磁気記録媒体および情報記憶装置
【課題】更なる高記録密度化が可能な磁気記録媒体と、そのような磁気記録媒体を搭載した情報記憶装置とを得る。
【解決手段】ガラス製のディスク基板２０１と、軟磁性材料であるＣｏ合金で形成された非晶質の軟磁性層２０２と、Ｎｉ合金製の下地層２０３と、Ｒｕ製の中間層２０４と、非磁性材料のＣｏＣｒからなる複数の非磁性粒子の相互間をＣｒ２Ｏ３が隔ててグラニュラ構造を成した非磁性グラニュラ層２０５と、非磁性グラニュラ層２０５上に形成された、磁性材料のＣｏＣｒＰｔからなる複数の磁性粒子の相互間を非磁性材料のＴｉＯ２が隔ててグラニュラ構造を成した記録層２０６と、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＣＬ）で形成された保護膜２０７とを備えた。
【解決手段】ガラス製のディスク基板２０１と、軟磁性材料であるＣｏ合金で形成された非晶質の軟磁性層２０２と、Ｎｉ合金製の下地層２０３と、Ｒｕ製の中間層２０４と、非磁性材料のＣｏＣｒからなる複数の非磁性粒子の相互間をＣｒ２Ｏ３が隔ててグラニュラ構造を成した非磁性グラニュラ層２０５と、非磁性グラニュラ層２０５上に形成された、磁性材料のＣｏＣｒＰｔからなる複数の磁性粒子の相互間を非磁性材料のＴｉＯ２が隔ててグラニュラ構造を成した記録層２０６と、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＣＬ）で形成された保護膜２０７とを備えた。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本件は、情報が磁気的に記録される磁気記録媒体と、そのような磁気記録媒体を搭載した情報記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータの分野では、日常的に多量の情報が取り扱われるようになっており、このような多量の情報を記録再生する情報記憶装置の１つとして、ハードディスク装置（ＨＤＤ：Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）が使用されている。ＨＤＤは記録容量が大きく情報へのアクセス速度が速いという特徴を持ち、ディスク状の磁気記録媒体、およびこの磁気記録媒体に情報を記録する磁気ヘッドを備えている。
【０００３】
ここで、上記のような情報記憶装置に搭載される磁気記録媒体については、高記録密度化が常に求められている。一般に、磁気記録媒体における高記録密度化を阻む要因の１つに、いわゆる媒体ノイズがある。媒体ノイズは、磁気記録媒体において情報を担持している磁化の配向における乱れに起因して、情報再生時に得られる再生信号に表れるノイズである。情報記録の際には、この磁化配向の乱れに起因するノイズ（媒体ノイズ）に埋もれない十分なレベルの信号成分が得られる広さの領域に情報を記録する必要があるため、媒体ノイズが大きいほど情報の記録密度が低下してしまう。
【０００４】
媒体ノイズの原因となる磁化配向の乱れを抑える方法の１つとして、磁気記録媒体において情報が記録される記録層の保磁力を高めることが挙げられる。記録層の保磁力は、その記録層を形成する磁性粒子を微細化して磁性粒子間の磁気的な相互作用を抑制することで高めることができる。このため、近年では、磁気記録媒体の高記録密度化の実現を目指して媒体ノイズを低減させるために、磁性粒子の微細化が盛んに試みられている。
【０００５】
例えば、記録層を複数層からなる積層構造で形成することで磁性粒子の微細化を図るという技術や、磁性粒子どうしの間（粒界）に非磁性材料を偏析させることで複数の磁性粒子の相互間を隔ててグラニュラ構造を形成することで微細化を図るという技術が提案されている。しかしながら、このグラニュラ構造の記録層を形成する技術では、記録層において、その記録層の形成面との境界付近で磁性粒子どうしが部分的に繋がってしまい、記録層における磁性粒子どうしの分離が損なわれてしまう不具合がしばしば起きている。そこで、このような不具合を回避するために、このようなグラニュラ構造の記録層の下に、非磁性材料からなる複数の非磁性粒子の相互間を他の物質で隔ててグラニュラ構造を成した非磁性グラニュラ層を設けるという技術が提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
【０００６】
記録層を積層構造で形成する技術では、まず、第１層が、微細な磁性粒子が安定的に得られる土台として形成され、その第１層の上に、その微細な状態で磁性粒子が生長するように第２層以降の層が形成される。また、グラニュラ構造の記録層を形成する技術では、粒界への非磁性材料の偏析により、その非磁性材料の分だけ磁性材料が微細化されることとなる。
【０００７】
ここで、グラニュラ構造で記録層を形成する技術は、単に磁性粒子が微細化されるだけでなく、複数の磁性粒子の相互間が非磁性材料によって隔てられて磁性粒子間における磁気的な相互作用が一層抑制されることから、保磁力を高めて媒体ノイズを抑制する効果が高く注目を集めている。
【０００８】
さらに、非磁性グラニュラ層を設ける技術によれば、記録層の磁性粒子が、非磁性グラニュラ層において非磁性粒子どうしが充分に分離された状態にある表面での、その非磁性粒子の上に生長するので、記録層における磁性粒子どうしの分離を確実なものとすることができる。
【特許文献１】特開２００６−３０９９１９号公報
【特許文献２】特開２００６−２６８９７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ここで、近年では、磁気記録媒体に対する高記録密度化の要求は高まる一方であり、上記のような非磁性グラニュラ層を使った磁気記録媒体についても、磁性粒子の一層の微細化等による更なる高記録密度化が求められている。
【００１０】
本件は、上記事情に鑑み、更なる高記録密度化が可能な磁気記録媒体と、そのような磁気記録媒体を搭載した情報記憶装置とを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成する磁気記録媒体の基本形態は、
非磁性材料からなる複数の非磁性粒子の相互間をＣｒ酸化物が隔ててグラニュラ構造を成した非磁性グラニュラ層と、
上記非磁性グラニュラ層上に形成された、磁性材料からなる複数の磁性粒子の相互間を非磁性材料が隔ててグラニュラ構造を成した磁性グラニュラ層とを備えたことを特徴とする。
【００１２】
この磁気記録媒体の基本形態では、上記磁性グラニュラ層が、上記磁性粒子中の磁化を情報に応じた向きに配向させることで情報が記録される記録層として使われる。そして、この磁気記録媒体の基本形態では、上記非磁性グラニュラ層上に、上記磁性グラニュラ層が形成されることで、上記磁性粒子の分離と微細化とが行なわれている。これにより、記録層として使われる上記磁性グラニュラ層において磁性粒子どうしの磁気的な相互作用が抑えられ、その結果、保磁力が高められて媒体ノイズが抑制されるので、高記録密度での情報記録が可能となっている。
【００１３】
また、上記目的を達成する情報記憶装置の基本形態は、
非磁性材料からなる複数の非磁性粒子の相互間をＣｒ酸化物が隔ててグラニュラ構造を成した非磁性グラニュラ層と、
上記非磁性グラニュラ層上に形成された、磁性材料からなる複数の磁性粒子の相互間を非磁性材料が隔ててグラニュラ構造を成した磁性グラニュラ層とを備えた磁気記録媒体；および、
上記磁気記録媒体の非磁性グラニュラ層に対して情報記録を実行するヘッド
を備えたことを特徴とする。
【００１４】
この情報記憶装置の基本形態によれば、更なる高記録密度化が可能な、上述の磁気記録媒体の基本形態が搭載されていることから、更に大容量での情報の記録が可能となる。
【発明の効果】
【００１５】
以上、説明したように、本件によれば、更なる高記録密度化が可能な磁気記録媒体と、そのような磁気記録媒体を搭載した情報記憶装置とを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、上記で基本形態について説明した磁気記録媒体および情報記憶装置の具体的な実施形態について、図面を参照して説明する。
【００１７】
図１は、基本形態について説明した情報記憶装置の一例であるハードディスク装置（ＨＤＤ）を示す図である。
【００１８】
この図１に示すＨＤＤ１０のハウジング１０１には、回転軸１０２に装着されて回転する磁気ディスク２００と、磁気ディスク２００に対して情報記録と情報再生とを行なう磁気ヘッド１０３を先端に保持したヘッドジンバルアセンブリ１０４と、このヘッドジンバルアセンブリ１０４が固着されてアーム軸１０５を中心に磁気ディスク２００の表面に沿って移動するキャリッジアーム１０６とキャリッジアーム１０６を駆動するアームアクチュエータ１０７とが収納されている。ここで、磁気ディスク２００が、上述の磁気記録媒体および情報記憶装置の基本形態における磁気記録媒体の一例に相当し、磁気ヘッド１０３が、その基本形態におけるヘッドの一例に相当する。
【００１９】
磁気ディスク２００への情報の記録および磁気ディスク２００に記録された情報の再生に当たっては、アームアクチュエータ１０７によってキャリッジアーム１０６が駆動されて、磁気ヘッド１０３が、回転する磁気ディスク２００上の所望のトラックに位置決めされる。そして、この磁気ヘッド１０３は、磁気ディスク２００の回転に伴って、磁気ディスク２００の各トラックをなぞって複数の情報を順次に記録する。
【００２０】
ここで、本実施形態では、磁気ディスク２００のディスク面に対して垂直な方向の磁化によって情報が記録される垂直磁気記録方式が採用されている。このため、磁気ディスク２００は、ディスク面に対して垂直な方向を磁化容易軸とした後述の記録層を有している。そして、情報は、磁化が磁気ディスク２００の表面側を向いた状態と、裏面側を向いた状態との２状態を利用して記録層に記録される。
【００２１】
情報の記録時には、このように磁気ディスク２００に近接した磁気ヘッドに電気的な記録信号が入力され、磁気ヘッド１０３により、その記録信号に応じた極性の磁界が磁気ディスク２００に印加される。そして、記録層中の磁化が、磁気ディスク２００の表面側と裏面側のうちの、その印加された磁界の極性に応じた側を向くことで情報が記録される。また、情報の再生時には、磁気ヘッド１０３によって、記録層中の磁化が発する微小磁界が検出され、情報が、その微小磁界の極性に応じた電気的な再生信号として取り出される。
【００２２】
図２は、図１に示す磁気ディスク２００の断面を模式的に示す図である。
【００２３】
この図２に示すように、磁気ディスク２００は、ガラス製のディスク基板２０１、軟磁性材料であるＣｏ合金で形成された非晶質の軟磁性層２０２、Ｎｉ合金製の下地層２０３、Ｒｕ製の中間層２０４、複数の非磁性粒子の相互間を粒界に偏析したＣｒ２Ｏ３で隔ててグラニュラ構造を成した非磁性グラニュラ層２０５、強磁性材料であるＣｏＣｒＰｔからなる複数の磁性粒子の相互間を粒界に偏析したＴｉＯ２で隔ててグラニュラ構造を成した３層構造の記録層２０６、および、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＣＬ）で形成された保護膜２０７が、この順番で積層されたものである。ここで、上記の非磁性グラニュラ層２０５が、上述の基本形態における非磁性グラニュラ層の一例に相当し、記録層２０６が、その基本形態における磁性グラニュラ層の一例に相当する。
【００２４】
ここで、上述の基本形態に対し、
「上記磁性グラニュラ層は、上記磁性粒子が、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＣｕ、ＣｏＣｒＰｔＢ、およびＣｏＣｒＰｔＢＣｕのうちから選択された１種以上の合金で形成されたものであり、上記非磁性材料が、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｗ、およびＮｂのうちから選択された１種以上の材料を含有する、酸化物またはチッ化物である」という応用形態は好適である。
【００２５】
ＣｏＣｒやＣｏＣｒＰｔ等の上記合金は良好な磁性材料であり、ＳｉＯ２やＴｉＯ２等は良好な非磁性材料であり、これらを組み合わせることで、上記のようなグラニュラ構造を簡単に実現することができる。磁性材料がＣｏＣｒＰｔで非磁性材料がＴｉＯ２である本実施形態の記録層２０６は、この応用形態における磁性グラニュラ層の一例にも相当する。
【００２６】
上記の軟磁性層２０２は、情報記録時に上記の磁気ヘッド１０３が印加した磁界に係る磁力線が磁気ヘッド１０３へと戻っていくときの磁路としての役割を果たすものであり、上記のディスク基板２０１の表面に形成されている。
【００２７】
次に、下地層２０３、中間層２０４、および非磁性グラニュラ層２０５の前に、まず、記録層２０６について説明する。
【００２８】
上述したように、本実施形態では、垂直磁気記録方式が採用されている。このため、記録層２０６では、ＣｏＣｒＰｔの磁性粒子における磁化容易軸がディスク面に対して垂直な方向を向くように、この磁性粒子が、六方最密充填構造でＣ軸が記録層２０６の厚さ方向を向いた結晶構造を持つように形成されている。また、この記録層２０６では、各磁性粒子は、このような結晶構造を持ちこの記録層２０６の厚み方向に成長した柱状の粒子である。そして、それら柱状の磁性粒子の周りに非磁性材料であるＴｉＯ２が偏析したグラニュラ構造となっている。これにより、この記録層２０６では、柱状の磁性粒子それぞれが、ディスク面に対して垂直な方向を磁化容易軸とした強い磁気異方性を持つこととなっている。また、この記録層２０６では、上記のグラニュラ構造により、柱状の磁性粒子どうしが非磁性材料であるＴｉＯ２によって分離されている。その結果、各磁性粒子が微細化され、磁性粒子間における磁気的な相互作用が良好に抑制されることとなる。
【００２９】
ここで、記録層２０６における上記の柱状の磁性粒子は、基本的には、中間層２０４を形成し六方最密充填構造を有するＲｕの結晶構造に応じてＣｏＣｒＰｔの結晶をエピタキシャル生長させることで実現される。即ち、中間層２０４は、記録層２０６の磁性粒子における結晶構造を制御する役割を果たす。そのため、この中間層２０４では、Ｒｕの結晶が、六方最密充填構造でＣ軸がこの中間層２０４の厚さ方向に向いた結晶構造を持つように形成される。しかし、上述したように軟磁性層２０２が非晶質であるために、この軟磁性層２０２の上に、中間層２０４を直に形成すると、六方最密充填構造のＣ軸を厚さ方向に向かせることが困難となってしまう。
【００３０】
本実施形態では、中間層２０４と軟磁性層２０２との間に形成される下地層２０３が、中間層２０４中の六方最密充填構造のＣ軸を厚さ方向に向かせるという、中間層２０４における結晶の配向を制御する役割を果たしている。そのため、下地層２０３は、面心立方格子構造を有するＮｉ合金で形成されている。
【００３１】
面心立方格子構造の結晶構造を有する膜は表面が［１，１，１］面となり易く、その［１，１，１］面上には、六方最密充填構造が、Ｃ軸をその［１，１，１］面に対して垂直な方向を向けて生長しやすい。このため、本実施形態では、非晶質の軟磁性層２０２の上に、まず、面心立方格子構造の下地層２０３を形成し、その下地層２０３の上に中間層２０４を形成することで、中間層２０４におけるＲｕの上記のような結晶構造が実現されている。
【００３２】
上述したように、記録層２０６では、グラニュラ構造によって磁性粒子がＴｉＯ２によって良好に分離されることで、各磁性粒子が微細化され、かつ、磁性粒子間の磁気的な相互作用が抑制されている。ここで、仮に、この記録層２０６を、上記の中間層２０４の上に直に形成したとすると、この中間層２０６は、グラニュラ構造を有していないことから、記録層２０６における中間層２０６との境界付近において、磁性粒子どうしが部分的に繋がってしまう可能性が高い。
【００３３】
そこで、本実施形態では、中間層２０４と記録層２０６との間に、上記の非磁性グラニュラ層２０５が形成されている。
【００３４】
この非磁性グラニュラ層２０５は、上述したように記録層２０６に磁気的な影響を及ぼす心配のない非磁性材料からなる複数の非磁性粒子が粒界に偏析したＣｒ２Ｏ３で隔てられたグラニュラ構造を有している。また、本実施形態では、Ｃｒの含有量を「３０ａｔ％」から「５０ａｔ％」までの間に調整することで非磁性となったＣｏＣｒで上記の非磁性粒子が形成されている。さらに、本実施形態では、Ｃｒ２Ｏ３を良好に偏析させるために、非磁性グラニュラ層２０５におけるＣｒ２Ｏ３の含有量が「１２ｍｏｌ％」以下に調整されている。
【００３５】
この非磁性グラニュラ層２０５の非磁性粒子を形成するＣｏＣｒの結晶は、六方最密充填構造を有している。このため、非磁性グラニュラ層２０５の形成時には、ＣｏＣｒの結晶が、中間層２０４のＲｕの結晶の上にエピタキシャル成長する。また、その際には、ＣｏＣｒの結晶は、Ｒｕの結晶構造に追随して、六方最密充填構造のＣ軸がこの非磁性グラニュラ層２０５の厚さ方向を向いて生長する。その結果、ＣｏＣｒの非磁性粒子は、この非磁性グラニュラ層２０５の厚み方向に積まれた柱状の粒子となり、その柱状の非磁性粒子の周りに、Ｃｒ２Ｏ３が偏析してグラニュラ構造が形作られる。
【００３６】
そして、この非磁性グラニュラ層２０５の上層に記録層２０６が形成されると、その形成時には、記録層２０６の磁性粒子を形成するＣｏＣｒＰｔの結晶は、非磁性グラニュラ層２０５における上記の柱状の非磁性粒子の上にエピタキシャル成長する。また、そのときには、ＣｏＣｒＰｔの結晶は、上記の非磁性粒子を形成するＣｏＣｒの結晶構造に追随し、即ち、そのＣｏＣｒの結晶構造の元となった中間層２０４のＲｕの結晶構造に追随して、六方最密充填構造のＣ軸が記録層２０６の厚さ方向を向いて生長する。その結果、ＣｏＣｒＰｔの非磁性粒子が、記録層２０６の厚み方向に積まれた柱状の粒子となり、その柱状の非磁性粒子の周りにＴｉＯ２が偏析してグラニュラ構造が形作られる。ここで、グラニュラ構造を持たない中間層２０４の上に形成された非磁性グラニュラ層２０５では、中間層２０４との境界付近において非磁性粒子どうしが部分的に繋がってしまう可能性が高い。しかしながら、このような繋がりは、グラニュラ構造を持たない中間層２０４との境界付近においてのみ生じ、各非磁性粒子の記録層２０６の形成面に現れている部分では非磁性粒子どうしは十分に分離される。そして、記録層２０６における磁性粒子は、この形成面に現れている非磁性粒子の上に生長するので、記録層２０６における磁性粒子どうしの分離性が向上することとなる。
【００３７】
このことは、上述の基本形態に対し、
「上記磁性グラニュラ層は、上記磁性粒子が、上記非磁性グラニュラ層における上記非磁性粒子の上に生長したものである」という応用形態が好適であることを示している。
【００３８】
本実施形態の記録層２０６は、この応用形態における磁性グラニュラ層の一例にも相当する。
【００３９】
また、本実施形態では、上述したように非磁性グラニュラ層２０５の非磁性粒子は、その非磁性グラニュラ層２０５の厚さ方向にＣ軸が向いた六方最密充填構造の結晶構造を有した、非磁性のＣｏＣｒで形成されている。これにより、記録層２０６の磁性粒子における、上述の垂直磁気記録方式に適した六方最密充填構造の結晶構造が簡単に実現されることとなる。
【００４０】
このことは、上述の基本形態に対し、
「上記非磁性グラニュラ層は、上記非磁性粒子として、六方最密充填構造でＣ軸がその非磁性グラニュラ層の厚さ方向を向いた結晶構造を有する非磁性粒子を有したものである」という応用形態や、
「上記非磁性グラニュラ層は、上記非磁性粒子がＣｏＣｒで形成されたものである」という応用形態が好適であることを示している。
【００４１】
本実施形態の非磁性グラニュラ層２０５は、これらの応用形態における非磁性グラニュラ層の一例にも相当する。
【００４２】
また、本実施形態では、上述したように非磁性グラニュラ層２０５が、Ｒｕからなり、六方最密充填構造でＣ軸が厚さ方向を向いた結晶構造を有する中間層２０４の上に形成されている。これにより、記録層２０６の磁性粒子における、上記の結晶構造を実現させるための非磁性グラニュラ層２０５における非磁性粒子の上記のような六方最密充填構造が簡単に実現されることとなる。
【００４３】
このことは、上述の基本形態に対し、
「非磁性材料からなる中間層を備え、
上記非磁性グラニュラ層が、上記中間層上に形成されたものである」という応用形態が好適であり、さらに、この応用形態に対し、
「上記中間層が、六方最密充填構造でＣ軸がその中間層の厚さ方向を向いた結晶構造を有する非磁性材料を含むものである」という応用形態がさらに好適であることを示している。
【００４４】
本実施形態の中間層２０４は、これらの応用形態における中間層の一例に相当し、非磁性グラニュラ層２０５は、これらの応用形態における非磁性グラニュラ層の一例にも相当する。
【００４５】
また、上記の中間層を備えたタイプの応用形態に対し、
「上記中間層が、ＲｕあるいはＲｕＸ２合金（ＸはＣｏ、Ｃｒ、Ｗ、またはＲｅ）を含むものである」という応用形態はさらに好適である。
【００４６】
Ｒｕや上記のＲｕＸ２合金は、非磁性であって六方最密充填構造を有していることから、上記中間層を良好に形成することができる。Ｒｕで形成された本実施形態の中間層２０４は、この応用形態における中間層の一例にも相当する。
【００４７】
また、本実施形態の中間層２０６は、［１，１，１］面が表面を成すように非晶質の軟磁性層２０２上で形成させることができる面心立方格子構造の結晶構造を有する下地層２０３の上に形成されている。上述したように［１，１，１］面上では、六方最密充填構造は、Ｃ軸がその［１，１，１］面に対して垂直な向きを向くように形成されるので、上記のような望ましい結晶構造を有する中間層２０４を実現することができる。
【００４８】
このことは、上述の中間層を備えたタイプの応用形態に対し、
「軟磁性材料からなる軟磁性裏打ち層と、
上記軟磁性裏打ち層上に形成された、面心立方格子構造の結晶構造を有する非磁性材料からなる、［１，１，１］面が表面をなす下地層とを備え、
上記中間層が、上記下地層上に形成されたものである」という応用形態がさらに好適であることを示している。
【００４９】
次に、非磁性グラニュラ層によって記録層における磁性粒子どうしの分離性が向上し、その結果、磁性粒子どうしの磁気的な相互作用が抑制されて磁気ディスクにおける媒体ノイズが低減されることについて実例を示して説明する。
【００５０】
図３は、磁性粒子どうしの磁気的な相互作用が抑制されて磁気ディスクにおける媒体ノイズが低減される様子を示す図である。
【００５１】
この図３には、非磁性グラニュラ層を持たず中間層の上に記録層が直に形成された磁気ディスクである第１サンプルと、非磁性グラニュラ層が形成された磁気ディスクである第２サンプルとのそれぞれについて、媒体ノイズと上記の相互作用とを示すグラフＧ１が示されている。
【００５２】
尚、この図３の例では、第２サンプルの非磁性グラニュラ層における非磁性粒子の粒界に偏析させる材料として、本実施形態ではＣｒ２Ｏ３が使われているのに対し、従来、グラニュラ構造において粒界に偏析させる材料としてＴｉＯ２と同様に使われることの多いＳｉＯ２が使われている。また、この非磁性グラニュラ層における非磁性粒子は、Ｃｒの含有量が「４０ａｔ％」以下となっているＣｏＣｒであり、この非磁性グラニュラ層におけるＳｉＯ２の含有量は「８ｍｏｌ％」以下となっている。さらに、第２サンプルの非磁性グラニュラ層は膜厚が「４ｎｍ」となっている。
【００５３】
また、第１サンプルと第２サンプルの、上記の非磁性グラニュラ層以外の構造は、図２に示す本実施形態の磁気ディスク２００と同等な構造となっている。
【００５４】
このグラフＧ１では、まず、媒体ノイズの大きさが、再生信号におけるエラーレートを示すＶＴＭ２Ｌ（Ｖｉｔｅｒｂｉ Ｔｒｅｌｌｉｓ Ｍａｒｇｉｎ ２Ｌ）という指標で表わされている。さらに、このグラフＧ１では、記録トラックの拡散状態を示す実効トラック幅によって、磁性粒子どうしの磁気的な相互作用の大きさが示されている。
【００５５】
ＶＴＭ２Ｌは、再生時に磁気ヘッドから出力される信号から記録情報を復号する復号方法の１つであるビタビ復号法において、復号結果がどの程度不確かなものとなっているかを表わすことで再生信号におけるエラーレートを示すものである。再生時には、磁気ヘッドから、各々が１ビットの情報に対応している信号値の配列からなる再生信号が出力される。ビタビ復号法は、まず、所定ビット数の信号値配列毎に、その信号値配列が表しているであろう情報配列の候補が２種類用意される。そして、信号配列を構成する各ビットの信号値と、情報配列の候補を構成する各ビットの情報との差の２乗和（メトリック値）が算出され、メトリック値が小さい候補が、その信号配列が表わしている情報配列として選択される。ここで、上記のＶＴＭ２Ｌは、磁気ディスクにおいて１００セクタに亘る約４０万ビットの記録情報が磁気ヘッドで再生されたときの再生信号を上記の所定ビット数の信号配列に分割したときの複数の信号配列のうち、上記の２種類の候補間におけるメトリック値の差が所定の閾値を下回った信号値配列の数である。２種類の候補間におけるメトリック値の差が所定の閾値を下回るということは、媒体ノイズが大きく信号配列が歪んでおりいずれの候補が正しいか選択し難いほど不確かなものとなっていることを示している。つまり、ＶＴＭ２Ｌの値が大きいほど、再生信号の歪みが大きく媒体ノイズが大きいことを意味する。
【００５６】
実効トラック幅は、磁気ヘッドから見たときに、磁気ディスク上に情報が記録されていると認識できるトラックの幅であり、磁気ディスクに形成されたトラックからの情報の再生を、磁気ヘッドをトラックの幅方向にずらしながら行ない、再生可能なずれの範囲を測定することで得られる。この実効トラック幅が広いということは、情報の記録時に磁化の配向が周辺に広く拡散しまっており、そのような拡散を引き起こす磁性粒子間の磁気的な相互作用が大きいことを意味する。
【００５７】
図３に示すグラフＧ１では、横軸に実効トラック幅Ｗｃｗがとられ、縦軸にＶＴＭ２Ｌがとられている。そして、このグラフＧ１上には、非磁性グラニュラ層を持たない上記の第１サンプルと、非磁性グラニュラ層が形成された第２サンプルとの双方について、磁気ディスク上の複数のトラックそれぞれについて情報の再生が行われたときの、各トラックの実行トラック幅Ｗｃｗと、そのトラックからの再生信号についてのＶＴＭ２Ｌとに対応する点がプロットされている。この図３のグラフＧ１では、第１サンプルのプロット点ＳＭＰ１が四角印で示されており、第２サンプルのプロット点ＳＭＰ２が白丸印で示されている。
【００５８】
ここで、ＶＴＭ２Ｌが小さく実効トラック幅が狭いほど、媒体ノイズが小さく磁性粒子どうしの磁気的な相互作用が小さいことを意味している。つまり、図３に示すグラフＧ１では、左下隅に向かうほど媒体ノイズが小さく磁性粒子どうしの磁気的な相互作用が小さく、逆に、右上隅に向かうほど媒体ノイズが大きく磁性粒子どうしの磁気的な相互作用が大きい。この図３のグラフＧ１では、第２サンプルのプロット点ＳＭＰ２が、第１サンプルのプロット点ＳＭＰ１よりも、右下隅寄りにプロットされていることから、非磁性グラニュラ層が形成された第２サンプルの方が、非磁性グラニュラ層を持たない第１サンプルよりも、磁性粒子どうしの磁気的な相互作用が抑制されて媒体ノイズが低減されていることが分かる。
【００５９】
次に、上述の非磁性グラニュラ層２０５についてさらに詳細に説明する。
【００６０】
図２に示す本実施形態の磁気ディスク２００では、上述の非磁性グラニュラ層２０５において、粒界に偏析させる材料として、一般に磁性グラニュラ層の粒界に偏析させる材料として知られているＳｉＯ２やＴｉＯ２等ではなく、Ｃｒ酸化物であるＣｒ２Ｏ３が使われている。
【００６１】
従来、Ｃｒ２Ｏ３は、磁性粒子として使われることが多いＣｏＣｒＰｔ等の合金との親和性が高いため、ＳｉＯ２やＴｉＯ２等に比べて、磁性粒子どうしの磁気的な分離性が低く、磁性グラニュラ層に用いても磁性粒子どうしの磁気的な相互作用や媒体ノイズの低減にはあまり効果がないことから、従来、グラニュラ構造を有する記録層においてほとんど使われていない。また、記録層へ磁気的な悪影響を及ぼす恐れがある等の懸念から、Ｃｒ２Ｏ３は、非磁性グラニュラ層における非磁性粒子の粒界に偏析させる材料としてもほとんど使われていない。ところが、このＣｒ２Ｏ３を、非磁性グラニュラ層における非磁性粒子の粒界に偏析させる材料として用いると、非磁性グラニュラ層の上に形成される記録層での磁性粒子どうしの磁気的な相互作用や媒体ノイズの低減に大きな効果があることを、以下のような実験により本件の開発者は見出した。
【００６２】
この実験では、非磁性グラニュラ層において従来どおりＳｉＯ２を用いた磁気ディスクである第３サンプルと、非磁性グラニュラ層において、本実施形態の磁気ディスク２００と同様にＣｒ２Ｏ３を用いた磁気ディスクである第４サンプルとが用意された。そして、各サンプルについて、上述の図３の例と同様に、媒体ノイズの大きさを示すＶＴＭ２Ｌと、磁気的な相互作用の大きさを示す実行トラック幅とが求められ、さらに、各サンプルについて、保磁力と、磁性粒子の大きさを間接的に示す記録層のＭ−Ｈループの傾きが求められた。
【００６３】
図４は、第３サンプルおよび第４サンプルのＶＴＭ２Ｌと実効トラック幅とを示すグラフであり、図５は、第３サンプルおよび第４サンプルにおける記録層の保磁力を示すグラフであり、図６は、第３サンプルおよび第４サンプルにおける記録層のＭ−Ｈループの傾きを示すグラフである。
【００６４】
尚、これら図４から図６までの例では、第３サンプルおよび第４サンプルの双方共に非磁性グラニュラ層の非磁性粒子は、Ｃｒの含有量が「４０ａｔ％」以下となっているＣｏＣｒである。そして、第３サンプルの非磁性グラニュラ層におけるＳｉＯ２の含有量は「８ｍｏｌ％」以下であり、第４サンプルの非磁性グラニュラ層におけるＣｒ２Ｏ３の含有量も「８ｍｏｌ％」以下である。
【００６５】
また、ここでの例では、第３サンプルおよび第４サンプルとして、各々、非磁性グラニュラ層の膜厚が「０ｎｍ」から「４．０ｎｍ」までの間の様々な値となる複数のサンプルが用意される。そして、図４の例では、これら互いに膜厚が異なる複数の第３サンプルと複数の第４サンプルとのうち、膜厚が「２．５ｎｍ」の第３サンプルと第４サンプルとが使われて上記のＶＴＭ２Ｌおよび実効トラック幅が求められ。また、図５および図６の例では、全ての第３サンプルと全ての第４サンプルとが使われて保磁力とＭ−Ｈループの傾きが求められる。
【００６６】
また、第３サンプルと第４サンプルの、上記の非磁性グラニュラ層以外の構造は、図２に示す本実施形態の磁気ディスク２００と同等な構造となっている。
【００６７】
図４のグラフＧ２は、図３のグラフＧ１と同様に、横軸に実効トラック幅Ｗｃｗがとられ、縦軸にＶＴＭ２Ｌがとられている。そして、このグラフＧ２上には、非磁性グラニュラ層にＳｉＯ２を用いた第３サンプルと、本実施形態の磁気ディスク２００と同様に、非磁性グラニュラ層にＣｒ２Ｏ３を用いた第４サンプルとの双方について、各トラックの実行トラック幅Ｗｃｗと、各トラックからの再生信号についてのＶＴＭ２Ｌとに対応する点がプロットされている。このグラフＧ２には、白丸印で示される第３サンプルのプロット点を近似的に結ぶラインＳＭＰ３＿１と、四角印で示される第４サンプルのプロット点を近似的に結ぶラインＳＭＰ４＿１とが示されている。
【００６８】
この図４のグラフＧ２では、図３のグラフＧ１と同様に、左下隅に向かうほど媒体ノイズが小さく磁性粒子どうしの磁気的な相互作用が小さく、逆に、右上隅に向かうほど媒体ノイズが大きく磁性粒子どうしの磁気的な相互作用が大きい。この図４のグラフＧ２では、第４サンプルに対応したラインＳＭＰ４＿１の方が、第３サンプルに対応するラインＳＭＰ３＿１よりも左下隅側に位置していることから、非磁性グラニュラ層にＣｒ２Ｏ３を用いた第４サンプルの方が、非磁性グラニュラ層にＳｉＯ２を用いた第３サンプルよりも、磁性粒子どうしの磁気的な相互作用が抑制されて媒体ノイズが低減されていることが分かる。
【００６９】
また、図５のグラフＧ３では、横軸に非磁性グラニュラ層の膜厚がとられ、縦軸に保磁力がとられている。そして、このグラフＧ３上には、互いに膜厚が異なる複数の第３サンプルと、互いに膜厚が異なる複数の第４サンプルとの双方について、各膜厚に対応する保磁力を表わす点がプロットされている。そして、このグラフＧ３では、白丸印で示される第３サンプルのプロット点を近似的に結ぶラインＳＭＰ３＿２と、四角印で示される第４サンプルのプロット点を近似的に結ぶラインＳＭＰ４＿２とが示されている。
【００７０】
この図５のグラフＧ３から、「０．５ｎｍ」から「４．０ｎｍ」までの全範囲において、非磁性グラニュラ層にＣｒ２Ｏ３を用いた第４サンプルの方が、非磁性グラニュラ層にＳｉＯ２を用いた第３サンプルよりも、保磁力が高くなっており、「２．５ｎｍ」の膜厚において両者間の保持力の差が、およそ「２００Ｏｅ」となっていることが分かる。
【００７１】
また、図６のグラフＧ４では、横軸に非磁性グラニュラ層の膜厚がとられ、縦軸にＭ−Ｈループの傾きがとられている。そして、このグラフＧ３上には、互いに膜厚が異なる複数の第３サンプルと、互いに膜厚が異なる複数の第４サンプルとの双方について、各膜厚に対応する保磁力を表わす点がプロットされている。そして、白丸印で示される第３サンプルのプロット点を近似的に結ぶラインＳＭＰ３＿２と、四角印で示される第４サンプルのプロット点を近似的に結ぶラインＳＭＰ４＿２とが示されている。
【００７２】
一般に、磁性体全体の磁化の大きさは、磁界中で、その磁性体を形成する磁性粒子中の磁化が各々その磁界に応じた向きに配向することで変化するが、その磁性粒子の大きさが小さいほど、単位体積当たりの磁性粒子の数が多くなることから配向し難くなる。その結果、磁性粒子の大きさが小さいほど、磁性体のＭ−Ｈループの傾きが小さくなる。
【００７３】
つまり、図６のグラフＧ４において、Ｍ−Ｈループの傾きが小さいほど、記録層のグラニュラ構造において磁性粒子の分離性が良く微細化されていることとなる。図６のグラフＧ４では、非磁性グラニュラ層の膜厚が「２．０ｎｍ」以上、かつ、「３．０ｎｍ」以下の範囲において、Ｍ−Ｈループの傾きが小さくなっており、この範囲において磁性粒子の分離性が良く微細化が高いことが分かる。
【００７４】
このことは、上述の基本形態や各応用形態に対し、
「上記非磁性グラニュラ層は、厚みが２．０ｎｍ以上、かつ、３．０ｎｍ以下である」という応用形態が好適であることを示している。
【００７５】
以上、図４から図６までを参照して説明したように、Ｃｒ２Ｏ３を、非磁性グラニュラ層における非磁性粒子の粒界に偏析させる材料として用いると、非磁性グラニュラ層の上に形成される記録層での磁性粒子どうしの磁気的な相互作用や媒体ノイズの低減等に大きな効果がある。また、このような効果は、非磁性グラニュラ層に従来通りＳｉＯ２を用いた場合と比較すると、非磁性グラニュラ層の膜厚が「２．０ｎｍ」以上、かつ、「３．０ｎｍ」以下のときが磁性粒子の分離性が良く微細化が高いことから好適であり、さらに、この膜厚がおよそ「２．５ｎｍ」のときに保磁力が最大となる。
【００７６】
そこで、図２に示す本実施形態の磁気ディスク２００では、非磁性グラニュラ層２０５の膜厚が約「２．５ｎｍ」となっている。
【００７７】
また、上述したように、本実施形態では、この非磁性グラニュラ層２０５が、Ｃｒの含有量を「３０ａｔ％」から「５０ａｔ％」までの間に調整することで非磁性となった、六方最密充填構造の結晶構造を有するＣｏＣｒの非磁性粒子を備えている。
【００７８】
本件の開発者は、非磁性グラニュラ層のＣｏＣｒにおけるＣｒの含有量が、上記の範囲内であれば同等な効果が得られることを以下の実験によって確認している。また、上述したように、六方最密充填構造の結晶構造は、面心立方格子構造の結晶構造の上にも生長するが、六方最密充填構造の結晶構造を有する磁性粒子を備えた記録層は、本実施形態の磁気ディスク２００のように、六方最密充填構造の結晶構造を有する非磁性粒子を備えた非磁性グラニュラ層の上に形成した方が好ましく、本件の開発者は、この点についても実験によって確認している。
【００７９】
この実験では、非磁性グラニュラ層のＣｐＣｒにおけるＣｒの含有量が「３０ａｔ％」から「５０ａｔ％」までの間で互いに異なる第５サンプルおよび第６サンプルと、非磁性グラニュラ層における非磁性粒子の結晶構造が面心立方格子構造となっている第７サンプルとが用意された。そして、各サンプルについて、上述の図３の例と同様に、媒体ノイズの大きさを示すＶＴＭ２Ｌと、磁気的な相互作用の大きさを示す実行トラック幅とが求められた。
【００８０】
図７は、第５サンプル、第６サンプル、および第７サンプルのＶＴＭ２Ｌと実効トラック幅とを示すグラフである。
【００８１】
尚、この図７の例では、第５サンプルの非磁性グラニュラ層の非磁性粒子は、Ｃｒの含有量が「４０ａｔ％」となっているＣｏＣｒであり、第６サンプルの非磁性グラニュラ層の非磁性粒子は、Ｃｒの含有量が「３０ａｔ％」となっているＣｏＣｒである。また、これら２種類のサンプルではいずれも、非磁性グラニュラ層におけるＣｒ２Ｏ３の含有量が「４．５ｍｏｌ％」である。
【００８２】
また、第７サンプルは、非磁性グラニュラ層の非磁性粒子として、面心立方格子構造を有するＮｉＷが使われている。
【００８３】
また、これら３種類のサンプルにおける非磁性グラニュラ層の膜厚はいずれも「２．５ｎｍ」であり、さらに、これら３種類のサンプルにおける非磁性グラニュラ層以外の構造は、いずれも図２に示す本実施形態の磁気ディスク２００と同等な構造となっている。
【００８４】
図７のグラフＧ５は、図３のグラフＧ１と同様に、横軸に実効トラック幅Ｗｃｗがとられ、縦軸にＶＴＭ２Ｌがとられている。そして、このグラフＧ５上には、第５サンプル、第６サンプル、および第７サンプルそれぞれついて、実行トラック幅ＷｃｗとＶＴＭ２Ｌとに対応する点がプロットされている。この図７のグラフＧ５では、第５サンプルのプロット点ＳＭＰ５が菱形印で示されており、第６サンプルのプロット点ＳＭＰ６が白丸印で示されており、第７サンプルのプロット点ＳＭＰ７が三角印で示されている。
【００８５】
まず、この図７のグラフＧ５では、第５サンプルのプロット点ＳＭＰ５と第６サンプルのプロット点ＳＭＰ６とは、互いにほぼ同等な位置にあることから、Ｃｒの含有量が「３０ａｔ％」から「５０ａｔ％」までの間では、磁性粒子どうしの磁気的な相互作用の抑制や媒体ノイズの低減についてほぼ同等な効果が得られることが分かる。
【００８６】
また、この図７のグラフＧ５では、非磁性グラニュラ層の非磁性粒子の結晶構造が面心立方格子構造となっている第７サンプルのプロット点ＳＭＰ７が、非磁性グラニュラ層の非磁性粒子の結晶構造が六方最密充填構造となっている他のサンプルのプロット点に比べて、右上隅側に位置している。このことから、非磁性グラニュラ層の非磁性粒子の結晶構造は、記録層の磁性粒子の結晶構造と同じ六方最密充填構造となっている方が、磁性粒子どうしの磁気的な相互作用の抑制や媒体ノイズの低減について高い効果が得られることが分かる。
【００８７】
図２に示す本実施形態の磁気ディスク２００は、このような実験結果を受けて、上述したように、Ｃｒの含有量を「３０ａｔ％」から「５０ａｔ％」までの間に調整することで非磁性となった、六方最密充填構造の結晶構造を有するＣｏＣｒの非磁性粒子を有する非磁性グラニュラ層２０５を備えている。
【００８８】
尚、上記では、上述の基本形態における非磁性グラニュラ層の一例として、実施形態ではＣｒ２Ｏ３の含有量について「１２ｍｏｌ％」以下のいずれかの値に特定せず、実験例として「８ｍｏｌ％」以下の例と「４．５ｍｏｌ％」の例とを示したが、この基本形態における非磁性グラニュラ層はこれらの実験例に限るものではなく、例えば、Ｃｒ２Ｏ３の含有量が「１２ｍｏｌ％」以下であって上記例以外の含有量となったものであっても良い。
【００８９】
また、上記では、上述の基本形態における非磁性グラニュラ層の一例として、実施形態では非磁性粒子におけるＣｒの含有量について「３０ａｔ％」から「５０ａｔ％」までの間のいずれかの値に特定せず、実験例として、Ｃｒの含有量が「４０ａｔ％」以下の例と「３０ａｔ％」の例と「４０ａｔ％」の例とを示したが、この基本形態における非磁性グラニュラ層はこれらの実験例に限るものではなく、例えば、Ｃｒの含有量が「３０ａｔ％」から「５０ａｔ％」までの間であって上記例以外の含有量となったものであっても良い。
【００９０】
また、上記では、上述の基本形態における非磁性グラニュラ層の一例として、膜厚が約「２．５ｎｍ」の非磁性グラニュラ層２０５を例示したが、この基本形態における非磁性グラニュラ層はこれに限るものではなく、例えば、膜厚がこの「２．５ｎｍ」以外の膜厚となったものであっても良い。
【００９１】
また、上記では、上述の基本形態における磁性グラニュラ層の一例として、磁性粒子がＣｏＣｒＰｔで形成され、粒界にＴｉＯ２が偏析した記録層２０６を例示したが、この基本形態における磁性グラニュラ層はこれに限るものではなく、例えば、磁性粒子がＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＰｔＣｕ、ＣｏＣｒＰｔＢ、およびＣｏＣｒＰｔＢＣｕのうちから選択された１種以上の合金で形成され、粒界にＳｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｗ、およびＮｂのうちから選択された１種以上の材料を含有する、酸化物またはチッ化物が偏析したものであっても良い。
【００９２】
また、上記では、上述の応用形態における中間層の一例として、Ｒｕで形成された中間層２０４を例示したが、この応用形態における中間層はこれに限るものではなく、例えば、ＲｕＸ２合金（ＸはＣｏ、Ｃｒ、Ｗ、またはＲｅ）を含むものであっても良い。
【００９３】
以下、上述した基本形態を含む種々の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【００９４】
（付記１）
非磁性材料からなる複数の非磁性粒子の相互間をＣｒ酸化物が隔ててグラニュラ構造を成した非磁性グラニュラ層と、
前記非磁性グラニュラ層上に形成された、磁性材料からなる複数の磁性粒子の相互間を非磁性材料が隔ててグラニュラ構造を成した磁性グラニュラ層とを備えたことを特徴とする磁気記録媒体。
【００９５】
（付記２）
前記磁性グラニュラ層は、前記磁性粒子が、前記非磁性グラニュラ層における前記非磁性粒子の上に生長したものであることを特徴とする付記１記載の磁気記録媒体。
【００９６】
（付記３）
前記非磁性グラニュラ層は、前記非磁性粒子として、六方最密充填構造でＣ軸が該非磁性グラニュラ層の厚さ方向を向いた結晶構造を有する非磁性粒子を有したものであることを特徴とする付記１記載の磁気記録媒体。
【００９７】
（付記４）
非磁性材料からなる中間層を備え、
前記非磁性グラニュラ層が、前記中間層上に形成されたものであることを特徴とする付記１又は２記載の磁気記録媒体。
【００９８】
（付記５）
前記中間層が、六方最密充填構造でＣ軸が該中間層の厚さ方向を向いた結晶構造を有する非磁性材料を含むものであることを特徴とする付記３記載の磁気記録媒体。
【００９９】
（付記６）
前記中間層が、ＲｕあるいはＲｕＸ２合金（ＸはＣｏ、Ｃｒ、Ｗ、またはＲｅ）を含むものであることを特徴とする付記３又は４記載の磁気記録媒体。
【０１００】
（付記７）
軟磁性材料からなる軟磁性裏打ち層と、
前記軟磁性裏打ち層上に形成された、面心立方格子構造の結晶構造を有する非磁性材料からなる、［１，１，１］面が表面をなす下地層とを備え、
前記中間層が、前記下地層上に形成されたものであることを特徴とする付記３から５のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【０１０１】
（付記８）
前記非磁性グラニュラ層は、厚みが２．０ｎｍ以上、かつ、３．０ｎｍ以下であることを特徴とする付記１から６のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【０１０２】
（付記９）
前記非磁性グラニュラ層は、前記非磁性粒子がＣｏＣｒで形成されたものであることを特徴とする付記１から７のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【０１０３】
（付記１０）
前記磁性グラニュラ層は、前記磁性粒子が、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＣｕ、ＣｏＣｒＰｔＢ、およびＣｏＣｒＰｔＢＣｕのうちから選択された１種以上の合金で形成されたものであり、前記非磁性材料が、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｗ、およびＮｂのうちから選択された１種以上の材料を含有する、酸化物またはチッ化物であることを特徴とする付記１から８のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【０１０４】
（付記１１）
非磁性材料からなる複数の非磁性粒子の相互間をＣｒ酸化物が隔ててグラニュラ構造を成した非磁性グラニュラ層と、
前記非磁性グラニュラ層上に形成された、磁性材料からなる複数の磁性粒子の相互間を非磁性材料が隔ててグラニュラ構造を成した磁性グラニュラ層とを備えた磁気記録媒体；および、
前記磁気記録媒体の非磁性グラニュラ層に対して情報記録を実行するヘッド
を備えたことを特徴とする情報記憶装置。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】基本形態について説明した情報記憶装置の一例であるハードディスク装置（ＨＤＤ）を示す図である。
【図２】図１に示す磁気ディスク２００の断面を模式的に示す図である。
【図３】磁性粒子どうしの磁気的な相互作用が抑制されて磁気ディスクにおける媒体ノイズが低減される様子を示す図である。
【図４】第３サンプルおよび第４サンプルのＶＴＭ２Ｌと実効トラック幅とを示すグラフである。
【図５】第３サンプルおよび第４サンプルにおける記録層の保磁力を示すグラフである。
【図６】第３サンプルおよび第４サンプルにおける記録層のＭ−Ｈループの傾きを示すグラフである。
【図７】第５サンプル、第６サンプル、および第７サンプルのＶＴＭ２Ｌと実効トラック幅とを示すグラフである。
【符号の説明】
【０１０６】
１０ ＨＤＤ
１０１ ハウジング
１０２ 回転軸
１０３ 磁気ヘッド
１０４ ヘッドジンバルアセンブリ
１０５ アーム軸
１０６ キャリッジアーム
１０７ アームアクチュエータ
２００ 磁気ディスク
２０１ ディスク基板
２０２ 軟磁性層
２０３ 下地層
２０４ 中間層
２０５ 非磁性グラニュラ層
２０６ 記録層
２０７ 保護膜
【技術分野】
【０００１】
本件は、情報が磁気的に記録される磁気記録媒体と、そのような磁気記録媒体を搭載した情報記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータの分野では、日常的に多量の情報が取り扱われるようになっており、このような多量の情報を記録再生する情報記憶装置の１つとして、ハードディスク装置（ＨＤＤ：Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）が使用されている。ＨＤＤは記録容量が大きく情報へのアクセス速度が速いという特徴を持ち、ディスク状の磁気記録媒体、およびこの磁気記録媒体に情報を記録する磁気ヘッドを備えている。
【０００３】
ここで、上記のような情報記憶装置に搭載される磁気記録媒体については、高記録密度化が常に求められている。一般に、磁気記録媒体における高記録密度化を阻む要因の１つに、いわゆる媒体ノイズがある。媒体ノイズは、磁気記録媒体において情報を担持している磁化の配向における乱れに起因して、情報再生時に得られる再生信号に表れるノイズである。情報記録の際には、この磁化配向の乱れに起因するノイズ（媒体ノイズ）に埋もれない十分なレベルの信号成分が得られる広さの領域に情報を記録する必要があるため、媒体ノイズが大きいほど情報の記録密度が低下してしまう。
【０００４】
媒体ノイズの原因となる磁化配向の乱れを抑える方法の１つとして、磁気記録媒体において情報が記録される記録層の保磁力を高めることが挙げられる。記録層の保磁力は、その記録層を形成する磁性粒子を微細化して磁性粒子間の磁気的な相互作用を抑制することで高めることができる。このため、近年では、磁気記録媒体の高記録密度化の実現を目指して媒体ノイズを低減させるために、磁性粒子の微細化が盛んに試みられている。
【０００５】
例えば、記録層を複数層からなる積層構造で形成することで磁性粒子の微細化を図るという技術や、磁性粒子どうしの間（粒界）に非磁性材料を偏析させることで複数の磁性粒子の相互間を隔ててグラニュラ構造を形成することで微細化を図るという技術が提案されている。しかしながら、このグラニュラ構造の記録層を形成する技術では、記録層において、その記録層の形成面との境界付近で磁性粒子どうしが部分的に繋がってしまい、記録層における磁性粒子どうしの分離が損なわれてしまう不具合がしばしば起きている。そこで、このような不具合を回避するために、このようなグラニュラ構造の記録層の下に、非磁性材料からなる複数の非磁性粒子の相互間を他の物質で隔ててグラニュラ構造を成した非磁性グラニュラ層を設けるという技術が提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
【０００６】
記録層を積層構造で形成する技術では、まず、第１層が、微細な磁性粒子が安定的に得られる土台として形成され、その第１層の上に、その微細な状態で磁性粒子が生長するように第２層以降の層が形成される。また、グラニュラ構造の記録層を形成する技術では、粒界への非磁性材料の偏析により、その非磁性材料の分だけ磁性材料が微細化されることとなる。
【０００７】
ここで、グラニュラ構造で記録層を形成する技術は、単に磁性粒子が微細化されるだけでなく、複数の磁性粒子の相互間が非磁性材料によって隔てられて磁性粒子間における磁気的な相互作用が一層抑制されることから、保磁力を高めて媒体ノイズを抑制する効果が高く注目を集めている。
【０００８】
さらに、非磁性グラニュラ層を設ける技術によれば、記録層の磁性粒子が、非磁性グラニュラ層において非磁性粒子どうしが充分に分離された状態にある表面での、その非磁性粒子の上に生長するので、記録層における磁性粒子どうしの分離を確実なものとすることができる。
【特許文献１】特開２００６−３０９９１９号公報
【特許文献２】特開２００６−２６８９７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ここで、近年では、磁気記録媒体に対する高記録密度化の要求は高まる一方であり、上記のような非磁性グラニュラ層を使った磁気記録媒体についても、磁性粒子の一層の微細化等による更なる高記録密度化が求められている。
【００１０】
本件は、上記事情に鑑み、更なる高記録密度化が可能な磁気記録媒体と、そのような磁気記録媒体を搭載した情報記憶装置とを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成する磁気記録媒体の基本形態は、
非磁性材料からなる複数の非磁性粒子の相互間をＣｒ酸化物が隔ててグラニュラ構造を成した非磁性グラニュラ層と、
上記非磁性グラニュラ層上に形成された、磁性材料からなる複数の磁性粒子の相互間を非磁性材料が隔ててグラニュラ構造を成した磁性グラニュラ層とを備えたことを特徴とする。
【００１２】
この磁気記録媒体の基本形態では、上記磁性グラニュラ層が、上記磁性粒子中の磁化を情報に応じた向きに配向させることで情報が記録される記録層として使われる。そして、この磁気記録媒体の基本形態では、上記非磁性グラニュラ層上に、上記磁性グラニュラ層が形成されることで、上記磁性粒子の分離と微細化とが行なわれている。これにより、記録層として使われる上記磁性グラニュラ層において磁性粒子どうしの磁気的な相互作用が抑えられ、その結果、保磁力が高められて媒体ノイズが抑制されるので、高記録密度での情報記録が可能となっている。
【００１３】
また、上記目的を達成する情報記憶装置の基本形態は、
非磁性材料からなる複数の非磁性粒子の相互間をＣｒ酸化物が隔ててグラニュラ構造を成した非磁性グラニュラ層と、
上記非磁性グラニュラ層上に形成された、磁性材料からなる複数の磁性粒子の相互間を非磁性材料が隔ててグラニュラ構造を成した磁性グラニュラ層とを備えた磁気記録媒体；および、
上記磁気記録媒体の非磁性グラニュラ層に対して情報記録を実行するヘッド
を備えたことを特徴とする。
【００１４】
この情報記憶装置の基本形態によれば、更なる高記録密度化が可能な、上述の磁気記録媒体の基本形態が搭載されていることから、更に大容量での情報の記録が可能となる。
【発明の効果】
【００１５】
以上、説明したように、本件によれば、更なる高記録密度化が可能な磁気記録媒体と、そのような磁気記録媒体を搭載した情報記憶装置とを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、上記で基本形態について説明した磁気記録媒体および情報記憶装置の具体的な実施形態について、図面を参照して説明する。
【００１７】
図１は、基本形態について説明した情報記憶装置の一例であるハードディスク装置（ＨＤＤ）を示す図である。
【００１８】
この図１に示すＨＤＤ１０のハウジング１０１には、回転軸１０２に装着されて回転する磁気ディスク２００と、磁気ディスク２００に対して情報記録と情報再生とを行なう磁気ヘッド１０３を先端に保持したヘッドジンバルアセンブリ１０４と、このヘッドジンバルアセンブリ１０４が固着されてアーム軸１０５を中心に磁気ディスク２００の表面に沿って移動するキャリッジアーム１０６とキャリッジアーム１０６を駆動するアームアクチュエータ１０７とが収納されている。ここで、磁気ディスク２００が、上述の磁気記録媒体および情報記憶装置の基本形態における磁気記録媒体の一例に相当し、磁気ヘッド１０３が、その基本形態におけるヘッドの一例に相当する。
【００１９】
磁気ディスク２００への情報の記録および磁気ディスク２００に記録された情報の再生に当たっては、アームアクチュエータ１０７によってキャリッジアーム１０６が駆動されて、磁気ヘッド１０３が、回転する磁気ディスク２００上の所望のトラックに位置決めされる。そして、この磁気ヘッド１０３は、磁気ディスク２００の回転に伴って、磁気ディスク２００の各トラックをなぞって複数の情報を順次に記録する。
【００２０】
ここで、本実施形態では、磁気ディスク２００のディスク面に対して垂直な方向の磁化によって情報が記録される垂直磁気記録方式が採用されている。このため、磁気ディスク２００は、ディスク面に対して垂直な方向を磁化容易軸とした後述の記録層を有している。そして、情報は、磁化が磁気ディスク２００の表面側を向いた状態と、裏面側を向いた状態との２状態を利用して記録層に記録される。
【００２１】
情報の記録時には、このように磁気ディスク２００に近接した磁気ヘッドに電気的な記録信号が入力され、磁気ヘッド１０３により、その記録信号に応じた極性の磁界が磁気ディスク２００に印加される。そして、記録層中の磁化が、磁気ディスク２００の表面側と裏面側のうちの、その印加された磁界の極性に応じた側を向くことで情報が記録される。また、情報の再生時には、磁気ヘッド１０３によって、記録層中の磁化が発する微小磁界が検出され、情報が、その微小磁界の極性に応じた電気的な再生信号として取り出される。
【００２２】
図２は、図１に示す磁気ディスク２００の断面を模式的に示す図である。
【００２３】
この図２に示すように、磁気ディスク２００は、ガラス製のディスク基板２０１、軟磁性材料であるＣｏ合金で形成された非晶質の軟磁性層２０２、Ｎｉ合金製の下地層２０３、Ｒｕ製の中間層２０４、複数の非磁性粒子の相互間を粒界に偏析したＣｒ２Ｏ３で隔ててグラニュラ構造を成した非磁性グラニュラ層２０５、強磁性材料であるＣｏＣｒＰｔからなる複数の磁性粒子の相互間を粒界に偏析したＴｉＯ２で隔ててグラニュラ構造を成した３層構造の記録層２０６、および、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＣＬ）で形成された保護膜２０７が、この順番で積層されたものである。ここで、上記の非磁性グラニュラ層２０５が、上述の基本形態における非磁性グラニュラ層の一例に相当し、記録層２０６が、その基本形態における磁性グラニュラ層の一例に相当する。
【００２４】
ここで、上述の基本形態に対し、
「上記磁性グラニュラ層は、上記磁性粒子が、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＣｕ、ＣｏＣｒＰｔＢ、およびＣｏＣｒＰｔＢＣｕのうちから選択された１種以上の合金で形成されたものであり、上記非磁性材料が、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｗ、およびＮｂのうちから選択された１種以上の材料を含有する、酸化物またはチッ化物である」という応用形態は好適である。
【００２５】
ＣｏＣｒやＣｏＣｒＰｔ等の上記合金は良好な磁性材料であり、ＳｉＯ２やＴｉＯ２等は良好な非磁性材料であり、これらを組み合わせることで、上記のようなグラニュラ構造を簡単に実現することができる。磁性材料がＣｏＣｒＰｔで非磁性材料がＴｉＯ２である本実施形態の記録層２０６は、この応用形態における磁性グラニュラ層の一例にも相当する。
【００２６】
上記の軟磁性層２０２は、情報記録時に上記の磁気ヘッド１０３が印加した磁界に係る磁力線が磁気ヘッド１０３へと戻っていくときの磁路としての役割を果たすものであり、上記のディスク基板２０１の表面に形成されている。
【００２７】
次に、下地層２０３、中間層２０４、および非磁性グラニュラ層２０５の前に、まず、記録層２０６について説明する。
【００２８】
上述したように、本実施形態では、垂直磁気記録方式が採用されている。このため、記録層２０６では、ＣｏＣｒＰｔの磁性粒子における磁化容易軸がディスク面に対して垂直な方向を向くように、この磁性粒子が、六方最密充填構造でＣ軸が記録層２０６の厚さ方向を向いた結晶構造を持つように形成されている。また、この記録層２０６では、各磁性粒子は、このような結晶構造を持ちこの記録層２０６の厚み方向に成長した柱状の粒子である。そして、それら柱状の磁性粒子の周りに非磁性材料であるＴｉＯ２が偏析したグラニュラ構造となっている。これにより、この記録層２０６では、柱状の磁性粒子それぞれが、ディスク面に対して垂直な方向を磁化容易軸とした強い磁気異方性を持つこととなっている。また、この記録層２０６では、上記のグラニュラ構造により、柱状の磁性粒子どうしが非磁性材料であるＴｉＯ２によって分離されている。その結果、各磁性粒子が微細化され、磁性粒子間における磁気的な相互作用が良好に抑制されることとなる。
【００２９】
ここで、記録層２０６における上記の柱状の磁性粒子は、基本的には、中間層２０４を形成し六方最密充填構造を有するＲｕの結晶構造に応じてＣｏＣｒＰｔの結晶をエピタキシャル生長させることで実現される。即ち、中間層２０４は、記録層２０６の磁性粒子における結晶構造を制御する役割を果たす。そのため、この中間層２０４では、Ｒｕの結晶が、六方最密充填構造でＣ軸がこの中間層２０４の厚さ方向に向いた結晶構造を持つように形成される。しかし、上述したように軟磁性層２０２が非晶質であるために、この軟磁性層２０２の上に、中間層２０４を直に形成すると、六方最密充填構造のＣ軸を厚さ方向に向かせることが困難となってしまう。
【００３０】
本実施形態では、中間層２０４と軟磁性層２０２との間に形成される下地層２０３が、中間層２０４中の六方最密充填構造のＣ軸を厚さ方向に向かせるという、中間層２０４における結晶の配向を制御する役割を果たしている。そのため、下地層２０３は、面心立方格子構造を有するＮｉ合金で形成されている。
【００３１】
面心立方格子構造の結晶構造を有する膜は表面が［１，１，１］面となり易く、その［１，１，１］面上には、六方最密充填構造が、Ｃ軸をその［１，１，１］面に対して垂直な方向を向けて生長しやすい。このため、本実施形態では、非晶質の軟磁性層２０２の上に、まず、面心立方格子構造の下地層２０３を形成し、その下地層２０３の上に中間層２０４を形成することで、中間層２０４におけるＲｕの上記のような結晶構造が実現されている。
【００３２】
上述したように、記録層２０６では、グラニュラ構造によって磁性粒子がＴｉＯ２によって良好に分離されることで、各磁性粒子が微細化され、かつ、磁性粒子間の磁気的な相互作用が抑制されている。ここで、仮に、この記録層２０６を、上記の中間層２０４の上に直に形成したとすると、この中間層２０６は、グラニュラ構造を有していないことから、記録層２０６における中間層２０６との境界付近において、磁性粒子どうしが部分的に繋がってしまう可能性が高い。
【００３３】
そこで、本実施形態では、中間層２０４と記録層２０６との間に、上記の非磁性グラニュラ層２０５が形成されている。
【００３４】
この非磁性グラニュラ層２０５は、上述したように記録層２０６に磁気的な影響を及ぼす心配のない非磁性材料からなる複数の非磁性粒子が粒界に偏析したＣｒ２Ｏ３で隔てられたグラニュラ構造を有している。また、本実施形態では、Ｃｒの含有量を「３０ａｔ％」から「５０ａｔ％」までの間に調整することで非磁性となったＣｏＣｒで上記の非磁性粒子が形成されている。さらに、本実施形態では、Ｃｒ２Ｏ３を良好に偏析させるために、非磁性グラニュラ層２０５におけるＣｒ２Ｏ３の含有量が「１２ｍｏｌ％」以下に調整されている。
【００３５】
この非磁性グラニュラ層２０５の非磁性粒子を形成するＣｏＣｒの結晶は、六方最密充填構造を有している。このため、非磁性グラニュラ層２０５の形成時には、ＣｏＣｒの結晶が、中間層２０４のＲｕの結晶の上にエピタキシャル成長する。また、その際には、ＣｏＣｒの結晶は、Ｒｕの結晶構造に追随して、六方最密充填構造のＣ軸がこの非磁性グラニュラ層２０５の厚さ方向を向いて生長する。その結果、ＣｏＣｒの非磁性粒子は、この非磁性グラニュラ層２０５の厚み方向に積まれた柱状の粒子となり、その柱状の非磁性粒子の周りに、Ｃｒ２Ｏ３が偏析してグラニュラ構造が形作られる。
【００３６】
そして、この非磁性グラニュラ層２０５の上層に記録層２０６が形成されると、その形成時には、記録層２０６の磁性粒子を形成するＣｏＣｒＰｔの結晶は、非磁性グラニュラ層２０５における上記の柱状の非磁性粒子の上にエピタキシャル成長する。また、そのときには、ＣｏＣｒＰｔの結晶は、上記の非磁性粒子を形成するＣｏＣｒの結晶構造に追随し、即ち、そのＣｏＣｒの結晶構造の元となった中間層２０４のＲｕの結晶構造に追随して、六方最密充填構造のＣ軸が記録層２０６の厚さ方向を向いて生長する。その結果、ＣｏＣｒＰｔの非磁性粒子が、記録層２０６の厚み方向に積まれた柱状の粒子となり、その柱状の非磁性粒子の周りにＴｉＯ２が偏析してグラニュラ構造が形作られる。ここで、グラニュラ構造を持たない中間層２０４の上に形成された非磁性グラニュラ層２０５では、中間層２０４との境界付近において非磁性粒子どうしが部分的に繋がってしまう可能性が高い。しかしながら、このような繋がりは、グラニュラ構造を持たない中間層２０４との境界付近においてのみ生じ、各非磁性粒子の記録層２０６の形成面に現れている部分では非磁性粒子どうしは十分に分離される。そして、記録層２０６における磁性粒子は、この形成面に現れている非磁性粒子の上に生長するので、記録層２０６における磁性粒子どうしの分離性が向上することとなる。
【００３７】
このことは、上述の基本形態に対し、
「上記磁性グラニュラ層は、上記磁性粒子が、上記非磁性グラニュラ層における上記非磁性粒子の上に生長したものである」という応用形態が好適であることを示している。
【００３８】
本実施形態の記録層２０６は、この応用形態における磁性グラニュラ層の一例にも相当する。
【００３９】
また、本実施形態では、上述したように非磁性グラニュラ層２０５の非磁性粒子は、その非磁性グラニュラ層２０５の厚さ方向にＣ軸が向いた六方最密充填構造の結晶構造を有した、非磁性のＣｏＣｒで形成されている。これにより、記録層２０６の磁性粒子における、上述の垂直磁気記録方式に適した六方最密充填構造の結晶構造が簡単に実現されることとなる。
【００４０】
このことは、上述の基本形態に対し、
「上記非磁性グラニュラ層は、上記非磁性粒子として、六方最密充填構造でＣ軸がその非磁性グラニュラ層の厚さ方向を向いた結晶構造を有する非磁性粒子を有したものである」という応用形態や、
「上記非磁性グラニュラ層は、上記非磁性粒子がＣｏＣｒで形成されたものである」という応用形態が好適であることを示している。
【００４１】
本実施形態の非磁性グラニュラ層２０５は、これらの応用形態における非磁性グラニュラ層の一例にも相当する。
【００４２】
また、本実施形態では、上述したように非磁性グラニュラ層２０５が、Ｒｕからなり、六方最密充填構造でＣ軸が厚さ方向を向いた結晶構造を有する中間層２０４の上に形成されている。これにより、記録層２０６の磁性粒子における、上記の結晶構造を実現させるための非磁性グラニュラ層２０５における非磁性粒子の上記のような六方最密充填構造が簡単に実現されることとなる。
【００４３】
このことは、上述の基本形態に対し、
「非磁性材料からなる中間層を備え、
上記非磁性グラニュラ層が、上記中間層上に形成されたものである」という応用形態が好適であり、さらに、この応用形態に対し、
「上記中間層が、六方最密充填構造でＣ軸がその中間層の厚さ方向を向いた結晶構造を有する非磁性材料を含むものである」という応用形態がさらに好適であることを示している。
【００４４】
本実施形態の中間層２０４は、これらの応用形態における中間層の一例に相当し、非磁性グラニュラ層２０５は、これらの応用形態における非磁性グラニュラ層の一例にも相当する。
【００４５】
また、上記の中間層を備えたタイプの応用形態に対し、
「上記中間層が、ＲｕあるいはＲｕＸ２合金（ＸはＣｏ、Ｃｒ、Ｗ、またはＲｅ）を含むものである」という応用形態はさらに好適である。
【００４６】
Ｒｕや上記のＲｕＸ２合金は、非磁性であって六方最密充填構造を有していることから、上記中間層を良好に形成することができる。Ｒｕで形成された本実施形態の中間層２０４は、この応用形態における中間層の一例にも相当する。
【００４７】
また、本実施形態の中間層２０６は、［１，１，１］面が表面を成すように非晶質の軟磁性層２０２上で形成させることができる面心立方格子構造の結晶構造を有する下地層２０３の上に形成されている。上述したように［１，１，１］面上では、六方最密充填構造は、Ｃ軸がその［１，１，１］面に対して垂直な向きを向くように形成されるので、上記のような望ましい結晶構造を有する中間層２０４を実現することができる。
【００４８】
このことは、上述の中間層を備えたタイプの応用形態に対し、
「軟磁性材料からなる軟磁性裏打ち層と、
上記軟磁性裏打ち層上に形成された、面心立方格子構造の結晶構造を有する非磁性材料からなる、［１，１，１］面が表面をなす下地層とを備え、
上記中間層が、上記下地層上に形成されたものである」という応用形態がさらに好適であることを示している。
【００４９】
次に、非磁性グラニュラ層によって記録層における磁性粒子どうしの分離性が向上し、その結果、磁性粒子どうしの磁気的な相互作用が抑制されて磁気ディスクにおける媒体ノイズが低減されることについて実例を示して説明する。
【００５０】
図３は、磁性粒子どうしの磁気的な相互作用が抑制されて磁気ディスクにおける媒体ノイズが低減される様子を示す図である。
【００５１】
この図３には、非磁性グラニュラ層を持たず中間層の上に記録層が直に形成された磁気ディスクである第１サンプルと、非磁性グラニュラ層が形成された磁気ディスクである第２サンプルとのそれぞれについて、媒体ノイズと上記の相互作用とを示すグラフＧ１が示されている。
【００５２】
尚、この図３の例では、第２サンプルの非磁性グラニュラ層における非磁性粒子の粒界に偏析させる材料として、本実施形態ではＣｒ２Ｏ３が使われているのに対し、従来、グラニュラ構造において粒界に偏析させる材料としてＴｉＯ２と同様に使われることの多いＳｉＯ２が使われている。また、この非磁性グラニュラ層における非磁性粒子は、Ｃｒの含有量が「４０ａｔ％」以下となっているＣｏＣｒであり、この非磁性グラニュラ層におけるＳｉＯ２の含有量は「８ｍｏｌ％」以下となっている。さらに、第２サンプルの非磁性グラニュラ層は膜厚が「４ｎｍ」となっている。
【００５３】
また、第１サンプルと第２サンプルの、上記の非磁性グラニュラ層以外の構造は、図２に示す本実施形態の磁気ディスク２００と同等な構造となっている。
【００５４】
このグラフＧ１では、まず、媒体ノイズの大きさが、再生信号におけるエラーレートを示すＶＴＭ２Ｌ（Ｖｉｔｅｒｂｉ Ｔｒｅｌｌｉｓ Ｍａｒｇｉｎ ２Ｌ）という指標で表わされている。さらに、このグラフＧ１では、記録トラックの拡散状態を示す実効トラック幅によって、磁性粒子どうしの磁気的な相互作用の大きさが示されている。
【００５５】
ＶＴＭ２Ｌは、再生時に磁気ヘッドから出力される信号から記録情報を復号する復号方法の１つであるビタビ復号法において、復号結果がどの程度不確かなものとなっているかを表わすことで再生信号におけるエラーレートを示すものである。再生時には、磁気ヘッドから、各々が１ビットの情報に対応している信号値の配列からなる再生信号が出力される。ビタビ復号法は、まず、所定ビット数の信号値配列毎に、その信号値配列が表しているであろう情報配列の候補が２種類用意される。そして、信号配列を構成する各ビットの信号値と、情報配列の候補を構成する各ビットの情報との差の２乗和（メトリック値）が算出され、メトリック値が小さい候補が、その信号配列が表わしている情報配列として選択される。ここで、上記のＶＴＭ２Ｌは、磁気ディスクにおいて１００セクタに亘る約４０万ビットの記録情報が磁気ヘッドで再生されたときの再生信号を上記の所定ビット数の信号配列に分割したときの複数の信号配列のうち、上記の２種類の候補間におけるメトリック値の差が所定の閾値を下回った信号値配列の数である。２種類の候補間におけるメトリック値の差が所定の閾値を下回るということは、媒体ノイズが大きく信号配列が歪んでおりいずれの候補が正しいか選択し難いほど不確かなものとなっていることを示している。つまり、ＶＴＭ２Ｌの値が大きいほど、再生信号の歪みが大きく媒体ノイズが大きいことを意味する。
【００５６】
実効トラック幅は、磁気ヘッドから見たときに、磁気ディスク上に情報が記録されていると認識できるトラックの幅であり、磁気ディスクに形成されたトラックからの情報の再生を、磁気ヘッドをトラックの幅方向にずらしながら行ない、再生可能なずれの範囲を測定することで得られる。この実効トラック幅が広いということは、情報の記録時に磁化の配向が周辺に広く拡散しまっており、そのような拡散を引き起こす磁性粒子間の磁気的な相互作用が大きいことを意味する。
【００５７】
図３に示すグラフＧ１では、横軸に実効トラック幅Ｗｃｗがとられ、縦軸にＶＴＭ２Ｌがとられている。そして、このグラフＧ１上には、非磁性グラニュラ層を持たない上記の第１サンプルと、非磁性グラニュラ層が形成された第２サンプルとの双方について、磁気ディスク上の複数のトラックそれぞれについて情報の再生が行われたときの、各トラックの実行トラック幅Ｗｃｗと、そのトラックからの再生信号についてのＶＴＭ２Ｌとに対応する点がプロットされている。この図３のグラフＧ１では、第１サンプルのプロット点ＳＭＰ１が四角印で示されており、第２サンプルのプロット点ＳＭＰ２が白丸印で示されている。
【００５８】
ここで、ＶＴＭ２Ｌが小さく実効トラック幅が狭いほど、媒体ノイズが小さく磁性粒子どうしの磁気的な相互作用が小さいことを意味している。つまり、図３に示すグラフＧ１では、左下隅に向かうほど媒体ノイズが小さく磁性粒子どうしの磁気的な相互作用が小さく、逆に、右上隅に向かうほど媒体ノイズが大きく磁性粒子どうしの磁気的な相互作用が大きい。この図３のグラフＧ１では、第２サンプルのプロット点ＳＭＰ２が、第１サンプルのプロット点ＳＭＰ１よりも、右下隅寄りにプロットされていることから、非磁性グラニュラ層が形成された第２サンプルの方が、非磁性グラニュラ層を持たない第１サンプルよりも、磁性粒子どうしの磁気的な相互作用が抑制されて媒体ノイズが低減されていることが分かる。
【００５９】
次に、上述の非磁性グラニュラ層２０５についてさらに詳細に説明する。
【００６０】
図２に示す本実施形態の磁気ディスク２００では、上述の非磁性グラニュラ層２０５において、粒界に偏析させる材料として、一般に磁性グラニュラ層の粒界に偏析させる材料として知られているＳｉＯ２やＴｉＯ２等ではなく、Ｃｒ酸化物であるＣｒ２Ｏ３が使われている。
【００６１】
従来、Ｃｒ２Ｏ３は、磁性粒子として使われることが多いＣｏＣｒＰｔ等の合金との親和性が高いため、ＳｉＯ２やＴｉＯ２等に比べて、磁性粒子どうしの磁気的な分離性が低く、磁性グラニュラ層に用いても磁性粒子どうしの磁気的な相互作用や媒体ノイズの低減にはあまり効果がないことから、従来、グラニュラ構造を有する記録層においてほとんど使われていない。また、記録層へ磁気的な悪影響を及ぼす恐れがある等の懸念から、Ｃｒ２Ｏ３は、非磁性グラニュラ層における非磁性粒子の粒界に偏析させる材料としてもほとんど使われていない。ところが、このＣｒ２Ｏ３を、非磁性グラニュラ層における非磁性粒子の粒界に偏析させる材料として用いると、非磁性グラニュラ層の上に形成される記録層での磁性粒子どうしの磁気的な相互作用や媒体ノイズの低減に大きな効果があることを、以下のような実験により本件の開発者は見出した。
【００６２】
この実験では、非磁性グラニュラ層において従来どおりＳｉＯ２を用いた磁気ディスクである第３サンプルと、非磁性グラニュラ層において、本実施形態の磁気ディスク２００と同様にＣｒ２Ｏ３を用いた磁気ディスクである第４サンプルとが用意された。そして、各サンプルについて、上述の図３の例と同様に、媒体ノイズの大きさを示すＶＴＭ２Ｌと、磁気的な相互作用の大きさを示す実行トラック幅とが求められ、さらに、各サンプルについて、保磁力と、磁性粒子の大きさを間接的に示す記録層のＭ−Ｈループの傾きが求められた。
【００６３】
図４は、第３サンプルおよび第４サンプルのＶＴＭ２Ｌと実効トラック幅とを示すグラフであり、図５は、第３サンプルおよび第４サンプルにおける記録層の保磁力を示すグラフであり、図６は、第３サンプルおよび第４サンプルにおける記録層のＭ−Ｈループの傾きを示すグラフである。
【００６４】
尚、これら図４から図６までの例では、第３サンプルおよび第４サンプルの双方共に非磁性グラニュラ層の非磁性粒子は、Ｃｒの含有量が「４０ａｔ％」以下となっているＣｏＣｒである。そして、第３サンプルの非磁性グラニュラ層におけるＳｉＯ２の含有量は「８ｍｏｌ％」以下であり、第４サンプルの非磁性グラニュラ層におけるＣｒ２Ｏ３の含有量も「８ｍｏｌ％」以下である。
【００６５】
また、ここでの例では、第３サンプルおよび第４サンプルとして、各々、非磁性グラニュラ層の膜厚が「０ｎｍ」から「４．０ｎｍ」までの間の様々な値となる複数のサンプルが用意される。そして、図４の例では、これら互いに膜厚が異なる複数の第３サンプルと複数の第４サンプルとのうち、膜厚が「２．５ｎｍ」の第３サンプルと第４サンプルとが使われて上記のＶＴＭ２Ｌおよび実効トラック幅が求められ。また、図５および図６の例では、全ての第３サンプルと全ての第４サンプルとが使われて保磁力とＭ−Ｈループの傾きが求められる。
【００６６】
また、第３サンプルと第４サンプルの、上記の非磁性グラニュラ層以外の構造は、図２に示す本実施形態の磁気ディスク２００と同等な構造となっている。
【００６７】
図４のグラフＧ２は、図３のグラフＧ１と同様に、横軸に実効トラック幅Ｗｃｗがとられ、縦軸にＶＴＭ２Ｌがとられている。そして、このグラフＧ２上には、非磁性グラニュラ層にＳｉＯ２を用いた第３サンプルと、本実施形態の磁気ディスク２００と同様に、非磁性グラニュラ層にＣｒ２Ｏ３を用いた第４サンプルとの双方について、各トラックの実行トラック幅Ｗｃｗと、各トラックからの再生信号についてのＶＴＭ２Ｌとに対応する点がプロットされている。このグラフＧ２には、白丸印で示される第３サンプルのプロット点を近似的に結ぶラインＳＭＰ３＿１と、四角印で示される第４サンプルのプロット点を近似的に結ぶラインＳＭＰ４＿１とが示されている。
【００６８】
この図４のグラフＧ２では、図３のグラフＧ１と同様に、左下隅に向かうほど媒体ノイズが小さく磁性粒子どうしの磁気的な相互作用が小さく、逆に、右上隅に向かうほど媒体ノイズが大きく磁性粒子どうしの磁気的な相互作用が大きい。この図４のグラフＧ２では、第４サンプルに対応したラインＳＭＰ４＿１の方が、第３サンプルに対応するラインＳＭＰ３＿１よりも左下隅側に位置していることから、非磁性グラニュラ層にＣｒ２Ｏ３を用いた第４サンプルの方が、非磁性グラニュラ層にＳｉＯ２を用いた第３サンプルよりも、磁性粒子どうしの磁気的な相互作用が抑制されて媒体ノイズが低減されていることが分かる。
【００６９】
また、図５のグラフＧ３では、横軸に非磁性グラニュラ層の膜厚がとられ、縦軸に保磁力がとられている。そして、このグラフＧ３上には、互いに膜厚が異なる複数の第３サンプルと、互いに膜厚が異なる複数の第４サンプルとの双方について、各膜厚に対応する保磁力を表わす点がプロットされている。そして、このグラフＧ３では、白丸印で示される第３サンプルのプロット点を近似的に結ぶラインＳＭＰ３＿２と、四角印で示される第４サンプルのプロット点を近似的に結ぶラインＳＭＰ４＿２とが示されている。
【００７０】
この図５のグラフＧ３から、「０．５ｎｍ」から「４．０ｎｍ」までの全範囲において、非磁性グラニュラ層にＣｒ２Ｏ３を用いた第４サンプルの方が、非磁性グラニュラ層にＳｉＯ２を用いた第３サンプルよりも、保磁力が高くなっており、「２．５ｎｍ」の膜厚において両者間の保持力の差が、およそ「２００Ｏｅ」となっていることが分かる。
【００７１】
また、図６のグラフＧ４では、横軸に非磁性グラニュラ層の膜厚がとられ、縦軸にＭ−Ｈループの傾きがとられている。そして、このグラフＧ３上には、互いに膜厚が異なる複数の第３サンプルと、互いに膜厚が異なる複数の第４サンプルとの双方について、各膜厚に対応する保磁力を表わす点がプロットされている。そして、白丸印で示される第３サンプルのプロット点を近似的に結ぶラインＳＭＰ３＿２と、四角印で示される第４サンプルのプロット点を近似的に結ぶラインＳＭＰ４＿２とが示されている。
【００７２】
一般に、磁性体全体の磁化の大きさは、磁界中で、その磁性体を形成する磁性粒子中の磁化が各々その磁界に応じた向きに配向することで変化するが、その磁性粒子の大きさが小さいほど、単位体積当たりの磁性粒子の数が多くなることから配向し難くなる。その結果、磁性粒子の大きさが小さいほど、磁性体のＭ−Ｈループの傾きが小さくなる。
【００７３】
つまり、図６のグラフＧ４において、Ｍ−Ｈループの傾きが小さいほど、記録層のグラニュラ構造において磁性粒子の分離性が良く微細化されていることとなる。図６のグラフＧ４では、非磁性グラニュラ層の膜厚が「２．０ｎｍ」以上、かつ、「３．０ｎｍ」以下の範囲において、Ｍ−Ｈループの傾きが小さくなっており、この範囲において磁性粒子の分離性が良く微細化が高いことが分かる。
【００７４】
このことは、上述の基本形態や各応用形態に対し、
「上記非磁性グラニュラ層は、厚みが２．０ｎｍ以上、かつ、３．０ｎｍ以下である」という応用形態が好適であることを示している。
【００７５】
以上、図４から図６までを参照して説明したように、Ｃｒ２Ｏ３を、非磁性グラニュラ層における非磁性粒子の粒界に偏析させる材料として用いると、非磁性グラニュラ層の上に形成される記録層での磁性粒子どうしの磁気的な相互作用や媒体ノイズの低減等に大きな効果がある。また、このような効果は、非磁性グラニュラ層に従来通りＳｉＯ２を用いた場合と比較すると、非磁性グラニュラ層の膜厚が「２．０ｎｍ」以上、かつ、「３．０ｎｍ」以下のときが磁性粒子の分離性が良く微細化が高いことから好適であり、さらに、この膜厚がおよそ「２．５ｎｍ」のときに保磁力が最大となる。
【００７６】
そこで、図２に示す本実施形態の磁気ディスク２００では、非磁性グラニュラ層２０５の膜厚が約「２．５ｎｍ」となっている。
【００７７】
また、上述したように、本実施形態では、この非磁性グラニュラ層２０５が、Ｃｒの含有量を「３０ａｔ％」から「５０ａｔ％」までの間に調整することで非磁性となった、六方最密充填構造の結晶構造を有するＣｏＣｒの非磁性粒子を備えている。
【００７８】
本件の開発者は、非磁性グラニュラ層のＣｏＣｒにおけるＣｒの含有量が、上記の範囲内であれば同等な効果が得られることを以下の実験によって確認している。また、上述したように、六方最密充填構造の結晶構造は、面心立方格子構造の結晶構造の上にも生長するが、六方最密充填構造の結晶構造を有する磁性粒子を備えた記録層は、本実施形態の磁気ディスク２００のように、六方最密充填構造の結晶構造を有する非磁性粒子を備えた非磁性グラニュラ層の上に形成した方が好ましく、本件の開発者は、この点についても実験によって確認している。
【００７９】
この実験では、非磁性グラニュラ層のＣｐＣｒにおけるＣｒの含有量が「３０ａｔ％」から「５０ａｔ％」までの間で互いに異なる第５サンプルおよび第６サンプルと、非磁性グラニュラ層における非磁性粒子の結晶構造が面心立方格子構造となっている第７サンプルとが用意された。そして、各サンプルについて、上述の図３の例と同様に、媒体ノイズの大きさを示すＶＴＭ２Ｌと、磁気的な相互作用の大きさを示す実行トラック幅とが求められた。
【００８０】
図７は、第５サンプル、第６サンプル、および第７サンプルのＶＴＭ２Ｌと実効トラック幅とを示すグラフである。
【００８１】
尚、この図７の例では、第５サンプルの非磁性グラニュラ層の非磁性粒子は、Ｃｒの含有量が「４０ａｔ％」となっているＣｏＣｒであり、第６サンプルの非磁性グラニュラ層の非磁性粒子は、Ｃｒの含有量が「３０ａｔ％」となっているＣｏＣｒである。また、これら２種類のサンプルではいずれも、非磁性グラニュラ層におけるＣｒ２Ｏ３の含有量が「４．５ｍｏｌ％」である。
【００８２】
また、第７サンプルは、非磁性グラニュラ層の非磁性粒子として、面心立方格子構造を有するＮｉＷが使われている。
【００８３】
また、これら３種類のサンプルにおける非磁性グラニュラ層の膜厚はいずれも「２．５ｎｍ」であり、さらに、これら３種類のサンプルにおける非磁性グラニュラ層以外の構造は、いずれも図２に示す本実施形態の磁気ディスク２００と同等な構造となっている。
【００８４】
図７のグラフＧ５は、図３のグラフＧ１と同様に、横軸に実効トラック幅Ｗｃｗがとられ、縦軸にＶＴＭ２Ｌがとられている。そして、このグラフＧ５上には、第５サンプル、第６サンプル、および第７サンプルそれぞれついて、実行トラック幅ＷｃｗとＶＴＭ２Ｌとに対応する点がプロットされている。この図７のグラフＧ５では、第５サンプルのプロット点ＳＭＰ５が菱形印で示されており、第６サンプルのプロット点ＳＭＰ６が白丸印で示されており、第７サンプルのプロット点ＳＭＰ７が三角印で示されている。
【００８５】
まず、この図７のグラフＧ５では、第５サンプルのプロット点ＳＭＰ５と第６サンプルのプロット点ＳＭＰ６とは、互いにほぼ同等な位置にあることから、Ｃｒの含有量が「３０ａｔ％」から「５０ａｔ％」までの間では、磁性粒子どうしの磁気的な相互作用の抑制や媒体ノイズの低減についてほぼ同等な効果が得られることが分かる。
【００８６】
また、この図７のグラフＧ５では、非磁性グラニュラ層の非磁性粒子の結晶構造が面心立方格子構造となっている第７サンプルのプロット点ＳＭＰ７が、非磁性グラニュラ層の非磁性粒子の結晶構造が六方最密充填構造となっている他のサンプルのプロット点に比べて、右上隅側に位置している。このことから、非磁性グラニュラ層の非磁性粒子の結晶構造は、記録層の磁性粒子の結晶構造と同じ六方最密充填構造となっている方が、磁性粒子どうしの磁気的な相互作用の抑制や媒体ノイズの低減について高い効果が得られることが分かる。
【００８７】
図２に示す本実施形態の磁気ディスク２００は、このような実験結果を受けて、上述したように、Ｃｒの含有量を「３０ａｔ％」から「５０ａｔ％」までの間に調整することで非磁性となった、六方最密充填構造の結晶構造を有するＣｏＣｒの非磁性粒子を有する非磁性グラニュラ層２０５を備えている。
【００８８】
尚、上記では、上述の基本形態における非磁性グラニュラ層の一例として、実施形態ではＣｒ２Ｏ３の含有量について「１２ｍｏｌ％」以下のいずれかの値に特定せず、実験例として「８ｍｏｌ％」以下の例と「４．５ｍｏｌ％」の例とを示したが、この基本形態における非磁性グラニュラ層はこれらの実験例に限るものではなく、例えば、Ｃｒ２Ｏ３の含有量が「１２ｍｏｌ％」以下であって上記例以外の含有量となったものであっても良い。
【００８９】
また、上記では、上述の基本形態における非磁性グラニュラ層の一例として、実施形態では非磁性粒子におけるＣｒの含有量について「３０ａｔ％」から「５０ａｔ％」までの間のいずれかの値に特定せず、実験例として、Ｃｒの含有量が「４０ａｔ％」以下の例と「３０ａｔ％」の例と「４０ａｔ％」の例とを示したが、この基本形態における非磁性グラニュラ層はこれらの実験例に限るものではなく、例えば、Ｃｒの含有量が「３０ａｔ％」から「５０ａｔ％」までの間であって上記例以外の含有量となったものであっても良い。
【００９０】
また、上記では、上述の基本形態における非磁性グラニュラ層の一例として、膜厚が約「２．５ｎｍ」の非磁性グラニュラ層２０５を例示したが、この基本形態における非磁性グラニュラ層はこれに限るものではなく、例えば、膜厚がこの「２．５ｎｍ」以外の膜厚となったものであっても良い。
【００９１】
また、上記では、上述の基本形態における磁性グラニュラ層の一例として、磁性粒子がＣｏＣｒＰｔで形成され、粒界にＴｉＯ２が偏析した記録層２０６を例示したが、この基本形態における磁性グラニュラ層はこれに限るものではなく、例えば、磁性粒子がＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＰｔＣｕ、ＣｏＣｒＰｔＢ、およびＣｏＣｒＰｔＢＣｕのうちから選択された１種以上の合金で形成され、粒界にＳｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｗ、およびＮｂのうちから選択された１種以上の材料を含有する、酸化物またはチッ化物が偏析したものであっても良い。
【００９２】
また、上記では、上述の応用形態における中間層の一例として、Ｒｕで形成された中間層２０４を例示したが、この応用形態における中間層はこれに限るものではなく、例えば、ＲｕＸ２合金（ＸはＣｏ、Ｃｒ、Ｗ、またはＲｅ）を含むものであっても良い。
【００９３】
以下、上述した基本形態を含む種々の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【００９４】
（付記１）
非磁性材料からなる複数の非磁性粒子の相互間をＣｒ酸化物が隔ててグラニュラ構造を成した非磁性グラニュラ層と、
前記非磁性グラニュラ層上に形成された、磁性材料からなる複数の磁性粒子の相互間を非磁性材料が隔ててグラニュラ構造を成した磁性グラニュラ層とを備えたことを特徴とする磁気記録媒体。
【００９５】
（付記２）
前記磁性グラニュラ層は、前記磁性粒子が、前記非磁性グラニュラ層における前記非磁性粒子の上に生長したものであることを特徴とする付記１記載の磁気記録媒体。
【００９６】
（付記３）
前記非磁性グラニュラ層は、前記非磁性粒子として、六方最密充填構造でＣ軸が該非磁性グラニュラ層の厚さ方向を向いた結晶構造を有する非磁性粒子を有したものであることを特徴とする付記１記載の磁気記録媒体。
【００９７】
（付記４）
非磁性材料からなる中間層を備え、
前記非磁性グラニュラ層が、前記中間層上に形成されたものであることを特徴とする付記１又は２記載の磁気記録媒体。
【００９８】
（付記５）
前記中間層が、六方最密充填構造でＣ軸が該中間層の厚さ方向を向いた結晶構造を有する非磁性材料を含むものであることを特徴とする付記３記載の磁気記録媒体。
【００９９】
（付記６）
前記中間層が、ＲｕあるいはＲｕＸ２合金（ＸはＣｏ、Ｃｒ、Ｗ、またはＲｅ）を含むものであることを特徴とする付記３又は４記載の磁気記録媒体。
【０１００】
（付記７）
軟磁性材料からなる軟磁性裏打ち層と、
前記軟磁性裏打ち層上に形成された、面心立方格子構造の結晶構造を有する非磁性材料からなる、［１，１，１］面が表面をなす下地層とを備え、
前記中間層が、前記下地層上に形成されたものであることを特徴とする付記３から５のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【０１０１】
（付記８）
前記非磁性グラニュラ層は、厚みが２．０ｎｍ以上、かつ、３．０ｎｍ以下であることを特徴とする付記１から６のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【０１０２】
（付記９）
前記非磁性グラニュラ層は、前記非磁性粒子がＣｏＣｒで形成されたものであることを特徴とする付記１から７のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【０１０３】
（付記１０）
前記磁性グラニュラ層は、前記磁性粒子が、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＣｕ、ＣｏＣｒＰｔＢ、およびＣｏＣｒＰｔＢＣｕのうちから選択された１種以上の合金で形成されたものであり、前記非磁性材料が、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｗ、およびＮｂのうちから選択された１種以上の材料を含有する、酸化物またはチッ化物であることを特徴とする付記１から８のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【０１０４】
（付記１１）
非磁性材料からなる複数の非磁性粒子の相互間をＣｒ酸化物が隔ててグラニュラ構造を成した非磁性グラニュラ層と、
前記非磁性グラニュラ層上に形成された、磁性材料からなる複数の磁性粒子の相互間を非磁性材料が隔ててグラニュラ構造を成した磁性グラニュラ層とを備えた磁気記録媒体；および、
前記磁気記録媒体の非磁性グラニュラ層に対して情報記録を実行するヘッド
を備えたことを特徴とする情報記憶装置。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】基本形態について説明した情報記憶装置の一例であるハードディスク装置（ＨＤＤ）を示す図である。
【図２】図１に示す磁気ディスク２００の断面を模式的に示す図である。
【図３】磁性粒子どうしの磁気的な相互作用が抑制されて磁気ディスクにおける媒体ノイズが低減される様子を示す図である。
【図４】第３サンプルおよび第４サンプルのＶＴＭ２Ｌと実効トラック幅とを示すグラフである。
【図５】第３サンプルおよび第４サンプルにおける記録層の保磁力を示すグラフである。
【図６】第３サンプルおよび第４サンプルにおける記録層のＭ−Ｈループの傾きを示すグラフである。
【図７】第５サンプル、第６サンプル、および第７サンプルのＶＴＭ２Ｌと実効トラック幅とを示すグラフである。
【符号の説明】
【０１０６】
１０ ＨＤＤ
１０１ ハウジング
１０２ 回転軸
１０３ 磁気ヘッド
１０４ ヘッドジンバルアセンブリ
１０５ アーム軸
１０６ キャリッジアーム
１０７ アームアクチュエータ
２００ 磁気ディスク
２０１ ディスク基板
２０２ 軟磁性層
２０３ 下地層
２０４ 中間層
２０５ 非磁性グラニュラ層
２０６ 記録層
２０７ 保護膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性材料からなる複数の非磁性粒子の相互間をＣｒ酸化物が隔ててグラニュラ構造を成した非磁性グラニュラ層と、
前記非磁性グラニュラ層上に形成された、磁性材料からなる複数の磁性粒子の相互間を非磁性材料が隔ててグラニュラ構造を成した磁性グラニュラ層とを備えたことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記非磁性グラニュラ層は、前記非磁性粒子として、六方最密充填構造でＣ軸が該非磁性グラニュラ層の厚さ方向を向いた結晶構造を有する非磁性粒子を有したものであることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
非磁性材料からなる中間層を備え、
前記非磁性グラニュラ層が、前記中間層上に形成されたものであることを特徴とする請求項１又は２記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記中間層が、六方最密充填構造でＣ軸が該中間層の厚さ方向を向いた結晶構造を有する非磁性材料からなるものであることを特徴とする請求項３記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
軟磁性材料からなる軟磁性裏打ち層と、
前記軟磁性裏打ち層上に形成された、面心立方格子構造の結晶構造を有する非磁性材料からなる、［１，１，１］面が表面をなす下地層とを備え、
前記中間層が、前記下地層上に形成されたものであることを特徴とする請求項３または請求項４のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記非磁性グラニュラ層は、前記非磁性粒子がＣｏＣｒで形成されたものであることを特徴とする請求項１から５のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
前記磁性グラニュラ層は、前記磁性粒子が、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＣｕ、ＣｏＣｒＰｔＢ、およびＣｏＣｒＰｔＢＣｕのうちから選択された１種以上の合金で形成されたものであり、前記非磁性材料が、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｗ、およびＮｂのうちから選択された１種以上の材料を含有する、酸化物またはチッ化物であることを特徴とする請求項１から６のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
非磁性材料からなる複数の非磁性粒子の相互間をＣｒ酸化物が隔ててグラニュラ構造を成した非磁性グラニュラ層と、
前記非磁性グラニュラ層上に形成された、磁性材料からなる複数の磁性粒子の相互間を非磁性材料が隔ててグラニュラ構造を成した磁性グラニュラ層とを備えた磁気記録媒体；および、
前記磁気記録媒体の非磁性グラニュラ層に対して情報記録を実行するヘッド
を備えたことを特徴とする情報記憶装置。
【請求項１】
非磁性材料からなる複数の非磁性粒子の相互間をＣｒ酸化物が隔ててグラニュラ構造を成した非磁性グラニュラ層と、
前記非磁性グラニュラ層上に形成された、磁性材料からなる複数の磁性粒子の相互間を非磁性材料が隔ててグラニュラ構造を成した磁性グラニュラ層とを備えたことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記非磁性グラニュラ層は、前記非磁性粒子として、六方最密充填構造でＣ軸が該非磁性グラニュラ層の厚さ方向を向いた結晶構造を有する非磁性粒子を有したものであることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
非磁性材料からなる中間層を備え、
前記非磁性グラニュラ層が、前記中間層上に形成されたものであることを特徴とする請求項１又は２記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記中間層が、六方最密充填構造でＣ軸が該中間層の厚さ方向を向いた結晶構造を有する非磁性材料からなるものであることを特徴とする請求項３記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
軟磁性材料からなる軟磁性裏打ち層と、
前記軟磁性裏打ち層上に形成された、面心立方格子構造の結晶構造を有する非磁性材料からなる、［１，１，１］面が表面をなす下地層とを備え、
前記中間層が、前記下地層上に形成されたものであることを特徴とする請求項３または請求項４のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記非磁性グラニュラ層は、前記非磁性粒子がＣｏＣｒで形成されたものであることを特徴とする請求項１から５のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
前記磁性グラニュラ層は、前記磁性粒子が、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＣｕ、ＣｏＣｒＰｔＢ、およびＣｏＣｒＰｔＢＣｕのうちから選択された１種以上の合金で形成されたものであり、前記非磁性材料が、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｗ、およびＮｂのうちから選択された１種以上の材料を含有する、酸化物またはチッ化物であることを特徴とする請求項１から６のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
非磁性材料からなる複数の非磁性粒子の相互間をＣｒ酸化物が隔ててグラニュラ構造を成した非磁性グラニュラ層と、
前記非磁性グラニュラ層上に形成された、磁性材料からなる複数の磁性粒子の相互間を非磁性材料が隔ててグラニュラ構造を成した磁性グラニュラ層とを備えた磁気記録媒体；および、
前記磁気記録媒体の非磁性グラニュラ層に対して情報記録を実行するヘッド
を備えたことを特徴とする情報記憶装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１０−２０８５４（Ｐ２０１０−２０８５４Ａ）
【公開日】平成２２年１月２８日（２０１０．１．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１８１７９８（Ｐ２００８−１８１７９８）
【出願日】平成２０年７月１１日（２００８．７．１１）
【出願人】（０００００２００４）昭和電工株式会社 (3,251)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１月２８日（２０１０．１．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年７月１１日（２００８．７．１１）
【出願人】（０００００２００４）昭和電工株式会社 (3,251)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]