表示装置及びその製造方法
【課題】隣接する表示画素間で混色を生じることなく、良好な発光機能層（有機ＥＬ層）が形成された表示パネルを備えた表示装置、及び、当該表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１１上に配列される各表示画素ＰＩＸの画素形成領域Ｒpxを画定するためのバンク１８は、少なくとも共通電圧ラインＬｃとなる金属層（主配線層１８ｃ）を含む導電性バンク部を備えた構造を有し、当該金属層の上面１８upが撥液化され、各画素形成領域Ｒpxに露出する画素電極と金属層の側面１８sdが親液化された状態で、有機ＥＬ層１６を形成するための有機化合物含有液を塗布し、加熱乾燥させる。
【解決手段】絶縁性基板１１上に配列される各表示画素ＰＩＸの画素形成領域Ｒpxを画定するためのバンク１８は、少なくとも共通電圧ラインＬｃとなる金属層（主配線層１８ｃ）を含む導電性バンク部を備えた構造を有し、当該金属層の上面１８upが撥液化され、各画素形成領域Ｒpxに露出する画素電極と金属層の側面１８sdが親液化された状態で、有機ＥＬ層１６を形成するための有機化合物含有液を塗布し、加熱乾燥させる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその製造方法に関し、特に、発光機能材料を有する液状材料を塗布することにより発光機能層が形成される発光素子を有する複数の表示画素を、二次元配列した表示パネルを備えた表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や携帯音楽プレーヤ等の電子機器の表示デバイスとして、自発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略記する）を２次元配列した表示パネル（有機ＥＬ表示パネル）を適用したものが知られている。特に、アクティブマトリックス駆動方式を適用した有機ＥＬ表示パネルにおいては、広く普及している液晶表示装置に比較して、表示応答速度が速く、視野角依存性も小さく、液晶表示装置のようにバックライトを必要としない等の利点を有している。そのため、今後様々な電子機器への適用が期待されている。
【０００３】
ここで、有機ＥＬ素子は、周知のように例えば、概略、基板等の一面側に、アノード（陽極）電極と、有機ＥＬ層（発光機能層）と、カソード（陰極）電極と、を順次積層した素子構造を有し、アノード電極に正電圧、カソード電極に負電圧を印加することにより、有機ＥＬ層内で注入されたホールと電子が再結合する際に生じるエネルギーに基づいて光（励起光）が放射されるものであるが、有機ＥＬ層となる担体輸送層を形成する有機材料（正孔輸送材料や電子輸送材料）に応じて、低分子系と高分子系の有機ＥＬ素子に大別することができる。
【０００４】
低分子系の有機材料を適用した有機ＥＬ素子の場合、一般に、製造プロセスにおいて蒸着法を適用する必要があるため、画素形成領域のアノード電極上にのみ当該低分子系の有機膜を選択的に薄膜形成する際に、上記アノード電極以外の領域への低分子材料の蒸着を防止するためのメタルマスクを用いており、当該マスクの表面にも低分子材料が付着することになるため、製造時の材料ロスが大きいうえ、フォレジストマスクに比べて高精細化が困難であるという問題を有している。
【０００５】
一方、高分子系の有機材料を適用した有機ＥＬ素子の場合には、湿式成膜法としてインクジェット法（液滴吐出法）やノズルプリント法（液流吐出法）等を適用することができるので、アノード電極上、又は、アノード電極を含む特定の領域にのみ選択的に上記有機材料の溶液を塗布することができ、材料ロスが少なく、メタルマスクを用いる必要がないので高精細化できるという利点を有している。
【０００６】
そして、このような高分子系の有機ＥＬ表示パネルにおいては、基板上に配列される各表示画素の形成領域（画素形成領域）を画定するとともに、高分子系有機材料を有する液状材料を塗布する際に、隣接する画素形成領域に異なる色の発光材料が混入して表示画素間で発光色の混合（混色）等が生じる現象を防止するために、各画素形成領域間に絶縁性基板上に突出し、連続的に形成された隔壁を設けたパネル構造を有するものが知られている。このような隔壁を備えた有機ＥＬ表示パネルについては、例えば、特許文献１等に詳しく説明されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−７６８８１号公報 （第４頁〜第７頁、図１〜図６）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述したような高分子系の有機ＥＬ素子ＥＬ表示パネルにおいては、インクジェット法やノズルプリント法等の湿式成膜法を適用して有機ＥＬ層（正孔輸送層及び電子輸送性発光層）を製造する際に、上記有機材料を有する液状材料が塗布される各画素形成領域や各表示画素（画素形成領域）間に設けられた隔壁の表面の特性（親液性や撥液性）、上記液状材料（塗布液）の溶媒成分に起因する表面張力や凝集力等の様々な要因により、隣接する画素形成領域に異なる色の発光材料が混入して表示画素間で発光色の混合（混色）が生じたり、或いは画素形成領域内に形成される有機ＥＬ層の膜厚が不均一になったりするという問題を有していた。
【０００９】
そのため、有機ＥＬ素子の発光動作時における発光開始電圧や有機ＥＬ層から放射される光の波長（すなわち、画像表示時の色度）が設計値からずれて、所望の表示画質が得られなくなったり、或いは有機ＥＬ層の膜厚の薄い領域に過大な発光駆動電流が流れることにより、表示パネル（画素形成領域）に占める発光領域の割合（いわゆる開口率）の低下や有機ＥＬ層（有機ＥＬ素子）の劣化が著しくなり表示パネルの信頼性や寿命が低下するという問題を有していた。
【００１０】
そこで、本発明は、上述した問題点に鑑み、良好な発光機能層（有機ＥＬ層）が形成された表示パネルを備えた表示装置、及び、当該表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１記載の発明は、担体輸送層を有する発光素子を含む複数の表示画素を２次元配列した表示パネルを備えた表示装置において、前記表示画素の画素形成領域を画定するための隔壁を有し、前記隔壁は、前記担体輸送層を形成するための担体輸送性材料を含む溶液に対して親液性を有する被膜が形成された側面と、前記担体輸送性材料を含む溶液に対して撥液性を有する被膜が形成された上面と、を有することを特徴とする。
請求項２記載の発明は、請求項１記載の表示装置において、前記隔壁は、少なくとも表面が金属層により形成されていることを特徴とする。
【００１２】
請求項３記載の発明は、請求項２記載の表示装置において、前記隔壁は、隣接する前記表示画素の前記画素形成領域間を絶縁する下地層と、前記金属層と、前記下地層と前記金属層との密着性を向上するための介在層と、を積層して形成されていることを特徴とする。
請求項４記載の発明は、請求項３記載の表示装置において、前記下地層は、シリコン窒化膜又はシリコン酸化膜からなり、前記金属層は、銅又はその合金を有することを特徴とする。
【００１３】
請求項５記載の発明は、請求項２乃至４のいずれかに記載の表示装置において、前記金属層は、前記撥液性を有する被膜を介して、前記担体輸送層に電圧を印加するための電極に接合されていることを特徴とする。
請求項６記載の発明は、請求項１乃至５のいずれかに記載の表示装置において、前記担体輸送性材料は高分子系の有機材料からなり、前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする。
【００１４】
請求項７記載の発明は、担体輸送層を有する発光素子を含む複数の表示画素を２次元配列した表示パネルを備えた表示装置の製造方法において、
基板上に設定された前記表示画素の画素形成領域に形成された画素電極間に第１の金属層を形成する第１の金属層形成工程と、
前記第１の金属膜上に第２の金属層を形成する第２の金属層形成工程と、
前記第１及び第２の金属層をマスクを用いてパターニングして、前記画素形成領域ごとの前記画素電極を露出させるパターニング工程と、
前記マスクを除去した後、前記画素電極の表面を、前記担体輸送層を形成するための担体輸送性材料を含む溶液に対して親液化する親液化工程と、
前記第２の金属層を除去した後、前記第１の金属層の上面を、前記担体輸送性材料を含む溶液に対して撥液化する撥液化工程と、
前記第１の金属層により画定される前記画素形成領域に前記担体輸送性材料を含む溶液を塗布、乾燥して前記画素電極上に前記担体輸送層を形成する担体輸送層形成工程と、
を含むことを特徴とする。
【００１５】
請求項８記載の発明は、請求項７記載の表示装置の製造方法において、前記親液化工程は、前記画素電極の表面とともに前記第１の金属層の側面を、前記担体輸送層を形成するための担体輸送性材料を含む溶液に対して親液化することを特徴とする。
請求項９記載の発明は、請求項７又は８記載の表示装置の製造方法において、前記親液化工程は、前記基板に対して酸素プラズマ処理又はＵＶオゾン処理を施すことを特徴とする。
【００１６】
請求項１０記載の発明は、請求項７乃至９のいずれかに記載の表示装置の製造方法において、前記撥液化工程は、トリアジンチオール化合物の溶液に前記基板を浸漬し、前記隔壁の上面に前記担体輸送性材料を含む溶液に対して撥液性を有する被膜を形成することを特徴とする。
【００１７】
請求項１１記載の発明は、請求項７乃至１０のいずれかに記載の表示装置の製造方法において、前記担体輸送層を介して前記複数の表示画素の前記画素電極に共通に対向し、かつ、前記撥液化された前記隔壁上に延在するように形成され、前記撥液性を有する被膜を介して、前記第１の金属層に電気的に接合された対向電極を形成する対向電極形成工程と、をさらに含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る表示装置及びその製造方法によれば、良好な発光機能層（担体輸送層；有機ＥＬ層）が形成された表示パネルを実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明に係る表示装置及びその製造方法について、実施の形態を示して詳しく説明する。ここで、以下に示す実施形態においては、表示画素を構成する発光素子として、上述した高分子系の有機材料を有する有機ＥＬ層を備えた有機ＥＬ素子を適用した場合について説明する。
【００２０】
（表示パネル）
まず、本発明に係る表示装置に適用される表示パネル（有機ＥＬパネル）及び表示画素について説明する。
図１は、本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの画素配列状態の一例を示す概略平面図であり、図２は、本発明に係る表示装置の表示パネルに２次元配列される各表示画素（表示素子及び画素駆動回路）の回路構成例を示す等価回路図である。なお、図１に示す平面図においては、説明の都合上、表示パネル（絶縁性基板）を視野側から見た、各表示画素（色画素）に設けられる画素電極の配置と各配線層の配設構造との関係のみを示し、各表示画素の有機ＥＬ素子（発光素子）を発光駆動するために、各表示画素に設けられる図２に示す画素駆動回路内のトランジスタ等の表示を省略した。また、図１においては、画素電極及び各配線層の配置を明瞭にするために、便宜的にハッチングを施して示した。
【００２１】
本発明に係る表示装置（表示パネル）は、図１に示すように、ガラス基板等の絶縁性基板１１の一面側に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色を有する色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂを一組として、この組が行方向（図面左右方向）に繰り返し複数配列されるとともに、列方向（図面上下方向）に同一色の色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂが複数配列されている。ここでは、隣接するＲＧＢ３色の色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂを一組として一の表示画素ＰＩＸが形成されている。
【００２２】
表示パネル１０は、絶縁性基板１１の一面側から突出し、柵状又は格子状の平面パターンを有して連続的に配設されたバンク（隔壁）１８により、列方向に配列された同一色の複数の色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、又は、ＰＸｂの画素形成領域を有する各色画素領域が画定される。また、各色画素領域に含まれる各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、又は、ＰＸｂの画素形成領域には、画素電極（例えばアノード電極）１５が形成されているとともに、上記バンク１８の配設方向に並行して列方向（図面上下方向）に信号ライン（データライン）Ｌｄが配設され、また、当該信号ラインＬｄに直交して行方向（図面左右方向）に選択ライン（走査ライン）Ｌｓおり、また供給電圧ライン（例えばアノードライン）Ｌａが、後述するトランジスタＴｒ１２のドレイン電極Ｔｒ１２ｄに接続され且つ列方向に延在するようにドレイン電極Ｔｒ１２ｄ上に設けられている。
【００２３】
また、絶縁性基板１１上に２次元配列された複数の表示画素ＰＩＸ（各画素電極１５）に対して共通に対向するように単一の平面電極（べた電極）を有する対向電極（例えばカソード電極）１７が形成されている。ここで、対向電極１７は上記バンク１８上にも延在し、バンク１８を形成する導電性バンク部（後述する主配線層１８ｃ）との間で電気的に接続されるようにすることにより、当該導電性バンク部を共通電圧ライン（例えばカソードライン）Ｌｃとして適用することができる。
【００２４】
表示画素ＰＩＸの各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂの具体的な回路構成としては、例えば図２に示すように、絶縁性基板１１上に１乃至複数のトランジスタ（例えばアモルファスシリコン薄膜トランジスタ等）を有する画素駆動回路（又は画素回路）ＤＣと、当該画素駆動回路ＤＣにより生成される発光駆動電流が、上記画素電極１５に供給されることにより発光動作する有機ＥＬ素子（発光素子）ＯＥＬと、を備えている。
【００２５】
画素駆動回路ＤＣは、例えば図２に示すように、ゲート端子が選択ラインＬｓに、ドレイン端子が表示パネル１０の列方向に配設された信号ラインＬｄに、ソース端子が接点Ｎ１１に各々接続されたトランジスタ（選択用薄膜トランジスタ）Ｔｒ１１と、ゲート端子が接点Ｎ１１に、ドレイン端子が供給電圧ラインＬａに、ソース端子が接点Ｎ１２に各々接続されたトランジスタ（発光駆動用薄膜トランジスタ）Ｔｒ１２と、を備えている。ここでは、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２はいずれもｎチャネル型の薄膜トランジスタが適用されている。
【００２６】
有機ＥＬ素子ＯＥＬは、アノード端子（アノード電極となる画素電極１５）が上記画素駆動回路ＤＣの接点Ｎ１２に接続され、カソード端子（カソード電極となる対向電極１７）が共通電圧ラインＬｃに接続されている。また、図示を省略したが、トランジスタＴｒ１２のゲート−ソース間には寄生容量、又は、付加的な補助容量が形成されている。
【００２７】
ここで、選択ラインＬｓは、例えば図示を省略した選択ドライバに接続され、所定のタイミングで表示パネル１０の行方向に配列された複数の表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）を選択状態に設定するための選択信号Ｓselが印加される。また、信号ラインＬｄは、図示を省略したデータドライバに接続され、上記表示画素ＰＩＸの選択状態に同期するタイミングで表示データに応じた階調信号Ｖpixが印加される。
【００２８】
また、供給電圧ラインＬａは、例えば所定の高電位電源に直接又は間接的に接続されて、各表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）に設けられる有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極（例えばアノード電極）１５に表示データに応じた発光駆動電流が流れるための所定の高電圧（供給電圧Ｖdd）が印加され、対向電極１７に接続された共通電圧ラインＬｃ（バンク１８の導電性バンク部）は、供給電圧ラインＬａに印加される供給電圧Ｖddよりも低い電圧、例えば所定の低電位電源に直接又は間接的に接続されて、複数の有機ＥＬ素子ＯＥＬに所定の低電圧（共通電圧Ｖcom；例えば接地電位Ｖgnd）が印加されるように設定されている。
【００２９】
そして、このような回路構成を有する表示画素ＰＩＸにおける駆動制御動作は、まず、図示を省略した選択ドライバから所定の選択ラインＬｓの選択期間に対して、選択レベル（オンレベル；例えばハイレベル）の選択信号Ｓselを当該所定の選択ラインＬｓに印加することにより、トランジスタＴｒ１１がオン動作して選択状態に設定される。このタイミングに同期して、図示を省略したデータドライバから表示データに応じた電圧値を有する階調信号Ｖpixを信号ラインＬｄに印加するように制御する。これにより、トランジスタＴｒ１１を介して、階調信号Ｖpixに応じた電位が接点Ｎ１１（すなわち、トランジスタＴｒ１２のゲート端子）に印加される。
【００３０】
このように、薄膜トランジスタＴｒ１２のドレイン電極Ｔｒ１２及び有機ＥＬ素子ＯＥＬのカソードにそれぞれ所定の電位の供給電圧Ｖdd、所定の電位の共通電圧Ｖcomが印加されている状態では、薄膜トランジスタＴｒ１２のゲート電極Ｔｒ１２ｇに印加される階調信号Ｖpix、言い換えれば薄膜トランジスタＴｒ１２のゲート−ソース間の電圧にしたがった発光駆動電流が、供給電圧ラインＬａから薄膜トランジスタＴｒ１２及び有機ＥＬ素子ＯＥＬを介して共通電圧ラインＬｃに流れ、有機ＥＬ素子ＯＥＬが階調信号Ｖpix（すなわち表示データ）に応じた階調輝度で発光動作する。また、このとき、接点Ｎ１１に印加された階調信号Ｖpixに基づいて、トランジスタＴｒ１２のゲート−ソース間の寄生容量（又は補助容量）に電荷が蓄積（充電）されることが好ましい。
【００３１】
次いで、所定の選択ラインＬｓでは、選択期間後の非選択期間になると、非選択レベル（オフレベル；例えばローレベル）の選択信号Ｓselが印加されることにより、表示画素ＰＩＸのトランジスタＴｒ１１がオフ動作して非選択状態に設定され、信号ラインＬｄと画素駆動回路ＤＣとが電気的に遮断される。このとき、上記寄生容量に蓄積された電荷が保持されることにより、トランジスタＴｒ１２では、ゲート端子に階調信号Ｖpixに相当する電圧が保持されるため、トランジスタＴｒ１２のゲート−ソース間の電圧が保持され続ける。
【００３２】
したがって、上記選択状態における発光動作と同様に、供給電圧ＶddからトランジスタＴｒ１２を介して、有機ＥＬ素子ＯＥＬに所定の発光駆動電流が流れて、発光動作状態が継続される。この発光動作状態は、次の階調信号Ｖpixが印加される（書き込まれる）まで、例えば、１フレーム期間継続するように制御される。そして、このような駆動制御動作を、表示パネル１０に２次元配列された全ての表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）について、例えば各行ごとに順次実行することにより、所望の画像情報を表示する画像表示動作を実行することができる。
【００３３】
なお、図２においては、表示画素ＰＩＸを構成する画素駆動回路ＤＣとして、階調信号Ｖpixの電圧値を調整することにより、有機ＥＬ素子ＯＥＬに流す発光駆動電流の電流値を制御して、所定の輝度階調で発光動作させる電圧階調指定方式（又は、電圧階調指定駆動）の回路構成を示したが、表示データに応じて書き込む電流値を調整することにより、有機ＥＬ素子ＯＥＬに流す発光駆動電流の電流値を制御して、電流値にしたがった所望の輝度階調で発光動作させる電流階調指定方式（又は、電流階調指定駆動）の回路構成を有するものであってもよい。
【００３４】
（表示画素のデバイス構造）
次いで、上述したような回路構成を有する表示画素（発光駆動回路及び有機ＥＬ素子）の具体的なデバイス構造（平面レイアウト及び断面構造）について説明する。ここでは、有機ＥＬ層において発光した光を、有機ＥＬ素子が設けられている基板を介すことなく視野側（封止基板側）に出射するトップエミッション型の発光構造を有する表示パネル（有機ＥＬパネル）について示すが、本発明はこれに限らず有機ＥＬ素子が設けられている基板を介して発光するボトムエミッション型の表示パネルに適用することもできる。
【００３５】
図３は、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）に適用可能な表示画素の一例を示す平面レイアウト図である。ここでは、図１に示した表示画素ＰＩＸの赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂのうちの、特定の一の色画素の平面レイアウトを示す。なお、図３においては、画素駆動回路ＤＣの各トランジスタ及び配線層等が形成された層を中心に示す。また、図４、図５は、各々、図３に示した平面レイアウトを有する表示画素ＰＩＸにおけるＡ−Ａ断面及びＢ−Ｂ断面を示す概略断面図である。
【００３６】
図２に示した表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）は、具体的には、絶縁性基板１１の一面側に設定された画素形成領域（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂにおける有機ＥＬ素子の形成領域）Ｒpxにおいて、例えば図３に示すような平面レイアウトの上方の縁辺領域に行方向（図面左右方向）に延在するように選択ラインＬｓが配設されるとともに、図示しないゲート絶縁膜を介してこれらの選択ラインＬｓに直交するように、上記平面レイアウトの左方の縁辺領域に列方向（図面上下方向）に延在するように信号ラインＬｄが配設されるとともに、平面レイアウトの右方の縁辺領域に列方向（図面上下方向）に延在するように供給電圧ラインＬａが配列されている。また、上記平面レイアウトの右方の縁辺領域には列方向に延在するようにバンク（詳しくは後述する）１８が配設されている。
【００３７】
ここで、例えば図３〜図５に示すように、選択ラインＬｓは、ゲート絶縁膜１２を介して信号ラインＬｄよりも下層側（絶縁性基板１１側）に設けられ、また、信号ラインＬｄは、供給電圧ラインＬａよりも下層側に設けられている。なお、選択ラインＬｓは、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇを形成するためのゲートメタル層をパターニングすることによって当該ゲート電極と同じ工程で形成される。また、信号ラインＬｄは、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ、ドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄを形成するためのソース、ドレインメタル層をパターニングすることによって当該ソース電極、ドレイン電極と同じ工程で形成される。
【００３８】
すなわち、表示画素ＰＩＸは、図４、図５に示すように、絶縁性基板１１上に表示画素ＰＩＸごとに設けられる画素駆動回路ＤＣ（図２参照）の複数のトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２や、選択ラインＬｓ及び信号ラインＬｄを含む各種配線層が設けられ、当該トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２及び配線層を被覆するように積層形成された保護絶縁膜１３及び平坦化膜１４を介して、その上層に、画素駆動回路ＤＣに接続されて所定の発光駆動電流が供給される画素電極（例えばアノード電極）１５、正孔輸送層１６ａ（担体輸送層）と電子輸送性発光層１６ｂ（担体輸送層）を有する有機ＥＬ層（発光機能層）１６、及び、共通電圧Ｖcomが印加される対向電極（例えばカソード電極）１７を有する有機ＥＬ素子ＯＥＬが形成されている。
【００３９】
画素駆動回路ＤＣは、より具体的には、例えば図３に示すように、図２に示したトランジスタＴｒ１１が行方向に配設された選択ラインＬｓ（又は信号ラインＬｄから行方向に突出して形成された信号配線層Ｌdx）に沿って延在するように配置され、トランジスタＴｒ１２が供給電圧ラインＬａに沿って延在するように配置されている。
【００４０】
ここで、各トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２は、周知の電界効果型の薄膜トランジスタであり、各々、絶縁性基板１１上に形成されたゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇと、ゲート絶縁膜１２を介して各ゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇに対応する領域に形成された半導体層ＳＭＣと、該半導体層ＳＭＣの両端部に延在するように形成されたソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄと、を有している。
供給電圧ラインＬａは、列方向に沿って各行ごとに配置されている複数のトランジスタＴｒ１２のドレイン電極Ｔｒ１２ｄに接続されるように、列方向に延在しながらドレイン電極Ｔｒ１２ｄ上に設けられている。
【００４１】
なお、各トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のソース電極とドレイン電極が対向する半導体層ＳＭＣ上には当該半導体層ＳＭＣへのエッチングダメージを防止するための酸化シリコン又は窒化シリコン等のブロック層ＢＬが形成され、また、ソース電極とドレイン電極が接触する半導体層ＳＭＣ上には、当該半導体層ＳＭＣとソース電極及びドレイン電極とのオーミック接続を実現するための不純物層ＯＨＭが形成されている。トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇはいずれも同一のゲートメタル層をパターニングすることによって形成されている。トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄはいずれも同一のソース、ドレインメタル層をパターニングすることによって形成されている。
【００４２】
そして、図２に示した画素駆動回路ＤＣの回路構成に対応するように、トランジスタＴｒ１１は、図３〜図５に示すように、ゲート電極Ｔｒ１１ｇが選択ラインＬｓと一体的に形成され、同ソース電極Ｔｒ１１ｓが信号ラインＬｄと一体的に形成された信号配線層Ｌdxに接続されている。
【００４３】
また、トランジスタＴｒ１２は、図３〜図５に示すように、ゲート電極Ｔｒ１２ｇがゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホール（図示を省略）を介して上記トランジスタＴｒ１１のソース電極Ｔｒ１１ｓに接続され、同ドレイン電極Ｔｒ１２ｄが上部の供給電圧ラインＬａの下に形成され、同ソース電極Ｔｒ１２ｓが保護絶縁膜１３及び平坦化膜１４に形成されたコンタクトホールＨＬａ（コンタクトメタルＭＴＬ）を介して有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極１５に接続されている。
供給電圧ラインＬａ（アノードライン）は、図３、図４に示すように、保護絶縁膜１３及び平坦化膜１４に形成された配線溝ＨＬｂに埋め込まれた厚膜配線構造を有し、上記コンタクトホールＨＬａに埋め込まれるコンタクトメタルＭＴＬと同じ工程で形成される。
【００４４】
そして、各画素形成領域Ｒpxの平坦化膜１４上には、図４、図５に示すように、例えばアノード電極となる画素電極１５、正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂを有する有機ＥＬ層１６、及び、カソード電極となる対向電極１７を順次積層した有機ＥＬ素子が設けられている。ここで、表示パネル１０（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）がトップエミッション型の発光構造を有している場合には、画素電極１５が少なくとも光反射特性を有するとともに、対向電極１７が光透過性を有している。画素電極１５は、具体的には後述する製造方法（図６〜図１０参照）において説明するように、下層側の反射金属層１５ａと上層側の透明な酸化金属層１５ｂを有する積層構造を適用することができる。
【００４５】
対向電極１７は、少なくとも各画素形成領域Ｒpxの画素電極１５に対して有機ＥＬ層１６を介して共通に対向するように、単一の平面電極（べた電極）により形成されている。
また、列方向の各画素形成領域Ｒpx間（各表示画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域相互の境界領域）には、有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域（厳密には、有機ＥＬ層１６の形成領域）を画定するためのバンク（隔壁）１８が平坦化膜１４の上面から連続的に突出して設けられている。
【００４６】
ここで、本実施形態に適用されるバンク１８は、例えば図４に示すように、表示パネル１０（絶縁性基板１１）の平坦化膜１４上に列方向に沿って形成され、各画素形成領域Ｒpxに形成される画素電極１５相互を絶縁する下地層１８ａと、該下地層１８ａ上に形成された下層側のチタン薄膜を有する密着層１８ｂ及び上層側の銅薄膜を有する主配線層１８ｃを有する導電性バンク部と、を積層した構造を有している。
【００４７】
バンク１８は、より具体的には、隣接する表示画素ＰＩＸ（画素電極１５）間の境界領域付近に露出する平坦化膜１４上から、有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極１５上に一部が延在するようにシリコン窒化膜（ＳｉＮ）やシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）等を有する下地層１８ａが設けられ、当該下地層１８ａ上に密着層１８ｂ及び主配線層１８ｃが厚さ方向に突出するように積層形成されている。密着層１８ｂは、行方向において、その幅が下地層１８ａの幅より狭く下地層１８ａの中央に配置されているので、下地層１８ａの行方向両端側の各上面が露出している。
【００４８】
特に、バンク１８を形成する導電性バンク部の上層側の主配線層１８ｃは、図１に示したように、表示パネル１０（絶縁性基板１１）上に柵状又は格子状に配設された低抵抗の共通電圧ラインＬｃとして適用され、また、下層側の密着層１８ｂは、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜等を有する下地層１８ａと上層側の主配線層１８ｃとの密着性を改善するための介在層として適用される。
【００４９】
そして、図４、図５に示すように、各表示画素ＰＩＸに共通に設けられる対向電極１７が、各画素形成領域Ｒpxだけでなく、当該画素形成領域Ｒpxを画定するバンク１８上にも延在するように設けられることにより、上記導電性バンク部の上層側の主配線層１８ｃと電気的に接続するように接合されている。これにより、主配線層１８ｃを共通電圧ライン（例えばカソードライン）Ｌｃとして兼用することができる。
【００５０】
そして、図１に示したように、上記積層構造を有するバンク１８を表示パネル１０（絶縁性基板１１）上に柵状又は格子状の平面パターンを有するように配設することにより、列方向（図面上下方向）に配列された複数の表示画素ＰＩＸの画素形成領域Ｒpx（すなわち、後述する製造方法において、各画素形成領域Ｒpxに有機ＥＬ層１６を形成する際の有機化合物材料（有機化合物含有液）の塗布領域）が画定される。
【００５１】
なお、上記画素駆動回路ＤＣ、有機ＥＬ素子ＯＥＬ及びバンク１８が形成された絶縁性基板１１上には、例えば図４、図５に示すように、透明な封止樹脂層１９を介して、絶縁性基板１１に対向するようにガラス基板等を有する封止基板２０が接合されている。なお、封止樹脂層１９の代わりに１Ｐａ以下に減圧された雰囲気又は不活性ガスが充填された雰囲気で満たされていてもよい。
【００５２】
そして、このような表示パネル１０においては、例えば、表示パネル１０の下層（有機ＥＬ素子ＯＥＬの絶縁性基板１１側の層）に設けられたトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２等の機能素子、選択ラインＬｓや信号ラインＬｄ、供給電圧ライン（アノードライン）Ｌａ等の配線層を有する画素駆動回路ＤＣにおいて、信号ラインＬｄを介して供給された表示データに応じた階調信号Ｖpixに基づいて、所定の電流値を有する発光駆動電流がトランジスタＴｒ１２のドレイン−ソース間に流れ、当該トランジスタＴｒ１２（ドレイン電極Ｔｒ１２ｄ）からコンタクトホールＨＬａ（コンタクトメタルＭＴＬ）を介して、有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極１５に供給されることにより、各表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）の有機ＥＬ素子ＯＥＬが上記表示データに応じた所望の輝度階調で発光動作する。
【００５３】
このとき、本実施形態に示した表示パネル１０において、画素電極１５が光反射特性を有し、対向電極１７が光透過性を有することにより（すなわち、有機ＥＬ素子ＯＥＬがトップエミッション型の発光構造を有することにより）、各表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）の有機ＥＬ層１６において発光した光は、光透過性を有する対向電極１７を介して直接、あるいは、光反射特性を有する画素電極１５で反射して、絶縁性基板１１を介することなく、封止基板２０（表示パネル）の一面側に設定された視野側（図４、図５の図面上方）に出射される。
【００５４】
（表示装置の製造方法）
次に、上述した表示装置（表示パネル）の製造方法について説明する。
図６乃至図１０は、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図である。ここでは、図４に示したＡ−Ａ断面のパネル構造の製造工程について説明する。また、図１１は、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）に形成されるバンク表面の被膜の分子構造を説明するための化学記号であり、図１２は、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）に形成されるバンク表面の撥液性及び親液性を説明するための概略断面図である。また、図１３は、本実施形態に係る有機ＥＬ層の形成工程における膜表面の状態変化を示す概念図である。
【００５５】
上述した表示装置（表示パネル）の製造方法は、まず、図６（ａ）に示すように、ガラス基板等の絶縁性基板１１の一面側（図面上面側）に設定された表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）の形成領域（画素形成領域）Ｒpxごとに、上述した画素駆動回路（図２、図３参照）ＤＣのトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、選択ラインＬｓや信号ラインＬｄ（信号配線層Ｌdxを含む）等の配線層を形成する（図４、図５参照）。具体的には、絶縁性基板１１上に、ゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇ、及び、ゲート電極Ｔｒ１１ｇと一体的に形成される選択ラインＬｓ（図５参照）を同一のゲートメタル層をパターニングすることによって同時に形成し、その後、絶縁性基板１１の全域にゲート絶縁膜１２を被覆形成する。
【００５６】
次いで、ゲート絶縁膜１２上の各ゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇに対応する領域に、例えばアモルファスシリコンやポリシリコン等を有する半導体層ＳＭＣを形成し、当該半導体層ＳＭＣの両端部にオーミック接続のための不純物層ＯＨＭを介してソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄを形成する。このとき、同一のソース、ドレインメタル層をパターニングすることによってソース電極Ｔｒ１１ｓと接続された信号ラインＬｄ及び信号配線層Ｌdx（図４、図５参照）を同時に形成する。このとき、ゲート電極Ｔｒ１２ｇ上のゲート絶縁膜１２には図示しないコンタクトホールが設けられ、このコンタクトホール上にソース電極Ｔｒ１１ｓが跨るように形成されることによって、ソース電極Ｔｒ１１ｓとゲート電極Ｔｒ１２ｇとが接続される。
【００５７】
なお、上述したトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄ、選択ラインＬｓ、信号ラインＬｄ（信号配線層Ｌdxを含む）は、配線抵抗を低減し、かつ、マイグレーションを低減する目的で、例えばアルミニウム合金層と遷移金属層を有する積層配線構造を有しているものであってもよい。
【００５８】
次いで、図６（ｂ）に示すように、上記トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、選択ラインＬｓ及び信号ラインＬｄを含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように、窒化シリコン（ＳｉＮ）等を有する保護絶縁膜（パッシベーション膜）１３及び有機材料等を有する平坦化膜１４を順次形成した後、当該平坦化膜１４及び保護絶縁膜１３をエッチングして、トランジスタＴｒ１２のドレイン電極Ｔｒ１２ｄの上面が露出するコンタクトホールＨＬａ、及び、トランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓの上面が露出し、かつ、供給電圧ラインＬａの配線パターンに対応した配線溝ＨＬｂを形成する。
【００５９】
次いで、図６（ｃ）に示すように、無電解メッキ法等によって上記コンタクトホールＨＬａに金属材料を有するコンタクトメタルＭＴＬを埋め込むとともに、配線溝ＨＬｂに厚膜配線構造を有する供給電圧ラインＬａを埋め込み形成した後、図６（ｄ）に示すように、各画素形成領域Ｒpx（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂの形成領域）ごとに、コンタクトメタルＭＴＬに電気的に接続された画素電極１５を形成する。
【００６０】
ここで、画素電極１５は、具体的には、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）、パラジウム銀（ＡｇＰｄ）系の合金等の光反射特性を有する反射金属膜を薄膜形成し、所定の形状にパターニングすることによりコンタクトメタルＭＴＬに電気的に接続された下層側の反射金属層１５ａを形成する。その後、当該反射金属層１５ａを含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように、錫ドープ酸化インジウム（Indium Thin Oxide；ＩＴＯ）や亜鉛ドープ酸化インジウム（Indium Zinc Oxide；ＩＺＯ）等の透明電極材料を有する（光透過特性を有する）酸化金属膜を薄膜形成し、上記反射金属層１５ａの上面や端面が露出しないようにパターニングすることにより上層側の導電性の酸化金属層１５ｂを形成する。
【００６１】
このように、上層側の酸化金属膜をパターニングする際に、下層側の反射金属層１５ａが露出しないようにすることにより、酸化金属膜と反射金属層１５ａとの間で電池反応を引き起こさないようにすることができるとともに、下層側の反射金属層１５ａがオーバーエッチングされたり、エッチングダメージを受けたりすることを防止することができる。
【００６２】
次いで、反射金属層１５ａ及び酸化金属層１５ｂを有する上記画素電極１５を含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように、化学気相成長法（ＣＶＤ法）等を用いて、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の無機の絶縁性材料を有する絶縁層を形成した後パターニングすることにより、図４、図５、図７（ａ）に示すように、行方向に隣接する表示画素ＰＩＸに形成された画素電極１５との間の領域（すなわち、隣接する表示画素ＰＩＸとの境界領域）の列方向に後述するバンク１８の最下層となる下地層１８ａを形成する。すなわち、各画素形成領域Ｒpxにおいて、一体的に形成される下地層１８ａを有する絶縁膜に画素電極１５（酸化金属層１５ｂ）の上面が露出する開口部が形成されている。
【００６３】
次いで、図７（ｂ）に示すように、下地層１８ａが形成された絶縁性基板１１上に、例えばチタン（Ｔｉ）を含む密着層１８ｘ、銅（Ｃｕ）を含む主配線層１８ｙ、チタン（Ｔｉ）を含む酸化防止層１８ｚを順次積層形成する。具体的には、スパッタリング法やイオンプレーティング法、真空蒸着法、メッキ法等により、チタンやその合金、或いは銅やその合金等の金属材料を用いて、上記３層の金属薄膜を連続して成膜する。各金属薄膜は、例えば、密着層１８ｘ、酸化防止層１８ｚとして０．０５〜０．１μｍ、銅薄膜を含む主配線層１８ｙとして０．２〜０．３μｍ以上の膜厚で形成する。
【００６４】
ここで、最下層となる金属薄膜（密着層１８ｘ）は、チタンに限定されるものではなく、下層の下地層１８ａとなるシリコン酸化膜やシリコン窒化膜との接合性（密着性）が良好な金属材料であればよく、また、最上層となる金属薄膜（酸化防止層１８ｚ）は、チタンに限定されるものではなく、後述する工程（図７（ｃ）参照）において形成されるフォトレジストとの接合性が良好な金属材料であればよく、かつ、いずれの金属薄膜（密着層１８ｘ、酸化防止層１８ｚ）も主たる配線層となる金属薄膜（主配線層１８ｙ）との接合性が良好な金属材料であればよい。
【００６５】
次いで、図７（ｃ）に示すように、上記３層の金属薄膜１８ｘ〜１８ｚが形成された絶縁性基板１１上にフォトレジストを形成し、プリベーク後、露光、現像処理を施して、酸化防止層１８ｚ上の表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）間の境界領域（すなわち、後述するバンク１８の形成領域）にフォトレジストを残留させてエッチングマスクＭＳＫを形成する。
【００６６】
次いで、図８（ａ）に示すように、上記フォトレジストを有するエッチングマスクＭＳＫを用いて、チタンエッチング液（例えば旭電化工業製のアデカテックＷＴＩ／Ｗ−Ａ１２、Ｂ１９等）により最上層の酸化防止層１８ｚをエッチングして酸化防止層１８ｄを形成し、引き続き上記エッチングマスクを用いて、銅エッチング液（例えば旭電化工業製のアデカスーパーケルミカＷＡＤ−５０１１等）により中間層の主配線層１８ｙをエッチングして主配線層１８ｃを形成し、さらに、上記エッチングマスクを用いて、上記酸化防止層に用いるエッチング液と同じエッチング液により最下層の密着層１８ｘをエッチングし、密着層１８ｂを形成する。密着層１８ｂ、主配線層１８ｃ及び酸化防止層１８ｄは、行方向において、その幅が下地層１８ａの幅より狭く下地層１８ａの中央に配置されているので、下地層１８ａの行方向両端側の各上面が露出している。
【００６７】
次いで、図８（ｂ）に示すように、エッチングマスクＭＳＫを剥離液（例えば三菱瓦斯化学製のＲ−１００や旭電化工業製のアデカリムーバー等）を用いて除去する。これにより、表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）間の境界領域にのみ酸化防止層１８ｄ、主配線層１８ｃ及び密着層１８ｂが残されて、主配線層１８ｃ及び密着層１８ｂを有する導電性バンク部の上面に酸化防止層１８ｄが被覆形成された状態となる。また、各表示画素ＰＩＸの形成領域（画素形成領域Ｒpx）には画素電極１５（酸化金属層１５ｂ）が露出した状態となる。
【００６８】
次いで、各表示画素ＰＩＸの画素形成領域（有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域）Ｒpxに露出する画素電極１５（酸化金属層１５ｂ）表面を、後述する有機ＥＬ層１６の形成工程において使用する正孔輸送材料や電子輸送性発光材料の有機化合物含有液に対して馴染みやすくするために親液化処理を施す。
【００６９】
具体的には、まず絶縁性基板１１を純水で洗浄した後、例えば酸素プラズマ処理やＵＶオゾン処理等により親液化処理を施す。主配線層１８ｃは特に銅を含んでいるためにこのような親液化処理によって表面が酸化されやすい性質を持っている。このとき、表示画素ＰＩＸ間の境界領域に形成された導電性バンク部（主配線層１８ｃ及び密着層１８ｂ）の上面は酸化防止層１８ｄに被覆されているため、上記親液化処理によっては酸化されないとともに親液化せず、導電性バンク部の側面は、酸化防止層１８ｄに被覆されず露出しているため、上記親液化処理によって多少酸化されて（親液性の被膜である酸化膜が形成されて）、ＩＴＯ膜等の透明電極材料を有する上記画素電極１５（酸化金属層１５ｂ）と同時に親液化される。
【００７０】
また、この親液化処理をエッチングマスクＭＳＫの除去を兼ねて行なうこともできる。前述のように、フォトレジストによるエッチングマスクＭＳＫを、剥離液により除去する代わりに、親液化処理として行なう酸素プラズマ処理もしくはＵＶオゾン処理にて、フォトレジストを灰化揮発させ除去する。これにより、エッチングマスクＭＳＫの除去と親液化処理を連続して行なうことができる。
【００７１】
次いで、図９（ａ）に示すように、導電性バンク部上の酸化防止層１８ｄを上記と同様のチタンエッチング液（例えば旭電化工業製のアデカテックＷＴＩ／Ｗ−Ａ１２、Ｂ１９等）に浸漬することによりエッチングして、表示画素ＰＩＸ間の境界領域において導電性バンク部を形成する主配線層１８ｃの上面を露出させる。その後、絶縁性基板１１を純水で洗浄して乾燥させる。
【００７２】
これにより、図４に示したように、隣接する表示画素ＰＩＸとの境界領域に形成された下地層１８ａ上に密着層１８ｂ及び主配線層１８ｃを積層してなるバンク１８が形成される。バンク１８の上面は、酸化防止層１８ｄが除去された後でも、酸化されない状態が続いている。このバンク１８により囲まれた領域が表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）の画素形成領域Ｒpxとして画定されるとともに、隣接する他の色の表示画素ＰＩＸの画素形成領域Ｒpxと隔離される。
【００７３】
次いで、表示画素ＰＩＸ間の境界領域に形成されたバンク１８（導電性バンク部を形成する主配線層１８ｃ）の上面において、正孔輸送材料や電子輸送性発光材料の有機化合物含有液をはじくようにするために撥液化処理を施す。
具体的には、まず、絶縁性基板１１をトリアジントリチオール又はフッ素系トリアジンジチオール誘導体等のトリアジンチオール化合物の撥液処理溶液の処理槽内に挿入して浸漬する。この処理工程における撥液処理溶液の温度は概ね２０〜３０℃程度、浸漬時間は概ね１〜１０分程度に設定する。その後、絶縁性基板１１を撥液処理溶液から取り出し、アルコール等により濯いで絶縁性基板１１表面に残留する撥液処理溶液（トリアジンチオール化合物）を洗い流し、絶縁性基板１１を純水で２次洗浄した後、窒素ガス（Ｎ２）のブローにより乾燥させる。
【００７４】
このとき、トリアジンチオール化合物は図１２に示すように、酸化していない（酸化膜が形成されていない）導電性バンク部の主配線層１８ｃの上面１８upの金属原子と選択的に結合し、撥液性の被膜が形成されることになるが、画素電極１５表面の金属酸化物（酸化金属層１５ｂ）、及び、酸化した導電性バンク部の側面１８sd、下地層１８ａを形成する無機絶縁膜には撥液性を発現する程度には被膜されず、親液性が維持される。
【００７５】
すなわち、トリアジンチオール化合物の一例として適用可能なフッ素系トリアジンジチオール誘導体は、図１１（ａ）に示すように、トリアジン（３個の窒素を含む六員環構造）の窒素（−Ｎ）にチオール基（−ＳＨ）が結合した分子構造に加え、特定のチオール基（−ＳＨ）のＳ原子にアルキル基（−ＣＨ２−ＣＨ２−）及びフッ化アルキル基（−ＣＦ２−ＣＦ２−ＣＦ２−ＣＦ３）が順次結合した分子構造を有し、他のトリアジンチオール化合物と同様に、それ自体が撥液性を示すトリアジントリチオールに加えてさらに撥液性を示すフッ素原子を含んでいるので、図１１（ｂ）に示すように、導電性バンク部の主配線層１８ｃの上面１８upに形成される被膜は、トリアジントリチオールよりも強い撥液性を示す。なお、上述した処理工程において使用する撥液処理溶液の濃度は、概ね１×１０−４〜１×１０−２mol／Ｌの範囲が好ましい。
【００７６】
なお、上記フッ素系トリアジンジチオール誘導体は、チオール基のＳ原子がアルキル基（−ＣＨ２−ＣＨ２−）と結合していたが、直接フッ化アルキル基と結合してもよく、また著しい立体障害にならない限りアルキル基、フッ化アルキル基の炭素数に特別な制限はない。また、上記フッ素系トリアジンジチオール誘導体は、残る二つのチオール基の一つのＳ原子において、水素基に代わって直接又は間接的にフッ化アルキル基が置換形成されていてもよく、或いはフッ素原子を含む基の炭素間がオレフィン二重結合を有していてもよい。また、その他のトリアジンチオール誘導体として、例えば、６−ジメチルアミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオール−ナトリウム塩或いは６−ジドデシルアミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオール−ナトリウム塩を用い、水に溶解して被膜を形成してもよい。
【００７７】
したがって、上述した一連の親液化処理及び撥液化処理により、同一の絶縁性基板１１上において、バンク１８（導電性バンク部）の上面のみが撥液化処理され、当該バンク１８の側面、及び、バンク１８により画定された各画素形成領域Ｒpxに露出する画素電極１５表面は撥液化されていない状態（親液性が保持された状態）が実現される。
【００７８】
このように、上面が撥液化処理されたバンク１８により各表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）の画素形成領域Ｒpxを画定することにより、後述する有機ＥＬ層１６となる発光層（電子輸送性発光層１６ｂ）を形成する際に、当該発光材料の溶液又は分散液（液状材料）を塗布する場合であっても、隣接する表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）間で発光材料が混合することがなく、隣接する色画素相互での混色を防止することができる。
【００７９】
なお、本実施形態において使用する「撥液性」とは、後述する正孔輸送層となる正孔輸送材料を含有する有機化合物含有液や、電子輸送性発光層となる電子輸送性発光材料を含有する有機化合物含有液、もしくは、これらの溶液に用いる有機溶媒を、絶縁性基板上等に滴下して、接触角の測定を行った場合に、当該接触角が５０°以上になる状態と規定する。また、「撥液性」に対峙する「親液性」とは、本実施形態においては、上記接触角が４０°以下になる状態と規定する。
また、バンク１８を形成する上記導電性バンク部（特に主配線層１８ｃ）は、表示パネル１０に２次元配列された各表示画素ＰＩＸに共通電圧Ｖcomを印加するための共通電圧ラインＬｃとしても兼用される。
【００８０】
次いで、図９（ｂ）に示すように、各色の画素形成領域（有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域）Ｒpxに対して、互いに分離した複数の液滴を所定位置に吐出するインクジェット法、又は、連続した溶液を吐出するノズルプリント法等を適用して同一工程で、正孔輸送材料の溶液又は分散液を塗布した後、加熱乾燥させて正孔輸送層（担体輸送層）１６ａを形成する。続いて、図１０（ａ）に示すように、インクジェット法又はノズルプリント法等を適用して、上記正孔輸送層１６ａ上に電子輸送性発光材料の溶液又は分散液を塗布した後、加熱乾燥させて電子輸送性発光層（担体輸送層）１６ｂを形成する。これにより、画素電極１５上に正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂを有する有機ＥＬ層（発光機能層）１６が積層形成される。
【００８１】
具体的には、有機高分子系の正孔輸送材料（担体輸送性材料）を含む有機化合物含有液として、例えばポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸水溶液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ；導電性ポリマーであるポリエチレンジオキシチオフェンＰＥＤＯＴと、ドーパントであるポリスチレンスルホン酸ＰＳＳを水系溶媒に分散させた分散液）を、上記画素電極１５（酸化金属層１５ｂ）上に塗布した後、ホットプレート上で１００℃以上の温度条件で加熱乾燥処理を行って残留溶媒を除去することにより、当該画素電極１５上に有機高分子系の正孔輸送材料を定着させて、担体輸送層である正孔輸送層１６ａを形成する。
【００８２】
ここで、画素電極１５及びその周辺の下地層１８ａの表面は、上述した親液化処理により上記有機化合物含有液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）に対して親液性を有しているので、バンク１８により画定された画素形成領域Ｒpxに塗布された有機化合物含有液は当該領域内（画素電極１５上）に充分馴染んで広がる。一方、バンク１８（主配線層１８ｃ）の上面１８upは、上述した撥液化処理により上記有機化合物含有液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）に対して撥液性を有しているので、隣接する画素形成領域への塗布された有機化合物含有液の漏出や乗り越えを防止することができ、また、バンク１８の側面１８sdは、親液性が保持されているので、毛細管現象により当該有機化合物含有液が迫り上がる。
【００８３】
このように、画素形成領域Ｒpxに塗布された有機化合物含有液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）は撥液性を有するバンク１８の上面でははじかれる一方、充分な親液性を有する画素電極１５上、及び、バンク１８の側面において馴染んで広がるので、図１３（ａ）に示すように、バンク１８に囲まれた画素形成領域Ｒpxにドーム状の断面を有して滞留することになる。
【００８４】
塗布直後より、上記有機化合物含有液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）中の溶媒の揮発が進行する。図１３（ｂ）に示すように、親液性を有するバンク１８の側面や下地層１８ａの表面において有機化合物含有液が充分に馴染んで広がることから、当該有機化合物含有液の液面が画素形成領域Ｒpxの縁辺領域（バンク１８の近傍領域）に引っ張られた状態で乾燥が進み、画素電極１５が露出する開口部の中央領域への有機化合物の凝集が抑制されるので、画素電極１５上の略全域で膜厚が均一化する。
【００８５】
また、有機高分子系の電子輸送性発光材料（担体輸送性材料）を含む有機化合物含有液として、例えばポリパラフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマーを含む発光材料を、テトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン、キシレン等の有機溶媒或いは水に溶解した溶液を、上記正孔輸送層１６ａ上に塗布した後、窒素雰囲気中でホットプレートにより、あるいは、真空中でシーズヒータにより加熱乾燥処理を行って残留溶媒を除去することにより、正孔輸送層１６ａ上に有機高分子系の電子輸送性発光材料を定着させて、担体輸送層であり発光層でもある電子輸送性発光層１６ｂを形成する。
【００８６】
この場合においても、上述した正孔輸送層１６ａと同様に、画素電極１５上の正孔輸送層１６ａ及びその周辺の下地層１８ａの表面は、上記有機化合物含有液に対して親液性を有しているので、バンク１８により画定された画素形成領域Ｒpxに塗布された有機化合物含有液は当該領域内（正孔輸送層１６ａ）に充分馴染んで広がる。一方、バンク１８（主配線層１８ｃ）の上面は、上記有機化合物含有液に対して撥液性を有しているので、隣接する画素形成領域への有機化合物含有液の漏出や乗り越えを防止することができ、また、バンク１８の側面は、親液性が保持されているので、毛細管現象により当該有機化合物含有液が迫り上がる。
【００８７】
したがって、画素形成領域Ｒpxに塗布された有機化合物含有液は、図１３（ａ）と同様に、バンク１８に囲まれた画素形成領域Ｒpxにドーム状の断面を有して滞留し、このような状態で有機化合物含有液中の溶媒の揮発が進行することにより、図１３（ｂ）と同様に、当該有機化合物含有液の液面が画素形成領域Ｒpxの縁辺領域（バンク１８の近傍領域）に引っ張られた状態で乾燥が進むので、画素電極１５が露出する開口部の中央領域への有機化合物の凝集が抑制されて、画素電極１５上の略全域で膜厚が均一化する。
【００８８】
その後、図１０（ｂ）に示すように、少なくとも各画素形成領域Ｒpxを含む絶縁性基板１１上に光透過性を有する導電層（透明電極層）を形成し、上記有機ＥＬ層１６（正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂ）を介して各画素電極１５に対向する共通の対向電極（例えばカソード電極）１７を形成する。ここで、対向電極１７は、例えば蒸着法やスパッタリング法等により厚さが１０ｎｍ以下の電子注入層となるバリウム、マグネシウム、フッ化リチウム等の金属材料を有する薄膜を形成した後、その上層にスパッタリング法等によりＩＴＯ等の透明電極層又はアルミニウム等の薄膜を積層形成した、厚さ方向に透明な膜構造を適用することができる。
【００８９】
また、対向電極１７は、図４、図５、図１０（ｂ）に示すように、上記画素電極１５に対向する領域のみならず、各画素形成領域Ｒpx（有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域）を画定するバンク１８及び下地層１８ａ上にまで延在する単一の導電層（平面電極；べた電極）として形成されるとともに、バンク１８を形成する導電性バンク部（主配線層１８ｃ）と電気的に接続されるように接合される。これにより、バンク１８を形成する導電性バンク部を各表示画素ＰＩＸに共通に接続された共通電圧ライン（カソードライン）Ｌｃとして適用することができる。このように、有機ＥＬ素子ＯＥＬ間に対向電極１７と等電位の導電性バンク部を網羅することによってカソード全体のシート抵抗を下げ、表示パネル１０全体で均一な表示特性にすることができる。
【００９０】
次いで、上記対向電極１７を形成した後、絶縁性基板１１の一面側全域に保護絶縁膜（パッシベーション膜）としてシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等を有する封止層１９をＣＶＤ法等を用いて形成し、さらに、ＵＶ硬化又は熱硬化接着剤を用いて、封止蓋や封止基板２０を接合することにより、図４、図５に示したような断面構造を有する表示パネル１０が完成する。
【００９１】
上述したように、実施形態に係る表示装置及びその製造方法においては、表示パネル１０上に２次元配列される表示画素ＰＩＸ間の境界領域に、各画素形成領域Ｒpxを画定するためのバンク１８を有し、当該バンク１８を形成する導電性バンク部（主配線層１８ｃ；低抵抗の金属層）上に、酸化防止層１８ｄを積層形成した状態で、各画素形成領域Ｒpxに露出する画素電極１５を親液化処理し、次いで、上記酸化防止層１８ｄを除去した後、導電性バンク部を撥液化処理することにより、図１２に示したように、上記親液化処理の際に酸化防止層１８ｄにより酸化されていない導電性バンク部の上面１８upにのみ撥液性（トリアジンチオール化合物）の被膜を形成し、一方、上記親液化処理により酸化された導電性バンク部の側面１８sdへの撥液性の被膜の形成を抑制して親液性を有する状態に保持して、各画素形成領域Ｒpxに有機ＥＬ層１６（正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂ）を形成するための有機化合物含有液（例えばＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ等）を塗布することができる。
【００９２】
ここで、バンクを形成する導電性バンク部上に酸化防止層を形成することなく親液化処理及び撥液化処理を施した場合（以下、便宜的に「比較例」と記す）と本実施形態とを比較検証すると、比較例においては、導電性バンク部（銅等の低抵抗の金属層）の上面及び側面の全面が露出した状態で親液化処理が施されるため、導電性バンク部の表面全域が酸化されて酸化膜が形成される。
【００９３】
この状態で導電性バンク部を撥液化処理すると、上記酸化膜によりトリアジンチオール化合物の被膜の形成が阻害されて、導電性バンク部表面を充分に撥液化することができないため、バンク（導電性バンク部）に囲まれた画素形成領域に有機化合物含有液を塗布した際に、隣接する画素形成領域への有機化合物含有液の漏出や乗り越えが生じて表示画素間で混色が発生する問題や、導電性バンク部上に形成された酸化膜や付着した有機化合物により、画素形成領域から延在して形成される対向電極とのコンタクト抵抗が増加して有機ＥＬ素子に一定の共通電圧を供給することができなくなる問題を有している。
【００９４】
これに対して、実施形態に示した表示装置及びその製造方法によれば、上述したように、バンク１８を形成する導電性バンク部の上面１８upのみを撥液化し、側面１８sdの親液性を保持した状態で有機化合物含有液を塗布することができるので、隣接する画素形成領域Ｒpxへの当該有機化合物含有液の漏出や乗り越えを抑制して表示画素ＰＩＸ間の混色を防止することができるとともに、導電性バンク部上面における酸化膜の形成や有機化合物の付着を防止して、対向電極１７とのコンタクト抵抗を低減し、有機ＥＬ素子ＯＥＬに一定の共通電圧Ｖcomを供給することができる。
【００９５】
また、本実施形態においては、上述したように導電性バンク部の上面１８upのみを撥液化し、側面１８sdの親液性を保持した状態で画素形成領域Ｒpxに有機化合物含有液を塗布することにより、当該有機化合物含有液が撥液性を有する導電性バンク部の上面１８upではじかれる一方、親液性を有する画素電極１５上及び導電性バンク部の側面１８sdにおいてに充分に馴染んで広がるので、図１３（ａ）に示したように、バンク１８（導電性バンク部）に囲まれた画素形成領域Ｒpxに良好に滞留し、加熱乾燥処理により、図１３（ｂ）に示したように、当該有機化合物含有液の液面が画素形成領域Ｒpxの縁辺領域（バンク１８の近傍領域）に引っ張られた状態で乾燥が進むので、バンク（又は導電性バンク部）の表面全域（上面及び側面）を撥液化した状態で有機化合物含有液を塗布した場合に比較して、画素電極１５が露出する開口部の中央領域への有機化合物の凝集が抑制されて、画素形成領域Ｒpxの略全域で膜厚が均一化された有機ＥＬ層１６（正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂ）を形成することができる。
【００９６】
したがって、本実施形態に係る表示装置及びその製造方法によれば、発光動作時における発光開始電圧や、有機ＥＬ層から放射される光の波長（色度）の設計値からのずれを抑制して、所望の表示画質を得ることできるとともに、有機ＥＬ素子の劣化を抑制して、信頼性や寿命に優れた表示パネルを実現することができる。
【００９７】
また、本実施形態においては、バンク１８を形成する導電性バンク部として、共通電圧ラインＬｃとなる上層側の主配線層１８ｃと下層側の密着層１８ｂとを積層した構造を有し、主配線層１８ｃとシリコン窒化膜等を有する下地層１８ａとの間に密着層１８ｂを介在させているので、主配線層１８ｃと下地層１８ａとを直接積層した構造に比較して、接合性を向上させることができ、層間剥離やクラックの発生を抑制することができる。
【００９８】
なお、上述した実施形態においては、トップエミッション型の発光構造を有する表示パネルについて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ボトムエミッション型の発光構造を有するものであってもよい。ところで、上述したようなトップエミッション型の発光構造においては、対向電極として高い光透過性が要求されるので、ＩＴＯ等の透明電極を薄く形成する必要があるが、これによりカソード側の配線抵抗が増大する可能性がある。そこで、配線抵抗の低抵抗化のために共通電圧ラインと兼用するバンク（導電性バンク部）を備えたパネル構造を適用することが有効となる。したがって、このような観点からも、本実施形態に係る表示装置及びその製造方法は、トップエミッション型の発光構造を有する表示パネルに対して特に有効である。
【００９９】
また、上述した実施形態においては、画素電極１５の親液化処理の際に、バンク１８を形成する導電性バンク部（主配線層１８ｃ）の上面１８upの酸化を防止するために、予め酸化防止層１８ｄを積層形成する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、酸素プラズマ処理やＵＶオゾン処理等による親液化処理に際して、共通電圧ラインＬｃとなる金属層（上層側の主配線層１８ｃ）の上面の酸化を抑制することができるものであれば、他の金属材料や絶縁性材料を適用するものであってもよい。
【０１００】
また、上述した実施形態においては、共通電圧ラインＬｃとなる金属層（上層側の主配線層１８ｃ）と下地層１８ａとの接合性を改善するための介在層として、密着層１８ｂを適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、他の金属材料や絶縁性材料を有する薄膜を介在させるものであってもよい。また、共通電圧ラインＬｃとなる金属層として、シリコン窒化膜等を有する下地層との接合性が良好な低抵抗の金属層を適用することができる場合には、当該金属層と下地層との間に介在層を形成する必要はなく、導電性バンク部を単一の金属層（共通電圧ラインＬｃとなる低抵抗の金属層のみ）を有する構造としてもよい。
【０１０１】
さらに、上述した各実施形態においては、有機ＥＬ層１６が正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂを有する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば正孔輸送兼電子輸送性発光層のみでもよく、正孔輸送性発光層及び電子輸送層でもよく、また、間に適宜担体輸送層が介在してもよく、その他の担体輸送層の組合せであってもよい。
【０１０２】
また、上述した実施形態においては、画素電極１５をアノードとしたが、これに限らずカソードとしてもよい。このとき、有機ＥＬ層１６は、画素電極１５に接する担体輸送層が電子輸送性の層であればよい。また、有機ＥＬ層１６を成膜する際の隔壁として用いたバンク１８は、カソードとなる共通電圧ラインＬｃとしたが、アノードとなる電圧ラインであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの画素配列状態の一例を示す概略平面図である。
【図２】本発明に係る表示装置の表示パネルに２次元配列される各表示画素（表示素子及び画素駆動回路）の回路構成例を示す等価回路図である。
【図３】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）に適用可能な表示画素の一例を示す平面レイアウト図である。
【図４】本実施形態に係る平面レイアウトを有する表示画素におけるＡ−Ａ断面を示す概略断面図である。
【図５】本実施形態に係る平面レイアウトを有する表示画素におけるＢ−Ｂ断面を示す概略断面図である。
【図６】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図（その１）である。
【図７】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図（その２）である。
【図８】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図（その３）である。
【図９】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図（その４）である。
【図１０】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図（その５）である。
【図１１】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）に形成されるバンク表面の被膜の分子構造を説明するための化学記号である。
【図１２】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）に形成されるバンク表面の撥液性及び親液性を説明するための概略断面図である。
【図１３】本実施形態に係る有機ＥＬ層の形成工程における膜表面の状態変化を示す概念図である。
【符号の説明】
【０１０４】
１０ 表示パネル
１１ 絶縁性基板
１５ 画素電極
１５ａ 反射金属層
１５ｂ 酸化金属層
１６ 有機ＥＬ層
１６ａ 正孔輸送層
１６ｂ 電子輸送性発光層
１７ 対向電極
１８ バンク
１８ａ 下地層
１８ｂ 密着層
１８ｃ 主配線層
１８ｄ 酸化防止層
ＰＩＸ 表示画素
Ｒpx 画素形成領域
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその製造方法に関し、特に、発光機能材料を有する液状材料を塗布することにより発光機能層が形成される発光素子を有する複数の表示画素を、二次元配列した表示パネルを備えた表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や携帯音楽プレーヤ等の電子機器の表示デバイスとして、自発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略記する）を２次元配列した表示パネル（有機ＥＬ表示パネル）を適用したものが知られている。特に、アクティブマトリックス駆動方式を適用した有機ＥＬ表示パネルにおいては、広く普及している液晶表示装置に比較して、表示応答速度が速く、視野角依存性も小さく、液晶表示装置のようにバックライトを必要としない等の利点を有している。そのため、今後様々な電子機器への適用が期待されている。
【０００３】
ここで、有機ＥＬ素子は、周知のように例えば、概略、基板等の一面側に、アノード（陽極）電極と、有機ＥＬ層（発光機能層）と、カソード（陰極）電極と、を順次積層した素子構造を有し、アノード電極に正電圧、カソード電極に負電圧を印加することにより、有機ＥＬ層内で注入されたホールと電子が再結合する際に生じるエネルギーに基づいて光（励起光）が放射されるものであるが、有機ＥＬ層となる担体輸送層を形成する有機材料（正孔輸送材料や電子輸送材料）に応じて、低分子系と高分子系の有機ＥＬ素子に大別することができる。
【０００４】
低分子系の有機材料を適用した有機ＥＬ素子の場合、一般に、製造プロセスにおいて蒸着法を適用する必要があるため、画素形成領域のアノード電極上にのみ当該低分子系の有機膜を選択的に薄膜形成する際に、上記アノード電極以外の領域への低分子材料の蒸着を防止するためのメタルマスクを用いており、当該マスクの表面にも低分子材料が付着することになるため、製造時の材料ロスが大きいうえ、フォレジストマスクに比べて高精細化が困難であるという問題を有している。
【０００５】
一方、高分子系の有機材料を適用した有機ＥＬ素子の場合には、湿式成膜法としてインクジェット法（液滴吐出法）やノズルプリント法（液流吐出法）等を適用することができるので、アノード電極上、又は、アノード電極を含む特定の領域にのみ選択的に上記有機材料の溶液を塗布することができ、材料ロスが少なく、メタルマスクを用いる必要がないので高精細化できるという利点を有している。
【０００６】
そして、このような高分子系の有機ＥＬ表示パネルにおいては、基板上に配列される各表示画素の形成領域（画素形成領域）を画定するとともに、高分子系有機材料を有する液状材料を塗布する際に、隣接する画素形成領域に異なる色の発光材料が混入して表示画素間で発光色の混合（混色）等が生じる現象を防止するために、各画素形成領域間に絶縁性基板上に突出し、連続的に形成された隔壁を設けたパネル構造を有するものが知られている。このような隔壁を備えた有機ＥＬ表示パネルについては、例えば、特許文献１等に詳しく説明されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−７６８８１号公報 （第４頁〜第７頁、図１〜図６）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述したような高分子系の有機ＥＬ素子ＥＬ表示パネルにおいては、インクジェット法やノズルプリント法等の湿式成膜法を適用して有機ＥＬ層（正孔輸送層及び電子輸送性発光層）を製造する際に、上記有機材料を有する液状材料が塗布される各画素形成領域や各表示画素（画素形成領域）間に設けられた隔壁の表面の特性（親液性や撥液性）、上記液状材料（塗布液）の溶媒成分に起因する表面張力や凝集力等の様々な要因により、隣接する画素形成領域に異なる色の発光材料が混入して表示画素間で発光色の混合（混色）が生じたり、或いは画素形成領域内に形成される有機ＥＬ層の膜厚が不均一になったりするという問題を有していた。
【０００９】
そのため、有機ＥＬ素子の発光動作時における発光開始電圧や有機ＥＬ層から放射される光の波長（すなわち、画像表示時の色度）が設計値からずれて、所望の表示画質が得られなくなったり、或いは有機ＥＬ層の膜厚の薄い領域に過大な発光駆動電流が流れることにより、表示パネル（画素形成領域）に占める発光領域の割合（いわゆる開口率）の低下や有機ＥＬ層（有機ＥＬ素子）の劣化が著しくなり表示パネルの信頼性や寿命が低下するという問題を有していた。
【００１０】
そこで、本発明は、上述した問題点に鑑み、良好な発光機能層（有機ＥＬ層）が形成された表示パネルを備えた表示装置、及び、当該表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１記載の発明は、担体輸送層を有する発光素子を含む複数の表示画素を２次元配列した表示パネルを備えた表示装置において、前記表示画素の画素形成領域を画定するための隔壁を有し、前記隔壁は、前記担体輸送層を形成するための担体輸送性材料を含む溶液に対して親液性を有する被膜が形成された側面と、前記担体輸送性材料を含む溶液に対して撥液性を有する被膜が形成された上面と、を有することを特徴とする。
請求項２記載の発明は、請求項１記載の表示装置において、前記隔壁は、少なくとも表面が金属層により形成されていることを特徴とする。
【００１２】
請求項３記載の発明は、請求項２記載の表示装置において、前記隔壁は、隣接する前記表示画素の前記画素形成領域間を絶縁する下地層と、前記金属層と、前記下地層と前記金属層との密着性を向上するための介在層と、を積層して形成されていることを特徴とする。
請求項４記載の発明は、請求項３記載の表示装置において、前記下地層は、シリコン窒化膜又はシリコン酸化膜からなり、前記金属層は、銅又はその合金を有することを特徴とする。
【００１３】
請求項５記載の発明は、請求項２乃至４のいずれかに記載の表示装置において、前記金属層は、前記撥液性を有する被膜を介して、前記担体輸送層に電圧を印加するための電極に接合されていることを特徴とする。
請求項６記載の発明は、請求項１乃至５のいずれかに記載の表示装置において、前記担体輸送性材料は高分子系の有機材料からなり、前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする。
【００１４】
請求項７記載の発明は、担体輸送層を有する発光素子を含む複数の表示画素を２次元配列した表示パネルを備えた表示装置の製造方法において、
基板上に設定された前記表示画素の画素形成領域に形成された画素電極間に第１の金属層を形成する第１の金属層形成工程と、
前記第１の金属膜上に第２の金属層を形成する第２の金属層形成工程と、
前記第１及び第２の金属層をマスクを用いてパターニングして、前記画素形成領域ごとの前記画素電極を露出させるパターニング工程と、
前記マスクを除去した後、前記画素電極の表面を、前記担体輸送層を形成するための担体輸送性材料を含む溶液に対して親液化する親液化工程と、
前記第２の金属層を除去した後、前記第１の金属層の上面を、前記担体輸送性材料を含む溶液に対して撥液化する撥液化工程と、
前記第１の金属層により画定される前記画素形成領域に前記担体輸送性材料を含む溶液を塗布、乾燥して前記画素電極上に前記担体輸送層を形成する担体輸送層形成工程と、
を含むことを特徴とする。
【００１５】
請求項８記載の発明は、請求項７記載の表示装置の製造方法において、前記親液化工程は、前記画素電極の表面とともに前記第１の金属層の側面を、前記担体輸送層を形成するための担体輸送性材料を含む溶液に対して親液化することを特徴とする。
請求項９記載の発明は、請求項７又は８記載の表示装置の製造方法において、前記親液化工程は、前記基板に対して酸素プラズマ処理又はＵＶオゾン処理を施すことを特徴とする。
【００１６】
請求項１０記載の発明は、請求項７乃至９のいずれかに記載の表示装置の製造方法において、前記撥液化工程は、トリアジンチオール化合物の溶液に前記基板を浸漬し、前記隔壁の上面に前記担体輸送性材料を含む溶液に対して撥液性を有する被膜を形成することを特徴とする。
【００１７】
請求項１１記載の発明は、請求項７乃至１０のいずれかに記載の表示装置の製造方法において、前記担体輸送層を介して前記複数の表示画素の前記画素電極に共通に対向し、かつ、前記撥液化された前記隔壁上に延在するように形成され、前記撥液性を有する被膜を介して、前記第１の金属層に電気的に接合された対向電極を形成する対向電極形成工程と、をさらに含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る表示装置及びその製造方法によれば、良好な発光機能層（担体輸送層；有機ＥＬ層）が形成された表示パネルを実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明に係る表示装置及びその製造方法について、実施の形態を示して詳しく説明する。ここで、以下に示す実施形態においては、表示画素を構成する発光素子として、上述した高分子系の有機材料を有する有機ＥＬ層を備えた有機ＥＬ素子を適用した場合について説明する。
【００２０】
（表示パネル）
まず、本発明に係る表示装置に適用される表示パネル（有機ＥＬパネル）及び表示画素について説明する。
図１は、本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの画素配列状態の一例を示す概略平面図であり、図２は、本発明に係る表示装置の表示パネルに２次元配列される各表示画素（表示素子及び画素駆動回路）の回路構成例を示す等価回路図である。なお、図１に示す平面図においては、説明の都合上、表示パネル（絶縁性基板）を視野側から見た、各表示画素（色画素）に設けられる画素電極の配置と各配線層の配設構造との関係のみを示し、各表示画素の有機ＥＬ素子（発光素子）を発光駆動するために、各表示画素に設けられる図２に示す画素駆動回路内のトランジスタ等の表示を省略した。また、図１においては、画素電極及び各配線層の配置を明瞭にするために、便宜的にハッチングを施して示した。
【００２１】
本発明に係る表示装置（表示パネル）は、図１に示すように、ガラス基板等の絶縁性基板１１の一面側に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色を有する色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂを一組として、この組が行方向（図面左右方向）に繰り返し複数配列されるとともに、列方向（図面上下方向）に同一色の色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂが複数配列されている。ここでは、隣接するＲＧＢ３色の色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂを一組として一の表示画素ＰＩＸが形成されている。
【００２２】
表示パネル１０は、絶縁性基板１１の一面側から突出し、柵状又は格子状の平面パターンを有して連続的に配設されたバンク（隔壁）１８により、列方向に配列された同一色の複数の色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、又は、ＰＸｂの画素形成領域を有する各色画素領域が画定される。また、各色画素領域に含まれる各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、又は、ＰＸｂの画素形成領域には、画素電極（例えばアノード電極）１５が形成されているとともに、上記バンク１８の配設方向に並行して列方向（図面上下方向）に信号ライン（データライン）Ｌｄが配設され、また、当該信号ラインＬｄに直交して行方向（図面左右方向）に選択ライン（走査ライン）Ｌｓおり、また供給電圧ライン（例えばアノードライン）Ｌａが、後述するトランジスタＴｒ１２のドレイン電極Ｔｒ１２ｄに接続され且つ列方向に延在するようにドレイン電極Ｔｒ１２ｄ上に設けられている。
【００２３】
また、絶縁性基板１１上に２次元配列された複数の表示画素ＰＩＸ（各画素電極１５）に対して共通に対向するように単一の平面電極（べた電極）を有する対向電極（例えばカソード電極）１７が形成されている。ここで、対向電極１７は上記バンク１８上にも延在し、バンク１８を形成する導電性バンク部（後述する主配線層１８ｃ）との間で電気的に接続されるようにすることにより、当該導電性バンク部を共通電圧ライン（例えばカソードライン）Ｌｃとして適用することができる。
【００２４】
表示画素ＰＩＸの各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂの具体的な回路構成としては、例えば図２に示すように、絶縁性基板１１上に１乃至複数のトランジスタ（例えばアモルファスシリコン薄膜トランジスタ等）を有する画素駆動回路（又は画素回路）ＤＣと、当該画素駆動回路ＤＣにより生成される発光駆動電流が、上記画素電極１５に供給されることにより発光動作する有機ＥＬ素子（発光素子）ＯＥＬと、を備えている。
【００２５】
画素駆動回路ＤＣは、例えば図２に示すように、ゲート端子が選択ラインＬｓに、ドレイン端子が表示パネル１０の列方向に配設された信号ラインＬｄに、ソース端子が接点Ｎ１１に各々接続されたトランジスタ（選択用薄膜トランジスタ）Ｔｒ１１と、ゲート端子が接点Ｎ１１に、ドレイン端子が供給電圧ラインＬａに、ソース端子が接点Ｎ１２に各々接続されたトランジスタ（発光駆動用薄膜トランジスタ）Ｔｒ１２と、を備えている。ここでは、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２はいずれもｎチャネル型の薄膜トランジスタが適用されている。
【００２６】
有機ＥＬ素子ＯＥＬは、アノード端子（アノード電極となる画素電極１５）が上記画素駆動回路ＤＣの接点Ｎ１２に接続され、カソード端子（カソード電極となる対向電極１７）が共通電圧ラインＬｃに接続されている。また、図示を省略したが、トランジスタＴｒ１２のゲート−ソース間には寄生容量、又は、付加的な補助容量が形成されている。
【００２７】
ここで、選択ラインＬｓは、例えば図示を省略した選択ドライバに接続され、所定のタイミングで表示パネル１０の行方向に配列された複数の表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）を選択状態に設定するための選択信号Ｓselが印加される。また、信号ラインＬｄは、図示を省略したデータドライバに接続され、上記表示画素ＰＩＸの選択状態に同期するタイミングで表示データに応じた階調信号Ｖpixが印加される。
【００２８】
また、供給電圧ラインＬａは、例えば所定の高電位電源に直接又は間接的に接続されて、各表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）に設けられる有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極（例えばアノード電極）１５に表示データに応じた発光駆動電流が流れるための所定の高電圧（供給電圧Ｖdd）が印加され、対向電極１７に接続された共通電圧ラインＬｃ（バンク１８の導電性バンク部）は、供給電圧ラインＬａに印加される供給電圧Ｖddよりも低い電圧、例えば所定の低電位電源に直接又は間接的に接続されて、複数の有機ＥＬ素子ＯＥＬに所定の低電圧（共通電圧Ｖcom；例えば接地電位Ｖgnd）が印加されるように設定されている。
【００２９】
そして、このような回路構成を有する表示画素ＰＩＸにおける駆動制御動作は、まず、図示を省略した選択ドライバから所定の選択ラインＬｓの選択期間に対して、選択レベル（オンレベル；例えばハイレベル）の選択信号Ｓselを当該所定の選択ラインＬｓに印加することにより、トランジスタＴｒ１１がオン動作して選択状態に設定される。このタイミングに同期して、図示を省略したデータドライバから表示データに応じた電圧値を有する階調信号Ｖpixを信号ラインＬｄに印加するように制御する。これにより、トランジスタＴｒ１１を介して、階調信号Ｖpixに応じた電位が接点Ｎ１１（すなわち、トランジスタＴｒ１２のゲート端子）に印加される。
【００３０】
このように、薄膜トランジスタＴｒ１２のドレイン電極Ｔｒ１２及び有機ＥＬ素子ＯＥＬのカソードにそれぞれ所定の電位の供給電圧Ｖdd、所定の電位の共通電圧Ｖcomが印加されている状態では、薄膜トランジスタＴｒ１２のゲート電極Ｔｒ１２ｇに印加される階調信号Ｖpix、言い換えれば薄膜トランジスタＴｒ１２のゲート−ソース間の電圧にしたがった発光駆動電流が、供給電圧ラインＬａから薄膜トランジスタＴｒ１２及び有機ＥＬ素子ＯＥＬを介して共通電圧ラインＬｃに流れ、有機ＥＬ素子ＯＥＬが階調信号Ｖpix（すなわち表示データ）に応じた階調輝度で発光動作する。また、このとき、接点Ｎ１１に印加された階調信号Ｖpixに基づいて、トランジスタＴｒ１２のゲート−ソース間の寄生容量（又は補助容量）に電荷が蓄積（充電）されることが好ましい。
【００３１】
次いで、所定の選択ラインＬｓでは、選択期間後の非選択期間になると、非選択レベル（オフレベル；例えばローレベル）の選択信号Ｓselが印加されることにより、表示画素ＰＩＸのトランジスタＴｒ１１がオフ動作して非選択状態に設定され、信号ラインＬｄと画素駆動回路ＤＣとが電気的に遮断される。このとき、上記寄生容量に蓄積された電荷が保持されることにより、トランジスタＴｒ１２では、ゲート端子に階調信号Ｖpixに相当する電圧が保持されるため、トランジスタＴｒ１２のゲート−ソース間の電圧が保持され続ける。
【００３２】
したがって、上記選択状態における発光動作と同様に、供給電圧ＶddからトランジスタＴｒ１２を介して、有機ＥＬ素子ＯＥＬに所定の発光駆動電流が流れて、発光動作状態が継続される。この発光動作状態は、次の階調信号Ｖpixが印加される（書き込まれる）まで、例えば、１フレーム期間継続するように制御される。そして、このような駆動制御動作を、表示パネル１０に２次元配列された全ての表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）について、例えば各行ごとに順次実行することにより、所望の画像情報を表示する画像表示動作を実行することができる。
【００３３】
なお、図２においては、表示画素ＰＩＸを構成する画素駆動回路ＤＣとして、階調信号Ｖpixの電圧値を調整することにより、有機ＥＬ素子ＯＥＬに流す発光駆動電流の電流値を制御して、所定の輝度階調で発光動作させる電圧階調指定方式（又は、電圧階調指定駆動）の回路構成を示したが、表示データに応じて書き込む電流値を調整することにより、有機ＥＬ素子ＯＥＬに流す発光駆動電流の電流値を制御して、電流値にしたがった所望の輝度階調で発光動作させる電流階調指定方式（又は、電流階調指定駆動）の回路構成を有するものであってもよい。
【００３４】
（表示画素のデバイス構造）
次いで、上述したような回路構成を有する表示画素（発光駆動回路及び有機ＥＬ素子）の具体的なデバイス構造（平面レイアウト及び断面構造）について説明する。ここでは、有機ＥＬ層において発光した光を、有機ＥＬ素子が設けられている基板を介すことなく視野側（封止基板側）に出射するトップエミッション型の発光構造を有する表示パネル（有機ＥＬパネル）について示すが、本発明はこれに限らず有機ＥＬ素子が設けられている基板を介して発光するボトムエミッション型の表示パネルに適用することもできる。
【００３５】
図３は、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）に適用可能な表示画素の一例を示す平面レイアウト図である。ここでは、図１に示した表示画素ＰＩＸの赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂのうちの、特定の一の色画素の平面レイアウトを示す。なお、図３においては、画素駆動回路ＤＣの各トランジスタ及び配線層等が形成された層を中心に示す。また、図４、図５は、各々、図３に示した平面レイアウトを有する表示画素ＰＩＸにおけるＡ−Ａ断面及びＢ−Ｂ断面を示す概略断面図である。
【００３６】
図２に示した表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）は、具体的には、絶縁性基板１１の一面側に設定された画素形成領域（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂにおける有機ＥＬ素子の形成領域）Ｒpxにおいて、例えば図３に示すような平面レイアウトの上方の縁辺領域に行方向（図面左右方向）に延在するように選択ラインＬｓが配設されるとともに、図示しないゲート絶縁膜を介してこれらの選択ラインＬｓに直交するように、上記平面レイアウトの左方の縁辺領域に列方向（図面上下方向）に延在するように信号ラインＬｄが配設されるとともに、平面レイアウトの右方の縁辺領域に列方向（図面上下方向）に延在するように供給電圧ラインＬａが配列されている。また、上記平面レイアウトの右方の縁辺領域には列方向に延在するようにバンク（詳しくは後述する）１８が配設されている。
【００３７】
ここで、例えば図３〜図５に示すように、選択ラインＬｓは、ゲート絶縁膜１２を介して信号ラインＬｄよりも下層側（絶縁性基板１１側）に設けられ、また、信号ラインＬｄは、供給電圧ラインＬａよりも下層側に設けられている。なお、選択ラインＬｓは、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇを形成するためのゲートメタル層をパターニングすることによって当該ゲート電極と同じ工程で形成される。また、信号ラインＬｄは、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ、ドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄを形成するためのソース、ドレインメタル層をパターニングすることによって当該ソース電極、ドレイン電極と同じ工程で形成される。
【００３８】
すなわち、表示画素ＰＩＸは、図４、図５に示すように、絶縁性基板１１上に表示画素ＰＩＸごとに設けられる画素駆動回路ＤＣ（図２参照）の複数のトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２や、選択ラインＬｓ及び信号ラインＬｄを含む各種配線層が設けられ、当該トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２及び配線層を被覆するように積層形成された保護絶縁膜１３及び平坦化膜１４を介して、その上層に、画素駆動回路ＤＣに接続されて所定の発光駆動電流が供給される画素電極（例えばアノード電極）１５、正孔輸送層１６ａ（担体輸送層）と電子輸送性発光層１６ｂ（担体輸送層）を有する有機ＥＬ層（発光機能層）１６、及び、共通電圧Ｖcomが印加される対向電極（例えばカソード電極）１７を有する有機ＥＬ素子ＯＥＬが形成されている。
【００３９】
画素駆動回路ＤＣは、より具体的には、例えば図３に示すように、図２に示したトランジスタＴｒ１１が行方向に配設された選択ラインＬｓ（又は信号ラインＬｄから行方向に突出して形成された信号配線層Ｌdx）に沿って延在するように配置され、トランジスタＴｒ１２が供給電圧ラインＬａに沿って延在するように配置されている。
【００４０】
ここで、各トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２は、周知の電界効果型の薄膜トランジスタであり、各々、絶縁性基板１１上に形成されたゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇと、ゲート絶縁膜１２を介して各ゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇに対応する領域に形成された半導体層ＳＭＣと、該半導体層ＳＭＣの両端部に延在するように形成されたソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄと、を有している。
供給電圧ラインＬａは、列方向に沿って各行ごとに配置されている複数のトランジスタＴｒ１２のドレイン電極Ｔｒ１２ｄに接続されるように、列方向に延在しながらドレイン電極Ｔｒ１２ｄ上に設けられている。
【００４１】
なお、各トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のソース電極とドレイン電極が対向する半導体層ＳＭＣ上には当該半導体層ＳＭＣへのエッチングダメージを防止するための酸化シリコン又は窒化シリコン等のブロック層ＢＬが形成され、また、ソース電極とドレイン電極が接触する半導体層ＳＭＣ上には、当該半導体層ＳＭＣとソース電極及びドレイン電極とのオーミック接続を実現するための不純物層ＯＨＭが形成されている。トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇはいずれも同一のゲートメタル層をパターニングすることによって形成されている。トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄはいずれも同一のソース、ドレインメタル層をパターニングすることによって形成されている。
【００４２】
そして、図２に示した画素駆動回路ＤＣの回路構成に対応するように、トランジスタＴｒ１１は、図３〜図５に示すように、ゲート電極Ｔｒ１１ｇが選択ラインＬｓと一体的に形成され、同ソース電極Ｔｒ１１ｓが信号ラインＬｄと一体的に形成された信号配線層Ｌdxに接続されている。
【００４３】
また、トランジスタＴｒ１２は、図３〜図５に示すように、ゲート電極Ｔｒ１２ｇがゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホール（図示を省略）を介して上記トランジスタＴｒ１１のソース電極Ｔｒ１１ｓに接続され、同ドレイン電極Ｔｒ１２ｄが上部の供給電圧ラインＬａの下に形成され、同ソース電極Ｔｒ１２ｓが保護絶縁膜１３及び平坦化膜１４に形成されたコンタクトホールＨＬａ（コンタクトメタルＭＴＬ）を介して有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極１５に接続されている。
供給電圧ラインＬａ（アノードライン）は、図３、図４に示すように、保護絶縁膜１３及び平坦化膜１４に形成された配線溝ＨＬｂに埋め込まれた厚膜配線構造を有し、上記コンタクトホールＨＬａに埋め込まれるコンタクトメタルＭＴＬと同じ工程で形成される。
【００４４】
そして、各画素形成領域Ｒpxの平坦化膜１４上には、図４、図５に示すように、例えばアノード電極となる画素電極１５、正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂを有する有機ＥＬ層１６、及び、カソード電極となる対向電極１７を順次積層した有機ＥＬ素子が設けられている。ここで、表示パネル１０（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）がトップエミッション型の発光構造を有している場合には、画素電極１５が少なくとも光反射特性を有するとともに、対向電極１７が光透過性を有している。画素電極１５は、具体的には後述する製造方法（図６〜図１０参照）において説明するように、下層側の反射金属層１５ａと上層側の透明な酸化金属層１５ｂを有する積層構造を適用することができる。
【００４５】
対向電極１７は、少なくとも各画素形成領域Ｒpxの画素電極１５に対して有機ＥＬ層１６を介して共通に対向するように、単一の平面電極（べた電極）により形成されている。
また、列方向の各画素形成領域Ｒpx間（各表示画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域相互の境界領域）には、有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域（厳密には、有機ＥＬ層１６の形成領域）を画定するためのバンク（隔壁）１８が平坦化膜１４の上面から連続的に突出して設けられている。
【００４６】
ここで、本実施形態に適用されるバンク１８は、例えば図４に示すように、表示パネル１０（絶縁性基板１１）の平坦化膜１４上に列方向に沿って形成され、各画素形成領域Ｒpxに形成される画素電極１５相互を絶縁する下地層１８ａと、該下地層１８ａ上に形成された下層側のチタン薄膜を有する密着層１８ｂ及び上層側の銅薄膜を有する主配線層１８ｃを有する導電性バンク部と、を積層した構造を有している。
【００４７】
バンク１８は、より具体的には、隣接する表示画素ＰＩＸ（画素電極１５）間の境界領域付近に露出する平坦化膜１４上から、有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極１５上に一部が延在するようにシリコン窒化膜（ＳｉＮ）やシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）等を有する下地層１８ａが設けられ、当該下地層１８ａ上に密着層１８ｂ及び主配線層１８ｃが厚さ方向に突出するように積層形成されている。密着層１８ｂは、行方向において、その幅が下地層１８ａの幅より狭く下地層１８ａの中央に配置されているので、下地層１８ａの行方向両端側の各上面が露出している。
【００４８】
特に、バンク１８を形成する導電性バンク部の上層側の主配線層１８ｃは、図１に示したように、表示パネル１０（絶縁性基板１１）上に柵状又は格子状に配設された低抵抗の共通電圧ラインＬｃとして適用され、また、下層側の密着層１８ｂは、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜等を有する下地層１８ａと上層側の主配線層１８ｃとの密着性を改善するための介在層として適用される。
【００４９】
そして、図４、図５に示すように、各表示画素ＰＩＸに共通に設けられる対向電極１７が、各画素形成領域Ｒpxだけでなく、当該画素形成領域Ｒpxを画定するバンク１８上にも延在するように設けられることにより、上記導電性バンク部の上層側の主配線層１８ｃと電気的に接続するように接合されている。これにより、主配線層１８ｃを共通電圧ライン（例えばカソードライン）Ｌｃとして兼用することができる。
【００５０】
そして、図１に示したように、上記積層構造を有するバンク１８を表示パネル１０（絶縁性基板１１）上に柵状又は格子状の平面パターンを有するように配設することにより、列方向（図面上下方向）に配列された複数の表示画素ＰＩＸの画素形成領域Ｒpx（すなわち、後述する製造方法において、各画素形成領域Ｒpxに有機ＥＬ層１６を形成する際の有機化合物材料（有機化合物含有液）の塗布領域）が画定される。
【００５１】
なお、上記画素駆動回路ＤＣ、有機ＥＬ素子ＯＥＬ及びバンク１８が形成された絶縁性基板１１上には、例えば図４、図５に示すように、透明な封止樹脂層１９を介して、絶縁性基板１１に対向するようにガラス基板等を有する封止基板２０が接合されている。なお、封止樹脂層１９の代わりに１Ｐａ以下に減圧された雰囲気又は不活性ガスが充填された雰囲気で満たされていてもよい。
【００５２】
そして、このような表示パネル１０においては、例えば、表示パネル１０の下層（有機ＥＬ素子ＯＥＬの絶縁性基板１１側の層）に設けられたトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２等の機能素子、選択ラインＬｓや信号ラインＬｄ、供給電圧ライン（アノードライン）Ｌａ等の配線層を有する画素駆動回路ＤＣにおいて、信号ラインＬｄを介して供給された表示データに応じた階調信号Ｖpixに基づいて、所定の電流値を有する発光駆動電流がトランジスタＴｒ１２のドレイン−ソース間に流れ、当該トランジスタＴｒ１２（ドレイン電極Ｔｒ１２ｄ）からコンタクトホールＨＬａ（コンタクトメタルＭＴＬ）を介して、有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極１５に供給されることにより、各表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）の有機ＥＬ素子ＯＥＬが上記表示データに応じた所望の輝度階調で発光動作する。
【００５３】
このとき、本実施形態に示した表示パネル１０において、画素電極１５が光反射特性を有し、対向電極１７が光透過性を有することにより（すなわち、有機ＥＬ素子ＯＥＬがトップエミッション型の発光構造を有することにより）、各表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）の有機ＥＬ層１６において発光した光は、光透過性を有する対向電極１７を介して直接、あるいは、光反射特性を有する画素電極１５で反射して、絶縁性基板１１を介することなく、封止基板２０（表示パネル）の一面側に設定された視野側（図４、図５の図面上方）に出射される。
【００５４】
（表示装置の製造方法）
次に、上述した表示装置（表示パネル）の製造方法について説明する。
図６乃至図１０は、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図である。ここでは、図４に示したＡ−Ａ断面のパネル構造の製造工程について説明する。また、図１１は、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）に形成されるバンク表面の被膜の分子構造を説明するための化学記号であり、図１２は、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）に形成されるバンク表面の撥液性及び親液性を説明するための概略断面図である。また、図１３は、本実施形態に係る有機ＥＬ層の形成工程における膜表面の状態変化を示す概念図である。
【００５５】
上述した表示装置（表示パネル）の製造方法は、まず、図６（ａ）に示すように、ガラス基板等の絶縁性基板１１の一面側（図面上面側）に設定された表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）の形成領域（画素形成領域）Ｒpxごとに、上述した画素駆動回路（図２、図３参照）ＤＣのトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、選択ラインＬｓや信号ラインＬｄ（信号配線層Ｌdxを含む）等の配線層を形成する（図４、図５参照）。具体的には、絶縁性基板１１上に、ゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇ、及び、ゲート電極Ｔｒ１１ｇと一体的に形成される選択ラインＬｓ（図５参照）を同一のゲートメタル層をパターニングすることによって同時に形成し、その後、絶縁性基板１１の全域にゲート絶縁膜１２を被覆形成する。
【００５６】
次いで、ゲート絶縁膜１２上の各ゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇに対応する領域に、例えばアモルファスシリコンやポリシリコン等を有する半導体層ＳＭＣを形成し、当該半導体層ＳＭＣの両端部にオーミック接続のための不純物層ＯＨＭを介してソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄを形成する。このとき、同一のソース、ドレインメタル層をパターニングすることによってソース電極Ｔｒ１１ｓと接続された信号ラインＬｄ及び信号配線層Ｌdx（図４、図５参照）を同時に形成する。このとき、ゲート電極Ｔｒ１２ｇ上のゲート絶縁膜１２には図示しないコンタクトホールが設けられ、このコンタクトホール上にソース電極Ｔｒ１１ｓが跨るように形成されることによって、ソース電極Ｔｒ１１ｓとゲート電極Ｔｒ１２ｇとが接続される。
【００５７】
なお、上述したトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄ、選択ラインＬｓ、信号ラインＬｄ（信号配線層Ｌdxを含む）は、配線抵抗を低減し、かつ、マイグレーションを低減する目的で、例えばアルミニウム合金層と遷移金属層を有する積層配線構造を有しているものであってもよい。
【００５８】
次いで、図６（ｂ）に示すように、上記トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、選択ラインＬｓ及び信号ラインＬｄを含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように、窒化シリコン（ＳｉＮ）等を有する保護絶縁膜（パッシベーション膜）１３及び有機材料等を有する平坦化膜１４を順次形成した後、当該平坦化膜１４及び保護絶縁膜１３をエッチングして、トランジスタＴｒ１２のドレイン電極Ｔｒ１２ｄの上面が露出するコンタクトホールＨＬａ、及び、トランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓの上面が露出し、かつ、供給電圧ラインＬａの配線パターンに対応した配線溝ＨＬｂを形成する。
【００５９】
次いで、図６（ｃ）に示すように、無電解メッキ法等によって上記コンタクトホールＨＬａに金属材料を有するコンタクトメタルＭＴＬを埋め込むとともに、配線溝ＨＬｂに厚膜配線構造を有する供給電圧ラインＬａを埋め込み形成した後、図６（ｄ）に示すように、各画素形成領域Ｒpx（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂの形成領域）ごとに、コンタクトメタルＭＴＬに電気的に接続された画素電極１５を形成する。
【００６０】
ここで、画素電極１５は、具体的には、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）、パラジウム銀（ＡｇＰｄ）系の合金等の光反射特性を有する反射金属膜を薄膜形成し、所定の形状にパターニングすることによりコンタクトメタルＭＴＬに電気的に接続された下層側の反射金属層１５ａを形成する。その後、当該反射金属層１５ａを含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように、錫ドープ酸化インジウム（Indium Thin Oxide；ＩＴＯ）や亜鉛ドープ酸化インジウム（Indium Zinc Oxide；ＩＺＯ）等の透明電極材料を有する（光透過特性を有する）酸化金属膜を薄膜形成し、上記反射金属層１５ａの上面や端面が露出しないようにパターニングすることにより上層側の導電性の酸化金属層１５ｂを形成する。
【００６１】
このように、上層側の酸化金属膜をパターニングする際に、下層側の反射金属層１５ａが露出しないようにすることにより、酸化金属膜と反射金属層１５ａとの間で電池反応を引き起こさないようにすることができるとともに、下層側の反射金属層１５ａがオーバーエッチングされたり、エッチングダメージを受けたりすることを防止することができる。
【００６２】
次いで、反射金属層１５ａ及び酸化金属層１５ｂを有する上記画素電極１５を含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように、化学気相成長法（ＣＶＤ法）等を用いて、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の無機の絶縁性材料を有する絶縁層を形成した後パターニングすることにより、図４、図５、図７（ａ）に示すように、行方向に隣接する表示画素ＰＩＸに形成された画素電極１５との間の領域（すなわち、隣接する表示画素ＰＩＸとの境界領域）の列方向に後述するバンク１８の最下層となる下地層１８ａを形成する。すなわち、各画素形成領域Ｒpxにおいて、一体的に形成される下地層１８ａを有する絶縁膜に画素電極１５（酸化金属層１５ｂ）の上面が露出する開口部が形成されている。
【００６３】
次いで、図７（ｂ）に示すように、下地層１８ａが形成された絶縁性基板１１上に、例えばチタン（Ｔｉ）を含む密着層１８ｘ、銅（Ｃｕ）を含む主配線層１８ｙ、チタン（Ｔｉ）を含む酸化防止層１８ｚを順次積層形成する。具体的には、スパッタリング法やイオンプレーティング法、真空蒸着法、メッキ法等により、チタンやその合金、或いは銅やその合金等の金属材料を用いて、上記３層の金属薄膜を連続して成膜する。各金属薄膜は、例えば、密着層１８ｘ、酸化防止層１８ｚとして０．０５〜０．１μｍ、銅薄膜を含む主配線層１８ｙとして０．２〜０．３μｍ以上の膜厚で形成する。
【００６４】
ここで、最下層となる金属薄膜（密着層１８ｘ）は、チタンに限定されるものではなく、下層の下地層１８ａとなるシリコン酸化膜やシリコン窒化膜との接合性（密着性）が良好な金属材料であればよく、また、最上層となる金属薄膜（酸化防止層１８ｚ）は、チタンに限定されるものではなく、後述する工程（図７（ｃ）参照）において形成されるフォトレジストとの接合性が良好な金属材料であればよく、かつ、いずれの金属薄膜（密着層１８ｘ、酸化防止層１８ｚ）も主たる配線層となる金属薄膜（主配線層１８ｙ）との接合性が良好な金属材料であればよい。
【００６５】
次いで、図７（ｃ）に示すように、上記３層の金属薄膜１８ｘ〜１８ｚが形成された絶縁性基板１１上にフォトレジストを形成し、プリベーク後、露光、現像処理を施して、酸化防止層１８ｚ上の表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）間の境界領域（すなわち、後述するバンク１８の形成領域）にフォトレジストを残留させてエッチングマスクＭＳＫを形成する。
【００６６】
次いで、図８（ａ）に示すように、上記フォトレジストを有するエッチングマスクＭＳＫを用いて、チタンエッチング液（例えば旭電化工業製のアデカテックＷＴＩ／Ｗ−Ａ１２、Ｂ１９等）により最上層の酸化防止層１８ｚをエッチングして酸化防止層１８ｄを形成し、引き続き上記エッチングマスクを用いて、銅エッチング液（例えば旭電化工業製のアデカスーパーケルミカＷＡＤ−５０１１等）により中間層の主配線層１８ｙをエッチングして主配線層１８ｃを形成し、さらに、上記エッチングマスクを用いて、上記酸化防止層に用いるエッチング液と同じエッチング液により最下層の密着層１８ｘをエッチングし、密着層１８ｂを形成する。密着層１８ｂ、主配線層１８ｃ及び酸化防止層１８ｄは、行方向において、その幅が下地層１８ａの幅より狭く下地層１８ａの中央に配置されているので、下地層１８ａの行方向両端側の各上面が露出している。
【００６７】
次いで、図８（ｂ）に示すように、エッチングマスクＭＳＫを剥離液（例えば三菱瓦斯化学製のＲ−１００や旭電化工業製のアデカリムーバー等）を用いて除去する。これにより、表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）間の境界領域にのみ酸化防止層１８ｄ、主配線層１８ｃ及び密着層１８ｂが残されて、主配線層１８ｃ及び密着層１８ｂを有する導電性バンク部の上面に酸化防止層１８ｄが被覆形成された状態となる。また、各表示画素ＰＩＸの形成領域（画素形成領域Ｒpx）には画素電極１５（酸化金属層１５ｂ）が露出した状態となる。
【００６８】
次いで、各表示画素ＰＩＸの画素形成領域（有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域）Ｒpxに露出する画素電極１５（酸化金属層１５ｂ）表面を、後述する有機ＥＬ層１６の形成工程において使用する正孔輸送材料や電子輸送性発光材料の有機化合物含有液に対して馴染みやすくするために親液化処理を施す。
【００６９】
具体的には、まず絶縁性基板１１を純水で洗浄した後、例えば酸素プラズマ処理やＵＶオゾン処理等により親液化処理を施す。主配線層１８ｃは特に銅を含んでいるためにこのような親液化処理によって表面が酸化されやすい性質を持っている。このとき、表示画素ＰＩＸ間の境界領域に形成された導電性バンク部（主配線層１８ｃ及び密着層１８ｂ）の上面は酸化防止層１８ｄに被覆されているため、上記親液化処理によっては酸化されないとともに親液化せず、導電性バンク部の側面は、酸化防止層１８ｄに被覆されず露出しているため、上記親液化処理によって多少酸化されて（親液性の被膜である酸化膜が形成されて）、ＩＴＯ膜等の透明電極材料を有する上記画素電極１５（酸化金属層１５ｂ）と同時に親液化される。
【００７０】
また、この親液化処理をエッチングマスクＭＳＫの除去を兼ねて行なうこともできる。前述のように、フォトレジストによるエッチングマスクＭＳＫを、剥離液により除去する代わりに、親液化処理として行なう酸素プラズマ処理もしくはＵＶオゾン処理にて、フォトレジストを灰化揮発させ除去する。これにより、エッチングマスクＭＳＫの除去と親液化処理を連続して行なうことができる。
【００７１】
次いで、図９（ａ）に示すように、導電性バンク部上の酸化防止層１８ｄを上記と同様のチタンエッチング液（例えば旭電化工業製のアデカテックＷＴＩ／Ｗ−Ａ１２、Ｂ１９等）に浸漬することによりエッチングして、表示画素ＰＩＸ間の境界領域において導電性バンク部を形成する主配線層１８ｃの上面を露出させる。その後、絶縁性基板１１を純水で洗浄して乾燥させる。
【００７２】
これにより、図４に示したように、隣接する表示画素ＰＩＸとの境界領域に形成された下地層１８ａ上に密着層１８ｂ及び主配線層１８ｃを積層してなるバンク１８が形成される。バンク１８の上面は、酸化防止層１８ｄが除去された後でも、酸化されない状態が続いている。このバンク１８により囲まれた領域が表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）の画素形成領域Ｒpxとして画定されるとともに、隣接する他の色の表示画素ＰＩＸの画素形成領域Ｒpxと隔離される。
【００７３】
次いで、表示画素ＰＩＸ間の境界領域に形成されたバンク１８（導電性バンク部を形成する主配線層１８ｃ）の上面において、正孔輸送材料や電子輸送性発光材料の有機化合物含有液をはじくようにするために撥液化処理を施す。
具体的には、まず、絶縁性基板１１をトリアジントリチオール又はフッ素系トリアジンジチオール誘導体等のトリアジンチオール化合物の撥液処理溶液の処理槽内に挿入して浸漬する。この処理工程における撥液処理溶液の温度は概ね２０〜３０℃程度、浸漬時間は概ね１〜１０分程度に設定する。その後、絶縁性基板１１を撥液処理溶液から取り出し、アルコール等により濯いで絶縁性基板１１表面に残留する撥液処理溶液（トリアジンチオール化合物）を洗い流し、絶縁性基板１１を純水で２次洗浄した後、窒素ガス（Ｎ２）のブローにより乾燥させる。
【００７４】
このとき、トリアジンチオール化合物は図１２に示すように、酸化していない（酸化膜が形成されていない）導電性バンク部の主配線層１８ｃの上面１８upの金属原子と選択的に結合し、撥液性の被膜が形成されることになるが、画素電極１５表面の金属酸化物（酸化金属層１５ｂ）、及び、酸化した導電性バンク部の側面１８sd、下地層１８ａを形成する無機絶縁膜には撥液性を発現する程度には被膜されず、親液性が維持される。
【００７５】
すなわち、トリアジンチオール化合物の一例として適用可能なフッ素系トリアジンジチオール誘導体は、図１１（ａ）に示すように、トリアジン（３個の窒素を含む六員環構造）の窒素（−Ｎ）にチオール基（−ＳＨ）が結合した分子構造に加え、特定のチオール基（−ＳＨ）のＳ原子にアルキル基（−ＣＨ２−ＣＨ２−）及びフッ化アルキル基（−ＣＦ２−ＣＦ２−ＣＦ２−ＣＦ３）が順次結合した分子構造を有し、他のトリアジンチオール化合物と同様に、それ自体が撥液性を示すトリアジントリチオールに加えてさらに撥液性を示すフッ素原子を含んでいるので、図１１（ｂ）に示すように、導電性バンク部の主配線層１８ｃの上面１８upに形成される被膜は、トリアジントリチオールよりも強い撥液性を示す。なお、上述した処理工程において使用する撥液処理溶液の濃度は、概ね１×１０−４〜１×１０−２mol／Ｌの範囲が好ましい。
【００７６】
なお、上記フッ素系トリアジンジチオール誘導体は、チオール基のＳ原子がアルキル基（−ＣＨ２−ＣＨ２−）と結合していたが、直接フッ化アルキル基と結合してもよく、また著しい立体障害にならない限りアルキル基、フッ化アルキル基の炭素数に特別な制限はない。また、上記フッ素系トリアジンジチオール誘導体は、残る二つのチオール基の一つのＳ原子において、水素基に代わって直接又は間接的にフッ化アルキル基が置換形成されていてもよく、或いはフッ素原子を含む基の炭素間がオレフィン二重結合を有していてもよい。また、その他のトリアジンチオール誘導体として、例えば、６−ジメチルアミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオール−ナトリウム塩或いは６−ジドデシルアミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオール−ナトリウム塩を用い、水に溶解して被膜を形成してもよい。
【００７７】
したがって、上述した一連の親液化処理及び撥液化処理により、同一の絶縁性基板１１上において、バンク１８（導電性バンク部）の上面のみが撥液化処理され、当該バンク１８の側面、及び、バンク１８により画定された各画素形成領域Ｒpxに露出する画素電極１５表面は撥液化されていない状態（親液性が保持された状態）が実現される。
【００７８】
このように、上面が撥液化処理されたバンク１８により各表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）の画素形成領域Ｒpxを画定することにより、後述する有機ＥＬ層１６となる発光層（電子輸送性発光層１６ｂ）を形成する際に、当該発光材料の溶液又は分散液（液状材料）を塗布する場合であっても、隣接する表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）間で発光材料が混合することがなく、隣接する色画素相互での混色を防止することができる。
【００７９】
なお、本実施形態において使用する「撥液性」とは、後述する正孔輸送層となる正孔輸送材料を含有する有機化合物含有液や、電子輸送性発光層となる電子輸送性発光材料を含有する有機化合物含有液、もしくは、これらの溶液に用いる有機溶媒を、絶縁性基板上等に滴下して、接触角の測定を行った場合に、当該接触角が５０°以上になる状態と規定する。また、「撥液性」に対峙する「親液性」とは、本実施形態においては、上記接触角が４０°以下になる状態と規定する。
また、バンク１８を形成する上記導電性バンク部（特に主配線層１８ｃ）は、表示パネル１０に２次元配列された各表示画素ＰＩＸに共通電圧Ｖcomを印加するための共通電圧ラインＬｃとしても兼用される。
【００８０】
次いで、図９（ｂ）に示すように、各色の画素形成領域（有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域）Ｒpxに対して、互いに分離した複数の液滴を所定位置に吐出するインクジェット法、又は、連続した溶液を吐出するノズルプリント法等を適用して同一工程で、正孔輸送材料の溶液又は分散液を塗布した後、加熱乾燥させて正孔輸送層（担体輸送層）１６ａを形成する。続いて、図１０（ａ）に示すように、インクジェット法又はノズルプリント法等を適用して、上記正孔輸送層１６ａ上に電子輸送性発光材料の溶液又は分散液を塗布した後、加熱乾燥させて電子輸送性発光層（担体輸送層）１６ｂを形成する。これにより、画素電極１５上に正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂを有する有機ＥＬ層（発光機能層）１６が積層形成される。
【００８１】
具体的には、有機高分子系の正孔輸送材料（担体輸送性材料）を含む有機化合物含有液として、例えばポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸水溶液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ；導電性ポリマーであるポリエチレンジオキシチオフェンＰＥＤＯＴと、ドーパントであるポリスチレンスルホン酸ＰＳＳを水系溶媒に分散させた分散液）を、上記画素電極１５（酸化金属層１５ｂ）上に塗布した後、ホットプレート上で１００℃以上の温度条件で加熱乾燥処理を行って残留溶媒を除去することにより、当該画素電極１５上に有機高分子系の正孔輸送材料を定着させて、担体輸送層である正孔輸送層１６ａを形成する。
【００８２】
ここで、画素電極１５及びその周辺の下地層１８ａの表面は、上述した親液化処理により上記有機化合物含有液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）に対して親液性を有しているので、バンク１８により画定された画素形成領域Ｒpxに塗布された有機化合物含有液は当該領域内（画素電極１５上）に充分馴染んで広がる。一方、バンク１８（主配線層１８ｃ）の上面１８upは、上述した撥液化処理により上記有機化合物含有液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）に対して撥液性を有しているので、隣接する画素形成領域への塗布された有機化合物含有液の漏出や乗り越えを防止することができ、また、バンク１８の側面１８sdは、親液性が保持されているので、毛細管現象により当該有機化合物含有液が迫り上がる。
【００８３】
このように、画素形成領域Ｒpxに塗布された有機化合物含有液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）は撥液性を有するバンク１８の上面でははじかれる一方、充分な親液性を有する画素電極１５上、及び、バンク１８の側面において馴染んで広がるので、図１３（ａ）に示すように、バンク１８に囲まれた画素形成領域Ｒpxにドーム状の断面を有して滞留することになる。
【００８４】
塗布直後より、上記有機化合物含有液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）中の溶媒の揮発が進行する。図１３（ｂ）に示すように、親液性を有するバンク１８の側面や下地層１８ａの表面において有機化合物含有液が充分に馴染んで広がることから、当該有機化合物含有液の液面が画素形成領域Ｒpxの縁辺領域（バンク１８の近傍領域）に引っ張られた状態で乾燥が進み、画素電極１５が露出する開口部の中央領域への有機化合物の凝集が抑制されるので、画素電極１５上の略全域で膜厚が均一化する。
【００８５】
また、有機高分子系の電子輸送性発光材料（担体輸送性材料）を含む有機化合物含有液として、例えばポリパラフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマーを含む発光材料を、テトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン、キシレン等の有機溶媒或いは水に溶解した溶液を、上記正孔輸送層１６ａ上に塗布した後、窒素雰囲気中でホットプレートにより、あるいは、真空中でシーズヒータにより加熱乾燥処理を行って残留溶媒を除去することにより、正孔輸送層１６ａ上に有機高分子系の電子輸送性発光材料を定着させて、担体輸送層であり発光層でもある電子輸送性発光層１６ｂを形成する。
【００８６】
この場合においても、上述した正孔輸送層１６ａと同様に、画素電極１５上の正孔輸送層１６ａ及びその周辺の下地層１８ａの表面は、上記有機化合物含有液に対して親液性を有しているので、バンク１８により画定された画素形成領域Ｒpxに塗布された有機化合物含有液は当該領域内（正孔輸送層１６ａ）に充分馴染んで広がる。一方、バンク１８（主配線層１８ｃ）の上面は、上記有機化合物含有液に対して撥液性を有しているので、隣接する画素形成領域への有機化合物含有液の漏出や乗り越えを防止することができ、また、バンク１８の側面は、親液性が保持されているので、毛細管現象により当該有機化合物含有液が迫り上がる。
【００８７】
したがって、画素形成領域Ｒpxに塗布された有機化合物含有液は、図１３（ａ）と同様に、バンク１８に囲まれた画素形成領域Ｒpxにドーム状の断面を有して滞留し、このような状態で有機化合物含有液中の溶媒の揮発が進行することにより、図１３（ｂ）と同様に、当該有機化合物含有液の液面が画素形成領域Ｒpxの縁辺領域（バンク１８の近傍領域）に引っ張られた状態で乾燥が進むので、画素電極１５が露出する開口部の中央領域への有機化合物の凝集が抑制されて、画素電極１５上の略全域で膜厚が均一化する。
【００８８】
その後、図１０（ｂ）に示すように、少なくとも各画素形成領域Ｒpxを含む絶縁性基板１１上に光透過性を有する導電層（透明電極層）を形成し、上記有機ＥＬ層１６（正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂ）を介して各画素電極１５に対向する共通の対向電極（例えばカソード電極）１７を形成する。ここで、対向電極１７は、例えば蒸着法やスパッタリング法等により厚さが１０ｎｍ以下の電子注入層となるバリウム、マグネシウム、フッ化リチウム等の金属材料を有する薄膜を形成した後、その上層にスパッタリング法等によりＩＴＯ等の透明電極層又はアルミニウム等の薄膜を積層形成した、厚さ方向に透明な膜構造を適用することができる。
【００８９】
また、対向電極１７は、図４、図５、図１０（ｂ）に示すように、上記画素電極１５に対向する領域のみならず、各画素形成領域Ｒpx（有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域）を画定するバンク１８及び下地層１８ａ上にまで延在する単一の導電層（平面電極；べた電極）として形成されるとともに、バンク１８を形成する導電性バンク部（主配線層１８ｃ）と電気的に接続されるように接合される。これにより、バンク１８を形成する導電性バンク部を各表示画素ＰＩＸに共通に接続された共通電圧ライン（カソードライン）Ｌｃとして適用することができる。このように、有機ＥＬ素子ＯＥＬ間に対向電極１７と等電位の導電性バンク部を網羅することによってカソード全体のシート抵抗を下げ、表示パネル１０全体で均一な表示特性にすることができる。
【００９０】
次いで、上記対向電極１７を形成した後、絶縁性基板１１の一面側全域に保護絶縁膜（パッシベーション膜）としてシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等を有する封止層１９をＣＶＤ法等を用いて形成し、さらに、ＵＶ硬化又は熱硬化接着剤を用いて、封止蓋や封止基板２０を接合することにより、図４、図５に示したような断面構造を有する表示パネル１０が完成する。
【００９１】
上述したように、実施形態に係る表示装置及びその製造方法においては、表示パネル１０上に２次元配列される表示画素ＰＩＸ間の境界領域に、各画素形成領域Ｒpxを画定するためのバンク１８を有し、当該バンク１８を形成する導電性バンク部（主配線層１８ｃ；低抵抗の金属層）上に、酸化防止層１８ｄを積層形成した状態で、各画素形成領域Ｒpxに露出する画素電極１５を親液化処理し、次いで、上記酸化防止層１８ｄを除去した後、導電性バンク部を撥液化処理することにより、図１２に示したように、上記親液化処理の際に酸化防止層１８ｄにより酸化されていない導電性バンク部の上面１８upにのみ撥液性（トリアジンチオール化合物）の被膜を形成し、一方、上記親液化処理により酸化された導電性バンク部の側面１８sdへの撥液性の被膜の形成を抑制して親液性を有する状態に保持して、各画素形成領域Ｒpxに有機ＥＬ層１６（正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂ）を形成するための有機化合物含有液（例えばＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ等）を塗布することができる。
【００９２】
ここで、バンクを形成する導電性バンク部上に酸化防止層を形成することなく親液化処理及び撥液化処理を施した場合（以下、便宜的に「比較例」と記す）と本実施形態とを比較検証すると、比較例においては、導電性バンク部（銅等の低抵抗の金属層）の上面及び側面の全面が露出した状態で親液化処理が施されるため、導電性バンク部の表面全域が酸化されて酸化膜が形成される。
【００９３】
この状態で導電性バンク部を撥液化処理すると、上記酸化膜によりトリアジンチオール化合物の被膜の形成が阻害されて、導電性バンク部表面を充分に撥液化することができないため、バンク（導電性バンク部）に囲まれた画素形成領域に有機化合物含有液を塗布した際に、隣接する画素形成領域への有機化合物含有液の漏出や乗り越えが生じて表示画素間で混色が発生する問題や、導電性バンク部上に形成された酸化膜や付着した有機化合物により、画素形成領域から延在して形成される対向電極とのコンタクト抵抗が増加して有機ＥＬ素子に一定の共通電圧を供給することができなくなる問題を有している。
【００９４】
これに対して、実施形態に示した表示装置及びその製造方法によれば、上述したように、バンク１８を形成する導電性バンク部の上面１８upのみを撥液化し、側面１８sdの親液性を保持した状態で有機化合物含有液を塗布することができるので、隣接する画素形成領域Ｒpxへの当該有機化合物含有液の漏出や乗り越えを抑制して表示画素ＰＩＸ間の混色を防止することができるとともに、導電性バンク部上面における酸化膜の形成や有機化合物の付着を防止して、対向電極１７とのコンタクト抵抗を低減し、有機ＥＬ素子ＯＥＬに一定の共通電圧Ｖcomを供給することができる。
【００９５】
また、本実施形態においては、上述したように導電性バンク部の上面１８upのみを撥液化し、側面１８sdの親液性を保持した状態で画素形成領域Ｒpxに有機化合物含有液を塗布することにより、当該有機化合物含有液が撥液性を有する導電性バンク部の上面１８upではじかれる一方、親液性を有する画素電極１５上及び導電性バンク部の側面１８sdにおいてに充分に馴染んで広がるので、図１３（ａ）に示したように、バンク１８（導電性バンク部）に囲まれた画素形成領域Ｒpxに良好に滞留し、加熱乾燥処理により、図１３（ｂ）に示したように、当該有機化合物含有液の液面が画素形成領域Ｒpxの縁辺領域（バンク１８の近傍領域）に引っ張られた状態で乾燥が進むので、バンク（又は導電性バンク部）の表面全域（上面及び側面）を撥液化した状態で有機化合物含有液を塗布した場合に比較して、画素電極１５が露出する開口部の中央領域への有機化合物の凝集が抑制されて、画素形成領域Ｒpxの略全域で膜厚が均一化された有機ＥＬ層１６（正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂ）を形成することができる。
【００９６】
したがって、本実施形態に係る表示装置及びその製造方法によれば、発光動作時における発光開始電圧や、有機ＥＬ層から放射される光の波長（色度）の設計値からのずれを抑制して、所望の表示画質を得ることできるとともに、有機ＥＬ素子の劣化を抑制して、信頼性や寿命に優れた表示パネルを実現することができる。
【００９７】
また、本実施形態においては、バンク１８を形成する導電性バンク部として、共通電圧ラインＬｃとなる上層側の主配線層１８ｃと下層側の密着層１８ｂとを積層した構造を有し、主配線層１８ｃとシリコン窒化膜等を有する下地層１８ａとの間に密着層１８ｂを介在させているので、主配線層１８ｃと下地層１８ａとを直接積層した構造に比較して、接合性を向上させることができ、層間剥離やクラックの発生を抑制することができる。
【００９８】
なお、上述した実施形態においては、トップエミッション型の発光構造を有する表示パネルについて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ボトムエミッション型の発光構造を有するものであってもよい。ところで、上述したようなトップエミッション型の発光構造においては、対向電極として高い光透過性が要求されるので、ＩＴＯ等の透明電極を薄く形成する必要があるが、これによりカソード側の配線抵抗が増大する可能性がある。そこで、配線抵抗の低抵抗化のために共通電圧ラインと兼用するバンク（導電性バンク部）を備えたパネル構造を適用することが有効となる。したがって、このような観点からも、本実施形態に係る表示装置及びその製造方法は、トップエミッション型の発光構造を有する表示パネルに対して特に有効である。
【００９９】
また、上述した実施形態においては、画素電極１５の親液化処理の際に、バンク１８を形成する導電性バンク部（主配線層１８ｃ）の上面１８upの酸化を防止するために、予め酸化防止層１８ｄを積層形成する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、酸素プラズマ処理やＵＶオゾン処理等による親液化処理に際して、共通電圧ラインＬｃとなる金属層（上層側の主配線層１８ｃ）の上面の酸化を抑制することができるものであれば、他の金属材料や絶縁性材料を適用するものであってもよい。
【０１００】
また、上述した実施形態においては、共通電圧ラインＬｃとなる金属層（上層側の主配線層１８ｃ）と下地層１８ａとの接合性を改善するための介在層として、密着層１８ｂを適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、他の金属材料や絶縁性材料を有する薄膜を介在させるものであってもよい。また、共通電圧ラインＬｃとなる金属層として、シリコン窒化膜等を有する下地層との接合性が良好な低抵抗の金属層を適用することができる場合には、当該金属層と下地層との間に介在層を形成する必要はなく、導電性バンク部を単一の金属層（共通電圧ラインＬｃとなる低抵抗の金属層のみ）を有する構造としてもよい。
【０１０１】
さらに、上述した各実施形態においては、有機ＥＬ層１６が正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂを有する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば正孔輸送兼電子輸送性発光層のみでもよく、正孔輸送性発光層及び電子輸送層でもよく、また、間に適宜担体輸送層が介在してもよく、その他の担体輸送層の組合せであってもよい。
【０１０２】
また、上述した実施形態においては、画素電極１５をアノードとしたが、これに限らずカソードとしてもよい。このとき、有機ＥＬ層１６は、画素電極１５に接する担体輸送層が電子輸送性の層であればよい。また、有機ＥＬ層１６を成膜する際の隔壁として用いたバンク１８は、カソードとなる共通電圧ラインＬｃとしたが、アノードとなる電圧ラインであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの画素配列状態の一例を示す概略平面図である。
【図２】本発明に係る表示装置の表示パネルに２次元配列される各表示画素（表示素子及び画素駆動回路）の回路構成例を示す等価回路図である。
【図３】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）に適用可能な表示画素の一例を示す平面レイアウト図である。
【図４】本実施形態に係る平面レイアウトを有する表示画素におけるＡ−Ａ断面を示す概略断面図である。
【図５】本実施形態に係る平面レイアウトを有する表示画素におけるＢ−Ｂ断面を示す概略断面図である。
【図６】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図（その１）である。
【図７】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図（その２）である。
【図８】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図（その３）である。
【図９】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図（その４）である。
【図１０】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図（その５）である。
【図１１】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）に形成されるバンク表面の被膜の分子構造を説明するための化学記号である。
【図１２】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）に形成されるバンク表面の撥液性及び親液性を説明するための概略断面図である。
【図１３】本実施形態に係る有機ＥＬ層の形成工程における膜表面の状態変化を示す概念図である。
【符号の説明】
【０１０４】
１０ 表示パネル
１１ 絶縁性基板
１５ 画素電極
１５ａ 反射金属層
１５ｂ 酸化金属層
１６ 有機ＥＬ層
１６ａ 正孔輸送層
１６ｂ 電子輸送性発光層
１７ 対向電極
１８ バンク
１８ａ 下地層
１８ｂ 密着層
１８ｃ 主配線層
１８ｄ 酸化防止層
ＰＩＸ 表示画素
Ｒpx 画素形成領域
【特許請求の範囲】
【請求項１】
担体輸送層を有する発光素子を含む複数の表示画素を２次元配列した表示パネルを備えた表示装置において、
前記表示画素の画素形成領域を画定するための隔壁を有し、
前記隔壁は、前記担体輸送層を形成するための担体輸送性材料を含む溶液に対して親液性を有する被膜が形成された側面と、前記担体輸送性材料を含む溶液に対して撥液性を有する被膜が形成された上面と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記隔壁は、少なくとも表面が金属層により形成されていることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記隔壁は、隣接する前記表示画素の前記画素形成領域間を絶縁する下地層と、前記金属層と、前記下地層と前記金属層との密着性を向上するための介在層と、を積層して形成されていることを特徴とする請求項２記載の表示装置。
【請求項４】
前記下地層は、シリコン窒化膜又はシリコン酸化膜からなり、前記金属層は、銅又はその合金を有することを特徴とする請求項３記載の表示装置。
【請求項５】
前記金属層は、前記撥液性を有する被膜を介して、前記担体輸送層に電圧を印加するための電極に接合されていることを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の表示装置。
【請求項６】
前記担体輸送性材料は高分子系の有機材料からなり、前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の表示装置。
【請求項７】
担体輸送層を有する発光素子を含む複数の表示画素を２次元配列した表示パネルを備えた表示装置の製造方法において、
基板上に設定された前記表示画素の画素形成領域に形成された画素電極間に第１の金属層を形成する第１の金属層形成工程と、
前記第１の金属膜上に第２の金属層を形成する第２の金属層形成工程と、
前記第１及び第２の金属層をマスクを用いてパターニングして、前記画素形成領域ごとの前記画素電極を露出させるパターニング工程と、
前記マスクを除去した後、前記画素電極の表面を、前記担体輸送層を形成するための担体輸送性材料を含む溶液に対して親液化する親液化工程と、
前記第２の金属層を除去した後、前記第１の金属層の上面を、前記担体輸送性材料を含む溶液に対して撥液化する撥液化工程と、
前記第１の金属層により画定される前記画素形成領域に前記担体輸送性材料を含む溶液を塗布、乾燥して前記画素電極上に前記担体輸送層を形成する担体輸送層形成工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記親液化工程は、前記画素電極の表面とともに前記第１の金属層の側面を、前記担体輸送層を形成するための担体輸送性材料を含む溶液に対して親液化することを特徴とする請求項７記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記親液化工程は、前記基板に対して酸素プラズマ処理又はＵＶオゾン処理を施すことを特徴とする請求項７又は８記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記撥液化工程は、トリアジンチオール化合物の溶液に前記基板を浸漬し、前記隔壁の上面に前記担体輸送性材料を含む溶液に対して撥液性を有する被膜を形成することを特徴とする請求項７乃至９のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記担体輸送層を介して前記複数の表示画素の前記画素電極に共通に対向し、かつ、前記撥液化された前記隔壁上に延在するように形成され、前記撥液性を有する被膜を介して、前記第１の金属層に電気的に接合された対向電極を形成する対向電極形成工程と、
をさらに含むことを特徴とする請求項７乃至１０のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項１】
担体輸送層を有する発光素子を含む複数の表示画素を２次元配列した表示パネルを備えた表示装置において、
前記表示画素の画素形成領域を画定するための隔壁を有し、
前記隔壁は、前記担体輸送層を形成するための担体輸送性材料を含む溶液に対して親液性を有する被膜が形成された側面と、前記担体輸送性材料を含む溶液に対して撥液性を有する被膜が形成された上面と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記隔壁は、少なくとも表面が金属層により形成されていることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記隔壁は、隣接する前記表示画素の前記画素形成領域間を絶縁する下地層と、前記金属層と、前記下地層と前記金属層との密着性を向上するための介在層と、を積層して形成されていることを特徴とする請求項２記載の表示装置。
【請求項４】
前記下地層は、シリコン窒化膜又はシリコン酸化膜からなり、前記金属層は、銅又はその合金を有することを特徴とする請求項３記載の表示装置。
【請求項５】
前記金属層は、前記撥液性を有する被膜を介して、前記担体輸送層に電圧を印加するための電極に接合されていることを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の表示装置。
【請求項６】
前記担体輸送性材料は高分子系の有機材料からなり、前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の表示装置。
【請求項７】
担体輸送層を有する発光素子を含む複数の表示画素を２次元配列した表示パネルを備えた表示装置の製造方法において、
基板上に設定された前記表示画素の画素形成領域に形成された画素電極間に第１の金属層を形成する第１の金属層形成工程と、
前記第１の金属膜上に第２の金属層を形成する第２の金属層形成工程と、
前記第１及び第２の金属層をマスクを用いてパターニングして、前記画素形成領域ごとの前記画素電極を露出させるパターニング工程と、
前記マスクを除去した後、前記画素電極の表面を、前記担体輸送層を形成するための担体輸送性材料を含む溶液に対して親液化する親液化工程と、
前記第２の金属層を除去した後、前記第１の金属層の上面を、前記担体輸送性材料を含む溶液に対して撥液化する撥液化工程と、
前記第１の金属層により画定される前記画素形成領域に前記担体輸送性材料を含む溶液を塗布、乾燥して前記画素電極上に前記担体輸送層を形成する担体輸送層形成工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記親液化工程は、前記画素電極の表面とともに前記第１の金属層の側面を、前記担体輸送層を形成するための担体輸送性材料を含む溶液に対して親液化することを特徴とする請求項７記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記親液化工程は、前記基板に対して酸素プラズマ処理又はＵＶオゾン処理を施すことを特徴とする請求項７又は８記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記撥液化工程は、トリアジンチオール化合物の溶液に前記基板を浸漬し、前記隔壁の上面に前記担体輸送性材料を含む溶液に対して撥液性を有する被膜を形成することを特徴とする請求項７乃至９のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記担体輸送層を介して前記複数の表示画素の前記画素電極に共通に対向し、かつ、前記撥液化された前記隔壁上に延在するように形成され、前記撥液性を有する被膜を介して、前記第１の金属層に電気的に接合された対向電極を形成する対向電極形成工程と、
をさらに含むことを特徴とする請求項７乃至１０のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２００８−５９９８１（Ｐ２００８−５９９８１Ａ）
【公開日】平成２０年３月１３日（２００８．３．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−２３７５６７（Ｐ２００６−２３７５６７）
【出願日】平成１８年９月１日（２００６．９．１）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年３月１３日（２００８．３．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年９月１日（２００６．９．１）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
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