複合電子部品の製造方法及び複合電子部品
【課題】複数のセラミックスの間に熱膨張率や焼成収縮率の差があってもクラック、デラミネーション等の損傷が発生しにくく複数のセラミックスの間の相互拡散を十分に抑制することができる複合電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】複合電子部品の製造方法は、(a)金属又は合金からなるワイヤの第１の部分を第１のセラミックス成形体にゲルキャスト法により埋設する工程；(b)工程(a)の後にワイヤの第１の部分から離された第２の部分を第１のセラミックス成形体とは別体の第２のセラミックス成形体にゲルキャスト法により埋設する工程；(c)工程(b)の前又は後に第１のセラミックス成形体を焼成し第１のセラミックス焼成体とする工程；及び(d)工程(c)の後又は工程(c)と同時に第２のセラミックス成形体を焼成し第２のセラミックス焼成体とする工程、を備える。
【解決手段】複合電子部品の製造方法は、(a)金属又は合金からなるワイヤの第１の部分を第１のセラミックス成形体にゲルキャスト法により埋設する工程；(b)工程(a)の後にワイヤの第１の部分から離された第２の部分を第１のセラミックス成形体とは別体の第２のセラミックス成形体にゲルキャスト法により埋設する工程；(c)工程(b)の前又は後に第１のセラミックス成形体を焼成し第１のセラミックス焼成体とする工程；及び(d)工程(c)の後又は工程(c)と同時に第２のセラミックス成形体を焼成し第２のセラミックス焼成体とする工程、を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複合電子部品の製造方法及び複合電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、キャパシタとインダクタとを一体化した複合電子部品に関する。
【０００３】
特許文献１の「従来の技術」の欄は、複合電子部品の製造方法として、シート形状の誘電体セラミックス成形体（誘電体グリーンシート）とシート形状の磁性体セラミックス成形体（磁性体グリーンシート）とを積層し、積層体を焼成することに言及している。また、特許文献１の「従来の技術」の欄は、誘電体セラミックス成形体と磁性体セラミックス成形体との間に、熱膨張率の差により生じる応力を緩和する中間層を挟むことに言及している。さらに、特許文献１の「実施例」の欄は、誘電体セラミックスと磁性体セラミックスとの間の相互拡散を抑制する中間層の組成物に言及している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３３６８６７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、従来の技術では、複数のセラミックスの間の熱膨張率や焼成収縮率の差により生じる応力を十分に緩和することができず、クラック、デラミネーション等の損傷が発生することがある。逆に、これらの損傷が発生しないようにすると、熱膨張率や焼成収縮率の差が小さくなるようにセラミックス材料を選択しなければならず、セラミックス材料の選択の自由度が減る。
【０００６】
また、従来の技術では、複数のセラミックスの間の相互拡散を十分に抑制することができなかった。
【０００７】
本発明は、これらの問題を解決するためになされたもので、複数のセラミックスの間に熱膨張率や焼成収縮率の差があってもクラック、デラミネーション等の損傷が発生しにくく複数のセラミックスの間の相互拡散を十分に抑制することができる複合電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するための手段を以下に示す。
【０００９】
第１の発明は、複合電子部品の製造方法であって、(a) 金属又は合金からなる第１のワイヤの第１の部分を第１のセラミックス成形体にゲルキャスト法により埋設する工程；(b) 前記工程(a)の後に前記第１のワイヤの前記第１の部分から離された第２の部分を前記第１のセラミックス成形体とは別体の第２のセラミックス成形体にゲルキャスト法により埋設する工程；(c) 前記工程(b)の前又は後に前記第１のセラミックス成形体を焼成し第１のセラミックス焼成体とする工程；及び(d) 前記工程(c)の後又は前記工程(c)と同時に前記第２のセラミックス成形体を焼成し第２のセラミックス焼成体とする工程、を備える。
【００１０】
第２の発明は、第１の発明の複合電子部品の製造方法において、前記工程(a)は、前記第１の部分に加えて金属又は合金からなる粉末を含み前記第１の部分に接触する第１の印刷パターンを前記第１のセラミックス成形体に埋設する。
【００１１】
第３の発明は、第１の発明の複合電子部品の製造方法において、(e) 金属又は合金からなる粉末を含む第２の印刷パターンを第３のセラミックス成形体にゲルキャスト法により埋設する工程；及び(f) 前記工程(a)及び前記工程(e)の後に前記第１のセラミックス成形体と前記第３のセラミックス成形体とを積層し前記第１の部分と前記第１の印刷パターンとを接触させた第１の積層体を作製する工程；をさらに備え、工程(c)は、前記第１の積層体を焼成する。
【００１２】
第４の発明は、第１の発明から第３の発明までのいずれかの複合電子部品の製造方法において、前記工程(b)は、前記第２の部分に加えて金属又は合金からなる粉末を含み前記第２の部分に接触する第３の印刷パターンを第２のセラミックス成形体に埋設する。
【００１３】
第５の発明は、第１の発明から第３の発明までのいずれかの複合電子部品の製造方法において、(g) 金属又は合金からなる粉末を含む第４の印刷パターンを第４のセラミックス成形体にゲルキャスト法により埋設する工程；及び(h) 前記工程(a)及び前記工程(g)の後に前記第２のセラミックス成形体と前記第４のセラミックス成形体とを積層し前記第２の部分と前記第４の印刷パターンとを接触させた第２の積層体を作製する工程；をさらに備え、工程(d)は、前記第２の積層体を焼成する。
【００１４】
第６の発明は、第１の発明から第５の発明までのいずれかの複合電子部品の製造方法において、(i) 前記工程(a)の前に前記第１の部分にらせん形状部分を形成する工程、をさらに備える。
【００１５】
第７の発明は、第１の発明から第５の発明までのいずれかの複合電子部品の製造方法において、前記工程(a)は、前記第１の部分に加えて、金属又は合金からなり前記第１の部分に沿って延在する第２のワイヤを第１のセラミックス成形体にゲルキャスト法により埋設する。
【００１６】
第８の発明は、第１の発明から第５の発明までのいずれかの複合電子部品の製造方法において、(j) 前記工程(b)の前であって前記工程(a)の前又は後に前記第２の部分にらせん形状部分を形成する工程、をさらに備える。
【００１７】
第９の発明は、第１の発明から第５の発明までのいずれかの複合電子部品の製造方法において、前記工程(b)は、前記第２の部分に加えて、金属又は合金からなり前記第２の部分に沿って延在する第２のワイヤを第２のセラミックス成形体に埋設する。
【００１８】
第１０の発明は、第１の発明から第９の発明までのいずれかの複合電子部品の製造方法において、(k) 前記第１のセラミックス焼成体と前記第２のセラミックス焼成体との間隙に充填体を充填する工程、をさらに備える。
【００１９】
第１１の発明は、第１の発明から第１０の発明までのいずれかの複合電子部品の製造方法において、前記工程(b)の前に前記工程(c）を実行し、前記工程(c)の後に前記工程(d)を実行する。
【００２０】
第１２の発明は、複合電子部品であって、金属又は合金からなるつなぎ目がないワイヤと、前記ワイヤの第１の部分が埋設される第１のセラミックス焼成体と、前記ワイヤの前記前記第１の部分から離された第２の部分が埋設される前記第１のセラミックス焼成体とは別体の第２のセラミックス焼成体と、を備える。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、第１のセラミックス成形体と第２のセラミックス成形体とが別体であるので、第１のセラミックスと第２のセラミックスとの間に熱膨張率や焼成収縮率の差があっても焼成のときにクラック、デラミネーション等の損傷は発生しにくい。また、第１のセラミックスと第２のセラミックスとの間の相互拡散も抑制される。
【００２２】
請求項２から請求項５までの発明によれば、ワイヤと内部電極との接続が実現される。
【００２３】
請求項６及び請求項８の発明によれば、インダクタが容易に形成される。
【００２４】
請求項７及び請求項９の発明によれば、キャパシタが容易に形成される。
【００２５】
請求項１０の発明によれば、第１のセラミックス焼成体と第２のセラミックス焼成体とが固着され、複合電子部品の強度が向上する。
【００２６】
請求項１１の発明によれば、第１のセラミックス成形体と第２のセラミックス成形体とが別々に焼成されるので、セラミックス材料の選択の自由度が増す。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】第１実施形態の複合電子部品の断面図である。
【図２】第２実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図３】第２実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図４】第２実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図５】第２実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図６】構造体の作製方法を説明する断面図である。
【図７】構造体の作製方法を説明する断面図である。
【図８】構造体の作製方法を説明する断面図である。
【図９】構造体の作製方法を説明する断面図である。
【図１０】構造体の作製方法を説明する断面図である。
【図１１】構造体の作製方法を説明する断面図である。
【図１２】第３実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図１３】第３実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図１４】第３実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図１５】第３実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図１６】第３実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図１７】第３実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図１８】第３実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図１９】第４実施形態の複合電子部品の断面図である。
【図２０】第５実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図２１】第５実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図２２】第５実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図２３】第５実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図２４】第６実施形態の複合電子部品の断面図である。
【図２５】第７実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図２６】第７実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図２７】第７実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図２８】第７実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図２９】第７実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図３０】第７実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図３１】第８実施形態の複合電子部品の断面図である。
【図３２】第９実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図３３】第９実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図３４】第９実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図３５】樹脂膜で被覆されたワイヤを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
＜第１実施形態＞
第１実施形態は、複合電子部品の構造に関する。
【００２９】
図１は、第１実施形態の複合電子部品の模式図である。図１は、第１実施形態の複合電子部品の断面を示す。
【００３０】
図１に示すように、複合電子部品１００２は、キャパシタとインダクタとが並列に接続された並列共振子であって、誘電体セラミックス焼成体（焼結体）１００４と、磁性体セラミックス焼成体（焼結体）１００６と、キャパシタの内部電極１００８，１０１０と、インダクタの内部電極１０１２と、キャパシタの内部電極１００８とインダクタの内部電極１０１２の一端とを接続するワイヤ１０１４と、キャパシタの内部電極１０１０とインダクタの内部電極１０１２の他端とを接続するワイヤ１０１６と、外部電極１０１８，１０２０と、誘電体セラミックス焼成体１００４と磁性体セラミックス焼成体１００６との間隙に充填される充填体１０２２と、を備える。
【００３１】
誘電体セラミックス焼成体１００４と磁性体セラミックス焼成体１００６とは別体であり、誘電体セラミックス焼成体１００４と磁性体セラミックス焼成体１００６とが直接接触する界面は存在しない。誘電体セラミックス焼成体１００４と磁性体セラミックス焼成体１００６との間隙には、誘電体セラミックス焼成体１００４及び磁性体セラミックス焼成体１００６のいずれにも埋設されないワイヤ１０１４の非埋設部分１０２４及びワイヤ１０１６の非埋設部分１０２６がある。
【００３２】
誘電体セラミックス材料及び磁性体セラミックス材料は、複合電子部品の仕様に応じて選択される。誘電体セラミックス材料としては、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）が選択され、磁性体セラミックス材料としては、例えば、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｒ系フェライトが選択される。
【００３３】
キャパシタの内部電極１００８，１０１０は、平膜形状を有する部分（以下では「平膜形状部分」という。）を有する。キャパシタの内部電極１００８の平膜形状部分とキャパシタの内部電極１０１０の平膜形状部分とは、誘電体セラミックス焼成体１００４を挟んで対向する。キャパシタの内部電極１００８の一部は、誘電体セラミックス焼成体１００４の端面に露出する。
【００３４】
インダクタの内部電極１０１２は、らせん形状を有する部分（以下では「らせん形状部分」という。）を有する。インダクタの内部電極１０１２は、磁性体セラミックス焼成体１００６に埋設される。インダクタの内部電極１０１２の一部は、磁性体セラミックス焼成体１００６の端面に露出する。
【００３５】
キャパシタの内部電極１００８，１０１０を構成する導電体材料は、誘電体セラミックス材料、焼成温度等に応じて選択される。インダクタの内部電極１０１２を構成する導電体材料は、磁性体セラミックス材料、焼成温度等に応じて選択される。キャパシタの内部電極１００８，１０１０及びインダクタの内部電極１０１２を構成する導電体材料としては、例えば、銀（Ａｇ），白金（Ｐｔ），パラジウム（Ｐｄ）等の金属又はこれらの金属の合金が選択される。
【００３６】
外部電極１０１８は、誘電体セラミックス焼成体１００４の端面に形成され、キャパシタの内部電極１００８に接続される。外部電極１０２０は、磁性体セラミックス焼成体１００６の端面に形成され、インダクタの内部電極１０１２に接続される。外部電極１０１８，１０２０を構成する導電体材料としては、例えば、銀（Ａｇ），白金（Ｐｔ），パラジウム（Ｐｄ）等の金属又はこれらの金属の合金が選択される。
【００３７】
ワイヤ１０１４の誘電体埋設部分１０２８は、誘電体セラミックス焼成体１００４に埋設され、ワイヤ１０１４の磁性体埋設部分１０３０は、磁性体セラミックス焼成体１００６に埋設される。誘電体埋設部分１０２８と磁性体埋設部分１０３０とは、非埋設部分１０２４を挟んで離される。ワイヤ１０１４には、つなぎ目がない。
【００３８】
ワイヤ１０１６の誘電体埋設部分１０３２は、誘電体セラミックス焼成体１００４に埋設され、磁性体埋設部分１０３４は、磁性体セラミックス焼成体１００６に埋設される。誘電体埋設部分１０３２と磁性体埋設部分１０３４とは、非埋設部分１０２６を挟んで離される。ワイヤ１０１６には、つなぎ目がない。
【００３９】
ワイヤ１０１４，１０１６に「つなぎ目がない」とは、ワイヤ外形に段差がないことをいう。この「つなぎ目がない」という語の語義は、以下で言及するワイヤ１０１４，１０１６以外のワイヤについても同様である。
【００４０】
ワイヤ１０１４，１０１６の断面形状は、特に制限されず、円形状等の丸型であってもよいし、正方形状、矩形状等の角型であってもよい。ただし、誘電体埋設部分１０２８，１０３２及び磁性体埋設部分１０３０，１０３４の断面形状は、扁平な矩形状とすることが望ましい。誘電体埋設部分１０２８，１０３２及び磁性体埋設部分１０３０，１０３４の断面形状を矩形状とすることにより、ワイヤ１０１４，１０１６とキャパシタの内部電極１００８，１０１０及びインダクタの内部電極１０１２とが確実に接続される。また、非埋設部分１０２４，１０２６の断面形状は、円形状であることが望ましい。非埋設部分１０２４，１０２６の断面形状を円形状とすることにより、非埋設部分１０２４，１０２６が変形しやすくなり、焼成のときのセラミックスの収縮が大きくてもセラミックスに余分な応力がかからなくなる。誘電体埋設部分１０２８，１０３２及び磁性体埋設部分１０３０，１０３４の断面形状を途中で変化させることも望ましい。これにより、ワイヤ１０１４，１０１６が誘電体セラミックス焼成体１００４及び磁性体セラミックス焼成体１００６から抜けることが抑制される。
【００４１】
ワイヤ１０１４の断面積は、一方の接続先のキャパシタの内部電極１００８の断面積及び他方の接続先のインダクタの内部電極１０１２の断面積のうちの小さい方に合わせることが望ましく、ワイヤ１０１６の断面積は、一方の接続先のキャパシタの内部電極１０１０の断面積及び他方の接続先のインダクタの内部電極１０１２の断面積のうちの小さい方に合わせることが望ましい。その理由は、ワイヤ１０１４，１０１６の断面積をこれよりも小さくすると抵抗が大きくなるからであり、ワイヤ１０１４，１０１６の断面積をこれよりも大きくすると必要な材料が増え、ワイヤ１０１４，１０１６のコストが上昇するからである。
【００４２】
ワイヤ１０１４，１０１６は、金属又は合金からなる。ワイヤ１０１４，１０１６に使用される金属としては、例えば、銀（Ａｇ），白金（Ｐｔ），パラジウム（Ｐｄ）等があり、ワイヤ１０１４，１０１６に使用される合金としては、例えば、これらの金属の合金がある。
【００４３】
ワイヤ１０１４，１０１６は、これらの金属又は合金からなる結晶粒の間の粒界に空隙がほとんど存在せず、結晶粒が実質的に連続して結合した微構造を有することが望ましい。ワイヤ１０１４，１０１６の体積の全体に占める空隙の体積の比率は、望ましくは１％以下であり、さらに望ましくは０．１％以下である。当該体積の比率の算出においては、例えば、ワイヤ１０１４，１０１６の断面を露出させた断面試料が準備され、ワイヤ１０１４，１０１６の断面積の全体に占める空隙の面積の比率が算出される。当該体積の比率は、当該面積の比率から算出される。断面試料は、例えば、アルゴンイオンビームを用いたクロスセクションポリッシャ（ＣＰ）法により作製される。以下で言及するワイヤ１０１４，１０１６以外のワイヤも、このような微構造を有することが望ましい。
【００４４】
これらの金属又は合金からなる粉末を分散媒に分散させた導電材料ペーストの乾燥物を焼結させた導電体においては、これらの金属又は合金からなる結晶粒の間の粒界に多くの空隙が存在することが通常である。これは、導電材料ペーストには、流動性を付与するための分散媒、結着性を付与するためのバインダ等の乾燥工程又は焼結工程において消失する成分が含まれるからである。
【００４５】
＜第２実施形態＞
（複合電子部品の製造）
第２実施形態は、複合電子部品の製造方法に関する。第２実施形態の複合電子部品の製造方法は、第１実施形態の複合電子部品１００２の製造に適用される。
【００４６】
図２から図５までは、第２実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する模式図である。図２から図５までは、製造の途上の仕掛品の断面を示す。図２から図５までは、１個の複合電子部品の製造の途上の仕掛品を示しているが、２個以上の複合電子部品を同時に製造してもよい。
【００４７】
第２実施形態の複合電子部品の製造においては、ワイヤ１０１４，１０１６が準備された後に、図２に示すように、
（１）ワイヤ１０１４の誘電体埋設部分１０２８及び印刷パターン２１０８が誘電体セラミックス成形体２１０４に埋設され、ワイヤ１０１４の磁性体埋設部分１０３０及び印刷パターン２１１２が磁性体セラミックス成形体２１０６に埋設された構造体２５０２；
（２）印刷パターン２２０８，２２１０が埋設された誘電体セラミックス成形体２２０４；
（３）印刷パターン２２１２が埋設された磁性体セラミックス成形体２２０６の群；及び
（４）ワイヤ１０１６の誘電体埋設部分１０３２が誘電体セラミックス成形体２３０４に埋設され、ワイヤ１０１６の磁性体埋設部分１０３４が磁性体セラミックス成形体２３０６に埋設された構造体２５０４；
がゲルキャスト法により作製される。
【００４８】
誘電体埋設部分１０２８，１０３２と磁性体埋設部分１０３０，１０３４とは離されているので、誘電体セラミックス成形体２１０４，２２０４，２３０４と磁性体セラミックス成形体２１０６，２２０６，２３０６とは別体であり、誘電体セラミックス成形体２１０４，２２０４，２３０４と磁性体セラミックス成形体２１０６，２２０６，２３０６とが直接接触する界面は存在しない。このため、誘電体セラミックスと磁性体セラミックスとの間に熱膨張率や焼成収縮率の差があっても、焼成のときにクラック、デラミネーション等の損傷は発生しにくい。また、誘電体セラミックスと磁性体セラミックスとの間の相互拡散も抑制される。このことは、誘電体セラミックス材料及び磁性体セラミックス材料の選択の自由度を増す。
【００４９】
構造体２５０２，２５０４、誘電体セラミックス成形体２２０４及び磁性体セラミックス成形体２２０６が作製された後に、図３に示すように、誘電体セラミックス成形体２１０４，２２０４，２３０４が積層され、積層体２００４が作製される。また、磁性体セラミックス成形体２１０６，２２０６，２３０６が積層され、積層体２００６が作製される。誘電体セラミックス成形体２２０４の積層体及び磁性体セラミックス成形体２２０６の積層体を作製してから積層体２００４，２００６を作製してもよい。積層体２００４，２００６は、別々に作製してもよいし、同時に作製してもよい。
【００５０】
積層体２００４を作製するときには、ワイヤ１０１６の誘電体埋設部分１０３２が印刷パターン２２１０に接触させられ、積層体２００６を作製するときには、ワイヤ１０１６の磁性体埋設部分１０３４が印刷パターン２２１２に接触されられる。これらの接触は、焼成の後におけるワイヤ１０１６とキャパシタの内部電極１０１０及びインダクタの内部電極１０１２との接続を実現する。
【００５１】
積層体２００４，２００６が作製された後に、図４に示すように、積層体２００４，２００６が同時に焼成され、積層体２００４が誘電体セラミックス焼成体１００４となり、積層体２００６が磁性体セラミックス焼成体１００６となり、印刷パターン２１０８，２２０８がキャパシタの内部電極１００８となり、印刷パターン２２１０がキャパシタの内部電極１０１０となり、印刷パターン２１１２，２２１２がインダクタの内部電極１０１２となる。
【００５２】
積層体２００４，２００６が焼成された後に、図５に示すように、誘電体セラミックス焼成体１００４の端面に外部電極１０１８が形成され、磁性体セラミックス焼成体１００６の端面に外部電極１０２０が形成される。外部電極１０１８，１０２０の形成は、金属又は合金からなる粉末を含むペースト（以下では「導電体ペースト」という。）を塗布し、塗布膜を焼き付けることにより行われる。積層体２００４，２００６を焼成する前に導電体ペーストを塗布し、積層体２００４，２００６を焼成するのと同時に塗布膜を焼成することによっても外部電極１０１８，１０２０が形成される。外部電極１０１８，１０２０にメッキ処理を行ってもよい。
【００５３】
外部電極１０１８，１０２０が形成された後に、誘電体セラミックス焼成体１００４と磁性体セラミックス焼成体１００６との間隙に充填体１０２２が充填され、図１に示す複合電子部品１００２が完成する。外部電極１０１８，１０２０にメッキ処理を行う場合は、メッキ処理の後に充填体１０２２を充填してもよい。充填体１０２２は、例えば、接着剤の硬化物である。これにより、誘電体セラミックス焼成体１００４と磁性体セラミックス焼成体１００６とが固着され、複合電子部品１００２の強度が向上し、ワイヤ１０１４，１０１６が保護される。
【００５４】
第２実施形態の複合電子部品の製造方法によれば、セラミックス成形体が積層される方向とは異なる横方向にキャパシタ及びインダクタが配列されるので、低背の複合電子部品が提供される。ただし、キャパシタ及びインダクタを横方向以外の方向に配列することを制限しない。
【００５５】
（ゲルキャスト法）
ゲルキャスト法は、セラミックス粉末を含むスラリーを型に流し込み、スラリーを熱により硬化又はゲル化させることにより、流動性を失った成形体を作製するセラミックス粉末の成形の手法をいう。熱によらずにスラリーを硬化又はゲル化させてもよい。ゲルキャスト法は、スラリーが流動性を失った後に分散媒が蒸発するので、成形収縮が小さいという特徴を有する。このため、高い剛性を有するワイヤをセラミックス成形体に埋設するときにゲルキャスト法を用いると、成形収縮によるクラック等の損傷が抑制される。
【００５６】
ゲルキャスト法によるセラミックス成形体の作製に使用するスラリーは、セラミックス粉末を分散させた分散媒に硬化剤、ゲル化剤等を添加することにより調製される。硬化剤（ゲル化剤）は、樹脂硬化物（樹脂ゲル化物）の前駆体と、樹脂硬化物の前駆体の硬化（ゲル化）を開始又は促進させる硬化開始／促進剤（ゲル化開始／促進剤）とを含む。硬化剤、ゲル化剤等の添加物は、望ましくは、均一に混合される。
【００５７】
分散媒は、水、無極性有機溶媒、極性有機溶媒等から選択される。分散媒として選択される有機溶媒には、メタノール・エタノール・イソプロピルアルコール等の低級アルコール類、高級アルコール、アセトン、ヘキサン、ベンゼン、トルエン、エチレングリコール等のジオール類、グリセリン等のトリオール類、グルタル酸ジメチル等の多塩基酸エステル、トリアセチン等の２個以上のエステル基を有するエステル類、ポリカルボン酸エステル等のポリエステル系化合物、リン酸エステル、アミン縮合物、ノニオン系特殊アミド化合物等がある。分散媒は、純物質及び混合物のいずれであってもよい。
【００５８】
樹脂硬化物を構成する樹脂は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂等から選択される。樹脂は、分散媒との相溶性が高く分散媒との反応性が低い物質から選択される。エポキシ樹脂としては、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプリピレングリコール、グリセリンジグリシジルエーテル等を構成モノマーとして含む重合体が選択される。アクリル樹脂としては、アクリルアミド、メタクリル酸、Ｎ−ヒドロキシメチルアクリルアミド、アクリル酸アンモニウム塩等を構成モノマーとして含む重合体が選択される。ウレタン樹脂としては、ＭＤＩ（４，４−ジフェニルメタンジイソシアナート）系イソシアネート、ＨＤＩ（ヘキサメチレンジイソシアナート）系イソシアネート、ＴＤＩ（トリレンジイソシアナート）系イシソアナート、ＩＰＤＩ（イソホロンジイソシアナート）系イソシアナート、イソチオシナート等を構成モノマーとして含む重合体が選択される。
【００５９】
硬化開始／促進剤は、樹脂硬化物の前駆体との反応性を考慮して選択される。硬化開始／促進剤は、テトラメチルエチレンジアミン・トリエチレンジアミン・ヘキサンジアミン・エチレンジアミン等の重合体のポリアルキレンポリアミン、１−（２−アミノエチル）ピペラジン等のペラジン類、ポリオキシプロピレンジアミン等のポリエーテルアミン、Ｎ，Ｎ´−メチレンビスアクリルアミド、６−ジメチルアミノ−１−ヘキサノール、過硫酸アンモニウム、過酸化水素等から選択される。
【００６０】
例えば、分散媒としてトリアセチンとグルタル酸ジメチルとの混合物、ゲル化剤としてポリメチレンポリフェニルポリイソシアネート及びエチレングリコールが選択される。分散性を向上するためにカルボン酸共重合体、アクリル酸共重合体等の分散剤がさらに添加されてもよいし、硬化（ゲル化）させる反応を促進するために６−ジメチルアミノ−１−ヘキサノール等の触媒がさらに添加されてもよい。セラミックス粉末が焼結助剤等の添加物を含んでもよい。
【００６１】
（構造体２５０２の作製）
図６から図１１までは、構造体２５０２の作製方法を説明する模式図である。図６から図１１までは、作製の途上の仕掛品の断面を示す。
【００６２】
構造体２５０２の作製においては、図６に示すように、組み立てられる前に型２９０２の内面となる面に導電体ペーストが印刷され、印刷パターン２１０８が形成され、型２９０２が組み立てられる。型２９０２が組み立てられた後に印刷パターン２１０８が形成されてもよい。
【００６３】
印刷パターン２１０８が形成された後に、図７に示すように、ワイヤ１０１４の誘電体埋設部分１０２８が型２９０２に収容される。このとき、ワイヤ１０１４の誘電体埋設部分１０２８は、印刷パターン２１０８に接触させられる。この接触は、焼成の後におけるワイヤ１０１４とキャパシタの内部電極１００８との接続を実現する。
【００６４】
ワイヤ１０１４の誘電体埋設部分１０２８が型２９０２に収容された後に、図８に示すように、誘電体セラミックス粉末を含むスラリーが、型２９０２に流し込まれ、硬化させられる。これにより、ワイヤ１０１４の誘電体埋設部分１０２８及び印刷パターン２１０８が誘電体セラミックス成形体２１０６に埋設される。
【００６５】
続いて、図９に示すように、組み立てられる前に型２９０４の内面となる面に導電体ペーストが印刷され、印刷パターン２１１２が形成され、型２９０４が組み立てられる。型２９０４が組み立てられた後に印刷パターン２１１２が形成されてもよい。
【００６６】
印刷パターン２１１２が形成された後に、図１０に示すように、ワイヤ１０１４の磁性体埋設部分１０３０が型２９０４に収容される。このとき、ワイヤ１０１４の磁性体埋設部分１０３０が印刷パターン２１１２に接触させられる。この接触は、焼成の後におけるワイヤ１０１４とインダクタの内部電極１０１２との接続を実現する。
【００６７】
ワイヤ１０１４の磁性体埋設部分１０３０が型２９０４に収容された後に、図１１に示すように、磁性体セラミックス粉末を含むスラリーが、型２９０４に流し込まれ、硬化させられる。これにより、ワイヤ１０１４の磁性体埋設部分１０３０及び印刷パターン２１１２が磁性体セラミックス成形体２１０６に埋設される。
【００６８】
ワイヤ１０１４の磁性体埋設部分１０３０及び印刷パターン２１１２を磁性体セラミックス成形体２１０６に埋設した後にワイヤ１０１４の誘電体埋設部分１０２８及び印刷パターン２１０８を誘電体セラミックス成形体２１０４に埋設してもよい。
【００６９】
（誘電体セラミックス成形体２２０４、磁性体セラミックス成形体２２０６及び構造体２５０４の作製）
誘電体セラミックス成形体２２０４は、ワイヤの誘電体埋設部分を型に収容する手順を省略することを除いては、図６から図８までに示す構造体２５０２の誘電体セラミックス成形体２１０４の作製の手順と同様の手順で作製される。
【００７０】
磁性体セラミックス成形体２２０６も、ワイヤの磁性体埋設部分を型に収容する手順を省略することを除いては、図９から図１１までに示す構造体２５０２の磁性体セラミックス成形体２１０６の作製の手順と同様の手順で作製される。
【００７１】
構造体２５０４も、印刷パターンを形成する手順を省略することを除いては、図６から図１１までに示す構造体２５０２の作製の手順と同様の手順で作製される。
【００７２】
（ワイヤと内部電極との接続）
ワイヤ１０１４，１０１６と内部電極１００８，１０１０，１０１２との接続を実現する方法には、
（ａ）ワイヤと焼成後に内部電極となる印刷パターンとを接触させた状態でセラミックス成形体に埋設する方法；及び
（ｂ）ワイヤが埋設されたセラミックス成形体と焼成後に内部電極となる印刷パターンが埋設されたセラミックス成形体とを積層するときにワイヤと印刷パターンとを接触させる方法、
がある。上述の複合電子部品１００２の製造方法においては、これらの両方の方法を使用したが、片方の方法のみを使用してもよい。
【００７３】
＜第３実施形態＞
第３実施形態は、第２実施形態の複合電子部品の製造方法に代えて採用される複合電子部品の製造方法に関する。第２実施形態においては、誘電体セラミックス成形体の積層体と磁性体セラミックス成形体の積層体とが同時に焼成されるのに対して、第３実施形態においては、磁性体セラミックス成形体の積層体と誘電体セラミックス成形体の積層体とが別々に焼成される。すなわち、第３実施形態においては、誘電体セラミックス成形体の積層体が作製され焼成された後に、磁性体セラミック成形体の積層体が作製され焼成される。第３実施形態においても、ゲルキャスト法によるワイヤ及び印刷パターンのセラミックス成形体への埋設は、第２実施形態と同様に行われる。
【００７４】
図１２から図１８までは、第３実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する図である。図１２から図１８までは、製造の途上の仕掛品の断面を示す。
【００７５】
複合電子部品１００２の製造においては、ワイヤ１０１４，１０１６が準備された後に、図１２に示すように、
（１）ワイヤ１０１４の誘電体埋設部分１０２８及び印刷パターン３０１８が埋設された誘電体セラミックス成形体３１０４；
（２）印刷パターン３２０８，３２１０が埋設された誘電体セラミックス成形体３２０４；及び
（３）、ワイヤ１０１６の誘電体埋設部分１０３２が埋設された誘電体セラミックス成形体３３０４、
がゲルキャスト法により作製される。
【００７６】
誘電体セラミックス成形体３１０４，３２０４，３３０４が作製された後に、図１３に示すように、誘電体セラミックス成形体３１０４，３２０４，３３０４が積層され、積層体３００４が作製される。
【００７７】
積層体３００４が作製された後に、図１４に示すように、積層体３００４が焼成され、積層体３００４が誘電体セラミックス焼成体１００４となり、印刷パターン３１０８，３２０８がキャパシタの内部電極１００８となり、印刷パターン３２１０がキャパシタの内部電極１０１０となる。
【００７８】
積層体３００４が焼成された後に、図１５に示すように、ワイヤ１０１４の磁性体埋設部分１０３０及び印刷パターン３１１２がゲルキャスト法により磁性体セラミックス成形体３１０６に埋設され、ワイヤ１０１６の磁性体埋設部分１０３４がゲルキャスト法により磁性体セラミックス成形体３３０６に埋設される。
【００７９】
ワイヤ１０１４の磁性体埋設部分１０３０等が磁性体セラミックス成形体３１０６等に埋設されるとは別に、図１６に示すように、印刷パターン３２１２が埋設された磁性体セラミックス成形体３２０６がゲルキャスト法により作製され、磁性体セラミックス成形体３２０６が積層され、積層体３４０６が作製される。
【００８０】
ワイヤ１０１４の磁性体埋設部分１０３０等が磁性体セラミックス成形体３１０６等に埋設され、積層体３４０６が作製された後に、図１７に示すように、誘電体セラミックス成形体３１０６，３３０６の間に積層体３４０６が挟まれ、誘電体セラミックス成形体３１０６、積層体３４０６及び誘電体セラミックス成形体３３０６が積層され、積層体３００６が作製される。
【００８１】
積層体３００６が作製された後に、図１８に示すように、積層体３００６が焼成され、積層体３００６が磁性体セラミックス焼成体１００６となり、印刷パターン３２１２がインダクタの内部電極１０１２となる。
【００８２】
積層体３００６が焼成された後は、第２実施形態と同様に、外部電極１０１８，１０２０が形成され、誘電体セラミックス焼成体１００４と磁性体セラミックス焼成体１００６との間隙に充填体１０２２が充填され、図１に示す複合電子部品１００２が完成する。
【００８３】
第３実施形態の複合電子部品の製造方法によれば、積層体３００４と積層体３００６とが別々に焼成されるので、積層体３００４の焼成条件と積層体３００６の焼成条件とを独立して決めることができるようになり、磁性体セラミックス材料及び誘電体のセラミックス材料の選択の自由度が増す。
【００８４】
第３実施形態は、積層体３００４が作製され焼成された後に積層体３００６が作製され焼成される場合を説明したが、積層体３００６が作製され焼成された後に積層体３００４が作製され焼成されるようにしてもよい。ただし、焼成温度に差がある場合は、焼成温度が高い積層体から焼成温度が低い積層体へと順に焼成を行うことが望ましい。これにより、先に作製された焼成体が後の焼成のときに受ける影響が抑制される。
【００８５】
＜第４実施形態＞
第４実施形態は、複合電子部品の構造に関する。
【００８６】
図１９は、第４実施形態の複合電子部品の模式図である。図１９は、第４実施形態の複合電子部品の断面を示す。
【００８７】
図１９に示すように、複合電子部品４００２は、キャパシタとインダクタとが並列に接続された並列共振子であって、誘電体セラミックス焼成体４００４と、磁性体セラミックス焼成体４００６と、キャパシタの内部電極４００８，４０１０と、キャパシタの内部電極４００８とワイヤ４０１６の磁性体側端とをらせん形状部分４０５２を介して接続するワイヤ４０１４と、キャパシタの内部電極４０１０とワイヤ４０１４の磁性体側端とを接続するワイヤ４０１６と、外部電極４０１８，４０２０と、誘電体セラミックス焼成体４００４と磁性体セラミックス焼成体４００６との間隙に充填される充填体４０２２と、を備える。
【００８８】
第１実施形態においては、ワイヤ１０１４，１０１６とは別のらせん形状部分を有するインダクタの内部電極１０１２が磁性体セラミックス焼成体１００６に埋設されるが、第４実施形態においては、ワイヤ４０１４の磁性体埋設部分４０３０にらせん形状部分４０５２が設けられる。
【００８９】
第４実施形態においても、誘電体セラミックス焼成体４００４と磁性体セラミックス焼成体４００６とは別体であり、誘電体セラミックス焼成体４００４と磁性体セラミックス焼成体４００６との間隙には、誘電体セラミックス焼成体４００４及び磁性体セラミックス焼成体４００６のいずれにも埋設されないワイヤ４０１４の非埋設部分４０２４及びワイヤ４０１６の非埋設部分４０２６がある。
【００９０】
ワイヤ４０１４の誘電体埋設部分４０２８は、誘電体セラミックス焼成体４００４に埋設され、ワイヤ４０１４の磁性体埋設部分４０３０は、磁性体セラミックス焼成体４００６に埋設される。誘電体埋設部分４０２８と磁性体埋設部分４０３０とは、非埋設部分４０２４を挟んで離される。ワイヤ４０１４には、つなぎ目がない。ワイヤ４０１４の磁性体側端は、磁性体セラミックス焼成体４００６の端面に露出し、外部電極４０２０に接続される。
【００９１】
ワイヤ４０１６の誘電体埋設部分４０３２は、誘電体セラミックス焼成体４００４に埋設され、磁性体埋設部分４０３４は、磁性体セラミックス焼成体４００６に埋設される。誘電体埋設部分４０３２と磁性体埋設部分４０３４とは、非埋設部分４０２６を挟んで離される。ワイヤ４０１６には、つなぎ目がない。ワイヤ４０１６の磁性体側端は、磁性体セラミックス焼成体４００６の端面に露出し、外部電極４０２０に接続される。
【００９２】
ワイヤ４０１４，４０１６の断面形状は、特に制限されず、円形状等の丸型であってもよいし、正方形状、矩形状等の角型であってもよい。ただし、ワイヤ４０１４の断面形状は扁平な矩形状であることが望ましく、ワイヤ４０１４は、扁平な矩形状の短手方向がらせん形状部分４０５２の軸方向となるように巻回される。これにより、らせん形状部分４０５２のピッチが密になり、インダクタが小型化される。第１実施形態の場合と同様に、ワイヤ４０１６の誘電体埋設部分４０３２及び磁性体埋設部分４０３４の断面形状は、扁平な矩形状とすることが望ましく、非埋設部分４０２６の断面形状は、円形状であることが望ましい。
【００９３】
キャパシタの内部電極４００８，４０１０、外部電極４０１８及び充填体４０２２は、第１実施形態のキャパシタの内部電極１００８，１０１０、外部電極１０１８及び充填体１０２２と同様の構造を有する。
【００９４】
第４実施形態の各要素の材料は、第１実施形態と同様に選択される。
【００９５】
＜第５実施形態＞
第５実施形態は、複合電子部品の製造方法に関する。第５実施形態の複合電子部品の製造方法は、第４実施形態の複合電子部品４００２の製造に適用される。第５実施形態においても、ゲルキャスト法によるワイヤ及び印刷パターンのセラミックス成形体への埋設は、第２実施形態と同様に行われる。
【００９６】
図２０から図２３までは、第５実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する模式図である。図２０から図２３までは、製造の途上の仕掛品の断面を示す。
【００９７】
複合電子部品４００２の製造においては、ワイヤ４０１４，４０１６が準備される。ワイヤ４０１４の表面は、望ましくは、らせん形状部分４０５２が形成される前に、キャパシタの内部電極４００８及びワイヤ４０１６の磁性体側端に接続される端部を除いて、図示しない樹脂膜で被覆される。当該樹脂膜は、らせん形状部分４０５２が形成された後に、加熱により融解され、冷却により再び凝固される。これにより、らせん形状部分４０５２の表面を被覆する樹脂膜が融着する。融着した樹脂膜は、らせん形状部分４０５２の形状を維持することに寄与する。樹脂膜の膜厚は、１０〜３０μｍであることが望ましい。樹脂膜に含まれる樹脂の種類は、例えば、ポリエステルである。樹脂膜には、埋設されるセラミックス成形体を構成するセラミックス粉末と同じセラミックス粉末が含まれる。セラミックス粉末の粒径は、例えば、０．５μｍである。樹脂膜に含まれる樹脂は、焼成のときの脱バインダ工程において除去され、完成した複合電子部品４００２には残存しない。
【００９８】
ワイヤ４０１４の断面形状は扁平形状であることが望ましく、ワイヤ４０１４は、扁平形状の短手方向がらせん形状部分４０５２の軸方向となるように巻回される。これにより、らせん形状部分４０５２のピッチが密になり、インダクタが小型化される。
【００９９】
ワイヤ４０１４，４０１６が準備された後に、図２０に示すように、
（１）ワイヤ４０１４の誘電体埋設部分４０２８及び印刷パターン５１０８が埋設された誘電体セラミックス成形体５１０４；
（２）印刷パターン５２０８，５２１０が埋設された誘電体セラミックス成形体５２０４；及び
（３）ワイヤ４０１６の誘電体埋設部分４０２６が埋設された誘電体セラミックス成形体５３０４、
がゲルキャスト法により作製される。
【０１００】
誘電体セラミックス成形体５１０４，５２０４，５３０４が作製された後に、図２１に示すように、誘電体セラミックス成形体５２０４が積層されて積層体５４０４が作製され、さらに、誘電体セラミックス成形体５１０４，５３０４に積層体５４０４が挟まれて誘電体セラミックス成形体５１０４、積層体５４０４及び誘電体セラミックス成形体５３０４が積層され、積層体５００４が作製される。
【０１０１】
積層体５００４が作製された後に、図２２に示すように、ワイヤ４０１４の磁性体埋設部分４０３０及びワイヤ４０１６の磁性体埋設部分４０３４がゲルキャスト法により磁性体セラミックス成形体５００６に埋設される。磁性体埋設部分４０３０には、らせん形状部分４０５２が含まれ、らせん形状部分４０５２は、磁性体セラミックス成形体５００６に埋設される。
【０１０２】
ワイヤ４０１４の磁性体埋設部分４０３０等が磁性体セラミックス成形体５００６に埋設された後に、図２３に示すように、積層体５００４及び磁性体セラミックス成形体５００６が同時に焼成され、積層体５００４が誘電体セラミックス焼成体４００４となり、磁性体セラミックス成形体５００６が磁性体セラミックス焼成体４００６となり、印刷パターン５１０８，５２０８がインダクタの内部電極４００８となり、印刷パターン５２１０が印刷パターン４０１０となる。
【０１０３】
積層体５００４及び磁性体セラミックス成形体５００６が焼成された後は、第２実施形態と同様に、外部電極４０１８，４０２０が形成され、誘電体セラミックス焼成体４００４と磁性体セラミックス焼成体４００６との間隙が充填体４０２２で充填され、図１９に示す複合電子部品４００２が完成する。
【０１０４】
＜第６実施形態＞
第６実施形態は、複合電子部品の構造に関する。
【０１０５】
図２４は、第６実施形態の複合電子部品の模式図である。図２４は、第６実施形態の複合電子部品の断面を示す。
【０１０６】
図２４に示すように、複合電子部品６００２は、キャパシタとインダクタとが並列に接続された並列共振子であって、誘電体セラミックス焼成体６００４と、磁性体セラミックス焼成体６００６と、キャパシタの内部電極６００８，６０１０と、キャパシタの内部電極６００８とワイヤ６０５４の一端とを接続するワイヤ６０１４と、キャパシタの内部電極６０１０とワイヤ６０５４の他端とを接続するワイヤ６０１６と、らせん形状部分６０５２を有するワイヤ６０５４と、外部電極６０１８，６０２０と、磁性体セラミックス焼成体６００６と誘電体セラミックス焼成体６００４との間隙に充填される充填体６０２２と、を備える。
【０１０７】
第１実施形態においては、ワイヤ１０１４，１０１６とは別のらせん形状部分を有するインダクタの内部電極１０１２が磁性体セラミックス焼成体１００６に埋設されるが、第６実施形態においては、らせん形状部分６０５２を有するワイヤ６０５４が磁性体セラミックス焼成体６００６に埋設される。
【０１０８】
第６実施形態においても、誘電体セラミックス焼成体６００４と磁性体セラミックス焼成体６００６とは別体であり、誘電体セラミックス焼成体６００４と磁性体セラミックス焼成体６００６との間隙には、誘電体セラミックス焼成体６００４及び磁性体セラミックス焼成体６００６のいずれにも埋設されないワイヤ６０１４の非埋設部分６０２４及びワイヤ６０１６の非埋設部分６０２６がある。
【０１０９】
ワイヤ６０１４の誘電体埋設部分６０２８は、誘電体セラミックス焼成体６００４に埋設され、ワイヤ６０１４の磁性体埋設部分６０３０は、磁性体セラミックス焼成体６００６に埋設される。誘電体埋設部分６０２８と磁性体埋設部分６０３０とは、非埋設部分６０２４を挟んで離される。ワイヤ６０１４には、つなぎ目がない。
【０１１０】
ワイヤ６０１６の誘電体埋設部分６０３２は、誘電体セラミックス焼成体６００４に埋設され、磁性体埋設部分６０３４は、磁性体セラミックス焼成体６００６に埋設される。誘電体埋設部分６０３２と磁性体埋設部分６０３４とは、非埋設部分６０２６を挟んで離される。ワイヤ６０１６には、つなぎ目がない。ワイヤ６０１６の磁性体側端は、磁性体セラミックス焼成体６００６の端面に露出し、外部電極６０２０に接続される。
【０１１１】
ワイヤ６０５４は、らせん形状部分６０５２を有し、磁性体セラミックス焼成体６００６に埋設される。ワイヤ６０５４の他端は、磁性体セラミックス焼成体６００６の端面に露出し、外部電極６０２０に接続される。
【０１１２】
ワイヤ６０１４，６０１６，６０５４の断面形状は、特に制限されず、円形状等の丸型であってもよいし、正方形状、矩形状等の角型であってもよい。ただし、ワイヤ６０５４の断面形状は扁平な矩形状であることが望ましく、ワイヤ６０５４は、扁平な矩形状の短手方向がらせん形状部分６０５２の軸方向となるように巻回される。これにより、らせん形状部分６０５２のピッチが密になり、インダクタが小型化される。第１実施形態の場合と同様に、ワイヤ６０１４，６０１６の誘電体埋設部分６０２８，６０３２及び磁性体埋設部分６０３０，６０３４の断面形状は、扁平な矩形状とすることが望ましく、非埋設部分６０２４，６０２６の断面形状は、円形状であることが望ましい。
【０１１３】
キャパシタの内部電極６００８，６０１０、外部電極６０１８，６０２０及び充填体６０２２は、第１実施形態のキャパシタの内部電極１００８，１０１０、外部電極１０１８，１０２０及び充填体１０２２と同様の構造を有する。第６実施形態においても、各要素の材料は、第１実施形態と同様に選択される。
【０１１４】
＜第７実施形態＞
第７実施形態は、複合電子部品の製造方法に関する。第７実施形態の複合電子部品の製造方法は、第６実施形態の複合電子部品６００２の製造に適用される。第７実施形態においても、ゲルキャスト法によるワイヤ及び印刷パターンのセラミックス成形体への埋設は、第２実施形態と同様に行われる。
【０１１５】
図２５から図３０までは、第７実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する模式図である。図２５から図３０までは、製造の途上の仕掛品の断面を示す。
【０１１６】
複合電子部品６００２の製造においては、ワイヤ６０１４，６０１６，６０５４が準備される。ワイヤ６０５４の表面は、望ましくは、第５実施形態と同様に樹脂膜で被覆され、当該樹脂膜は、らせん形状部分５０５２が形成された後に、加熱により融解され、冷却により再び凝固される。
【０１１７】
ワイヤ６０１４，６０１６，６０５４が準備された後に、図２５に示すように、
（１）ワイヤ６０１４の誘電体埋設部分６０２８及び印刷パターン７１０８が埋設された誘電体セラミックス成形体７１０４；
（２）印刷パターン７２０８，７２１０が埋設された誘電体セラミックス成形体７２０４；及び
（３）ワイヤ６０１６の誘電体埋設部分６０２６が埋設された誘電体セラミックス成形体７３０４、
がゲルキャスト法により作製される。
【０１１８】
誘電体セラミックス成形体７１０４，７２０４，７３０４が作製された後に、図２６に示すように、誘電体セラミックス成形体７２０４が積層されて積層体７４０４が作製され、さらに、誘電体セラミックス成形体７１０４，７３０４に積層体７４０４が挟まれて誘電体セラミックス成形体７１０４、積層体７４０４及び誘電体セラミックス成形体７３０４が積層され、積層体７００４が作製される。
【０１１９】
積層体７００４が作製された後に、図２７に示すように、積層体７００４が焼成され、積層体７００４が誘電体セラミックス焼成体６００４となり、印刷パターン７１０８，７２０８がインダクタの内部電極６００８となり、印刷パターン７２１０が印刷パターン６０１０となる。
【０１２０】
積層体７００４が焼成された後に、図２８に示すように、ワイヤ６０１４の磁性体側端とワイヤ６０５４の一端とが導電体ペーストにより接合され、ワイヤ６０１６の磁性体側端とワイヤ６０５４の他端とが導電体ペーストにより接合され、ワイヤ６０５４がワイヤ６０１４，６０１６に保持される。
【０１２１】
ワイヤ６０５４がワイヤ６０１４，６０１６に保持された後に、図２９に示すように、ワイヤ６０１４の磁性体埋設部分６０３０、ワイヤ６０１６の磁性体埋設部分６０３４及びワイヤ６０５４の全体がゲルキャスト法により磁性体セラミックス成形体７００６に埋設される。
【０１２２】
ワイヤ６０１４の磁性体埋設部分６０３０等が磁性体セラミックス成形体７００６に埋設された後に、図３０に示すように、磁性体セラミックス成形体７００６が焼成され、磁性体セラミックス成形体７００６が磁性体セラミックス焼成体６００６となる。
【０１２３】
磁性体セラミックス成形体７００６が焼成された後は、第２実施形態と同様に、外部電極６０１８，６０２０が形成され、誘電体セラミックス焼成体６００４と磁性体セラミックス焼成体６００６との間隙が充填体６０２２で充填され、図２４に示す複合電子部品６００２が完成する。
【０１２４】
＜第８実施形態＞
第８実施形態は、複合電子部品の構造に関する。
【０１２５】
図３１は、第８実施形態の複合電子部品８００２の模式図である。図３１は、複合電子部品８００２の断面を示す。
【０１２６】
図３１に示すように、複合電子部品８００２は、キャパシタとインダクタとが並列に接続された並列共振子であって、誘電体セラミックス焼成体８００４と、磁性体セラミックス焼成体８００６と、外部電極８０１８と外部電極８０２８とをらせん形状部分８０５２を介して接続するワイヤ８０１４と、誘電体セラミックス焼成体８００４の内部においてキャパシタの対向電極の一方となるワイヤ８０１６と、誘電体セラミックス焼成体８００４の内部においてキャパシタの対向電極の他方となるワイヤ８０５６と、外部電極８０１８，８０２０と、誘電体セラミックス焼成体８００４と磁性体セラミックス焼成体８００６との間隙に充填される充填体８０２２と、を備える。
【０１２７】
第１実施形態においては、ワイヤ１０１４，１０１６とは別の平膜形状部分を有するキャパシタの内部電極１００８，１０１０が誘電体セラミックス焼成体１００４に埋設されるが、第８実施形態においては、平行に延在するワイヤ８０１６，８０５６が誘電体セラミックス焼成体８００６に埋設される。また、第１実施形態においては、ワイヤ１０１４，１０１６とは別のらせん形状部分を有するインダクタの内部電極１０１２が磁性体セラミックス焼成体１００６に埋設されるが、第８実施形態においては、ワイヤ８０１４の磁性体埋設部分８０３０にらせん形状部分８０５２が設けられる。
【０１２８】
第８実施形態においても、誘電体セラミックス焼成体８００４と磁性体セラミックス焼成体８００６とは別体であり、誘電体セラミックス焼成体８００４と磁性体セラミックス焼成体８００６との間隙には、誘電体セラミックス焼成体８００４及び磁性体セラミックス焼成体８００６のいずれにも埋設されないワイヤ８０１４の非埋設部分８０２４及びワイヤ８０１６の非埋設部分８０２６がある。
【０１２９】
ワイヤ８０１４の誘電体埋設部分８０２８は、誘電体セラミックス焼成体８００４に埋設され、ワイヤ８０１４の磁性体埋設部分８０３０は、磁性体セラミックス焼成体８００６に埋設される。誘電体埋設部分８０２８と磁性体埋設部分８０３０とは、非埋設部分８０２４を挟んで離される。ワイヤ８０１４には、つなぎ目がない。ワイヤ８０１４の誘電体側端は、誘電体セラミックス焼成体８００４の端面に露出し、外部電極８０１８に接続される。ワイヤ８０１４の磁性体側端は、磁性体セラミックス焼成体８００６の端面に露出し、外部電極８０２０に接続される。
【０１３０】
ワイヤ８０１６の誘電体埋設部分８０３２は、誘電体セラミックス焼成体８００４に埋設され、ワイヤ８０１６の磁性体埋設部分８０３４は、磁性体セラミックス焼成体８００６に埋設される。誘電体埋設部分８０３２と磁性体埋設部分８０３４とは、非埋設部分８０２６を挟んで離される。ワイヤ８０１６には、つなぎ目がない。ワイヤ８０１６の誘電体側端には、らせん形状部分がある。ワイヤ８０１６の磁性体側端は、磁性体セラミックス焼成体８００６の端面に露出し、外部電極８０２０に接続される。
【０１３１】
ワイヤ８０１４，８０１６，８０５６の断面形状は、特に制限されず、円形状等の丸型であってもよいし、正方形状、矩形状等の角型であってもよい。ただし、ワイヤ８０１４，８０１６，８０５６の断面形状は扁平な矩形状であることが望ましく、ワイヤ８０１４，８０１６，８０５６は、扁平な矩形状の短手方向がらせん形状部分８０５２，８０８２，８０８４の軸方向となるように巻回される。これにより、らせん形状部分８０５２，８０８２，８０８４のピッチが密になり、キャパシタ及びインダクタが小型化される。
【０１３２】
ワイヤ８０５６の全体は、誘電体セラミックス焼成体８００４に埋設される。ワイヤ８０５６は、ワイヤ８０１６のらせん形状部分と平行に延在し複合らせん構造を構成するらせん形状部分を一端の側に有する。ワイヤ８０５６の他端は、誘電体セラミックス焼成体８００４の端面に露出し、外部電極８０１８に接続される。
【０１３３】
外部電極８０１８，８０２０及び充填体８０２２は、第１実施形態の外部電極１０１８、１０２０及び充填体１０２２と同様の構造を有する。第８実施形態の各要素の材料は、第１実施形態と同様に選択される。
【０１３４】
＜第９実施形態＞
第９実施形態は、複合電子部品の製造方法に関する。第９実施形態の複合電子部品の製造方法は、第８実施形態の複合電子部品８００２の製造に適用される。第９実施形態においても、ゲルキャスト法によるワイヤのセラミックス成形体への埋設は、第２実施形態と同様に行われる。
【０１３５】
図３２から図３５までは、第９実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する模式図である。図３２から図３５までは、製造の途上の仕掛品の断面を示す。
【０１３６】
複合電子部品８００２の製造においては、ワイヤ８０１４，８０１６，８０５６が準備される。ワイヤ８０１４の表面は、望ましくは、第５実施形態と同様に樹脂膜で被覆され、当該樹脂膜は、らせん形状部分８０５２が形成された後に、加熱により融解され、冷却により再び凝固される。ワイヤ８０１６，８０５６の表面も、第５実施形態と同様に樹脂膜で被覆され、当該樹脂膜は、らせん形状部分が形成され複合らせん構造が形成された後に、加熱により融解され、冷却により再び凝固される。
【０１３７】
ワイヤ８０１４，８０１６，８０５６が準備された後に、図３２に示すように、ワイヤ８０１４の誘電体埋設部分８０２８、ワイヤ８０１６の誘電体埋設部分８０３２及びワイヤ８０５６の全体がゲルキャスト法により誘電体セラミックス成形体９００４がに埋設される。
【０１３８】
ワイヤ８０１４の誘電体埋設部分８０２８等が誘電体セラミックス成形体９００４に埋設された後に、図３３に示すように、ワイヤ８０１４の磁性体埋設部分８０３０及びワイヤ８０１６の磁性体埋設部分８０３４がゲルキャスト法により磁性体セラミックス成形体９００６に埋設される。
【０１３９】
ワイヤ８０１４の磁性体埋設部分８０３０等が磁性体セラミックス成形体９００６に埋設された後に、図３４に示すように、誘電体セラミックス成形体９００４及び磁性体セラミックス成形体９００６が焼成され、誘電体セラミックス成形体９００４が誘電体セラミックス焼結体８００４となり、磁性体セラミックス成形体９００６が磁性体セラミックス焼成体８００６となる。
【０１４０】
誘電体セラミックス成形体９００４及び磁性体セラミックス成形体９００６が焼成された後は、第２実施形態と同様に、外部電極８０１８，８０２０が形成され、誘電体セラミックス焼成体８００４と磁性体セラミックス焼成体８００６との間隙が充填体８０２２で充填され、図３１に示す複合電子部品８００２が完成する。
【０１４１】
図３５は、樹脂膜８７０２で被覆されたワイヤ８０１４，８０１６，８０５６を示す図である。らせん形状部分に被覆された樹脂膜８００２は互いに融着し、らせん形状部分の形状を維持することに寄与する。
【０１４２】
＜その他＞
本発明の複合電子部品及びその製造方法は、第１の機能部のキャパシタと第２の機能部のインダクタとを並列接続した並列共振子以外の複合電子部品にも向けられる。一般的に言えば、複合電子部品は、複数の機能部を備え、ワイヤの複数の埋設部分及び必要な内部電極がセラミックス焼成体に埋設された構造を有する。複数のセラミックス焼成体は別体であり、複数の埋設部分は互いに離される。複合電子部品は、ワイヤの複数の埋設部分の各々を必要な印刷パターンとともにセラミックス焼成体に埋設し、複数のセラミックス焼成体を同時に又は別々に焼成することにより製造される。もちろん、複数のセラミックス成形体は別体である。
【０１４３】
複数の機能部の接続の形態も「並列接続」に限定されず、「直列接続」であってもよいし、さらに複雑な接続の形態であってもよい。「機能部」は、キャパシタ、インダクタの他、抵抗、サーミスタ、バリスタ、ピエゾ素子等であってもよく、「機能部」は、ＬＴＣＣ（低温共焼成セラミックス）等により構成された複合電子部品であってもよい。
【０１４４】
＜実施例１＞
実施例１では、第２実施形態の複合電子部品の製造方法にしたがって、複合電子部品１００２を製造した。
【０１４５】
ワイヤ１０１４，１０１６としては、誘電体埋設部分１０２８，１０３２及び磁性体埋設部分１０３０，１０３４の断面形状が厚さ（短手方向）５０μｍ、幅（長手方向）３００μｍの扁平形状であり、非埋設部分１０２４，１０２６の断面形状が直径７０μｍの円形状である、銀からなるワイヤを使用した。
【０１４６】
印刷パターン２１０８，２２０８，２２１０を形成するために印刷する導電体ペーストとしては、銀からなる粉末及びガラスフリットを有機ビヒクルに分散させたペーストを使用した。
【０１４７】
外部電極１０１８，１０２０を形成するために塗布する導電体ペーストとしては、銀からなる粉末及びガラスフリットを有機ビヒクルに分散させたペーストを使用した。
【０１４８】
誘電体セラミックス粉末を含むスラリーとしては、チタン（Ｔｉ）系誘電体である酸化チタン(IV)（ＴｉＯ2）の粉末と軟化点が８００℃以下の非晶質ガラスであるＭｅ2Ｏ−ＭａＯ−ＳｉＯ2−ＣｕＯ系ガラス（Ｍｅ：アルカリ金属，Ｍａ：アルカリ土類金属）の粉末とを混合した混合粉末１００重量部、トリアセチン２．５重量部、グルタル酸ジメチル２２．５重量部、エチレングリコール０．２重量部、ポリメチレンポリフェニルポリイソシアネート２．０重量部、カルボン酸共重合体３重量部及び６−ジメチルアミノ−１−ヘキサノール０．１重量部を含むスラリーを使用した。酸化チタン(IV)（ＴｉＯ2）の粉末とＭｅ2Ｏ−ＭａＯ−ＳｉＯ2−ＣｕＯ系ガラスの粉末との重量比は、１００：２０とした。
【０１４９】
磁性体セラミックス粉末を含むスラリーとしては、酸化鉄(III)（Ｆｅ2Ｏ3），酸化ニッケル(II)（ＮｉＯ），酸化亜鉛(II)（ＺｎＯ）及び酸化銅(II)（ＣｕＯ）の粉末を混合した混合粉末を仮焼して得られた仮焼粉末１００重量部、トリアセチン２．５重量部、グルタル酸ジメチル２２．５重量部、エチレングリコール０．２重量部、ポリメチレンポリフェニルポリイソシアネート２．０重量部、カルボン酸共重合体３重量部及び６−ジメチルアミノ−１−ヘキサノール０．１重量部を含むスラリーを使用した。
【０１５０】
積層体２００４，２００６の焼成には、
［１］室温から５００℃まで１０〜３０時間かけて昇温する工程（脱バインダ工程）；
［２］９５０℃まで２０分かけて昇温する工程；及び
［３］９５０℃を２時間保持する工程、
を順次実行する焼成プロファイルを使用した。
【０１５１】
外部電極１０１８，１０２０を形成するために塗布する導電体ペーストは、９００℃で３０分かけて焼け付けた。
【０１５２】
型２９０２，２９０４の材質は、ステンレスを選択した。
【０１５３】
このような条件の下で製造した複合電子部品１００２は、単体電子部品のキャパシタとインダクタとを並列接続した場合と同様の特性を示した。また、クラック、デラミネーション等の損傷も確認されなかった。
【０１５４】
＜実施例２＞
実施例２では、第３実施形態の複合電子部品の製造方法にしたがって、複合電子部品１００２を製造した。
【０１５５】
ワイヤ１０１４，１０１６としては、実施例１と同じ断面形状を有し、白金からなるワイヤを用いた。
【０１５６】
印刷パターン３１０８，３２０８，３２１０を形成するために印刷する導電体ペーストとしては、白金からなる粉末及びガラスフリットを有機ビヒクルに分散させたペーストを使用した。印刷パターン３１１２，３２１２を形成するために印刷する導電体ペーストとしては、銀からなる粉末及びガラスフリットを有機ビヒクルに分散させたペーストを使用した。
【０１５７】
外部電極１０１８，１０２０を形成するために塗布する導電体ペーストとしては、実施例１と同じペーストを使用した。
【０１５８】
誘電体セラミックス粉末を含むスラリーとしては、バリウム−チタン（Ｂａ−Ｔｉ）系誘電体であるチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）の粉末１００重量部、トリアセチン２．５重量部、グルタル酸ジメチル２２．５重量部、エチレングリコール０．２重量部、ポリメチレンポリフェニルポリイソシアネート２．０重量部、カルボン酸共重合体３重量部及び６−ジメチルアミノ−１−ヘキサノール０．１重量部を含むスラリーを使用した。
【０１５９】
磁性体セラミックス粉末を含むスラリーとしては、実施例１と同じスラリーを使用した。
【０１６０】
積層体３００４の焼成には、
［１］室温から５００℃まで１０〜３０時間かけて昇温する工程（脱バインダ工程）；
［２］１２５０℃まで４０分かけて昇温する工程；及び
［３］１２５０℃を２時間保持する工程、
を順次実行する焼成プロファイルを使用した。
【０１６１】
積層体３００６の焼成には、
［１］室温から５００℃まで１０〜３０時間かけて昇温する工程（脱バインダ工程）；
［２］９５０℃まで２０分かけて昇温する工程；及び
［３］９５０℃を２時間保持する工程、
を順次実行する焼成プロファイルを使用した。
【０１６２】
外部電極１０１８，１０２０を形成するために塗布する導電体ペーストは、実施例１と同じように焼け付けた。
【０１６３】
このような条件の下で製造した複合電子部品１００２は、単体電子部品のキャパシタとインダクタとを並列接続した場合と同様の特性を示した。また、クラック、デラミネーション等の損傷も確認されなかった。
【０１６４】
＜実施例３＞
実施例３では、第５実施形態の複合電子部品の製造方法にしたがって、複合電子部品４００２を製造した。
【０１６５】
ワイヤ４０１４としては、断面形状が厚さ（短手方向）５０μｍ、幅（長手方向）３００μｍの扁平形状である、銀からなるワイヤを使用した。ワイヤ４０１６としては、誘電体埋設部分４０３２及び磁性体埋設部分４０３４の断面形状が厚さ（短手方向）５０μｍ、幅（長手方向）３００μｍの扁平形状であり、非埋設部分４０２６の断面形状が直径７０μｍの円形状である、銀からなるワイヤを使用した。
【０１６６】
印刷パターン５１０８，５２０８，５２１０を形成するために印刷する導電体ペーストとしては、実施例１と同じペーストを使用した。
【０１６７】
外部電極４０１８，４０２０を形成するために塗布する導電体ペーストとしては、実施例１と同じペーストを使用した。
【０１６８】
誘電体セラミックス粉末を含むスラリーとしては、実施例１と同じスラリーを使用した。
【０１６９】
磁性体セラミックス粉末を含むスラリーとしては、実施例１と同じスラリーを使用した。
【０１７０】
積層体５００４，５００６の焼成には、実施例１と同じ焼成プロファイルを使用した。
【０１７１】
外部電極４０１８，４０２０を形成するために塗布する導電体ペーストは、実施例１と同様に焼き付けた。
【０１７２】
このような条件の下で製造した複合電子部品４００２は、単体電子部品のキャパシタとインダクタとを並列接続した場合と同様の特性を示した。また、クラック、デラミネーション等の損傷も確認されなかった。
【０１７３】
＜実施例４＞
実施例４では、第７実施形態の複合電子部品の製造方法にしたがって、複合電子部品６００２を製造した。
【０１７４】
ワイヤ６０１４，６０１６としては、誘電体埋設部分６０２８，６０３２及び磁性体埋設部分６０３０，６０３４の断面形状が厚さ（短手方向）５０μｍ、幅（長手方向）３００μｍの扁平形状であり、非埋設部分６０２４，６０２６の断面形状が直径７０μｍの円形状である、白金からなるワイヤを使用した。ワイヤ６０５４としては、断面形状が厚さ（短手方向）５０μｍ、幅（長手方向）３００μｍの扁平形状である、銀からなるワイヤを使用した。
【０１７５】
印刷パターン７１０８，７２０８，７２１０を形成するために印刷する導電体ペーストとしては、実施例２と同じペーストを使用した。
【０１７６】
誘電体セラミックス粉末を含むスラリーとしては、実施例２と同じスラリーを使用した。
【０１７７】
磁性体セラミックス粉末を含むスラリーとしては、実施例１と同じスラリーを使用した。
【０１７８】
積層体７００４，７００６の焼成には、実施例２と同じ焼成プロファイルを使用した。
【０１７９】
外部電極６０１８，６０２０を形成するために塗布する導電体ペーストは、実施例１と同じように焼け付けた。
【０１８０】
このような条件の下で製造した複合電子部品６００２は、単体電子部品のキャパシタとインダクタとを並列接続した場合と同様の特性を示した。また、クラック、デラミネーション等の損傷も確認されなかった。
【０１８１】
＜実施例５＞
実施例５は、第９実施形態の複合電子部品の製造方法にしたがって、複合電子部品８００２を製造した。
【０１８２】
ワイヤ８０１４，８０１６，８０５６としては、断面形状が厚さ（短手方向）５０μｍ、幅（長手方向）３００μｍの扁平形状である、銀からなるワイヤを使用した。
【０１８３】
外部電極８０１８，８０２０を形成するために塗布する導電体ペーストとしては、実施例１と同じペーストを使用した。
【０１８４】
誘電体セラミックス粉末を含むスラリーとしては、実施例１と同じスラリーを使用した。
【０１８５】
磁性体セラミックス粉末を含むスラリーとしては、実施例１と同じペーストを使用した。
【０１８６】
積層体８００４，８００６の焼成には、実施例１と同じ焼成プロファイルを使用した。
【０１８７】
外部電極８０１８，８０２０を形成するために塗布する導電体ペーストは、実施例１と同じ焼け付けた。
【０１８８】
このような条件の下で製造した複合電子部品８００２は、単体電子部品のキャパシタとインダクタとを並列接続した場合と同様の特性を示した。また、クラック、デラミネーション等の損傷も確認されなかった。
【０１８９】
＜実施例６＞
誘電体セラミックス粉末を含むスラリーの組成及び磁性体セラミックス粉末を含むスラリーの組成を変更したことを除いては、実施例１と同様に複合電子部品１００２を製造した。
【０１９０】
誘電体セラミックス粉末を含むスラリーとしては、チタン（Ｔｉ）系誘電体である酸化チタン(IV)（ＴｉＯ2）の粉末と軟化点が８００℃以下の非晶質ガラスであるＭｅ2Ｏ−ＭａＯ−ＳｉＯ2−ＣｕＯ系ガラス（Ｍｅ：アルカリ金属，Ｍａ：アルカリ土類金属）の粉末とを混合した混合粉末１００重量部、エタノール２．０重量部、イオン交換水２５．０重量部、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル５．０重量部、カルボン酸共重合体２重量部及び１−（２−アミノエチル）ピペラジン１．０重量部を含むスラリーを使用した。酸化チタン(IV)（ＴｉＯ2）の粉末とＭｅ2Ｏ−ＭａＯ−ＳｉＯ2−ＣｕＯ系ガラスの粉末との重量比は、１００：２０とした。
【０１９１】
磁性体セラミックス粉末を含むスラリーとしては、酸化鉄(III)（Ｆｅ2Ｏ3），酸化ニッケル(II)（ＮｉＯ），酸化亜鉛(II)（ＺｎＯ）及び酸化銅(II)（ＣｕＯ）の粉末を混合した混合粉末を仮焼して得られた仮焼粉末１００重量部、エタノール２．０重量部、イオン交換水２５．０重量部、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル５．０重量部、カルボン酸共重合体２重量部及び１−（２−アミノエチル）ピペラジン１．０重量部を含むスラリーを使用した。
【０１９２】
このような条件の下で製造した複合電子部品１００２は、単体電子部品のキャパシタとインダクタとを並列接続した場合と同様の特性を示した。また、クラック、デラミネーション等の損傷も確認されなかった。
【０１９３】
＜実施例７＞
誘電体セラミックス粉末を含むスラリーの組成及び磁性体セラミックス粉末を含むスラリーの組成を変更したことを除いては、実施例２と同様に複合電子部品１００２を製造した。
【０１９４】
誘電体セラミックス粉末を含むスラリーとしては、バリウム−チタン（Ｂａ−Ｔｉ）系誘電体であるチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）の粉末１００重量部、イオン交換水３５．０重量部、メタクリルアミド６．０重量部、カルボン酸共重合体２．５重量部、Ｎ，Ｎ´−メチレンビスアクリルアミド０．３重量部、Ｎ，Ｎ，Ｎ´，Ｎ´−テトラメチルエチレンジアミン０．０２重量部及び過硫酸アンモニウム０．０２重量部を含むスラリーを使用した。
【０１９５】
磁性体セラミックス粉末を含むスラリーとしては、酸化鉄(III)（Ｆｅ2Ｏ3），酸化ニッケル(II)（ＮｉＯ），酸化亜鉛(II)（ＺｎＯ）及び酸化銅(II)（ＣｕＯ）の粉末を混合した混合粉末を仮焼して得られた仮焼粉末１００重量部、イオン交換水３５．０重量部、メタクリルアミド６．０重量部、カルボン酸共重合体２．５重量部、Ｎ，Ｎ´−メチレンビスアクリルアミド０．３重量部、Ｎ，Ｎ，Ｎ´，Ｎ´−テトラメチルエチレンジアミン０．０２重量部及び過硫酸アンモニウム０．０２重量部を含むスラリーを使用した。
【０１９６】
このような条件の下で製造した複合電子部品１００２は、単体電子部品のキャパシタとインダクタとを並列接続した場合と同様の特性を示した。また、クラック、デラミネーション等の損傷も確認されなかった。
【０１９７】
＜比較例１＞
誘電体セラミックス成形体２１０４，２２０４，２３０４と磁性体セラミックス成形体２１０６，２２０６，２３０６とを界面において直接接触させ、充填体１０２２を充填しなかったたことを除いては、実施例１と同様に複合電子部品を製造した。
【０１９８】
このような条件の下で製造した複合電子部品は、単体電子部品のキャパシタとインダクタとを並列接続した場合よりも周波数−インピーダンス特性が約１０％高周波側へシフトした。また、誘電体セラミックス焼成体１００４と磁性体セラミックス焼成体１００６との界面においてデラミネーションが確認された。
【０１９９】
＜比較例２＞
誘電体セラミックス焼成体１００４と磁性体セラミックス成形体３１０６，３２０６，３３０６とを界面において直接接触させ、充填体１０２２を充填しなかったことを除いては、実施例２と同様に複合電子部品を製造した。
【０２００】
このような条件の下で製造した複合電子部品は、単体電子部品のキャパシタとインダクタとを並列接続した場合よりも周波数−インピーダンス特性が約１５％高周波側へシフトした。また、誘電体セラミックス焼成体１００４と磁性体セラミックス焼成体１００６との界面においてクラックが確認された。
【０２０１】
この発明は詳細に説明されたが、上述の説明は全ての局面において例示であって、この発明は上述の説明に限定されない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定されうる。特に、説明した事項を適宜組み合わせることは当然に予定されている。
【符号の説明】
【０２０２】
１００２，４００２，６００２，８００２：複合電子部品
１０１４，１０１６，４０１４，４０１６，６０１４，６０１６，６０５４，８０１４，８０１６：ワイヤ
１００４，４００４，６００４，８００４：誘電体セラミックス焼成体
１００６，４００６，６００６，８００６：磁性体セラミックス焼成体
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複合電子部品の製造方法及び複合電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、キャパシタとインダクタとを一体化した複合電子部品に関する。
【０００３】
特許文献１の「従来の技術」の欄は、複合電子部品の製造方法として、シート形状の誘電体セラミックス成形体（誘電体グリーンシート）とシート形状の磁性体セラミックス成形体（磁性体グリーンシート）とを積層し、積層体を焼成することに言及している。また、特許文献１の「従来の技術」の欄は、誘電体セラミックス成形体と磁性体セラミックス成形体との間に、熱膨張率の差により生じる応力を緩和する中間層を挟むことに言及している。さらに、特許文献１の「実施例」の欄は、誘電体セラミックスと磁性体セラミックスとの間の相互拡散を抑制する中間層の組成物に言及している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３３６８６７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、従来の技術では、複数のセラミックスの間の熱膨張率や焼成収縮率の差により生じる応力を十分に緩和することができず、クラック、デラミネーション等の損傷が発生することがある。逆に、これらの損傷が発生しないようにすると、熱膨張率や焼成収縮率の差が小さくなるようにセラミックス材料を選択しなければならず、セラミックス材料の選択の自由度が減る。
【０００６】
また、従来の技術では、複数のセラミックスの間の相互拡散を十分に抑制することができなかった。
【０００７】
本発明は、これらの問題を解決するためになされたもので、複数のセラミックスの間に熱膨張率や焼成収縮率の差があってもクラック、デラミネーション等の損傷が発生しにくく複数のセラミックスの間の相互拡散を十分に抑制することができる複合電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するための手段を以下に示す。
【０００９】
第１の発明は、複合電子部品の製造方法であって、(a) 金属又は合金からなる第１のワイヤの第１の部分を第１のセラミックス成形体にゲルキャスト法により埋設する工程；(b) 前記工程(a)の後に前記第１のワイヤの前記第１の部分から離された第２の部分を前記第１のセラミックス成形体とは別体の第２のセラミックス成形体にゲルキャスト法により埋設する工程；(c) 前記工程(b)の前又は後に前記第１のセラミックス成形体を焼成し第１のセラミックス焼成体とする工程；及び(d) 前記工程(c)の後又は前記工程(c)と同時に前記第２のセラミックス成形体を焼成し第２のセラミックス焼成体とする工程、を備える。
【００１０】
第２の発明は、第１の発明の複合電子部品の製造方法において、前記工程(a)は、前記第１の部分に加えて金属又は合金からなる粉末を含み前記第１の部分に接触する第１の印刷パターンを前記第１のセラミックス成形体に埋設する。
【００１１】
第３の発明は、第１の発明の複合電子部品の製造方法において、(e) 金属又は合金からなる粉末を含む第２の印刷パターンを第３のセラミックス成形体にゲルキャスト法により埋設する工程；及び(f) 前記工程(a)及び前記工程(e)の後に前記第１のセラミックス成形体と前記第３のセラミックス成形体とを積層し前記第１の部分と前記第１の印刷パターンとを接触させた第１の積層体を作製する工程；をさらに備え、工程(c)は、前記第１の積層体を焼成する。
【００１２】
第４の発明は、第１の発明から第３の発明までのいずれかの複合電子部品の製造方法において、前記工程(b)は、前記第２の部分に加えて金属又は合金からなる粉末を含み前記第２の部分に接触する第３の印刷パターンを第２のセラミックス成形体に埋設する。
【００１３】
第５の発明は、第１の発明から第３の発明までのいずれかの複合電子部品の製造方法において、(g) 金属又は合金からなる粉末を含む第４の印刷パターンを第４のセラミックス成形体にゲルキャスト法により埋設する工程；及び(h) 前記工程(a)及び前記工程(g)の後に前記第２のセラミックス成形体と前記第４のセラミックス成形体とを積層し前記第２の部分と前記第４の印刷パターンとを接触させた第２の積層体を作製する工程；をさらに備え、工程(d)は、前記第２の積層体を焼成する。
【００１４】
第６の発明は、第１の発明から第５の発明までのいずれかの複合電子部品の製造方法において、(i) 前記工程(a)の前に前記第１の部分にらせん形状部分を形成する工程、をさらに備える。
【００１５】
第７の発明は、第１の発明から第５の発明までのいずれかの複合電子部品の製造方法において、前記工程(a)は、前記第１の部分に加えて、金属又は合金からなり前記第１の部分に沿って延在する第２のワイヤを第１のセラミックス成形体にゲルキャスト法により埋設する。
【００１６】
第８の発明は、第１の発明から第５の発明までのいずれかの複合電子部品の製造方法において、(j) 前記工程(b)の前であって前記工程(a)の前又は後に前記第２の部分にらせん形状部分を形成する工程、をさらに備える。
【００１７】
第９の発明は、第１の発明から第５の発明までのいずれかの複合電子部品の製造方法において、前記工程(b)は、前記第２の部分に加えて、金属又は合金からなり前記第２の部分に沿って延在する第２のワイヤを第２のセラミックス成形体に埋設する。
【００１８】
第１０の発明は、第１の発明から第９の発明までのいずれかの複合電子部品の製造方法において、(k) 前記第１のセラミックス焼成体と前記第２のセラミックス焼成体との間隙に充填体を充填する工程、をさらに備える。
【００１９】
第１１の発明は、第１の発明から第１０の発明までのいずれかの複合電子部品の製造方法において、前記工程(b)の前に前記工程(c）を実行し、前記工程(c)の後に前記工程(d)を実行する。
【００２０】
第１２の発明は、複合電子部品であって、金属又は合金からなるつなぎ目がないワイヤと、前記ワイヤの第１の部分が埋設される第１のセラミックス焼成体と、前記ワイヤの前記前記第１の部分から離された第２の部分が埋設される前記第１のセラミックス焼成体とは別体の第２のセラミックス焼成体と、を備える。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、第１のセラミックス成形体と第２のセラミックス成形体とが別体であるので、第１のセラミックスと第２のセラミックスとの間に熱膨張率や焼成収縮率の差があっても焼成のときにクラック、デラミネーション等の損傷は発生しにくい。また、第１のセラミックスと第２のセラミックスとの間の相互拡散も抑制される。
【００２２】
請求項２から請求項５までの発明によれば、ワイヤと内部電極との接続が実現される。
【００２３】
請求項６及び請求項８の発明によれば、インダクタが容易に形成される。
【００２４】
請求項７及び請求項９の発明によれば、キャパシタが容易に形成される。
【００２５】
請求項１０の発明によれば、第１のセラミックス焼成体と第２のセラミックス焼成体とが固着され、複合電子部品の強度が向上する。
【００２６】
請求項１１の発明によれば、第１のセラミックス成形体と第２のセラミックス成形体とが別々に焼成されるので、セラミックス材料の選択の自由度が増す。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】第１実施形態の複合電子部品の断面図である。
【図２】第２実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図３】第２実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図４】第２実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図５】第２実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図６】構造体の作製方法を説明する断面図である。
【図７】構造体の作製方法を説明する断面図である。
【図８】構造体の作製方法を説明する断面図である。
【図９】構造体の作製方法を説明する断面図である。
【図１０】構造体の作製方法を説明する断面図である。
【図１１】構造体の作製方法を説明する断面図である。
【図１２】第３実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図１３】第３実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図１４】第３実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図１５】第３実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図１６】第３実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図１７】第３実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図１８】第３実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図１９】第４実施形態の複合電子部品の断面図である。
【図２０】第５実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図２１】第５実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図２２】第５実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図２３】第５実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図２４】第６実施形態の複合電子部品の断面図である。
【図２５】第７実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図２６】第７実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図２７】第７実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図２８】第７実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図２９】第７実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図３０】第７実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図３１】第８実施形態の複合電子部品の断面図である。
【図３２】第９実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図３３】第９実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図３４】第９実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図３５】樹脂膜で被覆されたワイヤを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
＜第１実施形態＞
第１実施形態は、複合電子部品の構造に関する。
【００２９】
図１は、第１実施形態の複合電子部品の模式図である。図１は、第１実施形態の複合電子部品の断面を示す。
【００３０】
図１に示すように、複合電子部品１００２は、キャパシタとインダクタとが並列に接続された並列共振子であって、誘電体セラミックス焼成体（焼結体）１００４と、磁性体セラミックス焼成体（焼結体）１００６と、キャパシタの内部電極１００８，１０１０と、インダクタの内部電極１０１２と、キャパシタの内部電極１００８とインダクタの内部電極１０１２の一端とを接続するワイヤ１０１４と、キャパシタの内部電極１０１０とインダクタの内部電極１０１２の他端とを接続するワイヤ１０１６と、外部電極１０１８，１０２０と、誘電体セラミックス焼成体１００４と磁性体セラミックス焼成体１００６との間隙に充填される充填体１０２２と、を備える。
【００３１】
誘電体セラミックス焼成体１００４と磁性体セラミックス焼成体１００６とは別体であり、誘電体セラミックス焼成体１００４と磁性体セラミックス焼成体１００６とが直接接触する界面は存在しない。誘電体セラミックス焼成体１００４と磁性体セラミックス焼成体１００６との間隙には、誘電体セラミックス焼成体１００４及び磁性体セラミックス焼成体１００６のいずれにも埋設されないワイヤ１０１４の非埋設部分１０２４及びワイヤ１０１６の非埋設部分１０２６がある。
【００３２】
誘電体セラミックス材料及び磁性体セラミックス材料は、複合電子部品の仕様に応じて選択される。誘電体セラミックス材料としては、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）が選択され、磁性体セラミックス材料としては、例えば、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｒ系フェライトが選択される。
【００３３】
キャパシタの内部電極１００８，１０１０は、平膜形状を有する部分（以下では「平膜形状部分」という。）を有する。キャパシタの内部電極１００８の平膜形状部分とキャパシタの内部電極１０１０の平膜形状部分とは、誘電体セラミックス焼成体１００４を挟んで対向する。キャパシタの内部電極１００８の一部は、誘電体セラミックス焼成体１００４の端面に露出する。
【００３４】
インダクタの内部電極１０１２は、らせん形状を有する部分（以下では「らせん形状部分」という。）を有する。インダクタの内部電極１０１２は、磁性体セラミックス焼成体１００６に埋設される。インダクタの内部電極１０１２の一部は、磁性体セラミックス焼成体１００６の端面に露出する。
【００３５】
キャパシタの内部電極１００８，１０１０を構成する導電体材料は、誘電体セラミックス材料、焼成温度等に応じて選択される。インダクタの内部電極１０１２を構成する導電体材料は、磁性体セラミックス材料、焼成温度等に応じて選択される。キャパシタの内部電極１００８，１０１０及びインダクタの内部電極１０１２を構成する導電体材料としては、例えば、銀（Ａｇ），白金（Ｐｔ），パラジウム（Ｐｄ）等の金属又はこれらの金属の合金が選択される。
【００３６】
外部電極１０１８は、誘電体セラミックス焼成体１００４の端面に形成され、キャパシタの内部電極１００８に接続される。外部電極１０２０は、磁性体セラミックス焼成体１００６の端面に形成され、インダクタの内部電極１０１２に接続される。外部電極１０１８，１０２０を構成する導電体材料としては、例えば、銀（Ａｇ），白金（Ｐｔ），パラジウム（Ｐｄ）等の金属又はこれらの金属の合金が選択される。
【００３７】
ワイヤ１０１４の誘電体埋設部分１０２８は、誘電体セラミックス焼成体１００４に埋設され、ワイヤ１０１４の磁性体埋設部分１０３０は、磁性体セラミックス焼成体１００６に埋設される。誘電体埋設部分１０２８と磁性体埋設部分１０３０とは、非埋設部分１０２４を挟んで離される。ワイヤ１０１４には、つなぎ目がない。
【００３８】
ワイヤ１０１６の誘電体埋設部分１０３２は、誘電体セラミックス焼成体１００４に埋設され、磁性体埋設部分１０３４は、磁性体セラミックス焼成体１００６に埋設される。誘電体埋設部分１０３２と磁性体埋設部分１０３４とは、非埋設部分１０２６を挟んで離される。ワイヤ１０１６には、つなぎ目がない。
【００３９】
ワイヤ１０１４，１０１６に「つなぎ目がない」とは、ワイヤ外形に段差がないことをいう。この「つなぎ目がない」という語の語義は、以下で言及するワイヤ１０１４，１０１６以外のワイヤについても同様である。
【００４０】
ワイヤ１０１４，１０１６の断面形状は、特に制限されず、円形状等の丸型であってもよいし、正方形状、矩形状等の角型であってもよい。ただし、誘電体埋設部分１０２８，１０３２及び磁性体埋設部分１０３０，１０３４の断面形状は、扁平な矩形状とすることが望ましい。誘電体埋設部分１０２８，１０３２及び磁性体埋設部分１０３０，１０３４の断面形状を矩形状とすることにより、ワイヤ１０１４，１０１６とキャパシタの内部電極１００８，１０１０及びインダクタの内部電極１０１２とが確実に接続される。また、非埋設部分１０２４，１０２６の断面形状は、円形状であることが望ましい。非埋設部分１０２４，１０２６の断面形状を円形状とすることにより、非埋設部分１０２４，１０２６が変形しやすくなり、焼成のときのセラミックスの収縮が大きくてもセラミックスに余分な応力がかからなくなる。誘電体埋設部分１０２８，１０３２及び磁性体埋設部分１０３０，１０３４の断面形状を途中で変化させることも望ましい。これにより、ワイヤ１０１４，１０１６が誘電体セラミックス焼成体１００４及び磁性体セラミックス焼成体１００６から抜けることが抑制される。
【００４１】
ワイヤ１０１４の断面積は、一方の接続先のキャパシタの内部電極１００８の断面積及び他方の接続先のインダクタの内部電極１０１２の断面積のうちの小さい方に合わせることが望ましく、ワイヤ１０１６の断面積は、一方の接続先のキャパシタの内部電極１０１０の断面積及び他方の接続先のインダクタの内部電極１０１２の断面積のうちの小さい方に合わせることが望ましい。その理由は、ワイヤ１０１４，１０１６の断面積をこれよりも小さくすると抵抗が大きくなるからであり、ワイヤ１０１４，１０１６の断面積をこれよりも大きくすると必要な材料が増え、ワイヤ１０１４，１０１６のコストが上昇するからである。
【００４２】
ワイヤ１０１４，１０１６は、金属又は合金からなる。ワイヤ１０１４，１０１６に使用される金属としては、例えば、銀（Ａｇ），白金（Ｐｔ），パラジウム（Ｐｄ）等があり、ワイヤ１０１４，１０１６に使用される合金としては、例えば、これらの金属の合金がある。
【００４３】
ワイヤ１０１４，１０１６は、これらの金属又は合金からなる結晶粒の間の粒界に空隙がほとんど存在せず、結晶粒が実質的に連続して結合した微構造を有することが望ましい。ワイヤ１０１４，１０１６の体積の全体に占める空隙の体積の比率は、望ましくは１％以下であり、さらに望ましくは０．１％以下である。当該体積の比率の算出においては、例えば、ワイヤ１０１４，１０１６の断面を露出させた断面試料が準備され、ワイヤ１０１４，１０１６の断面積の全体に占める空隙の面積の比率が算出される。当該体積の比率は、当該面積の比率から算出される。断面試料は、例えば、アルゴンイオンビームを用いたクロスセクションポリッシャ（ＣＰ）法により作製される。以下で言及するワイヤ１０１４，１０１６以外のワイヤも、このような微構造を有することが望ましい。
【００４４】
これらの金属又は合金からなる粉末を分散媒に分散させた導電材料ペーストの乾燥物を焼結させた導電体においては、これらの金属又は合金からなる結晶粒の間の粒界に多くの空隙が存在することが通常である。これは、導電材料ペーストには、流動性を付与するための分散媒、結着性を付与するためのバインダ等の乾燥工程又は焼結工程において消失する成分が含まれるからである。
【００４５】
＜第２実施形態＞
（複合電子部品の製造）
第２実施形態は、複合電子部品の製造方法に関する。第２実施形態の複合電子部品の製造方法は、第１実施形態の複合電子部品１００２の製造に適用される。
【００４６】
図２から図５までは、第２実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する模式図である。図２から図５までは、製造の途上の仕掛品の断面を示す。図２から図５までは、１個の複合電子部品の製造の途上の仕掛品を示しているが、２個以上の複合電子部品を同時に製造してもよい。
【００４７】
第２実施形態の複合電子部品の製造においては、ワイヤ１０１４，１０１６が準備された後に、図２に示すように、
（１）ワイヤ１０１４の誘電体埋設部分１０２８及び印刷パターン２１０８が誘電体セラミックス成形体２１０４に埋設され、ワイヤ１０１４の磁性体埋設部分１０３０及び印刷パターン２１１２が磁性体セラミックス成形体２１０６に埋設された構造体２５０２；
（２）印刷パターン２２０８，２２１０が埋設された誘電体セラミックス成形体２２０４；
（３）印刷パターン２２１２が埋設された磁性体セラミックス成形体２２０６の群；及び
（４）ワイヤ１０１６の誘電体埋設部分１０３２が誘電体セラミックス成形体２３０４に埋設され、ワイヤ１０１６の磁性体埋設部分１０３４が磁性体セラミックス成形体２３０６に埋設された構造体２５０４；
がゲルキャスト法により作製される。
【００４８】
誘電体埋設部分１０２８，１０３２と磁性体埋設部分１０３０，１０３４とは離されているので、誘電体セラミックス成形体２１０４，２２０４，２３０４と磁性体セラミックス成形体２１０６，２２０６，２３０６とは別体であり、誘電体セラミックス成形体２１０４，２２０４，２３０４と磁性体セラミックス成形体２１０６，２２０６，２３０６とが直接接触する界面は存在しない。このため、誘電体セラミックスと磁性体セラミックスとの間に熱膨張率や焼成収縮率の差があっても、焼成のときにクラック、デラミネーション等の損傷は発生しにくい。また、誘電体セラミックスと磁性体セラミックスとの間の相互拡散も抑制される。このことは、誘電体セラミックス材料及び磁性体セラミックス材料の選択の自由度を増す。
【００４９】
構造体２５０２，２５０４、誘電体セラミックス成形体２２０４及び磁性体セラミックス成形体２２０６が作製された後に、図３に示すように、誘電体セラミックス成形体２１０４，２２０４，２３０４が積層され、積層体２００４が作製される。また、磁性体セラミックス成形体２１０６，２２０６，２３０６が積層され、積層体２００６が作製される。誘電体セラミックス成形体２２０４の積層体及び磁性体セラミックス成形体２２０６の積層体を作製してから積層体２００４，２００６を作製してもよい。積層体２００４，２００６は、別々に作製してもよいし、同時に作製してもよい。
【００５０】
積層体２００４を作製するときには、ワイヤ１０１６の誘電体埋設部分１０３２が印刷パターン２２１０に接触させられ、積層体２００６を作製するときには、ワイヤ１０１６の磁性体埋設部分１０３４が印刷パターン２２１２に接触されられる。これらの接触は、焼成の後におけるワイヤ１０１６とキャパシタの内部電極１０１０及びインダクタの内部電極１０１２との接続を実現する。
【００５１】
積層体２００４，２００６が作製された後に、図４に示すように、積層体２００４，２００６が同時に焼成され、積層体２００４が誘電体セラミックス焼成体１００４となり、積層体２００６が磁性体セラミックス焼成体１００６となり、印刷パターン２１０８，２２０８がキャパシタの内部電極１００８となり、印刷パターン２２１０がキャパシタの内部電極１０１０となり、印刷パターン２１１２，２２１２がインダクタの内部電極１０１２となる。
【００５２】
積層体２００４，２００６が焼成された後に、図５に示すように、誘電体セラミックス焼成体１００４の端面に外部電極１０１８が形成され、磁性体セラミックス焼成体１００６の端面に外部電極１０２０が形成される。外部電極１０１８，１０２０の形成は、金属又は合金からなる粉末を含むペースト（以下では「導電体ペースト」という。）を塗布し、塗布膜を焼き付けることにより行われる。積層体２００４，２００６を焼成する前に導電体ペーストを塗布し、積層体２００４，２００６を焼成するのと同時に塗布膜を焼成することによっても外部電極１０１８，１０２０が形成される。外部電極１０１８，１０２０にメッキ処理を行ってもよい。
【００５３】
外部電極１０１８，１０２０が形成された後に、誘電体セラミックス焼成体１００４と磁性体セラミックス焼成体１００６との間隙に充填体１０２２が充填され、図１に示す複合電子部品１００２が完成する。外部電極１０１８，１０２０にメッキ処理を行う場合は、メッキ処理の後に充填体１０２２を充填してもよい。充填体１０２２は、例えば、接着剤の硬化物である。これにより、誘電体セラミックス焼成体１００４と磁性体セラミックス焼成体１００６とが固着され、複合電子部品１００２の強度が向上し、ワイヤ１０１４，１０１６が保護される。
【００５４】
第２実施形態の複合電子部品の製造方法によれば、セラミックス成形体が積層される方向とは異なる横方向にキャパシタ及びインダクタが配列されるので、低背の複合電子部品が提供される。ただし、キャパシタ及びインダクタを横方向以外の方向に配列することを制限しない。
【００５５】
（ゲルキャスト法）
ゲルキャスト法は、セラミックス粉末を含むスラリーを型に流し込み、スラリーを熱により硬化又はゲル化させることにより、流動性を失った成形体を作製するセラミックス粉末の成形の手法をいう。熱によらずにスラリーを硬化又はゲル化させてもよい。ゲルキャスト法は、スラリーが流動性を失った後に分散媒が蒸発するので、成形収縮が小さいという特徴を有する。このため、高い剛性を有するワイヤをセラミックス成形体に埋設するときにゲルキャスト法を用いると、成形収縮によるクラック等の損傷が抑制される。
【００５６】
ゲルキャスト法によるセラミックス成形体の作製に使用するスラリーは、セラミックス粉末を分散させた分散媒に硬化剤、ゲル化剤等を添加することにより調製される。硬化剤（ゲル化剤）は、樹脂硬化物（樹脂ゲル化物）の前駆体と、樹脂硬化物の前駆体の硬化（ゲル化）を開始又は促進させる硬化開始／促進剤（ゲル化開始／促進剤）とを含む。硬化剤、ゲル化剤等の添加物は、望ましくは、均一に混合される。
【００５７】
分散媒は、水、無極性有機溶媒、極性有機溶媒等から選択される。分散媒として選択される有機溶媒には、メタノール・エタノール・イソプロピルアルコール等の低級アルコール類、高級アルコール、アセトン、ヘキサン、ベンゼン、トルエン、エチレングリコール等のジオール類、グリセリン等のトリオール類、グルタル酸ジメチル等の多塩基酸エステル、トリアセチン等の２個以上のエステル基を有するエステル類、ポリカルボン酸エステル等のポリエステル系化合物、リン酸エステル、アミン縮合物、ノニオン系特殊アミド化合物等がある。分散媒は、純物質及び混合物のいずれであってもよい。
【００５８】
樹脂硬化物を構成する樹脂は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂等から選択される。樹脂は、分散媒との相溶性が高く分散媒との反応性が低い物質から選択される。エポキシ樹脂としては、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプリピレングリコール、グリセリンジグリシジルエーテル等を構成モノマーとして含む重合体が選択される。アクリル樹脂としては、アクリルアミド、メタクリル酸、Ｎ−ヒドロキシメチルアクリルアミド、アクリル酸アンモニウム塩等を構成モノマーとして含む重合体が選択される。ウレタン樹脂としては、ＭＤＩ（４，４−ジフェニルメタンジイソシアナート）系イソシアネート、ＨＤＩ（ヘキサメチレンジイソシアナート）系イソシアネート、ＴＤＩ（トリレンジイソシアナート）系イシソアナート、ＩＰＤＩ（イソホロンジイソシアナート）系イソシアナート、イソチオシナート等を構成モノマーとして含む重合体が選択される。
【００５９】
硬化開始／促進剤は、樹脂硬化物の前駆体との反応性を考慮して選択される。硬化開始／促進剤は、テトラメチルエチレンジアミン・トリエチレンジアミン・ヘキサンジアミン・エチレンジアミン等の重合体のポリアルキレンポリアミン、１−（２−アミノエチル）ピペラジン等のペラジン類、ポリオキシプロピレンジアミン等のポリエーテルアミン、Ｎ，Ｎ´−メチレンビスアクリルアミド、６−ジメチルアミノ−１−ヘキサノール、過硫酸アンモニウム、過酸化水素等から選択される。
【００６０】
例えば、分散媒としてトリアセチンとグルタル酸ジメチルとの混合物、ゲル化剤としてポリメチレンポリフェニルポリイソシアネート及びエチレングリコールが選択される。分散性を向上するためにカルボン酸共重合体、アクリル酸共重合体等の分散剤がさらに添加されてもよいし、硬化（ゲル化）させる反応を促進するために６−ジメチルアミノ−１−ヘキサノール等の触媒がさらに添加されてもよい。セラミックス粉末が焼結助剤等の添加物を含んでもよい。
【００６１】
（構造体２５０２の作製）
図６から図１１までは、構造体２５０２の作製方法を説明する模式図である。図６から図１１までは、作製の途上の仕掛品の断面を示す。
【００６２】
構造体２５０２の作製においては、図６に示すように、組み立てられる前に型２９０２の内面となる面に導電体ペーストが印刷され、印刷パターン２１０８が形成され、型２９０２が組み立てられる。型２９０２が組み立てられた後に印刷パターン２１０８が形成されてもよい。
【００６３】
印刷パターン２１０８が形成された後に、図７に示すように、ワイヤ１０１４の誘電体埋設部分１０２８が型２９０２に収容される。このとき、ワイヤ１０１４の誘電体埋設部分１０２８は、印刷パターン２１０８に接触させられる。この接触は、焼成の後におけるワイヤ１０１４とキャパシタの内部電極１００８との接続を実現する。
【００６４】
ワイヤ１０１４の誘電体埋設部分１０２８が型２９０２に収容された後に、図８に示すように、誘電体セラミックス粉末を含むスラリーが、型２９０２に流し込まれ、硬化させられる。これにより、ワイヤ１０１４の誘電体埋設部分１０２８及び印刷パターン２１０８が誘電体セラミックス成形体２１０６に埋設される。
【００６５】
続いて、図９に示すように、組み立てられる前に型２９０４の内面となる面に導電体ペーストが印刷され、印刷パターン２１１２が形成され、型２９０４が組み立てられる。型２９０４が組み立てられた後に印刷パターン２１１２が形成されてもよい。
【００６６】
印刷パターン２１１２が形成された後に、図１０に示すように、ワイヤ１０１４の磁性体埋設部分１０３０が型２９０４に収容される。このとき、ワイヤ１０１４の磁性体埋設部分１０３０が印刷パターン２１１２に接触させられる。この接触は、焼成の後におけるワイヤ１０１４とインダクタの内部電極１０１２との接続を実現する。
【００６７】
ワイヤ１０１４の磁性体埋設部分１０３０が型２９０４に収容された後に、図１１に示すように、磁性体セラミックス粉末を含むスラリーが、型２９０４に流し込まれ、硬化させられる。これにより、ワイヤ１０１４の磁性体埋設部分１０３０及び印刷パターン２１１２が磁性体セラミックス成形体２１０６に埋設される。
【００６８】
ワイヤ１０１４の磁性体埋設部分１０３０及び印刷パターン２１１２を磁性体セラミックス成形体２１０６に埋設した後にワイヤ１０１４の誘電体埋設部分１０２８及び印刷パターン２１０８を誘電体セラミックス成形体２１０４に埋設してもよい。
【００６９】
（誘電体セラミックス成形体２２０４、磁性体セラミックス成形体２２０６及び構造体２５０４の作製）
誘電体セラミックス成形体２２０４は、ワイヤの誘電体埋設部分を型に収容する手順を省略することを除いては、図６から図８までに示す構造体２５０２の誘電体セラミックス成形体２１０４の作製の手順と同様の手順で作製される。
【００７０】
磁性体セラミックス成形体２２０６も、ワイヤの磁性体埋設部分を型に収容する手順を省略することを除いては、図９から図１１までに示す構造体２５０２の磁性体セラミックス成形体２１０６の作製の手順と同様の手順で作製される。
【００７１】
構造体２５０４も、印刷パターンを形成する手順を省略することを除いては、図６から図１１までに示す構造体２５０２の作製の手順と同様の手順で作製される。
【００７２】
（ワイヤと内部電極との接続）
ワイヤ１０１４，１０１６と内部電極１００８，１０１０，１０１２との接続を実現する方法には、
（ａ）ワイヤと焼成後に内部電極となる印刷パターンとを接触させた状態でセラミックス成形体に埋設する方法；及び
（ｂ）ワイヤが埋設されたセラミックス成形体と焼成後に内部電極となる印刷パターンが埋設されたセラミックス成形体とを積層するときにワイヤと印刷パターンとを接触させる方法、
がある。上述の複合電子部品１００２の製造方法においては、これらの両方の方法を使用したが、片方の方法のみを使用してもよい。
【００７３】
＜第３実施形態＞
第３実施形態は、第２実施形態の複合電子部品の製造方法に代えて採用される複合電子部品の製造方法に関する。第２実施形態においては、誘電体セラミックス成形体の積層体と磁性体セラミックス成形体の積層体とが同時に焼成されるのに対して、第３実施形態においては、磁性体セラミックス成形体の積層体と誘電体セラミックス成形体の積層体とが別々に焼成される。すなわち、第３実施形態においては、誘電体セラミックス成形体の積層体が作製され焼成された後に、磁性体セラミック成形体の積層体が作製され焼成される。第３実施形態においても、ゲルキャスト法によるワイヤ及び印刷パターンのセラミックス成形体への埋設は、第２実施形態と同様に行われる。
【００７４】
図１２から図１８までは、第３実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する図である。図１２から図１８までは、製造の途上の仕掛品の断面を示す。
【００７５】
複合電子部品１００２の製造においては、ワイヤ１０１４，１０１６が準備された後に、図１２に示すように、
（１）ワイヤ１０１４の誘電体埋設部分１０２８及び印刷パターン３０１８が埋設された誘電体セラミックス成形体３１０４；
（２）印刷パターン３２０８，３２１０が埋設された誘電体セラミックス成形体３２０４；及び
（３）、ワイヤ１０１６の誘電体埋設部分１０３２が埋設された誘電体セラミックス成形体３３０４、
がゲルキャスト法により作製される。
【００７６】
誘電体セラミックス成形体３１０４，３２０４，３３０４が作製された後に、図１３に示すように、誘電体セラミックス成形体３１０４，３２０４，３３０４が積層され、積層体３００４が作製される。
【００７７】
積層体３００４が作製された後に、図１４に示すように、積層体３００４が焼成され、積層体３００４が誘電体セラミックス焼成体１００４となり、印刷パターン３１０８，３２０８がキャパシタの内部電極１００８となり、印刷パターン３２１０がキャパシタの内部電極１０１０となる。
【００７８】
積層体３００４が焼成された後に、図１５に示すように、ワイヤ１０１４の磁性体埋設部分１０３０及び印刷パターン３１１２がゲルキャスト法により磁性体セラミックス成形体３１０６に埋設され、ワイヤ１０１６の磁性体埋設部分１０３４がゲルキャスト法により磁性体セラミックス成形体３３０６に埋設される。
【００７９】
ワイヤ１０１４の磁性体埋設部分１０３０等が磁性体セラミックス成形体３１０６等に埋設されるとは別に、図１６に示すように、印刷パターン３２１２が埋設された磁性体セラミックス成形体３２０６がゲルキャスト法により作製され、磁性体セラミックス成形体３２０６が積層され、積層体３４０６が作製される。
【００８０】
ワイヤ１０１４の磁性体埋設部分１０３０等が磁性体セラミックス成形体３１０６等に埋設され、積層体３４０６が作製された後に、図１７に示すように、誘電体セラミックス成形体３１０６，３３０６の間に積層体３４０６が挟まれ、誘電体セラミックス成形体３１０６、積層体３４０６及び誘電体セラミックス成形体３３０６が積層され、積層体３００６が作製される。
【００８１】
積層体３００６が作製された後に、図１８に示すように、積層体３００６が焼成され、積層体３００６が磁性体セラミックス焼成体１００６となり、印刷パターン３２１２がインダクタの内部電極１０１２となる。
【００８２】
積層体３００６が焼成された後は、第２実施形態と同様に、外部電極１０１８，１０２０が形成され、誘電体セラミックス焼成体１００４と磁性体セラミックス焼成体１００６との間隙に充填体１０２２が充填され、図１に示す複合電子部品１００２が完成する。
【００８３】
第３実施形態の複合電子部品の製造方法によれば、積層体３００４と積層体３００６とが別々に焼成されるので、積層体３００４の焼成条件と積層体３００６の焼成条件とを独立して決めることができるようになり、磁性体セラミックス材料及び誘電体のセラミックス材料の選択の自由度が増す。
【００８４】
第３実施形態は、積層体３００４が作製され焼成された後に積層体３００６が作製され焼成される場合を説明したが、積層体３００６が作製され焼成された後に積層体３００４が作製され焼成されるようにしてもよい。ただし、焼成温度に差がある場合は、焼成温度が高い積層体から焼成温度が低い積層体へと順に焼成を行うことが望ましい。これにより、先に作製された焼成体が後の焼成のときに受ける影響が抑制される。
【００８５】
＜第４実施形態＞
第４実施形態は、複合電子部品の構造に関する。
【００８６】
図１９は、第４実施形態の複合電子部品の模式図である。図１９は、第４実施形態の複合電子部品の断面を示す。
【００８７】
図１９に示すように、複合電子部品４００２は、キャパシタとインダクタとが並列に接続された並列共振子であって、誘電体セラミックス焼成体４００４と、磁性体セラミックス焼成体４００６と、キャパシタの内部電極４００８，４０１０と、キャパシタの内部電極４００８とワイヤ４０１６の磁性体側端とをらせん形状部分４０５２を介して接続するワイヤ４０１４と、キャパシタの内部電極４０１０とワイヤ４０１４の磁性体側端とを接続するワイヤ４０１６と、外部電極４０１８，４０２０と、誘電体セラミックス焼成体４００４と磁性体セラミックス焼成体４００６との間隙に充填される充填体４０２２と、を備える。
【００８８】
第１実施形態においては、ワイヤ１０１４，１０１６とは別のらせん形状部分を有するインダクタの内部電極１０１２が磁性体セラミックス焼成体１００６に埋設されるが、第４実施形態においては、ワイヤ４０１４の磁性体埋設部分４０３０にらせん形状部分４０５２が設けられる。
【００８９】
第４実施形態においても、誘電体セラミックス焼成体４００４と磁性体セラミックス焼成体４００６とは別体であり、誘電体セラミックス焼成体４００４と磁性体セラミックス焼成体４００６との間隙には、誘電体セラミックス焼成体４００４及び磁性体セラミックス焼成体４００６のいずれにも埋設されないワイヤ４０１４の非埋設部分４０２４及びワイヤ４０１６の非埋設部分４０２６がある。
【００９０】
ワイヤ４０１４の誘電体埋設部分４０２８は、誘電体セラミックス焼成体４００４に埋設され、ワイヤ４０１４の磁性体埋設部分４０３０は、磁性体セラミックス焼成体４００６に埋設される。誘電体埋設部分４０２８と磁性体埋設部分４０３０とは、非埋設部分４０２４を挟んで離される。ワイヤ４０１４には、つなぎ目がない。ワイヤ４０１４の磁性体側端は、磁性体セラミックス焼成体４００６の端面に露出し、外部電極４０２０に接続される。
【００９１】
ワイヤ４０１６の誘電体埋設部分４０３２は、誘電体セラミックス焼成体４００４に埋設され、磁性体埋設部分４０３４は、磁性体セラミックス焼成体４００６に埋設される。誘電体埋設部分４０３２と磁性体埋設部分４０３４とは、非埋設部分４０２６を挟んで離される。ワイヤ４０１６には、つなぎ目がない。ワイヤ４０１６の磁性体側端は、磁性体セラミックス焼成体４００６の端面に露出し、外部電極４０２０に接続される。
【００９２】
ワイヤ４０１４，４０１６の断面形状は、特に制限されず、円形状等の丸型であってもよいし、正方形状、矩形状等の角型であってもよい。ただし、ワイヤ４０１４の断面形状は扁平な矩形状であることが望ましく、ワイヤ４０１４は、扁平な矩形状の短手方向がらせん形状部分４０５２の軸方向となるように巻回される。これにより、らせん形状部分４０５２のピッチが密になり、インダクタが小型化される。第１実施形態の場合と同様に、ワイヤ４０１６の誘電体埋設部分４０３２及び磁性体埋設部分４０３４の断面形状は、扁平な矩形状とすることが望ましく、非埋設部分４０２６の断面形状は、円形状であることが望ましい。
【００９３】
キャパシタの内部電極４００８，４０１０、外部電極４０１８及び充填体４０２２は、第１実施形態のキャパシタの内部電極１００８，１０１０、外部電極１０１８及び充填体１０２２と同様の構造を有する。
【００９４】
第４実施形態の各要素の材料は、第１実施形態と同様に選択される。
【００９５】
＜第５実施形態＞
第５実施形態は、複合電子部品の製造方法に関する。第５実施形態の複合電子部品の製造方法は、第４実施形態の複合電子部品４００２の製造に適用される。第５実施形態においても、ゲルキャスト法によるワイヤ及び印刷パターンのセラミックス成形体への埋設は、第２実施形態と同様に行われる。
【００９６】
図２０から図２３までは、第５実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する模式図である。図２０から図２３までは、製造の途上の仕掛品の断面を示す。
【００９７】
複合電子部品４００２の製造においては、ワイヤ４０１４，４０１６が準備される。ワイヤ４０１４の表面は、望ましくは、らせん形状部分４０５２が形成される前に、キャパシタの内部電極４００８及びワイヤ４０１６の磁性体側端に接続される端部を除いて、図示しない樹脂膜で被覆される。当該樹脂膜は、らせん形状部分４０５２が形成された後に、加熱により融解され、冷却により再び凝固される。これにより、らせん形状部分４０５２の表面を被覆する樹脂膜が融着する。融着した樹脂膜は、らせん形状部分４０５２の形状を維持することに寄与する。樹脂膜の膜厚は、１０〜３０μｍであることが望ましい。樹脂膜に含まれる樹脂の種類は、例えば、ポリエステルである。樹脂膜には、埋設されるセラミックス成形体を構成するセラミックス粉末と同じセラミックス粉末が含まれる。セラミックス粉末の粒径は、例えば、０．５μｍである。樹脂膜に含まれる樹脂は、焼成のときの脱バインダ工程において除去され、完成した複合電子部品４００２には残存しない。
【００９８】
ワイヤ４０１４の断面形状は扁平形状であることが望ましく、ワイヤ４０１４は、扁平形状の短手方向がらせん形状部分４０５２の軸方向となるように巻回される。これにより、らせん形状部分４０５２のピッチが密になり、インダクタが小型化される。
【００９９】
ワイヤ４０１４，４０１６が準備された後に、図２０に示すように、
（１）ワイヤ４０１４の誘電体埋設部分４０２８及び印刷パターン５１０８が埋設された誘電体セラミックス成形体５１０４；
（２）印刷パターン５２０８，５２１０が埋設された誘電体セラミックス成形体５２０４；及び
（３）ワイヤ４０１６の誘電体埋設部分４０２６が埋設された誘電体セラミックス成形体５３０４、
がゲルキャスト法により作製される。
【０１００】
誘電体セラミックス成形体５１０４，５２０４，５３０４が作製された後に、図２１に示すように、誘電体セラミックス成形体５２０４が積層されて積層体５４０４が作製され、さらに、誘電体セラミックス成形体５１０４，５３０４に積層体５４０４が挟まれて誘電体セラミックス成形体５１０４、積層体５４０４及び誘電体セラミックス成形体５３０４が積層され、積層体５００４が作製される。
【０１０１】
積層体５００４が作製された後に、図２２に示すように、ワイヤ４０１４の磁性体埋設部分４０３０及びワイヤ４０１６の磁性体埋設部分４０３４がゲルキャスト法により磁性体セラミックス成形体５００６に埋設される。磁性体埋設部分４０３０には、らせん形状部分４０５２が含まれ、らせん形状部分４０５２は、磁性体セラミックス成形体５００６に埋設される。
【０１０２】
ワイヤ４０１４の磁性体埋設部分４０３０等が磁性体セラミックス成形体５００６に埋設された後に、図２３に示すように、積層体５００４及び磁性体セラミックス成形体５００６が同時に焼成され、積層体５００４が誘電体セラミックス焼成体４００４となり、磁性体セラミックス成形体５００６が磁性体セラミックス焼成体４００６となり、印刷パターン５１０８，５２０８がインダクタの内部電極４００８となり、印刷パターン５２１０が印刷パターン４０１０となる。
【０１０３】
積層体５００４及び磁性体セラミックス成形体５００６が焼成された後は、第２実施形態と同様に、外部電極４０１８，４０２０が形成され、誘電体セラミックス焼成体４００４と磁性体セラミックス焼成体４００６との間隙が充填体４０２２で充填され、図１９に示す複合電子部品４００２が完成する。
【０１０４】
＜第６実施形態＞
第６実施形態は、複合電子部品の構造に関する。
【０１０５】
図２４は、第６実施形態の複合電子部品の模式図である。図２４は、第６実施形態の複合電子部品の断面を示す。
【０１０６】
図２４に示すように、複合電子部品６００２は、キャパシタとインダクタとが並列に接続された並列共振子であって、誘電体セラミックス焼成体６００４と、磁性体セラミックス焼成体６００６と、キャパシタの内部電極６００８，６０１０と、キャパシタの内部電極６００８とワイヤ６０５４の一端とを接続するワイヤ６０１４と、キャパシタの内部電極６０１０とワイヤ６０５４の他端とを接続するワイヤ６０１６と、らせん形状部分６０５２を有するワイヤ６０５４と、外部電極６０１８，６０２０と、磁性体セラミックス焼成体６００６と誘電体セラミックス焼成体６００４との間隙に充填される充填体６０２２と、を備える。
【０１０７】
第１実施形態においては、ワイヤ１０１４，１０１６とは別のらせん形状部分を有するインダクタの内部電極１０１２が磁性体セラミックス焼成体１００６に埋設されるが、第６実施形態においては、らせん形状部分６０５２を有するワイヤ６０５４が磁性体セラミックス焼成体６００６に埋設される。
【０１０８】
第６実施形態においても、誘電体セラミックス焼成体６００４と磁性体セラミックス焼成体６００６とは別体であり、誘電体セラミックス焼成体６００４と磁性体セラミックス焼成体６００６との間隙には、誘電体セラミックス焼成体６００４及び磁性体セラミックス焼成体６００６のいずれにも埋設されないワイヤ６０１４の非埋設部分６０２４及びワイヤ６０１６の非埋設部分６０２６がある。
【０１０９】
ワイヤ６０１４の誘電体埋設部分６０２８は、誘電体セラミックス焼成体６００４に埋設され、ワイヤ６０１４の磁性体埋設部分６０３０は、磁性体セラミックス焼成体６００６に埋設される。誘電体埋設部分６０２８と磁性体埋設部分６０３０とは、非埋設部分６０２４を挟んで離される。ワイヤ６０１４には、つなぎ目がない。
【０１１０】
ワイヤ６０１６の誘電体埋設部分６０３２は、誘電体セラミックス焼成体６００４に埋設され、磁性体埋設部分６０３４は、磁性体セラミックス焼成体６００６に埋設される。誘電体埋設部分６０３２と磁性体埋設部分６０３４とは、非埋設部分６０２６を挟んで離される。ワイヤ６０１６には、つなぎ目がない。ワイヤ６０１６の磁性体側端は、磁性体セラミックス焼成体６００６の端面に露出し、外部電極６０２０に接続される。
【０１１１】
ワイヤ６０５４は、らせん形状部分６０５２を有し、磁性体セラミックス焼成体６００６に埋設される。ワイヤ６０５４の他端は、磁性体セラミックス焼成体６００６の端面に露出し、外部電極６０２０に接続される。
【０１１２】
ワイヤ６０１４，６０１６，６０５４の断面形状は、特に制限されず、円形状等の丸型であってもよいし、正方形状、矩形状等の角型であってもよい。ただし、ワイヤ６０５４の断面形状は扁平な矩形状であることが望ましく、ワイヤ６０５４は、扁平な矩形状の短手方向がらせん形状部分６０５２の軸方向となるように巻回される。これにより、らせん形状部分６０５２のピッチが密になり、インダクタが小型化される。第１実施形態の場合と同様に、ワイヤ６０１４，６０１６の誘電体埋設部分６０２８，６０３２及び磁性体埋設部分６０３０，６０３４の断面形状は、扁平な矩形状とすることが望ましく、非埋設部分６０２４，６０２６の断面形状は、円形状であることが望ましい。
【０１１３】
キャパシタの内部電極６００８，６０１０、外部電極６０１８，６０２０及び充填体６０２２は、第１実施形態のキャパシタの内部電極１００８，１０１０、外部電極１０１８，１０２０及び充填体１０２２と同様の構造を有する。第６実施形態においても、各要素の材料は、第１実施形態と同様に選択される。
【０１１４】
＜第７実施形態＞
第７実施形態は、複合電子部品の製造方法に関する。第７実施形態の複合電子部品の製造方法は、第６実施形態の複合電子部品６００２の製造に適用される。第７実施形態においても、ゲルキャスト法によるワイヤ及び印刷パターンのセラミックス成形体への埋設は、第２実施形態と同様に行われる。
【０１１５】
図２５から図３０までは、第７実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する模式図である。図２５から図３０までは、製造の途上の仕掛品の断面を示す。
【０１１６】
複合電子部品６００２の製造においては、ワイヤ６０１４，６０１６，６０５４が準備される。ワイヤ６０５４の表面は、望ましくは、第５実施形態と同様に樹脂膜で被覆され、当該樹脂膜は、らせん形状部分５０５２が形成された後に、加熱により融解され、冷却により再び凝固される。
【０１１７】
ワイヤ６０１４，６０１６，６０５４が準備された後に、図２５に示すように、
（１）ワイヤ６０１４の誘電体埋設部分６０２８及び印刷パターン７１０８が埋設された誘電体セラミックス成形体７１０４；
（２）印刷パターン７２０８，７２１０が埋設された誘電体セラミックス成形体７２０４；及び
（３）ワイヤ６０１６の誘電体埋設部分６０２６が埋設された誘電体セラミックス成形体７３０４、
がゲルキャスト法により作製される。
【０１１８】
誘電体セラミックス成形体７１０４，７２０４，７３０４が作製された後に、図２６に示すように、誘電体セラミックス成形体７２０４が積層されて積層体７４０４が作製され、さらに、誘電体セラミックス成形体７１０４，７３０４に積層体７４０４が挟まれて誘電体セラミックス成形体７１０４、積層体７４０４及び誘電体セラミックス成形体７３０４が積層され、積層体７００４が作製される。
【０１１９】
積層体７００４が作製された後に、図２７に示すように、積層体７００４が焼成され、積層体７００４が誘電体セラミックス焼成体６００４となり、印刷パターン７１０８，７２０８がインダクタの内部電極６００８となり、印刷パターン７２１０が印刷パターン６０１０となる。
【０１２０】
積層体７００４が焼成された後に、図２８に示すように、ワイヤ６０１４の磁性体側端とワイヤ６０５４の一端とが導電体ペーストにより接合され、ワイヤ６０１６の磁性体側端とワイヤ６０５４の他端とが導電体ペーストにより接合され、ワイヤ６０５４がワイヤ６０１４，６０１６に保持される。
【０１２１】
ワイヤ６０５４がワイヤ６０１４，６０１６に保持された後に、図２９に示すように、ワイヤ６０１４の磁性体埋設部分６０３０、ワイヤ６０１６の磁性体埋設部分６０３４及びワイヤ６０５４の全体がゲルキャスト法により磁性体セラミックス成形体７００６に埋設される。
【０１２２】
ワイヤ６０１４の磁性体埋設部分６０３０等が磁性体セラミックス成形体７００６に埋設された後に、図３０に示すように、磁性体セラミックス成形体７００６が焼成され、磁性体セラミックス成形体７００６が磁性体セラミックス焼成体６００６となる。
【０１２３】
磁性体セラミックス成形体７００６が焼成された後は、第２実施形態と同様に、外部電極６０１８，６０２０が形成され、誘電体セラミックス焼成体６００４と磁性体セラミックス焼成体６００６との間隙が充填体６０２２で充填され、図２４に示す複合電子部品６００２が完成する。
【０１２４】
＜第８実施形態＞
第８実施形態は、複合電子部品の構造に関する。
【０１２５】
図３１は、第８実施形態の複合電子部品８００２の模式図である。図３１は、複合電子部品８００２の断面を示す。
【０１２６】
図３１に示すように、複合電子部品８００２は、キャパシタとインダクタとが並列に接続された並列共振子であって、誘電体セラミックス焼成体８００４と、磁性体セラミックス焼成体８００６と、外部電極８０１８と外部電極８０２８とをらせん形状部分８０５２を介して接続するワイヤ８０１４と、誘電体セラミックス焼成体８００４の内部においてキャパシタの対向電極の一方となるワイヤ８０１６と、誘電体セラミックス焼成体８００４の内部においてキャパシタの対向電極の他方となるワイヤ８０５６と、外部電極８０１８，８０２０と、誘電体セラミックス焼成体８００４と磁性体セラミックス焼成体８００６との間隙に充填される充填体８０２２と、を備える。
【０１２７】
第１実施形態においては、ワイヤ１０１４，１０１６とは別の平膜形状部分を有するキャパシタの内部電極１００８，１０１０が誘電体セラミックス焼成体１００４に埋設されるが、第８実施形態においては、平行に延在するワイヤ８０１６，８０５６が誘電体セラミックス焼成体８００６に埋設される。また、第１実施形態においては、ワイヤ１０１４，１０１６とは別のらせん形状部分を有するインダクタの内部電極１０１２が磁性体セラミックス焼成体１００６に埋設されるが、第８実施形態においては、ワイヤ８０１４の磁性体埋設部分８０３０にらせん形状部分８０５２が設けられる。
【０１２８】
第８実施形態においても、誘電体セラミックス焼成体８００４と磁性体セラミックス焼成体８００６とは別体であり、誘電体セラミックス焼成体８００４と磁性体セラミックス焼成体８００６との間隙には、誘電体セラミックス焼成体８００４及び磁性体セラミックス焼成体８００６のいずれにも埋設されないワイヤ８０１４の非埋設部分８０２４及びワイヤ８０１６の非埋設部分８０２６がある。
【０１２９】
ワイヤ８０１４の誘電体埋設部分８０２８は、誘電体セラミックス焼成体８００４に埋設され、ワイヤ８０１４の磁性体埋設部分８０３０は、磁性体セラミックス焼成体８００６に埋設される。誘電体埋設部分８０２８と磁性体埋設部分８０３０とは、非埋設部分８０２４を挟んで離される。ワイヤ８０１４には、つなぎ目がない。ワイヤ８０１４の誘電体側端は、誘電体セラミックス焼成体８００４の端面に露出し、外部電極８０１８に接続される。ワイヤ８０１４の磁性体側端は、磁性体セラミックス焼成体８００６の端面に露出し、外部電極８０２０に接続される。
【０１３０】
ワイヤ８０１６の誘電体埋設部分８０３２は、誘電体セラミックス焼成体８００４に埋設され、ワイヤ８０１６の磁性体埋設部分８０３４は、磁性体セラミックス焼成体８００６に埋設される。誘電体埋設部分８０３２と磁性体埋設部分８０３４とは、非埋設部分８０２６を挟んで離される。ワイヤ８０１６には、つなぎ目がない。ワイヤ８０１６の誘電体側端には、らせん形状部分がある。ワイヤ８０１６の磁性体側端は、磁性体セラミックス焼成体８００６の端面に露出し、外部電極８０２０に接続される。
【０１３１】
ワイヤ８０１４，８０１６，８０５６の断面形状は、特に制限されず、円形状等の丸型であってもよいし、正方形状、矩形状等の角型であってもよい。ただし、ワイヤ８０１４，８０１６，８０５６の断面形状は扁平な矩形状であることが望ましく、ワイヤ８０１４，８０１６，８０５６は、扁平な矩形状の短手方向がらせん形状部分８０５２，８０８２，８０８４の軸方向となるように巻回される。これにより、らせん形状部分８０５２，８０８２，８０８４のピッチが密になり、キャパシタ及びインダクタが小型化される。
【０１３２】
ワイヤ８０５６の全体は、誘電体セラミックス焼成体８００４に埋設される。ワイヤ８０５６は、ワイヤ８０１６のらせん形状部分と平行に延在し複合らせん構造を構成するらせん形状部分を一端の側に有する。ワイヤ８０５６の他端は、誘電体セラミックス焼成体８００４の端面に露出し、外部電極８０１８に接続される。
【０１３３】
外部電極８０１８，８０２０及び充填体８０２２は、第１実施形態の外部電極１０１８、１０２０及び充填体１０２２と同様の構造を有する。第８実施形態の各要素の材料は、第１実施形態と同様に選択される。
【０１３４】
＜第９実施形態＞
第９実施形態は、複合電子部品の製造方法に関する。第９実施形態の複合電子部品の製造方法は、第８実施形態の複合電子部品８００２の製造に適用される。第９実施形態においても、ゲルキャスト法によるワイヤのセラミックス成形体への埋設は、第２実施形態と同様に行われる。
【０１３５】
図３２から図３５までは、第９実施形態の複合電子部品の製造方法を説明する模式図である。図３２から図３５までは、製造の途上の仕掛品の断面を示す。
【０１３６】
複合電子部品８００２の製造においては、ワイヤ８０１４，８０１６，８０５６が準備される。ワイヤ８０１４の表面は、望ましくは、第５実施形態と同様に樹脂膜で被覆され、当該樹脂膜は、らせん形状部分８０５２が形成された後に、加熱により融解され、冷却により再び凝固される。ワイヤ８０１６，８０５６の表面も、第５実施形態と同様に樹脂膜で被覆され、当該樹脂膜は、らせん形状部分が形成され複合らせん構造が形成された後に、加熱により融解され、冷却により再び凝固される。
【０１３７】
ワイヤ８０１４，８０１６，８０５６が準備された後に、図３２に示すように、ワイヤ８０１４の誘電体埋設部分８０２８、ワイヤ８０１６の誘電体埋設部分８０３２及びワイヤ８０５６の全体がゲルキャスト法により誘電体セラミックス成形体９００４がに埋設される。
【０１３８】
ワイヤ８０１４の誘電体埋設部分８０２８等が誘電体セラミックス成形体９００４に埋設された後に、図３３に示すように、ワイヤ８０１４の磁性体埋設部分８０３０及びワイヤ８０１６の磁性体埋設部分８０３４がゲルキャスト法により磁性体セラミックス成形体９００６に埋設される。
【０１３９】
ワイヤ８０１４の磁性体埋設部分８０３０等が磁性体セラミックス成形体９００６に埋設された後に、図３４に示すように、誘電体セラミックス成形体９００４及び磁性体セラミックス成形体９００６が焼成され、誘電体セラミックス成形体９００４が誘電体セラミックス焼結体８００４となり、磁性体セラミックス成形体９００６が磁性体セラミックス焼成体８００６となる。
【０１４０】
誘電体セラミックス成形体９００４及び磁性体セラミックス成形体９００６が焼成された後は、第２実施形態と同様に、外部電極８０１８，８０２０が形成され、誘電体セラミックス焼成体８００４と磁性体セラミックス焼成体８００６との間隙が充填体８０２２で充填され、図３１に示す複合電子部品８００２が完成する。
【０１４１】
図３５は、樹脂膜８７０２で被覆されたワイヤ８０１４，８０１６，８０５６を示す図である。らせん形状部分に被覆された樹脂膜８００２は互いに融着し、らせん形状部分の形状を維持することに寄与する。
【０１４２】
＜その他＞
本発明の複合電子部品及びその製造方法は、第１の機能部のキャパシタと第２の機能部のインダクタとを並列接続した並列共振子以外の複合電子部品にも向けられる。一般的に言えば、複合電子部品は、複数の機能部を備え、ワイヤの複数の埋設部分及び必要な内部電極がセラミックス焼成体に埋設された構造を有する。複数のセラミックス焼成体は別体であり、複数の埋設部分は互いに離される。複合電子部品は、ワイヤの複数の埋設部分の各々を必要な印刷パターンとともにセラミックス焼成体に埋設し、複数のセラミックス焼成体を同時に又は別々に焼成することにより製造される。もちろん、複数のセラミックス成形体は別体である。
【０１４３】
複数の機能部の接続の形態も「並列接続」に限定されず、「直列接続」であってもよいし、さらに複雑な接続の形態であってもよい。「機能部」は、キャパシタ、インダクタの他、抵抗、サーミスタ、バリスタ、ピエゾ素子等であってもよく、「機能部」は、ＬＴＣＣ（低温共焼成セラミックス）等により構成された複合電子部品であってもよい。
【０１４４】
＜実施例１＞
実施例１では、第２実施形態の複合電子部品の製造方法にしたがって、複合電子部品１００２を製造した。
【０１４５】
ワイヤ１０１４，１０１６としては、誘電体埋設部分１０２８，１０３２及び磁性体埋設部分１０３０，１０３４の断面形状が厚さ（短手方向）５０μｍ、幅（長手方向）３００μｍの扁平形状であり、非埋設部分１０２４，１０２６の断面形状が直径７０μｍの円形状である、銀からなるワイヤを使用した。
【０１４６】
印刷パターン２１０８，２２０８，２２１０を形成するために印刷する導電体ペーストとしては、銀からなる粉末及びガラスフリットを有機ビヒクルに分散させたペーストを使用した。
【０１４７】
外部電極１０１８，１０２０を形成するために塗布する導電体ペーストとしては、銀からなる粉末及びガラスフリットを有機ビヒクルに分散させたペーストを使用した。
【０１４８】
誘電体セラミックス粉末を含むスラリーとしては、チタン（Ｔｉ）系誘電体である酸化チタン(IV)（ＴｉＯ2）の粉末と軟化点が８００℃以下の非晶質ガラスであるＭｅ2Ｏ−ＭａＯ−ＳｉＯ2−ＣｕＯ系ガラス（Ｍｅ：アルカリ金属，Ｍａ：アルカリ土類金属）の粉末とを混合した混合粉末１００重量部、トリアセチン２．５重量部、グルタル酸ジメチル２２．５重量部、エチレングリコール０．２重量部、ポリメチレンポリフェニルポリイソシアネート２．０重量部、カルボン酸共重合体３重量部及び６−ジメチルアミノ−１−ヘキサノール０．１重量部を含むスラリーを使用した。酸化チタン(IV)（ＴｉＯ2）の粉末とＭｅ2Ｏ−ＭａＯ−ＳｉＯ2−ＣｕＯ系ガラスの粉末との重量比は、１００：２０とした。
【０１４９】
磁性体セラミックス粉末を含むスラリーとしては、酸化鉄(III)（Ｆｅ2Ｏ3），酸化ニッケル(II)（ＮｉＯ），酸化亜鉛(II)（ＺｎＯ）及び酸化銅(II)（ＣｕＯ）の粉末を混合した混合粉末を仮焼して得られた仮焼粉末１００重量部、トリアセチン２．５重量部、グルタル酸ジメチル２２．５重量部、エチレングリコール０．２重量部、ポリメチレンポリフェニルポリイソシアネート２．０重量部、カルボン酸共重合体３重量部及び６−ジメチルアミノ−１−ヘキサノール０．１重量部を含むスラリーを使用した。
【０１５０】
積層体２００４，２００６の焼成には、
［１］室温から５００℃まで１０〜３０時間かけて昇温する工程（脱バインダ工程）；
［２］９５０℃まで２０分かけて昇温する工程；及び
［３］９５０℃を２時間保持する工程、
を順次実行する焼成プロファイルを使用した。
【０１５１】
外部電極１０１８，１０２０を形成するために塗布する導電体ペーストは、９００℃で３０分かけて焼け付けた。
【０１５２】
型２９０２，２９０４の材質は、ステンレスを選択した。
【０１５３】
このような条件の下で製造した複合電子部品１００２は、単体電子部品のキャパシタとインダクタとを並列接続した場合と同様の特性を示した。また、クラック、デラミネーション等の損傷も確認されなかった。
【０１５４】
＜実施例２＞
実施例２では、第３実施形態の複合電子部品の製造方法にしたがって、複合電子部品１００２を製造した。
【０１５５】
ワイヤ１０１４，１０１６としては、実施例１と同じ断面形状を有し、白金からなるワイヤを用いた。
【０１５６】
印刷パターン３１０８，３２０８，３２１０を形成するために印刷する導電体ペーストとしては、白金からなる粉末及びガラスフリットを有機ビヒクルに分散させたペーストを使用した。印刷パターン３１１２，３２１２を形成するために印刷する導電体ペーストとしては、銀からなる粉末及びガラスフリットを有機ビヒクルに分散させたペーストを使用した。
【０１５７】
外部電極１０１８，１０２０を形成するために塗布する導電体ペーストとしては、実施例１と同じペーストを使用した。
【０１５８】
誘電体セラミックス粉末を含むスラリーとしては、バリウム−チタン（Ｂａ−Ｔｉ）系誘電体であるチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）の粉末１００重量部、トリアセチン２．５重量部、グルタル酸ジメチル２２．５重量部、エチレングリコール０．２重量部、ポリメチレンポリフェニルポリイソシアネート２．０重量部、カルボン酸共重合体３重量部及び６−ジメチルアミノ−１−ヘキサノール０．１重量部を含むスラリーを使用した。
【０１５９】
磁性体セラミックス粉末を含むスラリーとしては、実施例１と同じスラリーを使用した。
【０１６０】
積層体３００４の焼成には、
［１］室温から５００℃まで１０〜３０時間かけて昇温する工程（脱バインダ工程）；
［２］１２５０℃まで４０分かけて昇温する工程；及び
［３］１２５０℃を２時間保持する工程、
を順次実行する焼成プロファイルを使用した。
【０１６１】
積層体３００６の焼成には、
［１］室温から５００℃まで１０〜３０時間かけて昇温する工程（脱バインダ工程）；
［２］９５０℃まで２０分かけて昇温する工程；及び
［３］９５０℃を２時間保持する工程、
を順次実行する焼成プロファイルを使用した。
【０１６２】
外部電極１０１８，１０２０を形成するために塗布する導電体ペーストは、実施例１と同じように焼け付けた。
【０１６３】
このような条件の下で製造した複合電子部品１００２は、単体電子部品のキャパシタとインダクタとを並列接続した場合と同様の特性を示した。また、クラック、デラミネーション等の損傷も確認されなかった。
【０１６４】
＜実施例３＞
実施例３では、第５実施形態の複合電子部品の製造方法にしたがって、複合電子部品４００２を製造した。
【０１６５】
ワイヤ４０１４としては、断面形状が厚さ（短手方向）５０μｍ、幅（長手方向）３００μｍの扁平形状である、銀からなるワイヤを使用した。ワイヤ４０１６としては、誘電体埋設部分４０３２及び磁性体埋設部分４０３４の断面形状が厚さ（短手方向）５０μｍ、幅（長手方向）３００μｍの扁平形状であり、非埋設部分４０２６の断面形状が直径７０μｍの円形状である、銀からなるワイヤを使用した。
【０１６６】
印刷パターン５１０８，５２０８，５２１０を形成するために印刷する導電体ペーストとしては、実施例１と同じペーストを使用した。
【０１６７】
外部電極４０１８，４０２０を形成するために塗布する導電体ペーストとしては、実施例１と同じペーストを使用した。
【０１６８】
誘電体セラミックス粉末を含むスラリーとしては、実施例１と同じスラリーを使用した。
【０１６９】
磁性体セラミックス粉末を含むスラリーとしては、実施例１と同じスラリーを使用した。
【０１７０】
積層体５００４，５００６の焼成には、実施例１と同じ焼成プロファイルを使用した。
【０１７１】
外部電極４０１８，４０２０を形成するために塗布する導電体ペーストは、実施例１と同様に焼き付けた。
【０１７２】
このような条件の下で製造した複合電子部品４００２は、単体電子部品のキャパシタとインダクタとを並列接続した場合と同様の特性を示した。また、クラック、デラミネーション等の損傷も確認されなかった。
【０１７３】
＜実施例４＞
実施例４では、第７実施形態の複合電子部品の製造方法にしたがって、複合電子部品６００２を製造した。
【０１７４】
ワイヤ６０１４，６０１６としては、誘電体埋設部分６０２８，６０３２及び磁性体埋設部分６０３０，６０３４の断面形状が厚さ（短手方向）５０μｍ、幅（長手方向）３００μｍの扁平形状であり、非埋設部分６０２４，６０２６の断面形状が直径７０μｍの円形状である、白金からなるワイヤを使用した。ワイヤ６０５４としては、断面形状が厚さ（短手方向）５０μｍ、幅（長手方向）３００μｍの扁平形状である、銀からなるワイヤを使用した。
【０１７５】
印刷パターン７１０８，７２０８，７２１０を形成するために印刷する導電体ペーストとしては、実施例２と同じペーストを使用した。
【０１７６】
誘電体セラミックス粉末を含むスラリーとしては、実施例２と同じスラリーを使用した。
【０１７７】
磁性体セラミックス粉末を含むスラリーとしては、実施例１と同じスラリーを使用した。
【０１７８】
積層体７００４，７００６の焼成には、実施例２と同じ焼成プロファイルを使用した。
【０１７９】
外部電極６０１８，６０２０を形成するために塗布する導電体ペーストは、実施例１と同じように焼け付けた。
【０１８０】
このような条件の下で製造した複合電子部品６００２は、単体電子部品のキャパシタとインダクタとを並列接続した場合と同様の特性を示した。また、クラック、デラミネーション等の損傷も確認されなかった。
【０１８１】
＜実施例５＞
実施例５は、第９実施形態の複合電子部品の製造方法にしたがって、複合電子部品８００２を製造した。
【０１８２】
ワイヤ８０１４，８０１６，８０５６としては、断面形状が厚さ（短手方向）５０μｍ、幅（長手方向）３００μｍの扁平形状である、銀からなるワイヤを使用した。
【０１８３】
外部電極８０１８，８０２０を形成するために塗布する導電体ペーストとしては、実施例１と同じペーストを使用した。
【０１８４】
誘電体セラミックス粉末を含むスラリーとしては、実施例１と同じスラリーを使用した。
【０１８５】
磁性体セラミックス粉末を含むスラリーとしては、実施例１と同じペーストを使用した。
【０１８６】
積層体８００４，８００６の焼成には、実施例１と同じ焼成プロファイルを使用した。
【０１８７】
外部電極８０１８，８０２０を形成するために塗布する導電体ペーストは、実施例１と同じ焼け付けた。
【０１８８】
このような条件の下で製造した複合電子部品８００２は、単体電子部品のキャパシタとインダクタとを並列接続した場合と同様の特性を示した。また、クラック、デラミネーション等の損傷も確認されなかった。
【０１８９】
＜実施例６＞
誘電体セラミックス粉末を含むスラリーの組成及び磁性体セラミックス粉末を含むスラリーの組成を変更したことを除いては、実施例１と同様に複合電子部品１００２を製造した。
【０１９０】
誘電体セラミックス粉末を含むスラリーとしては、チタン（Ｔｉ）系誘電体である酸化チタン(IV)（ＴｉＯ2）の粉末と軟化点が８００℃以下の非晶質ガラスであるＭｅ2Ｏ−ＭａＯ−ＳｉＯ2−ＣｕＯ系ガラス（Ｍｅ：アルカリ金属，Ｍａ：アルカリ土類金属）の粉末とを混合した混合粉末１００重量部、エタノール２．０重量部、イオン交換水２５．０重量部、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル５．０重量部、カルボン酸共重合体２重量部及び１−（２−アミノエチル）ピペラジン１．０重量部を含むスラリーを使用した。酸化チタン(IV)（ＴｉＯ2）の粉末とＭｅ2Ｏ−ＭａＯ−ＳｉＯ2−ＣｕＯ系ガラスの粉末との重量比は、１００：２０とした。
【０１９１】
磁性体セラミックス粉末を含むスラリーとしては、酸化鉄(III)（Ｆｅ2Ｏ3），酸化ニッケル(II)（ＮｉＯ），酸化亜鉛(II)（ＺｎＯ）及び酸化銅(II)（ＣｕＯ）の粉末を混合した混合粉末を仮焼して得られた仮焼粉末１００重量部、エタノール２．０重量部、イオン交換水２５．０重量部、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル５．０重量部、カルボン酸共重合体２重量部及び１−（２−アミノエチル）ピペラジン１．０重量部を含むスラリーを使用した。
【０１９２】
このような条件の下で製造した複合電子部品１００２は、単体電子部品のキャパシタとインダクタとを並列接続した場合と同様の特性を示した。また、クラック、デラミネーション等の損傷も確認されなかった。
【０１９３】
＜実施例７＞
誘電体セラミックス粉末を含むスラリーの組成及び磁性体セラミックス粉末を含むスラリーの組成を変更したことを除いては、実施例２と同様に複合電子部品１００２を製造した。
【０１９４】
誘電体セラミックス粉末を含むスラリーとしては、バリウム−チタン（Ｂａ−Ｔｉ）系誘電体であるチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）の粉末１００重量部、イオン交換水３５．０重量部、メタクリルアミド６．０重量部、カルボン酸共重合体２．５重量部、Ｎ，Ｎ´−メチレンビスアクリルアミド０．３重量部、Ｎ，Ｎ，Ｎ´，Ｎ´−テトラメチルエチレンジアミン０．０２重量部及び過硫酸アンモニウム０．０２重量部を含むスラリーを使用した。
【０１９５】
磁性体セラミックス粉末を含むスラリーとしては、酸化鉄(III)（Ｆｅ2Ｏ3），酸化ニッケル(II)（ＮｉＯ），酸化亜鉛(II)（ＺｎＯ）及び酸化銅(II)（ＣｕＯ）の粉末を混合した混合粉末を仮焼して得られた仮焼粉末１００重量部、イオン交換水３５．０重量部、メタクリルアミド６．０重量部、カルボン酸共重合体２．５重量部、Ｎ，Ｎ´−メチレンビスアクリルアミド０．３重量部、Ｎ，Ｎ，Ｎ´，Ｎ´−テトラメチルエチレンジアミン０．０２重量部及び過硫酸アンモニウム０．０２重量部を含むスラリーを使用した。
【０１９６】
このような条件の下で製造した複合電子部品１００２は、単体電子部品のキャパシタとインダクタとを並列接続した場合と同様の特性を示した。また、クラック、デラミネーション等の損傷も確認されなかった。
【０１９７】
＜比較例１＞
誘電体セラミックス成形体２１０４，２２０４，２３０４と磁性体セラミックス成形体２１０６，２２０６，２３０６とを界面において直接接触させ、充填体１０２２を充填しなかったたことを除いては、実施例１と同様に複合電子部品を製造した。
【０１９８】
このような条件の下で製造した複合電子部品は、単体電子部品のキャパシタとインダクタとを並列接続した場合よりも周波数−インピーダンス特性が約１０％高周波側へシフトした。また、誘電体セラミックス焼成体１００４と磁性体セラミックス焼成体１００６との界面においてデラミネーションが確認された。
【０１９９】
＜比較例２＞
誘電体セラミックス焼成体１００４と磁性体セラミックス成形体３１０６，３２０６，３３０６とを界面において直接接触させ、充填体１０２２を充填しなかったことを除いては、実施例２と同様に複合電子部品を製造した。
【０２００】
このような条件の下で製造した複合電子部品は、単体電子部品のキャパシタとインダクタとを並列接続した場合よりも周波数−インピーダンス特性が約１５％高周波側へシフトした。また、誘電体セラミックス焼成体１００４と磁性体セラミックス焼成体１００６との界面においてクラックが確認された。
【０２０１】
この発明は詳細に説明されたが、上述の説明は全ての局面において例示であって、この発明は上述の説明に限定されない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定されうる。特に、説明した事項を適宜組み合わせることは当然に予定されている。
【符号の説明】
【０２０２】
１００２，４００２，６００２，８００２：複合電子部品
１０１４，１０１６，４０１４，４０１６，６０１４，６０１６，６０５４，８０１４，８０１６：ワイヤ
１００４，４００４，６００４，８００４：誘電体セラミックス焼成体
１００６，４００６，６００６，８００６：磁性体セラミックス焼成体
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複合電子部品の製造方法であって、
(a) 金属又は合金からなる第１のワイヤの第１の部分を第１のセラミックス成形体にゲルキャスト法により埋設する工程；
(b) 前記工程(a)の後に前記第１のワイヤの前記第１の部分から離された第２の部分を前記第１のセラミックス成形体とは別体の第２のセラミックス成形体にゲルキャスト法により埋設する工程；
(c) 前記工程(b)の前又は後に前記第１のセラミックス成形体を焼成し第１のセラミックス焼成体とする工程；及び
(d) 前記工程(c)の後又は前記工程(c)と同時に前記第２のセラミックス成形体を焼成し第２のセラミックス焼成体とする工程、
を備える複合電子部品の製造方法。
【請求項２】
請求項１の複合電子部品の製造方法において、
前記工程(a)は、
前記第１の部分に加えて金属又は合金からなる粉末を含み前記第１の部分に接触する第１の印刷パターンを前記第１のセラミックス成形体に埋設する、
複合電子部品の製造方法。
【請求項３】
請求項１の複合電子部品の製造方法において、
(e) 金属又は合金からなる粉末を含む第２の印刷パターンを第３のセラミックス成形体にゲルキャスト法により埋設する工程；及び
(f) 前記工程(a)及び前記工程(e)の後に前記第１のセラミックス成形体と前記第３のセラミックス成形体とを積層し前記第１の部分と前記第２の印刷パターンとを接触させた第１の積層体を作製する工程；
をさらに備え、
工程(c)は、
前記第１の積層体を焼成する、
複合電子部品の製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれかの複合電子部品の製造方法において、
前記工程(b)は、
前記第２の部分に加えて金属又は合金からなる粉末を含み前記第２の部分に接触する第３の印刷パターンを前記第２のセラミックス成形体に埋設する、
複合電子部品の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項３までのいずれかの複合電子部品の製造方法において、
(g) 金属又は合金からなる粉末を含む第４の印刷パターンを第４のセラミックス成形体にゲルキャスト法により埋設する工程；及び
(h) 前記工程(a)及び前記工程(g)の後に前記第２のセラミックス成形体と前記第４のセラミックス成形体とを積層し前記第２の部分と前記第４の印刷パターンとを接触させた第２の積層体を作製する工程；
をさらに備え、
工程(d)は、
前記第２の積層体を焼成する、
複合電子部品の製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５までのいずれかの複合電子部品の製造方法において、
(i) 前記工程(a)の前に前記第１の部分にらせん形状部分を形成する工程、
をさらに備える複合電子部品の製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項５までのいずれかの複合電子部品の製造方法において、
前記工程(a)は、
前記第１の部分に加えて、金属又は合金からなり前記第１の部分に沿って延在する第２のワイヤを第１のセラミックス成形体にゲルキャスト法により埋設する、
複合電子部品の製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項５までのいずれかの複合電子部品の製造方法において、
(j) 前記工程(b)の前であって前記工程(a)の前又は後に前記第２の部分にらせん形状部分を形成する工程、
をさらに備える複合電子部品の製造方法。
【請求項９】
請求項１から請求項５までのいずれかの複合電子部品の製造方法において、
前記工程(b)は、
前記第２の部分に加えて、金属又は合金からなり前記第２の部分に沿って延在する第２のワイヤを第２のセラミックス成形体に埋設する、
複合電子部品の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から請求項９までのいずれかの複合電子部品の製造方法において、
(k) 前記第１のセラミックス焼成体と前記第２のセラミックス焼成体との間隙に充填体を充填する工程、
をさらに備える複合電子部品の製造方法。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０までのいずれかの複合電子部品の製造方法において、
前記工程(b)の前に前記工程(c）を実行し、前記工程(c)の後に前記工程(d)を実行する、
複合電子部品の製造方法。
【請求項１２】
複合電子部品であって、
金属又は合金からなるつなぎ目がないワイヤと、
前記ワイヤの第１の部分が埋設される第１のセラミックス焼成体と、
前記ワイヤの前記第１の部分から離された第２の部分が埋設される前記第１のセラミックス焼成体とは別体の第２のセラミックス焼成体と、
を備える複合電子部品。
【請求項１】
複合電子部品の製造方法であって、
(a) 金属又は合金からなる第１のワイヤの第１の部分を第１のセラミックス成形体にゲルキャスト法により埋設する工程；
(b) 前記工程(a)の後に前記第１のワイヤの前記第１の部分から離された第２の部分を前記第１のセラミックス成形体とは別体の第２のセラミックス成形体にゲルキャスト法により埋設する工程；
(c) 前記工程(b)の前又は後に前記第１のセラミックス成形体を焼成し第１のセラミックス焼成体とする工程；及び
(d) 前記工程(c)の後又は前記工程(c)と同時に前記第２のセラミックス成形体を焼成し第２のセラミックス焼成体とする工程、
を備える複合電子部品の製造方法。
【請求項２】
請求項１の複合電子部品の製造方法において、
前記工程(a)は、
前記第１の部分に加えて金属又は合金からなる粉末を含み前記第１の部分に接触する第１の印刷パターンを前記第１のセラミックス成形体に埋設する、
複合電子部品の製造方法。
【請求項３】
請求項１の複合電子部品の製造方法において、
(e) 金属又は合金からなる粉末を含む第２の印刷パターンを第３のセラミックス成形体にゲルキャスト法により埋設する工程；及び
(f) 前記工程(a)及び前記工程(e)の後に前記第１のセラミックス成形体と前記第３のセラミックス成形体とを積層し前記第１の部分と前記第２の印刷パターンとを接触させた第１の積層体を作製する工程；
をさらに備え、
工程(c)は、
前記第１の積層体を焼成する、
複合電子部品の製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれかの複合電子部品の製造方法において、
前記工程(b)は、
前記第２の部分に加えて金属又は合金からなる粉末を含み前記第２の部分に接触する第３の印刷パターンを前記第２のセラミックス成形体に埋設する、
複合電子部品の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項３までのいずれかの複合電子部品の製造方法において、
(g) 金属又は合金からなる粉末を含む第４の印刷パターンを第４のセラミックス成形体にゲルキャスト法により埋設する工程；及び
(h) 前記工程(a)及び前記工程(g)の後に前記第２のセラミックス成形体と前記第４のセラミックス成形体とを積層し前記第２の部分と前記第４の印刷パターンとを接触させた第２の積層体を作製する工程；
をさらに備え、
工程(d)は、
前記第２の積層体を焼成する、
複合電子部品の製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５までのいずれかの複合電子部品の製造方法において、
(i) 前記工程(a)の前に前記第１の部分にらせん形状部分を形成する工程、
をさらに備える複合電子部品の製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項５までのいずれかの複合電子部品の製造方法において、
前記工程(a)は、
前記第１の部分に加えて、金属又は合金からなり前記第１の部分に沿って延在する第２のワイヤを第１のセラミックス成形体にゲルキャスト法により埋設する、
複合電子部品の製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項５までのいずれかの複合電子部品の製造方法において、
(j) 前記工程(b)の前であって前記工程(a)の前又は後に前記第２の部分にらせん形状部分を形成する工程、
をさらに備える複合電子部品の製造方法。
【請求項９】
請求項１から請求項５までのいずれかの複合電子部品の製造方法において、
前記工程(b)は、
前記第２の部分に加えて、金属又は合金からなり前記第２の部分に沿って延在する第２のワイヤを第２のセラミックス成形体に埋設する、
複合電子部品の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から請求項９までのいずれかの複合電子部品の製造方法において、
(k) 前記第１のセラミックス焼成体と前記第２のセラミックス焼成体との間隙に充填体を充填する工程、
をさらに備える複合電子部品の製造方法。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０までのいずれかの複合電子部品の製造方法において、
前記工程(b)の前に前記工程(c）を実行し、前記工程(c)の後に前記工程(d)を実行する、
複合電子部品の製造方法。
【請求項１２】
複合電子部品であって、
金属又は合金からなるつなぎ目がないワイヤと、
前記ワイヤの第１の部分が埋設される第１のセラミックス焼成体と、
前記ワイヤの前記第１の部分から離された第２の部分が埋設される前記第１のセラミックス焼成体とは別体の第２のセラミックス焼成体と、
を備える複合電子部品。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【公開番号】特開２０１１−６１１９０（Ｐ２０１１−６１１９０Ａ）
【公開日】平成２３年３月２４日（２０１１．３．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１７７３７１（Ｐ２０１０−１７７３７１）
【出願日】平成２２年８月６日（２０１０．８．６）
【出願人】（０００００４０６４）日本碍子株式会社 (2,325)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年３月２４日（２０１１．３．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年８月６日（２０１０．８．６）
【出願人】（０００００４０６４）日本碍子株式会社 (2,325)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]