発光素子及び電子機器。
【課題】広いエネルギーギャップを有し、発光素子の輸送層やホスト材料として用いることが可能な新規カルバゾール誘導を用いた発光効率の高い発光素子を提供することを課題とする。
【解決手段】ジベンゾチオフェンもしくはジベンゾフランの4位がカルバゾールの2位又は3位に結合しているカルバゾール誘導体を合成することができた。そして、当該カルバゾール誘導体を用いることで、発光効率の高い発光素子を提供することができた。
【解決手段】ジベンゾチオフェンもしくはジベンゾフランの4位がカルバゾールの2位又は3位に結合しているカルバゾール誘導体を合成することができた。そして、当該カルバゾール誘導体を用いることで、発光効率の高い発光素子を提供することができた。
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【特許請求の範囲】
【請求項1】
一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、
前記有機化合物を含む層に、ジベンゾチオフェン骨格又はジベンゾフラン骨格の4位が、カルバゾールの2位又は3位のいずれか一方に結合したN−カルバゾリル基を有する材料を含む発光素子。
【請求項2】
一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、
前記有機化合物を含む層に、ジベンゾチオフェン骨格又はジベンゾフラン骨格の4位が、カルバゾールの2位又は3位のいずれか一方、及び、6位又は7位のいずれか一方に結合したN−カルバゾリル基を有する材料を含む発光素子。
【請求項3】
一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、
前記有機化合物を含む層に、ジベンゾチオフェン骨格又はジベンゾフラン骨格の4位が、カルバゾールの2位及び7位に結合、又は、3位及び6位に結合するN−カルバゾリル基を有する材料を含む発光素子。
【請求項4】
一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、
前記有機化合物を含む層に、下記一般式(G1)で表されるカルバゾール誘導体を含む発光素子。
【化1】
(式中、Arは炭素数6乃至70のアリール基または炭素数1乃至70の複素芳香環基を表す。また、R0は下記一般式(g1)で表される基を表し、R8は水素、炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数6乃至15のアリール基及び下記一般式(g2)で表される基のいずれか一を表す。但し、R0の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、R8の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。)
【化2】
(式中、X1は酸素又は硫黄を表し、R1乃至R7はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至15のアリール基のいずれか一を表す。)
【化3】
(式中、X2は酸素又は硫黄を表し、R9乃至R15はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至6のアルキル基のいずれか一を表す。)
【請求項5】
請求項4において、前記R8が前記一般式(g2)で表される置換基である場合、前記R0が前記αの位置に結合している場合は前記R8は前記γの位置に結合し、前記R0が前記βの位置に結合している場合、前記R8は前記δの位置に結合する発光素子。
【請求項6】
一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、
前記有機化合物を含む層に、下記一般式(G1)で表されるカルバゾール誘導体を含む発光素子。
【化4】
(式中、Arは、炭素数6乃至70のアリール基又は炭素数1乃至炭素数70の複素芳香環基を表す。また、R0は下記一般式(g3)で表される基を表し、R8は水素、炭素数6乃至15のアリール基、炭素数1乃至6のアルキル基及び下記一般式(g4)で表される基のいずれか一を表す。但し、R0の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、R8の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。)
【化5】
(式中、X1は酸素又は硫黄を表し。R1、R3、R6はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至6のアルキル基のいずれか一を表す。)
【化6】
(ただし、式中X2は酸素又は硫黄を表し、R9、R11、R14はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至6のアルキル基のいずれか一を表す。)
【請求項7】
一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、
前記有機化合物を含む層に、下記一般式(G1)で表されるカルバゾール誘導体を含む発光素子。
【化7】
(式中Arは、炭素数6乃至70のアリール基又は炭素数1乃至70の複素芳香環基を表す。また、R0は下記一般式(g3)で表される基であり、R8は水素又は下記一般式(g4)で表される基である。但し、R0の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、R8の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。)
【化8】
(式中、X1は酸素又は硫黄を表し、R1、R3、R6はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至6のアルキル基のいずれか一を表す。)
【化9】
(ただし、式中X2は酸素又は硫黄を表し、R9、R11、R14はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至6のアルキル基のいずれか一を表す。)
【請求項8】
請求項6または請求項7において、前記R8が前記一般式(g4)で表される置換基である場合、前記R0が前記αの位置に結合している場合は前記R8は前記γの位置に結合し、前記R0が前記βの位置に結合している場合、前記R8は前記δの位置に結合する発光素子。
【請求項9】
一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、
前記有機化合物を含む層に、下記一般式(G1)で表されるカルバゾール誘導体を含む発光素子。
【化10】
(式中、Arは、炭素数6乃至70のアリール基又は炭素数1乃至70の複素芳香環基を表す。また、R0は下記一般式(g5)で表される基を表し、R8は水素又は下記一般式(g6)で表される基を表す。但し、R0の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、R8の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。)
【化11】
(式中、X1は酸素又は硫黄を表す。)
【化12】
(式中、X2は酸素又は硫黄を表す。)
【請求項10】
請求項9において、前記R8が前記一般式(g6)で表される置換基である場合、前記R0が前記αの位置に結合している場合は前記R8は前記γの位置に結合し、前記R0が前記βの位置に結合している場合、前記R8は前記δの位置に結合する一般式(G1)で表される発光素子。
【請求項11】
一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、
前記有機化合物を含む層に、下記一般式(G2)で表されるカルバゾール誘導体を含む発光素子。
【化13】
(ただし、式中Xは酸素又は硫黄を表し、式中Arは、炭素数6乃至70のアリール基又は炭素数1乃至炭素数70の複素芳香環基を表す。)
【請求項12】
一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、
前記有機化合物を含む層に、下記一般式(G3)で表されるカルバゾール誘導体を含む発光素子。
【化14】
(ただし、式中X1及びX2はそれぞれ独立に酸素又は硫黄を表し、式中Arは、炭素数6乃至70のアリール基又は炭素数1乃至炭素数70の複素芳香環基を表す。)
【請求項13】
一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、
前記有機化合物を含む層に、下記一般式(G4)で表されるカルバゾール誘導体を含む発光素子。
【化15】
(ただし、式中X1及びX2はそれぞれ独立に酸素又は硫黄を表し、式中Arは、炭素数6乃至70のアリール基又は炭素数1乃至炭素数70の複素芳香環基を表す。)
【請求項1】
一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、
前記有機化合物を含む層に、ジベンゾチオフェン骨格又はジベンゾフラン骨格の4位が、カルバゾールの2位又は3位のいずれか一方に結合したN−カルバゾリル基を有する材料を含む発光素子。
【請求項2】
一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、
前記有機化合物を含む層に、ジベンゾチオフェン骨格又はジベンゾフラン骨格の4位が、カルバゾールの2位又は3位のいずれか一方、及び、6位又は7位のいずれか一方に結合したN−カルバゾリル基を有する材料を含む発光素子。
【請求項3】
一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、
前記有機化合物を含む層に、ジベンゾチオフェン骨格又はジベンゾフラン骨格の4位が、カルバゾールの2位及び7位に結合、又は、3位及び6位に結合するN−カルバゾリル基を有する材料を含む発光素子。
【請求項4】
一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、
前記有機化合物を含む層に、下記一般式(G1)で表されるカルバゾール誘導体を含む発光素子。
【化1】
(式中、Arは炭素数6乃至70のアリール基または炭素数1乃至70の複素芳香環基を表す。また、R0は下記一般式(g1)で表される基を表し、R8は水素、炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数6乃至15のアリール基及び下記一般式(g2)で表される基のいずれか一を表す。但し、R0の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、R8の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。)
【化2】
(式中、X1は酸素又は硫黄を表し、R1乃至R7はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至15のアリール基のいずれか一を表す。)
【化3】
(式中、X2は酸素又は硫黄を表し、R9乃至R15はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至6のアルキル基のいずれか一を表す。)
【請求項5】
請求項4において、前記R8が前記一般式(g2)で表される置換基である場合、前記R0が前記αの位置に結合している場合は前記R8は前記γの位置に結合し、前記R0が前記βの位置に結合している場合、前記R8は前記δの位置に結合する発光素子。
【請求項6】
一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、
前記有機化合物を含む層に、下記一般式(G1)で表されるカルバゾール誘導体を含む発光素子。
【化4】
(式中、Arは、炭素数6乃至70のアリール基又は炭素数1乃至炭素数70の複素芳香環基を表す。また、R0は下記一般式(g3)で表される基を表し、R8は水素、炭素数6乃至15のアリール基、炭素数1乃至6のアルキル基及び下記一般式(g4)で表される基のいずれか一を表す。但し、R0の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、R8の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。)
【化5】
(式中、X1は酸素又は硫黄を表し。R1、R3、R6はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至6のアルキル基のいずれか一を表す。)
【化6】
(ただし、式中X2は酸素又は硫黄を表し、R9、R11、R14はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至6のアルキル基のいずれか一を表す。)
【請求項7】
一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、
前記有機化合物を含む層に、下記一般式(G1)で表されるカルバゾール誘導体を含む発光素子。
【化7】
(式中Arは、炭素数6乃至70のアリール基又は炭素数1乃至70の複素芳香環基を表す。また、R0は下記一般式(g3)で表される基であり、R8は水素又は下記一般式(g4)で表される基である。但し、R0の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、R8の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。)
【化8】
(式中、X1は酸素又は硫黄を表し、R1、R3、R6はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至6のアルキル基のいずれか一を表す。)
【化9】
(ただし、式中X2は酸素又は硫黄を表し、R9、R11、R14はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至6のアルキル基のいずれか一を表す。)
【請求項8】
請求項6または請求項7において、前記R8が前記一般式(g4)で表される置換基である場合、前記R0が前記αの位置に結合している場合は前記R8は前記γの位置に結合し、前記R0が前記βの位置に結合している場合、前記R8は前記δの位置に結合する発光素子。
【請求項9】
一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、
前記有機化合物を含む層に、下記一般式(G1)で表されるカルバゾール誘導体を含む発光素子。
【化10】
(式中、Arは、炭素数6乃至70のアリール基又は炭素数1乃至70の複素芳香環基を表す。また、R0は下記一般式(g5)で表される基を表し、R8は水素又は下記一般式(g6)で表される基を表す。但し、R0の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、R8の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。)
【化11】
(式中、X1は酸素又は硫黄を表す。)
【化12】
(式中、X2は酸素又は硫黄を表す。)
【請求項10】
請求項9において、前記R8が前記一般式(g6)で表される置換基である場合、前記R0が前記αの位置に結合している場合は前記R8は前記γの位置に結合し、前記R0が前記βの位置に結合している場合、前記R8は前記δの位置に結合する一般式(G1)で表される発光素子。
【請求項11】
一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、
前記有機化合物を含む層に、下記一般式(G2)で表されるカルバゾール誘導体を含む発光素子。
【化13】
(ただし、式中Xは酸素又は硫黄を表し、式中Arは、炭素数6乃至70のアリール基又は炭素数1乃至炭素数70の複素芳香環基を表す。)
【請求項12】
一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、
前記有機化合物を含む層に、下記一般式(G3)で表されるカルバゾール誘導体を含む発光素子。
【化14】
(ただし、式中X1及びX2はそれぞれ独立に酸素又は硫黄を表し、式中Arは、炭素数6乃至70のアリール基又は炭素数1乃至炭素数70の複素芳香環基を表す。)
【請求項13】
一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、
前記有機化合物を含む層に、下記一般式(G4)で表されるカルバゾール誘導体を含む発光素子。
【化15】
(ただし、式中X1及びX2はそれぞれ独立に酸素又は硫黄を表し、式中Arは、炭素数6乃至70のアリール基又は炭素数1乃至炭素数70の複素芳香環基を表す。)
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図60】
【図61】
【図62】
【図63】
【図64】
【図65】
【図66】
【図67】
【図68】
【図69】
【図70】
【図71】
【図72】
【図73】
【図74】
【図75】
【図76】
【図77】
【図78】
【図79】
【図80】
【図81】
【図82】
【図83】
【図84】
【図85】
【図86】
【図87】
【図88】
【図89】
【図90】
【図91】
【図92】
【図93】
【図94】
【図95】
【図96】
【図97】
【図98】
【図99】
【図100】
【図101】
【図102】
【図103】
【図104】
【図105】
【図106】
【図107】
【図108】
【図109】
【図110】
【図111】
【図112】
【図113】
【図114】
【図115】
【図116】
【図117】
【図118】
【図119】
【図120】
【図121】
【図122】
【図123】
【図124】
【図125】
【図126】
【図127】
【図128】
【図129】
【図130】
【図131】
【図132】
【図133】
【図134】
【図135】
【図136】
【図137】
【図138】
【図139】
【図140】
【図141】
【図142】
【図143】
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【図150】
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【図2】
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【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
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【図32】
【図33】
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【図154】
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【公開番号】特開2012−80093(P2012−80093A)
【公開日】平成24年4月19日(2012.4.19)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−196068(P2011−196068)
【出願日】平成23年9月8日(2011.9.8)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成24年4月19日(2012.4.19)
【国際特許分類】
【出願日】平成23年9月8日(2011.9.8)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
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