発光装置、表示モジュール及び電子機器
【課題】TFTの特性に左右されずに発光素子に流れる電流を制御する。
【解決手段】書き込み期間において、発光素子に電流がながれないため、第1のトランジスタのドレイン電流が流れることでゲート電圧が変化し始めてから、その値が安定するまでの時間が発光素子の容量に左右されない。したがって、従来の画素と比べて、供給された電流から変換される電圧が早く安定するので、電流を書き込む時間を短くすることができ、動画表示において残像が視認されてしまうことを防ぐことができる。
【解決手段】書き込み期間において、発光素子に電流がながれないため、第1のトランジスタのドレイン電流が流れることでゲート電圧が変化し始めてから、その値が安定するまでの時間が発光素子の容量に左右されない。したがって、従来の画素と比べて、供給された電流から変換される電圧が早く安定するので、電流を書き込む時間を短くすることができ、動画表示において残像が視認されてしまうことを防ぐことができる。
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【特許請求の範囲】
【請求項1】
画素を有する発光装置であって、
前記画素は、第1の回路と、第2の回路と、発光素子とを有し、
前記第1の回路は、第1の配線から供給される第1の電流を第1の電圧に変換することができる第1の機能を有し、
前記第2の回路は、前記第1の電流を前記第1の電圧に変換することができる第2の機能と、前記第1の電圧を第2の電流に変換することができる第3の機能と、を有し、
前記発光素子は、前記第2の電流が供給されることができる機能を有し、
前記第1乃至第3の機能は、Nチャネル型トランジスタを用いて実現されることを特徴とする発光装置。
【請求項2】
請求項1において、
前記第2の回路は、前記第1の電圧を保持する手段を有することを特徴とする発光装置。
【請求項3】
請求項1乃至請求項4のいずれか一に記載の発光装置、または、請求項5乃至請求項8のいずれか一に記載の半導体装置と、FPCと、を有する表示モジュール。
【請求項4】
請求項1乃至請求項4のいずれか一に記載の発光装置、請求項5乃至請求項8のいずれか一に記載の半導体装置、または、請求項9に記載の表示モジュールと、アンテナ、スピーカー、操作キー、または、バッテリと、を有する電子機器。
【請求項1】
画素を有する発光装置であって、
前記画素は、第1の回路と、第2の回路と、発光素子とを有し、
前記第1の回路は、第1の配線から供給される第1の電流を第1の電圧に変換することができる第1の機能を有し、
前記第2の回路は、前記第1の電流を前記第1の電圧に変換することができる第2の機能と、前記第1の電圧を第2の電流に変換することができる第3の機能と、を有し、
前記発光素子は、前記第2の電流が供給されることができる機能を有し、
前記第1乃至第3の機能は、Nチャネル型トランジスタを用いて実現されることを特徴とする発光装置。
【請求項2】
請求項1において、
前記第2の回路は、前記第1の電圧を保持する手段を有することを特徴とする発光装置。
【請求項3】
請求項1乃至請求項4のいずれか一に記載の発光装置、または、請求項5乃至請求項8のいずれか一に記載の半導体装置と、FPCと、を有する表示モジュール。
【請求項4】
請求項1乃至請求項4のいずれか一に記載の発光装置、請求項5乃至請求項8のいずれか一に記載の半導体装置、または、請求項9に記載の表示モジュールと、アンテナ、スピーカー、操作キー、または、バッテリと、を有する電子機器。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【公開番号】特開2012−155327(P2012−155327A)
【公開日】平成24年8月16日(2012.8.16)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−52598(P2012−52598)
【出願日】平成24年3月9日(2012.3.9)
【分割の表示】特願2009−112374(P2009−112374)の分割
【原出願日】平成14年8月19日(2002.8.19)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成24年8月16日(2012.8.16)
【国際特許分類】
【出願日】平成24年3月9日(2012.3.9)
【分割の表示】特願2009−112374(P2009−112374)の分割
【原出願日】平成14年8月19日(2002.8.19)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
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