配線基板およびその製造方法

【課題】電気検査用のプローブを半導体素子接続パッドに良好に接触させることが可能であるとともに、半導体素子の電極と半導体素子接続パッドとを良好に接続することが可能であり、かつ配線導体と保護用の樹脂層とが強固に密着し、両者間に剥がれが発生することが有効に防止された配線基板を提供すること。
【解決手段】絶縁基板１の上面に複数の半導体素子接続パッド６を含む配線導体３が埋入されているとともに絶縁基板１の上面および配線導体３上に半導体素子接続パッド６およびその周囲の絶縁基板１を露出させる樹脂層４が被着されて成る配線基板であって、配線導体３は樹脂層４の絶縁基板１側の面にセミアディティブ法により被着形成されたものであり、樹脂層４およびその下の絶縁層２の一部が半導体素子接続パッド６の上面より低い位置まで除去されて半導体素子接続パッド６およびその周囲の絶縁基板１が露出している。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子等を搭載するために用いられる配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子を搭載するための配線基板を製造する方法として、剛性を有する平坦な支持基板上に金属箔を剥離可能に支持するとともにその金属箔上に絶縁層と導体層とを交互に積層して金属箔を含む配線基板用の積層体を形成した後、その積層体を支持基板と金属箔の間から剥離することにより支持基板から分離し、しかる後、金属箔をサブトラクティブ法によりエッチングして半導体素子の電極に接続される半導体素子接続パッドを含む配線導体を形成し、最後に積層体の表面に半導体素子接続パッドを露出させる開口部を有する保護用の樹脂層であるソルダーレジスト層を被着させることにより多層で薄型の配線基板を製造する方法が知られている。あるいは、支持基板上に支持された金属箔の表面に半導体素子の電極に接続される半導体素子接続パッドを含む配線導体をセミアディティブ法により形成し、次にその上に絶縁層と導体層とを交互に積層して金属箔を含む積層体を形成した後、その積層体を支持基板と金属箔の間から剥離することにより支持基板から分離し、しかる後、金属箔を全面エッチング除去し、最後に積層体の表面に半導体素子接続パッドを露出させる開口部を有する保護用の樹脂層であるソルダーレジスト層を被着させることにより多層で薄型の配線基板を製造する方法が知られている。
【０００３】
しかしながら、初めに述べた方法によると、半導体素子接続パッドを含む配線導体がサブトラクティブ法により形成されるため、例えば幅および間隔が３０μｍ以下の微細な半導体素子接続パッドを含む配線導体を形成することが困難である。また、後から述べた方法によると、半導体素子接続パッドを含む配線導体はセミアディティブ法で形成されるため、幅および間隔が例えば２０μｍ以下の微細な半導体素子接続パッドを含む配線導体を形成することが可能であるが、銅箔をエッチング除去する際にその下の配線導体もエッチングされるので半導体素子接続パッドを含む配線導体がその周囲の絶縁層の表面から凹んでしまうとともに配線導体が不均一にエッチングされて半導体素子接続パッドの高さにばらつきが発生する。半導体素子接続パッドが絶縁層の表面から凹んでいると、例えば電気検査用のプローブを半導体素子接続パッドに接触させることが困難になる。また、半導体素子接続パッドの高さにばらつきがあると、半導体素子接続パッドと半導体素子の電極との接続が困難になる。さらに、配線導体とソルダーレジスト層とは配線導体表面の微細な凹凸にソルダーレジスト層の樹脂がかみ合うアンカー効果によりその密着が保たれており、両者のかみ合いが十分でないと、例えば半導体素子を搭載する際にフラックスを用いて半導体素子の電極と半導体素子接続パッドとを半田接合すると、フラックスがソルダーレジスト層と配線導体との間に滲入して両者間に剥がれが発生することがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２１８４５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の課題は、例えば幅および間隔が２０μｍ以下の微細な半導体素子接続パッドを含む配線が絶縁層の表面から凹むことなく均一な高さで絶縁層表面に埋設されており、それにより電気検査用のプローブを半導体素子接続パッドに良好に接続することが可能であるとともに、半導体素子の電極と半導体素子接続パッドとを良好に接続することが可能であり、かつ配線導体と保護用の樹脂層とが強固に密着し、両者間に剥がれが発生することが有効に防止された配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の配線基板は、樹脂を含有する単層または多層の絶縁層から成る絶縁基板の上面に半導体素子の電極に接続される複数の半導体素子接続パッドを含む配線導体が埋入されているとともに前記絶縁基板の上面および前記配線導体上に前記半導体素子接続パッドおよび該半導体素子接続パッド間の前記絶縁基板を露出させる樹脂層が被着されて成る配線基板であって、前記配線導体は前記樹脂層の前記絶縁基板側の面にセミアディティブ法により被着形成されたものであり、前記樹脂層およびその下の前記絶縁層の一部が前記半導体素子接続パッドの上面より低い位置まで除去されて前記半導体素子接続パッドおよび該半導体素子接続パッド間の前記絶縁基板が露出していることを特徴とするものである。
【０００７】
本発明の配線基板の製造方法は、樹脂層を準備する工程と、前記樹脂層の一方の主面に半導体素子の電極に接続される半導体素子接続パッドを含む配線導体をセミアディティブ法により被着形成する工程と、前記一方の主面および前記配線導体上に樹脂を含有する単層または多層の絶縁層を積層する工程と、前記樹脂層の他方の主面側から該樹脂層の一部をブラスト加工またはレーザ加工により除去して前記半導体素子接続パッドを含む配線導体の一部を露出させる工程とを行なうことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の配線基板によれば、半導体素子接続パッドを含む配線導体はセミアディティブ法により形成されていることから、例えば幅および間隔が２０μｍ以下の微細な半導体素子接続パッドを形成することができる。また、配線基板の上面および配線導体上に被着された樹脂層が半導体素子接続パッドの上面より低い位置まで除去されて半導体素子接続パッドおよびその間の絶縁基板が露出していることから、半導体素子接続パッドがその周囲の絶縁層の表面から高い位置に突出した状態となるので、半導体素子接続パッドに電気検査用のプローブを良好に接触させることができる。また、半導体素子接続パッドの高さが均一となるので、半導体素子の電極と半導体素子接続パッドとを良好に接続することができる。さらに、半導体素子接続パッドを含む配線導体は絶縁基板上の樹脂層における絶縁基板側の面にセミアディティブ法により被着形成されていることから、樹脂層に強固に密着し、樹脂層との間に剥がれが発生することがない。
【０００９】
また、本発明の配線基板の製造方法によれば、半導体素子接続パッドを含む配線導体はセミアディティブ法により形成されることから、例えば幅および間隔が２０μｍ以下の微細な半導体素子接続パッドを形成することができる。また、樹脂層の一部をブラスト加工またはレーザ加工により除去して半導体素子接続パッドを含む配線導体の一部を露出させることから、半導体素子接続パッドがその周囲の絶縁層の表面から高い位置に突出した状態となる。したがって、半導体素子接続パッドに電気検査用のプローブを良好に接触させることが可能な配線基板を提供することができる。また、半導体素子接続パッドの高さが均一となるので、半導体素子の電極と半導体素子接続パッドとを良好に接続することが可能な配線基板を提供することができる。さらに、半導体素子接続パッドを含む配線導体は絶縁基板上の樹脂層における絶縁基板側の面にセミアディティブ法により被着形成されていることから、樹脂層に強固に密着し、樹脂層との間に剥がれが発生することがない。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明の配線基板の実施形態の一例を示す概略断面図である。
【図２】図２は、図１に示す配線基板の要部上面図である。
【図３】図３は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。
【図４】図４は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。
【図５】図５は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。
【図６】図６は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。
【図７】図７は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。
【図８】図８は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。
【図９】図９は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。
【図１０】図１０は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。
【図１１】図１１は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。
【図１２】図１２は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。
【図１３】図１３は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。
【図１４】図１４は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。
【図１５】図１５は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。
【図１６】図１６は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。
【図１７】図１７は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。
【図１８】図１８は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。
【図１９】図１９は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。
【図２０】図２０は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。
【図２１】図２１は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。
【図２２】図２２は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。
【図２３】図２３は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。
【図２４】図２４は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。
【図２５】図２５は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
次に本発明の配線基板の実施形態の一例を添付の図を基に説明する。図１は本発明の配線基板の一例を示しており、１は絶縁基板、２は絶縁層、３は配線導体、４は樹脂層である。複数の絶縁層２が積層されることにより、絶縁基板１が形成されている。
【００１２】
絶縁基板１は、この例では３層の絶縁層２を積層して成る。各絶縁層２は、エポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂中に酸化ケイ素粉末等の無機絶縁性フィラーを分散させた電気絶縁材料から成る。あるいは、ガラスクロスに熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料であってもよい。各絶縁層２の厚みは２５〜６０μｍ程度である。各絶縁層２には、ビアホール５が形成されている。ビアホール５の直径は例えば３０〜１００μｍ程度である。
【００１３】
配線導体３は、絶縁層２および樹脂層４の表面にセミアディティブ法により被着されている。配線導体３は無電解めっき層３ａと電解めっき層３ｂとから形成されており、その厚みは５〜２０μｍ程度である。セミアディティブ法は、絶縁層２や樹脂層４の表面に厚みが０．１〜１μｍ程度の無電解めっき層３ａを被着させ、次にその無電解めっき層３ａの表面に配線導体３に対応した開口パターンを有するめっきレジスト層を被着し、次にめっきレジスト層の開口パターン内に露出した無電解めっき層３ａ上に厚みが５〜２０μｍ程度の電解めっき層３ｂを被着させ、最後にめっきレジスト層を除去した後、電解めっき層３ｂから露出する無電解めっき層３ａをエッチングして除去することにより配線導体３を形成する方法である。セミアディティブ法では、厚みが０．１〜１μｍ程度の無電解めっき層３ａをエッチング除去することで配線導体３を形成できるため、配線導体３のパターン自体が大きくエッチングされることがなく、例えば２０μｍ以下の線幅および間隔の配線導体３を形成することができる。無電解めっき層３ａおよび電解めっき層３ｂとしては、銅めっき層が好適に採用される。
【００１４】
絶縁基板１の上面およびこの上面に被着された配線導体３上には、樹脂層４が被着されている。樹脂層４の厚みは５〜１０μｍ程度である。樹脂層４は、エポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含み、ガラスクロスや感光剤を含まない電気絶縁材料から成る。樹脂層４には、配線導体３の一部を露出させる開口部４ａが形成されている。開口部４ａから露出した配線導体３は、半導体素子の電極に接続される半導体素子接続パッド６を形成している。この半導体素子接続パッド６は、図２に示すように、２０μｍ以下の幅および間隔で多数が横に並んで形成されている。開口部４ａはこれらの複数の半導体素子接続パッド６およびそれらの間の絶縁基板１を露出させるように開口している。この開口部４ａは、樹脂層４の一部をブラスト加工やレーザ加工により取り除くことによって形成されている。
【００１５】
さらに、樹脂層４の上面および絶縁基板１の下面には、ソルダーレジスト層７が被着されている。ソルダーレジスト層７はアクリル変性エポキシ樹脂等の感光性を有する熱硬化性樹脂に酸化ケイ素粉末等の無機絶縁性フィラーを分散させた電気絶縁材料から成る。ソルダーレジスト層７の厚みは１０〜３０μｍ程度である。樹脂層４上のソルダーレジスト層７には、開口部４ａに対応した開口部７ａが形成されている。下面側のソルダーレジスト層７には、絶縁基板１下面に被着した配線導体３の一部を露出させる開口部７ｂが形成されている。開口部７ｂから露出した配線導体３は、外部電気回路基板に接続される外部接続パッド８を形成している。この外部接続パッド８は直径が２５０〜５００μｍ程度であり、多数が格子状の配列に並んで形成されている。
【００１６】
本例の配線基板においては、絶縁基板１の上面に形成された配線導体３は、樹脂層４の絶縁基板１側の面にセミアディティブ法により形成されたものから成る。そのため絶縁基板１の上面に形成された配線導体３は、樹脂層４に対して電気化学的に強固に被着している。また樹脂層４が感光剤等を含まないことから、配線導体3との密着が強い。したがって、例えば半導体素子を搭載する際にフラックスを用いて半導体素子の電極と半導体素子接続パッド６とを半田接合しても、フラックスが樹脂層４と配線導体３との間に滲入して両者間に剥がれが発生することはない。
【００１７】
さらに、絶縁基板１の上面に形成された配線導体３は、最上層の絶縁層２の表面に埋入されている。これにより絶縁基板１の上面に形成された配線導体３は、その間が絶縁層２により充填された状態となり、隣接する半導体素子接続パッド６間の電気的な絶縁信頼性が高いものとなっている。
【００１８】
半導体素子接続パッド６を露出させる開口部４ａは、上述したように樹脂層４の一部をブラスト加工やレーザ加工により取り除くことによって形成されている。ブラスト加工やレーザ加工においては、金属から成る配線導体３に比べて樹脂を含む電気絶縁材料から成る絶縁層２をより多く除去する。その結果、半導体素子接続パッド６の周りの絶縁層２が半導体素子接続パッド６の上面より低い位置まで除去される。したがって、半導体素子接続パッド６がその周囲の絶縁層２の表面から高い位置に突出した状態となるので、半導体素子接続パッド６に電気検査用のプローブを良好に接触させることができる。また、ブラスト加工やレーザ加工では、配線導体３の表面が均一に削れるため半導体素子接続パッド６の高さに大きなばらつきが発生することがない。したがって、半導体素子の電極と半導体素子接続パッド６とを良好に接続することができる。
【００１９】
次に、本発明の配線基板の製造方法について、上述した配線基板を製造する場合を例にとって説明する。
【００２０】
まず、図３に示すように、支持基板１１と、プリプレグ１２と、キャリア付き銅箔１３と、樹脂層付き銅箔１４とを準備する。支持基板１１とプリプレグ１２と樹脂付き銅箔１４は平面視で同じ大きさとし、キャリア付き銅箔１３はそれよりも小さいものとする。
【００２１】
支持基板１１は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて硬化させた板状体である。支持基板１１の厚みは０．２〜０．８ｍｍ程度である。支持基板１１は、必要な剛性や熱膨張率を有していれば、他の材料を用いることもできる。
【００２２】
プリプレグ１２は、ガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて半硬化させた板状体である。プリプレグ１２の厚みは７０〜２００μｍ程度である。
【００２３】
キャリア付き銅箔１３は、厚みが２０〜１００μｍ程度の樹脂フィルムや銅箔から成るキャリアシート１３ａの片面に厚みが２〜１８μｍ程度の銅箔１３ｂを両者間で剥離可能に貼り合わせたものである。
【００２４】
樹脂層付き銅箔１４は、厚みが２〜１８μｍ程度の銅箔１４ａの片面にプライマー樹脂と呼ばれる樹脂層４を被着させたものである。樹脂層４は、例えばエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含み、ガラスクロスや感光剤を含まない半硬化状態の電気絶縁材料である。樹脂層４は、その表面を過マンガン酸ナトリウム等を含む粗化液で微細に粗化できる材料を選択することが好ましい。
【００２５】
次に、図４に示すように、支持基板１１、プリプレグ１２、キャリア付き銅箔１３、樹脂層付き銅箔１４を重ねて上下から加圧しながら加熱してプリプレグ１２および樹脂層４を熱硬化させることにより積層一体化させる。
【００２６】
次に、図５に示すように、銅箔１４ａの中央部をエッチング除去する。これにより、樹脂層４の中央部が露出する。
【００２７】
次に、図６に示すように、樹脂層４の露出面に無電解めっき層３ａを被着する。無電解めっき層３ａの厚みは、０．１〜１μｍ程度である。無電解めっき層３ａとしては、無電解銅めっき層が好適に用いられる。なお、無電解めっき層３ａを被着する前に樹脂層４の露出面を例えば過マンガン酸カリウムを含む粗化液を用いて粗化することが好ましい。粗化により、無電解めっき層３ａと樹脂層４との密着を物理的および電気化学的結合により極めて強固なものとすることができる。
【００２８】
次に図７に示すように、無電解めっき層３ａの表面に、半導体素子接続パッド６を含む最上層の配線導体３に対応するパターンの開口部を有するめっきレジスト層１５を形成する。めっきレジスト層１５の厚みは、１０〜３０μｍ程度である。
【００２９】
次に、図８に示すように、めっきレジスト１５から露出する無電解めっき層３ａの表面に、電解めっき層３ｂを被着する。電解めっき層３ｂの厚みは、５〜２０μｍ程度である。電解めっき層３ｂとしては、電解銅めっき層が好適に用いられる。
【００３０】
次に、図９に示すように、めっきレジスト層１５を剥離して除去する。これにより、配線導体３となる部分以外の無電解めっき層３ａが電解めっき層３ｂから露出する。
【００３１】
次に、図１０に示すように、電解めっき層３ｂから露出する無電解めっき層３ａをエッチング除去する。これにより、無電解めっき層３ａと電解めっき層３ｂとから成る配線導体３が樹脂層４上に被着形成される。この方法は、いわゆるセミアディティブ法と呼ばれる配線導体の形成方法である。この方法の場合、無電解めっき層３ａをエッチング除去する際に電解めっき層３ｂの表面も同時にエッチングされるが、厚みが０．１〜１μｍ程度の薄い無電解めっき層３ａを除去するだけの時間エッチングすればよいので、配線導体３のパターン自体が大きくエッチングされることはない。したがって、例えば２０μｍ以下の線幅および間隔の配線導体３を形成することができる。
【００３２】
次に、図１１に示すように、銅箔１６付きの絶縁層２を樹脂層４および配線導体３を覆うように積層する。絶縁層２は、上述したように、エポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂中に酸化ケイ素粉末等の無機絶縁性フィラーを分散させた電気絶縁材料から成る。あるいは、ガラスクロスに熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料であってもよい。絶縁層２の厚みは２５〜６０μｍ程度である。銅箔１６の厚みは２〜１８μｍ程度である。このような銅箔１６付きの絶縁層２を積層するには、片面に銅箔１６が貼着された絶縁層２用の半硬化の絶縁シートを樹脂層４および配線導体３を覆うようにして重ねるとともに上下から加圧しながら加熱して絶縁シートを熱硬化させる方法が採用される。
【００３３】
次に、図１２に示すように、銅箔１４ａの場合と同様に、銅箔１６の中央部をエッチング除去する。これにより、絶縁層２の中央部が露出する。このとき、絶縁層２の露出面には、銅箔１６の絶縁層２側の面の凹凸に対応した凹凸が残る。したがって、銅箔１６の絶縁層２側の面に微細な凹凸を設けておくと、絶縁層２の露出面にも微細な凹凸を形成することができる。絶縁層２の露出面に微細な凹凸を形成すると、その表面に無電解めっき層３ａを極めて強固に被着させることができる。
【００３４】
次に、図１３に示すように、絶縁層２にビアホール５を形成する。ビアホール５は、直径が３０〜１００μｍ程度であり、レーザ加工により形成される。ビアホール５を形成した後には、デスミア処理することが好ましい。
【００３５】
次に、図１４に示すように、絶縁層２の露出面に無電解めっき層３ａを被着する。無電解めっき層３ａの厚みは、０．１〜１μｍ程度である。無電解めっき層３ａとしては、無電解銅めっき層が好適に用いられる。
【００３６】
次に、図１５に示すように、無電解めっき層３ａの表面に、次層の配線導体３に対応するパターンの開口部を有するめっきレジスト層１７を形成する。めっきレジスト層１７の厚みは、１０〜３０μｍ程度である。
【００３７】
次に、図１６に示すように、めっきレジスト１７から露出する無電解めっき層３ａの表面に、ビアホール５を充填するようにして電解めっき層３ｂを被着する。電解めっき層３ｂの厚みは、５〜２０μｍ程度である。電解めっき層３ｂとしては、電解銅めっき層が好適に用いられる。
【００３８】
次に、図１７に示すように、めっきレジスト層１７を除去した後、図１８に示すように、電解めっき層３ｂから露出する無電解めっき層３ａをエッチング除去する。これにより、無電解めっき層３ａと電解めっき層３ｂとから成る次層の配線導体３が絶縁層２上に被着形成される。
【００３９】
以下同様にして絶縁層２と配線導体３とを交互に繰り返し形成することにより、図１９に示すように、支持基板１１の両面に銅箔１３ｂを含む配線基板用の積層体１０を形成する。
【００４０】
次に、図２０に示すように、積層体１０の配線基板となる領域１０ａを支持体１１に支持された状態で切り出す。
【００４１】
次に、図２１に示すように、積層体１０の配線基板となる領域１０ａをキャリアシート１３ａと銅箔１３ｂとの間で引き剥がして支持体１１から分離する。
【００４２】
次に、図２２に示すように、樹脂層４に密着していた銅箔１３ｂをエッチングにより除去する。これにより、樹脂層４が露出する。
【００４３】
次に、図２３に示すように、樹脂層４の表面にレジスト層１８を被着する。レジスト層１８には、樹脂層４の下の配線導体３における半導体素子接続パッド６に対応する領域に開口部１８ａを形成する。このとき、樹脂層４と反対側の面もレジスト層１８を被着させておくことが好ましい。
【００４４】
次に、図２４に示すように、レジスト層１８の開口部１８ａから露出する樹脂層４をブラスト加工により除去して半導体素子接続パッド６を露出させる。このとき、開口部１８ａ内に露出する半導体素子接続パッド６の周りの絶縁層２が半導体素子接続パッド６の上面より低い位置まで除去される。したがって、半導体素子接続パッド６がその周囲の絶縁層２の表面から１〜３μｍ程度高い位置に突出した状態となる。また、ブラスト加工では、配線導体３の表面が均一に削れるため半導体素子接続パッド６の高さに大きなばらつきが発生することがない。したがって本発明により製造される配線基板においては、半導体素子接続パッド６に電気検査用のプローブを良好に接触させることができる。さらに半導体素子の電極と半導体素子接続パッド６とを良好に接続することができる。またさらに、半導体素子接続パッド６を含む配線導体３は樹脂層４に対して物理的および電気化学的に強硬に被着しているとともに、樹脂層４は感光剤を含まないことから配線導体3との密着が強い。したがって、例えば半導体素子を搭載する際にフラックスを用いて半導体素子の電極と半導体素子接続パッド６とを半田接合しても、フラックスが樹脂層４と配線導体３との間に滲入して両者間に剥がれが発生することはない配線基板を提供することができる。なお、ブラスト加工に代えてレーザ加工を用いることにより半導体素子接続パッド６を露出させるようにしても良い。この場合も同様の効果が得られる。
【００４５】
次に、図２５に示すように、樹脂層４の表面からレジスト層１８を除去した後、ソルダーレジスト層７を形成することにより、図１に示した配線基板が完成する。なお、本例では樹脂層４の上にソルダーレジスト層７を形成したが、樹脂層４の上のソルダーレジスト層７を形成しなくてもよい。この場合、樹脂層４が単独で保護用の樹脂層として機能する。
【００４６】
なお、本発明は上述の実施形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能であり、例えば上述の例では、銅箔１６付き絶縁層２における中央部の銅箔１６をエッチング除去した後、ビアホール５の形成および無電解めっき層３ａの被着を行なったが、銅箔１６を残したままでビアホール５の形成および無電解めっき層３ａの被着を行い、その上に電解めっき層３ｂを配線導体３に対応するパターンに被着させた後、電解めっき層３ｂから露出する無電解めっき層３ａおよび銅箔１６をエッチング除去することで、銅箔１６およびその上の無電解めっき層およびその上の電解めっき層から成る配線導体３を形成するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００４７】
１絶縁基板
２絶縁層
３配線導体
４樹脂層
６半導体素子接続パッド
１０積層体
１１支持基板

【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂を含有する単層または多層の絶縁層から成る絶縁基板の上面に半導体素子の電極に接続される複数の半導体素子接続パッドを含む配線導体が埋入されているとともに前記絶縁基板の上面および前記配線導体上に前記半導体素子接続パッドおよび該半導体素子接続パッド間の前記絶縁基板を露出させる樹脂層が被着されて成る配線基板であって、前記配線導体は前記樹脂層の前記絶縁基板側の面にセミアディティブ法により被着形成されたものであり、前記樹脂層およびその下の前記絶縁層の一部が前記半導体素子接続パッドの上面より低い位置まで除去されて前記半導体素子接続パッドおよび該半導体素子接続パッド間の前記絶縁基板が露出していることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
樹脂層を準備する工程と、前記樹脂層の一方の主面に半導体素子の電極に接続される半導体素子接続パッドを含む配線導体をセミアディティブ法により被着形成する工程と、前記一方の主面および前記配線導体上に樹脂を含有する単層または多層の絶縁層を積層する工程と、前記樹脂層の他方の主面側から該樹脂層の一部をブラスト加工またはレーザ加工により除去して前記半導体素子接続パッドを含む配線導体の一部を露出させる工程とを行なうことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記樹脂層は、前記他方の主面側が支持基板上に支持された状態で準備され、前記ブラスト加工またはレーザ加工を行う前に前記支持基板から分離されることを特徴とする請求項２記載の配線基板の製造方法。

【図１】