発光表示装置の表示データ用メモリ管理方法
【課題】 発光表示装置のメモリに保存されるデータを効率的に管理する発光表示装置の表示データ用メモリ管理方法を提供する。
【解決手段】 複数の画素各々が異なる色に発光する二つの副画素を備え，第１サブフィールド及び第２サブフィールドに分割されて駆動され，同じ色に対応する２つのデータ信号を時分割してデータ線に印加し，第１サブフィールド及び第２サブフィールドの走査線に順次に選択信号を印加し，ａ）発光表示装置の表示映像に対応する入力データを第１サブフィールドのデータまたは第２サブフィールドのデータに分ける段階と，ｂ）第１サブフィールドのデータ及び第２サブフィールドデータを発光駆動の順番に配列する段階と，ｃ）配列された第１サブフィールドのデータ及び第２サブフィールドデータを画素毎に分けて保存する段階と，を含むことを特徴とする。
【解決手段】 複数の画素各々が異なる色に発光する二つの副画素を備え，第１サブフィールド及び第２サブフィールドに分割されて駆動され，同じ色に対応する２つのデータ信号を時分割してデータ線に印加し，第１サブフィールド及び第２サブフィールドの走査線に順次に選択信号を印加し，ａ）発光表示装置の表示映像に対応する入力データを第１サブフィールドのデータまたは第２サブフィールドのデータに分ける段階と，ｂ）第１サブフィールドのデータ及び第２サブフィールドデータを発光駆動の順番に配列する段階と，ｃ）配列された第１サブフィールドのデータ及び第２サブフィールドデータを画素毎に分けて保存する段階と，を含むことを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，発光表示装置の表示データ用メモリ管理方法に関し，特に，有機物質の電界発光を利用した有機電界発光表示装置の表示データ用メモリ管理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置，有機電界発光表示装置（以下ＯＬＥＤ表示装置とする）などの能動駆動型表示装置の表示領域には，行方向に伸びている複数の選択走査線と列方向に伸びている複数のデータ線が形成されている。隣接する二つの選択走査線と隣接する二つのデータ線によって画素領域が定義され，このような画素領域に画素が行列形態で形成される。
【０００３】
そして，一つの画素には選択走査線から伝達される選択信号に応じて，データ線からのデータ信号を伝達する能動素子，つまり，トランジスタが形成されている。したがって，このような表示装置は，選択走査線を駆動するための走査駆動部とデータ線を駆動するためのデータ駆動部が必要である。
【０００４】
そして，このような表示装置では，一般に赤色（Ｒ）光を出すＲ画素，緑色（Ｇ）光を出すＧ画素，または青色（Ｂ）光を出すＢ画素の明るさの組み合わせによって多数の色が表現される。したがって，表示装置には，一般に行方向にＲ，Ｇ，Ｂ画素が連続的に配置され，これらＲ，Ｇ，Ｂ画素の各々に別途のデータ線が連結されている。
【０００５】
また，このような表示装置は多数の色を表現するために，一つの画素がそれぞれの色を有する複数の副画素によって構成され，このような副画素から発光する色の組み合わせによって色が表現される。一般に，一つの画素は，赤色Ｒを表示する副画素，緑色Ｇを表示する副画素及び青色Ｂを表示する副画素によって構成され，これら赤色，緑色及び青色の組み合わせによって色が表現される。
【０００６】
また，データ駆動部は，デジタルデータ信号をアナログ信号に変換して全てのデータ線に印加しなければならないので，データ線の個数に相当する出力端子を必要とする。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが，一般にデータ駆動部は複数の集積回路で製作されるが，一つの集積回路が有する出力端子の個数は制限されるので，全てのデータ線を駆動するためには多くの集積回路を使用しなければならない。また，一つの画素で形成されるトランジスタ，キャパシタ及び電圧または信号を伝達するための配線が複数必要になると，画素内部にこれらを配置するのは難しくなる。また，制限された表示領域内でＲ，Ｇ，Ｂ画素毎にデータ線が各々形成され，このような画素を駆動するための駆動素子も各々形成される場合には，画素の開口率が減少するという問題がある。
【０００８】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，発光表示装置のメモリに保存されるデータを発光駆動方法に適した形態に分類することで，効率的にメモリを管理できる発光表示装置の表示データ用メモリ管理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，複数の画素各々が，互いに異なる色に発光する少なくとも二つの副画素を備え，一つのフィールドが第１サブフィールド及び第２サブフィールドを含む複数のサブフィールドに分割されて駆動され，一つのフィールド間に，同じ色に対応する少なくとも２つのデータ信号を時分割してデータ線に印加し，第１サブフィールド及び第２サブフィールドの複数の走査線に順次に選択信号を印加する発光表示装置の表示データ用メモリ管理方法であって；
ａ）発光表示装置の表示映像に対応する入力データを第１サブフィールドのデータまたは第２サブフィールドのデータに分ける段階と，
ｂ）第１サブフィールドのデータ及び第２サブフィールドデータを発光駆動の順番に配列する段階と，
ｃ）配列された第１サブフィールドのデータ及び第２サブフィールドデータを画素毎に分けて保存する段階と，
を含むことを特徴とする，発光表示装置の表示データ用メモリ管理方法が提供される。
【００１０】
従来の発光表示装置においては，表示データメモリを管理していなかったが，上記のように，表示データをメモリから読み出しやすい形態に分類して保存し，管理することにより，データアクセス時間を短縮し，メモリの効率を向上させることができる。
【００１１】
ここで，ｂ）段階の発光駆動は，隣接した副画素の間の時分割駆動であることができる。また，ｂ）段階の発光駆動は，同じ色の間の時分割駆動であることもできる。一つの画素に形成された駆動部が同じ色のＯＬＥＤ素子を駆動することによって，赤色，緑色，及び青色画像のホワイトバランスの制御を容易にすることができる。
【００１２】
ｃ）段階において，配列された第１サブフィールドのデータ及び第２サブフィールドデータをメモリマップから読み出された順番で保存することができる。この時，メモリマップは，列方向に６ｎ個の入力データが提供される場合，第１及び第２サブフィールドそれぞれの列方向に３ｎ個のデータを有することができる。
【００１３】
さらに，メモリマップは，それぞれの表示ラインごとにｋ＝０，１，２，…，ｎ−１の場合，Ｓ（３ｋ＋１），Ｓ（３ｋ＋２）またはＳ（３ｋ＋３）の走査線選択信号に対応することができる。
【発明の効果】
【００１４】
以上詳述したように本発明によれば，発光表示装置の表示データを読み出しやすい形態に分類してメモリに保存及び管理することによって，データアクセス時間を短縮し，メモリの効率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１６】
以下，本実施の形態による発光表示装置の表示データ用メモリ管理方法について詳細に説明する。図１は，本実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置の概略的な平面図である。図１を参照すると，ＯＬＥＤ表示装置は，表示パネル１００，選択走査駆動部２００，発光走査駆動部３００及びデータ駆動部４００を備える。
【００１７】
表示パネル１００は，行方向に伸びている複数の走査線Ｓ１〜Ｓｎ，Ｅ１〜Ｅｎ，列方向に伸びている複数のデータ線Ｄ１〜Ｄｍ，複数の電源線ＶＤＤ及び複数の画素１１０を備える。画素１１０は，隣接する二つの走査線Ｓ１〜Ｓｎと隣接する二つのデータ線Ｄ１〜Ｄｍによって定義される画素領域に形成される。
【００１８】
選択走査駆動部２００は，当該走査線に連結された画素にデータ信号が記入できるように複数の走査線Ｓ１〜Ｓｎに選択信号を順次に印加し，発光走査駆動部３００は，ＯＬＥＤ素子の発光を制御するために発光走査線Ｅ１〜Ｅｎに発光信号を順次に印加する。そして，データ駆動部４００は，選択信号が順次に印加されるたびに，選択信号が印加された走査線の画素に対応するデータ信号をデータ線Ｄ１〜Ｄｍに印加する。
【００１９】
そして，選択走査駆動部２００及び発光走査駆動部３００とデータ駆動部４００は，各々表示パネル４００が形成された基板に電気的に連結される。これとは異なって，選択走査駆動部２００，発光走査駆動部３００，またはデータ駆動部４００の少なくともいずれかを表示パネル１００のガラス基板上に直接装着することも可能で，表示パネル１００の基板に走査線，データ線及びトランジスタと同じ層に形成される駆動回路にすることもできる。
【００２０】
または，選択走査駆動部２００，発光走査駆動部３００，またはデータ駆動部４００の少なくともいずれかを表示パネル１００の基板に接着させ，電気的に連結されたＴＣＰ（ｔａｐｅ ｃａｒｒｉｅｒ ｐａｃｋａｇｅ），ＦＰＣ（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）またはＴＡＢ（ｔａｐｅ ａｕｔｏｍａｔｉｃ ｂｏｎｄｉｎｇ）にチップなどの形態で装着することも可能である。
【００２１】
一方，図２Ａ〜図２Ｃは，それぞれ本実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置のピクセル及びサブピクセルを示す図面であって，ＯＬＥＤ表示装置で２：１マルチプレクサ（ＭＵＸ）奇数／偶数フィールドのピクセル発光順番を説明するための図面である。
【００２２】
図２Ａは，ＯＬＥＤ表示装置のピクセルを示す図面であって，列方向にＲ，Ｇ，Ｂ画素が配列され，行方向に第１ラインから配列されるピクセルを示す。図２Ａで斜線の部分の画素を分離すると，図２Ｂのような奇数フィールド（Ｏｄｄ ｆｉｅｌｄ）サブピクセルになり，また，斜線の部分の画素のみを配列する場合，図２Ｃのように偶数フィールド（Ｅｖｅｎ ｆｉｅｌｄ）サブピクセルを配列できる。
【００２３】
図３は，本実施の形態によって２つのサブピクセルを駆動することを例示する説明図であって，駆動集積回路出力の一つを使用して，図２Ｂ及び図２Ｃに示すように，２つのサブピクセルを駆動することを表す。ここで，ｋ＝０，１，２，３…ｎ−１とする時，駆動集積回路からの出力はＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６…Ｓ（３ｋ＋１），Ｓ（３ｋ＋２），Ｓ（３ｋ＋３）のようになる。この時，ピクセルは各々奇数と偶数に分れて，また各々Ｒ，Ｇ，Ｂを備えるので，結局ピクセルの数はライン当り６ｎ個になる。
【００２４】
（第１の実施の形態）
一方，図４は，第１の実施の形態による隣接サブピクセルの間の発光駆動について概略的に説明するための図面である。図４を参照すると，ＯＬＥＤ表示装置においての隣接サブピクセルの間の発光駆動は，各々奇数フィールドと偶数フィールドに分けられ，それぞれの奇数ラインでは上段部のようにＲ，Ｇ，ＢのＯＬＥＤ素子が点線部分のように発光して，同様にそれぞれの偶数ラインでは下段部のようにＲ，Ｇ，ＢのＯＬＥＤ素子が点線部分のように発光するが，二つのサブフィールドでは各々互いに異なる色のデータが記入されて発光する。
【００２５】
ここで，それぞれの選択信号Ｓ１，Ｓ２ごとに，２つの隣接したＯＬＥＤ素子が連結されており，発光順番は奇数フィールドと偶数フィールドで各々列方向に点線部分のＯＬＥＤ素子が発光して，最後のラインまで進行して１フレームの映像を表現し，通常秒当たり６０回のフレームを出力する。
【００２６】
一方，図５は，本実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置の画素を概略的に示す図面である。図５を参照すると，各画素１１０は各々互いに異なる色で発光する二つのＯＬＥＤ素子と，ＯＬＥＤ素子を駆動するための駆動部１１１〜１１３を備える。このようなＯＬＥＤ素子は，印加される電流の大きさに応じる明るさで光を発光する。そして，以下，画素領域に形成された駆動部と二つのＯＬＥＤ素子を一つの画素と定義する。
【００２７】
本実施の形態によれば，一つのフィールドが二つのサブフィールドに分割されて駆動され，二つのサブフィールドでは各々互いに異なる色のデータが記入されて発光される。このため，図１の選択走査駆動部２００は，サブフィールドごとに選択信号を順次に選択走査線Ｓ１〜Ｓｎに印加し，発光走査駆動部３００も，各色のＯＬＥＤ素子が一つのサブフィールドで発光が行われるように発光信号を発光走査線Ｅ１〜Ｅｎに印加する。
【００２８】
そして，データ駆動部４００は，二つのサブフィールドで一つの画素が互いに異なる色のＯＬＥＤ素子に対応するデータ信号をデータ線Ｄ１〜Ｄｍに印加する。図３で，データ駆動部４００は，二つのサブフィールドで各々赤色及び緑色のＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｒ１，ＯＬＥＤｇ１に各々対応するデータ信号をデータ線Ｄ１に印加し，青色及び赤色のＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｂ１，ＯＬＥＤｒ２に各々対応するデータ信号をデータ線Ｄ２に印加する。そして，緑色及び青色のＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｇ２，ＯＬＥＤｂ２に各々対応するデータ信号をデータ線Ｄ３に印加する。
【００２９】
以下，図６を参照して本実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置の具体的な動作について詳細に説明する。図６は，ＯＬＥＤ表示装置の画素を示す回路図である。図６では，データ線Ｄ１〜Ｄ３と選択走査線Ｓｎに連結される画素を示し，ここで，トランジスタはｐチャンネルトランジスタと表現した。また，図６に示された三つの画素１１０ａ〜１１０ｃの動作は実質的に同じなので，画素１１０ａを中心に画素の動作を説明する。
【００３０】
そして，以下，現在選択信号を伝達しようとする選択走査線を現在走査線，現在選択信号が伝えられる前に選択信号を伝達した選択走査線を直前走査線ということとする。画素１１０ａは，駆動トランジスタＭ１１，スイッチングトランジスタＭ１２，Ｍ１３，Ｍ１４，キャパシタＣ１１，Ｃ１２，ＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｒ１，ＯＬＥＤｇ１，及びＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｒ１，ＯＬＥＤｇ１の発光を各々制御する発光トランジスタＭ１５ａ，Ｍ１５ｂを備える。
【００３１】
そして，一つの発光走査線Ｅｎは２つの発光信号線Ｅｎａ，Ｅｎｂからなり，図６に図示してないが，残り発光走査線も各々２つの発光信号線からなる。このような発光トランジスタＭ１５ａ，Ｍ１５ｂと発光信号線Ｅｎａ，Ｅｎｂは，駆動トランジスタＭ１１からの電流をＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｒ１，ＯＬＥＤｇ１に選択的に伝達するためのスイッチング部を形成する。
【００３２】
駆動トランジスタＭ１１は，ＯＬＥＤ素子を駆動するための駆動トランジスタであって，電圧ＶＤＤを供給するための電源とトランジスタＭ１５ａ，Ｍ１５ｂのソースの接続点の間に連結される。そして，トランジスタＭ１１は，ゲートとソースの間に印加される電圧によってトランジスタＭ１５，Ｍ１５ｂを通ってＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｒ，ＯＬＥＤｇに流れる電流を制御する。また，トランジスタＭ１２は，直前走査線Ｓｎ−１からの選択信号に応じて駆動トランジスタＭ１１をダイオード連結させる。
【００３３】
駆動トランジスタＭ１１のゲートにはキャパシタＣ１２の電極Ａが接続され，キャパシタＣ１２の他電極Ｂ及び電圧ＶＤＤを供給する電源の間にキャパシタＣ１１とトランジスタＭ１３が並列接続される。トランジスタＭ１３は，直前走査線Ｓｎ−１からの選択信号に応じてキャパシタＣ１２の他電極Ｂに電源ＶＤＤを供給する。
【００３４】
また，スイッチングトランジスタＭ１４は，現在走査線Ｓｎからの選択信号に応じてデータ線Ｄｍからのデータ電圧をキャパシタＣ１１に伝達する。また，発光トランジスタＭ１５ａ，Ｍ１５ｂはトランジスタＭ１１のドレインとＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｒ１，ＯＬＥＤｇ１のアノードの間に各々接続され，発光信号線Ｅｎａ，Ｅｎｂから印加される発光信号に応じて，トランジスタＭ１１の電流をＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｒ１，ＯＬＥＤｇ１に伝達する。
【００３５】
ＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｒ１，ＯＬＥＤｇ１は印加される電流に応じて，各々赤色及び緑色の光を放出する。本発明の第１実施例によると，ＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｒ１，ＯＬＥＤｇ１のカソードには電圧ＶＤＤより低い電源電圧ＶＳＳが印加される。このような電源電圧ＶＳＳとしては負の電圧または接地電圧を用いることができる。
【００３６】
以下，本実施の形態による画素１１０ａの動作を具体的に説明する。まず，直前走査線Ｓｎ−１にローレベルの選択信号が印加されると，スイッチングトランジスタＭ１２が導通して駆動トランジスタＭ１１はダイオード連結状態となる。したがって，駆動トランジスタＭ１１のゲート及びソースの間の電圧が駆動トランジスタＭ１１の閾値電圧ＶＴＨになるまで変わる。この時，駆動トランジスタＭ１１のソースには電圧ＶＤＤが印加されるので，駆動トランジスタＭ１１のゲート，つまりキャパシタＣ１２の一電極Ａに印加される電圧はＶＤＤ＋ＶＴＨになる。また，スイッチングトランジスタＭ１３が導通してキャパシタＣ１２の他電極Ｂには電圧ＶＤＤが印加される。
【００３７】
また，発光信号線Ｅｎａ，Ｅｎｂにはハイレベルの発光信号が印加されるので，発光トランジスタＭ１５ａ，Ｍ１５ｂは遮断され，駆動トランジスタＭ１１を通ってＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｒ，ＯＬＥＤｇに電流が流れないようにされる。そして，現在走査線Ｓｎにはハイレベルの信号が印加されるので，スイッチングトランジスタＭ１４は遮断される。
【００３８】
これ以降，現在走査線Ｓｎにローレベルの選択信号が印加されると，スイッチングトランジスタＭ１４が導通してデータ電圧ＶＤＡＴＡがキャパシタＣ１１に充電される。また，キャパシタＣ１２には駆動トランジスタＭ１１の閾値電圧ＶＴＨに該当する電圧が充電されているので，駆動トランジスタＭ１１のゲートにはデータ電圧ＶＤＡＴＡと駆動トランジスタＭ１１の閾値電圧ＶＴＨの合計に相当する電圧が印加される。
【００３９】
また，発光トランジスタＭ１５ａ，Ｍ１５ｂが各々発光信号線Ｅｎａ，Ｅｎｂからの発光信号に応じて導通すると，電流が赤色及び緑色のＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｒ１，ＯＬＥＤｇ１に伝達されて発光される。そして，一つのフィールドに含まれた二つのサブフィールドで選択信号が選択走査線Ｓ１〜Ｓｎに順次に印加され，二つの発光信号線Ｅ１ａ〜Ｅｎａ，Ｅ１ｂ〜Ｅｎｂに各々印加される二つの発光信号は，一つのフィールドの間に重複されないローレベル期間を有する。
【００４０】
また，画素１１０ｂ，１１０ｃも画素１１０ａと同様に，直前走査線Ｓｎ−１に選択信号が印加される間に駆動トランジスタＭ２１，Ｍ３１の閾値電圧をキャパシタＣ２２，Ｃ３２に保存して，現在走査線Ｓｎに選択信号が印加される間にデータ電圧ＶＤＡＴＡをキャパシタＣ２１，Ｃ３１に保存する。また，画素１１０ａのスイッチングトランジスタＭ１２，Ｍ１３，Ｍ１４に対応して，スイッチングトランジスタＭ２２，Ｍ２３，Ｍ２４，及びスイッチングトランジスタＭ３２，Ｍ３３，Ｍ３４が設けられる。
【００４１】
そして，発光トランジスタＭ２５ａ，Ｍ３５ａが，各々発光信号線Ｅｎａからの発光信号に応じて導通すると，キャパシタＣ２１，Ｃ３１に保存された電圧に各々対応する電流が青色及び緑色のＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｂ１，ＯＬＥＤｇ２に伝達されて発光が行われ，発光トランジスタＭ２５ｂ，Ｍ３５ｂが各々発光信号線Ｅｎｂからの発光信号に応じて導通すると，キャパシタＣ２１，Ｃ３１に保存された電圧に対応する電流が赤色及び青色のＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｒ２，ＯＬＥＤｂ２に伝達されて発光される。
【００４２】
図７は，ＯＬＥＤ表示装置の入力データマップを示す図面である。図７を参照すると，本実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置のデータ駆動部４００から入力されるデータは，各ライン毎にＲ，Ｇ，Ｂ画素が各々６ｎ個が配列されるようになる。
【００４３】
図８Ａ及び図８Ｂは奇数（Ｏｄｄ）及び偶数（Ｅｖｅｎ）フィールドのメモリマップ管理概念を説明するための図面であって，前述した図７のような入力データマップから各々奇数及び偶数フィールドのメモリマップに分けることを表す。つまり，図８Ａのような奇数フィールドと図８Ｂのような偶数フィールドデータに分けて，各々４ラインの６番目Ｒ，Ｇ，Ｂ画素まで示したものである。
【００４４】
図８Ａ及び図８Ｂに太線で表示したそれぞれの下段部データが三つのＲ，Ｇ，Ｂデータを含むように区分した。ここで，メモリマップは，入力データが列方向に６ｎ個が提供される場合，第１及び第２サブフィールドそれぞれの列方向に３ｎ個のデータを含むようになる。
【００４５】
図９Ａ及び図９Ｂは，各々本実施の形態による奇数及び偶数フィールドのメモリマップを示す図面であって，各々前述した図８Ａ及び図８Ｂの下段部データで，ｋ＝０，１，２…ｎ−１とする時，走査線選択信号Ｓ（３ｋ＋１），Ｓ（３ｋ＋２）及びＳ（３ｋ＋３）毎に三つのデータが区別されることがわかる。
【００４６】
図９Ａを参照すると，本実施の形態による奇数フィールドのメモリマップでは，例えば１ラインではｋ＝０であるから，Ｓ（３ｋ＋１）はＳ１になって，発光データがＲ（１，１）からＲ（１，６ｎ−１）まで保存され，Ｓ（３ｋ＋２）はＳ２になって，発光データがＢ（１，１）からＢ（１，６ｎ）まで保存され，Ｓ（３ｋ＋３）はＳ３になって，発光データがＧ（１，１）からＧ（１，６ｎ−１）まで保存されるようになる。
【００４７】
また，２ラインではｋ＝０であるから，Ｓ（３ｋ＋１）はＳ１になって，発光データがＧ（２，１）からＧ（２，６ｎ−１）まで保存され，Ｓ（３ｋ＋２）はＳ２になって，発光データがＲ（２，２）からＲ（２，６ｎ）まで保存され，Ｓ（３ｋ＋３）はＳ３になって，発光データがＢ（２，２）からＢ（２，６ｎ）まで保存されるようになる。以降，奇数ラインと偶数ラインに対して前述したような方式で奇数フィールドメモリマップ内に保存されるようになる。
【００４８】
同様に，図９Ｂを参照すると，偶数フィールドのメモリマップでは，例えば１ラインではｋ＝０であるから，Ｓ（３ｋ＋１）はＳ１になって，発光データがＧ（１，１）からＧ（１，６ｎ−１）まで保存され，Ｓ（３ｋ+２）はＳ２になって，発光データがＲ（１，２）からＲ（１，６ｎ）まで保存され，Ｓ（３ｋ＋３）はＳ３になって，発光データがＢ（１，２）からＢ（１，６ｎ）まで保存されるようになる。
【００４９】
また，２ラインではｋ＝０であるから，Ｓ（３ｋ＋１）はＳ１になって，発光データがＲ（２，１）からＲ（２，６ｎ−１）まで保存され，Ｓ（３ｋ＋２）はＳ２になって，発光データがＢ（２，１）からＢ（２，６ｎ−１）まで保存され，Ｓ（３ｋ＋３）はＳ３になって，発光データがＧ２，２からＧ２，６ｎまで保存されるようになる。以降，奇数ラインと偶数ラインに対して前述したような方式で偶数フィールドメモリマップ内に保存されるようになる。
【００５０】
したがって，図９Ａ及び図９Ｂのように，各サブフィールドに対して各ラインに隣接サブピクセルの間の発光データを分けて保存するようになる。また，前述したように，一つの画素でいろいろな色の発光素子を共通の駆動及びスイッチングトランジスタとキャパシタに駆動することができるので，画素内で使用される素子等の構成と電流，電圧または信号を伝達する配線を単純化させることができる。
【００５１】
しかし，第１の実施の形態による画素を実際駆動する場合，キャパシタＣ１２，Ｃ２２，Ｃ３２に保存される電圧は駆動トランジスタＭ１１，Ｍ２１，Ｍ３１のドレイン電極，つまり，ノードＣの電圧状態によって異なるようになる。つまり，駆動トランジスタＭ１１，Ｍ２１，Ｍ３１を通って電流が流れると，ドレイン電極，つまりノードＣの寄生キャパシタンスによって一定の電圧が充電されて，ノードＣの電圧状態が以前サブフィールドで駆動トランジスタＭ１１，Ｍ２１，Ｍ３１に流した電流レベルの影響を受けるようになる。
【００５２】
したがって，直前走査線Ｓｎ−１にローレベルの選択信号が印加されると，キャパシタＣ１２の一電極Ａの電圧ＶＣ１２がノードＣの電圧と同じになるので，ノードＣの電圧状態によって，キャパシタＣ１２に保存される電圧が変わる。
【００５３】
画素１１０ａ，１００ｂ，１１０ｃは，二つのサブフィールドで互いに異なる色に対応する電流が駆動トランジスタＭ１１，Ｍ２１，Ｍ３１を通って流れるようになるので，結局一つのサブフィールドで直前走査線Ｓｎ−１に選択信号が印加される間にキャパシタＣ１２，Ｃ２２，Ｃ３２に保存される補償電圧は，以前のサブフィールドで駆動トランジスタＭ１１，Ｍ２１，Ｍ３１が流した電流の影響を受けるようになる。
【００５４】
したがって，キャパシタＣ１２，Ｃ２２，Ｃ３２には，以前サブフィールドのデータ電圧による補償電圧が充電され，以前サブフィールドと現在サブフィールドで互いに異なる色に対応するデータ電圧が印加されるので，駆動トランジスタＭ１１，Ｍ２１，Ｍ３１の閾値電圧の偏差が正確に補償されない問題があった。
【００５５】
そして，本実施の形態による画素は，駆動トランジスタが互いに異なる色のＯＬＥＤ素子を駆動するので，駆動トランジスタの特性を調節することによって赤色，緑色，及び青色画像のホワイトバランスを制御するのは難しいという問題があった。
【００５６】
（第２の実施の形態）
そこで，第２の実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置では，一つの画素に形成された駆動部が同じ色のＯＬＥＤ素子を駆動することによって，このような問題を解決する。以下，図１０〜１４Ｂを参照して，第２の実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置の画素について具体的に説明する。図１０は，本実施の形態による同じ色のサブピクセルの間の発光駆動を概略的に説明するための図面である。
【００５７】
図１０を参照すると，隣接サブピクセルの間の発光駆動は，各々奇数フィールドと偶数フィールドに分けられ，それぞれの奇数ラインでは上段部のようにＲ，Ｇ，ＢのＯＬＥＤ素子が点線部分のように発光して，同様にそれぞれの偶数ラインでは下段部のようにＲ，Ｇ，ＢのＯＬＥＤ素子が点線部分のように発光するが，二つのサブフィールドでは各々同じ色のデータが記入されて発光される。ここで，それぞれの選択信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３ごとに２つの同じＯＬＥＤ素子が連結されており，発光順番は奇数フィールドと偶数フィールドで各々列方向に点線部分のＯＬＥＤ素子が発光する。
【００５８】
図１１は，本実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置の画素を概略的に示す図面である。説明を簡略にするために，データ線Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３と選択走査線Ｓｎに連結される三つの画素１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃを代表として示した。各画素１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃは，駆動部１２１〜１２３と互いに異なる色で発光する二つのＯＬＥＤ素子を備え，データ線Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３には各々赤色，緑色，及び青色に対応するデータ信号が印加される。
【００５９】
画素１２０ａの駆動部１２１は，データ線Ｄ１に連結され，データ線Ｄ１からのデータ電圧に対応する電流を赤色のＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｒ１，ＯＬＥＤｒ２に印加する。画素１２０ｂの駆動部１２２は，データ線Ｄ２に連結され，データ線Ｄ２からのデータ電圧に対応する電流を緑色のＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｇ１，ＯＬＥＤｇ２に印加する。そして，画素１２０ｃの駆動部１２３は，データ線Ｄ３に連結され，データ線Ｄ３からのデータ電圧に対応する電流を青色のＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｂ１，ＯＬＥＤｂ２に印加する。
【００６０】
以下，本実施の形態による画素を，図１２を参照してより具体的に説明する。ただし，第１の実施の形態と関連して重複される部分についての説明は省略する。図１２は，第２の実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置の画素を示す回路図である。
【００６１】
図１２に示すように，画素１２０ａの駆動部は，駆動トランジスタＭ１１，スイッチングトランジスタＭ１２，Ｍ１３，Ｍ１４，キャパシタＣ１１，Ｃ１２，及び発光トランジスタＭ１６ａ，Ｍ１６ｂを備える。画素１２０ｂの駆動部は，駆動トランジスタＭ２１，スイッチングトランジスタＭ２２，Ｍ２３，Ｍ２４，キャパシタＣ２１，Ｃ２２，及び発光トランジスタＭ２６ａ，Ｍ２６ｂを備え，画素１２０ｃの駆動部は駆動トランジスタＭ３１，スイッチングトランジスタＭ３２，Ｍ３３，Ｍ３４，キャパシタＣ３１，Ｃ３２，及び発光トランジスタＭ３６ａ，Ｍ３６ｂを備える。
【００６２】
本実施の形態によると，画素１２０ａの駆動トランジスタＭ１１のドレインは発光トランジスタＭ１６ａ，Ｍ２６ｂのソースに連結され，発光トランジスタＭ１６ａ，Ｍ２６ｂは発光信号線Ｅｎａ，Ｅｎｂの発光信号に各々応じて，駆動トランジスタＭ１１からの電流をＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｒ１，ＯＬＥＤｒ２に伝達する。
【００６３】
そして，駆動トランジスタＭ２１のドレインは発光トランジスタＭ３６ａ，Ｍ１６ｂのソースに連結され，発光トランジスタＭ３６ａ，Ｍ１６ｂは発光信号線Ｅｎａ，Ｅｎｂの発光信号に応じて，駆動トランジスタＭ２１からの電流をＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｇ２，ＯＬＥＤｇ１に伝達する。同様に，駆動トランジスタＭ３１のドレインは発光トランジスタＭ２６ａ，Ｍ３６ｂのソースに連結され，発光トランジスタＭ２６ａ，Ｍ３６ｂは発光信号線Ｅｎａ，Ｅｎｂの発光信号に応じて，駆動トランジスタＭ３１からの電流をＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｂ１，ＯＬＥＤｂ２に伝達する。
【００６４】
したがって，一つのフィールドの間に，一つのデータ線には同じ色に対応するデータ電圧が印加され，駆動トランジスタはデータ電圧に対応する電流を同じ色のＯＬＥＤ素子に伝達する。以下，図１３を参照して，本実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置の駆動方法について詳細に説明する。図１３は，本実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置の駆動タイミング図である。
【００６５】
本実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置は，一つのフィールド（１ＴＶ）が二つのサブフィールド１ＳＦ，２ＳＦに分割されて駆動され，各サブフィールド１ＳＦ，２ＳＦで選択走査線Ｓ１〜Ｓｎにローレベルの選択信号が順次に印加される。一つの画素に含まれる二つのＯＬＥＤ素子は各々一つのサブフィールドに相当する期間に発光する。そして，サブフィールド１ＳＦ，２ＳＦは行毎に独立的に定義され，図１３では第１行の選択走査線Ｓ１を基準に二つのサブフィールド１ＳＦ，２ＳＦを示した。
【００６６】
サブフィールド１ＳＦで直前走査線Ｓｎ−１にローレベルの選択信号が印加される間に，キャパシタＣ１２，Ｃ２２，Ｃ３２に駆動トランジスタＭ１１，Ｍ２１，Ｍ３１の閾値電圧ＶＴＨに対応する電圧が保存される。この後，現在走査線Ｓｎにローレベルの選択信号が印加されると，データ線Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３には各々赤色，緑色，及び青色に対応するデータ電圧が印加され，スイッチングトランジスタＭ１４，Ｍ２４，Ｍ３４を通ってデータ電圧がキャパシタＣ１１，Ｃ２１，Ｃ３１に充電される。
【００６７】
そして，発光トランジスタＭ１６ａ，Ｍ３６ａ，Ｍ２６ａが導通してキャパシタＣ１１，Ｃ２１，Ｃ３１に保存された電圧に対応する電流が，トランジスタＭ１１，Ｍ２１，Ｍ３１から各々ＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｒ１，ＯＬＥＤｇ２，ＯＬＥＤｂ１に伝達されて発光される。
【００６８】
このような方法で，サブフィールド１ＳＦの第１〜ｎ番目行の画素にデータ電圧を印加して，一つの画素に含まれた二つのＯＬＥＤ素子の中の左側のＯＬＥＤ素子を発光させる。
【００６９】
次に，サブフィールド２ＳＦでは前のサブフィールド１ＳＦと同様に，第１行からｎ番目行の選択走査線Ｓ１〜Ｓｎにローレベルの選択信号が順次に印加される。そして，現在走査線Ｓｎに連結された画素１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃは，直前走査線Ｓｎ−１に選択信号が印加される間に，キャパシタＣ１２，Ｃ２２，３２に駆動トランジスタＭ１１，Ｍ２１，Ｍ３１の閾値電圧を保存して，現在走査線Ｓｎに選択信号が印加される間にデータ線Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３には赤色，緑色，及び青色に対応するデータ電圧が印加されてキャパシタＣ１１，Ｃ２１，Ｃ３１に保存される。
【００７０】
そして，選択走査線Ｓ１〜Ｓｎにローレベルの選択信号が順次に印加されるのに同期して，発光信号線Ｅ１ｂ〜Ｅｎｂにローレベルの発光信号が順次に印加される。以下，印加されたデータ電圧に対応する電流が，発光トランジスタＭ２６ｂ，Ｍ１６ｂ，Ｍ３６ｂを通ってＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｒ２，ＯＬＥＤｇ２，ＯＬＥＤｂ２に伝達されて発光される。
【００７１】
本実施の形態によると，サブフィールド１ＳＦ，２ＳＦで発光信号線Ｅ１ａ〜Ｅｎａ，Ｅ１ｂ〜Ｅｎｂに印加される発光信号は，一定の期間にローレベルに維持されて，発光信号がローレベルである間に，発光信号が印加された発光トランジスタに連結されたＯＬＥＤ素子は継続して発光する。図１３では，この期間をサブフィールド１ＳＦ，２ＳＦと実質的に同じ期間として示した。つまり，各画素で左側に連結されたＯＬＥＤ素子は，サブフィールド１ＳＦに対応する期間に印加されるデータ電圧に対応する輝度で発光して，右側に連結されたＯＬＥＤ素子はサブフィールド２ＳＦに対応する期間に印加されるデータ電圧に対応する輝度で発光する。
【００７２】
そして，一つのフィールド（１ＴＶ）の間に各データ線Ｄ１〜Ｄｍには同じ色に対応するデータ電圧が印加され，一つの画素に含まれる駆動トランジスタはデータ電圧に対応する電流を同じ色のＯＬＥＤ素子に伝達する。したがって，二つのサブフィールドの間に，同じ色に対応する電流が駆動トランジスタを通ってＯＬＥＤ素子に伝えられるので，駆動トランジスタのドレイン電極，つまりノードＣには現在サブフィールドと同じ色の電流に対応する電圧が充電されるようになる
【００７３】
つまり，画素１２０ａで直前走査線Ｓｎ−１に選択信号が印加されてキャパシタＣ１２にトランジスタＭ１１の閾値電圧に対応する電圧を保存する場合，キャパシタＣ１２に保存される電圧はノードＣの電圧の影響を受けるようになるが，ノードＣの電圧は前述のように以前サブフィールドでトランジスタＭ１１を通って流れた電流の影響を受けるようになる。
【００７４】
そして，駆動トランジスタＭ１１は以前サブフィールドと現在サブフィールドとで，全て赤色に対応する電流を出力するので，現在サブフィールドと同じ条件の下でトランジスタＭ１１の閾値電圧の偏差を補償するための電圧がキャパシタＣ１２に保存される。したがって，駆動トランジスタＭ１１のドレイン電極に寄生キャパシタンス成分が存在してキャパシタＣ１２に駆動トランジスタＭ１１の閾値電圧とは違う電圧が充電されても，現在サブフィールドと以前サブフィールドで同じ条件の下でキャパシタＣ１２に閾値電圧に対応する電圧が充電されるので，駆動トランジスタＭ１１の閾値電圧の偏差を効果的に補償することができるようになる。
【００７５】
そして，一つの画素に含まれた駆動トランジスタは，一つのフィールドの間に各々同じ色のＯＬＥＤ素子に流れる電流を制御するので，駆動トランジスタのチャンネルの幅と長さの比（Ｗ／Ｌ）を制御することによって，表示パネルのホワイトバランスを調節することができる。つまり，駆動トランジスタＭ１１，Ｍ１２，Ｍ１３のチャンネルの幅と長さの比（Ｗ／Ｌ）を互いに異なるように設定して，実質的に同じレベルのデータ電圧によって互いに異なる量の電流が各々赤色，緑色，及び青色のＯＬＥＤ素子に流れるようにすることができる。
【００７６】
一方，図１４Ａ及び図１４Ｂは各々，第２の実施の形態による奇数Ｏｄｄ及び偶数Ｅｖｅｎフィールドのメモリマップを示す図面であって，前述した第１の実施の形態と同様に各々下段部データで，ｋ＝０，１，２，…ｎ−１とする時，走査線選択信号Ｓ（３ｋ＋１），Ｓ（３ｋ＋２）及びＳ（３ｋ＋３）毎に三つのデータが区別されることが分かる。
【００７７】
図１４Ａを参照すると，奇数フィールドのメモリマップでは，例えば１ラインではｋ＝０であるから，Ｓ（３ｋ＋１）はＳ１になって，発光データがＲ（１，１）からＲ（１，６ｎ−１）まで保存され，Ｓ（３ｋ＋２）はＳ２になって，発光データがＧ（１，２）からＧ（１，６ｎ）まで保存され，Ｓ（３ｋ＋３）はＳ３になって，発光データがＢ（１，１）からＢ（１，６ｎ−１）まで保存されるようになる。
【００７８】
また，２ラインではｋ＝０であるから，Ｓ（３ｋ＋１）はＳ１になって，発光データがＲ（２，２）からＲ（２，６ｎ）まで保存され，Ｓ（３ｋ＋２）はＳ２になって，発光データがＧ（２，１）からＧ（２，６ｎ−１）まで保存され，Ｓ（３ｋ＋３）はＳ３になって，発光データがＢ（２，２）からＢ（２，６ｎ）まで保存されるようになる。以降，奇数ラインと偶数ラインに対して前述したような方式で奇数フィールドメモリマップ内に保存されるようになる。
【００７９】
同様に，図１４Ｂを参照すると，本実施の形態による偶数フィールドのメモリマップでは，例えば１ラインではｋ＝０であるから，Ｓ（３ｋ＋１）はＳ１になって，発光データがＲ（１，２）からＲ（１，６ｎ）まで保存され，Ｓ（３ｋ＋２）はＳ２になって，発光データがＧ（１，１）からＧ（１，６ｎ−１）まで保存され，Ｓ（３ｋ＋３）はＳ３になって，発光データがＢ（１，２）からＢ（１，６ｎ）まで保存されるようになる。
【００８０】
また，２ラインではｋ＝０であるから，Ｓ（３ｋ＋１）はＳ１になって，発光データがＲ（２，１）からＲ（２，６ｎ−１）まで保存され，Ｓ（３ｋ＋２）はＳ２になって，発光データがＧ（２，２）からＧ（２，６ｎ）まで保存され，Ｓ（３ｋ＋３）はＳ３になって，発光データがＢ（２，１）からＢ（２，６ｎ−１）まで保存されるようになる。以降，奇数ラインと偶数ラインに対して前述したような方式で偶数フィールドメモリマップ内に保存されるようになる。
【００８１】
したがって，図１４Ａ及び図１４Ｂのように，各サブフィールドに対して各ラインに同じ色のサブピクセルの間の発光データを分けて保存するようになる。
【００８２】
一方，前述した図１２では，本実施の形態による画素の駆動部が駆動トランジスタ，四つのスイッチングトランジスタ，二つのキャパシタ，及び二つの発光トランジスタを備えることと図示したが，図１２に示された画素の他にいろいろな形態の多様な画素を利用してＯＬＥＤ表示装置を構成することができる。
【００８３】
このように本実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置の他の画素でも，駆動トランジスタは同じ色で発光するＯＬＥＤ素子を駆動して，駆動トランジスタのチャンネルの幅と長さを制御することによって，ホワイトバランスを調節することができる。
【００８４】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００８５】
例えば，図１３ではＯＬＥＤ表示装置が単一走査において順次走査方式で駆動されるものとして図示したが，本発明はこれに限定されるのではなく，二重走査方式，飛越走査方式，または他の方式の走査方式にも適用できる。
【００８６】
また，図１２では，一つの画素が二つのＯＬＥＤ素子を備えるものとして説明したが，一つの画素が赤色，緑色，及び青色に発光するＯＬＥＤ素子を備えるようにした後，一つのフィールドを三つのサブフィールドに分割して画素回路を駆動することもできる。
【産業上の利用可能性】
【００８７】
本発明は，発光表示装置の表示データ用メモリ管理方法に適用可能であり，有機物質の電界発光を利用した有機電界発光表示装置の表示データ用メモリ管理方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】第１及び第２の実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置を示す概略説明図である。
【図２Ａ】第１及び第２の実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置のピクセルを示す説明図である。
【図２Ｂ】第１及び第２の実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置の奇数フィールドサブピクセルを示す説明図である。
【図２Ｃ】第１及び第２の実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置の偶数フィールドサブピクセルを示す説明図である。
【図３】第１及び第２の実施の形態による２つのサブピクセルの駆動を示す説明図である。
【図４】第１の実施の形態による隣接サブピクセルの発光駆動を概略的に示す説明図である。
【図５】第１の実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置の画素の概略を示す説明図である。
【図６】第１の実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置の画素を示す回路図である。
【図７】第１の実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置の入力データマップを示す説明図である。
【図８Ａ】第１の実施の形態による奇数フィールドのメモリマップ管理概念を示す説明図である。
【図８Ｂ】第１の実施の形態による偶数フィールドのメモリマップ管理概念を示す説明図である。
【図９Ａ】第１の実施の形態による奇数フィールドのメモリマップを示す説明図である。
【図９Ｂ】第１の実施の形態による偶数フィールドのメモリマップを示す説明図である。
【図１０】第２の実施の形態による同じ色のサブピクセルの発光駆動を概略的に示す説明図である。
【図１１】第２の実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置の画素の概略を示す説明図である。
【図１２】第２の実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置の画素を示す回路図である。
【図１３】第２の実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置の駆動タイミングを示す説明図である。
【図１４Ａ】第２の実施の形態による奇数フィールドのメモリマップを示す説明図である。
【図１４Ｂ】第２の実施の形態による偶数フィールドのメモリマップを示す説明図である。
【符号の説明】
【００８９】
１００ 表示パネル
１１０ａ 画素
１１０ｂ 画素
１１０ｃ 画素
１１１ 駆動部
１１２ 駆動部
１１３ 駆動部
２００ 選択走査駆動部
３００ 発光走査駆動部
４００ データ駆動部
【技術分野】
【０００１】
本発明は，発光表示装置の表示データ用メモリ管理方法に関し，特に，有機物質の電界発光を利用した有機電界発光表示装置の表示データ用メモリ管理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置，有機電界発光表示装置（以下ＯＬＥＤ表示装置とする）などの能動駆動型表示装置の表示領域には，行方向に伸びている複数の選択走査線と列方向に伸びている複数のデータ線が形成されている。隣接する二つの選択走査線と隣接する二つのデータ線によって画素領域が定義され，このような画素領域に画素が行列形態で形成される。
【０００３】
そして，一つの画素には選択走査線から伝達される選択信号に応じて，データ線からのデータ信号を伝達する能動素子，つまり，トランジスタが形成されている。したがって，このような表示装置は，選択走査線を駆動するための走査駆動部とデータ線を駆動するためのデータ駆動部が必要である。
【０００４】
そして，このような表示装置では，一般に赤色（Ｒ）光を出すＲ画素，緑色（Ｇ）光を出すＧ画素，または青色（Ｂ）光を出すＢ画素の明るさの組み合わせによって多数の色が表現される。したがって，表示装置には，一般に行方向にＲ，Ｇ，Ｂ画素が連続的に配置され，これらＲ，Ｇ，Ｂ画素の各々に別途のデータ線が連結されている。
【０００５】
また，このような表示装置は多数の色を表現するために，一つの画素がそれぞれの色を有する複数の副画素によって構成され，このような副画素から発光する色の組み合わせによって色が表現される。一般に，一つの画素は，赤色Ｒを表示する副画素，緑色Ｇを表示する副画素及び青色Ｂを表示する副画素によって構成され，これら赤色，緑色及び青色の組み合わせによって色が表現される。
【０００６】
また，データ駆動部は，デジタルデータ信号をアナログ信号に変換して全てのデータ線に印加しなければならないので，データ線の個数に相当する出力端子を必要とする。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが，一般にデータ駆動部は複数の集積回路で製作されるが，一つの集積回路が有する出力端子の個数は制限されるので，全てのデータ線を駆動するためには多くの集積回路を使用しなければならない。また，一つの画素で形成されるトランジスタ，キャパシタ及び電圧または信号を伝達するための配線が複数必要になると，画素内部にこれらを配置するのは難しくなる。また，制限された表示領域内でＲ，Ｇ，Ｂ画素毎にデータ線が各々形成され，このような画素を駆動するための駆動素子も各々形成される場合には，画素の開口率が減少するという問題がある。
【０００８】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，発光表示装置のメモリに保存されるデータを発光駆動方法に適した形態に分類することで，効率的にメモリを管理できる発光表示装置の表示データ用メモリ管理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，複数の画素各々が，互いに異なる色に発光する少なくとも二つの副画素を備え，一つのフィールドが第１サブフィールド及び第２サブフィールドを含む複数のサブフィールドに分割されて駆動され，一つのフィールド間に，同じ色に対応する少なくとも２つのデータ信号を時分割してデータ線に印加し，第１サブフィールド及び第２サブフィールドの複数の走査線に順次に選択信号を印加する発光表示装置の表示データ用メモリ管理方法であって；
ａ）発光表示装置の表示映像に対応する入力データを第１サブフィールドのデータまたは第２サブフィールドのデータに分ける段階と，
ｂ）第１サブフィールドのデータ及び第２サブフィールドデータを発光駆動の順番に配列する段階と，
ｃ）配列された第１サブフィールドのデータ及び第２サブフィールドデータを画素毎に分けて保存する段階と，
を含むことを特徴とする，発光表示装置の表示データ用メモリ管理方法が提供される。
【００１０】
従来の発光表示装置においては，表示データメモリを管理していなかったが，上記のように，表示データをメモリから読み出しやすい形態に分類して保存し，管理することにより，データアクセス時間を短縮し，メモリの効率を向上させることができる。
【００１１】
ここで，ｂ）段階の発光駆動は，隣接した副画素の間の時分割駆動であることができる。また，ｂ）段階の発光駆動は，同じ色の間の時分割駆動であることもできる。一つの画素に形成された駆動部が同じ色のＯＬＥＤ素子を駆動することによって，赤色，緑色，及び青色画像のホワイトバランスの制御を容易にすることができる。
【００１２】
ｃ）段階において，配列された第１サブフィールドのデータ及び第２サブフィールドデータをメモリマップから読み出された順番で保存することができる。この時，メモリマップは，列方向に６ｎ個の入力データが提供される場合，第１及び第２サブフィールドそれぞれの列方向に３ｎ個のデータを有することができる。
【００１３】
さらに，メモリマップは，それぞれの表示ラインごとにｋ＝０，１，２，…，ｎ−１の場合，Ｓ（３ｋ＋１），Ｓ（３ｋ＋２）またはＳ（３ｋ＋３）の走査線選択信号に対応することができる。
【発明の効果】
【００１４】
以上詳述したように本発明によれば，発光表示装置の表示データを読み出しやすい形態に分類してメモリに保存及び管理することによって，データアクセス時間を短縮し，メモリの効率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１６】
以下，本実施の形態による発光表示装置の表示データ用メモリ管理方法について詳細に説明する。図１は，本実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置の概略的な平面図である。図１を参照すると，ＯＬＥＤ表示装置は，表示パネル１００，選択走査駆動部２００，発光走査駆動部３００及びデータ駆動部４００を備える。
【００１７】
表示パネル１００は，行方向に伸びている複数の走査線Ｓ１〜Ｓｎ，Ｅ１〜Ｅｎ，列方向に伸びている複数のデータ線Ｄ１〜Ｄｍ，複数の電源線ＶＤＤ及び複数の画素１１０を備える。画素１１０は，隣接する二つの走査線Ｓ１〜Ｓｎと隣接する二つのデータ線Ｄ１〜Ｄｍによって定義される画素領域に形成される。
【００１８】
選択走査駆動部２００は，当該走査線に連結された画素にデータ信号が記入できるように複数の走査線Ｓ１〜Ｓｎに選択信号を順次に印加し，発光走査駆動部３００は，ＯＬＥＤ素子の発光を制御するために発光走査線Ｅ１〜Ｅｎに発光信号を順次に印加する。そして，データ駆動部４００は，選択信号が順次に印加されるたびに，選択信号が印加された走査線の画素に対応するデータ信号をデータ線Ｄ１〜Ｄｍに印加する。
【００１９】
そして，選択走査駆動部２００及び発光走査駆動部３００とデータ駆動部４００は，各々表示パネル４００が形成された基板に電気的に連結される。これとは異なって，選択走査駆動部２００，発光走査駆動部３００，またはデータ駆動部４００の少なくともいずれかを表示パネル１００のガラス基板上に直接装着することも可能で，表示パネル１００の基板に走査線，データ線及びトランジスタと同じ層に形成される駆動回路にすることもできる。
【００２０】
または，選択走査駆動部２００，発光走査駆動部３００，またはデータ駆動部４００の少なくともいずれかを表示パネル１００の基板に接着させ，電気的に連結されたＴＣＰ（ｔａｐｅ ｃａｒｒｉｅｒ ｐａｃｋａｇｅ），ＦＰＣ（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）またはＴＡＢ（ｔａｐｅ ａｕｔｏｍａｔｉｃ ｂｏｎｄｉｎｇ）にチップなどの形態で装着することも可能である。
【００２１】
一方，図２Ａ〜図２Ｃは，それぞれ本実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置のピクセル及びサブピクセルを示す図面であって，ＯＬＥＤ表示装置で２：１マルチプレクサ（ＭＵＸ）奇数／偶数フィールドのピクセル発光順番を説明するための図面である。
【００２２】
図２Ａは，ＯＬＥＤ表示装置のピクセルを示す図面であって，列方向にＲ，Ｇ，Ｂ画素が配列され，行方向に第１ラインから配列されるピクセルを示す。図２Ａで斜線の部分の画素を分離すると，図２Ｂのような奇数フィールド（Ｏｄｄ ｆｉｅｌｄ）サブピクセルになり，また，斜線の部分の画素のみを配列する場合，図２Ｃのように偶数フィールド（Ｅｖｅｎ ｆｉｅｌｄ）サブピクセルを配列できる。
【００２３】
図３は，本実施の形態によって２つのサブピクセルを駆動することを例示する説明図であって，駆動集積回路出力の一つを使用して，図２Ｂ及び図２Ｃに示すように，２つのサブピクセルを駆動することを表す。ここで，ｋ＝０，１，２，３…ｎ−１とする時，駆動集積回路からの出力はＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６…Ｓ（３ｋ＋１），Ｓ（３ｋ＋２），Ｓ（３ｋ＋３）のようになる。この時，ピクセルは各々奇数と偶数に分れて，また各々Ｒ，Ｇ，Ｂを備えるので，結局ピクセルの数はライン当り６ｎ個になる。
【００２４】
（第１の実施の形態）
一方，図４は，第１の実施の形態による隣接サブピクセルの間の発光駆動について概略的に説明するための図面である。図４を参照すると，ＯＬＥＤ表示装置においての隣接サブピクセルの間の発光駆動は，各々奇数フィールドと偶数フィールドに分けられ，それぞれの奇数ラインでは上段部のようにＲ，Ｇ，ＢのＯＬＥＤ素子が点線部分のように発光して，同様にそれぞれの偶数ラインでは下段部のようにＲ，Ｇ，ＢのＯＬＥＤ素子が点線部分のように発光するが，二つのサブフィールドでは各々互いに異なる色のデータが記入されて発光する。
【００２５】
ここで，それぞれの選択信号Ｓ１，Ｓ２ごとに，２つの隣接したＯＬＥＤ素子が連結されており，発光順番は奇数フィールドと偶数フィールドで各々列方向に点線部分のＯＬＥＤ素子が発光して，最後のラインまで進行して１フレームの映像を表現し，通常秒当たり６０回のフレームを出力する。
【００２６】
一方，図５は，本実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置の画素を概略的に示す図面である。図５を参照すると，各画素１１０は各々互いに異なる色で発光する二つのＯＬＥＤ素子と，ＯＬＥＤ素子を駆動するための駆動部１１１〜１１３を備える。このようなＯＬＥＤ素子は，印加される電流の大きさに応じる明るさで光を発光する。そして，以下，画素領域に形成された駆動部と二つのＯＬＥＤ素子を一つの画素と定義する。
【００２７】
本実施の形態によれば，一つのフィールドが二つのサブフィールドに分割されて駆動され，二つのサブフィールドでは各々互いに異なる色のデータが記入されて発光される。このため，図１の選択走査駆動部２００は，サブフィールドごとに選択信号を順次に選択走査線Ｓ１〜Ｓｎに印加し，発光走査駆動部３００も，各色のＯＬＥＤ素子が一つのサブフィールドで発光が行われるように発光信号を発光走査線Ｅ１〜Ｅｎに印加する。
【００２８】
そして，データ駆動部４００は，二つのサブフィールドで一つの画素が互いに異なる色のＯＬＥＤ素子に対応するデータ信号をデータ線Ｄ１〜Ｄｍに印加する。図３で，データ駆動部４００は，二つのサブフィールドで各々赤色及び緑色のＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｒ１，ＯＬＥＤｇ１に各々対応するデータ信号をデータ線Ｄ１に印加し，青色及び赤色のＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｂ１，ＯＬＥＤｒ２に各々対応するデータ信号をデータ線Ｄ２に印加する。そして，緑色及び青色のＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｇ２，ＯＬＥＤｂ２に各々対応するデータ信号をデータ線Ｄ３に印加する。
【００２９】
以下，図６を参照して本実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置の具体的な動作について詳細に説明する。図６は，ＯＬＥＤ表示装置の画素を示す回路図である。図６では，データ線Ｄ１〜Ｄ３と選択走査線Ｓｎに連結される画素を示し，ここで，トランジスタはｐチャンネルトランジスタと表現した。また，図６に示された三つの画素１１０ａ〜１１０ｃの動作は実質的に同じなので，画素１１０ａを中心に画素の動作を説明する。
【００３０】
そして，以下，現在選択信号を伝達しようとする選択走査線を現在走査線，現在選択信号が伝えられる前に選択信号を伝達した選択走査線を直前走査線ということとする。画素１１０ａは，駆動トランジスタＭ１１，スイッチングトランジスタＭ１２，Ｍ１３，Ｍ１４，キャパシタＣ１１，Ｃ１２，ＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｒ１，ＯＬＥＤｇ１，及びＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｒ１，ＯＬＥＤｇ１の発光を各々制御する発光トランジスタＭ１５ａ，Ｍ１５ｂを備える。
【００３１】
そして，一つの発光走査線Ｅｎは２つの発光信号線Ｅｎａ，Ｅｎｂからなり，図６に図示してないが，残り発光走査線も各々２つの発光信号線からなる。このような発光トランジスタＭ１５ａ，Ｍ１５ｂと発光信号線Ｅｎａ，Ｅｎｂは，駆動トランジスタＭ１１からの電流をＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｒ１，ＯＬＥＤｇ１に選択的に伝達するためのスイッチング部を形成する。
【００３２】
駆動トランジスタＭ１１は，ＯＬＥＤ素子を駆動するための駆動トランジスタであって，電圧ＶＤＤを供給するための電源とトランジスタＭ１５ａ，Ｍ１５ｂのソースの接続点の間に連結される。そして，トランジスタＭ１１は，ゲートとソースの間に印加される電圧によってトランジスタＭ１５，Ｍ１５ｂを通ってＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｒ，ＯＬＥＤｇに流れる電流を制御する。また，トランジスタＭ１２は，直前走査線Ｓｎ−１からの選択信号に応じて駆動トランジスタＭ１１をダイオード連結させる。
【００３３】
駆動トランジスタＭ１１のゲートにはキャパシタＣ１２の電極Ａが接続され，キャパシタＣ１２の他電極Ｂ及び電圧ＶＤＤを供給する電源の間にキャパシタＣ１１とトランジスタＭ１３が並列接続される。トランジスタＭ１３は，直前走査線Ｓｎ−１からの選択信号に応じてキャパシタＣ１２の他電極Ｂに電源ＶＤＤを供給する。
【００３４】
また，スイッチングトランジスタＭ１４は，現在走査線Ｓｎからの選択信号に応じてデータ線Ｄｍからのデータ電圧をキャパシタＣ１１に伝達する。また，発光トランジスタＭ１５ａ，Ｍ１５ｂはトランジスタＭ１１のドレインとＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｒ１，ＯＬＥＤｇ１のアノードの間に各々接続され，発光信号線Ｅｎａ，Ｅｎｂから印加される発光信号に応じて，トランジスタＭ１１の電流をＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｒ１，ＯＬＥＤｇ１に伝達する。
【００３５】
ＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｒ１，ＯＬＥＤｇ１は印加される電流に応じて，各々赤色及び緑色の光を放出する。本発明の第１実施例によると，ＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｒ１，ＯＬＥＤｇ１のカソードには電圧ＶＤＤより低い電源電圧ＶＳＳが印加される。このような電源電圧ＶＳＳとしては負の電圧または接地電圧を用いることができる。
【００３６】
以下，本実施の形態による画素１１０ａの動作を具体的に説明する。まず，直前走査線Ｓｎ−１にローレベルの選択信号が印加されると，スイッチングトランジスタＭ１２が導通して駆動トランジスタＭ１１はダイオード連結状態となる。したがって，駆動トランジスタＭ１１のゲート及びソースの間の電圧が駆動トランジスタＭ１１の閾値電圧ＶＴＨになるまで変わる。この時，駆動トランジスタＭ１１のソースには電圧ＶＤＤが印加されるので，駆動トランジスタＭ１１のゲート，つまりキャパシタＣ１２の一電極Ａに印加される電圧はＶＤＤ＋ＶＴＨになる。また，スイッチングトランジスタＭ１３が導通してキャパシタＣ１２の他電極Ｂには電圧ＶＤＤが印加される。
【００３７】
また，発光信号線Ｅｎａ，Ｅｎｂにはハイレベルの発光信号が印加されるので，発光トランジスタＭ１５ａ，Ｍ１５ｂは遮断され，駆動トランジスタＭ１１を通ってＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｒ，ＯＬＥＤｇに電流が流れないようにされる。そして，現在走査線Ｓｎにはハイレベルの信号が印加されるので，スイッチングトランジスタＭ１４は遮断される。
【００３８】
これ以降，現在走査線Ｓｎにローレベルの選択信号が印加されると，スイッチングトランジスタＭ１４が導通してデータ電圧ＶＤＡＴＡがキャパシタＣ１１に充電される。また，キャパシタＣ１２には駆動トランジスタＭ１１の閾値電圧ＶＴＨに該当する電圧が充電されているので，駆動トランジスタＭ１１のゲートにはデータ電圧ＶＤＡＴＡと駆動トランジスタＭ１１の閾値電圧ＶＴＨの合計に相当する電圧が印加される。
【００３９】
また，発光トランジスタＭ１５ａ，Ｍ１５ｂが各々発光信号線Ｅｎａ，Ｅｎｂからの発光信号に応じて導通すると，電流が赤色及び緑色のＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｒ１，ＯＬＥＤｇ１に伝達されて発光される。そして，一つのフィールドに含まれた二つのサブフィールドで選択信号が選択走査線Ｓ１〜Ｓｎに順次に印加され，二つの発光信号線Ｅ１ａ〜Ｅｎａ，Ｅ１ｂ〜Ｅｎｂに各々印加される二つの発光信号は，一つのフィールドの間に重複されないローレベル期間を有する。
【００４０】
また，画素１１０ｂ，１１０ｃも画素１１０ａと同様に，直前走査線Ｓｎ−１に選択信号が印加される間に駆動トランジスタＭ２１，Ｍ３１の閾値電圧をキャパシタＣ２２，Ｃ３２に保存して，現在走査線Ｓｎに選択信号が印加される間にデータ電圧ＶＤＡＴＡをキャパシタＣ２１，Ｃ３１に保存する。また，画素１１０ａのスイッチングトランジスタＭ１２，Ｍ１３，Ｍ１４に対応して，スイッチングトランジスタＭ２２，Ｍ２３，Ｍ２４，及びスイッチングトランジスタＭ３２，Ｍ３３，Ｍ３４が設けられる。
【００４１】
そして，発光トランジスタＭ２５ａ，Ｍ３５ａが，各々発光信号線Ｅｎａからの発光信号に応じて導通すると，キャパシタＣ２１，Ｃ３１に保存された電圧に各々対応する電流が青色及び緑色のＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｂ１，ＯＬＥＤｇ２に伝達されて発光が行われ，発光トランジスタＭ２５ｂ，Ｍ３５ｂが各々発光信号線Ｅｎｂからの発光信号に応じて導通すると，キャパシタＣ２１，Ｃ３１に保存された電圧に対応する電流が赤色及び青色のＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｒ２，ＯＬＥＤｂ２に伝達されて発光される。
【００４２】
図７は，ＯＬＥＤ表示装置の入力データマップを示す図面である。図７を参照すると，本実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置のデータ駆動部４００から入力されるデータは，各ライン毎にＲ，Ｇ，Ｂ画素が各々６ｎ個が配列されるようになる。
【００４３】
図８Ａ及び図８Ｂは奇数（Ｏｄｄ）及び偶数（Ｅｖｅｎ）フィールドのメモリマップ管理概念を説明するための図面であって，前述した図７のような入力データマップから各々奇数及び偶数フィールドのメモリマップに分けることを表す。つまり，図８Ａのような奇数フィールドと図８Ｂのような偶数フィールドデータに分けて，各々４ラインの６番目Ｒ，Ｇ，Ｂ画素まで示したものである。
【００４４】
図８Ａ及び図８Ｂに太線で表示したそれぞれの下段部データが三つのＲ，Ｇ，Ｂデータを含むように区分した。ここで，メモリマップは，入力データが列方向に６ｎ個が提供される場合，第１及び第２サブフィールドそれぞれの列方向に３ｎ個のデータを含むようになる。
【００４５】
図９Ａ及び図９Ｂは，各々本実施の形態による奇数及び偶数フィールドのメモリマップを示す図面であって，各々前述した図８Ａ及び図８Ｂの下段部データで，ｋ＝０，１，２…ｎ−１とする時，走査線選択信号Ｓ（３ｋ＋１），Ｓ（３ｋ＋２）及びＳ（３ｋ＋３）毎に三つのデータが区別されることがわかる。
【００４６】
図９Ａを参照すると，本実施の形態による奇数フィールドのメモリマップでは，例えば１ラインではｋ＝０であるから，Ｓ（３ｋ＋１）はＳ１になって，発光データがＲ（１，１）からＲ（１，６ｎ−１）まで保存され，Ｓ（３ｋ＋２）はＳ２になって，発光データがＢ（１，１）からＢ（１，６ｎ）まで保存され，Ｓ（３ｋ＋３）はＳ３になって，発光データがＧ（１，１）からＧ（１，６ｎ−１）まで保存されるようになる。
【００４７】
また，２ラインではｋ＝０であるから，Ｓ（３ｋ＋１）はＳ１になって，発光データがＧ（２，１）からＧ（２，６ｎ−１）まで保存され，Ｓ（３ｋ＋２）はＳ２になって，発光データがＲ（２，２）からＲ（２，６ｎ）まで保存され，Ｓ（３ｋ＋３）はＳ３になって，発光データがＢ（２，２）からＢ（２，６ｎ）まで保存されるようになる。以降，奇数ラインと偶数ラインに対して前述したような方式で奇数フィールドメモリマップ内に保存されるようになる。
【００４８】
同様に，図９Ｂを参照すると，偶数フィールドのメモリマップでは，例えば１ラインではｋ＝０であるから，Ｓ（３ｋ＋１）はＳ１になって，発光データがＧ（１，１）からＧ（１，６ｎ−１）まで保存され，Ｓ（３ｋ+２）はＳ２になって，発光データがＲ（１，２）からＲ（１，６ｎ）まで保存され，Ｓ（３ｋ＋３）はＳ３になって，発光データがＢ（１，２）からＢ（１，６ｎ）まで保存されるようになる。
【００４９】
また，２ラインではｋ＝０であるから，Ｓ（３ｋ＋１）はＳ１になって，発光データがＲ（２，１）からＲ（２，６ｎ−１）まで保存され，Ｓ（３ｋ＋２）はＳ２になって，発光データがＢ（２，１）からＢ（２，６ｎ−１）まで保存され，Ｓ（３ｋ＋３）はＳ３になって，発光データがＧ２，２からＧ２，６ｎまで保存されるようになる。以降，奇数ラインと偶数ラインに対して前述したような方式で偶数フィールドメモリマップ内に保存されるようになる。
【００５０】
したがって，図９Ａ及び図９Ｂのように，各サブフィールドに対して各ラインに隣接サブピクセルの間の発光データを分けて保存するようになる。また，前述したように，一つの画素でいろいろな色の発光素子を共通の駆動及びスイッチングトランジスタとキャパシタに駆動することができるので，画素内で使用される素子等の構成と電流，電圧または信号を伝達する配線を単純化させることができる。
【００５１】
しかし，第１の実施の形態による画素を実際駆動する場合，キャパシタＣ１２，Ｃ２２，Ｃ３２に保存される電圧は駆動トランジスタＭ１１，Ｍ２１，Ｍ３１のドレイン電極，つまり，ノードＣの電圧状態によって異なるようになる。つまり，駆動トランジスタＭ１１，Ｍ２１，Ｍ３１を通って電流が流れると，ドレイン電極，つまりノードＣの寄生キャパシタンスによって一定の電圧が充電されて，ノードＣの電圧状態が以前サブフィールドで駆動トランジスタＭ１１，Ｍ２１，Ｍ３１に流した電流レベルの影響を受けるようになる。
【００５２】
したがって，直前走査線Ｓｎ−１にローレベルの選択信号が印加されると，キャパシタＣ１２の一電極Ａの電圧ＶＣ１２がノードＣの電圧と同じになるので，ノードＣの電圧状態によって，キャパシタＣ１２に保存される電圧が変わる。
【００５３】
画素１１０ａ，１００ｂ，１１０ｃは，二つのサブフィールドで互いに異なる色に対応する電流が駆動トランジスタＭ１１，Ｍ２１，Ｍ３１を通って流れるようになるので，結局一つのサブフィールドで直前走査線Ｓｎ−１に選択信号が印加される間にキャパシタＣ１２，Ｃ２２，Ｃ３２に保存される補償電圧は，以前のサブフィールドで駆動トランジスタＭ１１，Ｍ２１，Ｍ３１が流した電流の影響を受けるようになる。
【００５４】
したがって，キャパシタＣ１２，Ｃ２２，Ｃ３２には，以前サブフィールドのデータ電圧による補償電圧が充電され，以前サブフィールドと現在サブフィールドで互いに異なる色に対応するデータ電圧が印加されるので，駆動トランジスタＭ１１，Ｍ２１，Ｍ３１の閾値電圧の偏差が正確に補償されない問題があった。
【００５５】
そして，本実施の形態による画素は，駆動トランジスタが互いに異なる色のＯＬＥＤ素子を駆動するので，駆動トランジスタの特性を調節することによって赤色，緑色，及び青色画像のホワイトバランスを制御するのは難しいという問題があった。
【００５６】
（第２の実施の形態）
そこで，第２の実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置では，一つの画素に形成された駆動部が同じ色のＯＬＥＤ素子を駆動することによって，このような問題を解決する。以下，図１０〜１４Ｂを参照して，第２の実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置の画素について具体的に説明する。図１０は，本実施の形態による同じ色のサブピクセルの間の発光駆動を概略的に説明するための図面である。
【００５７】
図１０を参照すると，隣接サブピクセルの間の発光駆動は，各々奇数フィールドと偶数フィールドに分けられ，それぞれの奇数ラインでは上段部のようにＲ，Ｇ，ＢのＯＬＥＤ素子が点線部分のように発光して，同様にそれぞれの偶数ラインでは下段部のようにＲ，Ｇ，ＢのＯＬＥＤ素子が点線部分のように発光するが，二つのサブフィールドでは各々同じ色のデータが記入されて発光される。ここで，それぞれの選択信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３ごとに２つの同じＯＬＥＤ素子が連結されており，発光順番は奇数フィールドと偶数フィールドで各々列方向に点線部分のＯＬＥＤ素子が発光する。
【００５８】
図１１は，本実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置の画素を概略的に示す図面である。説明を簡略にするために，データ線Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３と選択走査線Ｓｎに連結される三つの画素１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃを代表として示した。各画素１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃは，駆動部１２１〜１２３と互いに異なる色で発光する二つのＯＬＥＤ素子を備え，データ線Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３には各々赤色，緑色，及び青色に対応するデータ信号が印加される。
【００５９】
画素１２０ａの駆動部１２１は，データ線Ｄ１に連結され，データ線Ｄ１からのデータ電圧に対応する電流を赤色のＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｒ１，ＯＬＥＤｒ２に印加する。画素１２０ｂの駆動部１２２は，データ線Ｄ２に連結され，データ線Ｄ２からのデータ電圧に対応する電流を緑色のＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｇ１，ＯＬＥＤｇ２に印加する。そして，画素１２０ｃの駆動部１２３は，データ線Ｄ３に連結され，データ線Ｄ３からのデータ電圧に対応する電流を青色のＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｂ１，ＯＬＥＤｂ２に印加する。
【００６０】
以下，本実施の形態による画素を，図１２を参照してより具体的に説明する。ただし，第１の実施の形態と関連して重複される部分についての説明は省略する。図１２は，第２の実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置の画素を示す回路図である。
【００６１】
図１２に示すように，画素１２０ａの駆動部は，駆動トランジスタＭ１１，スイッチングトランジスタＭ１２，Ｍ１３，Ｍ１４，キャパシタＣ１１，Ｃ１２，及び発光トランジスタＭ１６ａ，Ｍ１６ｂを備える。画素１２０ｂの駆動部は，駆動トランジスタＭ２１，スイッチングトランジスタＭ２２，Ｍ２３，Ｍ２４，キャパシタＣ２１，Ｃ２２，及び発光トランジスタＭ２６ａ，Ｍ２６ｂを備え，画素１２０ｃの駆動部は駆動トランジスタＭ３１，スイッチングトランジスタＭ３２，Ｍ３３，Ｍ３４，キャパシタＣ３１，Ｃ３２，及び発光トランジスタＭ３６ａ，Ｍ３６ｂを備える。
【００６２】
本実施の形態によると，画素１２０ａの駆動トランジスタＭ１１のドレインは発光トランジスタＭ１６ａ，Ｍ２６ｂのソースに連結され，発光トランジスタＭ１６ａ，Ｍ２６ｂは発光信号線Ｅｎａ，Ｅｎｂの発光信号に各々応じて，駆動トランジスタＭ１１からの電流をＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｒ１，ＯＬＥＤｒ２に伝達する。
【００６３】
そして，駆動トランジスタＭ２１のドレインは発光トランジスタＭ３６ａ，Ｍ１６ｂのソースに連結され，発光トランジスタＭ３６ａ，Ｍ１６ｂは発光信号線Ｅｎａ，Ｅｎｂの発光信号に応じて，駆動トランジスタＭ２１からの電流をＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｇ２，ＯＬＥＤｇ１に伝達する。同様に，駆動トランジスタＭ３１のドレインは発光トランジスタＭ２６ａ，Ｍ３６ｂのソースに連結され，発光トランジスタＭ２６ａ，Ｍ３６ｂは発光信号線Ｅｎａ，Ｅｎｂの発光信号に応じて，駆動トランジスタＭ３１からの電流をＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｂ１，ＯＬＥＤｂ２に伝達する。
【００６４】
したがって，一つのフィールドの間に，一つのデータ線には同じ色に対応するデータ電圧が印加され，駆動トランジスタはデータ電圧に対応する電流を同じ色のＯＬＥＤ素子に伝達する。以下，図１３を参照して，本実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置の駆動方法について詳細に説明する。図１３は，本実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置の駆動タイミング図である。
【００６５】
本実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置は，一つのフィールド（１ＴＶ）が二つのサブフィールド１ＳＦ，２ＳＦに分割されて駆動され，各サブフィールド１ＳＦ，２ＳＦで選択走査線Ｓ１〜Ｓｎにローレベルの選択信号が順次に印加される。一つの画素に含まれる二つのＯＬＥＤ素子は各々一つのサブフィールドに相当する期間に発光する。そして，サブフィールド１ＳＦ，２ＳＦは行毎に独立的に定義され，図１３では第１行の選択走査線Ｓ１を基準に二つのサブフィールド１ＳＦ，２ＳＦを示した。
【００６６】
サブフィールド１ＳＦで直前走査線Ｓｎ−１にローレベルの選択信号が印加される間に，キャパシタＣ１２，Ｃ２２，Ｃ３２に駆動トランジスタＭ１１，Ｍ２１，Ｍ３１の閾値電圧ＶＴＨに対応する電圧が保存される。この後，現在走査線Ｓｎにローレベルの選択信号が印加されると，データ線Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３には各々赤色，緑色，及び青色に対応するデータ電圧が印加され，スイッチングトランジスタＭ１４，Ｍ２４，Ｍ３４を通ってデータ電圧がキャパシタＣ１１，Ｃ２１，Ｃ３１に充電される。
【００６７】
そして，発光トランジスタＭ１６ａ，Ｍ３６ａ，Ｍ２６ａが導通してキャパシタＣ１１，Ｃ２１，Ｃ３１に保存された電圧に対応する電流が，トランジスタＭ１１，Ｍ２１，Ｍ３１から各々ＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｒ１，ＯＬＥＤｇ２，ＯＬＥＤｂ１に伝達されて発光される。
【００６８】
このような方法で，サブフィールド１ＳＦの第１〜ｎ番目行の画素にデータ電圧を印加して，一つの画素に含まれた二つのＯＬＥＤ素子の中の左側のＯＬＥＤ素子を発光させる。
【００６９】
次に，サブフィールド２ＳＦでは前のサブフィールド１ＳＦと同様に，第１行からｎ番目行の選択走査線Ｓ１〜Ｓｎにローレベルの選択信号が順次に印加される。そして，現在走査線Ｓｎに連結された画素１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃは，直前走査線Ｓｎ−１に選択信号が印加される間に，キャパシタＣ１２，Ｃ２２，３２に駆動トランジスタＭ１１，Ｍ２１，Ｍ３１の閾値電圧を保存して，現在走査線Ｓｎに選択信号が印加される間にデータ線Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３には赤色，緑色，及び青色に対応するデータ電圧が印加されてキャパシタＣ１１，Ｃ２１，Ｃ３１に保存される。
【００７０】
そして，選択走査線Ｓ１〜Ｓｎにローレベルの選択信号が順次に印加されるのに同期して，発光信号線Ｅ１ｂ〜Ｅｎｂにローレベルの発光信号が順次に印加される。以下，印加されたデータ電圧に対応する電流が，発光トランジスタＭ２６ｂ，Ｍ１６ｂ，Ｍ３６ｂを通ってＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤｒ２，ＯＬＥＤｇ２，ＯＬＥＤｂ２に伝達されて発光される。
【００７１】
本実施の形態によると，サブフィールド１ＳＦ，２ＳＦで発光信号線Ｅ１ａ〜Ｅｎａ，Ｅ１ｂ〜Ｅｎｂに印加される発光信号は，一定の期間にローレベルに維持されて，発光信号がローレベルである間に，発光信号が印加された発光トランジスタに連結されたＯＬＥＤ素子は継続して発光する。図１３では，この期間をサブフィールド１ＳＦ，２ＳＦと実質的に同じ期間として示した。つまり，各画素で左側に連結されたＯＬＥＤ素子は，サブフィールド１ＳＦに対応する期間に印加されるデータ電圧に対応する輝度で発光して，右側に連結されたＯＬＥＤ素子はサブフィールド２ＳＦに対応する期間に印加されるデータ電圧に対応する輝度で発光する。
【００７２】
そして，一つのフィールド（１ＴＶ）の間に各データ線Ｄ１〜Ｄｍには同じ色に対応するデータ電圧が印加され，一つの画素に含まれる駆動トランジスタはデータ電圧に対応する電流を同じ色のＯＬＥＤ素子に伝達する。したがって，二つのサブフィールドの間に，同じ色に対応する電流が駆動トランジスタを通ってＯＬＥＤ素子に伝えられるので，駆動トランジスタのドレイン電極，つまりノードＣには現在サブフィールドと同じ色の電流に対応する電圧が充電されるようになる
【００７３】
つまり，画素１２０ａで直前走査線Ｓｎ−１に選択信号が印加されてキャパシタＣ１２にトランジスタＭ１１の閾値電圧に対応する電圧を保存する場合，キャパシタＣ１２に保存される電圧はノードＣの電圧の影響を受けるようになるが，ノードＣの電圧は前述のように以前サブフィールドでトランジスタＭ１１を通って流れた電流の影響を受けるようになる。
【００７４】
そして，駆動トランジスタＭ１１は以前サブフィールドと現在サブフィールドとで，全て赤色に対応する電流を出力するので，現在サブフィールドと同じ条件の下でトランジスタＭ１１の閾値電圧の偏差を補償するための電圧がキャパシタＣ１２に保存される。したがって，駆動トランジスタＭ１１のドレイン電極に寄生キャパシタンス成分が存在してキャパシタＣ１２に駆動トランジスタＭ１１の閾値電圧とは違う電圧が充電されても，現在サブフィールドと以前サブフィールドで同じ条件の下でキャパシタＣ１２に閾値電圧に対応する電圧が充電されるので，駆動トランジスタＭ１１の閾値電圧の偏差を効果的に補償することができるようになる。
【００７５】
そして，一つの画素に含まれた駆動トランジスタは，一つのフィールドの間に各々同じ色のＯＬＥＤ素子に流れる電流を制御するので，駆動トランジスタのチャンネルの幅と長さの比（Ｗ／Ｌ）を制御することによって，表示パネルのホワイトバランスを調節することができる。つまり，駆動トランジスタＭ１１，Ｍ１２，Ｍ１３のチャンネルの幅と長さの比（Ｗ／Ｌ）を互いに異なるように設定して，実質的に同じレベルのデータ電圧によって互いに異なる量の電流が各々赤色，緑色，及び青色のＯＬＥＤ素子に流れるようにすることができる。
【００７６】
一方，図１４Ａ及び図１４Ｂは各々，第２の実施の形態による奇数Ｏｄｄ及び偶数Ｅｖｅｎフィールドのメモリマップを示す図面であって，前述した第１の実施の形態と同様に各々下段部データで，ｋ＝０，１，２，…ｎ−１とする時，走査線選択信号Ｓ（３ｋ＋１），Ｓ（３ｋ＋２）及びＳ（３ｋ＋３）毎に三つのデータが区別されることが分かる。
【００７７】
図１４Ａを参照すると，奇数フィールドのメモリマップでは，例えば１ラインではｋ＝０であるから，Ｓ（３ｋ＋１）はＳ１になって，発光データがＲ（１，１）からＲ（１，６ｎ−１）まで保存され，Ｓ（３ｋ＋２）はＳ２になって，発光データがＧ（１，２）からＧ（１，６ｎ）まで保存され，Ｓ（３ｋ＋３）はＳ３になって，発光データがＢ（１，１）からＢ（１，６ｎ−１）まで保存されるようになる。
【００７８】
また，２ラインではｋ＝０であるから，Ｓ（３ｋ＋１）はＳ１になって，発光データがＲ（２，２）からＲ（２，６ｎ）まで保存され，Ｓ（３ｋ＋２）はＳ２になって，発光データがＧ（２，１）からＧ（２，６ｎ−１）まで保存され，Ｓ（３ｋ＋３）はＳ３になって，発光データがＢ（２，２）からＢ（２，６ｎ）まで保存されるようになる。以降，奇数ラインと偶数ラインに対して前述したような方式で奇数フィールドメモリマップ内に保存されるようになる。
【００７９】
同様に，図１４Ｂを参照すると，本実施の形態による偶数フィールドのメモリマップでは，例えば１ラインではｋ＝０であるから，Ｓ（３ｋ＋１）はＳ１になって，発光データがＲ（１，２）からＲ（１，６ｎ）まで保存され，Ｓ（３ｋ＋２）はＳ２になって，発光データがＧ（１，１）からＧ（１，６ｎ−１）まで保存され，Ｓ（３ｋ＋３）はＳ３になって，発光データがＢ（１，２）からＢ（１，６ｎ）まで保存されるようになる。
【００８０】
また，２ラインではｋ＝０であるから，Ｓ（３ｋ＋１）はＳ１になって，発光データがＲ（２，１）からＲ（２，６ｎ−１）まで保存され，Ｓ（３ｋ＋２）はＳ２になって，発光データがＧ（２，２）からＧ（２，６ｎ）まで保存され，Ｓ（３ｋ＋３）はＳ３になって，発光データがＢ（２，１）からＢ（２，６ｎ−１）まで保存されるようになる。以降，奇数ラインと偶数ラインに対して前述したような方式で偶数フィールドメモリマップ内に保存されるようになる。
【００８１】
したがって，図１４Ａ及び図１４Ｂのように，各サブフィールドに対して各ラインに同じ色のサブピクセルの間の発光データを分けて保存するようになる。
【００８２】
一方，前述した図１２では，本実施の形態による画素の駆動部が駆動トランジスタ，四つのスイッチングトランジスタ，二つのキャパシタ，及び二つの発光トランジスタを備えることと図示したが，図１２に示された画素の他にいろいろな形態の多様な画素を利用してＯＬＥＤ表示装置を構成することができる。
【００８３】
このように本実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置の他の画素でも，駆動トランジスタは同じ色で発光するＯＬＥＤ素子を駆動して，駆動トランジスタのチャンネルの幅と長さを制御することによって，ホワイトバランスを調節することができる。
【００８４】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００８５】
例えば，図１３ではＯＬＥＤ表示装置が単一走査において順次走査方式で駆動されるものとして図示したが，本発明はこれに限定されるのではなく，二重走査方式，飛越走査方式，または他の方式の走査方式にも適用できる。
【００８６】
また，図１２では，一つの画素が二つのＯＬＥＤ素子を備えるものとして説明したが，一つの画素が赤色，緑色，及び青色に発光するＯＬＥＤ素子を備えるようにした後，一つのフィールドを三つのサブフィールドに分割して画素回路を駆動することもできる。
【産業上の利用可能性】
【００８７】
本発明は，発光表示装置の表示データ用メモリ管理方法に適用可能であり，有機物質の電界発光を利用した有機電界発光表示装置の表示データ用メモリ管理方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】第１及び第２の実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置を示す概略説明図である。
【図２Ａ】第１及び第２の実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置のピクセルを示す説明図である。
【図２Ｂ】第１及び第２の実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置の奇数フィールドサブピクセルを示す説明図である。
【図２Ｃ】第１及び第２の実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置の偶数フィールドサブピクセルを示す説明図である。
【図３】第１及び第２の実施の形態による２つのサブピクセルの駆動を示す説明図である。
【図４】第１の実施の形態による隣接サブピクセルの発光駆動を概略的に示す説明図である。
【図５】第１の実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置の画素の概略を示す説明図である。
【図６】第１の実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置の画素を示す回路図である。
【図７】第１の実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置の入力データマップを示す説明図である。
【図８Ａ】第１の実施の形態による奇数フィールドのメモリマップ管理概念を示す説明図である。
【図８Ｂ】第１の実施の形態による偶数フィールドのメモリマップ管理概念を示す説明図である。
【図９Ａ】第１の実施の形態による奇数フィールドのメモリマップを示す説明図である。
【図９Ｂ】第１の実施の形態による偶数フィールドのメモリマップを示す説明図である。
【図１０】第２の実施の形態による同じ色のサブピクセルの発光駆動を概略的に示す説明図である。
【図１１】第２の実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置の画素の概略を示す説明図である。
【図１２】第２の実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置の画素を示す回路図である。
【図１３】第２の実施の形態によるＯＬＥＤ表示装置の駆動タイミングを示す説明図である。
【図１４Ａ】第２の実施の形態による奇数フィールドのメモリマップを示す説明図である。
【図１４Ｂ】第２の実施の形態による偶数フィールドのメモリマップを示す説明図である。
【符号の説明】
【００８９】
１００ 表示パネル
１１０ａ 画素
１１０ｂ 画素
１１０ｃ 画素
１１１ 駆動部
１１２ 駆動部
１１３ 駆動部
２００ 選択走査駆動部
３００ 発光走査駆動部
４００ データ駆動部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素各々が，互いに異なる色に発光する少なくとも二つの副画素を備え，一つのフィールドが第１サブフィールド及び第２サブフィールドを含む複数のサブフィールドに分割されて駆動され，前記一つのフィールド間に，同じ色に対応する少なくとも２つのデータ信号を時分割してデータ線に印加し，前記第１サブフィールド及び前記第２サブフィールドの複数の走査線に順次に選択信号を印加する発光表示装置の表示データ用メモリ管理方法であって；
ａ）発光表示装置の表示映像に対応する入力データを前記第１サブフィールドのデータまたは前記第２サブフィールドのデータに分ける段階と，
ｂ）前記第１サブフィールドのデータ及び前記第２サブフィールドデータを発光駆動の順番に配列する段階と，
ｃ）配列された前記第１サブフィールドのデータ及び前記第２サブフィールドデータを前記画素毎に分けて保存する段階と，
を含むことを特徴とする，発光表示装置の表示データ用メモリ管理方法。
【請求項２】
前記ｂ）段階の発光駆動は，隣接した副画素の間の時分割駆動であることを特徴とする，請求項１に記載の発光表示装置の表示データ用メモリ管理方法。
【請求項３】
前記ｂ）段階の発光駆動は，同じ色の間の時分割駆動であることを特徴とする，請求項１に記載の発光表示装置の表示データ用メモリ管理方法。
【請求項４】
前記ｃ）段階において，配列された前記第１サブフィールドのデータ及び前記第２サブフィールドデータは，メモリマップから読み出された順番で保存されることを特徴とする，請求項１に記載の発光表示装置の表示データ用メモリ管理方法。
【請求項５】
前記メモリマップは，列方向に６ｎ個の前記入力データが提供される場合，前記第１及び第２サブフィールドそれぞれの列方向に３ｎ個の前記入力データを有することを特徴とする，請求項４に記載の発光表示装置の表示データ用メモリ管理方法。
【請求項６】
前記メモリマップは，それぞれの表示ラインごとにｋ＝０，１，２，…，ｎ−１の場合，Ｓ（３ｋ＋１），Ｓ（３ｋ＋２）またはＳ（３ｋ＋３）の走査線選択信号に対応することを特徴とする請求項４に記載の表示データ用メモリ管理方法。
【請求項１】
複数の画素各々が，互いに異なる色に発光する少なくとも二つの副画素を備え，一つのフィールドが第１サブフィールド及び第２サブフィールドを含む複数のサブフィールドに分割されて駆動され，前記一つのフィールド間に，同じ色に対応する少なくとも２つのデータ信号を時分割してデータ線に印加し，前記第１サブフィールド及び前記第２サブフィールドの複数の走査線に順次に選択信号を印加する発光表示装置の表示データ用メモリ管理方法であって；
ａ）発光表示装置の表示映像に対応する入力データを前記第１サブフィールドのデータまたは前記第２サブフィールドのデータに分ける段階と，
ｂ）前記第１サブフィールドのデータ及び前記第２サブフィールドデータを発光駆動の順番に配列する段階と，
ｃ）配列された前記第１サブフィールドのデータ及び前記第２サブフィールドデータを前記画素毎に分けて保存する段階と，
を含むことを特徴とする，発光表示装置の表示データ用メモリ管理方法。
【請求項２】
前記ｂ）段階の発光駆動は，隣接した副画素の間の時分割駆動であることを特徴とする，請求項１に記載の発光表示装置の表示データ用メモリ管理方法。
【請求項３】
前記ｂ）段階の発光駆動は，同じ色の間の時分割駆動であることを特徴とする，請求項１に記載の発光表示装置の表示データ用メモリ管理方法。
【請求項４】
前記ｃ）段階において，配列された前記第１サブフィールドのデータ及び前記第２サブフィールドデータは，メモリマップから読み出された順番で保存されることを特徴とする，請求項１に記載の発光表示装置の表示データ用メモリ管理方法。
【請求項５】
前記メモリマップは，列方向に６ｎ個の前記入力データが提供される場合，前記第１及び第２サブフィールドそれぞれの列方向に３ｎ個の前記入力データを有することを特徴とする，請求項４に記載の発光表示装置の表示データ用メモリ管理方法。
【請求項６】
前記メモリマップは，それぞれの表示ラインごとにｋ＝０，１，２，…，ｎ−１の場合，Ｓ（３ｋ＋１），Ｓ（３ｋ＋２）またはＳ（３ｋ＋３）の走査線選択信号に対応することを特徴とする請求項４に記載の表示データ用メモリ管理方法。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４Ａ】
【図１４Ｂ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４Ａ】
【図１４Ｂ】
【公開番号】特開２００６−５８８８６（Ｐ２００６−５８８８６Ａ）
【公開日】平成１８年３月２日（２００６．３．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２３６８８２（Ｐ２００５−２３６８８２）
【出願日】平成１７年８月１７日（２００５．８．１７）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年３月２日（２００６．３．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年８月１７日（２００５．８．１７）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
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