる。
【００７１】
〔第７実施形態〕
図２９は本発明の第７の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｇの図３に相当する断面図である。本実施形態においては、開口部３３よりも開口部８のほうがやや大きく、段差が形成されている。以下、ＥＬディスプレイパネル１０Ｇの製造方法のうち、第６実施形態と異なる点について図３０を用いて説明する。なお、図３０において、（ａ）は図３に相当する断面図、（ｂ）は図６に相当する断面図である。
【００７２】
まず、第６の実施形態の図２８と同様に、隔壁６を形成する工程までを行う。
次に、酸素プラズマを用いたプラズマアッシングまたはプラズマエッチングによる表面処理を行い、画素電極２０ａ及び端子５１，５２，５３の表面処理を行うとともに、隔壁６の表面の感光性樹脂３０の一部を除去する。すると、図３０に示すように、開口部３３、３４よりも開口部８、９のほうがやや大きくなり、段差が形成される。
【００７３】
その後、第６実施形態と同様の手順で有機ＥＬ素子２０を形成することで、ＥＬディスプレイパネル１０Ｇが完成する。
本実施形態においても、開口部３３よりも開口部８のほうがやや大きく、段差が形成されているため、対向電極２０ｄのステップカバレッジを良好にすることができる。
【００７４】
〔第８実施形態〕
図３１は本発明の第８の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｈの図３に相当する断面図である。本実施形態においては、層間絶縁膜５の有機ＥＬ素子２０が設けられる部分に孔７が形成されている。また、ゲート絶縁膜３１の有機ＥＬ素子２０が設けられる部分に孔３５が形成されている。
【００７５】
以下、ＥＬディスプレイパネル１０Ｈの製造方法のうち、第１実施形態と異なる点について図３２〜図３７を用いて説明する。なお、図３２〜図３７は図３に相当する断面図である。
【００７６】
まず、第１の実施形態の図９と同様に、ｎ+シリコン層３７を形成する工程までを行う。次に、図１０（ｃ）、（ｄ）と同様に、コンタクトホール２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｅが形成される位置のゲート絶縁膜３１、半導体層、及びｎ+シリコン層にゲート金属が露出するように孔を形成する。
【００７７】
また、図１０（ｂ）に示すように、コンタクトホール２８ｄが形成される位置においては、遮光膜４が露出するように、層間絶縁膜５、ゲート絶縁膜３１、半導体層３６、及びｎ+シリコン層３７に孔を形成する。同様に、図３２に示すように、ゲート絶縁膜３１に孔３５、層間絶縁膜５に孔７を設けるとともに、半導体層３６及びｎ+シリコン層３７の孔３５、７と対応する位置に孔を設ける。
【００７８】
次に、図１１に示すのと同様に、ソース・ドレインメタルをパターニングすることでソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、キャパシタ２７の他方の電極２７ｂ、走査線２５及び供給線２６を形成する。
次に、図３３に示すように、気相成長法によって導電性膜を成膜し、パターニングすることで画素電極２０ａ及び端子５１，５２，５３を形成する。
【００７９】
次に、トランジスタ２１，２２のソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、キャパシタ２７の他方の電極２７ｂ、走査線２５及び供給線２６、及び画素電極２０ａを覆う保護絶縁膜３２を上面全体に形成する。
【００８０】
次に、図３４に示すように、保護絶縁膜３２の上部全面に、隔壁６となる感光性樹脂３９を塗布する。次に、絶縁基板２の下面から光を照射し、感光性樹脂３９を露光させる。これにより、感光性樹脂３９の露光される部分が遮光膜４の開口よりも広くなる。
【００８１】
次に、図３５に示すように、感光性樹脂３９を現像・リンスし、露光部分を除去し、ポストベークを行う。これにより、開口部８、９が形成される。
次に、図３６に示すように、保護絶縁膜３２のエッチングを行い、開口部３３，３４を形成する。このとき、感光性樹脂３９がエッチングを行う際のレジストマスクとして機能するため、開口部３３の側面と開口部８の側面とが面一に形成され、開口部３４と開口部９とが面一に形成される。
以上により、隔壁６が形成される。
【００８２】
次に、酸素プラズマを用いたプラズマアッシングまたはプラズマエッチングによる表面処理を行い、画素電極２０ａ及び端子５１，５２，５３の表面処理を行うとともに、隔壁６の表面の感光性樹脂３９の一部を除去する。すると、図３７に示すように、開口部８、９が拡大し、開口部３３、３４よりもやや大きくなり、段差が形成される。
その後、第1実施形態と同様の手順で有機ＥＬ素子２０を形成することで、図３１に示すように、ＥＬディスプレイパネル１０Ｈが完成する。
【００８３】
本実施形態においても、遮光膜４をフォトレジスト３８のフォトマスクとして用いるとともに、隔壁６を形成するためのフォトマスクとしても用いるので、フォトマスクの数を減らし製造コストを低減することができる。また、絶縁基板２上に有機ＥＬ素子２０を形成するため、有機ＥＬ素子２０から放射される光が層間絶縁膜５の界面において反射することがない。
【００８４】
〔第９実施形態〕
図３８は本発明の第９の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｉの図３に相当する断面図である。本実施形態においては、保護絶縁膜３２をエッチングする際に用いるフォトレジスト３８を露光させる際に、フォトマスクを用いる点が異なる。
【００８５】
以下、ＥＬディスプレイパネル１０Ｉの製造方法のうち、第１実施形態と異なる点について図３９〜図４３を用いて説明する。なお、図３９〜図４３は図３に相当する断面図である。
【００８６】
まず、第１実施形態の図１４と同様に、保護絶縁膜３２の上部全面にポジ型のフォトレジスト３８を塗布し、プリベークする工程までを行う。次に、図３９に示すように、フォトレジスト３８の上部にフォトマスク４０Ａを配置する。なお、フォトマスク４０Ａは、完成したＥＬディスプレイパネル１０Ｉの保護絶縁膜３２と平面視において同じ形状をしており、開口部３３，３４と対応する位置に孔４３Ａ，４４Ａが設けられている。なお、孔４３Ａ，４４Ａは開口部８、９よりも大きい。
【００８７】
次に、フォトマスク４０Ａの上部から光を照射し、フォトレジスト３８を露光させる。このとき、フォトマスク４０Ａがあるため、有機ＥＬ素子２０及び端子５１，５２，５３が形成される部分のみが露光される。
【００８８】
次に、図４０に示すように、フォトレジスト３８を現像・リンスし、露光部分を除去し、ポストベークを行う。次に、図４１に示すように、保護絶縁膜３２のエッチングを行い、開口部３３，３４を形成する。その後、残ったフォトレジスト３８を除去する。
【００８９】
次に、図４２に示すように、隔壁６となる感光性樹脂３９を上面全体に塗布する。次に、絶縁基板２の下面から光を照射し、感光性樹脂３９を露光させる。
【００９０】
次に、図４３に示すように、感光性樹脂３９を現像・リンスし、露光部分を除去し、ポストベークを行う。これにより、隔壁６及び開口部８、９が形成される。以上により、トランジスタアレイパネル５０が完成する。
その後、図３８に示すように、第1実施形態と同様の手順で有機ＥＬ素子２０を形成することで、ＥＬディスプレイパネル１０Ｉが完成する。
【００９１】
本実施形態においても、隔壁６を形成するためのフォトマスクとして遮光膜４を用いるので、フォトマスクの数を減らし製造コストを低減することができる。
【００９２】
〔第１０実施形態〕
図４４は本発明の第１０の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｊの図３に相当する断面図である。本実施形態においても、第９の実施形態と同様に、保護絶縁膜３２をエッチングする際に用いるフォトレジスト３８を露光させる際に、フォトマスクを用いている。本実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｊが第９の実施形態と異なるのは、開口部３３よりも開口部８のほうがやや大きく、段差が形成されている点である。
【００９３】
以下、ＥＬディスプレイパネル１０Ｊの製造方法のうち、第１実施形態と異なる点について図４５〜図４９を用いて説明する。なお、図４５〜図４９は図３に相当する断面図である。
【００９４】
まず、第１実施形態の図１４と同様に、保護絶縁膜３２の上部全面にポジ型のフォトレジスト３８を塗布し、プリベークする工程までを行う。次に、図４５に示すように、フォトレジスト３８の上部にフォトマスク４０Ａを配置する。なお、フォトマスク４０Ｂは、完成したＥＬディスプレイパネル１０Ｉの保護絶縁膜３２と平面視において同じ形状をしており、開口部３３，３４と対応する位置に孔４３Ｂ，４４Ｂが設けられている。なお、孔４３Ｂ，４４Ｂは開口部８、９よりも小さい。
【００９５】
次に、フォトマスク４０Ｂの上部から光を照射し、フォトレジスト３８を露光させる。このとき、フォトマスク４０Ｂがあるため、有機ＥＬ素子２０及び端子５１，５２，５３が形成される部分のみが露光される。
【００９６】
次に、図４６に示すように、フォトレジスト３８を現像・リンスし、露光部分を除去し、ポストベークを行う。次に、図４７に示すように、保護絶縁膜３２のエッチングを行い、開口部３３，３４を形成する。その後、残ったフォトレジスト３８を除去する。
【００９７】
次に、図４８に示すように、隔壁６となる感光性樹脂３９を上面全体に塗布する。次に、絶縁基板２の下面から光を照射し、感光性樹脂３９を露光させる。
【００９８】
次に、図４９に示すように、感光性樹脂３９を現像・リンスし、露光部分を除去し、ポストベークを行う。これにより、隔壁６及び開口部８、９が形成される。以上により、トランジスタアレイパネル５０が完成する。
その後、図４４に示すように、第1実施形態と同様の手順で有機ＥＬ素子２０を形成することで、ＥＬディスプレイパネル１０Ｊが完成する。
【００９９】
本実施形態においても、隔壁６を形成するためのフォトマスクとして遮光膜４を用いるので、フォトマスクの数を減らし製造コストを低減することができる。また、開口部３３よりも開口部８のほうがやや大きく、段差が形成されているため、対向電極２０ｄのステップカバレッジを良好にすることができる。
【０１００】
〔第１１実施形態〕
図５０は本発明の第１１の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｋの図３に相当する断面図である。本実施形態においては、隔壁６となる感光性樹脂３９を露光させる際に、フォトマスクを用いる点が異なる。
【０１０１】
以下、ＥＬディスプレイパネル１０Ｋの製造方法のうち、第１実施形態と異なる点について図５１〜図５５を用いて説明する。なお、図５１〜図５５は図３に相当する断面図である。
【０１０２】
まず、第１実施形態の図１４と同様に、保護絶縁膜３２の上部全面にポジ型のフォトレジスト３８を塗布し、プリベークする工程までを行う。
次に、図５１に示すように、絶縁基板２の下面から光を照射し、フォトレジスト３８を露光させる。このとき、遮光膜４があるため、有機ＥＬ素子２０及び端子５１，５２，５３が形成される部分のみが露光される。
【０１０３】
次に、図５２に示すように、フォトレジスト３８を現像・リンスし、露光部分を除去し、ポストベークを行う。次に、図５３に示すように、保護絶縁膜３２のエッチングを行い、開口部３３，３４を形成する。その後、残ったフォトレジスト３８を除去する。
【０１０４】
次に、隔壁６となる感光性樹脂３９を上面全体に塗布する。次に、図５４に示すように、感光性樹脂３９の上部にフォトマスク４０Ｃを配置する。なお、フォトマスク４０Ｃは、完成したＥＬディスプレイパネル１０Ｋの隔壁６と平面視において同じ形状をしており、開口部３３，３４と対応する位置に孔４３Ｃ，４４Ｃが設けられている。なお、孔４３Ｃ，４４Ｃは開口部３３、３４よりも小さい。
【０１０５】
次に、フォトマスク４０Ｃの上部から光を照射し、感光性樹脂３９を露光させる。このとき、フォトマスク４０Ｃがあるため、開口部８、９が形成される部分のみが露光される。
【０１０６】
次に、図５５に示すように、感光性樹脂３９を現像・リンスし、露光部分を除去し、ポストベークを行う。これにより、隔壁６及び開口部８、９が形成される。以上により、トランジスタアレイパネル５０が完成する。
その後、図５０に示すように、第1実施形態と同様の手順で有機ＥＬ素子２０を形成することで、ＥＬディスプレイパネル１０Ｋが完成する。
【０１０７】
本実施形態においても、フォトレジスト３８のフォトマスクとして遮光膜４を用いるので、フォトマスクの数を減らし製造コストを低減することができる。
【０１０８】
〔第１２実施形態〕
図５６は本発明の第１２の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｌの図３に相当する断面図である。本実施形態においても、第１１の実施形態と同様に、隔壁６となる感光性樹脂３９を露光させる際に、フォトマスクを用いている。本実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｌが第９の実施形態と異なるのは、開口部３３よりも開口部８のほうがやや大きく、段差が形成されている点である。
【０１０９】
以下、ＥＬディスプレイパネル１０Ｌの製造方法のうち、第１１実施形態と異なる点について図５７、図５８を用いて説明する。なお、図５７、５８は図３に相当する断面図である。
【０１１０】
まず、第１１実施形態の図５３と同様に、保護絶縁膜３２のエッチングを行い、開口部３３，３４を形成した後、残ったフォトレジスト３８を除去する工程までを行う。
【０１１１】
次に、隔壁６となる感光性樹脂３９を上面全体に塗布する。次に、図５７に示すように、感光性樹脂３９の上部にフォトマスク４０Ｄを配置する。なお、フォトマスク４０Ｄは、完成したＥＬディスプレイパネル１０Ｌの隔壁６と平面視において同じ形状をしており、開口部３３，３４と対応する位置に孔４３Ｄ，４４Ｄが設けられている。なお、孔４３Ｄ，４４Ｄは開口部３３、３４よりも大きい。
【０１１２】
次に、フォトマスク４０Ｄの上部から光を照射し、感光性樹脂３９を露光させる。このとき、フォトマスク４０Ｄがあるため、開口部８、９が形成される部分のみが露光される。
【０１１３】
次に、図５８に示すように、感光性樹脂３９を現像・リンスし、露光部分を除去し、ポストベークを行う。これにより、隔壁６及び開口部８、９が形成される。以上により、トランジスタアレイパネル５０が完成する。
その後、図５６に示すように、第1実施形態と同様の手順で有機ＥＬ素子２０を形成することで、ＥＬディスプレイパネル１０Ｌが完成する。
【０１１４】
本実施形態においても、フォトレジスト３８のフォトマスクとして遮光膜４を用いるので、フォトマスクの数を減らし製造コストを低減することができる。また、開口部３３よりも開口部８のほうがやや大きく、段差が形成されているため、対向電極２０ｄのステップカバレッジを良好にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
【図１】本発明の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ａにおける１つの画素の回路図である。
【図２】ＥＬディスプレイパネル１０Ａの１つの画素の平面図である。
【図３】図２のIII−III矢視断面図である。
【図４】図２のIV−IV矢視断面図である。
【図５】図２のV−V矢視断面図である。
【図６】図２のVI−VI矢視断面図である。
【図７】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、（ｃ）は図５と同じ断面における、（ｄ）は図６と同じ断面における、トランジスタアレイパネル５０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図８】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、（ｃ）は図５と同じ断面における、（ｄ）は図６と同じ断面における、トランジスタアレイパネル５０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図９】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、（ｃ）は図５と同じ断面における、（ｄ）は図６と同じ断面における、トランジスタアレイパネル５０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図１０】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、（ｃ）は図５と同じ断面における、（ｄ）は図６と同じ断面における、トランジスタアレイパネル５０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図１１】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、（ｃ）は図５と同じ断面における、（ｄ）は図６と同じ断面における、トランジスタアレイパネル５０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図１２】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、（ｃ）は図５と同じ断面における、（ｄ）は図６と同じ断面における、トランジスタアレイパネル５０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図１３】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、（ｃ）は図５と同じ断面における、（ｄ）は図６と同じ断面における、トランジスタアレイパネル５０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図１４】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、（ｃ）は図５と同じ断面における、（ｄ）は図６と同じ断面における、トランジスタアレイパネル５０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図１５】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、（ｃ）は図５と同じ断面における、（ｄ）は図６と同じ断面における、トランジスタアレイパネル５０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図１６】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、（ｃ）は図５と同じ断面における、（ｄ）は図６と同じ断面における、トランジスタアレイパネル５０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図１７】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、（ｃ）は図５と同じ断面における、（ｄ）は図６と同じ断面における、トランジスタアレイパネル５０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図１８】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、（ｃ）は図５と同じ断面における、（ｄ）は図６と同じ断面における、トランジスタアレイパネル５０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図１９】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、トランジスタアレイパネル５０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図２０】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、トランジスタアレイパネル５０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図２１】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、第２の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｂの断面図である。
【図２２】本発明の第３の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｃの図３に相当する断面図である。
【図２３】本発明の第４の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｄの図３に相当する断面図である。
【図２４】本発明の第５の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｅの図３に相当する断面図である。
【図２５】本発明の第６の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｆの図３に相当する断面図である。
【図２６】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｆを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図２７】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｆを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図２８】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｆを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図２９】本発明の第７の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｇの図３に相当する断面図である。
【図３０】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）は図４と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｇの製造方法について説明するための断面図である。
【図３１】第８の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｈの図３に相当する断面図である。
【図３２】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｈを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図３３】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｈを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図３４】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｈを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図３５】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｈを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図３６】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｈを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図３７】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｈを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図３８】本発明の第９の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｉの図３に相当する断面図である。
【図３９】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｉを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図４０】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｉを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図４１】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｉを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図４２】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｉを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図４３】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｉを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図４４】本発明の第１０の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｊの図３に相当する断面図である。
【図４５】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｊを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図４６】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｊを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図４７】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｊを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図４８】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｊを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図４９】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｊを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図５０】本発明の第１１の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｋの図３に相当する断面図である。
【図５１】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｋを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図５２】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｋを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図５３】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｋを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図５４】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｋを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図５５】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｋを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図５６】本発明の第１２の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｌの図３に相当する断面図である。
【図５７】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｌを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図５８】図３と同じ断面における、ＥＬディスプレイパネル１０Ｌを製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図５９】従来のＥＬディスプレイパネル１１０を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１１６】
２ 基板
４ 遮光膜
５ 層間絶縁膜
６ 隔壁
１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｅ、１０Ｆ、１０Ｇ、１０Ｈ、１０Ｉ、１０Ｊ、１０Ｋ、１０Ｌ ＥＬディスプレイパネル
２０ エレクトロルミネッセンス素子
２１，２２ 画素トランジスタ
２１ａ 画素電極
３２ 保護絶縁膜
３３ 開口部
２０ｂ 有機化合物層
２０ｄ 対向電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上面に形成された遮光膜と、
前記遮光膜を被覆する層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜の上面に形成された画素電極及び画素トランジスタと、
前記複数の画素電極の外周部及び前記画素トランジスタを被覆するように形成された保護絶縁膜と、
前記画素電極の上部に形成された発光機能層と、
前記保護絶縁膜の上部に形成され、前記発光機能層の形成領域を画定する隔壁と、
を備え、
前記遮光膜は、前記保護絶縁膜または前記隔壁の少なくともいずれか一方と平面視において同一形状であることを特徴とする発光パネル。
【請求項２】
前記遮光膜は、前記基板の上面に形成された金属膜と、前記金属膜の上面に形成された反射防止膜とからなることを特徴とする請求項１記載の発光パネル。
【請求項３】
前記遮光膜は、前記基板の上面に形成された反射防止膜と、前記反射防止膜の上面に形成された金属膜とからなることを特徴とする請求項１記載の発光パネル。
【請求項４】
前記金属膜はクロムからなり、前記反射防止膜は酸化クロムからなることを特徴とする請求項２または３に記載の発光パネル。
【請求項５】
前記遮光膜は、前記基板の上面に形成された第１の反射防止膜と、前記第１の反射防止膜の上面に形成された金属膜と、前記金属膜の上面に形成された第２の反射防止膜とからなることを特徴とする請求項１記載の発光パネル。
【請求項６】
前記金属膜はクロムからなり、前記第１の反射防止膜及び前記第２の反射防止膜は酸化クロムからなることを特徴とする請求項５記載の発光パネル。
【請求項７】
画素電極上に形成された発光機能層を有してなる発光素子を備える発光パネルの製造方法であって、
基板の上面に遮光膜を形成する工程と、
前記遮光膜を被覆する層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜の上面に前記画素電極及び該画素電極を駆動する画素トランジスタを形成する工程と、
前記画素電極及び前記画素トランジスタを被覆する保護絶縁膜を形成する工程と、
前記基板の下側から光を照射して、前記保護絶縁膜に前記画素電極を露出させる開口部を形成する開口部形成工程、または前記発光機能層の形成領域を画定する隔壁を形成する隔壁形成工程、の少なくともいずれか一方を含む裏面露光工程と、
を含むことを特徴とする発光パネルの製造方法。
【請求項８】
前記裏面露光工程は前記開口部形成工程を含み、
該開口部形成工程は、前記保護絶縁膜の上面にフォトレジストを塗布する工程と、前記基板の下側から光を照射して、前記遮光膜を通過した光により前記フォトレジストを露光する工程と、現像された前記フォトレジストを用いて前記保護絶縁膜に前記開口部を形成する工程と、を含み、前記開口部が形成された前記保護絶縁膜の上部に前記隔壁を形成する工程を含むことを特徴とする請求項７記載の発光パネルの製造方法。
【請求項９】
前記裏面露光工程は前記隔壁形成工程を含み、
該隔壁形成工程は、前記保護絶縁膜の上面に感光性樹脂を塗布する工程と、前記基板の下側から光を照射して、前記遮光膜を通過した光により前記感光性樹脂を露光することで前記隔壁を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項７記載の発光パネルの製造方法。
【請求項１０】
前記裏面露光工程は前記開口部形成工程及び前記隔壁形成工程を含み、
該開口部形成工程は、前記保護絶縁膜の上面にフォトレジストを塗布する工程と、前記基板の下側から光を照射して、前記遮光膜を通過した光により前記フォトレジストを露光する工程と、現像された前記フォトレジストを用いて前記保護絶縁膜に前記開口部を形成する工程と、を含み、
前記隔壁形成工程は、前記開口部が形成された前記保護絶縁膜及び前記画素電極の上面に感光性樹脂を塗布する工程と、前記基板の下側から光を照射して、前記遮光膜を通過した光により前記感光性樹脂を露光することで前記隔壁を形成する工程と、を含む
ことを特徴とする請求項７記載の発光パネルの製造方法。
【請求項１１】
前記裏面露光工程は前記隔壁形成工程を含み、
該隔壁形成工程は、前記保護絶縁膜の上面に感光性樹脂を塗布する工程と、前記基板の下側から光を照射して、前記遮光膜を通過した光により前記感光性樹脂を露光することで前記隔壁を形成する工程と、を含み、
更に、形成された前記隔壁をレジストマスクとして用いて前記保護絶縁膜をエッチングして、前記保護絶縁膜に前記画素電極を露出させる開口部を形成する工程を含む、ことを特徴とする請求項７記載の発光パネルの製造方法。
【請求項１２】
前記隔壁を形成した後、前記画素電極の上部に前記発光機能層を形成する前に、前記隔壁に対しプラズマアッシングまたはプラズマエッチングによる表面処理を行う工程を含むことを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項１３】
前記感光性樹脂を露光して前記隔壁を形成する工程における前記感光性樹脂の露光時間を、マスク線幅と仕上がり線幅が同じになる適正な露光時間よりも長くすることを特徴とする請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項１４】
前記遮光膜は、前記基板の上面に形成された金属膜と、前記金属膜の上面に形成された反射防止膜とからなることを特徴とする請求項７〜１３のいずれか一項に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項１５】
前記遮光膜は、前記基板の上面に形成された反射防止膜と、前記反射防止膜の上面に形成された金属膜とからなることを特徴とする請求項７〜１３のいずれか一項に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項１６】
前記遮光膜は、前記基板の上面に形成された第１の反射防止膜と、前記第１の反射防止膜の上面に形成された金属膜と、前記反射膜の上面に形成された第２の反射防止膜とからなることを特徴とする請求項７〜１３のいずれか一項に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項１】
基板の上面に形成された遮光膜と、
前記遮光膜を被覆する層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜の上面に形成された画素電極及び画素トランジスタと、
前記複数の画素電極の外周部及び前記画素トランジスタを被覆するように形成された保護絶縁膜と、
前記画素電極の上部に形成された発光機能層と、
前記保護絶縁膜の上部に形成され、前記発光機能層の形成領域を画定する隔壁と、
を備え、
前記遮光膜は、前記保護絶縁膜または前記隔壁の少なくともいずれか一方と平面視において同一形状であることを特徴とする発光パネル。
【請求項２】
前記遮光膜は、前記基板の上面に形成された金属膜と、前記金属膜の上面に形成された反射防止膜とからなることを特徴とする請求項１記載の発光パネル。
【請求項３】
前記遮光膜は、前記基板の上面に形成された反射防止膜と、前記反射防止膜の上面に形成された金属膜とからなることを特徴とする請求項１記載の発光パネル。
【請求項４】
前記金属膜はクロムからなり、前記反射防止膜は酸化クロムからなることを特徴とする請求項２または３に記載の発光パネル。
【請求項５】
前記遮光膜は、前記基板の上面に形成された第１の反射防止膜と、前記第１の反射防止膜の上面に形成された金属膜と、前記金属膜の上面に形成された第２の反射防止膜とからなることを特徴とする請求項１記載の発光パネル。
【請求項６】
前記金属膜はクロムからなり、前記第１の反射防止膜及び前記第２の反射防止膜は酸化クロムからなることを特徴とする請求項５記載の発光パネル。
【請求項７】
画素電極上に形成された発光機能層を有してなる発光素子を備える発光パネルの製造方法であって、
基板の上面に遮光膜を形成する工程と、
前記遮光膜を被覆する層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜の上面に前記画素電極及び該画素電極を駆動する画素トランジスタを形成する工程と、
前記画素電極及び前記画素トランジスタを被覆する保護絶縁膜を形成する工程と、
前記基板の下側から光を照射して、前記保護絶縁膜に前記画素電極を露出させる開口部を形成する開口部形成工程、または前記発光機能層の形成領域を画定する隔壁を形成する隔壁形成工程、の少なくともいずれか一方を含む裏面露光工程と、
を含むことを特徴とする発光パネルの製造方法。
【請求項８】
前記裏面露光工程は前記開口部形成工程を含み、
該開口部形成工程は、前記保護絶縁膜の上面にフォトレジストを塗布する工程と、前記基板の下側から光を照射して、前記遮光膜を通過した光により前記フォトレジストを露光する工程と、現像された前記フォトレジストを用いて前記保護絶縁膜に前記開口部を形成する工程と、を含み、前記開口部が形成された前記保護絶縁膜の上部に前記隔壁を形成する工程を含むことを特徴とする請求項７記載の発光パネルの製造方法。
【請求項９】
前記裏面露光工程は前記隔壁形成工程を含み、
該隔壁形成工程は、前記保護絶縁膜の上面に感光性樹脂を塗布する工程と、前記基板の下側から光を照射して、前記遮光膜を通過した光により前記感光性樹脂を露光することで前記隔壁を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項７記載の発光パネルの製造方法。
【請求項１０】
前記裏面露光工程は前記開口部形成工程及び前記隔壁形成工程を含み、
該開口部形成工程は、前記保護絶縁膜の上面にフォトレジストを塗布する工程と、前記基板の下側から光を照射して、前記遮光膜を通過した光により前記フォトレジストを露光する工程と、現像された前記フォトレジストを用いて前記保護絶縁膜に前記開口部を形成する工程と、を含み、
前記隔壁形成工程は、前記開口部が形成された前記保護絶縁膜及び前記画素電極の上面に感光性樹脂を塗布する工程と、前記基板の下側から光を照射して、前記遮光膜を通過した光により前記感光性樹脂を露光することで前記隔壁を形成する工程と、を含む
ことを特徴とする請求項７記載の発光パネルの製造方法。
【請求項１１】
前記裏面露光工程は前記隔壁形成工程を含み、
該隔壁形成工程は、前記保護絶縁膜の上面に感光性樹脂を塗布する工程と、前記基板の下側から光を照射して、前記遮光膜を通過した光により前記感光性樹脂を露光することで前記隔壁を形成する工程と、を含み、
更に、形成された前記隔壁をレジストマスクとして用いて前記保護絶縁膜をエッチングして、前記保護絶縁膜に前記画素電極を露出させる開口部を形成する工程を含む、ことを特徴とする請求項７記載の発光パネルの製造方法。
【請求項１２】
前記隔壁を形成した後、前記画素電極の上部に前記発光機能層を形成する前に、前記隔壁に対しプラズマアッシングまたはプラズマエッチングによる表面処理を行う工程を含むことを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項１３】
前記感光性樹脂を露光して前記隔壁を形成する工程における前記感光性樹脂の露光時間を、マスク線幅と仕上がり線幅が同じになる適正な露光時間よりも長くすることを特徴とする請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項１４】
前記遮光膜は、前記基板の上面に形成された金属膜と、前記金属膜の上面に形成された反射防止膜とからなることを特徴とする請求項７〜１３のいずれか一項に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項１５】
前記遮光膜は、前記基板の上面に形成された反射防止膜と、前記反射防止膜の上面に形成された金属膜とからなることを特徴とする請求項７〜１３のいずれか一項に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項１６】
前記遮光膜は、前記基板の上面に形成された第１の反射防止膜と、前記第１の反射防止膜の上面に形成された金属膜と、前記反射膜の上面に形成された第２の反射防止膜とからなることを特徴とする請求項７〜１３のいずれか一項に記載の発光パネルの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図４３】
【図４４】
【図４５】
【図４６】
【図４７】
【図４８】
【図４９】
【図５０】
【図５１】
【図５２】
【図５３】
【図５４】
【図５５】
【図５６】
【図５７】
【図５８】
【図５９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図４３】
【図４４】
【図４５】
【図４６】
【図４７】
【図４８】
【図４９】
【図５０】
【図５１】
【図５２】
【図５３】
【図５４】
【図５５】
【図５６】
【図５７】
【図５８】
【図５９】
【公開番号】特開２０１０−５６０２５（Ｐ２０１０−５６０２５Ａ）
【公開日】平成２２年３月１１日（２０１０．３．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２２２０１３（Ｐ２００８−２２２０１３）
【出願日】平成２０年８月２９日（２００８．８．２９）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年３月１１日（２０１０．３．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年８月２９日（２００８．８．２９）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
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