薄膜積層コンデンサ
【課題】 電極と誘電体が平坦状に形成できて、生産性が良好で、断線の無い薄膜積層コンデンサを提供する。
【解決手段】 本発明の薄膜積層コンデンサにおいて、絶縁基板１上と誘電体２の上面には、第１の電極３の第１の主電極部３ａと第２の電極４の第２の副電極部４ｂが存在し、また、異なる誘電体２の上面には、第１の電極３の第１の副電極部３ｂと第２の電極４の第２の主電極部４ａが存在するようにしたため、誘電体２の上面は、従来の階段状の側部を無くすることが出来て、平坦状に形成でき、その形成が容易となって、生産性の良好なもの得られると共に、誘電体２の上面への第１，第２の電極３，４の形成も容易となり、且つ、誘電体２の上面での第１，第２の電極３，４の断線の無いものが得られる。
【解決手段】 本発明の薄膜積層コンデンサにおいて、絶縁基板１上と誘電体２の上面には、第１の電極３の第１の主電極部３ａと第２の電極４の第２の副電極部４ｂが存在し、また、異なる誘電体２の上面には、第１の電極３の第１の副電極部３ｂと第２の電極４の第２の主電極部４ａが存在するようにしたため、誘電体２の上面は、従来の階段状の側部を無くすることが出来て、平坦状に形成でき、その形成が容易となって、生産性の良好なもの得られると共に、誘電体２の上面への第１，第２の電極３，４の形成も容易となり、且つ、誘電体２の上面での第１，第２の電極３，４の断線の無いものが得られる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は種々の電子機器や電子回路ユニット等に使用して好適な薄膜積層コンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
図１３は従来の薄膜積層コンデンサの断面図であり、次に、従来の薄膜積層コンデンサの構成を図１３に基づいて説明すると、ベース基板５１の上面には絶縁層５２が設けられる共に、この絶縁層５２上には、５層に積層された誘電体５３が形成され、この誘電体５３は、対向する側面側で互い違いに、上層と下層が積層されてなる階段状の側部５３ａ、５３ｂが設けられている。
【０００３】
第１の電極５４は、絶縁層５２上、及び偶数層の誘電体５３の上面に形成された第１の電極部５４ａと、この第１の電極部５４ａに繋がり、それぞれの階段状の側部５３ａ上に設けられた第１の側部電極部５４ｂと、この第１の側部電極部５４ｂに繋がった状態で、側部５３ａの側面に設けられた第１の側面電極部５４ｃを有し、第１の側面電極部５４ｃが絶縁層５２上に設けられた最下部に位置する第１の電極部５４ａに接続されている。
【０００４】
第２の電極５５は、第１の電極部５４ａに誘電体５３を介して対向し、奇数層の誘電体５３の上面に形成された第２の電極部５５ａと、この第２の電極部５５ａに繋がり、それぞれの階段状の側部５３ｂａ上に設けられた第２の側部電極部５５ｂと、この第２の側部電極部５５ｂに繋がった状態で、側部５３ｂの側面に設けられた第２の側面電極部５５ｃを有し、第２の側面電極部５５ｃが絶縁層５２上に設けられている。
【０００５】
そして、誘電体５３は、誘電体５３の上面に形成された第２の電極部５５ａの端部を順次覆う構成によって、第１の側部電極部５４ｂ側に階段状の側部５３ａが形成され、また、誘電体５３の上面に形成された第１の電極部５４ａの端部を順次覆う構成によって、第２の側部電極部５５ｂ側に階段状の側部５３ｂが形成され、しかも、積層された誘電体５３と側部５３ａ、５３ｂとの間の段差は、第１，第２の電極５４，５５の数に対応して、上部になるに従って大きくなって、従来の薄膜積層コンデンサが形成されている。（例えば、特許文献１参照）
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２３４２４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来の薄膜積層コンデンサは、第１，第２の電極５４，５５のそれぞれが異なる誘電体５３上に形成されているため、誘電体５３は、階段状の側部５３ａ、５３ｂが存在して、全体が平坦状に形成できず、その形成が面倒で、生産性が悪くなると共に、階段状の側部５３ａ、５３ｂ上への第１，第２の側部電極部５４ｂ、５５ｂの形成が面倒で、生産性が悪くなる上に、第１，第２の側部電極部５４ｂ、５５ｂが階段状の側部５３ａ、５３ｂの角部で断線が生じるという問題がある。
【０００８】
そこで、本発明は電極と誘電体が平坦状に形成できて、生産性が良好で、断線の無い薄膜積層コンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するための第１の解決手段として、絶縁基板と、この絶縁基板上に複数の層に積層され、平坦な上面を有する誘電体と、前記絶縁基板上と前記誘電体の上面に設けられ、互いに対向してコンデンサを形成する第１，第２の電極とを備え、前記第１の電極は、前記絶縁基板上と前記誘電体の上面に設けられた第１の主電極部と、この第１の主電極部と異なる前記誘電体の上面に設けられた第１の副電極部と、前記誘電体の側面に設けられ、前記第１の正、副電極部に接続された第１の側面電極部を有し、前記第２の電極は、前記第１の副電極部と同じ前記誘電体の上面に設けられ、前記第１の主電極部に対向する第２の主電極部と、前記第１の主電極部と同じ前記絶縁基板上、及び前記誘電体の上面に設けられた第２の副電極部と、前記誘電体の側面に設けられ、前記第２の正、副電極部に接続された第２の側面電極部を有し、前記第１の主電極部と前記第２の副電極部間、及び前記第１の副電極部と前記第２の主電極部間には、隙間部が設けられた構成とした。
【００１０】
また、第２の解決手段として、前記第１の主電極部と前記第２の副電極部、及び前記第１の副電極部と前記第２の主電極部は、上下方向において非対向状態にした構成とした。
また、第３の解決手段として、前記隙間部は、それぞれの前記誘電体の上面において、上下方向に対してずれた状態で設けられた構成とした。
また、第４の解決手段として、積層された前記誘電体の全体の前記側面は、前記絶縁基板に対して垂直状態に形成された構成とした。
【００１１】
また、第５の解決手段として、前記誘電体の上面に設けられた前記第１の主電極部、及び前記第１の副電極部のそれぞれの端部からは、前記誘電体の前記側面に沿って前記絶縁基板の方向に延びる電極部が設けられ、前記第１の側面電極部が前記電極部の積層によって形成されると共に、前記誘電体の上面に設けられた前記第２の主電極部、及び前記第２の副電極部のそれぞれの端部からは、前記誘電体の前記側面に沿って前記絶縁基板の方向に延びる電極部が設けられ、前記第２の側面電極部が前記電極部の積層によって形成された構成とした。
【００１２】
また、第６の解決手段として、前記第１，第２の側面電極部は、最上部に位置する前記誘電体の前記側面において、厚みが最も薄く形成されると共に、最上部の前記誘電体から前記絶縁基板上に位置する最下部の前記誘電体に行くに従って、漸次厚く形成された構成とした。
また、第７の解決手段として、前記第１，第２の電極は、最上部に位置する前記誘電体の上面に設けられた厚みがそれ以外の前記誘電体の上面に設けられたものより厚くした構成とした。
【００１３】
また、第８の解決手段として、前記絶縁基板上には、前記第１，第２の電極に接続される配線パターンを有し、前記第１，第２の電極が一直線上の位置で前記配線パターンに接続された構成とした。
また、第９の解決手段として、前記絶縁基板上には、前記第１，第２の電極に接続される配線パターンを有し、前記第１，第２の電極が互いに直交した位置で前記配線パターンに接続された構成とした。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の薄膜積層コンデンサにおいて、第１の電極は、絶縁基板上と誘電体の上面に設けられた第１の主電極部と、この第１の主電極部と異なる誘電体の上面に設けられた第１の副電極部と、誘電体の側面に設けられ、第１の正、副電極部に接続された第１の側面電極部を有し、第２の電極は、第１の副電極部と同じ誘電体の上面に設けられ、第１の主電極部に対向する第２の主電極部と、第１の主電極部と同じ絶縁基板上、及び誘電体の上面に設けられた第２の副電極部と、誘電体の側面に設けられ、第２の正、副電極部に接続された第２の側面電極部を有し、第１の主電極部と第２の副電極部間、及び第１の副電極部と第２の主電極部間には、隙間部が設けられた構成とした。
即ち、絶縁基板上と誘電体の上面には、第１，第２の電極の主電極部と副電極部が存在するようにしたため、誘電体の上面は、従来の階段状の側部を無くすることが出来て、平坦状に形成でき、その形成が容易となって、生産性の良好なもの得られると共に、誘電体の上面への第１，第２の電極の形成も容易となり、且つ、誘電体の上面での第１，第２の電極の断線の無いものが得られる。
【００１５】
また、第１の主電極部と第２の副電極部、及び第１の副電極部と第２の主電極部は、上下方向において非対向状態にしたため、主電極部のみで容量値の形成が出来て、精度の良い容量値が得られる。
【００１６】
また、隙間部は、それぞれの誘電体の上面において、上下方向に対してずれた状態で設けられたため、上下方向での隙間部の積み重ねによる誘電体の凹みが分散できて、誘電体の上面を一層平坦状に出来る。
【００１７】
また、積層された誘電体の全体の側面は、絶縁基板に対して垂直状態に形成されたため、それぞれの誘電体は、大きさを等しく、且つ、小さくできて、小型化を図ることが出来る。
【００１８】
また、誘電体の上面に設けられた第１の主電極部、及び第１の副電極部のそれぞれの端部からは、誘電体の側面に沿って絶縁基板の方向に延びる電極部が設けられ、第１の側面電極部が電極部の積層によって形成されると共に、誘電体の上面に設けられた第２の主電極部、及び第２の副電極部のそれぞれの端部からは、誘電体の側面に沿って絶縁基板の方向に延びる電極部が設けられ、第２の側面電極部が電極部の積層によって形成されたため、第１，第２の側面電極部を厚くできて、断線の無いものが得られる。
【００１９】
また、第１，第２の側面電極部は、最上部に位置する誘電体の側面において、厚みが最も薄く形成されると共に、最上部の誘電体から絶縁基板上に位置する最下部の誘電体に行くに従って、漸次厚く形成されたため、第１，第２の側面電極部を厚くできて、断線の無いものが得られる。
【００２０】
また、第１，第２の電極は、最上部に位置する誘電体の上面に設けられた厚みがそれ以外の誘電体の上面に設けられたものより厚くしたため、最上部の誘電体の側面における側面電極部を厚くできて、断線の無いものが得られる。
【００２１】
また、絶縁基板上には、第１，第２の電極に接続される配線パターンを有し、第１，第２の電極が一直線上の位置で配線パターンに接続されたため、特に、コンデンサを接続するための配線パターンが一直線上に配置されたものに好適である。
【００２２】
また、絶縁基板上には、第１，第２の電極に接続される配線パターンを有し、第１，第２の電極が互いに直交した位置で配線パターンに接続されたため、特に、コンデンサを接続するための配線パターンが直交状態に配置されたものに好適である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明の薄膜積層コンデンサの図面を説明すると、図１は本発明の薄膜積層コンデンサの第１実施例に係る断面図、図２は本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第１工程を示す説明図、図３は本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第２工程を示す説明図、図４は本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第３工程を示す説明図、図５は本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第４工程を示す説明図、図６は本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第５工程を示す説明図、図７は本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第６工程を示す説明図、図８は本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第７工程を示す説明図、図９は本発明の薄膜積層コンデンサの第２実施例に係る平面図、図１０は図９の１０−１０線における断面図、図１１は図９の１１−１１線における断面図、図１２は本発明の薄膜積層コンデンサの第３実施例に係る要部拡大断平面図である。
【００２４】
次に、本発明の薄膜積層コンデンサの構成を図１に基づいて説明すると、アルミナや低温焼成セラミック等からなる絶縁基板１上には、複数の層に積層（例えば、３層）された誘電体２が形成され、この誘電体２は、酸化シリコン等からなり、それぞれの上面が平坦状をなすと共に、積層された誘電体２の全体の側面が絶縁基板１に対して垂直状態に形成され、それぞれの誘電体２の大きさ（上面の面積）が等しく形成されている。
【００２５】
第１の電極３は、絶縁基板１上、及び偶数層の誘電体２の上面に形成された第１の主電極部３ａと、奇数層の誘電体２の上面に形成された第１の副電極部３ｂと、第１の主、副電極部３ａ、３ｂに繋がり、誘電体２の側面に設けられた第１の側面電極部３ｃを有し、絶縁基板１の上面に設けられた１層目の第１の主電極部３ａの一部は、絶縁基板１に設けられた配線パターンＰに接続される引出部となっている。
【００２６】
また、それぞれの誘電体２の上面に設けられた第１の主電極部３ａ、及び第１の副電極部３ｂのそれぞれの端部からは、誘電体２の側面に沿って絶縁基板１の方向に延びる電極部が設けられ、第１の側面電極部３ｃが電極部の積層によって形成され、また、第１の側面電極部３ｃは、最上部に位置する誘電体２の側面において、厚みが最も薄く形成されると共に、最上部の誘電体２から絶縁基板１上に位置する最下部の誘電体２に行くに従って、漸次厚く形成されている。
【００２７】
なお、この実施例では、絶縁基板１と誘電体２に形成される第１の電極３の厚みが等しいもので説明したが、第１の電極３は、最上部に位置する誘電体２の上面に設けられた厚みがそれ以外の誘電体２の上面に設けられたものより厚くしても良く、この場合、最上部の誘電体２の側面における第１の側面電極部３ｃを厚くできて、断線の無いものが得られる。
【００２８】
第２の電極４は、奇数層の誘電体２の上面に形成された第２の主電極部４ａと、絶縁基板１上、及び偶数層の誘電体２の上面に形成された第２の副電極部４ｂと、第２の主、副電極部４ａ、４ｂに繋がり、誘電体２の側面に設けられた第２の側面電極部４ｃを有し、絶縁基板１の上面に設けられた１層目の第２の副電極部４ｂの一部は、絶縁基板１に設けられた配線パターンＰに接続される引出部となっている。
【００２９】
また、それぞれの誘電体２の上面に設けられた第２の主電極部４ａ、及び第２の副電極部４ｂのそれぞれの端部からは、誘電体２の側面に沿って絶縁基板１の方向に延びる電極部が設けられ、第２の側面電極部４ｃが電極部の積層によって形成され、また、第２の側面電極部４ｃは、最上部に位置する誘電体２の側面において、厚みが最も薄く形成されると共に、最上部の誘電体２から絶縁基板１上に位置する最下部の誘電体２に行くに従って、漸次厚く形成されている。
【００３０】
なお、この実施例では、絶縁基板１と誘電体２に形成される第２の電極４の厚みが等しいもので説明したが、第２の電極４は、最上部に位置する誘電体２の上面に設けられた厚みがそれ以外の誘電体２の上面に設けられたものより厚くしても良く、この場合、最上部の誘電体２の側面における第２の側面電極部４ｃを厚くできて、断線の無いものが得られる。
【００３１】
そして、第１，第２の電極３，４が形成された際、第１の主電極部３ａと第２の副電極部４ｂ、及び第１の副電極部３ｂと第２の主電極部４ａは、同じ層に形成されると共に、第１の主電極部３ａと第２の副電極部４ｂ間、及び第１の副電極部３ｂと第２の主電極部４ａ間には、所定の幅寸法を持った隙間部Ｓが設けられ、また、第１，第２の電極３，４の第１、第２の主電極部３ａ、４ａは、誘電体２を介して互いに対向して、コンデンサ（容量）が形成されると共に、第１の主電極部３ａと第２の副電極部４ｂ、及び第１の副電極部３ｂと第２の主電極部４ａは、上下方向において非対向状態となっている。
【００３２】
この第１実施例における薄膜積層コンデンサは、第１，第２の電極３，４が一直線上に延び、この第１，第２の電極３，４が一直線上に配置された配線パターンＰに接続されて、本発明の薄膜積層コンデンサが形成されている。
【００３３】
次に、本発明の薄膜積層コンデンサの製造方法を図２〜図８に基づいて説明すると、先ず、第１工程では、図２に示すように、第１の電極３の第１の主電極部３ａと第２の電極４の第２の副電極部４ｂが隙間部Ｓを持たせた状態で、リフトオフによって絶縁基板１上に形成される。
なお、この実施例における第１，第２の電極３，４は、それぞれ２層によって形成され、例えばＴａからなる下部層と例えばＴｉからなる上部層で構成されている。
【００３４】
次に、図３の第２工程において、第１の主電極部３ａと第２の副電極部４ｂ上には、引出部となる部分を露出した状態で、ＲＥＩによって１層目の誘電体２が形成され、しかる後、図４の第３工程において、誘電体２の上面には、第１の副電極部３ｂと第２の主電極部４ａが隙間部Ｓを持たせた状態で、リフトオフによって形成されると共に、誘電体２の側面には、第１，第２の側面電極部３ｃ、４ｃを形成するための電極部がリフトオフによって形成される。
【００３５】
次に、図５の第４工程において、２層目の誘電体２が第１の副電極部３ｂと第２の主電極部４ａ上にＲＩＥによって形成され、しかる後、図６の第５工程において、２層目の誘電体２の上面には、第１の主電極部３ａと第２の副電極部４ｂが隙間部Ｓを持たせた状態で、リフトオフによって形成されると共に、１層目と２層目の誘電体２の側面には、第１，第２の側面電極部３ｃ、４ｃを形成するための電極部がリフトオフによって形成される。
その結果、１層目の誘電体２の側面には、２層の電極部が形成された状態になる。
【００３６】
次に、図７の第６工程では、３層目の誘電体２が第１の主電極部３ａと第２の副電極部４ｂ上にＲＩＥによって形成され、しかる後、図８の第７工程では、３層目の誘電体２の上面には、第１の副電極部３ｂと第２の主電極部４ａが隙間部Ｓを持たせた状態で、リフトオフによって形成されると共に、１層目から３層目の誘電体２の側面には、第１，第２の側面電極部３ｃ、４ｃを形成するための電極部がリフトオフによって形成される。
その結果、１層目の誘電体２の側面には、３層の電極部が形成され、２層目の誘電体２の側面には、２層の電極部が形成されてた状態で、第１，第２の側面電極部３ｃ、４ｃが形成されて、本発明の薄膜積層コンデンサの製造が完了する。
【００３７】
また、図９〜図１１は本発明の薄膜積層コンデンサの第２実施例を示し、この第２実施例について説明すると、第１，第２の電極３，４は、互いに直交する方向に形成され、第１の電極３の第１の主電極部３ａと第２の電極４の第２の副電極部４ｂは、絶縁基板１上、及び同じ誘電体２の上面に形成され、第１の主電極部３ａが隙間部Ｓを持って分離した２つの第２の副電極部４ｂによって挟まれた状態となり、また、第１の電極３の第１の副電極部３ｂと第２の電極４の第２の主電極部４ａは、同じ誘電体２の上面に形成され、第２の主電極部４ａが隙間部Ｓを持って分離した２つの第１の副電極部３ｂによって挟まれた状態となっている。
【００３８】
そして、第１、第２の電極３，４が互いに直交して配置された配線パターンＰに接続されて、本発明の第２実施例の薄膜積層コンデンサが形成されている。
その他の構成は、上記第１実施例と同様の構成を有し、同一部品に同一番号を付し、ここではその説明を省略する。
【００３９】
また、図１２は本発明の薄膜積層コンデンサの第３実施例を示し、この第３実施例について説明すると、隙間部Ｓは、それぞれの誘電体２の上面において、上下方向に対してずれた状態で設けられ、これによって、上下方向での隙間部Ｓの積み重ねによる誘電体２の凹みが分散できて、誘電体２の上面が平坦状に出来るようにし、また、第１，第２の電極３，４は、最上部に位置する誘電体２の上面に設けられた厚みがそれ以外の誘電体２の上面に設けられたものより厚くし、これによって、最上部の誘電体２の側面における側面電極部３ｃ、４ｃを厚くできて、断線の無いものが得られるようにしたものである。
その他の構成は、上記第１実施例と同様の構成を有し、同一部品に同一番号を付し、ここではその説明を省略する。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の薄膜積層コンデンサの第１実施例に係る断面図。
【図２】本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第１工程を示す説明図。
【図３】本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第２工程を示す説明図。
【図４】本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第３工程を示す説明図。
【図５】本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第４工程を示す説明図。
【図６】本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第５工程を示す説明図。
【図７】本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第６工程を示す説明図。
【図８】本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第７工程を示す説明図。
【図９】本発明の薄膜積層コンデンサの第２実施例に係る平面図。
【図１０】図９の１０−１０線における断面図。
【図１１】図９の１１−１１線における断面図。
【図１２】本発明の薄膜積層コンデンサの第３実施例に係る要部拡大断面図。
【図１３】従来の薄膜積層コンデンサの断面図。
【符号の説明】
【００４１】
１：絶縁基板
２：誘電体
３：第１の電極
３ａ：第１の主電極部
３ｂ：第１の副電極部
３ｃ：第１の側面電極部
４：第２の電極
４ａ：第２の主電極部
４ｂ：第２の副電極部
４ｃ：第２の側面電極部
Ｐ：配線パターン
Ｓ：隙間部
【技術分野】
【０００１】
本発明は種々の電子機器や電子回路ユニット等に使用して好適な薄膜積層コンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
図１３は従来の薄膜積層コンデンサの断面図であり、次に、従来の薄膜積層コンデンサの構成を図１３に基づいて説明すると、ベース基板５１の上面には絶縁層５２が設けられる共に、この絶縁層５２上には、５層に積層された誘電体５３が形成され、この誘電体５３は、対向する側面側で互い違いに、上層と下層が積層されてなる階段状の側部５３ａ、５３ｂが設けられている。
【０００３】
第１の電極５４は、絶縁層５２上、及び偶数層の誘電体５３の上面に形成された第１の電極部５４ａと、この第１の電極部５４ａに繋がり、それぞれの階段状の側部５３ａ上に設けられた第１の側部電極部５４ｂと、この第１の側部電極部５４ｂに繋がった状態で、側部５３ａの側面に設けられた第１の側面電極部５４ｃを有し、第１の側面電極部５４ｃが絶縁層５２上に設けられた最下部に位置する第１の電極部５４ａに接続されている。
【０００４】
第２の電極５５は、第１の電極部５４ａに誘電体５３を介して対向し、奇数層の誘電体５３の上面に形成された第２の電極部５５ａと、この第２の電極部５５ａに繋がり、それぞれの階段状の側部５３ｂａ上に設けられた第２の側部電極部５５ｂと、この第２の側部電極部５５ｂに繋がった状態で、側部５３ｂの側面に設けられた第２の側面電極部５５ｃを有し、第２の側面電極部５５ｃが絶縁層５２上に設けられている。
【０００５】
そして、誘電体５３は、誘電体５３の上面に形成された第２の電極部５５ａの端部を順次覆う構成によって、第１の側部電極部５４ｂ側に階段状の側部５３ａが形成され、また、誘電体５３の上面に形成された第１の電極部５４ａの端部を順次覆う構成によって、第２の側部電極部５５ｂ側に階段状の側部５３ｂが形成され、しかも、積層された誘電体５３と側部５３ａ、５３ｂとの間の段差は、第１，第２の電極５４，５５の数に対応して、上部になるに従って大きくなって、従来の薄膜積層コンデンサが形成されている。（例えば、特許文献１参照）
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２３４２４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来の薄膜積層コンデンサは、第１，第２の電極５４，５５のそれぞれが異なる誘電体５３上に形成されているため、誘電体５３は、階段状の側部５３ａ、５３ｂが存在して、全体が平坦状に形成できず、その形成が面倒で、生産性が悪くなると共に、階段状の側部５３ａ、５３ｂ上への第１，第２の側部電極部５４ｂ、５５ｂの形成が面倒で、生産性が悪くなる上に、第１，第２の側部電極部５４ｂ、５５ｂが階段状の側部５３ａ、５３ｂの角部で断線が生じるという問題がある。
【０００８】
そこで、本発明は電極と誘電体が平坦状に形成できて、生産性が良好で、断線の無い薄膜積層コンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するための第１の解決手段として、絶縁基板と、この絶縁基板上に複数の層に積層され、平坦な上面を有する誘電体と、前記絶縁基板上と前記誘電体の上面に設けられ、互いに対向してコンデンサを形成する第１，第２の電極とを備え、前記第１の電極は、前記絶縁基板上と前記誘電体の上面に設けられた第１の主電極部と、この第１の主電極部と異なる前記誘電体の上面に設けられた第１の副電極部と、前記誘電体の側面に設けられ、前記第１の正、副電極部に接続された第１の側面電極部を有し、前記第２の電極は、前記第１の副電極部と同じ前記誘電体の上面に設けられ、前記第１の主電極部に対向する第２の主電極部と、前記第１の主電極部と同じ前記絶縁基板上、及び前記誘電体の上面に設けられた第２の副電極部と、前記誘電体の側面に設けられ、前記第２の正、副電極部に接続された第２の側面電極部を有し、前記第１の主電極部と前記第２の副電極部間、及び前記第１の副電極部と前記第２の主電極部間には、隙間部が設けられた構成とした。
【００１０】
また、第２の解決手段として、前記第１の主電極部と前記第２の副電極部、及び前記第１の副電極部と前記第２の主電極部は、上下方向において非対向状態にした構成とした。
また、第３の解決手段として、前記隙間部は、それぞれの前記誘電体の上面において、上下方向に対してずれた状態で設けられた構成とした。
また、第４の解決手段として、積層された前記誘電体の全体の前記側面は、前記絶縁基板に対して垂直状態に形成された構成とした。
【００１１】
また、第５の解決手段として、前記誘電体の上面に設けられた前記第１の主電極部、及び前記第１の副電極部のそれぞれの端部からは、前記誘電体の前記側面に沿って前記絶縁基板の方向に延びる電極部が設けられ、前記第１の側面電極部が前記電極部の積層によって形成されると共に、前記誘電体の上面に設けられた前記第２の主電極部、及び前記第２の副電極部のそれぞれの端部からは、前記誘電体の前記側面に沿って前記絶縁基板の方向に延びる電極部が設けられ、前記第２の側面電極部が前記電極部の積層によって形成された構成とした。
【００１２】
また、第６の解決手段として、前記第１，第２の側面電極部は、最上部に位置する前記誘電体の前記側面において、厚みが最も薄く形成されると共に、最上部の前記誘電体から前記絶縁基板上に位置する最下部の前記誘電体に行くに従って、漸次厚く形成された構成とした。
また、第７の解決手段として、前記第１，第２の電極は、最上部に位置する前記誘電体の上面に設けられた厚みがそれ以外の前記誘電体の上面に設けられたものより厚くした構成とした。
【００１３】
また、第８の解決手段として、前記絶縁基板上には、前記第１，第２の電極に接続される配線パターンを有し、前記第１，第２の電極が一直線上の位置で前記配線パターンに接続された構成とした。
また、第９の解決手段として、前記絶縁基板上には、前記第１，第２の電極に接続される配線パターンを有し、前記第１，第２の電極が互いに直交した位置で前記配線パターンに接続された構成とした。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の薄膜積層コンデンサにおいて、第１の電極は、絶縁基板上と誘電体の上面に設けられた第１の主電極部と、この第１の主電極部と異なる誘電体の上面に設けられた第１の副電極部と、誘電体の側面に設けられ、第１の正、副電極部に接続された第１の側面電極部を有し、第２の電極は、第１の副電極部と同じ誘電体の上面に設けられ、第１の主電極部に対向する第２の主電極部と、第１の主電極部と同じ絶縁基板上、及び誘電体の上面に設けられた第２の副電極部と、誘電体の側面に設けられ、第２の正、副電極部に接続された第２の側面電極部を有し、第１の主電極部と第２の副電極部間、及び第１の副電極部と第２の主電極部間には、隙間部が設けられた構成とした。
即ち、絶縁基板上と誘電体の上面には、第１，第２の電極の主電極部と副電極部が存在するようにしたため、誘電体の上面は、従来の階段状の側部を無くすることが出来て、平坦状に形成でき、その形成が容易となって、生産性の良好なもの得られると共に、誘電体の上面への第１，第２の電極の形成も容易となり、且つ、誘電体の上面での第１，第２の電極の断線の無いものが得られる。
【００１５】
また、第１の主電極部と第２の副電極部、及び第１の副電極部と第２の主電極部は、上下方向において非対向状態にしたため、主電極部のみで容量値の形成が出来て、精度の良い容量値が得られる。
【００１６】
また、隙間部は、それぞれの誘電体の上面において、上下方向に対してずれた状態で設けられたため、上下方向での隙間部の積み重ねによる誘電体の凹みが分散できて、誘電体の上面を一層平坦状に出来る。
【００１７】
また、積層された誘電体の全体の側面は、絶縁基板に対して垂直状態に形成されたため、それぞれの誘電体は、大きさを等しく、且つ、小さくできて、小型化を図ることが出来る。
【００１８】
また、誘電体の上面に設けられた第１の主電極部、及び第１の副電極部のそれぞれの端部からは、誘電体の側面に沿って絶縁基板の方向に延びる電極部が設けられ、第１の側面電極部が電極部の積層によって形成されると共に、誘電体の上面に設けられた第２の主電極部、及び第２の副電極部のそれぞれの端部からは、誘電体の側面に沿って絶縁基板の方向に延びる電極部が設けられ、第２の側面電極部が電極部の積層によって形成されたため、第１，第２の側面電極部を厚くできて、断線の無いものが得られる。
【００１９】
また、第１，第２の側面電極部は、最上部に位置する誘電体の側面において、厚みが最も薄く形成されると共に、最上部の誘電体から絶縁基板上に位置する最下部の誘電体に行くに従って、漸次厚く形成されたため、第１，第２の側面電極部を厚くできて、断線の無いものが得られる。
【００２０】
また、第１，第２の電極は、最上部に位置する誘電体の上面に設けられた厚みがそれ以外の誘電体の上面に設けられたものより厚くしたため、最上部の誘電体の側面における側面電極部を厚くできて、断線の無いものが得られる。
【００２１】
また、絶縁基板上には、第１，第２の電極に接続される配線パターンを有し、第１，第２の電極が一直線上の位置で配線パターンに接続されたため、特に、コンデンサを接続するための配線パターンが一直線上に配置されたものに好適である。
【００２２】
また、絶縁基板上には、第１，第２の電極に接続される配線パターンを有し、第１，第２の電極が互いに直交した位置で配線パターンに接続されたため、特に、コンデンサを接続するための配線パターンが直交状態に配置されたものに好適である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明の薄膜積層コンデンサの図面を説明すると、図１は本発明の薄膜積層コンデンサの第１実施例に係る断面図、図２は本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第１工程を示す説明図、図３は本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第２工程を示す説明図、図４は本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第３工程を示す説明図、図５は本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第４工程を示す説明図、図６は本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第５工程を示す説明図、図７は本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第６工程を示す説明図、図８は本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第７工程を示す説明図、図９は本発明の薄膜積層コンデンサの第２実施例に係る平面図、図１０は図９の１０−１０線における断面図、図１１は図９の１１−１１線における断面図、図１２は本発明の薄膜積層コンデンサの第３実施例に係る要部拡大断平面図である。
【００２４】
次に、本発明の薄膜積層コンデンサの構成を図１に基づいて説明すると、アルミナや低温焼成セラミック等からなる絶縁基板１上には、複数の層に積層（例えば、３層）された誘電体２が形成され、この誘電体２は、酸化シリコン等からなり、それぞれの上面が平坦状をなすと共に、積層された誘電体２の全体の側面が絶縁基板１に対して垂直状態に形成され、それぞれの誘電体２の大きさ（上面の面積）が等しく形成されている。
【００２５】
第１の電極３は、絶縁基板１上、及び偶数層の誘電体２の上面に形成された第１の主電極部３ａと、奇数層の誘電体２の上面に形成された第１の副電極部３ｂと、第１の主、副電極部３ａ、３ｂに繋がり、誘電体２の側面に設けられた第１の側面電極部３ｃを有し、絶縁基板１の上面に設けられた１層目の第１の主電極部３ａの一部は、絶縁基板１に設けられた配線パターンＰに接続される引出部となっている。
【００２６】
また、それぞれの誘電体２の上面に設けられた第１の主電極部３ａ、及び第１の副電極部３ｂのそれぞれの端部からは、誘電体２の側面に沿って絶縁基板１の方向に延びる電極部が設けられ、第１の側面電極部３ｃが電極部の積層によって形成され、また、第１の側面電極部３ｃは、最上部に位置する誘電体２の側面において、厚みが最も薄く形成されると共に、最上部の誘電体２から絶縁基板１上に位置する最下部の誘電体２に行くに従って、漸次厚く形成されている。
【００２７】
なお、この実施例では、絶縁基板１と誘電体２に形成される第１の電極３の厚みが等しいもので説明したが、第１の電極３は、最上部に位置する誘電体２の上面に設けられた厚みがそれ以外の誘電体２の上面に設けられたものより厚くしても良く、この場合、最上部の誘電体２の側面における第１の側面電極部３ｃを厚くできて、断線の無いものが得られる。
【００２８】
第２の電極４は、奇数層の誘電体２の上面に形成された第２の主電極部４ａと、絶縁基板１上、及び偶数層の誘電体２の上面に形成された第２の副電極部４ｂと、第２の主、副電極部４ａ、４ｂに繋がり、誘電体２の側面に設けられた第２の側面電極部４ｃを有し、絶縁基板１の上面に設けられた１層目の第２の副電極部４ｂの一部は、絶縁基板１に設けられた配線パターンＰに接続される引出部となっている。
【００２９】
また、それぞれの誘電体２の上面に設けられた第２の主電極部４ａ、及び第２の副電極部４ｂのそれぞれの端部からは、誘電体２の側面に沿って絶縁基板１の方向に延びる電極部が設けられ、第２の側面電極部４ｃが電極部の積層によって形成され、また、第２の側面電極部４ｃは、最上部に位置する誘電体２の側面において、厚みが最も薄く形成されると共に、最上部の誘電体２から絶縁基板１上に位置する最下部の誘電体２に行くに従って、漸次厚く形成されている。
【００３０】
なお、この実施例では、絶縁基板１と誘電体２に形成される第２の電極４の厚みが等しいもので説明したが、第２の電極４は、最上部に位置する誘電体２の上面に設けられた厚みがそれ以外の誘電体２の上面に設けられたものより厚くしても良く、この場合、最上部の誘電体２の側面における第２の側面電極部４ｃを厚くできて、断線の無いものが得られる。
【００３１】
そして、第１，第２の電極３，４が形成された際、第１の主電極部３ａと第２の副電極部４ｂ、及び第１の副電極部３ｂと第２の主電極部４ａは、同じ層に形成されると共に、第１の主電極部３ａと第２の副電極部４ｂ間、及び第１の副電極部３ｂと第２の主電極部４ａ間には、所定の幅寸法を持った隙間部Ｓが設けられ、また、第１，第２の電極３，４の第１、第２の主電極部３ａ、４ａは、誘電体２を介して互いに対向して、コンデンサ（容量）が形成されると共に、第１の主電極部３ａと第２の副電極部４ｂ、及び第１の副電極部３ｂと第２の主電極部４ａは、上下方向において非対向状態となっている。
【００３２】
この第１実施例における薄膜積層コンデンサは、第１，第２の電極３，４が一直線上に延び、この第１，第２の電極３，４が一直線上に配置された配線パターンＰに接続されて、本発明の薄膜積層コンデンサが形成されている。
【００３３】
次に、本発明の薄膜積層コンデンサの製造方法を図２〜図８に基づいて説明すると、先ず、第１工程では、図２に示すように、第１の電極３の第１の主電極部３ａと第２の電極４の第２の副電極部４ｂが隙間部Ｓを持たせた状態で、リフトオフによって絶縁基板１上に形成される。
なお、この実施例における第１，第２の電極３，４は、それぞれ２層によって形成され、例えばＴａからなる下部層と例えばＴｉからなる上部層で構成されている。
【００３４】
次に、図３の第２工程において、第１の主電極部３ａと第２の副電極部４ｂ上には、引出部となる部分を露出した状態で、ＲＥＩによって１層目の誘電体２が形成され、しかる後、図４の第３工程において、誘電体２の上面には、第１の副電極部３ｂと第２の主電極部４ａが隙間部Ｓを持たせた状態で、リフトオフによって形成されると共に、誘電体２の側面には、第１，第２の側面電極部３ｃ、４ｃを形成するための電極部がリフトオフによって形成される。
【００３５】
次に、図５の第４工程において、２層目の誘電体２が第１の副電極部３ｂと第２の主電極部４ａ上にＲＩＥによって形成され、しかる後、図６の第５工程において、２層目の誘電体２の上面には、第１の主電極部３ａと第２の副電極部４ｂが隙間部Ｓを持たせた状態で、リフトオフによって形成されると共に、１層目と２層目の誘電体２の側面には、第１，第２の側面電極部３ｃ、４ｃを形成するための電極部がリフトオフによって形成される。
その結果、１層目の誘電体２の側面には、２層の電極部が形成された状態になる。
【００３６】
次に、図７の第６工程では、３層目の誘電体２が第１の主電極部３ａと第２の副電極部４ｂ上にＲＩＥによって形成され、しかる後、図８の第７工程では、３層目の誘電体２の上面には、第１の副電極部３ｂと第２の主電極部４ａが隙間部Ｓを持たせた状態で、リフトオフによって形成されると共に、１層目から３層目の誘電体２の側面には、第１，第２の側面電極部３ｃ、４ｃを形成するための電極部がリフトオフによって形成される。
その結果、１層目の誘電体２の側面には、３層の電極部が形成され、２層目の誘電体２の側面には、２層の電極部が形成されてた状態で、第１，第２の側面電極部３ｃ、４ｃが形成されて、本発明の薄膜積層コンデンサの製造が完了する。
【００３７】
また、図９〜図１１は本発明の薄膜積層コンデンサの第２実施例を示し、この第２実施例について説明すると、第１，第２の電極３，４は、互いに直交する方向に形成され、第１の電極３の第１の主電極部３ａと第２の電極４の第２の副電極部４ｂは、絶縁基板１上、及び同じ誘電体２の上面に形成され、第１の主電極部３ａが隙間部Ｓを持って分離した２つの第２の副電極部４ｂによって挟まれた状態となり、また、第１の電極３の第１の副電極部３ｂと第２の電極４の第２の主電極部４ａは、同じ誘電体２の上面に形成され、第２の主電極部４ａが隙間部Ｓを持って分離した２つの第１の副電極部３ｂによって挟まれた状態となっている。
【００３８】
そして、第１、第２の電極３，４が互いに直交して配置された配線パターンＰに接続されて、本発明の第２実施例の薄膜積層コンデンサが形成されている。
その他の構成は、上記第１実施例と同様の構成を有し、同一部品に同一番号を付し、ここではその説明を省略する。
【００３９】
また、図１２は本発明の薄膜積層コンデンサの第３実施例を示し、この第３実施例について説明すると、隙間部Ｓは、それぞれの誘電体２の上面において、上下方向に対してずれた状態で設けられ、これによって、上下方向での隙間部Ｓの積み重ねによる誘電体２の凹みが分散できて、誘電体２の上面が平坦状に出来るようにし、また、第１，第２の電極３，４は、最上部に位置する誘電体２の上面に設けられた厚みがそれ以外の誘電体２の上面に設けられたものより厚くし、これによって、最上部の誘電体２の側面における側面電極部３ｃ、４ｃを厚くできて、断線の無いものが得られるようにしたものである。
その他の構成は、上記第１実施例と同様の構成を有し、同一部品に同一番号を付し、ここではその説明を省略する。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の薄膜積層コンデンサの第１実施例に係る断面図。
【図２】本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第１工程を示す説明図。
【図３】本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第２工程を示す説明図。
【図４】本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第３工程を示す説明図。
【図５】本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第４工程を示す説明図。
【図６】本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第５工程を示す説明図。
【図７】本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第６工程を示す説明図。
【図８】本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第７工程を示す説明図。
【図９】本発明の薄膜積層コンデンサの第２実施例に係る平面図。
【図１０】図９の１０−１０線における断面図。
【図１１】図９の１１−１１線における断面図。
【図１２】本発明の薄膜積層コンデンサの第３実施例に係る要部拡大断面図。
【図１３】従来の薄膜積層コンデンサの断面図。
【符号の説明】
【００４１】
１：絶縁基板
２：誘電体
３：第１の電極
３ａ：第１の主電極部
３ｂ：第１の副電極部
３ｃ：第１の側面電極部
４：第２の電極
４ａ：第２の主電極部
４ｂ：第２の副電極部
４ｃ：第２の側面電極部
Ｐ：配線パターン
Ｓ：隙間部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、この絶縁基板上に複数の層に積層され、平坦な上面を有する誘電体と、前記絶縁基板上と前記誘電体の上面に設けられ、互いに対向してコンデンサを形成する第１，第２の電極とを備え、前記第１の電極は、前記絶縁基板上と前記誘電体の上面に設けられた第１の主電極部と、この第１の主電極部と異なる前記誘電体の上面に設けられた第１の副電極部と、前記誘電体の側面に設けられ、前記第１の正、副電極部に接続された第１の側面電極部を有し、前記第２の電極は、前記第１の副電極部と同じ前記誘電体の上面に設けられ、前記第１の主電極部に対向する第２の主電極部と、前記第１の主電極部と同じ前記絶縁基板上、及び前記誘電体の上面に設けられた第２の副電極部と、前記誘電体の側面に設けられ、前記第２の正、副電極部に接続された第２の側面電極部を有し、前記第１の主電極部と前記第２の副電極部間、及び前記第１の副電極部と前記第２の主電極部間には、隙間部が設けられたことを特徴とする薄膜積層コンデンサ。
【請求項２】
前記第１の主電極部と前記第２の副電極部、及び前記第１の副電極部と前記第２の主電極部は、上下方向において非対向状態にしたことを特徴とする請求項１記載の薄膜積層コンデンサ。
【請求項３】
前記隙間部は、それぞれの前記誘電体の上面において、上下方向に対してずれた状態で設けられたことを特徴とする請求項１、又は２記載の薄膜積層コンデンサ。
【請求項４】
積層された前記誘電体の全体の前記側面は、前記絶縁基板に対して垂直状態に形成されたことを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の薄膜積層コンデンサ。
【請求項５】
前記誘電体の上面に設けられた前記第１の主電極部、及び前記第１の副電極部のそれぞれの端部からは、前記誘電体の前記側面に沿って前記絶縁基板の方向に延びる電極部が設けられ、前記第１の側面電極部が前記電極部の積層によって形成されると共に、前記誘電体の上面に設けられた前記第２の主電極部、及び前記第２の副電極部のそれぞれの端部からは、前記誘電体の前記側面に沿って前記絶縁基板の方向に延びる電極部が設けられ、前記第２の側面電極部が前記電極部の積層によって形成されたことを特徴とする請求項１から４の何れかに記載の薄膜積層コンデンサ。
【請求項６】
前記第１，第２の側面電極部は、最上部に位置する前記誘電体の前記側面において、厚みが最も薄く形成されると共に、最上部の前記誘電体から前記絶縁基板上に位置する最下部の前記誘電体に行くに従って、漸次厚く形成されたことを特徴とする請求項１から５の何れかに記載の薄膜積層コンデンサ。
【請求項７】
前記第１，第２の電極は、最上部に位置する前記誘電体の上面に設けられた厚みがそれ以外の前記誘電体の上面に設けられたものより厚くしたことを特徴とする請求項１から６の何れかに記載の薄膜積層コンデンサ。
【請求項８】
前記絶縁基板上には、前記第１，第２の電極に接続される配線パターンを有し、前記第１，第２の電極が一直線上の位置で前記配線パターンに接続されたことを特徴とする請求項１から７の何れかに記載の薄膜積層コンデンサ。
【請求項９】
前記絶縁基板上には、前記第１，第２の電極に接続される配線パターンを有し、前記第１，第２の電極が互いに直交した位置で前記配線パターンに接続されたことを特徴とする請求項１から７の何れかに記載の薄膜積層コンデンサ。
【請求項１】
絶縁基板と、この絶縁基板上に複数の層に積層され、平坦な上面を有する誘電体と、前記絶縁基板上と前記誘電体の上面に設けられ、互いに対向してコンデンサを形成する第１，第２の電極とを備え、前記第１の電極は、前記絶縁基板上と前記誘電体の上面に設けられた第１の主電極部と、この第１の主電極部と異なる前記誘電体の上面に設けられた第１の副電極部と、前記誘電体の側面に設けられ、前記第１の正、副電極部に接続された第１の側面電極部を有し、前記第２の電極は、前記第１の副電極部と同じ前記誘電体の上面に設けられ、前記第１の主電極部に対向する第２の主電極部と、前記第１の主電極部と同じ前記絶縁基板上、及び前記誘電体の上面に設けられた第２の副電極部と、前記誘電体の側面に設けられ、前記第２の正、副電極部に接続された第２の側面電極部を有し、前記第１の主電極部と前記第２の副電極部間、及び前記第１の副電極部と前記第２の主電極部間には、隙間部が設けられたことを特徴とする薄膜積層コンデンサ。
【請求項２】
前記第１の主電極部と前記第２の副電極部、及び前記第１の副電極部と前記第２の主電極部は、上下方向において非対向状態にしたことを特徴とする請求項１記載の薄膜積層コンデンサ。
【請求項３】
前記隙間部は、それぞれの前記誘電体の上面において、上下方向に対してずれた状態で設けられたことを特徴とする請求項１、又は２記載の薄膜積層コンデンサ。
【請求項４】
積層された前記誘電体の全体の前記側面は、前記絶縁基板に対して垂直状態に形成されたことを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の薄膜積層コンデンサ。
【請求項５】
前記誘電体の上面に設けられた前記第１の主電極部、及び前記第１の副電極部のそれぞれの端部からは、前記誘電体の前記側面に沿って前記絶縁基板の方向に延びる電極部が設けられ、前記第１の側面電極部が前記電極部の積層によって形成されると共に、前記誘電体の上面に設けられた前記第２の主電極部、及び前記第２の副電極部のそれぞれの端部からは、前記誘電体の前記側面に沿って前記絶縁基板の方向に延びる電極部が設けられ、前記第２の側面電極部が前記電極部の積層によって形成されたことを特徴とする請求項１から４の何れかに記載の薄膜積層コンデンサ。
【請求項６】
前記第１，第２の側面電極部は、最上部に位置する前記誘電体の前記側面において、厚みが最も薄く形成されると共に、最上部の前記誘電体から前記絶縁基板上に位置する最下部の前記誘電体に行くに従って、漸次厚く形成されたことを特徴とする請求項１から５の何れかに記載の薄膜積層コンデンサ。
【請求項７】
前記第１，第２の電極は、最上部に位置する前記誘電体の上面に設けられた厚みがそれ以外の前記誘電体の上面に設けられたものより厚くしたことを特徴とする請求項１から６の何れかに記載の薄膜積層コンデンサ。
【請求項８】
前記絶縁基板上には、前記第１，第２の電極に接続される配線パターンを有し、前記第１，第２の電極が一直線上の位置で前記配線パターンに接続されたことを特徴とする請求項１から７の何れかに記載の薄膜積層コンデンサ。
【請求項９】
前記絶縁基板上には、前記第１，第２の電極に接続される配線パターンを有し、前記第１，第２の電極が互いに直交した位置で前記配線パターンに接続されたことを特徴とする請求項１から７の何れかに記載の薄膜積層コンデンサ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２００６−３１９２８４（Ｐ２００６−３１９２８４Ａ）
【公開日】平成１８年１１月２４日（２００６．１１．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−１４３１４１（Ｐ２００５−１４３１４１）
【出願日】平成１７年５月１６日（２００５．５．１６）
【出願人】（００００１００９８）アルプス電気株式会社 (4,263)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１１月２４日（２００６．１１．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年５月１６日（２００５．５．１６）
【出願人】（００００１００９８）アルプス電気株式会社 (4,263)
【Ｆターム（参考）】
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