車載発電装置
【課題】電力損失を軽減してバッテリに対する充放電効率を向上する。
【解決手段】例えば、界磁コイル１１に与える入力電圧を、従来の１２Ｖに比べて大電圧の４２Ｖを適用し、界磁電流Ｉの立ち上がり時の応答性が向上する。定常時には界磁電流ＩをＰＷＭ制御して適正な電流レベルに抑制する。界磁コイル１１への入力電圧をオンオフするためのスイッチング部１３としてＨブリッジ回路を適用し、制御部１５での制御により、界磁電流Ｉの立ち下がり時に界磁電流Ｉに対して逆方向の調整電流Ｉｘを瞬間的に流す。立ち下がり時の応答性を立ち上がり時と同程度に向上する。車載発電装置による充電制御において電力損失を軽減でき、バッテリに対する充放電効率を向上できる。
【解決手段】例えば、界磁コイル１１に与える入力電圧を、従来の１２Ｖに比べて大電圧の４２Ｖを適用し、界磁電流Ｉの立ち上がり時の応答性が向上する。定常時には界磁電流ＩをＰＷＭ制御して適正な電流レベルに抑制する。界磁コイル１１への入力電圧をオンオフするためのスイッチング部１３としてＨブリッジ回路を適用し、制御部１５での制御により、界磁電流Ｉの立ち下がり時に界磁電流Ｉに対して逆方向の調整電流Ｉｘを瞬間的に流す。立ち下がり時の応答性を立ち上がり時と同程度に向上する。車載発電装置による充電制御において電力損失を軽減でき、バッテリに対する充放電効率を向上できる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、車載発電装置及びそれに関連する技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
自動車においては、バッテリからの電力を負荷に供給することが行われるが、逆に負荷において電力消費が少ないときには、エンジンの回転等の所定の動力をエネルギー源として、車載発電装置としてのオルタネータによってバッテリの充電が行われる。
【０００３】
従来の車載発電装置は、図５の如く、１２Ｖの電圧によりスイッチング素子１を通じて界磁コイル３に電流を流すことで磁界を形成し、この磁界に基づいて、エンジンの回転力を回生電力にエネルギー変換して、バッテリ（図示省略）に対する充電電圧を制御している。尚、図５中の符号７はフリーホイール・ダイオードを示している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、負荷に対する電流をオンオフする場合には、車載発電装置の界磁コイル３で形成される磁界も、負荷に対する電流に対応して応答性を良くすることが、バッテリの充電効率を向上する上で望ましい。
【０００５】
しかしながら、例えば図６（ａ）のように、負荷に対するオンオフ等に対してスイッチング素子１のオンオフを即応させて、車載発電装置の界磁コイル３に与える入力電圧を負荷に対する電流に即応させて急激にオンオフしようとしても、界磁コイル３は、当該界磁コイル３自身のインダクタンスの影響を受けてしまい、この界磁コイル３に流れる電流（界磁電流）の応答性が図６（ｂ）のように悪化する。
【０００６】
例えば、図６中の時刻Ｔ０１でスイッチング素子１をオンにして（図６（ａ））、界磁コイル３に流れる界磁電流を急増させようとしても、界磁コイル３のインダクタンスの影響により、図６（ｂ）の符号ｔ０１のように、界磁電流の立ち上がりエッジが鈍ってしまう。逆に、図６中の時刻Ｔ０２でスイッチング素子１をオフにして（図６（ａ））、界磁コイル３に流れる界磁電流を急減しようとしたときにも、そのインダクタンスの影響で、図６（ｂ）の符号ｔ０２のように、立ち下がりエッジが鈍ってしまう。その結果、スイッチング素子１のオンオフによる界磁コイル３に与える入力電圧が図６（ａ）のように矩形波であっても、図６（ｂ）のように、立ち上がり時ｔ０１と立ち下がり時ｔ０２に鈍りが生じた波形（以下「鈍り矩形波」と称す）が現れる。
【０００７】
このように、車載発電装置の界磁コイル３に流れる界磁電流が「鈍り矩形波」として実現されると、車載発電装置による充電制御において電力損失が生じ、バッテリに対する充放電効率が低下する。
【０００８】
そこで、本発明の課題は、界磁コイルの入力電圧に対して応答性を高くし、しかも適正な回生電力を得ることが可能な電源回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決すべく、請求項１に記載の発明は、自動車において磁界内で動力を回生電力に変換してバッテリに充電するための車載発電装置であって、前記磁界を発生する界磁コイルと、前記界磁コイルに対して所定の電圧源からの電圧を印加して界磁電流を供給するスイッチング部と、前記スイッチング部を制御する制御部とを備え、前記制御部が、前記界磁コイルに流れる界磁電流の立ち上げ時に当該界磁電流を非抑制するとともに、前記界磁電流が前記回生電力に対応する所定の電流レベルに達しているときに前記界磁電流を前記電流レベルに抑制するよう前記スイッチング部を制御するものである。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、電気系統に電力供給を行う電圧源として、所定の第一電圧源と、当該第一電圧源よりも大電圧の第二電圧源とを保有する自動車において、磁界内で動力を回生電力に変換してバッテリに充電するための車載発電装置であって、前記磁界を発生する界磁コイルと、前記界磁コイルに対して前記第二電圧源からの電圧を印加して界磁電流を供給するスイッチング部と、前記スイッチング部を制御する制御部とを備えるものである。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の車載発電装置であって、前記制御部が、前記界磁コイルに流れる界磁電流の立ち上げ時に当該界磁電流を非抑制するとともに、前記界磁電流が前記回生電力に対応する所定の電流レベルに達しているときに前記界磁電流を前記電流レベルに抑制するよう前記スイッチング部を制御するものである。
【００１２】
請求項４に記載の発明は、請求項１または請求項３に記載の車載発電装置であって、前記スイッチング部が、前記界磁コイルに対して正逆方向に切り換えて電流を流すことが可能なＨブリッジ回路であり、前記制御部が、前記界磁電流の立ち上がり時に、前記界磁コイルに対して正方向に非抑制で電流を流すよう前記Ｈブリッジ回路を制御する第１の機能と、前記界磁電流の立ち上がり時直後から立ち下がり時直前までの間に、前記界磁コイルに流れる界磁電流を前記電流レベルに抑制するようにして、前記界磁コイルに対して正方向に電流を流すよう前記Ｈブリッジ回路を制御する第２の機能と、前記界磁電流の立ち下がり時に、前記界磁コイルに対して逆方向に非抑制で電流を流すよう前記Ｈブリッジ回路を制御する第３の機能とを備えるものである。
【００１３】
請求項５に記載の発明は、請求項２または請求項３に記載の車載発電装置であって、前記第一電圧源が１２Ｖの電圧源であり、前記第二電圧源が４２Ｖの電圧源であるものである。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１に記載の発明の車載発電装置は、界磁コイルに流れる界磁電流の立ち上げ時に当該界磁電流を非抑制として、この界磁電流の立ち上がりエッジを急峻にするとともに、界磁電流が回生電力に対応する所定の電流レベルに達しているときに界磁電流を電流レベルに抑制するようスイッチング部を制御するので、界磁電流の立ち上がり時の応答性を向上して電力損失を軽減しながら、しかも界磁電流の電流レベルを適正に保つことで適正な回生電力を得ることが可能となる。
【００１５】
請求項２に記載の発明の車載発電装置は、磁界を発生する界磁コイルに対して、第一電圧源（具体的には請求項５に記載のような１２Ｖ）よりも大電圧の第二電圧源（具体的には請求項５に記載のような４２Ｖ）からの電圧を印加して界磁電流を供給するので、界磁電流の電圧源として小電流の第一電圧源を適用していた従来に比べて、界磁電流の立ち上がりエッジを急峻にできる。したがって、界磁電流の立ち上がり時の応答性を向上することができ、電力損失を軽減してバッテリに対する充放電効率を向上することができる。
【００１６】
この場合において、請求項３のように、界磁コイルに流れる界磁電流の立ち上げ時に当該界磁電流を非抑制として、この界磁電流の立ち上がりエッジを急峻にするとともに、界磁電流が回生電力に対応する所定の電流レベルに達しているときに界磁電流を電流レベルに抑制するようスイッチング部を制御することで、界磁電流の立ち上がり時の応答性を向上しながら、且つ界磁電流の電流レベルを適正に保つことで適正な回生電力を得ることが可能となる。
【００１７】
請求項４に記載の発明の車載発電装置は、スイッチング部としてＨブリッジ回路を適用し、制御部が、界磁電流の立ち下がり時に、界磁コイルに対して逆方向に電流を流すようＨブリッジ回路を制御するので、立ち下がり時の応答性を立ち上がり時と同程度に向上することができる。したがって、車載発電装置による充電制御において電力損失を軽減でき、バッテリに対する充放電効率を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１は本発明の一の実施形態に係る車載発電装置を示すブロック図である。この車載発電装置は、負荷において電力消費が少ないとき等に、エンジンの回転等の所定の動力をエネルギー源としてバッテリの充電を行うためのもので、図１の如く、エンジンの回転力を回生電力にエネルギー変換するのに際して磁界を形成するための界磁コイル１１と、この界磁コイル１１に対し、従来の１２Ｖに比べて大電圧の４２Ｖの電圧源を用いて電流Ｉ，Ｉｘを流すためのスイッチング部１３と、このスイッチング部１３のオンオフ制御を行う制御部１５とを備える。
【００１９】
界磁コイル１１は、例えばエンジンモータのロータ側等に設置された回転子コイルであり、この界磁コイル１１に界磁電流Ｉが流れた場合に磁界が発生し、この磁界が回転することで、ステータ側の固定子コイル（図示省略）に起電力が発生し、かかる固定子コイルから出力される電圧が充電電圧となって図示しないバッテリへの充電が行われるものである。尚、この明細書において、この界磁コイル１１での磁界の発生は、図１において界磁コイル１１の左側から右側に界磁電流Ｉが流れる際に発生するものとして、以後の説明を行うこととする。
【００２０】
スイッチング部１３は、Ｈブリッジ回路が適用されて構成されており、具体的には、界磁コイル１１の一端のハイサイドに接続される第１のスイッチング素子２１と、界磁コイル１１の他端のローサイドに接続される第２のスイッチング素子２３と、界磁コイル１１の他端のハイサイドに接続される第３のスイッチング素子２５と、界磁コイル１１の一端のローサイドに接続される第４のスイッチング素子２７とを備えて構成される。
【００２１】
第１のスイッチング素子２１は、例えばＰチャネル型パワーＭＯＳＦＥＴが適用され、そのソースが４２Ｖの電圧源に接続され、そのドレインが界磁コイル１１の一端に接続され、そのゲートが制御部１５に接続される。
【００２２】
第２のスイッチング素子２３も、例えばＰチャネル型パワーＭＯＳＦＥＴが適用され、そのソースが界磁コイル１１の他端に接続され、そのドレインがグランド接続され、そのゲートが制御部１５に接続される。
【００２３】
第３のスイッチング素子２５も、例えばＰチャネル型パワーＭＯＳＦＥＴが適用され、そのソースが４２Ｖの電圧源に接続され、そのドレインが界磁コイル１１の他端に接続され、そのゲートが制御部１５に接続される。
【００２４】
第４のスイッチング素子２７も、例えばＰチャネル型パワーＭＯＳＦＥＴが適用され、そのソースが界磁コイル１１の一端に接続され、そのドレインがグランド接続され、そのゲートが制御部１５に接続される。
【００２５】
かかる構成により、Ｈブリッジ回路であるスイッチング部１３においては、第１のスイッチング素子２１と第２のスイッチング素子２３とがオンになり、第３のスイッチング素子２５と第４のスイッチング素子２７とがオフになっているとき、界磁コイル１１には、図１において左側から右側に界磁電流Ｉが流れ、第１のスイッチング素子２１と第２のスイッチング素子２３とがオフになり、第３のスイッチング素子２５と第４のスイッチング素子２７とがオンになっているとき、界磁コイル１１には、図１において右側から左側に電流（後述の調整電流）Ｉｘが流れることになる。
【００２６】
ここで、自動車の電源系としては、１２Ｖ系以外に４２Ｖ系がある。そこで、スイッチング部１３を通じて界磁コイル１１に与える入力電圧を、従来の１２Ｖに比べて大電圧の４２Ｖを適用することで、界磁コイル１１に流れる界磁電流Ｉが適正な電流レベルに至るまでの立ち上がり時の応答性を向上する。即ち、スイッチング部１３を通じて界磁コイル１１に与えられる電流Ｉ，Ｉｘのそれぞれの立ち上がりエッジは、スイッチング部１３のハイサイドの第１のスイッチング素子２１及び第３のスイッチング素子２５の各ソースに、大電圧の４２Ｖの電圧源が接続されていることから、小電圧である１２Ｖの電圧源を適用していた従来の技術（図５及び図６（ｂ）中の符号ｔ０１，ｔ０２参照）に比べて、界磁電流Ｉが適正な回生電力に対応するのに充分な電流レベルに上昇するまでの時間が短くなる（図２（ｂ）の時刻Ｔ０１，Ｔ０２参照）。
【００２７】
制御部１５は、ＲＯＭおよびＲＡＭ等が接続された一般的なコンピュータのＣＰＵ（マイクプロセッサ）内において所定のソフトウェアプログラムによって動作する機能部品であって、例えば図示しない負荷に対するオンオフ等に即応して、スイッチング部１３の各スイッチング素子２１，２３，２５，２７のオンオフ制御を行って界磁コイル１１に界磁電流Ｉを流すよう制御を行う。
【００２８】
尚、界磁コイル１１に与える入力電圧を、従来の１２Ｖから４２Ｖに増大する場合、そのまま４２Ｖの大電流を界磁コイル１１に印加するだけでは、界磁コイル１１に流れる界磁電流Ｉが適正な回生電力に対応するのに充分な電流レベルを超えてしまい、界磁コイル１１が大電流に絶えきれなくて損傷するおそれがある。
【００２９】
このことを考慮して、制御部１５は、界磁コイル１１に流れる界磁電流Ｉの立ち上げ時に当該界磁電流Ｉを非抑制にして立ち上がりエッジを急峻にすると共に、界磁電流Ｉが適正な回生電力に対応する所定の電流レベルに達しているときには、界磁コイル１１に４２Ｖを印加して電流を流したときに、界磁電流Ｉが適正な回生電力に対応する電流レベルを超えて過電流となるのを防止すべく、制御部１５によりスイッチング部１３の各スイッチング素子２１，２３，２５，２７のＰＷＭ制御して界磁電流Ｉを適正な電流レベルに抑制するようになっている。そして、上述のように、この界磁電流Ｉとして適正な電流レベルに至るまでの立ち上がり時の波形は、小電圧である１２Ｖの電圧源を適用していた従来の技術（図５及び図６（ｂ）中の符号ｔ０１，ｔ０２参照）に比べて短くなる（図２（ｂ）の時刻Ｔ０１，Ｔ０２参照）ことから、結果として界磁電流Ｉの立ち上がりエッジが従来に比べて急峻となる。
【００３０】
次に、この車載発電装置の動作を説明する。ここで、比較例として、図３に、図５に示した従来の技術と類似の構成を示す。この図３は、スイッチング部１３として単一のスイッチング素子２１のみで界磁コイル１１に界磁電流Ｉを与える例を示したものであるが、界磁電流Ｉを与える電圧源として、従来の１２Ｖよりも大電圧である４２Ｖのものを適用している。尚、図３中の符号２９はフリーホイール・ダイオードを示している。また、図４は界磁コイル１１に対する入力電圧（図４（ａ））及び界磁電流Ｉ（図４（ｂ））を示すタイミングチャートである。
【００３１】
図３の比較例の構成において、制御部１５は、図４（ａ）の時刻Ｔ０１でスイッチング素子２１をオンにしたとき、界磁コイル１１に流れる界磁電流Ｉの立ち上げ時に当該界磁電流Ｉを非抑制にする。これにより、界磁コイル１１にそのインダクタンスの影響があったとしても、上述のように、スイッチング部１３から界磁コイル１１に流す界磁電流Ｉの電圧源として、従来の１２Ｖよりも大電圧である４２Ｖのものを適用していることから、界磁電流Ｉの立ち上がりエッジが、図４（ｂ）の時刻Ｔ０１のように、従来（図６（ｂ）中の符号ｔ０１）に比べて急峻なものになる。
【００３２】
しかしながら、図４（ａ）の時刻Ｔ０２でスイッチング素子２１をオフにしたとき、界磁コイル１１のインダクタンスの影響により、図４（ｂ）中の符号ｔ０２のように、従来（図６（ｂ）中の符号ｔ０２）に比べて急峻とはならず、界磁電流Ｉの立ち下がりエッジが鈍ってしまう。即ち、界磁コイル１１に界磁電流Ｉを流す電圧源を従来に比べて大電圧としても、立ち上がりエッジのみが改善されて、立ち下がりエッジが改善されないままとなってしまう。
【００３３】
そこで制御部１５は、Ｈブリッジ回路であるスイッチング部１３を制御することで、時刻Ｔ０２で界磁コイル１１に逆方向の調整電流Ｉｘを流して、時刻Ｔ０２における立ち下がりエッジを、時刻Ｔ０１における立ち上がりエッジと同様に急峻なものとする。
【００３４】
即ち、制御部１５は、まず図２の時刻Ｔ０１で図１に示した界磁コイル１１に対して左側から右側に界磁電流Ｉを流す際に、第３のスイッチング素子２５と第４のスイッチング素子２７とをオフにした状態で、第１のスイッチング素子２１と第２のスイッチング素子２３とをオンにし（図２（ａ）の時刻Ｔ０１）、大電圧である４２Ｖの電圧源から界磁電流Ｉを界磁コイル１１に非抑制で流すことで、図２（ｂ）に示した界磁電流Ｉの立ち上がりエッジを急峻なものとする。
【００３５】
その後、制御部１５は、第１のスイッチング素子２１及び第２のスイッチング素子２３をＰＷＭ制御して、界磁電流Ｉを過電流にならないような適正な回生電力に対応する電流レベルに抑制し、界磁コイル１１に界磁電流Ｉを供給する。
【００３６】
そして、図２の時刻Ｔ０２で図１に示した界磁コイル１１に流れる界磁電流Ｉを停止する際には、第１のスイッチング素子２１と第２のスイッチング素子２３とをオフにすると同時に、第３のスイッチング素子２５と第４のスイッチング素子２７とを一瞬だけオンにして、界磁コイル１１に対して界磁電流Ｉとは逆方向の調整電流Ｉｘを一瞬だけ流す。これにより、図２（ｂ）に示した界磁電流Ｉの立ち下がりエッジを、立ち上がりエッジと同様に急峻とすることができる。
【００３７】
以上のように、界磁コイル１１に与える入力電圧を、従来の１２Ｖに比べて大電圧の４２Ｖを適用し、制御部１５により、界磁コイル１１に流れる界磁電流Ｉの立ち上げ時に当該界磁電流Ｉを非抑制するとともに、界磁電流Ｉが適正な回生電力に対応する所定の電流レベルに達しているときに界磁電流Ｉを適正な電流レベルに抑制するようスイッチング部１３を制御することで、界磁電流Ｉの立ち上がり時の応答性を向上することができる。
【００３８】
そして、界磁コイル１１への入力電圧をオンオフするためのスイッチング部１３としてＨブリッジ回路を適用し、界磁電流Ｉの立ち下がり時（時刻Ｔ０２）に界磁電流Ｉに対して逆方向の調整電流Ｉｘを瞬間的に流すことで、立ち下がり時の応答性を立ち上がり時と同程度に向上することができるので、車載発電装置による充電制御において電力損失を軽減でき、バッテリに対する充放電効率を向上することができる。
【００３９】
尚、上記実施形態では、電気系統に電力供給を行う電圧源として、１２Ｖ系の電圧源と、これよりも大電圧の４２Ｖ系の電圧源との２つの電圧源を保有する自動車において、界磁コイル１１に対して４２Ｖ系の電圧源からの電圧を印加して界磁電流Ｉを供給するようにしていたが、例えば１２Ｖ系の電圧源のみしか保有していない自動車においては、大電圧の電圧源を採用することができない。
【００４０】
この場合には、界磁コイル１１の巻数を少なくするなどして当該界磁コイル１１のインダクタンスを小さく設定しておき、この界磁コイル１１に界磁電流ＩをＰＷＭ制御にて抑制しながら流したときに最大発電量になるように設計しておく。そして、界磁コイル１１に流れる界磁電流Ｉの立ち上げ時に、当該界磁電流ＩをＰＷＭ制御せずに非抑制にしてその立ち上がりエッジを急峻にするようにしてもよい。
【００４１】
この場合においても、界磁電流Ｉの立ち上がり時の応答性を向上して電力損失を軽減しながら、しかも界磁電流Ｉの電流レベルを適正に保つことで適正な回生電力を得ることが可能となる。
【００４２】
また、上記実施形態では、立ち上がりエッジを急峻にするだけでなく、立ち下がりエッジをも急峻にするために、スイッチング部１３としてＨブリッジ回路を構成していたが、図４（ｂ）中の符号ｔ０２のように立ち下がりエッジが鈍っても差し支えない場合には、図３に示したように、スイッチング部１３として従来（図５）と同様に単一のスイッチング素子２１のみを適用し、電圧源を従来の１２Ｖから４２Ｖとするだけでもよい。
【００４３】
さらに、上記実施形態では、制御部１５によりスイッチング部１３の各スイッチング素子２１，２３，２５，２７のＰＷＭ制御を行うことで、界磁電流Ｉを適正な電流レベルに抑制するようにしていたが、ＰＷＭ制御以外の方法を用いて界磁電流Ｉを適正な電流レベルに抑制しても差し支えない。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の一の実施形態に係る車載発電装置を示すブロック図である。
【図２】本発明の一の実施形態に係る車載発電装置の界磁電流に対する入力電圧と界磁電流との関係を示すタイミングチャートである。
【図３】本発明の比較例に係る車載発電装置を示すブロック図である。
【図４】本発明の比較例に係る車載発電装置の界磁電流に対する入力電圧と界磁電流との関係を示すタイミングチャートである。
【図５】従来の車載発電装置を示すブロック図である。
【図６】従来の車載発電装置の界磁電流に対する入力電圧と界磁電流との関係を示すタイミングチャートである。
【符号の説明】
【００４５】
１１ 界磁コイル
１３ スイッチング部
１５ 制御部
２１，２３，２５，２７ スイッチング素子
２３ スイッチング素子
２５ スイッチング素子
Ｉ 界磁電流
Ｉｘ 調整電流
【技術分野】
【０００１】
本発明は、車載発電装置及びそれに関連する技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
自動車においては、バッテリからの電力を負荷に供給することが行われるが、逆に負荷において電力消費が少ないときには、エンジンの回転等の所定の動力をエネルギー源として、車載発電装置としてのオルタネータによってバッテリの充電が行われる。
【０００３】
従来の車載発電装置は、図５の如く、１２Ｖの電圧によりスイッチング素子１を通じて界磁コイル３に電流を流すことで磁界を形成し、この磁界に基づいて、エンジンの回転力を回生電力にエネルギー変換して、バッテリ（図示省略）に対する充電電圧を制御している。尚、図５中の符号７はフリーホイール・ダイオードを示している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、負荷に対する電流をオンオフする場合には、車載発電装置の界磁コイル３で形成される磁界も、負荷に対する電流に対応して応答性を良くすることが、バッテリの充電効率を向上する上で望ましい。
【０００５】
しかしながら、例えば図６（ａ）のように、負荷に対するオンオフ等に対してスイッチング素子１のオンオフを即応させて、車載発電装置の界磁コイル３に与える入力電圧を負荷に対する電流に即応させて急激にオンオフしようとしても、界磁コイル３は、当該界磁コイル３自身のインダクタンスの影響を受けてしまい、この界磁コイル３に流れる電流（界磁電流）の応答性が図６（ｂ）のように悪化する。
【０００６】
例えば、図６中の時刻Ｔ０１でスイッチング素子１をオンにして（図６（ａ））、界磁コイル３に流れる界磁電流を急増させようとしても、界磁コイル３のインダクタンスの影響により、図６（ｂ）の符号ｔ０１のように、界磁電流の立ち上がりエッジが鈍ってしまう。逆に、図６中の時刻Ｔ０２でスイッチング素子１をオフにして（図６（ａ））、界磁コイル３に流れる界磁電流を急減しようとしたときにも、そのインダクタンスの影響で、図６（ｂ）の符号ｔ０２のように、立ち下がりエッジが鈍ってしまう。その結果、スイッチング素子１のオンオフによる界磁コイル３に与える入力電圧が図６（ａ）のように矩形波であっても、図６（ｂ）のように、立ち上がり時ｔ０１と立ち下がり時ｔ０２に鈍りが生じた波形（以下「鈍り矩形波」と称す）が現れる。
【０００７】
このように、車載発電装置の界磁コイル３に流れる界磁電流が「鈍り矩形波」として実現されると、車載発電装置による充電制御において電力損失が生じ、バッテリに対する充放電効率が低下する。
【０００８】
そこで、本発明の課題は、界磁コイルの入力電圧に対して応答性を高くし、しかも適正な回生電力を得ることが可能な電源回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決すべく、請求項１に記載の発明は、自動車において磁界内で動力を回生電力に変換してバッテリに充電するための車載発電装置であって、前記磁界を発生する界磁コイルと、前記界磁コイルに対して所定の電圧源からの電圧を印加して界磁電流を供給するスイッチング部と、前記スイッチング部を制御する制御部とを備え、前記制御部が、前記界磁コイルに流れる界磁電流の立ち上げ時に当該界磁電流を非抑制するとともに、前記界磁電流が前記回生電力に対応する所定の電流レベルに達しているときに前記界磁電流を前記電流レベルに抑制するよう前記スイッチング部を制御するものである。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、電気系統に電力供給を行う電圧源として、所定の第一電圧源と、当該第一電圧源よりも大電圧の第二電圧源とを保有する自動車において、磁界内で動力を回生電力に変換してバッテリに充電するための車載発電装置であって、前記磁界を発生する界磁コイルと、前記界磁コイルに対して前記第二電圧源からの電圧を印加して界磁電流を供給するスイッチング部と、前記スイッチング部を制御する制御部とを備えるものである。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の車載発電装置であって、前記制御部が、前記界磁コイルに流れる界磁電流の立ち上げ時に当該界磁電流を非抑制するとともに、前記界磁電流が前記回生電力に対応する所定の電流レベルに達しているときに前記界磁電流を前記電流レベルに抑制するよう前記スイッチング部を制御するものである。
【００１２】
請求項４に記載の発明は、請求項１または請求項３に記載の車載発電装置であって、前記スイッチング部が、前記界磁コイルに対して正逆方向に切り換えて電流を流すことが可能なＨブリッジ回路であり、前記制御部が、前記界磁電流の立ち上がり時に、前記界磁コイルに対して正方向に非抑制で電流を流すよう前記Ｈブリッジ回路を制御する第１の機能と、前記界磁電流の立ち上がり時直後から立ち下がり時直前までの間に、前記界磁コイルに流れる界磁電流を前記電流レベルに抑制するようにして、前記界磁コイルに対して正方向に電流を流すよう前記Ｈブリッジ回路を制御する第２の機能と、前記界磁電流の立ち下がり時に、前記界磁コイルに対して逆方向に非抑制で電流を流すよう前記Ｈブリッジ回路を制御する第３の機能とを備えるものである。
【００１３】
請求項５に記載の発明は、請求項２または請求項３に記載の車載発電装置であって、前記第一電圧源が１２Ｖの電圧源であり、前記第二電圧源が４２Ｖの電圧源であるものである。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１に記載の発明の車載発電装置は、界磁コイルに流れる界磁電流の立ち上げ時に当該界磁電流を非抑制として、この界磁電流の立ち上がりエッジを急峻にするとともに、界磁電流が回生電力に対応する所定の電流レベルに達しているときに界磁電流を電流レベルに抑制するようスイッチング部を制御するので、界磁電流の立ち上がり時の応答性を向上して電力損失を軽減しながら、しかも界磁電流の電流レベルを適正に保つことで適正な回生電力を得ることが可能となる。
【００１５】
請求項２に記載の発明の車載発電装置は、磁界を発生する界磁コイルに対して、第一電圧源（具体的には請求項５に記載のような１２Ｖ）よりも大電圧の第二電圧源（具体的には請求項５に記載のような４２Ｖ）からの電圧を印加して界磁電流を供給するので、界磁電流の電圧源として小電流の第一電圧源を適用していた従来に比べて、界磁電流の立ち上がりエッジを急峻にできる。したがって、界磁電流の立ち上がり時の応答性を向上することができ、電力損失を軽減してバッテリに対する充放電効率を向上することができる。
【００１６】
この場合において、請求項３のように、界磁コイルに流れる界磁電流の立ち上げ時に当該界磁電流を非抑制として、この界磁電流の立ち上がりエッジを急峻にするとともに、界磁電流が回生電力に対応する所定の電流レベルに達しているときに界磁電流を電流レベルに抑制するようスイッチング部を制御することで、界磁電流の立ち上がり時の応答性を向上しながら、且つ界磁電流の電流レベルを適正に保つことで適正な回生電力を得ることが可能となる。
【００１７】
請求項４に記載の発明の車載発電装置は、スイッチング部としてＨブリッジ回路を適用し、制御部が、界磁電流の立ち下がり時に、界磁コイルに対して逆方向に電流を流すようＨブリッジ回路を制御するので、立ち下がり時の応答性を立ち上がり時と同程度に向上することができる。したがって、車載発電装置による充電制御において電力損失を軽減でき、バッテリに対する充放電効率を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１は本発明の一の実施形態に係る車載発電装置を示すブロック図である。この車載発電装置は、負荷において電力消費が少ないとき等に、エンジンの回転等の所定の動力をエネルギー源としてバッテリの充電を行うためのもので、図１の如く、エンジンの回転力を回生電力にエネルギー変換するのに際して磁界を形成するための界磁コイル１１と、この界磁コイル１１に対し、従来の１２Ｖに比べて大電圧の４２Ｖの電圧源を用いて電流Ｉ，Ｉｘを流すためのスイッチング部１３と、このスイッチング部１３のオンオフ制御を行う制御部１５とを備える。
【００１９】
界磁コイル１１は、例えばエンジンモータのロータ側等に設置された回転子コイルであり、この界磁コイル１１に界磁電流Ｉが流れた場合に磁界が発生し、この磁界が回転することで、ステータ側の固定子コイル（図示省略）に起電力が発生し、かかる固定子コイルから出力される電圧が充電電圧となって図示しないバッテリへの充電が行われるものである。尚、この明細書において、この界磁コイル１１での磁界の発生は、図１において界磁コイル１１の左側から右側に界磁電流Ｉが流れる際に発生するものとして、以後の説明を行うこととする。
【００２０】
スイッチング部１３は、Ｈブリッジ回路が適用されて構成されており、具体的には、界磁コイル１１の一端のハイサイドに接続される第１のスイッチング素子２１と、界磁コイル１１の他端のローサイドに接続される第２のスイッチング素子２３と、界磁コイル１１の他端のハイサイドに接続される第３のスイッチング素子２５と、界磁コイル１１の一端のローサイドに接続される第４のスイッチング素子２７とを備えて構成される。
【００２１】
第１のスイッチング素子２１は、例えばＰチャネル型パワーＭＯＳＦＥＴが適用され、そのソースが４２Ｖの電圧源に接続され、そのドレインが界磁コイル１１の一端に接続され、そのゲートが制御部１５に接続される。
【００２２】
第２のスイッチング素子２３も、例えばＰチャネル型パワーＭＯＳＦＥＴが適用され、そのソースが界磁コイル１１の他端に接続され、そのドレインがグランド接続され、そのゲートが制御部１５に接続される。
【００２３】
第３のスイッチング素子２５も、例えばＰチャネル型パワーＭＯＳＦＥＴが適用され、そのソースが４２Ｖの電圧源に接続され、そのドレインが界磁コイル１１の他端に接続され、そのゲートが制御部１５に接続される。
【００２４】
第４のスイッチング素子２７も、例えばＰチャネル型パワーＭＯＳＦＥＴが適用され、そのソースが界磁コイル１１の一端に接続され、そのドレインがグランド接続され、そのゲートが制御部１５に接続される。
【００２５】
かかる構成により、Ｈブリッジ回路であるスイッチング部１３においては、第１のスイッチング素子２１と第２のスイッチング素子２３とがオンになり、第３のスイッチング素子２５と第４のスイッチング素子２７とがオフになっているとき、界磁コイル１１には、図１において左側から右側に界磁電流Ｉが流れ、第１のスイッチング素子２１と第２のスイッチング素子２３とがオフになり、第３のスイッチング素子２５と第４のスイッチング素子２７とがオンになっているとき、界磁コイル１１には、図１において右側から左側に電流（後述の調整電流）Ｉｘが流れることになる。
【００２６】
ここで、自動車の電源系としては、１２Ｖ系以外に４２Ｖ系がある。そこで、スイッチング部１３を通じて界磁コイル１１に与える入力電圧を、従来の１２Ｖに比べて大電圧の４２Ｖを適用することで、界磁コイル１１に流れる界磁電流Ｉが適正な電流レベルに至るまでの立ち上がり時の応答性を向上する。即ち、スイッチング部１３を通じて界磁コイル１１に与えられる電流Ｉ，Ｉｘのそれぞれの立ち上がりエッジは、スイッチング部１３のハイサイドの第１のスイッチング素子２１及び第３のスイッチング素子２５の各ソースに、大電圧の４２Ｖの電圧源が接続されていることから、小電圧である１２Ｖの電圧源を適用していた従来の技術（図５及び図６（ｂ）中の符号ｔ０１，ｔ０２参照）に比べて、界磁電流Ｉが適正な回生電力に対応するのに充分な電流レベルに上昇するまでの時間が短くなる（図２（ｂ）の時刻Ｔ０１，Ｔ０２参照）。
【００２７】
制御部１５は、ＲＯＭおよびＲＡＭ等が接続された一般的なコンピュータのＣＰＵ（マイクプロセッサ）内において所定のソフトウェアプログラムによって動作する機能部品であって、例えば図示しない負荷に対するオンオフ等に即応して、スイッチング部１３の各スイッチング素子２１，２３，２５，２７のオンオフ制御を行って界磁コイル１１に界磁電流Ｉを流すよう制御を行う。
【００２８】
尚、界磁コイル１１に与える入力電圧を、従来の１２Ｖから４２Ｖに増大する場合、そのまま４２Ｖの大電流を界磁コイル１１に印加するだけでは、界磁コイル１１に流れる界磁電流Ｉが適正な回生電力に対応するのに充分な電流レベルを超えてしまい、界磁コイル１１が大電流に絶えきれなくて損傷するおそれがある。
【００２９】
このことを考慮して、制御部１５は、界磁コイル１１に流れる界磁電流Ｉの立ち上げ時に当該界磁電流Ｉを非抑制にして立ち上がりエッジを急峻にすると共に、界磁電流Ｉが適正な回生電力に対応する所定の電流レベルに達しているときには、界磁コイル１１に４２Ｖを印加して電流を流したときに、界磁電流Ｉが適正な回生電力に対応する電流レベルを超えて過電流となるのを防止すべく、制御部１５によりスイッチング部１３の各スイッチング素子２１，２３，２５，２７のＰＷＭ制御して界磁電流Ｉを適正な電流レベルに抑制するようになっている。そして、上述のように、この界磁電流Ｉとして適正な電流レベルに至るまでの立ち上がり時の波形は、小電圧である１２Ｖの電圧源を適用していた従来の技術（図５及び図６（ｂ）中の符号ｔ０１，ｔ０２参照）に比べて短くなる（図２（ｂ）の時刻Ｔ０１，Ｔ０２参照）ことから、結果として界磁電流Ｉの立ち上がりエッジが従来に比べて急峻となる。
【００３０】
次に、この車載発電装置の動作を説明する。ここで、比較例として、図３に、図５に示した従来の技術と類似の構成を示す。この図３は、スイッチング部１３として単一のスイッチング素子２１のみで界磁コイル１１に界磁電流Ｉを与える例を示したものであるが、界磁電流Ｉを与える電圧源として、従来の１２Ｖよりも大電圧である４２Ｖのものを適用している。尚、図３中の符号２９はフリーホイール・ダイオードを示している。また、図４は界磁コイル１１に対する入力電圧（図４（ａ））及び界磁電流Ｉ（図４（ｂ））を示すタイミングチャートである。
【００３１】
図３の比較例の構成において、制御部１５は、図４（ａ）の時刻Ｔ０１でスイッチング素子２１をオンにしたとき、界磁コイル１１に流れる界磁電流Ｉの立ち上げ時に当該界磁電流Ｉを非抑制にする。これにより、界磁コイル１１にそのインダクタンスの影響があったとしても、上述のように、スイッチング部１３から界磁コイル１１に流す界磁電流Ｉの電圧源として、従来の１２Ｖよりも大電圧である４２Ｖのものを適用していることから、界磁電流Ｉの立ち上がりエッジが、図４（ｂ）の時刻Ｔ０１のように、従来（図６（ｂ）中の符号ｔ０１）に比べて急峻なものになる。
【００３２】
しかしながら、図４（ａ）の時刻Ｔ０２でスイッチング素子２１をオフにしたとき、界磁コイル１１のインダクタンスの影響により、図４（ｂ）中の符号ｔ０２のように、従来（図６（ｂ）中の符号ｔ０２）に比べて急峻とはならず、界磁電流Ｉの立ち下がりエッジが鈍ってしまう。即ち、界磁コイル１１に界磁電流Ｉを流す電圧源を従来に比べて大電圧としても、立ち上がりエッジのみが改善されて、立ち下がりエッジが改善されないままとなってしまう。
【００３３】
そこで制御部１５は、Ｈブリッジ回路であるスイッチング部１３を制御することで、時刻Ｔ０２で界磁コイル１１に逆方向の調整電流Ｉｘを流して、時刻Ｔ０２における立ち下がりエッジを、時刻Ｔ０１における立ち上がりエッジと同様に急峻なものとする。
【００３４】
即ち、制御部１５は、まず図２の時刻Ｔ０１で図１に示した界磁コイル１１に対して左側から右側に界磁電流Ｉを流す際に、第３のスイッチング素子２５と第４のスイッチング素子２７とをオフにした状態で、第１のスイッチング素子２１と第２のスイッチング素子２３とをオンにし（図２（ａ）の時刻Ｔ０１）、大電圧である４２Ｖの電圧源から界磁電流Ｉを界磁コイル１１に非抑制で流すことで、図２（ｂ）に示した界磁電流Ｉの立ち上がりエッジを急峻なものとする。
【００３５】
その後、制御部１５は、第１のスイッチング素子２１及び第２のスイッチング素子２３をＰＷＭ制御して、界磁電流Ｉを過電流にならないような適正な回生電力に対応する電流レベルに抑制し、界磁コイル１１に界磁電流Ｉを供給する。
【００３６】
そして、図２の時刻Ｔ０２で図１に示した界磁コイル１１に流れる界磁電流Ｉを停止する際には、第１のスイッチング素子２１と第２のスイッチング素子２３とをオフにすると同時に、第３のスイッチング素子２５と第４のスイッチング素子２７とを一瞬だけオンにして、界磁コイル１１に対して界磁電流Ｉとは逆方向の調整電流Ｉｘを一瞬だけ流す。これにより、図２（ｂ）に示した界磁電流Ｉの立ち下がりエッジを、立ち上がりエッジと同様に急峻とすることができる。
【００３７】
以上のように、界磁コイル１１に与える入力電圧を、従来の１２Ｖに比べて大電圧の４２Ｖを適用し、制御部１５により、界磁コイル１１に流れる界磁電流Ｉの立ち上げ時に当該界磁電流Ｉを非抑制するとともに、界磁電流Ｉが適正な回生電力に対応する所定の電流レベルに達しているときに界磁電流Ｉを適正な電流レベルに抑制するようスイッチング部１３を制御することで、界磁電流Ｉの立ち上がり時の応答性を向上することができる。
【００３８】
そして、界磁コイル１１への入力電圧をオンオフするためのスイッチング部１３としてＨブリッジ回路を適用し、界磁電流Ｉの立ち下がり時（時刻Ｔ０２）に界磁電流Ｉに対して逆方向の調整電流Ｉｘを瞬間的に流すことで、立ち下がり時の応答性を立ち上がり時と同程度に向上することができるので、車載発電装置による充電制御において電力損失を軽減でき、バッテリに対する充放電効率を向上することができる。
【００３９】
尚、上記実施形態では、電気系統に電力供給を行う電圧源として、１２Ｖ系の電圧源と、これよりも大電圧の４２Ｖ系の電圧源との２つの電圧源を保有する自動車において、界磁コイル１１に対して４２Ｖ系の電圧源からの電圧を印加して界磁電流Ｉを供給するようにしていたが、例えば１２Ｖ系の電圧源のみしか保有していない自動車においては、大電圧の電圧源を採用することができない。
【００４０】
この場合には、界磁コイル１１の巻数を少なくするなどして当該界磁コイル１１のインダクタンスを小さく設定しておき、この界磁コイル１１に界磁電流ＩをＰＷＭ制御にて抑制しながら流したときに最大発電量になるように設計しておく。そして、界磁コイル１１に流れる界磁電流Ｉの立ち上げ時に、当該界磁電流ＩをＰＷＭ制御せずに非抑制にしてその立ち上がりエッジを急峻にするようにしてもよい。
【００４１】
この場合においても、界磁電流Ｉの立ち上がり時の応答性を向上して電力損失を軽減しながら、しかも界磁電流Ｉの電流レベルを適正に保つことで適正な回生電力を得ることが可能となる。
【００４２】
また、上記実施形態では、立ち上がりエッジを急峻にするだけでなく、立ち下がりエッジをも急峻にするために、スイッチング部１３としてＨブリッジ回路を構成していたが、図４（ｂ）中の符号ｔ０２のように立ち下がりエッジが鈍っても差し支えない場合には、図３に示したように、スイッチング部１３として従来（図５）と同様に単一のスイッチング素子２１のみを適用し、電圧源を従来の１２Ｖから４２Ｖとするだけでもよい。
【００４３】
さらに、上記実施形態では、制御部１５によりスイッチング部１３の各スイッチング素子２１，２３，２５，２７のＰＷＭ制御を行うことで、界磁電流Ｉを適正な電流レベルに抑制するようにしていたが、ＰＷＭ制御以外の方法を用いて界磁電流Ｉを適正な電流レベルに抑制しても差し支えない。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の一の実施形態に係る車載発電装置を示すブロック図である。
【図２】本発明の一の実施形態に係る車載発電装置の界磁電流に対する入力電圧と界磁電流との関係を示すタイミングチャートである。
【図３】本発明の比較例に係る車載発電装置を示すブロック図である。
【図４】本発明の比較例に係る車載発電装置の界磁電流に対する入力電圧と界磁電流との関係を示すタイミングチャートである。
【図５】従来の車載発電装置を示すブロック図である。
【図６】従来の車載発電装置の界磁電流に対する入力電圧と界磁電流との関係を示すタイミングチャートである。
【符号の説明】
【００４５】
１１ 界磁コイル
１３ スイッチング部
１５ 制御部
２１，２３，２５，２７ スイッチング素子
２３ スイッチング素子
２５ スイッチング素子
Ｉ 界磁電流
Ｉｘ 調整電流
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自動車において磁界内で動力を回生電力に変換してバッテリに充電するための車載発電装置であって、
前記磁界を発生する界磁コイルと、
前記界磁コイルに対して所定の電圧源からの電圧を印加して界磁電流を供給するスイッチング部と、
前記スイッチング部を制御する制御部と
を備え、
前記制御部が、前記界磁コイルに流れる界磁電流の立ち上げ時に当該界磁電流を非抑制するとともに、前記界磁電流が前記回生電力に対応する所定の電流レベルに達しているときに前記界磁電流を前記電流レベルに抑制するよう前記スイッチング部を制御することを特徴とする車載発電装置。
【請求項２】
電気系統に電力供給を行う電圧源として、所定の第一電圧源と、当該第一電圧源よりも大電圧の第二電圧源とを保有する自動車において、磁界内で動力を回生電力に変換してバッテリに充電するための車載発電装置であって、
前記磁界を発生する界磁コイルと、
前記界磁コイルに対して前記第二電圧源からの電圧を印加して界磁電流を供給するスイッチング部と、
前記スイッチング部を制御する制御部と
を備える車載発電装置。
【請求項３】
請求項２に記載の車載発電装置であって、
前記制御部が、前記界磁コイルに流れる界磁電流の立ち上げ時に当該界磁電流を非抑制するとともに、前記界磁電流が前記回生電力に対応する所定の電流レベルに達しているときに前記界磁電流を前記電流レベルに抑制するよう前記スイッチング部を制御することを特徴とする車載発電装置。
【請求項４】
請求項１または請求項３に記載の車載発電装置であって、
前記スイッチング部が、前記界磁コイルに対して正逆方向に切り換えて電流を流すことが可能なＨブリッジ回路であり、
前記制御部が、
前記界磁電流の立ち上がり時に、前記界磁コイルに対して正方向に非抑制で電流を流すよう前記Ｈブリッジ回路を制御する第１の機能と、
前記界磁電流の立ち上がり時直後から立ち下がり時直前までの間に、前記界磁コイルに流れる界磁電流を前記電流レベルに抑制するようにして、前記界磁コイルに対して正方向に電流を流すよう前記Ｈブリッジ回路を制御する第２の機能と、
前記界磁電流の立ち下がり時に、前記界磁コイルに対して逆方向に非抑制で電流を流すよう前記Ｈブリッジ回路を制御する第３の機能と
を備える車載発電装置。
【請求項５】
請求項２または請求項３に記載の車載発電装置であって、
前記第一電圧源が１２Ｖの電圧源であり、前記第二電圧源が４２Ｖの電圧源である、車載発電装置。
【請求項１】
自動車において磁界内で動力を回生電力に変換してバッテリに充電するための車載発電装置であって、
前記磁界を発生する界磁コイルと、
前記界磁コイルに対して所定の電圧源からの電圧を印加して界磁電流を供給するスイッチング部と、
前記スイッチング部を制御する制御部と
を備え、
前記制御部が、前記界磁コイルに流れる界磁電流の立ち上げ時に当該界磁電流を非抑制するとともに、前記界磁電流が前記回生電力に対応する所定の電流レベルに達しているときに前記界磁電流を前記電流レベルに抑制するよう前記スイッチング部を制御することを特徴とする車載発電装置。
【請求項２】
電気系統に電力供給を行う電圧源として、所定の第一電圧源と、当該第一電圧源よりも大電圧の第二電圧源とを保有する自動車において、磁界内で動力を回生電力に変換してバッテリに充電するための車載発電装置であって、
前記磁界を発生する界磁コイルと、
前記界磁コイルに対して前記第二電圧源からの電圧を印加して界磁電流を供給するスイッチング部と、
前記スイッチング部を制御する制御部と
を備える車載発電装置。
【請求項３】
請求項２に記載の車載発電装置であって、
前記制御部が、前記界磁コイルに流れる界磁電流の立ち上げ時に当該界磁電流を非抑制するとともに、前記界磁電流が前記回生電力に対応する所定の電流レベルに達しているときに前記界磁電流を前記電流レベルに抑制するよう前記スイッチング部を制御することを特徴とする車載発電装置。
【請求項４】
請求項１または請求項３に記載の車載発電装置であって、
前記スイッチング部が、前記界磁コイルに対して正逆方向に切り換えて電流を流すことが可能なＨブリッジ回路であり、
前記制御部が、
前記界磁電流の立ち上がり時に、前記界磁コイルに対して正方向に非抑制で電流を流すよう前記Ｈブリッジ回路を制御する第１の機能と、
前記界磁電流の立ち上がり時直後から立ち下がり時直前までの間に、前記界磁コイルに流れる界磁電流を前記電流レベルに抑制するようにして、前記界磁コイルに対して正方向に電流を流すよう前記Ｈブリッジ回路を制御する第２の機能と、
前記界磁電流の立ち下がり時に、前記界磁コイルに対して逆方向に非抑制で電流を流すよう前記Ｈブリッジ回路を制御する第３の機能と
を備える車載発電装置。
【請求項５】
請求項２または請求項３に記載の車載発電装置であって、
前記第一電圧源が１２Ｖの電圧源であり、前記第二電圧源が４２Ｖの電圧源である、車載発電装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００６−２０４５３（Ｐ２００６−２０４５３Ａ）
【公開日】平成１８年１月１９日（２００６．１．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−１９６９７９（Ｐ２００４−１９６９７９）
【出願日】平成１６年７月２日（２００４．７．２）
【出願人】（３９５０１１６６５）株式会社オートネットワーク技術研究所 (2,668)
【出願人】（０００１８３４０６）住友電装株式会社 (6,135)
【出願人】（０００００２１３０）住友電気工業株式会社 (12,747)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１月１９日（２００６．１．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年７月２日（２００４．７．２）
【出願人】（３９５０１１６６５）株式会社オートネットワーク技術研究所 (2,668)
【出願人】（０００１８３４０６）住友電装株式会社 (6,135)
【出願人】（０００００２１３０）住友電気工業株式会社 (12,747)
【Ｆターム（参考）】
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