配線回路基板の製造方法
【課題】導体パターンの精密な配置を実現できながら、支持基板を再利用することができ、また、簡便かつ短時間で配線回路基板を得ることができ、さらには、製造コストを低減することのできる、配線回路基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】支持基板２とベース絶縁層３とをそれぞれ用意し、ベース絶縁層３の表面を、予め活性化処理した後、活性化処理されたベース絶縁層３の下面を、レーザー光９を用いて支持基板２と接合し、ベース絶縁層３の上に導体パターン４を形成し、その後、支持基板２を除去することにより、配線回路基板１を得る。
【解決手段】支持基板２とベース絶縁層３とをそれぞれ用意し、ベース絶縁層３の表面を、予め活性化処理した後、活性化処理されたベース絶縁層３の下面を、レーザー光９を用いて支持基板２と接合し、ベース絶縁層３の上に導体パターン４を形成し、その後、支持基板２を除去することにより、配線回路基板１を得る。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、金属板を用いて、絶縁層およびその上に形成される導体パターンを有する配線回路基板を製造する方法が知られている。
【０００３】
例えば、金属基板の上に、アウター側絶縁体層および導電体層を順次形成し、その後、金属基板をエッチングにより除去する、インターポーザーの製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。特許文献１では、導電体層の形成時、金属基板がアウター側絶縁体層の裏面に形成されており、これにより、アウター側絶縁体層が金属基板によって支持されるので、導電体層の精密な配置を実現している。
【特許文献１】特開２００１−４４５８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかるに、特許文献１を含む、従来の配線回路基板の製造方法では、金属板をエッチングにより除去するので、金属板を再利用することが困難となる。そのため、配線回路基板の製造コストの増大が不可避となる。また、この方法は、エッチング工程を含むので、その分、製造工程が煩雑となる。
【０００５】
しかも、エッチング工程においては、十分なエッチング時間を確保する必要があり、そのため、配線回路基板（製品）を得るまでの時間（リードタイム）が長くなるという不具合がある。
【０００６】
本発明の目的は、導体パターンの精密な配置を実現できながら、支持基板を再利用することができ、また、簡便かつ短時間で配線回路基板を得ることができ、さらには、製造コストを低減することのできる、配線回路基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するため、本発明の配線回路基板の製造方法は、支持基板を用意する工程、前記支持基板の上に、絶縁層および前記絶縁層の上に形成される導体パターンを備える配線回路基板を形成する工程、および、前記配線回路基板の形成後、前記支持基板を除去する工程を備え、前記配線回路基板を形成する工程は、前記絶縁層を用意する工程、前記絶縁層における前記支持基板との接触面を予め活性化処理する活性化処理工程、および、前記支持基板と、活性化処理された前記絶縁層の前記接触面とをレーザー光を用いて接合する接合工程を備えることを特徴としている。
【０００８】
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記活性化処理が、プラズマ処理、コロナ処理および紫外線照射処理からなる群から選択される少なくとも１つの処理であることが好適である。
【０００９】
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記絶縁層が、ポリイミドから形成されていることが好適である。
【００１０】
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記支持基板が、金属基板であることが好適である。
【００１１】
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記支持基板を除去する工程では、前記支持基板と前記絶縁層との接合部を加熱することが好適である。
【００１２】
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記接合部をレーザー光を用いて加熱することが好適である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の配線回路基板の製造方法によれば、配線回路基板を形成する工程は、支持基板と絶縁層とをレーザー光を用いて接合する接合工程を備えている。そのため、支持基板と絶縁層とを簡便に接合することができる。そして、支持基板により支持された絶縁層の上に、導体パターンを形成することができるので、導体パターンの精密な配置を確保することができる。
【００１４】
しかも、レーザー光を用いて、支持基板と絶縁層とを接合すれば、配線回路基板の形成後には、支持基板を絶縁層から容易に除去することができる。
【００１５】
そのため、配線回路基板の形成後には、支持基板を、簡便かつ短時間で除去することができる。また、支持基板を再利用できるので、製造コストの低減を図ることもできる。
【００１６】
その結果、導体パターンの精密な配置と、支持基板の再利用とを同時に達成することができ、さらには、支持基板を、簡便かつ短時間で除去して、製造コストの低減を図ることができる。
【００１７】
また、接合工程では、レーザー光の照射により発生する熱によって、絶縁層および／または支持基板が、寸法変化などの変形を生じる場合がある。
【００１８】
しかし、本発明では、絶縁層における支持基板との接触面を予め活性化処理し、その後、接合工程を実施する。そのため、接合工程では、活性化処理された絶縁層の接触面を、低い出力のレーザー光で、支持基板と接合することができる。
【００１９】
そのため、レーザー光により生じる熱の発生を低減させることができる。
【００２０】
その結果、絶縁層および／または支持基板の変形を有効に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
図１は、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態を示す工程図を示し、図２は、後述する支持基板とベース絶縁層との接合を説明するための斜視図を示し、図３は、接合工程の長手方向に沿う断面図を示し、図４は、剥離工程の長手方向に沿う断面図を示す。
【００２２】
この配線回路基板１の製造方法では、以下で説明する各工程をロールトゥロール方式により実施する。
【００２３】
この方法では、図１（ａ）の下側図に示すように、まず、支持基板２を用意する。
【００２４】
支持基板２は、長手方向（ロールトゥロール方式における搬送方向、図２の矢印参照）に沿って延びる平帯シート状に形成されている。
【００２５】
支持基板２は、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅金属などの金属、例えば、ガラス、例えば、セラミックス、例えば、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミドなどの耐熱性樹脂などから形成されている。支持基板２は、好ましくは、金属から金属基板として形成されている。支持基板２が金属基板として形成される場合には、接合工程（後述）において、レーザー光９による照射によっても、支持基板２の寸法変化などの変形を生じにくく、ベース絶縁層３を確実に支持することができる。
【００２６】
また、支持基板２の表面（上面）には、レーザー光９（図２参照）からの吸収性を向上させるべく、例えば、フタロシアニン系染料などの光吸収剤を塗布してもよい。光吸収剤の塗布方法としては、例えば、インクジェットプリンタ、ニードルチップディスペンサー、スタンプスプレー、スクリーン印刷などが用いられる。また、光吸収剤は、支持基板２の表面全面あるいは表面の一部に塗布される。
【００２７】
支持基板２の厚みは、例えば、１μｍ以上２ｍｍ以下、好ましくは、１０μｍ以上２００μｍ以下である。
【００２８】
また、この方法では、図１（ａ）の上側図に示すように、別途、絶縁層としてのベース絶縁層３を用意する。
【００２９】
ベース絶縁層３は、長手方向に沿って延び、支持基板２の外形形状に対応する平帯シート状に形成されている。
【００３０】
ベース絶縁層３は、例えば、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド、アクリル（ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）など）などの熱硬化性樹脂、例えば、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、トリアセチルセルロール（ＴＡＣ）、ポリエチレン（ＰＥ）などの熱可塑性樹脂などの絶縁材料から形成されている。好ましくは、ポリイミドから形成されている。
【００３１】
ベース絶縁層３がポリイミドから形成されていれば、活性化処理工程（後述）においてベース絶縁層３の表面をより一層活性化することができる。
【００３２】
なお、ポリイミドは、吸湿して膨張し易いので、接合工程（後述）における吸湿によって配線回路基板１が撓むことを防止するために、接合工程前にベース絶縁層３を予め吸湿させることもできる。
【００３３】
また、ベース絶縁層３には、レーザー光９（図２参照）の光吸収性を制御する目的で、染料または顔料などを含ませることもできる。
【００３４】
さらに、ベース絶縁層３は、全芳香族ポリアミド不織布などから形成されていてもよい。
【００３５】
ベース絶縁層３の厚みは、例えば、１μｍ以上２ｍｍ以下、好ましくは、１０μｍ以上２００μｍ以下である。
【００３６】
次いで、この方法では、図１（ａ）の上側図の矢印で示すように、ベース絶縁層３の表面を予め活性化処理する（活性化処理工程）。具体的には、ベース絶縁層３における、支持基板２との接触面（支持基板２と接触する面）である下面（裏面）と、支持基板２との非接触面（支持基板２と接触しない面）である上面（表面）との両面を、次の積層工程の前に予め活性化処理する。
【００３７】
活性化処理としては、例えば、プラズマ処理、コロナ処理、紫外線照射処理などが用いられる。
【００３８】
プラズマ処理では、例えば、常圧（大気圧）プラズマ処理装置や低圧（真空）プラズマ処理装置などの、公知のプラズマ処理装置が用いられる。好ましくは、装置(チャンバー)内を減圧する必要がなく、活性化処理工程をロールトゥロール方式により簡単に実施する観点から、常圧プラズマ処理装置が用いられる。
【００３９】
常圧プラズマ処理装置は、図示しないが、チャンバーと、そのチャンバー内において、交流電源に接続される平板状の放電電極と、放電電極と間隔を隔てて対向配置され、接地されている平板状の接地電極とを備えている。
【００４０】
処理ガスとしては、例えば、酸素、オゾン、水などの酸素系ガス、例えば、窒素、アンモニアなどの窒素系ガス、例えば、一酸化硫黄（ＳＯ）、二酸化硫黄（ＳＯ）などの硫黄系ガス、例えば、これらの混合ガスなどが用いられる。好ましくは、酸素、窒素、または、それらの混合ガスが用いられる。
【００４１】
交流電源が印加する電圧（交流電圧）は、例えば、パルス電圧であって、具体的には、方形波形のパルス電圧である。交流電圧は、その周波数が、例えば、０．５〜１００ｋＨｚ（１／ｋｓ）、パルス立ち上がり時間が、例えば、５〜１００μｓ、パルス継続時間が、例えば、１〜１０００μｓである。また、最大電圧が、例えば、１０Ｖ〜２０ｋＶである。
【００４２】
また、プラズマの出力密度は、例えば、０．１〜２０Ｗ／ｃｍ２である。
【００４３】
常圧プラズマ処理装置は、一般に市販されているものを用いることができ、具体的には、ＡＰ−Ｔシリーズ（積水化学社製）などが用いられる。
【００４４】
プラズマ処理装置では、チャンバー内に処理ガスを常に供給しながら、交流電源から交流電圧を印加することにより、放電電極と接地電極との間にグロー放電プラズマを発生させる。
【００４５】
ベース絶縁層３の表面をプラズマ処理するには、プラズマ処理装置のチャンバー内において、グロー放電プラズマが発生している放電電極および接地電極間に、ベース絶縁層３を介在させながら通過させる。
【００４６】
コロナ処理では、例えば、公知のコロナ処理装置が用いられる。コロナ処理装置は、例えば、図示しないが、チャンバーと、そのチャンバー内において、直流電源に接続される針状の放電電極と、放電電極と間隔を隔てて対向配置される接地電極とを備えている。
【００４７】
放電電極および接地電極は、上記と同様の金属から形成されている。処理ガスとしては、例えば、上記と同様のガスが用いられる。また、直流電源が印加する電源（直流電圧）は、例えば、５〜２５ｋＶである。また、コロナの出力密度は、例えば、１〜５００Ｗ／ｃｍ２である。
【００４８】
コロナ処理装置では、チャンバー内に処理ガスを常に供給しながら、直流電源から直流電圧を印加することにより、放電電極と接地電極との間に、コロナ放電を発生させる。
【００４９】
ベース絶縁層３の表面をコロナ処理するには、コロナ処理装置のチャンバー内において、グロー放電プラズマが発生している放電電極および接地電極間に、ベース絶縁層３を介在させながら通過させる。
【００５０】
紫外線照射処理では、例えば、図示しないが、公知の紫外線照射装置において、紫外線、具体的には、波長１〜４００ｎｍ、好ましくは、１〜３００ｎｍの紫外線を、ベース絶縁層３の表面に照射する。紫外線照射装置は、ベース絶縁層３における線量が、１０〜１０００Ｊ／ｍ２となるように、設定される。
【００５１】
これら活性化処理は、単独処理または併用処理することができる。
【００５２】
活性化処理として、好ましくは、プラズマ処理が用いられる。
【００５３】
次いで、この方法では、図１（ｂ）に示すように、活性化処理されたベース絶縁層３を、支持基板２の上に積層する。
【００５４】
活性化処理されたベース絶縁層３を支持基板２の上に積層するには、図３が参照されるように、ベース絶縁層３および支持基板２がそれぞれ巻回された各送出ロール（図示せず）から第１ロール１０に向けてそれぞれを送り出し、第１ロール１０において、それらを厚み方向上側に向かって支持基板２およびベース絶縁層３の順序で重ね合わせる。これにより、ベース絶縁層３および支持基板２は、図２が参照されるように、それらの幅方向（長手方向に直交する方向）両端縁が、平面視（厚み方向にみたとき）において同一位置に配置される、２層シート１９となる。
【００５５】
次に、図１（ｃ）に示すように、活性化処理されたベース絶縁層３の下面と支持基板２の上面とをレーザー光９を用いて接合する。
【００５６】
詳しくは、図２および図３に示す接合装置３０によって、活性化処理されたベース絶縁層３の下面および支持基板２の上面を接合する。
【００５７】
図３において、接合装置３０は、搬送部６と、支持部７と、照射部８とを備えている。
【００５８】
搬送部６は、支持部７の搬送方向両側に設けられており、第１ロール１０と第２ロール１１とを備えている。
【００５９】
第１ロール１０は、搬送部６の搬送方向上流側（以下、単に上流側と省略する。）に配置され、軸心が幅方向に沿って延びるように配置されている。また、第１ロール１０は、接合工程前の２層シート１９を支持部７に送り出すように回転される。
【００６０】
第２ロール１１は、搬送部６の搬送方向下流側（以下、単に下流側と省略する。）に配置され、軸心が幅方向に沿って延びるように配置されている。また、第２ロール１１は、接合工程後の２層シート１９を支持部７から引き出すように回転される。
【００６１】
支持部７は、搬送方向において、第１ロール１０と第２ロール１１との間に配置されており、２層シート１９を支持するために設けられている。また、支持部７は、図２に示すように、搬送方向に沿って延びるように配置されている。また、支持部７は、厚み方向において投影したとき、幅方向において２層シート１９を含むように形成されている。支持部７は、ステージ１２と加圧板１３とを備えている。
【００６２】
ステージ１２は、支持部７の下側に配置され、具体的には、図２および図３に示すように、その上面が、第１ロール１０の上端部と、第２ロール１１の上端部と略同一平面上となる、平面視略矩形平板形状に形成されている。
【００６３】
ステージ１２は、例えば、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、液晶ポリマーなどの耐熱性ポリマー、耐熱性不織布、ガラス、金属、セラミックスなどから形成されている。ステージ１２は、レーザー光９の照射によって支持基板２に発生する熱が逃げることを防止すべく、好ましくは、断熱性の高い材料から形成される。このような材料は、その熱伝導率が、２０Ｗ／ｍ／Ｋ以下、好ましくは、１０Ｗ／ｍ／Ｋ以下、さらに好ましくは、１Ｗ／ｍ／Ｋ以下、通常、０．００５Ｗ／ｍ／Ｋ以上である。
【００６４】
加圧板１３は、レーザー光９を高い透過率で透過させる透明材料から形成され、例えば、ＰＭＭＡから形成されている。
【００６５】
また、加圧板１３は、支持部７の上側において、ステージ１２と厚み方向において対向配置されており、具体的には、ステージ１２の上面と上側に間隔を隔てて配置されている。また、加圧板１３は、ステージ１２とほぼ同じ大きさの平面視略矩形平板形状に形成されている。
【００６６】
また、加圧板１３は、ステージ１２の上側において、上下移動可能に設けられており、具体的には、接合工程前の２層シート１９がステージ１２の上面に搬送されているときには、図３の仮想線で示すように、２層シート１９と上側に間隔を隔てた位置（上側位置）に位置する。また、加圧板１３は、２層シート１９の接合工程時には、図３の実線で示すように、２層シート１９を下側に加圧（押圧）できる位置（下側位置）に位置する。さらに、加圧板１３は、接合工程後の２層シート１９がステージ１２の上面から搬送されているときには、仮想線で示す上側位置に位置する。
【００６７】
照射部８は、レーザー光９を２層シート１９に照射するために設けられており、支持部７の上側に間隔を隔てて対向配置されている。照射部８は、第１照射部１４と第２照射部１５とを備えている。
【００６８】
第１照射部１４および第２照射部１５は、図２に示すように、幅方向に互いに間隔を隔てて配置されており、第１照射部１４および第２照射部１５から照射されるレーザー光９が、２層シート１９の幅方向両端部にそれぞれ照射されるように形成されている。
【００６９】
第１照射部１４および第２照射部１５は、ともに同一種類のレーザー発振器を備えており、このようなレーザー発振器は、可視光領域および赤外線領域に吸収波長を有するレーザー光９を照射でき、具体的には、例えば、半導体レーザー、例えば、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）レーザーなどの固体レーザー、例えば、炭酸ガス（ＣＯ２）レーザーなどの気体レーザー、例えば、ファイバーレーザーなどが用いられる。好ましくは、安価で均一なレーザー光（レーザービーム）９を容易に得る観点から、半導体レーザーやファイバーレーザーが用いられる。
【００７０】
また、レーザー光９のパルス幅をフェムト秒（１０−１５秒）やピコ秒（１０−１２秒）オーダーに設定して発振させる、フェムト秒レーザーやピコ秒レーザーを用いることもできる。また、レーザー光９としては、例えば、ＣＷレーザー（連続波レーザー）やパルスレーザー（断続波レーザー）が用いられ、好ましくは、ＣＷレーザーが用いられる。ＣＷレーザーであれば、瞬間的に高いエネルギーが支持基板２やベース絶縁層３にかかることを防止して、支持基板２やベース絶縁層３の分解を防止しつつ、加熱による溶融を促進させることができる。
【００７１】
レーザー光９の波長は、支持基板２およびベース絶縁層３の光吸収率や光透過率などにより適宜設定され、例えば、ベース絶縁層３に対する光透過率が３０％以上で、支持基板２に対する光吸収率が２０％以上となるような波長、好ましくは、ベース絶縁層３に対する光透過率が５０％以上で、支持基板２に対する光吸収率が４０％以上となるような波長、さらに好ましくは、ベース絶縁層３に対する光透過率が７０％以上で、支持基板２に対する光吸収率が６０％以上となるような波長が選択される。具体的には、レーザー光９の波長は、例えば、１００〜１０６００ｎｍ、好ましくは、４００〜２５００ｎｍ、さらに好ましくは、５００〜１５００ｎｍである。
【００７２】
また、レーザー光９の出力は、例えば、５〜５００Ｗ、好ましくは、１０〜１００Ｗ、さらに好ましくは、２０〜７０Ｗである。
【００７３】
また、レーザー光９のレーザービーム径は、例えば、０．１〜１０ｍｍ、好ましくは、０．５〜５ｍｍである。
【００７４】
そして、上記した接合装置３０によって、活性化処理されたベース絶縁層３の下面および支持基板２の上面を接合するには、まず、図２および図３に示すように、接合装置３０の第１ロール１０において、２層シート１９として積層された支持基板２およびベース絶縁層３を、ステージ１２の上面に向けて搬送する。なお、このとき、加圧板１３は、仮想線で示す上側位置に予め位置している。
【００７５】
次いで、加圧板１３を、下側位置に移動させることにより、２層シート１９を加圧板１３とステージ１２とにより厚み方向において挟み込み、これにより、２層シート１９を厚み方向において加圧する。なお、この挟み込みにより、２層シート１９は、搬送方向において搬送されることなく、接合工程の間、固定される。
【００７６】
加圧条件は、例えば、９．８〜９８００ｋＰａ、好ましくは、９８〜９８０ｋＰａである。
【００７７】
なお、２層シート１９の接合工程前に、２層シート１９を予備的に加熱（予備加熱）すべく、ステージ１２を、例えば、５０〜３５０℃に加熱することができる。あるいは、接合時における支持基板２の熱による損傷（ダメージ）を抑制すべく、ステージ１２を、例えば、−５０〜２０℃に冷却することもできる。
【００７８】
次に、照射部８によってレーザー光９を２層シート１９に向けて照射する。具体的には、第１照射部１４および第２照射部１５からレーザー光９を、２層シート１９の幅方向両端部に向けてそれぞれ照射する。レーザー光９の２層シート１９への照射では、レーザー光９を搬送方向に沿ってステージ１２の上流側端部から下流側端部まで走査させる。つまり、レーザー光９をステージ１２、２層シート１９および加圧板１３に対して搬送方向に相対移動させる。
【００７９】
これにより、支持基板２とベース絶縁層３との界面において、レーザー光９が吸収される。とりわけ、支持基板２が、金属基板である場合には、ベース絶縁層３が、レーザー光９を、直接、あるいは、支持基板２で反射された反射光として吸収する。これにより、ベース絶縁層３（および支持基板２の上面）において、レーザー光９が吸収される部分が加熱されて溶融される。これと同時に、ベース絶縁層３が支持基板２に熱融着する。これにより、図１（ｃ）に示すように、支持基板２の上面と活性化処理されたベース絶縁層３の下面とがそれらの幅方向両端部において接合される。なお、支持基板２とベース絶縁層３とが接合される部分が、接合部１６とされる。
【００８０】
次いで、図３の仮想線で示すように、加圧板１３を上側位置へ移動させることにより、２層シート１９の挟み込み（加圧状態）を解除して、その後、搬送部６の搬送により、接合後の２層シート１９を、第２ロール１１で引き出し、接合工程前の２層シート１９をステージ１２と加圧板１３との間に配置させる。その後、加圧板１３を下側位置へ移動させ、上記と同様にレーザー光９を照射する。その後、加圧板１３を再度上側位置へ移動させる。接合装置３０では、このような動作が繰り返されて、２層シート１９には、搬送方向に連続した接合部１６が形成される。
【００８１】
そして、接合部１６が形成された２層シート１９は、続いて、図示しない巻取ロールに巻き取られる。
【００８２】
なお、接合工程後のベース絶縁層と支持基板との密着力は、例えば、０．０１〜１Ｎ／ｍｍ、好ましくは、０．０５〜０．５Ｎ／ｍｍである。
【００８３】
次いで、この方法では、図１（ｄ）に示すように、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４を形成する。
【００８４】
導体パターン４は、例えば、長手方向に延びる複数（４本）の配線２４と、各配線２４における長手方向両端部に形成される端子部（図示せず）とを一体的に連続して備える配線回路パターンとして形成されている。配線２４は、幅方向において互いに間隔を隔てて並列配置されている。
【００８５】
導体パターン４は、例えば、銅、ニッケル、金、またはこれらの合金などの導体材料から形成されている。好ましくは、銅から形成されている。導体パターン４の厚みは、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。
【００８６】
導体パターン４は、例えば、アディティブ法やサブトラクティブ法などの公知のパターンニング法によって、形成する。好ましくは、アディティブ法により形成する。
【００８７】
次いで、この方法では、図１（ｅ）に示すように、カバー絶縁層５を、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４を被覆するように形成する。具体的には、カバー絶縁層５を、配線２４を被覆し、端子部を露出するパターンで形成する。
【００８８】
カバー絶縁層５は、上記したベース絶縁層３と同様の絶縁材料から形成されている。カバー絶縁層５の厚みは、例えば、２〜５０μｍ、好ましくは、５〜３０μｍである。
【００８９】
カバー絶縁層５の形成は、例えば、予め合成樹脂のシート（フィルム）として用意して、積層接着するか、あるいは、導体パターン４を含むベース絶縁層３の上に、感光性の合成樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、露光後現像して上記したパターンに加工し、必要により硬化させる。
【００９０】
これにより、支持基板２の上に、ベース絶縁層３、導体パターン４およびカバー絶縁層５を備える配線回路基板１を形成する。つまり、配線回路基板１は、支持基板２に支持された多層シート２０として形成される。
【００９１】
その後、図１（ｆ）に示すように、支持基板２を、配線回路基板１から除去する。
【００９２】
支持基板２を配線回路基板１から除去するには、例えば、図４に示す剥離装置２７を用いて、支持基板２を配線回路基板１から剥離する。
【００９３】
図４において、剥離装置２７は、剥離部１８と、照射部８とを備えている。
【００９４】
剥離部１８は、剥離ロール２８と、第３ロール２９とを備えている。
【００９５】
剥離ロール２８は、多層シート２０が、剥離ロール２８の表面に沿って張設されるように配置されている。
【００９６】
また、第３ロール２９は、剥離ロール２９の上流側において、剥離ロール２８と間隔を隔てて配置されている。第３ロール２９は、多層シート２０が剥離ロール２８において張設されるように配置されている。
【００９７】
これにより、第３ロール２９は、多層シート２０の一方側面（配線回路基板１の表面）と接触し、剥離ロール２８は、多層シート２０の他方側面（支持基板２の裏面）と接触する。つまり、多層シート２０は、搬送方向において、第３ロール２９と剥離ロール２８とにわたって、断面略Ｓ字形状に掛け渡されている。
【００９８】
また、剥離ロール２８の下流側には、剥離した支持基板２を回収するための回収ロール（図示せず）と、製品として得られる配線回路基板１を巻き取るための巻取ロール（図示せず）とが設けられている。回収ロールと、巻取ロールとは、レーザー光９が照射された多層シート２０において、配線回路基板１から支持基板２を引き剥がすべく、互いに間隔を隔てて配置されている。
【００９９】
照射部８は、上記した接合装置３０の照射部８と同様であって、詳しくは、レーザー光９を、剥離ロール２８の表面に配置された多層シート２０に照射できるように剥離ロール２８に対向配置されている。
【０１００】
そして、剥離装置２７では、剥離ロール２８の表面に多層シート２０が張設され、続いて、剥離ロール２８の表面に配置された多層シート２０の接合部１６（図２および図３参照）に、照射部８からレーザー光９を照射する。これにより、接合部１６が加熱され、接合部１６が溶融する。その後、剥離ロール２８の回転により、多層シート２０の照射部分が剥離ロール２８から離れると、回収ロールと巻取ロールとの引張力により、支持基板２が、配線回路基板１から引き剥がされながら、支持基板２が回収ロールに回収されるとともに、配線回路基板１が巻取ロールに巻き取られる。
【０１０１】
なお、支持基板２の剥離における剥離強度は、例えば、０．０１〜５Ｎ／ｍｍ、好ましくは、０．０５〜２Ｎ／ｍｍである。
【０１０２】
その後、回収された支持基板２には、再度、新たに搬送されるベース絶縁層３が積層され、繰り返し使用（再利用）される。
【０１０３】
これにより、配線回路基板１を得ることができる。
【０１０４】
そして、この方法では、配線回路基板１を形成する工程は、支持基板２とベース絶縁層３とをレーザー光９を用いて接合する工程を備えている。そのため、これらを簡便に接合することができる。そして、支持基板２により支持されたベース絶縁層３の上に、導体パターン４を形成することができるので、導体パターン４の精密な配置を確保することができる。
【０１０５】
しかも、レーザー光９を用いて、支持基板２とベース絶縁層３とを接合するので、配線回路基板１の形成後には、支持基板２をベース絶縁層３から容易に除去することができる。また、レーザー光９を用いるので、支持基板２およびベース絶縁層３の界面を選択的に発熱させることができ、２層シート１９の熱による損傷を抑制することができる。
【０１０６】
また、配線回路基板１の形成後には、支持基板２とベース絶縁層３との接合部１６をレーザー光９を用いて加熱するので、接合部１６を再溶融させて、接合部１６の接合強度を低下させることができる。そのため、支持基板２をベース絶縁層３から容易に剥離して、支持基板２を簡便に回収することができる。
【０１０７】
そのため、配線回路基板１の形成後には、支持基板２を、簡便かつ短時間で除去することができる。
【０１０８】
また、支持基板２を再利用できるので、製造コストの低減を図ることもできる。
【０１０９】
その結果、導体パターン４の精密な配置と、支持基板２の再利用とを同時に達成することができ、さらには、支持基板２を、簡便かつ短時間で除去して、製造コストの低減を図ることができる。
【０１１０】
また、接合工程では、レーザー光９の照射により発生する熱によって、支持基板２およびベース絶縁層３が、寸法変化などの変形を生じる場合がある。とりわけ、支持基板２が金属基板として形成され、ベース絶縁層３がポリイミドがからなる場合には、ベース絶縁層３の変形を生じる場合がある。
【０１１１】
しかし、この方法では、ベース絶縁層３の下面を予め活性化処理し、その後、接合工程を実施する。そのため、接合工程では、活性化されたベース絶縁層３の下面を、低い出力のレーザー光で、支持基板２と接合することができる。
【０１１２】
そのため、レーザー光９により生じる熱の発生を低減させることができる。
【０１１３】
その結果、ベース絶縁層３の変形を有効に防止することができる。
【０１１４】
なお、上記した説明では、ベース絶縁層３の両面（上面および下面）を活性化処理したが、例えば、ベース絶縁層３の下面のみを活性化処理することもできる。
【０１１５】
また、上記した説明では、剥離装置２７に照射部８を設け、照射部８のレーザー光９を用いて、多層シート２０の接合部１６を加熱したが、例えば、図示しないが、照射部８を設けることなく、剥離ロール２８を、ヒータなどの加熱手段により加熱し、加熱された剥離ロール２８と接合部１６との接触によって、接合部１６を加熱することもできる。さらには、加熱手段を、剥離ロール２８とは別途設け、これによって、接合部１６の周囲を高温雰囲気下の環境とすることにより、接合部１６を加熱することもできる。
【０１１６】
好ましくは、レーザー光９を用いて接合部１６を加熱する。レーザー光９であれば、簡便かつ確実に接合部１６を加熱することができる。
【０１１７】
また、剥離部１８では、接合部１６を加熱することにより、支持基板２を剥離したが、例えば、図示しないが、接合部１６を加熱することなく、支持基板２を、配線回路基板１を物理的な引張力のみによって引き剥がすこともできる。好ましくは、剥離強度を低減させるべく、接合部１６を加熱する。
【０１１８】
また、上記した説明では、接合工程において、レーザー光９を走査させたが、レーザー光９を固定して、ステージ１２、２層シート１９および加圧板１３を、レーザー光９に対して相対移動させることもできる。好ましくは、レーザー光９を走査させる。これにより、所望の位置に選択的かつ簡便に接合部１６を形成することができる。
【０１１９】
なお、上記した説明では、支持基板２を、１層から形成したが、例えば、材料の種類が異なる２層以上から形成することもできる。例えば、樹脂（ポリイミド）シートおよびその上に積層される金属基板の２層からなる２層基材として形成することもできる。この場合には、レーザー光９によって加熱された接合部１６の熱が、金属基板の裏面側から逃げることを防止（断熱）することができる。さらに、接合装置３０における第１ロール１０および第２ロール１１と、金属基板との間に、樹脂シートが介在されるので、金属基板と、第１ロール１０および第２ロール１１との接触による金属粉（異物）の発生を抑制することができる。
【０１２０】
なお、上記した説明では、支持基板２を平坦状に形成したが、図示しないが、例えば、支持基板２が金属基板である場合において、表面に断面凹凸形状や断面逆Ｌ字形状など適宜の形状に形成することにより、支持基板２とベース絶縁層３とにおけるアンカー効果によって、それらをより強固に接合することができる。なお、支持基板２の表面における形状は、例えば、特開２００６−３４１５１５号公報や特開２００６−１５４０５号公報などの記載に準拠して形成することができる。
【０１２１】
図５〜図１８は、本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態を示し、接合工程の説明図である。なお、上記した各部に対応する部材については、以降の各図面において同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１２２】
上記した図２の説明では、接合装置３０の支持部７において、平板状のステージ１２と平板状の加圧板１３とにより、２層シート１９を加圧したが、例えば、図５に示すように、これらを円柱形状のニップロール２１により、２層シート１９を加圧することもできる。
【０１２３】
ニップロール２１は、２層シート１９を厚み方向に挟む第１ニップロール２２および第２ニップロール２３を備えている。
【０１２４】
第１ニップロール２２は、ニップロール２１において、下側に形成され、軸心が幅方向に延びる円柱形状に形成されている。また、第１ニップロール２２は、駆動力が入力されており、その上面に配置される２層シート１９を下流側に搬送できるように、軸心を中心として自転可能に設けられている。第１ニップロール２２を形成する材料は、ステージ１２の材料と同様である。
【０１２５】
第２ニップロール２３は、第１ニップロール２２と２層シート１９を挟んで対向配置されて、軸心が第１ニップロール２２の軸心に沿って延びる円柱形状に形成されている。また、第２ニップロール２３は、その下面に配置される２層シート１９を下流側に搬送できるように、軸心を中心として回転（従動）可能に設けられている。第２ニップロール２３を形成する材料は、加圧板１３の材料と同様である。
【０１２６】
接合装置３０では、第１ニップロール２２に駆動力が入力されることにより、第１ニップロール２２が自転して、これに従って、第２ニップロール２３が従動する。これにより、２層シート１９を加圧しながら、２層シート１９を搬送する。また、図６が参照されるように、２層シート１９における第１ニップロール２２および第２ニップロール２３により加圧される部分（ニップ部分）に、レーザー光９が第２ニップロール２３を通過して、照射される。
【０１２７】
この方法では、レーザー光９を走査させることなく、レーザー光９を第２ニップロール２３を通して２層シート１９に照射するので、接合部１６を形成しながら、接合された２層シート１９を連続的に搬送することができる。つまり、２層シート１９を支持部７に対して固定することなく、接合できるので、リードタイムを短縮することができる。また、加圧と照射とを同時に実施することができる。
【０１２８】
また、第１ニップロール２２および第２ニップロール２３により、搬送方向において、２層シート１９の一部のみを加圧するので、２層シート１９を効率的に加圧することができる。
【０１２９】
また、図６に示すように、２層シート１９を第１ニップロール２２の表面に張設させることもできる。
【０１３０】
図６において、第１ニップロール２２および第２ニップロール２３の下流側には、テンションロール２６が、それらと間隔を隔てて設けられている。
【０１３１】
これにより、第１ニップロール２２は、２層シート１９の他方側面（支持基板２の裏面）と接触し、テンションロール２６は、２層シート１９の一方側面（ベース絶縁層３の表面（非接触面））と接触する。つまり、２層シート１９は、搬送方向において、第２ニップロール２２とテンションロール２６とにわたって、断面略Ｓ字形状に掛け渡されている。
【０１３２】
また、図７に示すように、第２ニップロール２３に代えて、２つの分離ロール３３を用いることもできる。
【０１３３】
図７において、各分離ロール３３は、上記した第２ニップロール２３の幅方向中央が除去されることにより、互いに独立（分離）して形成される。各分離ロール３３は、２層シート１９の幅方向両端部の上側に対向配置されている。
【０１３４】
２つの分離ロール３３により２層シート１９を加圧すれば、搬送方向および幅方向において、２層シート１９の一部のみを加圧できるので、２層シート１９をより一層効率的に加圧することができる。
【０１３５】
また、図８に示すように、２つの分離ロール３３に代えて、２つのボール１７を用いることもできる。
【０１３６】
各ボール１７は、その最下面が２層シート１９のベース絶縁層３の上面に接触するように設けられている。また、ボール１７の上側は、公知の支持手段により転動自在に支持されている。
【０１３７】
２つのボール１７により２層シート１９を加圧すれば、各ボール１７の球面に対応する２層シート１９の一部のみを加圧するので、２層シート１９をとりわけより一層効率的に加圧することができる。
【０１３８】
また、上記した説明では、加圧板１３（図２）、第２ニップロール２３（図５）、分離ロール３３（図７）、ボール１７（図８）などを設けたが、例えば、図９に示すように、それらを設けることなく、テンションロール２６を用いて、２層シート１９を加圧することもできる。
【０１３９】
図９において、テンションロール２６は、第１テンションロール３１と第２テンションロール３２とを備えている。
【０１４０】
第１テンションロール３１は、図６に示す第１ニップロール２２と同様である。
【０１４１】
第２テンションロール３２は、第１テンションロール３１と下流側に間隔を隔てて設けられ、第１テンションロール３１の表面に沿って張設される２層シート１９を、第１テンションロール３１（の径方向内方）側に向かって付勢するように設けられている。つまり、第２テンションロール３２は、その表面に、２層シート１９のベース絶縁層３が接触するように配置されている。
【０１４２】
テンションロール２６を用いることにより、簡易な構成で２層シート１９を加圧することができる。
【０１４３】
また、図１０に示すように、ガス（アシストガス）３５を用いて、２層シート１９を加圧することもできる。
【０１４４】
図１０において、照射部８には、ガス３５を噴射するためのガスノズル３４が設けられている。
【０１４５】
ガスノズル３４は、第１照射部１４および第２照射部１５に対応して設けられており、ガスノズル３４は、それらの照射口と同軸であって、第１照射部１４および第２照射部１５の照射口の外側において、断面リング形状に形成されている。
【０１４６】
ガスノズル３４から噴射されるガス３５としては、例えば、空気（圧縮エア）、例えば、ヘリウム、ネオン、窒素などの不活性ガスが用いられる。
【０１４７】
噴射圧は、例えば、０．０１ＭＰａ以上５ＭＰａ以下であり、好ましくは、０．１ＭＰａ以上２ＭＰａ以下である。噴射圧が上記範囲に満たない場合には、２層シート１９の接合強度を十分に向上させることができず、レーザー接合を確実に実施できない場合がある。噴射圧が上記範囲を超える場合には、２層シート１９のばたつきにより位置ずれを生じ、レーザー接合を精度よく実施することができない場合がある。
【０１４８】
ガス３５の噴射により２層シート１９を加圧すれば、非接触で２層シート１９を加圧することができる。
【０１４９】
なお、上記した説明では、ガスノズル３４を、第１照射部１４および第２照射部１５の照射口と同軸で形成したが、例えば、それらの下流側あるいは上流側に形成し、ガスノズル３４のノズル口がレーザー光９の照射位置に向かっていればよい。
【０１５０】
また、上記した図６に示す説明では、照射部８の第１照射部１４および第２照射部１５を、第２ニップロール２３の２層シート１９に対する反対側に設けたが、例えば、図１１に示すように、第２ニップロール２３の内部（径方向内側）に設けることもできる。
【０１５１】
また、上記した図６に示す説明では、レーザー光９を、２層シート１９のニップ部分（第１ニップロール２２の表面と第２ニップロール２３の表面との接触部分）に照射したが、例えば、図１２に示すように、ニップ部分の上流側に照射することもできる。
【０１５２】
図１２において、レーザー光９の照射位置は、ベース絶縁層３のニップ部分から上流側に向かって、レーザー光９の照射によって加熱された２層シート１９の温度が下がらない程度の間隔を隔てた位置とされる。
【０１５３】
これにより、レーザー光９の照射位置と加圧位置とを搬送方向において間隔を隔てることにより、レーザー光９の照射と加圧とのタイミングをずらすことができる。
【０１５４】
また、上記した説明では、レーザー光９を、支持基板２の表面（上面）およびベース絶縁層３の表面（上面）から照射したが、例えば、図１３に示すように、支持基板２の表面（上面）およびベース絶縁層３の裏面（下面）に照射することもできる。
【０１５５】
図１３において、第１ニップロール２２および第２ニップロール２３の対向方向において、支持基板２を第１ニップロール２２側からステージ１２（図３参照）に送り出し、ベース絶縁層３を第２ニップロール２３側からステージ１２に送り出す。そして、照射部８は、第１ニップロール２２および第２ニップロール２３に送り出される前の支持基板２とベース絶縁層３との間に、それらと互いに間隔を隔てて対向配置され、レーザー光９を、ニップ部分を含み、重ね合わされる直前の支持基板２とベース絶縁層３とに照射する。なお、この方法は、例えば、特開平４−２４９１３４号公報の記載に準拠して実施される。
【０１５６】
この方法では、積層方向（厚み方向）における支持基板２とベース絶縁層３との積層順序にかかわらず、それらを均一に照射できる。
【０１５７】
また、図１４に示すように、接合工程において、ベース絶縁層３の表面に、耐熱性樹脂シート３６を積層することもできる。
【０１５８】
耐熱性樹脂シート３６は、ベース絶縁層３と略同一形状であって、支持基板２およびベース絶縁層３の密着性を高めて、これにより、レーザー接合性を向上させるために設けられる。
【０１５９】
耐熱性樹脂シート３６は、そのガラス転移点（Ｔｇ）が、例えば、２００℃以上、好ましくは、２５０℃以上、通常、５００℃以下である。あるいは、ガラス転移点を有していない耐熱性樹脂から形成されていてもよい。具体的には、耐熱性樹脂シート３６として、例えば、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミドなどが用いられる。
【０１６０】
耐熱性樹脂シート３６の厚みは、レーザー光９の照射時の熱応力を抑制する観点から、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２５μｍ以上であり、ロールトゥロールにおける搬送性の観点から、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１５０μｍ以下である。
【０１６１】
そして、耐熱性樹脂シート３６は、第１テンションロール３１において、ベース絶縁層３の表面に積層され、レーザー光９が照射された後、第２テンションロール３２（剥離ロール２８）において、ベース絶縁層３から剥離される。
【０１６２】
また、図１５に示すように、支持基板２およびベース絶縁層３の厚み方向における位置を反転させることもできる。
【０１６３】
図１５において、接合装置３０において、ベース絶縁層３の表面（接触面）に支持基板２が積層される。そして、レーザー光９が支持基板２に直接照射される。
【０１６４】
支持基板２が金属基板である場合には、支持基板２がレーザー光９を吸収して、その表面が発熱し、発生した熱が支持基板２からベース絶縁層３に伝導される。これによって、ベース絶縁層３の溶融を促進させることができる。
【０１６５】
また、上記した説明では、レーザー光９を、２層シート１９の幅方向両端部のみを照射したが、例えば、図示しないが、幅方向全体を照射することもできる。あるいは、図１６に示すように、幅方向両端部および幅方向中央部（幅方向途中）を照射することもできる。
【０１６６】
図１６では、３本のレーザー光９によって、幅方向に間隔を隔てて配置された３本の接合部１６が、長手方向に延びる筋状に形成される。
【０１６７】
また、図１７に示すように、幅方向途中に、複数の接合部１６を、長手方向にわたって断続的に形成することもできる。図１７において、ガルバノスキャナー３７を備える照射部８によって、２層シート１９の幅方向途中に、レーザー光９を照射する。これにより、１台のガルバノスキャナー３７により、レーザー光９を高速で照射することができる。
【０１６８】
また、図１８に示すように、幅方向途中における複数の接合部１６に対応する開口部４１を備えるフォトマスク４０を用いて、レーザー光９を一度でかつ無走査で照射することもできる。
【実施例】
【０１６９】
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何らそれらに限定されることはない。
【０１７０】
また、接合工程後のベース絶縁層と支持基板との密着力は、９０℃ピール試験（剥離速度：２５ｍｍ／分）にて評価した。
【０１７１】
また、接合工程後のベース絶縁層の寸法変化率は、仮圧着工程前のカバー絶縁層（絶縁フィルム）において所定間隔を隔てたマークを付けて、仮圧着工程前後のマーク間の間隔を測定することにより評価した。
【０１７２】
実施例１
ステンレスから形成される金属基板（ＳＵＳ３０４、厚み２５μｍ、東洋製箔社製）を用意した（図１（ａ）の下側図参照）。
【０１７３】
また、ポリイミドから形成されるベース絶縁層（商品名：カプトン１５０ＥＮ、厚み３８μｍ、東レデュプン社製）を用意（図１（ａ）の上側図参照）し、用意したベース絶縁層の上面および下面を、常圧プラズマ処理装置にて、活性化処理した（図１（ａ）の上側図の矢印参照）。常圧プラズマ処理装置の条件を以下に記載する。
【０１７４】
常圧プラズマ処理装置 ＡＰ−Ｔ０５−Ｌ１５０、積水化学社製
処理ガス 窒素
処理ガス流量 １０Ｌ／分
周波数 ３０ｋＨｚ
パルス継続時間 ５μｓ
最大電圧 １３．８ｋＶ
プラズマの出力密度 １２Ｗ／ｃｍ２
次いで、金属基板と、活性化処理されたベース絶縁層とを送出ロールから第１ロールに向けて送り出し、第１ロールにおいて、これらを重ね合わせることによって２層シート（接合工程前）とした（図１（ｂ）参照）。
【０１７５】
次いで、２層シートの幅方向両端部において、活性化処理されたベース絶縁層の下面と、金属基板の上面とを、上記した図２および図３の接合装置を用いて、これらをレーザー光によって接合した（図１（ｃ）参照）。レーザー光、搬送速度、加圧条件を以下に記載する。
【０１７６】
レーザー光：半導体レーザー
（波長：９４０ｎｍ）
（出力：２５Ｗ）
（ビームスポット径：２．０ｍｍ）
（走査速度：３０ｍｍ／秒）
（レーザー光の出力密度：７５０Ｗ／ｃｍ２）
加圧条件：１９６０ｋＰａ（２０ｋｇｆ／ｃｍ２）
接合工程後における２層シートの密着力（剥離強度）は、０．１Ｎ／ｍｍであった。また、接合工程後のベース絶縁層の寸法変化率は、極めて低い値となった。
【０１７７】
次いで、厚み２０μｍの配線を備える導体パターンをアディティブ法により形成した（図１（ｄ）参照）。次いで、導体パターンを含むベース絶縁層の上に、感光性のポリアミック酸樹脂のワニスを成膜し、乾燥後、露光後現像して上記したパターンに加工し、硬化させることにより、厚み１０μｍのカバー絶縁層を形成した（図１（ｅ）参照）。これにより、支持基板の上に、配線回路基板を形成することにより、多層シートを得た。
【０１７８】
その後、レーザー光の照射を用いない上記した剥離装置（図４参照）を用いて、支持基板を、ベース絶縁層から物理的な引張力で剥離した（図１（ｆ）参照）。これにより、配線回路基板を得た。なお、剥離強度は、０．２Ｎ／ｍｍ（９０℃ピール試験）であった。
【０１７９】
比較例１
活性化処理工程を実施せず、接合工程において、レーザー光の出力を５０Ｗに変更し、レーザー光の出力密度を７５０Ｗ／ｃｍ２から１５９２Ｗ／ｃｍ２に変更した以外には、実施例１と同様にして、配線回路基板を得た。
【０１８０】
接合工程後における２層シートの密着力（剥離強度）は、０．１Ｎ／ｍｍであった。また、比較例１の接合工程後のベース絶縁層の寸法変化率は、実施例１と比べて、やや高い値となった。また、配線回路基板を得た後における支持基板のベース絶縁層に対する剥離強度は、０．１８Ｎ／ｍｍ（９０℃ピール試験）であった。
【０１８１】
比較例１では、ベース絶縁層と支持基板との密着力を、実施例１と同一の値にするために、レーザー光の出力２５Ｗ高くする必要があった。
【表１】
【図面の簡単な説明】
【０１８２】
【図１】本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態を示す工程図であって、（ａ）は、支持基板とベース絶縁層とをそれぞれ用意し、ベース絶縁層の表面を活性化処理する工程、（ｂ）は、活性化処理されたベース絶縁層を、支持基板の上に積層する工程、（ｃ）は、支持基板の上面と活性化処理されたベース絶縁層の下面とをレーザー光を用いて接合する工程、（ｄ）は、ベース絶縁層の上に、導体パターンを形成する工程、（ｅ）は、カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に、導体パターンを被覆するように形成する工程、（ｆ）は、支持基板を、配線回路基板から除去する工程を示す。
【図２】支持基板とベース絶縁層との接合を説明するための斜視図を示す。
【図３】接合工程の長手方向に沿う断面図を示す。
【図４】剥離工程の長手方向に沿う断面図を示す。
【図５】本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態であって、２層基材がニップロールで加圧される態様の斜視図を示す。
【図６】接合工程の長手方向に沿う断面図を示す。
【図７】本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態であって、２層基材が２つの分離ロールで加圧される態様の斜視図を示す。
【図８】本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態であって、２層基材が２つのボールで加圧される態様の斜視図を示す。
【図９】本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態であって、２層基材がテンションロールで加圧される態様の長手方向に沿う断面図を示す。
【図１０】本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態であって、２層基材がガスで加圧される態様の斜視図を示す。
【図１１】本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態であって、照射部が第２ニップロールの内部に配置される態様の長手方向に沿う断面図を示す。
【図１２】本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態であって、照射位置と加圧位置とがずる態様の長手方向に沿う断面図を示す。
【図１３】本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態であって、レーザー光が支持基板の表面およびベース絶縁層の裏面を照射する態様の長手方向に沿う断面図を示す。
【図１４】本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態であって、ベース絶縁層の表面に、耐熱性樹脂シートが積層される態様の長手方向に沿う断面図を示す。
【図１５】本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態であって、ベース絶縁層の表面に、支持基板が積層される態様の長手方向に沿う断面図を示す。
【図１６】本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態であって、レーザー光が２層シートの幅方向両端部および幅方向中央部を照射する態様の斜視図である。
【図１７】本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態であって、ガルバノスキャナーを備える照射部によって、レーザー光を照射する態様の斜視図である。
【図１８】本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態であって、フォトマスクを用いて、レーザー光を照射する態様の斜視図である。
【符号の説明】
【０１８３】
１ 配線回路基板
２ 支持基板
３ ベース絶縁層
９ レーザー光
１６ 接合部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、金属板を用いて、絶縁層およびその上に形成される導体パターンを有する配線回路基板を製造する方法が知られている。
【０００３】
例えば、金属基板の上に、アウター側絶縁体層および導電体層を順次形成し、その後、金属基板をエッチングにより除去する、インターポーザーの製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。特許文献１では、導電体層の形成時、金属基板がアウター側絶縁体層の裏面に形成されており、これにより、アウター側絶縁体層が金属基板によって支持されるので、導電体層の精密な配置を実現している。
【特許文献１】特開２００１−４４５８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかるに、特許文献１を含む、従来の配線回路基板の製造方法では、金属板をエッチングにより除去するので、金属板を再利用することが困難となる。そのため、配線回路基板の製造コストの増大が不可避となる。また、この方法は、エッチング工程を含むので、その分、製造工程が煩雑となる。
【０００５】
しかも、エッチング工程においては、十分なエッチング時間を確保する必要があり、そのため、配線回路基板（製品）を得るまでの時間（リードタイム）が長くなるという不具合がある。
【０００６】
本発明の目的は、導体パターンの精密な配置を実現できながら、支持基板を再利用することができ、また、簡便かつ短時間で配線回路基板を得ることができ、さらには、製造コストを低減することのできる、配線回路基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するため、本発明の配線回路基板の製造方法は、支持基板を用意する工程、前記支持基板の上に、絶縁層および前記絶縁層の上に形成される導体パターンを備える配線回路基板を形成する工程、および、前記配線回路基板の形成後、前記支持基板を除去する工程を備え、前記配線回路基板を形成する工程は、前記絶縁層を用意する工程、前記絶縁層における前記支持基板との接触面を予め活性化処理する活性化処理工程、および、前記支持基板と、活性化処理された前記絶縁層の前記接触面とをレーザー光を用いて接合する接合工程を備えることを特徴としている。
【０００８】
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記活性化処理が、プラズマ処理、コロナ処理および紫外線照射処理からなる群から選択される少なくとも１つの処理であることが好適である。
【０００９】
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記絶縁層が、ポリイミドから形成されていることが好適である。
【００１０】
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記支持基板が、金属基板であることが好適である。
【００１１】
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記支持基板を除去する工程では、前記支持基板と前記絶縁層との接合部を加熱することが好適である。
【００１２】
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記接合部をレーザー光を用いて加熱することが好適である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の配線回路基板の製造方法によれば、配線回路基板を形成する工程は、支持基板と絶縁層とをレーザー光を用いて接合する接合工程を備えている。そのため、支持基板と絶縁層とを簡便に接合することができる。そして、支持基板により支持された絶縁層の上に、導体パターンを形成することができるので、導体パターンの精密な配置を確保することができる。
【００１４】
しかも、レーザー光を用いて、支持基板と絶縁層とを接合すれば、配線回路基板の形成後には、支持基板を絶縁層から容易に除去することができる。
【００１５】
そのため、配線回路基板の形成後には、支持基板を、簡便かつ短時間で除去することができる。また、支持基板を再利用できるので、製造コストの低減を図ることもできる。
【００１６】
その結果、導体パターンの精密な配置と、支持基板の再利用とを同時に達成することができ、さらには、支持基板を、簡便かつ短時間で除去して、製造コストの低減を図ることができる。
【００１７】
また、接合工程では、レーザー光の照射により発生する熱によって、絶縁層および／または支持基板が、寸法変化などの変形を生じる場合がある。
【００１８】
しかし、本発明では、絶縁層における支持基板との接触面を予め活性化処理し、その後、接合工程を実施する。そのため、接合工程では、活性化処理された絶縁層の接触面を、低い出力のレーザー光で、支持基板と接合することができる。
【００１９】
そのため、レーザー光により生じる熱の発生を低減させることができる。
【００２０】
その結果、絶縁層および／または支持基板の変形を有効に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
図１は、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態を示す工程図を示し、図２は、後述する支持基板とベース絶縁層との接合を説明するための斜視図を示し、図３は、接合工程の長手方向に沿う断面図を示し、図４は、剥離工程の長手方向に沿う断面図を示す。
【００２２】
この配線回路基板１の製造方法では、以下で説明する各工程をロールトゥロール方式により実施する。
【００２３】
この方法では、図１（ａ）の下側図に示すように、まず、支持基板２を用意する。
【００２４】
支持基板２は、長手方向（ロールトゥロール方式における搬送方向、図２の矢印参照）に沿って延びる平帯シート状に形成されている。
【００２５】
支持基板２は、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅金属などの金属、例えば、ガラス、例えば、セラミックス、例えば、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミドなどの耐熱性樹脂などから形成されている。支持基板２は、好ましくは、金属から金属基板として形成されている。支持基板２が金属基板として形成される場合には、接合工程（後述）において、レーザー光９による照射によっても、支持基板２の寸法変化などの変形を生じにくく、ベース絶縁層３を確実に支持することができる。
【００２６】
また、支持基板２の表面（上面）には、レーザー光９（図２参照）からの吸収性を向上させるべく、例えば、フタロシアニン系染料などの光吸収剤を塗布してもよい。光吸収剤の塗布方法としては、例えば、インクジェットプリンタ、ニードルチップディスペンサー、スタンプスプレー、スクリーン印刷などが用いられる。また、光吸収剤は、支持基板２の表面全面あるいは表面の一部に塗布される。
【００２７】
支持基板２の厚みは、例えば、１μｍ以上２ｍｍ以下、好ましくは、１０μｍ以上２００μｍ以下である。
【００２８】
また、この方法では、図１（ａ）の上側図に示すように、別途、絶縁層としてのベース絶縁層３を用意する。
【００２９】
ベース絶縁層３は、長手方向に沿って延び、支持基板２の外形形状に対応する平帯シート状に形成されている。
【００３０】
ベース絶縁層３は、例えば、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド、アクリル（ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）など）などの熱硬化性樹脂、例えば、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、トリアセチルセルロール（ＴＡＣ）、ポリエチレン（ＰＥ）などの熱可塑性樹脂などの絶縁材料から形成されている。好ましくは、ポリイミドから形成されている。
【００３１】
ベース絶縁層３がポリイミドから形成されていれば、活性化処理工程（後述）においてベース絶縁層３の表面をより一層活性化することができる。
【００３２】
なお、ポリイミドは、吸湿して膨張し易いので、接合工程（後述）における吸湿によって配線回路基板１が撓むことを防止するために、接合工程前にベース絶縁層３を予め吸湿させることもできる。
【００３３】
また、ベース絶縁層３には、レーザー光９（図２参照）の光吸収性を制御する目的で、染料または顔料などを含ませることもできる。
【００３４】
さらに、ベース絶縁層３は、全芳香族ポリアミド不織布などから形成されていてもよい。
【００３５】
ベース絶縁層３の厚みは、例えば、１μｍ以上２ｍｍ以下、好ましくは、１０μｍ以上２００μｍ以下である。
【００３６】
次いで、この方法では、図１（ａ）の上側図の矢印で示すように、ベース絶縁層３の表面を予め活性化処理する（活性化処理工程）。具体的には、ベース絶縁層３における、支持基板２との接触面（支持基板２と接触する面）である下面（裏面）と、支持基板２との非接触面（支持基板２と接触しない面）である上面（表面）との両面を、次の積層工程の前に予め活性化処理する。
【００３７】
活性化処理としては、例えば、プラズマ処理、コロナ処理、紫外線照射処理などが用いられる。
【００３８】
プラズマ処理では、例えば、常圧（大気圧）プラズマ処理装置や低圧（真空）プラズマ処理装置などの、公知のプラズマ処理装置が用いられる。好ましくは、装置(チャンバー)内を減圧する必要がなく、活性化処理工程をロールトゥロール方式により簡単に実施する観点から、常圧プラズマ処理装置が用いられる。
【００３９】
常圧プラズマ処理装置は、図示しないが、チャンバーと、そのチャンバー内において、交流電源に接続される平板状の放電電極と、放電電極と間隔を隔てて対向配置され、接地されている平板状の接地電極とを備えている。
【００４０】
処理ガスとしては、例えば、酸素、オゾン、水などの酸素系ガス、例えば、窒素、アンモニアなどの窒素系ガス、例えば、一酸化硫黄（ＳＯ）、二酸化硫黄（ＳＯ）などの硫黄系ガス、例えば、これらの混合ガスなどが用いられる。好ましくは、酸素、窒素、または、それらの混合ガスが用いられる。
【００４１】
交流電源が印加する電圧（交流電圧）は、例えば、パルス電圧であって、具体的には、方形波形のパルス電圧である。交流電圧は、その周波数が、例えば、０．５〜１００ｋＨｚ（１／ｋｓ）、パルス立ち上がり時間が、例えば、５〜１００μｓ、パルス継続時間が、例えば、１〜１０００μｓである。また、最大電圧が、例えば、１０Ｖ〜２０ｋＶである。
【００４２】
また、プラズマの出力密度は、例えば、０．１〜２０Ｗ／ｃｍ２である。
【００４３】
常圧プラズマ処理装置は、一般に市販されているものを用いることができ、具体的には、ＡＰ−Ｔシリーズ（積水化学社製）などが用いられる。
【００４４】
プラズマ処理装置では、チャンバー内に処理ガスを常に供給しながら、交流電源から交流電圧を印加することにより、放電電極と接地電極との間にグロー放電プラズマを発生させる。
【００４５】
ベース絶縁層３の表面をプラズマ処理するには、プラズマ処理装置のチャンバー内において、グロー放電プラズマが発生している放電電極および接地電極間に、ベース絶縁層３を介在させながら通過させる。
【００４６】
コロナ処理では、例えば、公知のコロナ処理装置が用いられる。コロナ処理装置は、例えば、図示しないが、チャンバーと、そのチャンバー内において、直流電源に接続される針状の放電電極と、放電電極と間隔を隔てて対向配置される接地電極とを備えている。
【００４７】
放電電極および接地電極は、上記と同様の金属から形成されている。処理ガスとしては、例えば、上記と同様のガスが用いられる。また、直流電源が印加する電源（直流電圧）は、例えば、５〜２５ｋＶである。また、コロナの出力密度は、例えば、１〜５００Ｗ／ｃｍ２である。
【００４８】
コロナ処理装置では、チャンバー内に処理ガスを常に供給しながら、直流電源から直流電圧を印加することにより、放電電極と接地電極との間に、コロナ放電を発生させる。
【００４９】
ベース絶縁層３の表面をコロナ処理するには、コロナ処理装置のチャンバー内において、グロー放電プラズマが発生している放電電極および接地電極間に、ベース絶縁層３を介在させながら通過させる。
【００５０】
紫外線照射処理では、例えば、図示しないが、公知の紫外線照射装置において、紫外線、具体的には、波長１〜４００ｎｍ、好ましくは、１〜３００ｎｍの紫外線を、ベース絶縁層３の表面に照射する。紫外線照射装置は、ベース絶縁層３における線量が、１０〜１０００Ｊ／ｍ２となるように、設定される。
【００５１】
これら活性化処理は、単独処理または併用処理することができる。
【００５２】
活性化処理として、好ましくは、プラズマ処理が用いられる。
【００５３】
次いで、この方法では、図１（ｂ）に示すように、活性化処理されたベース絶縁層３を、支持基板２の上に積層する。
【００５４】
活性化処理されたベース絶縁層３を支持基板２の上に積層するには、図３が参照されるように、ベース絶縁層３および支持基板２がそれぞれ巻回された各送出ロール（図示せず）から第１ロール１０に向けてそれぞれを送り出し、第１ロール１０において、それらを厚み方向上側に向かって支持基板２およびベース絶縁層３の順序で重ね合わせる。これにより、ベース絶縁層３および支持基板２は、図２が参照されるように、それらの幅方向（長手方向に直交する方向）両端縁が、平面視（厚み方向にみたとき）において同一位置に配置される、２層シート１９となる。
【００５５】
次に、図１（ｃ）に示すように、活性化処理されたベース絶縁層３の下面と支持基板２の上面とをレーザー光９を用いて接合する。
【００５６】
詳しくは、図２および図３に示す接合装置３０によって、活性化処理されたベース絶縁層３の下面および支持基板２の上面を接合する。
【００５７】
図３において、接合装置３０は、搬送部６と、支持部７と、照射部８とを備えている。
【００５８】
搬送部６は、支持部７の搬送方向両側に設けられており、第１ロール１０と第２ロール１１とを備えている。
【００５９】
第１ロール１０は、搬送部６の搬送方向上流側（以下、単に上流側と省略する。）に配置され、軸心が幅方向に沿って延びるように配置されている。また、第１ロール１０は、接合工程前の２層シート１９を支持部７に送り出すように回転される。
【００６０】
第２ロール１１は、搬送部６の搬送方向下流側（以下、単に下流側と省略する。）に配置され、軸心が幅方向に沿って延びるように配置されている。また、第２ロール１１は、接合工程後の２層シート１９を支持部７から引き出すように回転される。
【００６１】
支持部７は、搬送方向において、第１ロール１０と第２ロール１１との間に配置されており、２層シート１９を支持するために設けられている。また、支持部７は、図２に示すように、搬送方向に沿って延びるように配置されている。また、支持部７は、厚み方向において投影したとき、幅方向において２層シート１９を含むように形成されている。支持部７は、ステージ１２と加圧板１３とを備えている。
【００６２】
ステージ１２は、支持部７の下側に配置され、具体的には、図２および図３に示すように、その上面が、第１ロール１０の上端部と、第２ロール１１の上端部と略同一平面上となる、平面視略矩形平板形状に形成されている。
【００６３】
ステージ１２は、例えば、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、液晶ポリマーなどの耐熱性ポリマー、耐熱性不織布、ガラス、金属、セラミックスなどから形成されている。ステージ１２は、レーザー光９の照射によって支持基板２に発生する熱が逃げることを防止すべく、好ましくは、断熱性の高い材料から形成される。このような材料は、その熱伝導率が、２０Ｗ／ｍ／Ｋ以下、好ましくは、１０Ｗ／ｍ／Ｋ以下、さらに好ましくは、１Ｗ／ｍ／Ｋ以下、通常、０．００５Ｗ／ｍ／Ｋ以上である。
【００６４】
加圧板１３は、レーザー光９を高い透過率で透過させる透明材料から形成され、例えば、ＰＭＭＡから形成されている。
【００６５】
また、加圧板１３は、支持部７の上側において、ステージ１２と厚み方向において対向配置されており、具体的には、ステージ１２の上面と上側に間隔を隔てて配置されている。また、加圧板１３は、ステージ１２とほぼ同じ大きさの平面視略矩形平板形状に形成されている。
【００６６】
また、加圧板１３は、ステージ１２の上側において、上下移動可能に設けられており、具体的には、接合工程前の２層シート１９がステージ１２の上面に搬送されているときには、図３の仮想線で示すように、２層シート１９と上側に間隔を隔てた位置（上側位置）に位置する。また、加圧板１３は、２層シート１９の接合工程時には、図３の実線で示すように、２層シート１９を下側に加圧（押圧）できる位置（下側位置）に位置する。さらに、加圧板１３は、接合工程後の２層シート１９がステージ１２の上面から搬送されているときには、仮想線で示す上側位置に位置する。
【００６７】
照射部８は、レーザー光９を２層シート１９に照射するために設けられており、支持部７の上側に間隔を隔てて対向配置されている。照射部８は、第１照射部１４と第２照射部１５とを備えている。
【００６８】
第１照射部１４および第２照射部１５は、図２に示すように、幅方向に互いに間隔を隔てて配置されており、第１照射部１４および第２照射部１５から照射されるレーザー光９が、２層シート１９の幅方向両端部にそれぞれ照射されるように形成されている。
【００６９】
第１照射部１４および第２照射部１５は、ともに同一種類のレーザー発振器を備えており、このようなレーザー発振器は、可視光領域および赤外線領域に吸収波長を有するレーザー光９を照射でき、具体的には、例えば、半導体レーザー、例えば、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）レーザーなどの固体レーザー、例えば、炭酸ガス（ＣＯ２）レーザーなどの気体レーザー、例えば、ファイバーレーザーなどが用いられる。好ましくは、安価で均一なレーザー光（レーザービーム）９を容易に得る観点から、半導体レーザーやファイバーレーザーが用いられる。
【００７０】
また、レーザー光９のパルス幅をフェムト秒（１０−１５秒）やピコ秒（１０−１２秒）オーダーに設定して発振させる、フェムト秒レーザーやピコ秒レーザーを用いることもできる。また、レーザー光９としては、例えば、ＣＷレーザー（連続波レーザー）やパルスレーザー（断続波レーザー）が用いられ、好ましくは、ＣＷレーザーが用いられる。ＣＷレーザーであれば、瞬間的に高いエネルギーが支持基板２やベース絶縁層３にかかることを防止して、支持基板２やベース絶縁層３の分解を防止しつつ、加熱による溶融を促進させることができる。
【００７１】
レーザー光９の波長は、支持基板２およびベース絶縁層３の光吸収率や光透過率などにより適宜設定され、例えば、ベース絶縁層３に対する光透過率が３０％以上で、支持基板２に対する光吸収率が２０％以上となるような波長、好ましくは、ベース絶縁層３に対する光透過率が５０％以上で、支持基板２に対する光吸収率が４０％以上となるような波長、さらに好ましくは、ベース絶縁層３に対する光透過率が７０％以上で、支持基板２に対する光吸収率が６０％以上となるような波長が選択される。具体的には、レーザー光９の波長は、例えば、１００〜１０６００ｎｍ、好ましくは、４００〜２５００ｎｍ、さらに好ましくは、５００〜１５００ｎｍである。
【００７２】
また、レーザー光９の出力は、例えば、５〜５００Ｗ、好ましくは、１０〜１００Ｗ、さらに好ましくは、２０〜７０Ｗである。
【００７３】
また、レーザー光９のレーザービーム径は、例えば、０．１〜１０ｍｍ、好ましくは、０．５〜５ｍｍである。
【００７４】
そして、上記した接合装置３０によって、活性化処理されたベース絶縁層３の下面および支持基板２の上面を接合するには、まず、図２および図３に示すように、接合装置３０の第１ロール１０において、２層シート１９として積層された支持基板２およびベース絶縁層３を、ステージ１２の上面に向けて搬送する。なお、このとき、加圧板１３は、仮想線で示す上側位置に予め位置している。
【００７５】
次いで、加圧板１３を、下側位置に移動させることにより、２層シート１９を加圧板１３とステージ１２とにより厚み方向において挟み込み、これにより、２層シート１９を厚み方向において加圧する。なお、この挟み込みにより、２層シート１９は、搬送方向において搬送されることなく、接合工程の間、固定される。
【００７６】
加圧条件は、例えば、９．８〜９８００ｋＰａ、好ましくは、９８〜９８０ｋＰａである。
【００７７】
なお、２層シート１９の接合工程前に、２層シート１９を予備的に加熱（予備加熱）すべく、ステージ１２を、例えば、５０〜３５０℃に加熱することができる。あるいは、接合時における支持基板２の熱による損傷（ダメージ）を抑制すべく、ステージ１２を、例えば、−５０〜２０℃に冷却することもできる。
【００７８】
次に、照射部８によってレーザー光９を２層シート１９に向けて照射する。具体的には、第１照射部１４および第２照射部１５からレーザー光９を、２層シート１９の幅方向両端部に向けてそれぞれ照射する。レーザー光９の２層シート１９への照射では、レーザー光９を搬送方向に沿ってステージ１２の上流側端部から下流側端部まで走査させる。つまり、レーザー光９をステージ１２、２層シート１９および加圧板１３に対して搬送方向に相対移動させる。
【００７９】
これにより、支持基板２とベース絶縁層３との界面において、レーザー光９が吸収される。とりわけ、支持基板２が、金属基板である場合には、ベース絶縁層３が、レーザー光９を、直接、あるいは、支持基板２で反射された反射光として吸収する。これにより、ベース絶縁層３（および支持基板２の上面）において、レーザー光９が吸収される部分が加熱されて溶融される。これと同時に、ベース絶縁層３が支持基板２に熱融着する。これにより、図１（ｃ）に示すように、支持基板２の上面と活性化処理されたベース絶縁層３の下面とがそれらの幅方向両端部において接合される。なお、支持基板２とベース絶縁層３とが接合される部分が、接合部１６とされる。
【００８０】
次いで、図３の仮想線で示すように、加圧板１３を上側位置へ移動させることにより、２層シート１９の挟み込み（加圧状態）を解除して、その後、搬送部６の搬送により、接合後の２層シート１９を、第２ロール１１で引き出し、接合工程前の２層シート１９をステージ１２と加圧板１３との間に配置させる。その後、加圧板１３を下側位置へ移動させ、上記と同様にレーザー光９を照射する。その後、加圧板１３を再度上側位置へ移動させる。接合装置３０では、このような動作が繰り返されて、２層シート１９には、搬送方向に連続した接合部１６が形成される。
【００８１】
そして、接合部１６が形成された２層シート１９は、続いて、図示しない巻取ロールに巻き取られる。
【００８２】
なお、接合工程後のベース絶縁層と支持基板との密着力は、例えば、０．０１〜１Ｎ／ｍｍ、好ましくは、０．０５〜０．５Ｎ／ｍｍである。
【００８３】
次いで、この方法では、図１（ｄ）に示すように、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４を形成する。
【００８４】
導体パターン４は、例えば、長手方向に延びる複数（４本）の配線２４と、各配線２４における長手方向両端部に形成される端子部（図示せず）とを一体的に連続して備える配線回路パターンとして形成されている。配線２４は、幅方向において互いに間隔を隔てて並列配置されている。
【００８５】
導体パターン４は、例えば、銅、ニッケル、金、またはこれらの合金などの導体材料から形成されている。好ましくは、銅から形成されている。導体パターン４の厚みは、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。
【００８６】
導体パターン４は、例えば、アディティブ法やサブトラクティブ法などの公知のパターンニング法によって、形成する。好ましくは、アディティブ法により形成する。
【００８７】
次いで、この方法では、図１（ｅ）に示すように、カバー絶縁層５を、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４を被覆するように形成する。具体的には、カバー絶縁層５を、配線２４を被覆し、端子部を露出するパターンで形成する。
【００８８】
カバー絶縁層５は、上記したベース絶縁層３と同様の絶縁材料から形成されている。カバー絶縁層５の厚みは、例えば、２〜５０μｍ、好ましくは、５〜３０μｍである。
【００８９】
カバー絶縁層５の形成は、例えば、予め合成樹脂のシート（フィルム）として用意して、積層接着するか、あるいは、導体パターン４を含むベース絶縁層３の上に、感光性の合成樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、露光後現像して上記したパターンに加工し、必要により硬化させる。
【００９０】
これにより、支持基板２の上に、ベース絶縁層３、導体パターン４およびカバー絶縁層５を備える配線回路基板１を形成する。つまり、配線回路基板１は、支持基板２に支持された多層シート２０として形成される。
【００９１】
その後、図１（ｆ）に示すように、支持基板２を、配線回路基板１から除去する。
【００９２】
支持基板２を配線回路基板１から除去するには、例えば、図４に示す剥離装置２７を用いて、支持基板２を配線回路基板１から剥離する。
【００９３】
図４において、剥離装置２７は、剥離部１８と、照射部８とを備えている。
【００９４】
剥離部１８は、剥離ロール２８と、第３ロール２９とを備えている。
【００９５】
剥離ロール２８は、多層シート２０が、剥離ロール２８の表面に沿って張設されるように配置されている。
【００９６】
また、第３ロール２９は、剥離ロール２９の上流側において、剥離ロール２８と間隔を隔てて配置されている。第３ロール２９は、多層シート２０が剥離ロール２８において張設されるように配置されている。
【００９７】
これにより、第３ロール２９は、多層シート２０の一方側面（配線回路基板１の表面）と接触し、剥離ロール２８は、多層シート２０の他方側面（支持基板２の裏面）と接触する。つまり、多層シート２０は、搬送方向において、第３ロール２９と剥離ロール２８とにわたって、断面略Ｓ字形状に掛け渡されている。
【００９８】
また、剥離ロール２８の下流側には、剥離した支持基板２を回収するための回収ロール（図示せず）と、製品として得られる配線回路基板１を巻き取るための巻取ロール（図示せず）とが設けられている。回収ロールと、巻取ロールとは、レーザー光９が照射された多層シート２０において、配線回路基板１から支持基板２を引き剥がすべく、互いに間隔を隔てて配置されている。
【００９９】
照射部８は、上記した接合装置３０の照射部８と同様であって、詳しくは、レーザー光９を、剥離ロール２８の表面に配置された多層シート２０に照射できるように剥離ロール２８に対向配置されている。
【０１００】
そして、剥離装置２７では、剥離ロール２８の表面に多層シート２０が張設され、続いて、剥離ロール２８の表面に配置された多層シート２０の接合部１６（図２および図３参照）に、照射部８からレーザー光９を照射する。これにより、接合部１６が加熱され、接合部１６が溶融する。その後、剥離ロール２８の回転により、多層シート２０の照射部分が剥離ロール２８から離れると、回収ロールと巻取ロールとの引張力により、支持基板２が、配線回路基板１から引き剥がされながら、支持基板２が回収ロールに回収されるとともに、配線回路基板１が巻取ロールに巻き取られる。
【０１０１】
なお、支持基板２の剥離における剥離強度は、例えば、０．０１〜５Ｎ／ｍｍ、好ましくは、０．０５〜２Ｎ／ｍｍである。
【０１０２】
その後、回収された支持基板２には、再度、新たに搬送されるベース絶縁層３が積層され、繰り返し使用（再利用）される。
【０１０３】
これにより、配線回路基板１を得ることができる。
【０１０４】
そして、この方法では、配線回路基板１を形成する工程は、支持基板２とベース絶縁層３とをレーザー光９を用いて接合する工程を備えている。そのため、これらを簡便に接合することができる。そして、支持基板２により支持されたベース絶縁層３の上に、導体パターン４を形成することができるので、導体パターン４の精密な配置を確保することができる。
【０１０５】
しかも、レーザー光９を用いて、支持基板２とベース絶縁層３とを接合するので、配線回路基板１の形成後には、支持基板２をベース絶縁層３から容易に除去することができる。また、レーザー光９を用いるので、支持基板２およびベース絶縁層３の界面を選択的に発熱させることができ、２層シート１９の熱による損傷を抑制することができる。
【０１０６】
また、配線回路基板１の形成後には、支持基板２とベース絶縁層３との接合部１６をレーザー光９を用いて加熱するので、接合部１６を再溶融させて、接合部１６の接合強度を低下させることができる。そのため、支持基板２をベース絶縁層３から容易に剥離して、支持基板２を簡便に回収することができる。
【０１０７】
そのため、配線回路基板１の形成後には、支持基板２を、簡便かつ短時間で除去することができる。
【０１０８】
また、支持基板２を再利用できるので、製造コストの低減を図ることもできる。
【０１０９】
その結果、導体パターン４の精密な配置と、支持基板２の再利用とを同時に達成することができ、さらには、支持基板２を、簡便かつ短時間で除去して、製造コストの低減を図ることができる。
【０１１０】
また、接合工程では、レーザー光９の照射により発生する熱によって、支持基板２およびベース絶縁層３が、寸法変化などの変形を生じる場合がある。とりわけ、支持基板２が金属基板として形成され、ベース絶縁層３がポリイミドがからなる場合には、ベース絶縁層３の変形を生じる場合がある。
【０１１１】
しかし、この方法では、ベース絶縁層３の下面を予め活性化処理し、その後、接合工程を実施する。そのため、接合工程では、活性化されたベース絶縁層３の下面を、低い出力のレーザー光で、支持基板２と接合することができる。
【０１１２】
そのため、レーザー光９により生じる熱の発生を低減させることができる。
【０１１３】
その結果、ベース絶縁層３の変形を有効に防止することができる。
【０１１４】
なお、上記した説明では、ベース絶縁層３の両面（上面および下面）を活性化処理したが、例えば、ベース絶縁層３の下面のみを活性化処理することもできる。
【０１１５】
また、上記した説明では、剥離装置２７に照射部８を設け、照射部８のレーザー光９を用いて、多層シート２０の接合部１６を加熱したが、例えば、図示しないが、照射部８を設けることなく、剥離ロール２８を、ヒータなどの加熱手段により加熱し、加熱された剥離ロール２８と接合部１６との接触によって、接合部１６を加熱することもできる。さらには、加熱手段を、剥離ロール２８とは別途設け、これによって、接合部１６の周囲を高温雰囲気下の環境とすることにより、接合部１６を加熱することもできる。
【０１１６】
好ましくは、レーザー光９を用いて接合部１６を加熱する。レーザー光９であれば、簡便かつ確実に接合部１６を加熱することができる。
【０１１７】
また、剥離部１８では、接合部１６を加熱することにより、支持基板２を剥離したが、例えば、図示しないが、接合部１６を加熱することなく、支持基板２を、配線回路基板１を物理的な引張力のみによって引き剥がすこともできる。好ましくは、剥離強度を低減させるべく、接合部１６を加熱する。
【０１１８】
また、上記した説明では、接合工程において、レーザー光９を走査させたが、レーザー光９を固定して、ステージ１２、２層シート１９および加圧板１３を、レーザー光９に対して相対移動させることもできる。好ましくは、レーザー光９を走査させる。これにより、所望の位置に選択的かつ簡便に接合部１６を形成することができる。
【０１１９】
なお、上記した説明では、支持基板２を、１層から形成したが、例えば、材料の種類が異なる２層以上から形成することもできる。例えば、樹脂（ポリイミド）シートおよびその上に積層される金属基板の２層からなる２層基材として形成することもできる。この場合には、レーザー光９によって加熱された接合部１６の熱が、金属基板の裏面側から逃げることを防止（断熱）することができる。さらに、接合装置３０における第１ロール１０および第２ロール１１と、金属基板との間に、樹脂シートが介在されるので、金属基板と、第１ロール１０および第２ロール１１との接触による金属粉（異物）の発生を抑制することができる。
【０１２０】
なお、上記した説明では、支持基板２を平坦状に形成したが、図示しないが、例えば、支持基板２が金属基板である場合において、表面に断面凹凸形状や断面逆Ｌ字形状など適宜の形状に形成することにより、支持基板２とベース絶縁層３とにおけるアンカー効果によって、それらをより強固に接合することができる。なお、支持基板２の表面における形状は、例えば、特開２００６−３４１５１５号公報や特開２００６−１５４０５号公報などの記載に準拠して形成することができる。
【０１２１】
図５〜図１８は、本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態を示し、接合工程の説明図である。なお、上記した各部に対応する部材については、以降の各図面において同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１２２】
上記した図２の説明では、接合装置３０の支持部７において、平板状のステージ１２と平板状の加圧板１３とにより、２層シート１９を加圧したが、例えば、図５に示すように、これらを円柱形状のニップロール２１により、２層シート１９を加圧することもできる。
【０１２３】
ニップロール２１は、２層シート１９を厚み方向に挟む第１ニップロール２２および第２ニップロール２３を備えている。
【０１２４】
第１ニップロール２２は、ニップロール２１において、下側に形成され、軸心が幅方向に延びる円柱形状に形成されている。また、第１ニップロール２２は、駆動力が入力されており、その上面に配置される２層シート１９を下流側に搬送できるように、軸心を中心として自転可能に設けられている。第１ニップロール２２を形成する材料は、ステージ１２の材料と同様である。
【０１２５】
第２ニップロール２３は、第１ニップロール２２と２層シート１９を挟んで対向配置されて、軸心が第１ニップロール２２の軸心に沿って延びる円柱形状に形成されている。また、第２ニップロール２３は、その下面に配置される２層シート１９を下流側に搬送できるように、軸心を中心として回転（従動）可能に設けられている。第２ニップロール２３を形成する材料は、加圧板１３の材料と同様である。
【０１２６】
接合装置３０では、第１ニップロール２２に駆動力が入力されることにより、第１ニップロール２２が自転して、これに従って、第２ニップロール２３が従動する。これにより、２層シート１９を加圧しながら、２層シート１９を搬送する。また、図６が参照されるように、２層シート１９における第１ニップロール２２および第２ニップロール２３により加圧される部分（ニップ部分）に、レーザー光９が第２ニップロール２３を通過して、照射される。
【０１２７】
この方法では、レーザー光９を走査させることなく、レーザー光９を第２ニップロール２３を通して２層シート１９に照射するので、接合部１６を形成しながら、接合された２層シート１９を連続的に搬送することができる。つまり、２層シート１９を支持部７に対して固定することなく、接合できるので、リードタイムを短縮することができる。また、加圧と照射とを同時に実施することができる。
【０１２８】
また、第１ニップロール２２および第２ニップロール２３により、搬送方向において、２層シート１９の一部のみを加圧するので、２層シート１９を効率的に加圧することができる。
【０１２９】
また、図６に示すように、２層シート１９を第１ニップロール２２の表面に張設させることもできる。
【０１３０】
図６において、第１ニップロール２２および第２ニップロール２３の下流側には、テンションロール２６が、それらと間隔を隔てて設けられている。
【０１３１】
これにより、第１ニップロール２２は、２層シート１９の他方側面（支持基板２の裏面）と接触し、テンションロール２６は、２層シート１９の一方側面（ベース絶縁層３の表面（非接触面））と接触する。つまり、２層シート１９は、搬送方向において、第２ニップロール２２とテンションロール２６とにわたって、断面略Ｓ字形状に掛け渡されている。
【０１３２】
また、図７に示すように、第２ニップロール２３に代えて、２つの分離ロール３３を用いることもできる。
【０１３３】
図７において、各分離ロール３３は、上記した第２ニップロール２３の幅方向中央が除去されることにより、互いに独立（分離）して形成される。各分離ロール３３は、２層シート１９の幅方向両端部の上側に対向配置されている。
【０１３４】
２つの分離ロール３３により２層シート１９を加圧すれば、搬送方向および幅方向において、２層シート１９の一部のみを加圧できるので、２層シート１９をより一層効率的に加圧することができる。
【０１３５】
また、図８に示すように、２つの分離ロール３３に代えて、２つのボール１７を用いることもできる。
【０１３６】
各ボール１７は、その最下面が２層シート１９のベース絶縁層３の上面に接触するように設けられている。また、ボール１７の上側は、公知の支持手段により転動自在に支持されている。
【０１３７】
２つのボール１７により２層シート１９を加圧すれば、各ボール１７の球面に対応する２層シート１９の一部のみを加圧するので、２層シート１９をとりわけより一層効率的に加圧することができる。
【０１３８】
また、上記した説明では、加圧板１３（図２）、第２ニップロール２３（図５）、分離ロール３３（図７）、ボール１７（図８）などを設けたが、例えば、図９に示すように、それらを設けることなく、テンションロール２６を用いて、２層シート１９を加圧することもできる。
【０１３９】
図９において、テンションロール２６は、第１テンションロール３１と第２テンションロール３２とを備えている。
【０１４０】
第１テンションロール３１は、図６に示す第１ニップロール２２と同様である。
【０１４１】
第２テンションロール３２は、第１テンションロール３１と下流側に間隔を隔てて設けられ、第１テンションロール３１の表面に沿って張設される２層シート１９を、第１テンションロール３１（の径方向内方）側に向かって付勢するように設けられている。つまり、第２テンションロール３２は、その表面に、２層シート１９のベース絶縁層３が接触するように配置されている。
【０１４２】
テンションロール２６を用いることにより、簡易な構成で２層シート１９を加圧することができる。
【０１４３】
また、図１０に示すように、ガス（アシストガス）３５を用いて、２層シート１９を加圧することもできる。
【０１４４】
図１０において、照射部８には、ガス３５を噴射するためのガスノズル３４が設けられている。
【０１４５】
ガスノズル３４は、第１照射部１４および第２照射部１５に対応して設けられており、ガスノズル３４は、それらの照射口と同軸であって、第１照射部１４および第２照射部１５の照射口の外側において、断面リング形状に形成されている。
【０１４６】
ガスノズル３４から噴射されるガス３５としては、例えば、空気（圧縮エア）、例えば、ヘリウム、ネオン、窒素などの不活性ガスが用いられる。
【０１４７】
噴射圧は、例えば、０．０１ＭＰａ以上５ＭＰａ以下であり、好ましくは、０．１ＭＰａ以上２ＭＰａ以下である。噴射圧が上記範囲に満たない場合には、２層シート１９の接合強度を十分に向上させることができず、レーザー接合を確実に実施できない場合がある。噴射圧が上記範囲を超える場合には、２層シート１９のばたつきにより位置ずれを生じ、レーザー接合を精度よく実施することができない場合がある。
【０１４８】
ガス３５の噴射により２層シート１９を加圧すれば、非接触で２層シート１９を加圧することができる。
【０１４９】
なお、上記した説明では、ガスノズル３４を、第１照射部１４および第２照射部１５の照射口と同軸で形成したが、例えば、それらの下流側あるいは上流側に形成し、ガスノズル３４のノズル口がレーザー光９の照射位置に向かっていればよい。
【０１５０】
また、上記した図６に示す説明では、照射部８の第１照射部１４および第２照射部１５を、第２ニップロール２３の２層シート１９に対する反対側に設けたが、例えば、図１１に示すように、第２ニップロール２３の内部（径方向内側）に設けることもできる。
【０１５１】
また、上記した図６に示す説明では、レーザー光９を、２層シート１９のニップ部分（第１ニップロール２２の表面と第２ニップロール２３の表面との接触部分）に照射したが、例えば、図１２に示すように、ニップ部分の上流側に照射することもできる。
【０１５２】
図１２において、レーザー光９の照射位置は、ベース絶縁層３のニップ部分から上流側に向かって、レーザー光９の照射によって加熱された２層シート１９の温度が下がらない程度の間隔を隔てた位置とされる。
【０１５３】
これにより、レーザー光９の照射位置と加圧位置とを搬送方向において間隔を隔てることにより、レーザー光９の照射と加圧とのタイミングをずらすことができる。
【０１５４】
また、上記した説明では、レーザー光９を、支持基板２の表面（上面）およびベース絶縁層３の表面（上面）から照射したが、例えば、図１３に示すように、支持基板２の表面（上面）およびベース絶縁層３の裏面（下面）に照射することもできる。
【０１５５】
図１３において、第１ニップロール２２および第２ニップロール２３の対向方向において、支持基板２を第１ニップロール２２側からステージ１２（図３参照）に送り出し、ベース絶縁層３を第２ニップロール２３側からステージ１２に送り出す。そして、照射部８は、第１ニップロール２２および第２ニップロール２３に送り出される前の支持基板２とベース絶縁層３との間に、それらと互いに間隔を隔てて対向配置され、レーザー光９を、ニップ部分を含み、重ね合わされる直前の支持基板２とベース絶縁層３とに照射する。なお、この方法は、例えば、特開平４−２４９１３４号公報の記載に準拠して実施される。
【０１５６】
この方法では、積層方向（厚み方向）における支持基板２とベース絶縁層３との積層順序にかかわらず、それらを均一に照射できる。
【０１５７】
また、図１４に示すように、接合工程において、ベース絶縁層３の表面に、耐熱性樹脂シート３６を積層することもできる。
【０１５８】
耐熱性樹脂シート３６は、ベース絶縁層３と略同一形状であって、支持基板２およびベース絶縁層３の密着性を高めて、これにより、レーザー接合性を向上させるために設けられる。
【０１５９】
耐熱性樹脂シート３６は、そのガラス転移点（Ｔｇ）が、例えば、２００℃以上、好ましくは、２５０℃以上、通常、５００℃以下である。あるいは、ガラス転移点を有していない耐熱性樹脂から形成されていてもよい。具体的には、耐熱性樹脂シート３６として、例えば、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミドなどが用いられる。
【０１６０】
耐熱性樹脂シート３６の厚みは、レーザー光９の照射時の熱応力を抑制する観点から、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２５μｍ以上であり、ロールトゥロールにおける搬送性の観点から、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１５０μｍ以下である。
【０１６１】
そして、耐熱性樹脂シート３６は、第１テンションロール３１において、ベース絶縁層３の表面に積層され、レーザー光９が照射された後、第２テンションロール３２（剥離ロール２８）において、ベース絶縁層３から剥離される。
【０１６２】
また、図１５に示すように、支持基板２およびベース絶縁層３の厚み方向における位置を反転させることもできる。
【０１６３】
図１５において、接合装置３０において、ベース絶縁層３の表面（接触面）に支持基板２が積層される。そして、レーザー光９が支持基板２に直接照射される。
【０１６４】
支持基板２が金属基板である場合には、支持基板２がレーザー光９を吸収して、その表面が発熱し、発生した熱が支持基板２からベース絶縁層３に伝導される。これによって、ベース絶縁層３の溶融を促進させることができる。
【０１６５】
また、上記した説明では、レーザー光９を、２層シート１９の幅方向両端部のみを照射したが、例えば、図示しないが、幅方向全体を照射することもできる。あるいは、図１６に示すように、幅方向両端部および幅方向中央部（幅方向途中）を照射することもできる。
【０１６６】
図１６では、３本のレーザー光９によって、幅方向に間隔を隔てて配置された３本の接合部１６が、長手方向に延びる筋状に形成される。
【０１６７】
また、図１７に示すように、幅方向途中に、複数の接合部１６を、長手方向にわたって断続的に形成することもできる。図１７において、ガルバノスキャナー３７を備える照射部８によって、２層シート１９の幅方向途中に、レーザー光９を照射する。これにより、１台のガルバノスキャナー３７により、レーザー光９を高速で照射することができる。
【０１６８】
また、図１８に示すように、幅方向途中における複数の接合部１６に対応する開口部４１を備えるフォトマスク４０を用いて、レーザー光９を一度でかつ無走査で照射することもできる。
【実施例】
【０１６９】
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何らそれらに限定されることはない。
【０１７０】
また、接合工程後のベース絶縁層と支持基板との密着力は、９０℃ピール試験（剥離速度：２５ｍｍ／分）にて評価した。
【０１７１】
また、接合工程後のベース絶縁層の寸法変化率は、仮圧着工程前のカバー絶縁層（絶縁フィルム）において所定間隔を隔てたマークを付けて、仮圧着工程前後のマーク間の間隔を測定することにより評価した。
【０１７２】
実施例１
ステンレスから形成される金属基板（ＳＵＳ３０４、厚み２５μｍ、東洋製箔社製）を用意した（図１（ａ）の下側図参照）。
【０１７３】
また、ポリイミドから形成されるベース絶縁層（商品名：カプトン１５０ＥＮ、厚み３８μｍ、東レデュプン社製）を用意（図１（ａ）の上側図参照）し、用意したベース絶縁層の上面および下面を、常圧プラズマ処理装置にて、活性化処理した（図１（ａ）の上側図の矢印参照）。常圧プラズマ処理装置の条件を以下に記載する。
【０１７４】
常圧プラズマ処理装置 ＡＰ−Ｔ０５−Ｌ１５０、積水化学社製
処理ガス 窒素
処理ガス流量 １０Ｌ／分
周波数 ３０ｋＨｚ
パルス継続時間 ５μｓ
最大電圧 １３．８ｋＶ
プラズマの出力密度 １２Ｗ／ｃｍ２
次いで、金属基板と、活性化処理されたベース絶縁層とを送出ロールから第１ロールに向けて送り出し、第１ロールにおいて、これらを重ね合わせることによって２層シート（接合工程前）とした（図１（ｂ）参照）。
【０１７５】
次いで、２層シートの幅方向両端部において、活性化処理されたベース絶縁層の下面と、金属基板の上面とを、上記した図２および図３の接合装置を用いて、これらをレーザー光によって接合した（図１（ｃ）参照）。レーザー光、搬送速度、加圧条件を以下に記載する。
【０１７６】
レーザー光：半導体レーザー
（波長：９４０ｎｍ）
（出力：２５Ｗ）
（ビームスポット径：２．０ｍｍ）
（走査速度：３０ｍｍ／秒）
（レーザー光の出力密度：７５０Ｗ／ｃｍ２）
加圧条件：１９６０ｋＰａ（２０ｋｇｆ／ｃｍ２）
接合工程後における２層シートの密着力（剥離強度）は、０．１Ｎ／ｍｍであった。また、接合工程後のベース絶縁層の寸法変化率は、極めて低い値となった。
【０１７７】
次いで、厚み２０μｍの配線を備える導体パターンをアディティブ法により形成した（図１（ｄ）参照）。次いで、導体パターンを含むベース絶縁層の上に、感光性のポリアミック酸樹脂のワニスを成膜し、乾燥後、露光後現像して上記したパターンに加工し、硬化させることにより、厚み１０μｍのカバー絶縁層を形成した（図１（ｅ）参照）。これにより、支持基板の上に、配線回路基板を形成することにより、多層シートを得た。
【０１７８】
その後、レーザー光の照射を用いない上記した剥離装置（図４参照）を用いて、支持基板を、ベース絶縁層から物理的な引張力で剥離した（図１（ｆ）参照）。これにより、配線回路基板を得た。なお、剥離強度は、０．２Ｎ／ｍｍ（９０℃ピール試験）であった。
【０１７９】
比較例１
活性化処理工程を実施せず、接合工程において、レーザー光の出力を５０Ｗに変更し、レーザー光の出力密度を７５０Ｗ／ｃｍ２から１５９２Ｗ／ｃｍ２に変更した以外には、実施例１と同様にして、配線回路基板を得た。
【０１８０】
接合工程後における２層シートの密着力（剥離強度）は、０．１Ｎ／ｍｍであった。また、比較例１の接合工程後のベース絶縁層の寸法変化率は、実施例１と比べて、やや高い値となった。また、配線回路基板を得た後における支持基板のベース絶縁層に対する剥離強度は、０．１８Ｎ／ｍｍ（９０℃ピール試験）であった。
【０１８１】
比較例１では、ベース絶縁層と支持基板との密着力を、実施例１と同一の値にするために、レーザー光の出力２５Ｗ高くする必要があった。
【表１】
【図面の簡単な説明】
【０１８２】
【図１】本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態を示す工程図であって、（ａ）は、支持基板とベース絶縁層とをそれぞれ用意し、ベース絶縁層の表面を活性化処理する工程、（ｂ）は、活性化処理されたベース絶縁層を、支持基板の上に積層する工程、（ｃ）は、支持基板の上面と活性化処理されたベース絶縁層の下面とをレーザー光を用いて接合する工程、（ｄ）は、ベース絶縁層の上に、導体パターンを形成する工程、（ｅ）は、カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に、導体パターンを被覆するように形成する工程、（ｆ）は、支持基板を、配線回路基板から除去する工程を示す。
【図２】支持基板とベース絶縁層との接合を説明するための斜視図を示す。
【図３】接合工程の長手方向に沿う断面図を示す。
【図４】剥離工程の長手方向に沿う断面図を示す。
【図５】本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態であって、２層基材がニップロールで加圧される態様の斜視図を示す。
【図６】接合工程の長手方向に沿う断面図を示す。
【図７】本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態であって、２層基材が２つの分離ロールで加圧される態様の斜視図を示す。
【図８】本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態であって、２層基材が２つのボールで加圧される態様の斜視図を示す。
【図９】本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態であって、２層基材がテンションロールで加圧される態様の長手方向に沿う断面図を示す。
【図１０】本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態であって、２層基材がガスで加圧される態様の斜視図を示す。
【図１１】本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態であって、照射部が第２ニップロールの内部に配置される態様の長手方向に沿う断面図を示す。
【図１２】本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態であって、照射位置と加圧位置とがずる態様の長手方向に沿う断面図を示す。
【図１３】本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態であって、レーザー光が支持基板の表面およびベース絶縁層の裏面を照射する態様の長手方向に沿う断面図を示す。
【図１４】本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態であって、ベース絶縁層の表面に、耐熱性樹脂シートが積層される態様の長手方向に沿う断面図を示す。
【図１５】本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態であって、ベース絶縁層の表面に、支持基板が積層される態様の長手方向に沿う断面図を示す。
【図１６】本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態であって、レーザー光が２層シートの幅方向両端部および幅方向中央部を照射する態様の斜視図である。
【図１７】本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態であって、ガルバノスキャナーを備える照射部によって、レーザー光を照射する態様の斜視図である。
【図１８】本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態であって、フォトマスクを用いて、レーザー光を照射する態様の斜視図である。
【符号の説明】
【０１８３】
１ 配線回路基板
２ 支持基板
３ ベース絶縁層
９ レーザー光
１６ 接合部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板を用意する工程、
前記支持基板の上に、絶縁層および前記絶縁層の上に形成される導体パターンを備える配線回路基板を形成する工程、および、
前記配線回路基板の形成後、前記支持基板を除去する工程を備え、
前記配線回路基板を形成する工程は、
前記絶縁層を用意する工程、
前記絶縁層における前記支持基板との接触面を予め活性化処理する活性化処理工程、および、
前記支持基板と、活性化処理された前記絶縁層の前記接触面とをレーザー光を用いて接合する接合工程を備えることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記活性化処理が、プラズマ処理、コロナ処理および紫外線照射処理からなる群から選択される少なくとも１つの活性化処理であることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁層が、ポリイミドから形成されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記支持基板が、金属基板であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記支持基板を除去する工程では、前記支持基板と前記絶縁層との接合部を加熱することを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記接合部をレーザー光を用いて加熱することを特徴とする、請求項５に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項１】
支持基板を用意する工程、
前記支持基板の上に、絶縁層および前記絶縁層の上に形成される導体パターンを備える配線回路基板を形成する工程、および、
前記配線回路基板の形成後、前記支持基板を除去する工程を備え、
前記配線回路基板を形成する工程は、
前記絶縁層を用意する工程、
前記絶縁層における前記支持基板との接触面を予め活性化処理する活性化処理工程、および、
前記支持基板と、活性化処理された前記絶縁層の前記接触面とをレーザー光を用いて接合する接合工程を備えることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記活性化処理が、プラズマ処理、コロナ処理および紫外線照射処理からなる群から選択される少なくとも１つの活性化処理であることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁層が、ポリイミドから形成されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記支持基板が、金属基板であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記支持基板を除去する工程では、前記支持基板と前記絶縁層との接合部を加熱することを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記接合部をレーザー光を用いて加熱することを特徴とする、請求項５に記載の配線回路基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【公開番号】特開２０１０−１２９９８２（Ｐ２０１０−１２９９８２Ａ）
【公開日】平成２２年６月１０日（２０１０．６．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−３０６６９１（Ｐ２００８−３０６６９１）
【出願日】平成２０年１２月１日（２００８．１２．１）
【出願人】（０００００３９６４）日東電工株式会社 (5,557)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年６月１０日（２０１０．６．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１２月１日（２００８．１２．１）
【出願人】（０００００３９６４）日東電工株式会社 (5,557)
【Ｆターム（参考）】
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